KR20220007764A - 센싱 동작을 수행하는 유기 발광 표시 장치, 및 유기 발광 표시 장치의 열화 센싱 방법 - Google Patents

센싱 동작을 수행하는 유기 발광 표시 장치, 및 유기 발광 표시 장치의 열화 센싱 방법 Download PDF

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Abstract

유기 발광 표시 장치는, 복수의 화소들을 포함하고, 복수의 화소들이 복수의 화소 블록들로 그룹화되는 표시 패널, 이전 구동 구간까지의 이전 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 비휘발성 메모리, 현재 구동 구간에서의 현재 블록 열화 정보들을 계산하고, 파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호에 응답하여 이전 누적 블록 열화 정보들에 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 열화 정보들을 계산하며, 현재 누적 블록 열화 정보들을 센싱 기준 열화량과 비교하여 복수의 화소 블록들 각각에 대한 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 컨트롤러, 및 복수의 화소 블록들 각각에 대한 센싱 동작을 선택적으로 수행하는 센싱 회로를 포함한다.

Description

센싱 동작을 수행하는 유기 발광 표시 장치, 및 유기 발광 표시 장치의 열화 센싱 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE PERFORMING A SENSING OPERATION, AND METHOD OF SENSING DEGRADATION OF AN ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 센싱 동작을 수행하는 유기 발광 표시 장치, 및 유기 발광 표시 장치의 열화 센싱 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치의 구동 시간이 증가됨에 따라, 상기 유기 발광 표시 장치에 포함된 복수의 화소들의 구동 트랜지스터들 및/또는 유기 발광 다이오드들이 열화될 수 있다. 이러한 구동 트랜지스터들의 열화 및/또는 유기 발광 다이오드들의 열화를 보상하도록, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 복수의 화소들의 상기 구동 트랜지스터들의 특성들 및/또는 상기 복수의 화소들의 상기 유기 발광 다이오드들의 특성들을 센싱하는 센싱 동작을 수행할 수 있다. 다만, 종래의 유기 발광 표시 장치는 상기 유기 발광 표시 장치에 포함된 전체 화소들에 대한 상기 센싱 동작을 수행하므로, 상기 센싱 동작을 수행하는 데에 긴 센싱 시간이 소요되는 문제가 있다.
본 발명의 일 목적은 센싱 시간을 단축시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 센싱 시간을 단축시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치의 열화 센싱 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 해결하고자 하는 과제는 상기 언급된 과제에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는, 복수의 화소들을 포함하고, 상기 복수의 화소들이 복수의 화소 블록들로 그룹화되는 표시 패널, 이전 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 비휘발성 메모리, 현재 구동 구간에서의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 블록 열화량들을 나타내는 현재 블록 열화 정보들을 계산하고, 파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 현재 누적 블록 열화 정보들을 계산하며, 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 컨트롤러, 및 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 센싱 동작을 선택적으로 수행하는 센싱 회로를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 컨트롤러는, 입력 영상 데이터를 상기 복수의 화소 블록들에 대한 복수의 블록 영상 데이터들로 구분하고, 복수의 프레임 구간들 각각에서의 상기 복수의 블록 영상 데이터들을 누적하여 상기 현재 구동 구간에서의 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 계산할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 컨트롤러는, 상기 복수의 블록 영상 데이터들에 상기 복수의 화소 블록들의 위치들에 따라 결정된 블록 위치 가중치들, 상기 복수의 화소 블록들의 구동 주파수들에 따라 결정된 구동 주파수 가중치들, 상기 복수의 화소 블록들의 발광 듀티들에 따라 결정된 발광 듀티 가중치들, 및 상기 표시 패널에 대한 글로벌 전류 변조 보정치 중 적어도 하나를 적용하여, 상기 현재 구동 구간에서의 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 계산할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 컨트롤러는, 파워-온을 나타내는 상기 파워 제어 신호에 응답하여 상기 비휘발성 메모리로부터 상기 이전 누적 블록 열화 정보들을 리드할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 컨트롤러는, 상기 현재 구동 구간에서의 상기 현재 누적 블록 열화 정보들이 다음 구동 구간에서 상기 이전 누적 블록 열화 정보들로 이용되도록, 상기 파워-오프를 나타내는 상기 파워 제어 신호에 응답하여 상기 비휘발성 메모리에 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 라이트할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 컨트롤러는, 상기 현재 누적 블록 열화 정보들 중 각 현재 누적 블록 열화 정보가 상기 센싱 기준 열화량 미만인 경우, 상기 복수의 화소 블록들 중 상기 각 현재 누적 블록 열화 정보에 상응하는 화소 블록에 대한 상기 센싱 동작이 수행되지 않는 것으로 결정하고, 상기 각 현재 누적 블록 열화 정보가 상기 센싱 기준 열화량 이상인 경우, 상기 각 현재 누적 블록 열화 정보에 상응하는 상기 화소 블록에 대한 상기 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 컨트롤러는, 다음 구동 구간에서 상기 이전 누적 블록 열화 정보들 중 상기 센싱 동작이 수행된 상기 화소 블록에 대한 이전 누적 블록 열화 정보가 초기 열화량을 나타내도록, 상기 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정된 상기 화소 블록에 대한 상기 각 현재 누적 블록 열화 정보를 상기 초기 열화량으로 리셋할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 비휘발성 메모리는 최초 구동 구간으로부터 상기 이전 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 이전 최종 누적 블록 열화 정보들을 더욱 저장하고, 상기 컨트롤러는 상기 파워-오프를 나타내는 상기 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 최종 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 최초 구동 구간으로부터 상기 현재 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 현재 최종 누적 블록 열화 정보들을 계산할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 컨트롤러는 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 수명 매니저를 포함하고, 상기 수명 매니저는, 상기 비휘발성 메모리로부터 리드된 상기 이전 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 이전 열화 저장 블록, 상기 비휘발성 메모리로부터 리드된 이전 최종 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 이전 최종 열화 저장 블록, 상기 현재 구동 구간에서의 상기 현재 블록 열화 정보들을 계산하는 현재 열화 계산 블록, 상기 이전 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 계산하는 열화 가산 블록, 상기 이전 최종 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 현재 최종 누적 블록 열화 정보들을 계산하는 최종 열화 가산 블록, 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 현재 열화 저장 블록, 상기 현재 최종 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 현재 최종 열화 저장 블록, 상기 센싱 기준 열화량을 저장하는 센싱 기준 저장 블록, 및 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 센싱 동작의 수행 여부를 결정하도록 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 상기 센싱 기준 열화량과 비교하고, 상기 현재 열화 저장 블록에 저장된 상기 현재 누적 블록 열화 정보들 중 상기 센싱 기준 열화량 이상인 현재 누적 블록 열화 정보를 리셋하는 열화 센싱 비교기를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 센싱 동작은 상기 복수의 화소 블록들 각각에 포함된 상기 복수의 화소들의 구동 트랜지스터들에 대한 트랜지스터 센싱 동작, 및 상기 복수의 화소 블록들 각각에 포함된 상기 복수의 화소들의 유기 발광 다이오드들에 대한 다이오드 센싱 동작 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 이전 누적 블록 열화 정보들은 상기 복수의 화소 블록들에 포함된 상기 복수의 화소들의 구동 트랜지스터들에 대한 상기 이전 구동 구간까지의 누적 블록 트랜지스터 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들, 및 상기 복수의 화소 블록들에 포함된 상기 복수의 화소들의 유기 발광 다이오드들에 대한 상기 이전 구동 구간까지의 누적 블록 다이오드 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 컨트롤러는, 상기 파워-오프를 나타내는 상기 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 계산하고, 상기 파워-오프를 나타내는 상기 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 계산할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 센싱 기준 열화량은 트랜지스터 센싱 기준 열화량 및 다이오드 센싱 기준 열화량을 포함하고, 상기 센싱 동작은 트랜지스터 센싱 동작 및 다이오드 센싱 동작을 포함하고, 상기 컨트롤러는, 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 상기 트랜지스터 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부를 결정하고, 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 상기 다이오드 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 컨트롤러는 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부 및 상기 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 수명 매니저를 포함하고, 상기 수명 매니저는, 상기 비휘발성 메모리로부터 리드된 상기 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 저장하는 이전 트랜지스터 열화 저장 블록, 상기 비휘발성 메모리로부터 리드된 상기 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 저장하는 이전 다이오드 열화 저장 블록, 상기 비휘발성 메모리로부터 리드된 이전 최종 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 이전 최종 열화 저장 블록, 상기 현재 구동 구간에서의 상기 현재 블록 열화 정보들을 계산하는 현재 열화 계산 블록, 상기 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 계산하는 트랜지스터 열화 가산 블록, 상기 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 계산하는 다이오드 열화 가산 블록, 상기 이전 최종 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 현재 최종 누적 블록 열화 정보들을 계산하는 최종 열화 가산 블록, 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 저장하는 현재 트랜지스터 열화 저장 블록, 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 저장하는 현재 다이오드 열화 저장 블록, 상기 현재 최종 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 현재 최종 열화 저장 블록, 상기 트랜지스터 센싱 기준 열화량을 저장하는 트랜지스터 센싱 기준 저장 블록, 상기 다이오드 센싱 기준 열화량을 저장하는 다이오드 센싱 기준 저장 블록, 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부를 결정하도록 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 상기 트랜지스터 센싱 기준 열화량과 비교하고, 상기 현재 트랜지스터 열화 저장 블록에 저장된 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들 중 상기 트랜지스터 센싱 기준 열화량 이상인 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보를 리셋하는 트랜지스터 열화 센싱 비교기, 및 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 결정하도록 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 상기 다이오드 센싱 기준 열화량과 비교하고, 상기 현재 다이오드 열화 저장 블록에 저장된 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들 중 상기 다이오드 센싱 기준 열화량 이상인 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보를 리셋하는 다이오드 열화 센싱 비교기를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는, 복수의 화소들을 포함하고, 상기 복수의 화소들이 복수의 화소 블록들로 그룹화되는 표시 패널, 이전 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 트랜지스터 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들, 상기 이전 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 다이오드 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들, 및 최초 구동 구간으로부터 상기 이전 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 이전 최종 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 비휘발성 메모리, 현재 구동 구간에서의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 블록 열화 정보들을 계산하고, 파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 계산하며, 상기 파워-오프를 나타내는 상기 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 계산하고, 상기 파워-오프를 나타내는 상기 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 최종 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 최종 누적 블록 열화 정보들을 계산하며, 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 트랜지스터 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부를 결정하고, 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 다이오드 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 컨트롤러, 및 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작을 선택적으로 수행하고, 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 다이오드 센싱 동작을 선택적으로 수행하는 센싱 회로를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 컨트롤러는 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부 및 상기 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 수명 매니저를 포함하고, 상기 수명 매니저는, 상기 비휘발성 메모리로부터 리드된 상기 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 저장하는 이전 트랜지스터 열화 저장 블록, 상기 비휘발성 메모리로부터 리드된 상기 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 저장하는 이전 다이오드 열화 저장 블록, 상기 비휘발성 메모리로부터 리드된 상기 이전 최종 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 이전 최종 열화 저장 블록, 상기 현재 구동 구간에서의 상기 현재 블록 열화 정보들을 계산하는 현재 열화 계산 블록, 상기 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 계산하는 트랜지스터 열화 가산 블록, 상기 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 계산하는 다이오드 열화 가산 블록, 상기 이전 최종 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 최종 누적 블록 열화 정보들을 계산하는 최종 열화 가산 블록, 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 저장하는 현재 트랜지스터 열화 저장 블록, 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 저장하는 현재 다이오드 열화 저장 블록, 상기 현재 최종 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 현재 최종 열화 저장 블록, 상기 트랜지스터 센싱 기준 열화량을 저장하는 트랜지스터 센싱 기준 저장 블록, 상기 다이오드 센싱 기준 열화량을 저장하는 다이오드 센싱 기준 저장 블록, 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부를 결정하도록 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 상기 트랜지스터 센싱 기준 열화량과 비교하고, 상기 현재 트랜지스터 열화 저장 블록에 저장된 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들 중 상기 트랜지스터 센싱 기준 열화량 이상인 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보를 리셋하는 트랜지스터 열화 센싱 비교기, 및 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 결정하도록 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 상기 다이오드 센싱 기준 열화량과 비교하고, 상기 현재 다이오드 열화 저장 블록에 저장된 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들 중 상기 다이오드 센싱 기준 열화량 이상인 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보를 리셋하는 다이오드 열화 센싱 비교기를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 열화 센싱 방법에서, 상기 유기 발광 표시 장치에 포함된 비휘발성 메모리로부터 이전 구동 구간까지의 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 열화 정보들이 리드되고, 현재 구동 구간에서의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 블록 열화량들을 나타내는 현재 블록 열화 정보들이 계산되며, 파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 현재 누적 블록 열화 정보들이 계산되고, 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 센싱 동작의 수행 여부가 결정되며, 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 센싱 동작이 선택적으로 수행된다.
일 실시예에서, 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 센싱 동작의 수행 여부를 결정하도록, 상기 현재 누적 블록 열화 정보들 중 각 현재 누적 블록 열화 정보가 상기 센싱 기준 열화량 미만인 경우, 상기 복수의 화소 블록들 중 상기 각 현재 누적 블록 열화 정보에 상응하는 화소 블록에 대한 상기 센싱 동작이 수행되지 않는 것으로 결정되고, 상기 각 현재 누적 블록 열화 정보가 상기 센싱 기준 열화량 이상인 경우, 상기 각 현재 누적 블록 열화 정보에 상응하는 상기 화소 블록에 대한 상기 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정되며, 상기 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정된 상기 화소 블록에 대한 상기 각 현재 누적 블록 열화 정보가 초기 열화량으로 리셋될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 비휘발성 메모리로부터 최초 구동 구간으로부터 상기 이전 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 이전 최종 누적 블록 열화 정보들이 리드되고, 상기 파워-오프를 나타내는 상기 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 최종 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 최초 구동 구간으로부터 상기 현재 구동 구간까지의 누적 블록 열화량들을 나타내는 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 최종 누적 블록 열화 정보들이 계산될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 비휘발성 메모리로부터 상기 이전 누적 블록 열화 정보들을 리드하도록, 상기 비휘발성 메모리로부터 상기 복수의 화소 블록들에 포함된 복수의 화소들의 구동 트랜지스터들에 대한 상기 이전 구동 구간까지의 누적 블록 트랜지스터 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들이 리드되고, 상기 비휘발성 메모리로부터 상기 복수의 화소 블록들에 포함된 상기 복수의 화소들의 유기 발광 다이오드들에 대한 상기 이전 구동 구간까지의 누적 블록 다이오드 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들이 리드될 수 있다. 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 계산하도록, 상기 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들이 계산되고, 상기 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들이 계산될 수 있다. 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 센싱 동작의 수행 여부를 결정하도록, 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 트랜지스터 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부가 결정되고, 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 다이오드 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 다이오드 센싱 동작의 수행 여부가 결정될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 열화 센싱 방법에서, 이전 누적 블록 열화 정보들에 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 열화 정보들이 계산되고, 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 센싱 동작의 수행 여부가 결정될 수 있다. 이에 따라, 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 센싱 동작이 선택적으로 수행됨으로써, 상기 센싱 동작이 수행되는 센싱 시간이 단축될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 열화 센싱 방법에서, 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들에 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들이 계산되고, 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들이 계산되며, 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 트랜지스터 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부가 결정되고, 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 다이오드 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 다이오드 센싱 동작의 수행 여부가 결정될 수 있다. 이에 따라, 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작이 선택적으로 수행되고, 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 다이오드 센싱 동작이 선택적으로 수행됨으로써, 상기 트랜지스터 센싱 동작 및/또는 상기 다이오드 센싱 동작이 수행되는 센싱 시간이 단축될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치에 포함된 화소의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 3은 표시 패널의 복수의 화소들이 복수의 화소 블록들로 그룹화되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치에서 컨트롤러가 비휘발성 메모리 장치에 대한 리드 동작 및 라이트 동작을 수행하는 일 예를 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치에 포함된 수명 매니저의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 열화 센싱 방법을 나타내는 순서도이다.
도 7은 현재 구동 구간에서 풀 블랙 패턴을 표시하는 표시 패널의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 8은 현재 구동 구간에서 풀 화이트 패턴을 표시하는 표시 패널의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 9는 현재 구동 구간에서 부분 화이트 패턴을 표시하는 표시 패널의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치에 포함된 수명 매니저의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 12는 트랜지스터 센싱 동작이 수행되는 화소의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 13은 다이오드 센싱 동작이 수행되는 화소의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 열화 센싱 방법을 나타내는 순서도이다.
도 15는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 블록도이고, 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치에 포함된 화소의 일 예를 나타내는 회로도이며, 도 3은 표시 패널의 복수의 화소들이 복수의 화소 블록들로 그룹화되는 일 예를 나타내는 도면이고, 도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치에서 컨트롤러가 비휘발성 메모리 장치에 대한 리드 동작 및 라이트 동작을 수행하는 일 예를 설명하기 위한 타이밍도이며, 도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치에 포함된 수명 매니저의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 표시 패널(110), 데이터 드라이버(120), 센싱 회로(130), 게이트 드라이버(140), 전력 관리 회로(150), 비휘발성 메모리(160) 및 컨트롤러(170)를 포함할 수 있다.
표시 패널(110)은 복수의 데이터 라인들(DL), 복수의 센싱 라인들(SL), 및 복수의 데이터 라인들(DL)과 복수의 센싱 라인들(SL)에 연결된 복수의 화소들(PX)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 센싱 라인들(SL)의 개수는 복수의 데이터 라인들(DL)와 동일할 수 있다. 다른 실시예에서, 복수의 센싱 라인들(SL)의 개수는 복수의 데이터 라인들(DL)와 다를 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(110)은 세 개의 데이터 라인들(DL)마다 하나의 센싱 라인(SL)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 표시 패널(110)은 복수의 화소들(PX)에 스캔 신호들(SC)을 전송하기 위한 복수의 스캔 신호 라인들, 및 복수의 화소들(PX)에 스캔 신호들(SC)을 전송하기 위한 복수의 센싱 신호 라인들을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 각 화소(PX)는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; OLED)를 포함하고, 표시 패널(110)은 OLED 표시 패널일 수 있다.
예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 각 화소(PX)는 구동 트랜지스터(TDR), 제1 스위칭 트랜지스터(TSW1), 제2 스위칭 트랜지스터(TSW2), 저장 커패시터(CST) 및 유기 발광 다이오드(EL)를 포함할 수 있다.
저장 커패시터(CST)는 데이터 라인(DL)을 통하여 전송된 데이터 신호(DS)를 저장할 수 있다. 일 실시예에서, 저장 커패시터(CST)는 구동 트랜지스터(TDR)의 게이트에 연결된 제1 전극, 및 구동 트랜지스터(TDR)의 소스에 연결된 제2 전극을 가질 수 있다.
제1 스위칭 트랜지스터(TSW1)는 스캔 신호(SC)에 응답하여 데이터 라인(DL)을 저장 커패시터(CST)의 상기 제1 전극에 연결할 수 있다. 즉, 제1 스위칭 트랜지스터(TSW1)는 스캔 신호(SC)에 응답하여 데이터 라인(DL)의 데이터 신호(DS)를 저장 커패시터(CST)의 상기 제1 전극에 전송할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 스위칭 트랜지스터(TSW1)는 스캔 신호(SC)를 수신하는 게이트, 데이터 라인(DL)에 연결된 드레인, 및 저장 커패시터(CST)의 상기 제1 전극과 구동 트랜지스터(TDR)의 상기 게이트에 연결된 소스를 가질 수 있다.
제2 스위칭 트랜지스터(TSW2)는 센싱 신호(SS)에 응답하여 센싱 라인(SL)을 저장 커패시터(CST)의 상기 제2 전극 및 구동 트랜지스터(TDR)의 소스에 연결할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 스위칭 트랜지스터(TSW2)는 센싱 신호(SS)를 수신하는 게이트, 구동 트랜지스터(TDR)의 상기 소스에 연결된 드레인, 및 센싱 라인(SL)에 연결된 소스를 가질 수 있다.
구동 트랜지스터(TDR)는 저장 커패시터(CST)에 저장된 데이터 신호(DS)에 기초하여 구동 전류를 생성할 수 있다. 일 실시예에서, 구동 트랜지스터(TDR)는 저장 커패시터(CST)의 상기 제1 전극에 연결된 게이트, 제1 전원 전압(ELVDD)(예를 들어, 고 전원 전압)을 수신하는 드레인, 및 저장 커패시터(CST)의 상기 제2 전극과 제2 스위칭 트랜지스터(TSW2)의 상기 드레인에 연결된 소스를 가질 수 있다.
유기 발광 다이오드(EL)는 구동 트랜지스터(TDR)에 의해 생성된 상기 구동 전류에 응답하여 발광할 수 있다. 일 실시예에서, 유기 발광 다이오드(EL)는 구동 트랜지스터(TDR)의 상기 소스에 연결된 애노드, 및 제2 전원 전압(ELVSS)(예를 들어, 저 전원 전압)을 수신하는 캐소드를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 구동 트랜지스터(TDR), 제1 스위칭 트랜지스터(TSW1) 및 제2 스위칭 트랜지스터(TSW2)가 NMOS 트랜지스터들로 구현될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 실시예들에 따른 화소(PX)은 도 2에 도시된 예시적인 구성에 한정되지 않고 다양한 구성을 가질 수 있다. 또한, 다른 실시예에서, 표시 패널(110)은 무기 발광 다이오드(inorganic light emitting diode) 표시 패널 또는 양자점 발광 다이오드(quantum dot light emitting diode) 표시 패널이거나, LCD(Liquid Crystal Display) 패널이거나, 또는 다른 임의의 적합한 표시 패널일 수 있다.
일 실시예에서, 표시 패널(110)의 복수의 화소들(PX)은 복수의 화소 블록들로 그룹화되고, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 센싱 동작(예를 들어, 트랜지스터 센싱 동작 및/또는 다이오드 센싱 동작)은 각 화소 블록별로 선택적으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 표시 패널(110)은 각각이 복수의 화소들(PX)을 포함하는 M*N개(M 및 N은 2 이상의 정수들)의 화소 블록들(PB)로 구분될 수 있다. 여기서, 화소 블록(PB)은 상기 센싱 동작이 수행되는지 여부가 결정되는 논리적인 그룹이고, 화소 블록들(PB)이 서로 물리적으로 구별되지 않을 수 있다.
데이터 드라이버(120)는 컨트롤러(170)로부터 수신된 출력 영상 데이터(ODAT) 및 데이터 제어 신호(DCTRL)에 기초하여 데이터 신호들(DS)을 생성하고, 복수의 데이터 라인들(DL)을 통하여 복수의 화소들(PX)에 데이터 신호들(DS)을 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 데이터 제어 신호(DCTRL)는 출력 데이터 인에이블 신호, 수평 개시 신호 및 로드 신호를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 일 실시예에서, 컨트롤러(170)는 상기 트랜지스터 센싱 동작 및/또는 상기 다이오드 센싱 동작에 의해 센싱된 구동 트랜지스터(TDR)의 구동 특성 및/또는 유기 발광 다이오드(EL)의 전압-전류 특성에 기초하여 입력 영상 데이터(IDAT)를 보정하고, 데이터 드라이버(120)는 컨트롤러(170)로부터 출력 영상 데이터(ODAT)로서 상기 보정된 입력 영상 데이터(IDAT)를 수신할 수 있다. 일 실시예에서, 데이터 드라이버(120) 및 센싱 회로(130)는 하나 이상의 동일한 집적 회로들로 구현될 수 있다. 이러한 데이터 드라이버(120) 및 센싱 회로(130)를 포함하는 집적 회로는 독출-소스 드라이버 집적 회로(Readout-Source driver Integrated Circuit; RSIC)로 불릴 수 있다. 다른 실시예에서, 데이터 드라이버(120) 및 컨트롤러(170)는 단일한 집적 회로로 구현될 수 있고, 이러한 집적 회로는 타이밍 컨트롤러 임베디드 데이터 드라이버(Timing controller Embedded Data driver; TED) IC로 불릴 수 있다. 또 다른 실시예에서, 데이터 드라이버(120), 센싱 회로(130) 및 컨트롤러(170)는 별개의 집적 회로들로 구현될 수 있다.
센싱 회로(130)는 표시 패널(110)의 복수의 센싱 라인들(SL)에 연결되고, 복수의 센싱 라인들(SL)을 통하여 복수의 화소들(PX)에 대한 상기 센싱 동작을 수행할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서, 센싱 회로(130)는 각 화소 블록(PB)에 대한 상기 센싱 동작을 선택적으로 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 센싱 회로(130)에 의해 수행되는 각 화소 블록(PB)에 대한 상기 센싱 동작은 도 12에 도시된 바와 같이 화소 블록(PX)에 포함된 복수의 화소들(PX)의 구동 트랜지스터들(TDR)의 구동 특성들(예를 들어, 문턱 전압들(VTH) 및/또는 이동도(mobility))을 센싱하는 트랜지스터 센싱 동작, 및/또는 도 13에 도시된 바와 같이 화소 블록(PX)에 포함된 복수의 화소들(PX)의 유기 발광 다이오드들(EL)의 특성들(예를 들어, 전압(VREF)-전류(IEL) 특성들)을 센싱하는 다이오드 센싱 동작을 포함할 수 있다.
게이트 드라이버(140)는 컨트롤러(170)로부터 게이트 제어 신호(GCTRL)를 수신하고, 전력 관리 회로(150)로부터 하이 게이트 전압(VGH) 및 로우 게이트 전압(VGL)을 수신하며, 게이트 제어 신호(GCTRL), 하이 게이트 전압(VGH) 및 로우 게이트 전압(VGL)에 기초하여 복수의 화소들(PX)에 스캔 신호들(SS) 및/또는 센싱 신호들(SS)을 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 게이트 제어 신호(GCTRL)는 스캔 시작 신호 및 스캔 클록 신호를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 일 실시예에서, 게이트 드라이버(140)는 표시 패널(110)의 주변부에 집적 또는 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 게이트 드라이버(140)는 하나 이상의 집적 회로들로 구현될 수 있다.
전력 관리 회로(150)는 유기 발광 표시 장치(100)의 구동을 위한 전압들(VIN, VGH, VGL, ELVDD, ELVSS)을 생성할 수 있다. 일 실시예에서, 전력 관리 회로(150)는 컨트롤러(170)를 위한 전원 전압(VIN), 게이트 드라이버(140)를 위한 하이 및 로우 게이트 전압들(VGH, VGL), 및 표시 패널(110)을 위한 고 및 저 전원 전압들(ELVDD, ELVSS)을 생성할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 일 실시예에서, 전력 관리 회로(150)는 적어도 하나의 집적 회로로 구현될 수 있고, 이러한 집적 회로는 전력 관리 집적 회로(Power Management Integrated Circuit; PMIC)로 불릴 수 있다. 다른 실시예에서, 전력 관리 회로(150)는 컨트롤러(170)에 포함될 수 있다.
비휘발성 메모리(160)는 이전 구동 구간까지의 복수의 화소 블록들(PB)에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI)을 저장할 수 있다. 예를 들어, 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI)은 상기 센싱 동작이 수행된 직후의 구동 구간으로부터 현재 구동 구간의 직전 구동 구간까지의 복수의 화소 블록들(PB)의 누적 블록 열화량들을 나타낼 수 있다. 즉, 각 이전 누적 블록 열화 정보(PABDI)가 나타내는 상응하는 화소 블록(PB)의 상기 누적 블록 열화량은 상기 센싱 동작이 수행된 직후의 구동 구간으로부터 상기 직전 구동 구간까지 구동 구간들에서의 상기 상응하는 화소 블록(PB)의 블록 열화량들이 누적 또는 합산됨으로써 계산될 수 있다. 일 실시예에서, 비휘발성 메모리(160)는 유기 발광 표시 장치(100)가 제조된 후 첫 번째 구동 구간인 최초 구동 구간으로부터 상기 이전 구동 구간까지의 복수의 화소 블록들(PB)에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 이전 최종 누적 블록 열화 정보들(PFABDI)을 더욱 저장할 수 있다. 예를 들어, 각 이전 최종 누적 블록 열화 정보(PFABDI)가 나타내는 상응하는 화소 블록(PB)의 상기 누적 블록 열화량은 상기 최초 구동 구간으로부터 상기 직전 구동 구간까지의 구동 구간들에서의 상기 상응하는 화소 블록(PB)의 블록 열화량들이 누적 또는 합산됨으로써 계산될 수 있다. 또한, 일 실시예에서, 비휘발성 메모리(160)는 상기 센싱 동작에 의해 센싱된 각 화소(PX)의 특성(또는 특성의 열화량)을 더욱 저장할 수 있다. 예를 들어, 센싱 회로(130)는 화소 블록(PB)에 포함된 복수의 화소들(PX)의 구동 트랜지스터들(TDR)에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작, 및/또는 화소 블록(PX)에 포함된 복수의 화소들(PX)의 유기 발광 다이오드들(EL)에 대한 상기 다이오드 센싱 동작을 수행하고, 비휘발성 메모리(160)는 상기 트랜지스터 센싱 동작에 의해 센싱된 구동 트랜지스터들(TDR)의 특성들(또는 특성의 열화량들), 및/또는 상기 다이오드 센싱 동작에 의해 센싱된 유기 발광 다이오드들(EL)의 특성들(또는 특성의 열화량들)을 더욱 저장할 수 있다.
컨트롤러(170)(예를 들어, 타이밍 컨트롤러(Timing Controller; TCON))는 외부의 호스트 프로세서(예를 들어, 그래픽 처리 유닛(Graphic Processing Unit; GPU) 또는 그래픽 카드)로부터 입력 영상 데이터(IDAT) 및 제어 신호(CTRL)를 제공받을 수 있다. 일 실시예에서, 입력 영상 데이터(IDAT)는 적색 영상 데이터, 녹색 영상 데이터 및 청색 영상 데이터를 포함하는 RGB 영상 데이터일 수 있다. 일 실시예에서, 제어 신호(CTRL)는 유기 발광 표시 장치(100)의 파워-온 또는 파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하이 레벨을 가지는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)는 유기 발광 표시 장치(100)의 상기 파워-온을 나타내고, 로우 레벨을 가지는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)는 유기 발광 표시 장치(100)의 상기 파워-오프를 나타낼 수 있다. 또한, 일 실시예에서, 제어 신호(CTRL)는 수직 동기 신호, 수평 동기 신호, 입력 데이터 인에이블 신호, 마스터 클록 신호 등을 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 컨트롤러(170)는 비휘발성 메모리(160)에 저장된 구동 트랜지스터들(TDR)의 특성들(또는 특성의 열화량들) 및/또는 유기 발광 다이오드들(EL)의 특성들(또는 특성의 열화량들)에 기초하여 입력 영상 데이터(IDAT)를 보정하여 출력 영상 데이터(ODAT)를 생성할 수 있다. 이러한 출력 영상 데이터(ODAT)에 기초하여 생성된 데이터 신호들(DS)은 구동 트랜지스터들(TDR)의 열화 및/또는 유기 발광 다이오드들(EL)의 열화를 보상할 수 있다. 컨트롤러(170)는 게이트 드라이버(140)에 게이트 제어 신호(GCTRL)를 제공하여 게이트 드라이버(140)의 동작을 제어하고, 데이터 드라이버(120)에 출력 영상 데이터(ODAT) 및 데이터 제어 신호(DCTRL)를 제공하여 데이터 드라이버(120)의 동작을 제어할 수 있다. 또한, 컨트롤러(170)는 센싱 회로(130)에 복수의 화소 블록들(PX) 각각에 대한 상기 센싱 동작의 수행 여부를 나타내는 블록 센싱 인에이블 신호(BLK_SEN_EN)를 생성하고, 센싱 회로(130)는 블록 센싱 인에이블 신호(BLK_SEN_EN)에 응답하여 각 화소 블록(PB)에 대한 상기 센싱 동작을 선택적으로 수행할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서, 컨트롤러(170)는 복수의 화소 블록들(PX) 각각에 대한 상기 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 수명 매니저(200)를 포함할 수 있다. 수명 매니저(200)는 비휘발성 메모리(160)로부터 상기 이전 구동 구간까지의 복수의 화소 블록들(PB)에 대한 상기 누적 블록 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI)을 리드하고, 현재 구동 구간에서의 복수의 화소 블록들(PB)에 대한 블록 열화량들을 나타내는 현재 블록 열화 정보들을 계산하며, 상기 현재 구동 구간의 종료 시점에서 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI)에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 구동 구간까지의 복수의 화소 블록들(PX)에 대한 상기 누적 블록 열화량들을 나타내는 현재 누적 블록 열화 정보들을 계산하고, 비휘발성 메모리(160)에 다음 구동 구간에서 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI)로 이용되도록 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 라이트할 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)가 유기 발광 표시 장치(100)의 상기 파워-온을 나타내는 상기 하이 레벨을 가지는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)를 수신하면, 전력 관리 회로(150)는 컨트롤러(170)를 위한 전원 전압(VIN)을 생성하고, 수명 매니저(200)는 리드 구간(RP)에서 비휘발성 메모리(160)로부터 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI)을 리드할 수 있다. 또한, 상기 파워-온을 나타내는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)에 응답하여 유기 발광 표시 장치(100)가 구동하는 현재 구동 구간(CDP)이 개시될 수 있다. 현재 구동 구간(CDP)의 종료 시점에서, 즉 유기 발광 표시 장치(100)가 유기 발광 표시 장치(100)의 상기 파워-오프 나타내는 상기 로우 레벨을 가지는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)를 수신하면, 수명 매니저(200)는 상기 파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)에 응답하여 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI)에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 계산하고, 라이트 구간(WP)에서 비휘발성 메모리(160)에 상기 다음 구동 구간에서 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI)로 이용되도록 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 라이트할 수 있다. 한편, 도 4에는 리드 구간(RP)이 현재 구동 구간(CDP)의 초기 구간에 상응하는 예가 도시되어 있으나, 리드 구간(RP)은 도 4의 예에 한정되지 않고, 현재 구동 구간(CDP) 내의 임의의 구간일 수 있다. 예를 들어, 리드 구간(RP)이 현재 구동 구간(CDP)의 종료 시점에 개시되고, 라이트 구간(WP)은 리드 구간(RP) 후에 개시될 수 있다.
또한, 수명 매니저(200)는 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 센싱 기준 열화량과 비교하여 복수의 화소 블록들(PX) 각각에 대한 상기 센싱 동작의 수행 여부를 결정할 수 있다. 일 실시예에서, 각 화소 블록에 대한 상기 센싱 동작의 수행 여부를 결정하도록, 도 5에 도시된 바와 같이, 수명 매니저(200)는 이전 열화 저장 블록(210), 이전 최종 열화 저장 블록(230), 현재 열화 계산 블록(240), 열화 가산 블록(215), 최종 열화 가산 블록(235), 현재 열화 저장 블록(250), 현재 최종 열화 저장 블록(290), 센싱 기준 저장 블록(255) 및 열화 센싱 비교기(260)을 포함할 수 있다.
수명 매니저(200)는 비휘발성 메모리(160)로부터 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI) 및 이전 최종 누적 블록 열화 정보들(PFABDI)을 리드하고, 이전 열화 저장 블록(210)는 비휘발성 메모리(160)로부터 리드된 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI)을 저장하고, 이전 최종 열화 저장 블록(230)은 비휘발성 메모리(160)로부터 리드된 이전 최종 누적 블록 열화 정보들(PFABDI)을 저장할 수 있다. 일 실시예에서, 수명 매니저(200)는 상기 파워-온을 나타내는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)에 응답하여 비휘발성 메모리(160)로부터 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI) 및 이전 최종 누적 블록 열화 정보들(PFABDI)을 리드할 수 있다. 따라서, 수명 매니저(200)는 현재 구동 구간(CDP)의 상기 초기 구간에 상응하는 리드 구간(RP)에서 비휘발성 메모리(160)에 대한 리드 동작을 수행할 수 있다.
현재 열화 계산 블록(240)은 현재 구동 구간(CDP)에서의 복수의 화소 블록들(PX)에 대한 상기 블록 열화량들을 나타내는 상기 현재 블록 열화 정보들을 계산할 수 있다. 일 실시예에서, 현재 열화 계산 블록(240)은 표시 패널(110)에 대한 입력 영상 데이터(IDAT)를 복수의 화소 블록들(PX)에 대한 복수의 블록 영상 데이터들로 구분할 수 있다. 각 화소 블록(PX)에 대한 상기 현재 블록 열화 정보를 계산하도록, 현재 열화 계산 블록(240)은 현재 구동 구간(CDP)의 복수의 프레임 구간들 각각에서의 상기 화소 블록(PX)에 대한 복수의 블록 영상 데이터들의 대표 계조 레벨들(예를 들어, 평균 계조 레벨들, 최대 계조 레벨들, 합산 계조 레벨들 등)을 누적 또는 합산할 수 있다. 따라서, 현재 구동 구간(CDP)에서 고 계조 레벨들을 나타내는 블록 영상 데이터들에 기초하여 구동된 화소 블록(PX)의 상기 블록 열화량, 즉 상기 현재 블록 열화 정보는 현재 구동 구간(CDP)에서 저 계조 레벨들을 나타내는 블록 영상 데이터들에 기초하여 구동된 화소 블록(PX)의 상기 블록 열화량, 즉 상기 현재 블록 열화 정보보다 클 수 있다.
일 실시예에서, 현재 열화 계산 블록(240)은, 상기 복수의 블록 영상 데이터들에 복수의 화소 블록들(PB)의 위치들에 따라 결정된 블록 위치 가중치들(W_P), 복수의 화소 블록들(PX)의 구동 주파수들에 따라 결정된 구동 주파수 가중치들(W_F), 복수의 화소 블록들의 발광 듀티들에 따라 결정된 발광 듀티 가중치들(W_D), 및 표시 패널(110)에 대한 글로벌 전류 변조 보정치(W_GCM) 중 적어도 하나를 적용하여, 현재 구동 구간(CDP)에서의 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 계산할 수 있다. 예를 들어, 복수의 화소 블록들(PB)은 이들의 위치들에 따라 서로 다른 블록 위치 가중치들(W_P)을 가질 수 있고, 블록 위치 가중치들(W_P)은 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 시 표시 패널(110)의 특성에 따라 결정될 수 있다. 또한, 예를 들어, 구동 주파수 가중치들(W_F)은 복수의 화소 블록들(PX)의 구동 주파수들이 증가될수록 증가되고, 상기 현재 누적 블록 열화 정보들은 구동 주파수 가중치들(W_F)이 증가될수록 증가될 수 있다. 실시예들에 따라, 복수의 화소 블록들(PX)은 일 시점에서 동일한 구동 주파수로 구동되거나, 서로 다른 구동 주파수들로 구동될 수 있다. 복수의 화소 블록들(PX)이 동일한 구동 주파수로 구동되는 경우, 복수의 화소 블록들(PX)에 대한 구동 주파수 가중치들(W_F)은 동일한 값을 가질 수 있다. 또한, 예를 들어, 발광 듀티 가중치들(W_D)은 복수의 화소 블록들(PX)의 발광 듀티들이 증가될수록 증가되고, 상기 현재 누적 블록 열화 정보들은 발광 듀티 가중치들(W_D)이 증가될수록 증가될 수 있다. 실시예들에 따라, 복수의 화소 블록들(PX)은 일 시점에서 동일한 발광 듀티로 구동되거나, 서로 다른 발광 듀티들로 구동될 수 있다. 복수의 화소 블록들(PX)이 동일한 발광 듀티로 구동되는 경우, 복수의 화소 블록들(PX)에 대한 발광 듀티 가중치들(W_D)은 동일한 값을 가질 수 있다. 또한, 표시 패널(110)의 패널 전류가 일정 기준 전류 이상인 경우, 상기 패널 전류가 감소되도록 글로벌 전류 변조(Global Current Modulation; GCM)가 수행될 수 있고, 글로벌 전류 변조 보정치(W_GCM)는 상기 글로벌 전류 변조의 레벨 또는 상기 패널 전류의 감소량에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어, 상기 패널 전류의 감소량이 증가함에 따라 글로벌 전류 변조 보정치(W_GCM)가 감소되고, 상기 현재 누적 블록 열화 정보들은 글로벌 전류 변조 보정치(W_GCM)가 감소될수록 감소될 수 있다. 한편, 복수의 화소 블록들(PX)에 대하여 동일한 글로벌 전류 변조 보정치(W_GCM)가 적용될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
열화 가산 블록(215)은 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI)에 현재 블록 열화 정보들(CBDI)을 가산하여 상기 센싱 동작이 수행된 직후의 구동 구간으로부터 상기 현재 구동 구간까지의 복수의 화소 블록들(PX)에 대한 상기 누적 블록 열화량들을 나타내는 현재 누적 블록 열화 정보들(CABDI)을 계산하고, 현재 열화 저장 블록(250)은 열화 가산 블록(215)에 의해 계산된 현재 누적 블록 열화 정보들(CABDI)을 저장할 수 있다. 또한, 최종 열화 가산 블록(235)은 이전 최종 누적 블록 열화 정보들(PFABDI)에 현재 블록 열화 정보들(CBDI)을 가산하여 상기 최초 구동 구간으로부터 상기 현재 구동 구간까지의 복수의 화소 블록들(PX)에 대한 상기 누적 블록 열화량들을 나타내는 현재 최종 누적 블록 열화 정보들(CFABDI)을 계산하고, 현재 최종 열화 저장 블록(290)은 최종 열화 가산 블록(235)에 의해 계산된 현재 최종 누적 블록 열화 정보들(CFABDI)을 저장할 수 있다. 일 실시예에서, 열화 가산 블록(215)에 의한 현재 누적 블록 열화 정보들(CABDI)의 계산 및 최종 열화 가산 블록(235)에 의한 현재 최종 누적 블록 열화 정보들(CFABDI)의 계산은 상기 파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)에 응답하여 수행될 수 있다. 한편, 유기 발광 표시 장치(100)가 제조된 후로부터 각 화소 블록(PX)에 대한 상기 센싱 동작이 수행되기 전까지, 상기 화소 블록(PX)에 대한 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI)는 상기 화소 블록(PX)에 대한 현재 최종 누적 블록 열화 정보(CFABDI)와 동일할 수 있다. 그러나, 상기 화소 블록(PX)에 대한 상기 센싱 동작이 수행되면, 상기 화소 블록(PX)에 대한 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI)가 리셋되고, 상기 화소 블록(PX)에 대한 현재 최종 누적 블록 열화 정보(CFABDI)와 달라질 수 있다.
센싱 기준 저장 블록(255)은 센싱 기준 열화량(SRDA)을 저장하고, 열화 센싱 비교기(260)는 현재 누적 블록 열화 정보들(CFABDI)을 센싱 기준 저장 블록(255)에 저장된 센싱 기준 열화량(SRDA)과 비교하여 복수의 화소 블록들(PB) 각각에 대한 상기 센싱 동작의 수행 여부를 결정할 수 있다. 일 실시예에서, 열화 센싱 비교기(260)는 상기 파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)에 응답하여 현재 누적 블록 열화 정보들(CFABDI)과 센싱 기준 열화량(SRDA)의 비교 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, 열화 센싱 비교기(260)는, 각 화소 블록(PX)에 대한 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI)(또는 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI)가 나타내는 상기 누적 블록 열화량)가 센싱 기준 열화량(SRDA) 미만인 경우, 상기 화소 블록(PX)에 대한 상기 센싱 동작이 수행되지 않는 것으로 결정하고, 각 화소 블록(PX)에 대한 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI)(또는 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI)가 나타내는 상기 누적 블록 열화량)가 센싱 기준 열화량(SRDA) 이상인 경우, 상기 화소 블록(PX)에 대한 상기 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정할 수 있다. 또한, 일 실시예에서, 열화 센싱 비교기(260)는 복수의 화소 블록들(PX) 각각의 상기 센싱 동작의 수행 여부를 나타내는 블록 센싱 인에이블 신호(BLK_SEN_EN)를 생성하고, 센싱 회로(130)는 블록 센싱 인에이블 신호(BLK_SEN_EN)에 응답하여 각 화소 블록(PB)에 대한 상기 센싱 동작을 선택적으로 수행할 수 있다.
또한, 열화 센싱 비교기(260)는 현재 열화 저장 블록(250)에 저장된 현재 누적 블록 열화 정보들(CABDI) 중 센싱 기준 열화량(SRDA) 이상인 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI)를 리셋할 수 있다. 예를 들어, 센싱 기준 저장 블록(255)은 각 화소 블록(PX)의 상기 센싱 동작의 수행 여부를 나타내는 블록 센싱 인에이블 신호(BLK_SEN_EN)를 생성하고, 블록 센싱 인에이블 신호(BLK_SEN_EN)는 블록 리셋 신호(BLK_RESET)로서 현재 열화 저장 블록(250)에 제공될 수 있다. 현재 열화 저장 블록(250)은 블록 리셋 신호(BLK_RESET)에 응답하여 상기 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정된 화소 블록(PX)에 대한 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI)를 초기 열화량, 예를 들어 0의 값으로 리셋할 수 있다.
수명 매니저(200)는, 현재 구동 구간(CDP)에서의 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI) 및 현재 최종 누적 블록 열화 정보들(CFABDI)이 상기 다음 구동 구간에서 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI) 및 이전 최종 누적 블록 열화 정보들(PFABDI)로 이용되도록, 상기 파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)에 응답하여 비휘발성 메모리(160)에 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI) 및 현재 최종 누적 블록 열화 정보(CFABDI)을 라이트할 수 있다. 따라서, 수명 매니저(200)는 현재 구동 구간(CDP) 후의 라이트 구간(WP)에서 비휘발성 메모리(160)에 대한 라이트 동작을 수행할 수 있다. 한편, 상기 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정된 화소 블록(PB)에 대한 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI)가 상기 초기 열화량 또는 상기 0의 값으로 리셋되므로, 상기 다음 구동 구간에서의 상기 화소 블록(PB)에 대한 이전 누적 블록 열화 정보(PABDI)는 상기 초기 열화량 또는 상기 0의 값을 나타낼 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서, 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI)에 현재 블록 열화 정보들(CBDI)을 가산하여 복수의 화소 블록들(PX)에 대한 현재 누적 블록 열화 정보들(CABDI)이 계산되고, 현재 누적 블록 열화 정보들(CABDI)을 센싱 기준 열화량(SRDA)과 비교하여 복수의 화소 블록들(PB) 각각에 대한 상기 센싱 동작의 수행 여부가 결정될 수 있다. 이에 따라, 복수의 화소 블록들(PB) 각각에 대한 상기 센싱 동작이 선택적으로 수행됨으로써, 표시 패널(110)의 전체 화소들(PX)에 대한 상기 센싱 동작이 수행되는 경우에 비하여, 상기 센싱 동작이 수행되는 센싱 시간이 단축될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 열화 센싱 방법을 나타내는 순서도이고, 도 7은 현재 구동 구간에서 풀 블랙 패턴을 표시하는 표시 패널의 일 예를 나타내는 도면이며, 도 8은 현재 구동 구간에서 풀 화이트 패턴을 표시하는 표시 패널의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 9은 현재 구동 구간에서 부분 화이트 패턴을 표시하는 표시 패널의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 1, 도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 열화 센싱 방법에서, 수명 매니저(200)는 비휘발성 메모리(160)로부터 이전 구동 구간까지의 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI)을 리드할 수 있다(S310). 일 실시예에서, 수명 매니저(200)는 비휘발성 메모리(160)로부터 최초 구동 구간으로부터 상기 이전 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 이전 최종 누적 블록 열화 정보들(PFABDI)을 더욱 리드할 수 있다.
수명 매니저(200)는 현재 구동 구간에서의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 블록 열화량들을 나타내는 현재 블록 열화 정보들(CBDI)을 계산하고(S330), 파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)에 응답하여 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI)에 현재 블록 열화 정보들(CBDI)을 가산하여 상기 현재 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 현재 누적 블록 열화 정보들(CABDI)을 계산할 수 있다(S340). 일 실시예에서, 수명 매니저(200)는 상기 파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)에 응답하여 이전 최종 누적 블록 열화 정보들(PFABDI)에 현재 블록 열화 정보들(CBDI)을 가산하여 상기 최초 구동 구간으로부터 상기 현재 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 현재 최종 누적 블록 열화 정보들(CFABDI)을 더욱 계산할 수 있다.
수명 매니저(200)는 현재 누적 블록 열화 정보들(CABDI)을 센싱 기준 열화량(SRDA)과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 센싱 동작의 수행 여부를 결정할 수 있다(S360). 일 실시예에서, 수명 매니저(200)는 각 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI)가 센싱 기준 열화량(SRDA) 미만인 경우 상기 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI)에 상응하는 화소 블록에 대한 상기 센싱 동작이 수행되지 않는 것으로 결정하고, 각 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI)가 센싱 기준 열화량(SRDA) 이상인 경우 상기 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI)에 상응하는 상기 화소 블록에 대한 상기 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정할 수 있다. 또한, 수명 매니저(200)는 상기 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정된 상기 화소 블록에 대한 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI)를 초기 열화량으로 리셋할 수 있다.
센싱 회로(130)는 수명 매니저(200)로부터 각 화소 블록에 대한 상기 센싱 동작의 수행 여부를 나타내는 블록 센싱 인에이블 신호(BLK_SEN_EN)를 수신하고, 블록 센싱 인에이블 신호(BLK_SEN_EN)에 응답하여 각 화소 블록(PB)에 대한 상기 센싱 동작을 선택적으로 수행할 수 있다(S380). 실시예들에 따라, 센싱 회로(130)는 상기 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정된 화소 블록에 포함된 복수의 화소들(PX)의 구동 트랜지스터들에 대한 트랜지스터 센싱 동작, 및/또는 상기 화소 블록에 포함된 복수의 화소들(PX)의 유기 발광 다이오드들에 대한 다이오드 센싱 동작을 수행할 수 있다.
예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 표시 패널(110a)이 상기 현재 구동 구간 동안 풀 블랙 패턴을 표시한 경우, 표시 패널(110a)의 모든 화소 블록들의 현재 블록 열화 정보들(CBDI)이 0의 블록 열화량들을 나타낼 수 있고, 상기 모든 화소 블록들의 현재 누적 블록 열화 정보들(CABDI)이 나타내는 누적 블록 열화량들이 상기 모든 화소 블록들의 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI)이 나타내는 누적 블록 열화량들로부터 증가되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 모든 화소 블록들의 현재 누적 블록 열화 정보들(CABDI)이 센싱 기준 열화량(SRDA) 미만일 수 있고, 수명 매니저(200)는 상기 모든 화소 블록들에 대한 상기 센싱 동작이 수행되지 않는 것으로 결정하고, 센싱 회로(130)는 모든 화소들(PX)에 대한 상기 센싱 동작을 수행하지 않을 수 있다.
다른 예에서, 도 8에 도시된 바와 같이, 표시 패널(110b)이 상기 현재 구동 구간 동안 풀 화이트 패턴을 표시한 경우, 표시 패널(110b)의 모든 화소 블록들의 현재 누적 블록 열화 정보들(CABDI)이 상기 모든 화소 블록들의 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI)로부터 증가될 수 있다. 또한, 상기 모든 화소 블록들의 현재 누적 블록 열화 정보들(CABDI)이 센싱 기준 열화량(SRDA) 이상인 경우, 수명 매니저(200)는 상기 모든 화소 블록들에 대한 상기 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정하고, 센싱 회로(130)는 모든 화소들(PX)에 대한 상기 센싱 동작을 수행할 수 있다.
또 다른 예에서, 도 9에 도시된 바와 같이, 표시 패널(110c)이 화소 블록들(PBa)에 대한 블랙 영상 및 화소 블록(PBb)에 대한 화이트 영상을 포함하는 부분 화이트 패턴을 표시하는 경우, 화소 블록들(PBa)의 현재 누적 블록 열화 정보들(CABDI)은 화소 블록들(PBa)의 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI)로부터 증가되지 않고, 화소 블록(PBb)의 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI)는 화소 블록(PBb)의 이전 누적 블록 열화 정보(PABDI)로부터 증가될 수 있다. 이 경우, 화소 블록들(PBa)의 현재 누적 블록 열화 정보들(CABDI)은 센싱 기준 열화량(SRDA) 미만일 수 있고, 화소 블록(PBb)의 현재 누적 블록 열화 정보(CABDI)는 센싱 기준 열화량(SRDA) 이상일 수 있다. 따라서, 수명 매니저(200)는 화소 블록(PBb)만이 상기 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정하고, 센싱 회로(130)는 화소 블록(PBb)에 포함된 화소들(PX)에 대한 상기 센싱 동작만을 수행할 수 있다. 이에 따라, 표시 패널(110)의 전체 화소들(PX)에 대한 상기 센싱 동작이 수행되는 경우에 비하여, 상기 센싱 동작이 수행되는 센싱 시간이 단축될 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 블록도이고, 도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치에 포함된 수명 매니저의 일 예를 나타내는 블록도이며, 도 12는 트랜지스터 센싱 동작이 수행되는 화소의 일 예를 나타내는 회로도이고, 도 13은 다이오드 센싱 동작이 수행되는 화소의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(400)는 표시 패널(410), 데이터 드라이버(420), 센싱 회로(430), 게이트 드라이버(440), 전력 관리 회로(450), 비휘발성 메모리(460) 및 컨트롤러(470)를 포함할 수 있다. 도 10의 유기 발광 표시 장치(400)는, 비휘발성 메모리(460)가 이전 누적 블록 열화 정보들(PABDI)을 대신하여 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(PABTDI) 및 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들(PABDDI)을 저장하고, 컨트롤러(470)의 수명 매니저(500)가 각 화소 블록의 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부 및 각 화소 블록의 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 별도로 결정하며, 센싱 회로(430)가 각 화소 블록에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작 및 상기 다이오드 센싱 동작을 별도로 수행하는 것을 제외하고, 도 1의 유기 발광 표시 장치(100)와 유사한 구성 및 유사한 동작을 가질 수 있다.
비휘발성 메모리(460)는 복수의 화소 블록들에 포함된 복수의 화소들(PX)의 구동 트랜지스터들에 대한 이전 구동 구간까지의 누적 블록 트랜지스터 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(PABTDI), 및 상기 복수의 화소 블록들에 포함된 복수의 화소들(PX)의 유기 발광 다이오드들에 대한 상기 이전 구동 구간까지의 누적 블록 다이오드 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들(PABDDI)을 저장할 수 있다. 예를 들어, 각 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보(PABTDI)가 나타내는 상응하는 화소 블록(PB)의 상기 누적 블록 트랜지스터 열화량은 상기 상응하는 화소 블록(PB)에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작이 수행된 직후의 구동 구간으로부터 현재 구동 구간의 직전 구동 구간까지의 구동 구간들에서의 상기 상응하는 화소 블록(PB)의 블록 열화량들이 누적 또는 합산됨으로써 계산될 수 있다. 또한, 예를 들어, 각 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보(PABDDI)가 나타내는 상응하는 화소 블록(PB)의 상기 누적 블록 다이오드 열화량은 상기 상응하는 화소 블록(PB)에 대한 상기 다이오드 센싱 동작이 수행된 직후의 구동 구간으로부터 상기 현재 구동 구간의 직전 구동 구간까지의 구동 구간들에서의 상기 상응하는 화소 블록(PB)의 블록 열화량들이 누적 또는 합산됨으로써 계산될 수 있다. 일 실시예에서, 비휘발성 메모리(460)는 최초 구동 구간으로부터 상기 이전 구동 구간까지의 복수의 화소 블록들(PB)에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 이전 최종 누적 블록 열화 정보들(PFABDI)을 더욱 저장할 수 있다. 한편, 유기 발광 표시 장치(400)가 제조된 후로부터 각 화소 블록(PX)에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작 및 상기 다이오드 센싱 동작이 수행되기 전까지, 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(PABTDI), 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들(PABDDI) 및 이전 최종 누적 블록 열화 정보들(PFABDI)은 서로 동일할 수 있다. 또한, 일 실시예에서, 비휘발성 메모리(460)는 상기 트랜지스터 센싱 동작에 의해 센싱된 각 화소(PX)의 상기 구동 트랜지스터의 특성(또는 특성의 열화량) 및 상기 다이오드 센싱 동작에 의해 센싱된 각 화소(PX)의 상기 유기 발광 다이오드의 특성(또는 특성의 열화량)을 더욱 저장할 수 있다.
컨트롤러(470)는 복수의 화소 블록들(PX) 각각에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부를 결정하고, 복수의 화소 블록들(PX) 각각에 대한 상기 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 수명 매니저(500)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 각 화소 블록에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부를 결정하고, 각 화소 블록에 대한 상기 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 결정하도록, 도 11에 도시된 바와 같이, 수명 매니저(500)는 이전 트랜지스터 열화 저장 블록(510), 이전 다이오드 열화 저장 블록(520), 이전 최종 열화 저장 블록(530), 현재 열화 계산 블록(540), 트랜지스터 열화 가산 블록(515), 다이오드 열화 가산 블록(525), 최종 열화 가산 블록(535), 현재 트랜지스터 열화 저장 블록(550), 현재 다이오드 열화 저장 블록(570), 현재 최종 열화 저장 블록(590), 트랜지스터 센싱 기준 저장 블록(555), 다이오드 센싱 기준 저장 블록(575), 트랜지스터 열화 센싱 비교기(560) 및 다이오드 열화 센싱 비교기(580)을 포함할 수 있다.
수명 매니저(500)는 유기 발광 표시 장치(400)의 파워-온을 나타내는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)에 응답하여 비휘발성 메모리(460)로부터 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(PABTDI), 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들(PABDDI) 및 이전 최종 누적 블록 열화 정보들(PFABDI)을 리드하고, 이전 트랜지스터 열화 저장 블록(510)은 비휘발성 메모리(460)로부터 리드된 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(PABTDI)을 저장하고, 이전 다이오드 열화 저장 블록(520)은 비휘발성 메모리(460)로부터 리드된 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들(PABDDI)을 저장하고, 이전 최종 열화 저장 블록(530)은 비휘발성 메모리(460)로부터 리드된 이전 최종 누적 블록 열화 정보들(PFABDI)을 저장할 수 있다.
현재 열화 계산 블록(540)은 상기 현재 구동 구간에서의 현재 블록 열화 정보들(CBDI)을 계산할 수 있다. 트랜지스터 열화 가산 블록(515)은 유기 발광 표시 장치(400)의 파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)에 응답하여 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(PABTDI)에 현재 블록 열화 정보들(CBDI)을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(CABTDI)을 계산하고, 현재 트랜지스터 열화 저장 블록(550)은 트랜지스터 열화 가산 블록(515)에 의해 계산된 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(CABTDI)을 저장할 수 있다. 다이오드 열화 가산 블록(525)은 상기 파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)에 응답하여 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들(PABDDI)에 현재 블록 열화 정보들(CBDI)을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들(CABDDI)을 계산하고, 현재 다이오드 열화 저장 블록(570)은 다이오드 열화 가산 블록(525)에 의해 계산된 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들(CABDDI)을 저장할 수 있다. 또한, 최종 열화 가산 블록(535)은 이전 최종 누적 블록 열화 정보들(PFABDI)에 현재 블록 열화 정보들(CBDI)을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 최종 누적 블록 열화 정보들(CFABDI)을 계산하고, 현재 최종 열화 저장 블록(590)은 최종 열화 가산 블록(535)에 의해 계산된 현재 최종 누적 블록 열화 정보들(CFABDI)을 저장할 수 있다. 한편, 유기 발광 표시 장치(400)가 제조된 후로부터 각 화소 블록(PX)에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작 및 상기 다이오드 센싱 동작이 수행되기 전까지, 상기 화소 블록(PX)에 대한 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보(CABTDI), 상기 화소 블록(PX)에 대한 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보(CABDDI) 및 상기 화소 블록(PX)에 대한 현재 최종 누적 블록 열화 정보(CFABDI)는 서로 동일할 수 있다. 그러나, 상기 화소 블록(PX)에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작이 수행되면, 상기 화소 블록(PX)에 대한 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보(CABTDI)가 리셋되고, 상기 화소 블록(PX)에 대한 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보(CABTDI)는 상기 화소 블록(PX)에 대한 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보(CABDDI) 및 상기 화소 블록(PX)에 대한 현재 최종 누적 블록 열화 정보(CFABDI)와 달라질 수 있다. 또한, 상기 화소 블록(PX)에 대한 상기 다이오드 센싱 동작이 수행되면, 상기 화소 블록(PX)에 대한 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보(CABDDI)가 리셋되고, 상기 화소 블록(PX)에 대한 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보(CABDDI)는 상기 화소 블록(PX)에 대한 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보(CABTDI) 및 상기 화소 블록(PX)에 대한 현재 최종 누적 블록 열화 정보(CFABDI)와 달라질 수 있다.
트랜지스터 센싱 기준 저장 블록(555)은 트랜지스터 센싱 기준 열화량(TSRDA)을 저장하고, 트랜지스터 열화 센싱 비교기(560)는 상기 파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)에 응답하여 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(CABTDI)을 트랜지스터 센싱 기준 저장 블록(555)에 저장된 트랜지스터 센싱 기준 열화량(TSRDA)과 비교하여 복수의 화소 블록들(PB) 각각에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부를 결정할 수 있다. 또한, 다이오드 센싱 기준 저장 블록(575)은 다이오드 센싱 기준 열화량(DSRDA)을 저장하고, 다이오드 열화 센싱 비교기(580)는 상기 파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호(PWR_CTRL)에 응답하여 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들(CABDDI)을 다이오드 센싱 기준 저장 블록(575)에 저장된 다이오드 센싱 기준 열화량(DSRDA)과 비교하여 복수의 화소 블록들(PB) 각각에 대한 상기 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 결정할 수 있다. 일 실시예에서, 트랜지스터 센싱 기준 열화량(TSRDA)과 다이오드 센싱 기준 열화량(DSRDA)은 서로 다를 수 있고, 이에 따라 각 화소 블록에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작과 상기 다이오드 센싱 동작이 항상 동일한 구동 구간에서 수행되지는 않을 수 있고, 서로 다른 구동 구간들에서 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 트랜지스터 열화 센싱 비교기(560)는 복수의 화소 블록들(PX) 각각의 상기 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부를 나타내는 블록 트랜지스터 센싱 인에이블 신호(BLK_TR_SEN_EN)를 생성하고, 센싱 회로(430)는 블록 트랜지스터 센싱 인에이블 신호(BLK_TR_SEN_EN)에 응답하여 각 화소 블록(PB)에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작을 선택적으로 수행할 수 있다. 예를 들어, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 트랜지스터 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정된 화소 블록에 포함된 각 화소(PX)에 데이터 라인(DL)을 통하여 센싱 데이터 전압(VSD)이 인가되고, 상기 화소(PX)에 스캔 신호(SC)가 인가될 수 있다. 이 경우, 구동 트랜지스터(TDR)가 센싱 데이터 전압(VSD)에 기초하여 턴-온되고, 구동 트랜지스터(TDR)의 소스 전압은 센싱 데이터 전압(VSD)으로부터 구동 트랜지스터(TDR)의 문턱 전압(VTH)이 감산된 전압(VSD-VTH)으로 포화될 수 있다. 상기 화소(PX)에 센싱 신호(SS)가 인가되고, 센싱 회로(430)는 센싱 라인(SL)을 통하여 구동 트랜지스터(TDR)의 포화 소스 전압(VSD-VTH)을 측정함으로써 구동 트랜지스터(TDR)의 문턱 전압(VTH)을 센싱할 수 있다. 이러한 트랜지스터 센싱 동작에 의해 센싱된 각 화소(PX)의 구동 트랜지스터(TDR)의 문턱 전압(VTH)(또는 문턱 전압(VTH)의 열화량)은 비휘발성 메모리(460)에 저장될 수 있다.
또한, 일 실시예에서, 다이오드 열화 센싱 비교기(580)는 복수의 화소 블록들(PX) 각각의 상기 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 나타내는 블록 다이오드 센싱 인에이블 신호(BLK_D_SEN_EN)를 생성하고, 센싱 회로(430)는 블록 다이오드 센싱 인에이블 신호(BLK_D_SEN_EN)에 응답하여 각 화소 블록(PB)에 대한 상기 다이오드 센싱 동작을 선택적으로 수행할 수 있다. 예를 들어, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 다이오드 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정된 화소 블록에 포함된 각 화소(PX)에 데이터 라인(DL)을 통하여 오프 전압(VOFF)이 인가되고, 상기 화소(PX)에 스캔 신호(SC)가 인가될 수 있다. 이 경우, 구동 트랜지스터(TDR)가 오프 전압(VOFF)에 기초하여 턴-온될 수 있다. 상기 화소(PX)에 센싱 신호(SS)가 인가되고, 센싱 회로(430)는 센싱 라인(SL)을 통하여 유기 발광 다이오드(EL)의 애노드에 기준 전압(VREF)을 인가할 수 있다. 또한, 센싱 회로(430)는 기준 전압(VREF)에 기초하여 생성되는 유기 발광 다이오드(EL)의 전류(IEL)을 측정함으로써, 유기 발광 다이오드(EL)의 전압(VREF)-전류(IEL) 특성을 센싱할 수 있다. 이러한 다이오드 센싱 동작에 의해 센싱된 각 화소(PX)의 유기 발광 다이오드(EL)의 전압(VREF)-전류(IEL) 특성(또는 전압(VREF)-전류(IEL) 특성의 열화량)은 비휘발성 메모리(460)에 저장될 수 있다.
트랜지스터 열화 센싱 비교기(560)는 현재 트랜지스터 열화 저장 블록(550)에 저장된 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(CABTDI) 중 트랜지스터 센싱 기준 열화량(TSRDA) 이상인 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보(CABTDI)를 리셋하고, 다이오드 열화 센싱 비교기(580)는 현재 다이오드 열화 저장 블록(570)에 저장된 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들(CABDDI) 중 다이오드 센싱 기준 열화량(DSRDA) 이상인 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보(CABDDI)를 리셋할 수 있다. 상기 현재 구동 구간에서의 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(CABTDI), 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보(CABTDI) 및 현재 최종 누적 블록 열화 정보들(CFABDI)이, 다음 구동 구간에서 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(PABTDI), 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들(PABDDI) 및 이전 최종 누적 블록 열화 정보들(PFABDI)로 이용되도록, 비휘발성 메모리(460)에 라이트될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(400)에서, 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(PABTDI)에 현재 블록 열화 정보들(CBDI)을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(CABTDI)이 계산되고, 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들(PABDDI)에 현재 블록 열화 정보들(CBDI)을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들(CABDDI)이 계산되며, 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(CABTDI)을 트랜지스터 센싱 기준 열화량(TSRDA)과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부가 결정되고, 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들(CABDDI)을 다이오드 센싱 기준 열화량(DSRDA)과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 다이오드 센싱 동작의 수행 여부가 결정될 수 있다. 이에 따라, 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작이 선택적으로 수행되고, 상기 트랜지스터 센싱 동작과 독립적으로 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 다이오드 센싱 동작이 선택적으로 수행됨으로써, 표시 패널(410)의 전체 화소들(PX)에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작 및 상기 다이오드 센싱 동작이 수행되는 경우에 비하여, 상기 트랜지스터 센싱 동작 및/또는 상기 다이오드 센싱 동작이 수행되는 센싱 시간이 단축될 수 있다.
도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 열화 센싱 방법을 나타내는 순서도이다.
도 10, 도 11 및 도 14를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(400)의 열화 센싱 방법에서, 수명 매니저(500)는 비휘발성 메모리(460)로부터 복수의 화소 블록들에 포함된 복수의 화소들(PX)의 구동 트랜지스터들에 대한 이전 구동 구간까지의 누적 블록 트랜지스터 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(PABTDI)을 리드하고(S610), 비휘발성 메모리(460)로부터 상기 복수의 화소 블록들에 포함된 복수의 화소들(PX)의 유기 발광 다이오드들에 대한 상기 이전 구동 구간까지의 누적 블록 다이오드 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들(PABDDI)을 리드할 수 있다(S620). 일 실시예에서, 수명 매니저(500)는 비휘발성 메모리(460)로부터 이전 최종 누적 블록 열화 정보들(PFABDI)을 더욱 리드할 수 있다.
수명 매니저(500)는 현재 구동 구간에서의 현재 블록 열화 정보들(CBDI)을 계산하고(S630), 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(PABTDI)에 현재 블록 열화 정보들(CBDI)을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(CABTDI)을 계산하며(S640), 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들(PABDDI)에 현재 블록 열화 정보들(CBDI)을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들(CABDDI)을 계산할 수 있다(S650). 일 실시예에서, 수명 매니저(500)는 이전 최종 누적 블록 열화 정보들(PFABDI)에 현재 블록 열화 정보들(CBDI)을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 최종 누적 블록 열화 정보들(CFABDI)을 더욱 계산할 수 있다.
수명 매니저(500)는 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들(CABTDI)을 트랜지스터 센싱 기준 열화량(TSRDA)과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부를 결정하고(S660), 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들(CABDDI)을 다이오드 센싱 기준 열화량(DSRDA)과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 결정할 수 있다(S670).
센싱 회로(430)는 수명 매니저(500)로부터 각 화소 블록에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부를 나타내는 블록 트랜지스터 센싱 인에이블 신호(BLK_TR_SEN_EN)를 수신하고, 블록 트랜지스터 센싱 인에이블 신호(BLK_TR_SEN_EN)에 응답하여 각 화소 블록(PB)에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작을 선택적으로 수행할 수 있다(S680). 또한, 센싱 회로(430)는 수명 매니저(500)로부터 각 화소 블록에 대한 상기 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 나타내는 블록 다이오드 센싱 인에이블 신호(BLK_D_SEN_EN)를 수신하고, 블록 다이오드 센싱 인에이블 신호(BLK_D_SEN_EN)에 응답하여 각 화소 블록(PB)에 대한 상기 다이오드 센싱 동작을 선택적으로 수행할 수 있다(S690). 이에 따라, 표시 패널(410)의 전체 화소들(PX)에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작 및 상기 다이오드 센싱 동작이 수행되는 경우에 비하여, 상기 트랜지스터 센싱 동작 및/또는 상기 다이오드 센싱 동작이 수행되는 센싱 시간이 단축될 수 있다.
도 15는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 15를 참조하면, 전자 기기(1100)는 프로세서(1110), 메모리 장치(1120), 저장 장치(1130), 입출력 장치(1140), 파워 서플라이(1150) 및 유기 발광 표시 장치(1160)를 포함할 수 있다. 전자 기기(1100)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 또는 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다.
프로세서(1110)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 프로세서(1110)는 마이크로프로세서(microprocessor), 중앙 처리 장치(CPU) 등일 수 있다. 프로세서(1110)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통하여 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라서, 프로세서(1110)는 주변 구성요소 상호연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다.
메모리 장치(1120)는 전자 기기(1100)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(1120)는 EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory), EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), 플래시 메모리(Flash Memory), PRAM(Phase Change Random Access Memory), RRAM(Resistance Random Access Memory), NFGM(Nano Floating Gate Memory), PoRAM(Polymer Random Access Memory), MRAM(Magnetic Random Access Memory), FRAM(Ferroelectric Random Access Memory) 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 DRAM(Dynamic Random Access Memory), SRAM(Static Random Access Memory), 모바일 DRAM 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
저장 장치(1130)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 입출력 장치(1140)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단, 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 파워 서플라이(1150)는 전자 기기(1100)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(1160)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다.
유기 발광 표시 장치(1160)에서, 이전 누적 블록 열화 정보들에 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 열화 정보들이 계산되고, 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 센싱 동작의 수행 여부가 결정될 수 있다. 이에 따라, 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 센싱 동작이 선택적으로 수행됨으로써, 상기 센싱 동작이 수행되는 센싱 시간이 단축될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부 및 다이오드 센싱 동작의 수행 여부가 서로 독립적으로 결정될 수 있고, 이에 따라 상기 트랜지스터 센싱 동작 및/또는 상기 다이오드 센싱 동작이 수행되는 상기 센싱 시간이 더욱 단축될 수 있다.
실시예에 따라, 전자 기기(1100)는 디지털 TV(Digital Television), 3D TV, 휴대폰(Cellular Phone), 스마트 폰(Smart Phone), 태블릿 컴퓨터(Tablet Computer), VR(Virtual Reality) 기기, 개인용 컴퓨터(Personal Computer; PC), 가정용 전자기기, 노트북 컴퓨터(Laptop Computer), 개인 정보 단말기(personal digital assistant; PDA), 휴대형 멀티미디어 플레이어(portable multimedia player; PMP), 디지털 카메라(Digital Camera), 음악 재생기(Music Player), 휴대용 게임 콘솔(portable game console), 내비게이션(Navigation) 등과 같은 유기 발광 표시 장치(1160)를 포함하는 임의의 전자 기기일 수 있다.
본 발명은 임의의 유기 발광 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 디지털 TV, 3D TV, 휴대폰, 스마트 폰, 태블릿 컴퓨터, VR 기기, PC, 가정용 전자기기, 노트북 컴퓨터, PDA, PMP, 디지털 카메라, 음악 재생기, 휴대용 게임 콘솔, 내비게이션 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100, 400: 표시 장치
110, 410: 표시 패널
120, 420: 데이터 드라이버
130, 430: 센싱 회로
140, 440: 게이트 드라이버
150, 450: 전력 관리 회로
160, 460: 비휘발성 메모리
170, 470: 컨트롤러
200, 500: 수명 매니저
210: 이전 열화 저장 블록
215: 열화 가산 블록
230, 530: 이전 최종 열화 저장 블록
235, 535: 최종 열화 가산 블록
240, 540: 현재 열화 계산 블록
250: 현재 열화 저장 블록
255: 센싱 기준 저장 블록
260: 열화 센싱 비교기
290: 590: 현재 최종 열화 저장 블록
510: 이전 트랜지스터 열화 저장 블록
515: 트랜지스터 열화 가산 블록
520: 이전 다이오드 열화 저장 블록
525: 다이오드 열화 가산 블록
550: 현재 트랜지스터 열화 저장 블록
555: 트랜지스터 센싱 기준 저장 블록
560: 트랜지스터 열화 센싱 비교기
570: 현재 다이오드 열화 저장 블록
575: 다이오드 센싱 기준 저장 블록
580: 다이오드 열화 센싱 비교기

Claims (20)

  1. 복수의 화소들을 포함하고, 상기 복수의 화소들이 복수의 화소 블록들로 그룹화되는 표시 패널;
    이전 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 비휘발성 메모리;
    현재 구동 구간에서의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 블록 열화량들을 나타내는 현재 블록 열화 정보들을 계산하고, 파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 현재 누적 블록 열화 정보들을 계산하며, 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 컨트롤러; 및
    상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 센싱 동작을 선택적으로 수행하는 센싱 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 컨트롤러는, 입력 영상 데이터를 상기 복수의 화소 블록들에 대한 복수의 블록 영상 데이터들로 구분하고, 복수의 프레임 구간들 각각에서의 상기 복수의 블록 영상 데이터들을 누적하여 상기 현재 구동 구간에서의 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 계산하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 컨트롤러는, 상기 복수의 블록 영상 데이터들에 상기 복수의 화소 블록들의 위치들에 따라 결정된 블록 위치 가중치들, 상기 복수의 화소 블록들의 구동 주파수들에 따라 결정된 구동 주파수 가중치들, 상기 복수의 화소 블록들의 발광 듀티들에 따라 결정된 발광 듀티 가중치들, 및 상기 표시 패널에 대한 글로벌 전류 변조 보정치 중 적어도 하나를 적용하여, 상기 현재 구동 구간에서의 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 계산하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 컨트롤러는, 파워-온을 나타내는 상기 파워 제어 신호에 응답하여 상기 비휘발성 메모리로부터 상기 이전 누적 블록 열화 정보들을 리드하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 컨트롤러는, 상기 현재 구동 구간에서의 상기 현재 누적 블록 열화 정보들이 다음 구동 구간에서 상기 이전 누적 블록 열화 정보들로 이용되도록, 상기 파워-오프를 나타내는 상기 파워 제어 신호에 응답하여 상기 비휘발성 메모리에 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 라이트하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 컨트롤러는,
    상기 현재 누적 블록 열화 정보들 중 각 현재 누적 블록 열화 정보가 상기 센싱 기준 열화량 미만인 경우, 상기 복수의 화소 블록들 중 상기 각 현재 누적 블록 열화 정보에 상응하는 화소 블록에 대한 상기 센싱 동작이 수행되지 않는 것으로 결정하고,
    상기 각 현재 누적 블록 열화 정보가 상기 센싱 기준 열화량 이상인 경우, 상기 각 현재 누적 블록 열화 정보에 상응하는 상기 화소 블록에 대한 상기 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 컨트롤러는, 다음 구동 구간에서 상기 이전 누적 블록 열화 정보들 중 상기 센싱 동작이 수행된 상기 화소 블록에 대한 이전 누적 블록 열화 정보가 초기 열화량을 나타내도록, 상기 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정된 상기 화소 블록에 대한 상기 각 현재 누적 블록 열화 정보를 상기 초기 열화량으로 리셋하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리는 최초 구동 구간으로부터 상기 이전 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 이전 최종 누적 블록 열화 정보들을 더욱 저장하고,
    상기 컨트롤러는 상기 파워-오프를 나타내는 상기 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 최종 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 최초 구동 구간으로부터 상기 현재 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 현재 최종 누적 블록 열화 정보들을 계산하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서, 상기 컨트롤러는 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 수명 매니저를 포함하고, 상기 수명 매니저는,
    상기 비휘발성 메모리로부터 리드된 상기 이전 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 이전 열화 저장 블록;
    상기 비휘발성 메모리로부터 리드된 이전 최종 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 이전 최종 열화 저장 블록;
    상기 현재 구동 구간에서의 상기 현재 블록 열화 정보들을 계산하는 현재 열화 계산 블록;
    상기 이전 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 계산하는 열화 가산 블록;
    상기 이전 최종 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 현재 최종 누적 블록 열화 정보들을 계산하는 최종 열화 가산 블록;
    상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 현재 열화 저장 블록;
    상기 현재 최종 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 현재 최종 열화 저장 블록;
    상기 센싱 기준 열화량을 저장하는 센싱 기준 저장 블록; 및
    상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 센싱 동작의 수행 여부를 결정하도록 상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 상기 센싱 기준 열화량과 비교하고, 상기 현재 열화 저장 블록에 저장된 상기 현재 누적 블록 열화 정보들 중 상기 센싱 기준 열화량 이상인 현재 누적 블록 열화 정보를 리셋하는 열화 센싱 비교기를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서, 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 센싱 동작은 상기 복수의 화소 블록들 각각에 포함된 상기 복수의 화소들의 구동 트랜지스터들에 대한 트랜지스터 센싱 동작, 및 상기 복수의 화소 블록들 각각에 포함된 상기 복수의 화소들의 유기 발광 다이오드들에 대한 다이오드 센싱 동작 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서, 상기 이전 누적 블록 열화 정보들은 상기 복수의 화소 블록들에 포함된 상기 복수의 화소들의 구동 트랜지스터들에 대한 상기 이전 구동 구간까지의 누적 블록 트랜지스터 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들, 및 상기 복수의 화소 블록들에 포함된 상기 복수의 화소들의 유기 발광 다이오드들에 대한 상기 이전 구동 구간까지의 누적 블록 다이오드 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서, 상기 컨트롤러는,
    상기 파워-오프를 나타내는 상기 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 계산하고,
    상기 파워-오프를 나타내는 상기 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 계산하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서, 상기 센싱 기준 열화량은 트랜지스터 센싱 기준 열화량 및 다이오드 센싱 기준 열화량을 포함하고,
    상기 센싱 동작은 트랜지스터 센싱 동작 및 다이오드 센싱 동작을 포함하고,
    상기 컨트롤러는,
    상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 상기 트랜지스터 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부를 결정하고,
    상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 상기 다이오드 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서, 상기 컨트롤러는 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부 및 상기 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 수명 매니저를 포함하고, 상기 수명 매니저는,
    상기 비휘발성 메모리로부터 리드된 상기 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 저장하는 이전 트랜지스터 열화 저장 블록;
    상기 비휘발성 메모리로부터 리드된 상기 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 저장하는 이전 다이오드 열화 저장 블록;
    상기 비휘발성 메모리로부터 리드된 이전 최종 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 이전 최종 열화 저장 블록;
    상기 현재 구동 구간에서의 상기 현재 블록 열화 정보들을 계산하는 현재 열화 계산 블록;
    상기 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 계산하는 트랜지스터 열화 가산 블록;
    상기 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 계산하는 다이오드 열화 가산 블록;
    상기 이전 최종 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 현재 최종 누적 블록 열화 정보들을 계산하는 최종 열화 가산 블록;
    상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 저장하는 현재 트랜지스터 열화 저장 블록;
    상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 저장하는 현재 다이오드 열화 저장 블록;
    상기 현재 최종 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 현재 최종 열화 저장 블록;
    상기 트랜지스터 센싱 기준 열화량을 저장하는 트랜지스터 센싱 기준 저장 블록;
    상기 다이오드 센싱 기준 열화량을 저장하는 다이오드 센싱 기준 저장 블록;
    상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부를 결정하도록 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 상기 트랜지스터 센싱 기준 열화량과 비교하고, 상기 현재 트랜지스터 열화 저장 블록에 저장된 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들 중 상기 트랜지스터 센싱 기준 열화량 이상인 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보를 리셋하는 트랜지스터 열화 센싱 비교기; 및
    상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 결정하도록 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 상기 다이오드 센싱 기준 열화량과 비교하고, 상기 현재 다이오드 열화 저장 블록에 저장된 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들 중 상기 다이오드 센싱 기준 열화량 이상인 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보를 리셋하는 다이오드 열화 센싱 비교기를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 복수의 화소들을 포함하고, 상기 복수의 화소들이 복수의 화소 블록들로 그룹화되는 표시 패널;
    이전 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 트랜지스터 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들, 상기 이전 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 다이오드 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들, 및 최초 구동 구간으로부터 상기 이전 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 이전 최종 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 비휘발성 메모리;
    현재 구동 구간에서의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 블록 열화 정보들을 계산하고, 파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 계산하며, 상기 파워-오프를 나타내는 상기 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 계산하고, 상기 파워-오프를 나타내는 상기 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 최종 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 최종 누적 블록 열화 정보들을 계산하며, 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 트랜지스터 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부를 결정하고, 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 다이오드 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 컨트롤러; 및
    상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작을 선택적으로 수행하고, 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 다이오드 센싱 동작을 선택적으로 수행하는 센싱 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서, 상기 컨트롤러는 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부 및 상기 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 수명 매니저를 포함하고, 상기 수명 매니저는,
    상기 비휘발성 메모리로부터 리드된 상기 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 저장하는 이전 트랜지스터 열화 저장 블록;
    상기 비휘발성 메모리로부터 리드된 상기 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 저장하는 이전 다이오드 열화 저장 블록;
    상기 비휘발성 메모리로부터 리드된 상기 이전 최종 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 이전 최종 열화 저장 블록;
    상기 현재 구동 구간에서의 상기 현재 블록 열화 정보들을 계산하는 현재 열화 계산 블록;
    상기 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 계산하는 트랜지스터 열화 가산 블록;
    상기 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 계산하는 다이오드 열화 가산 블록;
    상기 이전 최종 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 최종 누적 블록 열화 정보들을 계산하는 최종 열화 가산 블록;
    상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 저장하는 현재 트랜지스터 열화 저장 블록;
    상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 저장하는 현재 다이오드 열화 저장 블록;
    상기 현재 최종 누적 블록 열화 정보들을 저장하는 현재 최종 열화 저장 블록;
    상기 트랜지스터 센싱 기준 열화량을 저장하는 트랜지스터 센싱 기준 저장 블록;
    상기 다이오드 센싱 기준 열화량을 저장하는 다이오드 센싱 기준 저장 블록;
    상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부를 결정하도록 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 상기 트랜지스터 센싱 기준 열화량과 비교하고, 상기 현재 트랜지스터 열화 저장 블록에 저장된 상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들 중 상기 트랜지스터 센싱 기준 열화량 이상인 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보를 리셋하는 트랜지스터 열화 센싱 비교기; 및
    상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 결정하도록 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 상기 다이오드 센싱 기준 열화량과 비교하고, 상기 현재 다이오드 열화 저장 블록에 저장된 상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들 중 상기 다이오드 센싱 기준 열화량 이상인 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보를 리셋하는 다이오드 열화 센싱 비교기를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  17. 유기 발광 표시 장치의 열화 센싱 방법에 있어서,
    상기 유기 발광 표시 장치에 포함된 비휘발성 메모리로부터 이전 구동 구간까지의 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 열화 정보들을 리드하는 단계;
    현재 구동 구간에서의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 블록 열화량들을 나타내는 현재 블록 열화 정보들을 계산하는 단계;
    파워-오프를 나타내는 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 현재 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 현재 누적 블록 열화 정보들을 계산하는 단계;
    상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 단계; 및
    상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 센싱 동작을 선택적으로 수행하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 열화 센싱 방법.
  18. 제17 항에 있어서, 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 단계는,
    상기 현재 누적 블록 열화 정보들 중 각 현재 누적 블록 열화 정보가 상기 센싱 기준 열화량 미만인 경우, 상기 복수의 화소 블록들 중 상기 각 현재 누적 블록 열화 정보에 상응하는 화소 블록에 대한 상기 센싱 동작이 수행되지 않는 것으로 결정하는 단계;
    상기 각 현재 누적 블록 열화 정보가 상기 센싱 기준 열화량 이상인 경우, 상기 각 현재 누적 블록 열화 정보에 상응하는 상기 화소 블록에 대한 상기 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정하는 단계; 및
    상기 센싱 동작이 수행되는 것으로 결정된 상기 화소 블록에 대한 상기 각 현재 누적 블록 열화 정보를 초기 열화량으로 리셋하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 열화 센싱 방법.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 비휘발성 메모리로부터 최초 구동 구간으로부터 상기 이전 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 이전 최종 누적 블록 열화 정보들을 리드하는 단계; 및
    상기 파워-오프를 나타내는 상기 파워 제어 신호에 응답하여 상기 이전 최종 누적 블록 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 최초 구동 구간으로부터 상기 현재 구동 구간까지의 상기 복수의 화소 블록들에 대한 누적 블록 열화량들을 나타내는 현재 최종 누적 블록 열화 정보들을 계산하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 열화 센싱 방법.
  20. 제17 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리로부터 상기 이전 누적 블록 열화 정보들을 리드하는 단계는,
    상기 비휘발성 메모리로부터 상기 복수의 화소 블록들에 포함된 복수의 화소들의 구동 트랜지스터들에 대한 상기 이전 구동 구간까지의 누적 블록 트랜지스터 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 리드하는 단계; 및
    상기 비휘발성 메모리로부터 상기 복수의 화소 블록들에 포함된 상기 복수의 화소들의 유기 발광 다이오드들에 대한 상기 이전 구동 구간까지의 누적 블록 다이오드 열화량들을 나타내는 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 리드하는 단계를 포함하고,
    상기 현재 누적 블록 열화 정보들을 계산하는 단계는,
    상기 이전 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 계산하는 단계; 및
    상기 이전 누적 블록 다이오드 열화 정보들에 상기 현재 블록 열화 정보들을 가산하여 상기 복수의 화소 블록들에 대한 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 계산하는 단계를 포함하며,
    상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 상기 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 단계는,
    상기 현재 누적 블록 트랜지스터 열화 정보들을 트랜지스터 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 트랜지스터 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 단계; 및
    상기 현재 누적 블록 다이오드 열화 정보들을 다이오드 센싱 기준 열화량과 비교하여 상기 복수의 화소 블록들 각각에 대한 다이오드 센싱 동작의 수행 여부를 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 열화 센싱 방법.
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