KR20200127996A - 수 중의 벤즈이미다졸-계 화합물을 측정하는 방법 - Google Patents

수 중의 벤즈이미다졸-계 화합물을 측정하는 방법 Download PDF

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아눕 판두랑 타쿠르
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Abstract

본 개시내용은 일반적으로 냉각수 중의 벤즈이미다졸-계 부식 억제제를 측정하는 방법에 관한 것이다. 본 방법은 수성 시스템으로부터 벤즈이미다졸-계 화합물을 함유하는 물의 샘플을 인출하는 단계 및 상기 물의 샘플에 산을 첨가하는 단계 및/또는 물로 희석하는 단계를 포함할 수 있다. 본 방법은 또한 상기 물의 샘플을 선택된 여기 파장의 광 에너지에 노출시키는 단계 및 선택된 형광 방출 파장에 대해 방출된 광의 강도를 측정하는 단계를 포함할 수 있다. 방출된 광의 강도는, 벤즈이미다졸-계 화합물의 형광 방출 강도 대 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도의 플롯일 수 있는, 표준 곡선에 비교될 수 있다. 물의 샘플에서 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도는 표준 곡선으로부터 결정될 수 있다.

Description

수 중의 벤즈이미다졸-계 화합물을 측정하는 방법
본 개시내용은 일반적으로 냉각수 중의 벤즈이미다졸계 부식 억제제를 측정하는 방법에 관한 것이다.
형광 분광법은 관심 있는 샘플에 의해 방출된 형광 광의 검출에 관한 것이다. 이것은 샘플에서 특정 화합물의 분자에서 전자를 여기하고 더 낮은 에너지의 광을 방출하도록 하는 광선, 일반적으로 자외선(UV) 광선을 사용하는 것을 포함한다. 이 보다 낮은 에너지 광은 전형적으로 가시광이지만, 반드시 그런 것은 아니다. 이 기술은 공초점 현미경검사, 형광 공명 에너지 전달 및 형광 수명 이미지형성과 같은 생화학 및 의료 응용분야에 보급되어 있다. 분자 형광 분광법 계기 장비는 일반적으로 여기 복사 에너지 원, 여기 파장 선택기, 피분석물 물질을 함유하는 샘플 셀, 방출 파장 선택기, 신호 처리기가 있는 검출기 및 판독 장치로 구성된다.
형광을 측정하기 위한 여러 유형의 형광측정기가 있다. 필터 형광측정기는 광학 필터를 사용하여 입사 광과 형광 광을 분리한다. 분광형광측정기는 회절 격자 단색화장치를 사용하여 입사 광과 형광 광을 분리한다. 이들 장치에서, 스펙트럼은 입사 광(여기 스펙트럼)이나 방출된 광 중 어느 하나, 또는 둘 모두의 파장의 함수로서 방출된 광의 강도로 구성된다.
일부 실시형태에서, 수 중의 부식 억제제 농도를 결정하는 방법이 개시된다. 상기 방법은 수성 시스템으로부터 물의 샘플을 인출하는 단계를 포함할 수 있으며, 상기 물의 샘플은 벤즈이미다졸-계 화합물을 포함한다. 상기 방법은 물의 샘플에 산을 첨가하는 단계; 상기 물의 샘플을 선택된 여기 파장의 광 에너지에 노출시키는 단계; 선택된 형광 방출 파장에 대해 방출된 광의 강도를 측정하는 단계; 상기 방출된 광의 강도를 표준 곡선에 비교하는 단계로서, 상기 표준 곡선은 벤즈이미다졸-계 화합물의 형광 방출 강도 대 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도의 플롯을 포함하는, 단계; 및 상기 표준 곡선으로부터 물의 샘플에서 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
일부 실시형태에서, 상기 방법은 물의 샘플에 물을 부가함에 의해 물의 샘플을 희석하는 단계를 포함할 수 있다.
일부 실시형태에서, 상기 물의 샘플은 약 10배로 희석된다.
일부 실시형태에서, 상기 수성 시스템은 냉각수 시스템이고 상기 물의 샘플은 냉각 타워 물의 샘플이다.
일부 실시형태에서, 상기 물의 샘플은 경수를 포함할 수 있다.
일부 실시형태에서, 상기 물의 샘플은 약 25 ppm 내지 약 400 ppm의 칼슘 및 약 25 ppm 내지 약 400 ppm의 마그네슘을 포함할 수 있다.
일부 실시형태에서, 상기 벤즈이미다졸-계 화합물은 구조식 (I)의 것 또는 이의 염이며,
Figure pct00001
상기 식에서 R1은 할로, 수소, 중수소, 하이드록실, 카르보닐, 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알킬, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알케닐, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알키닐, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 헤테로아릴, 또는 치환된 또는 비치환된 C3-C8 시클로알킬이고; X는 수소, CR2R3Y, 또는 NR2R3Y이고; Y는 하이드록실, 할로, 옥소, 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알콕시, 티올, 알킬티오, 아미노, 수소, 또는 아미노알킬이고; R2 및 R3 각각은 수소, 할로, 하이드록실, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 헤테로아릴, 카르보닐, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알케닐, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알키닐, 치환된 또는 비치환된 C3-C8 시클로알킬, 및 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알킬로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택되고; 그리고 R4, R5, R6, 및 R7 각각은 수소, 할로, 아미노, 시아노, 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알콕시, 하이드록실, 티올, 카르보닐, 니트로, 포스포릴, 포스포닐, 설포닐, 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알킬, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알케닐, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알키닐, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 헤테로아릴, 및 치환된 또는 비치환된 C3-C8 시클로알킬로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택된다.
일부 실시형태에서, 상기 벤즈이미다졸-계 화합물은 구조식 (II)의 것 또는 이의 염이며,
Figure pct00002
상기 식에서 R1은 수소, 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알킬기, 또는 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴기이고; R8은 결합 또는 CHR9이고; R9는 수소, 할로, NR10R11, 또는 OR10이고; 상기 식에서 R10 및 R11 각각은 수소, 치환된 또는 비치환된 C1-C12 알킬기, 및 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴기로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택되고; 그리고 Z는 독립적으로 질소, CR4, 또는 N+R10이다.
일부 실시형태에서, Z는 CR4이고 R4는 수소이다.
일부 실시형태에서, 상기 벤즈이미다졸-계 화합물은 하기로 구성된 군으로부터 선택된다:
Figure pct00003
및
Figure pct00004
.
일부 실시형태에서, 상기 산은 무기 산, 유기 산, 또는 이들의 임의의 조합이다.
일부 실시형태에서, 상기 산은 염산, 포름산, 인산, 질산, 황산, 아세트산, 프로피온산, 옥살산, 락트산, 시트르산, 또는 이들의 임의의 조합이다.
일부 실시형태에서, 상기 선택된 여기 파장은 약 200 nm 내지 약 400 nm이다.
일부 실시형태에서, 상기 선택된 형광 방출 파장은 약 300 nm 내지 약 500 nm이다.
일부 실시형태에서, 상기 방법은 벤즈이미다졸-계 화합물을 양성자화하는 단계를 포함할 수 있다.
일부 실시형태에서, 상기 물의 샘플은 산을 부가한 후 약 1 내지 약 5의 pH를 갖는다.
일부 실시형태에서, 상기 산은 약 0.001 중량% 내지 약 10 중량%의 양으로 물의 샘플에 첨가된다.
일부 실시형태에서, 상기 산의 첨가는 벤즈이미다졸-계 화합물에 대해 300 nm에서의 방출 대역의 형광 강도를 감소시키고 370 nm에서의 방출 대역의 형광 강도를 증가시킨다.
다른 실시형태에서, 수성 시스템에서의 부식 억제제의 농도를 제어하는 방법이 개시된다. 상기 방법은 물의 샘플에서 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도를 결정하는 단계; 및 상기 물의 샘플에서 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도가 사전결정된 수준 미만인 경우 수성 시스템에 벤즈이미다졸-계 화합물을 첨가하는 단계를 포함할 수 있다.
일부 실시형태에서, 상기 사전결정된 수준은 약 0.05 ppm 내지 약 20 ppm이다.
일부 실시형태에서, 상기 수성 시스템은 산화성 살생물제를 포함할 수 있다.
상기 내용은 후술되는 상세한 설명이 더 잘 이해될 수 있도록 하기 위하여 본 개시내용의 특징 및 기술적 이점을 다소 개략적으로 설명하였다. 본원의 청구범위의 기술 요지를 형성하는 본 개시내용의 추가적인 특징 및 이점이 이하에서 설명될 것이다. 개시된 개념 및 구체적인 실시형태가 본 개시내용의 동일한 목적을 수행하기 위한 다른 실시형태를 변형시키거나 설계하기 위한 기초로서 용이하게 이용될 수 있음이 당업자에 의해 이해되어야 한다. 또한, 이러한 등가의 실시형태는 첨부된 청구범위에 기술된 본 개시내용의 사상 및 범주로부터 벗어나지 않음이 당업자에 의해 인식되어야 한다.
본 발명의 상세한 설명을 도면을 구체적으로 참고하여 하기에서 설명한다.
도 1a는 밀리(Milli) Q 물 중의, 그리고 포름산 중의 벤즈이미다졸-계 화합물에 대한 방출 프로파일을 도시하고;
도 1b는 밀리 Q 물 중의, 그리고 상이한 농도의 포름산 중의 벤즈이미다졸-계 화합물에 대한 방출 프로파일을 도시하고;
도 2는 벤즈이미다졸-계 화합물의 형광 강도에 대한 포름산의 효과를 도시하고;
도 3은 2 ppm의 벤즈이미다졸-계 화합물에 대한 경수의 효과를 도시하고; 그리고
도 4는 벤즈이미다졸-계 화합물의 형광 강도에 대한 포름산, 인산, 및 염산에 의한 산성화의 효과를 도시한다.
다양한 실시형태가 하기에 기술되어 있다. 실시형태들의 다양한 요소들의 관계 및 기능은 하기의 상세한 설명을 참조하여 더 잘 이해될 수 있다. 그러나, 실시형태는 하기에 예시된 것들로 제한되지 않는다. 특정 경우에서, 본원에 개시된 실시형태를 이해하는 데 있어서 반드시 필요한 것은 아닌 세부 내용은 생략하였다.
일부 실시형태에서, 수 중의 부식 억제제 농도를 결정하는 방법이 개시된다. 상기 방법은 수성 시스템으로부터 물의 샘플을 인출하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 물의 샘플은 벤즈이미다졸-계 화합물을 함유할 수 있다. 상기 방법은 물의 샘플에 산을 첨가하는 단계; 상기 물의 샘플을 선택된 여기 파장의 광 에너지에 노출시키는 단계; 선택된 형광 방출 파장에 대해 방출된 광의 강도를 측정하는 단계; 및 상기 방출된 광의 강도를 표준 곡선에 비교하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 표준 곡선은 벤즈이미다졸-계 화합물의 형광 방출 강도 대 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도의 플롯일 수 있다. 상기 방법은 상기 표준 곡선으로부터 물의 샘플에서 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
일부 실시형태에서, 상기 방법은 물의 샘플에 물을 부가함에 의해 물의 샘플을 희석하는 단계를 포함할 수 있다 일부 실시형태에서, 상기 물의 샘플은 물의 샘플에 물로 구성되는 액체를 첨가함으로 희석된다. 상기 물의 샘플은 산이 첨가되기 전 또는 후에 희석될 수 있다. 물이 산을 첨가한 후 물의 샘플에 첨가될 때, 상기 물의 샘플은 선택된 파장의 광 에너지에 물의 샘플을 노출하기 전에 희석된다. 일부 실시형태에서, 상기 물의 샘플은 약 10배로 희석된다. 일부 실시형태에서, 상기 물의 샘플은 약 10배 내지 약 20배로 희석된다. 일부 실시형태에서, 상기 물의 샘플은 약 11배, 약 12배, 약 13배, 약 14배, 약 15배, 약 16배, 약 17배, 약 18배, 또는 약 19배로 희석된다.
물의 샘플을 희석하는 것은 물의 샘플이, 형광 특성을 갖는 임의의 다른 물질 등 형광 검정에 간섭할 수 있는 경수 또는 임의의 다른 물질을 포함할 때 특히 유리하다. 경수 및 많은 다른 냉각수 물질은 화합물 농도의 부정확한 결론으로 이어지는 벤즈이미다졸-계 화합물의 형광 측정을 간섭할 수 있다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 경수는 약 60 ppm 내지 약 7000 ppm의 중간 정도 내지 높은 미네랄 함량을 갖는 물을 지칭한다. 일부 실시형태에서, 상기 물의 샘플은 약 25 ppm 내지 약 400 ppm의 칼슘 및 약 25 ppm 내지 약 400 ppm의 마그네슘을 포함할 수 있다. 다른 물질은 유리 형태이거나 또는 다른 물질 상에 태깅된 형광 특성을 갖는 임의의 다른 유기 분자를 포함할 수 있다.
냉각수는 전형적으로 형광 검정을 간섭할 수 있는 상승된 수준의 칼슘, 마그네슘, 구리, 철, 유리 염소, 탁도, 및 많은 다른 파라미터를 함유한다. 이들 이온의 높은 농도는 형광을 소멸시키고 검정의 특이성을 감소시킬 수 있다. 본 개시내용의 방법은 냉각수 중의 벤즈이미다졸 농도를 결정하는데 특히 적합하다. 일부 실시형태에서, 수성 시스템은 냉각수 시스템이고 물의 샘플은 냉각 타워 물의 샘플이다. 냉각수는 구리 (최대 약 5ppm), 철 (최대 약 5ppm), 칼슘 (최대 약 50 ppm), 마그네슘 (최대 약 50 ppm), 유리 염소 (최대 약 5ppm)를 함유할 수 있고, 최대 약 100 NTU의 탁도를 갖는다.
벤즈이미다졸-계 화합물은 구조식 (I)의 화합물 또는 이의 염 또는 구조식 (II)의 화합물 또는 이의 염일 수 있으며,
Figure pct00005
Figure pct00006
상기 식에서 R1은 할로, 수소, 중수소, 하이드록실, 카르보닐, 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알킬, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알케닐, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알키닐, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 헤테로아릴, 또는 치환된 또는 비치환된 C3-C8 시클로알킬이다.
"알콕시"는 구조식 RO-의 모이어티를 지칭하며, 상기 식에서 R은 알킬, 알케닐, 또는 알키닐이다.
"알킬"은 직쇄 또는 분지형 알킬 치환기를 지칭한다. 이러한 치환기의 예는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, sec-부틸, 이소부틸, tert-부틸, 펜틸, 이소아밀, 헥실 등을 포함한다.
"알킬티오"는 구조식 RS-의 모이어티를 지칭하며, 상기 식에서 R은 알킬, 아릴, 알케닐, 또는 알키닐이다.
"아릴"은 당업계에서 통상적으로 이해되는 바와 같이 비치환 또는 치환된 방향족 카르보시클릭 치환기를 지칭하고, 용어 "C6-C10 아릴"은 페닐 및 나프틸을 포함한다. 용어 아릴은 휘켈 규칙에 따라 평면형이고 4n+2n개의 전자를 포함하는 시클릭 치환기에 적용되는 것으로 이해된다.
"카르보닐"은 산소에 이중 결합된 탄소를 포함하는 치환체를 지칭한다. 이러한 치환체의 예는 알데하이드, 케톤, 카르복실산, 에스테르, 아미드, 및 카르바메이트를 포함한다.
"시클로알킬"은 예를 들어 약 3 내지 약 8개의 탄소 원자, 바람직하게는 약 4 내지 약 7개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 약 4 내지 약 6개의 탄소 원자를 함유하는 시클릭 알킬 치환기를 지칭한다. 이러한 치환기의 예는 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등을 포함한다. 상기 시클릭 알킬기는 비치환되거나 메틸기, 에틸기 등과 같은 알킬기로 추가로 치환될 수 있다.
"할로"는 플루오로기, 클로로기, 브로모기, 또는 요오도기를 지칭한다.
"헤테로아릴"은 모노시클릭 또는 비시클릭 5원 또는 6원 고리 시스템을 지칭하며, 여기서 상기 헤테로아릴기는 불포화되고 휘켈 규칙을 만족시킨다. 헤테로아릴기의 비제한적인 예는 푸라닐, 티오페닐, 피롤릴, 피라졸릴, 이미다졸릴, 1,2,3-트리아졸릴, 1,2,4-트리아졸릴, 이속사졸릴, 옥사졸릴, 이소티아졸릴, 티아졸릴, 1,3,4-옥사디아졸-2-일, 1,2,4-옥사디아졸-2-일, 5-메틸-1,3,4-옥사디아졸, 3-메틸-1,2,4-옥사디아졸, 피리디닐, 피리미디닐, 피라지닐, 트리아지닐, 벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 인돌릴, 퀴놀리닐, 이소퀴놀리닐, 벤즈이미다졸릴, 벤족사졸리닐, 벤조티아졸리닐, 퀴나졸리닐 등을 포함한다.
"산화 할로겐"은 수성 시스템에서 산화 반응을 수행할 수 있는 할로겐의 형태를 지칭한다.
"옥소"는 탄소 원자에 이중 결합된 산소 원자를 지칭한다.
본 개시내용의 화합물은 적합한 치환기로 치환될 수 있다. 본원에서, 용어 "적합한 치환기"는 화학적으로 허용가능한 작용기, 바람직하게는 화합물의 활성을 무효화하지 않는 모이어티를 의미하는 것으로 의도된다. 이러한 적합한 치환기는 할로기, 퍼플루오로알킬기, 퍼플루오로-알콕시기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 히드록시기, 옥소기, 머캅토기, 알킬티오기, 알콕시기, 아릴 또는 헤테로아릴기, 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 아르알킬 또는 헤테로아르알킬기, 아르알콕시 또는 헤테로아르알콕시기, HO-(C=O)-기, 헤테로시클릭기, 시클로알킬기, 아미노기, 알킬- 및 디알킬아미노기, 카르바모일기, 알킬카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 알킬아미노카르보닐기, 디알킬아미노 카르보닐기, 아릴카르보닐기, 아릴옥시-카르보닐기, 알킬술포닐기 및 아릴술포닐기를 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 일부 실시형태에서, 적합한 치환기는 할로겐, 비치환된 C1-C12 알킬기, 비치환된 C4-C6 아릴기 또는 비치환된 C1-C10 알콕시기를 포함할 수 있다. 당업자는 많은 치환기가 추가적인 치환기로 치환될 수 있음을 이해할 것이다.
일부 실시형태에서, R1은 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C16 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C4-C6 아릴기이다.
일부 실시형태에서, R1은 수소이다.
일부 실시형태에서, R2 및 R3 각각은 수소, 할로, 하이드록실, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 헤테로아릴, 카르보닐, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알케닐, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알키닐, 치환된 또는 비치환된 C3-C6 시클로알킬, 및 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알킬로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택된다. 일부 실시형태에서, R2 및 R3 각각은 수소, 할로, 하이드록실, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 헤테로아릴, 카르보닐, 및 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알킬로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택된다. 일부 실시형태에서, R2 및 R3 각각은 수소 및 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택된다. 일부 실시형태에서, R2는 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴이고, R3은 수소이다.
일부 실시형태에서, 상기 벤즈이미다졸-계 화합물은 구조식 (III)의 화합물 또는 임의의 이의 염일 수 있다.
Figure pct00007
일부 실시형태에서, R4, R5, R6, 및 R7 각각은 수소, 할로, 아미노, 아미노알킬, 시아노, 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알콕시, 하이드록실, 티올, 카르보닐, 니트로, 포스포릴, 포스포닐, 설포닐, 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알킬, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알케닐, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알키닐, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 헤테로아릴, 및 치환된 또는 비치환된 C3-C8 시클로알킬로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택된다. 일부 실시형태에서, R4, R5, R6, 및 R7 중 적어도 하나는 수소이다. 일부 실시형태에서, R4, R5, 및 R7 각각은 수소이다. 일부 실시형태에서, R4는 수소이다. 일부 실시형태에서, R5는 수소이다. 일부 실시형태에서, R6은 수소이다. 일부 실시형태에서, R7은 수소이다.
일부 실시형태에서, R6은 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알킬이고 R4, R5, 및 R7 각각은 수소이다. 일부 실시형태에서, R6은 메틸이고 R4, R5, 및 R7 각각은 수소이다. 일부 실시형태에서, R6은 할로이고 R4, R5, 및 R7 각각은 수소이다. 일부 실시형태에서, R6은 클로로이고 R4, R5, 및 R7 각각은 수소이다. 일부 실시형태에서, R6은 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알킬이고; R5는 할로이고; R4 및 R7 각각은 수소이다. 일부 실시형태에서, R6은 메틸이고; R5는 브로모이고; R4 및 R7 각각은 수소이다. 일부 실시형태에서, R4, R5, R6, 및 R7 각각은 수소이다. 바람직하게는, R4, R5, R6, 및 R7 각각은 수소이거나 또는 R4, R5, R6, 및 R7 중 적어도 하나는 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알킬이고 나머지 치환체는 수소이다.
일부 실시형태에서, R8은 결합 또는 CHR9이다. 일부 실시형태에서, R8은 결합이다. 일부 실시형태에서, R8은 CHR9이다. R9는 수소, 할로, NR10R11, 또는 OR10일 수 있다. 일부 실시형태에서, R10 및 R11 각각은 수소, 치환된 또는 비치환된 C1-C12 알킬기, 및 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴기로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택된다. 일부 실시형태에서, R8은 CHR9이고, R9는 OR10이고, R10은 수소이다.
일부 실시형태에서, X는 수소, CR2R3Y, 또는 NR2R3Y이다. 일부 실시형태에서, X는 수소이다. 일부 실시형태에서, X는 CR2R3Y이다. 일부 실시형태에서, X는 NR2R3Y이다.
일부 실시형태에서, X는 수소이고 R4, R5, R6, 및 R7 각각은 수소이다. 일부 실시형태에서, X는 CR2R3Y이고; Y는 하이드록실이고; R2는 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴이다.
일부 실시형태에서, Y는 하이드록실, 할로, 옥소, 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알콕시, 티올, 알킬티오, 아미노, 수소, 또는 아미노알킬이다. 일부 실시형태에서, Y는 하이드록실이다.
일부 실시형태에서, Z는 독립적으로 질소, CR4, 또는 N+R10이다. 일부 실시형태에서, Z는 CR4이다. 일부 실시형태에서, 하나의 Z는 질소이고 나머지는 CR4이다. 일부 실시형태에서, 적어도 2개의 Z 원자는 질소이고 나머지는 CR4이다. 일부 실시형태에서, Z는 CR4이고 R4는 수소이다. 일부 실시형태에서, R8은 결합이고 적어도 하나의 Z는 질소이다.
일부 실시형태에서, 구조식 (I) 또는 구조식 (II)의 화합물 또는 이의 염은
Figure pct00008
이다.
일부 실시형태에서, 구조식 (I) 또는 구조식 (II)의 화합물 또는 이의 염은
Figure pct00009
이다.
일부 실시형태에서, 구조식 (I) 또는 구조식 (II)의 화합물 또는 이의 염은
Figure pct00010
이다.
일부 실시형태에서, 구조식 (I) 또는 구조식 (II)의 화합물 또는 이의 염은
Figure pct00011
이다.
일부 실시형태에서, 구조식 (I) 또는 구조식 (II)의 화합물 또는 이의 염은
Figure pct00012
이다.
일부 실시형태에서, 구조식 (I) 또는 구조식 (II)의 화합물 또는 이의 염은
Figure pct00013
이다.
일부 실시형태에서, 구조식 (I) 또는 구조식 (II)의 화합물 또는 이의 염은
Figure pct00014
이다.
일부 실시형태에서, 구조식 (I) 또는 구조식 (II)의 화합물 또는 이의 염은
Figure pct00015
이다.
일부 실시형태에서, 구조식 (I) 또는 구조식 (II)의 화합물 또는 이의 염은
Figure pct00016
이다.
일부 실시형태에서, 구조식 (I) 또는 구조식 (II)의 화합물 또는 이의 염은
Figure pct00017
이다.
일부 실시형태에서, 구조식 (I) 또는 구조식 (II)의 화합물 또는 이의 염은
Figure pct00018
이다.
일부 실시형태에서, 구조식 (I) 또는 구조식 (II)의 화합물 또는 이의 염은
Figure pct00019
이다.
특정 실시형태에서, 화학식 (I)의 화합물의 염은 임의의 염, 예를 들어 클로라이드염, 브로마이드염, 요오다이드염, 설페이트염, 플루오라이드염, 퍼클로레이트염, 아세테이트염, 트리플루오로아세테이트염, 포스페이트염, 질산염, 탄산염, 중탄산염, 포르메이트염, 염소산염, 브롬산염, 아염소산염, 티오황산염, 옥살산염, 시안화물염, 시안산염, 테트라플루오로보레이트 염 등일 수 있다. 일부 실시형태에서, 구조식 (I) 내지 (III)의 화합물의 염은 하이드로클로라이드 또는 설페이트 염일 수 있다. 화합물의 염 형태는 임의의 적합한 반대 이온을 갖는 N-양성자화된 벤즈이미다졸-계 화합물을 포함할 수 있다.
물의 샘플에 첨가되는 산은 임의의 산일 수 있다. 산은 무기 산 또는 유기 산일 수 있다. 예를 들어, 산은, 비제한적으로, 염산, 질산, 포름산, 황산, 아세트산, 프로피온산, 옥살산, 락트산, 인산, 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다. 일부 실시형태에서, 산은 염산, 포름산, 또는 인산일 수 있다. 일부 실시형태에서, 산은 포름산일 수 있다. 일부 실시형태에서, 산성 용액이 물의 샘플에 첨가될 수 있으며, 상기 산성 용액은 임의의 산 및 물을 포함할 수 있다. 산성 용액은 임의의 산과 물로 구성될 수 있다.
물의 샘플에 첨가되는 산의 양은 벤즈이미다졸 고리에서 질소 원자를 양성자화하기에 충분하다. 일부 실시형태에서, 산은 약 0.01 중량% 내지 약 2 중량%의 양으로 물의 샘플에 첨가된다. 일부 실시형태에서, 산은 약 0.01 중량% 내지 약 2 중량%의 양으로 물의 샘플에 첨가된다. 산을 첨가한 후, 물의 샘플은 약 1 내지 약 5의 pH를 가질 수 있다.
다른 실시형태에서, 수성 시스템에서의 부식 억제제의 농도를 제어하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 물의 샘플에서 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도를 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도를 결정하는 단계는 수성 시스템으로부터 물의 샘플을 인출하는 단계; 물의 샘플에 산을 첨가하는 단계; 상기 물의 샘플을 선택된 여기 파장의 광 에너지에 노출시키는 단계; 선택된 형광 방출 파장에 대해 방출된 광의 강도를 측정하는 단계; 및 상기 방출된 광의 강도를 표준 곡선에 비교하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 표준 곡선은 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도의 형광 방출 강도 대 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도의 농도의 플롯일 수 있다. 마지막으로, 상기 방법은 물의 샘플에서의 벤즈이미다졸 농도가 사전결정된 수준 미만인 경우 수성 시스템에 벤즈이미다졸 화합물을 첨가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 사전결정된 수준은 약 0.05 ppm 내지 약 20 ppm일 수 있다. 일부 실시형태에서, 상기 사전결정된 수준은 약 0.1 ppm 내지 약 5 ppm일 수 있다. 구조식 (I) 내지 (III)의 화합물은 임의의 투약량 비로 수성 시스템에 첨가될 수 있지만, 구조식 (I) 내지 (III)의 화합물은 일반적으로 약 0.01 ppm 내지 약 500 ppm의 투약량 비로 수성 시스템에 첨가된다. 특정 실시형태에서, 구조식 (I) 내지 (III)의 화합물은 약 0.01 ppm 내지 약 100 ppm의 투약량 비로 수성 시스템에 첨가된다. 특정 실시형태에서, 구조식 (I) 내지 (III)의 화합물은 약 0.01 ppm 내지 약 100 ppm, 약 0.01 ppm 내지 약 75 ppm, 약 0.01 ppm 내지 약 50 ppm, 약 0.01 ppm 내지 약 25 ppm, 약 0.01 ppm 내지 약 10 ppm, 약 0.01 ppm 내지 약 5 ppm, 약 0.1 ppm 내지 약 100 ppm, 약 0.1 ppm 내지 약 75 ppm, 약 0.1 ppm 내지 약 50 ppm, 약 0.1 ppm 내지 약 25 ppm, 약 0.1 ppm 내지 약 10 ppm, 약 0.1 ppm 내지 약 5 ppm, 약 1 ppm 내지 약 100 ppm, 약 1 ppm 내지 약 75 ppm, 약 1 ppm 내지 약 50 ppm, 약 1 ppm 내지 약 25 ppm, 약 1 ppm 내지 약 10 ppm, 약 5 ppm 내지 약 100 ppm, 약 10 ppm 내지 약100 ppm, 약 25 ppm 내지 약 100 ppm, 약 50 ppm 내지 약 100 ppm, 또는 약 80 ppm 내지 약 100 ppm의 투약량 비로 수성 시스템에 첨가된다.
일부 실시형태에서, 조성물에서 구조식 (I) 내지 (III)의 화합물 또는 이의 염의 농도는 약 1 wt% 내지 약 50 wt%, 약 5 wt% 내지 약 50 wt%, 약 10 wt% 내지 약 50 wt%, 약 15 wt% 내지 약 50 wt%, 약 20 wt% 내지 약 50 wt%, 약 20 wt% 내지 약 45 wt%, 약 25 wt% 내지 약 45 wt%, 또는 약 25 wt% 내지 약 40 wt%의 범위일 수 있다. 일부 실시형태에서, 상기 조성물은 물을 포함할 수 있다.
당해 분야의 숙련가는 벤즈이미다졸-계 화합물의 투약량 농도는 수성 시스템의 상태와 원하는 부식 속도에 의존하여 개시된 범위 외로 될 수 있다는 것을 인정할 것이다.
일부 실시형태에서, 본원에 개시된 방법은 수성 시스템에서 금속 표면의 부식 속도를 측정하는 것을 포함할 수 있다. 금속 표면의 부식 속도를 측정하는 방법은 당해 분야에서 잘 알려져 있고, 당업자는 적절한 방법을 선택할 수 있을 것이다.
사전결정된 부식 속도는 약 0.2 mpy 이하일 수 있다. 특정 실시형태에서, 사전결정된 부식 속도는 약 0.1 mpy 이하, 약 0.05 mpy 이하, 약 0.04 mpy 이하, 약 0.03 mpy 이하, 약 0.02 mpy 이하, 약 0.01 mpy 이하, 약 0.005 mpy 이하, 또는 약 0.002 mpy 이하이다.
일부 실시형태에서, 수성 시스템은 공업 용수 시스템이다. "공업 용수 시스템"은 그것의 주요 성분으로 물을 순환시키거나 이용하는 임의의 시스템을 의미한다. "공업 용수 시스템"의 비-제한적인 예는 냉각 시스템, 보일러 시스템, 가열 시스템, 멤브레인 시스템, 제지 시스템, 또는 물을 순환시키거나 이용하는 임의의 다른 시스템을 포함한다.
특정 실시형태에서, 상기 수성 시스템은 냉각수 시스템이다. 상기 냉각수 시스템은 폐쇄 루프 냉각수 시스템 또는 개방 루프 냉각수 시스템일 수 있다.
일부 실시형태에서, 수성 시스템은 산화성 살생물제를 포함할 수 있다. 일부 실시형태에서, 수성 시스템은 염소화, 브롬화, 또는 요오드화될 수 있다. 일부 실시형태에서, 수성 시스템은 염소화될 수 있다. 개시된 조성물 및 방법의 이점은 구조식 (I) 내지 (III)의 화합물이 일반적으로 산화 할로겐의 존재에서 금속 표면에 대한 부식 보호를 제공한다는 것이다. 특정 실시형태에서, 구조식 (I) 내지 (III)의 화합물은 금속 표면과 접촉하는 수성 시스템에 첨가되고 임의의 산화 할로겐 화합물의 존재에서 금속 표면에 대한 부식 보호를 제공한다. 특정 실시형태에서, 구조식 (I) 내지 (III)의 화합물은, 비제한적으로, 차아염소산염 표백, 염소, 브롬, 차아염소산염, 하이포브로마이트, 이산화염소, 요오드/하이퍼아요오드산, 하이퍼아브롬산, 할로겐화된 히단토인, 차아염소산 또는 하이퍼아브롬산의 안정화된 버전, 또는 이들의 조합을 포함한 산화 할로겐 화합물의 존재에서 금속 부식을 억제한다. 임의의 특정 이론에 구속되기를 원하지 않지만, 구조식 (I) 내지 (III)의 화합물의 비교적 큰 수의 헤테로원자가 금속 표면 및 금속 이온에 결합하기 위해 더 큰 수의 부위를 제공하여, 많은 기존의 부식 억제제에 비교하여 향상된 부식 억제를 제공할 수 있다는 것이 상정된다. 또한, 구조식 (I) 내지 (III)의 화합물은 금속과 1,2-킬레이트화 복합체를 형성할 수 있기 때문에 상기 화합물은 안정한 막을 형성한다는 것이 상정된다.
특정 실시형태에서, 구조식 (I) 내지 (III)의 화합물은, 비제한적으로, 퍼옥사이드(예를 들어, 과산화수소), 오존, 과황산염, 과망간산염, 및 퍼아세트산을 포함한 비-할로겐-함유 산화성 살생물제를 포함하는 수성 시스템에 첨가될 때 금속 부식을 억제한다.
본 개시내용의 방법 및 조성물은, 비제한적으로, 구리, 철, 은, 강철(예를 들어, 아연도금된 강철), 아연 합금, 및 알루미늄을 포함한 임의의 금속 또는 금속 합금에 대한 부식 보호를 제공한다. 특정 실시형태에서, 본원에 개시된 조성물은 구리를 포함하는 금속 표면과 접촉하는 수성 시스템에 첨가되어 금속 부식을 억제할 수 있다. 특정 실시형태에서, 본원에 개시된 조성물은 구리 합금을 포함하는 금속 표면과 접촉하는 수성 시스템에 첨가되어 금속 부식을 억제할 수 있다. 특정 실시형태에서, 구리는 구조식 (I) 내지 (III)의 화합물에서 하나 이상의 헤테로원자와 착물화한다. 특정 실시형태에서, 구리는 구조식 (I) 내지 (III)의 화합물에서 하나 이상의 헤테로원자와 착물화한다. 구리는 배관 및 산업 기계에서의 구리 관 및 배관으로서의 용도를 비롯한 광범위한 응용 분야를 갖는다. 구리 및 구리 합금은 냉각수 및 보일러 용수 시스템에 사용되는 것으로 널리 공지되어 있다. 일부 실시형태에서, 금속 표면은 구리를 포함할 수 있다.
본원에 개시된 조성물 및 방법은 청동 및 황동을 포함한 임의의 구리 합금을 보호하기 위해 사용될 수 있다. 청동은 일반적으로 구리와 주석을 포함하지만 알루미늄, 망간, 규소, 비소 및 인을 비롯한 다른 원소를 포함할 수 있다. 황동은 구리와 아연을 포함하며 일반적으로 물 보일러 시스템의 배관에 사용된다. 특정 실시형태에서, 본원에 개시된 임의의 조성물은 금속 부식을 억제하기 위해 청동을 포함하는 금속 표면과 접촉하는 수성 시스템에 첨가된다. 특정 실시형태에서, 본원에 개시된 임의의 조성물은 금속 부식을 억제하기 위해 황동, 예를 들어 조선용 황동을 포함하는 금속 표면과 접촉하는 수성 시스템에 첨가된다. 특정 실시형태에서, 본원에 개시된 임의의 조성물은 금속 부식을 억제하기 위해 구리-니켈 합금을 포함하는 금속 표면과 접촉하는 수성 시스템에 첨가된다.
특정 실시형태에서, 본원에 개시된 방법 및 조성물은 온건한 강철의 부식을 억제한다. 특정 실시형태에서, 본원에 개시된 방법 및 조성물은 비제한적으로, 아연도금된 강철, 스테인레스강, 주철, 니켈, 및 이들의 조합을 포함하는 금속 합금의 부식을 억제한다. 임의의 특정 이론에 구속되기를 원하지 않지만, 구조식 (I) 내지 (III)의 화합물은 용액에서 Cu (II)를 불활성화시켜, 강철 표면 상에 갈바니 전지의 발생을 방지한다는 것이 상정된다.
일부 실시형태에서, 물의 샘플은 벤즈이미다졸-계 화합물과 실질적으로 중첩하지 않는 여기 및 방출 피크를 갖는 형광 유기 화합물을 포함할 수 있다. 특정 실시형태에서, 상기 형광 유기 화합물은 로다민 또는 이의 유도체, 아크리딘 염료, 플루오레세인 또는 이의 유도체, 및 이의 조합으로부터 선택될 수 있다. 형광 유기 화합물은 형광 태깅된 중합체일 수 있다.
당업자는 구조식 (I) 내지 (III)의 화합물이 단독으로 또는 다른 부식 억제제 또는 처리 화학물질과 조합하여 수성 시스템에 첨가될 수 있다는 것을 인정할 것이다. 다수의 부식 억제제가 조합된 부식 억제제 제형으로 투여될 수 있거나 또는 각각의 부식 억제제가, 구조식 (I) 내지 (III) 중 2 이상의 화합물을 포함하여, 별도로 첨가될 수 있다. 또한, 구조식 (I) 내지 (III)의 화합물은, 비제한적으로, 트리아졸, 벤조트리아졸 (예를 들어, 벤조트리아졸 또는 톨릴트리아졸), 벤즈이미다졸, 오르토포스페이트, 폴리포스페이트, 포스포네이트, 몰리브데이트, 실리케이트, 옥심, 및 아질산염을 포함한 다양한 추가의 부식 억제제와 조합하여 수성 시스템에 첨가될 수 있다. 구조식 (I) 및 (II)의 화합물은 또한 다양한 추가의 첨가제, 예컨대 처리 중합체, 항-미생물제, 항-스케일링 제제, 착색제, 충전제, 완충액, 계면활성제, 점도 개질제, 킬레이트제, 분산제, 방취제, 차단제, 산소 포착제, 및 지시 염료와 조합하여 수성 시스템에 첨가될 수 있다.
본원에 개시된 방법 및 조성물은 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도를 결정하고 수성 시스템에서 금속의 부식을 억제하는 것에 대해 개선된 제어를 제공하기 위해 사용될 수 있다. 수성 시스템은 임의의 pH를 가질 수 있다.
표 1은 본원에 개시된 방법을 사용하여 검출될 수 있고 수성 시스템에서 금속의 부식을 억제할 수 있는 벤즈이미다졸-계 화합물의 선택을 나타낸다.
Figure pct00020
Figure pct00021
Figure pct00022
당해 분야의 숙련가는 적절한 여기 파장 및 방출 필터를 갖는 임의의 형광측정기가 수 중의 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도를 측정하기 위해 사용될 수 있다는 것을 인정할 것이다. 예를 들어, 농도는 미국 특허 제9,618,450호; 제9,557,270호; 제8,373,140호; 제8,352,207호; 및 제8,248,611호에 기재된 임의의 형광측정기로 측정될 수 있으며, 이들은 본 개시내용에 인용되어 포함된다.
일부 실시형태에서, 본 개시내용에 따른 형광측정기는 광학 센서를 포함한다. 광학 센서는, 선택된 파장의 광 에너지를 분석 중인 유체 샘플 안으로 방출하도록 구성된 제1 광학 에미터, 및 분석 중인 유체 샘플에서의 산란의 양을 측정하기 위해 광 에너지를 방출하도록 구성된 제2 광학 에미터를 포함할 수 있다.
광학 센서는 또한 유체 샘플로부터 방출된 형광 광 및/또는 유체 샘플로부터 산란된 광을 수신하는 적어도 하나의 검출기를 포함할 수 있다. 작동 동안, 검출기는 분석 중인 유체 샘플로부터 방출된 형광 광의 양을 검출할 수 있고 형광측정기는 그 다음 상기 형광 광에 기초하여 유체 샘플에서 형광 종의 농도를 결정할 수 있다.
광학 센서는 산업 공정을 모니터링하는 것을 포함하여 다양한 응용에 사용된다. 광학 센서는 산업 공정에서 유체의 광학 특성을 주기적으로 분석하기 위해 사용되는 휴대용 소형 장치로 구현될 수 있다. 대안적으로, 광학 센서는 산업 공정에서 유체의 광학 특성을 연속적으로 분석하기 위해 온라인으로 설치될 수 있다. 어느 경우이든, 광학 센서는 물의 샘플을 광학적으로 분석하고 유체에서 하나 이상의 화학 종의 농도와 같은 유체의 상이한 특성을 결정할 수 있다.
광학 센서는 다양한 상이한 구성을 가질 수 있지만, 일부 예에서, 광학 센서는 광이 유체 샘플로 방출되고 또한 유체 샘플로부터 수신되는 단일 광학 렌즈를 갖도록 설계된다. 광학 센서는 센서의 다양한 전자 부품을 함유하고 또한 단일 광학 렌즈로 그리고 이로부터의 광 이동을 제어하는 광학 경로를 갖는 하우징을 포함할 수 있다.
광학 센서는 유체 샘플에 의해 방출된 형광 방출을 측정하도록 위치 및 구성되는 광학 검출기를 포함할 수 있다. 일부 구성에서, 단일 광학 검출기는 샘플로부터의 산란 및 형광 둘 모두를 측정하기 위해 사용될 수 있고, 센서에서의 단일 광학 경로를 통해 산란 광 및 형광 광 둘 모두를 수신할 수 있다.
파장이 변할 수 있지만, 일부 예에서, 제1 광학 에미터는 대략 200 nm 내지 약 400 nm 범위인 파장의 광 에너지를 방출하도록 구성된다. 선택된 여기 파장은 약 230 nm 내지 약 290 nm일 수 있다. 일부 실시형태에서, 선택된 여기 파장은 약 280 nm일 수 있다.
분석 중인 물의 샘플로부터 발산되는 광(예를 들어, 형광 방출, 광 산란)을 검출하기 위해, 광학 센서는 광학 검출기를 포함한다. 광학 검출기는 광학 경로에 광학적으로 연결되고, 분석 중인 물의 샘플로부터 광학 윈도우를 통해 투과된 형광 방출 빔 및 산란 광 빔의 적어도 일부를 수용할 수 있다. 유입 하우징에 의해, 형광 방출 빔 및 산란 광 빔의 수신된 부분은 측정 및/또는 분석을 위해 광학 경로를 통해 광학 검출기로 향할 수 있다.
형광측정기는 광원, 예컨대 UV 램프를 포함할 수 있다. UV 램프는 가스 방전 램프, 수은 램프, 중수소 램프, 금속 증기 램프, 발광 다이오드 또는 복수의 발광 다이오드일 수 있다.
선택된 형광 방출 파장은 약 300 nm 내지 약 500 nm일 수 있다. 일부 실시형태에서, 선택된 형광 방출 파장은 약 360 nm일 수 있다. 센서는 또한 제1 파장에서 샘플의 참조 형광 방출을 측정할 수 있다. 센서는 또한 제로 농도의 벤즈이미다졸-계 화합물을 갖는 제로 용액의 형광 방출을 측정할 수 있다. 그 경우에, 샘플 내 화학물질의 농도는 벤즈이미다졸-계 화합물을 함유하는 샘플의 측정된 형광 방출과 제로 용액의 측정된 형광 방출에서의 계산된 차이에 기초하여 계산될 수 있다. 샘플의 농도는 또한 보정 샘플에서 벤즈이미다졸-계 화합물의 알려진 농도에 대해 결정된 보정 상수에 기초하여 계산될 수 있다.
예를 들어, 약 280 nm에서 UV 방사선을 생성하는 수은 램프를 갖는 자외선 형광 감지 시스템을 사용할 때, 샘플 농도는 2개의 UV 검출기로부터의 신호에 기초하여 평가될 수 있다. 제1 검출기(형광 검출기)는 파장 360 nm±5 nm(355 nm 내지 365 nm 범위)에 대한 형광 값을 측정하고, 제2 검출기(참조 검출기)는 다른 파장에서 UV 여기의 강도를 측정한다.
실시예
실시예 1
도 1a 및 b는 밀리 Q 물 중의, 그리고 포름산 중의 치환된 벤즈이미다졸 화합물에 대한 방출 프로파일을 도시한다(도 1a). 포름산의 부재 및 존재 하의, 치환된 벤즈이미다졸은 300 nm 및 370 nm에서 2개의 뚜렷한 형광 강도 방출 대역을 나타낸다(도 1b). 330 nm에서 등흡수점이 관측되었다. 치환된 벤즈이미다졸의 검출 및 정량화를 위한 형광측정기 파라미터는 아래와 같았다: 여기 = 280 nm, 방출 = 360 nm, 슬릿 폭 = 5 nm, 및 전압 = 950 V.
도 2는 치환된 벤즈이미다졸의 상이한 농도에서의 형광 강도에 대한 포름산의 효과를 도시한다. 약 0.1 중량%의 포름산이 샘플에 첨가될 때, 형광에서의 유의미한 증가가 350 내지 370 nm의 방출 대역 범위에서 검출되었다.
실시예 2
경수의 간섭 효과를 감소시키기 위해, 샘플을 순수한 물을 사용하여 최소 약 10배로 희석하는 간단한 샘플 제조 프로토콜이 개발되었다. 샘플의 희석은 냉각수 구성요소에 의해 야기된 간섭을 감소시켰고 반면에 형광 강도는 치환된 벤즈이미다졸을 정량화하기에 충분히 높았다. 치환된 벤즈이미다졸의 형광 강도가 강하기 때문에 (대략 1 ppm = 107cps), 샘플의 10배 희석에서도 양호한 신뢰성으로 검출될 수 있다.
2개의 상이한 농도 (50 ppm Ca + 50 ppm Mg 및 250 ppm Ca + 250 ppm Mg)의 경도 용액이 제조되었고 2 ppm의 치환된 벤즈이미다졸로 스파이킹되었다. 그런 다음 용액은 0.1% 포름산으로 산성화되었다. 2 ppm의 치환된 벤즈이미다졸을 함유하고 포름산으로 0.1 중량%로 산성화된 대조군 용액(경도 없음)이 또한 제조되었다. 형광측정기 설정은 실시예 1에 기재된 바와 동일하였다. 도 3은 2 ppm의 치환된 벤즈이미다졸에 대한 경수의 효과를 도시한다. 도 3은 또한 냉각수 유래의 간섭의 존재 하, 샘플 희석이 유무인, 치환된 벤즈이미다졸의 형광 강도를 도시한다.
Ca 및 Mg 이온을 함유하는 샘플은 치환된 벤즈이미다졸의 회수를 감소시켰다는 것이 관측되었다. 그러나, 이들 샘플이 0.1% 포름산을 사용하여 10배 희석되고 그 다음 형광측정기 상에서 측정될 때, 치환된 벤즈이미다졸에 대한 양호한 회수가 수득되었고 Ca 및 Mg의 간섭이 상당히 감소되었다.
실시예 3
염산, 포름산, 및 인산을 포함하는, 몇 개의 상이한 산을, 치환된 벤즈이미다졸의 형광 강도에 대한 효과에 대해 연구되었다(도 4). 도 4에 도시된 백분율은 중량 백분율이다. 모든 연구된 산은 370 nm 방출 대역에 대해 증가된 농도의 포름산으로 대략 유사한 증가된 형광 강도를 나타냈다는 것이 밝혀졌다.
화합물 구조 및 화학명은 ChemDraw Professional 버전 15.1을 사용하여 준비 및 결정되었다.
본원에 개시된 임의의 조성물은 본원에 개시된 화합물/성분 중 임의의 것을 포함하거나, 이로 이루어지거나, 본질적으로 이로 이루어질 수 있다. 본 개시내용에 따르면, 어구 "본질적으로 이루어지다", "본질적으로 이루어진" 등은 청구범위의 범위를, 명시된 물질 또는 단계 및 청구된 발명의 기본적이고 신규한 특징(들)에 실질적으로 영향을 주지 않는 물질 또는 단계로 제한한다.
본원에서, 용어 "약"은 인용된 값이 각각의 시험 측정치에서 발견되는 표준 편차로부터 생기는 오차 이내에 있음을 지칭하며, 이러한 오차가 측정될 수 없는 경우, "약"은 인용된 값의 10% 이내임을 지칭한다.
본원에 개시되고 청구된 모든 조성물 및 방법은 본 개시내용에 비추어 과도한 실험 없이 제조되고 실행될 수 있다. 본 발명은 다수의 상이한 형태로 구체화될 수 있지만, 본 발명의 구체적인 바람직한 실시형태가 본원에 상세하게 기술된다. 본 개시내용은 본 발명의 원리의 예시이며, 본 발명을 설명된 특정 실시형태로 제한하도록 의도되지 않는다. 또한, 명확히 달리 언급되지 않는 한, 단수형의 사용은 "적어도 하나의" 또는 "하나 이상의"를 포함하도록 의도된다. 예를 들어, "화합물"은 "적어도 하나의 화합물" 또는 "하나 이상의 화합물"를 포함하도록 의도된다.
절대 용어 또는 근사 용어로 제시되는 임의의 범위는 둘 모두를 포함하도록 의도되며, 본원에 사용된 임의의 정의는 명료화를 위한 것이고 제한하려는 것이 아니다. 본 발명의 넓은 범위를 제시하는 수치 범위 및 파라미터가 근사치임에도 불구하고, 구체적인 예에서 제시된 수치는 가능한 한 정확하게 기록된 것이다. 그러나, 임의의 수치는 본질적으로 이의 각자의 시험 측정치에서 발견되는 표준 편차로부터 필연적으로 유래하는 특정 오차를 포함한다. 더욱이, 본원에 개시된 모든 범위는 그 안에 포함된 임의의 및 모든 하위범위(모든 분수값 및 정수값을 포함함)를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
더욱이, 본 발명은 본원에 기술된 다양한 실시형태들 중 일부 또는 전부의 임의의 및 모든 가능한 조합을 포함한다. 또한, 본원에 기술된 현재의 바람직한 실시형태에 대한 다양한 변화 및 변형이 당업자에게 명백할 것임이 이해되어야 한다. 이러한 변화 및 변형은 본 발명의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않으면서 그리고 이의 의도된 이점을 감소시키지 않으면서 이루어질 수 있다. 따라서 이러한 변화 및 변형은 첨부된 청구범위에 의해 포함되도록 의도된다.

Claims (21)

  1. 하기를 포함하는, 수 중의 부식 억제제 농도를 결정하는 방법:
    수성 시스템으로부터 물의 샘플을 인출하는 단계로서, 상기 물의 샘플은 벤즈이미다졸-계 화합물을 포함하는, 단계;
    물의 샘플에 산을 첨가하는 단계;
    상기 물의 샘플을 선택된 여기 파장의 광 에너지에 노출시키는 단계;
    선택된 형광 방출 파장에 대해 방출된 광의 강도를 측정하는 단계;
    상기 방출된 광의 강도를 표준 곡선에 비교하는 단계로서, 상기 표준 곡선은 벤즈이미다졸-계 화합물의 형광 방출 강도 대 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도의 플롯을 포함하는, 단계; 및
    상기 표준 곡선으로부터 물의 샘플에서 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도를 결정하는 단계.
  2. 제1항에 있어서, 상기 물의 샘플에 물을 첨가함에 의해 물의 샘플을 희석하는 것을 더 포함하는, 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 물의 샘플은 약 10배로 희석되는, 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수성 시스템은 냉각수 시스템이고 상기 물의 샘플은 냉각 타워 물의 샘플인, 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 물의 샘플은 경수를 포함하는, 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 물의 샘플은 약 25 ppm 내지 약 400 ppm의 칼슘 및 약 25 ppm 내지 약 400 ppm의 마그네슘을 포함하는, 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 벤즈이미다졸-계 화합물은 구조식 (I)의 것 또는 이의 염인, 방법,
    Figure pct00023

    상기 식에서
    R1은 할로, 수소, 중수소, 하이드록실, 카르보닐, 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알킬, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알케닐, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알키닐, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 헤테로아릴, 또는 치환된 또는 비치환된 C3-C8 시클로알킬이고;
    X는 수소, CR2R3Y, 또는 NR2R3Y이고;
    Y는 하이드록실, 할로, 옥소, 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알콕시, 티올, 알킬티오, 아미노, 수소, 또는 아미노알킬이고;
    R2 및 R3 각각은 수소, 할로, 하이드록실, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 헤테로아릴, 카르보닐, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알케닐, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알키닐, 치환된 또는 비치환된 C3-C8 시클로알킬, 및 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알킬로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택되고; 그리고
    R4, R5, R6, 및 R7 각각은 수소, 할로, 아미노, 시아노, 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알콕시, 하이드록실, 티올, 카르보닐, 니트로, 포스포릴, 포스포닐, 설포닐, 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알킬, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알케닐, 치환된 또는 비치환된 C2-C16 알키닐, 치환된 또는 비치환된 C4-C6 헤테로아릴, 및 치환된 또는 비치환된 C3-C8 시클로알킬로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택됨.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 벤즈이미다졸-계 화합물은 구조식 (II)의 것 또는 이의 염인, 방법,
    Figure pct00024

    상기 식에서
    R1은 수소, 치환된 또는 비치환된 C1-C16 알킬기, 또는 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴기이고;
    R8은 결합 또는 CHR9이고;
    R9는 수소, 할로, NR10R11, 또는 OR10이고;
    상기 식에서 R10 및 R11 각각은 수소, 치환된 또는 비치환된 C1-C12 알킬기, 및 치환된 또는 비치환된 C4-C6 아릴기로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택되고; 그리고
    Z는 독립적으로 질소, CR4, 또는 N+R10임.
  9. 제8항에 있어서, Z는 CR4이고 R4는 수소인, 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 벤즈이미다졸-계 화합물은 하기로 구성된 군으로부터 선택되는, 방법:
    Figure pct00025
    및
    Figure pct00026
    .
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산은 무기 산, 유기 산, 또는 이들의 임의의 조합인, 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산은 염산, 포름산, 인산, 질산, 황산, 아세트산, 프로피온산, 옥살산, 락트산, 시트르산 또는 이들의 임의의 조합인, 방법.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 선택된 여기 파장은 약 200 nm 내지 약 400 nm인, 방법.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 선택된 형광 방출 파장은 약 300 nm 내지 약 500 nm인, 방법.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산을 첨가하는 단계 후 벤즈이미다졸-계 화합물을 양성자화하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 물의 샘플은 상기 산을 첨가하는 단계 후 약 1 내지 약 5의 pH를 갖는, 방법.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산은 약 0.001 중량% 내지 약 10 중량%의 양으로 물의 샘플에 첨가되는, 방법.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산의 첨가는 벤즈이미다졸-계 화합물에 대해 300 nm에서의 방출 대역의 형광 강도를 감소시키고 370 nm에서의 방출 대역의 형광 강도를 증가시키는, 방법.
  19. 하기를 포함하는, 수성 시스템에서의 부식 억제제의 농도를 제어하는 방법:
    제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따른 물의 샘플에서 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도를 결정하는 단계; 및
    상기 물의 샘플에서 벤즈이미다졸-계 화합물의 농도가 사전결정된 수준 미만인 경우 수성 시스템에 벤즈이미다졸-계 화합물을 첨가하는 단계.
  20. 제19항에 있어서, 상기 사전결정된 수준은 약 0.05 ppm 내지 약 20 ppm인, 방법.
  21. 제19항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수성 시스템은 산화성 살생물제를 포함하는, 방법.
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Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5278074A (en) * 1992-04-22 1994-01-11 Nalco Chemical Company Method of monitoring and controlling corrosion inhibitor dosage in aqueous systems
JPH0790639A (ja) * 1993-09-16 1995-04-04 Akuasu Kk 一液型水処理剤及び水処理方法
US5435969A (en) * 1994-03-29 1995-07-25 Nalco Chemical Company Monitoring water treatment agent in-system concentration and regulating dosage
JPH09178662A (ja) * 1995-12-28 1997-07-11 Kurita Water Ind Ltd 水系添加薬剤の濃度管理方法
JPH11106428A (ja) * 1997-10-02 1999-04-20 Kurita Water Ind Ltd 水処理用ポリマー及び水処理方法
JPWO2010032489A1 (ja) * 2008-09-22 2012-02-09 国立大学法人旭川医科大学 鉄キレート剤及びその製造方法、並びに鉄イオンの定量・捕捉方法
US8373140B2 (en) 2010-03-31 2013-02-12 Ecolab Usa Inc. Fluorometric sensor
US8352207B2 (en) 2010-03-31 2013-01-08 Ecolab Usa Inc. Methods for calibrating a fluorometer
US8248611B2 (en) 2010-03-31 2012-08-21 Ecolab Usa Inc. Handheld optical measuring device and method of use
CN101914063B (zh) * 2010-08-05 2011-11-23 大连大学 N,n’-二-[3-羟基-4-(2-苯并咪唑)苯基]脲及作为锌离子荧光探针的应用
ES2895391T3 (es) * 2011-12-27 2022-02-21 Abbott Lab Análisis celular de fluidos corporales
CN102585802A (zh) * 2012-01-31 2012-07-18 天津理工大学 一种新型水溶性巯基荧光探针及其制备方法和应用
CN102759518A (zh) * 2012-07-31 2012-10-31 中国人民解放军第三军医大学 肝素钠的共振光散射检测方法
US8617416B1 (en) 2012-09-07 2013-12-31 Prestone Products Corporation Heat transfer fluids and corrosion inhibitor formulations for use thereof
US9751789B2 (en) * 2012-12-28 2017-09-05 Ecolab Usa Inc. Fluorescent monomers and tagged treatment polymers containing same for use in industrial water systems
US9371448B2 (en) * 2013-03-04 2016-06-21 Indiana University Research And Technology Corporation Imidazo[1,5-a]pyridinium ion fluorophores, and methods of making and using the same
US9618450B2 (en) 2013-09-27 2017-04-11 Ecolab USA, Inc. Multi-channel fluorometric sensor and method of using same
EP3077573B1 (en) 2013-12-02 2019-07-10 Ecolab USA Inc. Tetrazole based corrosion inhibitors
CN103952146B (zh) * 2014-04-29 2016-04-13 贵州大学 一种1-(7-香豆素乙氧基)-4-(2-甲基-8-喹啉氧甲基)-1,2,3-***比率荧光或比率紫外吸收探针试剂及制备和应用
US9557270B2 (en) 2015-03-04 2017-01-31 Ecolab Usa Inc. Multi-channel fluorometric sensor and method of using same
WO2016191672A1 (en) 2015-05-28 2016-12-01 Ecolab Usa Inc. 2-substituted imidazole and benzimidazole corrosion inhibitors
WO2017066672A1 (en) * 2015-10-14 2017-04-20 Uwm Research Foundation, Inc. Sensor dyes for real-time sensing of metal ions in aqueous environments
US9994713B2 (en) * 2016-03-28 2018-06-12 King Fahd University Of Petroleum And Minerals Fluorescent schiff base conjugate Cu(II) chemosensors and methods thereof
CN106187909A (zh) * 2016-07-14 2016-12-07 华南师范大学 一种用于氟离子检测的苯并咪唑基荧光化学传感器及其制备方法
CN107267139B (zh) * 2017-07-04 2020-04-17 华南师范大学 一种多功能二(苯并咪唑)萘类荧光化学传感器及其应用

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