KR20220026395A - 폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예를 따르는 폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법은, 폴리비닐알코올(PVA) 혼합물에 기공형성제를 첨가하여 혼합물을 생성하는 단계; 상기 혼합물을 몰드에 주입하고 숙성하여 중공이 형성된 성형물을 생성하는 단계; 상기 성형물을 상기 몰드에서 탈형하는 단계; 상기 탈형한 성형물을 제1세정액으로 세척하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계; 상기 성형물을 일정한 크기로 절단하는 단계; 상기 절단한 성형물을 제2세정액으로 세척하여 잔류 기공형성제를 제거하는 단계; 상기 절단한 성형물의 중공에 코어(core)를 삽입하는 단계; 상기 코어가 삽입된 성형물을 고속회전 시켜 탈수하여 잔류 기공형성제를 제거하는 단계; 및 상기 코어가 삽입된 성형물을 방부처리하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 실시 예를 따르는 폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법은, 폴리비닐알코올(PVA) 혼합물에 기공형성제를 첨가하여 혼합물을 생성하는 단계; 상기 혼합물을 몰드에 주입하고 숙성하여 중공이 형성된 성형물을 생성하는 단계; 상기 성형물을 상기 몰드에서 탈형하는 단계; 상기 탈형한 성형물을 제1세정액으로 세척하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계; 상기 성형물을 일정한 크기로 절단하는 단계; 상기 절단한 성형물을 제2세정액으로 세척하여 잔류 기공형성제를 제거하는 단계; 상기 절단한 성형물의 중공에 코어(core)를 삽입하는 단계; 상기 코어가 삽입된 성형물을 고속회전 시켜 탈수하여 잔류 기공형성제를 제거하는 단계; 및 상기 코어가 삽입된 성형물을 방부처리하는 단계;를 포함한다.
Description
본 발명은 폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법에 관한 것이다.
폴리비닐아세탈은 폴리비닐알코올(PVA) 및 알데하이드의 아세탈화를 통해 얻을 수 있는 물이다. 폴리비닐아세탈은 내구성, 내약품성이 탁월할 뿐 아니라, 흡수성이 높아 다양한 산업분야에서 스폰지로 사용되고 있다. 이러한 특징으로 반도체 및 디스플레이 제조 시 반도체 기판 및 디스플레이 기판을 세정하는 공정의 세정용 브러쉬로 사용되어 왔다.
일반적으로, 폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법은, 원료인 폴리비닐알코올을 물과 혼합 및 가열하여 폴리비닐알코올 수용액을 얻고, 상기 수용액에 기공형성제 및 알데하이드를 혼합한 다음, 금형에 주입하고 가열하여 아세탈화시킨 후, 이를 금형에서 분리하여 용도에 따라 절삭 가공하는 단계를 포함한다.
종래의 폴리비닐아세탈 브러쉬는 기공형성제, 금속이온 등 불순물의 함량이 높아 불량이 발생하는 등의 문제가 있었다.
선행기술문헌인 한국공개특허공보 제10-2019-0033339호에는 PVA 브러쉬 내의 불순물을 제거하는 기술을 개시하고 있다.
본 발명의 목적은 기공형성제 등의 불순물을 효과적으로 제거할 수 있는 폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시 예를 따르는 폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법은, 폴리비닐알코올(PVA) 혼합물에 기공형성제를 첨가하여 혼합물을 생성하는 단계; 상기 혼합물을 몰드에 주입하고 숙성하여 중공이 형성된 성형물을 생성하는 단계; 상기 성형물을 상기 몰드에서 탈형하는 단계; 상기 탈형한 성형물을 제1세정액으로 세척하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계; 상기 성형물을 일정한 크기로 절단하는 단계; 상기 절단한 성형물을 제2세정액으로 세척하여 잔류 기공형성제를 제거하는 단계; 상기 절단한 성형물의 중공에 코어(core)를 삽입하는 단계; 상기 코어가 삽입된 성형물을 고속회전 시켜 탈수하여 잔류 기공형성제를 제거하는 단계; 및 상기 코어가 삽입된 성형물을 방부처리하는 단계;를 포함한다.
상기 탈형한 성형물을 제1세정액으로 세척하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계에서, 상기 제1세정액은 H2SO4 및 HF 중 어느 하나일 수 있다.
상기 절단한 성형물을 제2세정액으로 세척하여 잔류 기공형성제를 제거하는 단계에서, 상기 제2세정액은 H2SO4 및 HF 중 어느 하나 일 수 있다.
상기 성형물을 상기 몰드에서 탈형하는 단계 이후에, 상기 탈형한 성형물을 제3세정액으로 세정하여 잔류 PVA 부스러기를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 성형물을 일정한 크기로 절단하는 단계 이후에, 상기 절단한 성형물을 제4세정액으로 세정하여 잔류 금속이온을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 성형물을 일정한 크기로 절단하는 단계 이후에, 상기 절단한 성형물을 제5세정액으로 세정하여 음이온 및 음제타포텐셜을 가진 입자 중 어느 하나를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 성형물을 일정한 크기로 절단하는 단계 이후에, 상기 절단한 성형물을 제3세정액으로 세정하여 잔류 PVA 부스러기를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 탈형한 성형물을 제1세정액으로 세척하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계 이후에, 상기 성형물의 표면을 연마하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예를 따르는 폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법은 기공형성제 등의 불순물을 효과적으로 제거할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예를 따르는 폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법의 순서도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따라 제조된 폴리비닐아세탈 브러쉬의 사진이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따라 제조된 폴리비닐아세탈 브러쉬의 사진이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 다음과 같이 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 "포함"한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
본 발명의 실시 예를 따르는 폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법은, 폴리비닐알코올(PVA) 혼합물에 기공형성제를 첨가하여 혼합물을 생성하는 단계; 상기 혼합물을 몰드에 주입하고 숙성하여 중공이 형성된 성형물을 생성하는 단계; 상기 성형물을 상기 몰드에서 탈형하는 단계; 상기 탈형한 성형물을 제1세정액으로 세척하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계; 상기 성형물을 일정한 크기로 절단하는 단계; 상기 절단한 성형물을 제2세정액으로 세척하여 잔류 기공형성제를 제거하는 단계; 상기 절단한 성형물의 중공에 코어(core)를 삽입하는 단계; 상기 코어가 삽입된 성형물을 고속으로 탈수하여 잔류 기공형성제를 제거하는 단계; 및 상기 코어가 삽입된 성형물을 방부처리하는 단계;를 포함한다.
상기 폴리비닐알코올(PVA) 혼합물에 기공형성제를 첨가하여 혼합물을 생성하는 단계는 폴리비닐알코올(PVA) 혼합물에 기공형성제를 첨가하는 단계 및 여기에 알데하이드를 첨가하는 단계를 포함할 수 있으며, 여기에 산을 투입하는 단계를 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 단계는 물 및 폴리비닐알코올(PVA: polyvinyl alcohol)을 혼합하여 가열하여 제1혼합물을 형성하는 단계, 상기 제1혼합물에 기공형성제를 첨가하여 제2혼합물을 형성하는 단계, 상기 제2혼합물에 알데하이드 및 산을 첨가하여 제3혼합물을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 물 및 폴리비닐알코올을 혼합하여 제1혼합물을 형성하는 단계에서, 상기 폴리비닐알코올은 물 100중량부에 대하여 5 내지 20 중량부로 포함될 수 있다. 상기 함량 범위에서 폴리비닐알코올이 잘 혼합될 수 있고, 높은 탄력성과 인장력을 가지며, 내약품성이 우수하고, 정전기나 섬유질, 먼지의 발생이 없는 폴리비닐아세탈 브러쉬를 제작할 수 있다. 본 단계에서 가열 온도는 90℃ 이상일 수 있으며, 바람직하게 90 내지 100℃일 수 있다. 이 온도 범위에서 가열함으로써 폴리비닐알코올의 특성이 변질되지 않으면서 물에 잘 용해될 수 있다.
상기 제1혼합물에 기공형성제를 첨가하여 제2혼합물을 형성하는 단계에서 제1혼합물 100중량부에 대해 기공형성제를 2 내지 10중량부 첨가할 수 있다. 상기 함량 범위에서 기공형성제의 역할이 최대화되어 기공이 많아질 수 있고, 세척력이 우수한 폴리비닐아세탈 브러쉬가 만들어 질 수 있다. 본 단계에서 기공형성제는 감자 전분, 옥수수 전분이 사용될 수 있고, 기공형성제의 종류에 따라서 기공의 수나 기공의 크기가 달라 질 수 있다. 본 단계에서 제2혼합물을 30 내지 40℃로 냉각할 수 있다. 이를 통해 다음 단계인 아세탈화 반응이 효과적으로 일어나도록 준비할 수 있다.
상기 제2혼합물에 알데하이드 및 산을 첨가하여 제3혼합물을 형성하는 단계에서, 상기 제2혼합물 100중량부에 대해 알데히드 7 내지 15중량부 및 산 7 내지 15중량부를 첨가할 수 있다. 혼합을 위해 교반을 수행할 수 있으며, 교반시간은 10분 내지 60분, 바람직하게는 30분일 수 있다. 상기 제2혼합물에 용해된 폴리비닐알코올과 알데하이드 사이의 화학반응이 일어나면서 폴리비닐아세탈이 생성된다. 상기 화학반응은 가역반응으로 정반응과 역반응이 화학적으로 동시에 진행된다. 따라서 역반응을 억제하고 정반응을 유도하기 위해, 반응전 물질인 알데하이드를 첨가할 수 있다. 상기 산은 상기 폴리비닐아세탈을 형성하는 가역반응에 대해서 정반응을 촉진하는 촉매로서 기능을 수행한다. 상기 산은 아세탈화 반응에서 촉매로 사용하는 것이면 특별히 제한되지 않는다.
다음으로, 상기 혼합물을 몰드에 주입하고 숙성하여 중공이 형성된 성형물을 생성하는 단계를 수행한다.
상기 몰드는 똑같은 형태의 폴리비닐아세탈 브러쉬를 반복적으로 생산하기 위한 형틀로서 고분자 물질, 세라믹 또는 금속으로 만들어질 수 있다. 상기 몰드는 브러쉬의 중공 및 돌기를 형성하기 위해 적어도 2개의 중공형 틀이 겹쳐진 것일 수 있고, 복수의 음각 또는 양각 형상을 일정한 간격으로 포함할 수 있다.
상기 몰드에 혼합물을 주입하기 전까지는 혼합물을 믹서기 등을 이용한 교반을 유지하면서 주입하는 것이 바람직할 수 있다. 그 이유는 제5 혼합물을 구성하는 성분이 전체로서 균일하게 유지되기 위함이다.
상기 혼합물을 주입한 몰드를 오븐에 넣고 가열 및 숙성하여 성형물을 형성할 수 있다. 상기 혼합물을 주입한 금형을 넣은 오븐의 온도는 40 내지 80℃일 수 있다. 상기 온도 범위에서 형성되는 성형물의 일부가 찢어지거나, 구멍이 나거나, 연소되거나, 변색되는 불량품이 가장 적을 수 있다. 숙성하는 이유는 액체상태의 혼합물을 고체상태로 만들기 위함이다.
다음으로 상기 성형물을 상기 몰드에서 탈형하는 단계를 수행하며, 세척 및 탈수 공정을 추가로 수행할 수 있다. 상기 세척 및 탈수 공정을 통해 미반응 알데하이드 및 산을 용출할 수 있다.
상기 성형물을 상기 몰드에서 탈형하는 단계 이후에, 상기 탈형한 성형물을 제3세정액으로 세정하여 잔류 PVA 부스러기를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제3세정액은 IPA(isopropyl alcohol)일 수 있다. 본 과정에서 IPA가 담지된 욕조에 성형물을 담궈서 세정을 수행할 수 있으며, IPA를 외부에서 분사하여 세정을 수행할 수 있다.
상기 탈형한 성형물을 제1세정액으로 세척하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계를 수행할 수 있다. 브러쉬에 기공형성제가 잔류하는 경우, 반도체 및 디스플레이 세정 공정 중에 브러쉬로부터 기공형성제가 빠져나옴으로써 오히려 세정대상인 반도체 및 디스플레이 기반을 오염시킬 수 있다. 또한, 기공형성제가 기공을 막음으로써 브러쉬의 물성을 저하하는 원인이 될 수 있다. 본 단계에서 산을 통해 기공형성제를 제거함으로써 이러한 문제를 방지할 수 있다.
상기 제1세정액은 H2SO4 및 HF 중 어느 하나일 수 있다. 본 단계에서는 상기 성형물을 저농도로 희석된 산성 수용액(제1세정액)에 함침하는 단계 및 탈수 및 세척하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 저농도의 산성 수용액에서 감자전분 등의 기공형성제가 제거될 수 있다. 상기 산성 수용액에서 산의 농도가 높으면 상기 성형물에 구멍이 생기거나 변색이 되는 등 훼손이 일어날 수 있다. 본 단계에서 함침하는 시간은 1 내지 3시간일 수 있으며, 1시간 미만의 경우 기공형성제 제거 효과가 떨어지고, 3시간을 초과하는 경우에는 상기 성형물에 구멍이 생기거나 변색이 되는 등의 문제가 발생할 수 있다.
다음으로, 상기 성형물을 일정한 크기로 절단하는 단계를 수행한다. 본 단계는 회전톱날이나 이동식 칼날을 가진 절단기를 통해 수행될 수 있다.
다른 실시 예에서, 상기 탈형한 성형물을 제1세정액으로 세척하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계 이후에, 상기 성형물의 표면을 연마하는 단계를 더 포함할 수 있다. 몰드에서 탈형된 성형물의 표면 상태가 고르지 않거나, 돌기 크기가 일정하지 안는 경우에 수행할 수 있으며, 본 단계를 통해 일정한 크기, 탄성, 기공율, 평탄도를 가진 브러쉬를 제조할 수 있다. 본 단계는 연마석 또는 패드를 가진 연마기를 이용하여 수행될 수 있다.
다음으로, 상기 절단한 성형물을 제2세정액으로 세척하여 잔류 기공형성제를 제거하는 단계를 수행할 수 있다. 앞서 성형물을 일정한 크기로 절단하였기 때문에 절단부위를 통해 기공형성제를 보다 효과적으로 제거할 수 있다. 또한, 표면 연마를 수행한 경우라면 연마된 표면을 통해 기공형성제를 보다 효과적으로 제거할 수 있다. 본 단계에서 상기 제2세정액은 H2SO4 및 HF 중 어느 하나 일 수 있다. 본 단계는 회전축 및 세정액 분사기가 내부에 배치된 배스(bath)를 가진 세정기를 이용하여 수행될 수 있다. 성형물의 중공을 상기 회전축에 끼워 성형물을 회전시키고, 상기 성형물의 표면을 상기 세정액 분사기를 통해 제2세정액을 분사함으로써 세정을 수행할 수 있다. 제2세정액을 통해 기공형성제가 충분히 제거되면 세척수를 분사하여 상기 제2세정액을 제거할 수 있다. 또한, 탈수를 통해 성형물 내부의 제2세정액 및 세척수를 제거할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 성형물을 일정한 크기로 절단하는 단계 이후에, 상기 절단한 성형물을 제4세정액으로 세정하여 잔류 금속이온을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제4세정액은 HCL일 수 있으며, Fe, Al, Cu 등의 금속이온을 용해하여 제거할 수 있다. 이와 같은 금속이온은 반도체 및 디스플레이 제조 시 불량을 야기하는 불순물인 바, 본 단계를 수행함으로써 브러쉬에 의해 오염이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 본 단계는 앞서 설명한 세정기를 이용하여 수행될 수 있다. 본 단계 이후에 세척 및 탈수 공정을 적어도 한 번 수행하여 제4세정액을 제거할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 성형물을 일정한 크기로 절단하는 단계 이후에, 상기 절단한 성형물을 제5세정액으로 세정하여 음이온 및 음제타포텐셜을 가진 입자 중 어느 하나를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제5세정액은 NH4OH일 수 있다. 상기 음인온 등도 금속이온과 마찬가지로 반도체 및 디스플레이 제조 시 불량을 야기하는 불순물인 바, 본 단계를 수행함으로써 브러쉬에 의해 오염이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 본 단계는 앞서 설명한 세정기를 이용하여 수행될 수 있다. 본 단계 이후에 세척 및 탈수 공정을 적어도 한 번 수행하여 제5세정액을 제거할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 성형물을 일정한 크기로 절단하는 단계 이후에, 상기 절단한 성형물을 제3세정액으로 세정하여 잔류 PVA 부스러기를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제3세정액은 IPA일 수 있다. 상기 PVA 부스러기는 반도체 및 디스플레이 제조 시 불량을 야기하는 불순물인 바, 본 단계를 수행함으로써 브러쉬에 의해 오염이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 본 단계는 앞서 설명한 세정기를 이용하여 수행될 수 있다. 본 단계 이후에 세척 및 탈수 공정을 적어도 한 번 수행하여 제3세정액을 제거할 수 있다.
상기 절단한 성형물의 중공에 코어(core)를 삽입하는 단계를 수행할 수 있다. 상기 코어는 내식성을 가진 고분자 물질 또는 세라믹 물질로 된 것일 수 있으며, 성형물의 중공에 삽입될 수 있도록 원기둥 또는 다각형기둥 형상을 할 수 있다. 또한, 표면에 다수의 구멍을 가짐으로써 코어의 내부로 세정액 또는 세척수를 공급하여 상기 세정액 또는 세척수가 상기 구멍을 통해 브러쉬로 공급될 수 있도록 할 수 있다.
다음으로, 상기 코어가 삽입된 성형물을 고속회전시켜 탈수하여 잔류 기공형성제를 제거하는 단계를 수행한다.
본 단계에서 폴리비닐아세탈 브러쉬를 한 축을 중심으로 회전시켜 원심력을 통해 폴리비닐아세탈 브러쉬의 내부의 기공형성제를 외부로 배출할 수 있다. 성형체가 코어에 의해 지지되므로 보다 빠른 속도로 회전을 시킬 수 있어 원심력을 이용한 불순물 배출 효과를 배우 높일 수 있다. 이를 위해 한 축을 중심으로 회전하는 다수의 폴(pole)을 포함하는 고속 탈수기를 사용할 수 있다. 상기 다수의 폴에 폴리비닐아세탈 브러쉬의 코어를 끼워 넣고, 상기 고속 탈수기를 한 축을 중심으로 회전시킴으로써 다수의 폴리비닐아세탈 브러쉬를 효율적으로 탈수할 수 있다. 또한, 상기 다수의 폴(pole)은 각각의 중심을 중심으로 회전할 수 있다. 이경우 통해 폴리비닐아세탈 브러쉬는 폴(pole)을 중심으로 회전함과 동시에 고속 탈수기의 한 축을 중심으로 회전함으로써 탈수 효율을 높일 수 있으며, 폴리비닐아세탈 브러쉬 내부의 기공형성제를 외부로 배출시킬 수 있다.
본 단계에서 상기 고속 탈수기에서 회전하는 성형체의 표면으로 제1세정액을 분사할 수 있다. 이를 통해 기공형성제를 보다 효과적으로 제거할 수 있다.
상기 코어가 삽입된 성형물을 방부처리하는 단계는 상기 코어가 삽입된 성형물을 고속회전시켜 탈수하여 잔류 기공형성제를 제거하는 단계의 이전 또는 이후에 수행할 수 있다. 보다 바람직하게는 상기 코어가 삽입된 성형물을 고속회전시켜 탈수하여 잔류 기공형성제를 제거하는 단계 이후에 수행함으로써 탈수에 의해 방부액이 과도하게 제거되는 것을 방지할 수 있다. 상기 방부액은 이소 티아 졸론 화합물, 글루 타르 알데히드 및 제 4 급 암모늄 화합물 중 적어도 어느 하나일 수 있으며 특별히 제한되지 않는다.
폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조
도 2는 본 발명의 실시 예에 따라 제조된 폴리비닐아세탈 브러쉬의 사진이다. 상기 폴리비닐아세탈 브러쉬는 아래의 방법으로 제조된 것이다.
DIW 100중량부에 PVA 분말을 10중량부 첨가하여 95℃로 가열 및 교반하여 PVA를 DIW에 용해하였다. 이후 기공형성제로 감자전분을 PVA 혼합물 100중량부에 대해 5중량부 투입한 후 40℃가 될 때까지 냉각하였다. 이후 앞선 혼합물 100중량부에 대해 알데하이드 10중량부 및 산 10중량부를 첨가하고 교반하였다. 상기 혼합물을 몰드에 투입하고 상기 몰드를 오븐에 넣어 60℃에서 15시간 동안 숙성하였다. 이후 성형체를 몰드에서 탈형하여 HF에 담궈 세정한 후 세척 및 탈수를 반복하였다. 다음으로 성형물을 일정한 크기로 절단하고 HF를 분사하여 세정한 후 세척 및 탈수를 반복하였다. 다음으로 성형체의 중공에 원통형 코어를 삽입하고 고속 탈수기로 탈수한 후 방부처리하였다.
실험 예
본 발명의 실시 예의 효과를 입증하기 위해 일반 탈수기 및 고속 탈수기를 이용하여 탈수 공정을 수행한 경우 파티클 수를 비교하여 표 1에 기재하였다. 성형체의 제조방법은 앞서 설명한 폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조와 동일하게 수행하되, 탈수 공정까지 수행하였으며 방부처리를 하지 않았다. 또한, 실시 예의 경우에는 고속 탈수기를 이용하여 성형체의 코어를 폴(pole)에 끼워 고정한 후 회전시키면서 외부에서 제1세정액으로 HF를 분사하면서 탈수를 진행한 것이고, 비교 예는 회전운동하는 원통 내부에 성형체를 담지하여 상기 원통을 회전시켜 탈수시키는 일반 탈수기를 사용하여 탈수를 진행한 것이다. 파티클 수는 탈수 공정이 종료된 후 성형체에서 추출한 액체를 LPC(liquid particle counter)를 이용하여 파티클의 수를 분석하였다.
탈수 시간(hr) | 비교 예: 일반 탈수기 파티클 수(LPC) | 실시 예: 고속 탈수기 파티클 수(LPC) |
3 | 1083 | 298 |
6 | 1064 | 189 |
표 1의 결과를 참조하면, 고속 탈수기를 이용한 경우, 내부의 기공형성제가 다수 배출되기 때문에 우수한 파티클 감소 효과가 있음을 알 수 있다.
Claims (8)
- 폴리비닐알코올(PVA) 혼합물에 기공형성제를 첨가하여 혼합물을 생성하는 단계;
상기 혼합물을 몰드에 주입하고 숙성하여 중공이 형성된 성형물을 생성하는 단계;
상기 성형물을 상기 몰드에서 탈형하는 단계;
상기 탈형한 성형물을 제1세정액으로 세척하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계;
상기 성형물을 일정한 크기로 절단하는 단계;
상기 절단한 성형물을 제2세정액으로 세척하여 잔류 기공형성제를 제거하는 단계;
상기 절단한 성형물의 중공에 코어(core)를 삽입하는 단계;
상기 코어가 삽입된 성형물을 고속회전시켜 탈수하여 잔류 기공형성제를 제거하는 단계; 및
상기 코어가 삽입된 성형물을 방부처리하는 단계;를 포함하는,
폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 탈형한 성형물을 제1세정액으로 세척하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계에서,
상기 제1세정액은 H2SO4 및 HF 중 어느 하나인,
폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 절단한 성형물을 제2세정액으로 세척하여 잔류 기공형성제를 제거하는 단계에서,
상기 제2세정액은 H2SO4 및 HF 중 어느 하나인,
폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 성형물을 상기 몰드에서 탈형하는 단계 이후에,
상기 탈형한 성형물을 제3세정액으로 세정하여 잔류 PVA 부스러기를 제거하는 단계를 더 포함하는,
폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 성형물을 일정한 크기로 절단하는 단계 이후에,
상기 절단한 성형물을 제4세정액으로 세정하여 잔류 금속이온을 제거하는 단계를 더 포함하는,
폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 성형물을 일정한 크기로 절단하는 단계 이후에,
상기 절단한 성형물을 제5세정액으로 세정하여 음이온 및 음제타포텐셜을 가진 입자 중 어느 하나를 제거하는 단계를 더 포함하는,
폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 성형물을 일정한 크기로 절단하는 단계 이후에,
상기 절단한 성형물을 제3세정액으로 세정하여 잔류 PVA 부스러기를 제거하는 단계를 더 포함하는,
폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 탈형한 성형물을 제1세정액으로 세척하여 상기 기공형성제를 제거하는 단계 이후에,
상기 성형물의 표면을 연마하는 단계를 더 포함하는,
폴리비닐아세탈 브러쉬의 제조방법.
Priority Applications (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR20190033339A (ko) | 2017-09-21 | 2019-03-29 | 한양대학교 에리카산학협력단 | Pva 브러쉬 세정 방법 및 장치 |
KR20200005106A (ko) * | 2018-07-05 | 2020-01-15 | 주식회사 브러쉬텍 | 인체용 폴리비닐아세탈 스폰지의 제조방법 |
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- 2020-08-25 KR KR1020200107342A patent/KR102506522B1/ko active IP Right Grant
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