KR20230011668A - 필름 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

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황재선
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Abstract

본 발명은 필름 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 투명 디스플레이에 메탈 패턴 형성을 위해 감광성 소재 노광시 사용되는 필름 마스크 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.

Description

필름 마스크 및 그 제조방법{FILM MASK AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}
본 발명은 필름 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 투명 디스플레이에 메탈 패턴 형성을 위해 감광성 소재 노광시 사용되는 필름 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 투명 LED 디스플레이는 건축물, 자동차 등의 다양한 분야에서 내외장재로 주목받고 있다. 투명 LED 디스플레이는 건축물, 자동차 등의 설치 구조물의 외관에 밀착되도록 장착되어, 설치 구조물의 외관에 광학적인 이미지를 추가하여 다양한 목적으로 활용될 수 있다.
이때, 투명 LED 디스플레이의 LED에 전원 공급을 위한 배선은 LED 디스플레이가 설치 구조물의 외관을 시각적으로 차단 또는 왜곡시키는 것을 방지하기 위해서 메탈 메시(metal mesh) 패턴으로 형성될 수 있다.
메탈 메시 패턴은 일반적으로 습식 식각(Etch)방식으로 패턴을 형성된다. 예를 들면, 베이스(Base)로서 유리(Glass), PC, 아크릴(Acryl), PET 등의 기재 위에 구리(Cu), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 니켈(Ni) 등의 금속을 도금(Plating) 및 부착(Laminate) 하고, 금속층 위에 감광성 소재 및 메탈 메시 패턴으로 디자인된 필름 마스크를 순차적으로 적층한 뒤, 노광 및 현상 공정을 통해 감광성 소재를 메탈 메시 패턴으로 현상하고, 최종적으로 식각 공정을 통해 금속층을 메탈 메시 패턴으로 형성할 수 있다. 이때, 메탈 메시 패턴의 디자인은 복수의 미세선폭의 배선이 서로 교차하는 형상일 수 있다. 메탈 메시 패턴을 구성하는 미세선폭의 배선은 필름 마스크의 자체 두께 또는 구조에 의해서 선폭이 확장 또는 변경되는 문제가 발생될 수 있다. 이를 문제를 방지하기 위한 필름 마스크 개발이 필요하다.
더하여, 필름 마스크는 디스플레이 기판에 메탈 패턴을 형성하는 공정에서 일회용이 아니 반복적으로 재사용될 수 있으며, 이때, 다회 사용이 가능한 내구성이 필름 마스크에 요구될 수 있다.
본 발명은 필름 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 투명 디스플레이에 메탈 패턴 형성을 위해 감광성 소재 노광시 사용되는 필름 마스크 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 필름 마스크는,
투명 기재와, 상기 투명 기재의 하면에 적층되는 금속층과, 상기 금속층 하면에 적층되는 감광성 수지층을 포함하는 디스플레이 제조용 기판에 적층되는 필름 마스크에 있어서,
메탈 패턴에 따라 상기 감광성 수지층에 조사되는 광의 일부를 차단하는 차단층;
상기 차단층의 하면에 적층되는 투명층; 및
상기 차단층의 상면에 형성되며, 상면이 상기 감광성 수지층의 하면과 밀착되는 코팅층을 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 필름 마스크의 상기 코팅층은 이산화 규소(SiO2)로 형성되는 것일 수 있다.
본 발명의 필름 마스크에서 상기 코팅층의 두께는 20 nm 내지 25 nm로 형성되는 것일 수 있다.
본 발명의 필름 마스크의 상기 차단층은 상기 투명층의 상면에 감광액이 도포됨으로써 형성되고, 상기 감광액은 아크릴, 에폭시, 실리케이트 및 사이올레인 중 하나 또는 둘 이상의 조합으로 마련되는 것일 수 있다.
본 발명의 필름 마스크에서 상기 차단층의 두께는 5 ㎛ 내지 30 ㎛로 형성되는 것일 수 있다.
본 발명의 필름 마스크의 상기 투명층은 PET, PEN, TAC, PMMA 및 Glass 중 하나 또는 둘 이상의 조합으로 마련되고, 상기 투명층은 320 nm 내지 400 nm의 광이 투과되는 것일 수 있다.
본 발명의 필름 마스크 제조방법은,
상기 투명층을 준비하는 투명층 준비 단계;
상기 투명층의 상면에 감광액을 도포하여 차단층을 형성하는 차단층 형성 단계;
상기 차단층의 일부 영역을 노광하여 패턴을 형성하는 패턴 노광 단계:
상기 차단층에 현상액을 도포하여 패턴을 현상하는 패턴 현상 단계; 및
상기 차단층의 상면에 SiO2를 증착하여 코팅층을 형성하는 코팅층 형성 단계를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 필름 마스크 제조방법의 상기 패턴 노광 단계에서, 상기 일부 영역은 LDI(laser direct imaging) 통해 노광되는 것일 수 있다.
본 발명의 필름 마스크 제조방법의 상기 코팅층 형성 단계에서, SiO2는 상기 차단층의 상면에 CVD(chemical vapor deposition) 방식으로 증착되는 것일 수 있다.
본 발명의 필름 마스크 제조방법의 상기 현상 단계에서, 제1 영역에서 상기 차단층이 보존되고, 상기 제1 영역을 제외한 제2 영역에서 차단층이 제거되어 상기 투명층의 상면이 노출되며, 상기 코팅층 형성 단계에서, 상기 SiO2는 상기 제1 영역에서의 상기 차단층의 상면과 상기 제2 영역에서의 상기 투명층의 상면에 증착되는 것일 수 있다.
본 발명의 필름 마스크는 노광 시에 광이 필름 마스크의 패턴 홀을 통과하면서 퍼지는 현상을 억제하며, 초미세 메탈 패턴이 요구되는 디스플레이 기판에 최적화된 것일 수 있다.
본 발명의 필름 마스크는 메탈 메시 패턴과 같이 미세 선폭 배선이 요구되는 고정에서 사용 가능한 것일 수 있다.
본 발명의 필름 마스크는 반복적인 사용에서 차단층의 손상을 최소화하여 내구성이 극대화된 것일 수 있다.
도 1은 본 발명의 필름 마스크가 디스플레이 제조용 기판에 적층된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 필름 마스크를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 필름 마스크 제조방법을 나타내는 블록도이다.
도 4a 내지 4d는 필름 마스크 제조방법의 각 단계를 나타내는 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 필름 마스크가 적용되어 제조된 메탈 패턴을 촬영한 사진이다.
도 5b는 종래의 필름 마스크가 적용되어 제조된 메탈 패턴을 촬영한 사진이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다. 또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 한다.
본 발명의 설명에 있어서, 유의하여야 할 점은 용어 "중심", "상", "하" "좌", "우", "수직", "수평", "내측", "외측" 등이 지시한 방위 또는 위치 관계는 도면에서 나타낸 방위 또는 위치 관계, 또는 평소에 본 발명 제품을 사용할 시 배치하는 방위 또는 위치관계에 기초한 것이고, 본 발명의 설명과 간략한 설명을 위한 것일 뿐, 표시된 장치 또는 소자가 반드시 특정된 방위를 가지고 특정된 방위로 구성되거나 조작되어야 하는 것을 제시 또는 암시하는 것이 아니므로 본 발명을 제한하는 것으로 이해해서는 아니 된다.
도 1은 본 발명의 필름 마스크(100)가 디스플레이 제조용 기판에 적층된 상태를 나타내는 단면도이다. 도 2는 본 발명의 필름 마스크(100)를 나타내는 단면도이다. 도 3은 본 발명의 필름 마스크 제조방법을 나타내는 블록도이다. 도 4a 내지 4d는 필름 마스크 제조방법의 각 단계를 나타내는 단면도이다. 도 5a는 본 발명의 필름 마스크가 적용되어 제조된 메탈 패턴을 촬영한 사진이다. 도 5b는 종래의 필름 마스크가 적용되어 제조된 메탈 패턴을 촬영한 사진이다.
이하, 도 1 내지 도 5b를 참조하여, 본 발명의 필름 마스크(100) 및 그 제조방법에 대해서 상세히 설명한다.
본 발명의 필름 마스크(100)는 디스플레이 기판에서 메탈 패턴 형성 공정에서 사용되는 것일 수 있다. 구체적으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 필름 마스크(100)는 투명 기재(11)와, 상기 투명 기재(11)의 하면에 적층되는 금속층(13)과, 상기 금속층(13) 하면에 적층되는 감광성 수지층(15)을 포함하는 디스플레이 제조용 기판에 적층되는 것일 수 있다.
디스플레이 기판에 메탈 패턴을 형성하는 공정은, 투명 기재(11)에 금속층(13)을 형성하는 단계; 금속층(13)에 감광성 수지층(15)을 적층하는 단계; 감광성 수지층(15)의 일부 영역을 노광하는 단계; 감광성 수지층(15)에 현상액을 도포하여 감광성 수지층(15)의 일부를 제거하는 단계; 및 금속층(13)에 식각액을 도포하여 메탈 패턴을 제외한 부분의 금속층(13)을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 디스플레이 제조용 기판은 상기 공정을 거쳐서 디스플레이 기판으로 제조될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 필름 마스크(100)는 상기 감광성 수지층(15)의 일부 영역을 노광하는 단계에서 감광성 수지층(15)을 덮어 감광성 수지층(15)의 일부 영역에만 광이 조사되도록 할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 필름 마스크(100)는,
메탈 패턴에 따라 상기 감광성 수지층(15)에 조사되는 광의 일부를 차단하는 차단층(110);
상기 차단층(110)의 하면에 적층되는 투명층(120); 및
상기 차단층(110)의 상면에 형성되며, 상면이 상기 감광성 수지층(15)의 하면과 밀착되는 코팅층(130)을 포함하는 것일 수 있다.
필름 마스크(100)에서, 차단층(110)은 디스플레이 기판의 메탈 패턴 형성 공정의 노광 단계에서 광이 통과하기 위한 노광홀(111)이 형성된 것일 수 있다. 디스플레이 기판의 메탈 패턴 형성 공정의 감광성 수지층(15)의 일부 영역을 노광하는 단계에서, 노광되는 영역은 광에 노출된 부분이 제거되는 포지티브(positive) 형이냐, 노출되지 않는 부분이 제거되는 네거티브(negative) 형이냐에 따라 차단층(110)의 노광홀(111)은 다르게 형성될 수 있다. 구체적으로, 포지티브 형일 경우 메탈 패턴 형성 영역에 대응하는 영역을 제외한 부분에 노광홀(111)이 형성되며, 네거티브 형일 경우 메탈 패턴 형성 영역에 대응하는 영역에 노광홀(111)이 형성될 수 있다.
도 1에 표시된 일점쇄선의 화살표 방향이 상기 감광성 수지층(15)의 일부 영역을 노광하는 단계에서 광의 입사방향일 수 있다. 상기 감광성 수지층(15)의 일부 영역을 노광하는 단계에서, 광은 필름 마스크(100)의 투명층(120) 및 노광홀(111)을 통과하여 감광성 수지층(15)에 도달할 수 있다.
상기 차단층(110)은 상기 투명층(120)의 상면에 감광액이 도포됨으로써 형성되고, 상기 감광액은 아크릴, 에폭시, 실리케이트 및 사이올레인 중 하나 또는 둘 이상의 조합으로 마련되는 것일 수 있다. 상기 차단층(110)의 두께는 5 ㎛ 내지 30 ㎛로 형성되는 것일 수 있다. 차단층(110)의 두께가 과도하게 얇으면 반복 사용을 위해 요구되는 내구성을 만족할 수가 없고, 차단층(110)의 두께가 과도하게 두꺼우면 노광홀(111)을 통과하면서 광이 퍼지는 현상이 증폭되어, 노광홀(111)의 크기보다 더 큰 영역에서 감광성 수지층(15)이 노광될 수 있다. 따라서, 상기 차단층(110)의 두께는 5 ㎛ 내지 30 ㎛로 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
투명층(120)은 차단층(110)을 지지하는 기능을 하는 것일 수 있다. 상술한 바와 같이, 차단층(110)의 최대 두께는 광이 수평방향으로 과도하게 확산되는 것을 방지하기 위해서 상한 값이 존재할 수밖에 없고, 이러한 경우에 충분한 강성을 가지기 어려울 수 있다. 따라서, 투명층(120)은 차단층(110)의 형상이 변하지 않고 일정하게 유지할 수 있도록, 차단층(110)과 서로 접착되어, 차단층(110)을 지지하는 기능을 할 수 있다.
상기 투명층(120)은 상기 감광성 수지층(15)의 일부 영역을 노광하는 단계에서 노광에 사용되는 광이 투과하는 소재로 마련될 수 있다. 구체적으로, 상기 투명층(120)은 PET, PEN, TAC, PMMA 및 Glass 중 하나 또는 둘 이상의 조합으로 마련되고, 상기 투명층(120)은 320 nm 내지 400 nm의 광이 투과되는 것일 수 있다. 본 발명의 필름 마스크(100)가 적용되는 디스플레이 기판은 수십 내지 수백 cm의 사이즈로 형성될 수 있고, 필름 마스크(100)의 규격 또한 이에 대응하도록 형성될 수 있다. 이 때, 투명층(120)이 디스플레이 제조용 기판에 탈착하는 과정, 상기 감광성 수지층(15)의 일부 영역을 노광하는 단계 등에서 변형되는 것을 방지하기 위해서, 투명층(120)의 두께는 50㎛ 내지 250㎛ 으로 마련되는 것이 바람직할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 필름 마스크(100)는 디스플레이 제조용 기판과 결합할 때, 감광성 수지층(15)과 차단층(110)이 대면하도록 결합될 수 있다. 만약, 투명층(120)이 감광성 수지층(15)에 접촉하도록, 필름 마스크(100)와 디스플레이 제조용 기판이 결합하게 되면, 상기 감광성 수지층(15)의 일부 영역을 노광하는 단계에서 광은 투명층(120)은 노광홀(111)을 통과한 후 투명층(120)을 거쳐 감광성 수지층(15)에 도달하게 되고, 이러한 경우에 투명층(120)을 통과하면서 광이 굴절 및 회절 등으로 인해서 감광성 수지층(15) 상에서 타겟 영역보다 더 넓은 영역에 조사될 수 있다. 따라서, 본 발명의 필름 마스크(100)는 디스플레이 제조용 기판과 결합할 때, 감광성 수지층(15)과 차단층(110)이 대면하도록 결합될 수 있다. 이때, 본 발명의 필름 마스크(100)가 반복되어 사용되는 경우, 코팅층(130)이 없으면, 차단층(110)이 감광성 수지층(15)에 달라붙어, 필름 마스크(100)를 디스플레이 제조용 기판에 탈부착 하는 과정에, 차단층(110)의 일부가 투명층(120)으로부터 이탈하게 되어 차단층(110)이 손상될 수 있다. 이를 방지하기 위해서, 코팅층(130)이 차단층(110)의 상면에 형성될 수 있다.
따라서, 코팅층(130)은 감광성 수지층(15)에 접착되지 않는 소재로 형성될 수 있으며, 코팅층(130)은 이산화 규소(SiO2)로 형성되는 것일 수 있다. 상기 코팅층(130)의 두께는 20 nm 내지 25 nm로 형성되는 것일 수 있다. 코팅층(130) 또한 과도하게 두꺼워지면 상술한 광 퍼짐 문제가 발생할 수 있기 때문에, 상기 코팅층(130)의 두께는 20 nm 내지 25 nm로 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
이하, 본 발명의 필름 마스크(100)를 제조하는 필름 마스크 제조방법에 대해서 설명한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 필름 마스크 제조방법은,
상기 투명층(120)을 준비하는 투명층 준비 단계(S100);
상기 투명층(120)의 상면에 감광액을 도포하여 차단층(110)을 형성하는 차단층 형성 단계(S200);
상기 차단층(110)의 일부 영역을 노광하여 패턴을 형성하는 패턴 노광 단계(S300):
상기 차단층(110)에 현상액을 도포하여 패턴을 현상하는 패턴 현상 단계(S400); 및
상기 차단층(110)의 상면에 SiO2를 증착하여 코팅층(130)을 형성하는 코팅층 형성 단계(S500)를 포함하는 것일 수 있다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 투명층 준비 단계(S100)에서, 투명층(120)은 평면의 플레이트 형상으로 마련될 수 있다. 투명층(120)은 PET, PEN, TAC, PMMA 및 Glass 중 하나 또는 둘 이상의 조합으로 마련되고, 열처리하여 내열성을 향상시켜 마련될 수 있다. 예를 들어, 투명층(120)은 120℃ 내지 150℃의 온도에서 열처리된 PET인 것일 수 있다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 차단층 형성 단계(S200)에서, 차단층(110)은 투명층(120)의 상면에 형성될 수 있다. 차단층(110)은 감광액을 투명층(120)의 상면에 도포하고, 암실 건조기에서 건조하여 형성될 수 있다.
패턴 노광 단계(S300)에서, 상기 일부 영역은 LDI(laser direct imaging) 통해 노광되는 것일 수 있다. 감광액이 포지티브 형일 경우 노광홀(111)에 대응하는 영역을 제외한 부분에 광이 조사되며, 네거티브 형일 경우 노광홀(111)에 대응하는 영역에 광이 조사될 수 있다.
패턴 현상 단계(S400)를 거치면 도 4c에 도시된 바와 같이 노광홀(111)이 차단층(110)에 형성될 수 있다.
상기 코팅층 형성 단계(S500)에서, SiO2는 상기 차단층(110)의 상면에 CVD(chemical vapor deposition) 방식으로 증착되는 것일 수 있다.
도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 현상 단계에서, 제1 영역(A)에서 상기 차단층(110)이 보존되고, 상기 제1 영역(A)을 제외한 제2 영역(B)에서 차단층(110)이 제거되어 상기 투명층(120)의 상면이 노출되며, 상기 코팅층 형성 단계(S500)에서, 상기 SiO2는 상기 제1 영역(A)에서의 상기 차단층(110)의 상면과 상기 제2 영역(B)에서의 상기 투명층(120)의 상면에 증착되는 것일 수 있다. 즉, 노광홀(111)에 해당하는 영역인 제2 영역(B)에는 투명층(120)에 바로 코팅층(130)이 형성되며, 노광홀(111)에 해당하지 않는 영역인 제1 영역(A)에는 차단층(110)에 코팅층(130)이 형성될 수 있다.
도 5a는 본 발명의 필름 마스크를 적용하여 제작된 메탈 패턴을 촬영한 사진이며, 도 5b는 투명층과 차단층이 본 발명의 필름 마스크와 반대로 적층된 종래의 필름 마스크를 적용하여 제작된 메탈 패턴 필름을 촬영한 사진이다. 도 5a 및 도 5b의 두 필름 마스크 모두 노광홀(111)의 폭은 10 ㎛로 형성되었다.
도 5a의 메탈 패턴의 선폭은 필름 마스크의 노광홀(111)과 거의 유사한 값으로 형성되었지만, 도 5b의 메탈 패턴의 선폭은 필름 마스크의 노광홀(111)의 폭의 두 배이상으로 확장되는 것을 볼 수 있다.
본 발명의 필름 마스크는 차단층(110)을 감광성 수지층(15)에 최대한 인접시킴으로써, 메탈 패턴의 선폭이 과도하게 확장되는 것을 방지하고, 코팅층(130)을 형성함으로써, 고가의 필름 마스크의 내구도를 향상시켜, 사용횟수를 극대화시킬 수 있다.
이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
11...투명 기재 13...금속층
15...감광성 수지층 100...필름 마스크
110...차단층 111...노광홀
120...투명층 130...코팅층
A...제1 영역 B...제2 영역

Claims (10)

  1. 투명 기재와, 상기 투명 기재의 하면에 적층되는 금속층과, 상기 금속층 하면에 적층되는 감광성 수지층을 포함하는 디스플레이 제조용 기판에 적층되는 필름 마스크에 있어서,
    메탈 패턴에 따라 상기 감광성 수지층에 조사되는 광의 일부를 차단하는 차단층;
    상기 차단층의 하면에 적층되는 투명층; 및
    상기 차단층의 상면에 형성되며, 상면이 상기 감광성 수지층의 하면과 밀착되는 코팅층을 포함하는 것인 필름 마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 코팅층은 이산화 규소(SiO2)로 형성되는 것인 필름 마스크.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 코팅층의 두께는 20 nm 내지 25 nm로 형성되는 것인 필름 마스크.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 차단층은 상기 투명층의 상면에 감광액이 도포됨으로써 형성되고,
    상기 감광액은 아크릴, 에폭시, 실리케이트 및 사이올레인 중 하나 또는 둘 이상의 조합으로 마련되는 것인 필름 마스크.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 차단층의 두께는 5 ㎛ 내지 30 ㎛로 형성되는 것인 필름 마스크.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 투명층은 PET, PEN, TAC, PMMA 및 Glass 중 하나 또는 둘 이상의 조합으로 마련되고,
    상기 투명층은 320 nm 내지 400 nm의 광이 투과되는 것인 필름 마스크.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한항을 따른 필름 마스크를 제조하는 필름 마스크 제조방법에 있어서,
    상기 투명층을 준비하는 투명층 준비 단계;
    상기 투명층의 상면에 감광액을 도포하여 차단층을 형성하는 차단층 형성 단계;
    상기 차단층의 일부 영역을 노광하여 패턴을 형성하는 패턴 노광 단계:
    상기 차단층에 현상액을 도포하여 패턴을 현상하는 패턴 현상 단계; 및
    상기 차단층의 상면에 SiO2를 증착하여 코팅층을 형성하는 코팅층 형성 단계를 포함하는 것인 필름 마스크 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 패턴 노광 단계에서,
    상기 일부 영역은 LDI(laser direct imaging) 통해 노광되는 것인 필름 마스크 제조방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 코팅층 형성 단계에서,
    SiO2는 상기 차단층의 상면에 CVD(chemical vapor deposition) 방식으로 증착되는 것인 필름 마스크 제조방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 현상 단계에서, 제1 영역에서 상기 차단층이 보존되고, 상기 제1 영역을 제외한 제2 영역에서 차단층이 제거되어 상기 투명층의 상면이 노출되며,
    상기 코팅층 형성 단계에서, 상기 SiO2는 상기 제1 영역에서의 상기 차단층의 상면과 상기 제2 영역에서의 상기 투명층의 상면에 증착되는 것인 필름 마스크 제조방법.
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EP3410213B1 (en) * 2016-01-27 2021-05-26 LG Chem, Ltd. Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask
KR102340837B1 (ko) * 2017-11-10 2021-12-17 주식회사 엘지화학 필름 마스크 및 그 제조 방법
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