KR102506495B1 - 기판 후면 변색 제어를 위한 지지 조립체 - Google Patents

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Abstract

기판을 프로세싱하기 위한 프로세싱 챔버가 본원에서 개시된다. 일 실시예에서, 프로세싱 챔버는 지지 샤프트 조립체를 포함한다. 지지 샤프트 조립체는 링 형상 서셉터, 디스크 형상 열 플레이트, 및 지지 샤프트 시스템을 갖는다. 지지 샤프트 시스템은 서셉터 및 열 플레이트를 지지하며, 이로써, 서셉터는 열 플레이트 위에 지지되어, 열 플레이트와 서셉터 사이에 갭을 정의한다. 다른 실시예에서, 열 플레이트는 복수의 그루브들을 포함하며, 서셉터는 복수의 핀들을 포함한다. 핀들은, 서셉터가 열 플레이트 위에서 지지되도록, 그루브들 내에 안착되게 구성되어, 열 플레이트와 서셉터 사이에 갭을 정의한다. 다른 실시예에서, 전술된 실시예들에서 기판을 프로세싱하는 방법이 본원에서 개시된다.

Description

기판 후면 변색 제어를 위한 지지 조립체
[0001] 기판을 프로세싱하기 위한 프로세싱 챔버가 본원에서 개시된다. 더 구체적으로, 본원에서 개시되는 실시예들은, 기판 상에 에피택셜(epitaxial) 층을 증착시키는 데에 사용하기 위한 열 플레이트(heat plate) 및 서셉터(susceptor)에 관한 것이다.
[0002] 반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 장치의 한 유형은, 프로세싱 챔버에서 한번에 하나의 기판이 서셉터 상에 지지되는 단일 기판 프로세서이다. 서셉터는 챔버를, 서셉터 아래에 있는 한 부분과, 서셉터 위에 있는 제 2 부분으로 분할한다. 서셉터는 일반적으로, 기판의 균일한 프로세싱을 증진시키기 위해, 서셉터의 중앙을 중심으로 서셉터를 회전시키는 샤프트 상에 장착된다. 프로세싱 가스의 유동이, 챔버의 정상부에 그리고 기판의 표면에 걸쳐서 제공된다. 기판에 걸친 프로세싱 가스의 유동을 달성하기 위해, 챔버는 일반적으로, 챔버의 일 측에서 가스 유입구 포트를, 그리고 대향하는 측에서 가스 배출구 포트를 갖는다. 서셉터는, 기판을 원하는 프로세싱 온도로 가열하기 위해 가열된다. 서셉터를 가열하는 데에 사용되는 하나의 방법은, 챔버 주위에 제공되는 램프들을 사용하는 것이다. 램프들은, 광을 챔버 내로, 그러고 나서 서셉터 상으로 지향시킨다. 기판을 가열하는 온도를 제어하기 위해, 서셉터의 온도가 계속 측정된다. 온도는 적외선 온도 센서를 사용하여 측정될 수 있으며, 적외선 온도 센서는 가열된 서셉터로부터 방출되는 적외선(infrared radiation)을 검출한다.
[0003] 프로세싱 동안, 프로세스 가스의 일부는 서셉터의 에지 주위에서 유동할 수 있고, 기판의 후면 표면 상에 재료의 층을 증착시킬 수 있다. 기판의 후면 표면 상에 증착된 층은, 기판의 후면 변색(discoloration)을 초래하며, 이는 오염된 후면 표면의 증거이다. 기판의 후면 표면의 오염은 전체 수율 저하로 이어진다.
[0004] 그러므로, 기판을 프로세싱하기 위한 개선된 장치 및 방법을 제공할 필요가 있다.
[0005] 본원에서 개시되는 실시예들은, 반도체 프로세싱을 위한 프로세싱 챔버에 관한 것이다. 일 실시예에서, 프로세싱 챔버는, 내부 용적을 갖는 챔버 본체를 갖는다. 지지 샤프트 조립체는 내부 용적에 배치된다. 지지 샤프트 조립체는 지지 샤프트 시스템, 디스크 형상 열 플레이트, 및 링 형상 서셉터를 포함한다. 지지 샤프트 시스템은 샤프트, 복수의 아암들, 및 복수의 제거 가능한 지지 핀들을 포함한다. 각각의 아암은 제 1 단부 및 제 2 단부를 갖는다. 각각의 아암의 제 1 단부는 샤프트에 커플링된다. 각각의 아암의 제 2 단부는 핀 수용 리세스(pin receiving recess)를 갖는다. 복수의 제거 가능한 지지 핀들은, 핀 수용 리세스의 각각의 단부 내에 위치된다. 디스크 형상 열 플레이트는 지지 샤프트 시스템에 의해 지지된다. 링 형상 서셉터는, 열 플레이트와 서셉터 사이에 정의된 갭이 존재하도록, 지지 샤프트 시스템의 복수의 핀들에 의해 지지된다.
[0006] 다른 실시예에서, 반도체 프로세싱을 위한 프로세싱 챔버는, 내부 용적을 갖는 챔버 본체를 포함한다. 지지 샤프트 조립체는 내부 용적 내에 배치된다. 지지 샤프트 조립체는 지지 샤프트 시스템, 디스크 형상 열 플레이트, 및 링 형상 서셉터를 포함한다. 지지 샤프트 시스템은 샤프트 및 복수의 아암들을 포함한다. 각각의 아암은 제 1 단부 및 제 2 단부를 갖는다. 각각의 아암의 제 1 단부는 샤프트에 커플링된다. 디스크 형상 열 플레이트는 복수의 아암들의 제 2 단부들에 의해 지지된다. 열 플레이트는 정상부 표면을 갖는다. 정상부 표면은 복수의 그루브들을 갖는다. 링 형상 서셉터는 복수의 핀들을 갖는다. 핀들은, 열 플레이트의 복수의 그루브들 내에 배치된다. 핀들과 그루브들은, 열 플레이트와 서셉터 사이에 갭을 생성한다.
[0007] 또다른 실시예에서, 프로세싱 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법이 본원에서 개시된다. 방법은, 프로세스 가스를 프로세싱 챔버 내로 유동시키는 단계, 및 퍼지 가스를 기판 아래로부터 흘러나오게 하는(flow out) 단계를 포함한다. 프로세싱 챔버는, 내부 용적을 갖는 챔버 본체를 갖는다. 지지 샤프트 조립체는 내부 용적에 배치된다. 지지 샤프트 조립체는 지지 샤프트 시스템, 디스크 형상 열 플레이트, 및 링 형상 서셉터를 포함한다. 지지 샤프트 시스템은 샤프트, 복수의 아암들, 및 복수의 제거 가능한 지지 핀들을 포함한다. 각각의 아암은 제 1 단부 및 제 2 단부를 갖는다. 각각의 아암의 제 1 단부는 샤프트에 커플링된다. 각각의 아암의 제 2 단부는 핀 수용 리세스(pin receiving recess)를 갖는다. 복수의 제거 가능한 지지 핀들은, 핀 수용 리세스의 각각의 단부 내에 위치된다. 디스크 형상 열 플레이트는 지지 샤프트 시스템에 의해 지지된다. 링 형상 서셉터는, 열 플레이트와 서셉터 사이에 정의된 갭이 존재하도록, 지지 샤프트 시스템의 복수의 핀들에 의해 지지된다. 퍼지 가스는 프로세싱 챔버 내로 유동된다. 퍼지 가스는 기판 아래에서, 열 플레이트와 서셉터 사이에 정의된 갭에서 유동한다.
[0008] 본 개시물의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시물의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시물의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 개시물의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시물이, 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은, 일 실시예에 따른, 프로세싱 챔버의 측면도이다.
[0010] 도 2a는, 일 실시예에 따른, 열 플레이트의 일 실시예의 측면 사시도이다.
[0011] 도 2b는, 일 실시예에 따른, 도 2a의 열 플레이트의 평면 사시도이다.
[0012] 도 3a는, 일 실시예에 따른, 서셉터의 일 실시예의 측면 사시도이다.
[0013] 도 3b는, 일 실시예에 따른, 도 3a의 서셉터의 평면 사시도이다.
[0014] 도 4a는, 일 실시예에 따른, 지지 샤프트 조립체로부터의 아암의 일 실시예의 측면도이다.
[0015] 도 4b는, 일 실시예에 따른, 지지 팁(support tip)이 제 위치(in place)에 있는, 도 4a의 아암의 측면도이다.
[0016] 도 4c는, 일 실시예에 따른, 열 플레이트가 제 위치에 있는, 도 4b의 아암의 측면도이다.
[0017] 도 4d는, 일 실시예에 따른, 서셉터가 제 위치에 있는, 도 4c의 아암의 측면도이다.
[0018] 도 5a는, 일 실시예에 따른, 열 플레이트의 일 실시예의 측면 사시도이다.
[0019] 도 5b는, 일 실시예에 따른, 도 5a에 예시된 열 플레이트의 저면 사시도이다.
[0020] 도 6a는, 일 실시예에 따른, 서셉터의 일 실시예의 측면 사시도이다.
[0021] 도 6b는, 일 실시예에 따른, 도 6a에 예시된 서셉터의 바닥부의 저면 사시도이다.
[0022] 도 7a는, 일 실시예에 따른, 지지 샤프트 조립체로부터의 아암의 일 실시예의 측면도이다.
[0023] 도 7b는, 일 실시예에 따른, 지지 팁이 제 위치에 있는, 도 7a의 아암의 측면도이다.
[0024] 도 7c는, 일 실시예에 따른, 열 플레이트가 제 위치에 있는, 도 7b의 아암의 측면도이다.
[0025] 도 7d는, 일 실시예에 따른, 서셉터가 제 위치에 있는, 도 7c의 아암의 측면도이다.
[0026] 명료함을 위해, 적용 가능한 경우에, 도면들 사이에서 공통되는 동일한 엘리먼트들을 나타내기 위해 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 부가적으로, 일 실시예의 엘리먼트들은, 본원에서 설명되는 다른 실시예들에서의 활용을 위해 유리하게 이루어질 수 있다.
[0027] 도 1은, 일 실시예에 따른 프로세싱 챔버(100)의 단면도이다. 프로세싱 챔버(100)는 챔버 본체(102) 및 제어기(106)를 포함한다. 챔버 본체(102)는 상부 돔(dome)(112), 링-형상 본체(160), 및 하부 돔(114)을 포함한다. 상부 돔(112) 및 하부 돔(114)은 링-형상 본체(160)를 샌드위칭하고(sandwich), 프로세싱 챔버(100)의 내부 용적(116)을 정의한다. 기판 지지 조립체(104)는 챔버 본체(102)의 내부 용적(116)에 포지셔닝된다.
[0028] 기판 지지 조립체(104)는 지지 샤프트 시스템(108), 서셉터(110), 및 열 플레이트(118)를 포함한다. 지지 샤프트 시스템(108)은 샤프트(120), 슈라우드(shroud; 122), 복수의 리프트 로드들(rods)(124), 복수의 아암들(126), 및 복수의 제거 가능한 지지 핀들(127)을 포함한다. 지지 샤프트 시스템(108)의 샤프트(120)는 슈라우드(122) 내에 포지셔닝된다. 액츄에이터(128)가 샤프트(120)에 커플링되고, 중심축에 대해 샤프트(120)를 회전시키도록 구성된다. 슈라우드(122)는 일반적으로 제 위치에 고정되고, 그러므로, 프로세싱동안 회전하지 않는다.
[0029] 복수의 아암들(126)은 샤프트(120)에 커플링된다. 아암들(126)은, 열 플레이트(118) 및 서셉터(110)를 지지하기 위해 방사상으로 밖을 향해(out) 연장된다. 각각의 아암(126)은 제 1 단부(130) 및 제 2 단부(132)를 갖는다. 각각의 아암(126)의 제 1 단부(130)는 샤프트(120)에 커플링된다. 각각의 아암(126)의 제 2 단부(132)는, 베이스 부재(134), 및 베이스 부재에 형성된 핀 수용 리세스(도 4a-4b; 7a-7b에 도시됨)를 포함한다. 핀 수용 리세스는 지지 핀(127)을 수용하도록 구성된다. 핀 수용 리세스는, 하나의 크기를 갖는 핀(127)이, 다른 크기를 갖는 핀(127)으로 교체되는 것을 허용한다. 예컨대, 하나의 길이를 갖는 핀(127)은, 다른 길이를 갖는 핀(127)으로 교체될 수 있다. 각각의 아암(126)은 열 플레이트(118)를 지지하도록 구성된다. 예컨대, 지지 샤프트 시스템(108)은, 개략적으로 120도 떨어져 균등하게 이격된 3개의 아암들(126)을 포함할 수 있다. 3개의 접촉점들이, 서셉터(110)를 지지하는 것을 돕는다.
[0030] 지지 핀들(127)은 열 플레이트(118)를 통해 연장되어 서셉터(110)를 지지한다. 서셉터(110)는, 서셉터(110)와 열 플레이트(118) 사이에 갭(136)이 정의되도록, 열 플레이트(118) 위에서 지지된다. 퍼지 가스 소스(138)로부터의 퍼지 가스는 갭(136)을 통해 유동할 수 있다. 퍼지 가스는, 서셉터(110) 아래를 지나가는 프로세스 가스에 기인한, 재료의 증착물(deposit)로부터의 기판(101)의 후면 변색을 감소시키는 것을 돕는다. 기판(101)은 열 플레이트(118) 바로 위에서 지지되며, 이에 의해, 열 플레이트(118)와 기판(101) 사이에 제 2 갭(140)이 형성된다. 기판(101)과 열 플레이트(118) 사이의 제 2 갭(140)은, 서셉터(110)와 열 플레이트(118) 사이에 형성된 갭(136)과 동일한 폭일 수 있다. 제 2 갭(140)은, 프로세스 가스가, 기판(101) 아래에서, 기판(101)과 열 플레이트(118) 사이에서 유동하는 것을 허용한다.
[0031] 리프트 로드들(124)은, 지지 샤프트 시스템(108)에 형성된 개구부들(도시되지 않음)을 통해 배치된다. 리프트 로드들(124)은 수직으로 액츄에이팅 가능(actuable)하다. 리프트 로드들(124)은, 기판(101)의 하측(142)과 접촉하여 (도시된 바와 같은) 프로세싱 포지션으로부터 기판 제거 포지션으로 기판(101)을 리프팅하도록 이루어진다.
[0032] 링-형상 본체(160)는, 링-형상 본체에 형성된 복수의 포트들을 포함한다. 예컨대, 유입구(148A)는, 프로세스 가스 소스(150)로부터 내부 용적(116) 내로 프로세스 가스를 제공하도록 이루어질 수 있다. 출구 포트(148B)는, 기판(101)에 걸친 프로세스 가스의 크로스 플로우(cross flow)를 유도하기 위해, 유입구(148A)의 맞은 편에 배치된다. 그러한 방식에서, 프로세스 가스는 기판(101)의 상부 표면에 대해 평행하게 유동할 수 있다. 열 소스(144)는, 기판(101) 상에 에피택셜 층(도시되지 않음)을 형성하기 위해, 기판(101) 상으로의 프로세스 가스의 열 분해(thermal decomposition)를 용이하게 한다.
[0033] 링-형상 본체(160)는 예열(preheat) 링(146)을 더 포함할 수 있다. 예열 링(146)은 챔버 본체(102)의 내부 용적(116) 주위에 배치되고, 기판(101)이 프로세싱 포지션에 있는 동안 기판(101)을 에워싼다(circumscribe). 프로세싱 동안, 예열 링(146)은 열 소스(144)에 의해 가열된다. 예열 링(146)은, 프로세스 가스가, 예열 링(146)에 인접한 유입구(148A)를 통해 링-형상 본체(160)에 진입할 때 프로세스 가스의 예열을 용이하게 한다.
[0034] 열 소스들(144)은, 예컨대, 프로세싱 챔버(100) 내에 포지셔닝된 컴포넌트들에 열 에너지를 제공하도록 이루어진 램프들일 수 있다. 예컨대, 열 소스(144)는, 기판(101), 서셉터(110), 및/또는 예열 링(146)에 열 에너지를 제공하도록 이루어질 수 있다. 하부 돔(114)은, 하부 돔을 통한 열 복사(thermal radiation)의 통과를 용이하게 하기 위해, 광학적으로 투명한 재료, 예컨대, 석영으로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 열 소스(144)는, 하부 돔(114) 뿐만 아니라 상부 돔(112)을 통해서도 열 에너지를 제공하도록 포지셔닝될 수 있다.
[0035] 고온계(152)는 기판(101) 및/또는 서셉터(110)의 온도를 측정하도록 이루어진다. 고온계(152)의 초점 빔(focal beam)(도시되지 않음)은 하부 돔(114)을 통해 그리고 샤프트(120)를 통해 지향된다. 고온계(152)는 서셉터(110)의 온도(예컨대, 서셉터(110)가 실리콘 카바이드로 형성된 경우), 또는 기판(101)의 온도(예컨대, 서셉터(110)가 석영으로 형성된 경우 또는 서셉터(110)가 없고 기판(101)이, 링에 의해서와 같이, 다른 방식으로 지지되는 경우)를 측정한다.
[0036] 프로세싱 챔버(100)는, 프로세싱 챔버(100)에서의 에피택셜 필름들의 성장과 같은 미리-결정된 프로세스들을 실행하고 모니터링하는 데에 사용되는 컴포넌트들을 포함한다. 프로세싱 챔버(100)는 하나 또는 그 초과의 가스 패널들, 가스 분배 도관들, 진공 및 배기 서브-시스템들, 전력 공급부들, 및 프로세스 제어 장비들을 포함한다. 제어기(106)는 프로세싱 챔버(100)에 커플링되고, 프로세싱 챔버(100)의 기능을 제어하도록 이루어진다.
[0037] 제어기(106)는, 프로세싱 챔버(100) 내에서의 기판(101)의 프로세싱을 제어하도록 동작 가능하다. 제어기(106)는, 기판(101)을 프로세싱하는 프로세스들의 제어를 용이하게 하기 위해, 프로세싱 챔버(100)의 다양한 컴포넌트들에 커플링된 프로그램 가능한 중앙 처리 장치(CPU)(154)를 포함하며, 프로그램 가능한 중앙 처리 장치는, 메모리(156) 및 대용량 저장 디바이스, 입력 제어 유닛, 및 디스플레이 유닛(도시되지 않음), 예컨대, 전력 공급부들, 클럭들, 캐시, 입력/출력(I/O) 회로들, 등과 함께 동작 가능하다. 제어기(106)는 또한, 프로세싱 챔버(100)의 센서들(도시되지 않음)을 통해 기판(101)의 프로세싱을 모니터링하기 위한 하드웨어를 포함할 수 있다.
[0038] 기판(101)을 프로세싱하는 것, 및 프로세싱 챔버(100)의 제어를 용이하게 하기 위해, CPU(154)는, 기판 프로세스를 제어하기 위한 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서들 중 하나일 수 있다. 메모리(156)는 CPU(154)에 커플링되고, 메모리(156)는 비-일시적(non-transitory)이며, 용이하게 입수 가능한 메모리, 예컨대, RAM(random access memory), ROM(read only memory), 플로피 디스크 드라이브, 하드 디스크, 또는 로컬 또는 원격의 임의의 다른 형태의 디지털 저장소 중 하나 또는 그 초과일 수 있다. 지원 회로들(158)은 통상적인 방식으로 CPU(154)를 지원하기 위해 CPU(154)에 커플링된다. 기판(101)을 프로세싱하기 위한 프로세스는 일반적으로, 메모리(156)에 저장된다. 기판(101)을 프로세싱하기 위한 프로세스는 또한, CPU(154)에 의해 제어되는 하드웨어로부터 원격으로 로케이팅된 제 2 CPU(도시되지 않음)에 의해서 저장되고 그리고/또는 실행될 수 있다.
[0039] 메모리(156)는, 명령들을 포함하는 컴퓨터-판독 가능 저장 매체의 형태이며, 명령들은, CPU(154)에 의해 실행될 때, 프로세싱 챔버(100)에서 기판(101)을 프로세싱하는 동작을 용이하게 한다. 메모리(156)에 있는 명령들은, 기판(101)을 프로세싱하는 동작을 구현한 프로그램과 같은 프로그램 제품의 형태이다. 프로그램 코드는 다수의 상이한 프로그래밍 언어들 중 임의의 하나에 부합할 수 있다. 일 예에서, 본 개시물은, 컴퓨터 시스템과 함께 사용하기 위한 컴퓨터 판독 가능 저장 매체에 저장된 프로그램 제품으로 구현될 수 있다. 프로그램 제품의 프로그램(들)은 실시예들의 기능들을 정의한다. 예시적인 컴퓨터-판독 가능 저장 매체는: (i) 정보가 영구적으로 저장되는 기록-불가 저장 매체(예컨대, 컴퓨터 내의 읽기-전용 메모리 디바이스들, 예를 들어, CD-ROM 드라이브에 의해 판독 가능한 CD-ROM 디스크들, 플래시 메모리, ROM 칩들, 또는 임의의 유형의 솔리드-스테이트(solid-state) 비-휘발성 반도체 메모리); 및 (ii) 변경 가능한 정보가 저장되는 기록 저장 매체(예컨대, 하드-디스크 드라이브 또는 디스켓 드라이브 내의 플로피 디스크들 또는 임의의 유형의 솔리드-스테이트 랜덤-액세스 반도체 메모리)를 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 그러한 컴퓨터-판독 가능 저장 매체는, 본원에서 설명되는 방법들의 기능들을 지시하는 컴퓨터-판독 가능 명령들을 갖고(carrying) 있을 때, 본 개시물의 실시예들이다.
[0040] 도 2a는 열 플레이트(118)의 측면도를 도시한다. 열 플레이트(118)는 제 1 디스크 형상 본체(200) 및 제 2 디스크 형상 본체(202)를 포함한다. 열 플레이트(118)는 탄소 그라파이트 또는 실리콘 그라파이트 코팅으로 만들어질 수 있다. 제 1 디스크 형상 본체(200)는 바닥부 표면(204), 정상부 표면(206), 내측 벽(208), 및 외측 벽(210)을 포함한다. 정상부 표면(206)은 바닥부 표면(204)에 대향하고, 바닥부 표면(204)에 대해서 평행하다. 내측 벽(208)은 바닥부 표면(204)에 대해 수직이고, 바닥부 표면(204)을 정상부 표면(206)에 연결한다. 내측 벽(208)은 내측 직경(212)을 포함한다. 외측 벽(210)은 내측 벽(208)에 대향하고, 정상부 표면(206)을 바닥부 표면(204)에 연결한다. 외측 벽(210)은, 외측 직경(214)이 내측 직경(212)보다 더 크도록 하는 외측 직경(214)을 포함한다.
[0041] 제 2 디스크 형상 본체(202)는 제 1 디스크 형상 본체(200)와 동심(concentric)이다. 제 2 디스크 형상 본체(202)는 바닥부 표면(216), 정상부 표면(218), 내측 벽(220), 및 외측 벽(222)을 포함한다. 정상부 표면(218)은 바닥부 표면(216)에 대향하고, 바닥부 표면(216)에 대해서 평행하다. 바닥부 표면(216)은 제 1 디스크 형상 본체(200)의 정상부 표면(206)에 커플링된다. 내측 벽(220)은 바닥부 표면(216)에 대해 수직이고, 바닥부 표면(216)을 정상부 표면(218)에 연결한다. 내측 벽(220)은, 내측 직경(224)이 제 1 디스크 형상 본체(200)의 내측 직경(212)보다 더 크도록 하는 내측 직경(224)을 갖는다. 외측 벽(222)은 내측 벽(220)에 대향하고, 내측 벽(220)에 대해 평행하다. 외측 벽(222)은 바닥부 표면(216)을 정상부 표면(218)에 연결한다. 외측 벽(222)은, 외측 직경(226)이 제 1 디스크 형상 본체(200)의 외측 직경(214)보다 더 작고 내측 직경(224)보다 더 크도록 하는 외측 직경(226)을 갖는다. 제 1 디스크 형상 본체(200) 및 제 2 디스크 형상 본체(202)는 제 1 디스크 형상 본체(200)의 정상부 표면(206)에서 레지(ledge; 228)를 정의한다.
[0042] 도 2b는, 열 플레이트(118)의 평면 사시도이다. 열 플레이트(118)는, 열 플레이트(118)를 관통하여 형성된 복수의 홀들(232, 234, 236)을 더 포함한다. 제 2 디스크 형상 본체(202)는 홀들(232, 234)의 2개의 세트들을 포함한다. 홀들(232, 234)의 세트들 양자 모두는, 제 2 디스크 형상 본체(202)의 정상부 표면(218)과 제 1 디스크 형상 본체(200)의 바닥부 표면(204) 사이의 유체 연통(fluid communication)을 제공한다. 홀들(232)의 제 1 세트는 홀들(234)의 제 2 세트보다 더 작은 직경을 갖는다. 열 플레이트(118)는 평방 센티미터 당 약 5.25개 홀들의 홀 밀도를 갖고, 퍼지 가스가 기판(도시되지 않음) 아래에서 유동되는 것을 허용한다. 홀들(234)의 제 2 세트는, 예컨대, 서로로부터 120도 떨어진 3개의 홀들과 같이, 제 2 디스크 형상 본체(202)의 둘레 주위에 균등하게 이격된다. 홀들(234)의 제 2 세트는, 지지 팁(도시되지 않음)이, 홀들(234)을 통해 연장될 수 있도록 그리고 기판을 서셉터(도시되지 않음)로부터 상승시키거나 서셉터 상으로 하강시킬 수 있도록 구성된다.
[0043] 홀들(236)의 제 3 세트는 열 플레이트(118)의 레지(228) 상에 배치된다. 홀들(236)의 제 3 세트는, 제 1 디스크 형상 본체(200)의 바닥부 표면(204)과 레지(228) 사이의 유체 연통을 제공한다. 홀들(236)의 제 3 세트는, 서셉터를 지지하기 위해 지지 핀들(도시되지 않음)이 홀들(236)을 통해서 연장될 수 있도록 구성된다. 홀들(236)의 제 3 세트는, 예컨대, 서로로부터 120도 떨어진 것과 같이, 레지(228)를 따라서 균등하게 이격될 수 있다.
[0044] 도 3a는, 서셉터(110)의 부분의 측면 사시도이다. 서셉터(110)는 링 형상 본체(300)를 포함한다. 서셉터(110)는, 예컨대, 탄소 그라파이트와 같은, 열 플레이트(118)와 동일한 재료로 만들어질 수 있거나, 또는 서셉터(110)는 실리콘 그라파이트 코팅을 가질 수 있다. 링 형상 본체(300)는 바닥부 표면(302), 정상부 표면(304), 외측 벽(306), 내측 벽(308), 만입된(indented) 벽(310), 및 레지(312)를 포함한다. 바닥부 표면(302)은 제 1 길이(314)를 갖고, 정상부 표면(304)에 대향하며, 정상부 표면(304)에 대해 평행하다. 바닥부 표면(302)은, 도 4d에 도시된 바와 같이, 지지 핀의 정상부 표면과 접촉하도록 구성된다. 정상부 표면(304)은 제 2 길이(316)를 포함한다.
[0045] 외측 벽(306)은 바닥부 표면(302)에 대해 수직이고, 제 1 높이(318) 및 외측 직경(320)을 포함한다. 외측 벽(306)은 정상부 표면(304)을 바닥부 표면(302)에 연결한다. 내측 벽(308)은 제 2 높이(322) 및 내측 직경(324)을 포함하며, 내측 직경(324)은 외측 직경(320)보다 더 작다. 외측 벽(306)은 바닥부 표면(302)에 대해 수직이다. 만입된 벽(310)은 바닥부 표면(302)에 대해 수직이고, 내측 직경(324)보다 더 크고 외측 직경(320)보다 더 작은 직경(326) 및 제 3 높이(328)를 포함한다. 만입된 벽(310)의 제 3 높이(328)는, 만입된 벽(310)의 제 3 높이(328)와 내측 벽(308)의 제 2 높이(322)를 더한 것이, 외측 벽(306)의 제 1 높이(318)와 실질적으로 동일하게 하는 높이이다.
[0046] 레지(312)는 내측 벽(308) 및 만입된 벽(310)에 의해 정의된다. 레지(312)는 바닥부 표면(302)에 대해 평행하며, 레지(312)의 길이(330)와 정상부 표면(304)의 제 2 길이(316)를 더한 것이, 바닥부 표면(302)의 제 1 길이(314)와 실질적으로 동일하게 하는 길이를 갖는다.
[0047] 도 3b는, 서셉터의 평면 사시도이다. 레지(312)는, 레지(312)를 관통하여 형성된 복수의 홀들(332)을 더 포함한다. 레지(312)의 복수의 홀들(332)은 바닥부 표면(302)과의 유체 연통을 제공한다. 레지(312)의 복수의 홀들(332)은, 퍼지 가스가, 열 플레이트 아래로부터 열 플레이트를 통해, 갭을 통해, 그리고 서셉터(110)를 통해 유동할 수 있도록, 열 플레이트(도시되지 않음)의 레지의 복수의 홀들(도시되지 않음)과 정렬된다. 서셉터(110)는 평방 센티미터 당 약 5.99개 홀들의 홀 밀도를 갖는다.
[0048] 도 4a는, 지지 샤프트 시스템(108)의 아암(126)의 측면 사시도이다. 지지 샤프트 시스템(108)의 아암(126)은 2개의 단부들, 즉, 제 1 단부(도시되지 않음) 및 제 2 단부(132)를 포함한다. 제 2 단부(132)는, 핀 수용 리세스(400)가 형성된 베이스 부재(134)를 갖는다. 핀 수용 리세스(400)는, (도 4d에 도시된 바와 같이) 열 플레이트와 서셉터 사이의 갭이 변경될 수 있도록, (도 4b에 도시된 바와 같이) 교환 가능한 핀들을 수용하도록 구성된다. 핀 수용 리세스(400)는 또한, 서셉터를 지지하도록 구성된다. 베이스 부재(134)는 열 플레이트를 지지하도록 구성된다. 예컨대, 열 플레이트와 서셉터 사이의 갭은 적어도 0.1mm일 수 있으며, 예컨대, 0.1mm 내지 1mm범위일 수 있다.
[0049] 도 4b는, 지지 핀(127)이 제 위치에 있는, 도 4a의 아암(126)의 측면 사시도이다. 지지 핀들(127)은 제 1 원통형 부분(404) 및 제 2 원통형 부분(406)을 포함한다. 핀들(127)은 SiC로 만들어질 수 있다. 제 1 원통형 부분(404)은 정상부 표면(408), 바닥부 표면(410), 내측 벽(412) 및 외측 벽(414)을 포함한다. 정상부 표면(408)은 바닥부 표면(410)에 대향하고, 바닥부 표면(410)에 대해서 평행하다. 내측 벽(412) 및 외측 벽(414)은 서로에 대해 평행하며, 바닥부 표면(410)에 대해 수직이다. 벽들(412, 414)은 정상부 표면(408)을 바닥부 표면(410)에 연결한다. 내측 벽(412)은 내측 직경(416)을 더 포함한다. 외측 벽(414)은 외측 직경(418)을 더 포함하며, 외측 직경(418)은 내측 직경(416)보다 더 크다.
[0050] 제 2 원통형 부분(406)은 정상부 표면(420), 바닥부 표면(422), 내측 벽(424) 및 외측 벽(426)을 포함한다. 정상부 표면(420)은 바닥부 표면(422)에 대향하고, 바닥부 표면(422)에 대해서 평행하다. 제 2 원통형 부분(406)의 바닥부 표면(422)은 제 1 원통형 부분(404)의 정상부 표면(420)에 커플링된다. 내측 벽(424)은 외측 벽(426)에 대해 평행하며, 벽들(424, 426) 양자 모두는 바닥부 표면(422)에 대해 수직이다. 벽들(424, 426)은 정상부 표면(420)을 바닥부 표면(422)에 연결한다. 내측 벽(424)은 내측 벽 직경(428)을 더 포함하며, 내측 벽 직경(428)은 제 1 원통형 부분(404)의 내측 직경(416)보다 더 작다. 외측 벽(426)은 외측 직경(430)을 더 포함하며, 외측 직경(430)은 제 1 원통형 부분(404)의 외측 직경(418)보다 더 크다.
[0051] 도 4c는, 열 플레이트(118)가 제 위치에 있는, 도 4b의 아암(126)의 측면 사시도이다. 열 플레이트(118)는 지지 샤프트 시스템(108)에 의해 지지된다. 아암(126)의 베이스 부재(134)는 열 플레이트(118)와 접촉하고, 열 플레이트(118)를 지지한다. 복수의 핀들(127)은, 열 플레이트(118)에 형성된 홀들(234)을 통해 연장된다. 복수의 핀들(127)은 서셉터(도시되지 않음)를 지지하도록 구성된다.
[0052] 도 4d는, 서셉터(110)가 제 위치에 있는, 도 4c의 아암(126)의 측면 사시도이다. 서셉터(110)의 바닥부 표면(302)은, 서셉터(110)의 바닥부 표면(302)과 열 플레이트(118)의 정상부 표면들(206, 218) 사이에 갭(136)이 생성되도록, 지지 핀(127)의 제 2 원통형 부분(406)의 정상부 표면(420)에 의해 지지된다. 갭(136)은, 챔버(100)의 바닥부로부터 제공되는 퍼지 가스가, 프로세싱 동안 기판(101)의 아래로부터 흘러나오는 것을 허용하여, 프로세스 가스로부터의 기판의 후면 표면 상의 증착의 감소를 초래한다. 부가적으로, 열 플레이트(118)의 홀들(232)은, 열 플레이트(118) 및 서셉터(110)가 아암(126)에 의해 지지될 때, 서셉터(110)의 홀들(332)과 정렬된다. 홀 정렬은, 퍼지 가스가, 챔버(100)의 상부 돔(112)에 도달하는 것을 허용한다. 홀들(232, 332)은 또한, 수직 방향으로 상승하는 퍼지 가스와 수평 방향으로 기판의 표면에 걸쳐서 유동하는 프로세스 가스 사이의 난류를 감소시키는 기능을 한다. 홀들(232, 332)은, 퍼지 가스가 챔버(100)에서 상승하는 레이트(rate)를 늦추고, 이로 인해, 프로세스 가스를 만날 때 더 적은 난류를 야기한다. 난류의 감소는 또한, 기판 상에서의 재료의 더 매끄러운(smoother) 증착을 허용한다.
[0053] 도 5a는, 열 플레이트(500)의 다른 실시예의 측면 사시도이다. 열 플레이트(500)는 제 1 디스크 형상 본체(502) 및 제 2 디스크 형상 본체(504)를 포함한다. 제 1 디스크 형상 본체(502)는 바닥부 표면(506), 정상부 표면(508), 내측 벽(510), 및 외측 벽(512)을 포함한다. 정상부 표면(508)은 바닥부 표면(506)에 대향하고, 바닥부 표면(506)에 대해서 평행하다. 내측 벽(510)은 바닥부 표면(506)에 대해 수직이고, 바닥부 표면(506)을 정상부 표면(508)에 연결한다. 내측 벽(510)은 내측 직경(514)을 포함한다. 외측 벽(512)은 내측 벽(510)에 대향하고, 정상부 표면(508)을 바닥부 표면(506)에 연결한다. 외측 벽(512)은, 외측 직경(516)이 내측 직경(514)보다 더 크도록 하는 외측 직경(516)을 포함한다.
[0054] 정상부 표면(508)은 제 1 평면(536) 및 제 2 평면(538)을 더 포함한다. 제 1 평면(536)은 제 2 평면(538) 위에 안착된다. 제 2 평면(538)은, 바닥부 표면(506)에 대해 수직인 2개의 측벽들(540)을 포함한다. 2개의 측벽들(540)은 제 1 평면(536)을 제 2 평면(538)에 연결한다. 하부 벽(542)은 바닥부 표면(506)에 대해 평행하고, 2개의 측벽들(540)을 연결한다. 하부 벽(542)은 측벽들(540)에 대해 수직이다. 2개의 측벽들(540) 및 하부 벽 (542)은, 제 1 디스크 형상 본체(502)의 정상부 표면(508)에 그루브(544)를 정의한다. 그루브(544)는 (도 7d에 도시된 바와 같이) 서셉터의 부분을 수용하도록 구성된다.
[0055] 제 2 디스크 형상 본체(504)는 제 1 디스크 형상 본체(502)와 동심이다. 제 2 디스크 형상 본체(504)는 바닥부 표면(518), 정상부 표면(520), 내측 벽(522), 및 외측 벽(524)을 포함한다. 정상부 표면(520)은 바닥부 표면(518)에 대향하고, 바닥부 표면(518)에 대해서 평행하다. 바닥부 표면(518)은 제 1 디스크 형상 본체(502)의 정상부 표면(520)에 커플링된다. 내측 벽(522)은 바닥부 표면(518)에 대해 수직이고, 바닥부 표면(518)을 정상부 표면(520)에 연결한다. 내측 벽(522)은, 내측 직경(526)이 제 1 디스크 형상 본체(502)의 내측 직경(514)보다 더 크도록 하는 내측 직경(526)을 갖는다. 외측 벽(524)은 내측 벽(522)에 대향하고, 내측 벽(522)에 대해 평행하다. 외측 벽(524)은 바닥부 표면(518)을 정상부 표면(520)에 연결한다. 외측 벽(524)은, 외측 직경(528)이 제 1 디스크 형상 본체(502)의 외측 직경(516)보다 더 작고 내측 직경(526)보다 더 크도록 하는 외측 직경(528)을 갖는다. 제 1 디스크 형상 본체(502) 및 제 2 디스크 형상 본체(504)는 제 1 디스크 형상 본체(502)의 정상부 표면(508)에서 레지(530)를 정의한다.
[0056] 도 5b는, 도 5a에 예시된 열 플레이트(500)의 저면 사시도를 예시한다. 레지(530)는, 레지(530)를 관통하여 형성된 제 1 복수의 홀들(532) 및 레지(530)를 관통하여 형성된 제 2 복수의 홀들(534)을 포함한다. 제 1 복수의 홀들(532)은, 제 1 디스크 형상 본체(502)의 정상부 표면(508)과 제 1 디스크 형상 본체(502)의 바닥부 표면(506) 사이의 유체 연통을 제공한다. 홀들(532)은 제 1 직경을 갖는다. 제 2 복수의 홀들(534)은, 제 1 디스크 형상 본체(502)의 정상부 표면(508)과 제 2 디스크 형상 본체(504)의 바닥부 표면(518) 사이의 유체 연통을 제공한다. 제 2 복수의 홀들(534)은 제 2 직경을 가지며, 제 2 직경은 제 1 직경보다 더 크다. 제 2 복수의 홀들(534)은, (도 7d에 도시된 바와 같이) 기판이 프로세싱 챔버의 내부 영역에 위치되거나 제거될 수 있도록 리프트 팁들을 수용하게 구성된다. 열 플레이트(500)는 평방 센티미터 당 약 5.25개 홀들의 홀 밀도를 갖는다.
[0057] 도 6a는, 서셉터(600)의 다른 실시예의 측면 사시도이다. 서셉터(600)는 디스크 형상 본체(602)를 포함한다. 디스크 형상 본체(602)는 바닥부 표면(604), 정상부 표면(606), 외측 벽(608), 내측 벽(610), 만입된 벽(612), 및 레지(614)를 포함한다. 정상부 표면(606)은 제 1 길이(616)를 포함한다. 바닥부 표면(604)은 제 2 길이(618)를 갖고, 정상부 표면(606)에 대향하며, 정상부 표면(606)에 대해 평행하다. 바닥부 표면(604)은, (도 7d에 도시된 바와 같이) 지지 팁의 정상부 표면과 접촉하도록 구성된다.
[0058] 바닥부 표면(604)은, 바닥부 표면(604)에 커플링된 복수의 핀들(620)을 더 포함한다. 핀들(620)은 서셉터(600)의 바닥부 표면(604) 아래로 연장되며, 2개의 측벽들(622) 및 바닥부 표면(624)을 갖는다. 핀들(620)의 바닥부 표면들(624)은 서셉터(600)의 바닥부 표면(604)에 대향하며, 바닥부 표면(604)에 대해 평행하다. 2개의 측벽들(622)은 바닥부 표면(624)에 대해 수직이고, 서셉터(600)의 바닥부 표면(604)을 핀(620)의 바닥부 표면(624)에 연결한다. 핀들(620)은 (도 7d에 도시된 바와 같이) 열 플레이트의 그루브 내에 안착되도록 구성된다. 복수의 핀들(620)은 열 플레이트 및 서셉터와 동심이다. 핀들(620)은, 서셉터(600)의 바닥부 표면(604)과 열 플레이트의 정상부 표면 사이에 갭이 존재하도록, 서셉터(600)를 지지한다. 갭은, 원치 않는 증착에 의해 기판의 후면이 변색되지 않도록, 퍼지 가스가, 기판 아래로부터 흘러나오는 것을 허용한다.
[0059] 외측 벽(608)은 제 1 높이(628), 외측 직경(630)을 포함하고, 바닥부 표면(604)에 대해 수직이다. 외측 벽(608)은 정상부 표면(606)을 바닥부 표면(604)에 연결한다. 내측 벽(610)은 제 2 높이(632), 내측 직경(634)을 포함하며, 내측 직경(634)은 외측 직경(630)보다 더 작다. 외측 벽(608)은 바닥부 표면(604)에 대해 수직이다. 만입된 벽(612)은 바닥부 표면(604)에 대해 수직이고, 내측 직경(634)보다 더 크고 외측 직경(630)보다 더 작은 직경(638) 및 높이(636)를 포함한다. 만입된 벽(612)의 높이(636)는, 만입된 벽(612)의 높이(636)와 내측 벽(610)의 높이(632)를 더한 것이, 외측 벽(608)의 제 1 높이(628)와 실질적으로 동일하게 하는 높이이다.
[0060] 레지(614)는 내측 벽(610) 및 만입된 벽(612)에 의해 정의된다. 레지(614)는 바닥부 표면(604)에 대해 평행하며, 레지(614)의 길이(640)와 정상부 표면(606)의 제 1 길이(616)를 더한 것이, 바닥부 표면(604)의 제 2 길이(618)와 실질적으로 동일하게 하는 길이(640)를 갖는다.
[0061] 도 6b는, 도 6a의 서셉터의 저면 사시도를 예시한다. 레지(614)는, 레지(614)를 관통하여 형성된 복수의 홀들(642)을 더 포함한다. 레지(614)의 복수의 홀들(642)은 바닥부 표면(604)과의 유체 연통을 제공한다. 레지(614)의 복수의 홀들(642)은, 퍼지 가스가, 열 플레이트 아래로부터 열 플레이트를 통해, 갭을 통해, 그리고 서셉터(600)를 통해 유동할 수 있도록, 열 플레이트의 레지의 복수의 홀들과 정렬된다. 서셉터(600)는 평방 센티미터 당 약 6.06개 홀들의 홀 밀도를 갖는다.
[0062] 도 7a는, 지지 샤프트 시스템(108)의 아암(126)의 측면 사시도이다. 지지 샤프트 시스템(108)의 아암(126)은 2개의 단부들, 즉, 제 1 단부(130)(도시되지 않음) 및 제 2 단부(132)를 포함한다. 제 2 단부(132)는 베이스 부재(134), 및 베이스 부재 내에 형성된 핀 수용 리세스(400)를 포함한다. 핀(127)은, 지지 샤프트 시스템(108)의 높이가 변화될 수 있도록 변경될 수 있으며, 이는 결과적으로, (도 7d에 도시된 바와 같이) 갭(702)에 걸친 거리를 설정한다.
[0063] 도 7b는, 지지 핀(127)이 제 위치에 있는, 도 7a의 아암(126)의 측면 사시도이다. 제 2 원통형 부분(406)이 핀 수용 리세스(400) 내에 포지셔닝될 때, 지지 핀(127)은 제 위치에 있다. 지지 핀(127)의 제 2 원통형 부분(406)의 바닥부 표면(422)은, 지지 핀(127)이 제 위치에 있을 때, 아암(126)의 베이스 부재(134)와 접촉한다.
[0064] 도 7c는, 열 플레이트(500)가 제 위치에 있는, 도 7b의 아암(126)의 측면 사시도이다. 핀(127)의 정상부 표면(520)은 열 플레이트(500)의 바닥부 표면(506)과 접촉하며, 이로써 핀들(127)은 열 플레이트(500)를 지지한다. 핀들(127)은, 예컨대, 3개의 핀들(127)이 120도 떨어져 배치된 것과 같이, 열 플레이트(500) 주위에 균등하게 배치된다.
[0065] 도 7d는, 서셉터(600)가 제 위치에 있는, 도 7c의 아암(126)의 측면 사시도이다. 서셉터(600)는, 서셉터(600)의 핀들(620)이 열 플레이트(500)의 그루브(544) 내에 놓이도록, 열 플레이트(500)의 정상에 배치된다. 핀들(620)은, 서셉터(600)와 열 플레이트(500) 사이에 갭(702)이 형성되도록 하는 높이(700)를 갖는다. 갭(702)은, 퍼지 가스가, 프로세싱 동안 기판(도시되지 않음) 아래로부터 흘러나오는 것을 허용하여, 원치 않는 증착된 재료로부터의 기판의 후면 변색의 감소를 초래한다. 부가적으로, 열 플레이트(500)의 홀들(532)은, 열 플레이트(500) 및 서셉터(600)가 아암(126)에 의해 지지될 때, 서셉터(600)의 홀들(642)과 정렬된다. 홀 정렬은, 퍼지 가스가, 챔버의 상부 돔에 도달하는 것을 허용한다. 홀들(532, 642)은 또한, 수직 방향으로 상승하는 퍼지 가스와 수평 방향으로 기판의 표면에 걸쳐서 유동하는 프로세스 가스 사이의 난류를 제한하는 방식으로 기능한다. 홀들(532, 642)은, 가스들 사이에서의 난류가 감소될 수 있도록, 퍼지 가스가 챔버에서 상승하는 레이트를 늦춘다. 난류의 감소는, 기판(101)의 상부 표면 상에서의 더 균일한 증착을 허용한다.
[0066] 전술한 내용은 본 개시물의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시물의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 본 개시물의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 본 개시물의 범위는 이하의 청구항들에 의해서 결정된다.

Claims (15)

  1. 반도체 프로세싱을 위한 프로세싱 챔버로서,
    상기 프로세싱 챔버는,
    내부 용적을 갖는 챔버 본체; 및
    상기 내부 용적에 배치된 지지 샤프트 조립체(support shaft assembly)를 포함하고,
    상기 지지 샤프트 조립체는,
    지지 샤프트 시스템 ― 상기 지지 샤프트 시스템은,
    샤프트;
    복수의 아암들(arms) ― 각각의 아암은 제 1 단부 및 제 2 단부를 갖고, 각각의 아암의 상기 제 1 단부는 상기 샤프트에 커플링되며, 각각의 아암의 상기 제 2 단부는 핀 수용 리세스(pin receiving recess)를 가짐 ―; 및
    복수의 제거 가능한 지지 핀들 ― 각각의 핀은 상기 핀 수용 리세스의 각각의 단부 내에 위치됨 ―을 포함함 ―;
    상기 지지 샤프트 시스템에 의해 지지되는 디스크 형상 열 플레이트(heat plate) ― 상기 디스크 형상 열 플레이트는,
    제 1 표면;
    제 2 표면;
    상기 제 1 표면 및 상기 제 2 표면에 대향하는 제 3 표면 ― 상기 제 1 표면은 상기 제 2 표면보다 수직 방향으로 더 아래에 있음 ―; 및
    복수의 홀들 ― 상기 복수의 홀들의 각각의 홀은 상부 개구 및 하부 개구를 갖고, 상기 하부 개구는 상기 프로세싱 챔버의 내부 용적에 노출되며, 상기 복수의 홀들은 상기 디스크 형상 열 플레이트를 관통하여 형성되고, 복수의 홀들의 제 1 그룹은 상기 제 1 표면에서 상기 제 3 표면으로 연장되고, 복수의 홀의 제 2 그룹은 상기 제2 표면에서 상기 제3 표면으로 연장됨 ―을 포함함 ―; 및
    링 형상 서셉터(susceptor)를 포함하며, 상기 링 형상 서셉터는, 상기 디스크 형상 열 플레이트와 상기 링 형상 서셉터 사이에 정의된 갭(gap)이 존재하도록 상기 지지 샤프트 시스템의 상기 복수의 제거 가능한 지지 핀들에 의해 지지되고, 상기 링 형상 서셉터는 내부에 형성된 복수의 서셉터 홀들을 가지며, 상기 복수의 서셉터 홀들은 상기 복수의 홀들의 제 1 그룹과 정렬되는,
    반도체 프로세싱을 위한 프로세싱 챔버.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 아암들의 각각의 아암은 베이스 부재를 포함하고, 상기 베이스 부재는 상기 디스크 형상 열 플레이트를 지지하는,
    반도체 프로세싱을 위한 프로세싱 챔버.
  3. 반도체 프로세싱을 위한 프로세싱 챔버로서,
    상기 프로세싱 챔버는,
    내부 용적을 갖는 챔버 본체; 및
    상기 내부 용적에 배치된 지지 샤프트 조립체를 포함하고,
    상기 지지 샤프트 조립체는,
    지지 샤프트 시스템 ― 상기 지지 샤프트 시스템은,
    샤프트; 및
    복수의 아암들 ― 각각의 아암은 제 1 단부 및 제 2 단부를 갖고, 각각의 아암의 상기 제 1 단부는 상기 샤프트에 커플링됨 ― 을 포함함 ―;
    상기 지지 샤프트 시스템에 의해 지지되는 디스크 형상 열 플레이트 ― 정상부 표면을 갖는 상기 디스크 형상 열 플레이트는 복수의 그루브들(grooves)을 더 포함하고, 상기 디스크 형상 열 플레이트는,
    제 1 표면;
    제 2 표면;
    상기 제 1 표면 및 상기 제 2 표면에 대향하는 제 3 표면 ― 상기 제 1 표면은 상기 제 2 표면보다 수직 방향으로 더 아래에 있음 ―; 및
    복수의 홀들 ― 상기 복수의 홀들의 각각의 홀은 상부 개구 및 하부 개구를 갖고, 상기 하부 개구는 상기 프로세싱 챔버의 내부 용적에 노출되며, 상기 복수의 홀들은 상기 디스크 형상 열 플레이트를 관통하여 형성되고, 복수의 홀들의 제 1 그룹은 상기 제 1 표면에서 상기 제 3 표면으로 연장되고, 복수의 홀의 제 2 그룹은 상기 제2 표면에서 상기 제3 표면으로 연장됨 ―을 포함함 ―; 및
    복수의 핀들을 갖는 링 형상 서셉터 ― 상기 핀들은, 상기 디스크 형상 열 플레이트와 상기 링 형상 서셉터 사이에 갭이 존재하도록, 상기 디스크 형상 열 플레이트의 복수의 그루브들 내에 배치되고, 상기 링 형상 서셉터는 내부에 형성된 복수의 서셉터 홀들을 가지며, 상기 복수의 서셉터 홀들은 상기 복수의 홀들의 제 1 그룹과 정렬됨 ― 를 포함하는,
    반도체 프로세싱을 위한 프로세싱 챔버.
  4. 삭제
  5. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 디스크 형상 열 플레이트에 형성된 상기 복수의 홀들의 부분은 평방 센티미터 당 5.25개 홀들의 홀 밀도를 갖는,
    반도체 프로세싱을 위한 프로세싱 챔버.
  6. 삭제
  7. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 링 형상 서셉터에 형성된 상기 복수의 홀들은 평방 센티미터 당 5.99개 홀들의 홀 밀도를 갖는,
    반도체 프로세싱을 위한 프로세싱 챔버.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 디스크 형상 열 플레이트에 형성된 복수의 홀들의 부분은 평방 센티미터 당 5.25개 홀들의 홀 밀도를 갖는,
    반도체 프로세싱을 위한 프로세싱 챔버.
  9. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 링 형상 서셉터에 형성된 상기 복수의 홀들은 평방 센티미터 당 6.06개 홀들의 홀 밀도를 갖는,
    반도체 프로세싱을 위한 프로세싱 챔버.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 디스크 형상 열 플레이트에 형성된 복수의 홀들의 부분은 평방 센티미터 당 5.25개 홀들의 홀 밀도를 갖는,
    반도체 프로세싱을 위한 프로세싱 챔버.
  11. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 디스크 형상 열 플레이트와 상기 링 형상 서셉터 사이의 갭은 적어도 0.1mm인,
    반도체 프로세싱을 위한 프로세싱 챔버.
  12. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 링 형상 서셉터는 기판을 수용하도록 구성된 레지를 더 포함하는,
    반도체 프로세싱을 위한 프로세싱 챔버.
  13. 프로세싱 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법으로서,
    상기 방법은,
    프로세스 가스를 상기 프로세싱 챔버 내에 유동시키는 단계 ― 상기 프로세싱 챔버는,
    내부 용적을 갖는 챔버 본체; 및
    상기 내부 용적에 배치된 지지 샤프트 조립체를 포함하고,
    상기 지지 샤프트 조립체는,
    지지 샤프트 시스템 ― 상기 지지 샤프트 시스템은,
    샤프트;
    복수의 아암들 ― 각각의 아암은 제 1 단부 및 제 2 단부를 갖고, 각각의 아암의 상기 제 1 단부는 상기 샤프트에 커플링되며, 각각의 아암의 상기 제 2 단부는 핀 수용 리세스를 가짐 ―; 및
    복수의 제거 가능한 지지 핀들 ― 각각의 핀은 상기 핀 수용 리세스의 각각의 단부 내에 위치됨 ― 을 포함함 ―;
    상기 지지 샤프트 시스템에 의해 지지되는 디스크 형상 열 플레이트 ― 정상부 표면을 갖는 상기 디스크 형상 열 플레이트는 복수의 그루브들을 더 포함하고, 상기 디스크 형상 열 플레이트는,
    제 1 표면;
    제 2 표면;
    상기 제 1 표면 및 상기 제 2 표면에 대향하는 제 3 표면 ― 상기 제 1 표면은 상기 제 2 표면보다 수직 방향으로 더 아래에 있음 ―; 및
    복수의 홀들 ― 상기 복수의 홀들의 각각의 홀은 상부 개구 및 하부 개구를 갖고, 상기 하부 개구는 상기 프로세싱 챔버의 내부 용적에 노출되며, 상기 복수의 홀들은 상기 디스크 형상 열 플레이트를 관통하여 형성되고, 복수의 홀들의 제 1 그룹은 상기 제 1 표면에서 상기 제 3 표면으로 연장되고, 복수의 홀의 제 2 그룹은 상기 제2 표면에서 상기 제3 표면으로 연장됨 ―을 포함함 ―; 및
    링 형상 서셉터 ― 상기 링 형상 서셉터는, 상기 디스크 형상 열 플레이트와 상기 링 형상 서셉터 사이에 정의된 갭이 존재하도록 상기 지지 샤프트 시스템의 복수의 핀들에 의해 지지되고, 상기 링 형상 서셉터는 내부에 형성된 복수의 서셉터 홀들을 가지며, 상기 복수의 서셉터 홀들은 상기 복수의 홀들의 제 1 그룹과 정렬됨 ―를 포함함 ―; 및
    상기 디스크 형상 열 플레이트와 상기 링 형상 서셉터 사이에 형성된 상기 갭을 통해, 상기 기판 아래로부터 퍼지 가스를 흘러나오게 하는 단계를 포함하는,
    프로세싱 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법.
  14. 삭제
  15. 삭제
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