KR20220058471A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method. A substrate processing device (100) includes: a substrate holding unit (120) which holds a substrate (W); a processing tank (110) which stores a processing liquid (L) in order to immerse the substrate (W) held by the substrate holding unit (120) therein; and a plurality of air bubble generation pipes (136) which supply gas to the processing liquid (L) to generate air bubbles in the processing liquid (L). A gas flow rate supplied to outer air bubble generation pipes (136a, 136d), which are located beneath the outer periphery region of the substrate (W) immersed in the processing liquid (L) among the plurality of air bubble generation pipes (136), is larger than a gas flow rate supplied to inner air bubble generation pipes (136b, 136c) which are located beneath the central region of the substrate (W). The present invention can suppress processing unevenness within a substrate surface to be processed in a processing tank.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

본 발명은, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체 장치 및 액정 표시 장치 등의 전자 부품에 사용되는 기판은, 기판 처리 장치에 의해 처리되는 것이 알려져 있다. 기판은, 처리조 내의 처리액에 침지시킴으로써 처리할 수 있다.It is known that the board|substrate used for electronic components, such as a semiconductor device and a liquid crystal display device, is processed by a substrate processing apparatus. A substrate can be processed by immersing in the processing liquid in a processing tank.

최근에 있어서의 반도체 기판 상에 형성되는 반도체 소자의 미세화 및/또는 삼차원화에 수반하여, 기판의 처리를 균일화하는 요청이 높아지고 있다. 예를 들어, 삼차원 구조를 갖는 NAND 소자는, 입체적인 요철 구조가 형성된 적층 구조를 갖고 있다. 소자 패턴의 요철 구조의 오목부에 처리액이 체류한 경우에는, 오목부 내의 액 치환이 불충분해진다. 그 때문에, 오목부를 포함하는 기판 전체에 대하여 충분히 액 치환을 촉진시키기 위해, 처리조에 침지된 기판의 하방에 기포 발생관을 배치하고, 기포 발생기로부터 기포를 발생시켜 처리조 내의 액 치환을 촉진시키는 경우가 있다 (예를 들어, 특허문헌 1, 2 참조).With the miniaturization and/or three-dimensionalization of the semiconductor element formed on the semiconductor substrate in recent years, the request|requirement of making the process of a board|substrate uniform is increasing. For example, a NAND device having a three-dimensional structure has a stacked structure in which a three-dimensional uneven structure is formed. When the processing liquid stays in the concave portion of the concave-convex structure of the element pattern, liquid replacement in the concave portion becomes insufficient. Therefore, in order to sufficiently promote liquid replacement for the entire substrate including the concave portion, a bubble generating tube is disposed below the substrate immersed in the treatment tank, and bubbles are generated from the bubble generator to promote liquid replacement in the treatment tank There is (for example, refer to Patent Documents 1 and 2).

특허문헌 1 의 기판 처리 장치에서는, 인산 수용액을 저류한 처리조에 기판을 침지시켜 기판을 처리할 때, 처리조에 있어서 침지된 기판의 하방에 배치된 기포 발생기로부터 기포를 발생시킨다. 기포 발생기는, 통상 (筒狀) 이고, 다수의 토출구 (다수의 개구) 를 갖는다. 기포 발생기의 일단에는, 기포 발생기에 수증기를 공급하는 기체 공급관이 접속되어 있다. 기포 발생기는, 수증기를 각 토출구로부터 인산 수용액 중에 취출 (吹出) 함으로써, 수증기를 포함하는 기포를 인산 수용액 중에 발생시킨다.In the substrate processing apparatus of patent document 1, when a board|substrate is immersed in the processing tank which stored the phosphoric acid aqueous solution, and a board|substrate is processed, in the processing tank, bubbles are generated from the bubble generator arrange|positioned below the immersed board|substrate. A bubble generator is normally (筒狀), and has a large number of discharge ports (a large number of openings). A gas supply pipe for supplying water vapor to the bubble generator is connected to one end of the bubble generator. The bubble generator generates bubbles containing water vapor in the aqueous phosphoric acid solution by taking out water vapor from each discharge port in the aqueous phosphoric acid solution.

또, 특허문헌 2 의 기판 처리 장치에서는, 복수의 기판의 배열 방향에 있어서 상이한 영역에 유체를 토출한다. 이로써, 복수의 기판 간의 처리의 균일성을 향상시키고 있다.Moreover, in the substrate processing apparatus of patent document 2, the fluid is discharged to the area|region which differs in the arrangement direction of several board|substrates. Thereby, the uniformity of the process between several board|substrates is improved.

일본 공개특허공보 2020-021822호Japanese Patent Laid-Open No. 2020-021822 일본 공개특허공보 2020-113621호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2020-113621

특허문헌 1 에 기재된 기판 처리 장치에서는, 기판에 처리 불균일이 발생하는 경우가 있다. 또, 특허문헌 2 에 기재된 기판 처리 장치에서는, 복수의 기판 간의 처리의 균일성을 향상시킬 수 있지만, 기판의 면내를 균일하게 처리할 수 없는 경우가 있다. 기판의 면내에 처리 불균일이 발생하면, 반도체 소자의 특성에 편차가 발생해 버려, 반도체 소자의 수율이 저하되게 된다. 예를 들어, 기판을 에칭하는 처리액 내의 실리콘 농도에 불균일이 발생하면, 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물의 에칭 선택성에 영향을 준다. 이 영향은, 기판이 입체적인 요철 형상인 경우에 특히 현저해진다.In the substrate processing apparatus of patent document 1, a process nonuniformity may generate|occur|produce in a board|substrate. Moreover, in the substrate processing apparatus of patent document 2, although the uniformity of the process between several board|substrates can be improved, the surface inside of a board|substrate may not be able to process uniformly. When processing nonuniformity generate|occur|produces in the surface of a board|substrate, dispersion|variation will arise in the characteristic of a semiconductor element, and the yield of a semiconductor element will fall. For example, when the silicon concentration in the processing liquid for etching the substrate becomes non-uniform, the etching selectivity of silicon nitride and silicon oxide is affected. This influence becomes especially remarkable when a board|substrate has a three-dimensional uneven|corrugated shape.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적은, 처리조 내에 있어서의 기판 면내의 처리 불균일을 억제 가능한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것에 있다.The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of suppressing the processing unevenness in the surface of the substrate in the processing tank.

본 발명의 일 국면에 의하면, 기판 처리 장치는, 적어도 1 개의 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 침지시키기 위한 처리액을 저류하는 처리조와, 상기 처리액에 기체를 공급함으로써 상기 처리액 중에 기포를 발생시키는 복수의 기포 발생관을 구비한다. 상기 복수의 기포 발생관 중 상기 처리액에 침지된 상기 기판의 외주 영역의 하방에 위치하는 외측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량은, 상기 기판의 중앙 영역의 하방에 위치하는 내측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량과는 상이하다.According to one aspect of the present invention, a substrate processing apparatus includes: a substrate holding unit holding at least one substrate; a treatment tank storing a treatment liquid for immersing the substrate held in the substrate holding unit; and a plurality of bubble generating tubes for generating bubbles in the treatment liquid by supplying them. The flow rate of the gas supplied to the outer bubble generating tube located below the outer peripheral region of the substrate immersed in the processing liquid among the plurality of bubble generating tubes is in the inner bubble generating tube located below the central region of the substrate. It is different from the flow rate of the supplied gas.

어느 실시형태에 있어서, 상기 복수의 기포 발생관은, 상기 기판의 주면 (主面) 의 법선 방향에 대하여 평행하게 연장된다.In one embodiment, the plurality of bubble generating tubes extend in parallel to a direction normal to a main surface of the substrate.

어느 실시형태에 있어서, 상기 복수의 기포 발생관 중 상기 처리액에 침지된 상기 기판의 외주 영역의 하방에 위치하는 외측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량은, 상기 기판의 중앙 영역의 하방에 위치하는 내측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량보다 많다.In any embodiment, the flow rate of the gas supplied to the outer bubble generating tube located below the outer peripheral region of the substrate immersed in the processing liquid among the plurality of bubble generating tubes is located below the central region of the substrate is greater than the flow rate of the gas supplied to the inner bubble generating tube.

어느 실시형태에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 복수의 기포 발생관과 접속된 복수의 기체 공급관과, 상기 복수의 기체 공급관을 흐르는 기체의 유량을 제어하는 유량 제어 기구를 추가로 구비한다. 상기 유량 제어 기구는, 상기 외측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량이 상기 내측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량보다 많아지도록 상기 복수의 기체 공급관을 흐르는 기체의 유량을 제어한다.In one embodiment, the substrate processing apparatus further includes a plurality of gas supply pipes connected to the plurality of bubble generating pipes, and a flow rate control mechanism for controlling a flow rate of gas flowing through the plurality of gas supply pipes. The flow control mechanism controls the flow rates of the gas flowing through the plurality of gas supply pipes so that the flow rate of the gas supplied to the outer bubble generating pipe is greater than the flow rate of the gas supplied to the inner bubble generating pipe.

어느 실시형태에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 외측 기포 발생관과 접속된 기체 공급관을 흐르는 기체의 압력과, 상기 내측 기포 발생관과 접속된 기체 공급관을 흐르는 기체의 압력을 측정하는 압력계를 추가로 구비한다.In any embodiment, the substrate processing apparatus further includes a pressure gauge for measuring the pressure of the gas flowing through the gas supply pipe connected to the outer bubble generating pipe and the pressure of the gas flowing through the gas supply pipe connected to the inner bubble generating pipe. provided with

어느 실시형태에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 유량 제어 기구를 제어하는 제어부를 추가로 구비한다. 상기 제어부는, 상기 외측 기포 발생관과 접속된 기체 공급관을 흐르는 기체의 압력 및 상기 내측 기포 발생관과 접속된 기체 공급관을 흐르는 기체의 압력에 기초하여, 상기 복수의 기체 공급관을 흐르는 기체의 유량을 제어한다.In a certain embodiment, the said substrate processing apparatus is further equipped with the control part which controls the said flow control mechanism. The control unit may control the flow rate of the gas flowing through the plurality of gas supply pipes based on the pressure of the gas flowing through the gas supply pipe connected to the outer bubble generating pipe and the pressure of the gas flowing through the gas supply pipe connected to the inner bubble generating pipe. control

어느 실시형태에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 유량 제어 기구를 제어하는 제어부와, 제어 프로그램을 기억하는 기억부를 추가로 구비한다. 상기 제어부는, 상기 제어 프로그램에 따라서 상기 유량 제어 기구를 제어한다.In a certain embodiment, the said substrate processing apparatus is further equipped with the control part which controls the said flow control mechanism, and the memory|storage part which memorize|stores a control program. The control unit controls the flow rate control mechanism according to the control program.

어느 실시형태에 있어서, 상기 기판 유지부는, 열 방향을 따라 일렬로 나열된 기판 열에 배열된 복수의 기판을 유지한다. 상기 내측 기포 발생관은, 상기 복수의 기판 중 상기 기판 열의 일방측에 위치하는 기판의 각각의 중앙 영역의 하방에 배치된 내측 제 1 배관과, 상기 내측 제 1 배관으로부터 분리되고, 상기 기판 열의 타방측에 위치하는 기판의 각각의 중앙 영역의 하방에, 상기 내측 제 1 배관과 직선상으로 배열된 내측 제 2 배관을 포함한다. 상기 외측 기포 발생관은, 상기 복수의 기판 중 상기 기판 열의 일방측에 위치하는 기판의 각각의 외주 영역의 하방에 배치된 외측 제 1 배관과, 상기 외측 제 1 배관으로부터 분리되고, 상기 기판 열의 타방측에 위치하는 기판의 각각의 외주 영역의 하방에, 상기 외측 제 1 배관과 직선상으로 배열된 외측 제 2 배관을 포함한다.In one embodiment, the substrate holding unit holds a plurality of substrates arranged in a substrate column arranged in a line along the column direction. The inner bubble generating tube includes an inner first pipe disposed below a central region of each of the substrates positioned on one side of the substrate row among the plurality of substrates, and is separated from the inner first pipe, and is separated from the other side of the substrate row. and an inner second pipe arranged in a straight line with the inner first pipe under each central region of the substrate positioned on the side. The outer bubble generating tube includes an outer first pipe disposed below each outer peripheral region of each of the substrates positioned on one side of the substrate row among the plurality of substrates, and is separated from the outer first pipe, and is separated from the other side of the substrate row. an outer second pipe arranged in a straight line with the outer first pipe under each of the outer peripheral regions of the substrate positioned on the side;

어느 실시형태에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 처리조에 배치된 액체 토출관을 추가로 구비한다.In one embodiment, the substrate processing apparatus further includes a liquid discharge pipe disposed in the processing tank.

어느 실시형태에 있어서, 상기 액체 토출관은, 상기 기판의 주면의 법선 방향에 대하여 평행하게 연장되도록 배치된다.In one embodiment, the liquid discharge pipe is arranged to extend parallel to a normal direction of the main surface of the substrate.

어느 실시형태에 있어서, 상기 처리액은, 인산액을 포함한다.In one embodiment, the treatment liquid contains a phosphoric acid liquid.

본 발명의 다른 국면에 의하면, 기판 처리 방법은, 처리조에 저류된 처리액에 기판을 침지시키는 침지 공정과, 상기 처리조 내에 배치된 복수의 기포 발생관에 기체를 공급함으로써 상기 처리액 중에 기포를 발생시키고, 상기 처리액에 침지된 기판에 상기 기포를 공급하는 기포 공급 공정을 포함한다. 상기 기포 공급 공정은, 상기 복수의 기포 발생관 중 상기 기판의 외주 영역의 하방에 위치하는 외측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량이, 상기 기판의 중앙 영역의 하방에 위치하는 내측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량과는 상이한 유량 불균등 공급 공정을 포함한다.According to another aspect of the present invention, a method for treating a substrate includes an immersion step of immersing a substrate in a treatment liquid stored in a treatment tank, and supplying gas to a plurality of bubble generating tubes disposed in the treatment tank to remove bubbles in the treatment liquid. and a bubble supply process of supplying the bubbles to the substrate immersed in the treatment solution. In the bubble supply step, the flow rate of the gas supplied to the outer bubble generating tube located below the outer peripheral region of the substrate among the plurality of bubble generating tubes is adjusted to the inner bubble generating tube located below the central region of the substrate. It includes a flow rate unequal supply process different from the flow rate of the gas to be supplied.

어느 실시형태에 있어서, 상기 복수의 기포 발생관은, 상기 기판의 주면의 법선 방향에 대하여 평행하게 연장된다.In one embodiment, the plurality of bubble generating tubes extend parallel to the normal direction of the main surface of the substrate.

어느 실시형태에 있어서, 상기 유량 불균등 공급 공정에서는, 상기 복수의 기포 발생관 중 상기 기판의 외주 영역의 하방에 위치하는 외측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량이, 상기 기판의 중앙 영역의 하방에 위치하는 내측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량보다 많다.In any embodiment, in the flow unequal supply step, the flow rate of the gas supplied to the outer bubble generating tube located below the outer peripheral region of the substrate among the plurality of bubble generating tubes is lower than the central region of the substrate. It is larger than the flow rate of the gas supplied to the inner bubble generating tube located.

어느 실시형태에 있어서, 상기 기포 공급 공정은, 상기 외측 기포 발생관 및 상기 내측 기포 발생관의 각각에 동등한 유량으로 기체를 공급하는 유량 균등 공급 공정과, 상기 유량 균등 공급 공정에 있어서, 상기 외측 기포 발생관과 접속된 기체 공급관을 흐르는 기체의 압력 및 상기 내측 기포 발생관과 접속된 기체 공급관을 흐르는 기체의 압력을 측정하는 압력 측정 공정을 추가로 포함하고, 상기 유량 불균등 공급 공정은, 상기 압력 측정 공정에 있어서의 측정 결과에 기초하여, 상기 외측 기포 발생관과 접속된 기체 공급관을 흐르는 기체의 유량 및 상기 내측 기포 발생관과 접속된 기체 공급관에 공급되는 기체의 유량을 설정한다.In any embodiment, the said bubble supply process is a flow rate equal supply process of supplying gas at the same flow volume to each of the said outer side bubble generating tube and the said inner side bubble generating tube, In the said flow rate equalization supply process, the said outer bubble The method further comprises a pressure measuring step of measuring the pressure of the gas flowing through the gas supply pipe connected to the generating pipe and the pressure of the gas flowing through the gas supply pipe connected to the inner bubble generating pipe, wherein the flow unequal supply step includes: the pressure measurement Based on the measurement result in the process, the flow rate of the gas flowing through the gas supply pipe connected to the outer bubble generating pipe and the flow rate of the gas supplied to the gas supply pipe connected to the inner bubble generating pipe are set.

본 발명에 의하면, 처리조 내에 있어서의 기판 면내의 처리 불균일을 억제할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the process nonuniformity in the board|substrate surface in a processing tank can be suppressed.

도 1(a) 및 도 1(b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식적인 사시도이다.
도 2 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 3(a) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식적인 측면도이고, 도 3(b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식적인 상면도이다.
도 4(a) 는, 기판 처리 장치에 있어서 복수의 기포 발생관에 동등한 유량으로 기체를 공급한 경우에 발생하는 기포를 나타낸 모식도이고, 도 4(b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치에 있어서의 처리액의 흐름을 나타낸 모식도이다.
도 5(a) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식적인 상면도이고, 도 5(b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치에 있어서, 복수의 기포 발생관에 상이한 유량으로 기체를 공급한 경우에 발생하는 기포를 나타낸 모식도이다.
도 6 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 7 은, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 의한 플로도이다.
도 8(a) ∼ 도 8(c) 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법으로 에칭 처리되는 기판의 변화를 나타내는 모식도이다.
도 9 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식적인 상면도 및 그 일부 확대 도이다.
도 10(a) 및 도 10(b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식적인 상면도이다.
도 11 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식적인 상면도이다.
도 12 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 13(a) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식적인 상면도이고, 도 13(b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 14(a) 는, 기판 처리 장치에 있어서 복수의 기체 공급관에 동등한 유량으로 기체를 공급한 경우에 발생하는 기포를 나타낸 모식도이고, 도 14(b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치에 있어서의 처리액의 흐름을 나타낸 모식도이다.
도 15(a) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식적인 상면도이고, 도 15(b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치에 있어서, 복수의 기체 공급관에 상이한 유량으로 기체를 공급한 경우에 발생하는 기포를 나타낸 모식도이다.
도 16 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.1(a) and 1(b) are schematic perspective views of the substrate processing apparatus of the present embodiment.
2 is a schematic diagram of the substrate processing apparatus of the present embodiment.
Fig. 3(a) is a schematic side view of the substrate processing apparatus of the present embodiment, and Fig. 3(b) is a schematic top view of the substrate processing apparatus of the present embodiment.
Fig. 4(a) is a schematic diagram showing bubbles generated when gas is supplied at an equal flow rate to a plurality of bubble generating tubes in the substrate processing apparatus, and Fig. 4(b) is a substrate processing apparatus of the present embodiment. It is a schematic diagram showing the flow of the processing liquid in
Fig. 5 (a) is a schematic top view of the substrate processing apparatus of the present embodiment, and Fig. 5 (b) is the substrate processing apparatus of the present embodiment. In the substrate processing apparatus of this embodiment, gas is supplied to a plurality of bubble generating tubes at different flow rates. It is a schematic diagram showing the bubbles generated in one case.
6 : is a schematic diagram of the substrate processing apparatus of this embodiment.
7 is a flowchart of the substrate processing method of the present embodiment.
8(a) to 8(c) are schematic diagrams showing changes in a substrate to be etched by the substrate processing method of the present embodiment.
9 is a schematic top view of the substrate processing apparatus of the present embodiment and a partially enlarged view thereof.
10A and 10B are schematic top views of the substrate processing apparatus of the present embodiment.
11 is a schematic top view of the substrate processing apparatus of the present embodiment.
12 is a schematic diagram of the substrate processing apparatus of the present embodiment.
Fig. 13(a) is a schematic top view of the substrate processing apparatus of the present embodiment, and Fig. 13(b) is a schematic diagram of the substrate processing apparatus of the present embodiment.
14(a) is a schematic diagram showing bubbles generated when gas is supplied at an equal flow rate to a plurality of gas supply pipes in the substrate processing apparatus, and FIG. 14(b) is the substrate processing apparatus of the present embodiment. It is a schematic diagram showing the flow of the treatment liquid.
Fig. 15 (a) is a schematic top view of the substrate processing apparatus of the present embodiment, and Fig. 15 (b) is the substrate processing apparatus of the present embodiment, in which gas is supplied to a plurality of gas supply pipes at different flow rates. It is a schematic diagram showing the bubbles generated in this case.
16 is a schematic diagram of the substrate processing apparatus of the present embodiment.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명에 의한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태를 설명한다. 또한, 도면 중, 동일 또는 상당 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여하여 설명을 반복하지 않는다. 또한, 본원 명세서에서는, 발명의 이해를 용이하게 하기 위해, 서로 직교하는 X 축, Y 축 및 Z 축을 기재하는 경우가 있다. 전형적으로는, X 축 및 Y 축은 수평 방향에 평행이고, Z 축은 연직 방향에 평행이다. 또, 본원 명세서에서는, 발명의 이해를 용이하게 하기 위해, 서로 직교하는 x 축, y 축 및 z 축을 기재하는 경우가 있다. 전형적으로는, x 축 및 y 축은, 기판 또는 기재의 주면에 대하여 평행하게 연장되어 있고, z 축은 기판 또는 기재의 주면에 대하여 법선 방향으로 연장되어 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of the substrate processing apparatus and substrate processing method by this invention is described with reference to drawings. In the drawings, the same reference numerals are given to the same or equivalent parts, and description is not repeated. In addition, in this specification, in order to make an understanding of invention easy, the X-axis, Y-axis, and Z-axis orthogonal to each other may be described. Typically, the X and Y axes are parallel to the horizontal direction and the Z axis is parallel to the vertical direction. In addition, in this specification, in order to make an understanding of invention easy, the x-axis, y-axis, and z-axis orthogonal to each other may be described. Typically, the x and y axes extend parallel to the main surface of the substrate or substrate, and the z axis extends in a normal direction to the main surface of the substrate or substrate.

도 1 을 참조하여, 본 발명에 의한 기판 처리 장치 (100) 의 실시형태를 설명한다. 도 1(a) 및 도 1(b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식적인 사시도이다. 도 1(a) 는, 기판 (W) 이 처리조 (110) 내의 처리액 (L) 에 침지되기 전의 모식적인 사시도이고, 도 1(b) 는, 기판 (W) 이 처리조 (110) 내의 처리액 (L) 에 침지된 후의 모식적인 사시도이다.With reference to FIG. 1, embodiment of the substrate processing apparatus 100 by this invention is described. 1(a) and 1(b) are schematic perspective views of the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment. 1 (a) is a schematic perspective view before the substrate W is immersed in the processing liquid L in the processing tank 110, and FIG. 1 (b) is the substrate W in the processing bath 110. It is a schematic perspective view after being immersed in the processing liquid L.

기판 처리 장치 (100) 는 기판 (W) 을 처리한다. 기판 처리 장치 (100) 는, 기판 (W) 에 대하여, 에칭, 표면 처리, 특성 부여, 처리막 형성, 막의 적어도 일부의 제거 및 세정 중 적어도 1 개를 실시하도록 기판 (W) 을 처리한다.The substrate processing apparatus 100 processes the substrate W. The substrate processing apparatus 100 processes the substrate W so as to perform at least one of etching, surface treatment, characterization, process film formation, removal of at least a portion of the film, and cleaning on the substrate W .

기판 (W) 은, 얇은 판상이다. 전형적으로는, 기판 (W) 은, 얇은 대략 원판상이다. 기판 (W) 은, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 전계 방출 디스플레이 (Field Emission Display : FED) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판 및 태양 전지용 기판 등을 포함한다.The substrate W is in the shape of a thin plate. Typically, the board|substrate W is a thin substantially disk shape. The substrate W is, for example, a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display device, a substrate for a plasma display, a substrate for a field emission display (FED), a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a magneto-optical disk It includes a substrate for use, a substrate for a photomask, a ceramic substrate, a substrate for a solar cell, and the like.

기판 처리 장치 (100) 는, 처리액 (L) 으로 기판 (W) 을 처리한다. 처리액 (L) 에 의해, 기판 (W) 에는, 에칭, 표면 처리, 특성 부여, 처리막 형성, 막의 적어도 일부의 제거 및 세정 중 적어도 1 개가 실시된다.The substrate processing apparatus 100 processes the substrate W with the processing liquid L. The substrate W is subjected to at least one of etching, surface treatment, characterization, formation of a treatment film, removal of at least a part of the film, and cleaning with the treatment liquid L.

기판 처리 장치 (100) 는, 처리액 (L) 에 의해 복수의 기판 (W) 을 일괄하여 처리한다. 또한, 기판 처리 장치 (100) 는, 처리액 (L) 에 의해 다수의 기판 (W) 을 소정수씩 처리해도 된다. 소정수는, 1 이상의 정수이다. 여기서는, 기판 처리 장치 (100) 는, 기판 (W) 을 복수 장 합쳐서 처리한다.The substrate processing apparatus 100 collectively processes the plurality of substrates W with the processing liquid L. In addition, the substrate processing apparatus 100 may process the many board|substrates W every predetermined number with the processing liquid L. The predetermined number is an integer of 1 or more. Here, the substrate processing apparatus 100 processes a plurality of substrates W together.

예를 들어, 기판 처리 장치 (100) 는, 실리콘 기판으로 이루어지는 기판 (W) 의 패턴 형성측의 표면에 대하여, 실리콘 산화막 (SiO2 막) 및 실리콘 질화막 (SiN 막) 의 에칭 처리를 실시한다. 이와 같은 에칭 처리에서는, 기판 (W) 의 표면으로부터 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막 중 어느 것을 제거한다.For example, the substrate processing apparatus 100 etches a silicon oxide film (SiO 2 film) and a silicon nitride film (SiN film) to the surface of the substrate W made of a silicon substrate on the pattern formation side. In such an etching process, any one of a silicon oxide film and a silicon nitride film is removed from the surface of the board|substrate W.

처리액 (L) 은, 인산 (H3PO4) 을 함유한다. 처리액 (L) 은, 예를 들어, 인산 수용액, 인산 수용액에 첨가제를 함유시킨 액체, 인산을 함유하는 혼산, 또는, 인산 및 첨가제를 함유하는 혼산을 포함한다. 예를 들어, 처리액 (L) 으로서, 대략 89 질량％ 의 인산 (H3PO4) 과 대략 11 질량％ 의 물 (탈이온수) 이 혼합된 대략 157 ℃ 의 용액 (이하,「인산액」으로 기재한다) 이 사용되면, 기판 (W) 의 표면으로부터 실리콘 질화막 (SiN 막) 이 제거된다. 바꿔 말하면, 처리액 (L) 으로서, 불순물을 함유하지 않고, 고온, 고 (高) 산 농도의 용액이 사용되며, 처리액 (L) 은, 실리콘 (Si4＋) 을 용해시킨다. 또한, 기판 (W) 을 처리할 수 있는 한에 있어서는, 처리액 (L) 의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 또, 처리액 (L) 의 온도도 특별히 한정되지 않는다.The treatment liquid L contains phosphoric acid (H 3 PO 4 ). The treatment liquid L includes, for example, a phosphoric acid aqueous solution, a liquid in which the phosphoric acid aqueous solution contains an additive, a mixed acid containing phosphoric acid, or a mixed acid containing phosphoric acid and an additive. For example, as the treatment liquid L, a solution at approximately 157° C. in which approximately 89 mass% of phosphoric acid (H 3 PO 4 ) and approximately 11 mass% of water (deionized water) are mixed (hereinafter referred to as “phosphoric acid solution”) ) is used, the silicon nitride film (SiN film) is removed from the surface of the substrate W. In other words, as the treatment liquid L, a solution containing no impurities and having a high temperature and high acid concentration is used, and the treatment liquid L dissolves silicon (Si 4+ ). In addition, as long as the board|substrate W can be processed, the kind of processing liquid L is not specifically limited. Moreover, the temperature of the process liquid L is not specifically limited, either.

기판 처리 장치 (100) 는, 처리조 (110) 와, 기판 유지부 (120) 를 구비한다. 처리조 (110) 는, 기판 (W) 을 처리하기 위한 처리액 (L) 을 저류한다.The substrate processing apparatus 100 includes a processing tank 110 and a substrate holding unit 120 . The processing tank 110 stores the processing liquid L for processing the substrate W.

기판 유지부 (120) 는, 기판 (W) 을 유지한다. 기판 유지부 (120) 에 의해 유지된 기판 (W) 의 주면의 법선 방향은 Y 방향에 평행이다. 복수의 기판 (W) 은, Y 방향을 따라 일렬로 배열된다. 바꿔 말하면, 복수의 기판 (W) 은, 수평 방향에 대략 평행하게 배열된다. 또, 복수의 기판 (W) 의 각각의 법선은, Y 방향으로 연장되어 있고, 복수의 기판 (W) 의 각각은, X 방향 및 Z 방향으로 펼쳐진다. 기판 유지부 (120) 는, 기판 (W) 을 유지한 채로 기판 (W) 을 이동시킨다. 예를 들어, 기판 유지부 (120) 는, 기판 (W) 을 유지한 채로 연직 방향을 따라 연직 상방 또는 연직 하방으로 이동한다.The board|substrate holding part 120 holds the board|substrate W. The normal direction of the main surface of the substrate W held by the substrate holding unit 120 is parallel to the Y direction. The plurality of substrates W are arranged in a line along the Y direction. In other words, the plurality of substrates W are arranged substantially parallel to the horizontal direction. In addition, each normal of the plurality of substrates W extends in the Y direction, and each of the plurality of substrates W extends in the X direction and the Z direction. The substrate holding unit 120 moves the substrate W while holding the substrate W. For example, the board|substrate holding part 120 moves vertically upward or vertically downward along a vertical direction, hold|maintaining the board|substrate W.

전형적으로는, 기판 유지부 (120) 는, 복수의 기판 (W) 을 합쳐서 유지한다. 여기서는, 복수의 기판 (W) 은, Y 방향을 따라 일렬로 나열되어 배열된 기판 열을 형성한다. 이 때문에, 기판 유지부 (120) 는, 기판 열에 배열된 복수의 기판 (W) 을 유지한다. 또한, 기판 유지부 (120) 는, 1 장만의 기판 (W) 을 유지해도 된다.Typically, the substrate holding unit 120 holds the plurality of substrates W together. Here, the some board|substrate W forms the board|substrate row|line|column arranged in a line along the Y direction. For this reason, the board|substrate holding part 120 holds the some board|substrate W arranged in a board|substrate row|line|column. In addition, the board|substrate holding part 120 may hold|maintain the board|substrate W of only 1 sheet.

구체적으로는, 기판 유지부 (120) 는, 리프터를 포함한다. 기판 유지부 (120) 는, 복수의 기판 (W) 을 유지한 상태에서 연직 상방 또는 연직 하방으로 이동한다. 기판 유지부 (120) 가 연직 하방으로 이동함으로써, 기판 유지부 (120) 에 의해 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 은, 내조 (內槽) (112) 에 저류되어 있는 처리액 (L) 에 침지된다.Specifically, the substrate holding unit 120 includes a lifter. The board|substrate holding part 120 moves vertically upward or vertically downward in the state hold|maintaining the some board|substrate W. When the substrate holding unit 120 moves vertically downward, the plurality of substrates W held by the substrate holding unit 120 are absorbed by the processing liquid L stored in the inner tank 112 . is immersed

도 1(a) 에서는, 기판 유지부 (120) 는, 처리조 (110) 의 상방에 위치한다. 기판 유지부 (120) 는, 복수의 기판 (W) 을 유지한 채로 연직 하방 (Z 방향) 으로 하강한다. 이로써, 복수의 기판 (W) 이 처리조 (110) 에 투입된다.In FIG. 1A , the substrate holding unit 120 is located above the processing tank 110 . The board|substrate holding|maintenance part 120 descend|falls vertically downward (Z direction), hold|maintaining the some board|substrate W. Thereby, the some board|substrate W is injected|thrown-in to the processing tank 110 .

도 1(b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (120) 가 처리조 (110) 까지 하강하면, 복수의 기판 (W) 은, 처리조 (110) 내의 처리액 (L) 에 침지된다. 기판 유지부 (120) 는, 처리조 (110) 에 저류된 처리액 (L) 에, 소정 간격을 두고 정렬된 복수의 기판 (W) 을 침지시킨다.As shown in FIG. 1B , when the substrate holding unit 120 descends to the processing tank 110 , the plurality of substrates W are immersed in the processing liquid L in the processing tank 110 . The substrate holding unit 120 immerses the plurality of substrates W aligned at a predetermined interval in the processing liquid L stored in the processing tank 110 .

기판 유지부 (120) 는, 본체판 (122) 과, 유지봉 (124) 을 추가로 포함한다. 본체판 (122) 은, 연직 방향 (Z 방향) 으로 연장되는 판이다. 유지봉 (124) 은, 본체판 (122) 의 일방의 주면으로부터 수평 방향 (Y 방향) 으로 연장된다. 도 1(a) 및 도 1(b) 에서는, 3 개의 유지봉 (124) 이 본체판 (122) 의 일방의 주면으로부터 수평 방향으로 연장된다. 복수의 기판 (W) 은, 소정 간격을 두고 정렬된 상태에서, 복수의 유지봉 (124) 에 의해 각 기판 (W) 의 하측 가장자리가 맞닿아 기립 자세 (연직 자세) 로 유지된다.The substrate holding unit 120 further includes a main body plate 122 and a holding rod 124 . The body plate 122 is a plate extending in the vertical direction (Z direction). The holding rod 124 extends from one main surface of the main body plate 122 in the horizontal direction (Y direction). In FIG.1(a) and FIG.1(b), the three holding rods 124 extend in the horizontal direction from one main surface of the main body plate 122. As shown in FIG. In a state in which the plurality of substrates W are aligned at a predetermined interval, the lower edges of the respective substrates W abut against each other by the plurality of holding rods 124 and are maintained in the standing posture (vertical posture).

기판 유지부 (120) 는, 승강 유닛 (126) 을 추가로 포함해도 된다. 승강 유닛 (126) 은, 기판 유지부 (120) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 처리조 (110) 내에 위치하는 처리 위치 (도 1(b) 에 나타내는 위치) 와, 기판 유지부 (120) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 처리조 (110) 의 상방에 위치하는 퇴피 위치 (도 1(a) 에 나타내는 위치) 사이에서 본체판 (122) 을 승강시킨다. 따라서, 승강 유닛 (126) 에 의해 본체판 (122) 이 처리 위치로 이동됨으로써, 유지봉 (124) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 처리액 (L) 에 침지된다.The substrate holding unit 120 may further include a lifting unit 126 . The lifting unit 126 includes a processing position (position shown in FIG. 1(b) ) in which a plurality of substrates W held by the substrate holding unit 120 are located in the processing tank 110 , and a substrate holding unit ( The main body plate 122 is raised and lowered between the retracted positions (positions shown in FIG. 1(a)) in which the some board|substrate W hold|maintained by 120 is located above the processing tank 110. As shown in FIG. Accordingly, when the main body plate 122 is moved to the processing position by the lifting unit 126 , the plurality of substrates W held by the holding rod 124 are immersed in the processing liquid L .

다음으로, 도 1 및 도 2 를 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 2 는, 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다.Next, with reference to FIG. 1 and FIG. 2, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is demonstrated. 2 is a schematic diagram of the substrate processing apparatus 100 .

도 2 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 는, 기체 공급부 (130) 와, 제어 장치 (180) 를 추가로 구비한다. 기체 공급부 (130) 는, 처리조 (110) 에 기체를 공급한다. 상세하게는, 기체 공급부 (130) 는, 처리조 (110) 에 저류된 처리액 (L) 에 기체를 공급한다. 기체 공급부 (130) 가 처리조 (110) 에 기체를 공급함으로써, 기판 (W) 의 처리가 촉진된다.As shown in FIG. 2 , the substrate processing apparatus 100 further includes a gas supply unit 130 and a control device 180 . The gas supply unit 130 supplies gas to the treatment tank 110 . In detail, the gas supply unit 130 supplies the gas to the processing liquid L stored in the processing tank 110 . When the gas supply unit 130 supplies the gas to the processing tank 110 , the processing of the substrate W is accelerated.

기체 공급부 (130) 가 처리조 (110) 에 기체를 공급함으로써, 처리액 (L) 내에 기포가 형성된다. 처리액 (L) 내에 형성된 기포는, 처리액 (L) 내를 부상하여, 처리조 (110) 내의 처리액 (L) 과 기체 (예를 들어, 공기 또는 소정 분위기) 의 계면에까지 도달한다.When the gas supply unit 130 supplies the gas to the treatment tank 110 , bubbles are formed in the treatment liquid L. The bubbles formed in the processing liquid L float in the processing liquid L and reach the interface between the processing liquid L in the processing tank 110 and a gas (eg, air or a predetermined atmosphere).

기포가 처리액 (L) 중을 부상할 때, 기포는 기판 (W) 의 표면과 접촉한다. 이 경우, 기포에 의해 인산이 교반되기 때문에, 인산 내의 실리콘 농도의 불균일을 해소할 수 있다. 따라서, 에칭의 균일성을 향상시킬 수 있다.When the bubbles float in the processing liquid L, they come into contact with the surface of the substrate W. In this case, since the phosphoric acid is stirred by the bubbles, the non-uniformity of the silicon concentration in the phosphoric acid can be eliminated. Therefore, the uniformity of etching can be improved.

기체 공급부 (130) 는, 기체 공급원 (132) 과, 기체 공급관 (134) 과, 기포 발생관 (136) 을 갖는다. 기체 공급원 (132) 은, 기체를 보관한다. 기체는, 기체 공급원 (132) 으로부터 공급된다.The gas supply unit 130 includes a gas supply source 132 , a gas supply pipe 134 , and a bubble generation pipe 136 . The gas supply source 132 stores gas. The gas is supplied from the gas supply source 132 .

기체 공급관 (134) 은, 기체 공급원 (132) 과 기포 발생관 (136) 을 접속시킨다. 기체 공급원 (132) 으로부터 공급되는 기체는, 기체 공급관 (134) 을 통과하여 기포 발생관 (136) 에 흐른다.The gas supply pipe 134 connects the gas supply source 132 and the bubble generating pipe 136 . The gas supplied from the gas supply source 132 passes through the gas supply pipe 134 and flows into the bubble generating pipe 136 .

기포 발생관 (136) 은, 처리조 (110) 내에 배치된다. 전형적으로는, 기포 발생관 (136) 은, 처리조 (110) 의 바닥면에 배치된다.The bubble generating tube 136 is disposed in the treatment tank 110 . Typically, the bubble generating tube 136 is disposed on the bottom surface of the treatment tank 110 .

기체 공급부 (130) 는, 유량 제어 기구 (140) 를 추가로 가져도 된다. 유량 제어 기구 (140) 는, 기체 공급관 (134) 에 장착된다. 유량 제어 기구 (140) 는, 기체 공급관 (134) 을 흐르는 기체의 압력 및 유량 중 적어도 일방을 제어한다. 예를 들어, 유량 제어 기구 (140) 는, 기체 공급관 (134) 을 흐르는 기체의 유량을 제어한다. 일례로서, 유량 제어 기구 (140) 는, 기체 공급관 (134) 을 흐르는 기체의 압력을 일정하게 고정시킨 상태에서, 처리에 따라 기체의 유량을 제어한다.The gas supply unit 130 may further include a flow rate control mechanism 140 . The flow rate control mechanism 140 is attached to the gas supply pipe 134 . The flow rate control mechanism 140 controls at least one of the pressure and flow rate of the gas flowing through the gas supply pipe 134 . For example, the flow rate control mechanism 140 controls the flow rate of the gas flowing through the gas supply pipe 134 . As an example, the flow rate control mechanism 140 controls the flow rate of the gas according to the process in a state in which the pressure of the gas flowing through the gas supply pipe 134 is fixed constant.

예를 들어, 유량 제어 기구 (140) 는, 기체 공급관 (134) 의 유로의 개폐를 실시하는 노즐 또는 조정 밸브를 포함한다. 유량 제어 기구 (140) 는, 압력계 및 유량계를 포함해도 된다.For example, the flow rate control mechanism 140 includes a nozzle or a control valve that opens and closes the flow path of the gas supply pipe 134 . The flow control mechanism 140 may include a pressure gauge and a flow meter.

상기 서술한 바와 같이, 기포 발생관 (136) 은, 처리조 (110) 내에 배치된다. 한편, 기체 공급원 (132) 및 유량 제어 기구 (140) 는, 처리조 (110) 의 외부에 배치된다. 또, 기체 공급관 (134) 은, 처리조 (110) 의 외부에 배치된다. 또한, 기체 공급관 (134) 의 적어도 일부는, 처리조 (110) 내에 배치되고, 처리조 (110) 내에 있어서 기체 공급관 (134) 은 기포 발생관 (136) 과 접속되어도 된다.As described above, the bubble generating tube 136 is disposed in the treatment tank 110 . On the other hand, the gas supply source 132 and the flow rate control mechanism 140 are disposed outside the treatment tank 110 . Moreover, the gas supply pipe 134 is arrange|positioned outside the processing tank 110 . In addition, at least a part of the gas supply pipe 134 may be arrange|positioned in the processing tank 110, and the gas supply pipe 134 may be connected with the bubble generation pipe|tube 136 in the processing tank 110. As shown in FIG.

제어 장치 (180) 는, 기판 처리 장치 (100) 의 각종 동작을 제어한다. 전형적으로는, 제어 장치 (180) 는, 기체 공급부 (130) 를 제어한다. 예를 들어, 제어 장치 (180) 는, 유량 제어 기구 (140) 를 제어한다.The control apparatus 180 controls various operations of the substrate processing apparatus 100 . Typically, the control device 180 controls the gas supply unit 130 . For example, the control device 180 controls the flow rate control mechanism 140 .

제어 장치 (180) 는, 제어부 (182) 및 기억부 (184) 를 포함한다. 제어부 (182) 는, 프로세서를 갖는다. 제어부 (182) 는, 예를 들어, 중앙 처리 연산기 (Central Processing Unit : CPU) 를 갖는다. 또는, 제어부 (182) 는, 범용 연산기를 가져도 된다.The control device 180 includes a control unit 182 and a storage unit 184 . The control unit 182 has a processor. The control unit 182 includes, for example, a central processing unit (CPU). Alternatively, the control unit 182 may have a general-purpose calculator.

기억부 (184) 는, 데이터 및 컴퓨터 프로그램을 기억한다. 데이터는, 레시피 데이터를 포함한다. 레시피 데이터는, 복수의 레시피를 나타내는 정보를 포함한다. 복수의 레시피의 각각은, 기판 (W) 의 처리 내용 및 처리 순서를 규정한다.The storage unit 184 stores data and computer programs. The data includes recipe data. Recipe data contains information indicating a plurality of recipes. Each of the plurality of recipes prescribes the processing content and processing order of the substrate W. As shown in FIG.

기억부 (184) 는, 주기억 장치와, 보조 기억 장치를 포함한다. 주기억 장치는, 예를 들어, 반도체 메모리이다. 보조 기억 장치는, 예를 들어, 반도체 메모리 및/또는 하드 디스크 드라이브이다. 기억부 (184) 는 리무버블 미디어를 포함하고 있어도 된다. 제어부 (182) 는, 기억부 (184) 가 기억하고 있는 컴퓨터 프로그램을 실행하여, 기판 처리 동작을 실행한다.The storage unit 184 includes a main storage device and an auxiliary storage device. The main memory device is, for example, a semiconductor memory. The auxiliary storage device is, for example, a semiconductor memory and/or a hard disk drive. The storage unit 184 may include a removable medium. The control unit 182 executes the computer program stored in the storage unit 184 to execute a substrate processing operation.

기억부 (184) 에는, 미리 순서가 정해진 컴퓨터 프로그램이 기억되어 있다. 기판 처리 장치 (100) 는, 컴퓨터 프로그램에 정해진 순서에 따라서 동작한다.In the storage unit 184, a computer program with a predetermined sequence is stored. The substrate processing apparatus 100 operates according to a sequence determined by a computer program.

제어부 (182) 는, 기체 공급부 (130) 를 제어한다. 제어부 (182) 의 제어에 의해, 기체 공급부 (130) 로부터의 기체의 공급이 제어된다. 상세하게는, 제어부 (182) 는, 기체 공급부 (130) 에 의한 기체의 공급의 개시 및 정지를 제어한다. 또, 제어부 (182) 는, 유량 제어 기구 (140) 를 제어하여, 처리조 (110) 내의 기포 발생관 (136) 에 공급되는 기체의 유량을 제어한다. 일례에서는, 제어부 (182) 는, 처리조 (110) 의 외부에 배치된 기체 공급관 (134) 에 형성된 노즐, 조정 밸브 등을 제어함으로써, 기포 발생관 (136) 에 대한 기체의 공급을 제어해도 된다.The control unit 182 controls the gas supply unit 130 . Supply of the gas from the gas supply part 130 is controlled by the control of the control part 182 . In detail, the control part 182 controls the start and stop of supply of gas by the gas supply part 130. As shown in FIG. In addition, the control unit 182 controls the flow rate control mechanism 140 to control the flow rate of the gas supplied to the bubble generating tube 136 in the treatment tank 110 . In one example, the control unit 182 may control the supply of the gas to the bubble generating tube 136 by controlling a nozzle, a regulating valve, or the like formed in the gas supply pipe 134 disposed outside the treatment tank 110 . .

또, 제어부 (182) 는, 승강 유닛 (126) 을 제어한다. 제어부 (182) 의 제어에 의해, 본체판 (122) 은, 처리조 (110) 의 처리액 (L) 에 대하여 승강한다.Moreover, the control part 182 controls the raising/lowering unit 126 . Under the control of the control unit 182 , the main body plate 122 moves up and down with respect to the processing liquid L of the processing tank 110 .

다음으로, 도 3 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 3(a) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식적인 측면도이고, 도 3(b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식적인 상면도이다.Next, with reference to FIG. 3, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is demonstrated. Fig. 3(a) is a schematic side view of the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, and Fig. 3(b) is a schematic top view of the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment.

도 3(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (120) 는, Y 방향으로 일렬로 배열된 복수의 기판 (W) 을 유지한다. 복수의 기판 (W) 은, 등간격으로 배열된다. 예를 들어, 인접하는 기판 (W) 간의 간격은, 2 ㎜ 이상 20 ㎜ 이하이다.As shown to Fig.3 (a), the board|substrate holding part 120 holds the some board|substrate W arranged in a line in the Y direction. The plurality of substrates W are arranged at equal intervals. For example, the space|interval between the adjacent board|substrates W is 2 mm or more and 20 mm or less.

기포 발생관 (136) 은, 기판 유지부 (120) 에 유지된 기판 (W) 의 하방에 위치한다. 전형적으로는, 기포 발생관 (136) 은, 처리조 (110) 의 바닥면에 배치된다. 기포 발생관 (136) 은, Y 방향으로 연장된다.The bubble generating tube 136 is located below the board|substrate W hold|maintained by the board|substrate holding part 120. As shown in FIG. Typically, the bubble generating tube 136 is disposed on the bottom surface of the treatment tank 110 . The bubble generating tube 136 extends in the Y direction.

기포 발생관 (136) 에는 복수의 개구 (136p) 가 형성된다. 기포 발생관 (136) 에 있어서 복수의 개구 (136p) 가 일렬로 배열된다. 복수의 개구 (136p) 의 간격은, 기판 (W) 의 간격과 대략 동등하다. 복수의 개구 (136p) 는, 배열 방향으로 배열된 기판 (W) 의 사이에 위치한다.A plurality of openings 136p are formed in the bubble generating tube 136 . In the bubble generating tube 136, a plurality of openings 136p are arranged in a line. The spacing of the plurality of openings 136p is substantially equal to the spacing of the substrate W. As shown in FIG. The plurality of openings 136p are located between the substrates W arranged in the arrangement direction.

도 3(b) 에 나타내는 바와 같이, 기포 발생관 (136) 은, 기포 발생관 (136a) 과, 기포 발생관 (136b) 과, 기포 발생관 (136c) 과, 기포 발생관 (136d) 을 갖는다. 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 은, 서로 평행하게 연장된다. 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 은, 각각 Y 방향으로 연장된다. 기포 발생관 (136a), 기포 발생관 (136b), 기포 발생관 (136c) 및 기포 발생관 (136d) 은, -X 방향에서 ＋X 방향을 향하여, 이 차례로 배열된다.As shown in FIG.3(b), the bubble generating pipe|tube 136 has the bubble generating pipe|tube 136a, the bubble generating pipe|tube 136b, the bubble generating pipe|tube 136c, and the bubble generating pipe|tube 136d. . The bubble generating tubes 136a to 136d extend in parallel to each other. The bubble generating tubes 136a to 136d extend in the Y direction, respectively. The bubble generating pipe|tube 136a, the bubble generating pipe|tube 136b, the bubble generating pipe|tube 136c, and the bubble generating pipe|tube 136d are arranged in this order toward +X direction from the -X direction.

기포 발생관 (136a) 및 기포 발생관 (136d) 은, 기판 (W) 의 외주 영역의 하방에 배치된다. 예를 들어, 기판 (W) 의 외주 영역은, 기판 (W) 의 중심에 대하여 수평 방향을 따라 반경의 0.6 배가 되는 위치에서 기판 (W) 의 단부까지의 영역이다. 기포 발생관 (136a) 및 기포 발생관 (136d) 은, 외측 기포 발생관의 일례이다.The bubble generating pipe|tube 136a and the bubble generating pipe|tube 136d are arrange|positioned below the outer peripheral area|region of the board|substrate W. For example, the outer peripheral region of the substrate W is a region from a position that is 0.6 times the radius along the horizontal direction to the end of the substrate W with respect to the center of the substrate W. The bubble generating pipe|tube 136a and the bubble generating pipe|tube 136d are an example of an outer side bubble generating pipe|tube.

기포 발생관 (136b) 은, 평면에서 본 경우에 기포 발생관 (136a) 보다 기판 (W) 의 중심측에 배치된다. 또, 기포 발생관 (136c) 은, 평면에서 본 경우에 기포 발생관 (136d) 보다 기판 (W) 의 중심측에 배치된다. 이 때문에, 기포 발생관 (136b) 및 기포 발생관 (136c) 은, 기판 (W) 의 중심 영역의 하방에 배치된다. 예를 들어, 기판 (W) 의 중심 영역은, 기판 (W) 의 중심에서, 기판 (W) 의 중심에 대하여 수평 방향을 따라 반경의 0.6 배까지의 영역이다. 기포 발생관 (136b) 및 기포 발생관 (136c) 은, 내측 기포 발생관의 일례이다.The bubble generating tube 136b is arrange|positioned at the center side of the board|substrate W rather than the bubble generating pipe|tube 136a in planar view. Moreover, the bubble generating pipe|tube 136c is arrange|positioned rather than the bubble generating pipe|tube 136d at the center side of the board|substrate W in planar view. For this reason, the bubble generating pipe|tube 136b and the bubble generating pipe|tube 136c are arrange|positioned below the center area|region of the board|substrate W. As shown in FIG. For example, the central region of the substrate W is a region from the center of the substrate W to 0.6 times the radius along the horizontal direction with respect to the center of the substrate W. The bubble generating pipe 136b and the bubble generating pipe 136c are an example of an inner side bubble generating pipe|tube.

기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에는, 각각 복수의 개구 (136p) 가 형성된다. 여기서는, 복수의 개구 (136p) 의 각각의 크기 및 간격은 서로 동등하다.A plurality of openings 136p are formed in each of the bubble generating tubes 136a to 136d. Here, the size and spacing of each of the plurality of openings 136p are equal to each other.

기포 발생관 (136a ∼ 136d) 은, 동일한 구성을 갖는다. 또한, 본 명세서에 있어서, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 을 총칭하여 기포 발생관 (136) 으로 기재하는 경우가 있다.The bubble generating tubes 136a to 136d have the same configuration. In addition, in this specification, the bubble generating pipe|tube 136a-136d may be generically described as the bubble generating pipe|tube 136.

기체 공급원 (132) 은, 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 의 각각과 접속된다. 기체 공급관 (134a) 은, 기체 공급원 (132) 과 기포 발생관 (136a) 을 접속시킨다. 기체 공급관 (134b) 은, 기체 공급원 (132) 과 기포 발생관 (136b) 을 접속시킨다. 기체 공급관 (134c) 은, 기체 공급원 (132) 과 기포 발생관 (136c) 을 접속시킨다. 기체 공급관 (134d) 은, 기체 공급원 (132) 과 기포 발생관 (136d) 을 접속시킨다. 이와 같이, 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 은, 기체 공급원 (132) 과 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 을 각각 접속시킨다.The gas supply source 132 is connected to each of the gas supply pipes 134a to 134d. The gas supply pipe 134a connects the gas supply source 132 and the bubble generating pipe 136a. The gas supply pipe 134b connects the gas supply source 132 and the bubble generating pipe 136b. The gas supply pipe 134c connects the gas supply source 132 and the bubble generating pipe 136c. The gas supply pipe 134d connects the gas supply source 132 and the bubble generating pipe 136d. In this way, the gas supply pipes 134a to 134d connect the gas supply source 132 and the bubble generation pipes 136a to 136d, respectively.

기체 공급관 (134a) 에는, 유량 제어 기구 (140a) 가 장착된다. 또, 기체 공급관 (134b) 에는, 유량 제어 기구 (140b) 가 장착된다. 동일하게, 기체 공급관 (134c) 에는, 유량 제어 기구 (140c) 가 장착되고, 기체 공급관 (134d) 에는, 유량 제어 기구 (140d) 가 장착된다. 이와 같이, 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 에는, 유량 제어 기구 (140a ∼ 140d) 가 각각 장착된다.A flow control mechanism 140a is attached to the gas supply pipe 134a. In addition, a flow rate control mechanism 140b is attached to the gas supply pipe 134b. Similarly, the flow control mechanism 140c is attached to the gas supply pipe 134c, and the flow control mechanism 140d is attached to the gas supply pipe 134d. In this way, flow control mechanisms 140a to 140d are respectively attached to the gas supply pipes 134a to 134d.

이 때문에, 기포 발생관 (136a) 에는, 기체 공급원 (132) 으로부터, 유량 제어 기구 (140a) 에 의해 유량이 제어된 기체가 기체 공급관 (134a) 을 통과하여 공급된다. 또, 기포 발생관 (136b) 에는, 기체 공급원 (132) 으로부터, 유량 제어 기구 (140b) 에 의해 유량이 제어된 기체가 기체 공급관 (134b) 을 통과하여 공급된다.For this reason, the gas whose flow volume is controlled by the flow control mechanism 140a passes through the gas supply pipe 134a and is supplied from the gas supply source 132 to the bubble generating pipe 136a. Moreover, the gas whose flow volume is controlled by the flow rate control mechanism 140b passes through the gas supply pipe 134b and is supplied from the gas supply source 132 to the bubble generating pipe|tube 136b.

동일하게, 기포 발생관 (136c) 에는, 기체 공급원 (132) 으로부터, 유량 제어 기구 (140c) 에 의해 유량이 제어된 기체가 기체 공급관 (134c) 을 통과하여 공급된다. 또, 기포 발생관 (136d) 에는, 기체 공급원 (132) 으로부터, 유량 제어 기구 (140d) 에 의해 유량이 제어된 기체가 기체 공급관 (134d) 을 통과하여 공급된다.Similarly, from the gas supply source 132 , the gas whose flow rate is controlled by the flow control mechanism 140c is supplied to the bubble generating pipe 136c through the gas supply pipe 134c. Moreover, the gas whose flow volume is controlled by the flow rate control mechanism 140d is supplied to the bubble generating pipe|tube 136d from the gas supply source 132 through the gas supply pipe 134d.

기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 공급되는 기체의 유량 (기체 유량) 은, 유량 제어 기구 (140a ∼ 140d) 에 의해 각각 제어할 수 있다. 유량 제어 기구 (140a ∼ 140d) 는, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 공급되는 기체의 유량을 동등하게 할 수 있다. 혹은, 유량 제어 기구 (140a ∼ 140d) 는, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 공급되는 기체의 유량을 상이하게 할 수 있다.The flow rate (gas flow rate) of the gas supplied to the bubble generating pipes 136a to 136d is controllable by the flow rate control mechanisms 140a to 140d, respectively. The flow rate control mechanisms 140a to 140d can equalize the flow rate of the gas supplied to the bubble generating tubes 136a to 136d. Alternatively, the flow rate control mechanisms 140a to 140d can make the flow rates of the gas supplied to the bubble generating tubes 136a to 136d different.

또한, 여기서는, 동일한 기체 공급원 (132) 으로부터 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 기체가 공급된다. 단, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에는 상이한 기체 공급원으로부터 기체가 공급되어도 된다. 이 경우, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에는, 기체 공급원 (132) 으로부터, 미리 정해진 유량의 기체가 공급되어도 된다.Here, gas is supplied to the bubble generating tubes 136a to 136d from the same gas supply source 132 . However, gas may be supplied to the bubble generating tubes 136a-136d from different gas supply sources. In this case, a gas of a predetermined flow rate may be supplied to the bubble generating tubes 136a to 136d from the gas supply source 132 .

다음으로, 도 1 ∼ 도 4 를 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 4(a) 및 도 4(b) 는, 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다. 도 4(a) 는, 기판 처리 장치 (100) 에 있어서 복수의 기포 발생관 (136) 에 동등한 유량으로 기체를 공급한 경우에 발생하는 기포를 나타내고 있고, 도 4(b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 에 있어서 기포 발생 중의 처리액 (L) 의 흐름을 나타내고 있다. 여기서는, 유량 제어 기구 (140a ∼ 140d) 는, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 의 각각에 공급되는 기체의 유량을 동등하게 하고 있다. 또, 도 4(a) 및 도 4(b) 에는, 기판 (W) 의 중심을 통과하여 연직 방향으로 연장되는 가상 중심선 (CL) 을 나타낸다.Next, with reference to FIGS. 1-4, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is demonstrated. 4 (a) and 4 (b) are schematic diagrams of the substrate processing apparatus 100 . Fig. 4 (a) shows bubbles generated when gas is supplied to the plurality of bubble generating tubes 136 at an equal flow rate in the substrate processing apparatus 100, and Fig. 4 (b) is the present embodiment. The flow of the processing liquid L during bubble generation in the substrate processing apparatus 100 of FIG. Here, the flow rate control mechanisms 140a to 140d equalize the flow rate of the gas supplied to each of the bubble generating tubes 136a to 136d. In addition, to FIG.4(a) and FIG.4(b), the virtual center line CL extended in a perpendicular direction through the center of the board|substrate W is shown.

도 4(a) 에 나타내는 바와 같이, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 의 각각에 기체가 공급되면, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 의 각각으로부터 처리액 (L) 중에 기포가 발생한다. 처리조 (110) 의 처리액 (L) 에 대하여 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 으로부터 기체를 토출함으로써, 처리액 (L) 내에 기포가 발생한다. 처리액 (L) 내에 발생한 기포는, 처리액 (L) 내를 부상하여, 처리조 (110) 내의 처리액 (L) 과 기체 (예를 들어, 공기 또는 소정 분위기) 의 계면에까지 도달한다.As shown in Fig. 4(a) , when gas is supplied to each of the bubble generating pipes 136a to 136d, bubbles are generated in the treatment liquid L from each of the bubble generating pipes 136a to 136d. By discharging gas from the bubble generating tubes 136a to 136d with respect to the processing liquid L of the processing tank 110 , bubbles are generated in the processing liquid L. The bubbles generated in the processing liquid L float in the processing liquid L and reach the interface between the processing liquid L in the processing tank 110 and a gas (eg, air or a predetermined atmosphere).

기포가 처리액 (L) 중을 부상할 때, 기포는 기판 (W) 의 표면과 접촉한다. 이 경우, 기포에 의해 인산이 교반되기 때문에, 인산 내의 실리콘 농도의 불균일이 해소되어, 에칭의 균일성을 향상시킬 수 있다.When the bubbles float in the processing liquid L, they come into contact with the surface of the substrate W. In this case, since the phosphoric acid is stirred by the bubbles, the non-uniformity of the silicon concentration in the phosphoric acid is eliminated, and the uniformity of the etching can be improved.

기포 발생관 (136a) 으로부터 발생하는 기포의 양은, 기포 발생관 (136b) 으로부터 발생하는 기포의 양보다 적다. 동일하게, 기포 발생관 (136d) 으로부터 발생하는 기포의 양은, 기포 발생관 (136c) 으로부터 발생하는 기포의 양보다 적다.The amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136a is smaller than the amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136b. Similarly, the amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136d is smaller than the amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136c.

도 4(b) 에 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 있어서 발생한 기포에 의한 처리액 (L) 의 흐름 (F) 을 나타낸다. 기포의 부상에 수반하여 처리조 (110) 내의 처리액 (L) 과 기체 (예를 들어, 공기 또는 소정 분위기) 의 계면에까지 도달한 처리액 (L) 은, 처리액 (L) 의 상방에 있어서 -X 방향 외측 및 ＋X 방향 외측을 향하여 흐른다. 그 후, 처리액 (L) 은, 처리조 (110) 의 -X 방향 외측의 측벽 및 ＋X 방향 외측의 측벽을 따라 하방으로 흐르는 하강류를 형성한다.Fig. 4(b) shows a flow F of the treatment liquid L due to the bubbles generated in the bubble generating tubes 136a to 136d. The treatment liquid L, which has reached the interface between the treatment liquid L in the treatment tank 110 and the gas (eg, air or a predetermined atmosphere) with floating of the bubbles, is located above the treatment liquid L. It flows outward in the -X direction and outward in the +X direction. Thereafter, the processing liquid L forms a downflow flowing downward along the sidewall outside the -X direction and the sidewall outside the +X direction of the treatment tank 110 .

따라서, 처리조 (110) 의 외측에 위치하는 기포 발생관 (136a) 및 기포 발생관 (136d) 은, 처리조 (110) 의 내측에 위치하는 기포 발생관 (136b) 및 기포 발생관 (136c) 과 비교하여, 처리액 (L) 이 처리조 (110) 의 상방에서 하방을 향하는 하강류의 영향을 강하게 받는다. 이 때문에, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 공급되는 기체의 유량이 동등해도, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 으로부터 발생하는 기포에 의한 에칭량이 균일해지지 않는 경우가 있다. 예를 들어, 처리조 (110) 의 외측에 위치하는 기포 발생관 (136a) 및 기포 발생관 (136d) 으로부터 발생하는 기포의 양은, 처리조 (110) 의 내측에 위치하는 기포 발생관 (136b) 및 기포 발생관 (136c) 으로부터 발생하는 기포의 양보다 적어지는 경우가 있다.Accordingly, the bubble generating pipe 136a and the bubble generating pipe 136d located outside the treatment tank 110 are the bubble generating pipe 136b and the bubble generating pipe 136c located inside the treatment tank 110 . Compared with , the treatment liquid L is strongly influenced by the downward flow from the upper side of the treatment tank 110 to the lower side. For this reason, even if the flow volume of the gas supplied to the bubble generating tubes 136a-136d is equal, the etching amount by the bubble generate|occur|produced from the bubble generating tubes 136a-136d may not become uniform. For example, the amount of bubbles generated from the bubble generating pipe 136a and the bubble generating pipe 136d located outside the treatment tank 110 is the bubble generating pipe 136b located inside the treatment tank 110 . and the amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136c in some cases.

다음으로, 도 5 를 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 5(a) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식적인 상면도이고, 도 5(b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 에 있어서, 복수의 기포 발생관 (136) 에 상이한 유량으로 기체를 공급함으로써 기포가 발생한 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다.Next, with reference to FIG. 5, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is demonstrated. Fig. 5 (a) is a schematic top view of the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, and Fig. 5 (b) is a plurality of bubble generating tubes ( 136) is a schematic diagram of the substrate processing apparatus 100 in which bubbles are generated by supplying gas at different flow rates.

도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 유량 제어 기구 (140a ∼ 140d) 는, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 공급되는 기체의 유량이 상이하도록 제어한다. 상세하게는, 유량 제어 기구 (140a) 및 유량 제어 기구 (140b) 는, 기포 발생관 (136a) 에 공급되는 기체의 유량이 기포 발생관 (136b) 에 공급되는 기체의 유량보다 많아지도록 기체 공급관 (134a) 및 기체 공급관 (134b) 을 흐르는 기체의 유량을 제어한다. 또, 유량 제어 기구 (140c) 및 유량 제어 기구 (140d) 는, 기포 발생관 (136d) 에 공급되는 기체의 유량이 기포 발생관 (136c) 에 공급되는 기체의 유량보다 많아지도록 기체 공급관 (134c) 및 기체 공급관 (134d) 을 흐르는 기체의 유량을 제어한다.As shown to Fig.5 (a), flow control mechanism 140a-140d controls so that the flow volume of the gas supplied to bubble generating pipe|tube 136a-136d may differ. Specifically, the flow rate control mechanism 140a and the flow rate control mechanism 140b are configured such that the flow rate of the gas supplied to the bubble generation tube 136a is greater than the flow rate of the gas supplied to the bubble generation tube 136b. 134a) and the flow rate of the gas flowing through the gas supply pipe 134b are controlled. In addition, the flow rate control mechanism 140c and the flow rate control mechanism 140d have the gas supply pipe 134c so that the flow rate of the gas supplied to the bubble generation pipe 136d is greater than the flow rate of the gas supplied to the bubble generation pipe 136c. and controlling the flow rate of the gas flowing through the gas supply pipe 134d.

이 때문에, 처리조 (110) 에 있어서 외측에 위치하는 기포 발생관 (136a) 및 기포 발생관 (136d) 에 공급되는 기체의 유량은, 처리조 (110) 에 있어서 내측에 위치하는 기포 발생관 (136b) 및 기포 발생관 (136c) 에 공급되는 기체의 유량보다 많다.For this reason, the flow rate of the gas supplied to the bubble generating pipe|tube 136a and the bubble generating pipe|tube 136d located outside in the processing tank 110 is the bubble generating pipe located inside in the processing tank 110 (110). 136b) and the flow rate of the gas supplied to the bubble generating tube 136c.

도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 의 각각에 기체가 공급되면, 처리액 (L) 중에 기포가 발생한다. 여기서는, 기포 발생관 (136a) 으로부터 발생한 기포의 양, 기포 발생관 (136b) 으로부터 발생한 기포의 양, 기포 발생관 (136c) 으로부터 발생한 기포의 양, 및 기포 발생관 (136d) 으로부터 발생한 기포의 양은, 각각 대략 동등하다. 상세하게는, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 으로부터, 대략 동일한 정도의 크기의 기포가 동일한 정도의 빈도로 처리액 (L) 내에 발생한다.As shown in Fig. 5(b) , when gas is supplied to each of the bubble generating tubes 136a to 136d, bubbles are generated in the processing liquid L. Here, the amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136a, the amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136b, the amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136c, and the amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136d are , each approximately equivalent. Specifically, from the bubble generating tubes 136a to 136d, bubbles of approximately the same size are generated in the treatment liquid L at the same frequency.

이와 같이, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 으로부터 발생하는 기포의 양이 대략 동등해지도록, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 공급하는 기체의 유량을 상이하게 할 수 있다.In this way, the flow rate of the gas supplied to the bubble generating tubes 136a to 136d can be made different so that the quantity of the foam|bubble which generate|occur|produces from the bubble generating tubes 136a-136d may become substantially equal.

또한, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 공급되는 기체의 유량의 상한은, 처리조 (110) 내의 처리액 (L) 이 처리조 (110) 로부터 흘러넘치지 않도록 설정된다. 예를 들어, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 공급하는 기체 유량의 상한은, 처리조 (110) 내의 용적, 처리액 (L) 의 양, 처리액 (L) 의 온도 등에 기초하여 설정된다. 또, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 공급하는 기체 유량의 하한은, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 으로부터의 기포 발생의 유무에 따라 설정된다.The upper limit of the flow rate of the gas supplied to the bubble generating tubes 136a to 136d is set so that the processing liquid L in the processing tank 110 does not overflow from the processing tank 110 . For example, the upper limit of the gas flow rate supplied to the bubble generating tubes 136a to 136d is set based on the volume in the processing tank 110 , the amount of the processing liquid L, the temperature of the processing liquid L, and the like. Moreover, the lower limit of the gas flow volume supplied to the bubble generating pipes 136a-136d is set according to the presence or absence of bubble generation from the bubble generating pipes 136a-136d.

본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 에서는, 처리조 (110) 에 있어서 외측에 위치하는 기포 발생관 (136a) 및 기포 발생관 (136d) 에 공급되는 기체의 유량은, 처리조 (110) 에 있어서 내측에 위치하는 기포 발생관 (136b) 및 기포 발생관 (136c) 에 공급되는 기체의 유량보다 많게 한다. 이 때문에, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 으로부터 발생하는 기포의 양을 대략 동등하게 할 수 있어, 기판 (W) 의 면내에 걸친 처리 불균일을 억제할 수 있다.In the substrate processing apparatus 100 of this embodiment, the flow rate of the gas supplied to the bubble generating pipe|tube 136a and the bubble generating pipe|tube 136d located outside in the processing tank 110 is set to the processing tank 110. It is made larger than the flow rate of the gas supplied to the bubble generating pipe|tube 136b and the bubble generating pipe|tube 136c located in the inside. For this reason, the quantity of the bubble which generate|occur|produces from the bubble generating tubes 136a-136d can be made substantially equal, and the process nonuniformity over the surface of the board|substrate W can be suppressed.

다음으로, 도 6 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 6 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다.Next, with reference to FIG. 6, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is demonstrated. 6 : is a schematic diagram of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.

도 6 에 나타내는 바와 같이, 기체 공급부 (130) 는, 기체 공급원 (132) 과, 기체 공급관 (134) 과, 기포 발생관 (136) 과, 유량 제어 기구 (140) 를 갖는다. 여기서는, 처리조 (110) 에 배치된 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 의 각각에 기체를 공급하여, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 의 각각으로부터 처리액 (L) 에 기포를 발생시키고, 처리액 (L) 에 침지된 복수의 기판 (W) 에 대하여 기포를 공급한다.As shown in FIG. 6 , the gas supply unit 130 includes a gas supply source 132 , a gas supply pipe 134 , a bubble generation pipe 136 , and a flow rate control mechanism 140 . Here, gas is supplied to each of the bubble generating tubes 136a to 136d disposed in the treatment tank 110 to generate bubbles in the treatment liquid L from each of the bubble generating tubes 136a to 136d, and the treatment liquid A bubble is supplied with respect to the some board|substrate W immersed in (L).

예를 들어, 기체 공급관 (134) 은, 공통 배관 (134S) 과, 개별 배관 (134T) 을 갖는다. 개별 배관 (134T) 은, 기체 공급관 (134a) 과, 기체 공급관 (134b) 과, 기체 공급관 (134c) 과, 기체 공급관 (134d) 을 포함한다.For example, the gas supply pipe 134 has a common pipe 134S and an individual pipe 134T. The individual pipe 134T includes a gas supply pipe 134a, a gas supply pipe 134b, a gas supply pipe 134c, and a gas supply pipe 134d.

공통 배관 (134S) 은, 기체 공급원 (132) 과 개별 배관 (134T) 을 접속시킨다. 구체적으로는, 공통 배관 (134S) 의 상류단은, 기체 공급원 (132) 에 접속된다. 기체 공급원 (132) 은, 공통 배관 (134S) 에 기체를 공급한다. 공통 배관 (134S) 의 하류단은, 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 의 상류단에 접속된다.The common pipe 134S connects the gas supply source 132 and the individual pipe 134T. Specifically, the upstream end of the common pipe 134S is connected to the gas supply source 132 . The gas supply source 132 supplies gas to the common pipe 134S. The downstream end of the common pipe 134S is connected to the upstream end of the gas supply pipes 134a-134d.

기체 공급관 (134a) 의 하류단은, 기포 발생관 (136a) 에 접속된다. 기체 공급관 (134b) 의 하류단은, 기포 발생관 (136b) 에 접속된다. 기체 공급관 (134c) 의 하류단은, 기포 발생관 (136c) 에 접속된다. 기체 공급관 (134d) 의 하류단은, 기포 발생관 (136d) 에 접속된다. 이 때문에, 기체는, 기체 공급원 (132) 으로부터, 공통 배관 (134S) 및 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 을 통과하여 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 각각 공급된다.The downstream end of the gas supply pipe 134a is connected to the bubble generation pipe 136a. The downstream end of the gas supply pipe 134b is connected to the bubble generation pipe 136b. The downstream end of the gas supply pipe 134c is connected to the bubble generating pipe 136c. The downstream end of the gas supply pipe 134d is connected to the bubble generating pipe 136d. For this reason, the gas is supplied from the gas supply source 132 to the bubble generating pipes 136a to 136d, respectively, through the common pipe 134S and the gas supply pipes 134a to 134d.

유량 제어 기구 (140) 는, 공통 제어 기구 (140S) 와, 개별 제어 기구 (140T) 를 갖는다. 개별 제어 기구 (140T) 는, 유량 제어 기구 (140a) 와, 유량 제어 기구 (140b) 와, 유량 제어 기구 (140c) 와, 유량 제어 기구 (140d) 를 포함한다.The flow rate control mechanism 140 has a common control mechanism 140S and an individual control mechanism 140T. The individual control mechanism 140T includes a flow rate control mechanism 140a , a flow rate control mechanism 140b , a flow rate control mechanism 140c , and a flow rate control mechanism 140d .

공통 제어 기구 (140S) 는, 밸브 (141) 와, 레귤레이터 (142) 와, 압력계 (143) 를 갖는다. 밸브 (141), 레귤레이터 (142) 및 압력계 (143) 는, 공통 배관 (134S) 의 상류에서 하류를 향하여 이 차례로 공통 배관 (134S) 에 배치된다. 밸브 (141) 가 개방되면, 기체 공급원 (132) 으로부터 기체가 공통 배관 (134S) 을 흐른다. 레귤레이터 (142) 는, 공통 배관 (134S) 을 통과하는 기체의 압력을 정해진 값으로 조정한다. 압력계 (143) 는, 공통 배관 (134S) 중의 압력을 검출한다. 압력계 (143) 는, 레귤레이터 (142) 와 개별 배관 (134T) 사이에 접속된다.The common control mechanism 140S includes a valve 141 , a regulator 142 , and a pressure gauge 143 . The valve 141 , the regulator 142 , and the pressure gauge 143 are disposed in the common pipe 134S in this order from upstream to downstream of the common pipe 134S. When the valve 141 is opened, gas from the gas supply source 132 flows through the common pipe 134S. The regulator 142 adjusts the pressure of the gas passing through the common pipe 134S to a predetermined value. The pressure gauge 143 detects the pressure in the common pipe 134S. The pressure gauge 143 is connected between the regulator 142 and the individual pipe 134T.

유량 제어 기구 (140a) 는, 기체 공급원 (132) 으로부터 공급되는 기체의 유량을 제어한다. 유량이 제어된 기체가, 기체 공급관 (134a) 을 통하여, 기포 발생관 (136a) 에 공급된다. 예를 들어, 유량 제어 기구 (140a) 는, 조정 밸브 (145) 와, 유량계 (146) 와, 필터 (147) 와, 밸브 (148) 를 포함한다. 조정 밸브 (145), 유량계 (146), 필터 (147) 및 밸브 (148) 는, 기체 공급관 (134a) 의 상류에서 하류를 향하여 이 차례로 기체 공급관 (134a) 에 배치된다.The flow rate control mechanism 140a controls the flow rate of the gas supplied from the gas supply source 132 . The gas whose flow rate is controlled is supplied to the bubble generating pipe|tube 136a through the gas supply pipe|tube 134a. For example, the flow control mechanism 140a includes a control valve 145 , a flow meter 146 , a filter 147 , and a valve 148 . The control valve 145 , the flow meter 146 , the filter 147 , and the valve 148 are arranged in the gas supply pipe 134a in this order from the upstream to the downstream of the gas supply pipe 134a .

조정 밸브 (145) 는, 개도를 조절하여, 기포 발생관 (136a) 에 공급되는 기체의 유량을 조정한다. 「유량」은, 예를 들어, 단위 시간당 단위 면적을 통과하는 기체의 양을 나타낸다. 구체적으로는, 조정 밸브 (145) 는, 밸브 시트가 내부에 형성된 밸브 보디 (도시하지 않음) 와, 밸브 시트를 개폐하는 밸브체와, 개방 위치와 폐쇄 위치 사이에서 밸브체를 이동시키는 액추에이터 (도시하지 않음) 를 포함한다.The adjustment valve 145 adjusts the opening degree and adjusts the flow volume of the gas supplied to the bubble generating pipe|tube 136a. "Flow rate" represents, for example, the amount of gas passing through a unit area per unit time. Specifically, the control valve 145 includes a valve body (not shown) having a valve seat formed therein, a valve body for opening and closing the valve seat, and an actuator (not shown) for moving the valve body between an open position and a closed position. not included).

조정 밸브 (145) 는, 유량계 (146) 의 계측 결과에 기초하여 기체의 유량을 조정한다. 또한, 예를 들어, 조정 밸브 (145) 는, 매스 플로 컨트롤러 (MFC) 의 조정 밸브여도 된다.The adjustment valve 145 adjusts the flow rate of the gas based on the measurement result of the flow meter 146 . In addition, for example, the regulating valve 145 may be a regulating valve of the mass flow controller MFC.

유량계 (146) 는, 기체 공급관 (134a) 을 흐르는 기체의 유량을 계측한다. 필터 (147) 는, 기체 공급관 (134a) 을 흐르는 기체를 여과한다.The flow meter 146 measures the flow rate of the gas flowing through the gas supply pipe 134a. The filter 147 filters the gas flowing through the gas supply pipe 134a.

밸브 (148) 는, 기체 공급관 (134a) 을 개폐한다. 이 때문에, 밸브 (148) 는, 기체 공급관 (134a) 으로부터의 기포 발생관 (136a) 에 대한 기체의 공급과 공급 정지를 전환시킨다.The valve 148 opens and closes the gas supply pipe 134a. For this reason, the valve 148 switches supply of the gas from the gas supply pipe 134a to the bubble generating pipe 136a, and supply stop.

유량 제어 기구 (140b) 는, 기체 공급원 (132) 으로부터 공급되는 기체의 유량을 제어한다. 또, 유량 제어 기구 (140c) 는, 기체 공급원 (132) 으로부터 공급되는 기체의 유량을 제어한다. 동일하게, 유량 제어 기구 (140d) 는, 기체 공급원 (132) 으로부터 공급되는 기체의 유량을 제어한다. 유량 제어 기구 (140b ∼ 140d) 의 각각의 구성은, 유량 제어 기구 (140a) 의 구성과 동일하다.The flow rate control mechanism 140b controls the flow rate of the gas supplied from the gas supply source 132 . In addition, the flow rate control mechanism 140c controls the flow rate of the gas supplied from the gas supply source 132 . Similarly, the flow rate control mechanism 140d controls the flow rate of the gas supplied from the gas supply source 132 . Each configuration of the flow control mechanisms 140b to 140d is the same as that of the flow control mechanism 140a.

도 6 에 나타낸 기판 처리 장치 (100) 는, 복수의 압력계 (149) 를 추가로 구비한다. 복수의 압력계 (149) 는, 압력계 (149a) 와, 압력계 (149b) 와, 압력계 (149c) 와, 압력계 (149d) 를 포함한다.The substrate processing apparatus 100 illustrated in FIG. 6 further includes a plurality of pressure gauges 149 . The plurality of pressure gauges 149 include a pressure gauge 149a, a pressure gauge 149b, a pressure gauge 149c, and a pressure gauge 149d.

압력계 (149a) 는, 기체 공급관 (134a) 중의 기체의 압력을 검출한다. 압력계 (149b) 는, 기체 공급관 (134b) 중의 기체의 압력을 검출한다. 압력계 (149c) 는, 기체 공급관 (134c) 중의 기체의 압력을 검출한다. 압력계 (149d) 는, 기체 공급관 (134d) 중의 기체의 압력을 검출한다.The pressure gauge 149a detects the pressure of the gas in the gas supply pipe 134a. The pressure gauge 149b detects the pressure of the gas in the gas supply pipe 134b. The pressure gauge 149c detects the pressure of the gas in the gas supply pipe 134c. The pressure gauge 149d detects the pressure of the gas in the gas supply pipe 134d.

기판 처리 장치 (100) 는, 복수의 배기 기구 (134o, 134p, 134q, 134r) 를 추가로 구비한다. 배기 기구 (134o) 는, 기체 공급관 (134a) 과 접속되어 있다. 배기 기구 (134p) 는, 기체 공급관 (134b) 과 접속되어 있다. 배기 기구 (134q) 는, 기체 공급관 (134c) 과 접속되어 있다. 배기 기구 (134r) 는, 기체 공급관 (134d) 과 접속되어 있다.The substrate processing apparatus 100 further includes a plurality of exhaust mechanisms 134o, 134p, 134q, and 134r. The exhaust mechanism 134o is connected to the gas supply pipe 134a. The exhaust mechanism 134p is connected to the gas supply pipe 134b. The exhaust mechanism 134q is connected to the gas supply pipe 134c. The exhaust mechanism 134r is connected to the gas supply pipe 134d.

배기 기구 (134o ∼ 134r) 의 각각은, 기체를 외부로 배출한다. 구체적으로는, 배기 기구 (134o ∼ 134r) 의 각각은, 배기 배관과, 밸브를 포함한다. 배기 배관에는 밸브가 배치된다. 밸브는, 배기 배관을 개폐한다. 배기 배관의 일단은, 기체 공급관 (134) 에 접속된다. 밸브가 개방됨으로써, 기체 공급관 (134) 으로부터 기체는 배기 배관을 통과하여 외부로 배출된다.Each of the exhaust mechanisms 134o to 134r exhausts gas to the outside. Specifically, each of the exhaust mechanisms 134o to 134r includes an exhaust pipe and a valve. A valve is disposed in the exhaust pipe. The valve opens and closes the exhaust pipe. One end of the exhaust pipe is connected to a gas supply pipe 134 . When the valve is opened, the gas from the gas supply pipe 134 passes through the exhaust pipe and is discharged to the outside.

이와 같이, 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 을 흐르는 기체의 유량을 적절히 제어할 수 있다. 이 때문에, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 으로부터 발생하는 기포의 양을 적절히 제어할 수 있다.In this way, the flow rate of the gas flowing through the gas supply pipes 134a to 134d can be appropriately controlled. For this reason, the quantity of the bubble which generate|occur|produces from the bubble generating tubes 136a-136d is controllable appropriately.

상기 서술한 바와 같이, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 으로부터 발생하는 기포의 양은, 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 을 흐르는 기체의 유량에 따라 변화한다. 유량 제어 기구 (140a ∼ 140d) 가 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 을 흐르는 기체의 유량을 제어하는 경우, 제어 장치 (180) (도 2) 는, 제어 프로그램에 미리 설정된 값에 따라서, 유량 제어 기구 (140a ∼ 140d) 를 제어해도 된다. 혹은, 제어 장치 (180) 는, 처리 대상의 기판 (W) 에 대하여 기체를 공급하고 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 을 흐르는 기체의 유량 또는 압력을 측정하여 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 을 흘러야 할 기체의 유량을 설정해도 된다.As mentioned above, the quantity of the bubble which generate|occur|produces from the bubble generating pipes 136a-136d changes with the flow volume of the gas which flows through the gas supply pipes 134a-134d. When the flow rate control mechanisms 140a to 140d control the flow rate of the gas flowing through the gas supply pipes 134a to 134d, the control device 180 (FIG. 2) controls the flow rate control mechanism ( 140a to 140d) may be controlled. Alternatively, the control device 180 supplies gas to the substrate W to be processed, measures the flow rate or pressure of the gas flowing through the gas supply pipes 134a to 134d, and the gas to flow through the gas supply pipes 134a to 134d. You can set the flow rate of

또, 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 을 흐르는 기체의 유량은, 처리조 (110) 내에 있어서 발생하는 기포를 촬상함으로써, 제어해도 된다.Moreover, you may control the flow volume of the gas which flows through the gas supply pipes 134a-134d by imaging the bubble generate|occur|produced in the processing tank 110. In addition, as shown in FIG.

다음으로, 도 1 ∼ 도 7 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 방법을 개략적으로 설명한다. 도 7 은, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 의한 플로도이다.Next, with reference to FIGS. 1-7, the substrate processing method of this embodiment is demonstrated schematically. 7 is a flowchart of the substrate processing method of the present embodiment.

도 7 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S102 에 있어서, 기판 유지부 (120) 는, 기판 (W) 을 유지한 채로 처리조 (110) 까지 하강한다. 이로써, 기판 (W) 은, 처리조 (110) 내의 처리액 (L) 에 침지된다.As shown in FIG. 7 , in step S102 , the substrate holding unit 120 descends to the processing tank 110 while holding the substrate W . Accordingly, the substrate W is immersed in the processing liquid L in the processing tank 110 .

스텝 S104 에 있어서, 유량 제어 기구 (140a ∼ 140d) 는, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 의 각각에 공급되는 기체의 유량이 동등해지도록 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 을 흐르는 기체의 유량을 제어한다 (유량 균등 공급 공정 : 도 4 참조).In step S104, the flow rate control mechanisms 140a to 140d control the flow rate of the gas flowing through the gas supply pipes 134a to 134d so that the flow rates of the gas supplied to each of the bubble generating pipes 136a to 136d become equal. (Equal flow rate supply process: see Fig. 4).

스텝 S106 에 있어서, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 의 각각에 공급되는 기체의 유량을 동등하게 한 상태에서 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 중의 기체의 압력을 측정한다 (압력 측정 공정). 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 중의 기체의 압력은, 처리조 (110) 내의 기포의 발생 용이성을 나타내는 지표가 된다. 예를 들어, 도 6 에 나타낸 압력계 (149a ∼ 149d) 는, 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 중의 기체의 압력을 측정한다.In step S106, the pressure of the gas in the gas supply pipes 134a to 134d is measured in a state in which the flow rates of the gas supplied to each of the bubble generating pipes 136a to 136d are equalized (pressure measuring step). The pressure of the gas in the gas supply pipes 134a to 134d is an index indicating the ease of generation of bubbles in the treatment tank 110 . For example, the pressure gauges 149a to 149d shown in FIG. 6 measure the pressure of the gas in the gas supply pipes 134a to 134d.

스텝 S108 에 있어서, 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 의 각각의 기체의 압력에 따라 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 에 흘러야 할 기체의 유량을 취득한다 (유량 취득 공정). 전형적으로는, 제어 장치 (180) 는, 압력계 (149a ∼ 149d) 의 측정 결과에 기초하여, 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 에 흘러야 할 기체의 유량을 취득한다.In step S108, the flow rate of the gas to flow through the gas supply pipes 134a to 134d is acquired according to the pressure of each gas in the gas supply pipes 134a to 134d (flow rate acquisition step). Typically, the control device 180 acquires the flow rate of the gas that should flow through the gas supply pipes 134a to 134d based on the measurement results of the pressure gauges 149a to 149d.

스텝 S110 에 있어서, 유량 제어 기구 (140a ∼ 140d) 는, 취득한 기체의 유량에 기초하여, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 의 각각에 공급되는 기체의 유량이 상이하도록 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 을 흐르는 기체의 유량을 제어한다 (유량 불균등 공급 공정 : 도 5 참조). 이 경우, 유량 제어 기구 (140a ∼ 140d) 는, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 공급되는 기체의 유량이 상이하도록 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 을 흐르는 기체의 유량을 제어한다. 예를 들어, 유량 제어 기구 (140a) 및 유량 제어 기구 (140b) 는, 기포 발생관 (136a) 에 공급되는 기체의 유량이 기포 발생관 (136b) 에 공급되는 기체의 유량보다 많아지도록 기체 공급관 (134a) 및 기체 공급관 (134b) 을 흐르는 기체의 유량을 제어한다. 또, 유량 제어 기구 (140c) 및 유량 제어 기구 (140d) 는, 기포 발생관 (136d) 에 공급되는 기체의 유량이 기포 발생관 (136c) 에 공급되는 기체의 유량보다 많아지도록 기체 공급관 (134c) 및 기체 공급관 (134d) 을 흐르는 기체의 유량을 제어한다. 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 공급하는 기체의 유량을 상이하게 함으로써, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 으로부터 발생하는 기포의 양을 대략 동등하게 할 수 있다. 이상에 의해, 기판 (W), 처리 환경 및 처리액 (L) 의 상황이 상이해도, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 으로부터 발생하는 기포의 양을 대략 동등하게 할 수 있어, 기판 (W) 의 처리 불균일을 억제할 수 있다.In step S110, the flow control mechanisms 140a to 140d connect the gas supply pipes 134a to 134d so that the flow rates of the gas supplied to each of the bubble generating pipes 136a to 136d are different based on the acquired flow rate of the gas. The flow rate of the flowing gas is controlled (flow unequal supply process: see FIG. 5). In this case, the flow rate control mechanisms 140a to 140d control the flow rate of the gas flowing through the gas supply pipes 134a to 134d so that the flow rates of the gas supplied to the bubble generating pipes 136a to 136d are different. For example, the flow rate control mechanism 140a and the flow rate control mechanism 140b have the gas supply pipe ( 134a) and the flow rate of the gas flowing through the gas supply pipe 134b are controlled. In addition, the flow rate control mechanism 140c and the flow rate control mechanism 140d have the gas supply pipe 134c such that the flow rate of the gas supplied to the bubble generation pipe 136d is greater than the flow rate of the gas supplied to the bubble generation pipe 136c. and controlling the flow rate of the gas flowing through the gas supply pipe 134d. By varying the flow rates of the gas supplied to the bubble generating tubes 136a to 136d, the quantity of the bubbles generated from the bubble generating tubes 136a to 136d can be made substantially equal. As a result, even if the conditions of the substrate W, the processing environment, and the processing liquid L are different, the amount of bubbles generated from the bubble generating tubes 136a to 136d can be made substantially equal, and the Treatment unevenness can be suppressed.

또한, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 및 기판 처리 방법은, NAND 소자의 제조에 바람직하게 사용된다.In addition, the substrate processing apparatus 100 and the substrate processing method of this embodiment are used suitably for manufacture of a NAND element.

다음으로, 도 1 ∼ 도 8 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 방법을 개략적으로 설명한다. 도 8(a) ∼ 도 8(c) 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 의해 처리되는 기판 (W) 의 모식도이다. 도 8(a) ∼ 도 8(c) 는, 기판 (W) 을 xz 단면을 따라 절단한 모식적인 확대 단면도이다.Next, with reference to FIGS. 1-8, the board|substrate processing method of this embodiment is demonstrated schematically. 8(a) to 8(c) are schematic diagrams of a substrate W processed by the substrate processing method of the present embodiment. 8(a) to 8(c) are schematic enlarged cross-sectional views of the substrate W taken along the xz cross section.

도 8(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 은, 기재 (S) 와, 적층 구조 (M) 를 갖는다. 적층 구조 (M) 는, 실리콘 질화층을 포함하는 복수의 적층이 간극 (D) 을 개재하여 마주보는 삼차원 적층 구조이다. 여기서는, 기판 (W) 은, xy 평면에 펼쳐지도록 배치되어 있다. 적층 구조 (M) 는, 기재 (S) 의 상면에 배치된다. 적층 구조 (M) 는, 기재 (S) 의 상면으로부터 z 방향으로 연장된다. 적층 구조 (M) 에는 간극 (D) 이 형성되어 있다. 여기서는, 간극 (D) 은, 기재 (S) 에까지 도달하고 있으며, 기재 (S) 의 일부가 노출되어 있다.As shown to Fig.8 (a), the board|substrate W has the base material S and the laminated structure M. The laminated structure (M) is a three-dimensional laminated structure in which a plurality of laminates containing a silicon nitride layer face each other through a gap (D). Here, the board|substrate W is arrange|positioned so that it may spread on the xy plane. The laminated structure M is arrange|positioned on the upper surface of the base material S. The laminated structure M extends in the z direction from the upper surface of the substrate S. A gap (D) is formed in the laminated structure (M). Here, the gap D has reached the base material S, and a part of the base material S is exposed.

적층 구조 (M) 는, 복수의 실리콘 산화층 (Ma) 과, 복수의 실리콘 질화층 (Ea) 을 갖는다. 실리콘 산화층 (Ma) 과 실리콘 질화층 (Ea) 은 교대로 적층되어 있다. 복수의 실리콘 산화층 (Ma) 및 실리콘 질화층 (Ea) 의 각각은, 기재 (S) 의 상면과 평행하게 연장된다.The laminated structure (M) has a plurality of silicon oxide layers (Ma) and a plurality of silicon nitride layers (Ea). The silicon oxide layer (Ma) and the silicon nitride layer (Ea) are alternately laminated. Each of the plurality of silicon oxide layers Ma and silicon nitride layer Ea extends parallel to the upper surface of the substrate S.

도 8(b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 은, 기판 처리 장치 (100) 에 있어서 처리액 (L) 으로 처리된다. 예를 들어, 인산 처리에 의해, 기판 (W) 의 실리콘 질화층 (Ea) 이 에칭되면, 실리콘 질화층 (Ea) 이 부분적으로 제거된다.As shown in FIG. 8(b) , the substrate W is processed with the processing liquid L in the substrate processing apparatus 100 . For example, when the silicon nitride layer Ea of the substrate W is etched by phosphoric acid treatment, the silicon nitride layer Ea is partially removed.

도 8(c) 에 나타내는 바와 같이, 추가적인 인산 처리에 의해, 적층 구조 (M) 로부터 실리콘 질화층 (Ea) 이 충분히 제거되고, 적층 구조 (M) 에는, 처리액 (L) 에 의해 에칭되지 않았던 실리콘 산화층 (Ma) 및 실리콘 질화층 (Ea) 이 남는다. 이상과 같이 하여, 인산 처리에 의해, 기판 (W) 으로부터 실리콘 질화층 (Ea) 을 에칭한다.As shown in Fig. 8(c) , the silicon nitride layer Ea was sufficiently removed from the laminate structure M by the additional phosphoric acid treatment, and the laminate structure M was not etched by the processing liquid L. A silicon oxide layer (Ma) and a silicon nitride layer (Ea) remain. As described above, the silicon nitride layer Ea is etched from the substrate W by the phosphoric acid treatment.

이 때, 기판 (W) 의 전체면에 걸쳐서 기포가 접촉하도록 처리액 (L) 중에 기포를 발생시키면, 기포가 기판 (W) 의 표면에 있어서의 처리액 (L) 의 치환을 촉진시킨다. 이 때문에, 기판 (W) 의 면내에 있어서의 처리 불균일을 억제할 수 있다.At this time, when bubbles are generated in the processing liquid L so that the bubbles contact the entire surface of the substrate W, the bubbles promote replacement of the processing liquid L on the surface of the substrate W. For this reason, the process nonuniformity in the surface inside of the board|substrate W can be suppressed.

또한, 도 2 ∼ 도 6 에 나타낸 기판 처리 장치 (100) 에서는, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 의 각각은, 기판 유지부 (120) 에 유지된 모든 기판 (W) 에 대하여 기포를 공급하였지만, 본 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 또, 도 2 ∼ 도 6 에 나타낸 기판 처리 장치 (100) 에서는, 유량 제어 기구 (140a ∼ 140d) 가, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 공급하는 기체의 유량을 각각 제어하였지만, 본 실시형태는 이것에 한정되지 않는다.In addition, in the substrate processing apparatus 100 shown in Figs. 2 to 6, each of the bubble generating tubes 136a to 136d supplied air bubbles to all the substrates W held by the substrate holding unit 120. This embodiment is not limited to this. In addition, in the substrate processing apparatus 100 shown in FIGS. 2 to 6 , the flow rate control mechanisms 140a to 140d respectively control the flow rate of the gas supplied to the bubble generating tubes 136a to 136d. It is not limited to this.

다음으로, 도 1 ∼ 도 10 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 9, 도 10(a) 및 도 10(b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식적인 상면도이다.Next, with reference to FIGS. 1-10, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is demonstrated. 9, 10(a), and 10(b) are schematic top views of the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment.

도 9 에 나타내는 바와 같이, 처리조 (110) 에는, 기포 발생관 (136a ∼ 136h) 이 배치된다. 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 은, 처리조 (110) 의 -Y 방향측에 배치되어 있고, 기포 발생관 (136e ∼ 136f) 은, 처리조 (110) 의 ＋Y 방향측에 배치된다. 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 은, 처리조 (110) 의 -Y 방향측에 있어서, -X 방향측에서 ＋X 방향측을 향하여 등간격으로 차례로 배열된다. 동일하게, 기포 발생관 (136e ∼ 136f) 은, 처리조 (110) 의 ＋Y 방향측에 있어서, -X 방향측에서 ＋X 방향측을 향하여 등간격으로 차례로 배열된다. 기포 발생관 (136a, 136d, 136e, 136h) 은, 외측 기포 발생관의 일례이고, 기포 발생관 (136b, 136c, 136f, 136g) 은, 내측 기포 발생관의 일례이다.As shown in FIG. 9 , in the treatment tank 110 , bubble generating tubes 136a to 136h are disposed. The bubble generating pipes 136a to 136d are disposed on the -Y direction side of the treatment tank 110 , and the bubble generating pipes 136e to 136f are disposed on the +Y direction side of the treatment tank 110 . The bubble generating tubes 136a to 136d are sequentially arranged at equal intervals from the -X direction side to the +X direction side in the -Y direction side of the treatment tank 110 . Similarly, in the +Y direction side of the processing tank 110, the bubble generating tubes 136e - 136f are arranged in order at equal intervals toward the +X direction side from the -X direction side. The bubble generating tubes 136a, 136d, 136e, and 136h are examples of the outer bubble generating tubes, and the bubble generating tubes 136b, 136c, 136f, and 136g are examples of the inner bubble generating tubes.

기포 발생관 (136a) 및 기포 발생관 (136e) 은, 처리조 (110) 의 -X 방향측에 있어서 직선상으로 배열된다. 또, 기포 발생관 (136b) 및 기포 발생관 (136f) 은, 기포 발생관 (136a) 및 기포 발생관 (136e) 보다 내측에서 직선상으로 배열된다.The bubble generating pipe|tube 136a and the bubble generating pipe|tube 136e are arranged linearly in the -X direction side of the processing tank 110. As shown in FIG. Moreover, the bubble generating pipe|tube 136b and the bubble generating pipe|tube 136f are arranged in a straight line inside from the bubble generating pipe|tube 136a and the bubble generating pipe|tube 136e.

동일하게, 기포 발생관 (136d) 및 기포 발생관 (136h) 은, 처리조 (110) 의 ＋X 방향측에 있어서 직선상으로 배열된다. 또, 기포 발생관 (136c) 및 기포 발생관 (136g) 은, 기포 발생관 (136d) 및 기포 발생관 (136h) 보다 내측에서 직선상으로 배열된다.Similarly, the bubble generating pipe|tube 136d and the bubble generating pipe|tube 136h are arranged linearly in the +X direction side of the processing tank 110. As shown in FIG. Moreover, the bubble generating pipe|tube 136c and the bubble generating pipe|tube 136g are arranged in a straight line inside from the bubble generating pipe|tube 136d and the bubble generating pipe|tube 136h.

기포 발생관 (136a, 136d) 은, 외측 제 1 배관의 일례이고, 기포 발생관 (136e, 136h) 은, 외측 제 2 배관의 일례이다. 또, 기포 발생관 (136b, 136c) 은, 내측 제 1 배관의 일례이고, 기포 발생관 (136f, 136g) 은, 내측 제 2 배관의 일례이다.The bubble generating tubes 136a and 136d are an example of an outer side 1st piping, and the bubble generating tubes 136e, 136h are an example of an outer side 2nd piping. Moreover, bubble generating tube 136b, 136c is an example of inner side 1st piping, and bubble generating tube 136f, 136g is an example of inner side 2nd piping.

기포 발생관 (136a) 에는, 유량 제어 기구 (140a) 에 의해 유량이 제어된 기체가 기체 공급관 (134a) 을 통하여 공급된다. 동일하게, 기포 발생관 (136b ∼ 136h) 에는, 유량 제어 기구 (140b ∼ 140h) 에 의해 유량이 제어된 기체가 기체 공급관 (134b ∼ 134h) 을 통하여 공급된다.The gas whose flow rate is controlled by the flow rate control mechanism 140a is supplied to the bubble generating pipe|tube 136a via the gas supply pipe|tube 134a. Similarly, the gas whose flow volume is controlled by the flow control mechanisms 140b - 140h is supplied to the bubble generating tubes 136b - 136h through the gas supply pipes 134b - 134h.

여기서는, 2 개의 기포 발생관이 직선상으로 배열된다. 평면에서 본 경우, 직선상으로 배열된 2 개의 기포 발생관의 경계는, 인접하는 2 개의 기판 (W) 의 사이에 위치한다. 이 2 개의 기포 발생관 중 일방의 기포 발생관은, 인접하는 2 개의 기판 (W) 중 중간 지점을 넘어 연장되어 있고, 당해 일방의 기포 발생관에는, 인접하는 2 개의 기판 (W) 중 중간 지점에 개구 (136p) 가 형성된다.Here, two bubble generating tubes are arranged in a straight line. In a planar view, the boundary of the two bubble generating tubes arranged in a straight line is located between the two adjacent board|substrates W. One of these two bubble generating tubes extends beyond the midpoint among the two adjacent substrates W, and the one bubble generating pipe is located at the midpoint of the two adjacent substrates W. An opening 136p is formed in the

예를 들어, 기포 발생관 (136d) 과 기포 발생관 (136h) 은, 직선상으로 배열된다. 평면에서 본 경우, 기포 발생관 (136d) 과 기포 발생관 (136h) 의 경계는, 인접하는 2 개의 기판 (W) 의 사이에 위치한다. 기포 발생관 (136d) 과 기포 발생관 (136h) 중 기포 발생관 (136d) 은, 인접하는 2 개의 기판 (W) 중 중간 지점을 넘어 연장되어 있고, 기포 발생관 (136d) 에는, 인접하는 2 개의 기판 (W) 의 중간 지점에 개구 (136p) 가 형성된다.For example, the bubble generating pipe|tube 136d and the bubble generating pipe|tube 136h are arranged linearly. In a planar view, the boundary between the bubble generating pipe 136d and the bubble generating pipe 136h is located between the two adjacent substrates W. As shown in FIG. The bubble generating pipe 136d of the bubble generating pipe|tube 136d and the bubble generating pipe|tube 136h extends beyond the midpoint of the two adjacent board|substrates W, and to the bubble generating pipe|tube 136d, two adjacent An opening 136p is formed at an intermediate point of the two substrates W. As shown in FIG.

본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 에서는, Y 방향을 따라 배열된 복수의 기판 (W) 의 각각에 대하여, -Y 방향측에 위치하는 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 과, ＋Y 방향측에 위치하는 기포 발생관 (136e ∼ 136h) 에 유량이 상이한 기체를 공급한다. 이로써, 기판 (W) 의 면내에 기포를 대략 균등하게 발생시킬 수 있기 때문에, 기판 (W) 의 면내의 처리 불균일을 억제할 수 있다.In the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, with respect to each of the plurality of substrates W arranged along the Y direction, the bubble generating tubes 136a to 136d located on the -Y direction side and the +Y direction side Gases having different flow rates are supplied to the positioned bubble generating tubes 136e to 136h. Thereby, since bubbles can be generated substantially uniformly in the surface of the board|substrate W, the in-plane process nonuniformity of the board|substrate W can be suppressed.

또한, 기체 공급관 (134a ∼ 134h) 으로부터 기포 발생관 (136a ∼ 136h) 에 기체를 공급하는 경우, 기포 발생관 (136a ∼ 136h) 의 상류측의 유량이, 하류측의 유량보다 많아지는 경우가 있다. 이 경우, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 에서는, Y 방향을 따라 배열된 기판 (W) 에 대하여, -Y 방향측에 위치하는 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 과, ＋Y 방향측에 위치하는 기포 발생관 (136e ∼ 136f) 에 기체를 공급함으로써, Y 방향을 따라 배열된 기판 (W) 의 기판 열의 일방측 단부 및 타방측 단부에 비교적 높은 유량으로 기체를 공급할 수 있다. 이 때문에, 기판 (W) 의 배열 방향으로도 기포를 균등하게 발생시킬 수 있어, 기판 (W) 의 배열 방향의 처리 불균일을 억제할 수 있다.In addition, when supplying gas from the gas supply pipes 134a to 134h to the bubble generating pipes 136a to 136h, the upstream flow rate of the bubble generating pipes 136a to 136h may become larger than the downstream flow rate. . In this case, in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment, with respect to the board|substrate W arranged along the Y direction, the bubble generating tubes 136a-136d located on the -Y direction side, and it is located on the +Y direction side. By supplying the gas to the bubble generating tubes 136e to 136f, it is possible to supply the gas at a relatively high flow rate to one end and the other end of the substrate row of the substrates W arranged along the Y direction. For this reason, bubbles can be equally generated also in the arrangement direction of the board|substrate W, and the process nonuniformity of the arrangement direction of the board|substrate W can be suppressed.

또한, 도 9 에 나타낸 기판 처리 장치 (100) 에서는, 유량 제어 기구 (140a ∼ 140h) 는, 기포 발생관 (136a ∼ 136h) 에 대응하여 각각 형성되었지만, 본 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 1 개의 유량 제어 기구 (140) 가 복수의 기포 발생관 (136) 에 공급하는 기체의 유량을 제어해도 된다.In addition, in the substrate processing apparatus 100 shown in FIG. 9, although the flow control mechanisms 140a-140h were respectively formed corresponding to the bubble generating tubes 136a-136h, this embodiment is not limited to this. One flow control mechanism 140 may control the flow volume of the gas supplied to the some bubble generating pipe|tube 136. As shown in FIG.

도 10(a) 에 나타내는 바와 같이, 처리조 (110) 에 Y 방향으로 연장되는 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 이 배치된다. 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 은, -X 방향측에서 ＋X 방향측을 향하여 등간격으로 이 차례로 배열된다.As shown in FIG. 10( a ), bubble generating tubes 136a to 136d extending in the Y direction are disposed in the treatment tank 110 . The bubble generating tubes 136a to 136d are arranged in this order at equal intervals from the -X direction side to the +X direction side.

기체 공급관 (134) 은, 공통 배관 (134s) 과, 공통 배관 (134t) 과, 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 을 포함한다. 공통 배관 (134s) 은, 기체 공급원 (132) 과 유량 제어 기구 (140a) 를 접속시킨다. 기체 공급관 (134a) 은, 유량 제어 기구 (140a) 와 기포 발생관 (136a) 을 접속시키고, 기체 공급관 (134d) 은, 유량 제어 기구 (140a) 와 기포 발생관 (136d) 을 접속시킨다.The gas supply pipe 134 includes a common pipe 134s, a common pipe 134t, and gas supply pipes 134a to 134d. The common pipe 134s connects the gas supply source 132 and the flow rate control mechanism 140a. The gas supply pipe 134a connects the flow rate control mechanism 140a and the bubble generating pipe 136a, and the gas supply pipe 134d connects the flow rate control mechanism 140a and the bubble generating pipe 136d.

공통 배관 (134t) 은, 기체 공급원 (132) 과 유량 제어 기구 (140b) 를 접속시킨다. 기체 공급관 (134b) 은, 유량 제어 기구 (140b) 와 기포 발생관 (136b) 을 접속시키고, 기체 공급관 (134c) 은, 유량 제어 기구 (140b) 와 기포 발생관 (136c) 을 접속시킨다.The common pipe 134t connects the gas supply source 132 and the flow rate control mechanism 140b. The gas supply pipe 134b connects the flow rate control mechanism 140b and the bubble generating pipe 136b, and the gas supply pipe 134c connects the flow rate control mechanism 140b and the bubble generating pipe 136c.

이 때문에, 기포 발생관 (136a) 및 기포 발생관 (136d) 에는, 유량 제어 기구 (140a) 에 의해 제어된 유량의 기체가 공급된다. 또, 기포 발생관 (136b) 및 기포 발생관 (136c) 에는, 유량 제어 기구 (140b) 에 의해 제어된 유량의 기체가 공급된다.For this reason, the gas of the flow volume controlled by the flow rate control mechanism 140a is supplied to the bubble generating pipe|tube 136a and the bubble generating pipe|tube 136d. Moreover, the gas of the flow volume controlled by the flow control mechanism 140b is supplied to the bubble generating pipe|tube 136b and the bubble generating pipe|tube 136c.

따라서, 처리조 (110) 에 있어서 외측에 위치하는 기포 발생관 (136a) 및 기포 발생관 (136d) 에 공급되는 기체의 유량은, 처리조 (110) 에 있어서 내측에 위치하는 기포 발생관 (136b) 및 기포 발생관 (136c) 에 공급되는 기체의 유량보다 많게 할 수 있다. 이로써, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 으로부터 발생하는 기포의 양을 대략 동등하게 할 수 있어, 기판 (W) 의 면내에 걸친 처리 불균일을 억제할 수 있다.Accordingly, the flow rate of the gas supplied to the bubble generating pipe 136a and the bubble generating pipe 136d located outside the treatment tank 110 is the bubble generating pipe 136b located inside the treatment tank 110 . ) and the flow rate of the gas supplied to the bubble generating tube 136c may be greater. Thereby, the quantity of the bubble which generate|occur|produces from the bubble generating tubes 136a-136d can be made substantially equal, and the process nonuniformity over the surface of the board|substrate W can be suppressed.

또한, 도 1 ∼ 도 10(a) 에 나타낸 기판 처리 장치 (100) 에서는, 기판 (W) 의 각각에는 4 개의 기포 발생관 (136) 으로부터 발생한 기포가 공급되었지만, 본 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 기판 (W) 의 각각에는 4 이외의 개수의 기포 발생관 (136) 으로부터 발생한 기포가 공급되어도 된다. 예를 들어, 기판 (W) 의 각각에는 6 개의 기포 발생관 (136) 으로부터 발생한 기포가 공급되어도 된다.Further, in the substrate processing apparatus 100 shown in Figs. 1 to 10 (a), bubbles generated from the four bubble generating tubes 136 are supplied to each of the substrates W, but the present embodiment is not limited to this. does not The bubbles generated from the bubble generating tubes 136 of the number other than 4 may be supplied to each of the substrates W. As shown in FIG. For example, the bubbles generated from the six bubble generating tubes 136 may be supplied to each of the substrates W. As shown in FIG.

도 10(b) 에 나타내는 바와 같이, 처리조 (110) 에는, 기포 발생관 (136a ∼ 136f) 이 배치된다. 기포 발생관 (136a ∼ 136f) 은, 처리조 (110) 에 있어서, -X 방향측에서 ＋X 방향측을 향하여 등간격으로 차례로 배열된다. 기포 발생관 (136a, 136b, 136e, 136f) 은, 외측 기포 발생관의 일례이고, 기포 발생관 (136c, 136d) 은, 내측 기포 발생관의 일례이다.As shown in FIG.10(b), in the processing tank 110, bubble generating pipe|tube 136a-136f is arrange|positioned. The bubble generating tubes 136a to 136f are sequentially arranged at equal intervals from the -X direction side to the +X direction side in the treatment tank 110 . The bubble generating tubes 136a, 136b, 136e, and 136f are examples of the outer bubble generating tubes, and the bubble generating tubes 136c and 136d are examples of the inner bubble generating tubes.

기체 공급원 (132) 은, 공통 배관 (134s), 공통 배관 (134t) 및 공통 배관 (134u) 과 접속된다. 공통 배관 (134s) 은, 기체 공급관 (134a) 및 기체 공급관 (134b) 과 접속된다. 기체 공급관 (134a) 은, 공통 배관 (134s) 과 기포 발생관 (136a) 을 접속시키고, 기체 공급관 (134b) 은, 공통 배관 (134s) 과 기포 발생관 (136b) 을 접속시킨다.The gas supply source 132 is connected to the common pipe 134s, the common pipe 134t, and the common pipe 134u. The common pipe 134s is connected to the gas supply pipe 134a and the gas supply pipe 134b. The gas supply pipe 134a connects the common pipe 134s and the bubble generating pipe 136a, and the gas supply pipe 134b connects the common pipe 134s and the bubble generating pipe 136b.

공통 배관 (134t) 은, 기체 공급관 (134c) 및 기체 공급관 (134d) 과 접속된다. 기체 공급관 (134c) 은, 공통 배관 (134t) 과 기포 발생관 (136c) 을 접속시키고, 기체 공급관 (134d) 은, 공통 배관 (134t) 과 기포 발생관 (136d) 을 접속시킨다. 동일하게, 공통 배관 (134u) 은, 기체 공급관 (134e) 및 기체 공급관 (134f) 과 접속된다. 기체 공급관 (134e) 은, 공통 배관 (134u) 과 기포 발생관 (136e) 을 접속시키고, 기체 공급관 (134f) 은, 공통 배관 (134u) 과 기포 발생관 (136f) 을 접속시킨다.The common pipe 134t is connected to the gas supply pipe 134c and the gas supply pipe 134d. The gas supply pipe 134c connects the common pipe 134t and the bubble generating pipe 136c, and the gas supply pipe 134d connects the common pipe 134t and the bubble generating pipe 136d. Similarly, the common pipe 134u is connected to the gas supply pipe 134e and the gas supply pipe 134f. The gas supply pipe 134e connects the common pipe 134u and the bubble generating pipe 136e, and the gas supply pipe 134f connects the common pipe 134u and the bubble generating pipe 136f.

여기서는, 공통 배관 (134s) 에 유량 제어 기구 (140a) 가 형성된다. 이 때문에, 유량 제어 기구 (140a) 에 의해, 기포 발생관 (136a) 및 기포 발생관 (136b) 에 공급되는 기체의 유량을 제어할 수 있다.Here, the flow control mechanism 140a is provided in the common pipe 134s. For this reason, the flow volume of the gas supplied to the bubble generating pipe|tube 136a and the bubble generating pipe|tube 136b is controllable by the flow control mechanism 140a.

또, 공통 배관 (134t) 에 유량 제어 기구 (140b) 가 형성된다. 이 때문에, 유량 제어 기구 (140b) 에 의해, 기포 발생관 (136c) 및 기포 발생관 (136d) 에 공급되는 기체의 유량을 제어할 수 있다. 동일하게, 공통 배관 (134u) 에 유량 제어 기구 (140c) 가 형성된다. 이 때문에, 유량 제어 기구 (140c) 에 의해, 기포 발생관 (136e) 및 기포 발생관 (136f) 에 공급되는 기체의 유량을 제어할 수 있다.Moreover, the flow control mechanism 140b is provided in the common pipe 134t. For this reason, the flow volume of the gas supplied to the bubble generating pipe|tube 136c and the bubble generating pipe|tube 136d is controllable by the flow rate control mechanism 140b. Similarly, the flow control mechanism 140c is provided in the common pipe 134u. For this reason, the flow volume of the gas supplied to the bubble generating pipe|tube 136e and the bubble generating pipe|tube 136f is controllable by the flow rate control mechanism 140c.

또한, 도 2 ∼ 도 10 에 나타낸 기판 처리 장치 (100) 에서는, 기포 발생관 (136) 은, 처리조 (110) 의 일방측으로부터 연장된 기체 공급관 (134) 과 접속되었지만, 본 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 기포 발생관 (136) 은, 처리조 (110) 의 양측으로부터 연장된 기체 공급관 (134) 과 접속되어도 된다.In addition, in the substrate processing apparatus 100 shown in FIGS. 2-10, the bubble generating pipe|tube 136 was connected with the gas supply pipe|tube 134 extended from one side of the processing tank 110, but this embodiment is this is not limited to The bubble generating pipe 136 may be connected to the gas supply pipe 134 extending from both sides of the treatment tank 110 .

다음으로, 도 1 ∼ 도 11 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 11 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식적인 상면도이다.Next, with reference to FIGS. 1-11, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is demonstrated. 11 is a schematic top view of the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment.

도 11 에 나타내는 바와 같이, 처리조 (110) 에는, 기포 발생관 (136a ∼ 136h) 이 배치된다. 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 은, 처리조 (110) 의 -Y 방향측에서 ＋Y 방향을 향하여 연장된 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 과 접속되어 있고, 기포 발생관 (136e ∼ 136f) 은, 처리조 (110) 의 ＋Y 방향측에서 -Y 방향을 향하여 연장된 기체 공급관 (134e ∼ 134f) 과 접속되어 있다.11 , in the treatment tank 110 , bubble generating tubes 136a to 136h are disposed. The bubble generating pipes 136a to 136d are connected to the gas supply pipes 134a to 134d extending from the -Y direction side of the treatment tank 110 toward the +Y direction, and the bubble generating pipes 136e to 136f are processed It is connected with the gas supply pipes 134e-134f extended toward the -Y direction from the +Y direction side of the tank 110.

기포 발생관 (136a, 136e, 136b, 136f, 136c, 136g, 136d, 136h) 은, 처리조 (110) 에 있어서, -X 방향측에서 ＋X 방향측을 향하여 등간격으로 차례로 배열된다. 기포 발생관 (136a, 136d, 136e, 136h) 은, 외측 기포 발생관의 일례이고, 기포 발생관 (136b, 136c, 136f, 136g) 은, 내측 기포 발생관의 일례이다.The bubble generating tubes 136a, 136e, 136b, 136f, 136c, 136g, 136d, and 136h are sequentially arranged at equal intervals from the -X direction side to the +X direction side in the treatment tank 110 . The bubble generating tubes 136a, 136d, 136e, and 136h are examples of the outer bubble generating tubes, and the bubble generating tubes 136b, 136c, 136f, and 136g are examples of the inner bubble generating tubes.

기체 공급원 (132) 은, 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 의 각각과 접속된다. 이 때문에, 기체 공급관 (134a ∼ 134d) 은, 기체 공급원 (132) 과 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 을 각각 접속시킨다. 또, 기체 공급원 (132) 은, 기체 공급관 (134e ∼ 134h) 의 각각과 접속된다. 이 때문에, 기체 공급관 (134e ∼ 134h) 은, 기체 공급원 (132) 과 기포 발생관 (136e ∼ 136h) 을 각각 접속시킨다. 유량 제어 기구 (140a ∼ 140h) 는, 기체 공급관 (134a ∼ 134h) 에 각각 배치된다.The gas supply source 132 is connected to each of the gas supply pipes 134a to 134d. For this reason, the gas supply pipes 134a-134d connect the gas supply source 132 and the bubble generation pipes 136a-136d, respectively. Moreover, the gas supply source 132 is connected with each of the gas supply pipes 134e - 134h. For this reason, the gas supply pipes 134e-134h connect the gas supply source 132 and the bubble generation pipes 136e-136h, respectively. The flow control mechanisms 140a to 140h are respectively disposed in the gas supply pipes 134a to 134h.

본 실시형태에서는, 처리조 (110) 에 있어서 외측에 위치하는 기포 발생관 (136a) 및 기포 발생관 (136h) 에 공급되는 기체의 유량은, 처리조 (110) 에 있어서 내측에 위치하는 기포 발생관 (136b ∼ 136g) 에 공급되는 기체의 유량보다 많게 할 수 있다. 또, 처리조 (110) 에 있어서 다음으로 외측에 위치하는 기포 발생관 (136e) 및 기포 발생관 (136d) 에 공급되는 기체의 유량은, 처리조 (110) 에 있어서 더욱 내측에 위치하는 기포 발생관 (136b, 136c, 136f, 136g) 에 공급되는 기체의 유량보다 많게 할 수 있다. 추가로, 처리조 (110) 에 있어서 다음으로 외측에 위치하는 기포 발생관 (136b) 및 기포 발생관 (136g) 에 공급되는 기체의 유량은, 더욱 내측에 위치하는 기포 발생관 (136c, 136f) 에 공급되는 기체의 유량보다 많게 해도 된다. 이와 같이, 기포 발생관 (136a ∼ 136h) 에 공급하는 기체의 유량을 단계적으로 제어함으로써, 기포 발생관 (136a ∼ 136h) 으로부터 발생하는 기포의 양을 대략 동등하게 할 수 있어, 기판 (W) 의 면내에 걸친 처리 불균일을 억제할 수 있다.In this embodiment, the flow rate of the gas supplied to the bubble generating pipe|tube 136a and the bubble generating pipe|tube 136h located outside in the processing tank 110 is bubble generation located inside in the processing tank 110. It can be made larger than the flow volume of the gas supplied to the pipe|tube 136b-136g. In addition, the flow rate of the gas supplied to the bubble generating pipe|tube 136e and the bubble generating pipe|tube 136d located next outside in the processing tank 110 is bubble generation located further inside in the processing tank 110. The flow rate of the gas supplied to the pipes 136b, 136c, 136f, and 136g may be higher. In addition, the flow rate of the gas supplied to the bubble generating pipe|tube 136b and the bubble generating pipe|tube 136g located next outside in the processing tank 110 is the bubble generating pipe|tube 136c, 136f located further inside. It may be larger than the flow rate of the gas supplied to the . In this way, by controlling the flow rate of the gas supplied to the bubble generating tubes 136a to 136h stepwise, the amount of the bubbles generated from the bubble generating tubes 136a to 136h can be made substantially equal, and the It is possible to suppress the processing unevenness over the in-plane.

또한, 도 1 ∼ 도 11 을 참조하여 상기 서술한 설명에서는, 기판 (W) 에는, 처리조 (110) 에 저류된 처리액 (L) 의 하방으로부터 기체가 공급되었지만, 본 실시형태는, 이것에 한정되지 않는다. 기판 (W) 에는, 처리조 (110) 에 저류된 처리액 (L) 의 하방으로부터 기체 뿐만 아니라 액체가 공급되어도 된다.In addition, in the description described above with reference to FIGS. 1 to 11 , gas was supplied to the substrate W from below the processing liquid L stored in the processing tank 110 , but this embodiment does not not limited A liquid as well as gas may be supplied to the substrate W from below the processing liquid L stored in the processing tank 110 .

다음으로, 도 1 ∼ 도 12 를 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 12 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다. 도 12 에 나타낸 기판 처리 장치 (100) 는, 액체 공급부 (150) 를 추가로 구비하는 점을 제외하고, 도 2 를 참조하여 상기 서술한 기판 처리 장치 (100) 와 동일한 구성을 갖고 있으며, 장황을 피할 목적으로 중복되는 설명을 생략한다.Next, with reference to FIGS. 1-12, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is demonstrated. 12 is a schematic diagram of the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment. The substrate processing apparatus 100 shown in FIG. 12 has the same configuration as the substrate processing apparatus 100 described above with reference to FIG. 2 , except that the liquid supply unit 150 is additionally provided. For the purpose of avoidance, overlapping descriptions are omitted.

도 12 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 는, 액체 공급부 (150) 를 추가로 구비한다. 액체 공급부 (150) 는, 처리조 (110) 에 액체를 공급한다. 전형적으로는, 액체 공급부 (150) 는, 처리조 (110) 에 처리액 (L) 을 공급한다. 이 경우, 액체 공급부 (150) 는, 처리조 (110) 내의 처리액 (L) 에 대하여 하방의 위치에서 상방을 향하여 액체를 공급하는 것이 바람직하다. 일례로서, 액체는, 처리조 (110) 에 저류된 처리액 (L) 과 동일한 종류의 처리액 (L) 이어도 된다.12 , the substrate processing apparatus 100 further includes a liquid supply unit 150 . The liquid supply unit 150 supplies a liquid to the treatment tank 110 . Typically, the liquid supply unit 150 supplies the processing liquid L to the processing tank 110 . In this case, it is preferable that the liquid supply unit 150 supplies the liquid from the lower position to the upper side with respect to the processing liquid L in the processing tank 110 . As an example, the liquid may be the processing liquid L of the same kind as the processing liquid L stored in the processing tank 110 .

액체 공급부 (150) 가 처리액 (L) 을 공급하는 경우, 상방을 향하여 공급된 처리액은, 처리액 중의 기판 (W) 과의 접촉 부분을 압출하면서 기판 (W) 의 표면을 상방을 향하여 이동하고, 상방을 향하여 공급된 처리액이 통과한 후에는, 주위에 존재하는 신선한 처리액 (L) 이 진입한다. 이와 같이, 상방을 향하여 공급된 처리액이 기판 (W) 의 표면과 접촉함으로써, 기판 (W) 의 표면을 교반할 수 있고, 이로써, 기판 (W) 의 표면에 있어서의 처리액 (L) 을 신선한 처리액으로 치환시킬 수 있다. 그 결과, 기판 (W) 의 처리 속도를 향상시킬 수 있다.When the liquid supply unit 150 supplies the processing liquid L, the upwardly supplied processing liquid moves the surface of the substrate W upward while extruding the portion in contact with the substrate W in the processing liquid. and, after the processing liquid supplied upward passes, the fresh processing liquid L existing in the vicinity enters. In this way, when the processing liquid supplied upward comes into contact with the surface of the substrate W, the surface of the substrate W can be stirred, and thereby the processing liquid L on the surface of the substrate W is reduced. It can be replaced with fresh treatment solution. As a result, the processing speed of the board|substrate W can be improved.

액체 공급부 (150) 는, 액체 공급원 (152) 과, 액체 공급관 (154) 과, 액체 토출관 (156) 을 갖는다. 액체는, 액체 공급원 (152) 으로부터 공급된다. 액체 공급원 (152) 은, 처리조 (110) 의 외부에 배치된다. 또한, 액체 공급원 (152) 은, 처리조 (110) 에 있어서 처리액 (L) 으로서 일단 사용된 액체를 순환시켜 사용해도 된다. 액체 토출관 (156) 은, Y 방향으로 연장된다. 여기서는, 액체 토출관 (156) 은, 기포 발생관 (136) 과 평행하게 연장된다.The liquid supply unit 150 includes a liquid supply source 152 , a liquid supply pipe 154 , and a liquid discharge pipe 156 . The liquid is supplied from a liquid source 152 . The liquid supply source 152 is disposed outside the treatment tank 110 . In addition, the liquid supply source 152 may circulate and use the liquid once used as the processing liquid L in the processing tank 110 . The liquid discharge pipe 156 extends in the Y direction. Here, the liquid discharge pipe 156 extends parallel to the bubble generating pipe 136 .

액체 공급관 (154) 은, 액체 공급원 (152) 과 액체 토출관 (156) 과 접속된다. 액체 공급원 (152) 으로부터 공급되는 액체는, 액체 공급관 (154) 을 통과하여 액체 토출관 (156) 에 흐른다. 액체 공급관 (154) 의 적어도 일부는, 처리조 (110) 의 외부에 배치된다.The liquid supply pipe 154 is connected to the liquid supply source 152 and the liquid discharge pipe 156 . The liquid supplied from the liquid supply source 152 flows through the liquid supply pipe 154 to the liquid discharge pipe 156 . At least a part of the liquid supply pipe 154 is disposed outside the treatment tank 110 .

액체 토출관 (156) 은, 처리조 (110) 내에 배치된다. 전형적으로는, 액체 토출관 (156) 은, 처리조 (110) 의 바닥면에 배치된다. 액체 토출관 (156) 은, 기포 발생관 (136) 보다 연직 방향 상방측에 배치되어도 된다. 혹은, 액체 토출관 (156) 은, 기포 발생관 (136) 보다 연직 방향 하방측에 배치되어도 된다.The liquid discharge pipe 156 is disposed in the treatment tank 110 . Typically, the liquid discharge pipe 156 is disposed on the bottom surface of the treatment tank 110 . The liquid discharge pipe 156 may be disposed above the bubble generating pipe 136 in the vertical direction. Alternatively, the liquid discharge pipe 156 may be disposed on the lower side in the vertical direction than the bubble generation pipe 136 .

다음으로, 도 1 ∼ 도 13 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 13(a) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식적인 상면도이고, 도 13(b) 는, 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다. 도 13(a) 및 도 13(b) 에 나타낸 기판 처리 장치 (100) 는, 액체 공급부 (150) 를 추가로 구비하는 점을 제외하고, 도 3(b) 및 도 4 를 참조하여 상기 서술한 기판 처리 장치 (100) 와 동일한 구성을 갖고 있으며, 장황을 피할 목적으로 중복되는 설명을 생략한다.Next, with reference to FIGS. 1-13, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is demonstrated. 13A is a schematic top view of the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, and FIG. 13B is a schematic diagram of the substrate processing apparatus 100 . The substrate processing apparatus 100 shown in FIGS. 13( a ) and 13 ( b ) has been described above with reference to FIGS. 3( b ) and 4 , except that it further includes a liquid supply unit 150 . It has the same structure as the substrate processing apparatus 100, and the overlapping description is abbreviate|omitted for the purpose of avoiding a redundancy.

도 13(a) 에 나타내는 바와 같이, 액체 토출관 (156) 은, 액체 토출관 (156a) 과, 액체 토출관 (156b) 을 갖는다. 액체 토출관 (156a) 및 액체 토출관 (156b) 은, 서로 평행하게 연장된다. 액체 토출관 (156a) 및 액체 토출관 (156b) 은, 각각 Y 방향으로 연장된다. -X 방향에서 ＋X 방향을 향하여, 액체 토출관 (156a) 및 액체 토출관 (156b) 은, 이 차례로 배열된다. 액체 토출관 (156a) 은, 기포 발생관 (136a) 과 기포 발생관 (136b) 사이에 배치된다. 액체 토출관 (156b) 은, 기포 발생관 (136c) 과 기포 발생관 (136d) 사이에 배치된다.As shown in FIG. 13A , the liquid discharge pipe 156 includes a liquid discharge pipe 156a and a liquid discharge pipe 156b. The liquid discharge pipe 156a and the liquid discharge pipe 156b extend parallel to each other. The liquid discharge pipe 156a and the liquid discharge pipe 156b extend in the Y direction, respectively. From the -X direction to the +X direction, the liquid discharge pipe 156a and the liquid discharge pipe 156b are arranged in this order. The liquid discharge pipe 156a is disposed between the bubble generating pipe 136a and the bubble generating pipe 136b. The liquid discharge pipe 156b is disposed between the bubble generating pipe 136c and the bubble generating pipe 136d.

액체 토출관 (156a) 에는, 액체 공급원 (152) 으로부터 액체 공급관 (154a) 을 통과한 액체가 공급된다. 또, 액체 토출관 (156b) 에는, 액체 공급원 (152) 으로부터 액체 공급관 (154b) 을 통과한 액체가 공급된다.The liquid passing through the liquid supply pipe 154a from the liquid supply source 152 is supplied to the liquid discharge pipe 156a. In addition, the liquid passing through the liquid supply pipe 154b from the liquid supply source 152 is supplied to the liquid discharge pipe 156b.

액체 토출관 (156a) 및 액체 토출관 (156b) 에는, 각각 복수의 개구 (156p) 가 형성된다. 복수의 개구 (156p) 의 간격은, 기판 (W) 의 간격과 대략 동등하다. 복수의 개구 (156p) 는, 배열 방향으로 배열된 기판 (W) 의 사이에 위치한다. 액체 토출관 (156a) 및 액체 토출관 (156b) 은, 동일한 구성을 갖고 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 액체 토출관 (156a) 및 액체 토출관 (156b) 을 총칭하여 액체 토출관 (156) 으로 기재하는 경우가 있다.A plurality of openings 156p are formed in the liquid discharge pipe 156a and the liquid discharge pipe 156b, respectively. The spacing of the plurality of openings 156p is substantially equal to the spacing of the substrate W. As shown in FIG. The plurality of openings 156p are located between the substrates W arranged in the arrangement direction. The liquid discharge pipe 156a and the liquid discharge pipe 156b have the same configuration. In addition, in this specification, the liquid discharge pipe 156a and the liquid discharge pipe 156b may be generically described as the liquid discharge pipe 156 in some cases.

액체 토출관 (156) 에 있어서 복수의 개구 (156p) 는 일렬로 배열된다. 액체 토출관 (156) 은, 복수의 개구 (156p) 로부터 처리액 (L) 을 처리조 (110) 에 토출한다. 이 경우, 복수의 개구 (156p) 는, 처리조 (110) 내의 처리액 (L) 에 대하여 하방의 위치에서 상방을 향하고 있는 것이 바람직하다. 여기서는, 복수의 개구 (156p) 의 각각의 크기 및 간격은 서로 동등하다.In the liquid discharge pipe 156, a plurality of openings 156p are arranged in a line. The liquid discharge pipe 156 discharges the processing liquid L to the processing tank 110 through the plurality of openings 156p. In this case, it is preferable that the some openings 156p face upward with respect to the processing liquid L in the processing tank 110 from a downward position. Here, the size and spacing of each of the plurality of openings 156p are equal to each other.

도 13(b) 에 나타내는 바와 같이, 처리조 (110) 에는, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 및 액체 토출관 (156a, 156b) 이 배치된다. 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 의 개구 (136p) 는, 그 토출 방향이 연직 방향을 따르도록 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 의 상부에 형성된다.As shown in FIG. 13B , in the treatment tank 110 , bubble generating pipes 136a to 136d and liquid discharge pipes 156a and 156b are disposed. The openings 136p of the bubble generating tubes 136a to 136d are formed in the upper portions of the bubble generating tubes 136a to 136d so that the discharge direction follows the vertical direction.

한편, 액체 토출관 (156a, 156b) 의 개구 (156p) 는, 그 토출 방향이, 기판 (W) 의 중심을 향하도록, 연직 방향 (Z 방향) 에 대하여 경사진 위치에 형성된다. 그 때문에, 액체 토출관 (156a) 의 개구 (156p) 로부터 토출되는 비스듬히 상향의 액체와 액체 토출관 (156b) 의 개구 (156p) 로부터 토출되는 비스듬히 상향의 액류가 합류하면, 처리조 (110) 의 내부를 상방을 향하여 흐르는 매우 강한 업 플로를 형성할 수 있다.On the other hand, the openings 156p of the liquid discharge pipes 156a and 156b are formed at an inclined position with respect to the vertical direction (Z direction) so that the discharge direction faces the center of the substrate W. Therefore, when the obliquely upward liquid discharged from the opening 156p of the liquid discharge pipe 156a and the obliquely upward liquid flow discharged from the opening 156p of the liquid discharge pipe 156b merge, It can form a very strong upflow that flows upwards through the inside.

다음으로, 도 1 ∼ 도 14 를 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 14(a) 는, 기판 처리 장치에 있어서 복수의 기포 발생관 (136) 에 동등한 유량으로 기체를 공급한 경우에 발생하는 기포를 나타낸 모식도이고, 도 14(b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 에 있어서의 처리액의 흐름을 나타낸 모식도이다. 또한, 도 14(a) 및 도 14(b) 는, 처리조 (110) 에 액체 토출관 (156) 이 배치되는 점을 제외하고 도 4(a) 및 도 4(b) 를 참조하여 상기 서술한 기판 처리 장치 (100) 와 동일한 구성을 갖고 있으며, 장황을 피할 목적으로 중복되는 설명을 생략한다. 여기서도, 유량 제어 기구 (140a ∼ 140d) 는, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 의 각각에 공급되는 기체의 유량을 동등하게 하고 있다.Next, with reference to FIGS. 1-14, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is demonstrated. Fig. 14(a) is a schematic diagram showing bubbles generated when gas is supplied at an equal flow rate to the plurality of bubble generating tubes 136 in the substrate processing apparatus, and Fig. 14(b) is the substrate of the present embodiment. It is a schematic diagram showing the flow of the processing liquid in the processing apparatus 100 . 14(a) and 14(b) are described above with reference to FIGS. 4(a) and 4(b), except that the liquid discharge pipe 156 is disposed in the treatment tank 110. It has the same configuration as that of the one substrate processing apparatus 100, and overlapping description is omitted for the purpose of avoiding tediousness. Here, the flow rate control mechanisms 140a to 140d equalize the flow rate of the gas supplied to each of the bubble generating tubes 136a to 136d.

도 14(a) 에 나타내는 바와 같이, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 의 각각에 기체가 공급되면, 처리액 (L) 중에 기포가 발생한다. 처리조 (110) 의 처리액 (L) 에 대하여 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 으로부터 기체를 토출함으로써, 처리액 (L) 내에 기포가 발생한다. 처리액 (L) 내에 발생한 기포는, 처리액 (L) 내를 부상하여, 처리조 (110) 내의 처리액 (L) 과 기체 (예를 들어, 공기 또는 소정 분위기) 의 계면에까지 도달한다. 또, 여기서는, 액체 토출관 (156a) 의 개구 (156p) 로부터 토출되는 비스듬히 상향의 액체와 액체 토출관 (156b) 의 개구 (156p) 로부터 토출되는 비스듬히 상향의 액류가 합류함으로써, 처리조 (110) 의 내부를 상방을 향하여 흐르는 매우 강한 업 플로가 형성된다.As shown in Fig. 14(a) , when gas is supplied to each of the bubble generating tubes 136a to 136d, bubbles are generated in the processing liquid L. By discharging gas from the bubble generating tubes 136a to 136d with respect to the processing liquid L of the processing tank 110 , bubbles are generated in the processing liquid L. The bubbles generated in the processing liquid L float in the processing liquid L and reach the interface between the processing liquid L in the processing tank 110 and a gas (eg, air or a predetermined atmosphere). In addition, here, when the obliquely upward liquid discharged from the opening 156p of the liquid discharge pipe 156a and the obliquely upward liquid discharged from the opening 156p of the liquid discharge pipe 156b merge, the treatment tank 110 A very strong upflow is formed that flows upward through the interior of the

기포 발생관 (136a ∼ 136d) 의 각각에 공급되는 기체의 유량이 동등한 경우, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 있어서 발생하는 기포의 양은 동등해지지 않는다. 기포 발생관 (136a) 으로부터 발생하는 기포의 양은, 기포 발생관 (136b) 으로부터 발생하는 기포의 양보다 적다. 동일하게, 기포 발생관 (136d) 으로부터 발생하는 기포의 양은, 기포 발생관 (136c) 으로부터 발생하는 기포의 양보다 적다.When the flow rates of the gas supplied to each of the bubble generating pipes 136a to 136d are equal, the amount of bubbles generated in the bubble generating pipes 136a to 136d is not equal. The amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136a is smaller than the amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136b. Similarly, the amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136d is smaller than the amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136c.

도 14(b) 에 나타내는 바와 같이, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 있어서 발생한 기포가 처리액 (L) 내에서 부상함으로써, 처리조 (110) 내에 있어서 처리액 (L) 의 흐름이 발생한다. 여기서는, 매우 강한 업 플로가 형성되기 때문에, 기포는, 신속하게 부상한다. 기포의 부상에 수반하여 처리조 (110) 내의 처리액 (L) 과 기체 (예를 들어, 공기 또는 소정 분위기) 의 계면에까지 도달한 처리액 (L) 은, 처리액 (L) 의 상방에 있어서 -X 방향 외측 및 ＋X 방향 외측을 향하여 흐른다. 그 후, 처리액 (L) 은, 처리조 (110) 중 X 방향 외측의 측벽 및 ＋X 방향 외측의 측벽을 따라 하방으로 강하게 흐르는 하강류가 형성된다.As shown in FIG. 14(b) , the bubbles generated in the bubble generating tubes 136a to 136d float in the treatment liquid L, thereby generating a flow of the treatment liquid L in the treatment tank 110 . . Here, since a very strong upflow is formed, the bubble floats up quickly. The treatment liquid L, which has reached the interface between the treatment liquid L in the treatment tank 110 and the gas (eg, air or a predetermined atmosphere) with floating of the bubbles, is located above the treatment liquid L. It flows outward in the -X direction and outward in the +X direction. Thereafter, a downflow is formed in the treatment tank 110 , which strongly flows downward along the X-direction outer sidewall and the +X-direction outer sidewall.

이와 같이, 처리조 (110) 의 외측에 위치하는 기포 발생관 (136a) 및 기포 발생관 (136d) 은, 처리조 (110) 의 내측에 위치하는 기포 발생관 (136b) 및 기포 발생관 (136c) 과 비교하여, 처리조 (110) 의 상방에서 하방을 향하여 흐르는 처리액 (L) 의 하강류의 영향을 강하게 받는다. 이 때문에, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 공급되는 기체의 유량이 동등해도, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 으로부터 발생하는 기포의 양은 동등해지지 않는다. 상세하게는, 처리조 (110) 의 외측에 위치하는 기포 발생관 (136a) 및 기포 발생관 (136d) 으로부터 발생하는 기포의 양은, 처리조 (110) 의 내측에 위치하는 기포 발생관 (136b) 및 기포 발생관 (136c) 으로부터 발생하는 기포의 양보다 적어진다.In this way, the bubble generating pipe 136a and the bubble generating pipe 136d located outside the treatment tank 110 are the bubble generating pipe 136b and the bubble generating pipe 136c located inside the treatment tank 110 . ), it is strongly influenced by the downflow of the treatment liquid L flowing from the upper side of the treatment tank 110 to the lower side. For this reason, even if the flow volume of the gas supplied to the bubble generating tubes 136a-136d is equal, the quantity of the bubble which generate|occur|produces from the bubble generating tubes 136a-136d does not become equal. In detail, the amount of bubbles generated from the bubble generating pipe 136a and the bubble generating pipe 136d located outside the treatment tank 110 is the bubble generating pipe 136b located inside the treatment tank 110 . and the amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136c.

다음으로, 도 15 를 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 15(a) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식적인 상면도이고, 도 15(b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 에 있어서, 복수의 기포 발생관 (136) 에 상이한 유량으로 기체를 공급함으로써 기포가 발생한 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다.Next, with reference to FIG. 15, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is demonstrated. Fig. 15 (a) is a schematic top view of the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, and Fig. 15 (b) is a plurality of bubble generating tubes ( 136) is a schematic diagram of the substrate processing apparatus 100 in which bubbles are generated by supplying gas at different flow rates.

도 15(a) 에 나타내는 바와 같이, 유량 제어 기구 (140a ∼ 140d) 는, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 에 공급되는 기체의 유량이 상이하도록 제어한다. 유량 제어 기구 (140a) 및 유량 제어 기구 (140b) 는, 기포 발생관 (136a) 에 공급되는 기체의 유량이 기포 발생관 (136b) 에 공급되는 기체의 유량보다 많아지도록 기체 공급관 (134a) 및 기체 공급관 (134b) 을 흐르는 기체의 유량을 제어한다. 또, 유량 제어 기구 (140c) 및 유량 제어 기구 (140d) 는, 기포 발생관 (136d) 에 공급되는 기체의 유량이 기포 발생관 (136c) 에 공급되는 기체의 유량보다 많아지도록 기체 공급관 (134c) 및 기체 공급관 (134d) 을 흐르는 기체의 유량을 제어한다.As shown to Fig.15 (a), flow control mechanism 140a-140d controls so that the flow volume of the gas supplied to bubble generating pipe|tube 136a-136d may differ. The flow rate control mechanism 140a and the flow rate control mechanism 140b have the gas supply pipe 134a and the gas so that the flow rate of the gas supplied to the bubble generation pipe 136a becomes larger than the flow rate of the gas supplied to the bubble generation pipe 136b. The flow rate of the gas flowing through the supply pipe 134b is controlled. In addition, the flow rate control mechanism 140c and the flow rate control mechanism 140d have the gas supply pipe 134c so that the flow rate of the gas supplied to the bubble generation pipe 136d is greater than the flow rate of the gas supplied to the bubble generation pipe 136c. and controlling the flow rate of the gas flowing through the gas supply pipe 134d.

이 때문에, 처리조 (110) 에 있어서 외측에 위치하는 기포 발생관 (136a) 및 기포 발생관 (136d) 에 공급되는 기체의 유량은, 처리조 (110) 에 있어서 내측에 위치하는 기포 발생관 (136b) 및 기포 발생관 (136c) 에 공급되는 기체의 유량보다 많다.For this reason, the flow rate of the gas supplied to the bubble generating pipe|tube 136a and the bubble generating pipe|tube 136d located outside in the processing tank 110 is the bubble generating pipe located inside in the processing tank 110 (110). 136b) and the flow rate of the gas supplied to the bubble generating tube 136c.

도 15(b) 에 나타내는 바와 같이, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 의 각각에 기체가 공급되면, 처리액 (L) 중에 기포가 발생한다. 여기서는, 기포 발생관 (136a) 으로부터 발생한 기포의 양, 기포 발생관 (136b) 으로부터 발생한 기포의 양, 기포 발생관 (136c) 으로부터 발생한 기포의 양, 및 기포 발생관 (136d) 으로부터 발생한 기포의 양은, 각각 대략 동등하다. 상세하게는, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 으로부터, 대략 동일한 정도의 크기의 기포가 동일한 정도의 빈도로 처리액 (L) 내에 발생한다.As shown in Fig. 15(b) , when gas is supplied to each of the bubble generating tubes 136a to 136d, bubbles are generated in the processing liquid L. Here, the amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136a, the amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136b, the amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136c, and the amount of bubbles generated from the bubble generating tube 136d are , each approximately equivalent. Specifically, from the bubble generating tubes 136a to 136d, bubbles of approximately the same size are generated in the treatment liquid L at the same frequency.

본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 에서는, 처리조 (110) 에 있어서 외측에 위치하는 기포 발생관 (136a) 및 기포 발생관 (136d) 에 공급되는 기체는, 처리조 (110) 에 있어서 내측에 위치하는 기포 발생관 (136b) 및 기포 발생관 (136c) 에 공급되는 기체의 유량보다 많게 한다. 이 때문에, 기포 발생관 (136a ∼ 136d) 으로부터 발생하는 기포의 양을 대략 동등하게 할 수 있다. 특히, 업 플로를 형성하는 경우, 기포의 흐름과 함께 기판 처리의 속도도 빨라진다. 이와 같이 빠른 속도로 기판 처리가 실시되는 경우에도, 기판 (W) 의 면내에 걸친 처리 불균일을 억제할 수 있다.In the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, the gas supplied to the bubble generating pipe 136a and the bubble generating pipe 136d located outside the processing tank 110 is inside the processing tank 110 . The flow rate of the gas supplied to the bubble generating pipe (136b) and the bubble generating pipe (136c) located in the above. For this reason, the quantity of the bubble which generate|occur|produces from the bubble generating tubes 136a-136d can be made substantially equal. In particular, in the case of forming an upflow, the speed of substrate processing increases along with the flow of bubbles. Even when the substrate processing is performed at a high speed in this way, the processing unevenness over the surface of the substrate W can be suppressed.

다음으로, 도 1 ∼ 도 16 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 16 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다.Next, with reference to FIGS. 1-16, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is demonstrated. 16 is a schematic diagram of the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment.

도 16 에 나타내는 바와 같이, 처리조 (110) 는, 내조 (112) 및 외조 (外槽) (114) 를 포함하는 이중조 구조를 갖는다. 내조 (112) 및 외조 (114) 는 각각 상향으로 개구된 상부 개구를 갖는다. 내조 (112) 는, 처리액 (L) 을 저류하고, 복수의 기판 (W) 을 수용 가능하게 구성된다. 외조 (114) 는, 내조 (112) 의 상부 개구의 외주면에 형성된다.As shown in FIG. 16 , the treatment tank 110 has a double tank structure including an inner tank 112 and an outer tank 114 . The inner tub 112 and the outer tub 114 each have an upper opening opened upward. The inner tank 112 is configured to store the processing liquid L and to accommodate the plurality of substrates W . The outer tub 114 is formed on the outer peripheral surface of the upper opening of the inner tub 112 .

기판 처리 장치 (100) 는, 유량 조정 기구 (160) 를 추가로 구비한다. 유량 조정 기구 (160) 는, 처리액 (L) 의 순환에 사용된다. 유량 조정 기구 (160) 는, 처리조 (110) 에 저류되어 있는 처리액 (L) 을 순환시켜, 처리액 (L) 을 액체 토출관 (156) 의 각각에 공급한다.The substrate processing apparatus 100 further includes a flow rate adjustment mechanism 160 . The flow rate adjustment mechanism 160 is used for circulation of the processing liquid L. The flow rate adjustment mechanism 160 circulates the processing liquid L stored in the processing tank 110 , and supplies the processing liquid L to each of the liquid discharge pipes 156 .

유량 조정 기구 (160) 는, 배관 (161) 과, 펌프 (162), 히터 (163), 필터 (164), 조정 밸브 (165) 및 밸브 (166) 를 포함한다. 펌프 (162), 히터 (163), 필터 (164), 조정 밸브 (165) 및 밸브 (166) 는, 이 차례로 배관 (161) 의 상류에서 하류를 향하여 배치된다.The flow rate adjustment mechanism 160 includes a pipe 161 , a pump 162 , a heater 163 , a filter 164 , an adjustment valve 165 , and a valve 166 . The pump 162 , the heater 163 , the filter 164 , the regulating valve 165 , and the valve 166 are arranged from the upstream to the downstream of the pipe 161 in this order.

배관 (161) 은, 처리조 (110) 로부터 배출된 처리액 (L) 을 다시 처리조 (110) 로 유도한다. 배관 (161) 의 하류단에 복수의 액체 토출관 (156) 이 접속된다. 액체 토출관 (156) 은, 배관 (161) 으로부터 공급된 처리액 (L) 을 처리조 (110) 에 공급한다.The pipe 161 guides the treatment liquid L discharged from the treatment tank 110 back to the treatment tank 110 . A plurality of liquid discharge pipes 156 are connected to the downstream end of the pipe 161 . The liquid discharge pipe 156 supplies the processing liquid L supplied from the pipe 161 to the processing tank 110 .

펌프 (162) 는, 배관 (161) 으로부터 복수의 액체 토출관 (156) 에 처리액 (L) 을 이송한다. 따라서, 히터 (163) 는, 배관 (161) 을 흐르는 처리액 (L) 을 가열한다. 히터 (163) 에 의해, 처리액 (L) 의 온도가 조정된다. 필터 (164) 는, 배관 (161) 을 흐르는 처리액 (L) 을 여과한다.The pump 162 transfers the processing liquid L from the pipe 161 to the plurality of liquid discharge pipes 156 . Accordingly, the heater 163 heats the processing liquid L flowing through the pipe 161 . The temperature of the processing liquid L is adjusted by the heater 163 . The filter 164 filters the processing liquid L flowing through the pipe 161 .

조정 밸브 (165) 는, 배관 (161) 의 개도를 조절하여, 복수의 액체 토출관 (156) 에 공급되는 처리액 (L) 의 유량을 조정한다. 구체적으로는, 조정 밸브 (165) 는, 밸브 시트가 내부에 형성된 밸브 보디 (도시하지 않음) 와, 밸브 시트를 개폐하는 밸브체와, 개방 위치와 폐쇄 위치 사이에서 밸브체를 이동시키는 액추에이터 (도시하지 않음) 를 포함한다. 밸브 (166) 는 배관 (161) 을 개폐한다.The control valve 165 adjusts the opening degree of the pipe 161 to adjust the flow rate of the processing liquid L supplied to the plurality of liquid discharge pipes 156 . Specifically, the regulating valve 165 includes a valve body (not shown) having a valve seat formed therein, a valve body for opening and closing the valve seat, and an actuator (not shown) for moving the valve body between an open position and a closed position. not included). The valve 166 opens and closes the pipe 161 .

복수의 액체 토출관 (156) 은, 처리조 (110) 의 내조 (112) 에 처리액 (L) 을 공급한다. 복수의 액체 토출관 (156) 은, 처리조 (110) 의 내조 (112) 의 내부에 있어서, 내조 (112) 의 바닥부에 배치된다. 복수의 액체 토출관 (156) 의 각각은, 대략 통형상을 갖는다.The plurality of liquid discharge pipes 156 supply the processing liquid L to the inner tank 112 of the processing tank 110 . The plurality of liquid discharge pipes 156 are disposed inside the inner tank 112 of the treatment tank 110 at the bottom of the inner tank 112 . Each of the plurality of liquid discharge pipes 156 has a substantially cylindrical shape.

복수의 액체 토출관 (156) 의 각각은, 복수의 개구 (156p) 를 갖는다. 도 16 에서는, 1 개의 액체 토출관 (156) 에 대하여 1 개의 개구 (156p) 를 나타내고 있다. 복수의 액체 토출관 (156) 의 각각은, 복수의 개구 (156p) 로부터 처리액 (L) 을 내조 (112) 에 공급한다.Each of the plurality of liquid discharge pipes 156 has a plurality of openings 156p. In FIG. 16 , one opening 156p is shown for one liquid discharge pipe 156 . Each of the plurality of liquid discharge pipes 156 supplies the processing liquid L to the inner tank 112 through the plurality of openings 156p.

기판 처리 장치 (100) 는, 처리액 공급부 (150A) 와, 희석액 공급부 (150B) 를 추가로 구비한다. 처리액 공급부 (150A) 는, 처리액 (L) 을 처리조 (110) 에 공급한다. 처리액 (L) 은, 예를 들어, 대략 85 질량％ 의 인산 (H3PO4) 과 대략 15 질량％ 의 물 (탈이온수) 이 혼합된 용액을 사용할 수 있다.The substrate processing apparatus 100 further includes a processing liquid supply unit 150A and a dilution liquid supply unit 150B. The processing liquid supply unit 150A supplies the processing liquid L to the processing tank 110 . As the treatment liquid L, for example, a solution in which approximately 85% by mass of phosphoric acid (H 3 PO 4 ) and approximately 15% by mass of water (deionized water) are mixed can be used.

처리액 공급부 (150A) 는, 노즐 (152A) 과, 배관 (154A) 과, 밸브 (156A) 를 포함한다. 노즐 (152A) 은, 처리액 (L) 을 내조 (112) 에 토출한다. 노즐 (152A) 은, 배관 (154A) 에 접속된다. 배관 (154A) 에는, 처리액 공급원 (TKA) 으로부터의 처리액 (L) 이 공급된다. 배관 (154A) 에는, 밸브 (156A) 가 배치된다. 밸브 (156A) 가 개방되면, 노즐 (152A) 로부터 토출된 처리액 (L) 은, 내조 (112) 내에 공급된다.The processing liquid supply unit 150A includes a nozzle 152A, a pipe 154A, and a valve 156A. The nozzle 152A discharges the processing liquid L to the inner tank 112 . The nozzle 152A is connected to the pipe 154A. The processing liquid L from the processing liquid supply source TKA is supplied to the pipe 154A. A valve 156A is disposed in the pipe 154A. When the valve 156A is opened, the processing liquid L discharged from the nozzle 152A is supplied into the inner tank 112 .

희석액 공급부 (150B) 는, 희석액을 처리조 (110) 에 공급한다. 희석액 공급부 (150B) 는, 노즐 (152B) 과, 배관 (154B) 과, 밸브 (156B) 를 포함한다. 노즐 (152B) 은, 희석액을 외조 (114) 에 토출한다. 노즐 (152B) 은, 배관 (154B) 에 접속된다. 배관 (154B) 에 공급되는 희석액은, DIW (탈이온수), 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수 및 희석 농도 (예를 들어, 10 ppm ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수 중 어느 것을 채용할 수 있다. 배관 (154B) 에는, 희석액 공급원 (TKB) 으로부터의 희석액이 공급된다. 배관 (154B) 에는, 밸브 (156B) 가 배치된다. 밸브 (156B) 가 개방되면, 노즐 (152B) 로부터 토출된 희석액이, 외조 (114) 내에 공급된다.The dilution liquid supply unit 150B supplies the dilution liquid to the treatment tank 110 . The diluent supply unit 150B includes a nozzle 152B, a pipe 154B, and a valve 156B. The nozzle 152B discharges the dilution liquid to the outer tank 114 . The nozzle 152B is connected to the pipe 154B. As the diluent supplied to the pipe 154B, any of DIW (deionized water), carbonated water, electrolytic ionized water, hydrogenated water, ozone water, and hydrochloric acid water having a dilution concentration (eg, about 10 ppm to 100 ppm) can be employed. . The dilution liquid from the dilution liquid supply source TKB is supplied to the piping 154B. A valve 156B is disposed in the pipe 154B. When the valve 156B is opened, the diluent discharged from the nozzle 152B is supplied into the outer tank 114 .

기판 처리 장치 (100) 는, 배액부 (170) 를 추가로 구비한다. 배액부 (170) 는, 처리조 (110) 의 처리액 (L) 을 배출한다.The substrate processing apparatus 100 further includes a drainage unit 170 . The drainage unit 170 discharges the processing liquid L of the processing tank 110 .

배액부 (170) 는, 배액 배관 (170a) 과, 밸브 (170b) 를 포함한다. 처리조 (110) 의 내조 (112) 의 바닥벽은, 배액 배관 (170a) 과 접속된다. 배액 배관 (170a) 에는 밸브 (170b) 가 배치된다. 밸브 (170b) 가 개방됨으로써, 내조 (112) 내에 저류되어 있는 처리액 (L) 은 배액 배관 (170a) 을 통과하여 외부로 배출된다. 배출된 처리액 (L) 은 배액 처리 장치 (도시하지 않음) 에 이송되어, 처리된다.The drain unit 170 includes a drain pipe 170a and a valve 170b. The bottom wall of the inner tank 112 of the treatment tank 110 is connected to a drain pipe 170a. A valve 170b is disposed in the drain pipe 170a. When the valve 170b is opened, the processing liquid L stored in the inner tank 112 passes through the drain pipe 170a and is discharged to the outside. The discharged treatment liquid L is transferred to a drainage treatment device (not shown) to be treated.

이상, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태를 설명하였다. 단, 본 발명은, 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 양태에 있어서 실시하는 것이 가능하다. 또, 상기 실시형태에 개시되는 복수의 구성 요소를 적절히 조합함으로써, 다양한 발명의 형성이 가능하다. 예를 들어, 실시형태에 나타내는 전체 구성 요소로부터 몇 개의 구성 요소를 삭제해도 된다. 또한, 상이한 실시형태에 걸친 구성 요소를 적절히 조합해도 된다. 도면은, 이해하기 쉽게 하기 위해, 각각의 구성 요소를 주체로 모식적으로 나타내고 있으며, 도시된 각 구성 요소의 두께, 길이, 개수, 간격 등은, 도면 작성의 형편상에서 실제와는 상이한 경우도 있다. 또, 상기 실시형태에서 나타내는 각 구성 요소의 재질, 형상, 치수 등은 일례로서, 특별히 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 효과로부터 실질적으로 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.As mentioned above, embodiment of this invention was described, referring drawings. However, this invention is not limited to the said embodiment, It is a range which does not deviate from the summary, It can implement in various aspects. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining the plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments. For example, you may delete some component from all the components shown in embodiment. In addition, you may combine the component over different embodiment suitably. In the drawings, each component is schematically shown as a main body for easy understanding, and the thickness, length, number, spacing, etc. of each illustrated component may differ from the actual one for the convenience of drawing. . In addition, the material, shape, dimension, etc. of each component shown in the said embodiment are an example and are not specifically limited, Various changes are possible in the range which does not deviate substantially from the effect of this invention.

예를 들어, 도 1 ∼ 도 16 을 참조하여 상기 서술한 설명에서는, 기포 발생관 (136) 은, 기판 (W) 의 주면의 법선 방향 (Y 방향) 에 평행하게 연장되어 있었지만, 본 실시형태는 이것에 한정되지 않는다. 단, 1 개의 기판 (W) 의 중앙 영역 및 외주 영역의 각각의 하방에 상이한 기포 발생관 (136) 이 배치되는 것이 바람직하다.For example, in the description described above with reference to FIGS. 1 to 16 , the bubble generating tube 136 extends parallel to the normal direction (Y direction) of the main surface of the substrate W, but this embodiment It is not limited to this. However, it is preferable that the different bubble generating tubes 136 are arrange|positioned under each of the center area|region and the outer peripheral area|region of one board|substrate W. As shown in FIG.

본 발명은, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 바람직하게 사용된다.INDUSTRIAL APPLICATION This invention is used suitably for a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

100 : 기판 처리 장치
110 : 처리조
120 : 기판 유지부
130 : 기체 공급부
150 : 액체 공급부
180 : 제어 장치
200 : 기체 공급부
W : 기판
L : 처리액100: substrate processing device
110: treatment tank
120: substrate holding part
130: gas supply unit
150: liquid supply unit
180: control device
200: gas supply unit
W: substrate
L: treatment liquid

Claims (15)

적어도 1 개의 기판을 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판 유지부에 유지된 기판을 침지시키기 위한 처리액을 저류하는 처리조와,
상기 처리액에 기체를 공급함으로써 상기 처리액 중에 기포를 발생시키는 복수의 기포 발생관을 구비하고,
상기 복수의 기포 발생관 중 상기 처리액에 침지된 상기 기판의 외주 영역의 하방에 위치하는 외측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량은, 상기 기판의 중앙 영역의 하방에 위치하는 내측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량과는 상이한, 기판 처리 장치.a substrate holding unit for holding at least one substrate;
a processing tank for storing a processing liquid for immersing the substrate held in the substrate holding unit;
a plurality of bubble generating tubes for generating bubbles in the treatment liquid by supplying gas to the treatment liquid;
The flow rate of the gas supplied to the outer bubble generating tube located below the outer peripheral region of the substrate immersed in the processing liquid among the plurality of bubble generating tubes is in the inner bubble generating tube located below the central region of the substrate. A substrate processing apparatus different from the flow rate of the supplied gas. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 기포 발생관은, 상기 기판의 주면의 법선 방향에 대하여 평행하게 연장되는, 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The plurality of bubble generating tubes extend parallel to a direction normal to a main surface of the substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 복수의 기포 발생관 중 상기 처리액에 침지된 상기 기판의 외주 영역의 하방에 위치하는 외측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량은, 상기 기판의 중앙 영역의 하방에 위치하는 내측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량보다 많은, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The flow rate of the gas supplied to the outer bubble generating tube located below the outer peripheral region of the substrate immersed in the processing liquid among the plurality of bubble generating tubes is in the inner bubble generating tube located below the central region of the substrate. A substrate processing apparatus that is greater than the flow rate of the supplied gas. 제 3 항에 있어서,
상기 복수의 기포 발생관과 접속된 복수의 기체 공급관과,
상기 복수의 기체 공급관을 흐르는 기체의 유량을 제어하는 유량 제어 기구를 추가로 구비하고,
상기 유량 제어 기구는, 상기 외측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량이 상기 내측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량보다 많아지도록 상기 복수의 기체 공급관을 흐르는 기체의 유량을 제어하는, 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
a plurality of gas supply pipes connected to the plurality of bubble generating pipes;
Further comprising a flow rate control mechanism for controlling the flow rate of the gas flowing through the plurality of gas supply pipes,
The flow rate control mechanism controls the flow rates of the gas flowing through the plurality of gas supply pipes so that the flow rate of the gas supplied to the outer bubble generating tube is greater than the flow rate of the gas supplied to the inner bubble generating tube. 제 4 항에 있어서,
상기 외측 기포 발생관과 접속된 기체 공급관을 흐르는 기체의 압력과, 상기 내측 기포 발생관과 접속된 기체 공급관을 흐르는 기체의 압력을 측정하는 압력계를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
and a pressure gauge for measuring the pressure of the gas flowing through the gas supply pipe connected to the outer bubble generating pipe and the pressure of the gas flowing through the gas supply pipe connected to the inner bubble generating pipe. 제 5 항에 있어서,
상기 유량 제어 기구를 제어하는 제어부를 추가로 구비하고,
상기 제어부는,
상기 외측 기포 발생관과 접속된 기체 공급관을 흐르는 기체의 압력 및 상기 내측 기포 발생관과 접속된 기체 공급관을 흐르는 기체의 압력에 기초하여, 상기 복수의 기체 공급관을 흐르는 기체의 유량을 제어하는, 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
Further comprising a control unit for controlling the flow rate control mechanism,
The control unit is
A substrate for controlling flow rates of gas flowing through the plurality of gas supply pipes based on the pressure of the gas flowing through the gas supply pipe connected to the outer bubble generating pipe and the pressure of the gas flowing through the gas supply pipe connected to the inner bubble generating pipe processing unit. 제 5 항에 있어서,
상기 유량 제어 기구를 제어하는 제어부와,
제어 프로그램을 기억하는 기억부를 추가로 구비하고,
상기 제어부는, 상기 제어 프로그램에 따라서 상기 유량 제어 기구를 제어하는, 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
a control unit for controlling the flow rate control mechanism;
Further comprising a storage unit for storing the control program,
The control unit controls the flow rate control mechanism according to the control program. 제 3 항에 있어서,
상기 기판 유지부는, 열 방향을 따라 일렬로 나열된 기판 열에 배열된 복수의 기판을 유지하고,
상기 내측 기포 발생관은,
상기 복수의 기판 중 상기 기판 열의 일방측에 위치하는 기판의 각각의 중앙 영역의 하방에 배치된 내측 제 1 배관과,
상기 내측 제 1 배관으로부터 분리되고, 상기 기판 열의 타방측에 위치하는 기판의 각각의 중앙 영역의 하방에, 상기 내측 제 1 배관과 직선상으로 배열된 내측 제 2 배관을 포함하고,
상기 외측 기포 발생관은,
상기 복수의 기판 중 상기 기판 열의 일방측에 위치하는 기판의 각각의 외주 영역의 하방에 배치된 외측 제 1 배관과,
상기 외측 제 1 배관으로부터 분리되고, 상기 기판 열의 타방측에 위치하는 기판의 각각의 외주 영역의 하방에, 상기 외측 제 1 배관과 직선상으로 배열된 외측 제 2 배관을 포함하는, 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The substrate holding unit holds a plurality of substrates arranged in a substrate column arranged in a row along a column direction,
The inner bubble generating tube,
an inner first pipe disposed below a central region of each of the substrates positioned on one side of the substrate row among the plurality of substrates;
an inner second pipe separated from the inner first pipe and arranged in a straight line with the inner first pipe under each central region of the substrate located on the other side of the substrate row;
The outer bubble generating tube,
an outer first pipe disposed below each outer peripheral region of a substrate positioned on one side of the substrate row among the plurality of substrates;
and an outer second pipe separated from the outer first pipe and arranged in a straight line with the outer first pipe under each outer peripheral region of the substrate located on the other side of the substrate row. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 처리조에 배치된 액체 토출관을 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus further comprising a liquid discharge pipe disposed in the processing tank. 제 9 항에 있어서,
상기 액체 토출관은, 상기 기판의 주면의 법선 방향에 대하여 평행하게 연장되도록 배치되는, 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The liquid discharge pipe is arranged to extend parallel to a normal direction of the main surface of the substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 처리액은, 인산액을 포함하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The processing liquid includes a phosphoric acid liquid. 처리조에 저류된 처리액에 기판을 침지시키는 침지 공정과,
상기 처리조 내에 배치된 복수의 기포 발생관에 기체를 공급함으로써 상기 처리액 중에 기포를 발생시키고, 상기 처리액에 침지된 기판에 상기 기포를 공급하는 기포 공급 공정을 포함하고,
상기 기포 공급 공정은, 상기 복수의 기포 발생관 중 상기 기판의 외주 영역의 하방에 위치하는 외측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량이, 상기 기판의 중앙 영역의 하방에 위치하는 내측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량과는 상이한 유량 불균등 공급 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.An immersion step of immersing the substrate in the treatment liquid stored in the treatment tank;
a bubble supply step of generating bubbles in the treatment solution by supplying gas to a plurality of bubble generating tubes disposed in the treatment tank, and supplying the bubbles to a substrate immersed in the treatment solution;
In the bubble supply step, the flow rate of the gas supplied to the outer bubble generating tube located below the outer peripheral region of the substrate among the plurality of bubble generating tubes is directed to the inner bubble generating tube located below the central region of the substrate. A substrate processing method comprising a flow rate unequal supply step different from a flow rate of a gas to be supplied. 제 12 항에 있어서,
상기 복수의 기포 발생관은, 상기 기판의 주면의 법선 방향에 대하여 평행하게 연장되는, 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
The plurality of bubble generating tubes extend parallel to a direction normal to a main surface of the substrate. 제 13 항에 있어서,
상기 유량 불균등 공급 공정에 있어서, 상기 복수의 기포 발생관 중 상기 기판의 외주 영역의 하방에 위치하는 외측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량이, 상기 기판의 중앙 영역의 하방에 위치하는 내측 기포 발생관에 공급되는 기체의 유량보다 많은, 기판 처리 방법.14. The method of claim 13,
In the flow unequal supply step, the flow rate of the gas supplied to the outer bubble generating tube positioned below the outer peripheral region of the substrate among the plurality of bubble generating tubes is the inner bubble generating tube positioned below the central region of the substrate. A method of processing a substrate that is greater than the flow rate of gas supplied to the tube. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
상기 기포 공급 공정은,
상기 외측 기포 발생관 및 상기 내측 기포 발생관의 각각에 동등한 유량으로 기체를 공급하는 유량 균등 공급 공정과,
상기 유량 균등 공급 공정에 있어서, 상기 외측 기포 발생관과 접속된 기체 공급관을 흐르는 기체의 압력 및 상기 내측 기포 발생관과 접속된 기체 공급관을 흐르는 기체의 압력을 측정하는 압력 측정 공정을 추가로 포함하고,
상기 유량 불균등 공급 공정은, 상기 압력 측정 공정에 있어서의 측정 결과에 기초하여, 상기 외측 기포 발생관과 접속된 기체 공급관을 흐르는 기체의 유량 및 상기 내측 기포 발생관과 접속된 기체 공급관에 공급되는 기체의 유량을 설정하는, 기판 처리 방법.15. The method according to claim 13 or 14,
The bubble supply process is
a flow rate equalization supply step of supplying gas at an equal flow rate to each of the outer bubble generating tube and the inner bubble generating tube;
In the equal flow rate supply process, the method further includes a pressure measurement process of measuring the pressure of the gas flowing through the gas supply pipe connected to the outer bubble generating pipe and the pressure of the gas flowing through the gas supply pipe connected to the inner bubble generating pipe, and ,
In the flow unequal supply step, based on the measurement result in the pressure measuring step, the flow rate of the gas flowing through the gas supply pipe connected to the outer bubble generating pipe and the gas supplied to the gas supply pipe connected to the inner bubble generating pipe Substrate processing method to set the flow rate of.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004327826A (en) * 2003-04-25 2004-11-18 Toshiba Corp Substrate processor
KR20070116450A (en) * 2006-06-05 2007-12-10 삼성전자주식회사 Etching apparatus for substrate
JP2016190195A (en) * 2015-03-31 2016-11-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Deoxygenation device and substrate treatment apparatus
KR20180010993A (en) * 2016-07-22 2018-01-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
JP2020021822A (en) 2018-07-31 2020-02-06 東芝メモリ株式会社 Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP2020113621A (en) 2019-01-10 2020-07-27 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100213124A1 (en) * 2007-05-10 2010-08-26 Toray Industries, Inc Submerged membrane separation apparatus and method for operation thereof
JP2010040759A (en) * 2008-08-05 2010-02-18 Toshiba Mobile Display Co Ltd Substrate processing apparatus
JP6609231B2 (en) * 2016-09-16 2019-11-20 キオクシア株式会社 Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
US11594430B2 (en) * 2017-09-11 2023-02-28 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and recording medium
CN109075111A (en) * 2018-05-17 2018-12-21 长江存储科技有限责任公司 method and system for improved chemical etching

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004327826A (en) * 2003-04-25 2004-11-18 Toshiba Corp Substrate processor
KR20070116450A (en) * 2006-06-05 2007-12-10 삼성전자주식회사 Etching apparatus for substrate
JP2016190195A (en) * 2015-03-31 2016-11-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Deoxygenation device and substrate treatment apparatus
KR20180010993A (en) * 2016-07-22 2018-01-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
JP2020021822A (en) 2018-07-31 2020-02-06 東芝メモリ株式会社 Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP2020113621A (en) 2019-01-10 2020-07-27 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus

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