CN111863880A - 电子装置 - Google Patents
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Abstract
提供了一种电子装置。所述电子装置包括：基体基底，包括包含凹进区域的孔区域、显示区域和***区域；电路器件层，包括绝缘层，每个绝缘层具有与凹进区域叠置的开口；显示元件层，包括包含电荷控制层的有机发光元件和位于有机发光元件上的封装层，电荷控制层位于第一电极与第二电极之间并与显示区域和孔区域叠置，封装层包括第一无机封装层和第二无机封装层以及它们之间的有机封装层；以及保护无机层，位于绝缘层与第一无机封装层之间。电荷控制层可以包括在绝缘层中的一个上与孔区域叠置的第一图案和与第一图案间隔开并且位于凹进区域中的第二图案。保护无机层可以覆盖第一图案和第二图案。
Description
本申请要求于2019年4月29日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2019-0049695号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种电子装置，并且具体地，涉及一种可靠的电子装置。
背景技术
显示面板由电信号激活并且用于显示图像。显示面板包括具有有机发光元件的有机发光显示面板。有机发光显示面板具有低功耗、高亮度和高反应速度。
有机发光显示面板包括有机发光元件。有机发光元件易受湿气或氧的影响，并且容易被湿气或氧损坏。因此，为了提高有机发光显示面板的可靠性和寿命特性，期望稳定地防止或基本上防止有机发光元件暴露于外部湿气或氧。
发明内容
发明构思的一些实施例的方面针对一种电子装置，该电子装置表现出对外部冲击的良好的抵抗性并且防止或减少了污染材料(例如，外部氧和湿气)的流入。
根据发明构思的一些实施例，电子装置可以包括：基体基底，包括孔区域、显示区域和***区域；电路器件层，包括晶体管和多个绝缘层；显示元件层，位于电路器件层上，且包括位于有机发光元件上的封装层；保护无机层，位于孔区域中并且位于绝缘层与第一无机封装层之间；以及模块孔，与孔区域叠置。显示区域可以包围孔区域，并且***区域可以与显示区域相邻。孔区域可以包括凹进区域，基体基底的至少一部分在凹进区域处凹进。晶体管可以位于基体基底上，并且多个绝缘层中的每个可以具有与凹进区域叠置的开口。显示元件层可以包括有机发光元件，有机发光元件包括连接到晶体管的第一电极、与第一电极相对的第二电极、位于显示区域中的发光图案以及位于第一电极与第二电极之间并且与显示区域和孔区域叠置的电荷控制层。封装层可以包括第一无机封装层、第二无机封装层以及位于第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层。模块孔可以与凹进区域间隔开，并且可以被限定为穿透基体基底、绝缘层中的至少一部分、保护无机层、第一图案、第一无机封装层和第二无机封装层中的每个。电荷控制层可以包括：有机图案，与发光图案叠置；第一图案，位于与孔区域叠置的绝缘层中的一个上；以及第二图案，与第一图案间隔开并且设置在凹进区域中。保护无机层可以覆盖第一图案和第二图案。
在一些实施例中，保护无机层可以被第一无机封装层覆盖。
在一些实施例中，第一无机封装层和第二无机封装层可以包括彼此不同的材料，并且保护无机层可以包括与第二无机封装层的材料相同的材料。
在一些实施例中，保护无机层可以包括氮化硅(SiNx)，并且第一无机封装层可以包括氮氧化硅(SiOxNY)。
在一些实施例中，保护无机层与第一无机封装层相比可以具有相对低的氧化速率。
在一些实施例中，当在平面图中观察时，保护无机层可以不与显示区域叠置，并且可以与发光图案间隔开。
在一些实施例中，第二图案可以暴露凹进区域的至少一部分，并且保护无机层可以覆盖凹进区域的被第二图案暴露的部分。
在一些实施例中，电子装置还可以包括第一凹槽，第一凹槽通过用保护无机层、第一无机封装层和第二无机封装层覆盖每个开口的内表面和凹进区域的内表面而形成。
在一些实施例中，电子装置还可以包括第二凹槽，第二凹槽与模块孔间隔开，第一凹槽插置在第二凹槽与模块孔之间，第二凹槽通过使基体基底的一部分从绝缘层中的至少一个的顶表面凹进而形成，并且第二凹槽被保护无机层和第一无机封装层覆盖。第二凹槽可以具有填充有有机封装层的内部空间。
在一些实施例中，电子装置还可以包括坝部分，坝部分设置在第一凹槽与模块孔之间的区域以及第一凹槽与第二凹槽之间的区域中的至少一个中。坝部分可以包括与绝缘层中的一个的材料相同的材料。
附图说明
通过以下结合附图的简要描述，将更清楚地理解示例实施例。附图表示如在此所描述的非限制的示例实施例。
图1是示出根据发明构思的一些实施例的电子装置的透视图。
图2是图1中所示的电子装置的分解透视图。
图3是图1中所示的像素的等效电路图。
图4是图1中所示的电子装置的框图。
图5A是图2的部分XX'的放大图。
图5B是显示面板的沿图2的线I-I'截取的区域。
图5C是图5B中所示的部分TT'的放大图。
图6是根据发明构思的一些实施例的显示面板的一部分的剖视图。
图7是根据发明构思的一些实施例的显示面板的一部分的剖视图。
图8A至图8D是放大剖视图，每个放大剖视图示出了根据发明构思的一些实施例的显示面板的一部分。
图9A和图9B是放大平面图，每个放大平面图示出了根据发明构思的一些实施例的显示面板的一部分。
图10A至图10F是示出制造根据发明构思的一些实施例的显示面板的方法的剖视图。
图11A是根据发明构思的一些实施例的电子装置的分解透视图。
图11B是图11A的部分YY'的放大图。
应该注意的是，这些图旨在示出在特定示例实施例中使用的方法、结构和/或材料的一般特性，并且旨在补充下面提供的书面描述。然而，这些附图不是按比例绘制的，并且可能不精确地反映任何给定实施例的精确结构或性能特性，并且不应该被解释为限定或限制由示例实施例所包括的值或性质的范围。例如，为了清楚起见，可以减小或夸大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和位置。各种附图中相似或相同的附图标记的使用旨在指示存在相似或相同的元件或特征。
具体实施方式
现在将参照其中示出了示例实施例的附图更加充分地描述发明构思的示例实施例。然而，发明构思的示例实施例可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为限于在此所阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域的普通技术人员充分地传达示例实施例的构思。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。附图中同样的附图标记表示同样的元件，因此将省略它们的描述。
当诸如“……中的至少一个(种/者)”、“……中的一个(种/者)”或“从……中选择的”的表达在一列元件之后时，修饰整列元件而不修饰该列的单个元件。此外，“可以”的使用在描述本发明的实施例时是指“本发明的一个或更多个实施例”。将理解的是，当元件被称为“连接”或“结合”到另一元件时，该元件可以直接连接或直接结合到所述另一元件，或者可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接连接”或“直接结合”到另一元件时，不存在中间元件。同样的附图标记始终指示同样的元件。如在此所使用的，术语“和/或”包括相所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。应该以类似的方式解释用于描述元件或层之间的关系的其它词语(例如，“在……之间”与“直接在……之间”、“与……相邻”与“与……直接相邻”、“在……上”与“直接在……上”)。
将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了便于描述，在此可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一(另一些)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语旨在包括装置除了图中所描绘的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件然后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。可以另外地定位装置(旋转90度或在其它方位处)，并且相应地解释在此所使用的空间相对描述语。
在此所使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，而不旨在是示例实施例的限制。如在此所使用的，单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。将进一步理解的是，如果在此使用术语“包含”及其变型和/或“包括”及其变型，则说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在此参照作为示例实施例的理想化实施例(和中间结构)的示意性图示的剖视图来描述发明构思的示例实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，发明构思的示例实施例不应该被解释为限于在此所示的区域的具体形状，而是将包括例如由制造导致的形状的偏差。
除非另有定义，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与由发明构思的示例实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的背景下的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在此明确地如此定义。
图1是示出根据发明构思的一些实施例的电子装置的透视图。图2是图1中所示的电子装置的分解透视图。图3是图1中所示的像素的等效电路图。图4是图1中所示的电子装置的框图。在下文中，可以参照图1至图4描述根据发明构思的一些实施例的电子装置。
参照图1和图2，电子装置EA可以包括用于显示图像IM且用作显示表面的前表面。显示表面可以被限定为与第一方向DR1和第二方向DR2平行。显示表面可以包括透射区域TA和与透射区域TA相邻的边框区域BZA。
电子装置EA可以在窗构件WD中包括的透射区域TA上显示图像IM。在图1中，互联网搜索窗被示出为图像IM的示例。透射区域TA可以具有其侧边与第一方向DR1和第二方向DR2平行的四边形或矩形形状。然而，发明构思不限于本示例，并且在一些实施例中，可以以各种方式适当地改变透射区域TA的形状。
在下文中，与显示表面正交的方向将被称为电子装置EA的厚度方向或第三方向DR3。在本说明书中，基于第三方向DR3或图像IM的显示方向，每个元件的前表面或顶表面和后表面或底表面可以彼此区分开。例如，前表面和后表面可以是在第三方向DR3上彼此面对(或彼此背对)的两个相对表面。
在本说明书中，由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向可以是彼此相关的，并且在某些实施例中，它们可以用于指示其它方向。在下文中，第一方向至第三方向可以是分别由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向，并且将以相同的附图标记表示。
电子装置EA可以包括显示面板DP、窗构件WD、电子模块ID、模块孔MH和壳体构件HS。如图4中所示，电子装置EA还可以包括显示模块DD、第一电子模块EM1、第二电子模块EM2和电源模块PM。为了图示的方便，可以从图2中省略图4中所示的一些元件。
显示模块DD包括显示面板DP和触摸感测单元TSU。显示面板DP可以包括显示区域DA和***区域NDA，显示区域DA中包括孔区域PA。显示区域DA可以用于产生和显示图像IM。例如，用于产生用于图像IM的光的多个像素PX可以设置在显示区域DA中。***区域NDA可以与显示区域DA相邻。***区域NDA可以包围(例如，围绕)显示区域DA。用于驱动显示区域DA的驱动电路或驱动线可以设置在***区域NDA中。
在一些实施方式中，显示面板DP的***区域NDA的一部分可以被弯曲或弯折。例如，***区域NDA的一部分可以设置为与电子装置EA的前表面面对，并且/或者***区域NDA的另一部分可以设置为与电子装置EA的后表面面对。在一些实施例中，可以从显示面板DP省略***区域NDA。在一些实施例中，显示区域DA可以与透射区域TA叠置，并且***区域NDA可以与边框区域BZA叠置。
图3示出了像素PX中的一个的等效电路图。参照图3，像素PX可以连接到多条信号线。在本实施例中，示出了栅极线GL、数据线DL和电力线VDD作为信号线的示例。然而，发明构思不限于本示例，并且在一些实施例中，像素PX还可以连接到其它信号线。
像素PX可以包括第一晶体管TR1、电容器CAP、第二晶体管TR2和有机发光元件ED。第一晶体管TR1可以是控制像素PX的导通/截止状态的开关器件。第一晶体管TR1可以响应于通过栅极线GL传输的栅极信号而传输或阻挡通过数据线DL传输的数据信号。
电容器CAP可以设置在第一晶体管TR1与电力线VDD之间并且连接到第一晶体管TR1和电力线VDD。电容器CAP可以被充电，以存储与从第一晶体管TR1传输的数据信号和施加到电力线VDD的第一电力电压之间的电压电平的差对应的电荷量。
第二晶体管TR2可以连接到第一晶体管TR1、电容器CAP和有机发光元件ED。第二晶体管TR2可以根据存储在电容器CAP中的电荷的量来控制流过有机发光元件ED的驱动电流。第二晶体管TR2的导通时间段的时间长度或持续时间可以取决于存储在电容器CAP中的电荷的量。在导通时间段期间，第二晶体管TR2可以将通过电力线VDD传输的第一电力电压提供给有机发光元件ED。
有机发光元件ED可以连接到第二晶体管TR2和电力端子VSS。有机发光元件ED可以发光，光的强度由通过第二晶体管TR2传输的信号与通过电力端子VSS接收的第二电力电压之间的电压电平的差来确定。可以在第二晶体管TR2的导通时间段期间执行有机发光元件ED的发光操作。
有机发光元件ED可以包括发光材料。有机发光元件ED可以产生光，光的颜色由发光材料确定。由有机发光元件ED产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的一种。
返回参照图2，包括在显示区域DA中的孔区域PA可以被显示区域DA包围。孔区域PA可以与模块孔MH相邻设置。在一些实施例中，孔区域PA可以包围模块孔MH。如图2中所示，孔区域PA可以设置在显示区域DA的侧区域中，但是发明构思不限于本示例。在一些实施例中，可以根据模块孔MH的位置以各种方式适当地改变孔区域PA的位置。
模块孔MH可以与孔区域PA叠置(例如，模块孔MH可以在孔区域PA中)。模块孔MH可以与电子模块ID叠置(例如，电子模块ID可以在第三方向DR3上与模块孔MH对准)。因此，电子模块ID可以***置于模块孔MH中。另外，电子模块ID可以设置在显示面板DP的与模块孔MH相邻的后表面上，并且电子模块ID的一部分可以通过模块孔MH暴露到外部。例如，仅作为相机模块CMM的一部分的镜头可以通过模块孔MH暴露到外部。另外，当在剖视图中观察时，电子模块ID可以设置在显示面板DP的后表面上，并且可以与显示面板DP间隔开。
模块孔MH可以是被限定为穿透构成显示面板DP的元件中的与孔区域PA叠置的至少一个元件的孔。这可以在下面更详细地描述。
在一些实施例中，因为显示面板DP包括形成在显示区域DA中的模块孔MH，所以不需要在显示区域DA外部的区域(诸如***区域NDA)中为电子模块ID提供附加的空间。因此，可以能够减小***区域NDA的面积并且实现或提供具有窄边框的电子装置EA。此外，在电子模块ID设置在模块孔MH内的情况下，可以能够减小电子装置EA的厚度。
窗构件WD可以用于限定电子装置EA的前表面。窗构件WD可以设置在显示面板DP的前表面上以保护显示面板DP。例如，窗构件WD可以包括玻璃基底、蓝宝石基底和/或塑料膜。
窗构件WD可以具有单层或多层结构。例如，窗构件WD可以具有包括通过粘合层彼此结合的多个塑料膜的堆叠结构，或者可以具有包括通过粘合层彼此结合的玻璃基底和塑料膜的堆叠结构。
因为窗构件WD包括透明材料，所以窗构件WD可以提供或限定电子装置EA的透射区域TA和边框区域BZA。例如，窗构件WD的透明材料可以与透射区域TA对应。在本实施例中，透射区域TA可以是与显示区域DA对应的区域。例如，透射区域TA可以与显示区域DA的整个前表面或者显示区域DA的前表面的至少一个区域叠置。在显示面板DP的显示区域DA上显示的图像IM可以通过透射区域TA提供到外部用户。
壳体构件HS可以与窗构件WD结合。壳体构件HS可以被提供为限定电子装置EA的后表面。壳体构件HS可以结合到窗构件WD以限定内部空间或内部体积。图4中所示的显示面板DP、电子模块ID和/或若干其它元件可以包含(或定位)在内部空间中。
壳体构件HS可以包括具有相对高强度的材料。例如，壳体构件HS可以包括多个框架和/或板，每个框架和/或板由玻璃、塑料和金属材料中的至少一种形成。壳体构件HS可以保护电子装置EA的包含在内部空间中的元件免受外部冲击。
参照图4，电源模块PM可以向电子装置EA供应电力。电源模块PM可以包括典型的电池模块。
电子模块ID可以包括用于操作电子装置EA的各种功能模块。电子模块ID可以包括第一电子模块EM1和第二电子模块EM2。
第一电子模块EM1可以安装(例如，直接安装)在连接(例如，电连接)到显示模块DD的母板上。可选地，第一电子模块EM1可以安装在另一基底上，并且可以通过连接件连接(例如，电连接)到母板。
第一电子模块EM1可以包括控制模块CM、无线通信模块TM、图像输入模块IS、声音输入模块AIM、存储器MM和外部接口EF。模块中的至少一个可以不安装在母板上，并且可以通过柔性电路板连接(例如，电连接)到母板。
控制模块CM可以控制电子装置EA的全部操作。控制模块CM可以是例如微处理器。在一些实施例中，显示模块DD可以在控制模块CM的控制下被激活或被去激活(停用)。控制模块CM可以基于从显示模块DD接收的触摸信号来控制诸如图像输入模块IS或声音输入模块AIM的其它模块。
无线通信模块TM可以经由蓝牙或Wi-Fi线路向另一端子发送无线信号和从另一端子接收无线信号。无线通信模块TM可以经由典型的通信线路发送和接收语音信号。无线通信模块TM可以包括发送器TM1和接收器TM2，发送器TM1调制并发送将要发送的信号，接收器TM2接收并解调接收到的信号。
图像输入模块IS可以处理图像信号，并将其转换成可以在显示模块DD上显示的图像数据。
声音输入模块AIM可以在录音模式、语音识别模式等中接收由麦克风获得的外部声音信号，然后将其转换为电语音数据。
存储器MM可以存储从无线通信模块TM、图像输入模块IS和声音输入模块AIM接收的并且可以在后续操作中使用的数据。在数据被使用之后，可以从存储器MM删除数据。此外，预期控制第二电子模块EM2的数据可以存储在存储器MM中或从存储器MM中去除。
外部接口EF可以用作连接到外部充电器、有线/无线数据端口、卡插槽(例如，用于存储卡或SIM/UIM卡的卡插槽)等的接口。
第二电子模块EM2可以包括声音输出模块AOM、发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM。第二电子模块EM2中的模块可以安装(例如，直接安装)在母板上。可选地，第二电子模块EM2中的模块可以安装在另一基底上，并且可以通过连接件连接(例如，电连接)到显示模块DD或第一电子模块EM1。
声音输出模块AOM可以转换声音数据，并且可以将转换后的声音数据输出到外部，声音数据可以从无线通信模块TM发送或者可以存储在存储器MM中。
发光模块LM可以产生并发射光。在一些实施例中，发光模块LM可以发射红外光。发光模块LM可以包括LED器件。光接收模块LRM可以感测红外光。当将要入射到光接收模块LRM的红外光具有高于(或大于)参考值的强度时，光接收模块LRM可以被激活。光接收模块LRM可以包括CMOS传感器。从发光模块LM发射的红外光可以被外部对象(例如，用户的手指或面部)反射并且可以入射到光接收模块LRM中。相机模块CMM可以用于获得外部对象的图像。
图2的电子模块ID可以是或者可以包括构成第二电子模块EM2的元件中的至少一个。在这种情况下，第一电子模块EM1和第二电子模块EM2中的其它元件可以设置在其它位置处。例如，电子模块ID可以包括声音输出模块AOM、发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM中的至少一个。
图5A是图2的部分XX'的放大图。图5B是显示面板的沿图2的线I-I'截取的区域。图5C是图5B中所示的部分TT'的放大图。
参照图5A和图5B，孔区域PA可以限定在显示区域DA中。孔区域PA可以被显示区域DA包围或围绕。在一些实施例中，孔区域PA可以是包括模块孔MH和凹槽BR的区域。在一些实施方式中，孔区域PA可以包围或围绕凹槽BR，并且可以具有圆形或椭圆形形状。
在一些实施方式中，当在平面图(例如，与显示区域DA正交的视图)中观察时，凹槽BR可以与孔区域PA叠置。在一些实施例中，凹槽BR可以包围或围绕模块孔MH，并且可以具有圆形或椭圆形形状。凹槽BR可以设置在模块孔MH与孔区域PA之间，以具有包围模块孔MH的闭环形状。
在一些实施例中，当在平面图中观察时，模块孔MH可以与孔区域PA叠置。模块孔MH可以设置在孔区域PA中并且可以被凹槽BR包围。在一些实施例中，模块孔MH可以具有圆形或椭圆形形状。
然而，发明构思不限于本示例，并且在一些实施例中，如果在显示区域DA中孔区域PA与模块孔MH叠置，则孔区域PA的平面形状不限于特定形状，并且凹槽BR和模块孔MH可以具有各种或不同的合适形状。
显示面板DP可以包括基体基底BS、电路器件层CL和显示元件层PL。电路器件层CL可以设置在基体基底BS上，并且显示元件层PL可以设置在电路器件层CL上。
基体基底BS可以包括玻璃基底、金属基底和/或柔性塑料基底。然而，发明构思不限于本示例，并且在一些实施例中，基体基底BS可以是包括有机材料的基底。基体基底BS可以是刚性的或柔性的，并且发明构思不限于任何特定实施例。
电路器件层CL可以包括晶体管TR、多个绝缘层BI、IL1、IL2和IH以及保护无机层CO。电路器件层CL可以设置在基体基底BS上。
阻挡层BI可以设置在基体基底BS上。阻挡层BI可以覆盖基体基底BS。阻挡层BI可以是包括无机材料的绝缘层。例如，阻挡层BI可以由氧化铝(AlOx)、氧化钛(TiOx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化锆(ZrOx)和氧化铪(HfOx)中的至少一种形成或包括氧化铝(AlOx)、氧化钛(TiOx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化锆(ZrOx)和氧化铪(HfOx)中的至少一种。阻挡层BI可以由多个无机层形成或包括多个无机层。阻挡层BI可以防止或基本上防止外部材料穿过其。
在一些实施例中，显示面板DP还可以包括缓冲层。缓冲层可以设置在阻挡层BI上。缓冲层可以包括无机材料或有机材料。就对下面将要描述的半导体图案SL或第一绝缘层IL1的粘合强度而言，缓冲层可以高于或好于阻挡层BI。因此，电路器件层CL可以稳定地形成在基体基底BS上。
晶体管TR可以包括半导体图案SL、控制电极CE、输入电极IE和输出电极OE。晶体管TR的控制电极CE可以控制半导体图案SL中的电流流动，并且可以将从输入电极IE输入的电信号选择性地输出到输出电极OE。图5B示出了作为图3的晶体管TR1和TR2中的一个(例如，用作驱动晶体管)的晶体管TR。
半导体图案SL可以设置在基体基底BS上。半导体图案SL可以包括晶体半导体材料、金属氧化物半导体材料、多晶硅和非晶硅中的至少一种。
晶体管TR的控制电极CE被示出为设置在半导体图案SL上，但是发明构思不限于本实施例。在一些实施例中，控制电极CE可以设置在基体基底BS上并且可以被第一绝缘层IL1覆盖，并且半导体图案SL可以设置在第一绝缘层IL1上。例如，晶体管TR可以具有底栅结构。
第一绝缘层IL1可以设置在半导体图案SL与控制电极CE之间。第一绝缘层IL1可以覆盖基体基底BS和半导体图案SL。第一绝缘层IL1可以由无机材料形成或者包括无机材料，但是发明构思不限于第一绝缘层IL1的特定材料。
控制电极CE可以设置在半导体图案SL上。控制电极CE可以与半导体图案SL叠置。控制电极CE可以与半导体图案SL间隔开，第一绝缘层IL1置于控制电极CE与半导体图案SL之间。
第二绝缘层IL2可以设置在控制电极CE与输入电极IE之间以及控制电极CE与输出电极OE之间。第二绝缘层IL2可以覆盖第一绝缘层IL1和控制电极CE。第二绝缘层IL2可以由无机材料形成或者可以包括无机材料，但是发明构思不限于第二绝缘层IL2的特定材料。
输入电极IE和输出电极OE可以设置在第二绝缘层IL2上。输入电极IE和输出电极OE可以穿透第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2，并且可以分别结合到半导体图案SL的两个相对部分。在一些实施例中，输入电极IE和输出电极OE可以结合到半导体图案SL的两个不同部分，控制电极CE在输入电极IE与输出电极OE之间。然而，发明构思不限于这些示例，并且在一些实施例中，输入电极IE和输出电极OE可以直接结合到半导体图案SL。
第三绝缘层IH可以设置在第二绝缘层IL2上。第三绝缘层IH可以覆盖晶体管TR。第三绝缘层IH可以设置在晶体管TR与显示元件层PL之间，以使晶体管TR与显示元件层PL断开(例如，电断开)。
显示元件层PL可以包括像素限定层PLE、有机发光元件ED和封装层TFE。像素限定层PLE可以设置在第三绝缘层IH上。多个开口可以限定在像素限定层PLE中。
有机发光元件ED可以包括第一电极E1、第二电极E2、发光图案EL和电荷控制层OL。第一电极E1可以设置在第三绝缘层IH上。第一电极E1可以穿过第三绝缘层IH，并且可以连接(例如，电连接)到晶体管TR。在一些实施例中，可以设置多个第一电极E1。第一电极E1中的每个的至少一部分可以被像素限定层PLE中的开口中的对应的一个暴露。
第二电极E2可以设置在第一电极E1上。第二电极E2可以设置为覆盖像素限定层PLE的至少一部分。然而，发明构思不限于本示例，并且在一些实施例中，第二电极E2可以延伸到孔区域PA并且可以覆盖孔区域PA。
例如，有机发光元件ED的第二电极E2可以彼此连接以形成单个连续(或单片)物体。因此，有机发光元件ED可以通过公共的第二电极E2被施加同一电压。在这种情况下，可以省略用于形成第二电极E2的附加图案化工艺。然而，发明构思不限于本示例，并且在一些实施例中，彼此间隔开的多个第二电极E2可以设置为分别对应于开口。
第二电极E2可以包括光学透明的透射电极。例如，第二电极E2可以由氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌镓(IGZO)、它们的混合物和它们的化合物中的至少一种形成或者包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌镓(IGZO)、它们的混合物和它们的化合物中的至少一种。因此，图像可以显示在显示面板DP的前表面上。
然而，发明构思不限于本示例，并且在一些实施例中，根据图像的显示方向，第二电极E2可以包括反射电极或透反射电极。
发光图案EL可以设置在第一电极E1与第二电极E2之间。在一些实施例中，多个发光图案EL可以分别设置在开口中。在有机发光元件ED中，可以调节第一电极E1与第二电极E2之间的电势差，以激活发光图案EL或引起发光图案EL的发光操作。
在一些实施例中，发光图案EL可以包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。例如，在发光图案EL发射红光的情况下，发光图案EL可以包括四苯基并四苯(红荧烯)、三(1-苯基异喹啉)铱(Ⅲ)(Ir(piq)3)、双(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮化物)铱(III)(Ir(btp)2(acac))、三(二苯甲酰)菲咯啉铕(III)(Eu(dbm)3(phen))、三[4,4'-二-叔-丁基-(2,2')-联吡啶]钌(III)络合物(Ru(dtb-bpy)3·2(PF6))、DCM1、DCM2、Eu(噻吩甲酰三氟丙酮)3(Eu(TTA)3)、丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久咯呢定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)和/或诸如聚芴聚合物和聚乙烯基聚合物的其它聚合物发光材料。
在发光图案EL发射绿光的情况下，发光图案EL可以包括绿色发光材料，绿色发光材料包括3-(2-苯并噻唑基)-7-(二乙基氨基)香豆素(香豆素6)、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7,-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)喹嗪并-[9,9a,1gh]香豆素(C545T)、N,N'-二甲基喹吖啶酮(DMQA)、三(2-苯基吡啶)铱(III)(Ir(ppy)3)和/或诸如聚芴聚合物和聚乙烯基聚合物的其它聚合物发光材料。
在发光图案EL发射蓝光的情况下，发光图案EL可以包括蓝色发光材料，蓝色发光材料包括噁二唑二聚体染料(Bis-DAPOXP)、螺环化合物(Spiro-DPVBi、Spiro-6P)、三芳胺化合物、双(苯乙烯基)胺(DPVBi、DSA)、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯)-1,1'-联苯(BCzVBi)、苝、2,5,8,11-四-叔-丁基苝(TPBe)、9H-咔唑-3,3'-(1,4-亚苯基-二-2,1-乙烯-二基)双[9-乙基-(9C)](BCzVB)、4,4'-双[4-(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、4-(二-对甲苯基氨基)-4'-[(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯(DPAVB)、4,4'-双[4-(二苯基氨基)苯乙烯基]联苯(BDAVBi)、双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基))铱III(FIrPic)和/或诸如聚芴聚合物或聚乙烯基聚合物的其它聚合物发光材料。
在一些实施例中，发光图案EL可以包括包含量子点的材料。量子点的核可以从由II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物和/或其组合组成的组中选择。
II-VI族化合物可以从由二元化合物(例如，包括CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和MgS)、二元化合物的混合物、三元化合物(例如，包括AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS,HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和MgZnS)、三元化合物的混合物、四元化合物(例如，包括HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和HgZnSTe)和/或四元化合物的混合物组成的组中选择。
III-V族化合物可以从由二元化合物(例如，包括GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs和InSb)、二元化合物的混合物、三元化合物(例如，包括GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs和InPSb)、三元化合物的混合物、四元化合物(例如，包括GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和InAlPSb)和/或四元化合物的混合物组成的组中选择。
IV-VI族化合物可以从由二元化合物(例如，包括SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe和PbTe)、二元化合物的混合物、三元化合物(例如，包括SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe和SnPbTe)、三元化合物的混合物、四元化合物(例如，包括SnPbSSe、SnPbSeTe和SnPbSTe)和四元化合物的混合物组成的组中选择。IV族元素可以从由Si、Ge及其混合物组成的组中选择。IV族化合物可以包括从由SiC、SiGe和/或其混合物组成的组中选择的二元化合物。
在一些实施例中，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以在整个颗粒中具有均匀的浓度，或者可以在每个颗粒中具有空间变化的浓度分布。在一些实施例中，量子点可以具有其中一个量子点被另一量子点围绕的核-壳结构。在核与壳之间的界面处，壳中包含的元素可以具有在中心方向(例如，朝向核的方向)上减小的浓度梯度。
在一些实施例中，每个量子点可以具有包括包含上述纳米晶体的核和围绕核的壳的核-壳结构。量子点的壳可以用作保护层和/或可以用作荷电层，保护层防止或基本上防止核的化学特性被改变并且保持核的半导体性质，荷电层使量子点具有电泳性质。壳可以是单层壳或多层壳。在核与壳之间的界面处，包含在壳中的元素可以具有在中心方向上减小的浓度梯度。在一些实施例中，量子点的壳可以由金属元素或非金属元素的氧化物化合物、半导体化合物或它们的任何组合形成或者包括金属元素或非金属元素的氧化物化合物、半导体化合物或它们的任何组合。
例如，用于壳的金属元素或非金属元素的氧化物化合物可以包括二元化合物(例如，SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO)和/或三元化合物(例如，MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4)，但是发明构思不限于这些示例。
另外，用于壳的半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP和/或AlSb，但是发明构思不限于这些示例。
每个量子点可以具有其半峰全宽(FWHM)小于大约45nm(具体地，小于大约40nm，或者更具体地，小于大约30nm)的发光波长光谱。因此，可以能够实现改善的颜色纯度或颜色再现特性。此外，量子点可以使光放射状发射，因此，可以能够改善视角。
在一些实施例中，量子点可以是球形、棱锥形、多臂或立方体纳米颗粒。在另一实施例中，量子点可以是纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板状颗粒，但是发明构思不限于这些示例。
从量子点发射的光的波长或颜色可以由量子点的颗粒尺寸确定，并且因为提供了各种尺寸的量子点，所以可以能够实现各种颜色(例如，蓝色、红色和绿色)。
电荷控制层OL可以设置在第一电极E1与第二电极E2之间。电荷控制层OL可以与发光图案EL相邻设置。在本实施例中，电荷控制层OL被示出为设置在发光图案EL与第二电极E2之间。然而，发明构思不限于本示例，并且电荷控制层OL可以设置在发光图案EL与第一电极E1之间或者可以设置为在第三方向DR3(例如，厚度方向)上堆叠的多层，且发光图案EL置于所述多层之间。
电荷控制层OL可以在没有任何附加的图案化工艺的情况下形成，因此，电荷控制层OL可以具有与基体基底BS的整个顶表面叠置的形状。电荷控制层OL也可以设置在与像素限定层PLE中形成的开口不同的区域中。例如，电荷控制层OL可以设置为与显示区域DA和孔区域PA叠置。
电荷控制层OL可以用于控制电子的运动，从而改善显示面板DP的发光效率。电荷控制层OL可以包括电子传输层和电子注入层。
在一些实施例中，电荷控制层OL可以包括有机图案OL-T、第一图案OL-O和第二图案OL-P。有机图案OL-T、第一图案OL-O和第二图案OL-P可以通过基本上同一工艺形成，从而包含相同的材料，但是为了便于描述，它们可以被描述为单独的元件。
有机图案OL-T可以设置在显示区域DA中。有机图案OL-T可以被限定为电荷控制层OL的与发光图案EL叠置的部分。有机图案OL-T可以覆盖发光图案EL和与发光图案EL相邻的像素限定层PLE。有机图案OL-T的至少一部分可以被第二电极E2覆盖。
第一图案OL-O可以设置在孔区域PA的一部分中。例如，第一图案OL-O可以覆盖像素限定层PLE、第三绝缘层IH和第二绝缘层IL2的与发光图案EL间隔开的部分。第一图案OL-O可以被保护无机层CO覆盖。
第二图案OL-P可以设置在孔区域PA的凹进区域BH中。第二图案OL-P可以与第一图案OL-O间隔开，并且可以设置在凹进区域BH中。在一些实施例中，第二图案OL-P可以形成为仅覆盖凹进区域BH的部分。在一些实施例中，第二图案OL-P可以设置在凹进区域BH的中心处。保护无机层CO可以设置在第二图案OL-P上。因此，第二图案OL-P可以被保护无机层CO充分地覆盖。例如，第二图案OL-P的上表面和相对的侧表面可以被保护无机层CO覆盖。
第一图案OL-O和第二图案OL-P可以通过底切结构彼此间隔开，该底切结构在形成电荷控制层OL的工艺期间由于绝缘层BI、IL1和IL2与基体基底BS之间的蚀刻速率的差异而形成。例如，在提供有机材料以形成电荷控制层OL的工艺中，由于底切结构，有机材料可以不形成在基体基底BS的凹进区域BH的侧表面的部分上。因此，第一图案OL-O和第二图案OL-P可以彼此断开(例如，物理断开)。
因为第二图案OL-P与电荷控制层OL的其它部分断开，所以第二图案OL-P可以阻挡从模块孔MH供应的湿气和氧的扩散路径。因此，可以能够改善显示面板DP的可靠性。
封装层TFE可以设置在有机发光元件ED上。封装层TFE可以包括第一无机封装层LIL、有机封装层OEL和/或第二无机封装层UIL。
第一无机封装层LIL可以设置在有机发光元件ED上。第一无机封装层LIL可以设置在电荷控制层OL上以与电荷控制层OL接触，电荷控制层OL设置在基体基底BS上。第二无机封装层UIL可以设置在第一无机封装层LIL上。第一无机封装层LIL和第二无机封装层UIL可以密封或封装有机封装层OEL。
在一些实施例中，第一无机封装层LIL和第二无机封装层UIL可以包括彼此不同的无机材料。在与显示区域DA叠置的区域中，与第二无机封装层UIL相比，第一无机封装层LIL可以与有机发光元件ED相邻设置，因此，第一无机封装层LIL可以包括用于补偿在有机发光元件ED中产生的光的材料。例如，第一无机封装层LIL可以包括氮氧化硅(SiOxNy)或低折射率氮氧化硅(SiOxNy)。
与第一无机封装层LIL相比，第二无机封装层UIL可以与外部相邻设置或者被设置为更靠近外部。在一些实施例中，第二无机封装层UIL是最外层。因此，第二无机封装层UIL可以包括能够容易地阻挡从外部供应的氧和湿气的材料。例如，第二无机封装层UIL可以包括氧化铝(AlOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳化硅(SiCx)、氧化钛(TiOx)、氧化锆(ZrOx)和氧化锌(ZnOx)中的至少一种。
在一些实施例中，与第一无机封装层LIL相比，第二无机封装层UIL可以包括具有良好或更好的封装性质的材料，因此，第二无机封装层UIL中的氧化速率可以比第一无机封装层LIL中的氧化速率慢。根据发明构思的一些实施例，与有机发光元件ED相邻的第一无机封装层LIL可以包括在改善光学特性方面是有效的无机材料，而与外部相邻的第二无机封装层UIL可以包括具有相对低的氧化速率和良好的封装性质的无机材料。这可以能够改善显示面板的可靠性。
有机封装层OEL可以设置在第一无机封装层LIL与第二无机封装层UIL之间。有机封装层OEL可以由有机材料形成或包括有机材料。例如，有机封装层OEL可以由环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的至少一种形成或包括环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的至少一种。
当在平面图中观看时，第一无机封装层LIL和第二无机封装层UIL中的每个可以是设置在显示面板DP的整个顶表面上的单个结构。第一无机封装层LIL和第二无机封装层UIL中的每个可以与有机封装层OEL部分地叠置。因此，在一些区域中，第一无机封装层LIL和第二无机封装层UIL可以在第三方向DR3上彼此间隔开，且有机封装层OEL置于第一无机封装层LIL与第二无机封装层UIL之间，而在其它区域中，第一无机封装层LIL和第二无机封装层UIL可以在第三方向DR3上彼此直接接触。封装层TFE可以气密地密封有机发光元件ED，并且可以保护有机发光元件ED免受外部污染材料的影响。
模块孔MH可以与孔区域PA叠置。模块孔MH可以设置在孔区域PA中。模块孔MH可以形成为穿透构成显示面板DP的元件中的一些元件。例如，模块孔MH可以形成为穿透基体基底BS、阻挡层BI、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、保护无机层CO、电荷控制层OL、第一无机封装层LIL和第二无机封装层UIL。在第二电极E2延伸到孔区域PA的情况下，模块孔MH可以形成为穿透第二电极E2。
模块孔MH可以由显示面板DP的穿透元件的端部部分限定。被模块孔MH穿透并且被暴露的基体基底BS的端部部分BS-E、阻挡层BI的端部部分BI-E、第一绝缘层IL1的端部部分IL1-E、第二绝缘层IL2的端部部分IL2-E、保护无机层CO的端部部分CO-E、电荷控制层OL的端部部分OL-E、第一无机封装层LIL的端部部分LIL-E和第二无机封装层UIL的端部部分UIL-ES可以限定模块孔MH的内表面GE。
构成内表面GE的基体基底BS的端部部分BS-E、阻挡层BI的端部部分BI-E、第一绝缘层IL1的端部部分IL1-E、第二绝缘层IL2的端部部分IL2-E、保护无机层CO的端部部分CO-E、电荷控制层OL的端部部分OL-E、第一无机封装层LIL的端部部分LIL-E和第二无机封装层UIL的端部部分UIL-ES可以彼此对准。
凹槽BR可以与孔区域PA叠置。凹槽BR可以从基体基底BS的一部分凹进，并且可以被保护无机层CO、第一无机封装层LIL和第二无机封装层UIL中的至少一个覆盖。根据发明构思的一些实施例，因为凹槽BR设置在模块孔MH附近、与模块孔MH邻近设置或者设置在模块孔MH周围，所以可以能够阻挡通过(或从)模块孔MH供应的湿气和氧。因此，可以能够改善显示面板DP的可靠性。
参照图5C，基体基底BS可以包括凹进区域BH，凹进区域BH与孔区域PA叠置并且通过使基体基底BS的至少一部分凹进而形成。阻挡层BI可以包括第一开口BG1，第一开口BG1与孔区域PA叠置并且形成为穿透阻挡层BI，第一绝缘层IL1可以包括第二开口BG2，第二开口BG2与孔区域PA叠置并且形成为穿透第一绝缘层IL1，第二绝缘层IL2可以包括第三开口BG3，第三开口BG3与孔区域PA叠置并且形成为穿透第二绝缘层IL2。当在平面图中观察时，凹进区域BH、第一开口BG1、第二开口BG2和第三开口BG3可以彼此叠置。
凹槽BR可以由形成为覆盖凹进区域BH、第二图案OL-P、第一开口BG1、第二开口BG2和第三开口BG3中的每个的内表面的保护无机层CO、第一无机封装层LIL和第二无机封装层UIL中的至少一个限定。
在一些实施例中，凹槽BR可以包括内部空间BR-I。内部空间BR-I可以是由覆盖凹进区域BH、第一开口BG1、第二开口BG2和第三开口BG3中的每个的内表面的保护无机层CO、第一无机封装层LIL和第二无机封装层UIL限定的区域。
在一些实施例中，可以通过用保护无机层CO、第一无机封装层LIL和第二无机封装层UIL中的至少一个覆盖内表面的底切结构来提供凹槽BR的内部空间BR-I，所述内表面通过蚀刻基体基底BS和绝缘层BI、IL1和IL2而暴露。在一些实施例中，凹槽BR的内部空间BR-I可以与阻挡层BI、第一绝缘层IL1和/或第二绝缘层IL2叠置。换句话说，当从平面图中观察时，内部空间BR-I可以限定比第一开口BG1、第二开口BG2和/或第三开口BG3大的开口。
在一些实施例中，保护无机层CO可以设置在孔区域PA中。当在平面图中观察时，保护无机层CO可以与有机发光元件ED间隔开。例如，保护无机层CO可以不与显示区域DA叠置。
保护无机层CO的一部分可以与凹槽BR叠置，并且可以是限定模块孔MH的内表面GE的端部部分中的一个。在图5A中，阴影区域描绘了其中设置有根据发明构思的一些实施例的保护无机层CO的区域。
保护无机层CO可以设置在第二绝缘层IL2、第三绝缘层IH和像素限定层PLE与第一无机封装层LIL之间。在一些实施例中，保护无机层CO可以与部分地覆盖第二绝缘层IL2、第三绝缘层IH和像素限定层PLE的第一图案OL-O、设置在凹进区域BH中的第二图案OL-P、凹进区域BH的被第二图案OL-P暴露的部分、第一开口BG1、第二开口BG2和第三开口BG3中的每个的内表面以及阻挡层BI的与凹进区域BH叠置的后表面接触。
保护无机层CO可以被第一无机封装层LIL覆盖，并且保护无机层CO可以与第一无机封装层LIL接触。第二无机封装层UIL可以设置在第一无机封装层LIL上。
在一些实施例中，保护无机层CO可以由与封装层TFE的第二无机封装层UIL相同的材料形成，或者可以包括与封装层TFE的第二无机封装层UIL相同的材料。例如，保护无机层CO可以包括氧化铝(AlOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳化硅(SiCx)、氧化钛(TiOx)、氧化锆(ZrOx)和氧化锌(ZnOx)中的至少一种。
根据发明构思的一些实施例，因为保护无机层CO包括具有良好的封装性质的无机材料，所以可以能够阻挡可能从基体基底BS提供的湿气和氧。因此，可以能够改善显示面板的可靠性。
根据发明构思的一些实施例，当在平面图中观察时，与凹槽BR(例如，内部空间BR-I)叠置并且从凹进区域BH突出的阻挡层BI、第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2可以被限定为尖端部分TP。在一些实施例中，尖端部分TP可以包括阻挡层BI、第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2中的每个的一部分。然而，发明构思不限于本示例，并且在一些实施例中，阻挡层BI、第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2中的至少一个可以不构成尖端部分TP。
在尖端部分TP(底切结构的一部分)由多个绝缘层形成的情况下，可能在构成尖端部分TP的绝缘层之间发生层离问题，并且可能由外部冲击引起破裂问题。在尖端部分TP的绝缘层中发生层离和/或破裂问题的情况下，外部湿气和氧可能渗透到电路器件层CL和显示元件层PL中，从而引起显示面板DP的可靠性劣化。
根据发明构思的一些实施例，因为保护无机层CO被附加地设置为覆盖尖端部分TP，所以尖端部分TP可以被设计为具有坚固的结构。因此，可以能够改善显示面板DP的抗冲击性。
图6是根据发明构思的一些实施例的显示面板的一部分的剖视图。为了简要的描述，先前参照图1至图5C描述的元件可以由相同的附图标记来标识，而不重复其相同或基本上相同的描述。
参照图6，根据发明构思的一些实施例的显示面板DP-1可以包括多个凹槽BR1和BR2。在图6中，示出了两个凹槽BR1和BR2作为多个凹槽的示例。
在一些实施例中，显示面板DP-1可以包括第一凹槽BR1和第二凹槽BR2。第一凹槽BR1和内部空间BR1-I可以具有与参照图5A至图5C描述的凹槽BR和内部空间BR-I基本上相同的特征。在下文中，下面可以更详细地描述第二凹槽BR2。
第二凹槽BR2可以与模块孔MH间隔开，第一凹槽BR1置于第二凹槽BR2与模块孔MH之间。例如，第一凹槽BR1可以在第一方向DR1和/或第二方向DR2上位于第二凹槽BR2与模块孔MH之间。在一些实施例中，第二凹槽BR2可以与第一凹槽BR1间隔开。第二凹槽BR2可以通过使基体基底BS的一部分从绝缘层BI、IL1和IL2中的至少一个的顶表面凹进而形成。第二凹槽BR2可以通过与用于形成第一凹槽BR1的工艺相同的工艺形成。然而，与第一凹槽BR1不同，第二凹槽BR2可以通过用保护无机层CO和第一无机封装层LIL覆盖基体基底BS的凹进部分的内表面以及绝缘层BI、IL1和IL2的开口中的每个的与凹进部分叠置的内表面来形成。
第二凹槽BR2可以包括内部空间BR2-I。内部空间BR2-I可以是通过用保护无机层CO和第一无机封装层LIL覆盖基体基底BS的凹进部分的内表面以及绝缘层BI，IL1和IL2的开口中的每个的与凹进部分叠置的内表面来限定的区域。内部空间BR2-I可以具有底切结构。
在一些实施例中，第二凹槽BR2的内部空间BR2-1可以填充有有机材料。例如，内部空间BR2-I可以填充有封装层TFE的有机封装层OEL。在一些实施例中，因为第二凹槽BR2的内部空间BR2-I填充有有机封装层OEL，所以尖端部分TP可以被设计为具有坚固的结构。这可以能够改善显示面板DP-1的可靠性。
在一些实施例中，可以设置多个凹槽。例如，虽然在图6中示出了两个凹槽BR1和BR2，但是如果需要，可以形成三个或更多个凹槽，并且发明构思不限于凹槽的特定数量。
图7是根据发明构思的一些实施例的显示面板的一部分的剖视图。为了简要的描述，先前参照图1至图6描述的元件可以由相同的附图标记来标识，而不重复其相同或基本上相同的描述。
参照图7，根据发明构思的一些实施例的显示面板DP-2还可以包括坝部分DMP。坝部分DMP可以与孔区域PA叠置。坝部分DMP可以设置在显示区域DA与孔区域PA之间的边界附近，并且可以沿着与孔区域PA相邻的边缘延伸。坝部分DMP可以被显示区域DA包围，或者可以设置在显示区域DA的侧面中的至少一个附近(例如，在垫(pad，或称为“焊盘”)或驱动电路附近的侧面区域处)。坝部分DMP可以被电荷控制层OL覆盖。
坝部分DMP可以包括第一坝部分D1和第二坝部分D2。坝部分DMP可以设置在第二绝缘层IL2上。在一些实施例中，第一坝部分D1可以包括与第三绝缘层IH相同的材料。第二坝部分D2可以包括与像素限定层PLE相同的材料。在一些实施例中，坝部分DMP可以由多个层形成，但是发明构思不限于此实施例。例如，坝部分DMP可以具有单层结构，该单层结构包括与第三绝缘层IH和像素限定层PLE中的至少一个相同的材料。
在一些实施例中，可以供应液态有机材料以形成有机封装层OEL，并且在这种情况下，在形成有机封装层OEL期间，坝部分DMP可以用于界定液态有机材料的铺展边界。有机封装层OEL可以通过用液态有机材料涂覆第一无机封装层LIL的喷墨方法形成，并且在这种情况下，坝部分DMP可以界定其上涂覆有液态有机材料的区域的边界，并且可以防止或基本上防止液态有机材料溢出到坝部分DMP的外部。
在一些实施例中，坝部分DMP可以设置在第一凹槽BR1与模块孔MH之间的区域以及第一凹槽BR1与第二凹槽BR2之间的区域中的至少一个中。图7示出了其中坝部分DMP设置在第一凹槽BR1与模块孔MH之间的区域以及第一凹槽BR1与第二凹槽BR2之间的区域中的每个中的示例，然而，发明构思不限于本示例。例如，可以从第一凹槽BR1与模块孔MH之间的区域以及第一凹槽BR1与第二凹槽BR2之间的区域中的一个中省略坝部分DMP。
图8A至图8D是放大剖视图，放大剖视图中的每个示出了根据发明构思的一些实施例的显示面板的一部分。图8A至图8D示出了与图5B的部分TT'对应的区域。为了简要的描述，先前参照图1至图5C描述的元件可以由相同的附图标记来标识，而不重复其相同或基本上相同的描述。
参照图8A，根据发明构思的一些实施例的显示面板DP-A可以包括凹进区域BH-1，凹进区域BH-1与孔区域PA(例如，参见图5B)叠置并且通过使基体基底BS的至少一部分凹进而形成。在一些实施例中，凹进区域BH-1可以包括底部区域BH-B和侧部区域BH-C。
底部区域BH-B和侧部区域BH-C可以彼此连接，以限定凹进区域BH-1的内部空间。在一些实施例中，侧部区域BH-C可以包括弯曲表面。这可能是由于当在基体基底BS-1的厚度方向上供应用于去除绝缘层BI、IL1和IL2的蚀刻材料时由蚀刻材料的吸收量的差异形成的底切结构。
在一些实施例中，绝缘层BI、IL1和IL2的与凹进区域BH-1叠置的开口BG1、BG2和BG3以及第一图案OL-O可以与保护无机层CO接触。在一些实施例中，保护无机层CO可以与第一图案OL-O的顶表面以及开口BG1、BG2和BG3的对准的侧表面接触。
参照图8B，根据发明构思的一些实施例的显示面板DP-B的尖端部分TP可以与第一图案OL-O1叠置。例如，第一图案OL-O1可以形成为覆盖绝缘层BI、IL1和IL2中的每个的限定开口BG1、BG2和BG3的侧表面。然而，发明构思不限于本示例，并且在一些实施例中，电荷控制层OL可以延伸以覆盖保护无机层CO的覆盖阻挡层BI的构成尖端部分TP的后表面的至少一部分。
根据发明构思的一些实施例，覆盖尖端部分TP的第一图案OL-O1可以与第二图案OL-P间隔开。因此，第二图案OL-P可以与第一图案OL-O1断开。因为第二图案OL-P和第一图案OL-O1彼此断开，所以可以能够阻挡从模块孔MH供应的湿气和氧。
参照图8C，根据发明构思的一些实施例的显示面板DP-C还可以包括第一基体基底BS1、第一阻挡层BI1、第二基体基底BS2和第二阻挡层BI2。
第二基体基底BS2的后表面可以被定义为显示面板DP-C的后表面。第二阻挡层BI2可以设置在第二基体基底BS2上。第一基体基底BS1可以设置在第二阻挡层BI2上。第一阻挡层BI1可以设置在第一基体基底BS1上。
基体基底BS1和BS2可以包括有机材料。例如，基体基底BS1和BS2可以由聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺和聚醚砜中的至少一种形成，或者可以包括聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺和聚醚砜中的至少一种。
阻挡层BI1和BI2可以是包括无机材料的绝缘层。例如，阻挡层BI1和BI2可以包括氧化铝(AlOx)、氧化钛(TiOx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化锆(ZrOx)和氧化铪(HfOx)中的至少一种。阻挡层BI1和BI2可以防止或基本上防止外部污染材料穿过其。
在一些实施例中，凹槽BR可以是第一基体基底BS1的从第一阻挡层BI1的顶表面凹进的部分，并且可以覆盖有保护无机层CO、第一无机封装层LIL和第二无机封装层UIL中的至少一个。
参照图8D，根据发明构思的一些实施例的显示面板DP-D还可以包括第一基体基底BS1、第一阻挡层BI1、第二基体基底BS2和第二阻挡层BI2。在一些实施例中，第一基体基底BS1、第一阻挡层BI1、第二基体基底BS2和第二阻挡层BI2可以与图8C的基体基底BS1和BS2以及阻挡层BI1和BI2基本上相同。
在一些实施例中，第一阻挡层BI1可以包括形成为穿透第一阻挡层BI1的第一开口BG1。第一绝缘层IL1可以包括形成为穿透第一绝缘层IL1的第二开口BG2，第二绝缘层IL2可以包括形成为穿透第二绝缘层IL2的第三开口BG3。第一基体基底BS1可以包括形成为穿透第一基体基底BS1的穿透孔BH-A。
第二阻挡层BI2可以包括形成为穿透第二阻挡层BI2的第四开口BG4，并且第二基体基底BS2可以包括通过使第二基体基底BS2的至少一部分凹进而形成的凹进区域BH-B。
在一些实施例中，第一开口BG1、第二开口BG2、第三开口BG3、穿透孔BH-A、第四开口BG4和凹进区域BH-B中的每个可以在孔区域PA中彼此叠置。
在一些实施例中，凹槽BR-4可以由形成为覆盖第一开口BG1、第二开口BG2、第三开口BG3、穿透孔BH-A、第四开口BG4和凹进区域BH-B中的每个的内表面的保护无机层CO、第一无机封装层LIL和第二无机封装层UIL中的至少一个限定。
因为多个基体基底和阻挡层被穿透或凹进以形成凹槽BR-4，所以可以能够增加通过模块孔MH(例如，参见图5B)进入的湿气和氧的穿透路径的长度，从而改善显示面板DP-D的可靠性。
根据发明构思的一些实施例，显示面板DP可以包括形成为覆盖凹进的基体基底和穿透的绝缘层的内表面的保护无机层CO，因此，尖端部分TP可以被设计为具有坚固的结构。这可以能够改善显示面板DP的抗冲击性。
图9A和图9B是放大平面图，放大平面图中的每个示出了根据发明构思的一些实施例的显示面板的一部分。为了简要的描述，先前参照图1至图5C描述的元件可以由相同的附图标记来标识，而不重复其相同或基本上相同的描述。
参照图9A，根据发明构思的一些实施例的模块孔MH-A和凹槽BR-A可以具有彼此不同的平面形状。例如，模块孔MH-A可以具有圆形形状。凹槽BR-A可以具有包围模块孔MH-A的闭合线形状。在一些实施例中，凹槽BR-A的闭合线形状可以具有矩形形状或四边形形状。包围凹槽BR-A的孔区域PA-A的平面形状可以与凹槽BR-A的闭合线形状相同。
因为模块孔MH-A和凹槽BR-A具有彼此不同的平面形状，所以通过模块孔MH-A进入的湿气和氧的渗透路径的长度可以增加，并且这可以能够改善显示面板DP(例如，参见图5B)的可靠性。
参照图9B，根据发明构思的一些实施例的模块孔MH-B和凹槽BR-B可以具有基本上相同的平面形状。例如，模块孔MH-B的形状可以是矩形或四边形。凹槽BR-B可以具有包围模块孔MH-B的闭合线形状。在一些实施例中，凹槽BR-B的闭合线形状可以是矩形或四边形。包围凹槽BR-B的孔区域PA-B的平面形状可以与凹槽BR-B的闭合线形状相同。
然而，发明构思不限于本示例，并且在一些实施例中，当在平面图中观察时，孔区域PA-A或PA-B、模块孔MH-A或MH-B以及凹槽BR-A或BR-B可以具有彼此不同的形状。发明构思不限于任何特定实施例。
在模块孔MH-B和凹槽BR-B的平面形状彼此相似的情况下，模块孔MH-B与凹槽BR-B之间的空间的面积可以减小。因此，可以减小孔区域PA-B在显示区域DA(例如，参见图2)中的占据面积，并且因此可以能够减小孔区域PA-B对显示区域DA的影响。
在图9A和图9B中，阴影区域描绘了其中设置有根据发明构思的一些实施例的保护无机层CO的区域。在图9A和图9B中，保护无机层CO被示出为具有定位在显示区域DA与孔区域PA-A或PA-B之间的边界上或附近的端部部分，但是发明构思不限于本示例。例如，保护无机层CO的端部部分的位置可以以各种方式适当地改变，只要保护无机层CO与孔区域PA-A中的凹槽BR-A或孔区域PA-B中的凹槽BR-B叠置即可。
根据发明构思的一些实施例，保护无机层CO可以设置为仅与孔区域PA叠置，因此，保护无机层CO可以与有机发光元件ED间隔开。
图10A至图10F是示出制造根据发明构思的一些实施例的显示面板的方法的剖视图。为了简要的描述，先前参照图1至图5C描述的元件可以由相同的附图标记标识，而不重复其相同或基本上相同的描述。在下文中，可以参照图10A至图10F更详细地描述根据发明构思的一些实施例的制造显示面板的方法。
参照图10A，可以在基体基底BS上形成阻挡层BI。可以在阻挡层BI上形成晶体管TR。可以通过使导电材料图案化来形成包括在晶体管TR中的半导体图案SL以及电极CE、IE和OE。可以通过绝缘层IL1、IL2和IH(或在绝缘层IL1、IL2和IH之间)将半导体图案SL以及电极CE、IE和OE彼此间隔开(或分离)，并且可以通过限定在绝缘层IL1和IL2中的接触孔使半导体图案SL、输入电极IE和输出电极OE彼此连接。
可以在第三绝缘层IH上形成第一电极E1。可以通过将导电材料图案化来形成第一电极E1。可以通过限定在第三绝缘层IH中的接触孔将第一电极E1连接到输出电极OE。
可以在第三绝缘层IH上形成包括有机材料的像素限定层PLE。可以将像素限定层PLE形成为限定暴露第一电极E1的至少一部分的开口。
可以在与孔区域PA叠置的阻挡层BI、第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2中形成分别穿透阻挡层BI、第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2的开口BG1、BG2和BG3。可以在基体基底BS的与孔区域PA叠置的部分中形成凹进区域BH。由于在特定蚀刻材料下绝缘层BI、IL1和IL2与基体基底BS之间的蚀刻速率的差异，因此可以将开口BG1、BG2和BG3以及凹进区域BH形成为具有底切结构。
接下来，参照图10B，可以通过沉积工艺在像素限定层PLE上形成构成有机发光元件ED的发光图案EL、电荷控制层OL和第二电极E2。在一些实施例中，可以将发光图案EL和电荷控制层OL限定为包含有机材料的有机层。有机层和/或第二电极E2可以延伸到孔区域PA，并且可以形成在基体基底BS的整个顶表面上。图10B示出了其中仅在显示区域DA中形成第二电极E2的示例，但是发明构思不限于本示例。例如，可以在基体基底BS的整个顶表面上形成第二电极E2。电荷控制层OL可以包括有机图案OL-T、第一图案OL-O和第二图案OL-P。
可以通过底切结构使第一图案OL-O和第二图案OL-P彼此间隔开，该底切结构在形成电荷控制层OL的工艺期间由于绝缘层BI、IL1和IL2与基体基底BS之间的蚀刻速率的差异而形成。例如，在提供有机材料以形成电荷控制层OL的工艺中，由于底切结构，可以不在基体基底BS的凹进区域BH的侧表面的部分上形成有机材料。因此，第一图案OL-O和第二图案OL-P可以彼此断开。
因为第二图案OL-P与电荷控制层OL的其它部分间隔开，所以第二图案OL-P可以阻挡从模块孔MH供应的湿气和氧的扩散路径。因此，可以能够改善显示面板DP的可靠性。
接下来，参照图10C和图10D，可以在基体基底BS的整个顶表面上形成初始保护无机层CO-A。初始保护无机层CO-A可以包括无机材料。初始保护无机层CO-A可以形成为与凹进区域BH的内表面、开口BG1、BG2和BG3中的每个的内表面以及阻挡层BI的后表面的与凹进区域BH叠置的部分接触。
接下来，可以通过初始保护无机层CO-A的一部分形成保护无机层CO。保护无机层CO可以形成为与孔区域PA叠置。因此，形成在显示区域DA中的元件可以与保护无机层CO间隔开。
接下来，参照图10E，可以在显示区域DA和孔区域PA中形成包括无机材料的第一无机封装层LIL。此后，可以在第一无机封装层LIL上形成包括有机材料的有机封装层OEL。
接下来，可以在显示区域DA和孔区域PA中形成包括无机材料的第二无机封装层UIL。第一无机封装层LIL和第二无机封装层UIL可以形成为在孔区域PA中彼此接触。第一无机封装层LIL可以形成为覆盖保护无机层CO的整个顶表面。
接下来，参照图10F，可以在与显示区域DA的孔区域PA叠置的区域中形成模块孔MH。可以通过构成内表面GE的基体基底BS的端部部分BS-E、阻挡层BI的端部部分BI-E、第一绝缘层IL1的端部部分IL1-E、第二绝缘层IL2的端部部分IL2-E、电荷控制层OL的端部部分OL-E、保护无机层CO的端部部分CO-E、第一无机封装层LIL的端部部分LIL-E和第二无机封装层UIL的端部UIL-E限定模块孔MH。
根据发明构思的一些实施例，因为附加地设置保护无机层CO以覆盖尖端部分TP，所以尖端部分TP可以被设计为具有坚固的结构。可以能够改善显示面板DP的抗冲击性。
图11A是根据发明构思的一些实施例的电子装置的分解透视图。图11B是图11A的部分YY'的放大图。
参照图11A和图11B，根据发明构思的一些实施例的电子装置EA-A可以不具有图2的模块孔MH。在一些实施例中，因为其中插置有电子模块ID的模块孔MH不形成在显示面板DP中，所以可以能够增加显示区域DA的面积。
因为省略了模块孔MH，所以像素PX可以形成在孔区域PA中。通过使用透明材料形成与孔区域PA叠置的元件中的全部或一些或者通过使包括在像素PX中的发光图案EL(例如，参见图5B)的密度减小，可以使由显示面板DP和像素PX的元件施加到电子模块ID的干扰影响减小或最小化。在图11B中，阴影区域描绘了其中设置有保护无机层CO的区域。
在根据发明构思的一些实施例的电子装置EA-A中，因为从显示面板DP的与电子模块ID叠置的孔区域PA中省略了模块孔MH，所以可以能够改善显示面板DP的可见性。
根据发明构思的一些实施例，显示面板被构造为防止或减少对电子模块的干扰。因此，即使电子模块设置在显示装置中，显示装置也可以具有窄边框区域。
此外，可以能够容易地防止装置等被外部湿气或氧损坏。这可以能够改善显示装置的工艺和使用中的可靠性。
另外，根据发明构思的一些实施例，可以设置保护无机层以包围凹槽的尖端部分，并且这可以能够改善电子装置的抗冲击性质。
虽然已经具体地示出和描述了发明构思的示例实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离所附权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的变化。
Claims (10)
1.一种电子装置，所述电子装置包括：
基体基底，包括孔区域、包围所述孔区域的显示区域和与所述显示区域相邻的***区域，所述孔区域包括凹进区域，所述基体基底的至少一部分在所述凹进区域处凹进；
电路器件层，包括晶体管和多个绝缘层，所述多个绝缘层中的每个具有与所述凹进区域叠置的开口，所述电路器件层位于所述基体基底上；
显示元件层，位于所述电路器件层上，所述显示元件层包括有机发光元件和封装层，所述有机发光元件包括连接到所述晶体管的第一电极、与所述第一电极相对的第二电极、位于所述显示区域中的发光图案以及位于所述第一电极与所述第二电极之间并且与所述显示区域和所述孔区域叠置的电荷控制层，所述封装层位于所述有机发光元件上，所述封装层包括第一无机封装层、第二无机封装层和位于所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层；
保护无机层，位于所述孔区域中，并且位于所述多个绝缘层与所述第一无机封装层之间；以及
模块孔，与所述孔区域叠置并且与所述凹进区域间隔开，所述模块孔穿透所述基体基底、所述多个绝缘层中的至少一部分、所述保护无机层、第一图案、所述第一无机封装层和所述第二无机封装层中的每个，
其中，所述电荷控制层包括与所述发光图案、所述第一图案和第二图案叠置的有机图案，所述第一图案设置在所述多个绝缘层中的与所述孔区域叠置的一个上，所述第二图案与所述第一图案间隔开并且设置在所述凹进区域中，并且
所述保护无机层覆盖所述第一图案和所述第二图案。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述保护无机层被所述第一无机封装层覆盖。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层包括彼此不同的材料，并且
所述保护无机层包括与所述第二无机封装层的材料相同的材料。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其中，所述保护无机层包括氮化硅，并且
所述第一无机封装层包括氮氧化硅。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述保护无机层与所述第一无机封装层相比具有相对低的氧化速率。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其中，当在平面图中观察时，所述保护无机层不与所述显示区域叠置，并且与所述发光图案间隔开。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第二图案暴露所述凹进区域的至少一部分，并且
所述保护无机层覆盖所述凹进区域的被所述第二图案暴露的所述至少一部分。
8.根据权利要求1所述的电子装置，所述电子装置还包括第一凹槽，所述第一凹槽通过用所述保护无机层、所述第一无机封装层和所述第二无机封装层覆盖每个所述开口的内表面和所述凹进区域的内表面而形成。
9.根据权利要求8所述的电子装置，所述电子装置还包括第二凹槽，所述第二凹槽与所述模块孔间隔开，所述第一凹槽插置在所述第二凹槽与所述模块孔之间，所述第二凹槽通过使所述基体基底的一部分从所述多个绝缘层中的至少一个的顶表面凹进而形成，并且被所述保护无机层和所述第一无机封装层覆盖，
其中，所述第二凹槽具有填充有所述有机封装层的内部空间。
10.根据权利要求9所述的电子装置，所述电子装置还包括坝部分，所述坝部分设置在所述第一凹槽与所述模块孔之间的区域和所述第一凹槽与所述第二凹槽之间的区域中的至少一个中，
其中，所述坝部分包括与所述多个绝缘层中的一个的材料相同的材料。
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