JP2021163861A - Substrate treatment method and substrate treatment apparatus - Google Patents

Substrate treatment method and substrate treatment apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2021163861A
JP2021163861A JP2020064008A JP2020064008A JP2021163861A JP 2021163861 A JP2021163861 A JP 2021163861A JP 2020064008 A JP2020064008 A JP 2020064008A JP 2020064008 A JP2020064008 A JP 2020064008A JP 2021163861 A JP2021163861 A JP 2021163861A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
treatment liquid
bubble supply
bubble
supply member
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020064008A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7454986B2 (en
Inventor
真治 杉岡
Shinji Sugioka
博章 内田
Hiroaki Uchida
圭 武知
Kei Takechi
朋宏 高橋
Tomohiro Takahashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2020064008A priority Critical patent/JP7454986B2/en
Publication of JP2021163861A publication Critical patent/JP2021163861A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7454986B2 publication Critical patent/JP7454986B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

To provide a substrate treatment method that can suppress deposition of eluted components and stay of the eluted components, on a bubble supply member.SOLUTION: The substrate treatment method includes: a step S1 of immersing a substrate W in a treatment liquid LQ that is accommodated in a treatment tank 110; a step S2 of supplying a plurality of air bubbles toward the substrate W that is immersed in the treatment liquid LQ, through a plurality of bubble supply holes G which communicate with an inner part FW of a bubble supply member 180 arranged in the treatment tank 110; a step S5 of stopping the supply of the plurality of air bubbles to the substrate W, and then introducing the treatment liquid LQ into the inner part FW of the bubble supply member 180; and a step S10 of extruding the treatment liquid LQ from the inner part FW of the bubble supply member 180, before immersing a new substrate W in the treatment liquid LQ, after having raised the substrate W that is immersed in the treatment liquid LQ from the treatment tank 110, after having introduced the treatment liquid LQ into the inner part FW of the bubble supply member 180.SELECTED DRAWING: Figure 8

Description

本発明は、基板処理方法および基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

半導体装置及び液晶表示装置などの電子部品に用いられる基板は、基板処理装置によって処理されることが知られている。基板は、処理槽内の処理液に浸漬することによって基板の処理が行われる（例えば、特許文献１参照）。 It is known that substrates used for electronic components such as semiconductor devices and liquid crystal display devices are processed by a substrate processing device. The substrate is treated by immersing it in the treatment liquid in the treatment tank (see, for example, Patent Document 1).

近年における半導体基板上に形成される素子の微細化や三次元化に伴い、基板の処理を均一化する要請が高まっている。例えば、三次元構造を有するＮＡＮＤ素子は、立体的な凹凸構造を有する積層構造を有している。素子パターンの凹凸構造の凹部に処理液が滞留した場合には、凹部内の液置換が不十分となる。そのため、凹部を含む基板全体に対して充分に液置換を促す手段として、処理槽に浸漬した基板の下方に気泡発生器（気泡供給部材）を配置し、気泡発生器から気泡を発生させて処理槽内の液置換を促進するという技術がある。 With the recent miniaturization and three-dimensionalization of elements formed on semiconductor substrates, there is an increasing demand for uniform processing of the substrates. For example, a NAND element having a three-dimensional structure has a laminated structure having a three-dimensional uneven structure. When the treatment liquid stays in the concave portion of the concave-convex structure of the element pattern, the liquid replacement in the concave portion becomes insufficient. Therefore, as a means for sufficiently promoting liquid replacement for the entire substrate including the recess, a bubble generator (bubble supply member) is arranged below the substrate immersed in the treatment tank, and bubbles are generated from the bubble generator for processing. There is a technique to promote liquid replacement in the tank.

特許文献１には、こうした気泡発生器の適用例が記載されている。特許文献１の基板処理装置では、燐酸水溶液を貯留した処理槽に基板を浸漬し基板を処理する際に、処理槽において浸漬した基板の下方に配置した気泡発生器から気泡を発生させる。気泡発生器は、筒状であり、多数の吐出口（多数の気泡供給孔）を有する。気泡発生器の一端には、気泡発生器に混合気体を供給する気体供給配管が接続されている。そして、気泡発生器は、混合気体を各吐出口から燐酸水溶液中に吹き出すことによって、混合気体の気泡を燐酸水溶液中に発生させる。 Patent Document 1 describes an application example of such a bubble generator. In the substrate processing apparatus of Patent Document 1, when the substrate is immersed in a processing tank storing an aqueous phosphoric acid solution to process the substrate, bubbles are generated from a bubble generator arranged below the substrate immersed in the processing tank. The bubble generator is cylindrical and has a large number of discharge ports (a large number of bubble supply holes). A gas supply pipe that supplies a mixed gas to the bubble generator is connected to one end of the bubble generator. Then, the bubble generator blows the mixed gas into the phosphoric acid aqueous solution from each discharge port to generate bubbles of the mixed gas in the phosphoric acid aqueous solution.

発生した気泡は、処理槽内に載置された複数の基板と基板との間の間隙を上昇しつつ、燐酸水溶液を攪拌する。この攪拌により、基板上に形成された素子パターン周囲の液置換が促進される。 The generated bubbles stir the phosphoric acid aqueous solution while raising the gaps between the plurality of substrates placed in the treatment tank. This stirring promotes liquid replacement around the device pattern formed on the substrate.

特開２０１８−５６２５８号公報JP-A-2018-56258

基板を燐酸処理した結果、燐酸を含む処理液に溶出した成分は、基板や気泡発生器に析出する可能性がある。 As a result of treating the substrate with phosphoric acid, the components eluted in the treatment liquid containing phosphoric acid may be deposited on the substrate or the bubble generator.

溶出成分が気泡発生器の吐出口に析出沈着した場合には、いわゆる目詰まり（ｃｌｏｇｇｉｎｇ）となり、供給される気泡の粒形、分布が変動する可能性がある。溶出成分が気泡発生器の内部に析出沈着した場合、または析出沈着まではしないとしても高い濃度で滞留した場合には、気泡発生器からの気泡の供給開始時に、処理槽内部に溶出成分の濃度の高い処理液を局所的に供給してしまい、基板処理の均一性に影響を及ぼす可能性がある。 When the eluted component is deposited and deposited at the discharge port of the bubble generator, so-called clogging may occur, and the grain shape and distribution of the supplied bubbles may fluctuate. If the eluted component is precipitated and deposited inside the bubble generator, or if it stays at a high concentration even if it is not precipitated, the concentration of the eluted component inside the treatment tank when the supply of bubbles from the bubble generator is started. There is a possibility that a high-quality treatment liquid will be locally supplied, which will affect the uniformity of substrate treatment.

近年の三次元構造を有するＮＡＮＤ素子などのパターンを備えた半導体基板などについては、基板処理の品質要求が一層厳格化しており、気泡発生器における溶出成分の沈着や溶出成分の滞留を抑制する必要がある。 For semiconductor substrates with patterns such as NAND elements that have a three-dimensional structure in recent years, the quality requirements for substrate processing have become even more stringent, and it is necessary to suppress the deposition of elution components and the retention of elution components in bubble generators. There is.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、気泡供給部材における溶出成分の沈着や溶出成分の滞留を抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of suppressing the deposition of the eluted component and the retention of the eluted component in the bubble supply member.

本発明の一局面によれば、基板処理方法では、処理槽に貯留された処理液に、基板を浸漬して、前記基板を前記処理液によって処理する。基板処理方法は、前記処理槽に貯留された前記処理液に、前記基板を浸漬する工程と、前記処理槽に配置された気泡供給部材の内部に連通する複数の気泡供給孔から、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて複数の気泡を供給する工程と、前記基板への前記複数の気泡の供給を停止した後に、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する工程と、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入した後に、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げた後であって、新たな基板を前記処理液に浸漬する前に、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す工程とを含む。 According to one aspect of the present invention, in the substrate processing method, the substrate is immersed in the treatment liquid stored in the treatment tank, and the substrate is treated with the treatment liquid. The substrate treatment method includes a step of immersing the substrate in the treatment liquid stored in the treatment tank and the treatment liquid from a plurality of bubble supply holes communicating with the inside of the bubble supply member arranged in the treatment tank. A step of supplying a plurality of bubbles toward the substrate immersed in the substrate, a step of introducing the treatment liquid into the inside of the bubble supply member after stopping the supply of the plurality of bubbles to the substrate, and a step of introducing the treatment liquid into the inside of the bubble supply member. After introducing the treatment liquid into the inside of the bubble supply member, after pulling up the substrate immersed in the treatment liquid from the treatment tank, and before immersing a new substrate in the treatment liquid, before immersing the new substrate in the treatment liquid. The step includes pushing out the treatment liquid from the inside of the bubble supply member.

本発明の基板処理方法において、前記複数の気泡を供給する前記工程では、前記気泡供給部材に接続された気体供給配管から前記気泡供給部材に気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡が供給されることが好ましい。前記気泡供給部材に前記処理液を導入する前記工程では、前記気体供給配管から前記気泡供給部材への前記気体の供給を停止した後に、前記気体供給配管を開放することで、前記複数の気泡供給孔を通して前記処理槽から前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を引き込むことが好ましい。 In the step of supplying the plurality of bubbles in the substrate processing method of the present invention, the plurality of the bubble supply member is supplied by supplying gas to the bubble supply member from the gas supply pipe connected to the bubble supply member. It is preferable that the plurality of bubbles are supplied from the bubble supply holes of the above. In the step of introducing the treatment liquid into the bubble supply member, the plurality of bubbles are supplied by opening the gas supply pipe after stopping the supply of the gas from the gas supply pipe to the bubble supply member. It is preferable to draw the treatment liquid from the treatment tank into the inside of the bubble supply member through the holes.

本発明の基板処理方法において、前記複数の気泡を供給する前記工程では、前記気泡供給部材に接続された気体供給配管から前記気泡供給部材に気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡が供給されることが好ましい。前記気泡供給部材に前記処理液を導入する前記工程では、前記気体供給配管から前記気泡供給部材への前記気体の供給を停止した後に、前記気体供給配管よりも下流側において前記気泡供給部材と接続される処理液導入用管を開放することで、前記複数の気泡供給孔を通して前記処理槽から前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を引き込むことが好ましい。 In the step of supplying the plurality of bubbles in the substrate processing method of the present invention, the plurality of the bubble supply member is supplied by supplying gas to the bubble supply member from the gas supply pipe connected to the bubble supply member. It is preferable that the plurality of bubbles are supplied from the bubble supply holes of the above. In the step of introducing the treatment liquid into the bubble supply member, after stopping the supply of the gas from the gas supply pipe to the bubble supply member, the process is connected to the bubble supply member on the downstream side of the gas supply pipe. It is preferable to draw the treatment liquid from the treatment tank into the inside of the bubble supply member through the plurality of bubble supply holes by opening the treatment liquid introduction pipe.

本発明の基板処理方法において、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する前記工程では、前記基板への前記複数の気泡の供給の停止後であって、前記基板が前記処理液に浸漬されている期間に、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入することが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, in the step of introducing the treatment liquid into the inside of the bubble supply member, after the supply of the plurality of bubbles to the substrate is stopped, the substrate becomes the treatment liquid. It is preferable to introduce the treatment liquid into the inside of the bubble supply member during the immersion period.

本発明の基板処理方法において、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する前記工程では、前記基板への前記複数の気泡の供給の停止後であって、前記基板が前記処理槽から引き上げられた後に、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入することが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, in the step of introducing the processing liquid into the inside of the bubble supply member, after the supply of the plurality of bubbles to the substrate is stopped, the substrate is removed from the processing tank. After being pulled up, it is preferable to introduce the treatment liquid into the inside of the bubble supply member.

本発明の基板処理方法において、前記気泡供給部材から前記処理液を押し出す前記工程では、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入した後に、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げられた後であって、前記新たな基板を前記処理液に浸漬する前に、前記気泡供給部材に気体供給配管から気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出すことが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, in the step of extruding the treatment liquid from the bubble supply member, after introducing the treatment liquid into the inside of the bubble supply member, the substrate immersed in the treatment liquid is treated. After being pulled up from the tank and before immersing the new substrate in the treatment liquid, the treatment is performed from the inside of the bubble supply member by supplying gas to the bubble supply member from the gas supply pipe. It is preferable to extrude the liquid.

本発明の基板処理方法において、前記複数の気泡を供給する前記工程では、前記気泡供給部材に接続された気体供給配管から前記気泡供給部材に前記気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡が供給されることが好ましい。前記気泡供給部材から前記処理液を押し出す前記工程では、前記気泡供給部材に気体供給配管から供給される前記気体の流量は、前記複数の気泡を供給する前記工程での前記気体の流量よりも多いことが好ましい。 In the step of supplying the plurality of bubbles in the substrate processing method of the present invention, the gas of the bubble supply member is supplied by supplying the gas from the gas supply pipe connected to the bubble supply member to the bubble supply member. It is preferable that the plurality of bubbles are supplied from the plurality of bubble supply holes. In the step of pushing out the treatment liquid from the bubble supply member, the flow rate of the gas supplied from the gas supply pipe to the bubble supply member is larger than the flow rate of the gas in the step of supplying the plurality of bubbles. Is preferable.

本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、処理槽と、基板保持部と、気泡供給部材と、気体供給部と、処理液導入部とを備える。処理槽は、処理液を貯留する。基板保持部は、基板を保持し、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記基板を浸漬する。気泡供給部材は、複数の気泡供給孔を有し、前記処理槽の内部に配置されて、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡供給孔から複数の気泡を供給する。気体供給部は、前記気泡供給部材に、前記気泡を発生させるための気体を供給して、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡を供給させる。処理液導入部は、前記気泡供給部材への前記気体の供給が停止された後に、前記気泡供給部材の内部に前記処理液を導入する。前記複数の気泡供給孔は、前記気泡供給部材の前記内部に連通する。前記気体供給部は、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液が導入された後に、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げた後であって、新たな基板を前記処理液に浸漬する前に、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す。 According to another aspect of the present invention, the substrate processing apparatus includes a processing tank, a substrate holding unit, a bubble supply member, a gas supply unit, and a processing liquid introduction unit. The treatment tank stores the treatment liquid. The substrate holding portion holds the substrate and immerses the substrate in the treatment liquid stored in the treatment tank. The bubble supply member has a plurality of bubble supply holes and is arranged inside the treatment tank to supply a plurality of bubbles from the plurality of bubble supply holes toward the substrate immersed in the treatment liquid. The gas supply unit supplies the bubble supply member with a gas for generating the bubbles, and supplies the plurality of bubbles toward the substrate immersed in the treatment liquid. The treatment liquid introduction unit introduces the treatment liquid into the inside of the bubble supply member after the supply of the gas to the bubble supply member is stopped. The plurality of bubble supply holes communicate with the inside of the bubble supply member. The gas supply unit is after the treatment liquid is introduced into the inside of the bubble supply member, the substrate immersed in the treatment liquid is pulled up from the treatment tank, and a new substrate is treated. The treatment liquid is extruded from the inside of the bubble supply member before being immersed in the liquid.

本発明の基板処理装置において、前記気体供給部は、前記気泡供給部材に接続される気体供給配管を含むことが好ましい。前記気体供給部は、前記気体供給配管から前記気泡供給部材に前記気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡を供給させることが好ましい。気体供給部は、前記気体供給配管から前記気泡供給部材への前記気体の供給を停止した後に、前記気体供給配管を開放することで、前記複数の気泡供給孔を通して前記処理槽から前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を引き込むことが好ましい。 In the substrate processing apparatus of the present invention, the gas supply unit preferably includes a gas supply pipe connected to the bubble supply member. It is preferable that the gas supply unit supplies the gas from the gas supply pipe to the bubble supply member to supply the plurality of bubbles from the plurality of bubble supply holes of the bubble supply member. The gas supply unit stops the supply of the gas from the gas supply pipe to the bubble supply member, and then opens the gas supply pipe, whereby the bubble supply member is opened from the processing tank through the plurality of bubble supply holes. It is preferable to draw the treatment liquid into the inside of the above.

本発明の基板処理装置において、前記気体供給部は、前記気泡供給部材に接続される気体供給配管を含むことが好ましい。前記処理液導入部は、前記気体供給配管よりも下流側において前記気泡供給部材と接続される処理液導入用管を含むことが好ましい。前記気体供給部は、前記気体供給配管から前記気泡供給部材に前記気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡を供給させることが好ましい。前記処理液導入部は、前記気体供給配管から前記気泡供給部材への前記気体の供給が停止された後に、前記処理液導入用管を開放することで、前記複数の気泡供給孔を通して前記処理槽から前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を引き込むことが好ましい。 In the substrate processing apparatus of the present invention, the gas supply unit preferably includes a gas supply pipe connected to the bubble supply member. The treatment liquid introduction section preferably includes a treatment liquid introduction pipe connected to the bubble supply member on the downstream side of the gas supply pipe. It is preferable that the gas supply unit supplies the gas from the gas supply pipe to the bubble supply member to supply the plurality of bubbles from the plurality of bubble supply holes of the bubble supply member. The treatment liquid introduction unit opens the treatment liquid introduction pipe after the supply of the gas from the gas supply pipe to the bubble supply member is stopped, so that the treatment liquid introduction unit passes through the plurality of bubble supply holes to the treatment tank. It is preferable to draw the treatment liquid into the inside of the bubble supply member.

本発明によれば、気泡供給部材における溶出成分の沈着や溶出成分の滞留を抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供できる。 According to the present invention, it is possible to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of suppressing the deposition of the elution component and the retention of the elution component in the bubble supply member.

本発明の実施形態１に係る基板処理装置を示す模式的断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the substrate processing apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention. （ａ）は、実施形態１に係る基板が処理液に浸漬される前の状態を示す図である。（ｂ）は、実施形態１に係る基板が処理液に浸漬された状態を示す図である。FIG. 1A is a diagram showing a state before the substrate according to the first embodiment is immersed in the treatment liquid. FIG. 1B is a diagram showing a state in which the substrate according to the first embodiment is immersed in the treatment liquid. 実施形態１に係る気泡供給部材、気体供給部、処理液導入部、及び、排気部を示す模式的平面図である。It is a schematic plan view which shows the bubble supply member, the gas supply part, the processing liquid introduction part, and the exhaust part which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る基板処理装置が基板処理を実行している状態を示す図である。It is a figure which shows the state which the substrate processing apparatus which concerns on Embodiment 1 is executing the substrate processing. 実施形態１に係る基板処理装置が処理液導入処理を実行している状態を示す図である。It is a figure which shows the state which the substrate processing apparatus which concerns on Embodiment 1 is executing a processing liquid introduction process. 実施形態１に係る基板処理装置が処理液押出処理を実行している状態を示す図である。It is a figure which shows the state which the substrate processing apparatus which concerns on Embodiment 1 is executing the processing liquid extrusion processing. 実施形態１に係る基板処理装置が基板浸漬処理を実行している状態を示す図である。It is a figure which shows the state which the substrate processing apparatus which concerns on Embodiment 1 is executing the substrate immersion processing. 実施形態１に係る基板処理方法の第１例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows 1st example of the substrate processing method which concerns on Embodiment 1. 実施形態１に係る基板処理方法の第２例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the 2nd example of the substrate processing method which concerns on Embodiment 1. 本発明の実施形態２に係る基板処理装置の気泡供給部材、気体供給部、処理液導入部、及び、排気部を示す模式的平面図である。It is a schematic plan view which shows the bubble supply member, the gas supply part, the processing liquid introduction part, and the exhaust part of the substrate processing apparatus which concerns on Embodiment 2 of this invention. 実施形態２に係る基板処理装置が基板処理を実行している状態を示す図である。It is a figure which shows the state which the substrate processing apparatus which concerns on Embodiment 2 is executing the substrate processing. 実施形態２に係る基板処理装置が処理液導入処理を実行している状態を示す図である。It is a figure which shows the state which the substrate processing apparatus which concerns on Embodiment 2 is executing the processing liquid introduction process. 実施形態２に係る基板処理装置が処理液押出処理を実行している状態を示す図である。It is a figure which shows the state which the substrate processing apparatus which concerns on Embodiment 2 is executing the processing liquid extrusion processing. 実施形態２に係る基板処理装置が基板浸漬処理を実行している状態を示す図である。It is a figure which shows the state which the substrate processing apparatus which concerns on Embodiment 2 is executing the substrate immersion processing.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。また、「平面視」は、鉛直上方から対象物を見ることを示す。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are designated by the same reference numerals and the description is not repeated. Further, in the embodiment of the present invention, the X-axis, the Y-axis, and the Z-axis are orthogonal to each other, the X-axis and the Y-axis are parallel in the horizontal direction, and the Z-axis is parallel in the vertical direction. In addition, "planar view" indicates that the object is viewed from vertically above.

（実施形態１）
図１〜図９を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００及び基板処理方法を説明する。まず、図１を参照して、基板処理装置１００を説明する。 (Embodiment 1)
The substrate processing apparatus 100 and the substrate processing method according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 9. First, the substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIG.

図１は、基板処理装置１００を示す模式的断面図である。基板処理装置１００は、処理液ＬＱによって複数の基板Ｗを一括して処理する。なお、基板処理装置１００は、処理液ＬＱによって１枚の基板Ｗを処理することもできる。処理液ＬＱにより、複数の基板Ｗには、エッチング処理、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去及び洗浄のうちの少なくとも１つが行われる。処理液ＬＱは、例えば、薬液である。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a substrate processing apparatus 100. The substrate processing apparatus 100 collectively processes a plurality of substrates W by the processing liquid LQ. The substrate processing apparatus 100 can also process one substrate W with the processing liquid LQ. With the treatment liquid LQ, at least one of etching treatment, surface treatment, property imparting, treatment film formation, removal of at least a part of the film, and cleaning is performed on the plurality of substrates W. The treatment liquid LQ is, for example, a chemical liquid.

基板Ｗは、薄い板状である。典型的には、基板Ｗは、薄い略円板状である。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板及び太陽電池用基板などを含む。 The substrate W has a thin plate shape. Typically, the substrate W has a thin substantially disk shape. The substrate W includes, for example, a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display, a substrate for a plasma display, a substrate for a field emission display (FED), a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for an optical magnetic disk, and a photomask. Includes substrates, ceramic substrates, solar cell substrates, and the like.

例えば、基板処理装置１００は、シリコン基板からなる基板Ｗのパターン形成側の表面に対して、シリコン酸化膜（酸化膜）及びシリコン窒化膜（窒化膜）のエッチング処理を施す。このようなエッチング処理では、基板Ｗの表面から酸化膜及び窒化膜を選択的に除去する。例えば、処理液ＬＱとして燐酸（Ｈ3ＰＯ4）の水溶液（以下、「燐酸液」と記載する。）が用いられると、基板Ｗの表面から窒化膜が除去される。なお、基板Ｗを処理できる限りにおいては、処理液ＬＱの種類は特に限定されない。 For example, the substrate processing apparatus 100 performs an etching treatment of a silicon oxide film (oxide film) and a silicon nitride film (nitriding film) on the surface of the substrate W made of a silicon substrate on the pattern formation side. In such an etching process, the oxide film and the nitride film are selectively removed from the surface of the substrate W. For example, when an aqueous solution of phosphoric acid (H 3 PO 4 ) (hereinafter referred to as “phosphoric acid solution”) is used as the treatment liquid LQ, the nitride film is removed from the surface of the substrate W. The type of the treatment liquid LQ is not particularly limited as long as the substrate W can be treated.

図１に示すように、基板処理装置１００は、処理槽１１０と、基板保持部１２０と、少なくとも１つの循環処理液供給部材１３０と、循環部１４０と、処理液供給部１５０と、水供給部１６０と、排液部１７０と、少なくとも１つの気泡供給部材１８０と、気体供給部２００と、制御装置ＣＮＴとを備える。実施形態１では、基板処理装置１００は、複数の循環処理液供給部材１３０と、複数の気泡供給部材１８０とを備えている。図１の例では、基板処理装置１００は、２つの循環処理液供給部材１３０と、４つの気泡供給部材１８０とを備える。 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 includes a processing tank 110, a substrate holding unit 120, at least one circulating processing liquid supply member 130, a circulating unit 140, a processing liquid supply unit 150, and a water supply unit. It includes 160, a drainage unit 170, at least one bubble supply member 180, a gas supply unit 200, and a control device CNT. In the first embodiment, the substrate processing apparatus 100 includes a plurality of circulation processing liquid supply members 130 and a plurality of bubble supply members 180. In the example of FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 includes two circulation processing liquid supply members 130 and four bubble supply members 180.

処理槽１１０は、処理液ＬＱを貯留する。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持する。基板保持部１２０は、リフターを含む。基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに、基板Ｗを浸漬する。実施形態１では、基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに、間隔をあけて整列した複数の基板Ｗを浸漬する。複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０に処理液ＬＱを供給する。循環部１４０は、処理槽１１０に貯留されている処理液ＬＱを循環させて、処理液ＬＱを循環処理液供給部材１３０の各々に供給する。処理液供給部１５０は、処理液ＬＱを処理槽１１０に供給する。水供給部１６０は、水を処理槽１１０に供給する。排液部１７０は、処理槽１１０の処理液ＬＱを排出する。気泡供給部材１８０は、処理液ＬＱ中に複数の気泡（多数の気泡）を発生し、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗに向けて複数の気泡（多数の気泡）を供給する。気泡供給部材１８０は、例えば、バブラーである。気体供給部２００は、複数の気泡供給部材１８０に対して、気泡を発生させるための気体を供給する。制御装置ＣＮＴは、基板処理装置１００の各構成を制御する。例えば、制御装置ＣＮＴは、基板保持部１２０、循環部１４０、処理液供給部１５０、水供給部１６０、排液部１７０、及び、気体供給部２００を制御する。 The treatment tank 110 stores the treatment liquid LQ. The substrate holding unit 120 holds a plurality of substrates W. The substrate holding portion 120 includes a lifter. The substrate holding unit 120 immerses the substrate W in the processing liquid LQ stored in the processing tank 110. In the first embodiment, the substrate holding unit 120 immerses a plurality of substrates W arranged at intervals in the processing liquid LQ stored in the processing tank 110. The plurality of circulation treatment liquid supply members 130 supply the treatment liquid LQ to the treatment tank 110. The circulation unit 140 circulates the treatment liquid LQ stored in the treatment tank 110, and supplies the treatment liquid LQ to each of the circulation treatment liquid supply members 130. The treatment liquid supply unit 150 supplies the treatment liquid LQ to the treatment tank 110. The water supply unit 160 supplies water to the treatment tank 110. The drainage unit 170 discharges the treatment liquid LQ of the treatment tank 110. The bubble supply member 180 generates a plurality of bubbles (a large number of bubbles) in the treatment liquid LQ, and supplies the plurality of bubbles (a large number of bubbles) toward the plurality of substrates W immersed in the treatment liquid LQ. The bubble supply member 180 is, for example, a bubbler. The gas supply unit 200 supplies gas for generating bubbles to the plurality of bubble supply members 180. The control device CNT controls each configuration of the substrate processing device 100. For example, the control device CNT controls the substrate holding unit 120, the circulation unit 140, the processing liquid supply unit 150, the water supply unit 160, the drainage unit 170, and the gas supply unit 200.

具体的には、処理槽１１０は、内槽１１２及び外槽１１４を含む二重槽構造を有している。内槽１１２及び外槽１１４はそれぞれ上向きに開いた上部開口を有する。内槽１１２は、処理液ＬＱを貯留し、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。外槽１１４は、内槽１１２の上部開口の外側面に設けられる。外槽１１４の上縁の高さは、内槽１１２の上縁の高さよりも高い。 Specifically, the treatment tank 110 has a double tank structure including an inner tank 112 and an outer tank 114. The inner tank 112 and the outer tank 114 each have an upper opening that opens upward. The inner tank 112 is configured to store the treatment liquid LQ and can accommodate a plurality of substrates W. The outer tank 114 is provided on the outer surface of the upper opening of the inner tank 112. The height of the upper edge of the outer tank 114 is higher than the height of the upper edge of the inner tank 112.

処理槽１１０は、蓋１１６をさらに有する。蓋１１６は、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。蓋１１６が閉じることにより、蓋１１６は、内槽１１２の上部開口を塞ぐことができる。 The treatment tank 110 further has a lid 116. The lid 116 can be opened and closed with respect to the upper opening of the inner tank 112. By closing the lid 116, the lid 116 can close the upper opening of the inner tank 112.

蓋１１６は、開戸部１１６ａと、開戸部１１６ｂとを有する。開戸部１１６ａは、内槽１１２の上部開口のうちの一方側に位置する。開戸部１１６ａは、内槽１１２の上縁近傍に配置されており、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。開戸部１１６ｂは、内槽１１２の上部開口のうちの他方側に位置する。開戸部１１６ｂは、内槽１１２の上縁近傍に配置されており、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。開戸部１１６ａ及び開戸部１１６ｂが閉じて内槽１１２の上部開口を覆うことにより、処理槽１１０の内槽１１２を塞ぐことができる。 The lid 116 has an opening portion 116a and an opening portion 116b. The door opening portion 116a is located on one side of the upper opening of the inner tank 112. The door opening portion 116a is arranged near the upper edge of the inner tank 112, and can be opened and closed with respect to the upper opening of the inner tank 112. The door opening 116b is located on the other side of the upper opening of the inner tank 112. The door opening portion 116b is arranged near the upper edge of the inner tank 112 and can be opened and closed with respect to the upper opening of the inner tank 112. By closing the door opening portion 116a and the door opening portion 116b to cover the upper opening of the inner tank 112, the inner tank 112 of the processing tank 110 can be closed.

基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持した状態で鉛直上方又は鉛直下方に移動する。基板保持部１２０が鉛直下方に移動することにより、基板保持部１２０によって保持されている複数の基板Ｗは、内槽１１２に貯留されている処理液ＬＱに浸漬される。 The substrate holding portion 120 moves vertically upward or vertically downward while holding a plurality of substrates W. As the substrate holding portion 120 moves vertically downward, the plurality of substrates W held by the substrate holding portion 120 are immersed in the treatment liquid LQ stored in the inner tank 112.

基板保持部１２０は、本体板１２２と、保持棒１２４とを含む。本体板１２２は、鉛直方向（Ｚ方向）に延びる板である。保持棒１２４は、本体板１２２の一方の主面から水平方向（Ｙ方向）に延びる。図１の例では、３つの保持棒１２４が本体板１２２の一方の主面から水平方向に延びる。複数の基板Ｗは、間隔をあけて整列した状態で、複数の保持棒１２４によって各基板Ｗの下縁が当接されて起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。 The substrate holding portion 120 includes a main body plate 122 and a holding rod 124. The main body plate 122 is a plate extending in the vertical direction (Z direction). The holding rod 124 extends in the horizontal direction (Y direction) from one main surface of the main body plate 122. In the example of FIG. 1, three holding rods 124 extend horizontally from one main surface of the main body plate 122. The plurality of substrates W are held in an upright posture (vertical posture) with the lower edges of the respective substrates W being brought into contact with each other by the plurality of holding rods 124 in a state of being aligned at intervals.

基板保持部１２０は、昇降ユニット１２６をさらに含んでもよい。昇降ユニット１２６は、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが内槽１１２内に位置する処理位置（図２（ｂ）に示す位置）と、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが内槽１１２の上方に位置する退避位置（図２（ａ）に示す位置）との間で本体板１２２を昇降させる。したがって、昇降ユニット１２６によって本体板１２２が処理位置に移動させられることにより、保持棒１２４に保持されている複数の基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬される。これにより、複数の基板Ｗに対して処理が施される。 The substrate holding portion 120 may further include an elevating unit 126. The evacuation unit 126 includes a processing position (position shown in FIG. 2B) in which a plurality of substrates W held in the substrate holding portion 120 are located in the inner tank 112, and a plurality of substrates W held in the substrate holding portion 120. The main body plate 122 is moved up and down between the substrate W and the retracted position (position shown in FIG. 2A) located above the inner tank 112. Therefore, by moving the main body plate 122 to the processing position by the elevating unit 126, the plurality of substrates W held by the holding rod 124 are immersed in the processing liquid LQ. As a result, the processing is applied to the plurality of substrates W.

複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０の内槽１１２に処理液ＬＱを供給する。複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０の内槽１１２の内部において、内槽１１２の底部に配置される。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、略筒形状を有する。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、例えば、管である。 The plurality of circulation treatment liquid supply members 130 supply the treatment liquid LQ to the inner tank 112 of the treatment tank 110. The plurality of circulation treatment liquid supply members 130 are arranged at the bottom of the inner tank 112 inside the inner tank 112 of the treatment tank 110. Each of the plurality of circulation treatment liquid supply members 130 has a substantially tubular shape. Each of the plurality of circulation treatment liquid supply members 130 is, for example, a pipe.

具体的には、複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、複数の処理液吐出孔Ｐを有する。図１では、１つの循環処理液供給部材１３０に対して１つの処理液吐出孔Ｐだけが表れている。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、複数の処理液吐出孔Ｐから処理液ＬＱを内槽１１２に供給する。 Specifically, each of the plurality of circulation processing liquid supply members 130 has a plurality of processing liquid discharge holes P. In FIG. 1, only one processing liquid discharge hole P appears for one circulation processing liquid supply member 130. Each of the plurality of circulation treatment liquid supply members 130 supplies the treatment liquid LQ to the inner tank 112 from the plurality of treatment liquid discharge holes P.

循環部１４０は、配管１４１と、ポンプ１４２、ヒーター１４３、フィルター１４４、調整バルブ１４５及びバルブ１４６を含む。ポンプ１４２、ヒーター１４３、フィルター１４４、調整バルブ１４５及びバルブ１４６は、この順番に配管１４１の上流から下流に向かって配置される。 The circulation unit 140 includes a pipe 141, a pump 142, a heater 143, a filter 144, an adjustment valve 145, and a valve 146. The pump 142, the heater 143, the filter 144, the adjusting valve 145 and the valve 146 are arranged in this order from the upstream to the downstream of the pipe 141.

配管１４１は、処理槽１１０から排出された処理液ＬＱを再び処理槽１１０に導く。配管１４１の下流端に、複数の循環処理液供給部材１３０が接続される。 The pipe 141 guides the processing liquid LQ discharged from the processing tank 110 to the processing tank 110 again. A plurality of circulation processing liquid supply members 130 are connected to the downstream end of the pipe 141.

ポンプ１４２は、配管１４１から複数の循環処理液供給部材１３０に処理液ＬＱを送る。従って、循環処理液供給部材１３０は、配管１４１から供給された処理液ＬＱを処理槽１１０に供給する。ヒーター１４３は、配管１４１を流れる処理液ＬＱを加熱する。ヒーター１４３により、処理液ＬＱの温度が調整される。フィルター１４４は、配管１４１を流れる処理液ＬＱをろ過する。 The pump 142 sends the processing liquid LQ from the pipe 141 to the plurality of circulation processing liquid supply members 130. Therefore, the circulation treatment liquid supply member 130 supplies the treatment liquid LQ supplied from the pipe 141 to the treatment tank 110. The heater 143 heats the processing liquid LQ flowing through the pipe 141. The temperature of the processing liquid LQ is adjusted by the heater 143. The filter 144 filters the processing liquid LQ flowing through the pipe 141.

調整バルブ１４５は、配管１４１の開度を調節して、複数の循環処理液供給部材１３０に供給される処理液ＬＱの流量を調整する。具体的には、調整バルブ１４５は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。バルブ１４６は配管１４１を開閉する。 The adjusting valve 145 adjusts the opening degree of the pipe 141 to adjust the flow rate of the processing liquid LQ supplied to the plurality of circulation processing liquid supply members 130. Specifically, the adjusting valve 145 is a valve body (not shown) having a valve seat inside, a valve body that opens and closes the valve seat, and an actuator that moves the valve body between an open position and a closed position. (Not shown) and included. The valve 146 opens and closes the pipe 141.

処理液供給部１５０は、ノズル１５２と、配管１５４と、バルブ１５６とを含む。ノズル１５２は処理液ＬＱを内槽１１２に吐出する。ノズル１５２は、配管１５４に接続される。配管１５４には、処理液供給源からの処理液ＬＱが供給される。配管１５４には、バルブ１５６が配置される。 The processing liquid supply unit 150 includes a nozzle 152, a pipe 154, and a valve 156. The nozzle 152 discharges the processing liquid LQ to the inner tank 112. The nozzle 152 is connected to the pipe 154. The processing liquid LQ from the processing liquid supply source is supplied to the pipe 154. A valve 156 is arranged in the pipe 154.

バルブ１５６が開かれると、ノズル１５２から吐出された処理液ＬＱが、内槽１１２内に供給される。そして、内槽１１２の上縁から処理液ＬＱが溢れると、溢れた処理液ＬＱは、外槽１１４によって受け止められ、回収される。 When the valve 156 is opened, the processing liquid LQ discharged from the nozzle 152 is supplied into the inner tank 112. Then, when the treatment liquid LQ overflows from the upper edge of the inner tank 112, the overflowing treatment liquid LQ is received by the outer tank 114 and collected.

水供給部１６０は、ノズル１６２と、配管１６４と、バルブ１６６とを含む。ノズル１６２は、水を外槽１１４に吐出する。ノズル１６２は、配管１６４に接続される。配管１６４に供給される水は、ＤＩＷ（脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水及び希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかを採用することができる。配管１６４には、水供給源からの水が供給される。配管１６４には、バルブ１６６が配置される。バルブ１６６が開かれると、ノズル１６２から吐出された水が、外槽１１４内に供給される。 The water supply unit 160 includes a nozzle 162, a pipe 164, and a valve 166. The nozzle 162 discharges water to the outer tank 114. The nozzle 162 is connected to the pipe 164. As the water supplied to the pipe 164, any one of DIW (deionized water), carbonated water, electrolytic ionized water, hydrogen water, ozone water and hydrochloric acid water having a diluted concentration (for example, about 10 ppm to 100 ppm) may be adopted. can. Water from the water supply source is supplied to the pipe 164. A valve 166 is arranged in the pipe 164. When the valve 166 is opened, the water discharged from the nozzle 162 is supplied into the outer tank 114.

排液部１７０は、排液配管１７０ａと、バルブ１７０ｂとを含む。そして、処理槽１１０の内槽１１２の底壁には、排液配管１７０ａが接続される。排液配管１７０ａにはバルブ１７０ｂが配置される。バルブ１７０ｂが開くことにより、内槽１１２内に貯留されている処理液ＬＱは排液配管１７０ａを通って外部に排出される。排出された処理液ＬＱは排液処理装置（図示しない）へと送られ、処理される。 The drainage unit 170 includes a drainage pipe 170a and a valve 170b. A drainage pipe 170a is connected to the bottom wall of the inner tank 112 of the treatment tank 110. A valve 170b is arranged in the drainage pipe 170a. When the valve 170b is opened, the treatment liquid LQ stored in the inner tank 112 is discharged to the outside through the drainage pipe 170a. The discharged treatment liquid LQ is sent to a waste liquid treatment device (not shown) and processed.

複数の気泡供給部材１８０は、処理槽１１０の内部に配置される。詳細には、複数の気泡供給部材１８０は、処理槽１１０の内部において、処理槽１１０の底部に配置される。具体的には、複数の気泡供給部材１８０は、処理槽１１０の内槽１１２に配置される。詳細には、複数の気泡供給部材１８０は、内槽１１２の内部において、内槽１１２の底部に配置される。複数の気泡供給部材１８０は、内槽１１２の底部に固定される。複数の気泡供給部材１８０は、内槽１１２の底部に接触していてもよいし、内槽１１２の底部に対して離隔していてもよい。 The plurality of bubble supply members 180 are arranged inside the processing tank 110. Specifically, the plurality of bubble supply members 180 are arranged at the bottom of the processing tank 110 inside the processing tank 110. Specifically, the plurality of bubble supply members 180 are arranged in the inner tank 112 of the processing tank 110. Specifically, the plurality of bubble supply members 180 are arranged at the bottom of the inner tank 112 inside the inner tank 112. The plurality of bubble supply members 180 are fixed to the bottom of the inner tank 112. The plurality of bubble supply members 180 may be in contact with the bottom of the inner tank 112 or may be separated from the bottom of the inner tank 112.

複数の気泡供給部材１８０の各々は、略筒形状を有する。気泡供給部材１８０の各々は、例えば、管である。気泡供給部材１８０の材質は、例えば、石英、又は、合成樹脂である。合成樹脂は、例えば、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）、又は、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）である。 Each of the plurality of bubble supply members 180 has a substantially tubular shape. Each of the bubble supply members 180 is, for example, a pipe. The material of the bubble supply member 180 is, for example, quartz or synthetic resin. The synthetic resin is, for example, PFA (tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer) or PTFE (polytetrafluoroethylene).

具体的には、複数の気泡供給部材１８０の各々は、流路ＦＷを有する。流路ＦＷには気体が流れる。気泡供給部材１８０の流路ＦＷは、「気泡供給部材の内部」の一例に相当する。流路ＦＷは、気泡供給部材１８０の内部に気泡供給部材１８０の長手方向に沿って形成される。流路ＦＷは、一端が開口し、気体供給配管２０１に連通する。流路ＦＷの他端は閉じた構造となっている。なお、流路ＦＷの他端は、流路ＦＷの端部での液残りや液滞留を抑制するために、開口した状態に形成してもよい。 Specifically, each of the plurality of bubble supply members 180 has a flow path FW. Gas flows in the flow path FW. The flow path FW of the bubble supply member 180 corresponds to an example of “inside the bubble supply member”. The flow path FW is formed inside the bubble supply member 180 along the longitudinal direction of the bubble supply member 180. One end of the flow path FW is open and communicates with the gas supply pipe 201. The other end of the flow path FW has a closed structure. The other end of the flow path FW may be formed in an open state in order to suppress liquid residue and liquid retention at the end of the flow path FW.

また、複数の気泡供給部材１８０の各々は、流路ＦＷに連通する複数の気泡供給孔Ｇをさらに有する。図１では、１つの気泡供給部材１８０に対して１つの気泡供給孔Ｇだけが表れている。気泡供給孔Ｇの孔径は、例えば、数十μｍ〜数百μｍのオーダーである。例えば、気泡供給孔Ｇの孔径は、０．２ｍｍである。 Further, each of the plurality of bubble supply members 180 further has a plurality of bubble supply holes G communicating with the flow path FW. In FIG. 1, only one bubble supply hole G appears for one bubble supply member 180. The pore diameter of the bubble supply hole G is, for example, on the order of several tens of μm to several hundreds of μm. For example, the hole diameter of the bubble supply hole G is 0.2 mm.

複数の気泡供給部材１８０の各々は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）において処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗに向けて、複数の気泡供給孔Ｇから複数の気泡を供給する。詳細には、複数の気泡供給部材１８０の各々は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）に貯留された処理液ＬＱに複数の気泡供給孔Ｇから気体を吹き出すことで、複数の気泡供給孔Ｇから処理液ＬＱ中に複数の気泡（多数の気泡）を発生し、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗに向けて複数の気泡（多数の気泡）を供給する。 Each of the plurality of bubble supply members 180 supplies a plurality of bubbles from the plurality of bubble supply holes G toward the plurality of substrates W immersed in the treatment liquid LQ in the treatment tank 110 (specifically, the inner tank 112). do. Specifically, each of the plurality of bubble supply members 180 blows gas from the plurality of bubble supply holes G into the treatment liquid LQ stored in the treatment tank 110 (specifically, the inner tank 112), thereby causing the plurality of bubbles. A plurality of bubbles (a large number of bubbles) are generated in the treatment liquid LQ from the supply hole G, and a plurality of bubbles (a large number of bubbles) are supplied toward the plurality of substrates W immersed in the treatment liquid LQ.

なお、気泡供給部材１８０が気泡を供給できる限りにおいては、気泡供給部材１８０の構成は特に限定されない。例えば、気泡供給部材１８０は、略円筒形状を有する多孔質部材によって構成されていてもよい。また、例えば、気泡供給部材１８０は、略筒形状を有する部材に多孔質部材を固定して構成されていてもよい。 The configuration of the bubble supply member 180 is not particularly limited as long as the bubble supply member 180 can supply bubbles. For example, the bubble supply member 180 may be composed of a porous member having a substantially cylindrical shape. Further, for example, the bubble supply member 180 may be configured by fixing a porous member to a member having a substantially tubular shape.

気体供給部２００は、複数の気泡供給部材１８０の各々に、気泡を発生するための気体を供給して、複数の気泡供給部材１８０の各々に、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗに向けて複数の気泡を供給させる。気体供給部２００は、気体供給配管２０１と、気体供給機構２０２とを含む。気体供給配管２０１及び気体供給機構２０２は後述する。気体供給部２００が気泡供給部材１８０に供給する気体は、例えば、不活性ガスである。不活性ガスは、例えば、窒素、又は、アルゴンである。従って、この例では、気泡供給部材１８０が供給する気泡は、不活性ガスの気泡である。 The gas supply unit 200 supplies gas for generating bubbles to each of the plurality of bubble supply members 180, and supplies gas to each of the plurality of bubble supply members 180 to a plurality of substrates W immersed in the treatment liquid LQ. A plurality of bubbles are supplied toward the target. The gas supply unit 200 includes a gas supply pipe 201 and a gas supply mechanism 202. The gas supply pipe 201 and the gas supply mechanism 202 will be described later. The gas supplied by the gas supply unit 200 to the bubble supply member 180 is, for example, an inert gas. The inert gas is, for example, nitrogen or argon. Therefore, in this example, the bubbles supplied by the bubble supply member 180 are bubbles of the inert gas.

制御装置ＣＮＴは、昇降ユニット１２６、バルブ１４６、調整バルブ１４５、ヒーター１４３、ポンプ１４２、バルブ１５６、バルブ１６６、バルブ１７０ｂ、及び、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）を制御する。 The control device CNT controls the elevating unit 126, the valve 146, the adjusting valve 145, the heater 143, the pump 142, the valve 156, the valve 166, the valve 170b, and the gas supply unit 200 (specifically, the gas supply mechanism 202). ..

制御装置ＣＮＴは、例えば、コンピューターである。詳細には、制御装置ＣＮＴは、プロセッサーと、記憶装置とを含む。プロセッサーは、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を含む。記憶装置は、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。記憶装置は、例えば、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリーを含む。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリー、ソリッドステートドライブ、及び／又は、ハードディスクドライブを含む。 The control device CNT is, for example, a computer. In particular, the control device CNT includes a processor and a storage device. The processor includes, for example, a CPU (Central Processing Unit). The storage device stores data and computer programs. The storage device includes, for example, a main storage device and an auxiliary storage device. The main storage device includes, for example, a semiconductor memory. Auxiliary storage includes, for example, semiconductor memory, solid state drives, and / or hard disk drives.

次に、図２を参照して、基板Ｗを処理槽１１０に浸漬する前及び後の基板処理装置１００を説明する。図２（ａ）及び図２（ｂ）は、基板Ｗを処理槽１１０に投入する前及び後の基板処理装置１００の模式的斜視図である。なお、図２では、図面が過度に複雑になることを避けるために、図１に示した蓋１１６及び処理槽１１０内の処理液ＬＱを省略して示している。 Next, with reference to FIG. 2, the substrate processing apparatus 100 before and after immersing the substrate W in the processing tank 110 will be described. 2A and 2B are schematic perspective views of the substrate processing apparatus 100 before and after the substrate W is put into the processing tank 110. In FIG. 2, the treatment liquid LQ in the lid 116 and the treatment tank 110 shown in FIG. 1 is omitted in order to avoid the drawing from becoming excessively complicated.

図２（ａ）に示すように、基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持する。複数の基板Ｗは、第１方向Ｄ１（Ｙ方向）に沿って一列に配列される。換言すれば、第１方向Ｄ１は、複数の基板Ｗの配列方向を示す。第１方向Ｄ１は、水平方向に略平行である。また、複数の基板Ｗの各々は、第２方向Ｄ２に略平行である。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１に略直交し、水平方向に略平行である。 As shown in FIG. 2A, the substrate holding unit 120 holds a plurality of substrates W. The plurality of substrates W are arranged in a row along the first direction D1 (Y direction). In other words, the first direction D1 indicates the arrangement direction of the plurality of substrates W. The first direction D1 is substantially parallel to the horizontal direction. Further, each of the plurality of substrates W is substantially parallel to the second direction D2. The second direction D2 is substantially orthogonal to the first direction D1 and is substantially parallel to the horizontal direction.

図２（ａ）では、基板保持部１２０は、処理槽１１０の内槽１１２の上方に位置する。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持したまま鉛直下方（Ｚ方向）に下降する。これにより、複数の基板Ｗが処理槽１１０に投入される。 In FIG. 2A, the substrate holding portion 120 is located above the inner tank 112 of the processing tank 110. The substrate holding portion 120 descends vertically downward (Z direction) while holding the plurality of substrates W. As a result, the plurality of substrates W are put into the processing tank 110.

図２（ｂ）に示すように、基板保持部１２０が処理槽１１０にまで下降すると、複数の基板Ｗは、処理槽１１０内の処理液ＬＱに浸漬する。なお、図２には図示していないが、図１に示したように、内槽１１２の上部開口は蓋１１６によって塞がれる。 As shown in FIG. 2B, when the substrate holding portion 120 descends to the processing tank 110, the plurality of substrates W are immersed in the processing liquid LQ in the processing tank 110. Although not shown in FIG. 2, as shown in FIG. 1, the upper opening of the inner tank 112 is closed by the lid 116.

次に、図３を参照して、気泡供給部材１８０及び気体供給部２００を説明する。図３は、循環処理液供給部材１３０及び気泡供給部材１８０を示す模式的平面図である。図３に示すように、循環処理液供給部材１３０及び気泡供給部材１８０は、平面視において、互いに略平行に、かつ、間隔をあけて配置される。平面視において、２つの循環処理液供給部材１３０のうちの一方は、２つの気泡供給部材１８０の間に配置される。また、平面視において、２つの循環処理液供給部材１３０のうちの他方は、他の２つの気泡供給部材１８０の間に配置される。さらに、平面視において、４つの気泡供給部材１８０のうち、真ん中の２つの気泡供給部材１８０は、第２方向Ｄ２に対向している。 Next, the bubble supply member 180 and the gas supply unit 200 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic plan view showing the circulation processing liquid supply member 130 and the bubble supply member 180. As shown in FIG. 3, the circulation treatment liquid supply member 130 and the bubble supply member 180 are arranged substantially parallel to each other and at intervals in a plan view. In plan view, one of the two circulating treatment liquid supply members 130 is arranged between the two bubble supply members 180. Further, in a plan view, the other of the two circulation processing liquid supply members 130 is arranged between the other two bubble supply members 180. Further, in a plan view, the two bubble supply members 180 in the middle of the four bubble supply members 180 face the second direction D2.

具体的には、複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）において、互いに略平行に、かつ、第２方向Ｄ２に間隔をあけて配置される。循環処理液供給部材１３０は、第１方向Ｄ１に延びている。複数の循環処理液供給部材１３０の各々において、複数の処理液吐出孔Ｐは、第１方向Ｄ１に間隔をあけて略一直線上に配置される。複数の循環処理液供給部材１３０の各々において、各処理液吐出孔Ｐは、循環処理液供給部材１３０の上面部に設けられる。そして、各処理液吐出孔Ｐは、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）の底部において上方に向けて処理液ＬＱを吐出する。 Specifically, the plurality of circulation treatment liquid supply members 130 are arranged in the treatment tank 110 (specifically, the inner tank 112) substantially parallel to each other and at intervals in the second direction D2. The circulation processing liquid supply member 130 extends in the first direction D1. In each of the plurality of circulation processing liquid supply members 130, the plurality of processing liquid discharge holes P are arranged substantially in a straight line at intervals in the first direction D1. In each of the plurality of circulation treatment liquid supply members 130, each treatment liquid discharge hole P is provided on the upper surface portion of the circulation treatment liquid supply member 130. Then, each treatment liquid discharge hole P discharges the treatment liquid LQ upward at the bottom of the treatment tank 110 (specifically, the inner tank 112).

複数の気泡供給部材１８０は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）において、互いに略平行に、かつ、第２方向Ｄ２に間隔をあけて配置される。気泡供給部材１８０は、第１方向Ｄ１に延びている。複数の気泡供給部材１８０の各々において、複数の気泡供給孔Ｇは、第１方向Ｄ１に間隔をあけて略一直線上に配置される。複数の気泡供給部材１８０の各々において、各気泡供給孔Ｇは、気泡供給部材１８０の上面部に設けられる。そして、各気泡供給孔Ｇは、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）の底部において上方に向けて気泡を供給する。なお、気泡供給孔Ｇから気泡を供給できる限りにおいては、気泡供給孔Ｇの位置は特に限定されない。また、複数の気泡供給部材１８０において、複数の気泡供給孔Ｇは、等間隔に配置されていてもよいし、不当間隔に配置されていてもよい。 The plurality of bubble supply members 180 are arranged in the processing tank 110 (specifically, the inner tank 112) substantially parallel to each other and at intervals in the second direction D2. The bubble supply member 180 extends in the first direction D1. In each of the plurality of bubble supply members 180, the plurality of bubble supply holes G are arranged substantially in a straight line at intervals in the first direction D1. In each of the plurality of bubble supply members 180, each bubble supply hole G is provided on the upper surface portion of the bubble supply member 180. Then, each bubble supply hole G supplies bubbles upward at the bottom of the treatment tank 110 (specifically, the inner tank 112). The position of the bubble supply hole G is not particularly limited as long as the bubbles can be supplied from the bubble supply hole G. Further, in the plurality of bubble supply members 180, the plurality of bubble supply holes G may be arranged at equal intervals or may be arranged at unreasonable intervals.

複数の気泡供給部材１８０の各々は、第１端部１８０ａと、第２端部１８０ｂとを有する。第１端部１８０ａは、第１方向Ｄ１における気泡供給部材１８０の両端部のうちの一方端部である。第２端部１８０ｂは、第１方向Ｄ１における気泡供給部材１８０の両端部のうちの他方端部である。 Each of the plurality of bubble supply members 180 has a first end portion 180a and a second end portion 180b. The first end portion 180a is one end portion of both end portions of the bubble supply member 180 in the first direction D1. The second end 180b is the other end of both ends of the bubble supply member 180 in the first direction D1.

第１端部１８０ａには、気体供給配管２０１が接続される。第１端部１８０ａは、気体供給配管２０１が接続されている部分を除き、閉塞されている。第２端部１８０ｂは閉塞されている。 A gas supply pipe 201 is connected to the first end portion 180a. The first end portion 180a is closed except for the portion to which the gas supply pipe 201 is connected. The second end 180b is closed.

引き続き図３を参照して、気体供給部２００を説明する。気体供給部２００の気体供給配管２０１は、各気泡供給部材１８０に接続される。具体的には、気体供給配管２０１の下流端が、各気泡供給部材１８０に接続される。図３では、気体供給配管２０１の論理的構成が示されている。従って、気体供給配管２０１と各気泡供給部材１８０との接続形態は、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０に気体が供給できる限りにおいては、特に限定されない。なお、図３が気体供給配管２０１の物理的構成を示していてもよい。 The gas supply unit 200 will be described with reference to FIG. The gas supply pipe 201 of the gas supply unit 200 is connected to each bubble supply member 180. Specifically, the downstream end of the gas supply pipe 201 is connected to each bubble supply member 180. FIG. 3 shows the logical configuration of the gas supply pipe 201. Therefore, the connection form between the gas supply pipe 201 and each bubble supply member 180 is not particularly limited as long as the gas can be supplied from the gas supply pipe 201 to each bubble supply member 180. Note that FIG. 3 may show the physical configuration of the gas supply pipe 201.

例えば、気体供給配管２０１は、共通配管２０１ａと、配管２０１ｂとを含む。共通配管２０１ａは、第２方向Ｄ２に沿って延びる。共通配管２０１ａは、各気泡供給部材１８０の第１端部１８０ａに接続される。配管２０１ｂは、共通配管２０１ａに接続される。この例では、気体は、配管２０１ｂから共通配管２０１ａを通って、各気泡供給部材１８０に供給される。なお、図３では、図面を見易くするために、共通配管２０１ａを第１端部１８０ａから離して図示している。 For example, the gas supply pipe 201 includes a common pipe 201a and a pipe 201b. The common pipe 201a extends along the second direction D2. The common pipe 201a is connected to the first end 180a of each bubble supply member 180. The pipe 201b is connected to the common pipe 201a. In this example, the gas is supplied from the pipe 201b through the common pipe 201a to each bubble supply member 180. In FIG. 3, the common pipe 201a is shown away from the first end 180a in order to make the drawing easier to see.

気体供給配管２０１は、気体供給源ＴＫＡに接続される。具体的には、気体供給配管２０１の上流端が気体供給源ＴＫＡに接続される。気体供給源ＴＫＡは、気体供給配管２０１に気体を供給する。 The gas supply pipe 201 is connected to the gas supply source TKA. Specifically, the upstream end of the gas supply pipe 201 is connected to the gas supply source TKA. The gas supply source TKA supplies gas to the gas supply pipe 201.

気体供給部２００の気体供給機構２０２は、気体供給配管２０１を通して各気泡供給部材１８０に気体を供給する。その結果、各気泡供給部材１８０は、複数の気泡供給孔Ｇから処理液ＬＱ中に気泡を供給する。 The gas supply mechanism 202 of the gas supply unit 200 supplies gas to each bubble supply member 180 through the gas supply pipe 201. As a result, each bubble supply member 180 supplies bubbles into the processing liquid LQ from the plurality of bubble supply holes G.

具体的には、気体供給機構２０２は、第１供給機構２１０と、第２供給機構２２０とを含む。また、気体供給部２００は配管２０３を含む。 Specifically, the gas supply mechanism 202 includes a first supply mechanism 210 and a second supply mechanism 220. Further, the gas supply unit 200 includes a pipe 203.

第１供給機構２１０は、気体供給源ＴＫＡから供給される気体を、気体供給配管２０１を通して、各気泡供給部材１８０に供給する。 The first supply mechanism 210 supplies the gas supplied from the gas supply source TKA to each bubble supply member 180 through the gas supply pipe 201.

具体的には、第１供給機構２１０は、バルブ２１１と、フィルター２１３と、ヒーター２１５と、流量計２１７と、調整バルブ２１９とを含む。バルブ２１１、フィルター２１３、ヒーター２１５、流量計２１７、及び、調整バルブ２１９は、この順番に気体供給配管２０１の下流から上流に向かって、気体供給配管２０１に配置される。 Specifically, the first supply mechanism 210 includes a valve 211, a filter 213, a heater 215, a flow meter 217, and an adjusting valve 219. The valve 211, the filter 213, the heater 215, the flow meter 217, and the adjusting valve 219 are arranged in the gas supply pipe 201 from the downstream side to the upstream side of the gas supply pipe 201 in this order.

調整バルブ２１９は、気体供給配管２０１の開度を調節して、各気泡供給部材１８０に供給される気体の流量を調整する。調整バルブ２１９の構成は、調整バルブ１４５の構成と同様である。流量計２１７は、気体供給配管２０１を流れる気体の流量を計測する。調整バルブ２１９は、流量計２１７に計測結果に基づいて気体の流量を調整する。なお、例えば、調整バルブ２１９及び流量計２１７に代えて、マスフローコントローラーを設けてもよい。 The adjusting valve 219 adjusts the opening degree of the gas supply pipe 201 to adjust the flow rate of the gas supplied to each bubble supply member 180. The configuration of the adjusting valve 219 is the same as that of the adjusting valve 145. The flow meter 217 measures the flow rate of the gas flowing through the gas supply pipe 201. The adjusting valve 219 adjusts the flow rate of gas to the flow meter 217 based on the measurement result. For example, a mass flow controller may be provided instead of the adjusting valve 219 and the flow meter 217.

ヒーター２１５は、気体供給配管２０１を加熱する。フィルター２１３は、気体供給配管２０１を流れる気体から異物を除去する。バルブ２１１は、気体供給配管２０１を開閉する。つまり、バルブ２１１は、気体供給配管２０１からの気泡供給部材１８０に対する気体の供給と供給停止とを切り替える。 The heater 215 heats the gas supply pipe 201. The filter 213 removes foreign matter from the gas flowing through the gas supply pipe 201. The valve 211 opens and closes the gas supply pipe 201. That is, the valve 211 switches between supplying and stopping the supply of gas to the bubble supply member 180 from the gas supply pipe 201.

第２供給機構２２０は、気体供給源ＴＫＡから供給される気体を、配管２０３及び気体供給配管２０１を通して、各気泡供給部材１８０に供給する。第２供給機構２２０は、第１供給機構２１０が各気泡供給部材１８０に気体を供給する期間と異なる期間において、各気泡供給部材１８０に気体を供給する。 The second supply mechanism 220 supplies the gas supplied from the gas supply source TKA to each bubble supply member 180 through the pipe 203 and the gas supply pipe 201. The second supply mechanism 220 supplies gas to each bubble supply member 180 in a period different from the period in which the first supply mechanism 210 supplies gas to each bubble supply member 180.

第２供給機構２２０が供給する気体の流量は、第１供給機構２１０が供給する気体の流量よりも多い。「流量」は、例えば、単位時間当たりに単位面積を通過する流量を示す。 The flow rate of the gas supplied by the second supply mechanism 220 is larger than the flow rate of the gas supplied by the first supply mechanism 210. “Flow rate” indicates, for example, the flow rate passing through a unit area per unit time.

第２供給機構２２０は、バルブ２２１と、フィルター２２３と、流量計２２７と、調整バルブ２２９とを含む。バルブ２２１、フィルター２２３、流量計２２７、及び、調整バルブ２２９は、この順番に配管２０３の下流から上流に向かって、配管２０３に配置される。配管２０３の上流端と下流端とは、気体供給配管２０１に接続される。具体的には、配管２０３の上流端は、第１供給機構２１０の上流端（具体的には調整バルブ２１９の上流側）に接続される。従って、気体供給源ＴＫＡから配管２０３に気体が供給される。配管２０３の下流端は、第１供給機構２１０の下流端（具体的にはバルブ２１１の下流側）に接続される。 The second supply mechanism 220 includes a valve 221, a filter 223, a flow meter 227, and an adjusting valve 229. The valve 221 and the filter 223, the flow meter 227, and the adjusting valve 229 are arranged in the pipe 203 from the downstream side to the upstream side of the pipe 203 in this order. The upstream end and the downstream end of the pipe 203 are connected to the gas supply pipe 201. Specifically, the upstream end of the pipe 203 is connected to the upstream end of the first supply mechanism 210 (specifically, the upstream side of the adjusting valve 219). Therefore, the gas is supplied from the gas supply source TKA to the pipe 203. The downstream end of the pipe 203 is connected to the downstream end of the first supply mechanism 210 (specifically, the downstream side of the valve 211).

調整バルブ２２９は、配管２０３の開度を調節して、各気泡供給部材１８０に供給される気体の流量を調整する。調整バルブ２２９の構成は、調整バルブ１４５の構成と同様である。流量計２２７は、配管２０３を流れる気体の流量を計測する。調整バルブ２２９は、流量計２２７に計測結果に基づいて気体の流量を調整する。なお、例えば、調整バルブ２２９及び流量計２２７に代えて、マスフローコントローラーを設けてもよい。 The adjusting valve 229 adjusts the opening degree of the pipe 203 to adjust the flow rate of the gas supplied to each bubble supply member 180. The configuration of the adjusting valve 229 is the same as the configuration of the adjusting valve 145. The flow meter 227 measures the flow rate of the gas flowing through the pipe 203. The adjusting valve 229 adjusts the flow rate of gas to the flow meter 227 based on the measurement result. For example, a mass flow controller may be provided instead of the adjusting valve 229 and the flow meter 227.

フィルター２２３は、配管２０３を流れる気体から異物を除去する。バルブ２２１は、配管２０３を開閉する。つまり、バルブ２２１は、配管２０３及び気体供給配管２０１からの気泡供給部材１８０に対する気体の供給と供給停止とを切り替える。 The filter 223 removes foreign matter from the gas flowing through the pipe 203. The valve 221 opens and closes the pipe 203. That is, the valve 221 switches between supplying and stopping the supply of gas to the bubble supply member 180 from the pipe 203 and the gas supply pipe 201.

基板処理装置１００は、排気部２５０をさらに備える。排気部２５０は、気体供給配管２０１の気体を外部に排気する。具体的には、排気部２５０は、排気管２５１と、バルブ２５２とを含む。排気管２５１は気体供給配管２０１に接続される。具体的には、排気管２５１の上流端が、バルブ２１１の位置よりも上流の位置で気体供給配管２０１に接続される。バルブ２５２は、排気管２５１を開閉する。つまり、バルブ２５２は、気体の排気と排気停止とを切り替える。 The substrate processing device 100 further includes an exhaust unit 250. The exhaust unit 250 exhausts the gas from the gas supply pipe 201 to the outside. Specifically, the exhaust unit 250 includes an exhaust pipe 251 and a valve 252. The exhaust pipe 251 is connected to the gas supply pipe 201. Specifically, the upstream end of the exhaust pipe 251 is connected to the gas supply pipe 201 at a position upstream from the position of the valve 211. The valve 252 opens and closes the exhaust pipe 251. That is, the valve 252 switches between exhausting the gas and stopping the exhaust.

基板処理装置１００は、処理液導入部３００をさらに備える。処理液導入部３００は、気体供給部２００から各気泡供給部材１８０への気体の供給が停止された後に、各気泡供給部材１８０に処理液ＬＱを導入する。処理液導入部３００は、導入用配管３０１と、導入用バルブ３０３とを含む。導入用配管３０１は、「処理液導入用管」の一例に相当する。 The substrate processing device 100 further includes a processing liquid introduction unit 300. The treatment liquid introduction unit 300 introduces the treatment liquid LQ into each bubble supply member 180 after the supply of gas from the gas supply unit 200 to each bubble supply member 180 is stopped. The treatment liquid introduction unit 300 includes an introduction pipe 301 and an introduction valve 303. The introduction pipe 301 corresponds to an example of the “treatment liquid introduction pipe”.

導入用配管３０１は、気体供給配管２０１に接続される。具体的には、導入用配管３０１の一端が、気体供給機構２０２の位置よりも下流の位置で気体供給配管２０１に接続される。また、導入用配管３０１と気体供給配管２０１との接続位置は、気体供給配管２０１の下流端よりも上流の位置である。各気泡供給部材１８０に処理液ＬＱを導入できる限りにおいては、導入用配管３０１と気体供給配管２０１との接続位置は特に限定されない。導入用配管３０１は槽ＴＫＢに接続される。具体的には、導入用配管３０１の他方端が槽ＴＫＢに接続される。 The introduction pipe 301 is connected to the gas supply pipe 201. Specifically, one end of the introduction pipe 301 is connected to the gas supply pipe 201 at a position downstream of the position of the gas supply mechanism 202. Further, the connection position between the introduction pipe 301 and the gas supply pipe 201 is a position upstream of the downstream end of the gas supply pipe 201. As long as the treatment liquid LQ can be introduced into each bubble supply member 180, the connection position between the introduction pipe 301 and the gas supply pipe 201 is not particularly limited. The introduction pipe 301 is connected to the tank TKB. Specifically, the other end of the introduction pipe 301 is connected to the tank TKB.

導入用バルブ３０３は、導入用配管３０１を開閉する。導入用バルブ３０３は、導入用配管３０１を開放することで、気体供給配管２０１を開放して、各気泡供給部材１８０へ処理液ＬＱを導入する。詳細は後述する。 The introduction valve 303 opens and closes the introduction pipe 301. The introduction valve 303 opens the gas supply pipe 201 by opening the introduction pipe 301, and introduces the processing liquid LQ into each bubble supply member 180. Details will be described later.

次に、図４〜図７を参照して、基板処理装置１００の動作を説明する。図４〜図７では、バルブ２１１、２２１、２５２、３０３のうち、開いているバルブを白色で示し、閉じているバルブを黒色で示している。また、図面の簡略化のために、１つの気泡供給部材１８０を図示している。 Next, the operation of the substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIGS. 4 to 7. In FIGS. 4 to 7, among the valves 211, 221, 252, and 303, the open valve is shown in white, and the closed valve is shown in black. Further, for simplification of the drawing, one bubble supply member 180 is shown.

図４は、基板処理装置１００が基板処理を実行している状態を示す図である。基板処理とは、処理液ＬＱによって基板Ｗを処理することである。 FIG. 4 is a diagram showing a state in which the substrate processing apparatus 100 is executing substrate processing. The substrate processing is to process the substrate W with the processing liquid LQ.

図４に示すように、処理槽１１０は、複数の基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬して、複数の基板Ｗを処理する。そして、排気部２５０、処理液導入部３００、及び、気体供給部２００は、制御装置ＣＮＴによって制御されて、下記のように動作する。 As shown in FIG. 4, the processing tank 110 processes the plurality of substrates W by immersing the plurality of substrates W in the processing liquid LQ. The exhaust unit 250, the processing liquid introduction unit 300, and the gas supply unit 200 are controlled by the control device CNT and operate as follows.

すなわち、基板処理の実行中では、排気部２５０はバルブ２５２を閉じて排気管２５１を閉塞し、処理液導入部３００は導入用バルブ３０３を閉じて導入用配管３０１を閉塞し、第２供給機構２２０はバルブ２２１を閉じて配管２０３を閉塞している。第２供給機構２２０がバルブ２２１を閉じることで、第２供給機構２２０からの気体の供給は停止される。また、基板処理の実行中では、第１供給機構２１０はバルブ２１１を開いて気体供給配管２０１を開放している。従って、第１供給機構２１０から気体供給配管２０１を通って気体が各気泡供給部材１８０に供給される。その結果、複数の基板Ｗに向けて、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇから複数の気泡が供給される。 That is, during the execution of the substrate processing, the exhaust unit 250 closes the valve 252 to close the exhaust pipe 251 and the treatment liquid introduction unit 300 closes the introduction valve 303 to close the introduction pipe 301, and the second supply mechanism. 220 closes the valve 221 and closes the pipe 203. When the second supply mechanism 220 closes the valve 221, the supply of gas from the second supply mechanism 220 is stopped. Further, during the execution of the substrate processing, the first supply mechanism 210 opens the valve 211 to open the gas supply pipe 201. Therefore, gas is supplied from the first supply mechanism 210 to each bubble supply member 180 through the gas supply pipe 201. As a result, a plurality of bubbles are supplied from the plurality of bubble supply holes G of each bubble supply member 180 toward the plurality of substrates W.

以上、図４を参照して説明したように、実施形態１によれば、基板処理の実行中において、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０に気体を供給することで、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇから処理液ＬＱ及び複数の基板Ｗに向けて複数の気泡を供給させる。 As described above with reference to FIG. 4, according to the first embodiment, during the execution of the substrate processing, the gas supply unit 200 (specifically, the gas supply mechanism 202) has each bubble from the gas supply pipe 201. By supplying gas to the supply member 180, a plurality of bubbles are supplied from the plurality of bubble supply holes G of each bubble supply member 180 toward the treatment liquid LQ and the plurality of substrates W.

具体的には、基板処理の実行中において、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１を通して、各気泡供給部材１８０に気体を供給する。その結果、各気泡供給部材１８０は、複数の気泡供給孔Ｇから処理液ＬＱに気体を吹き出すことで、複数の気泡供給孔Ｇから処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗに向けて複数の気泡を供給する。よって、多数の気泡によって、各基板Ｗの表面に接触する処理液ＬＱを新鮮な処理液ＬＱに効果的に置換できる。 Specifically, during the execution of the substrate processing, the gas supply unit 200 (specifically, the gas supply mechanism 202) supplies gas to each bubble supply member 180 through the gas supply pipe 201. As a result, each bubble supply member 180 blows gas from the plurality of bubble supply holes G into the treatment liquid LQ, so that a plurality of bubbles supply members 180 are directed toward the plurality of substrates W immersed in the treatment liquid LQ from the plurality of bubble supply holes G. Supply air bubbles. Therefore, the treatment liquid LQ that comes into contact with the surface of each substrate W can be effectively replaced with a fresh treatment liquid LQ by a large number of bubbles.

具体的には、気泡が処理液ＬＱ中を浮上する際に、気泡は基板Ｗの表面に接触する。この場合、気泡は、基板Ｗの表面に接触している処理液ＬＱを押し出しながら基板Ｗの表面を上方に向けて移動する。気泡が通過した後には、気泡の周囲に存在していた新鮮な処理液ＬＱが気泡の存在していた場所へ進入することで基板Ｗの表面に接触する。従って、気泡により基板Ｗの表面の周囲の処理液ＬＱを攪拌できるので、基板Ｗの表面に接触する処理液ＬＱを新鮮な処理液ＬＱに置換できる。従って、基板Ｗの表面に、凹部を含むパターンが形成されている場合に、パターンの凹部内の壁面を、浅い位置から深い位置まで処理液ＬＱによって効果的に処理できる。 Specifically, when the bubbles float in the treatment liquid LQ, the bubbles come into contact with the surface of the substrate W. In this case, the bubbles move upward on the surface of the substrate W while pushing out the treatment liquid LQ that is in contact with the surface of the substrate W. After the bubbles have passed, the fresh treatment liquid LQ existing around the bubbles enters the place where the bubbles existed and comes into contact with the surface of the substrate W. Therefore, since the treatment liquid LQ around the surface of the substrate W can be agitated by the bubbles, the treatment liquid LQ in contact with the surface of the substrate W can be replaced with a fresh treatment liquid LQ. Therefore, when a pattern including recesses is formed on the surface of the substrate W, the wall surface in the recesses of the pattern can be effectively treated by the treatment liquid LQ from a shallow position to a deep position.

例えば、基板Ｗの凹部を含むパターンが、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを交互に積層して形成されており、パターンのアスペクト比（凹部の幅に対する深さの比率）が高い場合に、処理液ＬＱとして燐酸液を使用して、基板Ｗを処理する場合がある。この場合に、気泡によって、基板Ｗの表面に接触する燐酸液を新鮮な燐酸液に置換すると、拡散現象により、凹部内の燐酸水溶液が新鮮な燐酸水溶液に置換される。その結果、パターンの凹部内の壁面を、浅い位置から深い位置まで燐酸液によって効果的にエッチングできる。 For example, when the pattern including the recesses of the substrate W is formed by alternately laminating silicon oxide films and silicon nitride films and the aspect ratio (ratio of depth to the width of the recesses) of the pattern is high, the processing is performed. The substrate W may be treated using a phosphoric acid solution as the liquid LQ. In this case, when the phosphoric acid solution in contact with the surface of the substrate W is replaced with a fresh phosphoric acid solution by bubbles, the phosphoric acid aqueous solution in the recess is replaced with a fresh phosphoric acid aqueous solution due to the diffusion phenomenon. As a result, the wall surface in the recess of the pattern can be effectively etched by the phosphoric acid solution from a shallow position to a deep position.

図５は、基板処理装置１００が処理液導入処理を実行している状態を示す図である。処理液導入処理とは、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを導入する処理のことである。「気泡供給部材１８０の流路ＦＷ」は、「気泡供給部材の内部」の一例に相当する。 FIG. 5 is a diagram showing a state in which the substrate processing apparatus 100 is executing the processing liquid introduction process. The treatment liquid introduction treatment is a treatment for introducing the treatment liquid LQ into the flow path FW of each bubble supply member 180. The “flow path FW of the bubble supply member 180” corresponds to an example of “inside the bubble supply member”.

図５に示すように、基板処理装置１００は、基板処理が完了すると、複数の基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬された状態又は複数の基板Ｗが処理液ＬＱから引き上げられた状態において、処理液導入処理を実行する。処理液導入処理では、排気部２５０、処理液導入部３００、及び、気体供給部２００は、制御装置ＣＮＴによって制御されて、下記のように動作する。 As shown in FIG. 5, when the substrate processing is completed, the substrate processing apparatus 100 is in a state where the plurality of substrates W are immersed in the processing liquid LQ or a state in which the plurality of substrates W are pulled up from the processing liquid LQ. Execute the installation process. In the treatment liquid introduction process, the exhaust unit 250, the treatment liquid introduction unit 300, and the gas supply unit 200 are controlled by the control device CNT and operate as follows.

すなわち、処理液導入処理では、第１供給機構２１０がバルブ２１１を閉じるとともに、第２供給機構２２０がバルブ２２１を閉じて、各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止する。その結果、各気泡供給部材１８０は、複数の基板Ｗへの複数の気泡の供給を停止する。また、処理液導入処理では、排気部２５０はバルブ２５２を開けて、排気管２５１を通して気体を排気する。さらに、処理液導入処理では、処理液導入部３００は導入用バルブ３０３を開けて導入用配管３０１を開放する。従って、導入用配管３０１に接続される気体供給配管２０１もまた、気体供給機構２０２よりも下流の位置で開放される。具体的には、気体供給配管２０１は、気体供給機構２０２よりも下流の位置で上方に向けて開放される。 That is, in the processing liquid introduction process, the first supply mechanism 210 closes the valve 211, and the second supply mechanism 220 closes the valve 221 to stop the supply of gas to each bubble supply member 180. As a result, each bubble supply member 180 stops supplying a plurality of bubbles to the plurality of substrates W. Further, in the processing liquid introduction process, the exhaust unit 250 opens the valve 252 and exhausts the gas through the exhaust pipe 251. Further, in the treatment liquid introduction process, the treatment liquid introduction unit 300 opens the introduction valve 303 to open the introduction pipe 301. Therefore, the gas supply pipe 201 connected to the introduction pipe 301 is also opened at a position downstream of the gas supply mechanism 202. Specifically, the gas supply pipe 201 is opened upward at a position downstream of the gas supply mechanism 202.

その結果、複数の気泡供給部材１８０の各々において、処理槽１１０内の処理液ＬＱの液圧によって、処理槽１１０内の処理液ＬＱが、複数の気泡供給孔Ｇから気泡供給部材１８０の流路ＦＷに引き込まれる。つまり、基板処理の完了後に、気泡供給部材１８０の流路ＦＷに、処理液ＬＱが導入される。例えば、気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱが充填される。なお、各気泡供給部材１８０に引き込まれた処理液ＬＱは、気体供給配管２０１内において、処理槽１１０における処理液ＬＱの液面と略同じ位置まで、上昇する。 As a result, in each of the plurality of bubble supply members 180, the treatment liquid LQ in the treatment tank 110 is moved from the plurality of bubble supply holes G to the flow path of the bubble supply member 180 due to the hydraulic pressure of the treatment liquid LQ in the treatment tank 110. You will be drawn into the FW. That is, after the substrate processing is completed, the processing liquid LQ is introduced into the flow path FW of the bubble supply member 180. For example, the flow path FW of the bubble supply member 180 is filled with the treatment liquid LQ. The treatment liquid LQ drawn into each bubble supply member 180 rises in the gas supply pipe 201 to a position substantially the same as the liquid level of the treatment liquid LQ in the treatment tank 110.

以上、図５を参照して説明したように、実施形態１によれば、処理液導入部３００は、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗへの複数の気泡の供給が停止された後に、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを導入する。従って、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇに、処理液ＬＱの成分が析出して、各気泡供給孔Ｇの孔径が小さくなることを抑制できる。例えば、処理液ＬＱが燐酸液である場合、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇに、燐酸が析出して、各気泡供給孔Ｇの孔径が小さくなることを抑制できる。また、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱが導入されるため、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷが乾燥することを抑制できる。 As described above with reference to FIG. 5, according to the first embodiment, after the treatment liquid introduction unit 300 has stopped supplying a plurality of bubbles to the plurality of substrates W immersed in the treatment liquid LQ. , The treatment liquid LQ is introduced into the flow path FW of each bubble supply member 180. Therefore, it is possible to prevent the components of the treatment liquid LQ from precipitating in the plurality of bubble supply holes G of each bubble supply member 180 and reducing the pore diameter of each bubble supply hole G. For example, when the treatment liquid LQ is a phosphoric acid liquid, it is possible to prevent phosphoric acid from precipitating in the plurality of bubble supply holes G of each bubble supply member 180 and reducing the pore diameter of each bubble supply hole G. Further, since the treatment liquid LQ is introduced into the flow path FW of each bubble supply member 180, it is possible to prevent the flow path FW of each bubble supply member 180 from drying.

特に、実施形態１では、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止した後に、つまり、各気泡供給部材１８０からの複数の気泡の供給を停止した後に、気体供給配管２０１を開放することで、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇを通して処理槽１１０から各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを引き込む。従って、簡素な構成によって、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを容易に導入できる。 In particular, in the first embodiment, after stopping the supply of gas from the gas supply pipe 201 to each bubble supply member 180, that is, after stopping the supply of a plurality of bubbles from each bubble supply member 180, the gas supply pipe 201 By opening the above, the processing liquid LQ is drawn from the processing tank 110 into the flow path FW of each bubble supply member 180 through the plurality of bubble supply holes G of each bubble supply member 180. Therefore, with a simple configuration, the treatment liquid LQ can be easily introduced into the flow path FW of each bubble supply member 180.

処理液ＬＱの引き込みは、処理槽１１０内に未だ複数の基板Ｗが浸漬されている間において行っても、処理槽１１０内から複数の基板Ｗが引き上げられた後において行ってもよいが、次の理由により処理槽１１０内に未だ複数の基板Ｗが浸漬されている間において開始することが好ましい。本願の発明者の研究によると流路ＦＷに処理液ＬＱを引き込むことで溶出成分の析出が抑制される効果があるが、下記（１）、（２）に示す可能性がある。 The treatment liquid LQ may be drawn in while the plurality of substrates W are still immersed in the processing tank 110, or after the plurality of substrates W are pulled up from the processing tank 110. For this reason, it is preferable to start while the plurality of substrates W are still immersed in the processing tank 110. According to the research of the inventor of the present application, drawing the treatment liquid LQ into the flow path FW has the effect of suppressing the precipitation of the eluted components, but it may be shown in the following (1) and (2).

（１）流路ＦＷが乾燥した状態が長く続くと溶出成分の固着が進み、流路ＦＷに固着した溶出成分の除去が困難となる。
（２）流路ＦＷに処理液ＬＱを引き込む時間が短すぎると溶出成分の析出を抑制する効果が確認されない。 (1) If the flow path FW continues to be in a dry state for a long time, the elution component adheres to the flow path FW, and it becomes difficult to remove the elution component adhering to the flow path FW.
(2) If the time for drawing the treatment liquid LQ into the flow path FW is too short, the effect of suppressing the precipitation of the eluted components cannot be confirmed.

上記（２）については、例えば、流路ＦＷへ処理液ＬＱを１０分以上引き込むことにより溶出成分の析出を抑制する効果が確認されている。 Regarding (2) above, it has been confirmed that, for example, the effect of suppressing the precipitation of the eluted component by drawing the treatment liquid LQ into the flow path FW for 10 minutes or more has been confirmed.

従って、好適には、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止した後に、つまり、各気泡供給部材１８０からの複数の気泡の供給を停止した後において、未だ複数の基板Ｗが処理槽１１０から引き上げられていない段階で、気体供給配管２０１を開放して流路ＦＷへの処理液ＬＱの引き込みを開始することが好ましい。できるだけ早いタイミングで処理液ＬＱを引き込むことにより、処理時間の短縮を図るとともに、気泡供給孔Ｇや流路ＦＷが乾燥し処理液ＬＱの溶出成分が析出することを抑制できる。 Therefore, preferably, after stopping the supply of gas from the gas supply pipe 201 to each bubble supply member 180, that is, after stopping the supply of a plurality of bubbles from each bubble supply member 180, the plurality of substrates are still present. It is preferable to open the gas supply pipe 201 and start drawing the treatment liquid LQ into the flow path FW when W is not pulled up from the treatment tank 110. By drawing in the treatment liquid LQ at the earliest possible timing, it is possible to shorten the treatment time and prevent the bubble supply hole G and the flow path FW from drying out and precipitating the elution component of the treatment liquid LQ.

なお、例えば、図５に示す処理液導入処理において、処理槽１１０からではなく、図１に示す循環部１４０の配管１４１から処理液ＬＱを抽出して、抽出した処理液ＬＱを各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに導入してもよい。 For example, in the treatment liquid introduction process shown in FIG. 5, the treatment liquid LQ is extracted not from the treatment tank 110 but from the pipe 141 of the circulation unit 140 shown in FIG. 1, and the extracted treatment liquid LQ is used as each bubble supply member. It may be introduced into the flow path FW of 180.

図６は、基板処理装置１００が処理液押出処理を実行している状態を示す図である。処理液押出処理とは、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷから処理液ＬＱを押し出す処理のことである。 FIG. 6 is a diagram showing a state in which the substrate processing apparatus 100 is executing the processing liquid extrusion process. The treatment liquid extrusion process is a process of extruding the treatment liquid LQ from the flow path FW of each bubble supply member 180.

図６に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板Ｗを処理液ＬＱから引き上げた状態において、処理液導入処理が完了した後、かつ、新たな基板処理の開始前に、処理液押出処理を実行する。処理液押出処理では、排気部２５０、処理液導入部３００、及び、気体供給部２００は、制御装置ＣＮＴによって制御されて、下記のように動作する。 As shown in FIG. 6, in the substrate processing apparatus 100, in a state where a plurality of substrates W are pulled up from the processing liquid LQ, the processing liquid is extruded after the processing liquid introduction process is completed and before the start of a new substrate process. Execute the process. In the processing liquid extrusion process, the exhaust unit 250, the processing liquid introduction unit 300, and the gas supply unit 200 are controlled by the control device CNT and operate as follows.

すなわち、処理液押出処理では、排気部２５０はバルブ２５２を閉じて排気管２５１を閉塞し、処理液導入部３００は導入用バルブ３０３を閉じて導入用配管３０１を閉塞し、第１供給機構２１０はバルブ２１１を閉じる。第１供給機構２１０がバルブ２１１を閉じることで、第１供給機構２１０からの気体の供給は停止される。また、処理液押出処理では、第２供給機構２２０はバルブ２２１を開いて配管２０３を開放する。第２供給機構２２０がバルブ２２１を開くことで、第２供給機構２２０から、配管２０３及び気体供給配管２０１を通って、気体が各気泡供給部材１８０に供給される。その結果、処理液ＬＱが、気体によって、各気泡供給部材１８０から複数の気泡供給孔Ｇを通して、処理槽１１０に押し出される。 That is, in the processing liquid extrusion process, the exhaust unit 250 closes the valve 252 to close the exhaust pipe 251 and the processing liquid introduction unit 300 closes the introduction valve 303 to close the introduction pipe 301 to close the first supply mechanism 210. Closes valve 211. When the first supply mechanism 210 closes the valve 211, the supply of gas from the first supply mechanism 210 is stopped. Further, in the processing liquid extrusion process, the second supply mechanism 220 opens the valve 221 to open the pipe 203. When the second supply mechanism 220 opens the valve 221, gas is supplied from the second supply mechanism 220 to each bubble supply member 180 through the pipe 203 and the gas supply pipe 201. As a result, the treatment liquid LQ is pushed out from each bubble supply member 180 into the treatment tank 110 through the plurality of bubble supply holes G by the gas.

以上、図６を参照して説明したように、実施形態１によれば、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱが導入された後に、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗを処理槽１１０から引き上げた後であって、新たな複数の基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬する前に、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷから処理液ＬＱを押し出す。気体供給配管２０１から気泡供給部材１８０への気体の供給開始時では、気泡供給部材１８０の流路ＦＷに存在する処理液ＬＱが気泡供給孔Ｇから処理槽１１０に向かって吹き出される。 As described above with reference to FIG. 6, according to the first embodiment, the gas supply unit 200 (specifically, the gas supply mechanism 202) has the treatment liquid LQ in the flow path FW of each bubble supply member 180. After the introduction, after the plurality of substrates W immersed in the treatment liquid LQ are pulled up from the processing tank 110, and before the new plurality of substrates W are immersed in the treatment liquid LQ, the bubble supply member 180 The treatment liquid LQ is extruded from the flow path FW. At the start of gas supply from the gas supply pipe 201 to the bubble supply member 180, the treatment liquid LQ existing in the flow path FW of the bubble supply member 180 is blown out from the bubble supply hole G toward the treatment tank 110.

新たな基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬する前に、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷから処理液ＬＱを押し出すことで、気泡供給部材１８０における溶出成分の沈着や溶出成分の滞留を抑制することができる。具体的には、気泡供給孔Ｇの目詰まりや、流路ＦＷ内部の溶出成分の固着を抑止できる。また、流路ＦＷに引き込まれた処理液ＬＱは、新しく処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱと比べると、処理液濃度差や、溶出成分の濃度差がある。従って、流路ＦＷに滞留する処理液ＬＱを新しい基板Ｗにそのまま供給すると、処理品質に影響を及ぼす可能性がある。そこで、実施形態１では、新たな基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬する前に、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷから処理液ＬＱを押し出すことで、流路ＦＷに引き込まれた処理液ＬＱが処理品質に影響を及ぼすことを回避できる。例えば、処理液ＬＱによる基板Ｗの処理の均一性が低下することを抑制できる。 By extruding the treatment liquid LQ from the flow path FW of each bubble supply member 180 before immersing the new substrate W in the treatment liquid LQ, the deposition of the elution component and the retention of the elution component in the bubble supply member 180 are suppressed. Can be done. Specifically, clogging of the bubble supply hole G and sticking of the eluted component inside the flow path FW can be suppressed. Further, the treatment liquid LQ drawn into the flow path FW has a difference in the concentration of the treatment liquid and a difference in the concentration of the eluted components as compared with the treatment liquid LQ newly stored in the treatment tank 110. Therefore, if the processing liquid LQ staying in the flow path FW is supplied to the new substrate W as it is, the processing quality may be affected. Therefore, in the first embodiment, the treatment liquid LQ drawn into the flow path FW is generated by pushing out the treatment liquid LQ from the flow path FW of each bubble supply member 180 before immersing the new substrate W in the treatment liquid LQ. It is possible to avoid affecting the processing quality. For example, it is possible to suppress a decrease in the uniformity of processing of the substrate W by the processing liquid LQ.

実施形態１では、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを導入した後に、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗを処理槽１１０から引き上げられた後であって、新たな複数の基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬する前に、各気泡供給部材１８０に気体供給配管２０１から気体を供給することで、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷから処理液ＬＱを押し出す。従って、基板処理の実行中に気泡を発生するための気体供給配管２０１を利用して、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷから処理液ＬＱを容易に押し出すことができる。つまり、処理液ＬＱを押し出すための専用部材を設けることが要求されず、基板処理装置１００の製造コストを低減できる。 In the first embodiment, after the treatment liquid LQ is introduced into the flow path FW of each bubble supply member 180, a plurality of substrates W immersed in the treatment liquid LQ are pulled up from the treatment tank 110, and a new plurality of substrates W are used. By supplying gas from the gas supply pipe 201 to each bubble supply member 180 before immersing the substrate W in the treatment liquid LQ, the treatment liquid LQ is pushed out from the flow path FW of each bubble supply member 180. Therefore, the processing liquid LQ can be easily pushed out from the flow path FW of each bubble supply member 180 by using the gas supply pipe 201 for generating bubbles during the execution of the substrate processing. That is, it is not required to provide a dedicated member for extruding the processing liquid LQ, and the manufacturing cost of the substrate processing apparatus 100 can be reduced.

また、実施形態１では、処理液導入処理において第２供給機構２２０が各気泡供給部材１８０に気体を供給するときの気体の流量は、基板処理において第１供給機構２１０が各気泡供給部材１８０に気体を供給するときの気体の流量よりも多い。従って、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷから処理液ＬＱを効果的に押し出すことができる。 Further, in the first embodiment, the flow rate of the gas when the second supply mechanism 220 supplies the gas to each bubble supply member 180 in the processing liquid introduction process is determined by the first supply mechanism 210 to each bubble supply member 180 in the substrate processing. It is higher than the flow rate of gas when supplying gas. Therefore, the treatment liquid LQ can be effectively pushed out from the flow path FW of each bubble supply member 180.

図７は、基板処理装置１００が基板浸漬処理を実行している状態を示す図である。基板浸漬処理とは、複数の基板Ｗを処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに浸漬する処理のことである。 FIG. 7 is a diagram showing a state in which the substrate processing apparatus 100 is executing the substrate immersion process. The substrate immersion treatment is a process of immersing a plurality of substrates W in the treatment liquid LQ stored in the treatment tank 110.

図７に示すように、基板処理装置１００は、処理液押出処理の完了後において、基板浸漬処理を実行する。基板浸漬処理では、排気部２５０、処理液導入部３００、気体供給部２００、及び、基板保持部１２０（図１）は、制御装置ＣＮＴによって制御されて、下記のように動作する。 As shown in FIG. 7, the substrate processing apparatus 100 executes the substrate dipping process after the processing liquid extrusion process is completed. In the substrate immersion process, the exhaust unit 250, the processing liquid introduction unit 300, the gas supply unit 200, and the substrate holding unit 120 (FIG. 1) are controlled by the control device CNT and operate as follows.

すなわち、基板浸漬処理では、排気部２５０はバルブ２５２を閉じて排気管２５１を閉塞し、処理液導入部３００は導入用バルブ３０３を閉じて導入用配管３０１を閉塞し、第１供給機構２１０はバルブ２１１を閉じ、第２供給機構２２０はバルブ２２１を閉じて配管２０３を閉塞する。従って、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０に対して、気体は供給されない。その結果、各気泡供給部材１８０は、処理液ＬＱ中に気泡を供給しない。そして、各気泡供給部材１８０が処理液ＬＱ中に気泡を供給していない状態において、基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬する。一方、基板浸漬処理では、排気部２５０はバルブ２５２を開けて、排気管２５１を通して排気する。排気管２５１からの排気は、図示しない液受けバットに向けて行われる。 That is, in the substrate immersion treatment, the exhaust unit 250 closes the valve 252 to close the exhaust pipe 251, the treatment liquid introduction unit 300 closes the introduction valve 303 to close the introduction pipe 301, and the first supply mechanism 210 closes the introduction pipe 301. The valve 211 is closed, and the second supply mechanism 220 closes the valve 221 to close the pipe 203. Therefore, gas is not supplied from the gas supply pipe 201 to each bubble supply member 180. As a result, each bubble supply member 180 does not supply bubbles into the processing liquid LQ. Then, in a state where each bubble supply member 180 does not supply bubbles into the treatment liquid LQ, the substrate holding unit 120 immerses a plurality of substrates W in the treatment liquid LQ. On the other hand, in the substrate immersion process, the exhaust unit 250 opens the valve 252 and exhausts the air through the exhaust pipe 251. Exhaust from the exhaust pipe 251 is directed toward a liquid receiving bat (not shown).

次に、図１及び図８を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理方法の第１例を説明する。図８は、実施形態１に係る基板処理方法の第１例を示すフローチャートである。図８に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１〜工程Ｓ１２を含む。基板処理方法は、基板処理装置１００によって実行される。そして、基板処理方法は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに、間隔をあけて整列された複数の基板Ｗを浸漬して、複数の基板Ｗを処理液ＬＱによって処理する。 Next, a first example of the substrate processing method according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 8. FIG. 8 is a flowchart showing a first example of the substrate processing method according to the first embodiment. As shown in FIG. 8, the substrate processing method includes steps S1 to S12. The substrate processing method is executed by the substrate processing apparatus 100. Then, in the substrate processing method, a plurality of substrates W arranged at intervals are immersed in the processing liquid LQ stored in the processing tank 110, and the plurality of substrates W are processed by the processing liquid LQ.

図１及び図８に示すように、工程Ｓ１において、制御装置ＣＮＴの制御によって、基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに複数の基板Ｗを浸漬する。 As shown in FIGS. 1 and 8, in step S1, under the control of the control device CNT, the substrate holding unit 120 immerses a plurality of substrates W in the processing liquid LQ stored in the processing tank 110.

次に、工程Ｓ２において、制御装置ＣＮＴの制御によって、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１を通して、各気泡供給部材１８０への気体の供給を開始する。その結果、各気泡供給部材１８０は、複数の気泡供給孔Ｇから複数の基板Ｗに向けて複数の気泡の供給を開始する。 Next, in step S2, under the control of the control device CNT, the gas supply unit 200 (specifically, the gas supply mechanism 202) starts supplying gas to each bubble supply member 180 through the gas supply pipe 201. As a result, each bubble supply member 180 starts supplying a plurality of bubbles from the plurality of bubble supply holes G toward the plurality of substrates W.

次に、工程Ｓ３において、制御装置ＣＮＴは第１時間が経過したか否かを判定する。第１時間は、複数の基板Ｗを処理するために予め設定された時間である。 Next, in step S3, the control device CNT determines whether or not the first time has elapsed. The first time is a preset time for processing the plurality of substrates W.

工程Ｓ３で第１時間が経過していないと判定された場合、処理は、工程Ｓ３に進み、第１時間が経過したと判定されるまで工程Ｓ３を繰り返す。 If it is determined in step S3 that the first time has not elapsed, the process proceeds to step S3 and repeats step S3 until it is determined that the first time has elapsed.

一方、工程Ｓ３で第１時間が経過したと判定された場合、処理は工程Ｓ４に進む。 On the other hand, if it is determined in step S3 that the first time has elapsed, the process proceeds to step S4.

工程Ｓ４において、制御装置ＣＮＴの制御によって、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止する。その結果、各気泡供給部材１８０は、複数の気泡供給孔Ｇからの複数の気泡の供給を停止する。 In step S4, the gas supply unit 200 (specifically, the gas supply mechanism 202) stops the supply of gas to each bubble supply member 180 under the control of the control device CNT. As a result, each bubble supply member 180 stops supplying a plurality of bubbles from the plurality of bubble supply holes G.

次に、工程Ｓ５において、制御装置ＣＮＴの制御によって、処理液導入部３００は、導入用配管３０１を開放して気体供給配管２０１を開放することで、各気泡供給部材１８０への処理液ＬＱの導入を開始する。 Next, in step S5, under the control of the control device CNT, the processing liquid introduction unit 300 opens the introduction pipe 301 and the gas supply pipe 201 to open the treatment liquid LQ to each bubble supply member 180. Start the introduction.

次に、工程Ｓ６において、制御装置ＣＮＴは第２時間が経過したか否かを判定する。第２時間は第１時間よりも短い。第２時間は、各気泡供給部材１８０へ処理液ＬＱを導入するための時間として、予め定められた時間である。 Next, in step S6, the control device CNT determines whether or not the second time has elapsed. The second hour is shorter than the first hour. The second time is a predetermined time as a time for introducing the treatment liquid LQ into each bubble supply member 180.

工程Ｓ６で第２時間が経過していないと判定された場合、処理は、工程Ｓ６に進み、第２時間が経過したと判定されるまで工程Ｓ６を繰り返す。 If it is determined in step S6 that the second time has not elapsed, the process proceeds to step S6 and repeats step S6 until it is determined that the second time has elapsed.

一方、工程Ｓ６で第２時間が経過したと判定された場合、処理は工程Ｓ７に進む。 On the other hand, if it is determined in step S6 that the second time has elapsed, the process proceeds to step S7.

工程Ｓ７において、制御装置ＣＮＴの制御によって、処理液導入部３００は、導入用配管３０１を閉塞して気体供給配管２０１を閉塞することで、各気泡供給部材１８０への処理液ＬＱの導入を停止する。ただし、この場合、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷには、処理液ＬＱが残留したままである。 In step S7, under the control of the control device CNT, the treatment liquid introduction unit 300 stops the introduction of the treatment liquid LQ into each bubble supply member 180 by closing the introduction pipe 301 and the gas supply pipe 201. do. However, in this case, the treatment liquid LQ remains in the flow path FW of each bubble supply member 180.

次に、工程Ｓ８において、制御装置ＣＮＴの制御によって、基板保持部１２０は、処理槽１１０から複数の基板Ｗを引き上げる。 Next, in step S8, the substrate holding unit 120 pulls up a plurality of substrates W from the processing tank 110 under the control of the control device CNT.

次に、工程Ｓ９において、制御装置ＣＮＴは、新たな複数の基板Ｗに対する前処理タイミングが到来したか否かを判定する。前処理は、処理液ＬＱに新たな基板Ｗを浸漬する前に実行される処理を示す。 Next, in step S9, the control device CNT determines whether or not the pretreatment timing for the new plurality of substrates W has arrived. The pretreatment indicates a treatment performed before immersing the new substrate W in the treatment liquid LQ.

工程Ｓ９で前処理タイミングが到来していないと判定された場合、処理は、工程Ｓ９に進み、前処理タイミングが到来したと判定されるまで工程Ｓ９を繰り返す。 If it is determined in step S9 that the pretreatment timing has not arrived, the process proceeds to step S9, and step S9 is repeated until it is determined that the pretreatment timing has arrived.

一方、工程Ｓ９で前処理タイミングが到来したと判定された場合、処理は工程Ｓ１０に進む。 On the other hand, when it is determined in step S9 that the pretreatment timing has arrived, the process proceeds to step S10.

工程Ｓ１０において、制御装置ＣＮＴの制御によって、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１を通して、各気泡供給部材１８０に気体を供給して、各気泡供給部材１８０から処理液ＬＱを押し出すことを開始する。 In step S10, under the control of the control device CNT, the gas supply unit 200 (specifically, the gas supply mechanism 202) supplies gas to each bubble supply member 180 through the gas supply pipe 201, and each bubble supply member 180. Start extruding the treatment liquid LQ from.

次に、工程Ｓ１１において、制御装置ＣＮＴは第３時間が経過したか否かを判定する。第３時間は、各気泡供給部材１８０から処理液ＬＱを押し出すための時間として、予め定められた時間である。第３時間は第２時間よりも短い。 Next, in step S11, the control device CNT determines whether or not the third time has elapsed. The third time is a predetermined time as a time for pushing out the processing liquid LQ from each bubble supply member 180. The third hour is shorter than the second hour.

工程Ｓ１１で第３時間が経過していないと判定された場合、処理は、工程Ｓ１１に進み、第３時間が経過したと判定されるまで工程Ｓ１１を繰り返す。 If it is determined in step S11 that the third time has not elapsed, the process proceeds to step S11 and repeats step S11 until it is determined that the third time has elapsed.

一方、工程Ｓ１１で第３時間が経過したと判定された場合、処理は工程Ｓ１２に進む。 On the other hand, if it is determined in step S11 that the third time has elapsed, the process proceeds to step S12.

工程Ｓ１２において、制御装置ＣＮＴの制御によって、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止して、各気泡供給部材１８０から処理液ＬＱを押し出すことを停止する。 In step S12, under the control of the control device CNT, the gas supply unit 200 (specifically, the gas supply mechanism 202) stops the supply of gas from the gas supply pipe 201 to each bubble supply member 180, and supplies each bubble. Stops pushing out the processing liquid LQ from the member 180.

工程Ｓ１２の後、処理は、工程Ｓ１に進み、新たな複数の基板Ｗに対して、工程Ｓ１〜工程Ｓ１２が実行される。 After the step S12, the process proceeds to the step S1, and the steps S1 to S12 are executed on the new plurality of substrates W.

以上、図８を参照して説明したように、実施形態１に係る基板処理方法の第１例よれば、複数の基板Ｗへの複数の気泡の供給の停止後であって、複数の基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬されている期間に、気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを導入する工程Ｓ５が実行されて、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを導入する。従って、本処理を実行するための本処理期間において各気泡供給部材１８０に処理液ＬＱを導入できるため、各気泡供給部材１８０に処理液ＬＱを導入する期間を本処理期間の後に別途設定する場合と比較して、複数の基板Ｗを処理するためのスループットを向上できる。 As described above with reference to FIG. 8, according to the first example of the substrate processing method according to the first embodiment, after the supply of the plurality of bubbles to the plurality of substrates W is stopped, the plurality of substrates W The step S5 of introducing the treatment liquid LQ into the flow path FW of the bubble supply member 180 is executed while the treatment liquid LQ is immersed in the treatment liquid LQ, and the treatment liquid LQ is introduced into the flow path FW of each bubble supply member 180. .. Therefore, since the treatment liquid LQ can be introduced into each bubble supply member 180 during the main treatment period for executing the main treatment, the period for introducing the treatment liquid LQ into each bubble supply member 180 is separately set after the main treatment period. The throughput for processing a plurality of substrates W can be improved as compared with the above.

なお、制御装置ＣＮＴは、レシピ情報に従って基板処理装置１００を制御している。レシピ情報は、基板Ｗの処理内容及び処理手順を規定する。そして、レシピ情報には、複数の基板Ｗから構成されるロットごとに、前処理を実行するための前処理期間、本処理を実行するための本処理期間、及び、後処理を実行するための後処理期間が設定されている。本処理は、複数の基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬して、複数の基板Ｗを処理することを示す。後処理は、処理液ＬＱによる基板Ｗの処理が完了して処理槽１１０から基板Ｗが引き上げられた後に実行される処理を示す。 The control device CNT controls the substrate processing device 100 according to the recipe information. The recipe information defines the processing content and processing procedure of the substrate W. Then, the recipe information includes a pretreatment period for executing the pretreatment, a main processing period for executing the main processing, and a post-processing for executing the post-processing for each lot composed of the plurality of substrates W. The post-processing period is set. This treatment indicates that a plurality of substrates W are immersed in the treatment liquid LQ to process the plurality of substrates W. The post-treatment indicates a treatment executed after the treatment of the substrate W by the treatment liquid LQ is completed and the substrate W is pulled up from the treatment tank 110.

次に、図１及び図９を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理方法の第２例を説明する。図９は、実施形態１に係る基板処理方法の第２例を示すフローチャートである。図９に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ２１〜工程Ｓ３２を含む。基板処理方法は、基板処理装置１００によって実行される。そして、基板処理方法は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに、間隔をあけて整列された複数の基板Ｗを浸漬して、複数の基板Ｗを処理液ＬＱによって処理する。 Next, a second example of the substrate processing method according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 9. FIG. 9 is a flowchart showing a second example of the substrate processing method according to the first embodiment. As shown in FIG. 9, the substrate processing method includes steps S21 to S32. The substrate processing method is executed by the substrate processing apparatus 100. Then, in the substrate processing method, a plurality of substrates W arranged at intervals are immersed in the processing liquid LQ stored in the processing tank 110, and the plurality of substrates W are processed by the processing liquid LQ.

図１及び図９に示すように、工程Ｓ２１において、制御装置ＣＮＴの制御によって、基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに複数の基板Ｗを浸漬する。 As shown in FIGS. 1 and 9, in step S21, under the control of the control device CNT, the substrate holding unit 120 immerses a plurality of substrates W in the processing liquid LQ stored in the processing tank 110.

次に、工程Ｓ２２において、制御装置ＣＮＴの制御によって、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１を通して、各気泡供給部材１８０への気体の供給を開始する。その結果、各気泡供給部材１８０は、複数の気泡供給孔Ｇから複数の基板Ｗに向けて複数の気泡の供給を開始する。 Next, in step S22, under the control of the control device CNT, the gas supply unit 200 (specifically, the gas supply mechanism 202) starts supplying gas to each bubble supply member 180 through the gas supply pipe 201. As a result, each bubble supply member 180 starts supplying a plurality of bubbles from the plurality of bubble supply holes G toward the plurality of substrates W.

次に、工程Ｓ２３において、制御装置ＣＮＴは第１時間が経過したか否かを判定する。 Next, in step S23, the control device CNT determines whether or not the first time has elapsed.

工程Ｓ２３で第１時間が経過していないと判定された場合、処理は、工程Ｓ２３に進み、第１時間が経過したと判定されるまで工程Ｓ２３を繰り返す。 If it is determined in step S23 that the first time has not elapsed, the process proceeds to step S23 and repeats step S23 until it is determined that the first time has elapsed.

一方、工程Ｓ２３で第１時間が経過したと判定された場合、処理は工程Ｓ２４に進む。 On the other hand, if it is determined in step S23 that the first time has elapsed, the process proceeds to step S24.

工程Ｓ２４において、制御装置ＣＮＴの制御によって、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止する。その結果、各気泡供給部材１８０は、複数の気泡供給孔Ｇからの複数の気泡の供給を停止する。 In step S24, the gas supply unit 200 (specifically, the gas supply mechanism 202) stops the supply of gas to each bubble supply member 180 under the control of the control device CNT. As a result, each bubble supply member 180 stops supplying a plurality of bubbles from the plurality of bubble supply holes G.

次に、工程Ｓ２５において、制御装置ＣＮＴの制御によって、基板保持部１２０は、処理槽１１０から複数の基板Ｗを引き上げる。 Next, in step S25, the substrate holding unit 120 pulls up a plurality of substrates W from the processing tank 110 under the control of the control device CNT.

次に、工程Ｓ２６において、制御装置ＣＮＴの制御によって、処理液導入部３００は、導入用配管３０１を開放して気体供給配管２０１を開放することで各気泡供給部材１８０への処理液ＬＱの導入を開始する。 Next, in step S26, under the control of the control device CNT, the processing liquid introduction unit 300 introduces the processing liquid LQ into each bubble supply member 180 by opening the introduction pipe 301 and opening the gas supply pipe 201. To start.

次に、工程Ｓ２７において、制御装置ＣＮＴは第２時間が経過したか否かを判定する。 Next, in step S27, the control device CNT determines whether or not the second time has elapsed.

工程Ｓ２７で第２時間が経過していないと判定された場合、処理は、工程Ｓ２７に進み、第２時間が経過したと判定されるまで工程Ｓ２７を繰り返す。 If it is determined in step S27 that the second time has not elapsed, the process proceeds to step S27 and repeats step S27 until it is determined that the second time has elapsed.

一方、工程Ｓ２７で第２時間が経過したと判定された場合、処理は工程Ｓ２８に進む。 On the other hand, if it is determined in step S27 that the second time has elapsed, the process proceeds to step S28.

工程Ｓ２８において、制御装置ＣＮＴの制御によって、処理液導入部３００は、導入用配管３０１を閉塞して気体供給配管２０１を閉塞することで、各気泡供給部材１８０への処理液ＬＱの導入を停止する。ただし、この場合、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷには、処理液ＬＱが残留したままである。 In step S28, under the control of the control device CNT, the treatment liquid introduction unit 300 stops the introduction of the treatment liquid LQ into each bubble supply member 180 by closing the introduction pipe 301 and the gas supply pipe 201. do. However, in this case, the treatment liquid LQ remains in the flow path FW of each bubble supply member 180.

次に、工程Ｓ２９において、制御装置ＣＮＴは、新たな複数の基板Ｗに対する前処理タイミングが到来したか否かを判定する。 Next, in step S29, the control device CNT determines whether or not the pretreatment timing for the new plurality of substrates W has arrived.

工程Ｓ２９で前処理タイミングが到来していないと判定された場合、処理は、工程Ｓ２９に進み、前処理タイミングが到来したと判定されるまで工程Ｓ２９を繰り返す。 If it is determined in step S29 that the pretreatment timing has not arrived, the process proceeds to step S29, and step S29 is repeated until it is determined that the pretreatment timing has arrived.

一方、工程Ｓ２９で前処理タイミングが到来したと判定された場合、処理は工程Ｓ３０に進む。 On the other hand, when it is determined in step S29 that the pretreatment timing has arrived, the process proceeds to step S30.

工程Ｓ３０において、制御装置ＣＮＴの制御によって、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１を通して、各気泡供給部材１８０に気体を供給して、各気泡供給部材１８０から処理液ＬＱを押し出すことを開始する。 In step S30, under the control of the control device CNT, the gas supply unit 200 (specifically, the gas supply mechanism 202) supplies gas to each bubble supply member 180 through the gas supply pipe 201, and each bubble supply member 180. Start extruding the treatment liquid LQ from.

次に、工程Ｓ３１において、制御装置ＣＮＴは第３時間が経過したか否かを判定する。 Next, in step S31, the control device CNT determines whether or not the third time has elapsed.

工程Ｓ３１で第３時間が経過していないと判定された場合、処理は、工程Ｓ３１に進み、第３時間が経過したと判定されるまで工程Ｓ３１を繰り返す。 If it is determined in step S31 that the third time has not elapsed, the process proceeds to step S31 and repeats step S31 until it is determined that the third time has elapsed.

一方、工程Ｓ３１で第３時間が経過したと判定された場合、処理は工程Ｓ３２に進む。 On the other hand, if it is determined in step S31 that the third time has elapsed, the process proceeds to step S32.

工程Ｓ３２において、制御装置ＣＮＴの制御によって、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止して、各気泡供給部材１８０から処理液ＬＱを押し出すことを停止する。 In step S32, under the control of the control device CNT, the gas supply unit 200 (specifically, the gas supply mechanism 202) stops the supply of gas from the gas supply pipe 201 to each bubble supply member 180, and supplies each bubble. Stops pushing out the processing liquid LQ from the member 180.

工程Ｓ３２の後、処理は、工程Ｓ２１に進み、新たな複数の基板Ｗに対して、工程Ｓ２１〜工程Ｓ３２が実行される。 After the step S32, the process proceeds to the step S21, and the steps S21 to S32 are executed on the new plurality of substrates W.

以上、図９を参照して説明したように、実施形態１に係る基板処理方法の第２例よれば、複数の基板Ｗへの複数の気泡の供給の停止後であって、複数の基板Ｗが処理槽１１０から引き上げられた後に、気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを導入する工程Ｓ２６が実行されて、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを導入する。従って、この場合は、後処理として、気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを導入できる。 As described above with reference to FIG. 9, according to the second example of the substrate processing method according to the first embodiment, after the supply of the plurality of bubbles to the plurality of substrates W is stopped, the plurality of substrates W Is pulled up from the treatment tank 110, the step S26 of introducing the treatment liquid LQ into the flow path FW of the bubble supply member 180 is executed, and the treatment liquid LQ is introduced into the flow path FW of each bubble supply member 180. Therefore, in this case, as a post-treatment, the treatment liquid LQ can be introduced into the flow path FW of the bubble supply member 180.

（変形例）
図４〜図７を参照して、本発明の実施形態１の変形例に係る基板処理装置１００を説明する。変形例に係る基板処理装置１００では、気体供給機構２０２は、第２供給機構２２０を有していない。従って、変形例において、図６に示す処理液押出処理においては、第１供給機構２１０はバルブ２１１を開いて、気体供給配管２０１を開放する。その結果、第１供給機構２１０から、気体供給配管２０１を通って、気体が各気泡供給部材１８０に供給される。よって、処理液ＬＱが、気体によって、各気泡供給部材１８０から複数の気泡供給孔Ｇを通して、処理槽１１０に押し出される。 (Modification example)
The substrate processing apparatus 100 according to the modified example of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 7. In the substrate processing apparatus 100 according to the modified example, the gas supply mechanism 202 does not have the second supply mechanism 220. Therefore, in the modified example, in the processing liquid extrusion process shown in FIG. 6, the first supply mechanism 210 opens the valve 211 to open the gas supply pipe 201. As a result, gas is supplied from the first supply mechanism 210 to each bubble supply member 180 through the gas supply pipe 201. Therefore, the treatment liquid LQ is pushed out from each bubble supply member 180 into the treatment tank 110 through the plurality of bubble supply holes G by the gas.

変形例によれば、処理液押出処理と基板処理との双方において、第１供給機構２１０から各気泡供給部材１８０に気体を供給するため、基板処理装置１００は第２供給機構２２０を有していない。従って、基板処理装置１００の製造コストを低減できる。 According to the modification, the substrate processing apparatus 100 has a second supply mechanism 220 in order to supply gas from the first supply mechanism 210 to each bubble supply member 180 in both the processing liquid extrusion process and the substrate process. No. Therefore, the manufacturing cost of the substrate processing apparatus 100 can be reduced.

（実施形態２）
図１０〜図１４を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００Ａを説明する。実施形態２に係る基板処理装置１００Ａが、処理液導入部３００に代えて処理液導入部４００を備える点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。実施形態２に係る基板処理装置１００Ａの全体構成は、図１を参照して説明した実施形態１に係る基板処理装置１００の全体構成と同様である。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。 (Embodiment 2)
The substrate processing apparatus 100A according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 to 14. The second embodiment is mainly different from the first embodiment in that the substrate processing apparatus 100A according to the second embodiment includes the treatment liquid introduction unit 400 instead of the treatment liquid introduction unit 300. The overall configuration of the substrate processing apparatus 100A according to the second embodiment is the same as the overall configuration of the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment described with reference to FIG. Hereinafter, the points that the second embodiment is different from the first embodiment will be mainly described.

まず、図１０を参照して、実施形態２に係る基板処理装置１００Ａを説明する。図１０は、実施形態２に係る基板処理装置１００Ａの気泡供給部材１８０、気体供給部２００、処理液導入部４００、及び、排気部２５０を示す模式的平面図である。 First, the substrate processing apparatus 100A according to the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a schematic plan view showing a bubble supply member 180, a gas supply unit 200, a processing liquid introduction unit 400, and an exhaust unit 250 of the substrate processing apparatus 100A according to the second embodiment.

図１０に示すように、基板処理装置１００Ａは処理液導入部４００を備える。処理液導入部４００は、気体供給部２００から各気泡供給部材１８０への気体の供給が停止された後に、各気泡供給部材１８０に処理液ＬＱを導入する。処理液導入部４００は、導入用配管４０１と、複数の導入用バルブ４０３とを含む。導入用配管４０１は、「処理液導入用管」の一例に相当する。 As shown in FIG. 10, the substrate processing apparatus 100A includes a processing liquid introduction unit 400. The treatment liquid introduction unit 400 introduces the treatment liquid LQ into each bubble supply member 180 after the supply of gas from the gas supply unit 200 to each bubble supply member 180 is stopped. The treatment liquid introduction unit 400 includes an introduction pipe 401 and a plurality of introduction valves 403. The introduction pipe 401 corresponds to an example of the “treatment liquid introduction pipe”.

導入用配管４０１は、気体供給配管２０１よりも下流側において各気泡供給部材１８０に接続される。具体的には、導入用配管４０１の一端が、各気泡供給部材１８０の第２端部１８０ｂに接続される。第２端部１８０ｂは、導入用配管４０１が接続されている部分を除き、閉塞されている。一方、導入用配管４０１の他端が、槽ＴＫＣに接続される。 The introduction pipe 401 is connected to each bubble supply member 180 on the downstream side of the gas supply pipe 201. Specifically, one end of the introduction pipe 401 is connected to the second end 180b of each bubble supply member 180. The second end 180b is closed except for the portion to which the introduction pipe 401 is connected. On the other hand, the other end of the introduction pipe 401 is connected to the tank TKC.

図１０では、導入用配管４０１の論理的構成が示されている。従って、導入用配管４０１と各気泡供給部材１８０との接続形態は、各気泡供給部材１８０へ処理液ＬＱを導入できる限りにおいては、特に限定されない。なお、図１０が導入用配管４０１の物理的構成を示していてもよい。 FIG. 10 shows the logical configuration of the introduction pipe 401. Therefore, the connection form between the introduction pipe 401 and each bubble supply member 180 is not particularly limited as long as the processing liquid LQ can be introduced into each bubble supply member 180. Note that FIG. 10 may show the physical configuration of the introduction pipe 401.

例えば、導入用配管４０１は、複数の気泡供給部材１８０のそれぞれに対応して複数の配管４０１ａを含む。複数の配管４０１ａの一端は、それぞれ、複数の気泡供給部材１８０の第２端部１８０ｂに接続される。複数の配管４０１ａに対して、それぞれ、複数の導入用バルブ４０３が配置される。複数の導入用バルブ４０３の各々は、対応する配管４０１ａを開閉する。 For example, the introduction pipe 401 includes a plurality of pipes 401a corresponding to each of the plurality of bubble supply members 180. One end of each of the plurality of pipes 401a is connected to the second end portion 180b of the plurality of bubble supply members 180. A plurality of introduction valves 403 are arranged for each of the plurality of pipes 401a. Each of the plurality of introduction valves 403 opens and closes the corresponding pipe 401a.

次に、図１１〜図１４を参照して、基板処理装置１００Ａの動作を説明する。図１１〜図１４では、バルブ２１１、２２１、２５２、４０３のうち、開いているバルブを白色で示し、閉じているバルブを黒色で示している。また、図面の簡略化のために、１つの気泡供給部材１８０を図示している。 Next, the operation of the substrate processing apparatus 100A will be described with reference to FIGS. 11 to 14. In FIGS. 11 to 14, among the valves 211, 221, 252, and 403, the open valve is shown in white and the closed valve is shown in black. Further, for simplification of the drawing, one bubble supply member 180 is shown.

図１１は、基板処理装置１００Ａが基板処理を実行している状態を示す図である。図１１に示すように、処理槽１１０は、複数の基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬して、複数の基板Ｗを処理する。そして、排気部２５０、処理液導入部４００、及び、気体供給部２００は、制御装置ＣＮＴによって制御されて、下記のように動作する。 FIG. 11 is a diagram showing a state in which the substrate processing apparatus 100A is executing substrate processing. As shown in FIG. 11, the processing tank 110 processes the plurality of substrates W by immersing the plurality of substrates W in the processing liquid LQ. The exhaust unit 250, the processing liquid introduction unit 400, and the gas supply unit 200 are controlled by the control device CNT and operate as follows.

すなわち、基板処理の実行中では、排気部２５０はバルブ２５２を閉じて排気管２５１を閉塞し、処理液導入部４００は導入用バルブ４０３を閉じて導入用配管４０１を閉塞し、第２供給機構２２０はバルブ２２１を閉じて配管２０３を閉塞している。また、基板処理の実行中では、第１供給機構２１０はバルブ２１１を開いて気体供給配管２０１を開放している。従って、第１供給機構２１０から気体供給配管２０１を通って気体が各気泡供給部材１８０に供給される。その結果、複数の基板Ｗに向けて、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇから複数の気泡が供給される。 That is, during the execution of the substrate processing, the exhaust unit 250 closes the valve 252 to close the exhaust pipe 251 and the treatment liquid introduction unit 400 closes the introduction valve 403 to close the introduction pipe 401, and the second supply mechanism. 220 closes the valve 221 and closes the pipe 203. Further, during the execution of the substrate processing, the first supply mechanism 210 opens the valve 211 to open the gas supply pipe 201. Therefore, gas is supplied from the first supply mechanism 210 to each bubble supply member 180 through the gas supply pipe 201. As a result, a plurality of bubbles are supplied from the plurality of bubble supply holes G of each bubble supply member 180 toward the plurality of substrates W.

以上、図４を参照して説明したように、実施形態２によれば、基板処理の実行中において、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０に気体を供給することで、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇから複数の気泡を供給させる。従って、多数の気泡によって、各基板Ｗの表面に接触する処理液ＬＱを新鮮な処理液ＬＱに効果的に置換できる。その他、実施形態２では、気泡の供給によって、実施形態１の基板処理と同様の効果を有する。 As described above with reference to FIG. 4, according to the second embodiment, during the execution of the substrate processing, the gas supply unit 200 (specifically, the gas supply mechanism 202) has each bubble from the gas supply pipe 201. By supplying gas to the supply member 180, a plurality of bubbles are supplied from the plurality of bubble supply holes G of each bubble supply member 180. Therefore, the treatment liquid LQ in contact with the surface of each substrate W can be effectively replaced with a fresh treatment liquid LQ by a large number of bubbles. In addition, in the second embodiment, the supply of air bubbles has the same effect as the substrate treatment of the first embodiment.

図１２は、基板処理装置１００Ａが処理液導入処理を実行している状態を示す図である。図１２に示すように、基板処理装置１００Ａは、基板処理が完了すると、複数の基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬された状態又は複数の基板Ｗが処理液ＬＱから引き上げられた状態において、処理液導入処理を実行する。処理液導入処理では、排気部２５０、処理液導入部４００、及び、気体供給部２００は、制御装置ＣＮＴによって制御されて、下記のように動作する。 FIG. 12 is a diagram showing a state in which the substrate processing apparatus 100A is executing the processing liquid introduction process. As shown in FIG. 12, in the substrate processing apparatus 100A, when the substrate processing is completed, the processing liquid is in a state where the plurality of substrates W are immersed in the processing liquid LQ or when the plurality of substrates W are pulled up from the processing liquid LQ. Execute the installation process. In the treatment liquid introduction process, the exhaust unit 250, the treatment liquid introduction unit 400, and the gas supply unit 200 are controlled by the control device CNT and operate as follows.

すなわち、処理液導入処理では、第１供給機構２１０がバルブ２１１を閉じるとともに、第２供給機構２２０がバルブ２２１を閉じて、各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止する。その結果、各気泡供給部材１８０は、複数の基板Ｗへの複数の気泡の供給を停止する。また、処理液導入処理では、排気部２５０はバルブ２５２を開けて、排気管２５１を通して気体を排気する。さらに、処理液導入処理では、処理液導入部４００は導入用バルブ４０３を開けて導入用配管４０１を開放する。 That is, in the processing liquid introduction process, the first supply mechanism 210 closes the valve 211, and the second supply mechanism 220 closes the valve 221 to stop the supply of gas to each bubble supply member 180. As a result, each bubble supply member 180 stops supplying a plurality of bubbles to the plurality of substrates W. Further, in the processing liquid introduction process, the exhaust unit 250 opens the valve 252 and exhausts the gas through the exhaust pipe 251. Further, in the treatment liquid introduction process, the treatment liquid introduction unit 400 opens the introduction valve 403 to open the introduction pipe 401.

その結果、複数の気泡供給部材１８０の各々において、処理槽１１０内の処理液ＬＱの液圧によって、処理槽１１０内の処理液ＬＱが、複数の気泡供給孔Ｇから気泡供給部材１８０の流路ＦＷに引き込まれる。つまり、基板処理の完了後に、気泡供給部材１８０の流路ＦＷに、処理液ＬＱが導入される。例えば、気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱが充填される。なお、各気泡供給部材１８０に引き込まれた処理液ＬＱは、導入用配管４０１において、処理槽１１０における処理液ＬＱの液面と略同じ位置まで、上昇する。 As a result, in each of the plurality of bubble supply members 180, the treatment liquid LQ in the treatment tank 110 is moved from the plurality of bubble supply holes G to the flow path of the bubble supply member 180 due to the hydraulic pressure of the treatment liquid LQ in the treatment tank 110. You will be drawn into the FW. That is, after the substrate processing is completed, the processing liquid LQ is introduced into the flow path FW of the bubble supply member 180. For example, the flow path FW of the bubble supply member 180 is filled with the treatment liquid LQ. The treatment liquid LQ drawn into each bubble supply member 180 rises to a position substantially the same as the liquid level of the treatment liquid LQ in the treatment tank 110 in the introduction pipe 401.

以上、図１２を参照して説明したように、実施形態２によれば、処理液導入部４００は、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗへの複数の気泡の供給が停止された後に、各気泡供給部材１８０の内部に処理液ＬＱを導入する。従って、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇに、処理液ＬＱの成分が析出して、各気泡供給孔Ｇの孔径が小さくなることを抑制できる。その他、実施形態２では、処理液導入処理によって、実施形態１と同様の効果を有する。 As described above with reference to FIG. 12, according to the second embodiment, after the treatment liquid introduction unit 400 has stopped supplying a plurality of bubbles to the plurality of substrates W immersed in the treatment liquid LQ. , The treatment liquid LQ is introduced into each bubble supply member 180. Therefore, it is possible to prevent the components of the treatment liquid LQ from precipitating in the plurality of bubble supply holes G of each bubble supply member 180 and reducing the pore diameter of each bubble supply hole G. In addition, the second embodiment has the same effect as that of the first embodiment by the treatment liquid introduction treatment.

特に、実施形態２では、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止した後に、つまり、各気泡供給部材１８０からの複数の気泡の供給を停止した後に、気体供給配管２０１よりも下流側において気泡供給部材１８０と接続される導入用配管４０１を開放することで、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇを通して処理槽１１０から各気泡供給部材１８０の内部に処理液ＬＱを引き込む。従って、簡素な構成によって、各気泡供給部材１８０の内部に処理液ＬＱを容易に導入できる。 In particular, in the second embodiment, after stopping the supply of gas from the gas supply pipe 201 to each bubble supply member 180, that is, after stopping the supply of a plurality of bubbles from each bubble supply member 180, the gas supply pipe 201 By opening the introduction pipe 401 connected to the bubble supply member 180 on the downstream side, the processing liquid is passed from the processing tank 110 into the inside of each bubble supply member 180 through the plurality of bubble supply holes G of each bubble supply member 180. Pull in LQ. Therefore, the treatment liquid LQ can be easily introduced into each bubble supply member 180 with a simple structure.

なお、例えば、図１２に示す処理液導入処理において、処理槽１１０からではなく、図１に示す循環部１４０の配管１４１から処理液ＬＱを抽出して、抽出した処理液ＬＱを各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに導入してもよい。 For example, in the treatment liquid introduction process shown in FIG. 12, the treatment liquid LQ is extracted not from the treatment tank 110 but from the pipe 141 of the circulation unit 140 shown in FIG. 1, and the extracted treatment liquid LQ is used for each bubble supply member. It may be introduced into the flow path FW of 180.

図１３は、基板処理装置１００Ａが処理液押出処理を実行している状態を示す図である。図１３に示すように、基板処理装置１００Ａは、複数の基板Ｗを処理液ＬＱから引き上げた状態において、処理液導入処理が完了した後、かつ、新たな基板処理の開始前に、処理液押出処理を実行する。処理液押出処理では、排気部２５０、処理液導入部４００、及び、気体供給部２００は、制御装置ＣＮＴによって制御されて、下記のように動作する。 FIG. 13 is a diagram showing a state in which the substrate processing apparatus 100A is executing the processing liquid extrusion process. As shown in FIG. 13, in the substrate processing apparatus 100A, in a state where a plurality of substrates W are pulled up from the processing liquid LQ, the processing liquid is extruded after the treatment liquid introduction process is completed and before the start of a new substrate process. Execute the process. In the processing liquid extrusion process, the exhaust unit 250, the processing liquid introduction unit 400, and the gas supply unit 200 are controlled by the control device CNT and operate as follows.

すなわち、処理液押出処理では、排気部２５０はバルブ２５２を閉じて排気管２５１を閉塞し、第１供給機構２１０はバルブ２１１を閉じる。第１供給機構２１０がバルブ２１１を閉じることで、第１供給機構２１０からの気体の供給は停止される。また、処理液押出処理では、処理液導入部３００は導入用バルブ４０３を開いて導入用配管４０１を開放する。加えて、処理液押出処理では、第２供給機構２２０はバルブ２２１を開いて配管２０３を開放する。第２供給機構２２０がバルブ２２１を開くことで、第２供給機構２２０から、配管２０３及び気体供給配管２０１を通って、気体が各気泡供給部材１８０に供給される。その結果、処理液ＬＱが、気体によって、各気泡供給部材１８０から複数の気泡供給孔Ｇを通して処理槽１１０に押し出されるとともに、各気泡供給部材１８０から導入用配管４０１に押し出される。導入用配管４０１に押し出された処理液ＬＱは、例えば、槽ＴＫＣに貯留される。 That is, in the processing liquid extrusion process, the exhaust unit 250 closes the valve 252 to close the exhaust pipe 251 and the first supply mechanism 210 closes the valve 211. When the first supply mechanism 210 closes the valve 211, the supply of gas from the first supply mechanism 210 is stopped. Further, in the processing liquid extrusion process, the processing liquid introduction unit 300 opens the introduction valve 403 to open the introduction pipe 401. In addition, in the processing liquid extrusion process, the second supply mechanism 220 opens the valve 221 to open the pipe 203. When the second supply mechanism 220 opens the valve 221, gas is supplied from the second supply mechanism 220 to each bubble supply member 180 through the pipe 203 and the gas supply pipe 201. As a result, the treatment liquid LQ is pushed out from each bubble supply member 180 to the treatment tank 110 through the plurality of bubble supply holes G by the gas, and is pushed out from each bubble supply member 180 to the introduction pipe 401. The treatment liquid LQ extruded into the introduction pipe 401 is stored in, for example, the tank TKC.

以上、図１３を参照して説明したように、実施形態２によれば、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱが導入された後に、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗを処理槽１１０から引き上げた後であって、新たな複数の基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬する前に、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷから処理液ＬＱを押し出す。よって、気泡供給部材１８０における溶出成分の沈着や溶出成分の滞留を抑制することができて、例えば、処理液ＬＱによる基板Ｗの処理の均一性を向上できる。その他、実施形態２によれば、処理液押出処理によって、実施形態１と同様の効果を有する。 As described above with reference to FIG. 13, according to the second embodiment, the gas supply unit 200 (specifically, the gas supply mechanism 202) has the treatment liquid LQ in the flow path FW of each bubble supply member 180. After the introduction, after the plurality of substrates W immersed in the treatment liquid LQ are pulled up from the processing tank 110, and before the new plurality of substrates W are immersed in the treatment liquid LQ, the bubble supply member 180 The treatment liquid LQ is extruded from the flow path FW. Therefore, the deposition of the elution component and the retention of the elution component in the bubble supply member 180 can be suppressed, and for example, the uniformity of the treatment of the substrate W with the treatment liquid LQ can be improved. In addition, according to the second embodiment, the treatment liquid extrusion treatment has the same effect as that of the first embodiment.

図１４は、基板処理装置１００Ａが基板浸漬処理を実行している状態を示す図である。図１４に示すように、基板処理装置１００Ａは、処理液押出処理の完了後において、基板浸漬処理を実行する。基板浸漬処理では、排気部２５０、処理液導入部４００、気体供給部２００、及び、基板保持部１２０（図２）は、制御装置ＣＮＴによって制御されて、下記のように動作する。 FIG. 14 is a diagram showing a state in which the substrate processing apparatus 100A is executing the substrate immersion process. As shown in FIG. 14, the substrate processing apparatus 100A executes the substrate dipping process after the processing liquid extrusion process is completed. In the substrate immersion process, the exhaust unit 250, the processing liquid introduction unit 400, the gas supply unit 200, and the substrate holding unit 120 (FIG. 2) are controlled by the control device CNT and operate as follows.

すなわち、基板浸漬処理では、排気部２５０はバルブ２５２を閉じて排気管２５１を閉塞し、処理液導入部４００は導入用バルブ４０３を閉じて導入用配管４０１を閉塞し、第１供給機構２１０はバルブ２１１を閉じ、第２供給機構２２０はバルブ２２１を閉じて配管２０３を閉塞する。従って、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０に対して、気体は供給されない。その結果、各気泡供給部材１８０は、処理液ＬＱ中に気泡を供給しない。そして、各気泡供給部材１８０が処理液ＬＱ中に気泡を供給していない状態において、基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬する。一方、基板浸漬処理では、排気部２５０はバルブ２５２を開けて、排気管２５１を通して気体を排気する。基板処理装置１００Ａの構成においては、排気管２５１は、図示しない排液冷却タンクに接続する。 That is, in the substrate immersion treatment, the exhaust unit 250 closes the valve 252 to close the exhaust pipe 251, the treatment liquid introduction unit 400 closes the introduction valve 403 to close the introduction pipe 401, and the first supply mechanism 210 closes the introduction pipe 401. The valve 211 is closed, and the second supply mechanism 220 closes the valve 221 to close the pipe 203. Therefore, gas is not supplied from the gas supply pipe 201 to each bubble supply member 180. As a result, each bubble supply member 180 does not supply bubbles into the processing liquid LQ. Then, in a state where each bubble supply member 180 does not supply bubbles into the treatment liquid LQ, the substrate holding unit 120 immerses a plurality of substrates W in the treatment liquid LQ. On the other hand, in the substrate immersion process, the exhaust unit 250 opens the valve 252 and exhausts the gas through the exhaust pipe 251. In the configuration of the substrate processing device 100A, the exhaust pipe 251 is connected to a drainage cooling tank (not shown).

ここで、実施形態２に係る基板処理方法は、図８及び図９を参照して説明した実施形態１に係る基板処理方法と同様である。 Here, the substrate processing method according to the second embodiment is the same as the substrate processing method according to the first embodiment described with reference to FIGS. 8 and 9.

ただし、実施形態２において、図８及び図９に示すフローチャートでは、工程Ｓ５及び工程Ｓ２６において、制御装置ＣＮＴの制御によって、処理液導入部４００は、導入用配管４０１を開放することで各気泡供給部材１８０への処理液ＬＱの導入を開始する。また、工程Ｓ７及び工程Ｓ２８において、制御装置ＣＮＴの制御によって、処理液導入部４００は、導入用配管４０１を閉塞することで、各気泡供給部材１８０への処理液ＬＱの導入を停止する。 However, in the second embodiment, in the flowcharts shown in FIGS. 8 and 9, in the steps S5 and S26, the treatment liquid introduction unit 400 supplies each bubble by opening the introduction pipe 401 under the control of the control device CNT. The introduction of the treatment liquid LQ into the member 180 is started. Further, in steps S7 and S28, under the control of the control device CNT, the treatment liquid introduction unit 400 stops the introduction of the treatment liquid LQ into each bubble supply member 180 by closing the introduction pipe 401.

また、工程Ｓ１０及び工程Ｓ３０において、制御装置ＣＮＴの制御によって、処理液導入部４００は導入用配管４０１を開放するとともに、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１を通して、各気泡供給部材１８０に気体を供給して、各気泡供給部材１８０から処理液ＬＱを押し出すことを開始する。また、工程Ｓ１２及び工程Ｓ３２において、制御装置ＣＮＴの制御によって、処理液導入部４００は導入用配管４０１を閉塞するとともに、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止して、各気泡供給部材１８０から処理液ＬＱを押し出すことを停止する。 Further, in steps S10 and S30, under the control of the control device CNT, the treatment liquid introduction unit 400 opens the introduction pipe 401, and the gas supply unit 200 (specifically, the gas supply mechanism 202) opens the gas supply pipe. Gas is supplied to each bubble supply member 180 through 201, and the processing liquid LQ is started to be extruded from each bubble supply member 180. Further, in steps S12 and S32, under the control of the control device CNT, the treatment liquid introduction unit 400 closes the introduction pipe 401, and the gas supply unit 200 (specifically, the gas supply mechanism 202) is the gas supply pipe. The supply of gas from 201 to each bubble supply member 180 is stopped, and the extruding of the processing liquid LQ from each bubble supply member 180 is stopped.

（変形例）
図１１〜図１４を参照して、本発明の実施形態２の変形例に係る基板処理装置１００Ａを説明する。変形例に係る基板処理装置１００Ａでは、気体供給機構２０２は、第２供給機構２２０を有していない。従って、変形例において、図１３に示す処理液押出処理においては、第１供給機構２１０はバルブ２１１を開いて、気体供給配管２０１を開放する。その結果、第１供給機構２１０から、気体供給配管２０１を通って、気体が各気泡供給部材１８０に供給される。よって、処理液ＬＱが、気体によって、各気泡供給部材１８０から複数の気泡供給孔Ｇを通して処理槽１１０に押し出されるとともに、導入用配管４０１に押し出される。 (Modification example)
The substrate processing apparatus 100A according to the modified example of the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 11 to 14. In the substrate processing apparatus 100A according to the modified example, the gas supply mechanism 202 does not have the second supply mechanism 220. Therefore, in the modified example, in the processing liquid extrusion process shown in FIG. 13, the first supply mechanism 210 opens the valve 211 to open the gas supply pipe 201. As a result, gas is supplied from the first supply mechanism 210 to each bubble supply member 180 through the gas supply pipe 201. Therefore, the processing liquid LQ is extruded from each bubble supply member 180 into the processing tank 110 through the plurality of bubble supply holes G by the gas, and is also extruded into the introduction pipe 401.

変形例によれば、処理液押出処理と基板処理との双方において、第１供給機構２１０から各気泡供給部材１８０に気体を供給するため、基板処理装置１００Ａは第２供給機構２２０を有していない。従って、基板処理装置１００Ａの製造コストを低減できる。 According to the modification, the substrate processing apparatus 100A has a second supply mechanism 220 in order to supply gas from the first supply mechanism 210 to each bubble supply member 180 in both the processing liquid extrusion process and the substrate process. No. Therefore, the manufacturing cost of the substrate processing apparatus 100A can be reduced.

以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented in various aspects without departing from the gist thereof. In addition, the plurality of components disclosed in the above-described embodiment can be appropriately modified. For example, one component of all components shown in one embodiment may be added to another component of another embodiment, or some component of all components shown in one embodiment. The element may be removed from the embodiment.

また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。 In addition, the drawings are schematically shown mainly for each component in order to facilitate the understanding of the invention, and the thickness, length, number, spacing, etc. of each of the illustrated components are shown in the drawing. It may be different from the actual one for the convenience of. Further, the configuration of each component shown in the above embodiment is an example and is not particularly limited, and it goes without saying that various changes can be made without substantially deviating from the effect of the present invention. ..

本発明は、基板処理方法および基板処理装置に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。 The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus, and has industrial applicability.

１００、１００Ａ 基板処理装置
１１０ 処理槽
１２０ 基板保持部
１８０ 気泡供給部材
２０１ 気体供給配管
３０１、４０１ 導入用配管（処理液導入用管）
Ｇ 気泡供給孔
Ｗ 基板 100, 100A Substrate processing device 110 Processing tank 120 Substrate holding part 180 Bubble supply member 201 Gas supply piping 301, 401 Introduction piping (treatment liquid introduction tube)
G bubble supply hole W substrate

Claims (10)

処理槽に貯留された処理液に、基板を浸漬して、前記基板を前記処理液によって処理する基板処理方法であって、
前記処理槽に貯留された前記処理液に、前記基板を浸漬する工程と、
前記処理槽に配置された気泡供給部材の内部に連通する複数の気泡供給孔から、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて複数の気泡を供給する工程と、
前記基板への前記複数の気泡の供給を停止した後に、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する工程と、
前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入した後に、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げた後であって、新たな基板を前記処理液に浸漬する前に、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す工程と
を含む、基板処理方法。 A substrate processing method in which a substrate is immersed in a treatment liquid stored in a treatment tank and the substrate is treated with the treatment liquid.
A step of immersing the substrate in the treatment liquid stored in the treatment tank and
A step of supplying a plurality of bubbles to the substrate immersed in the treatment liquid from a plurality of bubble supply holes communicating with the inside of the bubble supply member arranged in the treatment tank.
A step of introducing the treatment liquid into the inside of the bubble supply member after stopping the supply of the plurality of bubbles to the substrate, and
After introducing the treatment liquid into the inside of the bubble supply member, after pulling up the substrate immersed in the treatment liquid from the treatment tank, and before immersing a new substrate in the treatment liquid, before immersing the new substrate in the treatment liquid. A substrate processing method comprising a step of extruding the processing liquid from the inside of the bubble supply member. 前記複数の気泡を供給する前記工程では、前記気泡供給部材に接続された気体供給配管から前記気泡供給部材に気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡が供給され、
前記気泡供給部材に前記処理液を導入する前記工程では、前記気体供給配管から前記気泡供給部材への前記気体の供給を停止した後に、前記気体供給配管を開放することで、前記複数の気泡供給孔を通して前記処理槽から前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を引き込む、請求項１に記載の基板処理方法。 In the step of supplying the plurality of bubbles, by supplying gas to the bubble supply member from the gas supply pipe connected to the bubble supply member, the plurality of bubbles are supplied from the plurality of bubble supply holes of the bubble supply member. Bubbles are supplied,
In the step of introducing the treatment liquid into the bubble supply member, the plurality of bubbles are supplied by opening the gas supply pipe after stopping the supply of the gas from the gas supply pipe to the bubble supply member. The substrate processing method according to claim 1, wherein the processing liquid is drawn from the processing tank into the inside of the bubble supply member through the holes. 前記複数の気泡を供給する前記工程では、前記気泡供給部材に接続された気体供給配管から前記気泡供給部材に気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡が供給され、
前記気泡供給部材に前記処理液を導入する前記工程では、前記気体供給配管から前記気泡供給部材への前記気体の供給を停止した後に、前記気体供給配管よりも下流側において前記気泡供給部材と接続される処理液導入用管を開放することで、前記複数の気泡供給孔を通して前記処理槽から前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を引き込む、請求項１に記載の基板処理方法。 In the step of supplying the plurality of bubbles, by supplying gas to the bubble supply member from the gas supply pipe connected to the bubble supply member, the plurality of bubbles are supplied from the plurality of bubble supply holes of the bubble supply member. Bubbles are supplied,
In the step of introducing the treatment liquid into the bubble supply member, after stopping the supply of the gas from the gas supply pipe to the bubble supply member, the process is connected to the bubble supply member on the downstream side of the gas supply pipe. The substrate treatment method according to claim 1, wherein the treatment liquid is drawn from the treatment tank into the inside of the bubble supply member through the plurality of bubble supply holes by opening the treatment liquid introduction pipe. 前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する前記工程では、前記基板への前記複数の気泡の供給の停止後であって、前記基板が前記処理液に浸漬されている期間に、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。 In the step of introducing the treatment liquid into the inside of the bubble supply member, the process is performed after the supply of the plurality of bubbles to the substrate is stopped and during the period when the substrate is immersed in the treatment liquid. The substrate processing method according to any one of claims 1 to 3, wherein the treatment liquid is introduced into the inside of the bubble supply member. 前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する前記工程では、前記基板への前記複数の気泡の供給の停止後であって、前記基板が前記処理槽から引き上げられた後に、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。 In the step of introducing the treatment liquid into the inside of the bubble supply member, the bubbles are supplied after the supply of the plurality of bubbles to the substrate is stopped and after the substrate is pulled up from the treatment tank. The substrate processing method according to any one of claims 1 to 3, wherein the treatment liquid is introduced into the inside of the member. 前記気泡供給部材から前記処理液を押し出す前記工程では、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入した後に、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げられた後であって、前記新たな基板を前記処理液に浸漬する前に、前記気泡供給部材に気体供給配管から気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理方法。 In the step of pushing out the treatment liquid from the bubble supply member, after the treatment liquid is introduced into the inside of the bubble supply member, the substrate immersed in the treatment liquid is pulled up from the treatment tank. The treatment liquid is extruded from the inside of the bubble supply member by supplying gas to the bubble supply member from the gas supply pipe before immersing the new substrate in the treatment liquid, according to claim 1. The substrate processing method according to any one of claim 5. 前記複数の気泡を供給する前記工程では、前記気泡供給部材に接続された気体供給配管から前記気泡供給部材に前記気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡が供給され、
前記気泡供給部材から前記処理液を押し出す前記工程では、前記気泡供給部材に気体供給配管から供給される前記気体の流量は、前記複数の気泡を供給する前記工程での前記気体の流量よりも多い、請求項６に記載の基板処理方法。 In the step of supplying the plurality of bubbles, the gas is supplied to the bubble supply member from the gas supply pipe connected to the bubble supply member, so that the plurality of bubbles are supplied from the plurality of bubble supply holes of the bubble supply member. Bubbles are supplied,
In the step of pushing out the treatment liquid from the bubble supply member, the flow rate of the gas supplied from the gas supply pipe to the bubble supply member is larger than the flow rate of the gas in the step of supplying the plurality of bubbles. , The substrate processing method according to claim 6. 処理液を貯留する処理槽と、
基板を保持し、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記基板を浸漬する基板保持部と、
複数の気泡供給孔を有し、前記処理槽の内部に配置されて、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡供給孔から複数の気泡を供給する気泡供給部材と、
前記気泡供給部材に、前記気泡を発生させるための気体を供給して、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡を供給させる気体供給部と、
前記気泡供給部材への前記気体の供給が停止された後に、前記気泡供給部材の内部に前記処理液を導入する処理液導入部と
を備え、
前記複数の気泡供給孔は、前記気泡供給部材の前記内部に連通し、
前記気体供給部は、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液が導入された後に、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げた後であって、新たな基板を前記処理液に浸漬する前に、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す、基板処理装置。 A treatment tank that stores the treatment liquid and
A substrate holding portion that holds the substrate and immerses the substrate in the treatment liquid stored in the treatment tank.
A bubble supply member having a plurality of bubble supply holes and arranged inside the treatment tank to supply a plurality of bubbles from the plurality of bubble supply holes toward the substrate immersed in the treatment liquid.
A gas supply unit that supplies a gas for generating the bubbles to the bubble supply member and supplies the plurality of bubbles toward the substrate immersed in the treatment liquid.
A treatment liquid introduction unit for introducing the treatment liquid into the bubble supply member after the supply of the gas to the bubble supply member is stopped is provided.
The plurality of bubble supply holes communicate with the inside of the bubble supply member.
The gas supply unit is after the treatment liquid is introduced into the inside of the bubble supply member, the substrate immersed in the treatment liquid is pulled up from the treatment tank, and a new substrate is treated. A substrate processing apparatus that pushes out the processing liquid from the inside of the bubble supply member before being immersed in the liquid. 前記気体供給部は、前記気泡供給部材に接続される気体供給配管を含み、
前記気体供給部は、
前記気体供給配管から前記気泡供給部材に前記気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡を供給させ、
前記気体供給配管から前記気泡供給部材への前記気体の供給を停止した後に、前記気体供給配管を開放することで、前記複数の気泡供給孔を通して前記処理槽から前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を引き込む、請求項８に記載の基板処理装置。 The gas supply unit includes a gas supply pipe connected to the bubble supply member.
The gas supply unit
By supplying the gas to the bubble supply member from the gas supply pipe, the plurality of bubbles are supplied from the plurality of bubble supply holes of the bubble supply member.
By stopping the supply of the gas from the gas supply pipe to the bubble supply member and then opening the gas supply pipe, the processing tank enters the inside of the bubble supply member through the plurality of bubble supply holes. The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the processing liquid is drawn in. 前記気体供給部は、前記気泡供給部材に接続される気体供給配管を含み、
前記処理液導入部は、前記気体供給配管よりも下流側において前記気泡供給部材と接続される処理液導入用管を含み、
前記気体供給部は、前記気体供給配管から前記気泡供給部材に前記気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡を供給させ、
前記処理液導入部は、前記気体供給配管から前記気泡供給部材への前記気体の供給が停止された後に、前記処理液導入用管を開放することで、前記複数の気泡供給孔を通して前記処理槽から前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を引き込む、請求項８に記載の基板処理装置。 The gas supply unit includes a gas supply pipe connected to the bubble supply member.
The treatment liquid introduction unit includes a treatment liquid introduction pipe connected to the bubble supply member on the downstream side of the gas supply pipe.
The gas supply unit supplies the gas from the gas supply pipe to the bubble supply member, thereby supplying the plurality of bubbles from the plurality of bubble supply holes of the bubble supply member.
The treatment liquid introduction unit opens the treatment liquid introduction pipe after the supply of the gas from the gas supply pipe to the bubble supply member is stopped, so that the treatment liquid introduction unit passes through the plurality of bubble supply holes to the treatment tank. The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the processing liquid is drawn into the inside of the bubble supply member.
JP2020064008A 2020-03-31 2020-03-31 Substrate processing method and substrate processing apparatus Active JP7454986B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020064008A JP7454986B2 (en) 2020-03-31 2020-03-31 Substrate processing method and substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020064008A JP7454986B2 (en) 2020-03-31 2020-03-31 Substrate processing method and substrate processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021163861A true JP2021163861A (en) 2021-10-11
JP7454986B2 JP7454986B2 (en) 2024-03-25

Family

ID=78005074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020064008A Active JP7454986B2 (en) 2020-03-31 2020-03-31 Substrate processing method and substrate processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7454986B2 (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0758078A (en) * 1993-08-19 1995-03-03 Matsushita Electron Corp Wet-etching treatment apparatus
JP2008084903A (en) * 2006-09-26 2008-04-10 Oki Electric Ind Co Ltd Fabrication process of semiconductor device, wet-etching treatment apparatus, and wet-etching method
JP2010082558A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Mitsubishi Electric Corp Microbubble supplying apparatus and liquid treatment unit
JP2018174257A (en) * 2017-03-31 2018-11-08 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid treatment device
US20190080937A1 (en) * 2017-09-11 2019-03-14 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and recording medium
JP2019050349A (en) * 2017-09-11 2019-03-28 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and storage medium

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0758078A (en) * 1993-08-19 1995-03-03 Matsushita Electron Corp Wet-etching treatment apparatus
JP2008084903A (en) * 2006-09-26 2008-04-10 Oki Electric Ind Co Ltd Fabrication process of semiconductor device, wet-etching treatment apparatus, and wet-etching method
JP2010082558A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Mitsubishi Electric Corp Microbubble supplying apparatus and liquid treatment unit
JP2018174257A (en) * 2017-03-31 2018-11-08 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid treatment device
US20190080937A1 (en) * 2017-09-11 2019-03-14 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and recording medium
JP2019050349A (en) * 2017-09-11 2019-03-28 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
JP7454986B2 (en) 2024-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7130510B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JP7176904B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
US9376758B2 (en) Electroplating method
JP2001023952A (en) Etching method and device
TWI667374B (en) Method for uniform flow behavior in an electroplating cell
JP2018050001A (en) Substrate processing device and substrate processing method
KR20210028274A (en) Systems and methods for chemical and heated wetting of substrates prior to metal plating
JP7454986B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2020136679A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20220139733A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2017117938A (en) Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method
TW202141614A (en) Processing liquid temperature control method, substrate processing method, processing liquid temperature control apparatus, and substrate processing system
US6849865B1 (en) Chemical processor
JP2022026660A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2008028280A (en) Substrate treating equipment, and treatment liquid replacement method
KR102516920B1 (en) Substrate processing method and substrate processing device
KR102625932B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7526074B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2023223908A1 (en) Substrate treatment device and substrate treatment method
WO2020171124A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2018014448A (en) Method of manufacturing substrate and substrate
JP2023111228A (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP2008159700A (en) Substrate-treating device, substrate treatment method, substrate treatment program, and program recording medium

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221219

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230921

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230926

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231122

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240213

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240312

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7454986

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150