KR20200043824A - 열 차폐 필름 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 열 차폐 필름 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 기재층의 일면에 형성되는 열 차폐층을 산소결핍형 천이금속산화물로 구성하여 헤이즈를 원척적으로 차단해 완성된 필름에서 산란현상으로 인해 뿌옇게 보이는 문제를 방지하고 가시광선투과율과 적외선차단율을 개선하며, 열 차폐층을 산소결핍형 천이금속산화물로 구성할 때 잔류 산소 유입에 의한 반응, 잔류 수산기에 의한 반응, 잔류 라디칼에 의한 반응 등에 의한 내열성 및 내구성의 문제는 부동화 피막을 통해 해결하는 열 차폐 필름 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

열 차폐 필름 및 그 제조방법 {Heat Shielding Film and Manufacturing Method Thereof}

본 발명은 열 차폐 필름 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 기재층의 일면에 형성되는 열 차폐층을 산소결핍형 천이금속산화물로 구성하여 헤이즈를 원척적으로 차단해 완성된 필름에서 산란현상으로 인해 뿌옇게 보이는 문제를 방지하고 가시광선투과율과 적외선차단율을 개선하며, 열 차폐층을 산소결핍형 천이금속산화물로 구성할 때 잔류 산소 유입에 의한 반응, 잔류 수산기에 의한 반응, 잔류 라디칼에 의한 반응 등에 의한 내열성 및 내구성의 문제는 부동화 피막을 통해 해결하는 열 차폐 필름 및 그 제조방법에 관한 것이다.

열 차폐 재료는 크게 유기화합물형 열 차폐 재료와, 무기화합물형 열 차폐 재료로 구분될 수 있다.

유기화합물형 열 차폐 재료는 높은 가시광선 투과율을 보이지만, 근적외선 영역 중에 단일파장(≒950nm) 부근에서만 흡수가 일어나, 실제로 인체가 느끼는 열에너지 영역 부근에서의 효과적인 차단은 어려워, 무기화합물형 재료보다는 상대적으로 차폐효과가 많이 떨어진다. 이로 인해 상기 유기화합물형 열 차폐 재료는 무기화합물형 열 차폐재료와 혼용되면서 열 차폐의 보조적인 재료로 사용되고 있다. 유기화합물에는 LaB₆, Phthalocyanine, 카본블랙(Carbon Black), 티탄블랙(Titan Black), 금속착염(Metal Complex), 디인모늄염 (Diimonium Salt), 프탈로시아닌(Phthalocyanine) 등이 있다. 이중 실제로 많이 사용되고 있는 유기화합물은 금속착염(Metal Complex), 카본블랙(Carbon Black), 디인모늄염 (Diimonium Salt)등 이다.

반면에 무기화합물형 열 차폐 재료는 낮은 가시광선 투과율을 가지지만, 유기물화합물형 재료보다는 뛰어난 내구성과 높은 열 차폐 특성을 가지고 있다. 열 차폐 재료로는 특히 무기산화물들이 많으며, 이러한 무기산화물에는 안티몬틴옥사이드(ATO), 인듐틴옥사이드 (ITO), 2산화실리카(SiO₂), 3산화알루미나(Al₂O₃), 3산화몰리브덴(MoO₃), 5산화니오브(Nb₂O₅), 5산화바나듐(V₂O₅), 텅스텐 브론즈(Tungsten Bronze), 텅스텐 옥사이드(Tungsten Oxide) 등을 사용한다. 이중 특히 가장 많이 사용되고, 실제로 적외선 차단 특성이 양호한 무기산화물로는 안티몬틴옥사이드(ATO)와 인듐틴옥사이드(ITO), 텅스텐 브론즈(Tungsten Bronze)이다.

안티몬틴옥사이드(ATO)는 인듐틴옥사이드(ITO) 보다 가격이 저렴하고, 일반적인 열 차폐 필름에 많이 적용되고 있다. 하지만 근적외선 투과피크 중 1500nm에서 2200nm 까지 완만한 경사의 투과 그래프로, 완벽한 적외선 차단은 이루어지지 못하고 있으며, 높은 가시광선 투과율을 확보하기 위해서는 그 투입량이 제한적일 수밖에 없다. 만약 높은 근적외선 차단율 확보를 위해 안티몬틴옥사이드(ATO) 졸 투입량을 높게 한다면, 가시광선 투과율은 40~50%로 현저히 떨어지게 되고, 과도한 무기물 함유는 열 차폐 코팅층의 크랙, 부착력 저하, 백탁, 경시변화 등을 일으킨다. 이렇듯 입자크기 30nm의 안티몬틴옥사이드(ATO)라고 해도 가시광선 대비 근적외선 차단 특성은 그 한계를 가지고 있어 활용 범위가 좁고, 고성능 열 차폐 필름 제조에는 쉽게 적용되지 못한다.

인듐틴옥사이드(ITO)는 안티몬틴옥사이드(ATO)보다 높은 가시광선 투과율과 적외선 차단 특성을 가진다. 하지만 인듐(Indium)가격이 세계적으로 높은 가격의 원료로 잘 알려져 있고, 대부분 전자산업에서는 인듐틴옥사이드(ITO)를 대체할 수 있는 물질을 개발 중에 있다. 또한 열 차폐 필름제조에서도 이러한 고가의 원료를 사용하는 것은 큰 부담이 되지 않을 수 없다. 따라서 인듐틴옥사이드(ITO) 보다 높은 가시광선 투과율과 높은 근적외선 차단 특성을 가지는 물질을 개발하는 것이 급선무이다.

또한 안티몬틴옥사이드(ATO)와 인듐틴옥사이드(ITO)는 나노입자 무기산화물의 합성에 있어 매우 까다로운 공정을 거쳐 제조되고 있다. 특히 Sol-Gel 법, Autoclave 법으로 제조된 수산화안티몬틴옥사이드(ATO(OH)), 수산화인듐틴옥사이드(ITO(OH))는 반드시 소성 과정을 거치게 된다. 소성은 총 2번에 걸쳐 이루어지는데, 공기 중에서 300~400℃로 1차 소성을 한 후, 2차 수소 환원소성을 하게 된다. 이때 수소 가스(Gas)와 불활성 가스를 혼합하여 환원소성을 하게 되며, 만일 약간의 산소가 투입되더라도 폭발할 가능성이 매우 높아 주의를 요하는 작업이고, 장비 또한 Gas Flow 소성로는 상당히 고가의 장비이다. 이렇듯 안티몬틴옥사이드(ATO), 인듐틴옥사이드(ITO)를 제조하는데 있어 안정성의 문제와 고가의 설비 투자가 필요한 단점이 존재한다.

페로브스카이트(Perovskite) 텅스텐 브론즈는 와이드 밴드 겝(Wide Band Gap)산화물로, 3산화텅스텐에 Na등의 양성원소를 Doping한 형태이며, 일반적으로 페로브스카이트 구조(ABO₃)를 가지게 된다. 텅스텐 브론즈의 특징으로는 파장 800nm 이상부터 광 에너지 흡수가 강하고, 파장 380~780nm 에서의 광 에너지 흡수는 약하기 때문에 투명성을 필요로 하는 분야에서는 활발히 연구되고 있는 실정이다. 텅스텐 브론즈 화합물은 약 5만 가지 정도로 알려져 있고, 특히 적외선 차단 특성을 보이는 텅스텐 브론즈 화합물은 A_xW₁O_y 형태로, A_x는 알칼리금속 및 알칼리토금속 원소, W₁는 텅스텐, O_y는 산소로 이루어져 있다. 알칼리금속 원소 계열들은 다른 원소들에 비해 상대적으로 원소 반경이 거대하여 결과적으로 큰 입자 입경을 보이게 된다. 대부분 1차 입경(Particle Size)의 크기는 100nm 미만이고, 1차 입경이 50nm 이면 실제로 분산 졸로 제조했을 때 입경은 50nm 이상이 된다. 50nm 이상의 분산 졸은 헤이즈가 높으며 산란현상을 보이는바, 만약 필름으로 제작되었을 때는 산란현상에 의해 뿌옇게 보여지는 문제가 발생한다. 따라서 개선된 텅스텐 브론즈 또는 텅스텐 산화물을 적용하여 헤이즈값이 낮고 고투명한 고품질의 열 차폐 필름이 필요로 하게 된다.

산화 텅스텐(Tungsten Oxide)은 와이드 밴드 갭(Wide Band Gap)산화물로, WO₃(삼산화텅스텐)은 노란색을 띄고 있으며, WO_{2 .81} ~ WO_{2 .95} (WO_{3 -x} 라고명칭) 까지는 푸른색을 띄게 된다. 특히 WO_{3 -x} 는 소량의 산소가 감소된 형태이며 적외선 차폐 특성이 있다. 완전한 산소 함량을 가지는 WO₃는 적외선 차폐 특성이 없으며 여러 제조방법을 통해 얻어지는 여러 전구체들을 공기 중에 소성처리 하면 얻을 수 있다. 그에 반면 푸른색의 WO_{3 -x} 는 환원소성으로 얻을 수 있다. 환원소성은 산소 대신 불활성 가스로 소성 후 만들어진다. WO_{3 -x} 는 산소의 빈자리 때문에 어느 조건하에서는 다시 산화되어 삼산화텅스텐으로 변화되기 쉬워, Color가 변하거나 적외선 차폐 특성이 사라지게 된다. 이러한 문제점으로 인해 WO_{3 -x}는 그 사용이 제한적이거나 열 차폐 재료로서는 사용되지 못하고 있다. 만약 이런 문제점을 해결하지 못하고 열 차폐 필름에 적용된다면, 환경 조건에 따라 코팅된 적외선 차폐층에 변형이 생길 수 있다.

도 1은 종래의 열차단 수축필름에 관한 도면으로, 상기 종래기술은 한국등록특허공보 제10-1681614호(2016.12.01)에 개시되어 있다. 도 1을 참고하면, 도 1의 종래기술은 산화텅스텐을 열차단 수축필름에 적용하였으나, 사용한 입자가 1~6㎛로 상당히 크므로, 이로 인해 가시광선 투과율이 떨어짐은 물론, 열 차단효과를 증가시키기 위해 산화텅스텐 투입량을 높이게 된다면 기재로서 사용된 합성수지 필름은 부스러지거나 합성수지 필름 특성인 치수 안정성 및 탄성, 신장률 등과 같은 본래의 물성은 저하될 수밖에 없다는 문제가 있다.

따라서, 관련 업계에서는 태양광에 분포하는 적외선을 효과적으로 차단할 수 있으면서, 내열성 및 내구성을 가지고, 제조과정이 간단하며, 제조에 많은 비용을 필요치 않는 새로운 형식의 열 차폐 필름에 관한 개발을 요구하고 있는 실정에 있다.

한국등록특허공보 제10-1681614호(2016.12.01)

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로,

본 발명의 목적은, 기재층의 일면에 형성되는 열 차폐층을 산소결핍형 천이금속산화물로 구성하여 평균입도가 100nm미만이 되도록 함으로써 헤이즈를 원척적으로 차단해, 완성된 필름에서 산란현상으로 인해 뿌옇게 보이는 문제를 방지하고, 가시광선투과율과 적외선차단율을 개선한 열 차폐 필름을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은, 산소결핍형 천이금속산화물은 AO_(3-X) 형태의 루틸(Rutile)형 구조를 형성하도록 구성함으로써, 상대적으로 작은 1차 입경을 가지도록 함에 따라, 화합물 제조시 소성과정 중 입자크기가 증대되는 문제를 방지하는 열 차폐 필름을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 산소결핍형 천이금속산화물을 합성조건이 간단한 액상침전법으로 제조함으로써, 입자생성 및 입자크기의 제어가 용이하여 균일한 나노크기의 입자를 얻을 수 있도록 하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 합성된 천이금속산화물을 300~600℃ 범위에서 하소시켜, 수산기 및 물분자를 제거해 작은 입경을 가지는 루틸형 결정을 형성하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 환원소성을 통해 루틸형 결정을 형성한 천이금속산화물의 산소결핍을 유도하여 결정결함 또는 산소의 빈자리에 의한 적외선 흡수 특성을 가지도록 하고, 이러한 환원소성은 수소가스 대신 불활성 가스의 투입하에 이루어지도록 함으로써 작업상의 위험을 줄이고 간편하게 기존의 소성장비를 이용할 수 있도록 하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 선택적 반응성이 우선이면서 이종 반응성은 없는 유기산 금속 킬레이트 화합물(Organic Acid Metallic Chelate Compounds)을 산소결핍형 천이금속산화물 표면에 형성하거나 분산졸 내에 분포시킴으로써, 잔류 산소(O, O₂) 유입에 의한 반응, 잔류 수산기(-OH)에 의한 반응, 잔류 라디칼(Radical)에 의한 반응 등을 상기 유기산 금속 킬레이트 화합물이 효과적으로 차단하도록 하여, 산소결핍형 천이금속산화물의 내열성, 내구성 등의 문제를 보완하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 부동화 피막 역할을 하는 유기산 금속 킬레이트 화합물을 리플럭스(Reflux)법으로 제조하도록 하여 원하는 목적에 맞는 화합물을 기존 설비에서도 간단히 제조할 수 있도록 하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 도포된 도막의 건조 및 경화를 위해 열풍건조 및 자외선조사가 이루어질 경우 120℃ 이상의 온도에 기재층이 노출됨에 따라 변형이 발생할 수 있는 문제를, 열 변형온도가 높고 치수 안정성이 우수한 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate)로 기재층을 구성해 해결하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 분산졸 내의 산소결핍형 천이금속산화물의 함량을 20~30중량%가 되도록 구성하여, 충분한 광학적 특성이 발현되도록 하고, 분산시간을 줄여 분산제의 변형을 방지하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 분산졸 내 분산제의 함량은 1~10중량%가 되도록 하여, 충분한 분산졸을 얻고, 코팅된 표면을 건조시킬 때 건조되지 못한 분산제가 코팅 표면에 잔존해 코팅표면의 불량을 일으키지 않도록 하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 분산졸 내 유기산 금속 킬레이트 화합물의 함량을 5~10중량%로 구성하여, 가시광선 투과율 및 적외선 차폐율 등의 광학적 특성을 크게 떨어뜨리지 않으면서 산소결핍형 천이금속산화물의 내열성 및 내구성을 크게 향상시키는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 볼밀법에 의해 분산졸을 형성하도록 함으로써, 응집된 분말을 용이하게 분산시키고, 분산졸 형성을 간편하게 하며, 대량생산이 가능하도록 하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 코팅졸 내 분산졸의 함량이 40~50중량%가 되도록 함으로써, 필름의 광학적 특성 및 도막 부착력을 높이고, 표면 내스크래치성을 향상시키는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 광중합체로서 자외선조사에 의해 광중합을 일으키는 올리고머(Oligomer), 모너머(Monomer), 광개시제를 코팅졸에 포함하여, 코팅졸과 기재층의 결합력을 증진시키고, 도막 두께를 미세하게 조절할 수 있도록 하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 기재층에 도포된 코팅도막의 두께를 3~4㎛로 구성하여, 광학적 특성을 유지하면서 표면 내스크래치성을 높이고, 표면 크랙 발생을 막으며, 기재층과의 부착력을 향상시키는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 열 차폐층의 일면에 점착층을 구성하여, 필름이 건물 또는 차량 등에 용이하게 접착될 수 있도록 하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은, 점착층의 일면에 이형지를 부착하여 점착층의 일면이 이형지에 의해 보호되도록 하는 것이다.

본 발명은 앞서 본 목적을 달성하기 위해서 다음과 같은 구성을 가진 실시예에 의해서 구현된다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은, 기재층과, 상기 기재층의 일면에 형성된 열 차폐층을 포함하고, 상기 열 차폐층은, 산소결핍형 천이금속산화물을 포함하여, 헤이즈현상이 없으면서 가시광선투과율과 적외선차단율을 개선하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 산소결핍형 천이금속산화물은, AO_(3-X) 형태의 루틸(Rutile)형 구조를 형성하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 A는, Cu, Ag, Zn, Ni, W 및 Co 중 어느 하나 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 산소결핍형 천이금속산화물은, 수산기 및 물분자를 제거하고 결정을 형성하기 위해, 300∼600℃ 범위에서 하소가 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 산소결핍형 천이금속산화물은, 산소결핍을 위해, 불활성 가스의 투입하에 환원소성이 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 불활성 가스는, N₂, Ar, Ne 및 CO₃를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 열 차폐층은, 부동화 피막을 추가로 포함하여, 상기 산소결핍형 천이금속산화물의 내열성 및 내구성을 향상시키는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 부동화 피막은, 유기산 금속 킬레이트 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 유기산 금속 킬레이트 화합물은, R1-M-R2 구조를 가지며, 상기 M은, Cu, Ag, Zn, Ni, W 및 Co 중 어느 하나의 원소이고, 상기 R1 및 R2는, 저분자형 글루탐산(Glutamic Acid) 및 고분자형 나트륨 폴리 아스파테이트(Sodium Poly Aspartate) 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 기재층은, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate)인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 기재층을 제공하는 기재층제공단계와, 상기 기재층제공단계 이후에 상기 기재층의 일면에 열 차폐층을 형성하는 열차폐층형성단계를 포함하고, 상기 열차폐층형성단계는, 산소가 결핍된 천이금속산화물을 생성하는 산소결핍형천이금속산화물형성단계와, 상기 산소결핍형천이금속산화물형성단계 이후에 상기 산소결핍형 천이금속산화물에 부동화 피막을 형성하는 부동화피막단계와, 상기 부동화피막단계 이후에 상기 기재층에 코팅막을 형성하는 코팅단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 산소결핍형천이금속산화물형성단계는, 액상침전법으로 천이금속산화물을 합성하는 합성단계와, 상기 합성단계 이후에 합성된 천이금속산화물에서 수산기 및 물분자를 제거하고 결정을 형성하기 위해 300∼600℃ 범위에서 하소를 하는 1차하소단계와, 상기 1차하소단계 이후에 천이금속산화물의 산소결핍을 위해 불활성 가스의 투입하에 환원소성을 하는 2차환원소성단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 부동화피막단계는, 유기산 금속 킬레이트 화합물을 제조하는 유기산금속킬레이트화합물제조단계와, 상기 유기산금속킬레이트화합물제조단계 이후에 분산졸을 형성하는 분산졸형성단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 유기산금속킬레이트화합물제조단계는, 천이금속을 포함하는 전구체를 유기산 용매에 용해시켜, 60∼80℃에서 4∼5시간 동안 교반하여 리플럭스(Reflux) 시키는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 분산졸형성단계는, 산소결핍형 천이금속산화물 20~30중량%와, 분산제 1~10중량%와, 유기산 금속 킬레이트 화합물 5~10중량%를 포함하는 분산졸을 형성하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 코팅단계는, 코팅졸을 형성하는 코팅졸형성단계와, 상기 코팅졸형성단계 이후에 상기 코팅졸을 상기 기재층에 도포하는 코팅졸도포단계와, 상기 코팅졸도포단계 이후에 코팅졸이 도포된 기재층을 열풍 건조 및 자외선 경화시키는 건조경화단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 코팅졸형성단계는, 분산졸 40~50중량%와, 바인더 40~50중량%와, 유기용제 10~20중량%를 포함하는 코팅졸을 형성하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 바인더는, 광중합체로서 자외선조사에 의해 광중합을 일으키는 올리고머(Oligomer), 모너머(Monomer), 광개시제를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 유기용제는, 메틸 에틸 케톤(Methyl Ethyl Ketone), 톨루엔(Toluene), 에틸 아세테이트(Ethyl Acetate), 이소 프로필 알콜(Iso Propyl Alcohol), 에틸 셀로솔브(Ethyl Cellosolve), 이소 부틸 알콜(Iso butyl Alcohol), 디메틸포름아미드(Dimethylformamide), 에탄올(Ethanol), 부틸셀로솔브(Butyl Cellosolve), 크실렌(Xylene), 1-옥탄올(1-Octanol), 디에틸렌 글리콜(Diethylene Glycol), 니트로벤젠(Nitrobenzene) 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 코팅졸도포단계는, 마이크로 그라비아(Micro Gravure) 코팅, 나이프(Knife) 코팅 및 롤투롤(Roll to Roll) 코팅 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 코팅졸도포단계는, 코팅도막의 두께를 3~4㎛로 하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 열 차폐 필름 제조방법은, 상기 열차폐층형성단계 이후에 상기 열 차폐층의 일면에 점착층을 형성하는 점착층형성단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명은, 상기 열 차폐 필름 제조방법은, 상기 점착층형성단계 이후에 상기 점착층의 일면에 이형지를 부착하는 이형지부착단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 앞서 본 실시예와 하기에 설명할 구성과 결합, 사용관계에 의해 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.

본 발명은, 기재층의 일면에 형성되는 열 차폐층을 산소결핍형 천이금속산화물로 구성하여 평균입도가 100nm미만이 되도록 함으로써 헤이즈를 원척적으로 차단해, 완성된 필름에서 산란현상으로 인해 뿌옇게 보이는 문제를 방지하고, 가시광선투과율과 적외선차단율을 개선한 열 차폐 필름을 제공하는 효과를 가진다.

본 발명은, 산소결핍형 천이금속산화물은 AO_(3-X) 형태의 루틸(Rutile)형 구조를 형성하도록 구성함으로써, 상대적으로 작은 1차 입경을 가지도록 함에 따라, 화합물 제조시 소성과정 중 입자크기가 증대되는 문제를 방지하는 열 차폐 필름을 제공하는 효과를 도출한다.

본 발명은, 산소결핍형 천이금속산화물을 합성조건이 간단한 액상침전법으로 제조함으로써, 입자생성 및 입자크기의 제어가 용이하여 균일한 나노크기의 입자를 얻을 수 있도록 하는 효과가 있다.

본 발명은, 합성된 천이금속산화물을 300~600℃ 범위에서 하소시켜, 수산기 및 물분자를 제거해 작은 입경을 가지는 루틸형 결정을 형성하는 효과를 가진다.

본 발명은, 환원소성을 통해 루틸형 결정을 형성한 천이금속산화물의 산소결핍을 유도하여 결정결함 또는 산소의 빈자리에 의한 적외선 흡수 특성을 가지도록 하고, 이러한 환원소성은 수소가스 대신 불활성 가스의 투입하에 이루어지도록 함으로써 작업상의 위험을 줄이고 간편하게 기존의 소성장비를 이용할 수 있도록 하는 효과를 도출한다.

본 발명은, 선택적 반응성이 우선이면서 이종 반응성은 없는 유기산 금속 킬레이트 화합물(Organic Acid Metallic Chelate Compounds)을 산소결핍형 천이금속산화물 표면에 형성하거나 분산졸 내에 분포시킴으로써, 잔류 산소(O, O₂) 유입에 의한 반응, 잔류 수산기(-OH)에 의한 반응, 잔류 라디칼(Radical)에 의한 반응 등을 상기 유기산 금속 킬레이트 화합물이 효과적으로 차단하도록 하여, 산소결핍형 천이금속산화물의 내열성, 내구성 등의 문제를 보완하는 효과가 있다.

본 발명은, 부동화 피막 역할을 하는 유기산 금속 킬레이트 화합물을 리플럭스(Reflux)법으로 제조하도록 하여 원하는 목적에 맞는 화합물을 기존 설비에서도 간단히 제조할 수 있도록 하는 효과를 가진다.

본 발명은, 도포된 도막의 건조 및 경화를 위해 열풍건조 및 자외선조사가 이루어질 경우 120℃ 이상의 온도에 기재층이 노출됨에 따라 변형이 발생할 수 있는 문제를, 열 변형온도가 높고 치수 안정성이 우수한 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate)로 기재층을 구성해 해결하는 효과를 도출한다.

본 발명은, 분산졸 내의 산소결핍형 천이금속산화물의 함량을 20~30중량%가 되도록 구성하여, 충분한 광학적 특성이 발현되도록 하고, 분산시간을 줄여 분산제의 변형을 방지하는 효과가 있다.

본 발명은, 분산졸 내 분산제의 함량은 1~10중량%가 되도록 하여, 충분한 분산졸을 얻고, 코팅된 표면을 건조시킬 때 건조되지 못한 분산제가 코팅 표면에 잔존해 코팅표면의 불량을 일으키지 않도록 하는 효과를 가진다.

본 발명은, 분산졸 내 유기산 금속 킬레이트 화합물의 함량을 5~10중량%로 구성하여, 가시광선 투과율 및 적외선 차폐율 등의 광학적 특성을 크게 떨어뜨리지 않으면서 산소결핍형 천이금속산화물의 내열성 및 내구성을 크게 향상시키는 효과를 도출한다.

본 발명은, 볼밀법에 의해 분산졸을 형성하도록 함으로써, 응집된 분말을 용이하게 분산시키고, 분산졸 형성을 간편하게 하며, 대량생산이 가능하도록 하는 효과가 있다.

본 발명은, 코팅졸 내 분산졸의 함량이 40~50중량%가 되도록 함으로써, 필름의 광학적 특성 및 도막 부착력을 높이고, 표면 내스크래치성을 향상시키는 효과를 가진다.

본 발명은, 광중합체로서 자외선조사에 의해 광중합을 일으키는 올리고머(Oligomer), 모너머(Monomer), 광개시제를 코팅졸에 포함하여, 코팅졸과 기재층의 결합력을 증진시키고, 도막 두께를 미세하게 조절할 수 있도록 하는 효과를 도출한다.

본 발명은, 기재층에 도포된 코팅도막의 두께를 3~4㎛로 구성하여, 광학적 특성을 유지하면서 표면 내스크래치성을 높이고, 표면 크랙 발생을 막으며, 기재층과의 부착력을 향상시키는 효과가 있다.

본 발명은, 열 차폐층의 일면에 점착층을 구성하여, 필름이 건물 또는 차량 등에 용이하게 접착될 수 있도록 하는 효과를 가진다.

본 발명은, 점착층의 일면에 이형지를 부착하여 점착층의 일면이 이형지에 의해 보호되도록 하는 효과를 도출한다.

도 1은 종래의 열차단 수축필름에 관한 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 열 차폐 필름에 관한 도면.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 열 차폐 필름에 관한 도면.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열 차폐 필름에 관한 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 열 차폐 필름 제조방법에 관한 도면.
도 6은 도 5의 열차폐층형성단계에 관한 도면.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 열 차폐 필름 제조방법에 관한 도면.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열 차폐 필름 제조방법에 관한 도면.
도 9는 시험예 1의 액상침전법으로 합성된 산소결핍형 텅스텐산화물 입자의 SEM 사진.
도 10은 시험예 3의 액상침전법으로 합성된 산소결핍형 코발트산화물 입자의 SEM 사진.
도 11은 시험예 1의 액상침전법으로 합성된 산소결핍형 텅스텐산화물의 결정을 나타내는 XRD 그래프.

이하에서는 본 발명에 따른 열 차폐 필름 및 그 제조방법의 바람직한 실시 예들을 첨부된 도면을 참고하여 상세히 설명한다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 공지의 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하도록 한다. 특별한 정의가 없는 한 본 명세서의 모든 용어는 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 기술자가 이해하는 당해 용어의 일반적 의미와 동일하고 만약 본 명세서에서 사용된 용어의 의미와 충돌하는 경우에는 본 명세서에서 사용된 정의에 따른다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 열 차폐 필름에 관한 도면으로, 도 2를 참고하여 설명하면, 본 발명인 열 차폐 필름(1)은, 기재층(10) 및 열차폐층(30)을 포함한다.

상기 기재층(10)은, 열차폐층(30)이 코팅되는 일면을 제공하는 구성으로, 후술할 열차폐층(30)을 지지한다. 상기 기재층(10)으로는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 나일론(Nylon), 폴리프로필렌(Polypropylene) 등이 사용될 수 있다. 일반적으로 상기 기재층(10) 상에 후술할 열차단층(30)이 도포된 이후에는 도포된 도막의 건조 및 경화를 위해 열풍건조 및 자외선조사를 하게 된다. 이때 상기 기재층(10)은 120℃ 이상의 온도에 노출될 수 있는데, 일반적인 플라스틱 기재만으로는 고유의 열 변형온도에 의해 기재층(10) 자체에서 변형이 발생할 수 있다. 따라서, 상기 기재층(10)은 열 변형온도가 높고 치수 안정성이 우수한 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate, PET)로 구성함이 바람직하다.

상기 열차폐층(30)은, 상기 기재층(10)의 일면에 형성되어 외부의 일사열 및 내부의 복사열이 유입 또는 방출되는 것을 방지하는 구성을 말한다. 상기 열차폐층(30)은 산소결핍형 천이금속산화물을 포함한다. 상기 산소결핍형 천이금속산화물은 AO_(3-X) 형태의 루틸(Rutile)형 구조를 형성하고, AO_(3-X) 형태의 루틸(Rutile)형 구조에서 상기 A는 천이금속으로, Cu, Ag, Zn, Ni, W 및 Co 중 어느 하나 이상의 원소를 포함할 수 있다. AO_(3-X) 형태의 루틸(Rutile)형 구조에서 상기 X는 환원소성에 따른 산소의 수를 나타낸다.

안티몬틴옥사이드(ATO), 인듐틴옥사이드(ITO), 텅스텐브론즈(Tungsten Bronze)와 같은 무기물 열 차폐 재료들은 1차 입경(Particle Size)이 100nm 이내이면 실제로 분산졸로 제조하였을 때 평균 입도분포가 100nm 이상이 되는 경우가 많다. 100nm이상의 평균 입도분포를 가지는 분산졸은 헤이즈(Haze)를 가지며 필름으로 제작되었을 때 산란현상으로 인해 뿌옇게 보이게 된다.

하지만, 상기 AO_(3-X) 형태의 루틸(Rutile)형 구조는 상대적으로 작은 1차 입경을 가지는바, 화합물 제조시 소성과정 중 입자크기의 증대 문제가 없다. 따라서 상기 AO_(3-X) 형태의 루틸(Rutile)형 구조는 기존의 무기물 열 차폐재료의 광학적 특성을 극대화하면서 뿌옇게 보이는 외관상의 문제를 해결한다. 실제 상기 산소결핍형 천이금속산화물의 입자크기는 20~30nm로, 입자크기 100nm 급에서 발생하는 헤이즈를 원천적으로 차단하게 된다.

상기 산소결핍형 천이금속산화물은 액상침전법에 의해 합성될 수 있다. 액상침전법에 의하면, 원하는 원소의 전구체를 쉽게 용매에 용해시켜 용해된 반응물의 반대되는 산가(pH)를 일정량 투입하면 침전 및 석출이 일어나고, 이 과정 중에 온도, 용매, 적하물질, 반응시간 등의 조절에 의해 원하는 무기화합물을 합성할 수 있게 된다. 이때 반응기는 특별히 제한되지 않으며, 열원의 설비도 제한이 없어서 기존 설비를 충분히 활용할 수 있게 된다.

액상침전법에 의해 합성된 산소결핍형 천이금속산화물은 수산기(-0H)가 있는 상태로 존재하고 있어, 수산기 및 물 분자를 완전히 제거하고, 루틸형 결정을 형성하기 위해 1차 하소(Calcine)를 거치게 된다. 하소란, 어떤 물질을 고온으로 가열하여 그 휘발성분의 일부 또는 전부를 제거하는 조작을 말하며, 상기 1차 하소의 온도는 300~600℃ 범위에서 유지되는 것이 바람직하다. 하소 온도가 300℃ 미만일 경우에는 수산기(-OH) 및 물 분자를 완전히 제거할 수가 없어 수산기 및 물 분자가 잔존할 수 있으며, 루틸형 결정상이 이루어질 수 없게 된다. 또한 하소 온도가 600℃를 초과할 경우에는 입자의 성장이 진행되어 나노 사이즈 입자를 얻을 수 없게 되고, 최종 제품에서 헤이즈가 발생할 수 있다. 따라서, 상기 1차 하소의 온도는 바람직하게는 300~600℃ 범위에서 유지될 수 있으며, 보다 바람직하게는 400~500℃ 범위에서 유지될 수 있다.

상기 산소결핍형 천이금속산화물의 결정결함은 2차 환원소성에 의해 유도될 수 있다. 환원소성(Reduction Firing)이란, 연소에서 공기가 불충분하게 공급되면 불완전 연소가 일어나 이산화탄소나 연료의 분해 생성물 속에 있는 수소가 피가열물에 환원 작용을 일으키는 소성방법을 말한다. 상기 2차 환원소성은 폭발 위험성이 있는 수소가스를 사용하지 않고, 폭발 위험성이 없는 불활성 가스(N₂, Ar, Ne, CO₃)를 투입하여 환원시킴으로써 금속산화물에 산소 결핍현상을 주는 것이 바람직하다. 만일 수소가스를 사용하게 되면 가스를 주입해야 하는 고가의 특수 장비가 필요하게 될 뿐만 아니라, 수소가스의 주입 조건이 맞지 않을 경우에는 약간의 산소만으로도 큰 폭발이 발생할 수 있는바, 이는 작업상의 위험을 줄이고 간편하게 기존의 소성장비를 이용할 수 있도록 하기 위해서이다. 이러한 2차 환원소성에 의해 형성된 분말은 짙은 청색을 띌 수 있다.

상기 산소결핍형 천이금속산화물은 산소가 결핍된 결함이 있는 결정으로 내열성, 내구성 등에 문제가 있을 수 있는데, 이러한 내열성, 내구성 등의 문제는 부동화 피막에 의해 해결될 수 있다. 부동화 피막(Passivation Film)이란, 보통의 화학 반응성을 상실한 상태의 금속 산화 피막을 말한다. 구체적으로는 선택적 반응성이 우선이면서 이종 반응성은 없는 유기산 금속 킬레이트 화합물(Organic Acid Metallic Chelate Compounds)을 산소결핍형 천이금속산화물 표면에 형성하거나 분산졸 내에 분포시킴으로써, 잔류 산소(O, O₂) 유입에 의한 반응, 잔류 수산기(-OH)에 의한 반응, 잔류 라디칼(Radical)에 의한 반응 등을 상기 유기산 금속 킬레이트 화합물이 효과적으로 차단하게 되어, 산소결핍형 천이금속산화물의 내열성, 내구성 등의 문제를 해결할 수 있게 된다.

부동화 피막 역할을 하는 상기 유기산 금속 킬레이트 화합물은 R₁-M-R₂ 구조를 가질 수 있다. 상기 R₁, R₂는 각각 유기산의 본체인 저분자형 글루탐산(Glutamic Acid) 또는 고분자형 나트륨 폴리 아스파테이트(Sodium Poly Aspartate) 중 어느 하나일 수 있으며, 상기 R₁, R₂는 서로 같거나 다를 수 있다. 바람직하게는 상기 M은 천이금속인 Cu, Ag, Zn, Ni, W 및 Co 중 어느 하나의 원소일 수 있다.

상기 유기산 금속 킬레이트 화합물은 리플럭스법(Reflux Method)에 의해 제조될 수 있다. 구체적으로는 상기 Cu, Ag, Zn, Ni, W 및 Co 중 1종의 원소를 함유하는 전구체를 유기산 용매에 용해시켜 반응온도 60∼80℃에서 반응시간 4∼5시간 동안 교반(Agitation)하여 리플럭스(Reflux) 시켜 제조될 수 있다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 열 차폐 필름에 관한 도면으로, 이하에서는 도 3을 참고하도록 한다.

상기 점착층(50)은, 상기 열차폐층(30)의 일면에 형성되는 구성을 말한다. 상기 점착층(50)은 상기 열차폐층(30)을 포함하는 열 차폐 필름(1)을 건물 또는 차량 등에 용이하게 접착할 수 있도록 하는 구성이다. 상기 점착층(50)의 점착성은 주로 고분자 사슬의 분자량, 분자량 분포 또는 분자구조의 존재량에 의존하고, 특히 분자량에 의해 결정되므로, 아크릴계 공중합체(Acrylic Copolymer)는 중량 평균분자량이 80만~20만인 것이 바람직하다. 한편, 탄소수 1~12의 알킬기를 가지는 메타아크릴레이트 모노머는 아크릴계 공중합체에 90~99.9중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 이는 상기 메타아크릴레이트 모노머가 아크릴계공중합체에 90중량%미만일 경우에는 초기 점착력이 저하된다는 문제가 있으며, 99.9중량%를 초과할 경우에는 응집력 저하로 인해 내구성에 문제가 발생할 수 있기 때문이다.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열 차폐 필름에 관한 도면으로, 이하에서는 도 4를 참고하여 설명하도록 하겠다.

상기 이형지(70)는, 상기 점착층(50)의 일면에 형성되는 구성으로, 상기 점착층(50)의 외부 표면을 보호한다. 상기 이형지(70)는 바람직하게는 PET 기재에 실리콘 코팅 처리된 필름을 사용하게 된다. 만일 실리콘 코팅 처리가 되어 있지 않으면, 최종 제조된 열 차폐필름을 유리에 시공할 때 상기 점착층(50)으로부터 상기 이형지(70)가 분리되지 않을 수 있기 때문이다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 열 차폐 필름 제조방법에 관한 도면으로, 이하에서는 도 5를 참고하여, 열 차폐 필름 제조방법(S1)에 대해 설명하도록 하겠다. 중복된 서술을 피하고자, 열 차폐 필름 제조방법(S1)을 설명하는 과정에서 앞서 언급한 내용은 해당 기재를 생략하거나 간략히 하겠다.

본 발명인 열 차폐 필름 제조방법(S1)은, 기재층제공단계(S10)와, 열차폐층형성단계(S30)와, 점착층형성단계(S50)와, 이형지부착단계(S70)를 포함한다.

상기 기재층제공단계(S10)는, 상기 열차폐층(30)이 결합될 상기 기재층(10)을 제공하는 단계를 말한다.

상기 열차폐층형성단계(S30)는, 상기 기재층제공단계(S10) 이후에, 상기 기재층(10)의 일면에 상기 열 차폐층(30)을 형성하는 단계를 말한다. 도 6은 도 5의 열차폐층형성단계에 관한 도면으로, 도 6을 참고하면, 상기 열차폐층형성단계(S30)는, 산소결핍형천이금속산화물형성단계(S31)와, 부동화피막단계(S33)와, 코팅단계(S35)를 포함한다.

상기 산소결핍형천이금속산화물형성단계(S31)는, 산소가 결핍된 천이금속산화물을 생성하는 단계를 말한다. 이러한 상기 산소결핍형천이금속산화물형성단계(S31)는, 합성단계(S311)와, 1차하소단계(S313)와, 2차환원소성단계(S315)를 포함한다.

상기 합성단계(S311)는, 천이금속산화물을 합성하는 단계로, 바람직하게는 액상침전법에 의해 이루어질 수 있다. 산소결핍형 천이금속산화물을 합성조건이 간단한 액상침전법으로 제조함으로써, 입자생성 및 입자크기의 제어가 용이하여 균일한 나노크기의 입자를 얻을 수 있게 된다.

상기 1차하소단계(S313)는, 상기 합성단계(S311) 이후에, 합성된 천이금속산화물에서 수산기(-OH) 및 물 분자를 제거하고 루틸형 결정을 형성하기 위해 300~600℃ 범위에서 하소를 하는 단계를 말한다.

상기 2차환원소성단계(S315)는, 상기 1차하소단계(S313) 이후에, 천이금속산화물의 산소결핍을 위해 불활성 가스의 투입하에 환원소성을 하는 단계를 말한다. 상기 2차환원소성단계(S315)에서 사용되는 불활성 가스는 N₂, Ar, Ne 및 CO₃를 포함한다.

상기 부동화피막단계(S33)는, 상기 산소결핍형천이금속산화물형성단계(S31) 이후에, 상기 산소결핍형 천이금속산화물에 부동화 피막을 형성하는 단계를 말한다. 이러한 상기 부동화피막단계(S33)는, 유기산금속킬레이트화합물제조단계(S331), 분산졸형성단계(S333)를 포함한다.

상기 유기산금속킬레이트화합물제조단계(S331)는, 유기산 금속 킬레이트 화합물을 제조하는 단계로, 상기 유기산 금속 킬레이트 화합물은 리플럭스(Reflux)법에 의해 제조될 수 있다. 구체적으로는, 천이금속 선택군중 1종의 원소를 함유하는 전구체를 유기산 용매에 용해시켜 반응온도 60∼80℃에서 반응시간 4∼5시간 동안 교반하여 리플럭스(Reflux) 시켜 제조될 수 있다. 상기 리플럭스법에 의하면 부동화 피막 역할을 하는 유기산 금속 킬레이트 화합물을 기존 설비에서도 간단히 제조할 수 있게 된다.

상기 분산졸형성단계(S333)는, 상기 유기산금속킬레이트화합물제조단계(S331) 이후에 분산졸을 형성하는 단계를 말한다. 상기 분산졸은, 산소결핍형 천이금속산화물과, 분산제와, 유기산 금속 킬레이트 화합물과, 용매(유기용제)를 포함할 수 있다.

상기 분산졸 내의 상기 산소결핍형 천이금속산화물의 함량은 20~30중량%가 됨이 바람직하다. 상기 산소결핍형 천이금속산화물의 함량이 20중량% 미만일 때에는 최종 도막 형성시 낮은 두께에서 충분한 광학적 특성을 발현하지 못하고, 상기 산소결핍형 천이금속산화물의 함량이 30중량%를 초과할 때에는 높은 고형분으로 인해 원하는 나노분산졸의 입도 크기에 도달하기 위해 상대적으로 많은 분산시간이 필요하기 때문이다. 분산 시간이 길어짐은 분산제의 변형을 일으켜 다음 공정인 코팅졸 제조에서 문제를 일으킬 수 있다. 후술할 코팅졸을 제조하기 위해서는 고분자 바인더가 포함되는데, 과도한 분산시간을 통해 제조된 분산졸과 상기 고분자 바인더가 혼합될 경우, 서로 간의 상용성이 저하되어, 층의 분리, 미세 쇼킹, 경시변화에 따른 겔화 등의 문제가 발생한다.

상기 분산졸 내의 상기 분산제의 함량은 1~10중량%가 됨이 바람직하다. 상기 분산제가 1중량% 미만일 때에는 충분한 분산졸을 얻을 수 없으며, 상기 분산제가 10중량%를 초과할 때에는 코팅된 표면을 건조시킬 때 건조되지 못한 분산제가 코팅 표면에 잔존하게 되어 코팅표면의 불량을 야기할 수 있다.

상기 분산졸 내의 상기 유기산 금속 킬레이트 화합물의 함량은 5~10중량%가 됨이 바람직하다. 상기 유기산 금속 킬레이트 화합물의 함량이 5중량% 미만일 때에는 부동화 피막 현상이 제대로 발현되지 못하여 산소결핍형 천이금속산화물의 내열성 및 내구성을 크게 향상시킬 수 없으며, 상기 유기산 금속 킬레이트 화합물의 함량이 10중량%를 초과할 때에는 산소결핍형 천이금속산화물의 광학 특성 중 가시광선 투과율을 떨어뜨릴 수 있어 고투과 고효율 열 차폐 필름 제조를 어렵게 한다.

필름은 가시광을 투과할 수 있어야 하는데, 상기 산소결핍형 천이금속산화물의 분말은 응집되어 있는 형태를 가지는바, 그 입자를 분산시키는 것이 바람직하다. 이를 위해, 상기 분산졸형성단계(S333)는 간편하고 대량생산에 용이한 볼밀(Ball Mill)법에 의해 입자를 분산시키면서 분산졸을 형성할 수 있다.

구체적으로는 응집된 상태의 산소결핍형 천이금속산화물 분말, 용매(유기용제), 분산제 등을 원통형 분산기에 투입하고, 지르코늄 비드(Zirconium Bid)는 원통형 분산기 체적의 60% 이상을 투입한 후, 상기 원통형 분산기를 일정 속도로 회전시킴으로써 이루어진다. 이때 원통형 분산기 내부의 모든 내용물은 회전을 하게 되고, 특히 상기 지르코늄 비드는 응집되어 있던 분산하고자 하는 분말에 직접 표면 충격 및 표면 전단력을 전달하여 물리적 에너지를 가함과 동시에, 표면 그라인딩(Grinding)을 유도하는바, 일정 시간이 경과하면 1차 입경보다 작은 사이즈의 나노입자로 분산되고, 최종적으로는 광학적 특성을 발현할 수 있게 된다.

결국, 상기 분산졸형성단계(S333)에서는, 화합물의 응집을 분리시키며, 산소결핍형 천이금속산화물의 내열성 및 내구성을 향상시키는 유기산 금속 킬레이트 화합물을 액상상태에서 같이 분포시키거나 표면에 형성시키게 된다.

상기 코팅단계(S35)는, 상기 부동화피막단계(S33) 이후에 상기 기재층(10)에 코팅막을 형성하는 단계를 말한다. 이러한 상기 코팅단계(S35)는, 코팅졸형성단계(S351), 코팅졸도포단계(S353), 건조경화단계(S355)를 포함한다.

상기 코팅졸형성단계(S351)는, 코팅졸을 형성하는 단계로, 상기 코팅졸은 분산졸, 바인더, 유기용제를 포함할 수 있다.

상기 코팅졸에서 상기 분산졸의 함량은 40~50중량%가 됨이 바람직하다. 상기 분산졸의 함량이 40중량% 미만일 경우 필름의 광학적 특성이 떨어지게 되고, 상기 분산졸의 함량이 50중량%를 초과할 경우 바인더의 비율이 낮아져 도막 부착력이 떨어지거나 표면 내스크래치성이 떨어질 수 있기 때문이다. 보다 바람직하게는 상기 분산졸은 40~50중량%, 상기 바인더는 40~50중량%, 상기 유기용제는 10~20중량%로 구성될 수 있다.

상기 코팅졸에 있어서 상기 바인더는 기재인 플라스틱 필름과 결합을 용이하게 하고, 도막 두께를 조절할 수 있도록 한다. 상기 바인더는, 광중합체로서 자외선조사에 의해 광중합을 일으키는 올리고머(Oligomer), 모너머(Monomer), 광개시제로 구성될 수 있다.

상기 코팅졸에 있어서 상기 유기용제는, 메틸 에틸 케톤(Methyl Ethyl Ketone), 톨루엔(Toluene), 에틸 아세테이트(Ethyl Acetate), 이소 프로필 알콜(Iso Propyl Alcohol), 에틸 셀로솔브(Ethyl Cellosolve), 이소 부틸 알콜(Iso butyl Alcohol), 디메틸포름아미드(Dimethylformamide), 에탄올(Ethanol), 부틸셀로솔브(Butyl Cellosolve), 크실렌(Xylene), 1-옥탄올(1-Octanol), 디에틸렌 글리콜(Diethylene Glycol), 니트로벤젠(Nitrobenzene) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.

상기 코팅졸도포단계(S353)는, 상기 코팅졸형성단계(S351) 이후에 상기 코팅졸을 상기 기재층(10)에 도포하는 단계를 말한다. 바람직하게는 상기 코팅졸도포단계(S353)는, 마이크로 그라비아(Micro Gravure) 코팅, 나이프(Knife) 코팅 및 롤투롤(Roll to Roll) 코팅 중 어느 하나를 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 대면적 코팅에 있어서 가장 평탄한 도막 표면을 나타내고 상대적으로 생산성이 높은 마이크로 그라비아 코팅을 사용할 수 있다.

도포된 코팅도막의 두께는 3~4㎛로 하는 것이 바람직하다. 코팅 도막의 두께가 3㎛미만일 때에는 광학적 특성이 발현되지 못하며 표면 내스크래치성이 떨어지는 단점이 발생하고, 코팅 도막의 두께가 4㎛초과일 때에는 하드한 자외선 코팅층이 형성되어 표면에 크랙이 발생하거나 상기 기재층(10)과의 부착력이 떨어질 수 있다.

상기 건조경화단계(S355)는, 상기 코팅졸도포단계(S353) 이후에 코팅졸이 도포된 기재층(10)을 열풍 건조 및 자외선 경화시키는 단계를 말한다.

상기 점착층형성단계(S50)는, 상기 열차폐층형성단계(S30) 이후에 상기 열 차폐층(30)의 일면에 점착층(50)을 형성하는 단계를 말한다. 상기 점착층(50)에 의해 열 차폐 필름(1)은 건물 또는 차량 등에 용이하게 접착될 수 있다.

상기 이형지부착단계(S70)는, 상기 점착층형성단계(S50) 이후에 상기 점착층(50)의 일면에 이형지(70)를 부착하는 단계를 말한다. 상기 이형지부착단계(S70)를 통해 상기 점착층(50)의 일면은 상기 이형지(70)를 통해 보호될 수 있다.

이하에서는 열 차폐 필름을 산소결핍형 천이금속산화물로 구성할 경우 가시광선투과율과 적외선차단율이 개선된다는 점과, 산소결핍형 천이금속산화물의 내열성 및 내구성은 부동화 피막을 통해 향상된다는 점을 구체적인 시험예를 들어 설명하도록 하겠다.

(1) 시편의 준비

1) 시험예 1

- 산소결핍형 천이금속산화물의 생성

산소결핍형 천이금속산화물의 전구체로는 텅스텐산나트륨2수화물(Na₂WO₄·2H₂O), 염화구리2수화물(CuCl₂·2H₂O), 질산은(AgNO₃), 염화암모늄아연(Zn(NH₄)2Cl₄), 염화코발트6수화물(CoCl₂·2H₂O) 중에서, 흰색분말의 텅스텐산나트륨2수화물(Na₂WO₄·2H₂O) 30중량% 와 증류수를 4구 플라스크 반응기에 투입 후, 히팅맨틀(Heating Mantle)을 이용해 80℃를 유지하며 3시간 동안 천천히 교반하여 무색투명한 액체로 완전히 해리시키고, 적하재료로서 유기산인 푸마릭산(Fumaric Acid) 50중량%를 증류수에 해리시켜, 앞서 전구체가 용해되어 있는 플라스크 반응기에 드롭핑 펀넬(Dropping Funnel)을 사용해 일정한 속도로 20분 동안 적하를 진행시키면 무색투명했던 용액은 점차적으로 노란색 점조액으로 형성된다. 일정시간 숙성 후 반응을 종료시켜 필터 및 부산물들을 세척하여 노란색 반응물 35중량%을 수득한다.

상기와 같이 얻어진 수화물 상태의 텅스텐산화물을 얻은 후, 1차 하소를 위해 400℃의 온도로 약 1시간 동안 소성을 하였다.

이후 얻어진 텅스텐산화물은 격자결함 및 루타일(Rutile) 결정을 형성하기 위해 전기로 내부는 질소(N₂)가스로 채우고, 온도 700℃에서 2시간 동안 유지한 후 자연냉각시켜 2차 환원소성을 종료하면, 푸른색의 산소결핍형 텅스텐산화물 33중량%를 수득한다.

- 유기산 금속 킬레이트 화합물의 생성

유기산 금속 킬레이트 화합물의 전구체는 염화암모늄아연으로 30중량%와 에탄올(ethanol)을 Reflux 반응기에 투입하고 교반시켜 무색투명 한 액상으로 형성하고 이때 저분자 글루탐산(Glutamic Acid) 40중량%를 투입시키고 반응온도 60℃를 유지하며 4시간 동안 반응시키면 서서히 회백색의 점조액을 형성하고, 반응종료 후 필터 및 부산물 등을 세척하여 건조시켜 회백색의 분말34 중량%를 수득한다.

- 분산졸 제조

이렇게 얻어진 분말들을 분산졸 형태로 제조하기 위해 환원소성 된 텅스텐 산화물 분말 20중량%. 유기산 아연 킬레이트 5중량%, 분산제 0.5중량%와 유기용매 74.5중량%를 넣고, 0.5mm 지르코늄비드를 전체 체적에 60%를 넣어 볼밀을 행한다. 이때 분산시간은 72시간 동안 행하였으며, 얻어진 분산졸은 고형분이 25중량%이다.

- 코팅졸 제조

광중합체 바인더 50중량%에 분산졸 40중량%를 넣은 후 유기용제로 MEK 10중량%를 투입시켜 코팅졸을 완성한다.

- 코팅막 형성

완성된 코팅졸은 기재층인 PET 필름 위에 코팅시켜 도막 두께가 3~4㎛ 되도록 한다.

- 점착층 형성 및 이형지 부착

열 차폐층이 코팅된 배면에 6~7㎛ 두께로 점착층을 형성하여 이형지와 합지하여 최종 열 차폐필름을 완성하게 된다.

- 열 차폐 필름의 준비

상기 열 차폐 필름을 가로 145mm * 세로 145mm로 절단하여 시험예 1을 준비하였다.

2) 시험예 2

시험예 1에 있어서, 산소결핍형 천이금속산화물 분말 합성과정 중에서 출발원료인 텅스텐산나트륨2수화물(Na₂WO₄·2H₂O) 대신 염화구리2수화물(CuCl₂·2H₂O) 30중량%를 투입하는 것 이외에는 시험예 1과 같은 조건에서 시험예 2를 준비하였다. 즉, 산소결핍형 텅스텐산화물의 조성에서 천이금속이 기존의 텅스텐에서 구리로 교체투입되었다.

3) 시험예 3

시험예 1에 있어서, 산소결핍형 천이금속산화물 분말 합성과정 중에서 출발 원료로 텅스텐산나트륨2수화물(Na₂WO₄·2H₂O) 대신 염화코발트6수화물(CoCl₂·2H₂O) 30중량%를 투입하는 것 이외에는 시험예 1과 같은 조건에서 시험예 3을 준비하였다. 즉, 산소결핍형 금속산화물 조성에서 천이금속이 기존의 텅스텐에서 코발트로 교체 투입되었다.

4) 시험예 4

시험예 1에 있어서, 산소결핍형 천이금속산화물 분말 합성과정 중에서 출발 원료로 텅스텐산나트륨2수화물(Na₂WO₄·2H₂O) 50중량%와 푸마릭산(Fumaric Acid) 60중량%를 투입하고, 유기산 금속 킬레이트 화합물 합성과정 중에서 염화암모늄아연 30중량% 대신 염화코발트6수화물 30중량% 투입하는 것 이외에는 시험예 1과 같은 조건에서 시험예 4를 준비하였다. 즉, 산소결핍형 천이금속산화물의 조성에서 천이금속원소 중 기존의 텅스텐산나트륨2수화물과 푸마릭산 비율을 다르게 하고, 유기산 금속 킬레이트가 기존의 아연에서 코발트로 교체 투입되었다.

5) 시험예 5

시험예 1에 있어서, 산소결핍형 천이금속산화물 분말 합성과정 중 환원소성 단계에서 질소 대신 아르곤가스를 투입하고, 유기산 금속킬레이트 분말 합성 과정 중 염화암모늄아연 30중량% 대신 염화구리2수화물 30중량% 투입하는 것 이외에는 시험예 1과 같은 조건에서 시험예 5를 준비하였다. 즉, 산소결핍형 천이금속산화물의 환원소성 단계에서 기존의 질소에서 아르곤 가스로 교체 투입되고 유기산 금속 킬레이트가 기존의 아연에서 구리로 교체 투입되었다.

6) 시험예 6

시험예 1에 있어서, 산소결핍형 텅스텐산화물 분산졸 제조과정 중 환원소성 된 분말 20중량%, 유기산 아연 킬레이트 10중량%, 분산제 1.0중량% 과 유기용매 70중량%로 최종 분산졸 고형분이 30 중량%되게 하는 것 이외에는 시험예 1과 같은 조건에서 시험예 6을 준비하였다. 즉, 유기산 아연킬레이트를 기존의 5중량%에서 10중량%로 고형분을 높게 하였다.

7) 시험예 7

시험예 1에 있어서, 산소결핍 형 텅스텐산화물 분산졸 제조과정 중 환원소성 된 분말 30중량%에 분산제 1.0중량%과 유기용매 70중량%로 최종 분산졸 고형분이 30중량%가 되게 하는 것 이외에는 시험예 1과 같은 조건에서 시험예 7을 준비하였다. 즉, 시험예 1에 있어서 분산 졸에 함유시켰던 유기산 아연 킬레이트를 제외 하였다.

(2) 시험 1 - 입자크기의 관찰

- 시험목적: 본 발명에 따른 산소결핍형 천이금속산화물의 입자크기를 측정

- 시험조건: 입자관찰사진은 HITACHI(JAPAN) S-2400 SEM(Scanning Electron Microscope) 이미지이며, 15kw로 ×50k ~ ×100k배 배율로 촬영한 것이다.

- 결과고찰: 도 9는 시험예 1의 액상침전법으로 합성된 산소결핍형 텅스텐산화물 입자의 SEM 사진으로, 도 9를 참고하면 시험예 1은 작은 입자들이 뭉쳐져 있는 상태로 보이지만, 입자단위당 크기를 관찰한 결과 20~30nm이며, 입자모양은 균일한 둥근(Spherical) 형태를 나타내고 있음이 확인되었다. 반면에 도 10은 시험예 3의 액상침전법으로 합성된 산소결핍형 코발트산화물 입자의 SEM 사진으로, 도 10을 참고하면 시험예 3의 입자크기는 약 100~200nm이고, 입자모양은 일정하지 않았다. 즉, 천이금속 중 텅스텐 금속원소를 적용하는 것이 입자크기 및 입자모양에 있어 더 양호한 결과를 가진다는 것을 알 수 있다.

(3) 시험 2 - XRD결정성의 관찰

- 시험목적: 본 발명에 따른 산소결핍형 텅스텐산화물의 루타일형 결정성 확인

- 시험조건: XRD 관찰은 PHILIPS(Netherlands), X'Pert-MPD System을 사용하여 측정하였다.

- 결과고찰: 도 11은 시험예 1의 액상침전법으로 합성된 산소결핍형 텅스텐산화물의 결정을 나타내는 XRD 그래프로, 도 11을 참고하면, XRD 값은 0.0.2면에서 2θ23.6, 0.2.0면에서 2θ28.12, 1.1.2면에서 2θ33.82, 2.0.2면에서 2θ36.91의 값으로서 산소결핍형 텅스텐산화뭄의 루타일형 결정성으로 잘 합성된 것을 확인할 수 있었다.

(4) 시험 3 - 광학적 특성 및 내구성 관찰

- 시험목적: 산소결핍형 텅스텐산화물의 제조과정에 따른 가시광선 및 적외선 투과 특성을 비교하고, 내열성 및 내구성을 관찰하여 열 차폐재로써 성능을 평가

- 시험조건: 가시광선 및 적외선 투과 관찰은 JASCO(JAPAN) 650 UV/VIS Spectrometer로 Baseline을 공기 중에 설정하여 측정하고, 내열 및 내구성 관찰은 열풍건조기(SH-DO-149FG)를 사용하여 온도 120℃에 72시간 동안 방치한 후 광학특성을 재측정하여 변화율을 나타내었다.

- 결과고찰: 시험결과는 아래의 표 1과 같다. (가시광선 투과율은 400~780nm의 투과율을 나타낸 것이고, 적외선 차폐율은 780~2000nm 투과율에서 100을 뺀 값으로 나타내었다)

구분	시험예1	시험예2	시험예3	시험예4	시험예5	시험예6	시험예7
가시광선 투과율% (400~780nm)	71	68	48	65	67	68	75
적외선 차폐율% (780~2000nm)	82	28	25	61	64	73	86
변화율(ΔT%)	3%	8%	5%	7%	9%	2%	21%

표 1을 참고하여 상기 시험예 1과 상기 시험예 2를 비교하면, 시험예 1의 경우는 산소결핍형 천이금속산화물에서 천이금속으로 텅스텐이 사용되었고, 시험예 2의 경우는 천이금속으로 구리가 사용된 차이가 있다. 그 결과, 천이금속으로 텅스텐을 사용하였을 때 구리를 사용하였을 때에 비해 가시광선 투과율이 높아지고, 특히 적외선 차폐율이 크게 향상됨을 알 수 있다. 내열성 및 내구성 역시 천이금속으로 텅스텐을 사용했을 때가 천이금속으로 구리를 사용했을 때보다 우수함이 입증되었다.

상기 시험예 1과 상기 시험예 3을 비교하면, 시험예 1의 경우는 산소결핍형 천이금속산화물에서 천이금속을 텅스텐으로 하였고, 시험예 3의 경우는 천이금속을 코발트로 구성한 차이가 있다. 그 결과, 표 1에 나타난 바와 같이, 천이금속으로 텅스텐을 사용하는 것이 코발트를 사용하는 것에 비해 광학적 특성을 개선하는 측면에서 유리함이 확인되었다. 내열성 및 내구성은 큰 차이가 없었으나, 이 경우에도 천이금속으로 텅스텐을 사용하는 것이 보다 유리하였다.

상기 시험예 1과 상기 시험예 4를 비교해 보면, 시험예 1의 경우는 텅스텐산나트륨2수화물의 함량이 30중량%이고, 푸마릭산의 함량이 50중량%이며, 유기산 금속킬레이트를 합성하는 과정에서 아연을 사용한 반면에, 시험예 4의 경우는 텅스텐산나트륨2수화물의 함량이 50중량%이고, 푸마릭산의 함량이 60중량%이며, 유기산 금속킬레이트를 합성하는 과정에서 코발트를 사용한 차이가 있다. 그 결과 시험예 1의 경우는 시험예 4에 비해 광학특성이 우수하고, 내열성 및 내구성도 우수한 열 차폐재를 생산함이 확인되었다.

상기 시험예 1과 상기 시험예 5를 비교해 보면, 상기 시험예 1은 산소결핍형 천이금속산화물의 환원소성 단계에서 질소 가스를 사용하고 유기산 금속 킬레이트로 아연을 사용하였으며, 상기 시험예 5는 상기 환원소성 단계에서 아르곤 가스를 사용하고 유기산 금속 킬레이트로 구리를 사용한 차이가 있다. 그 결과 시험예 5는 시험예 1에 비해 가시광선 투과율 및 적외선 차폐율이 떨어졌으며, 내열성 및 내구성도 떨어졌다.

상기 시험예 1과 상기 시험예 6을 비교하면, 시험예 1에서는 유기산 아연 킬레이트의 함량을 5중량%로 한 반면에, 시험예 6에서는 유기산 아연 킬레이트의 함량을 10중량%로 높인 차이가 있다. 그 결과, 유기산 금속 킬레이트의 함량이 높아지게 되면, 광학특성은 다소 떨어지는 경향을 보이나, 내열성 및 내구성은 보다 우수해 지는 것이 입증되었다.

상기 시험예 1과 상기 시험예 7을 비교하면, 시험예 1의 경우는 유기산 금속 킬레이트를 포함하고 있고, 시험예 7의 경우는 이러한 유기산 금속 킬레이트를 제외한 것으로, 유기산 금속 킬레이트를 전혀 첨가하지 않은 시험예 7에서 가장 우수한 가시광선 투과율 및 적외선 차폐율이 나타났으나, 내열성 및 내구성에서 큰 문제점이 발생하는 것이 확인되었다. 결국, 우수한 광학특성을 가지는 산소결핍형 천이금속산화물의 내열성 및 내구성을 보완하기 위해서는, 잔류 산소(O,O₂) 유입에 의한 반응, 잔류 수산기(-OH)에 의한 반응, 잔류 라디칼(·)에 의한 반응 등을 차단하기 위해 유기산 금속 킬레이트의 첨가 필요하게 된다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

1: 열 차폐 필름
10: 기재층
30: 열차폐층
50: 점착층
70: 이형지
S1: 열 차폐 필름 제조방법
S10: 기재층제공단계
S30: 열차폐층형성단계
S31: 산소결핍형천이금속산화물형성단계
S311: 합성단계
S313: 1차하소단계
S315: 2차환원소성단계
S33: 부동화피막단계
S331: 유기산금속킬레이트화합물제조단계
S333: 분산졸형성단계
S35: 코팅단계
S351: 코팅졸형성단계
S353: 코팅졸도포단계
S353: 건조경화단계
S50: 점착층형성단계
S70: 이형지부착단계

Claims (23)

1. 기재층과,
   상기 기재층의 일면에 형성된 열 차폐층을 포함하고,
   상기 열 차폐층은, 산소결핍형 천이금속산화물을 포함하여, 헤이즈현상이 없으면서 가시광선투과율과 적외선차단율을 개선한, 열 차폐 필름.
2. 제1항에 있어서,
   상기 산소결핍형 천이금속산화물은, AO_(3-X) 형태의 루틸(Rutile)형 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름.(작은 입자, 헤이즈 차단)
3. 제2항에 있어서,
   상기 A는, Cu, Ag, Zn, Ni, W 및 Co 중 어느 하나 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름.
4. 제3항에 있어서,
   상기 산소결핍형 천이금속산화물은, 수산기 및 물분자를 제거하고 결정을 형성하기 위해, 300∼600℃ 범위에서 하소가 이루어지는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름.
5. 제4항에 있어서,
   상기 산소결핍형 천이금속산화물은, 산소결핍을 위해, 불활성 가스의 투입하에 환원소성이 이루어지는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름.
6. 제5항에 있어서,
   상기 불활성 가스는, N₂, Ar, Ne 및 CO₃를 포함하는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름.
7. 제1항에 있어서,
   상기 열 차폐층은, 부동화 피막을 추가로 포함하여, 상기 산소결핍형 천이금속산화물의 내열성 및 내구성을 향상시키는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름.
8. 제7항에 있어서,
   상기 부동화 피막은, 유기산 금속 킬레이트 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름.
9. 제8항에 있어서,
   상기 유기산 금속 킬레이트 화합물은, R1-M-R2 구조를 가지며,
   상기 M은, Cu, Ag, Zn, Ni, W 및 Co 중 어느 하나의 원소이고,
   상기 R1 및 R2는, 저분자형 글루탐산(Glutamic Acid) 및 고분자형 나트륨 폴리 아스파테이트(Sodium Poly Aspartate) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름.
10. 제1항에 있어서,
    상기 기재층은, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate)인 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름.
11. 기재층을 제공하는 기재층제공단계와,
    상기 기재층제공단계 이후에 상기 기재층의 일면에 열 차폐층을 형성하는 열차폐층형성단계를 포함하고,
    상기 열차폐층형성단계는, 산소가 결핍된 천이금속산화물을 생성하는 산소결핍형천이금속산화물형성단계와, 상기 산소결핍형천이금속산화물형성단계 이후에 상기 산소결핍형 천이금속산화물에 부동화 피막을 형성하는 부동화피막단계와, 상기 부동화피막단계 이후에 상기 기재층에 코팅막을 형성하는 코팅단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름 제조방법.
12. 제11항에 있어서,
    상기 산소결핍형천이금속산화물형성단계는, 액상침전법으로 천이금속산화물을 합성하는 합성단계와, 상기 합성단계 이후에 합성된 천이금속산화물에서 수산기 및 물분자를 제거하고 결정을 형성하기 위해 300∼600℃ 범위에서 하소를 하는 1차하소단계와, 상기 1차하소단계 이후에 천이금속산화물의 산소결핍을 위해 불활성 가스의 투입하에 환원소성을 하는 2차환원소성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름 제조방법.
13. 제11항에 있어서,
    상기 부동화피막단계는, 유기산 금속 킬레이트 화합물을 제조하는 유기산금속킬레이트화합물제조단계와, 상기 유기산금속킬레이트화합물제조단계 이후에 분산졸을 형성하는 분산졸형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름 제조방법.
14. 제13항에 있어서,
    상기 유기산금속킬레이트화합물제조단계는, 천이금속을 포함하는 전구체를 유기산 용매에 용해시켜, 60∼80℃에서 4∼5시간 동안 교반하여 리플럭스(Reflux) 시키는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름 제조방법.
15. 제13항에 있어서,
    상기 분산졸형성단계는, 산소결핍형 천이금속산화물 20~30중량%와, 분산제 1~10중량%와, 유기산 금속 킬레이트 화합물 5~10중량%를 포함하는 분산졸을 형성하는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름 제조방법.
16. 제11항에 있어서,
    상기 코팅단계는, 코팅졸을 형성하는 코팅졸형성단계와, 상기 코팅졸형성단계 이후에 상기 코팅졸을 상기 기재층에 도포하는 코팅졸도포단계와, 상기 코팅졸도포단계 이후에 코팅졸이 도포된 기재층을 열풍 건조 및 자외선 경화시키는 건조경화단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름 제조방법.
17. 제16항에 있어서,
    상기 코팅졸형성단계는, 분산졸 40~50중량%와, 바인더 40~50중량%와, 유기용제 10~20중량%를 포함하는 코팅졸을 형성하는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름 제조방법.
18. 제17항에 있어서,
    상기 바인더는, 광중합체로서 자외선조사에 의해 광중합을 일으키는 올리고머(Oligomer), 모너머(Monomer), 광개시제를 포함하는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름 제조방법.
19. 제17항에 있어서,
    상기 유기용제는, 메틸 에틸 케톤(Methyl Ethyl Ketone), 톨루엔(Toluene), 에틸 아세테이트(Ethyl Acetate), 이소 프로필 알콜(Iso Propyl Alcohol), 에틸 셀로솔브(Ethyl Cellosolve), 이소 부틸 알콜(Iso butyl Alcohol), 디메틸포름아미드(Dimethylformamide), 에탄올(Ethanol), 부틸셀로솔브(Butyl Cellosolve), 크실렌(Xylene), 1-옥탄올(1-Octanol), 디에틸렌 글리콜(Diethylene Glycol), 니트로벤젠(Nitrobenzene) 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름 제조방법.
20. 제16항에 있어서,
    상기 코팅졸도포단계는, 마이크로 그라비아(Micro Gravure) 코팅, 나이프(Knife) 코팅 및 롤투롤(Roll to Roll) 코팅 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름 제조방법.
21. 제20항에 있어서,
    상기 코팅졸도포단계는, 코팅도막의 두께를 3~4㎛로 하는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름 제조방법.
22. 제11항에 있어서,
    상기 열 차폐 필름 제조방법은, 상기 열차폐층형성단계 이후에 상기 열 차폐층의 일면에 점착층을 형성하는 점착층형성단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름 제조방법.
23. 제22항에 있어서,
    상기 열 차폐 필름 제조방법은, 상기 점착층형성단계 이후에 상기 점착층의 일면에 이형지를 부착하는 이형지부착단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 열 차폐 필름 제조방법.

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