JP7203975B2 - SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND PROCESSING LIQUID PREPARATION METHOD - Google Patents
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Description
本開示は、基板処理システム及び処理液調製方法に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing system and a processing liquid preparation method.
タンクに貯留される処理液を循環ラインを介して循環させつつ、循環ラインから分岐されるラインを介して処理ユニットに処理液を供給し、当該処理液を使って基板を処理する基板処理システムが知られている（特許文献１及び特許文献２参照）。このような基板処理システムでは、通常、タンク内の処理液が基板処理に適した所望濃度に調整され、濃度調整後の処理液がタンクから循環ラインを介して処理ユニットに送られる。
A substrate processing system circulates a processing liquid stored in a tank through a circulation line, supplies the processing liquid to a processing unit through a line branched from the circulation line, and processes a substrate using the processing liquid. It is known (see
そのような基板処理システムでは、低濃度（例えば２０ｐｐｍ以下の濃度）の処理液を使って基板処理が行われることもある。特に近年では、超低濃度（例えば３ｐｐｍ以下の濃度）の処理液を使った基板処理も実施されるようになってきている。これらの場合にも、タンク内の処理液が所望の低濃度又は超低濃度に調整される。しかしながらタンク内の処理液を低濃度又は超低濃度に調整するには、厳密な濃度コントロールが要求され、相当な手間及び時間がかかる。 In such a substrate processing system, substrate processing may be performed using a low-concentration processing liquid (for example, a concentration of 20 ppm or less). Particularly in recent years, substrate processing using a processing liquid with an ultra-low concentration (for example, a concentration of 3 ppm or less) has come to be implemented. Also in these cases, the processing liquid in the tank is adjusted to a desired low concentration or ultra-low concentration. However, in order to adjust the concentration of the processing liquid in the tank to a low concentration or an ultra-low concentration, strict concentration control is required, which requires a considerable amount of labor and time.
また低濃度又は超低濃度の処理液は、濃度の異なる処理液が少量であっても混ざることで、濃度が容易に変化してしまう。そのため、処理液の濃度を所望の低濃度又は超低濃度に安定的に維持することは簡単ではない。特に、基板処理システムの流路には処理液が残留していることがある。そのような処理液の残留は、液交換処理やドレーン処理を行っても生じうる。残留処理液の濃度が所望濃度とは異なる場合（例えば所望の超低濃度よりも高い場合）、タンク内の処理液を一旦所望濃度に調整しても、処理液がタンクから処理ユニットに至るまでの間に残留処理液が処理液に混入して処理液の濃度が変動してしまう。 In addition, even a small amount of processing liquid having a low concentration or an ultra-low concentration is mixed with processing liquids having different concentrations, so that the concentration easily changes. Therefore, it is not easy to stably maintain the concentration of the processing liquid at a desired low concentration or ultra-low concentration. In particular, the processing liquid may remain in the flow path of the substrate processing system. Such residual processing liquid may occur even after liquid exchange processing and drain processing are performed. If the concentration of the residual processing liquid is different from the desired concentration (e.g., higher than the desired ultra-low concentration), even if the processing liquid in the tank is adjusted to the desired concentration once, the processing liquid will not reach the processing unit from the tank. During this period, the residual processing liquid is mixed into the processing liquid and the concentration of the processing liquid fluctuates.
本開示は、基板処理システムにおいて処理液を所望濃度に迅速に調整することができる技術を提供する。 The present disclosure provides a technique capable of rapidly adjusting a processing liquid to a desired concentration in a substrate processing system.
本開示の一態様は、第１の液及び第２の液を含有する処理液を使って基板を処理する基板処理系と、基板処理系に処理液を供給する処理液供給系と、第１の液、第２の液及び処理液のうちの少なくともいずれかを処理液供給系に供給する処理液調整系と、制御部と、を備え、処理液供給系は、処理液調整系に接続され、処理液を貯留するタンクとタンクに接続され、タンクから出てタンクに戻る処理液が流される循環ラインと、循環ライン及び基板処理系に接続される分岐ラインと、循環ラインにおいて処理液を流す循環器と、タンク及び循環ラインのうちの少なくともいずれかから排出される処理液が流されるドレーンラインと、ドレーンラインを介した処理液の排出を調整するドレーン調整部と、タンク、循環ライン、タンクに接続される濃度計測ライン、及び循環ラインに接続される濃度計測ラインのうちの少なくともいずれかにおける処理液の濃度を計測する濃度センサと、を有し、処理液調整系は、第１の液、第２の液及び処理液のうちの少なくともいずれかのタンクへの供給を調整する供給調整部を有し、制御部は、循環器を制御してタンク及び循環ラインにおいてある量の処理液を循環させた後の濃度センサの計測結果に基づき、ドレーン調整部を制御して処理液の排出を調整し、供給調整部を制御して第１の液、第２の液及び処理液のうちの少なくともいずれかのタンクへの供給を調整する基板処理システムに関する。 According to one aspect of the present disclosure, a substrate processing system that processes a substrate using a processing liquid containing a first liquid and a second liquid, a processing liquid supply system that supplies the processing liquid to the substrate processing system, a first a processing liquid adjustment system for supplying at least one of the first liquid, the second liquid, and the processing liquid to the processing liquid supply system; and a controller, wherein the processing liquid supply system is connected to the processing liquid adjustment system. , a tank for storing the processing liquid, a circulation line connected to the tank and through which the processing liquid exiting the tank and returning to the tank flows, a branch line connected to the circulation line and the substrate processing system, and the processing liquid flowing through the circulation line. a circulator, a drain line through which the processing liquid discharged from at least one of the tank and the circulation line flows, a drain adjustment unit that adjusts the discharge of the processing liquid through the drain line, the tank, the circulation line, the tank and a concentration sensor for measuring the concentration of the treatment liquid in at least one of the concentration measurement line connected to the first liquid and the concentration measurement line connected to the circulation line. and a supply regulator for regulating the supply of at least one of the second liquid and the processing liquid to the tank, the control section controlling the circulator to supply a certain amount of the processing liquid in the tank and the circulation line. Based on the measurement result of the concentration sensor after circulation, the drain adjustment unit is controlled to adjust the discharge of the treatment liquid, and the supply adjustment unit is controlled to select one of the first liquid, the second liquid and the treatment liquid. A substrate processing system that regulates the supply of at least one tank.
本開示によれば、基板処理システムにおいて処理液を所望の超低濃度に迅速に調整することができる。 According to the present disclosure, the processing liquid can be rapidly adjusted to a desired ultra-low concentration in a substrate processing system.
図面を参照し、基板処理システム及び処理液調製方法の実施形態を説明する。 Embodiments of a substrate processing system and a processing liquid preparation method will be described with reference to the drawings.
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。 FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to this embodiment. Hereinafter, in order to clarify the positional relationship, the X-axis, Y-axis and Z-axis are defined to be orthogonal to each other, and the positive direction of the Z-axis is defined as the vertically upward direction.
図１に示す基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
A
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
The loading/
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向及び鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
The
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べられて設けられる。
The
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向及び鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
The
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
The
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
The
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
The program may be recorded in a computer-readable storage medium and installed in the
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
In the
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
The wafer W loaded into the
次に、処理ユニット１６の概略構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。
Next, a schematic configuration of the
図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
As shown in FIG. 2 , the
チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
The
基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
The
処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。
The processing
回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
The
次に、基板処理システム１における処理液の濃度調整、循環及び供給に関して説明する。
Next, concentration adjustment, circulation and supply of the processing liquid in the
以下の各実施形態では、処理液の濃度を超低濃度（例えば３ｐｐｍ以下の濃度）に調整する場合について説明するが、処理液の濃度を他の濃度（例えば３ｐｐｍよりも高い濃度）に調整する場合にも以下の各実施形態は応用可能である。 In each of the following embodiments, the case of adjusting the concentration of the treatment liquid to an ultra-low concentration (for example, a concentration of 3 ppm or less) will be described, but the concentration of the treatment liquid is adjusted to another concentration (for example, a concentration higher than 3 ppm). In any case, the following embodiments are applicable.
［第１実施形態］
図３は、第１実施形態に係る基板処理システム１の基板処理系２１、処理液供給系２２及び処理液調整系２３の概略構成例を示す図である。[First embodiment]
FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration example of the
本実施形態の基板処理システム１は、基板処理系２１、処理液供給系２２、処理液調整系２３及び制御部１８（図１参照）を備える。
The
基板処理系２１は、第１の液（本例では水酸化アンモニウム（アンモニア水））及び第２の液（本例ではＤＩＷ（Deionized Water））を含有する処理液を使って、ウェハＷの処理（例えば洗浄処理）を行う。処理液の具体的な含有成分は限定されず、処理液の含有成分は、第１の液又は第２の液の含有成分と全く同じであってもよいし、異なっていてもよい。
The
処理液供給系２２は、基板処理系２１に処理液を供給する。処理液調整系２３は、第１の液、第２の液及び処理液のうちの少なくともいずれかを処理液供給系２２に供給する。制御部１８は、基板処理系２１、処理液供給系２２及び処理液調整系２３が有する開閉弁、ポンプ、流量計及び濃度センサ等の構成要素に接続され、各構成要素の作動状態を制御したり、計測結果を各構成要素から受信したりする。
The processing
図３に示す基板処理系２１は、複数の処理ユニット１６と、メイン戻しライン４１とを有する。各処理ユニット１６は上述の図２に示す構造を有しており、図３では各処理ユニット１６の構成が簡略化して示されている。各処理ユニット１６が有する処理流体供給部４０はメイン分岐ライン３７に接続されており、メイン分岐ライン３７を介して送られてくる処理液を、基板保持機構３０が支持するウェハＷの処理面に供給する。
A
メイン分岐ライン３７には、複数の処理ユニット１６のそれぞれに割り当てられる複数の開閉弁５５ｌが設けられている。各開閉弁５５ｌは、制御部１８の制御下で開閉し、メイン分岐ライン３７から対応の処理ユニット１６（すなわち処理流体供給部４０）への処理液の流量の調整（処理液の供給の有無を含む）を行う。メイン戻しライン４１は、各処理ユニット１６の排液口５１（図２参照）に接続されるとともにタンク３５に接続され、各処理ユニット１６から排出される処理液をタンク３５内に案内する。
The
なお図３に示す基板処理系２１は一例に過ぎず、基板処理系２１は他の構成を有していてもよい。例えば、図３には４つの処理ユニット１６が示されているが、基板処理系２１は５以上の処理ユニット１６を有していてもよいし（図１参照）、３以下の処理ユニット１６を有していてもよい。また循環ライン３６に対して複数のメイン分岐ライン３７が直接的に接続し、これらのメイン分岐ライン３７が複数の処理ユニット１６（すなわち複数の処理流体供給部４０）のそれぞれに接続していてもよい。また、メイン戻しライン４１のうち複数の処理ユニット１６のそれぞれに割り当てられる複数の部分に開閉弁（図示省略）が設けられ、処理ユニット１６毎にメイン戻しライン４１への処理液の排出が当該開閉弁によりコントロールされてもよい。また各処理ユニット１６にドレーンライン（図示省略）が接続されていてもよい。当該ドレーンライン及びメイン戻しライン４１は流路切換部（図示省略）を介して各処理ユニット１６に接続されていてもよい。当該流路切換部は、制御部１８の制御下で、各処理ユニット１６から排出される処理液を、ドレーンラインに流したり、メイン戻しライン４１に流したりすることができる。
The
また、それぞれの処理ユニット１６に対応するように設けられるサブ循環ライン（図示省略）であって、対応の処理ユニット１６を迂回するようにメイン分岐ライン３７及びメイン戻しライン４１に接続されるサブ循環ライン（図示省略）が設置されていてもよい。例えば、各開閉弁５５ｌを三方弁等の流路切換具として構成し、各開閉弁５５ｌに対し、対応の処理流体供給部４０に接続される流路（メイン分岐ライン３７）と、対応のサブ循環ラインとが接続されていてもよい。この場合、各開閉弁５５ｌは制御部１８の制御下で、上流側のメイン分岐ライン３７から送られてくる処理液を、下流側のメイン分岐ライン３７を介して対応の処理流体供給部４０に向けて流すモードと、対応のサブ循環ラインに流すモードとの間で切り換えられる。
A sub-circulation line (not shown) provided to correspond to each
なお本明細書において「上流」及び「下流」の用語は、特にことわりがない限り、基板処理システム１の流路を流れる流体（本実施形態では第１の液、第２の液及び処理液）の流れ方向を基準とする。
In this specification, unless otherwise specified, the terms "upstream" and "downstream" refer to fluids (in this embodiment, the first liquid, the second liquid and the processing liquid) flowing through the flow path of the
図３に示す処理液供給系２２は、タンク３５及び循環ライン３６を有する。タンク３５は、処理液調整系２３（特にメイン補給ライン７１）に接続され、処理液調整系２３から第１の液、第２の液及び／又は処理液が補給され、処理液を貯留する。循環ライン３６は、タンク３５に接続され、タンク３５から出てタンク３５に戻る処理液が流される。循環ライン３６及び基板処理系２１（特に各処理ユニット１６の処理流体供給部４０）には、メイン分岐ライン３７が接続されている。
The processing
循環ライン３６には、循環ポンプ（循環器）４２、フィルタ４３、ヒータ４４、流量計４５及び複数の開閉弁５５ｈ、５５ｉ、５５ｊが上流側から下流側に向かって順次設けられている。
A circulation pump (circulator) 42, a
循環ポンプ４２は、循環ライン３６において処理液を流す。図３に示す循環ポンプ４２は、循環ライン３６内の処理液を反時計回り方向に流す。タンク３５から循環ライン３６に流入した処理液は、循環ポンプ４２、フィルタ４３、ヒータ４４、流量計４５及び複数の開閉弁５５ｈ、５５ｉ、５５ｊを経て、再びタンク３５に戻される。
A
フィルタ４３は、処理液から異物及び気泡を除去する。処理液がフィルタ４３を通過することによって、異物及び気泡が処理液から除去される。図示のフィルタ４３は、循環ライン３６において循環ポンプ４２よりも下流側に設けられ、循環ポンプ４２の近傍に配置されている。循環ライン３６を介してタンク３５に流入した処理液はタンク３５に貯留されるため、タンク３５から循環ライン３６に流出した処理液は堆積物等の異物を含みうる。また循環ポンプ４２の作動によって処理液には気泡が混入することがある。そのような異物や気泡を効果的に処理液から取り除くために、タンク３５及び循環ポンプ４２の下流側且つ近傍にフィルタ４３が配置されることが好ましい。また十分量の処理液を勢いよくフィルタ４３に流し込む観点からも、フィルタ４３は循環ポンプ４２の下流側且つ近傍に配置されることが好ましい。
ヒータ４４は、制御部１８の制御下で、循環ライン３６内の処理液に熱エネルギーを加え、処理液の温度を上昇させる。流量計４５は、処理液の流量を計測し、計測結果を制御部１８に送信する。開閉弁５５ｈ、５５ｉ、５５ｊは、循環ライン３６においてフィルタ４３及びヒータ４４よりも下流側に設けられ、制御部１８の制御下で開度が調整される。開閉弁５５ｈ、５５ｉ、５５ｊの開度に応じて、循環ライン３６における処理液の流量が調整される。特に、循環ライン３６及びメイン分岐ライン３７の接続部に隣り合うように設けられる開閉弁５５ｈ及び開閉弁５５ｉは、循環ライン３６から基板処理系２１への処理液の供給を調整する液供給調整部として機能する。例えば循環ライン３６のうちのメイン分岐ライン３７が接続される部分よりも上流側に設けられる開閉弁５５ｈが閉じられることによって、メイン分岐ライン３７及び基板処理系２１への処理液の供給を止めることができる。また循環ライン３６のうちのメイン分岐ライン３７が接続される部分よりも下流側に設けられる開閉弁５５ｉ、５５ｊが閉じられることによって、処理液が循環ライン３６を介してタンク３５に戻されることを止めることができる。
The
循環ライン３６及びタンク３５には濃度計測ライン３９が接続されている。図示の濃度計測ライン３９の一端部は、循環ライン３６のうちのフィルタ４３と開閉弁５５ｈ（液供給調整部）との間の部分（とりわけフィルタ４３とヒータ４４との間の部分）に接続されている。図示の濃度計測ライン３９の他端部は、タンク３５に直接的に接続されている。濃度計測ライン３９には開閉弁５５ｋ及び濃度センサ４６が設けられている。
A
濃度センサ４６は、濃度計測ライン３９を流れる処理液の濃度（本例では第１の液に含まれる成分の濃度（すなわちアンモニア濃度））を計測し、計測結果を制御部１８に送信する。濃度センサ４６の具体的な構成は限定されず、典型的には溶液の導電率と濃度との相関に基づいて計測を行うセンサを濃度センサ４６として用いることができる。開閉弁５５ｋは、制御部１８の制御下で開閉し、循環ライン３６から濃度計測ライン３９への処理液の流入量（処理液の流入の有無を含む）を調整する。なお濃度センサ４６は、処理液の濃度を正確に計測する観点から、異物や気泡が取り除かれた処理液を計測対象とすること好ましく、図示の例ではフィルタ４３よりも下流側の流路に設けられることが好ましい。
The
なお処理液供給系２２が有する濃度センサ４６は、図示の形態には限定されない。図示は省略するが、濃度センサ４６は、例えばタンク３５、循環ライン３６、タンク３５に接続される濃度計測ライン、及び循環ライン３６に接続される濃度計測ライン３９のうちの少なくともいずれかにおける処理液の濃度を計測してもよい。また処理液供給系２２は複数の濃度センサを有してもよい。例えば、ヒータ４４よりも上流側及び下流側のそれぞれにおいて濃度計測ライン３９、３９ａが循環ライン３６から分岐し、これらの濃度計測ライン３９、３９ａのそれぞれに濃度センサ４６、４６ａが設けられていてもよい。複数の濃度センサを設ける場合、計測可能濃度範囲を濃度センサ毎に変えることによって、全体として広範囲の濃度を正確に計測することが可能である。
Note that the
処理液供給系２２は、更に、処理液供給系２２から排出される処理液が流されるドレーンライン３８と、ドレーンライン３８を介した処理液の排出を調整する開閉弁５５ｅ、５５ｆ、５５ｇ（ドレーン調整部）とを有する。ドレーンライン３８は、タンク３５及び循環ライン３６のうちの少なくともいずれかから排出される処理液が流される。図３に示す処理液供給系２２は、３つのドレーンライン３８を有し、それぞれのドレーンライン３８に開閉弁５５ｅ、５５ｆ、５５ｇが設けられている。開閉弁５５ｅが設けられているドレーンライン３８は、タンク３５に対して直接的に接続されている。開閉弁５５ｆが設けられているドレーンライン３８は、循環ライン３６のうちのタンク３５と循環ポンプ４２との間の部分に接続されている。開閉弁５５ｇが設けられているドレーンライン３８は、循環ライン３６のうちの循環ポンプ４２とフィルタ４３との間の部分に接続されている。各ドレーンライン３８は、他のドレーンライン３８と合流してもよいし、合流しなくてもよい。
The processing
処理液調整系２３は供給調整部（すなわち開閉弁５５ａ、５５ｂ、５５ｄ）を有する。供給調整部（開閉弁５５ａ、５５ｂ、５５ｄ）は、第１の液（水酸化アンモニウム）、第２の液（ＤＩＷ）及び処理液（水酸化アンモニウム及びＤＩＷの混合液）のうちの少なくともいずれかのタンク３５への供給を調整する。図示の処理液調整系２３は、タンク３５に接続されるメイン補給ライン７１と、メイン補給ライン７１に合流するサブ補給ライン７２とを有する。
The processing
メイン補給ライン７１の一方の端部は第２液供給源６２に接続され、他方の端部はタンク３５に接続されている。メイン補給ライン７１には、開閉弁５５ａ、濃度センサ６４及び開閉弁５５ｄが上流側から下流側に向かって順次設けられている。
One end of the
サブ補給ライン７２の一方の端部は第１液供給源６１に接続され、他方の端部はメイン補給ライン７１に接続されている。図示のサブ補給ライン７２は、メイン補給ライン７１のうちの濃度センサ６４と開閉弁５５ａとの間の部分に接続されている。サブ補給ライン７２には、流量計６３及び開閉弁５５ｂが上流側から下流側に向かって順次設けられている。
One end of the
メイン補給ライン７１のうちの濃度センサ６４よりも下流側の部分（図示の例では濃度センサ６４と開閉弁５５ｄとの間の部分）にはドレーンライン３８が接続されており、当該ドレーンライン３８には開閉弁５５ｃが設けられている。当該開閉弁５５ｃは、制御部１８の制御下で開閉し、処理液調整系２３（特にメイン補給ライン７１）からドレーンライン３８を介した処理液の排出を調整する。
A
このように図３に示す基板処理システム１では、処理液供給系２２及び処理液調整系２３の少なくとも一部が、図２に示す処理流体供給源７０に対応する。処理液供給系２２及び処理液調整系２３の組み合わせは循環キャビネット２４とも称され、循環キャビネット２４は一体的に構成可能である。本実施形態では１つの循環キャビネット２４が１つの基板処理系２１に接続されている。
As described above, in the
制御部１８（図１参照）は、濃度センサ４６の計測結果に基づいてドレーン調整部（開閉弁５５ｅ、開閉弁５５ｆ及び／又は開閉弁５５ｇ）を制御し、処理液供給系２２（タンク３５及び／又は循環ライン３６）からの処理液の排出を調整する。また制御部１８は、濃度センサ４６の計測結果に基づいて供給調整部（開閉弁５５ａ、５５ｂ、５５ｄ）を制御し、第１の液、第２の液及び処理液のうちの少なくともいずれかのタンク３５への供給を調整する。特に、本実施形態の制御部１８は、循環ポンプ４２を制御してタンク３５及び循環ライン３６においてある量の処理液を循環させた後に、上述の処理液の排出及びタンク３５へのＤＩＷの供給を行う。
The control unit 18 (see FIG. 1) controls the drain adjustment unit (the on-off
次に、上述の基板処理システム１（特に処理液供給系２２及び処理液調整系２３）によって実施される処理液調製方法の一例について説明する。
Next, an example of a processing liquid preparation method performed by the substrate processing system 1 (particularly, the processing
以下に説明される処理液調製方法によれば、まずタンク３５に目標濃度よりも高い濃度の処理液が貯留され、タンク３５及び循環ライン３６を含む流路において高濃度処理液が循環させられる。その後、タンク３５及び／又は循環ライン３６から処理液が排出され且つＤＩＷがタンク３５に供給されることによって、処理液供給系２２における処理液の濃度が薄められる。これらの一連の処理を必要に応じて繰り返し行うことで、処理液供給系２２における処理液の濃度が所望の超低濃度に調整される。
According to the processing liquid preparation method described below, first, a processing liquid having a concentration higher than a target concentration is stored in the
図４は、処理液調製方法の一例を示すフローチャートである。なお詳細な説明は省略するが、制御部１８は、下記の処理を適切に実行するため、基板処理システム１に含まれる開閉弁等の要素を適宜制御する。
FIG. 4 is a flow chart showing an example of the treatment liquid preparation method. Although detailed description is omitted, the
まず制御部１８は供給調整部（開閉弁５５ａ、５５ｂ、５５ｄ）を制御し、目標濃度（例えば３ｐｐｍ）よりも高い濃度の処理液（例えば２０ｐｐｍ程度の濃度の処理液）をタンク３５に供給する（図４のＳ１）。処理液調整系２３からタンク３５に高濃度の処理液が供給されることで、タンク３５に貯留される処理液の濃度は、処理液の目標濃度よりも高くなる。典型的には、開閉弁５５ａ、開閉弁５５ｂ及び開閉弁５５ｄが開かれ、第１液供給源６１からの水酸化アンモニウム及び第２液供給源６２からのＤＩＷがメイン補給ライン７１で合流し、開閉弁５５ｄを経てタンク３５に追加的に供給される。ただし、開閉弁５５ａが閉じられ且つ開閉弁５５ｂ及び開閉弁５５ｄが開かれ、第１液供給源６１からの水酸化アンモニウムのみが開閉弁５５ｄを経てタンク３５に追加的に供給されてもよい。
First, the
その後、制御部１８は循環ポンプ４２を制御し、循環ポンプ４２によって少なくともタンク３５及び循環ライン３６においてある量の処理液を循環させる（Ｓ２）。これにより、処理液供給系２２（例えば循環ライン３６、循環ポンプ４２、フィルタ４３、ヒータ４４、流量計４５及び開閉弁５５ｈ、５５ｉ、５５ｊ）における残留処理液が循環処理液により押し流されてタンク３５に戻される。その結果、処理液供給系２２全体における処理液（例えばタンク３５内及び循環ライン３６内の処理液）の濃度が均一化される。この場合の処理液の循環時間は限定されない。処理液供給系２２全体における処理液の濃度の相違を解消する観点からは、処理液の循環時間は、処理液供給系２２における残留処理液が循環処理液とともにタンク３５に戻されるのに十分な時間（例えば３０秒程度）であることが好ましい。
After that, the
なお基板処理系２１が処理液を循環可能な流路構成を有する場合、処理液供給系２２において処理液を循環させる際（Ｓ２）、基板処理系２１においても処理液を循環させてもよい。例えば基板処理系２１が上述のサブ循環ライン（図示省略）を有する場合、タンク３５、循環ライン３６、メイン分岐ライン３７、サブ循環ライン及びメイン戻しライン４１においても処理液を循環させてもよい。基板処理系２１において処理液を循環させることにより、基板処理系２１における残留処理液も循環処理液とともにタンク３５に回収される。これにより、基板処理系２１及び処理液供給系２２において処理液の濃度を均一化することができる。
In the case where the
上述のように処理液を循環させた後、濃度センサ４６によって計測される処理液の濃度が制御部１８によって取得される。そして濃度センサ４６によって計測される処理液の濃度が目標濃度に達したか否かが、制御部１８によって判定される（Ｓ３）。目標濃度は、予め設定されている特定の値であってもよいが、典型的には、ある範囲をもった濃度に予め設定される。
After the processing liquid is circulated as described above, the concentration of the processing liquid measured by the
濃度センサ４６によって計測される処理液の濃度が目標濃度に達した場合（Ｓ３のＹ）、所望濃度の処理液の調製が完了し、処理液調製処理は終了する。
When the concentration of the treatment liquid measured by the
濃度センサ４６によって計測される処理液の濃度が目標濃度に達していない場合（Ｓ３のＮ）、処理液供給系２２における処理液の一部がドレーンライン３８を介して排出され（Ｓ４）、処理液調整系２３からタンク３５にＤＩＷが供給される（Ｓ５）。すなわち制御部１８は濃度センサ４６の計測結果に基づいてドレーン調整部（開閉弁５５ｅ、開閉弁５５ｆ及び／又は開閉弁５５ｇ）を制御し、ドレーン調整部により処理液の排出が調整される。また制御部１８は濃度センサ４６の計測結果に基づいて供給調整部（開閉弁５５ａ、５５ｂ、５５ｄ）を制御し、供給調整部によりタンク３５へのＤＩＷの供給が調整される。これにより、タンク３５内の処理液の濃度は薄められ、目標濃度に近づけられる。
When the concentration of the processing liquid measured by the
なお処理液の濃度を効率良く薄める観点からは、処理液の排出が完了した後にタンク３５へのＤＩＷの供給が行われることが好ましいが、処理液の排出及びタンク３５へのＤＩＷの供給が行われるタイミングは限定されない。またドレーンライン３８を介した処理液の排出量及びタンク３５へのＤＩＷの供給量は限定されないが、処理液の排出量及びＤＩＷの供給量が増えるほど、タンク３５内の処理液の濃度低下の程度は大きくなる。一例として、処理液の排出（Ｓ４）及びＤＩＷの供給（Ｓ５）が行われる直前のタンク３５内の処理液の量の７５％～８５％程度の量の処理液をドレーンライン３８を介して排出し、処理液の排出量と同じ量のＤＩＷをタンク３５に供給することができる。
From the viewpoint of efficiently diluting the concentration of the processing liquid, it is preferable to supply the DIW to the
また処理液の排出量及びＤＩＷの供給量は予め決められた量であってもよいが、処理液供給系２２における濃度センサ４６の計測結果に応じて、処理液の排出量及びＤＩＷの供給量が決められてもよい。例えば、制御部１８は、処理液の循環（Ｓ２）の後における濃度センサ４６の計測結果から導き出される処理液の濃度と目標濃度との差を取得してもよい。制御部１８は、この処理液の濃度と目標濃度との差に基づいて、処理液供給系２２からの処理液の排出量及びＤＩＷのタンク３５への供給量を決定してもよい。制御部１８は、当該決定の結果に基づいてドレーン調整部及び供給調整部を制御する。
The amount of the treatment liquid discharged and the amount of DIW supplied may be predetermined amounts, but the amount of the treatment liquid discharged and the amount of DIW supplied may be determined according to the measurement result of the
また制御部１８は、処理液の循環（Ｓ２）の前後における循環ライン３６の濃度センサ４６の計測結果から導き出される処理液の濃度差（以下「循環濃度差」とも称する）を取得してもよい。処理液の循環（Ｓ２）の後における処理液の濃度が目標濃度から外れている場合、制御部１８は、循環濃度差の条件と、循環後の処理液の濃度と、目標濃度とに基づいて、処理液の排出量及びＤＩＷのタンク３５への供給量を決定してもよい。なお、ここでいう循環後の処理液の濃度は、濃度センサ４６の計測結果から導き出される。
Further, the
処理液の排出及びタンク３５へのＤＩＷの供給が行われた後、再び、処理液の循環（Ｓ２）と、処理液の濃度が目標濃度に達したか否かの判定（Ｓ３）とが行われる。そして、処理液の濃度が目標濃度に達していると判定される場合には処理液の調製処理は終了し、処理液の濃度が目標濃度に達していないと判定される場合には処理液の排出（Ｓ４）及びＤＩＷの供給（Ｓ５）が再び行われる。
After the discharge of the processing liquid and the supply of DIW to the
このように制御部１８はドレーン調整部、供給調整部及び循環ポンプ４２を制御し、処理液の濃度が目標濃度に達するまで、処理液供給系２２からの処理液の排出、タンク３５へのＤＩＷの供給、及び処理液供給系２２における処理液の循環を繰り返し行う。特に、制御部１８は、目標濃度よりも高い濃度の処理液をタンク３５に供給した後に、循環ポンプ４２、ドレーン調整部及び供給調整部を制御して、タンク３５及び循環ライン３６における処理液の循環、処理液の排出及びＤＩＷのタンク３５への供給を行う。また制御部１８は、処理液供給系２２からの処理液の排出及びタンク３５へのＤＩＷの供給を行った後に、循環ポンプ４２を制御して少なくともタンク３５及び循環ライン３６においてある量の処理液を循環させる。そして制御部１８は、ある量の処理液の循環後の濃度センサ４６の計測結果が目標濃度に達するまで、ドレーン調整部、供給調整部及び循環ポンプ４２を制御して、処理液の排出、ＤＩＷのタンク３５への供給、及びある量の処理液の循環を繰り返す。これにより、処理液供給系２２からの処理液の排出及びタンク３５へのＤＩＷの供給を行うことによって濃度が変わったタンク３５内の処理液と、残留処理液との間の濃度不均衡が解消され、タンク３５内の処理液の濃度を目標濃度に近づけつつ均一化できる。
In this manner, the
以上説明したように本実施形態によれば、処理液供給系２２全体で処理液の濃度を均一化させつつタンク３５内の処理液の濃度を調整することができ、基板処理系２１に供給される処理液の濃度を適切に管理することができる。また本実施形態によれば、基板処理システム１（特に処理液供給系２２）が複雑な流路構成を有していたり、基板処理システム１の構成要素に個体差があったりしても、所望濃度の処理液を精度良く調製することができる。
As described above, according to this embodiment, the concentration of the processing liquid in the
特に、残留処理液を含む処理液供給系２２全体の処理液の濃度の均一化が行われた後に、濃度センサ４６によって処理液の濃度が計測され、処理液の排出及びＤＩＷの供給の要否が判定される。このように残留処理液を考慮しながらタンク３５内の処理液の濃度を調整することで、処理液供給系２２における処理液を、迅速に所望濃度（本実施形態では超低濃度）に調整することができる。
In particular, after the concentration of the processing liquid in the entire processing
従来は、例えば、処理液を循環させることなくタンク内の処理液を所望濃度に調整し、その後、処理液を循環させ、残留処理液の影響でタンク内の処理液が所望濃度から外れた場合には、タンク内の処理液の調整が繰り返し行われる。一方、本実施形態の基板処理システム１及び処理液調製方法によれば、そのような残留処理液に起因する意図しない処理液濃度の変動が生じないので、迅速に処理液の濃度を所望濃度に調整することができる。
Conventionally, for example, the processing liquid in the tank is adjusted to the desired concentration without circulating the processing liquid, and then the processing liquid is circulated. In this case, the treatment liquid in the tank is repeatedly adjusted. On the other hand, according to the
また本実施形態によれば、目標濃度よりも高い濃度の処理液がタンク３５に貯留された後に、タンク３５内の処理液の濃度が徐々に薄められる。このように処理液濃度の調整処理の最初においてタンク３５に貯留する処理液の濃度を高濃度にすることで、タンク３５内の処理液の濃度に対する残留処理液の実質的な影響の程度を低減することができる。これにより処理液供給系２２における処理液の濃度を安定的に目標濃度に調整することができ、目標濃度が低濃度（特に３ｐｐｍ以下の超低濃度）であっても、所望濃度の処理液を高精度且つ安定的に調製することができる。
Further, according to the present embodiment, the concentration of the processing liquid in the
［第２実施形態］
本実施形態において上述の第１実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。[Second embodiment]
In this embodiment, the same or similar elements as those of the above-described first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
処理液供給系２２は複数設けられてもよい。この場合、複数の処理液供給系２２の各々と基板処理系２１との間の接続状態を切り換える切換部が設けられていてもよい。制御部１８は、当該切換部を制御し、基板処理系２１に処理液を供給する処理液供給系２２を切り換えることが好ましい。
A plurality of processing
図５は、第２実施形態に係る基板処理システム１の基板処理系２１、処理液供給系２２及び処理液調整系２３の概略構成例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration example of the
図５に示す基板処理システム１は、１つの基板処理系２１、２つの処理液供給系２２（すなわち第１処理液供給系２２ａ及び第２処理液供給系２２ｂ）及び１つの処理液調整系２３を備える。各処理液供給系２２は、基板処理系２１に接続され、また処理液調整系２３に接続されている。
A
本実施形態では、上述の第１実施形態において処理液調整系２３のメイン補給ライン７１のうちサブ補給ライン７２が合流する箇所よりも下流側に設けられる開閉弁５５ｄ（図３参照）の代わりに、三方弁等によって実現可能な補給切換具７６が設けられている。補給切換具７６にはメイン補給ライン７１が接続されるとともに、第１補給ライン７１ａ及び第２補給ライン７１ｂが接続されている。第１補給ライン７１ａは第１処理液供給系２２ａのタンク３５に接続され、第２補給ライン７１ｂは第２処理液供給系２２ｂのタンク３５に接続されている。補給切換具７６は、制御部１８の制御下で、上流側のメイン補給ライン７１に対する第１補給ライン７１ａ及び第２補給ライン７１ｂの接続及び非接続を切り換える。
In the present embodiment, instead of the on-off
メイン分岐ライン３７は、供給切換部７４及び第１分岐ライン３７ａを介して第１処理液供給系２２ａの循環ライン３６に接続され、供給切換部７４及び第２分岐ライン３７ｂを介して第２処理液供給系２２ｂの循環ライン３６に接続されている。供給切換部７４は、制御部１８の制御下で、メイン分岐ライン３７に対する第１分岐ライン３７ａ及び第２分岐ライン３７ｂの接続及び非接続を切り換える。
The
メイン戻しライン４１は、戻し切換部７５及び第１戻しライン４１ａを介して第１処理液供給系２２ａのタンク３５に接続され、戻し切換部７５及び第２戻しライン４１ｂを介して第２処理液供給系２２ｂのタンク３５に接続されている。戻し切換部７５は、制御部１８の制御下で、メイン戻しライン４１に対する第１戻しライン４１ａ及び第２戻しライン４１ｂの接続及び非接続を切り換える。
The
図５に示す基板処理システム１によれば、第１処理液供給系２２ａ及び第２処理液供給系２２ｂのうちの一方を選択的に使用して、基板処理系２１におけるウェハＷの処理を行ったり、処理液の調製を行ったりすることができる。
According to the
例えば、第１処理液供給系２２ａから基板処理系２１に処理液を供給して各処理ユニット１６においてウェハＷの処理を行いつつ、第２処理液供給系２２ｂにおいて処理液の調製（図４参照）が行うことができる。この場合、供給切換部７４は第１分岐ライン３７ａをメイン分岐ライン３７に接続し、戻し切換部７５は第１戻しライン４１ａをメイン戻しライン４１に接続し、補給切換具７６はメイン補給ライン７１を第２補給ライン７１ｂに接続する。また同様にして、第２処理液供給系２２ｂから基板処理系２１に処理液を供給して各処理ユニット１６においてウェハＷの処理を行いつつ、第１処理液供給系２２ａにおいて処理液の調製を行うこともできる。
For example, while the processing liquid is supplied from the first processing
上述のように本実施形態の基板処理システム１では、第１処理液供給系２２ａ及び第２処理液供給系２２ｂが共通の処理液調整系２３に接続可能に設けられている。そして、第１処理液供給系２２ａ、第２処理液供給系２２ｂ及び処理液調整系２３の組み合わせにより、１つの循環キャビネット２４が構成されている。
As described above, in the
以上説明したように本実施形態の基板処理システム１によれば、第１処理液供給系２２ａ及び第２処理液供給系２２ｂを使い分けて、基板処理及び所望濃度の処理液の調製を行うことができる。したがって基板処理及び処理液の調製の各々に使用する処理液供給系２２として、第１処理液供給系２２ａ及び第２処理液供給系２２ｂを交互に使用することが可能である。この場合、システム全体の処理を効率的に行うことができる。特に、第１処理液供給系２２ａ及び第２処理液供給系２２ｂにおいて基板処理及び所望濃度の処理液の調製を同時的に行うことによって、システム全体の処理時間を短縮することが可能である。
As described above, according to the
［第３実施形態］
本実施形態において上述の第１実施形態及び第２実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。[Third embodiment]
In this embodiment, the same or similar elements as those in the above-described first and second embodiments are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
処理液調整系２３は複数設けられていてもよい。この場合、複数の処理液調整系２３のそれぞれから複数の処理液供給系２２に、第１の液、第２の液及び処理液のうちの少なくともいずれかが供給されてもよい。
A plurality of treatment
図６は、第３実施形態に係る基板処理システム１の基板処理系２１、処理液供給系２２及び処理液調整系２３の概略構成例を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration example of the
図６に示す基板処理システム１は、複数の循環キャビネット２４（具体的には第１循環キャビネット２４ａ及び第２循環キャビネット２４ｂ）を備える。各循環キャビネット２４は処理液供給系２２及び処理液調整系２３の組み合わせを含む。すなわち第１循環キャビネット２４ａは、相互に接続された第１処理液供給系２２ａ及び第１処理液調整系２３ａを含む。第２循環キャビネット２４ｂは、相互に接続された第２処理液供給系２２ｂ及び第２処理液調整系２３ｂを含む。
The
第１処理液供給系２２ａの循環ライン３６には第１分岐ライン３７ａが接続されており、第１分岐ライン３７ａは供給切換部７４を介してメイン分岐ライン３７に接続されている。第２処理液供給系２２ｂの循環ライン３６には第２分岐ライン３７ｂが接続されており、第２分岐ライン３７ｂは供給切換部７４を介してメイン分岐ライン３７に接続されている。供給切換部７４は、制御部１８の制御下で、メイン分岐ライン３７に対する第１分岐ライン３７ａ及び第２分岐ライン３７ｂの接続及び非接続を切り換える。
A
第１処理液供給系２２ａのタンク３５には第１戻しライン４１ａが接続されており、第１戻しライン４１ａは戻し切換部７５を介してメイン戻しライン４１に接続されている。第２処理液供給系２２ｂのタンク３５には第２戻しライン４１ｂが接続されており、第２戻しライン４１ｂは戻し切換部７５を介してメイン戻しライン４１に接続されている。戻し切換部７５は、制御部１８の制御下で、メイン戻しライン４１に対する第１戻しライン４１ａ及び第２戻しライン４１ｂの接続及び非接続を切り換える。
A
図６に示す基板処理システム１によれば、第１循環キャビネット２４ａ及び２第２循環キャビネット２４ｂのうちの一方を選択的に使用して、基板処理系２１におけるウェハＷの処理を行ったり、処理液の調製を行ったりすることができる。例えば、第１循環キャビネット２４ａ（特に第１処理液供給系２２ａ）を基板処理系２１に接続してウェハＷの処理を行いつつ、第２循環キャビネット２４ｂにおいて処理液の調製（図４参照）が行うことができる。この場合、供給切換部７４は第１分岐ライン３７ａをメイン分岐ライン３７に接続し、戻し切換部７５は第１戻しライン４１ａをメイン戻しライン４１に接続する。また同様にして、第２循環キャビネット２４ｂ（特に第２処理液供給系２２ｂ）を基板処理系２１に接続してウェハＷの処理を行いつつ、第１循環キャビネット２４ａにおいて処理液の調製を行うこともできる。
According to the
以上説明したように本実施形態によれば、第１循環キャビネット２４ａ及び第２循環キャビネット２４ｂを使い分けて、基板処理及び所望濃度の処理液の調製を行うことができる。したがって基板処理及び処理液の調製の各々に使用する循環キャビネット２４として、第１循環キャビネット２４ａ及び第２循環キャビネット２４ｂを交互に使用することが可能である。この場合、システム全体の処理を効率的に行うことができる。特に、第１循環キャビネット２４ａ及び第２循環キャビネット２４ｂにおいて基板処理及び所望濃度の処理液の調製を同時的に行うことによって、システム全体の処理時間を短縮することが可能である。
As described above, according to the present embodiment, the
［変形例］
上述の各実施形態では、処理液の濃度が目標濃度（すなわち超低濃度）に達していない場合、処理液の濃度を薄めるために、タンク３５には第２の液（ＤＩＷ）が供給される（図４のＳ５参照）。この場合、第２の液（ＤＩＷ）の代わりに、処理液（第１の液及び第２の液の混合液）が処理液調整系２３からタンク３５に供給されてもよい。ただし、タンク３５内の処理液の濃度を下げて目標濃度に調整するために、目標濃度よりも低い濃度の処理液が処理液調整系２３からタンク３５に供給される。[Modification]
In each of the embodiments described above, a second liquid (DIW) is supplied to the
またタンク３５内の処理液の濃度が目標濃度よりも下回っている場合、処理液調整系２３からタンク３５には、第１の液（水酸化アンモニウム）が供給されてもよいし、処理液が供給されてもよい。処理液が供給される場合、タンク３５内の処理液の濃度を上げて目標濃度に調整するために、目標濃度よりも高い濃度の処理液が処理液調整系２３からタンク３５に供給される。
Further, when the concentration of the processing liquid in the
いずれにしても制御部１８は、濃度センサの計測結果が目標濃度に達するまで、処理液の排出及び第１の液、第２の液及び処理液のうちの少なくともいずれかのタンク３５への供給を繰り返す。
In any case, the
なお本明細書で開示されている実施形態はすべての点で例示に過ぎず限定的には解釈されないことに留意されるべきである。上述の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態での省略、置換及び変更が可能である。例えば上述の実施形態及び変形例が組み合わされてもよく、また上述以外の実施形態が上述の実施形態又は変形例と組み合わされてもよい。 It should be noted that the embodiments disclosed in this specification are merely illustrative in all respects and should not be construed as limiting. The above-described embodiments can be omitted, substituted and modified in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims. For example, the above-described embodiments and modifications may be combined, and embodiments other than those described above may be combined with the above-described embodiments or modifications.
また上述の技術的思想を具現化する技術的カテゴリーも限定されない。例えば上述の基板処理システムが他の装置に応用されてもよい。また上述の処理液調製方法に含まれる１又は複数の手順（ステップ）をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムによって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。またそのようなコンピュータプログラムが記録されたコンピュータが読み取り可能な非一時的（ｎｏｎ－ｔｒａｎｓｉｔｏｒｙ）な記録媒体によって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。 Also, the technical category that embodies the above technical idea is not limited. For example, the substrate processing system described above may be applied to other apparatuses. Moreover, the above-described technical idea may be embodied by a computer program for causing a computer to execute one or more procedures (steps) included in the above-described treatment liquid preparation method. Also, the above technical idea may be embodied by a computer-readable non-transitory recording medium in which such a computer program is recorded.
Claims (10)
前記基板処理系に前記処理液を供給する処理液供給系と、
前記第１の液、前記第２の液及び前記処理液のうちの少なくともいずれかを前記処理液供給系に供給する処理液調整系と、
制御部と、を備え、
前記処理液供給系は、
前記処理液調整系に接続され、前記処理液を貯留するタンクと
前記タンクに接続され、前記タンクから出て前記タンクに戻る前記処理液が流される循環ラインと、
前記循環ライン及び前記基板処理系に接続される分岐ラインと、
前記循環ラインにおいて前記処理液を流す循環器と、
前記タンク及び前記循環ラインのうちの少なくともいずれかから排出される前記処理液が流されるドレーンラインと、
前記ドレーンラインを介した前記処理液の排出を調整するドレーン調整部と、
前記タンク、前記循環ライン、前記タンクに接続される濃度計測ライン、及び前記循環ラインに接続される濃度計測ラインのうちの少なくともいずれかにおける前記処理液の濃度を計測する濃度センサと、を有し、
前記処理液調整系は、前記第１の液、前記第２の液及び前記処理液のうちの少なくともいずれかの前記タンクへの供給を調整する供給調整部を有し、
前記制御部は、前記循環器を制御して前記タンク及び前記循環ラインにおいてある量の処理液を循環させた後の前記濃度センサの計測結果に基づき、前記ドレーン調整部を制御して前記処理液の排出を調整し、前記供給調整部を制御して前記第１の液、前記第２の液及び前記処理液のうちの少なくともいずれかの前記タンクへの供給を調整し、
前記制御部は、前記濃度センサの計測結果に基づいて前記ドレーンラインを介した前記処理液の排出を行う際には、前記処理液供給系における前記処理液の一部が排出されるように、前記ドレーン調整部を制御する、基板処理システム。 a substrate processing system for processing a substrate using a processing liquid containing a first liquid and a second liquid;
a processing liquid supply system that supplies the processing liquid to the substrate processing system;
a processing liquid adjustment system that supplies at least one of the first liquid, the second liquid, and the processing liquid to the processing liquid supply system;
a control unit;
The processing liquid supply system is
a tank that is connected to the processing liquid adjustment system and stores the processing liquid; a circulation line that is connected to the tank and through which the processing liquid that exits the tank and returns to the tank flows;
a branch line connected to the circulation line and the substrate processing system;
a circulator for flowing the treatment liquid in the circulation line;
a drain line through which the processing liquid discharged from at least one of the tank and the circulation line flows;
a drain adjustment unit that adjusts discharge of the processing liquid through the drain line;
a concentration sensor that measures the concentration of the treatment liquid in at least one of the tank, the circulation line, a concentration measurement line connected to the tank, and a concentration measurement line connected to the circulation line. ,
The treatment liquid adjustment system has a supply adjustment unit that adjusts supply of at least one of the first liquid, the second liquid, and the treatment liquid to the tank,
The controller controls the circulator to circulate a certain amount of the processing liquid in the tank and the circulation line, and then controls the drain adjustment section to control the processing liquid based on the measurement result of the concentration sensor. and controlling the supply adjustment unit to adjust the supply of at least one of the first liquid, the second liquid and the processing liquid to the tank ;
When the processing liquid is discharged through the drain line based on the measurement result of the concentration sensor, the control unit is arranged to discharge a part of the processing liquid in the processing liquid supply system. A substrate processing system that controls the drain adjustment unit .
前記処理液の排出及び前記第１の液、前記第２の液及び前記処理液のうちの少なくともいずれかの前記タンクへの供給を行った後に、前記循環器を制御して前記タンク及び前記循環ラインにおいてある量の処理液を循環させ、
前記ある量の処理液の循環後の前記濃度センサの計測結果が前記目標濃度に達するまで、前記ドレーン調整部、前記供給調整部及び前記循環器を制御して、前記処理液の排出、前記第１の液、前記第２の液及び前記処理液のうちの少なくともいずれかの前記タンクへの供給、及び前記ある量の処理液の循環を繰り返す請求項２に記載の基板処理システム。 The control unit
After discharging the processing liquid and supplying at least one of the first liquid, the second liquid and the processing liquid to the tank, the circulator is controlled to control the tank and the circulation. circulating an amount of processing liquid in the line;
The drain adjustment unit, the supply adjustment unit, and the circulator are controlled until the measurement result of the concentration sensor after the certain amount of the treatment liquid circulates reaches the target concentration, and the treatment liquid is discharged. 3. The substrate processing system according to claim 2, wherein the supply of at least one of the first liquid, the second liquid and the processing liquid to the tank, and the circulation of the certain amount of the processing liquid are repeated.
前記循環ラインにおいて前記フィルタよりも下流側に設けられ、前記循環ラインから前記基板処理系への前記処理液の供給を調整する液供給調整部と、を更に備え、
前記濃度計測ラインは、前記循環ラインのうちの前記フィルタと前記液供給調整部との間の部分に接続され、
前記濃度センサは、前記濃度計測ラインを流れる前記処理液の濃度を計測する請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理システム。 a filter provided downstream of the circulator in the circulation line;
a liquid supply adjustment unit provided downstream of the filter in the circulation line and adjusting supply of the processing liquid from the circulation line to the substrate processing system;
the concentration measurement line is connected to a portion of the circulation line between the filter and the liquid supply adjustment unit;
6. The substrate processing system according to claim 1, wherein the concentration sensor measures the concentration of the processing liquid flowing through the concentration measurement line.
前記複数の処理液供給系の各々と前記基板処理系との間の接続状態を切り換える切換部が設けられ、
前記制御部は、切換部を制御し、前記基板処理系に前記処理液を供給する前記処理液供給系を切り換える請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理システム。 A plurality of the processing liquid supply systems are provided,
a switching unit for switching a connection state between each of the plurality of processing liquid supply systems and the substrate processing system;
7. The substrate processing system according to claim 1, wherein the control unit controls a switching unit to switch the processing liquid supply system that supplies the processing liquid to the substrate processing system.
前記複数の処理液供給系は、前記複数の処理液調整系のそれぞれから、前記第１の液、前記第２の液及び前記処理液のうちの少なくともいずれかが供給される請求項７に記載の基板処理システム。 A plurality of the treatment liquid adjustment systems are provided,
8. The plurality of processing liquid supply systems according to claim 7, wherein at least one of the first liquid, the second liquid and the processing liquid is supplied from each of the plurality of processing liquid adjustment systems. substrate processing system.
前記分岐ラインに接続され、前記分岐ラインからの前記処理液を前記基板に供給する処理ユニットと、
前記処理ユニットから排出される前記処理液を前記タンクに案内する戻しラインと、を有する請求項１～８のいずれか一項に記載の基板処理システム。 The substrate processing system is
a processing unit connected to the branch line and supplying the processing liquid from the branch line to the substrate;
9. The substrate processing system according to claim 1, further comprising a return line that guides the processing liquid discharged from the processing unit to the tank.
前記循環器によって前記タンク及び前記循環ラインにおいてある量の処理液を循環させる工程と、
前記ある量の処理液を循環させた後に、前記濃度センサによって前記処理液の濃度を計測する工程と、
前記濃度センサの計測結果に基づいて、前記ドレーン調整部を制御して前記処理液の排出を調整する工程と、
前記濃度センサの計測結果に基づいて、前記供給調整部を制御して前記第１の液、前記第２の液及び前記処理液のうちの少なくともいずれかの前記タンクへの供給を調整する工程と、を含み、
前記濃度センサの計測結果に基づいて前記ドレーンラインを介した前記処理液の排出を行う際には、前記処理液供給系における前記処理液の一部が排出されるように、前記ドレーン調整部を制御する、処理液調製方法。 A substrate processing system for processing a substrate using a processing liquid containing a first liquid and a second liquid, and a processing liquid supply system for supplying the processing liquid to the substrate processing system, wherein the processing liquid is stored. a circulation line connected to the tank through which the processing liquid flows out from the tank and returns to the tank; a circulator through which the processing liquid flows in the circulation line; and at least one of the tank and the circulation line. a drain line through which the processing liquid discharged from the unit flows, a drain adjustment unit that adjusts the discharge of the processing liquid, the tank, the circulation line, a concentration measurement line connected to the tank, and the circulation line connected to the a processing liquid supply system having a concentration sensor for measuring the concentration of the processing liquid in at least one of the concentration measurement lines; and at least one of the first liquid, the second liquid, and the processing liquid. to the processing liquid supply system, the supply adjusting unit adjusting the supply of at least one of the first liquid, the second liquid and the processing liquid to the tank A processing liquid preparation method performed in a substrate processing system comprising:
circulating an amount of processing liquid in the tank and the circulation line by the circulator;
measuring the concentration of the treatment liquid with the concentration sensor after circulating the certain amount of the treatment liquid;
controlling the drain adjustment unit to adjust discharge of the treatment liquid based on the measurement result of the concentration sensor;
controlling the supply adjusting unit to adjust the supply of at least one of the first liquid, the second liquid and the processing liquid to the tank based on the measurement result of the concentration sensor; , including
When the processing liquid is discharged through the drain line based on the measurement result of the concentration sensor, the drain adjustment unit is adjusted so that a part of the processing liquid in the processing liquid supply system is discharged. A method of preparing a treatment liquid that controls .
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