KR20210092448A - A deposition mask of metal material for oled pixel deposition and oled display panel fabrication method - Google Patents
A deposition mask of metal material for oled pixel deposition and oled display panel fabrication method Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210092448A KR20210092448A KR1020200005848A KR20200005848A KR20210092448A KR 20210092448 A KR20210092448 A KR 20210092448A KR 1020200005848 A KR1020200005848 A KR 1020200005848A KR 20200005848 A KR20200005848 A KR 20200005848A KR 20210092448 A KR20210092448 A KR 20210092448A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- region
- hole
- deposition mask
- deposition
- thickness
- Prior art date
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 453
- 239000007769 metal material Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 14
- 208000029152 Small face Diseases 0.000 claims description 46
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 436
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 97
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 97
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 45
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 27
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 239000002335 surface treatment layer Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910002065 alloy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H01L51/56—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/12—Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils
-
- H01L51/001—
-
- H01L51/0011—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
본 실시 예는, 강성을 확보하여 형상 변형을 방지하면서 증착 성능을 향상시킬 수 있는 OLED 화소 증착을 위한 금속 재질의 증착용 마스크 및 OLED 패널 제조 방법에 관한 것이다.This embodiment relates to a metal deposition mask and an OLED panel manufacturing method for OLED pixel deposition capable of improving deposition performance while preventing shape deformation by securing rigidity.
표시 장치는 다양한 디바이스에 적용되어 사용되고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 스마트폰, 태블릿 PC 등과 같은 소형 디바이스뿐만 아니라, TV, 모니터, 퍼블릭 디스플레이(PD, Public Display) 등과 같은 대형 디바이스에 적용되어 이용되고 있다. 특히, 최근에는 500 PPI(Pixel Per Inch) 이상의 초고해상도 UHD(UHD, Ultra High Definition)에 대한 수요가 증가하고 있으며, 고해상도 표시 장치가 소형 디바이스 및 대형 디바이스에 적용되고 있다. 이에 따라, 저전력 및 고해상도 구현을 위한 기술에 대한 관심이 높아지고 있다.The display device is applied and used in various devices. For example, the display device is applied and used not only in small devices such as smart phones and tablet PCs, but also in large devices such as TVs, monitors, and public displays (PDs). In particular, in recent years, the demand for ultra-high resolution UHD (UHD) of 500 PPI (Pixel Per Inch) or more is increasing, and high-resolution display devices are being applied to small devices and large devices. Accordingly, interest in technology for implementing low power and high resolution is increasing.
일반적으로 사용되는 표시 장치는 구동 방법에 따라 크게 LCD(Liquid Crystal Display) 및 OLED(Organic Light Emitting Diode) 등으로 구분될 수 있다.A generally used display device may be largely divided into a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting diode (OLED) according to a driving method.
LCD는 액정(Liquid Crystal)을 이용하여 구동되는 표시 장치로 상기 액정의 하부에는 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp) 또는 LED(Light Emitting Diode) 등을 포함하는 광원이 배치되는 구조를 가지며, 상기 광원 상에 배치되는 상기 액정을 이용하여 상기 광원으로부터 방출되는 빛의 양을 조절하여 구동되는 표시 장치이다.. The LCD is a display device driven using liquid crystal, and has a structure in which a light source including a Cold Cathode Fluorescent Lamp (CCFL) or a Light Emitting Diode (LED) is disposed under the liquid crystal, and on the light source It is a display device driven by controlling the amount of light emitted from the light source using the disposed liquid crystal.
또한, OLED는 유기물을 이용해 구동되는 표시 장치로, 별도의 광원이 요구되지 않고, 유기물이 자체가 광원의 역할을 수행하여 저전력으로 구동될 수 있다. 또한, OLED는 무한한 명암비를 표현할 수 있고, LCD보다 약 1000배 이상의 빠른 응답 속도를 가지며 시야각이 우수하여 LCD를 대체할 수 있는 표시 장치로 주목 받고 있다.In addition, the OLED is a display device driven using an organic material, and a separate light source is not required, and the organic material itself serves as a light source and can be driven with low power. In addition, OLED is attracting attention as a display device that can replace LCD because it can express infinite contrast ratio, has a response speed of about 1000 times faster than LCD, and has excellent viewing angle.
특히, OLED에서 발광층에 포함된 상기 유기물은 파인 메탈 마스크(FMM, Fine Metal Mask)라 불리는 증착용 마스크에 의해 기판 상에 증착될 수 있고, 증착된 상기 유기물은 상기 증착용 마스크에 형성된 패턴과 대응되는 패턴으로 형성되어 화소의 역할을 수행할 수 있다. 상기 증착용 마스크는 일반적으로 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함하는 인바(Invar) 합금 금속판으로 제조된다. 이때, 상기 금속판의 일면 및 타면에는 상기 일면 및 상기 타면을 관통하는 관통 홀이 형성되며 상기 관통 홀은 화소 패턴과 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 이에 따라, 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 등의 유기물은 상기 금속판의 관통 홀을 통과하여 기판 상에 증착될 수 있고, 기판 상에는 화소 패턴이 형성될 수 있다.In particular, the organic material included in the light emitting layer in the OLED may be deposited on the substrate by a deposition mask called a fine metal mask (FMM), and the deposited organic material corresponds to the pattern formed on the deposition mask. It is formed in a pattern that can be used to function as a pixel. The deposition mask is generally made of an Invar alloy metal plate containing iron (Fe) and nickel (Ni). In this case, a through hole passing through the first surface and the other surface may be formed on one surface and the other surface of the metal plate, and the through hole may be formed at a position corresponding to the pixel pattern. Accordingly, the organic material such as red, green, and blue may pass through the through hole of the metal plate to be deposited on the substrate, and a pixel pattern may be formed on the substrate.
한편, 상기 증착용 마스크의 원소재인 금속판에 관통 홀을 형성하기 전에 상기 금속판을 전처리하는 공정이 진행된다. 이러한 전처리 공정은 금속판의 표면에 표면 처리층을 형성하거나, 상기 금속판을 에칭하여 표면 조도를 감소시키거나 금속판의 두께를 일정 두께 이하로 감소시키기 위해 진행된다.Meanwhile, before forming a through hole in the metal plate, which is a raw material for the deposition mask, a process of pretreating the metal plate is performed. This pretreatment process is performed to form a surface treatment layer on the surface of the metal plate, to reduce the surface roughness by etching the metal plate, or to reduce the thickness of the metal plate to a predetermined thickness or less.
이러한 전처리 공정은 약품 등에 의해 진행되므로, 상기 전처리 공정 이후, 금속판의 표면 특성 및 표면 조도는 변화되지만, 금속판 전체 영역에서 국부적으로 두께가 다른 영역이 발생할 수 있다.Since this pretreatment process is performed by a chemical, etc., after the pretreatment process, the surface characteristics and surface roughness of the metal plate are changed, but regions having different thicknesses may be generated locally in the entire area of the metal plate.
이어서, 상기 금속판에 관통홀을 형성하는 에칭 공정이 진행될 때, 이러한 두께 차이에 의해 관통홀 내부의 경사 각도 차이가 발생할 수 있고, 이에 따라, 이러한 경사각도 차이에 의해 금속판의 영역마다 강성 균일도가 저하되어, 금속판의 일면에서 국부적으로 울퉁불퉁한 영역 즉, 오렌지필(Orange Peel) 현상에 의해 증착용 마스크의 표면 결함이 발생할 수 있다.Subsequently, when the etching process of forming the through-holes in the metal plate is performed, a difference in inclination angle inside the through-hole may occur due to this thickness difference, and accordingly, the uniformity of rigidity is lowered for each region of the metal plate by the difference in inclination angle. As a result, a surface defect of the deposition mask may occur due to a locally uneven region on one surface of the metal plate, that is, an orange peel phenomenon.
따라서, 상기와 같이 오렌지필 현상의 발생을 방지할 수 있는 새로운 구조의 증착용 마스크 및 이의 제조방법이 요구된다.Accordingly, there is a need for a deposition mask having a new structure capable of preventing the occurrence of the orange peel phenomenon as described above and a method for manufacturing the same.
실시예는 증착용 마스크의 두께 편차를 제어하고, 상기 두께 차이에 따른 대면공의 내측면 각도 편차를 제어하여, 표면 결함이 감소된 증착용 마스크를 제공하고자 한다.The embodiment is intended to provide a deposition mask with reduced surface defects by controlling the thickness deviation of the deposition mask and controlling the angle deviation of the inner surface of the facing hole according to the thickness difference.
실시예에 따른 증착용 마스크는, OLED 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크에 있어서, 상기 증착용 마스크는 제 1 영역 및 제 2 영역을 포함하고, 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역은 상기 증착용 마스크의 길이 방향과 대응되는 횡축 방향으로 이웃하며 배치되고, 상기 증착용 마스크는 증착 영역 및 비증착 영역을 포함하고, 상기 증착 영역은 상기 증착용 마스크의 길이 방향으로 서로 이격된 복수 개의 유효부 및 비유효부를 포함하고, 상기 유효부는, 일면 상에 형성된 다수의 소면공; 및 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성되고, 상기 소면공과 연통되는 다수의 대면공을 포함하고, 상기 대면공은 상기 제 1 영역에 형성되는 제 1 대면공; 및 상기 제 2 영역에 형성되는 제 2 대면공을 포함하고, 상기 타면에 대한 상기 제 1 대면공 내측면의 제 1 경사각도 크기는 상기 타면에 대한 상기 제 2 대면공 내측면의 제 2 경사각도보다 크고, 상기 제 2 경사각도 크기는 상기 제 1 경사각도의 85% 이상이다.The deposition mask according to the embodiment is a metal material deposition mask for OLED deposition, wherein the deposition mask includes a first region and a second region, and the first region and the second region are for the deposition disposed adjacent to each other in a horizontal axis direction corresponding to the longitudinal direction of the mask, wherein the deposition mask includes a deposition region and a non-deposition region, the deposition region including a plurality of effective portions spaced apart from each other in the longitudinal direction of the deposition mask; Including an ineffective portion, the effective portion, a plurality of small face holes formed on one surface; and a plurality of facing holes formed on the other surface opposite to the one surface and communicating with the small surface holes, wherein the facing holes are formed in the first area; and a second facing hole formed in the second region, wherein the size of the first inclination angle of the inner surface of the first facing hole with respect to the other surface is a second inclination angle of the inner surface of the second facing hole with respect to the other surface. greater than, and the second inclination angle is greater than or equal to 85% of the first inclination angle.
실시예에 따른 증착용 마스크는 증착용 마스크의 표면 특성을 향상시킬 수 있다.The deposition mask according to the embodiment may improve surface properties of the deposition mask.
자세하게, 실시예에 따른 증착용 마스크는 증착용 마스크에 관통홀을 형성할 때, 증착용 마스크의 원소재인 금속판의 두께 편차 및 관통홀 내부의 대면공 경사각도 편차를 제어할 수 있다.In detail, the deposition mask according to the embodiment can control the thickness deviation of the metal plate, which is a raw material for the deposition mask, and the inclination angle deviation of the facing hole inside the through hole when the through hole is formed in the deposition mask.
즉, 증착용 마스크의 원소재인 금속판의 두께 편차를 제어하여, 서로 다른 두께를 가지는 복수의 영역에서 상기 두께 차이에 따른 관통홀 형상의 불균일을 방지할 수 있고, 두께 차이에 따른 휘어짐을 방지할 수 있다.That is, by controlling the thickness deviation of the metal plate, which is a raw material for the deposition mask, it is possible to prevent non-uniformity in the shape of the through-hole according to the thickness difference in a plurality of regions having different thicknesses, and to prevent bending due to the thickness difference. can
또한, 증착용 마스크의 원소재인 금속판에서 서로 다른 두께를 가지는 복수의 영역에 각각 형성되는 관통홀 내부의 대면공 경사각도 편차를 일정 크기 범위로 제어하여, 대면공 경사각도 편차에 따라, 관통홀 형성 공정 중 증착용 마크스의 표면 조도가 증가하는 것을 방지할 수 있다.In addition, in a metal plate, which is a raw material for a deposition mask, the deviation of the inclination angle of the facing hole inside the through hole formed in a plurality of regions having different thicknesses is controlled to a certain size range, and according to the deviation of the inclination angle of the facing hole, the through hole It is possible to prevent an increase in the surface roughness of the deposition mark during the formation process.
이에 따라, 증착용 마스크의 신뢰성을 확보할 수 있고, 증착용 마스크의 표면 특성을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the reliability of the deposition mask can be secured, and the surface properties of the deposition mask can be improved.
도 1은 실시 예에 따른 증착용 마스크가 포함된 유기물 증착 장치를 도시한 사시도이다.
도 2는 실시 예에 따른 증착용 마스크가 포함된 유기물 증착 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3은 실시 예에 따른 증착용 마스크가 마스크 프레임 상에 거치되기 위해 인장되는 것을 도시한 도면이다.
도 4는 상기 증착용 마스크의 복수 개의 관통 홀을 통해 상기 기판(300) 상에 복수 개의 증착 패턴이 형성되는 것을 도시한 도면이다.
도 5는 실시예에 따른 증착용 마스크의 평면도를 도시한 도면이다.
도 6은 제 1 실시예에 따른 증착용 마스크의 유효부의 평면도를 도시한 도면이다.
도 7은 실시예에 따른 증착용 마스크의 다른 평면도를 도시한 도면이다.
도 8은 실시예에 따른 증착용 마스크의 또 다른 평면도를 도시한 도면이다.
도 9는 도 6의 A-A' 방향에서의 단면과 B-B' 방향에서의 단면 사이의 높이 단차와 크기를 설명하기 위해 각각의 단면을 겹쳐서 도시한 도면이다.
도 10 도 6의 B-B' 방향에서의 단면도를 도시한 도면이이다.
도 11 도 6의 C-C' 방향에서의 단면도를 도시한 도면이다.
도 12는 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 13 및 도 14는 실시예에 따른 증착용 마스크를 통해 형성되는 증착 패턴을 나타내는 도면들이다. 1 is a perspective view illustrating an organic material deposition apparatus including a deposition mask according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view illustrating an organic material deposition apparatus including a deposition mask according to an embodiment.
FIG. 3 is a diagram illustrating that a deposition mask according to an embodiment is tensioned to be mounted on a mask frame.
4 is a diagram illustrating that a plurality of deposition patterns are formed on the
5 is a diagram illustrating a plan view of a deposition mask according to an embodiment.
6 is a plan view of an effective part of the deposition mask according to the first embodiment.
7 is a diagram illustrating another plan view of a deposition mask according to an embodiment.
8 is a diagram illustrating another plan view of a deposition mask according to an embodiment.
FIG. 9 is a diagram illustrating each cross-section overlaid in order to explain the height step and size between the cross-section in the AA′ direction and the cross-section in the BB′ direction of FIG.
10 is a view showing a cross-sectional view taken in the BB' direction of FIG.
11 is a view showing a cross-sectional view taken in the direction CC′ of FIG. 6 .
12 is a diagram illustrating a method of manufacturing a
13 and 14 are diagrams illustrating a deposition pattern formed through a deposition mask according to an embodiment.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to some of the described embodiments, but may be implemented in various different forms, and within the scope of the technical spirit of the present invention, one or more of the components may be selected between embodiments. It can be combined and substituted for use. In addition, terms (including technical and scientific terms) used in the embodiments of the present invention may be generally understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains, unless specifically defined and described explicitly. It may be interpreted as a meaning, and generally used terms such as terms defined in advance may be interpreted in consideration of the contextual meaning of the related art.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, “A 및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한개이상)”로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나이상을 포함 할 수 있다. In addition, the terms used in the embodiments of the present invention are for describing the embodiments and are not intended to limit the present invention. In this specification, the singular form may also include the plural form unless otherwise specified in the phrase, and when it is described as "at least one (or more than one) of A and (and) B, C", it can be combined with A, B, and C. It may contain one or more of all possible combinations.
또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다. In addition, in describing the components of the embodiment of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and are not limited to the essence, order, or order of the component by the term.
그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우 뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속'되는 경우도 포함할 수 있다. And, when it is described that a component is 'connected', 'coupled' or 'connected' to another component, the component is not only directly connected, coupled or connected to the other component, but also with the component It may also include a case of 'connected', 'coupled' or 'connected' due to another element between the other elements.
또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. In addition, when it is described as being formed or disposed on "above (above) or below (below)" of each component, the top (above) or bottom (below) is one as well as when two components are in direct contact with each other Also includes a case in which another component as described above is formed or disposed between two components.
또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In addition, when expressed as “up (up) or down (down)”, it may include the meaning of not only the upward direction but also the downward direction based on one component.
이하 도면들을 참조하여 실시예에 따른 증착용 마스크를 설명한다.Hereinafter, a deposition mask according to an embodiment will be described with reference to the drawings.
도 1 내지 도 4는 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)를 사용하여 기판(300) 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 개념도들이다.1 to 4 are conceptual views for explaining a process of depositing an organic material on a
도 1은 실시 예에 따른 증착용 마스크가 포함된 유기물 증착 장치를 도시한 사시도이고, 도 2는 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)가 포함된 유기물 증착 장치를 나타낸 단면도이고, 도 3은 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)가 마스크 프레임(200) 상에 거치되기 위해 인장되는 것을 도시한 도면이다. 또한, 도 4는 상기 증착용 마스크(100)의 복수 개의 관통 홀을 통해 상기 기판(300) 상에 복수 개의 증착 패턴이 형성되는 것을 도시한 도면이다.1 is a perspective view illustrating an organic material deposition apparatus including a deposition mask according to an embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an organic material deposition apparatus including a
도 1 내지 도 4을 참조하면, 유기물 증착 장치는 증착용 마스크(100), 마스크 프레임(200), 기판(300), 유기물 증착 용기(400) 및 진공 챔버(500)를 포함할 수 있다.1 to 4 , the organic material deposition apparatus may include a
상기 증착용 마스크(100)는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크는 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함할 수 있다.The
상기 증착용 마스크(100)는 증착을 위한 유효부에 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀(TH)들을 포함하는 증착용 마스크용 기판일 수 있다. 이때, 상기 관통홀은 기판 상에 형성될 패턴과 대응되도록 형성될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 증착 영역을 포함하는 유효부 이외의 비유효부를 포함할 수 있다.The
상기 마스크 프레임(200)은 개구부(205)를 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 복수 개의 관통 홀은 상기 마스크 프레임(200)의 개구부(205)와 대응되는 영역 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기물 증착 용기(400)로 공급되는 유기 물질이 상기 기판(300) 상에 증착될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 마스크 프레임(200) 상에 배치되어 고정될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 일정한 인장력으로 인장되고, 상기 마스크 프레임(200) 상에 용접에 의하여 고정될 수 있다. The
즉, 상기 마스크 프레임(200)은 상기 개구부(205)를 둘러싸는 복수의 프레임(201, 202, 203, 204)을 포함한다. 복수의 프레임(20, 202, 203, 204)은 서로 연결될 수 있다. 상기 마스크 프레임(200)은 X 방향으로 서로 마주보며, Y 방향을 따라 연장된 제 1 프레임(201) 및 제 2 프레임(202)을 포함하고, Y 방향으로 서로 마주보며, X 방향을 따라 연장된 제 3 프레임(203) 및 제 4 프레임(204)을 포함한다. 상기 제 1 프레임(201), 제 2 프레임(202), 제 3 프레임(203), 및, 제 4 프레임(204)은 서로 연결된 사각 프레임일 수 있다. 상기 마스크 프레임(200)은 마스크(130)가 용접시에 변형이 작은 소재, 이를테면, 강성이 큰 금속으로 제조될 수 있다.That is, the
상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 가장자리에서, 서로 반대되는 방향으로 인장될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 길이 방향에서, 상기 증착용 마스크(100)의 일단 및 상기 일단과 반대되는 타단이 서로 반대되는 방향으로 잡아 당겨질 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크(100)의 인장 방향, X 축 방향 및 상기 증착용 마스크의 길이 방향은 모두 동일한 방향일 수 있다.The
상기 증착용 마스크(100)의 일단과 상기 타단은 서로 마주보며 평행하게 배치될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 일단은 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 4개의 측면을 이루는 단부 중 어느 하나일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 약 0.1 kgf 내지 약 2 kgf의 인장력으로 인장될 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크는 0.4 kgf 내지 약 1.5 kgf의 인장력으로 인장되어 상기 마스크 프레임(200) 상에 고정될 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)의 응력은 감소될 수 있다. 그러나, 실시 예는 이에 제한되지 않고, 상기 증착용 마스크(100)의 응력을 감소시킬 수 있는 다양한 인장력으로 인장되어 상기 마스크 프레임(200) 상에 고정될 수 있다. One end and the other end of the
이어서, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부를 용접함에 따라, 상기 마스크 프레임(200)에 상기 증착용 마스크(100)를 고정할 수 있다. 그 다음으로, 상기 마스크 프레임(200)의 외부에 배치되는 상기 증착용 마스크(100)의 일부분은 절단 등의 방법으로 제거될 수 있다.Subsequently, the
상기 기판(300)은 표시 장치의 제조에 사용되는 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(300)은 OLED 화소 패턴용 유기물 증착을 위한 기판(300)일 수 있다. 상기 기판(300) 상에는 빛의 3원색인 화소를 형성하기 위하여 적색(Red), 녹색(Greed) 및 청색(Blue)의 유기물 패턴이 형성될 수 있다. 즉, 상기 기판(300) 상에는 RGB 패턴이 형성될 수 있다.The
상기 유기물 증착 용기(400)는 도가니일 수 있다. 상기 도가니의 내부에는 유기 물질이 배치될 수 있다. 상기 유기물 증착 용기(400)는 진공 챔버(500) 내에서 이동할 수 있다. 즉, 상기 유기물 증착 용기(400)는 진공 챔버(500) 내에서 Y축 방향으로 이동할 수 있다. 즉, 상기 유기물 증착 용기(400)는 진공 챔버(500) 내에서 증착용 마스크(100)의 폭 방향으로 이동할 수 있다. 즉, 상기 유기물 증착 용기(400)는 진공 챔버(500) 내에서 증착용 마스크(100)의 인장 방향과 수직한 방향으로 이동할 수 있다.The organic
상기 진공 챔버(500) 내에서 상기 유기물 증착 용기(400)인 도가니에 열원 및/또는 전류가 공급됨에 따라, 상기 유기 물질은 상기 기판(100) 상에 증착될 수 있다. As a heat source and/or current are supplied to the crucible that is the organic
도 4를 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 일면(101) 및 상기 일면과 반대되는 타면(102)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the
상기 증착용 마스크(100)의 상기 일면(101)은 소면공(V1)을 포함하고, 상기 타면은 대면공(V2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 타면(102) 각각은 복수 개의 소면공(V1)들 및 복수 개의 대면공(V2)들을 포함할 수 있다.The one
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 경계가 연결되는 연통부(CA)에 의하여 연통될 수 있다. In addition, the
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 소면공(V1) 내의 제 1 내측면(ES1)을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2) 및 제 3 내측면(ES3)을 포함할 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 상기 소면공(V1) 내의 제 1 내측면(ES1) 및 상기 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2) 및 제 3 내측면(ES3)이 서로 연통하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 하나의 소면공(V1) 내의 제 1 내측면(ES1)은 하나의 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2) 및 제 3 내측면(ES3)과 연통하여 하나의 관통홀을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 관통홀(TH)의 수는 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 수와 대응될 수 있다.In addition, the
한편, 상기 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2)은 복수의 서브 제 2 내측면(ES2)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2)은 길이 방향으로 마주보는 한 쌍의 제 1 서브 제 2 내측면 및 제 2 서브 제 2 내측면을 포함할 수 있다. 또한, 상기 대면공(V2)의 제 3 내측면(ES3)은 폭 방향으로 마주보는 한 쌍의 제 1 서브 제 3 내측면 및 제 2 서브 제 3 내측면을 포함할 수 있다.Meanwhile, the second inner surface ES2 in the facing hole V2 may include a plurality of sub second inner surfaces ES2 . That is, the second inner surface ES2 in the facing hole V2 may include a pair of first sub-second inner surfaces and second sub-second inner surfaces facing in the longitudinal direction. In addition, the third inner surface ES3 of the facing hole V2 may include a pair of first sub-third inner surfaces and second sub-third inner surfaces facing in the width direction.
상기 대면공(V2)의 폭은 상기 소면공(V1)의 폭보다 클 수 있다. 이때, 상기 소면공(V1)의 폭은 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101)에서 측정되고, 상기 대면공(V2)의 폭은 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 측정될 수 있다.A width of the face-to-face hole V2 may be greater than a width of the small-faced hole V1. At this time, the width of the small face hole V1 is measured on one
상기 소면공(V1)은 상기 기판(300)을 향하여 배치될 수 있다. 상기 소면공(V1)은 상기 기판(300)과 가까이 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 소면공(V1)은 증착 물질, 즉 증착 패턴(DP)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. The small face hole V1 may be disposed toward the
상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)를 향하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)로부터 공급되는 유기물질을 넓은 폭에서 수용할 수 있고, 상기 대면공(V2)보다 폭이 작은 상기 소면공(V1)을 통해 상기 기판(300) 상에 미세한 패턴을 빠르게 형성할 수 있다. The facing hole V2 may be disposed toward the organic
도 5는 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 평면도를 도시한 도면이다. 도 5를 참조하여, 상기 증착용 마스크(100)를 보다 구체적으로 설명한다.5 is a plan view illustrating a
도 5를 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 증착 영역(DA) 및 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the
상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역일 수 있다. 상기 증착 영역(DA)은 패턴 영역 및 비패턴 영역을 포함할 수 있다. 상기 패턴 영역은 소면공(V1), 대면공(V2), 관통홀(TH) 및 아일랜드부(IS)를 포함하는 영역일 수 있고, 상기 비패턴 영역은 소면공(V1), 대면공(V2), 관통홀(TH) 및 아일랜드부(IS)를 포함하지 않는 영역일 수 있다.The deposition area DA may be an area for forming a deposition pattern. The deposition area DA may include a pattern area and a non-pattern area. The pattern region may be a region including a small face hole V1, a face hole V2, a through hole TH, and an island portion IS, and the non-pattern region includes a small face hole V1 and a face hole V2. ), the through hole TH, and the island portion IS may be a region not including.
또한, 하나의 증착용 마스크(100)는 복수 개의 증착 영역(DA)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시 예의 상기 증착 영역(DA)은 복수 개의 증착 패턴을 형성할 수 있는 복수 개의 유효부(AA1, AA2, AA3)를 포함할 수 있다. 상기 패턴 영역은 상기 복수 개의 유효부(AA1, AA2, AA3)을 포함할 수 있다.Also, one
상기 복수의 유효부(AA1, AA2, AA3)는 제 1 유효부(AA1), 제 2 유효부(AA2) 및 제 3 유효부(AA3)를 포함할 수 있다. 여기서 하나의 증착 영역(DA)은 제 1 유효부(AA1), 제 2 유효부(AA2) 및 제 3 유효부(AA3) 중 어느 하나일 수 있다.The plurality of effective portions AA1 , AA2 , and AA3 may include a first effective portion AA1 , a second effective portion AA2 , and a third effective portion AA3 . Here, one deposition area DA may be any one of the first effective part AA1 , the second effective part AA2 , and the third effective part AA3 .
스마트폰과 같은 소형 표시 장치의 경우, 증착용 마스크(100)에 포함된 복수의 증착 영역 중 어느 하나의 유효부는 하나의 표시장치를 형성하기 위한 것일 수 있다. 이에 따라, 하나의 증착용 마스크(100)는 복수의 유효부를 포함할 수 있어, 여러 개의 표시장치를 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 공정 효율을 향상시킬 수 있다.In the case of a small display device such as a smart phone, an effective portion of any one of a plurality of deposition regions included in the
이와 다르게, 텔레비전과 같은 대형 표시 장치의 경우, 하나의 증착용 마스크(100)에 포함된 여러 개의 유효부가 하나의 표시장치를 형성하기 위한 일부일 수 있다. 이때, 상기 복수의 유효부는 마스크의 하중에 의한 변형을 방지하기 위한 것일 수 있다. Alternatively, in the case of a large display device such as a television, a plurality of effective portions included in one
상기 증착 영역(DA)은 하나의 증착용 마스크(100)에 포함된 복수의 분리 영역(IA1, IA2)을 포함할 수 있다. 인접한 유효부 사이에는 분리 영역(IA1, IA2)이 배치될 수 있다. 상기 분리 영역(IA1, IA2)은 복수 개의 유효부 사이의 이격 영역일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 유효부(AA1) 및 상기 제 2 유효부(AA2)의 사이에는 제 1 분리 영역(IA1)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 유효부(AA2) 및 상기 제 3 유효부(AA3)의 사이에는 제 2 분리 영역(IA2)이 배치될 수 있다. 즉, 상기 분리 영역(IA1, IA2)에 의해 인접한 유효 영역을 서로 구별할 수 있고, 하나의 증착용 마스크(100)가 복수의 유효 영역을 지지할 수 있다. The deposition area DA may include a plurality of isolation areas IA1 and IA2 included in one
상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착 영역(DA)의 길이 방향의 양 측부에 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 상기 증착 영역(DA)의 수평 방향의 양측에 상기 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다.The
상기 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 증착에 관여하지 않는 영역일 수 있다. 상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정하기 위한 프레임 고정영역(FA1, FA2)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 비증착 영역(NDA)은 하프에칭부(HF1, HF2) 및 오픈부를 포함할 수 있다.The non-deposition region NDA of the
상술한 바와 같이 상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역일 수 있고, 상기 비증착 영역(NDA)은 증착에 관여하지 않는 영역일 수 있다. 이때, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 증착 영역(DA)에는 상기 금속판(10) 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있고, 상기 비증착 영역(NDA) 표면 처리층을 형성하지 않을 수 있다. 또는, 증착용 마스크(100)의 일면(101) 또는 타면(102) 중 어느 한 면에만 상기 금속판(10)의 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있다. 또는, 증착용 마스크(100)의 일면(101)의 일부분에만 상기 금속판(10)의 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및/또는 타면(102), 증착용 마스크(100)의 전체 및/또는 일부는 상기 금속판(10) 재질보다 식각 속도가 느린 표면 처리층을 포함할 수 있어, 식각 팩터를 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 실시 예의 증착용 마스크(100)는 미세한 크기의 관통홀을 높은 효율로 형성할 수 있다. 일례로, 실시 예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 증착용 마스크(100)는 500PPI 이상의 높은 해상도를 가지는 증착 패턴을 높은 효율로 형성할 수 있다. 여기에서, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)의 재질과 다른 원소를 포함하거나, 동일한 원소의 조성이 다른 금속 물질을 포함하는 것을 의미할 수 있다. 이와 관련하여서는 후술한 증착용 마스크의 제조 공정에서 보다 상세히 설명하기로 한다.As described above, the deposition area DA may be an area for forming a deposition pattern, and the non-deposition area NDA may be an area not involved in deposition. In this case, a surface treatment layer different from that of the
상기 비증착 영역(NDA)은 하프에칭부(HF1, HF2)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착 영역(DA)의 일측에 제 1 하프에칭부(HF1)를 포함할 수 있고, 상기 증착 영역(DA)의 상기 일측과 반대되는 타측에 제 2 하프에칭부(HF2)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)는 증착용 마스크(100)의 깊이 방향으로 홈이 형성되는 영역일 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)는 증착용 마스크의 약 1/2 두께의 홈을 가질 수 있어, 증착용 마스크(100)의 인장 시 응력을 분산시킬 수 있다. 또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 상기 증착용 마스크(100)의 중심을 기준으로 X축 방향으로 대칭되거나 Y축 방향으로 대칭되도록 형성하는 것이 바람직하다. 이를 통해 양방향으로의 인장력을 균일하게 조절할 수 있다. The non-deposition area NDA may include half-etched portions HF1 and HF2 . For example, the non-deposition area NDA of the
상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 반원 형상의 홈을 포함할 수 있다. 상기 홈은 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 상기 일면(101)과 반대되는 타면(102) 중 적어도 하나의 면 상에 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 소면공(V1)과 대응되는 면 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 소면공(V1)과 동시에 형성될 수 있으므로 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 대면공(V2) 사이의 크기 차이에 의해 발생할 수 있는 응력을 분산시킬 수 있다. 그러나 실시 예는 이에 제한되지 않고 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 사각형 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)는 직사각형 또는 정사각형 형상일 수 있다. 이에 따라 상기 증착용 마스크(100)는 효과적으로 응력을 분산시킬 수 있다.The half-etched portions HF1 and HF2 may be formed in various shapes. The half-etched portions HF1 and HF2 may include semicircular grooves. The groove may be formed on at least one of one
또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 곡면 및 평면을 포함할 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1)의 평면은 상기 제 1 유효부(AA1)와 인접하게 배치될 수 있고, 상기 평면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 끝단과 수평하게 배치될 수 있다. 상기 제 1 하프에칭부(HF1)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 일단을 향해서 볼록한 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 하프에칭부(HF1)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점이 반원형상의 반지름과 대응되도록 형성될 수 있다. In addition, the half-etched portions HF1 and HF2 may include a curved surface and a flat surface. A plane of the first half-etched part HF1 may be disposed adjacent to the first effective part AA1 , and the plane may be horizontally disposed with an end of the
또한, 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 평면은 상기 제 3 유효부(AA3)와 인접하게 배치될 수 있고, 상기 평면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 끝단과 수평하게 배치될 수 있다. 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 타단을 향해서 볼록한 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점이 반원형상의 반지름과 대응되도록 형성될 수 있다.In addition, a plane of the second half-etched part HF2 may be disposed adjacent to the third effective part AA3 , and the plane may be horizontally disposed with an end of the
상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 소면공(V1) 또는 대면공(V2)을 형성할 때 동시에 형성할 수 있다. 이를 통해 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 타면(102)에 형성되는 홈은 서로 어긋나게 형성할 수 있다. 이를 통해 하프에칭부(HF1, HF2)가 관통되지 않을 수 있다.The half-etched portions HF1 and HF2 may be formed at the same time as the small-faced hole V1 or the large-faced hole V2 is formed. This can improve process efficiency. In addition, the grooves formed on the one
또한, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 4개의 하프에칭부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 짝수 개의 하프에칭부(HF1, HF2)를 포함할 수 있어 응력을 보다 효율적으로 분산할 수 있다.In addition, the
또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 증착 영역(DA)의 비유효부(UA)에 더 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 증착용 마스크(100)의 인장시 응력을 분산시키기 위해서 비유효부(UA)의 전체 또는 일부에 분산되어 다수 개 배치될 수 있다.In addition, the half-etched portions HF1 and HF2 may be further formed in the non-effective portion UA of the deposition area DA. For example, a plurality of the half-etched portions HF1 and HF2 may be dispersed in all or a part of the ineffective portion UA in order to distribute stress when the
또한, 상기 하프에칭부(HF1, HF2)는 프레임 고정영역(FA1, FA2) 및/또는 프레임 고정영역(FA1, FA2)의 주변영역에도 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정할 때, 및/또는 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정한 후에 유기물을 증착할 때에 발생하는 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)가 균일한 관통홀을 가지도록 유지할 수 있다.In addition, the half-etched portions HF1 and HF2 may be formed in the frame fixing regions FA1 and FA2 and/or in the peripheral regions of the frame fixing regions FA1 and FA2. Accordingly, the
즉, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 복수 개의 하프에칭부를 포함할 수 있다. 자세하게, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 비증착 영역(NDA)에만 하프에칭부(HF1, HF2)를 포함하는 것으로 도시하였으나 이에 제한되지 않고 상기 증착 영역(DA) 및 상기 비증착 영역(NDA) 중 적어도 하나의 영역은 복수 개의 하프에칭부를 더 포함할 수 있다. 이에 따라 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다.That is, the
상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착용 마스크(100)를 상기 마스크 프레임(200)에 고정하기 위한 프레임 고정영역(FA1, FA2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착 영역(DA)의 일측에 제 1 프레임 고정영역(FA1)을 포함할 수 있고, 상기 증착 영역(DA)의 상기 일측과 반대되는 타측에 제 2 프레임 고정영역(FA2)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 프레임 고정영역(FA1) 및 상기 제 2 프레임 고정영역(FA2)은 용접에 의해서 마스크 프레임(200)과 고정되는 영역일 수 있다. The non-deposition area NDA may include frame fixing areas FA1 and FA2 for fixing the
상기 프레임 고정영역(FA1, FA2)은 상기 비증착 영역(NDA)의 하프에칭부(HF1, HF2) 및 상기 하프에칭부(HF1, HF2)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 유효부의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임 고정영역(FA1)은 상기 비증착 영역(NDA)의 제 1 하프에칭부(HF1) 및 상기 제 1 하프에칭부(HF1)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 제 1 유효부(AA1)의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 프레임 고정영역(FA2)은 상기 비증착 영역(NDA)의 제 2 하프에칭부(HF2) 및 상기 제 2 하프에칭부(HF2)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 제 3 유효부(AA3)의 사이에 배치될 수 있다. 이에 따라, 복수 개의 증착패턴부를 동시에 고정할 수 있다.The frame fixing areas FA1 and FA2 are disposed between the half-etched portions HF1 and HF2 of the non-deposition area NDA and the effective portion of the deposition area DA adjacent to the half-etched portions HF1 and HF2. can be For example, the first frame fixed area FA1 may include a first half-etched portion HF1 of the non-deposition area NDA and a second portion of the deposition area DA adjacent to the first half-etched portion HF1 . It may be disposed between one effective part AA1. For example, the second frame fixed area FA2 may include a second half-etched portion HF2 of the non-deposition area NDA and a second half-etched portion HF2 of the deposition area DA adjacent to the second half-etched portion HF2 . It may be disposed between the three effective portions AA3. Accordingly, it is possible to simultaneously fix a plurality of deposition pattern portions.
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 수평 방향(X)의 양 끝단에 반원 형상의 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 비증착 영역(NDA)은 오픈부를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 비증착 영역(NDA)은 수평 방향의 양 끝단에 각각 하나의 반원 형상의 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평방향의 일측에는 수직 방향(Y)의 중심이 오픈된 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평방향의 상기 일측과 반대되는 타측에는 수직 방향의 중심이 오픈된 오픈부를 포함할 수 있다. 즉, 증착용 마스크(100)의 양 끝단은 수직 방향 길이의 1/2 지점이 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 양 끝단은 말발굽과 같은 형태일 수 있다.In addition, the
이때, 상기 오픈부의 곡면은 상기 하프에칭부(HF1, HF2)를 향할 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)의 양 끝단에 위치한 오픈부는 상기 제 1 하프에칭부(HF1, HF2) 또는 제 2 하프에칭부(HF1, HF2)와 상기 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점에서 이격 거리가 제일 짧을 수 있다. In this case, the curved surface of the open part may face the half-etched parts HF1 and HF2. Accordingly, the open portions located at both ends of the
또한, 상기 오픈부의 수직방향의 길이(h2)는, 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(h1)와 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)를 인장하는 경우 응력이 고르게 분산될 수 있어 증착용 마스크의 변형(wave deformation)을 감소시킬 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 균일한 관통홀을 가질 수 있어, 패턴의 증착 효율이 향상될 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(h1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(h2)의 약 80% 내지 약 200%일 수 있다(h1:h2 = 0.8~2:1). 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(h1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(h2)의 약 90% 내지 약 150%일 수 있다(h1:h2 = 0.9~1.5:1). 상기 제 1 하프에칭부(HF1) 또는 상기 제 2 하프에칭부(HF2)의 수직방향의 길이(h1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(h2)의 약 95% 내지 약 110%일 수 있다(h1:h2 = 0.95~1.1:1). In addition, the vertical length h2 of the open part may correspond to the vertical length h1 of the first half-etched part HF1 or the second half-etched part HF2 . Accordingly, when the
또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 하프에칭부는 증착 영역(DA)의 비유효부(UA)에 더 형성될 수 있다. 상기 하프에칭부는 증착용 마스크(100)의 인장 시 응력을 분산시키기 위해서 비유효부(UA)의 전체 또는 일부에 분산되어 다수 개 배치될 수 있다.Also, although not shown in the drawings, the half-etched portion may be further formed in the ineffective portion UA of the deposition area DA. A plurality of the half-etched portions may be dispersed in all or part of the non-effective portion UA to disperse stress during tension of the
또한, 하프에칭부(HF1, HF2)는 프레임 고정영역(FA1, FA2) 및/또는 프레임 고정영역(FA1, FA2)의 주변영역에도 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정할 때, 및/또는 증착용 마스크(100)를 프레임에 고정한 후에 증착물을 증착할 때에 발생하는 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)가 균일한 관통홀을 가지도록 유지할 수 있다.In addition, the half-etched portions HF1 and HF2 may be formed in the frame fixing regions FA1 and FA2 and/or in the peripheral regions of the frame fixing regions FA1 and FA2. Accordingly, the stress of the
상기 증착용 마스크(100)는 길이 방향으로 이격된 복수 개의 유효부(AA1, AA2, AA3) 및 상기 유효부 이외의 비유효부(UA)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 증착 영역(DA)은 복수 개의 유효부(AA1, AA2, AA3) 및 상기 유효부(AA) 이외의 비유효부(UA)을 포함할 수 있다.The
상기 유효부(AA1, AA2, AA3)는 상기 증착용 마스크(100)의 일면 상에 형성된 다수의 소면공(V1), 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 다수의 대면공(V2), 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 경계가 연결되는 연통부(CA)에 의해 형성되는 관통홀(TH)을 포함할 수 있다.The effective portions AA1 , AA2 , AA3 include a plurality of small face holes V1 formed on one surface of the
또한, 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)는 복수 개의 상기 관통홀(TH)들 사이를 지지하는 아일랜드부(IS)를 포함할 수 있다. In addition, the effective parts AA1 , AA2 , and AA3 may include an island part IS for supporting between the plurality of through-holes TH.
상기 아일랜드부(IS)는 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 관통홀(TH)들 사이에 위치할 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)에서 관통홀(TH) 이외의 영역은 아일랜드부(IS)일 수 있다. The island part IS may be positioned between adjacent through-holes TH among the plurality of through-holes TH. That is, in the effective portions AA1 , AA2 , and AA3 of the
상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착 마스크의 유효부의 일면(101) 또는 타면(102)에서 식각되지 않은 부분을 의미할 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 유효부의 대면공(V2)이 형성된 타면(102)에서 관통홀(TH)과 관통홀(TH) 사이의 식각되지 않은 영역일 수 있다. 따라서 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101)과 평행하게 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)의 상부면은 상기 일면(101)과 평행하게 배치될 수 있다.The island portion IS may mean a portion that is not etched on one
상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)과 동일 평면에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 비유효부의 적어도 일부분과 두께가 동일할 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 비유효부 중 식각되지 않은 부분과 두께가 동일할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)를 통해 서브 픽셀의 증착 균일성을 향상시킬 수 있다. The island part IS may be disposed on the same plane as the
또는, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)과 평행한 평면에 배치될 수 있다. 여기에서, 평행한 평면이라는 것은 상기 아일랜드부(IS) 주위의 식각공정에 의해서 아일랜드부(IS)가 배치되는 증착용 마스크(100)의 타면과 비유효부 중 비식각된 증착용 마스크(100)의 타면의 높이 단차가 ± 1 ㎛ 이하인 것을 포함할 수 있다. Alternatively, the island portion IS may be disposed on a plane parallel to the
상기 아일랜드부(IS)는 길이 방향으로의 폭(W1)과 수평 방향으로의 폭이 서로 다를 수 있다. 즉, 상기 아일랜드부(IS)는 길이 방향으로의 폭(W1)이 수평 방향으로의 폭(W2)보다 클 수 있다.The island portion IS may have a width W1 in a length direction and a width in a horizontal direction different from each other. That is, the island portion IS may have a width W1 in the longitudinal direction greater than a width W2 in the horizontal direction.
상기 증착용 마스크(100)는 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)의 외곽에 배치되는 비유효부(UA)를 포함할 수 있다. 상기 유효부(AA)는 복수 개의 관통 홀들 중 유기물질을 증착하기 위한 최외곽에 위치한 관통 홀들의 외곽을 연결하였을 때의 안쪽 영역일 수 있다. 상기 비유효부(UA)는 복수 개의 관통홀들 중 유기물질을 증착하기 위한 최외곽에 위치한 관통홀들의 외곽을 연결하였을 때의 바깥쪽 영역일 수 있다. The
상기 비유효부(UA)는 상기 증착 영역(DA)의 유효부(AA1, AA2, AA3)를 제외한 영역 및 상기 비증착 영역(NDA)이다. 상기 비유효부(UA)은 유효부(AA1, AA2, AA3)의 외곽을 둘러싸는 외곽영역(OA1, OA2, OA3)을 포함할 수 있다. The non-effective portion UA is an area excluding the effective portions AA1 , AA2 , and AA3 of the deposition area DA and the non-deposition area NDA. The ineffective portion UA may include outer areas OA1 , OA2 , and OA3 surrounding the effective portions AA1 , AA2 , and AA3 .
상기 외곽영역(OA1, OA2, OA3)의 개수는 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)의 개수와 대응될 수 있다. 즉, 하나의 유효부는 유효부의 끝단으로부터 수평방향 및 수직방향에서 각각 일정한 거리로 떨어진 하나의 외곽영역을 포함할 수 있다.The number of the outer areas OA1 , OA2 , and OA3 may correspond to the number of the effective parts AA1 , AA2 , and AA3 . That is, one effective portion may include one outer region separated by a predetermined distance from the end of the effective portion in the horizontal and vertical directions, respectively.
상기 제 1 유효부(AA1)는 제 1 외곽영역(OA1) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 1 유효부(AA1)은 증착물질을 형성하기 위한 복수 개의 관통홀(TH)들을 포함할 수 있다. 상기 제 1 유효부(AA1)의 외곽을 둘러싸는 상기 제 1 외곽영역(OA1)은 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. The first effective portion AA1 may be included in the first outer area OA1 . The first effective portion AA1 may include a plurality of through holes TH for forming a deposition material. The first outer area OA1 surrounding the outer circumference of the first effective portion AA1 may include a plurality of through holes.
예를 들어, 상기 제 1 외곽영역(OA1)에 포함되는 복수 개의 관통홀은 상기 제 1 유효부(AA1)의 최외곽에 위치한 관통홀(TH)들의 에칭 불량을 감소시키기 위한 것이다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 유효부(AA1, AA2, AA3)에 위치한 복수 개의 관통 홀들의 균일성을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 제조되는 증착 패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.For example, the plurality of through-holes included in the first outer area OA1 is to reduce etching defects of the through-holes TH located at the outermost portion of the first effective portion AA1 . Accordingly, the
또한, 상기 제 1 유효부(AA1)의 관통홀(TH)의 형상은 상기 제 1 외곽영역(OA1) 관통홀(TH)의 형상과 서로 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 유효부(AA1)에 포함된 관통홀(TH)의 균일성을 향상시킬 수 있다. 일례로, 상기 제 1 유효부(AA1)의 관통홀(TH)의 형상 및 상기 제 1 외곽영역(OA1) 관통홀의 형상은 원형일 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 상기 관통홀(TH)은 다이아몬드 패턴, 타원형 패턴 등 다양한 형상일 수 있다.Also, the shape of the through hole TH of the first effective portion AA1 may correspond to the shape of the through hole TH of the first outer area OA1 . Accordingly, the uniformity of the through hole TH included in the first effective part AA1 may be improved. For example, the shape of the through hole TH of the first effective portion AA1 and the shape of the through hole of the first outer area OA1 may be circular. However, the embodiment is not limited thereto, and the through hole TH may have various shapes such as a diamond pattern, an oval pattern, and the like.
상기 제 2 유효부(AA2)는 제 2 외곽영역(OA2) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 2 유효부(AA2)는 상기 제 1 유효부(AA1)와 서로 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 1 외곽영역(OA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다. The second effective portion AA2 may be included in the second outer area OA2 . The second effective part AA2 may have a shape corresponding to that of the first effective part AA1 . The second outer area OA2 may have a shape corresponding to that of the first outer area OA1 .
상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀로부터 수평방향 및 수직방향에 각각 두 개의 관통홀을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀의 상부 및 하부의 위치에 각각 두 개의 관통홀이 수평방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 외곽영역(OA2)은 상기 제 2 유효부(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀의 좌측 및 우측에 각각 두 개의 관통홀이 수직방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 상기 제 2 외곽영역(OA2)에 포함되는 복수 개의 관통홀은 유효부의 최외곽에 위치한 관통홀들의 에칭 불량을 감소시키기 위한 것이다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크는 유효부에 위치한 복수 개의 관통홀들의 균일성을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 제조되는 증착패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.The second outer area OA2 may further include two through holes, respectively, in a horizontal direction and a vertical direction from a through hole located at the outermost portion of the second effective part AA2 . For example, in the second outer area OA2 , two through-holes may be arranged in a horizontal direction at positions above and below the through-holes located at the outermost side of the second effective part AA2 , respectively. For example, in the second outer area OA2 , two through-holes may be arranged in a vertical line on the left and right sides of the through-holes located at the outermost side of the second effective part AA2 , respectively. The plurality of through-holes included in the second outer area OA2 is to reduce etching defects of the through-holes located at the outermost portion of the effective portion. Accordingly, the deposition mask according to the embodiment can improve the uniformity of the plurality of through-holes located in the effective portion, and thereby improve the quality of the deposition pattern manufactured.
상기 제 3 유효부(AA3)는 제 3 외곽영역(OA3) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 3 유효부(AA3)는 증착물질을 형성하기 위한 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. 상기 제 3 유효부(AA3)의 외곽을 둘러싸는 상기 제 3 외곽영역(OA3)은 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. The third effective portion AA3 may be included in the third outer area OA3 . The third effective portion AA3 may include a plurality of through holes for forming a deposition material. The third outer area OA3 surrounding the outer portion of the third effective portion AA3 may include a plurality of through holes.
상기 제 3 유효부(AA3)는 상기 제 1 유효부(AA1)와 서로 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제 3 외곽영역(OA3)은 상기 제 1 외곽영역(OA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다. The third effective part AA3 may have a shape corresponding to that of the first effective part AA1 . The third outer area OA3 may have a shape corresponding to that of the first outer area OA1 .
또한, 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)에 포함된 관통홀(TH)은 상기 비유효부(UA)에 포함된 관통홀과 부분적으로 대응되는 형상을 가질 수 있다. 일레로, 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)에 포함된 관통홀은 상기 비유효부(UA)의 에지부에 위치한 관통홀과 서로 다른 형상을 포함할 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)의 위치에 따른 응력의 차이를 조절할 수 있다. In addition, the through-holes TH included in the effective portions AA1 , AA2 and AA3 may have a shape partially corresponding to the through-holes included in the ineffective portion UA. For example, the through-holes included in the effective portions AA1 , AA2 and AA3 may have different shapes from the through-holes located at the edge portion of the ineffective portion UA. Accordingly, the difference in stress according to the position of the
도 6은 제 1 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 유효부의 평면도를 도시한 도면이고, 도 7은 실시예에 따른 증착용 마스크의 다른 평면도를 도시한 도면이며, 도 8은 실시예에 따른 증착용 마스크의 또 다른 평면도를 도시한 도면이다.6 is a plan view of an effective part of the
도 6 내지 도 8은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제 1 유효부(AA1), 상기 제 2 유효부(AA2) 및 상기 제 3 유효부(AA3) 중 어느 하나의 평면도일 수 있다. 또한, 도 6 내지 도 8은 관통홀(TH)의 형상 및 상기 관통홀(TH) 간의 배열을 설명하기 위한 것으로, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 도면에 도시된 관통홀(TH)의 개수에 한정되지 않는다.6 to 8 may be plan views of any one of the first effective part AA1, the second effective part AA2, and the third effective part AA3 of the
도 6 내지 도 8을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 관통홀(TH)들은 방향에 따라, 일렬로 배치되거나 서로 엇갈려서 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 종축 또는 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.6 to 8 , the
먼저, 도 6을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 복수 개의 관통홀(TH)은 원형 형상일 수 있다. 자세하게, 상기 관통홀(TH)은 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy) 값을 가질 수 있고, 상기 관통홀(TH)의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy) 값은 서로 대응될 수 있다.First, referring to FIG. 6 , the
상기 관통홀(TH)들은 방향에 따라 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다. The through-holes TH may be arranged in a line along the direction. For example, the through-holes TH may be arranged in a row along a vertical axis and a horizontal axis.
자세하게, 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 3 관통홀(TH1) 및 제 4 관통홀(TH4)은 종축에서 일렬로 배치될 수 있다. In detail, the first through-hole TH1 and the second through-hole TH2 may be arranged in a line along the horizontal axis, and the third through-hole TH1 and the fourth through-hole TH4 may be arranged in a line along the vertical axis. there is.
또한, 제 1 관통홀(TH1) 및 제 3 관통홀(TH3)은 종축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 2 관통홀(TH2) 및 제 4 관통홀(TH4)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다. In addition, the first through-hole TH1 and the third through-hole TH3 may be arranged in a line along the vertical axis, and the second through-hole TH2 and the fourth through-hole TH4 may be arranged in a horizontal axis. there is.
즉, 관통홀(TH)들이 종축 및 횡축에서 각각 일렬로 배치되는 경우에는, 종축 및 횡축과 모두 교차하는 방향인 대각 방향으로 인접한 두 개의 관통홀(TH)들 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 즉, 서로 대각선 방향에 위치한 두 개의 인접한 관통홀(TH)들 사이에는 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. That is, when the through-holes TH are arranged in a line on the vertical axis and the horizontal axis, respectively, the island portion IS is positioned between two diagonally adjacent through-holes TH that are in a direction crossing both the vertical axis and the horizontal axis. can do. That is, the island portion IS may be positioned between two adjacent through-holes TH positioned in a diagonal direction.
예를 들어, 제 1 관통홀(TH1) 및 제 4 관통홀(TH4)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 또한, 제 2 관통홀(TH2) 및 제 3 관통홀(TH3)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 인접한 두 관통홀을 가로지르는 횡축을 기준으로 약 +45도 전후의 경사각 방향 및 약 -45도 전후의 경사각 방향에 아일랜드부(IS)가 각각 위치할 수 있다. 여기에서, 약 ±45 전후의 경사각 방향은 횡축과 종축 사이의 대각 방향을 의미할 수 있고, 상기 대각 방향의 경사각은 횡축 및 종축의 동일 평면에서 측정한 것일 수 있다. For example, the island portion IS may be disposed between the first through hole TH1 and the fourth through hole TH4. Also, an island portion IS may be disposed between the second through hole TH2 and the third through hole TH3. The island portion IS may be positioned in an inclination angle direction of about +45 degrees and an inclination angle of about -45 degrees with respect to a horizontal axis crossing two adjacent through holes, respectively. Here, the direction of the inclination angle of about ±45 may mean a diagonal direction between the horizontal axis and the vertical axis, and the inclination angle in the diagonal direction may be measured on the same plane of the horizontal axis and the vertical axis.
또한, 도 7을 참조하면, 실시 예에 따른 다른 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. 이때, 복수 개의 관통 홀은 타원형 형상일 수 있다. 자세하게, 상기 관통홀(TH)의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)은 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 관통홀의 수평 방향의 직경(Cx)은 수직 방향의 직경(Cy)보다 클 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 관통홀은 장방형 형상이거나 8각형 형상이거나 라운드진 8각형 형상일 수 있다. Also, referring to FIG. 7 , another
상기 관통홀(TH)들은 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 축에서 일렬로 배치되고, 다른 하나의 축에서 엇갈려서 배치될 수 있다. The through-holes TH may be arranged in a line on any one axis of the vertical axis or the horizontal axis, and may be alternately arranged on the other axis.
자세하게, 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 3 관통홀(TH1) 및 제 4 관톨홀(TH4)은 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)과 각각 종축에서 엇갈려서 배치될 수 있다. In detail, the first through-hole TH1 and the second through-hole TH2 may be arranged in a row along the horizontal axis, and the third through-hole TH1 and the fourth through-hole TH4 are the first through-hole TH1. and the second through-hole TH2, respectively, may be disposed to be staggered along the longitudinal axis.
상기 관통홀(TH)들이 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 방향으로 일렬로 배치되고, 다른 하나의 방향으로 엇갈려서 배치되는 경우에는, 종축 또는 횡축 중 다른 하나의 방향으로의 인접한 두 개의 관통홀(TH1, TH2)들 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 또는, 서로 인접하게 위치한 세 개의 관통홀(TH1, TH2, TH3)들 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 인접한 세 개의 관통홀(TH1, TH2, TH3)들 중 두 개의 관통홀(TH1, TH2)들은 일렬로 배치되는 관통홀이며, 나머지 하나의 관통홀(TH3)은 상기 일렬 방향과 대응되는 방향의 인접한 위치에서, 상기 두 개의 관통홀(TH1, TH2) 사이의 영역에 배치될 수 있는 관통홀을 의미할 수 있다. 제 1 관통홀(TH1), 제 2 관통홀(TH2) 및 제 3 관통홀(TH3)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 또는, 제 2 관통홀(TH2), 제 3 관통홀(TH3) 및 제 4 관통홀(TH4)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다.When the through-holes TH are arranged in a line in one direction of the vertical axis or the horizontal axis and are alternately arranged in the other direction, two adjacent through-holes TH1 in the other direction of the vertical axis or the horizontal axis The island part IS may be positioned between the TH2). Alternatively, the island portion IS may be positioned between the three through holes TH1 , TH2 , and TH3 positioned adjacent to each other. Among the three adjacent through holes TH1, TH2, and TH3, two through holes TH1 and TH2 are through holes arranged in a line, and the other through hole TH3 is adjacent in a direction corresponding to the line direction. In location, it may mean a through hole that may be disposed in a region between the two through holes TH1 and TH2. An island portion IS may be disposed between the first through hole TH1 , the second through hole TH2 , and the third through hole TH3 . Alternatively, the island portion IS may be disposed between the second through hole TH2 , the third through hole TH3 , and the fourth through hole TH4 .
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)에서 임의의 어느 하나의 관통홀인 기준홀의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)를 측정하는 경우, 상기 기준홀에 인접하는 관통홀(TH)들 간의 각각의 수평 방향의 직경(Cx)들 간의 편차와, 수직 방향의 직경(Cy)들 간의 편차는 약 2% 내지 약 10% 로 구현될 수 있다. 즉, 하나의 기준홀의 인접한 관통홀들 간의 크기 편차가 약 2% 내지 약 10% 로 구현하는 경우에는 증착의 균일도를 확보할 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접한 관통홀들 간의 크기 편차는 약 4% 내지 약 9% 일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접한 관통홀들 간의 크기 편차는 약 5% 내지 약 7%일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접한 관통홀들 간의 크기 편차는 약 2% 내지 약 5% 일 수 있다. 상기 기준홀과 상기 인접한 관통홀들 간의 크기 편차가 약 2% 미만인 경우에는, 증착 후 OLED 패널에서 무아레 발생율이 높아질 수 있다. 상기 기준홀과 상기 인접한 관통홀들 간의 크기 편차가 약 10%를 초과하는 경우, 증착 후의 OLED 패널에서 색 얼룩의 발생율이 높아질 수 있다. 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±5㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±3㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±1㎛일 수 있다. 실시예는 상기 기준홀과 상기 인접한 관통홀들 간의 크기 편차를 ±3㎛ 이내로 구현함에 따라, 증착 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, in the case of measuring the horizontal diameter (Cx) and the vertical diameter (Cy) of the reference hole, which is any one through hole, in the
또한, 도 8을 참조하면 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 복수 개의 관통홀(TH)은 사각형 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)은 마름모 형상일 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 수평 방향의 길이(Cx)과 수직 방향의 길이(Cy) 값을 가질 수 있고, 상기 관통홀(TH)의 수평 방향의 길이(Cx) 및 수직 방향의 길이(Cy)는 서로 대응될 수 있다.Also, referring to FIG. 8 , the
상기 관통홀(TH)들은 방향에 따라 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)들은 종축 및 횡축 중 어느 하나의 축에서 일렬로 배치되고, 다른 하나의 축에서는 엇갈려서 배치될 수 있다.The through-holes TH may be arranged in a line along the direction. For example, the through-holes TH may be arranged in a line on one of the vertical axis and the horizontal axis, and alternately arranged on the other axis.
자세하게, 제 1 관통홀(TH1), 제 2 관통홀(TH2) 및 제 3 관통홀(TH3)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 4 관통홀(TH4) 및 제 5 관통홀(TH5)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 4 관통홀(TH4) 및 제 5 관통홀(TH5)은 제 1 관통홀(TH1), 제 2 관통홀(TH2) 및 제 3 관통홀(TH3)과 각각 종축에서 엇갈려서 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 4 관통홀(TH4)은 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2) 사이에 엇갈려서 배치될 수 있고, 제 5 관통홀(TH5)은 제 2 관통홀(TH2) 및 제 3 관통홀(TH3) 사이에 엇갈려서 배치될 수 있다.In detail, the first through-hole TH1, the second through-hole TH2, and the third through-hole TH3 may be arranged in a row along the horizontal axis, and the fourth through-hole TH4 and the fifth through-hole TH5. may be arranged in a row along the lateral axis, and the fourth through-hole TH4 and the fifth through-hole TH5 are formed with the first through-hole TH1, the second through-hole TH2, and the third through-hole TH3 and Each may be staggered along the longitudinal axis. For example, the fourth through hole TH4 may be alternately disposed between the first through hole TH1 and the second through hole TH2 , and the fifth through hole TH5 may be disposed between the second through hole TH2 . and the third through hole TH3 may be alternately disposed.
상기 관통홀(TH)들이 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 방향으로 일렬로 배치되고, 다른 하나의 방향으로 엇갈려서 배치되는 경우에는, 종축 및 횡축이 교차하는 지점에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 또는, 서로 인접한 네 개의 관통홀들(TH1, TH2, TH4, TH6) 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. When the through-holes TH are arranged in a line in any one direction of the vertical axis or the horizontal axis and are alternately arranged in the other direction, the island part IS may be located at a point where the vertical axis and the horizontal axis intersect. . Alternatively, the island portion IS may be positioned between the four adjacent through holes TH1 , TH2 , TH4 , and TH6 .
인접한 네 개의 관통홀들(TH1, TH2, TH4, TH6) 중 두 개의 관통홀들(TH1, TH2)은 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 방향으로 일렬로 배치되는 관통홀들을 의미할 수 있고, 나머지 두 개의 관통홀들(TH4, TH6)은 종축 또는 횡축 중 다른 하나의 방향으로 일렬로 배치되는 관통홀들을 의미할 수 있다.Two through-holes TH1 and TH2 among the four adjacent through-holes TH1, TH2, TH4, and TH6 may refer to through-holes arranged in a row in either direction of the vertical axis or the horizontal axis, and the remaining two The through-holes TH4 and TH6 may refer to through-holes arranged in a line in the other one of the vertical axis and the horizontal axis.
도 6 내지 도 8의 아일랜드부(IS)는 유효부(AA)의 대면공(V2)이 형성되는 증착용 마스크(100)의 타면에서 관통홀(TH)들 사이의 식각되지 않은 면을 의미할 수 있다. 자세하게, 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 유효부(AA)에서, 대면공 내에 위치한 제 2 내측면(ES2) 및 관통홀(TH)을 제외한 식각되지 않은 증착용 마스크(100)의 타면일 수 있다. 실시예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상, 자세하게 400PPI 내지 800PPI 이상의 해상도를 가지는 고해상도 내지 초고해상도의 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다.The island portion IS of FIGS. 6 to 8 may mean a non-etched surface between the through holes TH on the other surface of the
예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가지는 Full HD(High Definition)의 고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 1920*1080 이상이고, 400PPI 이상인 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다. 즉, 실시예의 증착용 마스크(100)에 포함된 하나의 유효부는 해상도 1920*1080 이상의 픽셀 수를 형성하기 위한 것일 수 있다.For example, the
예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 500PPI 이상의 해상도를 가지는 QHD(Quad High Definition)의 고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 2560*1440 이상이고, 530 PPI 이상인 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다. 실시예의 증착용 마스크(100)를 통해, 인치당 픽셀수는 5.5인치 OLED 패널을 기준으로 530 PPI 이상일 수 있다. 즉, 실시예의 증착용 마스크(100)에 포함된 하나의 유효부는 해상도 2560*1440 이상의 픽셀 수를 형성하기 위한 것일 수 있다. For example, the
예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 700PPI 이상의 해상도를 가지는 UHD(Ultra High Definition)의 초고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 3840*2160 이상이고, 794 PPI 이상의 OLED 화소 증착을 위한 UHD(Ultra High Definition)급 해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다.For example, the
상기 관통홀(TH)의 직경은 상기 연통부(CA) 사이의 폭일 수 있다. 자세하게, 상기 관통홀(TH)의 직경은 소면공(V1) 내의 내측면의 끝단과 대면공(V2) 내의 내측면의 끝단이 만나는 지점에서 측정할 수 있다. 상기 관통홀(TH)의 직경의 측정 방향은 수평방향, 수직방향, 대각 방향 중 어느 하나일 수 있다. 수평방향에서 측정된 상기 관통홀(TH)의 직경은 33㎛ 이하일 수 있다. 또는, 수평방향에서 측정된 상기 관통홀(TH)의 직경은 33㎛ 이하일 수 있다. 또는, 상기 관통홀(TH)의 직경은 수평방향, 수직방향, 대각 방향에서 각각 측정한 값의 평균값일 수 있다. A diameter of the through hole TH may be a width between the communication portions CA. In detail, the diameter of the through hole TH may be measured at a point where the end of the inner surface in the small face hole V1 meets the end of the inner surface in the face hole V2. The diameter of the through hole TH may be measured in any one of a horizontal direction, a vertical direction, and a diagonal direction. The diameter of the through hole TH measured in the horizontal direction may be 33 μm or less. Alternatively, the diameter of the through hole TH measured in the horizontal direction may be 33 μm or less. Alternatively, the diameter of the through hole TH may be an average value of values measured in a horizontal direction, a vertical direction, and a diagonal direction.
따라서, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 QHD급 해상도를 구현할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 직경은 약 15㎛ 내지 약 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 직경은 약 19㎛ 내지 약 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 직경은 약 20㎛ 내지 약 27㎛일 수 있다. 상기 관통홀(TH)의 직경이 약 33㎛ 초과인 경우에는 500PPI 급 이상의 해상도를 구현하기 어려울 수 있다. 한편, 상기 관통홀(TH)의 직경이 약 15㎛ 미만인 경우에는 증착 불량이 발생할 수 있다. Accordingly, the
도 6을 참조하면, 수평방향에서 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통 홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통 홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 관통홀(TH1)의 중심과 제 2 관통홀(TH2)의 중심 사이의 간격(P1)을 의미할 수 있다. 이와 다르게, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 아일랜드부의 중심과 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 아일랜드부(IS)의 중심은 수평방향 및 수직방향에서 인접한 네 개의 관통홀(TH)들 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 예를 들어, 아일랜드부(IS)의 중심은 수평방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)을 기준으로, 상기 제 1 관통홀(TH1)과 수직방향에서 인접한 제 3 관통홀(TH3) 및 상기 제 2 관통홀(TH2)과 수직방향에서 인접한 제 4 관통홀(TH4) 사이의 영역에 위치한 하나의 아일랜드부(IS)의 에지를 잇는 횡축과 에지를 잇는 종축이 교차하는 지점을 의미할 수 있다.Referring to FIG. 6 , a pitch between two adjacent through holes TH among a plurality of through holes in the horizontal direction may be about 48 μm or less. For example, a pitch between two adjacent through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 20 μm to about 48 μm. For example, a pitch between two adjacent through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 30 μm to about 35 μm. Here, the distance may mean a distance P1 between the center of two adjacent first through-holes TH1 and the center of the second through-hole TH2 in the horizontal direction. Alternatively, the distance may mean a distance P2 between the center of two adjacent first island parts and the center of the second island part in the horizontal direction. Here, the center of the island portion IS may be the center of the other non-etched surface between the four adjacent through holes TH in the horizontal and vertical directions. For example, the center of the island portion IS is adjacent to the first through hole TH1 in the vertical direction with respect to the two first through holes TH1 and TH2 adjacent in the horizontal direction. A horizontal axis connecting the edges of one island portion IS located in a region between the third through hole TH3 and the second through hole TH2 and a fourth through hole TH4 adjacent in the vertical direction and a vertical axis connecting the edges This may mean the point of intersection.
또한, 도 7을 참조하면, 수평방향에서 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 관통홀(TH1)의 중심과 제 2 관통홀(TH2)의 중심 사이의 간격(P1)을 의미할 수 있다. 또한, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 아일랜드부의 중심과 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 아일랜드부(IS)의 중심은 하나의 관통홀과 수직 방향에서 인접한 두 개의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 또는, 여기에서, 아일랜드부(IS)의 중심은 두 개의 관통홀과 수직 방향에서 인접한 하나의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 즉, 아일랜드부(IS)의 중심은 인접한 세 개의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심이며, 인접한 세 개의 관통홀이란 그 중심을 이었을 때 삼각형 형상을 형성할 수 있는 것을 의미할 수 있다.Also, referring to FIG. 7 , a pitch between two adjacent through-holes TH among a plurality of through-holes in the horizontal direction may be about 48 μm or less. For example, a pitch between two adjacent through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 20 μm to about 48 μm. For example, a pitch between two adjacent through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 30 μm to about 35 μm. Here, the distance may mean a distance P1 between the center of two adjacent first through-holes TH1 and the center of the second through-hole TH2 in the horizontal direction. Also, the distance may mean a distance P2 between the center of two adjacent first island parts and the center of the second island part in the horizontal direction. Here, the center of the island portion IS may be a center on the other non-etched surface between one through-hole and two adjacent through-holes in the vertical direction. Alternatively, here, the center of the island portion IS may be the center of the other non-etched surface between the two through-holes and one adjacent through-hole in the vertical direction. That is, the center of the island portion IS is the center on the other non-etched surface between the three adjacent through-holes, and the three adjacent through-holes may mean that a triangular shape can be formed when the centers are connected.
상기 관통홀(TH)의 직경의 측정 방향과 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격의 측정 방향은 동일할 수 있다. 상기 관통홀(TH)의 간격은 수평 방향 또는 수직 방향으로 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격을 측정한 것일 수 있다.A measurement direction of a diameter of the through hole TH and a measurement direction of a distance between two adjacent through holes TH may be the same. The distance between the through-holes TH may be a measurement of a distance between two adjacent through-holes TH in a horizontal or vertical direction.
또한, 도 8을 참조하면, 수평방향에서 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 관통홀(TH1)의 중심과 제 2 관통홀(TH2)의 중심 사이의 간격(P1)을 의미할 수 있다. 이와 다르게, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 아일랜드부의 중심과 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 아일랜드부(IS)의 중심은 수평방향 및 수직방향에서 인접한 네 개의 관통홀(TH)들 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 예를 들어, 아일랜드부(IS)의 중심은 수평방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)을 기준으로, 상기 제 1 관통홀(TH1)과 수직방향에서 인접한 제 3 관통홀(TH3) 및 상기 제 2 관통홀(TH2)과 수직방향에서 인접한 제 4 관통홀(TH4) 사이의 영역에 위치한 하나의 아일랜드부(IS)의 에지를 잇는 횡축과 에지를 잇는 종축이 교차하는 지점을 의미할 수 있다. 예를 들어, 아일랜드부(IS)의 중심은 수평방향으로 인접한 두 개의 관통홀인 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)과, 상기 제 1 관통홀(TH1) 및 제 상기 제 2 관통홀(TH2) 사이 영역의 중심에서 수직방향으로 인접한 두 개의 관통홀인 제 4 관통홀(TH4) 및 제 6 관통홀(TH4) 사이의 영역에 위치한 비식각된 타면의 중심일 수 있다. 즉, 아일랜드부(IS)의 중심은 네 개의 관통홀 사이에 위치한 비식각면의 중심일 수 있다.Also, referring to FIG. 8 , a pitch between two adjacent through holes TH among a plurality of through holes in the horizontal direction may be about 48 μm or less. For example, a pitch between two adjacent through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 20 μm to about 48 μm. For example, a pitch between two adjacent through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 30 μm to about 35 μm. Here, the distance may mean a distance P1 between the center of two adjacent first through-holes TH1 and the center of the second through-hole TH2 in the horizontal direction. Alternatively, the distance may mean a distance P2 between the center of two adjacent first island parts and the center of the second island part in the horizontal direction. Here, the center of the island portion IS may be the center of the other non-etched surface between the four through-holes TH adjacent in the horizontal and vertical directions. For example, the center of the island portion IS is adjacent to the first through hole TH1 in the vertical direction with respect to the two first through holes TH1 and TH2 adjacent in the horizontal direction. A horizontal axis connecting the edges of one island portion IS located in a region between the third through hole TH3 and the second through hole TH2 and a fourth through hole TH4 adjacent in the vertical direction and a vertical axis connecting the edges This may mean the point of intersection. For example, the center of the island portion IS is a first through-hole TH1 and a second through-hole TH2 which are two through-holes adjacent to each other in the horizontal direction, and the first through-hole TH1 and the second through-hole TH1 and the second It may be the center of the other non-etched surface located in the area between the fourth through hole TH4 and the sixth through hole TH4, which are two through holes that are vertically adjacent from the center of the area between the through holes TH2. That is, the center of the island portion IS may be the center of the non-etched surface located between the four through holes.
또한, 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이 상기 대면공(V2)은 복수 개의 내측면들을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 대면공(V2)은 제 2 내측면(ES2) 및 제 3 내측면(ES3)을 포함할 수 있다. 상기 대면공은, 복수의 제 2 내측면(ES2) 및 복수의 제 3 내측면(ES3)이 연결되어 형성된다. 바람직하게, 복수의 제 2 내측면(ES2) 및 복수의 제 3 내측면(ES3)은 하나의 관통홀의 대면공을 형성한다.In addition, as shown in FIGS. 6 to 8 , the facing hole V2 may include a plurality of inner surfaces. In detail, the facing hole V2 may include a second inner surface ES2 and a third inner surface ES3. The facing hole is formed by connecting a plurality of second inner surfaces ES2 and a plurality of third inner surfaces ES3 to each other. Preferably, the plurality of second inner surfaces ES2 and the plurality of third inner surfaces ES3 form a facing hole of one through hole.
상기 대면공의 제 2 내측면(ES2)은, 관통홀의 상기 대면공의 중심을 기준으로 수평 방향에 위치한 내측면이다. 바람직하게, 상기 제 2 내측면(ES2)은 대면공의 중심을 기준으로 길이 방향의 양측에 위치한 내측면이다. 상기 제 2 내측면(ES2)은 대면공의 중심을 기준으로 인장 방향의 양측에 위치한 내측면이다. 상기 제 2 내측면(ES2)은 대면공의 중심을 기준으로 X축 방향의 양측에 위치한 내측면이다. 따라서, 상기 제 2 내측면(ES2)은 관통 홀의 대면공의 중심을 기준으로 제 1 길이 방향에 위치한 제 1 서브 제 2 내측면과, 상기 제 1 길이 방향과 반대되는 제 2 길이 방향에 위치한 제 2 서브 제 2 내측면을 포함한다. 한편, 상기 제 1 서브 제 2 내측면이 가지는 단면 경사각은 상기 제 2 서브 제 2 내측면이 가지는 단면 경사각에 대응될 수 있다. 즉, 제 1 서브 제 2 내측면 및 상기 제 2 서브 제 2 내측면의 제 1 경사각도(θ1) 및 제 2 경사 각도(θ2)는 서로 동일할 수 있다.The second inner surface ES2 of the facing hole is an inner surface located in a horizontal direction with respect to the center of the facing hole of the through hole. Preferably, the second inner surface ES2 is an inner surface located on both sides in the longitudinal direction with respect to the center of the facing hole. The second inner surface ES2 is an inner surface located on both sides in the tensile direction with respect to the center of the facing hole. The second inner surface ES2 is an inner surface located on both sides in the X-axis direction with respect to the center of the facing hole. Accordingly, the second inner surface ES2 includes a first sub-second inner surface positioned in the first longitudinal direction with respect to the center of the facing hole of the through-hole, and a second inner surface positioned in a second longitudinal direction opposite to the first longitudinal direction. and a second sub-second inner surface. Meanwhile, a cross-sectional inclination angle of the first sub-second inner surface may correspond to a cross-sectional inclination angle of the second sub-second inner surface. That is, the first inclination angle θ1 and the second inclination angle θ2 of the first sub-second inner surface and the second sub-second inner surface may be equal to each other.
상기 대면공의 제 3 내측면(ES3)은, 관통홀의 상기 대면공의 중심을 기준으로 수직 방향에 위치한 내측면이다. 바람직하게, 상기 제 3 내측면(ES3)은 대면공의 중심을 기준으로 폭 방향의 양측에 위치한 내측면이다. 상기 제 3 내측면(ES3)은 대면공의 중심을 기준으로 인장 방향과 수직한 방향의 양측에 위치한 내측면이다. 상기 제 3 내측면(ES3)은 대면공의 중심을 기준으로 Y축 방향의 양측에 위치한 내측면이다. 따라서, 상기 제 3 내측면(ES3)은 관통 홀의 대면공의 중심을 기준으로 제 1 폭 방향에 위치한 제 1 서브 제 3 내측면과, 상기 제 1 폭 방향과 반대되는 제 2 폭 방향에 위치한 제 2 서브 제 3 내측면을 포함한다. 한편, 상기 제 1 서브 제 3 내측면이 가지는 단면 경사각은 상기 제 2 서브 제 3 내측면이 가지는 단면 경사각에 대응될 수 있다. 즉, 제 1 서브 제 3 내측면 및 상기 제 2 서브 제 3 내측면의 제 3 경사각도(θ3) 및 제 4 경사각도(θ4)는 서로 동일할 수 있다.The third inner surface ES3 of the facing hole is an inner surface positioned in a vertical direction with respect to the center of the facing hole of the through hole. Preferably, the third inner surface ES3 is an inner surface located on both sides in the width direction with respect to the center of the facing hole. The third inner surface ES3 is an inner surface located on both sides in a direction perpendicular to the tensile direction with respect to the center of the facing hole. The third inner surface ES3 is an inner surface located on both sides in the Y-axis direction with respect to the center of the facing hole. Accordingly, the third inner surface ES3 includes a first sub-third inner surface positioned in the first width direction with respect to the center of the facing hole of the through hole, and a second sub-third inner surface positioned in a second width direction opposite to the first width direction. 2 sub and a third inner surface. Meanwhile, a cross-sectional inclination angle of the first sub-third inner surface may correspond to a cross-sectional inclination angle of the second sub-third inner surface. That is, the third inclination angle θ3 and the fourth inclination angle θ4 of the first sub-third inner surface and the second sub-third inner surface may be the same as each other.
상기 제 2 내측면(ES2) 및 상기 제 3 내측면(ES3)은 에칭 공정 시 식각 팩터에 의해 형성되는 면일 수 있다. 상기 제 2 내측면(ES2) 및 상기 제 3 내측면(ES3)은 상기 관통홀(TH)로부터 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)으로 연장되는 내측면일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 내측면(ES2) 및 상기 제 3 내측면(ES3)은 상기 관통홀(TH)의 끝단에서 인접한 관통홀(TH) 방향으로 연장될 수 있고, 상기 아일랜드부(IS) 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 제 2 내측면(ES2) 및 상기 제 3 내측면(ES3)은 비유효부(UA)의 방향으로 연장될 수 있다. 즉, 상기 제 2 내측면(ES2) 및 제 3 내측면(ES3)은 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102) 중 비식각면이 형성된 방향으로 연장될 수 있다.The second inner surface ES2 and the third inner surface ES3 may be surfaces formed by an etch factor during an etching process. The second inner surface ES2 and the third inner surface ES3 may be inner surfaces extending from the through hole TH to the
상기 관통홀(TH)들 사이에는 리브(RB1, RB2)가 위치할 수 있다. 예를 들어, 도 6를 참조하면 상기 제 1 관통홀(TH1)과 수평 방향으로 인접한 제 2 관통홀(TH2) 사이에는 하나의 제 2 리브(RB2)가 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 관통홀(TH1)과 수직 방향으로 인접한 제 3 관통홀(TH3) 사이에는 또 다른 하나의 제 1 리브(RB1)가 형성될 수 있다. Ribs RB1 and RB2 may be positioned between the through holes TH. For example, referring to FIG. 6 , one second rib RB2 may be formed between the first through hole TH1 and the second through hole TH2 adjacent in the horizontal direction. In addition, another first rib RB1 may be formed between the first through hole TH1 and the third through hole TH3 adjacent in the vertical direction.
상기 제 1 리브(RB1)는 상기 증착용 마스크(100) 상에서 길이 방향으로 연장되며 배치된다. 상기 제 1 리브(RB1)는 상기 증착용 마스크(100) 상에 폭 방향으로 배열된 복수의 관통 홀 사이에 길이 방향으로 위치한다. 상기 제 1 리브(RB1)는 상기 증착용 마스크(100) 상에 길이 방향으로 배열된 복수의 아일랜드부(IS) 사이를 연결한다.The first rib RB1 is disposed to extend in the longitudinal direction on the
상기 제 2 리브(RB2)는 상기 증착용 마스크(100) 상에서 폭 방향으로 연장되며 배치된다. 상기 제 2 리브(RB2)는 상기 증착용 마스크(100) 상에 길이 방향으로 배열된 복수의 관통 홀 사이에 폭 방향으로 형성된다. 상기 제 2 리브(RB2)는 상기 증착용 마스크(100) 상에 폭 방향으로 배열된 복수의 아일랜드부(IS) 사이를 연결한다.The second rib RB2 is disposed to extend in the width direction on the
또한, 도 7을 참조하면, 제 1 관통홀(TH1)과 수평 방향으로 인접한 제 2 관통홀(TH2) 사이에는 하나의 리브(RB1, RB2)가 형성될 수 있고, 상기 제 1 관통홀(TH1)과 대각선 방향으로 인접한 제 3 관통홀(TH3) 사이에는 또 다른 하나의 리브(RB1, RB2)가 형성될 수 있다.Also, referring to FIG. 7 , one rib RB1 and RB2 may be formed between the first through hole TH1 and the second through hole TH2 adjacent in the horizontal direction, and the first through hole TH1 ) and the third through-hole TH3 diagonally adjacent to each other, another rib RB1 and RB2 may be formed.
즉, 서로 인접한 관통홀(TH)들 사이에는 리브(RB1, RB2)가 위치할 수 있다. 자세하게, 서로 인접한 대면공(V2)들 사이에는 리브(RB1, RB2)가 위치할 수 있다. 더 자세하게, 서로 인접한 제 2 내측면(ES2)이 서로 연결되는 영역에 제 1 리브(RB1)가 위치할 수 있다. 더 자세하게, 서로 인접한 제 3 내측면(ES3)이 서로 연결되는 영역에 제 2 리브(RB2)가 위치할 수 있다. 즉, 상기 리브(RB1, RB2)는 서로 인접한 대면공(V2)들의 경계가 연결되는 영역일 수 있다.That is, the ribs RB1 and RB2 may be positioned between the adjacent through holes TH. In detail, ribs RB1 and RB2 may be positioned between adjacent facing holes V2. In more detail, the first rib RB1 may be positioned in a region where the adjacent second inner surfaces ES2 are connected to each other. In more detail, the second rib RB2 may be positioned in a region where the adjacent third inner surfaces ES3 are connected to each other. That is, the ribs RB1 and RB2 may be regions in which boundaries of adjacent facing holes V2 are connected.
실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 자세하게, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 관통홀(TH)의 직경이 약 33um 이하이고, 상기 관통홀(TH) 간의 간격(pitch)이 약 48um 이하임에 따라, 500PPI 이상의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)를 사용하여 QHD급 해상도를 구현할 수 있다.The
상기 관통홀(TH)의 직경 및 상기 관통홀(TH) 간의 간격은 녹색 서브 픽셀을 형성하기 위한 크기일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 직경은 녹색(G) 패턴을 기준으로 측정할 수 있다. 상기 녹색(G) 패턴은 시각을 통한 인식률이 낮으므로 적색(R) 패턴 및 청색(B) 패턴보다 많은 수가 요구되며, 상기 관통홀(TH)들 사이의 간격이 적색(R) 패턴 및 청색(B) 패턴보다 좁을 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 QHD 디스플레이 픽셀을 구현하기 위한 OLED 증착용 마스크일 수 있다.A diameter of the through-hole TH and a distance between the through-holes TH may be sized to form a green sub-pixel. For example, the diameter of the through hole TH may be measured based on a green (G) pattern. Since the green (G) pattern has a low recognition rate through vision, a larger number than the red (R) pattern and the blue (B) pattern is required, and the interval between the through holes (TH) is the red (R) pattern and the blue (B) pattern. B) It can be narrower than the pattern. The
예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 적색(R), 제 1 녹색(G1), 청색(B) 및 제 2 녹색(G2) 중 적어도 하나의 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크(100)는 적색(R) 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 또는, 상기 증착용 마스크(100)는 청색(B) 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 또는, 상기 증착용 마스크(100)는 제 1 녹색(G1) 서브 픽셀 및 제 2 녹색(G2) 서브 픽셀을 동시에 형성하기 위한 것일 수 있다. For example, the
유기 발광 표시 장치의 픽셀 배열은 '적색(R)-제 1 녹색(G1)-청색(B)-제 2 녹색(G2)' 순(RGBG)으로 배치될 수 있다. 이 경우 적색(R)-제 1 녹색(G1)이 하나의 픽셀(RG)을 이룰 수 있고, 청색(B)-제 2 녹색(G2)가 다른 하나의 픽셀(BG)을 이룰 수 있다. 이와 같은 배열의 유기 발광 표시 장치에서는, 적색 발광 유기물 및 청색 발광 유기물 보다 녹색 발광 유기물의 증착 간격이 더 좁아지기 때문에, 본 발명과 같은 형태의 증착용 마스크(100)가 필요할 수 있다.The pixel arrangement of the organic light emitting diode display may be arranged in the order of 'red (R) - first green (G1) - blue (B) - second green (G2)' (RGBG). In this case, red (R) - first green (G1) may form one pixel RG, and blue (B) - second green (G2) may form another pixel (BG). In the organic light emitting diode display having such an arrangement, since the deposition interval of the green light emitting organic material is narrower than that of the red light emitting organic material and the blue light emitting organic material, a
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 관통홀(TH)의 직경이 수평방향에서 약 20㎛ 이하일 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 UHD급 해상도를 구현할 수 있다. 예를 들어, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 상기 관통홀(TH)의 직경이 약 20㎛ 이하이고, 상기 관통홀 간의 간격이 약 32㎛ 이하임에 따라, 800PPI 급의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 증착 마스크를 사용하여 UHD급 해상도를 구현할 수 있다. In addition, in the
상기 관통홀의 직경 및 상기 관통홀 간의 간격은 녹색 서브 픽셀을 형성하기 위한 크기일 수 있다. 상기 증착용 마스크는 UHD 디스플레이 픽셀을 구현하기 위한 OLED 증착 마스크일 수 있다. A diameter of the through-hole and an interval between the through-holes may be sized to form a green sub-pixel. The deposition mask may be an OLED deposition mask for realizing UHD display pixels.
한편, 상기 증착용 마스크(100)는 서로 다른 두께를 가지는 복수의 영역들을 포함할 수 있다.Meanwhile, the
자세하게, 상기 증착용 마스크(100)는 국부적으로 다른 영역과 서로 다른 두께를 가지는 영역을 포함할 수 있다.In detail, the
예를 들어, 도 6을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 서로 다른 두께를 가지는 제 1 영역(1A) 및 제 2 영역(2A)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크(100)의 횡축 방향의 제 1 영역(1A) 및 제 2 영역(2A)을 포함하고, 상기 제 1 영역(1A) 및 상기 제 2 영역(2A)은 서로 다른 두께로 형성될 수 있다.For example, referring to FIG. 6 , the
즉, 상기 제 1 영역(1A) 및 상기 제 2 영역(2A)은 상기 증착용 마스크의 길이 방향과 대응되는 횡축 방향으로 이웃하며 배치되고, 상기 제 1 영역(1A) 및 상기 제 2 영역(2A)은 서로 다른 두께를 가질 수 있다.That is, the
또한, 도 6을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 서로 다른 두께를 가지는 제 3 영역(3A) 및 제 4 영역(4A)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크(100)의 종축 방향의 제 3 영역(3A) 및 제 4 영역(4A)을 포함하고, 상기 제 3 영역(3A) 및 상기 제 4 영역(4A)은 서로 다른 두께로 형성될 수 있다.Also, referring to FIG. 6 , the
즉, 상기 제 3 영역(3A) 및 상기 제 4 영역(4A)은 상기 증착용 마스크의 폭 방향과 대응되는 종축 방향으로 이웃하며 배치되고, 상기 제 3 영역(3A) 및 상기 제 4 영역(4A)은 서로 다른 두께를 가질 수 있다.That is, the
즉, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크의 길이 방향과 대응되는 횡축 방향으로 이웃하며 배치되는 상기 제 1 영역(1A) 및 상기 제 2 영역(2A)이 서로 다른 두께로 형성되거나, 또는, 상기 증착용 마스크의 폭 방향과 대응되는 종축 방향으로 이웃하며 배치되는 상기 제 3 영역(3A) 및 상기 제 4 영역(4A)이 서로 다른 두께로 형성되거나, 또는, 상기 제 1 영역(1A) 및 상기 제 2 영역(2A)이 서로 다른 두께로 형성되고, 상기 제 3 영역(3A) 및 상기 제 4 영역(4A)이 서로 다른 두께로 형성될 수 있다.That is, in the
즉, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 증착용 마스크의 횡축 방향 및/또는 종축 방향으로 서로 다른 두께를 가지는 영역들을 포함할 수 있다.That is, the
자세하게, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)를 제조하기 위한 원소재인 금속판의 두께 차이로 인해, 최종적으로 제조되는 증착용 마스크(100)도 서로 다른 두께를 가지는 복수의 영역들을 포함할 수 있다.In detail, the
이러한 두께 차이는 금속판에 관통홀을 형성하기 전 진행되는 전처리 공정에서 기인할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판에 관통홀을 형성하기 전에 에칭 특성을 향상시키기 위한 표면 처리층을 형성할 때, 상기 표면 처리층의 두께 불균일로 두께 차이가 발생할 수 있다. 또는, 상기 금속판의 표면 조도를 감소시키거나 냉간 압엽 등에 따른 두께 감소 등을 위한 슬리밍 공정 중 상기 금속판의 두께 차이가 발생할 수 있다. 즉, 상기 관통홀을 형성하기 위한 다양한 전처리 공정 중 상기 금속판은 영역마다 다른 두께로 형성될 수 있다.This thickness difference may be due to a pretreatment process performed before forming the through hole in the metal plate. In detail, when forming a surface treatment layer for improving etching characteristics before forming a through hole in the metal plate, a thickness difference may occur due to non-uniform thickness of the surface treatment layer. Alternatively, a thickness difference of the metal plate may occur during a slimming process for reducing the surface roughness of the metal plate or reducing the thickness due to cold rolling. That is, during various pretreatment processes for forming the through hole, the metal plate may be formed to have a different thickness for each region.
이에 따라, 상기 금속판에 관통홀을 형성하여 증착용 마스크를 형성할 때, 서로 다른 두께를 가지는 금속판에 의해 서로 다른 두께를 가지는 금속판의 표면에 형성되는 소면공 또는 대면공의 내측면에서의 각도가 상이해질 수 있다.Accordingly, when forming a deposition mask by forming a through hole in the metal plate, the angle at the inner surface of the small face hole or the face hole formed on the surface of the metal plate having different thicknesses by the metal plates having different thicknesses is may be different.
이러한 내측면 각도 차이는 증착용 마스크에서 국북적인 응력 불균일을 발생시키고, 이러한 응력 불균일에 의해 관통홀 형성 후 포토레지스트를 제거하는 공정 중 증착용 마스크의 표면이 국부적으로 울퉁불퉁 해지는 즉, 오렌지필(Orange Peel) 현상이 발생하여, 증착용 마스크의 증착 효율 및 신뢰성을 저하시킬 수 있다.This difference in the angle of the inner surface causes local stress unevenness in the deposition mask, and the surface of the deposition mask is locally uneven during the process of removing the photoresist after the formation of the through hole due to the stress unevenness, that is, the orange peel ( Orange Peel) may occur, which may reduce the deposition efficiency and reliability of the deposition mask.
따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크는 이러한 증착용 마스크 원소재 두께 차이에 따른 오렌지필 현상을 방지하기 위해, 증착용 마스크의 두께 편차를 제어하고, 서로 다른 두께 영역에 형성되는 관통홀의 내측면의 각도 편차를 제어할 수 있다.Therefore, the deposition mask according to the embodiment controls the thickness variation of the deposition mask to prevent the orange peel phenomenon caused by the difference in the thickness of the deposition mask raw material, and controls the thickness variation of the deposition mask, Angle deviation can be controlled.
상기 증착용 마스크의 두께 차이 및 관통홀의 내측면의 각도 차이에 대해서는 이하에서 상세하게 설명한다.The difference in the thickness of the deposition mask and the angle difference of the inner surface of the through hole will be described in detail below.
도 9는 도 6의 A-A' 방향에서의 단면과 B-B' 방향에서의 단면 사이의 높이 단차와 크기를 설명하기 위해 각각의 단면을 겹쳐서 도시한 도면이다.FIG. 9 is a diagram illustrating each of the cross-sections overlaid in order to explain the height difference and size between the cross-section in the A-A' direction and the cross-section in the B-B' direction of FIG. 6 .
먼저 A-A' 방향에서의 횡단면을 설명한다. 상기 A-A'방향은 수직 방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(TH1) 및 제 3 관통홀(TH3) 사이의 중심 영역을 가로지르는 횡단면이다. 즉, 상기 A-A'방향에서의 횡단면은 관통홀(TH)을 포함하지 않을 수 있다.First, a cross section in the A-A' direction will be described. The A-A' direction is a cross-section crossing a central region between two adjacent first through-holes TH1 and TH3 in a vertical direction. That is, the cross section in the A-A' direction may not include the through hole TH.
상기 A-A'방향에서의 횡단면은 대면공 내의 제 3 내측면(ES3) 및 대면공 내의 상기 제 3 내측면(ES3)들 사이에 식각되지 않은 증착용 마스크의 타면인 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 식각되지 않은 일면과 평행한 면을 포함할 수 있다. 또는, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크(100)의 식각되지 않은 타면과 동일하거나 평행한 면을 포함할 수 있다. The cross section in the A-A' direction is the island portion IS, which is the other surface of the deposition mask that is not etched between the third inner surface ES3 in the facing hole and the third inner surface ES3 in the facing hole. can be located Accordingly, the island portion IS may include a surface parallel to the unetched surface of the deposition mask. Alternatively, the island portion IS may include a surface that is the same as or parallel to the other non-etched surface of the
다음으로, B-B 방향에서의 횡단면을 설명한다. 상기 B-B'방향은 수평 방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2) 각각의 중심을 가로지르는 횡단면이다. 즉, 상기 B-B'방향에서의 횡단면은 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다.Next, the cross section in the B-B direction will be described. The direction B-B' is a cross-section crossing the center of each of the two adjacent first through-holes TH1 and TH2 in the horizontal direction. That is, the cross section in the B-B' direction may include a plurality of through holes TH.
상기 B-B'방향에서의 인접한 제 3 관통홀(TH3)과 제 4 관통홀(TH4) 사이에 하나의 리브가 위치할 수 있다. 제 4 관통홀(TH4) 및 제 4 관통홀과 수평방향에서 인접하되, 제 3 관통홀(TH3)과 반대방향에 위치한 제 5 관통홀 사이에는 다른 하나의 리브가 위치할 수 있다. 상기 하나의 리브 및 상기 다른 하나의 리브 사이에는 하나의 관통홀이 위치할 수 있다. 즉, 수평방향에서 인접한 두 개의 리브 사이에는 하나의 관통홀이 위치할 수 있다. One rib may be positioned between the adjacent third through hole TH3 and the fourth through hole TH4 in the B-B' direction. Another rib may be positioned between the fourth through-hole TH4 and the fourth through-hole in the horizontal direction, but between the third through-hole TH3 and the fifth through-hole located in the opposite direction. One through hole may be positioned between the one rib and the other rib. That is, one through hole may be positioned between two adjacent ribs in the horizontal direction.
상기 B-B'방향에서의 횡단면은 대면공 내의 식각면(ES2), 및 인접한 대면공 내의 식각면(ES2)들이 서로 연결되는 영역인 리브(RB)가 위치할 수 있다. 여기에서 리브(RB)는 인접한 두 개의 대면공들의 경계가 연결되는 영역일 수 있다. 상기 리브(RB)는 식각면이기 때문에, 상기 아일랜드부(IS)보다 두께가 작을 수 있다. In the cross-section in the B-B' direction, the rib RB, which is a region in which the etched surfaces ES2 in the facing holes and the etched surfaces ES2 in the adjacent facing holes are connected to each other, may be positioned. Here, the rib RB may be a region in which a boundary between two adjacent facing holes is connected. Since the rib RB is an etched surface, a thickness of the rib RB may be smaller than that of the island portion IS.
예를 들어 상기 아일랜드부의 폭은 2㎛ 이상일 수 있다. 즉, 상기 아일랜드부(IS)는 길이 방향으로의 폭(W1)상기 아일랜드부의 폭이 2㎛ 이상 일 수 있다. 즉, 상기 아일랜드부(IS)의 장폭이 2㎛ 이상일 수 있다. 하나의 아일랜드부의 일단과 타단의 폭이 2㎛ 이상인 경우, 증착용 마스크의 전체 체적을 증가시킬 수 있다. 이러한 구조의 증착용 마스크는 유기물 증착 공정 등에서 부여되는 인장력에 대하여 충분한 강성을 확보하도록 하며, 관통홀의 균일도를 유지하는데 유리할 수 있다.For example, the island portion may have a width of 2 μm or more. That is, the island portion IS may have a width W1 in the longitudinal direction of 2 μm or more. That is, the long width of the island portion IS may be 2 μm or more. When the width of one end and the other end of one island portion is 2 μm or more, the total volume of the deposition mask may be increased. The deposition mask having such a structure ensures sufficient rigidity with respect to the tensile force applied in the organic material deposition process, etc., and may be advantageous in maintaining the uniformity of the through-holes.
이하, 도 10 및 도 11을 참조하여, 증착용 마스크의 횡축 방향 및 종축 방향에서의 증착용 마스크의 두께, 대면공의 내측면 경사각도를 상세하게 설명한다. Hereinafter, with reference to FIGS. 10 and 11 , the thickness of the deposition mask and the inclination angle of the inner surface of the facing hole in the horizontal and vertical directions of the deposition mask will be described in detail.
도 10은 도 6의 B-B' 방향에서의 단면도를 도시한 도면이고, 도 11 도 6의 C-C' 방향에서의 단면도를 도시한 도면이다, 즉, 도 10은 도 6의 횡축 방향에서의 단면도를 도시한 도면이고, 도 11은 도 6의 종축 방향에서의 단면도를 도시한 도면이다.Fig. 10 is a view showing a cross-sectional view in the BB' direction of Fig. 6, and Fig. 11 is a view showing a cross-sectional view in the CC' direction of Fig. 6, that is, Fig. 10 is a cross-sectional view in the horizontal axis direction of Fig. 6 It is a view, and FIG. 11 is a view showing a cross-sectional view in the longitudinal direction of FIG. 6 .
도 10을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)의 횡축 방향에는 복수의 소면공 및 대면공이 형성되어 제 1-1 관통홀(TH1-1) 및 제 1-2 관통홀(TH1-2)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 10 , a plurality of face-to-face holes and face-to-face holes are formed in the horizontal axis direction of the
자세하게, 상기 제 1 영역(1A)에는 상기 제 1 소면공(V1-1) 및 제 1 대면공(V2-1)이 형성되고, 상기 제 1 소면공(V1-1) 및 제 1 대면공(V2-1)이 서로 연통되어 상기 제 1-1 관통홀(TH1-1)이 형성될 수 있다. In detail, the first small face hole V1-1 and the first face-to-face hole V2-1 are formed in the
또한, 상기 제 2 영역(2A)에는 상기 제 2 소면공(V1-2) 및 제 1 대면공(V2-2)이 형성되고, 상기 제 2 소면공(V1-2) 및 제 2 대면공(V2-2)이 서로 연통되어 상기 제 1-2 관통홀(TH1-2)이 형성될 수 있다In addition, in the
이때, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크의 횡축 방향으로 서로 두께가 다른 복수의 영역들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크의 횡축 방향으로 서로 다른 두께가 다른 제 1 영역(1A) 및 제 2 영역(2A)을 포함할 수 있다.In this case, the
상기 제 1 영역(1A) 및 상기 제 2 영역(2A)은 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 영역(1A)의 두께(T1)는 상기 제 2 영역(2A)의 두께(T2)보다 더 클 수 있다.The
상기 제 1 영역(1A)의 두께(T1)는 상기 증착용 마스크(100)의 제 2 내측면(ES2)들이 연결되는 영역에 위치한 제 2-1 리브(RB2-1)의 두께로 정의될 수 있고, 상기 제 2 영역(2A)의 두께(T2)는 상기 증착용 마스크(100)의 제 2 내측면(ES2)들이 연결되는 영역에 위치한 제 2-2 리브(RB2-2)의 두께로 정의될 수 있다.The thickness T1 of the
상기 제 1 영역(1A)의 두께(T1)와 상기 제 2 영역의 두께(T2)는 약 15㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 영역(1A)의 두께(T1)와 상기 제 2 영역의 두께(T2)는 약 7㎛ 내지 약 10㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 영역(1A)의 두께(T1)와 상기 제 2 영역의 두께(T2)는 약 6㎛ 내지 약 9㎛ 일 수 있다.A thickness T1 of the
상기 제 1 영역(1A)의 두께(T1)와 상기 제 2 영역의 두께(T2)가 약 15㎛를 초과하는 경우 500 PPI 급 이상의 고해상도를 가지는 OLED 증착 패턴을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 제 1 영역(1A)의 두께(T1)와 상기 제 2 영역의 두께(T2)가 약 6㎛ 미만인 경우에는 증착패턴의 균일한 형성이 어려울 수 있다.When the thickness T1 of the
상기 제 1 영역(1A)의 두께(T1)와 상기 제 2 영역의 두께(T2)는 서로 다를 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 영역(1A)의 두께(T1)와 상기 제 2 영역의 두께(T2)는 상기 범위를 만족하면서 서로 다른 크기를 가질 수 있다. A thickness T1 of the
더 자세하게, 상기 제 1 영역(1A)의 두께(T1)와 상기 제 2 영역의 두께(T2)는 상기 범위를 만족하면서, 일정 크기 범위의 차이를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 영역(1A)의 두께(T1)는 상기 제 2 영역의 두께(T2)보다 크고, 이때, 상기 제 2 영역의 두께(T2)는 상기 제 1 영역(1A)의 두께(T1)의 97% 이상 즉, 0.97배 이상일 수 있다.In more detail, the thickness T1 of the
즉, 상기 제 1 영역(1A)의 두께(T1)와 상기 제 2 영역의 두께(T2)는 하기 수식 1을 만족할 수 있다.That is, the thickness T1 of the
[수식 1][Formula 1]
상기 제 1 영역의 두께*0.97 ≤ 상기 제 2 영역의 두께 < 상기 제 1 영역의 두께The thickness of the first region * 0.97 ≤ the thickness of the second region < the thickness of the first region
상기 제 2 영역의 두께(T2)가 상기 제 1 영역의 두께(T1)에 대해 0.97배 미만인 경우, 상기 제 1 영역의 두께(T1)와 상기 제 2 영역의 두께(T2) 편차에 의해, 상기 증착용 마스크의 원소재인 금속판에 관통홀을 형성할 때, 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 대면공의 내측면(ES2)의 경사각도 차이가 증가 될 수 있다.When the thickness T2 of the second region is less than 0.97 times the thickness T1 of the first region, due to a deviation between the thickness T1 of the first region and the thickness T2 of the second region, the When the through-hole is formed in the metal plate, which is a raw material for the deposition mask, a difference in inclination angle between the inner surface ES2 of the facing hole of the first region and the second region may increase.
즉, 두께가 작은 상기 제 2 영역(2A)의 에칭이 과하게 에칭되어 상기 제 2 영역의 대면공의 내측면(ES2)의 경사각도가 작아지고, 이에 따라, 상기 제 1 영역(1A)에 비해 상기 제 2 영역(2A)의 강도가 저하될 수 있다. 따라서, 상기 제 2 영역(2A)에서 에칭 공정 후 포토레지스트를 제거하는 공정 등에서 상기 제 2 영역(2A)의 표면이 불균일해지는 오렌지필 현상이 발생될 수 있다.That is, the etching of the
또한, 상기 제 1 영역(1A)과 상기 제 2 영역(2A)은 상기 대면공의 내측면의 각도가 다를 수 있다.In addition, the angle of the inner surface of the facing hole may be different between the
자세하게, 상기 제 1 영역(1A)의 상기 제 1 대면공(V2-1)의 내측면의 각도는 상기 타면과 상기 제 1 대면공(V2-1)의 제 2 내측면(ES2)의 일단(E1) 및 상기 제 1 소면공(V1-1)과 제 1 대면공(V2-1) 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 연장선의 제 1 경사각도(θ1)로 정의될 수 있다.In detail, the angle of the inner surface of the first facing hole V2-1 of the
또한, 상기 제 2 영역(2A)의 상기 제 2 대면공(V2-2)의 내측면의 각도는 상기 타면과 상기 제 2 대면공(V2-2)의 제 2 내측면(ES2)의 일단(E1) 및 상기 제 2 소면공(V1-2)과 제 2 대면공(V2-2) 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 연장선의 제 2 경사각도(θ2)로 정의될 수 있다.In addition, the angle of the inner surface of the second facing hole V2-2 of the
이때, 상기 제 1 영역(1A)의 상기 제 1 대면공(V2-1)의 제 1 경사각도(θ1)는 상기 제 2 영역(2A)의 상기 제 2 대면공(V2-2)의 제 2 경사각도(θ2)보다 더 클 수 있다.At this time, the first inclination angle θ1 of the first facing hole V2-1 of the
즉, 상기 제 1 영역(1A)의 두께가 상기 제 2 영역(2A)의 두께보다 크므로, 관통홀을 형성하기 위한 에칭 공정 중 두께가 작은 상기 제 2 영역(2A)이 상기 제 1 영역(1A)보다 상대적으로 더 과에칭될 수 있고, 이러한 과에칭에 따라, 상기 제 1 영역(1A)의 상기 제 1 대면공(V2-1)의 제 1 경사각도(θ1)가 상기 제 2 영역(2A)의 상기 제 2 대면공(V2-2)의 제 2 경사각도(θ2)보다 더 커질 수 있다.That is, since the thickness of the
이때, 상기 제 1 영역(1A)의 상기 제 1 대면공(V2-1)의 제 1 경사각도(θ1)와 상기 제 2 영역(2A)의 상기 제 2 대면공(V2-2)의 제 2 경사각도(θ2)는 30° 내지 55°일 수 있다,At this time, the first inclination angle θ1 of the first facing hole V2-1 in the
이에 따라, 400 PPI급 이상, 자세하게 500 PPI급 이상의 고해상도의 증착패턴을 형성할 수 있는 동시에, 증착용 마스크(100)의 타면상에 아일랜드부(IS)가 존재할 수 있다. Accordingly, a high-resolution deposition pattern of 400 PPI or higher, specifically 500 PPI or higher, may be formed, and the island portion IS may be present on the other surface of the
또한, 상기 제 1 영역(1A)의 상기 제 1 대면공(V2-1)의 제 2 내측면은 길이 방향으로 마주보는 한 쌍의 제 1 서브 제 2 내측면 및 제 2 서브 제 2 내측면을 포함할 수 있다.In addition, the second inner surface of the first facing hole V2-1 of the
이때, 상기 제 1 영역(1A)의 상기 제 1 대면공(V2-1)의 제 1 서브 제 2 내측면의 경사각도는 상기 제 1 영역(1A)의 상기 제 1 대면공(V2-1)의 제 2 서브 제 2 내측면의 경사각도와 동일하거나 또는 서로 대응될 수 있다.At this time, the inclination angle of the first sub-second inner surface of the first facing hole V2-1 of the
또한, 상기 제 2 영역(2A)의 상기 제 2 대면공(V2-2)의 제 2 내측면은 길이 방향으로 마주보는 한 쌍의 제 1 서브 제 2 내측면 및 제 2 서브 제 2 내측면을 포함할 수 있다.In addition, the second inner surface of the second facing hole V2-2 of the
이때, 상기 제 2 영역(2A)의 상기 제 2 대면공(V2-2)의 제 1 서브 제 2 내측면의 경사각도는 상기 제 2 영역(2A)의 상기 제 1 대면공(V2-1)의 제 2 서브 제 2 내측면의 경사각도와 동일하거나 또는 서로 대응될 수 있다.At this time, the inclination angle of the first sub-second inner surface of the second facing hole V2-2 of the
또한, 상기 제 1 영역(1A)의 상기 제 1 대면공(V2-1)의 제 1 경사각도(θ1)와 상기 제 2 영역(2A)의 상기 제 2 대면공(V2-2)의 제 2 경사각도(θ2)는 상기 범위를 만족하면서, 일정 크기 범위의 차이를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 영역(1A)의 상기 제 1 대면공(V2-1)의 제 1 경사각도(θ1)는 상기 제 2 영역(2A)의 상기 제 2 대면공(V2-2)의 제 2 경사각도(θ2)보다 크고, 이때, 상기 제 2 영역(2A)의 상기 제 2 대면공(V2-2)의 제 2 경사각도(θ2)는 상기 제 1 영역(1A)의 상기 제 1 대면공(V2-1)의 제 1 경사각도(θ1)의 85% 이상 즉, 0.85배 이상일 수 있다.In addition, the first inclination angle θ1 of the first facing hole V2-1 in the
즉, 상기 제 1 영역(1A)의 상기 제 1 대면공(V2-1)의 제 1 경사각도(θ1)와 상기 제 2 영역(2A)의 상기 제 2 대면공(V2-2)의 제 2 경사각도(θ2)는 하기 수식 2를 만족할 수 있다.That is, the first inclination angle θ1 of the first facing hole V2-1 in the
[수식 2][Formula 2]
제 1 경사각도(θ1)*0.85 ≤ 제 2 경사각도(θ2) < 제 1 경사각도(θ1)First inclination angle (θ1)*0.85 ≤ second inclination angle (θ2) < first inclination angle (θ1)
상기 제 2 영역(2A)의 상기 제 2 대면공(V2-2)의 제 2 경사각도(θ2)가 상기 제 1 영역(1A)의 상기 제 1 대면공(V2-1)의 제 1 경사각도(θ1)에 대해 0.85배 미만인 경우, 상기 제 1 영역(1A)의 상기 제 1 대면공(V2-1)의 제 1 경사각도(θ1)와 상기 제 2 영역(2A)의 상기 제 2 대면공(V2-2)의 제 2 경사각도(θ2)의 각도 편차에 의해, 상기 증착용 마스크의 원소재인 금속판에 관통홀을 형성 후 오렌지필 현상이 발생할 수 있다.The second inclination angle θ2 of the second facing hole V2-2 in the
즉, 상기 제 1 영역(1A)의 상기 제 1 대면공(V2-1)의 제 1 경사각도(θ1)과 상기 제 2 영역(2A)의 상기 제 2 대면공(V2-2)의 제 2 경사각도(θ2)의 각도 편차에 의해 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역에서의 리브들의 강도 차이가 발생하고, 이에 따라, 상기 제 2 영역(2A)에서 에칭 공정 후 포토레지스트를 제거하는 공정 등에서 상기 제 2 영역(2A)의 표면이 불균일해지는 오렌지필 현상이 발생될 수 있다.That is, the first inclination angle θ1 of the first facing hole V2-1 in the
이하, 도 11을 참조하여, 상기 증착용 마스크(100)의 종축 방향에서의 두께 및 대면공의 내측면 각도를 설명한다.Hereinafter, with reference to FIG. 11 , the thickness of the
도 11을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)의 종축 방향에는 복수의 소면공(V1) 및 대면공(V2)이 형성되어 제 1-3 관통홀(TH1-3) 및 제 1-4 관통홀(TH1-4)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 11 , a plurality of small face holes V1 and face-to-face holes V2 are formed in the longitudinal direction of the
자세하게, 상기 제 1 영역(1A)에는 상기 제 3 소면공(V1-3) 및 제 3 대면공(V2-3)이 형성되고, 상기 제 3 소면공(V1-3) 및 제 3 대면공(V2-3)이 서로 연통되어 상기 제 1-3 관통홀(TH1-3)이 형성될 수 있다. In detail, in the
또한, 상기 제 2 영역(2A)에는 상기 제 4 소면공(V1-4) 및 제 4 대면공(V2-4)이 형성되고, 상기 제 4 소면공(V1-4) 및 제 4 대면공(V2-4)이 서로 연통되어 상기 제 1-4 관통홀(TH1-4)이 형성될 수 있다In addition, in the
이때, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크의 종축 방향으로 서로 두께가 다른 복수의 영역들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크의 종축 방향으로 서로 다른 두께가 다른 제 3 영역(3A) 및 제 4 영역(4A)을 포함할 수 있다.In this case, the
상기 제 3 영역(3A) 및 상기 제 4 영역(4A)은 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 영역(3A)의 두께(T3)는 상기 제 4 영역(4A)의 두께(T4)보다 더 클 수 있다.The
상기 제 3 영역(3A)의 두께(T3)는 상기 증착용 마스크(100)의 제 3 내측면(ES3)들이 연결되는 영역에 위치한 제 1-1 리브(RB1-1)의 두께로 정의될 수 있고, 상기 제 4 영역(4A)의 두께(T4)는 상기 증착용 마스크(100)의 제 3 내측면(ES3)들이 연결되는 영역에 위치한 제 1-2 리브(RB1-2)의 두께로 정의될 수 있다.The thickness T3 of the
상기 제 3 영역(3A)의 두께(T3)와 상기 제 4 영역의 두께(T4)는 약 15㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 영역(3A)의 두께(T3)와 상기 제 4 영역의 두께(T4)는 약 7㎛ 내지 약 10㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 영역(3A)의 두께(T3)와 상기 제 4 영역의 두께(T4)는 약 6㎛ 내지 약 9㎛ 일 수 있다.A thickness T3 of the
상기 제 3 영역(3A)의 두께(T3)와 상기 제 4 영역의 두께(T4)가 약 15㎛를 초과하는 경우 500 PPI 급 이상의 고해상도를 가지는 OLED 증착 패턴을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 제 3 영역(3A)의 두께(T3)와 상기 제 4 영역의 두께(T4)가 약 6㎛ 미만인 경우에는 증착패턴의 균일한 형성이 어려울 수 있다.When the thickness T3 of the
또한, 상기 제 3 영역(3A)의 두께(T3)와 상기 제 4 영역의 두께(T4)는 앞서 설명한 상기 제 1 영역(1A)의 두께(T1)와 상기 제 2 영역의 두께(T2)와 동일하거나 또는 유사한 두께로 형성될 수 있다.In addition, the thickness T3 of the
상기 제 3 영역(3A)의 두께(T3)와 상기 제 4 영역의 두께(T4)는 서로 다를 수 있다. 자세하게, 상기 제 3 영역(3A)의 두께(T3)와 상기 제 4 영역의 두께(T4)는 상기 범위를 만족하면서 서로 다른 크기를 가질 수 있다. A thickness T3 of the
더 자세하게, 상기 제 3 영역(3A)의 두께(T3)와 상기 제 4 영역의 두께(T4)는 상기 범위를 만족하면서, 일정 크기 범위의 차이를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 영역(3A)의 두께(T3)는 상기 제 4 영역의 두께(T4)보다 크고, 이때, 상기 제 4 영역의 두께(T4)는 상기 제 3 영역(3A)의 두께(T3)의 97% 이상 즉, 0.97배 이상일 수 있다.In more detail, the thickness T3 of the
즉, 상기 제 3 영역(3A)의 두께(T3)와 상기 제 4 영역의 두께(T4)는 하기 수식 3을 만족할 수 있다.That is, the thickness T3 of the
[수식 3][Equation 3]
상기 제 3 영역의 두께*0.97 ≤ 상기 제 4 영역의 두께 < 상기 제 3 영역의 두께Thickness of the third region*0.97 ≤ Thickness of the fourth region <Thickness of the third region
상기 제 4 영역의 두께(T4)가 상기 제 3 영역의 두께(T3)에 대해 0.97배 미만인 경우, 상기 제 3 영역의 두께(T3)와 상기 제 4 영역의 두께(T4)의 편차에 의해, 상기 증착용 마스크의 원소재인 금속판에 관통홀을 형성할 때, 상기 제 3 영역과 상기 제 4 영역의 대면공의 내측면(ES3)의 경사각도 차이가 증가 될 수 있다.When the thickness T4 of the fourth region is less than 0.97 times the thickness T3 of the third region, by the deviation of the thickness T3 of the third region and the thickness T4 of the fourth region, When the through-hole is formed in the metal plate, which is a raw material for the deposition mask, a difference in inclination angle between the inner surface ES3 of the facing hole in the third region and the fourth region may increase.
즉, 두께가 작은 상기 제 4 영역(4A)의 에칭이 과하게 에칭되어 상기 제 4 영역의 대면공의 내측면(ES3)의 경사각도가 작아지고, 이에 따라, 상기 제 3 영역(3A)에 비해 상기 제 4 영역(4A)의 강도가 저하될 수 있다. 따라서, 상기 제 4 영역(4A)에서 에칭 공정 후 포토레지스트를 제거하는 공정 등에서 상기 제 4 영역(4A)의 표면이 불균일해지는 오렌지필 현상이 발생될 수 있다.That is, the etching of the
또한, 상기 제 3 영역(3A)과 상기 제 4 영역(4A)은 상기 대면공(V2)의 내측면의 각도가 다를 수 있다.In addition, the angle of the inner surface of the facing hole V2 may be different between the
자세하게, 상기 제 3 영역(3A)의 상기 제 3 대면공(V2-3)의 내측면의 각도는 상기 제 3 대면공(V2-3)의 제 3 내측면(ES3)의 일단(E3) 및 상기 제 3 소면공(V1-3)과 제 3 대면공(V2-3) 사이의 연통부의 일단(E4)을 잇는 제 3 경사각도(θ3)로 정의될 수 있다.In detail, the angle of the inner surface of the third facing hole V2-3 of the
또한, 상기 제 4 영역(4A)의 상기 제 4 대면공(V2-4)의 내측면의 각도는 상기 제 4 대면공(V2-4)의 제 3 내측면(ES3)의 일단(E3) 및 상기 제 4 소면공(V1-4)과 제 4 대면공(V2-4) 사이의 연통부의 일단(E4)을 잇는 제 4 경사각도(θ4)로 정의될 수 있다.In addition, the angle of the inner surface of the fourth facing hole V2-4 of the
이때, 상기 제 3 영역(3A)의 상기 제 3 대면공(V2-3)의 제 3 경사각도(θ3)는 상기 제 4 영역(4A)의 상기 제 4 대면공(V2-4)의 제 4 경사각도(θ4)보다 더 클 수 있다.At this time, the third inclination angle θ3 of the third facing hole V2-3 of the
즉, 상기 제 3 영역(3A)의 두께가 상기 제 4 영역(4A)의 두께보다 크므로, 관통홀을 형성하기 위한 에칭 공정 중 두께가 작은 상기 제 4 영역(4A)이 상기 제 3 영역(3A)보다 상대적으로 더 과에칭될 수 있고, 이에 따라, 상기 제 3 영역(3A)의 상기 제 3 대면공(V2-3)의 제 3 경사각도(θ3)가 상기 제 4 영역(4A)의 상기 제 4 대면공(V2-4)의 제 4 경사각도(θ4)보다 더 커지도록 형성될 수 있다.That is, since the thickness of the
이때, 상기 제 3 영역(3A)의 상기 제 3 대면공(V2-3)의 제 3 경사각도(θ3)와 상기 제 4 영역(4A)의 상기 제 4 대면공(V2-4)의 제 4 경사각도(θ4)는 30° 내지 55°일 수 있다.At this time, the third inclination angle θ3 of the third facing hole V2-3 of the
또한, 상기 제 3 영역(3A)의 상기 제 3 대면공(V2-3)의 제 3 내측면은 폭 방향으로 마주보는 한 쌍의 제 1 서브 제 3 내측면 및 제 2 서브 제 3 내측면을 포함할 수 있다.In addition, the third inner surface of the third facing hole V2-3 of the
이때, 상기 제 3 영역(3A)의 상기 제 3 대면공(V2-3)의 제 1 서브 제 3 내측면의 경사각도는 상기 제 3 영역(3A)의 상기 제 3 대면공(V2-3)의 제 2 서브 제 3 내측면의 경사각도와 동일하거나 또는 서로 대응될 수 있다.At this time, the inclination angle of the first sub-third inner surface of the third facing hole V2-3 of the
또한, 상기 제 4 영역(4A)의 상기 제 4 대면공(V2-4)의 제 3 내측면은 폭 방향으로 마주보는 한 쌍의 제 1 서브 제 3 내측면 및 제 2 서브 제 3 내측면을 포함할 수 있다.In addition, the third inner surface of the fourth facing hole V2-4 of the
이때, 상기 제 4 영역(4A)의 상기 제 4 대면공(V2-4)의 제 1 서브 제 3 내측면의 경사각도는 상기 제 4 영역(4A)의 상기 제 4 대면공(V2-4)의 제 2 서브 제 3 내측면의 경사각도와 동일하거나 또는 서로 대응될 수 있다.At this time, the inclination angle of the first sub-third inner surface of the fourth facing hole V2-4 of the
또한, 상기 제 3 경사각도(θ3) 및 상기 제 4 경사각도(θ4)는 앞서 설명한 상기 제 1 경사각도(θ1) 및 상기 제 2 경사각도(θ2)와 동일하거나 또는 유사할 수 있다. In addition, the third inclination angle θ3 and the fourth inclination angle θ4 may be the same as or similar to the first inclination angle θ1 and the second inclination angle θ2 described above.
이에 따라, 400 PPI급 이상, 자세하게 500 PPI급 이상의 고해상도의 증착패턴을 형성할 수 있는 동시에, 증착용 마스크(100)의 타면상에 아일랜드부(IS)가 존재할 수 있다. Accordingly, a high-resolution deposition pattern of 400 PPI or higher, specifically 500 PPI or higher, may be formed, and the island portion IS may be present on the other surface of the
또한, 상기 제 3 영역(3A)의 상기 제 3 대면공(V2-3)의 제 3 경사각도(θ3)와 상기 제 4 영역(4A)의 상기 제 4 대면공(V2-4)의 제 4 경사각도(θ4)는 상기 범위를 만족하면서, 일정 크기 범위의 차이를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 영역(3A)의 상기 제 3 대면공(V2-3)의 제 3 경사각도(θ3)는 상기 제 4 영역(4A)의 상기 제 4 대면공(V2-4)의 제 4 경사각도(θ4)보다 크고, 이때, 상기 제 4 영역(4A)의 상기 제 4 대면공(V2-4)의 제 4 경사각도(θ4)는 상기 제 3 영역(1A)의 상기 제 3 대면공(V2-3)의 제 3 경사각도(θ3)의 85% 이상 즉, 0.85배 이상일 수 있다.In addition, the third inclination angle θ3 of the third facing hole V2-3 of the
즉, 상기 제 3 영역(3A)의 상기 제 3 대면공(V2-3)의 제 3 경사각도(θ3)와 상기 제 4 영역(4A)의 상기 제 4 대면공(V2-4)의 제 4 경사각도(θ4)는 하기 수식 4를 만족할 수 있다.That is, the third inclination angle θ3 of the third facing hole V2-3 of the
[수식 4][Equation 4]
제 3 경사각도(θ3)*0.85 ≤ 제 4 경사각도(θ4) < 제 3 경사각도(θ3)Third inclination angle (θ3)*0.85 ≤ fourth inclination angle (θ4) < third inclination angle (θ3)
상기 제 4 영역(4A)의 상기 제 4 대면공(V2-4)의 제 4 경사각도(θ4)가 상기 제 3 영역(3A)의 상기 제 3 대면공(V2-3)의 제 3 경사각도(θ3)에 대해 0.85배 미만인 경우, 상기 제 3 영역(3A)의 상기 제 3 대면공(V2-3)의 제 3 경사각도(θ3)와 상기 제 4 영역(4A)의 상기 제 4 대면공(V2-4)의 제 4 경사각도(θ4)의 각도 편차에 의해, 상기 증착용 마스크의 원소재인 금속판에 관통홀을 형성 후 오렌지필 현상이 발생할 수 있다.The fourth inclination angle θ4 of the fourth facing hole V2-4 in the
즉, 상기 제 3 영역(3A)의 상기 제 3 대면공(V2-3)의 제 3 경사각도(θ3)와 상기 제 4 영역(4A)의 상기 제 4 대면공(V2-4)의 제 4 경사각도(θ4)의 각도 편차에 의해 상기 제 3 영역과 상기 제 4 영역에서의 리브들의 강도 차이가 발생하고, 이에 따라, 상기 제 4 영역(4A)에서 에칭 공정 후 포토레지스트를 제거하는 공정 등에서 상기 제 4 영역(4A)의 표면이 불균일해지는 오렌지필 현상이 발생될 수 있다.That is, the third inclination angle θ3 of the third facing hole V2-3 of the
한편, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 식각에 의한 관통홀이 형성되는 유효부(AA)에서의 두께와 식각되지 않은 비유효부(UA)에서의 두께가 서로 다를 수 있다. Meanwhile, in the
자세하게, 실시예예 따른 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA)의 두께가 유효부(AA1, AA2, AA3)의 두께보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 30㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 25㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착 마스크는 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 약 15㎛ 내지 약 25㎛일 수 있다. In detail, in the
실시예에 따른 증착 마스크의 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 약 30㎛를 초과하는 경우에는 상기 증착용 마스크(100)의 원재인 금속판(10)의 두께가 두꺼워지기 때문에 때문에 미세한 크기의 관통홀(TH)을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 15㎛ 미만인 경우에는 금속판의 두께가 얇기 때문에 균일한 크기의 관통홀을 형성하기 어려울 수 있다.When the maximum thickness of the non-effective portion to the non-deposition region of the deposition mask according to the embodiment exceeds about 30 μm, the thickness of the
한편, 도 10 및 도 11을 참조하면, 상기 제 1 영역 내지 상기 제 4 영역의 관통홀의 소면공들의 높이(H)는 약 4.0㎛ 이하일 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 상기 제 2 리브(RB2)에서의 소면공의 높이(H)는 약 3.5㎛ 이하일 수 있다. Meanwhile, referring to FIGS. 10 and 11 , the height H of the small face holes of the through-holes in the first to fourth regions may be about 4.0 μm or less. The height H of the small face hole in the second rib RB2 of the
바람직하게, 상기 제 1 영역 내지 상기 제 4 영역의 관통홀의 소면공들의 높이(H)는 약 3.5㎛ 이하일 수 있다. 상기 제 1 영역 내지 상기 제 4 영역의 관통홀의 소면공들의 높이(H)는 약 2.5㎛ 이하일 수 있다. Preferably, the height (H) of the small face holes of the through-holes in the first region to the fourth region may be about 3.5 μm or less. The height (H) of the small face holes of the through-holes in the first region to the fourth region may be about 2.5 μm or less.
바람직하게, 상기 제 1 영역 내지 상기 제 4 영역의 관통홀의 소면공들의 높이(H)는 약 0.1㎛ 내지 약 3.4㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 영역 내지 상기 제 4 영역의 관통홀의 소면공들의 높이(H)는 약 0.5㎛ 내지 약 3.2㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 영역 내지 상기 제 4 영역의 관통홀의 소면공들의 높이(H)는 약 1㎛ 내지 약 3㎛일 수 있다. Preferably, the height (H) of the small face holes of the through-holes in the first region to the fourth region may be about 0.1 μm to about 3.4 μm. For example, the height (H) of the small face holes of the through-holes in the first region to the fourth region may be about 0.5 μm to about 3.2 μm. For example, the height H of the small face holes of the through-holes in the first region to the fourth region may be about 1 μm to about 3 μm.
여기에서, 높이는 증착용 마스크(100)의 두께 측정 방향, 즉 깊이 방향에서 측정할 수 있고, 증착용 마스크(100)의 일면으로부터 연통부까지의 높이를 측정한 것일 수 있다. 자세하게, 도 5의 평면도에서 상술한 수평 방향(x방향, 길이 방향, 인장 방향)과 수직 방향(y방향, 폭 방향, 인장 수직 방향)과 각각 90도를 이루는 z축 방향에서 측정한 것일 수 있다.Here, the height may be measured in the thickness measurement direction of the
상기 제 1 영역 내지 상기 제 4 영역의 관통홀의 소면공들의 높이(H)가 약 3.5㎛ 초과인 경우에는 OLED 증착시 증착 물질이 관통홀의 면적보다 큰 영역으로 퍼지는 쉐도우 효과(shadow effect)에 따른 증착 불량이 발생할 수 있다. When the height H of the small face holes of the through-holes in the first to fourth regions is greater than about 3.5 μm, during OLED deposition, the deposition material is deposited according to a shadow effect that spreads to an area larger than the area of the through-hole. defects may occur.
또한, 상기 증착용 마스크(100)의 소면공이 형성되는 일면에서의 공경(W3)과 소면공과 대면공 사이의 경계인 연통부에서의 공경(W4)은 서로 유사하거나 서로 다를 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 소면공이 형성되는 일면에서의 공경(W3)은 연통부에서의 공경(W4)보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 일면에서의 공경(W3)과 상기 연통부에서의 공경(W4)의 차이는 약 0.01㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. In addition, the pore diameter W3 on one surface of the
예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W3)과 상기 연통부에서의 공경(W4)의 차이는 약 0.03㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W3)과 상기 연통부에서의 공경(W4)의 차이는 약 0.05㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다.For example, a difference between the pore diameter W3 on one surface of the deposition mask and the pore diameter W4 on the communication portion may be about 0.03 μm to about 1.1 μm. For example, a difference between the pore diameter W3 on one surface of the deposition mask and the pore diameter W4 on the communication portion may be about 0.05 μm to about 1.1 μm.
상기 증착용 마스크(100)의 일면에서의 공경(W3)과 상기 연통부에서의 공경(W4)의 차이가 약 1.1㎛보다 큰 경우에는 쉐도우 효과에 의한 증착 불량이 발생할 수 있다.When the difference between the pore diameter W3 on one surface of the
실시예에 따른 증착용 마스크는 증착용 마스크의 표면 특성을 향상시킬 수 있다.The deposition mask according to the embodiment may improve surface properties of the deposition mask.
자세하게, 실시예에 따른 증착용 마스크는 증착용 마스크에 관통홀을 형성할 때, 증착용 마스크의 원소재인 금속판의 두께 편차 및 관통홀 내부의 대면공 경사각도 편차를 제어할 수 있다.In detail, the deposition mask according to the embodiment can control the thickness deviation of the metal plate, which is a raw material for the deposition mask, and the inclination angle deviation of the facing hole inside the through hole when the through hole is formed in the deposition mask.
즉, 증착용 마스크의 원소재인 금속판의 두께 편차를 제어하여, 서로 다른 두께를 가지는 복수의 영역에서 상기 두께 차이에 따른 관통홀 형상의 불균일을 방지할 수 있고, 두께 차이에 따른 휘어짐을 방지할 수 있다.That is, by controlling the thickness deviation of the metal plate, which is a raw material for the deposition mask, it is possible to prevent non-uniformity in the shape of the through-hole according to the thickness difference in a plurality of regions having different thicknesses, and to prevent bending due to the thickness difference. can
또한, 증착용 마스크의 원소재인 금속판에서 서로 다른 두께를 가지는 복수의 영역에 각각 형성되는 관통홀 내부의 대면공 경사각도 편차를 일정 크기 범위로 제어하여, 대면공 경사각도 편차에 따라, 관통홀 형성 공정 중 증착용 마크스의 표면 조도가 증가하는 것을 방지할 수 있다.In addition, in a metal plate, which is a raw material for a deposition mask, the deviation of the inclination angle of the facing hole inside the through hole formed in a plurality of regions having different thicknesses is controlled to a certain size range, and according to the deviation of the inclination angle of the facing hole, the through hole It is possible to prevent an increase in the surface roughness of the deposition mark during the formation process.
이에 따라, 증착용 마스크의 신뢰성을 확보할 수 있고, 증착용 마스크의 표면 특성을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the reliability of the deposition mask can be secured, and the surface properties of the deposition mask can be improved.
도 12는 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제조 방법을 도시한 도면들이다.12 is a diagram illustrating a method of manufacturing a
도 12를 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제조 방법은 금속판(10)을 준비하는 단계, 상기 금속판(10) 상에 포토레지스트층을 배치하여 관통 홀을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트층을 제거하여 상기 관통 홀을 포함하는 증착용 마스크(100)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.12 , the method of manufacturing the
먼저, 증착용 마스크(100)를 제조하기 위한 기초 자재인 상기 금속판(10)을 준비한다(S410).First, the
상기 금속판(10)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)은 니켈(Ni)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 금속판(10)은 철(Fe), 니켈(Ni), 산소(O) 및 크롬(Cr)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 소량의 탄소(C), 규소(Si), 황(S), 인(P), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 구리(Cu), 은(Ag), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 인듐(In), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나 이상의 원소를 더 포함할 수 있다. 상기 인바(Invar)는 철 및 니켈을 포함하는 합금으로 열팽창계수가 0에 가까운 저열팽창 합금이다. 즉, 상기 인바는 열팽창 계수가 매우 작기 때문에 마스크 등과 같은 정밀 부품, 정밀 기기에 이용되고 있다. 따라서, 상기 금속판(10)을 이용하여 제조되는 증착용 마스크는 향상된 신뢰성을 가질 수 있어 변형을 방지할 수 있고, 수명 또한 증가시킬 수 있다.The
상기 금속판(10)에는 상기 철이 약 60 중량% 내지 약 65 중량%만큼 포함될 수 있고, 상기 니켈은 약 35 중량% 내지 약 40 중량%만큼 포함될 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)에는 상기 철이 약 63.5 중량% 내지 약 64.5 중량%만큼 포함될 수 있고, 상기 니켈은 약 35.5 중량% 내지 약 36.5 중량%만큼 포함될 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)은 탄소(C), 규소(Si), 황(S), 인(P), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 구리(Cu), 은(Ag), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 인듐(In), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나 이상의 원소를 약 1 중량% 이하만큼 더 포함할 수 있다. 상기 금속판(10)의 성분, 함량, 중량%는, 상기 금속판(10)의 평면 상에서 특정 영역(a*b)을 선택하여, 상기 금속판(10)의 두께(t)에 해당하는 시편(a*b*t)을 샘플링하여 강산 등에 녹여 각 성분의 중량%를 조사하는 방법을 사용하여 확인할 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고 금속판의 조성을 확인할 수 있는 다양한 방법으로 조성을 중량%를 조사할 수 있다.The
상기 금속판(10)은 냉간 압연 방식으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)은 용해, 단조, 열간 압연, 노멀라이징, 1차 냉간압연, 1차 어닐링, 2차 냉간압연 및 2차 어닐링 공정을 통해 형성될 수 있고 상기 공정들을 통해 약 30㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다. 또는, 상기 금속판(10)은 상기 공정 이후에 추가 두께 감소 공정을 통해 약 30㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다. The
또한, 상기 금속판(10)을 준비하는 단계(S410)는 목표로 하는 금속판(10)의 두께에 따라 두께 감소 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 두께 감소 단계는 상기 금속판(10)을 압연 및/또는 에칭하여 두께를 감소하는 단계일 수 있다.In addition, the step of preparing the metal plate 10 ( S410 ) may further include a thickness reduction step according to the target thickness of the
예를 들어, 400PPI 이상의 해상도를 구현하기 위한 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 30㎛ 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있고, 500PPI 이상의 해상도를 구현하기 위한 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 20㎛ 내지 약 30㎛ 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있고, 800PPI 이상의 해상도를 구현할 수 있는 증착용 마스크를 제조하기 위해서는 약 15㎛ 내지 약 20㎛ 두께의 금속판(10)이 요구될 수 있다.For example, a
또한, 상기 금속판(10)을 준비하는 단계는 표면 처리 단계를 선택적으로 더 포함할 수 있다. 자세하게, 인바와 같은 니켈 합금은 식각 초기에 식각 속도가 빠를 수 있어 관통 홀 각각의 소면공(V1)의 식각 팩터가 저하될 수 있다. 또한, 관통 홀의 대면공(V2) 형성을 위한 에칭 시, 에칭액의 사이드 에칭에 의해 상기 대면공(V2) 형성을 위한 포토 레지스트층이 박리될 수 있다. 이에 따라 미세한 크기의 관통 홀을 형성하기 어려울 수 있고, 상기 관통 홀을 균일하게 형성하기 어려워 제조 수율이 저하될 수 있다.In addition, the step of preparing the
따라서, 상기 금속판(10)의 표면 상에 성분, 함량, 결정구조 및 부식속도를 달리하는 표면 개질을 위한 표면 처리층을 배치할 수 있다. 여기에서, 표면 개질이란 식각 팩터를 향상시키기 위하여 표면에 배치되는 다양한 물질로 이루어진 층을 의미할 수 있다.Accordingly, a surface treatment layer for surface modification having different components, content, crystal structure, and corrosion rate may be disposed on the surface of the
즉, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)의 표면 상에 빠른 식각을 저지하기 위한 층으로 상기 금속판(10)보다 식각 속도가 느린 배리어층일 수 있다. 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 결정면 및 결정구조가 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 서로 다른 원소를 포함함에 따라, 결정면 및 결정구조가 서로 다를 수 있다.That is, the surface treatment layer is a layer for preventing rapid etching on the surface of the
예를 들어, 동일한 부식환경에서 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 부식 전위가 다를 수 있다. 예를 들어, 동일한 온도의 동일한 에칭액에 동일 시간 처리하였을 때, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)과 부식전류 내지 부식전위가 서로 다를 수 있다. For example, in the same corrosion environment, the surface treatment layer may have a different corrosion potential from the
상기 금속판(10)은 일면 및/또는 양면, 전체 및/또는 유효영역에 표면 처리층 내지 표면 처리부를 포함할 수 있다. 상기 표면 처리층 내지 표면 처리부는 상기 금속판(10)과 서로 다른 원소를 포함하거나, 부식 속도가 느린 금속 원소를 상기 금속판(10)보다 큰 함량으로 포함할 수 있다.The
이어서, 상기 금속판(10)에 포토레지스트층을 배치하여 관통 홀(TH)을 형성하는 단계가 진행될 수 있다. Subsequently, a step of forming a through hole TH by disposing a photoresist layer on the
이를 위해, 상기 금속판(10)의 일면 상에 관통 홀의 소면공(V1)을 형성하기 위해 상기 금속판(10)의 일면 상에 제 1 포토 레지스트층(PR1)을 배치할 수 있다. 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)을 노광 및 현상하여 상기 금속판(10)의 일면 상에 패턴화된 제 1 포토레지스트층(PR1)을 형성할 수 있다. 즉, 상기 금속판의 일면 상에 오픈부를 포함하는 제 1 포토레지스트층(PR1)을 형성할 수 있다. 또한, 상기 금속판(10)의 일면과 반대되는 타면 상에는 식각을 저지하기 위한 코팅층 또는 필름층과 같은 식각 저지층이 배치될 수 있다.To this end, a first photoresist layer PR1 may be disposed on one surface of the
이어서, 패턴화된 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 금속판(10)의 일면 상에 제 1 홈을 형성할 수 있다. 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)의 오픈부는 식각액 등에 노출될 수 있어, 상기 금속판(10)의 일면 중 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)이 배치되지 않은 오픈부에서 에칭이 일어날 수 있다.Next, a first groove may be formed on one surface of the
상기 제 1 홈을 형성하는 단계는 약 20㎛ 내지 약 30㎛ 두께의 상기 금속판(10)을 약 1/2 두께가 될 때까지 에칭하는 단계일 수 있다. 이 단계를 통해 형성된 제 1 홈의 깊이는 약 10㎛ 내지 15㎛일 수 있다. 즉, 이 단계 후에 형성된 제 1 홈의 중심에서 측정한 상기 금속판의 두께는 약 10㎛ 내지 약 15㎛일 수 있다.The forming of the first groove may be a step of etching the
상기 제 1 홈을 형성하는 단계(S430)는, 이방성 에칭 또는 세미-부가 공법(semi additive process, SAP)으로 홈을 형성하는 단계일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 포토레지스트층(PR1)의 오픈부를 하프 에칭하기 위하여 이방성 에칭 또는 세미 부가 공법을 사용할 수 있다. 이에 따라, 하프 에칭을 통해 형성된 제 1 홈은 등방성 에칭보다 깊이 방향으로의 식각 속도(b 방향)가 사이드 에칭(a 방향)의 속도보다 빠를 수 있다.The step of forming the first groove ( S430 ) may be a step of forming the groove by anisotropic etching or a semi-additive process (SAP). In detail, in order to half-etch the open portion of the first photoresist layer PR1 , an anisotropic etching or a semi-addition method may be used. Accordingly, in the first groove formed through the half etching, the etching rate in the depth direction (the b direction) may be faster than the speed of the side etching (a direction) than the isotropic etching.
상기 소면공(V1)의 식각 팩터는 2.0 내지 3.0일 수 있다. 예를 들어, 소면공(V1)의 식각 팩터는 2.1 내지 3.0일 수 있다. 예를 들어, 소면공(V1)의 식각 팩터는 2.2 내지 3.0일 수 있다. 여기에서, 식각 팩터는 식각된 소면공의 깊이(B)/소면공 상의 아일랜드부(IS)에서 연장되어 관통 홀(TH)의 중심방향으로 돌출된 포토레지스트층의 폭(A)(Etching Factor = B/A)을 의미할 수 있다. 상기 A는 상기 하나의 면공 상에 돌출된 포토레지스트층 일측의 폭 및 상기 일측과 반대되는 타측의 폭의 평균 값을 의미한다.An etch factor of the small face hole V1 may be 2.0 to 3.0. For example, the etching factor of the small face hole V1 may be 2.1 to 3.0. For example, the etching factor of the small face hole V1 may be 2.2 to 3.0. Here, the etch factor is the depth (B) of the etched small face hole / the width (A) of the photoresist layer extending from the island portion IS on the small face hole and protruding in the center direction of the through hole TH (Etching Factor = B/A). A denotes an average value of the width of one side of the photoresist layer protruding on the one surface hole and the width of the other side opposite to the one side.
이어서, 상기 금속판(10)의 상기 타면 상에 제 2 포토레지스트층(PR2)을 배치할 수 있다. 이어서, 상기 제 2 포토레지스트층(PR2)을 노광 및 현상하여 상기 금속판(10)의 타면 상에 패턴화된 제 2 포토레지스트층(PR2)이 배치할 수 있다(S440). 또한, 상기 금속판(10)의 일면 상에는 식각을 저지하기 위한 코팅층 또는 필름층과 같은 식각 저지층이 배치될 수 있다.Next, a second photoresist layer PR2 may be disposed on the other surface of the
상기 제 2 포토레지스트층(PR2)의 오픈부는 식각액 등에 노출될 수 있어, 금속판(10)의 타면 중 상기 제 2 포토레지스트층(PR2)이 배치되지 않은 오픈부에서 에칭이 일어날 수 있다. 상기 금속판(10)의 타면은 이방성 에칭 또는 등방성 에칭에 의하여 에칭될 수 있다.The open portion of the second photoresist layer PR2 may be exposed to an etchant or the like, so that etching may occur in an open portion of the other surface of the
상기 제 2 포토레지스트층(PR2)의 오픈부를 에칭함에 따라, 상기 금속판(10)의 일면 상의 제 1 홈은 대면공(V2)과 연결되어 관통 홀을 형성할 수 있다. As the open portion of the second photoresist layer PR2 is etched, the first groove on one surface of the
상기 관통 홀을 형성하는 단계는, 상기 소면공(V1) 형성을 위한 제 1 홈을 형성하는 단계 이후에 상기 대면공(V2) 형성을 위한 제 2 홈을 형성하는 단계가 진행되어 상기 관통 홀(TH)을 형성하는 단계일 수 있다.In the step of forming the through-hole, the step of forming the second groove for forming the face-to-face hole V2 is performed after the step of forming the first groove for forming the small-faced hole V1, so that the through-hole ( TH) may be formed.
이와 다르게, 상기 관통 홀(TH)을 형성하는 단계는, 상기 대면공(V2) 형성을 위한 제 2 홈을 형성하는 단계 이후에 상기 소면공(V1) 형성을 위한 제 1 홈을 형성하는 단계가 진행되어 상기 관통 홀(TH)을 형성하는 단계일 수 있다.Alternatively, in the step of forming the through hole TH, the step of forming the first groove for forming the small face hole V1 after the step of forming the second groove for forming the face hole V2 is The process may be a step of forming the through hole TH.
이와 또 다르게, 상기 관통 홀(TH)을 형성하는 단계는, 상기 소면공(V1) 형성을 위한 제 1 홈을 형성하는 단계 및 상기 대면공(V2) 형성을 위한 제 2 홈을 형성하는 단계가 동시에 진행되어 상기 관통 홀(TH)을 형성하는 단계일 수 있다.Alternatively, the step of forming the through hole TH may include forming a first groove for forming the small face hole V1 and forming a second groove for forming the face hole V2. The process may be performed simultaneously to form the through hole TH.
다음으로, 상기 제 1 포토레지스트층(PR1) 및 상기 제 2 포토레지스트층(PR2)을 제거하여, 상기 일면 상에 형성된 대면공(V2), 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 소면공(V1), 상기 대면공(V2) 및 상기 소면공(V1)의 경계가 연결되는 연통부에 의해 형성되는 관통 홀(TH)을 포함하는 증착용 마스크(100)를 형성하는 단계를 거쳐 증착용 마스크(100)가 형성될 수 있다.Next, by removing the first photoresist layer PR1 and the second photoresist layer PR2 , the facing hole V2 formed on the one surface and the small surface hole V1 formed on the other surface opposite to the one surface ), through the step of forming a
상기 단계들을 거쳐 형성된 증착용 마스크(100)는 상기 금속판(10)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 금속판(10)과 동일한 조성의 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)의 아일랜드부(IS)는 상술한 표면 처리층을 표함할 수 있다.The
상기 단계들을 거쳐 형성된 증착용 마스크(100)는 유효부(AA)에 형성된 제 1 리브(RB1)의 중심에서의 최대 두께가 에칭을 거치지 않은 비유효부(UA)에서의 최대 두께보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 리브(RB1) 중심에서의 최대 두께는 약 15㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 리브(RB1) 중심에서의 최대 두께는 약 10㎛ 미만일 수 있다. 그러나, 증착용 마스크(100)의 비유효부(UA)에서의 최대 두께는 약 20㎛ 내지 약 30㎛ 일 수 있고, 약 15㎛ 내지 약 25㎛일 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부(UA)에서의 최대 두께는 상기 금속판(10)을 준비하는 단계에서 준비된 금속판(10)의 두께와 대응될 수 있다.In the
도 13 및 도 14는 실시예에 따른 증착용 마스크를 통해 형성되는 증착 패턴을 나타내는 도면들이다.13 and 14 are diagrams illustrating a deposition pattern formed through a deposition mask according to an embodiment.
도 13을 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 소면공(V1)이 형성된 증착용 마스크(100)의 일면 및 연통부 사이의 높이(H1)가 약 3.5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 0.1㎛ 내지 약 3.4㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 0.5㎛ 내지 약 3.2㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 높이(H1)는 약 1㎛ 내지 약 3㎛일 수 있다.Referring to FIG. 13 , in the
이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)의 일면과 증착 패턴이 배치되는 기판 사이의 거리가 가까울 수 있어 쉐도우 효과에 따른 증착 불량을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)를 이용하여 R, G, B 패턴 형성 시, 인접한 두 패턴 사이의 영역에 서로 다른 증착 물질이 증착되는 불량을 방지할 수 있다. 자세하게, 도 14에 도시된 바와 같이 상기 패턴들이 좌측부터 R, G, B 순으로 형성될 경우, 상기 R 패턴 및 상기 G 패턴 사이의 영역에 쉐도우 효과로 R 패턴 및 G 패턴이 증착되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, the distance between the one surface of the
또한, 실시 예에 따른 증착용 마스크(100)는 유효부에서의 아일랜드부(IS)의 크기를 감소시킬 수 있다. 자세하게, 비식각면인 아일랜드부(IS)의 상부면의 면적을 감소시킬 수 있어 유기물 증착 시 상기 유기물은 관통 홀(TH)을 쉽게 통과할 수 있어 증착 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the
또한, 상기 아일랜드부(IS)의 면적은 유효부(AA1, AA2, AA3)의 중심에서 비유효부(UA) 방향으로 갈수록 감소할 수 있다. 이에 따라, 상기 유효부(AA1, AA2, AA3)의 가장자리에 위치한 관통 홀에 유기물을 원활하게 공급할 수 있어 증착 효율을 향상시킬 수 있고 증착 패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.Also, the area of the island portion IS may decrease from the center of the effective portions AA1 , AA2 , and AA3 toward the non-effective portion UA. Accordingly, the organic material can be smoothly supplied to the through-holes located at the edges of the effective portions AA1, AA2, and AA3, so that deposition efficiency can be improved and the quality of deposition patterns can be improved.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects, etc. described in the above-described embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by those of ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, although the embodiments have been described above, these are merely examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains are exemplified above in a range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It can be seen that various modifications and applications that have not been made are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be implemented by modification. And the differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.
Claims (10)
상기 증착용 마스크는 제 1 영역 및 제 2 영역을 포함하고,
상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역은 상기 증착용 마스크의 길이 방향과 대응되는 횡축 방향으로 이웃하며 배치되고,
상기 증착용 마스크는 증착 영역 및 비증착 영역을 포함하고,
상기 증착 영역은 상기 증착용 마스크의 길이 방향으로 서로 이격된 복수 개의 유효부 및 비유효부를 포함하고,
상기 유효부는,
일면 상에 형성된 다수의 소면공; 및
상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성되고, 상기 소면공과 연통되는 다수의 대면공을 포함하고,
상기 대면공은 상기 제 1 영역에 형성되는 제 1 대면공; 및 상기 제 2 영역에 형성되는 제 2 대면공을 포함하고,
상기 타면에 대한 상기 제 1 대면공 내측면의 제 1 경사각도 크기는 상기 타면에 대한 상기 제 2 대면공 내측면의 제 2 경사각도보다 크고,
상기 제 2 경사각도 크기는 상기 제 1 경사각도의 85% 이상인 증착용 마스크.In the metal material deposition mask for OLED deposition,
The deposition mask includes a first region and a second region,
The first region and the second region are disposed adjacent to each other in a horizontal axis direction corresponding to a length direction of the deposition mask,
The deposition mask includes a deposition region and a non-deposition region,
The deposition region includes a plurality of effective portions and ineffective portions spaced apart from each other in the longitudinal direction of the deposition mask,
The effective part is
A plurality of small face holes formed on one surface; and
It is formed on the other surface opposite to the one surface and includes a plurality of face-to-face balls communicating with the small face holes,
The facing hole may include a first facing hole formed in the first region; and a second facing hole formed in the second region,
The size of the first inclination angle of the inner surface of the first facing hole with respect to the other surface is greater than the second inclination angle of the inner surface of the second facing hole with respect to the other surface,
The size of the second inclination angle is 85% or more of the first inclination angle.
상기 제 1 영역의 두께는 상기 제 2 영역의 두께보다 큰 증착용 마스크.The method of claim 1,
A thickness of the first region is greater than a thickness of the second region.
상기 제 1 경사각도는 상기 타면과, 상기 제 1 대면공 내측면의 일단 및 상기 제 1 대면공과 연통되는 소면공과 상기 제 1 대면공 사이의 연통부의 일단을 잇는 연장선의 각도로 정의되고,
상기 제 2 경사각도는 상기 타면과, 상기 제 2 대면공 내측면의 일단 및 상기 제 2 대면공과 연통되는 소면공과 상기 제 2 대면공 사이의 연통부의 일단을 잇는 연장선의 각도로 정의되는 증착용 마스크.The method of claim 1,
The first inclination angle is defined as the angle of an extension line connecting the other surface, one end of the inner surface of the first facing hole, and one end of the communication part between the small face hole and the first facing hole communicating with the first facing hole,
The second inclination angle is defined as an angle of an extension line connecting the other surface, one end of the inner surface of the second facing hole, and one end of the communication part between the small face hole and the second facing hole communicating with the second facing hole. .
상기 제 2 영역의 두께는 상기 제 1 영역 두께의 0.97배 이상인 증착용 마스크.3. The method of claim 2,
The thickness of the second region is 0.97 times or more of the thickness of the first region.
상기 제 1 영역의 두께 및 상기 제 2 영역의 두께는 15㎛ 이하인 증착용 마스크.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
A thickness of the first region and a thickness of the second region are 15 μm or less.
상기 제 1 경사각도 및 상기 제 2 경사각도는 30° 내지 55°인 증착용 마스크.The method of claim 1,
The first inclination angle and the second inclination angle are 30° to 55°.
상기 증착용 마스크는 제 3 영역 및 제 4 영역을 더 포함하고,
상기 제 3 영역 및 상기 제 4 영역은 상기 증착용 마스크의 상기 증착용 마스크의 폭 방향과 대응되는 상기 증착용 마스크의 종축 방향으로 이웃하며 배치되고,
상기 대면공은 상기 제 3 영역에 형성되는 제 3 대면공; 및 상기 제 4 영역에 형성되는 제 4 대면공을 더 포함하고,
상기 일면에 대한 상기 제 3 대면공의 제 3 경사각도 크기는 상기 일면에 대한 상기 제 4 대면공의 제 4 경사각도 크기보다 크고,
상기 제 4 경사각도 크기는 상기 제 3 경사각도 크기의 85% 이상인 증착용 마스크.The method of claim 1,
The deposition mask further includes a third region and a fourth region,
The third region and the fourth region are disposed adjacent to each other in a longitudinal axis direction of the deposition mask corresponding to a width direction of the deposition mask of the deposition mask,
The facing hole may include a third facing hole formed in the third region; and a fourth facing hole formed in the fourth region,
The size of the third inclination angle of the third facing hole with respect to the one surface is greater than the size of the fourth inclination angle of the fourth facing hole with respect to the one surface,
The fourth inclination angle is 85% or more of the third inclination angle.
상기 제 3 영역의 두께는 상기 제 4 영역의 두께보다 크고,
상기 제 4 영역의 두께는 상기 제 3 영역 두께의 0.97배 이상인 증착용 마스크.8. The method of claim 7,
The thickness of the third region is greater than the thickness of the fourth region,
A thickness of the fourth region is 0.97 times or greater than a thickness of the third region.
상기 제 1 영역의 두께 및 상기 제 2 영역의 두께는 15㎛ 이하인 증착용 마스크.9. The method of claim 8,
A thickness of the first region and a thickness of the second region are 15 μm or less.
상기 제 3 경사각도 및 상기 제 4 경사각도는 30° 내지 55°인 증착용 마스크.8. The method of claim 7,
The third inclination angle and the fourth inclination angle are 30° to 55°.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200005848A KR20210092448A (en) | 2020-01-16 | 2020-01-16 | A deposition mask of metal material for oled pixel deposition and oled display panel fabrication method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200005848A KR20210092448A (en) | 2020-01-16 | 2020-01-16 | A deposition mask of metal material for oled pixel deposition and oled display panel fabrication method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210092448A true KR20210092448A (en) | 2021-07-26 |
Family
ID=77124886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200005848A KR20210092448A (en) | 2020-01-16 | 2020-01-16 | A deposition mask of metal material for oled pixel deposition and oled display panel fabrication method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20210092448A (en) |
-
2020
- 2020-01-16 KR KR1020200005848A patent/KR20210092448A/en not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102642138B1 (en) | A deposition mask and method for manufacturing of the same | |
KR20230170628A (en) | A deposition mask of metal material for oled pixel deposition and oled display panel fabrication method | |
KR102516817B1 (en) | A deposition mask of metal material for oled pixel deposition and oled display panel fabrication method | |
CN111373564B (en) | Mask for deposition and method for manufacturing the same | |
CN113169288B (en) | Alloy plate and deposition mask including the same | |
KR20210094261A (en) | A deposition mask of metal material for oled pixel deposition | |
KR20230163964A (en) | A deposition mask | |
KR20230046289A (en) | Measuring method of the rasidual stress of a metal substrare for deposition mask, and the metal substrate having improved rasidual stress | |
KR20230104842A (en) | A deposition mask | |
KR20210124693A (en) | A deposition mask of metal material for oled pixel deposition and method for manufacturing of the same | |
KR20210105156A (en) | A metal substrate for deposition mask for oled pixel deposition and oled pixel deposition mask | |
KR102361452B1 (en) | A deposition mask of metal material for oled pixel deposition and oled display panel fabrication method | |
KR20230007292A (en) | A deposition mask of metal plate material for oled pixel deposition and method for manufacturing of the same | |
KR20200058819A (en) | Alloy metal plate and deposition mask including the alloy metal plate | |
KR20210092448A (en) | A deposition mask of metal material for oled pixel deposition and oled display panel fabrication method | |
CN112534605B (en) | Mask for vapor deposition of metal plate material for OLED pixel vapor deposition | |
KR102399595B1 (en) | Metal substrate and mask using the same | |
KR20200058072A (en) | Alloy metal plate and deposition mask including the alloy metal plate | |
KR20210117753A (en) | A fabrication method of deposition mask for oled pixel deposition | |
KR20210094833A (en) | A deposition mask of metal material for oled pixel deposition | |
KR102689020B1 (en) | Metal substrate and Mask using the same | |
US20240260443A1 (en) | Alloy metal plate and deposition mask including alloy metal plate | |
KR20200033600A (en) | A deposition mask of metal plate material for oled pixel deposition and method for manufacturing of the same | |
EP4141977A1 (en) | Deposition mask made of metal for oled pixel deposition and method for manufacturing deposition mask | |
KR20240024587A (en) | Deposition mask for oled pixel deposition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal |