KR20200126451A - 전자 장치 - Google Patents

전자 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200126451A
KR20200126451A KR1020190049695A KR20190049695A KR20200126451A KR 20200126451 A KR20200126451 A KR 20200126451A KR 1020190049695 A KR1020190049695 A KR 1020190049695A KR 20190049695 A KR20190049695 A KR 20190049695A KR 20200126451 A KR20200126451 A KR 20200126451A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
inorganic layer
layer
pattern
disposed
encapsulation
Prior art date
Application number
KR1020190049695A
Other languages
English (en)
Inventor
이제호
김재현
윤대상
정소연
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020190049695A priority Critical patent/KR20200126451A/ko
Priority to US16/834,338 priority patent/US11264596B2/en
Priority to CN202010327019.2A priority patent/CN111863880A/zh
Publication of KR20200126451A publication Critical patent/KR20200126451A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/02—Constructional features of telephone sets
    • H04M1/0202—Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets
    • H04M1/026—Details of the structure or mounting of specific components
    • H04M1/0266—Details of the structure or mounting of specific components for a display module assembly
    • H01L51/5256—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1626—Constructional details or arrangements for portable computers with a single-body enclosure integrating a flat display, e.g. Personal Digital Assistants [PDAs]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1684—Constructional details or arrangements related to integrated I/O peripherals not covered by groups G06F1/1635 - G06F1/1675
    • G06F1/1686—Constructional details or arrangements related to integrated I/O peripherals not covered by groups G06F1/1635 - G06F1/1675 the I/O peripheral being an integrated camera
    • H01L27/32—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H01L2251/30—
    • H01L2251/53—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

함몰부를 포함하는 홀 영역, 상기 홀 영역을 에워싸는 표시 영역으로 구분되는 베이스 기판, 각각에 상기 함몰부와 중첩하는 개구부를 포함하는 절연층들을 포함하는 회로 소자층, 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되고 상기 표시 영역 및 상기 홀 영역과 중첩하는 전하 제어층을 포함하는 유기발광소자를 포함하는 표시 소자층, 제1 봉지 무기층, 제2 봉지 무기층, 상기 제1 봉지 무기층과 상기 제2 봉지 무기층 사이에 배치된 봉지 유기층을 포함하는 봉지층, 및 상기 절연층들 및 제1 봉지 무기층 사이에 배치되는 보호 무기층을 포함하고, 상기 전하 제어층은, 상기 절연층들 중 상기 홀 영역과 중첩하는 절연층 상에 배치된 제1 패턴 및 제1 패턴과 분리되고 상기 함몰부 내에 배치된 제2 패턴을 포함하고, 상기 보호 무기층은, 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴을 커버하는 전자 장치.

Description

전자 장치{ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 전자 장치에 관한 것으로, 상세하게는 신뢰성이 향상된 전자 장치에 관한 것이다.
표시 패널은 전기적 신호에 따라 활성화되어 영상을 표시한다. 표시 패널 중 유기 발광 소자를 포함하는 유기 발광 표시 패널은 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도를 가진다.
유기 발광 표시 패널은 유기 발광 소자를 포함한다. 유기 발광 소자는 수분이나 산소에 취약하여 쉽게 손상될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 패널에 있어서, 외부로부터 유입되는 수분이나 산소를 안정적으로 차단할수록 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 향상되고 수명이 향상되는 결과를 가져올 수 있다.
본 발명의 목적은 외부 충격에 대한 내 충격성을 강화하고, 외부 산소 및 수분 등 오염의 유입을 방지하는 전자 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는, 적어도 일부가 함몰된 함몰부를 포함하는 홀 영역, 상기 홀 영역을 에워싸는 표시 영역, 및 상기 표시 영역에 인접한 주변 영역으로 구분되는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치된 트랜지스터 및 각각에 상기 함몰부와 중첩하는 개구부를 포함하는 복수의 절연층들을 포함하는 회로 소자층, 상기 회로 소자층 상에 배치되고, 상기 트랜지스터와 연결된 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 상기 표시 영역에 배치된 발광 패턴 및, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고 상기 표시 영역 및 상기 홀 영역과 중첩하는 전하 제어층을 포함하는 유기발광소자를 포함하는 표시 소자층, 상기 표시 소자층 상에 배치되고, 제1 봉지 무기층, 제2 봉지 무기층, 상기 제1 봉지 무기층과 상기 제2 봉지 무기층 사이에 배치된 봉지 유기층을 포함하는 봉지층, 상기 홀 영역에 배치되고, 상기 절연층들 및 상기 제1 봉지 무기층 사이에 배치되는 보호 무기층, 및 상기 홀 영역과 중첩하고, 상기 함몰부와 이격되며, 상기 베이스 기판, 상기 절연층들 중 적어도 일부, 상기 보호 무기층, 상기 제1 패턴, 상기 제1 봉지 무기층, 및 상기 제2 봉지 무기층 각각을 관통하여 정의된 모듈 홀을 포함하고, 상기 전하 제어층은, 상기 발광 패턴과 중첩하는 유기 패턴, 상기 절연층들 중 상기 홀 영역과 중첩하는 절연층 상에 배치된 제1 패턴, 및 상기 제1 패턴과 분리되고 상기 함몰부 내에 배치된 제2 패턴을 포함하고, 상기 보호 무기층은, 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴을 커버한다.
상기 보호 무기층은, 상기 제1 봉지 무기층에 의해 커버되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 봉지 무기층 및 상기 제2 봉지 무기층은 서로 다른 물질을 포함하고, 상기 보호 무기층은, 상기 제2 봉지 무기층과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 보호 무기층은 실리콘 질화물(SiNX)을 포함하고, 상기 제1 보호 무기층은 실리콘 산질화물(SiOXNY)을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 보호 무기층은, 상기 상기 제1 봉지 무기층에 비해 상대적으로 산화 속도가 느린 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 보호 무기층은, 평면상에서 상기 표시 영역과 비 중첩하고, 상기 발광 패턴과 이격된 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2 패턴은, 상기 함몰부의 적어도 일부를 노출시키고, 상기 보호 무기층은, 상기 제2 패턴에 의해 노출된 함몰부를 커버하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 보호 무기층, 상기 제1 봉지 무기층, 및 상기 제2 봉지 무기층이 상기 개구부들 각각의 내면 및 상기 함몰부의 내면을 커버하여 형성된 제1 그루브를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 그루브를 사이에 두고 상기 모듈 홀과 이격되고, 상기 절연층들 중 적어도 어느 하나의 상면으로부터 상기 베이스 기판의 일부가 함몰되어 상기 보호 무기층 및 상기 제1 봉지 무기층에 의해 커버되는 제2 그루브를 더 포함하고, 상기 제2 그루브는 내부 공간을 제공하고, 상기 내부 공간은 상기 봉지 유기층에 의해 충진되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 그루브 및 상기 모듈 홀 사이, 상기 제1 그루브 및 상기 제2 그루브 사이 중 적어도 어느 하나에 배치되는 댐 부를 더 포함하고, 상기 댐 부는, 상기 절연층들 중 어느 하나와 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 그루브는 상기 모듈 홀을 에워싸는 폐 라인 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 그루브는 평면상에서 상기 모듈 홀과 서로 다른 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 함몰부는 하부 및 상기 하부와 연결된 측부를 포함하고, 상기 측부는 상기 베이스 기판의 두께 방향을 따라 불규칙하게 변하는 곡면을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 절연층들 중, 평면상에서 상기 함몰부와 중첩하고 상기 함몰부로부터 돌출된 절연층들은 팁 부로 정의되고, 상기 팁 부는, 상기 보호 무기층에 의해 커버되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 모듈 홀과 중첩하고 상기 베이스 기판의 하부에 배치되는 전자 모듈을 더 포함하고, 상기 전자 모듈은, 음향출력 모듈, 발광 모듈, 수광 모듈, 및 카메라 모듈 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는, 적어도 일부가 함몰된 함몰부를 포함하는 홀 영역, 상기 홀 영역을 에워싸는 표시 영역, 및 상기 표시 영역에 인접한 주변 영역으로 구분되는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 각각에 상기 홀 영역에 정의되고 함몰부와 중첩하는 개구부를 포함하는 복수의 절연층들, 상기 절연층들 사이에 배치되고, 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 상기 표시 영역에 배치된 발광 패턴 및, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고 상기 표시 영역 및 상기 홀 영역과 중첩하는 전하 제어층을 포함하는 유기발광소자를 포함하는 화소, 상기 화소를 커버하는 제1 봉지 무기층, 상기 제1 봉지 무기층과 대향하는 제2 봉지 무기층, 및 상기 제1 봉지 무기층 및 상기 제2 봉지 무기층 사이에 배치된 봉지 유기층을 포함하는 봉지층, 상기 홀 영역에 배치되고, 상기 절연층들 및 상기 제1 봉지 무기층 사이에 배치되는 보호 무기층을 포함하고, 상기 전하 제어층은, 상기 발광 패턴과 중첩하는 유기 패턴, 상기 절연층들 중 상기 홀 영역과 중첩하는 절연층 상에 배치된 제1 패턴, 및 상기 제1 패턴과 분리되고 상기 함몰부 내에 배치된 제2 패턴을 포함하고, 상기 보호 무기층은, 상기 제1 봉지 무기층에 의해 커버 된다.
상기 보호 무기층은, 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴을 커버하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 봉지 무기층 및 상기 제2 봉지 무기층은 서로 다른 물질을 포함하고, 상기 보호 무기층은, 상기 제2 봉지 무기층과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 보호 무기층은, 평면상에서 상기 표시 영역과 비 중첩하고, 상기 발광 패턴과 이격된 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 보호 무기층, 상기 제1 봉지 무기층, 및 상기 제2 봉지 무기층이 상기 개구부들 각각의 내면 및 상기 함몰부의 내면을 커버하여 형성된 제1 그루브를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 홀 영역과 중첩하고, 상기 함몰부와 이격되며, 상기 베이스 기판, 상기 절연층들 중 적어도 일부, 상기 보호 무기층, 제1 패턴, 상기 제1 봉지 무기층, 및 상기 제2 봉지 무기층 각각을 관통하여 정의된 모듈 홀을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 전자 모듈과 간섭을 일으키지 않는 표시 패널이 제공될 수 있다. 이에 따라, 전자 모듈을 포함하더라도 좁은 베젤 영역을 가진 표시 장치가 제공될 수 있다.
또한, 외부로부터 유입되는 수분이나 산소에 의한 소자 등의 손상을 용이하게 방지할 수 있다. 이에 따라, 공정 및 사용상의 신뢰성이 향상된 표시 장치가 제공될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 그루브의 팁 부를 에워싸는 보호 무기층을 포함함으로써, 내 충격성이 향상된 전자 장치가 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 3은 도 1에 도시된 화소의 등가회로도이다.
도 4는 도 1에 도시된 전자 장치의 블록도이다.
도 5a는 도 2의 XX'영역의 확대도이다.
도 5b는 도 2의 I-I'를 따라 절단한 표시 패널의 일 영역의 단면도이다.
도 5c는 도 5b에 도시된 TT'영역의 확대도이다.
도 6은 도 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역의 단면도이다.
도 7은 도 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역의 단면도이다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역의 확대도들이다.
도 9a 내지 도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역의 확대도들이다.
도 10a 내지 도 10f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 제조 방법의 단면도들이다.
도 11a는 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 11b는 도11a의 YY'영역의 확대도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합 된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치를 도시한 사시도이다. 도 2는 도 1에 도시된 전자 장치의 분해 사시도이다. 도 3은 도 1에 도시된 화소의 등가회로도이다. 도 4는 도 1에 도시된 전자 장치의 블록도이다. 이하, 도 1 내지 도 4를 참조 하여 본 발명에 따른 전자 장치를 설명한다.
도 1 내지 도 2를 참조하면, 전자 장치(EA)는 전면에 이미지(IM)를 표시하는 표시면을 제공할 수 있다. 표시면은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)이 정의하는 면에 평행하게 정의될 수 있다. 표시면은 투과 영역(TA) 및 투과 영역(TA)에 인접한 베젤 영역(BZA)을 포함한다.
전자 장치(EA)는 윈도우 부재(WD)에 포함된 투과 영역(TA)에 이미지(IM)를 표시한다. 도 1에는 이미지(IM)의 일 예로 인터넷 검색 창이 도시되었다. 투과 영역(TA)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 평행한 사각 형상을 가질 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 투과 영역(TA)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.
표시면의 법선 방향은 전자 장치(EA)의 두께 방향(DR3, 이하, 제3 방향)과 대응될 수 있다. 본 실시예에는 이미지(IM)가 표시되는 방향을 기준으로 각 구성들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)이 정의된다. 전면과 배면은 제3 방향(DR3)에서 서로 대향 된다.
한편, 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2 DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)이 각각 지시하는 방향으로 동일한 도면 부호를 참조한다.
전자 장치(EA)는 표시 패널(DP), 윈도우 부재(WD), 전자 모듈(ID), 모듈 홀(HM), 및 하우징 부재(HS)를 포함한다. 도 4에 도시된 것과 같이, 전자 장치(EA)는 표시 모듈(DD), 제1 전자 모듈(EM1), 제2 전자 모듈(EM2), 및 전원 공급 모듈(PM)을 더 포함할 수 있다. 도 2는 도 4에 도시된 구성들 중 일부 구성들은 생략하여 도시하였다.
표시 패널(DP)은 홀 영역(PA)을 포함하는 표시 영역(DA) 및 주변 영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 표시 영역(DA)은 이미지(IM)가 생성되는 영역일 수 있다. 표시 영역(DA)에는 이미지(IM)를 생성하는 복수의 화소들(PX)이 배치될 수 있다. 주변 영역(NDA)은 표시 영역(DA)에 인접한다. 주변 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 에워쌀 수 있다. 주변 영역(NDA)에는 표시 영역(DA)을 구동하기 위한 구동 회로나 구동 배선 등이 배치될 수 있다.
한편, 도시되지 않았으나, 표시 패널(DP) 중 주변 영역(NDA)의 일부는 휘어질 수 있다. 이에 따라, 주변 영역(NDA) 중 일부는 전자 장치(EA)의 전면을 향하고 주변 영역(NDA)의 다른 일부는 전자 장치(EA)의 배면을 향할 수 있다. 또는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)에 있어서 주변 영역(NDA)은 생략될 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 표시 영역(DA)은 투과 영역(TA)과 중첩할 수 있으며, 주변 영역(NDA)은 베젤 영역(BZA)과 중첩할 수 있다.
도 3에는 복수의 화소들(PX) 중 일 화소(PX)의 등가 회로도를 도시하였다. 도 3을 참조하면, 화소(PX)는 복수의 신호 라인들과 연결될 수 있다. 본 실시예에서는 신호 라인들 중 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 및 전원 라인(VDD)을 예시적으로 도시하였다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PX)는 다양한 신호 라인들에 추가적으로 연결될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
화소(PX)는 제1 트랜지스터(TR1), 커패시터(CAP), 제2 트랜지스터(TR2), 및 유기발광소자(ED)를 포함할 수 있다. 제1 트랜지스터(TR1)는 화소(PX)의 온-오프를 제어하는 스위칭 소자일 수 있다. 제1 트랜지스터(TR1)는 게이트 라인(GL)을 통해 전달된 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인(DL)을 통해 전달된 데이터 신호를 전달 또는 차단할 수 있다.
커패시터(CAP)는 제1 트랜지스터(TR1)와 전원 라인(VDD)에 연결된다. 커패시터(CAP)는 제1 트랜지스터(TR1)로부터 전달된 데이터 신호와 전원 라인(VDD)에 인가된 제1 전원전압 사이의 차이에 대응하는 전하량을 충전한다.
제2 트랜지스터(TR2)는 제1 트랜지스터(TR1), 커패시터(CAP), 및 유기발광소자(ED)에 연결된다. 제2 트랜지스터(TR2)는 커패시터(CAP)에 저장된 전하량에 대응하여 유기발광소자(ED)에 흐르는 구동전류를 제어한다. 커패시터(CAP)에 충전된 전하량에 따라 제2 트랜지스터(TR2)의 턴-온 시간이 결정될 수 있다. 제2 트랜지스터(TR2)는 턴-온 시간 동안 전원 라인(VDD)을 통해 전달된 제1 전원전압을 유기발광소자(ED)에 제공한다.
유기발광소자(ED)는 제2 트랜지스터(TR2)와 전원 단자(VSS)에 연결된다. 유기발광소자(ED)는 제2 트랜지스터(TR2)를 통해 전달된 신호와 전원 단자(VSS)를 통해 수신된 제2 전원전압 사이의 차이에 대응하는 전압으로 발광한다. 유기발광소자(ED)는 제2 트랜지스터(TR2)의 턴-온 시간 동안 발광할 수 있다.
유기발광소자(ED)는 발광 물질을 포함한다. 유기발광소자(ED)는 발광 물질에 대응하는 컬러의 광을 생성할 수 있다. 유기발광소자(ED)에서 생성된 광의 컬러는 적색, 녹색, 청색, 백색 중 어느 하나일 수 있다.
다시, 도 2를 참조하면, 표시 영역(DA)에 포함된 홀 영역(PA)은 표시 영역(DA)에 의해 에워싸일 수 있다. 홀 영역(PA)은 모듈 홀(MH)과 인접하게 배치된다. 본 발명에 따르면 홀 영역(PA)은 모듈 홀(MH)을 에워쌀 수 있다. 도 2에는 일 측에 배치된 홀 영역(PA)을 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 모듈 홀(MH)의 위치에 따라 홀 영역(PA)의 위치는 다양하게 정의될 수 있다.
모듈 홀(MH)은 홀 영역(PA)과 중첩한다. 모듈 홀(MH)은 전자 모듈(ID)과 중첩한다. 이에 따라, 전자 모듈(ID)은 모듈 홀(MH) 내에 삽입될 수 있다. 뿐만 아니라, 전자 모듈(ID)은 모듈 홀(MH)과 인접한 표시 패널(DP)의 배면에 배치될 수 있으며, 전자 모듈(ID)의 일 구성만이 모듈 홀(MH)을 통해 외부로 노출될 수 있다. 예를 들어, 카메라 모듈(CMM)에 포함된 렌즈만이 모듈 홀(MH)을 통해 외부로 노출될 수 있다. 뿐만 아니라, 전자 모듈(ID)은 표시 패널(DP)의 배면에 배치되어 표시 패널(DP)로부터 단면상에서 이격되어 배치될 수도 있다.
모듈 홀(HM)은 표시 패널(DP)의 구성들 중 홀 영역(PA)과 중첩하는 적어도 어느 하나의 구성이 관통되어 정의된 홀(hole)일 수 있다. 상세한 설명은 수술한다.
본 발명의 실시예에 따른 표시 패널(DP)은 표시 영역(DA)에 형성된 모듈 홀(MH)을 포함함으로써, 표시 영역(DA) 외부에 전자 모듈(ID)을 위한 별도의 공간을 제공하지 않을 수 있다. 이에 따라, 주변 영역(NDA)의 면적이 감소되어 내로우 베젤을 가진 전자 장치(EA)가 구현될 수 있다. 또한, 전자 모듈(ID)이 모듈 홀(MH) 내에 수용되는 경우, 박형의 전자 장치(EA)가 구현될 수 있다.
윈도우 부재(WD)는 전자 장치(EA)의 전면을 제공한다. 윈도우 부재(WD)는 표시 패널(DP)의 전면에 배치되어 표시 패널(DP)을 보호할 수 있다. 예를 들어, 윈도우 부재(WD)는 유리 기판, 사파이어 기판, 또는 플라스틱 필름을 포함할 수 있다.
윈도우 부재(WD)는 다층 또는 단층구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 윈도우 부재(WD)는 접착제로 결합된 복수 개의 플라스틱 필름의 적층 구조를 가지거나, 접착제로 결합된 유리 기판과 플라스틱 필름의 적층 구조를 가질 수도 있다.
윈도우 부재(WD)는 투명한 물질을 포함함으로써, 전자 장치(EA)의 투과 영역(TA) 및 베젤 영역(BZA)을 제공할 수 있다. 본 실시예에 따르면, 투과 영역(TA)은 표시 영역(DA)과 대응되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 투과 영역(TA)은 표시 영역(DA)의 전면 또는 적어도 일부와 중첩한다. 표시 패널(DP)의 표시 영역(DA)에 표시되는 이미지(IM)는 투과 영역(TA)을 통해 외부에서 시인될 수 있다.
하우징 부재(HS)는 윈도우 부재(WD)와 결합될 수 있다. 하우징 부재(HS)는 전자 장치(EA)의 배면을 제공한다. 하우징 부재(HS)는 윈도우 부재(WD)와 결합되어 내부 공간을 제공한다. 표시 패널(DP), 전자 모듈(ID), 및 도 4에 도시된 각종 구성들은 내부 공간에 수용될 수 있다.
하우징 부재(HS)는 상대적으로 높은 강성을 가진 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하우징 부재(HS)는 글라스, 플라스틱, 메탈로 구성된 복수 개의 프레임 및/또는 플레이트를 포함할 수 있다. 하우징 부재(HS)는 내부 공간에 수용된 전자 장치(EA)의 구성들을 외부 충격으로부터 안정적으로 보호할 수 있다.
도 4를 참조하면, 전원공급 모듈(PM)은 전자 장치(EA)의 전반적인 동작에 필요한 전원을 공급한다. 전원공급 모듈(PM)은 통상적인 배터리 모듈을 포함할 수 있다.
전자 모듈(ID)은 전자 장치(EA)를 동작시키기 위한 다양한 기능성 모듈을 포함한다. 전자 모듈(ID)은 제1 전자 모듈(EM1) 및 제2 전자 모듈(EM2)을 포함할 수 있다.
제1 전자 모듈(EM1)은 표시 모듈(DD)과 전기적으로 연결된 마더보드(미 도시)에 직접 실장 되거나 별도의 기판에 실장 되어 커넥터(미 도시) 등을 통해 마더보드에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 전자 모듈(EM1)은 제어 모듈(CM), 무선통신 모듈(TM), 영상입력 모듈(IS), 음향 입력 모듈(AIM), 메모리(MM), 및 외부 인터페이스(EF)를 포함할 수 있다. 상기 모듈들 중 일부는 마더보드에 실장되지 않고, 연성회로기판을 통해 마더보드에 전기적으로 연결될 수도 있다.
제어 모듈(CM)은 전자 장치(EA)의 전반적인 동작을 제어한다. 제어 모듈(CM)은 마이크로프로세서일 수 있다. 예를 들어 제어 모듈(CM)은 표시 모듈(DD)을 활성화 시키거나, 비활성화 시킨다. 제어 모듈(CM)은 표시 모듈(DD)로부터 수신된 터치 신호에 근거하여 영상입력 모듈(IS)이나 음향입력 모듈(AIM) 등의 다른 모듈들을 제어할 수 있다.
무선통신 모듈(TM)은 블루투스 또는 와이파이 회선을 이용하여 다른 단말기와 무선 신호를 송/수신할 수 있다. 무선통신 모듈(TM)은 일반 통신회선을 이용하여 음성신호를 송/수신할 수 있다. 무선통신 모듈(TM)은 송신할 신호를 변조하여 송신하는 송신부(TM1)와, 수신되는 신호를 복조하는 수신부(TM2)를 포함한다.
영상 입력 모듈(IS)은 영상 신호를 처리하여 표시 모듈(DD)에 표시 가능한 영상 데이터로 변환한다.
음향 입력 모듈(AIM)은 녹음 모드, 음성인식 모드 등에서 마이크로폰(Microphone)에 의해 외부의 음향 신호를 입력 받아 전기적인 음성 데이터로 변환한다.
메모리(MM)는 영상 무선통신 모듈(TM), 입력 모듈(IS), 및 음향입력 모듈(AIM)에서 수신되는 데이터를 사용하기 위해 저장될 수 있으며, 사용된 데이터가 삭제될 수 있다. 뿐만 아니라, 제2 전자 모듈(EM2)을 제어하기 위해 필요한 데이터들을 저장 및 삭제 할 수 있다.
외부 인터페이스(EF)는 외부 충전기, 유/무선 데이터 포트, 카드 소켓(예를 들어, 메모리 카드(Memory card), SIM/UIM card) 등에 연결되는 인터페이스 역할을 한다.
제2 전자 모듈(EM2)은 음향출력 모듈(AOM), 발광 모듈(LM), 수광 모듈(LRM), 및 카메라 모듈(CMM) 등을 포함할 수 있다. 상기 구성들은 마더보드에 직접 실장 되거나, 별도의 기판에 실장 되어 커넥터 등을 통해 표시 모듈(DD)과 전기적으로 연결되거나, 제1 전자 모듈(EM1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
음향출력 모듈(AOM)은 무선통신 모듈(TM)로부터 수신된 음향 데이터 또는 메모리(MM)에 저장된 음향 데이터를 변환하여 외부로 출력한다.
발광 모듈(LM)은 광을 생성하여 출력한다. 발광 모듈(LM)은 적외선을 출력할 수 있다. 발광 모듈(LM)은 LED 소자를 포함할 수 있다. 수광 모듈(LRM)은 적외선을 감지할 수 있다. 수광 모듈(LRM)은 소정 레벨 이상의 적외선이 감지된 때 활성화될 수 있다. 수광 모듈(LRM)은 CMOS 센서를 포함할 수 있다. 발광 모듈(LM)에서 생성된 적외선이 출력된 후, 외부 물체(예컨대 사용자 손가락 또는 얼굴)에 의해 반사되고, 반사된 적외선이 수광 모듈(LRM)에 입사될 수 있다. 카메라 모듈(CMM)은 피사체의 이미지를 촬영한다.
도 2에 도시된 전자 모듈(ID)은 제2 전자 모듈(EM2)의 구성들 중 어느 하나 이상일 수 있다. 이때, 제1 전자 모듈(EM1) 및 제2 전자 모듈(EM2)의 구성들 중 나머지 구성들은 다른 위치에 배치되어 미 도시될 수 있다. 예를 들어, 전자 모듈(ID)은 음향출력 모듈(AOM), 발광 모듈(LM), 수광 모듈(LRM), 및 카메라 모듈(CMM) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 5a는 도 2의 XX'영역의 확대도이다. 도 5b는 도 2의 I-I'를 따라 절단한 표시 패널의 일 영역의 단면도이다. 도 5c는 도 5b에 도시된 TT'영역의 확대도이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 홀 영역(PA)은 표시 영역(DA) 내에 정의될 수 있다. 홀 영역(PA)은 표시 영역(DA) 내에서 표시 영역(DA)에 의해 에워싸일 수 있다. 홀 영역(PA)은 모듈 홀(MH) 및 그루브(BR)를 포함하는 영역일 수 있다. 일 실시예에 따른 홀 영역(PA)은 그루브(BR)를 에워싸는 원 형상을 가질 수 있다.
그루브(BR)는 홀 영역(PA)과 평면상에서 중첩한다. 일 실시예에 따른 그루브(BR)는 모듈 홀(MH)을 에워싸는 원 형상을 가질 수 있다. 그루브(BR)는 모듈 홀(MH)과 홀 영역(PA) 사이에 배치되어 모듈 홀(MH)을 에워싸는 폐 라인(closed line) 형상을 가질 수 있다.
모듈 홀(MH)은 홀 영역(PA)과 평면상에서 중첩한다. 모듈 홀(MH)은 홀 영역(PA) 내에 배치되어 그루브(BR)에 의해 에워싸일 수 있다. 일 실시예에 따른 모듈 홀(MH)은 원 형상을 가질 수 있다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 홀 영역(PA)의 형상은 표시 영역(DA) 내에서 모듈 홀(MH)과 중첩하는 것이면 평면상에서의 형상은 어느 하나에 한정되지 않고, 그루브(BR), 및 모듈 홀(MH)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 서로 상이한 형상을 가질 수 있다.
표시 패널(DP)은 베이스 기판(BS), 회로 소자층(CL), 및 표시 소자층(PL)을 포함한다. 회로 소자층(CL)은 베이스 기판(BS) 상에 배치되고, 표시 소자층(PL)은 회로 소자층(CL) 상에 배치된다.
베이스 기판(BS)은 유리 기판, 금속 기판, 및 플렉서블한 플라스틱 기판을 포함한다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 기판(BS)는 유기물을 포함하는 기판일 수 있다. 본 발명에 따른 베이스 기판(BS)는 리지드(rigid) 하거나 플렉서블(flexible)할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
회로 소자층(CL)은 트랜지스터(TR), 복수의 절연층들(BI, IL1, IL2, IH), 및 보호 무기층(CO)를 포함할 수 있다. 회로 소자층(CL)은 베이스 기판(BS) 상에 배치된다.
베리어층(BI)은 베이스 기판(BS) 상에 배치된다. 베리어층(BI)은 베이스 기판(BS)을 커버할 수 있다. 베리어층(BI)은 무기 물질을 포함하는 절연층일 수 있다. 예를 들어, 베리어층(BI)은 알루미늄 산화물(AlOX), 티타늄 산화물(TiOX), 실리콘 산화물(SiOX), 실리콘 산질화물(SiOXNY), 지르코늄 산화물(ZrOX), 및 하프늄 산화물(HfOX) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 베리어층(BI) 다층의 무기층들로 형성될 수 있다. 베리어층(BI)은 외부로부터 이물질이 유입되는 것을 방지할 수 있다.
도시되지 않았으나, 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)은 버퍼층(미 도시)을 더 포함할 수 있다. 버퍼층은 베리어층(BI)층 상에 배치될 수 있다. 버퍼층은 무기물 또는 유기물을 포함할 수 있다. 버퍼층은 후술하는 반도체 패턴(SL)이나 제1 절연층(IL1)에 대해 배리어 층(BI)보다 높은 점착력을 가질 수 있다. 이에 따라, 회로 소자층(CL)은 베이스 기판(BS) 상에 안정적으로 형성될 수 있다.
트랜지스터(TR)는 반도체 패턴(SL), 제어 전극(CE), 입력 전극(IE), 및 출력 전극(OE)을 포함한다. 트랜지스터(TR)는 제어 전극(CE)을 통해 반도체 패턴(SL)에서의 전하 이동을 제어하여 입력 전극(IE)으로부터 입력되는 전기적 신호를 출력 전극(OE)을 통해 출력한다. 도 5b에는 도 3에 도시된 트렌지스터들(TR1, TR2) 중 구동 트랜지스터에 해당하는 트랜지스터(TR)를 도시하였다.
반도체 패턴(SL)은 베이스 기판(BS) 상에 배치된다. 반도체 패턴(SL)은 결정질 반도체 물질, 금속 산화물 반도체 물질, 다결정 실리콘, 및 비정질 실리콘 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 트랜지스터(TR)는 반도체 패턴(SL) 상에 배치된 제어 전극(CE)을 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제어 전극(CE)이 베이스 기판(BS) 상에 배치되고 제1 절연층(IL1)에 의해 커버되며, 제1 절연층(IL1) 상에 반도체 패턴(SL)이 배치되는 바텀-게이트 구조를 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제1 절연층(IL1)은 반도체 패턴(SL)과 제어 전극(CE) 사이에 배치될 수 있다. 제1 절연층(IL1)은 베이스 기판(BS) 및 반도체 패턴(SL)을 커버한다. 제1 절연층(IL1) 무기 물질을 포함하며, 어느 실시예로 한정되지 않는다.
제어 전극(CE)은 반도체 패턴(SL) 상에 배치된다. 제어 전극(CE)은 반도체 패턴(SL)과 중첩할 수 있다. 제어 전극(CE)은 제1 절연층(IL1)을 사이에 두고 반도체 패턴(SL)과 이격된다.
제2 절연층(IL2)은 제어 전극(CE)과 입력 전극(IE) 및 제어 전극(CE)과 출력 전극(OE) 사이에 배치될 수 있다. 제2 절연층(IL2)은 제1 절연층(IL1) 및 제어 전극(CE)을 커버한다. 제2 절연층(IL2)은 무기 물질을 포함하며, 어느 실시예로 한정되지 않는다.
입력 전극(IE)과 출력 전극(OE)은 제2 절연층(IL2) 상에 배치된다. 입력 전극(IE)과 출력 전극(OE)은 제1 절연층(IL1) 및 제2 절연층(IL2)을 관통하여 반도체 패턴(SL)에 각각 접속된다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE)은 반도체 패턴(SL)에 직접 접속될 수도 있다.
제3 절연층(IH)은 제2 절연층(IL2) 상에 배치된다. 제3 절연층(IH)은 트랜지스터(TR)를 커버할 수 있다. 제3 절연층(IH)은 트랜지스터(TR)와 표시 소자층(PL) 사이에 배치되어 트랜지스터(TR)와 표시 소자층(PL)을 전기적으로 절연시킨다.
표시 소자층(PL)은 화소 정의막(PLE), 유기발광소자(ED), 및 봉지층(TFE)을 포함한다. 화소 정의막(PLE)은 제3 절연층(IH)상에 배치된다. 화소 정의막(PLE)에는 복수의 개구부들이 정의될 수 있다.
유기발광소자(ED)는 제1 전극(E1), 제2 전극(E2), 발광 패턴(EL), 및 전하 제어층(OL)을 포함한다. 제1 전극(E1)은 제3 절연층(IH) 상에 배치된다. 제1 전극(E1)은 제3 절연층(IH)을 관통하여 트랜지스터(TR)에 전기적으로 접속될 수 있다. 제1 전극(E1)은 복수로 제공될 수 있다. 복수의 제1 전극들 각각의 적어도 일부는 대응되는 화소 정의막(PLE)의 개구부에 의해 노출될 수 있다.
제2 전극(E2)은 제1 전극(E1) 상에 배치된다. 제2 전극(E2)은 화소 정의막(PLE)의 적어도 일부만을 커버하여 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 전극(E2)은 홀 영역(PA)까지 연장되여 홀 영역(PA)을 커버할 수 있다.
예를 들어, 복수의 유기발광소자들(ED) 각각의 제2 전극들(E2)은 서로 연결된 일체의 형상으로 제공될 수 있다. 이에 따라, 복수의 유기발광소자들(ED) 각각은 공통의 제2 전극(E2)을 통해 서로 동일한 전압을 제공받을 수 있다. 따라서, 제2 전극(E2)을 형성하기 위해 별도의 패터닝 공정이 생략될 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제2 전극(E2)은 개구부들 각각에 대응되도록 복수로 제공될 수도 있다.
제2 전극(E2)은 광학적으로 투명한 투과형 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어 제2 전극(E2)은 인듐아연 산화물(IZO), 인듐주석 산화물(ITO), 인듐갈륨 산화물(IGO), 인듐아연갈륨 산화물(IGZO), 및 이들의 혼합물/화합물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 이에 따라, 표시 패널(DP)은 전면에 영상을 표시한다.
다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 영상을 표시하는 방향에 따라 제2 전극(E2)은 반사형 전극이거나 반 투과형 전극을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
발광 패턴(EL)은 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 사이에 배치된다. 발광 패턴(EL)은 복수로 제공되어 개구부들 각각에 배치될 수 있다. 유기발광소자(ED)는 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2) 사이의 전위차에 따라 발광 패턴(EL)을 활성화시켜 광을 생성할 수 있다.
일 실시예에 따른 유기발광 패턴(EL)은 저분자 또는 고분자 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유기발광 패턴(EL)에서 적색 가시 광선을 발광하하는 경우, 테트라페닐나프타센 (Tetraphenylnaphthacene) (루브린: Rubrene), 트리스(1-페닐이소퀴놀린) 이리듐(III) (Ir(piq)3), 비스(2-벤조[b]티오펜-2-일-피리딘) (아세틸아세토네이트)이리듐(III) (Ir(btp)2(acac)), 트리스(디벤조일메탄)펜안트롤린 유로퓸(III) (Eu(dbm)3(phen)), 트리스[4,4'-디-tert-부틸- (2,2')-비피리딘]루테늄(III)착물(Ru(dtb-bpy)3*2(PF6)), DCM1, DCM2, Eu (삼불화테노일아세톤:thenoyltrifluoroacetone)3 (Eu(TTA)3, 부틸-6-(1,1,7,7-테트라메틸 줄로리딜-9-에닐)-4H-피란) (butyl-6- (1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran: DCJTB) 등을 포함할 수 있고, 그 외에 폴리플루오렌계 고분자, 폴리비닐계 고분자 등과 같은 고분자 발광 물질을 포함할 수 있다.
또한, 녹색 가시 광선을 발광하는 유기발광 패턴(EL)인 경우 녹색 발광 재료인 3-(2-벤조티아졸일)-7-(디에틸아미노)쿠마린 (Coumarin 6) 2,3,6,7-테트라히드로-1,1,7,7,-테트라메틸-1H,5H,11H-10-(2-벤조티아졸일)퀴놀리지노-[9,9a,1gh]쿠마린 (C545T), N,N'-디메틸-퀸아크리돈 (DMQA), 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(III) (Ir(ppy)3) 등을 포함할 수 있고, 그 외에 폴리플루오렌계 고분자, 폴리비닐계 고분자 등과 같은 고분자 발광 물질을 포함할수 있다.
또한, 청색 가시 광선을 발광하는 유기 발광층(132)인 경우 청색 발광 재료인 옥사디아졸 다이머 염료 (oxadiazole dimer dyes (Bis-DAPOXP)), 스피로 화합물 (spiro compounds) (Spiro-DPVBi, Spiro-6P), 트리아릴아민 화합물 (triarylamine compounds), 비스(스티릴)아민 (bis(styryl)amine)(DPVBi, DSA), 4,4'-비스(9-에틸-3-카바조비닐렌)-1,1'-비페닐 (BCzVBi), 페릴렌 (perylene), 2,5,8,11-테트라-tert-부틸페릴렌 (TPBe), 9H-카바졸-3,3'-(1,4-페닐렌-디-2,1-에텐-디일)비스[9-에틸-(9C)] (BCzVB), 4,4-비스[4-(디-p-톨일아미노)스티릴]비페닐 (DPAVBi), 4-(디-p-톨일아미노)-4'-[(디-p-톨일아미노)스티릴]스틸벤 (DPAVB), 4,4'-비스[4-(디페닐아미노)스티릴]비페닐 (BDAVBi), 비스(3,5-디플루오로-2-(2-피리딜)페닐-(2-카르복시피리딜)이리듐 III(FIrPic) 등을 포함할 수 있고, 그 외에 폴리플루오렌계 고분자, 폴리비닐계 고분자 등과 같은 고분자 발광 물질을 포함할 수 있다.
또한, 일 실시예에 따른 발광 패턴(EL)은 양자점(Quantum Dot) 물질을 포함할 수 있다. 양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS , ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; AgInS, CuInS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다.
전하 제어층(OL)은 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 사이에 배치된다. 전하 제어층(OL)은 발광 패턴(EL)에 인접하여 배치된다. 본 실시예에서, 전하 제어층(OL)은 발광 패턴(EL)과 제2 전극(E2) 사이에 배치된 것으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 전하 제어층(OL)은 발광 패턴(EL)과 제1 전극(E1) 사이에 배치될 수도 있고, 발광 패턴(EL)을 사이에 두고 제3 방향(DR3)을 따라 적층되는 복수의 층들로 제공될 수도 있다.
전하 제어층(OL)은 별도의 패터닝 공정 없이 베이스 기판(BS) 전 면에 중첩하는 일체의 형상을 가질 수 있다. 전하 제어층(OL)은 화소 정의막(PLE)에 형성된 개구부들 이외의 영역에도 배치될 수 있다. 예를 들어, 따른 전하 제어층(OL)은 표시 영역(DA) 및 홀 영역(PA)과 중첩하여 배치될 수 있다.
전하 제어층(OL)은 전자의 이동을 제어함으로써 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 전하 제어층(OL)은 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 전하 제어층(OL)은 유기 패턴(OL-T), 제1 패턴(OL-O), 및 제2 패턴(OL-P)을 포함한다. 유기 패턴(OL-T), 제1 패턴(OL-O), 및 제2 패턴(OL-P)은 실질적으로 동일 공정에 의해 형성된 층으로써 동일 물질을 포함하는 패턴들이나, 설명의 편의를 위해 별도의 구성으로 설명하도록 한다.
유기 패턴(OL-T)은 표시 영역(DA)에 배치된다. 유기 패턴(OL-T)은 전하 제어층(OL) 중 발광 패턴(EL)과 중첩하는 전하 제어층(OL)으로 정의될 수 있다. 유기 패턴(OL-T)은 발광 패턴(EL)과 인접한 화소 정의막(PLE) 및 발광 패턴(EL)을 커버할 수 있다. 유기 패턴(OL-T)의 적어도 일부는 제2 전극(E2)에 의해 커버될 수 있다.
제1 패턴(OL-O) 홀 영역(PA)의 일부에 배치된다. 예를 들어, 제1 패턴(OL-O)은 발광 패턴(EL)과 이격된 화소 정의막(PLE)의 일부, 제3 절연층(IH)의 일부, 제2 절연층(IH2)의 일부를 커버할 수 있다. 제1 패턴(OL-O)은 보호 무기층(CO)에 의해 커버될 수 있다.
제2 패턴(OL-P)은 홀 영역(PA) 중 함몰부(BH) 내에 배치될 수 있다. 제2 패턴(OL-P)는 제1 패턴(PL-O)과 분리되어 함몰부(BH) 내에 배치될 수 있다. 보다 상세하게는, 제2 패턴(OL-P)은 함몰부(BH)의 일부만이 커버되도록 형성될 수 있다. 제2 패턴(OL-P) 상에는 커버 무기층(CO)가 배치된다. 따라서, 제2 패턴(OL-P)은 커버 무기층(CO)에 의해 전 면이 커버될 수 있다.
제1 패턴(PL-O)과 제2 패턴(OL-P)는 전하 제어층(OL)을 형성하는 과정에서 절연층들(BI, IL1, IL2) 각각의 개구부들(BG1, BG2, GB3)과 베이스 기판(BS)의 식각률 차이로 인해 형성된 언터 컷(under cut) 형상에 의해 분리될 수 있다. 예를 들어, 전하 제어층(OL)을 형성하는유기 물질을 도포하는 과정에서 베이스 기판(BS) 함몰부(BH)의 측벽 일부에는 유기 물질이 도포되지 않을 수 있다. 이에 따라, 제1 패턴(PL-O)과 제2 패턴(OL-P)의 분리가 발생할 수 있다.
제2 패턴(OL-P)은, 제2 패턴(OL-P)을 제외한 전하 제어층(OL)과 분리됨에 따라, 모듈 홀(MH)로부터 유입되는 수분 및 산소의 경로를 차단할 수 있다. 이에 따라, 신뢰성이 향상된 표시 패널(DP)를 제공할 수 있다.
봉지층(TFE)는 유기발광소자(ED) 상에 배치된다. 봉지층(TFE)는 제1 봉지 무기층(LIL), 봉지 유기층(OEL), 및 제2 봉지 무기층(UIL)을 포함할 수 있다.
제1 봉지 무기층(LIL)은 표시 소자층(PL) 상에 배치된다. 제1 봉지 무기층(LIL)은 베이스 기판(BS)의 전면에 배치된 전하 제어층(OL) 상에 배치되어 전하 제어층(OL)과 접촉할 수 있다. 제2 봉지 무기층(UIL)은 제1 봉지 무기층(LIL) 상에 배치된다. 제1 봉지 무기층(LIL)과 제2 봉지 무기층(UIL)은 봉지 유기층(OEL)을 밀봉될 수 있다.
본 발명에 따른 제1 봉지 무기층(LIL)과 제2 봉지 무기층(UIL) 각각은 서로 다른 무기 물질을 포함할 수 있다. 제1 봉지 무기층(LIL)은 표시 영역(DA)과 중첩하는 영역에서 제2 봉지 무기층(UIL)에 비해 상대적으로 유기발광소자(ED)와 인접하게 배치됨으로써, 유기발광소자(ED)에서 생성된 광을 보상하기 위한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지 무기층(LIL)은 실리콘 산질화물(SiOxNy) 또는 저굴절 실리콘 산질화물(SiOxNy)을 포함할 수 있다.
제2 봉지 무기층(UIL)은 제1 봉지 무기층(LIL)에 비해 상대적으로 외부와 인접하게 배치됨으로써, 외부로부터 유입되는 산소 및 수분을 차단에 용이한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 봉지 무기층(UIL)은 알루미늄 산화물(AlOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 탄화물(SiCx), 티타늄 산화물(TiOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 및 아연 산화물(ZnOx) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 제2 봉지 무기층(UIL)은 제1 봉지 무기층(LIL)에 비해 봉지 특성이 우수한 물질을 포함함으로써, 제1 봉지 무기층(LIL)보다 상대적으로 산화 속도가 느릴 수 있다. 본 발명에 따르면, 유기발광소자(ED)와 인접한 제1 봉지 무기층(LIL)은 광 특성 확보에 유리한 무기 물질을 포함하고, 외부와 인접한 제2 봉지 무기층(UIL)은 산화 속도가 상대적으로 느리고 봉지 특성이 우수한 무기 물질을 포함함으로써 보다 신뢰성이 확보된 표시 패널을 제공할 수 있다.
봉지 유기층(OEL)은 제1 봉지 무기층(LIL)과 2 봉지 무기층(UIL) 사이에 배치될 수 있다. 봉지 유기층(OEL)은 제1 봉지 무기층(LIL)과 2 봉지 무기층(UIL) 봉지 유기층(OEL)은 유기물을 포함할 수 잇다. 예를 들어, 봉지 유기층(OEL)은 에폭시(epoxy), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalat), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethylene), 및 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 봉지 무기층(LIL)과 제2 봉지 무기층(UIL)은 평면상에서 표시 패널(DP)의 전면에 배치되는 일체의 형상을 가질 수 있다. 제1 봉지 무기층(LIL) 및 제2 봉지 무기층(UIL) 각각은 봉지 유기층(OEL)과 부분적으로 중첩할 수 있다. 이에 따라, 제1 봉지 무기층(LIL) 및 제2 봉지 무기층(UIL)은 일부 영역에서는 봉지 유기층(OEL)을 사이에 두고 제3 방향(DR3)에서 서로 이격될 수 있고, 다른 일부 영역에서는 제3 방향(DR3)에서 직접 접촉할 수 있다. 봉지층(TFE)는 유기발광소자(ED)를 밀봉하여 외부에서 유입되는 이물질로부터 유기발광소자(ED)를 보호할 수 있다.
모듈 홀(MH)은 홀 영역(PA)과 중첩한다. 모듈 홀(MH)은 홀 영역(PA)에 배치된다. 모듈 홀(MH)은 표시 패널(DP) 중 일부 구성들을 관통하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 모듈 홀(MH)은 베이스 기판(BS), 베리어층(BI), 제1 절연층(IL1), 제2 절연층(IL2), 보호 무기층(CO), 전하 제어층(OL), 제1 봉지 무기층(LIL), 및 제2 봉지 무기층(UIL)이 관통되어 형성될 수 있다. 도시되지 않았으나, 제2 전극(E2)이 홀 영역(PA)까지 연장되는 경우, 모듈 홀(MH)은 제2 전극(E2)을 관통하여 형성될 수 있다.
모듈 홀(MH)은 표시 패널(DP)의 구성 중 관통된 구성의 끝 단들로 정의될 수 있다. 모듈 홀(MH)은 관통되어 노출된, 베이스 기판의 끝 단(BS-E), 베리어층의 끝 단(BI-E), 제1 절연층의 끝 단(IL1-E), 제2 절연층의 끝 단(IL2-E), 보호 무기층의 끝 단(CO-E), 전하 제어층의 끝 단(OL-E), 제1 봉지 무기층의 끝 단(LIL-E), 및 제2 봉지 무기층의 끝 단(UIL-E)들은 모듈 홀(MH)의 내면(GE)을 정의할 수 있다.
내면(GE)을 이루는 베이스 기판의 끝 단(BS-E), 베리어층의 끝 단(BI-E), 제1 절연층의 끝 단(IL1-E), 제2 절연층의 끝 단(IL2-E), 보호 무기층의 끝 단(CO-E), 전하 제어층의 끝 단(OL-E), 제1 봉지 무기층의 끝 단(LIL-E), 및 제2 봉지 무기층의 끝 단(UIL-E)들은 서로 정렬될 수 있다.
그루브(BR)는 홀 영역(PA)과 중첩한다. 그루브(BR)는 베리어층(BI)의 상면으로부터 베이스 기판(BS)의 일부가 함몰되어 보호 무기층(CO), 제1 봉지 무기층(LIL) 및 제2 봉지 무기층(UIL) 중 적어도 어느 하나에 의해 커버될 수 있다. 본 발명에 따르면 그루브(BR)가 모듈 홀(MH) 주변에 배치됨으로써, 모듈 홀(MH)으로부터 유입되는 수분 및 산소의 이동 경로를 차단할 수 있다. 따라서, 신뢰성이 향상된 표시 패널(DP)을 제공할 수 있다.
도 5c를 참조하면, 베이스 기판(BS)은, 홀 영역(PA)과 중첩하고 베이스 기판(BS)의 적어도 일부가 함몰된 함몰부(BH)를 포함할 수 있다. 베리어층(BI)은 홀 영역(PA)과 중첩하고 베리어층(BI)이 관통되어 정의된 제1 개구부(BG1)를 포함하고, 제1 절연층(IL1)은 홀 영역(PA)과 중첩하고 제1 절연층(IL1)이 관통되어 정의된 제2 개구부(BG2)를 포함하며, 제3 절연층(IL3)은 홀 영역(PA)과 중첩하고 제3 절연층(IL3)이 관통되어 정의된 제3 개구부(BG3)를 포함할 수 있다. 함몰부(BH), 제1 개구부(BG1), 제2 개구부(BG2), 및 제3 개구부(BG3)는 평면상에서 서로 중첩한다.
그루브(BR)는 보호 무기층(CO), 제1 봉지 무기층(LIL) 및 제2 봉지 무기층(UIL) 중 적어도 어느 하나가 함몰부(BH), 제2 패턴(OL-P), 제1 개구부(BG1), 제2 개구부(BG2), 및 제3 개구부(BG3) 각각의 내면을 커버하며 형성된 것일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 그루브(BR)는 내부 공간(BR-I)을 포함한다. 내부 공간(BR-I)은 함몰부(BH), 제1 개구부(BG1), 제2 개구부(BG2), 및 제3 개구부(BG3) 각각의 내면이, 보호 무기층(CO), 제1 봉지 무기층(LIL) 및 제2 봉지 무기층(UIL)으로 커버되어 정의된 영역일 수 있다.
일 실시예에 따른 그루브(BR)의 내부 공간(BR-I)은 베이스 기판(BS) 및 절연층들(BI, IL1, IL2)이 식각되어 노출된 내면들의 언더 컷 형상을, 보호 무기층(CO), 제1 봉지 무기층(LIL), 제2 봉지 무기층(UIL) 중 적어도 어느 하나가 커버함으로써 제공될 수 있다.
본 발명에 따른 보호 무기층(CO)은 홀 영역(PA)에 배치될 수 있다. 보호 무기층(CO)은 유기발광소자(ED)와 평면상에서 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 보호 무기층(CO)은 표시 영역(DA)과 비 중첩 할 수 있다.
보호 무기층(CO)의 일부는 그루브(BR)와 중첩할 수 있으며, 모듈 홀(MH)의 내면(GE)을 정의하는 끝 단들 중 어느 하나일 수 있다. 도 5a에는 본 발명에 따른 보호 무기층(CO)이 배치되는 영역을 음영으로 표시 하였다.
보호 무기층(CO)은 절연층들(IL2, IH, PLE) 및 제1 봉지 무기층(LIL) 사이에 배치될 수 있다. 보다 상세하게는, 보호 무기층(CO)은 절연층들(IL2, IH, PLE)의 일부를 커버하는 제1 패턴(OL-O), 함몰부(BH) 내에 배치된 제2 패턴(OL-P), 함몰부(BH) 중 제2 패턴(OL-P)에 의해 노출된 부분, 제1 개구부(BG1), 제2 개구부(BG2), 및 제3 개구부(BG3) 각각의 내면, 및 함몰부(BH)와 중첩하는 베리어층(BI)의 배면과 접촉할 수 있다.
보호 무기층(CO)은 제1 봉지 무기층(LIL)에 의해 커버되며, 보호 무기층(CO)은 제1 봉지 무기층(LIL)과 접촉할 수 있다. 제1 봉지 무기층(LIL) 상에는 제2 봉지 무기층(UIL)이 배치된다.
일 실시예에 따른 보호 무기층(CO)은 봉지층(TFE) 중 제2 봉지 무기층(UIL)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 보호 무기층(CO)은 알루미늄 산화물(AlOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 탄화물(SiCx), 티타늄 산화물(TiOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 및 아연 산화물(ZnOx) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
따라서, 보호 무기층(CO)은 봉지 특성이 우수한 무기 물질을 포함함에 따라, 베이스 기판(BS)으로부터 유입되는 수분 및 산소의 경로를 차단할 수 있다. 이에 따라, 신뢰성이 확보된 표시 패널을 제공할 수 있다.
본 발명에 따르면, 평면상에서 그루브(BR)와 중첩하고 함몰부(BH)로부터 돌출된 베리어층(BI), 제1 절연층(IL1), 제2 절연층(IL2)들은 팁 부(TP)로 정의될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 팁 부(TP)는 베리어층(BI), 제1 절연층(IL1), 및 제2 절연층(IL2) 각각의 일부를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 팁 부(TP)에 포함된 베리어층(BI), 제1 절연층(IL1), 및 제2 절연층(IL2) 중 적어도 어느 하나는 생략될 수 있다.
팁 부(TP)는 언더 컷(under-cut) 형상의 일부로서, 복수의 절연층들로 이루어진 경우 팁 부(TP)를 이루는 절연층들 간의 박리 현상이 발생 수 있으며, 외부 충격에 의해 크랙(crack)이 발생할 수 있다. 팁 부(TP)의 절연층들 간 박리 현상 및/또는 크랙 발생에 따라 외부로부터 유입되는 수분 및 산소가 회로 소자층(CL) 및 표시 소자층(PL)의 내부로 침투하여 표시 패널(DP)의 신뢰성이 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실싱예에 따르면, 팁 부(TP)를 커버하는 별도의 보호 무기층(CO)을 포함함으로써, 팁 부(TP)의 강건 설계가 가능하다. 이에 따라, 내 충격성이 향상된 표시 패널(DP)을 제공할 수 있다.
도 6은 도 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역의 단면도이다. 도 1내지 도 5c에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 6을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 패널(DP-1)은 복수의 그루브들(BR1, BR2)를 포함할 수 있다. 도 6에는 예시적으로 두 개의 그루브들(BR1, BR2)을 도시하였다.
일 실시예에 따른 표시 패널(DP-1)은 제1 그루브(BR1) 및 제2 그루브(BR2)를 포함할 수 있다. 제1 그루브(BR1) 및 내부 공간(BR1-I)은 도 5a 내지 도 5c에 설명한 그루브(BR) 및 내부 공간(BR-I)과 동일한 구성일 수 있다. 이하 제2 그루브(BR2)에 관해 설명한다.
제2 그루브(BR2)는 제1 그루브(BR1)를 사이에 두고 모듈 홀(MH)과 이격될 수 있다. 제2 그루부(BR2)는 절연층들(BI, IL1, IL2)들 중 적어도 어느 하나의 상면으로부터 베이스 기판(BS)의 일부가 함몰되어 형성될 수 있다. 제2 그루브(BR2)는 제1 그루브(BR1)와 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다. 다만, 제2 그루브(BR2)는 제1 그루브(BR1)와 달리, 베이스 기판(BS)의 함몰된 부분의 내면과 절연층들(BI, IL1, IL2)의 상기 함몰된 부분과 중첩하는 개구부들 각각의 내면이 보호 무기층(CO) 및 제1 봉지 무기층(LIL)에 의해 커버되어 형성될 수 있다.
제2 그루브(BR2)는 내부 공간(BR2-I)을 포함한다. 내부 공간(BR2-I)은 보호 무기층(CO), 제1 봉지 무기층(LIL)이 베이스 기판(BS)의 함몰된 부분의 내면 및 절연층들(BI, IL1, IL2)이 상기 함몰된 부분과 중첩하는 개구부들 각각의 내면을 커버하여 정의된 영역일 수 있다. 내부 공간(BR2-I)은 언더 컷(under-cut) 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 따른 제2 그루브(BR2)의 내부 공간(BR2-I)은 유기 물질에 의해 충진될 수 있다. 예를 들어, 내부 공간(BR2-I)은 봉지층(TFE)의 봉지 유기층(OEL)에 의해 충진될 수 있다. 일 실시예에 따른 제2 그루브(BR2)의 내부 공간(BR2-I)은 봉지 유기층(OEL)으로 충진됨으로써 강건한 팁 부(TP)의 설계가 가능하다. 이에 따라, 신뢰성이 향상된 표시 패널(DP-1)을 제공할 수 있다.
도시되지 않았으나, 본 발명에 따른 그루브는 복수로 제공될 수 있다. 도 6에는 두 개의 그루브들(BR1, BR2)을 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 목적에 따라 세 개 이상의 그루브들이 형성될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
도 7은 도 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역의 단면도이다. 도 1내지 도 6에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 패널(DP-2)는 댐 부(DMP)를 더 포함할 수 있다. 댐 부(DMP)는 홀 영역(PA)과 중첩할 수 있다. 댐 부(DMP)는 표시 영역(DA)과 홀 영역(PA)의 경계에서 홀 영역(PA)과 인접한 가장 자리를 따라 연장될 수 있다. 댐 부(DMP)는 표시 영역(DA)에 의해 에워싸이거나 표시 영역(DA)의 적어도 일 측, 예를 들어 패드(미도시)나 구동 회로(미도시)와 인접한 측에 배치될 수 있다. 댐 부(DMP)는 전하 제어층(OL)에 의해 커버될 수 있다.
댐 부(DMP)는 제1 댐 부(D1) 및 제2 댐 부(D2)를 포함한다. 댐 부(DMP)제2 절연층(IL2) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따른 제1 댐 부(D1)는 제3 절연층(IH)과 동일 물질을 포함할 수 있다. 제2 댐 부(D2)는 화소 정의막(PLE)과 동일 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 댐 부(DMP)는 복수의 층으로 구성되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제3 절연층(IH) 및 화소 정의막(PLE) 중 적어도 어느 하나와 동일 물질을 포함하는 단층 구조를 가질 수 있다.
댐 부(DMP)는 봉지 유기층(OEL)을 형성하는 과정에서 액상의 유기물질이 퍼지는 영역을 정의할 수 있다. 봉지 유기층(OEL)은 액상의 유기물질을 제1 봉지 무기층(LIL) 상에 도포하는 잉크젯 방식으로 형성할 수 있는데, 이때, 댐 부(DMP)는 액상의 유기물질이 도포되는 영역의 경계를 설정하고, 액상의 유기물질이 댐 부(DMP) 외측으로 넘치는 것을 방지한다.
일 실시예에 따른 댐 부(DMP)는 제1 그루브(BR1)과 모듈 홀(HM) 사이 및 제1 그루브(BR1)과 제2 그루브(BR2) 사이 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있다. 도 7에는 제1 그루브(BR1)과 모듈 홀(HM) 사이 및 제1 그루브(BR1)과 제2 그루브(BR2) 사이 각각에 배치된 댐 부(DMP)를 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 어느 하나는 생략될 수 있다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역의 확대도들이다. 도 8a 내지 도 8d는 도 5c에 도시된 TT'영역에 대응되는 영역에 관한 실시예들이다. 도 1내지 도 5c에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 8a를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 패널(DP-A)은 홀 영역(PA: 도 5b 참조)과 중첩하고 베이스 기판(BS)의 적어도 일부가 함몰된 함몰부(BH-1)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 함몰부(BH-1)는 하부(BH-B) 및 측부(BH-C)를 포함한다.
하부(BH-B) 및 측부(BH-C)는 서로 연결되어 함몰부(BH-1)의 내부 공간을 정의할 수 있다. 일 실시예에 따른 측부(BH-C)는 베이스 기판(BS-1)의 두께 방향을 따라 불규칙하게 변하는 곡면을 포함할 수 있다. 이는 절연층들(BI, IL1, IL2)을 제거하는 식각 물질이 베이스 기판(BS-1)의 두께 방향을 따라 침투되면서 침투되는 식각 물질의 흡수량 차이로 인해 형성된 언더 컷 형상일 수 있다.
일 실시예에 따른 함몰부(BH-1)와 중첩하는 절연층들(BI, IL1 IL2) 각각의 개구부들(BG1, BG2, BG3) 및 제1 패턴(OL-O)은 보호 무기층(CO)과 접촉한다. 특히, 제1 패턴(OL-O)의 상면과 개구부들(BG1, BG2, BG3)과 정렬된 측면은 보호 무기층(CO)과 접촉할 수 있다.
도 8b를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 패널(DP-B)의 팁 부(TP)는 제1 패턴(OL-O1)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 제1 패턴(OL-O1)은 무기층의 일 부분 개구부들(BG1, BG2, BG3)를 정의하는 절연층들(BI, IL1, IL2) 각각의 측면을 커버되도록 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 전하 제어층(OL)은 팁 부(TP)로 정의되는 베리어층(BI)의 배면을 커버하는 보호 무기층(CO)이 적어도 일부가 커버되도록 연장될 수 있다.
본 발명에 따르면, 팁 부(TP)를 커버하는 제1 패턴(OL-O1)은 제2 패턴(OL-P)과 이격되어 배치된다. 이에 따라, 제2 패턴(OL-P)는 제1 패턴(OL-O1)과 단절될 수 있다. 제2 패턴(OL-P)은 제1 패턴(OL-O1)과 단절됨에 따라, 모듈 홀(MH)로부터 유입되는 수분 및 산소의 경로를 차단할 수 있다.
도 8c를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 패널(DP-C)은 제1 베이스 기판(BS1), 제1 베리어층(BI1), 제2 베이스 기판(BS2), 및 제2 베리어층(BI2)을 더 포함할 수 있다.
제2 베이스 기판(BS2)의 배면은 표시 패널(DP-C)의 배면으로 정의될 수 있다. 베이스 기판(BS2) 상에 제2 베리어층(BI2)이 배치된다. 제2 베리어층(BI2) 상에 제1 베이스 기판(BS1)이 배치된다. 제1 베이스 기판(BS1) 상에 제1 베리어층(BI1)이 배치된다.
베이스 기판들(BS1, BS2)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판들(BS1, BS2)은 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에테르이미드(polyetherimide) 또는 폴리에테르술폰(polyethersulfone) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
베리어층들(BI1, BI2)은 무기 물질을 포함하는 절연층일 수 있다. 예를 들어, 베리어층(BI)은 알루미늄 산화물(AlOx), 티타늄 산화물(TiOx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 지르코늄 산화물(ZrOx), 및 하프늄 산화물(HfOx) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 베리어층들(BI1, BI2)은 외부로부터 이물질이 유입되는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에 따른 그루브(BR)는 제1 베리어층(BI1)의 상면으로부터 제1 베이스 기판(BS1)의 일부가 함몰되어 보호 무기층(CO), 제1 봉지 무기층(LIL) 및 제2 봉지 무기층(UIL) 중 적어도 어느 하나에 의해 커버될 수 있다.
도 8d를 참조하면, 본 발명에 따른 표시 패널(DP-D)은 제1 베이스 기판(BS1), 제1 베리어층(BI1), 제2 베이스 기판(BS2), 및 제2 베리어층(BI2)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 제1 베이스 기판(BS1), 제1 베리어층(BI1), 제2 베이스 기판(BS2), 및 제2 베리어층(BI2)은 도 8c의 베이스 기판들(BS1, BS2) 및 베리어층들(BI1, BI2)과 동일할 수 있다.
일 실시예에 따른 제1 베리어층(BI1)은 제1 베리어층(BI1)이 관통되어 정의된 제1 개구부(BG1)를 포함한다. 제1 절연층(IL1)은 제1 절연층(IL1)이 관통되어 정의된 제2 개구부(BG2)를 포함하며, 제2 절연층(IL2)은 제2 절연층(IL2)이 관통되어 정의된 제3 개구부(BG3)를 포함할 수 있다. 제1 베이스 기판(BS1)은 제1 베이스 기판(BS1)이 관통되어 형성된 관통부(BH1)를 포함할 수 있다.
제2 베리어층(BI2)은 제2 베리어층(BI2)이 관통되어 정의된 제4 개구부(BG4)를 포함하고, 제2 베이스 기판(BS2)은 제2 베이스 기판(BS2)의 적어도 일부가 함몰된 함몰부(BH2)를 포함한다.
일 실시예에 따른 제1 개구부(BG1), 제2 개구부(BG2), 제3 개구부(BG3), 관통부(BH1), 제4 개구부(BG4), 및 함몰부(BH2) 각각은 홀 영역(PA) 상에서 서로 중첩한다.
일 실시예에 따른 그루브(BR-4)는 보호 무기층(CO), 제1 봉지 무기층(LIL) 및 제2 봉지 무기층(UIL) 중 적어도 어느 하나가 제1 개구부(BG1), 제2 개구부(BG2), 제3 개구부(BG3), 관통부(BH1), 제4 개구부(BG4), 및 함몰부(BH2) 각각의 내면을 커버하며 형성된 것을 수 있다.
일 실시예에 따른 그루브(BR-4)는 복수의 층들로 이루어진 베이스 기판들 및 베리어층들이 관통/함몰되어 형성됨으로써, 모듈 홀(MH: 도 5b 참조)로부터 유입되는 수분 및 산소의 투습 경로를 연장하여 신뢰성이 향상된 표시 패널(DP)을 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 표시 패널(DP)은 함몰된 베이스 기판의 내면 및 관통된 절연층들이 내면이 보호 무기층(CO)에 의해 커버됨으로써, 보다 강건한 팁 부(TP)를 설계할 수 있다. 이에 따라, 내 충격성이 향상된 표시 패널을 제공할 수 있다.
도 9a 내지 도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역의 확대도들이다. 도 1내지 도 5c에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 9a를 참조하면, 일 실시예에 따른 모듈 홀(HM-A) 및 그루브(BR-A) 각각의 평면상에서의 형상은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 모듈 홀(MH-A)의 형상은 원 형상을 가질 수 있다. 그루브(BR-A)는 모듈 홀(MH-A)을 에워싸는 폐 라인 형상을 가질 수 있다. 일 실시예에 따른 그루브(BR-A)의 폐 라인 형상은 사각 형상을 가질 수 있다. 그루브(BR-A)를 에워싸는 홀 영역(PA-A)의 평면상에서의 형상은 그루브(BR-A)의 폐 라인 형상과 동일한 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 모듈 홀(MH-A)과 그루브(BR-A)의 평면상에서의 형상이 서로 상이함으로써, 모듈 홀(MH-A)로부터 유입되는 수분 및 산소의 투습 경로가 멀어져 표시 패널(DP: 도 5b 참조)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 8b를 참조하면, 일 실시예에 따른 모듈 홀(HM-B) 및 그루브(BR-B) 각각의 평면상에서의 형상은 서로 동일할 수 있다. 예를 들어, 모듈 홀(MH-B)의 형상은 사각 형상을 가질 수 있다. 그루브(BR-B)는 모듈 홀(MH-B)을 에워싸는 폐 라인 형상을 가질 수 있다. 일 실시예에 따른 그루브(BR-B)의 폐 라인 형상은 사각 형상을 가질 수 있다. 그루브(BR-B)를 에워싸는 홀 영역(PA-B)의 평면상에서의 형상은 그루브(BR-B)의 폐 라인 형상과 동일한 형상을 가질 수 있다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 홀 영역(PA-A, PA-B), 모듈 홀(MH-A, MH-B), 및 그루브(BR-A, BR-B) 각각의 평면상에서의 서로 상이한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
모듈 홀(MH-B)과 그루브(BR-B)의 평면상에서의 형상이 서로 유사함으로써 모듈 홀(MH-B)과 그루브(BR-B)사이의 공간의 면적이 감소 될 수 있다. 이에 따라, 표시 영역(DA: 도 2 참조) 내에 구비되는 홀 영역(PA)이 차지하는 면적을 감소시킬 수 있어, 홀 영역(PA)이 표시 영역(DA)에 미치는 영향을 저하시킬 수 있다.
도 8a 및 8b에는 본 발명에 따른 보호 무기층(CO)이 배치되는 영역을 음영으로 표시 하였다. 도 8a 및 8b에는 표시 영역(DA)과 홀 영역(PA)의 경계에 보호 무기층(CO)의 끝 단이 평면상에서 중첩하는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 홀 영역(PA) 내부에서 그루브(BR-A, BR-B)와 중첩되는 영역이면 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따르면 보호 무기층(CO)은 홀 영역(PA)에만 중첩되도록 배치됨으로써, 보호 무기층(CO)은 유기발광소자(ED)와 이격될 수 있다.
도 10a 내지 도 10f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 제조 방법의 단면도들이다. 도 1내지 도 5c에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다. 이하, 도 10a 내지 도 10f를 참조하여, 본 발며엥 다른 표시 패널 제조 방법을 설명 한다.
도 10a를 참조하면, 베이스 기판(BS) 상에 베리어층(BI)이 형성된다. 베리어층(BI) 상에 트랜지스터(TR)가 형성된다. 트랜지스터(TR)에 포함된 전극들(SL, CE, IE, OE)은 도전물질을 패터닝하여 형성할 수 있다. 전극들(SL, CE, IE, OE)은 복수의 절연층들(IL1, IL2, IH)로부터 서로 이격되며, 반도체 패턴(SL)과 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE)은 절연층들(IL1, IL2)에 정의된 컨택홀을 통해 서로 연결되어 형성된다.
제3 절연층(IH) 상에 제1 전극(E1)이 형성된다. 제1 전극(E1)은 도전물질을 패터닝하여 형성할 수 있다. 제1 전극(E1)은 제3 절연층(IH)에 정의된 컨택홀을 통해 출력 전극(OE)과 연결될 수 있다.
제3 절연층(IH) 상에 유기 물질을 포함하는 화소 정의막(PLE)이 형성된다. 화소 정의막(PLE)은 제1 전극(E1)의 적어도 일부를 노출시키는 개구부가 정의될 수 있다.
홀 영역(PA)과 중첩하는 베리어층(BI), 제1 절연층(IL1), 및 제2 절연층(IL2) 에는 베리어층(BI), 제1 절연층(IL1), 및 제2 절연층(IL2) 각각을 관통하는 개구부(BG1, BG2, BG3)가 형성될 수 있다. 홀 영역(PA)과 중첩하는 베이스 기판(BS)의 일부는 함몰된 함몰부(BH)가 형성될 수 있다. 개구부들(BG1, BG2, BG3)과 함몰부(BH)는 식각 물질에 따른 식각률 차이로 인해 언더 컷 형상을 가질 수 있다.
이후, 도 10b를 참조하면, 화소 정의막(PLE) 상에 증착 공정을 통하여 발광층(EML), 전하 제어층(OL), 및 제2 전극(E2)을 형성하여 유기발광소자(ED)를 형성한다. 일 실시예에서 발광층(EML) 및 전하 제어층(OL)은 유기 물질을 포함하는 유기층으로 정의될 수 있다. 유기층 및/또는 제2 전극(E2)은 홀 영역(PA)에 연장되어 베이스 기판(BS)의 전면에 형성될 수 있다. 도 10b에는 제2 전극(E2)이 표시 영역(DA)에만 형성된 것을 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 기판(BS)의 전면에 형성될 수 있다. 전하 제어층(OL)은 유기 패턴(OL-T), 제1 패턴(OL-O), 및 제2 패턴(OL-P)을 포함할 수 있다.
제1 패턴(PL-O)과 제2 패턴(OL-P)는 전하 제어층(OL)을 형성하는 과정에서 절연층들(BI, IL1, IL2) 각각의 개구부들(BG1, BG2, GB3)과 베이스 기판(BS)의 식각률 차이로 인해 형성된 언터 컷(under cut) 형상에 의해 분리될 수 있다. 예를 들어, 전하 제어층(OL)을 형성하는유기 물질을 도포하는 과정에서 베이스 기판(BS) 함몰부(BH)의 측벽 일부에는 유기 물질이 도포되지 않을 수 있다. 이에 따라, 제1 패턴(PL-O)과 제2 패턴(OL-P)의 분리가 발생할 수 있다.
제2 패턴(OL-P)은, 제2 패턴(OL-P)을 제외한 전하 제어층(OL)과 분리됨에 따라, 모듈 홀(MH)로부터 유입되는 수분 및 산소의 경로를 차단할 수 있다. 이에 따라, 신뢰성이 향상된 표시 패널(DP)를 제공할 수 있다.
이후, 도 10c 및 도 10d를 참조하면, 베이스 기판(BS)의 전면 상에 초기 보호 무기층(CO-A)를 형성할 수 있다. 초기 보호 무기층(CO-A)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 초기 보호 무기층(CO-A)은 함몰부(BH)의 내면, 개구부들(BG1, BG2, BG3) 각각의 내면, 및 베리어층(BI)의 배면 중 함몰부(BH)와 중첩하는 부분과 접촉되도록 형성될 수 있다.
이후, 초기 보호 무기층(CO-A)의 일부를 제거하여 보호 무기층(CO)을 형성한다. 보호 무기층(CO)은 홀 영역(PA)과 중첩되도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 표시 영역(DA)에 형성된 구성들은 보호 무기층(CO)에 이격될 수 있다.
이후, 도 10e를 참조하면, 표시 영역(DA) 및 홀 영역(PA) 상에 무기 물질을 포함하는 제1 봉지 무기층(LIL)을 형성한다. 이후, 제1 봉지 무기층(LIL) 상에 유기 물질을 포함하는 봉지 유기층(OEL)을 형성한다.
이후, 표시 영역(DA) 및 홀 영역(PA) 상에 무기 물질을 포함하는 제2 봉지 무기층(UIL)을 형성한다. 제1 봉지 무기층(LIL)과 제2 봉지 무기층(UIL)은 홀 영역(PA) 상에서 서로 접촉되어 형성될 수 있다. 제1 봉지 무기층(LIL)은 보호 무기층(CO)의 전 면을 커버하도록 형성될 수 있다.
이후, 도 10f를 참조하면, 표시 영역(DA)의 홀 영역(PA)과 중첩하는 영역에 모듈 홀(HM)이 형성될 수 있다. 모듈 홀(HM)은 베이스 기판의 끝 단(BS-E), 베리어층의 끝 단(BI-E), 제1 절연층의 끝 단(IL1-E), 제2 절연층의 끝 단(IL2-E), 전하 제어층의 끝 단(OL-E), 보호 무기층의 끝 단(CO-E), 제1 봉지 무기층의 끝 단(LIL-E), 및 제2 봉지 무기층의 끝 단(UIL-E)들 각각이 정렬된 내면(GE)으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실싱예에 따르면, 팁 부(TP)를 커버하는 별도의 보호 무기층(CO)을 포함함으로써, 팁 부(TP)의 강건 설계가 가능하다. 이에 따라, 내 충격성이 향상된 표시 패널(DP)을 제공할 수 있다.
도 11a는 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다. 도 11b는 도11a의 YY'영역의 확대도이다.
도 11a 및 도 11b를 참조하면, 일 실시예에 다른 전자 장치(EA-A)는 도 2에서 설명한 모듈 홀(MH)이 생략될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 모듈(ID)가 삽입되는 모듈 홀(MH)이 표시 패널(DP)에 형성되지 않음으로써, 표시 영역(DA)의 면적을 증가시킬 수 있다.
모듈 홀(MH)이 생략됨에 따라 홀 영역(PA)에도 화소(PX)가 배치될 수 있다. 표시 패널(DP)의 구성들 및 화소(PX)가 전자 모듈(ID)에 미치는 간섭은 홀 영역(PA)과 중첩하는 구성들의 전부 또는 일부를 투명한 물질로 이용하거나, 화소(PX)에 포함된 발광 패턴(EL, 도 5b 참조)의 밀도를 감소 시킴으로써 간섭을 최소화 할 수 있다. 도 11b에는 보호 무기층(CO)가 배치되는 영역을 음영으로 도시하였다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(EA-A)는 전자 모듈(ID)과 중첩하는 표시 패널(DP)의 홀 영역(PA)에 모듈 홀(MH)이 생략됨에 따라 시인성이 향상된 표시 패널(DP)을 제공할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
EA: 전자 장치 DP: 표시 패널
PA: 홀 영역 DA: 표시 영역
BR: 그루브 MH: 모듈 홀
CO: 보호 무기층

Claims (21)

  1. 적어도 일부가 함몰된 함몰부를 포함하는 홀 영역, 상기 홀 영역을 에워싸는 표시 영역, 및 상기 표시 영역에 인접한 주변 영역으로 구분되는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치된 트랜지스터 및 각각에 상기 함몰부와 중첩하는 개구부를 포함하는 복수의 절연층들을 포함하는 회로 소자층;
    상기 회로 소자층 상에 배치되고, 상기 트랜지스터와 연결된 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 상기 표시 영역에 배치된 발광 패턴 및, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고 상기 표시 영역 및 상기 홀 영역과 중첩하는 전하 제어층을 포함하는 유기발광소자를 포함하는 표시 소자층;
    상기 표시 소자층 상에 배치되고, 제1 봉지 무기층, 제2 봉지 무기층, 상기 제1 봉지 무기층과 상기 제2 봉지 무기층 사이에 배치된 봉지 유기층을 포함하는 봉지층;
    상기 홀 영역에 배치되고, 상기 절연층들 및 상기 제1 봉지 무기층 사이에 배치되는 보호 무기층; 및
    상기 홀 영역과 중첩하고, 상기 함몰부와 이격되며, 상기 베이스 기판, 상기 절연층들 중 적어도 일부, 상기 보호 무기층, 상기 제1 패턴, 상기 제1 봉지 무기층, 및 상기 제2 봉지 무기층 각각을 관통하여 정의된 모듈 홀을 포함하고,
    상기 전하 제어층은,
    상기 발광 패턴과 중첩하는 유기 패턴, 상기 절연층들 중 상기 홀 영역과 중첩하는 절연층 상에 배치된 제1 패턴, 및 상기 제1 패턴과 분리되고 상기 함몰부 내에 배치된 제2 패턴을 포함하고,
    상기 보호 무기층은,
    상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴을 커버하는 전자 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 보호 무기층은,
    상기 제1 봉지 무기층에 의해 커버되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 봉지 무기층 및 상기 제2 봉지 무기층은 서로 다른 물질을 포함하고,
    상기 보호 무기층은,
    상기 제2 봉지 무기층과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 보호 무기층은 실리콘 질화물(SiNX)을 포함하고,
    상기 제1 보호 무기층은 실리콘 산질화물(SiOXNY)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 보호 무기층은,
    상기 상기 제1 봉지 무기층에 비해 상대적으로 산화 속도가 느린 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 보호 무기층은,
    평면상에서 상기 표시 영역과 비 중첩하고, 상기 발광 패턴과 이격된 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 패턴은,
    상기 함몰부의 적어도 일부를 노출시키고,
    상기 보호 무기층은,
    상기 제2 패턴에 의해 노출된 함몰부를 커버하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 보호 무기층, 상기 제1 봉지 무기층, 및 상기 제2 봉지 무기층이 상기 개구부 각각의 내면 및 상기 함몰부의 내면을 커버하여 형성된 제1 그루브를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 그루브를 사이에 두고 상기 모듈 홀과 이격되고, 상기 절연층들 중 적어도 어느 하나의 상면으로부터 상기 베이스 기판의 일부가 함몰되어 상기 보호 무기층 및 상기 제1 봉지 무기층에 의해 커버되는 제2 그루브를 더 포함하고,
    상기 제2 그루브는 내부 공간을 제공하고,
    상기 내부 공간은 상기 봉지 유기층에 의해 충진되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 그루브 및 상기 모듈 홀 사이, 상기 제1 그루브 및 상기 제2 그루브 사이 중 적어도 어느 하나에 배치되는 댐 부를 더 포함하고,
    상기 댐 부는,
    상기 절연층들 중 어느 하나와 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 그루브는 상기 모듈 홀을 에워싸는 폐 라인 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 절연층들 중,
    평면상에서 상기 함몰부와 중첩하고 상기 함몰부로부터 돌출된 절연층들은 팁 부로 정의되고,
    상기 팁 부는,
    상기 보호 무기층에 의해 커버되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  13. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 그루브는 평면상에서 상기 모듈 홀과 서로 다른 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 함몰부는 하부 및 상기 하부와 연결된 측부를 포함하고,
    상기 측부는 상기 베이스 기판의 두께 방향을 따라 불규칙하게 변하는 곡면을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 모듈 홀과 중첩하고 상기 베이스 기판의 하부에 배치되는 전자 모듈을 더 포함하고,
    상기 전자 모듈은,
    음향출력 모듈, 발광 모듈, 수광 모듈, 및 카메라 모듈 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  16. 적어도 일부가 함몰된 함몰부를 포함하는 홀 영역, 상기 홀 영역을 에워싸는 표시 영역, 및 상기 표시 영역에 인접한 주변 영역으로 구분되는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치되고, 각각에 상기 홀 영역에 정의되고 함몰부와 중첩하는 개구부를 포함하는 복수의 절연층들;
    상기 절연층들 사이에 배치되고, 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 상기 표시 영역에 배치된 발광 패턴 및, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고 상기 표시 영역 및 상기 홀 영역과 중첩하는 전하 제어층을 포함하는 유기발광소자를 포함하는 화소;
    상기 화소를 커버하는 제1 봉지 무기층, 상기 제1 봉지 무기층과 대향하는 제2 봉지 무기층, 및 상기 제1 봉지 무기층 및 상기 제2 봉지 무기층 사이에 배치된 봉지 유기층을 포함하는 봉지층;
    상기 홀 영역에 배치되고, 상기 절연층들 및 상기 제1 봉지 무기층 사이에 배치되는 보호 무기층을 포함하고,
    상기 전하 제어층은,
    상기 발광 패턴과 중첩하는 유기 패턴, 상기 절연층들 중 상기 홀 영역과 중첩하는 절연층 상에 배치된 제1 패턴, 및 상기 제1 패턴과 분리되고 상기 함몰부 내에 배치된 제2 패턴을 포함하고,
    상기 보호 무기층은,
    상기 제1 봉지 무기층에 의해 커버되는 전자 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 보호 무기층은,
    상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴을 커버하는 전자 장치.
  18. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 봉지 무기층 및 상기 제2 봉지 무기층은 서로 다른 물질을 포함하고,
    상기 보호 무기층은,
    상기 제2 봉지 무기층과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  19. 제16 항에 있어서,
    상기 보호 무기층은,
    평면상에서 상기 표시 영역과 비 중첩하고, 상기 발광 패턴과 이격된 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  20. 제16 항에 있어서,
    상기 보호 무기층, 상기 제1 봉지 무기층, 및 상기 제2 봉지 무기층이 상기 개구부 각각의 내면 및 상기 함몰부의 내면을 커버하여 형성된 제1 그루브를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  21. 제16 항에 있어서,
    상기 홀 영역과 중첩하고, 상기 함몰부와 이격되며, 상기 베이스 기판, 상기 절연층들 중 적어도 일부, 상기 보호 무기층, 제1 패턴, 상기 제1 봉지 무기층, 및 상기 제2 봉지 무기층 각각을 관통하여 정의된 모듈 홀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.

KR1020190049695A 2019-04-29 2019-04-29 전자 장치 KR20200126451A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190049695A KR20200126451A (ko) 2019-04-29 2019-04-29 전자 장치
US16/834,338 US11264596B2 (en) 2019-04-29 2020-03-30 Electronic device with a substrate having an opening region including a recessed region
CN202010327019.2A CN111863880A (zh) 2019-04-29 2020-04-23 电子装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190049695A KR20200126451A (ko) 2019-04-29 2019-04-29 전자 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200126451A true KR20200126451A (ko) 2020-11-09

Family

ID=72917462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190049695A KR20200126451A (ko) 2019-04-29 2019-04-29 전자 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11264596B2 (ko)
KR (1) KR20200126451A (ko)
CN (1) CN111863880A (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102168042B1 (ko) * 2018-12-27 2020-10-20 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200116577A (ko) * 2019-04-01 2020-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20210044943A (ko) * 2019-10-15 2021-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11600800B2 (en) * 2020-07-31 2023-03-07 Innolux Corporation Electronic device having a curved profile interface corresponding to a recess
KR20220069199A (ko) * 2020-11-19 2022-05-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2023126738A1 (ja) * 2021-12-29 2023-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100836472B1 (ko) * 2007-03-22 2008-06-09 삼성에스디아이 주식회사 반도체장치 및 그 제조방법
KR102326069B1 (ko) 2015-07-29 2021-11-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR102605208B1 (ko) 2016-06-28 2023-11-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102103962B1 (ko) 2016-09-02 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 제조 방법
KR20180076429A (ko) 2016-12-27 2018-07-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN107068715B (zh) * 2017-03-28 2019-12-20 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板、有机发光显示装置以及有机发光显示面板的制备方法
KR102457251B1 (ko) * 2017-03-31 2022-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN107424519B (zh) * 2017-06-26 2019-09-24 武汉天马微电子有限公司 柔性显示面板及柔性显示装置
JP6843710B2 (ja) * 2017-07-12 2021-03-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の製造方法
KR102083646B1 (ko) * 2017-08-11 2020-03-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102083315B1 (ko) * 2017-09-11 2020-03-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102492735B1 (ko) * 2017-09-12 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10756156B2 (en) * 2017-10-30 2020-08-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device having enhanced UV light blocking and method for fabricating the same
KR102448325B1 (ko) * 2017-11-16 2022-09-30 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이를 포함하는 전자장치
JP2019091673A (ja) * 2017-11-17 2019-06-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
JP2019095507A (ja) * 2017-11-20 2019-06-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102441783B1 (ko) * 2017-12-05 2022-09-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102014179B1 (ko) * 2017-12-08 2019-08-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
KR102520016B1 (ko) 2018-02-02 2023-04-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20190108212A (ko) * 2018-03-13 2019-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
CN112820766A (zh) * 2018-03-28 2021-05-18 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
KR102583898B1 (ko) * 2018-04-30 2023-10-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR102610254B1 (ko) * 2018-05-18 2023-12-07 삼성디스플레이 주식회사 전자 패널 및 이의 제조 방법
KR102649144B1 (ko) * 2018-06-25 2024-03-21 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102609418B1 (ko) * 2018-06-29 2023-12-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 포함하는 전자 장치, 및 표시 패널의 제조 방법
KR20200003328A (ko) 2018-06-29 2020-01-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102598230B1 (ko) * 2018-08-13 2023-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102653424B1 (ko) 2018-08-30 2024-04-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR102612036B1 (ko) 2018-09-27 2023-12-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함한 전자 장치
KR102663899B1 (ko) * 2018-09-28 2024-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널

Also Published As

Publication number Publication date
CN111863880A (zh) 2020-10-30
US20200343481A1 (en) 2020-10-29
US11264596B2 (en) 2022-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11770960B2 (en) Color filter unit and display apparatus including the same
KR20200126451A (ko) 전자 장치
US11605677B2 (en) Display device
US11778885B2 (en) Display apparatus comprising dummy color filter and dummy color conversion pattern
US11856819B2 (en) Display module having a circuit insulating layer
US12016194B2 (en) Display device
US11482588B2 (en) Display device having a floating conductive layer
US11462594B2 (en) Display apparatus having color converting layers and method of manufacturing the same
US11489021B2 (en) Color conversion substrate and display device
US11785822B2 (en) Display apparatus including concave portion
US20220158113A1 (en) Display apparatus
US11302771B2 (en) Display device including pad arranged in peripheral area
JP2022078975A (ja) ディスプレイ装置
US11899872B2 (en) Display apparatus
US20220262864A1 (en) Display apparatus
CN116390593A (zh) 显示装置
KR20230006693A (ko) 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal