KR20210029451A - 플라즈마 노즐의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 관점에 따르면, 초미세 유체관을 가지는 플라즈마 노즐의 제조방법을 제공한다.
상기 플라즈마 노즐의 제조방법은 제 1 기판의 적어도 어느 일면에 포토리소그라피(Photolithography) 공정을 이용하여 복수개의 유체관부를 형성하는 단계; 상기 복수개의 유체관부가 형성된 상기 제 1 기판의 일면과 마주보도록 제 2 기판을 배치한 후 접합하여 노즐 소자 모듈을 형성하는 단계; 및 상기 노즐 소자 모듈을 절단하여 복수개의 단위 노즐을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 노즐의 제조방법은 제 1 기판의 적어도 어느 일면에 포토리소그라피(Photolithography) 공정을 이용하여 복수개의 유체관부를 형성하는 단계; 상기 복수개의 유체관부가 형성된 상기 제 1 기판의 일면과 마주보도록 제 2 기판을 배치한 후 접합하여 노즐 소자 모듈을 형성하는 단계; 및 상기 노즐 소자 모듈을 절단하여 복수개의 단위 노즐을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 플라즈마 노즐의 제조방법에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 초미세 유체관을 가지는 플라즈마 노즐의 제조방법에 대한 것이다.
플라즈마 노즐은 플라즈마를 이용한 적층 제조, 표면 가공/개질/세정 장비에 적용되는 것으로서, 플라즈마를 형성하는 부품이다. 플라즈마 노즐은 금속 팁(Tip)을 양극 및 양극과 마주보는 쪽에 음극 혹은 접지(earth)를 두는 방식으로 구성된다. 이 때, 양 전극에 전계를 걸면, 주입된 가스 혹은 공기 중의 기체가 이온화되어 플라즈마가 형성된다.
종래에는 플라즈마 노즐을 제조할 때, 도 3에 도시된 바와 같이, 원형인 금속 노즐의 중심에 유체관을 형성하여 제작했다. 플라즈마를 미세하게 형성하기 위해서는, 노즐 중심의 유체관의 직경을 좁게 형성하여야 한다. 최근 상기 유체관을 제조하는 방법은 금속체의 중심에 기계적인 밀링에 의해 절삭 가공하거나 또는 레이저를 이용하여 유체관을 형성시키는 방법이 사용된다.
그러나, 이러한 종래기술은 유체관의 직경보다 깊이가 훨씬 깊게 제조해야 되므로, 미세가공이 어려운 문제점이 있다. 일반적으로 10㎜ 이상의 깊이를 갖는 유체관을 형성할 경우, 100㎛ 내외의 직경이 가공할 수 있는 가장 최소의 크기가 된다. 그러므로, 종래의 기술로는 50㎛ 이하의 초미세 유체관을 형성하는 것은 사실상 어렵다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 종래의 가공방법으로 형성할 수 없는 초미세 유로를 가지는 플라즈마 노즐의 제조방법의 제공을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 관점에 따르면, 플라즈마 노즐의 제조방법을 제공한다.
상기 플라즈마 노즐의 제조방법은 제 1 기판의 적어도 어느 일면에 포토리소그라피(Photolithography) 공정을 이용하여 복수개의 유체관부를 형성하는 단계; 상기 복수개의 유체관부가 형성된 상기 제 1 기판의 일면과 마주보도록 제 2 기판을 배치한 후 접합하여 노즐 소자 모듈을 형성하는 단계; 및 상기 노즐 소자 모듈을 절단하여 복수개의 단위 노즐을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 노즐의 제조방법에 있어서, 상기 복수개의 유체관부와 서로 대칭되도록, 상기 제 2 기판의 일면에 포토리소그라피 공정을 이용하여 복수개의 유체관부를 형성할 수 있다.
상기 플라즈마 노즐의 제조방법에 있어서, 상기 복수개의 유체관부를 형성하는 단계 이전에, 상기 제 1 기판의 일면에 복수개의 전극 패턴부를 형성하는 단계; 및 상기 전극 패턴부 내에 금속을 증착하여, 양전극 패턴 및 음전극 패턴을 하나의 쌍으로 구비하는 금속 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 양전극 패턴 및 음전극 패턴은 상기 유체관부를 중심으로 좌우 대칭일 수 있다.
상기 플라즈마 노즐의 제조방법에 있어서, 상기 노즐 소자 모듈을 형성하는 단계 이전에, 상기 제 2 기판의 일면에 복수개의 전극 패턴부를 형성하는 단계; 및 상기 전극 패턴부 내에 금속을 증착하여, 양전극 패턴 및 음전극 패턴을 하나의 쌍으로 구비하는 금속 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 양전극 패턴 및 음전극 패턴은 상기 유체관부를 중심으로 좌우 대칭일 수 있다.
상기 플라즈마 노즐의 제조방법에 있어서, 상기 복수개의 유체관부를 형성하는 단계 이전에, 상기 제 1 기판의 일면에 복수개의 전극 패턴부를 형성하는 단계; 및 상기 전극 패턴부 내에 금속을 증착하여, 양전극 패턴을 구비하는 금속 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 양전극 패턴은 상기 유체관부와 나란하게 배치될 수 있다.
상기 플라즈마 노즐의 제조방법에 있어서, 상기 노즐 소자 모듈을 형성하는 단계 이전에, 상기 제 2 기판의 일면에 복수개의 전극 패턴부를 형성하는 단계; 및 상기 전극 패턴부 내에 금속을 증착하여, 양전극 패턴을 구비하는 금속 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 양전극 패턴은 상기 유체관부와 나란하게 배치될 수 있다.
상기 플라즈마 노즐의 제조방법에 있어서, 상기 복수개의 유체관부를 형성하는 단계는, 상기 제 1 기판의 적어도 어느 일면 상에 포토레지스터(PR)를 도포하고, 마스크를 이용하여 노광 공정 및 식각 공정을 수행함으로써, 상기 제 1 기판의 일면에 상기 복수개의 유체관부를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 노즐의 제조방법에 있어서, 상기 금속 패턴을 형성하는 단계는, 상기 복수개의 전극 패턴이 형성된 면 상에 금속을 증착하는 단계; 및 식각 공정을 수행함으로써, 상기 복수개의 전극 패턴 내에 채워진 상기 금속만 제외하고, 나머지 금속은 모두 제거하여 상기 제 1 기판 또는 상기 제 2 기판의 일면에 상기 금속 패턴을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 노즐의 제조방법에 있어서, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판은 광학적 접착제를 이용하여 직접 본딩(Direct Bonding) 방식으로 접합할 수 있다.
상기 플라즈마 노즐의 제조방법에 있어서, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판은 가열 및 압착 공정을 이용하여 상기 금속 패턴에 의해 직접 접합할 수 있다.
상기 플라즈마 노즐의 제조방법에 있어서, 상기 기판은 세라믹, 고분자 및 금속 소재 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 플라즈마 노즐의 제조방법을 이용하여 50㎛ 이하의 초미세 유체관을 갖는 플라즈마 노즐을 제공할 수 있다. 상기 플라즈마 노즐은 반도체 공정 및 3D 프린팅 등 정밀한 공정에 적용되는 장치, 의료용 및 살균/소독용 휴대용 플라즈마 발생기에 적용 가능하다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 노즐의 제조방법을 설명하기 위해 공정순서에 따라 개략적으로 도해하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 노즐의 제조방법을 이용하여 제조한 플라즈마 노즐의 구조를 개략적으로 도해하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 비교예에 따른 플라즈마 노즐의 제조방법 및 이를 이용한 플라즈마 노즐의 구조를 개략적으로 도해하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 노즐의 제조방법을 이용하여 제조한 플라즈마 노즐의 구조를 개략적으로 도해하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 비교예에 따른 플라즈마 노즐의 제조방법 및 이를 이용한 플라즈마 노즐의 구조를 개략적으로 도해하는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
이하에서, 본 발명의 실시예에 따른 초미세 유체관을 갖는 플라즈마 노즐은 정밀한 공정제어 및 직접화가 가능한 반도체 공정을 이용한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 노즐의 제조방법을 설명하기 위해 공정순서에 따라 개략적으로 도해하는 도면이다.
도 1의 (a) 내지 (c)를 참조하면, 제 1 기판(10) 상에 포토레지스터(PR; 12) 용액을 도포한 후 포토리소그라피(Photolithography) 공정을 이용하여 복수개의 전극 패턴부(14)를 형성할 수 있다. 제 1 기판(10)은 예를 들어, 실리콘(Si)을 사용할 수 있으며, 경우에 따라, 세라믹, 고분자 및 금속 소재 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 포토리소그라피는 반도체 공정 중 하나로서, 감광제인 포토레지스터(12)를 제 1 기판(10) 상에 도포한다. 이후에 마스크(미도시)를 정렬시킨 후 빛을 조사(노광)한다. 이후에 현상 후 식각(에칭)하여 제 1 기판(10) 상에 트렌치(trench) 형태의 전극 패턴부(14)를 형성하는 공정이다. 상기 포토리소그라피 공정은 이미 공지된 기술이므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 1의 (d) 내지 (e)를 참조하면, 전극 패턴부(14)를 구비하는 제 1 기판(10)의 상면에 금속을 증착하여 금속층(16)을 형성한다. 상기 금속은 전극 패턴부(14) 내의 빈공간을 매립하여 전극으로서의 기능을 수행한다. 이후, 화학적기계연마(CMP)를 이용하여 전극 패턴부(14) 내에 매립된 금속만을 남기고, 제 1 기판(10)의 면 상에 존재하는 금속층(16)을 제거하여 금속 패턴(18)을 형성한다.
일 예로서, 실리콘 등의 세라믹 소재 혹은 고분자 소재를 제 1 기판(10)으로 사용할 경우, 금속 패턴(18)은 양전극 패턴 및 음전극 패턴을 하나의 쌍으로 구성될 수 있다. 양전극 패턴 및 음전극 패턴을 하나의 쌍으로 하는 금속 패턴(18)이 일정한 간격으로 배열될 수 있다.
도 1의 (f) 및 (g)를 참조하면, 금속 패턴(18)이 형성된 제 1 기판(10) 상에 포토리소그라피(Photolithography) 공정을 이용하여 복수개의 유체관부(19)를 형성할 수 있다. 상기 포토리소그라피에 대한 내용은 도 1의 (b) 및 (c)를 참조하여 상술한 바와 동일하므로 생략한다.
도 2의 (a)를 참조하면, 플라즈마 노즐(100)은 양전극 및 음전극 기능을 수행하는 금속 패턴(18)과 초미세 유체관부(19)를 갖는다. 경우에 따라, 금속 패턴(18)의 개수는 상이하게 형성 가능하다. 본 도면에서, 금속 패턴(18) 및 유체관부(19)의 형태는 직육면체의 형상으로 도시되었으나, 포토리소그라피 공정 조건의 제어를 통해서, 원형 또는 타원형 등 다양한 형태로 제조가 가능하다.
금속 패턴(18)이 양전극 패턴 및 음전극 패턴을 하나의 쌍으로 구성되어 있으며, 하나의 유체관부(19)는 한 쌍의 양전극 패턴 및 음전극 패턴 사이에 형성된다. 양전극 패턴 및 음전극 패턴은 유체관부(19)와 서로 나란하게 배치되며, 유체관부(19)를 중심으로 좌우 대칭의 형태로 배치된다.
도 1의 (h)를 참조하면, 제 1 기판(10)에 복수개의 금속 패턴(18) 및 복수개의 유체관부(19)의 형성이 완료되면, 제 1 기판(10) 상에 제 2 기판(20)을 배치한 후 접합하여 노즐 소자 모듈(110)을 형성할 수 있다.
제 2 기판(20)은 도 1의 (b) 내지 (g)에 도시된 공정과 동일한 공정을 거쳐서 제 2 기판(20)에 복수개의 금속 패턴(18) 및 복수개의 유체관부(19)를 형성할 수 있다. 복수개의 금속 패턴(18) 및 복수개의 유체관부(19)의 형성방법은 상술한 바와 동일하므로 생략한다.
도 2의 (a)를 참조하면, 제 1 기판(10) 및 제 2 기판(20)에 각각 형성되어 있는 복수개의 금속 패턴(18) 및 복수개의 유체관부(19)를 서로 마주보도록 배치한 후 접합할 수 있다.
다른 예로서, 도 2의 (b)를 참조하면, 제 2 기판(20)에는 복수개의 금속 패턴(18) 및 유체관부(19)를 형성하지 않고, 평평한 상태인 제 2 기판(20)을 제 1 기판(10) 상에 접합할 수도 있다. 이 경우, 제 1 기판(10)에 형성될 복수개의 금속 패턴(18) 및 유체관부(19)의 크기 및 구조는 적용되는 장치에 따라 상이하게 제어할 수 있다.
또 다른 예로서, 도 2의 (c)를 참조하면, 금속 패턴(18)은 양극 패턴만 형성될 수도 있다. 이 경우, 금속 패턴(18)이 양극 역할을 수행하므로, 플라즈마 처리가 필요한 기판(미도시)이 음극 역할을 수행하거나, 접지 역할을 수행할 수 있다. 금속 패턴(18)이 양전극 패턴만으로 구성된다면, 유체관부(19)는 양전극 패턴과 나란한 형태로 배치된다. 이 경우, 금속 패턴(18)은 유체관부(19)를 중심으로 왼쪽 또는 오른쪽에 상관없이 배치될 수 있다.
또 다른 예로서, 도 2의 (d)를 참조하면, 금속 소재를 제 1 기판(10)으로 사용할 경우, 금속 패턴(18) 없이 유체관부(19)만 형성될 수도 있다. 제 1 기판(10) 자체가 도체이기 때문에, 노즐이 양전극 역할을 하고, 금속 패턴(18)은 불필요하다. 이 경우, 금속 패턴(18)을 형성하는 단계(도 1의 (b) 내지 (e))는 생략된다.
제 1 기판(10) 및 제 2 기판(20)은 가열 및 압착 공정을 이용하여 금속 패턴(18)에 의해 직접 접합할 수 있다. 다른 예로서, 제 1 기판(10) 및 제 2 기판(20)에 금속 패턴(18)이 없을 경우, 광학적 접착제를 이용하여 직접 본딩(Direct Bonding) 방식으로 제 1 기판(10) 및 제 2 기판(20)이 서로 접합될 수 있다. 여기서, 상기 광학적 접착제의 경우, 이미 공지된 기술로서, 상세한 설명은 생략한다.
도 1의 (i)를 참조하면, 노즐 소자 모듈(110)의 내부에는 복수개의 금속 패턴(18) 및 유체관부(19)를 포함한다. 유체관부(19)는 제 1 기판(10) 및 제 2 기판(20)이 서로 접합되어 형성된 빈 공간으로서, 플라즈마를 발생시키는 가스가 유입되고 유출되는 유체관으로 이해될 수 있다. 이후에 절단선(35)을 따라 노즐 소자 모듈(110)을 절단하여 복수개의 단위 노즐(100)을 형성할 수 있다.
도 3을 참조하면, 종래의 플라즈마 노즐(50)은, 원형의 금속팁의 중심에 유체관부(52)를 구비하고 있다. 이 경우, 플라즈마 노즐(50) 자체가 양극으로만 작용하고, 기판이 음극으로 작용한다. 예를 들어, 플라즈마 발생용 가스(G)가 플라즈마 노즐(50)의 유체관부(52)를 통해 공급되면, 양극의 플라즈마 노즐(50)과 음극의 기판 사이에서 플라즈마(P)가 발생된다. 플라즈마 노즐(50)이 이동할 경우, 두 전극간의 간격제어가 어려워 균일한 품질의 플라즈마를 얻기 어려운 반면, 본 발명에서는 양전극과 음전극을 노즐 자체에 형성할 수 있어 그 간격이 일정하므로, 균일하고 미세한 플라즈마의 형성이 가능한 장점이 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10 : 제 1 기판
12, 13 : 포토레지스터
14 : 전극 패턴부
16 : 금속층
18 : 금속 패턴
19, 52 : 유체관부
20 : 제 2 기판
35 : 절단선
50 : 플라즈마 노즐(종래)
100 : 단위 노즐(플라즈마 노즐)
110 : 노즐 소자 모듈
12, 13 : 포토레지스터
14 : 전극 패턴부
16 : 금속층
18 : 금속 패턴
19, 52 : 유체관부
20 : 제 2 기판
35 : 절단선
50 : 플라즈마 노즐(종래)
100 : 단위 노즐(플라즈마 노즐)
110 : 노즐 소자 모듈
Claims (11)
- 초미세 유체관을 가지는 플라즈마 노즐의 제조방법으로서,
제 1 기판의 적어도 어느 일면에 포토리소그라피(Photolithography) 공정을 이용하여 복수개의 유체관부를 형성하는 단계;
상기 복수개의 유체관부가 형성된 상기 제 1 기판의 일면과 마주보도록 제 2 기판을 배치한 후 접합하여 노즐 소자 모듈을 형성하는 단계; 및
상기 노즐 소자 모듈을 절단하여 복수개의 단위 노즐을 형성하는 단계;를 포함하는,
플라즈마 노즐의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수개의 유체관부와 서로 대칭되도록, 상기 제 2 기판의 일면에 포토리소그라피 공정을 이용하여 복수개의 유체관부를 형성하는 단계를 포함하는,
플라즈마 노즐의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수개의 유체관부를 형성하는 단계 이전에,
상기 제 1 기판의 일면에 복수개의 전극 패턴부를 형성하는 단계; 및
상기 전극 패턴부 내에 금속을 증착하여, 양전극 패턴 및 음전극 패턴을 하나의 쌍으로 구비하는 금속 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 양전극 패턴 및 음전극 패턴은 상기 유체관부를 중심으로 좌우 대칭인,
플라즈마 노즐의 제조방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 노즐 소자 모듈을 형성하는 단계 이전에,
상기 제 2 기판의 일면에 복수개의 전극 패턴부를 형성하는 단계; 및
상기 전극 패턴부 내에 금속을 증착하여, 양전극 패턴 및 음전극 패턴을 하나의 쌍으로 구비하는 금속 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 양전극 패턴 및 음전극 패턴은 상기 유체관부를 중심으로 좌우 대칭인,
플라즈마 노즐의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수개의 유체관부를 형성하는 단계 이전에,
상기 제 1 기판의 일면에 복수개의 전극 패턴부를 형성하는 단계; 및
상기 전극 패턴부 내에 금속을 증착하여, 양전극 패턴을 구비하는 금속 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 양전극 패턴은 상기 유체관부와 나란하게 배치된,
플라즈마 노즐의 제조방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 노즐 소자 모듈을 형성하는 단계 이전에,
상기 제 2 기판의 일면에 복수개의 전극 패턴부를 형성하는 단계; 및
상기 전극 패턴부 내에 금속을 증착하여, 양전극 패턴을 구비하는 금속 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 양전극 패턴은 상기 유체관부와 나란하게 배치된,
플라즈마 노즐의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수개의 유체관부를 형성하는 단계는,
상기 제 1 기판의 적어도 어느 일면 상에 포토레지스터(PR)를 도포하고, 마스크를 이용하여 노광 공정 및 식각 공정을 수행함으로써, 상기 제 1 기판의 일면에 상기 복수개의 유체관부를 형성하는 단계;를 포함하는,
플라즈마 노즐의 제조방법. - 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 패턴을 형성하는 단계는,
상기 복수개의 전극 패턴이 형성된 면 상에 금속을 증착하는 단계; 및
식각 공정을 수행함으로써, 상기 복수개의 전극 패턴 내에 채워진 상기 금속만 제외하고, 나머지 금속은 모두 제거하여 상기 제 1 기판 또는 상기 제 2 기판의 일면에 상기 금속 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는,
플라즈마 노즐의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 기판 및 제 2 기판은 광학적 접착제를 이용하여 직접 본딩(Direct Bonding) 방식으로 접합하는,
플라즈마 노즐의 제조방법. - 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 기판 및 제 2 기판은 가열 및 압착 공정을 이용하여 상기 금속 패턴에 의해 직접 접합하는,
플라즈마 노즐의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판은 세라믹, 고분자 및 금속 소재 중 어느 하나를 포함하는,
플라즈마 노즐의 제조방법.
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Citations (3)
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EP0664733B1 (en) * | 1992-09-29 | 1999-08-25 | BOEHRINGER INGELHEIM INTERNATIONAL GmbH | Atomising nozzle and filter and spray generating device |
US20040201650A1 (en) * | 2003-04-10 | 2004-10-14 | Kaoru Higuchi | Pattern formation apparatus and manufacturing method thereof |
JP2005074799A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Sharp Corp | ノズルプレートの製造方法 |
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US20040201650A1 (en) * | 2003-04-10 | 2004-10-14 | Kaoru Higuchi | Pattern formation apparatus and manufacturing method thereof |
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