KR20190022997A - 기판 처리 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법으로는, 복수의 기판 처리 유닛, 통합 배기 덕트, 그리고 각각의 상기 기판 처리 유닛에 제공되는 개별 배기 덕트를 포함하되, 각각의 상기 개별 배기 덕트는 상기 통합 배기 덕트에 연결되며, 상기 통합 배기 덕트의 통합 배기량은 공정 진행시 각각의 상기 기판 처리 유닛의 공정 배기량들의 전체 합보다 작게 제공되고, 공정이 진행되는 상기 기판 처리 유닛의 각각의 공정 배기량의 합들이 상기 통합 배기량을 초과하지 않는 범위를 만족하는 상기 기판 처리 유닛의 수 내에서 동시에 공정이 수행된다. 이로 인해 각 유닛에 요구되는 배기량을 줄일 수 있다.

Description

기판 처리 방법 및 장치{Method and Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 및 평판표시패널의 제조를 위해 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다.
각각의 공정들은 기판이 처리되는 공간의 분위기가 일정하게 유지되어야 한다. 특히 도포 공정은 기판 상에 액막을 형성하는 공정으로, 분위기에 따라 액막의 두께가 상이해질 수 있다. 이로 인해 도포 공정의 분위기는 이와 다른 공정에 비해 더 주의를 요한다.
일반적으로 복수 개의 도포 유닛들은 공간 효율을 위해 단일의 감압 부재에 의해 배기된다. 이로 인해 감압 부재는 도포 유닛들을 최대치로 감압하며, 공정이 진행되는 도포 유닛들의 배기량의 합은 감압 부재의 최대치 감압량과 대응된다. 따라서 도포 유닛의 공정이 계속적으로 진행되는 경우에는 감압 부재의 과부하를 발생시킬 수 있으며, 과부하로 인해 도포 유닛의 배기가 중지되는 경우에는 기판 처리 공정에 불량을 발생시킨다.
또한 단일의 감압 부재로 복수 개의 도포 유닛들을 감압하는 중 대기 상태의 도포 유닛에 대한 배기량을 줄일 경우, 이는 공정 진행 중인 다른 도포 유닛의 배기를 간섭한다.
예컨대, 도 1은 각 유닛의 상태 별 배기량을 보여주는 표이다. 도 1을 참조하면, 공정 진행 중인 각각의 도포 유닛(A 내지 D 중 어느 일부)은 공정 유속(3 내지 3.15m/s)으로 배기되고, 대기 중인 도포 유닛(A 내지 D 중 다른 일부)은 공정 유속 이하로 배기된다. 공정 진행 중인 도포 유닛 중 하나 또는 그 이상을 대기 상태로 전환하여 배기량을 낮출 경우, 이는 공정 진행 중인 도포 유닛의 배기량을 간섭하고, 공정 진행 중인 도포 유닛의 배기량을 공정 유속 이하로 강하시킨다.
본 발명은 복수 개의 공정 유닛들을 단일 개의 감압 부재로 감압 시 감압 부재의 과부하가 발생되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 각 공정 유닛 간에 배기 간섭을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 방법 및 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 방법으로는, 복수의 기판 처리 유닛, 통합 배기 덕트, 그리고 각각의 상기 기판 처리 유닛에 제공되는 개별 배기 덕트를 포함하되, 각각의 상기 개별 배기 덕트는 상기 통합 배기 덕트에 연결되며, 상기 통합 배기 덕트의 통합 배기량은 공정 진행시 각각의 상기 기판 처리 유닛의 공정 배기량들의 전체 합보다 작게 제공되고, 공정이 진행되는 상기 기판 처리 유닛의 각각의 공정 배기량의 합들이 상기 통합 배기량을 초과하지 않는 범위를 만족하는 상기 기판 처리 유닛의 수 내에서 동시에 공정이 수행된다.
공정이 진행되지 않는 상기 기판 처리 유닛의 대기 배기량은 공정이 진행되는 상기 기판 처리 유닛의 공정 배기량보다 작으며, 상기 대기 배기량과 상기 공정 배기량의 총합이 상기 통합 배기량을 초과하지 않는 범위에서 상기 기판 처리 유닛의 공정을 동시에 수행할 수 있다. 공정이 진행되지 않는 상기 기판 처리 유닛에 연결되는 상기 개별 배기 덕트에는 외기가 유입되도록 일부가 개방되고, 상기 외기의 유입량만큼 배기량이 감소되도록 배기 유로의 면적을 감소시켜 상기 총합을 일정하게 유지할 수 있다.
복수의 상기 기판 처리 유닛은 동일한 공정을 수행할 수 있다. 상기 공정은 기판을 액 처리하는 공정을 포함할 수 있다. 상기 복수의 기판 처리 유닛 중 일부는 제1그룹 유닛에 포함되고, 다른 일부는 제2그룹 유닛에 포함되며, 상기 공정이 수행될 상기 기판들은 상기 제1그룹 유닛과 상기 제2그룹 유닛에 교차 반입되고, 반입된 순서대로 상기 공정이 수행될 수 있다. 상기 제1그룹 유닛과 상기 제2그룹 유닛은 서로 적층되게 위치될 수 있다.
기판을 처리하는 장치는 기판을 처리하는 공정이 수행되는 복수의 기판 처리 유닛, 상기 기판 처리 유닛을 배기하는 배기 어셈블리, 복수의 상기 기판 처리 유닛에 기판을 반송하는 반송 유닛, 그리고 상기 배기 어셈블리 및 반송 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 배기 어셈블리는 통합 배기 덕트, 상기 통합 배기 덕트에 설치되며, 상기 통합 배기 덕트를 감압하는 배기 부재, 그리고 상기 통합 배기 덕트로부터 분기되어 상기 기판 처리 유닛 각각에 연결되는 개별 배기 덕트를 포함하되, 상기 제어기는 상기 통합 배기 덕트의 통합 배기량은 공정 진행시 각각의 상기 기판 처리 유닛의 공정 배기량들의 전체 합보다 작게 제공되도록 상기 배기 어셈블리를 제어하고, 상기 제어기는 공정이 진행되는 상기 기판 처리 유닛 각각의 상기 공정 배기량의 합들이 상기 통합 배기량을 초과하지 않는 범위를 만족하는 상기 기판 처리 유닛의 수 내에서 동시에 공정이 수행되도록 상기 기판 처리 유닛에 반송되는 기판의 수를 제어한다.
상기 제어기는 공정이 진행되지 않는 상기 기판 처리 유닛의 대기 배기량이 공정이 진행되는 상기 기판 처리 유닛의 공정 배기량보다 작고, 공정이 진행되지 않는 상기 기판 처리 유닛의 대기 배기량과 공정이 진행되는 상기 기판 처리 유닛의 공정 배기량의 총합은 상기 통합 배기량을 초과하지 않도록 상기 배기 어셈블리를 제어할 수 있다.
상기 기판 처리 유닛은 복수 개가 서로 적층되게 위치되고, 상기 제어기는 상부의 기판 처리 유닛과 하부의 기판 처리 유닛에 기판을 교차 반송시키도록 상기 반송 유닛을 제어할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 각 유닛의 배기량의 합들이 통합 배기량을 초과하지 않는 범위를 만족하는 유닛들의 수 내에서 공정이 진행된다. 이로 인해 각 유닛에 요구되는 배기량을 줄일 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 공정이 진행되지 않는 대기 상태의 유닛에 연결되는 개별 배기 덕트에는 외기를 유입시키고, 그 개별 배기 덕트의 배기 유로의 면적을 감소시킨다. 이로 인해 대기 배기량와 공정 배기량의 총합을 일정하게 유지하여 각 유닛 간의 배기 간섭을 최소화할 수 있다.
도 1은 각 유닛의 상태 별 배기량을 보여주는 표이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 2의 도포 챔버를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 도포 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 배기 어셈블리를 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 배기 밸브를 보여주는 사시도이다.
도 10 및 도 11은 배기 밸브의 동작을 보여주는 단면도들이다.
도 12 내지 도 15는 도 8의 기판 처리 유닛들에 기판이 반입되는 순서를 보여주는 도면들이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
이하 도 2 내지 도 15를 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.
도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 반송 챔버(430), 배기 어셈블리(1000), 그리고 제어기를 가진다. 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 3 방향(16)으로 서로 적층되게 위치된다. 도면에서는 3 개의 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 도포 챔버들(410), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 도 6은 도 2의 도포 챔버를 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 도포 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 도포 챔버(410)는 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상의 하우징(810)으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다.
하우징(810)은 내부에 기판 처리 유닛(800)이 위치되는 내부 공간(812)을 가진다. 내부 공간(812)에는 복수 개의 기판 처리 유닛들(800)이 위치된다. 각각의 기판 처리 유닛(800)은 기판 상에 감광액과 같은 처리액을 도포하는 도포 공정을 수행한다. 기판 처리 유닛들은 제1방향(12)을 따라 순차적으로 배열될 수 있다. 예컨대, 하우징(810) 내에는 3 개의 기판 처리 유닛들이 위치될 수 있다. 각각의 기판 처리 유닛은 기판 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 팬 필터 유닛(820) 승강 유닛(890), 그리고 액 공급 유닛(840)을 포함한다.
기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 스핀척(832), 회전축(834), 그리고 구동기(836)를 포함한다. 스핀척(832)은 기판을 지지하는 기판 지지 부재(832)로 제공된다. 스핀척(832)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(832)은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 스핀척(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다.
회전축(834) 및 구동기(836)는 스핀척(832)을 회전시키는 회전 구동 부재(834,836)로 제공된다. 회전축(834)은 스핀척(832)의 아래에서 스핀척(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.
처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 기판 지지 유닛(830)의 둘레를 감싸도록 제공된다. 즉, 기판 지지 유닛(830)은 처리 공간에 위치된다. 처리 용기(850)는 외측컵(862) 및 내측컵(852)을 포함한다. 외측컵(862)은 기판 지지 유닛(830)의 둘레를 감싸도록 제공되고, 내측컵(852)은 외측컵(862)의 내측에 위치된다. 외측컵(862) 및 내측컵(852) 각각은 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측컵(862)과 내측컵(852)의 사이 공간은 액이 회수되는 회수 경로(851)로 기능한다.
내측컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측컵(852)은 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 내측컵은 내측부 및 외측부를 가진다. 내측부와 외측부 각각의 상면은 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측부는 스핀척과 중첩되게 위치된다. 내측부는 회전축(836)과 마주하게 위치된다. 내측부는 회전축(836)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하고, 외측부는 내측부로부터 외측 방향으로 연장된다. 외측부는 회전축(836)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향한다. 내측부의 상단은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 일치될 수 있다. 일 예에 의하면, 외측부와 내측부가 만나는 지점은 내측부의 상단보다 낮은 위치일 수 있다. 내측부와 외측부가 서로 만나는 지점은 라운드지도록 제공될 수 있다. 외측부는 외측컵(862)과 조합되어 처리액이 회수되는 회수 경로(851)를 형성할 수 있다.
외측컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측컵(862)은 바닥부(864), 측부(866), 그리고 경사부(870)을 가진다. 바닥부(864)는 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥부(864)에는 회수 라인(865)이 연결된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측부(866)는 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 측부(866)는 바닥부(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측부(866)는 바닥부(864)으로부터 위로 연장된다.
경사부(870)는 측부(866)의 상단으로부터 외측컵(862)의 중심축을 향하는 방향으로 연장된다. 경사부(870)의 내측면(870a)은 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 상향 경사지게 제공된다. 경사부(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 기판의 액 처리 공정 중에는 경사부(870)의 상단이 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다.
팬 필터 유닛(820)은 처리 공간과 마주하도록 하우징(810)의 천장면에 설치된다. 팬 필터 유닛(820)은 복수 개의 기판 처리 유닛들에 청정 에어를 공급한다. 팬 필터 유닛(820)은 기판 처리 유닛들 각각의 처리 공간에 하강 기류를 형성한다.
승강 유닛(890)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)을 승강 이동 시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다.
액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 처리액 및 프리 웨트액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 이동 부재(846), 아암(848), 프리 웨트 노즐(842) 및 처리 노즐(844)을 포함한다. 이동 부재(846)는 아암(848)을 수평 방향으로 이동시키는 이동 레일(846)을 포함한다. 이동 레일(846)은 처리 용기(850)의 일측에 위치된다. 이동 레일(846)은 그 길이 방향이 수평 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 이동 레일(846)의 길이 방향을 제1방향과 평행한 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 이동 레일(846)에는 아암(848)이 설치된다. 아암(848)은 이동 레일(846)의 내부에 제공된 리니어 모터에 의해 이동될 수 있다. 아암(848)은 상부에서 바라볼 때 이동 레일(846)과 수직한 길이 방향을 향하도록 제공된다. 아암(848)의 일단은 이동 레일(846)에 장착된다. 아암(848)의 타단 저면에는 프리 웨트 노즐(842) 및 처리 노즐(844)이 각각 설치된다. 상부에서 바라볼 때 프리 웨트 노즐(842) 및 처리 노즐(844)은 이동 레일(846)의 길이 방향과 평행한 방향으로 배열된다. 선택적으로 아암(848)은 복수 개로 제공되며, 아암들(848) 각각에는 프리 웨트 노즐(842) 및 처리 노즐(844)이 설치될 수 있다. 또한 아암(848)은 길이 방향이 제3방향을 향하는 회전축에 결합되어 회전될 수 있다.
프리 웨트 노즐(842)은 기판(W) 상에 프리 웨트액을 공급하고, 처리 노즐(844)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 예컨대, 프리 웨트액은 기판(W)의 표면 성질을 변화시킬 수 있는 액일 수 있다. 프리 웨트액은 기판(W)의 표면을 소수성 성질로 변화시킬 수 있다. 프리 웨트액은 신나(Thinner)이고, 처리액은 포토 레지스트와 같은 감광액일 수 있다.
다음은 배기 어셈블리(1000)에 대해 설명한다. 배기 어셈블리(1000)는 복수 개의 기판 처리 유닛들(800)의 처리 공간을 배기한다. 배기 어셈블리(1000)는 배기구(814)를 통해 각각의 기판 처리 유닛(800)을 감압한다. 도 8은 도 7의 배기 어셈블리를 보여주는 단면도이다. 도 8을 참조하면, 배기 어셈블리(1000)은 통합 배기 덕트(1100), 배기 부재(1200), 개별 배기 덕트(1300), 그리고 배기 밸브(1400)를 포함한다. 통합 배기 덕트(1100)에는 배기 부재(1200)가 설치된다. 배기 부재(1200)는 통합 배기 덕트(1100)를 감압하는 감압 부재일 수 있다. 배기 부재(1200)는 펌프일 수 있다. 개별 배기 덕트(1300)는 복수 개로 제공되며, 각각은 통합 배기 덕트(1100)에 연결된다. 예컨대, 개별 배기 덕트(1300)는 기판 처리 유닛(800)과 일대일 대응되는 개수로 제공될 수 있다. 서로 적층되게 위치되는 도포 챔버들의 기판 처리 유닛들(800)은 배기 부재(1200)에 의해 배기될 수 있다. 각각의 개별 배기 덕트(1300)는 통합 배기 덕트(1100)로부터 연장되어 배기구에 연결된다. 따라서 통합 배기 덕트(1100)에 발생된 배기압에 의해 각 기판 처리 유닛(800)이 배기된다.
도 9는 도 8의 배기 밸브를 보여주는 사시도이고, 도 10 및 도 11은 배기 밸브(1400)의 동작을 보여주는 단면도들이다. 도 9 내지 도 11을 참조하면, 개별 배기 덕트(1300)들 각각에는 배기 밸브(1400)가 설치된다. 배기 밸브(1400)는 개별 배기 덕트(1300)를 개폐하여 이에 연결되는 기판 처리 유닛(800)의 배기량을 조절한다. 배기 밸브(1400)는 개별 배기 덕트(1300)의 내부인 배기 유로의 면적을 조절하여 기판 처리 유닛(800)의 배기량을 조절한다. 배기 밸브(1400)는 기판 처리 유닛(800)을 공정 배기량과 대기 배기량으로 조절한다. 배기 밸브(1400)는 개별 배기 덕트(1300)의 배기 면적을 조절하고, 외기의 유입을 조절한다. 여기서 공정 배기량은 공정이 진행되는 기판 처리 유닛(800)의 배기량이고, 대기 배기량은 공정이 진행되지 않는 기판 처리 유닛(800)의 배기량으로 정의한다. 예컨대, 배기 밸브(1400)는 공정 배기량을 형성하기 위해 개별 배기 덕트(1300)의 배기 면적을 완전 개방할 수 있다. 이와 달리, 배기 밸브(1400)는 대기 배기량을 형성하기 위해 개별 배기 덕트(1300)의 배기 면적을 감소시키고, 개별 배기 덕트(1300) 내에 외기가 유입되도록 제공될 수 있다. 따라서 대기 배기량은 공정 배기량보다 작은 배기량으로 제공된다.
배기 밸브(1400)는 몸체(1420), 커버(1440), 그리고 유량 조절 부재(1500)를 포함한다. 몸체(1420)는 개별 배기 덕트(1300)에 대응되는 덕트 형상을 가진다. 따라서 몸체(1420)의 내부에는 개별 배기 덕트(1300)와 동일한 배기 유로가 형성된다. 배기 몸체(1420)의 일측에는 개구(1422)가 형성된다. 개구(1422)는 커버(1440)에 의해 개폐된다. 커버(1440)는 외부의 구동기(1460)에 의해 개방 위치 및 차단 위치로 이동된다. 개방 위치는 개구(1422)가 개방되어 외기가 몸체(1420) 내에 유입되는 위치이고, 차단 위치는 개구(1422)가 차단되어 외기의 유입이 차단되는 위치이다.
유량 조절 부재(1500)는 조절판(1520) 및 링크(1540)를 포함한다. 조절판(1520)은 몸체(1420) 내에 위치된다. 조절판(1520)은 몸체(1420) 내에서 축 회전이 가능하도록 몸체(1420)에 힌지 결합된다. 조절판(1520)은 일단이 몸체(1420)에 힌지 결합될 수 있다. 조절판(1520)은 몸체(1420)의 길이 방향과 수직한 방향을 축으로 회전될 수 있다. 링크(1540)는 커버(1440)와 조절판(1520)의 타단을 연결한다. 커버(1440)의 이동에 의해 조절판(1520)은 축 회전된다. 예컨대, 조절판(1520)은 커버(1440)의 이동에 따라 공정 위치와 대기 위치로 이동될 수 있다. 여기서 공정 위치는 조절판(1520)의 길이 방향이 몸체(1420)의 길이 방향과 평행한 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치이다. 공정 위치는 조절판(1520)이 배기의 흐름을 최소화하는 위치이고, 대기 위치는 배기의 흐름을 간섭하는 위치이다. 조절판(1520)은 대기 위치에서 배기 유로의 면적 일부를 차단할 수 있다. 일 예에 의하면, 공정 배기량(c)은 외기의 유입량(b)과 대기 위치의 조절판(1520)에 차단되지 않은 개방 면적의 배기량(a)의 합일 수 있다. 따라서 공정 진행 중인 기판 처리 유닛(800)이 대기 상태로 전환됨에 따라 대기 배기량이 제공될지라도, 공정 진행 중인 기판 처리 유닛들(800)의 공정 배기량, 공정이 진행되지 않는 기판 처리 유닛(800)의 대기 배기량, 그리고 외기의 유입량의 총합은 일정하게 유지될 수 있다. 따라서 배기 부재(1200)에 요구되는 통합 배기량을 감소시킬 수 있다.
제어기(2000)는 배기 어셈블리(1000)를 제어한다. 제어기(2000)는 통합 배기 덕트(1100)의 통합 배기량이 공정 진행 시 각각의 기판 처리 유닛(800)의 공정 배기량들의 전체 합보다 작게 제공되도록 배기 어셈블리(1000)를 제어한다. 또한 제어기(2000)는 공정 배기량의 합들이 통합 배기량을 초과하지 않는 범위를 만족하는 기판 처리 유닛(800)의 수 내에서 기판(W)의 처리 공정이 동시에 수행되도록 기판 처리 유닛(800)을 제어한다. 일 예에 의하면, 기판 처리 유닛(800)은 대기 배기량과 공정 배기량의 총합은 통합 배기량을 초과하지 않는 범위를 만족하는 수 내에서 동시에 공정을 수행한다. 따라서 기판 처리 유닛들(800) 중 일부는 대기 상태를 유지한다.
다음은 상술한 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법을 설명하고자 한다.
도 12 내지 도 15는 도 8의 기판 처리 유닛들에 기판이 반입되는 순서를 보여주는 도면들이다. 도 12 내지 도 15를 참조하여 본 실시예에는 설명에 편의를 돕고자, 서로 적층되게 위치되는 도포 챔버들(410)에서 상부의 도포 챔버(410)의 기판 처리 유닛들(800)을 제1그룹 유닛(800a)으로 칭하고, 하부의 도포 챔버(410)의 기판 처리 유닛들(800)을 제2그룹 유닛(800b)으로 칭한다. 제1그룹 유닛(800a) 및 제2그룹 유닛(800b)은 동일한 처리액의 도포 공정을 수행하며, 각 도포 챔버(410)에는 3 개의 기판 처리 유닛들(800)이 위치되는 것으로 설명한다. 도포부 로봇(432)은 도포 공정이 수행될 기판들을 제1그룹 유닛(800a)과 제2그룹 유닛(800b)에 교차 반입한다. 도포 공정은 각 유닛에 반입된 순서대로 진행된다. 예컨대, 도포부 로봇(432)은 제1그룹 유닛(800a)의 기판 처리 유닛(800)에 제1기판(W1)을 반입하고, 이후에 제2그룹 유닛(800b)의 기판 처리 유닛(800)에 제2기판(W2)을 반입할 수 있다. 제2기판(W2)의 반입이 완료되면, 도포부 로봇(432)은 제1그룹 유닛(800a)의 대기 중인 기판 처리 유닛(800)에 제3기판(W3)을 반입하고, 이후에 제2그룹 유닛(800b)의 대기 중인 기판 처리 유닛(800)에 제4기판(W4)을 반입할 수 있다. 이때 제1기판(W1)의 공정이 완료되면, 제1기판(W1)을 반출하고 제5기판을 제1그룹 유닛(800a) 또는 제2그룹 유닛(800b)의 대기 중인 기판 처리 유닛(800)에 반입할 수 있다. 이와 달리 제1기판(W1)의 공정이 진행중인 경우, 제5기판은 기판 처리 유닛(800)에 반입되지 않고 대기된다.
다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(460)는 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 용기(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.
제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다.
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중앙 영역으로 보호액을 공급한다.
베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중앙 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중앙 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.
노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.
제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판들(W)이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
800: 기판 처리 유닛 800a: 제1그룹 유닛
800b: 제2그룹 유닛 1000: 배기 어셈블리
1100: 통합 배기 덕트 1300: 개별 배기 덕트

Claims (10)

  1. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    복수의 기판 처리 유닛, 통합 배기 덕트, 그리고 각각의 상기 기판 처리 유닛에 제공되는 개별 배기 덕트를 포함하되, 각각의 상기 개별 배기 덕트는 상기 통합 배기 덕트에 연결되며,
    상기 통합 배기 덕트의 통합 배기량은 공정 진행시 각각의 상기 기판 처리 유닛의 공정 배기량들의 전체 합보다 작게 제공되고,
    공정이 진행되는 상기 기판 처리 유닛의 각각의 공정 배기량의 합들이 상기 통합 배기량을 초과하지 않는 범위를 만족하는 상기 기판 처리 유닛의 수 내에서 동시에 공정이 수행되는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    공정이 진행되지 않는 상기 기판 처리 유닛의 대기 배기량은 공정이 진행되는 상기 기판 처리 유닛의 공정 배기량보다 작으며,
    상기 대기 배기량과 상기 공정 배기량의 총합이 상기 통합 배기량을 초과하지 않는 범위에서 상기 기판 처리 유닛의 공정을 동시에 수행하는 기판 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    공정이 진행되지 않는 상기 기판 처리 유닛에 연결되는 상기 개별 배기 덕트에는 외기가 유입되도록 일부가 개방되고, 상기 외기의 유입량만큼 배기량이 감소되도록 배기 유로의 면적을 감소시켜 상기 총합을 일정하게 유지하는 기판 처리 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 상기 기판 처리 유닛은 동일한 공정을 수행한 기판 처리 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 공정은 기판을 액 처리하는 공정을 포함하는 기판 처리 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 복수의 기판 처리 유닛 중 일부는 제1그룹 유닛에 포함되고, 다른 일부는 제2그룹 유닛에 포함되며,
    상기 공정이 수행될 상기 기판들은 상기 제1그룹 유닛과 상기 제2그룹 유닛에 교차 반입되고, 반입된 순서대로 상기 공정이 수행되는 기판 처리 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1그룹 유닛과 상기 제2그룹 유닛은 서로 적층되게 위치되는 기판처리 방법.
  8. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 처리하는 공정이 수행되는 복수의 기판 처리 유닛과;
    상기 기판 처리 유닛을 배기하는 배기 어셈블리와;
    복수의 상기 기판 처리 유닛에 기판을 반송하는 반송 유닛과;
    상기 배기 어셈블리 및 반송 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 배기 어셈블리는,
    통합 배기 덕트와;
    상기 통합 배기 덕트에 설치되며, 상기 통합 배기 덕트를 감압하는 배기 부재와;
    상기 통합 배기 덕트로부터 분기되어 상기 기판 처리 유닛 각각에 연결되는 개별 배기 덕트를 포함하되,
    상기 제어기는 상기 통합 배기 덕트의 통합 배기량은 공정 진행시 각각의 상기 기판 처리 유닛의 공정 배기량들의 전체 합보다 작게 제공되도록 상기 배기 어셈블리를 제어하고,
    상기 제어기는 공정이 진행되는 상기 기판 처리 유닛 각각의 상기 공정 배기량의 합들이 상기 통합 배기량을 초과하지 않는 범위를 만족하는 상기 기판 처리 유닛의 수 내에서 동시에 공정이 수행되도록 상기 기판 처리 유닛에 반송되는 기판의 수를 제어하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제어기는 공정이 진행되지 않는 상기 기판 처리 유닛의 대기 배기량이 공정이 진행되는 상기 기판 처리 유닛의 공정 배기량보다 작고,
    공정이 진행되지 않는 상기 기판 처리 유닛의 대기 배기량과 공정이 진행되는 상기 기판 처리 유닛의 공정 배기량의 총합은 상기 통합 배기량을 초과하지 않도록 상기 배기 어셈블리를 제어하는 기판 처리 장치.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 기판 처리 유닛은 복수 개가 서로 적층되게 위치되고,
    상기 제어기는 상부의 기판 처리 유닛과 하부의 기판 처리 유닛에 기판을 교차 반송시키도록 상기 반송 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200143538A (ko) * 2019-06-13 2020-12-24 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20220096193A (ko) * 2020-12-30 2022-07-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20220165091A (ko) * 2021-06-07 2022-12-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20230010112A (ko) * 2021-07-08 2023-01-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140101948A (ko) * 2013-02-13 2014-08-21 세메스 주식회사 배기 조절 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
KR20160027437A (ko) * 2014-08-29 2016-03-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20160057036A (ko) * 2014-11-12 2016-05-23 세메스 주식회사 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법
KR20160072545A (ko) * 2014-12-15 2016-06-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140101948A (ko) * 2013-02-13 2014-08-21 세메스 주식회사 배기 조절 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
KR20160027437A (ko) * 2014-08-29 2016-03-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20160057036A (ko) * 2014-11-12 2016-05-23 세메스 주식회사 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법
KR20160072545A (ko) * 2014-12-15 2016-06-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200143538A (ko) * 2019-06-13 2020-12-24 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20220096193A (ko) * 2020-12-30 2022-07-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20220165091A (ko) * 2021-06-07 2022-12-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20230010112A (ko) * 2021-07-08 2023-01-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

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