KR20190074201A

KR20190074201A - 반복 굴곡 디바이스, 그 제조 방법 및 굴곡흔의 억제 방법

Info

Publication number: KR20190074201A
Application number: KR1020180138134A
Authority: KR
Inventors: 유타카 나나시마
Original assignee: 린텍 가부시키가이샤
Priority date: 2017-12-19
Filing date: 2018-11-12
Publication date: 2019-06-27
Also published as: TW201930522A; CN109929480B; CN109929480A; TWI786202B

Abstract

본 발명은, 반복 굴곡시킨 경우나 장기간 굴곡 상태에 놓인 경우에 있어서, 굴곡 상태로부터 해방한 후에, 굴곡흔이 남기 어려운 반복 굴곡 디바이스를 제공하는 것을 과제로 한다.
이러한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 1층 또는 복수 층의 점착제층(111, 112, 113)을 구비한 반복 굴곡 디바이스(10A)로서, 상기 점착제층의 적어도 1층이, 점착제를 10% 변형시켰을 때에 측정되는 최대의 완화 탄성률값을 최대 완화 탄성률 G(t)_max(MPa)로 하고, 당해 최대 완화 탄성률 G(t)_max가 측정되고나서 3757초 후까지 점착제를 10% 계속 변형시키고, 그 사이에 측정되는 최소의 완화 탄성률값을 최소 완화 탄성률 G(t)_min(MPa)로 하고, 이하의 식(I)으로부터 산출되는 완화 탄성률 변동값 ΔlogG(t)가, 1.20 이하인 점착제로 구성되어 있는 반복 굴곡 디바이스(10A)를 제공한다.
ΔlogG(t)=logG(t)_max-logG(t)_min …(I)

Description

반복 굴곡 디바이스, 그 제조 방법 및 굴곡흔의 억제 방법{REPEATEDLY FOLDABLE DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND METHOD FOR REDUCING FOLDED TRACE}

본 발명은, 반복 굴곡 디바이스, 반복 굴곡 디바이스의 제조 방법 및 반복 굴곡 디바이스에 있어서의 굴곡흔의 억제 방법에 관한 것이다.

최근, 디바이스의 일종인, 전자기기의 표시체(디스플레이)로서, 굴곡 가능한 디스플레이가 제안되어 있다. 이러한 굴곡성 디스플레이는, 예를 들면, 만곡시켜서 원주상의 기둥에 설치하는 거치형 디스플레이용으로서, 혹은 절곡(折曲)하거나 절첩(折疊)하거나 둥글게 해서 운반할 수 있는 모바일 디스플레이용으로서, 폭넓은 용도가 기대되고 있다.

굴곡성 디스플레이의 종류로서는, 예를 들면, 유기 일렉트로 루미네선스(유기 EL) 디스플레이, 전기 영동 방식의 디스플레이(전자페이퍼), 기판으로서 플라스틱 필름을 사용한 액정 디스플레이 등을 들 수 있다.

상기와 같은 굴곡성 디스플레이에 있어서는, 당해 굴곡성 디스플레이를 구성하는 하나의 굴곡 가능한 부재(굴곡성 부재)와, 다른 굴곡성 부재를 점착 시트의 점착제층에 의해서 첩합하는 것이 일반적이라고 생각할 수 있다. 여기에서, 굴곡 불가능한 종래의 디스플레이용의 점착 시트로서는, 예를 들면, 특허문헌 1 및 2에 나타나는 것이 알려져 있다.

굴곡성 디스플레이는, 1회만 곡면 성형하는 것이 아니라, 특허문헌 3에 기재되어 있는 바와 같이, 반복 굴곡시키는(절곡하는) 경우가 있다. 또한, 이러한 반복 굴곡성 디스플레이에 있어서는, 장기간 굴곡 상태로 고정되는 경우도 있다. 이와 같은 용도의 반복 굴곡성 디스플레이에 종래의 점착 시트를 사용하면, 굴곡 상태로부터 해방한 후에도, 점착제층의 변형이 발생해서 굴곡성 디스플레이가 크게 굴곡한 채로 되고, 굴곡흔이 남아 버리는 경우가 있었다.

일본 특개2015-174907호 공보 일본 특개2016-774호 공보 일본 특개2016-2764호 공보

본 발명은, 상기와 같은 실상에 감안해서 이루어진 것이며, 반복 굴곡시킨 경우나 장기간 굴곡 상태에 놓인 경우에 있어서, 굴곡 상태로부터 해방한 후에, 굴곡흔이 남기 어려운 반복 굴곡 디바이스, 그와 같은 반복 굴곡 디바이스의 제조 방법, 및 반복 굴곡 디바이스에 있어서 굴곡흔이 남는 것을 억제할 수 있는 굴곡흔의 억제 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 첫째로 본 발명은, 1층 또는 복수 층의 점착제층을 구비한 반복 굴곡 디바이스로서, 상기 점착제층의 적어도 1층이, JIS K7244-1에 준거해서, 점착제를 10% 변형시켰을 때에 측정되는 최대의 완화 탄성률값을 최대 완화 탄성률 G(t)_max(MPa)로 하고, 당해 최대 완화 탄성률 G(t)_max가 측정되고나서 3757초 후까지 상기 점착제를 10% 계속 변형시키고, 그 사이에 측정되는 최소의 완화 탄성률값을 최소 완화 탄성률 G(t)_min(MPa)로 하고, 이하의 식(I)으로부터 산출되는 완화 탄성률 변동값 ΔlogG(t)가, 1.20 이하인 점착제로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스를 제공한다(발명 1).

ΔlogG(t)=logG(t)_max-logG(t)_min …(I)

상기 발명(발명 1)에 따른 반복 굴곡 디바이스는, 당해 반복 굴곡 디바이스가 갖는 점착제층의 적어도 1층이 상기 점착제로 이루어짐에 의해, 소정량 변형시켰을 때의 응력 변동이 작고, 즉, 원래대로 돌아가려고 하는 힘이 유지되기 쉽고, 그 때문에, 제하(除荷)했을 때에 변형이 원래대로 돌아가기 쉽다. 따라서, 당해 반복 굴곡 디바이스는, 반복 굴곡된 경우나 장기간 굴곡 상태에 놓인 경우에 있어서, 굴곡 상태로부터 해방한 후에 복원하기 쉽고, 굴곡한 상태로 굳어져서 굴곡흔이 남는 것을 억제할 수 있다.

상기 발명(발명 1)에 있어서는, 상기 점착제에 3000Pa의 응력을 인가했을 때에 측정되는 크리프 컴플라이언스값을 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min(MPa^-1)로 하고, 당해 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min가 측정되고나서 3757초 후까지 3000Pa의 응력을 계속 인가하고, 그 사이에 측정되는 최대의 크리프 컴플라이언스값을 최대 크리프 컴플라이언스 J(t)_max(MPa^-1)로 하고, 이하의 식(II)으로부터 산출되는 크리프 컴플라이언스 변동값 ΔlogJ(t)가, 2.84 이하인 것이 바람직하다(발명 2).

ΔlogJ(t)=logJ(t)_max-logJ(t)_min …(II)

상기 발명(발명 1, 2)에 있어서는, 상기 점착제가, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)와, 가교제(B)를 함유하는 점착성 조성물을 가교해서 이루어지는 점착제인 것이 바람직하다(발명 3).

상기 발명(발명 1∼3)에 있어서는, 상기 반복 굴곡 디바이스에 포함되는 점착제층의 총수에 대한, 상기 점착제로 구성되어 있는 점착제층의 수의 비율이, 10% 이상인 것이 바람직하다(발명 4).

상기 발명(발명 1∼4)에 있어서는, 상기 반복 굴곡 디바이스의 두께에 대한, 상기 점착제로 구성되어 있는 점착제층의 총두께의 비율이, 1% 이상, 50% 이하인 것이 바람직하다(발명 5).

둘째로 본 발명은, 1층 또는 복수 층의 점착제층을 구비한 반복 굴곡 디바이스의 제조 방법으로서, 상기 점착제층의 적어도 1층을, JIS K7244-1에 준거해서, 점착제를 10% 변형시켰을 때에 측정되는 최대의 완화 탄성률값을 최대 완화 탄성률 G(t)_max(MPa)로 하고, 당해 최대 완화 탄성률 G(t)_max가 측정되고나서 3757초 후까지 상기 점착제를 10% 계속 변형시키고, 그 사이에 측정되는 최소의 완화 탄성률값을 최소 완화 탄성률 G(t)_min(MPa)로 하고, 이하의 식(I)으로부터 산출되는 완화 탄성률 변동값 ΔlogG(t)가, 1.20 이하인 점착제에 의해서 구성하는 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스의 제조 방법을 제공한다(발명 6).

ΔlogG(t)=logG(t)_max-logG(t)_min …(I)

상기 발명(발명 6)에 있어서는, 상기 점착제로 구성되어 있는 점착제층을 갖는 점착 시트를 사용해서, 상기 반복 굴곡 디바이스의 구성 부재를 첩합하는 것이 바람직하다(발명 7).

셋째로 본 발명은, 1층 또는 복수 층의 점착제층을 구비한 반복 굴곡 디바이스에 있어서의 굴곡흔의 억제 방법으로서, 상기 점착제층의 적어도 1층을, JIS K7244-1에 준거해서, 점착제를 10% 변형시켰을 때에 측정되는 최대의 완화 탄성률값을 최대 완화 탄성률 G(t)_max(MPa)로 하고, 당해 최대 완화 탄성률 G(t)_max가 측정되고나서 3757초 후까지 상기 점착제를 10% 계속 변형시키고, 그 사이에 측정되는 최소의 완화 탄성률값을 최소 완화 탄성률 G(t)_min(MPa)로 하고, 이하의 식(I)으로부터 산출되는 완화 탄성률 변동값 ΔlogG(t)가, 1.20 이하인 점착제에 의해서 구성하는 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스에 있어서의 굴곡흔의 억제 방법을 제공한다(발명 8).

ΔlogG(t)=logG(t)_max-logG(t)_min …(I)

상기 발명(발명 8)에 있어서는, 상기 점착제로 구성되어 있는 점착제층을 갖는 점착 시트를 사용해서, 상기 반복 굴곡 디바이스의 구성 부재를 첩합하는 것이 바람직하다(발명 9).

본 발명에 따른 반복 굴곡 디바이스는, 반복 굴곡시킨 경우나 장기간 굴곡 상태에 놓인 경우에 있어서, 굴곡 상태로부터 해방한 후에, 굴곡흔이 남기 어렵다. 또한, 본 발명에 따른 반복 굴곡 디바이스의 제조 방법에 따르면, 그와 같은 반복 굴곡 디바이스를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 굴곡흔의 억제 방법에 따르면, 반복 굴곡 디바이스에 있어서 굴곡흔이 남는 것을 억제할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 반복 굴곡 디바이스를 제조하기 위한 일 실시형태에 따른 점착 시트의 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반복 굴곡 디바이스의 단면도.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 반복 굴곡 디바이스의 단면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 반복 굴곡 디바이스의 단면도.
도 5는 실시예에서 제조한 적층체의 단면도.
도 6은 정적 굴곡 시험을 설명하는 설명도(측면도).
도 7은 굴곡 시험의 시험 결과로서의 시험편의 변형량을 설명하는 설명도(측면도).

이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.

〔반복 굴곡 디바이스〕

본 실시형태에 따른 반복 굴곡 디바이스는, 반복 굴곡되거나, 장기간 굴곡 상태에 놓인 디바이스로서, 1층 또는 복수 층의 점착제층을 구비하고 있다. 이 점착제층에 의해서, 복수의 구성 부재(굴곡성을 갖는 굴곡성 부재)가 첩합되고, 이에 의해서 반복 굴곡 디바이스가 구성된다.

1. 점착제층(내굴곡점착제층)

(1) 점착제층(내굴곡점착제층)의 물성

상기 점착제층의 적어도 1층은, JIS K7244-1에 준거해서, 점착제를 10% 변형시켰을 때에 측정되는 최대의 완화 탄성률값을 최대 완화 탄성률 G(t)_max(MPa)로 하고, 당해 최대 완화 탄성률 G(t)_max가 측정되고나서 3757초 후까지 점착제를 10% 계속 변형시키고, 그 사이에 측정되는 최소의 완화 탄성률값을 최소 완화 탄성률 G(t)_min(MPa)로 하고, 이하의 식(I)으로부터 산출되는 완화 탄성률 변동값 ΔlogG(t)가, 1.20 이하인 점착제로 이루어진다.

ΔlogG(t)=logG(t)_max-logG(t)_min …(I)

본 명세서에서는, 상기 점착제로 이루어지는 점착제층을, 「내굴곡점착제층」이라 하는 경우가 있다. 또한, 내굴곡점착제층 이외의 점착제층을, 「비내굴곡점착제층」이라 하는 경우가 있다. 또, 완화 탄성률 G(t)의 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 나타내는 바와 같다.

본 실시형태에 따른 반복 굴곡 디바이스는, 당해 반복 굴곡 디바이스가 갖는 점착제층의 적어도 1층이 상기 점착제로 이루어짐에 의해, 소정량 변형시켰을 때의 응력 변동이 작고, 즉, 원래대로 돌아가려고 하는 힘이 유지되기 쉽다. 그 때문에, 제하했을 때에 변형이 원래대로 돌아가기 쉽다. 따라서, 당해 반복 굴곡 디바이스는, 반복 굴곡된 경우나 장기간 굴곡 상태에 놓인 경우에 있어서, 굴곡 상태로부터 해방한 후에 복원하기 쉽고, 굴곡한 상태로 굳어져서 굴곡흔이 남는 것을 억제할 수 있다. 또, 상기 반복 굴곡의 횟수의 지표로서는, 일례로서 3만회가 예시된다.

반복 굴곡 디바이스의 굴곡흔 억제 효과의 관점에서, 상기 완화 탄성률 변동값 ΔlogG(t)는, 1.20 이하인 것을 요하며, 1.00 이하인 것이 바람직하고, 0.80 이하인 것이 특히 바람직하고, 0.50 이하인 것이 더 바람직하다. 또, 완화 탄성률 변동값의 하한값은 특히 한정되지 않지만, 통상은 0.10 이상인 것이 바람직하고, 0.15 이상인 것이 특히 바람직하다.

상기 최대 완화 탄성률 G(t)_max는, 상한값으로서, 1.0MPa 이하인 것이 바람직하고, 0.95MPa 이하인 것이 특히 바람직하고, 0.90MPa 이하인 것이 더 바람직하다. 최대 완화 탄성률 G(t)_max의 상한값이 상기임으로써, 상기 완화 탄성률 변동값 ΔlogG(t)가 상술한 값을 충족하기 쉬운 것으로 된다. 최대 완화 탄성률 G(t)_max의 하한값은 특히 한정되지 않지만, 통상은 0.05MPa 이상인 것이 바람직하고, 0.10MPa 이상인 것이 특히 바람직하고, 0.15MPa 이상인 것이 더 바람직하다.

또한, 상기 최소 완화 탄성률 G(t)_min는, 하한값으로서, 0.005MPa 이상인 것이 바람직하고, 0.020MPa 이상인 것이 특히 바람직하고, 0.035MPa 이상인 것이 더 바람직하다. 최소 완화 탄성률 G(t)_min의 하한값이 상기임으로써, 상기 완화 탄성률 변동값 ΔlogG(t)가 상술한 값을 충족하기 쉬운 것으로 된다. 최소 완화 탄성률 G(t)_min의 상한값은 특히 한정되지 않지만, 통상은 0.50MPa 이하인 것이 바람직하고, 0.45MPa 이하인 것이 특히 바람직하고, 0.40MPa 이하인 것이 더 바람직하다.

본 실시형태에서는, 상기 내굴곡점착제층을 구성하는 점착제가, 당해 점착제에 3000Pa의 응력을 인가했을 때에 측정되는 크리프 컴플라이언스값을 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min(MPa^-1)로 하고, 당해 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min가 측정되고나서 3757초 후까지 3000Pa의 응력을 계속 인가하고, 그 사이에 측정되는 최대의 크리프 컴플라이언스값을 최대 크리프 컴플라이언스 J(t)_max(MPa^-1)로 하고, 이하의 식(II)으로부터 산출되는 크리프 컴플라이언스 변동값 ΔlogJ(t)가, 2.84 이하인 것이 바람직하다.

ΔlogJ(t)=logJ(t)_max-logJ(t)_min …(II)

또, 「점착제에 3000Pa의 응력을 인가했을 때」란, 점착제에 응력을 인가하고, 그 응력이 3000Pa에 달한 시점을 말한다. 크리프 컴플라이언스 J(t)의 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 나타내는 바와 같다.

점착제의 크리프 컴플라이언스 변동값이 상기와 같이 작음에 의해, 소정의 응력을 부여했을 때의 변형 변동이 작고, 즉, 점착제층은 변형을 발생하기 어려운 것으로 된다. 따라서, 상기 반복 굴곡 디바이스는, 반복 굴곡된 경우나 장기간 굴곡 상태에 놓인 경우에 있어서, 굴곡 상태로부터 해방한 후에, 변형 그 자체가 억제되고, 반복 굴곡 디바이스에 굴곡흔이 남는 것을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.

반복 굴곡 디바이스의 굴곡흔 억제 효과의 관점에서, 상기 크리프 컴플라이언스 변동값 ΔlogJ(t)는, 2.84 이하인 것이 바람직하고, 2.50 이하인 것이 보다 바람직하고, 2.00 이하인 것이 특히 바람직하고, 1.80 이하인 것이 더 바람직하다. 또, 크리프 컴플라이언스 변동값의 하한값은 특히 한정되지 않지만, 통상은 1.00 이상인 것이 바람직하고, 1.20 이상인 것이 특히 바람직하다.

상기 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min는, 하한값으로서, 1.00MPa^-1 이상인 것이 바람직하고, 1.10MPa^-1 이상인 것이 특히 바람직하고, 1.15MPa^-1 이상인 것이 더 바람직하다. 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min의 하한값이 상기임으로써, 상기 크리프 컴플라이언스 변동값 ΔlogJ(t)가 상술한 값을 충족하기 쉬운 것으로 된다. 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min의 상한값은 특히 한정되지 않지만, 통상은 5.0MPa^-1 이하인 것이 바람직하고, 4.5MPa^-1 이하인 것이 특히 바람직하고, 4.0MPa^-1 이하인 것이 더 바람직하다.

또한, 상기 최대 크리프 컴플라이언스 J(t)_max는, 상한값으로서, 900MPa^-1 이하인 것이 바람직하고, 500MPa^-1 이하인 것이 특히 바람직하고, 300MPa^-1 이하인 것이 더 바람직하고, 200MPa^-1 이하인 것이 가장 바람직하다. 최대 크리프 컴플라이언스 J(t)_max의 상한값이 상기임으로써, 상기 크리프 컴플라이언스 변동값 ΔlogJ(t)가 상술한 값을 충족하기 쉬운 것으로 된다. 최대 크리프 컴플라이언스 J(t)_max의 하한값은 특히 한정되지 않지만, 통상은 10MPa^-1 이상인 것이 바람직하고, 15MPa^-1 이상인 것이 특히 바람직하고, 20MPa^-1 이상인 것이 더 바람직하다.

상술한 완화 탄성률 변동값 ΔlogG(t)와 크리프 컴플라이언스 변동값 ΔlogJ(t)와의 곱(ΔlogG(t)×ΔlogJ(t))은, 3.3 이하인 것이 바람직하고, 2.0 이하인 것이 특히 바람직하고, 1.0 이하인 것이 더 바람직하다. 상기한 곱셈값이 상기와 같이 작음에 의해, 굴곡 시의 응력 변동 또는 변형 변동이 작고, 그것에 의해, 제하했을 때에 변형이 원래대로 돌아가기 쉽고, 또는 변형 그 자체가 발생하기 어렵다. 이것에 의해, 반복 굴곡 디바이스에 굴곡흔이 남는 것을 보다 효과적으로 억제할 수 있다. 또, 상기 곱셈값의 하한값은 특히 한정되지 않지만, 통상은 0.1 이상인 것이 바람직하고, 0.2 이상인 것이 특히 바람직하다.

본 실시형태에 따른 반복 굴곡 디바이스에 포함되는 점착제층의 총수에 대한, 상기 내굴곡점착제층의 수의 비율은, 10% 이상인 것이 바람직하고, 25% 이상인 것이 보다 바람직하고, 35% 이상인 것이 특히 바람직하고, 50% 이상인 것이 더 바람직하다. 내굴곡점착제층의 수의 비율이 상기임에 의해, 내굴곡점착제층에 의한 복원 작용, 또한 변형 억제 작용의 영향이 반복 굴곡 디바이스에 대해서 크게 미치고, 반복 굴곡 디바이스에 굴곡흔이 남는 것을 보다 효과적으로 억제할 수 있다. 또, 내굴곡점착제층의 수의 비율의 상한값은 100%이다.

또한, 본 실시형태에 따른 반복 굴곡 디바이스의 두께에 대한 상기 내굴곡점착제층의 총두께의 비율은, 하한값으로서, 1% 이상인 것이 바람직하고, 2% 이상인 것이 보다 바람직하고, 3% 이상인 것이 특히 바람직하고, 5% 이상인 것이 더 바람직하다. 또, 「내굴곡점착제층의 총두께」란, 반복 굴곡 디바이스에 내굴곡점착제층이 1층만 포함되는 경우에는, 그 1층의 두께를 말하며, 반복 굴곡 디바이스에 내굴곡점착제층이 복수 층 포함되는 경우에는, 그 합계의 두께를 말한다. 내굴곡점착제층의 총두께의 비율의 하한값이 상기임에 의해, 내굴곡점착제층에 의한 복원 작용, 또한 변형 억제 작용의 영향이 반복 굴곡 디바이스에 대해서 크게 미치고, 반복 굴곡 디바이스에 굴곡흔이 남는 것을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.

한편, 본 실시형태에 따른 반복 굴곡 디바이스의 두께에 대한 상기 내굴곡점착제층의 총두께의 비율의 상한값은, 50% 이하인 것이 바람직하고, 30% 이하인 것이 보다 바람직하고, 20% 이하인 것이 특히 바람직하고, 10% 이하인 것이 더 바람직하다. 이것에 의해, 반복 굴곡 디바이스에서 필요한, 내굴곡점착제층 이외의 각 구성 부재의 두께를 확보할 수 있다.

(2) 점착제

상기 내굴곡점착제층을 구성하는 점착제의 종류는, 상술한 물성이 충족되면 특히 한정되지 않으며, 예를 들면, 아크릴계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리우레탄계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제 등의 어느 것이어도 된다. 또한, 당해 점착제는, 에멀젼형, 용제형 또는 무용제형의 어느 것이어도 되고, 가교 타입 또는 비가교 타입의 어느 것이어도 된다. 그들 중에서도, 상술한 물성을 충족시키기 쉽고, 점착 물성, 광학 특성 등도 우수한 아크릴계 점착제가 바람직하다.

또한, 아크릴계 점착제로서는, 활성 에너지선 경화성의 것이어도 되고, 활성 에너지선 비경화성의 것이어도 되고, 열가교성의 것이어도 되고, 비가교성의 것이어도 되고, 이들을 조합한 것이어도 되지만, 양호한 유연성을 얻기 위해서, 활성 에너지선 비경화성의 것임이 바람직하다. 활성 에너지선 비경화성의 아크릴계 점착제로서는, 가교 타입의 것이 특히 바람직하고, 열가교 타입의 것이 더 바람직하다.

상기 내굴곡점착제층을 구성하는 점착제는, 특히, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)와, 가교제(B)를 함유하는 점착성 조성물(이하 「점착성 조성물 P」라 하는 경우가 있다)을 가교해서 이루어지는 점착제인 것이 바람직하다. 이러한 점착제이면, 상술한 물성을 충족시키기 쉽고, 또한, 양호한 점착력 및 소정의 응집력이 얻어지기 때문에, 내구성도 우수한 것으로 된다. 또, 본 명세서에 있어서, (메타)아크릴산이란, 아크릴산 및 메타크릴산의 양쪽을 의미한다. 다른 유사 용어도 마찬가지이다. 또한, 「중합체」에는 「공중합체」의 개념도 포함되는 것으로 한다.

(2-1) 점착성 조성물 P의 성분

(2-1-1) (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 당해 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, (메타)아크릴산알킬에스테르와, 분자 내에 반응성 관능기를 갖는 모노머(반응성 관능기 함유 모노머)를 함유하는 것이 바람직하다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 당해 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, (메타)아크릴산알킬에스테르를 함유함으로써, 바람직한 점착성을 발현할 수 있다. (메타)아크릴산알킬에스테르로서는, 알킬기의 탄소수가 1∼20인 (메타)아크릴산알킬에스테르가 바람직하다. 알킬기는, 직쇄상 또는 분기쇄상이어도 되고, 환상 구조를 갖는 것이어도 된다.

알킬기의 탄소수가 1∼20인 (메타)아크릴산알킬에스테르로서는, 호모폴리머로서의 유리 전이 온도(Tg)가 -40℃ 이하인 것(이하 「저Tg 알킬아크릴레이트」라 하는 경우가 있다)을 함유하는 것이 바람직하다. 이러한 저Tg 알킬아크릴레이트를 구성 모노머 단위로서 함유함에 의해, 얻어지는 점착제의 유연성을 향상시킬 수 있다.

저Tg 알킬아크릴레이트로서는, 예를 들면, 아크릴산n-부틸(Tg -55℃), 아크릴산n-옥틸(Tg -65℃), 아크릴산이소옥틸(Tg -58℃), 아크릴산2-에틸헥실(Tg -70℃), 아크릴산이소노닐(Tg -58℃), 아크릴산이소데실(Tg -60℃), 메타크릴산이소데실(Tg -41℃), 메타크릴산n-라우릴(Tg -65℃), 아크릴산트리데실(Tg -55℃), 메타크릴산트리데실(Tg -40℃) 등을 바람직하게 들 수 있다. 그 중에서도, 보다 효과적으로 유연성을 향상시키는 관점에서, 저Tg 알킬아크릴레이트로서, 호모폴리머의 Tg가, -45℃ 이하인 것임이 보다 바람직하고, -50℃ 이하인 것임이 특히 바람직하다. 구체적으로는, 아크릴산n-부틸 및 아크릴산2-에틸헥실이 특히 바람직하다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 당해 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 저Tg 알킬아크릴레이트를, 하한값으로서 50질량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 55질량% 이상 함유하는 것이 특히 바람직하고, 60질량% 이상 함유하는 것이 더 바람직하다. 상기 저Tg 알킬아크릴레이트를 50질량% 이상 함유함에 의해, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 유리 전이 온도(Tg)를 상술한 범위로 보다 설정하기 쉬워진다.

한편, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 당해 중합체를 구성하는 모노머 단위로서 상기 저Tg 알킬아크릴레이트를, 상한값으로서 80질량% 이하 함유하는 것이 바람직하고, 75질량% 이하 함유하는 것이 특히 바람직하고, 70질량% 이하 함유하는 것이 더 바람직하다. 상기 저Tg 알킬아크릴레이트를 상기한 함유량으로 함유함에 의해, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 중에 다른 모노머 성분(특히 반응성 관능기 함유 모노머)을 호적한 양 도입할 수 있다.

또한, 상기 알킬기의 탄소수가 1∼20인 (메타)아크릴산알킬에스테르로서, 호모폴리머로서의 유리 전이 온도(Tg)가 0℃를 초과하는 모노머(이하 「고Tg 알킬아크릴레이트」라 하는 경우가 있다)를 함유하는 것이 바람직하다. 이러한 고Tg 알킬아크릴레이트를 구성 모노머 단위로서 함유함에 의해, 얻어지는 점착제층이 상술한 물성을 충족하기 쉬운 것으로 된다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)가, 당해 중합체를 구성하는 모노머 단위로서 고Tg 알킬아크릴레이트를 함유할 경우, 그 함유량은, 5질량% 이상인 것이 바람직하고, 10질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 15질량% 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, 30질량% 이하인 것이 바람직하고, 25질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 20질량% 이하인 것이 더 바람직하다.

상기 고Tg 알킬아크릴레이트로서는, 예를 들면, 아크릴산메틸(Tg 10℃), 메타크릴산메틸(Tg 105℃), 메타크릴산에틸(Tg 65℃), 메타크릴산n-부틸(Tg 20℃), 메타크릴산이소부틸(Tg 48℃), 메타크릴산t-부틸(Tg 107℃), 아크릴산n-스테아릴(Tg 30℃), 메타크릴산n-스테아릴(Tg 38℃), 아크릴산시클로헥실(Tg 15℃), 메타크릴산시클로헥실(Tg 66℃), 메타크릴산벤질(Tg 54℃), 아크릴산이소보르닐(Tg 94℃), 메타크릴산이소보르닐(Tg 180℃), 아크릴산아다만틸(Tg 115℃), 메타크릴산아다만틸(Tg 141℃) 등을 들 수 있다. 상기한 것 중에서도, 응집력의 관점에서, 아크릴산메틸, 메타크릴산메틸 및 아크릴산이소보르닐이 바람직하다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다. 또, 상기 고Tg 알킬아크릴레이트에는, 후술하는 질소 원자 함유 모노머는 포함하지 않는다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 당해 중합체를 구성하는 모노머 단위로서 반응성 관능기 함유 모노머를 함유함으로써, 당해 반응성 관능기 함유 모노머 유래의 반응성 관능기를 개재해서, 후술하는 가교제(B)와 반응하고, 이것에 의해 가교 구조(삼차원 망목 구조)가 형성되고, 원하는 응집력을 갖는 점착제가 얻어진다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)가, 당해 중합체를 구성하는 모노머 단위로서 함유하는 반응성 관능기 함유 모노머로서는, 분자 내에 수산기를 갖는 모노머(수산기 함유 모노머), 분자 내에 카르복시기를 갖는 모노머(카르복시기 함유 모노머), 분자 내에 아미노기를 갖는 모노머(아미노기 함유 모노머) 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들 반응성 관능기 함유 모노머는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

상기 반응성 관능기 함유 모노머 중에서도, 수산기 함유 모노머 및 카르복시기 함유 모노머가 바람직하고, 유연성의 관점에서 수산기 함유 모노머가 특히 바람직하다.

수산기 함유 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등의 (메타)아크릴산히드록시알킬에스테르 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 얻어지는 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 유연성의 관점에서, (메타)아크릴산2-히드록시에틸 및 (메타)아크릴산2-히드록시프로필이 바람직하다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)가, 당해 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 수산기 함유 모노머를 함유할 경우, 수산기 함유 모노머의 함유량은, 5질량% 이상인 것이 바람직하고, 10질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 15질량% 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 수산기 함유 모노머의 함유량은, 30질량% 이하인 것이 바람직하고, 25질량% 이하인 것이 특히 바람직하다. 수산기 함유 모노머의 함유량이 상기임에 의해, 얻어지는 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 유연성 및 점착성이 보다 양호한 것으로 되어, 얻어지는 점착제층이 상술한 물성을 충족하기 쉬운 것으로 된다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 당해 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 질소 원자 함유 모노머를 함유해도 된다. 질소 원자 함유 모노머로서는, 아미노기를 갖는 모노머, 아미드기를 갖는 모노머, 질소 함유 복소환을 갖는 모노머 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 질소 함유 복소환을 갖는 모노머가 바람직하다. 또한, 구성되는 점착제의 고차 구조 중에서 상기 질소 원자 함유 모노머 유래 부분의 자유도를 높이는 관점에서, 당해 질소 원자 함유 모노머는, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)를 구성하기 위한 중합에 사용되는 하나의 중합성기 이외에 반응성 불포화 이중 결합성기를 함유하지 않는 것이 바람직하다.

질소 함유 복소환을 갖는 모노머로서는, 예를 들면, N-(메타)아크릴로일모르폴린, N-비닐-2-피롤리돈, N-(메타)아크릴로일피롤리돈, N-(메타)아크릴로일피페리딘, N-(메타)아크릴로일피롤리딘, N-(메타)아크릴로일아지리딘, 아지리디닐에틸(메타)아크릴레이트, 2-비닐피리딘, 4-비닐피리딘, 2-비닐피라진, 1-비닐이미다졸, N-비닐카르바졸, N-비닐프탈이미드 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 보다 우수한 점착력을 발휘하는 N-(메타)아크릴로일모르폴린이 바람직하고, N-아크릴로일모르폴린이 특히 바람직하다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)가, 당해 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 질소 원자 함유 모노머를 함유할 경우, 질소 원자 함유 모노머의 함유량은, 1질량% 이상인 것이 바람직하고, 3질량% 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 질소 원자 함유 모노머의 함유량은, 20질량% 이하인 것이 바람직하고, 15질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 10질량% 이하인 것이 더 바람직하다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 소망에 따라, 당해 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 다른 모노머를 함유해도 된다. 다른 모노머로서는, 반응성 관능기 함유 모노머의 상술한 작용을 저해하지 않기 위해서도, 반응성 관능기를 함유하지 않는 모노머가 바람직하다. 이러한 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산메톡시에틸, (메타)아크릴산에톡시에틸 등의 (메타)아크릴산알콕시알킬에스테르, 아세트산비닐, 스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 중합 태양은, 랜덤 공중합체여도 되고, 블록 공중합체여도 된다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 중량 평균 분자량의 하한값은, 10만 이상인 것이 바람직하고, 30만 이상인 것이 특히 바람직하고, 50만 이상인 것이 더 바람직하다. (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 중량 평균 분자량의 하한값이 상기이면, 점착제의 내구성이 보다 우수한 것으로 된다. 또, 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정한 표준 폴리스티렌 환산의 값이다.

또한, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 중량 평균 분자량의 상한값은, 150만 이하인 것이 바람직하고, 120만 이하인 것이 특히 바람직하고, 100만 이하인 것이 더 바람직하다. (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 중량 평균 분자량의 상한값이 상기이면, 얻어지는 점착제의 유연성이 보다 우수한 것으로 된다.

점착성 조성물 P에 있어서, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.

(2-1-2) 가교제(B)

가교제(B)는, 당해 가교제(B)를 함유하는 점착성 조성물 P의 가열 등을 트리거로 해서, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)를 가교하여, 삼차원 망목 구조를 형성한다. 이것에 의해, 얻어지는 점착제의 응집력이 향상하고, 점착제층이 내구성이 우수한 것으로 된다.

상기 가교제(B)로서는, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)가 갖는 반응성기와 반응하는 것이면 되며, 예를 들면, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아민계 가교제, 멜라민계 가교제, 아지리딘계 가교제, 히드라진계 가교제, 알데히드계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 암모늄염계 가교제 등을 들 수 있다. 상기한 것 중에서도, 반응성 관능기 함유 모노머, 특히 수산기 함유 모노머와의 반응성이 우수한 이소시아네이트계 가교제를 사용하는 것이 바람직하다. 또, 가교제(B)는, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.

이소시아네이트계 가교제는, 적어도 폴리이소시아네이트 화합물을 포함하는 것이다. 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 폴리이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 폴리이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 수소 첨가 디페닐메탄디이소시아네이트 등의 지환식 폴리이소시아네이트 등, 및 그들의 뷰렛체, 이소시아누레이트체, 또한 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 트리메틸올프로판, 피마자유 등의 저분자 활성 수소 함유 화합물과의 반응물인 어덕트체 등을 들 수 있다. 그 중에서도 수산기와의 반응성의 관점에서, 트리메틸올프로판 변성의 방향족 폴리이소시아네이트, 특히 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트 및 트리메틸올프로판 변성 자일릴렌디이소시아네이트가 바람직하다.

점착성 조성물 P 중에 있어서의 가교제(B)의 함유량은, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 100질량부에 대해서, 0.1질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.3질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.5질량부 이상인 것이 특히 바람직하고, 1.0질량부 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 8질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 5질량부 이하인 것이 특히 바람직하고, 3질량부 이하인 것이 더 바람직하다. 가교제(B)의 함유량이 상기한 범위에 있음으로써, 얻어지는 점착제의 응집력이 적당한 것으로 되고, 점착제층이 상술한 물성을 충족하기 쉬운 것으로 된다.

(2-1-3) 각종 첨가제

점착성 조성물 P에는, 소망에 따라, 아크릴계 점착제에 통상 사용되고 있는 각종 첨가제, 예를 들면, 실란커플링제, 자외선 흡수제, 대전방지제, 점착부여제, 산화방지제, 광안정제, 연화제, 충전제, 굴절률 조정제 등을 첨가할 수 있다. 또, 후술의 중합 용매나 희석 용매는, 점착성 조성물 P를 구성하는 첨가제에 포함되지 않는 것으로 한다.

(2-2) 점착성 조성물 P의 제조

점착성 조성물 P는, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)를 제조하여, 얻어진 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)와, 가교제(B)를 혼합함과 함께, 소망에 따라 첨가제를 더함으로써 제조할 수 있다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)는, 중합체를 구성하는 모노머의 혼합물을 통상의 라디칼 중합법으로 중합함에 의해 제조할 수 있다. (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 중합은, 소망에 따라 중합개시제를 사용해서, 용액 중합법에 의해 행하는 것이 바람직하다. 중합 용매로서는, 예를 들면, 아세트산에틸, 아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 톨루엔, 아세톤, 헥산, 메틸에틸케톤 등을 들 수 있고, 2종류 이상을 병용해도 된다.

중합개시제로서는, 아조계 화합물, 유기 과산화물 등을 들 수 있고, 2종류 이상을 병용해도 된다. 아조계 화합물로서는, 예를 들면, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 1,1'-아조비스(시클로헥산1-카르보니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸-4-메톡시발레로니트릴), 디메틸2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트), 4,4'-아조비스(4-시아노발레르산), 2,2'-아조비스(2-히드록시메틸프로피오니트릴), 2,2'-아조비스[2-(2-이미다졸린-2-일)프로판] 등을 들 수 있다.

유기 과산화물로서는, 예를 들면, 과산화벤조일, t-부틸퍼벤조에이트, 쿠멘히드로퍼옥사이드, 디이소프로필퍼옥시디카보네이트, 디-n-프로필퍼옥시디카보네이트, 디(2-에톡시에틸)퍼옥시디카보네이트, t-부틸퍼옥시네오데카노에이트, t-부틸퍼옥시피발레이트, (3,5,5-트리메틸헥사노일)퍼옥사이드, 디프로피오닐퍼옥사이드, 디아세틸퍼옥사이드 등을 들 수 있다.

또, 상기 중합 공정에 있어서, 2-메르캅토에탄올 등의 연쇄이동제를 배합함에 의해, 얻어지는 중합체의 중량 평균 분자량을 조절할 수 있다.

(메타)아크릴산에스테르 중합체(A)가 얻어지면, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 용액에, 가교제(B), 그리고 소망에 따라 첨가제 및 희석 용제를 첨가하고, 충분히 혼합함에 의해, 용제로 희석된 점착성 조성물 P(도포 용액)를 얻는다.

또, 상기 각 성분 중 어느 하나에 있어서, 고체상의 것을 사용할 경우, 혹은, 희석되어 있지 않은 상태에서 다른 성분과 혼합했을 때에 석출이 발생하는 경우에는, 그 성분을 단독으로 미리 희석 용매에 용해 혹은 희석하고 나서, 그 밖의 성분과 혼합해도 된다.

상기 희석 용제로서는, 예를 들면, 헥산, 헵탄, 시클로헥산 등의 지방족 탄화수소, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소, 염화메틸렌, 염화에틸렌 등의 할로겐화탄화수소, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 1-메톡시-2-프로판올 등의 알코올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 2-펜탄온, 이소포론, 시클로헥산온 등의 케톤, 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르, 에틸셀로솔브 등의 셀로솔브계 용제 등이 사용된다.

이와 같이 해서 조제된 도포 용액의 농도·점도로서는, 코팅 가능한 범위이면 되고, 특히 제한되지 않으며, 상황에 따라서 적의(適宜) 선정할 수 있다. 예를 들면, 점착성 조성물 P의 농도가 10∼60질량%로 되도록 희석한다. 또, 도포 용액을 얻는데 있어서, 희석 용제 등의 첨가는 필요 조건은 아니며, 점착성 조성물 P가 코팅 가능한 점도 등이면, 희석 용제를 첨가하지 않아도 된다. 이 경우, 점착성 조성물 P는, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 중합 용매를 그대로 희석 용제로 하는 도포 용액으로 된다.

(2-3) 점착제의 제조

내굴곡점착제층을 구성하는 점착제는, 바람직하게는 점착성 조성물 P를 가교해서 이루어지는 것이다. 점착성 조성물 P의 가교는, 통상은 가열 처리에 의해 행할 수 있다. 또, 이 가열 처리는, 원하는 대상물에 도포한 점착성 조성물 P의 도막으로부터 희석 용제 등을 휘발시킬 때의 건조 처리로 겸할 수도 있다.

가열 처리의 가열 온도는, 50∼150℃인 것이 바람직하고, 70∼120℃인 것이 특히 바람직하다. 또한, 가열 시간은, 10초∼10분인 것이 바람직하고, 50초∼2분인 것이 특히 바람직하다.

가열 처리 후, 필요에 따라서, 상온(예를 들면, 23℃, 50% RH)에서 1∼2주간 정도의 양생 기간을 마련해도 된다. 이 양생 기간이 필요한 경우는, 양생 기간 경과 후, 양생 기간이 불필요한 경우에는, 가열 처리 종료 후, 점착제가 형성된다.

상기한 가열 처리(및 양생)에 의해, 가교제(B)를 개재해서 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)가 충분히 가교되어서 가교 구조가 형성되어, 점착제가 얻어진다. 이러한 점착제는, 소정의 응집력을 갖는 것으로 된다.

(2-4) 점착제의 물성

내굴곡점착제층을 구성하는 점착제의 25℃에 있어서의 저장 탄성률(G')은, 하한값으로서, 0.01MPa 이상인 것이 바람직하고, 0.03MPa 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 상기 저장 탄성률(G')의 상한값은, 0.30MPa 이하인 것이 바람직하고, 0.25MPa 이하인 것이 특히 바람직하다.

또한, 내굴곡점착제층을 구성하는 점착제의 25℃에 있어서의 손실 탄성률(G")은, 하한값으로서, 0.005MPa 이상인 것이 바람직하고, 0.01MPa 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 상기 손실 탄성률(G")의 상한값은, 0.1MPa 이하인 것이 바람직하고, 0.08MPa 이하인 것이 특히 바람직하다.

또한, 내굴곡점착제층을 구성하는 점착제의 25℃에 있어서의 손실정접(tanδ)은, 하한값으로서, 0.25 이상인 것이 바람직하고, 0.28 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 상기 손실정접(tanδ)의 상한값은, 0.85 이하인 것이 바람직하고, 0.80 이하인 것이 특히 바람직하다.

내굴곡점착제층을 구성하는 점착제의 저장 탄성률(G'), 손실 탄성률(G") 및 손실정접(tanδ)이 각각 상기한 범위에 있으면, 얻어지는 점착제층이 상술한 물성을 충족하기 쉬운 것으로 된다. 또, 저장 탄성률(G'), 손실 탄성률(G") 및 손실정접(tanδ)의 측정 방법은, 후술하는 시험예에 나타내는 바와 같다.

(3) 점착 시트

본 실시형태에 따른 반복 굴곡 디바이스는, 상술한 내굴곡점착제층을 갖는 점착 시트를 사용해서, 원하는 구성 부재(굴곡성을 갖는 굴곡성 부재)를 첩합함에 의해, 바람직하게 제조할 수 있다.

상기 점착 시트의 일례로서의 구체적 구성을 도 1에 나타낸다.

도 1에 나타내는 바와 같이, 일 실시형태에 따른 점착 시트(1)는, 2매의 박리 시트(12a, 12b)와, 그들 2매의 박리 시트(12a, 12b)의 박리면과 접하도록 당해 2매의 박리 시트(12a, 12b)에 협지(挾持)된 내굴곡점착제층(11R)으로 구성된다. 또, 본 명세서에 있어서의 박리 시트의 박리면이란, 박리 시트에 있어서 박리성을 갖는 면을 말하며, 박리 처리를 실시한 면 및 박리 처리를 실시하지 않아도 박리성을 나타내는 면 모두를 포함하는 것이다.

(3-1) 구성 요소

(3-1-1) 내굴곡점착제층

내굴곡점착제층(11R)은, 상술한 물성을 충족시키는 점착제로 이루어지는 것이고, 바람직하게는, 점착성 조성물 P를 가교해서 이루어지는 점착제로 구성된다.

점착 시트(1)에 있어서의 내굴곡점착제층(11R)의 두께(JIS K7130에 준거해서 측정한 값)는, 하한값으로서 2㎛ 이상인 것이 바람직하고, 5㎛ 이상인 것이 특히 바람직하고, 10㎛ 이상인 것이 더 바람직하다. 내굴곡점착제층(11R)의 두께의 하한값이 상기이면, 원하는 점착력을 발휘하기 쉽고, 반복 굴곡 시에 있어서의 들뜸이나 벗겨짐의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 내굴곡점착제층(11R)의 두께는, 상한값으로서 150㎛ 이하인 것이 바람직하고, 100㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 70㎛ 이하인 것이 특히 바람직하고, 50㎛ 이하인 것이 더 바람직하다. 내굴곡점착제층(11R)의 두께의 상한값이 상기이면, 반복 굴곡에 의한, 점착제 또는 점착제를 구성하는 성분의 점착제층으로부터의 염출(染出)을 억제할 수 있다. 또, 내굴곡점착제층(11R)은 단층으로 형성해도 되고, 복수 층을 적층해서 형성할 수도 있다. 내굴곡점착제층(11R)에 대하여, 복수 층을 적층해서 형성한 내굴곡점착제층(11R)은, 단층으로서 취급한다.

(3-1-2) 박리 시트

박리 시트(12a, 12b)는, 점착 시트(1)의 사용 시까지 내굴곡점착제층(11R)을 보호하는 것이고, 점착 시트(1)(내굴곡점착제층(11R))를 사용할 때에 박리된다. 본 실시형태에 따른 점착 시트(1)에 있어서, 박리 시트(12a, 12b)의 한쪽 또는 양쪽은 반드시 필요한 것은 아니다.

박리 시트(12a, 12b)로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌아세트산비닐 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름 등이 사용된다. 또한, 이들의 가교 필름도 사용된다. 또한, 이들의 적층 필름이어도 된다.

상기 박리 시트(12a, 12b)의 박리면(특히 내굴곡점착제층(11R)과 접하는 면)에는, 박리 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 박리 처리에 사용되는 박리제로서는, 예를 들면, 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화 폴리에스테르계, 폴리올레핀계, 왁스계의 박리제를 들 수 있다. 또, 박리 시트(12a, 12b) 중, 한쪽의 박리 시트를 박리력이 큰 중박리형 박리 시트로 하고, 다른 쪽의 박리 시트를 박리력이 작은 경박리형 박리 시트로 하는 것이 바람직하다.

박리 시트(12a, 12b)의 두께에 대해서는 특히 제한은 없지만, 통상 20∼150㎛ 정도이다.

(3-2) 점착 시트의 제조

점착 시트(1)의 일 제조예로서, 상기 점착성 조성물 P를 사용한 경우에 대하여 설명한다. 한쪽의 박리 시트(12a)(또는 12b)의 박리면에, 점착성 조성물 P의 도포액을 도포하고, 가열 처리를 행해서 점착성 조성물 P를 열가교하여, 도포층을 형성한 후, 그 도포층에 다른 쪽의 박리 시트(12b)(또는 12a)의 박리면을 중첩한다. 양생 기간이 필요한 경우는 양생 기간을 둠에 의해, 양생 기간이 불필요한 경우는 그대로, 상기 도포층이 내굴곡점착제층(11R)으로 된다. 이것에 의해, 상기 점착 시트(1)가 얻어진다. 가열 처리 및 양생의 조건에 대해서는, 상술한 바와 같다.

점착 시트(1)의 다른 제조예로서는, 한쪽의 박리 시트(12a)의 박리면에, 점착성 조성물 P의 도포액을 도포하고, 가열 처리를 행해서 점착성 조성물 P를 열가교하여, 도포층을 형성해서, 도포층 부착의 박리 시트(12a)를 얻는다. 또한, 다른 쪽의 박리 시트(12b)의 박리면에, 상기 점착성 조성물 P의 도포액을 도포하고, 가열 처리를 행해서 점착성 조성물 P를 열가교하여, 도포층을 형성해서, 도포층 부착의 박리 시트(12b)를 얻는다. 그리고, 도포층 부착의 박리 시트(12a)와 도포층 부착의 박리 시트(12b)를, 양 도포층이 서로 접촉하도록 첩합한다. 양생 기간이 필요한 경우는 양생 기간을 둠에 의해, 양생 기간이 불필요한 경우는 그대로, 상기한 적층된 도포층이 내굴곡점착제층(11R)으로 된다. 이것에 의해, 상기 점착 시트(1)가 얻어진다. 이 제조에 따르면, 내굴곡점착제층(11R)이 비교적 두꺼운 경우여도, 안정해서 제조하는 것이 가능하게 된다.

상기 점착성 조성물 P의 도포액을 도포하는 방법으로서는, 예를 들면 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비어 코트법 등을 이용할 수 있다.

2. 반복 굴곡 디바이스의 구성

본 실시형태에 따른 반복 굴곡 디바이스는, 예를 들면, 유기 일렉트로 루미네선스(유기 EL) 디스플레이, 전기 영동 방식의 디스플레이(전자페이퍼), 플렉서블 프린트 기판, 기판으로서 플라스틱 기판(필름)을 사용한 액정 디스플레이, 폴더블 디스플레이, 마이크로 LED 디스플레이, 양자 도트 디스플레이 등이고, 터치패널이어도 된다.

본 실시형태에 따른 반복 굴곡 디바이스의 일례로서의 구성을, 도면을 참조해서 설명한다.

도 2에 나타나는 반복 굴곡 디바이스(10A)는, 하측으로부터 순서대로, 제1 플라스틱 기판(211)과, 제1 점착제층(111)과, 가스 배리어층 부착의 제2 플라스틱 기판(221)과, 박막 트랜지스터(3)와, 유기 발광 다이오드(4)와, 당해 유기 발광 다이오드(4)를 봉지(封止)하는 제2 점착제층(112)과, 가스 배리어층 부착의 제3 플라스틱 기판(222)과, 터치 센서(5)와, 제3 점착제층(113)과, 제4 플라스틱 기판(212)을 적층해서 구성된다.

상기 반복 굴곡 디바이스(10A)에 있어서는, 제1 점착제층(111), 제2 점착제층(112) 및 제3 점착제층(113) 중, 적어도 1층이 내굴곡점착제층이고, 그 이외가 비내굴곡점착제층이다. 또, 유기 발광 다이오드(4)를 봉지하는 제2 점착제층(112)의 두께는, 유기 발광 다이오드(4)를 덮는 것이 가능한 두께인 것이 바람직하고, 통상적으로, 1∼10㎛이고, 바람직하게는 3∼5㎛이다.

또, 유기 발광 다이오드(4)에는, 도시하지 않는 박막 봉지(Thin Film Encapsulation; TFE)층이 적층되어 있어도 된다. 박막 봉지층은, 통상적으로, 질화규소나 산화알루미늄 등을 포함하는 것이고, PVD(Physical Vapor Deposition)법, CVD(Chemical Vapor Deposition)법, 또는 ALD(Atomic Layer Deposition)법 등에 의해 형성할 수 있고, 2층 이상 마련되어 있어도 된다. 또한, 박막 봉지층의 두께는, 통상적으로, 100㎚∼2㎛이다.

도 3에 나타나는 반복 굴곡 디바이스(10B)는, 하측으로부터 순서대로, 제1 플라스틱 기판(211)과, 제1 점착제층(111)과, 가스 배리어층 부착의 제2 플라스틱 기판(221)과, 박막 트랜지스터(3)와, 유기 발광 다이오드(4)와, 당해 유기 발광 다이오드(4)를 봉지하는 제2 점착제층(112)과, 가스 배리어층 부착의 제3 플라스틱 기판(222)과, 터치 센서(5)와, 제3 점착제층(113)과, 제4 플라스틱 기판(212)과, 제4 점착제층(114)과, 하드코트층 부착의 제5 플라스틱 기판(231)을 적층해서 구성된다.

상기 반복 굴곡 디바이스(10B)에 있어서는, 제1 점착제층(111), 제2 점착제층(112), 제3 점착제층(113) 및 제4 점착제층(114) 중, 적어도 1층이 내굴곡점착제층이고, 그 이외가 비내굴곡점착제층이다.

도 4에 나타나는 반복 굴곡 디바이스(10C)는, 하측으로부터 순서대로, 제1 플라스틱 기판(211)과, 제1 점착제층(111)과, 가스 배리어층 부착의 제2 플라스틱 기판(221)과, 박막 트랜지스터(3)와, 유기 발광 다이오드(4)와, 당해 유기 발광 다이오드(4)를 봉지하는 제2 점착제층(112)과, 가스 배리어층 부착의 제3 플라스틱 기판(222)과, 터치 센서(5)와, 제3 점착제층(113)과, 제4 플라스틱 기판(212)과, 제4 점착제층(114)과, 제1 파장판(λ/4)(71)과, 제5 점착제층(115)과, 제2 파장판(λ/2)(72)과, 제6 점착제층(116)과, 편광판(81)과, 하드코트층 부착의 편광판 보호 필름(82)을 적층해서 구성된다.

상기 반복 굴곡 디바이스(10C)에 있어서는, 제1 점착제층(111), 제2 점착제층(112), 제3 점착제층(113), 제4 점착제층(114), 제5 점착제층(115) 및 제6 점착제층(116) 중, 적어도 1층이 내굴곡점착제층이고, 그 이외가 비내굴곡점착제층이다.

상기 반복 굴곡 디바이스(10A∼10C)를 구성하는 점착제층 이외의 구성 부재는, 굴곡성을 갖는 굴곡성 부재이다. 이들 굴곡성 부재의 영률은, 각각 0.1∼10GPa인 것이 바람직하고, 0.5∼7GPa인 것이 특히 바람직하고, 1.0∼5GPa인 것이 더 바람직하다. 각 굴곡성 부재의 영률이 이러한 범위에 있음으로써, 각 굴곡성 부재에 대하여 반복 굴곡시키는 것이 용이하게 된다.

상기 굴곡성 부재의 두께는, 각각 5∼3000㎛인 것이 바람직하고, 10∼1000㎛인 것이 특히 바람직하고, 10∼500㎛인 것이 더 바람직하다. 굴곡성 부재의 두께가 이러한 범위에 있음으로써, 각 굴곡성 부재에 대하여 반복 굴곡시키는 것이 용이하게 된다.

반복 굴곡 디바이스(10A∼10C)는, 복수의 점착제층의 적어도 1층을 내굴곡점착제층으로 하는 이외는, 통상의 방법에 의해서 제조할 수 있다. 내굴곡점착제층으로서 상술한 점착 시트(1)의 내굴곡점착제층(11R)을 사용하는 경우에는, 점착 시트(1)의 한쪽의 박리 시트(12a(12b))를 박리하고, 점착 시트(1)의 노출한 내굴곡점착제층(11R)을, 소정의 하나의 구성 부재에 첩합한다. 그 후, 점착 시트(1)의 내굴곡점착제층(11R)으로부터 다른 쪽의 박리 시트(12b(12a))를 박리하고, 점착 시트(1)의 노출한 내굴곡점착제층(11R)과 소정의 다른 구성 부재를 첩합한다.

내굴곡점착제층(11R) 이외의 점착제층에 대해서는, 원하는 점착제로 이루어지는 점착제층을 갖는 점착 시트를 상기 점착 시트(1)와 마찬가지로 해서 사용함에 의해, 형성할 수 있다.

박막 트랜지스터(3)는, 제2 플라스틱 기판(221)에 대해서 증착 등을 행함에 의해, 구축할 수 있다. 또한, 터치 센서(5)는, 제3 플라스틱 기판(222)에 대해서 ITO 등의 도전재를, 증착 등의 처리를 함에 의해, 형성할 수 있다. 또, 터치 센서(5)는, 제4 플라스틱 기판(212)에 대해서 ITO 등을 증착 등 함에 의해, 형성할 수도 있다. 이 경우, 제3 점착제층(113)은, 제3 플라스틱 기판(222)과 터치 센서(5)와의 사이에 위치하는 것으로 된다. 또한, 터치 센서(5)는, 복수 층에 의해서 구성되어도 되고, 그 경우, 터치 센서(5)의 사이에 점착제층이 존재하여 있어도 된다.

본 실시형태에 따른 반복 굴곡 디바이스는, 적어도 1층의 내굴곡점착제층을 갖기 때문에, 반복 굴곡시킨 경우(예를 들면 3만회)나 장기간 굴곡 상태에 놓인 경우(예를 들면 적어도 24시간 이상)에 있어서, 굴곡 상태로부터 해방한 후에, 복원하기 쉽고, 굴곡흔이 남기 어렵다. 이러한 반복 굴곡 디바이스의 굴곡흔 억제 효과는, 예를 들면, 정적 굴곡 시험에 의한 정적 굴곡 변형량에 의해 평가할 수 있다. 또, 굴곡 시험으로서, 반복 굴곡 디바이스를 반복(예를 들면 3만회) 굴곡시키는 동적 굴곡 시험도 있지만, 반복 굴곡 디바이스에 있어서 동적 굴곡 시험보다도 정적 굴곡 시험인 편이 시험 조건으로서 엄격하기 때문에, 정적 굴곡 시험에서 좋은 결과가 얻어지면, 동적 굴곡 시험에서도 좋은 결과가 얻어진다. 따라서, 반복 굴곡 디바이스의 굴곡흔 억제 효과를 확인하는데 있어서, 정적 굴곡 시험을 행하면 충분하다고 할 수 있다.

정적 굴곡 시험에 있어서는, 2매의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 : 12㎛)으로 점착제층(두께 : 12㎛)을 협지해서 이루어지는 적층체로서, 200㎜×50㎜의 크기의 것을 시험편으로 한다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 이 시험편 S를, 23℃, 50% RH의 환경 하, 입설(立設)한 2매의 유리판으로 이루어지는 유지 플레이트 P의 사이에, 굴곡시킨 상태에서, 24시간 유지한다. 이때, 2매의 유지 플레이트 P의 상호 간의 거리는 6㎜로 설정하고(시험편 S의 굴곡 직경 : 6㎜φ), 시험편 S의 장변(200㎜)의 대략 중앙부가 굴곡부로 되고, 시험편 S의 양쪽의 단변(50㎜)이 상측에 위치하도록 시험편 S를 유지한다. 이 정적 굴곡 시험을 행한 후, 2매의 유지 플레이트 P의 사이로부터 시험편 S를 취출하고, 도 7에 나타내는 바와 같이, 굴곡부의 볼록 방향이 상측으로 되도록, 시험편 S를 평판 상에 재치(載置)한다. 그리고, 시험 직후 및 시험 24시간 후에, 평판 표면으로부터 굴곡부(변형부)의 정점까지의 높이 h를 정적 굴곡 변형량으로서 측정한다. 이 정적 굴곡 변형량을 정적 굴곡 시험의 시험 결과로 하고, 당해 정적 굴곡 변형량을 기준으로 굴곡흔 억제 효과를 평가할 수 있다.

정적 굴곡 시험에 의한 정적 굴곡 변형량은, 시험 직후에 있어서, 24㎜ 이하인 것이 바람직하고, 15㎜ 이하인 것이 보다 바람직하고, 10㎜ 이하인 것이 특히 바람직하고, 5㎜ 이하인 것이 더 바람직하고, 0.5㎜ 이하인 것이 가장 바람직하다. 또, 시험 직후의 정적 굴곡 변형량의 하한값은, 0㎜인 것이 바람직하다.

정적 굴곡 시험에 의한 정적 굴곡 변형량은, 시험 24시간 후에 있어서, 10㎜ 이하인 것이 바람직하고, 8㎜ 이하인 것이 보다 바람직하고, 6㎜ 이하인 것이 특히 바람직하고, 4㎜ 이하인 것이 더 바람직하고, 0.5㎜ 이하인 것이 가장 바람직하다. 또, 시험 24시간 후의 정적 굴곡 변형량의 하한값은, 0㎜인 것이 바람직하다.

〔굴곡흔의 억제 방법〕

1층 또는 복수 층의 점착제층을 구비한 반복 굴곡 디바이스에 있어서는, 점착제층의 적어도 1층을, 상술한 물성을 충족시키는 점착제로부터 형성함에 의해, 즉, 점착제층의 적어도 1층을 상술한 굴곡점착제층으로 함에 의해, 굴곡흔이 남는 것을 억제할 수 있다.

이상 설명한 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위하여 기재된 것이며, 본 발명을 한정하기 위하여 기재된 것은 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.

예를 들면, 점착 시트(1)에 있어서의 박리 시트(12a, 12b) 중 어느 한쪽 또는 양쪽은 생략되어도 되고, 또한, 박리 시트(12a 및/또는 12b) 대신에 원하는 구성 부재가 적층되어도 된다. 또한, 반복 굴곡 디바이스(10A∼10C)에 있어서는, 다른 층을 구비해도 되고, 일부의 층이 생략되어도 된다.

(실시예)

이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예 등으로 한정되는 것은 아니다.

〔제조예 1〕(점착 시트 I의 제조)

1. (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 조제

아크릴산2-에틸헥실 65질량부, 아크릴산이소보닐 15질량부, N-아크릴로일모르폴린 5질량부 및 아크릴산2-히드록시에틸 15질량부를 용액 중합법에 의해 공중합시켜서, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)를 조제했다. 이 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 분자량을 후술하는 방법으로 측정했더니, 중량 평균 분자량(Mw) 50만이었다.

2. 점착성 조성물의 조제

상기 공정 1에서 얻어진 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 100질량부(고형분 환산값; 이하 같다)와, 가교제(B)로서의 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트(토요켐샤제, 제품명 「BHS8515」) 1.20질량부를 혼합하고, 충분히 교반해서, 메틸에틸케톤(MEK)으로 희석함에 의해, 점착성 조성물의 도포 용액(고형분 농도 : 30.0질량%)을 얻었다.

3. 점착 시트의 제조

상기 공정 2에서 얻어진 점착성 조성물의 도포 용액을, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 편면을 실리콘계 박리제로 박리 처리한 중박리형 박리 시트(린텍샤제, 제품명 「SP-PET382150」)의 박리 처리면에, 콤마 코터(등록상표)로 도포했다. 그리고, 도포층에 대하여, 90℃에서 1분간 가열 처리해서 도포층을 형성했다.

다음으로, 상기에서 얻어진 중박리형 박리 시트 상의 도포층과, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 편면을 실리콘계 박리제로 박리 처리한 경박리형 박리 시트(린텍샤제, 제품명 「SP-PET381031」)를, 당해 경박리형 박리 시트의 박리 처리면이 도포층에 접촉하도록 첩합하고, 23℃, 50% RH의 조건 하에서 7일간 양생함에 의해, 두께 12㎛의 점착제층을 갖는 점착 시트, 즉, 중박리형 박리 시트/점착제층(두께 : 12㎛)/경박리형 박리 시트의 구성으로 이루어지는 점착 시트 I를 제작했다. 이 점착 시트 I의 점착제층을 「점착제층 I」라 한다. 또, 점착제층의 두께는, JIS K7130에 준거하여, 정압 두께 측정기(테크록샤제, 제품명 「PG-02」)를 사용해서 측정한 값이다.

〔제조예 2〕(점착 시트 II의 제조)

제조예 1에서 조제한 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)를 사용하고, 가교제(B)의 배합량을 0.30질량부로 변경하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 점착 시트 II를 제작했다. 이 점착 시트 II의 점착제층을 「점착제층 II」라 한다.

〔제조예 3〕(점착 시트 III의 제조)

아크릴산부틸 60질량부, 아크릴산메틸 20질량부 및 아크릴산2-히드록시에틸 20질량부를 용액 중합법에 의해 공중합시켜서, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)를 조제했다. 이 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 분자량을 후술하는 방법으로 측정했더니, 중량 평균 분자량(Mw) 60만이었다.

상기에서 얻어진 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 100질량부와, 가교제(B)로서의 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트(토요켐샤제, 제품명 「BHS8515」) 1.88질량부를 혼합하고, 충분히 교반하고, MEK로 희석함에 의해, 점착성 조성물의 도포 용액(고형분 농도 : 30.0질량%)을 얻었다. 얻어진 점착성 조성물의 도포 용액을 사용하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 점착 시트 III를 제작했다. 이 점착 시트 III의 점착제층을 「점착제층 III」라 한다.

〔제조예 4〕(점착 시트 IV의 제조)

제조예 1에서 조제한 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)를 사용하고, 가교제(B)의 배합량을 0.60질량부로 변경하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 점착 시트 IV를 제작했다. 이 점착 시트 IV의 점착제층을 「점착제층 IV」라 한다.

〔제조예 5〕(점착 시트 V의 제조)

아크릴산2-에틸헥실 60질량부, 메타크릴산메틸 20질량부 및 아크릴산2-히드록시에틸 20질량부를 용액 중합법에 의해 공중합시켜서, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)를 조제했다. 이 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 분자량을 후술하는 방법으로 측정했더니, 중량 평균 분자량(Mw) 60만이었다.

상기에서 얻어진 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 100질량부와, 가교제(B)로서의 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트(토요켐샤제, 제품명 「BHS8515」) 1.88질량부를 혼합하고, 충분히 교반하고, MEK로 희석함에 의해, 점착성 조성물의 도포 용액(고형분 농도 : 30.0질량%)을 얻었다. 얻어진 점착성 조성물의 도포 용액을 사용하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 점착 시트 V를 제작했다. 이 점착 시트 V의 점착제층을 「점착제층 V」라 한다.

〔제조예 6〕 (점착 시트 VI의 제조)

이소부틸렌-이소프렌 공중합체(니혼부틸샤제, 제품명 「Butyl365」) 15질량부와, 점착부여제(니혼제온샤제, 제품명 「크인톤A100」) 3질량부를 혼합하고, 충분히 교반하고, 톨루엔으로 희석함에 의해, 부틸 고무로서의 점착성 조성물의 도포 용액(고형분 농도 : 15질량%)을 얻었다. 얻어진 점착성 조성물의 도포 용액을 사용하고, 가열 처리 온도를 100℃로 하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 점착 시트 VI를 제작했다. 이 점착 시트 VI의 점착제층을 「점착제층 VI」라 한다.

또, 표 1 중에, 각 제조예에 있어서의 (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)의 조성 및 가교제(B)의 배합량((메타)아크릴산에스테르 중합체(A) 100질량부에 대한 질량부)을 기재한다. 표 1 중의 약호는 이하와 같다.

2EHA : 아크릴산2-에틸헥실

IBXA : 아크릴산이소보르닐

ACMO : N-아크릴로일모르폴린

HEA : 아크릴산2-히드록시에틸

BA : 아크릴산n-부틸

MA : 아크릴산메틸

MMA : 메타크릴산메틸

〔실시예 1〕

제조예 1에서 얻어진 점착 시트 I 및 제조예 6에서 얻어진 점착 시트 VI를 사용해서, 도 5에 나타내는 적층체(100)를 제조했다. 이 적층체(100)는, 하측으로부터 순서대로, 제1 기재(91)와, 제1 점착제층(111)과, 제2 기재(92)와, 제2 점착제층(112)과, 제3 기재(93)와, 제3 점착제층(113)과, 제4 기재(94)를 적층해서 이루어지는 것이고, 모의의 반복 굴곡 디바이스에 해당한다.

구체적으로는, 최초로, 제1 기재(91), 제2 기재(92), 제3 기재(93) 및 제4 기재(94)로서, 제1∼제4 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(도레샤제, 제품명 「S10루미라」, 두께 : 12㎛)을 준비했다. 다음으로, 23℃, 50% RH의 환경 하에서, 제조예 6에서 얻어진 점착 시트 VI로부터 경박리형 박리 시트를 박리하고, 노출한 점착제층 VI를, 제1 PET 필름의 한쪽의 면에 첩합했다. 계속해서, 당해 점착 시트 VI로부터 중박리형 박리 시트를 박리하고, 노출한 점착제층 VI에, 제2 PET 필름의 한쪽의 면을 첩합했다.

다음으로, 23℃, 50% RH의 환경 하에서, 제조예 1에서 얻어진 점착 시트 I로부터 경박리형 박리 시트를 박리하고, 노출한 점착제층 I를, 상기 제2 PET 필름의 다른 쪽의 면에 첩합했다. 계속해서, 당해 점착 시트 I로부터 중박리형 박리 시트를 박리하고, 노출한 점착제층 I에, 제3 PET 필름의 한쪽의 면을 첩합했다.

다음으로, 23℃, 50% RH의 환경 하에서, 제조예 6에서 제작한 점착 시트 VI로부터 경박리형 박리 시트를 박리하고, 노출한 점착제층 VI를, 상기 제3 PET 필름의 다른 쪽의 면에 첩합했다. 계속해서, 당해 점착 시트 VI로부터 중박리형 박리 시트를 박리하고, 노출한 점착제층 VI에, 제4 PET 필름의 한쪽의 면을 첩합했다. 마지막으로, 구리하라세사쿠죠샤제 오토클레이브로 0.5MPa, 50℃에서, 20분 가압한 후, 23℃, 50% RH의 조건 하에서 24시간 방치하여, 도 5에 나타나는 적층체(100)를 얻었다.

〔실시예 2∼23, 비교예 1〕

제조예 1∼6에서 제조한 점착 시트 I∼VI를 사용해서, 도 5에 나타내는 적층체(100)를 제조했다. 이때, 제1 점착제층(111), 제2 점착제층(112) 및 제3 점착제층(113)이, 각각 표 2에 나타나는 점착제층 I∼VI로 되도록 점착 시트 I∼VI를 사용하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 적층체(100)를 제조했다.

〔시험예 1〕(완화 탄성률의 측정)

제조예에서 제작한 점착 시트의 점착제층을 복수 층 적층하여, 두께 0.5㎜의 적층체로 했다. 얻어진 점착제층의 적층체로부터, 직경 8㎜의 원주체(높이 0.5㎜)를 펀칭하여, 이것을 샘플로 했다.

상기 샘플에 대하여, JIS K7244-1에 준거하여, 점탄성 측정 장치(Anton paar사제, 제품명 「MCR302」)를 사용하여, 이하의 조건에서 점착제를 10% 계속 변형시켜, 완화 탄성률 G(t)(MPa)를 측정했다. 그 측정 결과로부터, 최대 완화 탄성률 G(t)_max(MPa)를 도출함과 함께, 당해 최대 완화 탄성률 G(t)_max가 측정되고나서 3757초 후까지 측정된 최소 완화 탄성률 G(t)_min(MPa)를 도출했다.

측정 온도 : 25℃

측정점 : 1000점(대수 플롯)

얻어진 최대 완화 탄성률 G(t)_max(MPa) 및 최소 완화 탄성률 G(t)_min(MPa)로부터, 이하의 식(I)에 의거해서, 완화 탄성률 변동값 ΔlogG(t)를 산출했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

ΔlogG(t)=logG(t)_max-logG(t)_min …(I)

〔시험예 2〕(크리프 컴플라이언스의 측정)

상기 샘플에 대하여, 점탄성 측정 장치(Anton paar사제, 제품명 「MCR302」)를 사용하여, 이하의 조건에서 3000Pa의 응력을 계속 인가하여, 크리프 컴플라이언스 J(t)(MPa^- ¹)를 측정했다. 그 측정 결과로부터, 3000Pa의 응력이 인가되었을 때의 값을 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min(MPa^-1)로 하고, 당해 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min가 측정되고나서 3757초 후까지 측정된 최대 크리프 컴플라이언스 J(t)_max(MPa^-1)를 도출했다.

측정 온도 : 25℃

측정점 : 1000점(대수 플롯)

얻어진 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min(MPa^-1) 및 최대 크리프 컴플라이언스 J(t)_max(MPa^-1)로부터, 이하의 식(II)에 의거해서, 크리프 컴플라이언스 변동값 ΔlogJ(t)를 산출했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

ΔlogJ(t)=logJ(t)_max-logJ(t)_min …(II)

〔시험예 3〕(곱셈값의 산출)

시험예 1에서 얻어진 ΔlogG(t)와, 시험예 2에서 얻어진 ΔlogJ(t)와의 곱셈값(ΔlogG(t)×ΔlogJ(t))을 산출했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

〔시험예 4〕(동적 탄성률의 측정)

제조예에서 제작한 점착 시트의 점착제층을 복수 층 적층하여, 두께 0.5㎜ 정도의 적층체로 했다. 얻어진 점착제층의 적층체로부터, 직경 8㎜의 원주체(높이 0.5㎜)를 펀칭하여, 이것을 샘플로 했다.

상기 샘플에 대하여, JIS K7244-1에 준거하여, 점탄성 측정 장치(Anton paar사제, 제품명 「MCR302」)를 사용하여, 이하의 조건에서 동적 점탄성을 측정하고, 25℃에 있어서의 저장 탄성률(G')(MPa), 손실 탄성률(G")(MPa) 및 손실정접(tanδ)을 관측했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

측정 주파수 : 1Hz

측정 온도 범위 : -20∼150℃

〔시험예 5〕(정적 굴곡 시험)

실시예 및 비교예에서 제조한 적층체를 200㎜×50㎜로 재단하여, 이것을 시험편으로 했다. 얻어진 시험편을, 23℃, 50% RH의 환경 하, 도 6에 나타내는 바와 같이, 입설한 2매의 유리판으로 이루어지는 유지 플레이트(상호 간 거리 : 6㎜)의 사이에, 굴곡시킨 상태에서 24시간 유지했다. 이 정적 굴곡 시험을 행한 후, 도 7에 나타내는 바와 같이 시험편을 평판 상에 재치하고, 시험 직후 및 시험 24시간 후에, 평판 표면으로부터 굴곡부(변형부)의 정점 부분까지의 높이 h를 정적 굴곡 변형량으로서 측정했다. 측정한 정적 굴곡 변형량에 의거해서, 이하의 기준에 의해 내굴곡성(굴곡흔 억제 효과)을 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.

◎ : 굴곡 시험 직후의 변형량이 15㎜ 이하, 시험 24시간 후의 변형량이 1㎜ 이하

○ : 굴곡 시험 직후의 변형량이 20㎜ 이하, 시험 24시간 후의 변형량이 3㎜ 이하(◎의 것을 제외한다)

△ : 굴곡 시험 직후의 변형량이 24㎜ 이하, 시험 24시간 후의 변형량이 9㎜ 이하(◎ 및 ○의 것을 제외한다)

× : 상기 이외

[표 1]

[표 2]

표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 제조예 1∼5에서 제작한 점착 시트의 점착제층을 적어도 1층 갖는 실시예의 적층체는, 굴곡흔 억제 효과가 우수하다.

본 발명에 따른 반복 굴곡 디바이스는, 반복 굴곡 가능한 유기 EL 디스플레이 등으로서 호적하게 사용될 수 있다.

1 : 점착 시트
11R : 내굴곡점착제층
12a, 12b : 박리 시트
10A, 10B, 10C : 반복 굴곡 디바이스
111, 112, 113, 114, 115, 116 : 점착제층
211, 212 : 플라스틱 기판
221, 222 : 가스 배리어층 부착의 플라스틱 기판
231 : 하드코트층 부착의 플라스틱 기판
3 : 박막 트랜지스터
4 : 유기 발광 다이오드
5 : 터치 센서
71, 72 : 파장판
81 : 편광판
82 : 편광판 보호 필름
100 : 적층체
91, 92, 93, 94 : 기재
S : 시험편
P : 유지 플레이트

Claims

1층 또는 복수 층의 점착제층을 구비한 반복 굴곡 디바이스로서,
상기 점착제층의 적어도 1층이,
JIS K7244-1에 준거해서, 점착제를 10% 변형시켰을 때에 측정되는 최대의 완화 탄성률값을 최대 완화 탄성률 G(t)_max(MPa)로 하고, 당해 최대 완화 탄성률 G(t)_max가 측정되고나서 3757초 후까지 상기 점착제를 10% 계속 변형시키고, 그 사이에 측정되는 최소의 완화 탄성률값을 최소 완화 탄성률 G(t)_min(MPa)로 하고, 이하의 식(I)으로부터 산출되는 완화 탄성률 변동값 ΔlogG(t)가, 1.20 이하인 점착제로 구성되어 있는
것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스.
ΔlogG(t)=logG(t)_max-logG(t)_min …(I)

제1항에 있어서,
상기 점착제에 3000Pa의 응력을 인가했을 때에 측정되는 크리프 컴플라이언스값을 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min(MPa^-1)로 하고, 당해 최소 크리프 컴플라이언스 J(t)_min가 측정되고나서 3757초 후까지 3000Pa의 응력을 계속 인가하고, 그 사이에 측정되는 최대의 크리프 컴플라이언스값을 최대 크리프 컴플라이언스 J(t)_max(MPa^-1)로 하고, 이하의 식(II)으로부터 산출되는 크리프 컴플라이언스 변동값 ΔlogJ(t)가, 2.84 이하인
것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스.
ΔlogJ(t)=logJ(t)_max-logJ(t)_min …(II)

제1항에 있어서,
상기 점착제가, (메타)아크릴산에스테르 중합체(A)와, 가교제(B)를 함유하는 점착성 조성물을 가교해서 이루어지는 점착제인 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스.

제1항에 있어서,
상기 반복 굴곡 디바이스에 포함되는 점착제층의 총수에 대한, 상기 점착제로 구성되어 있는 점착제층의 수의 비율이, 10% 이상인 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스.

제1항에 있어서,
상기 반복 굴곡 디바이스의 두께에 대한, 상기 점착제로 구성되어 있는 점착제층의 총두께의 비율이, 1% 이상, 50% 이하인 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스.

1층 또는 복수 층의 점착제층을 구비한 반복 굴곡 디바이스의 제조 방법으로서,
상기 점착제층의 적어도 1층을,
JIS K7244-1에 준거해서, 점착제를 10% 변형시켰을 때에 측정되는 최대의 완화 탄성률값을 최대 완화 탄성률 G(t)_max(MPa)로 하고, 당해 최대 완화 탄성률 G(t)_max가 측정되고나서 3757초 후까지 상기 점착제를 10% 계속 변형시키고, 그 사이에 측정되는 최소의 완화 탄성률값을 최소 완화 탄성률 G(t)_min(MPa)로 하고, 이하의 식(I)으로부터 산출되는 완화 탄성률 변동값 ΔlogG(t)가, 1.20 이하인 점착제에 의해서 구성하는
것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스의 제조 방법.
ΔlogG(t)=logG(t)_max-logG(t)_min …(I)

제6항에 있어서,
상기 점착제로 구성되어 있는 점착제층을 갖는 점착 시트를 사용해서, 상기 반복 굴곡 디바이스의 구성 부재를 첩합하는 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스의 제조 방법.

1층 또는 복수 층의 점착제층을 구비한 반복 굴곡 디바이스에 있어서의 굴곡흔의 억제 방법으로서,
상기 점착제층의 적어도 1층을,
JIS K7244-1에 준거해서, 점착제를 10% 변형시켰을 때에 측정되는 최대의 완화 탄성률값을 최대 완화 탄성률 G(t)_max(MPa)로 하고, 당해 최대 완화 탄성률 G(t)_max가 측정되고나서 3757초 후까지 상기 점착제를 10% 계속 변형시키고, 그 사이에 측정되는 최소의 완화 탄성률값을 최소 완화 탄성률 G(t)_min(MPa)로 하고, 이하의 식(I)으로부터 산출되는 완화 탄성률 변동값 ΔlogG(t)가, 1.20 이하인 점착제에 의해서 구성하는
것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스에 있어서의 굴곡흔의 억제 방법.
ΔlogG(t)=logG(t)_max-logG(t)_min …(I)

제8항에 있어서,
상기 점착제로 구성되어 있는 점착제층을 갖는 점착 시트를 사용해서, 상기 반복 굴곡 디바이스의 구성 부재를 첩합하는 것을 특징으로 하는 반복 굴곡 디바이스에 있어서의 굴곡흔의 억제 방법.