KR20190019965A - Plasma processing apparatus - Google Patents

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요시히사 다마루
타카히로 야지마
유코 카토
요스케 진보
요시노부 우에
슈이치 오카노
사토히로 오카야마
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가부시키가이샤 아루박
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Abstract

리턴 전류 경로의 단축화와 대칭성의 확보를 도모할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공한다. 본 발명에 1형태에 따른 플라즈마 처리장치는 챔버 본체와, 스테이지와, 고주파 전극과, 복수의 접지부재와, 가동유닛을 구비한다. 상기 챔버 본체는 기판이 통과 가능한 개구부를 일부에 포함하는 측벽을 갖는다. 상기 복수의 접지부재는 상기 스테이지의 주위에 배치되고, 상기 측벽과 상기 스테이지 사이를 전기적으로 접속한다. 상기 가동유닛은 상기 복수의 접지부재 일부인 제1 접지부재를 지지하는 지지체를 갖다. 상기 가동유닛은 상기 제1 접지부재가 상기 개구부를 사이에 두고 상기 개구부의 내주면에 대향하는 제1 위치와, 상기 제1 접지부재가 상기 내주면에 전기적으로 접속되는 제2 위치 사이에서 상기 지지체를 이동시키는 것이 가능하도록 구성된다.A plasma processing apparatus capable of shortening a return current path and securing symmetry is provided. According to one aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising a chamber body, a stage, a high frequency electrode, a plurality of ground members, and a movable unit. The chamber body has a side wall including a portion through which the substrate can pass. The plurality of ground members are disposed around the stage, and electrically connect the sidewall and the stage. The movable unit has a support for supporting a first grounding member which is a part of the plurality of grounding members. The movable unit moves the support body between a first position where the first ground member faces the inner circumferential face of the opening with the opening therebetween and a second position where the first ground member is electrically connected to the inner circumferential face .

Description

플라즈마 처리장치Plasma processing apparatus

본 발명은 플라즈마 CVD 장치 등의 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus such as a plasma CVD apparatus.

일반적으로 플라즈마 CVD 장치는 고주파 전극(캐소드)과 스테이지(애노드) 사이의 막 형성 공간(반응실)에 막 형성 가스의 플라즈마를 발생시킴으로써, 그 반응 생성물을 스테이지 상의 기판에 퇴적시킨다. 스테이지의 주위에는 진공 챔버와 전기적으로 접속되는 복수의 접지부재가 설치된다. 이들 접지부재는 스테이지로부터 진공 챔버를 통해서 전원으로 고주파 전류를 회귀시키는 리턴 전류 경로를 형성한다.Generally, a plasma CVD apparatus generates a plasma of a film forming gas in a film forming space (reaction chamber) between a high-frequency electrode (cathode) and a stage (anode), thereby depositing the reaction product on the substrate on the stage. Around the stage, a plurality of ground members electrically connected to the vacuum chamber are provided. These grounding members form a return current path for returning the high-frequency current from the stage to the power source through the vacuum chamber.

여기에서, 리턴 전류 경로가 최적화되어 있지 않으면, 캐소드ㆍ애노드 간 이외의 장소에서 의도하지 않은 방전이 발생하는 경우가 있다. 예를 들면, 리턴 전류 경로가 비등방적으로 소밀 치우쳐서 형성되고 있으면, 빽빽한 경로에 리턴 전류가 집중하고, 막 형성 공간 이외의 경로 부근에서의 전계 분포ㆍ전기장 구배가 발생한다. 이것에 의해 국소방전이 발생하고, 막 두께 등의 면내 균일성이 저하되는 경우가 있다.Here, if the return current path is not optimized, unintended discharge may occur at a place other than between the cathode and the anode. For example, when the return current path is formed in an anisotropic manner with a slight inclination, a return current is concentrated in a dense path, and an electric field distribution and an electric field gradient near the path other than the film formation space occur. As a result, local discharge occurs, and in-plane uniformity such as film thickness is sometimes lowered.

그 때문에, 기존의 플라즈마 CVD 장치에서는 각 접지부재의 길이를 단축해서 리턴 전류 경로의 전기저항을 작게 억제하는, 부품끼리의 접촉 저항을 작게 하는, 리턴 전류 경로를 공간적으로 치우치지 않도록 하는 전계 강도분포를 최적화해서 불필요한 전기장 구배를 만들지 않는 등의 대책이 강구되고 있다.Therefore, in the conventional plasma CVD apparatus, the length of each grounding member is shortened to reduce the electrical resistance of the return current path, the contact resistance between the components is reduced, and the field intensity distribution And an unnecessary electric field gradient is not made.

한편, 챔버의 일부 측벽에는 기판을 진공 챔버 내로 반입하는 또는 진공 챔버 바깥으로 반출하기 위한 개구부가 설치되어 있다. 개구부의 측벽 외면측은 도어밸브에 의해 개폐되고, 개구부의 측벽 내면측은 항상 개방되고 있는 것이 통상이다. 이러한 개구부가 형성되어 있는 측벽부를 경유하는 리턴 전류 경로는 개구부의 주위를 우회하거나, 개구부의 안쪽 도어밸브를 통과할 필요가 있다. 이 때문에, 당해 개구부가 형성된 측벽부를 경유하는 리턴 전류 경로는 다른 측벽부를 경유하는 리턴 전류 경로보다도 전류경로가 길어지고, 불필요한 전계 분포ㆍ전기장 구배가 발생하는 원인이 된다.On the other hand, on some side walls of the chamber, openings are provided for carrying the substrate into or out of the vacuum chamber. The side surface of the side wall of the opening is opened and closed by the door valve, and the side surface of the side wall of the opening is normally open. The return current path via the side wall portion in which the opening is formed needs to bypass the periphery of the opening or pass through the inner door valve of the opening. Therefore, the return current path passing through the side wall portion having the opening is longer than the return current path passing through the other side wall portion, which causes unnecessary electric field distribution and electric field gradient.

이러한 문제를 해결하기 위해서, 예를 들면 특허문헌 1에는 챔버의 측벽에 형성된 기판 반출입부를 챔버의 내측으로부터 개폐하는 제2 도어밸브를 리턴 전류 경로의 일부로 해서 구성한 플라즈마 처리장치가 개시되어 있다. 또 특허문헌 2에는 기판 서포트의 주위에 설치된 복수의 접촉부재를 기판 서포트와 함께 상승시키며, 또, 기판 반송포트의 상부에 설치된 복수의 플레이트에 각각 접촉시킴으로써, 리턴 전류 경로를 구성하는 플라스마 처리 시스템이 개시되어 있다.In order to solve such a problem, for example, Patent Document 1 discloses a plasma processing apparatus in which a second door valve that opens and closes a substrate loading / unloading portion formed on a side wall of a chamber from the inside of the chamber is formed as a part of a return current path. Patent Document 2 discloses a plasma processing system constituting a return current path by raising a plurality of contact members provided around a substrate support together with a substrate support and contacting a plurality of plates provided on an upper portion of a substrate transfer port Lt; / RTI >

WO2010/079756호WO2010 / 079756 일본 특허 제5883652호Japanese Patent No. 5883652

그렇지만, 특허문헌 1에서는 히터(스테이지)의 외주연으로부터 연장된 접지 플레이트가 애당초 진공 챔버의 바닥부에 접속되어 있기 때문에, 리턴 전류 경로가 길어진다는 문제가 있다. 또 특허문헌 2에서는 기판 서포트(스테이지)의 상승과 연동해서 각 접촉부재가 각 플레이트에 접속하는 구성이기 때문에, 예를 들면 스테이지가 큰 경우에서는 각 접촉부재를 각 플레이트에 균등한 압력으로 접촉시키는 것이 곤란하게 되고, 리턴 전류 경로의 균일화 혹은 대칭성의 확보를 도모할 수 없게 된다. However, in Patent Document 1, since the ground plate extending from the outer periphery of the heater (stage) is initially connected to the bottom portion of the vacuum chamber, there is a problem that the return current path becomes long. In addition, in Patent Document 2, since each contact member is connected to each plate in conjunction with the rise of the substrate support (stage), for example, when the stage is large, the contact members are brought into contact with the plates at equal pressure This makes it difficult to equalize the return current path or secure symmetry.

이상과 같은 사정을 감안해서, 본 발명의 목적은 리턴 전류 경로의 단축화와 대칭성의 확보를 도모할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하는 것에 있다.In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus capable of shortening a return current path and securing symmetry.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 1형태에 따른 플라즈마 처리장치는 챔버 본체와, 스테이지와, 고주파 전극과, 복수의 접지부재와, 가동유닛을 구비한다.In order to achieve the above object, a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention comprises a chamber main body, a stage, a high frequency electrode, a plurality of ground members, and a movable unit.

상기 챔버 본체는 기판이 통과 가능한 개구부를 일부에 포함하는 측벽을 갖는다.The chamber body has a side wall including a portion through which the substrate can pass.

상기 스테이지는 상기 기판을 지지할 수 있는 지지면을 가지고, 상기 챔버 본체의 내부에 설치된다.The stage has a support surface capable of supporting the substrate, and is installed inside the chamber body.

상기 고주파 전극은 상기 지지면과 대향해서 배치되고, 프로세스 가스의 플라즈마를 발생시키는 것이 가능하게 구성된다.The high-frequency electrode is disposed so as to face the support surface, and is configured to be able to generate a plasma of the process gas.

상기 복수의 접지부재는 상기 스테이지의 주위에 배치되고, 상기 측벽과 상기 스테이지 사이를 전기적으로 접속한다.The plurality of ground members are disposed around the stage, and electrically connect the sidewall and the stage.

상기 가동유닛은 상기 복수의 접지부재 일부인 제1 접지부재를 지지하는 지지체를 갖는다. 상기 가동유닛은 상기 제1 접지부재가 상기 개구부를 사이에 두고 상기 개구부의 내주면에 대향하는 제1 위치와, 상기 제1 접지부재가 상기 내주면에 전기적으로 접속되는 제2 위치 사이에서, 상기 지지체를 상기 지지면과 직교하는 축 방향으로 이동시키는 것이 가능하게 구성된다.The movable unit has a support for supporting a first grounding member which is a part of the plurality of grounding members. The movable unit is movable between a first position in which the first ground member faces the inner circumferential face of the opening with the opening therebetween and a second position in which the first ground member is electrically connected to the inner circumferential face, And is movable in an axial direction orthogonal to the support surface.

상기 플라즈마 처리장치에서, 복수의 접지부재는 스테이지의 주위와 챔버 본체의 측벽(주벽) 사이에 접속된다. 따라서 스테이지와 챔버 본체의 바닥부에 접지부재가 접속되는 구성과 비교해서 리턴 전류 경로를 짧게 할 수 있다.In the plasma processing apparatus, a plurality of ground members are connected between the periphery of the stage and the side wall (peripheral wall) of the chamber body. Therefore, the return current path can be shortened as compared with the configuration in which the ground member is connected to the bottom portion of the stage and the chamber main body.

한편, 챔버 본체의 측벽 일부에는 기판의 반출입을 위한 개구부가 설치된다. 이 개구부가 형성된 측벽부에 접속되는 접지부재(제1 접지부재)는 개구부의 내부를 상기 축 방향으로 이동 가능한 지지체에 지지된다. 지지체는 개구부를 기판이 통과할 때는 제1 위치에 대기하고, 플라즈마의 발생시에는 제2 위치로 이동해서 제1 접지부재를 개구부의 내주면에 전기적으로 접속한다. 이것에 의해, 개구부를 우회하지 않는 리턴 전류 경로가 구축되기 때문에 측벽부의 둘레전체에서 리턴 전류 경로의 대칭성을 확보할 수 있다.On the other hand, an opening for carrying the substrate in and out is provided in a part of the side wall of the chamber body. And a ground member (first ground member) connected to the side wall portion having the opening is supported by a support member capable of moving the inside of the opening in the axial direction. The support stands in the first position when the substrate passes through the opening, and moves to the second position when the plasma is generated to electrically connect the first grounding member to the inner circumferential surface of the opening. As a result, a return current path that does not bypass the opening is established, so that the symmetry of the return current path can be secured in the entire circumference of the side wall portion.

상기 지지체는 상기 제2 위치에서 상기 내주면에 접촉하는 도전성의 접촉부를 가지고, 상기 접촉부는 상기 축 방향으로 탄성 변형 가능하도록 구성될 수도 있다. The support may have a conductive contact portion that contacts the inner circumferential surface at the second position, and the contact portion may be configured to be elastically deformable in the axial direction.

이것에 의해, 지지체와 개구부 내주면 사이의 안정된 전기적 접속이 확보된다.This ensures stable electrical connection between the support and the inner peripheral surface of the opening.

이 경우, 상기 지지체는 상기 접촉부의 주위에 배치된 실링을 추가로 가질 수 있다. 상기 실링은 상기 제2 위치에서 상기 내주면과 탄성적으로 접촉한다.In this case, the support may further have a seal disposed around the contact. The seal elastically contacts the inner circumferential surface at the second position.

이것에 의해, 챔버 본체 내로 도입된 프로세스 가스나 그 반응 생성물이 접촉부에 접촉하는 것을 회피할 수 있기 때문에 접촉부의 내구성을 높일 수 있다.This makes it possible to avoid contact of the process gas introduced into the chamber main body with the reaction product and the durability of the contact portion.

상기 지지체는 금속제의 블록으로 구성될 수도 있다. The support may be composed of a metal block.

이것에 의해 제1 접지부재를 지지체를 통해서 챔버 본체의 측벽에 전기적으로 접속할 수 있다.Thereby, the first grounding member can be electrically connected to the side wall of the chamber body through the support body.

상기 제2 위치는 전형적으로는, 상기 복수의 접지부재의 다른 일부인 제2 접지부재의 상기 측벽과의 접속위치에서의 상기 챔버 본체의 바닥부로부터의 높이와, 실질적으로 동일한 높이로 설정된다.The second position is typically set at substantially the same height as the height from the bottom of the chamber body at the connection position with the side wall of the second grounding member which is another part of the plurality of grounding members.

이것에 의해, 리턴 전류 경로의 대칭성을 확보할 수 있다.Thus, symmetry of the return current path can be ensured.

상기 스테이지는 상기 축 방향을 따라서 이동 가능하게 구성될 수도 있다. 이 경우, 상기 복수의 접지부재는 상기 측벽에 접속되는 제1 단부와 상기 스테이지에 접속되는 제2 단부를 각각 가지는 복수의 가요성 금속판으로 구성된다.The stage may be configured to be movable along the axial direction. In this case, the plurality of ground members are composed of a plurality of flexible metal plates each having a first end connected to the side wall and a second end connected to the stage.

상기 지지체는 상기 개구부의 길이방향을 따라서 연장되는 직육면체 형상을 가지고, 상기 제1 접지부재는 상기 길이방향으로 간격을 두고 배열된 복수의 도체부를 포함할 수도 있다. The support may have a rectangular parallelepiped shape extending along the longitudinal direction of the opening, and the first grounding member may include a plurality of conductor portions arranged at intervals in the longitudinal direction.

이것에 의해, 개구부가 비교적 폭이 넓은 경우라 해도, 적절한 리턴 전류 경로를 확보할 수 있다.This makes it possible to ensure an appropriate return current path even if the opening is relatively wide.

또, 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 1형태에 따른 플라즈마 처리장치는 챔버 본체와, 스테이지와, 고주파 전극과, 복수의 접지부재와, 가동유닛과, 포집부재를 구비한다.In order to achieve the above object, according to one aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising a chamber body, a stage, a high frequency electrode, a plurality of grounding members, a movable unit, and a collecting member.

상기 챔버 본체는 측벽을 가지고, 상기 측벽은 기판이 통과 가능하고 제1 내주면과 상기 제1 내주면에 대향하는 제2 내주면을 가지는 개구부를 일부에 포함한다.The chamber body has a sidewall, and the sidewall includes an opening portion through which the substrate can pass and having a first inner circumferential surface and a second inner circumferential surface opposed to the first inner circumferential surface.

상기 스테이지는 상기 기판을 지지할 수 있는 지지면을 가지고, 상기 챔버 본체의 내부에 설치된다.The stage has a support surface capable of supporting the substrate, and is installed inside the chamber body.

상기 고주파 전극은 상기 지지면과 대향해서 배치되고, 프로세스 가스의 플라즈마를 발생시키는 것이 가능하도록 구성된다.The high-frequency electrode is disposed so as to face the support surface, and is configured to be capable of generating a plasma of the process gas.

상기 복수의 접지부재는 상기 스테이지의 주위에 배치되고, 상기 측벽과 상기 스테이지 사이를 전기적으로 접속한다.The plurality of ground members are disposed around the stage, and electrically connect the sidewall and the stage.

상기 가동유닛은 상기 복수의 접지부재 일부인 제1 접지부재를 지지하는 지지체를 갖는다. 상기 가동유닛은 상기 지지체가 상기 제1 내주면에 연속해 있는 상기 측벽의 제1 내벽에 대향하는 제1 위치와 상기 지지체가 상기 제2 내주면에 연속해 있는 상기 측벽의 제2 내벽에 전기적으로 접속되는 제2 위치 사이에서 상기 지지체를 이동시키는 것이 가능하게 구성된다.The movable unit has a support for supporting a first grounding member which is a part of the plurality of grounding members. The movable unit is electrically connected to a first position opposite to the first inner wall of the side wall in which the support body is continuous to the first inner peripheral surface and to a second inner wall of the side wall in which the support body is continuous to the second inner peripheral surface And to move the support between the first and second positions.

상기 포집부재는 상기 지지체가 상기 제2 내벽에 접하는 부분의 바로 아래에 배치된다.And the collecting member is disposed immediately below a portion where the support body contacts the second inner wall.

상기 플라즈마 처리장치에서, 복수의 접지부재는 스테이지의 주위와 챔버 본체의 측벽(주벽) 사이에 접속된다. 따라서 스테이지와 챔버 본체의 바닥부에 접지부재가 접속되는 구성과 비교해서 리턴 전류 경로를 짧게 할 수 있다.In the plasma processing apparatus, a plurality of ground members are connected between the periphery of the stage and the side wall (peripheral wall) of the chamber body. Therefore, the return current path can be shortened as compared with the configuration in which the ground member is connected to the bottom portion of the stage and the chamber main body.

한편, 챔버 본체의 측벽 일부에는, 기판의 반출입을 위한 개구부가 설치된다. 이 개구부가 형성된 측벽부에 접속되는 접지부재(제1 접지부재)는 제1 내주면에 연속해 있는 측벽의 제1 내벽에 대향하는 제1 위치와, 제2 내주면에 연속해 있는 상기 측벽의 제2 내벽에 전기적으로 접속되는 제2 위치 사이에서 이동 가능한 지지체에 지지된다. 지지체는 개구부를 기판이 통과할 때는 제1 위치에 대기하고, 플라즈마의 발생시에는 제2 위치로 이동해서 제1 접지부재를 개구부의 내주면에 전기적으로 접속한다. 이것에 의해, 개구부를 우회하지 않는 리턴 전류 경로가 구축되기 때문에 측벽부의 둘레 전체에서 리턴 전류 경로의 대칭성을 확보할 수 있다.On the other hand, an opening for carrying the substrate in and out is provided in a part of the side wall of the chamber body. The ground member (first ground member) connected to the side wall portion formed with the opening has a first position opposite to the first inner wall of the side wall continuous to the first inner peripheral surface, and a second position opposite to the second inner wall, And a second position electrically connected to the inner wall. The support stands in the first position when the substrate passes through the opening, and moves to the second position when the plasma is generated to electrically connect the first grounding member to the inner circumferential surface of the opening. As a result, a return current path that does not bypass the opening is established, so that the symmetry of the return current path can be secured in the entire circumference of the side wall portion.

또, 지지체가 제2 내벽에 접하는 부분의 바로 아래에는 포집부재가 배치된다. 이것에 의해, 지지체가 제2 내벽에 접해서 더스트를 발생시켜도 포집부재가 더스트를 포집한다.In addition, a collecting member is disposed immediately below the portion where the support body contacts the second inner wall. Thus, even if the support body contacts the second inner wall to generate dust, the collecting member collects the dust.

상기 가동유닛은 상기 제2 내벽에 대향하는 제3 위치와 상기 제1 위치 사이에서 상기 지지체를 이동시키는 제1 구동부와, 상기 제3 위치와 상기 제2 위치 사이에서 상기 지지체를 이동시키는 제2 구동부를 가질 수 있다.Wherein the movable unit includes a first driving unit for moving the support between a third position opposed to the second inner wall and the first position and a second driving unit for moving the support between the third position and the second position, Lt; / RTI >

이것에 의해, 지지체는 제1 위치와 제2 위치 사이에서 이동할 때, 제2 위치로부터 떨어진 제3 위치를 경유한다. 이 결과, 포집부재는 지지체와 접촉하지 않고, 포집부재와 지지체의 접촉에 의한 더스트는 발생하지 않는다. Thereby, when the support moves between the first position and the second position, it passes the third position away from the second position. As a result, the collecting member does not come into contact with the support, and no dust is generated due to the contact between the collecting member and the support.

상기 측벽의 내벽에는 상기 개구부에 연통하는 오목부가 형성되고, 상기 제1 내벽 및 상기 제2 내벽은 상기 오목부의 바닥부의 일부일 수도 있다.The inner wall of the side wall may be provided with a recess communicating with the opening, and the first inner wall and the second inner wall may be a part of the bottom of the recess.

이것에 의해, 지지체를 측벽에 설치된 오목부에 격납할 수 있고, 지지체와 스테이지 사이의 스페이스가 확보된다.As a result, the support body can be stored in the concave portion provided on the side wall, and the space between the support body and the stage is secured.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 리턴 전류 경로의 단축화와 대칭성의 확보를 도모할 수 있다. 이것에 의해, 의도하지 않는 국소 방전의 발생을 억제할 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to shorten the return current path and secure symmetry. This makes it possible to suppress the occurrence of unintended local discharges.

도 1은 본 발명에 1실시형태에 따른 플라즈마 처리장치를 나타내는 개략 측단면도이다.
도 2는 상기 플라즈마 처리장치에서의 기판 반출입 공정을 나타내는 개략 측단면도이다.
도 3은 상기 플라즈마 처리장치의 요부의 내부 평면 구조를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4는 상기 플라즈마 처리장치에서의 접지부재의 1구성예를 나타내는 모식도이다.
도 5는 상기 플라즈마 처리장치에서의 지지체의 부분 파단 사시도이다.
도 6은 상기 지지체와 챔버 본체의 개구부의 관계를 나타내는 요부의 개략 단면도이다.
도 7은 상기 플라즈마 처리장치에서의 막 형성 시(플라즈마 발생 시)의 전류경로를 설명하는 개략도이다.
도 8은 비교예에 따른 플라즈마 처리장치의 전류경로를 설명하는 개략도이다.
도 9는 상기 지지체의 구성 변형예를 나타내는 개략적인 사시도이다.
도 10은 상기 플라즈마 처리장치에서의 지지체를 구동하는 구동계의 변형예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 11은 상기 플라즈마 처리장치에서의 지지체를 구동하는 구동계의 변형예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 12는 상기 플라즈마 처리장치에서의 지지체를 구동하는 구동계의 변형예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 13은 상기 구동계의 변형예에서 사용되는 지지체의 부분 파단 사시도이다.
도 14는 상기 포집부재의 부분 파단 사시도이다.
도 15는 상기 포집부재의 변형예 부분 파단 사시도이다.
도 16은 상기 변형예의 구동계를 구비하는 플라즈마 처리장치의 변형예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 17은 상기 변형예의 구동계를 구비하는 플라즈마 처리장치의 변형예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 18은 상기 변형예의 구동계를 구비하는 플라즈마 처리장치의 변형예를 나타내는 개략 단면도이다.1 is a schematic side sectional view showing a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic side sectional view showing a substrate carrying-in / out process in the plasma processing apparatus.
3 is a schematic cross-sectional view showing the internal planar structure of the concave portion of the plasma processing apparatus.
Fig. 4 is a schematic diagram showing a configuration example of a grounding member in the plasma processing apparatus. Fig.
5 is a partially broken perspective view of the support in the plasma processing apparatus.
6 is a schematic cross-sectional view of the recessed portion showing the relationship between the support and the opening of the chamber body.
Fig. 7 is a schematic view for explaining a current path at the time of film formation (plasma generation) in the plasma processing apparatus.
8 is a schematic view for explaining a current path of a plasma processing apparatus according to a comparative example.
9 is a schematic perspective view showing a modification of the configuration of the support.
10 is a schematic sectional view showing a modified example of a drive system for driving a support in the plasma processing apparatus.
11 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of a drive system for driving a support in the plasma processing apparatus.
12 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of a drive system for driving a support in the plasma processing apparatus.
13 is a partially cutaway perspective view of a support used in a modification of the drive system.
14 is a partially cutaway perspective view of the collecting member.
15 is a partially broken perspective view of a modification of the collecting member.
16 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of the plasma processing apparatus provided with the drive system of the modification.
17 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of the plasma processing apparatus provided with the drive system of the modification.
18 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of the plasma processing apparatus provided with the drive system of the modification.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태를 설명한다. 본 실시형태에서는 플라즈마 처리장치로서 플라즈마 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치를 예로 들어서 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus will be described as an example of a plasma processing apparatus.

도 1 및 도 2는 본 실시형태에 따른 플라즈마 CVD 장치의 구성을 나타내는 개략 측단면도이고, 도 1은 막 형성 시, 도 2는 기판 반출입 시를 각각 나타내고 있다.Figs. 1 and 2 are schematic side cross-sectional views showing the structure of a plasma CVD apparatus according to the present embodiment. Fig. 1 shows a film formation time, and Fig. 2 shows a substrate carry-in / out time.

또, 각 도면에 있어서 X축, Y축 및 Z축은 서로 직교하는 3축 방향을 나타내고 있고, X축 및 Y축은 수평방향에 상당하고, Z축은 높이 방향에 상당한다.In the drawings, the X axis, the Y axis, and the Z axis indicate three mutually orthogonal directions, the X axis and the Y axis correspond to the horizontal direction, and the Z axis corresponds to the height direction.

[전체 구성][Overall configuration]

플라즈마 CVD 장치(100)는 진공 챔버(10)를 갖는다. 진공 챔버(10)는 내부에 막 형성실(11)을 갖는다. 진공 챔버(10)는 도면에 나타내지 않은 진공펌프에 접속되고 있고, 막 형성실(11)을 소정의 감압분위기로 배기하고, 유지하는 것이 가능하게 구성된다.The plasma CVD apparatus 100 has a vacuum chamber 10. The vacuum chamber 10 has a film forming chamber 11 therein. The vacuum chamber 10 is connected to a vacuum pump (not shown), and is configured to be able to evacuate and hold the film formation chamber 11 in a predetermined reduced pressure atmosphere.

진공 챔버(10)는 챔버 본체(12)와, 고주파 전극(13)과, 절연부재(14)를 갖는다.The vacuum chamber 10 has a chamber body 12, a high-frequency electrode 13, and an insulating member 14.

챔버 본체(12)는 스테인리스강이나 알루미늄 합금 등의 금속재료로 구성된다. 챔버 본체(12)는 바닥부(121)와, 바닥부(121) 주위에 세워서 설치된 4개의 측벽부로 이루어지는 측벽(주벽)(122)을 가지는 직육면체 형상으로 형성된다.The chamber body 12 is made of a metal material such as stainless steel or aluminum alloy. The chamber body 12 is formed in a rectangular parallelepiped shape having a bottom portion 121 and side walls (peripheral walls) 122 formed of four side wall portions standing upright around the bottom portion 121.

측벽(122)은 X축 방향으로 기판(W)이 통과 가능한 개구부(123)를 일부에 포함하는 측벽부(122a)를 갖는다. 개구부(123)는 막 형성실(11)에 기판(W)을 반입 또는 막 형성실(11)로부터 기판(W)을 반출하기 위한 반출입구로서 구성된다. 개구부(123)는 기판 및 도면에 나타내지 않은 기판 반송장치가 통과 가능한 폭 및 높이를 갖는다. 측벽부(122a)의 외측에는 개구부(123)를 개폐 가능한 도어밸브(51)가 설치되고 있다.The side wall 122 has a side wall portion 122a including a part of the opening 123 through which the substrate W can pass in the X axis direction. The opening 123 is configured as a transfer port for transferring the substrate W into the film formation chamber 11 or for transferring the substrate W from the film formation chamber 11. The opening 123 has a width and a height allowing the substrate and the substrate transfer device (not shown) to pass therethrough. A door valve 51 capable of opening and closing the opening 123 is provided outside the side wall portion 122a.

기판(W)으로서는 전형적으로는, 직사각형의 유리기판을 사용할 수 있다. 기판(W)의 사이즈는 특별하게 한정되지 않고, 예를 들면, G5 이상(1변의 길이가 1000mm 이상)의 기판을 사용할 수 있고, 본 실시형태에서는 예를 들면 G6 기판(1850mm×1500mm)을 사용할 수 있다.As the substrate W, a rectangular glass substrate can be typically used. The size of the substrate W is not particularly limited. For example, a substrate of G5 or more (the length of one side is 1000 mm or more) can be used. In this embodiment, for example, a G6 substrate (1850 mm x 1500 mm) .

챔버 본체(12)의 내부에는 스테이지(20)가 설치된다. 스테이지(20)는 기판(W)을 지지하는 지지면(21)을 갖는다. 지지면(21)은 기판(W)보다도 대면적의 직사각형의 평면으로 구성된다. 스테이지(20)는 지지면(21)의 전역을 소정의 온도로 가열 가능한 가열원을 내장한다. 가열원은 특별하게 한정되지 않고, 전형적으로는 히터, 온매 순환 통로 등으로 구성된다. 스테이지(20)는 정전 척이나 메커니컬 척 등, 지지면(21) 상으로 기판(W)을 홀딩하는 적절한 척킹 기구(도시 생략)를 갖는다.Inside the chamber body 12, a stage 20 is provided. The stage 20 has a supporting surface 21 for supporting the substrate W. [ The supporting surface 21 is formed in a rectangular plane having a larger area than the substrate W. The stage 20 incorporates a heating source capable of heating the entire surface of the support surface 21 to a predetermined temperature. The heating source is not particularly limited, and typically comprises a heater, an on-board circulation passage, and the like. The stage 20 has an appropriate chucking mechanism (not shown) for holding the substrate W on the support surface 21, such as an electrostatic chuck or a mechanical chuck.

스테이지(20)는 승강축(22)을 가지고, 챔버 본체(12)의 바닥부(121) 외방에 설치된 구동원(23)에 의해 Z축 방향으로 승강 이동 가능하게 구성된다. 승강축(22)은 스테이지(20)의 바닥부 중심에 고정되고, 챔버 본체(12)의 바닥부(121)를 기밀적으로 관통한다. 스테이지(20)는 도 1에 나타내는 상승위치와, 도 2에 나타내는 하강 위치 사이를 승강시킬 수 있도록 구성된다. 스테이지(20)의 승강 동작은 컨트롤러(90)에 의해 제어된다.The stage 20 has an elevation shaft 22 and is configured to be movable up and down in the Z axis direction by a driving source 23 provided outside the bottom portion 121 of the chamber body 12. [ The lifting shaft 22 is fixed to the center of the bottom of the stage 20 and airtightly penetrates the bottom portion 121 of the chamber body 12. [ The stage 20 is configured to be able to move up and down between the raised position shown in Fig. 1 and the lowered position shown in Fig. The elevating operation of the stage 20 is controlled by the controller 90. [

고주파 전극(13)은 스테이지(20)의 지지면(21)과 Z축 방향으로 소정의 간격을 두고 대향하도록, 챔버 본체(12)의 상부에 절연부재(14)를 통해서(챔버 본체(12)와 전기적으로 접속되지 않는 상태에서) 설치된다. 고주파 전극(13)은 금속재료로 구성되고, 전극 플랜지(31)와, 샤워 플레이트(32)를 갖는다.The high frequency electrode 13 is connected to the upper portion of the chamber body 12 through the insulating member 14 (the chamber body 12) so as to face the supporting surface 21 of the stage 20 with a predetermined gap in the Z- In a state in which they are not electrically connected to each other. The high-frequency electrode 13 is made of a metal material, and has an electrode flange 31 and a shower plate 32.

전극 플랜지(31)는 매칭 박스(41)를 통해서 고주파 전원(42)에 전기적으로 접속된다. 전극 플랜지(31)는 가스 공급 라인(43)과 접속되는 동시에, 이 가스 공급 라인(43)을 통해서 공급되는 프로세스 가스(막형성 가스)가 도입되는 공간부(311)를 갖는다. 샤워 플레이트(32)는 전극 플랜지(31)의 하단부에 고정되고, 공간부(311)로 도입된 프로세스 가스를 스테이지(20) 상의 기판(W)의 전역에 걸쳐서 공급하는 복수의 구멍을 갖는다. 고주파 전극(13)은 고주파 전원(42)으로부터 고주파 전압이 인가됨으로써, 샤워 플레이트(32)와 스테이지(20) 사이의 막 형성실(11)에 프로세스 가스의 플라즈마(P)(도 1 참조)를 발생시킨다.The electrode flange 31 is electrically connected to the high frequency power source 42 through the matching box 41. The electrode flange 31 is connected to the gas supply line 43 and has a space 311 into which a process gas (film forming gas) supplied through the gas supply line 43 is introduced. The shower plate 32 is fixed to the lower end of the electrode flange 31 and has a plurality of holes for supplying the process gas introduced into the space portion 311 over the entire area of the substrate W on the stage 20. [ The high frequency electrode 13 applies a plasma P of the process gas (see FIG. 1) to the film forming chamber 11 between the shower plate 32 and the stage 20 by applying a high frequency voltage from the high frequency power source 42 .

고주파 전원(42)의 주파수는 특별하게 한정되지 않고, 예를 들면 10∼100MHz 사이에서 적당하게 선택되고, 본 실시형태에서는 27.12MHz이다.The frequency of the high frequency power supply 42 is not particularly limited, but is suitably selected, for example, between 10 and 100 MHz, and is 27.12 MHz in the present embodiment.

프로세스 가스의 종류는 특별하게 한정되지 않고, 막 형성해야 할 재료의 종류에 따라서 적당하게 설정 가능하다. 프로세스 가스는 원료 가스 외에, 헬륨, 아르곤, 질소 등의 캐리어 가스가 포함될 수 있다. 본 실시형태에서 플라즈마 CVD 장치(100)는 아모퍼스 실리콘, 질화 실리콘, 산화 실리콘 등의 실리콘 화합물 박막을 기판(W) 상에 막 형성한다.The kind of the process gas is not particularly limited, and can be suitably set according to the kind of the material to be formed. The process gas may include a carrier gas such as helium, argon, and nitrogen in addition to the raw material gas. In the present embodiment, the plasma CVD apparatus 100 forms a thin film of a silicon compound such as amorphous silicon, silicon nitride, or silicon oxide on a substrate W.

절연부재(14)는 챔버 본체(12)와 고주파 전극(13) 사이에 배치된다. 절연부재(14)는 고주파 전극(13)(전극 플랜지(31))의 하단 주변 모서리부를 지지 가능하게 환상으로 형성된 세라믹스 등의 전기 절연성 재료로 구성된다. 절연부재(14)는 도면에 나타내지 않은 실링 등의 밀봉 부재를 통해서 챔버 본체(12) 및 고주파 전극(13)에 각각 고정된다.The insulating member 14 is disposed between the chamber body 12 and the high-frequency electrode 13. The insulating member 14 is made of an electrically insulating material such as ceramics formed in an annular shape so as to be able to support the lower peripheral edge portion of the high frequency electrode 13 (electrode flange 31). The insulating member 14 is fixed to the chamber body 12 and the high-frequency electrode 13 through a sealing member such as a sealing member, not shown.

고주파 전극(13)은 실드커버(15)에 의해 피복되어 있다. 실드커버(15)는 챔버 본체(12)의 상부에 배치되고, 전극 플랜지(31)와는 비접촉이고 고주파 전극(13)을 피복한다. 실드커버(15)와 전극 플랜지(31) 사이는 대기압으로 유지된다. 실드커버(15)는 금속재료로 구성되고, 챔버 본체(12) 및 접지 전위에 전기적으로 접속된다.The high-frequency electrode (13) is covered with a shield cover (15). The shield cover 15 is disposed on the upper portion of the chamber body 12 and is not in contact with the electrode flange 31 and covers the high frequency electrode 13. The space between the shield cover 15 and the electrode flange 31 is maintained at atmospheric pressure. The shield cover 15 is made of a metal material and is electrically connected to the chamber body 12 and the ground potential.

본 실시형태의 플라즈마 처리장치(100)는 복수의 접지부재(60)를 추가로 갖는다. 복수의 접지부재(60)는 스테이지(20)의 주위에 배치되고, 진공 챔버(10)의 측벽(122)과 스테이지(20) 사이를 전기적으로 접속한다.The plasma processing apparatus 100 of the present embodiment additionally has a plurality of ground members 60. Fig. A plurality of ground members 60 are disposed around the stage 20 and electrically connect the side walls 122 of the vacuum chamber 10 and the stage 20. [

도 3은 챔버 본체(12)의 내부 평면 구조를 나타내는 개략 단면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이 복수의 접지부재(60)는 복수의 제1 접지판(61)와, 복수의 제2 접지판(62)을 포함한다.3 is a schematic sectional view showing the internal planar structure of the chamber body 12. As shown in Fig. As shown in Fig. 3, the plurality of ground members 60 include a plurality of first ground plates 61 and a plurality of second ground plates 62. As shown in Fig.

제1 접지판(61)(제1 접지부재)은 개구부(123)를 가지는 측벽부(122a)와, 이것에 대향하는 스테이지(20)에 1 주변 모서리부 사이에 배치된다. 제2 접지판(62)(제2 접지부재)은 측벽부(122a) 이외의 다른 3개의 측벽부(122b, 122c, 122d)와 이것들에 대향하는 스테이지(20)의 다른 주변 모서리부 사이에 각각 배치된다. 접지판(61, 62)은 스테이지(20)의 각 변을 따라서 거의 동일한 간격으로 배치된다.The first ground plate 61 (first ground member) is disposed between the side wall portion 122a having the opening 123 and one peripheral edge portion of the stage 20 facing the side wall portion 122a. The second ground plate 62 (second ground member) is provided between the other three side wall portions 122b, 122c, 122d other than the side wall portion 122a and the other peripheral edge portions of the opposite side of the stage 20 . The ground plates 61 and 62 are arranged at substantially equal intervals along each side of the stage 20. [

각 접지판(61, 62)은 전형적으로는 동일한 구성을 가지고, 본 실시형태에서는 측벽(122)에 접속되는 제1 단부(601)와 스테이지(20)에 접속되는 제2 단부(602)를 각각 가지는 가요성(플렉서블성) 금속판으로 구성되고, 스테이지(20)의 승강 동작에 추종 가능하도록 상하방향으로 만곡하고 있다(도 1, 2 참조). 각 접지판(61, 62)은 두께가 약 0.1mm, 폭이 약 10mm의 니켈기 합금이나 알루미늄 합금 등으로 구성되지만, 이것에 한정되지 않고, 전기 전도성이 있으면 재질이나 형상은 특별하게 한정되지 않는다.Each of the ground plates 61 and 62 typically has the same configuration and has a first end portion 601 connected to the side wall 122 and a second end portion 602 connected to the stage 20 in this embodiment, And is curved in the up-and-down direction so as to be able to follow the up-and-down movement of the stage 20 (see Figs. 1 and 2). Each of the ground plates 61 and 62 is made of a nickel-based alloy or an aluminum alloy having a thickness of about 0.1 mm and a width of about 10 mm, but is not limited to this, and the material and shape are not particularly limited if they are electrically conductive .

각 접지판(61, 62)은 각각 독립적으로 구성될 수도 있고, 복수의 접지판 연결체로 구성될 수 도 있다. 도 4는 제2 접지판(62)의 연결구조를 나타내는 모식도이다. 동 도면에 나타내는 바와 같이 1장의 직사각형 가요성 금속판(600)의 면내에 복수의 슬롯(개구)(60s)를 병렬적으로 형성함으로써, 도면에 있어서 상단부 및 하단부가 서로 연결된 복수의 제2 접지판(62)의 연결체가 구성된다. 이 구성에 의하면, 금속판(600)의 상하 각 단부를 각각 제1 및 제2 단부(601, 602)로 해서 각 접지판(62)을 일괄적으로 측벽(122) 및 스테이지(20)에 접속할 수 있다. 접속 방법은 특별하게 한정되지 않고, 전형적으로는 복수의 나사 등의 고정구가 사용된다.Each of the ground plates 61 and 62 may be configured independently of each other or may be composed of a plurality of ground plate connectors. 4 is a schematic view showing a connection structure of the second ground plate 62. Fig. As shown in the figure, a plurality of slots (openings) 60s are formed in parallel in the surface of one rectangular flexible metal plate 600, so that a plurality of second ground plates (upper and lower ends) 62 are constituted. According to this configuration, the ground plates 62 can be collectively connected to the side wall 122 and the stage 20 with the upper and lower ends of the metal plate 600 as first and second end portions 601 and 602, respectively have. The connection method is not particularly limited, and typically, a plurality of fasteners such as screws are used.

여기에서, 개구부(123)가 없는 측벽부(122b∼122d)에 접속되는 제2 접지판(62)의 단부(601)는 측벽부(122b∼122d)에 직접적으로 접속된다. 한편, 개구부(123)가 있는 측벽부(122a)에 접속되는 제1 접지판(61)의 단부(601)는 가동유닛(70)의 지지체(71)를 통해서 측벽부(122a)에 접속된다.Here, the end portion 601 of the second ground plate 62 connected to the side wall portions 122b to 122d without the opening 123 is directly connected to the side wall portions 122b to 122d. The end portion 601 of the first ground plate 61 connected to the side wall portion 122a having the opening 123 is connected to the side wall portion 122a through the support 71 of the movable unit 70. [

가동유닛(70)은 제1 접지판(61)의 단부(601)를 지지하는 지지체(71)와, 지지체(71)를 Z축 방향을 따라서 이동시키는 구동원(72)을 갖는다. 가동유닛(70)은 제1 접지판(61)이 개구부(123)를 사이에 두고 개구부(123)의 내주면에 대향하는 제1 위치와, 제1 접지판(61)이 상기 내주면에 전기적으로 접속되는 제2 위치 사이에서, 지지체(71)를 Z축 방향으로 이동(승강)시키는 것이 가능하도록 구성된다.The movable unit 70 has a support 71 for supporting the end portion 601 of the first ground plate 61 and a drive source 72 for moving the support 71 along the Z-axis direction. The movable unit 70 has a first position where the first ground plate 61 faces the inner circumferential face of the opening 123 with the opening 123 therebetween and a first position where the first ground plate 61 is electrically connected to the inner circumferential face (Upward and downward) in the Z-axis direction between the first position and the second position where the support body 71 is in the Z-axis direction.

또, 지지체(71)의 형상은 제2 위치에서, 제1 접지판(61)이 개구부(123)의 내주면에 전기적으로 접속되는 형상이라면 특별하게 한정되지 않는다.The shape of the support 71 is not particularly limited as long as the first ground plate 61 is electrically connected to the inner circumferential surface of the opening 123 at the second position.

계속해서, 도 5 및 도 6을 참조해서 지지체(71)의 구성의 1예에 대해서 설명한다. 도 5는 지지체(71)의 부분 파단 사시도, 도 6은 지지체(71)와 개구부(123)의 관계를 나타내는 요부의 개략 단면도이다.Next, an example of the structure of the support 71 will be described with reference to Figs. 5 and 6. Fig. Fig. 5 is a partially broken perspective view of the support 71, and Fig. 6 is a schematic cross-sectional view of a recessed portion showing the relationship between the support 71 and the opening 123. Fig.

지지체(71)는 개구부(123)의 측벽부(122a) 내면측의 단부에 배치된다. 지지체(71)는 Y축 방향으로 배열된 각 접지판(61)의 제1 단부(601)를 지지한 상태에서, 도 6에 나타내는 바와 같이 개구부(123)의 하부 내주면(123a)에 설치된 퇴피부(V)에 퇴피하는 하강 위치(제1 위치)와, 개구부(123)의 상부 내주면(123b)에 접촉하는 상승위치(제2 위치) 사이를 이동하는 것이 가능하게 구성된다.The support body 71 is disposed at the end on the inner surface side of the side wall portion 122a of the opening 123. [ 6, the support 71 supports the first end portion 601 of each of the ground plates 61 arranged in the Y-axis direction. The support body 71 is provided on the lower inner peripheral surface 123a of the opening 123, (Second position) contacting the lower inner surface 123b of the opening 123 and the lowered position (first position) retracted to the upper surface V of the opening 123. [

퇴피부(V)는 지지체(71)를 수용하는 것이 가능한 크기로 형성된다. 퇴피부(V)에서 지지체(71)는 개구부(123)를 통해서 개구부(123)의 상부 내주면(123b)과 대향한다. 상기 하강 위치에서의 지지체(71)와 개구부(123)의 상부 내주면(123b)과의 간극은 특별하게 한정되지 않고, 적어도 기판(W)이 개구부(123)를 통과할 수 있는 크기로 설정된다.The retroreflective skin V is formed in such a size as to be able to receive the support 71. The supporting body 71 of the retracting skin V opposes the upper inner peripheral surface 123b of the opening 123 through the opening 123. [ The gap between the support body 71 at the lowered position and the upper inner peripheral surface 123b of the opening 123 is not particularly limited and is set to such a size that at least the substrate W can pass through the opening 123. [

구동원(72)은 챔버 본체(12)의 바닥부(121) 외방으로 설치되고, 전형적으로는, 에어 실린더, 유압실린더 등의 유체압 실린더로 구성되지만, 볼 나사기구가 채용될 수도 있다. 구동원(72)은 챔버 본체(12)의 바닥부(121)를 기밀적으로 관통해서 지지체(71)의 바닥부에 연결된 구동축(73)을 가지고, 지지체(71)를 상기 제1 위치와 제2 위치 사이에서 Z축 방향으로 승강시키는 것이 가능하게 구성된다.The driving source 72 is provided outside the bottom portion 121 of the chamber body 12 and typically comprises a fluid pressure cylinder such as an air cylinder or a hydraulic cylinder, but a ball screw mechanism may also be employed. The drive source 72 has a drive shaft 73 that is hermetically penetrated through the bottom portion 121 of the chamber body 12 and connected to the bottom portion of the support body 71 to support the support body 71 in the first and second So that it can be moved up and down in the Z-axis direction.

본 실시형태에서 지지체(71)는 Y축 방향으로 긴 변을 가지는(개구부(123)의 길이방향을 따라서 연장된다) 직육면체 형상의 금속 블록(710)으로 구성된다. 이것에 의해, 개구부(123)의 상부 내주면(123b)에 대한 접촉면적이 커지고, 지지체(71)와 측벽부(122a) 사이에서 Y축 방향(개구부(123)의 폭 방향)으로 대채로 균일한 접촉을 도모할 수 있다. 또 지지체(71)는 개구부(123)의 폭 방향으로 복수로 분할되고, 각각이 개별적으로 또는 공통적으로 승강 이동 가능하도록 구성될 수도 있다.In this embodiment, the support 71 is formed of a rectangular parallelepiped-shaped metal block 710 having a long side in the Y-axis direction (extending along the longitudinal direction of the opening 123). As a result, the contact area of the opening 123 with respect to the upper inner peripheral surface 123b is increased and uniformly distributed in the Y-axis direction (width direction of the opening 123) between the supporting body 71 and the side wall portion 122a Contact can be achieved. Further, the support body 71 may be divided into a plurality of portions in the width direction of the opening 123, and each of the support bodies 71 may be configured to be able to move independently or commonly.

금속 블록(710)은 예를 들면, 스테인리스강이나 알루미늄 합금 등으로 구성된다. 금속 블록(710)의 일측면(스테이지(20)의 주변 모서리부에 대향하는 측면)은 각 접지판(61)의 단부(601)를 공통적으로 지지하는 지지면(711)이 되고, 금속 블록(710)의 상면은 개구부(123)의 내벽면과 대향하는 대향면(712)이 된다. The metal block 710 is made of, for example, stainless steel or an aluminum alloy. One side of the metal block 710 (the side opposite to the peripheral edge portion of the stage 20) is a support surface 711 for commonly supporting the end portion 601 of each ground plate 61, 710 are opposed surfaces 712 opposed to the inner wall surface of the opening 123.

각 접지판(61)의 단부(601)는 지지면(711)에 면 접촉이 되도록 고정된다. 이것에 의해 각 접지판(61)와 지지체(71) 사이의 접촉 저항 저감을 꾀할 수 있다. 고정방법은 특별하게 한정되지 않고, 복수의 나사를 사용한 기계적 고정, 용접 등이 채용 가능하다.The end portion 601 of each ground plate 61 is fixed so as to be in surface contact with the support surface 711. [ As a result, contact resistance between the ground plate 61 and the support 71 can be reduced. The fixing method is not particularly limited, and mechanical fixing using a plurality of screws, welding, or the like can be employed.

대향면(712)에는 탄성부재(713)를 통해서 도전성 시트(714)가 고정되어 있다. 탄성부재(713)는 대향면(712)으로부터 소정의 높이만큼 상방으로 돌출하도록, 대향면(712)의 중심부에 배치된다. 탄성부재(713)는 Y축 방향으로 긴 판상 또는 축상 부재로 구성되고, 그 축 직방향의 단면형상(XZ 평면에 평행한 단면형상)은 직사각 형상 혹은 상방으로 볼록한 돔 형상으로 형성된다. 탄성부재(713)의 구성재료는 특별하게 한정되지 않고, 전형적으로는 고무 또는 엘라스토머로 구성된다.A conductive sheet 714 is fixed to the opposite surface 712 through an elastic member 713. [ The elastic member 713 is disposed at the center of the opposing face 712 so as to protrude upward from the opposing face 712 by a predetermined height. The elastic member 713 is formed of a long plate-shaped or axial member in the Y-axis direction, and its axial cross-sectional shape (cross-sectional shape parallel to the XZ plane) is formed into a rectangular shape or a dome shape convex upward. The constituent material of the elastic member 713 is not particularly limited, and typically consists of a rubber or an elastomer.

도전성 시트(714)는 탄성부재(713)를 피복하도록 대향면(712)의 중심부에 고정된 Y축 방향으로 긴 금속제 시트로 구성된다. 도전성 시트(714)는 플렉서블성을 가지는 금속판으로 구성되고, 그 주변 모서리부가 대향면(712)에 복수의 나사 등의 고정구를 통해서 고정된다. 도전성 시트(714)가 탄성부재(713)를 피복하는 영역은 상기 제2 위치에서 개구부(123)의 상부 내주면(123b)에 접촉하는 접촉부(71A)를 구성한다. 접촉부(71A)는 탄성부재(713)를 통해서 Z축 방향으로 탄성 변형 가능하게 구성된다.The conductive sheet 714 is composed of a metal sheet long in the Y-axis direction fixed to the center of the opposing face 712 so as to cover the elastic member 713. [ The conductive sheet 714 is made of a metal plate having flexibility, and its peripheral edge portion is fixed to the opposing face 712 through a plurality of fasteners such as screws. The region where the conductive sheet 714 covers the elastic member 713 constitutes the contact portion 71A that contacts the upper inner peripheral surface 123b of the opening 123 at the second position. The contact portion 71A is configured to be elastically deformable in the Z-axis direction through the elastic member 713. [

지지체(71)는 접촉부(71A)의 주위에 배치된 실링(715)을 추가로 구비한다. 실링(715)은 도전성 시트(714)를 둘러쌓도록 대향면(712)에 설치된다. 실링(715)은 상기 제2 위치에서 개구부(123)의 상부 내주면(123b)과 탄성적으로 접촉함으로써, 접촉부(71A)를 반응실(11)로부터 차단한다. 이것에 의해 프로세스 가스나 그 반응 생성물의 접촉부(71A)로의 부착이 방지된다.The support 71 further comprises a seal 715 disposed around the contact 71A. A sealing 715 is provided on the opposing face 712 so as to surround the conductive sheet 714. The seal 715 elastically contacts the upper inner peripheral surface 123b of the opening 123 at the second position to thereby block the contact portion 71A from the reaction chamber 11. This prevents adhesion of the process gas and its reaction product to the contact portion 71A.

가동유닛(70)의 구동원(72)은 컨트롤러(90)에 의해 제어된다. 컨트롤러(90)는 CPU나 메모리를 가지는 컴퓨터로 구성된다. 컨트롤러(90)는 도 1에 나타내는 막 형성 공정에서는, 스테이지(20)를 상승 위치로, 지지체(71)를 제2 위치로 각각 이동시킨다. 한편, 컨트롤러(90)는 도 2에 나타내는 기판 반출입 공정에서는 스테이지(20)를 하강 위치로, 지지체(71)를 제1 위치로 각각 이동시킨다. 또 컨트롤러(90)는 스테이지(20)의 승강 동작, 가동유닛(70)의 구동제어 외에, 가스 공급 라인(43), 고주파 전극(13)에 대한 고주파 전압의 인가 등, 플라즈마 CVD 장치(100)의 동작 전체를 제어 가능하도록 구성될 수도 있다.The drive source 72 of the movable unit 70 is controlled by the controller 90. The controller 90 is constituted by a computer having a CPU or a memory. In the film forming step shown in Fig. 1, the controller 90 moves the stage 20 to the raised position and the supporting body 71 to the second position, respectively. On the other hand, the controller 90 moves the stage 20 to the lowered position and the support 71 to the first position in the substrate carrying-in / out process shown in Fig. The controller 90 controls the operation of the plasma CVD apparatus 100 such as the application of a high frequency voltage to the gas supply line 43 and the high frequency electrode 13 in addition to the elevation operation of the stage 20 and the drive control of the movable unit 70. [ May be configured to be able to control the entire operation of the vehicle.

[동작][action]

계속해서, 본 실시형태의 플라즈마 CVD 장치의 전형적인 동작에 대해서 설명한다.Next, a typical operation of the plasma CVD apparatus of the present embodiment will be described.

도 1에 나타내는 막 형성 공정에서, 막 형성실(11)은 소정의 압력으로 감압되고, 기판(W)은 상승 위치에 있는 스테이지(20) 상에서 소정의 온도로 가열된다. 고주파 전극(13)은 가스도입 라인(43)을 통해서 도입되는 프로세스 가스를, 공간부(311) 및 샤워 플레이트(32)를 통해서 막 형성실(11)로 공급한다. 고주파 전극(13)은 고주파 전원(42)(매칭 박스(41))으로부터 고주파 전력이 인가되고, 스테이지(20)와의 사이에 프로세스 가스의 플라즈마(P)를 발생시킨다. 이것에 의해, 프로세스 가스 중의 원료가가스가 분해되고, 그 분해 생성물이 기판(W) 상에 퇴적됨으로써, 막 형성이 이루어진다.In the film forming step shown in Fig. 1, the film forming chamber 11 is depressurized to a predetermined pressure, and the substrate W is heated to a predetermined temperature on the stage 20 in the raised position. The high frequency electrode 13 supplies the process gas introduced through the gas introduction line 43 to the film formation chamber 11 through the space portion 311 and the shower plate 32. The high-frequency electrode 13 receives high-frequency power from the high-frequency power source 42 (matching box 41) and generates a plasma P of the process gas with the stage 20. As a result, the raw material in the process gas is decomposed and the decomposition product is deposited on the substrate W, thereby forming a film.

도 7은 막 형성 시(플라즈마 발생 시)에서의 플라즈마 처리장치(100)의 전류경로(도면 중의 파선 화살표 참조)를 설명하는 개략도이다. 가동유닛(70)에서의 지지체(71)는 개구부(123)의 상부 내주면(123b)과 접촉하는 제2 위치에 있고, 스테이지(20)는 제1 및 제2 접지판(61, 62)을 통해서 챔버 본체(12)의 측벽(122)(122a∼122d)에 전기적으로 접속된다. 접지부재(60) 및 측벽(122)은 스테이지(20)로부터 챔버 본체(12) 및 실드커버(15)를 통해서 매칭 박스(41)로 전류를 회귀시키는 리턴 전류 경로를 형성한다.7 is a schematic view for explaining a current path (see a dashed arrow in the drawing) of the plasma processing apparatus 100 at the time of film formation (at the time of plasma generation). The support 71 in the movable unit 70 is in the second position in contact with the upper inner circumferential surface 123b of the opening 123 and the stage 20 is moved through the first and second ground plates 61 and 62 Are electrically connected to the side walls 122 (122a - 122d) of the chamber body 12. The grounding member 60 and the side wall 122 form a return current path from the stage 20 to the matching box 41 through the chamber body 12 and the shield cover 15 to return current.

막 형성 후, 고주파 전극(13)으로의 가스 공급 및 전력공급이 정지하고, 스테이지(20)가 도 2에 나타내는 하강 위치로 이동을 개시한다. 한편, 가동유닛(70)에서의 지지체(71)도 또한, 도 2 및 도 6에 나타내는 대피 위치(제1 위치)로 하강한다. 이어서, 도어밸브(51)가 개방되고, 도면에 나타내지 않은 기판 반송장치에 의해, 개구부(123)를 통해서 스테이지(20) 상으로부터 막 형성된 기판(W)이 진공 챔버(10)의 외부로 반출되어, 막 형성되지 않은 기판(W)이 진공 챔버(10)의 내부로 반입된다. 그 후에 도어밸브(51)가 폐색하고, 스테이지(20) 및 지지체(71)가 각각 상승하고, 상기와 동일한 막 형성 처리가 실시된다.After the film formation, gas supply and power supply to the high-frequency electrode 13 are stopped, and the stage 20 starts to move to the lowered position shown in Fig. On the other hand, the support 71 of the movable unit 70 also descends to the evacuation position (first position) shown in Figs. 2 and 6. Subsequently, the door valve 51 is opened, and the substrate W formed on the stage 20 through the opening 123 is carried out of the vacuum chamber 10 by the substrate transfer device not shown in the figure , The substrate W not formed with the film is brought into the vacuum chamber 10. Thereafter, the door valve 51 is closed, the stage 20 and the support 71 rise, and the same film forming process as described above is performed.

그런데 막 형성 시에서의 고주파 전류의 리턴 전류 경로가 최적화되어 있지 않으면, 캐소드(고주파 전극(13))와 애노드(스테이지(20)) 사이 이외의 장소에서 의도하지 않는 방전이 발생하는 경우가 있다. 예를 들면, 도 8에 나타내는 바와 같이 개구부(123)의 직하 측벽부 내면에 접지판(61)이 접속되는 경우, 당해 측벽부를 경유하는 리턴 전류 경로는 개구부(123)의 주위를 우회하거나, 개구부(123)의 안쪽 도어밸브(51)을 통과하기 때문에 리턴 전류 경로가 긴, 혹은 비등방적으로 소밀 치우쳐서 형성되게 된다. 이 때문에, 국소 방전의 발생 원인이 되고, 막질 혹은 막 두께의 면내 균일성이 저하되는 경우가 있다.However, if the return current path of the high-frequency current at the time of film formation is not optimized, an unintended discharge may occur at a place other than between the cathode (high-frequency electrode 13) and the anode (stage 20). 8, when the ground plate 61 is connected to the inner surface of the sidewall portion directly under the opening 123, the return current path passing through the sidewall portion may bypass the periphery of the opening 123, Since the air passes through the inner door valve 51 of the door 123, the return current path is formed to be long or anisotropically biased. For this reason, local discharge is generated, and film uniformity or in-plane uniformity of the film thickness may be lowered.

본 실시형태에서는 접지부재(60) 중, 제1 접지판(61)은 지지체(71)를 통해서 측벽부(122a)에 접속되고, 제2 접지판(62)은 측벽부(122b∼122d)에 직접적으로 접속된다. 따라서 스테이지와 챔버의 바닥부 사이에 접지부재가 접속되는 구성과 비교해서 리턴 전류 경로를 짧게 할 수 있다.The first ground plate 61 of the ground member 60 is connected to the side wall portion 122a via the support body 71 and the second ground plate 62 is connected to the side wall portions 122b to 122d Are directly connected. Therefore, the return current path can be shortened as compared with the configuration in which the ground member is connected between the stage and the bottom portion of the chamber.

한편, 개구부(123)가 형성된 측벽부(122a)에 접속되는 제1 접지판(61)은 개구부(123)의 내부를 Z축 방향으로 승강시킬 수 있는 지지체(71)에 지지된다. 지지체(71)는 개구부(123)를 기판이 통과할 때는 제1 위치에 대기하고(도 2), 플라즈마의 발생 시는 제2 위치로 이동해서 제1 접지판(61)을 개구부(123)의 상부 내주면(123b)에 전기적으로 접속한다(도 1). 이것에 의해, 개구부(123)를 우회하지 않는 리턴 전류 경로가 구축되기 때문에 측벽(122)의 둘레 전체에서 리턴 전류 경로의 대칭성이 확보되고, 기판 상의 막질이나 막 두께의 균일성을 높일 수 있다.The first ground plate 61 connected to the side wall portion 122a on which the opening 123 is formed is supported by a support 71 capable of moving the inside of the opening 123 in the Z axis direction. The supporting member 71 stands by at the first position when the substrate passes through the opening 123 (Fig. 2), moves to the second position when the plasma is generated, and moves the first ground plate 61 toward the opening 123 And is electrically connected to the upper inner peripheral surface 123b (Fig. 1). As a result, since the return current path that does not bypass the opening 123 is established, the symmetry of the return current path is ensured in the entire periphery of the side wall 122, and the uniformity of film quality and film thickness on the substrate can be enhanced.

리턴 전류 경로의 균일화 혹은 대칭성의 향상을 꾀하기 위해서, 각 리턴 전류 경로 길이는 동일한 것이 바람직하다. 또, 예를 들면 각 접지판(60, 61)과 측벽(122)과의 접속 위치는 챔버 본체(12)의 바닥부(121)를 기준으로 해서, 각각 대채로 동일한 높이가 되도록 설정되는 것이 바람직하다. 이 경우, 지지체(71)의 제2 위치는 제2 접지판(62)의 측벽부(122b∼122d)와의 접속 위치에서의 진공 챔버(10)의 바닥부(121)로부터의 높이와, 대채로 동일한 높이로 설정될 수도 있다(도 2 참조).In order to equalize the return current path or improve the symmetry, it is preferable that the return current path lengths are equal to each other. It is preferable that the connection positions of the ground plates 60 and 61 and the side wall 122 are set so as to be equal to each other with reference to the bottom portion 121 of the chamber main body 12 Do. In this case, the second position of the support body 71 is the height from the bottom portion 121 of the vacuum chamber 10 at the connection position with the side wall portions 122b to 122d of the second ground plate 62, And may be set to the same height (see Fig. 2).

또 본 실시형태에 의하면, 지지체(71)의 대향면(712)에 Z축 방향으로 탄성 변형 가능한 접촉부(71A)가 설치되고 있기 때문에, 제2 위치에서 적절한 압력으로 지지체(71)를 개구부(123)의 상부 내주면(123b)으로 안정되게 접촉시킬 수 있다.According to the present embodiment, since the contact portion 71A capable of being elastically deformed in the Z-axis direction is provided on the opposing face 712 of the supporting body 71, the supporting body 71 can be held in the opening 123 To the upper inner circumferential surface 123b.

또, 지지체(71)의 대향면(712)에 접촉부(71A)를 둘러쌓도록 배치된 실링(715)이 설치되어 있기 때문에, 막 형성 프로세스에서 접촉부(71A)가 막 형성실(11)에 폭로되는 것을 방지할 수 있다. 이것에 의해 프로세스 가스나 그 플라스마 반응 생성물이 접촉부(71A)에 접촉하는 것이 방지되어, 부식성이 높은 가스가 사용되는 경우에도 접촉부(71A)를 그 부식으로부터 보호해서 내구성을 높일 수 있다. 또, 접촉부(71A)와 개구부(123)의 접촉에 의해 더스트가 발생한 경우에도, 당해 더스트가 막 형성실(11)로 누출하는 것이 회피된다. 이것에 의해 고품질의 막 형성 처리를 안정되게 실시할 수 있다.Since the seal 715 arranged so as to surround the contact portion 71A is provided on the opposed face 712 of the support 71, the contact portion 71A is exposed in the film formation chamber 11 in the film formation process Can be prevented. As a result, the process gas or its plasma reaction product is prevented from contacting the contact portion 71A, and even when a highly corrosive gas is used, the contact portion 71A can be protected from corrosion to improve durability. Also, even when dust is generated by the contact between the contact portion 71A and the opening 123, it is avoided that the dust is leaked to the film formation chamber 11. [ Thus, a high-quality film-forming process can be performed stably.

또 본 실시형태에서는 지지체(71)를 승강시키는 구동원(72)이 스테이지(20)를 승강시키는 구동원(23)과는 별도로 구성되어 있다. 이 때문에, 막 형성 처리의 사양에 따라서 스테이지(20)의 승강 이동량이 변화되는 경우에도, 지지체(71)의 상승위치(제2 위치)의 위치결정 정밀도를 확보할 수 있다. 또, 스테이지(20)와 지지체(71)의 승강 이동은 서로 동기해서 제어될 수도 있다.In this embodiment, the driving source 72 for raising and lowering the support 71 is configured separately from the driving source 23 for raising and lowering the stage 20. [ Therefore, even when the amount of movement of the stage 20 in accordance with the specification of the film forming process is changed, the positioning accuracy of the raised position (second position) of the supporting body 71 can be ensured. The elevation movement of the stage 20 and the support 71 may be controlled in synchronization with each other.

[정리][theorem]

이상과 같이 본 실시형태에 의하면, 개구부(123)를 가지는 측벽부(122a)를 경유하는 리턴 전류 경로와 그 이외의 측벽부(122b∼122d)를 경유하는 리턴 전류 경로를 동일 또는 거의 동일한 경로 길이로 구성할 수 있기 때문에, 리턴 전류 경로의 단축화, 균일화 혹은 대칭성이 확보된다. 이것에 의해, 국소적인 이상 방전의 발생이 방지되고, 막 두께 및 막질의 균일성이 우수한 막 형성 처리를 실시할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, the return current path via the side wall portion 122a having the opening 123 and the return current path passing through the other side wall portions 122b to 122d are the same or substantially the same path length So that the return current path can be shortened, equalized, or symmetrical. This makes it possible to prevent the occurrence of local abnormal discharge and to perform the film forming process with excellent film thickness and film uniformity.

특히, 본 실시형태에서는 고주파 전원(42)으로 27.12MHz라는 VHF대역의 고주파 전원이 채용된다. 이 때문에, 플라즈마의 고밀도화에 의해, 13.56MHz의 고주파 전원에서는 달성할 수 없는 고 막형성 레이트, 막의 치밀화를 실현시키는 것이 가능해진다. Particularly, in the present embodiment, a high-frequency power source of 27.12 MHz in the VHF band is employed as the high-frequency power source 42. For this reason, by increasing the density of the plasma, it becomes possible to achieve a high film formation rate and densification of the film that can not be achieved with a high frequency power source of 13.56 MHz.

한편, VHF대역 전원의 채용에 의한 플라스마 밀도가 높기 때문에, 리턴 전류가 커지고, 리턴 전류 경로가 최적화되어 있지 있으면 방전 안정성이 악화된다는 불안이 남는다. 리턴 전류 경로의 불균일성에 기인하는 국소 방전(방전 누설)은 주파수의 코사인(cos)의 자승에 비례해서 이온 플럭스가 커지기 때문에, 리턴 전류 경로 길이가 약간의 차이에서 큰 전기장 구배가 발생하고, 13.56MHz에서는 방전 누설을 일으키지 않는 경로 길이에서도, 27.12MHz에서는 방전 누설을 일으키는 경우가 있다.On the other hand, since the plasma density due to the adoption of the VHF band power source is high, the return current becomes large, and if the return current path is not optimized, there is anxiety that the discharge stability deteriorates. Since the ion flux increases in proportion to the square of the cosine of the frequency due to the non-uniformity of the return current path, a large electric field gradient occurs at a slight difference in the return current path length, Discharge leakage may occur at 27.12 MHz in a path length that does not cause discharge leakage.

본 실시형태에 의하면, 기판 반출입용 개구부(123)를 가지는 측벽부(122a)를 경유하는 리턴 전류 경로와, 그 이외의 측벽부(122b∼122d)를 경유하는 리턴 전류 경로의 불균일성을 해소할 수 있기 때문에, 27.12MHz의 고주파 전원이 채용된 경우에도, 국소 방전을 발생시키 않아 안정된 막 형성을 실현할 수 있다. 또 본 실시형태에 의하면, 개구부(123)에 접속되는 접지판(61)이 개구부(123)의 내부에서 이동 가능하게 구성되어 있기 때문에, 개구부(123)를 경유하는 기판의 반출입 동작을 저해하지 않고, 상술한 작용효과를 용이하게 실현할 수 있다.According to the present embodiment, it is possible to eliminate the unevenness of the return current path via the side wall portion 122a having the substrate carry-in / out opening 123 and the return current path via the other side wall portions 122b to 122d Therefore, even when a high frequency power of 27.12 MHz is employed, stable film formation can be realized without causing local discharge. According to the present embodiment, since the ground plate 61 connected to the opening 123 is configured to be movable in the opening 123, it is possible to prevent the substrate from being moved in and out by the opening 123 , The above-described operational effects can be easily realized.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시형태에만 한정되는 것은 아니고, 여러 가지로 변경을 가할 수 있음은 물론이다.Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can of course be made.

예를 들면 이상의 실시예에서는 지지체(71)로서 금속 블록(710)의 대향면(712)에, Z축 방향으로 탄성 변형 가능한 접촉부(71A)나 실링(715)을 설치한 예를 설명했지만, 이것에 제한하지 않는다. 예를 들면 도9A에 나타내는 바와 같이 상기 접촉부나 실링을 구비하지 않고 있는 금속 블록(710)만으로 구성된 지지체(171)가 채용될 수도 있다. 이러한 구성에 의해서도, 대향면(712)을 직접, 개구부(123)의 상부 내주면(123b)에 접촉시킴으로써, 제1 접지판(61)와 측벽부(122a)와의 전기적 접속을 도모할 수 있다.For example, in the above-described embodiment, the example in which the contact portion 71A and the seal 715 that are elastically deformable in the Z-axis direction are provided on the opposing face 712 of the metal block 710 as the support 71, . For example, as shown in Fig. 9A, a support 171 composed of only the metal block 710 without the contact portion or the seal may be employed. This configuration also makes it possible to establish electrical connection between the first ground plate 61 and the side wall portion 122a by bringing the opposing face 712 directly into contact with the upper inner peripheral face 123b of the opening 123. [

또 이상의 실시예에서는 제1 접지판(61)을 지지하는 지지체(71)가 금속 블록(710)로 구성되는 예를 설명했지만, 세라믹스 등의 절연재료로 구성될 수도 있다. 이 경우, 도 9B에 나타내는 바와 같이 각 접지판(61)의 단부(601)를 지지체(271)의 대향면(712)으로 지지하고, 이것들 접지판(61)의 단부를 직접, 혹은 도전성 시트(714)를 통해서 개구부(123)의 상부 주면부(123b)에 접촉시키는 방식이 채용가능하다.In the above embodiment, the support 71 supporting the first ground plate 61 is made of the metal block 710, but it may be made of an insulating material such as ceramics. 9B, the end portions 601 of the respective ground plates 61 are supported by the opposing faces 712 of the supporting body 271 and the end portions of the ground plates 61 are directly or electrically connected to the conductive sheet 714 to the upper main surface portion 123b of the opening 123 can be employed.

또 이상의 실시예에서는 진공 챔버(10)의 4개의 측벽부 가운데 1개의 측벽부(122a)에 개구부(123)가 설치되었지만, 이것에 한정되지 않고, 다른 측벽부(122b∼122d)의 적어도 중 어느 하나에도 동일한 개구부가 설치될 수도 있다. 예를 들면, 서로 대향하는 2개의 측벽부에 기판 반출입용의 개구부를 가지는 인라인식의 플라즈마 처리장치에도 본 발명은 적용가능하다. 이 경우, 각 개구부에 상기 구성의 가동유닛(70)을 설치함으로써, 상기와 동일한 작용효과를 얻을 수 있다.In the above embodiment, the opening 123 is provided in one of the four side wall portions of the vacuum chamber 10, but the present invention is not limited to this, and at least one of the other side wall portions 122b to 122d The same opening may be provided in one. For example, the present invention is also applicable to an in-line type plasma processing apparatus having an opening for loading and unloading a substrate in two side walls opposed to each other. In this case, by providing the movable unit 70 having the above-described structure in each opening, the same operational effects as those described above can be obtained.

도 10∼도 12는 상기 플라즈마 처리장치에서의 지지체를 구동하는 구동계의 변형예를 나타내는 개략 단면도이다. 도 10은 기판 반출입 시의 상태, 도 11은 기판반입으로부터 막 형성 전의 상태, 도 12는 막 형성 시의 상태를 각각 나타내고 있다.10 to 12 are schematic sectional views showing a modified example of a drive system for driving a support in the plasma processing apparatus. Fig. 10 shows the state at the time of substrate carry-in and out, Fig. 11 shows the state before film formation from the substrate carry-in, and Fig. 12 shows the state at film formation.

도 10에 나타내는 바와 같이 본 실시형태에서도, 측벽(122)에 설치된 개구부(123)는 하부 내주면(123a)(제1 내주면)과, 하부 내주면(123a)에 대향하는 상부 내주면(123b)(제2 내주면)을 포함한다. 또, 본 실시형태에서는 측벽(122)의 내벽(125)에 있어서, 개구부(123) 근방으로 하부 내주면(123a)에 연속해 있는 부분을 하부 내벽(125a), 개구부(123) 근방으로 상부 내주면(123b)에 연속해 있는 부분을 상부 내벽(125b)으로 한다.10, the opening 123 provided in the side wall 122 has a lower inner circumferential surface 123a (first inner circumferential surface) and an upper inner circumferential surface 123b opposite to the lower inner circumferential surface 123a Inner circumferential surface). In the present embodiment, a portion of the inner wall 125 of the side wall 122 adjacent to the lower inner peripheral surface 123a in the vicinity of the opening 123 is referred to as a lower inner wall 125a and an upper inner peripheral surface 123b are formed as an upper inner wall 125b.

지지체(81)는 복수의 제1 접지판(61)을 지지한다. 본 실시형태에서는 지지체(81)는 지지봉(83)에 지지되고 있다. 지지봉(83)은 지지체(81)의 바닥부를 지지한다.The support 81 supports a plurality of first ground plates 61. In the present embodiment, the support body 81 is supported by a support rod 83. The supporting rod 83 supports the bottom of the supporting body 81.

지지체(81)는 퇴피부(V)에서 하부 내주면(123a)에 연속해 있는 하부 내벽(125a)(제1 내벽)에 대향한다. 본 실시형태에서는 지지체(81)가 하부 내벽(125a)에 대향하고 있을 때의 지지체(81)의 위치를 제1 위치로 한다. 지지체(81)가 제1 위치에 위치하고 있을 때, 지지체(81)는 하부 내벽(125a)과 비접촉 상태에 있다. 지지체(81)가 제1 위치에 위치하고 있을 때, 예를 들면, 스테이지(20)는 하강 위치에 위치하고 있다.The supporting body 81 is opposed to the lower inner wall 125a (first inner wall) continuous with the lower inner peripheral surface 123a at the retracted skin (V). In the present embodiment, the position of the support body 81 when the support body 81 is opposed to the lower inner wall 125a is set as the first position. When the support 81 is located at the first position, the support 81 is not in contact with the lower inner wall 125a. When the support 81 is located at the first position, for example, the stage 20 is located at the lowered position.

지지체(81)를 구동하는 가동유닛(80)은 제1 구동부(85)와, 제2 구동부(86)와, L형의 암(87)과, 고정부재(88a, 89a)와, 축부(88b, 89b)를 갖는다. 제1 구동부(85) 및 제2 구동부(86)는 컨트롤러(90)에 의해 제어되고 있다.The movable unit 80 for driving the support body 81 includes a first drive unit 85, a second drive unit 86, an L-shaped arm 87, fixing members 88a and 89a, a shaft 88b , 89b. The first driving unit 85 and the second driving unit 86 are controlled by a controller 90.

제1 구동부(85)는 구동원(85a)과, 구동축(85b)을 포함한다. 제1 구동부(85)는 챔버 본체(12)의 바닥부(121) 외방(예를 들면, 하방)에 설치된다. 제1 구동부(85)는 전형적으로는, 에어 실린터, 유압실린더 등의 유체압 실린더로 구성되지만, 볼 나사기구가 채용될 수도 있다.The first driving unit 85 includes a driving source 85a and a driving shaft 85b. The first driving portion 85 is installed outside (for example, downward) the bottom portion 121 of the chamber main body 12. The first driving unit 85 is typically constituted by a fluid pressure cylinder such as an air cylinder or a hydraulic cylinder, but a ball screw mechanism may be employed.

구동원(85a)에는 축부(89b)가 고정부재(89a)에 의해 고정되어 있다. 축부(89b)는 Y축 방향으로 연장된다. 구동축(85b)은 구동원(85a)에 의해, 예를 들면, 지지봉(83)이 연장되는 방향으로 신축할 수 있다. 구동축(85b)의 선단은 지지봉(83)의 하단에 접속되고 있다. 구동축(85b)의 중심축은 지지봉(83)의 중심축과 일치하고 있다.The shaft 89b is fixed to the driving source 85a by a fixing member 89a. The shaft portion 89b extends in the Y-axis direction. The drive shaft 85b can be expanded and contracted in the direction in which the support rod 83 extends, for example, by the drive source 85a. The tip of the drive shaft 85b is connected to the lower end of the support rod 83. [ The central axis of the drive shaft 85b coincides with the center axis of the support rod 83. [

암(87)은 암부(87a)와, 암부(87b)를 포함한다. 암부(87a)는 예를 들면, 암부(87b)에 직교하고 있다. 암부(87b)의 단은 축부(88b)에 회전 가능하게 지지되고 있다. 이것에 의해, 암(87) 전체는 축부(88b)를 중심으로 회전 가능하게 된다. 축부(88b)는 고정부재(88a)에 의해 바닥부(121)에 고정되어 있다. 축부(88b)는 예를 들면, Y축 방향으로 연장된다. 암부(87b)에 연결된 암부(87a)는 축부(89b)와는 반대측의 구동원(85a)에 고정되어 있다. 이것에 의해, 제1 구동부(85)는 축부(88b)를 중심으로 회전 가능하게 된다.The arm 87 includes an arm portion 87a and an arm portion 87b. The arm portion 87a is, for example, perpendicular to the arm portion 87b. And the end of the arm portion 87b is rotatably supported by the shaft portion 88b. As a result, the entire arm 87 becomes rotatable about the shaft portion 88b. The shaft portion 88b is fixed to the bottom portion 121 by a fixing member 88a. The shaft portion 88b extends, for example, in the Y-axis direction. The arm portion 87a connected to the arm portion 87b is fixed to the driving source 85a on the opposite side to the shaft portion 89b. Thus, the first driving portion 85 is rotatable about the shaft portion 88b.

지지체(81)가 제1 위치에 위치할 때, 암부(87b)와 바닥부(121) 사이의 틈새는 암부(87b)가 축부(88b)로부터 떨어짐에 따라서 서서히 넓어지게 된다. 즉, 지지체(81)가 제1 위치에 위치할 때, 암부(87b)가 연장되는 방향은 수평방향에 대해서 교차한다. 이것에 의해, 지지체(81)가 제1 위치에 위치할 때에는, 암부(87a)에 고정된 구동원(85a)은 높이 방향(Z축 방향)에 대해서 비스듬하게 배치된다. 이 결과, 구동원(85a)에 연결한 구동축(85b)도 높이 방향에 대해서 비스듬하게 배치된다.The gap between the arm portion 87b and the bottom portion 121 gradually widens as the arm portion 87b is separated from the shaft portion 88b when the support body 81 is located at the first position. That is, when the support 81 is located at the first position, the direction in which the arm portion 87b extends intersects with the horizontal direction. Thus, when the support 81 is positioned at the first position, the driving source 85a fixed to the arm portion 87a is arranged obliquely with respect to the height direction (Z-axis direction). As a result, the driving shaft 85b connected to the driving source 85a is also arranged obliquely with respect to the height direction.

지지봉(83)은 바닥부(121)에 설치된 개구부(124)를 관통한다. 지지봉(83)은 높이 방향에 대해서 비스듬하게 경사지고 있다. 지지봉(83)은 구동축(85b)의 중심 축 방향으로 연장된다. 개구부(124)의 개구 폭은 특별하게 한정되지 않고, 개구부(124)의 내주면이 지지봉(83)에 접촉하지 않도록 설정된다. 예를 들면, 개구부(124)의 내주면의 일부는 지지봉(83)의 경사 각도에 따라서 테이퍼상으로 구성되어 있다.The support rod 83 passes through the opening 124 provided in the bottom portion 121. The support rod 83 is inclined obliquely with respect to the height direction. The support rod 83 extends in the direction of the central axis of the drive shaft 85b. The opening width of the opening 124 is not particularly limited and is set so that the inner peripheral surface of the opening 124 does not contact the supporting rod 83. For example, a part of the inner circumferential surface of the opening 124 is formed in a tapered shape in accordance with the inclination angle of the support bar 83.

지지봉(83)의 주위에는, 튜브(84)가 설치되어 있다. 예를 들면, 튜브(84)는 바닥부(121) 외방에서 지지봉(83)을 둘러싼다. 튜브(84)는 진공 벨로즈, 플렉서블 튜브 등의 튜브로, 구동축(85b)이 신축하는 방향으로 신축하거나, 또는, 왜곡하거나 한다. 튜브(84)는 개구부(124)에 연결되는 동시에, 구동축(85b)의 선단에 접속되어 있다. 막 형성실(11)이 진공 배기되면, 튜브(84) 내가 감압상태가 된다.A tube 84 is provided around the support rod 83. For example, the tube 84 surrounds the support rod 83 outside the bottom 121. The tube 84 is a tube such as a vacuum bellows or a flexible tube, and is stretched or distorted in the direction in which the drive shaft 85b expands and contracts. The tube 84 is connected to the opening 124 and is connected to the tip of the drive shaft 85b. When the film formation chamber 11 is evacuated, the tube 84 is in a reduced pressure state.

제2 구동부(86)는 구동원(86a)과, 구동축(86b)을 포함한다. 제2 구동부(86)는 챔버 본체(12)의 바닥부(121) 외방(예를 들면, 제1 구동부(85)의 횡)에 설치되고, 전형적으로는, 에어 실린더, 유압실린더 등의 유체압 실린더로 구성되지만, 볼 나사기구가 채용될 수도 있다.The second driving portion 86 includes a driving source 86a and a driving shaft 86b. The second driving portion 86 is provided outside the bottom portion 121 of the chamber main body 12 (for example, on the side of the first driving portion 85), and is typically provided with a fluid pressure Cylinder, but a ball screw mechanism may be employed.

구동축(86b)은 구동원(86a)에 의해, 축부(89b)가 연장하는 방향과 직교하는 방향(X축 방향)으로 신축할 수 있다. 구동축(86b)의 선단은 축부(89b)에 회전 가능하게 지지되고 있다. 구동축(86b)이 X축 방향으로 신축하면, 축부(89b)가 X축 방향으로 이동한다. 이것에 의해, 축부(89b)를 고정하고 있는 제1구동부(85)가 암(87)을 통해서 축부(88b)를 중심으로 회전한다.The drive shaft 86b can be expanded and contracted in the direction (X-axis direction) perpendicular to the direction in which the shaft 89b extends by the drive source 86a. The tip of the drive shaft 86b is rotatably supported on the shaft 89b. When the drive shaft 86b extends and contracts in the X-axis direction, the shaft 89b moves in the X-axis direction. As a result, the first driving portion 85 that fixes the shaft portion 89b rotates about the shaft portion 88b through the arm 87.

또, 개구부(123)의 상부 내주면(123b)에는 포집부재(127)가 배치되어 있다. 포집부재(127)는 개구부(123)로부터 막 형성실(11)을 향해서 돌출하고 있다. 포집부재(127)는 개구부(123)의 상부 내주면(123b)에 연속해 있는 상부 내벽(125b)(제2 내벽)의 바로 아래에 위치한다. 예를 들면, 포집부재(127)의 바로 위에서 더스트가 발생되었을 경우, 더스트에 의해 발생한 이물이 포집부재(127) 상에 포집된다.A collecting member 127 is disposed on the upper inner circumferential surface 123b of the opening 123. The collecting member 127 protrudes from the opening 123 toward the film forming chamber 11. The collecting member 127 is positioned directly below the upper inner wall 125b (second inner wall) which is continuous with the upper inner peripheral surface 123b of the opening 123. [ For example, when dust is generated just above the collecting member 127, foreign matter generated by the dust is collected on the collecting member 127.

도 11에는 지지체(81)가 제1 위치로부터 상부 내벽(125b)에 대향하는 위치로 이동한 후의 상태가 나타나 있다. 즉, 구동축(85b)이 구동원(85a)으로부터 성장하는 것에　의해, 지지체(81)가 제1 위치로부터 상부 내벽(125b)에 대향하는 위치로 이동한다. 본 실시형태에서는 지지체(81)가 상부 내벽(125b)에 대향하고 있을 때의 지지체(81)의 위치를 제3 위치로 한다. 지지체(81)가 제3 위치에 위치하고 있을 때, 지지체(81)는 상부 내벽(125b)과 비접촉 상태에 있다. 또, 지지체(81)가 제3 위치에 위치하고 있을 때, 예를 들면, 스테이지(20)는 상승위치에 위치하고 있다.11 shows a state after the support 81 is moved from the first position to the position opposed to the upper inner wall 125b. That is, as the driving shaft 85b is grown from the driving source 85a, the supporting body 81 moves from the first position to the position facing the upper inner wall 125b. In the present embodiment, the position of the support body 81 when the support body 81 is opposed to the upper inner wall 125b is defined as the third position. When the support 81 is located at the third position, the support 81 is in non-contact with the upper inner wall 125b. When the support 81 is located at the third position, for example, the stage 20 is located at the raised position.

본 실시형태에서는 지지체(81)가 제1 구동부(85)에 의해 제1 위치와 제3 위치 사이에서 승강할 때, 지지체(81)가 포집부재(127)에 접촉하지 않도록 지지봉(83)의 경사 각도, 포집부재(127)의 막 형성실(11)에 돌출하는 길이, 지지체(81)의 사이즈 등이 조정되고 있다.In this embodiment, when the support 81 is moved up and down between the first position and the third position by the first drive unit 85, the inclination of the support rod 83 is adjusted so that the support 81 does not contact the collecting member 127 The angle, the length of the collecting member 127 protruding into the film-forming chamber 11, and the size of the support 81 are adjusted.

도 12에는 지지체(81)가 제3 위치로부터 상부 내벽(125b)에 접촉하는 위치까지 이동한 후의 상태가 나타나 있다. 이것에 의해, 지지체(81)에 지지된 제1 접지판(61)은 상부 내벽(125b)에 전기적으로 접속된다. 예를 들면, 제2 구동부(86)의 구동축(86b)이 구동원(86a)으로부터 연장되는 것에　의해, 구동축(86b)에 의해 X축 방향으로 밀린 제1 구동부(85)가 암(87)을 통해서 축부(88b)를 중심으로 회전한다. 이것에 의해, 구동축(85b)에 지지된 지지봉(83)이 제1 구동부(85)가 구동축(86b)에 의해 밀리는 방향과는 반대측으로 기울고, 지지체(81)가 상부 내벽(125b)에 접촉한다. 지지봉(83)은 높이 방향과 실질적으로 평행하게 되거나, 평행에 가까운 상태가 된다. 본 실시형태에서는 지지체(81)가 상부 내벽(125b)에 전기적으로 접속될 때의 지지체(81)의 위치를 제2 위치로 한다.12 shows a state after the support 81 has moved from the third position to a position where it contacts the upper inner wall 125b. Thereby, the first ground plate 61 supported by the support body 81 is electrically connected to the upper inner wall 125b. For example, since the drive shaft 86b of the second drive portion 86 extends from the drive source 86a, the first drive portion 85 pushed in the X-axis direction by the drive shaft 86b passes through the arm 87 And rotates about the shaft portion 88b. As a result, the supporting rod 83 supported by the driving shaft 85b is inclined to the opposite side from the direction in which the first driving portion 85 is pushed by the driving shaft 86b, and the supporting body 81 contacts the upper inner wall 125b . The support rod 83 is substantially parallel to the height direction or close to parallel. In this embodiment, the position of the supporting body 81 when the supporting body 81 is electrically connected to the upper inner wall 125b is set as the second position.

이렇게, 가동유닛(80)은 제1 위치와 제3 위치 사이에서 지지체(81)를 이동시킬 수 있고, 제3 위치와 제2 위치 사이에서 지지체(81)를 이동시킬 수 있다. 이것에 의해, 가동유닛(80)은 제1 위치와 제2 위치 사이에서 지지체(81)를 이동시킬 수 있다.Thus, the movable unit 80 can move the support 81 between the first position and the third position, and can move the support 81 between the third position and the second position. Thereby, the movable unit 80 can move the support 81 between the first position and the second position.

또, 제1 구동부(85)에 의한 구동과, 제2 구동부(86)에 의한 구동은 동시에 실시될 수 있다. 이 경우, 지지체(81)는 제1 위치로부터 제2 위치 사이에서, 완만한 곡선을 그리듯이 이동한다. 단, 지지체(81)는 이동 중에 포집부재(127)에 접촉하지 않도록, 지지체(81)의 궤도가 제어된다.The driving by the first driving unit 85 and the driving by the second driving unit 86 can be performed at the same time. In this case, the support body 81 moves between a first position and a second position, as a gentle curve is drawn. However, the trajectory of the support body 81 is controlled so that the support body 81 does not contact the collecting member 127 during movement.

도 13은 상기 구동계의 변형예에서 사용되는 지지체의 부분 파단 사시도이다.13 is a partially cutaway perspective view of a support used in a modification of the drive system.

본 실시형태에서 지지체(81)는 Y축 방향으로 긴 변을 가지는 직육면체 형상의 금속 블록(810)으로 구성된다. 이것에 의해, 상부 내벽(125b)에 대한 접촉면적이 커지고, 지지체(81)와 측벽(122) 사이에서 Y축 방향으로 대채로 균일한 접촉을 도모할 수 있다. 도 13의 예에서는 금속 블록(810)이 1개의 지지봉(83)에 지지되고 있지만, 이 예에 제한되지 않는다. 금속 블록(810)은 복수의 지지봉(83)에 지지될 수도 있다. 또, 지지체(81)는 개구부(123)의 폭 방향으로 복수로 분할되고, 각각이 개별적으로 또는 공통적으로 승강 이동 가능하게 구성될 수 있다.In this embodiment, the support 81 is formed of a rectangular parallelepiped-shaped metal block 810 having long sides in the Y-axis direction. As a result, the contact area with respect to the upper inner wall 125b is increased, and uniform contact can be achieved between the support body 81 and the side wall 122 in the Y-axis direction. In the example of Fig. 13, the metal block 810 is supported by one support rod 83, but the present invention is not limited to this example. The metal block 810 may be supported by a plurality of support rods 83. Further, the support 81 may be divided into a plurality of portions in the width direction of the opening 123, and each of them may be configured to be able to move separately or commonly.

금속 블록(810)은 예를 들면, 스테인리스강이나 알루미늄 합금 등으로 구성된다. 금속 블록(810)의 일측면(스테이지(20)의 주변 모서리부에 대향하는 측면)은 각 접지판(61)의 단부(601)를 공통적으로 지지하는 지지면(811)이 되고, 지지면(811)과 반대측의 금속 블록(810)의 측면은 상부 내벽(125b)과 대향하는 대향면(812)이 된다.The metal block 810 is made of, for example, stainless steel or an aluminum alloy. One side of the metal block 810 (the side opposite to the peripheral edge portion of the stage 20) is a support surface 811 that commonly supports the end portion 601 of each ground plate 61, The side surface of the metal block 810 on the opposite side of the upper inner wall 811 becomes the facing surface 812 facing the upper inner wall 125b.

각 접지판(61)의 단부(601)는 지지면(811)에 면 접촉이 되도록 고정된다. 이것에 의해 각 접지판(61)과 지지체(81) 사이의 접촉 저항 저감이 도모된다. 고정방법은 특별하게 한정되지 않고, 복수의 나사를 사용한 기계적 고정, 용접 등이 채용가능하다.The end portions 601 of the respective ground plates 61 are fixed so as to be in surface contact with the support surfaces 811. As a result, the contact resistance between the ground plate 61 and the support body 81 can be reduced. The fixing method is not particularly limited, and mechanical fixing using a plurality of screws, welding, or the like can be employed.

대향면(812)에는 탄성부재(813)를 통해서 도전성 시트(814)가 고정되어 있다. 탄성부재(813)는 대향면(812)으로부터 소정의 높이만큼 도전성 시트(814) 측에 돌출되도록, 대향면(812)의 중심부에 배치된다. 탄성부재(813)는 Y축 방향으로 긴 판상 또는 축상부재로 구성되고, 그 단면 형상(XZ 평면에 평행한 단면 형상)은 직사각 형상 혹은 상방으로 볼록한 돔 형상으로 형성된다. 탄성부재(813)의 구성재료는 특별하게 한정되지 않고, 전형적으로는 고무 또는 엘라스토머로 구성된다.A conductive sheet 814 is fixed to the opposite surface 812 through an elastic member 813. [ The elastic member 813 is disposed at the center of the opposing face 812 so as to protrude from the opposing face 812 to the conductive sheet 814 side by a predetermined height. The elastic member 813 is formed of a long plate-shaped or axial member in the Y-axis direction, and its cross-sectional shape (cross-sectional shape parallel to the XZ plane) is formed into a rectangular shape or a dome shape convex upward. The constituent material of the elastic member 813 is not particularly limited, and typically consists of a rubber or an elastomer.

도전성 시트(814)는 탄성부재(813)를 피복하도록 대향면(812)의 중심부에 고정된 Y축 방향으로 긴 금속제 시트로 구성된다. 도전성 시트(814)는 플렉서블성을 가지는 금속판으로 구성되고, 그 주변 모서리부가 대향면(812)에 복수의 나사 등의 고정구를 통해서 고정된다. 도전성 시트(814)가 탄성부재(813)를 피복하는 영역은, 제2 위치에서 상부 내벽(125b)에 접촉하는 접촉부(81A)를 구성한다. 접촉부(81A)는 탄성부재(813)를 통해서 X축 방향으로 탄성 변형 가능하게 구성된다.The conductive sheet 814 is made of a metal sheet long in the Y-axis direction fixed to the center of the opposing face 812 so as to cover the elastic member 813. [ The conductive sheet 814 is made of a metal plate having flexibility, and its peripheral edge portion is fixed to the opposite surface 812 through a plurality of fasteners such as screws. The region where the conductive sheet 814 covers the elastic member 813 constitutes the contact portion 81A that contacts the upper inner wall 125b at the second position. The contact portion 81A is configured to be elastically deformable in the X-axis direction through the elastic member 813. [

지지체(81)는 접촉부(81A)의 주위에 배치된 실링(815)을 추가로 구비한다. 실링(815)은 도전성 시트(814)을 둘러쌓도록 대향면(812)에 설치된다. 실링(815)은 제2 위치에서 상부 내벽(125b)과 탄성적으로 접촉함으로써, 접촉부(81A)를 막 형성실(11)로부터 차단한다. 이것에 의해 프로세스 가스나 그 반응 생성물의 접촉부(81A)로의 부착이 방지된다.The support 81 further has a seal 815 disposed around the contact portion 81A. A seal 815 is provided on the opposing face 812 so as to surround the conductive sheet 814. The sealing 815 elastically contacts the upper inner wall 125b at the second position to thereby block the contact portion 81A from the film formation chamber 11. [ This prevents adhesion of the process gas and its reaction product to the contact portion 81A.

도 14는 상기 포집부재의 부분 파단 사시도이다.14 is a partially cutaway perspective view of the collecting member.

포집부재(127)는 Y축 방향을 긴 변을 가지는 직육면체 형상의 금속 블록으로 구성된다. 지지체(81)가 제2 위치에 있을 때, 지지체(81)는 포집부재(127)의 포집면(127a)의 바로 위에 위치한다. 이것에 의해, 지지체(81)가 상부 내벽(125b)을 접했을 때에 발생하는 이물이 효율적으로 포집면(127a)에 포집된다.The collecting member 127 is composed of a rectangular parallelepiped-shaped metal block having a long side in the Y-axis direction. When the support 81 is in the second position, the support 81 is positioned just above the collecting surface 127a of the collecting member 127. [ As a result, foreign matter generated when the support body 81 contacts the upper inner wall 125b is efficiently trapped on the trapping surface 127a.

포집부재(127)는 예를 들면, 스테인리스강이나 알루미늄 합금 등으로 구성된다. 포집부재(127)의 고정방법은 특별하게 한정되지 않고, 예를 들면, 복수의 나사를 사용한 기계적 고정이 채용가능하다. 또, 도 13의 예에서는 포집부재(127)는 상부 내주면(123b)에 설치되어 있지만, 이 예에 제한되지 않는다. 예를 들면, 포집부재(127)는 상부 내벽(125b)에 장착될 수도 있다.The collecting member 127 is made of, for example, stainless steel or an aluminum alloy. The method of fixing the collecting member 127 is not particularly limited, and for example, mechanical fastening using a plurality of screws can be employed. In the example of Fig. 13, the collecting member 127 is provided on the upper inner peripheral surface 123b, but the present invention is not limited to this example. For example, the collecting member 127 may be mounted on the upper inner wall 125b.

도 15는 상기 포집부재의 변형예 부분 파단 사시도이다.15 is a partially broken perspective view of a modification of the collecting member.

또, 포집부재(127)의 상면측에는 오목부(127c)가 형성될 수 있다. 이러한 구성이라면 이물은 오목부(127c)에 더욱 효율적으로 포집된다.Also, a concave portion 127c may be formed on the upper surface side of the collecting member 127. With such a constitution, the foreign object is more efficiently captured in the concave portion 127c.

이상의 구성이라면, 리턴 전류 경로가 짧아지는 것 이외에, 지지체(81)가 제1 위치로부터 제3 위치를 경유해서 제2 위치로 이동한다. 이것에 의해, 지지체(81)는 포집부재(127)와는 접촉하지 않고, 해당 접촉을 기인으로 하는 더스트는 발생하지 않는다. 또, 도전성 시트(814)의 접촉부(81A)가 상부 내벽(125b)에 접촉하고, 더스트가 발생했다고 하더라도 지지체(81)가 상부 내벽(125b)을 접하는 부분의 바로 아래에 배치된 포집부재(127)에 의해, 이물(예를 들면, 더스트)이 포집부재(127) 상에 포집된다. 이것에 의해, 기판(W)에는 이물이 부착되기 더욱 어려워진다.In the above configuration, in addition to the shortening of the return current path, the support 81 moves from the first position to the second position via the third position. Thereby, the support 81 does not come in contact with the collecting member 127, and dust resulting from the contact does not occur. Even if the contact portion 81A of the conductive sheet 814 contacts the upper inner wall 125b and dust is generated, the supporting member 81 can be easily removed from the upper surface of the collecting member 127 (For example, dust) is collected on the collecting member 127 by the collecting member 127. This makes it more difficult for foreign substances to adhere to the substrate W.

도 16∼도 18은 상기 변형예의 구동계를 구비하는 플라즈마 처리장치의 변형예를 나타내는 개략 단면도이다. 도 16은 기판 반출입 시의 상태, 도 17은 기판반입으로부터 막 형성 전의 상태, 도 18은 막 형성 시의 상태를 각각 나타내고 있다.16 to 18 are schematic sectional views showing a modification of the plasma processing apparatus provided with the drive system of the modification. FIG. 16 shows the state at the time of substrate carry-in and out, FIG. 17 shows the state before film formation from the substrate carry-in, and FIG. 18 shows the state at film formation.

도 16에 나타내는 바와 같이 가동유닛(80)을 구비하는 플라즈마 처리장치에서는 측벽(122)의 내벽(125)에 오목부(125c)가 형성되어 있다. 오목부(125c)는 개구부(123)에 연통한다. 내벽(125)과 하부 내벽(125a)에는 단차가 형성되고, 내벽(125)과 상부 내벽(125b)에는 단차가 형성된다. 즉, 하부 내벽(125a) 및 상부 내벽(125b)는 오목부(125c)의 바닥부의 일부가 되어 있다.As shown in Fig. 16, in the plasma processing apparatus having the movable unit 80, the concave portion 125c is formed in the inner wall 125 of the side wall 122. [ The concave portion 125c communicates with the opening 123. A step is formed in the inner wall 125 and the lower inner wall 125a, and a step is formed in the inner wall 125 and the upper inner wall 125b. That is, the lower inner wall 125a and the upper inner wall 125b are part of the bottom of the recess 125c.

지지체(81)의 적어도 일부는 오목부(125c)에 수납된다. 지지체(81)는 퇴피부(V)에서 하부 내벽(125a)에 대향한다. 이 위치를 제1 위치로 한다. 지지체(81)가 제1 위치에 위치하고 있을 때, 지지체(81)는 하부 내벽(125a)과 비접촉 상태에 있다. 지지체(81)가 제1 위치에 위치하고 있을 때, 예를 들면, 스테이지(20)는 하강 위치에 위치하고 있다.At least a part of the support 81 is housed in the recess 125c. The support body 81 faces the lower inner wall 125a at the retracted skin V. [ This position is set as the first position. When the support 81 is located at the first position, the support 81 is not in contact with the lower inner wall 125a. When the support 81 is located at the first position, for example, the stage 20 is located at the lowered position.

도 17에는 지지체(81)가 제1 위치로부터 상부 내벽(125b)에 대향하는 위치로 이동한 후의 상태가 나타나 있다. 즉, 구동축(85b)이 구동원(85a)으로부터 성장하는 것에　의해, 지지체(81)가 제1 위치로부터 상부 내벽(125b)에 대향하는 위치로 이동한다. 이 지지체(81)의 위치를 제3 위치로 한다. 지지체(81)가 제3 위치에 위치하고 있을 때, 지지체(81)는 상부 내벽(125b)과 비접촉 상태에 있다. 또, 지지체(81)가 제3 위치에 위치하고 있을 때, 예를 들면, 스테이지(20)는 상승 위치에 위치하고 있다.Fig. 17 shows a state after the support 81 has moved from the first position to the position opposed to the upper inner wall 125b. That is, as the driving shaft 85b is grown from the driving source 85a, the supporting body 81 moves from the first position to the position facing the upper inner wall 125b. The position of the support 81 is set to the third position. When the support 81 is located at the third position, the support 81 is in non-contact with the upper inner wall 125b. When the support 81 is located at the third position, for example, the stage 20 is located at the raised position.

도 18에는 지지체(81)가 제3 위치로부터 상부 내벽(125b)에 접촉하는 위치까지 이동한 후의 상태가 나타나 있다. 지지체(81)에 지지된 제1 접지판(61)은 상부 내벽(125b)에 전기적으로 접속된다. 예를 들면, 제2 구동부(86)의 구동축(86b)이 구동원(86a)으로부터 연장되는 것에　의해, 구동축(86b)에 의해 X축 방향으로 밀린 제1 구동부(85)가 암(87)을 통해서 축부(88b)를 중심으로 회전한다. 이것에 의해, 구동축(85b)에 지지된 지지봉(83)이 제1 구동부(85)가 구동축(86b)에 의해 밀리는 방향과는 반대측으로 기울고, 지지체(81)가 상부 내벽(125b)에 접촉한다. 지지체(81)의 적어도 일부는 오목부(125c)에 수납된다. 이 지지체(81)의 위치를 제2 위치로 한다.Fig. 18 shows a state after the support 81 has moved from the third position to a position where it contacts the upper inner wall 125b. The first ground plate 61 supported by the support body 81 is electrically connected to the upper inner wall 125b. For example, since the drive shaft 86b of the second drive portion 86 extends from the drive source 86a, the first drive portion 85 pushed in the X-axis direction by the drive shaft 86b passes through the arm 87 And rotates about the shaft portion 88b. As a result, the supporting rod 83 supported by the driving shaft 85b is inclined to the opposite side from the direction in which the first driving portion 85 is pushed by the driving shaft 86b, and the supporting body 81 contacts the upper inner wall 125b . At least a part of the support 81 is housed in the recess 125c. The position of the support 81 is set to the second position.

이러한 구성이라면, 지지체(81)와 스테이지(20) 사이의 거리 및 지지봉(83)과 스테이지(20) 사이의 거리가 더욱 길어지고, 지지체(81), 지지봉(83), 및 스테이지(20)의 각각의 배치의 자유도가 증가한다. 또, 지지체(81)와 스테이지(20) 사이, 또는 지지봉(83)과 스테이지(20) 사이에 다른 부재를 배치하기 쉬워진다.The distance between the support 81 and the stage 20 and the distance between the support rod 83 and the stage 20 become longer and the distance between the support 81 and the support shaft 83 The degree of freedom of each arrangement increases. It is also easy to arrange other members between the support 81 and the stage 20 or between the support 83 and the stage 20. [

또, 이상의 실시예에서는 플라즈마 처리장치로서 플라즈마 CVD 장치를 예로 들어서 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 플라즈마 에칭장치나 플라즈마 도핑 장치 등의 다른 플라즈마 처리장치에도 본 발명은 적용 가능하다.In the above embodiments, a plasma CVD apparatus is described as an example of a plasma processing apparatus. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to other plasma processing apparatuses such as a plasma etching apparatus and a plasma doping apparatus.

10: 진공 챔버 11: 막 형성실
12: 챔버 본체 13: 고주파 전극
14: 절연부재 15: 실드커버
20: 스테이지 21: 지지면
22: 승강축 23: 구동원
30: 고주파 전극 31: 전극 플랜지
32: 샤워 플레이트 41: 매칭 박스
42: 고주파 전원 43: 가스도입 라인
51: 도어밸브 60: 접지부재
61: 제1 접지판 62: 제2 접지판
70: 가동유닛 71, 171, 271: 지지체
71A: 접촉부 72: 구동원
73: 구동축 80: 가동유닛
81: 지지체 81A: 접촉부
83: 지지봉 84: 튜브
85: 제1 구동부 85a: 구동원
85b: 구동축 86: 제2 구동부
86a: 구동원 86b: 구동축
87: 암 87a: 암부
87b: 암부 88a, 89a: 고정부재
88b, 89b: 축부 90: 컨트롤러
121: 바닥부 122: 측벽
122a: 측벽부 122b: 측벽부
123, 124: 개구부 123a: 하부 내주면
123b: 상부 내주면 125: 내벽
125a: 하부 내벽 125b: 상부 내벽
125c: 오목부 127: 포집부재
127a: 포집면 127c: 오목부
171: 지지체 271: 지지체
311: 공간부 600: 가요성 금속판
601: 단부 602: 단부
710, 810: 금속 블록 711, 811: 지지면
712, 812: 대향면 713, 813: 탄성부재
714, 814: 도전성 시트 715, 815: 실링
100: 플라즈마 처리장치10: vacuum chamber 11: film forming chamber
12: chamber body 13: high frequency electrode
14: Insulation member 15: Shield cover
20: stage 21: support surface
22: lifting shaft 23: driving source
30: high-frequency electrode 31: electrode flange
32: shower plate 41: matching box
42: high-frequency power source 43: gas introduction line
51: Door valve 60: Grounding member
61: first ground plate 62: second ground plate
70: movable unit 71, 171, 271:
71A: contact portion 72: driving source
73: drive shaft 80: movable unit
81: Support 81A:
83: support rod 84: tube
85: first driving part 85a: driving source
85b: drive shaft 86: second drive part
86a: drive source 86b: drive shaft
87: arm 87a:
87b: arm portions 88a, 89a: fixing member
88b, 89b: shaft portion 90: controller
121: bottom portion 122: side wall
122a: side wall portion 122b:
123, 124: opening 123a: lower inner peripheral surface
123b: upper inner circumferential surface 125: inner wall
125a: lower inner wall 125b: upper inner wall
125c: concave portion 127: collecting member
127a: collecting surface 127c: concave portion
171: Support body 271: Support body
311: Space part 600: Flexible metal plate
601: end portion 602: end portion
710, 810: metal block 711, 811: supporting surface
712, 812: opposing faces 713, 813: elastic members
714, 814: conductive sheet 715, 815: sealing
100: Plasma processing device

Claims (10)

기판이 통과 가능한 개구부를 일부에 포함하는 측벽을 가지는 챔버 본체와,
상기 기판을 지지할 수 있는 지지면을 가지고, 상기 챔버 본체의 내부에 설치된 스테이지와,
상기 지지면과 대향해서 배치되고, 프로세스 가스의 플라즈마를 발생시키는 것이 가능한 고주파 전극과,
상기 스테이지의 주위에 배치되고, 상기 측벽과 상기 스테이지 사이를 전기적으로 접속하는 복수의 접지부재와,
상기 복수의 접지부재 일부인 제1 접지부재를 지지하는 지지체를 가지고, 상기 제1 접지부재가 상기 개구부를 사이에 두고 상기 개구부의 내주면에 대향하는 제1 위치와 상기 제1 접지부재가 상기 내주면에 전기적으로 접속되는 제2 위치 사이에서 상기 지지체를 상기 지지면과 직교하는 축 방향으로 이동시키는 것이 가능한 가동유닛을 구비하는 플라즈마 처리장치.A chamber body having a side wall including a part through which the substrate can pass,
A stage provided inside the chamber body and having a support surface capable of supporting the substrate,
A high frequency electrode disposed opposite to the support surface and capable of generating a plasma of a process gas,
A plurality of ground members disposed around the stage and electrically connecting the side walls and the stage,
Wherein the first grounding member has a first position in which the first grounding member faces the inner circumferential surface of the opening with the opening therebetween, and a second position in which the first grounding member is electrically connected to the inner circumferential surface And a movable unit which is capable of moving the support in an axial direction orthogonal to the support surface. 제1 항에 있어서, 상기 지지체는 상기 제2 위치에 있어서 상기 내주면에 접촉하는 도전성의 접촉부를 가지고, 상기 접촉부는 상기 축 방향으로 탄성 변형 가능하게 구성되는 플라즈마 처리장치.The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the support has a conductive contact portion contacting the inner circumferential surface at the second position, and the contact portion is elastically deformable in the axial direction. 제2 항에 있어서, 상기 지지체는 상기 접촉부의 주위에 배치되어 상기 제2 위치에 있어서 상기 내주면과 탄성적으로 접촉하는 실링을 추가로 가지는 플라즈마 처리장치.3. The plasma processing apparatus according to claim 2, wherein the support further has a seal disposed around the contact portion and resiliently contacting the inner circumferential surface at the second position. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지체는 금속제의 블록으로 구성되는 플라즈마 처리장치.4. The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the support comprises a metal block. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 위치는 상기 복수의 접지부재의 다른 일부인 제2 접지부재의 상기 측벽과의 접속 위치에서의 상기 챔버 본체의 바닥부로부터의 높이와, 실질적으로 동일한 높이로 설정되는 플라즈마 처리장치.5. The apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the second position is a height from a bottom of the chamber body at a connecting position of the second grounding member, which is another part of the plurality of grounding members, with the side wall Is set to substantially the same height. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스테이지는 상기 축 방향을 따라서 이동 가능하게 구성되고, 상기 복수의 접지부재는 상기 측벽에 접속되는 제1 단부와 상기 스테이지에 접속되는 제2 단부를 각각 가지는 복수의 가요성 금속판으로 구성되는 플라즈마 처리장치.6. The apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the stage is configured to be movable along the axial direction, the plurality of ground members having a first end connected to the sidewall and a second end connected to the stage, And a plurality of flexible metal plates each having an end portion. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지체는 상기 개구부의 길이방향을 따라서 연장되는 직육면체 형상을 가지고,
상기 제1 접지부재는 상기 길이방향으로 간격을 두고 배열된 복수의 도체부를 포함하는 플라즈마 처리장치.7. The display device according to any one of claims 1 to 6, wherein the support has a rectangular parallelepiped shape extending along the longitudinal direction of the opening,
Wherein the first grounding member comprises a plurality of conductor portions arranged at intervals in the longitudinal direction. 기판이 통과 가능하고 제1 내주면과 상기 제1 내주면에 대향하는 제2 내주면을 가지는 개구부를 일부에 포함하는 측벽을 가지는 챔버 본체와,
상기 기판을 지지할 수 있는 지지면을 가지고, 상기 챔버 본체의 내부에 설치된 스테이지와,
상기 지지면과 대향해서 배치되고, 프로세스 가스의 플라즈마를 발생시키는 것이 가능한 고주파 전극과,
상기 스테이지의 주위에 배치되고, 상기 측벽과 상기 스테이지 사이를 전기적으로 접속하는 복수의 접지부재와,
상기 복수의 접지부재 일부인 제1 접지부재를 지지하는 지지체를 가지고, 상기 지지체가 상기 제1 내주면에 연속해 있는 상기 측벽의 제1 내벽에 대향하는 제1 위치와 상기 지지체가 상기 제2 내주면에 연속해 있는 상기 측벽의 제2 내벽에 전기적으로 접속되는 제2 위치 사이에서 상기 지지체를 이동시키는 것이 가능한 가동유닛과,
상기 지지체가 상기 제2 내벽에 접하는 부분의 바로 아래에 배치된 포집부재를 구비하는 플라즈마 처리장치.A chamber body having a side wall including a part of an opening having a first inner circumferential surface and a second inner circumferential surface opposed to the first inner circumferential surface,
A stage provided inside the chamber body and having a support surface capable of supporting the substrate,
A high frequency electrode disposed opposite to the support surface and capable of generating a plasma of a process gas,
A plurality of ground members disposed around the stage and electrically connecting the side walls and the stage,
A support member for supporting a first ground member which is a part of the plurality of ground members, the support member having a first position opposed to a first inner wall of the side wall continuous with the first inner circumferential surface, And a second position electrically connected to a second inner wall of the side wall,
And a collecting member disposed immediately below a portion of the support body contacting the second inner wall. 제8 항에 있어서, 상기 가동유닛은 상기 제2 내벽에 대향하는 제3 위치와 상기 제1 위치 사이에서 상기 지지체를 이동시키는 제1 구동부와, 상기 제3 위치와 상기 제2 위치 사이에서 상기 지지체를 이동시키는 제2 구동부를 가지는 플라즈마 처리장치.9. The apparatus according to claim 8, wherein the movable unit comprises: a first driving part for moving the support between a third position facing the second inner wall and the first position; and a second driving part for moving the support between the third position and the second position. And a second driving unit for moving the plasma. 제8 항 또는 제9 항에 있어서, 상기 측벽의 내벽에는 상기 개구부에 연통하는 오목부가 형성되고,
상기 제1 내벽 및 상기 제2 내벽은 상기 오목부의 바닥부의 일부인 플라즈마 처리장치.10. The semiconductor device according to claim 8 or 9, wherein an inner wall of the side wall is formed with a recessed portion communicating with the opening,
Wherein the first inner wall and the second inner wall are part of a bottom portion of the concave portion.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210043181A (en) * 2019-10-11 2021-04-21 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110416046B (en) * 2018-04-27 2022-03-11 中微半导体设备(上海)股份有限公司 Capacitive coupling plasma processing system with adjustable polar plate distance and method thereof
JP7186393B2 (en) * 2018-12-06 2022-12-09 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing equipment
KR102533089B1 (en) * 2018-12-20 2023-05-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. stage device
JP7245107B2 (en) * 2019-04-23 2023-03-23 株式会社アルバック Plasma processing equipment
CN114008755A (en) 2019-04-29 2022-02-01 应用材料公司 Grounding band component
US20230243035A1 (en) * 2022-01-28 2023-08-03 Applied Materials, Inc. Ground return for thin film formation using plasma
CN115881506B (en) * 2023-03-02 2023-06-27 深圳市新凯来技术有限公司 Plasma adjusting device and semiconductor etching equipment

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010079756A1 (en) 2009-01-09 2010-07-15 株式会社アルバック Plasma processing apparatus
KR20110123762A (en) * 2009-02-04 2011-11-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ground return for plasma processes
KR20150083142A (en) * 2008-02-08 2015-07-16 램 리써치 코포레이션 A protective coating for a plasma processing chamber part and a method of use

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7884025B2 (en) * 2007-01-30 2011-02-08 Applied Materials, Inc. Plasma process uniformity across a wafer by apportioning ground return path impedances among plural VHF sources
KR101641130B1 (en) * 2008-10-09 2016-07-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Rf return path for large plasma processing chamber
WO2010132716A2 (en) * 2009-05-13 2010-11-18 Applied Materials, Inc. Anodized showerhead
JP5375763B2 (en) * 2010-07-27 2013-12-25 三菱電機株式会社 Plasma device and semiconductor thin film manufacturing method using the same
TW201324818A (en) * 2011-10-21 2013-06-16 Applied Materials Inc Method and apparatus for fabricating silicon heterojunction solar cells
CN103871819A (en) * 2012-12-12 2014-06-18 应用材料公司 Large-size chamber for forming HJT of high uniformity

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150083142A (en) * 2008-02-08 2015-07-16 램 리써치 코포레이션 A protective coating for a plasma processing chamber part and a method of use
WO2010079756A1 (en) 2009-01-09 2010-07-15 株式会社アルバック Plasma processing apparatus
KR20110123762A (en) * 2009-02-04 2011-11-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ground return for plasma processes
JP5883652B2 (en) 2009-02-04 2016-03-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ High frequency return device and plasma processing system for plasma processing chamber

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210043181A (en) * 2019-10-11 2021-04-21 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate

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