JP2020174129A - 保持部材、転写部材、保持部材の製造方法、転写部材の製造方法、及び、発光基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 77
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 181
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 58
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 36
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 20
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 19
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 12
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020830 Sn-Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018728 Sn—Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
二次元配列された第1領域と、前記第1領域以外の第2領域と、を有する透光性の基材と、
前記基材の一方の側の面上であって前記第1領域に設けられた複数の突出部と、
前記基材の前記一方の側の面上であって前記第2領域内に設けられた遮光部と、
前記突出部の先端面にそれぞれ設けられた粘着層と、
を備える。
二次元配列された第1領域と、前記第1領域以外の第2領域と、を有する透光性の基材と、
前記基材の一方の側の面上であって前記第1領域に設けられた複数の遮光部と、
前記遮光部上に設けられた突出部と、
前記突出部の先端面にそれぞれ設けられた粘着層と、
を備える。
前記複数の遮光部を接続する接続部を更に備え、
前記遮光部および前記接続部は導電性を有していてもよい。
上記保持部材と、
各突出部に前記粘着層を介して保持された複数の発光ダイオードチップと、
を備える。
二次元配列された第1領域と前記第1領域以外の第2領域とを有する透光性の基材の一方の側の面上であって前記第2領域内に遮光部を形成する工程と、
前記基材および前記遮光部を前記一方の側から覆うように、感光性材料を含んだ感光性膜を設ける工程と、
前記基材の他方の側から光を照射して、前記感光性膜の前記第1領域に対面する部分を露光する工程と、
前記感光性膜を現像して、前記感光性膜の前記露光された部分からなる突出部を形成する工程と、
前記突出部の前記一方の側となる面に粘着層を設ける工程と、
を含む。
二次元配列された第1領域と前記第1領域以外の第2領域とを有する透光性の基材の一方の側の面上であって前記第1領域に複数の遮光部を形成する工程と、
前記基材および前記遮光部を前記一方の側から覆うように、感光性材料を含んだ感光性膜を設ける工程と、
前記基材の他方の側から光を照射して、前記感光性膜の前記第2領域に対面する部分を露光する工程と、
前記感光性膜を現像して、前記遮光部の前記一方の側に位置する突出部を前記感光性膜から形成する工程と、
前記突出部の前記一方の側となる面に粘着層を設ける工程と、
を含む。
前記複数の遮光部を形成する工程において、前記複数の遮光部を接続する接続部を形成し、
前記遮光部および前記接続部は、導電性を有してもよい。
ダイシングされた発光ダイオードチップを有するチップ基板を上記保持部材の前記粘着層に接触させて、複数の前記発光ダイオードチップを前記保持部材の前記複数の突出部に保持させる工程を含む。
上記転写部材を、回路基板上に異方性導電性粘着層またははんだ層を介して配置して、発光ダイオードチップを前記異方性導電性粘着層または前記はんだ層に接触させる工程と、
前記異方性導電性粘着層または前記はんだ層を介して各発光ダイオードチップと前記回路基板とを接合させる工程と、
前記回路基板と接合した発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させて、前記保持部材を除去する工程と、
を含む。
前記回路基板と接合した発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させて、前記保持部材を除去する工程の前に、前記転写部材を前記回路基板に向けて押圧して各発光ダイオードチップと前記回路基板に形成された回路とを電気的に接続する工程を更に含んでいてもよい。
次に、以上のような保持部材30の製造方法について、図7乃至図15を参照しつつ説明する。
まず、基材31の一方の側の面31a上に、遮光部34を形成する。具体的には、図7に示すように、基材31の一方の側の面31a上に、遮光部34を形成するようになる遮光膜60を成膜する。遮光膜60の成膜は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電界めっき法及び無電界めっき法を含むめっき法、CVD法や、金属箔の積層等により行うことができる。
次に、突出部32を作製する。まず、図12に示すように、突出部32を構成するようになる感光性膜65を、基材31および遮光部34に設ける。感光性膜65は、基材31および遮光部34を、その一方の側から覆うように設けられる。感光性膜65は、遮光部34と基材31の第1領域312とに密着して形成される。ここでは、感光性膜65は、感光性材料を含み、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。感光性膜65の具体的な感光特性が特に限られることはない。例えば、感光性膜65として、光硬化型の感光性材料が用いられてもよく、若しくは、光溶解型の感光性材料が用いられてもよい。ここでは、感光性膜65として光硬化型の感光性材料が用いられる例を説明する。
次に、以上のような保持部材30に発光ダイオードチップ50を保持させてなる転写部材35の製造方法について、図16乃至図19を参照しつつ説明する。以下の説明では、一例として、保持部材30に第1発光ダイオードチップ50Rが保持された転写部材35の製造方法について説明する。
次に、転写部材35の発光ダイオードチップ50を回路基板11に配置して発光基板10を製造する方法について、図20乃至図22を参照しつつ説明する。以下の説明では、一例として、第1発光ダイオードチップ50Rを回路基板11に配置する方法について説明する。
次に、図23乃至図27を参照して、上述の一実施の形態における保持部材の変形例について説明する。図23乃至図27に示す変形例の保持部材130は、図15に示す保持部材30と比較して、遮光部134が基材31の第1領域311に設けられており、突出部32が遮光部134上に設けられている点で異なっている。他の構成は、図15に示す保持部材30と略同一である。図23乃至図27に示す変形例において、図1乃至図22に示す一実施の形態と同一の部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
まず、図25に示すように、基材31の一方の側の面31a上に、遮光部134および接続部138を形成する。遮光部134および接続部138は、図7乃至図11に示す遮光部34の作製方法と同様の方法により、遮光膜60から同一工程で作製することができる。
次に、突出部32を作製する。まず、図26に示すように、突出部32を構成するようになる感光性膜65を、基材31および遮光部34に設ける。感光性膜65は、基材31および遮光部34を、その一方の側から覆うように設けられる。感光性膜65は、遮光部34と基材31の第2領域312とに密着して形成される。本変形例では、感光性膜65は、光溶解型の感光性材料が用いられる。
5 表示面
7 拡散層
10 発光基板
11 回路基板
12 異方性導電性粘着層
13 回路
30,130 保持部材
31 基材
31a 一方の側の面
311 第1領域
312 第2領域
32 突出部
33 粘着層
34,134 遮光部
40 チップ基板
50 発光ダイオードチップ
50R 第1発光ダイオードチップ
50G 第2発光ダイオードチップ
50B 第3発光ダイオードチップ
51 電極
60 遮光膜
65 感光性膜
138 接続部
R1 回路基板の第1領域
R2 回路基板の第2領域
R3 回路基板の第3領域
M1,M2,M3 位置決めマーク
P1x、P1y、P2x、P2y ピッチ
Claims (25)
- 複数の発光ダイオードチップを保持する保持部材であって、
二次元配列された第1領域と、前記第1領域以外の第2領域と、を有する透光性の基材と、
前記基材の一方の側の面上であって前記第1領域に設けられた複数の突出部と、
前記基材の前記一方の側の面上であって前記第2領域内に設けられた遮光部と、
前記突出部の先端面にそれぞれ設けられた粘着層と、
を備える、保持部材。 - 前記遮光部は導電性を有する、請求項1に記載の保持部材。
- 前記遮光部のシート抵抗が1×10−3Ω/□以上1×106Ω/□以下である、請求項2に記載の保持部材。
- 複数の発光ダイオードチップを保持する保持部材であって、
二次元配列された第1領域と、前記第1領域以外の第2領域と、を有する透光性の基材と、
前記基材の一方の側の面上であって前記第1領域に設けられた複数の遮光部と、
前記遮光部上に設けられた突出部と、
前記突出部の先端面にそれぞれ設けられた粘着層と、
を備える、保持部材。 - 前記複数の遮光部を接続する接続部を更に備え、
前記遮光部および前記接続部は導電性を有する、請求項4に記載の保持部材。 - 前記遮光部および前記接続部は同一の厚みを有する、請求項5に記載の保持部材。
- 前記遮光部および前記接続部は一体的に成形されている、請求項5又は6に記載の保持部材。
- 前記遮光部および前記接続部のシート抵抗が1×10−3Ω/□以上1×106Ω/□以下である、請求項5乃至7のいずれか一項に記載の保持部材。
- 前記突出部の厚みは、前記遮光部の厚みよりも厚い、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の保持部材。
- 前記突出部の厚みは5μm以上500μm以下である、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の保持部材。
- 前記突出部の厚みの前記突出部の最大幅に対する比は、0.1以上10以下である、請求項1乃至10のいずれか一項に記載の保持部材。
- 前記遮光部は、クロム、アルミニウム、銅、クロム合金、アルミニウム合金、銅合金、若しくは、これらの酸化物、窒化物、若しくは酸化窒化物、又は、黒色顔料を含む、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の保持部材。
- 前記黒色顔料は、カーボンブラック又はチタンブラックを含む、請求項12に記載の保持部材。
- 前記遮光部の厚み方向の光学濃度(OD)値が1.0以上である、請求項1乃至13のいずれか一項に記載の保持部材。
- 請求項1乃至14のいずれか一項に記載の保持部材と、
各突出部に前記粘着層を介して保持された複数の発光ダイオードチップと、
を備える、転写部材。 - 複数の発光ダイオードチップを保持する保持部材の製造方法であって、
二次元配列された第1領域と前記第1領域以外の第2領域とを有する透光性の基材の一方の側の面上であって前記第2領域内に遮光部を形成する工程と、
前記基材および前記遮光部を前記一方の側から覆うように感光性膜を設ける工程と、
前記基材の他方の側から光を照射して、前記感光性膜の前記第1領域に対面する部分を露光する工程と、
前記感光性膜を現像して、前記感光性膜の前記露光された部分からなる突出部を形成する工程と、
前記突出部の前記一方の側となる面に粘着層を設ける工程と、
を含む、保持部材の製造方法。 - 前記遮光部は導電性を有する、請求項16に記載の保持部材の製造方法。
- 複数の発光ダイオードチップを保持する保持部材の製造方法であって、
二次元配列された第1領域と前記第1領域以外の第2領域とを有する透光性の基材の一方の側の面上であって前記第1領域に複数の遮光部を形成する工程と、
前記基材および前記遮光部を前記一方の側から覆うように感光性膜を設ける工程と、
前記基材の他方の側から光を照射して、前記感光性膜の前記第2領域に対面する部分を露光する工程と、
前記感光性膜を現像して、前記遮光部の前記一方の側に位置する突出部を前記感光性膜から形成する工程と、
前記突出部の前記一方の側となる面に粘着層を設ける工程と、
を含む、保持部材の製造方法。 - 前記複数の遮光部を形成する工程において、前記複数の遮光部を接続する接続部を形成し、
前記遮光部および前記接続部は、導電性を有する、請求項18に記載の保持部材の製造方法。 - 前記複数の遮光部を形成する工程において、前記基材の前記一方の側の面上に設けられた遮光膜をパターニングすることで、前記遮光部および前記接続部を一体的に成形する、請求項19に記載の保持部材の製造方法。
- ダイシングされた発光ダイオードチップを有するチップ基板を請求項1乃至14のいずれか一項に記載の保持部材の前記粘着層に接触させて、複数の前記発光ダイオードチップを前記保持部材の前記複数の突出部に保持させる工程を含む、転写部材の製造方法。
- 請求項15に記載された転写部材を、回路基板上に異方性導電性粘着層またははんだ層を介して配置して、発光ダイオードチップを前記異方性導電性粘着層または前記はんだ層に接触させる工程と、
前記異方性導電性粘着層または前記はんだ層を介して各発光ダイオードチップと前記回路基板とを接合させる工程と、
前記回路基板と接合した発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させて、前記保持部材を除去する工程と、
を含む、発光基板の製造方法。 - 前記回路基板と接合した発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させて、前記保持部材を除去する工程の前に、前記転写部材を前記回路基板に向けて押圧して各発光ダイオードチップと前記回路基板に形成された回路とを電気的に接続する工程を更に含む、請求項22に記載の発光基板の製造方法。
- 前記回路基板と接合した発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させて、前記保持部材を除去する工程の後に、前記回路基板と接合した発光ダイオードチップを前記回路基板に向けて押圧して、各発光ダイオードチップと前記回路基板に形成された回路とを電気的に接続する工程を更に含む、請求項22に記載の発光基板の製造方法。
- 前記回路基板と接合した発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させて、前記保持部材を除去する工程の前に、前記粘着層の粘着性を低下させる工程を更に含む、請求項22乃至24のいずれか一項に記載の発光基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019075106A JP7272078B2 (ja) | 2019-04-10 | 2019-04-10 | 保持部材、転写部材、保持部材の製造方法、転写部材の製造方法、及び、発光基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019075106A JP7272078B2 (ja) | 2019-04-10 | 2019-04-10 | 保持部材、転写部材、保持部材の製造方法、転写部材の製造方法、及び、発光基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020174129A true JP2020174129A (ja) | 2020-10-22 |
JP7272078B2 JP7272078B2 (ja) | 2023-05-12 |
Family
ID=72831907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019075106A Active JP7272078B2 (ja) | 2019-04-10 | 2019-04-10 | 保持部材、転写部材、保持部材の製造方法、転写部材の製造方法、及び、発光基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7272078B2 (ja) |
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- 2019-04-10 JP JP2019075106A patent/JP7272078B2/ja active Active
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