KR20200058072A - Alloy metal plate and deposition mask including the alloy metal plate - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는 철(Fe)-니켈(Ni) 합금 금속판 및 상기 합금 금속판에 의해 제조되는 OLED 화소 증착을 위한 증착용 마스크에 대한 것이다.An embodiment relates to an iron (Fe) -nickel (Ni) alloy metal plate and a deposition mask for OLED pixel deposition produced by the alloy metal plate.
표시 장치는 다양한 디바이스에 적용되어 사용되고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 스마트폰, 태블릿 PC 등과 같은 소형 디바이스뿐만 아니라, TV, 모니터, 퍼블릭 디스플레이(PD, Public Display) 등과 같은 대형 디바이스에 적용되어 이용되고 있다. 특히, 최근에는 약 500 PPI(Pixel Per Inch) 급 이상의 초고해상도 UHD(UHD, Ultra High Definition)에 대한 수요가 증가하고 있으며, 고해상도 표시 장치가 소형 디바이스 및 대형 디바이스에 적용되고 있다. 이에 따라, 저전력 및 고해상도 구현을 위한 기술에 대한 관심이 높아지고 있다.2. Description of the Related Art Display devices are applied to various devices. For example, the display device is applied to a large device such as a TV, a monitor, a public display (PD), as well as a small device such as a smart phone or a tablet PC. Particularly, in recent years, demand for ultra-high definition UHD (UHD) having a level of about 500 PPI (Pixel Per Inch) or higher has increased, and high-resolution display devices have been applied to small devices and large devices. Accordingly, interest in technologies for realizing low power and high resolution is increasing.
일반적으로 사용되는 표시 장치는 구동 방법에 따라 크게 LCD(Liquid Crystal Display) 및 OLED(Organic Light Emitting Diode) 등으로 구분될 수 있다.2. Description of the Related Art Display devices generally used may be largely classified into liquid crystal displays (LCDs) and organic light emitting diodes (OLEDs).
LCD는 액정(Liquid Crystal)을 이용하여 구동되는 표시 장치로 상기 액정의 하부에는 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp) 또는 LED(Light Emitting Diode) 등을 포함하는 광원이 배치되는 구조를 가지며, 상기 광원 상에 배치되는 상기 액정을 이용하여 상기 광원으로부터 방출되는 빛의 양을 조절하여 구동되는 표시 장치 이다. The LCD is a display device driven using a liquid crystal, and has a structure in which a light source including a Cold Cathode Fluorescent Lamp (CCFL) or a LED (Light Emitting Diode) is disposed under the liquid crystal. It is a display device that is driven by controlling the amount of light emitted from the light source using the liquid crystal disposed.
또한, OLED는 유기물을 이용해 구동되는 표시 장치로, 별도의 광원이 요구되지 않고, 유기물 자체가 광원의 역할을 수행하여 저전력으로 구동될 수 있다. 또한, OLED는 무한한 명암비를 표현할 수 있고, LCD보다 약 1000배 이상의 빠른 응답 속도를 가지며 시야각이 우수하여 LCD를 대체할 수 있는 표시 장치로 주목받고 있다.In addition, the OLED is a display device driven by using an organic material, and a separate light source is not required, and the organic material itself may serve as a light source and be driven with low power. In addition, OLEDs are drawing attention as display devices that can replace LCDs because they can express an infinite contrast ratio, have a response speed of about 1000 times faster than LCDs, and have excellent viewing angles.
특히, OLED에서 발광층에 포함된 상기 유기물은 파인 메탈 마스크(FMM, Fine Metal Mask)라 불리는 증착용 마스크 의해 기판 상에 증착될 수 있고, 증착된 상기 유기물은 상기 증착용 마스크에 형성된 패턴과 대응되는 패턴으로 형성되어 화소의 역할을 수행할 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크는 화소 패턴과 대응되는 위치에 형성되는 관통홀을 포함하고, 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 유기물을 상기 관통홀을 통과시켜 기판 상에 증착할 수 있다. 이에 따라 상기 기판 상에 화소 패턴을 형성할 수 있다.In particular, in the OLED, the organic material included in the light emitting layer may be deposited on a substrate by a deposition mask called a fine metal mask (FMM), and the deposited organic material corresponds to a pattern formed in the deposition mask. Formed in a pattern, it can serve as a pixel. In detail, the deposition mask includes a through hole formed at a position corresponding to a pixel pattern, and red, green, and blue organic materials can be deposited on the substrate by passing through the through hole. have. Accordingly, a pixel pattern can be formed on the substrate.
상기 증착용 마스크는 철(Fe) 및 니켈(Ni) 합금으로 이루어진 금속판으로 제조할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크는 인바(invar)라 불리는 철-니켈 합금으로 제조할 수 있다. 상기 증착용 마스크는 상술한 바와 같이 유기물 증착을 위한 관통홀을 포함할 수 있고, 상기 관통홀은 에칭 공정으로 형성할 수 있다.The deposition mask may be made of a metal plate made of an iron (Fe) and nickel (Ni) alloy. For example, the deposition mask can be made of an iron-nickel alloy called invar. The deposition mask may include a through hole for depositing an organic material as described above, and the through hole may be formed by an etching process.
한편, 금속판의 표면에 관통홀을 형성하기 전에 산성 계열의 식각액을 이용하여 금속판의 표면을 식각함으로써, 금속판 표면에 잔류하는 이물질, 녹 등의 불순물을 제거하는 표면 처리 공정이 진행된다.Meanwhile, a surface treatment process of removing impurities such as foreign substances and rust remaining on the surface of the metal plate is performed by etching the surface of the metal plate using an acidic etching solution before forming a through hole on the surface of the metal plate.
이러한 표면 처리 공정에 의해 금속판의 표면이 식각됨에 따라, 상기 불순물이 제거될 수 있다.As the surface of the metal plate is etched by the surface treatment process, the impurities may be removed.
이때, 상기 금속판의 표면이 균일하게 식각되지 않는 경우, 금속판의 표면에 다수의 피트(pit) 등이 발생하는 패임 현상이 발생할 수 있다. 이러한 패임 현상은 피트의 깊이가 커질수록 관통홀 형성시 불량을 야기할 수 있다.At this time, when the surface of the metal plate is not etched uniformly, a pitting phenomenon in which a plurality of pits or the like occurs on the surface of the metal plate may occur. This pitting phenomenon may cause defects in the formation of the through hole as the depth of the pit increases.
이에 따라, 상기 금속판의 표면에 형성되는 관통홀의 직경, 형상 및 깊이 등의 특성이 균일하지 못한 문제가 있고, 이로 인해, 상기 관통홀을 통과하는 유기물의 양이 감소하여 증착 효율이 낮아지는 문제점이 있다. 또한, 상기 기판 상에 증착되는 유기물 역시 균일하지 못해 증착 불량이 발생하는 문제가 있다.Accordingly, there is a problem in that properties such as diameter, shape, and depth of the through-holes formed on the surface of the metal plate are not uniform, and as a result, the amount of organic substances passing through the through-holes decreases and deposition efficiency decreases. have. In addition, there is a problem in that deposition defects occur because organic substances deposited on the substrate are also not uniform.
따라서, 상기와 같은 문제를 해결할 수 있는 새로운 합금 금속판 및 이를 포함하는 증착용 마스크가 요구된다.Therefore, there is a need for a new alloy metal plate capable of solving the above problems and a deposition mask comprising the same.
실시예는 금속판의 표면 피트를 감소시키고, 이의 깊이를 제어하여 금속판을 통해 제조되는 증착용 마스크의 효율을 향상시킬 수 있는 철 및 니켈 합금 금속판 및 이를 통해 제조되는 OLED 화소 증착을 위한 증착용 마스크를 제공하고자 한다.An embodiment is an iron and nickel alloy metal plate capable of reducing the surface fit of a metal plate and controlling its depth to improve the efficiency of a deposition mask produced through the metal plate and a deposition mask for depositing OLED pixels produced therefrom. Want to provide.
실시예에 따른 합금 금속판은 합금 금속판의 (111)면에 대한 회절 강도를 I(111), 상기 합금 금속판의 (200)면에 대한 회절 강도를 I(200), 상기 합금 금속판의 (111)면에 대한 회절 강도를 I(111)로 정의하고, 상기 I(200)의 회절 강도 비율을 하기 수식 1로 정의하고, 상기 I(220)의 회절 강도 비율을 하기 수식 2로 정의하며, 이때, 상기 A는 0.5 내지 0.6이고, 상기 B는 0.3 내지 0.5이며, 상기 A 값은 B 값보다 클 수 있다.In the alloy metal plate according to the embodiment, the diffraction intensity for the (111) plane of the alloy metal plate is I (111), the diffraction intensity for the (200) plane of the alloy metal plate is I (200), and the (111) plane of the alloy metal plate is The diffraction intensity for I is defined by I (111), the diffraction intensity ratio of I (200) is defined by Equation 1 below, and the diffraction intensity ratio of I (220) is defined by Equation 2 below, wherein: A is 0.5 to 0.6, B is 0.3 to 0.5, and the A value may be greater than the B value.
[수식 1][Equation 1]
A = I(200)/{I(200)+I(220)+I(111)}A = I (200) / {I (200) + I (220) + I (111)}
상기 I(220)의 회절 강도 비율을 하기 수식 2로 정의되며,The diffraction intensity ratio of I (220) is defined by Equation 2 below,
[수식 2][Equation 2]
B = I(220)/{I(200)+I(220)+I(111)}B = I (220) / {I (200) + I (220) + I (111)}
실시예에 따른 금속판은 금속판이 포함하는 결정면들의 각각의 비율을 제어함으로써, 식각 방향에 따른 식각 속도의 차이를 최소화할 수 있다.The metal plate according to the embodiment may minimize the difference in the etching speed according to the etching direction by controlling the ratio of each of the crystal faces included in the metal plate.
이에 따라, 금속판을 식각할 때 원자 밀도가 큰 결정면과 원자 밀도가 작은 결정면에서 식각 속도가 상이해져, 이에 따른 에칭 불균일에 의한 표면 불량 즉, 피트 발생 및 피트 깊이가 깊어지는 것을 최소화할 수 있다.Accordingly, when the metal plate is etched, the etching rate is different on a crystal surface having a large atomic density and a crystal surface having a small atomic density, thereby minimizing surface defects caused by etching non-uniformity, that is, generation of pits and depth of pits.
따라서, 상기 금속판을 이용하여 증착용 마크스를 제조할 때, 금속판에 형성되는 관통홀의 직경, 형상 및 깊이 등의 특성을 균일하게 할 수 있고, 이에 의해, 상기 증착용 마스크의 증착 효율을 향상시키고, 증착 불량을 방지할 수 있다.Therefore, when manufacturing the marks for deposition using the metal plate, it is possible to uniformize characteristics such as diameter, shape and depth of the through-holes formed in the metal plate, thereby improving the deposition efficiency of the deposition mask, Bad deposition can be prevented.
도 1은 실시예에 따른 금속판의 단면도를 도시한 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 금속판의 X선 회절강도를 도시한 그래프이다.
도 3 내지 도 5는 실시예에 따른 금속판으로 제조되는 증착용 마스크를 사용하여 기판 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 6은 실시예에 따른 증착용 마스크의 평면도를 도시한 도면이다.
도 7은 실시예에 따른 증착용 마스크의 유효부의 평면도를 도시한 도면이다.
도 8는 실시예에 따른 증착용 마스크의 다른 평면도를 도시한 도면이다.
도 9는 도 7의 A-A'의 단면도 및 B-B'의 단면도를 겹쳐서 도시한 도면이다.
도 10은 도 7의 B-B' 방향에서의 단면도를 도시한 도면이다.
도 11은 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조 공정을 도시한 도면들이다.
도 12 및 도 13은 실시예에 따른 증착용 마스크를 통해 형성되는 증착 패턴을 나타내는 도면들이다. 1 is a sectional view showing a metal plate according to an embodiment.
2 is a graph showing the X-ray diffraction intensity of a metal plate according to an embodiment.
3 to 5 are conceptual views illustrating a process of depositing an organic material on a substrate using a deposition mask made of a metal plate according to an embodiment.
6 is a plan view of a deposition mask according to an embodiment.
7 is a view showing a plan view of an effective portion of a deposition mask according to an embodiment.
8 is a view showing another plan view of the deposition mask according to the embodiment.
FIG. 9 is a view showing a cross-sectional view of A-A 'and B-B' of FIG. 7 superimposed.
10 is a view showing a cross-sectional view in the direction BB 'of FIG. 7.
11 is a view showing a manufacturing process of a deposition mask according to an embodiment.
12 and 13 are views showing a deposition pattern formed through a deposition mask according to an embodiment.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to some embodiments described, but may be implemented in various different forms, and within the scope of the technical spirit of the present invention, one or more of its constituent elements may be selectively selected between embodiments. It can be used by bonding and substitution.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다. In addition, the terms used in the embodiments of the present invention (including technical and scientific terms), unless specifically defined and described, can be generally understood by those skilled in the art to which the present invention pertains. It can be interpreted as meaning, and commonly used terms, such as predefined terms, may interpret the meaning in consideration of the contextual meaning of the related technology.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, “A 및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한개이상)”로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나이상을 포함 할 수 있다. In addition, the terms used in the embodiments of the present invention are for describing the embodiments and are not intended to limit the present invention. In the present specification, the singular form may also include a plural form unless specifically stated in the phrase, and when described as “at least one (or more than one) of A and B, C”, A, B, and C may be combined. It can contain one or more of all possible combinations.
또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다. In addition, in describing the components of the embodiments of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only for distinguishing the component from other components, and the term is not limited to the nature, order, or order of the component.
그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우 뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속'되는 경우도 포함할 수 있다. And, when a component is described as being 'connected', 'coupled' or 'connected' to another component, the component is not only directly connected, coupled or connected to the other component, but also to the component It may also include a case of 'connected', 'coupled' or 'connected' due to another component between the other components.
또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. Further, when described as being formed or disposed in the "top (top) or bottom (bottom)" of each component, the top (top) or bottom (bottom) is one as well as when the two components are in direct contact with each other It also includes a case in which another component described above is formed or disposed between two components.
또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In addition, when expressed as “up (up) or down (down)”, it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one component.
이하 도면들을 참조하여, 실시예에 따른 철(Fe)-니켈(Ni) 합금 금속판 및 이를 이용한 OLED 화소 증착을 위한 증착용 마스크를 설명한다.Hereinafter, an iron (Fe) -nickel (Ni) alloy metal plate and a deposition mask for OLED pixel deposition using the same will be described with reference to the drawings.
도 1은 실시예에 따른 합금 금속판의 단면도를 도시한 도면이다.1 is a view showing a cross-sectional view of an alloy metal plate according to an embodiment.
상기 금속판(10)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속판(10)은 니켈(Ni) 합금을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 철(Fe)과 니켈(Ni) 합금을 포함할 수 있다.The
예를 들어, 상기 금속판(10)에는 상기 철이 약 60 중량% 내지 약 65 중량%만큼 포함될 수 있고, 상기 니켈은 약 35 중량% 내지 약 40 중량%만큼 포함될 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)에는 상기 철이 약 63.5 중량% 내지 약 64.5 중량%만큼 포함될 수 있고, 상기 니켈은 약 35.5 중량% 내지 약 36.5 중량%만큼 포함될 수 있다. For example, the
상기 금속판(10)의 중량%는, 상기 금속판(10)의 평면 상에서 특정 영역(a*b)을 선택하여, 상기 금속판(10)의 두께(t)에 해당하는 시편(a*b*t)을 샘플링하여 강산 등에 녹여 각 성분의 중량%를 조사하는 방법을 사용하여 확인할 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고 다양한 방법으로 함량을 확인할 수 있다.The weight percentage of the
또한, 상기 금속판(10)은 소량의 탄소(C), 규소(Si), 황(S), 인(P), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 구리(Cu), 은(Ag), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 인듐(In), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나 이상의 원소를 더 포함할 수 있다. 여기서 소량은 1 중량% 이하인 것을 의미할 수 있다. 즉, 상기 금속판(10)은 인바(Invar)를 포함할 수 있다. In addition, the
상기 인바는 철 및 니켈을 포함하는 합금으로 열팽창계수가 0에 가까운 저열팽창 합금이다. 상기 인바는 열팽창 계수가 매우 작기 때문에 마스크 등과 같은 정밀 부품, 정밀 기기에 이용되고 있다. 따라서, 상기 금속판(10)을 이용하여 제조되는 증착용 마스크는 향상된 신뢰성을 가질 수 있어 변형을 방지할 수 있고, 수명 또한 증가시킬 수 있다.The invar is an alloy containing iron and nickel, and is a low thermal expansion alloy having a coefficient of thermal expansion close to zero. The invar is used in precision components, such as masks, and precision equipment because the thermal expansion coefficient is very small. Therefore, the deposition mask manufactured using the
상기 철 및 니켈 합금을 포함하는 금속판(10)은 냉간 압연 방식으로 제조할 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 용해, 단조, 열간 압연, 노멀라이징, 1차 냉간압연, 1차 어닐링, 2차 냉간압연 및 2차 어닐링 공정을 통해 형성할 수 있고, 30㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다. 또는, 상기 공정들 이외에 추가 두께 감소 공정을 통해 30㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다. The
한편, 상기 금속판(10)은 사각형 형태를 가질 수 있다. 자세하게, 상기 금속판(10)은 장축 및 단축을 가지는 직사각형 형태를 가질 수 있고, 약 30㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.Meanwhile, the
앞서 설명하였듯이, 상기 금속판(10)은 철 및 니켈을 포함하는 합금을 포함하며, 철 및 니켈을 포함하는 합금의 경우 면심입방구조(Face centered cubic, FCC)의 결정구조로 형성될 수 있다.As described above, the
상기 면심입방구조의 경우, 각 면마다 서로 다른 원자 밀도를 가질 수 있다. 즉, 상기 금속판(10)은 각 결정면마다 서로 다른 원자 밀도를 가질 수 있다. 자세하게, 어느 하나의 결정면은 다른 결정면보다 원자 밀도가 크거나 작을 수 있다.In the case of the face-centered cubic structure, each surface may have a different atomic density. That is, the
이에 따라, 상기 금속판(10)이 식각될 때, 각각의 결정면 방향에 따라 식각속도가 상이해질 수 있다. 이러한 결정면 방향에 따른 식각 속도의 차이로 인해, 금속판을 표면 처리할 때, 금속판의 표면이 불균일하게 에칭될 수 있고, 이에 따라, 금속판의 표면 처리 후, 도 1과 같이 금속판의 표면(S)에 다수의 홈들 즉, 피트(P)가 발생 될 수 있다.Accordingly, when the
상기와 같은 문제를 해결하기 위해 실시예에 따른 금속판은 금속판의 복수의 결정면들의 비율을 제어함으로써, 불균일한 에칭에 따른 피트등을 감소시킬 수 있다.In order to solve the above problems, the metal plate according to the embodiment can reduce pits and the like due to non-uniform etching by controlling the ratio of a plurality of crystal surfaces of the metal plate.
도 2는 실시예에 따른 금속판의 X선 회절강도를 측정하여 도시한 그래프이다. 자세하게, CuKα X-Ray를 사용하여 철 및 니켈 합금의 금속판의 (111), (200), (220)면에 대하여 회절강도를 각각 측정하였다.2 is a graph showing X-ray diffraction intensity of a metal plate according to an embodiment. In detail, the diffraction intensities were measured for the (111), (200), and (220) planes of the metal plates of the iron and nickel alloys using CuKα X-Ray, respectively.
도 2를 참조하면, 실시예에 따른 금속판의 (111)면, (200)면 및 (220)면의 피크값은 모두 상이한 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 2, it can be seen that the peak values of the (111) plane, the (200) plane, and the (220) plane of the metal plate according to the embodiment are all different.
자세하게, 실시예에 따른 금속판(10)의 피크값은 (200)면이 가장 크고, (220)면이 2번째로 크며, (111)면이 가장 작은 것을 알 수 있다.In detail, it can be seen that the peak value of the
즉, 실시예에 따른 금속판(10)은 (200)면이 (220)면 및 (111)면보다 크고, (220)면이 (111)면보다 큰 것을 알 수 있다.That is, in the
자세하게, 상기 금속판(10)의 (220)면에 대한 회절 강도는 I(220), 상기 금속판의 (200) 면에 대한 회절 강도는 I(200), 상기 금속판의 (111) 면에 대한 회절 강도를 I(111)로 정의될 수 있다.In detail, the diffraction intensity for the (220) plane of the
이때, 상기 I(200)의 회절 강도 비율은 하기 수식 1로 정의될 수 있다.At this time, the diffraction intensity ratio of I (200) may be defined by Equation 1 below.
[수식 1][Equation 1]
A = I(200)/{I(200)+I(220)+I(111)}A = I (200) / {I (200) + I (220) + I (111)}
또한, 상기 I(220)의 회절 강도 비율은 하기 수식 2로 정의될 수 있다.In addition, the diffraction intensity ratio of I 220 may be defined by Equation 2 below.
[수식 2][Equation 2]
B = I(220)/{I(200)+I(220)+I(111)}B = I (220) / {I (200) + I (220) + I (111)}
이때, 상기 A 값은 B 값 이상 일수 있다. 자세하게, 상기 A 값은 B 값보다 클 수 있다.At this time, the A value may be greater than or equal to the B value. In detail, the A value may be greater than the B value.
자세하게, 상기 A는 0.6 이하이고, 상기 B는 0.5 이하 일 수 있다. 더 자세하게, 상기 A는 0.5 내지 0.6이고, 상기 B는 0.3 내지 0.5일 수 있다. In detail, A may be 0.6 or less, and B may be 0.5 or less. More specifically, A is 0.5 to 0.6, and B may be 0.3 to 0.5.
또한, 상기 A와 B의 비(A/B)는 1 내지 2일 수 있다. 즉, A 값의 크기는 B 값보다 크고, B 값의 2배 미만일 수 있다.In addition, the ratio of A and B (A / B) may be 1 to 2. That is, the size of the A value is greater than the B value and may be less than twice the B value.
또한, 상기 (111)면, 상기 (200)면 및 상기 (220)면의 방향은 상기 금속판의 식각 방향과 대응될 수 있다.In addition, directions of the (111) surface, the (200) surface, and the (220) surface may correspond to an etching direction of the metal plate.
상기 금속판의 결정면인 I(220), I(200) 및 I(111)의 회절 강도 비율은 금속판의 표면에 형성되는 피트의 수 및 피트의 깊이와 관계될 수 있다.The ratio of the diffraction intensity of the crystal faces of the metal plate I 220, I 200 and I 111 may be related to the number of pits formed on the surface of the metal plate and the depth of the pits.
자세하게, 상기 금속판의 결정면인 I(220), I(200) 및 I(111)의 회절 강도 비율을 만족할 때, 금속판의 표면에 형성되는 피트의 수를 감소시킬 수 있고 피트의 깊이를 작게할 수 있다.In detail, when the diffraction intensity ratios of the crystal faces of the metal plate I (220), I (200) and I (111) are satisfied, the number of pits formed on the surface of the metal plate can be reduced and the depth of the pits can be reduced. have.
자세하게, 상기 철 및 니켈 합금의 금속판은 다양한 방향의 결정면을 가질 수 있고 이때, (220) 결정면, (200) 결정면 및 (111) 결정면의 비율이 가장 클 수 있다.In detail, the metal plate of the iron and nickel alloy may have crystal faces in various directions, and the ratio of the (220) crystal face, the (200) crystal face, and the (111) crystal face may be greatest.
이때, 상기 금속판의 상기 (220) 결정면, (200) 결정면 및 (111) 결정면의 크기가 서로 상이하고, 이에 따라, 각각의 결정면의 원자들의 원자 밀도 또한 상이할 수 있다.At this time, the sizes of the (220) crystal surface, the (200) crystal surface, and the (111) crystal surface of the metal plate are different from each other, and accordingly, the atomic density of the atoms of each crystal surface may also be different.
이에 따라, 금속판을 식각할 때 원자 밀도가 큰 결정면과 원자 밀도가 작은 결정면에서 식각 속도가 상이해져, 이에 따르 에칭 불균일에 따른 피트가 발생할 수 있다.Accordingly, when the metal plate is etched, the etching rate is different in a crystal surface having a large atomic density and a crystal surface having a small atomic density, and accordingly, pits may occur due to etching irregularities.
따라서, 금속판의 결정면이 모두 동일한 결정방향을 가지는 것이 가장 이상적이나, 이는 공정상 불가능하므로, 각각의 결정면의 비율을 제어하는 것이 중요하다.Therefore, it is most ideal that all the crystal faces of the metal plate have the same crystal direction, but since it is impossible in the process, it is important to control the ratio of each crystal face.
즉, 실시예에 따른 금속판은 각각의 결정면의 비율을 이상적으로 제어함으로써, 식각 방향에 따른 식각 속도의 차이를 최소화함으로써, 에칭 불균일에 의한 표면 불량 즉, 피트 발생 및 피트 깊이가 깊어지는 것을 최소화할 수 있다.That is, the metal plate according to the embodiment can ideally control the ratio of each crystal surface, thereby minimizing the difference in the etching rate according to the etching direction, thereby minimizing surface defects caused by etching irregularities, that is, generation of pits and deepening of the depth of the pits. have.
이에 따라, 상기 금속판을 이용하여 증착용 마크스를 제조할 때, 금속판에 형성되는 관통홀의 직경, 형상 및 깊이 등의 특성을 균일하게 할 수 있고, 이에 의해, 상기 증착용 마스크의 증착 효율을 향상시키고, 증착 불량을 방지할 수 있다.Accordingly, when manufacturing the marks for deposition using the metal plate, it is possible to uniformize characteristics such as diameter, shape, and depth of the through-holes formed in the metal plate, thereby improving the deposition efficiency of the deposition mask and , Deposition defects can be prevented.
이하, 실시예들 및 비교예들에 따른 금속판을 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 제조예는 본 발명을 좀더 상세하게 설명하기 위하여 예시로 제시한 것에 불과하다. 따라서 본 발명이 이러한 제조예에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail through metal plates according to Examples and Comparative Examples. These manufacturing examples are merely presented as examples to explain the present invention in more detail. Therefore, the present invention is not limited to these manufacturing examples.
합금 금속판의 제조 및 표면 측정Manufacturing and surface measurement of alloy metal plate
철-니켈 합금으로 형성되는 합금 금속판을 준비하였다.An alloy metal plate formed of an iron-nickel alloy was prepared.
이어서, 상기 합금 금속판의 (220) 결정면, (200) 결정면 및 (111) 결정면의 회절 강도 비율을 하기의 표 1과 같이 제어한 후, 각각의 예에서 피트 깊이 및 관통홀 형성 후 불량 여부를 측정하였다.Subsequently, after controlling the ratio of the diffraction intensity of the (220) crystal surface, the (200) crystal surface, and the (111) crystal surface of the alloy metal plate as shown in Table 1 below, in each example, the depth of the pit and the through hole formation were measured to determine whether or not it was defective. Did.
한편, 상기 합금 금속판의 (220) 결정면, (200) 결정면 및 (111) 결정면의 비율의 제어는 합금 금속판의 제조 공정 중 냉간 압연 공정에서 제어될 수 있다.On the other hand, the control of the ratio of the (220) crystal surface, the (200) crystal surface and the (111) crystal surface of the alloy metal plate may be controlled in a cold rolling process during the manufacturing process of the alloy metal plate.
이어서, 상기 합금 금속판의 (111)면에 대한 회절 강도를 I(111), 상기 합금 금속판의 (200)면에 대한 회절 강도를 I(200), 상기 합금 금속판의 (111)면에 대한 회절 강도를 I(111)로 정의하고, 상기 I(200)의 회절 강도 비율을 하기 수식 1로 정의하고, 상기 I(220)의 회절 강도 비율을 하기 수식 2로 정의하고, I(200) 및 I(220)의 회절 강도 비율을 측정하였다.Subsequently, the diffraction intensity for the (111) plane of the alloy metal plate is I (111), the diffraction intensity for the (200) plane of the alloy metal plate is I (200), and the diffraction intensity for the (111) plane of the alloy metal plate. Is defined as I (111), the diffraction intensity ratio of I (200) is defined by Equation 1 below, the diffraction intensity ratio of I (220) is defined by Equation 2 below, and I (200) and I ( The diffraction intensity ratio of 220) was measured.
이어서, 합금 금속판의 표면을 산성 계열의 식각액을 이용하여 표면 처리를 실시하였다.Subsequently, the surface of the alloy metal plate was subjected to a surface treatment using an acidic etching solution.
이어서, 합금 금속판의 표면에 형성되는 피트 깊이 측정 및 관통홀 형성 후 에칭 불량 여부를 관찰하였다.Subsequently, the depth of the pit formed on the surface of the alloy metal plate and the presence or absence of etching after forming the through hole were observed.
에칭 불량 여부는 정상 관통홀의 크기에 비해 10% 이상의 크기를 가지게 되는 경우 불량으로 측정하였다.Whether the etching was defective was measured as a defect when it had a size of 10% or more compared to the size of a normal through hole.
[수식 1][Equation 1]
A = I(200)/{I(200)+I(220)+I(111)}A = I (200) / {I (200) + I (220) + I (111)}
[수식 2][Equation 2]
B = I(220)/{I(200)+I(220)+I(111)}B = I (220) / {I (200) + I (220) + I (111)}
표 1 및 표 2를 참조하면, 실시예에 따른 합금 금속판은 A가 0.5 내지 0.6의 범위를 만족하고, B는 0.3 내지 0.5의 범위를 만족하며, A/B는 1 내지 2의 범위를 만족하는 것을 알 수 있다.Referring to Table 1 and Table 2, in the alloy metal plate according to the embodiment, A satisfies the range of 0.5 to 0.6, B satisfies the range of 0.3 to 0.5, and A / B satisfies the range of 1 to 2 You can see that
반면에, 비교예에 따른 합금 금속판은 상기 A, B 및 A/B 중 적어도 하나를 만족하지 못하는 것을 알 수 있다.On the other hand, it can be seen that the alloy metal plate according to the comparative example does not satisfy at least one of the A, B and A / B.
또한, 실시예에 따른 합금 금속판은 표면 처리후 형성되는 피트 깊이가 2㎛ 이하인 것을 알 수 있다. 이에 따라, 금속판에 관통홀 형성시 금속판 표면에 형성되는 피트에 의한 영향이 미미하여 관통홀의 품질을 향상시키는 것을 알 수 있다.In addition, it can be seen that the alloy metal plate according to the embodiment has a pit depth of 2 μm or less formed after surface treatment. Accordingly, it can be seen that when forming the through hole in the metal plate, the effect of the pit formed on the surface of the metal plate is minimal, thereby improving the quality of the through hole.
반면에, 비교예에 따른 합금 금속판은 표면 처리후 형성되는 피트 깊이가 2㎛ 초과하는 것을 알 수 있다. 피트의 깊이가 2㎛를 초과할 경우 소면공의 높이(H1) 보다 피트가 커지거나 유사하게 형성되어 피트에 의한 관통 홀의 영향이 커지게 된다. 이에 따라, 금속판에 관통홀 형성시 금속판 표면에 형성되는 피트에 의한 영향이 증가하여 관통홀의 품질을 저하되는 것을 알 수 있다.On the other hand, it can be seen that the alloy metal plate according to the comparative example has a pit depth formed after the surface treatment exceeds 2 μm. When the depth of the pit exceeds 2 µm, the pit becomes larger or similarly formed than the height H1 of the small face hole, thereby increasing the influence of the through hole caused by the pit. Accordingly, it can be seen that when the through hole is formed in the metal plate, the effect of the pits formed on the surface of the metal plate increases and the quality of the through hole decreases.
한편, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 상술한 금속판(10)으로 제조할 수 있다. 이하 도면들을 참조하여 실시예에 따른 증착용 마스크(100)를 설명한다.Meanwhile, the
도 3 내지 도 5는 실시예에 따른 증착용 마스크(100)를 사용하여 기판(300) 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 개념도들이다. 3 to 5 are conceptual views for explaining a process of depositing an organic material on the
도 3은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)가 포함된 유기물 증착 장치를 나타낸 도면이고, 도 4는 실시예에 따른 증착용 마스크(100)가 마스크 프레임(200) 상에 거치되기 위해 인장되는 것을 도시한 도면이다. 또한, 도 5는 상기 증착용 마스크(100)의 복수 개의 관통홀을 통해 상기 기판(300) 상에 복수 개의 증착 패턴이 형성되는 것을 도시한 도면이다. 3 is a view showing an organic material deposition apparatus including a
도 3 내지 도 5를 참조하면, 유기물 증착 장치는 증착용 마스크(100), 마스크 프레임(200), 기판(300), 유기물 증착 용기(400) 및 진공 챔버(500)를 포함할 수 있다.3 to 5, the organic material deposition apparatus may include a
상기 증착용 마스크(100)는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 상술한 금속판(10)과 동일한 조성을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크(100)는 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함하는 인바(invar)일 수 있다. 더 자세하게, 상기 증착용 마스크(100)는 철(Fe)을 약 63.5 중량% 내지 약 64.5 중량%만큼 포함하고 니켈(Ni)을 약 35.5 중량% 내지 약 36.5 중량%만큼 포함하는 인바(Invar)를 포함할 수 있다.The
상기 증착용 마스크(100)는 증착을 위한 유효부를 포함할 수 있고, 상기 유효부는 복수 개의 관통홀(TH)들을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀(TH)들을 포함하는 증착용 마스크용 기판일 수 있다. 이때, 상기 관통홀은 기판 상에 형성될 패턴과 대응되도록 형성될 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 상기 유효부 중심에 위치하는 유효 영역뿐만 아니라, 상기 유효부의 외곽에 위치하여 상기 유효 영역을 둘러싸는 외곽 영역에도 형성될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 증착 영역을 포함하는 상기 유효부 이외의 비유효부를 포함할 수 있다. 상기 비유효부에는 상기 관통홀이 위치하지 않을 수 있다The
상기 마스크 프레임(200)은 개구부를 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 복수 개의 관통홀은 상기 개구부와 대응되는 영역 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기물 증착 용기(400)로 공급되는 유기 물질이 상기 기판(300) 상에 증착될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 마스크 프레임(200) 상에 배치되어 고정될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 일정한 인장력으로 인장하여 상기 마스크 프레임(200) 상에 용접하여 고정할 수 있다. The
상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 가장자리에서, 서로 반대되는 방향으로 인장될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 길이 방향에서, 상기 증착용 마스크(100)의 일단 및 상기 일단과 반대되는 타단이 서로 반대되는 방향으로 잡아당겨질 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 일단과 상기 타단은 서로 마주보며 평행하게 배치될 수 있다. The
상기 증착용 마스크(100)의 일단은 상기 증착용 마스크(100)의 최외곽에 배치된 4개의 측면을 이루는 단부 중 어느 하나일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 약 0.1 kgf 내지 약 2 kgf의 인장력으로 인장될 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크(100)는 약 0.4kgf 내지 약 1.5 kgf의 힘으로 인장될 수 있다. 이에 따라, 인장된 상기 증착용 마스크(100)는 상기 마스크 프레임(200) 상에 거치될 수 있다. One end of the
이어서, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부를 용접함에 따라, 상기 마스크 프레임(200)에 상기 증착용 마스크(100)를 고정할 수 있다. 그 다음으로, 상기 마스크 프레임(200)의 외부에 배치되는 상기 증착용 마스크(100)의 일부분은 절단 등의 방법으로 제거될 수 있다.Subsequently, the
상기 기판(300)은 표시 장치의 제조에 사용되는 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(300)은 OLED 화소 패턴용 유기물 증착을 위한 기판(300)일 수 있다. 상기 기판(300) 상에는 빛의 3원색인 화소를 형성하기 위하여 적색(Red), 녹색(Greed) 및 청색(Blue)의 유기물 패턴이 형성될 수 있다. 즉, 상기 기판(300) 상에는 RGB 패턴이 형성될 수 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 기판(300) 상에는 상기 적색, 녹색 및 청색의 유기물 패턴 이외에 흰색(White)의 유기물 패턴이 더 형성될 수 있다. 즉, 상기 기판(300) 상에는 WRGB 패턴이 형성될 수 있다.The
상기 유기물 증착 용기(400)는 도가니일 수 있다. 상기 도가니의 내부에는 유기 물질이 배치될 수 있다. The organic
상기 진공 챔버(500) 내에서 상기 도가니에 열원 및/또는 전류가 공급됨에 따라, 상기 유기 물질은 상기 기판(100) 상에 증착될 수 있다.As the heat source and / or current is supplied to the crucible in the
도 5를 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 일면(101) 및 상기 제 1 면과 대향하는 타면(102)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5, the
상기 증착용 마스크(100)의 상기 일면(101)은 소면공(V1)을 포함하고, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 타면(102)은 대면공(V2)을 포함할 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 경계가 연결되는 연통부(CA)에 의하여 연통될 수 있다. The one
상기 증착용 마스크(100)는 상기 소면공(V1) 내의 제 1 내측면(ES1)을 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2)을 포함할 수 있다. 상기 소면공(V1) 내의 제 1 내측면(ES1) 및 상기 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2)은 연통하여 관통홀을 형성할 수 있다. 예를 들어, 하나의 소면공(V1) 내의 제 1 내측면(ES1)은 하나의 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2)과 연통하여 하나의 관통홀을 형성할 수 있다.The
상기 대면공(V2)의 폭은 상기 소면공(V1)의 폭보다 클 수 있다. 이때, 상기 소면공(V1)의 폭은 상기 일면(101)에서 측정되고, 상기 대면공(V2)의 폭은 상기 타면(102)에서 측정될 수 있다.The width of the large face hole V2 may be greater than the width of the small face hole V1. At this time, the width of the small surface hole (V1) is measured on the one
상기 소면공(V1)은 상기 기판(300)을 향하여 배치될 수 있다. 상기 소면공(V1)은 상기 기판(300)과 가까이 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 소면공(V1)은 증착 물질, 즉 증착 패턴(DP)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. The small hole V1 may be disposed toward the
상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)를 향하여 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)로부터 공급되는 유기물질을 넓은 폭에서 수용할 수 있고, 상기 대면공(V2)보다 폭이 작은 상기 소면공(V1)을 통해 상기 기판(300) 상에 미세한 패턴을 빠르게 형성할 수 있다. The face hole V2 may be disposed toward the organic
도 6은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 평면도를 도시한 도면이다. 도 6을 참조하면, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 증착 영역(DA) 및 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 6 is a view showing a top view of a
상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역일 수 있다. 상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴 형성을 위한 유효부를 포함할 수 있다. 상기 증착 영역(DA)은 패턴 영역 및 비패턴 영역을 포함할 수 있다. The deposition area DA may be an area for forming a deposition pattern. The deposition area DA may include an effective portion for forming a deposition pattern. The deposition area DA may include a pattern area and a non-pattern area.
상기 패턴 영역은 소면공(V1), 대면공(V2), 관통홀(TH) 및 아일랜드부(IS)를 포함하는 영역일 수 있고, 상기 비패턴 영역은 소면공(V1), 대면공(V2), 관통홀(TH) 및 아일랜드부(IS)를 포함하지 않는 영역일 수 있다. 여기서, 상기 증착 영역(DA)은 후술할 유효 영역과 외곽 영역을 포함하는 유효부, 및 증착이 포함되지 않는 비유효부를 포함할 수 있다. 따라서, 상기 유효부는 상기 패턴 영역일 수 있고, 상기 비유효부는 상기 비패턴 영역일 수 있다.The pattern area may be an area including a small face hole V1, a large face hole V2, a through hole TH, and an island portion IS, and the non-patterned area is a small face hole V1, a large face hole V2 ), A region not including the through hole TH and the island portion IS. Here, the deposition area DA may include an effective part including an effective area and an outer area, which will be described later, and a non-effective part without deposition. Therefore, the effective portion may be the pattern region, and the non-effective portion may be the non-pattern region.
또한, 하나의 증착용 마스크(100)는 복수 개의 증착 영역(DA)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시예의 상기 증착 영역(DA)은 복수의 증착 패턴을 형성할 수 있는 복수의 유효부를 포함할 수 있다. 상기 유효부는 복수 개의 유효 영역(AA1, AA2, AA3)을 포함할 수 있다. In addition, one
상기 복수 개의 유효 영역(AA1, AA2, AA3)은 상기 유효부의 중심 영역에 배치될 수 있다. 상기 복수 개의 유효 영역(AA1, AA2, AA3)은 제 1 유효 영역(AA1), 제 2 유효 영역(AA2) 및 제 3 유효 영역(AA3)를 포함할 수 있다. 여기서 하나의 증착 영역(DA)은 제 1 유효 영역(AA1)과 상기 제 1 유효 영역(AA1)을 둘러싸는 제 1 외곽 영역(OA1)을 포함하는 제 1 유효부일 수 있다. The plurality of effective areas AA1, AA2, and AA3 may be disposed in a central area of the effective part. The plurality of effective areas AA1, AA2, and AA3 may include a first effective area AA1, a second effective area AA2, and a third effective area AA3. Here, one deposition area DA may be a first effective portion including a first effective area AA1 and a first outer area OA1 surrounding the first effective area AA1.
또한, 하나의 증착 영역(DA)은 제 2 유효유효 영역(AA2)과 상기 제 2 유효 영역(AA2)을 둘러싸는 제 2 외곽 영역(OA2)을 포함하는 제 2 유효부일 수 있다. 또한, 하나의 증착 영역(DA)은 제 3 유효유효 영역(AA3)과 상기 제 3 유효 영역(AA3)을 둘러싸는 제 3 외곽 영역(OA3)을 포함하는 제 3 유효부일 수 있다.Also, one deposition area DA may be a second effective portion including a second effective area AA2 and a second outer area OA2 surrounding the second effective area AA2. In addition, one deposition area DA may be a third effective portion including a third effective area AA3 and a third outer area OA3 surrounding the third effective area AA3.
스마트 폰과 같은 소형 표시장치의 경우, 증착용 마스크(100)에 포함된 복수의 증착 영역 중 어느 하나의 유효부는 하나의 표시장치를 형성하기 위한 것일 수 있다. 이에 따라, 하나의 증착용 마스크(100)는 복수의 유효부를 포함할 수 있어, 여러 개의 표시장치를 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 공정 효율을 향상시킬 수 있다.In the case of a small display device such as a smart phone, an effective part of any one of a plurality of deposition regions included in the
이와 다르게, 텔레비전과 같은 대형 표시장치의 경우, 하나의 증착용 마스크(100)에 포함된 여러 개의 유효부가 하나의 표시장치를 형성하기 위한 일부일 수 있다. 이때, 상기 복수의 유효부는 마스크의 하중에 의한 변형을 방지하기 위한 것일 수 있다. Alternatively, in the case of a large display device such as a television, several effective parts included in one
상기 복수 개의 유효 영역(AA1, AA2, AA3)은 서로 이격하여 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 복수 개의 유효 영역(AA1, AA2, AA3)은 상기 증착용 마스크(100)의 장축 방향으로 이격하여 배치될 수 있다. 상기 증착 영역(DA)은 하나의 증착용 마스크(100)에 포함된 복수의 분리 영역(IA1, IA2)을 포함할 수 있다. 인접한 유효부 사이에는 분리 영역(IA1, IA2)이 배치될 수 있다. The plurality of effective areas AA1, AA2, and AA3 may be spaced apart from each other. In detail, the plurality of effective areas AA1, AA2, and AA3 may be arranged spaced apart in the long axis direction of the
상기 분리 영역(IA1, IA2)은 복수 개의 유효부 사이의 이격 영역일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 유효 영역(AA1)을 둘러싸는 상기 제 1 외곽 영역(OA1) 및 상기 제 2 유효 영역(AA2)을 둘러싸는 상기 제 2 외곽 영역(OA2)의 사이에는 제 1 분리 영역(IA1)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 유효 영역(AA2)을 둘러싸는 상기 제 2 외곽 영역(OA2) 및 상기 제 3 유효 영역(AA3)을 둘러싸는 제 3 외곽 영역(OA3)의 사이에는 제 2 분리 영역(IA2)이 배치될 수 있다. 즉, 상기 분리 영역(IA1, IA2)에 의해 인접한 유효부를 서로 구별할 수 있고, 하나의 증착용 마스크(100)가 복수 개의 유효부를 지지할 수 있다. The separation regions IA1 and IA2 may be spaced apart between a plurality of effective portions. For example, a first separation region is between the first outer region OA1 surrounding the first effective region AA1 and the second outer region OA2 surrounding the second effective region AA2. (IA1) may be deployed. In addition, a second separation region IA2 is between the second outer region OA2 surrounding the second effective region AA2 and the third outer region OA3 surrounding the third effective region AA3. It can be placed. That is, adjacent effective portions may be distinguished from each other by the separation regions IA1 and IA2, and one
상기 증착용 마스크(100)는 상기 증착 영역(DA)의 길이 방향의 양 측부에 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 상기 증착 영역(DA)의 수평 방향의 양 측에 상기 비증착 영역(NDA)을 포함할 수 있다.The
상기 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 증착에 관여하지 않는 영역일 수 있다. 상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정하기 위한 프레임 고정영역(FA1, FA2)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 비증착 영역(NDA)은 홈들(G1, G2) 및 오픈부를 포함할 수 있다. The non-deposition area NDA of the
상술한 바와 같이 상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역일 수 있고, 상기 비증착 영역(NDA)은 증착에 관여하지 않는 영역일 수 있다. 이때, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 증착 영역(DA)에는 상기 금속판(10) 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있고, 상기 비증착 영역(NDA)에는 표면 처리층을 형성하지 않을 수 있다. As described above, the deposition area DA may be an area for forming a deposition pattern, and the non-deposition area NDA may be an area not involved in deposition. At this time, a surface treatment layer different from the
또는, 증착용 마스크(100)의 일면(101) 또는 상기 일면(101)과 반대되는 타면(102) 중 어느 일면에만 상기 금속판(10)의 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있다. Alternatively, a surface treatment layer different from the material of the
또는, 증착용 마스크(100)의 일면의 일부분에만 상기 금속판(10)의 재질과 다른 표면 처리층을 형성할 수 있다. Alternatively, a surface treatment layer different from the material of the
예를 들어, 증착용 마스크(100)의 일면 및/또는 타면, 증착용 마스크(100)의 전체 및/또는 일부는 상기 금속판(10) 재질보다 식각 속도가 느린 표면처리층을 포함할 수 있어, 식각 팩터를 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 실시예의 증착용 마스크(100)는 미세한 크기의 관통홀을 높은 효율로 형성할 수 있다. For example, one surface and / or the other surface of the
일례로, 실시예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 증착용 마스크(100)는 500PPI 이상의 높은 해상도를 가지는 증착 패턴을 높은 효율로 형성할 수 있다. In one example, the
여기에서, 상기 표면 처리층은 상기 금속판(10)의 재질과 다른 원소를 포함하거나, 동일한 원소의 조성이 다른 금속 물질을 포함하는 것을 의미할 수 있다. 이와 관련하여서는 후술한 증착용 마스크의 제조 공정에서 보다 상세히 설명하기로 한다.Here, the surface treatment layer may include a material different from the material of the
상기 비증착 영역(NDA)은 홈들(G1, G2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착 영역(DA)의 일측에 제 1 홈(G1)을 포함할 수 있고, 상기 증착 영역(DA)의 상기 일측과 반대되는 타측에 제 2 홈(G2)을 포함할 수 있다. The non-deposition area NDA may include grooves G1 and G2. For example, the non-deposition area NDA of the
상기 제 1 홈(G1) 및 상기 제 2 홈(G2)은 증착용 마스크(100)의 깊이 방향으로 홈이 형성되는 영역일 수 있다. 상기 제 1 홈(G1) 및 상기 제 2 홈(G2)은 증착용 마스크의 약 1/2 두께의 홈부를 가질 수 있어, 증착용 마스크(100)의 인장시 응력을 분산시킬 수 있다. 또한, 상기 홈들(G1, G2)은 상기 증착용 마스크(100)의 중심을 기준으로 X축 방향으로 대칭 되거나 Y축방향으로 대칭 되도록 형성하는 것이 바람직하다. 이를 통해 양방향으로의 인장력을 균일하게 조절할 수 있다. The first groove G1 and the second groove G2 may be regions in which grooves are formed in a depth direction of the
상기 홈들(G1, G2)은 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 상기 홈들(G1, G2)은 반원 형상의 홈부를 포함할 수 있다. 상기 홈은 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 상기 일면(101)과 반대되는 타면(102) 중 적어도 하나의 면 상에 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 홈들(G1, G2)은 소면공(V1)과 대응되는 일면(101) 상에 형성될 수 있다. The grooves G1 and G2 may be formed in various shapes. The grooves G1 and G2 may include a semi-circular groove. The groove may be formed on at least one surface of one
이에 따라, 상기 홈들(G1, G2)은 소면공(V1)과 동시에 형성될 수 있으므로 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 홈들(G1, G2)은 대면공(V2) 사이의 크기 차이에 의해 발생할 수 있는 응력을 분산시킬 수 있다. 그러나 실시예는 이에 제한되지 않고 상기 홈들(G1, G2)은 사각형 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 홈(G1) 및 상기 제 2 홈(G2)은 직사각형 또는 정사각형 형상일 수 있다. 이에 따라 상기 증착용 마스크(100)는 효과적으로 응력을 분산시킬 수 있다.Accordingly, the grooves G1 and G2 may be formed simultaneously with the small face hole V1, thereby improving process efficiency. In addition, the grooves G1 and G2 may disperse the stress that may occur due to the size difference between the large-sized holes V2. However, the embodiment is not limited thereto, and the grooves G1 and G2 may have a rectangular shape. For example, the first groove G1 and the second groove G2 may have a rectangular shape or a square shape. Accordingly, the
또한, 상기 홈들(G1, G2)은 곡면 및 평면을 포함할 수 있다. 상기 제 1 홈(G1)의 평면은 상기 제 1 유효 영역(AA1)과 인접하게 배치될 수 있고, 상기 평면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 끝단과 수평하게 배치될 수 있다. 상기 제 1 홈(G1)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 일단을 향해서 볼록한 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 홈(G1)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점이 반원형상의 반지름과 대응되도록 형성될 수 있다. Further, the grooves G1 and G2 may include a curved surface and a flat surface. A plane of the first groove G1 may be disposed adjacent to the first effective area AA1, and the plane may be disposed horizontally with a longitudinal end of the
또한, 상기 제 2 홈(G2)의 평면은 상기 제 3 유효 영역(AA3)과 인접하게 배치될 수 있고, 상기 평면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 끝단과 수평하게 배치될 수 있다. 상기 제 2 홈(G2)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 길이 방향의 타단을 향해서 볼록한 형상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 홈(G2)의 곡면은 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점이 반원형상의 반지름과 대응되도록 형성될 수 있다.In addition, a plane of the second groove G2 may be disposed adjacent to the third effective area AA3, and the plane may be disposed horizontally with a longitudinal end of the
상기 홈들(G1, G2)은 소면공(V1) 또는 대면공(V2)을 형성할 때 동시에 형성할 수 있다. 이를 통해 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101) 및 타면(102)에 형성되는 홈은 서로 어긋나게 형성할 수 있다. 이를 통해 홈들(G1, G2)이 서로 관통되지 않을 수 있다.The grooves G1 and G2 may be formed at the same time when forming the small face hole V1 or the large face hole V2. Through this, process efficiency can be improved. In addition, grooves formed on one
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 4개의 하프에칭부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 홈들(G1, G2)은 짝수 개의 홈들(G1, G2)을 포함할 수 있어 응력을 보다 효율적으로 분산할 수 있다.In addition, the
또한, 상기 홈들(G1, G2)은 증착 영역(DA)의 비유효부(UA)에 더 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 홈들(G1, G2)은 증착용 마스크(100)의 인장시 응력을 분산시키기 위해서 비유효부(UA)의 전체 또는 일부에 분산되어 다수 개 배치될 수 있다.In addition, the grooves G1 and G2 may be further formed in the ineffective portion UA of the deposition region DA. For example, a plurality of the grooves G1 and G2 may be dispersed in all or part of the ineffective portion UA in order to disperse the stress during the elongation of the
즉, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 복수 개의 홈들을 포함할 수 있다. 자세하게, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 비증착 영역(NDA)에만 홈들(G1, G2)을 포함하는 것으로 도시하였으나 이에 제한되지 않고 상기 증착 영역(DA) 및 상기 비증착 영역(NDA) 중 적어도 하나의 영역은 복수 개의 홈들을 더 포함할 수 있다. 이에 따라 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다.That is, the
상기 비증착 영역(NDA)은 상기 증착용 마스크(100)를 상기 마스크 프레임(200)에 고정하기 위한 프레임 고정영역(FA1, FA2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착 영역(DA)의 일측에 제 1 프레임 고정영역(FA1)을 포함할 수 있고, 상기 증착 영역(DA)의 상기 일측과 반대되는 타측에 제 2 프레임 고정영역(FA2)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 프레임 고정영역(FA1) 및 상기 제 2 프레임 고정영역(FA2)은 용접에 의해서 마스크 프레임(200)과 고정되는 영역일 수 있다.The non-deposition region NDA may include frame fixing regions FA1 and FA2 for fixing the
상기 프레임 고정영역(FA1, FA2)은 상기 비증착 영역(NDA)의 홈들(G1, G2) 및 상기 홈들(G1, G2)과 인접한 상기 증착 영역(DA)의 유효부의 사이에 배치될 수 있다. The frame fixing regions FA1 and FA2 may be disposed between the grooves G1 and G2 of the non-deposition region NDA and the effective portions of the deposition regions DA adjacent to the grooves G1 and G2.
예를 들어, 상기 제 1 프레임 고정영역(FA1)은 상기 비증착 영역(NDA)의 제 1 홈(G1) 및 상기 제 1 홈(G1)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 제 1 유효 영역(AA1) 및 제 1 외곽 영역(OA1)을 포함하는 제 1 유효부의 사이에 배치될 수 있다. For example, the first frame fixing area FA1 may include a first groove G1 of the non-deposition area NDA and a first effective area of the deposition area DA adjacent to the first groove G1 ( AA1) and the first effective portion including the first outer region OA1.
예를 들어, 상기 제 2 프레임 고정영역(FA2)은 상기 비증착 영역(NDA)의 제 2 홈(G2) 및 상기 제 2 홈(G2)와 인접한 상기 증착 영역(DA)의 제 3 유효 영역(AA3) 및 제 3 외곽 영역(OA3)을 포함하는 제 3 유효부의 사이에 배치될 수 있다. 이에 따라, 복수 개의 증착 패턴부를 동시에 고정할 수 있다.For example, the second frame fixing area FA2 includes a second groove G2 of the non-deposition area NDA and a third effective area of the deposition area DA adjacent to the second groove G2 ( AA3) and a third effective portion including the third outer region OA3. Accordingly, a plurality of deposition pattern portions can be fixed at the same time.
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 수평 방향(X)의 양 끝단에 반원 형상의 오픈부를 포함할 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평 방향의 양 끝단에 각각 하나의 반원 형상의 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평방향의 일측에는 수직 방향(Y)의 중심이 오픈된 오픈부를 포함할 수 있다. In addition, the
예를 들어, 증착용 마스크(100)의 상기 비증착 영역(NDA)은 수평방향의 상기 일측과 반대되는 타측에는 수직 방향의 중심이 오픈된 오픈부를 포함할 수 있다. 즉, 증착용 마스크(100)의 양 끝단은 수직 방향 길이의 1/2 지점이 오픈부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 증착용 마스크(100)의 양 끝단은 말발굽과 같은 형태일 수 있다. For example, the non-deposition region NDA of the
이때, 상기 오픈부의 곡면은 상기 홈들(G1, G2)을 향할 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)의 양 끝단에 위치한 오픈부는 상기 제 1 홈(G1) 또는 제 2 홈(G2)과 상기 증착용 마스크(100)의 수직 방향 길이의 1/2 지점에서 이격거리가 제일 짧을 수 있다. At this time, the curved surface of the open portion may face the grooves G1 and G2. Accordingly, the open portions located at both ends of the
또한, 상기 제 1 홈(G1) 또는 상기 제 2 홈(G2)의 수직방향의 길이(d1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(d2)와 대응될 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)를 인장하는 경우에, 응력이 고르게 분산될 수 있어, 증착용 마스크(100)의 변형(wave deformation)을 감소시킬 수 있다. In addition, the length d1 in the vertical direction of the first groove G1 or the second groove G2 may correspond to the length d2 in the vertical direction of the open portion. Accordingly, when the
따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 균일한 관통홀을 가질 수 있어, 패턴의 증착효율이 향상될 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 홈(G1) 또는 상기 제 2 홈(G2)의 수직방향의 길이(d1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(d2)의 약 80% 내지 약 200%일 수 있다(d1:d2 = 0.8~2:1). Therefore, the
상기 제 1 홈(G1) 또는 상기 제 2 홈(G2)의 수직방향의 길이(d1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(d2)의 약 90% 내지 약 150%일 수 있다(d1:d2 = 0.9~1.5:1). The length d1 in the vertical direction of the first groove G1 or the second groove G2 may be about 90% to about 150% of the length d2 of the vertical direction of the open portion (d1: d2 = 0.9 ~ 1.5: 1).
상기 제 1 홈(G1) 또는 상기 제 2 홈(G2)의 수직방향의 길이(d1)는 상기 오픈부의 수직방향의 길이(d2)의 약 95% 내지 약 110%일 수 있다(d1:d2 = 0.95~1.1:1). The length d1 in the vertical direction of the first groove G1 or the second groove G2 may be from about 95% to about 110% of the length d2 in the vertical direction of the open portion (d1: d2 = 0.95 ~ 1.1: 1).
또한, 도면에는 도시하지 않았으나 상기 홈들(G1, G2)은 증착 영역(DA)의 비유효부(UA)에 더 형성될 수 있다. 상기 홈들은 증착용 마스크(100)의 인장시 응력을 분산시키기 위해서 비유효부(UA)의 전체 또는 일부에 분산되어 다수 개 배치될 수 있다.In addition, although not shown in the drawing, the grooves G1 and G2 may be further formed in the ineffective portion UA of the deposition region DA. In order to disperse the stress during the stretching of the
또한, 상기 홈들(G1, G2)은 프레임 고정영역(FA1, FA2) 및/또는 프레임 고정영역(FA1, FA2)의 주변영역에도 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정할 때, 및/또는 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정한 후에 증착물을 증착할 때에 발생하는 증착용 마스크(100)의 응력을 균일하게 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)가 균일한 관통홀을 가지도록 유지할 수 있다.Also, the grooves G1 and G2 may be formed in the frame fixing areas FA1 and FA2 and / or the peripheral areas of the frame fixing areas FA1 and FA2. Accordingly, the
상기 증착용 마스크(100)는 길이 방향으로 이격된 복수 개의 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부(UA)를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 증착 영역(DA)은 복수 개의 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부(UA)을 포함할 수 있다. The
상기 복수 개의 유효부는 제 1 유효부, 제 2 유효부 및 제 3 유효부를 포함할 수 있다. The plurality of effective parts may include a first effective part, a second effective part, and a third effective part.
또한, 상기 제 1 유효부는 제 1 유효 영역(AA1) 및 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 주위를 둘러싸는 제 1 외곽 영역(OA1)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 유효부는 제 2 유효 영역(AA2) 및 상기 제 2 유효 영역(AA2)의 주위를 둘러싸는 제 2 외곽 영역(OA2)을 포함할 수 있다. 상기 제 3 유효부는 제 3 유효 영역(AA3) 및 상기 제 3 유효 영역(AA3)의 주위를 둘러싸는 제 3 외곽 영역(OA3)을 포함할 수 있다. Also, the first effective part may include a first effective area AA1 and a first outer area OA1 surrounding the first effective area AA1. The second effective part may include a second effective area AA2 and a second outer area OA2 surrounding the second effective area AA2. The third effective part may include a third effective area AA3 and a third outer area OA3 surrounding the third effective area AA3.
상기 유효부는 상기 증착용 마스크(100)의 일면 상에 형성된 복수 개의 소면공(V1), 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 복수 개의 대면공(V2), 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 경계가 연결되는 연통부(CA)에 의해 형성되는 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다.The effective portion is a plurality of small holes V1 formed on one surface of the
또한, 상기 유효 영역(AA1, AA2, AA3)은 복수 개의 상기 관통홀(TH)들 사이를 지지하는 아일랜드부(IS)를 포함할 수 있다. Further, the effective areas AA1, AA2, and AA3 may include an island portion IS supporting between the plurality of through holes TH.
상기 아일랜드부(IS)는 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 관통홀(TH)들 사이에 위치할 수 있다. 즉, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 유효 영역(AA1, AA2, AA3)에서 관통홀(TH) 이외의 영역은 아일랜드부(IS)일 수 있다. The island portion IS may be positioned between adjacent through holes TH among the plurality of through holes TH. That is, regions other than the through-holes TH in the effective regions AA1, AA2, and AA3 of the
상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 유효부의 일면(101) 또는 타면(102)에서 식각되지 않은 부분을 의미할 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 유효부의 대면공(V2)이 형성된 타면(102)에서 관통홀과 관통홀 사이의 식각되지 않은 영역일 수 있다. 따라서 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 일면(101)과 평행하게 배치될 수 있다. The island portion IS may mean a portion that is not etched on one
상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)과 동일 평면에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 비유효부(UA)의 적어도 일 부분과 두께가 동일할 수 있다. 자세하게, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 비유효부 중 식각되지 않은 부분과 두께가 동일할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)를 통해 서브 픽셀의 증착 균일성을 향상시킬 수 있다. The island portion IS may be disposed on the same plane as the
또는, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 증착용 마스크(100)의 타면(102)과 평행한 평면에 배치될 수 있다. 여기에서, 평행한 평면이라는 것은 상기 아일랜드부(IS) 주위의 식각공정에 의해서 아일랜드부(IS)가 배치되는 증착용 마스크(100)의 타면(102)과 비유효부 중 비식각된 증착용 마스크(100)의 타면(102)의 높이 단차가 ± 1㎛ 이하인 것을 포함할 수 있다. Alternatively, the island portion IS may be disposed in a plane parallel to the
상기 아일랜드부(IS) 다각형 형상을 가질 수 있다. 또는 상기 아일랜드부(IS)는 곡선도형 형상을 가질 수 있다. 즉, 증착용 마스크(100)의 타면(102)에서 평면으로 바라볼 때 상기 아일랜드부(IS)는 다각형 또는 곡선도형 형상을 가질 수 있다. The island portion (IS) may have a polygonal shape. Alternatively, the island portion IS may have a curved shape. That is, when viewed in a plan view from the
예를 들어, 상기 아일랜드부(IS)의 상부면은 다각형 또는 곡선도형 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 아일랜드부(IS)는 다각형 또는 곡선도형 형태의 평면 형상을 가질 수 있다. 곡선도형 형상이란 복수개의 변 및 내각을 가지는 다각형이면서, 적어도 하나의 변이 곡선을 가지는 형태를 의미할 수 있다. 예를 들어, 평면에서 보았을 때, 상기 아일랜드부(IS)는 복수 개의 곡선을 포함하고, 상기 곡선들이 연결된 곡선도형 형상일 수 있다. 즉, 상기 아일랜드부(IS)의 상면은 대면공(V1)을 형성하는 에칭 공정에 의해 다각형 형상 또는 곡선도형 형상을 가질 수 있다.For example, the upper surface of the island portion IS may have a polygonal or curved shape. That is, the island portion IS may have a polygonal or curved shape. The curved shape may mean a polygon having a plurality of sides and a cabinet, and at least one transition curve. For example, when viewed in a plane, the island portion IS includes a plurality of curves, and the curves may have a curved shape. That is, the upper surface of the island portion IS may have a polygonal shape or a curved shape by an etching process to form the large-surface hole V1.
상기 증착용 마스크(100)는 상기 유효 영역(AA1, AA2, AA3)을 둘러싸며 배치되고, 상기 유효 영역(AA1, AA2, AA3)의 외곽에 배치되는 외곽 영역(OA1, OA2, OA3)을 포함할 수 있다. 상기 유효 영역(AA)은 복수 개의 관통홀들 중 유기물질을 증착하기 위한 최외곽에 위치한 관통홀들의 외곽을 연결하였을 때의 안쪽 영역일 수 있다. The
상기 비유효부(UA)는 복수 개의 관통홀들 중 유기물질을 증착하기 위한 최외곽에 위치한 관통홀들의 외곽을 연결하였을 때의 바깥쪽 영역일 수 있다. 예를 들어, 상기 비유효부(UA)는 상기 외곽 영역(OA)에서 최외곽에 위치한 관통홀들의 외곽을 연결하였을 때의 바깥쪽 영역일 수 있다.The ineffective portion UA may be an outer region when connecting the outer portions of the through-holes located on the outermost side for depositing an organic material among the plurality of through-holes. For example, the ineffective portion UA may be an outer region when connecting the outer portions of the through holes located at the outermost portion in the outer region OA.
상기 비유효부(UA)는 상기 증착 영역(DA)의 유효 영역(AA1, AA2, AA3), 상기 유효 영역을 둘러싸는 외곽 영역(OA1, OA2, OA3)을 포함하는 유효부를 제외한 영역 및 상기 비증착 영역(NDA)이다. 상기 제 1 유효 영역(AA1)은 제 1 외곽 영역(OA1) 내에 위치할 수 있다. 상기 제 1 유효 영역(AA1)은 증착물질을 형성하기 위한 복수 개의 관통홀(TH)들을 포함할 수 있다. 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 외곽을 둘러싸는 상기 제 1 외곽 영역(OA1)은 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. The non-effective portion UA includes an effective region (AA1, AA2, AA3) of the deposition region DA, an area excluding the effective portion including the outer regions OA1, OA2, and OA3 surrounding the effective region and the non-deposition. This is the area NDA. The first effective area AA1 may be located in the first outer area OA1. The first effective area AA1 may include a plurality of through holes TH for forming a deposition material. The first outer region OA1 surrounding the outer edge of the first effective region AA1 may include a plurality of through holes.
예를 들어, 상기 제 1 외곽 영역(OA1)에 포함되는 복수 개의 관통홀은 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 최외곽에 위치한 관통홀(TH)들의 에칭 불량을 감소시키기 위한 것이다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 유효 영역(AA1, AA2, AA3)에 위치한 복수 개의 관통홀(TH)들의 균일성을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 제조되는 증착패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.For example, the plurality of through holes included in the first outer region OA1 is for reducing etching defects of the through holes TH located at the outermost portion of the first effective region AA1. Accordingly, the
또한, 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 관통홀(TH)의 형상은 상기 제 1 외곽 영역(OA1) 관통홀의 형상과 서로 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 유효 영역(AA1)에 포함된 관통홀(TH)의 균일성을 향상시킬 수 있다. In addition, the shape of the through hole TH of the first effective region AA1 may correspond to the shape of the through hole of the first outer region OA1. Accordingly, uniformity of the through hole TH included in the first effective area AA1 may be improved.
일례로, 상기 제 1 유효 영역(AA1)의 관통홀(TH)의 형상 및 상기 제 1 외곽 영역(OA1) 관통홀의 형상은 원형일 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고 상기 관통홀(TH)은 다이아몬드 패턴, 타원형 패턴 등 다양한 형상일 수 있다.For example, the shape of the through hole TH of the first effective region AA1 and the shape of the through hole of the first outer region OA1 may be circular. However, the embodiment is not limited thereto, and the through hole TH may have various shapes such as a diamond pattern and an oval pattern.
상기 제 2 유효 영역(AA2)은 제 2 외곽 영역(OA2) 내에 위치할 수 있다. 상기 제 2 유효 영역(AA2)은 상기 제 1 유효 영역(AA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제 2 외곽 영역(OA2)은 상기 제 1 외곽 영역(OA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다. The second effective area AA2 may be located in the second outer area OA2. The second effective area AA2 may have a shape corresponding to the first effective area AA1. The second outer region OA2 may have a shape corresponding to the first outer region OA1.
상기 제 2 외곽 영역(OA2)은 상기 제 2 유효 영역(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀로부터 수평방향 및 수직방향에 각각 두 개의 관통홀을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 외곽 영역(OA2)은 상기 제 2 유효 영역(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀의 상부 및 하부의 위치에 각각 두 개의 관통홀이 수평방향으로 일렬로 배치될 수 있다. The second outer region OA2 may further include two through holes in a horizontal direction and a vertical direction, respectively, from the through holes positioned at the outermost portions of the second effective region AA2. For example, in the second outer area OA2, two through holes may be arranged in a row in the horizontal direction at positions above and below the through holes located at the outermost sides of the second effective area AA2.
예를 들어, 상기 제 2 외곽 영역(OA2)은 상기 제 2 유효 영역(AA2)의 최외곽에 위치한 관통홀의 좌측 및 우측에 각각 두 개의 관통홀이 수직방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 상기 제 2 외곽 영역(OA2)에 포함되는 복수 개의 관통홀은 유효부의 최외곽에 위치한 관통홀들의 에칭 불량을 감소시키기 위한 것이다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크는 유효부에 위치한 복수 개의 관통홀들의 균일성을 향상시킬 수 있고, 이를 통해 제조되는 증착패턴의 품질을 향상시킬 수 있다.For example, in the second outer area OA2, two through holes may be arranged in a vertical direction, respectively, on the left and right sides of the through hole located at the outermost side of the second effective area AA2. The plurality of through holes included in the second outer region OA2 is for reducing etching defects of the through holes located at the outermost portion of the effective portion. Accordingly, the deposition mask according to the embodiment can improve the uniformity of a plurality of through holes located in the effective portion, thereby improving the quality of the deposition pattern produced.
상기 제 3 유효 영역(AA3)은 제 3 외곽 영역(OA3) 내에 포함될 수 있다. 상기 제 3 유효 영역(AA3)은 증착물질을 형성하기 위한 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. 상기 제 3 유효 영역(AA3)의 외곽을 둘러싸는 상기 제 3 외곽 영역(OA3)은 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. The third effective area AA3 may be included in the third outer area OA3. The third effective area AA3 may include a plurality of through holes for forming a deposition material. The third outer region OA3 surrounding the outer edge of the third effective region AA3 may include a plurality of through holes.
상기 제 3 유효 영역(AA3)은 상기 제 1 유효 영역(AA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제 3 외곽 영역(OA3)은 상기 제 1 외곽 영역(OA1)과 서로 대응되는 형상일 수 있다. The third effective area AA3 may have a shape corresponding to the first effective area AA1. The third outer region OA3 may have a shape corresponding to the first outer region OA1.
또한, 상기 유효 영역(AA1, AA2, AA3)에 포함된 관통홀(TH)은 상기 외곽 영역(OA1, OA2, OA3)에 포함된 관통홀과 부분적으로 대응되는 형상을 가질 수 있다. 일레로, 상기 유효 영역(AA1, AA2, AA3)에 포함된 관통홀은 상기 외곽 영역(OA1, OA2, OA3)의 에지부에 위치한 관통홀과 서로 다른 형상을 포함할 수 있다. 이에 따라, 증착용 마스크(100)의 위치에 따른 응력의 차이를 조절할 수 있다. In addition, the through holes TH included in the effective regions AA1, AA2, and AA3 may have a shape partially corresponding to the through holes included in the outer regions OA1, OA2, and OA3. Illero, the through-holes included in the effective areas AA1, AA2, and AA3 may include different shapes from the through-holes located at the edge portions of the outer areas OA1, OA2, and OA3. Accordingly, the difference in stress according to the position of the
도 7 은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 유효 영역의 평면도를 도시한 도면이고, 도 8은 실시예에 따른 증착용 마스크의 다른 평면도를 도시한 도면이다.7 is a plan view of an effective area of the
도 7 및 도 8은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)의 제 1 유효 영역(AA1), 제 2 유효 영역(AA2) 및 제 3 유효 영역(AA3) 중 어느 하나의 평면도일 수 있다. 또한, 도 7 및 도 8은 관통홀(TH)의 형상 및 상기 관통홀(TH) 간의 배열을 설명하기 위한 것으로, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 도면에 도시된 관통홀(TH)의 개수에 한정되지 않는다.7 and 8 may be a plan view of any one of the first effective area AA1, the second effective area AA2, and the third effective area AA3 of the
도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 관통홀(TH)들은 방향에 따라, 일렬로 배치되거나 서로 엇갈려서 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 종축 또는 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8, the
도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 복수 개의 관통홀(TH)은 원형 형상일 수 있다. 자세하게, 상기 관통홀(TH)의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)은 서로 대응될 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8, the
상기 관통홀(TH)들은 방향에 따라 일렬로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)들은 종축 및 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다. The through holes TH may be arranged in a line according to the direction. For example, the through holes TH may be arranged in a line in the vertical axis and the horizontal axis.
자세하게, 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 3 관통홀(TH1) 및 제 4 관통홀(TH4)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다. In detail, the first through hole TH1 and the second through hole TH2 may be arranged in a line in the horizontal axis, and the third through hole TH1 and the fourth through hole TH4 may be arranged in line in the horizontal axis. have.
또한, 제 1 관통홀(TH1) 및 제 3 관통홀(TH3)은 종축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 2 관통홀(TH2) 및 제 4 관통홀(TH4)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있다. In addition, the first through hole TH1 and the third through hole TH3 may be arranged in a line in the vertical axis, and the second through hole TH2 and the fourth through hole TH4 may be arranged in line in the horizontal axis. have.
즉, 관통홀(TH)들이 종축 및 횡축에서 각각 일렬로 배치되는 경우에는, 종축 및 횡축과 모두 교차하는 방향인 대각 방향으로 인접한 두 개의 관통홀(TH)들 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 즉, 서로 대각선 방향에 위치한 두 개의 인접한 관통홀(TH)들 사이에는 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. That is, when the through-holes TH are arranged in a line in the vertical axis and the horizontal axis, respectively, the island portion IS is positioned between two adjacent through-holes TH in the diagonal direction, which is a direction intersecting both the vertical axis and the horizontal axis. can do. That is, the island portion IS may be positioned between two adjacent through holes TH located diagonally to each other.
예를 들어, 제 1 관통홀(TH1) 및 제 4 관통홀(TH4)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 또한, 제 2 관통홀(TH2) 및 제 3 관통홀(TH3)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 인접한 두 관통홀을 가로지르는 횡축을 기준으로 약 +45도 전후의 경사각 방향 및 약 -45도 전후의 경사각 방향에 아일랜드부(IS)가 각각 위치할 수 있다. 여기에서, 약 ±45 전후의 경사각 방향은 횡축과 종축 사이의 대각 방향을 의미할 수 있고, 상기 대각 방향의 경사각은 횡축 및 종축의 동일 평면에서 측정한 것일 수 있다. For example, the island portion IS may be disposed between the first through hole TH1 and the fourth through hole TH4. Also, an island portion IS may be disposed between the second through hole TH2 and the third through hole TH3. Island portions IS may be located in an inclination angle direction of about +45 degrees around and an inclination angle of about -45 degrees around each other based on the horizontal axis traversing two adjacent through holes. Here, the inclination angle direction of about ± 45 around may mean a diagonal direction between the horizontal axis and the vertical axis, and the inclination angle in the diagonal direction may be measured in the same plane of the horizontal axis and the vertical axis.
또한, 도 8을 참조하면, 실시예에 따른 다른 증착용 마스크(100)는 복수 개의 관통홀을 포함할 수 있다. 이때, 복수 개의 관통홀은 타원형 형상일 수 있다. 자세하게, 상기 관통홀(TH)의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)은 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 관통홀의 수평 방향의 직경(Cx)은 수직 방향의 직경(Cy)보다 클 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 관통홀은 장방형 형상이거나 8각형 형상이거나 라운드진 8각형 형상일 수 있다. In addition, referring to FIG. 8, another
상기 관통홀(TH)들은 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 축에서 일렬로 배치되고, 다른 하나의 축에서 엇갈려서 배치될 수 있다. The through holes TH may be arranged in a line in one of the vertical axis or the horizontal axis, and may be alternately arranged in the other axis.
자세하게, 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)은 횡축에서 일렬로 배치될 수 있고, 제 3 관통홀(TH1) 및 제 4 관톨홀(TH4)은 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)와 각각 종축에서 엇갈려서 배치될 수 있다. In detail, the first through hole TH1 and the second through hole TH2 may be arranged in a line on the horizontal axis, and the third through hole TH1 and the fourth through hole TH4 may be the first through hole TH1. And the second through-hole TH2 and the longitudinal axis, respectively.
상기 관통홀(TH)들이 종축 또는 횡축 중 어느 하나의 방향으로 일렬로 배치되고, 다른 하나의 방향으로 엇갈려서 배치되는 경우에는, 종축 또는 횡축 중 다른 하나의 방향으로의 인접한 두 개의 관통홀(TH1, TH2)들 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 또는, 서로 인접하게 위치한 세 개의 관통홀(TH1, TH2, TH3)들 사이에 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 인접한 세 개의 관통홀(TH1, TH2, TH3)들 중 두 개의 관통홀(TH1, TH2)들은 일렬로 배치되는 관통홀이며, 나머지 하나의 관통홀(TH3)은 상기 일렬 방향과 대응되는 방향의 인접한 위치에서, 상기 두 개의 관통홀(TH1, TH2) 사이의 영역에 배치될 수 있는 관통홀을 의미할 수 있다. 제 1 관통홀(TH1), 제 2 관통홀(TH2) 및 제 3 관통홀(TH3)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다. 또는, 제 2 관통홀(TH2), 제 3 관통홀(TH3) 및 제 4 관통홀(TH4)의 사이에는 아일랜드부(IS)가 배치될 수 있다.When the through-holes TH are arranged in a line in either the longitudinal or transverse axis, and are alternately arranged in the other direction, two adjacent through-holes TH1 in the other direction of the longitudinal or transverse axis An island portion (IS) may be located between TH2). Alternatively, the island portion IS may be positioned between the three through holes TH1, TH2, and TH3 positioned adjacent to each other. Of the three adjacent through-holes TH1, TH2, and TH3, two through-holes TH1, TH2 are through-holes arranged in a line, and the other through-hole TH3 is adjacent to a direction corresponding to the line-direction. In the position, it may mean a through hole that may be disposed in an area between the two through holes TH1 and TH2. An island portion IS may be disposed between the first through hole TH1, the second through hole TH2, and the third through hole TH3. Alternatively, the island portion IS may be disposed between the second through hole TH2, the third through hole TH3, and the fourth through hole TH4.
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)에서 임의의 어느 하나의 관통홀인 기준홀의 수평 방향의 직경(Cx)과 수직 방향의 직경(Cy)를 측정하는 경우, 상기 기준홀에 인접하는 관통홀(TH)들 간의 각각의 수평 방향의 직경(Cx)들 간의 편차와, 수직 방향의 직경(Cy)들 간의 편차는 약 2% 내지 약 10% 로 구현될 수 있다. 즉, 하나의 기준홀의 인접홀들 간의 크기 편차가 약 2% 내지 약 10% 로 구현하는 경우에는 증착의 균일도를 확보할 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차는 약 4% 내지 약 9% 일 수 있다. In addition, when measuring the horizontal diameter (Cx) and the vertical diameter (Cy) of the reference hole, which is any one through hole, in the
예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차는 약 5% 내지 약 7%일 수 있다. 예를 들어, 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차는 약 2% 내지 약 5% 일 수 있다. 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차가 약 2% 미만인 경우에는, 증착 후 OLED 패널에서 무아레 발생율이 높아질 수 있다. 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차가 약 10%를 초과하는 경우, 증착 후의 OLED 패널에서 색 얼룩의 발생율이 높아질 수 있다. 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±5㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±3㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀 직경의 평균편차는 ±1㎛일 수 있다. 실시예는 상기 기준홀과 상기 인접홀들 간의 크기 편차를 ±3㎛ 이내로 구현함에 따라, 증착 효율을 향상시킬 수 있다.For example, the size variation between the reference hole and the adjacent holes may be about 5% to about 7%. For example, the size variation between the reference hole and the adjacent holes may be about 2% to about 5%. When the size difference between the reference hole and the adjacent holes is less than about 2%, the rate of moire in the OLED panel after deposition may be increased. When the size difference between the reference hole and the adjacent holes exceeds about 10%, the incidence of color unevenness in the OLED panel after deposition may be increased. The average deviation of the through hole diameter may be ± 5㎛. For example, the average deviation of the through hole diameter may be ± 3 μm. For example, the average deviation of the through hole diameter may be ± 1 μm. According to an embodiment, as the size variation between the reference hole and the adjacent holes is within ± 3 μm, deposition efficiency can be improved.
도 7 내지 도 8의 아일랜드부(IS)는 유효 영역(AA)의 대면공(V2)이 형성되는 증착용 마스크(100)의 타면에서 관통홀(TH)들 사이의 식각되지 않은 면을 의미할 수 있다. 자세하게, 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 유효 영역(AA)에서, 대면공 내에 위치한 제 2 내측면(ES2) 및 관통홀(TH)을 제외한 식각되지 않은 증착용 마스크(100)의 타면일 수 있다. 실시예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상, 자세하게 400PPI 내지 800PPI 이상의 해상도를 가지는 고해상도 내지 초고해상도의 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다.The island portion IS of FIGS. 7 to 8 means an unetched surface between the through holes TH on the other surface of the
예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가지는 Full-HD(High Definition)의 고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 1920*1080 이상이고, 400PPI 이상인 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다. 즉, 실시예의 증착용 마스크(100)에 포함된 하나의 유효 영역은 해상도 1920*1080 이상의 픽셀 수를 형성하기 위한 것일 수 있다.For example, the
예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 500PPI 이상의 해상도를 가지는 QHD(Quad High Definition)의 고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 2560*1440 이상이고, 530 PPI 이상인 OLED 화소 증착을 위한 것일 수 있다. 실시예의 증착용 마스크(100)를 통해, 인치당 픽셀수는 5.5인치 OLED 패널을 기준으로 530 PPI 이상일 수 있다. 즉, 실시예의 증착용 마스크(100)에 포함된 하나의 유효 영역은 해상도 2560*1440 이상의 픽셀 수를 형성하기 위한 것일 수 있다. For example, the
예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 700PPI 이상의 해상도를 가지는 UHD(Ultra High Definition)의 초고해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착용 마스크(100)는 수평방향 및 수직방향에서의 화소수가 3840*2160 이상이고, 794 PPI 이상의 OLED 화소 증착을 위한 UHD(Ultra High Definition)급 해상도를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위한 것일 수 있다.For example, the
상기 관통홀(TH)의 직경은 상기 연통부(CA) 사이의 폭일 수 있다. 자세하게, 상기 관통홀(TH)의 직경은 소면공(V1) 내의 에칭면의 끝단과 대면공(V2) 내의 에칭면의 끝단이 만나는 지점에서 측정할 수 있다. 상기 관통홀(TH)의 직경의 측정 방향은 수평방향, 수직방향, 대각 방향 중 어느 하나일 수 있다. 수평방향에서 측정된 상기 관통홀(TH)의 직경은 33㎛ 이하일 수 있다. 또는, 수평방향에서 측정된 상기 관통홀(TH)의 직경은 33㎛ 이하일 수 있다. 또는, 상기 관통홀(TH)의 직경은 수평방향, 수직방향, 대각 방향에서 각각 측정한 값의 평균 값일 수 있다. The diameter of the through hole TH may be a width between the communication parts CA. In detail, the diameter of the through hole TH can be measured at a point where the end of the etching surface in the small face hole V1 meets the end of the etching face in the large face hole V2. The measuring direction of the diameter of the through hole TH may be any one of a horizontal direction, a vertical direction, and a diagonal direction. The diameter of the through hole TH measured in the horizontal direction may be 33 μm or less. Alternatively, the diameter of the through hole TH measured in the horizontal direction may be 33 μm or less. Alternatively, the diameter of the through hole TH may be an average value of values measured in horizontal, vertical, and diagonal directions, respectively.
이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 QHD급 해상도를 구현할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 직경은 약 15㎛ 내지 약 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 직경은 약 19㎛ 내지 약 33㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 직경은 약 20㎛ 내지 약 27㎛일 수 있다. 상기 관통홀(TH)의 직경이 약 33㎛ 초과인 경우에는 500PPI 급 이상의 해상도를 구현하기 어려울 수 있다. 한편, 상기 관통홀(TH)의 직경이 약 15㎛ 미만인 경우에는 증착불량이 발생할 수 있다. Accordingly, the
도 7 및 도 8을 참조하면, 수평방향에서 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛일 수 있다. Referring to FIGS. 7 and 8, a pitch between two adjacent through holes TH among a plurality of through holes in a horizontal direction may be about 48 μm or less. For example, a pitch between two adjacent through holes TH among a plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 20 μm to about 48 μm.
예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 관통홀(TH1)의 중심과 제 2 관통홀(TH2)의 중심 사이의 간격(P1)을 의미할 수 있다. 이와 다르게, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 아일랜드부의 중심과 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 아일랜드부(IS)의 중심은 수평방향 및 수직방향에서 인접한 네 개의 관통홀(TH)들 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. For example, a pitch between two adjacent through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 30 μm to about 35 μm. Here, the distance may mean a distance P1 between the center of two adjacent first through holes TH1 and the center of the second through holes TH2 in the horizontal direction. Alternatively, the distance may mean a distance P2 between the center of two adjacent first island portions and the center of the second island portions in the horizontal direction. Here, the center of the island portion IS may be a center on an etched other surface between four adjacent through holes TH in the horizontal and vertical directions.
예를 들어, 아일랜드부(IS)의 중심은 수평방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2)을 기준으로, 상기 제 1 관통홀(TH1)과 수직방향에서 인접한 제 3 관통홀(TH3) 및 상기 제 2 관통홀(TH2)과 수직방향에서 인접한 제 4 관통홀(TH4) 사이의 영역에 위치한 하나의 아일랜드부(IS)의 에지를 잇는 횡축과 에지를 잇는 종축이 교차하는 지점을 의미할 수 있다.For example, the center of the island portion IS is adjacent to the first through hole TH1 in the vertical direction based on two first through holes TH1 and the second through hole TH2 adjacent in the horizontal direction. The horizontal axis connecting the edge of the island portion IS located in the area between the third through hole TH3 and the second through hole TH2 and the adjacent fourth through hole TH4 in the vertical direction and the vertical axis connecting the edge This can mean the intersection point.
또한, 도 7 및 도 8을 참조하면, 수평방향에서 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 48㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 20㎛ 내지 약 48㎛일 수 있다. In addition, referring to FIGS. 7 and 8, a pitch between two adjacent through holes TH among a plurality of through holes in a horizontal direction may be about 48 μm or less. For example, a pitch between two adjacent through holes TH among a plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 20 μm to about 48 μm.
예를 들어, 수평방향에서 복수 개의 관통홀(TH) 중 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격(pitch)은 약 30㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 여기에서, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 관통홀(TH1)의 중심과 제 2 관통홀(TH2)의 중심 사이의 간격(P1)을 의미할 수 있다. For example, a pitch between two adjacent through holes TH among the plurality of through holes TH in the horizontal direction may be about 30 μm to about 35 μm. Here, the distance may mean a distance P1 between the center of two adjacent first through holes TH1 and the center of the second through holes TH2 in the horizontal direction.
또한, 상기 간격은 수평방향에서 두 개의 인접한 제 1 아일랜드부의 중심과 제 2 아일랜드부의 중심 사이의 간격(P2)을 의미할 수 있다. 여기에서, 아일랜드부(IS)의 중심은 하나의 관통홀과 수직 방향에서 인접한 두 개의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. In addition, the distance may mean a distance P2 between the center of two adjacent first island portions and the center of the second island portions in the horizontal direction. Here, the center of the island portion IS may be a center on an etched other surface between one through-hole and two adjacent through-holes in the vertical direction.
또는, 여기에서, 아일랜드부(IS)의 중심은 두 개의 관통홀과 수직 방향에서 인접한 하나의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심일 수 있다. 즉, 아일랜드부(IS)의 중심은 인접한 세 개의 관통홀 사이의 비식각된 타면에서의 중심이며, 인접한 세 개의 관통홀이란 그 중심을 이었을 때 삼각형 형상을 형성할 수 있는 것을 의미할 수 있다.Alternatively, here, the center of the island portion IS may be the center on the other side of the etched surface between two through holes and one adjacent through hole in the vertical direction. That is, the center of the island portion IS is a center on the other side of the etched surface between three adjacent through-holes, and the three adjacent through-holes may mean that a triangular shape can be formed when the center is the center.
상기 관통홀(TH)의 직경의 측정 방향과 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격의 측정 방향은 동일할 수 있다. 상기 관통홀(TH)의 간격은 수평 방향 또는 수직 방향으로 인접한 두 개의 관통홀(TH) 사이의 간격을 측정한 것일 수 있다. The measuring direction of the diameter of the through hole TH and the measuring direction of the distance between two adjacent through holes TH may be the same. The spacing of the through holes TH may be a measurement of the spacing between two adjacent through holes TH in the horizontal or vertical direction.
즉, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 400PPI 이상의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 자세하게, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 관통홀(TH)의 직경이 약 33um 이하이고, 상기 관통홀(TH) 간의 간격(pitch)이 약 48um 이하임에 따라, 500PPI 이상의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 보다 자세하게, 500PPI 이상의 해상도를 가지는 녹색 유기물을 증착할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)를 사용하여 QHD급 해상도를 구현할 수 있다. That is, the
상기 관통홀(TH)의 직경 및 상기 관통홀(TH) 간의 간격은 녹색 서브 픽셀을 형성하기 위한 크기일 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 직경은 녹색(G) 패턴을 기준으로 측정할 수 있다. 상기 녹색(G) 패턴은 시각을 통한 인식률이 낮으므로, 적색(R) 패턴 및 청색(B) 패턴보다 많은 수가 요구되며, 상기 관통홀(TH)들 사이의 간격이 적색(R) 패턴 및 청색(B) 패턴보다 좁을 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)는 QHD 디스플레이 픽셀을 구현하기 위한 OLED 증착용 마스크일 수 있다.The diameter of the through hole TH and the distance between the through holes TH may be sized to form a green sub-pixel. For example, the diameter of the through hole TH can be measured based on the green (G) pattern. Since the green (G) pattern has a low recognition rate through vision, a larger number is required than the red (R) pattern and the blue (B) pattern, and the distance between the through holes (TH) is red (R) pattern and blue. (B) It may be narrower than the pattern. The
예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 적색(R), 제 1 녹색(G1), 청색(B) 및 제 2 녹색(G2) 중 적어도 하나의 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크(100)는 적색(R) 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 또는, 상기 증착용 마스크(100)는 청색(B) 서브 픽셀을 증착하기 위한 것일 수 있다. 또는, 상기 증착용 마스크(100)는 제 1 녹색(G1) 서브 픽셀 및 제 2 녹색(G2) 서브 픽셀을 동시에 형성하기 위한 것일 수 있다. For example, the
유기 발광 표시 장치의 픽셀 배열은 '적색(R)-제 1 녹색(G1)-청색(B)-제 2 녹색(G2)' 순(RGBG)으로 배치될 수 있다. 이 경우 적색(R)-제 1 녹색(G1)이 하나의 픽셀(RG)을 이룰 수 있고, 청색(B)-제 2 녹색(G2)가 다른 하나의 픽셀(BG)을 이룰 수 있다. 이와 같은 배열의 유기 발광 표시 장치에서는, 적색 발광 유기물 및 청색 발광 유기물 보다 녹색 발광 유기물의 증착 간격이 더 좁아지기 때문에, 본 발명과 같은 형태의 증착용 마스크(100)가 필요할 수 있다.The pixel arrangement of the organic light emitting diode display may be arranged in the order of 'Red (R)-first green (G1)-blue (B)-second green (G2)'. In this case, the red (R) -first green (G1) may form one pixel RG, and the blue (B) -second green (G2) may form another pixel (BG). In the organic light emitting display device having such an arrangement, since the deposition interval of the green light emitting organic material is narrower than that of the red light emitting organic material and the blue light emitting organic material, a
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 관통홀(TH)의 직경이 수평방향에서 약 20㎛ 이하일 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 UHD급 해상도를 구현할 수 있다. 예를 들어, 실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 상기 관통홀(TH)의 직경이 약 20㎛ 이하이고, 상기 관통홀 간의 간격이 약 32㎛ 이하임에 따라, 800PPI 급의 해상도를 가지는 OLED 화소를 증착할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 증착 마스크를 사용하여 UHD급 해상도를 구현할 수 있다. Further, in the
상기 관통홀의 직경 및 상기 관통홀 간의 간격은 녹색 서브 픽셀을 형성하기 위한 크기일 수 있다. 상기 증착용 마스크는 UHD 디스플레이 픽셀을 구현하기 위한 OLED 증착 마스크일 수 있다. The diameter of the through hole and the distance between the through holes may be sized to form a green sub-pixel. The deposition mask may be an OLED deposition mask for realizing UHD display pixels.
도 9는 도 7 및 도 8의 A-A' 방향에서의 단면과 B-B' 방향에서의 단면 사이의 높이 단차와 크기를 설명하기 위해 각각의 단면을 겹쳐서 도시한 도면이다.FIG. 9 is a view showing each section overlapped in order to explain the height difference and size between the section in the A-A 'direction and the section in the B-B' direction of FIGS. 7 and 8.
먼저, 도 7 및 도 8의 A-A'방향에서의 횡단면을 설명한다. A-A'방향은 수직 방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(TH1) 및 제 3 관통홀(TH3) 사이의 중심 영역을 가로지르는 횡단면이다. 즉, A-A'방향에서의 횡단면은 관통홀(TH)을 포함하지 않을 수 있다.First, the cross section in the A-A 'direction of FIGS. 7 and 8 will be described. The A-A 'direction is a cross section that crosses a central region between two first through holes TH1 and third through holes TH3 adjacent in the vertical direction. That is, the cross section in the A-A 'direction may not include the through hole TH.
상기 A-A'방향에서의 횡단면은 대면공 내의 식각면(ES2) 및 대면공 내의 식각면(ES2)들 사이에 식각되지 않은 증착용 마스크의 타면인 아일랜드부(IS)가 위치할 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크의 식각되지 않은 일면과 평행한 면을 포함할 수 있다. 또는, 상기 아일랜드부(IS)는 증착용 마스크(100)의 식각되지 않은 타면과 동일하거나 평행한 면을 포함할 수 있다. In the cross-section in the A-A 'direction, an island portion IS, which is the other surface of the deposition mask that is not etched, may be positioned between the etched surface ES2 in the large hole and the etched surface ES2 in the large hole. Accordingly, the island portion IS may include a surface parallel to an unetched surface of the deposition mask. Alternatively, the island portion IS may include a surface that is the same as or parallel to the other surface of the
다음으로, 도 7 및 도 8의 B-B'방향에서의 횡단면을 설명한다. B-B'방향은 수평 방향에서 인접한 두 개의 제 1 관통홀(TH1) 및 제 2 관통홀(TH2) 각각의 중심을 가로지르는 횡단면이다. 즉, B-B'방향에서의 횡단면은 복수 개의 관통홀(TH)을 포함할 수 있다.Next, the cross section in the B-B 'direction of FIGS. 7 and 8 will be described. The B-B 'direction is a cross section crossing the center of each of the two first through holes TH1 and the second through holes TH2 adjacent in the horizontal direction. That is, the cross section in the B-B 'direction may include a plurality of through holes TH.
상기 B-B'방향에서의 인접한 제 3 관통홀(TH3)과 제 4 관통홀(TH4) 사이에 하나의 리브(RB)가 위치할 수 있다. 제 4 관통홀(TH4) 및 제 4 관통홀과 수평방향에서 인접하되, 제 3 관통홀(TH3)과 반대방향에 위치한 제 5 관통홀 사이에는 다른 하나의 리브(RB)가 위치할 수 있다. 상기 하나의 리브 및 상기 다른 하나의 리브 사이에는 하나의 관통홀(TH)이 위치할 수 있다. 즉, 수평방향에서 인접한 두 개의 리브(RB) 사이에는 하나의 관통홀(TH)이 위치할 수 있다.One rib RB may be positioned between the adjacent third through hole TH3 and the fourth through hole TH4 in the B-B 'direction. Another rib RB may be positioned between the fourth through hole TH4 and the fourth through hole in the horizontal direction, but between the third through hole TH3 and the fifth through hole located in the opposite direction. One through hole TH may be located between the one rib and the other rib. That is, one through hole TH may be positioned between two adjacent ribs RB in the horizontal direction.
또한, 상기 B-B'방향에서의 횡단면은 대면공 내의 식각면(ES2), 및 인접한 대면공 내의 식각면(ES2)들이 서로 연결되는 영역인 리브(RB)가 위치할 수 있다. 여기에서 리브(RB)는 인접한 두 개의 대면공들의 경계가 연결되는 영역일 수 있다. 상기 리브(RB)는 식각면이기 때문에, 상기 아일랜드부(IS)보다 두께가 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 아일랜드부(IS)의 폭은 약 2㎛ 이상일 수 있다. 즉, 상기 타면에서 에칭되지 않고 남아있는 부분의 상기 타면과 평행한 방향으로의 폭이 약 2㎛ 이상일 수 있다. 하나의 아일랜드부(IS)의 일단과 타단의 폭이 약 2㎛ 이상인 경우, 증착용 마스크(100)의 전체 체적을 증가시킬 수 있다. 이러한 구조의 증착용 마스크(100)는 유기물 증착 공정 등에서 부여되는 인장력에 대하여 충분한 강성을 확보하도록 하며, 관통홀의 균일도를 유지하는데 유리할 수 있다.In addition, in the cross-section in the B-B 'direction, an etch surface ES2 in the large-aperture hole and a rib RB, which is an area where the etched surfaces ES2 in the adjacent large-aperture hole are connected to each other, may be located. Here, the rib (RB) may be an area in which the boundary between two adjacent large holes is connected. Since the rib RB is an etched surface, a thickness may be smaller than that of the island portion IS. For example, the width of the island portion IS may be about 2 μm or more. That is, a width in a direction parallel to the other surface of the portion remaining without being etched on the other surface may be about 2 μm or more. If the width of one end and the other end of the island portion (IS) is about 2 μm or more, the total volume of the
도 10은 도 7 또는 도 8의 B-B' 방향에서의 단면도를 도시한 도면이다. 도 10을 참조하여, 도 7 및 도 8의 B-B'의 횡단면과 도 9에 따른 유효 영역의 리브(RB) 및 상기 리브(RB)들 사이의 관통홀(TH)을 확대한 횡단면을 설명한다. 10 is a view showing a cross-sectional view in the direction B-B 'of FIG. 7 or FIG. 8. Referring to FIG. 10, a cross section of B-B 'of FIGS. 7 and 8 and a cross section of the rib RB of the effective area according to FIG. 9 and a through hole TH between the ribs RB are enlarged. do.
실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 식각에 의한 관통홀(TH)이 형성되는 유효 영역(AA)에서의 두께와 식각되지 않은 비유효부(UA)에서의 두께가 서로 다를 수 있다. 자세하게, 리브(RB)의 두께는 식각되지 않은 비유효부(UA)에서의 두께보다 작을 수 있다.The
실시예에 따른 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA)의 두께가 유효 영역(AA1, AA2, AA3)의 두께보다 클 수 있다. 이때, 상기 아일랜드부(IS)는 식각되지 않은 영역으로, 상기 아일랜드부(IS)는 상기 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께와 대응될 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 30㎛ 이하일 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)의 최대 두께는 약 30㎛ 이하일 수 있고, 상기 아일랜드부(IS)를 제외한 상기 유효 영역(AA1, AA2, AA3)의 두께는 상기 비유효부(UA)의 두께보다 작을 수 있다. 자세하게, 상기 증착용 마스크(100)는 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 25㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 실시예의 증착 마스크는 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 약 15㎛ 내지 약 25㎛일 수 있다. 이에 따라, 상기 아일랜드부(IS)의 최대 두께는 약 15㎛ 내지 약 25㎛일 수 있다. 실시예에 따른 증착 마스크의 비유효부 내지 비증착 영역의 최대 두께가 약 30㎛를 초과하는 경우에는 상기 증착용 마스크(100)의 원재인 금속판(10)의 두께가 두꺼워지기 때문에 때문에 미세한 크기의 관통홀(TH)을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)의 비유효부(UA) 내지 비증착 영역(NDA)의 최대 두께가 약 15㎛ 미만인 경우에는 금속판의 두께가 얇기 때문에 균일한 크기의 관통홀을 형성하기 어려울 수 있다.In the
상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)는 약 15㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)는 약 7㎛ 내지 약 10㎛ 일 수 있다. 예를 들어, 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)는 약 6㎛ 내지 약 9㎛ 일 수 있다. 상기 리브(RB) 의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)가 약 15㎛를 초과하는 경우 500 PPI 급 이상의 고해상도를 가지는 OLED 증착 패턴을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)가 약 6㎛ 미만인 경우에는 증착패턴의 균일한 형성이 어려울 수 있다.The maximum thickness T3 measured at the center of the rib RB may be about 15 μm or less. For example, the maximum thickness T3 measured at the center of the rib RB may be about 7 μm to about 10 μm. For example, the maximum thickness T3 measured at the center of the rib RB may be about 6 μm to about 9 μm. When the maximum thickness T3 measured at the center of the rib RB exceeds about 15 μm, it may be difficult to form an OLED deposition pattern having a high resolution of 500 PPI or higher. In addition, when the maximum thickness T3 measured at the center of the rib RB is less than about 6 μm, uniform formation of the deposition pattern may be difficult.
상기 증착용 마스크(100)의 소면공의 높이(H1)는 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)의 약 0.2배 내지 약 0.4배일 수 있다. 일례로, 상기 리브(RB)의 중심에서 측정된 최대 두께(T3)는 약 7㎛ 내지 약 9㎛이고, 상기 증착용 마스크(100)의 일면 및 상기 연통부 사이의 높이(H1)는 약 1.4㎛ 내지 약 3.5㎛일 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 소면공의 높이(H1)는 약 3.5㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 소면공(V1)의 높이는 약 0.1㎛ 내지 약 3.4㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 소면공(V1)의 높이는 약 0.5㎛ 내지 약 3.2㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 소면공(V1)의 높이는 약 1㎛ 내지 약 3㎛일 수 있다. 여기에서, 높이는 증착용 마스크(100)의 두께 측정 방향, 즉 깊이 방향에서 측정할 수 있고, 증착용 마스크(100)의 일면으로부터 연통부까지의 높이를 측정한 것일 수 있다. 자세하게, 도 10 내지 도 14의 평면도에서 상술한 수평방향(x방향)과 수직방향(y방향)과 각각 90도를 이루는 z축 방향에서 측정한 것일 수 있다. The height H1 of the small hole of the
상기 증착용 마스크(100)의 일면 및 상기 연통부 사이의 높이가 약 3.5㎛ 초과인 경우에는 OLED 증착시 증착 물질이 관통홀의 면적보다 큰 영역으로 퍼지는 쉐도우 효과(shadow effect)에 따른 증착 불량이 발생할 수 있다. When the height between the one surface of the
또한, 상기 증착용 마스크(100)의 소면공(V1)이 형성되는 일면에서의 공경(W1)과 소면공(V1)과 대면공(V2) 사이의 경계인 연통부에서의 공경(W2)은 서로 유사하거나 서로 다를 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)의 소면공(V1)이 형성되는 일면에서의 공경(W1)은 연통부에서의 공경(W2)보다 클 수 있다. In addition, the pore diameter (W2) in the communicating portion which is the boundary between the small diameter hole (V1) and the small surface hole (V1) and the large surface hole (V2) is formed on the one side where the small hole V1 of the
예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 일면에서의 공경(W1)과 상기 연통부에서의 공경(W2)의 차이는 약 0.01㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W1)과 상기 연통부에서의 공경(W2)의 차이는 약 0.03㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 일면에서의 공경(W1)과 상기 연통부에서의 공경(W2)의 차이는 약 0.05㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다.For example, the difference between the pore diameter W1 on one surface of the
상기 증착용 마스크(100)의 일면에서의 공경(W1)과 상기 연통부에서의 공경(W2)의 차이가 약 1.1㎛보다 큰 경우에는 쉐도우 효과에 의한 증착 불량이 발생할 수 있다.When the difference between the pore diameter W1 on one surface of the
또한, 상기 증착용 마스크(100)의 상기 일면(101)과 반대되는 타면(102)에 위치한 상기 대면공(V2)의 일단(E1) 및 상기 소면공(V1)과 대면공(V2) 사이의 연통부의 일단(E2)을 잇는 경사각(θ1)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 대면공(V2)의 일단(E1)은 상기 대면공(V2) 내의 제 2 내측면(ES2)의 경계인 리브(RB)가 위치하는 지점을 의미할 수 있다. 상기 연통부의 일단(E2)은 상기 관통홀(TH)의 끝단을 의미할 수 있다. 상기 대면공(V2)의 일단(E1) 및 상기 연통부의 일단(E2)을 잇는 상기 경사각(θ1)은 40도 내지 55도 일 수 있다. 이에 따라, 400 PPI급 이상, 자세하게 500 PPI급 이상의 고해상도의 증착 패턴을 형성할 수 있는 동시에, 증착용 마스크(100)의 타면(102)상에 아일랜드부(IS)가 존재할 수 있다.In addition, between the one end (E1) of the large surface hole (V2) and the small surface hole (V1) and the large surface hole (V2) located on the other surface (102) opposite to the one surface (101) of the deposition mask (100). It may have an inclination angle (θ1) connecting one end (E2) of the communication portion. For example, one end E1 of the face hole V2 may mean a point at which the rib RB, which is a boundary of the second inner surface ES2 in the face hole V2, is located. One end E2 of the communication part may mean an end of the through hole TH. The inclination angle θ1 connecting one end E1 of the face hole V2 and one end E2 of the communication part may be 40 to 55 degrees. Accordingly, it is possible to form a high-resolution deposition pattern of 400 PPI or higher, in
이하, 도 11을 참조하여, 실시예에 따른 증착용 마스크의 제조방법을 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a deposition mask according to an embodiment will be described with reference to FIG. 11.
OLED 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크의 제조방법에 있어서, 실시예에 따른 증착용 마스크는 20㎛ 내지 30㎛ 두께의 베이스 금속판을 준비하는 제 1 단계; 상기 베이스 금속판의 일면 상에 패턴화된 포토레지스트층을 배치하고, 상기 포토레지스트층의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 베이스 금속판의 일면 상에 홈을 형성하고, 상기 베이스 금속판의 상기 일면과 반대되는 타면 상에 패턴화된 포토레지스트층을 배치하고, 상기 포토레지스트층의 오픈부를 에칭하여 상기 베이스 금속판의 일면 상의 홈과 연결되는 관통홀을 형성하는 제 2 단계; 및 상기 포토레지스트층을 제거하여, 상기 일면 상에 형성된 대면공, 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 소면공, 상기 대면공 및 상기 소면공의 경계가 연결되는 연통부에 의해 형성되는 관통홀을 포함하는 증착용 마스크를 형성하는 제 3 단계;를 포함하여 제조할 수 있다. 이를 통해, 500PPI 이상의 해상도를 구현할 수 있는 증착용 마스크를 제조할 수 있다. A method of manufacturing a mask for depositing a metal material for depositing an OLED pixel, the mask for deposition according to an embodiment includes a first step of preparing a base metal plate having a thickness of 20 μm to 30 μm; A patterned photoresist layer is disposed on one surface of the base metal plate, half-etched the open portion of the photoresist layer to form a groove on one surface of the base metal plate, and on the other surface opposite to the one surface of the base metal plate A second step of disposing a patterned photoresist layer on the surface and etching the open portion of the photoresist layer to form a through hole connected to a groove on one surface of the base metal plate; And removing the photoresist layer, to form a through hole formed by a large surface hole formed on one surface, a small surface hole formed on the other surface opposite to the one surface, and a communication portion connecting a boundary between the large surface hole and the small surface hole. And a third step of forming a mask for deposition, including. Through this, a deposition mask capable of realizing a resolution of 500 PPI or more can be manufactured.
OLED 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크의 제조방법에 있어서, 실시예에 따른 증착용 마스크는 15㎛ 내지 20㎛ 두께의 베이스 금속판을 준비하는 제 1 단계; 상기 베이스 금속판의 일면 상에 패턴화된 포토레지스트층을 배치하고, 상기 포토레지스트층의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 베이스 금속판의 일면 상에 홈을 형성하고, 상기 베이스 금속판의 상기 일면과 반대되는 타면 상에 패턴화된 포토레지스트층을 배치하고, 상기 포토레지스트층의 오픈부를 에칭하여 상기 베이스 금속판의 일면 상의 홈과 연결되는 관통홀을 형성하는 제 2 단계; 및 상기 포토레지스트층을 제거하여, 상기 일면 상에 형성된 대면공, 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 소면공, 상기 대면공 및 상기 소면공의 경계가 연결되는 연통부에 의해 형성되는 관통홀을 포함하는 증착용 마스크를 형성하는 제 3 단계;를 포함하여 제조할 수 있다. 이를 통해, 800PPI 이상의 해상도를 구현할 수 있는 증착용 마스크를 제조할 수 있다. A method of manufacturing a mask for depositing a metal material for depositing an OLED pixel, the mask for deposition according to an embodiment includes a first step of preparing a base metal plate having a thickness of 15 μm to 20 μm; A patterned photoresist layer is disposed on one surface of the base metal plate, half-etched the open portion of the photoresist layer to form a groove on one surface of the base metal plate, and on the other surface opposite to the one surface of the base metal plate A second step of disposing a patterned photoresist layer on the surface and etching the open portion of the photoresist layer to form a through hole connected to a groove on one surface of the base metal plate; And removing the photoresist layer, to form a through hole formed by a large surface hole formed on one surface, a small surface hole formed on the other surface opposite to the one surface, and a communication portion connecting a boundary between the large surface hole and the small surface hole. And a third step of forming a mask for deposition, including. Through this, it is possible to manufacture a deposition mask capable of realizing a resolution of 800 PPI or more.
먼저, 20㎛ 내지 30㎛ 두께의 베이스 금속판(BM)을 준비하는 제 1 단계를 설명한다. First, a first step of preparing a base metal plate (BM) having a thickness of 20 μm to 30 μm will be described.
상기 베이스 금속판(BM)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 상기 베이스 금속판(BM)은 니켈 합금을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스 금속판(BM) 은 니켈과 철의 합금일 수 있다. 이때, 니켈은 약 35 중량% 내지 약 37 중량% 일 수 있고, 상기 철은 약 63 중량% 내지 약 65 중량%일 수 있다. 일례로, 상기 베이스 금속판(BM)은 니켈은 약 35 중량% 내지 약 37중량%, 철은 약 63중량% 내지 약 65 중량%과 미량의 C, Si, S, P, Cr, Mo, Mn, Ti, Co, Cu, Fe, Ag, Nb, V, In, Sb 중 적어도 하나 이상이 포함된 인바(Invar)를 포함할 수 있다. 여기에서, 미량은 1 중량% 이하인 것을 의미할 수 있다. 자세하게, 여기에서, 미량은 0.5 중량% 이하인 것을 의미할 수 있다. 다만, 상기 베이스 금속판(BM)이 이에 제한되는 것은 아니며, 다양한 금속 물질을 포함할 수 있음은 물론이다.The base metal plate BM may include a metal material. The base metal plate (BM) may include a nickel alloy. For example, the base metal plate (BM) may be an alloy of nickel and iron. At this time, nickel may be from about 35% to about 37% by weight, and the iron may be from about 63% to about 65% by weight. In one example, the base metal plate (BM) is about 35% to about 37% by weight of nickel, about 63% to about 65% by weight of iron and trace amounts of C, Si, S, P, Cr, Mo, Mn, Ti, Co, Cu, Fe, Ag, Nb, V, In, and may include an Invar (Invar) containing at least one of Sb. Here, the trace amount may mean that it is 1% by weight or less. In detail, here, the trace amount may mean that it is 0.5% by weight or less. However, the base metal plate (BM) is not limited thereto, and of course, it may include various metal materials.
상기 인바와 같은 니켈 합금은 열팽창 계수가 작기 때문에, 증착용 마스크의 수명이 증가될 수 있는 장점을 가진다.Since the nickel alloy such as the invar has a small thermal expansion coefficient, it has an advantage that the lifetime of the deposition mask can be increased.
여기에서, 상기 제 1 단계는 목표로 하는 베이스 금속판의 두께에 따라, 두께 감소단계를 추가로 포함할 수 있다. Here, the first step may further include a thickness reduction step, depending on the thickness of the target base metal plate.
예를 들어, 베이스 금속판(BM)은 25㎛ 내지 30㎛ 의 두께를 가질 수 있다. 이러한 베이스 금속판(BM)은 압연 및/또는 에칭에 의한 두께 감소단계를 거쳐 15㎛ 내지 25㎛의 두께를 가질 수 있다. 여기에서, 에칭이란 전기적 또는 화학적인 에칭을 포함할 수 있다. For example, the base metal plate (BM) may have a thickness of 25 μm to 30 μm. The base metal plate (BM) may have a thickness of 15 μm to 25 μm through a thickness reduction step by rolling and / or etching. Here, the etching may include electrical or chemical etching.
상기 베이스 금속판(BM) 또는 두께 감소단계를 거친 상기 베이스 금속판(BM)은 표면 처리단계를 선택적으로 포함할 수 있다. The base metal plate (BM) or the base metal plate (BM) having undergone a thickness reduction step may optionally include a surface treatment step.
예를 들어, 인바와 같은 니켈 합금은 균일한 식각이 어려운 문제점을 가진다. 즉, 인바와 같은 니켈 합금은 식각 초기에 식각 속도가 빠를 수 있다. 이에 따라, 소면공의 식각 팩터가 저하될 수 있는 문제를 가진다. 소면공의 식각 팩터가 저하되는 경우에는 쉐도우 효과에 따른 증착 불량이 발생되는 증착용 마스크가 형성될 수 있는 문제가 있을 수 있다. 또는, 대면공의 사이드 에칭으로 인하여 포토레지스트층의 탈막이 발생할 수 있다. 또한, 관통홀의 크기가 커짐에 따라, 미세한 크기의 관통홀을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 관통홀이 불균일하게 형성되어, 증착용 마스크의 제조 수율이 저하될 수 있다. For example, a nickel alloy such as Invar has a problem that uniform etching is difficult. That is, a nickel alloy such as Invar may have a high etching rate at the beginning of etching. Accordingly, there is a problem that the etching factor of the small surface hole may be lowered. When the etching factor of the small surface hole is lowered, there may be a problem that a deposition mask in which deposition defects are generated due to a shadow effect may be formed. Alternatively, the photoresist layer may be de-filmed due to side etching of the large surface hole. In addition, as the size of the through hole increases, it may be difficult to form a through hole having a fine size. In addition, the through-holes are formed non-uniformly, so that the production yield of the deposition mask can be reduced.
따라서, 실시예는 베이스 금속판 표면 상에 성분, 함량, 결정구조 및 부식속도를 달리하는 표면개질을 위한 표면 처리층을 배치할 수 있다. 여기에서, 표면 개질이란 식각 팩터를 향상시키기 위하여 표면에 배치되는 다양한 물질로 이루어진 층을 의미할 수 있다.Therefore, the embodiment may arrange a surface treatment layer for surface modification having different components, contents, crystal structure, and corrosion rate on the surface of the base metal plate. Here, surface modification may mean a layer made of various materials disposed on a surface in order to improve an etching factor.
즉, 표면 처리층은 베이스 금속판의 표면 상에 빠른 식각을 저지하기 위한 층일 수 있다. 상기 표면 처리층은 베이스 금속판보다 식각 속도가 느린 식각 배리어층일 수 있다. 상기 표면 처리층은 상기 베이스 금속층과 결정면 및 결정구조가 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 표면 처리층은 상기 베이스 금속층과 서로 다른 원소를 포함함에 따라, 결정면 및 결정구조가 서로 다를 수 있다. That is, the surface treatment layer may be a layer for preventing rapid etching on the surface of the base metal plate. The surface treatment layer may be an etch barrier layer having a slower etching rate than the base metal plate. The surface treatment layer may have a different crystal surface and crystal structure from the base metal layer. For example, as the surface treatment layer includes different elements from the base metal layer, a crystal surface and a crystal structure may be different from each other.
동일한 부식환경에서 상기 표면 처리층은 상기 베이스 금속판과 부식 전위가 다를 수 있다. 예를 들어, 동일한 온도의 동일한 식각액에 동일 시간 처리하였을 때, 상기 표면 처리층은 상기 베이스 금속판과 부식전류 내지 부식전위가 서로 다를 수 있다. In the same corrosion environment, the surface treatment layer may have a different corrosion potential from the base metal plate. For example, when the same etching solution at the same temperature is treated for the same time, the surface treatment layer may have a different corrosion current or corrosion potential from the base metal plate.
상기 베이스 금속판(BM)은 일면 및/또는 양면, 전체 및/또는 유효영역에 표면 처리층 내지 표면 처리부를 포함할 수 있다. 상기 표면 처리층 내지 표면 처리부는 베이스 금속판과 서로 다른 원소를 포함하거나, 부식 속도가 느린 금속 원소를 베이스 금속판보다 큰 함량으로 포함할 수 있다. The base metal plate (BM) may include a surface treatment layer or a surface treatment portion on one side and / or both sides, the whole and / or the effective area. The surface treatment layer to the surface treatment part may include different elements from the base metal plate, or a metal element having a slow corrosion rate in a larger content than the base metal plate.
예를 들어, 상기 표면 처리층은 니켈(Ni), 크롬(Cr), 철(Fe), 티타늄(Ti), 망간(Mn), 산소(O), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 아연(Zn), 질소(N), 알루미늄(Al) 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있고, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 철(Fe), 티타늄(Ti), 망간(Mn), 산소(O), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 아연(Zn), 질소(N), 알루미늄(Al) 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 금속의 함량은 베이스 금속판보다 클 수 있다. For example, the surface treatment layer is nickel (Ni), chromium (Cr), iron (Fe), titanium (Ti), manganese (Mn), oxygen (O), molybdenum (Mo), silver (Ag), zinc (Zn), nitrogen (N), aluminum (Al) and may include at least one metal of alloys thereof, nickel (Ni), chromium (Cr), iron (Fe), titanium (Ti), manganese ( The metal content of at least one of Mn), oxygen (O), molybdenum (Mo), silver (Ag), zinc (Zn), nitrogen (N), aluminum (Al), and alloys thereof may be greater than that of the base metal plate .
이러한 표면 처리단계를 더 포함하는 경우에, 실시예에 따른 베이스 금속판의 표면에는 표면 처리층이 배치될 수 있다. 이러한 표면 처리단계는, 상기 베이스 금속판(BM)과 서로 다른 원소의 표면 처리층을 배치함에 따라, 표면에서의 부식 속도를 상기 베이스 금속판(BM)의 원소재 물질보다 느리게 할 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 증착용 마스크의 식각 팩터를 증가시킬 수 있다. 또한, 실시예에 따른 증착용 마스크는 복수개의 관통홀을 균일하게 형성할 수 있음에 따라, R, G, B 패턴의 증착 효율을 향상시킬 수 있다. 여기에서, 서로 다른 원소를 포함한다는 것은 상기 베이스 금속판(BM)과 상기 표면 처리층이 적어도 하나의 다른 원소를 포함하거나, 모든 원소가 동일하더라도 함량이 다른 합금을 포함하는 것을 의미할 수 있다. When further including such a surface treatment step, a surface treatment layer may be disposed on the surface of the base metal plate according to the embodiment. In this surface treatment step, by disposing the surface treatment layer of different elements from the base metal plate BM, the corrosion rate on the surface may be slower than the raw material material of the base metal plate BM. Accordingly, the etching factor of the deposition mask according to the embodiment may be increased. In addition, as the deposition mask according to the embodiment can uniformly form a plurality of through holes, it is possible to improve the deposition efficiency of the R, G, and B patterns. Here, the inclusion of different elements may mean that the base metal plate (BM) and the surface treatment layer include at least one other element, or alloys having different contents even if all elements are the same.
다음으로, 상기 베이스 금속판의 일면 상에 패턴화된 포토레지스트층(PR1)을 배치하는 단계를 설명한다. 소면공을 형성하기 위해서 상기 베이스 금속판의 일면 상에 패턴화된 포토레지스트층(PR1)을 배치할 수 있다. 상기 베이스 금속판의 일면과 반대되는 타면은 식각을 저지하기 위한 코팅층 또는 필름층과 같은 식각 저치층이 배치될 수 있다.Next, the step of disposing the patterned photoresist layer PR1 on one surface of the base metal plate will be described. In order to form a small surface hole, a patterned photoresist layer PR1 may be disposed on one surface of the base metal plate. The other surface opposite to one surface of the base metal plate may be provided with an etch-bottom layer such as a coating layer or a film layer to prevent etching.
다음으로, 상기 포토레지스트층(PR1)의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 금속판의 일면 상에 홈을 형성하는 제 2 단계를 설명한다.Next, a second step of forming a groove on one surface of the metal plate by half etching the open portion of the photoresist layer PR1 will be described.
상기 포토레지스트층(PR1)의 오픈부는 식각액 등에 노출될 수 있어, 베이스 금속판의 일면 중 상기 포토레지스트층(PR1)이 배치되지 않은 오픈부에서 에칭이 일어날 수 있다. Since the open portion of the photoresist layer PR1 may be exposed to an etchant or the like, etching may occur in an open portion of the base metal plate where the photoresist layer PR1 is not disposed.
상기 제 2 단계는 20㎛ 내지 30㎛ 두께(T1)의 상기 베이스 금속판을 약 1/2 두께가 될 때까지 에칭하는 단계일 수 있다. 상기 제 2 단계를 통해 형성된 홈의 깊이는 약 10㎛ 내지 15㎛일 수 있다. 즉, 상기 제 2 단계 후에 홈의 중심에서 측정한 베이스 금속판의 두께(T2)는 약 10㎛ 내지 15㎛일 수 있다.The second step may be a step of etching the base metal plate having a thickness of 20 μm to 30 μm (T1) until the thickness is about 1/2. The depth of the groove formed through the second step may be about 10㎛ to 15㎛. That is, the thickness T2 of the base metal plate measured at the center of the groove after the second step may be about 10 μm to 15 μm.
상기 제 2 단계는 이방성 에칭 또는 세미-부가 공법(semi additive process, SAP)일 수 있다. 자세하게, 상기 포토레지스트층의 오픈부를 하프 에칭하기 위하여 이방성 에칭 또는 세미 부가 공법을 사용할 수 있다. 이에 따라, 하프 에칭을 통해 형성된 홈은 등방성 에칭보다 깊이 방향으로의 식각 속도(b 방향)가 사이드 에칭(a 방향)의 속도보다 빠를 수 있다. The second step can be anisotropic etching or a semi additive process (SAP). In detail, an anisotropic etching or semi-addition method may be used to half etch the open portion of the photoresist layer. Accordingly, the groove formed through the half etching may have an etching rate in the depth direction (b direction) faster than that of the side etching (a direction) than isotropic etching.
소면공의 식각 팩터는 2.0 내지 3.0일 수 있다. 예를 들어, 소면공의 식각 팩터는 2.1 내지 3.0일 수 있다. 예를 들어, 소면공의 식각 팩터는 2.2 내지 3.0일 수 있다. The etching factor of the small facet may be 2.0 to 3.0. For example, the etch factor of the small facet may be 2.1 to 3.0. For example, the etch factor of the small facet may be 2.2 to 3.0.
여기에서, 식각 팩터는 식각된 소면공의 깊이(B)/소면공 상의 아일랜드 부에서 연장되어 관통홀의 중심방향으로 돌출된 포토레지스트층의 폭(A)(Etching Factor = B/A)을 의미할 수 있다. 상기 A는 상기 하나의 면공 상에 돌출된 포토레지스트층 일측의 폭 및 상기 일측과 반대되는 타측의 폭의 평균 값을 의미한다.Here, the etching factor means the depth of the etched small hole (B) / width of the photoresist layer extending from the island portion on the small hole and protruding toward the center of the through hole (Etching Factor = B / A) Can be. The A represents an average value of the width of one side of the photoresist layer protruding on the one surface hole and the width of the other side opposite to the one side.
다음으로, 관통홀을 형성하는 단계를 설명한다. Next, a step of forming a through hole will be described.
먼저, 상기 베이스 금속판의 상기 일면과 반대되는 타면 상에 패턴화된 포토레지스트층(PR2)을 배치할 수 있다. 상기 베이스 금속판의 상기 일면과 반대되는 타면 상에는 대면공을 형성하기 위하여 오픈부를 가지는 패턴화된 포토레지스트층(PR2)을 배치할 수 있다. 상기 베이스 금속판의 일면은 식각을 저지하기 위한 코팅층 또는 필름층과 같은 식각 저치층이 배치될 수 있다. First, a patterned photoresist layer PR2 may be disposed on the other surface opposite to the one surface of the base metal plate. A patterned photoresist layer PR2 having an open portion may be disposed on the other surface opposite to the one surface of the base metal plate to form a large hole. An etch-bottom layer such as a coating layer or a film layer for preventing etching may be disposed on one surface of the base metal plate.
상기 포토레지스트층(PR2)의 오픈부는 식각액 등에 노출될 수 있어, 베이스 금속판의 타면 중 상기 포토레지스트층(P2)이 배치되지 않은 오픈부에서 에칭이 일어날 수 있다. 상기 베이스 금속판의 타면은 이방성 에칭 또는 등방성 에칭에 의하여 에칭될 수 있다. The open portion of the photoresist layer PR2 may be exposed to an etchant or the like, and etching may occur in an open portion of the other surface of the base metal plate where the photoresist layer P2 is not disposed. The other surface of the base metal plate may be etched by anisotropic etching or isotropic etching.
상기 포토레지스트층의 오픈부를 에칭함에 따라, 상기 금속판의 일면 상의 홈은 대면공과 연결되어 관통홀을 형성할 수 있다. As the open portion of the photoresist layer is etched, a groove on one surface of the metal plate may be connected to a large surface hole to form a through hole.
상기 제 2 단계는 1) 상기 베이스 금속판의 일면 상에 패턴화된 상기 포토레지스트층(PR1)과, 상기 베이스 금속판의 타면 상에 패턴화된 상기 포토레지스트층(PR2)을 배치한 이후에, 2) 상기 베이스 금속판의 일면 및 타면을 동시에 에칭하여 관통홀을 형성하는 것일 수 있다. The second step is 1) after disposing the photoresist layer PR1 patterned on one surface of the base metal plate and the photoresist layer PR2 patterned on the other surface of the base metal plate, 2 ) A through hole may be formed by simultaneously etching one surface and the other surface of the base metal plate.
또는, 상기 제 2 단계는 1) 상기 베이스 금속판의 일면 상에 패턴화된 상기 포토레지스트층(PR1)을 배치하고, 2) 상기 포토레지스트층(PR1)의 오픈부를 하프 에칭하여 상기 베이스 금속판의 일면 상에만 홈을 형성한 다음, 3) 상기 베이스 금속판의 타면 상에 패턴화된 상기 포토레지스트층(PR2)을 배치한 이후에, 4) 상기 베이스 금속판의 타면에서 상기 포토레지스트층(PR2)의 오픈부를 에칭하여 관통홀을 형성하는 것일 수 있다. Alternatively, the second step is 1) by disposing the patterned photoresist layer PR1 on one surface of the base metal plate, and 2) by half-etching the open portion of the photoresist layer PR1, one surface of the base metal plate After forming a groove only on the top, 3) after disposing the patterned photoresist layer PR2 on the other side of the base metal plate, 4) opening the photoresist layer PR2 on the other side of the base metal plate A through hole may be formed by etching a portion.
또는, 상기 제 2 단계는 1) 상기 베이스 금속판의 타면 상에 패턴화된 상기 포토레지스트층(PR2)을 배치하고, 2) 상기 포토레지스트층(PR2)의 오픈부를 에칭하여 상기 베이스 금속판의 타면 상에만 대면공 형성한 다음, 3) 상기 베이스 금속판의 일면 상에 패턴화된 상기 포토레지스트층(PR1)을 배치한 이후에, 4) 상기 베이스 금속판의 일면에서 상기 포토레지스트층(PR1)의 오픈부를 하프에칭하여 상기 대면공과 연결되는 관통홀을 형성하는 것일 수 있다. Alternatively, the second step is 1) by placing the patterned photoresist layer PR2 on the other surface of the base metal plate, 2) by etching the open portion of the photoresist layer PR2 on the other surface of the base metal plate After forming a face hole only, 3) after arranging the patterned photoresist layer PR1 on one surface of the base metal plate, 4) an open portion of the photoresist layer PR1 on one surface of the base metal plate Half-etching may be to form a through hole that is connected to the face hole.
다음으로, 상기 포토레지스트층을 제거하여, 상기 일면 상에 형성된 대면공, 상기 일면과 반대되는 타면 상에 형성된 소면공, 상기 대면공 및 상기 소면공의 경계가 연결되는 연통부에 의해 형성되는 관통홀을 포함하는 증착용 마스크를 형성하는 제 3 단계를 거쳐, 증착 마스크가 형성될 수 있다.Next, by removing the photoresist layer, the through-hole formed by the communication between the large hole formed on one surface, the small surface hole formed on the other surface opposite to the one surface, the boundary between the large surface hole and the small surface hole is connected The deposition mask may be formed through a third step of forming a deposition mask including holes.
상기 제 3 단계를 거쳐 형성된 증착용 마스크(100)는 상기 베이스 금속판과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크는 상기 베이스 금속판과 동일한 조성의 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크의 아일랜드부는 앞서 설명한 표면 처리층을 포함할 수 있다. The
상기 제 3 단계를 거쳐 형성된 증착용 마스크는 리브 중심에서의 최대 두께가 에칭을 거치지 않은 비유효 영역에서의 최대 두께보다 작을 수 있다. 예를 들어, 리브 중심에서의 최대 두께는 15㎛일 수 있다. 예를 들어, 리브 중심에서의 최대 두께는 10㎛ 미만일 수 있다. 그러나, 증착용 마스크의 비유효 영역에서의 최대 두께는 20㎛ 내지 30㎛ 일 수 있다. 증착용 마스크의 비유효 영역에서의 최대 두께는 제 1 단계에서 준비된 베이스 금속판의 두께와 동일할 수 있다. 또는, 증착용 마스크의 비유효 영역에서의 최대 두께는 제 1 단계에서 두께 감소단계를 거친 15㎛ 내지 25㎛일 수 있다.The deposition mask formed through the third step may have a maximum thickness at the center of the rib smaller than the maximum thickness at the non-effective area without etching. For example, the maximum thickness at the center of the rib may be 15 μm. For example, the maximum thickness at the center of the rib may be less than 10 μm. However, the maximum thickness in the non-effective area of the deposition mask may be 20 μm to 30 μm. The maximum thickness in the non-effective area of the deposition mask may be the same as the thickness of the base metal plate prepared in the first step. Alternatively, the maximum thickness in the ineffective region of the deposition mask may be 15 μm to 25 μm after the thickness reduction step in the first step.
도 12 및 도 13을 참조하여, 실시예에 따른 증착용 마스크로 형성된 증착 패턴을 설명한다. Referring to FIGS. 12 and 13, a deposition pattern formed by a deposition mask according to an embodiment will be described.
도 12를 참조하면, 실시예예 따른 증착용 마스크는 소면공이 형성된 증착용 스크의 일면 및 상기 연통부 사이의 높이(H1)가 3㎛ 이하일 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 스크의 일면과 증착 패턴이 배치되는 기판 사이의 거리가 가까울 수 있으므로 쉐도우 효과에 따른 증착 불량의 감소시킬 수 있다. Referring to FIG. 12, in the deposition mask according to the embodiment, the height H1 between one surface of the deposition mask having a small hole and the communicating portion may be 3 μm or less. Accordingly, since the distance between one surface of the deposition screed and the substrate on which the deposition pattern is disposed may be close, deposition defects due to the shadow effect may be reduced.
도 13을 참조하면, 인접한 R, G, B 패턴 중 인접한 두 패턴 사이의 영역에서 서로 다른 증착 물질이 동일한 영역에 놓이는 증착 불량이 발생하지 않을 수 있다. 즉, 실시예에 따른 R, G, B 패턴은 패턴 주위에 증착 물질이 퍼지는 쉐도우 현상을 최소화할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 증착용 마스크는 소공경의 높이가 3㎛ 이하일 수 있어, OLED 화소 증착의 불량을 방지할 수 있다. Referring to FIG. 13, deposition defects in which different deposition materials are placed in the same region may not occur in regions between two adjacent patterns among adjacent R, G, and B patterns. That is, the R, G, and B patterns according to the embodiment may minimize the shadow phenomenon that the deposition material spreads around the pattern. Accordingly, the deposition mask according to the embodiment may have a small pore height of 3 μm or less, thereby preventing defects in OLED pixel deposition.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects, and the like described in the above-described embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like exemplified in each embodiment may be combined or modified for other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, although the embodiments have been mainly described above, these are merely examples and do not limit the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains are exemplified above in a range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be implemented by modification. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.
Claims (10)
상기 합금 금속판의 (111)면에 대한 회절 강도를 I(111), 상기 합금 금속판의 (200)면에 대한 회절 강도를 I(200), 상기 합금 금속판의 (111)면에 대한 회절 강도를 I(111)로 정의하고,
상기 I(200)의 회절 강도 비율을 하기 수식 1로 정의하고,
[수식 1]
A = I(200)/{I(200)+I(220)+I(111)}
상기 I(220)의 회절 강도 비율을 하기 수식 2로 정의되며,
[수식 2]
B = I(220)/{I(200)+I(220)+I(111)}
상기 A는 0.5 내지 0.6이고,
상기 B는 0.3 내지 0.5이며,
상기 A 값은 B 값보다 큰 합금 금속판In the iron (Fe) -nickel (Ni) alloy metal plate of the deposition mask for OLED pixel deposition,
The diffraction intensity for the (111) surface of the alloy metal plate I (111), the diffraction intensity for the (200) surface of the alloy metal plate I (200), the diffraction intensity for the (111) surface of the alloy metal plate I (111),
The diffraction intensity ratio of I (200) is defined by Equation 1 below,
[Equation 1]
A = I (200) / {I (200) + I (220) + I (111)}
The diffraction intensity ratio of I (220) is defined by Equation 2 below,
[Equation 2]
B = I (220) / {I (200) + I (220) + I (111)}
A is 0.5 to 0.6,
B is 0.3 to 0.5,
The A value is greater than the B value alloy metal plate
상기 A/B는 1 내지 2인 철(Fe)-니켈(Ni) 합금 금속판.According to claim 1,
The A / B is 1 to 2 iron (Fe) -nickel (Ni) alloy metal plate.
상기 (111)면, 상기 (200)면 및 상기 (220)면의 방향은 상기 합금 금속판의 식각 방향인 합금 금속판.According to claim 1,
The direction of the (111) plane, the (200) plane and the (220) plane is an alloy metal plate that is an etching direction of the alloy metal plate.
상기 합금 금속판에는 상기 합금 금속판의 일면에서 타면 방향으로 형성되는 피트들이 형성되고,
상기 피트들의 깊이는 2㎛ 이하인 합금 금속판.According to claim 1,
The alloy metal plate is formed with pits formed in one direction from the other surface of the alloy metal plate,
The depth of the pits is less than 2㎛ alloy metal plate.
상기 합금 금속판은 면심입방구조의 결정 구조를 가지는 합금 금속판.According to claim 1,
The alloy metal plate is an alloy metal plate having a crystal structure of a face-centered cubic structure.
상기 증착용 마스크는
증착 영역 및 상기 증착 영역 이외의 비증착 영역을 포함하고,
상기 증착 영역은, 복수 개의 유효부 및 상기 유효부 이외의 비유효부를 포함하고,
상기 유효부는,
상기 합금 금속판의 일면 상에 형성되는 복수 개의 소면공;
상기 합금 금속판의 일면과 반대되는 타면 상에 형성되는 복수 개의 대면공;
상기 소면공 및 상기 대면공을 연통하는 복수 개의 관통홀; 및
상기 합금 금속판의 타면 상에 형성되고, 상기 관통홀 사이에 위치하는 아일랜드부를 포함하고,
상기 합금 금속판의 (111)면에 대한 회절 강도를 I(111), 상기 합금 금속판의 (200)면에 대한 회절 강도를 I(200), 상기 합금 금속판의 (111)면에 대한 회절 강도를 I(111)로 정의하고,
상기 I(200)의 회절 강도 비율을 하기 수식 1로 정의하고,
[수식 1]
A = I(200)/{I(200)+I(220)+I(111)}
상기 I(220)의 회절 강도 비율을 하기 수식 2로 정의되며,
[수식 2]
B = I(220)/{I(200)+I(220)+I(111)}
상기 A는 0.5 내지 0.6이고,
상기 B는 0.3 내지 0.5이며,
상기 A 값은 B 값보다 큰 증착용 마스크.In the deposition mask for OLED pixel deposition comprising an iron (Fe) -nickel (Ni) alloy metal plate,
The deposition mask
A deposition region and a non-deposition region other than the deposition region,
The deposition region includes a plurality of effective portions and non-effective portions other than the effective portion,
The effective portion,
A plurality of small surface holes formed on one surface of the alloy metal plate;
A plurality of face holes formed on the other surface opposite to one surface of the alloy metal plate;
A plurality of through holes communicating with the small face hole and the large face hole; And
It is formed on the other surface of the alloy metal plate, and includes an island portion located between the through-holes,
The diffraction intensity for the (111) surface of the alloy metal plate I (111), the diffraction intensity for the (200) surface of the alloy metal plate I (200), the diffraction intensity for the (111) surface of the alloy metal plate I (111),
The diffraction intensity ratio of I (200) is defined by Equation 1 below,
[Equation 1]
A = I (200) / {I (200) + I (220) + I (111)}
The diffraction intensity ratio of I (220) is defined by Equation 2 below,
[Equation 2]
B = I (220) / {I (200) + I (220) + I (111)}
A is 0.5 to 0.6,
B is 0.3 to 0.5,
The A value is greater than the B value deposition mask.
상기 A/B는 1 내지 2인 철(Fe)-니켈(Ni) 증착용 마스크.The method of claim 6,
The A / B is 1 to 2 iron (Fe)-nickel (Ni) deposition mask.
상기 (111)면, 상기 (200)면 및 상기 (220)면의 방향은 상기 합금 금속판의 일면 및 타면 방향인 증착용 마스크.The method of claim 6,
The (111) plane, the (200) plane and the (220) plane direction are deposition masks for one surface and the other surface of the alloy metal plate.
상기 합금 금속판에는 상기 합금 금속판의 일면에서 타면 방향으로 형성되는 피트들이 형성되고,
상기 피트들의 깊이는 2㎛ 이하인 증착용 마스크.The method of claim 6,
The alloy metal plate is formed with pits formed in one direction from the other surface of the alloy metal plate,
The depth of the pits is a mask for deposition less than 2㎛.
상기 관통홀은 400 PPI 이상의 해상도를 가지고,
상기 합금 금속판은 30㎛ 이하의 두께를 가지는 증착용 마스크.According to claim 1,
The through hole has a resolution of 400 PPI or more,
The alloy metal plate is a deposition mask having a thickness of 30㎛ or less.
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2018
- 2018-11-19 KR KR1020180142628A patent/KR20200058072A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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