CN111868893A - 基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序 - Google Patents

基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序 Download PDF

Info

Publication number
CN111868893A
CN111868893A CN201880091179.2A CN201880091179A CN111868893A CN 111868893 A CN111868893 A CN 111868893A CN 201880091179 A CN201880091179 A CN 201880091179A CN 111868893 A CN111868893 A CN 111868893A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pressure
exhaust pipe
exhaust
gas
valve
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201880091179.2A
Other languages
English (en)
Inventor
稻田哲明
立野秀人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Publication of CN111868893A publication Critical patent/CN111868893A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
    • H01L21/02222—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen the compound being a silazane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02321—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer
    • H01L21/02323—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of oxygen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

具有容纳基板的处理室、将含有与金属反应的化合物的处理气体供给至处理室内的气体供给***和对处理室内的气氛进行排气的气体排气***；气体排气***具有与处理室连通的共通排气配管、一端经由第一阀门与共通排气配管连接且由不与所述化合物反应的树脂构成的第一排气配管、一端经由第二阀门与共通排气配管连接且由金属构成的第二排气配管、与所述第一排气配管连接的第一排气装置和与所述第二排气配管连接的第二排气装置。

Description

基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序
技术领域
本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序。
背景技术
作为半导体装置的制造工序的一个工序，有时进行包括以下工序的基板处理：将含有过氧化氢(H2O2)的液体原料气化而生成气化气体的工序和对处理室内的基板供给该气化气体的工序(例如，参照专利文献1、2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2014/069826号
专利文献2:国际公开第2013/070343号
发明内容
发明要解决的课题
在使用包含H2O2等具有与金属高反应性的化合物的气体作为处理气体时，如果经由由金属构成的排气配管对处理气体进行排气，则有时金属与化合物反应而腐蚀排气配管，或者与化合物反应后的金属成分附着在处理室内的基板上而产生金属污染。另一方面，如果使用由与这样的化合物的反应性低的树脂等材料构成的排气配管，有时无法确保在提高排气的真空度(降低排气管内的压力)时所要求的排气配管的耐压性能、耐气体透过性能。
本发明的目的在于提供即使在使用含有具有与金属高反应性的化合物的气体来作为处理气体时，也能够在大范围的压力区域内实现排气的技术。
解决课题的方法
根据本发明的一个方案，提供一种技术，具有容纳基板的处理室、将含有与金属反应的化合物的处理气体供给至上述处理室内的气体供给***和对上述处理室内的气氛进行排气的气体排气***；上述气体排气***具有与上述处理室连通的共通排气配管、一端经由第一阀门与上述共通排气配管连接且由不与上述化合物反应的树脂构成的第一排气配管、一端经由第二阀门与上述共通排气配管连接且由金属构成的第二排气配管、与上述第一排气配管连接的第一排气装置和与上述第二排气配管连接的第二排气装置。
发明效果
根据本发明，即使在使用含有具有与金属高反应性的化合物的气体作为处理气体时，也能够在大范围的压力区域实现排气。
附图说明
[图1]是本发明的一个实施方式中适合使用的基板处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是以纵截面图显示处理炉部分的图。
[图2]是本发明的一个实施方式中适合使用的基板处理装置的控制器的概略构成图，是以框图显示控制器的控制***的图。
[图3]是显示事前处理工序的一例的流程图。
[图4]是显示在事前处理工序后实施的基板处理工序的一例的流程图。
具体实施方式
＜本发明的一个实施方式＞
以下，对于本发明的一个实施方式，使用图1～图4进行说明。
(1)基板处理装置的构成
如图1所示，处理炉202具有反应管203。反应管203例如由石英(SiO2)等耐热性材料构成，作为上端具有气体供给料斗203p，下端具有炉口(开口)的圆筒部件而构成。在反应管203的筒中空部形成处理室201。处理室201构成为能够容纳多枚作为基板的晶圆200。
在反应管203的下方设置有作为盖部的密封帽219，其能使反应管203的下端开口气密地闭塞。密封帽219例如由石英等非金属材料构成，形成为圆盘状。在密封帽219的上表面设置有作为与反应管203的下端抵接的密封构件的O型圈220。在密封帽219的下方设置有旋转机构267。旋转机构267的旋转轴255贯通密封帽219而与晶圆盒217连接。旋转机构267构成为通过使晶圆盒217旋转而使晶圆200旋转。在旋转轴255上设置的旋转轴255的轴承部219s作为磁密封部件等流体密封部件来构成。密封帽219构成为通过在反应管203外部设置的作为升降机构的晶圆盒升降机115而在垂直方向上升降。晶圆盒升降机115构成为通过使密封帽219升降而将晶圆200搬入处理室201内和搬出处理室201外(搬送)的搬送机构。
作为基板支撑件的晶圆盒217构成为能够将多枚(例如25～200枚)晶圆200以水平姿态且相互中心对齐的状态在垂直方向上整列地多级支撑，即，隔着间隔而排列。晶圆盒217例如由石英等耐热材料构成，上下具有顶板217a、底板217b。在晶圆盒217的下部，以水平姿态被多级支撑的隔热体218例如由石英等耐热性材料构成，构成为抑制晶圆容纳区域与炉口附近区域之间的热传导。也可以将隔热体218认为是晶圆盒217的构成部件的一部分。
在反应管203的外侧，设置有作为加热部的加热器207。加热器207围绕处理室201内的晶圆容纳区域垂直安装。加热器207除了将在晶圆容纳区域容纳的晶圆200加热至预定温度之外，还作为向供给至处理室201内的气体赋予热能来抑制其液化的液化抑制机构来发挥作用，或作为利用热使该气体活性化的激发机构来发挥作用。在处理室201内，沿着反应管203的内壁设置有作为温度检测部的温度传感器263。基于由温度传感器263检测的温度信息，调整加热器207的输出。
在反应管203的上端设置的气体供给料斗203p与气体供给管232a连接。气体供给管232a中，从上游侧开始依次设置有气体发生器250a、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)241a和作为开关阀的阀门243a。
作为气化器的气体发生器250a构成为将作为液体原料的过氧化氢水在例如大约大气压下加热到120～200℃的范围内的预定温度(气化温度)等，通过使之气化或雾化来产生处理气体。这里所说的过氧化氢水，是指将常温下为液体的过氧化氢(H2O2)溶解于作为溶剂的水(H2O)中而得到的水溶液。在将过氧化氢水气化而得到的气体中，分别以预定浓度含有H2O2和H2O。以下，将这种气体也称为含H2O2气体。处理气体中所含的H2O2是活性氧的一种，不稳定，易于放出氧(O)，生成具有非常强氧化力的羟基自由基(OH自由基)。因此，含H2O2气体在后述的基板处理工序中作为强力氧化剂(O源)而发挥作用。需说明的是，本说明书中的“120～200℃”这样的数值范围的表述是指下限值和上限值包括在该范围中。因此，例如，“120～200℃”意味着“120℃以上200℃以下”。其它数值范围也是同样。
在气体供给管232a的比阀门243a更下游侧，比由加热器207加热的部分更上游侧，与供给载流气体(稀释用气体)的气体供给管232b连接。气体供给管232b中，从上游侧开始依次设置有MFC241b和阀门243b。
作为载流气体，可以使用氧(O2)气体等不含有H2O2的含O气体、氮(N2)气体、惰性气体等非活性气体或这些的混合气体。
需说明的是，本实施方式中，在将过氧化氢水气化或雾化时，通过将气化用载流气体和过氧化氢水一起供给至气体发生器250a，来使过氧化氢水雾化(Atomizing，雾化)。气化用载流气体的流量例如是过氧化氢水的流量的100～500倍左右。作为气化用载流气体，可以使用与上述载流气体(稀释用气体)同样的气体。在使用气化用载流气体、载流气体(稀释用气体)时，也可以考虑将气化用载流气体、载流气体(稀释用气体)分别纳入到上述“处理气体”、“含H2O2气体”中。
处理气体供给***主要由气体供给管232a、MFC241a、阀门243a构成。此外，载流气体(稀释用气体)供给***主要由气体供给管232b、MFC241b、阀门243b构成。
在反应管203的侧壁下方连接与处理室201连通且作为对处理室201内的气氛进行排气的共通排气配管的排气管231。排气管231是金属配管，配管内表面被施以表面处理，以使得配管内表面不会与处理气体中所含的H2O2等具有与金属高反应性的化合物反应。作为表面处理，进行由耐腐蚀性的镍(Ni)系材料进行的涂层处理、由氟树脂进行的涂层处理、使用臭氧的表面处理、由烘烤进行的氧化处理(尤其是大气气氛下的烘烤处理)等。排气管231中，设置有作为压力检测器即第一压力传感器的压力传感器245a和作为压力检测器即第二压力传感器的压力传感器245b。
压力传感器245a构成为，测定排气管231内预定的第一压力区域的压力即，例如600Torr(79993Pa)以上大气压以下的微减压区域中的绝对压力，并向所连接的控制器121输出压力数据。压力传感器245b构成为，测定排气管231内的第一压力区域和比该第一压力区域低的第二压力区域的压力区域，即例如0Torr～大气压的范围的绝对压力，并向所连接的控制器121输出压力数据(其中，作为下限值的0Torr是包括压力传感器245b的测定误差的值)。即，由压力传感器245a测定的压力范围比由压力传感器245b测定的压力范围窄。另一方面，压力传感器245a在第一压力区域中，以比压力传感器245b高的精度和分辨率测定排气管231内的压力。
排气管231分为2个分支，在其中一方的下游端经由作为第二阀门的阀门248b与排气管249的一端连接。此外，在另一方的下游端经由作为第一阀门的阀门248a与排气管242的一端连接。
在排气管242的下游端，经由作为第一压力调整阀的APC阀门244a与排气管270连接。在排气管270的下游端设置有作为微减压排气装置(第一排气装置)的微减压泵247。排气管242和排气管270由与处理气体中所含的具有与金属高反应性的化合物不反应的材料例如树脂构成。作为树脂，可以使用例如氟树脂。这里，在阀门248a的下游设置的排气管242和排气管270构成第一排气配管。
微减压泵247构成为对排气管270内进行排气使得处理室201内的压力达到第一压力区域内的预定压力(例如730Torr)。因此，微减压泵247至少具有将排气管270内排气至该预定压力以下的压力的能力。例如驱动至使排气管270内减压至600Torr。微减压泵247例如是气体喷射泵、隔膜阀式的小型泵等，通过在微减压泵247的一次侧和二次侧之间制造差压来对气体进行排气。此外，在为气体喷射泵时，有时也将APC阀门244a和微减压泵247构成为一体。微减压泵247的与处理气体接触的部分由与处理气体中所含的具有与金属高反应性的化合物不反应的材料(例如氟树脂等)构成的部件构成。
阀门248a构成为通过控制阀的开关能够切换从排气管242进行的排气的有无(ON/OFF)。此外，与控制器121连接的APC阀门244a构成为，基于压力传感器245a测定的压力信息，在微减压泵247工作的状态下，控制阀的开度，从而以微减压或大气压对排气管242、排气管231和处理室201内进行排气。通过将APC阀门244a的阀控制为完全关闭，可以停止排气管242等的排气。
排气管249是金属配管，与排气管231同样，配管内表面被施以表面处理，以使得配管内表面不会与处理气体中所含的具有与金属高反应性的化合物反应。在排气管249的下游端，经由作为第二压力调整阀的APC阀门244b与作为金属配管的排气管280连接。在排气管280的下游端设置有作为真空排气装置(第二排气装置)的真空泵246。这里，在阀门248b的下游设置的排气管249和排气管280构成第二排气配管。此外，尤其是，在APC阀门244b的下游设置的排气管280构成第三排气配管。
真空泵246构成为对排气管280内进行排气，以使处理室201内的压力达到比第一压力区域低的第二压力区域内的预定压力(例如400Torr)。所以，真空泵246至少具有将排气管280内排气至该预定压力以下的压力的能力。更优选真空泵246希望构成为使排气管280内的压力(可排气压力、排气能力)达到低于10Torr。作为真空泵246，例如可以使用干式泵、机械增压泵等。
阀门248b构成为通过控制阀的开关能切换从排气管249进行的排气的有无(ON/OFF)。此外，与控制器121连接的APC阀门244b构成为，能够基于由压力传感器245b测定的压力信息，在真空泵246工作的状态下，控制阀的开度，从而对排气管249、排气管231和处理室201内进行真空排气。通过将APC阀门244b的阀控制为完全关闭，可以停止排气管249等的排气。
这里，对于排气管231、排气管249、排气管280和真空泵246的全部与处理气体接触的部分，与排气管231同样，也可以进行表面处理。但是，金属配管的表面处理会花费很多成本。此外，对真空泵246等复杂形状实施表面处理在技术上有困难，会需要更高的成本。
本实施方式中，在阀门248b与APC阀门244b之间设置的排气管249由配管内表面被施以表面处理而不与处理气体反应的金属配管构成。另一方面，在APC阀门244b的下游侧，即在APC阀门244b与真空泵246之间设置的排气管280由配管内表面未实施表面处理的金属配管构成。
能够使排气管249和排气管280成为这样的构成的理由是因为，在真空泵246工作的状态下，在通过APC阀门244b调整排气管249内的压力时，APC阀门244b的下游侧的排气管280内的压力下降至真空泵246的可排气压力(排气能力)，排气管280内流过的处理气体的浓度变得极低。即，在真空泵246工作中，排气管280内的处理气体的浓度极低，构成排气管280的金属与处理气体中所含的化合物进行反应的可能性低。
需说明的是，在不独立设置阀门248b，而设置将具有阀门248b(其具有开关功能)和APC阀门244b(其具有压力调整功能)的功能一体而所具有的阀门时，则不需要排气管249，而将比阀门248b和APC阀门244b更下游侧的排气配管全部设置为由未实施上述表面处理的金属配管构成的排气管280。
微减压排气***主要由排气管231、压力传感器245a、阀门248a、排气管242、APC阀门244a、排气管270、微减压泵247构成。此外，真空排气***由排气管231、压力传感器245b、阀门248b、排气管249、APC阀门244b、排气管280、真空泵246构成。此外，由微减压排气***和真空排气***构成对处理室201内的气氛进行排气的气体排气***。
如图2所示，作为控制部的控制器121构成为具有CPU121a、RAM121b、存储装置121c和I/O接口121d的计算机。构成为RAM121b、存储装置121c、I/O接口121d能够经由内部总线121e与CPU121a进行数据交换。控制器121与作为触摸面板等而构成的输入输出装置122连接。
存储装置121c例如由闪存、HDD等构成。在存储装置121c内储存着控制基板处理装置的动作的控制程序，记载了后述的基板处理的过程、条件等的制程配方，并能够读出。制程配方将后述的各过程进行组合以使得由控制器121来执行并得到预定的结果，作为程序来发挥功能。以下，将制程配方、控制程序等简单地总称为程序。此外，制程配方也简称为配方。本说明书中在使用“程序”这样的术语时，包括仅为单独配方的情形，包括仅为单独控制程序的情形，或包括其双方的情形。RAM121b构成为将由CPU121a读出的程序、数据等临时保存的存储区域。
I/O接口121d与上述的MFC241a,241b、阀门243a,243b,248a,248b、气体发生器250a、压力传感器245a,245b、APC阀门244a,244b、真空泵246、微减压泵247、加热器207、温度传感器263、旋转机构267、晶圆盒升降机115等连接。
CPU121a构成为从存储装置121c读出控制程序并执行，同时对应来自输入输出装置122的操作指令的输入等，从存储装置121c读出配方。CPU121a还构成为按照读出的配方的内容，控制由气体发生器250a进行的气体生成动作、由MFC241a,241b进行的流量调整动作、阀门243a,243b,248a,248b的开关动作、APC阀门244a,244b的开关动作和基于压力传感器245a的由APC阀门244a进行的压力调整动作、基于压力传感器245b的由APC阀门244b进行的压力调整动作、微减压泵247的起动和停止、真空泵246的起动和停止、基于温度传感器263的加热器207的温度调整动作、由旋转机构267进行的晶圆盒217的旋转和旋转速度调节动作、由晶圆盒升降机115进行的晶圆盒217的升降动作等。
控制器121可以通过将存储在外部存储装置(例如，HDD等磁盘、CD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器等半导体存储器)123中的上述程序安装到计算机中来构成。存储装置121c、外部存储装置123构成为能够由计算机读取的记录介质。以下，将这些简单地总称为记录介质。本说明书在使用“记录介质”这样的术语时，包括仅为单独的存储装置121c的情形，包括仅为单独的外部存储装置123的情形，或者包括其二者的情形。需说明的是，向计算机提供程序，也可以不使用外部存储装置123，而利用互联网、专线通信方式来进行。
(2)事前处理工序
这里，对于对晶圆200实施基板处理工序之前进行的事前处理工序，使用图3进行说明。
如图3所示，本工序中，对晶圆200依次实施聚硅氮烷(PHPS)涂布工序(S1)、预烘烤工序(S2)。PHPS涂布工序(S1)中，在晶圆200表面上，使用旋涂法等方法涂布含有聚硅氮烷的涂布液(聚硅氮烷溶液)。预烘烤工序(S2)中，通过对形成了涂膜的晶圆200进行加热处理，将溶剂从该膜中除去。通过对形成了涂膜的晶圆200在例如70～250℃范围内的处理温度(预烘烤温度)进行加热处理，能够使溶剂从涂膜中挥发。该加热处理优选在150℃左右进行。
在晶圆200表面上形成的涂膜经过预烘烤工序(S2)，成为具有硅氮烷键(-Si-N-)的膜(聚硅氮烷膜)。该膜中除了硅(Si)之外还含有氮(N)、氢(H)，进而有时会混入碳(C)、其他杂质。在后述的基板处理工序中，通过在较低的温度条件下对形成于晶圆200上的聚硅氮烷膜供给含有H2O2的气化气体，从而使该膜改性(氧化)。
(3)基板处理工序
接下来，使用上述基板处理装置，对于作为半导体装置的制造工序的一个工序而实施的基板处理工序的一例，使用图4进行说明。以下的说明中，构成基板处理装置的各部的动作由控制器121来控制。
(基板搬入工序，S10)
将表面上形成了聚硅氮烷膜的多枚晶圆200装填于晶圆盒217。然后，如图1所示，将支撑着多枚晶圆200的晶圆盒217由晶圆盒升降机115抬升，搬入处理室201内。在该状态下，密封帽219成为经由O型圈220将反应管203的下端闭塞的状态。
(压力和温度调整工序，S20)
由APC阀门244a和微减压泵247对处理室201内进行微减压、大气排气，使得处理室201内，即存在晶圆200的空间达到预定压力(第一处理压力)。这时，在打开阀门248a且关闭阀门248b的状态下，驱动微减压泵247，由压力传感器245a测定处理室201内的压力，并基于该测定的压力信息对APC阀门244a进行反馈控制。即，进行使用微减压排气***的处理。
此外，由加热器207对晶圆200进行加热，使得晶圆200的温度达到预定温度。这时，基于由温度传感器263检测的温度信息对加热器207的通电情况进行反馈控制，使得晶圆200达到预定温度。加热器207的反馈控制至少在对晶圆200进行的处理结束之前的期间持续进行。此外，由旋转机构267使晶圆200开始旋转。晶圆200的加热和旋转至少在对晶圆200进行的处理结束之前的期间均持续进行。
(第一改性工序，S30)
接下来，打开阀门243a，经由MFC241a、气体供给管232a、气体供给料斗203p，开始向处理室201内供给含H2O2气体(处理气体)。向处理室201内供给的处理气体向着处理室201内的下方流动，经由排气管231向处理室201的外部排出。即，在对处理室内供给处理气体的同时，在打开阀门248a且关闭阀门248b的状态下驱动微减压泵247，进行使用微减压排气***的第一处理。这时，控制APC阀门244a，使得由压力传感器245a测定的压力是第一压力区域(600Torr～大气压)中的预定的第一处理压力，例如为730Torr。这时，对晶圆200供给处理气体。其结果是，在晶圆200表面发生氧化反应，晶圆200上的聚硅氮烷膜被改性为氧化硅膜(SiO膜)。
在向处理室201内供给处理气体时，也可以打开阀门243b，在由MFC241b进行流量调整的同时，经由气体供给管232a、气体供给料斗203p进行向处理室201内的O2气体(载流气体)的供给。这种情况下，气化气体在气体供给管232a内被O2气体稀释，在该状态下供给至处理室201内。本说明书中，有时为了方便将被O2气体稀释的处理气体简称为处理气体。
在开始对晶圆200供给处理气体经过预定时间后，关闭阀门243a，停止向处理室201内供给处理气体。本工序中，在从气体供给管232b供给O2气体时，也可以在与停止供给处理气体的同时或经过预定时间后，关闭阀门243b，停止向处理室201内供给O2气体。此外，也可以直至接下来的第二改性工序的开始或结束，或者直至第一干燥工序、第二干燥工序的开始或结束，一直打开阀门243b，持续供给O2气体。或者，也可以不停止向处理室201内供给处理气体和供给O2气体，通过关闭阀门248a、打开阀门248b，来将排气***从微减压排气***切换至真空排气***，进行后述的第二改性工序。
作为第一改性工序的处理条件，例示如下。
液体原料的H2O2浓度：20～40％，优选为25～35％，
改性压力：600Torr以上，优选为700Torr～大气压(大气压或微减压)，
晶圆200的温度：70～110℃，优选为70～80℃，
液体原料的供给流量：1.0～10sccm，优选为1.6～8sccm，
气化气体的H2O2浓度：1～12摩尔％，
O2气体(载流气体)的流量：0～20SLM，优选为5～10SLM，
气体供给时间：10～720分钟。
如本实施方式这样，通过在大气压或微减压这样的压力条件下实施第一改性工序，与在低于600Torr的低压条件下实施处理的情形相比，能够使用具有高H2O2浓度的处理气体对晶圆200进行改性处理。
但另一方面，在将这样具有高的H2O2浓度的处理气体经由金属配管进行排气时，具有与金属配管高反应性的H2O2等化合物会与金属反应，从而有可能产生配管的腐蚀、金属污染。此外，如本实施方式这样，在大气压或微减压的压力条件下且在70～110℃这样的低温条件下实施第一改性工序时，在气体排气***内极易发生处理气体的结露。在因结露而产生的液体中，会高浓度地含有具有与金属配管高反应性的化合物，该液体会与金属配管的金属反应，有可能产生配管的腐蚀、金属污染。
根据本实施方式涉及的微减压排气***的构成，高浓度地含有具有与金属高反应性的化合物的气体、液体即使与构成微减压排气***的排气管231、排气管242、微减压泵247接触，也能防止产生金属部件的腐蚀、金属污染。
此外，如上所述，在如本实施方式这样在高压力条件且低温度条件下实施第一改性工序时，在处理室201内、气体排气***内极易产生处理气体的结露。针对该课题，根据本实施方式涉及的微减压排气***的构成，使用在大气压或微减压的压力区域(第一压力区域)这样的被限定的压力区域中能够以特别高的精度和分辨率测定压力的压力传感器245a，获取排气管231内的压力，并基于该数据控制调整处理室201内等的压力的APC阀门244a。因此，能够将处理气体的H2O2浓度维持在高值，且将晶圆200在70～110℃这样的低温进行处理，同时，还能通过将处理室201、排气管231内的压力变动控制在最小限度，抑制因压力变动导致的结露的产生。
此外，通过在微减压排气***中具有微减压泵247，能够在第一压力区域内精度良好地控制处理室201内的压力。即，APC阀门244a、244b都能通过改变配管经路的间隙(压损)来实现压力控制。但是，在具有真空泵246的真空排气***中，在第一压力区域内进行压力控制时，由于真空泵246所产生的负压大，而APC阀门244b中要求极窄的间隙控制，因此压力会变得不稳定，难以控制。另一方面，在由微减压泵247进行排气的微减压排气***中，能够增大APC阀门244a的配管经路的间隙控制幅度，能够使压力易于达到稳定。
(压力调整工序，S40)
接下来，第一改性工序结束后，关闭阀门248a，然后打开阀门248b，从而将排气***从微减压排气***切换至真空排气***。然后，由真空泵247对处理室201内进行真空排气，由APC阀门244b进行压力调整使得处理室201内达到预定压力(第二处理压力)。这时，在打开阀门248b且关闭阀门248a的状态下驱动真空泵247，由压力传感器245b测定处理室201内的压力，并基于该测定的压力信息对APC阀门244b进行反馈控制。
(第二改性工序，S50)
接下来，与上述的第一改性工序同样，打开阀门243a，开始向处理室201内供给含H2O2气体(处理气体)，从而再次对晶圆200进行含H2O2气体的供给。即，在将处理气体供给至处理室201内的同时，在关闭阀门248a且打开阀门248b的状态下，使用驱动真空泵246的真空排气***，进行第二处理。这时，控制APC阀门244b，使得由压力传感器245b测定的压力为比第一处理压力低的预定的第二处理压力，即小于600Torr的压力，例如400～500Torr的压力。本工序中，与第一改性工序同样，也可以进行向处理室201内的O2气体的供给。
在开始对晶圆200供给处理气体经过预定时间后，关闭阀门243a，停止向处理室201内供给处理气体。本工序中，在由气体供给管232b供给O2气体时，可以在与停止供给处理气体的同时或经过预定时间后关闭阀门243b，停止向处理室201内供给O2气体。此外，也可以直至接下来的第一干燥工序或第二干燥工序的开始或结束，一直打开阀门243b，持续供给O2气体。
作为第二改性工序的处理条件，例示如下。
液体原料的H2O2浓度：20～40％，优选为25～35％，
改性压力：小于600Torr，优选为400～500Torr(减压或真空)，
晶圆200的温度：70～110℃，优选为70～80℃，
液体原料的供给流量：1.0～10sccm，优选为1.6～8sccm，
气化气体的H2O2浓度：1～12摩尔％，
O2气体(载流气体)的流量：0～20SLM，优选为5～10SLM，
气体供给时间：10～720分钟。
这里，本工序中，将含有具有与金属高反应性的化合物的处理气体经由构成真空排气***的排气管231、排气管249、排气管280和真空泵246从处理室201内排出。但是，作为金属配管的排气管231和排气管249的配管内表面被施以表面处理，以使得其不与处理气体中所含的具有与金属高反应性的化合物发生反应。此外，基于上述的理由，真空泵246工作中，排气管280内的处理气体的浓度极低，构成排气管280的金属与处理气体中所含的化合物反应的可能性低。因此，根据本实施方式涉及的真空排气***，在第二改性工序中，能够防止产生金属部件的腐蚀、金属污染。
此外，真空排气***的各排气配管与微减压排气***不同，不是由具有与具有与金属高反应性的化合物不反应的性质的树脂构成，而是由金属构成。这是因为，在由树脂构成的排气配管中，在如第二改性工序那样的由真空泵246进行排气时，会有耐压、耐气体透过性方面的课题。根据本实施方式，对应于处理压力，通过将具备由树脂构成的排气配管的微减压排气***和具有由金属构成的排气配管的真空排气***进行切换，能够兼顾防止处理气体对排气***的腐蚀等以及耐压、耐气体透过性，同时，能够在短时间内对处理室内的残留气体进行排气。
此外，在第二改性工序中，将处理室201内的压力设为比第一处理压力低的第二处理压力，从而与第一改性工序相比，在处理室201内、气体排气***内不易产生结露。因此，因结露而产生的高浓度地含有具有与金属高反应性的化合物的液体侵入到真空排气***内的可能性与微减压排气***相比会降低。
(第一干燥工序，S60)
在第二改性工序(S50)结束后，控制加热器207，将晶圆200加热到比上述改性温度高且为上述预烘烤温度以下的预定温度(干燥温度)。干燥温度可以设为例如120～160℃范围内的温度。通过加热晶圆200，也会使处理室201内的温度上升。在升温后，通过保持该温度，能够缓慢地使晶圆200和处理室201内干燥。第一干燥工序的处理压力与例如第一改性工序(S30)的处理压力相同。即，第二改性工序(S50)结束后，通过关闭阀门248b、打开阀门248a，将排气***从真空排气***切换至微减压排气***。然后，在驱动微减压泵247的同时由APC阀门244a进行压力调整，利用微减压排气***对处理室201内和排气管231内的残留气体进行排气。通过进行第一干燥处理，将从聚硅氮烷膜脱离的作为副生成物的氨(NH3)、氯化铵(NH4Cl)、C、H以及由溶剂引起的废气等杂质、来自于H2O2的杂质等从SiO膜、其表面除去。此外，还能抑制这些物质在晶圆200的再附着。
(第二干燥工序，S70)
接下来，在晶圆200干燥后，将排气***从微减压排气***切换至真空排气***，对处理室201内进行干燥。即，第一干燥工序(S60)结束后，通过关闭阀门248a、打开阀门248b，将排气***从微减压排气***切换至真空排气***。然后，在驱动真空泵246的同时由APC阀门244b进行压力调整，进一步利用真空排气***对处理室201内和排气管231内进行排气。第二干燥处理工序(S70)的处理压力与例如第二改性工序(S50)的处理压力相同，但为了促进处理室201内的干燥，可以进一步降低压力。
(降温和大气压复原工序、S80)
在第二干燥工序(S70)结束后，将排气***从真空排气***切换为微减压排气***，向处理室201内供给N2气体。这时，由APC阀门244b将处理室201内的压力调整至例如大气压，使处理室201内复原至大气压并增加处理室201内的热容量。由此，能够对晶圆200、处理室201内的部件部材均匀加热，将真空排气中未除去的颗粒、杂质、废气等从处理室201内除去。经过预定时间后，将处理室201内降温至预定的能够搬出的温度。
(基板搬出工序，S90)
由晶圆盒升降机115将密封帽219降下，打开反应管203的下端。然后，将处理后的晶圆200在被晶圆盒217支撑的状态从反应管203的下端搬出到反应管203的外部。在将处理后的晶圆200搬出到反应管203外部后，从晶圆盒217中取出。
根据本实施方式，通过处理室201的排气***中具有真空排气***和微减压排气***的双***线路，能够从大气压附近至真空区域进行精度良好的压力控制。此外，由于能够进行精度良好的压力控制，因此能够降低在处理室201内等产生结露的可能性，防止在晶圆上产生异物，产生金属污染，能够提高半导体的成品率。
＜本发明的其他实施方式＞
上述实施方式中，作为含有具有与金属高反应性的化合物的处理气体，使用过氧化氢水的气化气体为例进行了说明，也可以是使用H2O2以外的含有具有与金属高反应性的化合物的处理气体。
上述实施方式中，对于在处理室201外部产生气化气体的例子进行了说明，也可以在处理室201内部产生气化气体。例如，也可以对被灯加热器等加热的顶板217a供给液体原料，在此使液体原料气化来产生气化气体。
上述实施方式中，显示了对形成有聚硅氮烷膜的基板进行处理的例子，但本发明不限于此。例如，即使在对由流动性CVD法形成的未经过预烘烤的含硅膜进行处理时，也能得到与上述实施方式同样的效果。
上述实施方式可以适当组合来使用。此外，这时的处理过程、处理条件可以是例如与上述实施方式同样的处理过程、处理条件。
符号说明
200：晶圆(基板)，201：处理室，244a、244b：APC阀门，245a、245b：压力传感器，246：真空泵，247：微减压泵。

Claims (15)

1.一种基板处理装置，具有：
容纳基板的处理室，
气体供给***，其将含有与金属反应的化合物的处理气体供给至所述处理室内，和
气体排气***，其对所述处理室内的气氛进行排气；
所述气体排气***具有：
与所述处理室连通的共通排气配管，
第一排气配管，其一端经由第一阀门与所述共通排气配管连接，且由不与所述化合物反应的树脂构成，
第二排气配管，其一端经由第二阀门与所述共通排气配管连接，且由金属构成，
与所述第一排气配管连接的第一排气装置，和
与所述第二排气配管连接的第二排气装置。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述共通排气配管是配管内表面被实施了表面处理而不与所述化合物反应的金属配管。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述第一排气装置构成为将所述第一排气配管内进行排气直至预定的第一压力区域的压力为止，
所述第二排气装置构成为将所述第二排气配管内进行排气直至比所述第一压力区域低的第二压力区域的压力为止。
4.如权利要求1～3任一项所述的基板处理装置，其中，
所述第一排气装置由不与所述化合物反应的树脂部件构成。
5.如权利要求1～4任一项所述的基板处理装置，具有：
第一压力传感器，其在第一压力区域的范围内测定所述共通排气配管内的压力，
第二压力传感器，其在所述第一压力区域和比所述第一压力区域低的第二压力区域的范围内测定所述共通排气配管内的压力，
第一压力调整阀，其设置在所述第一排气配管上的比所述第一排气装置更上游侧，其开度基于所述第一压力传感器测定的压力来控制，和
第二压力调整阀，其设置在所述第二排气配管上的比所述第二排气装置更上游侧，其开度基于所述第二压力传感器测定的压力来控制。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其中，
由所述第一压力传感器测定的压力的范围比由所述第二压力传感器测定的压力的范围窄。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述第一压力传感器构成为仅测定600Torr～大气压的范围的压力，
所述第二压力传感器构成为测定0Torr～大气压的范围的压力。
8.如权利要求1～4任一项所述的基板处理装置，具有：设置在所述第二排气配管上的比所述第二排气装置更上游侧的第二压力调整阀，
所述第二排气配管中，所述第二压力调整阀与所述第二排气装置之间由金属配管构成。
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其中，
所述第二排气配管中，在所述第二阀门与所述第二压力调整阀之间是配管内表面被实施了表面处理而不与所述化合物反应的金属配管。
10.如权利要求5～7任一项所述的基板处理装置，具有控制部，所述控制部在控制所述气体供给***将处理气体供给至所述处理室内的同时，控制各构成以进行第一处理和第二处理，所述第一处理是在打开所述第一阀门且关闭所述第二阀门的状态下驱动所述第一排气装置，所述第二处理是在关闭所述第一阀门且打开所述第二阀门的状态下驱动所述第二排气装置。
11.如权利要求10所述的基板处理装置，其中，
在所述第一处理中，所述控制部控制所述第一压力调整阀，使得由所述第一压力传感器测定的压力达到预定的第一处理压力，
所述第二处理中，所述控制部控制所述第二压力调整阀，使得由所述第二压力传感器测定的压力达到比所述第一处理压力低的预定的第二处理压力。
12.如权利要求11所述的基板处理装置，其中，
所述第一处理压力是600Torr～大气压的范围的预定压力。
13.如权利要求1～12任一项所述的基板处理装置，其中，
所述处理气体是含有过氧化氢作为所述化合物的气体。
14.一种半导体装置的制造方法，具有：
在处理室内载置基板的工序，
将含有与金属反应的化合物的处理气体供给至所述处理室内，同时，通过与所述处理室连通的共通排气配管、第一排气配管和与所述第一排气配管连接的第一排气装置，对所述处理室内的气氛进行排气的工序，所述第一排气配管的一端经由第一阀门与所述共通排气配管连接，且由不与所述化合物反应的树脂构成，和
将所述处理气体供给至所述处理室内，同时，通过所述共通排气配管、第二排气配管和与所述第二排气配管连接的第二排气装置，对所述处理室内的气氛进行排气的工序，所述第二排气配管的一端经由第二阀门与所述共通排气配管连接，且由金属构成。
15.一种程序，通过计算机使基板处理装置执行以下过程：
在所述基板处理装置的处理室内载置基板的过程，
将含有与金属反应的化合物的处理气体供给至所述处理室内，同时，通过与所述处理室连通的共通排气配管、第一排气配管和与所述第一排气配管连接的第一排气装置，对所述处理室内的气氛进行排气的过程，所述第一排气配管的一端经由第一阀门与所述共通排气配管连接，且由不与所述化合物反应的树脂构成，和
将所述处理气体供给至所述处理室内，同时，通过所述共通排气配管、第二排气配管和与所述第二排气配管连接的第二排气装置，对所述处理室内的气氛进行排气的过程，所述第二排气配管的一端经由第二阀门与所述共通排气配管连接，且由金属构成。
CN201880091179.2A 2018-03-14 2018-03-14 基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序 Pending CN111868893A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/010051 WO2019176031A1 (ja) 2018-03-14 2018-03-14 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111868893A true CN111868893A (zh) 2020-10-30

Family

ID=67907587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880091179.2A Pending CN111868893A (zh) 2018-03-14 2018-03-14 基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11499224B2 (zh)
JP (1) JP6895582B2 (zh)
KR (1) KR102421513B1 (zh)
CN (1) CN111868893A (zh)
SG (1) SG11202007004QA (zh)
WO (1) WO2019176031A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220285230A1 (en) * 2021-03-05 2022-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited System and methods for controlling an amount of primer in a primer application gas

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0831814A (ja) * 1994-07-14 1996-02-02 Hitachi Ltd Ｓｉ酸化膜の形成方法および半導体装置
JP2002013500A (ja) * 2000-06-30 2002-01-18 Ckd Corp プロセスチャンバ内真空圧力制御システム
KR20030051741A (ko) * 2000-10-27 2003-06-25 동경 엘렉트론 주식회사 열처리장치
US20040007186A1 (en) * 2000-10-27 2004-01-15 Yukimasa Saito Heat-treating device
JP2005064306A (ja) * 2003-08-15 2005-03-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
WO2013077321A1 (ja) * 2011-11-21 2013-05-30 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
WO2018029819A1 (ja) * 2016-08-10 2018-02-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置、金属部材および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353210A (ja) * 2001-05-25 2002-12-06 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置および熱処理方法
KR20150119293A (ko) 2013-03-26 2015-10-23 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0831814A (ja) * 1994-07-14 1996-02-02 Hitachi Ltd Ｓｉ酸化膜の形成方法および半導体装置
JP2002013500A (ja) * 2000-06-30 2002-01-18 Ckd Corp プロセスチャンバ内真空圧力制御システム
KR20030051741A (ko) * 2000-10-27 2003-06-25 동경 엘렉트론 주식회사 열처리장치
US20040007186A1 (en) * 2000-10-27 2004-01-15 Yukimasa Saito Heat-treating device
JP2005064306A (ja) * 2003-08-15 2005-03-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
WO2013077321A1 (ja) * 2011-11-21 2013-05-30 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
US20140256160A1 (en) * 2011-11-21 2014-09-11 Hitachi Kokusai Electric Inc. Apparatus for Manufacturing Semiconductor Device, Method of Manufacturing Semiconductor Device, and Recording Medium
WO2018029819A1 (ja) * 2016-08-10 2018-02-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置、金属部材および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2019176031A1 (ja) 2020-12-17
US20200347498A1 (en) 2020-11-05
KR102421513B1 (ko) 2022-07-15
US20230041284A1 (en) 2023-02-09
WO2019176031A1 (ja) 2019-09-19
US11499224B2 (en) 2022-11-15
KR20200095565A (ko) 2020-08-10
SG11202007004QA (en) 2020-08-28
JP6895582B2 (ja) 2021-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6417052B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US9502239B2 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium
US9793112B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium
US11035037B2 (en) Substrate processing apparatus and metal member
JP6606595B2 (ja) 気化器、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US20230041284A1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium
JP6836655B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US20210202232A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium
JP6752249B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US11168396B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device and recording medium
EP4156235B1 (en) Substrate processing apparatus, use of substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and computer program product
US20220298628A1 (en) Nozzle Cleaning Method, Substrate Processing Method, Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Apparatus and Non-transitory Computer-readable Recording Medium
KR20220113268A (ko) 성막 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination