KR20210055599A - Dicing tape and dicing die-bonding film - Google Patents

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KR20210055599A
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히로시 나카우라
유타 기무라
고헤이 다케다
히데토시 마이카와
다이키 우에노
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

The present invention relates to a dicing tape on which an adhesive layer is laminated on a base material layer, wherein a tensile storage elastic modulus at -10°C is 50 to 250 Mpa. An object of the present invention is to provide the dicing tape and the dicing die-bonding film capable of sufficiently holding a cuff.

Description

다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름{DICING TAPE AND DICING DIE-BONDING FILM}Dicing tape and dicing die-bonding film {DICING TAPE AND DICING DIE-BONDING FILM}

[관련 출원의 상호 참조][Cross reference of related applications]

본원은, 일본 특허 출원 제2019-202485호의 우선권을 주장하고, 인용에 의해 본원 명세서의 기재에 포함된다.This application claims the priority of Japanese Patent Application No. 2019-202485, and is incorporated into the description of this specification by reference.

본 발명은, 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a dicing tape and a dicing die bonding film.

종래, 반도체 장치의 제조에 있어서, 다이 본딩용의 반도체 칩을 얻기 위해, 다이싱 테이프나 다이싱 다이 본드 필름을 사용하는 것이 알려져 있다.Conventionally, in the manufacture of a semiconductor device, it is known to use a dicing tape or a dicing die bonding film in order to obtain a semiconductor chip for die bonding.

상기 다이싱 테이프는 기재층 상에 점착제층이 적층되어 구성되어 있고, 상기 다이싱 다이 본드 필름은, 상기 다이싱 테이프의 점착제층 상에 다이 본드층이 박리 가능하게 적층되어 구성되어 있다.The dicing tape is constituted by laminating a pressure-sensitive adhesive layer on a base layer, and the dicing die-bonding film is constituted by laminating a die-bonding layer on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape so as to be peelable.

그리고, 상기 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 다이 본딩용의 반도체 칩(다이)을 얻는 방법으로서, 반도체 웨이퍼를 할단 처리에 의해 칩(다이)으로 가공해야 할 반도체 웨이퍼에 홈을 형성하는 하프컷 공정과, 하프컷 공정 후의 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 하는 백그라인드 공정과, 백그라인드 공정 후의 반도체 웨이퍼의 일면(예를 들어, 회로면과는 반대측의 면)을 다이 본드층에 첩부하여, 다이싱 테이프에 반도체 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 하프컷 가공된 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 반도체 칩끼리의 간격을 유지하는 커프 유지 공정과, 다이 본드층과 점착제층 사이를 박리하여 다이 본드층이 첩부된 상태에서 반도체 칩을 취출하는 픽업 공정과, 다이 본드층이 첩부된 상태의 반도체 칩을 피착체(예를 들어, 실장 기판 등)에 접착시키는 다이 본드 공정을 갖는 방법을 채용하는 것이 알려져 있다.And, as a method of obtaining a semiconductor chip (die) for die bonding by using the dicing die-bonding film, a half-cut process of forming a groove in a semiconductor wafer to be processed into chips (die) by cutting the semiconductor wafer. And, a backgrinding process in which the semiconductor wafer after the half-cut process is ground to reduce its thickness, and one surface of the semiconductor wafer after the backgrinding process (for example, a surface opposite to the circuit surface) is affixed to the die bonding layer, and the die The mounting process of fixing the semiconductor wafer to the sinking tape, the expanding process of increasing the gap between half-cut semiconductor chips, the cuff holding process of maintaining the gap between the semiconductor chips, and the peeling between the die bonding layer and the pressure-sensitive adhesive layer Thus, a method having a pick-up process for taking out a semiconductor chip while the die-bonding layer is affixed, and a die-bonding process for adhering the semiconductor chip in a state where the die-bonding layer is affixed to an adherend (for example, a mounting substrate, etc.) It is known to employ.

또한, 상기 커프 유지 공정에 있어서는, 다이싱 테이프에 열풍(예를 들어, 100 내지 130℃)을 쐬어 다이싱 테이프를 열수축시킨 후 냉각 고화시켜, 할단된 인접하는 반도체 칩간의 거리(커프)를 유지하고 있다.In addition, in the cuff holding process, hot air (for example, 100 to 130°C) is applied to the dicing tape to heat-shrink the dicing tape and then cool and solidify to maintain the distance (cuff) between the divided adjacent semiconductor chips. I'm doing it.

또한, 상기 익스팬드 공정에서는, 상기 다이 본드층은, 개편화된 복수의 반도체 칩의 사이즈에 상당하는 크기로 할단된다.Further, in the expanding process, the die-bonding layer is divided into a size corresponding to the size of a plurality of individualized semiconductor chips.

상기와 같은 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 다이 본딩용의 반도체 칩을 얻는 방법에 있어서, 특허문헌 1에는, 특정 물성을 갖는 다이싱 테이프(-10℃에서의 초기 탄성률이 200㎫ 이상 380㎫ 이하, 및, -10℃에서의 Tanδ(손실 탄성률/저장 탄성률)가 0.080 이상 0.3 이하인 다이싱 테이프)를 사용하고, 또한, 상기 익스팬드 공정을 -15 내지 5℃의 저온 조건에서 행함으로써, 상기 익스팬드 공정에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 할단성(예를 들어, 할단의 용이성이나 균일 할단성 등)을 향상시킬 수 있는 것이 개시되어 있다.In the method of obtaining a semiconductor chip for die bonding using the above dicing die-bonding film, Patent Document 1 discloses a dicing tape having specific physical properties (the initial elastic modulus at -10°C is 200 MPa or more and 380 MPa or less. , And Tanδ (loss elastic modulus/storage elastic modulus) at -10°C is a dicing tape having 0.080 or more and 0.3 or less), and further, by performing the expanding process at a low temperature condition of -15 to 5°C, the expansion In the pending process, it is disclosed that the cutting property (eg, ease of cutting, uniform cutting property, etc.) from the semiconductor wafer to a plurality of semiconductor chips can be improved.

일본 특허 공개 제2015-185591호 공보Japanese Patent Publication No. 2015-185591

그런데, 반도체 칩은, 용도에 따라서 요구되는 크기가 다르다.By the way, the size required for semiconductor chips differs depending on the application.

그리고, 요구되는 반도체 칩의 크기가 작아질수록, 동일한 크기의 반도체 웨이퍼를 익스팬드하여 복수의 반도체 칩으로 개편화하는 경우, 반도체 웨이퍼에 형성되는 홈(할단 라인)의 수는 많아지고, 할단 라인의 수가 많아질수록, 익스팬드 공정에 있어서 반도체 칩끼리의 간격을 충분히 넓히기 위해, 다이싱 테이프 또는 다이싱 다이 본드 필름을 보다 잡아늘릴 필요가 있다.And, as the size of the required semiconductor chip decreases, when a semiconductor wafer of the same size is expanded and divided into a plurality of semiconductor chips, the number of grooves (dividing lines) formed in the semiconductor wafer increases, and the dividing line As the number of s increases, the dicing tape or dicing die-bonding film needs to be stretched further in order to sufficiently widen the spacing between semiconductor chips in the expanding process.

그 때문에, 다이싱 테이프 또는 다이싱 다이 본드 필름이 갖는 물성에 따라서는, 다이싱 테이프 또는 다이싱 다이 본드 필름을 보다 잡아늘릴 필요가 있는 경우에도 충분히 잡아늘릴 수 없게 되고, 그 결과, 익스팬드 공정에 있어서 반도체 칩끼리의 간격을 충분히 넓힐 수 없게 되는 경우가 있다. 즉, 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 양호한 할단을 행할 수 없는 경우가 있다.Therefore, depending on the physical properties of the dicing tape or dicing die-bonding film, even when it is necessary to further stretch the dicing tape or dicing die-bonding film, it cannot be stretched sufficiently, and as a result, the expansion process In some cases, the spacing between semiconductor chips cannot be sufficiently widened. That is, there are cases in which good splitting from a semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips cannot be performed.

또한, 커프 유지 공정에 있어서, 커프를 충분히 유지할 수 없는 경우가 있다.In addition, in the cuff holding step, there are cases where the cuff cannot be sufficiently held.

그러나, 익스팬드 공정에 있어서 다이싱 테이프 또는 다이싱 다이 본드 필름을 보다 잡아늘릴 필요가 있는 경우, 즉, 할단 라인수가 비교적 많은 경우에도, 할단 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 양호한 할단을 행하는 것에 대해서는, 충분한 검토가 이루어져 있지 않다.However, when it is necessary to further stretch the dicing tape or dicing die-bonding film in the expanding process, that is, even when the number of cutting lines is relatively large, it is necessary to perform good cutting from the cutting semiconductor wafer to a plurality of semiconductor chips. Regarding, sufficient examination has not been made.

또한, 커프 유지 공정에 있어서, 커프를 충분히 유지하는 것에 대해서도, 충분한 검토가 이루어져 있지 않다.In addition, in the cuff holding step, sufficient examination has not been made about sufficiently holding the cuff.

그래서, 본 발명은, 할단 라인수가 비교적 많은 경우에도, 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 양호한 할단을 행할 수 있고, 또한, 커프를 충분히 유지할 수 있는 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 것을 과제로 한다.Therefore, the present invention provides a dicing tape and a dicing die bonding film capable of performing satisfactory cleavage from a semiconductor wafer to a plurality of semiconductor chips even when the number of cleaving lines is relatively large, and capable of sufficiently holding a cuff. Make it a task.

본 발명에 관한 다이싱 테이프는,The dicing tape according to the present invention,

기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프이며,It is a dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base layer,

-10℃에서의 인장 저장 탄성률이 50㎫ 이상 250㎫ 이하이다.The tensile storage modulus at -10°C is 50 MPa or more and 250 MPa or less.

상기 다이싱 테이프에 있어서는,In the above dicing tape,

-10℃에서의 손실 계수가 0.07 이상 0.18 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the loss factor at -10°C is 0.07 or more and 0.18 or less.

상기 다이싱 테이프에 있어서는,In the above dicing tape,

-10℃에서의 파단 신도가 450％ 이상 600％ 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the elongation at break at -10°C is 450% or more and 600% or less.

본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름은,The dicing die-bonding film according to the present invention,

기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와,A dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base layer,

상기 다이싱 테이프의 점착제층 상에 적층된 다이 본드층을 구비하고,It has a die-bonding layer laminated on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape,

-10℃에서의 인장 저장 탄성률이 50㎫ 이상 250㎫ 이하이다.The tensile storage modulus at -10°C is 50 MPa or more and 250 MPa or less.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 다이싱 테이프의 구성을 도시하는 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름의 구성을 도시하는 단면도.
도 3a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3c는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 백그라인드 가공의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3d는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 백그라인드 가공의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 5a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 5b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 5c는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 6a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 6b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 7은 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 커프 유지 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 8은 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 픽업 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.1 is a cross-sectional view showing a configuration of a dicing tape according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a configuration of a dicing die-bonding film according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3A is a cross-sectional view schematically showing a state of half-cut processing in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
Fig. 3B is a cross-sectional view schematically showing a state of half-cut processing in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
3C is a cross-sectional view schematically showing a state of background grinding in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
3D is a cross-sectional view schematically showing a state of background grinding in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
4A is a cross-sectional view schematically showing a state of a mounting process in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
4B is a cross-sectional view schematically showing a state of a mounting process in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
5A is a cross-sectional view schematically showing a state of an expand process at a low temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
5B is a cross-sectional view schematically showing a state of an expand process at a low temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
5C is a cross-sectional view schematically showing a state of an expand process at a low temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
6A is a cross-sectional view schematically showing a state of an expanding process at room temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
6B is a cross-sectional view schematically showing a state of an expand process at room temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
7 is a cross-sectional view schematically showing a state of a cuff holding step in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
8 is a cross-sectional view schematically showing a mode of a pickup step in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.

이하, 본 발명의 일 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.

[다이싱 테이프][Dicing Tape]

도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 다이싱 테이프(10)는, 기재층(1) 상에 점착제층(2)이 적층된 다이싱 테이프이며, -10℃에서의 인장 저장 탄성률이 50㎫ 이상 250㎫ 이하이다.As shown in Fig. 1, the dicing tape 10 according to the present embodiment is a dicing tape in which an adhesive layer 2 is laminated on a base layer 1, and has a tensile storage elastic modulus at -10°C. It is 50 MPa or more and 250 MPa or less.

또한, 후술하는 실시예의 항에서 설명하는 바와 같이, 다이싱 테이프(10)의 -10℃에서의 인장 저장 탄성률이 50㎫ 이상 250㎫ 이하임으로써, 특히 반도체 웨이퍼(예를 들어, 직경 200㎜(8인치) 이상의 반도체 웨이퍼)를, NAND 메모리 컨트롤러에 사용되는, 면적이 10㎟ 이하인 극소의 반도체 칩(예를 들어, 표면이 대략 직사각형이며, 길이 4㎜×폭 2㎜의 반도체 칩(면적 8㎟))으로 양호하게 할단할 수 있다.In addition, as described in the section of Examples to be described later, since the tensile storage modulus of the dicing tape 10 at -10°C is 50 MPa or more and 250 MPa or less, in particular, a semiconductor wafer (for example, a diameter of 200 mm ( A semiconductor wafer of 8 inches or more) is used in a NAND memory controller, and is a very small semiconductor chip with an area of 10 mm 2 or less (for example, a semiconductor chip having an approximately rectangular surface and a length of 4 mm x a width of 2 mm (area 8 mm 2 ). )) can be cut well.

그 이유에 대하여, 본 발명자들은 이하와 같이 추정하고 있다.For that reason, the present inventors estimate as follows.

반도체 칩은, 용도에 따라서 요구되는 크기가 다르다. NAND 메모리 컨트롤러에 사용되는 반도체 칩은, 상기한 바와 같이, 면적이 10㎟ 이하인 극소 사이즈인 것에 반해, NAND형 플래시 메모리에 사용되는 반도체 칩은, 일반적으로, 면적이 40㎟ 이상인 것(예를 들어, 표면이 대략 직사각형이며, 길이 12㎜×폭 4㎜의 것(면적 48㎟)이나, 길이 10㎜×폭 5㎜의 것(면적 50㎟))이 많다.The required size of a semiconductor chip differs depending on the application. As described above, semiconductor chips used in NAND memory controllers have a very small area with an area of 10 mm2 or less, whereas semiconductor chips used in NAND-type flash memories generally have an area of 40 mm2 or more (for example, , The surface is substantially rectangular, and there are many 12 mm long x 4 mm wide (area 48 mm2) or 10 mm long x 5 mm wide (area 50 mm2) ones).

여기서, 동일한 크기의 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 할단하는 경우, 할단 후의 반도체 칩의 크기가 작을수록, 하프컷 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼에 형성하는 홈(할단 라인)의 간격은 좁아지기 때문에, 반도체 웨이퍼에 형성하는 홈의 수는 많아진다.Here, when a semiconductor wafer of the same size is cut into a semiconductor chip, the smaller the size of the semiconductor chip after the cut is made, the smaller the spacing between the grooves (cutting lines) formed in the semiconductor wafer in the half-cutting process. The number of grooves to be formed increases.

그리고, 홈의 간격이 좁은 반도체 웨이퍼를 복수의 반도체 칩으로 할단할 때, 인접하는 반도체 칩간의 간격을 충분히 띄우기 위해서는, 익스팬드 공정(예를 들어, 실온(23±2℃)에 있어서의 익스팬드)에 있어서 다이싱 테이프를 충분히 잡아늘릴 필요가 있다.In addition, when dividing a semiconductor wafer with a narrow gap between the grooves into a plurality of semiconductor chips, in order to sufficiently increase the gap between adjacent semiconductor chips, an expand process (e.g., expand at room temperature (23±2°C)) ), it is necessary to stretch the dicing tape sufficiently.

반도체 웨이퍼를 NAND형 플래시 메모리에 사용되는 반도체 칩과 같은 비교적 면적이 큰 것으로 할단하는 경우에는, 반도체 웨이퍼에 형성되는 홈의 수는 비교적 적기 때문에, 예를 들어 특허문헌 1에 기재된 바와 같은, -10℃에서의 초기 탄성률이 200㎫ 이상 380㎫ 이하인 다이싱 테이프를 사용해도, 인접하는 반도체 칩간의 간격을 충분히 띄울 수 있다.When a semiconductor wafer is divided into a semiconductor wafer having a relatively large area such as a semiconductor chip used in a NAND type flash memory, since the number of grooves formed in the semiconductor wafer is relatively small, for example, as described in Patent Document 1, -10 Even if a dicing tape having an initial elastic modulus of 200 MPa or more and 380 MPa or less at a deg. C is used, the gap between adjacent semiconductor chips can be sufficiently spaced.

그러나, 반도체 웨이퍼를 NAND 메모리 컨트롤러에 사용되는 비교적 면적이 작은 극소 칩으로 할단하는 경우에는, 반도체 웨이퍼에 형성되는 홈의 수가 비교적 많아지기 때문에, 익스팬드 공정(예를 들어, 실온에서의 익스팬드)에 있어서, -10℃에서의 초기 탄성률이 200㎫ 이상 380㎫ 이하인 다이싱 테이프를 사용하면, 인접하는 극소 칩간의 간격이 충분히 띄어지도록, 다이싱 테이프를 충분히 잡아늘릴 수 없는 경우가 있다. 특히, 다이싱 테이프가, 예를 들어 실온에서의 익스팬드 시에 보다 찢어지기 어렵게 하기 위해, -10℃에서의 초기 탄성률을 상기 수치 범위에 있어서의 상한값 근방의 값으로 한 경우에는, 다이싱 테이프는 비교적 단단해져, 충분히 잡아늘릴 수 없게 된다. 또한, 다이싱 테이프를 사용하여 반도체 웨이퍼를 복수의 반도체 칩으로 개편화하는 경우, 할단성을 중시하는 관점에서, 다이싱 테이프에 응력이 가해지기 쉽게 하기 위해, 다이싱 테이프의 -10℃에서의 초기 탄성률에는 비교적 높은 값(예를 들어, 특허문헌 1에 기재된 수치 범위의 상한값 근방의 값)이 선택되는 경우가 많지만, 이와 같은 경우에도, 상기와 같이 다이싱 테이프는 비교적 단단해져, 충분히 잡아늘릴 수 없게 된다.However, in the case of dividing the semiconductor wafer into very small chips with a relatively small area used in the NAND memory controller, since the number of grooves formed in the semiconductor wafer is relatively large, the expansion process (e.g., expansion at room temperature) In this case, when a dicing tape having an initial elastic modulus of 200 MPa or more and 380 MPa or less at -10°C is used, the dicing tape may not be stretched sufficiently so that the spacing between adjacent microchips is sufficiently increased. In particular, in order to make the dicing tape more difficult to tear at the time of expansion at room temperature, for example, when the initial elastic modulus at -10°C is set to a value near the upper limit in the above numerical range, the dicing tape Becomes relatively hard and cannot be stretched sufficiently. In addition, when dicing a semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips using a dicing tape, from the viewpoint of emphasizing the slicing property, in order to make it easier to apply stress to the dicing tape, the dicing tape at -10°C. A relatively high value (for example, a value near the upper limit of the numerical range described in Patent Document 1) is often selected for the initial elastic modulus, but even in such a case, the dicing tape becomes relatively hard as described above and can be sufficiently stretched. There will be no.

이에 반해, 본 실시 형태에 관한 다이싱 테이프(10)는, -10℃에서의 인장 저장 탄성률이 50㎫ 이상 250㎫ 이하이며, 적당한 탄성을 갖는 것이기 때문에, NAND 메모리 컨트롤러에 사용되는 반도체 칩과 같은 극소 칩으로 할단하는 경우에도, 충분히 잡아늘릴 수 있는 것이라고 생각된다.On the other hand, the dicing tape 10 according to the present embodiment has a tensile storage elastic modulus at -10°C of 50 MPa or more and 250 MPa or less, and has a suitable elasticity, such as a semiconductor chip used in a NAND memory controller. It is considered that it can be sufficiently stretched even when it is cut with very small chips.

그 때문에, 익스팬드 공정에 있어서 인접하는 극소 칩간의 간격을 충분히 띄울 수 있다고 생각된다.Therefore, it is considered that the gap between adjacent microchips can be sufficiently increased in the expand process.

또한, 기재층(1)을 구성하는 재료, 기재층(1)의 층 구성, 및, 기재층(1)의 두께를 적절히 설정함으로써, -10℃에서의 인장 저장 탄성률을 50㎫ 이상 250㎫ 이하로 할 수 있다.In addition, by appropriately setting the material constituting the base layer 1, the layer configuration of the base layer 1, and the thickness of the base layer 1, the tensile storage modulus at -10°C is 50 MPa or more and 250 MPa or less. It can be done with.

본 실시 형태에 관한 다이싱 테이프(10)는, -10℃에서의 손실 계수가 0.07 이상 0.18 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the dicing tape 10 according to the present embodiment has a loss factor of 0.07 or more and 0.18 or less at -10°C.

이에 의해, 다이싱 테이프(10)는, 적당한 탄성에다가, 적당한 경도를 갖는 것이 된다.As a result, the dicing tape 10 has an appropriate elasticity and an appropriate hardness.

그 때문에, 반도체 웨이퍼에 첩부하고, 다이싱 테이프(10)를 익스팬드하여 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩(특히, NAND 메모리 컨트롤러에 사용되는 극소 칩)으로의 할단을 행하는 경우에, 다이싱 테이프(10)를 보다 잡아늘릴 수 있는 것에 더하여, 다이싱 테이프(10)를 잡아늘렸을 때의 파단을 비교적 억제할 수 있다.Therefore, in the case of affixing to a semiconductor wafer and expanding the dicing tape 10 to perform division from the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips (especially, microchips used in NAND memory controllers), the dicing tape ( In addition to being able to stretch 10) more, fracture when the dicing tape 10 is stretched can be relatively suppressed.

-10℃에서의 인장 저장 탄성률, 및, -10℃에서의 손실 계수는, 이하와 같이 하여 구할 수 있다.The tensile storage modulus at -10°C and the loss factor at -10°C can be obtained as follows.

상세하게는, 길이 40㎜(측정 길이), 폭 10㎜의 다이싱 테이프를 시험편으로 하고, 고체 점탄성 측정 장치(예를 들어, 형식 RSAIII, 레오메트릭 사이언티픽 가부시키가이샤제)를 사용하여, 주파수 1Hz, 변형량 0.1％, 승온 속도 10℃/min, 척간 거리 22.5㎜의 조건에 있어서, -50 내지 100℃의 온도 범위에서 상기 시험편의 인장 저장 탄성률, 및, 손실 탄성률을 측정한다. 그때, -10℃에서의 값을 판독함으로써, -10℃에서의 인장 저장 탄성률, 및, -10℃에서의 손실 탄성률을 구할 수 있고, -10℃에서의 손실 계수는, -10℃에서의 인장 저장 탄성률의 값을 -10℃에서의 손실 탄성률의 값으로 제산함으로써 구할 수 있다.Specifically, a dicing tape having a length of 40 mm (measurement length) and a width of 10 mm is used as a test piece, and a solid viscoelasticity measuring device (for example, Model RSAIII, manufactured by Rheometric Scientific Co., Ltd.) is used, and the frequency The tensile storage modulus and loss modulus of the test piece were measured in a temperature range of -50 to 100°C under the conditions of 1 Hz, a strain amount of 0.1%, a temperature increase rate of 10°C/min, and a chuck distance of 22.5 mm. At that time, by reading the value at -10°C, the tensile storage modulus at -10°C and the loss modulus at -10°C can be obtained, and the loss factor at -10°C is the tensile modulus at -10°C. It can be calculated by dividing the value of the storage modulus by the value of the loss modulus at -10°C.

또한, 상기 측정은, 상기 시험편을 MD 방향(수지 흐름 방향)으로 인장함으로써 행한다.In addition, the said measurement is performed by pulling the said test piece in the MD direction (resin flow direction).

본 실시 형태에 관한 다이싱 테이프(10)는, -10℃에서의 파단 신도가 450％ 이상 600％ 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the dicing tape 10 according to the present embodiment has an elongation at break of 450% or more and 600% or less at -10°C.

이에 의해, 다이싱 테이프(10)는, 적당한 탄성에다가, 적당한 경도를 갖는 것이 된다.As a result, the dicing tape 10 has an appropriate elasticity and an appropriate hardness.

그 때문에, 반도체 웨이퍼에 첩부하고, 다이싱 테이프(10)를 익스팬드하여 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩(특히, NAND 메모리 컨트롤러에 사용되는 극소 칩)으로의 할단을 행하는 경우에, 다이싱 테이프(10)를 보다 잡아늘릴 수 있는 것에 더하여, 다이싱 테이프(10)를 잡아늘렸을 때의 파단을 비교적 억제할 수 있다.Therefore, in the case of affixing to a semiconductor wafer and expanding the dicing tape 10 to perform division from the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips (especially, microchips used in NAND memory controllers), the dicing tape ( In addition to being able to stretch 10) more, fracture when the dicing tape 10 is stretched can be relatively suppressed.

-10℃에서의 파단 신도는, 이하와 같이 하여 구할 수 있다.The elongation at break at -10°C can be determined as follows.

상세하게는, 길이 120㎜(측정 길이. L0), 폭 10㎜의 다이싱 테이프를 시험편으로 하고, 인장 시험기(오토그래프 AG-IS, 시마즈 세이사쿠쇼제)를 사용하여, 온도 -10℃, 척간 거리 50㎜, 및, 인장 속도 100㎜/min의 조건에서, 상기 시험편을 길이 방향으로 인장하여, 상기 시험편이 파단될 때의 길이(L1)를 측정한다.Specifically, a dicing tape having a length of 120 mm (measurement length. L 0 ) and a width of 10 mm was used as a test piece, and a tensile tester (autograph AG-IS, manufactured by Shimadzu Corporation) was used, and a temperature of -10°C, Under conditions of a distance of 50 mm between chuck and a tensile speed of 100 mm/min, the test piece is stretched in the longitudinal direction, and the length (L 1 ) when the test piece is broken is measured.

그리고, 하기 식에 기초하여, -10℃에서의 파단 신도 E를 산출한다.And based on the following formula, the breaking elongation E at -10 degreeC is computed.

파단 신도 E=(L1-L0)/L0×100Elongation at break E=(L 1 -L 0 )/L 0 ×100

기재층(1)은, 점착제층(2)을 지지한다. 기재층(1)은, 수지를 포함한다. 기재층(1)에 포함되는 수지로서는, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카르보네이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리페닐술피드, 불소 수지, 셀룰로오스계 수지, 및, 실리콘 수지 등을 들 수 있다.The base material layer 1 supports the pressure-sensitive adhesive layer 2. The base material layer 1 contains resin. The resin contained in the base layer 1 is polyolefin, polyester, polyurethane, polycarbonate, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyvinyl chloride, polychloride. Vinylidene, polyphenyl sulfide, fluorine resin, cellulose resin, and silicone resin.

폴리올레핀으로서는, 예를 들어 α-올레핀의 호모 폴리머, 2종 이상의 α-올레핀의 공중합체, 블록 폴리프로필렌, 랜덤 폴리프로필렌, 1종 또는 2종 이상의 α-올레핀과 다른 비닐 모노머의 공중합체 등을 들 수 있다.Examples of the polyolefin include a homopolymer of α-olefin, a copolymer of two or more α-olefins, a block polypropylene, a random polypropylene, and a copolymer of one or two or more α-olefins and other vinyl monomers. I can.

α-올레핀의 호모 폴리머로서는, 탄소수 2 이상 12 이하의 α-올레핀의 호모 폴리머인 것이 바람직하다. 이와 같은 호모 폴리머로서는, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 4-메틸-1-펜텐 등을 들 수 있다.As a homopolymer of an α-olefin, it is preferable that it is a homopolymer of an α-olefin having 2 or more and 12 or less carbon atoms. Examples of such a homopolymer include ethylene, propylene, 1-butene, and 4-methyl-1-pentene.

2종 이상의 α-올레핀의 공중합체로서는, 에틸렌/프로필렌 공중합체, 에틸렌/1-부텐 공중합체, 에틸렌/프로필렌/1-부텐 공중합체, 에틸렌/탄소수 5 이상 12 이하의 α-올레핀 공중합체, 프로필렌/에틸렌 공중합체, 프로필렌/1-부텐 공중합체, 프로필렌/탄소수 5 이상 12 이하의 α-올레핀 공중합체 등을 들 수 있다.Examples of the copolymer of two or more types of α-olefins include ethylene/propylene copolymers, ethylene/1-butene copolymers, ethylene/propylene/1-butene copolymers, ethylene/C5 or more and 12 or less α-olefin copolymers, and propylene. /Ethylene copolymer, propylene/1-butene copolymer, and propylene/alpha-olefin copolymer of 5 or more and 12 or less carbon atoms, etc. are mentioned.

1종 또는 2종 이상의 α-올레핀과 다른 비닐 모노머의 공중합체로서는, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA) 등을 들 수 있다.Examples of the copolymer of one or two or more α-olefins and other vinyl monomers include ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) and the like.

폴리올레핀은, α-올레핀계 열가소성 엘라스토머라 불리는 것이어도 된다. α-올레핀계 열가소성 엘라스토머로서는, 프로필렌·에틸렌 공중합체와 프로필렌 호모 폴리머를 조합한 것, 또는, 프로필렌·에틸렌·탄소수 4 이상의 α-올레핀 3원 공중합체를 들 수 있다.The polyolefin may be what is called an α-olefin-based thermoplastic elastomer. Examples of the α-olefin-based thermoplastic elastomer include a combination of a propylene/ethylene copolymer and a propylene homopolymer, or a propylene/ethylene/alpha-olefin terpolymer having 4 or more carbon atoms.

α-올레핀계 열가소성 엘라스토머의 시판품으로서는, 예를 들어 프로필렌계 엘라스토머 수지인 비스타맥스 3980(엑슨모빌 케미컬사제)을 들 수 있다.As a commercial item of an α-olefin-based thermoplastic elastomer, a propylene-based elastomer resin, Vistamax 3980 (manufactured by Exxon Mobil Chemical), is exemplified.

기재층(1)은, 상기한 수지를 1종 포함하는 것이어도 되고, 상기한 수지를 2종 이상 포함하는 것이어도 된다.The base layer 1 may contain one type of resin described above, or may contain two or more types of the above resins.

또한, 점착제층(2)이 후술하는 자외선 경화 점착제를 포함하는 경우, 기재층(1)은, 자외선 투과성을 갖도록 구성되는 것이 바람직하다.In addition, when the pressure-sensitive adhesive layer 2 contains an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive to be described later, it is preferable that the base layer 1 is configured to have ultraviolet transmittance.

기재층(1)은, 단층 구조여도 되고, 적층 구조여도 된다. 기재층(1)은, 비연신 성형에 의해 얻어져도 되고, 연신 성형에 의해 얻어져도 되지만, 연신 성형에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 기재층(1)이 적층 구조인 경우, 기재층(1)은, 엘라스토머를 포함하는 층(이하, 엘라스토머층이라 함)과 비엘라스토머를 포함하는 층(이하, 비엘라스토머층이라 함)을 갖는 것이 바람직하다.The base material layer 1 may be a single-layer structure or a laminated structure. The base material layer 1 may be obtained by non-stretch molding or may be obtained by stretch molding, but it is preferably obtained by stretch molding. When the base layer 1 has a laminated structure, the base layer 1 has a layer containing an elastomer (hereinafter referred to as an elastomer layer) and a layer containing a non-elastomeric layer (hereinafter referred to as a non-elastomeric layer). desirable.

기재층(1)을 엘라스토머층과 비엘라스토머층을 갖는 것으로 함으로써, 엘라스토머층을, 인장 응력을 완화하는 응력 완화층으로서 기능시킬 수 있다. 즉, 기재층(1)에 발생하는 인장 응력을 비교적 작게 할 수 있으므로, 기재층(1)을 적당한 경도를 가지면서, 비교적 연신되기 쉬운 것으로 할 수 있다.When the base material layer 1 has an elastomer layer and a non-elastomeric layer, the elastomer layer can function as a stress relaxation layer that relieves tensile stress. That is, since the tensile stress generated in the base layer 1 can be made relatively small, the base layer 1 can be made to be relatively easily stretched while having an appropriate hardness.

이에 의해, 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 할단성을 향상시킬 수 있다.Thereby, the cutting property from a semiconductor wafer to a plurality of semiconductor chips can be improved.

또한, 할단 공정에서의 익스팬드 시에, 기재층(1)이 찢어져 파손되는 것을 억제할 수 있다.In addition, it is possible to prevent the substrate layer 1 from being torn and damaged during expansion in the cleaving step.

또한, 본 명세서에 있어서는, 엘라스토머층이란, 비엘라스토머층에 비해 실온에서의 인장 저장 탄성률이 낮은 저탄성률층을 의미한다. 엘라스토머층으로서는, 실온에서의 인장 저장 탄성률이 10㎫ 이상 100㎫ 이하인 것을 들 수 있고, 비엘라스토머층으로서는, 실온에서의 인장 저장 탄성률이 200㎫ 이상 500㎫ 이하인 것을 들 수 있다.In addition, in the present specification, the elastomer layer means a low elastic modulus layer having a lower tensile storage modulus at room temperature than a non-elastomeric layer. Examples of the elastomer layer include those having a tensile storage elastic modulus at room temperature of 10 MPa or more and 100 MPa or less, and examples of the non-elastomeric layer include those having a tensile storage elastic modulus at room temperature of 200 MPa or more and 500 MPa or less.

엘라스토머층은, 1종의 엘라스토머를 포함하는 것이어도 되고, 2종 이상의 엘라스토머를 포함하는 것이어도 되지만, α-올레핀계 열가소성 엘라스토머를 포함하는 것이 바람직하다.The elastomer layer may contain one type of elastomer, or may contain two or more types of elastomers, but preferably contains an α-olefin-based thermoplastic elastomer.

비엘라스토머층은, 1종의 비엘라스토머를 포함하는 것이어도 되고, 2종 이상의 비엘라스토머를 포함하는 것이어도 되지만, 후술하는 메탈로센 PP를 포함하는 것이 바람직하다.The non-elastomer layer may contain one type of non-elastomer, or may contain two or more types of non-elastomers, but preferably contains metallocene PP, which will be described later.

기재층(1)이 엘라스토머층과 비엘라스토머층을 갖는 경우, 기재층(1)은, 엘라스토머층을 중심층으로 하고, 해당 중심층의 서로 대향하는 양면에 비엘라스토머층을 갖는 3층 구조(비엘라스토머층/엘라스토머층/비엘라스토머층)로 형성되는 것이 바람직하다(도 1 참조). 또한, 도 1에서는, 한쪽의 비엘라스토머층을 제1 수지층(1a)으로서 나타내고, 엘라스토머층을 제2 수지층(1b)으로서 나타내고, 다른 쪽의 비엘라스토머층을 제3 수지층(3c)으로서 나타내고 있다.When the base layer 1 has an elastomer layer and a non-elastomeric layer, the base layer 1 has an elastomer layer as a center layer, and a three-layer structure having a non-elastomeric layer on opposite sides of the center layer (non-elastomeric layer). It is preferably formed of an elastomer layer/elastomer layer/non-elastomeric layer) (see FIG. 1). In addition, in FIG. 1, one non-elastomeric layer is shown as a 1st resin layer 1a, an elastomer layer is shown as a 2nd resin layer 1b, and the other non-elastomeric layer is shown as a 3rd resin layer 3c. Is shown.

또한, 상기한 바와 같이, 커프 유지 공정에 있어서는, 실온(예를 들어 23℃)에서 익스팬드 상태를 유지한 상기 다이싱 다이 본드 필름에 열풍(예를 들어, 100 내지 130℃)을 쐬어 상기 다이싱 다이 본드 필름을 열수축시킨 후, 냉각 고화시키기 때문에, 기재층(1)의 최외층은, 다이싱 테이프에 쐬어지는 열풍의 온도에 가까운 융점을 갖는 수지를 포함하고 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 열풍을 쐼으로써 용융된 최외층을 보다 신속하게 고화시킬 수 있다.In addition, as described above, in the cuff holding step, hot air (eg, 100 to 130°C) is applied to the dicing die bond film maintained in an expanded state at room temperature (eg, 23°C) to Since cooling and solidification is carried out after heat shrinking the dicing die-bonding film, it is preferable that the outermost layer of the base material layer 1 contains a resin having a melting point close to the temperature of the hot air applied to the dicing tape. Thereby, the melted outermost layer can be solidified more quickly by applying hot air.

그 결과, 커프 유지 공정에 있어서, 커프를 보다 충분히 유지할 수 있다.As a result, in the cuff holding step, the cuff can be more sufficiently held.

기재층(1)이 엘라스토머층과 비엘라스토머층의 적층 구조이며, 엘라스토머층이 α-올레핀계 열가소성 엘라스토머를 포함하고, 또한, 비엘라스토머층이 후술하는 메탈로센 PP 등의 폴리올레핀을 포함하는 경우, 엘라스토머층은, 해당 엘라스토머층을 형성하는 엘라스토머의 총 질량에 대하여, α-올레핀계 열가소성 엘라스토머를 50질량％ 이상 100질량％ 이하 포함하고 있는 것이 바람직하고, 70질량％ 이상 100질량％ 이하 포함하고 있는 것이 보다 바람직하고, 80질량％ 이상 100질량％ 이하 포함하고 있는 것이 더욱 바람직하고, 90질량％ 이상 100질량％ 이하 포함하고 있는 것이 특히 바람직하고, 95질량％ 이상 100질량％ 이하 포함하고 있는 것이 최적이다. α-올레핀계 열가소성 엘라스토머가 상기 범위에서 포함되어 있음으로써, 엘라스토머층과 비엘라스토머층의 친화성이 높아지기 때문에, 기재층(1)을 비교적 용이하게 압출 성형할 수 있다. 또한, 엘라스토머층을 응력 완화층으로서 작용시킬 수 있으므로, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼를 효율적으로 할단할 수 있다.When the base layer (1) is a laminated structure of an elastomer layer and a non-elastomeric layer, the elastomer layer includes an α-olefin-based thermoplastic elastomer, and the non-elastomeric layer includes a polyolefin such as metallocene PP, which will be described later, The elastomer layer preferably contains 50% by mass or more and 100% by mass or less, and 70% by mass or more and 100% by mass or less with respect to the total mass of the elastomer forming the elastomer layer. It is more preferable, it is more preferably 80% by mass or more and 100% by mass or less, particularly preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, and most preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less. to be. When the α-olefin-based thermoplastic elastomer is included in the above range, the affinity between the elastomer layer and the non-elastomeric layer is increased, and thus the base layer 1 can be extruded relatively easily. Further, since the elastomer layer can act as a stress relaxation layer, the semiconductor wafer affixed to the dicing tape can be cut efficiently.

기재층(1)이 엘라스토머층과 비엘라스토머층의 적층 구조인 경우, 기재층(1)은, 엘라스토머와 비엘라스토머를 공압출하여, 엘라스토머층과 비엘라스토머층의 적층 구조로 하는 공압출 성형에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 공압출 성형으로서는, 필름이나 시트 등의 제조에 있어서 일반적으로 행해지는 임의의 적절한 공압출 성형을 채용할 수 있다. 공압출 성형 중에서도, 기재층(1)을 효율적으로 저렴하게 얻을 수 있는 점에서, 인플레이션법이나 공압출 T다이법을 채용하는 것이 바람직하다.When the base layer 1 is a laminated structure of an elastomer layer and a non-elastomeric layer, the base layer 1 is coextruded by coextrusion of an elastomer and a non-elastomeric layer, and coextrusion molding to obtain a laminated structure of an elastomer layer and a non-elastomeric layer. It is preferably obtained. As the co-extrusion molding, any suitable co-extrusion molding generally performed in the production of a film or sheet or the like can be adopted. Among co-extrusion molding, it is preferable to employ an inflation method or a co-extrusion T-die method from the viewpoint that the base layer 1 can be obtained efficiently and inexpensively.

적층 구조를 이루는 기재층(1)을 공압출 성형으로 얻는 경우, 상기 엘라스토머층 및 상기 비엘라스토머층은 가열되어 용융된 상태에서 접하기 때문에, 상기 엘라스토머 및 상기 비엘라스토머의 융점차는 작은 쪽이 바람직하다. 융점차가 작음으로써, 저융점이 되는 상기 엘라스토머 또는 상기 비엘라스토머 중 어느 것에 과도한 열이 가해지는 것이 억제되기 때문에, 저융점이 되는 상기 엘라스토머 또는 상기 비엘라스토머 중 어느 것이 열 열화됨으로써 부생성물이 생성되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 저융점이 되는 상기 엘라스토머 또는 상기 비엘라스토머 중 어느 것의 점도가 과도하게 저하됨으로써 상기 엘라스토머층과 상기 비엘라스토머층 사이에 적층 불량이 발생하는 것도 억제할 수 있다. 상기 엘라스토머 및 상기 비엘라스토머의 융점차는, 0℃ 이상 70℃ 이하인 것이 바람직하고, 0℃ 이상 55℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.When the base layer 1 constituting the laminated structure is obtained by coextrusion molding, the elastomer layer and the non-elastomeric layer are in contact with each other in a heated and molten state, so the difference in melting point between the elastomer and the non-elastomer is preferably smaller. . Since the melting point difference is small, the application of excessive heat to either the elastomer or the non-elastomer having a low melting point is suppressed, so that the elastomer or the non-elastomer having a low melting point is thermally deteriorated to generate a by-product. Can be suppressed. In addition, it is also possible to suppress the occurrence of lamination failure between the elastomer layer and the non-elastomeric layer by excessively lowering the viscosity of either the elastomer or the non-elastomer having a low melting point. The difference in melting point between the elastomer and the non-elastomer is preferably 0°C or more and 70°C or less, and more preferably 0°C or more and 55°C or less.

상기 엘라스토머 및 상기 비엘라스토머의 융점은, 시차 주사 열량(DSC) 분석에 의해 측정할 수 있다. 예를 들어, 시차 주사 열량계 장치(TA 인스트루먼츠사제, 형식 DSC Q2000)를 사용하여, 질소 가스 기류 하, 승온 속도 5℃/min로 200℃까지 승온하고, 흡열 피크의 피크 온도를 구함으로써 측정할 수 있다.The melting points of the elastomer and the non-elastomer can be measured by differential scanning calorimetry (DSC) analysis. For example, it can be measured by using a differential scanning calorimeter device (manufactured by TA Instruments, type DSC Q2000), heating up to 200°C at a heating rate of 5°C/min under a nitrogen gas stream, and determining the peak temperature of the endothermic peak. have.

기재층(1)의 두께는, 55㎛ 이상 195㎛ 이하인 것이 바람직하고, 55㎛ 이상 190㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 55㎛ 이상 170㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 60㎛ 이상 160㎛ 이하인 것이 최적이다. 기재층(1)의 두께를 상기 범위로 함으로써, 다이싱 테이프를 효율적으로 제조할 수 있고, 또한, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼를 효율적으로 할단할 수 있다.The thickness of the substrate layer 1 is preferably 55 µm or more and 195 µm or less, more preferably 55 µm or more and 190 µm or less, still more preferably 55 µm or more and 170 µm or less, and optimally 60 µm or more and 160 µm or less. . By setting the thickness of the base layer 1 in the above range, a dicing tape can be efficiently manufactured, and a semiconductor wafer affixed to the dicing tape can be efficiently cut.

기재층(1)의 두께는, 예를 들어 다이알 게이지(PEACOCK사제, 형식 R-205)를 사용하여, 랜덤하게 선택한 임의의 5점의 두께를 측정하고, 이들 두께를 산술 평균함으로써 구할 수 있다.The thickness of the substrate layer 1 can be obtained by measuring the thickness of five randomly selected points using a dial gauge (manufactured by PEACOCK, Model R-205), for example, and arithmetic average of these thicknesses.

엘라스토머층과 비엘라스토머층을 적층시킨 기재층(1)에 있어서, 엘라스토머층의 두께에 대한 비엘라스토머층의 두께의 비는, 1/25 이상 1/3 이하인 것이 바람직하고, 1/25 이상 1/3.5 이하인 것이 보다 바람직하고, 1/25 이상 1/4인 것이 더욱 바람직하고, 1/22 이상 1/4 이하인 것이 특히 바람직하고, 1/20 이상 1/4 이하인 것이 최적이다. 엘라스토머층의 두께에 대한 비엘라스토머층의 두께의 비를 상기 범위로 함으로써, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼를 보다 효율적으로 할단할 수 있다.In the base layer (1) in which the elastomer layer and the non-elastomeric layer are laminated, the ratio of the thickness of the non-elastomeric layer to the thickness of the elastomer layer is preferably 1/25 or more and 1/3 or less, and 1/25 or more and 1/ It is more preferably 3.5 or less, still more preferably 1/25 or more and 1/4, particularly preferably 1/22 or more and 1/4 or less, and most preferably 1/20 or more and 1/4 or less. By setting the ratio of the thickness of the non-elastomeric layer to the thickness of the elastomer layer in the above range, the semiconductor wafer affixed to the dicing tape can be cut more efficiently.

엘라스토머층은, 단층(1층) 구조여도 되고, 적층 구조여도 된다. 엘라스토머층은, 1층 내지 5층 구조인 것이 바람직하고, 1층 내지 3층 구조인 것이 보다 바람직하고, 1층 내지 2층 구조인 것이 더욱 바람직하고, 1층 구조인 것이 최적이다. 엘라스토머층이 적층 구조인 경우, 모든 층이 동일한 엘라스토머를 포함하고 있어도 되고, 적어도 2층이 다른 엘라스토머를 포함하고 있어도 된다.The elastomer layer may have a single-layer (one-layer) structure or a laminated structure. The elastomer layer is preferably a one to five layer structure, more preferably a one to three layer structure, still more preferably a one to two layer structure, and a one layer structure is optimal. When the elastomer layer has a laminated structure, all layers may contain the same elastomer, and at least two layers may contain different elastomers.

비엘라스토머층은, 단층(1층) 구조여도 되고, 적층 구조여도 된다. 비엘라스토머층은, 1층 내지 5층 구조인 것이 바람직하고, 1층 내지 3층 구조인 것이 보다 바람직하고, 1층 내지 2층 구조인 것이 더욱 바람직하고, 1층 구조인 것이 최적이다. 비엘라스토머층이 적층 구조인 경우, 모든 층이 동일한 비엘라스토머를 포함하고 있어도 되고, 적어도 2층이 다른 비엘라스토머를 포함하고 있어도 된다.The non-elastomeric layer may have a single-layer (one-layer) structure or a laminated structure. The non-elastomer layer is preferably a one to five layer structure, more preferably a one to three layer structure, still more preferably a one to two layer structure, and an optimum one layer structure. When the non-elastomeric layer has a laminated structure, all the layers may contain the same non-elastomeric layer, and at least two layers may contain different non-elastomeric layers.

비엘라스토머층은, 비엘라스토머로서, 메탈로센 촉매에 의한 중합품인 폴리프로필렌 수지(이하, 메탈로센 PP라 함)를 포함하는 것이 바람직하다. 메탈로센 PP로서는, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 공중합체를 들 수 있다. 비엘라스토머층이 메탈로센 PP를 포함함으로써, 다이싱 테이프를 효율적으로 제조할 수 있고, 또한, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼를 효율적으로 할단할 수 있다.It is preferable that the non-elastomer layer contains, as a non-elastomer, a polypropylene resin (hereinafter referred to as metallocene PP), which is a polymerized product by a metallocene catalyst. Examples of the metallocene PP include a propylene/α-olefin copolymer, which is a polymer product of a metallocene catalyst. When the non-elastomer layer contains metallocene PP, a dicing tape can be efficiently produced, and a semiconductor wafer affixed to the dicing tape can be efficiently cut.

또한, 시판되고 있는 메탈로센 PP로서는, 윈텍 WFX4M(니혼 폴리프로사제)을 들 수 있다.In addition, as a commercially available metallocene PP, Wintec WFX4M (manufactured by Nippon Polypro) is exemplified.

여기서, 메탈로센 촉매란, 시클로펜타디에닐 골격을 갖는 배위자를 포함하는 주기율표 제4족의 전이 금속 화합물(소위, 메탈로센 화합물)과, 메탈로센 화합물과 반응하여 해당 메탈로센 화합물을 안정된 이온 상태로 활성화할 수 있는 조촉매로 이루어지는 촉매이며, 필요에 의해, 유기 알루미늄 화합물을 포함한다. 메탈로센 화합물은, 프로필렌의 입체 규칙성 중합을 가능하게 하는 가교형의 메탈로센 화합물이다.Here, the metallocene catalyst refers to a transition metal compound (so-called metallocene compound) of group 4 of the periodic table including a ligand having a cyclopentadienyl skeleton, and a metallocene compound to react with the metallocene compound. It is a catalyst composed of a cocatalyst capable of being activated in a stable ionic state, and contains an organoaluminum compound if necessary. The metallocene compound is a crosslinked metallocene compound that enables stereoregular polymerization of propylene.

상기 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 공중합체 중에서도, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 랜덤 공중합체가 바람직하고, 상기 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 랜덤 공중합체 중에서도, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/탄소수 2의 α-올레핀 랜덤 공중합체, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/탄소수 4의 α-올레핀 랜덤 공중합체 및 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/탄소수 5의 α-올레핀 랜덤 공중합체 중에서 선택되는 것이 바람직하고, 이들 중에서도, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/에틸렌 랜덤 공중합체가 최적이다.Among the propylene/α-olefin copolymers that are polymerized products of the metallocene catalysts, propylene/α-olefin random copolymers that are polymerized products of metallocene catalysts are preferred, and propylene/α-olefin random copolymers that are polymerized products of the metallocene catalyst are preferred. -Among the olefin random copolymers, propylene/C2 α-olefin random copolymers, which are polymerized products of metallocene catalysts, propylene/C4 α-olefin random copolymers, and metallocene products are polymerized products of metallocene catalysts. It is preferable to be selected from a propylene/carbon number ?-olefin random copolymer which is a polymerization product of the catalyst, and among these, a propylene/ethylene random copolymer which is a polymerization product of a metallocene catalyst is most suitable.

상기 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 랜덤 공중합체로서는, 상기 엘라스토머층과의 공압출 성막성, 및, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼의 할단성의 관점에서, 융점이 80℃ 이상 140℃ 이하, 특히 100℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하다.The propylene/α-olefin random copolymer, which is a polymer product of the metallocene catalyst, has a melting point of 80° C. or higher from the viewpoint of coextrusion film forming property with the elastomer layer and the cleavability of the semiconductor wafer affixed to the dicing tape. It is preferably 140°C or less, particularly 100°C or more and 130°C or less.

상기 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 랜덤 공중합체의 융점은, 상기한 방법에 의해 측정할 수 있다.The melting point of the propylene/α-olefin random copolymer, which is a polymer product of the metallocene catalyst, can be measured by the method described above.

여기서, 상기 엘라스토머층이 기재층(1)의 최외층에 배치되어 있으면, 기재층(1)을 롤체로 한 경우에, 최외층에 배치된 상기 엘라스토머층끼리가 블로킹되기 쉬워진다(달라붙기 쉬워진다). 그 때문에, 기재층(1)을 롤체로부터 되감기 어려워진다. 이에 반해, 상기한 적층 구조의 기재층(1)의 바람직한 양태에서는, 비엘라스토머층/엘라스토머층/비엘라스토머층, 즉, 최외층에 비엘라스토머층이 배치되어 있으므로, 이러한 양태의 기재층(1)은, 내블로킹성이 우수한 것이 된다. 이에 의해, 블로킹에 의해 다이싱 테이프(10)를 사용한 반도체 장치의 제조가 지연되는 것을 억제할 수 있다.Here, if the elastomer layer is disposed on the outermost layer of the substrate layer 1, when the substrate layer 1 is made into a roll body, the elastomer layers disposed on the outermost layer are easily blocked (it becomes easy to stick together. ). Therefore, it becomes difficult to rewind the base material layer 1 from the roll body. On the other hand, in a preferred embodiment of the base layer 1 of the laminated structure described above, a non-elastomeric layer/elastomer layer/non-elastomeric layer, that is, a non-elastomeric layer is disposed on the outermost layer. Silver becomes excellent in blocking resistance. Thereby, it is possible to suppress delay in manufacturing a semiconductor device using the dicing tape 10 due to blocking.

상기 비엘라스토머층은, 100℃ 이상 130℃ 이하의 융점을 갖고, 또한, 분자량 분산도(질량 평균 분자량/수 평균 분자량)가 5 이하인 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 수지로서는, 메탈로센 PP를 들 수 있다.It is preferable that the said non-elastomer layer contains a resin which has a melting|fusing point of 100 degreeC or more and 130 degreeC or less, and molecular weight dispersion degree (mass average molecular weight/number average molecular weight) 5 or less. Metallocene PP is mentioned as such a resin.

상기 비엘라스토머층이 상기와 같은 수지를 포함함으로써, 커프 유지 공정에 있어서, 비엘라스토머층을 보다 신속하게 냉각 고화할 수 있다. 그 때문에, 다이싱 테이프를 열수축시킨 후에, 기재층(1)이 수축되는 것을 보다 충분히 억제할 수 있다.When the non-elastomeric layer contains the resin as described above, in the cuff holding step, the non-elastomeric layer can be cooled and solidified more quickly. Therefore, after heat shrinking the dicing tape, it is possible to more sufficiently suppress the shrinkage of the substrate layer 1.

이에 의해, 커프 유지 공정에 있어서, 커프를 보다 충분히 유지할 수 있다.Thereby, in the cuff holding process, the cuff can be held more sufficiently.

점착제층(2)은, 점착제를 함유한다. 점착제층(2)은, 반도체 칩으로 개편화하기 위한 반도체 웨이퍼를 점착함으로써 보유 지지한다.The adhesive layer 2 contains an adhesive. The pressure-sensitive adhesive layer 2 is held by adhering a semiconductor wafer for individualization into semiconductor chips.

상기 점착제로서는, 다이싱 테이프(10)의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 의해 점착력을 저감 가능한 것(이하, 점착 저감형 점착제라 함)을 들 수 있다.Examples of the pressure-sensitive adhesive include those capable of reducing adhesive force by an external action in the process of using the dicing tape 10 (hereinafter referred to as a reduced-adhesion pressure-sensitive adhesive).

점착제로서 점착 저감형 점착제를 사용하는 경우, 다이싱 테이프(10)의 사용 과정에 있어서, 점착제층(2)이 비교적 높은 점착력을 나타내는 상태(이하, 고점착 상태라 함)와, 비교적 낮은 점착력을 나타내는 상태(이하, 저점착 상태라 함)를 구분지어 사용할 수 있다. 예를 들어, 다이싱 테이프(10)에 첩부된 반도체 웨이퍼가 할단에 제공될 때는, 반도체 웨이퍼의 할단에 의해 개편화된 복수의 반도체 칩이, 점착제층(2)으로부터 들뜨거나 박리되거나 하는 것을 억제하기 위해, 고점착 상태를 이용한다. 이에 반해, 반도체 웨이퍼의 할단 후에, 개편화된 복수의 반도체 칩을 픽업하기 위해서는, 점착제층(2)으로부터 복수의 반도체 칩을 픽업하기 쉽게 하기 위해, 저점착 상태를 이용한다.In the case of using a reduced-adhesive pressure-sensitive adhesive as the pressure-sensitive adhesive, in the process of using the dicing tape 10, the pressure-sensitive adhesive layer 2 exhibits a relatively high adhesive strength (hereinafter referred to as a high-adhesion state) and a relatively low adhesive strength. The indicated state (hereinafter, referred to as a low-adhesion state) can be used separately. For example, when a semiconductor wafer affixed to the dicing tape 10 is provided for slicing, a plurality of semiconductor chips separated by slicing of the semiconductor wafer is suppressed from being lifted or peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer 2 To do this, use a high-adhesion state. On the other hand, in order to pick up a plurality of individualized semiconductor chips after the division of the semiconductor wafer, a low-adhesion state is used in order to facilitate pickup of the plurality of semiconductor chips from the pressure-sensitive adhesive layer 2.

상기 점착 저감형 점착제로서는, 예를 들어 다이싱 테이프(10)의 사용 과정에 있어서 방사선 조사에 의해 경화시키는 것이 가능한 점착제(이하, 방사선 경화 점착제라 함)를 들 수 있다.As the adhesion-reducing pressure-sensitive adhesive, for example, a pressure-sensitive adhesive (hereinafter referred to as a radiation-curable pressure-sensitive adhesive) that can be cured by irradiation with radiation in the process of using the dicing tape 10 may be mentioned.

상기 방사선 경화 점착제로서는, 예를 들어 전자선, 자외선, α선, β선, γ선, 또는 X선의 조사에 의해 경화되는 타입의 점착제를 들 수 있다. 이들 중에서도, 자외선 조사에 의해 경화되는 점착제(자외선 경화 점착제)를 사용하는 것이 바람직하다.Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive include a pressure-sensitive adhesive of a type that is cured by irradiation with electron beams, ultraviolet rays, α-rays, β-rays, γ-rays, or X-rays. Among these, it is preferable to use a pressure-sensitive adhesive (ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive) that is cured by irradiation with ultraviolet rays.

상기 방사선 경화 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머와, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 갖는 방사선 중합성 모노머 성분이나 방사선 중합성 올리고머 성분을 포함하는, 첨가형의 방사선 경화 점착제를 들 수 있다.Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive include a base polymer such as an acrylic polymer and a radiation-polymerizable monomer component or a radiation-polymerizable oligomer component having a functional group such as a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond. Can be mentioned.

상기 아크릴계 폴리머로서는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 단위를 포함하는 것을 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, 및 (메트)아크릴산아릴에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the acrylic polymer include those containing a monomer unit derived from a (meth)acrylic acid ester. As (meth)acrylic acid ester, (meth)acrylic acid alkyl ester, (meth)acrylic acid cycloalkyl ester, and (meth)acrylic acid aryl ester, etc. are mentioned, for example.

점착제층(2)은, 외부 가교제를 포함하고 있어도 된다. 외부 가교제로서는, 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머와 반응하여 가교 구조를 형성할 수 있는 것이면, 어떤 것이라도 사용할 수 있다. 이와 같은 외부 가교제로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 폴리올 화합물, 아지리딘 화합물, 및 멜라민계 가교제 등을 들 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 2 may contain an external crosslinking agent. As the external crosslinking agent, any one can be used as long as it reacts with the acrylic polymer as the base polymer to form a crosslinked structure. Examples of such external crosslinking agents include polyisocyanate compounds, epoxy compounds, polyol compounds, aziridine compounds, and melamine-based crosslinking agents.

상기 방사선 중합성 모노머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 및, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 방사선 중합성 올리고머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등의 다양한 올리고머를 들 수 있다. 상기 방사선 경화 점착제 중의 방사선 중합성 모노머 성분이나 방사선 중합성 올리고머 성분의 함유 비율은, 점착제층(2)의 점착성을 적절하게 저하시키는 범위에서 선택된다.As the radiation polymerizable monomer component, for example, urethane (meth)acrylate, trimethylolpropane tri (meth)acrylate, pentaerythritol tri (meth)acrylate, pentaerythritol tetra (meth)acrylate, dipenta Erythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and 1,4-butanediol di (meth) acrylate. Examples of the radiation-polymerizable oligomer component include various oligomers such as urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based, and polybutadiene-based. The content ratio of the radiation-polymerizable monomer component or the radiation-polymerizable oligomer component in the radiation-curable pressure-sensitive adhesive is selected within a range in which the adhesiveness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is appropriately reduced.

상기 방사선 경화 점착제는, 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 α-케톨계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 케탈계 화합물, 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 광 활성 옥심계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화 케톤, 아실포스핀옥시드 및 아실포스포네이트 등을 들 수 있다.It is preferable that the said radiation curing adhesive contains a photoinitiator. As a photoinitiator, for example, α-ketol compounds, acetophenone compounds, benzoin ether compounds, ketal compounds, aromatic sulfonyl chloride compounds, photoactive oxime compounds, benzophenone compounds, thioxanthone compounds Compounds, campoquinone, halogenated ketones, acylphosphine oxide, acylphosphonate, and the like.

점착제층(2)은, 상기 각 성분에다가, 가교 촉진제, 점착 부여제, 노화 방지제, 안료, 또는, 염료 등의 착색제 등을 포함하고 있어도 된다.The pressure-sensitive adhesive layer 2 may contain, in addition to the above components, a crosslinking accelerator, a tackifier, an anti-aging agent, a pigment, or a coloring agent such as a dye.

점착제층(2)의 두께는, 1㎛ 이상 50㎛ 이하인 것이 바람직하고, 2㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 5㎛ 이상 25㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is preferably 1 µm or more and 50 µm or less, more preferably 2 µm or more and 30 µm or less, and still more preferably 5 µm or more and 25 µm or less.

[다이싱 다이 본드 필름][Dicing Die Bond Film]

다음에, 도 2를 참조하면서, 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대하여 설명한다. 또한, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 설명에 있어서, 다이싱 테이프(10)와 중복되는 부분에 있어서는, 그 설명은 반복하지 않는다.Next, the dicing die bonding film 20 will be described with reference to FIG. 2. In addition, in the description of the dicing die-bonding film 20, in the part overlapping with the dicing tape 10, the description will not be repeated.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 기재층(1) 상에 점착제층(2)이 적층된 다이싱 테이프(10)와, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 상에 적층된 다이 본드층(3)를 구비한다.As shown in FIG. 2, the dicing die-bonding film 20 according to the present embodiment includes a dicing tape 10 in which an adhesive layer 2 is laminated on a base layer 1, and a dicing tape ( It includes a die-bonding layer 3 laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 2 of 10).

다이싱 다이 본드 필름(20)에서는, 다이 본드층(3) 상에 반도체 웨이퍼가 첩부된다.In the dicing die bonding film 20, a semiconductor wafer is affixed on the die bonding layer 3.

다이싱 다이 본드 필름(20)을 사용한 반도체 웨이퍼의 할단에 있어서는, 반도체 웨이퍼와 함께 다이 본드층(3)도 할단된다. 다이 본드층(3)은, 개편화된 복수의 반도체 칩의 사이즈에 상당하는 크기로 할단된다. 이에 의해, 다이 본드층(3) 구비의 반도체 칩을 얻을 수 있다.In the cutting of the semiconductor wafer using the dicing die-bonding film 20, the die-bonding layer 3 is also cut together with the semiconductor wafer. The die-bonding layer 3 is divided into a size corresponding to the size of a plurality of individual semiconductor chips. Thereby, a semiconductor chip with the die bonding layer 3 can be obtained.

다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이싱 테이프(10)는, 상기한 바와 같이, -10℃에서의 인장 저장 탄성률이 50㎫ 이상 250㎫ 이하이다.As described above, the dicing tape 10 of the dicing die-bonding film 20 has a tensile storage modulus of 50 MPa or more and 250 MPa or less at -10°C.

다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이싱 테이프(10)는, -10℃에서의 손실 계수가 0.07 이상 0.18 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the dicing tape 10 of the dicing die-bonding film 20 has a loss factor of 0.07 or more and 0.18 or less at -10°C.

또한, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이싱 테이프(10)는, -10℃에서의 파단 신도가 450％ 이상 600％ 이하인 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the dicing tape 10 of the dicing die-bonding film 20 has an elongation at break of 450% or more and 600% or less at -10°C.

다이 본드층(3)은, 열경화성을 갖는 것이 바람직하다. 다이 본드층(3)에 열경화성 수지 및 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지 중 적어도 한쪽을 포함시킴으로써, 다이 본드층(3)에 열경화성을 부여할 수 있다.It is preferable that the die-bonding layer 3 has thermosetting. By including at least one of a thermosetting resin and a thermoplastic resin having a thermosetting functional group in the die-bonding layer 3, thermosetting can be imparted to the die-bonding layer 3.

다이 본드층(3)이 열경화성 수지를 포함하는 경우, 이와 같은 열경화성 수지 로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 및 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.When the die-bonding layer 3 contains a thermosetting resin, examples of such thermosetting resins include epoxy resins, phenol resins, amino resins, unsaturated polyester resins, polyurethane resins, silicone resins, and thermosetting polyimide resins. Can be mentioned. Among these, it is preferable to use an epoxy resin.

에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸 노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 및 글리시딜아민형 에폭시 수지를 들 수 있다.Examples of the epoxy resin include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolak type, Orthocresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type, and glycidylamine type epoxy resin.

에폭시 수지의 경화제로서의 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 및, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌을 들 수 있다.As a phenol resin as a curing agent for an epoxy resin, a novolac-type phenol resin, a resol-type phenol resin, and polyoxystyrene, such as polyparaoxystyrene, are mentioned, for example.

다이 본드층(3)이, 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하는 경우, 이와 같은 열가소성 수지로서는, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 들 수 있다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 아크릴 수지로서는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 단위를 포함하는 것을 들 수 있다.When the die-bonding layer 3 contains a thermoplastic resin having a thermosetting functional group, examples of such a thermoplastic resin include an acrylic resin containing a thermosetting functional group. Examples of the acrylic resin in the thermosetting functional group-containing acrylic resin include those containing a monomer unit derived from a (meth)acrylic acid ester.

열경화성 관능기를 갖는 열경화성 수지에 있어서는, 열경화성 관능기의 종류에 따라서, 경화제가 선택된다.In the thermosetting resin having a thermosetting functional group, a curing agent is selected according to the kind of the thermosetting functional group.

다이 본드층(3)은, 수지 성분의 경화 반응을 충분히 진행시키거나, 경화 반응 속도를 높이거나 하는 관점에서, 열경화 촉매를 함유하고 있어도 된다. 열경화 촉매로서는, 예를 들어 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물, 및 트리할로겐보란계 화합물을 들 수 있다.The die-bonding layer 3 may contain a thermosetting catalyst from the viewpoint of sufficiently advancing the curing reaction of the resin component or increasing the curing reaction rate. Examples of the thermosetting catalyst include imidazole-based compounds, triphenylphosphine-based compounds, amine-based compounds, and trihalogenborane-based compounds.

다이 본드층(3)은, 열가소성 수지를 포함하고 있어도 된다. 열가소성 수지는 바인더로서 기능한다. 열가소성 수지로서는, 예를 들어 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 폴리아미드6이나 폴리아미드6,6 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 조합되어 사용되어도 된다. 상기 열가소성 수지로서는, 이온성 불순물이 적고, 또한, 내열성이 높기 때문에, 다이 본드층에 의한 접속 신뢰성이 확보되기 쉬워진다고 하는 관점에서, 아크릴 수지가 바람직하다.The die bonding layer 3 may contain a thermoplastic resin. The thermoplastic resin functions as a binder. As a thermoplastic resin, for example, natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic And polyimide resins, polyamide resins such as polyamide 6 and polyamide 6,6, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamideimide resins, and fluororesins. As for the said thermoplastic resin, only 1 type may be used, and 2 or more types may be combined and used. As the thermoplastic resin, since there are few ionic impurities and has high heat resistance, an acrylic resin is preferable from the viewpoint that connection reliability by the die-bonding layer is easily secured.

상기 아크릴 수지는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 단위를 질량 비율로 가장 많은 모노머 단위로서 포함하는 폴리머인 것이 바람직하다. (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, 및, (메트)아크릴산아릴에스테르 등을 들 수 있다. 상기 아크릴 수지는, (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 다른 성분에서 유래되는 모노머 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다른 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 글리시딜기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드, 아크릴니트릴 등의 관능기 함유 모노머나, 각종 다관능성 모노머 등을 들 수 있다. 다이 본드층에 있어서 높은 응집력을 실현한다는 관점에서, 상기 아크릴 수지는, (메트)아크릴산에스테르(특히, 알킬기의 탄소수가 4 이하인 (메트)아크릴산알킬에스테르)와, 카르복시기 함유 모노머와, 질소 원자 함유 모노머와, 다관능성 모노머(특히, 폴리글리시딜계 다관능 모노머)의 공중합체인 것이 바람직하고, 아크릴산에틸과, 아크릴산부틸과, 아크릴산과, 아크릴로니트릴과, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트의 공중합체인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the said acrylic resin is a polymer which contains the monomer unit derived from a (meth)acrylic acid ester as the largest number of monomer units by mass ratio. As (meth)acrylic acid ester, (meth)acrylic acid alkyl ester, (meth)acrylic acid cycloalkyl ester, and (meth)acrylic acid aryl ester, etc. are mentioned, for example. The acrylic resin may contain a monomer unit derived from another component copolymerizable with a (meth)acrylic acid ester. Examples of the other components include functional group-containing monomers such as carboxy group-containing monomers, acid anhydride monomers, hydroxy group-containing monomers, glycidyl group-containing monomers, sulfonic acid group-containing monomers, phosphoric acid group-containing monomers, acrylamide and acrylonitrile, and various polyfunctionals. And monomers. From the viewpoint of realizing high cohesiveness in the die-bonding layer, the acrylic resin is a (meth)acrylic acid ester (particularly, a (meth)acrylate alkyl ester having 4 or less carbon atoms in the alkyl group), a carboxyl group-containing monomer, and a nitrogen atom-containing monomer. And, a copolymer of a polyfunctional monomer (especially a polyglycidyl polyfunctional monomer) is preferable, and copolymerization of ethyl acrylate, butyl acrylate, acrylic acid, acrylonitrile, and polyglycidyl (meth)acrylate It is more preferable to have a chain.

다이 본드층(3)은, 필요에 따라서, 1종 또는 2종 이상의 다른 성분을 함유해도 된다. 다른 성분으로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제, 및 이온 트랩제를 들 수 있다.The die-bonding layer 3 may contain one type or two or more types of other components as necessary. As another component, a flame retardant, a silane coupling agent, and an ion trapping agent are mentioned, for example.

다이 본드층(3)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 이와 같은 두께는, 3㎛ 이상 150㎛ 이하여도 되고, 5㎛ 이상 100㎛ 이하여도 된다.The thickness of the die-bonding layer 3 is not particularly limited, but is, for example, 1 µm or more and 200 µm or less. Such a thickness may be 3 µm or more and 150 µm or less, or 5 µm or more and 100 µm or less.

본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 예를 들어 반도체 집적 회로를 제조하기 위한 보조 용구로서 사용된다. 이하, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 사용의 구체예에 대하여 설명한다.The dicing die-bonding film 20 according to the present embodiment is used, for example, as an auxiliary tool for manufacturing a semiconductor integrated circuit. Hereinafter, a specific example of the use of the dicing die-bonding film 20 will be described.

이하에서는, 기재층(1)이 1층인 다이싱 다이 본드 필름(20)을 사용한 예에 대하여 설명한다.Hereinafter, an example using the dicing die-bonding film 20 in which the base layer 1 is one layer will be described.

반도체 집적 회로를 제조하는 방법은, 반도체 웨이퍼를 할단 처리에 의해 칩(다이)으로 가공하기 위해 반도체 웨이퍼에 홈을 형성하는 하프컷 공정과, 하프컷 공정 후의 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 하는 백그라인드 공정과, 백그라인드 공정 후의 반도체 웨이퍼의 일면(예를 들어, 회로면과는 반대측의 면)을 다이 본드층(3)에 첩부하여, 다이싱 테이프(10)에 반도체 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 하프컷 가공된 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 반도체 칩끼리의 간격을 유지하는 커프 유지 공정과, 다이 본드층(3)과 점착제층(2) 사이를 박리하여 다이 본드층(3)이 첩부된 상태에서 반도체 칩(다이)을 취출하는 픽업 공정과, 다이 본드층(3)이 첩부된 상태의 반도체 칩(다이)을 피착체에 접착시키는 다이 본드 공정을 갖는다. 이들 공정을 실시할 때, 본 실시 형태의 다이싱 테이프(다이싱 다이 본드 필름)가 제조 보조 용구로서 사용된다.The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit includes a half-cut process in which a groove is formed in a semiconductor wafer in order to process the semiconductor wafer into chips (die) by a cutting process, and a bag in which the thickness of the semiconductor wafer is reduced by grinding the semiconductor wafer after the half-cut process. A mounting process in which the semiconductor wafer is fixed to the dicing tape 10 by affixing one surface (e.g., the surface opposite to the circuit surface) of the semiconductor wafer after the grinding process and the backgrinding process to the die bonding layer 3 And, an expand process to increase the spacing between the half-cut semiconductor chips, a cuff holding process to maintain the spacing between the semiconductor chips, and a die bond layer by peeling between the die bonding layer 3 and the pressure-sensitive adhesive layer 2 (3) A pick-up step of taking out the semiconductor chip (die) in the affixed state, and a die bonding step of adhering the semiconductor chip (die) in the state of sticking the die-bonding layer 3 to the adherend. When performing these processes, the dicing tape (dicing die-bonding film) of this embodiment is used as a manufacturing auxiliary tool.

하프컷 공정에서는, 도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 반도체 집적 회로를 소편(다이)으로 할단하기 위한 하프컷 가공을 실시한다. 상세하게는, 반도체 웨이퍼 W의 회로면과는 반대측의 면에, 웨이퍼 가공용 테이프 T를 첩부한다(도 3a 참조). 또한, 웨이퍼 가공용 테이프 T에 다이싱 링 R을 설치한다(도 3a 참조). 웨이퍼 가공용 테이프 T를 첩부한 상태에서, 분할용의 홈을 형성한다(도 3b 참조). 백그라인드 공정에서는, 도 3c 및 도 3d에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 한다. 상세하게는, 홈을 형성한 면에 백그라인드 테이프 G를 첩부하는 한편, 처음에 첩부한 웨이퍼 가공용 테이프 T를 박리한다(도 3c 참조). 백그라인드 테이프 G를 첩부한 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께로 될 때까지 연삭 가공을 실시한다(도 3d 참조).In the half-cut process, as shown in Figs. 3A and 3B, a half-cut process is performed to cut the semiconductor integrated circuit into small pieces (die). Specifically, the wafer processing tape T is affixed to the surface of the semiconductor wafer W on the opposite side to the circuit surface (see Fig. 3A). Further, a dicing ring R is provided on the wafer processing tape T (see Fig. 3A). In the state where the wafer processing tape T is affixed, a groove for dividing is formed (see Fig. 3B). In the backgrinding process, as shown in Figs. 3C and 3D, the semiconductor wafer is ground to reduce the thickness. Specifically, while the backgrind tape G is affixed to the grooved surface, the wafer processing tape T first affixed is peeled off (see Fig. 3C). In the state where the backgrind tape G is affixed, grinding is performed until the semiconductor wafer W has a predetermined thickness (see Fig. 3D).

마운트 공정에서는, 도 4a 내지 도 4b에 도시한 바와 같이, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)에 다이싱 링 R을 설치한 후, 노출된 다이 본드층(3)의 면에, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼 W를 첩부한다(도 4a 참조). 그 후, 반도체 웨이퍼 W로부터 백그라인드 테이프 G를 박리한다(도 4b 참조).In the mounting process, as shown in Figs. 4A to 4B, after installing the dicing ring R on the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing tape 10, a half The cut-processed semiconductor wafer W is affixed (see Fig. 4A). After that, the backgrind tape G is peeled from the semiconductor wafer W (see Fig. 4B).

익스팬드 공정에서는, 도 5a 내지 도 5c에 도시한 바와 같이, 다이싱 링 R을 익스팬드 장치의 유지구 H에 고정한다. 익스팬드 장치가 구비하는 밀어올림 부재 U를 사용하여, 다이싱 다이 본드 필름(20)을 하측으로부터 밀어올림으로써, 다이싱 다이 본드 필름(20)을 면 방향으로 넓히도록 잡아늘인다(도 5b 참조). 이에 의해, 특정 온도 조건에 있어서, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼 W를 할단한다. 상기 온도 조건은, 예를 들어 -20 내지 5℃이며, 바람직하게는 -15 내지 0℃, 보다 바람직하게는 -10 내지 -5℃이다. 밀어올림 부재 U를 하강시킴으로써 익스팬드 상태를 해제한다(도 5c 참조).In the expand process, as shown in Figs. 5A to 5C, the dicing ring R is fixed to the holder H of the expander. The dicing die-bonding film 20 is stretched so as to expand in the plane direction by pushing the dicing die-bonding film 20 from the lower side using the push-up member U provided in the expander (see Fig. 5B). . Thereby, in a specific temperature condition, the semiconductor wafer W processed by half cut is cut|disconnected. The temperature conditions are, for example, -20 to 5°C, preferably -15 to 0°C, and more preferably -10 to -5°C. The expanded state is released by lowering the pushing member U (see Fig. 5C).

또한, 익스팬드 공정에서는, 도 6a 내지 도 6b에 도시한 바와 같이, 보다 높은 온도 조건 하(예를 들어, 실온(23℃))에 있어서, 면적을 넓히도록 다이싱 테이프(10)를 잡아늘린다. 이에 의해, 할단된 인접하는 반도체 칩을 필름면의 면 방향으로 벌려, 간격을 더 넓힌다.In addition, in the expand process, as shown in Figs. 6A to 6B, under a higher temperature condition (for example, room temperature (23°C)), the dicing tape 10 is stretched to increase the area. . Thereby, the divided adjacent semiconductor chips are spread out in the plane direction of the film surface, and the gap is further widened.

여기서, 본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)에서는, 다이싱 테이프(10)의 -10℃에서의 인장 저장 탄성률이 50㎫ 이상 250㎫ 이하이므로, 특히, 반도체 웨이퍼(예를 들어, 직경 200㎜(8인치)의 반도체 웨이퍼)를, NAND 메모리 컨트롤러에 사용되는, 면적이 10㎟ 이하인 극소의 반도체 칩(예를 들어, 표면이 대략 직사각형이며, 길이 4㎜×폭 2㎜의 반도체 칩)으로 보다 충분히 할단할 수 있다.Here, in the dicing die-bonding film 20 according to the present embodiment, the tensile storage elastic modulus at -10°C of the dicing tape 10 is 50 MPa or more and 250 MPa or less, so in particular, a semiconductor wafer (for example, A semiconductor wafer having a diameter of 200 mm (8 inches)) is used in a NAND memory controller and is a very small semiconductor chip having an area of 10 mm 2 or less (for example, a semiconductor chip having a substantially rectangular surface and a length of 4 mm x a width of 2 mm). ) Can be more fully divided.

또한, 다이싱 테이프(10)의 -10℃에서의 손실 계수를 0.07 이상 0.18 이하로 하면, 특히, 상기와 같은 극소의 반도체 칩으로 보다 충분히 할단할 수 있는 것에 더하여, 다이싱 테이프(10)를 잡아늘려 상기와 같은 극소의 반도체 칩으로 파단할 때, 다이싱 테이프(10)가 파단되는 것을 비교적 억제할 수 있다.In addition, when the loss factor of the dicing tape 10 at -10°C is 0.07 or more and 0.18 or less, in particular, in addition to being able to be more fully cut with the smallest semiconductor chips as described above, the dicing tape 10 is When the dicing tape 10 is stretched and broken into the smallest semiconductor chip as described above, breakage of the dicing tape 10 can be relatively suppressed.

또한, 다이싱 테이프(10)의 -10℃에서의 파단 신도를 450％ 이상 600％ 이하로 하면, 특히, 상기와 같은 극소의 반도체 칩으로 보다 충분히 할단할 수 있는 것에 더하여, 다이싱 테이프(10)를 잡아늘려 상기와 같은 극소의 반도체 칩으로 파단할 때, 다이싱 테이프(10)가 파단되는 것을 비교적 억제할 수 있다.In addition, when the breaking elongation of the dicing tape 10 at -10°C is 450% or more and 600% or less, in particular, in addition to the fact that in particular, the dicing tape 10 can be more fully cut with the above-described very small semiconductor chips. When breaking with the smallest semiconductor chips as described above by stretching ), the dicing tape 10 can be relatively suppressed from breaking.

커프 유지 공정에서는, 도 7에 도시한 바와 같이, 다이싱 테이프(10)에 열풍(예를 들어, 100 내지 130℃)을 쐬어 다이싱 테이프(10)를 열수축시킨 후 냉각 고화시켜, 할단된 인접하는 반도체 칩간의 거리(커프)를 유지한다.In the cuff holding process, as shown in FIG. 7, hot air (for example, 100 to 130°C) is applied to the dicing tape 10 to heat-shrink the dicing tape 10 and then cool and solidify it, Maintain the distance (cuff) between semiconductor chips.

여기서, 본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)에서는, 다이싱 테이프(10)의 -10℃에서의 인장 저장 탄성률이 50㎫ 이상 250㎫ 이하이므로, 극소의 반도체 칩으로의 할단 후에, 커프를 충분히 유지할 수 있다.Here, in the dicing die-bonding film 20 according to the present embodiment, since the dicing tape 10 has a tensile storage elastic modulus at -10°C of 50 MPa or more and 250 MPa or less, after cutting into a very small semiconductor chip, You can keep enough of the cuff.

픽업 공정에서는, 도 8에 도시한 바와 같이, 다이 본드층(3)이 첩부된 상태의 반도체 칩을 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터 박리한다. 상세하게는, 핀 부재 P를 상승시켜, 픽업 대상의 반도체 칩을, 다이싱 테이프(10)를 개재하여 밀어올린다. 밀어올려진 반도체 칩을 흡착 지그 J에 의해 보유 지지한다.In the pick-up process, as shown in FIG. 8, the semiconductor chip in a state in which the die bonding layer 3 is affixed is peeled from the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing tape 10. Specifically, the pin member P is raised, and the semiconductor chip to be picked up is pushed up through the dicing tape 10. The pushed-up semiconductor chip is held by the suction jig J.

다이 본드 공정에서는, 다이 본드층(3)이 첩부된 상태의 반도체 칩을 피착체에 접착시킨다.In the die bonding process, the semiconductor chip in the state in which the die bonding layer 3 is affixed is bonded to the adherend.

또한, 상기 반도체 집적 회로의 제조에 있어서는, 다이싱 다이 본드 필름(20)을 보조구로서 사용하는 예에 대하여 설명하였지만, 다이싱 테이프(10)를 보조구로서 사용한 경우에도, 상기와 마찬가지로 하여 반도체 집적 회로를 제조할 수 있다.In addition, in the manufacture of the semiconductor integrated circuit described above, an example in which the dicing die-bonding film 20 is used as an auxiliary tool has been described. However, even when the dicing tape 10 is used as an auxiliary tool, the semiconductor integrated circuit is similarly used as described above. Integrated circuits can be manufactured.

본 명세서에 의해 개시되는 사항은, 이하의 것을 포함한다.Matters disclosed by this specification include the following.

(1)(One)

기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프이며,It is a dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base layer,

-10℃에서의 인장 저장 탄성률이 50㎫ 이상 250㎫ 이하인 다이싱 테이프.Dicing tape with a tensile storage modulus of 50 MPa or more and 250 MPa or less at -10°C.

이러한 구성에 의하면, 상기 다이싱 테이프의 -10℃에서의 인장 저장 탄성률이 50㎫ 이상 250㎫ 이하이므로, 상기 다이싱 테이프는, 적당한 탄성을 갖는 것이 된다.According to this configuration, since the dicing tape has a tensile storage elastic modulus at -10°C of 50 MPa or more and 250 MPa or less, the dicing tape has an appropriate elasticity.

그 때문에, 반도체 웨이퍼에 첩부하고, 상기 다이싱 테이프를 익스팬드하여 상기 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 할단을 행하는 경우에, 상기 다이싱 테이프를 보다 잡아늘릴 수 있다.Therefore, when the dicing tape is affixed to a semiconductor wafer and the dicing tape is expanded to cut into a plurality of semiconductor chips from the semiconductor wafer, the dicing tape can be further stretched.

이에 의해, 할단 라인수가 비교적 많은 경우에도, 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 양호한 할단을 행할 수 있다.Thereby, even when the number of cutting lines is relatively large, good cutting can be performed from a semiconductor wafer to a plurality of semiconductor chips.

또한, 커프를 충분히 유지할 수 있다.In addition, the cuff can be sufficiently maintained.

(2)(2)

-10℃에서의 손실 계수가 0.07 이상 0.18 이하인 상기 (1)에 기재된 다이싱 테이프.The dicing tape according to the above (1), wherein the loss factor at -10°C is 0.07 or more and 0.18 or less.

이러한 구성에 의하면, -10℃에서의 손실 계수가 0.07 이상 0.18 이하이므로, 상기 다이싱 테이프는, 적당한 탄성에다가, 적당한 경도를 갖는 것이 된다.According to this configuration, since the loss factor at -10°C is 0.07 or more and 0.18 or less, the dicing tape has an appropriate elasticity and an appropriate hardness.

그 때문에, 반도체 웨이퍼에 첩부하고, 상기 다이싱 테이프를 익스팬드하여 상기 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 할단을 행하는 경우에, 상기 다이싱 테이프를 보다 잡아늘릴 수 있는 것에 더하여, 상기 다이싱 테이프를 잡아늘렸을 때의 파단을 비교적 억제할 수 있다.Therefore, when the dicing tape is affixed to a semiconductor wafer and the dicing tape is expanded to cut into a plurality of semiconductor chips from the semiconductor wafer, in addition to being able to stretch the dicing tape, the dicing tape Fracture when stretched can be relatively suppressed.

이에 의해, 할단 라인수가 비교적 많은 경우에도, 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 양호한 할단을 행할 수 있고, 또한, 커프를 충분히 유지할 수 있는 것에 더하여, 할단 시에 있어서의 상기 다이싱 테이프의 파단을 비교적 억제할 수 있다.Thereby, even when the number of cutting lines is relatively large, good cutting can be performed from a semiconductor wafer to a plurality of semiconductor chips, and in addition to being able to sufficiently hold the cuff, breaking of the dicing tape at the time of cutting is prevented. It can be relatively suppressed.

(3)(3)

-10℃에서의 파단 신도가 450％ 이상 600％ 이하인 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 다이싱 테이프.The dicing tape according to (1) or (2), wherein the elongation at break at -10°C is 450% or more and 600% or less.

이러한 구성에 의하면, -10℃에서의 파단 신도가 450％ 이상 600％ 이하이므로, 상기 다이싱 테이프는, 적당한 탄성에다가, 적당한 경도를 갖는 것이 된다.According to this configuration, since the elongation at break at -10°C is 450% or more and 600% or less, the dicing tape has an appropriate elasticity and an appropriate hardness.

그 때문에, 반도체 웨이퍼에 첩부하고, 상기 다이싱 테이프를 익스팬드하여 상기 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 할단을 행하는 경우에, 상기 다이싱 테이프를 보다 잡아늘릴 수 있는 것에 더하여, 상기 다이싱 테이프를 잡아늘렸을 때의 파단을 비교적 억제할 수 있다.Therefore, when the dicing tape is affixed to a semiconductor wafer and the dicing tape is expanded to cut into a plurality of semiconductor chips from the semiconductor wafer, in addition to being able to stretch the dicing tape, the dicing tape Fracture when stretched can be relatively suppressed.

이에 의해, 할단 라인수가 비교적 많은 경우에도, 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 양호한 할단을 행할 수 있고, 또한, 커프를 충분히 유지할 수 있는 것에 더하여, 할단 시에 있어서의 상기 다이싱 테이프의 파단을 비교적 억제할 수 있다.Thereby, even when the number of cutting lines is relatively large, good cutting can be performed from a semiconductor wafer to a plurality of semiconductor chips, and in addition to being able to sufficiently hold the cuff, breaking of the dicing tape at the time of cutting is prevented. It can be relatively suppressed.

(4)(4)

기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와,A dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base layer,

상기 다이싱 테이프의 점착제층 상에 적층된 다이 본드층을 구비하고,It has a die-bonding layer laminated on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape,

-10℃에서의 인장 저장 탄성률이 50㎫ 이상 250㎫ 이하인 다이싱 다이 본드 필름.A dicing die-bonding film having a tensile storage modulus of 50 MPa or more and 250 MPa or less at -10°C.

이러한 구성에 의하면, 반도체 웨이퍼에 첩부하고, 상기 다이싱 테이프를 익스팬드하여 상기 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 할단을 행하는 경우에, 상기 다이싱 테이프를 보다 잡아늘릴 수 있다.According to such a configuration, when the dicing tape is affixed to a semiconductor wafer and the dicing tape is expanded to divide the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips, the dicing tape can be stretched further.

이에 의해, 할단 라인수가 비교적 많은 경우에도, 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 양호한 할단을 행할 수 있다.Thereby, even when the number of cutting lines is relatively large, good cutting can be performed from a semiconductor wafer to a plurality of semiconductor chips.

또한, 커프를 충분히 유지할 수 있다.In addition, the cuff can be sufficiently maintained.

(5)(5)

-10℃에서의 손실 계수가 0.07 이상 0.18 이하인 상기 (4)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to the above (4), wherein the loss factor at -10°C is 0.07 or more and 0.18 or less.

할단 라인수가 비교적 많은 경우에도, 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 양호한 할단을 행할 수 있다.Even when the number of cutting lines is relatively large, good cutting can be performed from a semiconductor wafer to a plurality of semiconductor chips.

또한, 커프를 충분히 유지할 수 있다.In addition, the cuff can be sufficiently maintained.

(6)(6)

-10℃에서의 파단 신도가 450％ 이상 600％ 이하인 상기 (4) 또는 (5)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to the above (4) or (5), wherein the elongation at break at -10°C is 450% or more and 600% or less.

이러한 구성에 의하면, 할단 라인수가 비교적 많은 경우에도, 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 양호한 할단을 행할 수 있고, 또한, 커프를 충분히 유지할 수 있는 것에 더하여, 할단 시에 있어서의 상기 다이싱 테이프의 파단을 비교적 억제할 수 있다.According to this configuration, even when the number of cutting lines is relatively large, good cutting can be performed from a semiconductor wafer to a plurality of semiconductor chips, and in addition to being able to sufficiently hold the cuff, the dicing tape can be Fracture can be relatively suppressed.

또한, 본 발명에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름은, 상기한 작용 효과에 의해 한정되는 것도 아니다. 본 발명에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름은, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.In addition, the dicing tape and the dicing die-bonding film according to the present invention are not limited to the above embodiment. In addition, the dicing tape and the dicing die-bonding film according to the present invention are not limited by the above-described effects. The dicing tape and dicing die-bonding film according to the present invention can be variously changed without departing from the gist of the present invention.

[실시예][Example]

다음에, 실시예를 들어 본 발명에 대하여 더욱 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예는 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위한 것이고, 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples. The following examples are for explaining the present invention in more detail, and do not limit the scope of the present invention.

[실시예 1][Example 1]

<기재층의 성형><Molding of the base layer>

2종 3층 압출 T다이 성형기를 사용하여, A층/B층/C층의 3층 구조(B층을 중심층으로 하고, B층의 양면에 외층인 A층 및 C층이 적층된 3층 구조)를 갖는 기재층을 성형하였다. A층 및 C층의 수지에는 메탈로센 PP(상품명: 윈텍 WFX4M, 니혼 폴리프로사제)를 사용하고, B층의 수지에는 EVA(상품명: 에바플렉스 EV250, 미츠이·듀퐁 폴리케미컬사제)를 사용하였다.A three-layer structure of layer A/B/C layer using a two-type three-layer extrusion T-die molding machine (three layers with layer B as the center layer and layer A and C layer on both sides of layer B) Structure) was molded. Metallocene PP (trade name: Wintec WFX4M, manufactured by Nippon Polypro) was used for the resins of the A and C layers, and EVA (trade name: Evaflex EV250, manufactured by Mitsui DuPont Polychemical) was used for the resin of the B layer. .

상기 압출 성형은, 다이스 온도 190℃에서 행하였다. 즉, A층, B층 및 C층은 190℃에서 압출 성형되었다. 압출 성형에 의해 얻어진 기재층의 두께는 100㎛였다. 또한, A층, B층 및 C층의 두께의 비(층 두께비)는, A층:B층:C층=1:10:1이었다.The extrusion molding was performed at a die temperature of 190°C. That is, the A layer, the B layer, and the C layer were extrusion molded at 190°C. The thickness of the substrate layer obtained by extrusion molding was 100 µm. In addition, the ratio (layer thickness ratio) of the thicknesses of the A layer, the B layer, and the C layer was A layer:B layer:C layer=1:10:1.

성형된 기재층을 충분히 고화시킨 후에, 고화 후의 기재층을 롤형으로 권취하여 롤체로 하였다.After sufficiently solidifying the molded base material layer, the solidified base material layer was wound up in a roll shape to obtain a roll body.

<다이싱 테이프의 제작><Production of dicing tape>

롤형의 기재층으로부터 기재층의 한쪽의 표면에, 애플리케이터를 사용하여 두께 10㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하였다. 점착제 조성물 도포 후의 기재층을 110℃에서 3분 가열 건조하여, 점착제층을 형성함으로써, 다이싱 테이프를 얻었다.A pressure-sensitive adhesive composition was applied from the roll-shaped base layer to one surface of the base layer using an applicator to a thickness of 10 µm. The substrate layer after application of the pressure-sensitive adhesive composition was heated and dried at 110° C. for 3 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer to obtain a dicing tape.

상기 점착제 조성물은, 이하와 같이 하여 조제하였다.The pressure-sensitive adhesive composition was prepared as follows.

먼저, INA(이소노닐아크릴레이트) 173질량부, HEA(히드록시에틸아크릴레이트) 54.5질량부, AIBN(2,2'-아조비스이소부티로니트릴) 0.46질량부, 아세트산에틸 372질량부를 혼합하여 제1 수지 조성물을 얻었다.First, 173 parts by mass of INA (isononyl acrylate), 54.5 parts by mass of HEA (hydroxyethyl acrylate), 0.46 parts by mass of AIBN (2,2'-azobisisobutyronitrile), and 372 parts by mass of ethyl acetate were mixed. The 1st resin composition was obtained.

다음에, 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크(용량 1L), 온도계, 질소 도입관, 및, 교반 날개가 장비된 중합용 실험 장치의 상기 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내에 상기 제1 수지 조성물을 첨가하고, 상기 제1 수지 조성물을 교반하면서, 상기 제1 수지 조성물의 액온을 상온(23℃)으로 하여, 상기 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내를 6시간 질소 치환하였다.Next, the first resin composition was added into the round-bottom separable flask of a polymerization experiment apparatus equipped with a round-bottom separable flask (volume 1L), a thermometer, a nitrogen introduction tube, and a stirring blade, and the first While stirring the resin composition, the liquid temperature of the first resin composition was set to room temperature (23° C.), and the inside of the round-bottom separable flask was purged with nitrogen for 6 hours.

계속해서 상기 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내에 질소를 유입시킨 상태에서, 상기 제1 수지 조성물을 교반하면서, 상기 제1 수지 조성물의 액온을 62℃에서 3시간 유지한 후 또한 75℃에서 2시간 유지하여, 상기 INA, 상기 HEA, 및 상기 AIBN을 중합시켜, 제2 수지 조성물을 얻었다. 그 후, 상기 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내로의 질소의 유입을 정지하였다.Subsequently, while nitrogen was introduced into the round-bottom separable flask, while stirring the first resin composition, the liquid temperature of the first resin composition was maintained at 62°C for 3 hours, and then maintained at 75°C for 2 hours, The INA, the HEA, and the AIBN were polymerized to obtain a second resin composition. After that, the introduction of nitrogen into the round bottom separable flask was stopped.

액온이 상온이 될 때까지 상기 제2 수지 조성물을 냉각한 후, 상기 제2 수지 조성물에, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서, 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트(쇼와 덴코사제, 상품명 「카렌즈 MOI(등록상표)」) 52.5질량부, 및, 디라우르산디부틸주석 IV(와코 준야쿠 고교사제) 0.26질량부를 첨가하여 얻은 제3 수지 조성물을, 대기 분위기 하에서, 액온 50℃에서 24시간 교반하였다.After cooling the second resin composition until the liquid temperature reaches room temperature, as a compound having a polymerizable carbon-carbon double bond in the second resin composition, 2-isocyanatoethyl methacrylate (manufactured by Showa Denko Co., Ltd.) , Brand name "Carenz MOI (registered trademark)") 52.5 parts by mass, and dibutyltin dilaurate IV (manufactured by Wako Junyaku Kogyo) 0.26 parts by mass of a third resin composition obtained by adding, in an atmospheric atmosphere, a liquid temperature of 50°C. It was stirred at for 24 hours.

다음에, 상기 제3 수지 조성물에 있어서, 폴리머 고형분 100질량부에 대하여 코로네이트 L(이소시아네이트 화합물) 및 Omnirad127(광중합 개시제)을 각각 0.75질량부 및 2질량부 첨가한 후, 아세트산에틸을 사용하여, 고형분 농도가 20질량％가 되도록 상기 제3 수지 조성물을 희석하여, 점착제 조성물을 조제하였다.Next, in the third resin composition, 0.75 parts by mass and 2 parts by mass of coronate L (isocyanate compound) and Omnirad127 (photopolymerization initiator) were added, respectively, with respect to 100 parts by mass of the polymer solid content, and then ethyl acetate was used, The 3rd resin composition was diluted so that the solid content concentration might become 20 mass %, and the adhesive composition was prepared.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작><Production of dicing die-bonding film>

아크릴 수지(나가세 켐텍스사제, 상품명 「SG-P3」, 유리 전이 온도 12℃) 100질량부, 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠사제, 상품명 「JER1001」) 46질량부, 페놀 수지(메이와 가세이사제, 상품명 「MEH-7851ss」) 51질량부, 구상 실리카(애드마텍스사제, 상품명 「SO-25R」) 191질량부, 및, 경화 촉매(시코쿠 가세이 고교사제, 상품명 「큐어졸 PHZ」) 0.6질량부를, 메틸에틸케톤에 첨가하여 혼합하여, 고형분 농도 20질량％의 다이 본드 조성물을 얻었다.100 parts by mass of acrylic resin (manufactured by Nagase Chemtex, brand name "SG-P3", glass transition temperature 12°C), 46 parts by mass of epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, brand name "JER1001"), phenol resin (manufactured by Meiwa Kasei Corporation) , Brand name "MEH-7851ss") 51 parts by mass, spherical silica (manufactured by Admatex, brand name "SO-25R") 191 parts by mass, and curing catalyst (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo, brand name "Curesol PHZ") 0.6 parts Part was added to methyl ethyl ketone and mixed to obtain a die-bonding composition having a solid content concentration of 20% by mass.

다음에, 박리 라이너인 PET계 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 처리를 실시한 면 상에, 애플리케이터를 사용하여 두께 10㎛가 되도록 상기 다이 본드 조성물을 도포하고, 130℃에서 2분간 건조하여 상기 다이 본드 조성물로부터 탈용매하여, 상기 박리 라이너 상에 다이 본드층이 적층된 다이 본드 시트를 얻었다.Next, the die-bonding composition was applied to a thickness of 10 μm using an applicator on the silicone-treated surface of a PET-based separator (thickness 50 μm), which is a release liner, and dried at 130° C. for 2 minutes to bond the die. Solvent was removed from the composition to obtain a die-bonding sheet in which a die-bonding layer was laminated on the release liner.

다음에, 상기 다이싱 테이프의 상기 점착제층 상에, 상기 다이 본드 시트에 있어서의 상기 박리 시트가 적층되어 있지 않은 측을 접합한 후, 상기 박리 라이너를 상기 다이 본드층으로부터 박리하여, 다이 본드층을 구비하는 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.Next, after bonding the side of the die bonding sheet on which the release sheet is not laminated on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape, the release liner is peeled from the die bonding layer, and a die bonding layer A dicing die-bonding film provided was obtained.

상기와 같이 하여 얻은 다이싱 테이프에 대하여, 이하와 같이 하여, -10℃에서의 인장 저장 탄성률 및 -10℃에서의 손실 탄성률을 측정하고, -10℃에서의 손실 계수를 산출하였다.For the dicing tape obtained as described above, the tensile storage modulus at -10°C and the loss modulus at -10°C were measured as follows, and the loss factor at -10°C was calculated.

또한, 이하와 같이 하여, 시험편이 파단될 때의 길이를 측정함으로써, -10℃에서의 파단 신도를 산출하였다.Further, by measuring the length when the test piece was broken in the following manner, the breaking elongation at -10°C was calculated.

또한, 익스팬드 시의 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 극소 칩으로의 할단성, 및, 커프 유지성에 대하여 평가하였다.Further, the dicing die-bonding film at the time of expansion was used to evaluate the slicing property into very small chips, and the cuff retention property.

(인장 저장 탄성률 및 손실 계수)(Tensile storage modulus and loss factor)

실시예 1에 관한 다이싱 테이프로부터, 길이 40㎜(측정 길이)×폭 10㎜의 시험편을 잘라내고, 고체 점탄성 측정 장치(형식 RSAIII, 레오메트릭 사이언티픽 가부시키가이샤제)를 사용하여, 주파수 1Hz, 변형량 0.1％, 승온 속도 10℃/min, 척간 거리 22.5㎜의 조건에 있어서, -50 내지 100℃의 온도 범위에서 상기 시험편의 인장 저장 탄성률 및 손실 탄성률을 측정하였다.From the dicing tape according to Example 1, a test piece having a length of 40 mm (measurement length) x 10 mm in width was cut out, and a solid viscoelasticity measuring device (model RSAIII, manufactured by Rheometric Scientific Co., Ltd.) was used, and the frequency was 1 Hz. , The tensile storage modulus and loss modulus of the test piece were measured in a temperature range of -50 to 100°C under conditions of a strain of 0.1%, a temperature increase rate of 10°C/min, and a chuck distance of 22.5 mm.

그때, -10℃에서의 값을 판독함으로써, -10℃에서의 인장 저장 탄성률, 및, -10℃에서의 손실 탄성률을 구하였다.At that time, by reading the value at -10°C, the tensile storage modulus at -10°C and the loss modulus at -10°C were determined.

또한, -10℃에서의 인장 저장 탄성률의 값을 -10℃에서의 손실 계수의 값으로 제산함으로써, -10℃에서의 손실 계수를 산출하였다.Further, the loss factor at -10°C was calculated by dividing the value of the tensile storage modulus at -10°C by the value of the loss factor at -10°C.

(파단 신도)(Breaking elongation)

실시예 1에 관한 다이싱 테이프로부터, 길이 120㎜(측정 길이. L0)×폭 10㎜의 시험편을 잘라내고, 인장 시험기(오토그래프 AG-IS, 시마즈 세이사쿠쇼제)를 사용하여, 측정 온도(-10℃), 척간 거리 50㎜, 및, 인장 속도 100㎜/min의 조건에서, 상기 시험편을 길이 방향으로 인장하여, 상기 시험편이 파단될 때의 길이(L1)를 측정하였다.From the dicing tape according to Example 1, a test piece having a length of 120 mm (measurement length. L 0 ) x 10 mm in width was cut out, and a tensile tester (Autograph AG-IS, manufactured by Shimadzu Corporation) was used to measure temperature. (-10°C), a chuck distance of 50 mm, and a tensile speed of 100 mm/min, the test piece was stretched in the longitudinal direction, and the length (L 1 ) when the test piece was broken was measured.

그리고, 하기 식에 기초하여, -10℃에서의 파단 신도 E를 산출하였다.And based on the following formula, the breaking elongation E at -10 degreeC was computed.

파단 신도 E=(L1-L0)/L0×100Elongation at break E=(L 1 -L 0 )/L 0 ×100

(극소 칩으로의 할단성)(Cleavability to microchip)

실시예 1에 관한 다이싱 다이 본드 필름에, 베어 웨이퍼(직경 300㎜) 및 다이싱 링을 첩부하였다. 다음에, 다이 세퍼레이터 DDS2300(디스코사제)을 사용하여, 반도체 웨이퍼 및 다이 본드층의 할단을 행하고, 극소 칩으로의 할단성에 대하여 평가하였다. 베어 웨이퍼는, 길이 2㎜×폭 2㎜×두께 0.030㎜의 크기의 베어 칩(극소 칩)으로 할단하였다.To the dicing die-bonding film according to Example 1, a bare wafer (300 mm in diameter) and a dicing ring were affixed. Next, using the die separator DDS2300 (manufactured by Disco Corporation), the semiconductor wafer and the die-bonding layer were cleaved, and the cleavability to a very small chip was evaluated. The bare wafer was cut into bare chips (miniature chips) having a size of 2 mm in length x 2 mm in width x 0.030 mm in thickness.

할단성은, 상세하게는 이하와 같이 하여 평가하였다.The cleavage property was evaluated in detail as follows.

먼저, 쿨 익스팬더 유닛에서, 익스팬드 온도 -15℃, 익스팬드 속도 100㎜/초, 익스팬드양 14㎜의 조건에서 베어 웨이퍼 및 다이 본드층을 할단하여, 다이 본드층 구비 반도체 칩을 얻었다.First, in the cool expander unit, the bare wafer and the die bond layer were cut off under the conditions of an expand temperature of -15°C, an expand speed of 100 mm/sec, and an expand amount of 14 mm to obtain a semiconductor chip with a die bond layer.

다음에, 실온, 익스팬드 속도 1㎜/초, 익스팬드양 8㎜의 조건에서 익스팬드를 행하였다. 그리고, 익스팬드 상태를 유지한 채로, 히트 온도 250℃, 히트 거리 18㎜, 로테이션 스피드 5°/sec의 조건에서, 베어 웨이퍼의 외주연과의 경계 부분의 다이싱 다이 본드 필름을 열수축시켰다.Next, expansion was performed under the conditions of room temperature, an expand speed of 1 mm/sec, and an expand amount of 8 mm. Then, while maintaining the expanded state, the dicing die-bonding film at the boundary portion with the outer periphery of the bare wafer was heat-shrunk under conditions of a heat temperature of 250°C, a heat distance of 18 mm, and a rotation speed of 5°/sec.

다음에, 현미경 관찰에 의해 다이 본드층 구비 반도체 칩의 할단부를 관찰하여, 할단율을 산출하였다. 그리고, 할단율이 90％ 이상인 경우를 ○로 평가하고, 할단율이 90％ 미만인 경우를 ×로 평가하였다.Next, the cutting portion of the semiconductor chip with the die-bonding layer was observed by microscopic observation, and the breaking rate was calculated. And the case where the breaking rate was 90% or more was evaluated as ○, and the case where the breaking rate was less than 90% was evaluated as x.

(커프 유지성의 평가)(Evaluation of cuff retention)

실시예 1에 관한 다이싱 다이 본드 필름에, 베어 웨이퍼(직경 300㎜. 이하, 원형 웨이퍼라고도 함) 및 다이싱 링을 첩부하였다. 다음에, 다이 세퍼레이터 DDS2300(디스코사제)을 사용하여, 베어 웨이퍼 및 다이 본드층의 할단을 행하고, 할단 후의 커프 유지성에 대하여 평가하였다.To the dicing die-bonding film according to Example 1, a bare wafer (300 mm in diameter. hereinafter, also referred to as a circular wafer) and a dicing ring were affixed. Next, using the die separator DDS2300 (manufactured by Disco Corporation), the bare wafer and the die bond layer were cleaved, and the cuff retention properties after cleaving were evaluated.

베어 웨이퍼는, 길이 2㎜×폭 2㎜×두께 0.030㎜의 크기의 베어 칩(극소 칩)으로 할단하였다.The bare wafer was cut into bare chips (miniature chips) having a size of 2 mm in length x 2 mm in width x 0.030 mm in thickness.

커프 유지성은, 상세하게는 이하와 같이 하여 평가하였다.Cuff retention was evaluated in detail as follows.

먼저, 쿨 익스팬더 유닛에서, 익스팬드 온도 -15℃, 익스팬드 속도 100㎜/초, 익스팬드양 14㎜의 조건에서, 베어 웨이퍼 및 다이 본드층을 할단하여, 복수의 다이 본드층 구비 베어 칩을 얻었다.First, in the cool expander unit, under the conditions of an expand temperature of -15°C, an expand speed of 100 mm/sec, and an expand amount of 14 mm, the bare wafer and the die bond layer are cut to obtain a bare chip with a plurality of die bond layers. Got it.

다음에, 실온, 익스팬드 속도 1㎜/초, 익스팬드양 5㎜의 조건에서 상온 익스팬드를 행하였다. 그리고, 익스팬드 상태를 유지한 채로, 히트 온도 250℃, 히트 거리 18㎜, 로테이션 스피드 5°/sec의 조건에서, 베어 웨이퍼의 외주연과의 경계 부분의 다이싱 다이 본드 필름을 열수축시켰다.Next, room temperature expansion was performed under the conditions of room temperature, an expand speed of 1 mm/sec, and an expand amount of 5 mm. Then, while maintaining the expanded state, the dicing die-bonding film at the boundary portion with the outer periphery of the bare wafer was heat-shrunk under conditions of a heat temperature of 250°C, a heat distance of 18 mm, and a rotation speed of 5°/sec.

다음에, 디지털 마이크로스코프(VHX-6000, 키엔스사제)를 사용하여 커프의 측정을 행하였다. 상세하게는, 히트 익스팬드 종료 후(열수축 후)에, 할단된 부분에 있어서의 하나의 칩과 다른 칩의 간격(이하, 간격 길이라고도 함)을, 디지털 마이크로스코프로 관찰하여, 간격 길이를 측정하였다. 간격 길이는, 임의로 선택한 5개소에 있어서, MD 방향 및 TD 방향의 각각에 대하여 측정하였다. 커프로서는, 간격 길이의 측정값 중 최솟값을 채용하였다.Next, the cuff was measured using a digital microscope (VHX-6000, manufactured by Keyence Corporation). Specifically, after the heat expansion is completed (after heat shrink), the distance between one chip and the other chip in the cut portion (hereinafter, referred to as the distance length) is observed with a digital microscope, and the distance length is measured. I did. The interval length was measured for each of the MD direction and the TD direction at 5 locations arbitrarily selected. As the cuff, the minimum value among the measured values of the gap length was adopted.

그리고, 커프가 30㎛ 이상이면, ○(커프가 유지되어 있음)로 평가하고, 커프가 30㎛ 미만이면 ×(커프가 유지되어 있지 않음)로 평가하였다.And, if the cuff was 30 µm or more, it was evaluated as (circle) (the cuff was held), and if the cuff was less than 30 µm, it was evaluated as x (the cuff was not held).

또한, 상기 임의로 선택한 5개소란, 원형 웨이퍼의 최외주 부분이며, 둘레 방향으로 서로 약 90° 떨어진 4개소, 및, 상기 원형 웨이퍼의 중앙 부근이다.The five arbitrarily selected locations are the outermost circumferential portions of the circular wafer, four locations separated by about 90° from each other in the circumferential direction, and near the center of the circular wafer.

[실시예 2][Example 2]

기재층의 B층에 제1 폴리머 블렌드(에바플렉스 EV250과 HDPE(고밀도 폴리에틸렌)의 블렌드품. 질량비는, EV250:HDPE=90:10. 미츠이·듀퐁 폴리케미컬사제)를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.Examples except that the first polymer blend (a blend of Evaflex EV250 and HDPE (high-density polyethylene). The mass ratio is EV250:HDPE=90:10. manufactured by Mitsui DuPont Polychemical) for the B layer of the substrate layer. In the same manner as in 1, a dicing tape and a dicing die-bonding film according to Example 2 were obtained.

또한, 실시예 2에 관한 다이싱 테이프에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, -10℃에서의 인장 저장 탄성률 및 -10℃에서의 손실 탄성률을 측정하고, -10℃에서의 파단 신도 및 -10℃에서의 손실 계수를 산출하였다.Further, for the dicing tape according to Example 2, in the same manner as in Example 1, the tensile storage modulus at -10°C and the loss modulus at -10°C were measured, and the elongation at break at -10°C and -10 The loss factor in °C was calculated.

또한, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 익스팬드 시의 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 극소 칩으로의 할단성, 및, 커프 유지성에 대하여 평가하였다.Further, in the same manner as in Example 1, the dicing die-bonding film at the time of expansion was used to evaluate the cleavage property into a very small chip and the cuff retention property.

[실시예 3][Example 3]

기재층을 단층 구조로 하고, 수지층을 구성하는 수지에 에바플렉스 P1007(미츠이·듀퐁 폴리케미컬사제)을 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 3에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.Dicing tape and dicing according to Example 3 in the same manner as in Example 1, except that the base layer was made into a single layer structure, and Evaflex P1007 (manufactured by Mitsui DuPont Polychemical) was used as the resin constituting the resin layer. A die bond film was obtained.

또한, 실시예 3에 관한 다이싱 테이프에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, -10℃에서의 인장 저장 탄성률 및 -10℃에서의 손실 탄성률을 측정하고, -10℃에서의 파단 신도 및 -10℃에서의 손실 계수를 산출하였다.Further, for the dicing tape according to Example 3, in the same manner as in Example 1, the tensile storage modulus at -10°C and the loss modulus at -10°C were measured, and the elongation at break at -10°C and -10 The loss factor in °C was calculated.

또한, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 익스팬드 시의 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 극소 칩으로의 할단성, 및, 커프 유지성에 대하여 평가하였다.Further, in the same manner as in Example 1, the dicing die-bonding film at the time of expansion was used to evaluate the cleavage property into a very small chip and the cuff retention property.

[비교예 1][Comparative Example 1]

기재층의 B층에 제2 폴리머 블렌드(에바플렉스 EV250과 HDPE(고밀도 폴리에틸렌)의 블렌드품. 질량비는, EV250:HDPE=80:20. 미츠이·듀퐁 폴리케미컬사제)를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 1에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.Examples except that the second polymer blend (a blend of Evaflex EV250 and HDPE (high-density polyethylene). The mass ratio is EV250:HDPE=80:20. manufactured by Mitsui DuPont Polychemical) for the B layer of the substrate layer. In the same manner as in 1, a dicing tape and a dicing die-bonding film according to Comparative Example 1 were obtained.

또한, 비교예 1에 관한 다이싱 테이프에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, -10℃에서의 인장 저장 탄성률 및 -10℃에서의 손실 탄성률을 측정하고, -10℃에서의 파단 신도 및 -10℃에서의 손실 계수를 산출하였다.Further, for the dicing tape according to Comparative Example 1, in the same manner as in Example 1, the tensile storage modulus at -10°C and the loss modulus at -10°C were measured, and the elongation at break at -10°C and -10 The loss factor in °C was calculated.

또한, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 익스팬드 시의 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 극소 칩으로의 할단성, 및, 커프 유지성에 대하여 평가하였다.Further, in the same manner as in Example 1, the dicing die-bonding film at the time of expansion was used to evaluate the cleavage property into a very small chip and the cuff retention property.

[비교예 2][Comparative Example 2]

기재층의 B층에 에바플렉스 V523(미츠이·듀퐁 폴리케미컬사제)을 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 2에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 얻었다.A dicing tape and a dicing die-bonding film according to Comparative Example 2 were obtained in the same manner as in Example 1 except that Evaflex V523 (manufactured by Mitsui DuPont Polychemical) was used for the layer B of the base material layer.

또한, 비교예 2에 관한 다이싱 테이프에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, -10℃에서의 인장 저장 탄성률 및 -10℃에서의 손실 탄성률을 측정하고, -10℃에서의 파단 신도 및 -10℃에서의 손실 계수를 산출하였다.Further, for the dicing tape according to Comparative Example 2, in the same manner as in Example 1, the tensile storage modulus at -10°C and the loss modulus at -10°C were measured, and the elongation at break at -10°C and -10 The loss factor in °C was calculated.

또한, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 익스팬드 시의 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 극소 칩으로의 할단성, 및, 커프 유지성에 대하여 평가하였다.Further, in the same manner as in Example 1, the dicing die-bonding film at the time of expansion was used to evaluate the cleavage property into a very small chip and the cuff retention property.

각 예에 관한 다이싱 테이프에 대하여, -10℃에서의 인장 저장 탄성률 및 -10℃에서의 손실 탄성률을 측정한 결과, 그리고, -10℃에서의 파단 신도 및 -10℃에서의 손실 계수를 산출한 결과와 함께, 각 예에 관한 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 극소 칩으로의 할단성, 및, 커프 유지성에 대하여 평가한 결과를, 이하의 표 1에 나타냈다.For the dicing tapes for each example, the tensile storage modulus at -10°C and the loss modulus at -10°C were measured, and the elongation at break at -10°C and the loss factor at -10°C were calculated. In addition to the results, the results of evaluating the cleavage properties into very small chips using the dicing die-bonding film according to each example, and the cuff retention properties are shown in Table 1 below.

Figure pat00001
Figure pat00001

표 1로부터, 실시예 1 내지 3에 관한 다이싱 테이프는, 모두, -10℃에서의 인장 저장 탄성률의 값이 50㎫ 이상 250㎫ 이하의 범위에 들어 있어, 실시예 1 내지 3에 관한 다이싱 다이 본드 필름은, 극소 칩으로의 할단성의 평가, 및, 커프 유지성의 평가에 대하여 우수한 것임을 알 수 있다.From Table 1, the dicing tapes according to Examples 1 to 3 all have a value of the tensile storage modulus at -10°C in the range of 50 MPa or more and 250 MPa or less, and dicing according to Examples 1 to 3 It turns out that the die-bonding film is excellent with respect to the evaluation of the cutting property to a very small chip and the evaluation of the cuff retention property.

또한, 표 1로부터, 실시예 1 내지 3에 관한 다이싱 테이프는, 모두, -10℃에서의 손실 계수의 값이 0.07 이상 0.18 이하의 범위에 들어 있고, -10℃에서의 파단 신도의 값이 450％ 이상 600％ 이하의 범위에 들어 있는 것이었다.In addition, from Table 1, the dicing tapes according to Examples 1 to 3 all have a loss factor value of 0.07 or more and 0.18 or less at -10°C, and a value of elongation at break at -10°C. It was in the range of 450% or more and 600% or less.

이에 반해, 비교예 1 및 2에 관한 다이싱 테이프는, 모두, -10℃에서의 인장 저장 탄성률의 값이 50㎫ 이상 250㎫ 이하의 범위를 벗어나 있어, 비교예 1 및 2에 관한 다이싱 다이 본드 필름은, 극소 칩으로의 할단성의 평가, 및, 커프 유지성의 평가에 대하여 떨어지는 것임을 알 수 있다.In contrast, the dicing tapes according to Comparative Examples 1 and 2 are all out of the range of 50 MPa or more and 250 MPa or less at -10°C, and the dicing dies according to Comparative Examples 1 and 2 It can be seen that the bond film is inferior to the evaluation of the cleavage property to the very small chips and the evaluation of the cuff retention property.

또한, 표 1로부터, 비교예 1 및 2에 관한 다이싱 테이프는, 모두, -10℃에서의 손실 계수의 값이 0.07 이상 0.18 이하의 범위를 벗어나 있고, -10℃에서의 파단 신도의 값이 450％ 이상 600％ 이하의 범위를 벗어나 있고, 특히 비교예 1에 관한 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 극소 칩으로의 할단성, 및, 커프 유지성을 평가하였을 때, 다이싱 테이프에 실용상 문제가 되는 파손(찢어짐)이 보였다.In addition, from Table 1, the dicing tapes according to Comparative Examples 1 and 2 all have a loss factor of 0.07 or more and 0.18 or less at -10°C, and the elongation at break at -10°C. It is out of the range of 450% or more and 600% or less, and in particular, when the dicing die-bonding film according to Comparative Example 1 was used to evaluate the cleavage property into very small chips and the cuff retention property, there was a problem in practical use in the dicing tape. Breakage (tear) was seen.

또한, 표 1에 게재한 극소 칩으로의 할단성의 평가, 및, 커프 유지성의 평가는, 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이지만, 다이싱 다이 본드 필름에 포함되는 다이싱 테이프에 있어서도, 표 1에 나타낸 것과 마찬가지의 결과가 얻어질 것으로 예상된다.In addition, the evaluation of the slicing property to the very small chips listed in Table 1, and the evaluation of the cuff retention properties are related to the dicing die-bonding film, but also in the dicing tape included in the dicing die-bonding film, shown in Table 1 It is expected that the same results will be obtained.

1: 기재
2: 점착제층
3: 다이 본드층
10: 다이싱 테이프
20: 다이싱 다이 본드 필름
1a: 제1 수지층
1b: 제2 수지층
1c: 제3 수지층
G: 백그라인드 테이프
H: 유지구
J: 흡착 지그
P: 핀 부재
R: 다이싱 링
T: 웨이퍼 가공용 테이프
U: 밀어올림 부재
W: 반도체 웨이퍼1: description
2: adhesive layer
3: die bond layer
10: dicing tape
20: dicing die bond film
1a: first resin layer
1b: second resin layer
1c: third resin layer
G: Backgrind tape
H: maintenance tool
J: adsorption jig
P: pin member
R: dicing ring
T: Wafer processing tape
U: push-up member
W: semiconductor wafer

Claims (4)

기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프이며,
-10℃에서의 인장 저장 탄성률이 50㎫ 이상 250㎫ 이하인, 다이싱 테이프.It is a dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base layer,
A dicing tape having a tensile storage modulus of 50 MPa or more and 250 MPa or less at -10°C. 제1항에 있어서,
-10℃에서의 손실 계수가 0.07 이상 0.18 이하인, 다이싱 테이프.The method of claim 1,
A dicing tape having a loss factor of 0.07 or more and 0.18 or less at -10°C. 제1항 또는 제2항에 있어서,
-10℃에서의 파단 신도가 450％ 이상 600％ 이하인, 다이싱 테이프.The method according to claim 1 or 2,
A dicing tape having an elongation at break of 450% or more and 600% or less at -10°C. 기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와,
상기 다이싱 테이프의 점착제층 상에 적층된 다이 본드층을 구비하고,
-10℃에서의 인장 저장 탄성률이 50㎫ 이상 250㎫ 이하인, 다이싱 다이 본드 필름.A dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base layer,
It has a die-bonding layer laminated on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape,
A dicing die-bonding film having a tensile storage modulus of 50 MPa or more and 250 MPa or less at -10°C.
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