KR20080035284A - Gas injection apparatus and substrate processing apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

A gas injection apparatus is provided to uniformly adjust the quantity of process gas exhausted to a portion under a gas injection part by densely disposing injection holes in a region between the center and the outer end of the gas injection part. A rotation axis rotates in a gas injection apparatus for a substrate processing apparatus. At least one gas injection part(310) is connected to the rotation axis, including a plurality of injection holes(312). A process gas supply part supplies process gas to the gas injection part, connected to the rotation axis. The separation interval between the injection holes becomes short as it goes from the inner end of the gas injection part connected to the rotation axis to a region between the center and the outer end of the gas injection part. The separation interval between the injection holes becomes long as it goes from the region between the center and the outer end of the gas injection part to the outer end of the gas injection part. When the length from the inner end of the gas injection part connected to the rotation axis to the outer end is 1, the separation interval between the injection holes in a region of 0.6~0.9 becomes shortest.

Description

가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{GAS INJECTION APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME}GAS INJECTION APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면 개념도. 1 is a cross-sectional conceptual view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 평면 개념도. 2 is a top conceptual view of a substrate processing apparatus according to an embodiment.

도 3은 본 실시예에 따른 가스 분사 수단의 가스 분사부의 평면 개념도. 3 is a plan conceptual view of a gas injector of the gas injector according to the present embodiment;

도 4는 가스 분사부의 분사홀의 배치에 따른 공정 가스 분사 속도를 계산한 시뮬레이션 결과. 4 is a simulation result of calculating the process gas injection speed according to the arrangement of injection holes in the gas injection unit;

도 5 및 도 6은 일 실시예의 변형예에 따른 가스 분사부의 평면 개념도들.5 and 6 are plan conceptual views of a gas injection unit according to a modified example of the embodiment.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 챔버 200 : 기판 안치 수단100 chamber 200 substrate placing means

201 : 기판 300 : 가스 분사 수단201: substrate 300: gas injection means

310 : 가스 분사부 311 : 몸체310: gas injection unit 311: body

312 : 분사홀 320 : 회전축312: injection hole 320: rotation axis

330 : 하우징330: Housing

본 발명은 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 회전하는 가스 분사부 내의 분사홀 간격을 조절하여 기판 상에 공정 가스를 균일하게 분사시킬 수 있는 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a gas injection apparatus and a substrate processing apparatus including the same, and a gas injection apparatus capable of uniformly injecting the process gas on the substrate by adjusting the interval of the injection hole in the rotating gas injection unit and a substrate processing including the same Relates to a device.

종래의 배치 또는 세미 배치 타입의 기판 처리 장치는 단일 디스크부 내에 복수의 기판이 안착된다. 이때, 복수의 기판에 공정 가스를 공급하기 위해서는 가스 분사 수단을 회전시켰다. 즉, 가스 분사 수단은 회전하는 중심축과, 상기 중심축에서 연장된 복수의 가스 분사부를 구비한다. 이때, 외부 공정 가스 공급부에서 공급되는 공정 가스는 중심축을 통해 가스 분사부에 제공되어 기판에 분사된다. 여기서, 중심축을 따라 가스 분사부가 회전하기 때문에 가스 분사부의 회전 반경 내에 위치한 복수의 기판에 공정 가스를 공급할 수 있게 된다. In a conventional batch or semi-batch type substrate processing apparatus, a plurality of substrates are seated in a single disk portion. At this time, in order to supply process gas to a some board | substrate, the gas injection means was rotated. That is, the gas injection means has a rotating central axis and a plurality of gas injection portions extending from the central axis. In this case, the process gas supplied from the external process gas supply unit is provided to the gas injector through the central axis and injected into the substrate. Here, since the gas injection unit rotates along the central axis, the process gas can be supplied to a plurality of substrates located within the rotation radius of the gas injection unit.

하지만, 종래의 가스 분사부는 균일한 간격으로 배치된 분사 분사홀을 구비하고 있기 때문에 중심축 영역에서의 가스 분사 압력은 큰 반면 가스 분사부의 끝단으로 갈수록 그 가스 분사 압력이 낮아지게 된다. However, since the conventional gas injection unit has injection injection holes arranged at uniform intervals, the gas injection pressure in the central axis region is large, but the gas injection pressure decreases toward the end of the gas injection unit.

이로인해 중심축과 인접한 가스 분사부 영역 하부로 분사되는 공정 가스 량과, 가스 분사부 끝단 하부로 분사되는 공정 가스 량에 차이가 발생하게 되어 단일 기판의 공정 균일성이 깨지는 문제가 발생한다.As a result, a difference occurs between the amount of process gas injected into the lower portion of the gas injector region adjacent to the central axis and the amount of process gas injected into the lower part of the gas injector end, thereby causing a problem of breaking process uniformity of a single substrate.

즉, 예를 들어 박막 증착의 경우, 가스 분사부 내측 끝단(즉, 중심축 인접영역)하부로 공급되는 증착 가스의 량이 가스 분사부 외측 끝단 하부로 공급되는 증착 가스의 량보다 많아지게 되고, 이로인해 가스 분사부 내측 끝단 하부에 위치한 기판영역의 박막 두께가 가스 분사부 외측 끝단 하부에 위치한 기판영역의 박막 두께보다 더 두꺼워지는 문제가 발생한다. That is, in the case of thin film deposition, for example, the amount of deposition gas supplied to the inner end of the gas injector (ie, the central axis adjacent region) is greater than the amount of the deposition gas supplied to the lower end of the gas injector. This causes a problem that the thin film thickness of the substrate region located below the inner end of the gas injection unit is thicker than the thin film thickness of the substrate region located below the outer end of the gas injection unit.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 가스 분사부 내의 분사홀 간격을 조절하여 가스 분사부를 통해 배출되는 공정 가스의 분사량을 균일하게 하여 기판의 균일성을 향상시킬 수 있는 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. Accordingly, the present invention provides a gas injector that can improve the uniformity of the substrate by adjusting the spacing of the injection hole in the gas injector in order to solve the above problems by uniformly spraying the process gas discharged through the gas injector It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus including the same.

본 발명에 따른 기판 처리 장치용 가스 분사 장치에 있어서, 회전하는 회전축과, 상기 회전축에 접속되고, 복수의 분사홀이 마련된 적어도 하나의 가스 분사부와, 상기 회전축을 통해 상기 가스 분사부에 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급부를 구비하고, 상기 회전축에 접속된 상기 가스 분사부의 내측 끝단에서 상기 가스 분사부의 중심과 외측 끝단 사이 영역으로 갈수록 상기 분사홀들 간의 이격 간격이 좁아지고, 상기 가스 분사부의 중심과 외측 끝단 사이 영역에서 상기 가스 분사부의 외측 끝단으로 갈수록 상기 분사홀들 간의 이격 간격이 넓어지는 가스 분사 장치를 제공한다. A gas injector for a substrate processing apparatus according to the present invention, comprising: a rotating shaft that rotates, at least one gas injector connected to the rotating shaft, and provided with a plurality of injection holes; And a process gas supply unit configured to supply a gas, and the separation interval between the injection holes is narrowed from the inner end of the gas injector connected to the rotary shaft to an area between the center and the outer end of the gas injector. In the region between the outer end and the outer end is provided toward the outer end of the gas injection unit is provided with a gas injection device that the separation interval between the injection holes widen.

여기서, 상기 회전축에 접속된 상기 가스 분사부의 내측 끝단에서부터 상기 외측 끝단까지의 길이를 1로 하였을 때, 0.6 내지 0.9 범위 영역에서의 상기 분사홀들 간의 이격 간격이 가장 좁은 것이 바람직하다. Here, when the length from the inner end to the outer end of the gas injection unit connected to the rotating shaft is 1, it is preferable that the separation interval between the injection holes in the range of 0.6 to 0.9 is the narrowest.

그리고, 상기 회전축에 접속된 상기 가스 분사부의 내측 끝단에서부터 상기 외측 끝단까지의 길이를 1로 하였을 때, 0.7 내지 0.85 범위 영역에서의 상기 분사홀들 간의 이격 간격이 가장 좁을 수도 있다. In addition, when the length from the inner end to the outer end of the gas injection unit connected to the rotating shaft is 1, the separation interval between the injection holes in the range of 0.7 to 0.85 may be the narrowest.

이때, 상기 몸체는 파이프 형상으로 제작되는 것이 효과적이다. At this time, it is effective that the body is made in the shape of a pipe.

또한, 본 발명에 따른 챔버와, 상기 챔버 내에 마련된 기판 안치 수단과, 복수의 분사홀이 마련된 가스 분사부를 구비하는 가스 분사 장치를 포함하고, 상기 가스 분사부의 내측 끝단에서 상기 가스 분사부의 중심과 외측 끝단 사이 영역으로 갈수록 상기 분사홀들 간의 이격 간격이 좁아지고, 상기 가스 분사부의 중심과 외측 끝단 사이 영역에서 상기 가스 분사부의 외측 끝단으로 갈수록 상기 분사홀들 간의 이격 간격이 넓어지는 기판 처리 장치를 제공한다. A gas injector comprising a chamber according to the present invention, a substrate placing means provided in the chamber, and a gas injector provided with a plurality of injection holes, the center and the outside of the gas injector at the inner end of the gas injector. The separation distance between the injection holes is narrowed toward the area between the end portions, and the separation distance between the injection holes increases toward the outer edge of the gas injection portion in the area between the center and the outer end of the gas injection portion. do.

여기서, 상기 가스 분사 수단은, 상기 가스 분사부에 공정 가스를 제공하고, 상기 가스 분사부를 회전시키는 회전축과, 상기 챔버 외측에 마련되어 상기 회전축을 지지 고정하는 하우징과, 상기 회전축에 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급부를 포함하는 것이 바람직하다. The gas injection means may include a rotary shaft for providing a process gas to the gas injector and rotating the gas injection unit, a housing provided outside the chamber to support and fix the rotary shaft, and supplying the process gas to the rotary shaft. It is preferred to include a process gas supply.

그리고, 상기 가스 분사부의 내측 끝단에서부터 상기 가스 분사부의 외측 끝 단까지의 길이를 1로 하였을 때, 0.6 내지 0.9 범위 영역에서의 상기 분사홀 간의 간격이 가장 좁은 것이 바람직하다. When the length from the inner end of the gas injector to the outer end of the gas injector is 1, it is preferable that the interval between the injection holes in the range of 0.6 to 0.9 is the narrowest.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like numbers refer to like elements in the figures.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면 개념도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 평면 개념도이다. 도 3은 본 실시예에 따른 가스 분사 수단의 가스 분사부의 평면 개념도이다. 도 4는 가스 분사부의 분사홀의 배치에 따른 공정 가스 분사 속도를 계산한 시뮬레이션 결과이다. 도 5 및 도 6은 일 실시예의 변형예에 따른 가스 분사부의 평면 개념도들이다.1 is a cross-sectional conceptual view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment. 3 is a plan conceptual view of a gas injection unit of the gas injection means according to the present embodiment. 4 is a simulation result of calculating the process gas injection speed according to the arrangement of injection holes in the gas injection unit. 5 and 6 are plan conceptual views of a gas injection unit according to a modified example of the embodiment.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 갖는 챔버(100)와, 상기 반응 공간 내에 마련되어 복수의 기판(201)이 안치되는 기판 안치 수단(200)과, 상기 반응 공간 내에 공정 가스를 공급하는 가스 분사 수단(300)을 포함한다. 또한, 상기 챔버(100)의 하측에는 챔버(100) 내부의 가스를 배기하는 배기 수단(400)이 마련된다. 그리고, 본 실시예의 기판 처리 장치는 도면에 도시되지는 않았지만, 상기 기판(201)을 가열하는 가열 수단, 챔버(100) 내부의 압력을 조절하는 압력 조절 수단, 챔버(100)를 냉각시키는 냉각 수단 및 반응 공간의 공정 가스를 활성화시키는 플라즈마 생성 수단을 더 포함할 수도 있다. 1 to 6, a substrate processing apparatus according to the present embodiment includes a chamber 100 having a reaction space, a substrate placing means 200 provided in the reaction space and having a plurality of substrates 201 placed therein, Gas injection means 300 for supplying a process gas in the reaction space. In addition, an exhaust means 400 for exhausting the gas inside the chamber 100 is provided below the chamber 100. Although the substrate processing apparatus of the present embodiment is not shown in the drawing, a heating means for heating the substrate 201, a pressure regulating means for adjusting the pressure in the chamber 100, and a cooling means for cooling the chamber 100. And plasma generating means for activating the process gas in the reaction space.

상기 챔버(100)는 기판 안치 수단(200)이 마련된 챔버 몸체와, 상기 챔버 몸체를 덮는 챔버 리드를 포함한다. 그리고, 챔버 몸체의 일측에는 기판(201)이 출입하는 기판 출입부(미도시)가 마련된다. The chamber 100 includes a chamber body in which the substrate placing means 200 is provided, and a chamber lid covering the chamber body. And, one side of the chamber body is provided with a substrate entrance (not shown) through which the substrate 201 enters and exits.

기판 안치 수단(200)은 대략 원형의 몸체부를 구비하고, 상기 몸체부내에는 기판(201)이 안치되는 복수의 서셉터부가 마련된다. 상기 몸체부 내에는 기판 안치 수단(200) 상에 안치된 기판(201)을 가열하는 가열 수단(미도시)이 마련된다. 물론 이에 한정되지 않고, 상기 기판 안치 수단(200) 하부 영역에 가열 수단이 마련될 수도 있다. 상기 서셉터부에는 복수의 리프트 핀홀(미도시)이 마련된다. 이를 통해 기판 출입부 인접 영역에 마련된 리프트 핀(미도시)이 리프트 핀홀을 관통하여 상승 및 하강하게 된다. 이를 통해 기판(201)의 인입 및 인출과, 서셉터부 상에 기판(201) 안착을 용이하게 수행할 수 있게 된다. 도 2에서는 4개의 기판(201)이 기판 안치 수단(200)의 서셉터부 상에 안치됨을 도시하였다. 하지만, 본 실시예는 이에 한정되지 않고, 이보다 많거나 적은 개수의 기판(201)이 기판 안치 수단(200) 상에 안치될 수 있다. The substrate placing means 200 has a substantially circular body portion, and a plurality of susceptor portions on which the substrate 201 is placed is provided in the body portion. In the body portion, heating means (not shown) for heating the substrate 201 placed on the substrate placing means 200 is provided. Of course, the present invention is not limited thereto, and a heating means may be provided in a lower region of the substrate placing means 200. The susceptor portion is provided with a plurality of lift pinholes (not shown). As a result, the lift pins (not shown) provided in the region adjacent to the substrate entrance part are raised and lowered through the lift pinholes. Through this, the insertion and withdrawal of the substrate 201 and the mounting of the substrate 201 on the susceptor can be easily performed. In FIG. 2, four substrates 201 are placed on the susceptor portion of the substrate placing means 200. However, the present embodiment is not limited thereto, and more or fewer substrates 201 may be placed on the substrate mounting means 200.

기판 안치 수단(200)의 하측 중심 영역에는 기판 안치 수단(200)의 움직임을 제어하는 구동수단(210)이 마련된다. 구동수단(210)은 기판 안치 수단(200)의 회전 운동을 제어할 뿐만 아니라 기판 안치 수단(200)의 상하 운동 또한 제어할 수 있다. 본 실시예에서는 구동수단(210)을 통해 상기 기판 안치 수단(200)의 몸체부를 회전시켜 다수의 서셉터부 상에 복수의 기판(201)을 안치시킬 수 있다. In the lower center area of the substrate placing means 200, a driving means 210 is provided to control the movement of the substrate placing means 200. The driving unit 210 may not only control the rotational movement of the substrate mounting means 200 but also control the vertical movement of the substrate mounting means 200. In the present exemplary embodiment, the plurality of substrates 201 may be placed on the plurality of susceptor portions by rotating the body of the substrate placing means 200 through the driving means 210.

가스 분사 수단(300)은 기판(201) 상에 공정 가스를 분사하는 복수의 가스 분사부(310)와, 상기 가스 분사부(310)에 공정 가스를 제공하고 상기 가스 분사부(310)를 회전시키는 회전축(320)과, 상기 회전축(320)을 지지하는 하우징(330)과, 회전축(320)과 하우징(330) 사이를 밀봉하는 실링 부재(350)와, 상기 회전축(320)에 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급부(340)를 구비한다. The gas injection means 300 provides a plurality of gas injectors 310 for injecting process gases onto the substrate 201, and provides a process gas to the gas injectors 310 and rotates the gas injectors 310. The rotating shaft 320, the housing 330 for supporting the rotating shaft 320, the sealing member 350 for sealing between the rotating shaft 320 and the housing 330, and a process gas to the rotating shaft 320 The process gas supply part 340 to supply is provided.

본 실시예에서는 도 2에 도시된 바와 같이 회전축(320)을 중심으로 4개의 가스 분사부(310)가 방사상 형태로 배치되는 것이 바람직하다. 물론 이보다 많거나 적은 개수의 가스 분사부(310)가 마련될 수도 있다. 상기 4개의 가스 분사부(310) 각각에 공정 가스를 공급하기 위해 본 실시예에서는 4개의 공정 가스 공급부(340)가 마련된다. 공정 가스 공급부(340)는 인젝터 타입으로 제작되는 것이 바람직하다. 이때, 공정 가스 공급부(340)는 기판 처리 장치를 통해 수행되는 공정에 따라 각기 다양한 형태의 공정 가스를 공급할 수 있다. 즉, 동일한 공정 가스를 공급하거나, 서로 다른 공정 가스를 공급할 수 있다. In this embodiment, as shown in Figure 2 it is preferable that the four gas injection unit 310 is disposed in a radial form around the rotation axis 320. Of course, more or fewer gas injection units 310 may be provided. In order to supply process gases to each of the four gas injectors 310, four process gas supplies 340 are provided in this embodiment. Process gas supply unit 340 is preferably made of an injector type. In this case, the process gas supply unit 340 may supply various types of process gases according to a process performed through the substrate processing apparatus. That is, the same process gas may be supplied or different process gases may be supplied.

도면에 도시된 바와 같이 공정 가스 공급부(340)는 하우징(330) 외측에 배치되어 하우징(330)을 관통하여 회전축(320)에 공정 가스를 공급한다. 이를 위해 하우징(330)에는 소정의 관통공이 마련되어 있고, 상기 관통공의 상하부에는 공정 가스의 누설을 방지하기 위한 실링 부재(350)로 마그네트 시일이 배치되는 것이 바람직하다. 상기 하우징(330)과 회전축(320) 사이에는 베어링(미도시)이 마련될 수도 있다. 그리고, 하우징(330)과 챔버(100) 사이에는 실링을 위한 오링(미도시)이 마 련될 수도 있다. As shown in the drawing, the process gas supply unit 340 is disposed outside the housing 330 to pass the housing 330 to supply the process gas to the rotation shaft 320. For this purpose, a predetermined through hole is provided in the housing 330, and a magnet seal is disposed as a sealing member 350 to prevent leakage of process gas in upper and lower portions of the through hole. A bearing (not shown) may be provided between the housing 330 and the rotating shaft 320. In addition, an O-ring (not shown) for sealing may be provided between the housing 330 and the chamber 100.

상기 회전축(320) 내에는 다수의 유로(321)가 마련되어 공정 가스 공급부(340)로부터 공급된 공정 가스를 가스 분사부(310)에 제공한다. 본 실시예에서는 회전축(320) 내에 4개의 가스 유로(321)가 마련된다. A plurality of flow paths 321 are provided in the rotating shaft 320 to provide the gas injection unit 310 with the process gas supplied from the process gas supply unit 340. In the present embodiment, four gas flow passages 321 are provided in the rotation shaft 320.

이를 통해 공정 가스 공급부로부터 공급된 공정 가스는 하우징(330)과 회전축(320) 사이 영역(마그네트 시일에 의해 실링되는 영역)을 거쳐 회전축(320) 내의 유로(321)에 공급되고, 유로(321)를 따라 회전축(320)에 접속된 가스 분사부(310)에 제공되어 가스 분사부(310)에 의해 챔버(100) 내부로 분사된다. 여기서, 도면에 도시되지 않았지만 회전축(320)의 끝단에는 회전축(320)을 회전시키는 회전 부재가 마련된다. Through this, the process gas supplied from the process gas supply part is supplied to the flow path 321 in the rotation shaft 320 via an area between the housing 330 and the rotation shaft 320 (area sealed by the magnet seal), and flow path 321. The gas injection unit 310 is connected to the rotary shaft 320 along the air and injected into the chamber 100 by the gas injection unit 310. Here, although not shown in the drawings, a rotating member for rotating the rotating shaft 320 is provided at the end of the rotating shaft 320.

챔버(100) 내부로 공정 가스를 분사하는 가스 분사부(310)는 내부가 비어 있는 파이프(봉) 형태의 몸체(311)와, 상기 몸체(311)에 마련된 복수의 분사홀(312)을 포함한다. 몸체(311)의 빈 공간은 상기 회전축(320)의 가스 유로(321)와 연통된다. The gas injector 310 for injecting the process gas into the chamber 100 includes a body 311 in the form of a pipe (rod) having an empty inside, and a plurality of injection holes 312 provided in the body 311. do. The empty space of the body 311 communicates with the gas flow path 321 of the rotation shaft 320.

상기 분사홀(312)은 가스 분사부(310)의 내측 끝단(A)과 외측 끝단(B) 사이 영역에 직선 형태로 배치되고, 가스 분사부(310)의 중심과 외측 끝단(B) 사이 영역에 분사홀(312)의 밀도가 밀한 영역이 마련되어 있는 것이 바람직하다. 여기서, 가스 분사부(310)의 내측 끝단(A)은 상기 회전축(320)과 접속되어 공정 가스를 입력받는 영역을 지칭하고, 외측 끝단(B)은 이에 대응하는 타측 끝단 영역을 지칭한다. The injection hole 312 is disposed in a straight line in an area between the inner end A and the outer end B of the gas injector 310, and is located between the center and the outer end B of the gas injector 310. It is preferable that the area | region where the density of the injection hole 312 is dense is provided in this. Here, the inner end A of the gas injection unit 310 refers to an area connected to the rotation shaft 320 to receive a process gas, and the outer end B refers to the other end area corresponding thereto.

본 실시예에서는 가스 분사부(310) 내에 복수의 분사홀(312) 간의 간격이 달 라 분사홀(312)의 밀도가 밀한 곳과 소한 곳이 존재한다. 이를 통해 가스 분사부(310)에서 분사되는 공정 가스가 균일하게 분사되도록 할 수 있다. 이때, 분사홀(312)의 밀도는 분사홀들 간의 이격 간격에 따라 밀한 곳과 소한 곳이 정의된다. 즉, 본 실시예에서는 가스 분사부(310)의 내측 끝단(A)에서 외측 끝단(B)으로 갈수록 분사홀(312)들 간의 간격이 점차로 감소하다가 외측 끝단(B) 영역에서 다시 증가하게 된다. 이와 같은 분사홀(312)들 간의 간격 변화로 인해 분사홀(312)들간의 간격이 넓은 곳은 분사홀(312)의 밀도가 소한 곳이 되고, 분사홀(312)들 간의 간격이 좁은 곳은 분사홀(312)의 밀도가 밀한 곳이 된다. In the present exemplary embodiment, since the interval between the plurality of injection holes 312 is different in the gas injection unit 310, there are small and small places of the density of the injection holes 312. Through this, the process gas injected from the gas injector 310 may be uniformly sprayed. At this time, the density of the injection hole 312 is defined as a dense place and a small place according to the separation interval between the injection holes. That is, in the present embodiment, the distance between the injection holes 312 gradually decreases from the inner end A of the gas injection unit 310 to the outer end B, and then increases again in the outer end B region. Due to the change in the spacing between the injection holes 312, the space between the injection holes 312 is wide where the density of the injection hole 312 is small, where the space between the injection holes 312 is narrow The density of the injection hole 312 becomes dense.

상기 가스 분사부(310)의 길이 즉, 내측 끝단(A)에서부터 외측 끝단(B)까지의 길이(T)를 1로 하였을 때, 0.6 내지 0.9 범위의 영역에서의 분사홀(312)의 밀도가 밀한 것이 바람직하다. 0.7 내지 0.85 범위의 영역에서의 분사홀(312)의 밀도가 밀한 것이 더욱 바람직하다. 이때, 공정 가스의 유량과 펌핑 구조(공정 가스의 공급 압력 또는 속도)에 따라 상기 분포는 일정 범위(0.1 정도) 내에서 변화될 수 있다.When the length of the gas injection unit 310, that is, the length T from the inner end A to the outer end B is 1, the density of the injection hole 312 in the range of 0.6 to 0.9 is Dense is preferred. More preferably, the density of the injection holes 312 in the region of 0.7 to 0.85 is dense. In this case, the distribution may vary within a predetermined range (about 0.1) depending on the flow rate of the process gas and the pumping structure (supply pressure or speed of the process gas).

본 실시예에서는 가스 분사부(311)의 내측 끝단(A)에서부터 외측 끝단(B)까지를 다섯 등분한 영역(1/5T, 2/5T, 3/5T, 4/5T, 5/5T)중 네 번째(4/5T)에 해당하는 영역에서의 분사홀(312)의 밀도가 가장 밀하도록 분사홀(312)을 배치한다. 이는 첫 번째(1/5T)에서 네 번째 영역(4/5T)으로 갈수록 인접하는 분사홀(312)들간의 간격이 점차로 줄어들다가 네 번째 영역(4/5T) 내에서 인접하는 분사홀(312)들의 간격이 가장 좁아지고, 다시 다섯 번째 영역(5/5T)으로 갈수록 인접하는 분사 홀(312)들의 간격이 다시 증가하게 된다. 따라서, 첫 번째 영역(1/5T) 내에서의 분사홀(312)들 간의 이격 간격이 가장 넓다. 두 번째 영역(2/5T) 내에서의 분사홀(312)들 간의 최대 이격 간격은 첫 번째 영역(1/5T)의 최소 이격 간격보다 좁다. 세 번째 영역(3/5T)과 다섯 번째 영역(5/5T) 내에서의 분사홀(312)들 간의 최대 이격 간격은 두 번째 영역(2/5T)의 최소 이격 간격보다 좁다. 네 번째 영역(4/5T) 내에서의 분사홀(312)들 간의 최대 이격 간격은 세번째 영역(3/5T)과 다섯 번째 영역(5/5T)의 최소 이격 간격보다 더 좁은 것이 바람직하다. 이는 분사홀(312)의 밀도가 첫번째 영역(1/5T)이 가장 소하고, 그 다음으로 두번째 영역(2/5T)이 소하고, 그 다음으로 세 번째(3/5T) 및 다섯 번째 영역(5/5T)이 소하고, 네 번째 영역(4/5T)이 가장 밀함을 나타낸다. 이때, 세 번째(3/5T)와 다섯 번째 영역(5/5T)은 분사홀(312)의 밀도가 동일한 것이 바람직하다. 물론 이에 한정되지 않고, 세 번째 영역(3/5T)의 밀도가 다섯 번째 영역(5/5T)의 밀도보다 높거나 낮을 수 있다. 그리고 이는, 세 번째 영역(3/5T) 내의 분사홀(312)들간의 이격 간격과 다섯 번째 영역(3/5T) 내의 분사홀(312)들간의 이격 간격이 동일하지 않을 수도 있음을 의미한다. 즉, 세 번째 영역(3/5T) 내의 분사홀(312)의 최대 이격 간격이 다섯 번째영역(5/5T) 내의 분사홀(312)의 최대 이격 간격보다 더 크거나 작을 수 있다. 또한, 최소 이격 간격도 더 크거나 작을 수도 있다. In the present embodiment, the area (1 / 5T, 2 / 5T, 3 / 5T, 4 / 5T, 5 / 5T) divided into five equal parts from the inner end A to the outer end B of the gas injection part 311. The injection hole 312 is arranged so that the density of the injection hole 312 in the region corresponding to the fourth (4 / 5T) is the highest. This is because the distance between adjacent injection holes 312 gradually decreases from the first (1 / 5T) to the fourth area (4 / 5T), and then the adjacent injection holes 312 in the fourth area 4 / 5T. Gaps become narrowest, and the distance between adjacent injection holes 312 increases again toward the fifth region 5 / 5T. Therefore, the spacing between the injection holes 312 in the first region 1 / 5T is the widest. The maximum separation interval between the injection holes 312 in the second region 2 / 5T is smaller than the minimum separation interval of the first region 1 / 5T. The maximum separation distance between the injection holes 312 in the third region 3 / 5T and the fifth region 5 / 5T is narrower than the minimum separation interval of the second region 2 / 5T. The maximum spacing between the injection holes 312 in the fourth region 4 / 5T is preferably narrower than the minimum spacing between the third region 3 / 5T and the fifth region 5 / 5T. This means that the density of the injection hole 312 is the smallest in the first region (1 / 5T), the second in the second region (2 / 5T), and then the third (3 / 5T) and fifth regions ( 5 / 5T) is small, and the fourth region 4 / 5T is the tightest. At this time, the third (5 / 5T) and the fifth region (5 / 5T) is preferably the same density of the injection hole 312. Of course, the present invention is not limited thereto, and the density of the third region 3 / 5T may be higher or lower than the density of the fifth region 5 / 5T. And this means that the separation interval between the injection holes 312 in the third region 3 / 5T and the separation interval between the injection holes 312 in the fifth region 3 / 5T may not be the same. That is, the maximum separation interval of the injection holes 312 in the third region 3 / 5T may be larger or smaller than the maximum separation interval of the injection holes 312 in the fifth region 5 / 5T. In addition, the minimum spacing may also be larger or smaller.

여기서, 상기 분사홀(312)들 간의 최대 이격 간격은 15 내지 25mm 인 것이 바람직하고, 최소 이격 간격은 3 내지 7mm 인 것이 바람직하다. 그리고 분사홀(312)들간의 직경은 서로 동일한 것이 바람직하다. Here, the maximum separation interval between the injection holes 312 is preferably 15 to 25mm, the minimum separation interval is preferably 3 to 7mm. In addition, the diameters of the injection holes 312 are preferably equal to each other.

본 실시예에서는 분사홀(312)을 가스 분사부(311) 하부에 상술한 바와 같이 배열 시킴으로 인해 분사 가스부(310)의 복수의 분사홀(312)을 통해 분사되는 공정 가스의 균일도를 향상시킬 수 있다. In this embodiment, since the injection holes 312 are arranged below the gas injection unit 311, the uniformity of the process gas injected through the plurality of injection holes 312 of the injection gas unit 310 may be improved. Can be.

도 4의 (a)에 도시된 바와 같이 분사 가스부(310)의 분사홀(312)들 간의 간격이 균일한 경우, 도면에서와 같이 공정 가스의 분사속도가 분사홀(312)의 위치에 따라 달라져 공정가스의 분사량이 균일하지 못하는 문제가 발생한다. 이는, 가스 분사부(310) 내로 공급된 공정 가스는 몸체(311) 내의 빈 공간을 통해 이동하면서 등간격으로 배치된 분사홀(312)들을 통해 가스 분사부(310) 외부(즉, 챔버(100)의 반응 공간 영역)로 분사된다. 이때, 분사홀(312)들이 등간격으로 배치되어 있기 때문에 가스 분사부(310)의 내측 끝단 영역(공정 가스가 유입된 영역)에서의 공정 가스의 분사 속도가 다른 영역에 비하여 빨라 분사되는 공정 가스의 분사량이 많아지게 된다. 이후, 공정 가스는 분사홀(312)들에 의해 순차적으로 분사되면서 점차로 그 속도가 늦어지게 된다. 따라서, 몸체(310)의 외측 끝단과 인접한 영역에서는 공정 가스의 분사 속도 가장 낮아지게 되어 다른 영역에 비하여 공정 가스의 분사량이 적어지게 되는 문제가 발생한다. As shown in FIG. 4A, when the spacing between the injection holes 312 of the injection gas part 310 is uniform, the injection speed of the process gas is changed according to the position of the injection hole 312 as shown in the drawing. There is a problem that the injection amount of the process gas is not uniform. This is because the process gas supplied into the gas injector 310 moves through the empty space in the body 311 and is outside the gas injector 310 (ie, the chamber 100) through the injection holes 312 disposed at equal intervals. ) Into the reaction space region). At this time, since the injection holes 312 are disposed at equal intervals, the process gas of the process gas in the inner end region (region where the process gas is introduced) of the gas injection unit 310 is injected faster than other regions. The injection amount of becomes large. Subsequently, the process gas is sequentially sprayed by the injection holes 312 and gradually slows down. Therefore, in the region adjacent to the outer end of the body 310, the injection speed of the process gas is the lowest, there is a problem that the injection amount of the process gas is reduced compared to other areas.

반면에 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이 본 실시예의 분사 가스부(310)의 중심과 외측 끝단(B) 사이 영역에서의 분사홀(312)의 밀도가 밀한 경우에는 도면에서와 같이 공정 가스의 분사 균일도를 향상시킬 수 있다. 즉, 가스 분사부(310)의 내측 끝단과 인접한 영역에서는 분사홀(312)의 밀도가 소하기 때문에(분사홀(312)간의 간격이 넓음) 다량의 공정 가스가 분사홀(312)을 통해 분사되지 못하고 다음 영 역으로 밀려가게 된다. 한편, 가스 분사부(310)의 중심과 외측 끝단(B) 사이 영역에서는 분사홀(312)의 밀도가 밀하기 때문에(분사홀(312)간의 간격이 좁음) 다량의 공정 가스가 분사홀(312)을 통해 분사된다. 이를 통해 분사 가스부(310)를 통해 분사되는 공정 가스의 분사량이 균일하게 분사될 수 있게 된다. On the other hand, as shown in FIG. 4B, when the density of the injection hole 312 in the region between the center of the injection gas part 310 and the outer end B of the present embodiment is dense, the process is performed as shown in the drawing. It is possible to improve the injection uniformity of the gas. That is, since the density of the injection holes 312 is small in the region adjacent to the inner end of the gas injection unit 310 (the spacing between the injection holes 312 is wide), a large amount of process gas is injected through the injection holes 312. They will be pushed to the next area. On the other hand, since the density of the injection hole 312 is high in the region between the center of the gas injection unit 310 and the outer end B (the spacing between the injection holes 312 is narrow), a large amount of process gas is injected into the injection hole 312. Sprayed through). As a result, the injection amount of the process gas injected through the injection gas unit 310 may be uniformly injected.

이와 같이 본 실시예에 따른 가스 분사부를 갖는 가스 분사 수단을 통해 기판에 균일한 공정 가스를 분사할 수 있기 때문에 기판에서의 공정 균일성을 향상시킬 수 있다. Thus, since uniform process gas can be injected to a board | substrate through the gas injection means which has a gas injection part which concerns on a present Example, process uniformity in a board | substrate can be improved.

예를 들어 본 실시예의 기판 처리 장치를 이용한 박막 증착 공정을 설명하면 다음과 같다. For example, the thin film deposition process using the substrate processing apparatus of the present embodiment is as follows.

본 실시예의 가스 분사 수단(300)의 가스 분사부(310)를 통해 원료 가스를 챔버(100) 내부에 분사한다. 이때, 가스 분사부(310)가 일정 속도로 회전하고 있고, 분사홀(312)의 간격 조절을 통해 가스 분사부(310) 하측 영역으로 분사되는 원료 가스의 양이 균일하기 때문에 챔버(100) 내부에 안치된 복수의 기판(201) 전면에 균일한 원료 가스를 공급할 수 있다. 이를 통해 단일 기판(201) 내에 흡착되는 원료 가스의 양을 균일하게 제어할 수 있다. 다음으로 가스 분사부(310)를 통해 퍼지 가스를 공급하여 챔버(100) 내부의 원료 가스를 모두 외부로 배기한다. 이후, 가스 분사부(310)를 통해 반응 가스를 공급한다. 이때, 앞서 설명한 바와 같이 원료 가스가 균일하게 흡착된 기판(201)상에 균일하게 반응 가스를 공급할 수 있다. 이를 통해 원료 가스와 반응 가스가 반응하여 목표로 하는 박막을 형성한다. 다음으로 가스 분사부(310)를 통해 퍼지 가스를 공급하여 챔버(100) 내에 잔류하는 미 반응 가스를 외부로 배기한다. 이를 통해 단일 기판(201) 내에 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있고, 다수 기판(201)들 간에 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있게 된다. The source gas is injected into the chamber 100 through the gas injection unit 310 of the gas injection unit 300 according to the present embodiment. At this time, the gas injection unit 310 is rotated at a constant speed, and the amount of source gas injected into the lower region of the gas injection unit 310 by adjusting the interval of the injection hole 312 is uniform, so the inside of the chamber 100 A uniform source gas can be supplied to the entire surface of the plurality of substrates 201 placed therein. Through this, the amount of source gas adsorbed in the single substrate 201 can be uniformly controlled. Next, the purge gas is supplied through the gas injection unit 310 to exhaust all of the source gas in the chamber 100 to the outside. Thereafter, the reaction gas is supplied through the gas injection unit 310. In this case, as described above, the reaction gas may be uniformly supplied onto the substrate 201 where the source gas is uniformly adsorbed. As a result, the source gas and the reactant gas react to form a target thin film. Next, the purge gas is supplied through the gas injection unit 310 to exhaust the unreacted gas remaining in the chamber 100 to the outside. Through this, the uniformity of the thin film deposited in the single substrate 201 may be improved, and the uniformity of the thin film deposited between the plurality of substrates 201 may be improved.

이뿐만 아니라, 본 실시예에서는 도 2에 도시된 바와 같이 4개의 가스 분사부(310) 각각에 동시에 원료 가스, 퍼지 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스를 공급하고, 이를 통해 챔버 내측에 이러한 가스들을 동시에 분사하여 박막을 증착시킬 수 있다. 즉, 4개의 가스 분사부(310) 각각에 원료 가스, 퍼지 가스와, 반응 가스 및 퍼지 가스를 동시에 공급하는 경우를 설명하면 다음과 같다. 가스 분사부(310)가 회전하기 때문에 챔버(100) 내의 일 기판(201)에는 처음에는 원료 가스가 공급되어 기판(201) 상에 원료 가스가 흡착되고, 연속하여 퍼지 가스가 공급되어 미 흡작된 원료 가스를 배기하고, 연속하여 반응 가스가 공급되어 원료 가스와 반응하여 박막이 형성되고, 다시 퍼지 가스가 공급되어 미 반응된 반응 가스를 배기한다. 이 경우에도 앞서 설명한 바와 같이 각각의 가스 분사부(310)에 마련된 분사홀(312)의 간격을 조절하여 가스 분사부(310) 하부로 균일한 원료 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스를 공급할 수 있게 되어 기판(201) 상에 증착되는 박막의 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 가스 분사부를 통해 원료 가스, 퍼지 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스가 챔버 내부에 동시에 공급되고, 이들이 회전하면서 휩쓸듯이 기판 상부를 지나가기 때문에 가스와 가스가 연속적으로 제공되어 박막 증착 속도를 향상시킬 수 있다.In addition, in the present embodiment, as shown in FIG. 2, the source gas, the purge gas, the reactant gas, and the purge gas are simultaneously supplied to each of the four gas injection units 310, thereby simultaneously supplying these gases inside the chamber. The thin film can be deposited by spraying. That is, the case where the source gas, the purge gas, the reaction gas, and the purge gas are simultaneously supplied to each of the four gas injection units 310 will be described below. Since the gas injector 310 rotates, a source gas is initially supplied to one substrate 201 in the chamber 100 so that the source gas is adsorbed onto the substrate 201, and a purge gas is continuously supplied and unabsorbed. The source gas is exhausted, and the reaction gas is continuously supplied to react with the source gas to form a thin film, and the purge gas is supplied again to exhaust the unreacted reaction gas. In this case, as described above, the source gas, the reactant gas, and the purge gas can be supplied to the lower portion of the gas injector 310 by adjusting the interval of the injection holes 312 provided in the respective gas injector 310. The uniformity of the thin film deposited on the substrate 201 may be improved. In addition, the gas injection unit simultaneously supplies the source gas, the purge gas, the reaction gas and the purge gas into the chamber, and as they rotate and sweep over the substrate, the gas and the gas are continuously provided to improve the thin film deposition rate. Can be.

물론 본 실시예에 따른 가스 분사부(310)의 분사홀(312)은 이에 한정되지 않 고, 도 5의 변형예에서와 같이 가스 분사부(310)의 내측 끝단(A)에서 외측 끝단(B)으로 갈수록 분사홀(312)의 간격이 줄어들 수 있다. Of course, the injection hole 312 of the gas injection unit 310 according to the present embodiment is not limited thereto, and the outer end B from the inner end A of the gas injection unit 310 as in the modification of FIG. 5. The gap between the injection holes 312 can be reduced.

또한, 도 6의 변형예에서와 같이 가스 분사부(310)가 파이프 타입(봉 형상)이 아닌 판 형상으로 제작될 수도 있다. 또한, 상기 분사홀(312)은 단일 직선 형태로 배열되지 않고, 다수의 직선 형태 또는 랜덤한 형태로 배열될 수도 있다. 물론 이때에도 상기 가스 분사부(310)의 중심과 가스 분사부(310)의 외측 끝단(B) 사이 영역에서의 분사홀(312)의 밀도가 가장 밀한 것이 바람직하다. In addition, as in the modification of FIG. 6, the gas injection unit 310 may be manufactured in a plate shape instead of a pipe type (rod shape). In addition, the injection holes 312 may not be arranged in a single straight form, but may be arranged in a plurality of straight forms or in a random form. Of course, the density of the injection hole 312 in the region between the center of the gas injection unit 310 and the outer end B of the gas injection unit 310 is preferably the highest.

상술한 바와 같이 본 발명은 가스 분사부의 중심과 외측 끝단 사이 영역의 분사홀의 밀도를 밀하게 배치하여 가스 분사부 하부로 배출되는 공정 가스의 량을 균일하게 조절할 수 있다. As described above, in the present invention, the density of the injection hole in the region between the center and the outer end of the gas injection unit may be closely arranged to uniformly control the amount of process gas discharged to the lower part of the gas injection unit.

또한, 본 발명은 가스 분사부 하부로 배출되는 공정 가스의 량을 균일하게 하여 기판에서의 공정 균일도를 향상시킬 수 있다. In addition, the present invention can improve the process uniformity on the substrate by making the amount of the process gas discharged to the lower portion of the gas injection unit uniform.

본 발명은 상기에서 서술된 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 즉, 상기의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be implemented in various forms. That is, the above embodiments are provided to make the disclosure of the present invention complete and to fully inform those skilled in the art of the scope of the present invention, and the scope of the present invention should be understood by the claims of the present application. .

Claims (7)

기판 처리 장치용 가스 분사 장치에 있어서, In the gas injection apparatus for a substrate processing apparatus, 회전하는 회전축;Rotary axis of rotation; 상기 회전축에 접속되고, 복수의 분사홀이 마련된 적어도 하나의 가스 분사부; 및At least one gas injection unit connected to the rotation shaft and provided with a plurality of injection holes; And 상기 회전축을 통해 상기 가스 분사부에 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급부를 구비하고, A process gas supply unit supplying a process gas to the gas injection unit through the rotation shaft, 상기 회전축에 접속된 상기 가스 분사부의 내측 끝단에서 상기 가스 분사부의 중심과 외측 끝단 사이 영역으로 갈수록 상기 분사홀들 간의 이격 간격이 좁아지고, 상기 가스 분사부의 중심과 외측 끝단 사이 영역에서 상기 가스 분사부의 외측 끝단으로 갈수록 상기 분사홀들 간의 이격 간격이 넓어지는 가스 분사 장치. As the separation distance between the injection holes is narrowed from the inner end of the gas injector connected to the rotary shaft to an area between the center and the outer end of the gas injector, the gas injector in the region between the center and the outer end of the gas injector is narrowed. The gas injection device that the separation interval between the injection holes widen toward the outer end. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 회전축에 접속된 상기 가스 분사부의 내측 끝단에서부터 상기 외측 끝단까지의 길이를 1로 하였을 때, 0.6 내지 0.9 범위 영역에서의 상기 분사홀들 간의 이격 간격이 가장 좁은 가스 분사 장치. The gas injection device having the narrowest separation distance between the injection holes in the range of 0.6 to 0.9 when the length from the inner end to the outer end of the gas injection part connected to the rotating shaft is 1. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 회전축에 접속된 상기 가스 분사부의 내측 끝단에서부터 상기 외측 끝단까지의 길이를 1로 하였을 때, 0.7 내지 0.85 범위 영역에서의 상기 분사홀들 간의 이격 간격이 가장 좁은 가스 분사 장치.And a narrowest separation distance between the injection holes in the range of 0.7 to 0.85 when the length from the inner end to the outer end of the gas injector connected to the rotating shaft is 1. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 몸체는 파이프 형상으로 제작되는 가스 분사 장치. The body is a gas injection device is produced in the shape of a pipe. 챔버;chamber; 상기 챔버 내에 마련된 기판 안치 수단; 및Substrate placing means provided in the chamber; And 복수의 분사홀이 마련된 가스 분사부를 구비하는 가스 분사 장치를 포함하고, It includes a gas injection device having a gas injection unit provided with a plurality of injection holes, 상기 가스 분사부의 내측 끝단에서 상기 가스 분사부의 중심과 외측 끝단 사이 영역으로 갈수록 상기 분사홀들 간의 이격 간격이 좁아지고, 상기 가스 분사부의 중심과 외측 끝단 사이 영역에서 상기 가스 분사부의 외측 끝단으로 갈수록 상기 분사홀들 간의 이격 간격이 넓어지는 기판 처리 장치. As the distance from the inner end of the gas injector toward the region between the center and the outer end of the gas injector is narrower, the separation interval between the injection holes is narrower, Substrate processing apparatus that the separation interval between the injection holes widen. 청구항 5에 있어서, The method according to claim 5, 상기 가스 분사 수단은, The gas injection means, 상기 가스 분사부에 공정 가스를 제공하고, 상기 가스 분사부를 회전시키는 회전축과, A rotating shaft for providing a process gas to the gas injector and rotating the gas injector; 상기 챔버 외측에 마련되어 상기 회전축을 지지 고정하는 하우징과, A housing provided outside the chamber to support and fix the rotating shaft; 상기 회전축에 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급부를 포함하는 기판 처리 장치. And a process gas supply unit supplying a process gas to the rotating shaft. 청구항 5에 있어서, The method according to claim 5, 상기 가스 분사부의 내측 끝단에서부터 상기 가스 분사부의 외측 끝단까지의 길이를 1로 하였을 때, 0.6 내지 0.9 범위 영역에서의 상기 분사홀 간의 간격이 가장 좁은 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus having the narrowest spacing between the injection holes in a range of 0.6 to 0.9 when the length from the inner end of the gas injector to the outer end of the gas injector is 1.
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