KR20190124329A - 필름상 소성재료, 및 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료 - Google Patents

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KR20190124329A
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Abstract

본 발명의 필름상 소성재료는, 소결성 금속 입자(10) 및 바인더 성분(20)을 함유하는 필름상 소성재료(1)로서, 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 열중량 곡선(TG 곡선)에서, 음의 기울기가 가장 큰 승온 개시 후의 시간(A1)과 알루미나 입자를 참조시료로서 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 승온 개시 후 0초부터 2160초의 시간 범위에서의 최대 피크 시간(B1)이, A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 만족하고, 또한 A1＜2000초이다.

Description

필름상 소성재료, 및 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료
본 발명은 필름상 소성재료, 및 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료에 관한 것이다.
본원은, 2017년 4월 28일에 일본에 출원된 특허출원 2017-090714호, 2017년 9월 20일에 일본에 출원된 특허출원 2017-179797호, 및 2017년 10월 2일에 일본에 출원된 특허출원 2017-192821호에 기초해 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
최근, 자동차, 에어콘, 및 개인용컴퓨터 등의, 고전압 및 고전류화에 따라, 이것들에 탑재되는 전력용 반도체소자(파워디바이스라고도 불린다)의 수요가 높아지고 있다. 전력용 반도체소자는, 고전압 및 고전류 하에서 사용되는 특징으로부터, 반도체소자로부터의 열의 발생이 문제가 되기 쉽다.
종래, 반도체소자로부터 발생한 열의 방열을 위해, 반도체소자의 주위에 히트 싱크가 장착되는 경우도 있다. 그러나, 히트 싱크와 반도체소자의 사이의 접합부에서 열전도성이 양호하지 않으면, 효율적인 방열이 방해되어 버린다.
열전도성이 우수한 접합 재료로서, 예를 들면, 특허문헌 1에는, 특정의 가열 소결성 금속 입자, 특정의 고분자 분산제, 및 특정의 휘발성 분산매가 혼합된 페이스트상 금속미립자 조성물이 개시되어 있다. 상기 조성물을 소결시키면, 열전도성이 우수한 고형상 금속이 된다고 여겨진다.
특허문헌 1 : 일본 특허공개 2014-111800호 공보
그러나, 특허문헌 1과 같이 소성재료가 페이스트상의 경우에서는, 도포되는 페이스트의 두께를 균일화하는 것이 어려워 두께 안정성이 부족한 경향이 있다.
본 발명은, 상기와 같은 실상을 감안한 것으로, 두께 안정성 및 열전도성이 우수하고 소성 후에 우수한 전단 접착력을 발휘하는 필름상 소성재료를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 상기 필름상 소성재료를 구비한 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.
종래, 소성재료 중에 포함되는 금속 입자 이외의 재료에 대해서는 열분해 온도가 낮을수록 좋다고 생각되어 왔다. 그러나, 본 발명자들은, 열 물성적 관점에서 소결기구를 검토함으로써, 열중량 곡선(TG 곡선)과 시차열분석 곡선(DTA 곡선)의 사이에 특정 관계를 가지는 필름상 소성재료가, 두께 안정성 및 열전도성이 우수함과 동시에, 소성 후에 우수한 전단 접착력을 발현할 수 있는 것을 찾아내, 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은 이하의 형태를 포함한다.
［1］　소결성 금속 입자 및 바인더 성분을 함유하는 필름상 소성재료로서,
대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 열중량 곡선(TG 곡선)에서, 음의 기울기가 가장 큰 승온 개시 후의 시간(A1)과,
알루미나 입자를 참조시료로서 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 승온 개시 후 0초부터 2160초의 시간 범위에서의 최대 피크 시간(B1)이,
A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 만족하고, 또한, A1＜2000초인, 필름상 소성재료.
［2］　필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자를 제외한 성분에 대해서, 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 열중량 곡선(TG 곡선)에서, 음의 기울기가 가장 큰 승온 개시 후의 시간(A1＇)과,
상기 소결성 금속 입자에 대해서, 알루미나 입자를 참조시료로서 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 승온 개시 후 960초부터 2160초의 시간 범위에서 관측되는 피크 내 최단 시간에 관측되는 피크 시간(B1＇)이,
B1＇＜A1＇의 관계를 만족하는, 상기 [1］에 기재된 필름상 소성재료.
［3］　상기 필름상 소성재료에 대해서, 알루미나 입자를 참조시료로서 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 승온 개시 후 0초부터 2160초의 시간 범위에서의 흡열 피크를 갖지 않는, 상기 [1］또는［2］에 기재된 필름상 소성재료.
［4］　소결성 금속 입자 및 바인더 성분을 함유하는 필름상 소성재료로서,
질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 열중량 곡선(TG 곡선)에서, 음의 기울기가 가장 큰 온도(A2)와,
알루미나 입자를 참조시료로서 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 25℃부터 400℃의 온도 범위에서의 최대 피크 온도(B2)가,
A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 만족하는, 필름상 소성재료.
［5］　필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자를 제외한 성분에 대해서, 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 열중량 곡선(TG 곡선)에서, 음의 기울기가 가장 큰 온도(A2＇)와,
상기 소결성 금속 입자에 대해서, 알루미나 입자를 참조시료로서 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 200℃부터 400℃의 온도 범위에서 관측되는 피크 내 가장 저온에서 관측되는 피크 온도(B2＇)가,
B2＇＜A2＇의 관계를 만족하는, 상기 [4］에 기재된 필름상 소성재료.
［6］　상기 필름상 소성재료에 대해서, 알루미나 입자를 참조시료로서 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 25℃부터 400℃의 온도 범위에서의 흡열 피크를 갖지 않는, 상기 [4］또는［5］에 기재된 필름상 소성재료.
［7］　상기 소결성 금속 입자가 은 나노 입자인, 상기 [1］ ~ ［6］의 어느 하나 하나에 기재된 필름상 소성재료.
［8］　상기 [1］ ~ ［7］의 어느 하나 하나에 기재된 필름상 소성재료와 상기 필름상 소성재료의 적어도 한쪽의 측에 설치된 지지 시트를 구비한 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료.
［9］　상기 지지 시트는, 기재 필름 상에 점착제층이 설치된 것이고,
상기 점착제층 상에, 상기 필름상 소성재료가 설치되어 있는, 상기 [8］에 기재된 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료.
본 발명에 따르면, 두께 안정성 및 열전도성이 우수하고 소성 후에 우수한 전단 접착력을 발휘하는 필름상 소성재료를 제공할 수 있다. 또한, 상기 필름상 소성재료를 구비하고 반도체소자의 소결 접합에 이용되는 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태와 관련되는, 필름상 소성재료를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태와 관련되는, 필름상 소성재료의 소성 전부터 후에 걸쳐 추정되는 형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 그 외의 소성재료의 소성 전부터 후에 걸쳐 추정되는 형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태와 관련되는, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료가 링 프레임에 첩부(貼付)된 상태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태와 관련되는, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료가 링 프레임에 첩부된 상태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태와 관련되는, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료가 링 프레임에 첩부된 상태를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 7은 대기 분위기 하의 측정에 의해 얻어진 TG 곡선 및 DTA 곡선의 그래프이다.
도 8은 대기 분위기 하의 측정에 의해 얻어진 TG 곡선 및 DTA 곡선의 그래프이다.
도 9는 대기 분위기 하의 측정에 의해 얻어진 TG 곡선 및 DTA 곡선의 그래프이다.
도 10은 대기 분위기 하의 측정에 의해 얻어진 TG 곡선 및 DTA 곡선의 그래프이다.
도 11은 질소 분위기 하의 측정에 의해 얻어진 TG 곡선 및 DTA 곡선의 그래프이다.
도 12는 질소 분위기 하의 측정에 의해 얻어진 TG 곡선 및 DTA 곡선의 그래프이다.
도 13은 질소 분위기 하의 측정에 의해 얻어진 TG 곡선 및 DTA 곡선의 그래프이다.
도 14는 질소 분위기 하의 측정에 의해 얻어진 TG 곡선 및 DTA 곡선의 그래프이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서, 적절히 도면을 참조해 설명한다.
또한 이하의 설명에 이용하는 도면은, 본 발명의 특징을 알기 쉽게 하기 위해서, 편의상, 주요부가 되는 부분을 확대해 나타내는 경우가 있고, 각 구성요소의 치수 비율 등이 실제와 같다라고는 한정되지 않는다.
≪필름상 소성재료≫
제1 실시형태의 필름상 소성재료는, 소결성 금속 입자 및 바인더 성분을 함유하는 필름상 소성재료로서, 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 열중량 곡선(TG 곡선)에서, 음의 기울기가 가장 큰 승온 개시 후의 시간(A1)와 알루미나 입자를 참조시료로서 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 승온 개시 후 0초부터 2160초의 시간 범위에서의 최대 피크 시간(B1)이 A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 만족하고, 또한, A1＜2000초인 것이다.
제2 실시형태의 필름상 소성재료는, 소결성 금속 입자 및 바인더 성분을 함유하는 필름상 소성재료로서, 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 열중량 곡선(TG 곡선)에서, 음의 기울기가 가장 큰 온도(A2)와 알루미나 입자를 참조시료로서 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 25℃부터 400℃의 온도 범위에서의 최대 피크 온도(B2)가 A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 만족하는 것이다.
도 1은, 제1 실시형태 및 제2 실시형태의 필름상 소성재료를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 필름상 소성재료(1)는, 소결성 금속 입자(10) 및 바인더 성분(20)을 함유하고 있다.
필름상 소성재료는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 좋고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 좋다. 필름상 소성재료가 복수층으로 이루어지는 경우, 이러한 복수층은 서로 동일하거나 달라도 좋고, 이러한 복수층의 조합은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 이상 특별히 한정되지 않는다.
또한 본 명세서에서는, 필름상 소성재료의 경우에 한정되지 않고, 「복수층이 서로 동일하거나 달라도 좋다」란, 「모든 층이 동일해도 좋고, 모든 층이 달라도 좋고, 일부의 층만이 동일해도 좋다」것을 의미하고, 또한 「복수층이 서로 다르다」란, 「각층의 구성 재료, 구성 재료의 배합비, 및 두께가 적어도 하나가 서로 다른」 것을 의미한다.
필름상 소성재료의 소성 전의 두께는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 10 ~ 200μm가 바람직하고, 20 ~ 150μm가 바람직하고, 30 ~ 90μm가 보다 바람직하다.
여기서, 「필름상 소성재료의 두께」란, 필름상 소성재료 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 필름상 소성재료의 두께란, 필름상 소성재료를 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.
본 명세서에서, 「두께」는, 임의의 5개소에서 두께를 측정한 평균으로 나타내는 값으로서 JIS　K7130에 준하고, 정압 두께측정기를 이용하여 취득할 수 있다.
(박리 필름)
필름상 소성재료는, 박리 필름 상에 적층된 상태로 제공할 수 있다. 사용할 때, 박리 필름을 떼어내고, 필름상 소성재료를 소결 접합시킬 대상물 상에 배치하면 좋다. 박리 필름은 필름상 소성재료의 손상이나 오염물 부착을 막기 위한 보호 필름으로서의 기능도 가진다. 박리 필름은, 필름상 소성재료의 적어도 한쪽의 측에 설치되어 있으면 좋고, 필름상 소성재료의 양쪽 모두의 측에 설치되어도 좋다.
박리 필름으로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌 아세트산 비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산 에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카르보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름 등의 투명 필름이 이용된다. 또한 이들의 가교 필름도 이용된다. 또한 이들의 적층 필름이어도 좋다. 또한, 이것들을 착색한 필름, 불투명 필름 등을 이용할 수 있다. 박리제로서는, 예를 들면, 실리콘계, 불소계, 알키드계, 올레핀계, 장쇄 알킬기 함유 카르바메이트 등의 박리제를 들 수 있다.
박리 필름의 두께는, 통상은 10 ~ 500μm, 바람직하게는 15 ~ 300μm, 특히 바람직하게는 20 ~ 250μm 정도이다.
＜소결성 금속 입자＞
소결성 금속 입자는, 필름상 소성재료의 소성으로서 가열 처리됨으로써 입자끼리가 용융·결합해 소결체를 형성할 수 있는 금속 입자이다. 소결체를 형성하는 것에 의해, 필름상 소성재료와 여기에 접해 소성된 물품을 소결 접합시킬 수 있다.
소결성 금속 입자의 금속종으로서는, 은, 금, 구리, 철, 니켈, 알루미늄, 실리콘, 팔라듐, 백금, 티탄, 티탄산바륨, 이들의 산화물 또는 합금 등을 들 수 있고, 은 및 산화 은이 바람직하다. 소결성 금속 입자는, 1종류만이 배합되어 있어도 좋고, 2 종류 이상의 조합으로 배합되어 있어도 좋다.
소결성 금속 입자는, 나노 사이즈의 은 입자인 은 나노 입자인 것이 바람직하다.
필름상 소성재료에 포함되는 소결성 금속 입자의 입자경은, 상기 소결성을 발휘할 수 있는 것이면 특별히 제한되는 것은 아니지만, 100 nm 이하이어도 좋고, 50 nm 이하이어도 좋고, 30 nm 이하이어도 좋다. 또한 필름상 소성재료가 포함하는 금속 입자의 입자경이란, 전자현미경으로 관찰된 금속 입자의 입자경의 투영면적 원 상당경으로 한다.
상기 입자경의 범위에 속하는 금속 입자는, 소결성이 우수하기 때문에 바람직하다.
필름상 소성재료가 포함하는 소결성 금속 입자의 입자경은, 전자현미경으로 관찰된 금속 입자의 입자경의 투영면적 원 상당경이 100 nm 이하의 입자에 대해서 구한 입자경의 수평균이, 0.1 ~ 95 nm이어도 좋고, 0.3 ~ 50 nm이어도 좋고, 0.5 ~ 30 nm이어도 좋다. 또한 측정 대상의 금속 입자는, 1개의 필름상 소성재료당 무작위로 선택된 100개 이상으로 한다.
소결성 금속 입자는 바인더 성분 및 그 외의 첨가제 성분에 혼합하기 전에, 미리 응집물이 없는 상태로 하기 때문에, 이소보로닐헥사놀이나, 데실알코올 등의 비점이 높은 고비점 용매에 미리 분산시켜도 좋다. 고비점 용매의 비점으로서는, 예를 들면 200 ~ 350℃이어도 좋다. 이 때, 고비점 용매를 이용하면, 이것이 상온에서 휘발하는 것이 거의 없기 때문에 소결성 금속 입자의 농도가 높아지는 것이 방지되어 작업성이 향상되는 것 외에, 소결성 금속 입자의 재응집 등도 방지되어 품질적으로도 양호해지는 경우가 있다.
분산법으로서는 니더, 3 개 롤, 비즈 밀 및 초음파 등을 들 수 있다.
또한 본 명세서에서, 「상온」이란, 특별히 냉각하거나 가열하지 않는 온도, 즉 평상의 온도를 의미하고, 예를 들면, 15 ~ 25℃의 온도 등을 들 수 있다.
상기 실시형태의 필름상 소성재료에는, 입자경 100 nm 이하의 금속 입자(소결성 금속 입자) 외에, 이것에 해당하지 않는 입자경이 100 nm를 초과하는 비소결성 금속 입자가 더 배합되어도 좋다. 입자경이 100 nm를 초과하는 비소결성 금속 입자의 입자경은, 전자현미경으로 관찰된 금속 입자의 입자경의 투영면적 원 상당경이 100 nm를 초과하는 입자에 대해서 구한 입자경의 수평균이, 150 nm 초과 50000 nm 이하이어도 좋고, 150 ~ 10000 nm이어도 좋고, 180 ~ 5000 nm이어도 좋다.
입자경이 100 nm를 초과하는 비소결성 금속 입자의 금속종으로서는, 상기에 예시한 것을 들 수 있고, 은, 구리, 및 이들의 산화물이 바람직하다.
입자경 100 nm 이하의 금속 입자와 입자경이 100 nm를 초과하는 비소결성 금속 입자란, 서로 동일한 금속종이어도 좋고, 서로 다른 금속종이어도 좋다. 예를 들면, 입자경 100 nm 이하의 금속 입자가 은 입자이고, 입자경이 100 nm를 초과하는 비소결성 금속 입자가 은 또는 산화 은 입자이어도 좋다. 예를 들면, 입자경 100 nm 이하의 금속 입자가 은 또는 산화 은 입자이고, 입자경이 100 nm를 초과하는 비소결성 금속 입자가 구리 또는 산화구리 입자이어도 좋다.
상기 실시형태의 필름상 소성재료에서, 모든 금속 입자의 총 질량 100질량부에 대한, 입자경 100 nm 이하의 금속 입자의 함유량은, 20 ~ 100질량부이어도 좋고, 30 ~ 99질량부이어도 좋고, 50 ~ 95질량부이어도 좋다.
소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자의 적어도 한쪽의 표면은, 유기물에 의해 피복되어 있어도 좋다. 유기물의 피복 막을 가지는 것으로, 바인더 성분과의 상용성이 향상한다. 또한 입자끼리 응집을 방지할 수 있어 균일하게 분산할 수 있다.
소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자의 적어도 한쪽의 표면에 유기물이 피복되어 있는 경우, 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자의 질량은, 피복물을 포함하는 값으로 한다.
＜바인더 성분＞
바인더 성분이 배합됨으로써, 소성재료를 필름상으로 성형할 수 있고 소성 전의 필름상 소성재료에 점착성을 부여할 수 있다. 바인더 성분은, 필름상 소성재료의 소성으로서 가열 처리됨으로써 열분해되는 열분해 특성이 있어도 좋다.
바인더 성분은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바인더 성분의 적합한 일례로서 수지를 들 수 있다. 수지로서는, 아크릴계 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리젖산, 셀룰로오스 유도체의 중합물 등을 들 수 있고, 아크릴계 수지가 바람직하다. 아크릴계 수지에는, (메타)아크릴레이트 화합물의 단독중합체, (메타)아크릴레이트 화합물의 2종 이상의 공중합체, (메타)아크릴레이트 화합물과 다른 공중합성 단량체와의 공중합체가 포함된다.
바인더 성분을 구성하는 수지에서, (메타)아크릴레이트 화합물 유래의 구성 단위의 함유량은, 구성 단위의 전량에 대해서, 50 ~ 100질량%인 것이 바람직하고, 80 ~ 100질량%인 것이 보다 바람직하고, 90 ~ 100질량%인 것이 더 바람직하다.
여기서 말하는 「유래」란, 상기 모노머가 중합하는데 필요한 구조의 변화를 받은 것을 의미한다.
(메타)아크릴레이트 화합물의 구체예로서는, 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 프로필 (메타)아크릴레이트, 이소프로필 (메타)아크릴레이트, 부틸 (메타)아크릴레이트, 이소부틸 (메타)아크릴레이트, t-부틸 (메타)아크릴레이트, 펜틸 (메타)아크릴레이트, 아밀(메타)아크릴레이트, 이소아밀(메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, 헵틸 (메타)아크릴레이트, 옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 노닐 (메타)아크릴레이트, 데실 (메타)아크릴레이트, 이소데실 (메타)아크릴레이트, 운데실 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트, 라우릴 (메타)아크릴레이트, 스테아릴 (메타)아크릴레이트, 이소스테아릴 (메타)아크릴레이트 등의 알킬 (메타)아크릴레이트;
히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 3-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 3-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트 등의 히드록시알킬 (메타)아크릴레이트; 페녹시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시 프로필 (메타)아크릴레이트 등의 페녹시알킬 (메타)아크릴레이트; 2-메톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-에톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-프로폭시 에틸 (메타)아크릴레이트, 2-부톡시 에틸 (메타)아크릴레이트, 2--메톡시부틸 (메타)아크릴레이트 등의 알콕시알킬 (메타)아크릴레이트; 폴리에틸렌글리콜 모노(메타)아크릴레이트, 에톡시 디에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 메톡시 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 페녹시 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 노닐 페녹시 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 모노(메타)아크릴레이트, 메톡시 폴리프로필렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 에톡시 폴리프로필렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 노닐 페녹시 폴리프로필렌글리콜 (메타)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜 (메타)아크릴레이트; 시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 4-부틸시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜타디에닐 (메타)아크릴레이트, 보닐 (메타)아크릴레이트, 이소보닐 (메타)아크릴레이트, 트리시클로데카닐 (메타)아크릴레이트 등의 시클로알킬 (메타)아크릴레이트;
벤질 (메타)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴 (메타)아크릴레이트, 등을 들 수 있다. 알킬 (메타)아크릴레이트 또는 알콕시알킬 (메타)아크릴레이트가 바람직하고, 특히 바람직한 (메타)아크릴레이트 화합물로서 부틸 (메타)아크릴레이트, 에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 라우릴 (메타)아크릴레이트, 이소데실 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 및 2-에톡시에틸 (메타)아크릴레이트를 들 수 있다.
본 명세서에서, 「(메타)아크릴산」이란, 「아크릴산」및 「메타크릴산」의 양쪽 모두를 포함하는 개념이고, 「(메타)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 양쪽 모두를 포함하는 개념이다.
아크릴 수지로서는, 메타크릴레이트가 바람직하다. 바인더 성분이 메타크릴레이트 유래의 구성 단위를 함유함으로써, 상기 시간(A1)과 상기 시간(B1)이 A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 가지고, A1＜2000초가 되는 필름상 소성재료가 얻어지기 쉽다. 또한, 바인더 성분이 메타크릴레이트 유래의 구성 단위를 함유함으로써, 상기 온도(A2)와 상기 온도(B2)가 A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 가지는 필름상 소성재료가 얻어지기 쉽다.
바인더 성분을 구성하는 수지에서, 메타크릴레이트 유래의 구성 단위의 함유량은, 구성 단위의 전량에 대해서, 50 ~ 100질량%인 것이 바람직하고, 80 ~ 100질량%인 것이 보다 바람직하고, 90 ~ 100질량%인 것이 더 바람직하다.
다른 공중합성 단량체로서는, 상기 (메타)아크릴레이트 화합물과 공중합할 수 있는 화합물이면 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 (메타)아크릴산, 비닐 안식향산, 말레인산, 비닐 프탈산 등의 불포화 카르복실산류; 비닐벤질 메틸에테르, 비닐 글리시딜에테르, 스티렌, α-메틸스티렌, 부타디엔, 이소프렌 등의 비닐기 함유 라디칼 중합성 화합물을 들 수 있다.
바인더 성분을 구성하는 수지의 중량평균분자량(Mw)은, 1,000 ~ 1,000,000인 것이 바람직하고, 10,000 ~ 800,000인 것이 보다 바람직하다. 수지의 중량평균분자량이 상기 범위 내인 것으로, 필름으로서 충분한 막강도를 발현하고, 또한 유연성을 부여하는 것이 용이하게 된다.
또한 본 명세서에서, 「중량평균분자량」이란, 특별히 명시되지 않는 한, 겔·투과·크로마토그래피(GPC) 법에 따라 측정되는 폴리스티렌 환산치이다.
바인더 성분을 구성하는 수지의 유리전이 온도(Tg)는, 하기의 Fox의 이론식을 이용하여 계산에서 구할 수 있고, 이것이 -60 ~ 50℃인 것이 바람직하고, -30 ~ 10℃인 것이 보다 바람직하고, -20 이상 0℃ 미만인 것이 더 바람직하다. 수지의 Fox식으로부터 구한 Tg가 상기 상한치 이하인 것으로, 필름상 소성재료와 피착체(예를 들면 반도체소자, 칩, 기판 등)의 소성 전의 접착력이 향상한다. 한편, 수지의 Fox식으로부터 구한 Tg가 상기 하한치 이상인 것으로, 필름 형상을 유지할 수 있고 지지 시트 등으로부터의 필름상 소성재료의 분리가 보다 용이하게 된다.
상기 아크릴계 중합체의 Tg는, 각 중합체 부분의 단량체의 중량 비율로부터 Fox식에 따라,
1/Tg=(W1/Tg1)＋(W2/Tg2)＋…＋(Wm/Tgm)
　　　　　　　　W1＋W2＋…＋Wm=1
의 관계를 나타낸다. 식 중, Tg는 중합체 부분의 유리전이 온도를 나타내고, Tg1, Tg2,…, Tgm는 각 중합 단량체의 유리전이 온도를 나타낸다. 또한, W1, W2,…, Wm는 각 중합 단량체의 중량 비율을 나타낸다.
상기 Fox식에서의 각 중합 단량체의 유리전이 온도는, 고분자 데이터·핸드북 및 점착 핸드북에 기재된 값을 이용할 수 있다.
바인더 성분은, 필름상 소성재료의 소성으로서 가열 처리됨으로써 열분해되는 열분해 특성이 있어도 좋다. 바인더 성분이 열분해된 것은, 소성에 의한 바인더 성분의 질량 감소에 의해 확인할 수 있다. 또한 바인더 성분으로서 배합되는 성분은 소성에 의해 거의 열분해되어도 좋지만, 바인더 성분으로서 배합되는 성분의 전체 질량이, 소성에 의해 열분해되지 않아도 좋다.
바인더 성분은, 소성 전의 바인더 성분의 질량 100질량%에 대해, 소성 후의 질량이 10질량% 이하가 되는 것이어도 좋고, 5질량% 이하가 되는 것이어도 좋고, 3질량% 이하가 되는 것이어도 좋다.
상기 실시형태의 필름상 소성재료는, 상기의 소결성 금속 입자, 비소결성 금속 입자 및 바인더 성분 외에, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서 소결성 금속 입자, 비소결성 금속 입자 및 바인더 성분에 해당하지 않는 그 외의 첨가제를 함유하고 있어도 좋다.
상기 실시형태의 필름상 소성재료에 함유되어도 좋은 그 외의 첨가제로서는, 용매, 분산제, 가소제, 점착부여제, 보존 안정제, 소포제, 열분해 촉진제, 및 산화방지제 등을 들 수 있다. 첨가제는, 1종만 함유되어도 좋고, 2종 이상 함유되어도 좋다. 이러한 첨가제는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 이 분야에서 통상 이용되는 것을 적절히 선택할 수 있다.
＜조성＞
상기 실시형태의 필름상 소성재료는, 소결성 금속 입자, 바인더 성분, 및 그 외의 첨가제로 이루어지는 것이어도 좋고, 이들의 함유량(질량%)의 합계는 100질량%가 되어도 좋다.
상기 실시형태의 필름상 소성재료가 비소결성 금속 입자를 포함하는 경우에는, 필름상 소성재료는, 소결성 금속 입자, 비소결성 금속 입자, 바인더 성분, 및 그 외의 첨가제로 이루어지는 것이어도 좋고, 이들의 함유량(질량%)의 합계는 100질량%가 되어도 좋다.
필름상 소성재료에서, 용매 이외의 모든 성분(이하 「고형분」이라고 표기한다.)의 총함유량 100질량%에 대한, 소결성 금속 입자의 함유량은, 10 ~ 98질량%가 바람직하고, 15 ~ 90질량%가 보다 바람직하고, 20 ~ 80질량%가 더 바람직하다.
필름상 소성재료가 비소결성 금속 입자를 포함하는 경우, 필름상 소성재료에서의 고형분의 총함유량 100질량%에 대한, 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자의 총함유량은, 50 ~ 98질량%가 바람직하고, 70 ~ 95질량%가 보다 바람직하고, 80 ~ 90질량%가 더 바람직하다.
필름상 소성재료에서의 고형분의 총함유량 100질량%에 대한 바인더 성분의 함유량은, 2 ~ 50질량%가 바람직하고, 5 ~ 30질량%가 보다 바람직하고, 10 ~ 20질량%가 더 바람직하다.
필름상 소성재료에서, 소결성 금속 입자와 바인더 성분의 질량비율(소결성 금속 입자：바인더 성분)은, 50：1 ~ 1：5가 바람직하고, 20：1 ~ 1：2가 보다 바람직하고, 10：1 ~ 1：1이 더 바람직하다. 필름상 소성재료가 비소결성 금속 입자를 포함하는 경우에는, 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자와 바인더 성분과의 질량비율((소결성 금속 입자＋비소결성 금속 입자)：바인더 성분)는 50：1 ~ 1：1이 바람직하고, 20：1 ~ 2：1이 보다 바람직하고, 9：1 ~ 4：1이 더 바람직하다.
［제1 실시형태의 필름상 소성재료］
제1 실시형태의 필름상 소성재료가 상기에 나타내는 조성을 가지는 것으로, 상기 시간(A1)과 상기 시간(B1)이 A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 가지고, A1＜2000초가 되는 필름상 소성재료가 얻어지기 쉽다.
제1 실시형태의 필름상 소성재료에는, 소결성 금속 입자, 비소결성 금속 입자, 바인더 성분 및 그 외의 첨가제 성분을 혼합할 때에 사용하는 고비점 용매가 포함되어 있어도 좋다. 제1 실시형태의 필름상 소성재료의 총 질량 100질량%에 대한, 고비점 용매의 함유량은, 20질량% 이하가 바람직하고, 15질량% 이하가 보다 바람직하고, 10질량% 이하가 더 바람직하다. 고비점 용매의 함유량이 상기의 상한치 이하인 것으로, 상기 시간(A1)와 상기 시간(B1)이 A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 가져, A1＜2000초가 되는 필름상 소성재료가 얻어지기 쉽다. 또한, 대기 분위기 하의 측정에 의한 상기 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 승온 개시 후 0초부터 2160초의 시간 범위에서의 흡열 피크를 갖지 않는 필름상 소성재료가 얻어지기 쉽다.
＜시간(A1)·시간(B1)＞
제1 실시형태의 필름상 소성재료는, 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 열중량 곡선(TG 곡선)에서, 음의 기울기가 가장 큰 승온 개시 후의 시간(A1)과 알루미나 입자를 참조시료로서 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 승온 개시 후 0초부터 2160초의 시간 범위에서의 최대 피크 시간(B1)이, A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 만족하고, A1＜2000초인 것이다.
상기 TG 곡선은, 대기 분위기 하, 필름상 소성재료가 가열 처리되는 과정에서, 필름상 소성재료의 중량 변화를 나타낸 것이다.
상기 DTA 곡선은, 대기 분위기 하, 필름상 소성재료가 가열 처리되는 과정에서, 필름상 소성재료의 시차열 변화를 나타낸 것이다.
이하, 대기 분위기 하의 측정에 의한 TG 곡선 및 DTA 곡선으로부터 추정되는, 소성 과정에서의 필름상 소성재료의 형태를, 적절히 도면을 참조하면서 설명한다.
도 2는, A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 만족하고, A1＜2000초인 필름상 소성재료(1)의, 소성 전(도 2(a)), 소성 중(도 2(b)), 소성 후(도 2(c))에 대해서 추정되는 형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
소성 전의 필름상 소성재료(도 2(a))에 포함되어 있는 바인더 성분(20)은, 가열에 의해 중량이 감소하고(도 2(b) ~ (c)), 이 현상은, TG 곡선에서의 음의 기울기로서 나타난다.
소성 전의 필름상 소성재료(도 2(a))에 포함되어 있는 바인더 성분(20)은 가열 시에 흡열함으로써 열분해하고, 소성 전의 필름상 소성재료(도 2(a))에 포함되어 있는 소결성 금속 입자(10)는, 가열 시에 흡열함으로써 융해(도 2(b))하고, 그 후 발열하면서 소결(도 2(c)) 한다. 이 흡발열과정은 DTA 곡선으로서 관측되지만, 소결 과정이 충분히 진행된 경우, 발열량이 크고, 필름상 소성재료(도 2(a))에 포함되어 있던 바인더 성분(20)의 열분해 및 소결성 금속 입자(10)의 융해에 의한 흡열량을 크게 웃돈다. 즉 측정으로 얻어지는 DTA 곡선에서는 발열에 의한 양의 시차열만이 관측되고 피크로서 나타난다.
시간(A1) 및 시간(B1)이, A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 만족하고, A1＜2000초인 것은, 바인더 성분의 감소에 계속해서 직후의 가열 시간에, 소결성 금속 입자의 융해와 소결이 완료되는 것을 의미하고 있다고 생각된다. 연소온도는 금속 입자의 크기에 관계하고, 금속 입자가 작을수록 연소온도가 낮아지는 경향이 있는 것이 일반적으로 알려져 있다. 따라서, A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 만족하고, A1＜2000초인 필름상 소성재료(1)는, 소결의 개시 단계에서 소결성 금속 입자끼리 응집이나 융착이 확인되지 않고, 미립자상인 채 융해한 소결성 금속 입자(10m)끼리 소결되는 것이 추정된다.
도 3은, A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 만족하지 않고, B1의 시간이 A1＋200초보다도 큰 소성재료(1c)의, 소성 전(도 3(a)), 소성 중(도 3(b)), 소성 후(도 3(c))에 대해서 추정되는 형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 소성 전의 필름상 소성재료(도 3(a))에 포함되어 있던 바인더 성분(21)도, 가열에 의해 중량이 감소하고(도 3(b) ~ (c)), 이 현상도, TG 곡선에서의 음의 기울기로서 나타난다.
소성 전의 필름상 소성재료(도 3(a))에 포함되어 있는 바인더 성분(21)도 가열 시에 흡열함으로써 열분해하고, 그 후, 소성 전의 필름상 소성재료(도 3(a))에 포함되어 있는 소결성 금속 입자(11)가, 흡열에 의한 융해와 발열에 의한 소결(도 3(c))을 일으킨다. 이 소결성 금속 입자(11)의 흡발열과정은, 바인더 성분(21)이 이미 존재하지 않거나 또는 존재하고 있어도 미량이기 때문에, 거의 동시에 일어나지만, 소결에 의한 발열량이 크기 때문에, DTA 곡선에서는 발열과정을 나타내는 양의 피크만이 나타난다.
시간(A1) 및 시간(B1)이, A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 만족하지 않는 것은, 바인더 성분의 감소에 계속되는 직후의 가열 시간에, 소결성 금속 입자의 소성이 완료되지 않는 것을 의미하고 있다고 생각된다. 연소온도는 금속 입자의 크기에 관계하고, 금속 입자가 클수록 연소온도가 높아지는 경향이 있다. 따라서, 예를 들면, A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 만족하지 않고, B1의 시간이 A1＋200초보다 큰 소성재료(1c)에서는, 소결의 단계에서 소결성 금속 입자의 사이즈가 큰 것이 추정된다. 이것은 아마, 가열에 의한 바인더 성분의 감소가, 소결성 금속 입자의 융해 및 소결의 피크 이전에 진행하기 때문에, 소결의 개시 단계에서 소결성 금속 입자(11)가 어느 정도의 크기의 덩어리를 형성해 버리고, 괴상이 된 금속 입자가 소결됨으로써, 시간(B1)이 증가하고 있는 것으로 생각된다.
또한, 발명자들은, 시간(A1) 및 시간(B1)이, A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 만족하고, 또한 A1＜2000초인 필름상 소성재료는, 소성 후의 전단 접착력이 우수한 것을 찾아냈다.
A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 만족하지 않고, B1의 시간이 A1＋200초보다도 큰 소성재료에서는, 괴상이 된 소결성 금속 입자가 소결됨으로써, 소결이 충분하지 않은 경우나, 소결하고 있지 않는 개소가 많이 남게 되어, 소결 후의 재료는 접착 강도(전단 접착력의 강도)가 부족한 것이 된다고 생각된다. 또는, 피착체와의 접착 계면에서 공극이 발생하기 쉬워져, 접착 면적이 작아져 버리는 것으로 접착 강도가 저하한다고 생각된다.
또한, A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 만족하고 있어도, A1≥2000초인 필름상 소성재료는, 택트 타임 연장에 의한 생산성 저하 및 소성에 필요한 온도가 높아지는 것에 의한 디바이스 부재에의 악영향이 생각된다.
반면, A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 만족하고, 또한 A1＜2000초인 필름상 소성재료에서는, 바인더 성분이 존재하고 있는 상태에서 미립자상인 채 융해한 소결성 금속 입자가 소결됨으로써, 소결성 금속끼리 균일하고 조밀하게 금속결합하게 되어, 소결 후의 재료의 접착 강도가 향상된다고 생각된다.
필름상 소성재료의, 소성 후의 전단 접착력은, 실시예에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다.
제1 실시형태의 필름상 소성재료는, 상기 시간(A1)과 상기 시간(B1)이, A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 만족하는 것이고, 예를 들면 A1＜B1＜A1＋100초의 관계를 만족하는 것이어도 좋고, A1＜B1＜A1＋60초의 관계를 만족하는 것이어도 좋고, A1＜B1＜A1＋30초의 관계를 만족하는 것이어도 좋다.
승온 개시 후 0초부터 2160초의 시간 범위에서의 최대 피크 시간(B1)은, 알루미나 입자를 참조시료로서 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 승온 개시 후 960초 ~ 2160초에 최대 피크 시간이 있는 것이 바람직하고, 승온 개시 후 1080 ~ 2100초에 최대 피크 시간이 있는 것이 보다 바람직하고, 승온 개시 후 1260 ~ 2040초에 최대 피크 시간이 있는 것이 더 바람직하다.
＜시간(A1＇)·시간(B1＇)＞
제1 실시형태의 필름상 소성재료는, 필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자를 제외한 성분에 대해서, 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 열중량 곡선(TG 곡선)에서, 음의 기울기가 가장 큰 승온 개시 후의 시간(A1＇)과 상기 소결성 금속 입자에 대해서, 알루미나 입자를 참조시료로서 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 승온 개시 후 960초부터 2160초의 시간 범위에서 관측되는 피크 내 최단 시간에 관측되는 피크 시간(B1＇)이, B1＇＜A1＇의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
상기 TG 곡선은, 대기 분위기 하, 소성으로서 가열 처리되는 과정에서, 필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자를 제외한 성분의 중량 변화를 나타낸 것이다.
상기 DTA 곡선은, 대기 분위기 하에서 소성으로서 가열 처리되는 과정에서, 소결성 금속 입자의 시차열 변화를 나타낸 것이다.
제1 실시형태의 필름상 소성재료가 비소결성 금속 입자를 포함하는 경우의 제1 실시형태의 필름상 소성재료는, 필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자를 제외한 성분에 대해서, 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 열중량 곡선(TG 곡선)에서, 음의 기울기가 가장 큰 승온 개시 후의 시간(A1＇)과 상기 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자에 대해서, 알루미나 입자를 참조시료로서 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 승온 개시 후 960초부터 2160초의 시간 범위에서 관측되는 피크 내 최단 시간에 관측되는 피크 시간(B1＇)이 B1＇＜A1＇의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
소성 전의 필름상 소성재료에 포함되어 있던 바인더 성분을 포함하는 필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자를 제외한 성분은, 대기 분위기 하, 가열에 의해 중량이 감소하고, 이 현상은, TG 곡선에서의 음의 기울기로서 나타난다.
소성 전의 필름상 소성재료에 포함되어 있던 소결성 금속 입자는, 대기 분위기 하, 가열에 의해 융해와 소결이 생기고, 융해 현상은 DTA 곡선에서의 음의 피크, 소결 현상은 DTA 곡선에서의 양의 피크로서 나타난다.
시간(A1＇) 및 시간(B1＇)이, B1＇＜A1＇의 관계를 만족하는 것은, 가열 처리되는 과정에서, 필름상 소성재료의 소결성 금속 입자의 주위에 분포하는 성분이 중량 감소하는 타이밍과 비교해, 소결성 금속 입자의 융해와 소결이 빨리 개시되는 것 의미하고 있다고 생각된다. 따라서, B1＇＜A1＇의 관계를 만족하는 필름상 소성재료는, 소결성 금속 입자의 주위에 분포하는 성분에 의해서 각각이 격리된 상태가 되어, 미립자상인 채 융해하기 쉽고, 시간(A1＇)에 도달한 시점에서 이러한 충돌빈도가 급격하게 높아져, 미립자상인 채 융해한 소결성 금속 입자끼리 소결되기 쉽다. 그 결과, B1＇＜A1＇의 관계를 만족하는 필름상 소성재료에서는, 소결성 금속끼리 균일하고 조밀하게 금속결합하게 되어, 소결 후의 재료의 강도가 향상된다고 생각된다.
상기 시간(A1＇)와 시간(B1＇)는, 소성 전의 필름상 소성재료로부터, 소결성 금속 입자와 상기 소결성 금속 입자를 제외한 성분을 분리하고, 분리된 각각의 샘플에 대한 TG 곡선과 DTA 곡선으로부터 구할 수 있다.
소성 전의 필름상 소성재료로부터의 소결성 금속 입자와 상기 소결성 금속 입자를 제외한 나머지의 성분의 분리는, 예를 들면, 이하의 방법에 따라 행할 수 있다.
우선, 소성 전의 필름상 소성재료와 충분량의 유기 용매를 혼합한 후에 이것을 소결성 금속 입자가 침강할 때까지 충분한 시간 동안 정치한다. 이 상청액을 실린지 등으로 빼내, 120℃에서 10분간 건조한 후의 잔류물을 회수하는 것으로, 필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자를 제외한 성분을 분취할 수 있다. 또한 상기 실린지 등으로 상청액을 빼낸 후 소결성 금속 입자가 포함되는 액체에 대해서, 다시 충분량의 유기 용매를 혼합한 후에 이것을 소결성 금속 입자가 침강할 때까지 충분한 시간 동안 정치하고, 상청액을 실린지 등으로 빼낸다.
이 유기 용매의 혼합과 정치 및 상청액의 빼냄을 5회 이상 반복한 후, 남은 액체를 120℃에서 10분간 건조한 후의 잔류물을 회수하는 것으로, 소결성 금속 입자를 분취할 수 있다.
이것은, 제1 실시형태의 필름상 소성재료가 비소결성 금속 입자를 포함하는 경우에도 마찬가지이고, 상기 시간(A1＇)과 시간(B1＇)는, 소성 전의 필름상 소성재료로부터, 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자와 상기 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자를 제외한 성분을 분리하고, 분리된 각각의 샘플에 대한 TG 곡선과 DTA 곡선으로부터 구할 수 있다.
소성 전의 필름상 소성재료로부터의 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자와 상기 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자를 제외한 나머지의 성분의 분리는, 예를 들면, 이하의 방법에 따라 행할 수 있다.
우선, 소성 전의 필름상 소성재료와 충분량의 유기 용매를 혼합한 후에 이것을 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자가 침강할 때까지 충분한 시간 동안 정치한다. 이 상청액을 실린지 등으로 빼내, 120℃에서 10분간 건조한 후의 잔류물을 회수하는 것으로, 필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자를 제외한 성분을 분취할 수 있다. 또한 상기 실린지 등으로 상청액을 빼낸 후 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자가 포함되는 액체에 대해서, 다시 충분량의 유기 용매를 혼합한 후에 이것을 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자가 침강할 때까지 충분한 시간 동안 정치하고, 상청액을 실린지 등으로 빼낸다. 이 유기 용매의 혼합과 정치 및 상청액의 빼냄을 5회 이상 반복한 후, 남은 액체를 120℃에서 10분간 건조한 후의 잔류물을 회수하는 것으로, 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자를 분취할 수 있다.
여기서 이용되는 용매는, 바인더 성분을 용해할 수 있고, 또한 상기 120 ~ 250℃에서 10 분간의 건조 조건에서 휘발시킬 수 있는 것이 바람직하고, 바인더 성분의 종류 등에 따라 바람직한 것을 적절히 사용할 수 있다. 예를 들면, 톨루엔, 크실렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸 알코올(2-메틸프로판-1-올), 1-부탄올 등의 알코올; 아세트산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드결합을 가지는 화합물) 등을 들 수 있다.
＜흡열 피크＞
제1 실시형태의 필름상 소성재료는, 상기 필름상 소성재료에 대해서, 알루미나 입자를 참조시료로서 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 승온 개시 후 0초부터 2160초의 시간 범위에서의 흡열 피크를 갖지 않는 것이 바람직하다.
상기 DTA 곡선은, 필름상 소성재료가 소성으로서 가열 처리되는 과정에서, 필름상 소성재료의 시차열 변화를 나타낸 것이다.
DTA 곡선에 흡열 피크가 인정되는 경우, 필름상 소성재료에 승온 개시 후 0초부터 2160초에 필름상 소성재료로부터 열을 흡수해 변화하는 (예를 들면 증발한다) 성질의 성분이 포함되어 있다고 생각된다. 즉, 성분의 증발이 생기고 여기에 따르는 기화열이 필요하다고 생각될 수 있다. 혹은 흡열해 열분해하는 성분이 많이 포함되어 소결에 의해 발생되는 열량을 상회하고 있는 것을 나타낸다.
따라서, 제1 실시형태의 필름상 소성재료에는, 승온 개시 후 0초부터 2160초에 필름상 소성재료로부터 증발하는 성질을 가지는 성분의 함유량이 적거나 또는 포함되지 않은 것이 바람직하다. 또한 열분해에 많은 열량을 흡수해, 소결에 의한 발열과정을 방해하는 성분의 함유량이 적거나 또는 포함되지 않은 것이 바람직하다.
여기서, 필름상 소성재료에 대해서 DTA 곡선을 측정하기 전에는, 필름상 소성재료에 대해서 건조 등의 전처리를 행해, 불순물로서 흡습된 수분이 계측되지 않게 해 두는 것이 추천된다. 건조 처리 조건으로서는, 110℃에서 4분간을 들 수 있다.
DTA 곡선에서, 승온 개시 후 0초부터 2160초의 시간 범위에서의 흡열 피크를 갖지 않는 것으로, 소결성 금속 입자의 주위에 분포하는 성분이 감소할 우려가 없고, 소결성 금속 입자의 주위에 분포하는 성분에 의해서 입자 각각이 격리된 상태가 되기 쉽다. 그 결과, DTA 곡선에서, 승온 개시 후 0초부터 2160초의 시간 범위에서의 흡열 피크를 갖지 않는 필름상 소성재료에서는, 소결성 금속끼리 균일하고 조밀하게 금속결합을 형성하게 되어, 소결 후의 재료의 강도가 향상되기 쉽다. 또한, 소성에 필요한 에너지의 로스를 저감시켜, 양호한 환경에서의 소성이 실현된다. 또한, 이것에 의해, 필름상 소성재료의 소성 후의 전단 접착력이 향상한다고 생각된다.
상기의 제1 실시형태의 필름상 소성재료에 따르면, 필름상이기 때문에, 두께 안정성이 우수하다. 또한, 제1 실시형태의 필름상 소성재료는 소결성 금속 입자를 포함하기 때문에, 열전도성이 우수하다. 또한, 제1 실시형태의 필름상 소성재료는, 상기 A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 만족하고, 또한 A1＜2000초인 것으로, 소성 후에 우수한 전단 접착력을 발휘한다.
［제2 실시형태의 필름상 소성재료］
제2 실시형태의 필름상 소성재료가 상기에 나타내는 조성을 가지는 것으로, 상기 온도(A2)와 상기 온도(B2)가 A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 가지는 필름상 소성재료가 얻어지기 쉽다.
제2 실시형태의 필름상 소성재료에는, 소결성 금속 입자, 비소결성 금속 입자, 바인더 성분 및 그 외의 첨가제 성분을 혼합할 때에 사용하는 고비점 용매가 포함되어 있어도 좋다. 제2 실시형태의 필름상 소성재료의 총 질량 100질량%에 대한, 고비점 용매의 함유량은, 20질량% 이하가 바람직하고, 15질량% 이하가 보다 바람직하고, 10질량% 이하가 더 바람직하다. 고비점 용매의 함유량이 상기의 상한치 이하인 것으로, 상기 온도(A2)와 상기 온도(B2)가 A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 가지는 필름상 소성재료가 얻어지기 쉽다. 또한, 질소 분위기 하의 측정에 의한 상기 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 25℃부터 400℃의 온도 범위에서의 흡열 피크를 갖지 않는 필름상 소성재료가 얻어지기 쉽다.
＜온도(A2)·온도(B2)＞
제2 실시형태의 필름상 소성재료는, 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 열중량 곡선(TG 곡선)에서, 음의 기울기가 가장 큰 온도(A2)와 알루미나 입자를 참조시료로서 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 25℃부터 400℃의 온도 범위에서의 최대 피크 온도(B2)가, A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 만족하는 것이다.
상기 TG 곡선은, 질소 분위기 하, 필름상 소성재료가 가열 처리되는 과정에서, 필름상 소성재료의 중량 변화를 나타낸 것이다.
상기 DTA 곡선은, 질소 분위기 하, 필름상 소성재료가 가열 처리되는 과정에서, 필름상 소성재료의 시차열 변화를 나타낸 것이다.
이하, 질소 분위기 하의 측정에 의한 TG 곡선 및 DTA 곡선으로부터 추정되는, 소성 과정에서의 필름상 소성재료의 형태를, 적절히 도면을 참조하면서 설명한다.
도 2는, A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 만족하는 필름상 소성재료(1)의, 소성 전(도 2(a)), 소성 중(도 2(b)), 소성 후(도 2(c))에 대해서 추정되는 형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
소성 전의 필름상 소성재료(도 2(a))에 포함되어 있는 바인더 성분(20)은, 가열에 의해 중량이 감소하고(도 2(b) ~ (c)), 이 현상은, TG 곡선에서의 음의 기울기로서 나타난다.
소성 전의 필름상 소성재료(도 2(a))에 포함되어 있는 바인더 성분(20)은 가열 시에 흡열함으로써 열분해하고, 소성 전의 필름상 소성재료(도 2(a))에 포함되어 있는 소결성 금속 입자(10)는, 가열 시에 흡열함으로써 융해(도 2(b))하고, 그 후 발열하면서 소결(도 2(c)) 한다. 이 흡발열과정은 DTA 곡선으로서 관측되지만, 소결 과정이 충분히 진행된 경우, 발열량이 크고, 필름상 소성재료(도 2(a))에 포함되어 있던 바인더 성분(20)의 열분해 및 소결성 금속 입자(10)의 융해에 의한 흡열량을 크게 웃돈다. 즉 측정으로 얻어지는 DTA 곡선에서는 발열에 의한 양의 시차열만이 관측되고 피크로서 나타난다.
온도(A2) 및 온도(B2)가, A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 만족하는 것은, 바인더 성분의 감소에 계속되는 직후의 가열 온도에서, 소결성 금속 입자의 융해와 소결이 완료되는 것을 의미하고 있다고 생각된다. 연소온도는 금속 입자의 크기에 관계하고, 금속 입자가 작을수록 연소온도가 낮아지는 경향이 있는 것이 일반적으로 알려져 있다. 따라서, A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 만족하는 필름상 소성재료(1)는, 소결의 개시 단계에서 소결성 금속 입자끼리의 응집이나 융착이 확인되지 않고, 미립자상인 채 융해한 소결성 금속 입자(10m)끼리 소결되는 것이 추정된다.
도 3은, A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 만족하지 않고, B2의 온도가 A2＋60℃보다도 큰 소성재료(1c)의, 소성 전(도 3(a)), 소성 중(도 3(b)), 소성 후(도 3(c))에 대해서 추정되는 형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 소성 전의 필름상 소성재료(도 3(a))에 포함되어 있던 바인더 성분(21)도, 가열에 의해 중량이 감소하고(도 3(b) ~ (c)), 이 현상도, TG 곡선에서의 음의 기울기로서 나타난다.
소성 전의 필름상 소성재료(도 3(a))에 포함되어 있는 바인더 성분(21)도 가열 시에 흡열함으로써 열분해하고, 그 후, 소성 전의 필름상 소성재료(도 3(a))에 포함되어 있는 소결성 금속 입자(11)가, 흡열에 의한 융해와 발열에 의한 소결(도 3(c))을 일으킨다. 이 소결성 금속 입자(11)의 흡발열과정은, 바인더 성분(21)이 이미 존재하고 있지 않거나 또는 존재하고 있어도 미량이기 때문에, 거의 동시에 일어나지만, 소결에 의한 발열량이 크기 때문에, DTA 곡선에서는 발열과정을 나타내는 양의 피크만이 나타난다.
온도(A2) 및 온도(B2)가, A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 만족하지 않는 것은, 바인더 성분의 감소에 계속되는 직후의 가열 온도에서, 소결성 금속 입자의 소성이 완료되지 않는 것을 의미하고 있다고 생각된다. 연소온도는 금속 입자의 크기에 관계하고, 금속 입자가 클수록 연소온도가 높아지는 경향이 있다. 따라서, 예를 들면, A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 만족하지 않고, B2의 온도가 A2＋60℃보다도 큰 소성재료(1c)에서는, 소결의 단계에서 소결성 금속 입자의 사이즈가 큰 것이 추정된다. 이것은 아마, 가열에 의한 바인더 성분의 감소가, 소결성 금속 입자의 융해 및 소결의 피크 이전에 진행하기 때문에, 소결의 개시 단계에서 소결성 금속 입자(11)가 어느 정도의 크기의 덩어리를 형성해 버려, 괴상이 된 금속 입자가 소결됨으로써, 온도(B2)가 상승한다고 생각된다.
또한, 발명자들은, 온도(A2) 및 온도(B2)가, A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 만족하는 필름상 소성재료는, 소성 후의 전단 접착력이 우수한 것을 찾아냈다.
A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 만족하지 않고, B2의 온도가 A2＋60℃보다도 큰 소성재료에서는, 괴상이 된 소결성 금속 입자가 소결됨으로써, 소결이 충분하지 않은 경우나, 소결하고 있지 않는 개소가 많이 남게 되어, 소결 후의 재료는 접착 강도(전단 접착력의 강도)가 부족한 것이 된다고 생각된다. 또는, 피착체와의 접착 계면에서 공극이 발생하기 쉬워져, 접착 면적이 작아져 버리는 것으로 접착 강도가 저하한다고 생각된다.
반면, A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 만족하는 필름상 소성재료에서는, 미립자상인 채 융해한 소결성 금속 입자가 소결됨으로써, 소결성 금속끼리 균일하고 조밀하게 금속결합하게 되어, 소결 후의 재료의 접착 강도가 향상된다고 생각된다.
필름상 소성재료의, 소성 후의 전단 접착력은, 실시예에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다.
제2 실시형태의 필름상 소성재료는, 상기 온도(A2)와 상기 온도(B2)가, A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 만족하는 것이고, 예를 들면 A2＜B2＜A2＋50℃의 관계를 만족하는 것이어도 좋고, A2＜B2＜A2＋40℃의 관계를 만족하는 것이어도 좋고, A2＜B2＜A2＋30℃의 관계를 만족하는 것이어도 좋다.
25℃부터 400℃의 온도 범위에서의 최대 피크 온도(B2)는, 알루미나 입자를 참조시료로서 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 200 ~ 400℃에 최대 피크 온도가 있는 것이 바람직하고, 220 ~ 390℃에 최대 피크 온도가 있는 것이 보다 바람직하고, 250 ~ 380℃에 최대 피크 온도가 있는 것이 더 바람직하다.
＜온도(A2＇)·온도(B2＇)＞
제2 실시형태의 필름상 소성재료는, 필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자를 제외한 성분에 대해서, 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 열중량 곡선(TG 곡선)에서, 음의 기울기가 가장 큰 온도(A2＇)와 상기 소결성 금속 입자에 대해서, 알루미나 입자를 참조시료로서 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 200℃부터 400℃의 온도 범위에서 관측되는 피크 내 가장 저온에서 관측되는 피크 온도(B2＇)가, B2＇＜A2＇의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
상기 TG 곡선은, 질소 분위기 하, 소성으로서 가열 처리되는 과정에서, 필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자를 제외한 성분의 중량 변화를 나타낸 것이다.
상기 DTA 곡선은, 질소 분위기 하, 소성으로서 가열 처리되는 과정에서, 소결성 금속 입자의 시차열의 온도 변화를 나타낸 것이다.
제2 실시형태의 필름상 소성재료가 비소결성 금속 입자를 포함하는 경우의 제2 실시형태의 필름상 소성재료는, 필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자를 제외한 성분에 대해서, 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 열중량 곡선(TG 곡선)에서, 음의 기울기가 가장 큰 온도(A2＇)와 상기 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자에 대해서, 알루미나 입자를 참조시료로서 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 200℃부터 400℃의 온도 범위에서 관측되는 피크 내 가장 저온에서 관측되는 피크 온도(B2＇)가 B2＇＜A2＇의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
소성 전의 필름상 소성재료에 포함되어 있던 바인더 성분을 포함하는 필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자를 제외한 성분은, 질소 분위기 하, 가열에 의해 중량이 감소하고, 이 현상은, TG 곡선에서의 음의 기울기로서 나타난다.
소성 전의 필름상 소성재료에 포함되어 있던 소결성 금속 입자는, 질소 분위기 하, 가열에 의해 융해와 소결이 생겨 융해 현상은 DTA 곡선에서의 음의 피크, 소결 현상은 DTA 곡선에서의 양의 피크로서 나타난다.
온도(A2＇) 및 온도(B2＇)가 B2＇＜A2＇의 관계를 만족하는 것은, 가열 처리되는 과정에서, 필름상 소성재료의 소결성 금속 입자의 주위에 분포하는 성분이 중량 감소하는 타이밍과 비교해, 소결성 금속 입자의 융해와 소결이 빨리 개시되는 것을 의미한다고 생각된다. 따라서, B2＇＜A2＇의 관계를 만족하는 필름상 소성재료는, 소결성 금속 입자의 주위에 분포하는 성분에 의해서 각각이 격리된 상태가 되어, 미립자상인 채 융해하기 쉽고, 온도(A2＇)에 도달한 시점에서 이러한 충돌빈도가 급격하게 높아져, 미립자상인 채 융해한 소결성 금속 입자끼리 소결되기 쉽다. 그 결과, B2＇＜A2＇의 관계를 만족하는 필름상 소성재료에서는, 소결성 금속끼리 균일하고 조밀하게 금속결합하게 되어, 소결 후의 재료의 강도가 향상된다고 생각된다.
상기 온도(A2＇)와 온도(B2＇)는, 소성 전의 필름상 소성재료로부터, 소결성 금속 입자와 상기 소결성 금속 입자를 제외한 성분을 분리하고, 분리된 각각의 샘플에 대한 TG 곡선과 DTA 곡선으로부터 구할 수 있다.
소성 전의 필름상 소성재료로부터의 소결성 금속 입자와 상기 소결성 금속 입자를 제외한 나머지의 성분의 분리는, 예를 들면, 이하의 방법에 따라 행할 수 있다.
우선, 소성 전의 필름상 소성재료와 충분량의 유기 용매를 혼합한 후에 이것을 소결성 금속 입자가 침강할 때까지 충분한 시간 동안 정치한다. 이 상청액을 실린지 등으로 빼내, 120℃에서 10분간 건조한 후의 잔류물을 회수하는 것으로, 필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자를 제외한 성분을 분취할 수 있다. 또한 상기 실린지 등으로 상청액을 빼낸 후 소결성 금속 입자가 포함되는 액체에 대해서, 다시 충분량의 유기 용매를 혼합한 후에 이것을 소결성 금속 입자가 침강할 때까지 충분한 시간 동안 정치하고, 상청액을 실린지 등으로 빼낸다.
이 유기 용매의 혼합과 정치 및 상청액의 빼냄을 5회 이상 반복한 후, 남은 액체를 120℃에서 10분간 건조한 후의 잔류물을 회수하는 것으로, 소결성 금속 입자를 분취할 수 있다.
이것은, 제2 실시형태의 필름상 소성재료가 비소결성 금속 입자를 포함하는 경우에도 마찬가지이고, 상기 온도(A2＇)와 온도(B2＇)는, 소성 전의 필름상 소성재료로부터, 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자와 상기 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자를 제외한 성분을 분리하고, 분리된 각각의 샘플에 대한 TG 곡선과 DTA 곡선으로부터 구할 수 있다.
소성 전의 필름상 소성재료로부터의 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자와 상기 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자를 제외한 나머지의 성분과의 분리는, 예를 들면, 이하의 방법에 따라 행할 수 있다.
우선, 소성 전의 필름상 소성재료와 충분량의 유기 용매를 혼합한 후에 이것을 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자가 침강할 때까지 충분한 시간 동안 정치한다. 이 상청액을 실린지 등으로 빼내고, 120℃에서 10분간 건조한 후의 잔류물을 회수하는 것으로, 필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자를 제외한 성분을 분취할 수 있다. 또한 상기 실린지 등으로 상청액을 빼낸 후 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자가 포함되는 액체에 대해서, 다시 충분량의 유기 용매를 혼합한 후에 이것을 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자가 침강할 때까지 충분한 시간 동안 정치하고, 상청액을 실린지 등으로 빼낸다. 이 유기 용매의 혼합과 정치 및 상청액의 빼냄을 5회 이상 반복한 후, 남은 액체를 120℃에서 10분간 건조한 후의 잔류물을 회수하는 것으로, 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자를 분취할 수 있다.
여기서 이용되는 용매는, 바인더 성분을 용해할 수 있고, 또한 상기 120 ~ 250℃/분의 건조 조건에서 휘발시킬 수 있는 것이 바람직하고, 바인더 성분의 종류 등에 따라 바람직한 것을 적절히 사용할 수 있다. 예를 들면, 톨루엔, 크실렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸 알코올(2-메틸프로판-1-올), 1-부탄올 등의 알코올; 아세트산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드결합을 가지는 화합물) 등을 들 수 있다.
＜흡열 피크＞
제2 실시형태의 필름상 소성재료는, 상기 필름상 소성재료에 대해서, 알루미나 입자를 참조시료로서 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 25℃부터 400℃의 온도 범위에서의 흡열 피크를 갖지 않는 것이 바람직하다.
상기 DTA 곡선은, 필름상 소성재료가 소성으로서 가열 처리되는 과정에서, 필름상 소성재료의 시차열의 온도 변화를 나타낸 것이다.
DTA 곡선에 흡열 피크가 인정되는 경우, 필름상 소성재료에 25℃부터 400℃에서 필름상 소성재료로부터 열을 흡수해 변화하는 (예를 들면 증발하는) 성질의 성분이 포함되어 있다고 생각된다. 즉, 성분의 증발이 생기고 여기에 따르는 기화열이 필요하다고 생각될 수 있다. 혹은 흡열해 열분해하는 성분이 많이 포함되고 소결에 의해 발생되는 열량을 상회하고 있는 것을 나타낸다.
따라서, 제2 실시형태의 필름상 소성재료에는, 25℃부터 400℃에서 필름상 소성재료로부터 증발하는 성질을 가지는 성분의 함유량이 적거나 또는 포함되지 않은 것이 바람직하다. 또한 열분해에 많은 열량을 흡수하고, 소결에 의한 발열과정을 방해하는 성분의 함유량이 적거나 또는 포함되지 않은 것이 바람직하다.
여기서, 필름상 소성재료에 대해서 DTA 곡선을 측정하기 전에는, 필름상 소성재료에 대해서 건조 등의 전처리를 행해, 불순물로서 흡습된 수분이 계측되지 않게 해 두는 것이 추천된다. 건조 처리 조건으로서는, 110℃에서 4분간을 들 수 있다.
DTA 곡선에서, 25℃부터 400℃의 온도 범위에서의 흡열 피크를 갖지 않는 것으로, 소결성 금속 입자의 주위에 분포하는 성분이 감소할 우려가 없고, 소결성 금속 입자의 주위에 분포하는 성분에 의해서 입자 각각이 격리된 상태가 되기 쉽다. 그 결과, DTA 곡선에서, 25℃부터 400℃의 온도 범위에서의 흡열 피크를 갖지 않는 필름상 소성재료에서는, 소결성 금속끼리 균일하고 조밀하게 금속결합을 형성하게 되고, 소결 후의 재료의 강도가 향상되기 쉽다. 또한, 소성에 필요한 에너지의 로스를 저감시키고, 양호한 환경에서의 소성이 실현된다. 또한, 이것에 의해, 필름상 소성재료의 소성 후의 전단 접착력이 향상한다고 생각된다.
상기의 제2 실시형태의 필름상 소성재료에 따르면, 필름상이기 때문에, 두께 안정성이 우수하다. 또한, 제2 실시형태의 필름상 소성재료는 소결성 금속 입자를 포함하기 때문에, 열전도성이 우수하다. 또한, 제2 실시형태의 필름상 소성재료는, 상기 A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 만족하는 것으로, 소성 후에 우수한 전단 접착력을 발휘한다.
≪필름상 소성재료의 제조 방법≫
필름상 소성재료는, 그 구성 재료를 함유하는 소성재료 조성물을 이용하여 형성할 수 있다.
예를 들면, 필름상 소성재료의 형성 대상면에, 필름상 소성재료를 구성하기 위한 각 성분 및 용매를 포함하는 소성재료 조성물을 도공하고, 필요에 따라서 건조시켜 용매를 휘발시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 필름상 접착제를 형성할 수 있다.
용매로서는, 비점이 250℃ 미만인 것이 바람직하고, 비점이 200℃ 미만인 것이 보다 바람직하고, 예를 들어 n-헥산(비점：68℃), 아세트산에틸(비점：77℃), 2-부타논(비점：80℃), n-헵탄(비점：98℃), 메틸시클로헥산(비점：101℃), 톨루엔(비점：111℃), 아세틸아세톤(비점：138℃), n-크실렌(비점：139℃), 디메틸포름아미드(비점：153℃) 및 부틸 카비톨(비점：230℃) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 좋고, 또한 조합하여 사용해도 좋다.
필름상 소성재료의 형성 대상면으로서는, 박리 필름의 표면을 들 수 있다.
소성재료 조성물의 도공은, 공지의 방법으로 행하면 좋고, 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 콤마(Comma)(등록상표) 코터, 롤코터, 롤 나이프 코터, 커텐 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 마이어 바 코터(Mayer bar coater), 키스 코터(kiss coater) 등의 각종 코터를 이용하는 방법을 들 수 있다.
소성재료 조성물의 건조 조건은, 특별히 한정되지 않지만, 소성재료 조성물이 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하고, 이 경우, 예를 들면 70 ~ 250℃, 예를 들면 80 ~ 180℃에서, 10초 ~ 10 분의 조건에서 건조시키는 것이 바람직하다.
≪지지 시트를 가지는 필름상 소성재료≫
실시형태의 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료는, 상기 필름상 소성재료와 상기 필름상 소성재료의 적어도 한쪽의 측에 설치된 지지 시트를 구비한다. 상기 지지 시트는, 기재 필름 상의 전면 혹은 외주부에 점착제층이 설치된 것이고, 상기 점착제층 상에 상기 필름상 소성재료가 설치되어 있는 것이 바람직하다. 상기 필름상 소성재료는, 점착제층에 직접 접촉해서 설치되어도 좋고, 기재 필름에 직접 접촉해서 설치되어도 좋다. 본 형태를 취하는 것으로, 반도체 웨이퍼를 소자로 개편화할 때에 사용하는 다이싱 시트로서 사용할 수 있다. 또한 블레이드 등을 이용하여 웨이퍼와 함께 개편화하는 것으로 소자와 동형의 필름상 소성재료로서 가공할 수 있고, 또한 필름상 소성재료를 가지는 반도체소자를 제조할 수 있다.
이하, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료의 실시형태에 대해 설명한다. 도 4 및 도 5에, 본 실시형태의 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료의 개략 단면도를 나타낸다. 도 4, 도 5에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태의 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료(100a, 100b)는, 외주부에 점착부를 가지는 지지 시트(2)의 내주부에, 필름상 소성재료(1)가 박리할 수 있게 가착되어 이루어진다. 지지 시트(2)는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 기재 필름(3)의 상면에 점착제층(4)을 가지는 점착 시트이고, 점착제층(4)의 내주부 표면이, 필름상 소성재료로 덮이고, 외주부에 점착부가 노출된 구성이 된다. 또한, 도 5에 나타낸 바와 같이, 지지 시트(2)는, 기재 필름(3)의 외주부에 링상의 점착제층(4)을 가지는 구성이어도 좋다.
필름상 소성재료(1)는, 지지 시트(2)의 내주부에, 첩부되는 워크(반도체 웨이퍼 등)와 대략 같은 형상으로 형성되어 이루어진다. 지지 시트(2)의 외주부에는 점착부를 가진다. 바람직한 형태에서는, 지지 시트(2)보다도 소경(小徑)의 필름상 소성재료(1)가 원형의 지지 시트(2) 상에 동심원상으로 적층되어 있다. 외주부의 점착부는, 도시한 바와 같이, 링 프레임(5)의 고정에 이용된다.
(기재 필름)
기재 필름(3)으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 에틸렌·프로필렌 공중합체, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 에틸렌·아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 메틸 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산에틸 공중합체, 폴리염회비닐, 염화비닐·아세트산 비닐 공중합체, 폴리우레탄필름, 아이오노머 등으로 이루어지는 필름 등이 이용된다. 또한 본 명세서에서 「(메타)아크릴」은, 아크릴 및 메타크릴의 양쪽을 포함하는 의미로 이용한다.
또한 지지 시트에 대해서 보다 높은 내열성이 요구되는 경우에는, 기재 필름(3)으로서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀 필름 등을 들 수 있다. 또한, 이들의 가교 필름이나 방사선·방전 등에 의한 개질 필름도 이용할 수 있다. 기재 필름은 상기 필름의 적층체이어도 좋다.
또한, 이러한 필름은, 2 종류 이상을 적층하거나 조합하여 이용하거나 할 수도 있다. 또한 이러한 필름을 착색한 것, 혹은 인쇄를 실시한 것 등도 사용할 수 있다. 또한, 필름은 열가소성 수지를 압출 성형에 의해 시트화한 것이어도 좋고, 연신된 것이어도 좋고, 경화성 수지를 소정 수단에 의해 박막화, 경화해 시트화한 것이 사용되어도 좋다.
기재 필름의 두께는 특별히 한정되지 않고, 바람직하게는 30 ~ 300μm, 보다 바람직하게는 50 ~ 200μm이다. 기재 필름의 두께를 상기 범위로 함으로써, 다이싱에 의한 노치가 행해지더라도 기재 필름에 단열(斷裂)이 일어나기 어렵다. 또한, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료에 충분한 가요성이 부여되기 때문에, 워크(예를 들면 반도체 웨이퍼 등)에 대해서 양호한 첩부성을 나타낸다.
기재 필름은, 표면에 박리제를 도포하고 박리 처리를 실시하는 것으로 얻을 수도 있다. 박리 처리에 이용되는 박리제로서는, 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화 폴리에스테르계, 폴리올레핀계, 왁스계 등이 이용되지만, 특히 알키드계, 실리콘계, 불소계의 박리제가 내열성을 가지므로 바람직하다.
상기의 박리제를 이용하여 기재 필름의 표면을 박리 처리하기 위해서는, 박리제를 그대로 무용제로, 또는 용제 희석이나 에멀젼화하여, 그라비아 코터, 메이어 바 코터, 에어 나이프 코터, 롤코터 등에 의해 도포하고, 박리제가 도포된 기재 필름을 상온 하 또는 가열 하에 제공하거나, 또는 전자선에 의해 경화시키거나 웨트 라미네이션이나 드라이 라미네이션, 열용융 라미네이션, 용융 압출 라미네이션, 공압출 가공 등에서 적층체를 형성하면 좋다.
(점착제층)
지지 시트(2)는, 적어도 그 외주부에 점착부를 가진다. 점착부는, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료(100a, 100b)의 외주부에 링 프레임(5)을 일시적으로 고정하는 기능을 가지고, 필요한 공정 후에는 링 프레임(5)이 박리할 수 있는 것이 바람직하다. 따라서, 점착제층(4)에는, 약(弱)점착성의 것을 사용해도 좋고, 에너지선 조사에 의해 점착력이 저하하는 에너지선 경화성의 것을 사용해도 좋다. 재박리성 점착제층은, 종래부터 공지의 여러 가지의 점착제(예를 들면, 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 우레탄계, 비닐 에테르계 등의 범용 점착제, 표면 요철이 있는 점착제, 에너지선 경화형 점착제, 열팽창성분 함유 점착제 등)에 의해 형성할 수 있다.
지지 시트(2)는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 기재 필름(3)의 상측 전면에 점착제층(4)을 가지는 통상의 구성의 점착 시트이고, 점착제층(4)의 내주부 표면이 필름상 소성재료로 덮이고, 외주부에 점착부가 노출된 구성이어도 좋다. 이 경우, 점착제층(4)의 외주부는, 상기한 링 프레임(5)의 고정에 사용되고, 내주부에는, 필름상 소성재료가 박리할 수 있게 적층된다. 점착제층(4)으로서는, 상기와 마찬가지로, 약점착성의 것을 사용해도 좋고, 또는 에너지선 경화성 점착제를 사용해도 좋다.
또한, 도 5에 나타낸 구성에서는, 기재 필름(3)의 외주부에 링상의 점착제층(4)을 형성해, 점착부로 한다. 이 때, 점착제층(4)은, 상기 점착제로 이루어지는 단층 점착제층이어도 좋고, 상기 점착제로 이루어지는 점착제층을 포함하는 양면 점착 테이프를 환상으로 절단한 것이어도 좋다.
약점착제로서는, 아크릴계, 실리콘계가 바람직하게 이용된다. 또한, 필름상 소성재료의 박리성을 고려하고, 점착제층(4)의 23℃에서의 SUS판에의 점착력은, 30 ~ 120 mN/25 mm인 것이 바람직하고, 50 ~ 100 mN/25 mm인 것이 더 바람직하고, 60 ~ 90 mN/25 mm인 것이 보다 바람직하다. 이 점착력이 너무 낮으면, 필름상 소성재료(1)와 점착제층(4)의 밀착성이 불충분하게 되어, 다이싱 공정에서 필름상 소성재료와 점착제층이 박리하거나 또는 링 프레임이 탈락하는 경우가 있다. 또한 점착력이 너무 높으면, 필름상 소성재료와 점착제층이 과도하게 밀착해, 픽업 불량의 원인이 된다.
도 4의 구성의 지지 시트에서, 에너지선 경화성의 재박리성 점착제층을 이용하는 경우, 필름상 소성재료가 적층되는 영역에 미리 에너지선 조사를 행해, 점착성을 저감시켜도 좋다. 이 때, 다른 영역은 에너지선 조사를 행하지 않고, 예를 들어 링 프레임(5)에의 접착을 목적으로, 점착력을 높은 채 유지해 두어도 좋다. 다른 영역에만 에너지선 조사를 행하지 않도록 하려면, 예를 들어 기재 필름의 다른 영역에 대응하는 영역에 인쇄 등에 의해 에너지선 차폐층을 설치해 기재 필름 측으로부터 에너지선 조사를 행하면 좋다. 또한, 도 4의 구성의 지지 시트에서는, 기재 필름(3)과 점착제층(4)의 접착을 강고하게 하기 위한, 기재 필름(3)의 점착제층(4)이 설치되는 면에는, 소망에 따라, 샌드 블래스트나 용제 처리 등에 의한 요철화 처리, 혹은 코로나 방전 처리, 전자선조사, 플라즈마처리, 오존·자외선조사 처리, 화염처리, 크롬산 처리, 열풍 처리 등의 산화 처리 등을 실시할 수 있다. 또한, 프라이머 처리를 가할 수도 있다.
점착제층(4)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 ~ 100μm, 더 바람직하게는 2 ~ 80μm, 특히 바람직하게는 3 ~ 50μm이다.
(지지 시트를 가지는 필름상 소성재료)
지지 시트를 가지는 필름상 소성재료는, 외주부에 점착부를 가지는 지지 시트의 내주부에 필름상 소성재료가 박리할 수 있게 가착(假着)되어 이루어진다. 도 4로 나타낸 구성예에서는, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료(100a)는, 기재 필름(3)과 점착제층(4)으로 이루어지는 지지 시트(2)의 내주부에 필름상 소성재료(1)가 박리할 수 있게 적층되고 지지 시트(2)의 외주부에 점착제층(4)이 노출되어 있다. 이 구성예에서는, 지지 시트(2)보다도 소경의 필름상 소성재료(1)가, 지지 시트(2)의 점착제층(4) 상에 동심원상으로 박리할 수 있게 적층되어 있는 것이 바람직하다.
상기 구성의 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료(100a)는, 지지 시트(2)의 외주부에 노출된 점착제층(4)에서, 링 프레임(5)에 첩부된다.
또한, 링 프레임에 대한 마진(점착 시트의 외주부에서 노출된 점착제층) 상에, 또한 환상의 양면 테이프 혹은 점착제층을 별도 설치해도 좋다. 양면 테이프는 점착제층/심재/점착제층의 구성을 가지고, 양면 테이프에서 점착제층은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐 에테르 등의 점착제가 이용된다. 점착제층은, 후술하는 소자를 제조할 때에, 그 외주부에서 링 프레임에 첩부된다. 양면 테이프의 심재로서는, 예를 들면, 폴리에스테르 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리카르보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름, 액정폴리머-필름 등이 바람직하게 이용된다.
도 5에 나타낸 구성예에서는, 기재 필름(3)의 외주부에 링상의 점착제층(4)을 형성해, 점착부로 한다. 도 6에, 도 5에서 나타내는 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료(100b)의 사시도를 나타낸다. 이 때, 점착제층(4)은, 상기 점착제로 이루어지는 단층 점착제층이어도 좋고, 상기 점착제로 이루어지는 점착제층을 포함하는 양면 점착 테이프를 환상으로 절단한 것이어도 좋다. 필름상 소성재료(1)는, 점착부에 둘러싸인 기재 필름(3)의 내주부에 박리할 수 있게 적층된다. 이 구성예에서는, 지지 시트(2)보다도 소경의 필름상 소성재료(1)가, 지지 시트(2)의 기재 필름(3) 상에 동심원상으로 박리할 수 있게 적층되어 있는 것이 바람직하다.
지지 시트를 가지는 필름상 소성재료에는, 사용에 제공할 때까지, 필름상 소성재료 및 점착부의 어느 하나 또는 그 양쪽 모두의 표면의, 외부와의 접촉을 피하기 위한 표면 보호를 목적으로 박리 필름을 설치해도 좋다.
표면 보호 필름(박리 필름)으로서는, 먼저 든 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 및 폴리프로필렌 등의 기재 필름 표면에 박리제를 도포하고 박리 처리를 실시하는 것으로 얻을 수도 있다. 박리 처리에 이용되는 박리제로서는, 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화 폴리에스테르계, 폴리올레핀계, 왁스계 등이 이용되지만, 특히 알키드계, 실리콘계, 불소계의 박리제가 내열성을 가지므로 바람직하다.
상기의 박리제를 이용하여 기재 필름의 표면을 박리 처리하기 위해서는, 박리제를 그대로 무용제로, 또는 용제 희석이나 에멀젼화하고, 그라비아 코터, 메이어 바 코터, 에어 나이프 코터, 롤 코터 등으로 도포하고, 박리제가 도포된 기재 필름을 상온 하 또는 가열 하에 제공하거나, 또는 전자선에 의해 경화시키거나 웨트 라미네이션이나 드라이 라미네이션, 열용융 라미네이션, 용융 압출 라미네이션, 공압출 가공 등으로 적층체를 형성하면 좋다.
지지 시트를 가지는 필름상 소성재료의 두께는, 1 ~ 500μm가 바람직하고, 5 ~ 300μm가 보다 바람직하고, 10 ~ 150μm가 더 바람직하다.
≪지지 시트를 가지는 필름상 소성재료의 제조 방법≫
상기 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료는, 상술의 각층을 대응하는 위치 관계가 되도록 순차 적층하는 것으로 제조할 수 있다.
예를 들면, 기재 필름 상에 점착제층 또는 필름상 소성재료를 적층하는 경우에는, 박리 필름 상에, 이것을 구성하기 위한 성분 및 용매를 함유하는 점착제 조성물 또는 소성재료 조성물을 도공하고, 필요에 따라서 건조시켜 용매를 휘발시켜 필름상으로 함으로써, 박리 필름 상에 점착제층 또는 필름상 소성재료를 미리 형성해 두고, 이 형성된 점착제층 또는 필름상 소성재료의 상기 박리 필름과 접촉되어 있는 측과는 반대 측의 노출면을, 기재 필름의 표면과 첩합하면 좋다. 이 때, 점착제 조성물 또는 소성재료 조성물은, 박리 필름의 박리 처리면에 도공하는 것이 바람직하다. 박리 필름은, 적층 구조의 형성 후, 필요에 따라서 없애면 좋다.
예를 들면, 기재 필름 상에 점착제층이 적층되어 상기 점착제층 상에 필름상 소성재료가 적층되어 이루어지 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료(지지 시트가 기재 필름 및 점착제층의 적층물인 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료)를 제조하는 경우에는, 상술의 방법으로, 기재 필름 상에 점착제층을 적층해 두고, 별도, 박리 필름 상에 이것을 구성하기 위한 성분 및 용매를 함유하는 소성재료 조성물을 도공하고, 필요에 따라서 건조시켜 용매를 휘발시켜 필름상으로 함으로써, 박리 필름 상에 필름상 소성재료를 형성해 두어, 이 필름상 소성재료의 노출면을, 기재 상에 적층된 점착제층의 노출면과 첩합해, 필름상 소성재료를 점착제층 상에 적층하는 것으로, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료가 얻어진다. 박리 필름 상에 필름상 소성재료를 형성하는 경우도, 소성재료 조성물은, 박리 필름의 박리 처리면에 도공하는 것이 바람직하고, 박리 필름은, 적층 구조의 형성 후, 필요에 따라서 없애면 좋다.
이와 같이, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료를 구성하는 기재 이외의 층은 모두, 박리 필름 상에 미리 형성해 두고, 목적으로 하는 층의 표면에 첩합하는 방법으로 적층할 수 있기 때문에, 필요에 따라서 이러한 공정을 채용하는 층을 적절히 선택하고, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료를 제조하면 좋다.
또한 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료는, 필요한 층을 모두 설치한 후, 그 지지 시트와는 반대 측의 최표층의 표면에, 박리 필름을 첩합하는 상태로 보관되어도 좋다.
≪소자의 제조 방법≫
다음에 본 발명과 관련되는 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료의 이용 방법으로 대해서, 상기 소성재료를 소자(예를 들면 반도체소자)의 제조에 적용한 경우를 예로 들어 설명한다.
본 발명의 일 실시형태로서 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료를 이용한 반도체소자의 제조 방법은, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료의 박리 필름을 박리해, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼(워크)의 이면에, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료를 첩부하고, 이하의 공정(1) ~ (2)를, (1), (2)의 순서로 행해도 좋고, 이하의 공정(1) ~ (4)를, (1), (2), (3), (4)의 순서로 행해도 좋다.
공정(1)：지지 시트, 필름상 소성재료, 및 반도체 웨이퍼(워크)가 이 순서로 적층된 적층체의, 반도체 웨이퍼(워크)와 필름상 소성재료를 다이싱하는 공정,
공정(2)：필름상 소성재료와 지지 시트를 박리해, 필름상 소성재료를 가지는 소자를 얻는 공정,
공정(3)：피착체의 표면에, 필름상 소성재료를 가지는 소자를 첩부하는 공정,
공정(4)：필름상 소성재료를 소성하고, 반도체소자와 피착체를 접합하는 공정.
이하, 상기 공정(1) ~ (4)를 행하는 경우에 대해 설명한다.
반도체 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼 및 실리콘카바이드 웨이퍼이어도 좋고, 또는 갈륨·비소 등의 화합물 반도체 웨이퍼이어도 좋다. 웨이퍼 표면에의 회로의 형성은 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래 범용되고 있는 방법을 포함하는 여러가지 방법에 따라 행할 수 있다. 그 다음에, 반도체 웨이퍼의 회로면의 반대 면 (이면)을 연삭한다. 연삭법은 특별히 한정은 되지 않고, 그라인더 등을 이용한 공지의 수단으로 연삭해도 좋다. 이면 연삭 시에는, 표면의 회로를 보호하기 위해서 회로면에, 표면 보호 시트로 불리는 점착 시트를 첩부한다. 이면 연삭은, 웨이퍼의 회로면측(즉 표면 보호 시트측)을 척 테이블 등에 의해 고정하고, 회로가 형성되어 있지 않은 이면측을 그라인더로 연삭한다. 웨이퍼의 연삭 후의 두께는 특별히 한정은 되지 않지만, 통상은 20 ~ 500μm 정도이다. 그 후, 필요에 따라 이면 연삭 시에 생긴 파쇄층을 제거한다. 파쇄층의 제거는, 케미컬 에칭이나, 플라즈마 에칭 등에 의해 행해진다.
그 다음에, 반도체 웨이퍼의 이면에, 상기 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료의 필름상 소성재료를 첩부한다. 그 후, 공정(1) ~ (4)를 (1), (2), (3), (4)의 순서로 행한다.
반도체 웨이퍼/필름상 소성재료/지지 시트의 적층체를, 웨이퍼 표면에 형성된 회로마다 다이싱 해, 반도체소자/필름상 소성재료/지지 시트의 적층체를 얻는다.
다이싱은, 웨이퍼와 필름상 소성재료를 함께 절단하도록 행해진다. 본 실시형태의 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료에 따르면, 다이싱 시에 필름상 소성재료와 지지 시트의 사이에 점착력이 발휘되기 때문에, 칩핑이나 소자 날림을 방지할 수 있어 다이싱 적성이 우수하다. 다이싱은 특별히 한정은 되지 않고, 일례로서 웨이퍼의 다이싱시에는 지지 시트의 주변부(지지체의 외주부)를 링 프레임으로 고정한 후, 다이싱블레이드 등의 회전 환인(丸刃)을 이용하는 등의 공지의 수법에 따라 웨이퍼의 개편화를 행하는 방법 등을 들 수 있다. 다이싱에 의한 지지 시트의 노치 깊이는, 필름상 소성재료를 완전히 절단하고 있어도 좋고, 필름상 소성재료와 지지 시트의 계면으로부터 0 ~ 30μm로 하는 것이 바람직하다. 지지 시트에의 노치량을 작게 함으로써, 다이싱블레이드의 마찰에 의한 지지 시트를 구성하는 점착제층이나 기재 필름의 용융이나, 버 등의 발생을 억제할 수 있다.
그 후, 상기 지지 시트를 익스팬드해도 좋다. 지지 시트의 기재 필름으로서 신장성이 우수한 것을 선택한 경우는, 지지 시트는, 우수한 익스팬드성을 가진다. 다이싱된 필름상 소성재료를 가지는 반도체소자를 콜렛(collet) 등의 범용 수단으로 픽업함으로써, 필름상 소성재료와 지지 시트를 박리한다. 이 결과, 이면에 필름상 소성재료를 가지는 반도체소자(필름상 소성재료를 가지는 반도체소자)가 얻어진다.
계속해서, 기판이나 리드 프레임, 히트 싱크 등의 피착체의 표면에, 필름상 소성재료를 가지는 소자를 첩부한다.
그 다음에 필름상 소성재료를 소성하고, 기판이나 리드 프레임 및 히트 싱크 등의 피착체와 소자를 소결 접합한다. 이 때, 필름상 소성재료를 가지는 반도체소자의 필름상 소성재료의 노출면을, 기판이나 리드 프레임 및 히트 싱크 등의 피착체에 첩부해 두면, 필름상 소성재료를 통해 반도체 웨이퍼(워크)와 상기 피착체를 소결 접합할 수 있다.
필름상 소성재료를 소성하는 가열 온도는, 필름상 소성재료의 종류 등을 고려해 적절히 정하면 좋지만, 100 ~ 600℃가 바람직하고, 150 ~ 550℃가 보다 바람직하고, 250 ~ 500℃가 더 바람직하다. 가열 시간은, 필름상 소성재료의 종류 등을 고려해 적절히 정하면 좋지만, 10초 ~ 60분이 바람직하고, 10초 ~ 30분이 보다 바람직하고, 10초 ~ 10분이 더 바람직하다.
필름상 소성재료의 소성은, 필름상 소성재료에 압을 가해 소성하는 가압소성을 행해도 좋다. 가압 조건은, 일례로서 1 ~ 50 MPa 정도로 할 수 있다.
본 실시형태의 소자의 제조 방법에 따르면, 두께의 균일성이 높은 필름상 소성재료를, 소자 이면에 간이(簡易)하게 형성할 수 있고 다이싱 공정이나 패키징 후의 크랙이 발생하기 어려워진다. 또한, 본 실시형태의 소자의 제조 방법에 따르면, 개별화된 반도체소자 이면에, 필름상 소성재료를 개별적으로 첩부하지 않고 필름상 소성재료를 가지는 반도체소자를 얻을 수 있어 제조 공정의 간략화를 도모할 수 있다. 그리고, 필름상 소성재료를 가지는 반도체소자를, 장치 기판 등의 소망한 피착체 상에 배치해 소성하는 것으로 필름상 소성재료를 통해 반도체소자와 상기 피착체가 소결 접합된 반도체 장치를 제조할 수 있다.
일 실시형태로서 반도체소자와 상기 필름상 소성재료를 구비하는, 필름상 소성재료를 가지는 반도체소자가 얻어진다. 필름상 소성재료를 가지는 반도체소자는, 일례로서 상기의 소자의 제조 방법에 따라 제조할 수 있다.
또한 상기 실시형태에서는, 필름상 소성재료의 반도체소자와 그 피착체의 소결 접합에 대해 예시했지만, 필름상 소성재료의 소결 접합 대상은, 상기에 예시한 것에 한정되지 않고, 필름상 소성재료와 접촉해 소결시킨 여러 가지의 물품에 대해, 소결 접합할 수 있다.
실시예
이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 한층 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이러한 실시예 등에 한정되는 것은 아니다.
＜소성재료 조성물의 제조＞
소성재료 조성물의 제조에 이용된 성분을 이하에 나타낸다. 여기에서는, 입자경 100 nm 이하의 금속 입자에 대해서 「소결성 금속 입자」라고 표기하고, 입자경 100 nm를 초과하는 금속 입자에 대해서 「비소결성 금속 입자」라고 표기하고 있다.
(소결성 금속 입자 내포 페이스트 재료)
·Alconano 은페이스트 ANP-1(유기 피복 복합은 나노 페이스트, APPLIED NANOPARTICLE LABORATORY CORPORATION ：알코올 유도체 피복 은 입자, 금속 함유량 70 wt% 이상, 평균입경 100 nm 이하의 은 입자 60 wt% 이상)
·Alconano 은페이스트 ANP-4(유기 피복 복합은 나노 페이스트, APPLIED NANOPARTICLE LABORATORY CORPORATION ：알코올 유도체 피복 은 입자, 금속 함유량 80 wt% 이상, 평균입경 100 nm 이하의 은 입자 25 wt% 이상)
(바인더 성분)
·아크릴 중합체 1(2-에틸헥실 메타크릴레이트 중합체, 중량평균분자량 280,000, L-0818, The Nippon Synthetic Chemical Industry Co.,Ltd. 제, MEK 희석품, 고형분 54.5질량%, Tg：-10℃(Fox의 이론식을 이용한 계산치))
·아크릴 중합체 2(메틸아크릴레이트/2-히드록시에틸아크릴레이트 공중합체, 공중합 중량 비율 85/15, 중량평균분자량 370,000, N-4617, The Nippon Synthetic Chemical Industry Co.,Ltd. 제, 아세트산에틸/톨루엔=1/1 혼합용매 희석품, 고형분 35.7질량%, Tg：4℃(Fox의 이론식을 이용한 계산치))
하기 표 1에 나타내는 배합으로, 각 성분을 혼합해, 실시예 1 ~ 2 및 비교예 1 ~ 2에 대응하는 소성재료 조성물을 얻었다. 표 1 중의 각 성분의 값은 질량부를 나타낸다. 소결성 금속 입자 내포 페이스트 재료가 고비점 용매를 포함해 판매되고, 또한 이것이 도공 후 혹은 건조 후의 필름상 소성용 재료 중에 잔존하고 있기 때문에, 소결성 금속 입자 내포 페이스트 재료의 성분은 이것들을 포함해 기재되어 있다. 바인더 성분 중의 용매는 건조 시에 휘발하는 것을 고려해, 용매성분을 제외한 고형분 질량부를 나타낸다.
＜필름상 소성재료의 제조＞
박리 필름(두께 38μm, SP-PET381031, LINTEC Corporation 제)의 한 면에, 상기에서 얻어진 소성재료 조성물을 도공하고, 110℃에서 4분간 건조시킴으로써, 표 1에 나타내는 두께를 가지는 필름상 소성재료를 얻었다.
＜필름상 소성재료로부터의 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자와 이것들을 제외한 성분의 분리 방법＞
소성 전의 필름상 소성재료와 중량으로 약 10 배량의 유기 용매를 혼합한 후에 이것을 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자가 침강할 때까지, 약 30분간 정치했다. 이 상청액을 실린지로 빼내고, 120℃에서 10분간 건조한 후의 잔류물을 회수하는 것으로, 필름상 소성재료로부터 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자를 제외한 성분을 분취했다. 또한 상기 실린지로 상청액을 빼낸 후 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자가 포함되는 액체에 대해서, 다시, 필름상 소성재료의 약 10 배량의 유기 용매를 혼합한 후에 이것을 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자가 침강할 때까지, 약 30분간 정치하고, 상청액을 실린지로 빼냈다. 이 유기 용매의 혼합과 정치 및 상청액의 빼냄을 5회 반복한 후, 남은 액체를 120℃에서 10분간 건조한 후, 잔류물을 회수하는 것으로, 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자를 분취했다.
＜필름상 소성재료의 평가＞
상기에서 얻어진 필름상 소성재료에 대해서, 하기 항목을 평가했다.
(대기 분위기 하의 TG/DTA의 측정)
상기에서 얻어진 필름상 소성재료에 대해서, 열분석 측정장치(열분석계 TG/DTA 동시측정 장치　DTG-60, Shimadzu Corporation 제)를 이용하여 측정 시료와 거의 동량의 알루미나 입자를 참조시료로서 대기 분위기 하, 승온 속도 10℃／분으로 40℃부터 600℃까지 측정해, TG 곡선 및 DTA 곡선을 구했다. 실시예 1의 결과를 도 7에, 실시예 2의 결과를 도 8에, 비교예 1의 결과를 도 9에, 비교예 2의 결과를 도 10에 나타낸다. 또한, TG 곡선에서 음의 기울기가 가장 큰 승온 개시 후의 시간(A1)과 DTA 곡선에서 승온 개시 후 0초부터 2160초의 시간 범위에서의 최대 피크 시간(B1)을 표 1에 나타낸다.
또한, 상기 분리 방법에 따라, 필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자를 제외한 성분에 대해서, TG 곡선에서 음의 기울기가 가장 큰 승온 개시 후의 시간(A1＇)과 DTA 곡선에서 승온 개시 후 960초부터 2160초의 시간 범위에서 관측되는 피크 내 최단 시간에 관측되는 피크 시간(B1＇)을 표 1에 나타낸다.
(질소 분위기 하의 TG/DTA의 측정)
상기에서 얻어진 필름상 소성재료에 대해서, 열분석 측정장치(열분석계 TG/DTA 동시측정 장치　DTG-60, Shimadzu Corporation 제)를 이용하여 측정 시료와 거의 동량의 알루미나 입자를 참조시료로서 질소 분위기 하, 승온 속도 10℃／분에 측정해, TG 곡선 및 DTA 곡선을 구했다. 실시예 1의 결과를 도 11에, 실시예 2의 결과를 도 12에, 비교예 1의 결과를 도 13에, 비교예 2의 결과를 도 14에 나타낸다. 또한, TG 곡선에서 음의 기울기가 가장 큰 온도(A2)와 DTA 곡선에서 25℃부터 400℃의 온도 범위에서의 최대 피크 온도(B2)를 표 1에 나타낸다.
또한, 상기 분리 방법에 따라, 필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자 및 비소결성 금속 입자를 제외한 성분에 대해서, TG 곡선에서 음의 기울기가 가장 큰 온도(A2＇)와 DTA 곡선에서의 200℃부터 400℃의 온도 범위에서 관측되는 피크 내 가장 저온에서 관측되는 피크 온도(B2＇)를 표 1에 나타낸다.
(전단 접착력의 측정)
필름상 소성재료의 소성 후의 전단 접착력은, 이하의 방법에 따라 측정했다.
상기에서 얻어진 필름상 소성재료를 10 mm×10 mm로 컷팅하고, 이것을 직경 10 mm의 단면을 가지는 높이 5 mm의, 원주체 형상의 구리 피착체의 상면에 첩부하고, 그 위에 직경 5 mm의 단면을 가지는 높이 2 mm의, 원주체 형상의 구리 피착체를 배치하고, 대기 분위기 하에서 또는 질소 분위기 하에서 하기 (1) ~ (3)의 조건에서 가압 소성해, 접합 접착력 측정용 시험편을 얻었다. 상온에서, 이 시험편의 접착면에 대해서 6 mm/분의 속도로 전단 방향으로부터 힘을 가해 접착 상태가 파괴할 때의 강도를 측정하고, 하기 가압소성 조건에서 얻은 시험편의 측정 결과 내, 가장 높은 접합 접착 강도를 나타낸 조건의 값의 평균치를 가지고, 전단 접착력으로 했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(1) 300℃/분, 30 MPa,
(2) 350℃/분, 10 MPa,
(3) 400℃/분, 10 MPa
(두께의 측정)
JIS　K7130에 준하고, 정압 두께측정기(TECLOCK 사 제, 제품명 「PG-02」)를 이용하여 측정했다.
Figure pct00001
실시예 1 ~ 2의 필름상 소성재료는, 비교예 1 ~ 2의 소성재료와 비교해, 전단 접착력이 높은 것이었다.
각 실시형태에서의 각 구성 및 이들의 조합 등은 일례이고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 구성의 부가, 생략, 치환, 및 그 외의 변경을 할 수 있다. 또한, 본 발명은 각 실시형태에 의해서 한정되지 않고, 청구항(클레임)의 범위에 의해서만 한정된다.
본 발명에 따르면, 두께 안정성 및 열전도성이 우수하고 소성 후에 우수한 전단 접착력을 발휘하는 필름상 소성재료를 제공할 수 있다. 또한, 상기 필름상 소성재료를 구비하고 반도체소자의 소결 접합에 이용되는 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료를 제공할 수 있다.
1:필름상 소성재료,
1c:소성재료,
10, 11:소결성 금속 입자,
20, 21:바인더 성분,
100:지지 시트를 가지는 필름상 소성재료,
2:지지 시트,
3:기재 필름,
4:점착제층,
5:링 프레임

Claims (9)

  1. 소결성 금속 입자 및 바인더 성분을 함유하는 필름상 소성재료로서,
    대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 열중량 곡선(TG 곡선)에서, 음의 기울기가 가장 큰 승온 개시 후의 시간(A1)과,
    알루미나 입자를 참조시료로서 대기 분위기 하에서 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 승온 개시 후 0초부터 2160초의 시간 범위에서의 최대 피크 시간(B1)이,
    A1＜B1＜A1＋200초의 관계를 만족하고, 또한, A1＜2000초인, 필름상 소성재료.
  2. 제1항에 있어서,
    필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자를 제외한 성분에 대해서, 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 열중량 곡선(TG 곡선)에서, 음의 기울기가 가장 큰 승온 개시 후의 시간(A1＇)과,
    상기 소결성 금속 입자에 대해서, 알루미나 입자를 참조시료로서 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 승온 개시 후 960초부터 2160초의 시간 범위에서 관측되는 피크 내 최단 시간에 관측되는 피크 시간(B1＇)이,
    B1＇＜A1＇의 관계를 만족하는, 필름상 소성재료.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 필름상 소성재료에 대해서, 알루미나 입자를 참조시료로서 대기 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 40℃부터 600℃까지 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 승온 개시 후 0초부터 2160초의 시간 범위에서의 흡열 피크를 갖지 않는, 필름상 소성재료.
  4. 소결성 금속 입자 및 바인더 성분을 함유하는 필름상 소성재료로서,
    질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 열중량 곡선(TG 곡선)에서, 음의 기울기가 가장 큰 온도(A2)와,
    알루미나 입자를 참조시료로서 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 25℃부터 400℃의 온도 범위에서의 최대 피크 온도(B2)가,
    A2＜B2＜A2＋60℃의 관계를 만족하는, 필름상 소성재료.
  5. 제4항에 있어서,
    필름상 소성재료로부터 상기 소결성 금속 입자를 제외한 성분에 대해서, 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 열중량 곡선(TG 곡선)에서, 음의 기울기가 가장 큰 온도(A2＇)와,
    상기 소결성 금속 입자에 대해서, 알루미나 입자를 참조시료로서 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 200℃부터 400℃의 온도 범위에서 관측되는 피크 내 가장 저온에서 관측되는 피크 온도(B2＇)가,
    B2＇＜A2＇의 관계를 만족하는, 필름상 소성재료.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 필름상 소성재료에 대해서, 알루미나 입자를 참조시료로서 질소 분위기 하, 10℃／분의 승온 속도로 측정된 시차열분석 곡선(DTA 곡선)에서, 25℃부터 400℃의 온도 범위에서의 흡열 피크를 갖지 않는, 필름상 소성재료.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소결성 금속 입자가 은 나노 입자인, 필름상 소성재료.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 필름상 소성재료와, 상기 필름상 소성재료의 적어도 한쪽의 측에 설치된 지지 시트를 구비한, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 지지 시트는, 기재 필름 상에 점착제층이 설치된 것이고,
    상기 점착제층 상에 상기 필름상 소성재료가 설치되어 있는, 지지 시트를 가지는 필름상 소성재료.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113237789B (zh) * 2021-05-12 2023-07-28 雅安百图高新材料股份有限公司 检测氧化铝粉体表面的有机改性剂含量的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013214733A (ja) * 2012-03-05 2013-10-17 Namics Corp 熱伝導性ペースト及びその使用
JP2014111800A (ja) 2012-12-05 2014-06-19 Nippon Handa Kk ペースト状金属微粒子組成物、固形状金属または固形状金属合金の製造方法、金属製部材の接合方法、プリント配線板の製造方法および電気回路接続用バンプの製造方法
JP2017069422A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日東電工株式会社 加熱接合用シート及びダイシングテープ付き加熱接合用シート
JP2017066485A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日東電工株式会社 シートおよび複合シート

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003246622A (ja) * 2002-02-25 2003-09-02 Sumitomo Chem Co Ltd 酸化チタン前駆体、その製造方法およびそれを用いる酸化チタンの製造方法
JP2005011579A (ja) * 2003-06-17 2005-01-13 Jsr Corp プラズマディスプレイパネル用転写フィルム並びにプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013214733A (ja) * 2012-03-05 2013-10-17 Namics Corp 熱伝導性ペースト及びその使用
JP2014111800A (ja) 2012-12-05 2014-06-19 Nippon Handa Kk ペースト状金属微粒子組成物、固形状金属または固形状金属合金の製造方法、金属製部材の接合方法、プリント配線板の製造方法および電気回路接続用バンプの製造方法
JP2017069422A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日東電工株式会社 加熱接合用シート及びダイシングテープ付き加熱接合用シート
JP2017066485A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日東電工株式会社 シートおよび複合シート

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