KR20230029175A - 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 25
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 25
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 abstract description 42
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 32
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
- B05B1/14—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
- B05B1/26—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with means for mechanically breaking-up or deflecting the jet after discharge, e.g. with fixed deflectors; Breaking-up the discharged liquid or other fluent material by impinging jets
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
- B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
- B05B13/04—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation
- B05B13/0421—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation with rotating spray heads
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
- B05B7/24—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas with means, e.g. a container, for supplying liquid or other fluent material to a discharge device
- B05B7/2489—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas with means, e.g. a container, for supplying liquid or other fluent material to a discharge device an atomising fluid, e.g. a gas, being supplied to the discharge device
- B05B7/2491—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas with means, e.g. a container, for supplying liquid or other fluent material to a discharge device an atomising fluid, e.g. a gas, being supplied to the discharge device characterised by the means for producing or supplying the atomising fluid, e.g. air hoses, air pumps, gas containers, compressors, fans, ventilators, their drives
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
본 발명은 본 발명의 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치에 관한 것으로, 백 노즐 스커트에, 백 노즐이 상하방향으로 관통하는 노즐 지지공, 바닥면에서 백 노즐 어셈블리에 형성된 환형의 유로와 대향되게 형성되는 환형의 도입홈, 바닥면에서 상기 환형의 도입홈으로부터 백 노즐 스커트의 중앙을 향해 연장되는 연결홈, 바닥면에서 상기 연결홈에 연통되며 중앙 영역에 형성되는 임시 수용홈, 및 상기 임시 수용홈의 바닥에 위치하며 상기 백 노즐 스커트의 상면까지 관통되게 형성되는 분사공이 형성되는 것을 특징으로 하므로, 상기 환형의 유로로부터 배출되는 퍼지 가스가 상기 환형의 도입홈, 연결홈, 임시 수용홈 및 분사공을 통해 백 노즐 스커트의 상면 위에 분사되어 백 노즐 스커트의 상면에 잔류한 처리액 등을 확실하게 외측 회전부 측으로 밀어낼 수 있게 된다는 이점이 있다.
Description
본 발명은 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 백 노즐 스커트의 상면에 잔류하는 처리액을 제거하여 처리액에 의한 기판 손상을 방지하도록 하기 위한 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 디바이스는 기판상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 이를 패터닝하여 제조되며, 이를 위하여 증착 공정, 포토리소그래프 공정, 식각 공정, 세정 공정 및 건조 공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정들이 요구된다.
이 중 세정 공정과 건조 공정은, 상기 기판 상에 존재하는 이물질이나 파티클 등을 제거한 후 건조하는 공정으로서, 기판을 스핀 헤드(척 베이스) 상에 지지한 상태에서 고속으로 회전시키면서 기판의 상면이나 하면에 처리액이나 건조가스를 공급하는 것에 의해 이루어진다.
한편, 기판의 하면에 처리액을 공급하기 위해서 상기 기판의 아래쪽 척 베이스에 백 노즐 어셈블리가 설치되며, 일반적으로 상기 백 노즐 어셈블리에는 상면에 잔류한 처리액이나 세정액이 회전부와 비회전부 사이로 유입되는 것을 방지하고 외측으로 밀어내기 위해 N2 가스 등의 퍼지 가스를 분사하기 위한 퍼지 유로가 형성되어 있다.
또한, 하기의 [특허문헌]에서 알 수 있는 바와 같이, 백 노즐 어셈블리를 구성하는 비회전부인 노즐 몸체의 상부에는 백 노즐 스커트가 설치되어 있어, 상기 노즐 스커트와 회전부인 노즐 하우징 사이에 상기 퍼지 유로로부터의 퍼지 가스를 수평으로 분사함으로써 상기 노즐 하우징의 상면에 잔류하는 처리액이나 세정액을 회전부쪽으로 효과적으로 밀어내어 노즐 하우징과 노즐 몸체 사이로 처리액이 유입되는 것을 방지하도록 구성되어 있다.
상기 노즐 하우징 등에 잔류한 처리액을 제거하지 않으면, 건조 공정시에 상기 잔류한 처리액이 증발하면서 기판의 하면에 접촉하여 얼룩 등 손상을 일으킬 수 있다.
더욱이, 잔류한 처리액에 버블이 형성되면서 건조공정시 터지게 되면 기판의 하면에 충격적인 접촉이 일어나 처리액에 민감한 기판의 하면이 손상될 수 있다.
한편, 종래기술에 따라 상기 백 노즐 스커트에 의해 노즐 하우징 상면에 잔류한 처리액이 퍼지될 수 있으나, 상기 백 노즐 스커트의 상면에 잔류한 처리액은 제거되지 않아 여전히 기판을 손상시키는 요인이 되었다.
본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 백 노즐 스커트의 상면에 퍼지 가스가 분사될 수 있어 잔류한 처리액을 용이하게 제거할 수 있으므로 이로 인한 기판 손상이 없는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치를 제공하는데 있다.
전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치는,
회전축에 의해 회전 가능하게 설치되는 척 베이스를 포함하는 기판 지지장치;
상기 기판의 상면에 처리액을 공급하는 유체 공급 유닛;
상기 척 베이스의 중앙에 형성된 중공부를 통해 설치되어 기판의 하면에 처리액을 분사하기 위한 백 노즐 어셈블리; 및
상기 백 노즐 어셈블리의 상부에 설치되되 가장자리 부분에서 바닥면이 상기 백 노즐 어셈블리와 이격되게 배치되는 백 노즐 스커트;
를 포함하며,
상기 백 노즐 스커트에는,
백 노즐이 상하방향으로 관통하는 노즐 지지공;
바닥면에서 상기 백 노즐 어셈블리에 형성된 환형의 유로와 대향되게 형성되는 환형의 도입홈;
바닥면에서 상기 환형의 도입홈으로부터 백 노즐 스커트의 중앙을 향해 연장되는 연결홈;
바닥면에서 상기 연결홈에 연통되며 중앙 영역에 형성되는 임시 수용홈; 및
상기 임시 수용홈의 바닥에 위치하며 상기 백 노즐 스커트의 상면까지 관통되게 형성되는 분사공;
이 형성되는 것을 특징으로 한다.
평면도에서 바라볼 때, 상기 분사공은 상기 회전축의 회전방향을 따라 형성되는 복수개로 구성되는 것을 특징으로 한다.
측단면에서 바라볼 때, 상기 분사공의 출구는 상기 회전축에 대하여 경사지게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 분사공은 입구로부터 상기 회전축과 나란한 방향으로 연장되다 출구까지 경사지게 형성되는 것을 특징으로 한다.
저면도에서 바라볼 때, 상기 백 노즐 스커트는 원형의 외곽 형상을 가지며, 상기 환형의 도입홈은 원형으로 구성되고, 상기 연결홈은 상기 환형의 도입홈으로부터 백 노즐 스커트의 중앙을 향해 방사상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
저면도에서 바라볼 때, 상기 연결홈은 원주방향을 따라 형성되는 복수개로 구성되는 것을 특징으로 한다.
저면도에서 바라볼 때, 상기 백 노즐 스커트의 중앙에는 노즐 지지공이 형성되며, 상기 분사공은 상기 노즐 지지공의 둘레에 형성되는 것을 특징으로 한다.
평면도에서 바라볼 때, 중앙으로부터 중앙의 노즐 지지공을 제외한 다른 노즐 지지공의 중심까지의 길이는 중앙 영역으로부터 분사공의 중심까지의 길이보다 길게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 백 노즐 스커트와 백 노즐 어셈블리는 체결수단에 의해 결합되는 것을 특징으로 한다.
전술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명의 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치에 따르면, 백 노즐 스커트에, 백 노즐이 상하방향으로 관통하는 노즐 지지공, 바닥면에서 백 노즐 어셈블리에 형성된 환형의 유로와 대향되게 형성되는 환형의 도입홈, 바닥면에서 상기 환형의 도입홈으로부터 백 노즐 스커트의 중앙을 향해 연장되는 연결홈, 바닥면에서 상기 연결홈에 연통되며 중앙 영역에 형성되는 임시 수용홈, 및 상기 임시 수용홈의 바닥에 위치하며 상기 백 노즐 스커트의 상면까지 관통되게 형성되는 분사공이 형성되는 것을 특징으로 하므로, 상기 환형의 유로로부터 배출되는 퍼지 가스가 상기 환형의 도입홈, 연결홈, 임시 수용홈 및 분사공을 통해 백 노즐 스커트의 상면 위에 분사되어 백 노즐 스커트의 상면에 잔류한 처리액 등을 확실하게 외측 회전부 측으로 밀어낼 수 있게 된다는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따르면, 평면도에서 바라볼 때, 상기 분사공은 상기 회전축의 회전방향을 따라 형성되는 복수개로 구성되는 것을 특징으로 하므로, 상기 백 노즐 스커트의 둘레방향을 따라 균일하게 퍼지 가스를 공급함으로써 백 노즐 스커트 상면의 처리액 제거가 한층 신속하게 이루어질 수 있게 된다.
또한 본 발명에 따르면, 측단면에서 바라볼 때, 상기 분사공의 출구는 상기 회전축에 대하여 경사지게 형성되어 있어 상기 백 노즐 스커트 상면에 대한 퍼지 가스의 접근이 한층 용이하게 되므로 처리액의 제거 또한 확실하고 신속하게 이루어진다는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따르면, 상기 분사공은 입구로부터 상기 회전축과 나란한 방향으로 연장되다 출구까지 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하므로 백 노즐 스커트의 제조가 한층 용이하게 된다.
또한 본 발명에 따르면, 저면도에서 바라볼 때, 상기 백 노즐 스커트는 원형의 외곽 형상을 가지며, 상기 환형의 도입홈은 원형으로 구성되고, 상기 연결홈은 상기 환형의 도입홈으로부터 백 노즐 스커트의 중앙을 향해 방사상으로 형성되므로, 퍼지 가스의 이동 경로를 최소화할 수 있어 환형의 도입홈으로부터 퍼지 가스를 신속하게 분사공을 통해 분사하는 것이 가능하게 된다.
또한 본 발명에 따르면, 상기 백 노즐 스커트의 중앙에는 노즐 지지공이 형성되며, 상기 분사공은 상기 노즐 지지공의 둘레에 형성되므로, 백 노즐 스커트에 백 노즐, 체결수단 및 기판 감지 센서 등의 설치구조가 콤팩트하게 되어 그 크기를 크게 줄일 수 있게 된다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리장치를 개략적으로 나타내는 측단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 지지장치와 백 노즐 어셈블리 및 백 노즐 스커트의 결합구조를 나타내는 상면 사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 지지장치와 백 노즐 어셈블리 및 백 노즐 스커트의 결합구조를 나타내는 측단면도이다.
도 4는 도 3에서 백 노즐 어셈블리 및 백 노즐 스커트를 나타내는 확대 측단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 백 노즐 스커트의 구성을 나타내는 상면 사시도이다.
도 6은 본 발명에 따른 백 노즐 스커트의 구성을 나타내는 저면 사시도이다.
도 7은 본 발명에 따른 백 노즐 스커트의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 발명에 따른 백 노즐 스커트의 구성을 나타내는 저면도이다.
도 9는 본 발명에 따른 백 노즐 스커트의 구성을 나타내는 종단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 지지장치와 백 노즐 어셈블리 및 백 노즐 스커트의 결합구조를 나타내는 상면 사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 지지장치와 백 노즐 어셈블리 및 백 노즐 스커트의 결합구조를 나타내는 측단면도이다.
도 4는 도 3에서 백 노즐 어셈블리 및 백 노즐 스커트를 나타내는 확대 측단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 백 노즐 스커트의 구성을 나타내는 상면 사시도이다.
도 6은 본 발명에 따른 백 노즐 스커트의 구성을 나타내는 저면 사시도이다.
도 7은 본 발명에 따른 백 노즐 스커트의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 발명에 따른 백 노즐 스커트의 구성을 나타내는 저면도이다.
도 9는 본 발명에 따른 백 노즐 스커트의 구성을 나타내는 종단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 1과 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리장치(1000)는, 유체 공급 유닛(10), 바울(bowl) 조립체(20), 승강 유닛(30), 그리고 기판 지지장치(S)를 가진다.
상기 유체 공급 유닛(10)은 기판 처리를 위한 처리액이나 처리 가스를 기판(W)으로 공급한다.
상기 바울 조립체(20)는 공정에 사용된 약액 및 공정시 발생됨 흄(fume)이 외부로 튀거나 유출되는 것을 방지하도록 수용하는 구성요소로서 복수의 바울이 적층식으로 구성되어 기판에 대하여 상대적인 높이에 따라 다른 약액 및 흄이 구별되어 유입되도록 하는 것이 바람직하다.
상기 승강 유닛(30)은 기판 지지장치(S) 또는 바울 조립체(20)를 상하로 승강시키며, 바울 조립체(20) 내에서 바울 조립체(20)와 기판 지지장치(S) 사이의 상대 높이를 변화시킨다.
그리고, 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 기판 지지장치(S)는 공정 진행시 기판(W)을 지지한 상태에서 회전시키는 장치로서, 기판(W)의 하부에서 기판(W)과 대향 배치되며 회전축(800)에 의해 회전 가능하게 배치되는 척 베이스(100), 상기 척 베이스(100)의 상부에 배치되며 상기 기판(W)을 지지하는 척핀(200)을 포함한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 상기 척 베이스(100)의 중앙에 형성된 중공부(170)에는 백 노즐 어셈블리(300)가 제공되며, 상기 백 노즐 어셈블리(300)는 백 노즐(330a,330b,330c)을 통해 기판(W)의 하면으로 처리액을 분사한다.
상기 백 노즐 어셈블리(300)는 척 베이스(100)에 형성된 중공부(170)와 회전축(800)의 중공 부분(810) 내에 설치되는 것으로, 노즐 몸체(310), 노즐 샤프트(320), 백 노즐(330a,330b,330c), 노즐 하우징(340), 그리고 퍼지 유닛(P)을 포함한다.
상기 백 노즐 어셈블리(300)의 노즐 하우징(340)은 회전축(800)에 연결되어 모터(500)가 회전함에 따라 회전이 가능한 반면, 노즐 몸체(310)와 노즐 샤프트(320)는 회전하지 않고 그 자리에 유지된다.
상기 노즐 하우징(340)은 상기 척 베이스(100)의 중앙에 형성된 중공부(170)에 설치되며 중앙에 설치공(345)이 관통 형성된다.
상기 노즐 몸체(310)는 노즐 하우징(340)의 설치공(345)을 관통하여 설치되며 그 상부에는 설치벽(318)이 배치되고 하부에는 개방된 중공홈(311)이 형성된다.
상기 노즐 하우징(340)은 상기 퍼지 유닛(P)을 사이에 두고 노즐 몸체(310)를 둘러싼 상태로 척 베이스(100)에 결합된다.
상기 노즐 몸체(310)의 상부 설치벽(318)에는 복수의 백 노즐(330a,330b,330c)이 설치되기 위한 복수의 삽입공(319)이 형성된다.
그리고, 상기 노즐 몸체(310)의 하단에는 역시 상하부가 개방되어 설치 중공(321)이 형성된 노즐 샤프트(320)가 결합된다(도 4 참조).
상기 노즐 샤프트(320)의 설치 중공(321) 부분은 노즐 몸체(310)의 중공홈(311)과 연통한다.
상기 노즐 샤프트(320)는 회전축(800)의 중공 부분(810)에 삽입되며, 상기 노즐 샤프트(320)와 회전축(800)의 사이에는 베어링(B)이 개재된다.
상기 베어링(B)의 외륜은 상기 회전축(800)의 내주면에 삽입 고정되고, 노즐 샤프트(320)의 외주면은 베어링(B)의 내륜에 삽입 고정된다.
상기 회전축(800)은 모터(500)에 의해 회전될 수 있으나 상기 노즐 샤프트(320)는 베어링(B)의 내륜에 삽입 고정되어 회전하지 않는다.
상기 베어링(B)은 볼 베어링 외에 마그네틱 베어링 등이 채택될 수 있다.
결국, 상기와 같은 결합 관계에 의해, 척 베이스(100), 회전축(800), 및 노즐 하우징(340)은 모터(500, 도 2 참조)의 구동에 의해 회전되는 회전부를 구성하며, 노즐 몸체(310), 노즐 샤프트(320), 그리고 백 노즐(330a,330b,330c)은 회전되지 않는 비회전부를 구성한다.
약액(처리액)을 분사하는 백 노즐(330a,330b,330c)은 노즐 몸체(310)의 중공홈(311)과 노즐 샤프트(320)의 설치 중공(321)까지 연장될 수 있으며, 상기 백 노즐(330a,330b,330c)의 상단은 노즐 몸체(310)의 상부로 돌출되도록 설치될 수 있다.
한편 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 퍼지 유닛(P)은 환형의 유로(350), 가스 공급통로(360), 그리고 배기통로(370)를 포함한다.
환형의 유로(350)는 비회전부에 속하는 노즐 몸체(310)와 회전부에 속하는 노즐 하우징(340)의 사이에 형성된 유격 공간이다.
그리고, 가스 공급통로(360)는 유로(350)에 질소(N2)와 같은 퍼지 가스를 공급한다.
퍼지 가스 중 일부는 유로(350)를 통해 백 노즐 스커트(700)와 노즐 몸체(110) 사이에 형성된 통로를 지나 기판(W)의 아래쪽으로 분사되어, 백 노즐(330a,330b,330c)에 의해 분사된 약액이 유로(350)에 다시 유입되는 것을 막고 기판(W) 하면에 분사되어 떨어지는 처리액을 외측으로 몰아낸다.
그리고, 퍼지 가스 중 일부는 베어링(B)에 의해 발생되는 파티클이 포함된 기류가 유로(350)를 통해 기판의 하면으로 분사되는 것을 막는다.
상기 배기통로(370)는 파티클 기류의 흐름을 저지하는 퍼지 가스와 흐름이 저지된 파티클 기류를 아래쪽으로 배기한다.
도시된 바와 같이, 상기 배기통로(370)는 회전축(800)의 내면과 노즐 샤프트(320)의 외면 사이에 형성될 수 있다.
상기 환형의 유로(350)는 버퍼부(351), 제1 퍼지 유로(352), 및 제2 퍼지 유로(353)를 포함할 수 있다.
상기 버퍼부(351)는 링 형상을 가지며 노즐 몸체(310)와 노즐 하우징(340) 사이에 형성된다.
상기 버퍼부(351)에는 가스 공급통로(360)가 공급하는 퍼지 가스가 충전된다.
상기 버퍼부(351)에 퍼지 가스가 충전됨에 따라 버퍼부(351)의 내부 압력은 커지게 된다.
상기 제1 퍼지 유로(352)는 버퍼부(351)에 충전된 퍼지 가스가 기판(W)의 하면으로 분사되기 위한 유동 경로를 제공한다.
상기 제1 퍼지 유로(352)는 전체적으로 링 형상을 가지며, 버퍼부(351)의 상부로부터 노즐 몸체(310)와 노즐 하우징(340) 사이의 개방된 상부까지 연장된다.
상기 제2 퍼지 유로(353)는 전체적으로 링 형상을 가지며 상기 회전축(800)과 노즐 샤프트(320) 사이의 베어링(B)까지 연장된다.
구체적으로, 상기 제2 퍼지 유로(353)는 상기 버퍼부(351)의 상부로부터 돌출되며 일차로 절곡된 후 아래쪽으로 연장되어 상기 베어링(B)까지 이어지는 구성으로 되어 있다.
이러한 구성에 따라, 상기 베어링(B)에서 발생한 파티클이 상기 제2 퍼지 유로(353)을 통해 상승하는 것이 용이하지 않으며 상기 버퍼부(351)에서 공급되는 퍼지 가스 등에 의한 압력에 의해 파티클이 상승하여 노즐 몸체(310) 위로 유출되는 것이 거의 불가능하므로 기판(W)이 파티클에 의해 손상되는 것을 확실히 차단할 수 있다.
더욱이 상기 버퍼부(351)의 내부 압력에 의해 상기 제2 퍼지 유로(353)를 통한 파티클의 상승 유동이 더욱 효과적으로 차단된다.
본 발명에 있어서, 상기 퍼지 유닛(P)을 구성하는 환형의 유로(350), 가스 공급통로(360), 그리고 배기통로(370)는 전술한 구조 외의 다양한 구성으로 이루어질 수 있다.
한편, 도 4에 도시한 바와 같이, 약액(처리액)을 분사하는 백 노즐(330a,330b,330c)은 세정을 위한 케미컬 약액을 공급하기 위한 세정용 백 노즐(330a), 린스(헹굼)를 위해 초순수(DIW) 등의 린스액을 분사하기 위한 린스용 백 노즐(330b), 및 이소프로필 알코올(IPA) 가스를 공급하기 위한 건조용 백 노즐(330c)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 복수의 백 노즐(330a,330b,330c)은 노즐 몸체(310)와 노즐 샤프트(320)를 상하로 관통하여 중공홈(311)과 설치 중공(321)을 각각 지나 연장되도록 구성되며, 상기 백 노즐(330a,330b,330c)의 상단은 노즐 몸체(310)의 상부에 설치된 노즐 스커트(700)를 상하로 관통하여 설치된다.
상기 노즐 스커트(700)는 상기 노즐 몸체(310)의 상부에 설치되되, 상기 상기 제1 퍼지 유로(352)로부터 배출되는 퍼지 가스가 수평으로 안내되도록 가장자리 부분에서 바닥면이 노즐 몸체(310)의 상면과 이격되어 틈(777)이 형성되어 있다.
상기 노즐 스커트(700)는 백 노즐(330a,330b,330c)을 상부에서 지지하도록 하는 것과 함께 회전부의 상면에 잔류하는 처리액이나 세정액이 회전부와 비회전부 사이에 유입되는 것을 방지하고 외측으로 밀어내어 제거함으로써, 처리액 등이 노즐 하우징(340) 등에 잔류하는 경우 건조과정에서 증발하면서 기판(W)의 하면에 얼룩 등 손상을 야기하는 것을 방지할 수 있다.
도 5 내지 도 9에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 상기 백 노즐 스커트(700)에는, 백 노즐(330a,330b,330c)이 상하방향으로 관통하는 노즐 지지공(710a,710b,710c), 바닥면에서 상기 백 노즐 어셈블리(300)에 형성된 환형의 유로(350)와 대향되게 형성되는 환형의 도입홈(720), 바닥면에서 상기 환형의 도입홈(720)으로부터 백 노즐 스커트(700)의 중앙을 향해 연장되는 연결홈(730), 바닥면에서 상기 연결홈(730)에 연통되며 중앙 영역에 형성되는 임시 수용홈(740), 및 상기 임시 수용홈(740)의 바닥에 위치하며 상기 백 노즐 스커트(700)의 상면까지 관통되게 형성되는 분사공(750)이 형성된다.
이러한 구성에 따라, 상기 환형의 유로(350)로부터 배출되는 퍼지 가스가 상기 환형의 도입홈(720), 연결홈(730), 임시 수용홈(740) 및 분사공(750)을 통해 백 노즐 스커트(700)의 상면 위에 분사되어 백 노즐 스커트(700)의 상면에 잔류한 처리액 등을 확실하게 외측으로 밀어낼 수 있게 된다.
또한, 평면도에서 바라볼 때, 상기 분사공(750)을 상기 회전축(800)의 회전방향을 따라 형성되는 복수개로 구성하여 상기 백 노즐 스커트(700)의 둘레방향을 따라 균일하게 퍼지 가스를 공급함으로써 백 노즐 스커트(700) 상면의 처리액 제거가 한층 신속하게 이루어질 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 측단면에서 바라볼 때, 상기 분사공(750)의 출구(751)는 상기 회전축(800)에 대하여 경사지게 형성되어 상기 백 노즐 스커트(700) 상면에 대한 퍼지 가스의 접근이 한층 용이하도록 하는 것이 바람직하다.
이에 따라, 상기 분사공(750)의 수직 단면형상이 상기 백 노즐 스커트(700)를 평면도에서 바라보게 되면 상기 분사공(750)의 출구는 타원 형상을 이루게 된다.
특히, 상기 분사공(750)은 입구(752)로부터 상기 회전축(800)과 나란한 방향으로 연장되다 출구(751)까지 경사지게 형성되어 제조를 한층 용이하게 할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 저면도에서 바라볼 때, 상기 백 노즐 스커트(700)는 원형의 외곽 형상을 가지며, 상기 환형의 도입홈(720)은 원형으로 구성되고, 상기 연결홈(730)은 상기 환형의 도입홈(720)으로부터 백 노즐 스커트(700)의 중앙을 향해 방사상으로 형성되어 퍼지 가스의 이동 경로를 최소화함으로써 환형의 도입홈(720)으로부터 퍼지 가스를 신속하게 분사공(750)을 통해 분사하는 것이 바람직하다.
또한 이 경우, 저면도에서 바라볼 때, 상기 연결홈(730)은 원주방향을 따라 형성되는 복수개로 구성되어 한층 균일하고 신속하게 분사할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
한편, 저면도에서 바라볼 때, 상기 백 노즐 스커트(700)의 중앙에는 노즐 지지공(710c)이 형성되며, 상기 분사공(750)은 상기 중앙의 노즐 지지공(710c)의 둘레에 형성되어 퍼지 가스의 균일한 분사가 이루어지도록 할 수 있다.
이때, 상기 복수의 분사공(750)의 출구(751) 중심은 각각 백 노즐 스커트(700)의 중앙에 대하여 하나의 동심원 상에 배치되는 것이 바람직하다.
특히, 상기 백 노즐 스커트(700)의 원형의 외곽 형상, 원형의 환형 도입홈(720) 및 복수의 분사공(750)이 배열된 원형은 동심원으로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 평면도에서 바라볼 때, 중앙으로부터 중앙의 노즐 지지공(710c)을 제외한 다른 노즐 지지공(710a,710b)의 중심까지의 길이는 중앙으로부터 분사공(750)의 중심까지의 길이보다 길게 형성되어 백 노즐 스커트(700)에 백 노즐(330a,330b,330c), 기판 감지 센서(780), 및 후술하는 체결수단(760) 등의 설치구조가 콤팩트하게 되어 그 크기를 크게 줄일 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 백 노즐 스커트(700)에는 상기 기판 감지 센서(780)가 관통 설치되기 위한 센서 지지공(790)이 형성될 수 있으며, 백 노즐 스커트(700)의 중앙으로부터 센서 지지공(790)의 중심까지의 길이는 중앙으로부터 분사공(750)의 중심까지의 길이보다 길게 형성되는 것이 바람직하다.
상기 백 노즐 스커트(700)와 백 노즐 어셈블리(300)의 노즐 몸체(310)는 접시머리 볼트와 같은 체결수단(760)에 의해 결합될 수 있으며, 이 경우 상기 백 노즐 스커ㅌ트(700)에는 상기 체결수단(760)이 관통하는 체결공(770)이 형성된다.
본 발명의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위 내에서 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
10... 유체 공급 유닛
20... 바울 조립체
30... 승강 유닛
100... 척 베이스
170... 중공부
200... 척핀
300... 백 노즐 어셈블리
310... 노즐 몸체
311... 중공홈
318... 설치벽
319... 삽입공
320... 노즐 샤프트
321... 설치 중공
330a,330b,330c... 백 노즐
340... 노즐 하우징
345... 설치공
350... 환형의 유로
351... 버퍼부
352... 제1 퍼지 유로
353... 제2 퍼지 유로
360... 가스 공급통로
370... 배기통로
700... 노즐 스커트
710a,710b,710c... 노즐 지지공
720... 환형의 도입홈
730... 연결홈
740... 임시 수용홈
750... 분사공
751... 분사공의 출구
752... 분사공의 입구
760... 체결수단
780... 기판 감지 센서
790... 센서 지지공
500... 모터
800... 회전축
810... 회전축의 중공 부분
1000... 기판 처리장치
B... 베어링
P... 퍼지 유닛
S... 기판 지지장치
W... 기판
20... 바울 조립체
30... 승강 유닛
100... 척 베이스
170... 중공부
200... 척핀
300... 백 노즐 어셈블리
310... 노즐 몸체
311... 중공홈
318... 설치벽
319... 삽입공
320... 노즐 샤프트
321... 설치 중공
330a,330b,330c... 백 노즐
340... 노즐 하우징
345... 설치공
350... 환형의 유로
351... 버퍼부
352... 제1 퍼지 유로
353... 제2 퍼지 유로
360... 가스 공급통로
370... 배기통로
700... 노즐 스커트
710a,710b,710c... 노즐 지지공
720... 환형의 도입홈
730... 연결홈
740... 임시 수용홈
750... 분사공
751... 분사공의 출구
752... 분사공의 입구
760... 체결수단
780... 기판 감지 센서
790... 센서 지지공
500... 모터
800... 회전축
810... 회전축의 중공 부분
1000... 기판 처리장치
B... 베어링
P... 퍼지 유닛
S... 기판 지지장치
W... 기판
Claims (9)
- 회전축에 의해 회전 가능하게 설치되는 척 베이스를 포함하는 기판 지지장치;
상기 기판의 상면에 처리액을 공급하는 유체 공급 유닛;
상기 척 베이스의 중앙에 형성된 중공부를 통해 설치되어 기판의 하면에 처리액을 분사하기 위한 백 노즐 어셈블리; 및
상기 백 노즐 어셈블리의 상부에 설치되되 가장자리 부분에서 바닥면이 상기 백 노즐 어셈블리와 이격되게 배치되는 백 노즐 스커트;
를 포함하며,
상기 백 노즐 스커트에는,
백 노즐이 상하방향으로 관통하는 노즐 지지공;
바닥면에서 상기 백 노즐 어셈블리에 형성된 환형의 유로와 대향되게 형성되는 환형의 도입홈;
바닥면에서 상기 환형의 도입홈으로부터 백 노즐 스커트의 중앙을 향해 연장되는 연결홈;
바닥면에서 상기 연결홈에 연통되며 중앙 영역에 형성되는 임시 수용홈; 및
상기 임시 수용홈의 바닥에 위치하며 상기 백 노즐 스커트의 상면까지 관통되게 형성되는 분사공;
이 형성되는 것을 특징으로 하는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치. - 제1항에 있어서,
평면도에서 바라볼 때, 상기 분사공은 상기 회전축의 회전방향을 따라 형성되는 복수개로 구성되는 것을 특징으로 하는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치. - 제2항에 있어서,
측단면에서 바라볼 때, 상기 분사공의 출구는 상기 회전축에 대하여 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치. - 제3항에 있어서,
상기 분사공은 입구로부터 상기 회전축과 나란한 방향으로 연장되다 출구까지 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치. - 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
저면도에서 바라볼 때, 상기 백 노즐 스커트는 원형의 외곽 형상을 가지며, 상기 환형의 도입홈은 원형으로 구성되고, 상기 연결홈은 상기 환형의 도입홈으로부터 백 노즐 스커트의 중앙을 향해 방사상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치. - 제5항에 있어서,
저면도에서 바라볼 때, 상기 연결홈은 원주방향을 따라 형성되는 복수개로 구성되는 것을 특징으로 하는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치. - 제6항에 있어서,
저면도에서 바라볼 때, 상기 백 노즐 스커트의 중앙에는 노즐 지지공이 형성되며, 상기 분사공은 상기 노즐 지지공의 둘레에 형성되는 것을 특징으로 하는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치. - 제6항에 있어서,
평면도에서 바라볼 때, 중앙으로부터 중앙의 노즐 지지공을 제외한 다른 노즐 지지공의 중심까지의 길이는 중앙 영역으로부터 분사공의 중심까지의 길이보다 길게 형성되는 것을 특징으로 하는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 백 노즐 스커트와 백 노즐 어셈블리는 체결수단에 의해 결합되는 것을 특징으로 하는 백 노즐 스커트를 포함하는 기판 처리장치.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Citations (2)
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---|---|---|---|---|
KR20080062221A (ko) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR20110058560A (ko) | 2009-11-26 | 2011-06-01 | 세메스 주식회사 | 백 노즐 어셈블리 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
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KR20110058560A (ko) | 2009-11-26 | 2011-06-01 | 세메스 주식회사 | 백 노즐 어셈블리 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
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