KR20230116078A - 열 처리 서셉터 - Google Patents
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Abstract
일 실시예에서, 열 처리를 위한 서셉터가 제공된다. 서셉터는, 내부 접시를 둘러싸며 내부 접시에 연결되는 외부 림을 포함하고, 외부 림은 내부 에지 및 외부 에지를 갖는다. 서셉터는, 기판이 서셉터에 의해 지지될 때, 기판과 서셉터 사이의 접촉 표면적을 감소시키기 위한 하나 이상의 구조물을 더 포함한다. 하나 이상의 구조물 중 적어도 하나의 구조물은 외부 림의 내부 에지 부근에서 내부 접시에 연결된다.
Description
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 반도체 기판들의 열 처리를 위한 서셉터에 관한 것이고, 더 구체적으로는 처리 동안 기판에 걸친 열 균일성을 개선하기 위한 피쳐들을 갖는 서셉터에 관한 것이다.
반도체 기판들은 집적 디바이스들 및 마이크로디바이스들의 제조를 포함한 매우 다양한 애플리케이션들을 위해 처리된다. 기판들을 처리하는 한가지 방법은 기판의 상부 표면 상에 유전체 재료 또는 전도성 금속과 같은 재료를 퇴적하는 것을 포함한다. 에피택시는, 처리 챔버 내의 기판의 표면 상에 일반적으로 실리콘이나 게르마늄의 얇은 초고순도 층을 성장시키기 위해 이용되는 하나의 퇴적 프로세스이다. 에피택시 프로세스들은 처리 챔버들 내에서 고도로 균일한 프로세스 조건들, 예컨대 온도, 압력 및 유량을 유지함으로써 이러한 양질의 층들을 생성할 수 있다. 고품질 층들을 생성하기 위해서는 기판의 상부 표면 주위의 영역들에서 고도로 균일한 프로세스 조건들을 유지하는 것이 필요하다.
서셉터들은 기판을 지지할 뿐만 아니라 기판을 고도로 균일한 온도로 가열하기 위해 에피택시 프로세스들에서 종종 이용된다. 서셉터들은, 기판의 에지들 주위에서 기판을 아래로부터 지지하면서 기판의 나머지 하부 표면과 서셉터의 상부 표면 사이에 작은 갭을 남겨두기 위해 이용되는 플래터 또는 접시 형상의 상부 표면들을 종종 갖는다. 서셉터 아래에 배치되는 복수의 가열 램프와 같은 가열 소스에 대한 정밀한 제어는 서셉터가 매우 엄격한 허용오차 내에서 가열되는 것을 허용한다. 다음에, 가열된 서셉터는 주로 서셉터에 의해 방출되는 복사에 의해 기판에 열을 전달할 수 있다.
에피택시에서 서셉터의 가열에 대한 정밀한 제어에도 불구하고, 기판의 상부 표면에 걸쳐 온도 불균일이 지속되어, 기판 상에 퇴적되는 층들의 품질을 종종 감소시킨다. 바람직하지 않은 온도 프로파일들이 기판의 에지들 근처에서 그리고 기판의 중심에 더 가까운 영역들에 걸쳐 관찰되었다. 그러므로, 반도체 처리에서 기판들을 지지하고 가열하기 위한 개선된 서셉터에 대한 필요성이 존재한다.
일 실시예에서, 열 처리를 위한 서셉터가 제공된다. 서셉터는, 내부 접시(inner dish)를 둘러싸며 내부 접시에 연결되는 외부 림(outer rim)을 포함하고, 외부 림은 내부 에지 및 외부 에지를 갖는다. 서셉터는, 기판이 서셉터에 의해 지지될 때, 기판과 서셉터 사이의 접촉 표면적을 감소시키기 위한 하나 이상의 구조물을 더 포함하고, 하나 이상의 구조물 중 적어도 하나의 구조물은 외부 림의 내부 에지 부근에서 내부 접시에 연결된다.
다른 실시예에서, 열 처리 챔버를 위한 서셉터가 제공된다. 서셉터는, 내부 접시를 둘러싸며 내부 접시에 연결되는 외부 림을 포함하고, 외부 림은 내부 에지 및 외부 에지를 갖는다. 서셉터는 내부 접시의 상부 표면에 대하여 하나 이상의 상승된 구조물을 더 포함하고, 하나 이상의 상승된 구조물은 서셉터에 의해 지지될 기판과 서셉터 사이의 접촉 표면적을 감소시키기 위한 것이고, 상승된 구조물들 중 적어도 하나의 상승된 구조물은 외부 림의 내부 에지 부근의 위치에서 내부 접시에 연결된다.
다른 실시예에서, 열 처리 챔버를 위한 서셉터가 제공된다. 서셉터는, 내부 접시를 둘러싸며 내부 접시에 연결되는 외부 림을 포함하고, 외부 림은 내부 에지 및 외부 에지를 갖는다. 서셉터는 내부 접시 위에서 외부 림의 내부 에지로부터 방사상 내측으로 연장되는 6개의 웨지를 더 포함하고, 각각의 웨지는 2개의 다른 웨지로부터 갭에 의해 분리된다. 서셉터는 웨지들 각각 사이에 배치되는 석영 단열 분리기(quartz insulating separator)를 더 포함한다. 각각의 석영 단열 분리기는 2개의 웨지 및 외부 림의 내부 에지에 접촉한다. 서셉터는 내부 접시의 상부 표면으로부터 연장되는 3개의 범프를 더 포함한다. 각각의 범프는 각각의 웨지보다 내부 접시의 중심에 더 가깝게 위치되고, 내부 접시의 어떠한 이분면(bisection)도 3개의 범프 전부를 포함하지는 않는다.
위에서 개시된 실시예들의 위에서 언급된 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에 간략하게 요약된 더 구체적인 설명은 다음의 실시예들을 참조할 수 있으며, 그들 중 일부는 첨부 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부 도면들은 전형적인 실시예들만을 예시하며, 따라서 동등한 효과의 다른 실시예들을 배제하도록 그 범위를 제한하는 것으로 고려되어서는 안 된다는 점에 유의해야 한다.
도 1a는 일 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 1b는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 1c는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 1d는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 1e는 도 1d에 도시된 실시예에 따른 서셉터의 부분 단면도이다.
도 2a는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 실시예에 따른 서셉터의 부분 단면도이다.
도 2c는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 3a는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 3b는 도 3a에 도시된 실시예에 따른 서셉터의 부분 단면도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 서셉터의 부분 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 서셉터의 부분 단면도이다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 가능한 경우에, 도면들에 공통인 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 이용되었다. 일 실시예에 개시된 요소들은 구체적인 언급 없이도 다른 실시예들에서 유익하게 이용될 수 있다고 고려된다.
도 1a는 일 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 1b는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 1c는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 1d는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 1e는 도 1d에 도시된 실시예에 따른 서셉터의 부분 단면도이다.
도 2a는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 실시예에 따른 서셉터의 부분 단면도이다.
도 2c는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 3a는 다른 실시예에 따른 서셉터의 상부 단면도이다.
도 3b는 도 3a에 도시된 실시예에 따른 서셉터의 부분 단면도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 서셉터의 부분 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 서셉터의 부분 단면도이다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 가능한 경우에, 도면들에 공통인 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 이용되었다. 일 실시예에 개시된 요소들은 구체적인 언급 없이도 다른 실시예들에서 유익하게 이용될 수 있다고 고려된다.
개시된 실시예들은 일반적으로 반도체 기판들의 열 처리를 위한 서셉터에 관한 것이다. 개시된 실시예들은, 서셉터와 기판 사이의 접촉 표면적을 감소시킴으로써, 처리 동안 기판의 표면에 걸친 열 균일성을 개선할 수 있다. 서셉터와 기판 사이의 접촉 표면적을 감소시키면, 처리 동안 전도에 의해 서셉터로부터 기판으로 전달되는 열의 양이 감소된다. 기판과 서셉터 사이의 접촉 표면적을 감소시킬 수 있는 일부 구조물들의 실시예들이 아래에 설명된다.
도 1a는 일 실시예에 따른 서셉터(120)의 상부 단면도이다. 서셉터(120)는, 내부 접시(102)를 둘러싸고 내부 접시에 연결되는 외부 림(110)을 포함한다. 내부 접시(102)는 내부 접시의 중심이 내부 접시(102)의 에지들보다 약간 더 낮도록 오목할 수 있다. 외부 림(110)은 내부 에지(112) 및 외부 에지(114)를 포함한다. 일반적으로, 서셉터(120)와 같은 서셉터들은 서셉터 상에서 처리될 기판이 외부 림(110)과 같은 외부 림의 내부에 들어맞도록 하는 크기를 갖는다. 서셉터(120)는 서셉터(120)를 하우징하는 열 처리 챔버(도시되지 않음)의 안팎으로 기판들을 이송하는 데에 도움을 주는 리프트 핀들(104)을 더 포함한다.
서셉터(120)는, 기판(도시되지 않음)이 서셉터(120)에 의해 지지될 때, 기판과 서셉터(120) 사이의 접촉 표면적을 감소시키기 위한 6개의 웨지(122)를 더 포함하고, 웨지들(122)은 외부 림(110)의 내부 에지(112) 부근에서 내부 접시(102)에 접촉한다. 웨지들(122)은 서셉터(120)의 일체형 부분으로서 형성될 수 있거나, 또는 예를 들어 용접에 의해 서셉터에 부착될 수 있다. 각각의 웨지(122)는 외부 림(110)의 내부 에지(112)로부터 방사상 내측으로 연장되고, 각각의 웨지는 2개의 다른 웨지로부터 갭(124)에 의해 분리된다. 갭들(124)은 서셉터(120)에 접촉하지 않을 기판의 아랫면(underside)의 영역들에 대응하고, 그에 의해 기판 에지에서의 전도성 가열을 감소시키면서 처리 동안 더 많은 열이 서셉터(120)로부터 기판으로 복사되는 것을 허용한다. 각각의 웨지(122)는 내부 접시(102)의 상부 표면에 대해 상승된 구조물이다. 웨지들(122)은 내부 접시(102)의 중심 주위에 대칭으로 배열될 수 있다. 각각의 웨지(122)는 외부 림(110)의 내부 에지(112)에 접촉할 수 있고, 각각의 웨지(122)는 내부 접시(102)의 상부 표면보다 더 높은 상부 표면을 가질 수 있다. 웨지들뿐만 아니라, 내부 접시 및 외부 림은 실리콘 탄화물, 실리콘 탄화물 코팅된 흑연, 유리질 탄소로 코팅된 흑연, 또는 높은 열 전도율을 갖는 다른 재료들로 제조될 수 있다.
도 1a에는 6개의 웨지(122)가 도시되어 있지만, 상이한 실시예들에서는 2개 이상의 웨지가 이용될 수 있다. 도 1b는 갭들(144)에 의해 분리되는 8개의 웨지(142)를 갖는 서셉터(140)의 상부 단면도를 도시한다. 도 1c는 갭들(164)에 의해 분리되는 9개의 웨지(162)를 갖는 서셉터(160)의 상부 단면도를 도시한다. 일부 실시예들에서, 추가의 웨지들은 전도에 의해 기판으로 열을 전달하는 서셉터 상의 개별적인 표면적들(즉, 각각의 웨지의 최상부 표면)의 크기를 감소시킴으로써 처리 동안 열 균일성을 개선할 수 있다. 추가의 웨지들은 기판의 에지들에서의 열 균일성을 개선할 수 있는데, 왜냐하면 기판이 다른 표면에 접촉하지 않는 갭들이 더 많이 존재하기 때문이다. 이러한 개선된 열 균일성은 에지들을 따라 핫 스폿들이 형성되는 것을 방지하는 데에 도움을 준다.
서셉터들(140 및 160)은 내부 접시(102)의 상부로부터 연장되는 3개의 둥근 범프(118)를 더 포함한다. 각각의 범프(118)는 각각의 웨지(142, 162)보다 내부 접시(102)의 중심에 더 가깝게 위치된다. 범프들(118)은 스레디드 접속(threaded connection) 또는 다른 통상의 체결 수단을 통해 내부 접시(102)에 체결될 수 있다. 범프들(118)은 서셉터와 동일한 재료 또는 상이한 재료로 이루어질 수 있고, 실리콘 탄화물, 또는 유리질 탄소 또는 실리콘 탄화물로 코팅된 흑연으로 이루어질 수 있다. 기판들이 에지들 주위에서 지지될 때, 예컨대 처리 동안 서셉터가 이용될 때, 기판의 중심은 기판의 에지들 아래로 처질(sag) 수 있다. 처리 동안 처진 기판의 아랫면의 부분들이 서셉터 접시에 접촉하는 것을 방지하기 위해, 내부 접시(102)와 같은 서셉터 접시들은 종종 약간 오목하다. 한편, 에피택시에서 고도로 균일한 프로세스 조건들을 생성하기 위해, 내부 접시의 상부 표면과 기판의 하부 표면 사이의 거리는 상당히 작게, 예를 들어 0.25mm 미만으로 유지된다. 기판이 접시에 접촉하는 경우, 전도에 의해 내부 접시로부터 기판으로 열이 전달되고, 열 균일성이 감소될 수 있다.
범프들(118)은 처진 기판을 지지하여 내부 접시(102)와 기판 사이의 접촉을 방지하기 위해 이용될 수 있다. 범프들(118)은 처진 기판과 서셉터 사이에 접촉 표면적을 제공하는데, 이러한 접촉 표면적은 범프들(118)이 없는 경우에 내부 접시(102)에 접촉하였을 기판의 표면적보다 더 작다. 범프들(118)은 도 1b 및 도 1c에 도시된 바와 같이 내부 접시(102)의 중심 주위에 고르게 분포될 수 있다. 일부 실시예들에서, 처진 기판의 적당한 지지를 보장하기 위해, 내부 접시(102)의 일 면에 적어도 하나의 범프(118)가 항상 존재할 수 있다.
도 1d는 다른 실시예에 따른 서셉터(180)의 상부 단면도이다. 서셉터(180)는, 기판(도시되지 않음)이 서셉터(180)에 의해 지지될 때, 기판과 서셉터(180) 사이의 접촉 표면적을 감소시키기 위한 6개의 웨지(182)를 더 포함하고, 웨지들(182)은 외부 림(110)의 내부 에지(112) 부근에서 내부 접시(102)에 접촉한다. 각각의 웨지(182)는 외부 림(110)의 내부 에지(112)로부터 방사상 내측으로 연장되고, 각각의 웨지는 2개의 다른 웨지로부터 갭(184)에 의해 분리된다. 갭(184)은 기판과 서셉터 사이의 접촉 표면적을 더 감소시키기 위해 도 1a에 도시된 갭(124)보다 더 크다. 서셉터(180)는 웨지들(182) 각각 사이에 배치되는 단열 분리기(188)를 더 포함한다.
도 1e는 도 1d에 도시된 실시예에 따른 서셉터(180)의 부분 단면도이다. 이 단면도는 단열 분리기(188)의 최상부와 동일한 높이에 있는 웨지(182)의 최상부를 도시한다. 기판(50)은 단열 분리기(188)와 웨지(182)의 최상부 상에 놓인 것으로 도시되어 있다. 단열 분리기(188)는 단열 분리기(188)의 지정된 방사상 위치에서 또는 외부 림(110)의 내부 에지(112) 근처에서 서셉터 표면 주위에 형성된 홈(189)에 배치될 수 있다. 홈(189)은 단열 분리기(188)를 지정된 위치에 유지한다. 전형적으로, 단열 분리기(188)는 홈(189)의 깊이보다 더 큰 두께를 가지고, 따라서 단열 분리기(188)의 상부 표면은 서셉터(180)의 주변 표면 위로 상승하고, 그에 따라 기판 에지와 서셉터 표면 사이의 접촉을 감소시킨다.
단열 분리기들(188)은 전형적으로 단열성 재료, 예컨대 실리콘 산화물, 임의의 유형(즉, 비정질, 결정질, 광학적, 기포 등)의 석영, 유리 등으로 이루어진다. 단열 분리기들(188)은 처리 동안 내부 접시 주위에 열 단절부들(thermal breaks) 또는 감소된 열 전도율의 영역들을 제공한다. 이러한 열 단절부는, 전형적으로 높은 열 전도율 재료로 이루어지는 서셉터로부터 기판의 에지로의 열 전도를 감소시킨다. 기판 에지와 고전도성 서셉터 재료 사이의 감소된 접촉은 처리 동안 기판 에지의 전도성 가열을 감소시킨다. 단열 분리기들(188)은 외부 림(110)의 내부 에지(112)에 접촉할 수 있지만, 또한 서셉터 상의 다른 위치들에 배치될 수도 있다. 예를 들어, 단열 분리기들(188)은 외부 림(110)의 내부 에지(112)로부터 이격될 수 있다.
도 2a는 다른 실시예에 따른 서셉터(220)의 상부 단면도이다. 도 2b는 서셉터(220)의 부분 단면도이다. 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 서셉터(220)는 내부 접시(202)를 둘러싸는 외부 림(210)을 포함하여 서셉터(120)와 유사하고, 외부 림(210)은 내부 에지(212) 및 외부 에지(214)를 갖는다. 3개의 리프트 핀(204)이 내부 접시(202) 위로 연장될 수 있다.
서셉터(220)는 내부 접시(202)의 중심을 둘러싸는 동심 환형 리지들(concentric annular ridges)(222)을 포함한다. 각각의 환형 리지(222)는 상이한 직경을 갖는다. 환형 리지들(222)의 적어도 일부는 외부 림(210)의 내부 에지(212) 부근에 위치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 환형 리지들(222)의 일부는 내부 에지(212)의 약 1mm 내에, 예를 들어 내부 에지(212)의 약 0.5mm 내에 위치될 수 있다. 서셉터(220)는 내부 접시(202)의 중심으로부터 외부 림(210)의 내부 에지(212)까지 연장되는 6개의 스포크(228)를 더 포함할 수 있다. 상이한 실시예들에서는 더 많거나 더 적은 스포크(228)가 포함될 수 있다. 각각의 스포크(228)는 외부 림(210)의 내부 에지(212) 주위에서 상이한 각도 위치로 연장된다. 일부 실시예들에서, 각각의 스포크(228)의 상부 표면은 환형 리지들(222)의 최상부들 위에 있다. 다른 실시예들에서, 각각의 스포크의 상부 표면은 환형 리지들(222)의 최상부들과 실질적으로 동일한 높이에 있을 수 있다. 일부 실시예들에서, 환형 리지들(222)은 스포크들(228) 아래에서 또는 스포크들(228)을 통하여 계속되어, 내부 접시(202)의 중심 주위에 완전한 링을 만든다. 다른 실시예들에서, 스포크들(228)은 환형 리지들(222)의 부분들을 분리시킨다.
스포크들(228) 및 환형 리지들(222)은, 기판(50)이 서셉터(220)에 의해 지지될 때, 기판(50)과 서셉터(220) 사이의 접촉 표면적을 감소시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판(50)은 처리 동안 환형 리지들(222)에 접촉하지 않고서 스포크들(228)에만 접촉할 수 있다. 다른 실시예들에서, 기판(50)은 처리 동안 환형 리지들(222)의 적어도 일부와 스포크들(228) 둘 다에 접촉할 수 있다. 일부 실시예들에서, 환형 리지들(222) 및 스포크들(228) 중 하나 또는 둘 다 또는 그들 각각의 상부 표면들은 내부 접시(202)의 상부 표면에 대해 상승된 구조물들이다. 리지들(222)은, 서셉터(220)의 상부 표면의 복사 표면적을 증가시킴으로써, 기판을 처리할 때 열 균일성을 또한 개선할 수 있다.
스포크들(228) 및 환형 리지들(222)은 서셉터(220)를 이루는 것과 동일한 재료들 중 임의의 것일 수 있는 동일한 재료 또는 상이한 재료로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 스포크들(228) 및 환형 리지들(222)은 패터닝되지 않은 서셉터 접시 표면으로부터 환형 리지들(222)을 조각(sculpting)함으로써 이루어질 수 있다. 다른 실시예에서, 패터닝되지 않은 서셉터 접시 표면에 리세스들이 형성되어 스포크들을 정의하고, 다음에 리지 단편들(ridged pieces)의 패턴이 예를 들어 용접에 의해 리세스들 내에서 서셉터 표면에 부착되어 환형 리지들(222)을 형성할 수 있다.
일부 실시예들에서, 서셉터(220)는, 스포크들(228) 및 환형 리지들(222)뿐만 아니라 내부 접시(202)를 외부 림(210)의 내부 에지(212)에 접속하는 기울어진 표면(216)을 포함할 수 있다. 기울어진 표면(216)은 기판(50)의 지지 표면의 일부로서 이용될 수 있다. 기울어진 표면(216)의 경사 또는 치수들을 변화시키면, 스포크들(228) 및 환형 리지들(222)에 대한 기판(50)의 높이를 제어할 수 있다.
도 2c는 다른 실시예에 따른 서셉터(240)의 상부 단면도이다. 서셉터(240)가 어떠한 스포크(228)도 포함하지 않는다는 점을 제외하면, 서셉터(220)는 서셉터(240)와 유사하다. 서셉터(240)는 환형 리지들(222)과 유사한 환형 리지들(242)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 기판이 서셉터(240) 상에 배치될 때, 기판의 아랫면은 환형 리지들(242)의 적어도 일부에 접촉할 수 있다. 다른 실시예들에서, 기판은 도 2b의 기울어진 표면(216)과 같은 별도의 표면에 의해 지지되므로, 기판의 아랫면과 환형 리지들(242)의 최상부들 사이에 작은 갭이 존재할 수 있다.
도 3a는 다른 실시예에 따른 서셉터(320)의 상부 단면도이다. 도 3b는 서셉터(320)의 부분 단면도이다. 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 서셉터(320)는 내부 접시(302)를 둘러싸는 외부 림(310)을 포함하여 서셉터(120)와 유사하고, 외부 림(310)은 내부 에지(312) 및 외부 에지(314)를 갖는다. 3개의 리프트 핀(304)이 내부 접시(302) 위로 연장될 수 있다.
서셉터(320)는 내부 접시(302)의 상부 표면으로부터 연장되는 일련의 범프들(322)을 포함하고, 따라서 각각의 범프의 적어도 일부는 내부 접시(302) 위로 상승된다. 범프들(322)의 적어도 일부는 외부 림(310)의 내부 에지(312) 부근에 위치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 범프들(322)의 일부는 내부 에지(312)의 약 1mm 내에, 예를 들어 내부 에지(312)의 약 0.5mm 내에 위치될 수 있다. 범프들(322)은 내부 접시(302) 상에 링형 패턴으로 배열되지만, 복수의 링, 삼각형, 정사각형 또는 직사각형 패턴, 또는 그리드형 패턴과 같은 다른 배열들이 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 내부 접시(302)의 각각의 사분면은 적어도 하나의 범프(322)를 포함할 수 있다. 범프들(322)은 스레디드 접속 또는 다른 통상의 체결 수단을 통해 내부 접시(302)에 체결될 수 있다.
범프들(322)은, 기판(50)이 서셉터(320)에 의해 지지될 때, 기판(50)과 서셉터(320) 사이의 접촉 표면적을 감소시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판(50)은 처리 동안 내부 접시(302) 또는 임의의 다른 표면에 접촉하지 않고서 범프들(322)에만 접촉할 수 있다. 기판(50)이 범프들(322)을 이용하여 지지될 때, 기판들의 에지들 주위의 핫 스폿들이 크게 감소된다. 다른 실시예들에서, 처진 기판이 내부 접시(302)에 접촉하는 것을 방지하기 위해서, 도 1b 및 도 1c에 도시된 범프들(118)과 같은 추가의 범프들이 내부 접시(302)의 중심에 더 가까운 위치들에서 내부 접시(302)로부터 위로 연장될 수 있다.
범프들(322)은 전형적으로 낮은 열 전도율 재료, 예컨대 실리콘 산화물, 임의의 유형의 석영, 유리 등으로 이루어진다. 범프들은 기판 에지의 전도성 가열을 감소시키기 위해 서셉터(320) 상에 배치된 기판의 에지에 대해 상승된 접촉을 제공한다. 범프들(322)은 서셉터(320)의 표면에 형성된 리세스들 내로 삽입될 수 있다. 범프들(322)이 서셉터 표면에서 고정되는 것을 허용하기 위해 범프들(322) 및 리세스들에 피쳐들이 추가될 수 있다. 이러한 피쳐들은 스레드들 또는 다른 회전 맞물림 구조물들(rotational engagement structures)을 포함할 수 있다.
도 4는 다른 실시예에 따른 서셉터(420)의 부분 단면도이다. 서셉터(420)는 내부 접시(402)를 둘러싸는 외부 림(410)을 포함하여 서셉터(120)와 유사하고, 외부 림(410)은 내부 에지(412) 및 외부 에지(414)를 갖는다. 3개의 리프트 핀(도시되지 않음)이 내부 접시(402) 위로 연장될 수 있다.
서셉터(420)는 내부 접시(402)의 상부 표면으로부터 연장되는 환형 리지(422)를 포함하고, 따라서 환형 리지의 적어도 일부는 내부 접시(402) 위로 상승된다. 환형 리지는, 서셉터(420)에 의해 지지될 기판(50)의 반경보다 더 작은 방사상 거리(424)만큼 내부 접시(402)의 중심으로부터 떨어져서 내부 접시(402)의 중심을 둘러쌀 수 있다. 환형 리지(422)는 높은 열 전도율 재료, 예컨대 실리콘 탄화물, 또는 유리질 탄소 또는 실리콘 탄화물로 코팅된 흑연으로 이루어질 수 있다. 환형 리지(422)의 높이(426)는 기판(50)과 내부 접시(402) 사이의 갭을 제어하도록 설계될 수 있다. 일부 실시예들에서, 2개 이상의 환형 리지(422)가 내부 접시(402)의 상부 표면으로부터 연장될 수 있다. 추가의 환형 리지들(도시되지 않음)은 다른 환형 리지들과는 상이한 높이들뿐만 아니라 상이한 직경들을 가질 수 있다. 환형 리지(422)는 내부 접시(402) 상에 링형 패턴으로 배열되지만, 복수의 링, 삼각형, 정사각형 또는 직사각형 패턴, 또는 그리드형 패턴과 같은 다른 배열들이 이용될 수 있다. 환형 리지(422)는 외부 림(410)의 내부 에지(412) 부근에 위치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 환형 리지들(422)의 일부는 내부 에지(412)의 약 1mm 내에, 예를 들어 내부 에지(412)의 약 0.5mm 내에 위치될 수 있다.
환형 리지(422)는, 기판(50)이 서셉터(420)에 의해 지지될 때, 기판(50)과 서셉터(420) 사이의 접촉 표면적을 감소시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판(50)은 처리 동안 내부 접시(402) 또는 임의의 다른 표면에 접촉하지 않고서 환형 리지(422)에만 접촉할 수 있다. 처리 동안 상이한 열 프로파일들을 달성하기 위해 환형 리지(422)의 높이(426)뿐만 아니라 방사상 위치(424)가 수정될 수 있다. 다른 실시예들에서, 처진 기판이 내부 접시(402)에 접촉하는 것을 방지하기 위해서, 도 1b 및 도 1c에 도시된 범프들(118)과 같은 범프들이 내부 접시(402)의 중심에 더 가까운 위치들에서 내부 접시(402)로부터 연장될 수 있다.
도 5는 다른 실시예에 따른 서셉터(520)의 부분 단면도이다. 서셉터(520)는 내부 접시(502)를 둘러싸는 외부 림(510)을 포함하여 서셉터(120)와 유사하고, 외부 림(510)은 내부 에지(512) 및 외부 에지(514)를 갖는다. 3개의 리프트 핀(도시되지 않음)이 내부 접시(502) 위로 연장될 수 있다.
서셉터(520)는 외부 림(510)의 내부 에지(512)로부터 함몰부(526)까지 방사상 내측으로 연장되는 기울어진 표면(522)을 포함한다. 기울어진 표면(522)의 적어도 일부는 내부 접시(502)의 상부 표면에 대해 상승된 구조물이다. 함몰부(526)의 상부 표면은 내부 접시(502)의 상부 표면 아래에 위치된다. 함몰부(526)의 상부 표면은 기울어진 표면(522)을 내부 접시(502)의 상부 표면에 연결한다. 기울어진 표면(522)은 내부 접시(502)의 상부 표면으로부터 약 3도 내지 약 20도, 예컨대 약 4도 내지 약 12도, 예를 들어 약 7도 기울어질 수 있다. 기울어진 표면(522)의 각도 및 위치는, 처리 동안 기판(50)이 기울어진 표면(522)에 접촉할 수 있는 위치에 대응하는 방사상 위치(524)를 제어하기 위해 이용될 수 있다. 기울어진 표면(522)의 각도 및 위치는 또한 기판(50)의 바닥과 함몰부(526)의 상부 표면 사이의 갭(528)의 크기를 제어하기 위해 이용될 수 있다. 갭(528)의 크기는 0.1mm 내지 1mm, 예를 들어 약 0.3mm일 수 있다.
기울어진 표면(522)은, 기판(50)이 서셉터(520)에 의해 지지될 때, 기판(50)과 서셉터(520) 사이의 접촉 표면적을 감소시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판(50)은 처리 동안 내부 접시(502) 또는 임의의 다른 표면에 접촉하지 않고서 기울어진 표면(522)에만 접촉할 수 있다. 비교적 가파른 각도, 예컨대 내부 접시(502)의 상부 표면으로부터 약 3도 내지 약 20도, 예컨대 약 4도 내지 약 12도, 예를 들어 약 7도를 이용함으로써, 처리 동안 기판 에지의 더 작은 표면적이 서셉터에 접촉하고, 이는 서셉터(520)로부터 기판(50)으로 전달될 수 있는 전도성 열의 양의 감소시킨다. 기울어진 표면(522)의 각도 및 위치는 처리 동안 상이한 열 프로파일들을 달성하기 위해 수정될 수 있다. 일부 실시예들에서, 처진 기판이 내부 접시(502)에 접촉하는 것을 방지하기 위해서, 도 1b 및 도 1c에 도시된 범프들(118)과 같은 범프들이 내부 접시(502)의 중심에 더 가까운 위치들에서 내부 접시(502)로부터 연장될 수 있다.
본 명세서에 설명된 서셉터 실시예들은 에피택시와 같은 열 프로세스들 동안 기판들의 더 균일한 온도 제어를 허용한다. 서셉터에 접촉하는 기판의 표면적을 감소시킴으로써 온도 제어가 개선되고, 이는 서셉터로부터 기판으로 전달되는 전도성 열의 양을 감소시킨다. 서셉터와 기판 사이의 전도성 열 전달은, 서셉터와 기판 사이의 열 전달의 주된 소스인 복사 열 전달보다 제어하기가 더 어렵다. 서셉터에 접촉하는 기판의 표면적을 감소시키면, 열 전달의 더 높은 비율이 복사 열인 것이 허용되고, 이것은 기판 상에서의 개선된 퇴적 및 개선된 온도 제어를 초래한다. 개시된 실시예들은, 서셉터와 기판 사이의 접촉 표면적을 감소시키기 위해 외부 림 부근에서 내부 접시의 중심 주위에 환형 리지와 같은 구조물을 추가함으로써 기판의 에지 근처에서의 전도성 열 전달을 감소시킨다. 또한, 개시된 실시예들은, 기판이 처지는 경우에 기판을 내부 접시 위에 지지하기 위한 3개의 범프를 포함시킴으로써 기판의 중심 근처에서의 상당한 양의 전도성 열 전달의 가능성을 방지한다.
전술한 실시예들은 반도체 "웨이퍼들" 상에서 이용될 원형 기하형상들(예를 들어, 내부 접시, 외부 림, 환형 리지 등)을 이용하여 설명되었지만, 개시된 실시예들은 상이한 기하형상들을 따르도록 적응될 수 있다.
전술한 것은 전형적인 실시예들에 관한 것이지만, 다른 실시예들 및 추가 실시예들은 실시예들의 기본 범위로부터 벗어나지 않고서 고안될 수 있으며, 그 범위는 이하의 청구항들에 의해 결정된다.
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- 제1항에 따른 장치.
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US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
CN104718608A (zh) * | 2012-11-21 | 2015-06-17 | Ev集团公司 | 用于容纳及安装晶片的容纳装置 |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR20170102020A (ko) * | 2015-01-23 | 2017-09-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 웨이퍼 내의 퇴적 계곡들을 제거하기 위한 신규한 서셉터 설계 |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
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US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
TWI779134B (zh) | 2017-11-27 | 2022-10-01 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
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CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
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KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
CN108441945A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-08-24 | 东莞市中晶半导体科技有限公司 | 一种提高薄膜生长外延片均匀性的方法 |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
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US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
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CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
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US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
JP2022509635A (ja) * | 2018-12-03 | 2022-01-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | チャックとアーク放電に関する性能が改良された静電チャック設計 |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
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US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
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US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
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US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
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US11589606B1 (en) * | 2019-05-14 | 2023-02-28 | Bfy Brands, Llc | Apparatus and methods for making food products with improved heating components |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
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CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11764101B2 (en) * | 2019-10-24 | 2023-09-19 | ASM IP Holding, B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
TW202129068A (zh) | 2020-01-20 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
WO2021162865A1 (en) | 2020-02-11 | 2021-08-19 | Lam Research Corporation | Carrier ring designs for controlling deposition on wafer bevel/edge |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
TW202143380A (zh) * | 2020-03-21 | 2021-11-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於快速氣體交換的基座幾何形狀 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
CN111490002B (zh) * | 2020-04-21 | 2023-06-27 | 錼创显示科技股份有限公司 | 载盘结构 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN117089926B (zh) * | 2023-10-20 | 2024-01-16 | 杭州海乾半导体有限公司 | 一种用于提高碳化硅外延片均匀性的载具及其使用方法 |
Family Cites Families (79)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3539759A (en) * | 1968-11-08 | 1970-11-10 | Ibm | Susceptor structure in silicon epitaxy |
JPS5959876A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-05 | Ushio Inc | 光照射炉の運転方法 |
JPH05238882A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-17 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長用サセプタ |
US5382311A (en) * | 1992-12-17 | 1995-01-17 | Tokyo Electron Limited | Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same |
JPH0758039A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | サセプタ |
JP3004846B2 (ja) | 1993-08-20 | 2000-01-31 | 東芝セラミックス株式会社 | 気相成長装置用サセプタ |
JPH09199437A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-31 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体ウェーハ支持装置 |
US6245152B1 (en) * | 1996-07-05 | 2001-06-12 | Super Silicon Crystal Research Institute Corp. | Method and apparatus for producing epitaxial wafer |
JPH10284360A (ja) * | 1997-04-02 | 1998-10-23 | Hitachi Ltd | 基板温度制御装置及び方法 |
DE69813014T2 (de) * | 1997-11-03 | 2004-02-12 | Asm America Inc., Phoenix | Verbesserte kleinmassige waferhaleeinrichtung |
TW473904B (en) * | 2000-10-17 | 2002-01-21 | Applied Materials Inc | Chamber having substrate support |
JP2002151412A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-24 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
US6634882B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-10-21 | Asm America, Inc. | Susceptor pocket profile to improve process performance |
KR20010067805A (ko) * | 2001-03-29 | 2001-07-13 | 정기로 | 급속 열처리 장치용 에지링 |
US6529686B2 (en) * | 2001-06-06 | 2003-03-04 | Fsi International, Inc. | Heating member for combination heating and chilling apparatus, and methods |
US20050000449A1 (en) * | 2001-12-21 | 2005-01-06 | Masayuki Ishibashi | Susceptor for epitaxial growth and epitaxial growth method |
US7033445B2 (en) * | 2001-12-27 | 2006-04-25 | Asm America, Inc. | Gridded susceptor |
JP2004119859A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | サセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法 |
JP2004128019A (ja) | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Applied Materials Inc | プラズマ処理方法及び装置 |
JP2004128271A (ja) | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Toyo Tanso Kk | サセプタ |
US7582166B2 (en) * | 2003-08-01 | 2009-09-01 | Sgl Carbon, Llc | Holder for supporting wafers during semiconductor manufacture |
KR100578129B1 (ko) * | 2003-09-19 | 2006-05-10 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각 장치 |
US7044476B2 (en) * | 2003-11-25 | 2006-05-16 | N&K Technology, Inc. | Compact pinlifter assembly integrated in wafer chuck |
KR101112029B1 (ko) * | 2004-02-13 | 2012-03-21 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 자동 도핑 및 후면 증착의 감소를 위한 기판 지지 시스템 |
US20050217585A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-06 | Blomiley Eric R | Substrate susceptor for receiving a substrate to be deposited upon |
US7646580B2 (en) * | 2005-02-24 | 2010-01-12 | Kyocera Corporation | Electrostatic chuck and wafer holding member and wafer treatment method |
JP4841873B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2011-12-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理用サセプタおよび熱処理装置 |
JP4666496B2 (ja) * | 2005-12-07 | 2011-04-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板熱処理装置 |
JP4497103B2 (ja) * | 2006-02-21 | 2010-07-07 | 住友電気工業株式会社 | ウェハ保持体およびそれを搭載したヒータユニット、ウェハプローバ |
US7573004B1 (en) * | 2006-02-21 | 2009-08-11 | Structured Materials Inc. | Filament support arrangement for substrate heating apparatus |
TW200802552A (en) * | 2006-03-30 | 2008-01-01 | Sumco Techxiv Corp | Method of manufacturing epitaxial silicon wafer and apparatus thereof |
US8888950B2 (en) * | 2007-03-16 | 2014-11-18 | Charm Engineering Co., Ltd. | Apparatus for plasma processing and method for plasma processing |
US7607647B2 (en) * | 2007-03-20 | 2009-10-27 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Stabilizing a substrate using a vacuum preload air bearing chuck |
US20080314319A1 (en) * | 2007-06-19 | 2008-12-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Susceptor for improving throughput and reducing wafer damage |
US20090031955A1 (en) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Applied Materials, Inc. | Vacuum chucking heater of axisymmetrical and uniform thermal profile |
JP2009270143A (ja) * | 2008-05-02 | 2009-11-19 | Nuflare Technology Inc | サセプタ、半導体製造装置及び半導体製造方法 |
KR100984177B1 (ko) * | 2008-06-13 | 2010-09-28 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 정전척 및 이를 이용한 플라즈마 이온주입장치 |
JP5107185B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
US8033771B1 (en) * | 2008-12-11 | 2011-10-11 | Novellus Systems, Inc. | Minimum contact area wafer clamping with gas flow for rapid wafer cooling |
JP5141541B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2013-02-13 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP5359698B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2013-12-04 | 豊田合成株式会社 | 化合物半導体の製造装置、化合物半導体の製造方法及び化合物半導体 |
US9159595B2 (en) * | 2010-02-09 | 2015-10-13 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Thin wafer carrier |
WO2012002499A1 (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | 株式会社アルバック | 基板処理装置及び基板冷却方法 |
US9570328B2 (en) * | 2010-06-30 | 2017-02-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for use with multi-zonal heating sources |
TW201218301A (en) * | 2010-10-28 | 2012-05-01 | Applied Materials Inc | Apparatus having improved substrate temperature uniformity using direct heating methods |
US20120196242A1 (en) * | 2011-01-27 | 2012-08-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with heater and rapid temperature change |
US9905443B2 (en) * | 2011-03-11 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporating same |
JP5869899B2 (ja) * | 2011-04-01 | 2016-02-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びサセプタカバー |
KR20120137986A (ko) * | 2011-06-14 | 2012-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전척 |
US10242890B2 (en) * | 2011-08-08 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with heater |
JP5792563B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2015-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
US11085112B2 (en) * | 2011-10-28 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor with ring to limit backside deposition |
JP5665726B2 (ja) * | 2011-12-14 | 2015-02-04 | 株式会社東芝 | エッチング装置およびフォーカスリング |
WO2013103594A1 (en) * | 2012-01-06 | 2013-07-11 | Novellus Systems, Inc. | Adaptive heat transfer methods and systems for uniform heat transfer |
US9376752B2 (en) * | 2012-04-06 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Edge ring for a deposition chamber |
WO2013173303A1 (en) * | 2012-05-16 | 2013-11-21 | Eveready Battery Company, Inc | Refillable hydrogen generator |
JP6011417B2 (ja) * | 2012-06-15 | 2016-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、基板処理装置及び成膜方法 |
US9403251B2 (en) * | 2012-10-17 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Minimal contact edge ring for rapid thermal processing |
KR101923050B1 (ko) * | 2012-10-24 | 2018-11-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 급속 열 처리를 위한 최소 접촉 에지 링 |
US9633889B2 (en) * | 2013-03-06 | 2017-04-25 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with integrated vacuum and edge purge conduits |
US10068791B2 (en) * | 2013-03-08 | 2018-09-04 | Semiconductor Components Industries, Llc | Wafer susceptor for forming a semiconductor device and method therefor |
US9799548B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-10-24 | Applied Materials, Inc. | Susceptors for enhanced process uniformity and reduced substrate slippage |
JP6119430B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-04-26 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
EP3049869B1 (en) * | 2013-09-27 | 2017-11-08 | ASML Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI734668B (zh) * | 2014-06-23 | 2021-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 在epi腔室中的基材熱控制 |
US9517539B2 (en) * | 2014-08-28 | 2016-12-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer susceptor with improved thermal characteristics |
JP6296299B2 (ja) * | 2014-09-02 | 2018-03-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US10269614B2 (en) * | 2014-11-12 | 2019-04-23 | Applied Materials, Inc. | Susceptor design to reduce edge thermal peak |
KR102506495B1 (ko) * | 2015-01-12 | 2023-03-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 후면 변색 제어를 위한 지지 조립체 |
EP3275008B1 (en) * | 2015-03-25 | 2022-02-23 | Applied Materials, Inc. | Chamber components for epitaxial growth apparatus |
US9428833B1 (en) * | 2015-05-29 | 2016-08-30 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for backside deposition reduction by control of wafer support to achieve edge seal |
KR102415944B1 (ko) * | 2015-06-23 | 2022-07-04 | 삼성전자주식회사 | 지지 유닛 및 기판 처리 장치 |
JP6123952B1 (ja) * | 2015-08-27 | 2017-05-10 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
US10121655B2 (en) * | 2015-11-20 | 2018-11-06 | Applied Materials, Inc. | Lateral plasma/radical source |
US20170175265A1 (en) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Applied Materials, Inc. | Flat susceptor with grooves for minimizing temperature profile across a substrate |
KR102507283B1 (ko) * | 2015-12-22 | 2023-03-07 | 삼성전자주식회사 | 기판 척 및 이를 포함하는 기판 접합 시스템 |
JP6650345B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2020-02-19 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板保持装置及びその製造方法 |
JP6978840B2 (ja) * | 2017-02-28 | 2021-12-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板保持装置 |
US11201079B2 (en) * | 2018-05-30 | 2021-12-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer chuck |
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