KR20230141805A - Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium - Google Patents
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Abstract
본 개시의 일측면에 따른 기판 처리 장치는, 처리액을 토출 가능한 노즐과, 처리액의 공급원과, 노즐과 공급원의 사이를 접속하는 공급 유로를 갖고, 기판에 대하여 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 공급 유로를 따라 위치가 서로 다른 복수 개소에 배치되고, 광의 조사에 따라 공급 유로 내로부터 출사된 출사광을 수광하여 얻어지는 수광 신호에 기초하여, 처리액에 포함되는 이물을 검출하는 복수의 이물 검출부와, 복수의 이물 검출부에 의한 복수 개소 각각에서의 검출 결과에 기초하여, 공급 유로 중으로부터 이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생한 구획을 추정하는 발생원 추정부를 구비한다. A substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure has a nozzle capable of discharging a processing liquid, a supply source of the processing liquid, a supply passage connecting the nozzle and the supply source, and a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the substrate. and a plurality of foreign substances disposed at a plurality of different positions along the supply passage and detecting foreign substances contained in the processing liquid based on a light reception signal obtained by receiving light emitted from within the supply passage according to irradiation of light. It is provided with a detection unit and a source estimation unit for estimating a section in the supply passage where an event causing detection of a foreign substance occurred, based on detection results at each of a plurality of locations by the plurality of foreign substance detection units.
Description
본 개시는, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다. This disclosure relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium.
특허문헌 1에는, 샘플링 배관으로부터 공급된 레지스트액의 파티클을 측정하는 파티클 측정 장치를 구비하는 도포 장치가 개시되어 있다.
본 개시는, 이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생한 요인을 용이하게 파악하는 것이 가능한 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체를 제공한다. The present disclosure provides a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium that can easily identify factors that cause an event that causes foreign matter detection.
본 개시의 일측면에 따른 기판 처리 장치는, 처리액을 토출 가능한 노즐과, 처리액의 공급원과, 노즐과 공급원의 사이를 접속하는 공급 유로를 갖고, 기판에 대하여 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 공급 유로를 따라 위치가 서로 다른 복수 개소에 배치되고, 광의 조사에 따라 공급 유로 내로부터 출사된 출사광을 수광하여 얻어지는 수광 신호에 기초하여, 처리액에 포함되는 이물을 검출하는 복수의 이물 검출부와, 복수의 이물 검출부에 의한 복수 개소 각각에서의 검출 결과에 기초하여, 공급 유로 중으로부터 이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생한 구획을 추정하는 발생원 추정부를 구비한다. A substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure has a nozzle capable of discharging a processing liquid, a supply source of the processing liquid, a supply passage connecting the nozzle and the supply source, and a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the substrate. and a plurality of foreign substances disposed at a plurality of different positions along the supply passage and detecting foreign substances contained in the processing liquid based on a light reception signal obtained by receiving light emitted from within the supply passage according to irradiation of light. It is provided with a detection unit and a source estimation unit for estimating a section in the supply passage where an event causing detection of a foreign substance occurred, based on detection results at each of a plurality of locations by the plurality of foreign substance detection units.
본 개시에 의하면, 이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생한 요인을 용이하게 파악하는 것이 가능한 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체가 제공된다. According to the present disclosure, a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium are provided that enable easy identification of factors that cause an event causing foreign matter detection.
도 1은, 기판 처리 시스템의 일례를 도시하는 모식적인 사시도이다.
도 2는, 도포 현상 장치의 일례를 도시하는 모식적인 측면도이다.
도 3은, 액처리 유닛의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 4는, 처리액 공급부의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 5는, 이물 검출 유닛의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 6은, 제어 시스템의 기능 구성의 일례를 도시하는 블록도이다.
도 7은, 이물 검출에 이용되는 수광 신호의 일례를 도시하는 그래프이다.
도 8은, 각 이물 검출부에서의 축적 데이터의 일례를 도시하는 그래프이다.
도 9는, 제어 시스템의 하드웨어 구성의 일례를 도시하는 블록도이다.
도 10은, 제어 시스템이 실행하는 일련의 처리의 일례를 도시하는 플로우차트이다.
도 11은, 처리액의 유속의 측정 결과의 일례를 도시하는 그래프이다.
도 12는, 약액의 종류와 배경광의 강도의 관계의 일례를 도시하는 그래프이다.
도 13은, 각 이물 검출부에서의 축적 데이터의 일례를 도시하는 그래프이다. 1 is a schematic perspective view showing an example of a substrate processing system.
Figure 2 is a schematic side view showing an example of a coating and developing device.
Figure 3 is a schematic diagram showing an example of a liquid processing unit.
Figure 4 is a schematic diagram showing an example of a processing liquid supply unit.
Fig. 5 is a schematic diagram showing an example of a foreign matter detection unit.
Fig. 6 is a block diagram showing an example of the functional configuration of the control system.
Figure 7 is a graph showing an example of a light-receiving signal used for foreign matter detection.
Fig. 8 is a graph showing an example of accumulated data in each foreign matter detection unit.
Fig. 9 is a block diagram showing an example of the hardware configuration of the control system.
Fig. 10 is a flowchart showing an example of a series of processes performed by the control system.
FIG. 11 is a graph showing an example of a measurement result of the flow rate of the processing liquid.
Figure 12 is a graph showing an example of the relationship between the type of chemical solution and the intensity of background light.
FIG. 13 is a graph showing an example of accumulated data in each foreign matter detection unit.
이하, 여러가지 예시적 실시형태에 대해 설명한다. Hereinafter, various exemplary embodiments will be described.
하나의 예시적 실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 처리액을 토출 가능한 노즐과, 처리액의 공급원과, 노즐과 공급원의 사이를 접속하는 공급 유로를 갖고, 기판에 대하여 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 공급 유로를 따라 위치가 서로 다른 복수 개소에 배치되고, 광의 조사에 따라 공급 유로 내로부터 출사된 출사광을 수광하여 얻어지는 수광 신호에 기초하여, 처리액에 포함되는 이물을 검출하는 복수의 이물 검출부와, 복수의 이물 검출부에 의한 복수 개소 각각에서의 검출 결과에 기초하여, 공급 유로 중으로부터 이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생한 구획을 추정하는 발생원 추정부를 구비한다. A substrate processing apparatus according to one exemplary embodiment has a nozzle capable of discharging a processing liquid, a supply source of the processing liquid, and a supply passage connecting the nozzle and the supply source, and supplies the processing liquid to the substrate. A supply unit and a plurality of devices disposed at a plurality of different positions along the supply passage and detecting foreign substances contained in the processing liquid based on a light reception signal obtained by receiving light emitted from within the supply passage according to irradiation of light. It is provided with a foreign matter detection unit and a source estimation unit for estimating a section in the supply passage where an event causing foreign matter detection occurred based on detection results at each of a plurality of locations by the plurality of foreign matter detection units.
노즐과 공급원의 사이의 공급 유로에서 1개소에 이물 검출 유닛을 배치하여, 처리액 중의 이물을 검출하는 방법이 고려된다. 이 방법에서는, 처리액 중에서 이물이 발생한 것을 파악할 수 있지만, 이물이 어떠한 요인으로 처리액 중에 발생하고 있는지를 검출 결과로부터 파악할 수 없다. 이것에 대하여, 상기 기판 처리 장치에서는, 공급 유로 상의 복수 개소에서의 이물의 검출 결과로부터, 공급 유로 중의 이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생한 구획이 추정된다. 그 때문에, 그 추정 결과를 이용함으로써, 상기 사건 발생의 요인을 용이하게 파악하는 것이 가능해진다. A method of detecting foreign matter in the processing liquid by placing a foreign matter detection unit at one location in the supply passage between the nozzle and the supply source is considered. In this method, it is possible to ascertain that foreign matter has been generated in the treatment liquid, but it is not possible to determine from the detection results what causes the foreign matter to be generated in the treatment liquid. In contrast, in the above-described substrate processing apparatus, the section in which the incident causing detection of the foreign matter in the supply passageway occurred is estimated from the foreign matter detection results at a plurality of locations on the supply passageway. Therefore, by using the estimation result, it becomes possible to easily ascertain the factors causing the occurrence of the incident.
처리액 공급부는, 공급 유로 내의 처리액에 포함되는 이물을 포집하는 필터와, 노즐을 향해 처리액을 송출하는 펌프를 포함하는 송액부와, 공급 유로 중의 송액부와 노즐 사이의 유로를 개폐하는 토출 밸브와, 공급원으로부터 송액부에 처리액을 보충하는 보충부를 가져도 좋다. 복수의 이물 검출부는, 노즐과 토출 밸브 사이의 유로에 배치된 제1 이물 검출부와, 토출 밸브와 송액부 사이의 유로에 배치된 제2 이물 검출부와, 보충부와 송액부 사이의 유로에 배치된 제3 이물 검출부를 가져도 좋다. 이 경우, 제1 이물 검출부, 제2 이물 검출부 및 제3 이물 검출부에 의한 검출 결과로부터, 이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생했다고 상정되는 구획을, 토출 밸브를 포함하는 구획, 송액부를 포함하는 구획, 또는 보충부를 포함하는 구획의 어느 것으로 추정하는 것이 가능해진다. The processing liquid supply section includes a filter that collects foreign substances contained in the processing liquid in the supply passage, a liquid delivery section that includes a pump that delivers the processing liquid toward the nozzle, and a discharge unit that opens and closes the passage between the liquid delivery section and the nozzle in the supply passage. You may have a valve and a replenishment unit that replenishes the treatment liquid from the supply source to the liquid delivery unit. The plurality of foreign matter detection units includes a first foreign matter detection unit disposed in a passage between the nozzle and the discharge valve, a second foreign matter detection unit disposed in a passage between the discharge valve and the liquid delivery unit, and a second foreign substance detection unit disposed in the passage between the replenishment unit and the liquid delivery unit. You may have a third foreign matter detection unit. In this case, from the detection results of the first foreign substance detection unit, the second foreign substance detection unit, and the third foreign substance detection unit, the compartment in which the event causing the foreign substance detection is assumed to have occurred is the compartment containing the discharge valve, and the compartment containing the liquid delivery unit. , or any of the compartments containing the supplementary part.
상기 기판 처리 장치는, 발생원 추정부가 추정한 구획에 따라서, 상기 사건 발생의 요인을 추정하는 요인 추정부를 더 구비해도 좋다. 이 경우, 요인 추정부에 의한 요인의 추정 결과를 이용함으로써, 상기 사건 발생의 요인을 더욱 용이하게 파악하는 것이 가능해진다. The substrate processing apparatus may further include a factor estimating unit that estimates the factor causing the event according to the partition estimated by the occurrence source estimating unit. In this case, by using the factor estimation results from the factor estimation unit, it becomes possible to more easily determine the factors causing the incident.
상기 기판 처리 장치는, 노즐까지 처리액을 유도하는 유로 내를 흐르는 처리액의 유속을 측정하는 유속 측정부를 더 구비해도 좋다. 요인 추정부는, 유속 측정부에 의한 측정 결과에 기초하여, 상기 사건 발생의 요인을 좁혀가도 좋다. 이 경우, 상기 사건 발생의 요인이 좁혀지기 때문에, 상기 사건 발생의 요인을 더욱 용이하게 파악하는 것이 가능해진다. The substrate processing apparatus may further include a flow rate measuring unit that measures the flow rate of the processing liquid flowing in a flow path that guides the processing liquid to the nozzle. The factor estimation unit may narrow down the factors causing the incident based on the measurement results by the flow velocity measurement unit. In this case, because the factors causing the incident are narrowed down, it becomes possible to more easily identify the factors causing the incident.
요인 추정부는, 상기 사건이 발생했을 때의 기판에 대한 처리액의 공급 빈도에 기초하여, 상기 사건 발생의 요인을 좁혀가도 좋다. 이 경우, 상기 사건 발생의 요인이 좁혀지기 때문에, 상기 사건 발생의 요인을 더욱 용이하게 파악하는 것이 가능해진다. The factor estimation unit may narrow down the factors causing the event based on the frequency of supply of processing liquid to the substrate when the event occurs. In this case, because the factors causing the incident are narrowed down, it becomes possible to more easily identify the factors causing the incident.
복수의 이물 검출부 각각은, 출사광에 포함되는 배경광의 강도를 나타내는 강도 정보에 기초하여, 처리액에 포함되는 별도의 약액을 이물로서 검출해도 좋다. 처리액 등의 액의 종류에 따라서, 배경광의 강도가 상이하다. 상기 구성에서는, 강도 정보를 이용함으로써, 처리액 중에 다른 약액이 이물로서 포함되지 않았는지를 용이하게 판정하는 것이 가능해진다. Each of the plurality of foreign matter detection units may detect a separate chemical solution contained in the processing liquid as a foreign matter based on intensity information indicating the intensity of the background light included in the emitted light. The intensity of background light varies depending on the type of liquid, such as a treatment liquid. In the above configuration, by using the intensity information, it becomes possible to easily determine whether other chemicals are contained as foreign substances in the processing liquid.
하나의 예시적 실시형태에 따른 기판 처리 방법은, 처리액을 토출 가능한 노즐로부터, 기판에 대하여 처리액을 공급하는 것과, 처리액의 공급원과 노즐 사이를 접속하는 공급 유로를 따라 위치가 서로 다른 복수 개소에 있어서, 광의 조사에 따라 공급 유로 내로부터 출사된 광을 수광하여 얻어지는 수광 신호에 기초하여, 처리액에 포함되는 이물을 검출하는 것과, 복수 개소 각각에서의 이물의 검출 결과에 기초하여, 공급 유로 중으로부터 이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생한 구획을 추정하는 것을 포함한다. 이 기판 처리 방법에서는, 전술한 기판 처리 장치와 마찬가지로, 상기 사건 발생의 요인을 용이하게 파악하는 것이 가능해진다. A substrate processing method according to an exemplary embodiment includes supplying a processing liquid to a substrate from a nozzle capable of discharging the processing liquid, and plurality of processing liquids at different positions along a supply passage connecting the processing liquid supply source and the nozzle. At each location, foreign matter contained in the processing liquid is detected based on a light-receiving signal obtained by receiving light emitted from within the supply passage in response to irradiation of light, and supply is performed based on the foreign matter detection results at each of a plurality of locations. It includes estimating the compartment where the incident causing the detection of foreign matter from the flow path occurred. In this substrate processing method, like the substrate processing apparatus described above, it becomes possible to easily determine the cause of the occurrence of the above incident.
하나의 예시적 실시형태에 따른 기억 매체는, 상기 기판 처리 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체이다. A storage medium according to one exemplary embodiment is a computer-readable storage medium that stores a program for causing a device to execute the substrate processing method.
이하, 도면을 참조하여 몇개의 실시형태에 대해 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 중복 설명을 생략한다. Hereinafter, several embodiments will be described with reference to the drawings. In the description, identical elements or elements having the same function are given the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted.
[제1 실시형태][First Embodiment]
처음에, 도 1∼도 11을 참조하여, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 대해 설명한다. 도 1에 도시되는 기판 처리 시스템(1)(기판 처리 장치)은, 워크(W)에 대하여, 감광성 피막의 형성, 상기 감광성 피막의 노광, 및 상기 감광성 피막의 현상을 실시하는 시스템이다. 처리 대상인 워크(W)는, 예컨대 기판, 혹은 소정의 처리가 실시됨으로써 막 또는 회로 등이 형성된 상태의 기판이다. 상기 기판은, 일례로서 실리콘 웨이퍼이다. 워크(W)(기판)는 원형이어도 좋다. 워크(W)는, 유리 기판, 마스크 기판 또는 FPD(Flat Panel Display) 등이어도 좋다. 감광성 피막은, 예컨대 레지스트막이다. First, with reference to FIGS. 1 to 11, the
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 도포 현상 장치(2)와, 노광 장치(3)와, 제어 장치(20)를 구비한다. 도포 현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에, 워크(W)의 표면에 레지스트(약액)을 도포하여 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 처리 후에 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 노광 장치(3)는, 워크(W)(기판)에 형성된 레지스트막(감광성 피막)을 노광하는 장치이다. 구체적으로는, 노광 장치(3)는, 액침 노광 등의 방법에 의해 레지스트막의 노광 대상 부분에 에너지선을 조사한다. 도포 현상 장치(2)는, 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)을 구비한다. As shown in FIGS. 1 and 2 , the
캐리어 블록(4)은, 도포 현상 장치(2) 내로의 워크(W)의 도입 및 도포 현상 장치(2) 내로부터의 워크(W)의 도출을 행한다. 예컨대 캐리어 블록(4)은, 워크(W)용의 복수의 캐리어(C)를 지지 가능하고, 전달 아암을 포함하는 반송 장치(A1)를 내장하고 있다. 캐리어(C)는, 예컨대 원형의 복수매의 워크(W)를 수용한다. 반송 장치(A1)는, 캐리어(C)로부터 워크(W)를 취출하여 처리 블록(5)에 전달하고, 처리 블록(5)으로부터 워크(W)를 수취하여 캐리어(C) 내로 복귀시킨다. 처리 블록(5)은, 처리 모듈(11, 12, 13, 14)을 갖는다. The
처리 모듈(11)은, 액처리 유닛(U1)과, 열처리 유닛(U2)과, 이들 유닛에 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(11)은, 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 의해 워크(W)의 표면 상에 하층막을 형성한다. 액처리 유닛(U1)은, 하층막 형성용의 처리액을 워크(W) 상에 도포한다. 열처리 유닛(U2)은, 하층막의 형성에 따르는 각종 열처리를 행한다. The
처리 모듈(12)은, 액처리 유닛(U1)과, 열처리 유닛(U2)과, 이들 유닛에 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(12)은, 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 의해 하층막 상에 레지스트막을 형성한다. 액처리 유닛(U1)은, 레지스트막 형성용의 처리액을 하층막 상에 도포한다. 열처리 유닛(U2)은, 레지스트막의 형성에 따르는 각종 열처리를 행한다. The
처리 모듈(13)은, 액처리 유닛(U1)과, 열처리 유닛(U2)과, 이들 유닛에 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(13)은, 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 의해 레지스트막 상에 상층막을 형성한다. 액처리 유닛(U1)은, 상층막 형성용의 처리액을 레지스트막 상에 도포한다. 열처리 유닛(U2)은, 상층막의 형성에 따르는 각종 열처리를 행한다. The
처리 모듈(14)은, 액처리 유닛(U1)과, 열처리 유닛(U2)과, 이들 유닛에 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(14)은, 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 의해, 노광 처리가 실시된 레지스트막의 현상 처리 및 현상 처리에 따르는 열처리를 행한다. 액처리 유닛(U1)은, 노광이 완료된 워크(W)의 표면 상에 현상액을 도포한 후, 이것을 린스액에 의해 씻어냄으로써, 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 열처리 유닛(U2)은, 현상 처리에 따르는 각종 열처리를 행한다. 열처리의 구체예로는, 현상 전의 가열 처리(PEB : Post Exposure Bake) 및 현상 후의 가열 처리(PB : Post Bake) 등을 들 수 있다. The
처리 블록(5) 내에서의 캐리어 블록(4)측에는 선반 유닛(U10)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U10)는, 상하 방향으로 나열된 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 승강 아암을 포함하는 반송 장치(A7)가 설치되어 있다. 반송 장치(A7)는, 선반 유닛(U10)의 셀끼리의 사이에서 워크(W)를 승강시킨다. A shelf unit U10 is installed on the
처리 블록(5) 내에서의 인터페이스 블록(6)측에는 선반 유닛(U11)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U11)은, 상하 방향으로 나열된 복수의 셀로 구획되어 있다. A shelf unit U11 is installed on the
인터페이스 블록(6)은, 노광 장치(3)와의 사이에서 워크(W)의 전달을 행한다. 예컨대 인터페이스 블록(6)은, 전달 아암을 포함하는 반송 장치(A8)를 내장하고 있고, 노광 장치(3)에 접속된다. 반송 장치(A8)는, 선반 유닛(U11)에 배치된 워크(W)를 노광 장치(3)에 전달한다. 반송 장치(A8)는, 노광 장치(3)로부터 워크(W)를 수취하여 선반 유닛(U11)으로 복귀시킨다. The
제어 장치(20)는, 예컨대 이하의 순서로 도포 현상 처리를 실행하도록 도포 현상 장치(2)를 제어한다. 우선 제어 장치(20)는, 캐리어(C) 내의 워크(W)를 선반 유닛(U10)에 반송하도록 반송 장치(A1)를 제어하고, 이 워크(W)를 처리 모듈(11)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다. The
다음으로 제어 장치(20)는, 선반 유닛(U10)의 워크(W)를 처리 모듈(11) 내의 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 제어 장치(20)는, 이 워크(W)의 표면 상에 하층막을 형성하도록, 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)을 제어한다. 그 후 제어 장치(20)는, 하층막이 형성된 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로 복귀시키도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)를 처리 모듈(12)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다. Next, the
다음으로 제어 장치(20)는, 선반 유닛(U10)의 워크(W)를 처리 모듈(12) 내의 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)에 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 제어 장치(20)는, 이 워크(W)의 표면에 대하여 레지스트막을 형성하도록 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)을 제어한다. 그 후 제어 장치(20)는, 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로 복귀시키도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)를 처리 모듈(13)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다. Next, the
다음으로 제어 장치(20)는, 선반 유닛(U10)의 워크(W)를 처리 모듈(13) 내의 각 유닛에 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 제어 장치(20)는, 이 워크(W)의 레지스트막 상에 상층막을 형성하도록 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)을 제어한다. 그 후 제어 장치(20)는, 워크(W)를 선반 유닛(U11)에 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. Next, the
다음으로 제어 장치(20)는, 선반 유닛(U11)의 워크(W)를 노광 장치(3)에 송출하도록 반송 장치(A8)를 제어한다. 그 후 제어 장치(20)는, 노광 처리가 실시된 워크(W)를 노광 장치(3)로부터 받아들여, 선반 유닛(U11)에서의 처리 모듈(14)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A8)를 제어한다. Next, the
다음으로 제어 장치(20)는, 선반 유닛(U11)의 워크(W)를 처리 모듈(14) 내의 각 유닛에 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)의 레지스트막의 현상 처리를 행하도록 액처리 유닛(U1) 및 열처리 유닛(U2)을 제어한다. 그 후 제어 장치(20)는, 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로 복귀시키도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)를 캐리어(C) 내로 복귀시키도록 반송 장치(A7) 및 반송 장치(A1)를 제어한다. 이상으로 1장의 워크(W)에 대한 도포 현상 처리가 완료된다. 제어 장치(20)는, 후속하는 복수의 워크(W)의 각각에 대해서도, 전술한 것과 동일하게 도포 현상 처리를 도포 현상 장치(2)에 실행시킨다. Next, the
또, 기판 처리 장치의 구체적인 구성은, 이상에 예시한 기판 처리 시스템(1)의 구성에 한정되지 않는다. 기판 처리 장치는, 기판에 대하여 처리액을 공급하여 액처리를 실시하는 액처리 유닛, 및 이것을 제어 가능한 제어 장치를 구비하고 있으면 어떠한 것이어도 좋다. Additionally, the specific configuration of the substrate processing apparatus is not limited to the configuration of the
(액처리 유닛)(liquid processing unit)
계속해서, 도 3 및 도 4를 참조하여, 처리 모듈(12)에서의 액처리 유닛(U1)의 일례에 대해 상세히 설명한다. 액처리 유닛(U1)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 회전 유지부(22)와, 처리액 공급부(28)를 구비한다. Next, with reference to FIGS. 3 and 4 , an example of the liquid processing unit U1 in the
회전 유지부(22)는, 제어 장치(20)의 동작 지시에 기초하여, 워크(W)를 유지하여 회전시킨다. 회전 유지부(22)는, 유지부(24)와, 구동부(26)를 갖는다. 유지부(24)는, 표면(Wa)을 상측을 향하게 하여 수평으로 배치된 워크(W)의 중심부를 지지하고, 상기 워크(W)를 흡착(예컨대 진공 흡착) 등에 의해 유지한다. 구동부(26)는, 예컨대 전동 모터 등의 동력원을 포함하는 회전 액츄에이터이며, 연직인 회전축 둘레에 유지부(24)를 회전시킨다. 이것에 의해, 연직인 회전축 둘레에 워크(W)가 회전한다. The
처리액 공급부(28)는, 워크(W)에 대하여 처리액을 공급한다. 처리액 공급부(28)는, 처리액을 토출 가능한 노즐(30)과, 처리액의 액원(후술하는 공급원(52))으로부터 노즐(30)까지 처리액을 유도하는 공급 유로(29)를 갖고, 워크(W)의 표면(Wa)에 대하여 처리액을 공급한다. 처리액 공급부(28)는, 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 노즐(30)과, 송액관(32)과, 토출 밸브(34)와, 송액부(40)와, 송액관(36)과, 보충부(50)를 갖는다. 이하의 설명에서는, 처리액의 흐름을 기준으로 하여, 「상류」 및 「하류」의 용어를 사용한다. The processing
노즐(30)은, 워크(W)에 처리액을 토출한다. 노즐(30)은, 예컨대, 워크(W)의 상측에 배치되고, 처리액을 하측으로 토출한다(도 3도 참조). 노즐(30)로부터 워크(W)를 향해 처리액이 토출됨으로써, 워크(W)의 표면(Wa)에 처리액이 도포(공급)된다. 송액관(32)은, 노즐(30)과 송액부(40)의 사이를 접속하고, 노즐(30)까지 처리액을 유도하는 유로를 형성한다. 송액관(32)의 하류측의 단부는 노즐(30)에 접속되고, 송액관(32)의 상류측의 단부는 송액부(40)에 접속되어 있다. The
토출 밸브(34)는, 송액관(32)에 의해 형성되는 처리액의 유로에 설치된다. 토출 밸브(34)는, 제어 장치(20)로부터의 동작 지시에 기초하여, 송액관(32) 내의 유로(송액부(40)와 노즐(30) 사이의 유로)를 개폐한다. 토출 밸브(34)가 개방 상태일 때에, 노즐(30)로부터 처리액이 워크(W)의 표면(Wa)을 향해 토출되고, 토출 밸브(34)가 폐쇄 상태일 때에, 노즐(30)로부터의 처리액의 토출이 정지된다. 토출 밸브(34)는, 예컨대 에어 오퍼레이션 밸브이다. The
송액부(40)는, 송액관(32)을 통해 노즐(30)까지 처리액을 보낸다. 구체적으로는, 송액부(40)는, 처리액을 소정 압력으로 노즐(30)을 향해 송출한다. 송액부(40)는, 예컨대, 펌프(42)와, 접속관(44)과, 필터(46)를 갖는다. The
펌프(42)는, 보충부(50)로부터 보충되는 처리액을 받아들이고, 받아들인 처리액을 가압하여 노즐(30)을 향해 송출한다. 펌프(42)는, 처리액을 수용하는 수용실과, 그 수용실을 확대 및 수축시키는 수축부를 갖는다. 펌프(42)는, 수축부에 의해 수용실을 확대하여 처리액을 받아들여, 수축부에 의해 수용실을 수축시켜 처리액을 송출한다. 펌프(42)로서, 튜브프램 펌프, 다이어프램 펌프 또는 벨로즈 펌프가 이용되어도 좋다. The
접속관(44)은, 펌프(42)와 필터(46)를 접속한다. 접속관(44)의 하류측의 단부는 펌프(42)에 접속되고, 접속관(44)의 상류측의 단부는 필터(46)에 접속되어 있다. 접속관(44)은, 보충부(50)로부터 보충되는 처리액을 펌프(42)까지 유도하는 유로의 일부를 형성한다. 필터(46)는, 보충부(50)로부터 펌프(42)까지의 유로를 흐르는 처리액에 포함되는 이물을 포집한다. The
송액관(36)은, 필터(46)와 보충부(50) 사이를 접속한다. 송액관(36)의 하류측의 단부는 송액부(40)(필터(46))에 접속되고, 송액관(36)의 상류측의 단부는 보충부(50)에 접속되어 있다. 송액관(36) 및 접속관(44)에 의해, 보충부(50)로부터 펌프(42)까지의 처리액의 유로가 형성된다. The
보충부(50)는, 노즐(30)을 향해 송출하기 위한 처리액을 송액부(40)에 보충한다. 전술한 바와 같이, 보충부(50)와 펌프(42) 사이에서는, 송액관(36) 및 접속관(44)에 의해 처리액의 유로가 형성되고, 상기 유로 내에 필터(46)가 설치되어 있다. 보충부(50)는, 예컨대, 공급원(52)과, 송액관(54)과, 저류 탱크(56)와, 펌프(58)를 갖는다. The
공급원(52)은, 송액부(40)에 보충되는 처리액의 공급원이다. 공급원(52)은, 예컨대, 처리액이 수용된 보틀이다. 공급원(52)은, 송액관(54)을 통해 펌프(58)에 처리액을 공급한다. 저류 탱크(56)는, 송액관(54)에 설치되어 있고, 펌프(58)에 공급하기 위한 처리액을 일시적으로 저류한다. The
펌프(58)는, 저류 탱크(56)로부터 처리액을 받아들이고, 받아들인 처리액을 가압한 상태로, 송액관(36)을 통해 송액부(40)에 송출한다(송액관(36) 및 접속관(44)을 통해 펌프(42)에 송출한다). 펌프(58)는, 처리액을 수용하는 수용실과, 그 수용실을 확대 및 수축시키는 수축부를 갖는다. 펌프(58)는, 수축부에 의해 수용실을 확대하여 처리액을 받아들이고, 수축부에 의해 수용실을 수축시켜 처리액을 송출한다. 펌프(58)로서, 튜브프램 펌프, 다이어프램 펌프 또는 벨로즈 펌프가 이용되어도 좋다. The
이상에 설명한 처리액 공급부(28)에서는, 보충부(50)의 송액관(54), 송액관(36), 송액부(40)의 접속관(44) 및 송액관(32)에 의해, 공급원(52)과 노즐(30) 사이를 접속하는 공급 유로(29)가 형성된다. 공급 유로(29) 내에는, 노즐(30)로부터 토출되는 처리액에 포함되는 이물의 발생원이 될 수 있는 각종 부품(파트)이 설치된다. 이들 각종 부품에 의해, 처리액 공급부(28)가 구성된다. 전술한 처리액 공급부(28)에서는, 공급원(52), 저류 탱크(56), 펌프(58), 필터(46), 펌프(42) 및 토출 밸브(34)가, 이물의 발생원이 될 수 있는 각종 부품에 상당한다. In the treatment
(이물 검출 유닛)(Foreign matter detection unit)
도포 현상 장치(2)는, 복수의 이물 검출 유닛(70)(복수의 이물 검출부)을 구비한다. 각 이물 검출 유닛(70)은, 공급 유로(29) 내를 흐르는 처리액에 포함되는 이물(파티클)을 검출하도록 구성되어 있다. 본 개시에 있어서, 처리액 중의 「이물」에는, 먼지 및 티끌 등의 고체형의 이물에 더하여, 거품 등의 기체형의 이물도 포함된다. 이물을 검출한다는 것은, 처리액 중에 이물이 포함되어 있는 것을 검출(이물이 포함되어 있다고 판정)하는 것을 의미한다. 이물 검출 유닛(70)은, 공급 유로(29) 내를 흐르는 처리액에 광원으로부터의 광(조사광)을 조사했을 때에 발생하는 광(출사광)을 수광하여, 그 수광한 광에 따른 신호에 기초하여 이물을 검출한다. The coating and developing
복수의 이물 검출 유닛(70)은, 공급 유로(29)를 따라 위치가 서로 다른 복수 개소에 배치되어 있다. 이 경우, 공급 유로(29)는, 복수의 이물 검출 유닛(70)에 의해 복수의 구획(영역)으로 분할된다. 복수의 이물 검출 유닛(70) 중의 공급 유로(29)에서 서로 인접하는 이물 검출 유닛(70)은, 이들 유닛 사이의 구획에 적어도 하나의 상기 부품이 포함되도록 배치되어 있다. 복수의 이물 검출 유닛(70) 중의 가장 상류측에 위치하는 이물 검출 유닛(70)은, 그 유닛의 상류측의 구획에 적어도 하나의 상기 부품이 위치하도록 배치되어 있다. 각 이물 검출 유닛(70)은, 자신이 배치되어 있는 개소에 있어서, 공급 유로(29) 내의 처리액에 포함되는 이물을 검출한다. The plurality of foreign matter detection units 70 are arranged at a plurality of different positions along the
도포 현상 장치(2)는, 예컨대, 복수의 이물 검출 유닛(70)으로서, 이물 검출 유닛(70A)과, 이물 검출 유닛(70B)과, 이물 검출 유닛(70C)을 구비한다. 이하에서는, 공급 유로(29) 상의 처리액이 흐르는 방향을 따라 서로 다른 위치에 이물 검출 유닛(70A∼70C)이 구비되는 경우에 대해 설명한다. 이물 검출 유닛(70A∼70C)은, 공급 유로(29)를 따라 노즐(30)로부터 이 순으로 설치되어 있다. The coating and developing
이물 검출 유닛(70A)(제1 이물 검출부)은, 공급 유로(29) 중의 토출 밸브(34)와 노즐(30) 사이의 유로에 배치되어 있다. 이물 검출 유닛(70B)(제2 이물 검출부)은, 공급 유로(29) 중의 토출 밸브(34)와 송액부(40) 사이의 유로에 배치되어 있다. 이물 검출 유닛(70C)(제3 이물 검출부)은, 공급 유로(29) 중의 송액부(40)와 보충부(50) 사이의 유로에 배치되어 있다. The foreign
이물 검출 유닛(70A)과 이물 검출 유닛(70B) 사이의 구획에는, 부품으로서 토출 밸브(34)가 배치되어 있다. 이물 검출 유닛(70B)과 이물 검출 유닛(70C) 사이의 구획에는, 부품으로서 펌프(42) 및 필터(46)가 배치되어 있다. 이물 검출 유닛(70C)의 상류의 구획에는, 부품으로서 공급원(52)(보틀), 저류 탱크(56) 및 펌프(58)가 존재한다. A
이상과 같이, 공급 유로(29)를 따라 이물 검출 유닛(70A∼70C)이 배치되기 때문에, 가령 이물 검출 유닛(70C)보다 상류의 구획에서 처리액 중에 이물이 발생한 경우, 그 이물은 이물 검출 유닛(70C, 70B, 70A)을 이 순으로 통과한다. 처리액 중에 이물이 발생하는 경우의 예로는, 부품의 내부 등에 존재했던 티끌 등의 이물이 처리액 중에 혼입하는 경우, 및, 처리액 중에서 거품 등의 이물이 형성되는 경우를 들 수 있다. As described above, since the foreign
노즐(30)로부터의 처리액의 1회당의 토출량(공급량)은, 공급 유로(29)의 이물 검출 유닛(70A∼70C)에 의해 분할되는 각 구획의 배관 용적보다 작은 값으로 설정된다. 이 경우, 1회의 처리액의 공급이 행해지는 동안에, 이물이 공급 유로(29) 내에서 하류를 향해 이동하는 양은, 각 구획의 길이보다 짧다. 그 때문에, 어떤 구획에서 처리액 중에 발생한 이물이 이물 검출 유닛(70A∼70C) 각각에서 검출될 수 있는 공급 횟수에 어긋남이 생긴다. 이것에 의해, 이물 검출 유닛(70A∼70C)에 의한 검출 결과로부터, 공급 유로(29) 중으로부터 이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생한 구획을 추정할 수 있다. 이물 검출의 원인이 되는 사건(이하, 단순히 「사건」이라고 한다.)으로는, 예컨대, 이물이 처리액 중에 혼입하는 것, 및 처리액 중에 거품이 발생하는 것을 들 수 있다. The discharge amount (supply amount) of the processing liquid from the
예컨대, 이물 검출 유닛(70A)에 의해 이물이 검출된 경우에, 이물 검출 유닛(70B, 70C)에서 이물이 과거에 검출되지 않았으면, 이물 검출 유닛(70A, 70B) 사이의 구획에서 상기 사건이 발생했다고 상정된다. 이 경우, 토출 밸브(34)가 이물의 발생원이라고 추정할 수 있다. 이물 검출 유닛(70A)에 의해 이물이 검출된 경우에, 이물 검출 유닛(70B)에서 이물이 이미 검출되었고, 이물 검출 유닛(70C)에서 이물이 과거에 검출되지 않았으면, 이물 검출 유닛(70B, 70C) 사이의 구획에서 상기 사건이 발생했다고 추정된다. 이 경우, 송액부(40)에 포함되는 펌프(42) 및 필터(46)의 적어도 한쪽이 이물의 발생원이라고 추정할 수 있다. For example, when a foreign matter is detected by the foreign
이물 검출 유닛(70A)에 의해 이물이 검출된 경우에, 이물 검출 유닛(70B, 70C)에서 이물이 이미 검출되었을 때에는, 이물 검출 유닛(70C)보다 상류의 구획에서 상기 사건이 발생했다고 추정된다. 이 경우, 보충부(50)에 포함되는 공급원(52), 저류 탱크(56) 및 펌프(58)의 적어도 하나가 이물의 발생원이라고 추정할 수 있다. 이물 검출 유닛(70A∼70C)에 의한 검출 결과를 이용하여, 상기 사건이 발생했다고 상정되는 구획(이물의 발생원을 포함한다고 상정되는 구획)을 추정하는 방법의 구체예에 대해서는 후술한다. In the case where a foreign matter is detected by the foreign
이물 검출 유닛(70A∼70C)은, 서로 동일하게 구성되어 있어도 좋다. 이물 검출 유닛(70A∼70C) 각각은, 공급 유로(29)를 흐르는 처리액을 유통시키는 유로(이하, 「검출 유로」라고 한다.)를 형성한다. 이물 검출 유닛(70A∼70C) 각각은, 대응하는 검출 유로에 조사광(예컨대, 레이저광)을 조사함으로써 발생하는 광을 수광한 상태에서, 검출 유로를 흐르는 처리액 중의 이물을 검출한다. 도 5에 도시된 바와 같이, 이물 검출 유닛(70A∼70C) 각각은, 예컨대, 케이스(71)와, 유로 형성부(72)와, 조사부(76)와, 수광부(78)와, 제어부(80)를 갖는다. The foreign
케이스(71)는, 유로 형성부(72), 조사부(76), 수광부(78) 및 제어부(80)를 수용한다. 케이스(71)는, 직방체형으로 형성되어 있어도 좋다. 유로 형성부(72)는, 공급 유로(29)에서 상기 검출 유로를 형성하는 부재이다. 유로 형성부(72)는, 예컨대, 내부에 검출 유로(74)가 형성되어 있는 블록 본체를 포함한다. 이 블록 본체는, 직방체형으로 형성되어 있고, 이물 검출시에 이용되는 레이저광을 투과 가능한 재료로 구성되어 있다. 이하에서는, 설명의 편의상, 공급 유로(29) 중의, 그 이물 검출 유닛이 형성하는 검출 유로(74)의 상류에 위치하는 유로를 「상류측 공급 유로(29a)」로 표기하고, 검출 유로(74)의 하류에 위치하는 유로를 「하류측 공급 유로(29b)」로 표기한다. The
유로 형성부(72)의 블록 본체 중의 케이스(71)의 일측면과 대향하는 면에는, 검출 유로(74)의 유입구(74a) 및 유출구(74b)가 형성되어 있다. 유입구(74a)에는, 공급 유로(29) 중의 검출 유로(74)보다 상류에 위치하는 상류측 공급 유로(29a)의 단부가 접속되어 있다. 유출구(74b)에는, 공급 유로(29) 중의 검출 유로(74)보다 하류에 위치하는 하류측 공급 유로(29b)의 단부가 접속되어 있다. 상류측 공급 유로(29a) 및 하류측 공급 유로(29b)의 단부를 형성하는 관은, 유로 형성부(72)의 근방에 위치하는 케이스(71)의 측벽을 관통하고 있다. An
이상의 구성에 의해, 공급원(52)으로부터 송출되는 처리액은, 이물 검출 유닛(70C)이 형성하는 검출 유로(74), 이물 검출 유닛(70B)가 형성하는 검출 유로(74), 및 이물 검출 유닛(70A)이 형성하는 검출 유로(74)를 이 순으로 통과하여, 노즐(30)을 향해 흐른다. 1회당의 처리액의 공급량과 각 구획의 배관 용적의 관계로부터, 이물 검출 유닛(70C)의 검출 유로(74)를 통과한 처리액은, 그 후에 복수회의 처리액의 공급이 행해지면, 이물 검출 유닛(70B)의 검출 유로(74)에 도달한다. 마찬가지로, 이물 검출 유닛(70B)의 검출 유로(74)를 통과한 처리액은, 그 후에 복수회의 처리액의 공급이 행해지면, 이물 검출 유닛(70A)의 검출 유로(74)에 도달한다. With the above configuration, the processing liquid delivered from the
조사부(76)는, 처리액의 이물을 검출하기 위한 조사광을 검출 유로(74)를 향해 조사하도록 구성되어 있다. 조사부(76)는, 예컨대, 조사광으로서 레이저광을 생성하는 광원을 포함한다. 그 광원은, 일례에서는, 파장 400 nm∼600 nm 정도, 출력 600 mW∼1000 mW 정도의 레이저광을 생성한다. 조사부(76)는, 하측으로부터 검출 유로(74)를 향해 조사광을 조사해도 좋다. The
수광부(78)는, 조사부(76)로부터의 조사광에 따라 검출 유로(74)로부터 출사되는 광(출사광)을 수광하도록 구성되어 있다. 수광부(78)는, 예컨대, 검출 유로(74)의 측방(유로 형성부(72)와 동일한 높이 위치)에 배치되어 있다. 수광부(78)는, 검출 유로(74)로부터 출사되는 광을 집광하는 광학 부품(렌즈)과, 수광한 광에 따른 전기 신호(이하, 「수광 신호」라고 한다.)를 생성하는 수광 소자를 포함해도 좋다. 수광부(78)는, 조사부(76)로부터의 조사광이 검출 유로(74)에서 산란함으로써 발생하는 광(산란광)의 일부를 수광한다. The
처리액이 흐르고 있는 검출 유로(74) 내에 조사광이 조사되면, 이물의 유무에 관계없이 산란광이 발생한다. 검출 유로(74) 내의 처리액에 이물이 포함되지 않은 경우, 조사부(76)로부터의 조사광의 대부분은 검출 유로(74)를 통과한다. 한편, 검출 유로(74) 내의 처리액에 이물이 포함되어 있으면, 검출 유로(74) 내에서의 조사광의 산란의 정도가 커지고, 이물이 포함되지 않은 경우에 비교하여, 수광부(78)가 수광하는 광(수광부(78)로 향하는 산란광의 일부)의 강도가 커진다. 이것에 따라서, 상기 수광 신호의 강도가 커진다. When irradiated light is irradiated into the
수광부(78)는, 검출 유로(74)로부터 출사되는 광을 수광하여 얻어지는 수광 신호를 제어부(80)에 출력한다. 제어부(80)는, 이물 검출 유닛(70A∼70C) 각각에 포함되는 각 요소를 제어함과 더불어, 수광부(78)가 수광한 수광 신호에 기초하여, 처리액 중에 이물이 포함되어 있는지 아닌지를 판정한다. 이하에서는, 액처리 유닛(U1) 등을 제어하는 전술한 제어 장치(20)와 함께, 제어부(80)에 대해 설명한다. The
(제어 시스템)(control system)
이물 검출 유닛(70A, 70B, 70C) 각각의 제어부(80)와, 제어 장치(20)는, 제어 시스템(100)을 구성한다. 즉, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(20) 및 제어부(80)를 포함하는 제어 시스템(100)을 구비한다. 제어 장치(20)에는 출력 디바이스(19)가 접속되어 있어도 좋다. 출력 디바이스(19)는, 제어 장치(20)로부터 출력된 정보를 작업원 등의 오퍼레이터에게 출력하기 위한 장치이다. 출력 디바이스(19)는, 예컨대 모니터이다. 모니터는, 화면 상에 정보의 표시가 가능한 것이라면 어떠한 것이어도 좋고, 그 구체예로는 액정 패널 등을 들 수 있다. The
제어 시스템(100)은, 적어도, 노즐(30)로부터 워크(W)에 대하여 처리액을 공급하는 것과, 공급 유로(29)를 따라 위치가 서로 다른 복수 개소에서, 광의 조사에 따라 검출 유로(74) 내로부터 출사된 광을 수광하여 얻어지는 수광 신호에 기초하여, 처리액에 포함되는 이물을 검출하는 것과, 복수 개소 각각에서의 이물의 검출 결과에 기초하여, 공급 유로(29) 중으로부터 이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생한 구획을 추정하는 것을 실행하도록 구성되어 있다. The
도 6에 도시된 바와 같이, 제어 시스템(100)의 제어부(80)는, 기능상의 구성(이하, 「기능 모듈」이라고 한다.)으로서, 예컨대, 투광 제어부(102)와, 신호 취득부(104)와, 이물 판정부(106)를 갖는다. 투광 제어부(102), 신호 취득부(104) 및 이물 판정부(106)가 각각 실행하는 처리는, 제어부(80)(제어 시스템(100))가 실행하는 처리에 상당한다. 도 6에는, 복수의 이물 검출 유닛(70)이 갖는 복수의 제어부(80) 중의 하나의 제어부(80)가 도시되어 있다. As shown in FIG. 6, the
투광 제어부(102)는, 이물 검출 유닛(70A∼70C) 중의 대응하는 이물 검출 유닛에 있어서, 유로 형성부(72)가 형성하는 검출 유로(74)에 조사광이 조사되도록 조사부(76)를 제어한다. 투광 제어부(102)는, 처리 대상인 워크(W)에 대한 처리액의 공급마다(1회의 처리액의 공급마다), 그 공급 기간에 맞춰, 검출 유로(74)에 조사광이 조사되도록 조사부(76)를 제어해도 좋다. 일례에서는, 투광 제어부(102)는, 노즐(30)로부터 워크(W)로의 처리액의 토출 개시의 타이밍에 맞춰 조사부(76)에 조사광의 조사를 개시시킨다. 그리고, 투광 제어부(102)는, 노즐(30)로부터 워크(W)로의 처리액의 토출 정지의 타이밍에 맞춰 조사부(76)에 조사광의 조사를 정지시킨다. The light
신호 취득부(104)는, 이물 검출 유닛(70A∼70C) 중의 대응하는 이물 검출 유닛에 있어서, 조사광의 조사에 따라 검출 유로(74)로부터 출사되는 산란광(출사광)을 수광함으로써 얻어지는 수광 신호를, 수광부(78)로부터 취득한다. 신호 취득부(104)는, 처리 대상인 워크(W)에 대한 처리액의 공급마다(1회의 처리액의 공급마다), 그 공급 기간에 맞춰, 검출 유로(74)로부터 수광한 광에 따른 수광 신호를 수광부(78)로부터 취득해도 좋다. 일례에서는, 신호 취득부(104)는, 투광 제어부(102)에 의한 조사광의 조사 타이밍(조사 기간)에 따라서, 처리액의 공급마다 수광 신호를 수광부(78)로부터 취득한다. The
이물 판정부(106)는, 이물 검출 유닛(70A∼70C) 중의 대응하는 이물 검출 유닛에 있어서, 신호 취득부(104)가 취득한 수광 신호에 기초하여 이물의 유무를 판정한다. 상세하게는, 이물 판정부(106)는, 대응하는 이물 검출 유닛이 취득한 수광 신호에 기초하여, 대응하는 개소를 통과한 처리액 중에 이물이 포함되어 있는지 아닌지를 판정한다. 이물 판정부(106)는, 1회의 처리액의 공급마다, 상기 대응하는 개소에서의 이물 유무를 판정해도 좋다. The foreign
이물 판정부(106)는, 수광 신호의 신호 강도의 시간 변화를 분석하여 얻어지는 평가치에 따라서, 이물의 유무를 판정해도 좋다. 도 7에는, 신호 취득부(104)가 취득한 수광 신호의 신호 강도의 시간 변화의 일례가 도시되어 있다. 도 7에서는, 1회의 처리액의 공급 기간 Ta에서 얻어진 수광 신호가 도시되어 있고, 시각 t1, t2, t3에서, 신호 강도가 소정의 강도 임계값 Th1을 초과했다. The foreign
이물 판정부(106)는, 신호 강도가, 소정의 강도 임계값 Th1을 초과한 횟수를 카운트한 값을 평가치로서 산출한 상태에서, 그 평가치(카운트치)가 소정의 평가 임계값 Th2를 초과했는지 아닌지를 판정해도 좋다. 일례에서는, 이물 판정부(106)는, 신호 강도가 강도 임계값 Th1을 초과한 횟수가, 평가 임계값 Th2를 상회한 경우에, 그 개소(이물 검출 유닛이 배치되는 개소)에서 상기 사건이 발생했다고 판정해도 좋다. 또, 이물 판정부(106)는, 수광 신호에 기초하여(수광 신호로부터 얻어지는 평가치에 따라서) 이물의 유무를 판정한다면, 어떻게 평가치를 산출해도 좋고, 어떻게 이물의 유무를 판정해도 좋다. The foreign
제어 시스템(100)의 제어 장치(20)는, 기능 모듈로서, 예컨대, 도 6에 도시된 바와 같이, 액처리 제어부(112)와, 판정 결과 축적부(114)와, 발생원 추정부(116)와, 요인 추정부(118)와, 출력부(122)를 갖는다. 이들 기능 모듈이 실행하는 처리는, 제어 장치(20)(제어 시스템(100))가 실행하는 처리에 상당한다. The
액처리 제어부(112)는, 처리 대상인 워크(W)에 대하여, 처리액이 공급되도록 처리액 공급부(28)를 제어한다. 액처리 제어부(112)는, 예컨대, 노즐(30)로부터의 토출을 개시할 때에, 송액부(40)의 펌프(42)에 처리액이 보충되고, 또한 그 처리액이 가압된 상태로, 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 천이시키도록 토출 밸브(34)를 제어한다. 액처리 제어부(112)는, 예컨대, 처리액의 공급 개시 후, 미리 설정된 상기 공급 기간 Ta가 경과했을 때에, 노즐(30)로부터의 토출을 정지하기 위해, 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 천이시키도록 토출 밸브(34)를 제어한다. 공급 기간 Ta에서 처리액이 워크(W)에 대하여 공급됨으로써, 1회의 처리액의 공급(1장의 워크(W)에 대한 1회의 처리액의 공급)이 행해진다. The liquid
판정 결과 축적부(114)는, 이물 검출 유닛(70A∼70C)에 의한 복수 개소 각각의 이물의 검출 결과(판정 결과)를 축적한다. 판정 결과 축적부(114)는, 예컨대, 1회의 처리액의 공급마다, 복수의 제어부(80)의 이물 판정부(106)에 의한 복수 개소 각각에서의 판정 결과를 취득한 상태에서, 판정 결과를 축적한다. 판정 결과 축적부(114)는, 처리액의 공급 횟수(워크(W)의 처리 매수)에 대응하여, 이물 판정부(106)에 의한 판정 결과를 축적해도 좋다. 이 경우, 판정 결과 축적부(114)는, 이물 검출 유닛(70A∼70C) 각각에 대해, 처리액의 공급 횟수와 이물 판정부(106)에 의한 판정 결과를 대응시켜 축적한다. The determination
발생원 추정부(116)는, 이물 검출 유닛(70A∼70C)에 의한 복수 개소 각각에서의 검출 결과에 기초하여, 공급 유로(29) 중으로부터 이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생한 구획을 추정한다. 발생원 추정부(116)는, 상기 사건이 발생했다고 상정되는 구획을 추정함으로써, 이물의 발생원인 부품을 특정(추정)해도 좋다. 발생원 추정부(116)는, 가장 노즐(30)에 가까운 위치에 배치된 이물 검출 유닛(70A)에서 이물이 검출되었을 때에, 상기 사건이 발생했다고 상정되는 구획(이물의 발생이 계속되는 경우에는, 상기 사건이 발생하고 있는 구획)을 추정해도 좋다. 이하에서는, 도 8도 참조하면서, 상기 사건이 발생했다고 상정되는 구획의 추정 방법의 일례에 대해 설명한다. The
도 8에는, 이물 검출 유닛(70A∼70C) 각각에 대해, 공급 횟수에 대한 이물을 검출하기 위한 평가치의 추이를 나타내는 그래프가 도시되어 있다. 도 8에 있어서, 「70A」는, 이물 검출 유닛(70A)에서 취득된 평가치(예컨대, 전술한 강도 임계값 Th1을 초과한 횟수)의 추이를 나타낸다. 「70B」는, 이물 검출 유닛(70B)에서 취득된 평가치의 추이를 나타내고, 「70C」는, 이물 검출 유닛(70C)에서 취득된 평가치의 추이를 나타낸다. 도 8에 도시되는 예에서는, 처리 대상인 워크(W)에 대한 처리액의 공급 횟수가 「tc」회일 때에, 이물 검출 유닛(70A)에서 취득된 평가치가 평가 임계값 Th2를 상회한다. 이 경우, tc회의 처리액의 공급이 실행되었을 때에, 이물 검출 유닛(70A)의 제어부(80)에 의해, 이물 검출 유닛(70A)이 배치된 개소에서 이물이 검출된다. FIG. 8 shows a graph showing the trend of evaluation values for detecting foreign substances against the number of supplies for each of the foreign
발생원 추정부(116)는, 이물 검출 유닛(70A)에서 이물이 검출된 경우에, 이물 검출 유닛(70B, 70C)에서의 이물 유무에 대한 과거의 판정 결과를 참조한다. 발생원 추정부(116)는, 예컨대, 이물 검출 유닛(70A)에서 이물이 검출되었을 때의 공급 횟수로부터, 소정의 횟수만큼 거슬러 올라간 시점에서의 다른 검출 유닛의 판정 결과를 참조한다. 이 소정의 횟수는, 이물 검출 유닛(70A)에서 이물이 검출되었을 때의 처리액 중의 이물이, 이물 검출 유닛(70B)의 검출 유로(74)를 과거에 통과했다고 상정되는 시점에서의 판정 결과를 참조할 수 있도록 설정되어 있다. 예컨대, 1회의 처리액의 공급에서의 토출량과, 이물 검출 유닛(70A)과 이물 검출 유닛(70B) 사이의 배관 용적과의 관계로부터, 상기 소정의 횟수가 정해졌다. When a foreign matter is detected in the foreign
도 8에 도시되는 예에서는, 소정의 횟수가 「b」회로 설정되어 있고, 발생원 추정부(116)는, 공급 횟수가 「tc-b」회일 때의 이물 검출 유닛(70B, 70C)에서의 판정 결과를 참조한다. 이 경우, 공급 횟수가 (tc-b)회일 때에 이물 검출 유닛(70B)의 검출 유로(74)를 통과한 처리액이, 공급 횟수가 tc회일 때에 이물 검출 유닛(70A)의 검출 유로(74)를 통과한다(에 도달한다). In the example shown in FIG. 8, the predetermined number of times is set to “b” times, and the
일례에서는, 발생원 추정부(116)는, 소정의 횟수만큼 거슬러 올라간 시점에서, 이물 검출 유닛(70B, 70C)의 쌍방에서 이물이 검출되지 않은 경우에는, 이물 검출 유닛(70A)과 이물 검출 유닛(70B) 사이의 구획에서 상기 사건이 발생하고 있다고 추정한다. 이 경우, 발생원 추정부(116)는, 공급 유로(29) 중의, 이물 검출 유닛(70A) 및 이물 검출 유닛(70B)의 사이에 위치하는 구획에 포함되는 토출 밸브(34)가 이물의 발생원이라고 추정해도 좋다. In one example, when the foreign matter is not detected in both the foreign
발생원 추정부(116)는, 소정의 횟수만큼 거슬러 올라간 시점에서, 이물 검출 유닛(70B)에서 이물이 검출되고, 또한 이물 검출 유닛(70C)에서 이물이 검출되지 않은 경우에는, 이물 검출 유닛(70B)과 이물 검출 유닛(70C) 사이의 구획에서 상기 사건이 발생하고 있다고 추정한다. 이 경우, 발생원 추정부(116)는, 공급 유로(29) 중의, 이물 검출 유닛(70B) 및 이물 검출 유닛(70C)의 사이에 위치하는 구획에 포함되는 펌프(42) 및 필터(46)의 적어도 한쪽이 이물의 발생원이라고 추정해도 좋다. 도 8에는, 이와 같이 추정되는 경우의 판정 결과가 예시되어 있다. If the foreign matter is detected in the foreign
발생원 추정부(116)는, 소정의 횟수만큼 거슬러 올라간 시점에서, 이물 검출 유닛(70B, 70C)의 쌍방에서 이물이 검출되었던 경우에는, 이물 검출 유닛(70C)보다 상류의 구획에서 상기 사건이 발생하고 있다고 추정한다. 이 경우, 발생원 추정부(116)는, 공급 유로(29) 중의 이물 검출 유닛(70C)보다 상류에 위치하는 구획에 포함되는 공급원(52), 저류 탱크(56) 및 펌프(58)의 적어도 하나가 이물의 발생원이라고 추정해도 좋다. If a foreign matter is detected in both the foreign
전술한 예에 있어서, 발생원 추정부(116)는, 이물 검출 유닛(70C)에 대해, (tc-b)회로부터, 1회의 처리액의 공급에서의 토출량과, 이물 검출 유닛(70B)과 이물 검출 유닛(70C) 사이의 배관 용적과의 관계로부터 정해지는 소정 횟수만큼 거슬러 올라간 시점에서의 판정 결과를 참조해도 좋다. 이상에 예시한 바와 같이, 발생원 추정부(116)는, 상기 사건이 발생했다고(발생하고 있다)고 상정되는 구획을 추정함으로써, 어느 부품이 이물의 발생원인지를 추정해도 좋다. In the above example, the
요인 추정부(118)는, 발생원 추정부(116)가 추정한 구획에 따라서, 상기 사건 발생의 요인을 추정한다. 상기 사건 발생의 요인이란, 상기 사건을 발생시키게 된 동작 또는 현상이다. 요인 추정부(118)는, 예컨대, 상기 사건이 생겼다고 추정한 구획(추정한 이물의 발생원)과, 이물 발생의 요인을 미리 대응시킨 테이블을 참조함으로써, 상기 사건 발생의 요인을 추정한다. 일례에서는, 요인 추정부(118)는, 펌프(42) 및 필터(46)를 포함하는 구획에서 상기 사건이 발생했다고 추정되었을 때에, 펌프 또는 필터의 교환, 처리액의 체류, 및 펌프의 동작 조건의 변경을, 상기 사건 발생의 요인으로 추정한다. 본 개시에 있어서, 상기 사건 발생의 요인을 추정하는 것은, 하나의 요인을 특정하는 것만을 의미하지 않고, 복수의 요인(요인의 후보)을 특정하는 경우도 포함된다. The
출력부(122)는, 공급 유로(29)에서 이물이 검출되었을 때에, 발생원 추정부(116)가 추정한 구획을 나타내는 정보를 출력한다. 출력부(122)는, 이물 검출 유닛(70A)에서 이물이 검출된 경우에, 추정한 구획을 나타내는 정보를 출력 디바이스(19)에 출력해도 좋다. 이 경우, 출력 디바이스(19)는, 이물이 검출된 것, 및 추정한 구획을 나타내는 정보를 표시해도 좋다. 출력부(122)는, 요인 추정부(118)에 의해 추정된 상기 사건 발생의 요인(요인의 후보)을 나타내는 정보도 출력해도 좋다. When a foreign matter is detected in the
도 9는, 제어부(80) 및 제어 장치(20)의 하드웨어 구성의 일례를 도시하는 블록도이다. 하나의 제어부(80)는, 하나 또는 복수의 컴퓨터에 의해 구성된다. 예컨대 제어부(80)는 회로(150)를 갖는다. 회로(150)는, 하나 또는 복수의 프로세서(152)와, 메모리(154)와, 스토리지(156)와, 입출력 포트(158)와, 타이머(162)와, 통신 포트(164)를 갖는다. 스토리지(156)는, 예컨대 하드디스크 등, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체를 갖는다. 기억 매체는, 이물 검출 유닛(70A∼70C)에서 실행되는 이물 검출 방법을 제어부(80)에 실행시키기 위한 프로그램을 기억하고 있다. 기억 매체는, 불휘발성의 반도체 메모리, 자기 디스크 및 광 디스크 등의 취출 가능한 매체여도 좋다. FIG. 9 is a block diagram showing an example of the hardware configuration of the
메모리(154)는, 스토리지(156)의 기억 매체로부터 로드한 프로그램 및 프로세서(152)에 의한 연산 결과를 일시적으로 기억한다. 프로세서(152)는, 메모리(154)와 협동하여 상기 프로그램을 실행함으로써, 제어부(80)가 갖는 각 기능 모듈을 구성한다. 입출력 포트(158)는, 프로세서(152)로부터의 지령에 따라서, 조사부(76) 및 수광부(78) 등과의 사이에서 전기 신호의 입출력을 행한다. 타이머(162)는, 예컨대 일정 주기의 기준 펄스를 카운트함으로써 경과 시간을 계측한다. 통신 포트(164)는, 프로세서(152)로부터의 지령에 따라서, 제어 장치(20)와의 사이에서 무선, 유선 또는 네트워크 회선 등을 통해 통신을 행한다. The
제어부(80)가 복수의 컴퓨터로 구성되는 경우, 각 기능 모듈이 각각 개별 컴퓨터에 의해 실현되어 있어도 좋다. 혹은, 이들 각 기능 모듈이 각각, 2개 이상의 컴퓨터의 조합에 의해 실현되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 복수의 컴퓨터는, 서로 통신 가능하게 접속된 상태로, 상기 이물 검출 방법을 연계하여 실행해도 좋다. When the
제어 장치(20)는, 하나 또는 복수의 컴퓨터에 의해 구성된다. 제어 장치(20)는, 예컨대 회로(170)를 갖는다. 회로(170)는, 하나 또는 복수의 프로세서(172)와, 메모리(174)와, 스토리지(176)와, 입출력 포트(178)와, 타이머(182)와, 통신 포트(184)를 갖는다. 스토리지(176)는, 예컨대 하드디스크 등, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체를 갖는다. 기억 매체는, 후술하는 기판 처리 방법을 도포 현상 장치(2)에 실행시키기 위한 프로그램을 기억하고 있다. 기억 매체는, 불휘발성의 반도체 메모리, 자기 디스크 및 광 디스크 등의 취출 가능한 매체여도 좋다. The
메모리(174)는, 스토리지(176)의 기억 매체로부터 로드한 프로그램 및 프로세서(172)에 의한 연산 결과를 일시적으로 기억한다. 프로세서(172)는, 메모리(174)와 협동하여 상기 프로그램을 실행함으로써, 제어 장치(20)가 갖는 각 기능 모듈을 구성한다. 입출력 포트(178)는, 프로세서(172)로부터의 지령에 따라서, 처리액 공급부(28), 및 출력 디바이스(19) 등과의 사이에서 전기 신호의 입출력을 행한다. 타이머(182)는, 예컨대 일정 주기의 기준 펄스를 카운트함으로써 경과 시간을 계측한다. 통신 포트(184)는, 프로세서(172)로부터의 지령에 따라서, 제어부(80)(상기 통신 포트(164))와의 사이에서 무선, 유선, 또는 네트워크 회선 등을 통해 통신을 행한다. The
제어 장치(20)가 복수의 컴퓨터로 구성되는 경우, 각 기능 모듈이 각각 개별 컴퓨터에 의해 실현되어 있어도 좋다. 혹은, 이들 각 기능 모듈이 각각, 2개 이상의 컴퓨터의 조합에 의해 실현되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 복수의 컴퓨터는, 서로 통신 가능하게 접속된 상태로, 후술하는 기판 처리 방법을 연계하여 실행해도 좋다. When the
또, 제어부(80) 및 제어 장치(20)의 하드웨어 구성은, 반드시 프로그램에 의해 각 기능 모듈을 구성하는 것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 제어부(80) 및 제어 장치(20)의 각 기능 모듈은, 전용 논리 회로 또는 이것을 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 구성되어 있어도 좋다. In addition, the hardware configuration of the
(기판 처리 방법)(Substrate processing method)
계속해서, 도 10을 참조하면서, 이물 검출을 포함하는 기판 처리 방법의 일례로서, 제어부(80) 및 제어 장치(20)를 포함하는 제어 시스템(100)이 실행하는 일련의 처리에 대해 설명한다. 도 10은, 1장의 워크(W)에 대하여 처리액이 공급됨에 따라서 실행되는 일련의 처리를 도시하는 플로우차트이다. Continuing with reference to FIG. 10 , a series of processes performed by the
이 일련의 처리에서는, 처리 대상인 워크(W)에 대하여 처리액의 공급(토출)이 개시되고, 또한 각 이물 검출 유닛에서의 검출 유로(74)에 대한 조사광의 조사와 수광부(78)에 의한 수광 신호의 생성이 개시된 상태로, 제어 시스템(100)이 단계 S11을 실행한다. 단계 S11에서는, 예컨대, 제어부(80)가, 처리 대상인 워크(W)에 대한 처리액의 공급이 완료될 때까지 대기한다. 처리액의 공급이 완료되기까지의 동안에, 각 이물 검출 유닛에 있어서, 제어부(80)의 신호 취득부(104)는 수광 신호의 취득을 계속한다. In this series of processes, the supply (discharge) of the processing liquid to the workpiece W that is the processing target is started, and further, the irradiation light is irradiated to the
다음으로, 제어 시스템(100)은 단계 S12를 실행한다. 단계 S12에서는, 예컨대, 각 이물 검출 유닛에서 제어부(80)의 이물 판정부(106)가, 처리액 중에서의 이물의 발생 유무를 판정한다. 일례에서는, 이물 판정부(106)는, 처리액의 공급이 계속된 기간에서 얻어지는 수광 신호로부터 평가치(예컨대, 신호 강도가 강도 임계값 Th1을 초과한 횟수)를 산출하고, 상기 평가치를 평가 임계값 Th2와 비교함으로써, 처리액 중에서의 이물의 발생 유무를 판정한다. Next, the
다음으로, 제어 시스템(100)은 단계 S13을 실행한다. 단계 S13에서는, 예컨대, 제어 장치(20)의 판정 결과 축적부(114)가, 각 이물 검출 유닛에 대한 단계 S12에서의 판정 결과를 축적(기억)한다. 판정 결과 축적부(114)는, 처리액의 공급 횟수(워크(W)의 처리 매수)와 각 이물 검출 유닛에 의한 판정 결과를 대응시켜 축적해도 좋다. Next, the
다음으로, 제어 시스템(100)은 단계 S14를 실행한다. 단계 S14에서는, 예컨대, 제어 장치(20)의 발생원 추정부(116)가, 공급 유로(29)에 설치된 복수의 이물 검출 유닛 중의 최하류에 배치된 이물 검출 유닛(전술한 예에서는, 이물 검출 유닛(70A))에 대해, 단계 S12에서 이물이 검출되었는지 아닌지를 판단한다. Next, the
단계 S14에 있어서, 최하류에 위치하는 이물 검출 유닛에서 이물이 검출되었다고 판단된 경우(단계 S14 : YES), 제어 시스템(100)은 단계 S15를 실행한다. 단계 S15에서는, 예컨대, 발생원 추정부(116)가, 최하류에 위치하는 이물 검출 유닛 이외의 이물 검출 유닛에서의 이물 유무에 대한 과거의 판정 결과를 참조한 상태에서, 공급 유로(29) 중의 이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생한 구획을 추정한다. 일례에서는, 발생원 추정부(116)는, 단계 S11을 실행중에 최하류에 위치하는 이물 검출 유닛을 통과한 처리액이, 다른 이물 검출 유닛(전술한 예에서는, 이물 검출 유닛(70B, 70C))을 과거에 통과한 공급 횟수에서의 판정 결과를 참조하여, 상기 구획을 추정한다. In step S14, if it is determined that a foreign matter has been detected in the foreign matter detection unit located most downstream (step S14: YES), the
다음으로, 제어 시스템(100)은 단계 S16을 실행한다. 단계 S16에서는, 예컨대, 제어 장치(20)의 요인 추정부(118)가, 단계 S15에서 추정된 구획에 따라서, 상기 사건 발생의 요인(요인의 후보)을 추정한다. 일례에서는, 요인 추정부(118)는, 구획과 상기 사건 발생의 요인이 미리 대응된 테이블을 참조함으로써, 상기 사건 발생의 요인을 추정한다. Next, the
다음으로, 제어 시스템(100)은 단계 S17을 실행한다. 단계 S17에서는, 예컨대, 제어 장치(20)의 출력부(122)가, 이물이 검출된 것과, 단계 S15에서 추정된 구획을 나타내는 정보를 출력 디바이스(19)에 출력한다. 출력부(122)는, 단계 S16에서 추정된 요인을 나타내는 정보도 출력 디바이스(19)에 출력해도 좋다. 출력부(122)로부터의 정보의 출력 후에, 출력 디바이스(19)에 출력된 정보에 따른 오퍼레이터 등의 지시에 따라서, 이물을 제거하는 처치가 처리액 공급부(28)에서 실행되어도 좋다. Next, the
한편, 단계 S14에 있어서, 최하류에 위치하는 이물 검출 유닛에서 이물이 검출되지 않았다고 판단된 경우(단계 S14 : NO), 제어 시스템(100)은 단계 S15∼S17을 실행하지 않는다. 제어 시스템(100)은, 후속하는 복수의 워크(W) 각각에 대하여 처리액을 공급할 때마다, 단계 S11∼S17(S14)의 일련의 처리를 반복해도 좋다. On the other hand, in step S14, when it is determined that no foreign matter is detected in the foreign matter detection unit located most downstream (step S14: NO), the
(변형예)(variation example)
전술한 일련의 처리는 일례이며, 적절하게 변경 가능하다. 상기 일련의 처리에 있어서, 제어 시스템(100)은, 하나의 단계와 다음 단계를 병렬로 실행해도 좋고, 전술한 예와는 상이한 순서로 각 단계를 실행해도 좋다. 제어 시스템(100)은, 어떤 단계를 생략해도 좋고, 어떤 단계에서 전술한 예와는 상이한 처리를 실행해도 좋다. The series of processing described above is an example and can be changed as appropriate. In the above series of processes, the
이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생했다고 상정되는 구획의 추정 방법은, 전술한 예에 한정되지 않는다. 전술한 예에서는, 최하류에 위치하는 이물 검출 유닛에서 이물이 검출되었을 때에 구획의 추정이 행해지지만, 발생원 추정부(116)는, 어떤 이물 검출 유닛에서 이물이 검출되었을 때에, 구획(이물의 발생원)의 추정을 행해도 좋다. 예컨대, 발생원 추정부(116)는, 어떤 이물 검출 유닛에서 이물이 검출되었을 때에, 그 이물 검출 유닛의 상류에 인접하여 위치하는 구획에서 상기 사건이 발생했다고 추정한다. The method for estimating the section in which an event causing foreign matter detection is assumed to have occurred is not limited to the above-described examples. In the above-described example, the division is estimated when a foreign matter is detected in a foreign matter detection unit located at the most downstream, but the
일례에서는, 발생원 추정부(116)는, 이물 검출 유닛(70C)에서 이물이 검출되었을 때에, 보충부(50)에 포함되는 공급원(52), 저류 탱크(56) 및 펌프(58)를 포함하는 구획에서 상기 사건이 발생했다고 추정한다. 발생원 추정부(116)는, 이물 검출 유닛(70B)에서 이물이 검출되었을 때에, 송액부(40)에 포함되는 펌프(42) 및 필터(46)를 포함하는 구획에서 상기 사건이 발생했다고 추정한다. 보충부(50)에서 상기 사건이 발생했을 때에도, 공급 횟수의 누적에 따라 이물 검출 유닛(70B)에서도 이물이 검출될 수 있지만, 이 경우에는, 이미 이물 검출 유닛(70C)에서 이물이 검출되어 있기 때문에, 이물의 발생원을 포함하는 구획을 추정하는 것이 가능하다. 발생원 추정부(116)는, 이물 검출 유닛(70A)에서 이물이 검출되었을 때에, 토출 밸브(34)를 포함하는 구획에서 상기 사건이 발생했다고 추정한다. In one example, the
요인 추정부(118)는, 각 이물 검출 유닛에 의한 검출 결과에 더하여, 다른 정보를 이용하여, 상기 사건 발생의 요인을 좁혀가도 좋다. 도포 현상 장치(2)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 유속 측정부(60)를 더 구비해도 좋다. 유속 측정부(60)는, 노즐(30)까지 처리액을 유도하는 유로 내를 흐르는 처리액의 유속(예컨대, 단위시간당의 액의 통과량)을 측정한다. 유속 측정부(60)는, 어떠한 방식으로 처리액의 유속을 측정해도 좋다. 도 4에 도시되는 예에서는, 유속 측정부(60)는, 공급 유로(29) 중의 토출 밸브(34)와 이물 검출 유닛(70B) 사이의 유로에 설치되어 있다. The
도 11에는, 유속 측정부(60)에 의해 측정되는 유속의 시간 변화의 일례가 도시되어 있다. 도 11에 도시되는 그래프의 각 펄스가, 1회의 처리액의 공급에 대응한다. 유속 측정부(60)를 통과하는 처리액 중에 거품이 포함되지 않은 경우에는, 처리액의 공급이 계속되고 있는 기간에서의 유속의 시간 변화는, 대략 일정해진다. 한편, 유속 측정부(60)를 통과하는 처리액 중에 거품이 포함되어 있는 경우에는, 도 11에서 확대하여 도시하는 그래프와 같이, 처리액의 공급이 계속되고 있는 기간에서 유속이 변동한다. 도 11에서 확대하여 도시되는 펄스는, 도 8에 예시한 (tc-b)회로 이물 검출 유닛(70B)을 통과한 처리액이, 유속 측정부(60)를 통과할 때에 검출된 측정치이다. 이상으로부터, 거품을 포함하는 처리액이 유속 측정부(60)를 통과할 때의 유속의 변동을 검출함으로써, 이물로서 거품이 포함되어 있는지 아닌지를 추정할 수 있다. FIG. 11 shows an example of the time change in the flow rate measured by the flow
요인 추정부(118)는, 유속 측정부(60)에 의한 측정 결과에 기초하여, 상기 사건 발생의 요인을 좁혀가도 좋다. 요인 추정부(118)는, 예컨대, 송액부(40) 내의 부품이 이물의 발생원이라고 추정한 경우에, 이물 검출 유닛(70B)을 통과한 후의 처리액이 유속 측정부(60)를 통과할 때의 유속 측정부(60)에 의한 유속의 변동의 정도에 따라서, 상기 사건 발생의 요인을 좁혀가도 좋다. 일례에서는, 요인 추정부(118)는, 유속의 변동이 소정 레벨보다 큰 경우에, 상기 사건 발생의 요인(요인의 후보)을, 펌프 또는 필터 교환에 따르는 거품의 발생, 처리액의 체류에 따르는 거품의 발생, 및 펌프의 동작 조건의 변경에 따르는 거품의 발생으로 좁힌다. 이 경우, 오퍼레이터 등의 지시에 기초하여, 펌프 또는 필터 주위의 거품 빼기 등의 처치가 실시되어도 좋다. 요인 추정부(118)는, 유속의 변동이 소정 레벨보다 작은 경우에, 거품의 발생이 요인이 아니라고 추정해도 좋다. 유속 측정부(60)에 의한 측정 결과는, 처리액의 공급마다, 유속이 안정되었는지 아닌지의 확인에 이용되어도 좋다. The
상기 사건 발생의 요인을 좁힐 때에 사용하는 정보는, 상기 유속의 변동에 한정되지 않는다. 요인 추정부(118)는, 이물이 검출되었을 때의 워크(W)에 대한 처리액의 공급 빈도(토출 빈도)에 기초하여, 상기 사건 발생의 요인을 좁혀가도 좋다. 이물이 검출된 시점을 포함하기 직전의 소정 기간 내에 있어서, 처리액의 공급 빈도가 낮은 경우에는, 공급 유로(29) 내에서의 처리액의 체류가 생기고 있다고 추정할 수 있다. 요인 추정부(118)는, 이물이 검출된 시점을 포함하기 직전의 소정 기간 내에서의 공급 빈도에 따라서, 상기 사건 발생의 요인을 좁혀가도 좋다. The information used when narrowing down the cause of the occurrence of the above-mentioned incident is not limited to the variation in the above-described flow velocity. The
요인 추정부(118)는, 예컨대, 송액부(40) 내의 부품이 이물의 발생원이라고 추정한 경우에, 이물 검출 유닛(70B)에서 이물이 검출된 시점을 포함하는 상기 소정 기간 내에서의 공급 빈도에 따라서, 상기 사건 발생의 요인을 좁혀가도 좋다. 일례에서는, 요인 추정부(118)는, 상기 소정 기간 내에서의 공급 빈도가 소정의 임계값보다 작은 경우에, 상기 사건 발생의 요인이, 처리액의 체류라고 좁혀도 좋다. 요인 추정부(118)는, 상기 소정 기간 내에서의 공급 빈도가 소정의 임계값보다 큰 경우에, 상기 사건 발생의 요인이, 펌프 또는 필터 교환, 및 펌프의 동작 조건의 변경이라고 좁혀도 좋다. For example, when the
전술한 예에서는, 액처리 유닛(U1)은, 하나의 처리액 공급부(28)를 갖지만, 복수의 처리액 공급부(28)를 가져도 좋다. 이 경우, 액처리 유닛(U1)은, 복수의 노즐(30)과, 복수의 노즐(30)에 처리액을 각각 공급하기 위한 복수의 공급 유로(29)를 갖는다. 이물 검출 유닛(70A∼70C)은, 복수의 공급 유로(29)의 각각에 대해 복수 개소에서 이물을 검출해도 좋다. 제어 시스템(100)은, 복수의 공급 유로(29)의 각각에 있어서, 상기 사건이 발생했다고 상정되는 구획(이물의 발생원을 포함한다고 상정되는 구획)을 추정해도 좋다. In the above-described example, the liquid processing unit U1 has one processing
하나의 이물 검출 유닛이, 하나의 공급 유로(29)를 따라 위치가 상이한 복수 개소 각각에서 이물을 검출하기 위한 부재를 가져도 좋다. 예컨대, 하나의 이물 검출 유닛은, 노즐(30)과 토출 밸브(34) 사이에 위치하는 검출 유로(74), 토출 밸브(34)와 송액부(40) 사이에 위치하는 검출 유로(74), 및 송액부(40)와 보충부(50) 사이에 위치하는 검출 유로(74)를 각각 형성하는 복수의 유로 형성부(72)를 가져도 좋다. 또한, 이물 검출 유닛은, 이들 검출 유로(74)에 대응하는 복수의 조사부(76)와 복수의 수광부(78)를 가져도 좋다. 이 경우, 하나의 이물 검출 유닛이, 공급 유로(29) 상에서 복수 개소에 설치되는 복수의 검출 유로(74)에 있어서, 이물의 검출을 각각 행하는 복수의 이물 검출부를 갖는다. One foreign matter detection unit may have members for detecting foreign matter at a plurality of different positions along one
도포 현상 장치(2)는, 공급 유로(29) 상의 상이한 위치에서 이물을 검출하는 2개의 이물 검출 유닛을 가져도 좋고, 4개 이상의 이물 검출 유닛을 가져도 좋다. 복수의 이물 검출 유닛(이물 검출 유닛(70A∼70C))의 배치는, 전술한 예에 한정되지 않고, 공급 유로(29) 상의 상이한 위치라면 어느 개소여도 좋다. 이물의 발생원이 될 수 있는 부품은, 전술한 예에 한정되지 않고, 예컨대, 토출 밸브(34)와는 상이한 위치에서 유로를 개폐하는 밸브, 및 처리액의 유로를 형성하는 관을 포함해도 좋다. 송액부(40)는 전술한 예에 한정되지 않고, 필터와 펌프를 갖고 있다면, 어떻게 구성되어 있어도 좋다. 보충부(50)는, 전술한 예에 한정되지 않고, 송액부(40)에 처리액을 보충 가능하다면, 어떻게 구성되어 있어도 좋다. The coating and developing
제어 장치(20)가, 공급 유로(29) 상의 복수 개소 각각에서의 이물 유무를 판정하는 기능 모듈을 가져도 좋다. 이 경우, 제어부(80)는, 이물 판정부(106)를 갖고 있지 않아도 좋다. 이물 검출 유닛(70A∼70C)의 어느 하나의 제어부(80)가, 상기 사건이 발생했다고 상정되는 구획을 추정하는 기능 모듈, 이물 발생의 요인을 추정하는 기능 모듈, 및 추정 결과를 출력하는 기능 모듈을 가져도 좋다. 이 경우, 이물 검출 유닛(70A∼70C)의 제어부(80)가 서로 통신 가능하게 접속되어 있어도 좋고, 제어 장치(20)가, 전술한 기능 모듈의 일부를 갖고 있지 않아도 좋다. The
(실시형태의 효과)(Effect of embodiment)
이상에 설명한 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 처리액을 토출 가능한 노즐(30)과, 처리액의 공급원(52)과, 노즐(30)과 공급원(52) 사이를 접속하는 공급 유로(29)를 갖고, 워크(W)에 대하여 처리액을 공급하는 처리액 공급부(28)와, 공급 유로(29)를 따라 위치가 서로 다른 복수 개소에 배치되고, 광의 조사에 따라 공급 유로(29) 내로부터 출사된 광을 수광하여 얻어지는 수광 신호에 기초하여, 처리액에 포함되는 이물을 검출하는 복수의 이물 검출부(이물 검출 유닛(70A∼70C))와, 복수의 이물 검출부에 의한 복수 개소 각각에서의 검출 결과에 기초하여, 공급 유로(29) 중으로부터, 이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생한 구획을 추정하는 발생원 추정부(116)를 구비한다. The
전술한 예와는 달리, 이물이 포함된 처리액의 워크(W)에 대한 공급을 방지하기 위해, 노즐과 처리액의 공급원 사이의 공급 유로 중의 노즐과 토출 밸브 사이의 1개소에 이물 검출 유닛을 배치하여, 처리액 중의 이물을 검출하는 방법이 고려된다. 이 방법에서는, 처리액 중에 이물이 발생한 것을 파악할 수 있지만, 상기 이물 검출 유닛의 상류에서 상기 사건이 어떠한 요인으로 발생하고 있는지를 검출 결과로부터 파악할 수 없다. 이것에 대하여, 기판 처리 시스템(1)에서는, 공급 유로(29) 상의 복수 개소에서의 이물의 검출 결과로부터, 상기 사건이 발생한 구획이 추정된다. 그 때문에, 그 추정 결과를 이용함으로써, 처리액 공급부(28)에 있어서 상기 사건이 발생한 요인을 용이하게 파악하는 것이 가능해진다. Unlike the above example, in order to prevent the supply of processing liquid containing foreign matter to the work W, a foreign matter detection unit is installed at a location between the nozzle and the discharge valve in the supply passage between the nozzle and the supply source of the processing liquid. A method of detecting foreign substances in the treatment liquid is considered. In this method, it is possible to ascertain that a foreign matter has occurred in the treatment liquid, but it is not possible to determine from the detection results what factors are causing the incident upstream of the foreign matter detection unit. In contrast, in the
처리액 공급부(28)는, 공급 유로(29) 내의 처리액에 포함되는 이물을 포집하는 필터(46)와, 노즐(30)을 향해 처리액을 송출하는 펌프(42)를 포함하는 송액부(40)와, 공급 유로(29) 중의 송액부(40)와 노즐(30) 사이의 유로를 개폐하는 토출 밸브(34)를 가져도 좋다. 복수의 이물 검출부는, 노즐(30)과 토출 밸브(34) 사이의 유로에 배치된 제1 이물 검출부(이물 검출 유닛(70A))와, 토출 밸브(34)와 송액부(40) 사이의 유로에 배치된 제2 이물 검출부(이물 검출 유닛(70B))를 가져도 좋다. 이 경우, 제1 이물 검출부 및 제2 이물 검출부에 의한 검출 결과로부터, 상기 사건이 발생했다고 상정되는 구획을, 토출 밸브(34)를 포함하는 구획이나, 그것 이외의 송액부(40)의 펌프(42) 및 필터(46)를 포함하는 구획 중의 어느 것으로 추정하는 것이 가능해진다. The processing
처리액 공급부(28)는, 공급원(52)으로부터 송액부(40)에 처리액을 보충하는 보충부(50)를 더 가져도 좋다. 복수의 이물 검출부는, 보충부(50)와 송액부(40) 사이의 유로에 배치된 제3 이물 검출부(이물 검출 유닛(70C))를 더 가져도 좋다. 이 경우, 제3 이물 검출부에 의한 검출 결과도 이용함으로써, 토출 밸브(34)를 포함하지 않는 구획(제2 이물 검출부보다 상류의 구획)에 있어서, 상기 사건이 발생했다고 상정되는 구획을, 송액부(40)를 포함하는 구획이나, 보충부(50)를 포함하는 구획 중의 어느 것으로 추정하는 것이 가능해진다. The processing
기판 처리 시스템(1)은, 발생원 추정부(116)가 추정한 구획에 따라서, 상기 사건 발생의 요인을 추정하는 요인 추정부(118)를 더 구비해도 좋다. 이 경우, 요인 추정부(118)에 의한 요인의 추정 결과를 이용함으로써, 상기 사건 발생의 요인을 더욱 용이하게 파악하는 것이 가능해진다. The
기판 처리 시스템(1)은, 노즐(30)까지 처리액을 유도하는 유로 내를 흐르는 처리액의 유속을 측정하는 유속 측정부(60)를 더 구비해도 좋다. 요인 추정부(118)는, 유속 측정부(60)에 의한 측정 결과에 기초하여, 상기 사건 발생의 요인을 좁혀가도 좋다. 이 경우, 상기 사건 발생의 요인의 추정 결과가 좁혀지기 때문에, 상기 사건 발생의 요인을 더욱 용이하게 파악하는 것이 가능해진다. The
요인 추정부(118)는, 상기 사건이 발생했을 때의 워크(W)에 대한 처리액의 공급 빈도에 기초하여, 상기 사건 발생의 요인을 좁혀가도 좋다. 이 경우, 상기 사건 발생의 요인의 추정 결과가 좁혀지기 때문에, 상기 사건 발생의 요인을 더욱 용이하게 파악하는 것이 가능해진다. The
[제2 실시형태][Second Embodiment]
계속해서, 도 12 및 도 13도 참조하면서, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 대해 설명한다. 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)과 동일하게 구성된다. 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 전술한 먼지, 티끌 및 거품 등의 파티클 대신에, 처리액에 혼재하는 다른 약액이 이물로서 검출된다. 즉, 본 개시에 있어서, 처리액 중의 「이물」에는, 전술한 먼지, 티끌 및 거품 등의 파티클에 더해, 처리액과는 상이한 성분을 갖는 약액이 포함된다. 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 평가치에 기초하여 파티클 등이 검출되는 데 비해, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 처리액 중의 다른 약액을 검출하기 위해, 배경광의 강도를 이용한다. Next, the
배경광이란, 파티클의 유무에 관계없이, 처리액에 대한 광의 조사에 따라 검출 유로(74)로부터 출사(예컨대 산란)되는 광이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 먼지 등의 파티클의 유무에 의해 검출 유로(74) 내(처리액 중)에서의 조사광의 산란 정도가 변화하기 때문에, 파티클의 유무에 의해 신호 강도의 크기가 변화한다. 산란광에 따른 수신 신호에는, 파티클이 포함되지 않은 상태에서의 배경광에 따른 신호(Ib)와, 파티클이 포함되는 상태에서의 상기 파티클로부터의 산란광에 따른 신호(Is)가 포함된다. 또 상세하게는, 신호(Is)는, 배경광과 파티클에 의해 산란되는 산란광에 따른 신호이다. Background light is light emitted (e.g., scattered) from the
배경광에 따른 신호(Ib)에는, 처리액 중에 통상 포함되는 물질로부터의 산란광에 따른 성분과 외란에 따른 성분이 포함될 수 있다. 처리액 중에 통상 포함되는 물질로는, 베이스 수지(베이스 폴리머)를 들 수 있다. 이물 검출 유닛(70)은, 전술한 수광 신호로부터, 검출 유로(74)로부터 출사되는 광에 포함되는 배경광의 강도를 취득한다. 이물 검출 유닛(70)은, 처리액 등의 약액의 종류에 따라서 배경광의 강도가 변화되는 것을 이용하여, 처리액 중에 혼입한 다른 약액을 이물로서 검출한다. 이하에서는, 처리 모듈(12)의 액처리 유닛(U1)이, 레지스트막을 형성하기 위한 처리액(이하, 「처리액(Lr)」이라고 한다.)을 워크(W)에 대하여 공급하는 경우를 예시한다. The signal Ib according to the background light may include a component due to scattered light from substances normally included in the processing liquid and a component due to disturbance. Substances usually contained in the treatment liquid include base resin (base polymer). The foreign matter detection unit 70 acquires the intensity of the background light included in the light emitted from the
공급 유로(29)에 있어서, 처리액(Lr)에 다른 약액이 혼입해 버리는 경우가 있다. 다른 약액은, 예컨대 세정액(Lc)이다. 도 12에는, 처리액(Lr) 및 세정액(Lc) 각각을 공급한 경우의 배경광의 강도에 대한 계측 결과가 도시되어 있다. 도 12에서는, 종축이 배경광의 강도[mW]를 도시한다. 배경광의 강도는, 수광 신호에 있어서, 소정 기간에서의 강도의 시간 평균을 연산함으로써 구해진다. 도 12에 도시되는 그래프로부터, 약액의 종류에 따라 배경광의 강도가 상이한 것을 알 수 있다. 구체적으로는, 처리액(Lr)을 공급하는 경우와 세정액(Lc)을 공급하는 경우에서, 배경광의 강도가 서로 다른 것을 알 수 있다. 또한, 배경광의 강도는, 약액의 종류가 동일하다면, 대략 일정한 레벨을 갖는 것을 알 수 있다. In the
공급 유로(29) 내에서 약액의 치환이 행해졌을 때에, 처리액(Lr)에 다른 약액이 혼재할 수 있다. 액처리 유닛(U1)은, 도포 현상 장치(2)에서의 워크(W)에 대한 처리가 계속되는 동안, 각 워크(W)에 대한 처리액(Lr)의 공급을 계속하여 실행한다. 워크(W)에 대한 처리가 계속되는 동안에, 처리를 중단하고, 액처리 유닛(U1)에서 메인터넌스가 행해지는 경우가 있다. 메인터넌스의 일례로는, 처리액 공급부(28)에 포함되는 필터(46) 등의 부품의 교환을 들 수 있다. When replacement of the chemical liquid is performed within the
메인터넌스가 실행될 때에는, 공급 유로(29) 내가 처리액(Lr)으로부터 세정액(Lc)으로 치환된다. 그리고, 메인터넌스 종료 후에 처리를 재개할 때에는, 공급 유로(29) 내가 처리액(Lr)으로 다시 치환된다. 예컨대, 처리를 재개할 때에, 세정액(Lc)으로부터 처리액(Lr)으로의 치환이 충분히 행해지지 않으면, 워크(W)에 대한 처리중에 있어서, 처리액(Lr)에 세정액(Lc)의 일부가 혼재할 수 있다. When maintenance is performed, the
도 12에 도시되는 그래프에서는, 횡축이 공급 횟수를 도시한다. 처리액(Lr)의 공급이 계속된 후에, 공급 횟수가 「tc1」회에 있어서, 세정액(Lc) 으로의 치환이 행해지고, 공급 횟수가 「tc2」회에 있어서, 처리액(Lr)으로 다시 치환되어 있다. tc1회 및 tc2회의 직후의 기간에서 배경광의 강도가 안정되지 않은 것은, 처리액(Lr)과 세정액(Lc)이 혼재하고 있어, 약액의 치환이 완료되지 않았기 때문이라고 생각된다. 배경광의 강도가 약액의 종류에 의존하는 특성을 이용하여, 약액의 치환을 완료시킨 후에(치환이 완료되었다고 상정되는 공급 횟수 이후에 있어서), 배경광의 강도를 계측함으로써, 약액의 치환 부족을 검출할 수 있다. In the graph shown in FIG. 12, the horizontal axis shows the number of supplies. After the supply of the treatment liquid Lr continues, replacement with the cleaning liquid Lc is performed at the number of supply times “tc1”, and replacement is performed again with the treatment liquid Lr at the number of supply times “tc2”. It is done. It is believed that the reason why the intensity of the background light was not stable in the period immediately after tc1 and tc2 was because the treatment liquid (Lr) and the cleaning liquid (Lc) were mixed and replacement of the chemical liquid was not completed. Using the characteristic that the intensity of the background light depends on the type of chemical solution, insufficient replacement of the chemical solution can be detected by measuring the intensity of the background light after completing the replacement of the chemical solution (after the number of supply times at which replacement is assumed to be completed). You can.
제어 장치(20) 및 제어부(80)는, 도 10에 도시되는 일련의 처리와 동일하게 처리를 실행한다. 단계 S12에 있어서, 복수의 이물 검출 유닛(70A∼70C) 각각은, 공급 유로(29)로부터 출사되는 광(예컨대, 산란광)에 포함되는 배경광의 강도를 나타내는 강도 정보에 기초하여, 처리액(Lr)에 이물이 포함되는지 아닌지를 판정한다. 일례에서는, 각 이물 검출 유닛이 갖는 제어부(80)의 이물 판정부(106)는, 수광 신호로부터, 대응하는 검출 유로(74)에서의 산란광에 포함되는 배경광의 강도를 나타내는 강도 정보를 취득한다(배경광의 강도를 산출한다). 이물 판정부(106)는, 강도 정보에 의해 나타나는 배경광의 강도가, 처리액(Lr)에 따른 레벨인지 아닌지를 판정한다. The
이물 판정부(106)는, 배경광의 강도가 처리액(Lr)에 따른 소정 레벨(소정 범위)로부터 벗어난 경우에, 대응하는 검출 유로(74)에서 세정액(Lc)이 이물로서 혼재하고 있다고 판정한다. 이물 판정부(106)는, 처리액(Lr)으로부터 세정액(Lc)으로의 치환이 행해졌을 때에, 다른 제어 장치로부터의 입력 또는 사용자 입력에 기초하여, 공급 유로(29) 내의 전체에서 치환이 완료된 것을 나타내는 신호를 취득해도 좋다. 이물 판정부(106)는, 공급 유로(29) 내의 전체에서 치환이 완료된 것을 나타내는 신호를 취득한 이후의 공급 횟수에 있어서, 배경광에 기초하는 이물의 검출을 실행해도 좋다. 예컨대, 약액의 액원(보틀)을 교환한 후에, 소정 횟수만큼 약액을 노즐(30)로부터 토출한 시점에서, 치환이 완료되었다고 판정되어도 좋다. When the intensity of the background light deviates from a predetermined level (predetermined range) according to the processing liquid Lr, the foreign
발생원 추정부(116)는, 이물 검출 유닛(70A∼70C)에 의한 복수 개소 각각에서의 배경광의 강도 정보를 이용한 검출 결과에 기초하여, 공급 유로(29) 중으로부터 세정액(Lc)이 혼재한 사건이 발생한 구획을 추정한다. 발생원 추정부(116)는, 가장 노즐(30)에 가까운 위치에 배치된 이물 검출 유닛(70A)에서 세정액(Lc)의 혼재가 검출되었을 때에, 세정액(Lc)의 혼재가 발생한 구획(이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생한 구획)을 추정해도 좋다. 이하에서는, 도 13을 참조하면서, 세정액(Lc)의 혼재가 발생했다고 상정되는 구획의 추정 방법의 일례에 대해 설명한다. The
도 13에는, 이물 검출 유닛(70A∼70C) 각각에 대해, 공급 횟수에 대한 배경광의 강도의 추이를 나타내는 그래프가 도시되어 있다. 도 13에 있어서, 「70A」는, 이물 검출 유닛(70A)에서 취득된 배경광의 강도의 추이를 도시한다. 「70B」는, 이물 검출 유닛(70B)에서 취득된 배경광의 강도의 추이를 도시하고, 「70C」는, 이물 검출 유닛(70C)에서 취득된 배경광의 강도의 추이를 도시한다. FIG. 13 shows a graph showing the change in intensity of background light against the number of supply times for each of the foreign
「TLv」는, 검출 유로(74) 내에 세정액(Lc)이 채워졌을 때의 배경광의 강도의 레벨(범위)이다. 「RLv」는, 검출 유로(74) 내에 처리액(Lr)이 채워졌을 때의 배경광의 강도의 레벨(범위)이다. 세정액(Lc) 또는 처리액(Lr)에 따른 배경광의 강도 레벨 TLv, RLv는 미리 측정되어 있다. 도 13에 도시되는 예에서는, 세정액(Lc) 또는 처리액(Lr)의 약액의 공급 횟수가 「tc2」회일 때에, 세정액(Lc)으로부터 처리액(Lr)으로의 치환이 개시되고 있다. 세정액(Lc)으로부터 처리액(Lr)으로의 치환 개시 후, 상류로부터 순서대로, 배경광의 강도의 계측치가, 세정액(Lc)에 따른 강도 레벨 TLv로부터 처리액(Lr)에 따른 강도 레벨 RLv로 변화해 간다. “TLv” is the level (range) of the intensity of the background light when the
약액의 공급 횟수가 「ts」회일 때에, 이물 검출 유닛(70A)에 있어서, 배경광의 강도가, 처리액(Lr)에 따른 강도 레벨 RLv로부터 벗어나 있고, 처리액(Lr)에 세정액(Lc)이 혼재하고 있다고 판정된다. 공급 횟수가 ts회인 시점에서, 제어부(80)(이물 판정부(106))는, 치환이 완료된 것을 나타내는 신호를 취득하고 있다. 이물 검출 유닛(70A)에 있어서, 세정액(Lc)의 혼재가 발생하지 않으면, 점선으로 나타내는 그래프와 같이, ts회의 시점에서 배경광의 강도는 처리액(Lr)에 따른 강도 레벨 RLv에 도달하였다. When the number of times the chemical solution is supplied is “ts”, in the foreign
발생원 추정부(116)는, 이물 검출 유닛(70A)에서 세정액(Lc)의 혼재가 검출된 경우에, 이물 검출 유닛(70B, 70C)에서의 이물의 유무에 대한 과거의 판정 결과를 참조한다. 발생원 추정부(116)는, 예컨대, ts회로부터 소정의 횟수(「b」회)만큼 거슬러 올라간 시점에서의 다른 검출 유닛의 판정 결과를 참조한다. 이 소정의 횟수는, 도 8에 도시되는 예와 마찬가지로, 이물 검출 유닛(70A)에서 검출된 처리액 중의 세정액(Lc)이 이물 검출 유닛(70B)의 검출 유로(74)를 과거에 통과했다고 상정되는 시점에서의 판정 결과를 참조할 수 있도록 설정되어 있다. When the presence of the cleaning liquid Lc is detected in the foreign
일례에서는, 발생원 추정부(116)는, 소정의 횟수만큼 거슬러 올라간 시점(「ts-b」회)에 있어서, 이물 검출 유닛(70B, 70C)의 쌍방에서 세정액(Lc)의 혼재가 검출되지 않은 경우에는, 이물 검출 유닛(70A)과 이물 검출 유닛(70) 사이의 구획에서 세정액(Lc)의 혼재가 발생하고 있다(발생했다)고 추정한다. 발생원 추정부(116)는, (ts-b)회의 시점에 있어서, 이물 검출 유닛(70B)에서 세정액(Lc)의 혼재가 검출되고, 또한 이물 검출 유닛(70C)에서 세정액(Lc)의 혼재가 검출되지 않은 경우에는, 이물 검출 유닛(70B)과 이물 검출 유닛(70C) 사이의 구획에서 세정액(Lc)의 혼재가 발생하고 있다(발생했다)고 추정한다. 도 13에는, 이와 같이 추정되는 경우의 판정 결과가 예시되어 있다. In one example, the
발생원 추정부(116)는, 소정의 횟수만큼 거슬러 올라간 시점에서, 이물 검출 유닛(70B, 70C)의 쌍방에서 세정액(Lc)의 혼재가 검출되었던 경우에는, 이물 검출 유닛(70C)보다 상류의 구획에서 세정액(Lc)의 혼재가 발생하고 있다(발생했다)고 추정한다. 요인 추정부(118)는, 이물 판정부(106)에 의한 배경광의 강도에 기초하는 검출 결과와, 발생원 추정부(116)가 추정한 구획에 기초하여, 상기 사건 발생의 요인을 추정한다. 발생원 추정부(116)는, 도 13에 도시되는 예의 판정 결과가 얻어졌을 때에, 필터(46) 또는 펌프(42) 내에서 약액의 치환 부족이, 이물 검출의 원인이 되는 사건의 요인이라고 추정해도 좋다. When a mixture of the cleaning liquid Lc is detected in both the foreign
필터(46) 내에서 약액이 혼재해 버리는 사건으로서, 이하의 것이 고려된다. 처리액(Lr)을 이용한 처리의 개시 전에 공급 유로(29)의 배관 내를 세정하기 위해서 통액시킨 세정액(Lc)이, 필터(46) 내부의 협소 영역(도시하지 않지만 이물을 포집하는 재료의 내부 유로 등)에 체류해 버리고, 체류한 세정액(Lc)이 배출되지 않을 가능성이 있다. 이 경우, 세정액(Lc)의 일부가 배출되지 않은 상태로, 처리액(Lr)이 공급 유로(29)의 배관 내에 충전되어 버린다. 필터(46) 내부의 협소 영역에서는 공급 유로(29) 내의 다른 유로에 비교하여 압력 손실이 높아지기 쉽기 때문에, 처리액(Lr)을 충전했을 때에 바로 용출되지 않고, 실제 처리시의 송액을 위한 압력 제어에 있어서 뜻밖의 타이밍에 세정액(Lc)이 용출될 수 있다. As an event in which chemical liquids mix within the
제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 대하여, 제1 실시형태에서 나타낸 예가 적용되어도 좋다. 이물 검출 유닛(70)은, 수광 신호로부터 얻어지는 평가치에 기초하는 파티클의 검출과, 배경광의 강도를 나타내는 강도 정보에 기초하는 다른 약액의 혼재의 검출을 실행해도 좋다. 평가치에 기초하는 검출에서는, 수광 신호의 순시값의 변동에 기초하여 이물이 검출되는 데 비해, 강도 정보에 기초하는 검출에서는, 수광 신호의 전체에서의 시간 평균의 크기에 기초하여 이물이 검출된다. 이물 검출 유닛(70)은, 평가치에 기초하는 검출 및 강도 정보에 기초하는 검출의 적어도 한쪽에서 이물을 검출한 경우에, 대응하는 검출 유로(74) 내의 처리액에 이물이 포함되어 있다고 판정해도 좋다. For the
요인 추정부(118)는, 강도 정보에 기초하는 검출에서 이물이 검출된 경우에, 전술한 예와 마찬가지로, 공급 유로(29) 내를 흐르는 처리액의 유속의 계측 결과에 기초하여, 상기 사건 발생의 요인을 좁혀가도 좋다. 요인 추정부(118)는, 강도 정보에 기초하는 검출에서 이물이 검출된 경우에, 전술한 예와 마찬가지로, 상기 사건이 발생했을 때의 워크(W)에 대한 처리액의 공급 빈도에 기초하여, 상기 사건 발생의 요인을 좁혀가도 좋다. When a foreign matter is detected in detection based on intensity information, the
강도 정보에 기초하는 검출에서 이물이 검출된 경우에, 오퍼레이터 등의 지시에 기초하여, 다른 약액(세정액(Lc))을 배출하는 처치가 실시되어도 좋다. 다른 약액을 배출하는 처리의 일례에서는, 배경광의 강도가 처리액(처리액(Lr))에 따른 강도 레벨에 도달할 때까지, 처리액(Lr)의 송액 상태가 유지된다. 이 처치에 있어서, 배액 가능한 대기 버스 상에서의 더미 토출이, 실제로 처리액(Lr)을 워크(W)에 공급할 때보다 연속적으로 가압하는 시간을 짧게 한 상태로, 반복해서 행해져도 좋다. 이와 같이 압력 변동의 빈도를 증가시킴으로써, 체류한 세정액(Lc)이 처리액(Lr)에 용출되는 것을 재촉할 수 있다. When a foreign substance is detected in detection based on intensity information, treatment to discharge another chemical liquid (cleaning liquid Lc) may be performed based on instructions from an operator or the like. In an example of a process for discharging another chemical liquid, the liquid delivery state of the treatment liquid Lr is maintained until the intensity of the background light reaches an intensity level corresponding to the treatment liquid (treatment liquid Lr). In this treatment, dummy discharge on a standby bus capable of draining liquid may be repeatedly performed with a shorter continuous pressurizing time than when actually supplying the processing liquid Lr to the work W. By increasing the frequency of pressure fluctuations in this way, it is possible to hasten the elution of the retained cleaning liquid Lc into the treatment liquid Lr.
거품의 발생에 기인한 이물의 검출과 약액의 치환 부족에 기인한 이물의 검출이, 대략 동일한 타이밍에 행해지는 경우도 있다. 예컨대, 송액부(40)와 토출 밸브(34)의 사이에서 평가치에 기초하는 검출 및 강도 정보에 기초하는 검출에 의해, 대략 동일한 타이밍에 처리액 중에 이물이 발생하고 있다고 추정되는 경우가 있다. 이 경우, 요인 추정부(118)는, 필터(46) 또는 펌프(42)에서의 거품의 존재와, 필터(46)에서의 다른 약액의 체류의 2개의 요인이 있다고 추정해도 좋다. In some cases, the detection of foreign substances due to the generation of bubbles and the detection of foreign substances due to insufficient replacement of the chemical solution are performed at approximately the same timing. For example, there are cases where it is estimated that foreign substances are generated in the processing liquid between the
2개의 요인이 추정된 경우에, 배경광의 강도가 처리액에 따른 강도 레벨에 도달할 때까지, 더미 토출이 계속되어도 좋다. 거품이 존재하는 상태로 배경광의 강도가 먼저 안정된 경우에는, 단속적으로 더미 토출을 행했던 상태로부터, 더미 토출시의 압력의 증감의 전환 빈도를 적게 하여, 진동에 의한 미소 거품의 증가 리스크를 억제하고, 거품의 저감을 보다 재촉해도 좋다. 이와 같이, 요인 추정부(118)(제어 장치(20))는, 이물 검출의 원인이 되는 복수의 사건을 추정한 경우에, 추정 후의 기판 처리 시스템(1)에서의 더미 토출과 같은 처치 동작 또는 다른 동작의 진행에 따라, 그 후의 각 사건의 추이를 감시해도 좋다. 예컨대, 요인 추정부(118)는, 이물 검출 유닛(70A∼70C)에서의 수광 신호에 기초하여, 복수의 사건 중 어느 사건이 안정되었는지, 즉, 어느 사건의 영향이 해소되었는지를 순차적으로 판단해도 좋다. 요인 추정부(118)(제어 장치(20))에 의해, 사건의 안정이 순차적으로 판단되고, 어떤 시점에서 아직 안정되지 않은 사건에 따른 필요한 처치 동작이 판단됨으로써, 복수의 사건이 발생한 경우에 효율적인 안정화를 도모할 수 있다. When two factors are estimated, dummy discharge may continue until the intensity of the background light reaches the intensity level according to the processing liquid. When the intensity of the background light first stabilizes with the presence of bubbles, the frequency of switching between increase and decrease in pressure during dummy discharge is reduced from the state in which dummy discharge is performed intermittently, thereby suppressing the risk of increase in microbubbles due to vibration, You may further accelerate the reduction of foam. In this way, when the factor estimation unit 118 (control device 20) estimates a plurality of events causing detection of foreign matter, a treatment operation such as dummy discharge from the
이상에 설명한 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서도, 제1 실시형태와 마찬가지로, 처리액 공급부(28)에 있어서 이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생한 요인을 용이하게 파악하는 것이 가능해진다. 또한, 출사광에 포함되는 배경광의 강도를 나타내는 강도 정보에 기초하여, 처리액 중의 별도의 약액을 이물로서 검출함으로써, 처리액 등의 약액의 치환 부족을 용이하게 검출하는 것이 가능해진다. In the
1…기판 처리 시스템, 2…도포 현상 장치, 20…제어 장치, U1…액처리 유닛, 28…처리액 공급부, 29…공급 유로, 30…노즐, 34…토출 밸브, 40…송액부, 42…펌프, 46…필터, 50…보충부, 52…공급원, 60…유속 측정부, 70, 70A, 70B, 70C…이물 검출 유닛, 116…발생원 추정부, 118…요인 추정부, W…워크. One… Substrate handling system, 2… Applicator and developer, 20... Control unit, U1… Liquid treatment unit, 28... Treatment liquid supply department, 29… Supply Euro, 30… Nozzle, 34… Discharge valve, 40… Money transfer department, 42… Pump, 46… Filter, 50… Supplementary Department, 52… Source of supply, 60… Flow measuring unit, 70, 70A, 70B, 70C… Foreign body detection unit, 116… Source estimation department, 118… Factor estimator, W… work.
Claims (8)
처리액을 토출 가능한 노즐과, 상기 처리액의 공급원과, 상기 노즐과 상기 공급원 사이를 접속하는 공급 유로를 갖고, 기판에 대하여 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
상기 공급 유로를 따라 위치가 서로 다른 복수 개소에 배치되고, 광의 조사에 따라 상기 공급 유로 내로부터 출사된 출사광을 수광하여 얻어지는 수광 신호에 기초하여, 상기 처리액에 포함되는 이물을 검출하는 복수의 이물 검출부와,
상기 복수의 이물 검출부에 의한 상기 복수 개소 각각에서의 검출 결과에 기초하여, 상기 공급 유로 중으로부터 상기 이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생한 구획을 추정하는 발생원 추정부
를 구비하는 기판 처리 장치. In the substrate processing device,
A processing liquid supply unit having a nozzle capable of discharging a processing liquid, a supply source of the processing liquid, and a supply passage connecting the nozzle and the supply source, and supplying the processing liquid to the substrate;
A plurality of devices disposed at a plurality of different positions along the supply passage and detecting foreign substances contained in the processing liquid based on a light reception signal obtained by receiving light emitted from within the supply passage according to irradiation of light. A foreign matter detection unit,
A source estimation unit for estimating a section in the supply flow passage where an event causing detection of the foreign substance occurred, based on detection results at each of the plurality of locations by the plurality of foreign substance detection units.
A substrate processing device comprising:
상기 처리액 공급부는,
상기 공급 유로 내의 상기 처리액에 포함되는 이물을 포집하는 필터와, 상기 노즐을 향해 상기 처리액을 송출하는 펌프를 포함하는 송액부와,
상기 공급 유로 중의 상기 송액부와 상기 노즐 사이의 유로를 개폐하는 토출 밸브와,
상기 공급원으로부터 상기 송액부에 상기 처리액을 보충하는 보충부
를 갖고,
상기 복수의 이물 검출부는,
상기 노즐과 상기 토출 밸브 사이의 유로에 배치된 제1 이물 검출부와,
상기 토출 밸브와 상기 송액부 사이의 유로에 배치된 제2 이물 검출부와,
상기 보충부와 상기 송액부 사이의 유로에 배치된 제3 이물 검출부
를 갖는 것인 기판 처리 장치. According to paragraph 1,
The treatment liquid supply unit,
a liquid delivery unit including a filter that collects foreign substances contained in the processing liquid in the supply passage, and a pump that delivers the processing liquid toward the nozzle;
a discharge valve that opens and closes a passage between the liquid delivery portion and the nozzle in the supply passage;
A replenishment unit that replenishes the processing liquid from the supply source to the liquid delivery unit.
With
The plurality of foreign matter detection units,
a first foreign matter detection unit disposed in a passage between the nozzle and the discharge valve;
a second foreign matter detection unit disposed in a passage between the discharge valve and the liquid delivery unit;
A third foreign matter detection unit disposed in the passage between the replenishment unit and the liquid delivery unit.
A substrate processing device having a.
상기 발생원 추정부가 추정한 상기 구획에 따라서, 상기 사건 발생의 요인을 추정하는 요인 추정부를 더 구비하는 기판 처리 장치. According to claim 1 or 2,
A substrate processing apparatus further comprising a factor estimation unit that estimates a factor for occurrence of the event according to the partition estimated by the source estimation unit.
상기 노즐까지 상기 처리액을 유도하는 유로 내를 흐르는 상기 처리액의 유속을 측정하는 유속 측정부를 더 구비하고,
상기 요인 추정부는, 상기 유속 측정부에 의한 측정 결과에 기초하여, 상기 사건 발생의 요인을 좁히는 것인 기판 처리 장치. According to paragraph 3,
Further comprising a flow rate measuring unit that measures the flow rate of the processing liquid flowing in a flow path leading the processing liquid to the nozzle,
The substrate processing apparatus wherein the factor estimation unit narrows down the factors causing the incident based on the measurement results by the flow velocity measurement unit.
상기 요인 추정부는, 상기 사건이 발생했을 때의 상기 기판에 대한 상기 처리액의 공급 빈도에 기초하여, 상기 사건 발생의 요인을 좁히는 것인 기판 처리 장치. According to clause 3 or 4,
The substrate processing apparatus wherein the factor estimation unit narrows down the factors causing the event based on the frequency of supply of the processing liquid to the substrate when the event occurs.
상기 복수의 이물 검출부 각각은, 상기 출사광에 포함되는 배경광의 강도를 나타내는 강도 정보에 기초하여, 상기 처리액에 포함되는 별도의 약액을 상기 이물로서 검출하는 것인 기판 처리 장치. According to any one of claims 1 to 5,
A substrate processing apparatus, wherein each of the plurality of foreign matter detection units detects a separate chemical solution included in the processing liquid as the foreign matter based on intensity information indicating the intensity of background light included in the emitted light.
처리액을 토출 가능한 노즐로부터, 기판에 대하여 상기 처리액을 공급하는 단계와,
상기 처리액의 공급원과 상기 노즐 사이를 접속하는 공급 유로를 따라 위치가 서로 다른 복수 개소에 있어서, 광의 조사에 따라 상기 공급 유로 내로부터 출사된 광을 수광하여 얻어지는 수광 신호에 기초하여, 상기 처리액에 포함되는 이물을 검출하는 단계와,
상기 복수 개소 각각에서의 상기 이물의 검출 결과에 기초하여, 상기 공급 유로 중으로부터 상기 이물 검출의 원인이 되는 사건이 발생한 구획을 추정하는 단계
를 포함하는 기판 처리 방법. In the substrate processing method,
supplying the processing liquid to the substrate from a nozzle capable of discharging the processing liquid;
Based on a light reception signal obtained by receiving light emitted from within the supply passage in response to irradiation of light at a plurality of different positions along the supply passage connecting the supply source of the processing liquid and the nozzle, the processing liquid A step of detecting foreign substances included in
Based on the detection results of the foreign matter at each of the plurality of locations, estimating a section in the supply passage where an event causing detection of the foreign matter occurred.
A substrate processing method comprising:
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