JP2022078975A - ディスプレイ装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ディスプレイ装置を提供する。【解決手段】互いに異なる色を出す第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含むディスプレイ装置において、基板上に配置され、第１副画素、第２副画素及び第３副画素それぞれに対応する第１有機発光ダイオード、第２有機発光ダイオード及び第３有機発光ダイオードと、第１有機発光ダイオードと第２有機発光ダイオードとに共通に具備され、第１発光層及び第１正孔輸送層を含む第１中間層と、第３有機発光ダイオードに具備され、第２発光層及び第２正孔輸送層を含む第２中間層と、第１有機発光ダイオード、第２有機発光ダイオード及び第３有機発光ダイオードそれぞれに対応するように配置された第１色変換層、第２色変換層及び第３色変換層と、を含み、第１発光層は、第２発光層と異なる色を出し、第１正孔輸送層の正孔移動度は、第２正孔輸送層の正孔移動度と異なる、ディスプレイ装置である。【選択図】図４

Description

本発明は、ディスプレイ装置に関する。
ディスプレイ装置は、データを視覚的に表示する装置である。そのようなディスプレイ装置は、表示領域と周辺領域とに区切られた基板を含む。表示領域には、スキャンラインとデータラインとが相互に絶縁されて配置され、複数の副画素が含まれる。また、表示領域には、副画素それぞれに対応して、薄膜トランジスタ、及び該薄膜トランジスタと電気的に接続される副画素電極が具備される。また、表示領域には、副画素に共通して具備される対向電極が具備される。周辺領域には、表示領域に電気的信号を伝達する多様な配線、スキャン駆動部、データ駆動部、制御部、パッド部などが具備される。
そのようなディスプレイ装置は、その用途が多様になっている。それにより、ディスプレイ装置の品質を向上させる設計が多様に試みられている。
本発明が解決しようとする課題は、消費電力が低減すると共に、寿命が向上したディスプレイ装置を提供することである。しかし、そのような課題は、例示的なものであり、それによって本発明の範囲が限定されるものではない。
本発明の一実施形態は、互いに異なる色を出す第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含むディスプレイ装置において、基板上に配置され、前記第１副画素、第２副画素及び第３副画素それぞれに対応する第１有機発光ダイオード、第２有機発光ダイオード及び第３有機発光ダイオードと、前記第１有機発光ダイオードと前記第２有機発光ダイオードとに共通に具備され、第１発光層及び第１正孔輸送層を含む第１中間層と、前記第３有機発光ダイオードに具備され、第２発光層及び第２正孔輸送層を含む第２中間層と、前記第１有機発光ダイオード、第２有機発光ダイオード及び第３有機発光ダイオードそれぞれに対応するように配置された第１色変換層、第２色変換層及び第３色変換層と、を含み、前記第１発光層は、前記第２発光層と異なる色を出し、前記第１正孔輸送層の正孔移動度（hole mobility）は、前記第２正孔輸送層の正孔移動度と異なる、ディスプレイ装置を提供する。
一実施形態において、前記第１正孔輸送層は、有機物質であるホストに酸化物がドーピングされて具備され、前記第２正孔輸送層は、前記ホストにｐ型有機ドーパントがドーピングされて具備されてもよい。
一実施形態において、前記酸化物の誘電定数は、３以上６０以下である。
一実施形態において、前記酸化物は、ＨｆＯｘ、ＺｒＯｘ、ＬａＯｘ、Ｌａ２Ｏ３、ＬａＡｌＯｘ、ＴａＯｘ、ＡｌＯｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＳｉＯ４、ＨｆＳｉＯ４、ＳｒＯ、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＢａＯ、ＢａＺｒＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ２及びＳｉ３Ｎ４のうちいずれか１つを含んでもよい。
一実施形態において、前記酸化物のドーピング濃度は、０．５％以上３０％以下であってもよい。
一実施形態において、前記ｐ型有機ドーパントは、シアノ基含有化合物であり、前記ｐ型有機ドーパントのドーピング濃度は、０．５％以上２５％以下であってもよい。
一実施形態において、前記第１正孔輸送層は、有機物質であるホストに酸化物が第１ドーピング濃度にドーピングされて具備され、前記第２正孔輸送層は、有機物質であるホストに前記酸化物が第２ドーピング濃度にドーピングされて具備され、前記第１ドーピング濃度は、前記第２ドーピング濃度と異なってもよい。
一実施形態において、前記基板上に配置され、前記第１発光層と前記第２発光層との間に配置されたバンクをさらに含んでもよい。
一実施形態において、前記バンクは、前記第１～第３有機発光ダイオードの発光領域を定義する画素定義膜の上部に配置され、前記第３有機発光ダイオードを取り囲むように配置されてもよい。
一実施形態において、前記第１中間層は、前記第１発光層の上部に配置された第１－１発光層をさらに含み、前記第２中間層は、前記第２発光層の上部に配置された第２－１発光層をさらに含んでもよい。
一実施形態において、前記第１－１発光層は、前記第２－１発光層と同一物質で形成されてもよい。
一実施形態において、前記第１発光層は、緑色光を放出し、前記第２発光層は、青色光を放出し、前記第１正孔輸送層は、ｐ型有機ドーパントがドーピングされて具備され、前記第２正孔輸送層は、酸化物がドーピングされて具備されてもよい。
本発明の他の実施形態は、互いに異なる色を出す第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含むディスプレイ装置において、基板上に配置され、前記第１副画素、第２副画素及び第３副画素それぞれに対応する第１有機発光ダイオード、第２有機発光ダイオード及び第３有機発光ダイオードと、前記第１有機発光ダイオードと前記第２有機発光ダイオードとに共通に具備され、第１発光層及び第１正孔輸送層を含む第１中間層と、前記第３有機発光ダイオードに具備され、第２発光層及び第２正孔輸送層を含む第２中間層と、前記基板上で、前記第２中間層を少なくとも一部取り囲むように配置されたバンクと、を含み、前記第１発光層は、前記第２発光層と異なる色を出す、ディスプレイ装置を提供する。
一実施形態において、前記第１正孔輸送層の正孔移動度は、前記第２正孔輸送層の正孔移動度と異なってもよい。
一実施形態において、前記第１発光層は、緑色光を放出し、前記第２発光層は、青色光を放出してもよい。
一実施形態において、前記第１正孔輸送層は、有機物質であるホストに酸化物がドーピングされて具備され、前記第２正孔輸送層は、前記ホストにｐ型有機ドーパントがドーピングされて具備されてもよい。
一実施形態において、前記酸化物は、ＨｆＯｘ、ＺｒＯｘ、ＬａＯｘ、Ｌａ２Ｏ３、ＬａＡｌＯｘ、ＴａＯｘ、ＡｌＯｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＳｉＯ４、ＨｆＳｉＯ４、ＳｒＯ、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＢａＯ、ＢａＺｒＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ２及びＳｉ３Ｎ４のうちいずれか１つを含んでもよい。
一実施形態において、前記ｐ型有機ドーパントは、シアノ基含有化合物であり、前記ｐ型有機ドーパントのドーピング濃度は、０．５％以上２５％以下であってもよい。
一実施形態において、前記第１中間層は、前記第１発光層の上部に配置された第１－１発光層をさらに含み、前記第２中間層は、前記第２発光層の上部に配置された第２－１発光層をさらに含んでもよい。
一実施形態において、前記第１－１発光層は、前記第２－１発光層と同一物質で形成されてもよい。
本発明の他の実施形態は、第１有機発光ダイオードを含み、第１カラーを放出する第１副画素と、第２有機発光ダイオードを含み、第２カラーを放出する第２副画素と、第３有機発光ダイオードを含み、第３カラーを放出する第３副画素と、を含み、前記第１有機発光ダイオードと前記第２有機発光ダイオードは、第１波長を有する光を放出し、前記第３有機発光ダイオードは、前記第１波長と異なる第２波長の光を放出する、ディスプレイ装置を提供する。
一実施形態において、前記第１有機発光ダイオード及び前記第２有機発光ダイオードは、前記第１波長の光を発光する第１発光層を含み、前記第３有機発光ダイオードは、前記第２波長の光を発光する第２発光層を含んでもよい。
一実施形態において、前記第１副画素は、前記第１波長の光を第１カラーの光に変換する第１色変換層を含み、前記第２副画素は、前記第１波長の光を前記第１カラーとは異なる第２カラーの光に変換する第２色変換層を含み、前記第３副画素は、前記第２波長を有する第３カラーの光を透過する透過窓を含んでもよい。
本発明の実施形態によるディスプレイ装置は、第１副画素及び第２副画素の発光層及び正孔輸送層と、第３副画素の発光層及び正孔輸送層とが異なって適用されるところ、消費電力が低減すると共に、寿命が向上する。
本発明の実施形態によるディスプレイ装置の例示を概略的に示す平面図である。 本発明の実施形態によるディスプレイ装置の例示を概略的に示す平面図である。 本発明の一実施形態によるディスプレイ装置のいずれか１つの副画素の等価回路図である。 本発明の一実施形態によるディスプレイ装置のいずれか１つの副画素の等価回路図である。 本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の表示領域の一部を概略的に示す平面図である。 本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の表示領域の一部を示す断面図である。 本実施形態によるディスプレイ装置に採用可能な第１～第３有機発光ダイオードの概略的な断面図である。 本実施形態によるディスプレイ装置に採用可能な第１～第３有機発光ダイオードの概略的な断面図である。 本実施形態によるディスプレイ装置に採用可能な第１～第３有機発光ダイオードの概略的な断面図である。 本実施形態によるディスプレイ装置に採用可能な第１～第３有機発光ダイオードの概略的な断面図である。 本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を示す断面図である。
本発明は、多様な変更を加えることができ、色々な実施形態で実現することができるところ、特定の実施形態を図面に例示し、詳細な説明で詳細に説明する。本発明の効果及び特徴、並びにそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すれば明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態に実現可能である。
以下、添付された図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明し、図面を参照して説明するとき、同一のまたは対応する構成要素は、同じ図面符号を付与し、それについての重複説明は省略する。
以下の実施形態において、第１、第２などの用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用された。
以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に取り立てて意味しない限り、複数の表現を含む。
以下の実施形態において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在することを意味するものであり、１つ以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性を予め排除するものではない。
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などの部分が他の部分上にあるとするとき、他の部分の真上にある場合だけでなく、その中間に他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
図面では、説明の便宜上、構成要素の大きさが誇張されたり縮小されたりする。例えば、図面に示された各構成要素の大きさ及び厚みは、説明の便宜上、任意に表したものであり、本発明が必ずしも図示されたところに限定されるものではない。
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などが接続されたとするとき、膜、領域、構成要素が直接的に接続された場合だけでなく、膜、領域、構成要素の中間に他の膜、領域、構成要素が介在されて間接的に接続された場合も含む。例えば、本明細書において、膜、領域、構成要素などが電気的に接続されたとするとき、膜、領域、構成要素などが直接電気的に接続された場合だけでなく、その中間に他の膜、領域、構成要素などが介在されて間接的に電気的に接続された場合も含む。
ディスプレイ装置は、画像を表示する装置であり、有機発光ディスプレイ装置（Organic Light Emitting Display Apparatus）、無機発光ディスプレイ装置（Inorganic Light Emitting Display Apparatus）、量子ドット発光ディスプレイ装置（Quantum dot Light Emitting Display Apparatus）などである。
以下では、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置として、有機発光ディスプレイ装置を例として説明するが、本発明のディスプレイ装置は、これに限定されるものではなく、多様な方式のディスプレイ装置が使用可能である。
図１Ａ及び図１Ｂは、本発明の実施形態によるディスプレイ装置の例示を概略的に示す平面図である。
図１Ａを参照すると、ディスプレイ装置は、基板１００と上部基板２００とがシーリング部材６００により接着されて形成可能である。シーリング部材６００は、基板１００及び上部基板２００の外郭面に沿って取り囲むように形成され、基板１００と上部基板２００とを接着することができる。
一方、ディスプレイ装置は、表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺に配置される周辺領域ＰＡとを含む。ディスプレイ装置は、表示領域ＤＡに配置された複数の副画素から放出される光を利用して、所定の表示（イメージ）を提供することができる。
表示領域ＤＡは、ｘ方向に延びたデータラインＤＬと、ｘ方向と交差するｙ方向に延びたスキャンラインＳＬとに接続された副画素Ｐを含む。各副画素Ｐは、ｘ方向に延びた駆動電圧線ＰＬとも接続される。
副画素Ｐは、それぞれ有機発光ダイオードＯＬＥＤのようなディスプレイ素子を含んでもよい。各副画素Ｐは、有機発光ダイオードＯＬＥＤによって、例えば、赤色、緑色、青色または白色の光を放出することができる。一部の実施形態において、副画素Ｐに含まれた有機発光ダイオードＯＬＥＤから放出する色とは別途に、有機発光ダイオードＯＬＥＤの上部に配置されたカラーフィルタなどにより、各副画素Ｐの色相が実現されることが可能である。
各副画素Ｐは、周辺領域ＰＡに配置された内蔵回路と電気的に接続可能である。周辺回路ＰＡには、第１電源供給配線１０、第２電源供給配線２０及びパッド部３０が配置可能である。
第１電源供給配線１０は、表示領域ＤＡの１辺に対応するように配置可能である。第１電源供給配線１０は、副画素Ｐに駆動電圧ＥＬＶＤＤ（図２Ａ及び図２Ｂ）を伝達する複数の駆動電圧線ＰＬと接続可能である。
第２電源供給配線２０は、一側が開放されたルーフ状に表示領域ＤＡを部分的に取り囲むことができる。第２電源供給配線２０は、副画素Ｐの対向電極に共通電圧を提供することができる。第２電源供給配線２０は、共通電圧供給配線とも呼ばれる。
パッド部３０は、複数のパッド３１を具備し、基板１００の一側に配置可能である。各パッド３１は、第１電源供給配線１０と接続される第１接続配線４１、または表示領域ＤＡに延びる接続配線ＣＷなどと接続可能である。パッド部３０のパッド３１は、絶縁層により覆われずに露出され、印刷回路基板ＰＣＢと電気的に接続可能である。印刷回路基板ＰＣＢのＰＣＢ端子部ＰＣＢ－Ｐは、パッド部３０と電気的に接続可能である。
印刷回路基板ＰＣＢは、制御部（図示せず）の信号または電源をパッド部３０に伝達する。制御部は、第１及び第２接続配線４１、４２を介して、第１及び第２電源供給配線１０、２０にそれぞれ駆動電圧ＥＬＶＤＤ及び共通電圧ＥＬＶＳＳ（図２Ａ及び図２Ｂ）を提供することができる。
データ駆動回路６０は、データラインＤＬに電気的に接続される。データ駆動回路６０のデータ信号は、パッド部３０に接続された接続配線ＣＷと、接続配線ＣＷに接続されたデータラインＤＬとを介して、各副画素Ｐに提供可能である。図１Ａでは、データ駆動回路６０が印刷回路基板ＰＣＢに配置されたものと示しているが、他の実施形態において、データ駆動回路６０は、基板１００上に配置されることも可能である。例えば、データ駆動回路６０は、パッド部３０と第１電源供給配線１０との間に配置可能である。
周辺領域ＰＡには、ダム部１２０が配置可能である。ダム部１２０は、薄膜封止層４００の有機封止層４２０（図４）を形成するとき、有機物が基板１００のエッジ方向に流れることを防止し、有機封止層４２０のエッジテイルが形成されることを防止することができる。ダム部１２０は、周辺領域ＰＡ上で、表示領域ＤＡの少なくとも一部を取り囲むように配置可能である。ダム部１２０は、複数のダムを含むように構成されてもよく、複数のダムが配置される場合、各ダムは互いに離隔されて形成可能である。ダム部１２０は、周辺領域ＰＡにおいて、シーリング部材６００より表示領域ＤＡに近く配置可能である。一方、周辺領域ＰＡには、各副画素のスキャン信号を提供する内蔵駆動回路部（図示せず）がさらに具備されてもよい。一部の実施形態において、内蔵駆動回路部とダム部１２０とは重畳されて形成されることも可能である。
図１Ａでは、パッド部３０に１枚の印刷回路基板ＰＣＢが取り付けられるものと示しているが、図１Ｂのように、パッド部３０には、複数の印刷回路基板ＰＣＢが取り付けられることも可能である。
また、パッド部３０は、基板１００の２辺に沿って配置可能である。パッド部３０は、複数のサブパッド部３０Ｓを具備し、各サブパッド部３０Ｓごとに１枚の印刷回路基板ＰＣＢが取り付け可能である。
図２Ａ及び図２Ｂは、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置のいずれか１つの副画素の等価回路図である。
図２Ａを参照すると、各副画素Ｐは、スキャンラインＳＬ及びデータラインＤＬに接続された画素回路ＰＣと、画素回路ＰＣに接続された有機発光ダイオードＯＬＥＤとにより実現可能である。画素回路ＰＣは、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２及びストレージキャパシタＣｓｔを含む。スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スキャンラインＳＬ及びデータラインＤＬに接続され、スキャンラインＳＬを介して入力されるスキャン信号Ｓｎにより、データラインＤＬを介して入力されたデータ信号Ｄｍを駆動薄膜トランジスタＴ１に伝達する。
ストレージキャパシタＣｓｔは、スイッチング薄膜トランジスタＴ２及び駆動電圧線ＰＬに接続され、スイッチング薄膜トランジスタＴ２から伝達された電圧と、駆動電圧線ＰＬに供給される第１電源電圧（または、駆動電圧）ＥＬＶＤＤとの差に該当する電圧を保存する。
駆動薄膜トランジスタＴ１は、駆動電圧線ＰＬ及びストレージキャパシタＣｓｔに接続され、ストレージキャパシタＣｓｔに保存された電圧値に応じて、駆動電圧線ＰＬから有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる駆動電流を制御することができる。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動電流により、所定の輝度を有する光を放出することができる。
図２Ａでは、画素回路ＰＣが２つの薄膜トランジスタ及び１つのストレージ薄膜トランジスタを含む場合を説明したが、本発明はそれに限定されるものではない。
図２Ｂを参照すると、画素回路ＰＣは、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２、センシング薄膜トランジスタＴ３及びストレージキャパシタＣｓｔを含む。
スイッチング薄膜トランジスタＴ２のゲート電極Ｇ２には、スキャンラインＳＬが接続され、ソース電極Ｓ２には、データラインＤＬが接続され、ドレイン電極Ｄ２には、ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極ＣＥ１が接続される。
それにより、スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、各副画素ＰのスキャンラインＳＬからのスキャン信号Ｓｎに応答し、データラインＤＬのデータ電圧を第１ノードＮに供給する。
駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極Ｇ１は、第１ノードＮに接続され、ソース電極Ｓ１は、駆動電圧ＥＬＶＤＤを伝達する駆動電圧線ＰＬに接続され、ドレイン電極Ｄ１は、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。
それにより、駆動薄膜トランジスタＴ１は、自身のソース・ゲート間電圧Ｖｇｓ、すなわち、駆動電圧ＥＬＶＤＤと第１ノードＮとの間にかかる電圧により、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる電流量を調節することができる。
センシング薄膜トランジスタＴ３のゲート電極Ｇ３には、センシング制御線ＳＳＬが接続され、ソース電極Ｓ３は、第２ノードＳに接続され、ドレイン電極Ｄ３は、基準電圧線ＲＬに接続される。一部の実施形態において、センシング薄膜トランジスタＴ３は、センシング制御線ＳＳＬの代わりに、スキャンラインＳＬに接続されてスキャンラインＳＬにより制御されることも可能である。
センシング薄膜トランジスタＴ３は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの副画素電極（例えば、アノード電極）の電位をセンシングすることができる。センシング薄膜トランジスタＴ３は、センシング制御線ＳＳＬからのセンシング信号ＳＳｎに応答し、基準電圧線ＲＬからのプリチャージング（pre-charging）電圧を第２ノードＳに供給するか、あるいはセンシング期間に有機発光ダイオードＯＬＥＤの副画素電極（例えば、アノード電極）の電圧を基準電圧線ＲＬに供給する。
ストレージキャパシタＣｓｔは、第１ノードＮに第１電極ＣＥ１が接続され、第２ノードＳに第２電極ＣＥ２が接続される。ストレージキャパシタＣｓｔは、第１ノードＮ及び第２ノードＳそれぞれに供給される電圧間の差に対応する電圧を充電し、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動電圧として供給する。例えば、ストレージキャパシタＣｓｔは、第１ノードＮ及び第２ノードＳそれぞれに供給されるデータ電圧Ｄｍとプリチャージング電圧Ｖｐｒｅとの差に対応する電圧を充電することができる。
バイアス電極ＢＳＭは、駆動薄膜トランジスタＴ１と対応するように形成され、センシング薄膜トランジスタＴ３のソース電極Ｓ３と接続可能である。バイアス電極ＢＳＭは、センシング薄膜トランジスタＴ３のソース電極Ｓ３の電位と連動して、電圧を供給されるところ、駆動薄膜トランジスタＴ１が安定化される。一部の実施形態において、バイアス電極ＢＳＭは、センシング薄膜トランジスタＴ３のソース電極Ｓ３と接続されることなく、別途のバイアス配線と接続されることも可能である。
有機発光ダイオードＯＬＥＤの対向電極（例えば、カソード電極）は、共通電圧ＥＬＶＳＳを提供される。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動薄膜トランジスタＴ１から駆動電流を伝達されて発光する。
図２Ｂでは、各副画素Ｐごとに、信号線、すなわち、スキャンラインＳＬ、センシング制御線ＳＳＬ及びデータラインＤＬ、基準電圧線ＲＬ並びに駆動電圧線ＰＬが具備された場合を示しているが、本発明はそれに限定されるものではない。例えば、信号線、すなわち、スキャンラインＳＬ、センシング制御線ＳＳＬ及びデータラインＤＬのうち少なくともいずれか１本、または／及び基準電圧線ＲＬ並びに駆動電圧線ＰＬは、隣り合う副画素同士で共有されることも可能である。
画素回路ＰＣは、図２Ａ及び図２Ｂを参照して説明した薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタの個数及び回路デザインに限定されるものではなく、その個数及び回路デザインは多様に変更可能である。
図３は、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の表示領域の一部を概略的に示す平面図である。
図３を参照すると、一実施形態によるディスプレイ装置の表示領域ＤＡには、互いに異なる色を出す第１副画素Ｐ１、第２副画素Ｐ２及び第３副画素Ｐ３が配置可能である。例えば、第１副画素Ｐ１は赤色光を出し、第２副画素Ｐ２は緑色光を出し、第３副画素Ｐ３は青色光を出すように具備されてもよい。
図３では、第１副画素Ｐ１、第２副画素Ｐ２及び第３副画素Ｐ３は、ｘ方向に沿って順次に配置されるストライプ（Stripe）配列に配置されるものと示しているが、本発明はそれに限定されるものではない。第１副画素Ｐ１、第２副画素Ｐ２及び第３副画素Ｐ３は、ペンタイルマトリックス（Pentile Matrix）配列、モザイク（Mosaic）配列、デルタ（Delta）配列などに多様に配置されることが可能である。
本実施形態において、第１副画素Ｐ１及び第２副画素Ｐ２の領域には、第１発光層ＥＭＬａ及び第１正孔輸送層ＨＴＬａが配置され、第３副画素Ｐ３の領域には、第２発光層ＥＭＬｂ及び第２正孔輸送層ＨＴＬｂが配置される。すなわち、第１副画素Ｐ１と第２副画素Ｐ２とが配置される領域と、第３副画素Ｐ３が配置される領域とに、互いに異なる発光層及び正孔輸送層が配置される。発光層及び正孔輸送層の物質については後述する。
そのような第１副画素Ｐ１と第２副画素Ｐ２とが配置される領域と、第３副画素Ｐ３が配置される領域とを分離するために、バンク１１９ｂが配置されてもよい。バンク１１９ｂは、互いに隣接する第１副画素Ｐ１と第３副画素Ｐ３との間、及び第２副画素Ｐ２と第３副画素Ｐ３との間に配置可能である。一部の実施形態において、バンク１１９ｂは、第３副画素Ｐ３を少なくとも一部取り囲んで配置可能である。バンク１１９ｂは、第１副画素Ｐ１と第２副画素Ｐ２との間には配置されず、第１副画素Ｐ１と第２副画素Ｐ２とを少なくとも一部取り囲んで配置可能である。
図４は、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の表示領域ＤＡの一部を示す断面図であり、図３のＩ－Ｉ’線に対応する。
図４を参照すると、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の表示領域ＤＡ上には、少なくとも１つの薄膜トランジスタＴ１、及び薄膜トランジスタＴ１と接続されたディスプレイ素子が配置される。図４の表示領域ＤＡにおいては、図２Ａ及び図２Ｂを参照して説明した画素回路ＰＣのうち、駆動薄膜トランジスタＴ１及びストレージキャパシタＣｓｔを示している。
ディスプレイ装置の表示領域ＤＡは、複数の副画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を含み、各副画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、発光領域ＥＡを含む。発光領域ＥＡは、光が生成されて外部に出射される領域である。発光領域ＥＡ間には、非発光領域ＮＥＡが配置され、非発光領域ＮＥＡにより、各副画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の発光領域ＥＡが区分される。
本実施形態によるディスプレイ装置は、少なくとも１つの副画素に対応する、色変換層を具備する。例えば、図４に示すように、第１副画素Ｐ１及び第２副画素Ｐ２に、それぞれ第１色変換層ＱＤ１及び第２色変換層ＱＤ２が具備されてもよい。色変換層ＱＤ１、ＱＤ２は、量子ドットと散乱粒子とを含んでもよい。
一方、第３副画素Ｐ３の発光領域には、対応する色変換層が存在せず、透過窓ＴＷが配置される。透過窓ＴＷは、第３副画素Ｐ３の有機発光ダイオードＯＬＥＤから発光する光の波長変換なしに、光が放出可能な有機物質で形成されてもよい。
第１副画素Ｐ１及び第２副画素Ｐ２に含まれた第１及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２は、同一色の光を放出することができる。第３副画素Ｐ３に含まれた第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３は、第１副画素Ｐ１及び第２副画素Ｐ２に含まれた第１及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２と異なる色の光を放出することができる。
以下、説明の便宜上、図４の表示領域ＤＡに配置された構成を積層順序によって説明する。
基板１００は、ガラス材、セラミック材、金属材、あるいはフレキシブル（可撓性）またはベンダブル（折り曲げ可能）の特性を有する物質を含んでもよい。基板１００がフレキシブルまたはベンダブルの特性を有する場合、基板１００は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）またはセルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）のような高分子樹脂を含んでもよい。基板１００は、上述した物質の単層構造または多層構造を有することができ、多層構造の場合、無機層をさらに含んでもよい。一部の実施形態において、基板１００は、有機物／無機物／有機物の構造を有することができる。
基板１００上には第１バッファ層が配置される。基板１００と第１バッファ層１１１との間には、バリア層（図示せず）がさらに含まれてもよい。バリア層は、基板１００などからの不純物の半導体層Ａ１への浸透を防止または最小化することができる。バリア層は、酸化物または窒化物のような無機物、有機物、あるいは有無機複合物を含んでもよく、無機物と有機物との単層構造または多層構造を有することができる。
第１バッファ層１１１上には、駆動薄膜トランジスタＴ１に対応するように、バイアス電極ＢＳＭが配置される。バイアス電極ＢＳＭには、所定の電圧が印加される。例えば、バイアス電極ＢＳＭは、センシング薄膜トランジスタＴ３（図２Ｂ）のソース電極Ｓ３（図２Ｂ）と接続され、ソース電極Ｓ３の電圧が印加される。また、バイアス電極ＢＳＭは、外部光が半導体層Ａ１に達することを防止することができる。それにより、駆動薄膜トランジスタＴ１の特性が安定化される。一方、バイアス電極ＢＳＭは、場合によっては省略可能である。
第１バッファ層１１１上及びバイアス電極ＢＳＭ上には第２バッファ層１１２が配置される。第２バッファ層１１２上には、半導体層Ａ１が配置される。半導体層Ａ１は、アモルファスシリコンを含むか、あるいはポリシリコンを含む。他の実施形態として、半導体層Ａ１は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バナジウム（Ｖ）、ハフニウム（Ｈｆ）、カドミウム（Ｃｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、セシウム（Ｃｓ）、セリウム（Ｃｅ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む群から選択された少なくとも１つ以上の物質の酸化物を含んでもよい。一部の実施形態において、半導体層Ａ１は、Ｚｎ酸化物系物質として、Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｇａ－Ｉｎ－Ｚｎ酸化物などで形成可能である。さらに他の実施形態において、半導体層Ａ１は、ＺｎＯにインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）のような金属が含有されたＩＧＺＯ（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ）またはＩＧＴＺＯ（Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ）半導体であってもよい。半導体層Ａ１は、チャネル領域、該チャネル領域の両側に配置されたソース領域及びドレイン領域を含む。半導体層Ａ１は、単層または多層で構成可能である。
半導体層Ａ１上には、ゲート絶縁層１１３を挟んで、該半導体層Ａ１と少なくとも一部重畳されるように、ゲート電極Ｇ１が配置される。ゲート電極Ｇ１は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含み、単層または多層で構成可能である。一例として、ゲート電極Ｇ１は、Ｍｏの単層であってもよい。ゲート電極Ｇ１と同一層に、ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極ＣＥ１が配置される。第１電極ＣＥ１は、ゲート電極Ｇ１と同一物質で形成可能である。
ゲート電極Ｇ１及びストレージキャパシタＣｓｔの第１電極ＣＥ１を覆うように、層間絶縁層１１５が配置される。層間絶縁層１１５は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）、チタン酸化物（ＴｉＯ２）、タンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ２）または亜鉛酸化物（ＺｎＯ２）などを含んでもよい。
層間絶縁層１１５の上部には、ストレージキャパシタＣｓｔの第２電極ＣＥ２、ソース電極Ｓ１、ドレイン電極Ｄ１及びデータラインＤＬが配置される。
ストレージキャパシタＣｓｔの第２電極ＣＥ２、ソース電極Ｓ１、ドレイン電極Ｄ１及びデータラインＤＬは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含んでもよく、上述の材料を含む多層または単層で形成可能である。一例として、第２電極ＣＥ２、ソース電極Ｓ１、ドレイン電極Ｄ１及びデータラインＤＬは、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの多層構造からなってもよい。ソース電極Ｓ１及びドレイン電極Ｄ１は、コンタクトホールを介して、半導体層Ａ１のソース領域またはドレイン領域に接続可能である。
ストレージキャパシタＣｓｔの第２電極ＣＥ２は、層間絶縁層１１５を挟んで第１電極ＣＥ１と重畳し、キャパシタンスを形成する。その場合、層間絶縁層１１５は、ストレージキャパシタＣｓｔの誘電体層として機能する。
ストレージキャパシタＣｓｔの第２電極ＣＥ２、ソース電極Ｓ１、ドレイン電極Ｄ１及びデータラインＤＬは、無機保護層ＰＶＸによりカバーされてもよい。
無機保護層ＰＶＸは、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯｘ）との単一膜または多層膜である。無機保護層ＰＶＸは、層間絶縁層１１５上に配置された一部の配線をカバーして保護するために導入されたものである。基板１００の一部の領域（例えば、周辺領域の一部）には、データラインＤＬと同じ工程において共に形成された配線（図示せず）が露出されうる。配線の露出された部分は、後述する画素電極３１０のパターニング時に使用されるエッチャントにより損傷されうるが、本実施形態のように、無機保護層ＰＶＸが、データラインＤＬ、及びデータラインＤＬと共に形成された配線の少なくとも一部をカバーするので、配線が画素電極３１０のパターニング工程において損傷されることを防止することができる。
無機保護層ＰＶＸ上には、平坦化層１１８が配置され、平坦化層１１８上に有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３が配置される。
平坦化層１１８は、有機物質からなる膜で形成され、単層または多層で形成可能であり、平坦な上面を提供する。そのような平坦化層１１８は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド（ＰＩ）、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ）やポリスチレン（ＰＳ）のような汎用高分子、フェノール類を有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ－キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びそれらの混合物などを含んでもよい。
基板１００の表示領域ＤＡにおいて、平坦化層１１８上には、第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３が配置される。第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１は、第１副画素Ｐ１の領域に配置され、第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２は、第２副画素Ｐ２の領域に配置され、第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３は、第３副画素Ｐ３の領域に配置される。第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３は、それぞれ画素電極３１０、発光層を含む中間層、及び対向電極３３０を含む。
画素電極３１０は、平坦化層１１８上で、有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３別にパターニングされて形成される。画素電極３１０は、画素回路ＰＣと電気的に接続可能である。
画素電極３１０は、（半）透光性電極または反射電極である。一部の実施形態において、画素電極３１０は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びそれらの化合物などで形成された反射層と、該反射層上に形成された透明電極層または半透明電極層とを具備してもよい。透明電極層または半透明電極層は、インジウムスズオキサイド(indium tin oxide：ITO)、インジウムジンクオキサイド（indium zinc oxide： IZO）、ジンクオキサイド（zinc oxide：ZnO）、インジウムオキサイド（indium oxide：In2O3）、インジウムガリウムオキサイド（indium gallium oxide：IGO）及びアルミニウムジンクオキサイド（aluminum zinc oxide：AZO）を含むグループから選択された少なくとも１つ以上を含んでもよい。一部の実施形態において、画素電極３１０は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯで形成可能である。
平坦化層１１８上には、画素定義膜１１９が配置され、画素定義膜１１９は、表示領域ＤＡにおいて、各副画素に対応する開口、すなわち、少なくとも画素電極３１０の中央部を露出する開口ＯＰを有することにより、副画素の発光領域を定義することができる。また、画素定義膜１１９は、画素電極３１０のエッジと、画素電極３１０の上部の対向電極３３０との距離を増大させることにより、画素電極３１０のエッジでのアークなどの発生を防止することができる。
画素定義膜１１９は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン及びフェノール樹脂からなる群から選択される１つ以上の有機絶縁物質で形成され、スピンコーティングなどの方法により形成可能である。
第１及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２は、第１中間層３２０ａを含み、第１中間層３２０ａは、第１発光層ＥＭＬａ及び第１正孔輸送層ＨＴＬａを含む。第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３は、第２中間層３２０ｂを含み、第２中間層３２０ｂは、第２発光層ＥＭＬｂ及び第２正孔輸送層ＨＴＬｂを含む。第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３は、発光層ＥＭＬａ、ＥＭＬｂ下及び上に、正孔注入層（HIL： hole injection layer）、電子輸送層（ETL： electron transport layer）及び電子注入層（EIL： electron injection layer）などのような機能層を選択的にさらに有してもよい。
本実施形態において、第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１と第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２には、第１発光層ＥＭＬａと第１正孔輸送層ＨＴＬａとが共通に具備され、第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３には、第２発光層ＥＭＬｂと第２正孔輸送層ＨＴＬｂとが具備される。
第１発光層ＥＭＬａは、第２発光層ＥＭＬｂと異なる色の光を放出することができる。一部の実施形態において、第１発光層ＥＭＬａは、緑色光を放出する有機物質で形成され、第２発光層ＥＭＬｂは、青色光を放出する有機物質で形成されることが可能である。
第１発光層ＥＭＬａは、所定のホスト物質に、例えば、緑色ドーパントを使用することによって形成される。例えば、第１発光層ＥＭＬａは、トリス（４－カルバゾイル－９－イルフェニル）アミン（ＴＣＴＡ）、４，４’－ビス（Ｎ－カルバゾリル）－１，１’－ビフェニル（ＣＢＰ）、ビス（８－ヒドロキシ－２－メチルキノリン）－（４－フェニルフェノキシ）アルミニウム（Ｂａｌｑ）及びポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）などの燐光ホスト物質を含んでもよい。また、第１発光層ＥＭＬａは、Ｉｒ（ｐｐｙ）３またはＩｒ（ｍｍａｐｙ）３などの燐光ドーパントがドーピングされて形成可能である。
第２発光層ＥＭＬｂは、所定のホスト物質に、例えば、青色ドーパントを使用することによって形成される。例えば、第２発光層ＥＭＬｂは、ＣＢＰまたはｍＣＰを含むホスト物質を含み、（４，６－Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒｐｉｃを含むドーパント物質を含む燐光物質からなってもよい。それとは異なり、第２発光層ＥＭＬｂは、ｓｐｉｒｏ－ＤＰＶＢｉ、ｓｐｉｒｏ－６Ｐ、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジスチリルアリーレン（ＤＳＡ）、ＰＦＯ系高分子及びＰＰＶ系高分子からなる群から選択されたいずれか１つを含む蛍光物質からなってもよいが、これに限定されるものではない。
第１正孔輸送層ＨＴＬａは、第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２の画素電極３１０と第１発光層ＥＭＬａとの間に配置され、第２正孔輸送層ＨＴＬｂは、第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３の画素電極３１０と第２発光層ＥＭＬｂとの間に配置される。
そのような第１正孔輸送層ＨＴＬａ及び第２正孔輸送層ＨＴＬｂは、正極である画素電極３１０から伝達された正孔をスムーズに第１発光層ＥＭＬａ及び第２発光層ＥＭＬｂに移動させ、負極である対向電極３３０から伝達された電子を第１発光層ＥＭＬａ及び第２発光層ＥＭＬｂに留めることができる。
本実施形態において、第１正孔輸送層ＨＴＬａの正孔移動度は、第２正孔輸送層ＨＴＬｂの正孔移動度とは異なる。一部の実施形態において、第１正孔輸送層ＨＴＬａの正孔移動度は、第２正孔輸送層ＨＴＬａの正孔移動度より低い。
一部の実施形態において、第１正孔輸送層ＨＴＬａ及び第２正孔輸送層ＨＴＬｂは、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（ＴＰＤ）またはＮ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン（ＮＰＢ）のような、高い正孔移動度を有し、安定性に優れたトリフェニルアミン誘導体を、正孔輸送層のホストとして含んでもよい。
第１正孔輸送層ＨＴＬａ及び第２正孔輸送層ＨＴＬｂの正孔移動度を調節するために、第１正孔輸送層ＨＴＬａのホストにＰ型有機ドーパントをドーピングし、正孔移動度を上昇させることができる。Ｐ型有機ドーパントは、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）及び２，３，５，６－テトラフルオロ－テトラシアノ－１，４－ベンゾキノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）のようなキノン誘導体、２－（７－ジシアノメチレン－１，３，４，５，６，８，９，１０－オクタフルオロ－７Ｈ－ピレン－２－イリデン）－マロノニトリル（ＮＤＰ－９；ノバレッド社製）のようなシアノ基含有化合物であってもよい。
Ｐ型有機ドーパントのドーピング濃度は、約０．５％以上２５％以下であってもよい。
また、第２正孔輸送層ＨＴＬｂのホストに、高い誘電定数を有する酸化物をドーピングし、正孔移動度を低減させることができる。酸化物の誘電定数は、約３以上６０以下の範囲の値を有することができる。当該酸化物は、ＨｆＯｘ、ＺｒＯｘ、ＬａＯｘ、Ｌａ２Ｏ３、ＬａＡｌＯｘ、ＴａＯｘ、ＡｌＯｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＳｉＯ４、ＨｆＳｉＯ４、ＳｒＯ、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＢａＯ、ＢａＺｒＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ２及びＳｉ３Ｎ４のうちいずれか１つであってもよい。この場合、酸化物のドーピング濃度は、約０．５％以上３０％以下であってもよい。
他の実施形態として、第１正孔輸送層ＨＴＬａ及び第２正孔輸送層ＨＴＬｂの両方に、高い誘電定数を有する酸化物をホストにドーピングし、正孔移動度を調節することができる。例えば、第１正孔輸送層ＨＴＬａにドーピングされた酸化物のドーピング濃度を、第２正孔輸送層ＨＴＬｂにドーピングされた酸化物のドーピング濃度より低くし、第１正孔輸送層ＨＴＬａの正孔移動度を、第２正孔輸送層ＨＴＬｂの正孔移動度より高く調節することができる。
本実施形態において、第１～第３副画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が最終的に出す色は、上部基板２００の外部で見られる色であり、第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３に同一の発光層が適用される場合、第１色変換層ＱＤ１及び第２色変換層ＱＤ２の光変換効率により、第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３に供給される電圧が変わりうる。
例えば、第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３にいずれも青色発光層が適用される場合、赤色や緑色を出す第１及び第２副画素Ｐ１、Ｐ２は、色変換層により光変換が行われなければならないところ、青色を出す第３副画素Ｐ３と同一の輝度を出すためには、第１及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２にさらに多くの駆動電圧を供給しなければならず、その場合、消費電力が急激に上昇する。
本実施形態においては、そのような光変換効率を考慮して、第１及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２には、第１発光層ＥＭＬａを採用し、第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３には、第１発光層ＥＭＬａと異なる色を出す第２発光層ＥＭＬｂを採用することにより、消費電力を低減し、効率を向上させることができる。
一方、有機発光ダイオードは、発光層の種類によって、寿命が異なりうる。例えば、青色発光層は、緑色発光層及び赤色発光層より寿命が短い。
本実施形態においては、発光層の寿命によって、正孔輸送層の正孔移動度を調節し、有機発光ダイオードの寿命を改善することができる。すなわち、相対的に寿命が長い第１発光層ＥＭＬａの下部には、正孔移動度が高い第１正孔輸送層ＨＴＬａを採用し、相対的に寿命が短い第２発光層ＥＭＬｂの下部には、正孔移動度が低い第２正孔輸送層ＨＴＬｂを採用することにより、第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３の寿命の均一性を確保することができる。
対向電極３３０は、電子注入電極であるカソードである。、対向電極３３０用の物質としては、低い仕事関数を有する金属、合金、導電性化合物またはそれらの任意の組み合わせを使用することができる。対向電極３３０は、透過型電極、半透過型電極または反射型電極である。
対向電極３３０は、リチウム（Ｌｉ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム・リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム・インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム・銀（Ｍｇ－Ａｇ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀・イッテルビウム（Ａｇ－Ｙｂ）、ＩＴＯ、ＩＺＯまたはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。対向電極３３０は、単一層である単層構造、または複数の層を有する多層構造を有することができる。
対向電極３３０は、表示領域ＤＡ及び周辺領域ＰＡにわたって配置され、中間層３２０及び画素定義膜１１９の上部に配置される。対向電極３３０は、複数の有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３において一体に形成され、複数の画素電極３１０に対応することができる。
画素定義膜１１９上には、バンク１１９ｂが配置される。バンク１１９ｂは、画素定義膜１１９と一体に形成される。例えば、バンク１１９ｂと画素定義膜１１９とは、ハーフトーンマスク工程を利用して、同一工程で同時に形成可能である。一部の実施形態において、バンク１１９ｂは、撥液性物質で形成可能である。
バンク１１９ｂは、第１発光層ＥＭＬａ及び第２発光層ＥＭＬｂを互いに分離させるための構造物でもある。バンク１１９ｂは、第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１と第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３との間、及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２と第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３との間に配置される。バンク１１９ｂは、第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１と第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２との間には配置されていない。
第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３は、外部からの水分や酸素などにより容易に損傷されるので、薄膜封止層４００で覆って保護されてもよい。薄膜封止層４００は、表示領域ＤＡを覆い、表示領域ＤＡの外側まで延びる。薄膜封止層４００は、少なくとも１層の有機封止層と、少なくとも１層の無機封止層とを含む。例えば、薄膜封止層４００は、第１無機封止層４１０、有機封止層４２０及び第２無機封止層４３０を含んでもよい。
第１無機封止層４１０は、対向電極３３０を覆い、酸化ケイ素、窒化ケイ素及び／または酸窒化ケイ素などを含んでもよい。図示していないが、必要に応じて、第１無機封止層４１０と対向電極３３０との間に、キャッピング層などの他の層が介在されることも可能である。第１無機封止層４１０は、その下部の構造物に沿って形成されるため、上面が平坦ではない。有機封止層４２０は、そのような第１無機封止層４１０を覆い、第１無機封止層４１０と異なり、その上面がほぼ平坦である。具体的には、有機封止層４２０は、表示領域ＤＡに対応する部分では上面がほぼ平坦である。有機封止層４２０は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレンスルホネート、ポリオキシメチレン、ポリアリレート及びヘキサメチルジシロキサンからなる群から選択された１つ以上の材料を含んでもよい。第２無機封止層４３０は、有機封止層４２０を覆い、酸化ケイ素、窒化ケイ素及び／または酸窒化ケイ素などを含んでもよい。
薄膜封止層４００は、このような多層構造を通じて、薄膜封止層４００内にクラックが発生した場合、第１無機封止層４１０と有機封止層４２０との間、または有機封止層４２０と第２無機封止層４３０との間で、そのようなクラックが連結されないようにする。それにより、外部から水分や酸素などが表示領域ＤＡに浸透する経路が形成されることを防止または最小化することができる。
薄膜封止層４００の上部には、充填材６１０が配置される。充填材６１０は、外部圧力などに対して緩衝作用を行うことができる。充填材６１０は、メチルシリコン、フェニルシリコン、ポリイミドなどの有機物質からなる。しかし、これらに限定されるものではなく、充填材６１０は、有機シーラントであるウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、または無機シーラントであるシリコンなどからなることもできる。
基板１００と対向するように配置された上部基板２００上には、色変換層ＱＤ１、ＱＤ２、透過窓ＴＷ及び隔壁２１０が配置される。隔壁２１０は、散乱粒子（図示せず）をさらに含んでもよい。
色変換層ＱＤ１、ＱＤ２は、それぞれ量子ドットを含む。本明細書において、量子ドットは、半導体化合物の結晶を意味し、結晶の大きさによって多様な発光波長の光を放出することができる任意の物質を含んでもよい。
量子ドットは、材質及び大きさによって固有な励起（excitation）及び発光（emission）特性を表し、それにより、入射光を所定のカラー光に変換することができる。量子ドットとして、多様な物質が採用可能である。例えば、量子ドットは、ＩＩ－ＶＩ族化合物、ＩＩＩ－Ｖ族化合物、ＩＩＩ－ＶＩ族化合物、Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物、ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物、ＩＶ族元素または化合物、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
ＩＩ－ＶＩ族化合物は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳ及びそれらの混合物からなる群から選択される二元化合物；ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳ及びそれらの混合物からなる群から選択される三元化合物；並びにＨｇＺｎＴｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される四元化合物からなる群から選択可能である。
ＩＩＩ－Ｖ族化合物は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ及びそれらの混合物からなる群から選択される二元化合物、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰ及びそれらの混合物からなる群から選択される三元化合物、並びにＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ及びこれらの混合物からなる群から選択される四元化合物からなる群から選択可能である。また、ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物は、ＩＩ族元素をさらに含んでもよい。ＩＩ族元素をさらに含むＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物の例は、ＩｎＺｎＰ、ＩｎＧａＺｎＰ、ＩｎＡｌＺｎＰなどを含む。
ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物の例は、ＧａＳ、ＧａＳｅ、Ｇａ２Ｓｅ３、ＧａＴｅ、ＩｎＳ、ＩｎＳｅ、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、ＩｎＴｅのような二元化合物、ＩｎＧａＳ３、ＩｎＧａＳｅ３のような三元化合物、またはこれらの任意の組み合わせ、を含む。
Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物の例は、ＡｇＩｎＳ、ＡｇＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳ、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＧａＯ２、ＡｇＧａＯ２、ＡｇＡｌＯ２のような三元化合物、またはこれらの任意の組み合わせ、を含む。
ＩＶ－ＶＩ族化合物は、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ及びそれらの混合物からなる群から選択される二元化合物、ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ及びそれらの混合物からなる群から選択される三元化合物、並びにＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される四元化合物からなる群から選択可能である。
ＩＶ族元素としては、Ｓｉ、Ｇｅ及びそれらの混合物からなる群から選択可能である。ＩＶ族化合物としては、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される二元化合物であってもよい。
このとき、二元化合物、三元化合物または四元化合物は、均一な濃度で粒子内に存在するか、あるいは濃度分布が部分的に異なる状態で同一粒子内に存在することができる。
量子ドットは、コア及びシェルを有するコア・シェル構造で形成されることも可能である。コアとシェルとの界面は、シェルに存在する元素の濃度が中心へ行くほど低くなる濃度勾配を有することができる。
量子ドットのシェルは、コアの化学的変性を防止し、半導体特性を維持するための保護層の役割、及び／または量子ドットに電気泳動特性を付与するためのチャージング層として機能することができる。シェルは、単層または多層である。コアとシェルとの界面は、シェルに存在する元素の濃度が中心へ行くほど低くなる濃度勾配を有することができる。
量子ドットのシェルの例としては、金属、準金属または非金属の酸化物、半導体化合物またはこれらの組み合わせなどが挙げられる。金属、準金属または非金属の酸化物の例は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｎＯ、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、ＣｕＯ、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯのような二元化合物、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＣｏＭｎ２Ｏ４のような三元化合物、またはそれらの任意の組み合わせ、を含む。半導体化合物の例は、本明細書に記載されたような、ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物、ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物、ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物、ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物、Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物、ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物、またはこれらの任意の組み合わせ、を含む。例えば、半導体化合物は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＴｅＳ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、またはこれらの任意の組み合わせを含む。
量子ドットは、約４５ｎｍ以下、好ましくは、約４０ｎｍ以下、さらに好ましくは、約３０ｎｍ以下の大きさを有することができ、その範囲では色純度や色再現性を向上させることができる。また、そのような量子ドットを介して発光される光は、全方向に放出されるところ、光視野角が向上する。
また、量子ドットの形態は、当該分野における一般的に使用する形態に特に限定されるものではないが、より具体的には、球形、ピラミッド型、マルチアーム型（multi-arm）、または立方体（cubic）のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤー、ナノファイバ、ナノ板状粒子などの形態であってもよい。
量子ドットのコアは、直径が２～１０ｎｍであり、量子ドットは、光に露出されると、粒子の大きさ及び物質の種類などにより、特定の周波数の光を放出することができるところ、第１色変換層ＱＤ１に含まれた量子ドットの平均サイズ、及び第２色変換層ＱＤ２に含まれた量子ドットの平均サイズは、互いに異なる。例えば、量子ドットのサイズが大きいほど、長い波長のカラーを放出することができる。したがって、第１副画素Ｐ１及び第２副画素Ｐ２のカラーに合わせて、量子ドットの大きさを選択することができる。
色変換層ＱＤ１、ＱＤ２は、量子ドット以外に、それらを混合して適切に分散させるようにする多様な物質をさらに含んでもよい。例えば、散乱粒子、溶剤、光開始剤、バインダーポリマー、分散剤などをさらに含んでもよい。
第３副画素Ｐ３の発光領域には、色変換層が具備されず、透過窓ＴＷが配置される。透過窓ＴＷは、第３副画素Ｐ３の第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３から発光する光の波長変換なしに、光が放出可能な有機物質で形成可能である。透過窓ＴＷには、色拡散性を均一にするための散乱粒子が含まれてもよい。その場合、散乱粒子は、約２００ｎｍ～４００ｎｍ範囲の直径を有することができる。
本実施形態において、第１副画素Ｐ１及び第２副画素Ｐ２に含まれた第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２は、同一波長の光を放出することができ、第１副画素Ｐ１及び第２副画素Ｐ２の色は、第１色変換層ＱＤ１の量子ドット、及び第２色変換層ＱＤ２の量子ドットが放出する色として決定される。
一方、第３副画素Ｐ３の発光領域ＥＡに対応して色変換層が具備されないところ、第３副画素Ｐ３の色は、第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３が放出する色として決定される。例えば、第１副画素Ｐ１は赤色、第２副画素Ｐ２は緑色、第３副画素Ｐ３は青色を実現することができる。
一部の実施形態において、第２色変換層ＱＤ２の代わりに、透過窓が適用されることにより、第２副画素Ｐ２の色は、第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２が放出する色として実現されることも可能である。
隔壁２１０は、非発光領域ＮＥＡに対応するように、第１色変換層ＱＤ１、第２色変換層ＱＤ２及び透過窓ＴＷの間に配置される。具体的には、隔壁２１０は、第１色変換層ＱＤ１と第２色変換層ＱＤ２との間、第２色変換層ＱＤ２と透過窓ＴＷとの間などに配置可能である。
隔壁２１０は、有機物質、及び光学密度を調節するための材料として、Ｃｒ、ＣｒＯｘ、Ｃｒ／ＣｒＯｘ、Ｃｒ／ＣｒＯｘ／ＣｒＮｙ、樹脂（カーボン顔料、ＲＧＢ混合顔料）、グラファイト、Ｎｏｎ－Ｃｒ系などの材料を含んでもよい。あるいは、隔壁２１０は、赤色、緑色、黄色などのカラーを出す顔料を含んでもよい。隔壁２１０は、混色を防止し、視認性を向上させるためのブラックマトリックスとして機能することができる。
上部基板２００、第１及び第２色変換層ＱＤ１、ＱＤ２、並びに透過窓ＴＷの間には、カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３及び光遮断パターンＢＭが具備される。
カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３は、フルカラー映像の実現、色純度の向上及び野外視認性の向上のために導入されたものでもある。第１カラーフィルタＣＦ１は、第１色変換層ＱＤ１で変換された光は通過させ、変換されない光は吸収することができる。同様に、第２カラーフィルタＣＦ２は、第２色変換層ＱＤ２で変換された光は通過させ、変換されない光は吸収することができる。第３カラーフィルタＣＦ３は、有機発光ダイオードＯＬＥＤから出す光と同一色で実現される。また、カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３は、外部から入射される光を遮断し、色変換層ＱＤ１、ＱＤ２の量子ドットが発光することを抑制することができる。
一部の実施形態において、第１カラーフィルタＣＦ１は赤色、第２カラーフィルタＣＦ２は緑色、第３カラーフィルタＣＦ３は青色を有することができる。
光遮断パターンＢＭは、非発光領域ＮＥＡに対応するように、第１～第３カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３の間に配置される。光遮断パターンＢＭは、ブラックマットリックスとして、色鮮明度及びコントラストを向上させるための部材でもある。光遮断パターンＢＭは、黒色顔料、黒色染料または黒色粒子のうち少なくとも１つを含んでもよい。一部の実施形態において、光遮断パターンＢＭは、Ｃｒ、ＣｒＯｘ、Ｃｒ／ＣｒＯｘ、Ｃｒ／ＣｒＯｘ／ＣｒＮｙ、樹脂（カーボン顔料、ＲＧＢ混合顔料）、グラファイト、Ｎｏｎ－Ｃｒ系などの材料を含んでもよい。
第１～第３カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３のうち、互いに隣接して配置されたカラーフィルタは、非発光領域ＮＥＡで重畳されるように配置される。互いに異なる色のカラーフィルタが重畳されるように具備されることにより、光遮断率を向上させることができる。カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３及び光遮断パターンＢＭは、場合によっては省略可能である。
図５は、本実施形態によるディスプレイ装置に採用可能な第１～第３有機発光ダイオードの概略的な断面図である。図５において、図４と同一参照符号は、同一部材を指すところ、それらの重複説明は省略する。
図５を参照すると、第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３の画素電極３１０は、第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３別にパターニングされて形成される。第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３の対向電極３３０は、第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３に共通に具備される。
第１及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２は、第１中間層３２０ａを含み、第１中間層３２０ａは、第１発光層ＥＭＬａ及び第１正孔輸送層ＨＴＬａを含む。また、第１中間層３２０ａは、正孔注入層ＨＩＬ、第１電子輸送層ＥＴＬａ及び電子注入層ＥＩＬをさらに含んでもよい。正孔注入層ＨＩＬは、画素電極３１０と第１正孔輸送層ＨＴＬａとの間に配置される。第１電子輸送層ＥＴＬａは、第１発光層ＥＭＬａの上部に配置され、対向電極３３０からの電子を第１発光層ＥＭＬａに輸送することができる。電子注入層ＥＩＬは、第１電子輸送層ＥＴＬａと対向電極３３０との間に配置される。
第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３は、第２中間層３２０ｂを含み、第２中間層３２０ｂは、第２発光層ＥＭＬｂ及び第２正孔輸送層ＨＴＬｂを含む。また、第２中間層３２０ｂは、正孔注入層ＨＩＬ、第２電子輸送層ＥＴＬｂ及び電子注入層ＥＩＬをさらに含んでもよい。正孔注入層ＨＩＬは、画素電極３１０と第２正孔輸送層ＨＴＬｂとの間に配置される。第２電子輸送層ＥＴＬｂは、第２発光層ＥＭＬｂの上部に配置され、対向電極３３０からの電子を第２発光層ＥＭＬｂに輸送することができる。電子注入層ＥＩＬは、第２電子輸送層ＥＴＬｂと対向電極３３０との間に配置される。
第１電子輸送層ＥＴＬａ及び第２電子輸送層ＥＴＬｂは、電子の輸送をスムーズにする役割を行い、トリス（８－ヒドロキシキノリノ）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ｓｐｉｒｏ－ＰＢＤ、ＢＡｌｑ、リチウムキノラート（Ｌｉｑ）、ＢＭＢ－３Ｔ、ＰＦ－６Ｐ、ＴＰＢＩ、ＣＯＴ及びＳＡｌｑからなる群から選択されたいずれか１つ以上からなってもよいが、これらに限定されるものではない。一部の実施形態において、第１電子輸送層ＥＴＬａは、第２電子輸送層ＥＴＬｂと異なる物質を含むこともできる。
正孔注入層ＨＩＬは、第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３に共通に適用可能である。正孔注入層ＨＩＬは、正孔の注入をスムーズにする役割を行い、ＨＡＴＣＮ、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、ポリ（３，４）－エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）及びＮ，Ｎ－ジナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）からなる群から選択されたいずれか１つ以上からなってもよいが、これらに限定されるものではない。
電子注入層ＥＩＬは、第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３に共通に適用可能である。電子注入層ＥＩＬは、Ｙｂ、トリス（８－ヒドロキシキノリノ）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ｓｐｉｒｏ－ＰＢＤ、ＢＡｌｑまたはＳＡｌｑを使用できるが、これらに限定されるものではない。
本実施形態において、第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１と第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２には、第１発光層ＥＭＬａと第１正孔輸送層ＨＴＬａとが共通に具備され、第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３には、第２発光層ＥＭＬｂと第２正孔輸送層ＨＴＬｂとが具備される。
第１発光層ＥＭＬａは、第２発光層ＥＭＬｂと異なる色の光を放出することができる。一部の実施形態において、第１発光層ＥＭＬａは、緑色光を放出する有機物質で形成され、第２発光層ＥＭＬｂは、青色光を放出する有機物質で形成されることが可能である。
第１発光層ＥＭＬａは、所定のホスト物質に、例えば、緑色ドーパントを使用することによって形成される。第２発光層ＥＭＬｂは、所定のホスト物質に、例えば、青色ドーパントを使用することによって形成される。
第１正孔輸送層ＨＴＬａは、第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２の画素電極３１０と第１発光層ＥＭＬａとの間に配置され、第２正孔輸送層ＨＴＬｂは、第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３の画素電極３１０と第２発光層ＥＭＬｂとの間に配置される。
本実施形態において、第１正孔輸送層ＨＴＬａの正孔移動度は、第２正孔輸送層ＨＴＬｂの正孔移動度とは異なる。一部の実施形態において、第１正孔輸送層ＨＴＬａの正孔移動度は、第２正孔輸送層ＨＴＬａの正孔移動度より低い。
一部の実施形態において、第１正孔輸送層ＨＴＬａ及び第２正孔輸送層ＨＴＬｂは、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（ＴＰＤ）またはＮ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン（ＮＰＢ）のような、高い正孔移動度を有し、安定性に優れたトリフェニルアミン誘導体を、正孔輸送層のホストとして含んでもよい。
第１正孔輸送層ＨＴＬａ及び第２正孔輸送層ＨＴＬｂの正孔移動度を調節するために、第１正孔輸送層ＨＴＬａのホストにＰ型有機ドーパントをドーピングし、正孔移動度を上昇させることができる。Ｐ型有機ドーパントは、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）及び２，３，５，６－テトラフルオロ－テトラシアノ－１，４－ベンゾキノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）のようなキノン誘導体、２－（７－ジシアノメチレン－１，３，４，５，６，８，９，１０－オクタフルオロ－７Ｈ－ピレン－２－イリデン）－マロノニトリル（ＮＤＰ－９；ノバレッド社製）のようなシアノ基含有化合物であってもよい。
Ｐ型有機ドーパントのドーピング濃度は、約０．５％以上２５％以下であってもよい。
また、第２正孔輸送層ＨＴＬｂのホストに、高い誘電定数を有する酸化物をドーピングし、正孔移動度を低減させることができる。酸化物の誘電定数は、約３以上６０以下の範囲の値を有することができる。酸化物は、ＨｆＯｘ、ＺｒＯｘ、ＬａＯｘ、Ｌａ２Ｏ３、ＬａＡｌＯｘ、ＴａＯｘ、ＡｌＯｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＳｉＯ４、ＨｆＳｉＯ４、ＳｒＯ、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＢａＯ、ＢａＺｒＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ２及びＳｉ３Ｎ４のうちいずれか１つであってもよい。この場合、酸化物のドーピング濃度は、約０．５％以上３０％以下であってもよい。若し、誘電定数が低い酸化物を第２正孔輸送層ＨＴＬｂに追加する場合、電荷の移動が急激に制限されて、第２正孔輸送層ＨＴＬｂが正しく機能されない恐れがある。本実施形態においては、誘電定数が高い酸化物をドーピングするため、双極子（dipole）による電荷移動が可能である。すなわち、本実施形態においては、誘電定数が高い酸化物をドーピングすることにより、第２正孔輸送層ＨＴＬｂの役割を十分に行うと共に、正孔移動度を調節することができる。
他の実施形態として、第１正孔輸送層ＨＴＬａ及び第２正孔輸送層ＨＴＬｂの両方に、高い誘電定数を有する酸化物をホストにドーピングし、正孔移動度を調節することができる。例えば、第１正孔輸送層ＨＴＬａにドーピングされた酸化物のドーピング濃度を、第２正孔輸送層ＨＴＬｂにドーピングされた酸化物のドーピング濃度より低くし、第１正孔輸送層ＨＴＬａの正孔移動度を、第２正孔輸送層ＨＴＬｂの正孔移動度より高く調節することができる。
図６は、本実施形態によるディスプレイ装置に採用可能な第１～第３有機発光ダイオードの概略的な断面図である。図６において、図５と同一参照符号は、同一部材を指すところ、それらの重複説明は省略する。
図６を参照すると、第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３の中間層３２０ａ、３２０ｂは、複数の発光層が積層されて具備されることが可能である。
例えば、第１及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２の第１中間層３２０ａでは、第１発光層ＥＭＬａの上部に第１－１発光層ＥＭＬａ－１が配置される。第１－１発光層ＥＭＬａ－１は、第１発光層ＥＭＬａと同一物質で形成可能である。例えば、第１発光層ＥＭＬａ及び第１－１発光層ＥＭＬａ－１は、緑色光を放出する有機物質で形成可能である。
第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３の第２中間層３２０ｂでは、第２発光層ＥＭＬｂの上部に第２－１発光層ＥＭＬｂ－１が配置される。第２－１発光層ＥＭＬｂ－１は、第２発光層ＥＭＬｂと同一物質で形成可能である。例えば、第２発光層ＥＭＬｂ及び第２－１発光層ＥＭＬｂ－１は、青色光を放出する有機物質で形成可能である。
一部の実施形態において、第１中間層３２０ａは、第１発光層ＥＭＬａを含む第１スタック３２１ａ、第１－１発光層ＥＭＬａ－１を含む第１－１スタック３２３ａ、及び第１スタック３２１ａと第１－１スタック３２３ａとの間の電荷生成層３２２ａを含むこともできる。
第１スタック３２１ａは、正孔注入層ＨＩＬ、第１正孔輸送層ＨＴＬａ、第１発光層ＥＭＬａ及び第１電子輸送層ＥＴＬａが順次に積層された構造を有してもよい。第１－１スタック３２３ａは、第１－１正孔輸送層ＨＴＬａ－１、第１－１発光層ＥＭＬａ－１及び第１－１電子輸送層ＥＴＬａ－１が順次に積層された構造を有してもよい。
電荷生成層３２２ａは、第１スタック３２１ａ及び第１－１スタック３２３ａに電荷を供給することができる。電荷生成層３２２ａは、第１スタック３２１ａに電子を供給するためのｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬと、第１－１スタック３２３ａに正孔を供給するためのｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬとを含んでもよい。ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬは、金属物質をドーパントとして含んでもよい。
同様に、第２中間層３２０ｂは、第２発光層ＥＭＬｂを含む第２スタック３２１ｂ、第２－１発光層ＥＭＬｂ－１を含む第２－１スタック３２３ｂ、及び第２スタック３２１ｂと第２－１スタック３２３ｂとの間の電荷生成層３２２ｂを含むこともできる。
第２スタック３２１ｂは、正孔注入層ＨＩＬ、第２正孔輸送層ＨＴＬｂ、第２発光層ＥＭＬｂ及び第２電子輸送層ＥＴＬｂが順次に積層された構造を有してもよい。第２－１スタック３２３ｂは、第２－１正孔輸送層ＨＴＬｂ－１、第２－１発光層ＥＭＬｂ－１及び第２－１電子輸送層ＥＴＬｂ－１が順次に積層された構造を有してもよい。
電荷生成層３２２ｂは、第２スタック３２１ｂ及び第２－１スタック３２３ｂに電荷を供給することができる。電荷生成層３２２ｂは、第２スタック３２１ｂに電子を供給するためのｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬと、第２－１スタック３２３ｂに正孔を供給するためのｐ型電荷生成層ｐ－ＣＧＬとを含んでもよい。ｎ型電荷生成層ｎ－ＣＧＬは、金属物質をドーパントとして含んでもよい。
第１中間層３２０ａ及び第２中間層３２０ｂの一部の部材は、同一物質で形成可能である。例えば、正孔注入層ＨＩＬ及び電子注入層ＥＩＬは、第１中間層３２０ａと第２中間層３２０ｂに共通に適用可能である。
本実施形態において、第１正孔輸送層ＨＴＬａ及び第１－１正孔輸送層ＨＴＬａ－１の正孔移動度は、第２正孔輸送層ＨＴＬｂ及び第２－１正孔輸送層ＨＴＬｂ－１の正孔移動度とは異なる。一部の実施形態において、第１正孔輸送層ＨＴＬａ及び第１－１正孔輸送層ＨＴＬａ－１の正孔移動度は、第２正孔輸送層ＨＴＬｂ及び第２－１正孔輸送層ＨＴＬｂ－１の正孔移動度より低い。
第１正孔輸送層ＨＴＬａ及び第１－１正孔輸送層ＨＴＬａ－１のホストに、Ｐ型有機ドーパントをドーピングし、正孔移動度を上昇させることができる。Ｐ型有機ドーパントは、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）及び２，３，５，６－テトラフルオロ－テトラシアノ－１，４－ベンゾキノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）のようなキノン誘導体、２－（７－ジシアノメチレン－１，３，４，５，６，８，９，１０－オクタフルオロ－７Ｈ－ピレン－２－イリデン）－マロノニトリル（ＮＤＰ－９；ノバレッド社製）のようなシアノ基含有化合物であってもよい。
Ｐ型有機ドーパントのドーピング濃度は、約０．５％以上２５％以下であってもよい。
また、第２正孔輸送層ＨＴＬｂ及び第２－１正孔輸送層ＨＴＬｂ－１のホストに、高い誘電定数を有する酸化物をドーピングし、正孔移動度を低減させることができる。酸化物の誘電定数は、約３以上６０以下の範囲の値を有することができる。酸化物は、ＨｆＯｘ、ＺｒＯｘ、ＬａＯｘ、Ｌａ２Ｏ３、ＬａＡｌＯｘ、ＴａＯｘ、ＡｌＯｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＳｉＯ４、ＨｆＳｉＯ４、ＳｒＯ、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＢａＯ、ＢａＺｒＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ２及びＳｉ３Ｎ４のうちいずれか１つで形成されてもよい。その場合、酸化物のドーピング濃度は、約０．５％以上３０％以下であってもよい。
他の実施形態として、第１正孔輸送層ＨＴＬａ、第１－１正孔輸送層ＨＴＬａ－１、第２正孔輸送層ＨＴＬｂ及び第２－１正孔輸送層ＨＴＬｂ－１に、いずれも高い誘電定数を有する酸化物をホストにドーピングし、正孔移動度を調節することができる。例えば、第１正孔輸送層ＨＴＬａ及び第１－１正孔輸送層ＨＴＬａ－１にドーピングされた酸化物のドーピング濃度を、第２正孔輸送層ＨＴＬｂ及び第２－１正孔輸送層ＨＴＬｂ－１にドーピングされた酸化物のドーピング濃度より低くし、第１正孔輸送層ＨＴＬａの正孔移動度を、第２正孔輸送層ＨＴＬｂの正孔移動度より高く調節することができる。
図７及び図８は、本実施形態によるディスプレイ装置に採用可能な第１～第３有機発光ダイオードの概略的な断面図である。図７及び図８において、図６と同一参照符号は、同一部材を指すところ、それらの重複説明は省略する。
図７及び図８を参照すると、第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３の中間層３２０ａ、３２０ｂは、複数の発光層が積層されて具備されることが可能である。図７及び図８において、発光層が３層積層された構造を示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。発光層が４層以上に形成可能であるということはいうまでもない。
例えば、第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２の第１中間層３２０ａでは、第１発光層ＥＭＬａの上部に、第１－１発光層ＥＭＬａ－１及び第１－２発光層ＥＭＬａ－２が積層される。
一部の実施形態において、第１発光層ＥＭＬａ、第１－１発光層ＥＭＬａ－１及び第１－２発光層ＥＭＬａ－２は、いずれも同一色を放出する物質で形成可能である。例えば、第１発光層ＥＭＬａ、第１－１発光層ＥＭＬａ－１及び第１－２発光層ＥＭＬａ－２は、緑色光を放出する有機物質で形成可能である。
他の実施形態として、第１発光層ＥＭＬａ、第１－１発光層ＥＭＬａ－１及び第１－２発光層ＥＭＬａ－２のうち少なくとも１層は、異なる色を放出する物質で形成されることも可能である。例えば、第１発光層ＥＭＬａ、第１－１発光層ＥＭＬａ－１及び第１－２発光層ＥＭＬａ－２は、順次に、緑色光－緑色光－青色光を放出する有機物質で形成されてもよく、緑色光－青色光－緑色光を放出する有機物質で形成されてもよく、青色光－緑色光－緑色光を放出する有機物質で形成されてもよい。
第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３の第２中間層３２０ｂでは、第２発光層ＥＭＬｂの上部に、第２－１発光層ＥＭＬｂ－１及び第２－２発光層ＥＭＬｂ－２が積層される。第２発光層ＥＭＬｂ、第２－１発光層ＥＭＬｂ－１及び第２－２発光層ＥＭＬｂ－２は、いずれも同一色を放出する物質で形成可能である。例えば、第２発光層ＥＭＬｂ、第２－１発光層ＥＭＬｂ－１及び第２－２発光層ＥＭＬｂ－２は、いずれも青色光を放出する有機物質で形成可能である。
一部の実施形態において、第１中間層３２０ａは、第１発光層ＥＭＬａを含む第１スタック３２１ａ、第１－１発光層ＥＭＬａ－１を含む第１－１スタック３２３ａ、第１－２発光層ＥＭＬａ－２を含む第１－２スタック３２５ａ、及び各スタック間に配置される電荷生成層３２２ａ、３２４ａを含んでもよい。第１－２スタック３２５ａは、第１－２正孔輸送層ＨＴＬａ－２、第１－２発光層ＥＭＬａ、第１－２電子輸送層ＥＴＬａ－２及び電子注入層ＥＩＬが順次に積層された構造を有してもよい。
同様に、第２中間層３２０ｂは、第２発光層ＥＭＬｂを含む第２スタック３２１ｂ、第２－１発光層ＥＭＬｂ－１を含む第２－１スタック３２３ｂ、第２－２発光層ＥＭＬｂ－２を含む第２－２スタック３２５ｂ、及び各スタック間に配置される電荷生成層３２２ｂ、３２４ｂを含んでもよい。第２－２スタック３２５ｂは、第２－２正孔輸送層ＨＴＬｂ－２、第２－２発光層ＥＭＬｂ－２、第２－２電子輸送層ＥＴＬｂ－２及び電子注入層ＥＩＬが順次に積層された構造を有してもよい。
第１中間層３２０ａ及び第２中間層３２０ｂの一部の部材は、同一物質で形成可能である。例えば、正孔注入層ＨＩＬ及び電子注入層ＥＩＬは、第１中間層３２０ａと第２中間層３２０ｂに共通に適用可能である。
また、図８に示されたように、第１中間層３２０ａ及び第２中間層３２０ｂを形成するスタックのうち少なくとも１つが、同一物質で形成されてもよい。図８では、第２中間層３２０ｂの第２－１スタック３２３ｂが、第１中間層３２０ａと第２中間層３２０ｂに共通に適用されたものと示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。第２スタック３２３ｂや第２－２スタック３２５ｂが、第１中間層３２０ａと第２中間層３２０ｂに共通に適用可能であることはいうまでもない。
図９は、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の一部を示す断面図である。具体的には、図９は、一実施形態による第１～第３有機発光ダイオードとバンクとを示している。図９において、図７と同一参照符号は、同一部材を指すところ、それらの重複説明は省略する。
図９を参照すると、第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３の発光領域は、画素定義膜１１９の開口により決められる。一方、バンク１１９ｂは、画素定義膜１１９の上部に配置され、第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２に含まれた第１発光層ＥＭＬａと、第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３に含まれた第２発光層ＥＭＬｂとを分離することができる。
第１～第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３の中間層３２０ａ、３２０ｂは、複数の発光層が積層されて具備されることが可能である。例えば、第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２の第１中間層３２０ａでは、第１発光層ＥＭＬａの上部に、第１－１発光層ＥＭＬａ－１及び第２－２発光層ＥＭＬｂ－２が積層される。第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３の第２中間層３２０ｂでは、第２発光層ＥＭＬｂの上部に、第２－１発光層ＥＭＬｂ－１及び第２－２発光層ＥＭＬｂ－２が積層される。
第１発光層ＥＭＬａの下部には、第１正孔輸送層ＨＴＬａが配置され、第１－１発光層ＥＭＬａ－１の下部には、第１－１正孔輸送層ＨＴＬａ－１が配置される。第２発光層ＥＭＬｂの下部には、第２正孔輸送層ＨＴＬｂが配置され、第２－１発光層ＥＭＬｂ－１の下部には、第２－１正孔輸送層ＨＴＬｂ－１が配置され、第２－２発光層ＥＭＬｂ－２の下部には、第２－２正孔輸送層ＨＴＬｂ－２が配置される。
本実施形態において、最上部に配置される発光層である第２－２発光層ＥＭＬｂ－２、及びその下部に配置された第２－２正孔輸送層ＨＴＬｂ－２は、第１中間層３２０ａと第２中間層３２０ｂとで共通に形成可能である。一方、第１発光層ＥＭＬａ、第２発光層ＥＭＬｂ、第１－１発光層ＥＭＬａ及び第２－１発光層ＥＭＬｂ－１は、バンク１１９ｂにより分離される。
第１発光層ＥＭＬａ及び第１－１発光層ＥＭＬａ－１は、緑色光を放出する有機物質で形成可能である。第２発光層ＥＭＬｂ、第２－１発光層ＥＭＬｂ－１及び第２－２発光層ＥＭＬｂ－２は、青色光を放出する有機物質で形成可能である。
以上、本発明の実施形態に適用可能な実施形態を説明した。そのような実施形態は、別途の実施形態に具現されることも可能であり、互いに組み合わせられた実施形態で実現されることも可能である。
本発明は、図面に示した実施形態を参考にして説明したが、これらは、例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者ならば、これらから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まらなければならない。
本発明は、例えば、ディスプレイ装置関連の技術分野に適用可能である。
１００ 基板
１１１ 第１バッファ層
１１２ 第２バッファ層
１１３ ゲート絶縁層
１１５ 層間絶縁層
１１８ 平坦化層
１１９ 画素定義膜
１１９ｂ バンク
２００ 上部基板
２１０ 隔壁
３１０ 画素電極
３２０ａ 第１中間層
３２０ｂ 第２中間層
３３０ 対向電極
４００ 薄膜封止層
４１０ 第１無機封止層
４２０ 有機封止層
４３０ 第２無機封止層
６１０ 充填材
Ａ１ 半導体層
ＢＭ 光遮断パターン
ＢＳＭ バイアス電極
ＣＥ１ 第１電極
ＣＥ２ 第２電極
ＣＦ１ 第１カラーフィルタ
ＣＦ２ 第２カラーフィルタ
ＣＦ３ 第３カラーフィルタ
Ｃｓｔ ストレージキャパシタ
Ｄ１ ドレイン電極
ＤＡ 表示領域
ＥＡ 発光領域
ＥＭＬａ 第１発光層
ＥＭＬｂ 第２発光層
Ｇ１ ゲート電極
ＨＴＬａ 第１正孔輸送層
ＨＴＬｂ 第２正孔輸送層
ＮＥＡ 非発光領域
ＯＬＥＤ１ 第１有機発光ダイオード
ＯＬＥＤ２ 第２有機発光ダイオード
ＯＬＥＤ３ 第３有機発光ダイオード
ＯＰ 開口
Ｐ１ 第１副画素
Ｐ２ 第２副画素
Ｐ３ 第３副画素
ＰＶＸ 無機保護層
ＱＤ１ 第１色変換層
ＱＤ２ 第２色変換層
Ｔ１ 駆動薄膜トランジスタ
ＴＷ 透過窓

Claims (23)

  1. 互いに異なる色を出す第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含むディスプレイ装置において、
    基板上に配置され、前記第１副画素、第２副画素及び第３副画素それぞれに対応する第１有機発光ダイオード、第２有機発光ダイオード及び第３有機発光ダイオードと、
    前記第１有機発光ダイオードと前記第２有機発光ダイオードとに共通に具備され、第１発光層及び第１正孔輸送層を含む第１中間層と、
    前記第３有機発光ダイオードに具備され、第２発光層及び第２正孔輸送層を含む第２中間層と、
    前記第１有機発光ダイオード、第２有機発光ダイオード及び第３有機発光ダイオードそれぞれに対応するように配置された第１色変換層、第２色変換層及び第３色変換層と、
    を含み、
    前記第１発光層は、前記第２発光層と異なる色を出し、
    前記第１正孔輸送層の正孔移動度は、前記第２正孔輸送層の正孔移動度と異なる、ディスプレイ装置。
  2. 前記第１正孔輸送層は、有機物質であるホストに酸化物がドーピングされて具備され、前記第２正孔輸送層は、前記ホストにｐ型有機ドーパントがドーピングされて具備された、請求項１に記載のディスプレイ装置。
  3. 前記酸化物の誘電定数は、３以上６０以下である、請求項２に記載のディスプレイ装置。
  4. 前記酸化物は、ＨｆＯｘ、ＺｒＯｘ、ＬａＯｘ、Ｌａ２Ｏ３、ＬａＡｌＯｘ、ＴａＯｘ、ＡｌＯｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＳｉＯ４、ＨｆＳｉＯ４、ＳｒＯ、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＢａＯ、ＢａＺｒＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ２及びＳｉ３Ｎ４のうちいずれか１つを含む、請求項２に記載のディスプレイ装置。
  5. 前記酸化物のドーピング濃度は、０．５％以上３０％以下である、請求項２に記載のディスプレイ装置。
  6. 前記ｐ型有機ドーパントは、シアノ基含有化合物であり、前記ｐ型有機ドーパントのドーピング濃度は、０．５％以上２５％以下である、請求項２に記載のディスプレイ装置。
  7. 前記第１正孔輸送層は、有機物質であるホストに酸化物が第１ドーピング濃度にドーピングされて具備され、前記第２正孔輸送層は、有機物質であるホストに前記酸化物が第２ドーピング濃度にドーピングされて具備され、前記第１ドーピング濃度は、前記第２ドーピング濃度と異なる、請求項１に記載のディスプレイ装置。
  8. 前記基板上に配置され、前記第１発光層と前記第２発光層との間に配置されたバンクをさらに含む、請求項１に記載のディスプレイ装置。
  9. 前記バンクは、前記第１～第３有機発光ダイオードの発光領域を定義する画素定義膜の上部に配置され、前記第３有機発光ダイオードを取り囲むように配置された、請求項８に記載のディスプレイ装置。
  10. 前記第１中間層は、前記第１発光層の上部に配置された第１－１発光層をさらに含み、前記第２中間層は、前記第２発光層の上部に配置された第２－１発光層をさらに含む、請求項１に記載のディスプレイ装置。
  11. 前記第１－１発光層は、前記第２－１発光層と同一物質で形成された、請求項１０に記載のディスプレイ装置。
  12. 前記第１発光層は、緑色光を放出し、前記第２発光層は、青色光を放出し、前記第１正孔輸送層は、ｐ型有機ドーパントがドーピングされて具備され、前記第２正孔輸送層は、酸化物がドーピングされて具備された、請求項１に記載のディスプレイ装置。
  13. 互いに異なる色を出す第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含むディスプレイ装置において、
    基板上に配置され、前記第１副画素、第２副画素及び第３副画素それぞれに対応する第１有機発光ダイオード、第２有機発光ダイオード及び第３有機発光ダイオードと、
    前記第１有機発光ダイオードと前記第２有機発光ダイオードとに共通に具備され、第１発光層及び第１正孔輸送層を含む第１中間層と、
    前記第３有機発光ダイオードに具備され、第２発光層及び第２正孔輸送層を含む第２中間層と、
    前記基板上で、前記第２中間層を少なくとも一部取り囲むように配置されたバンクと、
    を含み、
    前記第１発光層は、前記第２発光層と異なる色を出す、ディスプレイ装置。
  14. 前記第１正孔輸送層の正孔移動度は、前記第２正孔輸送層の正孔移動度と異なる、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
  15. 前記第１発光層は、緑色光を放出し、前記第２発光層は、青色光を放出する、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
  16. 前記第１正孔輸送層は、有機物質であるホストに酸化物がドーピングされて具備され、前記第２正孔輸送層は、前記ホストにｐ型有機ドーパントがドーピングされて具備された、請求項１５に記載のディスプレイ装置。
  17. 前記酸化物は、ＨｆＯｘ、ＺｒＯｘ、ＬａＯｘ、Ｌａ２Ｏ３、ＬａＡｌＯｘ、ＴａＯｘ、ＡｌＯｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＳｉＯ４、ＨｆＳｉＯ４、ＳｒＯ、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＢａＯ、ＢａＺｒＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ２及びＳｉ３Ｎ４のうちいずれか１つを含む、請求項１６に記載のディスプレイ装置。
  18. 前記ｐ型有機ドーパントは、シアノ基含有化合物であり、前記ｐ型有機ドーパントのドーピング濃度は、０．５％以上２５％以下である、請求項１６に記載のディスプレイ装置。
  19. 前記第１中間層は、前記第１発光層の上部に配置された第１－１発光層をさらに含み、前記第２中間層は、前記第２発光層の上部に配置された第２－１発光層をさらに含む、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
  20. 前記第１－１発光層は、前記第２－１発光層と同一物質で形成された、請求項１９に記載のディスプレイ装置。
  21. 第１有機発光ダイオードを含み、第１カラーを放出する第１副画素と、
    第２有機発光ダイオードを含み、第２カラーを放出する第２副画素と、
    第３有機発光ダイオードを含み、第３カラーを放出する第３副画素と、を含み、
    前記第１有機発光ダイオードと前記第２有機発光ダイオードは、第１波長幅を有する光を放出し、前記第３有機発光ダイオードは、前記第１波長と異なる第２波長の光を放出する、ディスプレイ装置。
  22. 前記第１有機発光ダイオード及び前記第２有機発光ダイオードは、前記第１波長の光を発光する第１発光層を含み、
    前記第３有機発光ダイオードは、前記第２波長の光を発光する第２発光層を含む、請求項２１に記載のディスプレイ装置。
  23. 前記第１副画素は、前記第１波長の光を第１カラーの光に変換する第１色変換層を含み、
    前記第２副画素は、前記第１波長の光を前記第１カラーとは異なる第２カラーの光に変換する第２色変換層を含み、
    前記第３副画素は、前記第２波長を有する第３カラーの光を透過する透過窓を含む、請求項２１に記載のディスプレイ装置。
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