KR20230011957A - 펠리클 프레임, 펠리클, 펠리클 부착 노광 원판, 반도체의 제조 방법, 액정 표시판의 제조 방법 및 노광 방법 - Google Patents

펠리클 프레임, 펠리클, 펠리클 부착 노광 원판, 반도체의 제조 방법, 액정 표시판의 제조 방법 및 노광 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, EUV 노광용의 펠리클 프레임으로서, 해당 펠리클 프레임에는 적어도 1개의 통기부가 설치되고, 해당 통기부 내에는, 수지로 피복된 다공질막을 갖는 필터가 부착되는 것을 특징으로 하는 펠리클 프레임, 해당 펠리클 프레임에 펠리클막이 장설되는 것을 특징으로 하는 펠리클, EUV 노광용의 펠리클 부착 노광 원판으로서, 노광 원판에 상기 펠리클이 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 펠리클 부착 노광 원판, 반도체의 제조 방법, 액정 표시판의 제조 방법 및 노광 방법을 제공한다. 본 발명의 펠리클 프레임은, EUV 노광에 있어서 수소 라디칼에 충분히 내성이 있다.

Description

펠리클 프레임, 펠리클, 펠리클 부착 노광 원판, 반도체의 제조 방법, 액정 표시판의 제조 방법 및 노광 방법
본 발명은, 펠리클 프레임, 펠리클, 펠리클 부착 노광 원판, 반도체의 제조 방법, 액정 표시판의 제조 방법 및 노광 방법에 관한 것이다.
근래, LSI의 디자인 룰은 서브 쿼터 미크론으로 미세화가 진행되고 있으며, 그것에 수반하여, 노광 광원의 단파장화가 진행되고 있다. 즉, 노광 광원은 수은 램프에 의한 g선(436nm), i선(365nm)으로부터, KrF 엑시머 레이저(248nm), ArF 엑시머 레이저(193nm) 등으로 이행하고 있으며, 더 나아가서는 주파장(主波長) 13.5nm의 EUV(Extreme Ultra Violet) 광을 사용하는 EUV 노광이 검토되고 있다.
LSI, 초(超)LSI 등의 반도체 제조 또는 액정 표시판의 제조에 있어서는, 반도체 웨이퍼 또는 액정용 원판에 광을 조사하여 패턴을 제작하는데, 이 경우에 이용하는 리소그래피용 포토마스크 및 레티클(이하, 총칭하여 「노광 원판」이라고 기술한다)에 먼지가 부착되어 있으면, 이 먼지가 광을 흡수하거나, 광을 구부려 버리기 때문에, 전사한 패턴이 변형되거나, 에지가 조잡한 것이 되는 것 외에, 하지(下地)가 검게 오염되거나 하여, 치수, 품질, 외관 등이 손상된다는 문제가 있었다.
이러한 작업은, 통상 클린룸에서 행하여지고 있지만, 그래도 노광 원판을 항상 청정하게 유지하는 것은 어렵다. 그래서, 노광 원판 표면에 먼지 막이로서 펠리클을 첩부(貼付)한 후에 노광을 하는 방법이 일반적으로 채용되고 있다. 이 경우, 이물은 노광 원판의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클 상에 부착되기 때문에, 리소그래피 시에 초점을 노광 원판의 패턴 상에 맞추어 두면, 펠리클 상의 이물은 전사에 무관하게 된다.
이 펠리클의 기본적인 구성은, 알루미늄이나 티탄 등으로 이루어지는 펠리클 프레임의 상단면에 노광에 사용되는 광에 대해 투과율이 높은 펠리클막이 장설(張設)되는 동시에, 하단면에 기밀용(氣密用) 개스킷이 형성되어 있는 것이다. 기밀용 개스킷은 일반적으로 점착제층이 이용되고, 이 점착제층의 보호를 목적으로 한 보호 시트가 첩부된다. 펠리클막은, 노광에 이용하는 광(수은 램프에 의한 g선(436nm), i선(365nm), KrF 엑시머 레이저(248nm), ArF 엑시머 레이저(193nm) 등)을 잘 투과시키는 니트로셀룰로오스, 초산(酢酸) 셀룰로오스, 불소계 폴리머 등으로 이루어지지만, EUV 노광용에서는, 펠리클막으로서 극박(極薄) 실리콘막이나 탄소막이 검토되고 있다.
그런데, 펠리클용 필터로는, 그 이물 보수 능력 때문에 HEPA 필터(High Efficiency Particulate Air Filter)나 ULPA 필터(Ultra Low Penetration Air Filter)에서 사용되는 것과 같은 다공질막이 사용되어 왔다. EUV용 펠리클에 있어서도, 예를 들면 특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 마찬가지의 필터를 이용하는 것이 검토되고 있다.
그러나, EUV 노광 장치 내에는, EUV 광을 발생시킬 때에 발생하는 비산 입자(debris)라고 불리는 이물을 효율 좋게 제거하기 위해, 수소 가스로 채워져 있다. 그 수소 가스가 EUV 광과 반응하여, 수소 라디칼이 된다. 그 때문에, EUV용 펠리클에는, 종래의 KrF 펠리클이나 ArF 펠리클에서는 필요하다고 여겨져 오지 않았던, 수소 라디칼에 대해 충분히 내성이 요구된다.
일반적으로, 필터는 이물 포집을 위해, 다공질막을 갖고, 다공질막의 간극을 기체가 통과할 때에, 이물을 다공질막에서 포획하여, 이물이 없는 기체만을 통과시킨다. 그 성질상, 다공질막은 펠리클에서 사용되는 부재 중에서도 가장 표면적이 커서, 수소 라디칼을 포함하는 기체에 가장 노출되는 것을 용이하게 상상할 수 있다. 이 때문에, 다공질막이 수소 라디칼에 의해 열화되고, 간극이 커지면 이물 포집률도 저하될 수 있다. 그 때문에, 필터에 사용되는 다공질막에는 높은 수소 라디칼 내성이 필요하게 된다.
국제공개 제2016/043292호
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, EUV 노광에 있어서 수소 라디칼에 충분히 내성이 있는 펠리클 프레임, 및 해당 펠리클 프레임을 이용한 펠리클, 펠리클 부착 노광 원판, 반도체의 제조 방법, 액정 표시판의 제조 방법 및 노광 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는, 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, EUV 노광에 있어서 수소 라디칼에 내성이 있는 펠리클 프레임으로서, 펠리클 프레임에 설치되는 통기부 내에, 수지로 피복된 다공질막을 갖는 필터를 설치하는 것, 바람직하게는, 다공질막을 피복하는 수지를 실리콘 수지 또는 에폭시 수지로 형성함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 찾아내어, 본 발명을 완성하기에 이른 것이다.
따라서, 본 발명은, 하기의 펠리클 프레임, 펠리클, 펠리클 부착 노광 원판, 반도체의 제조 방법, 액정 표시판의 제조 방법 및 노광 방법을 제공한다.
1. EUV 노광용의 펠리클 프레임으로서, 해당 펠리클 프레임에는 적어도 1개의 통기부가 설치되고, 해당 통기부 내에는, 수지로 피복된 다공질막을 갖는 필터가 부착되는 것을 특징으로 하는 펠리클 프레임.
2. 상기 다공질막이, 불소 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지 및 폴리올레핀 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 수지로 이루어지는 수지제 다공질막인 상기 1 기재의 펠리클 프레임.
3. 상기 다공질막이, 폴리테트라플루오로에틸렌 다공질막인 상기 1 기재의 펠리클 프레임.
4. 상기 다공질막을 피복하는 수지가, 실리콘 수지 또는 에폭시 수지인 상기 1 또는 2 기재의 펠리클 프레임.
5. 상기 필터가, 다공질막을 지지하는 통기성 지지층을 갖는 상기 1 또는 2 기재의 펠리클 프레임.
6. 상기 다공질막이, 복수의 노드와 복수의 피브릴을 갖고, 이웃하는 노드가 피브릴에 의해 접속되어 있는 상기 1 또는 2 기재의 펠리클 프레임.
7. 상기 통기성 지지층이, 직포, 부직포, 네트 및 메시로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 상기 5 기재의 펠리클 프레임.
８. 펠리클 프레임의 두께는, 2.5mm 미만인 상기 1 또는 2 기재의 펠리클 프레임.
9. EUV 노광용 펠리클로서, 상기 1 기재의 펠리클 프레임에 펠리클막이 장설되는 것을 특징으로 하는 펠리클.
10. 펠리클의 높이가 2.5mm 이하인 상기 9 기재의 펠리클.
11. 상기 펠리클막은, 틀에 지지된 펠리클막인 상기 9 또는 10 기재의 펠리클.
12. 노광 원판에 상기 9 기재의 펠리클이 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 펠리클 부착 노광 원판.
13. 노광 원판이, EUV용 노광 원판인 상기 12 기재의 펠리클 부착 노광 원판.
14. EUV 리소그래피에 이용되는 펠리클 부착 노광 원판인 상기 12 기재의 펠리클 부착 노광 원판.
15. 상기 12 기재의 펠리클 부착 노광 원판을 이용하여 EUV 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
16. 상기 12 기재의 펠리클 부착 노광 원판에 의해 EUV 노광하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체의 제조 방법.
17. 상기 12 기재의 펠리클 부착 노광 원판에 의해 EUV 노광하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시판의 제조 방법.
18. 수소 플라스마 환경하에서 사용되는 펠리클 프레임으로서, 해당 펠리클 프레임에는 적어도 1개의 통기부가 설치되고, 해당 통기부 내에는, 수지로 피복된 다공질막을 갖는 필터가 부착되는 것을 특징으로 하는 펠리클 프레임.
19. 상기 다공질막이, 불소 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지 및 폴리올레핀 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 수지로 이루어지는 수지제 다공질막인 상기 18 기재의 펠리클 프레임.
20. 상기 다공질막이, 폴리테트라플루오로에틸렌 다공질막인 상기 18 기재의 펠리클 프레임.
21. 상기 다공질막을 피복하는 수지가, 실리콘 수지 또는 에폭시 수지인 상기 18 또는 19 기재의 펠리클 프레임.
22. 상기 필터가, 다공질막을 지지하는 통기성 지지층을 갖는 상기 18 또는 19 기재의 펠리클 프레임.
23. 상기 다공질막이, 복수의 노드와 복수의 피브릴을 갖고, 이웃하는 노드가 피브릴에 의해 접속되어 있는 상기 18 또는 19 기재의 펠리클 프레임.
24. 상기 통기성 지지층이, 직포, 부직포, 네트 및 메시로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 상기 22 기재의 펠리클 프레임.
25. 펠리클 프레임의 두께는, 2.5mm 미만인 상기 18 또는 19 기재의 펠리클 프레임.
26. 수소 플라스마 환경하에서 사용되는 펠리클로서, 상기 18 기재의 펠리클 프레임에 펠리클막이 장설되는 것을 특징으로 하는 펠리클.
27. 펠리클의 높이가 2.5mm 이하인 상기 26 기재의 펠리클.
28. 상기 펠리클막은, 틀에 지지된 펠리클막인 상기 26 또는 27 기재의 펠리클.
29. 수소 플라스마 환경하에서 사용되는 펠리클 부착 노광 원판으로서, 노광 원판에 상기 26 기재의 펠리클이 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 펠리클 부착 노광 원판.
30. 노광 원판이, EUV용 노광 원판인 상기 29 기재의 펠리클 부착 노광 원판.
31. EUV 리소그래피에 이용되는 펠리클 부착 노광 원판인 상기 29 기재의 펠리클 부착 노광 원판.
32. 상기 29 기재의 펠리클 부착 노광 원판에 의해, 수소 플라스마 환경하에서 노광이 행하여지는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
33. 상기 29 기재의 펠리클 부착 노광 원판에 의해, 수소 플라스마 환경하에서 노광하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체의 제조 방법.
34. 상기 29 기재의 펠리클 부착 노광 원판에 의해, 수소 플라스마 환경하에서 노광하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시판의 제조 방법.
본 발명에 의하면, EUV 노광에 있어서 수소 라디칼에 충분히 내성이 있는 펠리클 프레임 및 펠리클을 제공할 수 있고, 이 펠리클 부착 노광 원판을 이용한 EUV 노광 방법, 반도체의 제조 방법 및 액정 표시판의 제조 방법에 유용하다.
도 1은, 본 발명의 펠리클 프레임의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 2는, 상기 펠리클 프레임의 A-A선을 따른 단면으로서, 통기부 및 필터부를 나타내는 개략도이다.
이하, 본 발명에 대해, 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명은, 펠리클막을 설치하는 상단면과 포토마스크에 면하는 하단면을 갖는 틀 형상의 펠리클 프레임 및 그것을 사용한 펠리클이다.
펠리클 프레임은 틀 형상이면, 그 형상은 펠리클을 장착하는 포토마스크의 형상에 대응한다. 일반적으로는, 사각형(장방형 또는 정방형) 틀 형상이다. 펠리클 프레임의 모서리부(에지부)의 형상에 대해서는, 그대로 각진(뾰족한) 형상이어도 되고, 또는 R 모따기 또는 C 모따기 등의 모따기를 실시하여, 곡선 형상 등의 다른 형상이어도 된다.
또, 펠리클 프레임에는, 펠리클막을 설치하기 위한 면(여기에서는 상단면이라고 한다)과, 포토마스크 장착 시에 포토마스크에 면하는 면(여기에서는 하단면이라고 한다)이 있다.
통상, 상단면에는, 접착제 등을 개재하여 펠리클막이 설치되고, 하단면에는, 펠리클을 포토마스크에 장착하기 위한 점착제 등이 설치되지만, 이에 한하지 않는다.
펠리클 프레임의 재질에 제한은 없으며, 공지의 것을 사용할 수 있다. EUV용의 펠리클 프레임에서는, 고온에 노출될 가능성이 있기 때문에, 열팽창 계수가 작은 재료가 바람직하다. 예를 들면, Si, SiO 2 , SiN, 석영, 인바(Invar), 티탄, 티탄 합금 등을 들 수 있고, 그중에서도 가공 용이성이나 경량인 점에서 티탄이나 티탄 합금이 바람직하다.
펠리클 프레임의 치수는 특별히 한정되지 않지만, EUV용 펠리클의 높이가 2.5mm 이하로 제한되는 점에서, EUV용의 펠리클 프레임의 두께는 그것보다도 작아져 2.5mm 미만이다.
또, EUV용의 펠리클 프레임의 두께는, 펠리클막이나 마스크 점착제 등의 두께를 감안하면, 1.5mm 이하인 것이 바람직하다. 또, 상기 펠리클 프레임의 두께의 하한치는 1.0mm 이상인 것이 바람직하다.
또, 통상, 펠리클 프레임 측면에는, 핸들링이나 펠리클을 포토마스크로부터 박리할 때에 이용되는 지그 구멍이 설치된다. 지그 구멍의 크기는 프레임의 두께 방향의 길이(원형인 경우는 직경)가 0.5∼1.0mm이다. 구멍의 형상에 제한은 없고, 원형이나 직사각형이어도 된다.
본 발명에서는, 펠리클 프레임에는, 펠리클 내외의 압력 변화를 완화하기 위한 통기부가 설치된다. 통기부의 형상이나 개수에 제한은 없다. 통기부에는 펠리클 내로의 이물 침입을 방지하기 위해, 필터가 설치된다. 필터의 설치 장소는 특별히 제한은 없고, 펠리클 프레임의 내측이나, 통기부의 내부, 또는 펠리클 프레임의 외측에 필터를 설치할 수 있다.
본 발명의 펠리클 프레임은, 수소 라디칼 내성이 있는 수지로 피복된 다공질막을 갖는 필터를 갖는 것을 특징으로 한다. 다공질막으로는, 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, 불소 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지 및 폴리올레핀 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 수지로부터 선택되는 것이 적합하다. 특히, KrF 펠리클이나 ArF 펠리클로서 사용 실적이 있는 불소 수지가 바람직하고, 그 중에서도 특히 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)인 것이 바람직하다.
PTFE 다공질막은, 일반적으로, PTFE의 응집 부분인 노드(결절)와, 노드에 양말단이 결합된 미세한 섬유상 구조체인 무수의 피브릴에 의해 구성된다. 이웃하는 노드는 피브릴에 의해 접속되어 있다. PTFE 다공질막은, 인접하는 피브릴 간의 공간(세공(細孔))을 통기 경로로 하는, 막 두께 방향의 통기성을 갖는다. PTFE 다공질막은 연신 다공질막이라고도 불리며, PTFE의 응집체인 PTFE 시트의 연신에 의해 형성된다. PTFE 시트의 연신에 의해 노드 및 피브릴이 형성되며, 이러한 구성은, 예를 들면 PTFE 시트의 연신 조건에 따라 변화한다.
이 다공질막을 피복하는 수지에 대해서는, 충분한 수소 라디칼 내성을 갖는 것이 바람직하고, 구체적으로는, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 불소 수지, 우레탄 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 수소 라디칼 내성의 관점에서 실리콘 수지 또는 에폭시 수지인 것이 바람직하고, 실리콘 수지인 것이 보다 바람직하다. 다공질막을 수지로 피복하는 방법에 특별히 제한은 없지만, 수지 용액을 조정하여, 다공질막에 포함시키는 방법이 용이하며, 바람직하다. 다공질막에 수지 용액을 포함시키는 방법에 제한은 없고, 예를 들면, 다공질막을 수지 용액에 침지하거나, 수지 용액을 다공질막에 스핀 코팅하거나, 스프레이하는 등의 방법이 가능하다. 수지 용액을 이용함으로써, 다공질막의 틈새에 용이하게 용액이 퍼져, 다공질막의 섬유에 수지를 피복할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 수지에 의한 다공질막의 피복은, 다공질막의 전체 표면을 반드시 피복할 필요는 없고, 요구되는 수소 라디칼 내성에 따라 피복량이나 피복 비율을 조정할 수 있다. 이들 수지를 광이나 열에 의해 가교·경화시킴으로써 수소 라디칼 내성을 향상시킬 수도 있다.
본 발명에 있어서, 필터는, 다공질막 이외의 다른 임의의 부재를 구비할 수 있다. 당해 부재는, 예를 들면, 통기성 지지층이다. 이 경우, 필터는, 다공질막과, 당해 다공질막의 한쪽의 주면(主面)에 배치된 통기성 지지층을 구비한다. 통기성 지지층의 배치에 의해, 필터로서의 강도가 향상되고, 또, 취급성도 향상된다.
통기성 지지층은, 바람직하게는, 다공질막에 비해 두께 방향의 통기성 및 투습성이 높은 층이다. 통기성 지지층에는, 예를 들면, 직포, 부직포, 네트, 메시를 이용할 수 있다. 통기성 지지층을 구성하는 재료는, 예를 들면, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 아라미드 수지이다. 통기성 지지층의 형상은, 다공질막의 형상과 동일해도 되고, 달라도 된다. 통기성 지지층은, 예를 들면, 다공질막과의 열용착, 접착제에 의한 접착 등의 수법에 의해 배치된다. 통기성 지지층은, 다공질막의 한쪽의 주면에 배치되어 있어도, 쌍방의 주면에 배치되어 있어도 된다. 이들 통기성 지지층을 전술한 수지로 피복해도 된다.
또, 펠리클막의 재질에 제한은 없지만, 노광 광원의 파장에 있어서의 투과율이 높고 내광성이 높은 것이 바람직하다. 예를 들면, EUV 노광에 대해서는 극박 실리콘막이나 탄소막 등이 이용된다. 탄소막으로는, 예를 들면, 그래핀, 다이아몬드 라이크 카본, 카본 나노튜브 등의 막을 들 수 있다. 또한, 펠리클막 단독으로의 취급이 어려운 경우에는, 실리콘 등의 틀에 지지된 펠리클막을 이용할 수 있다. 그 경우, 틀의 영역과 펠리클 프레임을 접착함으로써, 펠리클을 용이하게 제조할 수 있다.
본 발명의 펠리클은, 상기와 같은 펠리클 프레임 상단면에, 점착제 또는 접착제를 개재하여, 펠리클막이 설치된다. 점착제나 접착제의 재료에 제한은 없고, 공지의 것을 사용할 수 있다. 펠리클막을 강하게 홀딩하기 위해, 접착력이 강한 점착제 또는 접착제가 바람직하다.
또한, 펠리클 프레임의 하단면에는, 포토마스크에 장착하기 위한 점착제가 형성된다. 일반적으로, 마스크 점착제는, 펠리클 프레임의 전체 둘레에 걸쳐 설치되는 것이 바람직하다.
마스크 점착제로는, 공지의 것을 사용할 수 있고, 아크릴계 점착제나 실리콘계 점착제를 적합하게 사용할 수 있다. 점착제는 필요에 따라서, 임의의 형상으로 가공되어도 된다.
마스크 점착제의 하단면에는, 점착제를 보호하기 위한 이형층(세퍼레이터)이 첩부되어 있어도 된다. 이형층의 재질은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 테트라플루오로에틸렌·퍼플루오로알킬 비닐 에테르 공중합체(PFA), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC), 폴리염화비닐(PVC), 폴리프로필렌(PP) 등을 사용할 수 있다. 또, 필요에 따라서, 실리콘계 이형제나 불소계 이형제 등의 이형제를 이형층의 표면에 도포해도 된다.
본 발명의 펠리클은, 노광 장치 내에서, 노광 원판에 이물이 부착되는 것을 억제하기 위한 보호 부재로서뿐만 아니라, 노광 원판의 보관 시나, 노광 원판의 운반 시에 노광 원판을 보호하기 위한 보호 부재로서도 좋다. 펠리클을 포토마스크 등의 노광 원판에 장착하여, 펠리클 부착 노광 원판을 제조하는 방법에는, 전술한 마스크 점착제로 첩부하는 방법 외, 정전 흡착법, 기계적으로 고정하는 방법 등이 있다.
본 실시형태에 관한 반도체 또는 액정 표시판의 제조 방법은, 상기의 펠리클 부착 노광 원판에 의해 기판(반도체 웨이퍼 또는 액정용 원판)을 노광하는 공정을 구비한다. 예를 들면, 반도체 장치 또는 액정 표시판의 제조 공정의 하나인 리소그래피 공정에 있어서, 집적회로 등에 대응한 포토레지스트 패턴을 기판 상에 형성하기 위해, 스텝퍼에 상기의 펠리클 부착 노광 원판을 설치하여 노광한다. 일반적으로, EUV 노광에서는 EUV 광이 노광 원판에 의해 반사되어 기판으로 유도되는 투영 광학계가 사용되고, 이들은 감압 또는 진공하에서 행하여진다. 이것에 의해, 가령 리소그래피 공정에 있어서 이물이 펠리클 상에 부착되었다고 하더라도, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼 상에 이들 이물은 결상(結像)하지 않기 때문에, 이물의 상(像)에 의한 집적회로 등의 단락(短絡)이나 단선 등을 방지할 수 있다. 따라서, 펠리클 부착 노광 원판의 사용에 의해, 리소그래피 공정에서의 제품 수율을 향상시킬 수 있다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 나타내고, 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예로 제한되는 것은 아니다.
[필터의 수소 라디칼 내성 평가]
15cm 평방(角)의 폴리테트라플루오로에틸렌제 다공질막(PTFE제 다공질막) 및 폴리프로필렌제 메시 형상의 지지체로 이루어지는 필터(닛토 덴코(주) 제조 「TEMISH S-NTF1033-N01」)를 준비했다. 이 필터에 이하의 (1)∼(6)의 각 수지의 1 질량％ 용액을 800rpm, 60초로 스핀 코팅한 후, 12시간, 실온에서 풍건하여 용제를 휘발시켰다.
(1) 실리콘 수지계 점착제
(2) 에폭시 수지계 접착제
(3) 아크릴 수지계 점착제
(4) 불소 수지
(5) 우레탄 수지계 점착제
(6) 미처리
상기 수지를 피복한 필터에 하기 장치에서 수소 플라스마 조사를 실시했다.
(수소 플라스마 조사 조건)
장치: OXFORD INSTRUMENTS사 제조 FlexAL
플라스마원: ICP(유도결합형 플라스마)
처리 조건: 압력 80mTorr, H2 유량 50sccm
파워: 200W
처리 온도: 100℃
처리 시간: 600s
수소 플라스마 조사 후의 필터를 현미경(니콘사 제조 「ECLIPSE LV150」)으로 관찰하고, 이하와 같이 판단했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(판단 기준)
A: PTEF제 다공질막이 존재하고, 필터 구조에 변화가 없는 것을 확인했다.
B: PTFE제 다공질막의 소실을 확인했다.
Figure pct00001
표 1의 결과로부터, 실리콘 수지 또는 에폭시 수지로 피복한 다공질막을 갖는 필터는 수소 플라스마 내성이 뛰어난 것을 확인할 수 있었다. 또, 상기 조건에서는, 아크릴 수지, 불소 수지 및 우레탄 수지로 피복한 다공질막을 갖는 필터에 대해서는, 수소 플라스마에 의해 다공질막이 소실되었다. 그러나, 수소 플라스마의 파워를 줄이거나, 온도를 낮추거나, 처리 시간을 단축하거나 함으로써, 미처리의 필터와 비교하면, 그 우위성을 확인할 수 있다.
[실시예 1]
티탄제 펠리클 프레임(외측 치수 150mm×118mm×1.5mm, 펠리클 프레임 폭 4.0mm)을 준비했다. 도 1, 도 2에 나타내는 바와 같이, 펠리클 프레임(1)의 외측에서 하단면에 걸쳐, L자형으로 통기부(10)를 설치했다. 또한, 도 1 및 도 2에서, 부호 1a는 펠리클 프레임의 상단면을 나타내고, 1b는 펠리클 프레임의 하단면을 나타낸다. 부호 20은, 후술하는 바와 같이, 펠리클 프레임의 하단면 개구부에 설치되는 필터이며, 특별히 도시하고 있지는 않지만 소정의 수지에 의해 피복되어 있다.
PTFE제 다공질막 및 폴리프로필렌제 메시 형상 지지체로 이루어지는 세로 10mm, 가로 2.5mm의 필터(닛토 덴코(주) 제조의 「TEMISH S-NTF1033-N01」)를 준비했다. 계속해서, 실리콘 수지계 점착제(신에쓰 가가쿠 고교(주) 제조 「X-40-3264」) 100 질량부에 경화제(신에쓰 가가쿠 고교(주) 제조 「PT-56」) 1 질량부를 첨가하고 교반한 것을 탄화수소계 용제(엑슨모빌사 제조의 「아이소파 E(Isopar E)」에 용해시켜, 1 질량％로 이루어지는 용액을 준비했다. 이 용액을 필터의 중심부에 1ml 잠기게 한 후, 실온에서 2시간 풍건하여, 완전히 용제를 휘발시켰다. 펠리클 프레임의 하단면 개구부에 상기 필터(도 2 중의 부호 20)를 양면 테이프로 첩부했다.
상기 펠리클 프레임을 중성 세제와 순수(純水)로 세정하고, 해당 펠리클 프레임의 상단면에는 실리콘 수지계 점착제(신에쓰 가가쿠 고교(주) 제조 「X-40-3264」) 100 질량부에 경화제(신에쓰 가가쿠 고교(주) 제조 「PT-56」) 1 질량부를 첨가하여 교반한 것을 폭 1mm, 두께 0.1mm가 되도록 도포했다. 또, 펠리클 프레임의 하단면에는 마스크 점착제로서, 아크릴 수지계 점착제(소켄 가가쿠(주) 제조 「SK 다인 1499M」) 100 질량부에 경화제(소켄 가가쿠(주) 제조 「L-45」) 0.1 질량부를 첨가하여 교반한 것을 전체 둘레에 걸쳐, 폭 1mm, 두께 0.1mm가 되도록 도포했다.
그 후, 펠리클 프레임을 100℃에서 12시간 가열하여, 상하 단면의 점착제를 경화시켰다. 계속해서, 펠리클막으로서 극박 실리콘막을, 펠리클 프레임의 상단면에 형성한 상기 점착제에 압착시켜, 펠리클을 완성시켰다.
[실시예 2]
PTFE제 다공질막 및 폴리프로필렌제 메시 형상 지지체로 이루어지는 세로 10mm, 가로 2.5mm의 필터(닛토 덴코(주) 제조의 「TEMISH S-NTF1033-N01」)를 준비했다. 계속해서, 에폭시 수지계 접착제(미쓰비시 케미컬사 제조의 「1001T75」)를 톨루엔에 용해시켜, 1 질량％로 이루어지는 용액을 준비했다. 이 용액을 필터의 중심부에 1ml 잠기게 한 후, 실온에서 2시간 풍건하여, 완전히 용제를 휘발시켰다. 펠리클 프레임의 하단면 개구부에 상기 필터를 양면 테이프로 첩부했다. 그 외에는, 상기 실시예 1과 동일하게 펠리클을 완성시켰다.
상기 실시예 1 및 실시예 2에 의해, 수소 라디칼에 내성이 있는 필터를 갖는 펠리클을 제공할 수 있는 것을 알 수 있다.
1: 펠리클 프레임 1a: 펠리클 프레임의 상단면
1b: 펠리클 프레임의 하단면 10: 통기부
20: 필터

Claims (34)

  1. EUV 노광용의 펠리클 프레임으로서, 상기 펠리클 프레임에는 적어도 1개의 통기부가 설치되고, 상기 통기부 내에는, 수지로 피복된 다공질막을 갖는 필터가 부착되는 것을 특징으로 하는 펠리클 프레임.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공질막이, 불소 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지 및 폴리올레핀 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 수지로 이루어지는 수지제 다공질막인 펠리클 프레임.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공질막이, 폴리테트라플루오로에틸렌 다공질막인 펠리클 프레임.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 다공질막을 피복하는 수지가, 실리콘 수지 또는 에폭시 수지인 펠리클 프레임.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 필터가, 다공질막을 지지하는 통기성 지지층을 갖는 펠리클 프레임.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 다공질막이, 복수의 노드와 복수의 피브릴을 갖고, 이웃하는 노드가 피브릴에 의해 접속되어 있는 펠리클 프레임.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 통기성 지지층이, 직포, 부직포, 네트 및 메시로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 펠리클 프레임.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    펠리클 프레임의 두께는, 2.5mm 미만인 펠리클 프레임.
  9. EUV 노광용의 펠리클로서, 제 1 항에 기재한 펠리클 프레임에 펠리클막이 장설(張設)되는 것을 특징으로 하는 펠리클.
  10. 제 9 항에 있어서,
    펠리클의 높이가 2.5mm 이하인 펠리클.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 펠리클막은, 틀에 지지된 펠리클막인 펠리클.
  12. 노광 원판에 제 9 항에 기재한 펠리클이 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 펠리클 부착 노광 원판.
  13. 제 12 항에 있어서,
    노광 원판이, EUV용 노광 원판인 펠리클 부착 노광 원판.
  14. 제 12 항에 있어서,
    EUV 리소그래피에 이용되는 펠리클 부착 노광 원판인 펠리클 부착 노광 원판.
  15. 제 12 항에 기재한 펠리클 부착 노광 원판을 이용하여 EUV 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  16. 제 12 항에 기재한 펠리클 부착 노광 원판에 의해 EUV 노광하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체의 제조 방법.
  17. 제 12 항에 기재한 펠리클 부착 노광 원판에 의해 EUV 노광하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시판의 제조 방법.
  18. 수소 플라스마 환경하에서 사용되는 펠리클 프레임으로서, 상기 펠리클 프레임에는 적어도 1개의 통기부가 설치되고, 상기 통기부 내에는, 수지로 피복된 다공질막을 갖는 필터가 부착되는 것을 특징으로 하는 펠리클 프레임.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 다공질막이, 불소 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지 및 폴리올레핀 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 수지로 이루어지는 수지제 다공질막인 펠리클 프레임.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 다공질막이, 폴리테트라플루오로에틸렌 다공질막인 펠리클 프레임.
  21. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    상기 다공질막을 피복하는 수지가, 실리콘 수지 또는 에폭시 수지인 펠리클 프레임.
  22. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    상기 필터가, 다공질막을 지지하는 통기성 지지층을 갖는 펠리클 프레임.
  23. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    상기 다공질막이, 복수의 노드와 복수의 피브릴을 갖고, 이웃하는 노드가 피브릴에 의해 접속되어 있는 펠리클 프레임.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 통기성 지지층이, 직포, 부직포, 네트 및 메시로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 펠리클 프레임.
  25. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    펠리클 프레임의 두께는, 2.5mm 미만인 펠리클 프레임.
  26. 수소 플라스마 환경하에서 사용되는 펠리클로서, 제 18 항에 기재한 펠리클 프레임에 펠리클막이 장설되는 것을 특징으로 하는 펠리클.
  27. 제 26 항에 있어서,
    펠리클의 높이가 2.5mm 이하인 펠리클.
  28. 제 26 항 또는 제 27 항에 있어서,
    상기 펠리클막은, 틀에 지지된 펠리클막인 펠리클.
  29. 수소 플라스마 환경하에서 사용되는 펠리클 부착 노광 원판으로서, 노광 원판에 제 26 항에 기재한 펠리클이 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 펠리클 부착 노광 원판.
  30. 제 29 항에 있어서,
    노광 원판이, EUV용 노광 원판인 펠리클 부착 노광 원판.
  31. 제 29 항에 있어서,
    EUV 리소그래피에 이용되는 펠리클 부착 노광 원판인 펠리클 부착 노광 원판.
  32. 제 29 항에 기재한 펠리클 부착 노광 원판에 의해, 수소 플라스마 환경하에서 노광이 행하여지는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  33. 제 29 항에 기재한 펠리클 부착 노광 원판에 의해, 수소 플라스마 환경하에서 노광하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체의 제조 방법.
  34. 제 29 항에 기재한 펠리클 부착 노광 원판에 의해, 수소 플라스마 환경하에서 노광하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시판의 제조 방법.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0968792A (ja) * 1995-08-31 1997-03-11 Shin Etsu Chem Co Ltd フィルター付ペリクル
JP2000305254A (ja) * 1999-04-22 2000-11-02 Shin Etsu Chem Co Ltd フィルター付きペリクル
JP2007333910A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
JP5047232B2 (ja) * 2009-06-26 2012-10-10 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP6246907B2 (ja) * 2013-05-22 2017-12-13 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学素子及び当該光学素子に対する放射の影響を低減する手段を備えた光学コンポーネント
JP6395320B2 (ja) * 2015-03-30 2018-09-26 信越化学工業株式会社 ペリクル
WO2018116517A1 (ja) * 2016-12-19 2018-06-28 日東電工株式会社 ポリテトラフルオロエチレン多孔質膜とこれを用いた防水通気膜及び防水通気部材

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016043292A1 (ja) 2014-09-19 2016-03-24 三井化学株式会社 ペリクル、その製造方法及び露光方法

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