KR20210109998A - 흡착장치, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법 - Google Patents
흡착장치, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210109998A KR20210109998A KR1020200025359A KR20200025359A KR20210109998A KR 20210109998 A KR20210109998 A KR 20210109998A KR 1020200025359 A KR1020200025359 A KR 1020200025359A KR 20200025359 A KR20200025359 A KR 20200025359A KR 20210109998 A KR20210109998 A KR 20210109998A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- main surface
- pressing
- pressing member
- adsorption
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 194
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 102
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 372
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 35
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 claims description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 71
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 54
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 15
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 13
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H01L51/56—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본 발명의 흡착장치는, 제1 주면과, 상기 제1 주면과는 반대측인 제2 주면을 가지는 피흡착체의, 상기 제1 주면의 주연부를 지지하는 지지 유닛과, 상기 피흡착체의 상기 제2 주면측으로부터 상기 피흡착체를 흡착하는 흡착수단과, 상기 피흡착체를 상기 피흡착체의 상기 제2 주면측으로부터 가압하기 위한 복수의 가압 부재를 갖고, 상기 복수의 가압 부재는, 상기 피흡착체의 상기 제2 주면이 갖는 복수의 코너부 중 적어도 2개의 코너부에 대응하는 위치에 각각 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 흡착장치, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법에 관한 것이다.
유기EL 표시장치(유기 EL 디스플레이)의 제조에 있어서는, 유기 EL 표시장치를 구성하는 유기 발광소자(유기 EL 소자; OLED)를 형성할 때에, 성막장치의 증발원으로부터 증발한 증착재료를 화소 패턴이 형성된 마스크를 통해 기판에 증착시킴으로써, 유기물층이나 금속층을 형성한다.
상향증착방식(Depo-up)의 성막장치에 있어서, 증발원은 성막장치의 진공용기의 하부에 설치되고, 기판은 진공용기의 상부에 배치되며, 기판의 하면에 증착이 이루어진다. 이러한 상향 증착 방식의 성막장치의 진공용기내에서, 기판은 그 하면의 주연부만이 기판홀더에 의해 보유 및 지지되기 때문에, 기판이 그 자중에 의해 처지며, 이것이 증착정밀도를 떨어뜨리는 하나의 요인이 되고 있다. 상향증착방식 이외의 방식의 성막장치에 있어서도, 기판의 자중에 의한 처짐은 발생할 가능성이 있다.
기판의 자중에 의한 처짐을 저감하기 위한 방법으로서 정전척을 사용하는 기술이 검토되고 있다. 즉, 기판의 상면을 그 전체에 걸쳐 정전척으로 흡착함으로써 기판의 처짐을 저감할 수 있다.
그러나, 하방으로 처져 있는 기판을 정전척으로 상방으로부터 흡착하더라도, 흡착에 상대적으로 긴 시간이 걸리므로, 공정 시간(Tact Time)이 증가하여 생산성을 낮추는 요인이 된다. 또한, 시간을 들여서 흡착을 하더라도, 처짐이 남아, 증착정밀도를 저하시키는 요인이 된다.
본 발명은, 피흡착체를 양호하게 정전척에 흡착하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 양태에 따른 흡착장치는, 제1 주면과, 상기 제1 주면과는 반대측인 제2 주면을 가지는 피흡착체의, 상기 제1 주면의 주연부를 지지하는 지지 유닛과, 상기 피흡착체의 상기 제2 주면측으로부터 상기 피흡착체를 흡착하는 흡착수단과, 상기 피흡착체를 상기 피흡착체의 상기 제2 주면측으로부터 가압하기 위한 복수의 가압 부재를 갖고, 상기 복수의 가압 부재는, 상기 피흡착체의 상기 제2 주면이 갖는 복수의 코너부 중 적어도 2개의 코너부에 대응하는 위치에 각각 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 피흡착체를 양호하게 정전척에 흡착시킬 수 있다.
도 1은 전자 디바이스의 제조 장치의 일부의 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 성막장치의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 흡착장치의 단면모식도이다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 흡착장치의 평면모식도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 흡착방법을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 흡착방법을 나타내는 도면이다.
도 7은 전자 디바이스를 나타내는 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 성막장치의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 흡착장치의 단면모식도이다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 흡착장치의 평면모식도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 흡착방법을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 흡착방법을 나타내는 도면이다.
도 7은 전자 디바이스를 나타내는 모식도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태 및 실시예를 설명한다. 다만, 이하의 실시형태 및 실시예는 본 발명의 바람직한 구성을 예시적으로 나타내는 것일 뿐이며, 본 발명의 범위는 이들 구성에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 장치의 하드웨어 구성 및 소프트웨어 구성, 처리 흐름, 제조조건, 크기, 재질, 형상 등은, 특히 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 이것으로 한정하려는 취지인 것은 아니다.
본 발명은, 예컨대, 기판의 표면에 각종 재료를 퇴적시켜 성막을 행하는 성막장치에 적용할 수 있으며, 진공 증착에 의해 소망하는 패턴의 박막(재료층)을 형성하는 장치에 바람직하게 적용할 수 있다.
기판의 재료로는 유리, 고분자재료의 필름, 금속, 반도체(예컨대, 실리콘) 등의 임의의 재료를 선택할 수 있다. 기판은, 예컨대 실리콘 웨이퍼, 유리기판상에 폴리이미드 등의 필름이 적층된 기판이어도 된다. 또한 성막 재료(증착의 경우에는 증착재료라고 칭하는 경우도 있다)로서도 유기 재료, 금속성 재료(금속, 금속 산화물 등) 등의 임의의 재료를 선택하는 것이 가능하다.
이하의 설명에서 성막장치로서 증착장치에 대해서 설명하지만, 본 발명에 관계되는 성막장치는, 이에 한정되지 않으며, 스퍼터링 장치나 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치여도 좋다. 본 발명의 기술은, 구체적으로는, 반도체 디바이스, 자기 디바이스, 전자 부품 등의 각종 전자 디바이스와 광학 부품 등의 제조 장치에 적용 가능하다. 전자 디바이스의 구체적인 예로는, 발광 소자 및 광전 변환 소자, 터치 패널 등을 들 수 있다. 본 발명은 특히, OLED 등 유기 발광 소자 및 유기 박막 태양 전지 등의 유기 광전 변환 소자의 제조 장치에 바람직하게 적용 가능하다. 또한, 본 발명의 전자 디바이스는, 발광 소자를 구비한 표시 장치(예를 들면, 유기 EL 표시장치)와 조명 장치(예를 들면, 유기 EL 조명 장치), 광전 변환 소자를 구비한 센서(예를 들면, 유기 CMOS 이미지 센서)도 포함한다.
<전자 디바이스 제조 장치>
도 1은 전자 디바이스의 제조 장치의 일부의 구성을 모식적으로 도시한 평면도이다.
도 1의 제조 장치는, 예를 들면 스마트폰 용의 유기 EL 표시장치의 표시 패널의 제조에 이용된다. 스마트폰 용의 표시 패널의 경우, 예를 들면, 제4.5세대(G4.5)의 직사각형 기판(약 700㎜ × 약 900㎜)이나, 제6세대(G6)의 풀사이즈(약 1500㎜ × 약 1850㎜) 또는 하프컷 사이즈(약 1500㎜ × 약 925㎜)의 직사각형의 기판에 유기 EL 소자의 형성을 위한 성막을 행한 후, 해당 기판을 잘라 내어 복수의 작은 사이즈의 패널을 제작한다.
전자 디바이스 제조 장치는, 일반적으로 복수의 클러스터 장치(1)와, 복수의 클러스터 장치(1) 사이를 연결하는 중계장치를 포함한다.
클러스터 장치(1)는, 기판(S)에 대한 처리(예컨대, 성막)를 행하는 복수의 성막장치(11)와, 사용전후의 마스크(M)를 수납하는 복수의 마스크 스톡 장치(12)와, 그 중앙에 배치되는 반송실(13)을 구비한다. 반송실(13)은 도 1에 도시한 바와 같이, 복수의 성막장치(11) 및 마스크 스톡 장치(12) 각각과 접속된다.
반송실(13) 내에는, 기판(S) 및 마스크(M)를 반송하는 반송 로봇(14)이 배치된다. 반송로봇(14)은, 상류측에 배치된 중계장치의 패스실(15)로부터 성막장치(11)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 반송로봇(14)은 성막장치(11)와 마스크 스톡 장치(12)간에 마스크(M)를 반송한다. 반송 로봇(14)은, 예를 들면, 다관절 아암에, 기판(S) 또는 마스크(M)를 보유지지하는 로봇 핸드가 장착된 구조를 갖는 로봇일 수 있다.
성막장치(11)(증착 장치라고도 부름)에서는, 증발원에 수납된 증착재료가 히터에 의해 가열되어 증발하고, 마스크(M)를 통해 기판(S)상에 증착된다. 반송 로봇(14)과의 기판(S)의 주고받음, 기판(S)과 마스크(M)의 상대 위치의 조정(얼라인먼트), 마스크(M) 상으로의 기판(S)의 고정, 성막(증착) 등의 일련의 성막 프로세스는, 성막 장치(11)에 의해 행해진다.
마스크 스톡 장치(12)에는 성막장치(11)에서의 성막 공정에 사용될 새로운 마스크 및 사용이 끝난 마스크가 두 개의 카세트에 나뉘어져 수납된다. 반송 로봇(14)은, 사용이 끝난 마스크를 성막장치(11)로부터 마스크 스톡 장치(12)의 카세트로 반송하며, 마스크 스톡 장치(12)의 다른 카세트에 수납된 새로운 마스크를 성막장치(11)로 반송한다.
클러스터 장치(1)에는 기판(S)의 흐름방향으로 상류측과 하류측에 각각 중계장치가 연결된다. 각각의 중계장치는, 상류측으로부터 하류측을 향하여 버퍼실(16), 선회실(17), 패스실(15)을 이 순서대로 가진다. 즉, 클러스터 장치(1)에는, 상류측에 패스실(15)이 연결되고, 하류측에 버퍼실(16)이 연결된다. 클러스터 장치(1)에 대하여, 기판(S)의 흐름 방향에 있어서 상류측(도 1에 있어서 좌측)에 연결된 패스실(15)은, 상류측으로부터의 기판(S)을 해당 클러스터 장치(1)에 전달하는 챔버가 된다. 클러스터 장치(1)에 대하여 하류측(도 1에 있어서 우측)에 연결되는 버퍼실(16)은, 해당 클러스터 장치(1)에서 성막처리가 완료된 기판(S)을 하류측의 다른 클러스터 장치로 전달하는 챔버가 된다. 반송실(13)의 반송 로봇(14)은 상류측의 패스실(15)로부터 기판(S)을 받아서, 해당 클러스터 장치(1)내의 성막장치(11)중 하나(예컨대, 성막장치(11a))로 반송한다. 또한, 반송 로봇(14)은 해당 클러스터 장치(1)에서의 성막처리가 완료된 기판(S)을 복수의 성막장치(11) 중 하나(예컨대, 성막장치(11b))로부터 받아서, 하류측에 연결된 버퍼실(16)로 반송한다.
버퍼실(16)과 패스실(15) 사이에는 기판의 방향을 바꾸어 주는 선회실(17)이 설치되어도 된다. 선회실(17)에는 버퍼실(16)로부터 기판(S)을 받아 기판(S)을 180도 회전시켜 패스실(15)로 반송하기 위한 반송 로봇(18)이 설치된다. 이를 통해, 상류측 클러스터 장치와 하류측 클러스터 장치에서 기판(S)의 방향이 동일하게 되어 기판 처리가 용이해진다.
패스실(15), 버퍼실(16), 선회실(17)은 클러스터 장치 사이를 연결하는 소위 중계장치로서, 클러스터 장치의 상류측 및/또는 하류측에 설치된 중계장치는, 패스실, 버퍼실, 선회실 중 적어도 하나를 포함한다.
성막장치(11), 마스크 스톡 장치(12), 반송실(13), 버퍼실(16), 선회실(17) 등은 유기발광 소자의 제조과정에서, 고진공상태로 유지된다. 패스실(15)은, 통상 저진공상태로 유지되나, 필요에 따라 고진공상태로 유지될 수도 있다.
본 실시예에서는, 도 1을 참조하여, 전자 디바이스 제조 장치의 구성에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 종류의 장치나 챔버를 가질 수도 있으며, 이들 장치나 챔버간의 배치가 달라질 수도 있다. 예컨대, 전자디바이스 제조장치는, 클러스터 타입이 아니라, 인라인 타입이어도 된다. 즉, 기판과 마스크를 캐리어에 탑재하여, 일렬로 늘어서 있는 복수의 성막장치 내를 반송시키면서 성막하는 구성을 가져도 된다. 또한, 클러스터 타입과 인라인 타입을 조합한 타입의 구조를 가져도 된다. 예를 들어, 유기층의 성막까지는 클러스터 타입의 제조장치에서 수행하고, 전극층(음극층)의 성막 공정부터, 봉지 공정 및 절단 공정 등은 인라인 타입의 제조장치에서 행하는 것도 가능하다.
이하, 성막장치(11)의 구체적인 구성에 대하여 설명한다.
<성막 장치>
도 2는 성막장치(11)의 구성을 나타낸 모식도이다. 이하의 설명에 있어서는, 연직 방향을 Z 방향으로 하는 XYZ 직교 좌표계를 사용한다. 성막 시에 직사각형의 기판(S)이 수평면(XY 평면)과 평행하게 고정될 경우, 기판(S)의 단변방향(단변에 평행한 방향)을 X 방향, 장변방향(장변에 평행한 방향)을 Y 방향으로 한다. 또 Z 축 주위의 회전각을 θ로 표시한다.
성막장치(11)는, 진공 분위기 또는 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기로 유지되는 진공 용기(용기, 21)와, 진공 용기(21)내에 설치되는 기판 지지 유닛(지지 유닛, 22)과, 마스크 지지 유닛(23)과, 정전척(흡착수단, 24)과, 마그넷판(31)과, 증발원(성막수단, 25)을 포함한다.
기판 지지 유닛(22)은 반송실(13)에 설치된 반송 로봇(14)에 의해 반송되어 온 기판(S)을 수취하여, 보유 지지하는 수단으로서, 기판 홀더라고도 부른다. 본 실시형태에서는, 기판 지지 유닛(22)은 복수의 지지부(22a)를 갖고, 복수의 지지부(22a)에 의해 직사각형의 기판(S)의 제1 주면(여기서는 저면)의 주연부를 지지한다. 예컨대, 기판 지지 유닛(22)은, 기판(S)의 마주보는 두 변부(직사각형의 기판의 경우, 1쌍의 장변부 또는 1쌍의 단변부) 또는 4개의 변부를 지지한다. 또한, 본 명세서에서 "주연부"는 반드시 주연단을 포함하지 않아도 된다. 예를 들어, 기판 지지 유닛(22)이 갖는 복수의 지지부(22a)는, 기판(S)의 저면의 주연단과 접촉하지 않고, 주연단으로부터 어느 정도의 거리만큼 기판(S)의 중심으로 치우친 부분과 접촉함으로써 기판(S)을 지지해도 된다. 또한, 본 명세서에서 "변부"도 마찬가지로, 반드시 변 자체를 포함하지 않아도 되는 것은 말할 것까지도 없다.
기판 지지 유닛(22)의 아래에는 마스크 지지 유닛(23)이 설치된다. 마스크 지지 유닛(23)은, 반송실(13)에 설치된 반송로봇(14)에 의해 반송되어 온 마스크(M)를 수취하여, 보유 지지하는 수단으로서, 마스크 홀더라고도 부른다. 마스크 지지 유닛 (23)은, 마스크 지지 유닛(23)이 지지하는 마스크(M)가, 기판 지지 유닛(22)이 지지하는 기판(S)과, 성막수단인 증발원(25)과의 사이에 배치되도록 하는 위치에 배치된다
마스크(M)는, 기판(S) 상에 형성될 박막 패턴에 대응하는 개구 패턴을 가지며, 마스크 지지 유닛(23)상에 재치된다. 특히, 스마트폰용 유기 EL 소자를 제조하는데 사용되는 마스크는 미세한 개구패턴이 형성된 금속제 마스크로서, FMM(Fine Metal Mask)이라고도 부른다.
기판 지지 유닛(22)에 의해 지지되는 기판(S)의 제2 주면과 대향하는 위치(여기서는 기판 지지 유닛(22)의 상방)에는, 기판(S)을 정전 인력에 의해 흡착하여 고정하기 위한 기판흡착수단 또는 피흡착체 흡착수단으로서의 정전척(24)이 설치된다. 정전척(24)은 유전체(예컨대, 세라믹재질) 매트릭스내에 금속전극 등의 전기회로가 매설된 구조를 갖는다.
정전척(24)은, 전극과 흡착면 사이에 상대적으로 고저항의 유전체가 개재되어 전극과 피흡착체간의 쿨롱력에 의해 흡착이 이루어지는 쿨롱력 타입의 정전척이어도 되고, 전극과 흡착면 사이에 상대적으로 저항이 낮은 유전체가 개재되어 유전체의 흡착면과 피흡착체간에 발생하는 존슨 라벡력에 의해 흡착이 이루어지는 존슨-라벡력 타입의 정전척이어도 되며, 불균일 전계에 의해 피흡착체를 흡착하는 그래디언트력 타입의 정전척이어도 된다.
피흡착체가 도체나 반도체(실리콘 웨이퍼)인 경우에는 쿨롱력 타입의 정전척 또는 존슨-라벡력 타입의 정전척을 사용하는 것이 바람직하며, 피흡착체가 유리와 같은 절연체인 경우에는 그래디언트력 타입의 정전척을 사용하는 것이 바람직하다.
정전척(24)은 하나의 플레이트로 형성되어도 되고, 복수의 서브플레이트를 가지도록 형성되어도 된다. 또한, 하나의 플레이트로 형성되는 경우에도 그 내부에 복수의 전기회로를 포함하여, 하나의 플레이트내에서 위치에 따라 정전인력이 다르도록 제어할 수도 있다.
본 실시형태에서는 기판흡착수단으로서 정전척을 위주로 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 점착력으로 기판을 흡착하는 점착척을 사용하여도 된다.
본 실시형태에 따른 성막장치(11)는, 기판 지지 유닛(22)에 의하여 지지되고 있는 기판(S)의 코너부를, 기판(S)의 상면측(제2 주면측)으로부터 가압하기 위한 가압부재(30)를 더 포함한다. 이를 위해, 정전척(24)에 가압부재(30)가 관통할 수 있는 구멍(24a)이 형성되어 있어도 된다. 가압부재(30)를 포함하는 기판(S)의 흡착장치 및 방법에 대해서는 뒤에서 상세히 설명한다. 기판(S)이 가지는 코너부는, 수학적으로 엄밀한 의미에서의 코너가 아니어도 되며, 예컨대, R 가공 등에 의해 둥그스름함을 띤 코너이어도 된다.
도 2에 도시하지 않았으나, 정전척(24)의 흡착면과는 반대측에 기판(S)의 온도 상승을 억제하는 냉각기구(예컨대, 냉각판)를 설치함으로써, 기판(S)상에 퇴적된 유기재료의 변질이나 열화를 억제하는 구성으로 하여도 된다.
정전척(24)의 상방에는, 금속제 마스크(M)에 자력을 인가하여 마스크(M)를 끌어당겨, 마스크(M)를 기판(S)에 밀착시키기 위한 마그넷판(31)이 마련되어 있다. 마그넷판(31)은 영구자석 또는 전자석을 가지며, 정전척(24) 및 기판(S)을 통해 마스크(M)에 자력을 인가한다. 마그넷판(31)은, 정전척(24)의 흡착면에 수직인 방향에서 볼 때, 나란히 배열된 복수의 모듈로 구획되어 있어도 된다. 또한, 마그넷판(31)은 후술하는 냉각판과 일체로 형성되어 있어도 좋다.
증발원(25)은 기판(S)에 성막될 증착 재료가 수납되는 도가니(미도시), 도가니를 가열하기 위한 히터(미도시), 증발원으로부터의 증발 레이트가 일정해질 때까지 증착재료가 기판(S)으로 비산하는 것을 막는 셔터(미도시) 등을 포함한다. 증발원(25)은 점(point) 증발원, 선형(linear) 증발원, 면형 증발원 등, 용도에 따라 다양한 구성을 가질 수 있다.
도 2에 도시하지 않았으나, 성막장치(11)는 기판(S)에 증착된 막두께를 측정하기 위한 막두께 모니터(미도시) 및 막두께 산출 유닛(미도시)를 포함한다. 막두께 모니터로는, 수정 진동자를 포함하는 수정 모니터를 이용하는 것이 가능하다.
진공 용기(21)의 상부 외측(대기측)에는 기판 지지 유닛 Z 액츄에이터(지지 유닛 이동 기구, 26), 마스크 지지 유닛 Z 액츄에이터(27), 정전척 Z 액츄에이터(28), 위치조정기구(29) 등이 설치된다. 이들 액츄에이터(26, 27, 28)와 위치조정기구(29)는, 예컨대, 모터와 볼나사, 또는 모터와 리니어가이드 등으로 구성되는데, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 당업계에서 공지된 다른 구성이 채용되어도 된다. 기판 지지 유닛 Z 액츄에이터(26)는, 기판 지지 유닛(22)을 승강(Z방향 이동)시키기 위한 구동수단, 즉 기판 지지 유닛 이동 기구 또는 피흡착체 지지 유닛 이동 기구이다. 마스크 지지 유닛 Z 액츄에이터(27)는, 마스크 지지 유닛(23)을 승강(Z방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. 정전척 Z 액츄에이터(28)는, 정전척(24)을 승강(Z방향 이동)시키기 위한 구동수단, 즉 기판흡착수단 이동 기구 또는 피흡착체흡착수단 이동 기구이다.
위치조정기구(29)는, 정전척(24)의 얼라인먼트를 위한 구동수단이다. 위치조정기구(29)는, 정전척(24) 전체를 기판 지지 유닛(22) 및 마스크 지지 유닛(23)에 대하여, X방향 이동, Y방향 이동, θ회전시킨다. 본 실시형태에서는, 기판(S)을 흡착한 상태에서, 정전척(24)을 XYθ방향으로 위치조정함으로써, 기판(S)과 마스크(M)의 상대적 위치를 조정하는 얼라인먼트를 행한다.
진공용기(21)의 외측상면에는, 전술한 구동기구 이외에, 진공 용기(21)의 상면에 설치된 투명창을 통해 기판(S) 및 마스크(M)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬영하기 위한 얼라인먼트용 카메라(20)를 설치하여도 된다. 본 실시예에 있어서는, 얼라인먼트용 카메라(20)는, 직사각형의 기판(S), 마스크(M) 및 정전척(24)의 대각선상의 두 코너부에 대응하는 위치 또는 직사각형의 4개의 코너부에 대응하는 위치 또는 대향하는 두 변의 중앙부에 설치하여도 된다.
본 실시형태의 성막장치(11)에 설치되는 얼라인먼트용 카메라(20)는, 기판(S)과 마스크(M)의 상대적 위치를 고정밀도로 조정하는데 사용되는 파인 얼라인먼트용 카메라이며, 그 시야각은 좁지만 고해상도를 가지는 카메라이다. 성막장치(11)는 파인 얼라인먼트용 카메라(20) 이외에 상대적으로 시야각이 넓고 저해상도인 러프 얼라인먼트용 카메라를 포함하여도 된다.
위치조정기구(29)는 얼라인먼트용 카메라(20)에 의해 취득한 기판(S)과 마스크(M)의 위치정보에 기초하여, 기판(S)과 마스크(M)를 상대적으로 이동시켜 위치를 조정하는 얼라인먼트를 행한다.
성막장치(11)는 제어부(32)를 구비한다. 제어부(32)는 기판(S)이나 마스크(M)의 반송 및 얼라인먼트의 제어(각 이동기구의 제어), 증발원(25)의 제어, 성막의 제어 등의 기능을 갖는다.
특히, 본 실시형태에 따른 제어부(32)는, 정전척(24)에 의한 기판(S)의 흡착 동작에서, 기판 지지 유닛 Z 액츄에이터(26)에 의한 기판 지지 유닛(22)의 승강 및 정전척 Z 액츄에이터(28)에 의한 정전척(24)의 승강을 제어하는, 흡착제어수단으로서 기능한다. 이에 의하여, 제어부(32)는 가압부재(30)에 의한 기판(S)의 가압 및 정전척(24)에의 기판(S)의 흡착 공정에서, 기판(S) 및 정전척(24)의 승강을 제어할 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 성막장치의 제어부와 별도로 흡착제어수단을 가져도 된다.
제어부(32)는, 또한, 정전척(24)에의 전압의 인가를 제어하는 기능을 갖는 것이 가능한데, 이에 대해서는 도 3을 참조하여 후술한다.
제어부(32)는 예를 들면, 프로세서, 메모리, 스토리지, I/O 등을 갖는 컴퓨터에 의해 구성 가능하다. 이 경우, 제어부(32)의 기능은 메모리 또는 스토리지에 기억된 프로그램을 프로세서가 실행함으로써 실현된다. 컴퓨터로서는 범용의 퍼스널 컴퓨터를 사용하여도 되고, 임베디드형의 컴퓨터 또는 PLC(programmable logic controller)를 사용하여도 좋다. 또는, 제어부(32)의 기능의 일부 또는 전부를 ASIC나 FPGA와 같은 회로로 구성하여도 좋다. 또한, 성막 장치별로 제어부가 설치되어도 되고, 하나의 제어부가 복수의 성막 장치를 제어하는 것으로 구성하여도 된다.
<흡착장치>
도 3는 본 발명의 일 실시형태에 따른 흡착장치의 구성을 보여주는 단면 모식도이다. 이하에서는, 직사각형의 기판을 전제로 하여 본 실시형태에 관한 흡착장치의 구성을 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 3을 참조하면, 흡착장치(110)는 지지부(22a)를 포함하는 기판 지지 유닛(22)과, 기판(S)을 흡착하기 위한 정전척(24)과, 기판 지지 유닛(22)의 지지부(22a)에 지지된 기판(S)의 코너부를 상방으로부터 가압하기 위한 가압부재(30)를 포함한다. 도 3에서, 기판 지지 유닛(22)은 지지부(22a)만이 간략히 도시되어 있는데, 이것은 단지 본 실시형태의 기술적 특징을 보다 명확하게 보이기 위한 것이다.
흡착장치(110)는, 기판 지지 유닛(22)을 승강시키기 위한 기판 지지 유닛 Z 액츄에이터(26)와, 정전척(24)을 승강시키기 위한 정전척 Z 액츄에이터(28)를 더 포함해도 된다. 그리고 흡착장치(110)에서의 정전척(24)에 의한 기판(S)의 흡착동작의 제어는, 흡착제어수단에 의하여 수행되어도 된다. 흡착제어수단은, 성막장치(11)의 제어부의 일 기능 유닛으로 구현되어도 되고 또한 별도의 제어부로 구현되어도 된다.
기판 지지 유닛(22)은, 피흡착체인 기판(S)을 지지하기 위한 피흡착체 지지 유닛의 일례이다. 기판(S)은 기판 지지 유닛(22)의 지지부(22a)에 의하여 제1 주면(도 3에서는 저면)의 주연부가 지지된다.
기판 지지 유닛(22)의 지지부(22a)에 의해 저면의 주연부가 지지되는 기판(S)은, 자중 등에 의하여 중앙부가 하방으로 처지게 된다. 그 결과, 기판(S)의 주연부는, 지지부(22a)의 상면과 부분적으로 접촉하여 지지되며, 기판(S)의 주연단으로 가까워질수록 지지부(22a)의 상면으로부터 떠올라 떨어지게 된다.
정전척(24)은, 기판 지지 유닛(22)의 지지부(22a)의 상측에 설치되어, 기판(S)을 정전 인력에 의해 흡착하여 고정하기 위한 기판흡착수단이다. 정전 인력의 유발을 위하여, 정전척(24)에는 소정의 전압이 인가된다. 본 실시형태에 의하면, 정전척(24)에 전압을 인가하는 구체적인 방법에 대해서는 특별한 제한이 없다. 예컨대, 정전척(24)에 전체적으로 동시에 전압이 인가되거나 또는 정전척(24)의 복수의 전극부 또는 흡착부에 순차적으로 전압이 인가되어도 된다.
본 실시형태에 의하면, 정전척(24)은, 후술하는 가압부재(30)에 의하여 가압되고 있는 기판(S)을, 기판(S)의 상면(제2 주면)측으로부터 흡착한다. 본 실시형태에서는, 기판(S)의 흡착을 위하여, 정전척(24)에 소정의 전압을 인가하기 이전에, 기판(S)을 가압부재(30)에 의하여 가압한다. 이에 의하여, 자중에 의해 하방으로 처져 있던 기판(S)의 중앙부를 들어올릴 수 있어서, 기판(S)의 휘어짐 정도가 저감되거나 또는 제거되거나 한 상태에서, 정전척(24)으로 흡착할 수 있다. 따라서, 흡착에 걸리는 시간을 단축시킬 수 있을 뿐만 아니라, 정전척(24)에 흡착된 기판(S)에 주름이 남는 것을 억제할 수 있다. 또한, 정전척(24)에 인가되는 전압을 작게 하는 것도 가능하다.
가압부재(30)는, 일 단부가 기판(S)의 제2 주면(도 3에서는 상면)에 당접함으로써, 기판(S)을 상측으로부터 가압하기 위한 것이다. 본 실시 형태에서는, 가압부재(30)는 핀 형상의 부재이다. 본 실시 형태에서는, 가압부재(30)가 기판(S)의 상면을 가압하는 영역인 가압 영역은, 기판(S)의 코너부에 위치한다. 이를 위하여, 가압부재(30)는, 기판 지지 유닛(22)에 의하여 지지되고 있는 직사각형의 기판(11)의 코너부에 대응하는 위치에 설치된다. 보다 구체적으로, 가압부재(30)에 의한 가압 영역은, 기판(11)의 4개의 코너부 중에서 적어도 2개의 코너부에 위치한다.
도 4a 및 도 4b는 각각, 가압부재(30)에 의한 가압 영역(30a)의 위치를 보여주는, 흡착장치(11)의 평면 모식도이다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 가압부재(30)는, 직사각형의 기판(S)의 4개의 코너부 중에서 대각선상에 위치하는 한 쌍의 코너부에 대응하는 위치에 설치되어도 된다. 이에 의하면, 가압부재(30)의 수를 최소화하면서도, 기판(S)을 효과적으로 가압하는 것이 가능하다.
또는, 도 4b에 도시된 바와 같이, 가압부재(30)는, 직사각형 기판(S)의 4개의 코너부 전부에 대응하는 위치에 설치되어도 된다.
이와 같이, 가압부재(30)로 기판(S)의 2개 또는 4개의 코너부를 상측으로부터 가압함으로써, 처져 있던 기판(S)의 중앙부를 들어올려서, 하방으로의 처짐 정도를 저감하거나 또는 거의 평평하게 하거나 할 수 있다. 특히, 처짐이 가장 심한 중앙부로부터 멀리 떨어진 코너부를 가압부재(30)에 의해 누름으로써, 효과적으로 기판(S)의 중앙부의 처짐을 저감시킬 수 있다.
도 4a 또는 도 4b에 도시된 본 발명의 실시형태에 의하면, 가압부재(30)는 직사각형의 기판(S)의 코너부에 설치되므로, 가압부재(30)에 의한 가압 영역(30a, 예컨대, 코너부)은, 기판 지지 유닛(22)의 지지부(22a)에 의해 기판(S)이 지지되는 지지 영역(예컨대, 변부)과는, 수직 방향(즉, 기판면에 수직한 방향)에서 볼 때, 서로 중첩되지 않는다. 따라서 지지부(22a)에 의한 제한을 받지 않으면서, 가압부재(30)에 의하여 기판(S)을 충분히 가압할 수 있다.
그리고 기판 지지 유닛(22)에 의하여 지지되는 지지 영역을 기판(S)의 상면에 수직 투영한 투영 영역과, 가압부재(30)에 의하여 가압되는 가압 영역(30a)은, 기판(S)의 하면의 외주와 닮은 도형(예컨대, 직사각형)을 구성하는 가상선(L, 도 4b 참조)을 따라 배열되어 있다.
본 실시형태의 일 측면에 의하면, 가압부재(30)는, 진공용기(21)의 벽, 예컨대 상측벽에 설치되어서, 하방으로 연장하도록 고정된다. 이 경우, 기판 지지 유닛(22)에 의하여 지지되고 있는 기판(S)이 상승함에 따라서, 기판(S)의 상면이 가압부재(30)와 접촉하게 되고, 기판(S)은 하방으로 가압된다. 이에 의하면, 기존의 기판 지지 유닛 Z 액츄에이터(26)를 이용하여, 가압부재(30)에 의한 기판(S)의 가압이 가능하므로, 가압부재(30)를 승강시키기 위한 별도의 구동 수단이 필요 없다. 따라서 흡착장치의 구성이 복잡해지지 않는다.
다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 가압부재(30)를 승강시키기 위한 승강기구를 성막장치(11)의 상부외측(대기측)에 설치하여도 된다. 또한, 가압부재(30)가 하나의 위치에 고정되지 않고, 기판(S)의 코너부를 가압할 수 있는 가압 위치와 퇴피위치 사이를 이동가능하도록 설치하여도 된다. 이에 의해, 다른 공정에서 가압부재(30)가 방해가 되는 것을 피할 수 있다.
본 실시 형태에 의하면, 기판 지지 유닛(22)이 상승하여 기판(S)이 가압부재(30)측으로 접근함에 따라서, 정전척 Z 액츄에이터(28)에 의해 정전척(24)도 이에 연동하여 상승하도록 한다.
그리고 가압부재(30)가 정전척(24)을 통하여 기판(S)을 가압할 수 있도록, 정전척(24)에는, 가압부재(30)가 통할 수 있는 구멍(24a)이 형성된다. 가압부재(30)의 관통을 위하여, 구멍(24a)은, 가압부재(30)의 위치, 즉 기판(S)의 가압 영역에 대응하는 위치에 형성된다. 그리고 구멍(24a)의 개수도 가압부재(30)의 개수에 대응하는 것이 바람직하다.
실시 형태에 따라서는, 구멍(24a)에는 블럭 부재(24b)가 추가로 설치되어도 된다(도 6 참조). 블럭 부재(24b)는, 가압부재(30)에 의하여 상방으로부터 가압되면, 구멍(24a)으로부터 하방으로 돌출되어 기판(S)을 가압한다. 이에 의하면, 도 3에 도시된 실시 형태에 비하여, 가압부재(30)의 길이를 보다 짧게 할 수 있다.
블럭 부재(24b)는, 가압부재(30)에 의한 가압이 해제되면, 원래의 위치인 구멍(24a) 내로 되돌아 갈 수 있도록 구성되는 것이 바람직하다. 즉, 블럭 부재(24b)는, 구멍(24a)으로부터 변위된 경우에, 구멍(24a)을 향해 복원력이 작용하도록 구성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 블럭 부재(24b)는, 스프링 등과 같은 탄성 수단에 결합되어서, 구멍(24a) 내에 설치되어도 된다.
<흡착방법>
다음으로, 본 발명의 일 실시형태에 따른 흡착방법에 대하여 설명한다. 본 실시형태에 따른 흡착방법은, (1) 피흡착체인 기판을 지지 유닛에 의해 지지하는 지지 단계, (2) 가압부재에 의해 피흡착체인 기판을 가압하는 가압 단계, (3) 흡착수단에 의해 피흡착체인 기판을 흡착하는 흡착 단계를 적어도 포함한다. 이하, 각각의 단계에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 흡착방법을 보여주는 도면이다. 본 실시형태는, 정전척(24)에서 가압부재(30)에 대응하는 위치에 구멍(24a)이 형성되고, 블럭 부재(24b)는 설치되지 않은 실시예이다.
<<지지 단계>>
본 단계에서는, 피흡착체인 기판(S)의 제1 주면(여기에서는 성막면)의 주연부를 지지 유닛에 의해 지지한다. 본 실시예에서는, 기판(S)의 성막면이 연직방향에서 아래를 향하게 배치되며, 이 기판(S)의 성막면의 주연부를 지지 유닛에 의해 하방으로부터 지지한다.도 5의 (a)를 참조하면, 성막장치(11)로 반입된 피흡착체인 기판(S)은, 기판 지지 유닛(22)의 지지부(22a)에 의하여 지지영역에서 지지되고 있다. 이 때, 가압부재(30)와, 정전척(24)과, 기판(S)은 이격되어 있다. 도시된 바와 같이, 기판(S)은 중앙부가 자중에 의하여 아래쪽으로 처져 있다. 그리고, 정전척(24)에 의해 기판(S)을 흡착하기 전에, 가압부재(30)로 기판(S)의 상면의 가압영역을 가압하기 위하여, 기판 지지 유닛(22)이 기판 지지 유닛 Z 액츄에이터(26)에 의해 가압부재(30)쪽으로 상승한다. 이때, 정전척(24)도 기판 지지 유닛(22)의 상승과 연동하여 정전척 Z 액츄에이터(28)에 의해 상승한다.
<<가압 단계>>
본 단계에서는, 가압부재(30)에 의해, 피흡착체인 기판(S)의 제2 주면(여기서는 성막면의 반대측의 면)으로부터, 기판(S)을 가압한다.도 5의 (b)를 참조하면, 정전척(24)과 기판 지지 유닛(22)이 상승함에 따라, 가압부재(30)는, 정전척(24)에 형성되어 있는 구멍(24a)을 관통한다. 정전척(24)과 기판 지지 유닛(22)이 계속 상승하면, 기판(S)의 상면(제2 주면)이 가압부재(30)와 접촉하게 된다. 실시형태에 따라서는, 가압부재(30)가 정전척(24)의 구멍(24a)을 관통하여 하방으로 돌출된 상태에서, 정전척(24)은 상승시키지 않고 기판 지지 유닛(22)만 추가로 상승시켜도 된다. 즉, 가압 단계에서는, 기판(S)의, 가압부재(30)(후술하는 바와 같이, 별도의 부재를 통해 가압하는 경우도 포함한다)에 의해 가압되는 부분이, 기판 지지 유닛(22)에 의해 지지되는 부분과 동일한 높이가 될 때까지 가압하여도 된다. 이와 같이 함으로써, 기판(S)에 응력이 가해져 기판(S)이 손상될 가능성을 저감할 수 있다. 또는, 가압 단계에서는, 기판(S)의, 가압부재(30)(후술하는 바와 같이, 별도의 부재를 통해 가압하는 경우도 포함한다)에 의해 가압되는 부분이, 기판 지지 유닛(22)에 의해 지지되는 부분보다도 낮게 될 때까지 가압하여도 된다. 다시 말하면, 전술한 형태로부터 더 가압하여도 된다. 이와 같이 함으로써, 기판의 처짐을 경감하는 효과를 보다 한층 발휘할 수 있다.
도 5의 (c)에 도시한 바와 같이, 가압부재(30)가 기판(S)의 상면과 접촉한 상태에서, 정전척(24)과 기판 지지 유닛(22)이 계속 상승함으로써, 가압부재(30)가 기판(S)의 상면의 코너부를 가압한다. 전술한 바와 같이, 본 단계에서는, 직사각형의 기판(S)의 4개의 코너부 중에서 적어도 2개의 코너부, 바람직하게는 대향하는 2개의 코너부 또는 4개의 코너부 전부에 대하여 가압이 이루어진다. 그 결과, 처져 있던 기판(S)은, 그 중앙부가 들어올려지게 되어 처짐이 경감될 수 있다.
<<흡착 단계>>
본 단계에서는, 가압 단계에서 가압부재에 의해 가압된 피흡착체(기판(S))의 상면(제2 주면)측으로부터 피흡착체(기판(S))를 흡착한다. 상술한 바와 같이, 가압 단계에서는 가압부재(30)에 의해 기판(S)이 가압됨으로써, 가압부재(30)에 의해 기판(S)의 처짐이 경감된다. 이 상태에서, 도 5의 (d)에 도시한 바와 같이, 정전척(24)에 소정의 전압(ΔV)을 인가하여, 가압부재(30)에 의하여 가압되고 있는 기판(S)을 정전척(24)으로 흡착한다. 또한, 정전척(24)에 소정의 전압을 인가하고 나서 기판 지지 유닛(22)을 더욱 상승시켜 정전척(24)을 기판(S)에 접근시켜도 되며, 기판 지지 유닛(22)을 상승시켜서 정전척을 기판(S)에 접근시키고 나서, 정전척(24)에 소정의 전압을 인가하도록 하여도 된다. 또한, 흡착 단계는, 가압 단계가 완료하기 전에 개시하여도 된다. 예컨대, 갑압 단계에서 가압부재(30)가 기판(S)에 직접적으로 또는 간접적으로 접촉하고, 가압부재(30)에 의해 기판(S)의 가압이 개시되면, 가압의 완료를 기다리지 않고, 흡착 단계를 개시하도록 하여도 된다. 그리고, 흡착수단인 정전척(24)에 의한 흡착과, 가압부재(30)에 의한 기판(S)의 가압을 병행하여 행하여도 된다. 전술한 바와 같이, 정전척(24)에 전압을 인가하는 구체적인 방법에 대해서는, 특별한 제한이 없다.
본 실시형태에 의하면, 가압부재(30)에 의하여 가압되어 처짐 정도가 경감된 기판(S)을 정전척(24)으로 흡착함으로써, 흡착에 걸리는 시간을 단축시킬 수가 있으며, 공정 시간을 단축시킬 수 있다. 그리고 정전척(24)과 기판(S)의 자중에 의한 처짐이 경감된 상태에서 흡착이 이루어지므로, 정전척(24)에 흡착된 후의 기판(S)에 주름이 남는 것을 억제하여(즉, 보다 넓은 면적에 걸쳐 기판(S)이 정전척에 흡착되며), 성막 공정의 정밀도 저하를 억제할 수 있다. 또한, 정전척(24)에 인가되는 전압(ΔV)의 크기를 작게 하는 것도 가능하다. 특히, 기판(S)의 중앙부로부터 멀리 떨어진 코너부를 가압함으로써, 중앙부의 처짐을 보다 효과적으로 경감할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 흡착방법을 보여주는 도면이다. 본 실시형태는, 정전척(24)에서 가압부재(30)에 대응하는 위치에 구멍(24a)이 형성되어 있고, 또한 구멍(24a)에는 블럭 부재(24b)가 설치되어 있는 실시예이다.
도 6의 (a)를 참조하면, 성막장치(11)로 반입된 피흡착체인 기판(S)은, 기판 지지 유닛(22)의 지지부(22a)에 의하여 지지된다. 이 때, 가압부재(30)와, 정전척(24)과, 기판(S)은 이격되어 있으며, 기판(S)은 중앙부가 자중에 의하여 아래쪽으로 처져 있다. 기판(S)을 정전척(24)으로 흡착하기 전에, 기판(S)의 처짐을 경감시키기 위하여, 기판 지지 유닛(22)이 가압부재(30)쪽으로 상승하며, 기판 지지 유닛(22)의 상승과 연동하여 정전척(24)도 함께 상승한다.
도 6의 (b)를 참조하면, 정전척(24)과 기판 지지 유닛(22)이 상승함에 따라, 가압부재(30)는, 정전척(24)의 구멍(24a)내에 진입하여, 구멍(24a)의 블럭 부재(24b)를 가압하게 된다. 이에 의해, 블럭 부재(24b)가 구멍(24a)으로부터 하방으로 돌출된다. 정전척(24)과 기판 지지 유닛(22)은 돌출된 블럭 부재(24b)가 기판(S)의 코너부를 가압할 때까지 계속 상승한다. 실시형태에 따라서는, 가압부재(30)가 블럭 부재(24b)를 가압하여 블럭 부재(24b)가 구멍(24a)의 아래쪽으로 돌출되면, 정전척(24)은 상승시키지 않고 기판 지지 유닛(22)만 추가로 상승시켜도 된다.
도 6의 (c)에 도시한 바와 같이, 정전척(24)과 기판 지지 유닛(22)이 계속 상승한 결과, 블럭 부재(24b)는 기판(S)과 접촉하여 기판(S)의 코너부를 가압한다. 전술한 바와 같이, 본 단계에서는, 직사각형의 기판(S)의 4개의 코너부 중에서 적어도 2개의 코너부, 바람직하게는 대향하는 2개의 코너부 또는 4개의 코너부 전체에 대하여 가압이 행해진다. 그 결과, 중앙부가 처져 있던 기판(S)은, 그 중앙부가 위로 들어올려지게 되어 처짐 정도가 작아지거나 또는 거의 평평한 상태가 되도록 하거나 할 수 있다.
이렇게 하여, 기판(S)의 처짐이 경감된 상태에서 도 6의 (d)에 도시한 바와 같이, 정전척(24)에 소정의 전압(ΔV)을 인가하여, 블럭 부재(24b)에 의하여 가압되고 있는 기판(S)을 정전척(24)으로 흡착한다. 전술한 바와 같이, 정전척(24)에 전압을 인가하는 구체적인 방법에 대해서는, 특별한 제한이 없다.
본 실시형태에 의하면, 블럭 부재(24b)에 의하여 기판(S)이 가압되어 처짐 정도가 경감된 기판(S)을 정전척(24)으로 흡착하므로, 흡착에 걸리는 시간을 단축시킬 수가 있어서, 공정 시간을 단축시킬 수 있다. 그리고, 기판(S)의 처짐이 경감된 상태에서 흡착이 이루어지므로, 정전척(24)에 흡착된 후의 기판(S)에 주름이 남는 것을 억제하여, 성막 공정의 정밀도 저하를 억제할 수 있다. 또한, 정전척(24)에 인가되는 전압(ΔV)의 크기를 작게 하는 것도 가능하다.
<성막프로세스>
이하 본 실시형태에 따른 흡착방법을 채용한 성막방법에 대하여 설명한다.
진공 용기(21)내의 마스크 지지 유닛(23)에 마스크(M)가 재치된 상태에서, 반송실(13)의 반송로봇(14)에 의해 성막장치(11)의 진공 용기(21)내로 기판(S)이 반입된다.
이어서, 진공 용기(21)내로 진입한 반송로봇(14)의 핸드가 기판(S)을 기판 지지 유닛(22)의 지지부(22a)상에 재치한다(기판 지지 단계).
이어서, 기판 지지 유닛(22)과 정전척(24)을 상승시켜서, 기판(S)의 코너부를 가압부재(30)로 가압한다(가압 단계). 이 때, 실시형태에 따라, 가압부재(30)가 정전척(24)의 구멍(24a)을 관통하여 기판(S)을 가압하거나 또는 가압부재(30)에 의하여 가압되는 블럭 부재(24b)가 구멍(24a)으로부터 하방으로 돌출되어, 기판(S)을 가압하거나 할 수 있다.
이어서, 정전척(24)에 소정의 전압(ΔV)을 인가하여, 가압부재(30)에 의해 직접적으로, 또는 블록부재(24b)를 통하여 간접적으로 가압되고 있는 기판(S)을 흡착시킨다(흡착 단계). 필요한 경우에는, 소정의 전압(ΔV)을 인가하기 이전에, 정전척(24)을 기판(S)을 향해 하강시켜 기판(S)에 충분히 근접하거나 또는 접촉하도록 할 수도 있다.
정전척(24)에 기판(S)이 흡착된 상태에서, 기판(S)의 마스크(M)에 대한 상대적인 위치어긋남을 계측하기 위해, 기판(S)을 마스크(M)를 향해 하강시킨다. 이 때, 정전척(24)도 기판(S)과 함께 하강한다. 그 결과, 정전척(24)과 기판(S)은 가압부재(30)로부터 이격된다. 블록부재(24b)가 사용되는 실시형태에서는, 기판(S)과 정전척(24)이 하강함에 따라, 기판(S)을 가압하는 블럭 부재(24b)는, 가압부재(30)에 의한 가압상태로부터 해제되어, 복원력에 의해 원래의 위치인 정전척(24)의 구멍(24a)내로 돌아간다.
기판(S)이 얼라인먼트 계측위치까지 하강하면, 얼라인먼트용 카메라(20)로 기판(S)과 마스크(M)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬영하여 기판(S)과 마스크(M)의 상대적인 위치 어긋남을 계측한다.
계측결과, 기판(S)의 마스크(M)에 대한 상대적 위치 어긋남이 임계치를 넘는 것으로 판명되면, 정전척(24)에 흡착된 상태의 기판(S)을 위치조정기구(29)에 의해 수평방향(XYθ 방향)으로 이동시켜, 기판(S)을 마스크(M)에 대해 위치조정(얼라인먼트)한다. 이러한 기판(S)의 마스크(M)에 대한 상대위치 조정 과정은, 상대적 위치 어긋남이 임계치 내로 들어올 때가지 반복될 수 있다.
기판(S)과 마스크(M)의 상대위치 어긋남이 소정의 임계치내로 들어오면, 정전척(24)을 마스크(M)를 향해 하강시켜 기판(S)과 마스크(M)를 밀착시킨다(밀착 단계). 이때, 기판(S)과 마스크(M)의 밀착을 위해, 기판(S)너머로 마스크(M)를 흡착시킬 수 있는 전압을 정전척(24)에 인가하거나, 마그넷판(31)을 정전척(24)의 상면상으로 하강시키거나 하여, 금속제의 마스크(M)를 기판(S)쪽으로 끌어당겨도 된다.
이어서, 증발원(25)의 셔터를 열고 증착재료를 마스크를 통해 기판(S)에 증착시킨다(성막 단계). 여기서는, 증착재료를 증발 또는 승화시켜서 기판(S)에 증착시키는 경우에 대하여 설명하나, 이에 한정되지 않으며, 예컨대, 스퍼터링 등의 다른 성막방법에 의해 성막을 행하여도 된다.
원하는 두께까지 증착한 후, 기판(S)과 마스크(M)를 분리한다. 그리고, 반송로봇(14)의 핸드가 성막장치(11)의 진공용기(21) 내로 들어오고 정전척(24)의 전극부에 제로(0) 또는 역극성의 전압이 인가되어 정전척(24)이 기판으로부터 분리되어 상승한다. 이후, 증착이 완료된 기판(S)을 반송로봇(14)에 의해 진공용기(21)로부터 반출한다.
이상의 설명에서는, 성막장치(11)는, 기판(S)의 성막면이 연직방향 하방을 향한 상태에서 성막이 이루어지는, 소위 상향증착방식(Depo-up)의 구성으로 하였으나, 이에 한정되지 않으며, 기판(S)이 진공용기(21)의 측면측에 수직으로 세워진 상태로 배치되고, 기판(S)의 성막면이 중력방향과 평행한 상태에서 성막이 이루어지는 구성이어도 된다.
<전자디바이스의 제조방법>
다음으로, 본 실시형태의 성막 장치를 이용한 전자 디바이스의 제조 방법의 일례를 설명한다. 이하, 전자 디바이스의 예로서 유기 EL 표시장치의 구성 및 제조 방법을 예시한다.
우선, 제조하는 유기 EL 표시장치에 대해 설명한다. 도 7(a)는 유기 EL 표시장치(60)의 전체도, 도 7(b)는 1 화소의 단면 구조를 나타내고 있다.
도 7(a)에 도시한 바와 같이, 유기 EL 표시장치(60)의 표시 영역(61)에는 발광소자를 복수 구비한 화소(62)가 매트릭스 형태로 복수 개 배치되어 있다. 상세 내용은 후술하지만, 발광소자의 각각은 한 쌍의 전극에 끼워진 유기층을 구비한 구조를 가지고 있다. 또한, 여기서 말하는 화소란 표시 영역(61)에 있어서 소망의 색 표시를 가능하게 하는 최소 단위를 지칭한다. 본 실시예에 관한 유기 EL 표시장치의 경우, 서로 다른 발광을 나타내는 제1 발광소자(62R), 제2 발광소자(62G), 제3 발광소자(62B)의 조합에 의해 화소(62)가 구성되어 있다. 화소(62)는 적색 발광소자, 녹색 발광소자, 청색 발광소자의 조합으로 구성되는 경우가 많지만, 황색 발광소자, 시안 발광소자, 백색 발광소자의 조합이어도 되며, 적어도 1 색 이상이면 특히 제한되는 것은 아니다. 또한, 각 발광소자는 복수의 발광층이 적층되어 구성되어도 된다.
또한 화소(62)를 동일한 발광을 나타내는 복수의 발광 소자로 구성하고, 각각의 발광 소자에 대응하도록 복수의 서로 다른 색변환 소자가 패턴 형상으로 배치된 컬러 필터를 사용하여, 하나의 화소가 표시 영역(61)에서 원하는 색상 표시를 할 수 있도록 하여도 된다. 예를 들어, 화소(62)를 적어도 3개의 백색 발광 소자로 구성하고 각각의 발광 소자에 대응하도록, 적색, 녹색, 청색의 각 색변환 소자가 배열된 컬러 필터를 이용해도 좋다. 또는, 화소(62)를 적어도 3개의 청색 발광 소자로 구성하고 각각의 발광 소자에 대응하도록, 적색, 녹색, 무색의 각 색변환 소자가 배열된 컬러 필터를 이용해도 좋다. 후자의 경우에는, 컬러 필터를 구성하는 재료로서, 양자점(Quantum Dot: QD) 재료를 이용한 양자점 컬러 필터(QD-CF)를 이용함으로써, 양자점 컬러 필터를 사용하지 않는 통상의 유기 EL 표시 장치보다, 표시색 영역을 넓게 할 수 있다.
도 7(b)는 도 7(a)의 A－B선에 있어서의 부분 단면 모식도이다. 화소(62)는 기판(S) 상에 양극(64), 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67), 음극(68)을 구비한 유기 EL 소자를 가지고 있다. 이들 중 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67)이 유기층에 해당한다. 또한, 본 실시형태에서는, 발광층(66R)은 적색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66G)는 녹색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66B)는 청색을 발하는 유기 EL 층이다. 또한, 상술한 바와 같이, 컬러 필터 또는 양자점 컬러 필터를 사용하는 경우에는, 각 발광층의 광 출사측, 즉, 도 7 (b)의 상부나 하부에, 컬러 필터 또는 양자점 컬러 필터가 배치되지만, 도시는 생략한다.
발광층(66R, 66G, 66B)은 각각 적색, 녹색, 청색을 발하는 발광소자(유기 EL 소자라고 부르는 경우도 있음)에 대응하는 패턴으로 형성되어 있다. 또한, 양극(64)은 발광소자별로 분리되어 형성되어 있다. 정공 수송층(65)과 전자 수송층(67)과 음극(68)은, 복수의 발광소자(62R, 62G, 62B)와 공통으로 형성되어 있어도 좋고, 발광소자별로 형성되어 있어도 좋다. 또한, 양극(64)과 음극(68)이 이물에 의해 단락되는 것을 방지하기 위하여, 양극(64) 사이에 절연층(69)이 설치되어 있다. 또한, 유기 EL 층은 수분이나 산소에 의해 열화되기 때문에, 수분이나 산소로부터 유기 EL 소자를 보호하기 위한 보호층(70)이 설치되어 있다.
도 7(b)에서는 정공수송층(65)이나 전자 수송층(67)이 하나의 층으로 도시되었으나, 유기 EL 표시 소자의 구조에 따라서, 정공블록층이나 전자블록층을 포함하는 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 또한, 양극(64)과 정공수송층(65) 사이에는 양극(64)으로부터 정공수송층(65)으로의 정공의 주입이 원활하게 이루어지도록 할 수 있는 에너지밴드 구조를 가지는 정공주입층을 형성할 수도 있다. 마찬가지로, 음극(68)과 전자수송층(67) 사이에도 전자주입층이 형성될 수 있다.
다음으로, 유기 EL 표시장치의 제조 방법의 예에 대하여 구체적으로 설명한다.
우선, 유기 EL 표시장치를 구동하기 위한 회로(미도시) 및 양극(64)이 형성된 기판(S)을 준비한다.
양극(64)이 형성된 기판(S) 위에 아크릴 수지를 스핀 코트로 형성하고, 아크릴 수지를 리소그래피 법에 의해 양극(64)이 형성된 부분에 개구가 형성되도록 패터닝하여 절연층(69)을 형성한다. 이 개구부가 발광소자가 실제로 발광하는 발광 영역에 상당한다.
절연층(69)이 패터닝된 기판(S)을 제1 유기재료 성막 장치에 반입하여 정전척으로 기판(S)을 보유 지지하고, 정공 수송층(65)을 표시 영역의 양극(64) 위에 공통층으로서 성막한다. 정공 수송층(65)은 진공 증착에 의해 성막된다. 실제로는 정공 수송층(65)은 표시 영역(61)보다 큰 사이즈로 형성되기 때문에, 고정밀의 마스크(M)는 필요치 않다.
다음으로, 정공 수송층(65)까지 형성된 기판(S)을 제2 유기재료 성막 장치에 반입하고, 정전척으로 보유 지지한다. 기판(S)과 마스크(M)의 얼라인먼트를 행하고, 기판(S)과 마스크(M)를 밀착시킨 후, 기판(S)의 적색을 발하는 소자를 배치하는 부분에 적색을 발하는 발광층(66R)을 성막한다.
발광층(66R)의 성막과 마찬가지로, 제3 유기재료 성막 장치에 의해 녹색을 발하는 발광층(66G)을 성막하고, 나아가 제4 유기재료 성막 장치에 의해 청색을 발하는 발광층(66B)을 성막한다. 발광층(66R, 66G, 66B)의 성막이 완료된 후, 제5 유기재료 성막 장치에 의해 표시 영역(61)의 전체에 전자 수송층(67)을 성막한다. 전자 수송층(67)은 3 색의 발광층(66R, 66G, 66B)에 공통의 층으로서 형성된다.
전자 수송층(67)까지 형성된 기판을 금속성 증착재료 성막 장치로 이동시켜 음극(68)을 성막한다.
본 발명에 따르면, 기판을 정전척(24)에 의해 흡착하여 보유지지 하기 전에, 가압부재(30)에 의해 기판(S)의 상면의 코너부를 가압하여 기판(S)의 중앙부의 처짐을 경감시킨다.
그 후 플라스마 CVD 장치로 이동시켜 보호층(70)을 성막하여, 유기 EL 표시장치(60)를 완성한다.
절연층(69)이 패터닝 된 기판(S)을 성막 장치로 반입하고 나서부터 보호층(70)의 성막이 완료될 때까지는, 수분이나 산소를 포함하는 분위기에 노출되면 유기 EL 재료로 이루어진 발광층이 수분이나 산소에 의해 열화될 우려가 있다. 따라서, 본 예에 있어서, 성막 장치 간의 기판의 반입, 반출은 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기 하에서 행하여진다.
상기 실시예는 본 발명의 일 예를 나타낸 것으로, 본 발명은 상기 실시예의 구성에 한정되지 않으며, 그 기술사상의 범위내에서 적절히 변형하여도 된다.
11: 성막장치
21: 진공용기
22: 기판 지지 유닛
23: 마스크 지지 유닛
24: 정전척
24a: 구멍
24b: 블럭 부재
26: 기판 지지 유닛 Z 액츄에이터
27: 마스크 지지 유닛 Z 액츄에이터
28: 정전척 Z 액츄에이터
30: 가압부재
31: 마그넷 판
32: 제어부
21: 진공용기
22: 기판 지지 유닛
23: 마스크 지지 유닛
24: 정전척
24a: 구멍
24b: 블럭 부재
26: 기판 지지 유닛 Z 액츄에이터
27: 마스크 지지 유닛 Z 액츄에이터
28: 정전척 Z 액츄에이터
30: 가압부재
31: 마그넷 판
32: 제어부
Claims (49)
- 제1 주면과, 상기 제1 주면과는 반대측인 제2 주면을 가지는 피흡착체의, 상기 제1 주면의 주연부를 지지하는 지지 유닛과,
상기 피흡착체의 상기 제2 주면측으로부터 상기 피흡착체를 흡착하는 흡착수단과,
상기 피흡착체를 상기 피흡착체의 상기 제2 주면측으로부터 가압하기 위한 복수의 가압 부재를 갖고,
상기 복수의 가압 부재는, 상기 피흡착체의 상기 제2 주면이 갖는 복수의 코너부 중 적어도 2개의 코너부에 대응하는 위치에 각각 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 흡착장치. - 제1 주면과, 상기 제1 주면과는 반대측인 제2 주면을 가지는 피흡착체의, 상기 제1 주면의 주연부를 지지하는 지지 유닛과,
상기 피흡착체의 상기 제2 주면측으로부터 상기 피흡착체를 흡착하는 흡착수단과,
상기 피흡착체를 상기 피흡착체의 상기 제2 주면측으로부터 가압하기 위한 가압 부재와,
상기 지지 유닛, 상기 흡착수단 및 상기 가압 부재가 내부에 배치된 용기와,
상기 지지 유닛을 상기 제1 주면 또는 상기 제2 주면에 수직한 방향으로 이동시키는 지지 유닛 이동기구와,
상기 지지 유닛 이동기구를 제어하는 제어부를 갖고,
상기 가압 부재는, 상기 용기에 대하여 고정되게 배치되어 있고,
상기 제어부는, 상기 지지 유닛 이동기구에 의해, 상기 지지 유닛을 상기 가압 부재에 접근하는 방향으로 이동함으로써, 상기 피흡착체가 상기 가압 부재에 의해 가압되도록, 상기 지지 유닛 이동기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 흡착장치. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 가압 부재 중에서 적어도 2개는, 상기 피흡착체의 상기 제2 주면이 갖는 복수의 코너부 중 대향하는 2개의 코너부에 대응하는 위치에 각각 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 흡착장치. - 제2항에 있어서,
상기 가압 부재는, 상기 피흡착체의 상기 제2 주면이 가지는 코너부에 대응하는 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 흡착장치. - 제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 가압 부재는, 상기 피흡착체의 상기 코너부 모두에 대응하는 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 흡착장치. - 제1항 또는 제2 항에 있어서,
상기 피흡착체는, 직사각형 형상인 것을 특징으로 하는 흡착장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 지지 유닛이 상기 피흡착체를 지지하는 상기 제1 주면 상의 영역인 지지 영역과 상기 가압 부재가 상기 피흡착체를 가압하는 상기 제2 주면 상의 영역인 가압 영역은, 상기 제1 주면 또는 제2 주면에 수직인 방향에서 볼 때, 중첩되지 않는 것을 특징으로 하는 흡착장치. - 제7항에 있어서,
상기 지지 영역을 상기 제2 주면에 수직 투영한 투영 영역과 상기 가압 영역은, 상기 제1 주면의 외주와 닮은 도형을 구성하는 가상선을 따라 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 흡착장치. - 제1항에 있어서,
상기 지지 유닛을 상기 제1 주면 또는 상기 제2 주면에 수직한 방향으로 이동시키는 지지 유닛 이동 기구와,
상기 흡착수단 및 상기 지지 유닛 이동 기구를 제어하는 제어부를 더 가지고,
상기 제어부는, 상기 흡착수단에 의해 피흡착체를 흡착하기 전에, 상기 지지 유닛을 상기 가압 부재에 접근하는 방향으로 이동시켜, 상기 가압 부재에 의하여 상기 피흡착체가 가압되도록 상기 지지 유닛 이동 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 흡착장치. - 제2항 또는 제9항에 있어서,
상기 흡착수단을 상기 수직한 방향으로 이동시키는 흡착수단 이동 기구를 더 갖고,
상기 제어부는, 상기 지지 유닛 이동 기구에 의해 상기 지지 유닛을 상기 가압 부재에 접근하는 방향으로 이동시키는 기간 중에서 적어도 일부의 기간에, 상기 흡착수단을 상기 가압 부재에 접근하는 방향으로 상기 지지 유닛과 함께 이동시키도록, 상기 흡착수단 이동 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 흡착장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 흡착수단은, 상기 가압 부재의 위치에 대응하는 위치에 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 흡착장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 흡착수단은, 상기 가압 부재의 위치에 대응하는 위치에 형성된 구멍과, 상기 구멍의 내부에 배치되어, 상기 구멍에 대하여 상대이동이 가능하게 설치된 블럭 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 흡착장치. - 제12항에 있어서,
상기 블럭 부재는, 상기 구멍으로부터 변위된 때에, 상기 구멍을 향해 복원력이 작용하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 흡착장치. - 제1 주면과 상기 제1 주면과는 반대측인 제2 주면을 가지는 기판의, 상기 제1 주면의 주연부를 지지하는 기판 지지 유닛과,
상기 기판의 상기 제2 주면측으로부터 상기 기판을 흡착하는 기판흡착수단과,
상기 기판의 상기 제2 주면측으로부터 상기 기판을 가압하기 위한 복수의 가압 부재와,
상기 기판 지지 유닛, 상기 기판흡착수단 및 상기 복수의 가압 부재가 내부에 배치되는 용기를 가지고,
상기 복수의 가압 부재는, 상기 기판의 상기 제2 주면이 가지는 복수의 코너부 중 적어도 2개의 코너부에 대응하는 위치에 각각 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치. - 제1 주면과 상기 제1 주면과는 반대측인 제2 주면을 가지는 기판의, 상기 제1 주면의 주연부를 지지하는 기판 지지 유닛과,
상기 기판의 상기 제1 주면측으로부터 상기 기판을 흡착하는 기판흡착수단과,
상기 기판의 상기 제2 주면측으로부터 상기 기판을 가압하기 위한 복수의 가압 부재와,
상기 기판 지지 유닛, 상기 기판흡착수단 및 상기 가압 부재가 내부에 배치된 용기와,
상기 기판 지지 유닛을 상기 제1 주면 또는 제2 주면에 수직인 방향으로 이동시키는 기판 지지 유닛 이동 기구와,
상기 기판 지지 유닛 이동 기구를 제어하는 제어부를 가지며,
상기 가압 부재는, 상기 용기에 대하여 고정되게 배치되며,
상기 제어부는, 상기 기판 지지 유닛 이동 기구에 의해 상기 기판 지지 유닛을 상기 가압 부재에 접근하는 방향으로 이동함으로써, 상기 기판이 상기 가압 부재에 의하여 가압되도록, 상기 기판 지지 유닛 이동 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 성막장치. - 제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 기판흡착수단에 흡착된 상기 기판의 상기 제1 주면에 성막하는 성막수단을 더 가지는 것을 특징으로 하는 성막장치. - 제14항에 있어서,
상기 복수의 가압 부재 중 적어도 2개는, 상기 기판의 상기 제2 주면이 갖는 복수의 코너부 중, 대향하는 2개의 코너부에 대응하는 위치에 각각 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치. - 제15항에 있어서,
상기 가압 부재는, 상기 기판의 상기 제2 주면이 가지는 코너부에 대응하는 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치. - 제17항 또는 제18항에 있어서,
상기 가압 부재는, 상기 기판의 상기 제2 주면이 가지는 코너부 전부에 대응하는 위치에 각각 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치. - 제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 기판은 직사각형 형상인 것을 특징으로 하는 성막장치. - 제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛이 상기 기판을 지지하는 상기 제1 주면상의 영역인 지지 영역과 상기 가압 부재가 상기 기판을 가압하는 상기 제2 주면상의 영역인 가압 영역은, 상기 기판의 상기 제1 주면 또는 상기 제2 주면에 수직인 방향에서 볼 때, 중첩되지 않는 것을 특징으로 하는 성막장치. - 제21항에 있어서,
상기 지지 영역을 상기 제2 주면에 수직 투영한 투영 영역과 상기 가압 영역은, 상기 제1 주면의 외주와 닮은꼴 도형을 구성하는 가상선을 따라 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치. - 제14항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛을 상기 제1 주면 또는 상기 제2 주면에 수직한 방향으로 이동시키는 기판 지지 유닛 이동 기구와,
상기 기판흡착수단 및 상기 기판 지지 유닛 이동 기구를 제어하는 제어부를 더 가지고,
상기 제어부는, 상기 기판흡착수단에 의해 피흡착체를 흡착하기 전에, 상기 기판 지지 유닛을 상기 가압부재에 접근하는 방향으로 이동시켜, 상기 가압 부재에 의해 상기 피흡착체가 가압되도록, 상기 기판 지지 유닛 이동 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 성막장치. - 제23항에 있어서,
상기 복수의 가압 부재는, 상기 용기의 벽에 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치. - 제15항 또는 제23항에 있어서,
상기 기판흡착수단을 상기 수직한 방향으로 이동시키는 기판흡착수단 이동 기구를 더 가지며,
상기 제어부는, 상기 기판 지지 유닛 이동 기구에 의해 상기 기판 지지 유닛을 상기 가압 부재에 접근하는 방향으로 이동시키는 기간 중 적어도 일부의 기간에, 상기 기판흡착수단을 상기 가압 부재에 접근하는 방향으로 상기 기판 지지 유닛과 함께 이동시키도록, 상기 기판흡착수단 이동 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 성막장치. - 제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 기판흡착수단은, 상기 가압 부재의 위치에 대응하는 위치에 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치. - 제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 기판흡착수단은, 상기 가압 부재의 위치에 대응하는 위치에 구멍이 형성되어 있으며, 상기 구멍의 내부에 배치되어 상기 구멍에 대하여 상대이동 가능하게 설치된 블럭 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 성막장치. - 제27항에 있어서,
상기 블럭 부재는, 상기 구멍으로부터 변위된 때에 상기 구멍을 향해 복원력이 작용하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 성막장치. - 제1 주면과, 상기 제1 주면과는 반대측인 제2 주면을 갖는 피흡착체의, 상기 제1 주면의 주연부를 지지 유닛에 의해 지지하는 지지 단계와,
복수의 가압 부재에 의해, 상기 제2 주면측으로부터, 상기 피흡착체를 가압하는 가압 단계와,
상기 가압 단계에서 가압된 상기 피흡착체를, 흡착수단에 의해 상기 피흡착체의 상기 제2 주면측으로부터 흡착하는 흡착 단계를,
가지며,
상기 가압 단계에서는, 상기 피흡착체의 상기 제2 주면이 가지는 복수의 코너부 중 적어도 2개의 코너부를 가압하는 것을 특징으로 하는 흡착방법. - 제1 주면과, 상기 제1 주면과는 반대측인 제2 주면을 갖는 피흡착체의, 상기 제1 주면의 주연부를 용기내에서 지지 유닛에 의해 지지하는 지지 단계와,
상기 용기에 고정되게 설치된 가압 부재에 의해, 상기 제2 주면측으로부터, 상기 피흡착체를 가압하는 가압 단계와,
상기 가압 단계에서 가압된 상기 피흡착체를, 흡착수단에 의해 상기 피흡착체의 상기 제2 주면측으로부터 흡착하는 흡착 단계를,
가지며,
상기 가압 단계에서는, 상기 지지 유닛을, 상기 가압 부재에 접근하는 방향으로 이동시켜, 상기 피흡착체를 가압하는 것을 특징으로 하는 흡착방법. - 제29항에 있어서,
상기 가압 단계에서는, 상기 피흡착체의 상기 제2 주면이 가지는 복수의 코너부 중 대향하는 2개의 코너부를 가압하는 것을 특징으로 하는 흡착방법. - 제30항에 있어서,
상기 가압 단계에서는, 상기 피흡착체의 상기 제2 주면이 가지는 코너부를 가압하는 것을 특징으로 하는 흡착방법. - 제31항 또는 제32항에 있어서,
상기 가압 단계에서는, 상기 피흡착체의 코너부 모두를 가압하는 것을 특징으로 하는 흡착방법. - 제29항 또는 제30항에 있어서,
상기 피흡착체는 직사각형 형상의 피흡착체인 것을 특징으로 하는 흡착방법. - 제29항 또는 제30항에 있어서,
상기 가압 단계에서는, 상기 가압 부재는, 상기 제1 주면 또는 상기 제2 주면에 수직인 방향에서 볼 때, 상기 지지 유닛이 상기 피흡착체를 지지하는 영역인 지지 영역과 중첩되지 않는 영역에서 상기 피흡착체를 가압하는 것을 특징으로 하는 흡착방법. - 제35항에 있어서,
상기 가압 단계에서, 상기 지지 영역을 상기 제2 주면에 수직 투영한 투영 영역과 가압되는 상기 영역은, 상기 제1 주면의 외주와 닮은 도형을 구성하는 가상선을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 흡착방법. - 제29항에 있어서,
상기 가압 단계에서는, 상기 지지 유닛을, 상기 가압 부재에 접근하는 방향으로 이동시킴으로써, 상기 피흡착체가 상기 가압 부재에 의하여 가압되도록 하는 것을 특징으로 하는 흡착방법. - 제30항 또는 제37항에 있어서,
상기 가압 단계에서는, 상기 지지 유닛을 이동시키는 기간 중 적어도 일부의 기간에, 상기 흡착수단을 상기 가압 부재에 접근하는 방향으로 상기 지지 유닛과 함께 이동시키는 것을 특징으로 하는 흡착방법. - 제29항 또는 제30항에 있어서,
상기 가압 단계에서는, 상기 가압 부재가 상기 가압 부재의 위치에 대응하는 위치에 형성된 상기 흡착수단의 구멍을 관통하여 상기 피흡착체를 가압하는 것을 특징으로 하는 흡착방법. - 제30항 또는 제31항에 있어서,
상기 가압 단계는, 상기 가압 부재가 상기 가압 부재의 위치에 대응하는 위치에 형성된, 상기 흡착수단의 구멍의 내부에 상기 구멍에 대하여 상대이동 가능하게 설치된 블럭 부재를 가압하는 단계와, 상기 블럭 부재가 상기 구멍으로부터 돌출되어 상기 피흡착체를 가압하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 흡착방법. - 제1 주면과 상기 제1 주면과는 반대측인 제2 주면을 갖는 기판의 상기 제1 주면에 마스크를 통하여 성막하는 성막방법으로서,
용기내로 기판을 반입하여 상기 기판의 상기 제1 주면의 주연부를 지지하는 지지 단계와,
복수의 가압부재에 의해, 상기 기판의 상기 제2 주면이 가지는 복수 개의 코너부 중에서 적어도 2개의 코너부 각각을, 기판의 상기 제2 주면측으로부터 가압하는 가압 단계와,
기판흡착수단에 의해, 상기 기판의 상기 제2 주면측으로부터 상기 기판을 흡착하는 흡착 단계와,
상기 기판흡착수단에 의해 흡착된 상기 기판의 상기 제1 주면에, 상기 마스크를 통해 성막하는 성막 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 성막방법. - 제1 주면과 상기 제1 주면과는 반대측인 제2 주면을 가지는 기판의 상기 제1 주면에 마스크를 통하여 성막하는 성막방법으로서,
용기내로 기판을 반입하여 상기 기판의 상기 제1 주면의 주연부를 지지하는 지지 단계와,
상기 기판을 가압부재에 접근하는 방향으로 이동시켜, 상기 용기 내에 고정되게 설치된 가압부재에 의해, 상기 기판의 제2 주면측으로부터 가압하는 가압 단계와,
기판흡착수단에 의해, 상기 기판의 상기 제2 주면측으로부터 상기 기판을 흡착하는 흡착 단계와,
상기 기판흡착수단에 의해 흡착된 상기 기판의 상기 제1 주면에, 상기 마스크를 통해 성막하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 성막방법. - 제41항에 있어서,
상기 가압 단계에서는, 상기 기판의 제2 주면이 가지는 코너부를 가압하는 것을 특징으로 하는 성막방법. - 제41항 또는 제42항에 있어서,
상기 가압하는 단계에서, 상기 가압부재는, 상기 제1 주면 또는 상기 제2 주면에 수직한 방향으로부터 보았을 때, 지지 유닛이 상기 기판을 지지하는 영역인 지지영역과 중첩하지 않는 영역에서 상기 기판을 가압하는 것을 특징으로 하는 성막방법. - 제41항에 있어서,
상기 가압 단계에서는, 상기 용기에 고정설치된 상기 복수의 가압 부재에 접근하는 방향으로, 상기 기판을 이동시켜서 상기 가압부재에 의하여 상기 기판을 가압하는 것을 특징으로 하는 성막방법. - 제41항 또는 제45항에 있어서,
상기 가압 단계에서는, 상기 기판이 상기 복수의 가압 부재에 의하여 가압되도록 하기 위해 상기 기판을 이동시키는 기간 중 적어도 일부의 기간에, 상기 기판흡착수단을 상기 가압부재에 접근하는 방향으로 상기 기판과 함께 이동시키는 것을 특징으로 하는 성막방법. - 제41항 또는 제42항에 있어서,
상기 가압 단계에서는, 상기 가압부재가 상기 가압부재의 위치에 대응하는 위치에 설치된 상기 기판흡착수단의 구멍을 관통하여 상기 기판을 가압하는 것을 특징으로 하는 성막방법. - 제41항 또는 제42항에 있어서,
상기 가압 단계는, 상기 가압 부재가 상기 가압 부재의 위치에 대응하는 위치에 형성된 상기 기판흡착수단의 구멍의 내부에 상기 구멍에 대하여 상대이동가능하게 설치된 블럭 부재를 가압하는 단계와, 상기 블럭 부재가 상기 구멍으로부터 돌출되어 상기 기판을 가압하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 성막방법. - 제41항 또는 제42항의 성막방법을 사용하여 전자 디바이스를 제조하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200025359A KR20210109998A (ko) | 2020-02-28 | 2020-02-28 | 흡착장치, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법 |
| JP2021005285A JP7246598B2 (ja) | 2020-02-28 | 2021-01-15 | 吸着装置、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 |
| CN202110219949.0A CN113322444A (zh) | 2020-02-28 | 2021-02-26 | 吸附装置、成膜装置、吸附方法、成膜方法及电子器件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200025359A KR20210109998A (ko) | 2020-02-28 | 2020-02-28 | 흡착장치, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210109998A true KR20210109998A (ko) | 2021-09-07 |
Family
ID=77414461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200025359A KR20210109998A (ko) | 2020-02-28 | 2020-02-28 | 흡착장치, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7246598B2 (ko) |
| KR (1) | KR20210109998A (ko) |
| CN (1) | CN113322444A (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023079032A (ja) * | 2021-11-26 | 2023-06-07 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、膜厚測定方法及び電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000216144A (ja) | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空処理装置およびそれの処理済み基板の取り外し方法 |
| JP3771833B2 (ja) | 2001-11-14 | 2006-04-26 | 三菱重工業株式会社 | ウエハ支持装置及び半導体製造装置 |
| JP3880896B2 (ja) | 2002-07-16 | 2007-02-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP4704756B2 (ja) | 2005-01-04 | 2011-06-22 | オリンパス株式会社 | 基板搬送装置 |
| JP2008116354A (ja) | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Nec Electronics Corp | 反り測定システム、成膜システム、及び反り測定方法 |
| JP2012092395A (ja) | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Canon Inc | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP2013204097A (ja) | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2014065959A (ja) | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 蒸着装置、および、蒸着装置における基板設置方法 |
| JP2014126762A (ja) | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法 |
| KR102520693B1 (ko) * | 2016-03-03 | 2023-04-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자의 증착장치 |
| KR102459872B1 (ko) * | 2018-07-31 | 2022-10-26 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 정전척 시스템, 성막 장치, 흡착 방법, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조방법 |
-
2020
- 2020-02-28 KR KR1020200025359A patent/KR20210109998A/ko not_active Application Discontinuation
-
2021
- 2021-01-15 JP JP2021005285A patent/JP7246598B2/ja active Active
- 2021-02-26 CN CN202110219949.0A patent/CN113322444A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113322444A (zh) | 2021-08-31 |
| JP2021141312A (ja) | 2021-09-16 |
| JP7246598B2 (ja) | 2023-03-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102427823B1 (ko) | 정전척 시스템, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법 | |
| JP7244401B2 (ja) | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
| CN113106395B (zh) | 成膜装置、电子器件的制造装置、成膜方法及电子器件的制造方法 | |
| KR102017626B1 (ko) | 성막장치, 성막방법 및 전자 디바이스 제조방법 | |
| KR20220107970A (ko) | 성막 장치 | |
| CN112680696B (zh) | 成膜装置、电子器件的制造装置、成膜方法及电子器件的制造方法 | |
| KR102501609B1 (ko) | 성막 장치, 이를 사용한 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법 | |
| KR102179271B1 (ko) | 성막장치, 전자 디바이스 제조장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법 | |
| KR102505832B1 (ko) | 흡착장치, 위치 조정 방법, 및 성막 방법 | |
| KR102459872B1 (ko) | 정전척 시스템, 성막 장치, 흡착 방법, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조방법 | |
| JP7246598B2 (ja) | 吸着装置、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 | |
| CN111118445A (zh) | 对准及成膜装置、对准及成膜方法、电子器件的制造方法 | |
| JP2019060027A (ja) | 基板載置装置、成膜装置、基板載置方法、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 | |
| JP7078694B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 | |
| KR102430370B1 (ko) | 정전척 시스템, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법 | |
| KR102421610B1 (ko) | 정전척 시스템, 성막 장치, 흡착 방법, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조방법 | |
| KR102419064B1 (ko) | 정전척 시스템, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법 | |
| KR20210080065A (ko) | 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법 | |
| KR102411995B1 (ko) | 정전척 시스템, 성막장치, 흡착 및 분리방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법 | |
| KR102129435B1 (ko) | 정전척 시스템, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법 | |
| WO2023210464A1 (ja) | 成膜装置、成膜方法、電子デバイスの製造方法、およびコンピュータプログラム記録媒体 | |
| KR20240011213A (ko) | 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법 | |
| KR20210079975A (ko) | 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법 | |
| JP2024073943A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal |