CN113322444A - 吸附装置、成膜装置、吸附方法、成膜方法及电子器件的制造方法 - Google Patents

吸附装置、成膜装置、吸附方法、成膜方法及电子器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及吸附装置、成膜装置、吸附方法、成膜方法及电子器件的制造方法。使静电吸盘良好地吸附被吸附体。本发明的吸附装置的特征在于，具有：支撑单元，所述支撑单元支撑被吸附体的第一主面的周缘部，所述被吸附体具有所述第一主面和该第一主面的相反侧的第二主面；吸附部件，所述吸附部件从所述被吸附体的所述第二主面侧吸附所述被吸附体；以及多个推压构件，所述多个推压构件用于从所述被吸附体的所述第二主面侧推压所述被吸附体，所述多个推压构件分别配置在与所述被吸附体的所述第二主面具有的多个角部中的至少两个角部对应的位置。

Description

吸附装置、成膜装置、吸附方法、成膜方法及电子器件的制造 方法
技术领域
本发明涉及吸附装置、成膜装置、吸附方法、成膜方法及电子器件的制造方法。
背景技术
在有机EL显示装置(有机EL显示器)的制造中，在形成构成有机EL显示装置的有机发光元件(有机EL元件：OLED)时，通过将从成膜装置的蒸发源蒸发的蒸镀材料经由形成有像素图案的掩模蒸镀于基板，从而形成有机物层或金属层。
在向上蒸镀方式(向上沉积)的成膜装置中，蒸发源设置在成膜装置的真空容器的下部，基板配置在真空容器的上部，并向基板的下表面进行蒸镀。在这种向上蒸镀方式的成膜装置的真空容器内，由于基板仅其下表面的周边部由基板支架保持，所以基板因其自重而挠曲，这成为蒸镀精度下降的一个因素。另外，在向上蒸镀方式以外的方式的成膜装置中，也有可能因基板的自重而产生挠曲。
作为用于降低由基板的自重导致的挠曲的方法，研究了使用静电吸盘的技术。即，通过用静电吸盘对基板的整个上表面进行吸附，从而能够降低基板的挠曲。
发明内容
发明要解决的课题
但是，即使从上方将向下方挠曲的基板吸附于静电吸盘，由于吸附会花费相对较长的时间，所以工序时间(Tact Time)也增加，成为使生产性下降的因素。另外，即使花费时间进行吸附，也会残留挠曲，成为使蒸镀精度下降的因素。
本发明的目的在于使静电吸盘良好地吸附被吸附体。
用于解决课题的手段
本发明的第一方案的吸附装置的特征在于，具有：支撑单元，所述支撑单元支撑被吸附体的第一主面的周缘部，所述被吸附体具有所述第一主面和该第一主面的相反侧的第二主面；吸附部件，所述吸附部件从所述被吸附体的所述第二主面侧吸附所述被吸附体；以及多个推压构件，所述多个推压构件用于从所述被吸附体的所述第二主面侧推压所述被吸附体，所述多个推压构件分别配置在与所述被吸附体的所述第二主面具有的多个角部中的至少两个角部对应的位置。
本发明的第二方案的吸附装置的特征在于，具有：支撑单元，所述支撑单元支撑被吸附体的第一主面的周缘部，所述被吸附体具有所述第一主面和该第一主面的相反侧的第二主面；吸附部件，所述吸附部件从所述被吸附体的所述第二主面侧吸附所述被吸附体；推压构件，所述推压构件用于从所述被吸附体的所述第二主面侧推压所述被吸附体；容器，所述容器在内部配置有所述支撑单元、所述吸附部件及所述推压构件；支撑单元移动机构，所述支撑单元移动机构使所述支撑单元在与所述第一主面或所述第二主面垂直的方向上移动；以及控制部，所述控制部控制所述支撑单元移动机构，所述推压构件相对于所述容器固定并配置，所述控制部以如下方式控制所述支撑单元移动机构：通过利用所述支撑单元移动机构向接近所述推压构件的方向移动所述支撑单元，从而所述被吸附体由所述推压构件推压。
本发明的第三方案的成膜装置的特征在于，具有：基板支撑单元，所述基板支撑单元支撑基板的第一主面的周缘部，所述基板具有所述第一主面和该第一主面的相反侧的第二主面；基板吸附部件，所述基板吸附部件从所述基板的所述第二主面侧吸附所述基板；多个推压构件，所述多个推压构件用于从所述基板的所述第二主面侧推压所述基板；以及容器，所述容器在内部配置有所述基板支撑单元、所述基板吸附部件及所述多个推压构件；所述多个推压构件分别配置在与所述基板的所述第二主面具有的多个角部中的至少两个角部对应的位置。
本发明的第四方案的成膜装置的特征在于，具有：基板支撑单元，所述基板支撑单元支撑基板的第一主面的周缘部，所述基板具有所述第一主面和该第一主面的相反侧的第二主面；基板吸附部件，所述基板吸附部件从所述基板的所述第二主面侧吸附所述基板；多个推压构件，所述多个推压构件用于从所述基板的所述第二主面侧推压所述基板；容器，所述容器在内部配置有所述基板支撑单元、所述基板吸附部件及所述多个推压构件；基板支撑单元移动机构，所述基板支撑单元移动机构使所述基板支撑单元在与所述第一主面或所述第二主面垂直的方向上移动；以及控制部，所述控制部控制所述基板支撑单元移动机构，所述推压构件相对于所述容器固定并配置，所述控制部以如下方式控制所述基板支撑单元移动机构：通过利用所述基板支撑单元移动机构向接近所述推压构件的方向移动所述基板支撑单元，从而所述基板由所述推压构件推压。
本发明的第五方案的吸附方法的特征在于，具有：支撑步骤，利用支撑单元支撑被吸附体的第一主面的周缘部，所述被吸附体具有所述第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面；推压步骤，利用多个推压构件从所述第二主面侧推压所述被吸附体；以及吸附步骤，利用吸附部件从所述被吸附体的所述第二主面侧吸附在所述推压步骤中被推压的所述被吸附体，在所述推压步骤中，推压所述被吸附体的所述第二主面具有的多个角部中的至少两个角部。
本发明的第六方案的吸附方法的特征在于，具有：支撑步骤，在容器内利用支撑单元支撑被吸附体的第一主面的周缘部，所述被吸附体具有所述第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面；推压步骤，利用固定并设置于所述容器的推压构件从所述第二主面侧推压所述被吸附体；以及吸附步骤，利用吸附部件从所述被吸附体的所述第二主面侧吸附在所述推压步骤中被推压的所述被吸附体，在所述推压步骤中，通过在接近所述推压构件的方向上移动所述支撑单元，从而推压所述被吸附体。
本发明的第七方案的成膜方法是一种经由掩模在基板的所述第一主面上进行成膜的成膜方法，其特征在于，包含：支撑步骤，向容器内搬入基板，支撑所述基板的第一主面的周缘部，所述基板具有所述第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面；推压步骤，利用多个推压构件从基板的所述第二主面侧分别推压所述基板的所述第二主面具有的多个角部中的至少两个角部；吸附步骤，利用基板吸附部件从所述基板的所述第二主面侧吸附所述基板；以及成膜步骤，经由所述掩模在利用所述基板吸附部件吸附的所述基板的所述第一主面上进行成膜。
本发明的第八方案的成膜方法是一种经由掩模在基板的第一主面上进行成膜的成膜方法，所述基板具有所述第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面，其特征在于，包含：支撑步骤，向容器内搬入基板，支撑所述基板的所述第一主面的周缘部；推压步骤，使所述基板在接近推压构件的方向上移动，利用固定并设置在所述容器内的推压构件从基板的所述第二主面侧推压；吸附步骤，利用基板吸附部件从所述基板的所述第二主面侧吸附所述基板；以及成膜步骤，经由所述掩模在利用所述基板吸附部件吸附的所述基板的所述第一主面上进行成膜。
本发明的第九方案的电子器件的制造方法的特征在于，使用所述成膜方法制造电子器件。
发明的效果
根据本发明，能够使静电吸盘良好地吸附被吸附体。
附图说明
图1是电子器件的制造装置的一部分的示意图。
图2是本发明的一实施方式的成膜装置的示意图。
图3是本发明的一实施方式的吸附装置的剖视示意图。
图4a是本发明的一实施方式的吸附装置的俯视示意图。
图4b是本发明的一实施方式的吸附装置的俯视示意图。
图5是示出本发明的一实施方式的吸附方法的附图。
图6是示出本发明的其他实施方式的吸附方法的附图。
图7是示出电子器件的示意图。
附图标记的说明
11：成膜装置，21：真空容器，22：基板支撑单元，23：掩模支撑单元，24：静电吸盘，24a：孔，24b：块构件，26：基板支撑单元Z致动器，27：掩模支撑单元Z致动器，28：静电吸盘Z致动器，30：推压构件，31：磁铁板，32：控制部。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的优选实施方式及实施例。但是，以下的实施方式及实施例仅例示性地示出本发明的优选结构，并不将本发明的范围限定于这些结构。另外，只要没有特别确定的记载，对于以下的说明中的装置的硬件结构及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等，并不将本发明的范围仅限定于此。
本发明例如能够应用于在基板的表面上堆积各种材料而进行成膜的成膜装置，能够优选应用于通过真空蒸镀形成期望的图案的薄膜(材料层)的装置。
作为基板的材料，能够选择玻璃、高分子材料的薄膜、金属、半导体(例如硅)等任意的材料。基板例如可以是在硅晶片或玻璃基板上层叠聚酰亚胺等的薄膜而成的基板。另外，作为成膜材料(在蒸镀的情况下，有时也称为蒸镀材料)，也能够选择有机材料、金属性材料(金属、金属氧化物等)等任意的材料。
此外，在以下的说明中，说明蒸镀装置作为成膜装置，但本发明的成膜装置不限定于此，可以是溅射装置或CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)装置。具体而言，本发明的技术能够应用于半导体器件、磁器件、电子部件等各种电子器件或光学部件等的制造装置。作为电子器件的具体例，可列举发光元件、光电转换元件、触摸面板等。其中，本发明也能够优选应用于OLED等有机发光元件、有机薄膜太阳能电池等有机光电转换元件的制造装置。此外，本发明中的电子器件也包含具备发光元件的显示装置(例如有机EL显示装置)或照明装置(例如有机EL照明装置)、具备光电转换元件的传感器(例如有机CMOS图像传感器)。
<电子器件的制造装置>
图1是示意地示出电子器件的制造装置的局部结构的俯视图。
图1的制造装置例如用于制造智能手机用的有机EL显示装置的显示面板。在智能手机用的显示面板的情况下，例如，在第4.5代(G4.5)的矩形基板(约700mm×约900mm)或第6代(G6)的全尺寸(约1500mm×约1850mm)或半切割尺寸(约1500mm×约925mm)的矩形基板上，进行用于形成有机EL元件的成膜后，将该基板切割而制作多个小尺寸的面板。
一般来说，电子器件的制造装置包含多个群组装置1和将多个群组装置1之间相连的中转装置。
群组装置1具备对基板S进行处理(例如成膜)的多个成膜装置11、收纳使用前后的掩模M的多个掩模贮存装置12及配置在其中央的搬送室13。如图1所示，搬送室13与多个成膜装置11及掩模贮存装置12中的每一个连接。
在搬送室13内配置有搬送基板S及掩模M的搬送机器人14。搬送机器人14从配置在上游侧的中转装置的通路室15向成膜装置11搬送基板S。另外，搬送机器人14在成膜装置11与掩模贮存装置12之间搬送掩模M。搬送机器人14例如是具有在多关节臂上安装机械手而成的构造的机器人，所述机械手保持基板S或掩模M。
在成膜装置11(也称为蒸镀装置)中，收纳于蒸发源的蒸镀材料由加热器加热而蒸发，并经由掩模M蒸镀在基板S上。与搬送机器人14之间的基板S的交接、基板S与掩模M的相对位置的调整(对准)、向掩模M上的基板S的固定、成膜(蒸镀)等一系列成膜工艺由成膜装置11进行。
在掩模贮存装置12中，成膜装置11中的成膜工序要使用的新的掩模和使用完毕的掩模分开收纳在两个盒体中。搬送机器人14将使用完毕的掩模从成膜装置11搬送到掩模贮存装置12的盒体，将收纳在掩模贮存装置12的其他盒体中的新的掩模搬送到成膜装置11。
在群组装置1上，在基板S的流动方向上在上游侧和下游侧分别连结有中转装置。各个中转装置从上游侧向下游侧按顺序具有缓冲室16、回旋室17及通路室15。即，在群组装置1上，在上游侧连结有通路室15，在下游侧连结有缓冲室16。相对于群组装置1在基板S的流动方向上与上游侧(图1中的左侧)连结的通路室15成为将来自上游侧的基板S交接给该群组装置1的腔室。相对于群组装置1与下游侧(图1中的右侧)连结的缓冲室16成为将在该群组装置1中完成成膜处理的基板S交接给下游侧的其他群组装置的腔室。搬送室13的搬送机器人14从上游侧的通路室15接收基板S，并搬送到该群组装置1内的一个成膜装置11(例如成膜装置11a)。另外，搬送机器人14从多个成膜装置11中的一个(例如成膜装置11b)接收完成该群组装置1中的成膜处理的基板S，并搬送到与下游侧连结的缓冲室16。
也可以在缓冲室16与通路室15之间设置有改变基板的方向的回旋室17。在回旋室17中设置有用于从缓冲室16接收基板S并使基板S旋转180°并且搬送到通路室15的搬送机器人18。由此，在上游侧的群组装置和下游侧的群组装置中基板S的方向变得相同，基板处理变容易。
通路室15、缓冲室16、回旋室17是将群组装置间连结的所谓中转装置，设置在群组装置的上游侧和/或下游侧的中转装置包含通路室、缓冲室、回旋室中的至少一个。
成膜装置11、掩模贮存装置12、搬送室13、缓冲室16、回旋室17等在有机发光元件的制造过程中维持在高真空状态。通路室15通常维持在低真空状态，但也可以根据需要维持在高真空状态。
在本实施例中，参照图1说明了电子器件的制造装置的结构，但本发明不限定于此，可以具有其他种类的装置或腔室，这些装置或腔室间的配置可以变化。例如，电子器件的制造装置可以不是群组型，而是串列(in-line)型。也就是说，可以具有如下结构：将基板和掩模搭载在载体上，一边在排列成一列的多个成膜装置内搬送一边进行成膜。另外，也可以具有将群组型和串列型组合而成的类型的构造。例如，也能够到有机层的成膜为止在群组型的制造装置中进行，从电极层(阴极层)的成膜工序至密封工序及切断工序等在串列型的制造装置中进行。
以下，说明成膜装置11的具体结构。
<成膜装置>
图2是示出成膜装置11的结构的示意图。在以下的说明中，使用以铅垂方向为Z方向的XYZ直角坐标系。在成膜时以与水平面(XY平面)平行的方式固定矩形基板S的情况下，将基板S的短边方向(与短边平行的方向)设为X方向，将长边方向(与长边平行的方向)设为Y方向。另外，用θ表示绕Z轴的旋转角。
成膜装置11包含：维持在真空环境或氮气等惰性气体环境的真空容器21(容器)、设置在真空容器21的内部的基板支撑单元22(支撑单元)、掩模支撑单元23、静电吸盘24(吸附部件)、磁铁板31及蒸发源25(成膜部件)。
基板支撑单元22是接收并保持利用设置于搬送室13的搬送机器人14搬送来的基板S的部件，也称为基板支架。在本实施方式中，基板支撑单元22具有多个支撑部22a，利用多个支撑部22a支撑矩形基板S的第一主面(在此为底面)的周缘部。例如，基板支撑单元22支撑基板S的相互面对的两个边部(在矩形基板的情况下，一对长边部或一对短边部)或四个边部。此外，本说明书中的“周缘部”也可以不包含周缘端。例如，基板支撑单元22具有的多个支撑部22a可以通过不与基板S的底面的周缘端接触，而是与从周缘端相距某距离的、靠近基板S的中心的部分接触，从而支撑基板S。另外，当然，本说明书中的“边部”也同样地可以不包含边本身。
在基板支撑单元22的下方设置有掩模支撑单元23。掩模支撑单元23是接收并保持利用设置于搬送室13的搬送机器人14搬送来的掩模M的部件，也称为掩模支架。掩模支撑单元23配置在如下位置：掩模支撑单元23支撑的掩模M被配置在基板支撑单元22支撑的基板S与作为成膜部件的蒸发源25之间。
掩模M具有与形成在基板S上的薄膜图案对应的开口图案，并载置在掩模支撑单元23之上。特别是制造智能手机用的有机EL元件所使用的掩模是形成有微细开口图案的金属制的掩模，也称为FMM(Fine Metal Mask：精细金属掩模)。
在与利用基板支撑单元22支撑的基板S的第二主面相向的位置(在此为基板支撑单元22的上方)，设置有用于利用静电引力吸附并固定基板S的作为基板吸附部件或被吸附体吸附部件的静电吸盘24。静电吸盘24具有在电介质(例如陶瓷材质)基体内埋设金属电极等电路而成的构造。
静电吸盘24可以是在电极与吸附面之间存在电阻相对较高的电介质并利用电极与被吸附体之间的库仑力进行吸附的库仑力型的静电吸盘，可以是在电极与吸附面之间存在电阻相对较低的电介质并利用在电介质的吸附面与被吸附体之间产生的约翰逊-拉贝克力进行吸附的约翰逊-拉贝克力型的静电吸盘，也可以是利用不均匀电场吸附被吸附体的梯度力型的静电吸盘。
在被吸附体为导体或半导体(硅晶片)的情况下，优选使用库仑力型的静电吸盘或约翰逊-拉贝克力型的静电吸盘，在被吸附体为玻璃这样的绝缘体的情况下，优选使用梯度力型的静电吸盘。
静电吸盘24既可以用一块板形成，也可以形成为具有多块副板。另外，在用一块板形成的情况下，也可以在其内部包含多个电路，以在一块板内静电引力根据位置而不同的方式进行控制。
在本实施方式中，主要说明静电吸盘作为基板吸附部件，但本发明不限定于此，也可以使用通过粘接力吸附基板的粘接吸盘。
本实施方式的成膜装置11还包含用于从基板S的上表面侧(第二主面侧)推压由基板支撑单元22支撑的基板S的角部的推压构件30。因此，可以在静电吸盘24上形成有推压构件30能够贯通的孔24a。将在后面说明包含推压构件30的基板S的吸附装置及方法。此外，基板S具有的角部可以不是数学上严格意义的“角”，例如可以是通过倒圆角加工等而带有圆角的角。
虽然在图2中没有图示，但可以设为如下结构：通过在静电吸盘24的吸附面的相反侧设置抑制基板S的温度上升的冷却机构(例如冷却板)，从而抑制堆积在基板S上的有机材料的变质或劣化。
在静电吸盘24的上方，设置有用于向金属制的掩模M施加磁力并拉近掩模，使掩模M紧贴基板S的磁铁板31。磁铁板31具有永久磁铁或电磁铁，经由静电吸盘24及基板S向掩模M施加磁力。磁铁板31可以划分为从与静电吸盘24的吸附面垂直的方向观察时并排排列的多个模块。另外，磁铁板31可以与后述的冷却板一体地形成。
蒸发源25包含：收纳将被成膜于基板S的蒸镀材料的坩锅(未图示)、用于加热坩锅的加热器(未图示)以及从蒸发源的蒸发速率成为恒定之前阻止蒸镀材料向基板S飞散的挡板(未图示)等。蒸发源25能够按照用途具有多种结构，例如为点状(point)蒸发源、线状(linear)蒸发源、面状蒸发源等。
虽然在图2中未图示，但成膜装置11包含用于测定蒸镀于基板S的膜的厚度的膜厚监视器(未图示)及膜厚算出单元(未图示)。作为膜厚监视器，能够使用包含石英振子的晶体监视器。
在真空容器21的上部外侧(大气侧)，设置有基板支撑单元Z致动器26(支撑单元移动机构)、掩模支撑单元Z致动器27、静电吸盘Z致动器28及位置调整机构29等。这些致动器26、27、28和位置调整机构29例如由电机和滚珠丝杠或者电机和线性引导件等构成，但本发明不限定于此，也可以采用本业界已知的其他结构。基板支撑单元Z致动器26是用于使基板支撑单元22升降(Z方向移动)的驱动部件，即基板支撑单元移动机构或被吸附体支撑单元移动机构。掩模支撑单元Z致动器27是用于使掩模支撑单元23升降(Z方向移动)的驱动部件。静电吸盘Z致动器28是用于使静电吸盘24升降(Z方向移动)的驱动部件，即基板吸附部件移动机构或被吸附体吸附部件移动机构。
位置调整机构29是用于进行静电吸盘24的对准的驱动部件。位置调整机构29使静电吸盘24整体相对于基板支撑单元22及掩模支撑单元23进行X方向移动、Y方向移动、θ旋转。此外，在本实施方式中，通过在吸附基板S的状态下在X、Y、θ方向上对静电吸盘24进行位置调整，从而进行调整基板S与掩模M的相对位置的对准。
在真空容器21的外侧上表面上，除了上述驱动机构以外，还可以设置对准用相机20，所述对准用相机20用于经由设置在真空容器21的上表面上的透明窗拍摄形成于基板S及掩模M的对准标记。在本实施例中，对准用相机20可以设置在与矩形基板S、掩模M及静电吸盘24的对角线上的两个角部对应的位置或与矩形的四个角部对应的位置，或者相向的两条边的中央部。
设置于本实施方式的成膜装置11的对准用相机20是为了高精度地调整基板S与掩模M的相对位置而使用的精对准用相机，是其视野角较窄但具有高分辨率的相机。除了精对准用相机20以外，成膜装置11也可以具有视野角相对较宽但低分辨率的粗对准用相机。
位置调整机构29基于利用对准用相机20取得的基板S及掩模M的位置信息，进行使基板S和掩模M相对移动而调整位置的对准。
成膜装置11具备控制部32。控制部32具有基板S或掩模M的搬送及对准的控制(各移动机构的控制)、蒸发源25的控制、成膜的控制等功能。
特别是本实施方式的控制部32作为吸附控制部件发挥功能，所述吸附控制部件在利用静电吸盘24进行的基板S的吸附工作中，控制利用基板支撑单元Z致动器26进行的基板支撑单元22的升降及利用静电吸盘Z致动器28进行的静电吸盘24的升降。由此，控制部32能够在利用推压构件30进行的基板S的推压及向静电吸盘24的基板S的吸附工序中控制基板S及静电吸盘24的升降。但是，本发明不限定于此，可以与成膜装置的控制部独立地具有吸附控制部件。
另外，控制部32能够具有控制向静电吸盘24施加电压的功能，对此，后面参照图3进行说明。
控制部32例如能够由具有处理器、内存(memory)、存储器(storage)及I/O等的计算机构成。在该情况下，控制部32的功能通过处理器执行存储在内存或存储器中的程序从而实现。作为计算机，可以使用通用的个人计算机，也可以使用嵌入式的计算机或PLC(Programmable Logic Controller：可编程逻辑控制器)。或者，控制部32的一部分或全部功能也可以由ASIC或FPGA那样的电路构成。另外，可以按成膜装置设置控制部，也可以构成为一个控制部控制多个成膜装置。
<吸附装置>
图3是示出本发明的一实施方式的吸附装置的结构的剖视示意图。以下，以矩形基板为前提说明本实施方式的吸附装置，但本发明不限定于此。
参照图3，吸附装置110包含：包含支撑部22a的基板支撑单元22、用于吸附基板S的静电吸盘24以及用于从上方推压由基板支撑单元22的支撑部22a支撑的基板S的角部的推压构件30。在图3中，仅简单地图示了基板支撑单元22的支撑部22a，这是为了更明确地示出本实施方式的技术特征。
吸附装置110可以进一步包含用于使基板支撑单元22升降的基板支撑单元Z致动器26和用于使静电吸盘24升降的静电吸盘Z致动器28。而且，吸附装置110中的利用静电吸盘24进行的基板S的吸附工作的控制也可以由吸附控制部件进行。吸附控制部件可以由成膜装置11的控制部的一个功能单元实现，另外，也可以由另外的控制部实现。
基板支撑单元22是用于支撑作为被吸附体的基板S的被吸附体支撑单元的一例。基板S的第一主面(在图3中为底面)的周缘部由基板支撑单元22的支撑部22a支撑。
底面的周缘部由基板支撑单元22的支撑部22a支撑的基板S由于自重等而中央部向下方挠曲。结果，基板S的周缘部与支撑部22a的上表面部分地接触而被支撑，随着接近基板S的周缘端，从支撑部22a的上表面浮上并远离。
静电吸盘24设置在基板支撑单元22的支撑部22a的上侧，是用于利用静电引力吸附并固定基板S的基板吸附部件。为了诱发静电引力，向静电吸盘24施加规定的电压。根据本实施方式，关于向静电吸盘24施加电压的具体方法，不特别限制。例如，可以向静电吸盘24整体同时施加电压，或者，也可以向静电吸盘24的多个电极部或吸附部依次施加电压。
根据本实施方式，静电吸盘24从基板S的上表面侧(第二主面侧)吸附由后述的推压构件30推压的基板S。在本实施方式中，在为了吸附基板S而向静电吸盘24施加规定的电压之前，利用推压构件30推压基板S。由此，能够抬起由于自重而向下方挠曲的基板S的中央部，能够在基板S的挠曲的程度降低或被去除的状态下由静电吸盘24吸附。因此，不仅能够缩短吸附所花费的时间，还能够抑制由静电吸盘24吸附的基板S上残留褶皱。另外，也能够减小向静电吸盘24施加的电压。
推压构件30用于通过一端部与基板S的第二主面(在图3中为上表面)抵接从而从上侧推压基板S。在本实施方式中，推压构件30是销状的构件。在本实施方式中，作为推压构件30推压基板S的上表面的区域的推压区域位于基板S的角部。因此，推压构件30设置在与由基板支撑单元22支撑的矩形基板11的角部对应的位置。更具体而言，推压构件30的推压区域位于基板11的四个角部中的至少两个角部。
图4a及图4b分别是示出推压构件30的推压区域30a的位置的、吸附装置11的俯视示意图。
如图4a所示，推压构件30也可以设置于与矩形基板S的四个角部中的位于对角线上的一对角部对应的位置。由此，能够在使推压构件30的数量最小化的同时有效地推压基板S。
或者，如图4b所示，推压构件30也可以设置于与矩形基板S的全部四个角部对应的位置。这样，通过用推压构件30从上侧推压基板S的两个或四个角部，从而能够抬起挠曲的基板S的中央部，降低向下方的挠曲程度或者使之大致变平坦。特别是通过利用推压构件30推压与挠曲最剧烈的中央部相距较远的角部，从而能够有效地降低基板S的中央部的挠曲。
根据图4a或图4b所示的本发明的实施方式，由于推压构件30设置于基板S的角部，所以从垂直方向(也就是说，与基板面垂直的方向)观察，推压构件30的推压区域(30a，例如角部)与利用基板支撑单元22的支撑部22a支撑基板S的支撑区域(例如边部)相互不重叠。因此，能够利用推压构件30充分地推压基板S而不受支撑部22a限制。
将利用基板支撑单元22支撑的支撑区域垂直投影到基板S的上表面而成的投影区域、和利用推压构件30推压的推压区域30a以沿着假想线L(参照图4b)的方式排列，所述假想线L构成与基板S的下表面的外周相似的图形(例如矩形)。
根据本实施方式的一个方面，推压构件30设置于真空容器21的壁例如上侧壁，并以向下方延伸的方式固定。在该情况下，随着由基板支撑单元22支撑的基板S上升，基板S的上表面与推压构件30接触，基板S被向下方推压。由此，由于能够使用已有的基板支撑单元Z致动器26，利用推压构件30推压基板S，所以不需要用于使推压构件30升降的另外的驱动部件。因此，吸附装置的结构不会变复杂。
但是，本发明不限定于此，也可以将用于使推压构件30升降的升降机构设置在成膜装置11的上部外侧(大气侧)。另外，也可以是，推压构件30不固定于一个位置，设置成能够在能推压基板S的角部的推压位置与退避位置之间移动。由此，能够避免推压构件30在其他结构处发生干涉。
根据本实施方式，在基板支撑单元22上升而基板S向推压构件30侧接近的期间，也利用静电吸盘Z致动器28使静电吸盘24与之联动地上升。
而且，为了使推压构件30通过静电吸盘24并能够推压基板S，在静电吸盘24上设置有推压构件30能够通过的孔24a。为了推压构件30的贯通，孔24a形成在推压构件30的位置即与基板S的推压区域对应的位置。而且，孔24a的数量也优选与推压构件30的数量对应。
根据实施方式的不同，也可以在孔24a中追加设置块构件24b(参照图6)。当由推压构件30从上方推压时，块构件24b从孔24a向下方突出并推压基板S。由此，与图3所示的实施方式相比，能够进一步缩短推压构件30的长度。
块构件24b优选构成为：当解除推压构件30的推压时，能够返回到作为原来的位置的孔24a内。也就是说，块构件24b优选构成为：在从孔24a位移的情况下，恢复力向孔24a起作用。例如，块构件24b可以与弹簧这样的弹性部件结合并设置在孔24a内。
<吸附方法>
接着，说明本发明的一实施方式的吸附方法。本实施方式的吸附方法至少包含：(1)利用支撑单元支撑作为被吸附体的基板的支撑步骤、(2)利用推压构件推压作为被吸附体的基板的推压步骤、(3)利用吸附部件吸附作为被吸附体的基板的吸附步骤。以下，参照附图详细说明各个步骤。
图5是示出本发明的一实施方式的吸附方法的附图。本实施方式是在静电吸盘24上在与推压构件30对应的位置设置有孔24a且没有设置块构件24b的实施例。
<<支撑步骤>>
在本步骤中，利用支撑单元支撑作为被吸附体的基板S的第一主面(在此为成膜面)的周缘部。在本实施例中，以基板S的成膜面成为铅垂方向向下的方式配置，利用支撑单元从下方支撑该基板S的成膜面的周缘部。参照图5的(a)，被搬入成膜装置11的作为被吸附体的基板S在支撑区域由基板支撑单元22的支撑部22a支撑。此时，推压构件30、静电吸盘24及基板S分离。如图所示，基板S的中央部由于自重而向下方挠曲。另外，在用静电吸盘24吸附基板S之前，为了用推压构件30推压基板S的上表面的推压区域，利用基板支撑单元Z致动器26使基板支撑单元22向推压构件30侧上升。此时，也利用静电吸盘Z致动器28使静电吸盘24与基板支撑单元22的上升联动地上升。
<<推压步骤>>
在本步骤中，利用推压构件30从作为被吸附体的基板S的第二主面(在此为成膜面的相反侧的面)推压基板S。参照图5的(b)，随着静电吸盘24和基板支撑单元22上升，推压构件30贯通设置于静电吸盘24的孔24a。当静电吸盘24和基板支撑单元22继续上升时，基板S的上表面(第二主面)与推压构件30接触。根据实施方式的不同，也可以是，在推压构件30贯通静电吸盘24的孔24a并向下方突出的状态下，不使静电吸盘24上升，仅使基板支撑单元22进一步上升。即，在推压步骤中，可以进行推压直到基板S的由推压构件30(如后所述，也包含经由其他构件推压的情况)推压的部分成为与由基板支撑单元22支撑的部分相同的高度。由此，能够降低应力施加于基板S而基板S损伤的可能性。或者，在推压步骤中，可以进行推压直到基板S的由推压构件30(如后所述，也包含经由其他构件推压的情况)推压的部分变得比由基板支撑单元22支撑的部分低。换句话说，也可以从上述形态进一步推压。由此，能够进一步发挥减轻基板的挠曲的效果。
如图5的(c)所示，通过在推压构件30与基板S的上表面接触的状态下静电吸盘24和基板支撑单元22继续上升，从而推压构件30推压基板S的上表面的角部。如上所述，在本步骤中，对矩形基板S的四个角部中的至少两个角部进行推压，优选的是对相向的两个角部或全部四个角部进行推压。结果，挠曲的基板S的中央部被抬起，能够减轻挠曲。
<<吸附步骤>>
在本步骤中，从在推压步骤中由推压构件推压的被吸附体(基板S)的上表面(第二主面)侧吸附被吸附体(基板S)。如上所述，通过在推压步骤中利用推压构件30推压基板S，从而利用推压构件30减轻基板S的挠曲。在该状态下，如图5的(d)所示，向静电吸盘24施加规定的电压ΔV而用静电吸盘24吸附由推压构件30推压的基板S。此外，可以在向静电吸盘24施加规定的电压后使基板支撑单元22进一步上升并使静电吸盘24接近基板S，也可以在使基板支撑单元22上升并使静电吸盘接近基板S后向静电吸盘24施加规定的电压。另外，吸附步骤可以在推压步骤完成之前开始。例如，也可以是，在推压步骤中，推压构件30与基板S直接或间接接触，利用推压构件30进行的基板S的推压开始后，开始吸附步骤而不等待推压的完成。而且，也可以并行地进行利用作为吸附部件的静电吸盘24进行的吸附和利用推压构件30进行的基板S的推压。如上所述，关于向静电吸盘24施加电压的具体方法，没有特别的限制。
根据本实施方式，通过利用推压构件30推压，并用静电吸盘24吸附挠曲程度减轻的基板S，从而能够使吸附所花费的时间缩短，并使工序时间缩短。而且，由于静电吸盘24在由基板S的自重导致的挠曲减轻的状态下进行吸附，所以能够抑制褶皱残留于由静电吸盘24吸附后的基板S(也就是说，基板S在更大的面积中由静电吸盘吸附)，并抑制成膜工序的精度下降。另外，也能够减小向静电吸盘24施加的电压ΔV的大小。特别是通过推压与基板S的中央部相距较远的角部，从而能够更有效地减轻中央部的挠曲。
图6是示出本发明的其他实施方式的吸附方法的附图。本实施方式是在静电吸盘24上与推压构件30对应的位置设置有孔24a，另外在孔24a之中设置有块构件24b的实施例。
参照图6的(a)，被搬入成膜装置11的作为被吸附体的基板S由基板支撑单元22的支撑部22a支撑。此时，推压构件30、静电吸盘24及基板S分离，基板S的中央部由于自重而向下方挠曲。为了在将基板S吸附于静电吸盘24之前，减轻基板S的挠曲，基板支撑单元22向推压构件30上升，与基板支撑单元22的上升联动地，静电吸盘24也一起上升。
参照图6的(b)，随着静电吸盘24和基板支撑单元22上升，推压构件30进入静电吸盘24的孔24a，推压孔24a内的块构件24b。由此，块构件24b从孔24a向下方突出。静电吸盘24和基板支撑单元22上升，直到突出的块构件24b推压基板S的角部。根据实施方式的不同，也可以是，推压构件30推压块构件24b而块构件24b向孔24a的下方突出后，不使静电吸盘24上升，仅追加地使基板支撑单元22上升。
如图6的(c)所示，静电吸盘24和基板支撑单元22继续上升后，块构件24b与基板S接触并推压基板S的角部。如上所述，在本步骤中，对矩形基板S的四个角部中的至少两个角部进行推压，优选的是对相向的两个角部或全部四个角部进行推压。结果，中央部挠曲的基板S的中央部被抬起，能够使挠曲程度变小或大致成为平坦的状态。
这样，在基板S的挠曲减轻的状态下，如图6的(d)所示，向静电吸盘24施加规定的电压ΔV而用静电吸盘24吸附由块构件24b推压的基板S。如上所述，关于向静电吸盘24施加电压的具体方法，没有特别的限制。
根据本实施方式，通过利用块构件24b推压基板S，并用静电吸盘24吸附挠曲程度减轻的基板S，从而能够使吸附所花费的时间缩短，并使工序时间缩短。而且，由于在基板S的挠曲减轻的状态下进行吸附，所以能够抑制褶皱残留于由静电吸盘24吸附后的基板S，并抑制成膜工序的精度下降。另外，也能够减小向静电吸盘24施加的电压ΔV的大小。
＜成膜工艺＞
以下，说明采用了本实施方式的吸附方法而成的成膜方法。
在掩模M载置于真空容器21内的掩模支撑单元23的状态下，利用搬送室13的搬送机器人14向成膜装置11的真空容器21内搬入基板S。
进入真空容器21内的搬送机器人14的机械手将基板S载置在基板支撑单元22的支撑部22a上(基板支撑步骤)。
接着，使基板支撑单元22和静电吸盘24上升，用推压构件30推压基板S的角部(推压步骤)。此时，根据实施方式的不同，能够使推压构件30贯通静电吸盘24的孔24a并推压基板S，或者由推压构件30推压的块构件24b从孔24a向下方突出并推压基板S。
接着，向静电吸盘24施加规定的电压(ΔV)，吸附利用推压构件30直接推压或经由块构件24b间接推压的基板S(吸附步骤)。在需要的情况下，也能够在施加规定的电压ΔV前，使静电吸盘24向基板S下降，使之充分地接近基板S或与基板S接触。
为了在基板S被吸附于静电吸盘24的状态下，测量基板S相对于掩模M的相对位置偏移，使基板S向掩模M下降。此时，静电吸盘24也与基板S一起下降。结果，静电吸盘24和基板S从推压构件30分离。在使用块构件24b的实施方式中，通过基板S和静电吸盘24下降，从而推压基板S的块构件24b被解除推压构件30的推压状态，由于恢复力而返回到作为原来的位置的静电吸盘24的孔24a内。
当基板S下降到对准测量位置时，用对准用相机20拍摄形成于基板S和掩模M的对准标记，测量基板S与掩模M的相对位置偏移。
如果测量后判明基板S相对于掩模M的相对位置偏移超过阈值，则利用位置调整机构29使吸附于静电吸盘24的状态下的基板S在水平方向(XYθ方向)上移动，相对于掩模M对基板S进行位置调整(对准)。这种基板S相对于掩模M的相对位置调整过程能够重复进行，直到相对位置偏移收敛在阈值内。
当基板S与掩模M的相对位置偏移收敛在规定的阈值内时，使静电吸盘24向掩模M下降，使基板S与掩模M紧贴(紧贴步骤)。此时，为了基板S与掩模M的紧贴，可以向静电吸盘24施加能够隔着基板S吸附掩模M的电压或者使磁铁板31下降到静电吸盘24的上表面上，将金属制的掩模M拉近到基板S上。
接着，打开蒸发源25的挡板，使蒸镀材料经由掩模M蒸镀于基板S(成膜步骤)。此外，在此说明了使蒸镀材料蒸发或升华并蒸镀于基板S的情况，但不限定于此，例如也可以利用溅射等其他成膜方法进行成膜。
在蒸镀为期望的厚度后，将基板S和掩模M分离。
搬送机器人14的机械手进入成膜装置11的真空容器21内，向静电吸盘24的电极部施加零(0)或反极性的电压，静电吸盘24从基板S分离并上升。其后，利用搬送机器人14从真空容器21搬出蒸镀完成的基板S。
此外，在上述说明中，成膜装置11设为在基板S的成膜面朝向铅垂方向下方的状态下进行成膜的所谓向上蒸镀方式(向上沉积)的结构，但不限定于此，也可以是基板S在与真空容器21的侧面侧垂直地竖立的状态下配置，在基板S的成膜面与重力方向平行的状态下进行成膜的结构。
<电子器件的制造方法>
接着，说明使用了本实施方式的成膜装置的电子器件的制造方法的一例。以下，例示有机EL显示装置的结构及制造方法作为电子器件的例子。
首先，对制造的有机EL显示装置进行说明。图7的(a)是有机EL显示装置60的整体图，图7的(b)示出一个像素的截面构造。
如图7的(a)所示，在有机EL显示装置60的显示区域61中，呈矩阵状地配置有多个具备多个发光元件的像素62。详细情况在后面说明，发光元件中的每一个具有具备被一对电极夹着的有机层的结构。此外，在此所说的像素是指在显示区域61中能够进行所希望的颜色的显示的最小单位。在本实施例的有机EL显示装置的情况下，由示出彼此不同的发光的第一发光元件62R、第二发光元件62G、第三发光元件62B的组合来构成像素62。像素62多由红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件的组合来构成，但也可以是黄色发光元件、青色发光元件以及白色发光元件的组合，只要是至少一种颜色以上即可，并不特别限制。另外，也可以是，多个发光层层叠而构成各发光元件。
另外，也可以用呈现相同发光的多个发光元件构成像素62，使用以与各个发光元件对应的方式使多个不同的颜色转换元件呈图案状配置而成的滤色器，一个像素能够在显示区域61中显示期望的颜色。例如，可以用至少3个白色发光元件构成像素62，并使用以与各个发光元件对应的方式排列红色、绿色、蓝色的各颜色转换元件而成的滤色器。或者，可以用至少3个蓝色发光元件构成像素62，并使用以与各个发光元件对应的方式排列红色、绿色、无色的各颜色转换元件而成的滤色器。在后者的情况下，通过使用量子点滤色器(QD-CF)，所述量子点滤色器使用量子点(Quantum Dot：QD)材料作为构成滤色器的材料，从而与不使用量子点滤色器的通常的有机EL显示装置相比，能够增大显示色域。
图7的(b)是图7的(a)的A-B线处的局部截面示意图。像素62在基板S上具有有机EL元件，所述有机EL元件具备阳极64、空穴输送层65、发光层66R、66G、66B中的任一个、电子输送层67及阴极68。其中，空穴输送层65、发光层66R、66G、66B、电子输送层67相当于有机层。另外，在本实施方式中，发光层66R是发出红色光的有机EL层，发光层66G是发出绿色光的有机EL层，发光层66B是发出蓝色光的有机EL层。此外，如上所述，在使用滤色器或量子点滤色器的情况下，在各发光层的光出射侧即图7的(b)的上部或下部配置滤色器或量子点滤色器，但图示省略。
发光层66R、66G、66B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(有时记为有机EL元件)对应的图案。另外，阳极64按照每个发光元件分离地形成。空穴输送层65、电子输送层67以及阴极68既可以与多个发光元件62R、62G、62B共用而形成，也可以按照每个发光元件形成。此外，为了防止阳极64和阴极68因异物而短路，在阳极64之间设置有绝缘层69。并且，由于有机EL层会因水分、氧而劣化，因此，设置有用于保护有机EL元件免受水分、氧影响的保护层70。
在图7的(b)中，空穴输送层65、电子输送层67用一个层示出，但根据有机EL显示元件的构造，也可以用包含空穴阻挡层、电子阻挡层在内的多个层形成。另外，在阳极64与空穴输送层65之间也能够形成空穴注入层，所述空穴注入层具有能够顺畅地进行从阳极64向空穴输送层65注入空穴的能带结构。同样地，在阴极68与电子输送层67之间也能够形成电子注入层。
接着，具体地说明有机EL显示装置的制造方法的例子。
首先，准备形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)及阳极64的基板S。
在形成有阳极64的基板S上通过旋涂而形成丙烯酸树脂，通过光刻法以在形成有阳极64的部分形成开口的方式使丙烯酸树脂图案化而形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将图案化有绝缘层69的基板S搬入第一有机材料成膜装置，利用静电吸盘保持基板S，将空穴输送层65作为共用的层而成膜在显示区域的阳极64上。空穴输送层65通过真空蒸镀而成膜。实际上，空穴输送层65形成为比显示区域61大的尺寸，因此不需要高精细的掩模M。
接着，将形成至空穴输送层65的基板S搬入第二有机材料成膜装置，并用静电吸盘保持。进行基板S与掩模M的对准，使基板S与掩模M紧贴后，在基板S的配置发出红色光的元件的部分，形成发出红色光的发光层66R。
与发光层66R的成膜同样地，利用第三有机材料成膜装置来形成发出绿色光的发光层66G，进而利用第四有机材料成膜装置来形成发出蓝色光的发光层66B。在发光层66R、66G、66B的成膜完成后，利用第五成膜装置在整个显示区域61形成电子输送层67。电子输送层67作为共用的层而形成于3色的发光层66R、66G、66B。
使形成至电子输送层67的基板在金属性蒸镀材料成膜装置中移动而使阴极68成膜。
根据本发明，在利用静电吸盘24吸附并保持基板之前，利用推压构件30推压基板S的上表面的角部，减轻基板S的中央部的挠曲。
此后，移动到等离子体CVD装置而形成保护层70，有机EL显示装置60完成。
从将图案化有绝缘层69的基板S搬入成膜装置起直至保护层70的成膜完成为止，若暴露在含有水分、氧在内的环境中，则由有机EL材料制成的发光层可能会因水分、氧而劣化。因此，在本例中，成膜装置间的基板的搬入搬出在真空环境或惰性气体环境下进行。
上述实施例表示本发明的一例，但本发明并不限定于上述实施例的结构，可以在其技术思想的范围内适当进行变形。

Claims (49)

1.一种吸附装置，其特征在于，具有：
支撑单元，所述支撑单元支撑被吸附体的第一主面的周缘部，所述被吸附体具有所述第一主面和该第一主面的相反侧的第二主面；
吸附部件，所述吸附部件从所述被吸附体的所述第二主面侧吸附所述被吸附体；以及
多个推压构件，所述多个推压构件用于从所述被吸附体的所述第二主面侧推压所述被吸附体，
所述多个推压构件分别配置在与所述被吸附体的所述第二主面具有的多个角部中的至少两个角部对应的位置。
2.一种吸附装置，其特征在于，具有：
支撑单元，所述支撑单元支撑被吸附体的第一主面的周缘部，所述被吸附体具有所述第一主面和该第一主面的相反侧的第二主面；
吸附部件，所述吸附部件从所述被吸附体的所述第二主面侧吸附所述被吸附体；
推压构件，所述推压构件用于从所述被吸附体的所述第二主面侧推压所述被吸附体；
容器，所述容器在内部配置有所述支撑单元、所述吸附部件及所述推压构件；
支撑单元移动机构，所述支撑单元移动机构使所述支撑单元在与所述第一主面或所述第二主面垂直的方向上移动；以及
控制部，所述控制部控制所述支撑单元移动机构，
所述推压构件相对于所述容器固定地配置，
所述控制部以如下方式控制所述支撑单元移动机构：通过利用所述支撑单元移动机构向接近所述推压构件的方向移动所述支撑单元，从而所述被吸附体由所述推压构件推压。
3.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，
所述多个推压构件中的至少两个分别配置在与所述被吸附体的所述第二主面具有的多个角部中的相向的两个角部对应的位置。
4.根据权利要求2所述的吸附装置，其特征在于，
所述推压构件配置在与所述被吸附体的所述第二主面具有的角部对应的位置。
5.根据权利要求3或4所述的吸附装置，其特征在于，
所述推压构件配置在与所述被吸附体的全部所述角部对应的位置。
6.根据权利要求1或2所述的吸附装置，其特征在于，
所述被吸附体为矩形。
7.根据权利要求1或2所述的吸附装置，其特征在于，
在从与所述第一主面或所述第二主面垂直的方向观察时，作为所述支撑单元支撑所述被吸附体的所述第一主面上的区域的支撑区域与作为所述推压构件推压所述被吸附体的所述第二主面上的区域的推压区域不重叠。
8.根据权利要求7所述的吸附装置，其特征在于，
将所述支撑区域垂直投影在所述第二主面上而成的投影区域与所述推压区域以沿着假想线的方式排列，所述假想线构成与所述第一主面的外周相似的图形。
9.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，还具有：
支撑单元移动机构，所述支撑单元移动机构使所述支撑单元在与所述第一主面或所述第二主面垂直的方向上移动；以及
控制部，所述控制部控制所述吸附部件及所述支撑单元移动机构，
所述控制部以如下方式控制所述支撑单元移动机构：在利用所述吸附部件吸附被吸附体之前，使所述支撑单元在接近所述推压构件的方向上移动，并利用所述推压构件推压所述被吸附体。
10.根据权利要求2或9所述的吸附装置，其特征在于，
所述吸附装置还具有使所述吸附部件在所述垂直的方向上移动的吸附部件移动机构，
所述控制部以如下方式控制所述吸附部件移动机构：在利用所述支撑单元移动机构使所述支撑单元在接近所述推压构件的方向上移动的期间中的至少一部分期间中，使所述吸附部件在接近所述推压构件的方向上与所述支撑单元一起移动。
11.根据权利要求1或2所述的吸附装置，其特征在于，
所述吸附部件在与所述推压构件的位置对应的位置形成有孔。
12.根据权利要求1或2所述的吸附装置，其特征在于，
所述吸附部件包含：设置在与所述推压构件的位置对应的位置的孔和配置在所述孔的内部并能够相对于所述孔相对移动地设置的块构件。
13.根据权利要求12所述的吸附装置，其特征在于，
所述块构件构成为：在从所述孔位移时，恢复力向所述孔作用。
14.一种成膜装置，其特征在于，具有：
基板支撑单元，所述基板支撑单元支撑基板的第一主面的周缘部，所述基板具有所述第一主面和该第一主面的相反侧的第二主面；
基板吸附部件，所述基板吸附部件从所述基板的所述第二主面侧吸附所述基板；
多个推压构件，所述多个推压构件用于从所述基板的所述第二主面侧推压所述基板；以及
容器，所述容器在内部配置有所述基板支撑单元、所述基板吸附部件及所述多个推压构件，
所述多个推压构件分别配置在与所述基板的所述第二主面具有的多个角部中的至少两个角部对应的位置。
15.一种成膜装置，其特征在于，具有：
基板支撑单元，所述基板支撑单元支撑基板的第一主面的周缘部，所述基板具有所述第一主面和该第一主面的相反侧的第二主面；
基板吸附部件，所述基板吸附部件从所述基板的所述第二主面侧吸附所述基板；
多个推压构件，所述多个推压构件用于从所述基板的所述第二主面侧推压所述基板；
容器，所述容器在内部配置有所述基板支撑单元、所述基板吸附部件及所述多个推压构件；
基板支撑单元移动机构，所述基板支撑单元移动机构使所述基板支撑单元在与所述第一主面或所述第二主面垂直的方向上移动；以及
控制部，所述控制部控制所述基板支撑单元移动机构，
所述推压构件相对于所述容器固定地配置，
所述控制部以如下方式控制所述基板支撑单元移动机构：通过利用所述基板支撑单元移动机构向接近所述推压构件的方向移动所述基板支撑单元，从而所述基板由所述推压构件推压。
16.根据权利要求14或15所述的成膜装置，其特征在于，
所述成膜装置还具有在由所述基板吸附部件吸附的所述基板的所述第一主面上成膜的成膜部件。
17.根据权利要求14所述的成膜装置，其特征在于，
所述多个推压构件中的至少两个分别配置在与所述基板的所述第二主面具有的多个角部中的相向的两个角部对应的位置。
18.根据权利要求15所述的成膜装置，其特征在于，
所述推压构件配置在与所述基板的所述第二主面具有的角部对应的位置。
19.根据权利要求17或18所述的成膜装置，其特征在于，
所述推压构件分别配置在与所述基板的所述第二主面具有的全部角部对应的位置。
20.根据权利要求14或15所述的成膜装置，其特征在于，
所述基板为矩形。
21.根据权利要求14或15所述的成膜装置，其特征在于，
在从与所述基板的所述第一主面或第二主面垂直的方向上观察时，作为所述基板支撑单元支撑所述基板的所述第一主面上的区域的支撑区域与作为所述推压构件推压所述基板的所述第二主面上的区域的推压区域不重叠。
22.根据权利要求21所述的成膜装置，其特征在于，
将所述支撑区域垂直投影在所述第二主面上而成的投影区域与所述推压区域以沿着假想线的方式排列，所述假想线构成与所述第一主面的外周相似的图形。
23.根据权利要求14所述的成膜装置，其特征在于，还具有：
基板支撑单元移动机构，所述基板支撑单元移动机构使所述基板支撑单元在与所述第一主面或所述第二主面垂直的方向上移动；以及
控制部，所述控制部控制所述基板吸附部件及所述基板支撑单元移动机构，
所述控制部以如下方式控制所述基板支撑单元移动机构：在利用所述基板吸附部件吸附被吸附体之前，使所述基板支撑单元在接近所述推压构件的方向上移动，并利用所述推压构件推压所述被吸附体。
24.根据权利要求23所述的成膜装置，其特征在于，
所述多个推压构件固定于所述容器的壁。
25.根据权利要求15或23所述的成膜装置，其特征在于，
还具有使所述基板吸附部件在所述垂直的方向上移动的基板吸附部件移动机构，
所述控制部以如下方式控制所述基板吸附部件移动机构：在利用所述基板支撑单元移动机构使所述基板支撑单元在接近所述推压构件的方向上移动的期间中的至少一部分期间中，使所述基板吸附部件在接近所述推压构件的方向上与所述基板支撑单元一起移动。
26.根据权利要求14或15所述的成膜装置，其特征在于，
所述基板吸附部件在与所述推压构件的位置对应的位置形成有孔。
27.根据权利要求14或15所述的成膜装置，其特征在于，
所述基板吸附部件在与所述推压构件的位置对应的位置形成有孔，并包含配置在所述孔的内部并能够相对于所述孔相对移动地设置的块构件。
28.根据权利要求27所述的成膜装置，其特征在于，
所述块构件构成为：在从所述孔位移时，恢复力向所述孔作用。
29.一种吸附方法，其特征在于，具有：
支撑步骤，在所述支撑步骤中，利用支撑单元支撑被吸附体的第一主面的周缘部，所述被吸附体具有所述第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面；
推压步骤，在所述推压步骤中，利用多个推压构件从所述第二主面侧推压所述被吸附体；以及
吸附步骤，在所述吸附步骤中，利用吸附部件从所述被吸附体的所述第二主面侧吸附在所述推压步骤中被推压的所述被吸附体，
在所述推压步骤中，推压所述被吸附体的所述第二主面具有的多个角部中的至少两个角部。
30.一种吸附方法，其特征在于，具有：
支撑步骤，在所述支撑步骤中，在容器内利用支撑单元支撑被吸附体的第一主面的周缘部，所述被吸附体具有所述第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面；
推压步骤，在所述推压步骤中，利用固定地设置于所述容器的推压构件从所述第二主面侧推压所述被吸附体；以及
吸附步骤，在所述吸附步骤中，利用吸附部件从所述被吸附体的所述第二主面侧吸附在所述推压步骤中被推压的所述被吸附体，
在所述推压步骤中，通过在接近所述推压构件的方向上移动所述支撑单元，从而推压所述被吸附体。
31.根据权利要求29所述的吸附方法，其特征在于，
在所述推压步骤中，推压所述被吸附体的第二主面具有的多个角部中的相向的两个角部。
32.根据权利要求30所述的吸附方法，其特征在于，
在所述推压步骤中，推压所述被吸附体的第二主面具有的角部。
33.根据权利要求31或32所述的吸附方法，其特征在于，
在所述推压步骤中，推压所述被吸附体的全部角部。
34.根据权利要求29或30所述的吸附方法，其特征在于，
所述被吸附体是矩形的被吸附体。
35.根据权利要求29或30所述的吸附方法，其特征在于，
在所述推压步骤中，所述推压构件在从与所述第一主面或所述第二主面垂直的方向观察时在与支撑区域不重叠的区域中推压所述被吸附体，所述支撑区域是所述支撑单元支撑所述被吸附体的区域。
36.根据权利要求35所述的吸附方法，其特征在于，
在所述推压步骤中，将所述支撑区域垂直投影在所述第二主面上而成的投影区域与被推压的所述区域以沿着假想线的方式排列，所述假想线构成与所述第一主面的外周相似的图形。
37.根据权利要求29所述的吸附方法，其特征在于，
在所述推压步骤中，通过使所述支撑单元在接近所述推压构件的方向上移动，从而利用所述推压构件推压所述被吸附体。
38.根据权利要求30或37所述的吸附方法，其特征在于，
在所述推压步骤中，在使所述支撑单元移动的期间中的至少一部分期间中，使所述吸附部件在接近所述推压构件的方向上与所述支撑单元一起移动。
39.根据权利要求29或30所述的吸附方法，其特征在于，
在所述推压步骤中，所述推压构件贯通在与所述推压构件的位置对应的位置上设置的所述吸附部件的孔，并推压所述被吸附体。
40.根据权利要求30或31所述的吸附方法，其特征在于，
所述推压步骤包含：所述推压构件推压块构件的步骤，所述块构件在设置于与所述推压构件的位置对应的位置的所述吸附部件的孔的内部能够相对于所述孔相对移动地设置；以及所述块构件从所述孔突出并推压所述被吸附体的步骤。
41.一种成膜方法，在所述成膜方法中，经由掩模在基板的第一主面上进行成膜，所述基板具有所述第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面，其特征在于，所述成膜方法包含：
支撑步骤，在所述支撑步骤中，向容器内搬入基板，支撑所述基板的所述第一主面的周缘部；
推压步骤，在所述推压步骤中，利用多个推压构件从基板的所述第二主面侧分别推压所述基板的所述第二主面具有的多个角部中的至少两个角部；
吸附步骤，在所述吸附步骤中，利用基板吸附部件从所述基板的所述第二主面侧吸附所述基板；以及
成膜步骤，在所述成膜步骤中，经由所述掩模在利用所述基板吸附部件吸附的所述基板的所述第一主面上进行成膜。
42.一种成膜方法，在所述成膜方法中，经由掩模在基板的第一主面上进行成膜，所述基板具有所述第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面，其特征在于，所述成膜方法包含：
支撑步骤，在所述支撑步骤中，向容器内搬入基板，支撑所述基板的所述第一主面的周缘部；
推压步骤，在所述推压步骤中，使所述基板在接近推压构件的方向上移动，利用固定地设置在所述容器内的推压构件从基板的所述第二主面侧推压；
吸附步骤，在所述吸附步骤中，利用基板吸附部件从所述基板的所述第二主面侧吸附所述基板；以及
成膜步骤，在所述成膜步骤中，经由所述掩模在利用所述基板吸附部件吸附的所述基板的所述第一主面上进行成膜。
43.根据权利要求41所述的成膜方法，其特征在于，
在所述推压步骤中，推压所述基板的第二主面具有的角部。
44.根据权利要求41或42所述的成膜方法，其特征在于，
在所述推压步骤中，所述推压构件在从与所述第一主面或所述第二主面垂直的方向观察时在与支撑区域不重叠的区域中推压所述基板，所述支撑区域是支撑单元支撑所述基板的区域。
45.根据权利要求41所述的成膜方法，其特征在于，
在所述推压步骤中，使所述基板在接近被固定设置于所述容器的所述多个推压构件的方向上移动，并利用所述推压构件推压所述基板。
46.根据权利要求41或45所述的成膜方法，其特征在于，
在所述推压步骤中，为了利用所述多个推压构件推压所述基板，在使所述基板移动的期间中的至少一部分期间中，使所述基板吸附部件在接近所述推压构件的方向上与所述基板一起移动。
47.根据权利要求41或42所述的成膜方法，其特征在于，
在所述推压步骤中，所述推压构件贯通在与所述推压构件的位置对应的位置上设置的所述基板吸附部件的孔，并推压所述基板。
48.根据权利要求41或42所述的成膜方法，其特征在于，
所述推压步骤包含：所述推压构件推压块构件的步骤，所述块构件在设置于与所述推压构件的位置对应的位置的所述基板吸附部件的孔的内部能够相对于所述孔相对移动地设置；以及所述块构件从所述孔突出并推压所述基板的步骤。
49.一种电子器件的制造方法，其特征在于，
使用权利要求41或42所述的成膜方法制造电子器件。
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