KR20210062128A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20210062128A
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배윤성
김태중
강영일
김인호
박상길
임승규
조태영
최두철
최인수
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 개시한다. 그의 장치는, 기판을 탑재하는 캐리어를 수납하는 로드 포트와, 상기 기판을 가열하는 히터 전극들을 구비하는 정전 척을 포함하고, 상기 기판을 식각하는 식각 장치와, 상기 식각 장치 및 상기 로드 포트 사이에 배치되어 상기 기판을 반송하는 반송 모듈과, 상기 반송 모듈및 상기 로드 포트 사이에 배치되는 인터페이스 모듈; 상기 인터페이스 모듈의 일측에 배치되어 상기 기판을 대기시키는 설비 전후 모듈과, 상기 설비 전후 모듈 내에 배치되어 상기 기판의 임계치수를 측정하는 임계치수 측정기와, 상기 임계치수 측정기 및 상기 히터전극들에 연결되고, 상기 측정된 임계치수에 따라 상기 히터 전극들에 제공되는 히팅 파워를 제어하는 제어부를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{substrate processing apparatus}
본 발명은 반도체 소자의 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 다수의 단위 공정들에 의해 제조될 수 있다. 단위 공정들은 박막 증착 공정, 리소그래피 공정, 및 식각 공정을 포함할 수 있다. 박막 증착 공정과 식각 공정은 주로 플라즈마에 의해 수행될 수 있다. 플라즈마는 기판을 고온으로 처리(treat)할 수 있다. 박막의 증착 속도는 기판의 온도에 따라 변화될 수 있다. 또한, 기판의 식각 속도는 상기 기판의 온도에 따라 변화될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판의 임계치수 산포를 개선시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 기판 처리 장치를 개시한다. 그의 장치는, 기판을 탑재하는 캐리어를 수납하는 로드 포트; 상기 기판을 가열하는 히터 전극들을 구비하는 정전 척을 포함하고, 상기 기판을 식각하는 식각 장치; 상기 식각 장치와 상기 로드 포트 사이에 배치되어 상기 기판을 반송하는 반송 모듈; 상기 반송 모듈과 상기 로드 포트 사이에 배치되는 인터페이스 모듈; 상기 인터페이스 모듈의 일측에 배치되어 상기 기판을 대기시키는 설비 전후 모듈; 상기 설비 전후 모듈 내에 배치되어 상기 기판의 임계치수를 측정하는 임계치수 측정기; 및 상기 임계치수 측정기 및 상기 히터전극들에 연결되고, 상기 측정된 임계치수에 따라 상기 히터 전극들에 제공되는 히팅 파워를 제어하는 제어부를 포함한다.
본 발명의 개념에 따른 기판 처리 장치의 측정기에 의해 검출된 기판의 임계치수에 따라 히터 전극들에 제공되는 히팅 파워를 제어하여 임계치수 산포를 개선시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 발명의 개념에 따른 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 I-I' 선상을 절취하여 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 히터 전극들의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 2의 히터 전극들의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 1의 II-II' 선상을 절취하여 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 1의 제어부에 의해 획득되는 제 1 내지 제 3 임계치수들을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 기판 처리 방법의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 1은 본 발명의 발명의 개념에 따른 기판 처리 장치(100)의 일 예를 보여준다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 반도체 소자의 제조 장치일 수 있다. 일 예로, 기판 처리 장치(100)는 로드 포트(10), 인터페이스 모듈(20), 로드락 모듈(30), 반송 모듈(40), 식각 장치들(50), 에싱 장치(60), 설비 전후 모듈(Equipment Front End Module: 이하, EFEM, 70), 임계치수 측정기(80), 및 제어부(90)를 포함할 수 있다.
로드 포트(10)는 캐리어(12)를 수납할 수 있다. 캐리어(12)는 FOUP(Front Opening Unified Pod)를 포함할 수 있다. 캐리어(12)는 기판(W)을 탑재(storage)할 수 있다. 예를 들어, 캐리어(12)는 약 30개 내지 약 50개의 기판(W)을 탑재할 수 있다.
인터페이스 모듈(20)은 로드 포트(10)와 로드락 모듈(30) 사이에 배치될 수 있다. 인터페이스 모듈(20)은 제 1 로봇 암(22)을 가질 수 있다. 제 1 로봇 암(22)은 기판(W)을 로드 포트(10) 내의 캐리어(12)와 로드락 모듈(30) 사이에 전달할 수 있다.
로드락 모듈(30)은 인터페이스 모듈(20)과 반송 모듈(40) 사이에 배치될 수 있다. 로드락 모듈(30)은 로드락 챔버일 수 있다.
반송 모듈(40)은 로드락 모듈(30)과 식각 장치들(50) 사이에 연결될 수 있다. 반송 모듈(40)은 제 2 로봇 암(42)을 가질 수 있다. 제 2 로봇 암(42)은 식각 장치들(50), 로드락 모듈(30), 및 에싱 장치(60) 내에 기판(W)을 제공할 수 있다.
식각 장치들(50)은 반송 모듈(40)에 연결될 수 있다. 로드락 모듈(30), 식각 장치들(50) 및 에싱 장치(60)는 반송 모듈(40)에 클러스터 타입으로 연결될 수 있다. 식각 장치들(50)은 기판(W)을 포토레지스트 패턴의 마스크 패턴에 따라 식각할 수 있다.
도 2는 도 1의 I-I' 선상을 절취하여 보여준다.
도 2를 참조하면, 식각 장치들(50)은 ICP(Inductively Coupled Plasma) 식각 장치일 수 있다. 이와 달리, 식각 장치들(50)은 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 식각 장치일 수 있다. 일 예로, 식각 장치들(50)의 각각은 식각 챔버(510), 가스 공급부(520), 파워 전극들(530), 파워 공급부(540), 및 정전 척(550)을 포함할 수 있다.
식각 챔버(510)는 기판(W)에 대해 외부로부터 독립된 공간을 제공할 수 있다. 식각 챔버(510)는 약 1X10-3Torr 내지 1X10-6Torr의 진공도를 가질 수 있다. 일 예로, 식각 챔버(510)는 하부 하우징(512), 및 상부 하우징(514)을 포함할 수 있다. 하부 하우징(512) 정전 척(550)을 둘러쌀 수 있다. 상부 하우징(514)은 하부 하우징(512) 상에 배치될 수 있다. 기판(W)이 식각 챔버(510) 내에 제공될 때, 하부 하우징(512)은 상부 하우징(514)으로부터 분리될 수 있다. 기판(W)이 정전 척(550) 상에 수납되면, 하부 하우징(512)은 상부 하우징(514)과 결합될 수 있다.
가스 공급부(520)는 상부 하우징(514)에 연결될 수 있다. 가스 공급부(520)는 식각 챔버(510) 내에 반응 가스(516)를 제공할 수 있다. 예를 들어, 반응 가스(516)는 SF6, CH3, 또는 HF를 포함할 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
파워 전극들(530)은 식각 챔버(510)의 상부 및 하부에 배치될 수 있다. 일예로, 파워 전극들(530)은 안테나(532), 바이어스 전극(534), 및 척킹 전극(536)을 포함할 수 있다. 안테나(532)는 상부 하우징(514) 상에 배치될 수 있다. 안테나(532)는 소스 파워(541)를 이용하여 식각 챔버(510) 내에 원격으로 플라즈마를 유도할 수 있다. 바이어스 전극(534)은 정전 척(550) 내에 배치될 수 있다. 예를 들어, 바이어스 전극(534)은 척 베이스일 수 있다. 바이어스 전극(534)은 바이어스 파워(543)를 이용하여 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킬 수 있다. 기판(W)의 식각 속도는 바이어스 파워(543)에 비례하여 증가할 수 있다. 척킹 전극(536)은 바이어스 전극(534) 상의 정전 척(550) 내에 배치될 수 있다. 척킹 전극(536)은 척킹 전압(545)을 이용하여 기판(W)을 정전 척(550) 상에 고정시킬 수 있다.
파워 공급부(540)는 안테나(532), 바이어스 전극(534), 및 척킹 전극(536)에 연결될 수 있다. 일 예로, 파워 공급부(540)는 소스 파워 공급부(542), 바이어스 파워 공급부(544), 및 척킹 파워 공급부(546)를 포함할 수 있다.
소스 파워 공급부(542)는 안테나(532)에 연결될 수 있다. 소스 파워 공급부(542)는 소스 파워(541)를 안테나(532)에 공급할 수 있다. 바이어스 파워 공급부(544)는 바이어스 전극(534)에 연결될 수 있다 바이어스 파워 공급부(544)는 바이어스 파워(543)를 바이어스 전극(534)에 제공할 수 있다. 척킹 파워 공급부(546)는 척킹 전극(536)에 연결될 수 있다. 척킹 파워 공급부(546)는 척킹 전압(545)을 척킹 전극(536)에 공급할 수 있다.
정전 척(550)은 하부 하우징(512)의 하부 내에 배치될 수 있다. 정전 척(550)은 척킹 전압(545)을 이용하여 기판(W)을 고정할 수 있다. 일 예로, 정전 척(550)은 절연층(552)과 상기 절연층(552) 내의 히터 전극들(554)을 포함할 수 있다.
절연층(552)은 바이어스 전극(534) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 절연층(552)은 세라믹 디스크를 포함할 수 있다. 척킹 전극(536)은 절연층(552) 내에 배치될 수 있다.
히터 전극들(554)은 척킹 전극(536)과 바이어스 전극(534) 사이의 절연층(552) 내에 배치될 수 있다. 히터 전극들(554)은 히팅 파워(94)를 이용하여 기판(W)을 가열할 수 있다.
도 3은 도 2의 히터 전극들(554)의 일 예를 보여준다.
도 3을 참조하면, 히터 전극들(554)은 링 모양을 가질 수 있다. 일 에로, 히터 전극들(554)은 제 1 내지 제 4 링 전극들(554a, 554b, 554c, 554d)을 포함할 수 있다. 제 1 링 전극(554a)은 평면적인 관점에서 정전 척(550)의 중심에 배치될 수 있다. 제 1 링 전극(554a)은 기판(W)의 중심을 가열할 수 있다. 제 2 링 전극(554b)은 제 1 링 전극(554a)의 외곽에 배치될 수 있다. 제 2 링 전극(554b)은 제 1 링 전극(554a)을 둘러쌀 수 있다. 제 3 링 전극(554c)은 제 2 링 전극(554b)의 외곽에 배치될 수 있다. 제 3 링 전극(554c)은 제 2 링 전극(554b)을 둘러쌀 수 있다. 제 2 링 전극(554b) 및 제 3 링 전극(554c)은 기판(W)의 중심과 가장자리 사이의 중간을 가열할 수 있다. 제 4 링 전극(554d)은 제 3 링 전극(554c) 외곽의 정전 척(550)의 가장자리에 배치될 수 있다. 제 4 링 전극(554d)은 제 3 링 전극(554c)을 둘러쌀 수 있다. 제 4 링 전극(554d)은 기판(W)의 가장자리를 가열할 수 있다.
도 4는 도 2의 히터 전극들(554)의 일 예를 보여준다.
도 4를 참조하면, 히터 전극들(554)은 부채꼴 모양을 가질 수 있다. 일 예로, 히터 전극들(554)은 외부 섹터 전극들(556) 및 내부 섹터 전극들(558)을 포함할 수 있다. 외부 섹터 전극들(556)은 정전 척(550)의 가장자리 상에 배치될 수 있다. 외부 섹터 전극들(556)은 기판(W)의 가장자리를 가열할 수 있다. 내부 섹터 전극들(558)은 정전 척(550)의 반지름(R) 방향으로 외부 섹터 전극들(556) 사이에 배치될 있다. 내부 섹터 전극들(558)은 기판(W)의 중심을 가열할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 에싱 장치(60)는 식각 장치들(50)에 인접하여 반송 모듈(40)에 연결될 수 있다. 에싱 장치(60)는 식각 공정이 완료된 기판(W) 상의 포토레지스트 패턴을 제거할 수 있다. 예를 들어, 에싱 장치(60)는 리모트 플라즈마를 이용하여 포토레지스트를 제거할 수 있다. 반송 모듈(40)의 제 2 로봇 암(42)는 기판(W)을 인터페이스 모듈(20)의 제 1 로봇 암(22)에 전달할 수 있다. 제 1 로봇 암(22)은 기판(W)을 EFEM(70)에 제공할 수 있다.
EFEM(70)은 인터페이스 모듈(20)의 일측에 배치될 수 있다. EFEM(70)은 기판(W)을 일시적으로 대기시킬 수 있다. EFEM(70)은 외부의 대기압과 인터페이스 모듈(20)의 진공압을 완충시킬 수 있다.
임계치수 측정기(80)는 EFEM(70) 내에 배치될 수 있다. 임계치수 측정기(80)는 기판(W) 상의 패턴들(102)의 임계치수들을 측정할 수 있다. 예를 들어, 임계치수 측정기(80)는 엘립소미터(ellipsometer)를 포함할 수 있다. 이와 달리, 임계치수 측정기(80)는 전자현미경을 포함할 수 있다.
도 5는 도 1의 II-II' 선상을 절취하여 보여준다.
도 5를 참조하면, 임계치수 측정기(80)는 스테이지(81), 광원(82), 편광자(84), 제 1 미러(85), 제 2 미러(86), 분석자(analyzer, 87), 및 광 센서(88)를 포함할 수 있다.
스테이지(81)는 기판(W)을 수납할 수 있다. 스테이지(81)는 제 1 방향(X) 또는 제 2 방향(Y)으로 기판(W)을 이동시킬 수 있다.
광원(82)은 레이저 빔(83)을 생성한다. 광원(82)은 티타늄 사파이어 레이저를 포함할 수 있다. 레이저 빔(83)은 약 980nm의 파장을 가질 수 있다.
편광자(84)는 스테이지(81)와 광원(82) 사이에 배치될 수 있다. 편광자(84)는 레이저 빔(83)을 편광시킬 수 있다. 레이저 빔(83)은 원 편광 또는 타원 편광을 가질 수 있다.
제 1 미러(85)는 편광자(84)와 스테이지(81) 사이에 배치될 수 있다. 제 1 미러(85)는 레이저 빔(83)을 기판(W)에 반사할 수 있다. 제 1 미러(85)는 광원(82) 및 편광자(84)를 제 3 방향(Z)으로 배치시켜 EFEM(70)의 공간적 제약을 감소시킬 수 있다.
제 2 미러(86)는 제 1 미러(85)와 마주하여 배치될 수 있다. 제 2 미러(86)는 반사된 레이저 빔(83)을 수신하여 분석자(87)에 제공할 수 있다. 제 2 미러(86)는 분석자(87) 및 센서(88)를 제 3 방향(Z)으로 배치시켜 EFEM(70)의 공간적 제약을 감소시킬 수 있다.
분석자(87)는 제 2 미러(86)와 센서(88) 사이에 배치될 수 있다. 분석자(87)는 편광 방향에 따라 반사된 레이저 빔(83)을 선택적으로 투과시킬 수 있다. 분석자(87)는 편광자(84)와 다른 방향의 레이저 빔(83)을 흡수할 수 있다.
광 센서(88)는 분석자(87) 상에 배치될 수 있다. 광 센서(88)는 투과된 레이저 빔(83)을 검출하여 기판(W)의 이미지를 획득할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 온도 센서(92)가 정전 척(550) 내에 제공될 수 있다. 온도 센서(92)는 제어부(90)에 연결될 수 있다. 제어부(90)는 온도 센서(92)의 온도 검출 신호를 이용하여 정전 척(550)의 온도를 획득할 수 있다.
또한, 제어부(90)는 임계치수 측정기(80) 및 히터 전극들(554)에 연결될 수 있다. 일 예로, 제어부(90)는 획득된 기판(W)의 이미지를 이용하여 임계치수들을 획득하고, 임계치수들에 근거하여 히터 전극들(554)에 제공되는 히팅 파워(94)를 제어할 수 있다.
도 6은 도 1의 제어부(90)에 의해 획득되는 제 1 내지 제 3 임계치수들(CD1, CD2, CD3)을 보여준다.
도 6을 참조하면, 제어부(90)는 기판(W) 상의 패턴들(102)의 위치에 따라 제 1 내지 제 3 임계치수들(CD1, CD2, CD3)을 획득할 수 있다. 예를 들어, 패턴들(102)은 라인 패턴일 수 있다. 이와 달리, 패턴들(102)은 트렌치 패턴, 및 콘택 패턴을 포함할 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 제 1 임계치수(CD1)는 기판(W)의 중심에서 획득될 수 있다. 제 2 임계 치수(CD2)는 기판(W)의 중심과 가장자리 사이에서 획득될 수 있다. 제 3 임계 치수(CD3)는 기판(W)의 가장자리에서 획득될 수 있다.
제어부(90)는 제 1 내지 제 3 임계치수들(CD1, CD2, CD3)에 근거하여 히터 전극들(554)에 제공되는 히팅 파워를 제어할 수 있다. 제어부(90)는 제 1 내지 제 3 임계치수들(CD1, CD2, CD3)을 기준 임계치수와 비교하여 히터 전극들(554)의 히팅 파워를 제어할 수 있다. 제 1 내지 제 3 임계치수들(CD1, CD2, CD3)dl 기준 임계치수와 다를 경우, 임계치수 산포는 악화될 수 있다. 제 1 임계치수(CD1)가 기준 임계치수보다 높으면, 제어부(90)는 제 1 히터 전극(564a)의 히팅 파워를 감소시킬 수 있다. 제 1 임계치수(CD1)가 기준 임계치수보다 낮으면, 제어부(90)는 제 1 히터 전극(564a)의 히팅 파워를 증가시킬 수 있다. 따라서, 임계치수 산포(uniformity)는 개선될 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 기판 처리 장치(100)를 이용한 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 7은 본 발명의 기판 처리 방법의 일 예를 보여준다.
도 7을 참조하면, 제어부(90)는 식각 장치들(50)의 제어값을 설정한다(S10). 예를 들어, 제어부(90)는 히팅 파워(94)의 제어 값을 설정할 수 있다. 히팅 파워(94)의 제어 값은 기준 임계치수와 제 1 내지 제 3 임계치수들(CD1, CD2, CD3)에 따라 결정될 수 있다.
다음, 식각 장치들(50)은 기판(W)의 식각 공정을 수행한다(S20). 기판(W)은 식각 챔버(510) 내의 정전 척(550) 상에 제공될 수 있다. 가스 공급부(520)는 반응 가스(516)를 식각 챔버(510) 내에 제공할 수 있다. 소스 파워 공급부(542)는 소스 파워(541)를 안테나(532)에 제공하여 식각 챔버(510) 내에 플라즈마를 유도할 수 있다. 바이어스 파워 공급부(544)는 바이어스 파워(543)를 바이어스 전극(534)에 제공하여 플라즈마를 기판(W)에 집중시킬 수 있다. 기판(W)은 바이어스 파워(543)에 비례하여 식각될 수 있다. 기판(W)의 식각 공정이 완료되면, 반송 모듈(40)의 제 2 로봇 암(42)은 기판(W)을 에싱 장치(60)에 제공할 수 있다. 에싱 장치(60)는 기판(W) 상의 포토레지스트 패턴을 제거할 수 있다. 제 2 로봇 암(42)은 기판(W)을 인터페이스 모듈(20)의 제 1 로봇 암(22)에 전달할 수 있다. 제 1 로봇 암(22)은 기판(W)을 EFEM(70) 내의 임계치수 측정기(80)의 스테이지(81) 상에 제공할 수 있다.
그 다음, 임계 치수 측정기(80)는 기판(W) 상의 패턴들(102)의 임계치수를 측정한다(S30). 예를 들어, 임계 치수 측정기(80)는 기판(W)의 위치에 따라 제 1 내지 제 3 임게치수들(CD1, CD2, CD3)을 측정할 수 있다.
그 후, 제어부(90)는 임계치수에 근거하여 기판(W)의 위치별 제어값을 계산한다(S40). 제어부(90)는 제 1 내지 제 3 임계치수들(CD1, CD2, CD3)을 기준 임계치수와 비교할 수 있다. 제어부(90)는 제 1 내지 제 3 임계치수들(CD1, CD2, CD3)과 기준 임계치수의 차이 값들을 계산하고, 상기 차이 값들에 대응되는 히팅 파워(94)를 계산할 수 있다.
그리고, 제어부(90)는 제어 값에 따라 후속 공정을 제어한다(S50). 예를 들어, 제어부(90)는 후속의 식각 공정에서 계산된 히팅 파워(94)를 히터 전극들(554)에 제공할 수 있다. 식각 공정이 완료된 기판(W)의 임계치수 산포는 개선될 수 있다.
마지막으로, 공정 모니터링을 종료할 것인지를 판별한다(S60). 공정 모니터링을 종료하지 않을 경우, 식각 공정을 수행하는 단계(S20), 임계치수를 측정하는 단계(S30), 기판(W)의 위치별 제어값을 계산하는 단계(S40), 및 제어 값에 따라 후속 공정을 제어하는 단계(S50)는 반복될 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 기판을 탑재하는 캐리어를 수납하는 로드 포트;
    상기 기판을 가열하는 히터 전극들을 구비하는 정전 척을 포함하고, 상기 기판을 식각하는 식각 장치;
    상기 식각 장치와 상기 로드 포트 사이에 배치되어 상기 기판을 반송하는 반송 모듈;
    상기 반송 모듈과 상기 로드 포트 사이에 배치되는 인터페이스 모듈;
    상기 인터페이스 모듈의 일측에 배치되어 상기 기판을 대기시키는 설비 전후 모듈;
    상기 설비 전후 모듈 내에 배치되어 상기 기판의 임계치수를 측정하는 임계치수 측정기; 및
    상기 임계치수 측정기 및 상기 히터전극들에 연결되고, 상기 측정된 임계치수에 따라 상기 히터 전극들에 제공되는 히팅 파워를 제어하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 임계치수 측정기는 엘립소미터를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 임계치수 측정기는:
    상기 기판을 수납하는 스테이지;
    상기 기판에 제공되는 레이저 빔을 생성하는 광원;
    상기 광원과 상기 스테이지 사이에 배치되고, 상기 레이저 빔을 편광시켜 상기 기판에 제공하는 편광기;
    상기 기판에서 반사되는 상기 레이저 빔을 투과시키는 분석자; 및
    상기 분석자에서 투과되는 상기 레이저 빔을 검출하는 센서를 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 임계치수 측정기는:
    상기 편광기와 상기 스테이지 사이에 배치되어 상기 레이저 빔을 상기 기판에 반사하는 제 1 미러; 및
    상기 스테이지와 상기 분석자 사이에 배치되어 상기 레이저 빔을 상기 기판에서 반사된 상기 레이저 빔을 상기 분석자에 반사하는 제 2 미러를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 반송 모듈에 연결되어 상기 기판 상의 포토레지스트를 제거하는 에싱 장치를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서
    상기 히터 전극들은 링 모양을 갖는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서
    상기 히터 전극들은:
    상기 정전 척의 중심에 배치된 제 1 링 전극; 및
    상기 정전 척의 가장자리에 배치되어 상기 제 1 링 전극을 둘러싸는 제 2 링 전극을 포함하는 기판 차리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 히터 전극들은 부채꼴 모양을 갖는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 히터 전극들은:
    상기 정전 척의 가장자리 내에 배치된 외부 섹터 전극들: 및
    상기 외부 섹터 전극들 사이의 상기 정전 척의 중심 내에 배치된 내부 섹터 전극들을 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 정전 척은 상기 히터 전극들을 둘러싸는 절연 층을 더 포함하는 기판 처리 장치.
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