KR20220006106A - 합성 지석 - Google Patents

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KR20220006106A
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마사아키 쓰다
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가부시키가이샤 도쿄 다이아몬드 고우구세이사쿠쇼
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Abstract

웨이퍼(S)를 화학 기계 연삭하는 합성 지석(100)에 있어서, 평균 입경이 10μm 이하인 산화 세륨을 주성분으로 하고, 웨이퍼(S)에 대해 화학 기계 연삭 작용을 갖는 연마제(101)와, 웨이퍼(S)보다 낮은 모스 경도이고, 또한, 높은 마찰 계수를 갖는 섬유 물질을 주성분으로 하고, 발열 작용을 갖는 마찰 촉진제(102)와, 페놀 수지를 주성분으로 하고, 연마제(101)와 마찰 촉진제(102)를 분산시켜 결합시키는 결합제(103)를 구비하고 있다.

Description

합성 지석
본 발명은, 실리콘 웨이퍼 등의 피삭물의 표면을 그라인딩 가공하기 위한 합성 지석(砥石)에 관한 것이다.
반도체 제조 분야에서는, 반도체 소자의 기판이 되는 실리콘 웨이퍼의 표면의 가공은 실리콘 단결정 잉곳을 슬라이스한 웨이퍼를 래핑 공정, 에칭 공정, 폴리싱 공정 등의 수 단의 공정을 거쳐 경면으로 마무리하는 것이 일반적이다. 래핑 공정에 있어서는, 평행도, 평탄도 등의 치수 정밀도, 형상 정밀도를 얻는다. 그 다음에, 에칭 공정에 있어서는 래핑 공정에서 생긴 가공 변질층을 제거한다. 더욱이 폴리싱 공정에 있어서는, 케미컬 메커니컬 연마(이하, 「CMP」라고 칭한다.)에 의해, 양호한 형상 정밀도를 유지한 데다가 경면 레벨의 면거칠기를 가진 웨이퍼를 형성한다. 또한, 이것과 동등한 폴리싱 공정은 반도체 후공정에 있어서 백그라인드로 불리는 연삭 가공의 대미지를 제거할 때에도 이용된다.
근년, 폴리싱 공정 대신에, 건식의 케미컬 메커니컬 연삭(이하, 「CMG」라고 칭한다.)에 의한 표면 가공을 행하는 방법이 이용되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). CMG 공정에서는, 연마제(지립)를 경질 수지 등의 수지 결합제로 고정화한 합성 지석을 이용한다. 그리고, 웨이퍼 및 합성 지석을 회전시키면서 합성 지석을 웨이퍼에 압압(押壓)시킨다(예를 들어, 특허문헌 2 참조). 웨이퍼 표면의 볼록부는, 합성 지석과의 마찰에 의해 미세한 가공 기점이 가열·산화되어 취약해져 박락(剝落)된다. 이와 같이 하여, 웨이퍼의 볼록부만이 연삭되어, 평탄화된다.
또한, CMG 공정에 있어서, 연삭 레이트를 향상시킴으로써, 가공 능률을 향상시키는 합성 지석이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 3 참조).
일본 특허 제4573492호 공보 일본 특허공개 2004-87912호 공보 일본 특허공개 2016-82127호 공보
전술한 합성 지석은, 다음과 같은 문제가 있었다. 즉, 전술한 바와 같이 CMG 공정에서는, 고체 사이의 화학 반응을 이용하여 재료 제거를 가공 원리로 하고 있기 때문에, 반응열이 충분히 상승하지 않으면 가공 속도가 상승하지 않았다. 또한, 합성 지석으로부터 유리된 연마제가 합성 지석 또는 웨이퍼의 회전에 수반하는 원심력으로 배출되어, 연삭 작용에 관여하지 않고, 가공 속도가 저하된다고 하는 문제도 있었다.
그래서, 본 발명은 상기의 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 연삭 가공에 있어서의 높은 연삭 효율을 실현하는 합성 지석을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 실시형태에 따른 합성 지석은, 피삭재에 대해 화학 기계 연삭 작용을 갖는 연마제와, 마찰 촉진제와, 상기 연마제와 상기 마찰 촉진제를 결합하는 결합제를 구비하고 있다.
본 실시형태에 따른 합성 지석은, 피삭재에 대해 화학 기계 연삭 작용을 갖는 연마제와, 상기 연마제를 결합하는 결합제를 구비하고, 상기 결합제에는, 증점 작용을 갖는 증점제가 함침되어 있거나, 또는, 상기 증점제가 저융점 왁스에 용해되어 함침되어 있다.
연삭 가공에 있어서의 마찰에 의한 발열을 촉진하여, 단시간에 온도 상승을 도모함으로써, 높은 연삭 효율을 실현하는 것이 가능해진다.
[도 1] 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 합성 지석이 짜넣어진 CMG 장치를 나타내는 사시도.
[도 2] 동 합성 지석을 나타내는 사시도.
[도 3] 동 합성 지석의 구성을 나타내는 설명도.
[도 4] 동 합성 지석의 작용 원리를 나타내는 설명도.
[도 5] 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 합성 지석의 구성 및 제조법을 나타내는 설명도.
[도 6] 동 합성 지석의 작용 원리를 나타내는 설명도.
[도 7] 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 합성 지석의 구성 및 제조법을 나타내는 설명도.
[도 8] 동 합성 지석의 작용 원리를 나타내는 설명도.
도 1∼도 4는, 본 발명의 제 1 실시형태를 나타내는 도면이다. 한편, 이들 도면에 있어서 S는 연삭 대상이 되는 실리콘 웨이퍼(피삭물)를 나타내고 있다. 도 1에 나타내는 바와 같이, CMG 장치(10)는, 웨이퍼(S)를 지지하는 회전 테이블 기구(20)와, 후술하는 합성 지석(100)을 지지하는 지석 지지 기구(30)를 구비하고 있다. CMG 장치(10)는, 웨이퍼 처리 장치의 일부를 구성하고 있다. CMG 장치(10)에는, 반송 로봇 등에 의해 웨이퍼(S)가 반입·반출된다.
회전 테이블 기구(20)는, 바닥면에 배치되는 테이블 모터(21)와, 이 테이블 모터(21)로부터 상방으로 돌출하여 배치된 테이블 축(22)과, 이 테이블 축(22)의 상단에 장착된 테이블(23)을 구비하고 있다. 테이블(23)은, 연삭 대상인 웨이퍼(S)를 착탈 자재하게 보지하는 기구를 갖고 있다. 보지하는 기구로서는, 예를 들어 진공 흡착 기구가 있다.
지석 지지 기구(30)는, 바닥면에 배치됨과 함께 내부에 모터가 수용된 가대(31)와, 이 가대(31)에 지지되어, 가대(31) 내의 모터에 의해 도 1 중 화살표 방향으로 요동하는 연직 방향의 요동축(32)과, 이 요동축(32)의 상단에 마련되어, 수평 방향으로 연설(延設)되는 암(arm)(33)과, 이 암(33)의 선단측에 마련된 지석 구동 기구(40)를 구비하고 있다.
지석 구동 기구(40)는, 회전 모터부(41)를 구비하고 있다. 회전 모터부(41)는, 하방으로 돌출된 회전축(42)을 구비하고 있다. 회전축(42)의 선단부에는 원판상의 휠 보지 부재(43)가 장착되어 있다. 휠 보지 부재(43)에는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 원판상의 합성 지석(100)이 착탈 자재하게 장착되어 있다. 합성 지석(100)의 장착에는, 합성 지석(100)에 마련된 나사 구멍에, 휠 보지 부재(43)측으로부터 볼트를 나사끼워 장착한다.
합성 지석(100)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(S)에 대해 화학 기계 연삭 작용을 갖는 연마제(101)를 갖고, 이 연마제(101) 내에 마찰 촉진제(102)를 분산시켜 결합제(103)에 의해 결합하여, 기공을 형성하여 형성되어 있다. 연마제(101)는, 피삭재의 재질에 의해 적절히 선택되는 것이고, 웨이퍼(S)가 실리콘 재제인 경우에는, 평균 입경이 10μm 이하인 산화 세륨을 주성분으로 하는 것이 바람직하다. 한편, 산화 세륨 외에, 산화 규소, 산화 철, 산화 타이타늄, 산화 크로뮴도 적용할 수 있고, 이들의 혼합물이어도 된다.
마찰 촉진제(102)는, 웨이퍼(S)보다도 낮은 모스 경도이고, 또한, 높은 마찰 계수를 갖는 섬유 물질을 주성분으로 한다. 섬유 물질은, 휘스커(결정 표면으로부터 외측을 향해 수염 모양으로 성장한 결정), 파이버의 어느 하나 또는 혼합물을 적용할 수 있다. 휘스커로서는, 기계적 강도가 큰 산화물계 휘스커 및 탄화물계 휘스커가 바람직하다. 파이버로서는, 셀룰로스 파이버 및 카본 파이버가 바람직하다. 결합제(103)는, 페놀 수지, 유레테인 수지, 에폭시 수지 등의 유기 화합물계 수지 또는 저융점 유리질 결합제를 주성분으로 하고 있다.
한편, 합성 지석(100)의 조성은 예를 들어, 연마제(101)가 40∼55체적%, 마찰 촉진제(102)가 1∼5체적%, 결합제(103)가 9∼30체적%이다. 또한, 합성 지석(100)의 기공률은 10∼50체적%이다. 기공에는, 마찰 촉진제(102)가 충전된다.
이와 같이 구성된 합성 지석(100)은, CMG 장치(10)에 장착되어, 다음과 같이 하여 웨이퍼(S)를 연삭한다. 즉, 합성 지석(100)을 휠 보지 부재(43)에 장착한다. 다음에, 반송 로봇에 의해 웨이퍼(S)를 테이블(23)에 장착한다.
다음에, 테이블 모터(21)를 구동하여, 테이블(23)을 도 1 중 화살표 방향으로 회전시킨다. 또한, 회전 모터부(41)를 구동하여, 휠 보지 부재(43) 및 합성 지석(100)을 도 1 중 화살표 방향으로 회전시킨다. 합성 지석(100)의 주속을 예를 들어, 600m/min으로 회전시킴과 함께, 가공 압력 300g/cm2로 웨이퍼(S)측으로 압압한다. 추가로, 요동축(32)을 도 1 중 화살표 방향으로 요동시킨다. 이들이 연동함으로써, 합성 지석(100)과 웨이퍼(S)가 접동한다.
이 때의 합성 지석(100)과 웨이퍼(S)의 관계를 도 4에 나타낸다. 가공이 개시되면, 합성 지석(100)과 웨이퍼(S)가 접동하여, 결합제(103)에 외력이 작용한다. 이 외력이 연속하여 작용함으로써 결합제(103)가 느슨해져, 연마제(101) 및 연질의 마찰 촉진제(102)가 웨이퍼(S) 상으로 탈락한다. 유리된 연마제(101)는, 섬유상의 마찰 촉진제(102)에 얽혀, 합성 지석(100)과 웨이퍼(S)의 간극에 있어서 접동된다. 연마제(101)는 화학 연마 작용을 갖고 있어, 웨이퍼(S) 표면에 길게 체류함으로써 화학 연마 작용의 기회 빈도의 향상으로 이어진다.
한편, 마찰 촉진제(102)는, 웨이퍼(S) 표면 및 연마제(101)와 서로 스침으로써 미시적인 응착과 박리를 반복한다. 이 동작이 브레이크 작용이 됨으로써 마찰열이 발생한다. 마찰열은, 연마제(101) 및 결합제(103)와 웨이퍼(S) 사이에서도 발생하고 있기 때문에, 그 마찰열에 더해지게 된다. 도 4 중 H는, 합성 지석(100)과 웨이퍼(S)의 간극에서 생긴 마찰열이 웨이퍼(S) 표면으로부터 웨이퍼(S) 내부로 퍼지는 양상을 나타내고 있다.
CMG 공정에 의한 가공량 L은, Preston의 공식으로부터 유도된다. 즉, L=k·P·V·t(k: Preston 계수, P: 지석면 압력, V: 지석 상대 속도, t: 가공 시간)에 의해 표시된다. 연마 효율(V/t)을 촉진시키는 비례 상수 k의 요인의 하나로서 열영향이 있다.
열화학 반응식은 일반적으로 아레니우스의 식에 의해 k(속도 상수)=Aexp(-E/RT)로 표시되고(A: 반응 계수, E: 활성화 에너지, R: 기체 상수, T: 절대 온도), 절대 온도 T에 대해 양의 상관이 된다. 따라서, 발열량을 크게 함으로써 가공 분위기에 있어서 열이 발생하면 화학 작용의 구동 에너지가 되어, 화학반응은 촉진되고, 가공량은 증가한다.
한편, 마찰 계수 μ와 발생 열량 Q는 일반적인 공식 ΔQ=μ·ΔW·v／J(ΔW: 가한 일량, v: 미끄럼 속도, J: 일량을 열량으로 변환하는 환산 상수)로 표시되므로, 마찰 계수의 증대로 절대 온도 T는 Q의 적분치로서 나타난다. 따라서 마찰 계수, 특히, 운동 마찰 계수가 클수록 온도 상승도 커진다.
이와 같이 하여 마찰 촉진제(102)를 이용하여 웨이퍼(S) 표면의 온도 상승에 의한 화학 반응을 촉진하여, 연삭 효율이 상승됨으로써, CMG 장치(10) 및 합성 지석(100)에 의한 웨이퍼(S)의 표면 연삭의 가공 시간을 단축시킬 수 있다.
본 실시형태에 따른 합성 지석(100)에 의하면, 마찰 촉진제(102)에 의한 온도 상승 효과 및 연마제(101)의 체류 효과를 조합함으로써, 연삭 효율이 상승되어, 가공 시간을 단축시킬 수 있다.
도 5∼도 6은, 본 발명의 제 2 실시형태를 나타내는 도면이다. 이들 도면에 있어서, 도 1∼도 4와 동일 기능 부분에는 동일 부호를 붙이고, 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 합성 지석(100A)은, 전술한 합성 지석(100)과 마찬가지로, CMG 장치(10)에 장착된다.
합성 지석(100A)은, 합성 지석(100)에 대해, 증점제(104)가 가해져 있다. 증점제(104)의 주성분은, 예를 들어 글리세린이다. 한편, 글리세린 외에, 글리콜이어도 되고, 이들의 혼합물이어도 된다. 또한, 증점제(104)의 첨가 방법으로서는, 직접 혼합해도 되고, 도 5에 나타내는 바와 같이, 글리세린 등을 저융점 왁스로 용해시킨 것을 함침시키도록 해도 된다.
이와 같이 구성된 합성 지석(100A)은, CMG 장치(10)에 장착되어, 전술한 합성 지석(100)과 마찬가지로 웨이퍼(S)를 연삭한다.
이 때의 합성 지석(100A)과 웨이퍼(S)의 관계를 도 6에 나타낸다. 가공이 개시되면, 합성 지석(100A)과 웨이퍼(S)가 접동하여, 결합제(103)에 외력이 작용한다. 이 외력이 연속하여 작용함으로써 결합제(103)가 느슨해져, 연마제(101) 및 연질의 마찰 촉진제(102)가 웨이퍼(S) 상으로 탈락한다. 유리된 연마제(101)는, 섬유상의 마찰 촉진제(102)에 얽혀, 합성 지석(100A)과 웨이퍼(S)의 간극에 있어서 접동된다. 연마제(101)는 화학 연마 작용을 갖고 있어, 웨이퍼(S) 표면에 길게 체류함으로써 화학 연마 작용의 기회 빈도의 향상으로 이어진다.
더욱이, 합성 지석(100A)과 웨이퍼(S) 사이의 접동 및 마찰 촉진제(102)의 접동에 의해, 마찰열이 발생한다. 이것에 의해, 합성 지석(100A) 내부에 저융점 왁스와 함께 함침된 증점제(104)의 성분, 즉 글리세린이 용출을 시작한다. 저융점 왁스는 분자량이 적기 때문에 합성 지석(100A)과 웨이퍼(S) 사이의 윤활 작용은 한정적이다. 그 저융점 왁스와 동일하게 하여 용출된 증점제(104)는 합성 지석(100A)과 웨이퍼(S) 사이에서 고점도인 액체(M)가 된다.
그 결과, 합성 지석(100A)과 웨이퍼(S)의 극히 좁은 간극 중에서 높은 전단 응력을 가지는 액체가 되어, 결과적으로 마찰열을 발생시킨다. 발생한 마찰열은 액체(M) 내에 머물기 쉬워, 온도 상승에 의한 화학 반응을 촉진하여, 연삭 효율이 상승된다. 따라서, CMG 장치(10) 및 합성 지석(100A)에 의한 웨이퍼(S)의 표면 연삭의 가공 시간을 단축시킬 수 있다. 도 6 중 H는, 합성 지석(100A)과 웨이퍼(S)의 간극에서 발생한 마찰열이 웨이퍼(S) 표면으로부터 웨이퍼(S) 내부로 퍼지는 양상을 나타내고 있다. 한편, 고점도의 액체(N) 내에 의해 연마제(101)가 트랩되기 때문에, 연마제(101)의 배출 작용이 억제되어, 연마제(101)의 체류 시간이 길어짐으로써 화학 연마 작용의 기회 빈도가 향상된다고 하는 효과도 있다.
본 실시형태에 따른 합성 지석(100A)에 의하면, 마찰 촉진제(102) 및 증점제(104)에 의한 온도 상승 효과 및 연마제(101)의 체류 효과를 조합함으로써, 연삭 효율이 상승되어, 가공 시간을 단축시킬 수 있다.
도 7∼도 8은, 본 발명의 제 3 실시형태를 나타내는 도면이다. 이들 도면에 있어서, 도 1∼도 6과 동일 기능 부분에는 동일 부호를 붙이고, 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 합성 지석(200)은, 전술한 합성 지석(100)과 마찬가지로, CMG 장치(10)에 장착된다.
합성 지석(200)은, 웨이퍼(S)에 대해 화학 기계 연삭 작용을 갖는 연마제(201)와, 이 연마제(201)를 분산시켜 결합하는 결합제(202)에 의해 형성되어 있다. 또한, 결합제(202)에는, 증점 작용을 갖는 증점제(203)가 저융점 왁스에 용해되어, 도 7에 나타내는 바와 같이 하여 함침되어 있다.
연마제(201)는, 피삭재의 재질에 따라 적절히 선택되는 것이고, 웨이퍼(S)가 실리콘 재제인 경우에는, 평균 입경이 10μm 이하인 산화 세륨을 주성분으로 하는 것이 바람직하다. 한편, 산화 세륨 외에, 산화 규소, 산화 철도 적용할 수 있고, 이들의 혼합물이어도 된다.
결합제(202)는, 페놀 수지 등의 유기물 또는 저융점 유리질 결합제를 주성분으로 하고 있다. 증점제(203)의 주성분은, 예를 들어 글리세린이다. 한편, 글리세린 외에, 글리콜이어도 되고, 이들의 혼합물이어도 된다. 또한, 증점제(203)의 첨가 방법으로서는, 직접 혼합해도 되고, 도 7에 나타내는 바와 같이, 글리세린 등을 저융점 왁스로 용해시킨 것을 함침시키도록 해도 된다.
이와 같이 구성된 합성 지석(200)은, CMG 장치(10)에 장착되어, 다음과 같이 하여 웨이퍼(S)를 연삭한다. 즉, 합성 지석(200)을 휠 보지 부재(43)에 장착한다. 다음에, 반송 로봇에 의해 웨이퍼(S)를 테이블(23)에 장착한다.
다음에, 테이블 모터(21)를 구동하여, 테이블(23)을 도 1 중 화살표 방향으로 회전시킨다. 또한, 회전 모터부(41)를 구동하여, 휠 보지 부재(43) 및 합성 지석(100)을 도 1 중 화살표 방향으로 회전시킨다. 합성 지석(200)의 주속을 예를 들어, 600m/min으로 회전시킴과 함께, 가공 압력 300g/cm2로 웨이퍼(S)측으로 압압한다. 추가로, 요동축(32)을 도 1 중 화살표 방향으로 요동시킨다. 이들이 연동함으로써, 합성 지석(200)과 웨이퍼(S)가 접동한다.
이 때의 합성 지석(200)과 웨이퍼(S)의 관계를 도 8에 나타낸다. 가공이 개시되면, 합성 지석(200)과 웨이퍼(S)가 접동하여, 결합제(202)에 외력이 작용한다. 이 외력이 연속하여 작용함으로써 결합제(202)가 느슨해져, 연마제(201)가 웨이퍼(S) 상에 탈락한다. 연마제(201)는 화학 연마 작용을 가지고 있어 웨이퍼(S) 표면의 연삭이 개시된다.
한편, 합성 지석(200)과 웨이퍼(S) 사이의 접동에 의해, 마찰열이 발생한다. 이것에 의해, 합성 지석(200) 내부에 저융점 왁스와 함께 함침된 증점제(203)의 성분, 즉 글리세린이 용출을 시작한다. 저융점 왁스는 분자량이 적기 때문에 합성 지석(200)과 웨이퍼(S) 사이의 윤활 작용은 한정적이다. 그 저융점 왁스와 동일하게 하여 용출된 증점제(203)는 합성 지석(200)과 웨이퍼(S) 사이에서 고점도인 액체(N)가 된다.
그 결과, 합성 지석(200)과 웨이퍼(S)의 극히 얇은 간극 중에서 높은 전단 응력을 갖는 액체가 되어, 결과적으로 마찰열을 발생시킨다. 발생한 마찰열은 액체(N) 내에 머물기 쉬워, 온도 상승에 의한 화학 반응을 촉진하여, 연삭 효율이 상승된다. 따라서, CMG 장치(10) 및 합성 지석(200)에 의한 웨이퍼(S)의 표면 연삭의 가공 시간을 단축시킬 수 있다. 도 8 중 H는, 합성 지석(200)과 웨이퍼(S)의 간극에서 발생한 마찰열이 웨이퍼(S) 표면으로부터 웨이퍼(S) 내부로 퍼지는 양상을 나타내고 있다. 한편, 고점도의 액체(N) 내에 의해 연마제(201)가 트랩되기 때문에, 연마제(201)의 배출 작용이 억제되어, 연마제(201)의 체류 시간이 길어짐으로써 화학 연마 작용의 기회 빈도가 향상된다고 하는 효과도 있다.
이와 같이 하여 증점제(203)를 이용하여 웨이퍼(S) 표면의 온도 상승을 촉진함과 함께, 연마제(201)를 작용면에 머무르게 할 수 있다. 따라서, 연삭 효율을 상승시킴으로써, CMG 장치(10) 및 합성 지석(200)에 의한 웨이퍼(S)의 표면 연삭의 가공 시간을 단축시킬 수 있다.
본 실시형태에 따른 합성 지석(200)에 의하면, 증점제(203)에 의한 온도 상승 효과 및 연마제(201)의 체류 효과를 조합함으로써, 연삭 효율이 상승되어, 가공 시간을 단축시킬 수 있다.
한편, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니고, 실시 단계에서는 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변형하는 것이 가능하다. 또한, 각 실시형태는 적절히 조합하여 실시해도 되고, 그 경우 조합한 효과가 얻어진다. 더욱이, 상기 실시형태에는 여러 가지 발명이 포함되어 있고, 개시되는 복수의 구성 요건으로부터 선택된 조합에 의해 여러 가지 발명이 추출될 수 있다. 예를 들어, 실시형태에 나타나는 전체 구성 요건으로부터 몇몇 구성 요건이 삭제되어도, 과제를 해결할 수 있고, 효과가 얻어지는 경우에는, 이 구성 요건이 삭제된 구성이 발명으로서 추출될 수 있다.
10…CMG 장치, 20…회전 테이블 기구, 21…테이블 모터, 22…테이블 축, 23…테이블, 30…지석 지지 기구, 31…발판, 32…요동축, 33…암, 40…지석 구동 기구, 41…회전 모터부, 42…회전축, 43…휠 보지 부재, 100, 100A…합성 지석, 101…연마제, 102…마찰 촉진제, 103…결합제, 104…증점제, 200…합성 지석, 201…연마제, 202…결합제, 203…증점제, S…웨이퍼.

Claims (9)

  1. 피삭재를 화학 기계 연삭하는 합성 지석에 있어서,
    상기 피삭재에 대해 화학 기계 연삭 작용을 갖는 연마제와,
    마찰 촉진제와,
    상기 연마제와 상기 마찰 촉진제를 결합하는 결합제를 구비하고 있는 합성 지석.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 연마제는, 산화 세륨, 산화 규소, 산화 철, 산화 타이타늄, 산화 크로뮴의 어느 하나 또는 혼합물을 주성분으로 하고, 평균 입경이 10μm 이하인 합성 지석.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 마찰 촉진제는, 상기 피삭재보다도 낮은 모스 경도이고, 또한, 높은 마찰 계수를 갖는 섬유 물질을 주성분으로 하는 합성 지석.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 마찰 촉진제는, 휘스커, 파이버의 어느 하나 또는 혼합물을 주성분으로 하는 합성 지석.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 결합제는, 유기 화합물계 수지 또는 저융점 유리질 결합제를 주성분으로 하는 합성 지석.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 결합제에는, 증점 작용을 갖는 증점제가 함침되어 있거나, 또는 상기 증점제가 저융점 왁스에 용해되어 함침되어 있는 합성 지석.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 증점제는, 글리세린 또는 글리콜의 적어도 한쪽을 주성분으로 하는 합성 지석.
  8. 피삭재를 화학 기계 연삭하는 합성 지석에 있어서,
    상기 피삭재에 대해 화학 기계 연삭 작용을 갖는 연마제와,
    상기 연마제를 결합하는 결합제를 구비하고,
    상기 결합제에는, 증점 작용을 갖는 증점제가 함침되어 있거나, 또는 상기 증점제가 저융점 왁스에 용해되어 함침되어 있는 합성 지석.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 증점제는, 글리세린 또는 글리콜의 적어도 한쪽을 주성분으로 하는 합성 지석.
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