KR20200083827A - Liquid Phase Precursor Degasser Including Exposed Surface Area Increasing Means - Google Patents

Liquid Phase Precursor Degasser Including Exposed Surface Area Increasing Means Download PDF

Info

Publication number
KR20200083827A
KR20200083827A KR1020180173327A KR20180173327A KR20200083827A KR 20200083827 A KR20200083827 A KR 20200083827A KR 1020180173327 A KR1020180173327 A KR 1020180173327A KR 20180173327 A KR20180173327 A KR 20180173327A KR 20200083827 A KR20200083827 A KR 20200083827A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid precursor
surface area
space
canister
increasing
Prior art date
Application number
KR1020180173327A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102166633B1 (en
Inventor
윤주영
김진태
정낙관
안종기
심섭
강고루
Original Assignee
한국표준과학연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국표준과학연구원 filed Critical 한국표준과학연구원
Priority to KR1020180173327A priority Critical patent/KR102166633B1/en
Priority to PCT/KR2019/007463 priority patent/WO2020141669A1/en
Publication of KR20200083827A publication Critical patent/KR20200083827A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102166633B1 publication Critical patent/KR102166633B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Abstract

The present invention relates to a liquid precursor degasser. The liquid precursor degasser according to the present invention comprises: a canister forming an accommodation space in which a liquid precursor to be degassed is accommodated; a vacuum pump connected to the canister through a vacuum line and configured to set a vacuum state in the accommodation space in which the liquid precursor is accommodated in the canister; and an exposed surface area increasing means provided in the accommodation space of the canister and configured to increase the surface area of the liquid precursor accommodated in the accommodation space to be exposed to a degassing space, which is an empty space in the accommodation space. Degassing efficiency of the liquid precursor can be increased and measurement accuracy for a vapor pressure of the liquid precursor can be increased.

Description

노출표면적증대수단을 포함하는 액상전구체 디개서{Liquid Phase Precursor Degasser Including Exposed Surface Area Increasing Means}Liquid Phase Precursor Degasser Including Exposed Surface Area Increasing Means}

본 발명은 액상전구체의 특성을 파악하기 위한 측정장치에 관련된 것으로, 보다 상세하게는 액상전구체에 포함된 불순물가스를 제거하는 액상전구체 디개서에 관한 것이다. The present invention relates to a measuring device for grasping the characteristics of a liquid precursor, and more particularly, to a liquid precursor degasser for removing impurity gas contained in the liquid precursor.

일반적으로 액상전구체는 디스플레이 또는 반도체 제조공정에서 이용되고 있다. 이러한 액상전구체는 동일한 물질이라고 하더라도 조건에 따라 증착공정상 상이한 거동을 나타내기 쉽다.In general, liquid precursors are used in display or semiconductor manufacturing processes. Even if the liquid precursor is the same material, it is easy to exhibit different behaviors in the deposition process depending on conditions.

특히 동일한 액상전구체 화합물이라고 하더라도 조건에 따라 증기압이 상이하게 나타나게 되는데, 이러한 경우 일정한 원료가 투입되더라도 증착되는 박막에 질적 차이가 발생하게 된다. 그런데 반도체, 디스플레이 등의 제조공정에서 소자의 정밀화 및 고효율화가 필요할수록 보다 우수한 박막의 질적 특성이 요구된다. In particular, even in the case of the same liquid precursor compound, the vapor pressure is different depending on the conditions. In this case, a qualitative difference occurs in the deposited thin film even if a certain raw material is added. However, the more precise and high-efficiency devices are required in the manufacturing process of semiconductors and displays, the better the quality of thin films is required.

또한 박막의 질적 특성은, 이후의 노광 및 배선공정에 영향을 주게되며, 박막의 질적 특성이 저하되는 경우 반도체 정밀도의 저하는 물론이고 생산수율의 감소와 생산비용이 증가되는 요인이 된다.In addition, the qualitative properties of the thin film affects subsequent exposure and wiring processes, and when the quality properties of the thin film are lowered, the semiconductor precision is lowered and the production yield is reduced and the production cost is increased.

따라서 박막의 질적 특성을 높이기 위한 기술이 요구되며, 이를 위해 서로 다른 증기압 차이를 나타내는 액상전구체의 증기압을 정확히 측정해야할 것이 요구된다. Therefore, a technique for improving the quality of the thin film is required, and for this, it is required to accurately measure the vapor pressure of the liquid precursor showing different vapor pressure differences.

하지만, 액상전구체 대부분은 공기 중에 노출되는 경우에 인화되는 특성 등이 있어 다루기가 어려우며 반응 부산물 등으로 인하여 측정의 정확성을 확보하기가 어렵다. However, most of the liquid precursors are difficult to handle due to their flammability when exposed to air, and it is difficult to secure the accuracy of the measurement due to reaction by-products.

따라서 액상전구체의 증기압을 정확히 측정하기 위하여 액상전구체에 대한 디개싱(degassing)이 충분하게 이루어질 필요가 있으나 액상전구체의 점도 등 고유의 성질로 인하여 충분한 디개싱이 이루어지기 어려웠으며, 디개싱이 이루어지는데 장시간이 소요되는 등의 어려움이 있었다. Therefore, in order to accurately measure the vapor pressure of the liquid precursor, it is necessary to degassing the liquid precursor sufficiently, but due to the intrinsic properties such as the viscosity of the liquid precursor, it is difficult to achieve sufficient degassing, and degassing is performed. There was a difficulty such as taking a long time.

대한민국 등록특허 제10-0805930호Republic of Korea Registered Patent No. 10-0805930

본 발명의 목적은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 액상전구체에 포함된 불순물의 제거율을 증대시킬 수 있는 액상전구체 디개서를 제공함에 있다.An object of the present invention is to solve the conventional problems as described above, to provide a liquid precursor degasser that can increase the removal rate of impurities contained in the liquid precursor.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 액상전구체 디개서는 디개싱(degassing)시킬 액상전구체가 수용되는 수용공간을 형성하는 캐니스터; 상기 캐니스터와 진공라인을 통해 연결되고, 상기 캐니스터에서 상기 액상전구체가 수용된 상기 수용공간 내에 진공상태를 설정하여 주는 진공펌프; 및 상기 캐니스터 내 상기 수용공간에 마련되며, 상기 수용공간 내에 수용된 상기 액상전구체가 상기 수용공간 내 빈 공간인 디개싱공간 상에 노출되는 표면적을 증대시켜주는 노출표면적증대수단; 을 포함하는 것을 하나의 특징으로 할 수도 있다.A liquid precursor degasser according to an embodiment of the present invention for achieving the above object canister to form a receiving space in which the liquid precursor to be degassed (degassing) is accommodated; A vacuum pump connected to the canister through a vacuum line and configured to set a vacuum state in the accommodation space in which the liquid precursor is accommodated in the canister; And an exposed surface area increasing means provided in the accommodation space in the canister and increasing the surface area exposed to the degassing space, which is the empty space in the accommodation space, in the liquid precursor accommodated in the accommodation space. It may also be characterized as including one.

여기서, 상기 노출표면적증대수단은, 상기 수용공간 내에 수용된 상기 액상전구체를 순환적으로 고르게 상기 디개싱공간에 표면으로 노출시켜주는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.Here, the exposed surface area increasing means may be characterized in that the liquid precursor accommodated in the receiving space is exposed to the surface of the degassing space evenly and cyclically.

나아가, 상기 노출표면적증대수단은, 일정한 길이를 갖추고 있으며, 일부분이 상기 액상전구체에 접촉 또는 잠기되, 길이방향 중심축을 중심으로 회전됨으로써 상기 액상전구체에 접촉 또는 잠기는 부분의 변경이 이루어지며 상기 액상전구체에 접촉 또는 잠겨 있었던 부분에 상기 액상전구체가 묻어서 상기 디개싱공간 상에 노출됨에 따라 상기 액상전구체가 상기 디개싱공간 상에 노출되는 표면적의 증대가 이루어지게 되는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.Furthermore, the exposed surface area increasing means has a constant length, and a part of the liquid precursor is contacted or locked, and is rotated about a central axis in the longitudinal direction to change the portion of contacting or submerging the liquid precursor and changing the liquid precursor. Another feature may be that the surface of the liquid precursor is exposed on the degassing space is increased as the liquid precursor is exposed to the degassing space.

나아가, 상기 노출표면적증대수단은, 적어도 하나 이상의 날개가 마련된 임펠러(impeller)인 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.Furthermore, the exposed surface area increasing means may be another feature that it is an impeller provided with at least one or more wings.

더 나아가, 상기 임펠러는, 상기 수용공간 내에 수용된 상기 액상전구체의 표면에 대하여 상기 임펠러의 길이방향이 평행한 상태 또는 소정의 각도로 기울어진 상태를 갖추도록 상기 캐니스터 내에 배치되는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.Furthermore, the impeller is another feature that is disposed in the canister so as to have a state in which the longitudinal direction of the impeller is parallel or inclined at a predetermined angle with respect to the surface of the liquid precursor accommodated in the accommodation space. You may.

더 나아가, 상기 임펠러는, 상기 수용공간 내에 수용된 상기 액상전구체의 표면에 대하여 상기 임펠러의 길이방향이 수직인 상태를 갖추도록 상기 캐니스터 내에 배치되는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.Furthermore, the impeller may be further characterized in that it is arranged in the canister so that the longitudinal direction of the impeller is perpendicular to the surface of the liquid precursor accommodated in the accommodation space.

더 나아가, 상기 임펠러의 상기 날개는, 적어도 일부분이 메쉬(mesh)로 이루어진 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.Furthermore, the wing of the impeller may be characterized by another feature that at least a portion is made of a mesh.

더 나아가 상기 수용공간 또는 상기 디개싱공간과 연통될 수 있도록 상기 캐니스터와 연결되며, 상기 수용공간 내에 수용된 상기 액상전구체의 증기압을 측정하기 위한 압력측정수단; 을 더 포함하는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.Further, it is connected to the canister so as to be able to communicate with the receiving space or the degassing space, and pressure measuring means for measuring the vapor pressure of the liquid precursor accommodated in the receiving space; Another feature may further include.

더 나아가, 상기 캐니스터 내 상기 수용공간 하측의 바닥면에서, 바닥면의 적어도 일부분이 라운드지게 형성된 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.Furthermore, another feature may be that at least a portion of the bottom surface is rounded on the bottom surface of the accommodation space in the canister.

더 나아가, 상기 수용공간 내에 수용된 상기 액상전구체 측으로 열을 공급하기 위한 히터를 더 포함하는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.Further, another feature may further include a heater for supplying heat to the side of the liquid precursor accommodated in the accommodation space.

본 발명에 따른 액상전구체 디개서는, 반도체용 액상전구체의 디개싱(degassing)효율을 증대시켜주므로 액상전구체의 증기압에 대한 측정 정확성을 증진시켜주는 효과가 있다. The liquid precursor degasser according to the present invention increases the degassing efficiency of the liquid precursor for semiconductors, thereby improving the measurement accuracy of the vapor pressure of the liquid precursor.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 액상전구체 디개서의 일부측단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 액상전구체 디개서에서 다른 형태의 임펠러가 적용된 실시형태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 액상전구체 디개서에서 임펠러가 적용된 다른 실시형태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 액상전구체 디개서가 포함된 측정장치의 개략적인 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
1 is a view schematically showing a partial side cross-section of a liquid precursor degasser according to an embodiment of the present invention.
2 is a view schematically showing an embodiment in which another type of impeller is applied in a liquid precursor degasser according to an embodiment of the present invention.
3 is a view schematically showing another embodiment to which an impeller is applied in a liquid precursor degasser according to an embodiment of the present invention.
4 is a view schematically showing a schematic configuration of a measuring device including a liquid precursor degasser according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 이해할 수 있도록 첨부된 도면을 참조한 바람직한 실시 예를 들어 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments will be described with reference to the accompanying drawings so that the present invention may be more specifically understood.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 액상전구체 디개서의 일부측단면을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 액상전구체 디개서에서 다른 형태의 임펠러가 적용된 실시형태를 개략적으로 나타낸 도면이며, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 액상전구체 디개서에서 임펠러가 적용된 다른 실시형태를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 액상전구체 디개서가 포함된 측정장치의 개략적인 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다. 1 is a view schematically showing a partial side cross-section of a liquid precursor degasser according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram showing an embodiment in which another type of impeller is applied in a liquid precursor degasser according to an embodiment of the present invention. 3 is a diagram schematically showing another embodiment in which an impeller is applied in a liquid precursor degasser according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 includes a liquid precursor degasser according to an embodiment of the present invention It is a diagram schematically showing the schematic configuration of a measuring device.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 액상전구체 디개서는 캐니스터, 진공펌프 및 노출표면적증대수단을 포함하며, 좀 더 바람직하게는 제어부, 히터 또는 압력측정수단을 더 포함하여 이루어질 수도 있다. 1 to 4, the liquid precursor degasser according to an embodiment of the present invention includes a canister, a vacuum pump, and an increase in exposed surface area, more preferably a control unit, a heater, or a pressure measuring means It can be done.

캐니스터(100)는 디개싱시킬 액상전구체(300)가 수용되는 수용공간을 형성한다. The canister 100 forms an accommodation space in which the liquid precursor 300 to be degassed is accommodated.

여기서, 설명 및 이해의 편의를 돕기 위하여 수용공간과 디개싱공간에 대하여 설명하면 다음과 같다. Here, the accommodation space and the degassing space are explained as follows for convenience of explanation and understanding.

수용공간은 액상전구체(300)를 수용하기 위하여 캐니스터(100)에 의하여 형성되는 공간으로서, 캐니스터(100) 내에 수용될 액상전구체(300)의 부피보다도 더 큰 부피로 수용공간이 마련된다. 그리고 수용공간 내에서 액상전구체(300)가 수용되어 차지하는 부분 이외의 공간 즉 수용공간 내에서 액상전구체(300)의 수면보다 상측 위의 빈 공간에서 디개싱이 이루어지게 되므로 이 공간을 디개싱공간(120)이라고 설명과 이해의 편의상 칭하기로 한다. The accommodation space is a space formed by the canister 100 to accommodate the liquid precursor 300, and the accommodation space is provided in a volume larger than the volume of the liquid precursor 300 to be accommodated in the canister 100. And since the liquid precursor 300 is accommodated in the receiving space, the space other than the portion occupied by the liquid precursor 300 is degassed in the empty space above the water surface of the liquid precursor 300 in the receiving space. 120) for convenience of explanation and understanding.

따라서, 디개싱공간(120) 또한 수용공간에 속하는 공간이며, 디개싱공간(120)과 액상전구체가 수용된 부분을 합하면 수용공간과 동등하다고 할 수 있다.Therefore, the degassing space 120 is also a space belonging to the receiving space, and it can be said that the degassing space 120 and the portion in which the liquid precursor is accommodated are equal to the receiving space.

그리고, 캐니스터(100) 내 수용공간 하측의 바닥면에서, 바닥면의 적어도 일부분이 라운드(round)지게 형성된 것도 바람직하다. 도면에서는 바닥면의 테두리 부분이 라운드지게 형성된 형태를 예시적으로 도시하였다. In addition, it is also preferable that at least a portion of the bottom surface is formed to be round on the bottom surface under the accommodation space in the canister 100. In the drawings, a form in which the edge portion of the bottom surface is rounded is illustrated.

그리고 캐니스터(100)는 쿼츠와 같이 투명한 소재로 된 부분이 있어서 캐니스터(100) 내부의 현황을 외부에서 파악할 수 있는 것 또한 바람직하다.In addition, since the canister 100 has a portion made of a transparent material such as quartz, it is also desirable to be able to grasp the current state of the canister 100 from the outside.

그리고 캐니스터(100)의 내측에는 후술할 노출표면적증대수단으로서 임펠러(200)가 마련된다. In addition, an impeller 200 is provided inside the canister 100 as a means for increasing the exposed surface area, which will be described later.

캐니스터(100)의 내측 바닥면과 벽면이 만나는 모서리와 같은 부분에 존재하는 액상전구체는 디개싱공간(120)에 노출되도록 순환이동이 잘 안되어 모서리에 머물러 있을 수 있다. 그러나, 수용공간 하측 바닥면의 적어도 일부분이 라운드지게 형성되면, 액상전구체(300)가 모서리부분에서 정체되어 머물러 있는 문제가 발생되지 않으므로 바람직하다.The liquid precursor that is present in the same portion as the corner where the inner bottom surface and the wall surface of the canister 100 meet may remain in the corner due to poor circulation movement to be exposed to the degassing space 120. However, when at least a portion of the bottom surface of the receiving space is formed to be round, it is preferable since the problem that the liquid precursor 300 remains stagnant in the corner portion does not occur.

진공펌프(500)는 캐니스터(100)와 진공라인을 통해 직접 또는 간접적으로 연결되어 있다. 진공펌프(500)를 통해 디개싱된 불순물가스가 캐니스터(100)의 외부로 배출될 수 있도록 진공펌프(500)측과 연결되는 진공라인과 연결되는 아웃렛포트(110)가 캐니스터(100)에 마련되어 있다. The vacuum pump 500 is directly or indirectly connected to the canister 100 through a vacuum line. The canister 100 is provided with an outlet port 110 connected to a vacuum line connected to the vacuum pump 500 side so that impurity gas degassed through the vacuum pump 500 can be discharged to the outside of the canister 100. have.

그리고, 진공펌프(500)는 캐니스터(100)에서 액상전구체(300)가 수용된 수용공간 내에 소정의 압력을 갖는 진공상태를 설정하여 준다. Then, the vacuum pump 500 sets a vacuum state having a predetermined pressure in the accommodation space in which the liquid precursor 300 is accommodated in the canister 100.

진공펌프(500)와 캐니스터(100) 사이의 진공라인에는 필요시 개폐를 할 수 있는 진공밸브가 마련되어 있으며, 필요에 따라서는 도 4에서 참조되는 바와 같이 중간에 버퍼챔버가 배치되어 있는 것 또한 바람직하다.The vacuum line between the vacuum pump 500 and the canister 100 is provided with a vacuum valve that can be opened and closed when necessary, and it is also preferable that a buffer chamber is disposed in the middle as referred to in FIG. 4 if necessary. Do.

노출표면적증대수단은 적어도 일부분이 캐니스터(100)내 수용공간에 마련된다. 그리고 이러한 노출표면적증대수단은 수용공간 내에 수용된 액상전구체(300)가 수용공간 내 빈 공간인 디개싱공간(120) 상에 노출되는 표면적을 증대시켜준다.At least a portion of the exposed surface area increasing means is provided in the accommodation space in the canister 100. In addition, the exposure surface area increasing means increases the surface area exposed by the liquid precursor 300 accommodated in the receiving space on the degassing space 120, which is an empty space in the receiving space.

디개싱공간(120) 상에 노출되는 액상전구체의 표면적이 증대되므로 디개싱효율이 더욱 향상된다. Since the surface area of the liquid precursor exposed on the degassing space 120 is increased, the degassing efficiency is further improved.

노출표면적증대수단은 수용공간 내에 수용된 액상전구체(300)를 순환적으로 고르게 디개싱공간(120)에 표면으로 노출시켜줄 수 있는 것이 더욱 바람직하다.It is more preferable that the exposed surface area increasing means can expose the liquid precursor 300 accommodated in the receiving space to the surface of the degassing space 120 evenly and cyclically.

이러한 노출표면적증대수단은, 일정한 길이를 갖추고 있으며, 일부분이 액상전구체(300)에 접촉 또는 잠겨있는 것이 바람직하다. 그리고 길이방향 중심축을 중심으로 하여 주기적 또는 비주기적으로 회전됨으로써 액상전구체(300)에 접촉 또는 잠기는 부분의 변경이 이루어지게 된다. The exposed surface area increasing means has a predetermined length, and it is preferable that a part of the liquid precursor 300 is contacted or submerged. In addition, a periodic or aperiodic rotation is performed around the central axis in the longitudinal direction, whereby a portion of the liquid precursor 300 is contacted or locked.

액상전구체(300)에 접촉 또는 잠겨 있었던 부분에 액상전구체(300)가 묻어서 디개싱공간(120) 상에 노출됨에 따라 액상전구체(300)가 디개싱공간(120) 상에 노출되는 표면적의 증대가 이루어지게 되는 것도 바람직하다. As the liquid precursor 300 is exposed on the degassing space 120 by contacting the liquid precursor 300 with the liquid precursor 300, the surface area of the liquid precursor 300 exposed on the degassing space 120 increases. It is also desirable to be made.

이러한 노출표면적증대수단에 의하여 액상전구체(300)가 디개싱공간(120)으로 노출되는 표면적이 일정수준 이상으로 증대되며, 노출되는 표면적이 증대됨에 따라 단위시간당 디개싱되는 가스의 양 또한 증대될 수 있으므로 디개싱에 소요되는 시간을 단축시켜줄 수 있다. The surface area where the liquid precursor 300 is exposed to the degassing space 120 is increased to a certain level or more by the exposed surface area increasing means, and as the exposed surface area increases, the amount of gas degassed per unit time may also increase. Therefore, the time required for degassing can be shortened.

이러한 노출표면적증대수단의 바람직한 예로서, 적어도 하나 이상의 날개가 마련된 임펠러(impeller)(200)를 들을 수 있다. 도면에서 참조되는 바와 같은 임펠러(200)에는 중심축역할을 하는 임펠러바디(210) 및 날개(220)가 마련되어 있다. 도면에서 참조되는 바와 같이 임펠러바디(210)에 결합된 다수개의 접시와 같은 부분이 날개(220)로서 서로에 대하여 일정간격 이격되어 있다.As a preferred example of such an exposed surface area increasing means, an impeller 200 provided with at least one or more wings may be mentioned. The impeller 200 as referred to in the drawing is provided with an impeller body 210 and a wing 220 that serve as a central axis. As referred to in the drawings, a portion such as a plurality of plates coupled to the impeller body 210 is spaced apart from each other as a wing 220.

여기서 임펠러(200)의 날개(220)의 형태가 도면에 도시된 바와 같은 형태도 바람직하지만, 볼트 또는 스크류처럼 적어도 하나 이상의 나사산(single or multiple start screw)이 날개로서 마련된 임펠러(impeller) 또한 바람직하다.Here, the shape of the wing 220 of the impeller 200 is also preferable as shown in the drawing, but an impeller provided with at least one or more threads (single or multiple start screws) as a bolt or screw is also preferable. .

이러한 임펠러(200)가 회전됨에 따라 임펠러(200)의 날개(220) 일부분이 액상전구체(300)에 잠긴 후 다시 액상전구체(300) 수면위로 떠오르게 된다. 이 때 액상전구체(300)가 날개(220)의 표면에 묻어서 날개(220)와 함께 떠오르면서 디개싱공간(120)에 노출된다. As the impeller 200 is rotated, a portion of the wing 220 of the impeller 200 is immersed in the liquid precursor 300 and then rises to the surface of the liquid precursor 300 again. At this time, the liquid precursor 300 is buried on the surface of the wing 220 and floats along with the wing 220 to be exposed to the degassing space 120.

임펠러(200)가 회전되는 방향은 필요에 따라서 시계방향이나 반시계방향으로 회전될 수 있으며 단위시간당 회전수 또한 액상전구체(300)의 점도 등을 고려하여 선택될 수 있다. 이러한 임펠러(200)를 회전시켜주는 회전모터(미도시)가 캐니스터(100)의 외측에서 장착되어 있을 수 있다. The direction in which the impeller 200 is rotated may be rotated in a clockwise or counterclockwise direction as required, and the rotational speed per unit time may also be selected in consideration of the viscosity of the liquid precursor 300 and the like. A rotating motor (not shown) that rotates the impeller 200 may be mounted outside the canister 100.

액상전구체(300)의 수면에서의 노출 이외에 임펠러(200) 및 임펠러(200)의 날개(220)에 묻은 액상전구체 또한 디개싱공간(120)에 노출되므로 전체적으로 노출되는 표면적이 증가하게 된다.In addition to exposure from the surface of the liquid precursor 300, the liquid precursor adhered to the impeller 200 and the wing 220 of the impeller 200 is also exposed to the degassing space 120, thereby increasing the surface area exposed as a whole.

여기서, 수용공간 내에 수용된 액상전구체(300)의 표면에 대하여 임펠러(200)의 길이방향이 평행한 상태 또는 소정의 각도로 기울어진 상태를 갖추도록 캐니스터(100) 내에 배치되는 형태 또한 바람직하다. 여기서 액상전구체(300)의 표면을 달리 표현하자면, 수용공간 내에 수용되어 하측에 집적되어 있는 액상전구체 수면이라고 표현할 수 있다. Here, the form disposed in the canister 100 so that the longitudinal direction of the impeller 200 is parallel to the surface of the liquid precursor 300 accommodated in the accommodation space or inclined at a predetermined angle is also preferable. Here, to express the surface of the liquid precursor 300 differently, it can be expressed as a liquid precursor surface that is accommodated in the accommodation space and is integrated on the lower side.

도 1과 도 2에서는 캐니스터(100)의 수용공간 내에서 액상전구체(300)의 수면에 평행한 방향으로 임펠러(200)가 배치되어 있는 형태를 개략적으로 나타내었다.1 and 2 schematically show a form in which the impeller 200 is disposed in a direction parallel to the water surface of the liquid precursor 300 in the accommodation space of the canister 100.

다른 한편으로 임펠러(200)는 도 3에서 참조되는 바와 같이, 수용공간 내에 수용된 액상전구체(300)의 표면 즉, 액상전구체(300) 수면에 대하여 임펠러(200)의 길이방향이 수직인 상태를 갖추도록 캐니스터(100) 내에 배치될 수도 있다. 이와 같이 임펠러(200)가 배치된 경우 임펠러(200)가 액상전구체(300) 일부를 상향이동시켜주게 되며, 액상전구체(300)가 디개싱공간(120)에 노출되는 부분이 증대된다. 따라서 도 3에 도시된 바와 같은 배치형태 또한 액상전구체(300)가 노출되는 표면적을 증대시켜줄 수 있으므로 바람직하다.On the other hand, the impeller 200 is equipped with a state in which the longitudinal direction of the impeller 200 is perpendicular to the surface of the liquid precursor 300, that is, the surface of the liquid precursor 300 accommodated in the receiving space, as referred to in FIG. It can also be disposed in the canister 100. When the impeller 200 is disposed as described above, the impeller 200 moves a portion of the liquid precursor 300 upward, and the portion where the liquid precursor 300 is exposed to the degassing space 120 is increased. Therefore, the arrangement type as shown in FIG. 3 is also preferable because it can increase the surface area to which the liquid precursor 300 is exposed.

한편 임펠러(200)의 날개(220) 표면이 메쉬(222)와 같은 형태로 이루어진 것 또한 바람직하다. 다시 말해서, 임펠러(200)의 날개(220) 적어도 일부분이 메쉬(mesh)(222)로 이루어진 것 또한 바람직하다는 것이다. On the other hand, it is also preferable that the surface of the wing 220 of the impeller 200 is formed in the same shape as the mesh 222. In other words, it is also desirable that at least a portion of the wing 220 of the impeller 200 is made of a mesh 222.

이와 같이 임펠러(200)의 날개부분이 메쉬(222)와 같은 형태로 이루어지면 점성이 강한 액상전구체가 임펠러(200)의 날개(220)에서 뭉쳐질 수 있는 현상을 예방 내지 억제할 수 있으므로 바람직하다.As described above, when the wing portion of the impeller 200 is formed in the form of a mesh 222, it is preferable because it can prevent or suppress a phenomenon in which a viscous liquid precursor can clump in the wing 220 of the impeller 200. .

그리고, 임펠러(200)를 회전시켜주는 회전모터(미도시)와 전기적으로 연결되어 있으며, 임펠러(200)의 회전속도 또는 회전방향을 제어할 수 있는 제어부(400)를 더 포함하는 것 또한 바람직하다. 제어부(400)의 제어에 의해 액상전구체(300)가 디개싱되는 상황에 따라 임펠러(200)의 회전속도 또는 회전방향이 설정 또는 변경될 수 있다.In addition, it is also preferable to further include a control unit 400 that is electrically connected to a rotating motor (not shown) that rotates the impeller 200 and can control the rotational speed or rotational direction of the impeller 200. . The rotational speed or rotational direction of the impeller 200 may be set or changed according to a situation in which the liquid precursor 300 is degassed by the control of the control unit 400.

압력측정수단은 수용공간 내에 수용된 액상전구체의 증기압을 측정하기 위하여 마련된다. 이러한 압력측정수단으로서 압력게이지 또는 압력센서 등이 가능하다. The pressure measuring means is provided to measure the vapor pressure of the liquid precursor accommodated in the receiving space. As such a pressure measuring means, a pressure gauge or a pressure sensor may be used.

그리고 압력측정수단은 수용공간 또는 디개싱공간(120)과 연통될 수 있도록 캐니스터(100)와 연결된 형태도 가능하다. 따라서, 액상전구체가 충분히 디개싱된 후에 액상전구체(300)의 증기압을 압력게이지나 압력센서와 같은 압력측정수단에 의해 측정할 수 있다.In addition, the pressure measuring means may be connected to the canister 100 so that it can communicate with the receiving space or the degassing space 120. Therefore, the vapor pressure of the liquid precursor 300 can be measured by a pressure measuring means such as a pressure gauge or a pressure sensor after the liquid precursor is sufficiently degassed.

그리고, 수용공간 내에 수용된 액상전구체(300) 측으로 열을 공급하기 위한 히터(미도시)를 더 포함하는 것 또한 바람직하다. 이러한 히터가 마련되어 있으면, 디개싱 후에 액상전구체(300)에 대한 증기압을 측정하기 위하여 열을 액상전구체(300)에 가할 수 있으므로 바람직하다고 할 수 있다.In addition, it is also preferable to further include a heater (not shown) for supplying heat to the liquid precursor 300 accommodated in the accommodation space. If such a heater is provided, it can be said that heat can be applied to the liquid precursor 300 in order to measure the vapor pressure of the liquid precursor 300 after degassing.

이와 같이 본 발명에 따른 액상전구체 디개서는 액상전구체가 디개싱공간(120)에 노출되는 표면적을 증대시켜주므로 불순물이 디개싱공간(120) 측으로 확산되어 제거되는 효율이 증대된다. As described above, the liquid precursor degasser according to the present invention increases the surface area where the liquid precursor is exposed to the degassing space 120, thereby increasing the efficiency in which impurities are diffused to the degassing space 120 and removed.

특히 공기 중에서 다루기 힘들고 상온에서도 분해가 일어나는 액상전구체의 정확한 증기압을 측정하는데 필요한 디개싱장치로서, 본 발명에 따른 액상전구체 디개서를 활용하면 측정 전과 측정 중에도 인시츄(in-situ)로 액상전구체에 용존되어 있는 불순물(예를 들어, 합성 후 남은 용매, 불활성가스(inert gas), 샘플링시 분위기가스 등)에 대한 디개싱효율을 증대시킬 수 있다. In particular, as a degassing device required to measure the exact vapor pressure of a liquid precursor that is difficult to handle in the air and decomposes even at room temperature, the liquid precursor degasser according to the present invention is used to measure the liquid precursor in-situ before and during measurement. It is possible to increase the degassing efficiency for dissolved impurities (eg, solvent remaining after synthesis, inert gas, atmosphere gas during sampling, etc.).

따라서 전구체의 개발단계에서 반드시 검토되어야 하는 증기압의 특성을 보다 정확하게 측정할 수 있으므로 요구되는 물성을 갖춘 재료의 개발 및 상품화 촉진에 기여할 수 있다.Therefore, it is possible to more accurately measure the properties of the vapor pressure that must be reviewed in the development stage of the precursor, thereby contributing to the development and commercialization of materials with the required physical properties.

이처럼 본 발명에 따른 액상전구체 디개서는, 반도체용 액상전구체의 디개싱(degassing)효율을 증대시켜주는 장점이 있으며, 액상전구체의 증기압에 대한 측정 정확성을 증진시켜주는 장점도 있다. Thus, the liquid precursor degasser according to the present invention has the advantage of increasing the degassing efficiency of the liquid precursor for semiconductors, and also has the advantage of improving the measurement accuracy of the vapor pressure of the liquid precursor.

이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시 예들에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시 예들은 본 발명의 바람직한 실시 예를 들어 설명하였을 뿐이기 때문에, 본 발명이 상기의 실시 예에만 국한되는 것으로 이해되어져서는 아니되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어져야 할 것이다. As described above, the detailed description of the present invention has been made by the embodiments with reference to the accompanying drawings, but since the above-described embodiments are merely described as preferred embodiments of the present invention, the present invention is described above. It should not be understood as being limited to the embodiment only, and the scope of the present invention should be understood as the following claims and equivalent concepts.

100 : 캐니스터
110 : 아웃렛포트 120 : 디개싱공간
200 : 임펠러
210 : 임펠러바디 220 : 임펠러의 날개
300 : 액상전구체 400 : 제어부
500 : 진공펌프
100: canister
110: outlet port 120: degassing space
200: impeller
210: impeller body 220: impeller wings
300: liquid precursor 400: control unit
500: vacuum pump

Claims (10)

디개싱(degassing)시킬 액상전구체가 수용되는 수용공간을 형성하는 캐니스터;
상기 캐니스터와 진공라인을 통해 연결되고, 상기 캐니스터에서 상기 액상전구체가 수용된 상기 수용공간 내에 진공상태를 설정하여 주는 진공펌프; 및
상기 캐니스터 내 상기 수용공간에 마련되며, 상기 수용공간 내에 수용된 상기 액상전구체가 상기 수용공간 내 빈 공간인 디개싱공간 상에 노출되는 표면적을 증대시켜주는 노출표면적증대수단; 을 포함하는 것을 특징으로 하는,
노출표면적증대수단을 포함하는 액상전구체 디개서.
A canister forming an accommodation space in which the liquid precursor to be degassed is accommodated;
A vacuum pump connected to the canister through a vacuum line and configured to set a vacuum state in the accommodation space in which the liquid precursor is accommodated in the canister; And
An exposed surface area increasing means provided in the accommodation space in the canister and increasing the surface area exposed to the degassing space, which is the empty space in the accommodation space, in the liquid precursor accommodated in the accommodation space; Characterized in that it comprises,
Liquid precursor degasser comprising means for increasing exposed surface area.
제 1항에 있어서,
상기 노출표면적증대수단은,
상기 수용공간 내에 수용된 상기 액상전구체를 순환적으로 고르게 상기 디개싱공간에 표면으로 노출시켜주는 것을 특징으로 하는,
노출표면적증대수단을 포함하는 액상전구체 디개서.
According to claim 1,
The exposure surface area increasing means,
Characterized in that the liquid precursor accommodated in the receiving space is exposed to the surface of the degassing space evenly and cyclically.
Liquid precursor degasser comprising means for increasing exposed surface area.
제 2항에 있어서,
상기 노출표면적증대수단은,
일정한 길이를 갖추고 있으며,
일부분이 상기 액상전구체에 접촉 또는 잠기되,
길이방향 중심축을 중심으로 회전됨으로써 상기 액상전구체에 접촉 또는 잠기는 부분의 변경이 이루어지며 상기 액상전구체에 접촉 또는 잠겨 있었던 부분에 상기 액상전구체가 묻어서 상기 디개싱공간 상에 노출됨에 따라 상기 액상전구체가 상기 디개싱공간 상에 노출되는 표면적의 증대가 이루어지게 되는 것을 특징으로 하는,
노출표면적증대수단을 포함하는 액상전구체 디개서.
According to claim 2,
The exposure surface area increasing means,
Has a certain length,
A portion of the liquid precursor is contacted or submerged,
By rotating around the central axis in the longitudinal direction, a change is made to the portion in contact with or submerged in the liquid precursor, and the liquid precursor is buried in the degassing space as the liquid precursor is buried in the portion in contact with or submerged in the liquid precursor. Characterized in that the increase in the surface area exposed on the degassing space is made,
Liquid precursor degasser comprising means for increasing exposed surface area.
제 3항에 있어서,
상기 노출표면적증대수단은,
적어도 하나 이상의 날개가 마련된 임펠러(impeller)인 것을 특징으로 하는,
노출표면적증대수단을 포함하는 액상전구체 디개서.
According to claim 3,
The exposure surface area increasing means,
Characterized in that the impeller is provided with at least one or more wings,
Liquid precursor degasser comprising means for increasing exposed surface area.
제 4항에 있어서,
상기 임펠러는,
상기 수용공간 내에 수용된 상기 액상전구체의 표면에 대하여 상기 임펠러의 길이방향이 평행한 상태 또는 소정의 각도로 기울어진 상태를 갖추도록 상기 캐니스터 내에 배치되는 것을 특징으로 하는,
노출표면적증대수단을 포함하는 액상전구체 디개서.
The method of claim 4,
The impeller,
Characterized in that the longitudinal direction of the impeller with respect to the surface of the liquid precursor accommodated in the receiving space is arranged in the canister to have a parallel state or a state inclined at a predetermined angle,
Liquid precursor degasser comprising means for increasing exposed surface area.
제 4항에 있어서,
상기 임펠러는,
상기 수용공간 내에 수용된 상기 액상전구체의 표면에 대하여 상기 임펠러의 길이방향이 수직인 상태를 갖추도록 상기 캐니스터 내에 배치되는 것을 특징으로 하는,
노출표면적증대수단을 포함하는 액상전구체 디개서.
The method of claim 4,
The impeller,
Characterized in that the longitudinal direction of the impeller with respect to the surface of the liquid precursor accommodated in the receiving space is arranged in the canister to have a vertical state,
Liquid precursor degasser comprising means for increasing exposed surface area.
제 5항 또는 제 6항에 있어서,
상기 임펠러의 상기 날개는,
적어도 일부분이 메쉬(mesh)로 이루어진 것을 특징으로 하는,
노출표면적증대수단을 포함하는 액상전구체 디개서.
The method of claim 5 or 6,
The wing of the impeller,
Characterized in that at least a portion is made of a mesh (mesh),
Liquid precursor degasser comprising means for increasing exposed surface area.
제 7항에 있어서,
상기 수용공간 또는 상기 디개싱공간과 연통될 수 있도록 상기 캐니스터와 연결되며, 상기 수용공간 내에 수용된 상기 액상전구체의 증기압을 측정하기 위한 압력측정수단; 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는,
노출표면적증대수단을 포함하는 액상전구체 디개서.
The method of claim 7,
Pressure measuring means connected to the canister so as to be able to communicate with the receiving space or the degassing space, and measuring the vapor pressure of the liquid precursor accommodated in the receiving space; Characterized in that it further comprises,
Liquid precursor degasser comprising means for increasing exposed surface area.
제 8항에 있어서,
상기 캐니스터 내 상기 수용공간 하측의 바닥면에서,
바닥면의 적어도 일부분이 라운드지게 형성된 것을 특징으로 하는,
노출표면적증대수단을 포함하는 액상전구체 디개서.
The method of claim 8,
On the bottom surface of the accommodation space under the canister,
Characterized in that at least a portion of the bottom surface is rounded,
Liquid precursor degasser comprising means for increasing exposed surface area.
제 9항에 있어서,
상기 수용공간 내에 수용된 상기 액상전구체 측으로 열을 공급하기 위한 히터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,
노출표면적증대수단을 포함하는 액상전구체 디개서.


The method of claim 9,
Characterized in that it further comprises a heater for supplying heat to the liquid precursor side accommodated in the accommodation space,
Liquid precursor degasser comprising means for increasing exposed surface area.


KR1020180173327A 2018-12-31 2018-12-31 Liquid Phase Precursor Degasser for Semiconductor Including Exposed Surface Area Increasing Means KR102166633B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180173327A KR102166633B1 (en) 2018-12-31 2018-12-31 Liquid Phase Precursor Degasser for Semiconductor Including Exposed Surface Area Increasing Means
PCT/KR2019/007463 WO2020141669A1 (en) 2018-12-31 2019-06-20 Liquid precursor degasser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180173327A KR102166633B1 (en) 2018-12-31 2018-12-31 Liquid Phase Precursor Degasser for Semiconductor Including Exposed Surface Area Increasing Means

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200083827A true KR20200083827A (en) 2020-07-09
KR102166633B1 KR102166633B1 (en) 2020-10-19

Family

ID=71602481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180173327A KR102166633B1 (en) 2018-12-31 2018-12-31 Liquid Phase Precursor Degasser for Semiconductor Including Exposed Surface Area Increasing Means

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102166633B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100805930B1 (en) 2006-09-27 2008-02-21 한국표준과학연구원 A precursor vapor pressure measuring device for semiconductor manufacturing process and method thereof
KR20130070037A (en) * 2011-12-19 2013-06-27 (주)아인스 Canister for producing semiconductor
KR20150041378A (en) * 2013-10-08 2015-04-16 삼성디스플레이 주식회사 Chemical liquid supply device and substrate processing apparatus having the same
KR101591487B1 (en) * 2014-04-21 2016-02-04 주식회사 레이크머티리얼즈 Vaporizer for precusors

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100805930B1 (en) 2006-09-27 2008-02-21 한국표준과학연구원 A precursor vapor pressure measuring device for semiconductor manufacturing process and method thereof
KR20130070037A (en) * 2011-12-19 2013-06-27 (주)아인스 Canister for producing semiconductor
KR20150041378A (en) * 2013-10-08 2015-04-16 삼성디스플레이 주식회사 Chemical liquid supply device and substrate processing apparatus having the same
KR101591487B1 (en) * 2014-04-21 2016-02-04 주식회사 레이크머티리얼즈 Vaporizer for precusors

Also Published As

Publication number Publication date
KR102166633B1 (en) 2020-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100707107B1 (en) Cleaning and drying method and appratus
JP6280487B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2007109738A (en) Liquid processor, processing liquid supply method and processing liquid supply program
CN104103549A (en) Semiconductor process chamber
KR20200083827A (en) Liquid Phase Precursor Degasser Including Exposed Surface Area Increasing Means
KR20180092271A (en) Plating apparatus and substrate holder used together with plating apparatus
WO2022180727A1 (en) Plating apparatus and method for removing air bubbles from plating apparatus
CN107271357B (en) Metal sample wafer dry-wet alternate dip corrosion test device
JP3500315B2 (en) Degassing device and degassing method
TWI828580B (en) plating device
CN116288609B (en) Plating device
US20020139400A1 (en) Vertical process reactor
JP2008098426A (en) Substrate processing equipment
KR20160072879A (en) Unit for measuring flowrate, Apparatus for treating substrate with the unit, and method for measuring flowrate
KR20190139014A (en) pressure measurement unit and Apparatus for treating substrate with the unit
KR102204607B1 (en) Liquid Phase Precursor Including Dispersion Means
TWI597128B (en) Measuring device and measuring method of work thickness and polishing device of work
TW202200262A (en) Slurry blending tool and method of making slurry
KR102204627B1 (en) Liquid Precursor Degasser Using Centrifugal Force
KR102407356B1 (en) Plating device and bubble removal method
CN115885062A (en) Plating apparatus and plating method
CN215611471U (en) Sodium hypochlorite enamel reactor of accurate accuse temperature
KR20130003551U (en) Exchangeable treatment basin for wet-chemical process
KR20200083870A (en) Liquid Phase Precursor Life Time Management System
JPH11281461A (en) Liquid weighing instrument, liquid weighing method, and substrate treating device

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant