KR20190071599A - 접착 필름 및 다이싱 테이프 구비 접착 필름 - Google Patents

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유이치로 시시도
나오히데 다카모토
겐지 오니시
유타 기무라
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

형성되는 접착층에 있어서 열 스트레스에 기인하는 크랙의 발생을 억제하기에 적합한 접착 필름, 및 그러한 접착 필름을 구비하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름을 제공한다.
본 발명의 접착 필름(10)은 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 10mm, 125℃ 및 인장 속도 1mm/초의 조건에서 행하여지는 인장 시험에 있어서 파단 강도 10MPa 이상 및/또는 파단 신도 60％ 이상의 내파단성을 갖는다. 본 발명의 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)은, 그러한 접착 필름(10) 및 다이싱 테이프(20)를 구비한다. 다이싱 테이프(20)는 기재(21)와 점착제층(22)을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 접착 필름(10)은 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 박리 가능하게 밀착되어 있다.

Description

접착 필름 및 다이싱 테이프 구비 접착 필름{ADHESIVE FILM AND ADHESIVE FILM WITH DICING TAPE}
본 발명은 반도체 장치의 제조 과정에서 사용할 수 있는 접착 필름 및 다이싱 테이프 구비 접착 필름에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 다이 본딩용의 칩 상당 사이즈의 접착 필름을 수반하는 반도체칩, 즉 접착 필름 구비 반도체칩을 얻는데 있어서, 다이싱 테이프 구비 접착 필름이 사용되는 경우가 있다. 다이싱 테이프 구비 접착 필름은, 가공 대상인 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈를 갖고, 예를 들어, 기재 및 점착제층으로 이루어지는 다이싱 테이프와, 그 점착제층측에 박리 가능하게 밀착되어 있는 접착 필름을 갖는다.
다이싱 테이프 구비 접착 필름을 사용하여 접착 필름 구비 반도체칩을 얻는 방법의 하나로서, 다이싱 테이프 구비 접착 필름에 있어서의 다이싱 테이프를 익스팬드하여 접착 필름을 할단하기 위한 공정을 거치는 방법이 알려져 있다. 이 방법에서는, 먼저, 다이싱 테이프 구비 접착 필름의 접착 필름 상에 워크인 반도체 웨이퍼가 접합된다. 이 반도체 웨이퍼는, 예를 들어, 나중에 접착 필름의 할단에 수반하여 할단되어서 복수의 반도체칩으로 개편화 가능하도록 가공된 것이다. 이어서, 각각이 반도체칩에 밀착되어 있는 복수의 접착 필름 소편이 다이싱 테이프 상의 접착 필름으로부터 생성되도록 당해 접착 필름을 할단하기 위해, 반도체 웨이퍼를 보유 지지하고 있는 다이싱 테이프 구비 접착 필름의 다이싱 테이프가 웨이퍼 직경 방향으로 익스팬드된다(할단용의 익스팬드 공정). 이 익스팬드 공정에서는, 접착 필름 상의 반도체 웨이퍼에 있어서의 접착 필름 할단 개소에 대응하는 개소에서도 할단이 발생하여, 다이싱 테이프 구비 접착 필름 내지 다이싱 테이프 상에서 반도체 웨이퍼가 복수의 반도체칩으로 개편화된다. 이어서, 예를 들어 세정 공정을 거친 후, 각 반도체칩이 그것에 밀착되어 있는 칩 상당 사이즈의 접착 필름과 함께, 다이싱 테이프의 하측으로부터 픽업 기구의 핀 부재에 의해 밀어올려진 다음 다이싱 테이프 상으로부터 픽업된다. 이와 같이 하여, 접착 필름 구비 반도체칩이 얻어진다. 이 접착 필름 구비 반도체칩은, 그 접착 필름을 통하여, 실장 기판 등의 피착체에 다이 본딩에 의해 고착되게 된다. 예를 들어 이상과 같이 사용되는 다이싱 테이프 구비 접착 필름 및 그것에 포함되는 접착 필름에 관한 기술에 대해서는, 예를 들어 하기의 특허문헌 1 내지 3에 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2007-2173호 공보 일본 특허 공개 제2010-177401호 공보 일본 특허 공개 제2012-23161호 공보
반도체칩의 다이 본딩용의 접착 필름에는, 그것으로 형성되는 접착층에 있어서, 소정의 온도 사이클 시험을 거친 경우일지라도 크랙이 발생하기 어려울 것 등, 열 스트레스에 기인하는 크랙이 발생하기 어려울 것이 요구되는 경우가 있다. 또한, 접착 필름이 두꺼울수록, 그것으로 형성되는 접착층에 있어서, 열 스트레스에 기인하는 크랙은 발생하기 쉬운 경향이 있다. 실장 기판과 반도체칩의 사이에 개재하여 이들을 접합하고 있는 접착층에 크랙이 발생하는 것은, 당해 접착층에 접촉하고 있는 실장 기판 표면 상의 배선에 있어서 손상·단선을 초래하기 어렵지 않아, 바람직하지 않다.
본 발명은 이상과 같은 사정을 기초로 연구된 것으로서, 그 목적은, 형성되는 접착층에 있어서 열 스트레스에 기인하는 크랙의 발생을 억제하기에 적합한 접착 필름, 및 그러한 접착 필름을 구비하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름을 제공하는 데 있다.
본 발명의 제1 측면에 의하면, 접착 필름이 제공된다. 이 접착 필름은, 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 10mm, 125℃ 및 인장 속도 1mm/초의 조건에서 행하여지는 인장 시험에 있어서 파단 강도 10MPa 이상 및/또는 파단 신도 60％ 이상의 내파단성을 갖는다. 본 접착 필름이, 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 대하여 상기 조건에서 행하여지는 인장 시험에 있어서 나타내는 파단 강도는, 바람직하게는 13MPa 이상, 보다 바람직하게는 16MPa 이상, 보다 바람직하게는 19MPa 이상, 보다 바람직하게는 22MPa 이상이다. 본 접착 필름이, 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 대하여 상기 조건에서 행하여지는 인장 시험에 있어서 나타내는 파단 신도는, 바람직하게는 65％ 이상, 보다 바람직하게는 70％ 이상, 보다 바람직하게는 75％ 이상이다. 이와 같은 구성의 접착 필름은, 다이 본딩용의 접착 필름으로서 사용할 수 있다. 또한, 이와 같은 구성의 접착 필름은, 다이싱 테이프의 점착제층측에 밀착된 형태에 있어서, 반도체 장치의 제조 과정에서 접착 필름 구비 반도체칩을 얻는 데 사용할 수 있다.
다이 본딩용의 접착 필름에 있어서, 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 10mm, 125℃ 및 인장 속도 1mm/초의 조건에서 행하여지는 인장 시험에 있어서 파단 강도 10MPa 이상 및/또는 파단 신도 60％ 이상의 내파단성을 갖는다는 상기 구성은, 당해 접착 필름이 비교적으로 두꺼운 경우에도, 그것으로 형성되는 접착층에 있어서 열 스트레스에 기인하는 크랙의 발생을 억제하기에 적합한 것을 본 발명자들은 알아냈다. 예를 들어, 후술하는 실시예 및 비교예를 의해 나타내는 바와 같다.
본 접착 필름에 있어서의, 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 관한 상기 인장 시험에서의 파단 강도가 10MPa 이상, 바람직하게는 13MPa 이상, 보다 바람직하게는 16MPa 이상, 보다 바람직하게는 19MPa 이상, 보다 바람직하게는 22MPa 이상이라고 하는 구성은, 경화 후의 접착 필름, 즉 접착층에 있어서, 열 스트레스의 작용에 의해 내부에 발생·축적되는 변형에 저항하여 크랙의 형성을 억제하기에 적합한 것으로 생각된다.
본 접착 필름에 있어서의, 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 관한 상기 인장 시험에서의 파단 신도가 60％ 이상, 바람직하게는 65％ 이상, 보다 바람직하게는 70％ 이상, 보다 바람직하게는 75％ 이상이라고 하는 구성은, 경화 후의 접착 필름, 즉 접착층에 있어서, 열 스트레스의 작용에 의한 내부 변형을 억제하기에 적합한 것으로 생각된다. 접착층에 있어서, 내부 변형량이 적을수록, 크랙은 발생하기 어렵다.
이상과 같이, 본 발명의 제1 측면에 관한 접착 필름은, 그것으로 형성되는 접착층에 있어서 열 스트레스에 기인하는 크랙의 발생을 억제하기에 적합한 것이다.
본 접착 필름은, 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 22.5mm, 주파수 1Hz, 동적 변형 ±0.5㎛, 및 승온 속도 10℃/분의 조건에서 측정되는 125℃에서의 인장 저장 탄성률이 바람직하게는 40MPa 이상, 보다 바람직하게는 50MPa 이상, 보다 바람직하게는 60MPa 이상이다. 이와 같은 구성은, 형성되는 접착층에 있어서 열 스트레스에 기인하는 크랙의 발생을 억제함에 있어서 바람직하다.
본 접착 필름의 두께는, 바람직하게는 40㎛ 이상, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상, 보다 바람직하게는 80㎛ 이상이다. 이와 같은 구성은, 실장 기판에 와이어 본딩 실장된 제1 반도체칩을 당해 제1 반도체칩에 접속된 본딩 와이어의 전체 또는 일부와 함께 포매하면서 실장 기판에 제2 반도체칩을 접합하는 접착층 형성용의 접착 필름(반도체칩 포매용의 두꺼운 접착 필름)으로서 본 발명의 접착 필름을 사용함에 있어서 바람직하다. 또는, 접착 필름의 두께에 관한 당해 구성은, 실장 기판에 플립 칩 실장된 제1 반도체칩을 포매하면서 실장 기판에 제2 반도체칩을 접합하는 접착층 형성용의 접착 필름(반도체칩 포매용의 두꺼운 접착 필름)으로서 본 발명의 접착 필름을 사용함에 있어서 바람직하다.
본 접착 필름의 두께는, 바람직하게는 150㎛ 이하, 보다 바람직하게는 140㎛ 이하, 보다 바람직하게는 130㎛ 이하이다. 이와 같은 구성은, 본 접착 필름이 다이싱 테이프의 점착제층측에 밀착된 형태로 상술한 바와 같은 할단용의 익스팬드 공정에 부쳐지는 경우에 당해 접착 필름이 양호한 할단을 실현함에 있어서 바람직하다.
본 접착 필름의 미경화 상태에 있어서의 120℃에서의 점도는, 바람직하게는 300Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 700Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 1000Pa·s 이상이다. 본 접착 필름의 미경화 상태에 있어서의 120℃에서의 점도는, 바람직하게는 5000Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4500Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4000Pa·s 이하이다. 접착 필름의 점도에 관한 이들 구성은, 반도체칩이나 본딩 와이어의 포매를 수반하는 접착층을 형성하기 위한 상기 각종의 두꺼운 접착 필름으로서 본 접착 필름을 사용함에 있어서 바람직하다.
본 접착 필름은, 실장 기판에 와이어 본딩 실장된 제1 반도체칩을 당해 제1 반도체칩에 접속된 본딩 와이어의 전체 또는 일부와 함께 포매하면서 실장 기판에 제2 반도체칩을 접합하는 접착층을 형성하는 것이 가능하도록 구성되어도 된다. 본 접착 필름은, 실장 기판에 플립 칩 실장된 제1 반도체칩을 포매하면서 실장 기판에 제2 반도체칩을 접합하는 접착층을 형성하는 것이 가능하도록 구성되어도 된다.
본 발명의 제2 측면에 의하면, 다이싱 테이프 구비 접착 필름이 제공된다. 이 다이싱 테이프 구비 접착 필름은, 다이싱 테이프와, 본 발명의 제1 측면에 관한 상술한 접착 필름을 구비한다. 다이싱 테이프는, 기재 및 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 접착 필름은, 다이싱 테이프의 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있다. 본 발명의 제1 측면에 관한 접착 필름을 구비하는 이러한 다이싱 테이프 구비 접착 필름은, 형성되는 접착층에 있어서 열 스트레스에 기인하는 크랙의 발생을 억제하기에 적합한 접착 필름을 예를 들어 웨이퍼 사이즈로 제공하기에 적합하다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시 형태에 따른 다이싱 테이프 구비 접착 필름의 단면 모식도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 도시한다.
도 3은 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 도시한다.
도 4는 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 도시한다.
도 5는 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 도시한다.
도 6은 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 도시한다.
도 7은 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 도시한다.
도 8은 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 도시한다.
도 9는 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 도시한다.
도 10은 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 도시한다.
도 11은 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 도시한다.
도 12는 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 도시한다.
도 13은 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 도시한다.
도 14는 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름이 사용되어서 제조되는 반도체 장치의 일례를 도시한다.
도 15는 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름이 사용되어서 제조되는 반도체 장치의 일례를 도시한다.
도 16은 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름이 사용되어서 제조되는 반도체 장치의 일례를 도시한다.
도 1은, 본 발명의 하나의 실시 형태에 따른 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 단면 모식도이다. 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)은, 본 발명의 하나의 실시 형태에 따른 접착 필름(10)과 다이싱 테이프(20)를 포함하는 적층 구조를 갖는다. 다이싱 테이프(20)는 기재(21)와 점착제층(22)을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 점착제층(22)은 접착 필름(10)측에 점착면(22a)을 갖는다. 접착 필름(10)은 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22) 내지 그 점착면(22a)에 박리 가능하게 밀착되어 있다. 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)은, 반도체 장치의 제조에 있어서 접착 필름 구비 반도체칩을 얻는 과정에서의 예를 들어 후기와 같은 블레이드 다이싱 공정이나 익스팬드 공정에 사용할 수 있는 것이다. 또한, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)은, 반도체 장치의 제조 과정에 있어서의 워크인 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈의 원반 형상을 갖고, 그 직경은, 예를 들어, 300 내지 390mm의 범위 내(12인치 웨이퍼 대응형), 200 내지 280mm의 범위 내(8인치 웨이퍼 대응형), 450 내지 530mm의 범위 내(18인치 웨이퍼 대응형), 또는, 150 내지 230mm의 범위 내(6인치 웨이퍼 대응형)에 있다.
다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 있어서의 접착 필름(10)은 열경화성을 나타내는 다이 본딩용 접착제로서 기능할 수 있는 구성을 갖는다. 접착 필름(10)은 수지 성분으로서 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 조성을 가져도 되고, 경화제와 반응하여 결합을 발생할 수 있는 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 수지 성분으로서 포함하는 조성을 가져도 된다. 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 조성을 접착 필름(10)이 갖는 경우, 당해 접착 필름(10)은 열경화성 수지를 더 포함할 필요는 없다. 이러한 접착 필름(10)은 단층 구조를 가져도 되고, 인접층 간에서 조성이 상이한 다층 구조를 가져도 된다.
접착 필름(10)이 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 조성을 갖는 경우의 당해 열경화성 수지로서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 및 열경화성 폴리이미드 수지를 들 수 있다. 접착 필름(10)은 1종류의 열경화성 수지를 포함해도 되고, 2종류 이상의 열경화성 수지를 포함해도 된다. 에폭시 수지는, 다이 본딩 대상인 반도체칩의 부식 원인이 될 수 있는 이온성 불순물 등의 함유량이 적은 경향이 있다는 점에서, 접착 필름(10) 중의 열경화성 수지로서 바람직하다. 또한, 에폭시 수지에 열경화성을 발현시키기 위한 경화제로서는, 페놀 수지가 바람직하다.
상기의 에폭시 수지로서는, 예를 들어, 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 및 글리시딜아민형의, 에폭시 수지를 들 수 있다. 페놀노볼락형 에폭시 수지, 오르토크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 및 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 많고 또한 내열성이 우수한 점에서, 접착 필름(10) 중의 에폭시 수지로서 바람직하다.
에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있는 페놀 수지로서는, 예를 들어, 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 및 폴리파라옥시 스티렌 등의 폴리옥시스티렌을 들 수 있다. 노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들어, 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 및 노닐페놀노볼락 수지를 들 수 있다. 접착 필름(10)은 에폭시 수지의 경화제로서, 1종류의 페놀 수지를 포함해도 되고, 2종류 이상의 페놀 수지를 포함해도 된다. 페놀노볼락 수지나 페놀 아르알킬 수지는, 다이 본딩용 접착제로서의 에폭시 수지의 경화제로서 사용되는 경우에 당해 접착제의 접속 신뢰성을 향상시키는 경향이 있으므로, 접착 필름(10) 중의 에폭시 수지용 경화제로서 바람직하다.
접착 필름(10)이 에폭시 수지와 그의 경화제로서의 페놀 수지를 함유하는 경우, 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량에 대하여 페놀 수지 중의 수산기가 바람직하게는 0.5 내지 2.0당량, 보다 바람직하게는 0.8 내지 1.2당량인 비율로, 양쪽 수지는 배합된다. 이와 같은 구성은, 접착 필름(10)의 경화에 있어서 당해 에폭시 수지 및 페놀 수지의 경화 반응을 충분히 진행시킴에 있어서 바람직하다.
접착 필름(10)에 있어서의 열경화성 수지의 함유 비율은, 접착 필름(10)에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절하게 발현시킨다는 관점에서는, 바람직하게는 5 내지 60질량％, 보다 바람직하게는 10 내지 50질량％이다.
접착 필름(10) 중의 열가소성 수지는 예를 들어 바인더 기능을 담당하는 것이며, 접착 필름(10)이 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 조성을 갖는 경우의 당해 열가소성 수지로서는, 예를 들어, 아크릴 수지, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트나 폴리부틸렌테레프탈레이트 등 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 및 불소 수지를 들 수 있다. 접착 필름(10)은 1종류의 열가소성 수지를 포함해도 되고, 2종류 이상의 열가소성 수지를 포함해도 된다. 아크릴 수지는, 이온성 불순물이 적고 또한 내열성이 높다는 점에서, 접착 필름(10) 중의 열가소성 수지로서 바람직하다.
접착 필름(10)이 열가소성 수지로서 아크릴 수지를 함유하는 경우의 당해 아크릴 수지를 이루는 아크릴계 폴리머는, 바람직하게는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 「(메트)아크릴」은, 「아크릴」 및/또는 「메타크릴」을 의미하는 것으로 한다.
상기 아크릴계 폴리머의 모노머 유닛을 이루기 위한 (메트)아크릴산에스테르, 즉, 아크릴계 폴리머의 구성 모노머인 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어, (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, 및 (메트)아크릴산아릴에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어, (메트)아크릴산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르(즉 라우릴에스테르), 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 및 에이코실에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산시클로알킬에스테르로서는, 예를 들어, (메트)아크릴산의 시클로펜틸에스테르 및 시클로헥실에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산아릴에스테르로서는, 예를 들어, (메트)아크릴산페닐 및 (메트)아크릴산벤질을 들 수 있다. 아크릴계 폴리머의 구성 모노머로서, 1종류의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 된다. 또한, 아크릴 수지를 이루기 위한 아크릴계 폴리머는, 그것을 형성하기 위한 원료 모노머를 중합하여 얻을 수 있다. 중합 방법으로서는, 예를 들어, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 및 현탁 중합을 들 수 있다.
상기 아크릴계 폴리머는, 예를 들어 그 응집력이나 내열성의 개질을 위해서, (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 1종류의 또는 2종류 이상의 다른 모노머를 구성 모노머로서 포함해도 된다. 그러한 모노머로서는, 예를 들어, 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드, 및 아크릴로니트릴을 들 수 있다. 카르복시기 함유 모노머로서는, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, (메트)아크릴산카르복시에틸, (메트)아크릴산카르복시 펜틸, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 및 크로톤산을 들 수 있다. 산 무수물 모노머로서는, 예를 들어, 무수 말레산 및 무수 이타콘산을 들 수 있다. 히드록시기 함유 모노머로서는, 예를 들어, (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, 및 (메트)아크릴산(4-히드록시메틸시클로헥실)메틸을 들 수 있다. 에폭시기 함유 모노머로서는, 예를 들어, (메트)아크릴산글리시딜 및 (메트)아크릴산메틸글리시딜을 들 수 있다. 술폰산기 함유 모노머로서는, 예를 들어, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 및 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산을 들 수 있다. 인산기 함유 모노머로서는, 예를 들어, 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트를 들 수 있다.
접착 필름(10)에 있어서 높은 응집력을 실현한다는 관점에서는, 접착 필름(10)에 아크릴 수지로서 포함되는 아크릴계 폴리머는, 예를 들어, 아크릴산부틸과 아크릴산에틸과 아크릴로니트릴의 공중합체이다.
접착 필름(10)이 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 조성을 갖는 경우, 당해 열가소성 수지로서는, 예를 들어, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 사용할 수 있다. 이 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 이루기 위한 아크릴 수지는, 바람직하게는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 그러한 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어, 접착 필름(10)에 포함되는 아크릴 수지를 이루는 아크릴계 폴리머의 구성 모노머로서 상기한 (메트)아크릴산에스테르를 사용할 수 있다. 한편, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 이루기 위한 열경화성 관능기로서는, 예를 들어, 글리시딜기, 카르복시기, 히드록시기, 및 이소시아네이트기를 들 수 있다. 이들 중, 글리시딜기 및 카르복시기를 적합하게 사용할 수 있다. 즉, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지로서는, 글리시딜기 함유 아크릴 수지나 카르복시기 함유 아크릴 수지를 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 열경화성 관능기의 종류에 따라, 그것과 반응을 발생할 수 있는 경화제가 선택된다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지의 열경화성 관능기가 글리시딜기일 경우, 경화제로서는, 에폭시 수지용 경화제로서 상기한 페놀 수지를 사용할 수 있다.
다이 본딩을 위하여 경화되기 전의 접착 필름(10)에 대해서, 어느 정도의 가교도를 실현하기 위해서는, 예를 들어, 접착 필름(10)에 포함되는 상술한 수지 성분의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하여 결합을 발생할 수 있는 다관능성 화합물을 가교제로서 접착 필름 형성용 수지 조성물에 배합해 두는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성은, 접착 필름(10)에 대해서, 고온 하에서의 접착 특성을 향상시킴에 있어서, 또한, 내열성의 개선을 도모함에 있어서, 바람직하다. 그러한 가교제로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물을 들 수 있다. 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 및 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물을 들 수 있다. 접착 필름 형성용 수지 조성물에 있어서의 가교제 함유량은, 당해 가교제와 반응하여 결합을 발생할 수 있는 상기 관능기를 갖는 수지 100질량부에 대하여 형성되는 접착 필름(10)의 응집력 향상의 관점에서는 바람직하게는 0.05질량부 이상이며, 형성되는 접착 필름(10)의 접착력 향상의 관점에서는 바람직하게는 7질량부 이하이다. 또한, 접착 필름(10)에 있어서의 가교제로서는, 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 폴리이소시아네이트 화합물과 병용해도 된다.
접착 필름(10)에 배합되는 상기 아크릴 수지 및 상기 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 -40 내지 10℃이다. 폴리머의 유리 전이 온도에 대해서는, 하기의 Fox의 식에 기초해 구해지는 유리 전이 온도(이론값)를 사용할 수 있다. Fox의 식은, 폴리머의 유리 전이 온도 Tg와, 당해 폴리머에 있어서의 구성 모노머마다의 단독중합체의 유리 전이 온도 Tgi와의 관계식이다. 하기의 Fox의 식에 있어서, Tg는 폴리머의 유리 전이 온도(℃)를 나타내고, Wi는 당해 폴리머를 구성하는 모노머 i의 중량 분율을 나타내고, Tgi는 모노머 i의 단독중합체의 유리 전이 온도(℃)를 나타낸다. 단독중합체의 유리 전이 온도에 대해서는 문헌값을 사용할 수 있다. 예를 들어 「신고분자 문고 7 도료용 합성 수지 입문」(기타오카 교조 저, 고분자 간행회, 1995년)이나 「아크릴에스테르 카탈로그(1997년도 판)」(미쯔비시 레이온 가부시키가이샤)에는, 각종 단독중합체의 유리 전이 온도가 예시되어 있다. 또한, 모노머의 단독중합체 유리 전이 온도에 대해서는, 일본 특허 공개 제2007-51271호 공보에 구체적으로 기재되어 있는 방법에 의해 구하는 것도 가능하다.
Fox의 식 1/(273+Tg)=Σ[Wi/(273+Tgi)]
접착 필름(10)은 필러를 함유해도 된다. 접착 필름(10)에의 필러의 배합은, 접착 필름(10)의 파단 강도나, 파단 신도, 탄성률 등의 물성을 조정함에 있어서 바람직하다. 필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있다. 필러는, 구상, 바늘상, 플레이크상 등 각종 형상을 갖고 있어도 된다. 또한, 접착 필름(10)은 1종류의 필러를 함유해도 되고, 2종류 이상의 필러를 함유해도 된다.
상기 무기 필러의 구성 재료로서는, 예를 들어, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정질 실리카, 및 비정질 실리카를 들 수 있다. 무기 필러의 구성 재료로서는, 알루미늄, 금, 은, 구리, 니켈 등의 단체 금속이나, 합금, 아몰퍼스 카본, 그래파이트 등도 들 수 있다. 접착 필름(10)이 무기 필러를 함유하는 경우의 당해 무기 필러의 함유량은, 바람직하게는 10질량％ 이상, 보다 바람직하게는 20질량％ 이상, 보다 바람직하게는 30질량％ 이상이다. 또한, 동 함유량은, 바람직하게는 50질량％ 이하, 보다 바람직하게는 45질량％ 이하, 보다 바람직하게는 40질량％ 이하이다.
상기 유기 필러의 구성 재료로서는, 예를 들어, 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르이미드, 및 폴리에스테르이미드를 들 수 있다. 접착 필름(10)이 유기 필러를 함유하는 경우의 당해 유기 필러의 함유량은, 바람직하게는 2질량％ 이상, 보다 바람직하게는 5질량％ 이상, 보다 바람직하게는 8질량％ 이상이다. 또한, 동 함유량은, 바람직하게는 20질량％ 이하, 보다 바람직하게는 17질량％ 이하, 보다 바람직하게는 15질량％ 이하이다.
접착 필름(10)이 필러를 함유하는 경우의 당해 필러의 평균 입경은, 바람직하게는 0.005 내지 10㎛, 보다 바람직하게는 0.05 내지 1㎛이다. 당해 필러의 평균 입경이 0.005㎛ 이상이라고 하는 구성은, 접착 필름(10)에 있어서, 반도체 웨이퍼 등의 피착체에 대한 높은 습윤성이나 접착성을 실현함에 있어서 바람직하다. 당해 필러의 평균 입경이 10㎛ 이하라고 하는 구성은, 접착 필름(10)에 있어서 충분한 필러 첨가 효과를 얻음과 함께 내열성을 확보함에 있어서 바람직하다. 필러의 평균 입경은, 예를 들어, 광도식의 입도 분포계(상품명 「LA-910」,가부시키가이샤 호리바 세이사꾸쇼제)를 사용하여 구할 수 있다.
접착 필름(10)은 열경화 촉매를 함유해도 된다. 접착 필름(10)에의 열경화 촉매의 배합은, 접착 필름(10)의 경화에 있어서 수지 성분의 경화 반응을 충분히 진행시키거나, 경화 반응 속도를 높임에 있어서 바람직하다. 그러한 열경화 촉매로서는, 예를 들어, 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물, 및 트리할로겐보란계 화합물을 들 수 있다. 이미다졸계 화합물로서는, 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 및 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸을 들 수 있다. 트리페닐포스핀계 화합물로서는, 예를 들어, 트리페닐포스핀, 트리(부틸페닐)포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀, 디페닐톨릴포스핀, 테트라페닐포스포늄브로마이드, 메틸트리페닐포스포늄브로마이드, 메틸트리페닐포스포늄클로라이드, 메톡시메틸트리페닐포스포늄클로라이드, 및 벤질트리페닐포스포늄클로라이드를 들 수 있다. 트리페닐포스핀계 화합물에는, 트리페닐포스핀 구조와 트리페닐보란 구조를 병유하는 화합물도 포함되는 것으로 한다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라-p-톨릴보레이트, 벤질트리페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 및 트리페닐포스핀트리페닐보란을 들 수 있다. 아민계 화합물로서는, 예를 들어, 모노에탄올아민트리플루오로보레이트 및 디시안디아미드를 들 수 있다. 트리할로겐보란계 화합물로서는, 예를 들어 트리클로로보란을 들 수 있다. 접착 필름(10)은 1종류의 열경화 촉매를 함유해도 되고, 2종류 이상의 열경화 촉매를 함유해도 된다.
접착 필름(10)은 필요에 따라, 1종류의 또는 2종류 이상의 다른 성분을 함유해도 된다. 당해 다른 성분으로서는, 예를 들어, 난연제, 실란 커플링제, 및 이온 트랩제를 들 수 있다. 난연제로서는, 예를 들어, 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 및 브롬화에폭시 수지를 들 수 있다. 실란 커플링제로서는, 예를 들어, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 및 γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란을 들 수 있다. 이온 트랩제로서는, 예를 들어, 히드로탈사이트류, 수산화비스무트, 함수 산화안티몬(예를 들어 도아 고세 가부시키가이샤제의 「IXE-300」), 특정 구조의 인산지르코늄(예를 들어 도아 고세 가부시키가이샤제의 「IXE-100」), 규산마그네슘(예를 들어 교와 가가꾸 고교 가부시키가이샤제의 「쿄와드 600」), 및 규산알루미늄(예를 들어 교와 가가꾸 고교 가부시키가이샤제의 「쿄와드 700」)을 들 수 있다. 금속 이온과의 사이에서 착체를 형성할 수 있는 화합물도 이온 트랩제로서 사용할 수 있다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어, 트리아졸계 화합물, 테트라졸계 화합물, 및 비피리딜계 화합물을 들 수 있다. 이들 중, 금속 이온과의 사이에서 형성되는 착체의 안정성의 관점에서는 트리아졸계 화합물이 바람직하다. 그러한 트리아졸계 화합물로서는, 예를 들어, 1,2,3-벤조트리아졸, 1-{N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸}벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3-t-부틸-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)벤조트리아졸, 6-(2-벤조트리아졸릴)-4-t-옥틸-6'-t-부틸-4'-메틸-2,2'-메틸렌비스페놀, 1-(2,3-디히드록시프로필)벤조트리아졸, 1-(1,2-디카르복시 디에틸)벤조트리아졸, 1-(2-에틸헥실아미노메틸)벤조트리아졸, 2,4-디-t-펜틸-6-{(H-벤조트리아졸-1-일)메틸}페놀, 2-(2-히드록시-5-t-부틸페닐)-2H-벤조트리아졸, 옥틸-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-에틸헥실-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-(1-메틸-1-페닐에틸)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-t-부틸페놀, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)-벤조트리아졸, 2-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-[2-히드록시-3,5-디(1,1-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 2,2'-메틸렌비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀], 2-[2-히드록시-3,5-비스(α,α-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 및 메틸-3-[3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-t-부틸-4-히드록시페닐]프로피오네이트를 들 수 있다. 또한, 퀴놀 화합물이나, 히드록시안트라퀴논 화합물, 폴리페놀 화합물 등 소정의 수산기 함유 화합물도, 이온 트랩제로서 사용할 수 있다. 그러한 수산기 함유 화합물로서는, 구체적으로는, 1,2-벤젠디올, 알리자린, 안트라루핀, 탄닌, 갈산, 갈산 메틸, 및 피로갈롤을 들 수 있다.
접착 필름(10)의 두께는, 바람직하게는 40㎛ 이상, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상, 보다 바람직하게는 80㎛ 이상이다. 또한, 접착 필름(10)의 두께는, 바람직하게는 150㎛ 이하, 보다 바람직하게는 140㎛ 이하, 보다 바람직하게는 130㎛ 이하이다.
접착 필름(10)의 미경화 상태에 있어서의 120℃에서의 점도는, 바람직하게는 300Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 700Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 1000Pa·s 이상이다. 또한, 접착 필름(10)의 미경화 상태에 있어서의 120℃에서의 점도는, 바람직하게는 5000Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4500Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4000Pa·s 이하이다.
접착 필름(10)은 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 10mm, 125℃ 및 인장 속도 1mm/초의 조건에서 행하여지는 인장 시험에 있어서 파단 강도 10MPa 이상 및/또는 파단 신도 60％ 이상의 내파단성을 갖는다. 인장 시험에 부쳐지는 접착 필름(10) 내지 접착 필름 시험편은, 150℃에서의 1시간의 가열과 그 후 175℃에서의 1시간의 가열에 의해 경화되는 것으로 한다. 또한, 접착 필름(10)이 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 대하여 상기 조건에서 행하여지는 인장 시험에 있어서 나타내는 파단 강도는, 바람직하게는 13MPa 이상, 보다 바람직하게는 16MPa 이상, 보다 바람직하게는 19MPa 이상, 보다 바람직하게는 22MPa 이상이다. 접착 필름(10)이 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 대하여 상기 조건에서 행하여지는 인장 시험에 있어서 나타내는 파단 신도는, 바람직하게는 65％ 이상, 보다 바람직하게는 70％ 이상, 보다 바람직하게는 75％ 이상이다. 이들 파단 강도 및 파단 신도에 대해서는, 예를 들어, 동적 점탄성 측정 장치(상품명 「RSA-III」, TA Instruments제)를 사용하여 측정할 수 있다. 또한, 접착 필름(10)에 있어서의 파단 강도 및 파단 신도의 조정은, 접착 필름(10)에 있어서의 무기 필러 및/또는 유기 필러의 배합량의 제어나, 접착 필름(10) 중의 상술한 아크릴 수지의 유리 전이 온도의 제어 등에 의해 행하는 것이 가능하다.
접착 필름(10)은 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 22.5mm, 주파수 1Hz, 동적 변형 ±0.5㎛, 및 승온 속도 10℃/분의 조건에서 측정되는 125℃에서의 인장 저장 탄성률이 바람직하게는 40MPa 이상, 보다 바람직하게는 50MPa 이상, 보다 바람직하게는 60MPa 이상이다. 본 측정에 부쳐지는 접착 필름(10) 내지 접착 필름 시험편은, 150℃에서의 1시간의 가열과 그 후 175℃에서의 1시간의 가열에 의해 경화되는 것으로 한다. 인장 저장 탄성률에 대해서는, 예를 들어, 동적 점탄성 측정 장치(상품명 「RSA-III」, TA Instruments제)를 사용하여 측정할 수 있다. 또한, 접착 필름(10)에 있어서의 인장 저장 탄성률의 조정은, 접착 필름(10)에 있어서의 필러의 배합량의 제어 등에 의해 행하는 것이 가능하다.
접착 필름(10)은 온도 23℃, 박리 각도 180° 및 인장 속도 300mm/분의 조건에서의 박리 시험에 있어서, SUS 평면에 대하여 예를 들어 0.3 내지 20N/10mm의 180° 박리 점착력을 나타낸다. 이와 같은 구성은, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X) 내지 그 접착 필름(10)에 의한 워크의 보유 지지를 확보함에 있어서 바람직하다.
다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 있어서의 다이싱 테이프(20)의 기재(21)는 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 있어서 지지체로서 기능하는 요소이다. 기재(21)는 예를 들어 플라스틱 기재이며, 당해 플라스틱 기재로서는 플라스틱 필름을 적합하게 사용할 수 있다. 플라스틱 기재의 구성 재료로서는, 예를 들어, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카르보네이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리페닐술피드, 아라미드, 불소 수지, 셀룰로오스계 수지, 및 실리콘 수지를 들 수 있다. 폴리올레핀으로서는, 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 및 에틸렌-헥센 공중합체를 들 수 있다. 폴리에스테르로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 및 폴리부틸렌테레프탈레이트를 들 수 있다. 기재(21)는 1종류의 재료로 이루어져도 되고, 2종류 이상이 재료로 이루어져도 된다. 기재(21)는 단층 구조를 가져도 되고, 다층 구조를 가져도 된다. 기재(21) 상의 점착제층(22)이 자외선 경화성을 갖는 경우, 기재(21)는 자외선 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 기재(21)는 플라스틱 필름으로 이루어지는 경우, 비연신 필름이어도 되고, 1축 연신 필름이어도 되고, 2축 연신 필름이어도 된다.
다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 사용 시에 다이싱 테이프(20) 내지 기재(21)를 예를 들어 부분적인 가열에 의해 수축시키는 경우에는, 기재(21)는 열수축성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 기재(21)가 플라스틱 필름으로 이루어지는 경우, 다이싱 테이프(20) 내지 기재(21)에 대하여 등방적인 열수축성을 실현함에 있어서, 기재(21)는(2)축 연신 필름인 것이 바람직하다. 다이싱 테이프(20) 내지 기재(21)는 가열 온도 100℃ 및 가열 처리 시간 60초의 조건에서 행하여지는 가열 처리 시험에 의한 열수축률이 바람직하게는 2 내지 30％, 보다 바람직하게는 2 내지 25％, 보다 바람직하게는 3 내지 20％, 보다 바람직하게는 5 내지 20％이다. 당해 열수축률은, 소위 MD 방향의 열수축률 및 소위 TD 방향의 열수축률 중 적어도 한쪽 열수축률을 말하는 것으로 한다.
기재(21)에 있어서의 점착제층(22)측의 표면은, 점착제층(22)과의 밀착성을 높이기 위한 물리적 처리, 화학적 처리, 또는 하도 처리가 실시되어 있어도 된다. 물리적 처리로서는, 예를 들어, 코로나 처리, 플라스마 처리, 샌드매트 가공 처리, 오존 폭로 처리, 화염 폭로 처리, 고압 전격 폭로 처리, 및 이온화 방사선 처리를 들 수 있다. 화학적 처리로서는 예를 들어 크롬산 처리를 들 수 있다.
기재(21)의 두께는, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 있어서의 지지체로서 기재(21)가 기능하기 위한 강도를 확보한다는 관점에서는, 바람직하게는 40㎛ 이상, 바람직하게는 50㎛ 이상, 보다 바람직하게는 55㎛ 이상, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상이다. 또한, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 있어서 적당한 가요성을 실현한다는 관점에서는, 기재(21)의 두께는, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 180㎛ 이하, 보다 바람직하게는 150㎛ 이하이다.
다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)은 점착제를 함유한다. 이 점착제는, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 의해 의도적으로 점착력을 저감시키는 것이 가능한 점착제(점착력 저감형 점착제)여도 되고, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 따라서는 점착력이 거의 또는 전혀 저감하지 않는 점착제(점착력 비저감형 점착제)여도 된다. 점착제층(22) 중의 점착제로서 점착력 저감형 점착제를 사용할지 또는 점착력 비저감형 점착제를 사용할지에 대해서는, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)을 사용하여 개편화되는 반도체칩의 개편화 방법이나 조건 등, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 사용 양태에 따라 적절하게 선택할 수 있다.
점착제층(22) 중의 점착제로서 점착력 저감형 점착제를 사용하는 경우, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 사용 과정에 있어서, 점착제층(22)이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태와 상대적으로 낮은 점착력을 나타내는 상태를 구분지어 사용하는 것이 가능하다. 예를 들어, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)이 후술하는 익스팬드 공정에 사용되는 때에는, 점착제층(22)으로부터의 접착 필름(10)의 들뜸이나 박리를 억제·방지하기 위하여 점착제층(22)의 고점착력 상태를 이용하는 한편, 그것보다 후에, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 다이싱 테이프(20)로부터 접착 필름 구비 반도체칩을 픽업하기 위한 후술하는 픽업 공정에서는, 점착제층(22)으로부터 접착 필름 구비 반도체칩을 픽업하기 쉽게 하기 위하여 점착제층(22)의 저점착력 상태를 이용하는 것이 가능하다.
이러한 점착력 저감형 점착제로서는, 예를 들어, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 사용 과정에 있어서 방사선 조사에 의해 경화시키는 것이 가능한 점착제(방사선 경화성 점착제)나 가열 발포형 점착제 등을 들 수 있다. 본 실시 형태의 점착제층(22)에서는, 1종류의 점착력 저감형 점착제가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 점착력 저감형 점착제가 사용되어도 된다. 또한, 점착제층(22)의 전체가 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(22)의 일부가 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 된다. 예를 들어, 점착제층(22)이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층(22)의 전체가 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(22)에 있어서의 소정의 부위가 점착력 저감형 점착제로 형성되고, 다른 부위(예를 들어, 링 프레임의 접착 대상 영역이며, 중앙 영역의 외측에 있는 영역)가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다. 또한, 점착제층(22)이 다층 구조를 갖는 경우, 다층 구조를 이루는 모든 층이 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 되고, 다층 구조중의 일부의 층이 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 된다.
점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어, 전자선, 자외선, α선, β선, γ선, 또는 X선의 조사에 의해 경화하는 타입의 점착제를 들 수 있고, 자외선 조사에 의해 경화하는 타입의 점착제(자외선 경화성 점착제)를 특히 적합하게 사용할 수 있다.
점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어, 아크릴계 점착제인 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머와, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 갖는 방사선 중합성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 함유하는, 첨가형의 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다.
방사선 경화성 점착제의 베이스 폴리머로서의 아크릴계 폴리머는, 바람직하게는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 아크릴계 폴리머의 모노머 유닛을 이루기 위한 (메트)아크릴산에스테르, 즉, 아크릴계 폴리머의 구성 모노머인 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어, (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, 및 (메트)아크릴산아릴에스테르를 들 수 있다. 당해 (메트)아크릴산에스테르로서는, 보다 구체적으로는, 접착 필름(10)용의 아크릴 수지를 이루기 위한 아크릴계 폴리머의 구성 모노머로서 상기한 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 아크릴계 폴리머의 구성 모노머로서, 1종류의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 된다. 아크릴계 폴리머의 구성 모노머로서는, 바람직하게는, 아크릴산2-에틸헥실 및 아크릴산라우릴을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산에스테르에 따르는 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(22)에서 적절하게 발현시킴에 있어서는, 아크릴계 폴리머의 구성 모노머 전체에 있어서의 (메트)아크릴산에스테르의 비율은, 바람직하게는 40질량％ 이상, 보다 바람직하게는 60질량％ 이상이다.
아크릴계 폴리머는, 예를 들어 그 응집력이나 내열성의 개질을 위해서, (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 1종류의 또는 2종류 이상의 다른 모노머를 구성 모노머에 포함해도 된다. 그러한 다른 모노머로서는, 예를 들어, 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드, 및 아크릴로니트릴을 들 수 있다. 당해 다른 모노머로서는, 보다 구체적으로는, 접착 필름(10)용의 아크릴 수지를 이루기 위한 아크릴계 폴리머의 구성 모노머로서 상기한 공중합성의 다른 모노머를 들 수 있다.
아크릴계 폴리머는, 그 폴리머 골격 중에 가교 구조를 형성하기 위해서, (메트)아크릴산에스테르 등의 모노머 성분과 공중합 가능한 다관능성 모노머에서 유래되는 모노머 유닛을 포함하고 있어도 된다. 그러한 다관능성 모노머로서, 예를 들어, 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 및 우레탄(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 「(메트)아크릴레이트」는, 「아크릴레이트」 및/또는 「메타크릴레이트」를 의미하는 것으로 한다. 아크릴계 폴리머의 구성 모노머로서, 1종류의 다관능성 모노머가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 다관능성 모노머가 사용되어도 된다. (메트)아크릴산에스테르에 따르는 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(22)에서 적절하게 발현시킴에 있어서는, 아크릴계 폴리머의 구성 모노머 전체에 있어서의 다관능성 모노머의 비율은, 바람직하게는 40질량％ 이하, 바람직하게는 30질량％ 이하이다.
아크릴계 폴리머는, 그것을 형성하기 위한 원료 모노머를 중합하여 얻을 수 있다. 중합 방법으로서는, 예를 들어, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 및 현탁 중합을 들 수 있다. 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 고도의 청정성의 관점에서는, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 있어서의 점착제층(22) 중의 저분자량 성분은 적은 쪽이 바람직하고, 아크릴계 폴리머의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 10만 이상, 보다 바람직하게는 20만 내지 300만이다.
점착제층(22) 내지 그것을 이루기 위한 점착제는, 아크릴계 폴리머 등 베이스 폴리머의 수 평균 분자량을 높이기 위하여 예를 들어, 외부 가교제를 함유해도 된다. 아크릴계 폴리머 등 베이스 폴리머와 반응하여 가교 구조를 형성하기 위한 외부 가교제로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 폴리올 화합물, 아지리딘 화합물, 및 멜라민계 가교제를 들 수 있다. 점착제층(22) 내지 그것을 이루기 위한 점착제에 있어서의 외부 가교제의 함유량은, 베이스 폴리머 100질량부에 대하여 바람직하게는 5질량부 이하, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5질량부이다.
방사선 경화성 점착제를 이루기 위한 상기 방사선 중합성 모노머 성분으로서는, 예를 들어, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 및 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 방사선 경화성 점착제를 이루기 위한 상기 방사선 중합성 올리고머 성분으로서는, 예를 들어, 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 다양한 올리고머를 들 수 있고, 분자량 100 내지 30000 정도의 것이 적당하다. 방사선 경화성 점착제 중의 방사선 중합성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 총 함유량은, 형성되는 점착제층(22)의 점착력을 적절하게 저하시킬 수 있는 범위에서 결정되고, 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100질량부에 대하여 바람직하게는 5 내지 500질량부이며, 보다 바람직하게는 40 내지 150질량부이다. 또한, 첨가형의 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소60-196956호 공보에 개시된 것을 사용해도 된다.
점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 폴리머 측쇄나, 폴리머 주쇄 중, 폴리머 주쇄 말단에 갖는 베이스 폴리머를 함유하는 내재형의 방사선 경화성 점착제도 들 수 있다. 이러한 내재형의 방사선 경화성 점착제는, 형성되는 점착제층(22) 내에서의 저분자량 성분의 이동에 기인하는 점착 특성의 의도하지 않는 경시적 변화를 억제함에 있어서 바람직하다.
내재형의 방사선 경화성 점착제에 함유되는 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 그러한 기본 골격을 이루는 아크릴계 폴리머로서는, 첨가형의 방사선 경화성 점착제에 함유되는 베이스 폴리머로서 상술한 아크릴계 폴리머를 채용할 수 있다. 아크릴계 폴리머에의 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합의 도입 방법으로서는, 예를 들어, 소정의 관능기(제1 관능기)를 갖는 모노머를 포함하는 원료 모노머를 공중합시켜서 아크릴계 폴리머를 얻은 후, 제1 관능기와의 사이에서 반응을 발생시켜서 결합할 수 있는 소정의 관능기(제2 관능기)와 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 중합성을 유지한 채 아크릴계 폴리머에 대하여 축합 반응 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
제1 관능기와 제2 관능기의 조합으로서는, 예를 들어, 카르복시기와 에폭시기, 에폭시기와 카르복시기, 카르복시기와 아지리딜기, 아지리딜기와 카르복시기, 히드록시기와 이소시아네이트기, 이소시아네이트기와 히드록시기를 들 수 있다. 이들 조합 중, 반응 추적의 용이함의 관점에서는, 히드록시기와 이소시아네이트기의 조합이나, 이소시아네이트기와 히드록시기의 조합이 바람직하다. 또한, 반응성이 높은 이소시아네이트기를 갖는 폴리머를 제작하는 것은 기술적 난이도가 높으므로, 아크릴계 폴리머의 제작 또는 입수의 용이함의 관점에서는, 아크릴계 폴리머측의 상기 제1 관능기가 히드록시기이며 또한 상기 제2 관능기가 이소시아네이트기인 경우가 더 바람직하다. 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합과 제2 관능기인 이소시아네이트기를 병유하는 이소시아네이트 화합물, 즉, 방사선 중합성의 불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어, 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI), 및 m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질 이소시아네이트를 들 수 있다.
점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제는, 바람직하게는 광중합 개시제를 함유한다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어, α-케톨계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 케탈계 화합물, 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 광 활성 옥심계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화케톤, 아실포스핀옥시드, 및 아실포스포네이트를 들 수 있다. α-케톨계 화합물로서는, 예를 들어, 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 및 1-히드록시시클로헥실페닐케톤을 들 수 있다. 아세토페논계 화합물로서는, 예를 들어, 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2,2-디에톡시아세토페논, 및 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1을 들 수 있다. 벤조인에테르계 화합물로서는, 예를 들어, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 및 아니소인메틸에테르를 들 수 있다. 케탈계 화합물로서는, 예를 들어 벤질디메틸케탈을 들 수 있다. 방향족 술포닐클로라이드계 화합물로서는, 예를 들어 2-나프탈렌술포닐클로라이드를 들 수 있다. 광 활성 옥심계 화합물로서는, 예를 들어, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심을 들 수 있다. 벤조페논계 화합물로서는, 예를 들어, 벤조페논, 벤조일벤조산, 및 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논을 들 수 있다. 티오크산톤계 화합물로서는, 예를 들어, 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 및 2,4-디이소프로필티오크산톤을 들 수 있다. 점착제층(22)에 있어서의 방사선 경화성 점착제 중의 광중합 개시제의 함유량은, 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100질량부에 대하여 예를 들어 0.05 내지 20질량부이다.
점착제층(22)에 있어서의 상기 가열 발포형 점착제는, 가열에 의해 발포나 팽창을 하는 성분을 함유하는 점착제이다. 가열에 의해 발포나 팽창을 하는 성분으로서는, 예를 들어, 발포제 및 열팽창성 미소구를 들 수 있다.
가열 발포형 점착제용의 발포제로서는, 여러가지 무기계 발포제 및 유기계 발포제를 들 수 있다. 무기계 발포제로서는, 예를 들어, 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산수소나트륨, 아질산암모늄, 수소화붕소나트륨, 및 아지드류를 들 수 있다. 유기계 발포제로서는, 예를 들어, 트리클로로모노플루오로메탄이나 디클로로모노플루오로메탄 등의 염불화알칸, 아조비스이소부티로니트릴이나 아조디카르본아미드, 바륨아조디카르복실레이트 등의 아조계 화합물, 파라톨루엔술포닐히드라지드나 디페닐술폰-3,3'-디술포닐히드라지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐히드라지드), 알릴비스(술포닐히드라지드) 등의 히드라진계 화합물, ρ-톨루일렌술포닐세미카르바지드나 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐세미카르바지드) 등의 세미카르바지드계 화합물, 5-모르포릴-1,2,3,4-티아트리아졸 등의 트리아졸계 화합물, 그리고, N,N'-디니트로소펜타메틸렌테트라민이나 N,N'-디메틸-N,N'-디니트로소테레프탈아미드 등의 N-니트로소계 화합물을 들 수 있다.
가열 발포형 점착제용의 열팽창성 미소구로서는, 예를 들어, 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질이 껍데기 내에 봉입된 구성의 미소구를 들 수 있다. 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질로서는, 예를 들어, 이소부탄, 프로판, 및 펜탄을 들 수 있다. 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질을 코아세르베이션법이나 계면 중합법 등에 의해 껍데기 형성 물질 내에 봉입함으로써, 열팽창성 미소구를 제작할 수 있다. 껍데기 형성 물질로서는, 열용융 성을 나타내는 물질이나, 봉입 물질의 열팽창 작용에 의해 파열될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 그러한 물질로서는, 예를 들어, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴, 및 폴리술폰을 들 수 있다.
점착제층(22)에 있어서의 상기 점착력 비저감형 점착제로서는, 예를 들어 감압성 점착제를 들 수 있다. 이 감압성 점착제로서는, 예를 들어, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제나 고무계 점착제를 사용할 수 있다. 점착제층(22)이 감압성 점착제로서 아크릴계 점착제를 함유하는 경우, 당해 아크릴계 점착제의 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머는, 바람직하게는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 유닛을 질량 비율로 가장 많은 모노머 유닛으로서 포함한다. 그러한 아크릴계 폴리머로서는, 예를 들어, 방사선 경화성 점착제에 대하여 상술한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다.
점착제층(22)에 있어서의 감압성 점착제로서, 점착력 저감형 점착제에 대하여 상술한 방사선 경화성 점착제를 방사선 조사에 의해 경화시킨 형태의 점착제를 이용해도 된다. 그러한 경화 완료된 방사선 경화 타입의 점착제는, 방사선 조사에 의해 점착력이 저감 되어 있다고 해도, 폴리머 성분의 함유량에 따라서는 당해 폴리머 성분에 기인하는 점착성을 나타낼 수 있어서, 소정의 사용 양태에 있어서 피착체를 점착 보유 지지하기에 이용 가능한 점착력을 발휘하는 것이 가능하다.
본 실시 형태의 점착제층(22)에 있어서는, 1종류의 점착력 비저감형 점착제가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 점착력 비저감형 점착제가 사용되어도 된다. 또한, 점착제층(22)의 전체가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(22)의 일부가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다. 예를 들어, 점착제층(22)이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층(22)의 전체가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(22)에 있어서의 소정의 부위가 점착력 비저감형 점착제로 형성되고, 다른 부위가 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 된다. 또한, 점착제층(22)이 적층 구조를 갖는 경우, 적층 구조를 이루는 모든 층이 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 적층 구조중의 일부의 층이 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다.
점착제층(22) 내지 그것을 이루기 위한 점착제는, 상술한 각 성분에 추가로, 가교 촉진제나, 점착 부여제, 노화 방지제, 착색제 등을 함유해도 된다. 착색제로서는, 안료 및 염료를 들 수 있다. 또한, 착색제는, 방사선 조사를 받아서 착색되는 화합물이어도 된다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어 류코 염료를 들 수 있다.
점착제층(22)의 두께는, 바람직하게는 1 내지 50㎛, 보다 바람직하게는 2 내지 30㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 25㎛이다. 이와 같은 구성은, 예를 들어, 점착제층(22)이 방사선 경화성 점착제를 포함하는 경우에 당해 점착제층(22)의 방사선 경화의 전후에 있어서의 접착 필름(10)에 대한 접착력의 균형을 잡는데 있어서 바람직하다.
이상과 같은 구성을 갖는 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)은, 예를 들어 이하와 같이 하여 제조할 수 있다.
다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 접착 필름(10)의 제작에 있어서는, 먼저, 접착 필름(10) 형성용의 접착제 조성물을 조제한 후, 소정의 세퍼레이터 상에 당해 조성물을 도포하여 접착제 조성물층을 형성한다. 세퍼레이터로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 그리고, 불소계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이류 등을 들 수 있다. 접착제 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 및 그라비아 도포 시공을 들 수 있다. 이어서, 이 접착제 조성물층에 있어서, 가열에 의해 필요에 따라 건조시키고, 또한, 필요에 따라 가교 반응을 발생시킨다. 가열 온도는 예를 들어 70 내지 160℃이며, 가열 시간은 예를 들어 1 내지 5분간이다. 이상과 같이 하여, 세퍼레이터를 수반하는 형태로 상술한 접착 필름(10)을 제작할 수 있다.
다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 다이싱 테이프(20)에 대해서는, 준비한 기재(21) 상에 점착제층(22)을 설치함으로써 제작할 수 있다. 예를 들어 수지제의 기재(21)는 캘린더 제막법이나, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등의 제막 방법에 의해 제작할 수 있다. 제막 후의 필름 내지 기재(21)에는, 필요에 따라 소정의 표면 처리가 실시된다. 점착제층(22)의 형성에 있어서는, 예를 들어, 점착제층 형성용의 점착제 조성물을 조제한 후, 먼저, 당해 조성물을 기재(21) 상 또는 소정의 세퍼레이터 상에 도포하여 점착제 조성물층을 형성한다. 점착제 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 및 그라비아 도포 시공을 들 수 있다. 이어서, 이 점착제 조성물층에 있어서, 가열에 의해, 필요에 따라 건조시키고, 또한, 필요에 따라 가교 반응을 발생시킨다. 가열 온도는 예를 들어 80 내지 150℃이며, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 5분간이다. 점착제층(22)이 세퍼레이터 상에 형성되는 경우에는, 당해 세퍼레이터를 수반하는 점착제층(22)을 기재(21)에 접합하고, 그 후, 점착제층(22)으로부터 세퍼레이터가 박리된다. 이에 의해, 기재(21)와 점착제층(22)의 적층 구조를 갖는 상술한 다이싱 테이프(20)가 제작된다.
다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 제작에 있어서는, 이어서, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)측에 접착 필름(10)을 예를 들어 압착하여 접합한다. 접합 온도는, 예를 들어 30 내지 50℃이며, 바람직하게는 35 내지 45℃이다. 접합 압력(선압)은 예를 들어 0.1 내지 20kgf/cm이며, 바람직하게는 1 내지 10kgf/cm이다. 점착제층(22)이 상술한 바와 같은 방사선 경화성 점착제를 포함하는 경우, 당해 접합 앞에 점착제층(22)에 대하여 자외선 등의 방사선을 조사해도 되고, 당해 접합 후에 기재(21)의 측으로부터 점착제층(22)에 대하여 자외선 등의 방사선을 조사해도 된다. 또는, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 제조 과정에서는, 그러한 방사선 조사를 행하지 않아도 된다(이 경우, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 사용 과정에서 점착제층(22)을 방사선 경화시키는 것이 가능하다). 점착제층(22)이 자외선 경화성을 갖는 경우, 점착제층(22)을 경화시키기 위한 자외선 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이며, 바람직하게는 100 내지 300mJ/㎠이다. 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 있어서 점착제층(22)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행하여지는 영역(조사 영역 R)은 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이, 점착제층(22)에 있어서의 접착 필름 접합 영역 내의 그 주연부를 제외한 영역이다.
이상과 같이 하여, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)을 제작할 수 있다. 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에는, 접착 필름(10)측에, 적어도 접착 필름(10)을 피복하는 형태로 세퍼레이터(도시 생략)가 설치되어 있어도 된다. 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)보다도 접착 필름(10)이 소사이즈이며 점착제층(22)에 있어서 접착 필름(10)이 접합되어 있지 않은 영역이 있는 경우에는 예를 들어, 세퍼레이터는, 접착 필름(10) 및 점착제층(22)을 적어도 피복하는 형태로 설치되어 있어도 된다. 세퍼레이터는, 접착 필름(10)이나 점착제층(22)이 노출되지 않도록 보호하기 위한 요소이며, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 사용 시에 당해 필름으로부터 박리된다.
도 2 내지 도 4는, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)이 사용되어서 행하여지는 하나의 반도체 장치 제조 방법을 나타낸다.
본 방법에 있어서는, 먼저, 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 접착 필름(10) 상에 반도체 웨이퍼(30)가 접합된다. 반도체 웨이퍼(30)의 편면측에는 각종 반도체 소자(도시 생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시 생략)이 당해 편면 상에 이미 형성되어 있다. 본 공정에서는, 반도체 웨이퍼(30)가 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 압착 롤 등에 의해 압박되어서, 반도체 웨이퍼(30)의 예를 들어 이면측이 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 접착 필름(10)에 대하여 부착된다.
이어서, 도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30)에 대하여 다이싱을 행한다(블레이드 다이싱 공정). 구체적으로는, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 반도체 웨이퍼(30)가 보유 지지된 상태에서, 다이싱 장치 등의 회전 블레이드를 사용하여 반도체 웨이퍼(30) 및 접착 필름(10)이 절삭되어서 반도체칩 단위로 개편화된다(도면 중에서는 절단 개소를 모식적으로 굵은 선으로 나타낸다). 이에 의해, 칩 사이즈의 접착 필름(11)을 수반하는 반도체칩(31)이 형성되게 된다.
다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 있어서의 점착제층(22)이 방사선 경화성 점착제층일 경우, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 제조 과정에서의 상술한 방사선 조사 대신에, 블레이드 다이싱 공정 전에 또는 후에, 기재(21)의 측으로부터 점착제층(22)에 대하여 점착력 저감 조치로서의 자외선 조사 등 방사선 조사를 행해도 된다. 방사선 조사가 자외선 조사일 경우, 그 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이며, 바람직하게는 100 내지 300mJ/㎠이다. 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 있어서 점착제층(22)의 점착력 저감 조치로서의 방사선 조사가 행하여지는 영역(도 1에서는 조사 영역 R로서 나타낸다)은 예를 들어, 점착제층(22)에 있어서의 접착 필름 접합 영역 내의 그 주연부를 제외한 영역이다.
그리고, 접착 필름 구비 반도체칩(31)을 수반하는 다이싱 테이프(20)를 물 등의 세정액을 사용하여 세정하는 클리닝 공정을 필요에 따라서 거친 후, 접착 필름 구비 반도체칩(31)을 다이싱 테이프(20)로부터 픽업한다(픽업 공정). 예를 들어, 픽업 대상의 접착 필름 구비 반도체칩(31)에 대해서, 다이싱 테이프(20)의 도면 중 하측에 있어서 픽업 기구의 핀 부재(도시 생략)를 상승시켜서 다이싱 테이프(20)를 통하여 밀어올린 후, 흡착 지그(도시 생략)에 의해 흡착 보유 지지한다.
이어서, 도 3의 (a) 및 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 접착 필름 구비 반도체칩(31)의 실장 기판(51) 상에의 가고착이 행하여진다(가고착 공정). 이 가고착은, 실장 기판(51) 상의 반도체칩(C) 등이, 반도체칩(31)에 수반하는 접착 필름(11)에 매립되도록 행하여진다. 실장 기판(51)으로서는, 예를 들어, 리드 프레임, TAB(Tape Automated Bonding) 필름, 및 배선 기판을 들 수 있다. 반도체칩(C)은, 접착층(52)을 통하여 실장 기판(51)에 고정되어 있는 예를 들어 컨트롤러 칩이며, 반도체칩(C) 상에 배치되는 반도체칩(31)은 예를 들어 각종 메모리 칩이다. 반도체칩(C)의 전극 패드(도시 생략)와 실장 기판(51)이 갖는 단자부(도시 생략)가 본딩 와이어(53)를 통하여 전기적으로 접속되어 있다. 본딩 와이어(53)으로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선, 또는 구리선을 사용할 수 있다. 본 공정에서는, 이렇게 와이어 본딩 실장된 반도체칩(C)과, 거기에 접속된 본딩 와이어(53)의 전체가, 반도체칩(31)에 수반하는 접착 필름(11) 내에 매립된다. 또한, 본 공정에서는, 반도체칩(C) 및 본딩 와이어(53)가 접착 필름(11) 내에 억지로 들어가기 쉬운 상태로 하기 위해서, 접착 필름(11)을 가열하여 연화시켜도 된다. 가열 온도는, 접착 필름(11)이 완전한 열경화 상태에 이르지 않은 온도이며, 예를 들어 80 내지 140℃이다.
이어서, 도 3의 (c)에 도시하는 바와 같이, 가열에 의해 접착 필름(11)이 경화된다(열경화 공정). 본 공정에 있어서, 가열 온도는 예를 들어 100 내지 200℃이며, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 10시간이다. 본 공정을 거침으로써, 접착 필름(11)이 열경화하여 이루어지는 접착층이 형성된다. 이 접착층은, 실장 기판(51)에 와이어 본딩 실장된 반도체칩(C)(제1 반도체칩)을 거기에 접속된 본딩 와이어(53)의 전체와 함께 포매하면서, 실장 기판(51)에 반도체칩(31)(제2 반도체칩)을 접합하는 것이다.
이어서, 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 반도체칩(31)의 전극 패드(도시 생략)와, 실장 기판(51)이 갖는 단자부(도시 생략)가 본딩 와이어(53)를 통하여 전기적으로 접속된다(와이어 본딩 공정). 반도체칩(31)의 전극 패드와 본딩 와이어(53)의 결선, 및 실장 기판(51)의 단자부와 본딩 와이어(53)의 결선은, 가열을 수반하는 초음파 용접에 의해 실현된다. 와이어 본딩에 있어서의 와이어 가열 온도는 예를 들어 80 내지 250℃이며, 그 가열 시간은 예를 들어 수초 내지 순분간이다. 이러한 와이어 본딩 공정은, 상술한 열경화 공정보다도 전에 행해도 된다.
이어서, 도 4의 (b)에 도시하는 바와 같이, 실장 기판(51) 상의 반도체칩(31) 등을 밀봉하기 위한 밀봉 수지(54)가 형성된다(밀봉 공정). 본 공정에서는, 예를 들어, 금형을 사용하여 행하는 트랜스퍼 몰드 기술에 의해 밀봉 수지(54)가 형성된다. 밀봉 수지(54)의 구성 재료로서는, 예를 들어 에폭시계 수지를 들 수 있다. 본 공정에 있어서, 밀봉 수지(54)를 형성하기 위한 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이며, 가열 시간은 예를 들어 60초 내지 수분간이다. 본 공정에서 밀봉 수지(54)의 경화가 충분히는 진행하지 않는 경우에는, 본 공정 후에 밀봉 수지(54)를 더한층 가열 처리에 의해 완전히 경화시키기 위한 후 경화 공정이 행하여진다. 후경화 공정에 있어서, 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이며, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 8시간이다. 도 3의 (c)를 참조하여 상술한 공정에 있어서 접착 필름(11)이 완전히는 열경화하지 않는 경우에도, 밀봉 공정이나 후경화 공정에서는, 밀봉 수지(54)와 함께 접착 필름(11)에 대하여 완전한 열경화를 실현하는 것이 가능하다.
이상과 같이 하여, 복수의 반도체칩이 다단 실장된 반도체 장치를 제조할 수 있다.
다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)을 사용하여 접착 필름 구비 반도체칩을 얻음에 있어서, 도 5부터 도 9에 도시하는 공정을 포함하는 과정을 거쳐도 된다. 구체적으로는 이하와 같다.
먼저, 도 5의 (a) 및 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)에 분할 홈(30a)이 형성된다(분할 홈 형성 공정). 반도체 웨이퍼(W)는, 제1 면(Wa) 및 제2 면(Wb)을 갖는다. 반도체 웨이퍼(W)에 있어서의 제1 면(Wa)의 측에는 각종 반도체 소자(도시 생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시 생략)이 제1 면(Wa) 상에 이미 형성되어 있다. 본 공정에서는, 점착면(T1a)을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프(T1)가 반도체 웨이퍼(W)의 제2 면(Wb)측에 접합된 후, 웨이퍼 가공용 테이프(T1)에 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼(W)의 제1 면(Wa)측에 소정 깊이의 분할 홈(30a)이 다이싱 장치 등의 회전 블레이드를 사용하여 형성된다. 분할 홈(30a)은 반도체 웨이퍼(W)를 반도체칩 단위로 분리시키기 위한 공극이다(도 5 내지 도 7에서는, 분할 홈(30a)을 모식적으로 굵은 선으로 나타낸다).
이어서, 도 5의 (c)에 도시하는 바와 같이, 점착면(T2a)을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프(T2)의, 반도체 웨이퍼(W)의 제1 면(Wa)측에의 접합과, 반도체 웨이퍼(W)로부터의 웨이퍼 가공용 테이프(T1)의 박리가 행하여진다.
이어서, 도 5의 (d)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(T2)에 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼(W)가 소정의 두께에 이르기까지 제2 면(Wb)으로부터의 연삭 가공에 의해 박화된다(웨이퍼 박화 공정). 연삭 가공은, 연삭 숫돌을 구비하는 연삭 가공 장치를 사용하여 행할 수 있다. 이 웨이퍼 박화 공정에 의해, 본 실시 형태에서는, 복수의 반도체칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30A)가 형성된다. 반도체 웨이퍼(30A)는 구체적으로는, 당해 웨이퍼에 있어서 복수의 반도체칩(31)으로 개편화되게 되는 부위를 제2 면(Wb)측에서 연결하는 부위(연결부)를 갖는다. 반도체 웨이퍼(30A)에 있어서의 연결부의 두께, 즉, 반도체 웨이퍼(30A)의 제2 면(Wb)과 분할 홈(30a)의 제2 면(Wb)측 선단 사이의 거리는, 예를 들어 1 내지 30㎛이며, 바람직하게는 3 내지 20㎛이다.
이어서, 도 6(a)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(T2)에 보유 지지된 반도체 웨이퍼(30A)가 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 접착 필름(10)에 대하여 접합된다. 이 후, 도 6(b)에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)로부터 웨이퍼 가공용 테이프(T2)가 박리된다. 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 있어서의 점착제층(22)이 방사선 경화성 점착제층일 경우에는, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 제조 과정에서의 상술한 방사선 조사 대신에, 반도체 웨이퍼(30A)의 접착 필름(10)에의 접합 후에, 기재(21)의 측으로부터 점착제층(22)에 대하여 점착력 저감 조치로서의 자외선 조사 등 방사선 조사를 행해도 된다. 방사선 조사가 자외선 조사일 경우, 그 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이며, 바람직하게는 100 내지 300mJ/㎠이다. 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 있어서 점착제층(22)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행하여지는 영역(도 1에 도시하는 조사 영역 R)은 예를 들어, 점착제층(22)에 있어서의 접착 필름(10) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외한 영역이다.
이어서, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 있어서의 접착 필름(10) 상에 링 프레임(41)이 부착된 후, 도 7의 (a)에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)를 수반하는 당해 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)이 익스팬드 장치의 유지구(42)에 고정된다.
이어서, 상대적으로 저온의 조건 하에서 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)이 도 7의 (b)에 도시하는 바와 같이 행해지고, 반도체 웨이퍼(30A)가 복수의 반도체칩(31)으로 개편화됨과 함께, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 접착 필름(10)이 소편의 접착 필름(11)으로 할단되어서, 접착 필름 구비 반도체칩(31)이 얻어진다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(43)가 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(20)에 맞닿아서 상승되어, 반도체 웨이퍼(30A)가 접합된 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 다이싱 테이프(20)가 반도체 웨이퍼(30A)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지게 익스팬드된다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(20)에 있어서 예를 들어 15 내지 32MPa의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행하여진다. 쿨 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올림 부재(43)가 상승하는 속도)는 예를 들어 0.1 내지 100mm/초이다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드량은, 예를 들어 3 내지 16mm이다.
본 공정에서는, 반도체 웨이퍼(30A)에 있어서 박육이며 갈라지기 쉬운 부위에 할단이 발생하여 반도체칩(31)으로의 개편화가 발생한다. 이와 함께, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 밀착되어 있는 접착 필름(10)에 있어서 각 반도체칩(31)이 밀착되어 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체칩(31) 사이의 분할 홈에 대향하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(20)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 접착 필름(10)에 있어서 반도체칩(31) 사이의 분할 홈에 대향하는 개소가 할단되게 된다. 본 공정 후, 도 7의 (c)에 도시하는 바와 같이, 밀어올림 부재(43)가 하강되어서, 다이싱 테이프(20)에 있어서의 익스팬드 상태가 해제된다.
이어서, 상대적으로 고온의 조건 하에서 제2 익스팬드 공정이, 도 8의 (a)에 도시하는 바와 같이 행해지고, 접착 필름 구비 반도체칩(31) 사이의 거리(이격 거리)를 확장할 수 있다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(43)가 다시 상승되어, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 다이싱 테이프(20)가 익스팬드된다. 제2 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 10℃ 이상이며, 바람직하게는 15 내지 30℃이다. 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올림 부재(43)가 상승하는 속도)는 예를 들어 0.1 내지 10mm/초이다. 또한, 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드량은 예를 들어 3 내지 16mm이다. 후술하는 픽업 공정에서 다이싱 테이프(20)로부터 접착 필름 구비 반도체칩(31)을 적절하게 픽업 가능할 정도로, 본 공정에서는 접착 필름 구비 반도체칩(31)의 이격 거리를 확장할 수 있다. 본 공정 후, 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이, 밀어올림 부재(43)가 하강되어서, 다이싱 테이프(20)에 있어서의 익스팬드 상태가 해제된다. 익스팬드 상태 해제 후에 다이싱 테이프(20) 상의 접착 필름 구비 반도체칩(31)의 이격 거리가 좁아지는 것을 억제함에 있어서, 익스팬드 상태를 해제하기보다 전에, 다이싱 테이프(20)에 있어서의 반도체칩(31) 보유 지지 영역보다 외측의 부분을 가열하여 수축시키는 것이 바람직하다.
이어서, 접착 필름 구비 반도체칩(31)을 수반하는 다이싱 테이프(20)를 물 등의 세정액을 사용하여 세정하는 클리닝 공정을 필요에 따라서 거친 후, 도 9에 도시하는 바와 같이, 접착 필름 구비 반도체칩(31)을 다이싱 테이프(20)로부터 픽업한다(픽업 공정). 예를 들어, 픽업 대상인 접착 필름 구비 반도체칩(31)에 대해서, 다이싱 테이프(20)의 도면 중 하측에 있어서 픽업 기구의 핀 부재(44)를 상승시켜서 다이싱 테이프(20)를 통하여 밀어올린 후, 흡착 지그(45)에 의해 흡착 보유 지지한다. 픽업 공정에 있어서, 핀 부재(44)의 밀어올림 속도는 예를 들어 1 내지 100mm/초이며, 핀 부재(44)의 밀어올림량은 예를 들어 50 내지 3000㎛이다. 이렇게 하여 픽업되는 접착 필름 구비 반도체칩(31)은 반도체 장치 제조 과정에 있어서의 실장 공정에 제공되게 된다.
다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)이 사용되어서 행하여지는 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 도 5의 (d)를 참조하여 상술한 웨이퍼 박화 공정 대신에, 도 10에 도시하는 웨이퍼 박화 공정을 행해도 된다. 도 5의 (c)를 참조하여 상술한 과정을 거친 후, 도 10에 도시하는 웨이퍼 박화 공정에서는, 웨이퍼 가공용 테이프(T2)에 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 상태에서, 당해 웨이퍼가 소정의 두께에 이르기까지 제2 면(Wb)으로부터의 연삭 가공에 의해 박화되어서, 복수의 반도체칩(31)을 포함하여 웨이퍼 가공용 테이프(T2)에 보유 지지된 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 형성된다. 본 공정에서는, 분할 홈(30a) 그 자체가 제2 면(Wb)측에 노출될 때까지 웨이퍼를 연삭하는 방법(제1 방법)을 채용해도 되고, 제2 면(Wb)측에서 분할 홈(30a)에 이르기보다 전까지 웨이퍼를 연삭하고, 그 후, 회전 지석으로부터 웨이퍼에의 압박력의 작용에 의해 분할 홈(30a)과 제2 면(Wb) 사이에 크랙을 발생시켜서 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 형성하는 방법(제2 방법)을 채용해도 된다. 채용되는 방법에 따라, 도 5의 (a) 및 도 5의 (b)를 참조하여 상술한 바와 같이 형성되는 분할 홈(30a)의, 제1 면(Wa)으로부터의 깊이는 적절하게 결정된다. 도 10에서는, 제1 방법을 거친 분할 홈(30a), 또는, 제2 방법을 거친 분할 홈(30a) 및 이것에 이어지는 크랙에 대해서, 모식적으로 굵은 선으로 나타낸다. 접착 필름 구비 반도체칩(31)을 얻음에 있어서는, 이와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 반도체 웨이퍼(30A) 대신 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 접합된 다음, 도 7 내지 도 9를 참조하여 상술한 각 공정이 행하여져도 된다.
도 11의 (a) 및 도 11의 (b)는 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 접합된 후에 행하여지는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 구체적으로 나타낸다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(43)가 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(20)에 맞닿아서 상승되어, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 접합된 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 다이싱 테이프(20)가 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지게 익스팬드된다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(20)에 있어서, 예를 들어 1 내지 100MPa의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행하여진다. 본 공정에 있어서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 본 공정에 있어서의 익스팬드 속도(밀어올림 부재(43)가 상승하는 속도)는 예를 들어 1 내지 500mm/초이다. 또한, 본 공정에 있어서의 익스팬드량은, 예를 들어 50 내지 200mm이다. 이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 접착 필름(10)이 소편의 접착 필름(11)으로 할단되어서 접착 필름 구비 반도체칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 밀착되어 있는 접착 필름(10)에 있어서, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 각 반도체칩(31)이 밀착되어 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체칩(31) 사이의 분할 홈(30a)에 대향하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(20)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 접착 필름(10)에 있어서 반도체칩(31) 사이의 분할 홈(30a)에 대향하는 개소가 할단되게 된다. 이렇게 하여 얻어지는 접착 필름 구비 반도체칩(31)은 도 9를 참조하여 상술한 픽업 공정을 거친 후, 반도체 장치 제조 과정에 있어서의 실장 공정에 제공되게 된다.
다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)이 사용되어서 행하여지는 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 반도체 웨이퍼(30), 반도체 웨이퍼(30A), 또는 반도체 웨이퍼 분할체(30B) 대신에, 다음과 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)가 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 접합되어도 된다.
반도체 웨이퍼(30C)의 제작에 있어서는, 먼저, 도 12의 (a) 및 도 12의 (b)에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)에 개질 영역(30b)이 형성된다. 반도체 웨이퍼(W)는, 제1 면(Wa) 및 제2 면(Wb)을 갖는다. 반도체 웨이퍼(W)에 있어서의 제1 면(Wa)의 측에는 각종 반도체 소자(도시 생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시 생략)이 제1 면(Wa) 상에 이미 형성되어 있다. 본 공정에서는, 점착면(T3a)을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프(T3)가 반도체 웨이퍼(W)의 제1 면(Wa)측에 접합된 후, 웨이퍼 가공용 테이프(T3)에 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 상태에서, 웨이퍼 내부에 집광점이 맞추어진 레이저광이 웨이퍼 가공용 테이프(T3)와는 반대인 측으로부터 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 그 분할 예정 라인을 따라서 조사되어, 다광자 흡수에 의한 어블레이션에에 의하여 반도체 웨이퍼(W) 내에 개질 영역(30b)이 형성된다. 개질 영역(30b)은 반도체 웨이퍼(W)를 반도체칩 단위로 분리시키기 위한 취약화 영역이다. 반도체 웨이퍼에 있어서 레이저광 조사에 의해 분할 예정 라인 상에 개질 영역(30b)을 형성하는 방법에 대해서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2002-192370호 공보에 상세하게 설명되어 있다. 당해 방법에 있어서, 본 실시 형태에 있어서의 레이저광 조사 조건은, 예를 들어 이하의 조건의 범위 내에서 적절하게 조정된다.
레이저광 조사 조건
(A) 레이저광
레이저광원 반도체 레이저 여기 Nd: YAG 레이저
파장 1064nm
레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠
발진 형태 Q 스위치 펄스
반복 주파수 100kHz 이하
펄스폭 1μs 이하
출력 1mJ 이하
레이저광 품질 TEM00
편광 특성 직선 편광
(B) 집광용 렌즈
배율 100배 이하
NA 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 100％ 이하
(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 280mm/초 이하
이어서, 웨이퍼 가공용 테이프(T3)에 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼(W)가 소정의 두께에 이르기까지 제2 면(Wb)으로부터의 연삭 가공에 의해 박화되어서, 도 12의 (c)에 도시하는 바와 같이, 복수의 반도체칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30C)가 형성된다(웨이퍼 박화 공정). 접착 필름 구비 반도체칩(31)을 얻음에 있어서는, 이상과 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)가 반도체 웨이퍼(30A) 대신 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 접합된 다음, 도 7 내지 도 9를 참조하여 상술한 각 공정이 행하여져도 된다.
도 13의 (a) 및 도 13의 (b)는 반도체 웨이퍼(30C)가 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 접합된 후에 행하여지는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 구체적으로 나타낸다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(43)가 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(20)에 맞닿아서 상승되어, 반도체 웨이퍼(30C)가 접합된 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 다이싱 테이프(20)가 반도체 웨이퍼(30C)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지게 익스팬드된다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(20)에 있어서, 예를 들어 1 내지 100MPa의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행하여진다. 본 공정에 있어서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 본 공정에 있어서의 익스팬드 속도(밀어올림 부재(43)가 상승하는 속도)는 예를 들어 1 내지 500mm/초이다. 또한, 본 공정에 있어서의 익스팬드량은, 예를 들어 50 내지 200mm이다. 이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)의 접착 필름(10)이 소편의 접착 필름(11)으로 할단되어서 접착 필름 구비 반도체칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 본 공정에서는, 반도체 웨이퍼(30C)에 있어서 취약한 개질 영역(30b)에 크랙이 형성되어서 반도체칩(31)으로의 개편화가 발생한다. 이와 함께, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 밀착되어 있는 접착 필름(10)에 있어서, 반도체 웨이퍼(30C)의 각 반도체칩(31)이 밀착되어 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 웨이퍼의 크랙 형성 개소에 대향하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(20)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 접착 필름(10)에 있어서 반도체칩(31) 사이의 크랙 형성 개소에 대향하는 개소가 할단되게 된다. 이렇게 하여 얻어지는 접착 필름 구비 반도체칩(31)은 도 9를 참조하여 상술한 픽업 공정을 거친 후, 반도체 장치 제조 과정에 있어서의 실장 공정에 제공되게 된다.
도 4의 (b)에 도시하는 상술한 반도체 장치에서는, 반도체칩(C)과, 거기에 접속된 본딩 와이어(53)의 전체가, 접착 필름(11)이 경화하여 이루어지는 접착층 내에 매립되어 있다. 이에 반해, 반도체칩(C)과, 거기에 접속된 본딩 와이어(53)에 있어서의 반도체칩(C)측의 일부가, 접착 필름(11)이 경화하여 이루어지는 접착층 내에 매립되어도 된다. 이와 같은 구성의 반도체 장치를 제조함에 있어서도, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)을 사용할 수 있다.
제조 목적의 반도체 장치에 있어서는, 와이어 본딩 실장된 반도체칩(C) 대신에, 예를 들어 도 14에 도시하는 바와 같이, 플립 칩 실장된 반도체칩(C)을 채용해도 된다. 도 14에 도시하는 반도체칩(C)은, 실장 기판(51)에 대하여 범프(55)를 통하여 전기적으로 접속되어 있고, 당해 반도체칩(C)과 실장 기판(51) 사이에는, 언더필제(56)가 충전되어서 열경화되어 있다. 도 14에 도시하는 반도체 장치에 있어서는, 접착 필름(11)이 열경화하여 이루어지는 접착층은, 실장 기판(51)에 플립 칩 실장된 반도체칩(C)(제1 반도체칩)을 포매하면서 실장 기판(51)에 반도체칩(31)(제2 반도체칩)을 접합하는 것이다. 이와 같은 구성의 반도체 장치를 제조함에 있어서도, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)을 사용할 수 있다.
상술한 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 도 3의 (a) 및 도 3의 (b)를 참조하여 상술한 가고착 공정 또는 도 3의 (c)를 참조하여 상술한 열경화 공정 후, 소정의 수의 접착층 구비 반도체칩을 반도체칩(31) 상에 순차적으로 다이 본딩하여 적층하고, 반도체칩(31)을 포함하는 각 반도체칩의 전극 패드와 실장 기판(51)이 갖는 단자부와의 사이를 와이어 본딩하고, 그 후, 실장 기판(51) 상의 전 반도체칩 등을 수지 밀봉하기 위한 밀봉 공정을 행해도 된다. 이러한 과정을 거쳐서 제조되는 반도체 장치의 일례를 도 15에 도시한다.
도 15에 도시하는 반도체 장치에 있어서는, 실장 기판(51)과 반도체칩(31) 사이에 개재하는, 접착 필름(11)이 경화하여 이루어지는 접착층 내에, 반도체칩(C)이 포매되는 한편, 반도체칩(31) 상에 복수의 반도체칩(31')이 다단 적층되어 있다. 반도체칩(31, 31')노 전극 패드(도시 생략)와 실장 기판(51)이 갖는 단자부(도시 생략)와는 본딩 와이어(53)를 통하여 전기적으로 접속되어 있다. 밀봉 수지(54)는 실장 기판(51) 상의 반도체칩(31, 31') 등을 밀봉하고 있다. 이와 같은 구성의 반도체 장치를 제조함에 있어서도, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)을 사용할 수 있다.
도 15에 도시하는 반도체 장치에 있어서는, 와이어 본딩 실장된 반도체칩(C) 대신에, 예를 들어 도 16에 도시하는 바와 같이, 플립 칩 실장된 반도체칩(C)이 채용되어도 된다. 이와 같은 구성의 반도체 장치를 제조함에 있어서도, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)을 사용할 수 있다.
예를 들어 이상과 같은 반도체 장치를 제조함에 있어서 사용될 수 있는 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 있어서의 접착 필름(10)에 있어서, 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 10mm, 125℃ 및 인장 속도 1mm/초의 조건에서 행하여지는 인장 시험에 있어서 파단 강도 10MPa 이상 및/또는 파단 신도 60％ 이상의 내파단성을 갖는다는 상술한 구성은, 접착 필름(10)이 비교적으로 두꺼운 경우에도, 그것으로 형성되는 접착층에 있어서 열 스트레스에 기인하는 크랙의 발생을 억제하기에 적합함을 본 발명자들은 알아냈다. 예를 들어, 후술하는 실시예 및 비교예를 의해 나타내는 바와 같다.
접착 필름(10)에 있어서의, 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 관한 상기 인장 시험에서의 파단 강도가 10MPa 이상, 바람직하게는 13MPa 이상, 보다 바람직하게는 16MPa 이상, 보다 바람직하게는 19MPa 이상, 보다 바람직하게는 22MPa 이상이라고 하는 상술한 구성은, 경화 후의 접착 필름(10) 즉 접착층에 있어서, 열 스트레스의 작용에 의해 내부에 발생·축적되는 변형에 저항하여 크랙의 형성을 억제하기에 적합한 것으로 생각된다.
접착 필름(10)에 있어서의, 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 관한 상기 인장 시험에서의 파단 신도가 60％ 이상, 바람직하게는 65％ 이상, 보다 바람직하게는 70％ 이상, 보다 바람직하게는 75％ 이상이라고 하는 상술한 구성은, 경화 후의 접착 필름(10), 즉 접착층에 있어서, 열 스트레스의 작용에 의한 내부 변형을 억제하기에 적합한 것으로 생각된다. 접착층에 있어서, 내부 변형량이 적을수록, 크랙은 발생하기 어렵다.
이상과 같이, 다이싱 테이프 구비 접착 필름(X)에 있어서의 접착 필름(10)은 그것으로 형성되는 접착층에 있어서 열 스트레스에 기인하는 크랙의 발생을 억제하기에 적합한 것이다.
접착 필름(10)은 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 22.5mm, 주파수 1Hz, 동적 변형 ±0.5㎛, 및 승온 속도 10℃/분의 조건에서 측정되는 125℃에서의 인장 저장 탄성률이, 상술한 바와 같이, 바람직하게는 40MPa 이상, 보다 바람직하게는 50MPa 이상, 보다 바람직하게는 60MPa 이상이다. 이와 같은 구성은, 접착 필름(10)으로 형성되는 접착층에 있어서 열 스트레스에 기인하는 크랙의 발생을 억제함에 있어서 바람직하다.
접착 필름(10)의 두께는, 상술한 바와 같이, 바람직하게는 40㎛ 이상, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상, 보다 바람직하게는 80㎛ 이상이다. 이와 같은 구성은, 반도체칩 포매용의 접착 필름으로서 접착 필름(10)을 사용함에 있어서 바람직하다.
접착 필름(10)의 두께는, 상술한 바와 같이, 바람직하게는 150㎛ 이하, 보다 바람직하게는 140㎛ 이하, 보다 바람직하게는 130㎛ 이하이다. 이와 같은 구성은, 접착 필름(10)이 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)측에 밀착된 형태로 상술한 바와 같은 할단용의 익스팬드 공정에 부쳐지는 경우에 당해 접착 필름(10)이 양호한 할단을 실현함에 있어서 바람직하다.
접착 필름(10)의 미경화 상태에 있어서의 120℃에서의 점도는, 상술한 바와 같이, 바람직하게는 300Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 700Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 1000Pa·s 이상이다. 접착 필름(10)의 미경화 상태에 있어서의 120℃에서의 점도는, 바람직하게는 5000Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4500Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4000Pa·s 이하이다. 접착 필름(10)의 미경화 상태에서의 점도 내지 연질도에 관한 이들 구성은, 반도체칩 포매용의 접착 필름으로서 접착 필름(10)을 사용함에 있어서 바람직하다.
[실시예]
〔실시예 1〕
<접착 필름의 제작>
아크릴 수지 A1(상품명 「테이산 레진 SG-708-6」, 중량 평균 분자량은 70만, 유리 전이 온도 Tg는 4℃, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤제) 100질량부와, 에폭시 수지 E1(상품명 「EPPN 501HY」,니혼 가야쿠 가부시키가이샤제) 144질량부와, 페놀 수지 F1(상품명 「LVR8210-DL」,군에이 가가꾸 고교 가부시키가이샤제) 89질량부와, 무기 필러(상품명 「SE-2050MCV」, 실리카 입자, 평균 입경은 0.5㎛,가부시키가이샤 애드마텍스제) 222질량부와, 실란 커플링제(상품명 「KBM-303」, 신에쓰 가가꾸 가부시키가이샤제) 1.4질량부와, 경화 촉매(상품명 「TPP-K」, 혹코 가가꾸 가부시끼가이샤제) 0.25질량부를, 메틸에틸케톤에 첨가하고 혼합하여, 접착제 조성물을 얻었다. 이어서, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 38㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 접착제 조성물을 도포하여 접착제 조성물층을 형성하였다. 이어서, 이 조성물층에 대해서 130℃에서 2분간의 가열 건조를 행하여, PET 세퍼레이터 상에 두께 40㎛의 접착 필름을 제작하였다. 그리고, 이와 같이 하여 제작되는 3장의 접착 필름을, 롤 라미네이터를 사용하여 접합하여, 실시예 1의 접착 필름(두께 120㎛)을 제작하였다. 이 접합에서는, 접합 속도를 10mm/초로 하고, 온도 조건을 60℃로 하고, 압력 조건을 0.15MPa로 하였다. 실시예 1 및 후술하는 각 실시예 및 각 비교예에 있어서의 접착 필름의 조성을 표 1에 나타낸다(표 1에 있어서, 접착 필름의 조성을 나타내는 각 수치의 단위는, 당해 조성 내에서의 상대적인 "질량부"이다).
<다이싱 테이프의 제작>
냉각관과, 질소 도입관과, 온도계와, 교반 장치를 구비하는 반응 용기 내에서, 아크릴산2-에틸헥실 86.4질량부와, 아크릴산2-히드록시에틸 13.6질량부와, 중합 개시제인 과산화벤조일 0.2질량부와, 중합 용매인 톨루엔 65질량부를 포함하는 혼합물을, 61℃에서 6시간, 질소 분위기 하에서 교반했다(중합 반응). 이에 의해, 아크릴계 폴리머 P1을 함유하는 폴리머 용액을 얻었다. 이어서, 이 아크릴계 폴리머 P1을 함유하는 폴리머 용액과, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI)와, 부가 반응 촉매로서의 디부틸주석디라우릴레이트를 포함하는 혼합물을, 50℃에서 48시간, 공기 분위기 하에서 교반했다(부가 반응). 당해 반응 용액에 있어서, MOI의 배합량은, 상기 아크릴계 폴리머 P1 100질량부에 대하여 14.6질량부이며, 디부틸주석디라우릴레이트의 배합량은, 아크릴계 폴리머 P1 100질량부에 대하여 0.5질량부이다. 이 부가 반응에 의해, 측쇄에 메타크릴레이트기를 갖는 아크릴계 폴리머 P2를 함유하는 폴리머 용액을 얻었다. 이어서, 당해 폴리머 용액에, 아크릴계 폴리머 P2 100질량부에 대하여 2질량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」,도소 가부시키가이샤제)과, 5질량부의 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 651」,BASF사제)를 첨가하고 혼합하여, 점착제 조성물을 얻었다. 이어서, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 38㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 점착제 조성물을 도포하여 점착제 조성물층을 형성하였다. 이어서, 이 조성물층에 대해서 120℃에서 2분간의 가열 건조를 행하여, PET 세퍼레이터 상에 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 이어서, 라미네이터를 사용하고, 이 점착제층의 노출면에 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA)제의 기재(상품명 「펑크레어 NRB#115」, 두께 115㎛, 군제 가부시키가이샤제)를 실온에서 접합하였다. 이상과 같이 하여 다이싱 테이프를 제작하였다.
<다이싱 테이프 구비 접착 필름의 제작>
PET 세퍼레이터를 수반하는 실시예 1의 상술한 접착 필름을 직경 330mm의 원반 형상으로 펀칭 가공하였다. 이어서, 당해 접착 필름으로부터 PET 세퍼레이터를 박리하고 또한 상술한 다이싱 테이프로부터 PET 세퍼레이터를 박리한 후, 당해 다이싱 테이프에 있어서 노출한 점착제층과, 접착 필름에 있어서 PET 세퍼레이터의 박리에 의해 노출한 면을, 롤 라미네이터를 사용하여 접합하였다. 이 접합에 있어서, 접합 속도를 10mm/초로 하고, 온도 조건을 40℃로 하고, 압력 조건을 0.15MPa로 하였다. 이어서, 이와 같이 하여 접착 필름과 접합된 다이싱 테이프를, 다이싱 테이프의 중심과 접착 필름의 중심이 일치하도록, 직경 390mm의 원반 형상으로 펀칭 가공하였다. 이어서, 다이싱 테이프에 있어서의 점착제층에 대하여 EVA 기재의 측으로부터 자외선을 조사하였다. 자외선 조사에 있어서는, 고압 수은 램프를 사용하고, 조사 적산 광량을 400mJ/㎠로 하였다. 이상과 같이 하여, 다이싱 테이프와 접착 필름을 포함하는 적층 구조를 갖는 실시예 1의 다이싱 테이프 구비 접착 필름을 제작하였다.
〔실시예 2〕
에폭시 수지 E1 144질량부 대신에 에폭시 수지 E2(상품명 「KI-3000-4」, 신닛테츠스미킨 가가쿠 가부시키가이샤제) 59질량부와 에폭시 수지 E3(상품명 「YL-980」,미쓰비시 케미컬 가부시키가이샤제) 54질량부를 사용한 것, 페놀 수지 F1 89질량부 대신에 페놀 수지 F2(상품명 「MEH-7851SS」, 메이와 가세이 가부시키가이샤제) 121질량부를 사용한 것, 및 경화 촉매(상품명 「TPP-K」, 혹코 가가꾸 가부시끼가이샤제)의 배합량을 0.25질량부 대신에 0.5질량부로 한 것, 이외에는 실시예 1의 접착 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 2의 접착 필름(두께 120㎛)을 제작하였다. 또한, 이 실시예 2의 접착 필름을 실시예 1의 상술한 접착 필름 대신 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 테이프 구비 접착 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 2의 다이싱 테이프 구비 접착 필름을 제작하였다.
〔실시예 3〕
아크릴 수지 A1 100질량부 대신에 아크릴 수지 A2(상품명 「테이산 레진 SG-P3」, 중량 평균 분자량은 85만, 유리 전이 온도 Tg는(12℃, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤제) 100질량부를 사용한 것 이외에는 실시예 1의 접착 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 3의 접착 필름(두께 120㎛)을 제작하였다. 또한, 이 실시예 3의 접착 필름을 실시예 1의 상술한 접착 필름 대신 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 테이프 구비 접착 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 3의 다이싱 테이프 구비 접착 필름을 제작하였다.
〔비교예 1〕
아크릴 수지 A3(상품명 「테이산 레진 SG-70L」, 중량 평균 분자량은 90만, 유리 전이 온도 Tg는 -13℃, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤제) 100질량부와, 에폭시 수지 E2(상품명 「KI-3000-4」, 신닛테츠스미킨 가가쿠 가부시키가이샤제) 102질량부와, 에폭시 수지 E3(상품명 「YL-980」,미쓰비시 케미컬 가부시키가이샤제) 13질량부와, 페놀 수지 F2(상품명 「MEH-7851SS」, 메이와 가세이 가부시키가이샤제) 119질량부와, 무기 필러(상품명 「SE-2050MCV」, 실리카 입자, 평균 입경은 0.5㎛,가부시키가이샤 애드마텍스제) 222질량부와, 실란 커플링제(상품명 「KBM-303」, 신에쓰 가가꾸 가부시키가이샤제) 1.4질량부와, 경화 촉매(상품명 「TPP-K」, 혹코 가가꾸 가부시끼가이샤제) 0.67질량부를, 메틸에틸케톤에 첨가하고 혼합하여, 접착제 조성물을 얻었다. 이어서, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 38㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 접착제 조성물을 도포하여 접착제 조성물층을 형성하였다. 이어서, 이 조성물층에 대해서 130℃에서 2분간의 가열 건조를 행하여, PET 세퍼레이터 상에 두께 40㎛의 접착 필름을 제작하였다. 그리고, 이와 같이 하여 제작되는 3장의 접착 필름을, 롤 라미네이터를 사용하여 접합하여, 비교예 1의 접착 필름(두께 120㎛)을 제작하였다. 이 접합에서는, 접합 속도를 10mm/초로 하고, 온도 조건을 60℃로 하고, 압력 조건을 0.15MPa로 하였다. 또한, 이 비교예 1의 접착 필름을 실시예 1의 상술한 접착 필름 대신 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 테이프 구비 접착 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 1의 다이싱 테이프 구비 접착 필름을 제작하였다.
〔비교예 2〕
에폭시 수지 E2의 배합량을 102질량부 대신에 105질량부로 한 것, 에폭시 수지 E3의 배합량을 13질량부 대신에 41질량부로 한 것, 페놀 수지 F2의 배합량을 119질량부 대신에 154질량부로 한 것, 및 경화 촉매(상품명 「TPP-K」, 혹코 가가꾸 가부시끼가이샤제)의 배합량을 0.67질량부 대신에 0.8질량부로 한 것, 이외에는 비교예 1의 접착 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 2의 접착 필름(두께 120㎛)을 제작하였다. 또한, 이 비교예 2의 접착 필름을 실시예 1의 상술한 접착 필름 대신 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 테이프 구비 접착 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 2의 다이싱 테이프 구비 접착 필름을 제작하였다.
〔비교예 3〕
아크릴 수지 A1 100질량부 대신에 아크릴 수지 A3(상품명 「테이산 레진 SG-70L」, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤제) 100질량부를 사용한 것, 및 경화 촉매(상품명 「TPP-K」, 혹코 가가꾸 가부시끼가이샤제)의 배합량을 0.25질량부 대신에 0.1질량부로 한 것, 이외에는 실시예 1의 접착 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 3의 접착 필름(두께 120㎛)을 제작하였다. 또한, 이 비교예 3의 접착 필름을 실시예 1의 상술한 접착 필름 대신 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 테이프 구비 접착 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 3의 다이싱 테이프 구비 접착 필름을 제작하였다.
<경화 후의 파단 강도 및 파단 신도>
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 각 접착 필름에 대해서, 150℃에서의 1시간의 가열과 그 후 175℃에서의 1시간의 가열에 의해 경화시켰다. 그리고, 경화 후의 접착 필름으로부터 잘라내진 각 접착 필름 시험편(길이 40mm, 폭 5mm, 두께 120㎛)에 대해서, 동적 점탄성 측정 장치(상품명 「RSA-III」, TA Instruments제)를 사용하여 인장 시험을 행하고, 파단 강도 및 파단 신도를 측정하였다. 이 인장 시험에 있어서, 측정 모드는 인장 모드이며, 초기 척간 거리는 10mm이며, 온도 조건은 125℃이며, 인장 속도는 1mm/초이다. 측정된 파단 강도(MPa) 및 파단 신도(％)의 각 값을 표 1에 나타낸다.
<경화 후의 인장 저장 탄성률>
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 각 접착 필름에 대해서, 150℃에서의 1시간의 가열과 그 후 175℃에서의 1시간의 가열에 의해 경화시켰다. 그리고, 경화 후의 접착 필름으로부터 잘라내진 각 접착 필름 시험편(길이 40mm, 폭 5mm, 두께 120㎛)에 대해서, 동적 점탄성 측정 장치(상품명 「RSA-III」, TA Instruments제)를 사용하여 인장 시험을 행하고, 인장 저장 탄성률을 측정하였다. 이 인장 시험에 있어서, 측정 모드는 인장 모드이며, 초기 척간 거리는 22.5mm이며, 측정 온도 범위는 0℃부터 150℃이며, 승온 속도는 10℃/분이며, 동적 변형은 ±0.5㎛이며, 주파수는 1Hz이다. 구해진 125℃에서의 인장 저장 탄성률(MPa)을 표 1에 나타낸다.
<경화 전의 점도>
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 상술한 각 접착 필름에 대해서, 미경화 상태에 있어서의 120℃에서의 점도를 측정하였다. 구체적으로는, 접착 필름으로부터 채취된 0.1g의 시료를 측정 플레이트인 패럴렐 플레이트(직경 20mm)에 투입하고, 레오미터(상품명 「MARS3」,HAAKE사제)를 사용하여, 패럴렐 플레이트법에 의해 당해 시료의 용융 점도(Pa·s)를 측정하였다. 본 측정에 있어서, 패럴렐 플레이트 간의 갭은 0.1mm이며, 변형 속도는 5/초이며, 승온 속도는 10℃/분이며, 측정 온도 범위는 90 내지 150℃이다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
〔온도 사이클 시험〕
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 각 다이싱 테이프 구비 접착 필름을 사용하여 접착 필름 구비 반도체칩을 얻은 다음, 당해 반도체칩을 기판에 다이 본딩하여 얻어지는 접합체 샘플에 대하여 온도 사이클 시험을 행하였다.
온도 사이클 시험에 부쳐지는 각 샘플은, 다음과 같이 하여 제작하였다. 먼저, 다이싱 테이프 구비 접착 필름의 접착 필름(두께 120㎛)측에 실리콘 웨이퍼(직경 12인치, 두께 60㎛)을 접합하였다. 이어서, 다이싱 장치(상품명 「DFD6260」,가부시키가이샤 디스코제)를 사용하여 행하는 블레이드 다이싱에 의해, 다이싱 테이프 구비 접착 필름 상의 실리콘 웨이퍼를 접착 필름과 함께 절삭하고, 접착 필름 구비 칩(각 변 10mm)으로 개편화하였다. 이어서, 이 접착 필름 구비 반도체칩을 유기 기판에 대하여 다이 본딩하였다. 구체적으로는, 접착 필름 구비 칩을 그 접착 필름측에서 유기 기판에 가고착한 후, 유기 기판과 칩 사이에 개재하는 접착 필름을 경화시켜서 접착층을 형성하였다. 가고착에 있어서, 가열 온도는 120℃로 하고, 압착 하중은 1kg으로 하고, 압착 시간은 1초간으로 하였다. 접착 필름을 경화시킬 때에, 가압력은 7kg/㎠로 하고, 가열 온도는 150℃로 하고, 가열 시간은 1시간으로 하였다. 이어서, 유기 기판 상에 있어서 반도체칩을 밀봉 수지에 의해 밀봉하였다. 구체적으로는, 유기 기판 상에 있어서 반도체칩을 포매하도록 밀봉 수지(상품명 「GE-100」,히따찌 가세이 가부시키가이샤제)를 공급한 후, 당해 밀봉 수지에 대해서, 175℃에서 90초간 가열하고, 계속해서 175℃에서 5시간 가열하였다. 이상과 같이 하여, 각 다이싱 테이프 구비 접착 필름을 사용하여 온도 사이클 시험용의 접합체 샘플을 제작하였다.
온도 사이클 시험은, 온도 사이클 시험기(상품명 「TSA-103ES」, 에스펙 가부시키가이샤제)를 사용하여 행하고, 각 샘플에 대하여 -55℃ 내지 125℃의 범위에서의 온도 변화를 700사이클 부여하였다. 1사이클의 온도 프로파일에는, -55℃에서의 5분의 보유 지지 기간 및 125℃에서의 5분의 보유 지지 기간이 포함된다.
온도 사이클 시험 후, 기계 연마에 의해, 접합체 샘플에 대하여 기판측으로부터 수평 연마를 행하고, 접합체 샘플에 있어서의 접착층의 기판측 표면을 노출시켰다. 그리고, 노출한 접착층 표면을 관찰하였다. 이 관찰에 있어서, 접착층에 크랙이 전혀 발생하지 않은 경우를 매우 뛰어남으로 평가하고, 접착층에 크랙이 발생한 경우를 불가로 평가하였다. 그 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 1 내지 3의 다이싱 테이프 구비 접착 필름을 사용하여 제작된 접합체 샘플은, 상술한 온도 사이클 시험을 거친 후에 그 접착층에 크랙을 발생하지 않았다. 한편, 비교예 1 내지 3의 다이싱 테이프 구비 접착 필름을 사용하여 제작된 접합체 샘플은, 상술한 온도 사이클 시험을 거친 후에 그 접착층에 크랙을 발생하였다.
Figure pat00001
X: 다이싱 테이프 구비 접착 필름
10, 11: 접착 필름
20: 다이싱 테이프
21: 기재
22: 점착제층
W, 30, 30A, 30C: 반도체 웨이퍼
30B: 반도체 웨이퍼 분할체
30a: 분할 홈
30b: 개질 영역
31, 31', C: 반도체칩

Claims (10)

  1. 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 10mm, 125℃ 및 인장 속도 1mm/초의 조건에서 행하여지는 인장 시험에 있어서 파단 강도 10MPa 이상 및/또는 파단 신도 60％ 이상의 내파단성을 갖는 접착 필름.
  2. 제1항에 있어서, 폭 5mm의 경화 후의 접착 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 22.5mm, 주파수 1Hz, 동적 변형 ±0.5㎛, 및 승온 속도 10℃/분의 조건에서 측정되는 125℃에서의 인장 저장 탄성률이 40MPa 이상인 접착 필름.
  3. 제1항에 있어서, 40 내지 150㎛의 두께를 갖는 접착 필름.
  4. 제2항에 있어서, 40 내지 150㎛의 두께를 갖는 접착 필름.
  5. 제1항에 있어서, 120℃에서의 점도가 300 내지 5000Pa·s인 접착 필름.
  6. 제2항에 있어서, 120℃에서의 점도가 300 내지 5000Pa·s인 접착 필름.
  7. 제3항에 있어서, 120℃에서의 점도가 300 내지 5000Pa·s인 접착 필름.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 실장 기판에 와이어 본딩 실장된 제1 반도체칩을 당해 제1 반도체칩에 접속된 본딩 와이어의 전체 또는 일부와 함께 포매하면서 상기 실장 기판에 제2 반도체칩을 접합하는 접착층을 형성하는 것이 가능한 접착 필름.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 실장 기판에 플립 칩 실장된 제1 반도체칩을 포매하면서 상기 실장 기판에 제2 반도체칩을 접합하는 접착층을 형성하는 것이 가능한 접착 필름.
  10. 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와,
    상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있는 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 접착 필름을 구비하는 다이싱 테이프 구비 접착 필름.
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