KR20220046675A - 패시베이션 막의 제조 방법 - Google Patents

패시베이션 막의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220046675A
KR20220046675A KR1020227009094A KR20227009094A KR20220046675A KR 20220046675 A KR20220046675 A KR 20220046675A KR 1020227009094 A KR1020227009094 A KR 1020227009094A KR 20227009094 A KR20227009094 A KR 20227009094A KR 20220046675 A KR20220046675 A KR 20220046675A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
passivation
gas
film
oxygen
substrate
Prior art date
Application number
KR1020227009094A
Other languages
English (en)
Inventor
요스케 타니모토
Original Assignee
쇼와 덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쇼와 덴코 가부시키가이샤 filed Critical 쇼와 덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20220046675A publication Critical patent/KR20220046675A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
    • C23C8/10—Oxidising
    • C23C8/16—Oxidising using oxygen-containing compounds, e.g. water, carbon dioxide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5846—Reactive treatment
    • C23C14/5866—Treatment with sulfur, selenium or tellurium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
    • C23C28/32—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
    • C23C28/34—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
    • C23C28/34—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates
    • C23C28/345—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates with at least one oxide layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/28—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases more than one element being applied in one step
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/80—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02488—Insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02568—Chalcogenide semiconducting materials not being oxides, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02614—Transformation of metal, e.g. oxidation, nitridation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28247—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon passivation or protection of the electrode, e.g. using re-oxidation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

산소 원자의 농도가 낮은 패시베이션 막을 재현성 좋게 제조하는 것이 가능한 패시베이션 막의 제조 방법을 제공한다. 게르마늄 및 몰리브덴 중 적어도 한쪽을 표면에 갖는 기판을 분자 중에 산소 원자를 갖는 화합물인 산소 함유 화합물과 황화수소를 함유하는 패시베이션 가스로 처리하고, 황 원자를 함유하는 패시베이션 막을 기판의 표면 상에 형성하는 패시베이션 공정을 구비하는 방법에 의해 패시베이션 막을 제조한다. 패시베이션 가스 중의 산소 함유 화합물의 농도는 0.001㏖ ppm 이상 75㏖ ppm 미만이다.

Description

패시베이션 막의 제조 방법
본 발명은 패시베이션 막의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 분야에 있어서 실리콘(Si) 이외의 원소를 함유하는 반도체 재료가 주목받고 있다. 실리콘 이외의 원소를 함유하는 반도체 재료로서는, 예를 들면 게르마늄(Ge), 인듐갈륨비소(InGaAs) 등의 III-V족 원소를 함유하는 반도체 재료나, 황화몰리브덴(IV)(MoS2) 등의 금속 칼고게나이드를 함유하는 반도체 재료를 들 수 있다.
이들 반도체 재료는 실리콘 재료와 비교해서 모빌리티(이동도)가 높다는 메리트를 갖고 있지만 성막이 곤란한 경우나, 재료 간의 계면의 결함 밀도가 높은 것에 의해 모빌리티가 저하되는 경우가 있었다.
그래서 재료 간의 계면의 결함 밀도를 낮게 하기 위해서 게르마늄, 몰리브덴 등의 기판 상에 황화수소(H2S) 가스를 사용하여 패시베이션 막을 형성하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1을 참조). 또한, 금속 칼고게나이드의 성막 방법으로서 몰리브덴산화물층, 텅스텐산화물층을 황화수소 가스로 처리해서 황화몰리브덴층, 황화텅스텐층을 형성하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 2를 참조).
일본국 특허공개 공보 2016년 제207789호 일본국 특허공개 공보 2017년 제61743호
그러나 황화수소 가스의 품질에 의해 패시베이션 막이 함유하는 산소 원자의 농도가 높아져서 패시베이션 막의 성능이 저하되는 경우가 있었다.
본 발명은 산소 원자의 농도가 낮은 패시베이션 막을 재현성 좋게 제조하는 것이 가능한 패시베이션 막의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명의 일실시형태는 이하의 [1]~[5]와 같다.
[1] 게르마늄 및 몰리브덴 중 적어도 한쪽을 표면에 갖는 기판을 분자 중에 산소 원자를 갖는 화합물인 산소 함유 화합물과 황화수소를 함유하는 패시베이션 가스로 처리하고, 황 원자를 함유하는 패시베이션 막을 상기 기판의 표면 상에 형성하는 패시베이션 공정을 구비하고,
상기 패시베이션 가스 중의 상기 산소 함유 화합물의 농도가 0.001㏖ ppm 이상 75㏖ ppm 미만인 패시베이션 막의 제조 방법.
[2] 상기 패시베이션 가스 중의 상기 산소 함유 화합물의 농도가 0.5㏖ ppm 이상 65㏖ ppm 이하인 [1]에 기재된 패시베이션 막의 제조 방법.
[3] 상기 산소 함유 화합물이 산소 가스 및 물 중 적어도 한쪽인 [1] 또는 [2]에 기재된 패시베이션 막의 제조 방법.
[4] 상기 기판은 게르마늄 및 몰리브덴 중 적어도 한쪽을 함유하는 막을 표면에 갖는 [1]~[3] 중 어느 한 항에 기재된 패시베이션 막의 제조 방법.
[5] 온도 20℃ 이상 1500℃ 이하, 압력 1㎩ 이상 101㎪ 이하의 조건하에서 상기 기판을 상기 패시베이션 가스로 처리하는 [1]~[4] 중 어느 한 항에 기재된 패시베이션 막의 제조 방법.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면 산소 원자의 농도가 낮은 패시베이션 막을 재현성 좋게 제조하는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명에 의한 패시베이션 막의 제조 방법의 일실시형태를 설명하는 성막 장치의 개략도이다.
도 2는 패시베이션 막이 형성된 게르마늄 막의 표면 상태의 분석 결과를 나타내는 그래프이다.
도 3은 패시베이션 막이 형성된 몰리브덴 막의 표면 상태의 분석 결과를 나타내는 그래프이다.
본 발명의 일실시형태에 대해서 이하에 설명한다. 또한, 본 실시형태는 본 발명의 일례를 나타낸 것이며, 본 발명은 본 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 실시형태에는 여러 가지의 변경 또는 개량을 추가하는 것이 가능하며, 그와 같은 변경 또는 개량을 추가한 형태도 본 발명에 포함될 수 있다.
본 실시형태에 의한 패시베이션 막의 제조 방법은 게르마늄 및 몰리브덴 중 적어도 한쪽을 표면에 갖는 기판을 분자 중에 산소 원자를 갖는 화합물인 산소 함유 화합물과 황화수소를 함유하는 패시베이션 가스로 처리하고, 황 원자를 함유하는 패시베이션 막을 기판의 표면 상에 형성하는 패시베이션 공정을 구비한다. 그리고 패시베이션 가스 중의 산소 함유 화합물의 농도는 0.001㏖ ppm 이상 75㏖ ppm 미만이다.
본 실시형태에 의한 패시베이션 막의 제조 방법에 의하면 의도하지 않은 산화막의 생성을 억제하면서 안정된 황화막을 생성할 수 있으므로 산소 원자의 농도가 낮은 패시베이션 막을 재현성 좋게 제조하는 것이 가능하다.
의도하지 않은 산화막의 생성을 충분히 억제하고, 산소 원자의 농도가 낮은 패시베이션 막을 재현성 좋게 제조하기 위해서는 패시베이션 가스 중의 산소 함유 화합물의 농도는 0.001㏖ ppm 이상 75㏖ ppm 미만으로 할 필요가 있지만 상한은 65㏖ ppm 이하로 하는 것이 바람직하고, 40㏖ ppm 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 5㏖ ppm 이하로 하는 것이 더 바람직하고, 하한은 0.5㏖ ppm 이상이어도 좋다. 또한, 패시베이션 가스 중의 산소 함유 화합물의 농도는 낮을수록 바람직하지만 0.001㏖ ppm보다 낮은 농도는 측정이 곤란하다.
산소 함유 화합물의 종류는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 산소 가스(O2), 물(H2O), 일산화탄소(CO), 이산화탄소(CO2), 황화카르보닐(COS), 및 이산화황(SO2)을 들 수 있다. 이들 산소 함유 화합물 중에서는 산소 가스 및 물 중 적어도 한쪽 바람직하다.
패시베이션 가스로 처리되는 기판은 게르마늄 및 몰리브덴 중 적어도 한쪽을 표면에 갖는 기판이지만 기판의 표면이 게르마늄 및 몰리브덴 중 적어도 한쪽을 어떤 형태로 갖고 있는지는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판은 게르마늄 및 몰리브덴 중 적어도 한쪽을 함유하는 막을 표면에 갖고 있어도 좋다.
또한, 게르마늄 및 몰리브덴 중 적어도 한쪽을 함유하는 막을 표면에 갖는 기판은 막이 게르마늄 및 몰리브덴 중 적어도 한쪽을 함유하면 어떤 기판이어도 지장이 있지 않지만, 예를 들면 반도체 소자의 형성에 사용되는 기판이 적합하다. 특히, 게르마늄 및 몰리브덴 중 적어도 한쪽을 함유하는 막이 물리 증착(PVD)이나 화학 증착(CVD)으로 표면에 성막된 단결정 실리콘 기판이 바람직하다.
패시베이션 가스 중의 황화수소의 농도는 패시베이션 막의 성막에 충분한 양이면 특별히 한정되는 것은 아니지만 1체적% 이상인 것이 바람직하고, 2체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 10체적% 이상인 것이 더 바람직하고, 100체적%인 것이 특히 바람직하다. 패시베이션 가스에 함유되는 성분 중 황화수소 및 산소 함유 화합물 이외의 성분은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 질소 가스, 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 들 수 있다.
패시베이션 공정에 있어서 기판을 패시베이션 가스로 처리할 때의 압력(예를 들면, 패시베이션 가스에 의한 처리가 행해지는 체임버 내의 압력)은 특별히 한정되는 것은 아니지만 1㎩ 이상 101㎪ 이하인 것이 바람직하고, 10㎩ 이상 90㎪ 이하인 것이 보다 바람직하고, 100㎩ 이상 80㎪ 이하인 것이 더 바람직하다.
또한, 패시베이션 공정에 있어서 기판을 패시베이션 가스로 처리할 때의 온도(예를 들면, 체임버 내에 배치된 기판의 온도)는 특별히 한정되는 것은 아니지만 패시베이션 가스에 의한 기판 표면의 처리의 높은 면내 균일성을 얻기 위해서는 20℃ 이상 1500℃ 이하인 것이 바람직하고, 50℃ 이상 1200℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, 100℃ 이상 1000℃ 이하인 것이 더 바람직하다.
또한, 패시베이션 공정에 있어서 기판을 패시베이션 가스로 처리하는 시간의 길이는 특별히 한정되는 것은 아니지만 반도체 소자 제조 프로세스의 효율을 고려하면 120분 이내인 것이 바람직하다. 또한, 기판을 패시베이션 가스로 처리하는 시간이란 기판이 수용된 체임버에 패시베이션 가스를 공급하고나서 패시베이션 가스에 의한 기판의 표면의 처리를 끝내기 위해서 체임버 내의 패시베이션 가스를 진공 펌프 등에 의해 배기할 때까지의 시간을 가리킨다.
본 실시형태에 의한 패시베이션 막의 제조 방법은 기판의 표면에 패시베이션 막을 성막하는 반도체의 성막 장치에 대하여 적합하게 적용할 수 있다. 이 성막 장치의 구조는 특별히 한정되는 것은 아니고, 반응 용기인 체임버 내에 수용된 기판과, 체임버에 접속된 배관의 위치 관계도 특별히 한정되지 않는다.
(실시예)
이하에 실시예 및 비교예를 나타내고, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
(실시예 1)
도 1에 나타내는 성막 장치(1)를 사용하여 기판의 표면에 패시베이션 막을 성막했다. 성막 장치(1)는 패시베이션 공정을 행하는 체임버(10)와, 체임버(10)의 내부의 온도를 조정하는 온도 조정 장치(도시하지 않음)를 갖는다. 체임버(10)의 내부에는 시료(20)를 지지하는 스테이지(11)가 구비되어 있다. 시료(20)로서는 실리콘 기판 상에 두께 150㎚의 실리콘 산화막이 형성되고, 또한 그 위에 두께 80㎚의 게르마늄 막이 형성된 것을 사용했다.
체임버(10)에는 그 상류측에 산소 함유 화합물과 황화수소를 함유하는 패시베이션 가스를 체임버(10)에 공급하는 패시베이션 가스 급기용 배관(12)과, 불활성 가스를 체임버(10)에 공급하는 불활성 가스 급기용 배관(13)이 각각 밸브(32, 33)를 통해 접속되어 있다.
또한, 체임버(10)에는 그 하류측에 체임버(10) 내의 가스를 외부로 배출하는 배기용 배관(15)이 접속되어 있으며, 배기용 배관(15)의 하류측에는 밸브(35)를 통해 진공 펌프(38)가 접속되어 있다. 체임버(10)의 내부의 압력은 밸브(35)를 제어하는 압력 컨트롤러(37)에 의해 제어된다.
이러한 성막 장치(1)를 사용하여 패시베이션 공정을 행했다. 스테이지(11) 상에 시료(20)를 설치하고, 체임버(10) 내의 압력을 10㎩ 미만까지 감압한 후에 체임버(10) 내의 온도를 800℃로 승온했다. 그 후 밸브(32)를 개방 상태로 하고, 패시베이션 가스 급기용 배관(12)으로부터 체임버(10) 내에 패시베이션 가스를 101㎪의 압력으로 공급했다. 이 패시베이션 가스는 산소 가스와 황화수소 가스의 혼합 가스이며, 패시베이션 가스 중의 산소 가스의 농도는 60㏖ ppm이다. 이때 패시베이션 가스의 유량은 100sccm로 하고, 시료(20)의 표면에 패시베이션 막을 성막할 때의 체임버(10) 내의 압력은 67㎪로 했다. 또한, sccm는 0℃, 101.3㎪에 있어서의 유량(mL/min)을 나타낸다.
패시베이션 가스의 도입을 30분간 행하고, 온도 800℃, 압력 67㎪의 조건하에서 시료(20)의 표면을 유화하여 패시베이션 막을 성막하면 패시베이션 가스의 도입을 정지했다. 그리고 체임버(10)의 내부를 진공 펌프(38)에 의해 진공으로 하고, 불활성 가스 급기용 배관(13)으로부터 체임버(10) 내에 불활성 가스인 질소 가스를 공급해서 체임버(10)의 내부를 질소 가스로 치환했다. 그 후 체임버(10) 내의 온도를 실온으로 내리고 패시베이션 막을 성막한 시료(20)를 체임버(10)로부터 인출했다.
(실시예 2)
패시베이션 가스 중의 산소 가스의 농도를 30㏖ ppm으로 한 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 기판의 표면에 패시베이션 막을 성막했다.
(실시예 3)
패시베이션 가스 중의 산소 가스의 농도를 3.8㏖ ppm으로 한 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 기판의 표면에 패시베이션 막을 성막했다.
(실시예 4)
패시베이션 가스 중의 산소 가스의 농도를 0.75㏖ ppm으로 한 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 기판의 표면에 패시베이션 막을 성막했다.
(비교예 1)
패시베이션 가스 중의 산소 가스의 농도를 75㏖ ppm으로 한 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 기판의 표면에 패시베이션 막을 성막했다.
(비교예 2)
패시베이션 가스 중의 산소 가스의 농도를 150㏖ ppm으로 한 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 기판의 표면에 패시베이션 막을 성막했다.
(실시예 5)
시료(20)로서 실리콘 기판 상에 두께 150㎚의 실리콘 산화막이 형성되고, 또한 그 위에 두께 80㎚의 몰리브덴 막이 형성된 것을 사용한 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 기판의 표면에 패시베이션 막을 성막했다.
(실시예 6)
패시베이션 가스 중의 산소 가스의 농도를 30㏖ ppm으로 한 점 이외에는 실시예 5와 마찬가지로 해서 기판의 표면에 패시베이션 막을 성막했다.
(실시예 7)
패시베이션 가스 중의 산소 가스의 농도를 3.8㏖ ppm으로 한 점 이외에는 실시예 5와 마찬가지로 해서 기판의 표면에 패시베이션 막을 성막했다.
(실시예 8)
패시베이션 가스 중의 산소 가스의 농도를 0.75㏖ ppm으로 한 점 이외에는 실시예 5와 마찬가지로 해서 기판의 표면에 패시베이션 막을 성막했다.
(비교예 3)
패시베이션 가스 중의 산소 가스의 농도를 75㏖ ppm으로 한 점 이외에는 실시예 5와 마찬가지로 해서 기판의 표면에 패시베이션 막을 성막했다.
(비교예 4)
패시베이션 가스 중의 산소 가스의 농도를 150㏖ ppm으로 한 점 이외에는 실시예 5와 마찬가지로 해서 기판의 표면에 패시베이션 막을 성막했다.
실시예 1~8 및 비교예 1~4의 패시베이션 막을 성막한 시료(20)에 대하여 비행 시간형 2차 이온 질량 분석법(TOF-SIMS: Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)에 의한 분석을 행하고, 패시베이션 막이 형성된 게르마늄 막 또는 몰리브덴 막의 표면 상태를 분석했다. 각각의 패시베이션 막 중의 산화게르마늄(GeOx), 황화 게르마늄(GeSx), 산화몰리브덴(MoOx), 황화몰리브덴(MoSx)의 양을 표 1, 표 2 및 도 2, 도 3의 그래프에 나타낸다.
Figure pct00001
Figure pct00002
표 1, 표 2 및 도 2, 도 3의 그래프로부터 알 수 있는 바와 같이 패시베이션 가스 중의 산소 가스의 농도가 75㏖ ppm 이상인 비교예 1, 2, 3, 4는 시료(20)의 패시베이션 막 중의 황화물의 양에 대한 산화물의 양의 비율이 컸다. 이에 대하여 패시베이션 가스 중의 산소 가스의 농도가 75㏖ ppm 미만인 실시예 1~8은 시료(20)의 패시베이션 막 중의 황화물의 양에 대한 산화물의 양의 비율이 비교예에 비해 현저하게 작고, 실시예와 비교예 사이에 임계적 조건이 존재하는 것을 나타내는 결과이었다. 이렇게 산소 가스의 농도가 낮은 패시베이션 가스를 사용하여 처리함으로써 산화막의 생성을 억제하면서 황화막을 성막할 수 있는 것이 나타내어졌다.
1: 성막 장치
10: 체임버
11: 스테이지
12: 패시베이션 가스 급기용 배관
13: 불활성 가스 급기용 배관
15: 배기용 배관
20: 시료

Claims (5)

  1. 게르마늄 및 몰리브덴 중 적어도 한쪽을 표면에 갖는 기판을 분자 중에 산소 원자를 갖는 화합물인 산소 함유 화합물과 황화수소를 함유하는 패시베이션 가스로 처리하고, 황 원자를 함유하는 패시베이션 막을 상기 기판의 표면 상에 형성하는 패시베이션 공정을 구비하고,
    상기 패시베이션 가스 중의 상기 산소 함유 화합물의 농도가 0.001㏖ ppm 이상 75㏖ ppm 미만인 패시베이션 막의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 패시베이션 가스 중의 상기 산소 함유 화합물의 농도가 0.5㏖ ppm 이상 65㏖ ppm 이하인 패시베이션 막의 제조 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 산소 함유 화합물이 산소 가스 및 물 중 적어도 한쪽인 패시베이션 막의 제조 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 게르마늄 및 몰리브덴 중 적어도 한쪽을 함유하는 막을 표면에 갖는 패시베이션 막의 제조 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    온도 20℃ 이상 1500℃ 이하, 압력 1㎩ 이상 101㎪ 이하의 조건하에서 상기 기판을 상기 패시베이션 가스로 처리하는 패시베이션 막의 제조 방법.
KR1020227009094A 2019-12-17 2020-11-24 패시베이션 막의 제조 방법 KR20220046675A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019227381 2019-12-17
JPJP-P-2019-227381 2019-12-17
PCT/JP2020/043674 WO2021124810A1 (ja) 2019-12-17 2020-11-24 パッシベーション膜の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220046675A true KR20220046675A (ko) 2022-04-14

Family

ID=76477281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227009094A KR20220046675A (ko) 2019-12-17 2020-11-24 패시베이션 막의 제조 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20220246447A1 (ko)
EP (1) EP4080549A4 (ko)
JP (1) JPWO2021124810A1 (ko)
KR (1) KR20220046675A (ko)
CN (1) CN113840941A (ko)
IL (1) IL290573A (ko)
TW (1) TWI804787B (ko)
WO (1) WO2021124810A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114350996B (zh) * 2022-01-13 2022-08-19 郑州大学 一种镁锂合金表面钝化膜制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100207789B1 (ko) 1997-01-22 1999-07-15 윤종용 폴리건미러의 압착력유지장치

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2640521B2 (ja) * 1988-11-21 1997-08-13 日本パイオニクス株式会社 硫化水素の精製方法
US5958358A (en) * 1992-07-08 1999-09-28 Yeda Research And Development Co., Ltd. Oriented polycrystalline thin films of transition metal chalcogenides
DE69325055T2 (de) * 1992-07-08 2000-03-09 Yeda Res & Dev Orientierte polykristalline dünne Filme aus Übergangsmetallchalcogeniden
US5958816A (en) * 1997-02-28 1999-09-28 Tricat, Inc. Method of presulfiding and passivating a hydrocarbon conversion catalyst
JP2004536227A (ja) * 2001-07-17 2004-12-02 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 安定性増低濃度ガス、これを含む製品及びその製造方法
US7521376B2 (en) * 2005-10-26 2009-04-21 International Business Machines Corporation Method of forming a semiconductor structure using a non-oxygen chalcogen passivation treatment
CN102698794B (zh) * 2012-05-22 2014-07-16 韩钊武 一种煤焦油加氢复合催化剂的制备方法
US9558931B2 (en) * 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9373516B2 (en) * 2012-08-31 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming gate stack on Si, SiGe or Ge channels
WO2016007733A1 (en) * 2014-07-10 2016-01-14 Tokyo Electron Limited Gas phase oxide removal and passivation of germainium-containing semiconductors and compound semiconductors
US9412605B2 (en) * 2014-08-07 2016-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of removing oxide on semiconductor surface by layer of sulfur
CN104762588B (zh) * 2015-03-19 2018-03-13 中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院 一种评估硫铁化合物钝化效果的方法
JP2016207789A (ja) * 2015-04-20 2016-12-08 東京エレクトロン株式会社 パッシベーション処理方法、半導体構造の形成方法及び半導体構造
US20170073812A1 (en) * 2015-09-15 2017-03-16 Ultratech, Inc. Laser-assisted atomic layer deposition of 2D metal chalcogenide films
US9982141B2 (en) * 2016-01-06 2018-05-29 King Fahd University Of Petroleum And Minerals Corrosion resistant coating composition of Ni and a phosphate corrosion inhibitor and an electrodeposition method for the manufacture thereof
US10727073B2 (en) * 2016-02-04 2020-07-28 Lam Research Corporation Atomic layer etching 3D structures: Si and SiGe and Ge smoothness on horizontal and vertical surfaces
US11312625B2 (en) * 2016-06-22 2022-04-26 Showa Denko K.K Hydrogen sulfide mixture, method for producing same, and filling container
US10410943B2 (en) * 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US11469079B2 (en) * 2017-03-14 2022-10-11 Lam Research Corporation Ultrahigh selective nitride etch to form FinFET devices
US11270887B2 (en) * 2017-09-27 2022-03-08 Intel Corporation Passivation layer for germanium substrate
US10510883B2 (en) * 2017-11-28 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Asymmetric source and drain structures in semiconductor devices

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100207789B1 (ko) 1997-01-22 1999-07-15 윤종용 폴리건미러의 압착력유지장치

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
일본국 특허공개 공보 2017년 제61743호

Also Published As

Publication number Publication date
TWI804787B (zh) 2023-06-11
WO2021124810A1 (ja) 2021-06-24
CN113840941A (zh) 2021-12-24
TW202136544A (zh) 2021-10-01
EP4080549A1 (en) 2022-10-26
IL290573A (en) 2022-04-01
EP4080549A4 (en) 2023-07-26
US20220246447A1 (en) 2022-08-04
JPWO2021124810A1 (ko) 2021-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11594415B2 (en) PECVD tungsten containing hardmask films and methods of making
TWI815898B (zh) 蝕刻方法及蝕刻裝置
KR20010093751A (ko) 반도체 제조방법, 기판 처리방법 및 반도체 제조장치
US20120190215A1 (en) Film deposition method and film deposition apparatus
KR102419555B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR20220046675A (ko) 패시베이션 막의 제조 방법
KR102647983B1 (ko) 부착물 제거 방법 및 성막 방법
KR102346410B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
US20230009551A1 (en) Film formation method and film formation apparatus
CN110310885B (zh) 半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质
TW201717269A (zh) 自然氧化膜去除方法及自然氧化膜去除裝置
JP2008258614A (ja) 基板上への酸窒化物薄膜の成長方法
US20220157599A1 (en) Adhered substance removing method and film-forming method
CN113228235B (zh) 附着物除去方法和成膜方法
WO2022190889A1 (ja) 成膜方法および成膜システム
JP2006093240A (ja) 成膜方法
KR20070027274A (ko) 플래쉬 메모리 소자의 터널 산화막 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal