KR20200018996A - 광 산란 패턴을 갖는 발광 다이오드 - Google Patents

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Abstract

광 산란 패턴을 갖는 발광 다이오드가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 기판; 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 적층; 기판과 반도체 적층 사이에 배치된 광 산란 요소들의 패턴을 포함하되, 광 산란 요소는 굴절률이 서로 다른 유전층들을 포함하며, 반구 형상, 포탄 형상, 또는 콘 형상을 갖는다.

Description

광 산란 패턴을 갖는 발광 다이오드{LIGHT EMITTING DIODE HAVING LIGHT SCATTERING PATTERN}
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히, 광 산란 패턴을 갖는 발광 다이오드에 관한 것이다.
발광 다이오드는 대형 백라이트 유닛(Back Light Unit: BLU), 일반 조명 및 전장 등 다양한 제품에 이용되고 있으며, 또한 소형 가전 제품 및 인테리어 제품에 다양하게 이용되고 있다.
한편, 고효율 발광 다이오드를 제공하기 위해 발광 다이오드의 외부 양자 효율을 높이기 위해 다양한 연구가 수행되어 왔다. 특히, 패터닝된 사파이어 기판은 광 추출 효율을 높이기 위해 적용되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 높은 광 추출 효율을 갖는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 기판 측면 방향에 비해 기판 상면 방향으로 방출되는 광량을 증가시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 적층; 상기 기판과 상기 반도체 적층 사이에 배치된 광 산란 요소들의 패턴을 포함하되, 상기 광 산란 요소는 굴절률이 서로 다른 유전층들을 포함하며, 반구 형상, 포탄 형상, 또는 콘 형상을 갖는다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 적층; 상기 기판과 상기 반도체 적층 사이에 배치된 광 산란 요소들의 패턴을 포함하되, 상기 광 산란 요소는 굴절률이 서로 다른 유전층들을 포함하며, 상기 광 산란 요소는 상기 기판에 접하는 하면을 가지며, 상기 하면으로부터 위로 갈수록 폭이 좁아지되, 상기 광 산란 요소의 최상단은 곡면 또는 첨점이다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 적층; 상기 기판과 상기 반도체 적층 사이에 배치된 광 산란 요소들의 패턴을 포함하되, 상기 광 산란 요소는 굴절률이 서로 다른 유전층들을 포함하며, 상기 광 산란 요소는 상기 기판에 접하는 하면 및 상기 하면에 대향하는 최상단을 포함하고, 상기 하면으로부터 상기 최상단으로 갈수록 폭이 좁아지되, 상기 최상단의 폭은 상기 하면의 폭의 1/10 이하이다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 기판과 반도체 적층 사이에 굴절률이 서로 다른 유전층들을 포함하는 광 산란 요소를 채택함으로써 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 나아가, 기판 측면으로 방출되는 광에 비해 기판 상면 측으로 방출되는 광량을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 다른 특징 및 장점에 대해서는 뒤에서 설명하는 상세한 설명을 통해 명확하게 이해될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 광 산란 요소를 설명하기 위해 도 1의 일부분을 확대 도시한 단면도이다.
도 3은 광 산란 요소들의 다양한 형상을 설명하기 위한 개략적인 사시도들이다.
도 4는 광 산란 요소를 형성하기 위한 유전층들의 증착 조건에 따른 반사율 및 반사 대역을 설명하기 위한 시뮬레이션 그래프이다.
도 5는 종래 기술 및 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 포인팅 벡터 값을 나타내는 그래프이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 적층; 상기 기판과 상기 반도체 적층 사이에 배치된 광 산란 요소들의 패턴을 포함하되, 상기 광 산란 요소는 굴절률이 서로 다른 유전층들을 포함하며, 반구 형상, 포탄 형상, 또는 콘 형상을 갖는다.
굴절률이 서로 다른 유전층들을 이용하여 광 산란 요소들을 형성함으로써 광 산란 효과를 증가시켜 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 더욱이, 이들 광 산란 요소들은 기판의 측면 측으로 방출되는 광에 대해 기판의 상면 측으로 방출되는 광량을 증가시킨다.
본 실시예에서, 반구 형상 또는 포탄 형상은 최상단이 완벽하게 곡면인 것만을 의미하는 것은 아니며, 의도적으로 또는 공정 한계로 최상단에 평평한 면이 잔류하는 것을 포함한다. 또한, 콘 형상은 최상단이 완벽하게 첨점인 것만을 의미하는 것은 아니며, 의도적으로 공정 한계로 최상단에 평평한 면이 잔류하는 것을 포함한다. 다만, 최상단에 형성되는 평평한 면은 극히 제한되며, 예를 들어, 광 산란 요소의 하면(바닥면)의 폭의 1/10 이하이다. 따라서, 하면에 비해 1/10 이하의 극히 작은 평평한 면이 최상단에 형성된 경우에도, 반구 형상, 포탄 형상 또는 콘 형상에 포함될 수 있다.
나아가, 상기 광 산란 요소의 콘 형상은 원뿔 형상, 삼각뿔 형상, 측면이 볼록한 원뿔 형상, 밑면이 방패형이며 측면이 볼록한 삼각뿔 형상, 탄도형 원뿔 형상, 또는 하부 측면이 볼록한 탄도형 원뿔 형상을 포함한다.
한편, 상기 굴절률이 서로 다른 유전층들과 동일한 물질층들 및 동일한 두께들을 갖는 분포 브래그 반사기의 반사 대역의 밴드폭이 40nm 이상일 수 있으며, 상기 활성층에서 방출되는 광의 피크 파장은 상기 밴드폭 내에 위치할 수 있다.
나아가, 상기 광의 피크 파장은 상기 밴드폭 영역의 중심으로부터 상기 밴드폭의 ±10% 이내에 위치할 수 있다.
또한, 상기 굴절률이 서로 다른 유전층들과 동일한 물질층들 및 동일한 두께들을 갖는 분포 브래그 반사기의 반사 대역의 밴드폭이 70nm 이상, 나아가 90nm 이상일 수 있다.
한편, 상기 굴절률이 서로 다른 유전층들과 동일한 물질층들 및 동일한 두께들을 갖는 분포 브래그 반사기의 최대 반사율이 20% 내지 90% 범위 내일 수 있다. 이 범위 내에서 발광 다이오드의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 나아가, 상기 최대 반사율은 20% 내지 55% 범위 내일 수 있으며, 이 범위 내에서 공정 마진을 증가시킬 수 있다. 또한, 상기 최대 반사율은 20% 내지 45% 범위 내일 수 있으며, 이 범위 내에서 발광 다이오드의 광 추출 효율을 극대화함과 아울러 공정 마진을 더욱 증가시킬 수 있다.
상기 발광 다이오드는 상기 기판과 상기 반도체 적층 사이에 위치하는 핵층을 더 포함할 수 있으며, 상기 핵층은 AlN 또는 Al2O3로 형성될 수 있다.
나아가,상기 핵층은 Al2O3로 형성될 수 있으며, 상기 핵층은 상기 광 산란 요소들을 덮을 수 있다.
한편, 상기 기판은 상기 광 산란 요소들의 하부에 돌출부들을 가질 수 있으며, 상기 돌출부들의 높이는 상기 광 산란 요소들의 높이보다 작다.
일 실시예에 있어서, 상기 광 산란 요소들은 하면의 최대 폭이 높이보다 크다. 하면의 폭이 높이보다 크기 때문에 기판 상면 측으로 방출되는 광량을 증가시킬 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예에 있어서, 상기 광 산란 요소들은 하면의 최대 폭이 높이보다 작을 수 있다.
상기 발광 다이오드는 상기 기판 하부에 위치하는 반사층을 더 포함할 수 있다. 상기 반사층은 금속 반사층 또는 분포 브래그 반사기를 포함할 수 있다.
한편, 상기 기판의 측면 측에서의 포인팅 벡터의 크기에 대해 상기 기판의 상면 측에서의 포인팅 벡터의 크기가 4배 이상일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 적층; 상기 기판과 상기 반도체 적층 사이에 배치된 광 산란 요소들의 패턴을 포함하되, 상기 광 산란 요소는 굴절률이 서로 다른 유전층들을 포함하며, 상기 광 산란 요소는 상기 기판에 접하는 하면을 가지며, 상기 하면으로부터 위로 갈수록 폭이 좁아지되, 상기 광 산란 요소의 최상단은 곡면 또는 첨점이다.
상기 굴절률이 서로 다른 유전층들과 동일한 물질층들 및 동일한 두께들을 갖는 분포 브래그 반사기의 반사 대역의 밴드폭이 40nm 이상이고, 상기 활성층에서 방출되는 광의 피크 파장은 상기 밴드폭 내에 위치할 수 있다.
나아가, 상기 굴절률이 서로 다른 유전층들과 동일한 물질층들 및 동일한 두께들을 갖는 분포 브래그 반사기의 최대 반사율이 20% 내지 90% 범위 내일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 적층; 상기 기판과 상기 반도체 적층 사이에 배치된 광 산란 요소들의 패턴을 포함하되, 상기 광 산란 요소는 굴절률이 서로 다른 유전층들을 포함하며, 상기 광 산란 요소는 상기 기판에 접하는 하면 및 상기 하면에 대향하는 최상단을 포함하고, 상기 하면으로부터 상기 최상단으로 갈수록 폭이 좁아지되, 상기 최상단의 폭은 상기 하면의 폭의 1/10 이하이다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판이고, 상기 광 산란 요소는 SiO2층과 Al2O3층을 포함하며, 상기 광 산란 요소의 Al2O3층이 기판에 접할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 2는 광 산란 요소를 설명하기 위해 도 1의 일부분을 확대 도시한 단면도이고, 도 3은 광 산란 요소들의 다양한 형상을 설명하기 위한 개략적인 사시도들이다.
우선, 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 기판(21), 광 산란 요소(23), 핵층(25), 발광 구조체(30), 오믹 전극(37), 및 반사기(41)를 포함한다.
기판(21)은 절연성 또는 도전성 기판일 수 있다. 기판(21)은 발광 구조체(30)를 성장시키기 위한 성장 기판일 수 있으며, 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판, 실리콘 기판, 질화갈륨 기판, 질화알루미늄 기판 등을 포함할 수 있다. 특히, 기판(21)은 질화갈륨에 비해 더 작은 굴절률을 가질 수 있으며, 예컨대 사파이어 기판일 수 있다.
또한, 기판(21)은 광 산란 요소들(23) 하부에 위치하는 돌출부들(21a)을 가질 수 있다. 돌출부(21a)의 폭은 광 산란 요소(23)의 최대 폭과 대체로 유사할 수 있다. 돌출부들(21a)은 광 산란 요소들(23)을 패터닝하는 동안 과식각에 의해 형성될 수 있다. 다만, 돌출부들(21a)의 높이는 광 산란 요소(23)의 높이보다 작다. 돌출부들(21a)의 평면 형상은 후술하는 광 산란 요소들(23)의 하면들의 형상에 대응한다.
광 산란 요소들(23)은 규칙적으로 배치되어 패턴을 형성한다. 광 산란 요소들(23)은 일정한 하면 크기를 가지고 일정한 피치로 배열될 수 있다. 예를 들어, 광 산란 요소들(23)은 벌집 모양으로 배열될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 광 산란 요소들(23)은 매트릭스 형상 등 다양한 형상으로 배열될 수 있다.
광 산란 요소(23)의 하면의 최대 폭은 그 높이보다 클 수 있다. 예를 들어, 광 산란 요소(23)의 하면은 1 내지 5um일 수 있으며, 그 높이는 0.5 내지 3um일 수 있다. 구체적인 실시예에서, 광 산란 요소(23)은 원뿔 형상을 가질 수 있으며, 하면의 직경은 예를 들어 2.7um이고 높이는 약 1.8um일 수 있으며, 광 산란 요소들(23)은 약 3um의 피치로 벌집 모양으로 배열될 수 있다.
그러나 광 산란 요소(23)의 형상이 원뿔 형상에 한정되는 것은 아니며, 반구 형상 또는 포탄 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 광 산란 요소(23)의 다양한 형상에 대해서는 도 3을 참조하여 설명된다.
우선, 도 3(a)를 참조하면, 광 산란 요소(23)는 하면이 원형인 원뿔 형상일 수 있다. 하면에서 위로 갈수록 폭이 연속적으로 좁아지며, 측면의 기울기는 일정하다. 도면에서 하면의 직경이 높이보다 작은 것으로 도시되지만, 하면의 직경이 높이보다 클 수 있다.
도 3(b)를 참조하면, 광 산란 요소(23)는 하면이 원형인 원뿔 형상을 갖되, 측면이 볼록한 형상을 갖는다. 측면이 볼록한 형상을 갖기 때문에 원뿔 형상에 비해 광이 산란되는 면적을 증가시킬 수 있다.
도 3(c)를 참조하면, 광 산란 요소(23)는 탄도형 원뿔 형상을 가질 수 있다. 즉, 광 산란 요소(23)는 하면이 원형 형상을 갖되, 하부가 원기둥 형상이고, 그 위에 원뿔이 놓여있는 형상을 갖는다.
도 3(d)를 참조하면, 광 산란 요소(23)는 하면이 삼각형인 삼각뿔 형상을 가질 수 있다. 하면은 예를 들어, 정삼각형일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3(e)를 참조하면, 광 산란 요소(23)는 삼각뿔 형상을 갖되, 하면 및 측면이 변형된 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 오른쪽에 작게 도시된 바와 같이 하면은 방패 형상일 수 있으며, 측면은 볼록한 형상일 수 있다.
도 3(f)를 참조하면, 광 산란 요소(23)는 반구 형상일 수 있다. 하면은 원형 형상이며, 하면으로부터 위로 갈수록 폭이 좁아지며, 최상단은 곡면이다.
도 3(g)를 참조하면, 광 산란 요소(23)는 포탄형일 수 있다. 하면은 원형 형상일 수 있으며, 하면으로부터 위로 갈수록 폭이 좁아지되, 반구 형상보다는 상대적으로 기다란 형상을 갖는다. 포탄형은 반구 형상에 비해 산란 면적을 증가시켜 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 3(h)를 참조하면, 광 산란 요소(23)는 타원 반구 형상과 원뿔 형상이 혼합된 형상을 가질 수 있다. 즉, 광 산란 요소(23)는 타원 반구의 하부에 원뿔이 높인 형상을 갖는다.
광 산란 요소들(23)은 굴절률이 서로 다른 유전층들(23a, 23b)을 교대로 적층한 후 이들을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 예를 들어, 각각의 광 산란 요소(23)는 SiO2층(굴절률: 약 1.48)과 Al2O3층(굴절률: 약 1.65)이 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다. 기판(21)이 사파이어 기판인 경우, Al2O3층은 사파이어 기판(21)과 동종의 재료이므로 적합하다. 다만, 본 발명이 특정 유전층에 한정되는 것은 아니며, 굴절률이 서로 다른 다양한 유전층들이 사용될 수 있다.
한편, 유전층들의 페어 수는 요구되는 광 산란 요소(23)의 두께 및 반사율 등을 고려하여 설정될 수 있다. 또한, 기판(21)과 접하는 첫번째 유전층(23a)은 상대적으로 낮은 굴절률을 갖는 유전층일 수도 있고, 상대적으로 높은 굴절률을 갖는 유전층일 수도 있다. 다만, 기판(21)이 사파이어 기판(굴절률: 약 1.78)인 경우, 사파이어 기판과 굴절률 차이가 적은 유전층을 첫번째 층으로 함으로써 기판(21)에서 발광 구조체(30) 측으로 입사되는 광의 내부 전반사를 줄일 수 있다. 예를 들어, SiO2층과 Al2O3층을 교대로 적층한 유전층들(23a, 23b)을 이용하여 광 산란 요소들(23)을 형성할 경우, SiO2층 대신, Al2O3층을 첫 번째 층으로 함으로써 사파이어 기판(21)과 광 산란 요소(23) 사이의 굴절률 차이를 줄여 기판(21)과 광 산란 요소(23) 사이의 내부 전반사를 줄일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, SiO2층을 첫 번째 층으로 할 수도 있다.
한편, 광 산란 요소(23)의 마지막층은 고굴절률층일 수도 있고, 저굴절률층일 수도 있다. Al2O3층은 그 위에 형성되는 질화갈륨계 발광 구조체(30)의 형성에 유리하므로, Al2O3층을 마지막층으로 사용할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, SiO2층을 마지막으로 할 수도 있다.
한편, 도 3(a) 내지 도 3(h)에 도시한 실시예들에 있어서, 광 산란 요소(23)는 기판(21)에 접하는 평탄한 하면을 가지며, 상기 하면으로부터 위로 갈수록 폭이 좁아지는 형상을 갖는다. 나아가, 위 실시예들에 도시된 바와 같이, 광 산란 요소(23)의 최상단은 곡면이거나 또는 첨점일 수 있다. 그러나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 최상단이 평평한 면을 포함할 수도 있다. 이러한 평평한 면은 반구 형상, 포탄 형상이나 콘을 형성하는 과정에서 의도적으로 또는 공정상 한계에 의해 형성될 수 있다. 다만, 본 발명의 실시예들에 있어서, 최상단에 형성되는 평평한 면의 크기는 극히 제한된다. 특정 실시예에서, 광 산란 요소(23)의 최상단이 평평한 면을 포함할 경우, 최상단의 평평한 면은, 예를 들어, 상기 하면의 폭의 1/10 이하이다.
광 산란 요소(23)가 하면으로부터 위로 갈수록 폭이 좁아지는 형상을 갖기 때문에, 광 산란 요소(23)에 의한 산란 효과를 증가시킬 수 있다. 광 산란 요소(23)가 기둥 형상을 갖거나, 또는 상대적으로 넓은 최상단의 평평한 면을 가질 경우, 발광 구조체(30)에서 방출된 광이 기판(21)에 진입한 후, 다시 발광 구조체(30) 측으로 재진입하기 어려울 수 있다. 이에 반해, 본 실시예의 광 산란 요소(23)를 채택함으로써 기판(21)에 진입된 광이 발광 구조체(30) 측으로 다시 쉽게 빠져나올 수 있어 광 추출 효율이 개선될 수 있다.
한편, 상기 광 산란 요소(23) 내의 유전층들(23a, 23b)과 동일한 물질층들을 그들과 동일한 두께로 증착한 경우, 반사 대역의 밴드 폭을 갖는 분포 브래그 반사기의 구조를 가질 수 있다. 나아가, 발광 구조체(30)의 활성층(33)에서 방출되는 광의 피크 파장은 상기 밴드폭 내에 위치한다. 특히, 상기 광의 피크 파장은 상기 밴드폭 영역의 중심으로부터 상기 밴드폭의 ±10% 이내에 위치할 수 있다.
한편, 상기 분포 브래그 반사기의 반사 대역의 밴드폭은 40nm 이상일 수 있으며, 나아가, 70nm 이상일 수 있고, 더 나아가, 90nm 이상일 수 있다.
반사 대역의 밴드폭이 넓을수록 공정 마진을 증가시킬 수 있어 발광 다이오드의 불량률을 줄일 수 있다.
한편, 상기 분포 브래그 반사기의 최대 반사율은 20% 내지 90% 범위 내, 나아가, 20% 내지 55% 범위 내, 더 나아가, 20% 내지 45% 범위 내일 수 있다. 일반적으로 분포 브래그 반사기는 대체로 100%에 가까운 반사율을 갖도록 형성되며, 또한, 상기 반사율을 유지하도록 기판(21) 상에 기둥 형상으로 배치될 수 있다. 그러나, 광 산란 요소(23)를 기둥 형상으로 형성할 경우, 기판(21)으로 진입한 광을 추출하기 어려워져 광 추출 효율을 개선하기 어렵다. 본 발명은 광 산란 요소(23)를 특정 형상으로 형성함으로써 반사율을 낮추되 광 산란 효과를 극대화할 수 있으며, 또한, 기판(21)으로 진입한 광을 다시 발광 구조체(30)의 상면 측으로 추출할 수 있어 광 추출 효율을 개선할 수 있다.
한편, 핵층(25)은 기판(21)과 상기 반도체 적층(30) 사이에 위치할 수 있다. 일 실시예에서, 핵층(25)은 광 산란 요소들(23) 사이의 기판(21) 상에 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 핵층(25)은 광 산란 요소들(23) 및 기판(21)을 덮을 수 있다.
상기 핵층(25)은 예를 들어 AlN 또는 Al2O3로 형성될 수 있다. AlN는 질화물계 반도체층을 성장시키기 위한 핵층으로 잘 알려져 있다. 한편, Al2O3는 사파이어 기판(21)과 동종의 재료로 열처리에 의해 재결정화될 수 있으며, 이에 따라, 질화물계 반도체층을 성장시키기 위한 핵층으로 사용될 수 있다.
발광 구조체(30)는 기판(21) 상에 위치한다. 또한, 발광 구조체(30)는 광 산란 요소들(23)을 덮는다. 발광 구조체(30)는 제1 도전형 반도체층(31), 제1 도전형 반도체층(21) 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층(35), 및 제1 도전형 반도체층(31)과 제2 도전형 반도체층(35)의 사이에 위치하는 활성층(33)을 포함한다. 발광 구조체(30)의 전체 두께는 대략 5 내지 10um 범위 내일 수 있다.
한편, 제1 도전형 반도체층(31), 활성층(33) 및 제2 도전형 반도체층(35)은 Ⅲ-Ⅴ 계열 질화물계 반도체를 포함할 수 있고, 예를 들어, (Al, Ga, In)N과 같은 질화물계 반도체를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(31)은 n형 불순물 (예를 들어, Si, Ge. Sn)을 포함할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(35)은 p형 불순물 (예를 들어, Mg, Sr, Ba)을 포함할 수 있다. 또한, 그 반대일 수도 있다. 활성층(33)은 다중양자우물 구조(MQW)를 포함할 수 있고, 원하는 파장을 방출하도록 질화물계 반도체의 조성비가 조절될 수 있다. 특히, 본 실시예에 있어서, 제2 도전형 반도체층(35)은 p형 반도체층일 수 있다.
한편, 오믹 전극(37)은 제2 도전형 반도체층(35) 상에 위치한다. 오믹 전극(37)은 제2 도전형 반도체층(35)에 오믹 컨택할 수 있다. 오믹 전극(37)은 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide), ZnO(Zinc Oxide), ZITO (Zinc Indium Tin Oxide), ZIO (Zinc Indium Oxide), ZTO (Zinc Tin Oxide), GITO (Gallium Indium Tin Oxide), GIO (Gallium Indium Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), AZO(Aluminum doped Zinc Oxide), FTO(Fluorine Tin Oxide) 등과 같은 광 투과성 도전성 산화물층을 포함할 수 있다. 도전성 산화물은 다양한 도펀트를 포함할 수도 있다.
광 투과성 도전성 산화물을 포함하는 오믹 전극(37)은 제2 도전형 반도체층(35)과의 오믹 컨택 특성이 우수하며, 광을 투과시킬 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 오믹 전극(37)은 금속층을 포함할 수도 있다.
오믹 전극(37)의 두께는 제한되지 않으나, 과도하게 두꺼우면 광 흡수에 의한 광 손실 발생될 수 있다. 따라서, 오믹 전극(37)의 두께는 대략 3000Å 이하로 제한된다.
한편, 반사기(41)는 기판(21) 하부에 위치한다. 반사기(41)는 Ag, Al, Au 등과 같은 금속 반사층 또는 분포 브래그 반사기를 포함할 수 있다. 반사기(41)는 기판(21)을 통과해서 기판(21) 아래쪽으로 진행하는 광을 기판(21) 상면측으로 반사시킨다.
반사기(41)는 굴절률이 서로 다른 유전체층들이 반복 적층되어 형성된 분포 브래그 반사기일 수 있으며, 상기 유전체층들은 TiO2 , SiO2, HfO2, ZrO2, Nb2O5, MgF2등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사기(41)는 교대로 적층된 TiO2층/SiO2층의 구조를 가질 수 있다. 반사기(41)에 사용되는 분포 브래그 반사기는 활성층(33)에서 생성된 광에 대해 예를 들어 90% 이상, 나아가, 95% 이상의 반사율을 가질 수 있다.
절연층(37)은 약 2㎛ 내지 5㎛ 두께를 가질 수 있다. 분포 브래그 반사기는 활성층(33)에서 생성되는 광에 대한 반사율이 90% 이상일 수 있으며, 분포 브래그 반사기를 형성하는 복수의 유전체층들의 종류, 두께, 적층 주기등을 제어함으로써 100%에 가까운 반사율이 제공될 수 있다. 더욱이, 상기 분포 브래그 반사기는 활성층(33)에서 생성된 광 이외의 다른 가시광에 대해서도 높은 반사율을 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 발광 다이오드는 수평형 발광 다이오드일 수 있으며, 활성층(33)에서 생성된 광은 대체로 오믹 전극(37)을 투과하여 외부로 방출된다. 특히, 기판(21)의 상면측으로 방출되는 광량은 기판(21)의 측면측으로 방출되는 광량에 비해 4배 이상일 수 있다.
그러나, 본 발이 수평형 발광 다이오드에 한정되는 것은 아니며, 플립칩형 발광 다이오드일 수도 있다. 이 경우, 오믹 전극(37)은 반사기를 포함할 수 있으며, 반사기(41)는 생략된다.
도 4는 광 산란 요소를 형성하기 위한 유전층들의 증착 조건에 따른 반사율 및 반사 대역을 설명하기 위한 시뮬레이션 그래프이다.
우선, 실제 증착 조건에서 SiO2층 및 Al2O3층의 굴절률을 확인하기 위해 기판들 상에 이들 층을 각각 증착하여 광학 특성을 측정하고, 이로부터 굴절률을 산출하였다. 그 결과, SiO2층의 굴절률은 1.4824이었으며, Al2O3층의 굴절률은 1.65341이었다. 한편, 사파이어 기판의 굴절률은 약 1.78로 Al2O3층의 굴절률보다 높다.
사파이어 기판(굴절률: 1.78) 상에 15페어의 SiO2(굴절률: 1.48)/Al2O3(굴절률: 1.65)가 교대로 적층된 구조에서, 각 층들의 두께를 조절하여 반사 대역의 밴드 폭 및 460nm에서의 반사율을 조절하였다.
여기에 제시된 각 실시예들의 적층 구조는 광 산란 요소들(도 1의 23)을 형성하기 위해 패터닝하기 전의 적층 구조에 대응한다.
도 4에서 알 수 있듯이, 반사율이 높을 수록 밴드 폭이 좁으며, 밴드 폭을 증가시키기 위해 두께를 조절할 경우, 반사율이 감소한다. 각 반사율에 따른 밴드폭을 표 1에 요약하였다. 여기서, 밴드 폭은 반사 대역에서의 반치폭을 의미한다.
반사율(%) 90 75 55 45 35 20
밴드폭(nm) 43 54 76 97 95 110
발광 다이오드의 성능을 고려할 경우, 광 산란 요소(23)는 반사율이 높은 적층 구조를 이용하여 형성하는 것이 유리할 수 있다. 그러나 발광 다이오드에서 방출되는 광의 피크 파장이나, 광 산란 요소들을 형성하는 유전층들의 광학적 특성은 발광 다이오드를 제조하는 과정에서 다양한 요동(fluctuation)을 경험할 수 있다. 따라서, 발광 다이오드의 공정 마진을 고려하여, 넓은 밴드 폭을 갖는 적층 구조를 사용할 필요가 있다. 반사 대역의 밴드 폭이 넓을수록 발광 다이오드의 수율을 향상시킬 수 있다. 따라서, 반사 대역의 밴드 폭은 활성층(33)에서 생성된 광의 피크 파장을 포함하며 적어도 40nm 이상이어야 하고, 나아가, 더 넓은 밴드 폭이 요구될 수도 있다.
도 5는 종래 기술 및 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 포인팅 벡터 값을 나타내는 그래프이다. 포인팅 벡터 값은 단위 시간 당, 단위 면적을 통과하는 에너지 흐름을 나타내며, 따라서, 포인팅 벡터 값을 비교함으로써 발광 다이오드에서 방출된 에너지의 흐름을 비교할 수 있다.
시뮬레이션에 사용된 발광 다이오드의 구조는 도 1과 유사하며, 사파이어 기판 상에 도 4에서 설명한 적층 구조들을 패터닝하여 직경이 2.7um인 원뿔 형상의 광 산란 요소들을 피치 3.0um의 벌집 모양으로 배열하였으며, 광 산란 요소들의 두께는 2.0 내지 2.4um 범위 내였다. 또한, 발광 구조체의 전체 두께는 7.1um로 설정하고, 오믹 전극으로 48nm 두께의 ITO를 사용하였으며, 기판 하부에 300nm 두께의 Ag 반사기를 설정하였다. 상기 발광 다이오드의 구조에 대해 FDTD(Finite-difference time-domain) 시뮬레이션을 통해 기판 측면 및 상면 측에서의 포인팅 벡터 값을 산출하였으며, 각각의 포인팅 벡터 값 및 전체 포인팅 벡터 값을 그래프에 나타내었다. 한편, 종래의 패터닝된 사파이어 기판(PSS)에 대해서도 유사하게 시뮬레이션을 수행하였으며, 여기서 사파이어 기판 상에 형성된 원뿔 형상의 돌출부들은 직경 2.7um, 높이 1.8um, 피치 3.0um로 하였으며, 나머지 구조는 동일한 조건으로 설정하였다.
도 5를 참조하면, 종래의 패터닝된 사파이어 기판(ref.)을 사용한 비교예는 기판 측면에서의 포인팅 벡터 값이 높게 나타났다. 한편, 광 산란 요소들을 사용한 본 발명의 실시예들은 비교예에 비해 기판 상면 측에서의 포인팅 벡터 값이 높게 나타났으며, 전체 포인팅 벡터 값도 높게 나타났다.
특히, 반사율이 20%인 적층 구조를 패터닝하여 형성된 광 산란 요소를 갖는 실시예에서 가장 양호한 포인팅 벡터 값을 나타내었다.
비교예에 대한 본 실시예들의 포인팅 벡터 값 증가율 및 기판 측면 측에 대한 기판 상면 측의 포인팅 벡터 값의 비율을 표 2에 나타내었다.
Ref. R90% R75% R55% R45% R35% R20%
증가율(%) 0.0 10.4 16.4 8.0 11.3 12.3 16.8
Top:Side 3.3:1 4.5:1 4.6:1 4.2:1 4.7:1 4.5:1 4.5:1
표 2를 참조하면, 실시예들은 대부분 비교예에 비해 10% 이상의 포인팅 벡터 값의 증가율을 나타낸다. 또한, 기판 측면 측에 대한 기판 상면측에서의 포인팅 벡터 값의 비율은 비교예의 경우 3.3: 1이었으나, 실시예들의 경우 모두 4:1을 초과하였다.
따라서, 본 발명의 실시예들은 비교예에 비해 기판 상면 측으로의 광 추출 효율이 더 향상된 것임을 알 수 있다.
상술한 실시예에서, 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 발광 다이오드 칩 및발광 장치를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 상기 발광 다이오드 칩은 소형 발광부가 요구되는 다른 다양한 전자 장치에도 적용될 수 있으며, 예를 들어, 디스플레이 장치 등에도 적용될 수 있다.

Claims (21)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 적층;
    상기 기판과 상기 반도체 적층 사이에 배치된 광 산란 요소들의 패턴을 포함하되,
    상기 광 산란 요소는 굴절률이 서로 다른 유전층들을 포함하며, 반구 형상, 포탄 형상, 또는 콘 형상을 갖는 발광 다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 광 산란 요소의 콘 형상은 원뿔 형상, 삼각뿔 형상, 측면이 볼록한 원뿔 형상, 밑면이 방패형이며 측면이 볼록한 삼각뿔 형상, 탄도형 원뿔 형상, 또는 하부 측면이 볼록한 탄도형 원뿔 형상을 포함하는 발광 다이오드.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 굴절률이 서로 다른 유전층들과 동일한 물질층들 및 동일한 두께들을 갖는 분포 브래그 반사기의 반사 대역의 밴드폭이 40nm 이상이고,
    상기 활성층에서 방출되는 광의 피크 파장은 상기 밴드폭 내에 위치하는 발광 다이오드.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 광의 피크 파장은 상기 밴드폭 영역의 중심으로부터 상기 밴드폭의 ±10% 이내에 위치하는 발광 다이오드.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 굴절률이 서로 다른 유전층들과 동일한 물질층들 및 동일한 두께들을 갖는 분포 브래그 반사기의 반사 대역의 밴드폭이 70nm 이상인 발광 다이오드.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 굴절률이 서로 다른 유전층들과 동일한 물질층들 및 동일한 두께들을 갖는 분포 브래그 반사기의 반사 대역의 밴드폭이 90nm 이상인 발광 다이오드.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 굴절률이 서로 다른 유전층들과 동일한 물질층들 및 동일한 두께들을 갖는 분포 브래그 반사기의 최대 반사율이 20% 내지 90% 범위 내인 발광 다이오드.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 굴절률이 서로 다른 유전층들과 동일한 물질층들 및 동일한 두께들을 갖는 분포 브래그 반사기의 최대 반사율이 20% 내지 55% 범위 내에 있는 발광 다이오드.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 굴절률이 서로 다른 유전층들과 동일한 물질층들 및 동일한 두께들을 갖는 분포 브래그 반사기의 최대 반사율이 20% 내지 45% 범위 내인 발광 다이오드.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판과 상기 반도체 적층 사이에 위치하는 핵층을 더 포함하되,
    상기 핵층은 AlN 또는 Al2O3로 형성된 발광 다이오드.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 핵층은 Al2O3로 형성되되,
    상기 핵층은 상기 광 산란 요소들을 덮는 발광 다이오드.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판은 상기 광 산란 요소들의 하부에 돌출부들을 갖되, 상기 돌출부들의 높이는 상기 광 산란 요소들의 높이보다 작은 발광 다이오드.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 광 산란 요소들은 하면의 최대 폭이 높이보다 큰 발광 다이오드.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판 하부에 위치하는 반사층을 더 포함하는 발광 다이오드.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 반사층은 금속 반사층 또는 분포 브래그 반사기를 포함하는 발광 다이오드.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 측면 측에서의 포인팅 벡터의 크기에 대해 상기 기판의 상면 측에서의 포인팅 벡터의 크기가 4배 이상인 발광 다이오드.
  17. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 적층;
    상기 기판과 상기 반도체 적층 사이에 배치된 광 산란 요소들의 패턴을 포함하되,
    상기 광 산란 요소는 굴절률이 서로 다른 유전층들을 포함하며,
    상기 광 산란 요소는 상기 기판에 접하는 하면을 가지며, 상기 하면으로부터 위로 갈수록 폭이 좁아지되, 상기 광 산란 요소의 최상단은 곡면 또는 첨점인 발광 다이오드.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 굴절률이 서로 다른 유전층들과 동일한 물질층들 및 동일한 두께들을 갖는 분포 브래그 반사기의 반사 대역의 밴드폭이 40nm 이상이고,
    상기 활성층에서 방출되는 광의 피크 파장은 상기 밴드폭 내에 위치하는 발광 다이오드.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 굴절률이 서로 다른 유전층들과 동일한 물질층들 및 동일한 두께들을 갖는 분포 브래그 반사기의 최대 반사율이 20% 내지 90% 범위 내인 발광 다이오드.
  20. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 적층;
    상기 기판과 상기 반도체 적층 사이에 배치된 광 산란 요소들의 패턴을 포함하되,
    상기 광 산란 요소는 굴절률이 서로 다른 유전층들을 포함하며,
    상기 광 산란 요소는 상기 기판에 접하는 하면 및 상기 하면에 대향하는 최상단을 포함하고, 상기 하면으로부터 상기 최상단으로 갈수록 폭이 좁아지되, 상기 최상단의 폭은 상기 하면의 폭의 1/10 이하인 발광 다이오드.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 기판은 사파이어 기판이고,
    상기 광 산란 요소는 SiO2층과 Al2O3층을 포함하며,
    상기 광 산란 요소의 Al2O3층이 기판에 접하는 발광 다이오드.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112236873B (zh) * 2020-03-13 2024-05-10 厦门三安光电有限公司 一种半导体发光元件及其制作方法
CN111244238A (zh) * 2020-03-26 2020-06-05 湘能华磊光电股份有限公司 一种高亮度半导体发光二极管芯片及其制作方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4481894B2 (ja) * 2004-09-10 2010-06-16 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP2006278751A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Mitsubishi Cable Ind Ltd ＧａＮ系半導体発光素子
KR101449000B1 (ko) * 2007-09-06 2014-10-13 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
CN101651175A (zh) * 2008-08-12 2010-02-17 昆山中辰硅晶有限公司 半导体发光元件及其制造方法
JP5518078B2 (ja) * 2009-08-31 2014-06-11 京セラ株式会社 発光素子
JP5404808B2 (ja) * 2009-11-11 2014-02-05 京セラ株式会社 発光素子
KR20110053064A (ko) * 2009-11-13 2011-05-19 서울옵토디바이스주식회사 분포 브래그 반사기를 갖는 발광 다이오드 칩 및 발광 다이오드 패키지
US8624482B2 (en) * 2011-09-01 2014-01-07 Toshiba Techno Center Inc. Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED
CN103682016A (zh) * 2012-08-30 2014-03-26 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种GaN外延或衬底的制作方法
KR20130046402A (ko) * 2013-02-20 2013-05-07 (주)쓰리엘시스템 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR102098827B1 (ko) * 2013-09-26 2020-04-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 발광소자 패키지
KR102382440B1 (ko) * 2015-06-22 2022-04-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자

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