KR20220073301A - Led package and electronic device including the same - Google Patents

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KR20220073301A
KR20220073301A KR1020200161244A KR20200161244A KR20220073301A KR 20220073301 A KR20220073301 A KR 20220073301A KR 1020200161244 A KR1020200161244 A KR 1020200161244A KR 20200161244 A KR20200161244 A KR 20200161244A KR 20220073301 A KR20220073301 A KR 20220073301A
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color
disposed
led package
electrochromic film
wavelength conversion
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KR1020200161244A
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송종섭
테츠오 아리요시
이태현
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 기판 상에 배치되고, 한 쌍의 제1 배선 전극에 전기적으로 연결된 LED 칩, LED 칩 상에 배치된 파장변환 필름, 파장변환 필름 상에 배치되며 한 쌍의 제2 배선 전극에 전기적으로 연결되고, 전압 인가 전에 제1 색상을 가지며, 전압이 인가된 후에 투명하게 전환되도록 구성된 전기변색 필름, 및 LED 칩 및 파장변환 필름 각각의 측면의 적어도 일부를 커버하는 반사층, 및 반사층 상에 배치되며 제2 색상을 갖는 컬러층을 포함하는 측면 구조체를 포함하는 LED 패키지를 제공한다.An embodiment of the present invention is disposed on a substrate, an LED chip electrically connected to a pair of first wiring electrodes, a wavelength conversion film disposed on the LED chip, a wavelength conversion film disposed on a pair of second wiring electrodes An electrochromic film electrically connected to the wiring electrode, having a first color before voltage application, and configured to be transparently converted after voltage is applied, and a reflective layer covering at least a portion of each side of the LED chip and the wavelength conversion film, and Provided is an LED package comprising a side structure disposed on a reflective layer and comprising a color layer having a second color.

Description

LED 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치 {LED PACKAGE AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME}LED package and electronic device comprising same

본 발명은 LED 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an LED package and an electronic device including the same.

LED(Light Emitting Diode)는 낮은 소비 전력, 높은 밝기, 긴 수명 등의 여러 장점을 가지므로, 최근 모바일 폰과 같은 전자 장치의 플래시 모듈로서 LED 칩을 포함하는 LED 패키지가 채용되고 있다. LED 패키지는 그 기능상 전자 장치의 외관에 노출되므로, 디자인 관점에서 전자 장치의 외관과 조화되는 LED 패키지의 개발이 요구된다.Since a light emitting diode (LED) has several advantages such as low power consumption, high brightness, and long lifespan, an LED package including an LED chip has recently been employed as a flash module of an electronic device such as a mobile phone. Since the LED package is exposed to the exterior of the electronic device in terms of its function, it is required to develop an LED package that harmonizes with the exterior of the electronic device from a design point of view.

본 발명이 해결하고자 하는 과제 중 하나는, 소정 색상의 외관을 갖는 LED 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치를 제공하는 것이다.One of the problems to be solved by the present invention is to provide an LED package having an appearance of a predetermined color and an electronic device including the same.

전술한 과제의 해결 수단으로서, 본 발명의 일 실시예는, 한 쌍의 제1 배선 전극 및 한 쌍의 제2 배선 전극을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 상기 한 쌍의 제1 배선 전극에 전기적으로 연결된 LED 칩; 상기 LED 칩 상에 배치된 파장변환 필름; 상기 파장변환 필름 상에 배치되며 상기 한 쌍의 제2 배선 전극에 전기적으로 연결되고, 전압 인가 전에 제1 색상을 가지며, 전압이 인가된 후에 투명하게 전환되도록 구성된 전기변색 필름; 상기 전기변색 필름의 상면 또는 하면에 배치된 광학 렌즈; 및 상기 LED 칩 및 상기 파장변환 필름 각각의 측면의 적어도 일부를 커버하는 반사층, 및 상기 반사층 상에 배치되며 제2 색상을 갖는 컬러층을 포함하는 측면 구조체; 를 포함하는 LED 패키지를 제공한다.As a means of solving the above problems, an embodiment of the present invention provides a substrate including a pair of first wiring electrodes and a pair of second wiring electrodes; an LED chip disposed on the substrate and electrically connected to the pair of first wiring electrodes; a wavelength conversion film disposed on the LED chip; an electrochromic film disposed on the wavelength conversion film, electrically connected to the pair of second wiring electrodes, having a first color before voltage application, and configured to be transparently converted after voltage is applied; an optical lens disposed on the upper or lower surface of the electrochromic film; and a reflective layer covering at least a portion of a side surface of each of the LED chip and the wavelength conversion film, and a side structure including a color layer disposed on the reflective layer and having a second color; It provides an LED package comprising a.

또한, 기판; 상기 기판 상에 배치된 LED 칩; 상기 LED 칩 상에 배치된 파장변환 필름; 상기 파장변환 필름 상에 배치되며, 전압이 인가되기 전에 불투명하고, 전압이 인가된 후 투명하게 전환되도록 구성된 전기변색 필름; 및 상기 반사층, 및 상기 반사층 상에 배치되며 소정의 색상을 갖는 컬러층을 포함하는 측면 구조체; 를 포함하는 LED 패키지를 제공한다.Also, the substrate; an LED chip disposed on the substrate; a wavelength conversion film disposed on the LED chip; an electrochromic film disposed on the wavelength conversion film, opaque before voltage is applied, and configured to be transparent after voltage is applied; and a side structure including the reflective layer and a color layer disposed on the reflective layer and having a predetermined color; It provides an LED package comprising a.

또한, 광학 창을 갖는 투명 커버를 포함하고, 제1 색상을 갖는 세트 커버; 및 상기 광학 창을 통해 광을 방출하도록 상기 세트 커버 내에 배치된 LED 패키지; 를 포함하며, 상기 LED 패키지는, 기판, 상기 기판 상의 LED 칩, 전압이 인가되기 전에 불투명하고 제2 색상을 가지며, 전압이 인가된 후 투명하게 전환되는 상기 LED 칩 상의 전기변색 필름, 상기 LED 칩의 측면을 커버하는 반사층, 및 상기 반사층 상에 배치되며 제3 색상을 갖는 컬러층을 포함하는 전자 장치를 제공한다.Also included is a set cover comprising a transparent cover having an optical window and having a first color; and an LED package disposed within the set cover to emit light through the optical window. The LED package includes: a substrate, an LED chip on the substrate, an electrochromic film on the LED chip that is opaque before a voltage is applied and has a second color, and is converted to transparent after a voltage is applied, the LED chip Provided is an electronic device comprising: a reflective layer covering a side surface of the reflective layer; and a color layer disposed on the reflective layer and having a third color.

본 발명의 실시예들에 따르면, 전기변색 필름 및 측면 컬러층을 도입함으로써, 소정 색상의 외관을 갖는 LED 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치를 제공할 수 있다.According to embodiments of the present invention, by introducing the electrochromic film and the side color layer, it is possible to provide an LED package having an appearance of a predetermined color and an electronic device including the same.

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 나타낸 단면도이고, 도 1b는 도 1a의 LED 패키지의 평면도이다.
도 1c 및 1d는 도 1a의 LED 패키지에 채용 가능한 다양한 LED 칩을 나타낸 단면도들이다.
도 1e는 도 1a의 광학 렌즈를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 나타낸 단면도이고, 도 5b는 도 5a의 광학 렌즈를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 6b은 도 6a의 LED 패키지에 채용 가능한 광 센서의 단면도이고, 6c는 도 6b에 도시된 광 센서의 평면도이다.
도 7a 및 7b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 나타낸 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 LED 패키지를 포함한 전자 장치를 나타낸 사시도이다.
도 9a 및 9b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 구성과 LED 패키지의 결합 상태를 나타낸 단면도들이다.
도 10a 내지 10c는 도 1a의 LED 패키지의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 단면도들이다.1A is a cross-sectional view illustrating an LED package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a plan view of the LED package of FIG. 1A.
1C and 1D are cross-sectional views illustrating various LED chips employable in the LED package of FIG. 1A.
FIG. 1E is an enlarged cross-sectional view of the optical lens of FIG. 1A.
2 is a cross-sectional view showing an LED package according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating an LED package according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing an LED package according to an embodiment of the present invention.
5A is a cross-sectional view illustrating an LED package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5B is an enlarged cross-sectional view of the optical lens of FIG. 5A.
6A is a cross-sectional view illustrating an LED package according to an embodiment of the present invention.
6B is a cross-sectional view of an optical sensor employable in the LED package of FIG. 6A , and FIG. 6C is a plan view of the optical sensor shown in FIG. 6B .
7A and 7B are cross-sectional views illustrating an LED package according to an embodiment of the present invention, respectively.
8 is a perspective view illustrating an electronic device including an LED package according to various embodiments of the present disclosure;
9A and 9B are cross-sectional views illustrating a configuration of an electronic device and a coupled state of an LED package, respectively, according to an embodiment of the present invention.
10A to 10C are cross-sectional views schematically illustrating a method of manufacturing the LED package of FIG. 1A.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 다음과 같이 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지(100A)를 나타낸 단면도이고, 도 1b는 도 1a의 LED 패키지(100A)의 평면도이다. 도 1b는 도 1a의 LED 패키지(100A)의 상면을 도시한다.1A is a cross-sectional view showing an LED package 100A according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a plan view of the LED package 100A of FIG. 1A . FIG. 1B shows a top view of the LED package 100A of FIG. 1A .

도 1a 및 1b를 참조하면, LED 패키지(100A)는 기판(110), LED 칩(120), 파장변환 필름(130), 광학 렌즈(140), 전기변색 필름(150), 및 측면 구조체(160)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, LED 패키지(100A)는 백색 광을 방출하도록 구성될 수 있으며, 전자 장치의 플래시 모듈로 채용될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.1A and 1B , the LED package 100A includes a substrate 110 , an LED chip 120 , a wavelength conversion film 130 , an optical lens 140 , an electrochromic film 150 , and a side structure 160 . ) may be included. In an embodiment, the LED package 100A may be configured to emit white light, and may be employed as a flash module of an electronic device, but is not limited thereto.

기판(110)은 적어도 한 쌍의 제1 배선 전극(111) 및 적어도 한 쌍의 제2 배선 전극(112)이 배치된 상면을 가지며, 내부에 한 쌍의 제1 배선 전극(111) 및 한 쌍의 제2 배선 전극(112)에 연결된 회로를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은, 상면에 배치된 제1 배선 전극들(111) 및 제2 배선 전극들(112)과, 하면에 배치된 제1 외부 배선 전극들(115) 및 제2 외부 배선 전극들(114)과, 서로 대응하는 제1 배선 전극들(111), 제2 배선 전극들(112), 제1 외부 배선 전극들(115) 및 제2 외부 배선 전극들(114)을 연결하는 배선 비아(113)를 포함할 수 있다. 제1 배선 전극(111)은 배선 비아(113)를 통해 제1 외부 배선 전극(115)에 전기적으로 연결되며, 제2 배선 전극(112)은 배선 비아(113)를 통해 제2 외부 배선 전극(113)에 전기적으로 연결될 수 있다. 도면에는 제1 배선 전극들(111), 제2 배선 전극들(112), 제1 외부 배선 전극들(115) 및 제2 외부 배선 전극들(114)을 연결하는 배선 비아(113)만이 도시되었으나, 기판(110) 내부의 회로는 도면에 도시된 구조에 한정되는 것은 아니며 복수의 배선층 및 비아층으로 구성되거나 리드(lead) 단자 형태로 구성될 수도 있다. 일 예에서, LED 패키지(100A)는 다른 기판(예, 메인 보드)에 실장되어 제1 외부 배선 전극들(115) 및 제2 외부 배선 전극들(114)을 통해 외부로부터 구동 신호 등을 전달 받을 수 있다. LED 패키지(100A)는 플립-칩 방식으로 다른 기판에 실장될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 한 쌍의 제1 배선 전극(111) 및 한 쌍의 제2 배선 전극(112)은 각각 LED 칩(120) 및 전기변색 필름(150)과 연결되며, 기판(110) 내에서 한 쌍의 제1 배선 전극(111)과 한 쌍의 제2 배선 전극(112)은 서로 전기적으로 절연될 수 있다. 따라서, 전자 장치에 실장된 상태에서, LED 칩(120) 및 전기변색 필름(150)은 서로 다른 어플리캐이션에 연동되며 독립적으로 작동할 수 있다. 상기 기판(110)은 예를 들어, PCB(Printed Circuit Board), MCPCB(Metal Core PCB), MPCB(Metal PCB), FPCB(Flexible PCB)등의 기판일 수 있다. 기판(110)의 수평 방향(X축 방향) 길이(ℓ1)는 LED 칩(120), 파장변환 필름(130), 광학 렌즈(140), 및 전기변색 필름(150) 각각의 수평 방향(X축 방향) 길이(ℓ2, ℓ3, ℓ4, ℓ5) 보다 클 수 있다.The substrate 110 has a top surface on which at least one pair of first wiring electrodes 111 and at least one pair of second wiring electrodes 112 are disposed, and therein a pair of first wiring electrodes 111 and a pair may include a circuit connected to the second wiring electrode 112 of the . For example, the substrate 110 may include first and second wiring electrodes 111 and 112 disposed on an upper surface, and first and second external wiring electrodes 115 and second external wiring electrodes disposed on a lower surface of the substrate 110 . The wiring electrodes 114 and the corresponding first wiring electrodes 111 , the second wiring electrodes 112 , the first external wiring electrodes 115 , and the second external wiring electrodes 114 are connected to each other. A wiring via 113 may be included. The first wiring electrode 111 is electrically connected to the first external wiring electrode 115 through the wiring via 113 , and the second wiring electrode 112 is connected to the second external wiring electrode ( 113) may be electrically connected. Although only the wiring vias 113 connecting the first wiring electrodes 111 , the second wiring electrodes 112 , the first external wiring electrodes 115 and the second external wiring electrodes 114 are illustrated in the drawing. , the circuit inside the substrate 110 is not limited to the structure shown in the drawings, and may be composed of a plurality of wiring layers and via layers or may be configured in the form of a lead terminal. In one example, the LED package 100A is mounted on another substrate (eg, a main board) to receive a driving signal from the outside through the first external wiring electrodes 115 and the second external wiring electrodes 114 . can The LED package 100A may be mounted on another substrate in a flip-chip method, but is not limited thereto. The pair of first wiring electrodes 111 and the pair of second wiring electrodes 112 are respectively connected to the LED chip 120 and the electrochromic film 150 , and in the substrate 110 , the pair of first wiring electrodes 112 are connected to each other. The wiring electrode 111 and the pair of second wiring electrodes 112 may be electrically insulated from each other. Therefore, in a state mounted on the electronic device, the LED chip 120 and the electrochromic film 150 may be linked to different applications and may operate independently. The substrate 110 may be, for example, a printed circuit board (PCB), a metal core PCB (MCPCB), a metal PCB (MPCB), a flexible PCB (FPCB), or the like. The horizontal direction (X-axis direction) length (ℓ1) of the substrate 110 is the horizontal direction (X-axis) of each of the LED chip 120 , the wavelength conversion film 130 , the optical lens 140 , and the electrochromic film 150 . direction) may be greater than the length (ℓ2, ℓ3, ℓ4, ℓ5).

LED 칩(120)은 기판(110) 상에 배치되고, 그 측면이 측면 구조체(160)에 의해 둘러싸일 수 있다. LED 칩(120)은 한 쌍의 제1 배선 전극(111)에 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시예에서, LED 칩(120)은 플립 칩 방식으로 기판(110)에 실장될 수 있다. 따라서, LED 칩(120)은 솔더, 범프 등의 연결 부재를 통해서 한 쌍의 제1 배선 전극(111)에 전기적으로 연결되는 한 쌍의 전극을 포함할 수 있다. 다른 예에서, LED 칩(120)은 와이어 본딩 방식으로 기판(110)에 실장될 수 있다. 이 경우, LED 칩(120)은 본딩 와이어는 반사층(161)에 의해 커버될 수 있다.The LED chip 120 may be disposed on the substrate 110 , and the side surface thereof may be surrounded by the side structure 160 . The LED chip 120 may be electrically connected to the pair of first wiring electrodes 111 . In one embodiment, the LED chip 120 may be mounted on the substrate 110 in a flip-chip method. Accordingly, the LED chip 120 may include a pair of electrodes electrically connected to the pair of first wiring electrodes 111 through a connection member such as solder or bump. In another example, the LED chip 120 may be mounted on the substrate 110 by wire bonding. In this case, in the LED chip 120 , the bonding wire may be covered by the reflective layer 161 .

이하, 도 1c 및 1d를 참조하여, 예시적인 실시예에 따른 LED 칩(120)에 대하여 설명한다. 도 1c 및 1d는 도 1a의 LED 패키지(100A)에 채용 가능한 다양한 LED 칩(120A, 120B)을 나타낸 단면도들이다.Hereinafter, an LED chip 120 according to an exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 1C and 1D . 1C and 1D are cross-sectional views illustrating various LED chips 120A and 120B employable in the LED package 100A of FIG. 1A .

도 1c를 참조하면, LED 칩(120A)은, 기판(121), 기판(121) 상에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층(124), 활성층(125) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함하는 반도체 적층체(S)를 포함할 수 있다. 기판(121)과 제1 도전형 반도체층(124) 사이에 버퍼층(122)이 배치될 수 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126) 상에 각각 배치된 제1 및 제2 전극(129a, 129b)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1C , the LED chip 120A includes a substrate 121 , a first conductivity-type semiconductor layer 124 , an active layer 125 , and a second conductivity-type semiconductor layer sequentially disposed on the substrate 121 ( 126) including a semiconductor laminate (S). A buffer layer 122 may be disposed between the substrate 121 and the first conductivity-type semiconductor layer 124 . In addition, it may further include first and second electrodes 129a and 129b respectively disposed on the first conductivity-type semiconductor layer 124 and the second conductivity-type semiconductor layer 126 .

기판(121)은 사파이어와 같은 절연성 기판일 수 있다. 하지만, 이에 한정되지 않으며, 기판(121)은 절연성 기판 외에도 도전성 또는 반도체 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(121)은 사파이어 외에도 SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. 기판(121)의 상면에는 요철(C)이 형성될 수 있다. 요철(C)은 광추출 효율을 개선하면서 성장되는 단결정의 품질을 향상시킬 수 있다. The substrate 121 may be an insulating substrate such as sapphire. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate 121 may be a conductive or semiconductor substrate in addition to an insulating substrate. For example, the substrate 121 may be SiC, Si, MgAl 2 O 4 , MgO, LiAlO 2 , LiGaO 2 , or GaN in addition to sapphire. Concave-convex C may be formed on the upper surface of the substrate 121 . The unevenness (C) may improve the quality of the grown single crystal while improving the light extraction efficiency.

버퍼층(122)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1)일수 있다. 예를 들어, 버퍼층(122)는 GaN, AlN, AlGaN, InGaN일 수 있다. 버퍼층(122)은 복수의 층을 조합하거나, 일부 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.The buffer layer 122 may be In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1). For example, the buffer layer 122 may be GaN, AlN, AlGaN, or InGaN. The buffer layer 122 may be used by combining a plurality of layers or by gradually changing some compositions.

제1 도전형 반도체층(124)은 n형 InxAlyGa1-x-yN (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1)을 만족하는 질화물 반도체일 수 있으며, n형 불순물은 Si일 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(124)은 n형 GaN을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 p형 InxAlyGa1-x-yN (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1)을 만족하는 질화물 반도체층일 수 있으며, p형 불순물은 Mg일 수 있다. 예를 들어, 제2 도전형 반도체층(126)은 단층 구조로 구현될 수도 있으나, 본 예와 같이, 서로 다른 조성을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. The first conductivity type semiconductor layer 124 may be a nitride semiconductor satisfying n-type In x Al y Ga 1-xy N (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1), , the n-type impurity may be Si. For example, the first conductivity-type semiconductor layer 124 may include n-type GaN. The second conductivity type semiconductor layer 126 may be a nitride semiconductor layer satisfying p-type In x Al y Ga 1-xy N (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1), , the p-type impurity may be Mg. For example, the second conductivity type semiconductor layer 126 may be implemented as a single-layer structure, but may have a multi-layer structure having different compositions as in this example.

활성층(125)은 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조일 수 있다. 예를 들어, 양자우물층과 양자장벽층은 서로 다른 조성을 갖는 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)일 수 있다. 일 예에서, 양자우물층은 InxGa1-xN (0<x≤1)이며, 양자장벽층은 GaN 또는 AlGaN일 수 있다. 양자우물층과 양자장벽층의 두께는 각각 1㎚~50㎚ 범위일 수 있다. 활성층(125)은 다중양자우물구조에 한정되지 않고, 단일양자우물 구조일 수 있다. The active layer 125 may have a multi-quantum well (MQW) structure in which quantum well layers and quantum barrier layers are alternately stacked. For example, the quantum well layer and the quantum barrier layer may be In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) having different compositions. In one example, the quantum well layer may be In x Ga 1-x N (0<x≤1), and the quantum barrier layer may be GaN or AlGaN. The thickness of the quantum well layer and the quantum barrier layer may be in the range of 1 nm to 50 nm, respectively. The active layer 125 is not limited to a multi-quantum well structure, and may have a single quantum well structure.

제1 및 제2 전극(129a, 129b)은, 동일한 면에 위치하도록, 제1 도전형 반도체층(124)의 메사 에칭된 영역과 제2 도전형 반도체층(126)에 각각 배치될 수 있다. 제1 및 제2 전극(129a, 129b)은 한 쌍의 제1 배선 전극(111)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(129a)은 이에 한정되지 않지만, Ag, Ni, Al, Cr, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 2층 이상의 구조로 채용될 수 있다. 제2 전극(129b)은 투명 전도성 산화물 또는 투명 전도성 질화물과 같은 투명 전극이거나, 그래핀(graphene)을 포함할 수도 있다. 제2 전극(129b)은 Al, Au, Cr, Ni, Ti, Sn 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first and second electrodes 129a and 129b may be respectively disposed on the mesa-etched region of the first conductivity-type semiconductor layer 124 and the second conductivity-type semiconductor layer 126 to be positioned on the same surface. The first and second electrodes 129a and 129b may be electrically connected to the pair of first wiring electrodes 111 , respectively. The first electrode 129a is not limited thereto, but may include a material such as Ag, Ni, Al, Cr, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and the like, and may include a single layer or two or more layers. structure can be employed. The second electrode 129b may be a transparent electrode such as a transparent conductive oxide or a transparent conductive nitride, or may include graphene. The second electrode 129b may include at least one of Al, Au, Cr, Ni, Ti, and Sn.

도 1d를 참조하면, LED 칩(120B)은 도 1c의 실시예와 유사하게, 기판(121)과 기판(121) 상에 배치된 반도체 적층체(S)을 포함할 수 있다. 반도체 적층체(S)는 버퍼층(122), 제1 도전형 반도체층(124), 활성층(125) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함할 수 있다. 또한, LED 칩(120B)은 제1 및 제2 도전형 반도체층(124, 126)에 각각 접속된 제1 및 제2 전극 구조(E1, E2)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1D , the LED chip 120B may include a substrate 121 and a semiconductor stack S disposed on the substrate 121 , similarly to the embodiment of FIG. 1C . The semiconductor stack S may include a buffer layer 122 , a first conductivity type semiconductor layer 124 , an active layer 125 , and a second conductivity type semiconductor layer 126 . In addition, the LED chip 120B may include first and second electrode structures E1 and E2 respectively connected to the first and second conductivity-type semiconductor layers 124 and 126 .

제1 전극 구조(E1)은 제2 도전형 반도체층(126) 및 활성층(125)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(124)과 접속된 도전성 비아와 같은 연결 전극(128a) 및 연결 전극(128a)에 연결된 제1 전극 패드(129a)를 포함할 수 있다. 연결 전극(128a)은 절연부(127)에 의하여 둘러싸여 활성층(125) 및 제2 도전형 반도체층(126)과 전기적으로 분리될 수 있다. 연결 전극(128a)은 반도체 적층체(S)가 식각된 영역에 배치될 수 있다. 연결 전극(128a)은 접촉 저항이 낮아지도록 개수, 형상, 피치 또는 제1 도전형 반도체층(124)과의 접촉 면적 등을 적절히 설계할 수 있다. 또한, 연결 전극(128a)은 반도체 적층체(S) 상에 행과 열을 이루도록 배열됨으로써 전류 흐름을 개선시킬 수 있다. 제2 전극 구조(E2)는 제2 도전형 반도체층(126) 상의 오믹 콘택층(128b) 및 제2 전극 패드(129b)를 포함할 수 있다.The first electrode structure E1 includes a connection electrode 128a such as a conductive via connected to the first conductivity type semiconductor layer 124 through the second conductivity type semiconductor layer 126 and the active layer 125 and a connection electrode ( A first electrode pad 129a connected to 128a may be included. The connection electrode 128a may be surrounded by the insulating part 127 to be electrically separated from the active layer 125 and the second conductivity-type semiconductor layer 126 . The connection electrode 128a may be disposed in a region where the semiconductor stack S is etched. The number, shape, pitch, or contact area of the connection electrodes 128a with the first conductivity type semiconductor layer 124 may be appropriately designed to reduce contact resistance. In addition, the connection electrodes 128a may be arranged to form rows and columns on the semiconductor stack S, thereby improving current flow. The second electrode structure E2 may include an ohmic contact layer 128b and a second electrode pad 129b on the second conductivity type semiconductor layer 126 .

연결 전극(128a) 및 오믹 콘택층(128b)은 각각 제1 및 제2 도전형 반도체층(124, 126)과 오믹 특성을 갖는 도전성 물질이 1층 또는 다층 구조를 포함할 수 있으며, 예를 들어, Ag, Al, Ni, Cr, 투명 도전성 산화물(TCO) 등의 물질를 포함할 수 있다.The connection electrode 128a and the ohmic contact layer 128b may each have a single or multi-layer structure in which the first and second conductivity-type semiconductor layers 124 and 126 and the conductive material having ohmic characteristics are, for example, , Ag, Al, Ni, Cr, may include a material such as a transparent conductive oxide (TCO).

제1 및 제2 전극 패드(129a, 129b)는 각각 연결 전극(128a) 및 오믹 콘택층(128b)에 각각 접속되어 LED 칩(120B)의 외부 단자로 기능할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극 패드(129a, 129b)는 Au, Ag, Al, Ti, W, Cu, Sn, Ni, Pt, Cr, NiSn, TiW, AuSn 또는 이들의 공융 금속일 수 있다. 제1 및 제2 전극 구조(E1, E2)는 서로 동일한 방향으로 배치될 수 있다. 제1 및 제2 전극 구조(E1, E2)는 한 쌍의 제1 배선 전극(111)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first and second electrode pads 129a and 129b may be respectively connected to the connection electrode 128a and the ohmic contact layer 128b to function as external terminals of the LED chip 120B. For example, the first and second electrode pads 129a and 129b may be Au, Ag, Al, Ti, W, Cu, Sn, Ni, Pt, Cr, NiSn, TiW, AuSn, or a eutectic metal thereof. . The first and second electrode structures E1 and E2 may be disposed in the same direction. The first and second electrode structures E1 and E2 may be electrically connected to the pair of first wiring electrodes 111 , respectively.

다시, 도 1a 및 1b를 참조하면, 파장변환 필름(130)은 LED 칩(120) 상에 배치되며, 그 측면이 측면 구조체(160)에 의해 둘러싸일 수 있다. LED 패키지(100A)의 광 방출 영역은 파장변환 필름(130)에 의해 제공되며, 측면 구조체(160)에 의해 정의될 수 있다. 파장변환 필름(130)은 LED 칩(120)으로부터 방출된 광의 일부를 방출 파장과 다른 제1 파장의 광으로 변환하는 적어도 1종의 파장변환 물질을 포함할 수 있다. 파장변환 필름(130)은 파장변환 물질이 분산된 수지층 또는 세라믹 형광체 필름일 수 있다. 예를 들어, 파장변환 물질은 형광체 및 양자점 중 적어도 하나일 수 있다. 일 실시예에서, LED 칩(120)은 청색광을 방출하는 플래시용 LED일 수 있다. 예를 들어, LED 칩(120)은 440㎚~460㎚ 범위인 주파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 이 경우, 파장변환 물질은 청색 광의 일부를 황색 광로 변환하는 형광체 또는 양자점을 포함하거나, 적색 및 녹색으로 변환하는 복수의 형광체 또는 양자점을 포함할 수 있다.Again, referring to FIGS. 1A and 1B , the wavelength conversion film 130 is disposed on the LED chip 120 , and the side surface thereof may be surrounded by the side structure 160 . The light emission region of the LED package 100A is provided by the wavelength conversion film 130 and may be defined by the side structure 160 . The wavelength conversion film 130 may include at least one wavelength conversion material that converts a portion of the light emitted from the LED chip 120 into light of a first wavelength different from the emission wavelength. The wavelength conversion film 130 may be a resin layer in which a wavelength conversion material is dispersed or a ceramic phosphor film. For example, the wavelength conversion material may be at least one of a phosphor and a quantum dot. In one embodiment, the LED chip 120 may be a flash LED that emits blue light. For example, the LED chip 120 may emit light having a dominant wavelength in the range of 440 nm to 460 nm. In this case, the wavelength conversion material may include a phosphor or quantum dot that converts a part of blue light into yellow light, or a plurality of phosphors or quantum dots that converts red and green light.

광학 렌즈(140)는 전기변색 필름(150)의 상면 또는 하면에 배치될 수 있으며, 파장변환 필름(130)을 통과한 광의 집광 또는 확대하여 LED 패키지(100A)의 외부로 방출할 수 있다. 일 실시예에서, 광학 렌즈(140)는 전기변색 필름(150)의 상면에 배치되고, 광학 렌즈(140)의 측면의 적어도 일부는 측면 구조체(160)의 컬러층(161)에 의해 커버될 수 있다. 일 예에서, 광학 렌즈(140)의 상면은 컬러층(161)의 상면 또는 측면 구조체(160)의 상면과 공면일 수 있다. 광학 렌즈(140)의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, DOE(Diffractive Optic Elements) 렌즈, MLA(Micro-Lens Array) 렌즈, 프레넬(Fresnel) 렌즈, 플랫(Flat) 렌즈, 메타(Meta) 렌즈 등을 포함할 수 있다. 광학 렌즈(140)는 아크릴(acrylic), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA), 폴리 비닐 콜라이드(PVC), 폴리 카보네이트(PC), 에폭시(epoxy), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE), 실리콘(silicone)과 같은 고분자 물질 및 용융 실리카와 같은 유리 물질 중 어느 하나를 포함할 수 있으나 이에 제한되지 않는다.The optical lens 140 may be disposed on the upper surface or the lower surface of the electrochromic film 150 , and may be emitted to the outside of the LED package 100A by condensing or expanding the light passing through the wavelength conversion film 130 . In one embodiment, the optical lens 140 may be disposed on the upper surface of the electrochromic film 150 , and at least a portion of the side surface of the optical lens 140 may be covered by the color layer 161 of the side structure 160 . have. In one example, the upper surface of the optical lens 140 may be coplanar with the upper surface of the color layer 161 or the upper surface of the side structure 160 . The type of the optical lens 140 is not particularly limited, but, for example, a Diffractive Optic Elements (DOE) lens, a Micro-Lens Array (MLA) lens, a Fresnel lens, a flat lens, or a meta (Meta) lens. ) may include a lens and the like. The optical lens 140 includes acrylic, polymethyl methacrylate (PMMA), polyvinyl cholide (PVC), polycarbonate (PC), epoxy, high-density polyethylene (HDPE), silicone and It may include, but is not limited to, any one of a polymer material such as a glass material such as fused silica.

이하, 도 1a 및 1b와 함께 도 1e를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 렌즈(140)에 대해 설명한다. 도 1e는 도 1a의 광학 렌즈(140)를 확대하여 나타낸 단면도이다. 도 1e의 복수의 홈들(140GR)의 내측 꼭지점(P)이 도 1b에서 파선으로 도시되었다.Hereinafter, an optical lens 140 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1E together with FIGS. 1A and 1B . FIG. 1E is an enlarged cross-sectional view of the optical lens 140 of FIG. 1A . An inner vertex P of the plurality of grooves 140GR of FIG. 1E is illustrated by a broken line in FIG. 1B .

일 실시예에서, 광학 렌즈(140)는 투광 시트(예, 플라스틱 시트)의 일면에 식각된 복수의 홈(groove)들(140GR)을 가질 수 있다. 광학 렌즈(140)는 복수의 홈들(140GR)이 파장변환 필름(130)을 대향하도록 배치될 수 있으나, 이와 반대로 배치될 수도 있다. 복수의 홈들(140GR)은 서로 동일한 초점을 가진 복수의 개별 렌즈들로 볼 수 있다. 광학 렌즈(140)는 LED 패키지(100A)에서 출사하는 광의 배광 형태를 조절할 수 있다. 예를 들어, 출사 광의 중심 밝기를 낮추고 발산각을 크게(예, 100°이상)하거나, 출사 광의 중심 밝기를 높게하고 발산각을 작게(예, 50°이하)할 수 있다.In an embodiment, the optical lens 140 may have a plurality of grooves 140GR etched on one surface of the light-transmitting sheet (eg, a plastic sheet). In the optical lens 140 , the plurality of grooves 140GR may be disposed to face the wavelength conversion film 130 , but may be disposed oppositely. The plurality of grooves 140GR may be viewed as a plurality of individual lenses having the same focus. The optical lens 140 may adjust the light distribution shape of the light emitted from the LED package 100A. For example, the central brightness of the emitted light may be lowered and the divergent angle may be increased (eg, 100° or more), or the central brightness of the emitted light may be increased and the diverged angle may be decreased (eg, 50° or less).

일 실시예에서, 광학 렌즈(140)는 파장변환 필름(130)을 대향하는 제1 면(140S1)과 제1 면(140S1)의 반대에 위치하고 실질적으로 평탄한 제2 면(140S2)을 가지며, 제1 면(140S1)은 제2 면(140S2)을 향해 리세스된 복수의 홈들(140GR)을 가질 수 있다. 제1 면(140S1)은 파장변환 필름(130)과 대면하는 프레넬 렌즈면일 수 있다. 프레넬 렌즈는 연속적인 동심홈으로 이루어진 광학 렌즈로서, 평행 광선을 일반적인 초점 길이로 굴곡시킬 수 있다. 플레넬 렌즈는 집광 렌즈, 확대경이나 프로젝션 렌즈로 사용될 수 있다.In one embodiment, the optical lens 140 has a first surface 140S1 that faces the wavelength conversion film 130 and a second surface 140S2 that is substantially flat and is positioned opposite to the first surface 140S1, The first surface 140S1 may have a plurality of grooves 140GR recessed toward the second surface 140S2. The first surface 140S1 may be a Fresnel lens surface facing the wavelength conversion film 130 . A Fresnel lens is an optical lens composed of continuous concentric grooves, and can bend parallel rays to a general focal length. A fresnel lens can be used as a condenser lens, a magnifying glass or a projection lens.

광학 렌즈(140)는 전기변색 필름(150)의 상면이나 하면 또는 파장변환 필름(130)의 상면과 부분적으로 접하는 접착부(AP)를 포함할 수 있다. 일 예에서, 광학 렌즈(140)의 접착부(AP)는 광학 렌즈(140)의 가장자리를 따라 연장될 수 있다. 접착부(AP)는 복수의 홈들(140GR) 사이의 돌출부 보다 제2 면(140S2)으로부터 더 멀리 이격될 수 있다. 따라서, 제1 면(140S1)과 전기변색 필름(150) 또는 파장변환 필름(130)의 사이에 에어 갭(air gap)(AG)이 형성될 수 있다. 광학 렌즈(140)의 제1 면(140S1)은 Z축에 평행한 중심축(X)에 대하여 회전 대칭일 수 있고, 에어 갭(AG)의 직경(d1)은 광학 렌즈(140)의 수평 방향(X축 방향) 길이(ℓ4) 보다 작을 수 있다. The optical lens 140 may include an adhesive part AP partially in contact with an upper surface or a lower surface of the electrochromic film 150 or an upper surface of the wavelength conversion film 130 . In an example, the adhesive part AP of the optical lens 140 may extend along an edge of the optical lens 140 . The adhesive part AP may be further spaced apart from the second surface 140S2 than the protrusion between the plurality of grooves 140GR. Accordingly, an air gap AG may be formed between the first surface 140S1 and the electrochromic film 150 or the wavelength conversion film 130 . The first surface 140S1 of the optical lens 140 may be rotationally symmetric with respect to a central axis X parallel to the Z axis, and the diameter d1 of the air gap AG is in the horizontal direction of the optical lens 140 . (X-axis direction) It may be smaller than the length (ℓ4).

일 실시예에서, 광학 렌즈(140)의 수평 방향(X축 방향) 길이(ℓ4)는, LED 칩(120)의 수평 방향(X축 방향) 길이(ℓ2) 보다 클 수 있고, 파장변환 필름(130)과 전기변색 필름(150) 각각의 수평 방향(X축 방향) 길이(ℓ3, ℓ5) 보다 작을 수 있다. 일 예에서, 복수의 홈들(140GR)의 높이(h)는 약 35㎛ 내지 약 65㎛의 범위에 있을 수 있으나, 본 발명의 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니다. 일 예에서, 광학 렌즈(140)는 복수의 홈들(140GR)의 높이(h)가 1 ㎛ 이하인 초박막 형태를 가질수도 있다.In one embodiment, the horizontal direction (X-axis direction) length (ℓ4) of the optical lens 140 may be greater than the horizontal direction (X-axis direction) length (ℓ2) of the LED chip 120, the wavelength conversion film ( 130) and the electrochromic film 150 may be smaller than the horizontal (X-axis direction) lengths (ℓ3, ℓ5) of each. In one example, the height h of the plurality of grooves 140GR may be in a range of about 35 μm to about 65 μm, but embodiments of the present invention are not limited thereto. In one example, the optical lens 140 may have an ultra-thin film in which the height h of the plurality of grooves 140GR is 1 μm or less.

전기변색 필름(150)은 파장변환 필름(130) 상에 배치되며 기판(110)의 한 쌍의 제2 배선 전극(112)에 전기적으로 연결될 수 있다. 전기변색 필름(150)은 전압이 인가되기 전에 소정의 색상을 가지며, 전압이 인가된 후에 투명하게 전환될 수 있다. 또한, 전기변색 필름(150)은 전압이 인가되기 전에 불투명한 상태일 수 있다. 전기변색 필름(150)은 전기변색재료(electrobhromic material)를 포함할 수 있다. 전기변색재료는 전압에 의한 산화-환원 반응으로 가역적으로 색이 변할 수 있다. 전기변색재료는 전압에 의해서 색상뿐만 아니라 투과율을 조절하여 가시성을 확보할 수 있다. 전기변색재료는 예를 들어, 삼산화 텅스텐(WO3), 이산화 타이타늄(TiO2), 오산화 나이오븀(Nb2O5) 과 같은 무기금속 산화물 및 폴리아닐린, 폴리사이오펜, 폴리비오르겐, 폴리피롤과 같은 유기고분자 물질을 포함하는 환원 착색형 물질 및 산화 이리듐(IrO2) 과 같은 산화 착생형 물질을 포함할 수 있다. 전기변색 필름(150)은 전기변색재료로 구성된 변색층에 전압을 인가할 수 있는 전극을 포함할 수 있다. 전기변색 필름(150)의 전극은 전기변색 필름(150)의 면적과 전기변색재료의 반응 시간을 고려하여 다양하게 디지인될 수 있다. 전기변색 필름(150)의 전극은 본딩 와이어, 플렉서블 전극 등의 연결 부재(W)를 통해 기판(110)의 한 쌍의 제2 배선 전극(112)에 전기적으로 연결될 수 있다. 전기변색 필름(150)은 LED 칩(120)과 독립적으로 작동할 수 있다. 전기변색 필름(150)은 LED 칩(120)의 동작 준비상태에서 불투명 상태(전압이 인가되지 않은 상태)를 유지할 수 있고, LED 칩(120)의 동작 상태(광 방출)에서 투명 상태(전압이 인가된 상태)로 전환될 수 있다. LED 칩(120)의 동작 준비상태는, 예를 들어, LED 칩(120)을 작동시킬 수 있는 어플리캐이션(예, 카메라 어플, 소전등 어플 등)이 실행되고, LED 칩(120)의 동작 명령이 내려지지 않은 상태일 수 있다. 따라서, 전기변색 필름(150)은 LED 패키지(100A)의 외관에서 파장변환 필름(130)의 색상(예, 노란색)이 노출되지 않도록 할 수 있다. 또한, 전기변색 필름(150)은 전압이 인가되기 전에 소정의 색상을 가지므로, 전기변색 필름(150)의 색상과 측면 구조체(160)의 컬러층(162)의 색상이 조합되어 LED 패키지(100A)의 외관 디자인이 다양하게 구현될 수 있다.The electrochromic film 150 may be disposed on the wavelength conversion film 130 and may be electrically connected to a pair of second wire electrodes 112 of the substrate 110 . The electrochromic film 150 has a predetermined color before voltage is applied, and may be converted to transparent after voltage is applied. In addition, the electrochromic film 150 may be in an opaque state before voltage is applied. The electrochromic film 150 may include an electrochromic material. An electrochromic material can change color reversibly through an oxidation-reduction reaction by voltage. The electrochromic material can secure visibility by controlling transmittance as well as color by voltage. Electrochromic materials include, for example, inorganic metal oxides such as tungsten trioxide (WO 3 ), titanium dioxide (TiO 2 ), niobium pentoxide (Nb 2 O 5 ), and polyaniline, polythiophene, polybiorgan, polypyrrole and It may include a reduction colored material including an organic polymer material, such as an oxidative epigenetic material, such as iridium oxide (IrO 2 ). The electrochromic film 150 may include an electrode capable of applying a voltage to the color-changing layer made of the electrochromic material. The electrode of the electrochromic film 150 may be variously designed in consideration of the area of the electrochromic film 150 and the reaction time of the electrochromic material. The electrode of the electrochromic film 150 may be electrically connected to the pair of second wire electrodes 112 of the substrate 110 through a connection member W such as a bonding wire or a flexible electrode. The electrochromic film 150 may operate independently of the LED chip 120 . The electrochromic film 150 may maintain an opaque state (a state in which no voltage is applied) in an operation preparation state of the LED chip 120, and a transparent state (a voltage is not applied) in an operational state (light emission) of the LED chip 120 . authorized state). The operation preparation state of the LED chip 120 is, for example, an application capable of operating the LED chip 120 (eg, a camera application, a low light application, etc.) is executed, and the operation of the LED chip 120 . It may be that the order has not been issued. Accordingly, the electrochromic film 150 may prevent the color (eg, yellow) of the wavelength conversion film 130 from being exposed on the exterior of the LED package 100A. In addition, since the electrochromic film 150 has a predetermined color before voltage is applied, the color of the electrochromic film 150 and the color of the color layer 162 of the side structure 160 are combined to form the LED package 100A ) can be implemented in various ways.

일 실시예에서, 전기변색 필름(150)은, 전압이 인가되기 전에, 광 투과율(예, 가시광선에 대한 투과율)이 50% 미만일 수 있으며, 불투명하고 검은색이거나 소정의 색상을 가질 수 있다. 또한, 전압이 인가되기 전에, 전기변색 필름(150)의 색상은 컬러층(162)의 색상과 실질적으로 동일한 색상일 수 있다. 여기서, 동일한 색상이란 물리적, 광학적으로 완전 동일한 색상을 의미하는 것은 아니며, 외관 디자인상 동일한 색상으로 인식할 수 있는 정도를 의미한다. 전기변색 필름(150)은, 전압이 인가된 후에, 광 투과율이 80% 이상일 수 있다. 따라서, 전기변색 필름(150)은 전압이 인가된 후에 LED 칩(120)에서 발생된 광의 방출 경로를 제공할 수 있다.In an embodiment, the electrochromic film 150 may have a light transmittance (eg, transmittance for visible light) of less than 50% before voltage is applied, and may be opaque and black or may have a predetermined color. Also, before voltage is applied, the color of the electrochromic film 150 may be substantially the same as the color of the color layer 162 . Here, the same color does not mean the exact same color physically and optically, but refers to the degree to which the same color can be recognized in terms of appearance design. The electrochromic film 150 may have a light transmittance of 80% or more after voltage is applied. Accordingly, the electrochromic film 150 may provide an emission path of the light generated by the LED chip 120 after a voltage is applied.

일 실시예에서, 전기변색 필름(150)의 폭(ℓ5)은 광학 렌즈(140)의 폭(ℓ4) 보다 크고, 전기변색 필름(150)의 테두리 영역은 컬러층(162)과 수직 방향에서 일부 중첩(OL1)될 수 있다. 따라서, 전기변색 필름(150)은 그 하부의 파장변환 필름(130)이 광학 렌즈(140)를 통해 노출되는 것을 방지할 수 있다. 전기변색 필름(150)의 폭(ℓ5)은 파장변환 필름(130)의 폭(ℓ3)과 실질적으로 동일할 수 있다.In one embodiment, the width ℓ5 of the electrochromic film 150 is greater than the width ℓ4 of the optical lens 140 , and the edge region of the electrochromic film 150 is partially in the vertical direction to the color layer 162 . It can be overlapped (OL1). Accordingly, the electrochromic film 150 may prevent the wavelength conversion film 130 thereunder from being exposed through the optical lens 140 . The width ℓ5 of the electrochromic film 150 may be substantially the same as the width ℓ3 of the wavelength conversion film 130 .

측면 구조체(160)는 LED 칩(120) 및 파장변환 필름(130) 각각의 측면의 적어도 일부를 커버하는 반사층(161), 및 반사층(161) 상에 배치되며 소정의 색상을 갖는 컬러층(162)을 포함할 수 있다. 반사층(161)은 LED 칩(120) 및 파장변환 필름(130) 각각의 측면을 둘러싸며 광방출 영역을 정의할 수 있다. 반사층(161)은 반사성 분말이 함유된 수지체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 수지체는 실리콘(silicone) 또는 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 반사성 분말은 백색 세라믹 분말 또는 금속 분말일 수 있다. 예를 들어, 세라믹 분말은 TiO2, Al2O3, Nb2O5 및 ZnO로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있다. 금속 분말은 Al 또는 Ag와 같은 물질일 수 있다. 반사층(161)은 파장변환 필름(130)의 상면의 높이보다 높게 형성되어, 광학 렌즈(140)에 집광하는 효율을 향상시킬 수 있다. The side structure 160 is disposed on the reflective layer 161 covering at least a portion of each side of the LED chip 120 and the wavelength conversion film 130 , and the reflective layer 161 and a color layer 162 having a predetermined color. ) may be included. The reflective layer 161 may surround each side surface of the LED chip 120 and the wavelength conversion film 130 to define a light emitting region. The reflective layer 161 may include a resin body containing reflective powder. For example, the resin body may include silicone or an epoxy resin. The reflective powder may be a white ceramic powder or a metal powder. For example, the ceramic powder may be at least one selected from the group consisting of TiO 2 , Al 2 O 3 , Nb 2 O 5 and ZnO. The metal powder may be a material such as Al or Ag. The reflective layer 161 may be formed to be higher than the height of the upper surface of the wavelength conversion film 130 to improve the efficiency of condensing light to the optical lens 140 .

컬러층(162)은 예를 들어, 에폭시 수지에 소정의 색상을 나타낼 수 있는 조색제, 착색제, 안료 등을 포함할 수 있다. 컬러층(162)은 반사층(161)의 상부에 배치되어 LED 패키지(100A)의 외관에서 파장변환 필름(130) 등이 노출되는 것을 방지할 수 있다. 컬러층(162)의 상면은 광학 렌즈(140)의 상면과 공면에 있을 수 있다. 컬러층(162)의 두께는 제한되지 않으며 외관상 필요한 색상과 농도를 나타낼 수 있도록 조절될 수 있다. 컬러층(162)의 색상은 전압 인가 전의 전기변색 필름(150)의 색상 및 LED 패키지(100A)가 채용될 전자 장치의 외관 색상과 디자인 적으로 조화될 수 있다. 예를 들어, 컬러층(162)의 색상은 전압 인가 전의 전기변색 필름(150)의 색상 및 LED 패키지(100A)가 채용될 전자 장치의 외관 색상과 실질적으로 동일한 색상일 수 있다. 컬러층(162)의 색상, 전기변색 필름(150)의 색상 및 전자 장치의 외관 색상은 서로 동일한 색상에 한정되지 않으며, 디자인에 따라 서로 다른 색상을 가질 수도 있다.The color layer 162 may include, for example, a colorant, a colorant, a pigment, and the like, capable of giving a predetermined color to the epoxy resin. The color layer 162 may be disposed on the reflective layer 161 to prevent the wavelength conversion film 130 from being exposed from the exterior of the LED package 100A. The upper surface of the color layer 162 may be coplanar with the upper surface of the optical lens 140 . The thickness of the color layer 162 is not limited and may be adjusted so as to represent a necessary color and density in appearance. The color of the color layer 162 may be matched in design with the color of the electrochromic film 150 before voltage application and the exterior color of the electronic device to which the LED package 100A is to be employed. For example, the color of the color layer 162 may be substantially the same as the color of the electrochromic film 150 before voltage application and the exterior color of the electronic device to which the LED package 100A is to be employed. The color of the color layer 162 , the color of the electrochromic film 150 , and the external color of the electronic device are not limited to the same color and may have different colors depending on the design.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지(100B)를 나타낸 단면도이다. 도 2에서 도 1a와 동일한 참조번호의 구성 요소들은 전술한 내용과 동일 또는 유사한 특징을 가지므로 중복되는 설명은 생략한다.2 is a cross-sectional view showing an LED package 100B according to an embodiment of the present invention. In FIG. 2 , elements having the same reference numerals as those of FIG. 1A have the same or similar characteristics as those described above, and thus overlapping descriptions will be omitted.

도 2를 참조하면, LED 패키지(100B)에서 광학 렌즈(140)의 수평 방향(X축 방향) 길이 또는 폭(ℓ4)은 파장변환 필름(130)의 폭(ℓ3) 및 전기변색 필름(150)의 폭(ℓ5) 중 적어도 하나와 실질적으로 동일할 수 있다. 일 실시예에서, 광학 렌즈(140)는 전기변색 필름(150)의 상면에 접하며 광학 렌즈(140)의 폭(ℓ4)은 파장변환 필름(130)의 폭(ℓ3) 및 전기변색 필름(150)의 폭(ℓ5)과 실질적으로 동일할 수 있다. 전기변색 필름(150)과 컬러층(162)의 중첩 영역(도 1a의 'OL1')이 형성되지 않을 수 있다. 광학 렌즈(140)는 파장변환 필름(130)에 의해 정의되는 광방출 영역을 모두 커버하도록 형성될 수 있다. 또한, 광학 렌즈(140)의 폭(ℓ4)과 함께 광학 렌즈(140)와 전기변색 필름(150) 사이의 에어 갭의 직경도 증가되므로, 광학 렌즈(140)의 홈(140GR)의 개수가 증가될 수 있다.2, the horizontal direction (X-axis direction) length or width (ℓ4) of the optical lens 140 in the LED package 100B is the width (ℓ3) of the wavelength conversion film 130 and the electrochromic film 150 may be substantially equal to at least one of the widths ℓ5 of . In one embodiment, the optical lens 140 is in contact with the upper surface of the electrochromic film 150 and the width (ℓ4) of the optical lens 140 is the width (ℓ3) of the wavelength conversion film 130 and the electrochromic film 150 . may be substantially equal to the width (ℓ5) of An overlapping region ('OL1' in FIG. 1A ) of the electrochromic film 150 and the color layer 162 may not be formed. The optical lens 140 may be formed to cover all of the light emitting area defined by the wavelength conversion film 130 . In addition, since the diameter of the air gap between the optical lens 140 and the electrochromic film 150 increases along with the width ℓ4 of the optical lens 140 , the number of grooves 140GR of the optical lens 140 increases. can be

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지(100C)를 나타낸 단면도이다. 도 3에서 도 1a와 동일한 참조번호의 구성 요소들은 전술한 내용과 동일 또는 유사한 특징을 가지므로 중복되는 설명은 생략한다.3 is a cross-sectional view showing an LED package 100C according to an embodiment of the present invention. In FIG. 3 , elements with the same reference numerals as those of FIG. 1A have the same or similar characteristics as those described above, and thus overlapping descriptions will be omitted.

도 3을 참조하면, LED 패키지(100C)에서 파장변환 필름(130), 광학 렌즈(140), 및 전기변색 필름(150) 중 적어도 하나의 수평 방향(X축 방향) 길이 또는 폭은 LED 칩(120)의 폭(ℓ2) 보다 작을 수 있다. 일 실시예에서, 파장변환 필름(130)의 폭(ℓ3), 광학 렌즈(140)의 폭(ℓ4), 및 전기변색 필름(150)의 폭(ℓ5)은 LED 칩(120)의 폭(ℓ2) 보다 작을 수 있다. 측면 구조체(160)의 반사층(161)은 파장변환 필름(130), 광학 렌즈(140), 및 전기변색 필름(150) 각각의 측면과 LED 칩(120)의 상면의 적어도 일부를 커버할 수 있다. 따라서, LED 패키지(100C)의 출사 광의 중심 밝기와 도달 거리가 증가될 수 있다. 또한, LED 패키지(100C)가 채용될 전자 장치의 외관 디자인에 따라 광학 렌즈(140)가 소형화할 수 있다. 도면에서, 파장변환 필름(130)의 폭(ℓ3), 광학 렌즈(140)의 폭(ℓ4), 및 전기변색 필름(150)의 폭(ℓ5)은 서로 동일하게 도시되었으나, 이에 한정되지 않으며, 서로 다른 길이를 가질 수 있다.Referring to FIG. 3 , the horizontal direction (X-axis direction) length or width of at least one of the wavelength conversion film 130 , the optical lens 140 , and the electrochromic film 150 in the LED package 100C is the LED chip ( 120) may be smaller than the width (ℓ2). In one embodiment, the width (ℓ3) of the wavelength conversion film 130, the width (ℓ4) of the optical lens 140, and the width (ℓ5) of the electrochromic film 150 is the width (ℓ2) of the LED chip 120 ) may be smaller than The reflective layer 161 of the side structure 160 may cover at least a portion of the side surface of each of the wavelength conversion film 130 , the optical lens 140 , and the electrochromic film 150 and the upper surface of the LED chip 120 . . Accordingly, the central brightness and the arrival distance of the emitted light of the LED package 100C may be increased. In addition, the optical lens 140 may be miniaturized according to the exterior design of the electronic device to which the LED package 100C is to be employed. In the drawing, the width (ℓ3) of the wavelength conversion film 130, the width (ℓ4) of the optical lens 140, and the width (ℓ5) of the electrochromic film 150 are shown to be identical to each other, but it is not limited thereto, They may have different lengths.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지(100D)를 나타낸 단면도이다. 도 4에서 도 1a와 동일한 참조번호의 구성 요소들은 전술한 내용과 동일 또는 유사한 특징을 가지므로 중복되는 설명은 생략한다.4 is a cross-sectional view showing an LED package 100D according to an embodiment of the present invention. In FIG. 4, elements with the same reference numerals as those of FIG. 1A have the same or similar characteristics as those described above, and thus overlapping descriptions will be omitted.

도 4를 참조하면, LED 패키지(100D)에서, 전기변색 필름(150)은 광학 렌즈(140)의 상부에 배치되어 LED 패키지(100D)의 최상측에서 노출될 수 있다. 일 실시예에서, 광학 렌즈(140)는 전기변색 필름(150)의 하면에 배치되며, 컬러층(162)은 전기변색 필름(150)의 측면의 적어도 일부를 커버할 수 있다. 전기변색 필름(150)의 상면은 컬러층(162)의 상면과 공면일 수 있다. 일 예에서, 전기변색 필름(150)은 광학 렌즈(140)를 커버할 수 있도록, 광학 렌즈(140)의 폭(ℓ4)과 실질적으로 동일한 폭(ℓ5)을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전기변색 필름(150)은 컬러층(162)과 동일한 레벨에 위치하므로, 전기변색 필름(150)의 폭(ℓ5)이 광학 렌즈(140)의 폭(ℓ4) 보다 작은 경우에도 LED 패키지(100D)의 외관으로 광학 렌즈(140) 또는 파장변환 필름(130)이 노출되지 않을 수 있다. 광학 렌즈(140)는 프레넬 면이 파장변활 필름(130)을 향하도록 배치되었으나, 이와 반대로 프레넬 면이 전기변색 필름(150)을 향하도록 배치될 수도 있다.Referring to FIG. 4 , in the LED package 100D, the electrochromic film 150 may be disposed on the optical lens 140 and exposed at the top of the LED package 100D. In an embodiment, the optical lens 140 is disposed on the lower surface of the electrochromic film 150 , and the color layer 162 may cover at least a portion of a side surface of the electrochromic film 150 . The upper surface of the electrochromic film 150 may be coplanar with the upper surface of the color layer 162 . In one example, the electrochromic film 150 may have a width ℓ5 substantially equal to the width ℓ4 of the optical lens 140 to cover the optical lens 140 , but is not limited thereto. . Since the electrochromic film 150 is located on the same level as the color layer 162, even when the width ℓ5 of the electrochromic film 150 is smaller than the width ℓ4 of the optical lens 140, the LED package 100D The optical lens 140 or the wavelength conversion film 130 may not be exposed to the appearance of. The optical lens 140 is disposed so that the Fresnel surface faces the wavelength conversion film 130 , but on the contrary, the Fresnel surface may be disposed so as to face the electrochromic film 150 .

도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지(100E)를 나타낸 단면도이고, 도 5b는 도 5a의 광학 렌즈(140)를 확대하여 나타낸 단면도이다. 도 5a 및 5b에서 도 1a 및 1e와 동일한 참조번호의 구성 요소들은 전술한 내용과 동일 또는 유사한 특징을 가지므로 중복되는 설명은 생략한다.5A is a cross-sectional view illustrating an LED package 100E according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5B is an enlarged cross-sectional view of the optical lens 140 of FIG. 5A. In FIGS. 5A and 5B, elements having the same reference numerals as those of FIGS. 1A and 1E have the same or similar characteristics as those described above, and thus overlapping descriptions will be omitted.

도 5a 및 5b를 참조하면, LED 패키지(100E)는 제1 면(140S1)으로부터 제2 면(140S2)까지 관통하여 에어 갭(AR)과 연통된 벤트 홀(vent hole)(140V)을 갖는 광학 렌즈(140)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 광학 렌즈(140)의 중심부에 벤트 홀(140V)이 형성될 수 있다. 이에 따라, LED 패키지(100E)의 제조 공정에서 광학 렌즈(140)와 전기변색 필름(150)이 분리되는 것을 방지할 수 있다. 일 예에서, 벤트 홀(140V)의 평면 형상은 원형일 수 있으나 이에 제한되지 않으며, 예를 들어, 벤트 홀(140V)의 평면 형상은 사각형일 수도 있다. 일 예에서, 벤트 홀(140V)은 제2 면(140S2)에 가까워질수록 직경(d2)이 작아지는 형상을 가질 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 일 예에서, 제2 면(140S2)과 동일면 상에서 벤트 홀(140V)의 직경(d2)은 약 50㎛ 내지 약 100㎛의 범위에 있을 수 있다. 약 100㎛이하의 직경을 갖는 입자는, 벤트 홀(140V)을 통해 에어 갭(AG)에 도입되는 경우에도, LED 패키지(100E)의 발광 특성을 실질적으로 악화시키지 않을 수 있다. 5A and 5B, the LED package 100E penetrates from the first surface 140S1 to the second surface 140S2 and communicates with the air gap AR. An optical having a vent hole 140V A lens 140 may be included. In an embodiment, a vent hole 140V may be formed in the center of the optical lens 140 . Accordingly, it is possible to prevent the optical lens 140 and the electrochromic film 150 from being separated in the manufacturing process of the LED package 100E. In one example, the planar shape of the vent hole 140V may be circular, but is not limited thereto. For example, the planar shape of the vent hole 140V may be a quadrangular shape. In one example, the vent hole 140V may have a shape in which the diameter d2 becomes smaller as it approaches the second surface 140S2, but is not limited thereto. In one example, the diameter d2 of the vent hole 140V on the same surface as the second surface 140S2 may be in a range of about 50 μm to about 100 μm. Even when particles having a diameter of about 100 μm or less are introduced into the air gap AG through the vent hole 140V, the light emitting characteristics of the LED package 100E may not be substantially deteriorated.

도 6a은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지(100F)를 나타낸 단면도이고, 도 6b은 도 6a의 LED 패키지에 채용 가능한 광 센서의 단면도이고, 6c는 도 6b에 도시된 광 센서의 평면도이다. 도 6b는 도 6c의 I-I' 선의 단면도를 도시한다. 도 6a 내지 도 6b에서 도 1a와 동일한 참조번호의 구성 요소들은 전술한 내용과 동일 또는 유사한 특징을 가지므로 중복되는 설명은 생략한다.6A is a cross-sectional view showing an LED package 100F according to an embodiment of the present invention, FIG. 6B is a cross-sectional view of an optical sensor employable in the LED package of FIG. 6A, and 6C is a plan view of the optical sensor shown in FIG. 6B . Fig. 6b shows a cross-sectional view taken along line I-I' in Fig. 6c. In FIGS. 6A to 6B , elements with the same reference numerals as those of FIG. 1A have the same or similar characteristics as those described above, and thus overlapping descriptions will be omitted.

도 6a을 참조하면, LED 패키지(100F)는, 기판(110) 상에 배치되며 수광 영역(RL)을 갖는 센서 칩(171) 및 투명 보호층(172)을 포함하는 광 센서(170)를 더 포함할 수 있다. 광 센서(170)는 기판(110)의 회로에 전기적으로 연결될 수 있다. 센서 칩(171)는 기판(110)의 단자에 전기적으로 연결되는 복수의 단자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광 센서(170)는 기판(110)에 플립-칩 방식으로 실장되어 제3 배선 전극(116)과 전기적으로 연결될 수 있다. 일 예에서, 제3 배선 전극(116)은 배선 비아(113)를 통해서 제3 외부 배선 전극(118)에 전기적으로 연결될 수 있다. LED 패키지(100F)는 외부 기판에 실장될 수 있으며, 제3 외부 배선 전극(118)을 통해서 광 센서(170)의 신호를 외부로 전달할 수 있다. 이와 달리, 광 센서(170)의 다양한 형태에 따라서, 광 센서(170)는 와이어-본딩 방식으로 기판(110)에 실장될 수도 있다. 센서 칩(171) 상면의 일측에는 수광 영역(RL)이 배치될 수 있다. 수광 영역(RL)은 포토다이오드 어레이를 포함할 수 있다. 투명 보호층(172)은 에폭시 수지와 같은 절연 물질을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 6A , the LED package 100F further includes an optical sensor 170 disposed on a substrate 110 and including a sensor chip 171 having a light receiving region RL and a transparent protective layer 172 . may include The optical sensor 170 may be electrically connected to a circuit of the substrate 110 . The sensor chip 171 may include a plurality of terminals electrically connected to the terminals of the substrate 110 . For example, the optical sensor 170 may be mounted on the substrate 110 in a flip-chip method to be electrically connected to the third wiring electrode 116 . In one example, the third wiring electrode 116 may be electrically connected to the third external wiring electrode 118 through the wiring via 113 . The LED package 100F may be mounted on an external substrate, and may transmit a signal of the optical sensor 170 to the outside through the third external wiring electrode 118 . Alternatively, according to various types of the optical sensor 170 , the optical sensor 170 may be mounted on the substrate 110 in a wire-bonding method. A light receiving area RL may be disposed on one side of the upper surface of the sensor chip 171 . The light receiving region RL may include a photodiode array. The transparent protective layer 172 may include an insulating material such as an epoxy resin.

일 실시예에서, 광 센서(170)는 주변 광을 수신하기 위한 수광 영역(RL)을 가지며, 수광 영역(RL)이 LED 칩(120)에 인접한 방향으로 배치될 수 있다. 일 예로, 전자 장치의 카메라 작동시에 어두운 환경에서 LED 칩(120)의 방출 광이 조명으로 사용되고, 광 센서(170)의 주변 광 정보를 이용하여 카메라 영상이 보정될 수 있다. 광 센서(170)는 반사층(161)에 의해 LED 칩(120) 등과 이격될 수 있다. 일 실시예에서, 광 센서(170)의 측면은 반사층(161)에 의해 커버될 수 있다. 반사층(161)은 LED 칩(120)에서 방출된 광이 광 센서(170)로 진행되는 것을 방지할 수 있다. 광 센서(170)의 상면은 컬러층(162)으로부터 노출될 수 있다. 일 예에서, 광 센서(170)의 상면은 컬러층(162)의 상면과 공면일 수 있다.In an embodiment, the optical sensor 170 has a light receiving area RL for receiving ambient light, and the light receiving area RL may be disposed in a direction adjacent to the LED chip 120 . For example, when the camera of the electronic device operates, the emitted light of the LED chip 120 may be used as illumination in a dark environment, and the camera image may be corrected using information about the ambient light of the optical sensor 170 . The optical sensor 170 may be spaced apart from the LED chip 120 by the reflective layer 161 . In one embodiment, the side of the optical sensor 170 may be covered by the reflective layer 161 . The reflective layer 161 may prevent the light emitted from the LED chip 120 from proceeding to the optical sensor 170 . The upper surface of the optical sensor 170 may be exposed from the color layer 162 . In one example, the upper surface of the optical sensor 170 may be coplanar with the upper surface of the color layer 162 .

도 6b 및 6c를 참조하면, 일 예에서, 광 센서(170')는 리드 프레임(173)과, 리드 프레임(173) 상에 배치된 광 센서 칩(171)과, 리드 프레임(173) 상에 배치되며 광 센서 칩(171)을 인캡슐하는 투명 보호층(172)을 포함할 수 있다. 광 센서 칩(171)은 복수의 단자(171P)를 포함하며, 복수의 단자(171P)는 각각 와이어(W)에 의해 리드 프레임(173)에 연결될 수 있다. 또한, 광 센서 칩(171)의 상면에는 일측 모서리에 인접한 수광 영역(RL) 및 수광 영역(RL) 이외의 영역인 주변 회로 영역(PC)이 배치될 수 있다. 수광 영역(RL)은 복수의 포토 다이오드 셀을 포함하며 다양한 파장 대역의 광을 감지할 수 있다. 예를 들어, 수광 영역(RL)은 가시광 대역의 광을 감지하는 제1 영역과, 플리커 발생을 감지하는 제2 영역과, 적외선을 감지하는 제3 영역을 포함할 수 있다. 주변 회로 영역(PC)은 트랜지스터와 같은 회로 소자를 포함할 수 있다. 일 예에서, 리드 프레임(173)은 솔더 볼 등의 접속 부재를 통하거나 직접 접촉하여 도 6a에 도시된 제3 배선 전극(116)에 전기적으로 연결될 수 있다.6B and 6C , in one example, the optical sensor 170 ′ is disposed on a lead frame 173 , an optical sensor chip 171 disposed on the lead frame 173 , and on the lead frame 173 . disposed and may include a transparent protective layer 172 encapsulating the optical sensor chip 171 . The optical sensor chip 171 includes a plurality of terminals 171P, and each of the plurality of terminals 171P may be connected to the lead frame 173 by a wire (W). In addition, a light receiving area RL adjacent to one corner and a peripheral circuit area PC that are areas other than the light receiving area RL may be disposed on the upper surface of the optical sensor chip 171 . The light receiving region RL includes a plurality of photodiode cells and may detect light of various wavelength bands. For example, the light receiving region RL may include a first region sensing visible light, a second region sensing flicker, and a third region sensing infrared light. The peripheral circuit region PC may include a circuit element such as a transistor. In an example, the lead frame 173 may be electrically connected to the third wiring electrode 116 illustrated in FIG. 6A through a connection member such as a solder ball or by direct contact.

도 7a 및 7b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지(100Ga, 100Gb)를 나타낸 단면도들이다. 도 7a 및 7b에서 도 1a 및 6과 동일한 참조번호의 구성 요소들은 전술한 내용과 동일 또는 유사한 특징을 가지므로 중복되는 설명은 생략한다. 도 7a 및 7b에서, 한 쌍의 제2 배선 전극(112)이 모두 도시되지는 않았으나, 도시되지 않은 부분에서 전기변색 필름(150)과 나머지 제2 배선 전극이 연결될 수 있다.7A and 7B are cross-sectional views illustrating LED packages 100Ga and 100Gb, respectively, according to an embodiment of the present invention. In FIGS. 7A and 7B , elements with the same reference numerals as those of FIGS. 1A and 6 have the same or similar characteristics as those described above, and thus overlapping descriptions will be omitted. Although not all of the pair of second wiring electrodes 112 are shown in FIGS. 7A and 7B , the electrochromic film 150 and the remaining second wiring electrodes may be connected to each other in a portion not shown.

도 7a 및 7b를 참조하면, LED 패키지(100Ga, 100Gb)에서 광 센서(170)의 수광 영역(RL)은 전기변색 필름(150)에 의해 커버되고, 전기변색 필름(150)에 의해 커버되지 않은 광 센서(170)의 나머지 부분은 컬러층(162)에 의해 커버될 수 있다. 일 예에서, 광 센서(170)의 수광 영역(RL)은 수직 방향(Z축 방향)에서 전기변색 필름(150)과 적어도 일부가 중첩될 수 있다. 따라서, 전압이 인가되지 않은 경우, LED 패키지(100Ga, 100Gb)의 외관에서 광 센서(170)의 수광 영역(RL)이 노출되지 않을 수 있다.7A and 7B , in the LED packages 100Ga and 100Gb, the light receiving region RL of the optical sensor 170 is covered by the electrochromic film 150 and not covered by the electrochromic film 150 . The remaining portion of the optical sensor 170 may be covered by the color layer 162 . In an example, the light receiving region RL of the optical sensor 170 may at least partially overlap the electrochromic film 150 in the vertical direction (Z-axis direction). Accordingly, when no voltage is applied, the light receiving region RL of the optical sensor 170 may not be exposed on the exterior of the LED packages 100Ga and 100Gb.

일 실시예에서, 광학 렌즈(140)는 전기변색 필름(150)의 상면에 배치되고, 광학 렌즈(140) 및 전기변색 필름(150)은 파장변환 필름(130) 및 수광 영역(RL) 각각의 적어도 일부를 커버할 수 있다. 광학 렌즈(140) 및 전기변색 필름(150)은 파장변환 필름(130) 및 수광 영역(RL)을 모두 커버할 수 있는 폭(ℓ4, ℓ5)을 가질 수 있다. 따라서, 전압이 인가되기 전에 파장변환 필름(130) 및 수광 영역(RL)은 외관상 노출되지 않으며 LED 패키지(100Ga)의 외관은 전기변색 필름(150)의 색상 및 컬러층(162)의 색상으로 표현될 수 있다.In an embodiment, the optical lens 140 is disposed on the upper surface of the electrochromic film 150 , and the optical lens 140 and the electrochromic film 150 are each of the wavelength conversion film 130 and the light receiving region RL. At least part of it may be covered. The optical lens 140 and the electrochromic film 150 may have widths ℓ4 and ℓ5 to cover both the wavelength conversion film 130 and the light receiving region RL. Therefore, before the voltage is applied, the wavelength conversion film 130 and the light receiving region RL are not externally exposed, and the appearance of the LED package 100Ga is expressed by the color of the electrochromic film 150 and the color of the color layer 162 . can be

일 실시예에서, 광학 렌즈(140)는 전기변색 필름(150)의 하면에 배치되고, 전기변색 필름(150)은 파장변환 필름(130) 및 수광 영역(RL) 각각의 적어도 일부를 커버할 수 있다. 전기변색 필름(150)은 파장변환 필름(130) 및 수광 영역(RL)을 모두 커버할 수 있는 폭(ℓ5)을 가질 수 있다. 따라서, 전압이 인가되기 전에 파장변환 필름(130) 및 수광 영역(RL)은 외관상 노출되지 않으며 LED 패키지(100Gb)의 외관은 전기변색 필름(150)의 색상 및 컬러층(162)의 색상으로 표현될 수 있다. In an embodiment, the optical lens 140 is disposed on the lower surface of the electrochromic film 150 , and the electrochromic film 150 may cover at least a portion of each of the wavelength conversion film 130 and the light receiving region RL. have. The electrochromic film 150 may have a width ℓ5 capable of covering both the wavelength conversion film 130 and the light receiving region RL. Therefore, before voltage is applied, the wavelength conversion film 130 and the light receiving region RL are not externally exposed, and the appearance of the LED package 100Gb is expressed by the color of the electrochromic film 150 and the color of the color layer 162 . can be

도 8은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 LED 패키지가 채용될 수 있는 전자 장치(10)를 나타낸 사시도이고, 도 9a 및 9b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(10)의 투명 커버(12)와 LED 패키지(100a, 100b)의 결합 상태를 나타낸 단면도들이다. 8 is a perspective view illustrating an electronic device 10 to which an LED package according to various embodiments of the present invention can be employed, and FIGS. 9A and 9B are transparent views of the electronic device 10 according to an embodiment of the present invention, respectively. It is a cross-sectional view showing the coupling state of the cover 12 and the LED package (100a, 100b).

먼저, 도 8을 참조하면, 전자 장치(10)는 스마트 폰(Smart phone)과 같은 셀룰러(Cellular) 폰일 수 있다. 하지만 이는 예시적인 것으로서, 전자 장치(10)는 노트북, 데스크 탑, 모니터, 태블릿, 디지털 카메라 등과 같이 광학 기기(예컨대, 조명, 광 센서 및 카메라 등)를 위한 광학 창을 포함하는 임의의 전자 기기일 수 있다. 전자 장치(10)는 세트 커버(11) 및 세트 커버(11)의 일측에 배치되고 복수의 광학 창들(W1, W2, W3, W4, W5)을 포함하는 투명 커버(12)를 포함할 수 있다. 일 예에서, 광학 창들(W1, W2, W3, W4, W5)은 전자 장치(10) 내에 장착된 카메라 모듈, 플래시 모듈 등을 위한 광 경로를 제공할 수 있다. 예를 들어, 광학 창(W1)은 초 광각(Super wide angle) 카메라를 위한 광 경로를 제공할 수 있고, 광학 창(W2)은 광각 카메라를 위한 광 경로를 제공할 수 있으며, 광학 창(W3)은 망원 카메라를 위한 광 경로를 제공할 수 있다. 광학 창(W4)은 LED 패키지를 위한 광 경로를 제공할 수 있다. 광학 창(W5)은 IR 센서 등 주변 광 센서를 위한 광 경로를 제공할 수 있다. First, referring to FIG. 8 , the electronic device 10 may be a cellular phone such as a smart phone. However, this is illustrative, and the electronic device 10 may be any electronic device including an optical window for an optical device (eg, lighting, optical sensor and camera, etc.), such as a laptop, desktop, monitor, tablet, digital camera, and the like. can The electronic device 10 may include a set cover 11 and a transparent cover 12 disposed on one side of the set cover 11 and including a plurality of optical windows W1, W2, W3, W4, and W5. . In an example, the optical windows W1 , W2 , W3 , W4 , and W5 may provide an optical path for a camera module, a flash module, etc. mounted in the electronic device 10 . For example, optical window W1 may provide a light path for a super wide angle camera, optical window W2 may provide a light path for a wide angle camera, and optical window W3 ) may provide an optical path for the telephoto camera. The optical window W4 may provide a light path for the LED package. The optical window W5 may provide a light path for an ambient light sensor, such as an IR sensor.

도 9a 및 도 8을 함께 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지(100a)는 광학 창(W4)을 통해 광을 방출하도록 세트 커버(11) 내에 배치될 수 있다. LED 패키지(100a)는 실시예에 따라 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, LED 패키지(100a)는 도 1a, 2, 3, 4, 5a에 도시된 실시예의 형태를 가질 수 있다. LED 패키지(100a)는 투명 커버(12)에 형성된 광학 창(W4)의 하부에 배치될 수 있다. 투명 커버(12)는 글래스와 같은 투명 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 투명 커버(12)의 일면(예, 하면)에는 배치된 광 차단층(BL)이 배치될 수 있다. 광 차단층(BL)은 광학 창(W4) 영역을 제외한 나머지 부분으로 광이 투과하는 것을 차단할 수 있다. 또한, 광 차단층(BL)은 소정의 색상을 가질 수 있다. 일 예에서, 광 차단층(BL)의 색상은 세트 커버(11)의 색상과 실질적으로 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 디자인에 따라 다양한 색상을 가질 수 있다. 광학 창(W4)의 직경(d3)은 LED 패키지(100a) 또는 기판(110)의 폭(ℓ1) 보다 작을 수 있다. 따라서, 광 차단층(BL)은 LED 패키지(100a)와 일부 중첩될 수 있다. 일 예에서, LED 패키지(100a)의 컬러층(162)은 수직 방향(Z축 방향)에서 광 차단층(BL)과 일부 중첩되는 영역(OL2)을 가질 수 있다. 따라서, LED 패키지(100a)의 전기변색 필름(150)에 전압이 인가되기 전 전자 장치(10)의 외관은, 세트 커버(11)의 색상, 광 차단층(BL)의 색상, 컬러층(162)의 색상 및 전기변색 필름(150)의 색상의 조합으로 표현될 수 있다. 일 예에서, 세트 커버(11)의 색상, 광 차단층(BL)의 색상, 컬러층(162)의 색상 및 전압이 인가되기 전 전기변색 필름(150)의 색상은 실질적으로 동일한 색상일 수 있다.9A and 8 together, the LED package 100a according to an embodiment of the present invention may be disposed in the set cover 11 to emit light through the optical window W4. The LED package 100a may have various shapes according to embodiments. For example, the LED package 100a may have the form of the embodiment shown in FIGS. 1A, 2, 3, 4, and 5A. The LED package 100a may be disposed under the optical window W4 formed in the transparent cover 12 . The transparent cover 12 may be a transparent substrate such as glass, but is not limited thereto. A light blocking layer BL may be disposed on one surface (eg, a lower surface) of the transparent cover 12 . The light blocking layer BL may block transmission of light to the remaining portions except for the area of the optical window W4 . Also, the light blocking layer BL may have a predetermined color. In one example, the color of the light blocking layer BL may be substantially the same as the color of the set cover 11, but is not limited thereto, and may have various colors according to a design. The diameter d3 of the optical window W4 may be smaller than the width ℓ1 of the LED package 100a or the substrate 110 . Accordingly, the light blocking layer BL may partially overlap the LED package 100a. In one example, the color layer 162 of the LED package 100a may have an area OL2 partially overlapping the light blocking layer BL in the vertical direction (Z-axis direction). Accordingly, the appearance of the electronic device 10 before voltage is applied to the electrochromic film 150 of the LED package 100a is the color of the set cover 11 , the color of the light blocking layer BL, and the color layer 162 . ) may be expressed as a combination of the color of the electrochromic film 150 and the color of the electrochromic film 150 . In one example, the color of the set cover 11, the color of the light blocking layer BL, the color of the color layer 162, and the color of the electrochromic film 150 before voltage is applied may be substantially the same color. .

도 9b 및 도 8을 함께 참조하면, 일 실시예에 따른 LED 패키지(100b)는 광학 창(W4)을 통해 주변 광을 수신하는 광 센서(170)를 더 포함할 수 있다. LED 패키지(100b)는 실시예에 따라 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, LED 패키지(100b)는 도 6a, 7a, 7b에 도시된 실시예의 형태를 가질 수 있다. 광 센서(170)의 수광 영역(RL)은 광학 창(W4) 내에 배치될 수 있다. 광 센서(170)는 플래시 모듈의 광 경로를 제공하는 광학 창(W4)을 통해서 주변 광을 수신할 수 있다. 이 경우, 도 8의 광학 창(W5)는 생략될 수 있다. 9B and 8 together, the LED package 100b according to an embodiment may further include an optical sensor 170 that receives ambient light through the optical window W4. The LED package 100b may have various shapes according to embodiments. For example, the LED package 100b may have the form of the embodiment shown in FIGS. 6A, 7A, and 7B . The light receiving area RL of the optical sensor 170 may be disposed in the optical window W4 . The optical sensor 170 may receive ambient light through the optical window W4 providing a light path of the flash module. In this case, the optical window W5 of FIG. 8 may be omitted.

도 10a 내지 10c는 도 1a의 LED 패키지(100A)의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 단면도들이다.10A to 10C are cross-sectional views schematically illustrating a method of manufacturing the LED package 100A of FIG. 1A .

도 10a를 참조하면, 기판(110) 상에 복수의 LED 칩들(120)을 실장하고, 복수의 LED 칩들(120) 상에 각각 파장변환 필름(130), 전기변색 필름(150) 및 광학 렌즈(140)를 부착할 수 있다. 복수의 LED 칩들(120)은 플립 칩 방식으로 기판(110)에 실장될 수 있다. 파장변환 필름(130), 전기변색 필름(150) 및 광학 렌즈(140)는 일체화된 상태로 부착될 수 있으나, 이와 달리 순차적으로 부착될 수도 있다. LED 칩(120), 파장변환 필름(130), 전기변색 필름(150) 및 광학 렌즈(140)는 에폭시 등의 접착 부재에 의해 서로 부착될 수 있다.10A, a plurality of LED chips 120 are mounted on a substrate 110, and a wavelength conversion film 130, an electrochromic film 150, and an optical lens ( 140) can be attached. The plurality of LED chips 120 may be mounted on the substrate 110 in a flip-chip method. The wavelength conversion film 130 , the electrochromic film 150 , and the optical lens 140 may be attached in an integrated state, but otherwise may be attached sequentially. The LED chip 120 , the wavelength conversion film 130 , the electrochromic film 150 , and the optical lens 140 may be attached to each other by an adhesive member such as epoxy.

도 10b를 참조하면, 전기변색 필름(150)을 기판(110)의 배선 전극에 연결하고, 기판(110)의 상면, LED 칩들(120), 파장변환 필름들(130), 전기변색 필름들(150) 및 광학 렌즈들(140) 각각의 측면을 커버하는 측면 구조체(160)를 형성할 수 있다. 전기변색 필름(150)은 와이어 또는 플렉서블 전극과 같은 연결 부재(W)를 통해 기판(110)의 회로에 전기적으로 연결될 수 있다. 측면 구조체(160)는 먼저 반사층(161) 및 컬러층(162)이 수차적으로 형성될 수 있다. 반사층(161) 및 컬러층(162)은 전술한 수지 물질 등을 도포 및 경화하여 형성될 수 있다. 일 예에서, 컬러층(162)의 상면은 광학 렌즈(140)의 상면과 공면일 수 있다.Referring to FIG. 10B , the electrochromic film 150 is connected to the wiring electrode of the substrate 110 , and the upper surface of the substrate 110 , the LED chips 120 , the wavelength conversion films 130 , and the electrochromic films ( 150) and the optical lenses 140 may form a side structure 160 that covers each side. The electrochromic film 150 may be electrically connected to the circuit of the substrate 110 through a connection member W such as a wire or a flexible electrode. In the side structure 160 , first, a reflective layer 161 and a color layer 162 may be sequentially formed. The reflective layer 161 and the color layer 162 may be formed by coating and curing the above-described resin material. In one example, the upper surface of the color layer 162 may be coplanar with the upper surface of the optical lens 140 .

도 10c를 참조하면, 인접하게 LED 칩들(120) 사이의 기판(110) 및 측면 구조체(160)를 절단하여 복수의 LED 패키지들(100)을 형성할 수 있다. 기판(110) 및 측면 구조체(160)는 블레이드(B)를 이용하여 절단될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 기판(110) 및 측면 구조체(160)는 레이저에 의해 절단될 수도 있다.Referring to FIG. 10C , a plurality of LED packages 100 may be formed by cutting the substrate 110 and the side structure 160 between the LED chips 120 adjacently. The substrate 110 and the side structure 160 may be cut using a blade (B). However, the present invention is not limited thereto, and the substrate 110 and the side structure 160 may be cut by a laser.

본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.The present invention is not limited by the above-described embodiments and the accompanying drawings, but is intended to be limited by the appended claims. Accordingly, various types of substitution, modification and change will be possible by those skilled in the art within the scope not departing from the technical spirit of the present invention described in the claims, and it is also said that it falls within the scope of the present invention. something to do.

Claims (20)

한 쌍의 제1 배선 전극 및 한 쌍의 제2 배선 전극을 포함하는 기판;
상기 기판 상에 배치되고, 상기 한 쌍의 제1 배선 전극에 전기적으로 연결된 LED 칩;
상기 LED 칩 상에 배치된 파장변환 필름;
상기 파장변환 필름 상에 배치되며 상기 한 쌍의 제2 배선 전극에 전기적으로 연결되고, 전압 인가 전에 제1 색상을 가지며, 전압이 인가된 후에 투명하게 전환되도록 구성된 전기변색 필름;
상기 전기변색 필름의 상면 또는 하면에 배치된 광학 렌즈; 및
상기 LED 칩 및 상기 파장변환 필름 각각의 측면의 적어도 일부를 커버하는 반사층, 및 상기 반사층 상에 배치되며 제2 색상을 갖는 컬러층을 포함하는 측면 구조체; 를 포함하는 LED 패키지.
a substrate including a pair of first wiring electrodes and a pair of second wiring electrodes;
an LED chip disposed on the substrate and electrically connected to the pair of first wiring electrodes;
a wavelength conversion film disposed on the LED chip;
an electrochromic film disposed on the wavelength conversion film, electrically connected to the pair of second wiring electrodes, having a first color before voltage application, and configured to be transparently converted after voltage is applied;
an optical lens disposed on the upper or lower surface of the electrochromic film; and
a side structure including a reflective layer covering at least a portion of each side of the LED chip and the wavelength conversion film, and a color layer disposed on the reflective layer and having a second color; LED package containing
 제1 항에 있어서,
상기 광학 렌즈는 상기 전기변색 필름의 상기 상면에 배치되고,
상기 컬러층은 상기 광학 렌즈의 측면의 적어도 일부를 커버하는 LED 패키지.
According to claim 1,
The optical lens is disposed on the upper surface of the electrochromic film,
The color layer is an LED package that covers at least a portion of a side surface of the optical lens.
 제2 항에 있어서,
상기 전기변색 필름의 폭은 상기 광학 렌즈의 폭 보다 크고,
상기 전기변색 필름의 테두리 영역은 상기 컬러층과 수직 방향에서 중첩되는 LED 패키지.
3. The method of claim 2,
a width of the electrochromic film is greater than a width of the optical lens;
An edge region of the electrochromic film overlaps the color layer in a vertical direction.
 제2 항에 있어서,
상기 광학 렌즈는 상기 컬러층의 상면과 평탄한(coplanar) 상면을 갖는 LED 패키지.
3. The method of claim 2,
The optical lens is an LED package having a top surface and a flat top surface (coplanar) of the color layer.
 제2 항에 있어서,
상기 전기변색 필름은 상기 파장변환 필름의 폭과 동일한 폭을 갖는 LED 패키지.
3. The method of claim 2,
The electrochromic film is an LED package having the same width as that of the wavelength conversion film.
 제1 항에 있어서,
상기 광학 렌즈는 상기 전기변색 필름의 상기 하면에 배치되고,
상기 컬러층은 상기 전기변색 필름의 측면의 적어도 일부를 커버하는 LED 패키지.
According to claim 1,
The optical lens is disposed on the lower surface of the electrochromic film,
The color layer is an LED package covering at least a portion of a side surface of the electrochromic film.
 제6 항에 있어서,
상기 전기변색 필름의 상면은 상기 컬러층의 상면과 공면에 있는 LED 패키지.
7. The method of claim 6,
The upper surface of the electrochromic film is in the same plane as the upper surface of the color layer LED package.
 제1 항에 있어서,
상기 제1 색상과 상기 제2 색상은 동일한 색상인 LED 패키지.
According to claim 1,
The first color and the second color are the same color LED package.
 제1 항에 있어서,
상기 광학 렌즈는 상기 파장변환 필름을 대향하는 제1 면과 상기 제1 면의 반대에 위치한 제2 면을 가지며,
상기 제1 면은 상기 제2 면을 향해 리세스된 복수의 홈(groove)들을 갖는 LED 패키지.
According to claim 1,
The optical lens has a first surface facing the wavelength conversion film and a second surface opposite to the first surface,
The first side of the LED package has a plurality of grooves (groove) recessed toward the second side.
 제9 항에 있어서,
상기 광학 렌즈의 상기 제1 면과 상기 전기변색 필름 또는 상기 파장변환 필름의 사이에 에어 갭이 형성되는 LED 패키지.
10. The method of claim 9,
An air gap is formed between the first surface of the optical lens and the electrochromic film or the wavelength conversion film.
 제1 항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되며, 수광 영역을 갖는 광 센서를 더 포함하되,
상기 광 센서는 상기 수광 영역이 상기 LED 칩에 인접한 방향으로 배치되는 LED 패키지.
According to claim 1,
It is disposed on the substrate, further comprising a light sensor having a light receiving area,
The light sensor is an LED package in which the light receiving area is disposed in a direction adjacent to the LED chip.
 제11 항에 있어서,
상기 광 센서의 측면은 상기 측면 구조체의 상기 반사층에 의해 커버되는 LED 패키지.
12. The method of claim 11,
A side surface of the optical sensor is covered by the reflective layer of the side structure.
 제11 항에 있어서,
상기 수광 영역은 수직 방향에서 상기 전기변색 필름과 중첩되는 LED 패키지.
12. The method of claim 11,
The light-receiving region overlaps the electrochromic film in a vertical direction for the LED package.
 제11 항에 있어서,
상기 광학 렌즈는 상기 전기변색 필름의 상기 상면에 배치되고,
상기 광학 렌즈 및 상기 전기변색 필름은 상기 파장변환 필름 및 상기 수광 영역 각각의 적어도 일부를 커버하는 LED 패키지.
12. The method of claim 11,
The optical lens is disposed on the upper surface of the electrochromic film,
wherein the optical lens and the electrochromic film cover at least a portion of each of the wavelength conversion film and the light receiving region.
 제11 항에 있어서,
상기 광학 렌즈는 상기 전기변색 필름의 상기 하면에 배치되고,
상기 전기변색 필름은 상기 파장변환 필름 및 상기 수광 영역 각각의 적어도 일부를 커버하는 LED 패키지.
12. The method of claim 11,
The optical lens is disposed on the lower surface of the electrochromic film,
The electrochromic film is an LED package covering at least a portion of each of the wavelength conversion film and the light-receiving region.
 제1 항에 있어서,
상기 기판 내에서 상기 한 쌍의 제1 배선 전극과 상기 한 쌍의 제2 배선 전극은 서로 전기적으로 절연되는 LED 패키지.
According to claim 1,
The LED package in which the pair of first wiring electrodes and the pair of second wiring electrodes are electrically insulated from each other in the substrate.
 기판;
상기 기판 상에 배치된 LED 칩;
상기 LED 칩 상에 배치된 파장변환 필름;
상기 파장변환 필름 상에 배치되며, 전압이 인가되기 전에 불투명하고, 전압이 인가된 후 투명하게 전환되도록 구성된 전기변색 필름; 및
상기 LED 칩 및 상기 파장변환 필름의 측면을 커버하는 반사층; 을 포함하는 LED 패키지.
Board;
an LED chip disposed on the substrate;
a wavelength conversion film disposed on the LED chip;
an electrochromic film disposed on the wavelength conversion film, opaque before voltage is applied, and configured to be transparent after voltage is applied; and
a reflective layer covering side surfaces of the LED chip and the wavelength conversion film; LED package containing
 광학 창을 갖는 투명 커버를 포함하고, 제1 색상을 갖는 세트 커버; 및
상기 광학 창을 통해 광을 방출하도록 상기 세트 커버 내에 배치된 LED 패키지; 를 포함하며,
상기 LED 패키지는,
기판, 상기 기판 상의 LED 칩, 전압이 인가되기 전에 불투명하고 제2 색상을 가지며, 전압이 인가된 후 투명하게 전환되는 상기 LED 칩 상의 전기변색 필름, 상기 LED 칩의 측면을 커버하는 반사층, 및 상기 반사층 상에 배치되며 제3 색상을 갖는 컬러층을 포함하는 전자 장치.
a set cover comprising a transparent cover having an optical window and having a first color; and
an LED package disposed within the set cover to emit light through the optical window; includes,
The LED package is
a substrate, an LED chip on the substrate, an electrochromic film on the LED chip that is opaque before a voltage is applied and has a second color, and which turns transparent after a voltage is applied, a reflective layer covering the side of the LED chip, and the An electronic device comprising a color layer disposed on the reflective layer and having a third color.
 제18 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 색상은 동일한 색상인 전자 장치.
19. The method of claim 18,
The first to third colors are the same color.
 제18 항에 있어서,
상기 세트 커버는, 상기 투명 커버의 일면에 배치되어 상기 광학 창을 정의하며, 제4 색상을 갖는 광 차단층을 더 포함하고,
상기 제4 색상은 상기 제1 색상과 동일한 색상인 전자 장치.
19. The method of claim 18,
The set cover is disposed on one surface of the transparent cover to define the optical window, further comprising a light blocking layer having a fourth color,
The fourth color is the same color as the first color.
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