KR20200095565A - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 - Google Patents

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Abstract

기판을 수용하는 처리실; 금속과 반응하는 화합물을 포함하는 처리 가스를 처리실 내에 공급하는 가스 공급계; 및 처리실 내의 분위기를 배기하는 가스 배기계를 구비하고, 가스 배기계는, 처리실에 연통되는 공통 배기 배관; 일단이 제1 밸브를 개재하여 공통 배기 배관에 접속되고, 상기 화합물과 반응하지 않는 수지로 구성된 제1 배기 배관; 일단이 제2 밸브를 개재하여 공통 배기 배관에 접속되고, 금속으로 구성된 제2 배기 배관; 상기 제1 배기 배관에 접속된 제1 배기 장치; 및 상기 제2 배기 배관에 접속된 제2 배기 장치를 구비한다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
본 발명은 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서 과산화수소(H2O2)를 포함하는 액체 원료를 기화시켜서 기화 가스를 생성하는 공정과, 처리실 내의 기판에 대하여 이 기화 가스를 공급하는 공정을 포함하는 기판 처리가 수행되는 경우가 있다(예컨대 특허문헌 1, 2 참조).
1: 국제공개 제2014/069826호 2: 국제공개 제2013/070343호
H2O2 등의 금속과 높은 반응성을 가지는 화합물을 포함하는 가스를 처리 가스로서 사용할 때 금속으로 구성된 배기 배관을 개재하여 처리 가스를 배기하면, 금속이 화합물과 반응하여 배기 배관이 부식되거나, 화합물과 반응한 금속 성분이 처리실 내의 기판에 부착하여 금속 오염을 발생시키는 경우가 있다. 한편, 이러한 화합물과의 반응성이 낮은 수지 등의 재료로 구성된 배기 배관을 이용하면, 배기의 진공도를 높게 할 때(배기관 내의 압력을 낮게 할 때) 요구되는 배기 배관의 내압 성능이나 내(耐)가스 투과 성능을 확보하지 못하는 경우가 있다.
본 발명의 목적은 금속과 높은 반응성을 가지는 화합물을 포함하는 가스를 처리 가스로서 사용하는 경우에도 폭넓은 압력 영역에서의 배기를 실현하는 것이 가능한 기술을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 기판을 수용하는 처리실; 금속과 반응하는 화합물을 포함하는 처리 가스를 상기 처리실 내에 공급하는 가스 공급계; 및 상기 처리실 내의 분위기를 배기하는 가스 배기계를 구비하고, 상기 가스 배기계는, 상기 처리실에 연통되는 공통 배기 배관; 일단(一端)이 제1 밸브를 개재하여 상기 공통 배기 배관에 접속되고, 상기 화합물과 반응하지 않는 수지로 구성된 제1 배기 배관; 일단이 제2 밸브를 개재하여 상기 공통 배기 배관에 접속되고, 금속으로 구성된 제2 배기 배관; 상기 제1 배기 배관에 접속된 제1 배기 장치; 및 상기 제2 배기 배관에 접속된 제2 배기 장치를 구비하는 기술이 제공된다.
본 발명에 따르면, 금속과 높은 반응성을 가지는 화합물을 포함하는 가스를 처리 가스로서 사용하는 경우에도 폭넓은 압력 영역에서의 배기를 실현하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 종형(縱型) 처리로의 개략 구성도이며, 처리로 부분을 종단면도(縱斷面圖)로 도시하는 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성도이며, 컨트롤러의 제어계를 블록도로 도시하는 도면.
도 3은 사전 처리 공정의 일례를 도시하는 흐름도.
도 4는 사전 처리 공정 후에 실시되는 기판 처리 공정의 일례를 도시하는 흐름도.
<본 발명의 일 실시 형태>
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 대해서 도 1 내지 도 4를 이용하여 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
도 1에 도시하는 바와 같이 처리로(202)는 반응관(203)을 구비한다. 반응관(203)은 예컨대 석영(SiO2) 등의 내열성 재료에 의해 구성되고, 상단에 가스 공급 포트(203p)를 포함하고, 하단에 노구(爐口)[개구(開口)]를 포함하는 원통 부재로서 구성된다. 반응관(203)의 통중공부(筒中空部)에는 처리실(201)이 형성된다. 처리실(201)은 복수 매의 기판으로서의 웨이퍼(200)를 수용 가능하도록 구성된다.
반응관(203)의 하방(下方)에는 반응관(203)의 하단 개구를 기밀하게 폐색(閉塞) 가능한 덮개부로서의 씰 캡(219)이 설치된다. 씰 캡(219)은 예컨대 석영 등의 비금속 재료에 의해 구성되고, 원반 형상으로 형성된다. 씰 캡(219)의 상면에는 반응관(203)의 하단과 당접(當接)하는 씰 부재로서의 O링(220)이 설치된다. 씰 캡(219)의 하방에는 회전 기구(267)가 설치된다. 회전 기구(267)의 회전축(255)은 씰 캡(219)을 관통해서 보트(217)에 접속된다. 회전 기구(267)는 보트(217)를 회전시키는 것에 의해 웨이퍼(200)를 회전시키도록 구성된다. 회전축(255)에 개설된 회전축(255)의 축받이부(219s)는 자기(磁氣) 씰 등의 유체 씰로서 구성된다. 씰 캡(219)은 반응관(203)의 외부에 설치된 승강 기구로서의 보트 엘리베이터(115)에 의해 수직 방향으로 승강되도록 구성된다. 보트 엘리베이터(115)는 씰 캡(219)을 승강시키는 것에 의해 웨이퍼(200)를 처리실(201) 내외에 반입 및 반출(반송)하는 반송 기구로서 구성된다.
기판 지지구로서의 보트(217)는 복수 매, 예컨대 25매 내지 200매의 웨이퍼(200)를 수평 자세로, 또한 서로 중심을 맞춘 상태에서 수직 방향으로 정렬시켜서 다단으로 지지하도록, 즉 간격을 두고 배열시키도록 구성된다. 보트(217)는 예컨대 석영 등의 내열성 재료에 의해 구성되고, 상하에 천판(天板)(217a), 저판(底板)(217b)을 구비한다. 보트(217)의 하부에 수평 자세로 다단으로 지지된 단열체(218)는 예컨대 석영 등의 내열성 재료에 의해 구성되고, 웨이퍼 수용 영역과 노구 근방 영역 사이의 열전도를 억제하도록 구성된다. 단열체(218)를 보트(217)의 구성 부재의 일부라고도 생각할 수 있다.
반응관(203)의 외측에는 가열부로서의 히터(207)가 설치된다. 히터(207)는 처리실(201) 내에서의 웨이퍼 수용 영역을 둘러싸도록 수직으로 설치된다. 히터(207)는 웨이퍼 수용 영역에 수용된 웨이퍼(200)를 소정의 온도로 가열하는 것 외에 처리실(201) 내에 공급된 가스에 열 에너지를 부여하여 그 액화를 억제하는 액화 억제 기구로서 기능하거나, 이 가스를 열로 활성화시키는 여기(勵起) 기구로서 기능한다. 처리실(201) 내에는 반응관(203)의 내벽을 따라 온도 검출부로서의 온도 센서(263)가 설치된다. 온도 센서(263)에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 히터(207)의 출력이 조정된다.
반응관(203)의 상단에 설치된 가스 공급 포트(203p)에는 가스 공급관(232a)이 접속된다. 가스 공급관(232a)에는 상류측부터 순서대로 가스 발생기(250a), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(241a) 및 개폐 밸브인 밸브(243a)가 설치된다.
기화기로서의 가스 발생기(250a)는 액체 원료로서의 과산화수소수를 예컨대 대략 대기압 하에서 120℃ 내지 200℃의 범위 내의 소정의 온도(기화 온도)로 가열하거나 하여 이것을 기화 또는 미스트화시키는 것에 의해 처리 가스를 발생시키도록 구성된다. 여기서 과산화수소수란 상온에서 액체인 과산화수소(H2O2)를 용매로서의 물(H2O) 중에 용해시키는 것에 의해 얻어지는 수용액이다. 과산화수소수를 기화시키는 것에 의해 얻어진 가스 중에는 H2O2 및 H2O가 각각 소정의 농도로 포함된다. 이하, 이 가스를 H2O2 함유 가스라고도 부른다. 처리 가스 중에 포함되는 H2O2은 활성 산소의 일종이며, 불안정하고 산소(O)를 방출하기 쉽고, 매우 강한 산화력을 가지는 히드록시래디컬(OH 래디컬)을 생성시킨다. 그렇기 때문에 H2O2 함유 가스는 후술하는 기판 처리 공정에서 강력한 산화제(O 소스)로서 작용한다. 또한 본 명세서에서의 「120℃ 내지 200℃」와 같은 수치 범위의 표기는 하한값 및 상한값이 그 범위에 포함되는 것을 의미한다. 따라서 예컨대 「120℃ 내지 200℃」는 「120℃ 이상 200℃ 이하」를 의미한다. 다른 수치 범위에 대해서도 마찬가지이다.
가스 공급관(232a)의 밸브(243a)보다 하류측이며, 히터(207)에 의해 가열되는 부분보다 상류측에는 캐리어 가스(희석용 가스)을 공급하는 가스 공급관(232b)이 접속된다. 가스 공급관(232b)에는 상류측부터 순서대로 MFC(241b) 및 밸브(243b)가 설치된다.
캐리어 가스로서는 산소(O2) 가스 등의 H2O2 비함유의 O 함유 가스나, 질소(N2) 가스나 희가스 등의 불활성 가스, 또는 이들의 혼합 가스를 이용할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는 과산화수소수를 기화 또는 미스트화할 때에 기화용 캐리어 가스를 과산화수소수와 함께 가스 발생기(250a)에 공급하는 것에 의해 과산화수소수를 무화(霧化, atomizing)한다. 기화용 캐리어 가스의 유량은 예컨대 과산화수소수의 유량의 100배 내지 500배 정도다. 기화용 캐리어 가스로서는 전술한 캐리어 가스(희석용 가스)와 마찬가지의 가스를 이용할 수 있다. 기화용 캐리어 가스나 캐리어 가스(희석용 가스)를 이용하는 경우, 기화용 캐리어 가스나 캐리어 가스(희석용 가스)를 각각 전술한 「처리 가스」, 「H2O2 함유 가스」에 포함시켜서 생각해도 좋다.
주로 가스 공급관(232a), MFC(241a), 밸브(243a)에 의해 처리 가스 공급계가 구성된다. 또한 주로 가스 공급관(232b), MFC(241b), 밸브(243b)에 의해 캐리어 가스(희석용 가스) 공급계가 구성된다.
반응관(203)의 측벽 하방에는 처리실(201)에 연통하고, 처리실(201) 내의 분위기를 배기하는 공통 배기 배관으로서의 배기관(231)이 접속된다. 배기관(231)은 금속 배관이며, 배관 내표면이 처리 가스에 포함되는 H2O2 등의 금속과 높은 반응성을 가지는 화합물과 반응하지 않도록 배관 내표면에 표면 처리가 이루어진다. 표면 처리로서 내(耐)부식성의 니켈(Ni)계 재료에 의한 코팅 처리, 불소 수지에 의한 코팅 처리, 오존을 이용한 표면 처리, 베이킹에 의한 산화 처리(특히 대기 분위기 하에서의 베이킹 처리) 등이 수행된다. 배기관(231)에는 압력 검출기인 제1 압력 센서로서의 압력 센서(245a)와, 압력 검출기인 제2 압력 센서로서의 압력 센서(245b)가 설치된다.
압력 센서(245a)는 배기관(231) 내의 소정의 제1 압력 영역의 압력인, 예컨대 600Torr(7,9993Pa) 이상 대기압 이하의 미감압(微減壓) 영역에서의 절대압을 측정하고, 접속된 컨트롤러(121)에 압력 데이터를 출력하도록 구성된다. 압력 센서(245b)는 배기관(231) 내의 제1 압력 영역 및 이 제1 압력 영역보다 낮은 제2 압력 영역의 압력 영역이며, 예컨대 0Torr 내지 대기압의 범위의 절대압을 측정하고, 접속된 컨트롤러(121)에 압력 데이터를 출력하도록 구성된다[단 하한값으로 한 0Torr는 압력 센서(245b)의 측정 오차를 포함하는 값이다]. 즉 압력 센서(245a)로 측정되는 압력의 범위는 압력 센서(245b)로 측정되는 압력의 범위보다 좁다. 한편으로 압력 센서(245a)는 제1 압력 영역에서 압력 센서(245b)보다 높은 정밀도와 분해능으로 배기관(231) 내의 압력을 측정하는 것이다.
배기관(231)은 2개로 분기되고, 일방(一方)의 하류단에는 배기관(249)의 일단이 제2 밸브로서의 밸브(248b)를 개재하여 접속된다. 또한 타방(他方)의 하류단에는 배기관(242)의 일단이 제1 밸브로서의 밸브(248a)를 개재하여 접속된다.
배기관(242)의 하류단에는 제1 압력 조정 밸브로서의 APC 밸브(244a)를 개재하여 배기관(270)이 접속된다. 배기관(270)의 하류단에는 미감압 배기 장치(제1 배기 장치)로서의 미감압 펌프(247)가 설치된다. 배기관(242) 및 배기관(270)은 처리 가스에 포함되는 금속과 높은 반응성을 가지는 화합물과 반응하지 않는 재료, 예컨대 수지로 구성된다. 수지로서는 예컨대 불소 수지가 이용된다. 여기서 밸브(248a)의 하류에 설치되는 배기관(242) 및 배기관(270)은 제1 배기 배관을 구성한다.
미감압 펌프(247)는 처리실(201) 내의 압력이 제1 압력 영역 내의 소정의 압력(예컨대 730Torr)이 되도록 배기관(270) 내를 배기하도록 구성된다. 따라서 미감압 펌프(247)는 적어도 이 소정의 압력 이하의 압력까지 배기관(270) 내를 배기하는 능력을 구비한다. 예컨대 배기관(270) 내가 600Torr까지 감압되도록 구동(驅動)된다. 미감압 펌프(247)는 예컨대 가스 이젝터나 다이어프램 밸브식의 소형 펌프 등이며, 미감압 펌프(247)의 일차측과 이차측에 차압을 만들어내서 가스를 배기한다. 또한 가스 이젝터의 경우, APC 밸브(244a)와 미감압 펌프(247)는 일체로서 구성되는 경우도 있다. 미감압 펌프(247)는 처리 가스와 접촉하는 부분이 처리 가스에 포함되는 금속과 높은 반응성을 가지는 화합물과 반응하지 않는 재료, 예컨대 불소 수지 등으로 구성된 부품에 의해 구성된다.
밸브(248a)는 밸브의 개폐가 제어되는 것에 의해 배기관(242)으로부터의 배기의 유무(ON/OFF)를 절체하도록 구성된다. 또한 컨트롤러(121)에 접속된 APC 밸브(244a)는 압력 센서(245a)에 의해 측정된 압력 정보에 기초하여 미감압 펌프(247)를 작동시킨 상태에서 밸브의 개도(開度)가 제어되는 것에 의해 배기관(242), 배기관(231) 및 처리실(201) 내를 미감압 또는 대기압에서 배기할 수 있도록 구성된다. APC 밸브(244a)의 밸브가 완전히 닫히도록 제어되는 것에 의해 배기관(242) 등의 배기도 정지할 수 있다.
배기관(249)은 금속 배관이며, 배기관(231)과 마찬가지로 배관 내표면이 처리 가스에 포함되는 금속과 높은 반응성을 가지는 화합물과 반응하지 않도록 배관 내표면에 표면 처리가 이루어진다. 배기관(249)의 하류단에는 제2 압력 조정 밸브로서의 APC 밸브(244b)를 개재하여 금속 배관인 배기관(280)이 접속된다. 배기관(280)의 하류단에는 진공 배기 장치(제2 배기 장치)로서의 진공 펌프(246)가 설치된다. 여기서 밸브(248b)의 하류에 설치되는 배기관(249) 및 배기관(280)은 제2 배기 배관을 구성한다. 또한 특히 APC 밸브(244b)의 하류에 설치되는 배기관(280)은 제3 배기 배관을 구성한다.
진공 펌프(246)는 처리실(201) 내의 압력이 제1 압력 영역보다 낮은 제2 압력 영역 내의 소정의 압력(예컨대 400Torr)이 되도록 배기관(280) 내를 배기하도록 구성된다. 따라서 진공 펌프(246)는 적어도 이 소정의 압력 이하의 압력까지 배기관(280) 내를 배기하는 능력을 구비한다. 보다 바람직하게는 진공 펌프(246)는 배기관(280) 내의 압력(배기 가능 압력·배기 능력)을 10Torr 미만으로 하도록 구성되는 것이 바람직하다. 진공 펌프(246)로서는 예컨대 드라이 펌프나 메커니컬 부스터 펌프 등을 이용할 수 있다.
밸브(248b)는 밸브의 개폐가 제어되는 것에 의해 배기관(249)으로부터의 배기의 유무(ON/OFF)를 절체하도록 구성된다. 또한 컨트롤러(121)에 접속된 APC 밸브(244b)는 압력 센서(245b)에 의해 측정된 압력 정보에 기초하여 진공 펌프(246)를 작동시킨 상태에서 밸브의 개도가 제어되는 것에 의해 배기관(249), 배기관(231) 및 처리실(201) 내를 진공 배기할 수 있도록 구성된다. APC 밸브(244b)의 밸브가 완전히 닫히도록 제어되는 것에 의해 배기관(249) 등의 배기도 정지할 수 있다.
여기서 배기관(231), 배기관(249), 배기관(280) 및 진공 펌프(246)의 처리 가스와 접촉하는 부분의 전체에 대하여 배기관(231)과 마찬가지로 표면 처리하는 것도 가능하다. 하지만 금속 배관의 표면 처리에는 많은 비용이 든다. 또한 진공 펌프(246) 등이 복잡한 형상에 표면 처리를 수행하는 것은 기술적으로도 어렵고, 보다 많은 비용이 필요해진다.
본 실시 형태에서는 밸브(248b)와 APC 밸브(244b) 사이에 설치되는 배기관(249)은 배관 내표면이 처리 가스와 반응하지 않도록 표면 처리된 금속 배관으로 구성한다. 한편, APC 밸브(244b)의 하류측이며 APC 밸브(244b)와 진공 펌프(246) 사이에 설치되는 배기관(280)은 배관 내표면이 표면 처리 되지 않은 금속 배관으로 구성한다.
배기관(249)과 배기관(280)을 이와 같이 구성 가능한 이유는 진공 펌프(246)를 작동시킨 상태에서 APC 밸브(244b)에 의해 배기관(249) 내의 압력을 조정할 때, APC 밸브(244b)의 하류측의 배기관(280) 내의 압력은 진공 펌프(246)의 배기 가능 압력(배기 능력)까지 떨어지고, 배기관(280) 내를 흐르는 처리 가스의 농도는 지극히 낮아지기 때문이다. 즉 진공 펌프(246)가 작동 중에는 배기관(280) 내에서의 처리 가스의 농도는 지극히 낮고, 배기관(280)을 구성하는 금속과 처리 가스에 포함되는 화합물이 반응할 가능성은 낮다.
또한 밸브(248b)를 독립해서 설치하지 않고, 개폐 기능을 가지는 밸브(248b)와 압력 조정 기능을 가지는 APC 밸브(244b)의 기능을 일체로서 포함하는 밸브를 설치하는 경우에는 배기관(249)을 불필요로 하고, 밸브(248b)와 APC 밸브(244b)보다 하류측의 배기 배관을 모두, 전술한 표면 처리가 수행되지 않은 금속 배관으로 구성된 배기관(280)으로 할 수 있다.
주로 배기관(231), 압력 센서(245a), 밸브(248a), 배기관(242), APC 밸브(244a), 배기관(270), 미감압 펌프(247)에 의해 미감압 배기계가 구성된다. 또한 배기관(231), 압력 센서(245b), 밸브(248b), 배기관(249), APC 밸브(244b), 배기관(280), 진공 펌프(246)에 의해 진공 배기계가 구성된다. 또한 미감압 배기계와 진공 배기계에 의해 처리실(201) 내의 분위기를 배기하는 가스 배기계가 구성된다.
도 2에 도시하는 바와 같이 제어부인 컨트롤러(121)는 CPU(121a), RAM(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)를 구비한 컴퓨터로서 구성된다. RAM(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)는 내부 버스(121e)를 개재하여 CPU(121a)과 데이터 교환 가능하도록 구성된다. 컨트롤러(121)에는 터치패널 등으로서 구성된 입출력 장치(122)가 접속된다.
기억 장치(121c)는 플래시 메모리나 HDD 등에 의해 구성된다. 기억 장치(121c) 내에는 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 기판 처리의 순서나 조건이 기재된 프로세스 레시피 등이 판독 가능하도록 격납된다. 프로세스 레시피는 후술하는 각 순서를 컨트롤러(121)에 실행시켜 소정의 결과를 얻을 수 있도록 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 프로세스 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여 단순히 프로그램이라고도 부른다. 또한 프로세스 레시피를 단순히 레시피라고도 부른다. 본 명세서에서 프로그램이라는 단어를 사용한 경우는 레시피 단체(單體)만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그것들의 양방(兩方)을 포함하는 경우가 있다. RAM(121b)은 CPU(121a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 보지(保持)되는 메모리 영역으로서 구성된다.
I/O 포트(121d)는 전술한 MFC(241a, 241b), 밸브(243a, 243b, 248a, 248b), 가스 발생기(250a), 압력 센서(245a, 245b), APC 밸브(244a, 244b), 진공 펌프(246), 미감압 펌프(247), 히터(207), 온도 센서(263), 회전 기구(267), 보트 엘리베이터(115) 등에 접속된다.
CPU(121a)는 기억 장치(121c)로부터 제어 프로그램을 판독해서 실행하는 것과 함께, 입출력 장치(122)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라 기억 장치(121c)로부터 레시피를 판독하도록 구성된다. CPU(121a)은 판독한 레시피의 내용을 따르도록 가스 발생기(250a)에 의한 가스 생성 동작, MFC(241a, 241b)에 의한 유량 조정 동작, 밸브(243a, 243b, 248a, 248b)의 개폐 동작, APC 밸브(244a, 244b)의 개폐 동작 및 압력 센서(245a)에 기초하는 APC 밸브(244a)에 의한 압력 조정 동작, 압력 센서(245b)에 기초하는 APC 밸브(244b)에 의한 압력 조정 동작, 미감압 펌프(247)의 기동 및 정지, 진공 펌프(246)의 기동 및 정지, 온도 센서(263)에 기초하는 히터(207)의 온도 조정 동작, 회전 기구(267)에 의한 보트(217)의 회전 및 회전 속도 조절 동작, 보트 엘리베이터(115)에 의한 보트(217)의 승강 동작 등을 제어하도록 구성된다.
컨트롤러(121)는 외부 기억 장치[예컨대 HDD 등의 자기 디스크, CD 등의 광(光) 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리 등의 반도체 메모리](123)에 격납된 전술한 프로그램을 컴퓨터에 인스톨하는 것에 의해 구성할 수 있다. 기억 장치(121c)나 외부 기억 장치(123)는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여 단순히 기록 매체라고도 부른다. 본 명세서에서 기록 매체라는 단어를 사용한 경우는 기억 장치(121c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(123) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그것들의 양방을 포함하는 경우가 있다. 또한 컴퓨터로의 프로그램의 제공은 외부 기억 장치(123)를 이용하지 않고, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 이용하여 수행해도 좋다.
(2) 사전 처리 공정
여기서 웨이퍼(200)에 대하여 기판 처리 공정을 실시하기 전에 수행되는 사전 처리 공정에 대해서 도 3을 이용하여 설명한다.
도 3에 도시하는 바와 같이 본 공정에서는 웨이퍼(200)에 대하여 폴리실라잔(PHPS) 도포 공정(S1), 프리베이크 공정(S2)을 순서대로 실시한다. PHPS 도포 공정(S1)에서는 웨이퍼(200)의 표면 상에 폴리실라잔을 포함하는 도포액(폴리실라잔 용액)을 스핀 코팅법 등의 기법을 이용하여 도포한다. 프리베이크 공정(S2)에서는 도막이 형성된 웨이퍼(200)를 가열 처리하는 것에 의해 이 막으로부터 용제를 제거한다. 도막이 형성된 웨이퍼(200)를 예컨대 70℃ 내지 250℃의 범위 내의 처리 온도(프리베이크 온도)로 가열 처리하는 것에 의해 도막 중으로부터 용제를 휘발시킬 수 있다. 이 가열 처리는 바람직하게는 150℃ 정도로 수행된다.
웨이퍼(200)의 표면에 형성된 도막은 프리베이크 공정(S2)을 거치는 것에 의해 실라잔 결합(-Si-N-)을 포함하는 막(폴리실라잔막)이 된다. 이 막에는 실리콘(Si) 외에 질소(N), 수소(H)가 포함되고, 또한 탄소(C)나 다른 불순물이 혼합되는 경우가 있다. 후술하는 기판 처리 공정에서는 웨이퍼(200) 상에 형성된 폴리실라잔막에 대하여 비교적 저온의 조건 하에서 H2O2을 포함하는 기화 가스를 공급하는 것에 의해 이 막을 개질(산화)한다.
(3) 기판 처리 공정
계속해서 전술한 기판 처리 장치를 이용하여 반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서 실시되는 기판 처리 공정의 일례에 대해서 도 4를 이용하여 설명한다. 이하의 설명에서 기판 처리 장치를 구성하는 각(各) 부(部)의 동작은 컨트롤러(121)에 의해 제어된다.
(기판 반입 공정: S10)
표면에 폴리실라잔막이 형성된 복수 매의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 장전(裝塡)된다. 그 후, 도 1에 도시하는 바와 같이 복수 매의 웨이퍼(200)를 지지한 보트(217)는 보트 엘리베이터(115)에 의해 들어 올려져 처리실(201) 내에 반입된다. 이 상태에서 씰 캡(219)은 O링(220)을 개재하여 반응관(203)의 하단을 밀봉한 상태가 된다.
(압력·온도 조정 공정: S20)
처리실(201) 내, 즉 웨이퍼(200)가 존재하는 공간이 소정의 압력(제1 처리 압력)이 되도록 APC 밸브(244a) 및 미감압 펌프(247)에 의해 처리실(201) 내가 미감압·대기 배기된다. 이때 밸브(248a)를 열고 또한 밸브(248b)를 닫은 상태에서 미감압 펌프(247)가 구동되고, 처리실(201) 내의 압력은 압력 센서(245a)로 측정되고, 이 측정된 압력 정보에 기초하여 APC 밸브(244a)가 피드백 제어된다. 즉 미감압 배기계를 이용한 처리가 수행된다.
또한 웨이퍼(200)의 온도가 소정의 온도가 되도록 히터(207)에 의해 웨이퍼(200)가 가열된다. 이때 웨이퍼(200)가 소정의 온도가 되도록 온도 센서(263)가 검출한 온도 정보에 기초하여서 히터(207)로의 통전 상태가 피드백 제어된다. 히터(207)의 피드백 제어는 적어도 웨이퍼(200)에 대한 처리가 종료될 때까지의 동안은 계속해서 수행된다. 또한 회전 기구(267)에 의한 웨이퍼(200)의 회전을 시작한다. 웨이퍼(200)의 가열 및 회전은 모두 적어도 웨이퍼(200)에 대한 처리가 종료될 때까지의 동안은 계속해서 수행된다.
(제1 개질 공정: S30)
계속해서 밸브(243a)를 열고 MFC(241a), 가스 공급관(232a), 가스 공급 포트(203p)를 개재한 처리실(201) 내로의 H2O2 함유 가스(처리 가스)의 공급을 시작한다. 처리실(201) 내에 공급된 처리 가스는 처리실(201) 내의 하방을 향해 흐르고, 배기관(231)을 개재하여 처리실(201)의 외부에 배출된다. 즉 처리 가스를 처리실 내에 공급하면서 밸브(248a)를 열고 또한 밸브(248b)를 닫은 상태에서 미감압 펌프(247)를 구동시키는 미감압 배기계를 이용한 제1 처리를 수행한다. 이때 압력 센서(245a)로 측정된 압력이 제1 압력 영역(600Torr 내지 대기압)에서의 소정의 제1 처리 압력이며, 예컨대 730Torr가 되도록 APC 밸브(244a)를 제어한다. 이때 웨이퍼(200)에 대하여 처리 가스가 공급된다. 그 결과, 웨이퍼(200)의 표면에서 산화 반응이 발생하고, 웨이퍼(200)상의 폴리실라잔막은 실리콘산화막(SiO막)으로 개질된다.
처리실(201) 내에 처리 가스를 공급할 때, 밸브(243b)를 열고 MFC(241b)에 의해 유량 조정하면서 가스 공급관(232a), 가스 공급 포트(203p)를 개재한 처리실(201) 내로의 O2 가스(캐리어 가스)의 공급을 수행해도 좋다. 이 경우, 기화 가스는 가스 공급관(232a) 내에서 O2 가스에 의해 희석되고, 그 상태에서 처리실(201) 내에 공급된다. 본 명세서에서는 O2 가스에 의해 희석된 처리 가스를 편의상 단순히 처리 가스라고 부르는 경우가 있다.
웨이퍼(200)에 대한 처리 가스의 공급 시작부터 소정 시간이 경과하면, 밸브(243a)를 닫고 처리실(201) 내로의 처리 가스의 공급을 정지한다. 본 공정에서 가스 공급관(232b)으로부터 O2 가스를 공급했을 경우, 처리 가스의 공급 정지와 동시에 또는 소정 시간 경과 후에 밸브(243b)를 닫고 처리실(201) 내로의 O2 가스의 공급도 정지해도 좋다. 또한 다음 제2 개질 공정을 시작 또는 완료할 때까지, 또는 제1 건조 공정, 제2 건조 공정을 시작 또는 완료할 때까지 밸브(243b)를 연 상태로 하여 O2 가스의 공급을 계속해도 좋다. 단, 처리실(201) 내로의 처리 가스 및 O2 가스의 공급을 정지하지 않고, 밸브(248a)를 닫고 밸브(248b)를 여는 것에 의해 배기 계통을 미감압 배기계로부터 진공 배기계로 절환하여 후술하는 제2 개질 공정을 시작해도 좋다.
제1 개질 공정의 처리 조건은 예컨대 다음과 같다.
액체 원료의 H2O2 농도: 20% 내지 40%, 바람직하게는 25% 내지 35%
개질 압력: 600Torr 이상, 바람직하게는 700Torr 내지 대기압(대기압 또는 미감압)
웨이퍼(200)의 온도: 70℃ 내지 110℃, 바람직하게는 70℃ 내지 80℃
액체 원료의 공급 유량: 1.0sccm 내지 10sccm, 바람직하게는 1.6sccm 내지 8sccm
기화 가스의 H2O2 농도: 1몰% 내지 12몰%
O2 가스(캐리어 가스)의 유량: 0SLM 내지 20SLM, 바람직하게는 5SLM 내지 10SLM
가스 공급 시간: 10분 내지 720분
본 실시 형태와 같이, 대기압 또는 미감압이라는 압력 조건으로 제1 개질 공정을 실시하는 것에 의해 600Torr 미만과 같은 낮은 압력 조건 하에서 처리를 실행하는 경우에 비해 보다 높은 H2O2 농도를 포함하는 처리 가스를 이용하여 웨이퍼(200)에 대한 개질 처리를 수행할 수 있다.
하지만 한편으로, 이처럼 높은 H2O2 농도를 포함하는 처리 가스를 금속 배관을 개재하여 배기한 경우, 금속 배관과 높은 반응성을 가지는 H2O2 등의 화합물이 금속과 반응하여 배관의 부식이나 금속 오염을 발생시킬 가능성이 있다. 또한 본 실시형태와 같이, 대기압 또는 미감압이라는 압력 조건으로, 또한 70℃ 내지 110℃라는 낮은 온도 조건으로 제1 개질 공정을 실시하는 경우, 가스 배기계 내에서 처리 가스의 결로가 지극히 발생하기 쉽다. 결로에 의해 발생하는 액체 중에는 금속 배관과 높은 반응성을 가지는 화합물이 고농도로 포함되는 경우가 있어, 이 액체가 금속 배관의 금속과 반응하여 배관의 부식이나 금속 오염을 발생시킬 가능성이 있다.
본 실시 형태에 따른 미감압 배기계의 구성에 의하면, 금속과 높은 반응성을 가지는 화합물을 고농도로 포함하는 가스나 액체가 미감압 배기계를 구성하는 배기관(231)이나 배기관(242), 미감압 펌프(247)에 접촉해도 금속 부재의 부식이나 금속 오염이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한 전술한 바와 같이, 본 실시 형태와 같은 고압력 조건 또한 저온도 조건으로 제1 개질 공정을 실시하는 경우, 처리실(201) 내나 가스 배기계내에서 처리 가스의 결로가 지극히 발생하기 쉽다. 이 과제에 대하여 본 실시 형태에 따른 미감압 배기계의 구성에 의하면, 대기압 또는 미감압의 압력 영역(제1 압력 영역)이라는 한정된 압력 영역에서 특히 높은 정밀도와 분해능에서 압력을 측정 가능한 압력 센서(245a)를 이용하여 배기관(231) 내의 압력을 취득하고, 그 데이터에 기초하여 처리실(201) 내 등의 압력을 조정하는 APC 밸브(244a)를 제어한다. 따라서 처리 가스의 H2O2 농도를 높은 값으로 유지하고, 또한 웨이퍼(200)를 70℃ 내지 110℃라는 낮은 온도로 처리하면서도, 처리실(201)이나 배기관(231) 내에서의 압력 변동을 최소한으로 하는 것에 의해 압력 변동에 의한 결로의 발생을 억제할 수 있다.
또한 미감압 배기계에서는 미감압 펌프(247)를 구비하는 것에 의해 제1 압력 영역에서 처리실(201) 내의 압력을 정밀도 좋게 제어하는 것이 가능하다. 즉 APC 밸브(244a, 244b)는 모두 배관 경로의 극간(隙間)[압손(壓損)]을 바꾸는 것에 의해 압력 제어를 실현하는 것이다. 하지만 진공 펌프(246)를 구비하는 진공 배기계에서 제1 압력 영역에서 압력 제어를 수행하고자 하는 경우, 진공 펌프(246)에서 만들어지는 부압이 크고, APC 밸브(244b)에서는 지극히 좁은 극간의 제어가 요구되기 때문에 압력이 불안정해져 제어하는 것이 어렵다. 한편, 미감압 펌프(247)에 의해 배기가 수행되는 미감압 배기계에서는 APC 밸브(244a)의 배관 경로의 극간의 제어 폭을 넓게 잡을 수 있기 때문에 압력을 용이하게 안정시키는 것이 가능하다.
(압력 조정 공정: S40)
계속해서 제1 개질 공정이 종료되면, 밸브(248a)를 닫고 나서 밸브(248b)를 여는 것에 의해 배기 계통을 미감압 배기계로부터 진공 배기계로 절환한다. 그리고 진공 펌프(247)에 의해 처리실(201) 내를 진공 배기하고, APC 밸브(244b)에 의해 처리실(201) 내가 소정의 압력(제2 처리 압력)이 되도록 압력 조정한다. 이때 밸브(248b)를 열고 또한 밸브(248a)를 닫은 상태에서 진공 펌프(247)가 구동되고, 처리실(201) 내의 압력은 압력 센서(245b)로 측정되고, 이 측정된 압력 정보에 기초하여 APC 밸브(244b)가 피드백 제어된다.
(제2 개질 공정, S50)
계속해서 전술한 제1 개질 공정과 마찬가지로 밸브(243a)를 열고 처리실(201) 내로의 H2O2 함유 가스(처리 가스)의 공급을 시작하는 것에 의해 웨이퍼(200)에 대한 H2O2 함유 가스의 공급을 다시 수행한다. 즉 처리 가스를 처리실(201) 내에 공급하면서 밸브(248a)를 닫고 또한 밸브(248b)를 연 상태에서 진공 펌프(246)를 구동시키는 진공 배기계를 이용한 제2 처리를 수행한다. 이때 압력 센서(245b)로 측정된 압력이 제1 처리 압력보다 낮은 소정의 제2 처리 압력인 600Torr 미만의 압력이며, 예컨대 400Torr 내지 500Torr의 압력이 되도록 APC 밸브(244b)를 제어한다. 본 공정에서도 제1 개질 공정과 마찬가지로 처리실(201) 내로의 O2 가스의 공급을 수행해도 좋다.
웨이퍼(200)에 대한 처리 가스의 공급 시작으로부터 소정 시간이 경과하면, 밸브(243a)를 닫고 처리실(201) 내로의 처리 가스의 공급을 정지한다. 본 공정에서 가스 공급관(232b)으로부터 O2 가스를 공급했을 경우, 처리 가스의 공급 정지와 동시, 또는 소정 시간 경과 후에 밸브(243b)를 닫고 처리실(201) 내로의 O2 가스의 공급도 정지해도 좋다. 또한 다음 제1 건조 공정, 또는 제2 건조 공정을 시작 또는 완료할 때까지 밸브(243b)를 연 상태로 하여 O2 가스의 공급을 계속해도 좋다.
제2 개질 공정의 처리 조건은 예컨대 다음과 같다.
액체 원료의 H2O2 농도: 20% 내지 40%, 바람직하게는 25% 내지 35%
개질 압력: 600Torr 미만, 바람직하게는 400Torr 내지 500Torr(감압 또는 진공)
웨이퍼(200)의 온도: 70℃ 내지 110℃, 바람직하게는 70℃ 내지 80℃
액체 원료의 공급 유량: 1.0sccm 내지 10sccm, 바람직하게는 1.6sccm 내지 8sccm
기화 가스의 H2O2 농도: 1몰% 내지 12몰%
O2 가스(캐리어 가스)의 유량: 0SLM 내지 20SLM, 바람직하게는 5SLM 내지 10SLM
가스 공급 시간: 10분 내지 720분
여기서 본 공정에서는 금속과 높은 반응성을 가지는 화합물을 포함하는 처리 가스를 진공 배기계를 구성하는 배기관(231), 배기관(249), 배기관(280) 및 진공 펌프(246)를 개재하여 처리실(201) 내로부터 배출한다. 하지만 금속 배관인 배기관(231) 및 배기관(249)의 배관 내표면에는 처리 가스에 포함되는 금속과 높은 반응성을 가지는 화합물과 반응하지 않도록 표면 처리가 이루어진다. 또한 전술한 이유에 의해 진공 펌프(246)가 작동하면 배기관(280) 내에서의 처리 가스의 농도는 지극히 낮고, 배기관(280)을 구성하는 금속과 처리 가스에 포함되는 화합물이 반응할 가능성은 낮다. 따라서 본 실시 형태에 따른 진공 배기계에 의하면, 제2 개질 공정에서 금속 부재의 부식이나 금속 오염이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한 진공 배기계의 각 배기 배관은 미감압 배기계와는 달리, 금속과 높은 반응성을 가지는 화합물과 반응하지 않는 성질을 구비하는 수지가 아니라, 금속에 의해 구성된다. 이는 수지로 구성된 배기 배관에서는 제2 개질 공정과 같이 진공 펌프(246)로 배기를 수행할 때 내압, 내가스 투과성의 면에서 과제가 있기 때문이다. 본 실시 형태에 따르면, 처리 압력에 따라 수지로 구성된 배기 배관을 구비하는 미감압 배기계와, 금속으로 구성된 배기 배관을 구비하는 진공 배기계를 절환하는 것에 의해 처리 가스에 대한 배기계의 부식 등의 방지와, 내압·내 가스 투과성을 양립하면서 처리실 내의 잔류 가스를 단시간으로 배기하는 것이 가능해진다.
또한 제2 개질 공정에서는 처리실(201) 내에서의 압력을 제1 처리 압력보다 낮은 제2 처리 압력으로 하기 때문에, 제1 개질 공정에 비해 처리실(201) 내나 가스 배기계내에서 결로가 발생하기 어렵다. 따라서 결로에 의해 발생하는 금속과의 높은 반응성을 가지는 화합물을 고농도로 포함한 액체가 진공 배기계 내에 침입할 가능성은 미감압 배기계에 비하면 낮다고 말할 수 있다.
(제1 건조 공정: S60)
제2 개질 공정(S50)이 종료되면, 히터(207)를 제어하여 웨이퍼(200)를 전술한 개질 온도보다 높은 온도이며, 또한 전술한 프리베이크 온도 이하의 소정의 온도(건조 온도)로 가열한다. 건조 온도는 예컨대 120℃ 내지 160℃의 범위 내의 온도로 할 수 있다. 웨이퍼(200)를 가열하는 것에 의해 처리실(201) 내의 온도도 상승한다. 승온 후, 이 온도를 보지하는 것에 의해 웨이퍼(200)와 처리실(201) 내를 완만하게 건조시킨다. 제1 건조 공정의 처리 압력은 예컨대 제1 개질 공정(S30)의 처리 압력과 마찬가지로 한다. 즉 제2 개질 공정(S50)이 종료된 후, 밸브(248b)를 닫고 밸브(248a)를 여는 것에 의해 배기 계통을 진공 배기계로부터 미감압 배기계로 절환한다. 그리고 미감압 펌프(247)를 구동시키면서 APC 밸브(244a)에 의해 압력 조정을 수행하고, 미감압 배기계를 이용하여 처리실(201) 내 및 배기관(231) 내의 잔류 가스를 배기한다. 제1 건조 처리를 수행하는 것에 의해 폴리실라잔막으로부터 이탈한 부생성물인 암모니아(NH3), 염화암모니아(NH4Cl), C, H 외에, 용매에 기인하는 아웃 가스 등의 불순물, H2O2에 유래하는 불순물 등을 SiO막이나 그 표면으로부터 제거할 수 있다. 또한 이 물질의 웨이퍼(200)로의 재부착도 억제할 수 있다.
(제2 건조 공정: S70)
계속해서 웨이퍼(200)가 건조되면, 배기 계통을 미감압 배기계로부터 진공 배기계로 절환하여 처리실(201) 내를 건조시킨다. 즉 제1 건조 공정(S60)이 종료된 후, 밸브(248a)를 닫고 밸브(248b)를 여는 것에 의해 배기 계통을 미감압 배기계로부터 진공 배기계로 절환한다. 그리고 진공 펌프(246)를 구동시키면서 APC 밸브(244b)에 의해 압력 조정을 수행하고, 진공 배기계를 이용하여 처리실(201) 내 및 배기관(231) 내를 한층 더 배기한다. 제2 건조 처리 공정(S70)의 처리 압력은 예컨대 제2 개질 공정(S50)의 처리 압력과 마찬가지로 하지만, 처리실(201) 내의 건조를 촉진하기 위해서 한층 더 낮은 압력으로 해도 좋다.
(강온·대기압 복귀 공정: S80)
제2 건조 공정(S70)이 종료된 후, 배기 계통을 진공 배기계로부터 미감압 배기계로 절환하여 처리실(201) 내에 N2 가스를 공급한다. 이때 APC 밸브(244b)에 의해 처리실(201) 내의 압력을 예컨대 대기압이 되도록 조정하고, 처리실(201) 내를 대기압으로 복귀시켜 처리실(201) 내의 열용량을 증가시킨다. 이에 의해 웨이퍼(200)나 처리실(201) 내의 부재를 균일하게 가열할 수 있고, 진공 배기로 제거하지 못한 파티클, 불순물, 아웃 가스 등을 처리실(201) 내로부터 제거하는 것이 가능해진다. 소정 시간이 경과한 후, 처리실(201) 내를 소정의 반출 가능 온도로 강온시킨다.
(기판 반출 공정: S90)
보트 엘리베이터(115)에 의해 씰 캡(219)이 하강되고 반응관(203)의 하단이 개구된다. 그리고 처리 완료된 웨이퍼(200)가 보트(217)에 지지된 상태에서 반응관(203)의 하단으로부터 반응관(203)의 외부로 반출된다. 처리 완료된 웨이퍼(200)는 반응관(203)의 외부에 반출된 후, 보트(217)로부터 취출(取出)된다.
본 실시 형태에 따르면, 처리실(201)의 배기계에 진공 배기계와 미감압 배기계를 구비한 2계통의 라인으로, 대기압 부근으로부터 진공 영역까지 정밀도 좋게 압력 제어를 할 수 있다. 또한 압력 제어를 정밀도 좋게 수행할 수 있으므로, 처리실(201) 내 등에 결로가 발생할 가능성을 저감하고, 웨이퍼 상에 이물이 발생하거나 금속 오염이 발생하는 것을 방지하여 반도체의 제품 비율을 향상할 수 있다.
<본 발명의 다른 실시 형태>
전술한 실시 형태에서는 금속과의 높은 반응성을 가지는 화합물을 포함하는 처리 가스로서 과산화수소수의 기화 가스를 이용하는 예에 대해서 설명했지만, H2O2 이외의 금속과의 높은 반응성을 가지는 화합물을 포함하는 처리 가스를 이용해도 좋다.
전술한 실시 형태에서는 기화 가스를 처리실(201)의 외부에서 발생시키는 예에 대해서 설명했지만, 기화 가스를 처리실(201)의 내부에서 발생시켜도 좋다. 예컨대 램프 히터 등에 의해 가열된 천판(217a)에 대하여 액체 원료를 공급하고, 여기에서 액체 원료를 기화시켜서 기화 가스를 발생시켜도 좋다.
전술한 실시 형태에서는 폴리실라잔막이 형성된 기판을 처리하는 예를 제시했지만 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대 유동성 CVD법으로 형성된, 프리베이크 되지 않은 실리콘 함유막을 처리하는 경우에도 전술한 실시 형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
전술한 실시 형태는 적절히 조합해서 이용할 수 있다. 또한 이때의 처리 순서, 처리 조건은 예컨대 전술한 실시 형태와 마찬가지의 처리 순서, 처리 조건으로 할 수 있다.
200: 웨이퍼(기판) 201: 처리실
244a, 244b: APC 밸브 245a, 245b: 압력 센서
246: 진공 펌프 247: 미감압 펌프

Claims (15)

  1. 기판을 수용하는 처리실;
    금속과 반응하는 화합물을 포함하는 처리 가스를 상기 처리실 내에 공급하는 가스 공급계; 및
    상기 처리실 내의 분위기를 배기하는 가스 배기계
    를 구비하고,
    상기 가스 배기계는,
    상기 처리실에 연통되는 공통 배기 배관;
    일단(一端)이 제1 밸브를 개재하여 상기 공통 배기 배관에 접속되고, 상기 화합물과 반응하지 않는 수지로 구성된 제1 배기 배관;
    일단이 제2 밸브를 개재하여 상기 공통 배기 배관에 접속되고, 금속으로 구성된 제2 배기 배관;
    상기 제1 배기 배관에 접속된 제1 배기 장치; 및
    상기 제2 배기 배관에 접속된 제2 배기 장치
    를 구비하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공통 배기 배관은 배관 내표면이 상기 화합물과 반응하지 않도록 표면 처리된 금속 배관인 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 배기 장치는 소정의 제1 압력 영역의 압력까지 상기 제1 배기 배관 내를 배기하도록 구성되고, 상기 제2 배기 장치는 상기 제1 압력 영역보다 낮은 제2 압력 영역의 압력까지 상기 제2 배기 배관 내를 배기하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 배기 장치는 상기 화합물과 반응하지 않는 수지 부품에 의해 구성되는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공통 배기 배관 내의 압력을 제1 압력 영역의 범위에서 측정하는 제1 압력 센서;
    상기 공통 배기 배관 내의 압력을 상기 제1 압력 영역 및 상기 제1 압력 영역보다 낮은 제2 압력 영역의 범위에서 측정하는 제2 압력 센서;
    상기 제1 배기 배관 상의 상기 제1 배기 장치보다 상류측에 설치되고, 상기 제1 압력 센서로 측정된 압력에 기초하여 개도(開度)가 제어되는 제1 압력 조정 밸브; 및
    상기 제2 배기 배관 상의 상기 제2 배기 장치보다 상류측에 설치되고, 상기 제2 압력 센서로 측정된 압력에 기초하여 개도가 제어되는 제2 압력 조정 밸브
    를 더 구비하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 압력 센서로 측정되는 압력의 범위는 상기 제2 압력 센서로 측정되는 압력의 범위보다 좁은 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 압력 센서는 600Torr 내지 대기압의 범위의 압력만을 측정하도록 구성되고, 상기 제2 압력 센서는 0Torr 내지 대기압의 범위의 압력을 측정하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 배기 배관 상의 상기 제2 배기 장치보다 상류측에 설치된 제2 압력 조정 밸브를 더 구비하고,
    상기 제2 배기 배관 중, 상기 제2 압력 조정 밸브와 상기 제2 배기 장치 사이는 금속 배관으로 구성되는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 배기 배관 중, 상기 제2 밸브와 상기 제2 압력 조정 밸브 사이는 배관 내표면이 상기 화합물과 반응하지 않도록 표면 처리된 금속 배관인 기판 처리 장치.
  10. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 공급계를 제어하여 처리 가스를 상기 처리실 내에 공급하면서 상기 제1 밸브를 열고 또한 상기 제2 밸브를 닫은 상태에서 상기 제1 배기 장치를 구동(驅動)시키는 제1 처리; 및
    상기 제1 밸브를 닫고 또한 상기 제2 밸브를 연 상태에서 상기 제2 배기 장치를 구동시키는 제2 처리
    를 수행하도록 각 구성을 제어하는 제어부를 구비하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 제1 처리에서는 상기 제1 압력 센서로 측정된 압력이 소정의 제1 처리 압력이 되도록 상기 제1 압력 조정 밸브를 제어하고,
    상기 제2 처리에서는 상기 제2 압력 센서로 측정된 압력이 상기 제1 처리 압력보다 낮은 소정의 제2 처리 압력이 되도록 상기 제2 압력 조정 밸브를 제어하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 처리 압력은 600Torr 내지 대기압의 범위의 소정의 압력인 기판 처리 장치.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 가스는 상기 화합물로서 과산화수소를 포함하는 가스인 기판 처리 장치.
  14. 기판을 처리실 내에 재치하는 공정;
    금속과 반응하는 화합물을 포함하는 처리 가스를 상기 처리실 내에 공급하면서 상기 처리실에 연통되는 공통 배기 배관과, 일단이 제1 밸브를 개재하여 상기 공통 배기 배관에 접속되고, 상기 화합물과 반응하지 않는 수지로 구성된 제1 배기 배관과, 상기 제1 배기 배관에 접속된 제1 배기 장치에 의해 상기 처리실 내의 분위기를 배기하는 공정; 및
    상기 처리 가스를 상기 처리실 내에 공급하면서 상기 공통 배기 배관과, 일단이 제2 밸브를 개재하여 상기 공통 배기 배관에 접속되고, 금속으로 구성된 제2 배기 배관과, 상기 제2 배기 배관에 접속된 제2 배기 장치에 의해 상기 처리실 내의 분위기를 배기하는 공정
    을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 기판을 기판 처리 장치의 처리실 내에 재치하는 순서;
    금속과 반응하는 화합물을 포함하는 처리 가스를 상기 처리실 내에 공급하면서 상기 처리실에 연통되는 공통 배기 배관과, 일단이 제1 밸브를 개재하여 상기 공통 배기 배관에 접속되고, 상기 화합물과 반응하지 않는 수지로 구성된 제1 배기 배관과, 상기 제1 배기 배관에 접속된 제1 배기 장치에 의해 상기 처리실 내의 분위기를 배기하는 순서; 및
    상기 처리 가스를 상기 처리실 내에 공급하면서 상기 공통 배기 배관과, 일단이 제2 밸브를 개재하여 상기 공통 배기 배관에 접속되고, 금속으로 구성된 제2 배기 배관과, 상기 제2 배기 배관에 접속된 제2 배기 장치에 의해 상기 처리실 내의 분위기를 배기하는 순서
    를 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램.
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