KR20190001171A - Semiconductor wafer protective film for dicing process and method of preparing the same - Google Patents

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Abstract

Disclosed are a semiconductor wafer protection film for a dicing process and a manufacturing method thereof. The semiconductor wafer protection film includes an adhesion layer, having a tack of 100 to 200 gf before ultraviolet-ray curing and that of 3 to 20 gf after the ultraviolet-ray curing at a temperature of 25°C, and having a tack of 3 to 30 gf after the ultraviolet-ray curing at a temperature of 50°C.

Description

다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름 및 이의 제조방법{Semiconductor wafer protective film for dicing process and method of preparing the same}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor wafer protective film for a dicing process and a method of manufacturing the same,

다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름 및 이의 제조방법에 관한 것이다.A semiconductor wafer protective film for a dicing process and a manufacturing method thereof.

반도체 패키지 공정에서 다이의 미세패턴의 불량을 유발하는 주요인자중 하나는 반도체 웨이퍼 다이싱 공정이다. 따라서 박형 웨이퍼에 적용할 수 있고 다이의 미세 정밀 패턴의 불량율을 감소시키기 위하여, 다이싱 공정에서 웨이퍼 표면을 보호할 수 있는 필름이 요구된다.One of the main factors that cause defects in the fine patterns of the die in the semiconductor package process is the semiconductor wafer dicing process. Therefore, there is a demand for a film that can be applied to thin wafers and can protect the wafer surface in the dicing process in order to reduce the defect rate of the fine fine pattern of the die.

일반적으로 반도체 웨이퍼 다이싱 공정에서 반도체 웨이퍼를 지지하고 다이싱에 의한 다이의 칩 플라이 또는 크랙과 같은 문제를 방지하기 위하여 웨이퍼 배면에 접착필름과 다이싱 필름이 일체화된 반도체용 접착필름이 사용되고 있다.In general, in order to support a semiconductor wafer in a semiconductor wafer dicing process and prevent problems such as chip ply or crack of the die due to dicing, an adhesive film for semiconductor in which an adhesive film and a dicing film are integrated is used on the back surface of the wafer.

그러나 이러한 일체화된 반도체용 접착필름에도 반도체 웨이퍼 표면, 예를 들어 회로 또는 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼 표면은 다이싱 공정에서 블레이드 및 레이저에 노출되어 표면의 오염 및 불량이 유발되는 문제점이 있다.However, also in such an integrated semiconductor adhesive film, the surface of a semiconductor wafer, for example, a surface of a semiconductor wafer on which a circuit or a pattern is formed, is exposed to blades and a laser in a dicing process to cause contamination and defective surface.

따라서 이러한 문제점을 해결하기 위한 신규한 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름 및 상기 이의 제조방법에 대한 요구가 여전히 있다.Therefore, there is still a need for a novel semiconductor wafer protective film for dicing process and a method for manufacturing the same, for solving such problems.

일 측면은 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물을 포함하고, 25℃에서 자외선 경화 전 100 내지 200gf 및 자외선 경화 후 3 내지 20gf의 택(tack)을 갖고, 50℃에서 자외선 경화 후 3 내지 30gf의 택(tack)을 갖는 점착층을 포함하는 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름을 제공하는 것이다.A side surface comprises a composition for forming an ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive layer, and has a tack of 100 to 200 gf before UV curing at 25 ° C and 3 to 20 gf after UV curing, and 3 to 30 gf after UV curing at 50 ° C The present invention also provides a semiconductor wafer protective film for a dicing process which comprises a pressure-sensitive adhesive layer having a tack.

다른 측면은 상기 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 제조방법을 제공하는 것이다.Another aspect of the present invention provides a method of manufacturing the semiconductor wafer protective film for dicing.

일 측면에 따라,According to one aspect,

기재필름; A base film;

상기 기재필름의 적어도 일 면에 배치된 점착층; 및An adhesive layer disposed on at least one surface of the base film; And

상기 점착층의 일 면에 배치된 박리 가능한 보호필름:을 포함하고,And a peelable protective film disposed on one side of the adhesive layer,

상기 점착층은 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물을 포함하고,Wherein the pressure-sensitive adhesive layer comprises a composition for forming an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer,

상기 점착층은 25℃에서 자외선 경화 전 100 내지 200gf 및 자외선 경화 후 3 내지 20gf의 택(tack)을 갖고, 50℃에서 자외선 경화 후 3 내지 30gf의 택(tack)을 갖는 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름이 제공된다.The adhesive layer has a tack of 100 to 200 gf before ultraviolet curing at 25 占 폚 and a tack of 3 to 20 gf after ultraviolet curing and has a tack of 3 to 30 gf after ultraviolet curing at 50 占 폚, A protective film is provided.

다른 측면에 따라,According to another aspect,

기재필름의 적어도 일 면에 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물을 도포하는 단계; Applying a composition for forming an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer on at least one surface of a base film;

상기 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물이 도포된 기재필름을 건조하여 점착층을 형성하는 단계; 및 Drying the base film coated with the composition for forming an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer to form an adhesive layer; And

상기 점착층의 일면에 박리 가능한 보호필름을 합지하고 자외선을 조사하여 전술한 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름을 제조하는 단계;를 포함하는 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 제조방법이 제공된다.And a step of laminating a peelable protective film on one surface of the adhesive layer and irradiating ultraviolet rays to the protective film for semiconductor wafer for dicing process, thereby manufacturing a semiconductor wafer protective film for a dicing process.

일 측면에 따른 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름은 반도체 웨이퍼 표면을 보호하여 오염 또는 이물 유입 불량 발생율을 낮추며 자외선 경화 후 용이하게 제거할 수 있고 박리시 정전기에 의한 반도체 패턴 쇼트 현상이 발생하지 않을 수 있다. 또한 일 측면에 따른 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 제조방법은 공정 안정성 및 공정 수율을 높일 수 있다.According to one aspect of the present invention, there is provided a semiconductor wafer protective film for a dicing process, which protects the surface of a semiconductor wafer to reduce the occurrence of contamination or faulty foreign matter inflow and can be easily removed after UV curing, have. In addition, the method for manufacturing a semiconductor wafer protective film for dicing according to one aspect can increase process stability and process yield.

도 1은 일 구현예에 따른 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 단면 모식도이다.
도 2 내지 도 4는 각각 실시예 1, 실시예 2, 비교예 3에 의해 제조된 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 광학사진이다.1 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor wafer protective film for a dicing process according to an embodiment.
Figs. 2 to 4 are optical photographs of the semiconductor wafer protective film for dicing process manufactured in Examples 1, 2, and 3, respectively.

이하, 본 발명의 실시예와 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 예시적으로 제시한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가지는 자에 있어서 자명할 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments and drawings of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that these embodiments are provided by way of illustration only for the purpose of more particularly illustrating the present invention and that the scope of the present invention is not limited by these embodiments .

달리 정의하지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야의 숙련자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 상충되는 경우, 정의를 포함하는 본 명세서가 우선할 것이다.Unless otherwise defined, all technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. In case of conflict, the present specification, including definitions, will control.

본 명세서에서 설명되는 것과 유사하거나 동등한 방법 및 재료가 본 발명의 실시 또는 시험에 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료가 본 명세서에 기재된다.Although methods and materials similar or equivalent to those described herein can be used in the practice or testing of the present invention, suitable methods and materials are described herein.

본 명세서에서 "포함"이라는 용어는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 추가 또는/및 개재할 수 있음을 나타내도록 사용된다. The term "comprising" is used herein to indicate that it is possible to add and / or intervene other elements, not to exclude other elements unless specifically stated otherwise.

일반적으로 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 표면을 보호하기 위한 보호필름의 점착층은 점착층 형성용 조성물을 포함할 수 있는데, 상기 점착층 형성용 조성물은 자외선(UV) 경화형 점착층 형성용 조성물과 비자외선(non-UV) 경화형 점착층 형성용 조성물로 분류될 수 있다. Generally, the adhesive layer of the protective film for protecting the surface of the semiconductor wafer for the dicing process may include a composition for forming an adhesive layer, wherein the composition for forming an adhesive layer includes a composition for forming an ultraviolet (UV) (non-UV) curable pressure-sensitive adhesive layer.

이 중에서, 자외선(UV) 경화형 점착층 형성용 조성물을 포함하는 점착층을 포함한 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름은 자외선 조사 전 반도체 웨이퍼와의 높은 점착력을 유지할 수 있다. 이로 인해, 상기 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름은 반도체 웨이퍼와 우수한 계면 밀착력을 가질 수 있고, 반도체 웨이퍼와 라미네이션(lamination) 공정시 상기 반도체 웨이퍼로부터 용이하게 박리되거나 또는/및 라미네이션 불량이 발생하지 않을 수 있다. 또한 상기 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름은 다이싱 공정시 투입되는 절삭수(水)에 의해 수침(水浸)을 받아 반도체 웨이퍼와 탈리를 유발하는 문제도 발생하지 않을 수 있다. 또한 상기 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름은 비자외선(non-UV) 경화형 점착층 형성용 조성물을 포함하는 점착층을 포함한 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름과 비교하여, 자외선 조사 후에는 점착력이 낮아지기 때문에 반도체 웨이퍼로부터 용이하게 박리될 수 있으며, 상기 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 점착층에 포함된 자외선(UV) 경화형 점착층 형성용 조성물의 잔사를 남기지 않을 수 있다.Among them, the semiconductor wafer protective film for dicing process including the adhesive layer containing the composition for forming an ultraviolet (UV) curable pressure-sensitive adhesive layer can maintain a high adhesive force with the semiconductor wafer before ultraviolet ray irradiation. Therefore, the semiconductor wafer protective film for dicing process can have a good interfacial adhesion with the semiconductor wafer, and can be easily peeled off from the semiconductor wafer during the semiconductor wafer and lamination process, and / or the lamination defect does not occur . Furthermore, the semiconductor wafer protective film for dicing may not be soaked with water as it is fed during the dicing process. In addition, the semiconductor wafer protective film for dicing process is superior to the semiconductor wafer protective film for dicing process including the adhesive layer comprising the composition for forming a non-UV (non-UV) curable pressure-sensitive adhesive layer, It can be easily peeled off from the semiconductor wafer and the residue of the composition for forming an ultraviolet (UV) curing type adhesive layer contained in the adhesive layer of the semiconductor wafer protective film for dicing can be left.

그러나 상기 자외선(UV) 경화형 점착층 형성용 조성물을 포함하는 점착층을 포함하는 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름은 자외선 조사 공정이 추가로 필요하며, 반도체 장비특성 및 자외선 램프의 사용시간에 따른 광에너지량의 차이로 인해 작업성이 영향을 받을 수 있다. 이와 비교하여, 상기 비자외선(non-UV) 경화형 점착층 형성용 조성물을 포함하는 점착층을 포함하는 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름은 자외선 조사 공정이 필요하지 않아 공정이 단축될 수 있으나 반도체 웨이퍼와의 라미네이션 공정시 반도체 웨이퍼와 낮은 계면 밀착력을 가질 수 있고, 상기 반도체 웨이퍼로부터 용이하게 박리되거나 또는/및 라미네이션 불량이 발생할 수 있다.However, the semiconductor wafer protective film for the dicing process including the adhesive layer including the composition for forming an ultraviolet (UV) curable pressure-sensitive adhesive layer further needs an ultraviolet ray irradiation process, Workability may be affected by differences in energy amount. In comparison, the semiconductor wafer protective film for a dicing process including the adhesive layer comprising the composition for forming a non-UV curable adhesive layer can be omitted because the ultraviolet ray irradiation process is not required, Can have a low interfacial adhesion with the semiconductor wafer during the lamination process with the semiconductor wafer, and can be easily peeled off from the semiconductor wafer and / or a lamination failure can occur.

최근 반도체 패키지의 경박 단소화(light weight short small)를 위해 반도체 웨이퍼의 두께는 얇아지며 패턴 역시 복잡해지고 있다. 이에 따라 반도체 웨이퍼로부터 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 박리시 발생하는 정전기가 소자에 영향을 미치는 영향이 커지고 있다. 예를 들어, 다이싱 공정시 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름을 박리하면서 발생하는 미세 정전기에 의해 웨이퍼 패턴 쇼트현상이 발생할 수 있고, 패턴 표면에 이물이 유입되어 불량이 발생할 수 있다.In recent years, the thickness of semiconductor wafers has become thinner and the patterns have become complicated because of the light weight short size of semiconductor packages. As a result, the influence of static electricity generated upon peeling of the semiconductor wafer protective film for dicing process from the semiconductor wafer to the device is increasing. For example, during the dicing process, the wafer pattern short-circuit phenomenon may occur due to micro-static electricity generated when the semiconductor wafer protective film for dicing process is peeled off, and foreign matter may flow into the surface of the pattern to cause defects.

본 발명의 발명자들은 상기 문제점을 해결하고자 다음과 같은 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름을 제안하고자 한다.The inventors of the present invention intend to propose the following semiconductor wafer protective film for dicing process in order to solve the above problems.

일 구현예에 따른 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름은 기재필름; 상기 기재필름의 적어도 일 면에 배치된 점착층; 및 상기 점착층의 일면에 배치된 박리 가능한 보호필름:을 포함하고, 상기 점착층은 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물을 포함하고, 상기 점착층은 25℃에서 자외선 경화 전 100 내지 200gf 및 자외선 경화 후 3 내지 20gf의 택(tack)을 갖고, 50℃에서 자외선 경화 후 3 내지 30gf의 택(tack)을 가질 수 있다.According to an embodiment, the semiconductor wafer protective film for dicing includes a base film; An adhesive layer disposed on at least one surface of the base film; And a peelable protective film disposed on one side of the adhesive layer, wherein the adhesive layer comprises a composition for forming an ultraviolet curable adhesive layer, wherein the adhesive layer has a thickness of 100 to 200 gf before ultraviolet curing at 25 DEG C, It has a tack of 3 to 20 gf and can have a tack of 3 to 30 gf after UV curing at 50 占 폚.

예를 들어, 상기 점착층은 25℃에서 자외선 경화 전 110 내지 190gf 및 자외선 경화 후 5 내지 18gf의 택(tack)을 갖고, 50℃에서 자외선 경화 후 5 내지 28gf의 택(tack)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층은 25℃에서 자외선 경화 전 120 내지 180gf 및 자외선 경화 후 6 내지 17gf의 택(tack)을 갖고, 50℃에서 자외선 경화 후 7 내지 25gf의 택(tack)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층은 25℃에서 자외선 경화 전 130 내지 170gf 및 자외선 경화 후 7 내지 16gf의 택(tack)을 갖고, 50℃에서 자외선 경화 후 10 내지 22gf의 택(tack)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층은 25℃에서 자외선 경화 전 130 내지 160gf 및 자외선 경화 후 7 내지 15gf의 택(tack)을 갖고, 50℃에서 자외선 경화 후 11 내지 20gf의 택(tack)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층은 25℃에서 자외선 경화 전 130 내지 160gf 및 자외선 경화 후 7 내지 12gf의 택(tack)을 갖고, 50℃에서 자외선 경화 후 11 내지 18gf의 택(tack)을 가질 수 있다.For example, the adhesive layer may have a tack of 110 to 190 gf before UV curing at 25 ° C and a tack of 5 to 18 gf after UV curing, and a tack of 5 to 28 gf after UV curing at 50 ° C . For example, the adhesive layer may have a tack of 120 to 180 gf before UV curing at 25 ° C and a tack of 6 to 17 gf after UV curing, and a tack of 7 to 25 gf after UV curing at 50 ° C . For example, the pressure-sensitive adhesive layer may have a tack of 130 to 170 gf before ultraviolet curing at 25 ° C and a tack of 7 to 16 gf after ultraviolet curing, and a tack of 10 to 22 gf after ultraviolet curing at 50 ° C . For example, the adhesive layer may have a tack of 130 to 160 gf before UV curing at 25 ° C and a tack of 7 to 15 gf after UV curing, and a tack of 11 to 20 gf after UV curing at 50 ° C . For example, the adhesive layer may have a tack of 130 to 160 gf before UV curing at 25 ° C and a tack of 7 to 12 gf after UV curing, and a tack of 11 to 18 gf after UV curing at 50 ° C .

예를 들어, 도 1은 일 구현예에 따른 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 단면 모식도이다.For example, FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor wafer protective film for a dicing process according to an embodiment.

도 1에서 보이는 바와 같이, 일 구현예에 따른 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름(10)은 기재필름(1)의 일 면에 점착층(2)이 배치되어 있고, 점착층(2)의 일 면에 박리 가능한 보호필름(3)이 배치되어 있는 적층 구조로 이루어져 있다.1, the semiconductor wafer protective film 10 for a dicing process according to an embodiment has an adhesive layer 2 disposed on one surface of a base film 1, And a protective film (3) capable of being peeled off from the surface.

일 구현예에 따른 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름(10)은 자외선 조사 후 상온 또는/및 고온, 예를 들어 50℃에서 상기 범위 내의 택(tack)을 가져 반도체, 예를 들어 반도체 웨이퍼로부터 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름(10)의 제거시 상기 반도체 웨이퍼 표면에 손상을 유발하지 않을 수 있다. 또한 상기 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름(10)은 반도체 웨이퍼와 라미네이션 공정시 라미네이션 불량이 발생하지 않을 수 있다.The semiconductor wafer protective film 10 for a dicing process according to an embodiment has a tack within the above range at normal temperature and / or high temperature, for example, 50 占 폚 after ultraviolet irradiation, The surface of the semiconductor wafer may not be damaged when the semiconductor wafer protective film 10 for the first process is removed. Further, the semiconductor wafer protective film 10 for the dicing process may not cause defective lamination during the lamination process with the semiconductor wafer.

일 구현예에 따른 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름(10)의 점착층(2)은 자외선 경화 후 100℃에서 5 내지 50gf의 택(tack)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층(2)은 자외선 경화 후 100℃에서 10 내지 47gf의 택(tack)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층(2)은 자외선 경화 후 100℃에서 15 내지 46gf의 택(tack)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층(2)은 자외선 경화 후 100℃에서 20 내지 46gf의 택(tack)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층(2)은 자외선 경화 후 100℃에서 25 내지 45gf의 택(tack)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층(2)은 자외선 경화 후 100℃에서 30 내지 44gf의 택(tack)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층(2)은 자외선 경화 후 100℃에서 35 내지 43gf의 택(tack)을 가질 수 있다. 이로 인해, 상기 점착층(2)을 포함하는 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름(10)은 100℃의 고온에서도 반도체 웨이퍼와의 라미네이션 공정 및 반도체 웨이퍼로부터 제거시 불량 발생이 최소화되며 반도체 웨이퍼 표면이 거의 손상되지 않고 양호한 상태로 보호될 수 있다.The adhesive layer 2 of the semiconductor wafer protective film 10 for dicing process according to one embodiment may have a tack of 5 to 50 gf at 100 DEG C after ultraviolet curing. For example, the adhesive layer 2 may have a tack of 10 to 47 gf at 100 DEG C after UV curing. For example, the adhesive layer 2 may have a tack of 15 to 46 gf at 100 DEG C after ultraviolet curing. For example, the adhesive layer 2 may have a tack of 20 to 46 gf at 100 DEG C after ultraviolet curing. For example, the adhesive layer 2 may have a tack of 25 to 45 gf at 100 DEG C after ultraviolet curing. For example, the adhesive layer 2 may have a tack of 30 to 44 gf at 100 DEG C after ultraviolet curing. For example, the adhesive layer 2 may have a tack of 35 to 43 gf at 100 DEG C after ultraviolet curing. Therefore, even when the semiconductor wafer protective film 10 for dicing process including the adhesive layer 2 is laminated with the semiconductor wafer at a high temperature of 100 ° C or when the semiconductor wafer is removed from the semiconductor wafer, It can be protected in a good condition with little damage.

상기 점착층(2)은 5 내지 50㎛의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층(2)은 6 내지 45㎛의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층(2)은 7 내지 40㎛의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층(2)은 8 내지 35㎛의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층(2)은 9 내지 31㎛의 두께를 가질 수 있다. 상기 범위 내의 두께를 갖는 점착층(2)은 자외선 조사 전·후 상온에서 적절한 박리강도 및 자외선 조사 전·후 상온 및 고온(50℃, 100℃)에서 적절한 택(tack)을 가져 반도체 패키지 쏘잉(sawing) 공정시 이를 포함하는 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름(10)과 반도체 웨이퍼와의 밀착력이 우수하며, 반도체 웨이퍼 링과의 지지가 용이하다. 또한 상기 반도체 웨이퍼로부터 상기 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름(10)의 제거가 용이하여 반도체 웨이퍼 표면에 손상을 줄 확률이 줄어들 수 있다.The adhesive layer 2 may have a thickness of 5 to 50 탆. For example, the adhesive layer 2 may have a thickness of 6 to 45 탆. For example, the adhesive layer 2 may have a thickness of 7 to 40 탆. For example, the adhesive layer 2 may have a thickness of 8 to 35 탆. For example, the adhesive layer 2 may have a thickness of 9 to 31 탆. The pressure-sensitive adhesive layer 2 having a thickness within the above range has an appropriate tack strength at room temperature before and after ultraviolet irradiation and at a normal temperature and a high temperature (50 캜 and 100 캜) before and after irradiation with ultraviolet rays, the adhesion between the semiconductor wafer protective film 10 for a dicing process and the semiconductor wafer including the semiconductor wafer wafer during the sawing process is excellent and it is easy to support the semiconductor wafer wafer. Also, the semiconductor wafer protective film 10 for dicing can be easily removed from the semiconductor wafer, and the probability of damaging the surface of the semiconductor wafer can be reduced.

상기 점착층(2)은 25℃에서 자외선 경화 전 100 내지 300g/inch 및 자외선 경화 후 5 내지 20g/inch의 박리강도를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층(2)은 자외선 경화 전 110 내지 290g/inch 및 자외선 경화 후 6 내지 19g/inch의 박리강도를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층(2)은 자외선 경화 전 120 내지 280g/inch 및 자외선 경화 후 7 내지 18g/inch의 박리강도를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층(2)은 자외선 경화 전 130 내지 270g/inch 및 자외선 경화 후 8 내지 17g/inch의 박리강도를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층(2)은 자외선 경화 전 140 내지 260g/inch 및 자외선 경화 후 9 내지 16g/inch의 박리강도를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층(2)은 자외선 경화 전 140 내지 250g/inch 및 자외선 경화 후 10 내지 15g/inch의 박리강도를 가질 수 있다. 상기 점착층(2)은 상기 범위 내의 박리강도를 가짐으로써 다이싱 공정 완료 후 자외선 조사한 후에도 상기 점착층(2)을 포함하는 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름(10)의 제거가 용이하며 반도체 웨이퍼 표면의 손상이 최소화될 수 있다.The adhesive layer 2 may have a peel strength of from 100 to 300 g / inch before UV curing and from 5 to 20 g / inch after UV curing at 25 ° C. For example, the adhesive layer 2 may have a peel strength of 110 to 290 g / inch before ultraviolet curing and 6 to 19 g / inch after ultraviolet curing. For example, the adhesive layer 2 may have a peel strength of 120 to 280 g / inch before ultraviolet curing and 7 to 18 g / inch after ultraviolet curing. For example, the adhesive layer 2 may have a peel strength of 130 to 270 g / inch before ultraviolet curing and 8 to 17 g / inch after ultraviolet curing. For example, the adhesive layer 2 may have a peel strength of 140 to 260 g / inch before ultraviolet curing and 9 to 16 g / inch after ultraviolet curing. For example, the adhesive layer 2 may have a peel strength of 140 to 250 g / inch before ultraviolet curing and 10 to 15 g / inch after ultraviolet curing. Since the adhesive layer 2 has the peeling strength within the above range, it is easy to remove the semiconductor wafer protective film 10 for dicing process including the adhesive layer 2 even after ultraviolet irradiation after the completion of the dicing process, Damage to the surface can be minimized.

상기 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물은 열경화성 아크릴 수지 100 중량부를 기준으로 하여 1 내지 10 중량부의 자외선 경화형 에폭시 수지, 3 내지 30 중량부의 경화제, 0.5 내지 10 중량부의 광개시제, 및 5 내지 10 중량부의 대전방지 첨가제를 포함할 수 있다.The composition for forming an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer comprises 1 to 10 parts by weight of an ultraviolet curable epoxy resin, 3 to 30 parts by weight of a curing agent, 0.5 to 10 parts by weight of a photoinitiator, and 5 to 10 parts by weight of an antistatic Additives.

상기 열경화성 아크릴 수지는 예를 들어, 열경화성 아크릴 단량체를 중합 또는 공중합한 수지일 수 있다.The thermosetting acrylic resin may be, for example, a resin obtained by polymerizing or copolymerizing a thermosetting acrylic monomer.

상기 열경화성 아크릴 단량체의 예로는, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 아밀아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 옥틸아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 벤질아크릴레이트 등과 같은 아크릴산 알킬에스테르 단량체; 메틸메타크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트, 벤질헥실메타크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트 등과 같은 메타크릴산 알킬에스테르 단량체; 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트 등과 같은 히드록시기를 함유하는 (메타)아크릴레이트 단량체 등을 포함할 수 있다.Examples of the thermosetting acrylic monomer include acrylic acid alkyl ester monomers such as methyl acrylate, ethyl acrylate, butyl acrylate, amyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, octyl acrylate, cyclohexyl acrylate, benzyl acrylate and the like; Methacrylic acid alkyl ester monomers such as methyl methacrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzylhexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate and the like; (Meth) acrylate monomers containing a hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and the like .

또한 추가적인 열경화성 아크릴 단량체의 예로는, 라우릴아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 테트라히드로푸릴아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시아크릴레이트 등과 같은 단일 작용기 아크릴레이트 단량체; 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리틀테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 트리메틸올프로판아크릴산벤조에이트 등과 같은 다작용기 아크릴레이트 단량체; 2-에틸헥실메타크릴레이트, n-스테아릴메타크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴메타크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시부틸메타크릴레이트 등의 단일 작용기 메타크릴레이트 단량체; 1,6-헥산디올디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 글리세린디메타크릴레이트 등과 같은 다작용기 메타크릴레이트 단량체; 글리세린디메타아크릴레이트헥사메틸렌디이소시아네이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트헥사메틸렌디이소시아네이트 등과 같은 우레탄 아크릴레이트 단량체 등을 포함할 수 있다.Further examples of additional thermosetting acrylic monomers include, but are not limited to, lauryl acrylate, ethoxydiethylene glycol acrylate, methoxy triethylene glycol acrylate, phenoxy ethyl acrylate, tetrahydrofuryl acrylate, isobornyl acrylate, Monofunctional acrylate monomers such as 3-phenoxy acrylate and the like; Hexanediol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, trimethylolpropane acrylate benzoate Polyfunctional acrylate monomers such as < RTI ID = 0.0 > Acrylate such as 2-ethylhexyl methacrylate, n-stearyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxybutyl methacrylate Functional group methacrylate monomers; Polyfunctional methacrylate monomers such as 1,6-hexanediol dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, glycerin dimethacrylate and the like; Urethane acrylate monomers such as glycerin dimethacrylate hexamethylene diisocyanate, pentaerythritol triacrylate hexamethylene diisocyanate, and the like.

또한 상기 열경화성 아크릴 단량체는 단독 또는 혼합하여 사용될 수 있고, 예를 들어, 상기 무수말레인산, 이타콘산과 같은 카르복실산기를 함유하는 단량체, 또는/및 N-메틸올아크릴아미드, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 글리시딜아미드 등과 같은 아미드 단량체와 혼합하여 사용될 수 있다.The thermosetting acrylic monomer may be used singly or in combination. For example, a monomer containing a carboxylic acid group such as maleic anhydride, itaconic acid, and / or a monomer containing a carboxyl group such as N-methylol acrylamide, acrylamide, methacrylamide , Glycidyl amide, and the like.

상기 자외선 경화형 에폭시 수지는 예를 들어, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 또는 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 및 페놀 노볼락형 에폭시 수지과 같은 노볼락형 에폭시 수지 등이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 자외선 경화형 에폭시 수지는 비닐기를 함유하는 에폭시 수지일 수 있다. 상기 자외선 경화형 에폭시 수지는 상기 열경화성 아크릴 수지 100 중량부를 기준으로 하여 1 내지 10 중량부의 범위 내에서 상기 자외선 경화형 에폭시 수지를 단독 또는 혼합 사용하여 반도체 웨이퍼와 이를 포함하는 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름(10)의 접착력이 향상될 수 있고, 반도체 공정에서 내열성이 향상될 수 있다.As the ultraviolet curable epoxy resin, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, novolak type epoxy resin such as cresol novolak type epoxy resin and phenol novolac type epoxy resin, and the like can be used. For example, the ultraviolet curable epoxy resin may be an epoxy resin containing a vinyl group. The ultraviolet curable epoxy resin may be used in a range of 1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the thermosetting acrylic resin. The ultraviolet curable epoxy resin may be used alone or in combination with a semiconductor wafer and a semiconductor wafer protective film for dicing 10) can be improved, and the heat resistance in the semiconductor process can be improved.

상기 경화제는 특별히 제한되지 않으나, 폴리이소시아네이트계 경화제를 사용할 수 있다. 상기 경화제의 함량은 그 농도에 따라 다양하게 사용될 수 있으며, 상기 열경화성 아크릴 수지 100 중량부를 기준으로 하여 3 내지 30 중량부일 수 있다. 상기 경화제는 상기 함량 범위 내에서 가교가 충분하게 이루어질 수 있고 부반응이 일어나지 않을 수 있다.The curing agent is not particularly limited, but a polyisocyanate curing agent can be used. The content of the curing agent may be varied depending on the concentration thereof, and may be 3 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the thermosetting acrylic resin. The curing agent can be sufficiently crosslinked within the above content range, and side reactions may not occur.

상기 점착층(2)은 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물을 포함하여 자외선 경화를 개시하기 위한 광개시제가 사용될 수 있다. 상기 광개시제의 구체적인 예로는, 벤조 페논계 광개시제, 티오크산톤계 광개시제, 알파 하이드록시 케톤계 광개시제, 알파 아미노 케톤계 광개시제, 페닐 글리옥실레이트계 광개시제, 또는 디페닐 포스파인 옥사이드계 광개시제 등을 들 수 있다. 이 때, 상기 광개시제는 단독으로 사용되거나 또는 점착층의 두께나 자외선의 세기 등에 따라 고른 가교 구조의 형성을 위하여 광개시제의 효율 및 특성에 따라 2종 이상을 혼합하여 사용될 수 있다. 상기 광개시제의 함량은 상기 열경화성 아크릴 수지 100 중량부를 기준으로 하여 0.5 내지 10 중량부일 수 있다.The adhesive layer 2 may include a composition for forming an ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive layer, and a photoinitiator for initiating ultraviolet curing may be used. Specific examples of the photoinitiator include benzophenone photoinitiators, thioxanthone photoinitiators, alpha hydroxy ketone photoinitiators, alpha amino ketone photoinitiators, phenylglyoxylate photoinitiators, and diphenylphosphine oxide photoinitiators. have. At this time, the photoinitiator may be used alone, or two or more kinds of photoinitiators may be used according to the efficiency and characteristics of the photoinitiator for the purpose of forming a uniform cross-linked structure depending on the thickness of the adhesive layer and the intensity of ultraviolet rays. The content of the photoinitiator may be 0.5 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the thermosetting acrylic resin.

상기 대전방지 첨가제는 리튬염 또는/및 벤조트리아졸기 등을 갖는 이온성 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 대전방지 첨가제는 이온성 화합물을 사용할 수 있다. 상기 이온성 화합물은 점착층에 사용되는 용매와의 상용성이 우수하며 최적 함량을 첨가함으로써 1×1011 Ω/sq 이하의 낮은 표면 저항값을 갖는 점착층을 형성할 수 있다. 상기 이온성 화합물 대전방지 첨가제의 함량은 상기 열경화성 아크릴 수지 100 중량부를 기준으로 하여 5 내지 10 중량부일 수 있다. 상기 이온성 화합물 대전방지 첨가제가 상기 범위 내의 함량을 갖는다면 반도체 패키지 어셈블리 공정 단계 중 다이 픽업 공정에서 정전기 발생에 의한 공정 불량이 발생하지 않으며, 자외선 경화 후 이를 포함하는 점착층(2)을 포함한 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름(10)이 용이하게 박리될 수 있다.The antistatic additive may include an ionic compound having a lithium salt or / and a benzotriazole group or the like. For example, an antistatic additive may use an ionic compound. The ionic compound is excellent in compatibility with the solvent used in the adhesive layer and can be formed with an adhesive layer having a low surface resistance value of 1 x 10 11 ? / Sq or less by adding an optimal amount. The content of the ionic compound antistatic additive may be 5 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the thermosetting acrylic resin. If the ionic compound antistatic additive has a content within the above range, a process failure due to the generation of static electricity does not occur in the die pick-up process during the semiconductor package assembly process step, and a die containing the adhesive layer (2) The semiconductor wafer protective film 10 for the first process can be easily peeled off.

상기 기재필름(1)은 ASTM D882에 따라 측정된 인장강도가 10 내지 50kgf/mm2이고 연신율이 50 내지 250%일 수 있다. 상기 기재필름(1)의 구체적인 예로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르중합체; 폴리메틸메타크릴레이트 등의 아크릴계 중합체; 폴리스티렌 및 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체 등의 스티렌계 중합체; 폴리카보네이트계 중합체 등을 들 수 있다. 예를 들어, 상기 기재필름(1)은 폴리에틸렌테레트탈레이드(PET) 필름일 수 있다.The base film (1) may have a tensile strength of 10 to 50 kgf / mm 2 and an elongation of 50 to 250% as measured according to ASTM D882. Specific examples of the base film (1) include polyester polymers such as polyethylene terephthalate or polyethylene naphthalate; Acrylic polymers such as polymethyl methacrylate; Styrene polymers such as polystyrene and acrylonitrile-styrene copolymers; And polycarbonate-based polymers. For example, the base film 1 may be a polyethylene terephthalide (PET) film.

상기 기재필름(1)은 5 내지 300㎛의 두께를 가질 수 있고, 예를 들어 10 내지 200㎛의 두께를 가질 수 있고, 예를 들어 10 내지 150㎛의 두께를 가질 수 있다.The base film 1 may have a thickness of 5 to 300 mu m, for example, 10 to 200 mu m, and may have a thickness of 10 to 150 mu m, for example.

상기 박리 가능한 보호필름(3)은 이형필름 또는 이형지일 수 있다. 예를 들어, 상기 박리 가능한 보호필름(3)은 이형필름일 수 있다. The peelable protective film 3 may be a release film or a release paper. For example, the peelable protective film 3 may be a release film.

상기 이형필름은 점착층(2)과의 박리강도가 0.5 내지 5g/inch일 수 있다. 이로 인해, 경박리성(재박리성)이 구현될 수 있으므로 용이하게 이형성이 부여될 수 있다. 상기 이형필름에 사용되는 이형제는 실리콘계 또는 불소계 등이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 이형제는 박리강도 조절 및 가격적인 측면을 고려하여 실리콘계 이형제가 사용될 수 있다.The release film may have a peel strength with the adhesive layer 2 of 0.5 to 5 g / inch. As a result, the light releasability (re-releasability) can be realized, so that the releasability can be easily imparted. The releasing agent used for the release film may be silicone or fluorine. For example, the release agent may be a silicone release agent in consideration of the control of the peel strength and the cost.

상기 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름(10)은 상기 박리 가능한 보호필름(3)의 이형 처리된 면에 수지와의 용해도가 우수한 유기용매를 이용하여 용액상태로 제조된 상기 박리 가능한 보호필름(3)용 점착제 수지 조성물을 도포할 수 있다. 도포방법으로는, 예를 들어, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 분사 코팅법, 스핀 코팅법, 에어 나이프 코팅법, 롤 코팅법, 블레이드 코팅법, 게이트 롤(gate roll) 코팅법, 또는 다이 코팅법 등이 이용될 수 있다. 또한 상기 박리 가능한 보호필름(3)에 사용된 기재필름은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 등의 폴리에스테르계 필름, 폴리에틸렌 필름, 또는 폴리프로필렌 필름 등이 사용될 수 있다.The semiconductor wafer protective film 10 for dicing process is formed on the release-treated surface of the peelable protective film 3 using the organic solvent having excellent solubility with the resin and the peelable protective film 3 ) Can be applied to the pressure-sensitive adhesive layer. Examples of the coating method include a gravure coating method, a bar coating method, a spray coating method, a spin coating method, an air knife coating method, a roll coating method, a blade coating method, a gate roll coating method, And the like may be used. The base film used for the peelable protective film 3 is not particularly limited. For example, a polyester film such as a polyethylene terephthalate (PET) film, a polyethylene film, a polypropylene film, or the like can be used.

다른 일 구현예에 따른 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름(10)의 제조방법은 기재필름(1)의 적어도 일 면에 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물을 도포하는 단계; 상기 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물이 도포된 기재필름을 건조하여 점착층(2)을 형성하는 단계; 및 상기 점착층(2)의 일면에 박리 가능한 보호필름(3)을 합지하고 자외선을 조사하여 전술한 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름(10)을 제조하는 단계;를 포함할 수 있다.The method for manufacturing the semiconductor wafer protective film 10 for dicing according to another embodiment includes the steps of: applying a composition for forming an ultraviolet curable adhesive layer on at least one side of the base film 1; Drying the base film coated with the composition for forming an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer to form an adhesive layer (2); And a step of laminating a peelable protective film (3) on one side of the adhesive layer (2) and irradiating ultraviolet rays to the semiconductor wafer protective film (10) for dicing process.

먼저, 기재필름(1)의 적어도 일 면에 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물을 도포한다. 상기 도포방법으로는, 예를 들어 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 분사 코팅법, 스핀 코팅법, 에어 나이프 코팅법, 롤 코팅법, 블레이드 코팅법, 게이트 롤 코팅법, 또는 다이 코팅법 등이 사용될 수 있다. 이 때, 사용된 기재필름(1)의 종류와 두께, 및 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물의 구성과 그 함량 등에 관해서는 전술한 바와 같으므로 이하 설명을 생략한다.First, a composition for forming an ultraviolet curing type adhesive layer is applied to at least one surface of the base film (1). Examples of the coating method include a gravure coating method, a bar coating method, a spray coating method, a spin coating method, an air knife coating method, a roll coating method, a blade coating method, a gate roll coating method, . At this time, the kind and thickness of the substrate film 1 used, the constitution of the composition for forming an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer, and the content thereof are the same as those described above, and the description thereof will be omitted.

다음으로, 상기 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물이 도포된 기재필름을 건조하여 점착층(2)을 형성한다. 상기 건조방법으로는, 예를 들어 열풍건조를 이용할 수 있으며, 건조온도는 특별히 제한되지 않으나 예를 들어, 100 내지 200℃일 수 있고, 건조시간은 예를 들어, 10초 내지 5분간일 수 있다. 상기 점착층의 두께에 관해서는 전술한 바와 같으므로 이하 설명을 생략한다.Next, the base film coated with the composition for forming an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer is dried to form an adhesive layer (2). As the drying method, for example, hot air drying may be used. The drying temperature is not particularly limited, but may be, for example, 100 to 200 ° C, and the drying time may be, for example, 10 seconds to 5 minutes . Since the thickness of the adhesive layer is as described above, the description thereof will be omitted.

다음으로, 상기 점착층(2)의 일면에 박리 가능한 보호필름(3)을 합지하고 자외선을 조사하여 전술한 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름(10)을 제조한다.Next, a peelable protective film 3 is laminated on one side of the adhesive layer 2 and irradiated with ultraviolet rays to produce the aforementioned semiconductor wafer protective film 10 for dicing process.

또한 이렇게 제조된 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름(10)은 박리 가능한 보호필름(3)이 제거되는 동시에 반도체 웨이퍼와 합지 및 다이싱 된 후, 자외선 조사하여 상기 보호필름(10)을 반도체 웨이퍼에서 제거하여 다이싱 공정이 완료될 수 있다.In addition, the semiconductor wafer protective film 10 for dicing thus manufactured is removed from the peelable protective film 3 and is lapped and diced with the semiconductor wafer. Thereafter, the protective film 10 is irradiated with ultraviolet rays, The dicing process can be completed.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples.

이는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. This is for further illustrating the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these examples.

[실시예][Example]

실시예Example 1:  One: 다이싱Dicing 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 제조 Fabrication of semiconductor wafer protective film for process

열경화성 아크릴 수지(애경화학, RA-6000) 100 중량부, 자외선 경화형 에폭시 수지(국도화학, KDV-65AT70) 5 중량부, 폴리이소시아네이트계 경화제(애경화학, AH-2100) 10 중량부, 산화 포스핀계 광개시제(Ciba, Irgacure2100) 5 중량부, 및 이온성 대전방지 첨가제(나노캠텍, ELECON-100EL) 5 중량부를 혼합하고 약 1시간 교반하여 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물을 제조하였다. 상기 제조된 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재필름의 일 면에 약 10㎛의 두께로 도포한 후 120℃에서 약 3분간 건조하여 점착층을 형성하였다. 이후, 상기 점착층의 일 면에 실리콘계 박리 가능한 보호필름(RPK201, 도레이첨단소재㈜)을 합지시킨 후 자외선을 조사하여 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름을 제조하였다.5 parts by weight of a thermosetting acrylic resin (Aekyung Chemical, RA-6000), 5 parts by weight of an ultraviolet curable epoxy resin (KDC-65AT70), 10 parts by weight of a polyisocyanate curing agent (Aekyung Chemical, AH- , 5 parts by weight of a photoinitiator (Ciba, Irgacure 2100) and 5 parts by weight of an ionic antistatic additive (NANOCAMTEC, ELECON-100EL) were mixed and stirred for about 1 hour to prepare a composition for forming an ultraviolet curable adhesive layer. The composition for forming an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer was coated on one side of a polyethylene terephthalate (PET) base film to a thickness of about 10 탆 and dried at 120 캜 for about 3 minutes to form an adhesive layer. Thereafter, a silicone peelable protective film (RPK201, manufactured by Toray Advanced Material Co., Ltd.) was laminated on one side of the adhesive layer and irradiated with ultraviolet rays to prepare a semiconductor wafer protective film for a dicing process.

실시예Example 2:  2: 다이싱Dicing 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 제조 Fabrication of semiconductor wafer protective film for process

상기 제조된 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재필름의 일 면에 약 10㎛의 두께로 도포한 대신 약 30㎛의 두께로 도포한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름을 제조하였다.Except that the composition for forming an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer was applied to one surface of a polyethylene terephthalate (PET) base film to a thickness of about 30 占 퐉 instead of about 10 占 퐉, A semiconductor wafer protective film for a dicing process was prepared.

비교예Comparative Example 1:  One: 다이싱Dicing 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 제조 Fabrication of semiconductor wafer protective film for process

상기 제조된 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재필름의 일 면에 약 10㎛의 두께로 도포한 대신 약 1㎛의 두께로 도포한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름을 제조하였다.Except that the composition for forming an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer was applied on one side of a polyethylene terephthalate (PET) base film to a thickness of about 10 탆, instead of coating the same to a thickness of about 1 탆, A semiconductor wafer protective film for a dicing process was prepared.

비교예Comparative Example 2:  2: 다이싱Dicing 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 제조 Fabrication of semiconductor wafer protective film for process

상기 제조된 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재필름의 일 면에 약 10㎛의 두께로 도포한 대신 약 3㎛의 두께로 도포한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름을 제조하였다.Except that the composition for forming an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer was applied on one surface of a polyethylene terephthalate (PET) base film to a thickness of about 3 占 퐉 instead of about 10 占 퐉, A semiconductor wafer protective film for a dicing process was prepared.

비교예Comparative Example 3:  3: 다이싱Dicing 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 제조 Fabrication of semiconductor wafer protective film for process

상기 제조된 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재필름의 일 면에 약 10㎛의 두께로 도포한 대신 약 60㎛의 두께로 도포한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름을 제조하였다.Except that the composition for forming an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer was applied to one side of a polyethylene terephthalate (PET) base film to a thickness of about 10 탆, instead of coating to a thickness of about 60 탆, A semiconductor wafer protective film for a dicing process was prepared.

비교예Comparative Example 4:  4: 다이싱Dicing 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 제조 Fabrication of semiconductor wafer protective film for process

상기 제조된 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재필름의 일 면에 약 10㎛의 두께로 도포한 대신 약 70㎛의 두께로 도포한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름을 제조하였다.Except that the composition for forming an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer was applied to one side of a polyethylene terephthalate (PET) base film to a thickness of about 10 占 퐉, instead of a thickness of about 70 占 퐉, A semiconductor wafer protective film for a dicing process was prepared.

분석예Analysis example 1:  One: 광학현미경Optical microscope 사진 Picture

실시예 1, 실시예 2, 및 비교예 3에 의해 제조된 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름에 대한 광학현미경 분석을 실시하였다. 광학현미경 분석기로는 올림푸스사의 BX-51(배율: X200)을 이용하였다. 그 결과를 도 2 내지 도 4에 각각 나타내었다.Optical microscope analysis of the semiconductor wafer protective film for dicing process manufactured by Example 1, Example 2, and Comparative Example 3 was carried out. As the optical microscope analyzer, Olympus BX-51 (magnification: X200) was used. The results are shown in Figs. 2 to 4, respectively.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 실시예 1, 실시예 2, 및 비교예 3에 의해 제조된 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 경화된 점착층의 두께는 각각 9.97㎛, 30.57㎛, 및 59.83㎛임을 확인할 수 있다.2 to 4, the thicknesses of the cured adhesive layers of the semiconductor wafer protective film for dicing process manufactured by Example 1, Example 2, and Comparative Example 3 were 9.97 탆, 30.57 탆, and 59.83 Mu m.

평가예Evaluation example 1:  One: 다이싱Dicing 필름의 물성  Physical Properties of Film

실시예 1~2 및 비교예 1~4에 의해 제조된 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름을 이용하여 다음과 같은 물성을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The following properties were measured using the semiconductor wafer protective film for dicing process manufactured by Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 4. The results are shown in Table 1 below.

1-1. 박리(peeling) 강도1-1. Peeling strength

실시예 1~2 및 비교예 1~4의 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 제조에 사용된 실리콘계 박리 가능한 보호필름을 제거한 점착층이 형성된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재필름을 폭 1 inch, 길이 15㎝ 크기로 잘라 시료로 각각 만들었다. 상기 시료들을 1kg 고무롤러를 이용하여 글라스에 밀착시켰다. 이후, 상기 글라스에 밀착된 점착층이 형성된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재필름 시료들에 대하여 인장속도 100cm/min, 180도의 방향으로 글라스로부터 박리할 때의 박리강도를 측정하였다. A polyethylene terephthalate (PET) base film having a pressure-sensitive adhesive layer formed by removing the silicon peelable protective film used in the production of the semiconductor wafer protective film for dicing process of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 4 Each sample was cut into 15 cm sized pieces. The samples were closely adhered to the glass using a 1 kg rubber roller. Then, the peel strength of the polyethylene terephthalate (PET) based film samples on which the adhesive layer adhered to the glass was formed was measured at a pulling rate of 100 cm / min at 180 ° from the glass.

또한 실시예 1~2 및 비교예 1~4의 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 제조에 사용된 실리콘계 박리 가능한 보호필름을 제거한 점착층이 형성된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재필름에 대하여 400mJ 내지 600mJ의 에너지량으로 자외선을 조사하였다. 상기 자외선이 조사된 점착층이 형성된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재필름을 폭 1 inch, 길이 15㎝ 크기로 잘라 시료로 각각 만들었고, 상기 시료들을 1kg 고무롤러를 이용하여 글라스에 밀착시켰다. 이후, 상기 글라스에 밀착된 자외선이 조사된 점착층이 형성된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재필름 시료들에 대하여 인장속도 100cm/min, 180도의 방향으로 글라스로부터 박리할 때의 박리강도를 측정하였다.The polyethylene terephthalate (PET) base film on which the pressure-sensitive adhesive layer formed by removing the silicone peelable protective film used in the production of the semiconductor wafer protective film for dicing process of Examples 1 to 2 and Comparative Examples 1 to 4 was applied at 400 mJ to 600 mJ Was irradiated with ultraviolet rays. The polyethylene terephthalate (PET) base film on which the UV-irradiated adhesive layer was formed was cut into pieces each having a width of 1 inch and a length of 15 cm, and the samples were closely adhered to the glass using a 1 kg rubber roller. Then, the peel strength of the polyethylene terephthalate (PET) based film samples on which the adhesive layer irradiated with the ultraviolet light adhered to the glass was formed was measured at a pulling rate of 100 cm / min at a stretching speed of 180 degrees from the glass.

1-2. 택(tack)1-2. Tack

실시예 1~2 및 비교예 1~4의 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 제조에 사용된 실리콘계 박리 가능한 보호필름을 제거한 점착층이 형성된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재필름을 폭 1 inch, 길이 15㎝ 크기로 잘라 시료로 각각 만들었다. 상기 시료들을 MALCOM사에서 제조한 TK-1 택(tack) 측정 장비에 올려 놓고 상온에서 점착층의 택(tack)을 측정하였다. A polyethylene terephthalate (PET) base film having a pressure-sensitive adhesive layer formed by removing the silicon peelable protective film used in the production of the semiconductor wafer protective film for dicing process of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 4 Each sample was cut into 15 cm sized pieces. The samples were placed on a TK-1 tack measuring instrument manufactured by MALCOM Co., The tack was measured.

또한 실시예 1~2 및 비교예 1~4의 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 제조에 사용된 실리콘계 박리 가능한 보호필름을 제거한 점착층이 형성된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재필름에 대하여 400mJ 내지 600mJ의 에너지량으로 자외선을 조사한 후 상기 시료들을 상기 택(tack) 측정 장비에 올려 놓고 상온에서, 그리고 50℃, 및 100℃로 온도를 올려 택(tack)을 각각 측정하였다.The polyethylene terephthalate (PET) base film on which the pressure-sensitive adhesive layer formed by removing the silicone peelable protective film used in the production of the semiconductor wafer protective film for dicing process of Examples 1 to 2 and Comparative Examples 1 to 4 was applied at 400 mJ to 600 mJ The samples were placed on the tack measuring equipment, and the tack was measured at room temperature and at 50 ° C and 100 ° C, respectively.

1-3. 인장강도 및 1-3. Tensile strength and 연신율Elongation

실시예 1~2 및 비교예 1~4의 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 제조에 사용된 폴리 에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재필름에 대하여 ASTM D882에 따라 인장강도 및 연신율을 측정하였다.Tensile strength and elongation of the polyethylene terephthalate (PET) base film used in the production of the semiconductor wafer protective film for dicing process of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 4 were measured according to ASTM D882.

구분division 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 비교예 1Comparative Example 1 비교예
2Comparative Example
2 비교예 3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 기재필름Base film 인장강도
(kgf/㎟)The tensile strength
(kgf / mm2) 2525 3535 6060 55 5555 88 연신율
(%)Elongation
(%) 180180 210210 4040 3030 260260 270270 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물의 도포 두께(㎛)Coating thickness (占 퐉) of the composition for forming an ultraviolet- 1010 3030 1One 33 6060 7070 박리(peeling) 강도
(g/inch)Peeling strength
(g / inch) 자외선 조사 전Before UV irradiation 142142 250250 7979 9292 336336 371371 자외선 조사 후After UV irradiation 1010 1515 22 33 2323 2929 택(tack)
(gf)Tack
(gf) 자외선
조사 전UV-rays
Before the survey 상온Room temperature 130130 160160 6969 8282 230230 260260 자외선 조사 후After UV irradiation 상온Room temperature 77 1212 22 33 2727 3030 50℃50 ℃ 1111 1818 22 33 3636 4242 100℃100 ℃ 3535 4343 44 77 6363 7171

상기 표 1에서 확인되는 바와 같이, 실시예 1~2에 의해 제조된 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름은 비교예 1~4에 의해 제조된 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름과 비교하여 박리(peeling) 강도 및 택(tack)의 물성 측면에서 개선되었음을 확인할 수 있다. As can be seen from the above Table 1, the semiconductor wafer protective film for dicing process manufactured according to Examples 1 and 2 was peeling (peeling) as compared with the semiconductor wafer protective film for dicing process manufactured by Comparative Examples 1 to 4 ) Strength and the physical properties of the tack.

1: 기재필름 2: 점착층 3: 박리 가능한 보호필름
10: 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름1: base film 2: adhesive layer 3: peelable protective film
10: Semiconductor wafer protective film for dicing process

Claims (9)

기재필름;
상기 기재필름의 적어도 일 면에 배치된 점착층; 및
상기 점착층의 일 면에 배치된 박리 가능한 보호필름:을 포함하고,
상기 점착층은 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물을 포함하고,
상기 점착층은 25℃에서 자외선 경화 전 100 내지 200gf 및 자외선 경화 후 3 내지 20gf의 택(tack)을 갖고, 50℃에서 자외선 경화 후 3 내지 30gf의 택(tack)을 갖는 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름.A base film;
An adhesive layer disposed on at least one surface of the base film; And
And a peelable protective film disposed on one side of the adhesive layer,
Wherein the pressure-sensitive adhesive layer comprises a composition for forming an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer,
The adhesive layer has a tack of 100 to 200 gf before ultraviolet curing at 25 占 폚 and a tack of 3 to 20 gf after ultraviolet curing and has a tack of 3 to 30 gf after ultraviolet curing at 50 占 폚, Protective film. 제1항에 있어서,
상기 점착층은 자외선 경화 후 100℃에서 5 내지 50gf의 택(tack)을 갖는 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름.The method according to claim 1,
Wherein the adhesive layer has a tack of 5 to 50 gf at 100 DEG C after ultraviolet curing. 제1항에 있어서,
상기 점착층은 5 내지 50㎛의 두께를 갖는 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름.The method according to claim 1,
Wherein the adhesive layer has a thickness of 5 to 50 占 퐉. 제1항에 있어서,
상기 점착층은 25℃에서 자외선 경화 전 100 내지 300g/inch 및 자외선 경화 후 5 내지 20g/inch의 박리강도를 갖는 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름.The method according to claim 1,
Wherein the adhesive layer has a peeling strength of 100 to 300 g / inch before UV curing at 25 占 폚 and 5 to 20 g / inch after UV curing. 제1항에 있어서,
상기 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물은 열경화성 아크릴 수지 100 중량부를 기준으로 하여 1 내지 10 중량부의 자외선 경화형 에폭시 수지, 3 내지 30 중량부의 경화제, 0.5 내지 10 중량부의 광개시제, 및 5 내지 10 중량부의 대전방지 첨가제를 포함하는 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름.The method according to claim 1,
The composition for forming an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer comprises 1 to 10 parts by weight of an ultraviolet curable epoxy resin, 3 to 30 parts by weight of a curing agent, 0.5 to 10 parts by weight of a photoinitiator, and 5 to 10 parts by weight of an antistatic A semiconductor wafer protective film for a dicing process comprising an additive. 제1항에 있어서,
상기 기재필름은 ASTM D882에 따라 측정된 인장강도가 10 내지 50kgf/mm2이고 연신율이 50 내지 250%인 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름.The method according to claim 1,
Wherein the base film has a tensile strength of 10 to 50 kgf / mm < 2 > and an elongation of 50 to 250% measured according to ASTM D882. 제1항에 있어서,
상기 기재필름은 5 내지 300㎛의 두께를 갖는 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름.The method according to claim 1,
Wherein the base film has a thickness of 5 to 300 占 퐉. 제1항에 있어서,
상기 박리 가능한 보호필름은 이형필름 또는 이형지인 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름.The method according to claim 1,
Wherein the peelable protective film is a release film or a release paper. 기재필름의 적어도 일 면에 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물을 도포하는 단계;
상기 자외선 경화형 점착층 형성용 조성물이 도포된 기재필름을 건조하여 점착층을 형성하는 단계; 및
상기 점착층의 일면에 박리 가능한 보호필름을 합지하고 자외선을 조사하여 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름을 제조하는 단계;를 포함하는 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름의 제조방법.Applying a composition for forming an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer on at least one surface of a base film;
Drying the base film coated with the composition for forming an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer to form an adhesive layer; And
Preparing a semiconductor wafer protective film for a dicing process according to any one of claims 1 to 8 by irradiating ultraviolet rays by laminating a peelable protective film on one surface of the adhesive layer to form a dicing step A method of manufacturing a semiconductor wafer protective film.
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