KR20210094833A - A deposition mask of metal material for oled pixel deposition - Google Patents

A deposition mask of metal material for oled pixel deposition Download PDF

Info

Publication number
KR20210094833A
KR20210094833A KR1020200008560A KR20200008560A KR20210094833A KR 20210094833 A KR20210094833 A KR 20210094833A KR 1020200008560 A KR1020200008560 A KR 1020200008560A KR 20200008560 A KR20200008560 A KR 20200008560A KR 20210094833 A KR20210094833 A KR 20210094833A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
hole
deposition mask
holes
deposition
face
Prior art date
Application number
KR1020200008560A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
성동묵
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020200008560A priority Critical patent/KR20210094833A/en
Publication of KR20210094833A publication Critical patent/KR20210094833A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H01L51/56—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/12—Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils
    • H01L51/001—
    • H01L51/0011—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

The present invention provides a metallic deposition mask for OLED pixel deposition. According to one embodiment of the present invention, the deposition mask comprises: a deposition region and a non-deposition region. The deposition region includes a plurality of effective portions and a plurality of ineffective portions spaced apart from each other in a longitudinal direction. The effective portion includes: a first through-hole including a first small-area hole formed on one surface and a first large-area hole formed on the other surface opposite to the one surface to communicate with the first small-area hole; and a second through-hole including a second small-area hole formed on the one surface to be spaced apart from the first small-area hole and a second large-area hole formed on the other surface to communicate with the second small-are hole, wherein an inner side surface of the first through-hole has a first roughness value and an inner side surface of the second through-hole has a second roughness value different from the first roughness value.

Description

OLED 화소 증착을 위한 금속 재질의 증착용 마스크{A DEPOSITION MASK OF METAL MATERIAL FOR OLED PIXEL DEPOSITION}Metal deposition mask for OLED pixel deposition

본 실시 예는 마스크에 형성되는 관통 홀의 사이즈 불량 또는 막힘 불량을 해결하여 증착 성능을 향상시킬 수 있는 OLED 화소 증착을 위한 금속 재질의 증착용 마스크 및 OLED 패널 제조 방법에 관한 것이다.This embodiment relates to a metal deposition mask and an OLED panel manufacturing method for OLED pixel deposition capable of improving deposition performance by solving a size defect or clogging defect of a through hole formed in the mask.

표시 장치는 다양한 디바이스에 적용되어 사용되고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 스마트폰, 태블릿 PC 등과 같은 소형 디바이스뿐만 아니라, TV, 모니터, 퍼블릭 디스플레이(PD, Public Display) 등과 같은 대형 디바이스에 적용되어 이용되고 있다. 특히, 최근에는 500 PPI(Pixel Per Inch) 이상의 초고해상도 UHD(UHD, Ultra High Definition)에 대한 수요가 증가하고 있으며, 고해상도 표시 장치가 소형 디바이스 및 대형 디바이스에 적용되고 있다. 이에 따라, 저전력 및 고해상도 구현을 위한 기술에 대한 관심이 높아지고 있다.The display device is applied and used in various devices. For example, the display device is applied and used not only in small devices such as smart phones and tablet PCs, but also in large devices such as TVs, monitors, and public displays (PDs). In particular, in recent years, the demand for ultra-high resolution UHD (UHD) of 500 PPI (Pixel Per Inch) or more is increasing, and high-resolution display devices are being applied to small devices and large devices. Accordingly, interest in technology for implementing low power and high resolution is increasing.

일반적으로 사용되는 표시 장치는 구동 방법에 따라 크게 LCD(Liquid Crystal Display) 및 OLED(Organic Light Emitting Diode) 등으로 구분될 수 있다.A generally used display device may be largely divided into a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting diode (OLED) according to a driving method.

LCD는 액정(Liquid Crystal)을 이용하여 구동되는 표시 장치로 상기 액정의 하부에는 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp) 또는 LED(Light Emitting Diode) 등을 포함하는 광원이 배치되는 구조를 가지며, 상기 광원 상에 배치되는 상기 액정을 이용하여 상기 광원으로부터 방출되는 빛의 양을 조절하여 구동되는 표시 장치이다.. The LCD is a display device driven using liquid crystal, and has a structure in which a light source including a Cold Cathode Fluorescent Lamp (CCFL) or a Light Emitting Diode (LED) is disposed under the liquid crystal, and on the light source It is a display device driven by controlling the amount of light emitted from the light source using the disposed liquid crystal.

또한, OLED는 유기물을 이용해 구동되는 표시 장치로, 별도의 광원이 요구되지 않고, 유기물이 자체가 광원의 역할을 수행하여 저전력으로 구동될 수 있다. 또한, OLED는 무한한 명암비를 표현할 수 있고, LCD보다 약 1000배 이상의 빠른 응답 속도를 가지며 시야각이 우수하여 LCD를 대체할 수 있는 표시 장치로 주목 받고 있다.In addition, the OLED is a display device driven using an organic material, and a separate light source is not required, and the organic material itself serves as a light source and can be driven with low power. In addition, OLED is attracting attention as a display device that can replace LCD because it can express infinite contrast ratio, has a response speed of about 1000 times faster than LCD, and has excellent viewing angle.

특히, OLED에서 발광층에 포함된 상기 유기물은 파인 메탈 마스크(FMM, Fine Metal Mask)라 불리는 증착용 마스크에 의해 기판 상에 증착될 수 있고, 증착된 상기 유기물은 상기 증착용 마스크에 형성된 패턴과 대응되는 패턴으로 형성되어 화소의 역할을 수행할 수 있다. 상기 증착용 마스크는 일반적으로 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함하는 인바(Invar) 합금 금속판으로 제조된다. 이때, 상기 금속판의 일면 및 타면에는 상기 일면 및 상기 타면을 관통하는 관통 홀이 형성되며 상기 관통 홀은 화소 패턴과 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 이에 따라, 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 등의 유기물은 상기 금속판의 관통 홀을 통과하여 기판 상에 증착될 수 있고, 기판 상에는 화소 패턴이 형성될 수 있다.In particular, the organic material included in the light emitting layer in the OLED may be deposited on the substrate by a deposition mask called a fine metal mask (FMM), and the deposited organic material corresponds to the pattern formed on the deposition mask. It is formed in a pattern that can be used to function as a pixel. The deposition mask is generally made of an Invar alloy metal plate containing iron (Fe) and nickel (Ni). In this case, a through hole passing through the first surface and the other surface may be formed on one surface and the other surface of the metal plate, and the through hole may be formed at a position corresponding to the pixel pattern. Accordingly, the organic material such as red, green, and blue may pass through the through hole of the metal plate to be deposited on the substrate, and a pixel pattern may be formed on the substrate.

한편, 상기 증착용 마스크의 원소재인 금속판에 상기 유기물을 통과시키기 위한 관통 홀을 형성한다. 그러나, 상기와 같은 관통 홀은 실제 제조 환경 내에서 다양한 요인에 의해 사이즈의 편차가 발생한다. 일반적으로 증착용 마스크에 형성된 각각의 관통 홀의 사이즈 편차의 허용 범위는 ±5% 이내이다.Meanwhile, a through hole for passing the organic material is formed in the metal plate, which is a raw material for the deposition mask. However, the size of the through-holes as described above may vary due to various factors within an actual manufacturing environment. In general, the allowable range of the size deviation of each through-hole formed in the deposition mask is within ±5%.

이때, 상기와 같은 증착용 마스크는 관통 홀의 형성 과정에서, 다양한 요인에 의해 기준 사이즈를 기준으로 사이즈 편차의 허용 범위를 벗어나게 작게 형성되는 공소 불량이나 관통 홀이 형성되지 않는 막힘 불량이 발생하고 있다.In this case, in the process of forming the through-holes, the deposition mask as described above has a vacancy defect in which the through-hole is formed small outside the allowable range of size deviation based on the reference size due to various factors, or a clogging defect in which the through-hole is not formed.

그리고, 상기와 같은 공소 불량이 발생한 경우, 상기 유기물의 증착 과정에서 화소 패턴이 원하는 사이즈보다 작게 형성될 수 있고, 이에 따라 색 구현이 어려운 문제가 있다. 또한, 상기와 같은 막힘 불량이 발생한 경우, 상기 유기물의 증착 과정에서 해당 영역에서의 화소 패턴이 형성되지 않음에 따라 색 구현이 안되는 문제가 있다.In addition, when the above-mentioned cavity defect occurs, the pixel pattern may be formed smaller than a desired size during the deposition of the organic material, and thus there is a problem in that it is difficult to realize a color. In addition, when the above-described clogging defect occurs, there is a problem in that color cannot be realized because a pixel pattern is not formed in the corresponding area during the deposition of the organic material.

따라서, 상기와 같이 증착용 마스크의 다양한 관통 홀 불량을 해결할 수 있는 새로운 구조의 증착용 마스크 및 이의 제조방법이 요구된다.Accordingly, there is a need for a deposition mask having a new structure capable of solving various through-hole defects of the deposition mask as described above, and a method for manufacturing the same.

실시 예는 증착용 마스크에 포함된 관통 홀의 공소 불량이나 막힘 불량을 해결하여 증착용 마스크의 수율을 향상시킬 수 있는 증착용 마스크를 제공하고자 한다.An embodiment is to provide a deposition mask capable of improving the yield of the deposition mask by solving a voiding defect or clogging defect of a through hole included in the deposition mask.

또한, 실시 예는 식각에 의해 형성된 복수의 관통 홀 중 불량이 발생한 특정 관통 홀을 식각을 제외한 물리적 또는 화학적 방법으로 추가 가공할 수 있도록 한 증착용 마스크를 제공하고자 한다.In addition, an embodiment is to provide a deposition mask capable of further processing a specific through-hole having a defect among a plurality of through-holes formed by etching by a physical or chemical method other than etching.

제안되는 실시 예에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 제안되는 실시 예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems to be achieved in the proposed embodiment are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned are clear to those of ordinary skill in the art to which the proposed embodiment belongs from the description below. will be able to be understood

실시 예는 OLED 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크에 있어서, 상기 증착용 마스크는 증착 영역 및 비증착 영역을 포함하고, 상기 증착 영역은 길이 방향으로 서로 이격된 복수 개의 유효부 및 비유효부를 포함하고, 상기 유효부는 일면 상에 형성된 제1 소면공과, 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성되어 상기 제1 소면공과 연통되는 제1 대면공을 포함하는 제1 관통 홀; 및 상기 일면 상에 상기 제1 소면공과 이격되어 형성된 제2 소면공과, 상기 타면 상에 형성되어 상기 제2 소면공과 연통되는 제2 대면공을 포함하는 제2 관통 홀을 포함하고, 상기 제1 관통 홀의 내측면은 제1 거칠기 값을 가지고, 상기 제2 관통 홀의 내측면은 상기 제1 거칠기 값과 다른 제2 거칠기 값을 가진다.An embodiment is a metal material deposition mask for OLED deposition, wherein the deposition mask includes a deposition region and a non-evaporation region, and the deposition region includes a plurality of effective portions and ineffective portions spaced apart from each other in a longitudinal direction, , the effective portion a first through-hole including a first face-up hole formed on one surface, and a first face-to-face hole formed on the other surface opposite to the one surface and communicating with the first face hole; and a second through-hole including a second small-faced hole formed on the one surface to be spaced apart from the first small-faced hole, and a second facing hole formed on the other surface and communicated with the second small-faced hole, wherein the first through hole is formed. The inner surface of the hole has a first roughness value, and the inner surface of the second through hole has a second roughness value different from the first roughness value.

또한, 상기 제1 관통 홀의 상기 제1 소면공 및 상기 제1 대면공의 내측면은, 상기 제1 거칠기 값을 가지고, 상기 제2 관통 홀의 상기 제2 대면공의 내측면은, 상기 제2 거칠기 값을 가지며, 상기 제2 관통 홀의 상기 제2 소면공의 내측면은, 상기 제1 거칠기 값을 가진다.In addition, inner surfaces of the first small-faced hole and the first facing hole of the first through-hole have the first roughness value, and the inner surface of the second facing hole of the second through-hole has the second roughness value, and the inner surface of the second small face hole of the second through hole has the first roughness value.

또한, 상기 제1 관통 홀의 상기 제1 소면공 및 상기 제1 대면공의 내측면은, 상기 제1 거칠기 값을 가지고, 상기 제2 관통 홀의 상기 제2 소면공의 내측면은, 상기 제2 거칠기 값을 가지며, 상기 제2 관통 홀의 상기 제2 대면공의 내측면은, 상기 제1 거칠기 값을 가진다.In addition, inner surfaces of the first small face hole and the first face hole of the first through hole have the first roughness value, and the inner surface of the second face hole of the second through hole has the second roughness value, and the inner surface of the second facing hole of the second through hole has the first roughness value.

또한, 상기 제1 관통 홀의 상기 제1 소면공 및 상기 제1 대면공의 내측면은, 상기 제1 거칠기 값을 가지고, 상기 제2 관통 홀의 상기 제2 소면공 및 상기 제2 대면공의 내측면은, 상기 제2 거칠기 값을 가진다.In addition, inner surfaces of the first face-up hole and the first face-to-face hole of the first through hole have the first roughness value, and inner surfaces of the second face hole and the second face hole of the second through hole have the first roughness value. has the second roughness value.

또한, 상기 제1 거칠기 값은, 0.1 ~ 0.2㎛의 Ra 값을 가진다.In addition, the first roughness value has an Ra value of 0.1 to 0.2 μm.

실시 예에 의하면, 증착용 마스크는 내면이 제1 표면 거칠기를 가지는 제1 관통 홀, 및 상기 제1 표면 거칠기와 다른 제1 표면 거칠기를 가지는 제2 관통 홀을 포함한다. 이때, 상기 제1 관통 홀은 식각에 의해서만 형성될 수 있고, 제2 관통 홀은 식각에 의해 1차적으로 형성된 후에 식각을 제외한 다른 방법에 의한 2차적 가공을 통해 형성될 수 있다. 여기에서, 상기 제2 관통 홀은 식각에 의해 형성된 관통 홀 중 공소 불량이나 막힘 불량이 발생한 관통 홀이다. 그리고, 실시 예에서는 상기 공소 불량이나 막힘 불량이 발생한 제1 관통 홀에 대해 2차 가공 공정을 진행하여 상기 제1 관통 홀과 동일한 스펙을 가지도록 한다. 이에 따르면, 실시 예에서는 공소 불량이나 막힘 불량이 발생한 증착용 마스크를 폐기처리하는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라 증착용 마스크의 수율을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment, the deposition mask includes a first through hole having an inner surface having a first surface roughness, and a second through hole having a first surface roughness different from the first surface roughness. In this case, the first through-hole may be formed only by etching, and the second through-hole may be formed through secondary processing by a method other than etching after being primarily formed by etching. Here, the second through-hole is a through-hole in which a cavity defect or a clogging defect occurs among through-holes formed by etching. And, in the embodiment, a secondary processing process is performed on the first through-hole in which the cavity defect or the clogging defect has occurred so as to have the same specification as the first through-hole. According to this, in the embodiment, it is possible to prevent the deposition mask having a defective cavity or a clogging defect from being disposed of, and thus, the yield of the deposition mask can be improved.

또한, 실시 예에 의하면 공소 불량이나 막힘 불량이 발생한 증착용 마스크로 유기물을 증착하는 경우, 원하는 사이즈보다 작게 화소 패턴이 구현됨에 의해 OLED 패널의 색 구현이 정상적으로 되지 않거나, 막힘 부분에서 화소 패턴이 형성되지 않음에 의해 OLED 패널의 색 구현이 안되는 문제를 해결할 수 있으며, 이에 따른 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the embodiment, when an organic material is deposited with a deposition mask having a poor air gap or a clogging defect, a pixel pattern smaller than a desired size is realized, so that the color of the OLED panel is not normal or a pixel pattern is formed in the clogged part It is possible to solve the problem of not realizing the color of the OLED panel by not doing so, and thus reliability can be improved.

도 1 내지 도 4는 실시 예에 따른 증착용 마스크를 사용하여 기판 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 5는 실시예에 따른 증착용 마스크의 평면도를 도시한 도면이다.
도 6은 제 1 실시예에 따른 증착용 마스크의 유효부의 평면도를 도시한 도면이다.
도 7은 실시예에 따른 증착용 마스크의 다른 평면도를 도시한 도면이다.
도 8은 실시예에 따른 증착용 마스크의 또 다른 평면도를 도시한 도면이다.
도 9는 도 6의 A-A' 방향에서의 단면과 B-B' 방향에서의 단면 사이의 높이 단차와 크기를 설명하기 위해 각각의 단면을 겹쳐서 도시한 도면이다.
도 10은 실시 예에 따른 1차 가공 방식에 의해 형성된 관통 홀의 불량 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 제1 실시 예에 따른 도 6의 B-B' 방향 또는 C-C' 방향의 단면도를 도시한 도면이다.
도 12는 제2 실시 예에 따른 도 6의 B-B' 방향 또는 C-C' 방향의 단면도를 도시한 도면이다.
도 13은 제3 실시 예에 따른 도 6의 B-B' 방향 또는 C-C' 방향의 단면도를 도시한 도면이다.
도 14는 실시 예에 따른 제2 관통 홀을 나타낸 도면이다.
도 15는 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 16 및 도 17은 실시예에 따른 증착용 마스크를 통해 형성되는 증착 패턴을 나타내는 도면들이다.1 to 4 are conceptual views for explaining a process of depositing an organic material on a substrate using a deposition mask according to an embodiment.
5 is a diagram illustrating a plan view of a deposition mask according to an embodiment.
6 is a plan view of an effective part of the deposition mask according to the first embodiment.
7 is a diagram illustrating another plan view of a deposition mask according to an embodiment.
8 is a diagram illustrating another plan view of a deposition mask according to an embodiment.
FIG. 9 is a diagram illustrating each of the cross-sections overlaid in order to explain the height step and size between the cross-section in the AA′ direction and the cross-section in the BB′ direction of FIG. 6 .
10 is a view showing a defective example of a through hole formed by the primary processing method according to the embodiment.
11 is a view illustrating a cross-sectional view taken in a direction BB′ or a direction CC′ of FIG. 6 according to the first embodiment.
12 is a view showing a cross-sectional view taken in the BB′ direction or CC′ direction of FIG. 6 according to the second embodiment.
13 is a view illustrating a cross-sectional view taken in a direction BB′ or a direction CC′ of FIG. 6 according to the third embodiment.
14 is a view illustrating a second through hole according to an embodiment.
15 is a diagram illustrating a method of manufacturing a deposition mask according to an embodiment.
16 and 17 are views illustrating a deposition pattern formed through a deposition mask according to an embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to some of the described embodiments, but may be implemented in various different forms, and within the scope of the technical spirit of the present invention, one or more of the components may be selected between embodiments. It can be combined and substituted for use. In addition, terms (including technical and scientific terms) used in the embodiments of the present invention may be generally understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains, unless specifically defined and described explicitly. It may be interpreted as a meaning, and generally used terms such as terms defined in advance may be interpreted in consideration of the contextual meaning of the related art.

또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, “A 및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한개이상)”로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나이상을 포함 할 수 있다. In addition, the terms used in the embodiments of the present invention are for describing the embodiments and are not intended to limit the present invention. In this specification, the singular form may also include the plural form unless otherwise specified in the phrase, and when it is described as "at least one (or more than one) of A and (and) B, C", it can be combined with A, B, and C. It may contain one or more of all possible combinations.

또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다. In addition, in describing the components of the embodiment of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and are not limited to the essence, order, or order of the component by the term.

그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우 뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속＇되는 경우도 포함할 수 있다. And, if a component is described as 'connected', 'coupled' or 'connected' to another component, the component is not only directly connected, coupled or connected to the other component, but also with the component It may also include a case of 'connected', 'coupled' or 'connected' due to another element between the other elements.

또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. In addition, when it is described as being formed or disposed on "above (above) or below (below)" of each component, the top (above) or bottom (below) is one as well as when two components are in direct contact with each other. Also includes a case in which another component as described above is formed or disposed between two components.

또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In addition, when expressed as “up (up) or down (down)”, it may include the meaning of not only the upward direction but also the downward direction based on one component.

이하 도면들을 참조하여 실시예에 따른 증착용 마스크를 설명한다.Hereinafter, a deposition mask according to an embodiment will be described with reference to the drawings.

도 1 내지 도 4는 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)를 사용하여 기판(300) 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 개념도들이다.1 to 4 are conceptual views for explaining a process of depositing an organic material on a substrate 300 using a deposition mask 100 according to an embodiment.

도 1은 실시 예에 따른 증착용 마스크가 포함된 유기물 증착 장치를 도시한 사시도이고, 도 2는 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)가 포함된 유기물 증착 장치를 나타낸 단면도이고, 도 3은 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)가 마스크 프레임(200) 상에 거치되기 위해 인장되는 것을 도시한 도면이다. 또한, 도 4는 상기 증착용 마스크(100)의 복수 개의 관통 홀을 통해 상기 기판(300) 상에 복수 개의 증착 패턴이 형성되는 것을 도시한 도면이다.1 is a perspective view illustrating an organic material deposition apparatus including a deposition mask according to an embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an organic material deposition apparatus including a deposition mask 100 according to an embodiment, and FIG. 3 is an embodiment It is a diagram illustrating that the deposition mask 100 according to the example is stretched to be mounted on the mask frame 200 . Also, FIG. 4 is a diagram illustrating that a plurality of deposition patterns are formed on the substrate 300 through a plurality of through holes of the deposition mask 100 .

도 1 내지 도 4을 참조하면, 유기물 증착 장치는 증착용 마스크(100), 마스크 프레임(200), 기판(300), 유기물 증착 용기(400) 및 진공 챔버(500)를 포함할 수 있다.1 to 4 , the organic material deposition apparatus may include a deposition mask 100 , a mask frame 200 , a substrate 300 , an organic material deposition container 400 , and a vacuum chamber 500 .

상기 증착용 마스크(100)는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크는 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함할 수 있다.The deposition mask 100 may include a metal. For example, the deposition mask may include iron (Fe) and nickel (Ni).

상기 증착용 마스크(100)는 증착을 위한 유효부에 복수 개의 관통 홀(TH)을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통 홀(TH)들을 포함하는 증착용 마스크용 기판일 수 있다. 이때, 상기 관통 홀은 기판 상에 형성될 화소 패턴에 대응되도록 형성될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 증착 영역을 포함하는 유효부 이외의 비유효부를 포함할 수 있다.The deposition mask 100 may include a plurality of through holes TH in an effective portion for deposition. The deposition mask 100 may be a deposition mask substrate including a plurality of through holes TH. In this case, the through hole may be formed to correspond to a pixel pattern to be formed on the substrate. The deposition mask 100 may include an ineffective portion other than the effective portion including the deposition area.

상기 마스크 프레임(200)은 개구부(205)를 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 복수 개의 관통 홀은 상기 마스크 프레임(200)의 개구부(205)와 대응되는 영역 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기물 증착 용기(400)로 공급되는 유기 물질이 상기 기판(300) 상에 증착될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 마스크 프레임(200) 상에 배치되어 고정될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 일정한 인장력으로 인장되고, 상기 마스크 프레임(200) 상에 용접에 의하여 고정될 수 있다. The mask frame 200 may include an opening 205 . The plurality of through holes of the deposition mask 100 may be disposed on a region corresponding to the opening 205 of the mask frame 200 . Accordingly, the organic material supplied to the organic material deposition vessel 400 may be deposited on the substrate 300 . The deposition mask 100 may be disposed and fixed on the mask frame 200 . For example, the deposition mask 100 may be tensioned with a constant tensile force and fixed on the mask frame 200 by welding.

즉, 상기 마스크 프레임(200)은 상기 개구부(205)를 둘러싸는 복수의 프레임(201, 202, 203, 204)을 포함한다. 복수의 프레임(20, 202, 203, 204)은 서로 연결될 수 있다. 상기 마스크 프레임(200)은 X 방향으로 서로 마주보며, Y 방향을 따라 연장된 제 1 프레임(201) 및 제 2 프레임(202)을 포함하고, Y 방향으로 서로 마주보며, X 방향을 따라 연장된 제 3 프레임(203) 및 제 4 프레임(204)을 포함한다. 상기 제 1 프레임(201), 제 2 프레임(202), 제 3 프레임(203), 및, 제 4 프레임(204)은 서로 연결된 사각 프레임일 수 있다. 상기 마스크 프레임(200)은 마스크(130)가 용접 시에 변형이 작은 소재, 이를테면, 강성이 큰 금속으로 제조될 수 있다.That is, the mask frame 200 includes a plurality of frames 201 , 202 , 203 , and 204 surrounding the opening 205 . The plurality of frames 20 , 202 , 203 , and 204 may be connected to each other. The mask frame 200 faces each other in the X direction, includes a first frame 201 and a second frame 202 extending along the Y direction, faces each other in the Y direction, and extends along the X direction. a third frame 203 and a fourth frame 204 . The first frame 201 , the second frame 202 , the third frame 203 , and the fourth frame 204 may be rectangular frames connected to each other. The mask frame 200 may be made of a material having a small deformation when the mask 130 is welded, for example, a metal having high rigidity.

상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 가장자리 영역에서, 서로 반대되는 방향으로 인장될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 길이 방향에서, 상기 증착용 마스크(100)의 일단 및 상기 일단과 반대되는 타단이 서로 반대되는 방향으로 잡아 당겨질 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크(100)의 인장 방향, X 축 방향 및 상기 증착용 마스크의 길이 방향은 모두 동일한 방향일 수 있다.The deposition mask 100 may be stretched in opposite directions in an edge region disposed at the outermost portion of the deposition mask 100 . For example, in the deposition mask 100 , one end of the deposition mask 100 and the other end opposite to the one end may be pulled in opposite directions in the longitudinal direction of the deposition mask 100 . . Accordingly, the tensile direction, the X-axis direction, and the longitudinal direction of the deposition mask 100 may all be in the same direction.

상기 증착용 마스크(100)의 일단과 상기 타단은 서로 마주보며 평행하게 배치될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 일단은 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 4개의 측면을 이루는 단부 중 어느 하나일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 약 0.1 kgf 내지 약 2 kgf의 인장력으로 인장될 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크는 0.4 kgf 내지 약 1.5 kgf의 인장력으로 인장되어 상기 마스크 프레임(200) 상에 고정될 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)의 응력은 감소될 수 있다. 그러나, 실시 예는 이에 제한되지 않고, 상기 증착용 마스크(100)의 응력을 감소시킬 수 있는 다양한 인장력으로 인장되어 상기 마스크 프레임(200) 상에 증착용 마스크(100)를 고정시킬 수 있다. One end and the other end of the deposition mask 100 may face each other and be disposed in parallel. One end of the deposition mask 100 may be any one of the ends forming the four side surfaces disposed on the outermost side of the deposition mask 100 . For example, the deposition mask 100 may be stretched with a tensile force of about 0.1 kgf to about 2 kgf. In detail, the deposition mask may be tensioned with a tensile force of 0.4 kgf to about 1.5 kgf and fixed on the mask frame 200 . Accordingly, the stress of the deposition mask 100 may be reduced. However, the embodiment is not limited thereto, and the deposition mask 100 may be fixed on the mask frame 200 by tensioning with various tensile forces capable of reducing the stress of the deposition mask 100 .

이어서, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부를 용접함에 따라, 상기 마스크 프레임(200)에 상기 증착용 마스크(100)를 고정할 수 있다. 그 다음으로, 상기 마스크 프레임(200)의 외부에 배치되는 상기 증착용 마스크(100)의 일부분은 절단 등의 방법으로 제거될 수 있다.Subsequently, the deposition mask 100 may fix the deposition mask 100 to the mask frame 200 by welding an ineffective portion of the deposition mask 100 . Next, a portion of the deposition mask 100 disposed outside the mask frame 200 may be removed by cutting or the like.

상기 기판(300)은 표시 장치의 제조에 사용되는 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(300)은 OLED 화소 패턴용 유기물 증착을 위한 기판(300)일 수 있다. 상기 기판(300) 상에는 빛의 3원색인 화소를 형성하기 위하여 적색(Red), 녹색(Greed) 및 청색(Blue)의 유기물 패턴이 형성될 수 있다. 즉, 상기 기판(300) 상에는 RGB 패턴이 형성될 수 있다.The substrate 300 may be a substrate used for manufacturing a display device. For example, the substrate 300 may be a substrate 300 for depositing an organic material for an OLED pixel pattern. An organic material pattern of red, green, and blue may be formed on the substrate 300 to form pixels having three primary colors of light. That is, an RGB pattern may be formed on the substrate 300 .

상기 유기물 증착 용기(400)는 도가니일 수 있다. 상기 도가니의 내부에는 유기 물질이 배치될 수 있다. 상기 유기물 증착 용기(400)는 진공 챔버(500) 내에서 이동할 수 있다. 즉, 상기 유기물 증착 용기(400)는 진공 챔버(500) 내에서 Y축 방향으로 이동할 수 있다. 즉, 상기 유기물 증착 용기(400)는 진공 챔버(500) 내에서 증착용 마스크(100)의 폭 방향으로 이동할 수 있다. 즉, 상기 유기물 증착 용기(400)는 진공 챔버(500) 내에서 증착용 마스크(100)의 인장 방향과 수직한 방향으로 이동할 수 있다.The organic material deposition vessel 400 may be a crucible. An organic material may be disposed inside the crucible. The organic material deposition vessel 400 may move in the vacuum chamber 500 . That is, the organic material deposition vessel 400 may move in the Y-axis direction in the vacuum chamber 500 . That is, the organic material deposition container 400 may move in the width direction of the deposition mask 100 in the vacuum chamber 500 . That is, the organic material deposition container 400 may move in a direction perpendicular to the tensile direction of the deposition mask 100 in the vacuum chamber 500 .

상기 진공 챔버(500) 내에서 상기 유기물 증착 용기(400)인 도가니에 열원 및/또는 전류가 공급됨에 따라, 상기 유기 물질은 상기 기판(100) 상에 증착될 수 있다. As a heat source and/or current are supplied to the crucible that is the organic material deposition vessel 400 in the vacuum chamber 500 , the organic material may be deposited on the substrate 100 .

도 4를 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 일면(101) 및 상기 일면과 반대되는 타면(102)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the deposition mask 100 may include one surface 101 and the other surface 102 opposite to the one surface.

상기 증착용 마스크(100)의 상기 일면(101)은 소면공(V1)을 포함하고, 상기 타면은 대면공(V2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 타면(102) 각각은 복수 개의 소면공(V1)들 및 복수 개의 대면공(V2)들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)는 복수 개의 소면공(V1)이 형성되는 일면(101) 및 상기 복수의 소면공(V1)과 두께 방향으로 오버랩되는 복수 개의 대면공(V2)이 형성되는 타면(102)을 포함할 수 있다.The one surface 101 of the deposition mask 100 may include a small face hole V1, and the other surface may include a large face hole V2. For example, each of the one surface 101 and the other surface 102 of the deposition mask 100 may include a plurality of small face holes V1 and a plurality of large face holes V2 . For example, the deposition mask 100 has a surface 101 on which a plurality of face holes V1 are formed and a plurality of face holes V2 overlapping the plurality of face holes V1 in the thickness direction are formed. The other surface 102 may be included.

또한, 상기 증착용 마스크(100)는 관통 홀(TH)을 포함할 수 있다. 상기 관통 홀(TH)은 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 경계가 연결되는 연통부(CA)에 의하여 연통될 수 있다. 예를 들어, 연통부(CA)는 두께 방향에서 상기 소면공(V1)과 상기 대면공(V2)이 서로 만나는 부분을 의미할 수 있다.Also, the deposition mask 100 may include a through hole TH. The through hole TH may communicate with each other by a communication part CA through which a boundary between the small face hole V1 and the large face hole V2 is connected. For example, the communication part CA may mean a portion where the small face hole V1 and the face hole V2 meet each other in the thickness direction.

또한, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 소면공(V1) 내의 제 1 내측면(ES1)을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2) 및 제 3 내측면(ES3)을 포함할 수 있다. 상기 관통 홀(TH)은 상기 소면공(V1) 내의 제 1 내측면(ES1) 및 상기 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2) 및 제 3 내측면(ES3)이 서로 연통하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 하나의 소면공(V1) 내의 제 1 내측면(ES1)은 하나의 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2) 및 제 3 내측면(ES3)과 연통하여 하나의 관통 홀을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 관통 홀(TH)의 수는 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 수와 대응될 수 있다.In addition, the deposition mask 100 may include a first inner surface ES1 in the small face hole V1 . The deposition mask 100 may include a second inner surface ES2 and a third inner surface ES3 in the facing hole V2 . In the through hole TH, the first inner surface ES1 in the small face hole V1 and the second inner surface ES2 and the third inner surface ES3 in the facing hole V2 communicate with each other. can For example, the first inner surface ES1 in one small face hole V1 communicates with the second inner surface ES2 and the third inner surface ES3 in one large face hole V2 to form one through hole. can form. Accordingly, the number of the through holes TH may correspond to the number of the small face holes V1 and the face holes V2.

한편, 상기 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2)은 복수의 서브 제 2 내측면(ES2)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2)은 길이 방향으로 마주보는 한 쌍의 제 1 서브 제 2 내측면 및 제 2 서브 제 2 내측면을 포함할 수 있다. 또한, 상기 대면공(V2)의 제 3 내측면(ES3)은 폭 방향으로 마주보는 한 쌍의 제 1 서브 제 3 내측면 및 제 2 서브 제 3 내측면을 포함할 수 있다.Meanwhile, the second inner surface ES2 in the facing hole V2 may include a plurality of sub second inner surfaces ES2 . That is, the second inner surface ES2 in the facing hole V2 may include a pair of first sub-second inner surfaces and second sub-second inner surfaces facing in the longitudinal direction. In addition, the third inner surface ES3 of the facing hole V2 may include a pair of first sub-third inner surfaces and second sub-third inner surfaces facing in the width direction.

상기 대면공(V2)의 폭은 상기 소면공(V1)의 폭보다 클 수 있다. 이때, 상기 소면공(V1)의 폭은 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101)에서 측정되고, 상기 대면공(V2)의 폭은 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 측정될 수 있다.A width of the face-to-face hole V2 may be greater than a width of the small-faced hole V1. At this time, the width of the small face hole V1 is measured on one surface 101 of the deposition mask 100 , and the width of the large face hole V2 is measured on the other surface 102 of the deposition mask 100 . can be

상기 소면공(V1)은 상기 기판(300)을 향하여 배치될 수 있다. 상기 소면공(V1)은 상기 기판(300)과 가까이 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 소면공(V1)은 증착 물질, 즉 증착 패턴(DP)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. The small face hole V1 may be disposed toward the substrate 300 . The small face hole V1 may be disposed close to the substrate 300 . Accordingly, the small face hole V1 may have a shape corresponding to the deposition material, that is, the deposition pattern DP.

상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)를 향하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)로부터 공급되는 유기물질을 넓은 폭에서 수용할 수 있고, 상기 대면공(V2)보다 폭이 작은 상기 소면공(V1)을 통해 상기 기판(300) 상에 미세한 패턴을 빠르게 형성할 수 있다. The facing hole V2 may be disposed toward the organic material deposition vessel 400 . Accordingly, the facing hole V2 can accommodate the organic material supplied from the organic material deposition container 400 in a wide width, and through the small face hole V1 having a smaller width than the facing hole V2, the A fine pattern can be quickly formed on the substrate 300 .

도 5는 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 평면도를 도시한 도면이다. 도 5를 참조하여, 상기 증착용 마스크(100)를 보다 구체적으로 설명한다.5 is a plan view illustrating a deposition mask 100 according to an embodiment. Referring to FIG. 5 , the deposition mask 100 will be described in more detail.

도 5를 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 증착 영역(DA) 및 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the deposition mask 100 according to the embodiment may include a deposition area DA and a non-deposition area NDA.

상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역일 수 있다. 상기 증착 영역(DA)은 패턴 영역 및 비패턴 영역을 포함할 수 있다. 상기 패턴 영역은 소면공(V1), 대면공(V2), 관통 홀(TH) 및 아일랜드부(IS)를 포함하는 영역일 수 있고, 상기 비패턴 영역은 소면공(V1), 대면공(V2), 관통 홀(TH) 및 아일랜드부(IS)를 포함하지 않는 영역일 수 있다.The deposition area DA may be an area for forming a deposition pattern. The deposition area DA may include a pattern area and a non-pattern area. The pattern region may be a region including a small face hole V1, a face hole V2, a through hole TH, and an island portion IS, and the non-pattern region includes a small face hole V1 and a face hole V2. ), the through hole TH, and the island portion IS may not be included.

또한, 하나의 증착용 마스크(100)는 복수 개의 증착 영역(DA)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시 예의 상기 증착 영역(DA)은 복수 개의 증착 패턴을 형성할 수 있는 복수 개의 유효부(AA1, AA2, AA3)를 포함할 수 있다. 상기 패턴 영역은 상기 복수 개의 유효부(AA1, AA2, AA3)을 포함할 수 있다.Also, one deposition mask 100 may include a plurality of deposition areas DA. For example, the deposition area DA of the embodiment may include a plurality of effective portions AA1 , AA2 , and AA3 for forming a plurality of deposition patterns. The pattern area may include the plurality of effective portions AA1 , AA2 , and AA3 .

상기 복수의 유효부(AA1, AA2, AA3)는 제 1 유효부(AA1), 제 2 유효부(AA2) 및 제 3 유효부(AA3)를 포함할 수 있다. 여기서 하나의 증착 영역(DA)은 제 1 유효부(AA1), 제 2 유효부(AA2) 및 제 3 유효부(AA3) 중 어느 하나일 수 있다.The plurality of effective portions AA1 , AA2 , and AA3 may include a first effective portion AA1 , a second effective portion AA2 , and a third effective portion AA3 . Here, one deposition area DA may be any one of the first effective part AA1 , the second effective part AA2 , and the third effective part AA3 .

스마트폰과 같은 소형 표시 장치의 경우, 증착용 마스크(100)에 포함된 복수의 증착 영역 중 어느 하나의 유효부는 하나의 표시장치를 형성하기 위한 것일 수 있다. 이에 따라, 하나의 증착용 마스크(100)는 복수의 유효부를 포함할 수 있어, 여러 개의 표시장치를 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 공정 효율을 향상시킬 수 있다.In the case of a small display device such as a smart phone, an effective portion of any one of a plurality of deposition regions included in the deposition mask 100 may be for forming one display device. Accordingly, one deposition mask 100 may include a plurality of effective portions, and thus a plurality of display devices may be formed at the same time. Accordingly, the deposition mask 100 according to the embodiment may improve process efficiency.

이와 다르게, 텔레비전과 같은 대형 표시 장치의 경우, 하나의 증착용 마스크(100)에 포함된 여러 개의 유효부가 하나의 표시장치를 형성하기 위한 일부일 수 있다. 이때, 상기 복수의 유효부는 마스크의 하중에 의한 변형을 방지하기 위한 것일 수 있다. Alternatively, in the case of a large display device such as a television, a plurality of effective portions included in one deposition mask 100 may be a part for forming one display device. In this case, the plurality of effective parts may be for preventing deformation of the mask due to a load.

상기 증착 영역(DA)은 하나의 증착용 마스크(100)에 포함된 복수의 분리 영역(IA1, IA2)을 포함할 수 있다. 인접한 유효부 사이에는 분리 영역(IA1, IA2)이 배치될 수 있다. 상기 분리 영역(IA1, IA2)은 복수 개의 유효부 사이의 이격 영역일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 유효부(AA1) 및 상기 제 2 유효부(AA2)의 사이에는 제 1 분리 영역(IA1)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 유효부(AA2) 및 상기 제 3 유효부(AA3)의 사이에는 제 2 분리 영역(IA2)이 배치될 수 있다. 즉, 상기 분리 영역(IA1, IA2)에 의해 인접한 유효 영역을 서로 구별할 수 있고, 하나의 증착용 마스크(100)가 복수의 유효 영역을 지지할 수 있다. The deposition area DA may include a plurality of isolation areas IA1 and IA2 included in one deposition mask 100 . Separation areas IA1 and IA2 may be disposed between adjacent effective portions. The separation areas IA1 and IA2 may be spaced apart areas between a plurality of effective portions. For example, a first separation area IA1 may be disposed between the first effective part AA1 and the second effective part AA2 . In addition, a second separation area IA2 may be disposed between the second effective part AA2 and the third effective part AA3 . That is, adjacent effective regions may be distinguished from each other by the isolation regions IA1 and IA2 , and one deposition mask 100 may support a plurality of effective regions.

상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착 영역(DA)의 길이 방향의 양 측부에 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 상기 증착 영역(DA)의 수평 방향의 양측에 상기 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다.The deposition mask 100 may include non-deposition areas NDA on both sides of the deposition area DA in the longitudinal direction. The deposition mask 100 according to the embodiment may include the non-deposition area NDA on both sides of the deposition area DA in a horizontal direction.

상기 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 증착에 관여하지 않는 영역일 수 있다. 상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정하기 위한 프레임 고정영역(FA1, FA2)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 비증착 영역(NDA)은 하프 에칭부(HF1, HF2) 및 오픈부를 포함할 수 있다.The non-deposition region NDA of the deposition mask 100 may be a region not involved in deposition. The non-deposition area NDA may include frame fixing areas FA1 and FA2 for fixing the deposition mask 100 to the mask frame 200 . Also, the non-deposition area NDA may include half-etched portions HF1 and HF2 and an open portion.

상술한 바와 같이 상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역일 수 있고, 상기 비증착 영역(NDA)은 증착에 관여하지 않는 영역일 수 있다. 이때, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 증착 영역(DA)에는 상기 금속판(10) 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있고, 상기 비증착 영역(NDA) 표면 처리층을 형성하지 않을 수 있다. 또는, 증착용 마스크(100)의 일면(101) 또는 타면(102) 중 어느 한 면에만 상기 금속판(10)의 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있다. 또는, 증착용 마스크(100)의 일면(101)의 일부분에만 상기 금속판(10)의 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및/또는 타면(102), 증착용 마스크(100)의 전체 및/또는 일부는 상기 금속판(10) 재질보다 식각 속도가 느린 표면 처리층을 포함할 수 있어, 식각 팩터를 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 실시 예의 증착용 마스크(100)는 미세한 크기의 관통 홀을 높은 효율로 형성할 수 있다. 일례로, 실시 예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 증착용 마스크(100)는 500PPI 이상의 높은 해상도를 가지는 증착 패턴을 높은 효율로 형성할 수 있다. 여기에서, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)의 재질과 다른 원소를 포함하거나, 동일한 원소의 조성이 다른 금속 물질을 포함하는 것을 의미할 수 있다. 이와 관련하여서는 후술한 증착용 마스크의 제조 공정에서 보다 상세히 설명하기로 한다.As described above, the deposition area DA may be an area for forming a deposition pattern, and the non-deposition area NDA may be an area not involved in deposition. In this case, a surface treatment layer different from that of the metal plate 10 may be formed in the deposition area DA of the deposition mask 100 , and the non-deposition area NDA surface treatment layer may not be formed. . Alternatively, a surface treatment layer different from the material of the metal plate 10 may be formed on only one surface of the one surface 101 or the other surface 102 of the deposition mask 100 . Alternatively, a surface treatment layer different from the material of the metal plate 10 may be formed on only a portion of one surface 101 of the deposition mask 100 . For example, one surface 101 and/or the other surface 102 of the deposition mask 100 , and all and/or a part of the deposition mask 100 are a surface treatment layer having a slower etching rate than the material of the metal plate 10 . may be included to improve the etch factor. Accordingly, in the deposition mask 100 of the embodiment, it is possible to form a through hole having a fine size with high efficiency. For example, the deposition mask 100 of the embodiment may have a resolution of 400 PPI or higher. Specifically, the deposition mask 100 can form a deposition pattern having a high resolution of 500 PPI or more with high efficiency. Here, the surface treatment layer may mean to include an element different from the material of the metal plate 10 or include a metal material having a different composition of the same element. In this regard, it will be described in more detail in the manufacturing process of the deposition mask to be described later.

상기 비증착 영역(NDA)은 하프 에칭부(HF1, HF2)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착 영역(DA)의 일측에 제 1 하프 에칭부(HF1)를 포함할 수 있고, 상기 증착 영역(DA)의 상기 일측과 반대되는 타측에 제 2 하프 에칭부(HF2)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 하프 에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프 에칭부(HF2)는 증착용 마스크(100)의 깊이 방향으로 홈이 형성되는 영역일 수 있다. 상기 제 1 하프 에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프 에칭부(HF2)는 증착용 마스크의 약 1/2 두께의 홈을 가질 수 있어, 증착용 마스크(100)의 인장 시 응력을 분산시킬 수 있다. 또한, 상기 하프 에칭부(HF1, HF2)는 상기 증착용 마스크(100)의 중심을 기준으로 X축 방향으로 대칭되거나 Y축 방향으로 대칭되도록 형성하는 것이 바람직하다. 이를 통해 양방향으로의 인장력을 균일하게 조절할 수 있다. The non-deposition area NDA may include half-etched portions HF1 and HF2 . For example, the non-deposition area NDA of the deposition mask 100 may include a first half-etched part HF1 on one side of the deposition area DA, and A second half-etched part HF2 may be included on the other side opposite to the one side. The first half-etched part HF1 and the second half-etched part HF2 may be regions in which grooves are formed in the depth direction of the deposition mask 100 . The first half-etched part HF1 and the second half-etched part HF2 may have grooves about 1/2 the thickness of the deposition mask, so that stress can be dispersed during tension of the deposition mask 100 . there is. In addition, the half-etched portions HF1 and HF2 are preferably formed to be symmetrical in the X-axis direction or symmetrical in the Y-axis direction with respect to the center of the deposition mask 100 . Through this, the tensile force in both directions can be uniformly adjusted.

상기 하프 에칭부(HF1, HF2)는 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 상기 하프 에칭부(HF1, HF2)는 반원 형상의 홈을 포함할 수 있다. 상기 홈은 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 상기 일면(101)과 반대되는 타면(102) 중 적어도 하나의 면 상에 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 하프 에칭부(HF1, HF2)는 소면공(V1)과 대응되는 면 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 소면공(V1)과 동시에 형성될 수 있으므로 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 대면공(V2) 사이의 크기 차이에 의해 발생할 수 있는 응력을 분산시킬 수 있다. 그러나 실시 예는 이에 제한되지 않고 상기 하프 에칭부(HF1, HF2)는 사각형 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 하프 에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프 에칭부(HF2)는 직사각형 또는 정사각형 형상일 수 있다. 이에 따라 상기 증착용 마스크(100)는 효과적으로 응력을 분산시킬 수 있다.The half-etched portions HF1 and HF2 may be formed in various shapes. The half-etched portions HF1 and HF2 may include semicircular grooves. The groove may be formed on at least one of one surface 101 of the deposition mask 100 and the other surface 102 opposite to the one surface 101 . Preferably, the half-etched portions HF1 and HF2 may be formed on a surface corresponding to the small surface hole V1. Accordingly, since the half-etched portions HF1 and HF2 may be formed simultaneously with the small face hole V1, process efficiency may be improved. In addition, the half-etched portions HF1 and HF2 may disperse stress that may be generated due to a size difference between the facing holes V2 . However, the embodiment is not limited thereto, and the half-etched portions HF1 and HF2 may have a rectangular shape. For example, the first half-etched part HF1 and the second half-etched part HF2 may have a rectangular or square shape. Accordingly, the deposition mask 100 can effectively disperse stress.

또한, 상기 하프 에칭부(HF1, HF2)는 곡면 및 평면을 포함하는 수평 단면 형상을 가질 수 있다. 상기 제 1 하프 에칭부(HF1)의 평면은 상기 제 1 유효부(AA1)와 인접하게 배치될 수 있고, 상기 평면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 끝단과 수평하게 배치될 수 있다. 상기 제 1 하프 에칭부(HF1)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 일단을 향해서 볼록한 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 하프 에칭부(HF1)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점이 반원형상의 반지름과 대응되도록 형성될 수 있다. In addition, the half-etched portions HF1 and HF2 may have a horizontal cross-sectional shape including a curved surface and a flat surface. A plane of the first half-etched part HF1 may be disposed adjacent to the first effective part AA1 , and the plane may be horizontally disposed with an end of the deposition mask 100 in a longitudinal direction. The curved surface of the first half-etched part HF1 may be convex toward one end of the deposition mask 100 in the longitudinal direction. For example, the curved surface of the first half-etched part HF1 may be formed such that a half of the vertical length of the deposition mask 100 corresponds to a radius of a semicircular shape.

또한, 상기 제 2 하프 에칭부(HF2)의 평면은 상기 제 3 유효부(AA3)와 인접하게 배치될 수 있고, 상기 평면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 끝단과 수평하게 배치될 수 있다. 상기 제 2 하프 에칭부(HF2)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 타단을 향해서 볼록한 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 하프 에칭부(HF2)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점이 반원 형상의 반지름과 대응되도록 형성될 수 있다.In addition, a plane of the second half-etched part HF2 may be disposed adjacent to the third effective part AA3 , and the plane may be disposed horizontally with an end of the deposition mask 100 in a longitudinal direction. there is. The curved surface of the second half-etched part HF2 may be convex toward the other end in the longitudinal direction of the deposition mask 100 . For example, the curved surface of the second half-etched part HF2 may be formed such that a half point of the vertical length of the deposition mask 100 corresponds to the radius of the semicircular shape.

상기 하프 에칭부(HF1, HF2)는 소면공(V1) 또는 대면공(V2)을 형성할 때 동시에 형성할 수 있다. 이를 통해 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 타면(102)에 형성되는 홈은 서로 어긋나게 형성할 수 있다. 이를 통해 하프 에칭부(HF1, HF2)가 관통되지 않을 수 있다.The half-etched portions HF1 and HF2 may be formed at the same time as the small-faced hole V1 or the large-faced hole V2 is formed. This can improve process efficiency. In addition, the grooves formed on the one surface 101 and the other surface 102 of the deposition mask 100 may be formed to be shifted from each other. Through this, the half-etched portions HF1 and HF2 may not penetrate.

또한, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 4개의 하프에칭부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 짝수 개의 하프에칭부(HF1, HF2)를 포함할 수 있어 응력을 보다 효율적으로 분산할 수 있다.In addition, the deposition mask 100 according to the embodiment may include four half-etched portions. For example, since the half-etching parts HF1 and HF2 may include an even number of half-etching parts HF1 and HF2, stress may be more efficiently distributed.

또한, 상기 하프 에칭부(HF1, HF2)는 증착 영역(DA)의 비유효부(UA)에 더 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 하프 에칭부(HF1, HF2)는 증착용 마스크(100)의 인장시 응력을 분산시키기 위해서 비유효부(UA)의 전체 또는 일부에 분산되어 다수 개 배치될 수 있다.In addition, the half-etched portions HF1 and HF2 may be further formed in the non-effective portion UA of the deposition area DA. For example, a plurality of the half-etched portions HF1 and HF2 may be dispersed in all or a part of the ineffective portion UA in order to distribute stress when the deposition mask 100 is stretched.

또한, 상기 하프 에칭부(HF1, HF2)는 프레임 고정영역(FA1, FA2) 및/또는 프레임 고정영역(FA1, FA2)의 주변영역에도 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정할 때, 및/또는 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정한 후에 유기물을 증착할 때에 발생하는 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)가 균일한 관통 홀을 가지도록 유지할 수 있다.In addition, the half-etched portions HF1 and HF2 may be formed in the frame fixing regions FA1 and FA2 and/or the peripheral regions of the frame fixing regions FA1 and FA2. Accordingly, the deposition mask 100 generated when the deposition mask 100 is fixed to the mask frame 200 and/or when the organic material is deposited after the deposition mask 100 is fixed to the mask frame 200 . ) can be uniformly distributed. Accordingly, the deposition mask 100 can be maintained to have uniform through-holes.

즉, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 복수 개의 하프 에칭부를 포함할 수 있다. 자세하게, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 비증착 영역(NDA)에만 하프 에칭부(HF1, HF2)를 포함하는 것으로 도시하였으나 이에 제한되지 않고 상기 증착 영역(DA) 및 상기 비증착 영역(NDA) 중 적어도 하나의 영역은 복수 개의 하프 에칭부를 더 포함할 수 있다. 이에 따라 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다.That is, the deposition mask 100 according to the embodiment may include a plurality of half-etched portions. In detail, the deposition mask 100 according to the embodiment is illustrated as including the half-etched portions HF1 and HF2 only in the non-deposition area NDA, but is not limited thereto, and the deposition area DA and the non-deposition area ( NDA), at least one region may further include a plurality of half-etched portions. Accordingly, the stress of the deposition mask 100 may be uniformly distributed.

상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착용 마스크(100)를 상기 마스크 프레임(200)에 고정하기 위한 프레임 고정영역(FA1, FA2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착 영역(DA)의 일측에 제 1 프레임 고정영역(FA1)을 포함할 수 있고, 상기 증착 영역(DA)의 상기 일측과 반대되는 타측에 제 2 프레임 고정영역(FA2)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 프레임 고정영역(FA1) 및 상기 제 2 프레임 고정영역(FA2)은 용접에 의해서 마스크 프레임(200)과 고정되는 영역일 수 있다. The non-deposition area NDA may include frame fixing areas FA1 and FA2 for fixing the deposition mask 100 to the mask frame 200 . For example, a first frame fixing area FA1 may be included on one side of the deposition area DA, and a second frame fixing area FA2 may be formed on the other side opposite to the one side of the deposition area DA. may include The first frame fixing area FA1 and the second frame fixing area FA2 may be areas fixed to the mask frame 200 by welding.

상기 프레임 고정영역(FA1, FA2)은 상기 비증착 영역(NDA)의 하프 에칭부(HF1, HF2) 및 상기 하프에칭부(HF1, HF2)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 유효부의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임 고정영역(FA1)은 상기 비증착 영역(NDA)의 제 1 하프 에칭부(HF1) 및 상기 제 1 하프 에칭부(HF1)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 제 1 유효부(AA1)의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 프레임 고정영역(FA2)은 상기 비증착 영역(NDA)의 제 2 하프 에칭부(HF2) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 제 3 유효부(AA3)의 사이에 배치될 수 있다. 이에 따라, 복수 개의 증착패턴부를 동시에 고정할 수 있다.The frame fixing areas FA1 and FA2 are disposed between the half-etched portions HF1 and HF2 of the non-deposition area NDA and the effective portion of the deposition area DA adjacent to the half-etched portions HF1 and HF2. can be For example, the first frame fixed area FA1 may include a first half-etched portion HF1 of the non-deposition area NDA and a second portion of the deposition area DA adjacent to the first half-etched portion HF1 . It may be disposed between one effective part AA1. For example, the second frame fixed area FA2 may include a second half-etched portion HF2 of the non-deposition area NDA and a second half-etched portion HF2 of the deposition area DA adjacent to the second half-etched portion HF2 . It may be disposed between the three effective portions AA3. Accordingly, it is possible to simultaneously fix a plurality of deposition pattern portions.

또한, 상기 증착용 마스크(100)는 수평 방향(X)의 양 끝단에 반원 형상의 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 비증착 영역(NDA)은 오픈부를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 비증착 영역(NDA)은 수평 방향의 양 끝단에 각각 하나의 반원 형상의 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평방향의 일측에는 수직 방향(Y)의 중심이 오픈된 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평방향의 상기 일측과 반대되는 타측에는 수직 방향의 중심이 오픈된 오픈부를 포함할 수 있다. 즉, 증착용 마스크(100)의 양 끝단은 수직 방향 길이의 1/2 지점이 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 양 끝단은 말발굽과 같은 형태일 수 있다.In addition, the deposition mask 100 may include semicircular openings at both ends in the horizontal direction (X). For example, the non-deposition area NDA may include an open part. In detail, each of the non-deposition areas NDA may include one semicircular opening at both ends in the horizontal direction. For example, the non-deposition area NDA of the deposition mask 100 may include an open portion having an open center in the vertical direction Y on one side of the horizontal direction. For example, the non-deposition area NDA of the deposition mask 100 may include an open portion having an open center in the vertical direction at the other side opposite to the one side in the horizontal direction. That is, both ends of the deposition mask 100 may include open portions at 1/2 of the length in the vertical direction. For example, both ends of the deposition mask 100 may have a horseshoe-like shape.

이때, 상기 오픈부의 곡면은 상기 하프 에칭부(HF1, HF2)를 향할 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)의 양 끝단에 위치한 오픈부는 상기 제 1 하프 에칭부(HF1, HF2) 또는 제 2 하프 에칭부(HF1, HF2)와 상기 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점에서 이격 거리가 제일 짧을 수 있다. In this case, the curved surface of the open part may face the half-etched parts HF1 and HF2. Accordingly, the open portions located at both ends of the deposition mask 100 have a vertical length between the first half-etched portions HF1 and HF2 or the second half-etched portions HF1 and HF2 and the deposition mask 100 . The separation distance may be the shortest at 1/2 of the point.

또한, 상기 오픈부의 수직방향의 길이(h2)는, 상기 제 1 하프 에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프 에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(h1)와 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)를 인장하는 경우 응력이 고르게 분산될 수 있어 증착용 마스크의 변형(wave deformation)을 감소시킬 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 균일한 관통 홀을 가질 수 있어, 화소 패턴의 증착 효율이 향상될 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 하프 에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프 에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(h1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(h2)의 약 80% 내지 약 200%일 수 있다(h1:h2 = 0.8~2:1). 상기 제 1 하프 에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프 에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(h1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(h2)의 약 90% 내지 약 150%일 수 있다(h1:h2 = 0.9~1.5:1). 상기 제 1 하프 에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프 에칭부(HF2)의 수직 방향의 길이(h1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(h2)의 약 95% 내지 약 110%일 수 있다(h1:h2 = 0.95~1.1:1). In addition, the vertical length h2 of the open part may correspond to the vertical length h1 of the first half-etched part HF1 or the second half-etched part HF2 . Accordingly, when the deposition mask 100 is stretched, stress may be evenly distributed, thereby reducing wave deformation of the deposition mask. Accordingly, the deposition mask 100 according to the embodiment may have uniform through-holes, and thus deposition efficiency of the pixel pattern may be improved. Preferably, the length h1 in the vertical direction of the first half-etched part HF1 or the second half-etched part HF2 is about 80% to about 200% of the vertical length h2 of the open part. (h1:h2 = 0.8~2:1). The length h1 in the vertical direction of the first half-etched part HF1 or the second half-etched part HF2 may be about 90% to about 150% of the vertical length h2 of the open part ( h1:h2 = 0.9 to 1.5:1). The length h1 in the vertical direction of the first half-etched part HF1 or the second half-etched part HF2 may be about 95% to about 110% of the vertical length h2 of the open part ( h1:h2 = 0.95 to 1.1:1).

또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 하프 에칭부는 증착 영역(DA)의 비유효부(UA)에 더 형성될 수 있다. 상기 하프 에칭부는 증착용 마스크(100)의 인장 시 응력을 분산시키기 위해서 비유효부(UA)의 전체 또는 일부에 분산되어 다수 개 배치될 수 있다.Also, although not shown in the drawings, the half-etched portion may be further formed in the ineffective portion UA of the deposition area DA. A plurality of the half-etched portions may be dispersed in all or a part of the ineffective portion UA in order to distribute stress during tension of the deposition mask 100 .

또한, 하프 에칭부(HF1, HF2)는 프레임 고정영역(FA1, FA2) 및/또는 프레임 고정영역(FA1, FA2)의 주변영역에도 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정할 때, 및/또는 증착용 마스크(100)를 프레임에 고정한 후에 증착물을 증착할 때에 발생하는 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)가 균일한 관통 홀을 가지도록 유지할 수 있다.In addition, the half-etched portions HF1 and HF2 may be formed in the frame fixing regions FA1 and FA2 and/or the peripheral regions of the frame fixing regions FA1 and FA2. Accordingly, the stress of the deposition mask 100 generated when the deposition mask 100 is fixed to the mask frame 200 and/or when the deposition material is deposited after fixing the deposition mask 100 to the frame is reduced. It can be uniformly dispersed. Accordingly, the deposition mask 100 can be maintained to have uniform through-holes.

상기 증착용 마스크(100)는 길이 방향으로 이격된 복수 개의 유효부(AA1, AA2, AA3) 및 상기 유효부 이외의 비유효부(UA)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 증착 영역(DA)은 복수 개의 유효부(AA1, AA2, AA3) 및 상기 유효부(AA) 이외의 비유효부(UA)을 포함할 수 있다.The deposition mask 100 may include a plurality of effective portions AA1 , AA2 , and AA3 spaced apart in the longitudinal direction and non-effective portions UA other than the effective portions. In detail, the deposition area DA may include a plurality of effective portions AA1 , AA2 , and AA3 and non-effective portions UA other than the effective portions AA.

상기 유효부(AA1, AA2, AA3)는 상기 증착용 마스크(100)의 일면 상에 형성된 다수의 소면공(V1), 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 다수의 대면공(V2), 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 경계가 연결되는 연통부(CA)에 의해 형성되는 관통 홀(TH)을 포함할 수 있다.The effective portions AA1 , AA2 , AA3 include a plurality of small face holes V1 formed on one surface of the deposition mask 100 , a plurality of large face holes V2 formed on the other surface opposite to the one surface, and the small surface It may include a through hole TH formed by the communication part CA through which the boundary between the ball V1 and the facing hole V2 is connected.

또한, 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)는 복수 개의 상기 관통 홀(TH)들 사이를 지지하는 아일랜드부(IS)를 포함할 수 있다. In addition, the effective parts AA1 , AA2 , and AA3 may include an island part IS supporting between the plurality of through holes TH.

상기 아일랜드부(IS)는 복수 개의 관통 홀(TH) 중 인접한 관통 홀(TH)들 사이에 위치할 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)에서 관통 홀(TH) 이외의 영역은 아일랜드부(IS)일 수 있다. The island part IS may be positioned between adjacent through holes TH among the plurality of through holes TH. That is, a region other than the through hole TH in the effective portions AA1 , AA2 , and AA3 of the deposition mask 100 may be the island portion IS.

상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착 마스크의 유효부의 일면(101) 또는 타면(102)에서 식각되지 않은 부분을 의미할 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 유효부의 대면공(V2)이 형성된 타면(102)에서 서로 다른 관통 홀(TH)과 관통 홀(TH) 사이의 식각되지 않은 영역일 수 있다. 따라서 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101)의 반대면이고, 이에 따라 상기 일면(101)과 평행하게 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)의 상부면은 상기 일면(101)과 평행하게 배치될 수 있다.The island portion IS may mean a portion that is not etched on one surface 101 or the other surface 102 of the effective portion of the deposition mask. In detail, the island portion IS is a non-etched region between the different through-holes TH and the through-holes TH on the other surface 102 on which the facing hole V2 of the effective portion of the deposition mask 100 is formed. can be Accordingly, the island portion IS is opposite to the one surface 101 of the deposition mask 100 , and thus may be disposed parallel to the one surface 101 . In detail, the upper surface of the island part IS may be disposed parallel to the one surface 101 .

상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)과 동일 평면에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 비유효부의 적어도 일부분과 두께가 동일할 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 비유효부 중 식각되지 않은 부분과 두께가 동일할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)를 통해 OLED 패널의 서브 픽셀 또는 화소 패턴의 증착 균일성을 향상시킬 수 있다. The island part IS may be disposed on the same plane as the other surface 102 of the deposition mask 100 . Accordingly, the island portion IS may have the same thickness as at least a portion of the ineffective portion on the other surface 102 of the deposition mask 100 . In detail, the island portion IS may have the same thickness as an unetched portion of the ineffective portion on the other surface 102 of the deposition mask 100 . Accordingly, the deposition uniformity of the sub-pixels or pixel patterns of the OLED panel may be improved through the deposition mask 100 .

또는, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)과 평행한 평면에 배치될 수 있다. 여기에서, 평행한 평면이라는 것은 상기 아일랜드부(IS) 주위의 식각공정에 의해서 아일랜드부(IS)가 배치되는 증착용 마스크(100)의 타면과 비유효부 중 비식각된 증착용 마스크(100)의 타면의 높이 단차가 ± 1 ㎛ 이하인 것을 포함할 수 있다. Alternatively, the island portion IS may be disposed on a plane parallel to the other surface 102 of the deposition mask 100 . Here, the parallel plane means the other surface of the deposition mask 100 on which the island part IS is disposed by the etching process around the island part IS and the non-etched deposition mask 100 among the ineffective parts. It may include that the height difference of the other surface is ± 1 ㎛ or less.

상기 아일랜드부(IS)는 수평 방향으로의 폭(W1)과 수직 방향으로의 폭이 서로 다를 수 있다. 즉, 상기 아일랜드부(IS)는 수평 방향으로의 폭(W1)이 수직 방향으로의 폭(W2)보다 클 수 있다.The island portion IS may have a width W1 in a horizontal direction and a width W1 in a vertical direction different from each other. That is, the island portion IS may have a width W1 in a horizontal direction greater than a width W2 in a vertical direction.

상기 증착용 마스크(100)는 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)의 외곽에 배치되는 비유효부(UA)를 포함할 수 있다. 상기 유효부(AA)는 복수 개의 관통 홀들 중 유기물질을 증착하기 위한 최외곽에 위치한 관통 홀들의 외곽을 연결하였을 때의 안쪽 영역일 수 있다. 상기 비유효부(UA)는 복수 개의 관통 홀들 중 유기물질을 증착하기 위한 최외곽에 위치한 관통 홀들의 외곽을 연결하였을 때의 바깥쪽 영역일 수 있다. The deposition mask 100 may include an ineffective portion UA disposed outside the effective portions AA1 , AA2 , and AA3 . The effective portion AA may be an inner region when the outermost through-holes for depositing an organic material among the plurality of through-holes are connected. The ineffective portion UA may be an outer region when the outermost through-holes for depositing an organic material among the plurality of through-holes are connected to each other.

상기 비유효부(UA)는 상기 증착 영역(DA)의 유효부(AA1, AA2, AA3)를 제외한 영역 및 상기 비증착 영역(NDA)이다. 상기 비유효부(UA)은 유효부(AA1, AA2, AA3)의 외곽을 둘러싸는 외곽 영역(OA1, OA2, OA3)을 포함할 수 있다. The non-effective portion UA is an area excluding the effective portions AA1 , AA2 , and AA3 of the deposition area DA and the non-deposition area NDA. The ineffective portion UA may include outer areas OA1 , OA2 , and OA3 surrounding the effective portions AA1 , AA2 , and AA3 .

상기 외곽 영역(OA1, OA2, OA3)의 개수는 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)의 개수와 대응될 수 있다. 즉, 하나의 유효부는 유효부의 끝단으로부터 수평 방향 및 수직 방향에서 각각 일정한 거리로 떨어진 하나의 외곽 영역을 포함할 수 있다.The number of the outer areas OA1 , OA2 , and OA3 may correspond to the number of the effective parts AA1 , AA2 , and AA3 . That is, one effective portion may include one outer region separated by a predetermined distance from the end of the effective portion in a horizontal direction and a vertical direction, respectively.

상기 제 1 유효부(AA1)는 제 1 외곽 영역(OA1) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 1 유효부(AA1)은 증착물질을 형성하기 위한 복수 개의 관통 홀(TH)들을 포함할 수 있다. 상기 제 1 유효부(AA1)의 외곽을 둘러싸는 상기 제 1 외곽 영역(OA1)은 복수 개의 관통 홀을 포함할 수 있다. The first effective portion AA1 may be included in the first outer area OA1 . The first effective portion AA1 may include a plurality of through holes TH for forming a deposition material. The first outer area OA1 surrounding the outer circumference of the first effective portion AA1 may include a plurality of through holes.

예를 들어, 상기 제 1 외곽 영역(OA1)에 포함되는 복수 개의 관통 홀은 상기 제 1 유효부(AA1)의 최외곽에 위치한 관통 홀(TH)들의 에칭 불량을 감소시키기 위한 것이다. 이에 따라, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 유효부(AA1, AA2, AA3)에 위치한 복수 개의 관통 홀들의 균일성을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 제조되는 증착 패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.For example, the plurality of through holes included in the first outer area OA1 is to reduce etching defects of the through holes TH located at the outermost portion of the first effective portion AA1 . Accordingly, the deposition mask 100 according to the embodiment may improve the uniformity of the plurality of through-holes located in the effective portions AA1 , AA2 , and AA3 , thereby improving the quality of the deposition pattern manufactured. there is.

또한, 상기 제 1 유효부(AA1)의 관통 홀(TH)의 형상은 상기 제 1 외곽영역(OA1) 관통 홀(TH)의 형상과 서로 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 유효부(AA1)에 포함된 관통 홀(TH)의 균일성을 향상시킬 수 있다. 일례로, 상기 제 1 유효부(AA1)의 관통 홀(TH)의 형상 및 상기 제 1 외곽 영역(OA1) 관통 홀의 형상은 원형일 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 상기 관통 홀(TH)은 다이아몬드 패턴, 타원형 패턴 등 다양한 형상일 수 있다.Also, the shape of the through hole TH of the first effective portion AA1 may correspond to the shape of the through hole TH of the first outer area OA1 . Accordingly, the uniformity of the through hole TH included in the first effective part AA1 may be improved. For example, the shape of the through hole TH of the first effective part AA1 and the shape of the through hole of the first outer area OA1 may be circular. However, the embodiment is not limited thereto, and the through hole TH may have various shapes, such as a diamond pattern or an oval pattern.

상기 제 2 유효부(AA2)는 제 2 외곽 영역(OA2) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 2 유효부(AA2)는 상기 제 1 유효부(AA1)와 서로 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제 2 외곽 영역(OA2)은 상기 제 1 외곽 영역(OA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다. The second effective portion AA2 may be included in the second outer area OA2 . The second effective part AA2 may have a shape corresponding to that of the first effective part AA1 . The second outer area OA2 may have a shape corresponding to that of the first outer area OA1 .

상기 제 2 외곽 영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통 홀로부터 수평 방향 및 수직 방향에 각각 두 개의 관통 홀을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 외곽 영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통 홀의 상부 및 하부의 위치에 각각 두 개의 관통 홀이 수평방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 외곽 영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통 홀의 좌측 및 우측에 각각 두 개의 관통 홀이 수직방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 상기 제 2 외곽영역(OA2)에 포함되는 복수 개의 관통 홀은 유효부의 최외곽에 위치한 관통 홀들의 에칭 불량을 감소시키기 위한 것이다. 이에 따라, 실시 예에 따른 증착용 마스크는 유효부에 위치한 복수 개의 관통 홀들의 균일성을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 제조되는 증착패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.The second outer area OA2 may further include two through holes, respectively, in a horizontal direction and a vertical direction from a through hole located at the outermost portion of the second effective portion AA2 . For example, in the second outer area OA2 , two through-holes may be arranged in a horizontal direction at positions above and below the through-holes located at the outermost side of the second effective part AA2 , respectively. For example, in the second outer area OA2 , two through-holes may be vertically arranged in a row on the left and right sides of the through-hole located at the outermost side of the second effective part AA2 . The plurality of through-holes included in the second outer area OA2 is to reduce etching defects of the through-holes located at the outermost portion of the effective portion. Accordingly, the deposition mask according to the embodiment may improve the uniformity of the plurality of through-holes located in the effective portion, and thus the quality of the deposition pattern manufactured may be improved.

상기 제 3 유효부(AA3)는 제 3 외곽영역(OA3) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 3 유효부(AA3)는 증착물질을 형성하기 위한 복수 개의 관통 홀을 포함할 수 있다. 상기 제 3 유효부(AA3)의 외곽을 둘러싸는 상기 제 3 외곽영역(OA3)은 복수 개의 관통 홀을 포함할 수 있다. The third effective portion AA3 may be included in the third outer area OA3 . The third effective portion AA3 may include a plurality of through holes for forming a deposition material. The third outer area OA3 surrounding the outer portion of the third effective portion AA3 may include a plurality of through holes.

상기 제 3 유효부(AA3)는 상기 제 1 유효부(AA1)와 서로 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제 3 외곽 영역(OA3)은 상기 제 1 외곽 영역(OA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다. The third effective part AA3 may have a shape corresponding to that of the first effective part AA1 . The third outer area OA3 may have a shape corresponding to that of the first outer area OA1 .

또한, 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)에 포함된 관통 홀(TH)은 상기 비유효부(UA)에 포함된 관통 홀과 부분적으로 대응되는 형상을 가질 수 있다. 일례로, 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)에 포함된 관통 홀은 상기 비유효부(UA)의 에지부에 위치한 관통 홀과 서로 다른 형상을 포함할 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)의 위치에 따른 응력의 차이를 조절할 수 있다. In addition, the through-holes TH included in the effective parts AA1 , AA2 , and AA3 may have a shape that partially corresponds to the through-holes included in the ineffective part UA. For example, the through-holes included in the effective portions AA1 , AA2 and AA3 may have different shapes from the through-holes located at the edge portion of the ineffective portion UA. Accordingly, the difference in stress according to the position of the deposition mask 100 may be adjusted.

도 6은 제 1 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 유효부의 평면도를 도시한 도면이고, 도 7은 실시예에 따른 증착용 마스크의 다른 평면도를 도시한 도면이며, 도 8은 실시예에 따른 증착용 마스크의 또 다른 평면도를 도시한 도면이다.6 is a plan view of an effective part of the deposition mask 100 according to the first embodiment, FIG. 7 is another plan view of the deposition mask according to the embodiment, and FIG. 8 is an embodiment It is a view showing another plan view of the deposition mask according to the

도 6 내지 도 8은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제 1 유효부(AA1), 상기 제 2 유효부(AA2) 및 상기 제 3 유효부(AA3) 중 어느 하나의 평면도일 수 있다. 또한, 도 6 내지 도 8은 관통 홀(TH)의 형상 및 상기 관통 홀(TH) 간의 배열을 설명하기 위한 것으로, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 도면에 도시된 관통 홀(TH)의 개수에 한정되지 않는다.6 to 8 may be plan views of any one of the first effective part AA1, the second effective part AA2, and the third effective part AA3 of the deposition mask 100 according to the embodiment. . 6 to 8 are for explaining the shape of the through-hole TH and the arrangement between the through-holes TH. The deposition mask 100 according to the embodiment includes the through-hole TH shown in the drawing. is not limited to the number of

도 6 내지 도 8을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통 홀(TH)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 관통 홀(TH)들은 방향에 따라, 일렬로 배치되거나 서로 엇갈려서 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통 홀(TH)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 종축 또는 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.6 to 8 , the deposition mask 100 may include a plurality of through holes TH. In this case, the through-holes TH may be arranged in a line or alternately arranged depending on the direction. For example, the through-holes TH may be arranged in a row along the longitudinal axis and the transverse axis, and may be arranged in a row along the longitudinal axis or the transverse axis.

먼저, 도 6을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통 홀(TH)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 복수 개의 관통 홀(TH)은 원형 형상일 수 있다. 자세하게, 상기 관통 홀(TH)은 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy) 값을 가질 수 있고, 상기 관통 홀(TH)의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy) 값은 서로 대응될 수 있다.First, referring to FIG. 6 , the deposition mask 100 may include a plurality of through holes TH. In this case, the plurality of through holes TH may have a circular shape. In detail, the through hole TH may have a horizontal diameter Cx and a vertical diameter Cy, and a horizontal diameter Cx and a vertical diameter of the through hole TH (Cx) Cy) values may correspond to each other.

상기 관통 홀(TH)들은 방향에 따라 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통 홀(TH)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다. The through-holes TH may be arranged in a line according to a direction. For example, the through-holes TH may be arranged in a row along a vertical axis and a horizontal axis.

자세하게, 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 3 관통 홀(TH1) 및 제 4 관통 홀(TH4)은 종축에서 일렬로 배치될 수 있다. In detail, the first through-hole TH1 and the second through-hole TH2 may be arranged in a line along the horizontal axis, and the third through-hole TH1 and the fourth through-hole TH4 may be arranged in a line along the vertical axis. there is.

또한, 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 3 관통 홀(TH3)은 종축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 2 관통 홀(TH2) 및 제 4 관통 홀(TH4)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다. In addition, the first through-hole TH1 and the third through-hole TH3 may be arranged in a line along the vertical axis, and the second through-hole TH2 and the fourth through-hole TH4 may be arranged in a line along the horizontal axis. there is.

즉, 관통 홀(TH)들이 종축 및 횡축에서 각각 일렬로 배치되는 경우에는, 종축 및 횡축과 모두 교차하는 방향인 대각 방향으로 인접한 두 개의 관통 홀(TH)들 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 즉, 서로 대각선 방향에 위치한 두 개의 인접한 관통 홀(TH)들 사이에는 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. That is, when the through-holes TH are arranged in a line on the vertical and horizontal axes, respectively, the island portion IS is positioned between two diagonally adjacent through-holes TH, which are directions crossing both the vertical and horizontal axes. can do. That is, the island portion IS may be positioned between two adjacent through holes TH positioned in a diagonal direction.

예를 들어, 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 4 관통 홀(TH4)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 또한, 제 2 관통 홀(TH2) 및 제 3 관통 홀(TH3)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 인접한 두 관통 홀을 가로지르는 횡축을 기준으로 약 +45도 전후의 경사각 방향 및 약 -45도 전후의 경사각 방향에 아일랜드부(IS)가 각각 위치할 수 있다. 여기에서, 약 ±45 전후의 경사각 방향은 횡축과 종축 사이의 대각 방향을 의미할 수 있고, 상기 대각 방향의 경사각은 횡축 및 종축의 동일 평면에서 측정한 것일 수 있다. For example, the island portion IS may be disposed between the first through hole TH1 and the fourth through hole TH4 . Also, an island portion IS may be disposed between the second through hole TH2 and the third through hole TH3 . The island part IS may be respectively positioned in a direction of an inclination angle of about +45 degrees and a direction of an inclination angle of about -45 degrees with respect to a horizontal axis crossing two adjacent through holes. Here, the direction of the inclination angle of about ±45 may mean a diagonal direction between the horizontal axis and the vertical axis, and the inclination angle in the diagonal direction may be measured on the same plane of the horizontal axis and the vertical axis.

또한, 도 7을 참조하면, 실시 예에 따른 다른 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통 홀을 포함할 수 있다. 이때, 복수 개의 관통 홀은 타원형 형상일 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 관통 홀은 모서리 부분이 라운드진 사각 형상을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 관통 홀(TH)의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)은 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 관통 홀의 수평 방향의 직경(Cx)은 수직 방향의 직경(Cy)보다 클 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 관통 홀은 장방형 형상이거나 8각형 형상이거나 라운드진 8각형 형상일 수 있다. Also, referring to FIG. 7 , another deposition mask 100 according to the embodiment may include a plurality of through holes. In this case, the plurality of through holes may have an elliptical shape. For example, the plurality of through holes may have a rectangular shape with rounded corners. In detail, a diameter Cx in a horizontal direction and a diameter Cy in a vertical direction of the through hole TH may be different from each other. For example, the diameter Cx in the horizontal direction of the through hole may be greater than the diameter Cy in the vertical direction. However, the embodiment is not limited thereto, and the through hole may have a rectangular shape, an octagonal shape, or a rounded octagonal shape.

상기 관통 홀(TH)들은 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 축에서 일렬로 배치되고, 다른 하나의 축에서 엇갈려서 배치될 수 있다. The through-holes TH may be arranged in a line along one axis of the vertical axis or the horizontal axis, and may be alternately arranged on the other axis.

자세하게, 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 3 관통 홀(TH1) 및 제 4 관톨홀(TH4)은 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2)과 각각 종축에서 엇갈려서 배치될 수 있다. In detail, the first through-hole TH1 and the second through-hole TH2 may be arranged in a row along the horizontal axis, and the third through-hole TH1 and the fourth through-hole TH4 are the first through-hole TH1. and the second through hole TH2 may be disposed to be staggered along the longitudinal axis, respectively.

상기 관통 홀(TH)들이 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 방향으로 일렬로 배치되고, 다른 하나의 방향으로 엇갈려서 배치되는 경우에는, 종축 또는 횡축 중 다른 하나의 방향으로의 인접한 두 개의 관통 홀(TH1, TH2)들 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 또는, 서로 인접하게 위치한 세 개의 관통 홀(TH1, TH2, TH3)들 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 인접한 세 개의 관통 홀(TH1, TH2, TH3)들 중 두 개의 관통 홀(TH1, TH2)들은 일렬로 배치되는 관통 홀이며, 나머지 하나의 관통 홀(TH3)은 상기 일렬 방향과 대응되는 방향의 인접한 위치에서, 상기 두 개의 관통 홀(TH1, TH2) 사이의 영역에 배치될 수 있는 관통 홀을 의미할 수 있다. 제 1 관통 홀(TH1), 제 2 관통 홀(TH2) 및 제 3 관통 홀(TH3)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 또는, 제 2 관통 홀(TH2), 제 3 관통 홀(TH3) 및 제 4 관통 홀(TH4)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다.When the through-holes TH are arranged in a line in one direction of the vertical axis or the horizontal axis and are alternately arranged in the other direction, two adjacent through-holes TH1 in the other direction of the vertical axis or the horizontal axis. The island part IS may be positioned between the TH2). Alternatively, the island portion IS may be positioned between the three through holes TH1 , TH2 , and TH3 positioned adjacent to each other. Among the three adjacent through holes TH1, TH2, and TH3, two through holes TH1 and TH2 are through holes arranged in a line, and the other through hole TH3 is adjacent in a direction corresponding to the line direction. In location, it may mean a through hole that may be disposed in a region between the two through holes TH1 and TH2. An island portion IS may be disposed between the first through hole TH1 , the second through hole TH2 , and the third through hole TH3 . Alternatively, the island portion IS may be disposed between the second through hole TH2 , the third through hole TH3 , and the fourth through hole TH4 .

또한, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)에서 임의의 어느 하나의 관통 홀인 기준홀의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)를 측정하는 경우, 상기 기준홀에 인접하는 관통 홀(TH)들 간의 각각의 수평 방향의 직경(Cx)들 간의 편차와, 수직 방향의 직경(Cy)들 간의 편차는 약 2% 내지 약 10% 로 구현될 수 있다. 즉, 하나의 기준 홀의 인접한 관통 홀들 간의 크기 편차가 약 2% 내지 약 10% 로 구현하는 경우에는 증착의 균일도를 확보할 수 있다. 예를 들어, 상기 기준 홀과 상기 인접한 관통 홀들 간의 크기 편차는 약 4% 내지 약 9% 일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준 홀과 상기 인접한 관통 홀들 간의 크기 편차는 약 5% 내지 약 7%일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준 홀과 상기 인접한 관통 홀들 간의 크기 편차는 약 2% 내지 약 5% 일 수 있다. 상기 기준 홀과 상기 인접한 관통 홀들 간의 크기 편차가 약 2% 미만인 경우에는, 증착 후 OLED 패널에서 무아레 발생율이 높아질 수 있다. 상기 기준홀과 상기 인접한 관통 홀들 간의 크기 편차가 약 10%를 초과하는 경우, 증착 후의 OLED 패널에서 색 얼룩의 발생율이 높아질 수 있다. 상기 관통 홀 직경의 평균 편차는 ±5㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통 홀 직경의 평균 편차는 ±3㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통 홀 직경의 평균 편차는 ±1㎛일 수 있다. 실시예는 상기 기준 홀과 상기 인접한 관통 홀들 간의 크기 편차를 ±3㎛ 이내로 구현함에 따라, 증착 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, in the case of measuring the horizontal diameter (Cx) and the vertical diameter (Cy) of the reference hole, which is any one through hole, in the deposition mask 100 according to the embodiment, the through hole adjacent to the reference hole is measured. The deviation between the diameters Cx in the horizontal direction and the deviation between the diameters Cy in the vertical direction between the (TH) may be implemented as about 2% to about 10%. That is, when the size deviation between adjacent through-holes of one reference hole is about 2% to about 10%, uniformity of deposition can be secured. For example, a size deviation between the reference hole and the adjacent through-holes may be about 4% to about 9%. For example, a size deviation between the reference hole and the adjacent through-holes may be about 5% to about 7%. For example, a size deviation between the reference hole and the adjacent through-holes may be about 2% to about 5%. When the size deviation between the reference hole and the adjacent through-holes is less than about 2%, the moire generation rate in the OLED panel after deposition may be increased. When the size deviation between the reference hole and the adjacent through-holes exceeds about 10%, the occurrence rate of color unevenness in the OLED panel after deposition may increase. The average deviation of the through-hole diameter may be ±5 μm. For example, the average deviation of the through-hole diameter may be ±3 μm. For example, the average deviation of the diameter of the through hole may be ±1 μm. In the embodiment, the deposition efficiency may be improved by implementing a size deviation between the reference hole and the adjacent through-holes within ±3 μm.

또한, 도 8을 참조하면 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통 홀(TH)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 복수 개의 관통 홀(TH)은 사각형 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통 홀(TH)은 마름모 형상일 수 있다. 상기 관통 홀(TH)은 수평 방향의 길이(Cx)과 수직 방향의 길이(Cy) 값을 가질 수 있고, 상기 관통 홀(TH)의 수평 방향의 길이(Cx) 및 수직 방향의 길이(Cy)는 서로 대응될 수 있다.Also, referring to FIG. 8 , the deposition mask 100 may include a plurality of through holes TH. In this case, the plurality of through holes TH may have a rectangular shape. For example, the through hole TH may have a rhombus shape. The through hole TH may have a horizontal length Cx and a vertical length Cy, and a horizontal length Cx and a vertical length Cy of the through hole TH. may correspond to each other.

상기 관통 홀(TH)들은 방향에 따라 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통 홀(TH)들은 종축 및 횡축 중 어느 하나의 축에서 일렬로 배치되고, 다른 하나의 축에서는 엇갈려서 배치될 수 있다.The through-holes TH may be arranged in a line according to a direction. For example, the through-holes TH may be arranged in a line on one of the vertical axis and the horizontal axis, and alternately arranged on the other axis.

자세하게, 제 1 관통 홀(TH1), 제 2 관통 홀(TH2) 및 제 3 관통 홀(TH3)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 4 관통 홀(TH4) 및 제 5 관통 홀(TH5)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 4 관통 홀(TH4) 및 제 5 관통 홀(TH5)은 제 1 관통 홀(TH1), 제 2 관통 홀(TH2) 및 제 3 관통 홀(TH3)과 각각 종축에서 엇갈려서 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 4 관통 홀(TH4)은 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2) 사이에 엇갈려서 배치될 수 있고, 제 5 관통 홀(TH5)은 제 2 관통 홀(TH2) 및 제 3 관통 홀(TH3) 사이에 엇갈려서 배치될 수 있다.In detail, the first through-hole TH1 , the second through-hole TH2 , and the third through-hole TH3 may be arranged in a line along the horizontal axis, and the fourth through-hole TH4 and the fifth through-hole TH5 . may be arranged in a row along the horizontal axis, and the fourth through hole TH4 and the fifth through hole TH5 are formed with the first through hole TH1, the second through hole TH2, and the third through hole TH3 and Each may be staggered along the longitudinal axis. For example, the fourth through-hole TH4 may be alternately disposed between the first through-hole TH1 and the second through-hole TH2 , and the fifth through-hole TH5 may include the second through-hole TH2 . and the third through hole TH3 may be alternately disposed.

상기 관통 홀(TH)들이 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 방향으로 일렬로 배치되고, 다른 하나의 방향으로 엇갈려서 배치되는 경우에는, 종축 및 횡축이 교차하는 지점에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 또는, 서로 인접한 네 개의 관통 홀들(TH1, TH2, TH4, TH6) 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. When the through-holes TH are arranged in a line in any one direction of the vertical axis or the horizontal axis and are alternately arranged in the other direction, the island part IS may be located at a point where the vertical axis and the horizontal axis intersect. . Alternatively, the island portion IS may be positioned between the four adjacent through holes TH1 , TH2 , TH4 , and TH6 .

인접한 네 개의 관통 홀들(TH1, TH2, TH4, TH6) 중 두 개의 관통 홀들(TH1, TH2)은 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 방향으로 일렬로 배치되는 관통 홀들을 의미할 수 있고, 나머지 두 개의 관통 홀들(TH4, TH6)은 종축 또는 횡축 중 다른 하나의 방향으로 일렬로 배치되는 관통 홀들을 의미할 수 있다.Two through-holes TH1 and TH2 among the four adjacent through-holes TH1, TH2, TH4, and TH6 may refer to through-holes arranged in a row in any one direction of the vertical axis or the horizontal axis, and the other two through-holes The holes TH4 and TH6 may refer to through holes arranged in a line in the other one of the vertical axis and the horizontal axis.

도 6 내지 도 8의 아일랜드부(IS)는 유효부(AA)의 대면공(V2)이 형성되는 증착용 마스크(100)의 타면에서 관통 홀(TH)들 사이의 식각되지 않은 면을 의미할 수 있다. 자세하게, 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 유효부(AA)에서, 대면공 내에 위치한 제 2 내측면(ES2) 및 관통 홀(TH)을 제외한 식각되지 않은 증착용 마스크(100)의 타면일 수 있다. 실시예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상, 자세하게 400PPI 내지 800PPI 이상의 해상도를 가지는 고해상도 내지 초고해상도의 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다.The island portion IS of FIGS. 6 to 8 may mean a non-etched surface between the through holes TH on the other surface of the deposition mask 100 on which the facing hole V2 of the effective portion AA is formed. can In detail, the island portion IS is the other surface of the deposition mask 100 that is not etched except for the second inner surface ES2 and the through hole TH located in the facing hole in the effective portion AA of the deposition mask. can The deposition mask 100 of the embodiment may be for deposition of high-resolution to ultra-high-resolution OLED pixels having a resolution of 400 PPI or more, specifically 400 PPI to 800 PPI or more.

예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가지는 Full HD(High Definition)의 고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 1920*1080 이상이고, 400PPI 이상인 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다. 즉, 실시예의 증착용 마스크(100)에 포함된 하나의 유효부는 해상도 1920*1080 이상의 픽셀 수를 형성하기 위한 것일 수 있다.For example, the deposition mask 100 of the embodiment may be for forming a deposition pattern having a high resolution of Full HD (High Definition) having a resolution of 400 PPI or more. For example, the deposition mask 100 of the embodiment may be for deposition of an OLED pixel in which the number of pixels in the horizontal and vertical directions is 1920*1080 or more, and 400 PPI or more. That is, one effective part included in the deposition mask 100 of the embodiment may be for forming the number of pixels having a resolution of 1920*1080 or higher.

예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 500PPI 이상의 해상도를 가지는 QHD(Quad High Definition)의 고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 2560*1440 이상이고, 530 PPI 이상인 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다. 실시예의 증착용 마스크(100)를 통해, 인치당 픽셀수는 5.5인치 OLED 패널을 기준으로 530 PPI 이상일 수 있다. 즉, 실시예의 증착용 마스크(100)에 포함된 하나의 유효부는 해상도 2560*1440 이상의 픽셀 수를 형성하기 위한 것일 수 있다. For example, the deposition mask 100 of the embodiment may be used to form a deposition pattern having a high resolution of quad high definition (QHD) having a resolution of 500 PPI or more. For example, the mask 100 for deposition according to the embodiment may be for OLED pixel deposition in which the number of pixels in the horizontal and vertical directions is 2560*1440 or more and 530 PPI or more. Through the deposition mask 100 of the embodiment, the number of pixels per inch may be 530 PPI or more based on a 5.5-inch OLED panel. That is, one effective part included in the deposition mask 100 of the embodiment may be for forming the number of pixels with a resolution of 2560*1440 or higher.

예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 700PPI 이상의 해상도를 가지는 UHD(Ultra High Definition)의 초고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 3840*2160 이상이고, 794 PPI 이상의 OLED 화소 증착을 위한 UHD(Ultra High Definition)급 해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다.For example, the deposition mask 100 of the embodiment may be for forming a deposition pattern having an ultra high resolution of Ultra High Definition (UHD) having a resolution of 700 PPI or higher. For example, in the deposition mask 100 of the embodiment, the number of pixels in the horizontal and vertical directions is 3840 * 2160 or more, and a deposition pattern having UHD (Ultra High Definition) resolution for OLED pixel deposition of 794 PPI or more is formed. it may be for

상기 관통 홀(TH)의 직경은 상기 연통부(CA) 사이의 폭일 수 있다. 자세하게, 상기 관통 홀(TH)의 직경은 소면공(V1) 내의 내측면의 끝단과 대면공(V2) 내의 내측면의 끝단이 만나는 지점에서 측정할 수 있다. 상기 관통 홀(TH)의 직경의 측정 방향은 수평방향, 수직방향, 대각 방향 중 어느 하나일 수 있다. 수평방향에서 측정된 상기 관통 홀(TH)의 직경은 33㎛ 이하일 수 있다. 또는, 수평방향에서 측정된 상기 관통 홀(TH)의 직경은 33㎛ 이하일 수 있다. 또는, 상기 관통 홀(TH)의 직경은 수평방향, 수직방향, 대각 방향에서 각각 측정한 값의 평균값일 수 있다. A diameter of the through hole TH may be a width between the communication portions CA. In detail, the diameter of the through hole TH may be measured at a point where the end of the inner surface in the small face hole V1 and the end of the inner surface in the face hole V2 meet. The diameter of the through hole TH may be measured in any one of a horizontal direction, a vertical direction, and a diagonal direction. The diameter of the through hole TH measured in the horizontal direction may be 33 μm or less. Alternatively, the diameter of the through hole TH measured in the horizontal direction may be 33 μm or less. Alternatively, the diameter of the through hole TH may be an average value of values measured in a horizontal direction, a vertical direction, and a diagonal direction.

따라서, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 QHD급 해상도를 구현할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통 홀(TH)의 직경은 약 15㎛ 내지 약 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통 홀(TH)의 직경은 약 19㎛ 내지 약 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통 홀(TH)의 직경은 약 20㎛ 내지 약 27㎛일 수 있다. 상기 관통 홀(TH)의 직경이 약 33㎛ 초과인 경우에는 500PPI 급 이상의 해상도를 구현하기 어려울 수 있다. 한편, 상기 관통 홀(TH)의 직경이 약 15㎛ 미만인 경우에는 증착 불량이 발생할 수 있다. Accordingly, the deposition mask 100 according to the embodiment may implement QHD-level resolution. For example, the diameter of the through hole TH may be about 15 μm to about 33 μm. For example, the diameter of the through hole TH may be about 19 μm to about 33 μm. For example, the diameter of the through hole TH may be about 20 μm to about 27 μm. When the diameter of the through hole TH is greater than about 33 μm, it may be difficult to implement a resolution of 500 PPI or higher. On the other hand, when the diameter of the through hole TH is less than about 15 μm, a deposition defect may occur.

도 6을 참조하면, 수평방향에서 복수 개의 관통 홀 중 인접한 두 개의 관통 홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통 홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통 홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통 홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통 홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 관통 홀(TH1)의 중심과 제 2 관통 홀(TH2)의 중심 사이의 간격(P1)을 의미할 수 있다. 이와 다르게, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 아일랜드부의 중심과 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 아일랜드부(IS)의 중심은 수평방향 및 수직방향에서 인접한 네 개의 관통 홀(TH)들 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 예를 들어, 아일랜드부(IS)의 중심은 수평방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2)을 기준으로, 상기 제 1 관통 홀(TH1)과 수직방향에서 인접한 제 3 관통 홀(TH3) 및 상기 제 2 관통 홀(TH2)과 수직방향에서 인접한 제 4 관통 홀(TH4) 사이의 영역에 위치한 하나의 아일랜드부(IS)의 에지를 잇는 횡축과 에지를 잇는 종축이 교차하는 지점을 의미할 수 있다.Referring to FIG. 6 , a pitch between two adjacent through holes TH among a plurality of through holes in the horizontal direction may be about 48 μm or less. For example, a pitch between two adjacent through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 20 μm to about 48 μm. For example, a pitch between two adjacent through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 30 μm to about 35 μm. Here, the distance may mean a distance P1 between the centers of two adjacent first through holes TH1 and the centers of the second through holes TH2 in the horizontal direction. Alternatively, the distance may mean a distance P2 between the center of two adjacent first island parts and the center of the second island part in the horizontal direction. Here, the center of the island portion IS may be the center of the other non-etched surface between the four through-holes TH adjacent in the horizontal and vertical directions. For example, the center of the island portion IS is adjacent to the first through hole TH1 in the vertical direction with respect to the two first through holes TH1 and TH2 adjacent in the horizontal direction. A horizontal axis connecting the edges of one island portion IS located in a region between the third through hole TH3 and the second through hole TH2 and a fourth through hole TH4 adjacent in the vertical direction and a vertical axis connecting the edges This may mean the point of intersection.

또한, 도 7을 참조하면, 수평방향에서 복수 개의 관통 홀 중 인접한 두 개의 관통 홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통 홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통 홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통 홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통 홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 관통 홀(TH1)의 중심과 제 2 관통 홀(TH2)의 중심 사이의 간격(P1)을 의미할 수 있다. 또한, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 아일랜드부의 중심과 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 아일랜드부(IS)의 중심은 하나의 관통 홀과 수직 방향에서 인접한 두 개의 관통 홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 또는, 여기에서, 아일랜드부(IS)의 중심은 두 개의 관통 홀과 수직 방향에서 인접한 하나의 관통 홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 즉, 아일랜드부(IS)의 중심은 인접한 세 개의 관통 홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심이며, 인접한 세 개의 관통 홀이란 그 중심을 이었을 때 삼각형 형상을 형성할 수 있는 것을 의미할 수 있다.Also, referring to FIG. 7 , a pitch between two adjacent through holes TH among a plurality of through holes in the horizontal direction may be about 48 μm or less. For example, a pitch between two adjacent through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 20 μm to about 48 μm. For example, a pitch between two adjacent through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 30 μm to about 35 μm. Here, the distance may mean a distance P1 between the center of two adjacent first through-holes TH1 and the center of the second through-hole TH2 in the horizontal direction. Also, the distance may mean a distance P2 between the center of two adjacent first island parts and the center of the second island part in the horizontal direction. Here, the center of the island portion IS may be a center on the other non-etched surface between one through-hole and two adjacent through-holes in the vertical direction. Alternatively, here, the center of the island portion IS may be the center of the other non-etched surface between the two through-holes and one adjacent through-hole in the vertical direction. That is, the center of the island portion IS is the center on the other non-etched surface between the three adjacent through holes, and the three adjacent through holes may mean that a triangular shape can be formed when the centers are connected.

상기 관통 홀(TH)의 직경의 측정 방향과 인접한 두 개의 관통 홀(TH) 사이의 간격의 측정 방향은 동일할 수 있다. 상기 관통 홀(TH)의 간격은 수평 방향 또는 수직 방향으로 인접한 두 개의 관통 홀(TH) 사이의 간격을 측정한 것일 수 있다.A measurement direction of a diameter of the through hole TH and a measurement direction of a distance between two adjacent through holes TH may be the same. The distance between the through-holes TH may be a measurement of a distance between two adjacent through-holes TH in a horizontal or vertical direction.

또한, 도 8을 참조하면, 수평방향에서 복수 개의 관통 홀 중 인접한 두 개의 관통 홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통 홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통 홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통 홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통 홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 관통 홀(TH1)의 중심과 제 2 관통 홀(TH2)의 중심 사이의 간격(P1)을 의미할 수 있다. 이와 다르게, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 아일랜드부의 중심과 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 아일랜드부(IS)의 중심은 수평방향 및 수직방향에서 인접한 네 개의 관통 홀(TH)들 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 예를 들어, 아일랜드부(IS)의 중심은 수평방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2)을 기준으로, 상기 제 1 관통 홀(TH1)과 수직방향에서 인접한 제 3 관통 홀(TH3) 및 상기 제 2 관통 홀(TH2)과 수직방향에서 인접한 제 4 관통 홀(TH4) 사이의 영역에 위치한 하나의 아일랜드부(IS)의 에지를 잇는 횡축과 에지를 잇는 종축이 교차하는 지점을 의미할 수 있다. 예를 들어, 아일랜드부(IS)의 중심은 수평방향으로 인접한 두 개의 관통 홀인 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2)과, 상기 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 상기 제 2 관통 홀(TH2) 사이 영역의 중심에서 수직방향으로 인접한 두 개의 관통 홀인 제 4 관통 홀(TH4) 및 제 6 관통 홀(TH4) 사이의 영역에 위치한 비식각된 타면의 중심일 수 있다. 즉, 아일랜드부(IS)의 중심은 네 개의 관통 홀 사이에 위치한 비식각면의 중심일 수 있다.Also, referring to FIG. 8 , a pitch between two adjacent through holes TH among a plurality of through holes in the horizontal direction may be about 48 μm or less. For example, a pitch between two adjacent through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 20 μm to about 48 μm. For example, a pitch between two adjacent through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 30 μm to about 35 μm. Here, the distance may mean a distance P1 between the center of two adjacent first through-holes TH1 and the center of the second through-hole TH2 in the horizontal direction. Alternatively, the distance may mean a distance P2 between the center of two adjacent first island parts and the center of the second island part in the horizontal direction. Here, the center of the island portion IS may be the center of the other non-etched surface between the four through-holes TH adjacent in the horizontal and vertical directions. For example, the center of the island portion IS is adjacent to the first through hole TH1 in the vertical direction with respect to the two first through holes TH1 and TH2 adjacent in the horizontal direction. A horizontal axis connecting the edge of one island portion IS located in a region between the third through hole TH3 and the second through hole TH2 and a fourth through hole TH4 adjacent in the vertical direction and a vertical axis connecting the edges This may mean the point of intersection. For example, the center of the island portion IS is a first through-hole TH1 and a second through-hole TH2 which are two through-holes adjacent to each other in the horizontal direction, and the first through-hole TH1 and the second through-hole TH1 and the second It may be the center of the other non-etched surface located in the area between the fourth through hole TH4 and the sixth through hole TH4, which are two through holes vertically adjacent in the center of the area between the through holes TH2. That is, the center of the island part IS may be the center of the non-etched surface located between the four through holes.

또한, 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이 상기 대면공(V2)은 복수 개의 내측면들을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 대면공(V2)은 제 2 내측면(ES2) 및 제 3 내측면(ES3)을 포함할 수 있다. 상기 대면공은, 복수의 제 2 내측면(ES2) 및 복수의 제 3 내측면(ES3)이 연결되어 형성된다. 바람직하게, 복수의 제 2 내측면(ES2) 및 복수의 제 3 내측면(ES3)은 하나의 관통 홀의 대면공을 형성한다.In addition, as shown in FIGS. 6 to 8 , the facing hole V2 may include a plurality of inner surfaces. In detail, the facing hole V2 may include a second inner surface ES2 and a third inner surface ES3. The facing hole is formed by connecting a plurality of second inner surfaces ES2 and a plurality of third inner surfaces ES3 to each other. Preferably, the plurality of second inner surfaces ES2 and the plurality of third inner surfaces ES3 form a facing hole of one through hole.

상기 대면공의 제 2 내측면(ES2)은, 관통 홀의 상기 대면공의 중심을 기준으로 수평 방향에 위치한 내측면이다. 바람직하게, 상기 제 2 내측면(ES2)은 대면공의 중심을 기준으로 길이 방향의 양측에 위치한 내측면이다. 상기 제 2 내측면(ES2)은 대면공의 중심을 기준으로 인장 방향의 양측에 위치한 내측면이다. 상기 제 2 내측면(ES2)은 대면공의 중심을 기준으로 X축 방향의 양측에 위치한 내측면이다. 따라서, 상기 제 2 내측면(ES2)은 관통 홀의 대면공의 중심을 기준으로 제 1 길이 방향에 위치한 제 1 서브 제 2 내측면과, 상기 제 1 길이 방향과 반대되는 제 2 길이 방향에 위치한 제 2 서브 제 2 내측면을 포함한다. 한편, 상기 제 1 서브 제 2 내측면이 가지는 단면 경사각은 상기 제 2 서브 제 2 내측면이 가지는 단면 경사각에 대응될 수 있다. 즉, 제 1 서브 제 2 내측면 및 상기 제 2 서브 제 2 내측면의 제 1 경사각도(θ1) 및 제 2 경사 각도(θ2)는 서로 동일할 수 있다.The second inner surface ES2 of the facing hole is an inner surface located in a horizontal direction with respect to the center of the facing hole of the through hole. Preferably, the second inner surface ES2 is an inner surface located on both sides in the longitudinal direction with respect to the center of the facing hole. The second inner surface ES2 is an inner surface located on both sides in the tensile direction with respect to the center of the facing hole. The second inner surface ES2 is an inner surface located on both sides in the X-axis direction with respect to the center of the facing hole. Accordingly, the second inner surface ES2 includes a first sub-second inner surface positioned in the first longitudinal direction with respect to the center of the facing hole of the through-hole, and a second inner surface positioned in a second longitudinal direction opposite to the first longitudinal direction. and a second sub-second inner surface. Meanwhile, a cross-sectional inclination angle of the first sub-second inner surface may correspond to a cross-sectional inclination angle of the second sub-second inner surface. That is, the first inclination angle θ1 and the second inclination angle θ2 of the first sub-second inner surface and the second sub-second inner surface may be equal to each other.

상기 대면공의 제 3 내측면(ES3)은, 관통 홀의 상기 대면공의 중심을 기준으로 수직 방향에 위치한 내측면이다. 바람직하게, 상기 제 3 내측면(ES3)은 대면공의 중심을 기준으로 폭 방향의 양측에 위치한 내측면이다. 상기 제 3 내측면(ES3)은 대면공의 중심을 기준으로 인장 방향과 수직한 방향의 양측에 위치한 내측면이다. 상기 제 3 내측면(ES3)은 대면공의 중심을 기준으로 Y축 방향의 양측에 위치한 내측면이다. 따라서, 상기 제 3 내측면(ES3)은 관통 홀의 대면공의 중심을 기준으로 제 1 폭 방향에 위치한 제 1 서브 제 3 내측면과, 상기 제 1 폭 방향과 반대되는 제 2 폭 방향에 위치한 제 2 서브 제 3 내측면을 포함한다. 한편, 상기 제 1 서브 제 3 내측면이 가지는 단면 경사각은 상기 제 2 서브 제 3 내측면이 가지는 단면 경사각에 대응될 수 있다. 즉, 제 1 서브 제 3 내측면 및 상기 제 2 서브 제 3 내측면의 제 3 경사각도(θ3) 및 제 4 경사각도(θ4)는 서로 동일할 수 있다.The third inner surface ES3 of the facing hole is an inner surface positioned in a vertical direction with respect to the center of the facing hole of the through hole. Preferably, the third inner surface ES3 is an inner surface located on both sides in the width direction with respect to the center of the facing hole. The third inner surface ES3 is an inner surface located on both sides in a direction perpendicular to the tensile direction with respect to the center of the facing hole. The third inner surface ES3 is an inner surface located on both sides in the Y-axis direction with respect to the center of the facing hole. Accordingly, the third inner surface ES3 includes a first sub-third inner surface positioned in the first width direction with respect to the center of the facing hole of the through hole, and a second sub-third inner surface positioned in a second width direction opposite to the first width direction. 2 sub and a third inner surface. Meanwhile, a cross-sectional inclination angle of the first sub-third inner surface may correspond to a cross-sectional inclination angle of the second sub-third inner surface. That is, the third inclination angle θ3 and the fourth inclination angle θ4 of the first sub-third inner surface and the second sub-third inner surface may be the same as each other.

상기 제 2 내측면(ES2) 및 상기 제 3 내측면(ES3)은 에칭 공정 시 식각 팩터에 의해 형성되는 면일 수 있다. 상기 제 2 내측면(ES2) 및 상기 제 3 내측면(ES3)은 상기 관통 홀(TH)로부터 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)으로 연장되는 내측면일 수 있다. The second inner surface ES2 and the third inner surface ES3 may be surfaces formed by an etch factor during an etching process. The second inner surface ES2 and the third inner surface ES3 may be inner surfaces extending from the through hole TH to the other surface 102 of the deposition mask 100 .

예를 들어, 상기 제 2 내측면(ES2) 및 상기 제 3 내측면(ES3)은 상기 관통 홀(TH)의 끝단에서 인접한 관통 홀(TH) 방향으로 연장될 수 있고, 상기 아일랜드부(IS) 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 제 2 내측면(ES2) 및 상기 제 3 내측면(ES3)은 비유효부(UA)의 방향으로 연장될 수 있다. 즉, 상기 제 2 내측면(ES2) 및 제 3 내측면(ES3)은 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102) 중 비식각면이 형성된 방향으로 연장될 수 있다.For example, the second inner surface ES2 and the third inner surface ES3 may extend from the end of the through hole TH in the direction of the adjacent through hole TH, and the island portion IS direction can be extended. In addition, the second inner surface ES2 and the third inner surface ES3 may extend in the direction of the ineffective portion UA. That is, the second inner surface ES2 and the third inner surface ES3 may extend in a direction in which the non-etched surface is formed among the other surfaces 102 of the deposition mask 100 .

상기 관통 홀(TH)들 사이에는 리브(RB1, RB2)가 위치할 수 있다. 예를 들어, 도 6를 참조하면 상기 제 1 관통 홀(TH1)과 수평 방향으로 인접한 제 2 관통 홀(TH2) 사이에는 하나의 제 2 리브(RB2)가 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 관통 홀(TH1)과 수직 방향으로 인접한 제 3 관통 홀(TH3) 사이에는 또 다른 하나의 제 1 리브(RB1)가 형성될 수 있다. Ribs RB1 and RB2 may be positioned between the through holes TH. For example, referring to FIG. 6 , one second rib RB2 may be formed between the first through hole TH1 and the second through hole TH2 adjacent in the horizontal direction. In addition, another first rib RB1 may be formed between the first through hole TH1 and the third through hole TH3 adjacent in the vertical direction.

상기 제 1 리브(RB1)는 상기 증착용 마스크(100) 상에서 길이 방향으로 연장되며 배치된다. 상기 제 1 리브(RB1)는 상기 증착용 마스크(100) 상에 폭 방향으로 배열된 복수의 관통 홀 사이에 길이 방향으로 위치한다. 상기 제 1 리브(RB1)는 상기 증착용 마스크(100) 상에 길이 방향으로 배열된 복수의 아일랜드부(IS) 사이를 연결한다.The first rib RB1 is disposed to extend in the longitudinal direction on the deposition mask 100 . The first rib RB1 is positioned in the longitudinal direction between the plurality of through holes arranged in the width direction on the deposition mask 100 . The first rib RB1 connects between the plurality of island portions IS arranged in the longitudinal direction on the deposition mask 100 .

상기 제 2 리브(RB2)는 상기 증착용 마스크(100) 상에서 폭 방향으로 연장되며 배치된다. 상기 제 2 리브(RB2)는 상기 증착용 마스크(100) 상에 길이 방향으로 배열된 복수의 관통 홀 사이에 폭 방향으로 형성된다. 상기 제 2 리브(RB2)는 상기 증착용 마스크(100) 상에 폭 방향으로 배열된 복수의 아일랜드부(IS) 사이를 연결한다.The second rib RB2 is disposed to extend in the width direction on the deposition mask 100 . The second rib RB2 is formed in the width direction between the plurality of through holes arranged in the length direction on the deposition mask 100 . The second rib RB2 connects between the plurality of island portions IS arranged in the width direction on the deposition mask 100 .

또한, 도 7을 참조하면, 제 1 관통 홀(TH1)과 수평 방향으로 인접한 제 2 관통 홀(TH2) 사이에는 하나의 리브(RB1, RB2)가 형성될 수 있고, 상기 제 1 관통 홀(TH1)과 대각선 방향으로 인접한 제 3 관통 홀(TH3) 사이에는 또 다른 하나의 리브(RB1, RB2)가 형성될 수 있다.Also, referring to FIG. 7 , one rib RB1 and RB2 may be formed between the first through hole TH1 and the second through hole TH2 adjacent in the horizontal direction, and the first through hole TH1 ) and the third through hole TH3 diagonally adjacent to each other, another rib RB1 and RB2 may be formed.

즉, 서로 인접한 관통 홀(TH)들 사이에는 리브(RB1, RB2)가 위치할 수 있다. 자세하게, 서로 인접한 대면공(V2)들 사이에는 리브(RB1, RB2)가 위치할 수 있다. 더 자세하게, 서로 인접한 제 2 내측면(ES2)이 서로 연결되는 영역에 제 1 리브(RB1)가 위치할 수 있다. 더 자세하게, 서로 인접한 제 3 내측면(ES3)이 서로 연결되는 영역에 제 2 리브(RB2)가 위치할 수 있다. 즉, 상기 리브(RB1, RB2)는 서로 인접한 대면공(V2)들의 경계가 연결되는 영역일 수 있다.That is, the ribs RB1 and RB2 may be positioned between the through holes TH adjacent to each other. In detail, ribs RB1 and RB2 may be positioned between adjacent facing holes V2. In more detail, the first rib RB1 may be positioned in a region where the adjacent second inner surfaces ES2 are connected to each other. In more detail, the second rib RB2 may be positioned in a region where the adjacent third inner surfaces ES3 are connected to each other. That is, the ribs RB1 and RB2 may be regions in which boundaries of adjacent facing holes V2 are connected.

한편, 상기에서는 실시 예에서의 대면공(V2)이 가지는 내측면을 방향에 따라 제2 내측면(ES2) 및 제3 내측면(ES3)으로 구분하였으나, 이는 실질적으로 하나의 내측면을 형성하고 있으며, 이에 따라 대면공(V2)은 제2 내측면(ES2)만을 포함하는 것으로도 이해될 수 있을 것이다.On the other hand, in the above embodiment, the inner surface of the facing hole V2 is divided into the second inner surface ES2 and the third inner surface ES3 according to the direction, but this substantially forms one inner surface and and, accordingly, it may be understood that the facing hole V2 includes only the second inner surface ES2.

실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 자세하게, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 관통 홀(TH)의 직경이 약 33um 이하이고, 상기 관통 홀(TH) 간의 간격(pitch)이 약 48um 이하임에 따라, 500PPI 이상의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)를 사용하여 QHD급 해상도를 구현할 수 있다.The deposition mask 100 according to the embodiment may deposit an OLED pixel having a resolution of 400 PPI or higher. In detail, in the deposition mask 100 according to the embodiment, the diameter of the through-holes TH is about 33 μm or less, and the pitch between the through-holes TH is about 48 μm or less, so it has a resolution of 500 PPI or more. OLED pixels can be deposited. That is, it is possible to implement QHD-level resolution using the deposition mask 100 according to the embodiment.

상기 관통 홀(TH)의 직경 및 상기 관통 홀(TH) 간의 간격은 녹색 서브 픽셀을 형성하기 위한 크기일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통 홀(TH)의 직경은 녹색(G) 패턴을 기준으로 측정할 수 있다. 상기 녹색(G) 패턴은 시각을 통한 인식률이 낮으므로 적색(R) 패턴 및 청색(B) 패턴보다 많은 수가 요구되며, 상기 관통 홀(TH)들 사이의 간격이 적색(R) 패턴 및 청색(B) 패턴보다 좁을 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 QHD 디스플레이 픽셀을 구현하기 위한 OLED 증착용 마스크일 수 있다.A diameter of the through hole TH and a distance between the through hole TH may be sized to form a green sub-pixel. For example, the diameter of the through hole TH may be measured based on a green (G) pattern. Since the green (G) pattern has a low recognition rate through vision, a larger number than the red (R) pattern and the blue (B) pattern is required, and the interval between the through holes (TH) is the red (R) pattern and the blue (B) pattern. B) It can be narrower than the pattern. The deposition mask 100 may be an OLED deposition mask for realizing QHD display pixels.

예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 적색(R), 제 1 녹색(G1), 청색(B) 및 제 2 녹색(G2) 중 적어도 하나의 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크(100)는 적색(R) 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 또는, 상기 증착용 마스크(100)는 청색(B) 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 또는, 상기 증착용 마스크(100)는 제 1 녹색(G1) 서브 픽셀 및 제 2 녹색(G2) 서브 픽셀을 동시에 형성하기 위한 것일 수 있다. For example, the deposition mask 100 may be for depositing at least one sub-pixel among red (R), first green (G1), blue (B), and second green (G2) sub-pixels. In detail, the deposition mask 100 may be for depositing a red (R) sub-pixel. Alternatively, the deposition mask 100 may be for depositing a blue (B) sub-pixel. Alternatively, the deposition mask 100 may be for simultaneously forming a first green (G1) sub-pixel and a second green (G2) sub-pixel.

유기 발광 표시 장치의 픽셀 배열은 '적색(R)-제 1 녹색(G1)-청색(B)-제 2 녹색(G2)' 순(RGBG)으로 배치될 수 있다. 이 경우 적색(R)-제 1 녹색(G1)이 하나의 픽셀(RG)을 이룰 수 있고, 청색(B)-제 2 녹색(G2)가 다른 하나의 픽셀(BG)을 이룰 수 있다. 이와 같은 배열의 유기 발광 표시 장치에서는, 적색 발광 유기물 및 청색 발광 유기물 보다 녹색 발광 유기물의 증착 간격이 더 좁아지기 때문에, 본 발명과 같은 형태의 증착용 마스크(100)가 필요할 수 있다.The pixel arrangement of the organic light emitting diode display may be arranged in the order of 'red (R) - first green (G1) - blue (B) - second green (G2)' (RGBG). In this case, red (R) - first green (G1) may form one pixel RG, and blue (B) - second green (G2) may form another pixel (BG). In the organic light emitting diode display having such an arrangement, since the deposition interval of the green light emitting organic material is narrower than that of the red light emitting organic material and the blue light emitting organic material, a deposition mask 100 similar to the present invention may be required.

또한, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 관통 홀(TH)의 직경이 수평방향에서 약 20㎛ 이하일 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 UHD급 해상도를 구현할 수 있다. 예를 들어, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 상기 관통 홀(TH)의 직경이 약 20㎛ 이하이고, 상기 관통 홀 간의 간격이 약 32㎛ 이하임에 따라, 800PPI 급의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 증착 마스크를 사용하여 UHD급 해상도를 구현할 수 있다. In addition, in the deposition mask 100 according to the embodiment, the diameter of the through hole TH may be about 20 μm or less in the horizontal direction. Accordingly, the deposition mask 100 according to the embodiment may implement UHD level resolution. For example, in the deposition mask 100 according to the embodiment, the diameter of the through-holes TH is about 20 μm or less, and the distance between the through-holes is about 32 μm or less, so the resolution of 800 PPI is OLED pixels can be deposited. That is, UHD-class resolution can be implemented using the deposition mask according to the embodiment.

상기 관통 홀의 직경 및 상기 관통 홀 간의 간격은 녹색 서브 픽셀을 형성하기 위한 크기일 수 있다. 상기 증착용 마스크는 UHD 디스플레이 픽셀을 구현하기 위한 OLED 증착 마스크일 수 있다. A diameter of the through-hole and an interval between the through-holes may be sized to form a green sub-pixel. The deposition mask may be an OLED deposition mask for realizing UHD display pixels.

도 9는 도 6의 A-A' 방향에서의 단면과 B-B' 방향에서의 단면 사이의 높이 단차와 크기를 설명하기 위해 각각의 단면을 겹쳐서 도시한 도면이다.FIG. 9 is a diagram illustrating each of the cross-sections overlaid in order to explain the height difference and size between the cross-section in the A-A' direction and the cross-section in the B-B' direction of FIG. 6 .

먼저 A-A' 방향에서의 횡단면을 설명한다. 상기 A-A'방향은 수직 방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 3 관통 홀(TH3) 사이의 중심 영역을 가로지르는 횡단면이다. 즉, 상기 A-A'방향에서의 횡단면은 관통 홀(TH)을 포함하지 않을 수 있다.First, a cross section in the A-A' direction will be described. The A-A' direction is a cross-section crossing a central area between two adjacent first through-holes TH1 and TH3 in a vertical direction. That is, the cross section in the A-A' direction may not include the through hole TH.

상기 A-A'방향에서의 횡단면은 대면공 내의 제 3 내측면(ES3) 및 대면공 내의 상기 제 3 내측면(ES3)들 사이에 식각되지 않은 증착용 마스크의 타면인 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 식각되지 않은 일면과 평행한 면을 포함할 수 있다. 또는, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크(100)의 식각되지 않은 타면과 동일하거나 평행한 면을 포함할 수 있다. The cross section in the A-A' direction is the island portion IS, which is the other surface of the deposition mask that is not etched between the third inner surface ES3 in the facing hole and the third inner surface ES3 in the facing hole. can be located Accordingly, the island portion IS may include a surface parallel to the unetched surface of the deposition mask. Alternatively, the island portion IS may include a surface that is the same as or parallel to the other non-etched surface of the deposition mask 100 .

다음으로, B-B 방향에서의 횡단면을 설명한다. 상기 B-B'방향은 수평 방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통 홀(TH1) 및 제 2 관통 홀(TH2) 각각의 중심을 가로지르는 횡단면이다. 즉, 상기 B-B'방향에서의 횡단면은 복수 개의 관통 홀(TH)을 포함할 수 있다.Next, the cross section in the B-B direction will be described. The direction B-B' is a cross-section crossing the center of each of the two adjacent first through-holes TH1 and TH2 in the horizontal direction. That is, the cross section in the B-B' direction may include a plurality of through holes TH.

상기 B-B'방향에서의 인접한 제 3 관통 홀(TH3)과 제 4 관통 홀(TH4) 사이에 하나의 리브가 위치할 수 있다. 제 4 관통 홀(TH4) 및 제 4 관통 홀과 수평방향에서 인접하되, 제 3 관통 홀(TH3)과 반대방향에 위치한 제 5 관통 홀 사이에는 다른 하나의 리브가 위치할 수 있다. 상기 하나의 리브 및 상기 다른 하나의 리브 사이에는 하나의 관통 홀이 위치할 수 있다. 즉, 수평방향에서 인접한 두 개의 리브 사이에는 하나의 관통 홀이 위치할 수 있다. One rib may be positioned between the adjacent third through hole TH3 and the fourth through hole TH4 in the B-B' direction. Another rib may be positioned between the fourth through-hole TH4 and the fourth through-hole in the horizontal direction, but between the third through-hole TH3 and the fifth through-hole located in the opposite direction. One through hole may be positioned between the one rib and the other rib. That is, one through hole may be positioned between two adjacent ribs in the horizontal direction.

상기 B-B'방향에서의 횡단면은 대면공 내의 식각면(ES2), 및 인접한 대면공 내의 식각면(ES2)들이 서로 연결되는 영역인 리브(RB)가 위치할 수 있다. 여기에서 리브(RB)는 인접한 두 개의 대면공들의 경계가 연결되는 영역일 수 있다. 상기 리브(RB)는 식각면이기 때문에, 상기 아일랜드부(IS)보다 두께가 작을 수 있다. In the cross-section in the B-B' direction, the rib RB, which is a region in which the etched surfaces ES2 in the facing holes and the etched surfaces ES2 in the adjacent facing holes are connected to each other, may be positioned. Here, the rib RB may be a region in which a boundary between two adjacent facing holes is connected. Since the rib RB is an etched surface, a thickness of the rib RB may be smaller than that of the island portion IS.

예를 들어 상기 아일랜드부의 폭은 2㎛ 이상일 수 있다. 즉, 상기 아일랜드부(IS)는 수평 방향으로의 폭(W1)상기 아일랜드부의 폭이 2㎛ 이상 일 수 있다. 즉, 상기 아일랜드부(IS)의 장폭이 2㎛ 이상일 수 있다. 하나의 아일랜드부의 일단과 타단의 폭이 2㎛ 이상인 경우, 증착용 마스크의 전체 체적을 증가시킬 수 있다. 이러한 구조의 증착용 마스크는 유기물 증착 공정 등에서 부여되는 인장력에 대하여 충분한 강성을 확보하도록 하며, 관통 홀의 균일도를 유지하는데 유리할 수 있다.For example, the island portion may have a width of 2 μm or more. That is, the island portion IS may have a width W1 in a horizontal direction of 2 μm or more. That is, the long width of the island portion IS may be 2 μm or more. When the width of one end and the other end of one island portion is 2 μm or more, the total volume of the deposition mask may be increased. The deposition mask having such a structure ensures sufficient rigidity with respect to the tensile force applied in the organic material deposition process, etc., and may be advantageous in maintaining the uniformity of the through-holes.

한편, 상기 증착용 마스크(100)는 복수의 관통 홀을 포함할 수 있다. 이때, 복수의 관통 홀은 복수의 제1 관통 홀 및 적어도 하나의 제2 관통 홀을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 관통 홀의 내측면의 수직 단면 형상은 상기 제2 관통 홀의 내측면과 다른 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 관통 홀의 내측면의 표면 거칠기는 제1 거칠기 값을 가질 수 있다. 그리고, 제2 관통 홀의 내측면의 표면 거칠기는 상기 제1 거칠기 값과 다른 제2 거칠기 값을 가질 수 있다. 이때, 상기 제2 거칠기 값은 상기 제1 거칠기 값보다 클 수도 있고, 작을 수도 있다. 이는 상기 제2 관통 홀을 형성하기 위한 가공 조건에 의해 결정될 수 있으며, 상기 가공 조건에 따라 상기 제2 거칠기 값은 상기 제1 거칠기 값보다 클 수도 있고, 작을 수도 있다. Meanwhile, the deposition mask 100 may include a plurality of through holes. In this case, the plurality of through-holes may include a plurality of first through-holes and at least one second through-hole. In this case, the vertical cross-sectional shape of the inner surface of the first through hole may have a shape different from that of the inner surface of the second through hole. Also, the surface roughness of the inner surface of the first through hole may have a first roughness value. In addition, the surface roughness of the inner surface of the second through hole may have a second roughness value different from the first roughness value. In this case, the second roughness value may be greater or smaller than the first roughness value. This may be determined by a processing condition for forming the second through hole, and the second roughness value may be greater or smaller than the first roughness value according to the processing condition.

즉, 실시 예에서는 식각 공정에 의해 증착용 마스크(100)에 복수의 제1 관통 홀을 형성할 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서는 증착용 마스크(100)의 일면(101)을 제1 식각하여 소면공(V1)을 형성할 수 있다. 또한, 실시 예에서는 증착용 마스크(100)의 타면(102)을 제2 식각하여 상기 소면공(V1)과 연통하는 대면공(V2)을 형성할 수 있다. 그리고, 상기 제1 식각 및 제2 식각 공정이 정상적으로 수행된 경우, 상기 소면공(V1) 및 대면공(V2)에 의해 형성된 관통 홀은 기준 스펙을 만족할 수 있다. 여기에서, 기준 스펙은 소면공(V1)의 높이, 연통부(CA)의 공경, 소면공(V1)의 공경 및 대면공의 경사각도 등을 포함할 수 있다. 그리고, 종래에서는 증착용 마스크(100)에 형성된 복수의 관통 홀들 중 상기 기준 스펙을 만족하지 않는 관통 홀이 존재하는 경우, 이를 불량처리하여 폐기하였다. 이에 반하여, 실시 예에서는 증착용 마스크(100)에 형성된 복수의 관통 홀들 중 상기 기준 스펙을 만족하지 않는 공소 불량(예를 들어, 대면공 또는 소면공의 공경이 기준 스펙보다 작은 경우)이나 막힘 불량(예를 들어, 소면공과 대면공이 서로 연통하지 않고 막혀있는 경우)이 발생한 경우에 대해서는 해당 관통 홀을 2차 가공하여 상기 기준 스펙이 만족할 수 있도록 한다.That is, in the embodiment, a plurality of first through holes may be formed in the deposition mask 100 by an etching process. For example, in the embodiment, the surface 101 of the deposition mask 100 may be first etched to form the small surface hole V1. In addition, in an embodiment, the second surface 102 of the deposition mask 100 may be etched to form a face hole V2 communicating with the small face hole V1 . In addition, when the first etching and the second etching process are normally performed, the through-hole formed by the small-faced hole V1 and the large-faced hole V2 may satisfy a reference specification. Here, the reference specification may include the height of the small face hole V1, the pore diameter of the communication part CA, the hole diameter of the small face hole V1, and the inclination angle of the face hole. And, in the prior art, when a through hole that does not satisfy the above reference specification exists among a plurality of through holes formed in the deposition mask 100 , it is processed as a defect and discarded. On the other hand, in the embodiment, among the plurality of through-holes formed in the deposition mask 100 , a cavity failure that does not satisfy the reference specification (for example, when the diameter of the large-faced hole or the small-sided hole is smaller than the reference specification) or clogging failure (For example, when the face-to-face hole and the face-to-face hole are blocked without communicating with each other), the corresponding through-hole is processed secondary to satisfy the standard specification.

한편, 상기 제1 식각 및 제2 식각 공정을 통해 상기 증착용 마스크(100)에 관통 홀을 형성하였을 때 상기 공소 불량이나 막힘 불량이 발생하는 요인은 다양할 수 있으나, 대표적인 것으로 포토레지스트층의 현상 불량을 들 수 있다. 즉, 증착용 마스크(100)에 관통 홀을 형성하기 위해서는 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 타면(102)에 각각 포토레지스트층을 형성하고, 상기 포토 레지스트층에 상기 소면공 또는 대면공에 대응하는 영역을 노광 및 현상하여 식각 패턴을 형성한다. 이때, 상기 식각 패턴이 기준 스펙에 대응하는 공경보다 작게 형성되는 경우, 상기 공소 불량이 발생할 수 있다. 또한, 상기 식각 패턴이 기준 스펙에 대응하는 공경대비 너무 작게 형성되거나, 전혀 형성되지 않은 경우 막힘 불량이 발생할 수 있다.On the other hand, when a through hole is formed in the deposition mask 100 through the first and second etching processes, there may be various factors that cause the vacuum defect or the clogging defect, but a representative example is the development of the photoresist layer. defects can be mentioned. That is, in order to form a through hole in the deposition mask 100 , a photoresist layer is formed on one surface 101 and the other surface 102 of the deposition mask 100 , respectively, and the small face hole or the face-to-face hole is formed in the photoresist layer. An etch pattern is formed by exposing and developing an area corresponding to the ball. In this case, when the etch pattern is formed to be smaller than the pore diameter corresponding to the reference specification, the porosity defect may occur. In addition, when the etch pattern is formed too small compared to the hole diameter corresponding to the reference specification, or is not formed at all, a clogging defect may occur.

그리고 실시 예에서는 식각 공정을 진행한 후의 증착용 마스크(100)에 상기와 같은 공소 불량이나 박힘 불량이 발생한 관통 홀이 존재하는 경우, 해당 관통 홀에 대해서만 2차 가공 공정을 진행하여 기준 스펙을 만족할 수 있도록 한다.And in the embodiment, if there is a through hole in which the vacuum defect or the puncture defect as described above is present in the deposition mask 100 after the etching process is performed, the secondary processing process is performed only for the corresponding through hole to satisfy the standard specification. make it possible

이에 따라, 실시 예에서의 증착용 마스크(100)에는 제1 식각 및 제2 식각 공정을 포함하는 1차 가공 공정에 의해서만 형성된 제1 관통 홀(TH1-1)과, 상기 제1 관통 홀(TH1-1) 중에서 공소 불량이나 막힘 불량이 발생한 관통 홀에 대해 2차 가공 공정을 추가로 진행하여 형성된 제2 관통 홀(TH1-2)을 포함할 수 있다.Accordingly, in the deposition mask 100 in the embodiment, the first through-hole TH1-1 formed only by a primary processing process including the first etching and the second etching process, and the first through-hole TH1 In -1), the second through-hole TH1-2 formed by additionally performing a secondary processing process for the through-hole in which the cavity defect or the clogging defect has occurred may be included.

즉, 실시 예에서의 증착용 마스크(100)에는 복수의 제1 관통 홀(TH1-1) 및 적어도 하나의 제2 관통 홀(TH1-2)을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)은 상기와 같은 2차 가공 공정을 추가로 진행함에 의해 형성되기 때문에 상기 제1 관통 홀(TH1-1)과는 다른 내측면의 거칠기 값을 가질 수 있다. 또한, 제2 관통 홀(TH1-2)은 상기 제1 관통 홀(TH1-1)과는 다른 수직 단면 형상을 가질 수 있다.That is, the deposition mask 100 according to the embodiment may include a plurality of first through-holes TH1-1 and at least one second through-hole TH1-2. In addition, since the second through hole TH1-2 is formed by further performing the secondary processing process as described above, the inner surface roughness value of the second through hole TH1-1 may be different from that of the first through hole TH1-1. there is. Also, the second through hole TH1 - 2 may have a vertical cross-sectional shape different from that of the first through hole TH1-1.

이때, 상기 2차 가공 방식은 상기 제1 관통 홀(TH1-1)을 형성하는 1차 가공 방식인 식각 방식과는 다를 수 있다. In this case, the secondary processing method may be different from an etching method that is a primary processing method for forming the first through hole TH1-1.

즉, 식각 공정은 포토레지스트층의 노광 패턴을 이용하여 수행될 수 있다. 그리고, 상기 식각 공정이 모두 완료되면, 상기 포토레지스트층은 상기 증착용 마스크(100) 상에서 제거된다. 또한 상기 공소 불량이나 막힘 불량은 상기 포토레지스트층이 제거된 이후에 검사기를 통해 확인될 수 있다. 이때, 상기 공소 불량이나 막힘 불량이 발생한 관통 홀이 존재하는 경우, 해당 관통 홀에 대해서만 재가공 공정을 진행해야 한다. 그러나, 여기에서 식각 공정을 다시 진행하여 재가공 공정을 진행하는 경우, 상기 불량이 발생한 관통 홀에 대해서 정확히 얼라인이 된 노광 패턴을 포함한 포토레지스트층을 형성하기가 어려우며, 이에 따라 노광 패턴의 위치 오류에 의해 전혀 다른 위치에 새로운 관통 홀이 뚫일 수도 있기 때문이다.That is, the etching process may be performed using the exposure pattern of the photoresist layer. And, when the etching process is all completed, the photoresist layer is removed on the deposition mask 100 . In addition, the cavity defect or clogging defect may be confirmed through an inspection machine after the photoresist layer is removed. At this time, if there is a through-hole in which the working defect or clogging defect has occurred, the reprocessing process should be performed only for the corresponding through-hole. However, when the etching process is performed again to perform the reprocessing process, it is difficult to form a photoresist layer including the exposure pattern accurately aligned with the through hole in which the defect has occurred, and thus the position error of the exposure pattern This is because a new through hole may be drilled at a completely different location by

따라서, 실시 예에서는 식각을 통해 1차 가공을 진행하고, 1차 가공된 관통 홀 중 불량이 발생한 관통 홀에 대해서만 선택적으로 식각이 아닌 다른 방식으로 2차 가공을 진행하도록 하다. 실시 예에서 2차 가공이 추가로 진행된 제2 관통 홀(TH1-2)은 1차 가공만이 진행된 제1 관통 홀(TH1-1)과 다른 가공 방식에 의해 형성된 홀이며, 이에 따라 제2 관통 홀(TH1-2)과 제1 관통 홀(TH1-1)은 서로 다른 수직 단면 형상 또는 표면 거칠기 값을 가지게 된다.Therefore, in the embodiment, primary processing is performed through etching, and secondary processing is selectively performed in a method other than etching only for the through-holes in which defects have occurred among the primary-processed through-holes. In the embodiment, the second through-hole TH1-2 to which the secondary processing is additionally performed is a hole formed by a different processing method from the first through-hole TH1-1 where only the primary processing has been performed, and accordingly, the second through-hole TH1-2 The hole TH1-2 and the first through hole TH1-1 have different vertical cross-sectional shapes or surface roughness values.

여기에서, 상기 2차 가공 방식은 식각을 제외한 다양한 방식을 포함할 수 있다. 예를 들어, 2차 가공 방식은 물리적, 레이저 및 화학적 가공 방식 중 어느 하나일 수 있다. 예를 들어, 2차 가공 방식은 밀링(Milling), 드릴(Drill) 및 라우팅(Routing) 등의 방식을 포함할 수 있고, UV나 CO2 레이저 방식을 포함할 수 있으며, 플라즈마 방식 또는 초음파 방식을 포함할 수 있다.Here, the secondary processing method may include various methods other than etching. For example, the secondary processing method may be any one of physical, laser, and chemical processing methods. For example, the secondary processing method may include methods such as milling, drilling, and routing, UV or CO 2 laser method, and plasma method or ultrasonic method. may include

다만, 제2 관통 홀(TH1-2)은 실질적으로 제1 관통 홀(TH1-1)과 동일한 스펙을 가져야 한다. 즉, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)은 기준 스펙을 만족한다. 따라서, 제2 관통 홀(TH1-2)도 기준 스펙을 만족하기 위해서는 상기 제1 관통 홀(TH1-1)과 동일 스펙을 가져야 한다. 이때, 실시 예에서는 상기 기재한 다양한 2차 가공 방식 중 관통 홀의 제어(예를 들어, 공경 제어나 경사 각도 제어)가 용이한 레이저 방식을 사용하여 상기 제2 관통 홀(TH1-2)을 형성할 수 있도록 한다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않으며 관통 홀의 제어가 용이한 다른 방식을 사용하여 상기 제2 관통 홀(TH1-2)을 형성할 수도 있을 것이다. However, the second through-hole TH1-2 should have substantially the same specification as the first through-hole TH1-1. That is, the first through hole TH1-1 satisfies the reference specification. Accordingly, the second through-hole TH1-2 must have the same specification as the first through-hole TH1-1 in order to satisfy the reference specification. In this case, in the embodiment, the second through-hole TH1-2 may be formed by using a laser method that facilitates control of the through-hole (eg, hole diameter control or inclination angle control) among the various secondary processing methods described above. make it possible However, the embodiment is not limited thereto, and the second through-hole TH1 - 2 may be formed using another method in which the control of the through-hole is easy.

다만, 이하에서는 설명의 편의를 위해 레이저 방식을 사용하여 상기 제2 관통 홀(TH1-2)을 형성하는 것에 대해 설명하기로 한다.However, hereinafter, for convenience of description, the formation of the second through hole TH1 - 2 using a laser method will be described.

도 10은 실시 예에 따른 1차 가공 방식에 의해 형성된 관통 홀의 불량 예를 나타낸 도면이다.10 is a view showing a defective example of a through hole formed by the primary processing method according to the embodiment.

도 10의 (a) 및 (b)를 참조하면, 관통 홀의 불량은 소면공(V1)에서 발생할 수 있고, 이와 다르게 대면공(V2)에서 발생할 수 있으며, 이와 다르게 소면공(V1)과 대면공(V2)에서 모두 발생할 수 있다.Referring to (a) and (b) of Figure 10, the defect of the through hole may occur in the small face hole (V1), alternatively, it may occur in the face hole (V2), and differently from the small face hole (V1) and the face hole (V1). (V2) can all occur.

1차 가공 후의 증착용 마스크(100)는 복수의 관통 홀을 포함한다. 이때, 상기 복수의 관통 홀은 각각 소면공(V1) 및 대면공(V2)을 포함할 수 있다. 여기에서, 상기 복수의 관통 홀은 기준 스펙을 만족하는 제1 관통 홀(TH1-1)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 복수의 관통 홀은 기준 스펙을 만족하지 않으면서, 막힘 또는 공소 불량이 발생한 적어도 하나의 제2 관통 홀(TH1-2)을 포함할 수 있다. The deposition mask 100 after the primary processing includes a plurality of through holes. In this case, the plurality of through-holes may include a small-faced hole V1 and a large-faced hole V2, respectively. Here, the plurality of through-holes may include a first through-hole TH1-1 that satisfies a reference specification. In addition, the plurality of through-holes may include at least one second through-hole TH1 - 2 in which clogging or voiding failure occurs without satisfying reference specifications.

이때, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)은 도 10의 (a)에서와 같이 소면공(V1)에서 공소 또는 막힘 불량이 발생할 수 있다. In this case, the second through-hole TH1-2 may have voiding or clogging failure in the small face hole V1 as shown in FIG. 10A .

또한, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)은 도 10의 (b)에서와 같이 대면공(V2)에서 공소 또는 막힘 불량이 발생할 수 있다.In addition, voiding or clogging failure may occur in the facing hole V2 of the second through hole TH1 - 2 as shown in FIG. 10B .

또한, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)은 소면공(V1) 및 대면공(V2)에서 모두 공소 또는 막힘 불량이 발생할 수 있다.Also, in the second through-hole TH1-2, voiding or clogging failure may occur in both the small-faced hole V1 and the large-faced hole V2.

그리고, 실시 예에서는 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 2차 가공을 수행할 때, 증착용 마스크(100)의 양면 중 불량이 발생한 면에 대해서만 2차 가공을 진행할 수 있다.In addition, in the embodiment, when performing the secondary processing of the second through hole TH1 - 2 , the secondary processing may be performed only on the defective surface among both surfaces of the deposition mask 100 .

예를 들어, 소면공(V1)에서 불량이 발생한 경우, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 2차 가공은 소면공(V1)에 대해서만 진행될 수 있다. 또한, 대면공(V2)에서 불량이 발생한 경우, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 2차 가공은 대면공(V2)에 대해서만 진행될 수 있다. 또한, 소면공(V1) 및 대면공(V2)에서 모두 불량이 발생한 경우, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 2차 가공은 소면공(V1) 및 대면공(V2)에 대해 모두 진행될 수 있다. For example, when a defect occurs in the small face hole V1 , the secondary processing of the second through hole TH1 - 2 may be performed only with respect to the small face hole V1 . In addition, when a defect occurs in the facing hole V2 , the secondary processing of the second through hole TH1 - 2 may be performed only with respect to the facing hole V2 . In addition, when defects occur in both the face-to-face hole V1 and the face-to-face hole V2, the secondary processing of the second through-hole TH1-2 is performed for both the face-face hole V1 and the face-to-face hole V2. can

다만, 상기 불량이 소면공(V1) 및 대면공(V2) 중 어느 한쪽에서만 발생하였다 하더라도, 제2 관통 홀(TH1-2)의 전체적인 스펙을 기준 스펙에 만족시키기 위해서는 소면공(V1) 및 대면공(V2)에 대해 모두 2차 가공을 진행하는 것이 유리하다. 따라서 실시 예에서는 제2 관통 홀(TH1-2)의 소면공(V1) 또는 대면공(V2)에서만 불량이 발생하였다 하더라도, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 소면공(V1) 및 대면공(V2)에 대해 모두 2차 가공을 진행하도록 한다. 다만, 실시 예는 이에 한정되지 않으며, 불량이 발생한 한쪽 방향에서만 2차 가공을 진행하여도 기준 스펙을 만족시킬 수 있는 경우, 상기 2차 가공은 한쪽 방향에서만 진행될 수 있을 것이다.However, even if the defect occurs only in either one of the face-to-face hole V1 and the face-to-face hole V2, in order to satisfy the overall specification of the second through-hole TH1-2 to the standard specification, the face-to-face hole V1 and the face-to-face hole V1 and the face-to-face hole It is advantageous to proceed with all secondary processing for the ball (V2). Therefore, in the embodiment, even if a defect occurs only in the small face hole V1 or the face hole V2 of the second through hole TH1-2, the small face hole V1 and the face face hole V1 of the second through hole TH1-2 All of the balls (V2) are subjected to secondary processing. However, the embodiment is not limited thereto, and if the standard specification can be satisfied even if the secondary processing is performed only in one direction in which the defect occurs, the secondary processing may be performed only in one direction.

한편, 상기와 같이 레이저 방식으로 관통 홀을 형성하는 경우, 상기 막힘 불량이나 공소 불량을 해결할 수 있다. 이에 따라, 상기 1차 가공 방식인 식각 공정을 대신하여 처음부터 상기 레이저 방식으로 관통 홀을 형성할 수도 있다. 그러나, 레이저 방식으로는 한번에 하나의 관통 홀에 대해서만 가공을 진행할 수 있다. 이때, 하나의 증착용 마스크(100)에는 복수의 유효부를 포함하고, 상기 복수의 유효부 내에는 각각 다수의 관통 홀을 포함하고 있다. 일반적인 500PPI를 기준으로, 하나의 증착용 마스크(100) 내에는 10개의 유효부가 포함되고, 하나의 유효부 내에는 300만개 정도의 관통 홀이 포함된다. 따라서, 하나의 증착용 마스크(100)를 제조하기 위해서는 3000만개 정도의 관통 홀을 형성해야 하며, 이에 따라 레이저 방식으로 3000만개의 관통 홀을 형성하기기 위해서는 상당히 많은 시간이 소요되며, 이는 현실적으로 불가능하다. 또한, 상기와 같은 관통 홀은 다양한 방향에서 나오는 유기물을 통과시키기 위해 일정 경사 각도를 가져야 하는데, 상기 레이저 방식만으로는 기준 스펙에 대응하는 경사 각도를 만족시키기가 어렵다.On the other hand, when the through-hole is formed by the laser method as described above, the clogging defect or the cavity defect can be solved. Accordingly, the through-hole may be formed by the laser method from the beginning instead of the etching process which is the primary processing method. However, the laser method can process only one through hole at a time. In this case, one deposition mask 100 includes a plurality of effective portions, and each of the plurality of effective portions includes a plurality of through holes. Based on a typical 500 PPI, 10 effective portions are included in one deposition mask 100, and about 3 million through holes are included in one effective portion. Therefore, in order to manufacture one deposition mask 100, about 30 million through-holes need to be formed, and accordingly, it takes a considerable amount of time to form 30 million through-holes by the laser method, which is practically impossible. do. In addition, the through-holes as described above should have a certain inclination angle to pass organic matter coming from various directions, and it is difficult to satisfy the inclination angle corresponding to the reference specification only with the laser method.

따라서, 실시 예에서는 식각 방식의 1차 가공으로 소면공(V1) 및 대면공(V2)을 포함하는 관통 홀을 형성하고, 상기 형성된 관통 홀 중 불량이 발생한 관통 홀에 대해서만 레이저 방식으로 2차 가공을 진행하도록 하여, 증착용 마스크(100)의 수율을 향상시키면서 공소나 막힘 불량에 의해 발생할 수 있는 다양한 문제를 해결할 수 있도록 한다.Therefore, in the embodiment, a through hole including the small face hole V1 and the face hole V2 is formed as the primary processing of the etching method, and only the through hole in which the defect occurs among the formed through holes is secondary processed by the laser method. to improve the yield of the deposition mask 100, and to solve various problems that may occur due to voids or clogging defects.

이하, 도 11 내지 도 13을 참조하여, 증착용 마스크에 포함되는 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)에 대해 상세하게 설명한다. Hereinafter, the first through-hole TH1-1 and the second through-hole TH1-2 included in the deposition mask will be described in detail with reference to FIGS. 11 to 13 .

도 11은 제1 실시 예에 따른 도 6의 B-B' 방향 또는 C-C' 방향의 단면도를 도시한 도면이고, 도 12는 제2 실시 예에 따른 도 6의 B-B' 방향 또는 C-C' 방향의 단면도를 도시한 도면이고, 도 13은 제3 실시 예에 따른 도 6의 B-B' 방향 또는 C-C' 방향의 단면도를 도시한 도면이다.11 is a view showing a cross-sectional view in the BB' direction or CC' direction of FIG. 6 according to the first embodiment, and FIG. 12 is a cross-sectional view in the BB' direction or CC' direction of FIG. 6 according to the second embodiment. It is a view, and FIG. 13 is a view showing a cross-sectional view in the BB′ direction or CC′ direction of FIG. 6 according to the third embodiment.

다시 말해서, 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)은 증착용 마스크(100) 상에서 횡축 방향으로 배열될 수 있고, 이와 다르게 종축 방향으로 배열될 수 있다. 즉, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)은 다수의 제1 관통 홀(TH1-1)들 사이에 배치될 수 있다. 도 11 내지 도 13은 종축 방향으로 배열된 제1 관통 홀(TH1-1)과 제2 관통 홀(TH1-2)을 나타낸 것일 수 있으며, 이와 다르게 횡축 방향으로 배열된 제1 관통 홀(TH1-1)과 제2 관통 홀(TH1-2)을 나타낸 것일 수도 있다. In other words, the first through-hole TH1-1 and the second through-hole TH1-2 may be arranged in the horizontal axis direction on the deposition mask 100 , or may be differently arranged in the vertical axis direction. That is, the second through-holes TH1-2 may be disposed between the plurality of first through-holes TH1-1. 11 to 13 may show the first through-holes TH1-1 and the second through-holes TH1-2 arranged in the longitudinal direction, and differently from the first through-holes TH1- arranged in the transverse direction. 1) and the second through hole TH1-2 may be shown.

도 11을 참조하면, 증착용 마스크(100)는 상기 제1 소면공(V1-1) 및 제1 대면공(V2-1)이 형성되고, 상기 제1 소면공(V1-1) 및 제1 대면공(V2-1)이 서로 연통되어 형성된 제1 관통 홀(TH1-1)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 11 , in the deposition mask 100 , the first small face holes V1-1 and the first face holes V2-1 are formed, and the first small face holes V1-1 and the first face holes V1-1 are formed. The facing hole V2-1 may include a first through hole TH1-1 formed to communicate with each other.

또한, 증착용 마스크(100)는 상기 제1 관통 홀(TH1-1)과 이웃 또는 일정 간격 이격되어 상기 제2 소면공(V1-2) 및 제2 대면공(V2-2)이 형성되고, 상기 제2 소면공(V1-2) 및 제2 대면공(V2-2)이 서로 연통되어 상기 제2 관통 홀(TH1-2)이 형성될 수 있다In addition, the deposition mask 100 is adjacent to or spaced apart from the first through hole TH1-1 to form the second small face holes V1-2 and the second face holes V2-2, The second small face hole V1 - 2 and the second face hole V2 - 2 may communicate with each other to form the second through hole TH1 - 2 .

이때, 상기 증착용 마스크(100)는 특정 두께를 가질 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 두께는 상기 제1 관통 홀(TH1-1)이 형성된 영역에서의 제1 두께(T1)일 수 있고, 이와 다르게 제2 관통 홀(TH1-2)이 형성된 영역에서의 제2 두께(T2)일 수 있다. 다만, 상기 제1 두께(T1)는 제2 두께(T2)의 95% 내지 105% 수준을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In this case, the deposition mask 100 may have a specific thickness. The thickness of the deposition mask 100 may be the first thickness T1 in the region where the first through-holes TH1-1 are formed, and differently in the region where the second through-holes TH1-2 are formed. may be a second thickness T2 of However, the first thickness T1 may have a level of 95% to 105% of the second thickness T2, but is not limited thereto.

이때, 상기 제1 두께(T1)는 상기 증착용 마스크(100)의 제1 관통 홀(TH1-1)과 인접하는 영역에 위치한 제 2-1 리브(RB2-1)의 두께로 정의될 수 있고, 상기 제2 두께(T2)는 상기 증착용 마스크(100)의 제2 관통 홀(TH1-2)과 인접한 영역에 위치한 제2-2 리브(RB2-2)의 두께로 정의될 수 있다.In this case, the first thickness T1 may be defined as the thickness of the 2-1 rib RB2-1 positioned in a region adjacent to the first through hole TH1-1 of the deposition mask 100, , the second thickness T2 may be defined as a thickness of a 2-2 rib RB2 - 2 positioned in a region adjacent to the second through hole TH1 - 2 of the deposition mask 100 .

상기 제1 두께(T1)는 제2 두께(T2)와 동일할 수 있으며, 증착용 마스크(100)의 제조 공정 내에서 다양한 요인에 의해 오차 범위 이내의 서로 다른 두께를 가질 수 있다.The first thickness T1 may be the same as the second thickness T2 , and may have different thicknesses within an error range due to various factors within the manufacturing process of the deposition mask 100 .

상기 제1 두께(T1)와 상기 제2 두께(T2)는 약 15㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 두께(T1)와 상기 제2 두께(T2)는 약 7㎛ 내지 약 10㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 두께(T1)와 상기 제2 두께(T2)는 약 6㎛ 내지 약 9㎛ 일 수 있다.The first thickness T1 and the second thickness T2 may be about 15 μm or less. For example, the first thickness T1 and the second thickness T2 may be about 7 μm to about 10 μm. For example, the first thickness T1 and the second thickness T2 may be about 6 μm to about 9 μm.

상기 제1 두께(T1)와 상기 제2 두께(T2)가 약 15㎛를 초과하는 경우 500 PPI 급 이상의 고해상도를 가지는 OLED 증착 패턴을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 제1 두께(T1)와 상기 제2 두께(T2)가 약 6㎛ 미만인 경우에는 증착패턴의 균일한 형성이 어려울 수 있다.When the first thickness T1 and the second thickness T2 exceed about 15 μm, it may be difficult to form an OLED deposition pattern having a high resolution of 500 PPI or higher. In addition, when the first thickness T1 and the second thickness T2 are less than about 6 μm, it may be difficult to form a uniform deposition pattern.

이에 따라, 상기 제1 두께(T1)와 상기 제2 두께(T2)는 동일할 수 있고, 이와 다르게 상기 범위를 만족하면서 서로 다른 크기를 가질 수 있다. Accordingly, the first thickness T1 and the second thickness T2 may be the same, and may have different sizes while satisfying the above range.

더 자세하게, 상기 제1 두께(T1)와 상기 제2 두께(T2)는 상기 범위를 만족하면서, 일정 크기 범위의 차이를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 두께(T1)는 상기 제2 두께(T2)보다 크고, 이때, 상기 제2 두께(T2)는 상기 제1 두께(T1)의 97% 이상 즉, 0.97배 이상일 수 있다.In more detail, the first thickness T1 and the second thickness T2 may have a difference within a predetermined size range while satisfying the above range. For example, the first thickness T1 may be greater than the second thickness T2, and in this case, the second thickness T2 may be 97% or more of the first thickness T1, that is, 0.97 times or more. .

즉, 상기 제1 두께(T1)와 상기 제2 두께(T2)는 하기 수식 1을 만족할 수 있다.That is, the first thickness T1 and the second thickness T2 may satisfy Equation 1 below.

[수식 1][Formula 1]

상기 제1 두께*0.97 ≤ 상기 제2 두께 < 상기 제1 두께the first thickness*0.97 ≤ the second thickness < the first thickness

상기 제2 두께(T2)가 상기 제1 두께(T1)에 대해 0.97배 미만인 경우, 상기 제1 두께(T1)와 상기 제2 두께(T2)의 편차에 의해, 상기 증착용 마스크의 원소재인 금속판에 관통 홀을 형성할 때, 관통홀들의 경사 각도의 편차가 증가할 수 있다.When the second thickness T2 is less than 0.97 times the first thickness T1, due to a deviation between the first thickness T1 and the second thickness T2, the raw material of the deposition mask is When the through-holes are formed in the metal plate, the deviation of the inclination angles of the through-holes may increase.

한편, 도면에서와 같이 제1 관통 홀(TH1-1)과 제2 관통 홀(TH1-2)은 각각 소면공 및 대면공을 포함한다. 그리고, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)과 제2 관통 홀(TH1-2)은 실질적으로 서로 동일한 경사 각도를 가질 수 있다. 정확하게, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)과 제2 관통 홀(TH1-2)의 경사 각도는 서로 다를 수 있도 있으며, 이의 편차는 오차 범위 내에 존재할 수 있다.Meanwhile, as shown in the drawing, the first through-hole TH1-1 and the second through-hole TH1-2 include a small-faced hole and a large-faced hole, respectively. In addition, the first through-hole TH1-1 and the second through-hole TH1-2 may have substantially the same inclination angle. Precisely, the inclination angles of the first through-hole TH1-1 and the second through-hole TH1-2 may be different from each other, and a deviation thereof may exist within an error range.

즉, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 상기 제1 대면공(V2-1)의 내측면의 각도는 상기 타면과 상기 제1 대면공(V2-1)의 제2 내측면(ES2)의 일단(E1) 및 상기 제1 소면공(V1-1)과 제1 대면공(V2-1) 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 연장선의 제 1 경사각도(θ1)로 정의될 수 있다.That is, the angle of the inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 is the other surface and the second inner surface ES2 of the first facing hole V2-1. may be defined as a first inclination angle θ1 of an extension line connecting one end E1 of .

또한, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 상기 제2 대면공(V2-2)의 내측면의 각도는 상기 타면과 상기 제2 대면공(V2-2)의 제2 내측면(ES2)의 일단(E1) 및 상기 제2 소면공(V1-2)과 제2 대면공(V2-2) 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 연장선의 제 2 경사각도(θ2)로 정의될 수 있다.In addition, the angle of the inner surface of the second facing hole V2-2 of the second through hole TH1-2 is the second inner surface ES2 of the second facing hole V2-2 with the other surface. may be defined as the second inclination angle θ2 of the extension line connecting one end E1 of .

이때, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 경사 각도(θ1)는 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 상기 제2 대면공(V2-2)의 제2 경사각도(θ2)와 실질적으로 동일할 수 있다.In this case, the first inclination angle θ1 of the first through hole TH1-1 is the second inclination angle θ2 of the second facing hole V2-2 of the second through hole TH1-2. may be substantially the same as

이때, 제1 관통 홀(TH1-1)의 상기 제1 대면공(V2-1)의 제 1 경사각도(θ1)와 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 상기 제2 대면공(V2-2)의 제 2 경사각도(θ2)는 30° 내지 55°일 수 있다,At this time, the first inclination angle θ1 of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 and the second facing hole V2- of the second through hole TH1-2 2) the second inclination angle θ2 may be 30° to 55°,

이에 따라, 400 PPI급 이상, 자세하게 500 PPI급 이상의 고해상도의 증착패턴을 형성할 수 있는 동시에, 증착용 마스크(100)의 타면상에 아일랜드부(IS)가 존재할 수 있다. Accordingly, a high-resolution deposition pattern of 400 PPI or higher, specifically 500 PPI or higher, may be formed, and the island portion IS may be present on the other surface of the deposition mask 100 .

즉, 실시 예에서의 제1 관통 홀(TH1-1)은 식각 공정에 의해서만 형성된 홀이고, 제2 관통 홀(TH1-2)은 식각 공정 및 레이저 공정을 모두 거쳐 형성된 홀이다. 다만, 상기 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)은 모두 기준 스펙을 만족하며, 이에 따라 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 대면공(V2-1)의 제1 경사각도(θ1)와 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)의 제2 경사각도(θ2)는 서로 동일하거나, 오차 범위 이내의 편차를 가질 수 있다.That is, in the embodiment, the first through-hole TH1-1 is a hole formed only by an etching process, and the second through-hole TH1-2 is a hole formed through both an etching process and a laser process. However, the first through-hole TH1-1 and the second through-hole TH1-2 both satisfy the standard specification, and accordingly, the first facing hole V2-1 of the first through-hole TH1-1. ), the first inclination angle θ1 and the second inclination angle θ2 of the second facing hole V2-2 of the second through hole TH1-2 may be equal to each other or may have a deviation within an error range. there is.

또한, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 상기 제1 대면공(V2-1)의 제 2 내측면은 길이 방향으로 마주보는 한 쌍의 제 1 서브 제 2 내측면 및 제 2 서브 제 2 내측면을 포함할 수 있다.In addition, the second inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 has a pair of first sub-second inner surfaces and a second sub-second inner surface facing each other in the longitudinal direction. It may include an inner surface.

이때, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 상기 제1 대면공(V2-1)의 제1 서브 제2 내측면의 경사각도는 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 상기 제1 대면공(V2-1)의 제2 서브 제2 내측면의 경사각도와 동일하거나 또는 서로 대응될 수 있다.At this time, the inclination angle of the first sub-second inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 is the first facing surface of the first through hole TH1-1. The angle of inclination of the second inner surface of the second sub of the ball V2-1 may be the same or may correspond to each other.

또한, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 상기 제2 대면공(V2-2)의 제2 내측면은 길이 방향으로 마주보는 한 쌍의 제1 서브 제2 내측면 및 제2 서브 제2 내측면을 포함할 수 있다.In addition, the second inner surface of the second facing hole V2 - 2 of the second through hole TH1 - 2 has a pair of first sub second inner surfaces and second sub second surfaces facing in the longitudinal direction. It may include an inner surface.

이때, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 상기 제2 대면공(V2-2)의 제1 서브 제2 내측면의 경사각도는 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 상기 제2 대면공(V2-2)의 제2 서브 제2 내측면의 경사각도와 동일하거나 또는 서로 대응될 수 있다.In this case, the inclination angle of the first sub-second inner surface of the second facing hole V2-2 of the second through hole TH1-2 is the second facing surface of the second through hole TH1-2. The angle of inclination of the second sub-second inner surface of the ball V2-2 may be the same as or may correspond to each other.

또한, 실시 예에서의 제1 관통 홀(TH1-1)의 연통부의 폭(W4)은 실질적으로 제2 관통 홀(TH1-2)의 연통부의 폭과 동일할 수 있다.Also, in the embodiment, the width W4 of the communication portion of the first through hole TH1-1 may be substantially the same as the width of the communication portion of the second through hole TH1-2.

또한, 실시 예에서의 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 소면공(V1-1)의 높이(H)는 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)의 높이와 동일할 수 있다. In addition, in the embodiment, the height H of the first small face hole V1-1 of the first through hole TH1-1 is the second small face hole V1-2 of the second through hole TH1-2. may be equal to the height of

다시 말해서, 제1 관통 홀(TH1-1)과 제2 관통 홀(TH1-2)은 서로 다른 방식으로 제조된 홀이지만, 각각이 가지는 대면공의 경사각도, 소면공의 높이 및 연통부의 폭은 실질적으로 동일하거나 오차 범위 이내의 편차를 가질 수 있다.In other words, the first through-hole TH1-1 and the second through-hole TH1-2 are holes manufactured in different ways, but the inclination angle of the face-to-face hole, the height of the small-faced hole, and the width of the communication portion each have They may be substantially the same or may have deviations within an error range.

즉, 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)의 각각의 소면공들의 높이(H)는 약 4.0㎛ 이하일 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 상기 제2 리브(RB2)에서의 소면공의 높이(H)는 약 3.5㎛ 이하일 수 있다. That is, the height H of each of the small face holes of the first through hole TH1-1 and the second through hole TH1-2 may be about 4.0 μm or less. The height H of the small face hole in the second rib RB2 of the deposition mask 100 may be about 3.5 μm or less.

바람직하게, 상기 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)의 각각의 소면공들의 높이(H)는 약 3.5㎛ 이하일 수 있다. 상기 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)의 각각의 소면공들의 높이(H)는 약 2.5㎛ 이하일 수 있다. Preferably, the height H of each of the small face holes of the first through hole TH1-1 and the second through hole TH1-2 may be about 3.5 μm or less. A height H of each of the small face holes of the first through hole TH1-1 and the second through hole TH1-2 may be about 2.5 μm or less.

바람직하게, 상기 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)의 소면공들의 높이(H)는 약 0.1㎛ 내지 약 3.4㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)의 소면공들의 높이(H)는 약 0.5㎛ 내지 약 3.2㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)의 소면공들의 높이(H)는 약 1㎛ 내지 약 3㎛일 수 있다. Preferably, the height H of the small face holes of the first through hole TH1-1 and the second through hole TH1-2 may be about 0.1 μm to about 3.4 μm. For example, the height H of the small face holes of the first through hole TH1-1 and the second through hole TH1-2 may be about 0.5 μm to about 3.2 μm. For example, the height H of the small face holes of the first through hole TH1-1 and the second through hole TH1-2 may be about 1 μm to about 3 μm.

여기에서, 높이는 증착용 마스크(100)의 두께 측정 방향, 즉 깊이 방향에서 측정할 수 있고, 증착용 마스크(100)의 일면으로부터 연통부까지의 높이를 측정한 것일 수 있다. 자세하게, 도 5의 평면도에서 상술한 수평 방향(x방향, 길이 방향, 인장 방향)과 수직 방향(y방향, 폭 방향, 인장 수직 방향)과 각각 90도를 이루는 z축 방향에서 측정한 것일 수 있다.Here, the height may be measured in the thickness measurement direction of the deposition mask 100 , that is, the depth direction, and may be a measurement of the height from one surface of the deposition mask 100 to the communication portion. In detail, it may be measured in the z-axis direction forming 90 degrees in the horizontal direction (x-direction, longitudinal direction, tensile direction) and vertical direction (y-direction, width direction, tensile vertical direction) described above in the plan view of FIG. 5 , respectively. .

상기 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)의 소면공들의 높이(H)가 약 3.5㎛ 초과인 경우에는 OLED 증착시 증착 물질이 관통 홀의 면적보다 큰 영역으로 퍼지는 쉐도우 효과(shadow effect)에 따른 증착 불량이 발생할 수 있다. When the height H of the small face holes of the first through hole TH1-1 and the second through hole TH1-2 is greater than about 3.5 μm, the deposition material spreads to an area larger than the area of the through hole during OLED deposition. Deposition defects may occur due to a shadow effect.

또한, 상기 증착용 마스크(100)의 소면공이 형성되는 일면에서의 공경(W3)과 소면공과 대면공 사이의 경계인 연통부에서의 공경(W4)은 서로 유사하거나 서로 다를 수 있다. 이때, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 소면공이 형성하는 공경과 제2 관통 홀(TH1-2)의 소면공이 형성하는 공경은 서로 대응하고, 제1 관통 홀(TH1-1)의 연통부가 형성하는 공경과 제2 관통 홀(TH1-2)의 연통부가 형성하는 공경은 서로 대응하다.In addition, the pore diameter W3 on one surface of the deposition mask 100 on which the small-faced hole is formed and the pore-diameter W4 at the communication portion, which is a boundary between the small-faced hole and the large-faced hole, may be similar to or different from each other. In this case, the hole diameter formed by the small face hole of the first through hole TH1-1 and the hole diameter formed by the small face hole of the second through hole TH1-2 correspond to each other, and the first through hole TH1-1 communicates with each other. The hole diameter formed by the addition and the hole diameter formed by the communication part of the second through hole TH1 - 2 correspond to each other.

상기 증착용 마스크(100)의 소면공이 형성되는 일면에서의 공경(W3)은 연통부에서의 공경(W4)보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 일면에서의 공경(W3)과 상기 연통부에서의 공경(W4)의 차이는 약 0.01㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. A hole diameter W3 on one surface of the deposition mask 100 on which the small surface holes are formed may be larger than a hole diameter W4 on the communication part. For example, the difference between the hole diameter W3 on one surface of the deposition mask 100 and the hole diameter W4 on the communication part may be about 0.01 μm to about 1.1 μm.

예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W3)과 상기 연통부에서의 공경(W4)의 차이는 약 0.03㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W3)과 상기 연통부에서의 공경(W4)의 차이는 약 0.05㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다.For example, a difference between the pore diameter W3 on one surface of the deposition mask and the pore diameter W4 on the communication portion may be about 0.03 μm to about 1.1 μm. For example, a difference between the pore diameter W3 on one surface of the deposition mask and the pore diameter W4 on the communication portion may be about 0.05 μm to about 1.1 μm.

상기 증착용 마스크(100)의 일면에서의 공경(W3)과 상기 연통부에서의 공경(W4)의 차이가 약 1.1㎛보다 큰 경우에는 쉐도우 효과에 의한 증착 불량이 발생할 수 있다. When the difference between the pore diameter W3 on one surface of the deposition mask 100 and the pore diameter W4 on the communication portion is greater than about 1.1 μm, deposition failure may occur due to a shadow effect.

다만, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 내측면과 제2 관통 홀(TH1-2)의 내측면은 서로 다른 형상을 가지거나 서로 다른 거칠기 값을 가질 수 있다.However, the inner surface of the first through hole TH1-1 and the inner surface of the second through hole TH1-2 may have different shapes or different roughness values.

이때, 제1 실시 예에서, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 소면공(V1-1)의 내측면의 수직 단면 형상은 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)의 내측면의 수직 단면 형상과 동일할 수 있다. In this case, in the first embodiment, the vertical cross-sectional shape of the inner surface of the first carding hole V1-1 of the first through hole TH1-1 is the second carding surface of the second through hole TH1-2. The vertical cross-sectional shape of the inner surface of the ball V1-2 may be the same.

또한, 제1 실시 예에서, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 소면공(V1-1)의 내측면의 표면 거칠기 값은 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)의 내측면의 표면 거칠기 값과 동일할 수 있다.Also, in the first embodiment, the surface roughness value of the inner surface of the first carded hole V1-1 of the first through hole TH1-1 is the second carded surface of the second through hole TH1-2. It may be the same as the surface roughness value of the inner surface of the ball V1-2.

이는, 제1 실시 예에서는 제2 관통 홀(TH1-2)의 2차 가공 시에, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)에 대해서만 가공을 진행했기 때문이다.This is because, in the first embodiment, only the second facing hole V2-2 of the second through-hole TH1-2 was processed during the secondary processing of the second through-hole TH1-2. am.

다만, 제1 실시 예에서, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 대면공(V2-1)의 내측면의 수직 단면 형상은 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)의 내측면의 수직 단면 형상과 다를 수 있다. However, in the first embodiment, the vertical cross-sectional shape of the inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 is the second facing surface of the second through hole TH1-2. It may be different from the vertical cross-sectional shape of the inner surface of the ball V2-2.

예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 대면공(V2-1)의 내측면은 식각에 의해 형성되고, 이에 따라 이의 식각 팩터에 대응하는 단면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 대면공(V2-1)의 내측면은 일정 곡률을 가지는 라운드진 곡선을 가질 수 있다.For example, the inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 may be formed by etching, and thus may have a cross-sectional shape corresponding to the etching factor thereof. For example, the inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 may have a rounded curve having a predetermined curvature.

이와 다르게, 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)의 내측면은 레이저 가공에 의해 형성되고, 이에 따라 레이저 가공 조건에 대응하는 단면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)의 내측면은 단계별로 레이저 가공이 진행됨에 따라 나타나는 계단 형상의 층 형상을 가질 수 있다. 그리고, 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)의 내측면이 가지는 층들의 높이는 레이저 가공 조건(예를 들어, 레이저 가공 속도나 세기)에 의해 결정될 수 있다. 즉, 레이저 가공 속도나 빠르거나 세기가 세질 경우, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)이 가지는 내측면의 층들의 높이는 증가할 수 있다.Alternatively, the inner surface of the second facing hole V2 - 2 of the second through hole TH1 - 2 is formed by laser processing, and thus may have a cross-sectional shape corresponding to the laser processing condition. For example, the inner surface of the second facing hole V2 - 2 of the second through hole TH1 - 2 may have a step-like layer shape that appears as laser processing progresses step by step. In addition, the height of the layers of the inner surface of the second facing hole V2 - 2 of the second through hole TH1 - 2 may be determined by laser processing conditions (eg, laser processing speed or intensity). That is, when the laser processing speed or intensity is high, the height of the layers of the inner surface of the second facing hole V2 - 2 of the second through hole TH1 - 2 may be increased.

상기와 같이, 제1 실시 예에서는 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)에 대해서만 2차 가공을 진행했기 때문에, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)과 제2 관통 홀(TH1-2)의 각각의 대면공의 내측면에서만 다른 단면 형상이 나타나고, 이들의 소면공의 내측면은 서로 동일한 단면 형상이 나타날 수 있다.As described above, in the first embodiment, since secondary processing was performed only on the second facing hole V2-2 of the second through hole TH1-2, the first through hole TH1-1 and A different cross-sectional shape may appear only on the inner surface of each of the facing holes of the second through hole TH1-2, and the same cross-sectional shape may appear on the inner surface of the small-faced holes.

또한, 제1 실시 예에서, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 대면공(V2-1)의 내측면은 제1 거칠기 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 대면공(V2-1)의 내측면은 식각에 의해 형성되고, 이에 따라 이의 식각 팩터에 대응하는 제1 거칠기 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 대면공(V2-1)의 내측면은 Ra 100 ~ 200nm(0.1 ~ 0.2㎛)의 제1 거칠기 값을 가질 수 있다.Also, in the first embodiment, the inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 may have a first roughness value. For example, the inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 may be formed by etching, and thus may have a first roughness value corresponding to the etching factor thereof. . For example, the inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 may have a first roughness value of Ra 100 to 200 nm (0.1 to 0.2 μm).

이와 다르게, 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)의 내측면은 레이저 가공에 의해 형성되고, 이에 따라 레이저 가공 조건에 대응하는 제2 거칠기 값을 가질 수 있다. 이때, 상기 제2 거칠기 값은 제1 거칠기 값과 다르다. 즉, 상기 제1대면공(V2-1)과 제2 대면공(V2-2)은 서로 다른 가공 방식에 의해 형성되기 때문에, 이들의 내측면은 서로 동일한 표면 거칠기 값을 가질 수 없다. Alternatively, the inner surface of the second facing hole V2 - 2 of the second through hole TH1 - 2 is formed by laser processing, and thus may have a second roughness value corresponding to the laser processing condition. In this case, the second roughness value is different from the first roughness value. That is, since the first facing hole V2-1 and the second facing hole V2-2 are formed by different processing methods, their inner surfaces cannot have the same surface roughness value.

다만, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)의 내측면의 거칠기 값은 상기 레이저 가공 조건(예를 들어, 레이저 가공 속도나 세기)에 의해 결정될 수 있다. 예를 들어, 레이저 가공 속도나 빠르거나 세기가 세질 경우, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)이 가지는 내측면의 제2 거칠기 값은 제1 거칠기 값보다 클 수 있다. 예를 들어, 레이저 가공 속도나 느리거나 세기가 약해질 경우, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)이 가지는 내측면의 제2 거칠기 값은 제1 거칠기 값보다 작을 수있다. However, the roughness value of the inner surface of the second facing hole V2-2 of the second through hole TH1-2 may be determined by the laser processing condition (eg, laser processing speed or intensity). For example, when the laser processing speed or intensity is high, the second roughness value of the inner surface of the second facing hole V2-2 of the second through hole TH1-2 is higher than the first roughness value. can be large For example, when the laser processing speed is slow or the intensity is weakened, the second roughness value of the inner surface of the second facing hole V2-2 of the second through hole TH1-2 is the first roughness value. can be smaller than

상기와 같이, 제1 실시 예에서는 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)에 대해서만 2차 가공을 진행했기 때문에, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)과 제2 관통 홀(TH1-2)의 각각의 대면공의 내측면에서만 다른 거칠기 값이 나타나고, 이들의 소면공의 내측면은 서로 동일한 거칠기 값이 나타날 수 있다. As described above, in the first embodiment, since secondary processing was performed only on the second facing hole V2-2 of the second through hole TH1-2, the first through hole TH1-1 and Different roughness values may appear only on the inner surface of each of the facing holes of the second through hole TH1 - 2 , and the same roughness values may appear on the inner surfaces of the small face holes.

한편, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 식각에 의한 관통 홀이 형성되는 유효부(AA)에서의 두께와 식각되지 않은 비유효부(UA)에서의 두께가 서로 다를 수 있다. Meanwhile, in the deposition mask 100 according to the embodiment, the thickness in the effective portion AA in which the through-hole is formed by etching and the thickness in the non-etched portion UA may be different from each other.

자세하게, 실시예예 따른 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA)의 두께가 유효부(AA1, AA2, AA3)의 두께보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 30㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 25㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착 마스크는 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 약 15㎛ 내지 약 25㎛일 수 있다. In detail, in the deposition mask 100 according to the embodiment, the thickness of the ineffective portion UA may be greater than the thickness of the effective portions AA1 , AA2 , and AA3 . For example, in the deposition mask 100 , the maximum thickness of the non-effective portion UA to the non-deposition area NDA may be about 30 μm or less. For example, in the deposition mask 100 , the maximum thickness of the non-effective portion UA to the non-deposition area NDA may be about 25 μm or less. For example, in the deposition mask of the embodiment, the maximum thickness of the non-effective portion to the non-deposition region may be about 15 μm to about 25 μm.

실시예에 따른 증착 마스크의 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 약 30㎛를 초과하는 경우에는 상기 증착용 마스크(100)의 원재인 금속판(10)의 두께가 두꺼워지기 때문에 때문에 미세한 크기의 관통 홀(TH)을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 15㎛ 미만인 경우에는 금속판의 두께가 얇기 때문에 균일한 크기의 관통 홀을 형성하기 어려울 수 있다.When the maximum thickness of the non-effective portion to the non-deposition region of the deposition mask according to the embodiment exceeds about 30 μm, the thickness of the metal plate 10 , which is the raw material of the deposition mask 100 , becomes thick, so that a fine penetration It may be difficult to form the hole TH. In addition, when the maximum thickness of the non-effective portion UA to the non-deposition area NDA of the deposition mask 100 is less than about 15 μm, it may be difficult to form a through hole of a uniform size because the thickness of the metal plate is thin. .

도 12를 참조하면, 증착용 마스크(100)는 상기 제1 소면공(V1-1) 및 제1 대면공(V2-1)이 형성되고, 상기 제1 소면공(V1-1) 및 제1 대면공(V2-1)이 서로 연통되어 형성된 제1 관통 홀(TH1-1)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 12 , in the deposition mask 100 , the first small face holes V1-1 and the first face holes V2-1 are formed, and the first small face holes V1-1 and the first face holes V1-1 are formed. The facing hole V2-1 may include a first through hole TH1-1 formed to communicate with each other.

또한, 증착용 마스크(100)는 상기 제1 관통 홀(TH1-1)과 이웃 또는 일정 간격 이격되어 상기 제2 소면공(V1-2) 및 제2 대면공(V2-2)이 형성되고, 상기 제2 소면공(V1-2) 및 제2 대면공(V2-2)이 서로 연통되어 상기 제2 관통 홀(TH1-2)이 형성될 수 있다.In addition, the deposition mask 100 is adjacent to or spaced apart from the first through hole TH1-1 to form the second small face holes V1-2 and the second face holes V2-2, The second small face hole V1 - 2 and the second face hole V2 - 2 may communicate with each other to form the second through hole TH1 - 2 .

이때, 상기 증착용 마스크(100)의 두께에 대한 특징은 도 11을 참조하여 이미 상기에서 설명하였으므로 이의 설명을 생략하기로 한다.At this time, since the characteristics of the thickness of the deposition mask 100 have already been described above with reference to FIG. 11 , a description thereof will be omitted.

제1 관통 홀(TH1-1)과 제2 관통 홀(TH1-2)은 각각 소면공 및 대면공을 포함한다. 그리고, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)과 제2 관통 홀(TH1-2)은 실질적으로 서로 동일한 경사 각도를 가질 수 있다. 정확하게, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)과 제2 관통 홀(TH1-2)의 경사 각도는 서로 다를 수 있도 있으며, 이의 편차는 오차 범위 내에 존재할 수 있다.The first through-hole TH1-1 and the second through-hole TH1-2 include a small-faced hole and a large-faced hole, respectively. In addition, the first through-hole TH1-1 and the second through-hole TH1-2 may have substantially the same inclination angle. Precisely, the inclination angles of the first through-hole TH1-1 and the second through-hole TH1-2 may be different from each other, and a deviation thereof may exist within an error range.

즉, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 상기 제1 대면공(V2-1)의 내측면의 각도는 상기 타면과 상기 제1 대면공(V2-1)의 제2 내측면(ES2)의 일단(E1) 및 상기 제1 소면공(V1-1)과 제1 대면공(V2-1) 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 연장선의 제 1 경사각도(θ1)로 정의될 수 있다.That is, the angle of the inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 is the other surface and the second inner surface ES2 of the first facing hole V2-1. may be defined as a first inclination angle θ1 of an extension line connecting one end E1 of .

또한, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 상기 제2 대면공(V2-2)의 내측면의 각도는 상기 타면과 상기 제2 대면공(V2-2)의 제2 내측면(ES2)의 일단(E1) 및 상기 제2 소면공(V1-2)과 제2 대면공(V2-2) 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 연장선의 제 2 경사각도(θ2)로 정의될 수 있다.In addition, the angle of the inner surface of the second facing hole V2-2 of the second through hole TH1-2 is the second inner surface ES2 of the second facing hole V2-2 with the other surface. may be defined as the second inclination angle θ2 of the extension line connecting one end E1 of .

이때, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 경사 각도(θ1)는 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 상기 제2 대면공(V2-2)의 제2 경사각도(θ2)와 실질적으로 동일할 수 있다.In this case, the first inclination angle θ1 of the first through hole TH1-1 is the second inclination angle θ2 of the second facing hole V2-2 of the second through hole TH1-2. may be substantially the same as

이때, 제1 관통 홀(TH1-1)의 상기 제1 대면공(V2-1)의 제 1 경사각도(θ1)와 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 상기 제2 대면공(V2-2)의 제 2 경사각도(θ2)는 30° 내지 55°일 수 있다,At this time, the first inclination angle θ1 of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 and the second facing hole V2- of the second through hole TH1-2 2) the second inclination angle θ2 may be 30° to 55°,

이에 따라, 400 PPI급 이상, 자세하게 500 PPI급 이상의 고해상도의 증착패턴을 형성할 수 있는 동시에, 증착용 마스크(100)의 타면상에 아일랜드부(IS)가 존재할 수 있다. Accordingly, a high-resolution deposition pattern of 400 PPI or higher, specifically 500 PPI or higher, may be formed, and the island portion IS may be present on the other surface of the deposition mask 100 .

즉, 실시 예에서의 제1 관통 홀(TH1-1)은 식각 공정에 의해서만 형성된 홀이고, 제2 관통 홀(TH1-2)은 식각 공정 및 레이저 공정을 모두 거쳐 형성된 홀이다. 다만, 상기 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)은 모두 기준 스펙을 만족하며, 이에 따라 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 대면공(V2-1)의 제1 경사각도(θ1)와 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)의 제2 경사각도(θ2)는 서로 동일하거나, 오차 범위 이내의 편차를 가질 수 있다.That is, in the embodiment, the first through-hole TH1-1 is a hole formed only by an etching process, and the second through-hole TH1-2 is a hole formed through both an etching process and a laser process. However, the first through-hole TH1-1 and the second through-hole TH1-2 both satisfy the standard specification, and accordingly, the first facing hole V2-1 of the first through-hole TH1-1. ), the first inclination angle θ1 and the second inclination angle θ2 of the second facing hole V2-2 of the second through hole TH1-2 may be equal to each other or may have a deviation within an error range. there is.

또한, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 상기 제1 대면공(V2-1)의 제 2 내측면은 길이 방향으로 마주보는 한 쌍의 제 1 서브 제 2 내측면 및 제 2 서브 제 2 내측면을 포함할 수 있다.In addition, the second inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 has a pair of first sub-second inner surfaces and a second sub-second inner surface facing each other in the longitudinal direction. It may include an inner surface.

이때, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 상기 제1 대면공(V2-1)의 제1 서브 제2 내측면의 경사각도는 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 상기 제1 대면공(V2-1)의 제2 서브 제2 내측면의 경사각도와 동일하거나 또는 서로 대응될 수 있다.At this time, the inclination angle of the first sub-second inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 is the first facing surface of the first through hole TH1-1. The angle of inclination of the second inner surface of the second sub of the ball V2-1 may be the same or may correspond to each other.

또한, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 상기 제2 대면공(V2-2)의 제2 내측면은 길이 방향으로 마주보는 한 쌍의 제1 서브 제2 내측면 및 제2 서브 제2 내측면을 포함할 수 있다.In addition, the second inner surface of the second facing hole V2 - 2 of the second through hole TH1 - 2 has a pair of first sub second inner surfaces and second sub second surfaces facing in the longitudinal direction. It may include an inner surface.

이때, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 상기 제2 대면공(V2-2)의 제1 서브 제2 내측면의 경사각도는 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 상기 제2 대면공(V2-2)의 제2 서브 제2 내측면의 경사각도와 동일하거나 또는 서로 대응될 수 있다.In this case, the inclination angle of the first sub-second inner surface of the second facing hole V2-2 of the second through hole TH1-2 is the second facing surface of the second through hole TH1-2. The angle of inclination of the second sub-second inner surface of the ball V2-2 may be the same as or may correspond to each other.

또한, 실시 예에서의 제1 관통 홀(TH1-1)의 연통부의 폭(W4)은 실질적으로 제2 관통 홀(TH1-2)의 연통부의 폭과 동일할 수 있다.Also, in the embodiment, the width W4 of the communication portion of the first through hole TH1-1 may be substantially the same as the width of the communication portion of the second through hole TH1-2.

또한, 실시 예에서의 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 소면공(V1-1)의 높이(H)는 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)의 높이와 동일할 수 있다. In addition, in the embodiment, the height H of the first small face hole V1-1 of the first through hole TH1-1 is the second small face hole V1-2 of the second through hole TH1-2. may be equal to the height of

다시 말해서, 제1 관통 홀(TH1-1)과 제2 관통 홀(TH1-2)은 서로 다른 방식으로 제조된 홀이지만, 각각이 가지는 대면공의 경사각도, 소면공의 높이 및 연통부의 폭은 실질적으로 동일하거나 오차 범위 이내의 편차를 가질 수 있다.In other words, the first through-hole TH1-1 and the second through-hole TH1-2 are holes manufactured in different ways, but the inclination angle of the face-to-face hole, the height of the small-faced hole, and the width of the communication portion each have They may be substantially the same or may have deviations within an error range.

즉, 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)의 각각의 소면공들의 높이(H)는 약 4.0㎛ 이하일 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 상기 제2 리브(RB2)에서의 소면공의 높이(H)는 약 3.5㎛ 이하일 수 있다. That is, the height H of each of the small face holes of the first through hole TH1-1 and the second through hole TH1-2 may be about 4.0 μm or less. The height H of the small face hole in the second rib RB2 of the deposition mask 100 may be about 3.5 μm or less.

바람직하게, 상기 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)의 각각의 소면공들의 높이(H)는 약 3.5㎛ 이하일 수 있다. 상기 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)의 각각의 소면공들의 높이(H)는 약 2.5㎛ 이하일 수 있다. Preferably, the height H of each of the small face holes of the first through hole TH1-1 and the second through hole TH1-2 may be about 3.5 μm or less. A height H of each of the small face holes of the first through hole TH1-1 and the second through hole TH1-2 may be about 2.5 μm or less.

바람직하게, 상기 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)의 소면공들의 높이(H)는 약 0.1㎛ 내지 약 3.4㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)의 소면공들의 높이(H)는 약 0.5㎛ 내지 약 3.2㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)의 소면공들의 높이(H)는 약 1㎛ 내지 약 3㎛일 수 있다. Preferably, the height H of the small face holes of the first through hole TH1-1 and the second through hole TH1-2 may be about 0.1 μm to about 3.4 μm. For example, the height H of the small face holes of the first through hole TH1-1 and the second through hole TH1-2 may be about 0.5 μm to about 3.2 μm. For example, the height H of the small face holes of the first through hole TH1-1 and the second through hole TH1-2 may be about 1 μm to about 3 μm.

여기에서, 높이는 증착용 마스크(100)의 두께 측정 방향, 즉 깊이 방향에서 측정할 수 있고, 증착용 마스크(100)의 일면으로부터 연통부까지의 높이를 측정한 것일 수 있다. 자세하게, 도 5의 평면도에서 상술한 수평 방향(x방향, 길이 방향, 인장 방향)과 수직 방향(y방향, 폭 방향, 인장 수직 방향)과 각각 90도를 이루는 z축 방향에서 측정한 것일 수 있다.Here, the height may be measured in the thickness measurement direction of the deposition mask 100 , that is, the depth direction, and may be a measurement of the height from one surface of the deposition mask 100 to the communication portion. In detail, it may be measured in the z-axis direction forming 90 degrees in the horizontal direction (x-direction, longitudinal direction, tensile direction) and vertical direction (y-direction, width direction, tensile vertical direction) described above in the plan view of FIG. 5 , respectively. .

상기 제1 관통 홀(TH1-1) 및 제2 관통 홀(TH1-2)의 소면공들의 높이(H)가 약 3.5㎛ 초과인 경우에는 OLED 증착시 증착 물질이 관통 홀의 면적보다 큰 영역으로 퍼지는 쉐도우 효과(shadow effect)에 따른 증착 불량이 발생할 수 있다. When the height H of the small face holes of the first through hole TH1-1 and the second through hole TH1-2 is greater than about 3.5 μm, the deposition material spreads to an area larger than the area of the through hole during OLED deposition. Deposition defects may occur due to a shadow effect.

또한, 상기 증착용 마스크(100)의 소면공이 형성되는 일면에서의 공경(W3)과 소면공과 대면공 사이의 경계인 연통부에서의 공경(W4)은 서로 유사하거나 서로 다를 수 있다. 이때, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 소면공이 형성하는 공경과 제2 관통 홀(TH1-2)의 소면공이 형성하는 공경은 서로 대응하고, 제1 관통 홀(TH1-1)의 연통부가 형성하는 공경과 제2 관통 홀(TH1-2)의 연통부가 형성하는 공경은 서로 대응하다.In addition, the pore diameter W3 on one surface of the deposition mask 100 on which the small-faced hole is formed and the pore-diameter W4 at the communication portion, which is a boundary between the small-faced hole and the large-faced hole, may be similar to or different from each other. In this case, the hole diameter formed by the small face hole of the first through hole TH1-1 and the hole diameter formed by the small face hole of the second through hole TH1-2 correspond to each other, and the first through hole TH1-1 communicates with each other. The hole diameter formed by the addition and the hole diameter formed by the communication part of the second through hole TH1 - 2 correspond to each other.

상기 증착용 마스크(100)의 소면공이 형성되는 일면에서의 공경(W3)은 연통부에서의 공경(W4)보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 일면에서의 공경(W3)과 상기 연통부에서의 공경(W4)의 차이는 약 0.01㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. A hole diameter W3 on one surface of the deposition mask 100 on which the small surface holes are formed may be larger than a hole diameter W4 on the communication part. For example, the difference between the hole diameter W3 on one surface of the deposition mask 100 and the hole diameter W4 on the communication part may be about 0.01 μm to about 1.1 μm.

예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W3)과 상기 연통부에서의 공경(W4)의 차이는 약 0.03㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W3)과 상기 연통부에서의 공경(W4)의 차이는 약 0.05㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다.For example, a difference between the pore diameter W3 on one surface of the deposition mask and the pore diameter W4 on the communication portion may be about 0.03 μm to about 1.1 μm. For example, a difference between the pore diameter W3 on one surface of the deposition mask and the pore diameter W4 on the communication portion may be about 0.05 μm to about 1.1 μm.

상기 증착용 마스크(100)의 일면에서의 공경(W3)과 상기 연통부에서의 공경(W4)의 차이가 약 1.1㎛보다 큰 경우에는 쉐도우 효과에 의한 증착 불량이 발생할 수 있다. When the difference between the pore diameter W3 on one surface of the deposition mask 100 and the pore diameter W4 on the communication portion is greater than about 1.1 μm, deposition failure may occur due to a shadow effect.

다만, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 내측면과 제2 관통 홀(TH1-2)의 내측면은 서로 다른 형상을 가지거나 서로 다른 거칠기 값을 가질 수 있다.However, the inner surface of the first through hole TH1-1 and the inner surface of the second through hole TH1-2 may have different shapes or different roughness values.

이때, 제2 실시 예에서, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 대면공(V2-1)의 내측면의 수직 단면 형상은 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)의 내측면의 수직 단면 형상과 동일할 수 있다. In this case, in the second embodiment, the vertical cross-sectional shape of the inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 is the second facing surface of the second through hole TH1-2. The vertical cross-sectional shape of the inner surface of the ball V2-2 may be the same.

또한, 제2 실시 예에서, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 대면공(V2-1)의 내측면의 표면 거칠기 값은 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)의 내측면의 표면 거칠기 값과 동일할 수 있다.Also, in the second embodiment, the surface roughness value of the inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 is the second facing surface of the second through hole TH1-2. It may be the same as the surface roughness value of the inner surface of the ball V2-2.

이는, 제2 실시 예에서는 제2 관통 홀(TH1-2)의 2차 가공 시에, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)에 대해서만 가공을 진행했기 때문이다.This is because, in the second embodiment, only the second small face hole V1-2 of the second through-hole TH1-2 was processed during the secondary processing of the second through-hole TH1-2. am.

다만, 제2 실시 예에서, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 소면공(V1-1)의 내측면의 수직 단면 형상은 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)의 내측면의 수직 단면 형상과 다를 수 있다. However, in the second embodiment, the vertical cross-sectional shape of the inner surface of the first carding hole V1-1 of the first through hole TH1-1 is the second carding surface of the second through hole TH1-2. It may be different from the vertical cross-sectional shape of the inner surface of the ball V1-2.

예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 소면공(V1-1)의 내측면은 식각에 의해 형성되고, 이에 따라 이의 식각 팩터에 대응하는 단면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 소면공(V1-1)의 내측면은 일정 곡률을 가지는 라운드진 곡선을 가질 수 있다.For example, the inner surface of the first small face hole V1-1 of the first through hole TH1-1 may be formed by etching, and thus may have a cross-sectional shape corresponding to the etching factor thereof. For example, the inner surface of the first small face hole V1-1 of the first through hole TH1-1 may have a rounded curve having a predetermined curvature.

이와 다르게, 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)의 내측면은 레이저 가공에 의해 형성되고, 이에 따라 레이저 가공 조건에 대응하는 단면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(12-2)의 내측면은 단계별로 레이저 가공이 진행됨에 따라 나타나는 계단 형상의 층 형상을 가질 수 있다. 그리고, 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)의 내측면이 가지는 층들의 높이는 레이저 가공 조건(예를 들어, 레이저 가공 속도나 세기)에 의해 결정될 수 있다. 즉, 레이저 가공 속도나 빠르거나 세기가 세질 경우, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)이 가지는 내측면의 층들의 높이는 증가할 수 있다.Alternatively, the inner surface of the second small face hole V1 - 2 of the second through hole TH1 - 2 is formed by laser processing, and thus may have a cross-sectional shape corresponding to the laser processing condition. For example, the inner surface of the second small face hole 12 - 2 of the second through hole TH1 - 2 may have a step-like layer shape that appears as laser processing progresses step by step. In addition, the height of the layers of the inner surface of the second small face hole V1 - 2 of the second through hole TH1 - 2 may be determined by laser processing conditions (eg, laser processing speed or intensity). That is, when the laser processing speed or intensity is increased, the height of the layers of the inner surface of the second small face hole V1 - 2 of the second through hole TH1 - 2 may be increased.

상기와 같이, 제2 실시 예에서는 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)에 대해서만 2차 가공을 진행했기 때문에, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)과 제2 관통 홀(TH1-2)의 각각의 소면공의 내측면에서만 다른 단면 형상이 나타나고, 이들의 대면공의 내측면은 서로 동일한 단면 형상이 나타날 수 있다.As described above, in the second embodiment, since secondary processing was performed only on the second small face hole V1-2 of the second through hole TH1-2, the first through hole TH1-1 and Different cross-sectional shapes may appear only on the inner surface of each of the small-faced holes of the second through-holes TH1-2, and the same cross-sectional shapes may appear on the inner surfaces of the facing holes.

또한, 제2 실시 예에서, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 소면공(V1-1)의 내측면은 제1 거칠기 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 소면공(V1-1)의 내측면은 식각에 의해 형성되고, 이에 따라 이의 식각 팩터에 대응하는 제1 거칠기 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 소면공(V1-1)의 내측면은 Ra 100 ~ 200nm(0.1 ~ 0.2㎛)의 제1 거칠기 값을 가질 수 있다.Also, in the second exemplary embodiment, the inner surface of the first small face hole V1-1 of the first through hole TH1-1 may have a first roughness value. For example, the inner surface of the first small face hole V1-1 of the first through hole TH1-1 may be formed by etching, and thus may have a first roughness value corresponding to the etching factor thereof. . For example, the inner surface of the first small face hole V1-1 of the first through hole TH1-1 may have a first roughness value of Ra 100 to 200 nm (0.1 to 0.2 μm).

이와 다르게, 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)의 내측면은 레이저 가공에 의해 형성되고, 이에 따라 레이저 가공 조건에 대응하는 제2 거칠기 값을 가질 수 있다. 이때, 상기 제2 거칠기 값은 제1 거칠기 값과 다르다. 즉, 상기 제1 소면공(V1-1)과 제2 소면공(V1-2)은 서로 다른 가공 방식에 의해 형성되기 때문에, 이들의 내측면은 서로 동일한 표면 거칠기 값을 가질 수 없다. Alternatively, the inner surface of the second small face hole V1 - 2 of the second through hole TH1 - 2 is formed by laser processing, and thus may have a second roughness value corresponding to the laser processing condition. In this case, the second roughness value is different from the first roughness value. That is, since the first and second faceted holes V1-1 and V1-2 are formed by different processing methods, their inner surfaces cannot have the same surface roughness value.

다만, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)의 내측면의 거칠기 값은 상기 레이저 가공 조건(예를 들어, 레이저 가공 속도나 세기)에 의해 결정될 수 있다. 예를 들어, 레이저 가공 속도나 빠르거나 세기가 세질 경우, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)이 가지는 내측면의 제2 거칠기 값은 제1 거칠기 값보다 클 수 있다. 예를 들어, 레이저 가공 속도나 느리거나 세기가 약해질 경우, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)이 가지는 내측면의 제2 거칠기 값은 제1 거칠기 값보다 작을 수 있다. However, the roughness value of the inner surface of the second small face hole V1 - 2 of the second through hole TH1 - 2 may be determined by the laser processing condition (eg, laser processing speed or intensity). For example, when the laser processing speed or intensity is high, the second roughness value of the inner surface of the second small face hole V1-2 of the second through hole TH1-2 is higher than the first roughness value. can be large For example, when the laser processing speed is slow or the intensity is weakened, the second roughness value of the inner surface of the second small face hole V1-2 of the second through hole TH1-2 is the first roughness value. may be smaller than

상기와 같이, 제2 실시 예에서는 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)에 대해서만 2차 가공을 진행했기 때문에, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)과 제2 관통 홀(TH1-2)의 각각의 소면공의 내측면에서만 다른 거칠기 값이 나타나고, 이들의 대면공의 내측면은 서로 동일한 거칠기 값이 나타날 수 있다. As described above, in the second embodiment, since secondary processing was performed only on the second small face hole V1-2 of the second through hole TH1-2, the first through hole TH1-1 and Different roughness values may appear only on the inner surface of each of the small-faced holes of the second through-holes TH1-2, and the same roughness values may appear on the inner surfaces of the face-to-face holes.

도 13을 참조하면, 증착용 마스크(100)는 상기 제1 소면공(V1-1) 및 제1 대면공(V2-1)이 형성되고, 상기 제1 소면공(V1-1) 및 제1 대면공(V2-1)이 서로 연통되어 형성된 제1 관통 홀(TH1-1)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 13 , in the deposition mask 100 , the first small face holes V1-1 and the first face holes V2-1 are formed, and the first small face holes V1-1 and the first face holes V1-1 are formed. The facing hole V2-1 may include a first through hole TH1-1 formed to communicate with each other.

또한, 증착용 마스크(100)는 상기 제1 관통 홀(TH1-1)과 이웃 또는 일정 간격 이격되어 상기 제2 소면공(V1-2) 및 제2 대면공(V2-2)이 형성되고, 상기 제2 소면공(V1-2) 및 제2 대면공(V2-2)이 서로 연통되어 상기 제2 관통 홀(TH1-2)이 형성될 수 있다.In addition, the deposition mask 100 is adjacent to or spaced apart from the first through hole TH1-1 to form the second small face holes V1-2 and the second face holes V2-2, The second small face hole V1 - 2 and the second face hole V2 - 2 may communicate with each other to form the second through hole TH1 - 2 .

한편, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)과 제2 관통 홀(TH1-2)의 각각의 소면공과 대면공의 내측면들은 각각 서로 다른 단면 형상을 가지거나 서로 다른 거칠기 값을 가질 수 있다.Meanwhile, inner surfaces of each of the small-faced holes and the large-faced holes of the first through hole TH1-1 and the second through hole TH1-2 may have different cross-sectional shapes or different roughness values.

이는, 제3 실시 예에서는 제2 관통 홀(TH1-2)의 2차 가공 시에, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2) 및 제2 대면공(V2-2)에서 모두 가공을 진행했기 때문이다.In the third embodiment, when the second through-hole TH1-2 is secondarily processed, the second small-faced hole V1-2 and the second facing-to-face hole V2 of the second through-hole TH1-2 are This is because all processing was carried out in -2).

이에 따라, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 대면공(V2-1)의 내측면의 수직 단면 형상은 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)의 내측면의 수직 단면 형상과 다를 수 있다. Accordingly, the vertical cross-sectional shape of the inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 is the second facing hole V2-2 of the second through hole TH1-2. ) may be different from the vertical cross-sectional shape of the inner surface.

예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 대면공(V2-1)의 내측면은 식각에 의해 형성되고, 이에 따라 이의 식각 팩터에 대응하는 단면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 대면공(V2-1)의 내측면은 일정 곡률을 가지는 라운드진 곡선을 가질 수 있다.For example, the inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 may be formed by etching, and thus may have a cross-sectional shape corresponding to the etching factor thereof. For example, the inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 may have a rounded curve having a predetermined curvature.

이와 다르게, 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)의 내측면은 레이저 가공에 의해 형성되고, 이에 따라 레이저 가공 조건에 대응하는 단면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)의 내측면은 단계별로 레이저 가공이 진행됨에 따라 나타나는 계단 형상의 층 형상을 가질 수 있다. 그리고, 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)의 내측면이 가지는 층들의 높이는 레이저 가공 조건(예를 들어, 레이저 가공 속도나 세기)에 의해 결정될 수 있다. 즉, 레이저 가공 속도나 빠르거나 세기가 세질 경우, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)이 가지는 내측면의 층들의 높이는 증가할 수 있다.Alternatively, the inner surface of the second facing hole V2 - 2 of the second through hole TH1 - 2 is formed by laser processing, and thus may have a cross-sectional shape corresponding to the laser processing condition. For example, the inner surface of the second facing hole V2 - 2 of the second through hole TH1 - 2 may have a step-like layer shape that appears as laser processing progresses step by step. In addition, the height of the layers of the inner surface of the second facing hole V2 - 2 of the second through hole TH1 - 2 may be determined by laser processing conditions (eg, laser processing speed or intensity). That is, when the laser processing speed or intensity is high, the height of the layers of the inner surface of the second facing hole V2 - 2 of the second through hole TH1 - 2 may be increased.

또한, 제3 실시 예에서, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 소면공(V1-1)의 내측면의 수직 단면 형상은 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)의 내측면의 수직 단면 형상과 다를 수 있다. Also, in the third embodiment, the vertical cross-sectional shape of the inner surface of the first carded hole V1-1 of the first through hole TH1-1 is the second carded surface of the second through hole TH1-2. It may be different from the vertical cross-sectional shape of the inner surface of the ball V1-2.

예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 소면공(V1-1)의 내측면은 식각에 의해 형성되고, 이에 따라 이의 식각 팩터에 대응하는 단면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 소면공(V1-1)의 내측면은 일정 곡률을 가지는 라운드진 곡선을 가질 수 있다.For example, the inner surface of the first small face hole V1-1 of the first through hole TH1-1 may be formed by etching, and thus may have a cross-sectional shape corresponding to the etching factor thereof. For example, the inner surface of the first small face hole V1-1 of the first through hole TH1-1 may have a rounded curve having a predetermined curvature.

이와 다르게, 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)의 내측면은 레이저 가공에 의해 형성되고, 이에 따라 레이저 가공 조건에 대응하는 단면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(12-2)의 내측면은 단계별로 레이저 가공이 진행됨에 따라 나타나는 계단 형상의 층 형상을 가질 수 있다. 그리고, 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)의 내측면이 가지는 층들의 높이는 레이저 가공 조건(예를 들어, 레이저 가공 속도나 세기)에 의해 결정될 수 있다. 즉, 레이저 가공 속도나 빠르거나 세기가 세질 경우, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)이 가지는 내측면의 층들의 높이는 증가할 수 있다.Alternatively, the inner surface of the second small face hole V1 - 2 of the second through hole TH1 - 2 is formed by laser processing, and thus may have a cross-sectional shape corresponding to the laser processing condition. For example, the inner surface of the second small face hole 12 - 2 of the second through hole TH1 - 2 may have a step-like layer shape that appears as laser processing progresses step by step. In addition, the height of the layers of the inner surface of the second small face hole V1 - 2 of the second through hole TH1 - 2 may be determined by laser processing conditions (eg, laser processing speed or intensity). That is, when the laser processing speed or intensity is increased, the height of the layers of the inner surface of the second small face hole V1 - 2 of the second through hole TH1 - 2 may be increased.

상기와 같이, 제3 실시 예에서는 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2) 및 제2 대면공(V2-2)에 대해 모두 2차 가공을 진행했기 때문에, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)과 제2 관통 홀(TH1-2)의 각각의 대면공 및 소면공의 내측면에서 모두 다른 단면 형상이 나타날 수 있다. As described above, in the third embodiment, since secondary processing was performed on both the second small face hole V1-2 and the second face hole V2-2 of the second through hole TH1-2, Different cross-sectional shapes may appear on the inner surfaces of each of the large-faced holes and the small-faced holes of the first through hole TH1-1 and the second through hole TH1-2.

또한, 제3 실시 예에서, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 대면공(V2-1)의 내측면은 제1 거칠기 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 대면공(V2-1)의 내측면은 식각에 의해 형성되고, 이에 따라 이의 식각 팩터에 대응하는 제1 거칠기 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 대면공(V2-1)의 내측면은 Ra 100 ~ 200nm(0.1 ~ 0.2㎛)의 제1 거칠기 값을 가질 수 있다.Also, in the third exemplary embodiment, the inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 may have a first roughness value. For example, the inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 may be formed by etching, and thus may have a first roughness value corresponding to the etching factor thereof. . For example, the inner surface of the first facing hole V2-1 of the first through hole TH1-1 may have a first roughness value of Ra 100 to 200 nm (0.1 to 0.2 μm).

이와 다르게, 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)의 내측면은 레이저 가공에 의해 형성되고, 이에 따라 레이저 가공 조건에 대응하는 제2 거칠기 값을 가질 수 있다. 이때, 상기 제2 거칠기 값은 제1 거칠기 값과 다르다. 즉, 상기 제1대면공(V2-1)과 제2 대면공(V2-2)은 서로 다른 가공 방식에 의해 형성되기 때문에, 이들의 내측면은 서로 동일한 표면 거칠기 값을 가질 수 없다. Alternatively, the inner surface of the second facing hole V2 - 2 of the second through hole TH1 - 2 is formed by laser processing, and thus may have a second roughness value corresponding to the laser processing condition. In this case, the second roughness value is different from the first roughness value. That is, since the first facing hole V2-1 and the second facing hole V2-2 are formed by different processing methods, their inner surfaces cannot have the same surface roughness value.

다만, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)의 내측면의 거칠기 값은 상기 레이저 가공 조건(예를 들어, 레이저 가공 속도나 세기)에 의해 결정될 수 있다. 예를 들어, 레이저 가공 속도나 빠르거나 세기가 세질 경우, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)이 가지는 내측면의 제2 거칠기 값은 제1 거칠기 값보다 클 수 있다. 예를 들어, 레이저 가공 속도나 느리거나 세기가 약해질 경우, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 대면공(V2-2)이 가지는 내측면의 제2 거칠기 값은 제1 거칠기 값보다 작을 수 있다. However, the roughness value of the inner surface of the second facing hole V2-2 of the second through hole TH1-2 may be determined by the laser processing condition (eg, laser processing speed or intensity). For example, when the laser processing speed or intensity is high, the second roughness value of the inner surface of the second facing hole V2-2 of the second through hole TH1-2 is higher than the first roughness value. can be large For example, when the laser processing speed is slow or the intensity is weakened, the second roughness value of the inner surface of the second facing hole V2-2 of the second through hole TH1-2 is the first roughness value. may be smaller than

또한, 제3 실시 예에서, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 소면공(V1-1)의 내측면은 제1 거칠기 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 소면공(V1-1)의 내측면은 식각에 의해 형성되고, 이에 따라 이의 식각 팩터에 대응하는 제1 거칠기 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)의 제1 소면공(V1-1)의 내측면은 Ra 100 ~ 200nm(0.1 ~ 0.2㎛)의 제1 거칠기 값을 가질 수 있다.Also, in the third exemplary embodiment, the inner surface of the first small face hole V1-1 of the first through hole TH1-1 may have a first roughness value. For example, the inner surface of the first small face hole V1-1 of the first through hole TH1-1 may be formed by etching, and thus may have a first roughness value corresponding to the etching factor thereof. . For example, the inner surface of the first small face hole V1-1 of the first through hole TH1-1 may have a first roughness value of Ra 100 to 200 nm (0.1 to 0.2 μm).

이와 다르게, 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)의 내측면은 레이저 가공에 의해 형성되고, 이에 따라 레이저 가공 조건에 대응하는 제2 거칠기 값을 가질 수 있다. 이때, 상기 제2 거칠기 값은 제1 거칠기 값과 다르다. 즉, 상기 제1 소면공(V1-1)과 제2 소면공(V1-2)은 서로 다른 가공 방식에 의해 형성되기 때문에, 이들의 내측면은 서로 동일한 표면 거칠기 값을 가질 수 없다. Alternatively, the inner surface of the second small face hole V1 - 2 of the second through hole TH1 - 2 is formed by laser processing, and thus may have a second roughness value corresponding to the laser processing condition. In this case, the second roughness value is different from the first roughness value. That is, since the first and second faceted holes V1-1 and V1-2 are formed by different processing methods, their inner surfaces cannot have the same surface roughness value.

다만, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)의 내측면의 거칠기 값은 상기 레이저 가공 조건(예를 들어, 레이저 가공 속도나 세기)에 의해 결정될 수 있다. 예를 들어, 레이저 가공 속도나 빠르거나 세기가 세질 경우, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)이 가지는 내측면의 제2 거칠기 값은 제1 거칠기 값보다 클 수 있다. 예를 들어, 레이저 가공 속도나 느리거나 세기가 약해질 경우, 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2)이 가지는 내측면의 제2 거칠기 값은 제1 거칠기 값보다 작을 수 있다. However, the roughness value of the inner surface of the second small face hole V1 - 2 of the second through hole TH1 - 2 may be determined by the laser processing condition (eg, laser processing speed or intensity). For example, when the laser processing speed or intensity is high, the second roughness value of the inner surface of the second small face hole V1-2 of the second through hole TH1-2 is higher than the first roughness value. can be large For example, when the laser processing speed is slow or the intensity is weakened, the second roughness value of the inner surface of the second small face hole V1-2 of the second through hole TH1-2 is the first roughness value. may be smaller than

상기와 같이, 제3 실시 예에서는 상기 제2 관통 홀(TH1-2)의 제2 소면공(V1-2) 및 제2 대면공(V2-2)에서 모두 2차 가공을 진행했기 때문에, 상기 제1 관통 홀(TH1-1)과 제2 관통 홀(TH1-2)의 각각의 대면공 및 소면공의 내측면에서 모두 다른 거칠기 값이 나타날 수 있다. As described above, in the third embodiment, since secondary processing was performed in both the second small face hole V1-2 and the second face hole V2-2 of the second through hole TH1-2, the Different roughness values may appear on the inner surfaces of each of the large-faced holes and the small-faced holes of the first through-hole TH1-1 and the second through-hole TH1-2.

도 14는 실시 예에 따른 제2 관통 홀을 나타낸 도면이다.14 is a view illustrating a second through hole according to an embodiment.

도 14를 참조하면, 도 14의 (a)에서와 같이 공소 불량이나 막힘 불량이 발생한 제2 관통 홀(TH1-2)의 소면공에 대해서, 제1 관통 홀(TH1-1)의 소면공에 대응하는 스펙을 가지도록 2차 가공을 진행할 수 있다. Referring to FIG. 14 , as in FIG. 14( a ), for the small-faced hole of the second through-hole TH1-2 in which the blanking defect or clogging defect occurred, the small-faced hole of the first through-hole TH1-1 is Secondary processing may be performed to have corresponding specifications.

또한, 도 14의 (b)에서와 같이 공소 불량이나 막힘 불량이 발생한 제2 관통 홀(TH1-2)의 대면공에 대해서, 제1 관통 홀(TH1-1)의 대면공에 대응하는 스펙을 가지도록 2차 가공을 진행할 수 있다. In addition, with respect to the facing hole of the second through hole TH1-2 in which the cavity defect or the clogging defect occurred, as shown in FIG. 14(b) , the specification corresponding to the facing hole of the first through hole TH1-1 is Secondary processing can be carried out to have it.

실시 예에 의하면, 증착용 마스크는 내면이 제1 표면 거칠기를 가지는 제1 관통 홀, 및 상기 제1 표면 거칠기와 다른 제1 표면 거칠기를 가지는 제2 관통 홀을 포함한다. 이때, 상기 제1 관통 홀은 식각에 의해서만 형성될 수 있고, 제2 관통 홀은 식각에 의해 1차적으로 형성된 후에 식각을 제외한 다른 방법에 의한 2차적 가공을 통해 형성될 수 있다. 여기에서, 상기 제2 관통 홀은 식각에 의해 형성된 관통 홀 중 공소 불량이나 막힘 불량이 발생한 관통 홀이다. 그리고, 실시 예에서는 상기 공소 불량이나 막힘 불량이 발생한 제1 관통 홀에 대해 2차 가공 공정을 진행하여 상기 제1 관통 홀과 동일한 스펙을 가지도록 한다. 이에 따르면, 실시 예에서는 공소 불량이나 막힘 불량이 발생한 증착용 마스크를 폐기처리하는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라 증착용 마스크의 수율을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment, the deposition mask includes a first through hole having an inner surface having a first surface roughness, and a second through hole having a first surface roughness different from the first surface roughness. In this case, the first through-hole may be formed only by etching, and the second through-hole may be formed through secondary processing by a method other than etching after being primarily formed by etching. Here, the second through-hole is a through-hole in which a cavity defect or a clogging defect occurs among through-holes formed by etching. And, in the embodiment, a secondary processing process is performed on the first through-hole in which the cavity defect or the clogging defect has occurred so as to have the same specification as the first through-hole. According to this, in the embodiment, it is possible to prevent the deposition mask having a defective cavity or a clogging defect from being disposed of, and thus, the yield of the deposition mask can be improved.

또한, 실시 예에 의하면 공소 불량이나 막힘 불량이 발생한 증착용 마스크로 유기물을 증착하는 경우, 원하는 사이즈보다 작게 화소 패턴이 구현됨에 의해 OLED 패널의 색 구현이 정상적으로 되지 않거나, 막힘 부분에서 화소 패턴이 형성되지 않음에 의해 OLED 패널의 색 구현이 안되는 문제를 해결할 수 있으며, 이에 따른 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the embodiment, when an organic material is deposited with a deposition mask having a poor air gap or a clogging defect, a pixel pattern smaller than a desired size is realized, so that the color of the OLED panel is not normal or a pixel pattern is formed in the clogged part It is possible to solve the problem of not realizing the color of the OLED panel by not doing so, and thus reliability can be improved.

도 15는 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제조 방법을 도시한 도면들이다.15 is a diagram illustrating a method of manufacturing a deposition mask 100 according to an embodiment.

도 15를 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제조 방법은 금속판(10)을 준비하는 단계, 상기 금속판(10) 상에 포토레지스트층을 배치하여 관통 홀을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트층을 제거하여 상기 관통 홀을 포함하는 증착용 마스크(100)를 형성하는 단계, 형성된 관통 홀을 검사하는 단계 및 불량이 발생한 관통 홀에 대해 2차 가공을 진행하는 단계를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 15 , the method of manufacturing the deposition mask 100 according to the embodiment includes preparing a metal plate 10 , disposing a photoresist layer on the metal plate 10 to form a through hole, the It may include removing the photoresist layer to form the deposition mask 100 including the through-hole, inspecting the formed through-hole, and performing secondary processing on the defective through-hole. .

먼저, 증착용 마스크(100)를 제조하기 위한 기초 자재인 상기 금속판(10)을 준비한다(S410).First, the metal plate 10, which is a basic material for manufacturing the deposition mask 100, is prepared (S410).

상기 금속판(10)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)은 니켈(Ni)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 금속판(10)은 철(Fe), 니켈(Ni), 산소(O) 및 크롬(Cr)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 소량의 탄소(C), 규소(Si), 황(S), 인(P), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 구리(Cu), 은(Ag), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 인듐(In), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나 이상의 원소를 더 포함할 수 있다. 상기 인바(Invar)는 철 및 니켈을 포함하는 합금으로 열팽창계수가 0에 가까운 저열팽창 합금이다. 즉, 상기 인바는 열팽창 계수가 매우 작기 때문에 마스크 등과 같은 정밀 부품, 정밀 기기에 이용되고 있다. 따라서, 상기 금속판(10)을 이용하여 제조되는 증착용 마스크는 향상된 신뢰성을 가질 수 있어 변형을 방지할 수 있고, 수명 또한 증가시킬 수 있다.The metal plate 10 may include a metal material. For example, the metal plate 10 may include nickel (Ni). In detail, the metal plate 10 may include iron (Fe) and nickel (Ni). In more detail, the metal plate 10 may include iron (Fe), nickel (Ni), oxygen (O), and chromium (Cr). In addition, the metal plate 10 includes a small amount of carbon (C), silicon (Si), sulfur (S), phosphorus (P), manganese (Mn), titanium (Ti), cobalt (Co), copper (Cu), At least one element selected from among silver (Ag), vanadium (V), niobium (Nb), indium (In), and antimony (Sb) may be further included. The Invar is an alloy containing iron and nickel, and is a low thermal expansion alloy having a thermal expansion coefficient close to zero. That is, since the invar has a very small coefficient of thermal expansion, it is used for precision parts such as masks and precision instruments. Accordingly, the deposition mask manufactured by using the metal plate 10 may have improved reliability, thereby preventing deformation and increasing lifespan.

상기 금속판(10)에는 상기 철이 약 60 중량% 내지 약 65 중량%만큼 포함될 수 있고, 상기 니켈은 약 35 중량% 내지 약 40 중량%만큼 포함될 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)에는 상기 철이 약 63.5 중량% 내지 약 64.5 중량%만큼 포함될 수 있고, 상기 니켈은 약 35.5 중량% 내지 약 36.5 중량%만큼 포함될 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 탄소(C), 규소(Si), 황(S), 인(P), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 구리(Cu), 은(Ag), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 인듐(In), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나 이상의 원소를 약 1 중량% 이하만큼 더 포함할 수 있다. 상기 금속판(10)의 성분, 함량, 중량%는, 상기 금속판(10)의 평면 상에서 특정 영역(a*b)을 선택하여, 상기 금속판(10)의 두께(t)에 해당하는 시편(a*b*t)을 샘플링하여 강산 등에 녹여 각 성분의 중량%를 조사하는 방법을 사용하여 확인할 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고 금속판의 조성을 확인할 수 있는 다양한 방법으로 조성을 중량%를 조사할 수 있다.The metal plate 10 may contain about 60 wt% to about 65 wt% of the iron, and about 35 wt% to about 40 wt% of the nickel. In detail, the metal plate 10 may contain about 63.5 wt% to about 64.5 wt% of iron, and about 35.5 wt% to about 36.5 wt% of nickel. In addition, the metal plate 10 is carbon (C), silicon (Si), sulfur (S), phosphorus (P), manganese (Mn), titanium (Ti), cobalt (Co), copper (Cu), silver ( Ag), vanadium (V), niobium (Nb), indium (In), and antimony (Sb) may further include at least one element in an amount of about 1 wt% or less. The component, content, and weight % of the metal plate 10 are, by selecting a specific region (a*b) on the plane of the metal plate 10 , the specimen (a*) corresponding to the thickness (t) of the metal plate 10 . b*t) can be sampled and dissolved in a strong acid, etc. to check the weight% of each component. However, the embodiment is not limited thereto, and the composition by weight may be investigated by various methods for confirming the composition of the metal plate.

상기 금속판(10)은 냉간 압연 방식으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)은 용해, 단조, 열간 압연, 노멀라이징, 1차 냉간압연, 1차 어닐링, 2차 냉간압연 및 2차 어닐링 공정을 통해 형성될 수 있고 상기 공정들을 통해 약 30㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다. 또는, 상기 금속판(10)은 상기 공정 이후에 추가 두께 감소 공정을 통해 약 30㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다. The metal plate 10 may be manufactured by a cold rolling method. For example, the metal plate 10 may be formed through melting, forging, hot rolling, normalizing, primary cold rolling, primary annealing, secondary cold rolling and secondary annealing processes, and through the processes, about 30 μm It may have the following thickness. Alternatively, the metal plate 10 may have a thickness of about 30 μm or less through an additional thickness reduction process after the process.

또한, 상기 금속판(10)을 준비하는 단계(S410)는 목표로 하는 금속판(10)의 두께에 따라 두께 감소 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 두께 감소 단계는 상기 금속판(10)을 압연 및/또는 에칭하여 두께를 감소하는 단계일 수 있다.In addition, the step of preparing the metal plate 10 ( S410 ) may further include a thickness reduction step according to the target thickness of the metal plate 10 . The step of reducing the thickness may be a step of reducing the thickness by rolling and/or etching the metal plate 10 .

예를 들어, 400PPI 이상의 해상도를 구현하기 위한 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 30㎛ 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있고, 500PPI 이상의 해상도를 구현하기 위한 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 20㎛ 내지 약 30㎛ 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있고, 800PPI 이상의 해상도를 구현할 수 있는 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 15㎛ 내지 약 20㎛ 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있다.For example, a metal plate 10 with a thickness of about 30 μm may be required to manufacture a deposition mask for realizing a resolution of 400 PPI or higher, and about 20 μm to manufacture a deposition mask for realizing a resolution of 500 PPI or higher. A metal plate 10 with a thickness of about 30 μm to about 30 μm may be required, and a metal plate 10 with a thickness of about 15 μm to about 20 μm may be required to manufacture a deposition mask capable of implementing a resolution of 800 PPI or higher.

또한, 상기 금속판(10)을 준비하는 단계는 표면 처리 단계를 선택적으로 더 포함할 수 있다. 자세하게, 인바와 같은 니켈 합금은 식각 초기에 식각 속도가 빠를 수 있어 관통 홀 각각의 소면공(V1)의 식각 팩터가 저하될 수 있다. 또한, 관통 홀의 대면공(V2) 형성을 위한 에칭 시, 에칭액의 사이드 에칭에 의해 상기 대면공(V2) 형성을 위한 포토 레지스트층이 박리될 수 있다. 이에 따라 미세한 크기의 관통 홀을 형성하기 어려울 수 있고, 상기 관통 홀을 균일하게 형성하기 어려워 제조 수율이 저하될 수 있다.In addition, the step of preparing the metal plate 10 may optionally further include a surface treatment step. In detail, a nickel alloy such as Invar may have a high etching rate in the initial stage of etching, and thus the etching factor of each of the faceted holes V1 of each through hole may be reduced. In addition, when etching for forming the facing hole V2 of the through hole, the photoresist layer for forming the facing hole V2 may be peeled off by side etching of the etchant. Accordingly, it may be difficult to form a through-hole having a fine size, and it is difficult to form the through-hole uniformly, so that a manufacturing yield may be reduced.

따라서, 상기 금속판(10)의 표면 상에 성분, 함량, 결정구조 및 부식속도를 달리하는 표면 개질을 위한 표면 처리층을 배치할 수 있다. 여기에서, 표면 개질이란 식각 팩터를 향상시키기 위하여 표면에 배치되는 다양한 물질로 이루어진 층을 의미할 수 있다.Accordingly, a surface treatment layer for surface modification having different components, content, crystal structure, and corrosion rate may be disposed on the surface of the metal plate 10 . Here, the surface modification may refer to a layer made of various materials disposed on the surface in order to improve the etch factor.

즉, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)의 표면 상에 빠른 식각을 저지하기 위한 층으로 상기 금속판(10)보다 식각 속도가 느린 배리어층일 수 있다. 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 결정면 및 결정구조가 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 서로 다른 원소를 포함함에 따라, 결정면 및 결정구조가 서로 다를 수 있다.That is, the surface treatment layer is a layer for preventing rapid etching on the surface of the metal plate 10 , and may be a barrier layer having a slower etching rate than that of the metal plate 10 . The surface treatment layer may have a different crystal plane and crystal structure from the metal plate 10 . For example, since the surface treatment layer includes elements different from those of the metal plate 10 , a crystal plane and a crystal structure may be different from each other.

예를 들어, 동일한 부식환경에서 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 부식 전위가 다를 수 있다. 예를 들어, 동일한 온도의 동일한 에칭액에 동일 시간 처리하였을 때, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 부식전류 내지 부식전위가 서로 다를 수 있다. For example, in the same corrosion environment, the surface treatment layer may have a different corrosion potential from the metal plate 10 . For example, when treated with the same etching solution at the same temperature for the same time, the surface treatment layer may have a different corrosion current or corrosion potential from that of the metal plate 10 .

상기 금속판(10)은 일면 및/또는 양면, 전체 및/또는 유효영역에 표면 처리층 내지 표면 처리부를 포함할 수 있다. 상기 표면 처리층 내지 표면 처리부는 상기 금속판(10)과 서로 다른 원소를 포함하거나, 부식 속도가 느린 금속 원소를 상기 금속판(10)보다 큰 함량으로 포함할 수 있다.The metal plate 10 may include a surface treatment layer or a surface treatment portion on one side and/or both sides, the whole and/or the effective area. The surface treatment layer or the surface treatment unit may include an element different from that of the metal plate 10 , or may include a metal element having a slow corrosion rate in an amount greater than that of the metal plate 10 .

이어서, 상기 금속판(10)에 포토레지스트층을 배치하여 관통 홀(TH)을 형성하는 단계가 진행될 수 있다. Subsequently, a step of forming a through hole TH by disposing a photoresist layer on the metal plate 10 may be performed.

이를 위해, 상기 금속판(10)의 일면 상에 관통 홀의 소면공(V1)을 형성하기 위해 상기 금속판(10)의 일면 상에 제 1 포토 레지스트층(PR1)을 배치할 수 있다. 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)을 노광 및 현상하여 상기 금속판(10)의 일면 상에 패턴화된 제 1 포토레지스트층(PR1)을 형성할 수 있다. 즉, 상기 금속판의 일면 상에 오픈부를 포함하는 제 1 포토레지스트층(PR1)을 형성할 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)의 일면과 반대되는 타면 상에는 식각을 저지하기 위한 코팅층 또는 필름층과 같은 식각 저지층이 배치될 수 있다.To this end, a first photoresist layer PR1 may be disposed on one surface of the metal plate 10 to form a small face hole V1 of a through hole on one surface of the metal plate 10 . The patterned first photoresist layer PR1 may be formed on one surface of the metal plate 10 by exposing and developing the first photoresist layer PR1 . That is, the first photoresist layer PR1 including an open portion may be formed on one surface of the metal plate. In addition, an etch stop layer such as a coating layer or a film layer for preventing etching may be disposed on the other surface opposite to one surface of the metal plate 10 .

이어서, 패턴화된 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 금속판(10)의 일면 상에 제 1 홈을 형성할 수 있다. 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)의 오픈부는 식각액 등에 노출될 수 있어, 상기 금속판(10)의 일면 중 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)이 배치되지 않은 오픈부에서 에칭이 일어날 수 있다.Next, a first groove may be formed on one surface of the metal plate 10 by half-etching the patterned open portion of the first photoresist layer PR1 . The open portion of the first photoresist layer PR1 may be exposed to an etchant or the like, so that etching may occur in an open portion of one surface of the metal plate 10 in which the first photoresist layer PR1 is not disposed.

상기 제 1 홈을 형성하는 단계는 약 20㎛ 내지 약 30㎛ 두께의 상기 금속판(10)을 약 1/2 두께가 될 때까지 에칭하는 단계일 수 있다. 이 단계를 통해 형성된 제 1 홈의 깊이는 약 10㎛ 내지 15㎛일 수 있다. 즉, 이 단계 후에 형성된 제 1 홈의 중심에서 측정한 상기 금속판의 두께는 약 10㎛ 내지 약 15㎛일 수 있다.The forming of the first groove may be a step of etching the metal plate 10 having a thickness of about 20 μm to about 30 μm until it is about 1/2 thick. The depth of the first groove formed through this step may be about 10 μm to 15 μm. That is, the thickness of the metal plate measured at the center of the first groove formed after this step may be about 10 μm to about 15 μm.

상기 제 1 홈을 형성하는 단계(S430)는, 이방성 에칭 또는 세미-부가 공법(semi additive process, SAP)으로 홈을 형성하는 단계일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)의 오픈부를 하프 에칭하기 위하여 이방성 에칭 또는 세미 부가 공법을 사용할 수 있다. 이에 따라, 하프 에칭을 통해 형성된 제 1 홈은 등방성 에칭보다 깊이 방향으로의 식각 속도(b 방향)가 사이드 에칭(a 방향)의 속도보다 빠를 수 있다.The step of forming the first groove ( S430 ) may be a step of forming the groove by anisotropic etching or a semi-additive process (SAP). In detail, in order to half-etch the open portion of the first photoresist layer PR1 , an anisotropic etching or a semi-addition method may be used. Accordingly, in the first groove formed through the half etching, the etching rate in the depth direction (the b direction) may be faster than the speed of the side etching (a direction) than the isotropic etching.

상기 소면공(V1)의 식각 팩터는 2.0 내지 3.0일 수 있다. 예를 들어, 소면공(V1)의 식각 팩터는 2.1 내지 3.0일 수 있다. 예를 들어, 소면공(V1)의 식각 팩터는 2.2 내지 3.0일 수 있다. 여기에서, 식각 팩터는 식각된 소면공의 깊이(B)/소면공 상의 아일랜드부(IS)에서 연장되어 관통 홀(TH)의 중심방향으로 돌출된 포토레지스트층의 폭(A)(Etching Factor = B/A)을 의미할 수 있다. 상기 A는 상기 하나의 면공 상에 돌출된 포토레지스트층 일측의 폭 및 상기 일측과 반대되는 타측의 폭의 평균 값을 의미한다.An etch factor of the small face hole V1 may be 2.0 to 3.0. For example, the etching factor of the small face hole V1 may be 2.1 to 3.0. For example, the etching factor of the small face hole V1 may be 2.2 to 3.0. Here, the etch factor is the depth (B) of the etched small face hole / the width (A) of the photoresist layer extending from the island portion IS on the small face hole and protruding in the center direction of the through hole TH (Etching Factor = B/A). A denotes an average value of the width of one side of the photoresist layer protruding on the one surface hole and the width of the other side opposite to the one side.

이어서, 상기 금속판(10)의 상기 타면 상에 제 2 포토레지스트층(PR2)을 배치할 수 있다. 이어서, 상기 제 2 포토레지스트층(PR2)을 노광 및 현상하여 상기 금속판(10)의 타면 상에 패턴화된 제 2 포토레지스트층(PR2)이 배치할 수 있다(S440). 또한, 상기 금속판(10)의 일면 상에는 식각을 저지하기 위한 코팅층 또는 필름층과 같은 식각 저지층이 배치될 수 있다.Next, a second photoresist layer PR2 may be disposed on the other surface of the metal plate 10 . Next, the second photoresist layer PR2 may be exposed and developed to form a patterned second photoresist layer PR2 on the other surface of the metal plate 10 ( S440 ). In addition, an etch stop layer such as a coating layer or a film layer for preventing etching may be disposed on one surface of the metal plate 10 .

상기 제 2 포토레지스트층(PR2)의 오픈부는 식각액 등에 노출될 수 있어, 금속판(10)의 타면 중 상기 제 2 포토레지스트층(PR2)이 배치되지 않은 오픈부에서 에칭이 일어날 수 있다. 상기 금속판(10)의 타면은 이방성 에칭 또는 등방성 에칭에 의하여 에칭될 수 있다.The open portion of the second photoresist layer PR2 may be exposed to an etchant or the like, so that etching may occur in an open portion of the other surface of the metal plate 10 in which the second photoresist layer PR2 is not disposed. The other surface of the metal plate 10 may be etched by anisotropic etching or isotropic etching.

상기 제 2 포토레지스트층(PR2)의 오픈부를 에칭함에 따라, 상기 금속판(10)의 일면 상의 제 1 홈은 대면공(V2)과 연결되어 관통 홀을 형성할 수 있다. As the open portion of the second photoresist layer PR2 is etched, the first groove on one surface of the metal plate 10 may be connected to the facing hole V2 to form a through hole.

상기 관통 홀을 형성하는 단계는, 상기 소면공(V1) 형성을 위한 제 1 홈을 형성하는 단계 이후에 상기 대면공(V2) 형성을 위한 제 2 홈을 형성하는 단계가 진행되어 상기 관통 홀(TH)을 형성하는 단계일 수 있다.In the step of forming the through-hole, the step of forming the second groove for forming the face-to-face hole V2 is performed after the step of forming the first groove for forming the small-faced hole V1, so that the through-hole ( TH) may be formed.

이와 다르게, 상기 관통 홀(TH)을 형성하는 단계는, 상기 대면공(V2) 형성을 위한 제 2 홈을 형성하는 단계 이후에 상기 소면공(V1) 형성을 위한 제 1 홈을 형성하는 단계가 진행되어 상기 관통 홀(TH)을 형성하는 단계일 수 있다.Alternatively, in the step of forming the through hole TH, the step of forming the first groove for forming the small face hole V1 after the step of forming the second groove for forming the face hole V2 is It may be a step of forming the through hole TH.

이와 또 다르게, 상기 관통 홀(TH)을 형성하는 단계는, 상기 소면공(V1) 형성을 위한 제 1 홈을 형성하는 단계 및 상기 대면공(V2) 형성을 위한 제 2 홈을 형성하는 단계가 동시에 진행되어 상기 관통 홀(TH)을 형성하는 단계일 수 있다.Alternatively, the step of forming the through hole TH may include forming a first groove for forming the small face hole V1 and forming a second groove for forming the face hole V2. It may be performed simultaneously to form the through hole TH.

다음으로, 상기 제 1 포토레지스트층(PR1) 및 상기 제 2 포토레지스트층(PR2)을 제거하여, 상기 일면 상에 형성된 대면공(V2), 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 소면공(V1), 상기 대면공(V2) 및 상기 소면공(V1)의 경계가 연결되는 연통부에 의해 형성되는 관통 홀(TH)을 포함하는 증착용 마스크(100)를 형성하는 단계를 거쳐 증착용 마스크(100)가 형성될 수 있다.Next, by removing the first photoresist layer PR1 and the second photoresist layer PR2 , the facing hole V2 formed on the one surface and the small surface hole V1 formed on the other surface opposite to the one surface . 100) can be formed.

다음으로, 상기와 같이 형성된 관통 홀(TH)에 대해 검사하는 단계를 거칠 수 있다. 상기 검사 단계는 스캔 장비를 이용하여 각각의 관통 홀의 상태를 체크하는 단계일 수 있으며, 기준 스펙을 벗어난 막힘 불량이나 공소 불량이 발생한 관통 홀의 위치에 대한 좌표 값을 찾아내는 공정을 포함할 수 있다.Next, a step of inspecting the through hole TH formed as described above may be performed. The inspection step may be a step of checking the state of each through-hole by using a scanning device, and may include a step of finding a coordinate value for a position of a through-hole where a clogging defect or a vacancy defect out of a standard specification has occurred.

다음으로, 상기와 같이 검사 단계에서 확인된 관통 홀에 대해 2차 가공 공정(예를 들어, 레이저)을 진행하여, 다른 관통 홀과 대응하는 스펙을 가지도록 한 증착용 마스크(100)를 형성할 수 있다.Next, a secondary processing process (eg, laser) is performed on the through-holes identified in the inspection step as described above to form the deposition mask 100 having specifications corresponding to those of other through-holes. can

상기 단계들을 거쳐 형성된 증착용 마스크(100)는 상기 금속판(10)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 금속판(10)과 동일한 조성의 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)의 아일랜드부(IS)는 상술한 표면 처리층을 표함할 수 있다.The deposition mask 100 formed through the above steps may include the same material as the metal plate 10 . For example, the deposition mask 100 may include a material having the same composition as that of the metal plate 10 . In addition, the island portion IS of the deposition mask 100 may include the above-described surface treatment layer.

상기 단계들을 거쳐 형성된 증착용 마스크(100)는 유효부(AA)에 형성된 제 1 리브(RB1)의 중심에서의 최대 두께가 에칭을 거치지 않은 비유효부(UA)에서의 최대 두께보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 리브(RB1) 중심에서의 최대 두께는 약 15㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 리브(RB1) 중심에서의 최대 두께는 약 10㎛ 미만일 수 있다. 그러나, 증착용 마스크(100)의 비유효부(UA)에서의 최대 두께는 약 20㎛ 내지 약 30㎛ 일 수 있고, 약 15㎛ 내지 약 25㎛일 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부(UA)에서의 최대 두께는 상기 금속판(10)을 준비하는 단계에서 준비된 금속판(10)의 두께와 대응될 수 있다.In the deposition mask 100 formed through the above steps, the maximum thickness at the center of the first rib RB1 formed in the effective portion AA may be smaller than the maximum thickness in the ineffective portion UA that is not etched. For example, the maximum thickness at the center of the first rib RB1 may be about 15 μm. For example, the maximum thickness at the center of the first rib RB1 may be less than about 10 μm. However, the maximum thickness in the ineffective portion UA of the deposition mask 100 may be about 20 μm to about 30 μm, or about 15 μm to about 25 μm. That is, the maximum thickness of the ineffective portion UA of the deposition mask 100 may correspond to the thickness of the metal plate 10 prepared in the step of preparing the metal plate 10 .

도 16 및 도 17은 실시예에 따른 증착용 마스크를 통해 형성되는 증착 패턴을 나타내는 도면들이다.16 and 17 are views illustrating a deposition pattern formed through a deposition mask according to an embodiment.

도 16을 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 소면공(V1)이 형성된 증착용 마스크(100)의 일면 및 연통부 사이의 높이(H1)가 약 3.5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 0.1㎛ 내지 약 3.4㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 0.5㎛ 내지 약 3.2㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 1㎛ 내지 약 3㎛일 수 있다.Referring to FIG. 16 , in the deposition mask 100 according to the embodiment, the height H1 between one surface of the deposition mask 100 in which the small face hole V1 is formed and the communication portion may be about 3.5 μm or less. For example, the height H1 may be about 0.1 μm to about 3.4 μm. For example, the height H1 may be about 0.5 μm to about 3.2 μm. For example, the height H1 may be about 1 μm to about 3 μm.

이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)의 일면과 증착 패턴이 배치되는 기판 사이의 거리가 가까울 수 있어 쉐도우 효과에 따른 증착 불량을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)를 이용하여 R, G, B 패턴 형성 시, 인접한 두 패턴 사이의 영역에 서로 다른 증착 물질이 증착되는 불량을 방지할 수 있다. 자세하게, 도 17에 도시된 바와 같이 상기 패턴들이 좌측부터 R, G, B 순으로 형성될 경우, 상기 R 패턴 및 상기 G 패턴 사이의 영역에 쉐도우 효과로 R 패턴 및 G 패턴이 증착되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, the distance between the one surface of the deposition mask 100 and the substrate on which the deposition pattern is disposed may be close, thereby reducing deposition defects caused by the shadow effect. For example, when the R, G, and B patterns are formed using the deposition mask 100 according to the embodiment, it is possible to prevent a defect in which different deposition materials are deposited in a region between two adjacent patterns. In detail, as shown in FIG. 17 , when the patterns are formed in the order of R, G, and B from the left, it is possible to prevent the R pattern and the G pattern from being deposited as a shadow effect in the region between the R pattern and the G pattern. can

또한, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 유효부에서의 아일랜드부(IS)의 크기를 감소시킬 수 있다. 자세하게, 비식각면인 아일랜드부(IS)의 상부면의 면적을 감소시킬 수 있어 유기물 증착 시 상기 유기물은 관통 홀(TH)을 쉽게 통과할 수 있어 증착 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the deposition mask 100 according to the embodiment may reduce the size of the island portion IS in the effective portion. In detail, since the area of the upper surface of the island portion IS, which is a non-etched surface, can be reduced, the organic material can easily pass through the through hole TH during deposition of the organic material, thereby improving deposition efficiency.

또한, 상기 아일랜드부(IS)의 면적은 유효부(AA1, AA2, AA3)의 중심에서 비유효부(UA) 방향으로 갈수록 감소할 수 있다. 이에 따라, 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)의 가장자리에 위치한 관통 홀에 유기물을 원활하게 공급할 수 있어 증착 효율을 향상시킬 수 있고 증착 패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.Also, the area of the island part IS may decrease from the center of the effective parts AA1 , AA2 , and AA3 toward the non-effective part UA. Accordingly, the organic material can be smoothly supplied to the through-holes located at the edges of the effective portions AA1, AA2, and AA3, thereby improving deposition efficiency and improving the quality of deposition patterns.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects, etc. described in the above-described embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by those of ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, although the embodiments have been described above, these are merely examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains are exemplified above in a range not departing from the essential characteristics of the present embodiment It can be seen that various modifications and applications that have not been made are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be implemented by modification. And the differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

Claims (5)

OLED 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크에 있어서,
상기 증착용 마스크는 증착 영역 및 비증착 영역을 포함하고,
상기 증착 영역은 길이 방향으로 서로 이격된 복수 개의 유효부 및 비유효부를 포함하고,
상기 유효부는
일면 상에 형성된 제1 소면공과, 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성되어 상기 제1 소면공과 연통되는 제1 대면공을 포함하는 제1 관통 홀; 및
상기 일면 상에 상기 제1 소면공과 이격되어 형성된 제2 소면공과, 상기 타면 상에 형성되어 상기 제2 소면공과 연통되는 제2 대면공을 포함하는 제2 관통 홀을 포함하고,
상기 제1 관통 홀의 내측면은 제1 거칠기 값을 가지고,
상기 제2 관통 홀의 내측면은 상기 제1 거칠기 값과 다른 제2 거칠기 값을 가지는
증착용 마스크.In the metal material deposition mask for OLED deposition,
The deposition mask includes a deposition region and a non-deposition region,
The deposition region includes a plurality of effective portions and ineffective portions spaced apart from each other in the longitudinal direction,
The effective part
a first through hole including a first faceted hole formed on one surface and a first faceted hole formed on the other surface opposite to the one surface and communicating with the first faceted hole; and
and a second through-hole including a second facet hole formed on the one surface to be spaced apart from the first facet hole, and a second face hole formed on the other surface and communicated with the second facet hole,
The inner surface of the first through hole has a first roughness value,
The inner surface of the second through hole has a second roughness value different from the first roughness value.
Deposition mask. 제 1항에 있어서,
상기 제1 관통 홀의 상기 제1 소면공 및 상기 제1 대면공의 내측면은,
상기 제1 거칠기 값을 가지고,
상기 제2 관통 홀의 상기 제2 대면공의 내측면은,
상기 제2 거칠기 값을 가지며,
상기 제2 관통 홀의 상기 제2 소면공의 내측면은,
상기 제1 거칠기 값을 가지는
증착용 마스크.The method of claim 1,
The inner surface of the first small face hole and the first face hole of the first through hole,
having the first roughness value,
The inner surface of the second facing hole of the second through hole,
having the second roughness value,
The inner surface of the second small face hole of the second through hole,
having the first roughness value
Deposition mask. 제1항에 있어서,
상기 제1 관통 홀의 상기 제1 소면공 및 상기 제1 대면공의 내측면은,
상기 제1 거칠기 값을 가지고,
상기 제2 관통 홀의 상기 제2 소면공의 내측면은,
상기 제2 거칠기 값을 가지며,
상기 제2 관통 홀의 상기 제2 대면공의 내측면은,
상기 제1 거칠기 값을 가지는
증착용 마스크.According to claim 1,
The inner surface of the first small face hole and the first face hole of the first through hole,
having the first roughness value,
The inner surface of the second small face hole of the second through hole,
having the second roughness value,
The inner surface of the second facing hole of the second through hole,
having the first roughness value
Deposition mask. 제1항에 있어서,
상기 제1 관통 홀의 상기 제1 소면공 및 상기 제1 대면공의 내측면은,
상기 제1 거칠기 값을 가지고,
상기 제2 관통 홀의 상기 제2 소면공 및 상기 제2 대면공의 내측면은,
상기 제2 거칠기 값을 가지는
증착용 마스크.According to claim 1,
The inner surface of the first small face hole and the first face hole of the first through hole,
having the first roughness value,
The inner surface of the second small face hole and the second face hole of the second through hole,
having the second roughness value
Deposition mask. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 거칠기 값은,
0.1 ~ 0.2㎛의 Ra 값을 가지는
증착용 마스크.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The first roughness value is
having an Ra value of 0.1 ~ 0.2㎛
Deposition mask.
KR1020200008560A 2020-01-22 2020-01-22 A deposition mask of metal material for oled pixel deposition KR20210094833A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200008560A KR20210094833A (en) 2020-01-22 2020-01-22 A deposition mask of metal material for oled pixel deposition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200008560A KR20210094833A (en) 2020-01-22 2020-01-22 A deposition mask of metal material for oled pixel deposition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210094833A true KR20210094833A (en) 2021-07-30

Family

ID=77148565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200008560A KR20210094833A (en) 2020-01-22 2020-01-22 A deposition mask of metal material for oled pixel deposition

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20210094833A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102642138B1 (en) A deposition mask and method for manufacturing of the same
KR20230170628A (en) A deposition mask of metal material for oled pixel deposition and oled display panel fabrication method
KR102516817B1 (en) A deposition mask of metal material for oled pixel deposition and oled display panel fabrication method
CN111373564B (en) Mask for deposition and method for manufacturing the same
CN113169288B (en) Alloy plate and deposition mask including the same
KR20210094261A (en) A deposition mask of metal material for oled pixel deposition
KR20230046289A (en) Measuring method of the rasidual stress of a metal substrare for deposition mask, and the metal substrate having improved rasidual stress
KR20230163964A (en) A deposition mask
KR20230104842A (en) A deposition mask
KR20210124693A (en) A deposition mask of metal material for oled pixel deposition and method for manufacturing of the same
KR20210105156A (en) A metal substrate for deposition mask for oled pixel deposition and oled pixel deposition mask
KR102361452B1 (en) A deposition mask of metal material for oled pixel deposition and oled display panel fabrication method
KR20230007292A (en) A deposition mask of metal plate material for oled pixel deposition and method for manufacturing of the same
KR20200058819A (en) Alloy metal plate and deposition mask including the alloy metal plate
KR20210094833A (en) A deposition mask of metal material for oled pixel deposition
KR102399595B1 (en) Metal substrate and mask using the same
CN112534605B (en) Mask for vapor deposition of metal plate material for OLED pixel vapor deposition
KR20200058072A (en) Alloy metal plate and deposition mask including the alloy metal plate
KR102689020B1 (en) Metal substrate and Mask using the same
KR20210092448A (en) A deposition mask of metal material for oled pixel deposition and oled display panel fabrication method
CN116024524A (en) Metal plate and deposition mask using the same
KR102621183B1 (en) Deposition mask and manufacturing method thereof
US20240260443A1 (en) Alloy metal plate and deposition mask including alloy metal plate
KR20200033600A (en) A deposition mask of metal plate material for oled pixel deposition and method for manufacturing of the same
KR20200033585A (en) A deposition mask and method for manufacturing of the same