KR20210092306A - 픽셀 회로, 디스플레이 장치 및 픽셀 회로의 구동 방법 - Google Patents

픽셀 회로, 디스플레이 장치 및 픽셀 회로의 구동 방법 Download PDF

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KR20210092306A
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추이리 가이
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청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디.
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Abstract

본원 발명의 실시예는 픽셀 회로, 디스플레이 장치 및 픽셀 회로의 구동 방법을 제공한다. 본원 발명 실시예의 픽셀 회로는 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 스토리지 커패시터(C1) 및 발광 소자(OLED)를 포함한다. 제1 트랜지스터(T1)의 제어 단은 스캔 라인에 연결되며, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 단은 데이터 라인에 연결되고, 제1 트랜지스터(T1)의 제2 단은 각각 스토리지 커패시터(C1)의 제1 단 및 제2 트랜지스터(T2)의 제어 단에 연결되며, 스토리지 커패시터(C1)의 제2 단은 전원 전압에 연결된다. 제3 트랜지스터(T3)의 제어 단은 제어 라인에 연결된다. 발광 소자(OLED)의 양극은 제2 트랜지스터(T2)의 제2 단에 연결되며, 발광 소자(OLED)의 음극은 접지된다.

Description

픽셀 회로, 디스플레이 장치 및 픽셀 회로의 구동 방법
관련 출원의 상호 참조
본원 발명은 2018년 12월 11일에 제출한 발명 명칭이 "픽셀 회로, 디스플레이 장치 및 픽셀 회로의 구동 방법”이고, 출원 번호가 201811511113.2인 중국 특허 출원을 인용하였고, 전문 내용은 본원 발명에 인용된다.
본원 발명의 실시예는 디스블레이 분야에 관한 것으로, 특히, 픽셀 회로, 디스플레이 장치 및 픽셀 회로의 구동 방법에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(Organic Light-Emitting Diode, OLED)는 구동 방법에 따라 PMOLED(Passive matrix organic light-emitting diode, 수동형 매트릭스 유기 발광 다이오드) 및 AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode, 능동형 매트릭스 유기 발광 다이오드)로 분류할 수 있다. 평판 디스플레이 기술이 급속하게 발전함에 따라, 특히 AMOLED 디스플레이는 고급 휴대폰, TV 등 전자 디스플레이 제품에 널리 응용되기 시작했다. Micro LED는 차세대 디스플레이 기술로서 기존의 OLED 기술보다 밝기가 더 높고, 발광 효율이 더욱 우수하지만, 전력 소모가 더욱 낮다. Micro LED는 미래 디스플레이의 해결수단으로서 디스플레이 분야의 연구 개발의 핫 스팟이 되었다.
본원 발명의 실시예의 목적은, 픽셀 회로의 스토리지 커패시터가 변하지 않는 상황에서, 제어 라인에 의해 전송되는 구동 신호를 통해 발광 소자의 밝기를 제어함으로써, 픽셀 회로의 발광 밝기의 제어를 향상시키도록 하는 픽셀 회로, 디스플레이 장치 및 픽셀 회로의 구동 방법을 제공하는 것이다.
본원 발명의 실시예는 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터, 제3 트랜지스터, 스토리지 커패시터 및 발광 소자를 포함하는 픽셀 회로를 제공하고; 제1 트랜지스터의 제어 단은 스캔 라인에 연결되며, 제1 트랜지스터의 제1 단은 데이터 라인에 연결되고, 제1 트랜지스터의 제2 단은 각각 스토리지 커패시터의 제1 단 및 제2 트랜지스터의 제어 단에 연결되며, 스토리지 커패시터의 제2 단은 전원 전압에 연결되고; 제3 트랜지스터의 제어 단은 제어 라인에 연결되며, 제3 트랜지스터의 제1 단은 전원 전압에 연결되고, 제3 트랜지스터의 제2 단은 제2 트랜지스터의 제1 단에 연결되며; 발광 소자의 양극은 제2 트랜지스터의 제2 단에 연결되고, 발광 소자의 음극은 접지된다.
본원 발명의 실시예는 상기 픽셀회로를 포함하는 디스플레이 장치를 더 제공한다.
본원 발명의 실시예는 상기 픽셀 회로에 응용되는 픽셀 회로의 구동 방법을 제공하고, 스캔 라인에 의해 출력되는 제1 전압 신호를 통해 제1 트랜지스터가 온 상태에 처하도록 제어하는 단계; 제1 트랜지스터가 데이터 라인에 의해 출력되는 데이터 신호를 스토리지 커패시터에 전송하는 단계; 스캔 라인에 의해 출력되는 제2 전압 신호를 통해 제1 트랜지스터가 오프 상태에 처하도록 제어하는 단계; 및 스토리지 커패시터의 출력 전압 신호를 통해 제2 트랜지스터가 온 상태에 처하도록 제어하고, 제어 라인을 통해 구동 신호를 제3 트랜지스터에 전송하며, 제3 트랜지스터가 구동 신호에 따라 발광 소자를 구동하거나, 스토리지 커패시터의 출력 전압 신호를 통해 제2 트랜지스터가 오프 상태에 처하도록 제어하는 단계를 포함하며; 구동 신호는 구동 전류 및/또는 구동 전압을 포함한다.
종래 기술에 비해, 본원 발명의 실시예에서, 제3 트랜지스터의 제어 단은 제어 라인에 연결되며, 제어 라인에 의해 전송되는 구동 신호의 작용 하에서 제2 트랜지스터를 통해 구동 신호를 발광 소자에 전송하여, 발광 소자의 밝기가 구동 신호에 의해 제어되고, 픽셀 회로에서 스토리지 커패시터가 충분하지 않는 상황에서 발광 소자의 밝기에 대한 조절을 구현하여, 픽셀 회로의 밝기 균일성에 대한 제어를 향상시키고 사용자의 체험감을 향상시킨다.
예를 들어, 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터는 스위칭 트랜지스터이며, 제3 트랜지스터는 구동 트랜지스터이다. 상기 실시예에서 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터는 모두 스위칭 트랜지스터이며, 제2 트랜지스터는 발광 소자의 데이터 라인를 제어하여 데이터 신호를 출력하는 과정에서 발광 소자가 발광하지 않도록 보장함으로써, 발광 소자의 밝기에 대한 제어를 향상시킨다.
예를 들어, 상기 제1 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터 및 상기 제3 트랜지스터는 동일한 유형의 트랜지스터이다.
예를 들어, 제3 트랜지스터는 P형 트랜지스터이며; 제3 트랜지스터의 제1 단은 소스이고, 제3 트랜지스터의 제2 단은 드레인이다.
예를 들어, 상기 제3 트랜지스터는 P형 박막 트랜지스터이다.
예를 들어, 상기 제1 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터 및 상기 제3 트랜지스터는 모두 P형 박막 트랜지스터이다.
예를 들어, 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터는 N형 트랜지스터이며; 상기 제3 트랜지스터는 P형 트랜지스터이다.
예를 들어, 발광 소자는 유기 발광 다이오드이다. 상기 실시예에서 유기 발광 다이오드는 발광 소자의 발광 효과를 향상시키고, 나아가 사용자의 체험감을 향상시킨다.
예를 들어, 스캔 라인에 의해 출력되는 제2 전압 신호를 통해 제1 트랜지스터가 오프 상태에 처하도록 제어하는 단계 이전에, 픽셀 회로의 구동 방법은, 제어 라인에 의해 출력되는 제어 신호를 통해 제3 트랜지스터가 오프 상태에 처하고, 발광 소자가 꺼짐 상태에 처하도록 제어하는 단계를 더 포함한다.
예를 들어, 구동 신호는 발광 소자의 발광 밝기를 제어하는데 사용된다.
예를 들어, 데이터 라인이 저전압 데이터 신호를 전송할 경우; 제1 트랜지스터가 데이터 라인에 의해 출력되는 데이터 신호를 스토리지 커패시터에 전송하는 단계 이후, 픽셀 회로의 구동 방법은, 스토리지 커패시터가 방전되도록 제어하고, 제2 트랜지스터의 제어 단이 저전압 신호로 결정된 후 스토리지 커패시터의 방전을 중지하는 단계를 더 포함한다.
예를 들어, 데이터 라인이 고전압 데이터 신호를 전송할 경우; 제1 트랜지스터가 데이터 라인에 의해 출력되는 데이터 신호를 스토리지 커패시터에 전송하는 단계 이후에, 픽셀 회로의 구동 방법은, 스토리지 커패시터가 충전되도록 제어하고, 제2 트랜지스터의 제어 단이 고전압 신호로 결정된 후 스토리지 커패시터의 충전을 중지하는 단계를 더 포함한다.
도 1은 본원 발명의 제1 실시예에 따른 픽셀 회로의 구조 모식도이고,
도 2는 본원 발명의 제2 실시예에 따른 픽셀 회로의 구조 모식도이고,
도 3은 본원 발명의 제2 실시예에 따른 픽셀 회로의 전압 시퀀스 다이어그램이고,
도 4는 본원 발명의 제4 실시예에 따른 픽셀 회로의 구동 방법의 흐름도이다.
이하, 본원 발명의 실시예의 목적, 기술적 해결수단 및 장점을 보다 명확하게 하기 위해, 첨부된 도면을 결부시켜 본원 발명의 각 실시예에 대해 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면, 본원 발명의 각 실시예에서, 독자가 본원 발명을 더 잘 이해할 수 있도록 많은 기술적 세부 사항이 제안된다는 것을 이해할 수 있다. 그러나, 이러한 기술적 세부 사항 및 이하 각 실시예에 기반한 다양한 변경 및 수정이 없어도, 본원 발명이 보호받고자 하는 기술적 해결수단을 구현할 수 있다.
고급 디스플레이 제품에서 픽셀 구동 회로는 일반적으로 액티브 어레이를 사용하지만, 주류 액티브 드라이브 어레이 회로는 모두 아날로그 신호에 의해 구동되며, 회로 전력 소모가 높고, 신호 간섭이 용이하며, 구동 소자의 일치성 또는 보상 회로의 고도의 의존성 등과 같은 문제가 존재한다. 디지털 구동의 픽셀 회로는 전력 소모가 낮고, 신호가 쉽게 간섭되지 않으며, 구동 소자의 일치성에 대한 수용도가 높은 등 장점이 있다. 픽셀 밀도가 높은 디스플레이 제품에서 픽셀 사이즈가 비교적 작기에, 디지털 구동 회로에서 픽셀을 디자인할 경우의 스토리지 커패시터가 너무 작아, 하나의 프레임 시간 내에 신호 저장 유지율이 낮다.
본원 발명의 제1 실시예는 픽셀 회로에 관한 것이다. 구체적인 구조는 도 1에 도시된 바와 같다. 제1 트랜지스터(10), 제2 트랜지스터(20), 제3 트랜지스터(30), 스토리지 커패시터(40) 및 발광 소자(50)를 포함한다.
제1 트랜지스터(10)의 제어 단은 스캔 라인에 연결되고, 제1 트랜지스터(10)의 제1 단은 데이터 라인에 연결되며, 제1 트랜지스터(10)의 제2 단은 각각 스토리지 커패시터(40)의 제1 단과 제2 트랜지스터(20)의 제어 단에 연결되고, 스토리지 커패시터(40)의 제2 단은 전원 전압에 연결되며; 제3 트랜지스터(30)의 제어 단은 제어 라인에 연결되고, 제3 트랜지스터(30)의 제1 단은 전원 전압에 연결되며, 제3 트랜지스터(30)의 제2 단은 제2 트랜지스터(20)의 제1 단에 연결되고; 발광 소자(50)의 양극은 제2 트랜지스터(20)의 제2 단에 연결되며, 발광 소자(50)의 음극은 접지되고; 여기서, 제3 트랜지스터는 P형 트랜지스터이다.
여기서 설명해야 할 것은, 도 1의 픽셀 회로에서, 제1 트랜지스터(10), 제2 트랜지스터(20) 및 제3 트랜지스터(30)는 동일한 유형의 트랜지스터, 예를 들어, 제1 트랜지스터(10), 제2 트랜지스터(20) 및 제3 트랜지스터(30)는 모두 P형 박막 트랜지스터일 수 있다. 또는, 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터는 N형 트랜지스터이고, 제3 트랜지스터는 P형 트랜지스터이며, 여기서, 본 실시예에서 도 1의 3개 트랜지스터가 모두 P형 박막 트랜지스터인 것을 예로 회로를 예시적으로 설명할 경우, 다른 구체적인 실시 회로에서 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터는 다른 유형의 트랜지스터를 사용할 수 있고, 트랜지스터의 유형을 제한하지 않는다. 예를 들어, 본 실시예에서의 발광 소자(50)는 LED 또는 OLED를 포함할 수 있는 다양한 전류 구동 발광 소자(50), 또는 다른 유형의 발광 소자(50)일 수 있으며, 본 실시예에서 OLED를 예로 픽셀 회로의 작동 원리을 설명하면, 구체적인 실시 세부 사항은 실제 사용되는 발광 소자(50)의 적응성에 따라 조절할 수 있고, 여기서는 제한되지 않는다.
픽셀 회로에서 제3 트랜지스터(30)를 설치하고, 제3 트랜지스터(30)의 제어 단은 제어 라인에 연결되며, 제3 트랜지스터(30)의 제어 단을 통해 제어 라인에 의해 전송되는 구동 신호를 수신하고, 구동 신호는 발광 소자(50)의 밝기를 제어하는데 사용되며, 여기서, 제3 트랜지스터(30)는 구동 트랜지스터이다.
제1 트랜지스터(10) 및 제2 트랜지스터(20)는 스위칭 트랜지스터이고, 제1 트랜지스터(10) 및 제2 트랜지스터(20)의 제어 단의 전압은 상기 트랜지스터가 온 상태 또는 오프 상태에 처하도록 제어하는에 사용된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 트랜지스터(10)의 제어 단은 스캔 라인에 연결되고, 제1 트랜지스터(10)가 P형 박막 트랜지스터라면, 게이트는 스캔 라인에 연결되어, 스캔 라인에 의해 전송되는 전압 신호를 통해 제1 트랜지스터(10)가 온 상태 또는 오프 상태에 처하도록 제어할 수 있으며, 소스 또는 드레인은 데이터 라인에 연결되면 되고, 구체적인 연결 방식은 제한되지 않는다. 예를 들어, 제1 트랜지스터가 P형 박막 트랜지스터이면, 스캔 라인에 의해 전송되는 저압 신호는 제1 트랜지스터가 온 상태 상태에 처하도록 제어하고, 스캔 라인에 전송되는 고압 신호는 제1 트랜지스터가 오프 상태에 처하도록 제어한다. 제2 트랜지스터(20)의 제어 단은 제1 트랜지스터(10)의 제2 단, 즉, 도면에서 제1 트랜지스터(10) 오른쪽 일단에 연결되며, 제2 트랜지스터(20)가 P형 박막 트랜지스터이면, 게이트는 제1 트랜지스터(10)의 제1 단에 연결되고, 소스 또는 드레인은 발광 소자(50)의 양극에 연결하면 되며, 구체적인 회로 연결은 제한되지 않는다.
제3 트랜지스터는 P형 트랜지스터이고, 제3 트랜지스터는 구동 트랜지스터이며, 포화 영역에서 작동되고, 소스는 캐리어를 제공하여, 제3 트랜지스터가 온 상태에 처하도록 하므로, 제3 트랜지스터의 소스가 전원 전압에 연결되며, 드레인은 제2 트랜지스터에 연결된다.
본 실시예에서 , 상기 픽셀 회로는 구동되어, 발광 기간에, 데이터 기록 단계 및 발광 단계를 포함한다. 설명해야 할 것은, 발광 소자(50)에 대한 제어는 발광 및 비 발광을 포함한다. 예를 들어, 디지털 신호 "1"은 발광 소자(50)의 발광을 나타내고, 디지털 신호 "0"은 발광 소자(50)의 비 발광을 나타내며, 디지털 신호 "1" 또는 "0"이 모두 데이터 기록 단계 및 발광 단계를 포함하는 것에 대한 구별 점은, 디지털 신호 "1”에서 발광 단계의 발광 소자(50)는 발광 상태에 처하고, 디지털 신호 "0"에서 발광 단계의 발광 소자(50)는 꺼짐 상태에 처한다.
일 구체적 실시예에서, 저온 폴리 실리콘 기술(Low Temperature Poly-silicon, LTPS)로 제조된 픽셀 회로를 예로, 제3 트랜지스터(30)는 P형 박막 트랜지스터이고, 디지털 신호가 "1"일 경우, 데이터 기록 단계 시, 데이터 라인에 의해 전송되는 데이터 신호는 저전압이고, 발광 단계의 발광 소자(50)는 발광 상태에 처하며; 디지털 신호가 "0"일 경우, 데이터 기록 단계 시, 데이터 라인에 의해 전송되는 데이터 신호는 고전압이고, 발광 단계의 발광 소자(50)는 꺼짐 상태에 처한다.
본 실시예에서 제3 트랜지스터(30)는 구동 트랜지스터이고, 제3 트랜지스터(30)의 제어 단은 제어 라인에 연결되며, 제어 라인은 구동 신호를 전송하고, 제3 트랜지스터(30)는 항상 온 상태에 처할 수 있고, 발광 단계는 발광 소자(50)의 밝기를 제어하여, 픽셀 회로가 스토리지 커패시터(40)의 용량이 제한된 상황에서 발광 소자(50)의 밝기 균일성에 대한 제어를 구현하며, 이러한 제어 단에 의해 출력되는 구동 신호를 통해 발광 소자(50)의 밝기를 제어하는 방법은, 사용자의 체험감을 향상시킨다. 예를 들어, 일 실시예에서, 픽셀 회로의 제1 트랜지스터(10), 제2 트랜지스터(20) 및 제3 트랜지스터(30)가 P형 박막 트랜지스터와 같은 동일한 유형의 트랜지스터를 사용할 경우, P형 LTPS 기술로 상기 픽셀 회로를 제조할 수 있어, 공법의 난이도를 감소시키는 데 유리하여, 픽셀 회로의 홍보 및 생산에 유리하다.
상기는 예시일 뿐, 본원 발명의 기술적 해결수단을 제한하지는 않는다.
상기 실시예에서, 제3 트랜지스터의 제어 단은 제어 라인에 연결되고, 제어 라인에 의해 전송되는 구동 신호의 작용 하에서 제2 트랜지스터를 통해 구동 신호를 발광 소자에 전송하여, 발광 소자의 밝기가 구동 신호에 의해 제어되며, 픽셀 회로에서 스토리지 커패시터가 부족한 상황에서 발광 소자의 밝기에 대한 조절을 구현하며, 픽셀 회로의 밝기 균일성에 대한 제어를 향상시키고, 사용자의 체험을 향상시킨다.
본원 발명의 제2 실시예는 픽셀 회로에 관한 것이며, 제2 실시예는 제1 실시예와 거의 동일하고, 주요 구별 점은, 도 2에 도시된 바와 같이, 본원 발명의 제2 실시예에서 픽셀 회로의 구조를 제시하였으며, 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T2), 스토리지 커패시터(C1) 및 발광 소자를 포함하고, 제2 트랜지스터(I2)의 게이트는 제1 트랜지스터(T1)의 제1 단에 결합되며 노드(A)에 전기적으로 연결된다.
제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터 및 제3 트랜지스터는 예를 들어 모두 P형 박막 트랜지스터이고, 발광 소자는 OLED이다.
일 구체적 실시예에서, 서브 프레임 기간에서, 구체적으로는 프레임 화면을 시간상 복수의 서브 프레임으로 분할하고, 각 서브 프레임은 각각의 스캔 시간에 대응되며, 스캔 단계에서 먼저 데이터 기록한 후, 트랜지스터를 구동하여 발광 소자(OLED)의 밝기를 제어한다. 도 3은 서브 프레임 기간의 전압 변화 모식도이고, 서브 프레임 기간에서, 도 3의 SEL은 스캔 라인에 의해 출력되는 전압 신호를 나타내며, Vctrl은 제어 단에 의해 출력되는 구동 신호를 나타내고, DATA는 기록된 데이터를 나타낸다. 도 2 및 도 3을 결부시켜 참조하면, 디지털 신호 "1"의 상태일 경우, 스캔 라인은 저전압 신호를 제1 트랜지스터(T1)에 전송하고, 제1 트랜지스터(T1)는 온 상태에 처하며, 데이터 라인은 저전압 데이터 신호를 스토리지 커패시터(C1)에 전송하고, 동시에 Vctrl은 고전압 신호를 제3 트랜지스터(T3)의 제어 단에 전송하며, 제3 트랜지스터(T3)는 오프 상태에 처하여, 데이터 기록 단계임을 나타내고, 제3 트랜지스터(T3)는 오프 상태에 처하며, 발광 소자(OLED)는 발광하지 않고; 발광 단계에서, 스캔 라인은 고전압 신호를 제1 트랜지스터(T1)에 전송하며, 제1 트랜지스터(T1)는 오프 상태에 처하고, 저전압 데이터 신호는 스토리지 커패시터(C1)가 방전되도록 제어하며, 스토리지 커패시터(C1)의 제1 단은 저전압에 처하고, 제2 트랜지스터(T2)는 온 상태에 처하며, Vctrl은 저전압 상태이고, 제3 트랜지스터(T3)는 온 상태에 처하며, Vctrl에 의해 출력되는 구동 신호는 제3 트랜지스터(T3)를 통해 발광 소자(OLED)의 밝기를 제어한다.
디지털 신호 "0"의 상태일 경우, 데이터 기록 단계에서, 스캔 라인은 저전압 신호를 제1 트랜지스터(T1)에 전송하고, 제1 트랜지스터(T1)는 온 상태에 처하며, 데이터 라인은 고전압 데이터 신호를 스토리지 커패시터(C1)에 전송하고, 동시에 Vctrl은 고전압 신호를 제3 트랜지스터(T3)의 제어 단에 전송하며, 제3 트랜지스터(T3)는 오프 상태에 처하여, 데이터 기록 단계임을 나타내고, 제3 트랜지스터(T3)는 오프 상태에 처하며, 발광 소자(OLED)는 발광하지 않고; 발광 단계에서, 스캔 라인은 고전압 신호를 제1 트랜지스터(T1)에 전송하며, 제1 트랜지스터(T1)는 오프 상태에 처하고, 스토리지 커패시터(C1)의 제1 단은 고전압에 처하며, 제2 트랜지스터(T2)는 오프 상태에 처하고, 발광 소자(OLED)는 발광하지 않는다.
여기서, 구동 신호는 발광 소자(OLED)의 밝기를 제어하는 데 사용된다.
도 2에 도시된 회로에서 제3 트랜지스터는 포화 영역에서 작동되며, 제3 트랜지스터(T3) 게이트와 소스 사이의 전압(Vgs)은 전원 전압(VDD) 및 Vctrl에 연관되고, 여기서, VDD는 미리 설정된 값이고, Vctrl은 발광 소자(OLED)의 밝기를 제어하는 데 사용되며, 전체 제어판에서의 픽셀 회로의 밝기 균일성을 보장할 수 있다.
픽셀 회로에서 각 서브 프레임의 시간은 다를 수 있다. 예를 들어, 픽셀 회로가 프레임 화면에 표시될 경우, 시간상의 상기 프레임 화면은 복수의 서브 프레임으로 분할되며, 각 서브 프레임이 스캔을 완료하는 시간은 각각 1t, 1/2t, 1/4t, 1/8t...이고, t는 상기 프레임 화면의 전체 스캔 시간을 나타내며, 일 구체적 실시예에서, 상기 프레임 화면의 그레이 스케일이 256에 달할 경우, 8개의 서브 프레임이 필요하고, 8번째의 서브 프레임의 시간은 1/128t이다.
상기는 예시일 뿐, 본원 발명의 기술적 해결수단을 제한하지는 않는다.
본원 발명의 제3 실시예는 상기 제1 또는 제2 실시예의 픽셀 회로를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
디스플레이 장치는 유기 발광 디스플레이 또는 다른 디스플레이 장치일 수 있고, 상기 디스플레이 장치는 복수의 픽셀 유닛 어레이를 포함할 수 있고, 각 픽셀 어레이 유닛은 상기 제1 또는 제2 실시예의 픽셀 회로를 포함한다. 디스플레이 장치는 휴대폰, 태블릿 컴퓨터, TV, 모니터, 노트북 컴퓨터, 디지털 포토 프레임 또는 내비게이터 등과 같은 디스플레이 기능을 가진 제품 또는 부품일 수 있다.
디스플레이 장치의 픽셀 회로는 모두 제어판에 설치되며, 구체적인 픽셀 회로의 배열 설치 방식은 구체적으로 제한되지 않고, 디스플레이 장치에는 디스플레이 장치가 디스플레이되도록 사용되는 적어도 하나의 픽셀 회로를 포함한다.
일 구체적 실시예에서, 도 2의 픽셀 회로를 예를 들어, 제3 트랜지스터(T3)가 전원 전압(VDD)에 연결되면, 제3 트랜지스터의 게이트와 소스 사이의 구동 전압은 Vgs=VDD-Vctrl로 나타내고; 여기서, Vgs는 제3 트랜지스터의 구동 전압을 나타내며, VDD는 전원 전압을 나타내고, Vctrl은 제어 단에 의해 전송되는 전압 값을 나타낸다. 구체적 실시예에서, 픽셀 회로의 레이아웃을 디자인함으로써, VDD 및 Vctrl에 대한 레이아웃 디자인에서 회로 레이아웃 또는 픽셀 회로 구조 레이아웃의 영향을 감소시키고, 디스플레이 장치에서 제어판의 픽셀 회로의 밝기 균일성을 보장한다.
본 실시예는 제1 또는 제2 실시예에 대응되는 장치 실시예이고, 본 실시예는 제1 또는 제2 실시예와 서로 협력하여 실시할 수 있음을 쉽게 발견할 수 있다. 제1 또는 제2 실시예에서 언급된 관련 기술의 세부 사항은 본 실시예에서 여전히 유효하며, 반복을 줄이기 위해, 여기서는 더 서술하지 않는다. 상응하게, 본 실시예에서 언급된 관련 기술의 세부 사항도 제1 또는 제2 실시예에 응용될 수 있다.
본원 발명의 제4 실시예는 픽셀 회로의 구동 방법에 관한 것이다. 상기 제1 또는 제2 실시예에 응용되는 픽셀 회로 및 그 픽셀 회로의 구동 방법의 흐름은 도 4에 도시된 바와 같고, 하기와 같은 실시 단계를 포함한다.
단계 401: 제1 트랜지스터는 스캔 라인에 의해 출력되는 제1 전압 신호의 제어 하에서 온 상태에 처한다.
제1 전압은 픽셀 회로의 제1 트랜지스터의 유형에 따라 설치되어야 하고, 여기서, 제1 전압 신호를 통해 제1 트랜지스터가 대응되는 상태에 처하도록 제어하는 것만을 설명하며, 구체적으로는 픽셀 회로의 소자에 따라 설치되고, 여기서는 제한되지 않는다.
단계 402: 제1 트랜지스터는 데이터 라인에 의해 출력되는 데이터 신호를 스토리지 커패시터에 전송한다.
구체적으로는, 제1 트랜지스터가 데이터 라인에 의해 출력되는 데이터 신호를 스토리지 커패시터에 전송하는 과정에서, 데이터 신호는 숫자 정보를 포함하고, 데이터 신호는 고전압 데이터 신호 및 저전압 데이터 신호를 포함하며, 스토리지 커패시터를 제어하여 방전하거나 충전하고, 스토리지 커패시터의 충전 또는 방전이 완료된 후, 스캔 라인은 제2 전압 신호를 전송하여 제1 트랜지스터가 턴 오프되도록 제어한다.
제1 트랜지스터가 데이터 라인에 의해 출력되는 데이터 신호를 스토리지 커패시터에 전송하는 과정에서, 제3 트랜지스터의 제어 라인에 의해 출력되는 제어 신호 하에서 오프 상태에 처하고, 발광 소자는 꺼짐 상태에 처한다. 즉, 데이터 기록 단계에서, 발광 소자는 발광하지 않는다.
단계 403: 제1 트랜지스터는 스캔 라인에 의해 출력되는 제2 전압 신호의 제어 하에서 오프 상태에 처한다.
단계 404: 데이터 신호가 저전압 데이터 신호인지 여부를 판단하고, 만약 그렇다면, 단계 405를 수행하고, 그렇지 않으면, 단계 406을 수행한다.
단계 405: 제2 트랜지스터는 스토리지 커패시터의 출력 전압 신호의 제어 하에서 온 상태에 처하고, 제어 라인을 통해 구동 신호를 제3 트랜지스터에 전송하며, 제3 트랜지스터는 구동 신호에 따라 발광 소자를 구동한다.
여기서, 구동 신호는 구동 전류 및/또는 구동 전압을 포함한다.
구동 신호는 구동 전류 및/또는 구동 전압을 포함하고, 발광 소자의 특성에 따라 다양한 구동 신호를 설치하며, 전류에 의해 구동되는 발광 소자는 구동 신호를 구동 전류로 설치하고, 전압에 의해 구동되는 발광 소자는 구동 신호를 구동 전압으로 설치한다. 발광 소자가 다양한 특성의 발광 소자를 포함할 경우, 구동 신호는 구동 전류 및 구동 전압을 모두 가질 수 있다.
일 구체적 실시예에서, 데이터 신호는 저전압 데이터 신호이고, 스토리지 커패시터가 방전되도록 제어하며, 제2 트랜지스터의 제어 단이 저전압 신호로 결정된 후 스토리지 커패시터는 방전을 중지한다.
단계 406: 제2 트랜지스터는 스토리지 커패시터의 출력 전압 신호의 제어 하에서 오프 상태에 처한다.
일 구체적 실시예에서, 데이터 신호는 고전압 데이터 신호이고, 스토리지 커패시터가 충전되도록 제어하며, 제2 트랜지스터의 제어 단이 고전압 신호로 결정된 후 스토리지 커패시터는 충전을 중지한다.
이상, 구체적 구현은 대응되는 단계의 구체적인 세부 사항에 대한 설명 일 뿐이며, 구체적으로 제한되지 않는다.
상기 다양한 방법의 단계를 구분하는 것은 명확히 설명하기 위한 것 뿐이며, 구현할 경우, 하나의 단계로 합병하거나 일부 단계를 복수의 단계로 분할할 수 있으며, 동일한 논리적 관계를 포함하기만 하면 모두 본 특허의 보호 범위에 속하며; 알고리즘 또는 흐름에서 중요하지 않는 수정을 추가하거나 중요하지 않는 디자인을 도입하지만, 그 알고리즘 및 흐름을 변화시키지 않는 핵심 설계는 모두 본 특허의 보호 범위에 속한다.
본 실시예는 제1 또는 제2 실시예에 대응되는 구동 방법의 실시예이고, 본 실시예는 제1 또는 제2 실시예와 협력하여 실시할 수 있다. 제1 또는 제2 실시예에서 언급된 관련 기술의 세부 사항은 본 실시예에서 여전히 유효하며, 반복을 줄이기 위해, 여기서는 더 서술하지 않는다. 상응하게, 본 실시예에서 언급된 관련 기술의 세부 사항도 제1 또는 제2 실시예에 응용될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면, 상기 각 실시예는 본원 발명을 구현하기 위한 구체적 실시예이며, 실제 응용에서, 본원 발명의 구상 및 범위를 벗어나지 않는 상황에서 형식 및 세부 사항에서 이에 대해 다양한 변경이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (14)

  1. 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터, 제3 트랜지스터, 스토리지 커패시터 및 발광 소자를 포함하는 픽셀 회로로서,
    상기 제1 트랜지스터의 제어 단은 스캔 라인에 연결되며, 상기 제1 트랜지스터의 제1 단은 데이터 라인에 연결되고, 상기 제1 트랜지스터의 제2 단은 각각 상기 스토리지 커패시터의 제1 단 및 상기 제2 트랜지스터의 제어 단에 연결되며, 상기 스토리지 커패시터의 제2 단은 전원 전압에 연결되고;
    상기 제3 트랜지스터의 제어 단은 제어 라인에 연결되며, 상기 제3 트랜지스터의 제1 단은 상기 전원 전압에 연결되고, 상기 제3 트랜지스터의 제2 단은 상기 제2 트랜지스터의 제1 단에 연결되며;
    상기 발광 소자의 양극은 상기 제2 트랜지스터의 제2 단에 연결되고, 상기 발광 소자의 음극은 접지되는 픽셀 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터는 스위칭 트랜지스터이며, 상기 제3 트랜지스터는 구동 트랜지스터인 픽셀 회로.
  3. 제1항 내지 제2항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3 트랜지스터는 P형 트랜지스터이며; 상기 제3 트랜지스터의 제1 단은 소스이고, 상기 제3 트랜지스터의 제2 단은 드레인인 픽셀 회로.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제3 트랜지스터는 P형 박막 트랜지스터인 픽셀 회로.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터 및 상기 제3 트랜지스터는 동일한 유형의 트랜지스터인 픽셀 회로.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터 및 상기 제3 트랜지스터는 모두 P형 박막 트랜지스터인 픽셀 회로.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터는 N형 트랜지스터이며; 상기 제3 트랜지스터는 P형 트랜지스터인 픽셀 회로.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 발광 소자는 유기 발광 다이오드인 픽셀 회로.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 픽셀 회로를 포함하는 디스플레이 장치.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 픽셀 회로에 응용되는 픽셀 회로의 구동 방법으로서,
    상기 픽셀 회로의 구동 방법은,
    상기 스캔 라인에 의해 출력되는 제1 전압 신호를 통해 상기 제1 트랜지스터가 온 상태에 처하도록 제어하는 단계;
    상기 제1 트랜지스터가 상기 데이터 라인에 의해 출력되는 데이터 신호를 상기 스토리지 커패시터에 전송하는 단계;
    상기 스캔 라인에 의해 출력되는 제2 전압 신호를 통해 상기 제1 트랜지스터가 오프 상태에 처하도록 제어하는 단계; 및
    상기 스토리지 커패시터의 출력 전압 신호를 통해 상기 제2 트랜지스터가 온 상태에 처하도록 제어하고, 제어 라인을 통해 구동 신호를 상기 제3 트랜지스터에 전송하며, 상기 제3 트랜지스터가 상기 구동 신호에 따라 상기 발광 소자를 구동하거나, 상기 스토리지 커패시터의 출력 전압 신호를 통해 상기 제2 트랜지스터가 오프 상태에 처하도록 제어하는 단계를 포함하고;
    상기 구동 신호는 구동 전류 및/또는 구동 전압을 포함하는 픽셀 회로의 구동 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 스캔 라인에 의해 출력되는 제2 전압 신호를 통해 상기 제1 트랜지스터가 오프 상태에 처하도록 제어하는 단계 이전에,
    상기 제어 라인에 의해 출력되는 제어 신호를 통해 상기 제3 트랜지스터가 오프 상태에 처하도록 제어하며, 상기 발광 소자가 꺼짐 상태에 처하는 단계를 더 포함하는 픽셀 회로의 구동 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 구동 신호는 상기 발광 소자의 발광 밝기를 제어하는데 사용되는 픽셀 회로의 구동 방법.
  13. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 데이터 라인이 저전압 데이터 신호를 전송할 경우;
    상기 제1 트랜지스터가 상기 데이터 라인에 의해 출력되는 데이터 신호를 상기 스토리지 커패시터에 전송하는 단계 이후,
    상기 스토리지 커패시터가 방전되도록 제어하고, 상기 제2 트랜지스터의 제어 단이 저전압 신호로 결정된 후 상기 스토리지 커패시터의 방전을 중지하는 단계를 더 포함하는 픽셀 회로의 구동 방법.
  14. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 데이터 라인이 고전압 데이터 신호를 전송할 경우;
    상기 제1 트랜지스터가 상기 데이터 라인에 의해 출력되는 데이터 신호를 상기 스토리지 커패시터에 전송하는 단계 이후,
    상기 스토리지 커패시터가 충전되도록 제어하고, 상기 제2 트랜지스터의 제어 단이 고전압 신호로 결정된 후 상기 스토리지 커패시터의 충전을 중지하는 단계를 더 포함하는 픽셀 회로의 구동 방법.
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