JP7203975B2 - SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND PROCESSING LIQUID PREPARATION METHOD - Google Patents
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Description
本開示は、基板処理システム及び処理液調製方法に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing system and a processing liquid preparation method.
タンクに貯留される処理液を循環ラインを介して循環させつつ、循環ラインから分岐されるラインを介して処理ユニットに処理液を供給し、当該処理液を使って基板を処理する基板処理システムが知られている(特許文献1及び特許文献2参照)。このような基板処理システムでは、通常、タンク内の処理液が基板処理に適した所望濃度に調整され、濃度調整後の処理液がタンクから循環ラインを介して処理ユニットに送られる。
A substrate processing system circulates a processing liquid stored in a tank through a circulation line, supplies the processing liquid to a processing unit through a line branched from the circulation line, and processes a substrate using the processing liquid. It is known (see
そのような基板処理システムでは、低濃度(例えば20ppm以下の濃度)の処理液を使って基板処理が行われることもある。特に近年では、超低濃度(例えば3ppm以下の濃度)の処理液を使った基板処理も実施されるようになってきている。これらの場合にも、タンク内の処理液が所望の低濃度又は超低濃度に調整される。しかしながらタンク内の処理液を低濃度又は超低濃度に調整するには、厳密な濃度コントロールが要求され、相当な手間及び時間がかかる。 In such a substrate processing system, substrate processing may be performed using a low-concentration processing liquid (for example, a concentration of 20 ppm or less). Particularly in recent years, substrate processing using a processing liquid with an ultra-low concentration (for example, a concentration of 3 ppm or less) has come to be implemented. Also in these cases, the processing liquid in the tank is adjusted to a desired low concentration or ultra-low concentration. However, in order to adjust the concentration of the processing liquid in the tank to a low concentration or an ultra-low concentration, strict concentration control is required, which requires a considerable amount of labor and time.
また低濃度又は超低濃度の処理液は、濃度の異なる処理液が少量であっても混ざることで、濃度が容易に変化してしまう。そのため、処理液の濃度を所望の低濃度又は超低濃度に安定的に維持することは簡単ではない。特に、基板処理システムの流路には処理液が残留していることがある。そのような処理液の残留は、液交換処理やドレーン処理を行っても生じうる。残留処理液の濃度が所望濃度とは異なる場合(例えば所望の超低濃度よりも高い場合)、タンク内の処理液を一旦所望濃度に調整しても、処理液がタンクから処理ユニットに至るまでの間に残留処理液が処理液に混入して処理液の濃度が変動してしまう。 In addition, even a small amount of processing liquid having a low concentration or an ultra-low concentration is mixed with processing liquids having different concentrations, so that the concentration easily changes. Therefore, it is not easy to stably maintain the concentration of the processing liquid at a desired low concentration or ultra-low concentration. In particular, the processing liquid may remain in the flow path of the substrate processing system. Such residual processing liquid may occur even after liquid exchange processing and drain processing are performed. If the concentration of the residual processing liquid is different from the desired concentration (e.g., higher than the desired ultra-low concentration), even if the processing liquid in the tank is adjusted to the desired concentration once, the processing liquid will not reach the processing unit from the tank. During this period, the residual processing liquid is mixed into the processing liquid and the concentration of the processing liquid fluctuates.
本開示は、基板処理システムにおいて処理液を所望濃度に迅速に調整することができる技術を提供する。 The present disclosure provides a technique capable of rapidly adjusting a processing liquid to a desired concentration in a substrate processing system.
本開示の一態様は、第1の液及び第2の液を含有する処理液を使って基板を処理する基板処理系と、基板処理系に処理液を供給する処理液供給系と、第1の液、第2の液及び処理液のうちの少なくともいずれかを処理液供給系に供給する処理液調整系と、制御部と、を備え、処理液供給系は、処理液調整系に接続され、処理液を貯留するタンクとタンクに接続され、タンクから出てタンクに戻る処理液が流される循環ラインと、循環ライン及び基板処理系に接続される分岐ラインと、循環ラインにおいて処理液を流す循環器と、タンク及び循環ラインのうちの少なくともいずれかから排出される処理液が流されるドレーンラインと、ドレーンラインを介した処理液の排出を調整するドレーン調整部と、タンク、循環ライン、タンクに接続される濃度計測ライン、及び循環ラインに接続される濃度計測ラインのうちの少なくともいずれかにおける処理液の濃度を計測する濃度センサと、を有し、処理液調整系は、第1の液、第2の液及び処理液のうちの少なくともいずれかのタンクへの供給を調整する供給調整部を有し、制御部は、循環器を制御してタンク及び循環ラインにおいてある量の処理液を循環させた後の濃度センサの計測結果に基づき、ドレーン調整部を制御して処理液の排出を調整し、供給調整部を制御して第1の液、第2の液及び処理液のうちの少なくともいずれかのタンクへの供給を調整する基板処理システムに関する。 According to one aspect of the present disclosure, a substrate processing system that processes a substrate using a processing liquid containing a first liquid and a second liquid, a processing liquid supply system that supplies the processing liquid to the substrate processing system, a first a processing liquid adjustment system for supplying at least one of the first liquid, the second liquid, and the processing liquid to the processing liquid supply system; and a controller, wherein the processing liquid supply system is connected to the processing liquid adjustment system. , a tank for storing the processing liquid, a circulation line connected to the tank and through which the processing liquid exiting the tank and returning to the tank flows, a branch line connected to the circulation line and the substrate processing system, and the processing liquid flowing through the circulation line. a circulator, a drain line through which the processing liquid discharged from at least one of the tank and the circulation line flows, a drain adjustment unit that adjusts the discharge of the processing liquid through the drain line, the tank, the circulation line, the tank and a concentration sensor for measuring the concentration of the treatment liquid in at least one of the concentration measurement line connected to the first liquid and the concentration measurement line connected to the circulation line. and a supply regulator for regulating the supply of at least one of the second liquid and the processing liquid to the tank, the control section controlling the circulator to supply a certain amount of the processing liquid in the tank and the circulation line. Based on the measurement result of the concentration sensor after circulation, the drain adjustment unit is controlled to adjust the discharge of the treatment liquid, and the supply adjustment unit is controlled to select one of the first liquid, the second liquid and the treatment liquid. A substrate processing system that regulates the supply of at least one tank.
本開示によれば、基板処理システムにおいて処理液を所望の超低濃度に迅速に調整することができる。 According to the present disclosure, the processing liquid can be rapidly adjusted to a desired ultra-low concentration in a substrate processing system.
図面を参照し、基板処理システム及び処理液調製方法の実施形態を説明する。 Embodiments of a substrate processing system and a processing liquid preparation method will be described with reference to the drawings.
図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。 FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to this embodiment. Hereinafter, in order to clarify the positional relationship, the X-axis, Y-axis and Z-axis are defined to be orthogonal to each other, and the positive direction of the Z-axis is defined as the vertically upward direction.
図1に示す基板処理システム1は、搬入出ステーション2と、処理ステーション3とを備える。搬入出ステーション2と処理ステーション3とは隣接して設けられる。
A
搬入出ステーション2は、キャリア載置部11と、搬送部12とを備える。キャリア載置部11には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ(以下ウェハW)を水平状態で収容する複数のキャリアCが載置される。
The loading/
搬送部12は、キャリア載置部11に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置13と、受渡部14とを備える。基板搬送装置13は、ウェハWを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置13は、水平方向及び鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアCと受渡部14との間でウェハWの搬送を行う。
The
処理ステーション3は、搬送部12に隣接して設けられる。処理ステーション3は、搬送部15と、複数の処理ユニット16とを備える。複数の処理ユニット16は、搬送部15の両側に並べられて設けられる。
The
搬送部15は、内部に基板搬送装置17を備える。基板搬送装置17は、ウェハWを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置17は、水平方向及び鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部14と処理ユニット16との間でウェハWの搬送を行う。
The
処理ユニット16は、基板搬送装置17によって搬送されるウェハWに対して所定の基板処理を行う。
The
また、基板処理システム1は、制御装置4を備える。制御装置4は、たとえばコンピュータであり、制御部18と記憶部19とを備える。記憶部19には、基板処理システム1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部18は、記憶部19に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム1の動作を制御する。
The
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置4の記憶部19にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
The program may be recorded in a computer-readable storage medium and installed in the
上記のように構成された基板処理システム1では、まず、搬入出ステーション2の基板搬送装置13が、キャリア載置部11に載置されたキャリアCからウェハWを取り出し、取り出したウェハWを受渡部14に載置する。受渡部14に載置されたウェハWは、処理ステーション3の基板搬送装置17によって受渡部14から取り出されて、処理ユニット16へ搬入される。
In the
処理ユニット16へ搬入されたウェハWは、処理ユニット16によって処理された後、基板搬送装置17によって処理ユニット16から搬出されて、受渡部14に載置される。そして、受渡部14に載置された処理済のウェハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。
The wafer W loaded into the
次に、処理ユニット16の概略構成について図2を参照して説明する。図2は、処理ユニット16の概略構成を示す図である。
Next, a schematic configuration of the
図2に示すように、処理ユニット16は、チャンバ20と、基板保持機構30と、処理流体供給部40と、回収カップ50とを備える。
As shown in FIG. 2 , the
チャンバ20は、基板保持機構30と処理流体供給部40と回収カップ50とを収容する。チャンバ20の天井部には、FFU(Fan Filter Unit)21が設けられる。FFU21は、チャンバ20内にダウンフローを形成する。
The
基板保持機構30は、保持部31と、支柱部32と、駆動部33とを備える。保持部31は、ウェハWを水平に保持する。支柱部32は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部33によって回転可能に支持され、先端部において保持部31を水平に支持する。駆動部33は、支柱部32を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構30は、駆動部33を用いて支柱部32を回転させることによって支柱部32に支持された保持部31を回転させ、これにより、保持部31に保持されたウェハWを回転させる。
The
処理流体供給部40は、ウェハWに対して処理流体を供給する。処理流体供給部40は、処理流体供給源70に接続される。
The processing
回収カップ50は、保持部31を取り囲むように配置され、保持部31の回転によってウェハWから飛散する処理液を捕集する。回収カップ50の底部には、排液口51が形成されており、回収カップ50によって捕集された処理液は、かかる排液口51から処理ユニット16の外部へ排出される。また、回収カップ50の底部には、FFU21から供給される気体を処理ユニット16の外部へ排出する排気口52が形成される。
The
次に、基板処理システム1における処理液の濃度調整、循環及び供給に関して説明する。
Next, concentration adjustment, circulation and supply of the processing liquid in the
以下の各実施形態では、処理液の濃度を超低濃度(例えば3ppm以下の濃度)に調整する場合について説明するが、処理液の濃度を他の濃度(例えば3ppmよりも高い濃度)に調整する場合にも以下の各実施形態は応用可能である。 In each of the following embodiments, the case of adjusting the concentration of the treatment liquid to an ultra-low concentration (for example, a concentration of 3 ppm or less) will be described, but the concentration of the treatment liquid is adjusted to another concentration (for example, a concentration higher than 3 ppm). In any case, the following embodiments are applicable.
[第1実施形態]
図3は、第1実施形態に係る基板処理システム1の基板処理系21、処理液供給系22及び処理液調整系23の概略構成例を示す図である。[First embodiment]
FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration example of the
本実施形態の基板処理システム1は、基板処理系21、処理液供給系22、処理液調整系23及び制御部18(図1参照)を備える。
The
基板処理系21は、第1の液(本例では水酸化アンモニウム(アンモニア水))及び第2の液(本例ではDIW(Deionized Water))を含有する処理液を使って、ウェハWの処理(例えば洗浄処理)を行う。処理液の具体的な含有成分は限定されず、処理液の含有成分は、第1の液又は第2の液の含有成分と全く同じであってもよいし、異なっていてもよい。
The
処理液供給系22は、基板処理系21に処理液を供給する。処理液調整系23は、第1の液、第2の液及び処理液のうちの少なくともいずれかを処理液供給系22に供給する。制御部18は、基板処理系21、処理液供給系22及び処理液調整系23が有する開閉弁、ポンプ、流量計及び濃度センサ等の構成要素に接続され、各構成要素の作動状態を制御したり、計測結果を各構成要素から受信したりする。
The processing
図3に示す基板処理系21は、複数の処理ユニット16と、メイン戻しライン41とを有する。各処理ユニット16は上述の図2に示す構造を有しており、図3では各処理ユニット16の構成が簡略化して示されている。各処理ユニット16が有する処理流体供給部40はメイン分岐ライン37に接続されており、メイン分岐ライン37を介して送られてくる処理液を、基板保持機構30が支持するウェハWの処理面に供給する。
A
メイン分岐ライン37には、複数の処理ユニット16のそれぞれに割り当てられる複数の開閉弁55lが設けられている。各開閉弁55lは、制御部18の制御下で開閉し、メイン分岐ライン37から対応の処理ユニット16(すなわち処理流体供給部40)への処理液の流量の調整(処理液の供給の有無を含む)を行う。メイン戻しライン41は、各処理ユニット16の排液口51(図2参照)に接続されるとともにタンク35に接続され、各処理ユニット16から排出される処理液をタンク35内に案内する。
The
なお図3に示す基板処理系21は一例に過ぎず、基板処理系21は他の構成を有していてもよい。例えば、図3には4つの処理ユニット16が示されているが、基板処理系21は5以上の処理ユニット16を有していてもよいし(図1参照)、3以下の処理ユニット16を有していてもよい。また循環ライン36に対して複数のメイン分岐ライン37が直接的に接続し、これらのメイン分岐ライン37が複数の処理ユニット16(すなわち複数の処理流体供給部40)のそれぞれに接続していてもよい。また、メイン戻しライン41のうち複数の処理ユニット16のそれぞれに割り当てられる複数の部分に開閉弁(図示省略)が設けられ、処理ユニット16毎にメイン戻しライン41への処理液の排出が当該開閉弁によりコントロールされてもよい。また各処理ユニット16にドレーンライン(図示省略)が接続されていてもよい。当該ドレーンライン及びメイン戻しライン41は流路切換部(図示省略)を介して各処理ユニット16に接続されていてもよい。当該流路切換部は、制御部18の制御下で、各処理ユニット16から排出される処理液を、ドレーンラインに流したり、メイン戻しライン41に流したりすることができる。
The
また、それぞれの処理ユニット16に対応するように設けられるサブ循環ライン(図示省略)であって、対応の処理ユニット16を迂回するようにメイン分岐ライン37及びメイン戻しライン41に接続されるサブ循環ライン(図示省略)が設置されていてもよい。例えば、各開閉弁55lを三方弁等の流路切換具として構成し、各開閉弁55lに対し、対応の処理流体供給部40に接続される流路(メイン分岐ライン37)と、対応のサブ循環ラインとが接続されていてもよい。この場合、各開閉弁55lは制御部18の制御下で、上流側のメイン分岐ライン37から送られてくる処理液を、下流側のメイン分岐ライン37を介して対応の処理流体供給部40に向けて流すモードと、対応のサブ循環ラインに流すモードとの間で切り換えられる。
A sub-circulation line (not shown) provided to correspond to each
なお本明細書において「上流」及び「下流」の用語は、特にことわりがない限り、基板処理システム1の流路を流れる流体(本実施形態では第1の液、第2の液及び処理液)の流れ方向を基準とする。
In this specification, unless otherwise specified, the terms "upstream" and "downstream" refer to fluids (in this embodiment, the first liquid, the second liquid and the processing liquid) flowing through the flow path of the
図3に示す処理液供給系22は、タンク35及び循環ライン36を有する。タンク35は、処理液調整系23(特にメイン補給ライン71)に接続され、処理液調整系23から第1の液、第2の液及び/又は処理液が補給され、処理液を貯留する。循環ライン36は、タンク35に接続され、タンク35から出てタンク35に戻る処理液が流される。循環ライン36及び基板処理系21(特に各処理ユニット16の処理流体供給部40)には、メイン分岐ライン37が接続されている。
The processing
循環ライン36には、循環ポンプ(循環器)42、フィルタ43、ヒータ44、流量計45及び複数の開閉弁55h、55i、55jが上流側から下流側に向かって順次設けられている。
A circulation pump (circulator) 42, a
循環ポンプ42は、循環ライン36において処理液を流す。図3に示す循環ポンプ42は、循環ライン36内の処理液を反時計回り方向に流す。タンク35から循環ライン36に流入した処理液は、循環ポンプ42、フィルタ43、ヒータ44、流量計45及び複数の開閉弁55h、55i、55jを経て、再びタンク35に戻される。
A
フィルタ43は、処理液から異物及び気泡を除去する。処理液がフィルタ43を通過することによって、異物及び気泡が処理液から除去される。図示のフィルタ43は、循環ライン36において循環ポンプ42よりも下流側に設けられ、循環ポンプ42の近傍に配置されている。循環ライン36を介してタンク35に流入した処理液はタンク35に貯留されるため、タンク35から循環ライン36に流出した処理液は堆積物等の異物を含みうる。また循環ポンプ42の作動によって処理液には気泡が混入することがある。そのような異物や気泡を効果的に処理液から取り除くために、タンク35及び循環ポンプ42の下流側且つ近傍にフィルタ43が配置されることが好ましい。また十分量の処理液を勢いよくフィルタ43に流し込む観点からも、フィルタ43は循環ポンプ42の下流側且つ近傍に配置されることが好ましい。
ヒータ44は、制御部18の制御下で、循環ライン36内の処理液に熱エネルギーを加え、処理液の温度を上昇させる。流量計45は、処理液の流量を計測し、計測結果を制御部18に送信する。開閉弁55h、55i、55jは、循環ライン36においてフィルタ43及びヒータ44よりも下流側に設けられ、制御部18の制御下で開度が調整される。開閉弁55h、55i、55jの開度に応じて、循環ライン36における処理液の流量が調整される。特に、循環ライン36及びメイン分岐ライン37の接続部に隣り合うように設けられる開閉弁55h及び開閉弁55iは、循環ライン36から基板処理系21への処理液の供給を調整する液供給調整部として機能する。例えば循環ライン36のうちのメイン分岐ライン37が接続される部分よりも上流側に設けられる開閉弁55hが閉じられることによって、メイン分岐ライン37及び基板処理系21への処理液の供給を止めることができる。また循環ライン36のうちのメイン分岐ライン37が接続される部分よりも下流側に設けられる開閉弁55i、55jが閉じられることによって、処理液が循環ライン36を介してタンク35に戻されることを止めることができる。
The
循環ライン36及びタンク35には濃度計測ライン39が接続されている。図示の濃度計測ライン39の一端部は、循環ライン36のうちのフィルタ43と開閉弁55h(液供給調整部)との間の部分(とりわけフィルタ43とヒータ44との間の部分)に接続されている。図示の濃度計測ライン39の他端部は、タンク35に直接的に接続されている。濃度計測ライン39には開閉弁55k及び濃度センサ46が設けられている。
A
濃度センサ46は、濃度計測ライン39を流れる処理液の濃度(本例では第1の液に含まれる成分の濃度(すなわちアンモニア濃度))を計測し、計測結果を制御部18に送信する。濃度センサ46の具体的な構成は限定されず、典型的には溶液の導電率と濃度との相関に基づいて計測を行うセンサを濃度センサ46として用いることができる。開閉弁55kは、制御部18の制御下で開閉し、循環ライン36から濃度計測ライン39への処理液の流入量(処理液の流入の有無を含む)を調整する。なお濃度センサ46は、処理液の濃度を正確に計測する観点から、異物や気泡が取り除かれた処理液を計測対象とすること好ましく、図示の例ではフィルタ43よりも下流側の流路に設けられることが好ましい。
The
なお処理液供給系22が有する濃度センサ46は、図示の形態には限定されない。図示は省略するが、濃度センサ46は、例えばタンク35、循環ライン36、タンク35に接続される濃度計測ライン、及び循環ライン36に接続される濃度計測ライン39のうちの少なくともいずれかにおける処理液の濃度を計測してもよい。また処理液供給系22は複数の濃度センサを有してもよい。例えば、ヒータ44よりも上流側及び下流側のそれぞれにおいて濃度計測ライン39、39aが循環ライン36から分岐し、これらの濃度計測ライン39、39aのそれぞれに濃度センサ46、46aが設けられていてもよい。複数の濃度センサを設ける場合、計測可能濃度範囲を濃度センサ毎に変えることによって、全体として広範囲の濃度を正確に計測することが可能である。
Note that the
処理液供給系22は、更に、処理液供給系22から排出される処理液が流されるドレーンライン38と、ドレーンライン38を介した処理液の排出を調整する開閉弁55e、55f、55g(ドレーン調整部)とを有する。ドレーンライン38は、タンク35及び循環ライン36のうちの少なくともいずれかから排出される処理液が流される。図3に示す処理液供給系22は、3つのドレーンライン38を有し、それぞれのドレーンライン38に開閉弁55e、55f、55gが設けられている。開閉弁55eが設けられているドレーンライン38は、タンク35に対して直接的に接続されている。開閉弁55fが設けられているドレーンライン38は、循環ライン36のうちのタンク35と循環ポンプ42との間の部分に接続されている。開閉弁55gが設けられているドレーンライン38は、循環ライン36のうちの循環ポンプ42とフィルタ43との間の部分に接続されている。各ドレーンライン38は、他のドレーンライン38と合流してもよいし、合流しなくてもよい。
The processing
処理液調整系23は供給調整部(すなわち開閉弁55a、55b、55d)を有する。供給調整部(開閉弁55a、55b、55d)は、第1の液(水酸化アンモニウム)、第2の液(DIW)及び処理液(水酸化アンモニウム及びDIWの混合液)のうちの少なくともいずれかのタンク35への供給を調整する。図示の処理液調整系23は、タンク35に接続されるメイン補給ライン71と、メイン補給ライン71に合流するサブ補給ライン72とを有する。
The processing
メイン補給ライン71の一方の端部は第2液供給源62に接続され、他方の端部はタンク35に接続されている。メイン補給ライン71には、開閉弁55a、濃度センサ64及び開閉弁55dが上流側から下流側に向かって順次設けられている。
One end of the
サブ補給ライン72の一方の端部は第1液供給源61に接続され、他方の端部はメイン補給ライン71に接続されている。図示のサブ補給ライン72は、メイン補給ライン71のうちの濃度センサ64と開閉弁55aとの間の部分に接続されている。サブ補給ライン72には、流量計63及び開閉弁55bが上流側から下流側に向かって順次設けられている。
One end of the
メイン補給ライン71のうちの濃度センサ64よりも下流側の部分(図示の例では濃度センサ64と開閉弁55dとの間の部分)にはドレーンライン38が接続されており、当該ドレーンライン38には開閉弁55cが設けられている。当該開閉弁55cは、制御部18の制御下で開閉し、処理液調整系23(特にメイン補給ライン71)からドレーンライン38を介した処理液の排出を調整する。
A
このように図3に示す基板処理システム1では、処理液供給系22及び処理液調整系23の少なくとも一部が、図2に示す処理流体供給源70に対応する。処理液供給系22及び処理液調整系23の組み合わせは循環キャビネット24とも称され、循環キャビネット24は一体的に構成可能である。本実施形態では1つの循環キャビネット24が1つの基板処理系21に接続されている。
As described above, in the
制御部18(図1参照)は、濃度センサ46の計測結果に基づいてドレーン調整部(開閉弁55e、開閉弁55f及び/又は開閉弁55g)を制御し、処理液供給系22(タンク35及び/又は循環ライン36)からの処理液の排出を調整する。また制御部18は、濃度センサ46の計測結果に基づいて供給調整部(開閉弁55a、55b、55d)を制御し、第1の液、第2の液及び処理液のうちの少なくともいずれかのタンク35への供給を調整する。特に、本実施形態の制御部18は、循環ポンプ42を制御してタンク35及び循環ライン36においてある量の処理液を循環させた後に、上述の処理液の排出及びタンク35へのDIWの供給を行う。
The control unit 18 (see FIG. 1) controls the drain adjustment unit (the on-off
次に、上述の基板処理システム1(特に処理液供給系22及び処理液調整系23)によって実施される処理液調製方法の一例について説明する。
Next, an example of a processing liquid preparation method performed by the substrate processing system 1 (particularly, the processing
以下に説明される処理液調製方法によれば、まずタンク35に目標濃度よりも高い濃度の処理液が貯留され、タンク35及び循環ライン36を含む流路において高濃度処理液が循環させられる。その後、タンク35及び/又は循環ライン36から処理液が排出され且つDIWがタンク35に供給されることによって、処理液供給系22における処理液の濃度が薄められる。これらの一連の処理を必要に応じて繰り返し行うことで、処理液供給系22における処理液の濃度が所望の超低濃度に調整される。
According to the processing liquid preparation method described below, first, a processing liquid having a concentration higher than a target concentration is stored in the
図4は、処理液調製方法の一例を示すフローチャートである。なお詳細な説明は省略するが、制御部18は、下記の処理を適切に実行するため、基板処理システム1に含まれる開閉弁等の要素を適宜制御する。
FIG. 4 is a flow chart showing an example of the treatment liquid preparation method. Although detailed description is omitted, the
まず制御部18は供給調整部(開閉弁55a、55b、55d)を制御し、目標濃度(例えば3ppm)よりも高い濃度の処理液(例えば20ppm程度の濃度の処理液)をタンク35に供給する(図4のS1)。処理液調整系23からタンク35に高濃度の処理液が供給されることで、タンク35に貯留される処理液の濃度は、処理液の目標濃度よりも高くなる。典型的には、開閉弁55a、開閉弁55b及び開閉弁55dが開かれ、第1液供給源61からの水酸化アンモニウム及び第2液供給源62からのDIWがメイン補給ライン71で合流し、開閉弁55dを経てタンク35に追加的に供給される。ただし、開閉弁55aが閉じられ且つ開閉弁55b及び開閉弁55dが開かれ、第1液供給源61からの水酸化アンモニウムのみが開閉弁55dを経てタンク35に追加的に供給されてもよい。
First, the
その後、制御部18は循環ポンプ42を制御し、循環ポンプ42によって少なくともタンク35及び循環ライン36においてある量の処理液を循環させる(S2)。これにより、処理液供給系22(例えば循環ライン36、循環ポンプ42、フィルタ43、ヒータ44、流量計45及び開閉弁55h、55i、55j)における残留処理液が循環処理液により押し流されてタンク35に戻される。その結果、処理液供給系22全体における処理液(例えばタンク35内及び循環ライン36内の処理液)の濃度が均一化される。この場合の処理液の循環時間は限定されない。処理液供給系22全体における処理液の濃度の相違を解消する観点からは、処理液の循環時間は、処理液供給系22における残留処理液が循環処理液とともにタンク35に戻されるのに十分な時間(例えば30秒程度)であることが好ましい。
After that, the
なお基板処理系21が処理液を循環可能な流路構成を有する場合、処理液供給系22において処理液を循環させる際(S2)、基板処理系21においても処理液を循環させてもよい。例えば基板処理系21が上述のサブ循環ライン(図示省略)を有する場合、タンク35、循環ライン36、メイン分岐ライン37、サブ循環ライン及びメイン戻しライン41においても処理液を循環させてもよい。基板処理系21において処理液を循環させることにより、基板処理系21における残留処理液も循環処理液とともにタンク35に回収される。これにより、基板処理系21及び処理液供給系22において処理液の濃度を均一化することができる。
In the case where the
上述のように処理液を循環させた後、濃度センサ46によって計測される処理液の濃度が制御部18によって取得される。そして濃度センサ46によって計測される処理液の濃度が目標濃度に達したか否かが、制御部18によって判定される(S3)。目標濃度は、予め設定されている特定の値であってもよいが、典型的には、ある範囲をもった濃度に予め設定される。
After the processing liquid is circulated as described above, the concentration of the processing liquid measured by the
濃度センサ46によって計測される処理液の濃度が目標濃度に達した場合(S3のY)、所望濃度の処理液の調製が完了し、処理液調製処理は終了する。
When the concentration of the treatment liquid measured by the
濃度センサ46によって計測される処理液の濃度が目標濃度に達していない場合(S3のN)、処理液供給系22における処理液の一部がドレーンライン38を介して排出され(S4)、処理液調整系23からタンク35にDIWが供給される(S5)。すなわち制御部18は濃度センサ46の計測結果に基づいてドレーン調整部(開閉弁55e、開閉弁55f及び/又は開閉弁55g)を制御し、ドレーン調整部により処理液の排出が調整される。また制御部18は濃度センサ46の計測結果に基づいて供給調整部(開閉弁55a、55b、55d)を制御し、供給調整部によりタンク35へのDIWの供給が調整される。これにより、タンク35内の処理液の濃度は薄められ、目標濃度に近づけられる。
When the concentration of the processing liquid measured by the
なお処理液の濃度を効率良く薄める観点からは、処理液の排出が完了した後にタンク35へのDIWの供給が行われることが好ましいが、処理液の排出及びタンク35へのDIWの供給が行われるタイミングは限定されない。またドレーンライン38を介した処理液の排出量及びタンク35へのDIWの供給量は限定されないが、処理液の排出量及びDIWの供給量が増えるほど、タンク35内の処理液の濃度低下の程度は大きくなる。一例として、処理液の排出(S4)及びDIWの供給(S5)が行われる直前のタンク35内の処理液の量の75%~85%程度の量の処理液をドレーンライン38を介して排出し、処理液の排出量と同じ量のDIWをタンク35に供給することができる。
From the viewpoint of efficiently diluting the concentration of the processing liquid, it is preferable to supply the DIW to the
また処理液の排出量及びDIWの供給量は予め決められた量であってもよいが、処理液供給系22における濃度センサ46の計測結果に応じて、処理液の排出量及びDIWの供給量が決められてもよい。例えば、制御部18は、処理液の循環(S2)の後における濃度センサ46の計測結果から導き出される処理液の濃度と目標濃度との差を取得してもよい。制御部18は、この処理液の濃度と目標濃度との差に基づいて、処理液供給系22からの処理液の排出量及びDIWのタンク35への供給量を決定してもよい。制御部18は、当該決定の結果に基づいてドレーン調整部及び供給調整部を制御する。
The amount of the treatment liquid discharged and the amount of DIW supplied may be predetermined amounts, but the amount of the treatment liquid discharged and the amount of DIW supplied may be determined according to the measurement result of the
また制御部18は、処理液の循環(S2)の前後における循環ライン36の濃度センサ46の計測結果から導き出される処理液の濃度差(以下「循環濃度差」とも称する)を取得してもよい。処理液の循環(S2)の後における処理液の濃度が目標濃度から外れている場合、制御部18は、循環濃度差の条件と、循環後の処理液の濃度と、目標濃度とに基づいて、処理液の排出量及びDIWのタンク35への供給量を決定してもよい。なお、ここでいう循環後の処理液の濃度は、濃度センサ46の計測結果から導き出される。
Further, the
処理液の排出及びタンク35へのDIWの供給が行われた後、再び、処理液の循環(S2)と、処理液の濃度が目標濃度に達したか否かの判定(S3)とが行われる。そして、処理液の濃度が目標濃度に達していると判定される場合には処理液の調製処理は終了し、処理液の濃度が目標濃度に達していないと判定される場合には処理液の排出(S4)及びDIWの供給(S5)が再び行われる。
After the discharge of the processing liquid and the supply of DIW to the
このように制御部18はドレーン調整部、供給調整部及び循環ポンプ42を制御し、処理液の濃度が目標濃度に達するまで、処理液供給系22からの処理液の排出、タンク35へのDIWの供給、及び処理液供給系22における処理液の循環を繰り返し行う。特に、制御部18は、目標濃度よりも高い濃度の処理液をタンク35に供給した後に、循環ポンプ42、ドレーン調整部及び供給調整部を制御して、タンク35及び循環ライン36における処理液の循環、処理液の排出及びDIWのタンク35への供給を行う。また制御部18は、処理液供給系22からの処理液の排出及びタンク35へのDIWの供給を行った後に、循環ポンプ42を制御して少なくともタンク35及び循環ライン36においてある量の処理液を循環させる。そして制御部18は、ある量の処理液の循環後の濃度センサ46の計測結果が目標濃度に達するまで、ドレーン調整部、供給調整部及び循環ポンプ42を制御して、処理液の排出、DIWのタンク35への供給、及びある量の処理液の循環を繰り返す。これにより、処理液供給系22からの処理液の排出及びタンク35へのDIWの供給を行うことによって濃度が変わったタンク35内の処理液と、残留処理液との間の濃度不均衡が解消され、タンク35内の処理液の濃度を目標濃度に近づけつつ均一化できる。
In this manner, the
以上説明したように本実施形態によれば、処理液供給系22全体で処理液の濃度を均一化させつつタンク35内の処理液の濃度を調整することができ、基板処理系21に供給される処理液の濃度を適切に管理することができる。また本実施形態によれば、基板処理システム1(特に処理液供給系22)が複雑な流路構成を有していたり、基板処理システム1の構成要素に個体差があったりしても、所望濃度の処理液を精度良く調製することができる。
As described above, according to this embodiment, the concentration of the processing liquid in the
特に、残留処理液を含む処理液供給系22全体の処理液の濃度の均一化が行われた後に、濃度センサ46によって処理液の濃度が計測され、処理液の排出及びDIWの供給の要否が判定される。このように残留処理液を考慮しながらタンク35内の処理液の濃度を調整することで、処理液供給系22における処理液を、迅速に所望濃度(本実施形態では超低濃度)に調整することができる。
In particular, after the concentration of the processing liquid in the entire processing
従来は、例えば、処理液を循環させることなくタンク内の処理液を所望濃度に調整し、その後、処理液を循環させ、残留処理液の影響でタンク内の処理液が所望濃度から外れた場合には、タンク内の処理液の調整が繰り返し行われる。一方、本実施形態の基板処理システム1及び処理液調製方法によれば、そのような残留処理液に起因する意図しない処理液濃度の変動が生じないので、迅速に処理液の濃度を所望濃度に調整することができる。
Conventionally, for example, the processing liquid in the tank is adjusted to the desired concentration without circulating the processing liquid, and then the processing liquid is circulated. In this case, the treatment liquid in the tank is repeatedly adjusted. On the other hand, according to the
また本実施形態によれば、目標濃度よりも高い濃度の処理液がタンク35に貯留された後に、タンク35内の処理液の濃度が徐々に薄められる。このように処理液濃度の調整処理の最初においてタンク35に貯留する処理液の濃度を高濃度にすることで、タンク35内の処理液の濃度に対する残留処理液の実質的な影響の程度を低減することができる。これにより処理液供給系22における処理液の濃度を安定的に目標濃度に調整することができ、目標濃度が低濃度(特に3ppm以下の超低濃度)であっても、所望濃度の処理液を高精度且つ安定的に調製することができる。
Further, according to the present embodiment, the concentration of the processing liquid in the
[第2実施形態]
本実施形態において上述の第1実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。[Second embodiment]
In this embodiment, the same or similar elements as those of the above-described first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
処理液供給系22は複数設けられてもよい。この場合、複数の処理液供給系22の各々と基板処理系21との間の接続状態を切り換える切換部が設けられていてもよい。制御部18は、当該切換部を制御し、基板処理系21に処理液を供給する処理液供給系22を切り換えることが好ましい。
A plurality of processing
図5は、第2実施形態に係る基板処理システム1の基板処理系21、処理液供給系22及び処理液調整系23の概略構成例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration example of the
図5に示す基板処理システム1は、1つの基板処理系21、2つの処理液供給系22(すなわち第1処理液供給系22a及び第2処理液供給系22b)及び1つの処理液調整系23を備える。各処理液供給系22は、基板処理系21に接続され、また処理液調整系23に接続されている。
A
本実施形態では、上述の第1実施形態において処理液調整系23のメイン補給ライン71のうちサブ補給ライン72が合流する箇所よりも下流側に設けられる開閉弁55d(図3参照)の代わりに、三方弁等によって実現可能な補給切換具76が設けられている。補給切換具76にはメイン補給ライン71が接続されるとともに、第1補給ライン71a及び第2補給ライン71bが接続されている。第1補給ライン71aは第1処理液供給系22aのタンク35に接続され、第2補給ライン71bは第2処理液供給系22bのタンク35に接続されている。補給切換具76は、制御部18の制御下で、上流側のメイン補給ライン71に対する第1補給ライン71a及び第2補給ライン71bの接続及び非接続を切り換える。
In the present embodiment, instead of the on-off
メイン分岐ライン37は、供給切換部74及び第1分岐ライン37aを介して第1処理液供給系22aの循環ライン36に接続され、供給切換部74及び第2分岐ライン37bを介して第2処理液供給系22bの循環ライン36に接続されている。供給切換部74は、制御部18の制御下で、メイン分岐ライン37に対する第1分岐ライン37a及び第2分岐ライン37bの接続及び非接続を切り換える。
The
メイン戻しライン41は、戻し切換部75及び第1戻しライン41aを介して第1処理液供給系22aのタンク35に接続され、戻し切換部75及び第2戻しライン41bを介して第2処理液供給系22bのタンク35に接続されている。戻し切換部75は、制御部18の制御下で、メイン戻しライン41に対する第1戻しライン41a及び第2戻しライン41bの接続及び非接続を切り換える。
The
図5に示す基板処理システム1によれば、第1処理液供給系22a及び第2処理液供給系22bのうちの一方を選択的に使用して、基板処理系21におけるウェハWの処理を行ったり、処理液の調製を行ったりすることができる。
According to the
例えば、第1処理液供給系22aから基板処理系21に処理液を供給して各処理ユニット16においてウェハWの処理を行いつつ、第2処理液供給系22bにおいて処理液の調製(図4参照)が行うことができる。この場合、供給切換部74は第1分岐ライン37aをメイン分岐ライン37に接続し、戻し切換部75は第1戻しライン41aをメイン戻しライン41に接続し、補給切換具76はメイン補給ライン71を第2補給ライン71bに接続する。また同様にして、第2処理液供給系22bから基板処理系21に処理液を供給して各処理ユニット16においてウェハWの処理を行いつつ、第1処理液供給系22aにおいて処理液の調製を行うこともできる。
For example, while the processing liquid is supplied from the first processing
上述のように本実施形態の基板処理システム1では、第1処理液供給系22a及び第2処理液供給系22bが共通の処理液調整系23に接続可能に設けられている。そして、第1処理液供給系22a、第2処理液供給系22b及び処理液調整系23の組み合わせにより、1つの循環キャビネット24が構成されている。
As described above, in the
以上説明したように本実施形態の基板処理システム1によれば、第1処理液供給系22a及び第2処理液供給系22bを使い分けて、基板処理及び所望濃度の処理液の調製を行うことができる。したがって基板処理及び処理液の調製の各々に使用する処理液供給系22として、第1処理液供給系22a及び第2処理液供給系22bを交互に使用することが可能である。この場合、システム全体の処理を効率的に行うことができる。特に、第1処理液供給系22a及び第2処理液供給系22bにおいて基板処理及び所望濃度の処理液の調製を同時的に行うことによって、システム全体の処理時間を短縮することが可能である。
As described above, according to the
[第3実施形態]
本実施形態において上述の第1実施形態及び第2実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。[Third embodiment]
In this embodiment, the same or similar elements as those in the above-described first and second embodiments are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
処理液調整系23は複数設けられていてもよい。この場合、複数の処理液調整系23のそれぞれから複数の処理液供給系22に、第1の液、第2の液及び処理液のうちの少なくともいずれかが供給されてもよい。
A plurality of treatment
図6は、第3実施形態に係る基板処理システム1の基板処理系21、処理液供給系22及び処理液調整系23の概略構成例を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration example of the
図6に示す基板処理システム1は、複数の循環キャビネット24(具体的には第1循環キャビネット24a及び第2循環キャビネット24b)を備える。各循環キャビネット24は処理液供給系22及び処理液調整系23の組み合わせを含む。すなわち第1循環キャビネット24aは、相互に接続された第1処理液供給系22a及び第1処理液調整系23aを含む。第2循環キャビネット24bは、相互に接続された第2処理液供給系22b及び第2処理液調整系23bを含む。
The
第1処理液供給系22aの循環ライン36には第1分岐ライン37aが接続されており、第1分岐ライン37aは供給切換部74を介してメイン分岐ライン37に接続されている。第2処理液供給系22bの循環ライン36には第2分岐ライン37bが接続されており、第2分岐ライン37bは供給切換部74を介してメイン分岐ライン37に接続されている。供給切換部74は、制御部18の制御下で、メイン分岐ライン37に対する第1分岐ライン37a及び第2分岐ライン37bの接続及び非接続を切り換える。
A
第1処理液供給系22aのタンク35には第1戻しライン41aが接続されており、第1戻しライン41aは戻し切換部75を介してメイン戻しライン41に接続されている。第2処理液供給系22bのタンク35には第2戻しライン41bが接続されており、第2戻しライン41bは戻し切換部75を介してメイン戻しライン41に接続されている。戻し切換部75は、制御部18の制御下で、メイン戻しライン41に対する第1戻しライン41a及び第2戻しライン41bの接続及び非接続を切り換える。
A
図6に示す基板処理システム1によれば、第1循環キャビネット24a及び2第2循環キャビネット24bのうちの一方を選択的に使用して、基板処理系21におけるウェハWの処理を行ったり、処理液の調製を行ったりすることができる。例えば、第1循環キャビネット24a(特に第1処理液供給系22a)を基板処理系21に接続してウェハWの処理を行いつつ、第2循環キャビネット24bにおいて処理液の調製(図4参照)が行うことができる。この場合、供給切換部74は第1分岐ライン37aをメイン分岐ライン37に接続し、戻し切換部75は第1戻しライン41aをメイン戻しライン41に接続する。また同様にして、第2循環キャビネット24b(特に第2処理液供給系22b)を基板処理系21に接続してウェハWの処理を行いつつ、第1循環キャビネット24aにおいて処理液の調製を行うこともできる。
According to the
以上説明したように本実施形態によれば、第1循環キャビネット24a及び第2循環キャビネット24bを使い分けて、基板処理及び所望濃度の処理液の調製を行うことができる。したがって基板処理及び処理液の調製の各々に使用する循環キャビネット24として、第1循環キャビネット24a及び第2循環キャビネット24bを交互に使用することが可能である。この場合、システム全体の処理を効率的に行うことができる。特に、第1循環キャビネット24a及び第2循環キャビネット24bにおいて基板処理及び所望濃度の処理液の調製を同時的に行うことによって、システム全体の処理時間を短縮することが可能である。
As described above, according to the present embodiment, the
[変形例]
上述の各実施形態では、処理液の濃度が目標濃度(すなわち超低濃度)に達していない場合、処理液の濃度を薄めるために、タンク35には第2の液(DIW)が供給される(図4のS5参照)。この場合、第2の液(DIW)の代わりに、処理液(第1の液及び第2の液の混合液)が処理液調整系23からタンク35に供給されてもよい。ただし、タンク35内の処理液の濃度を下げて目標濃度に調整するために、目標濃度よりも低い濃度の処理液が処理液調整系23からタンク35に供給される。[Modification]
In each of the embodiments described above, a second liquid (DIW) is supplied to the
またタンク35内の処理液の濃度が目標濃度よりも下回っている場合、処理液調整系23からタンク35には、第1の液(水酸化アンモニウム)が供給されてもよいし、処理液が供給されてもよい。処理液が供給される場合、タンク35内の処理液の濃度を上げて目標濃度に調整するために、目標濃度よりも高い濃度の処理液が処理液調整系23からタンク35に供給される。
Further, when the concentration of the processing liquid in the
いずれにしても制御部18は、濃度センサの計測結果が目標濃度に達するまで、処理液の排出及び第1の液、第2の液及び処理液のうちの少なくともいずれかのタンク35への供給を繰り返す。
In any case, the
なお本明細書で開示されている実施形態はすべての点で例示に過ぎず限定的には解釈されないことに留意されるべきである。上述の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態での省略、置換及び変更が可能である。例えば上述の実施形態及び変形例が組み合わされてもよく、また上述以外の実施形態が上述の実施形態又は変形例と組み合わされてもよい。 It should be noted that the embodiments disclosed in this specification are merely illustrative in all respects and should not be construed as limiting. The above-described embodiments can be omitted, substituted and modified in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims. For example, the above-described embodiments and modifications may be combined, and embodiments other than those described above may be combined with the above-described embodiments or modifications.
また上述の技術的思想を具現化する技術的カテゴリーも限定されない。例えば上述の基板処理システムが他の装置に応用されてもよい。また上述の処理液調製方法に含まれる1又は複数の手順(ステップ)をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムによって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。またそのようなコンピュータプログラムが記録されたコンピュータが読み取り可能な非一時的(non-transitory)な記録媒体によって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。 Also, the technical category that embodies the above technical idea is not limited. For example, the substrate processing system described above may be applied to other apparatuses. Moreover, the above-described technical idea may be embodied by a computer program for causing a computer to execute one or more procedures (steps) included in the above-described treatment liquid preparation method. Also, the above technical idea may be embodied by a computer-readable non-transitory recording medium in which such a computer program is recorded.
Claims (10)
前記基板処理系に前記処理液を供給する処理液供給系と、
前記第1の液、前記第2の液及び前記処理液のうちの少なくともいずれかを前記処理液供給系に供給する処理液調整系と、
制御部と、を備え、
前記処理液供給系は、
前記処理液調整系に接続され、前記処理液を貯留するタンクと
前記タンクに接続され、前記タンクから出て前記タンクに戻る前記処理液が流される循環ラインと、
前記循環ライン及び前記基板処理系に接続される分岐ラインと、
前記循環ラインにおいて前記処理液を流す循環器と、
前記タンク及び前記循環ラインのうちの少なくともいずれかから排出される前記処理液が流されるドレーンラインと、
前記ドレーンラインを介した前記処理液の排出を調整するドレーン調整部と、
前記タンク、前記循環ライン、前記タンクに接続される濃度計測ライン、及び前記循環ラインに接続される濃度計測ラインのうちの少なくともいずれかにおける前記処理液の濃度を計測する濃度センサと、を有し、
前記処理液調整系は、前記第1の液、前記第2の液及び前記処理液のうちの少なくともいずれかの前記タンクへの供給を調整する供給調整部を有し、
前記制御部は、前記循環器を制御して前記タンク及び前記循環ラインにおいてある量の処理液を循環させた後の前記濃度センサの計測結果に基づき、前記ドレーン調整部を制御して前記処理液の排出を調整し、前記供給調整部を制御して前記第1の液、前記第2の液及び前記処理液のうちの少なくともいずれかの前記タンクへの供給を調整し、
前記制御部は、前記濃度センサの計測結果に基づいて前記ドレーンラインを介した前記処理液の排出を行う際には、前記処理液供給系における前記処理液の一部が排出されるように、前記ドレーン調整部を制御する、基板処理システム。 a substrate processing system for processing a substrate using a processing liquid containing a first liquid and a second liquid;
a processing liquid supply system that supplies the processing liquid to the substrate processing system;
a processing liquid adjustment system that supplies at least one of the first liquid, the second liquid, and the processing liquid to the processing liquid supply system;
a control unit;
The processing liquid supply system is
a tank that is connected to the processing liquid adjustment system and stores the processing liquid; a circulation line that is connected to the tank and through which the processing liquid that exits the tank and returns to the tank flows;
a branch line connected to the circulation line and the substrate processing system;
a circulator for flowing the treatment liquid in the circulation line;
a drain line through which the processing liquid discharged from at least one of the tank and the circulation line flows;
a drain adjustment unit that adjusts discharge of the processing liquid through the drain line;
a concentration sensor that measures the concentration of the treatment liquid in at least one of the tank, the circulation line, a concentration measurement line connected to the tank, and a concentration measurement line connected to the circulation line. ,
The treatment liquid adjustment system has a supply adjustment unit that adjusts supply of at least one of the first liquid, the second liquid, and the treatment liquid to the tank,
The controller controls the circulator to circulate a certain amount of the processing liquid in the tank and the circulation line, and then controls the drain adjustment section to control the processing liquid based on the measurement result of the concentration sensor. and controlling the supply adjustment unit to adjust the supply of at least one of the first liquid, the second liquid and the processing liquid to the tank ;
When the processing liquid is discharged through the drain line based on the measurement result of the concentration sensor, the control unit is arranged to discharge a part of the processing liquid in the processing liquid supply system. A substrate processing system that controls the drain adjustment unit .
前記処理液の排出及び前記第1の液、前記第2の液及び前記処理液のうちの少なくともいずれかの前記タンクへの供給を行った後に、前記循環器を制御して前記タンク及び前記循環ラインにおいてある量の処理液を循環させ、
前記ある量の処理液の循環後の前記濃度センサの計測結果が前記目標濃度に達するまで、前記ドレーン調整部、前記供給調整部及び前記循環器を制御して、前記処理液の排出、前記第1の液、前記第2の液及び前記処理液のうちの少なくともいずれかの前記タンクへの供給、及び前記ある量の処理液の循環を繰り返す請求項2に記載の基板処理システム。 The control unit
After discharging the processing liquid and supplying at least one of the first liquid, the second liquid and the processing liquid to the tank, the circulator is controlled to control the tank and the circulation. circulating an amount of processing liquid in the line;
The drain adjustment unit, the supply adjustment unit, and the circulator are controlled until the measurement result of the concentration sensor after the certain amount of the treatment liquid circulates reaches the target concentration, and the treatment liquid is discharged. 3. The substrate processing system according to claim 2, wherein the supply of at least one of the first liquid, the second liquid and the processing liquid to the tank, and the circulation of the certain amount of the processing liquid are repeated.
前記循環ラインにおいて前記フィルタよりも下流側に設けられ、前記循環ラインから前記基板処理系への前記処理液の供給を調整する液供給調整部と、を更に備え、
前記濃度計測ラインは、前記循環ラインのうちの前記フィルタと前記液供給調整部との間の部分に接続され、
前記濃度センサは、前記濃度計測ラインを流れる前記処理液の濃度を計測する請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理システム。 a filter provided downstream of the circulator in the circulation line;
a liquid supply adjustment unit provided downstream of the filter in the circulation line and adjusting supply of the processing liquid from the circulation line to the substrate processing system;
the concentration measurement line is connected to a portion of the circulation line between the filter and the liquid supply adjustment unit;
6. The substrate processing system according to claim 1, wherein the concentration sensor measures the concentration of the processing liquid flowing through the concentration measurement line.
前記複数の処理液供給系の各々と前記基板処理系との間の接続状態を切り換える切換部が設けられ、
前記制御部は、切換部を制御し、前記基板処理系に前記処理液を供給する前記処理液供給系を切り換える請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理システム。 A plurality of the processing liquid supply systems are provided,
a switching unit for switching a connection state between each of the plurality of processing liquid supply systems and the substrate processing system;
7. The substrate processing system according to claim 1, wherein the control unit controls a switching unit to switch the processing liquid supply system that supplies the processing liquid to the substrate processing system.
前記複数の処理液供給系は、前記複数の処理液調整系のそれぞれから、前記第1の液、前記第2の液及び前記処理液のうちの少なくともいずれかが供給される請求項7に記載の基板処理システム。 A plurality of the treatment liquid adjustment systems are provided,
8. The plurality of processing liquid supply systems according to claim 7, wherein at least one of the first liquid, the second liquid and the processing liquid is supplied from each of the plurality of processing liquid adjustment systems. substrate processing system.
前記分岐ラインに接続され、前記分岐ラインからの前記処理液を前記基板に供給する処理ユニットと、
前記処理ユニットから排出される前記処理液を前記タンクに案内する戻しラインと、を有する請求項1~8のいずれか一項に記載の基板処理システム。 The substrate processing system is
a processing unit connected to the branch line and supplying the processing liquid from the branch line to the substrate;
9. The substrate processing system according to claim 1, further comprising a return line that guides the processing liquid discharged from the processing unit to the tank.
前記循環器によって前記タンク及び前記循環ラインにおいてある量の処理液を循環させる工程と、
前記ある量の処理液を循環させた後に、前記濃度センサによって前記処理液の濃度を計測する工程と、
前記濃度センサの計測結果に基づいて、前記ドレーン調整部を制御して前記処理液の排出を調整する工程と、
前記濃度センサの計測結果に基づいて、前記供給調整部を制御して前記第1の液、前記第2の液及び前記処理液のうちの少なくともいずれかの前記タンクへの供給を調整する工程と、を含み、
前記濃度センサの計測結果に基づいて前記ドレーンラインを介した前記処理液の排出を行う際には、前記処理液供給系における前記処理液の一部が排出されるように、前記ドレーン調整部を制御する、処理液調製方法。 A substrate processing system for processing a substrate using a processing liquid containing a first liquid and a second liquid, and a processing liquid supply system for supplying the processing liquid to the substrate processing system, wherein the processing liquid is stored. a circulation line connected to the tank through which the processing liquid flows out from the tank and returns to the tank; a circulator through which the processing liquid flows in the circulation line; and at least one of the tank and the circulation line. a drain line through which the processing liquid discharged from the unit flows, a drain adjustment unit that adjusts the discharge of the processing liquid, the tank, the circulation line, a concentration measurement line connected to the tank, and the circulation line connected to the a processing liquid supply system having a concentration sensor for measuring the concentration of the processing liquid in at least one of the concentration measurement lines; and at least one of the first liquid, the second liquid, and the processing liquid. to the processing liquid supply system, the supply adjusting unit adjusting the supply of at least one of the first liquid, the second liquid and the processing liquid to the tank A processing liquid preparation method performed in a substrate processing system comprising:
circulating an amount of processing liquid in the tank and the circulation line by the circulator;
measuring the concentration of the treatment liquid with the concentration sensor after circulating the certain amount of the treatment liquid;
controlling the drain adjustment unit to adjust discharge of the treatment liquid based on the measurement result of the concentration sensor;
controlling the supply adjusting unit to adjust the supply of at least one of the first liquid, the second liquid and the processing liquid to the tank based on the measurement result of the concentration sensor; , including
When the processing liquid is discharged through the drain line based on the measurement result of the concentration sensor, the drain adjustment unit is adjusted so that a part of the processing liquid in the processing liquid supply system is discharged. A method of preparing a treatment liquid that controls .
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WO2015064657A1 (en) | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | Flow adjustment mechanism, diluted drug solution supply mechanism, liquid treatment device, and operation method thereof |
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