KR20180130024A - 표시 장치 - Google Patents
표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180130024A KR20180130024A KR1020170064460A KR20170064460A KR20180130024A KR 20180130024 A KR20180130024 A KR 20180130024A KR 1020170064460 A KR1020170064460 A KR 1020170064460A KR 20170064460 A KR20170064460 A KR 20170064460A KR 20180130024 A KR20180130024 A KR 20180130024A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pixel
- light emitting
- emitting region
- region
- electrode
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 94
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 75
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 30
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 101000672911 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) 60S acidic ribosomal protein P1-beta Proteins 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L27/3218—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
-
- H01L27/3272—
-
- H01L27/3276—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
본 발명은 시청 방향에 따른 WAD(White Angle Difference) 편차를 최소화할 수 있는 표시 장치에 관한 것으로, 서로 마주보는 제 1 변과 제 2 변을 갖는 기판; 기판 상의 제 1 화소 전극 및 제 2 화소 전극; 서로 다른 스캔 라인들에 연결되며, 제 1 화소 전극을 포함하는 제 1 화소 및 제 2 화소 전극을 포함하는 제 2 화소; 제 1 화소의 제 1 발광 영역 및 제 2 화소의 제 2 발광 영역을 정의하는 차광막; 및, 제 1 발광 영역 및 상기 제 2 발광 영역과 중첩하며, 상기 제 1 화소 전극과 상기 기판 사이의 서로 다른 층에 위치한 복수의 패턴들 중 제 1 화소 전극 또는 제 2 화소 전극에 가장 근접한 제 1 패턴을 포함하며; 각 제 1 및 제 2 발광 영역은 제 1 분할 영역 및 제 2 분할 영역을 포함하며; 제 1 분할 영역 및 제 2 분할 영역 중 제 1 분할 영역이 제 1 변에 더 근접하게 위치하며; 제 1 발광 영역의 제 2 분할 영역과 제 1 패턴 간의 중첩 면적은 제 1 화소 영역의 제 1 분할 영역과 제 1 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크며; 제 2 발광 영역의 제 1 분할 영역과 제 1 패턴 간의 중첩 면적은 제 2 화소 영역의 제 2 분할 영역과 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 특히 시청 방향에 따른 WAD(White Angle Difference) 편차를 최소화할 수 있는 표시 장치에 대한 것이다.
평판 표시 장치는 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 장점을 갖는다. 이러한 평판 장치로 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display: LCD), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display: FED), 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel: PDP) 및 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device) 등이 있다.
평판 표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 다이오드를 이용하여 영상을 표시한다.
본 발명은 시청 방향에 따른 WAD(White Angle Difference) 편차를 최소화할 수 있는 표시 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 장치는, 서로 마주보는 제 1 변과 제 2 변을 갖는 기판; 상기 기판 상의 제 1 화소 전극 및 제 2 화소 전극; 서로 다른 스캔 라인들에 연결되며, 상기 제 1 화소 전극을 포함하는 제 1 화소 및 상기 제 2 화소 전극을 포함하는 제 2 화소; 상기 제 1 화소의 제 1 발광 영역 및 상기 제 2 화소의 제 2 발광 영역을 정의하는 차광막; 및 상기 제 1 발광 영역 및 상기 제 2 발광 영역과 중첩하며, 상기 제 1 화소 전극과 상기 기판 사이의 서로 다른 층에 위치한 복수의 패턴들 중 상기 제 1 화소 전극 또는 상기 제 2 화소 전극에 가장 근접한 제 1 패턴; 각 제 1 및 제 2 발광 영역은 제 1 분할 영역 및 제 2 분할 영역을 포함하며; 상기 제 1 분할 영역 및 제 2 분할 영역 중 상기 제 1 분할 영역이 상기 제 1 변에 더 근접하게 위치하며; 상기 제 1 발광 영역의 제 2 분할 영역과 상기 제 1 패턴 간의 중첩 면적은 상기 제 1 화소 영역의 제 1 분할 영역과 상기 제 1 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크며; 상기 제 2 발광 영역의 제 1 분할 영역과 상기 제 1 패턴 간의 중첩 면적은 상기 제 2 화소 영역의 제 2 분할 영역과 상기 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다.
표시 장치는 상기 제 1 화소에 연결된 제 1 발광 제어 라인; 및 상기 제 2 화소에 연결된 제 2 발광 제어 라인을 더 포함한다.
상기 제 1 발광 제어 라인과 상기 제 2 발광 제어 라인이 서로 인접한다.
상기 제 1 발광 제어 라인은 홀수 번째 발광 제어 라인이며, 상기 제 2 발광 제어 라인은 짝수 번째 발광 제어 라인이다.
상기 제 1 화소와 상기 제 2 화소가 동일한 색상의 광을 방출하는 표시 한다.
상기 제 1 화소는 적색 광 또는 청색 광을 방출한다.
상기 제 1 화소와 상기 제 2 화소가 서로 다른 데이터 라인들에 연결된다.
표시 장치는 상기 서로 다른 데이터 라인들 사이에 위치한 다른 데이터 라인을 더 포함한다.
상기 제 1 발광 영역은 상기 제 2 발광 영역과 동일한 크기를 갖는다.
상기 제 1 화소와 상기 제 2 화소가 서로 다른 색상의 광을 방출한다.
상기 제 1 화소는 적색 광 또는 청색 광을 방출하며; 그리고 상기 제 2 화소는 적색 광 또는 청색 광을 방출한다.
상기 제 1 화소와 상기 제 2 화소가 동일한 데이터 라인에 연결된다.
상기 제 1 발광 영역은 상기 제 2 발광 영역과 다른 크기를 갖는다.
상기 제 1 패턴은, 상기 제 1 화소 및 상기 제 2 화소를 포함한 복수의 화소들에 연결된 복수의 데이터 라인들; 상기 제 1 화소 및 상기 제 2 화소를 포함한 복수의 화소들에 연결된 전원 공급 라인; 상기 제 1 화소 전극 및 상기 제 2 화소 전극을 포함한 복수의 화소 전극들에 연결된 복수의 제 1 연결 전극들; 서로 다른 스캔 라인과 중첩하는 제 2 연결 전극 및 제 3 연결 전극을 포함한다.
상기 제 1 발광 영역은 제 1 화소에 연결된 데이터 라인에 인접한 다른 데이터 라인과 중첩한다.
상기 제 2 발광 영역은 상기 제 2 화소에 연결된 데이터 라인에 인접한 다른 데이터 라인과 중첩한다.
상기 제 1 변 및 상기 제 2 변은 상기 데이터 라인들에 평행하다.
상기 제 1 분할 영역은 상기 제 2 분할 영역과 동일한 크기를 갖는다.
상기 제 1 분할 영역 및 상기 제 2 분할 영역은 이들을 구분하는 가상의 분할선에 대하여 대칭적인 형상을 갖는다.
상기 제 1 발광 영역 및 제 2 발광 영역은 마름모꼴 형상 또는 직각 사각 형의 형상을 갖는다.
표시 장치는 상기 제 1 화소와 동일한 스캔 라인에 접속되며, 제 3 발광 영역을 갖는 제 3 화소; 상기 제 1 화소와 동일한 스캔 라인에 접속되며, 제 4 발광 영역을 갖는 제 4 화소; 및 상기 제 2 화소와 동일한 스캔 라인에 접속되며, 제 5 발광 영역을 갖는 제 5 화소를 더 포함한다.
상기 제 1 발광 영역과 상기 제 5 발광 영역은 상기 제 4 발광 영역을 사이에 두고 제 1 대각선 방향으로 마주보며; 상기 제 2 발광 영역과 상기 제 3 발광 영역은 상기 제 4 발광 영역을 사이에 두고 상기 제 1 대각선 방향과 교차하는 제 2 대각선 방향으로 마주본다.
상기 제 4 발광 영역과 상기 제 1 발광 영역 간의 거리는 상기 제 4 발광 영역과 상기 제 5 발광 영역 간의 거리와 동일하며; 상기 제 4 발광 영역과 상기 제 2 발광 영역 간의 거리는 상기 제 4 발광 영역과 상기 제 3 발광 영역 간의 거리와 동일하다.
본 발명에 따른 표시 장치는 다음과 같은 효과를 제공한다.
본 발명의 표시 장치의 좌측으로부터 관측되는 영상과 그 표시 장치의 우측으로부터 관측되는 영상은 거의 동일한 WAD값을 가질 수 있다. 이에 따라 시청 방향에 따른 WAD값의 편차가 최소화될 수 있다. 따라서, 표시 장치의 화질이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 블록 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 어느 하나의 화소에 대한 등가 회로를 나타낸 도면이다.
도 3는 도 1에 도시된 어느 하나의 화소 및 이에 연결된 라인들을 포함하는 표시 장치의 상세 평면도를 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 도 4e는 도 3의 구성 요소들 중 일부만을 따로 나타낸 도면이다.
도 5는 도 3의 I-I'선을 따라 자른 단면도이다.
도 6은 도 1에 도시된 복수의 화소들 및 이들에 연결된 라인들을 포함하는 표시 장치의 상세 평면도를 나타낸 도면이다.
도 7a 내지 도 7e는 도 6의 구성 요소들 중 일부만을 따로 나타낸 도면이다.
도 8은 도 7의 발광 영역들 간의 거리를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 도 7의 발광 영역의 크기를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 발광 영역의 또 다른 형상을 설명하기 위한 도면이다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 표시 장치의 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 어느 하나의 화소에 대한 등가 회로를 나타낸 도면이다.
도 3는 도 1에 도시된 어느 하나의 화소 및 이에 연결된 라인들을 포함하는 표시 장치의 상세 평면도를 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 도 4e는 도 3의 구성 요소들 중 일부만을 따로 나타낸 도면이다.
도 5는 도 3의 I-I'선을 따라 자른 단면도이다.
도 6은 도 1에 도시된 복수의 화소들 및 이들에 연결된 라인들을 포함하는 표시 장치의 상세 평면도를 나타낸 도면이다.
도 7a 내지 도 7e는 도 6의 구성 요소들 중 일부만을 따로 나타낸 도면이다.
도 8은 도 7의 발광 영역들 간의 거리를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 도 7의 발광 영역의 크기를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 발광 영역의 또 다른 형상을 설명하기 위한 도면이다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 표시 장치의 효과를 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 그에 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제 1 구성 요소가 제 2 또는 제 3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제 2 또는 제 3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 11b를 참조로 본 발명에 따른 표시 장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 블록 구성도이다.
본 발명의 표시 장치(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 표시 패널(101), 스캔 드라이버(102), 발광 제어 드라이버(103), 데이터 드라이버(104) 및 전원 공급부(105)를 포함한다.
표시 패널(101)은 i+2개의 스캔 라인들(SL0 내지 SLi+1), i개의 발광 제어 라인들(EL1 내지 ELk), j개의 데이터 라인들(DL1 내지 DLj) 및 i*j개의 화소(PX)들을 포함한다. 여기서, i, j 및 k는 각각 1보다 큰 자연수이다.
스캔 라인들(SL0 내지 SLi+1)은 Y축 방향을 따라 배열되고, 각 스캔 라인(SL0 내지 SLi+1)은 X축 방향을 따라 연장된다. 발광 제어 라인들(EL1 내지 ELk)은 Y축 방향을 따라 배열되고, 각 발광 제어 라인(EL1 내지 ELk)은 X축 방향을 따라 연장된다. 데이터 라인들(DL1 내지 DLj)은 X축 방향을 따라 배열되고, 각 데이터 라인(DL1 내지 DLj)은 Y축 방향을 따라 연장된다.
전술된 스캔 라인들(SL0 내지 SLi+1) 중 데이터 드라이버(104)에 가장 근접한 스캔 라인(SL0)은 제 1 더미 스캔 라인(SL0)으로 정의되며, 그 데이터 드라이버(104)로부터 가장 멀리 위치한 스캔 라인(SLi+1)은 제 2 더미 스캔 라인(SLi+1)으로 정의된다. 그리고, 제 1 더미 스캔 라인(SL0)과 제 2 더미 스캔 라인(SLi+1) 사이의 스캔 라인들(SL1 내지 SLi)은 데이터 드라이버(104)에 근접한 스캔 라인부터 차례로 제 1 내지 제 i 스캔 라인들(SL1 내지 SLi)로 정의된다.
스캔 드라이버(102)는 타이밍 컨트롤러(도시되지 않음)로부터 제공된 스캔 제어 신호에 따라 스캔 신호들을 생성하고, 그 스캔 신호들을 복수의 스캔 라인들(SL0 내지 SLi+1)에 차례로 공급한다. 스캔 드라이버(102)는 제 1 내지 제 i 스캔 신호들, 제 1 더미 스캔 신호 및 제 2 더미 스캔 신호를 출력한다. 이 스캔 드라이버(102)로부터 출력된 제 1 내지 제 i 스캔 신호들은 제 1 내지 제 i 스캔 라인들(SL1 내지 SLi)에 각각 공급된다. 예를 들어, 제 n 스캔 신호는 제 n 스캔 라인(SLn)에 공급된다. 여기서, n은 1보다 크거나 같고 i보다 작거나 같은 자연수이다. 그리고, 이 스캔 드라이버(102)로부터 출력된 제 1 더미 스캔 신호는 제 1 더미 스캔 라인(SL0)에 공급되며, 그 스캔 드라이버(102)로부터 출력된 제 2 더미 스캔 신호는 제 2 더미 스캔 라인(SLi+1)에 공급된다.
한 프레임 기간 동안, 스캔 드라이버(102)는 제 1 내지 제 i 스캔 신호들을 제 1 스캔 신호부터 순차적으로 출력한다. 이때, 스캔 드라이버(102)는 제 1 더미 스캔 신호를 제 1 스캔 신호보다 앞서 출력하며, 제 2 더미 스캔 신호를 제 i 스캔 신호보다 더 늦게 출력한다. 다시 말하여, 스캔 드라이버(102)는 제 1 더미 스캔 신호를 그 한 프레임 기간 중 가장 먼저 출력하며, 제 2 더미 스캔 신호를 그 한 프레임 기간 중 가장 늦게 출력한다. 이에 따라, 한 프레임 기간 동안, 더미 스캔 라인들(SL0, SLi+1)을 포함한 전체 스캔 라인들(SL0 내지 SLi+1)은 제 1 더미 스캔 라인(SL0)부터 순차적으로 구동된다.
발광 제어 드라이버(103)는 타이밍 컨트롤러(도시되지 않음)로부터 제공된 제어 신호에 따라 발광 제어 신호들을 생성하고, 그 발광 제어 신호들을 복수의 발광 제어 라인들(EL1 내지 ELk)에 차례로 공급한다. 이 발광 제어 드라이버(103)로부터 출력된 제 1 내지 제 m 발광 제어 신호들은 제 1 내지 제 m 발광 제어 라인(ELm)들에 각각 공급된다. 예를 들어, 제 m 발광 제어 신호는 제 m 발광 제어 라인(ELm)에 공급된다. 여기서, m은 1보다 크거나 같고 k보다 작거나 같은 자연수이다. 한 프레임 기간 동안, 발광 제어 드라이버(103)는 제 1 내지 제 k 발광 제어 신호들을 제 1 발광 제어 신호부터 순차적으로 출력한다. 이에 따라, 한 프레임 기간 동안, 전체 발광 제어 라인들(EL1 내지 ELk)은 제 1 발광 제어 라인(EL1)부터 순차적으로 구동된다.
한편, 발광 제어 드라이버(103)는 스캔 드라이버(102)에 내장될 수 있다. 예를 들어, 스캔 드라이버(102)는 발광 제어 드라이버(103)의 기능을 더 수행할 수 있다. 이와 같은 경우, 스캔 라인들(SL0 내지 SLi+1) 및 발광 제어 라인들(EL1 내지 ELk)은 스캔 드라이버(102)에 의해 함께 구동된다.
데이터 드라이버(104)는 제 1 내지 제 j 데이터 라인들(DL1 내지 DLj)로 각각 제 1 내지 제 j 데이터 전압을 공급한다. 예를 들어, 데이터 드라이버(104)는 타이밍 컨트롤러(도시되지 않음)로부터 영상 데이터 신호들 및 데이터 제어 신호를 공급받는다. 그리고, 그 데이터 드라이버(104)는 데이터 제어 신호에 따라 영상 데이터 신호들을 샘플링한 후에, 매 수평기간마다 한 수평 라인에 해당하는 샘플링 영상 데이터 신호들을 순차적으로 래치하고 그 래치된 영상 데이터 신호들을 데이터 라인들(DL1 내지 DLj)에 동시에 공급한다.
화소(PX)들은 행렬(matrix) 형태로 표시 패널(101)에 배치된다. 이 화소(PX)들은 표시 패널(101)의 표시부에 배치될 수 있다. 이 화소(PX)들은 서로 다른 색상의 광을 방출한다. 예를 들어, 도 1의 화소(PX)들 중 기호 "R"로 지시된 화소는 적색 광을 방출하는 적색 화소이며, "G"로 지시된 화소는 녹색 광을 방출하는 녹색 화소이며, 그리고 "B"로 지시된 화소는 청색 광을 방출하는 청색 화소이다.
한편, 도시되지 않았지만, 표시 패널(101)은 백색 광을 방출하는 적어도 하나의 백색 화소를 더 포함할 수 있다.
하나의 화소는 적어도 하나의 스캔 라인에 연결된다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 제 1 데이터 라인(DL1)에 연결된 복수의 화소(PX)들 중 데이터 드라이버(104)에 가장 근접하게 위치한 청색 화소는 서로 다른 출력 타이밍의 스캔 신호들을 공급받는 3개의 스캔 라인들, 즉 제 1 더미 스캔 라인(SL0), 제 1 스캔 라인(SL1) 및 제 2 스캔 라인(SL2)에 접속된다. 또 다른 예로서, 제 2 데이터 라인(DL2)에 연결된 복수의 화소(PX)들 중 데이터 드라이버(104)로부터 3번째로 멀리 떨어져 위치한 녹색 화소는 서로 다른 출력 타이밍의 스캔 신호들을 공급받는 3개의 스캔 라인들, 즉 제 4 스캔 라인(SL4), 제 5 스캔 라인(SL5) 및 제 6 스캔 라인(SL6)에 접속된다.
동일한 데이터 라인에 공통으로 접속되며 서로 인접하게 위치한 화소들은 적어도 하나의 스캔 라인들에 공통으로 접속된다. 다시 말하여, 동일한 데이터 라인에 연결된 화소들 중 Y축 방향으로 서로 인접한 2개의 화소들은 적어도 하나의 스캔 라인을 공유한다. 예를 들어, 제 2 데이터 라인(DL2)에 연결되며 데이터 드라이버(104)로부터 가장 근접하게 위치한 녹색 화소(이하, 제 1 녹색 화소)와 그 제 2 데이터 라인(DL2)에 연결되며 데이터 드라이버(104)로부터 2번째로 멀리 떨어진 녹색 화소(이하, 제 2 녹색 화소)는 서로 인접하게 위치하는 바, 이 제 1 녹색 화소와 제 2 녹색 화소는 제 2 스캔 라인(SL2)에 공통으로 접속된다. 또 다른 예로서, 제 2 데이터 라인(DL2)에 연결되며 데이터 드라이버(104)로부터 3번째로 멀리 떨어진 녹색 화소를 제 3 녹색 화소로 정의할 때, 이 제 3 녹색 화소와 전술된 제 2 녹색 화소는 제 4 스캔 라인(SL4)에 공통으로 접속된다.
동일한 데이터 라인에 공통으로 접속된 화소들은 적어도 하나의 서로 다른 스캔 라인에 독립적으로 접속된다. 예를 들어, 전술된 제 1 녹색 화소는 제 1 스캔 라인(SL1)에 독립적으로 접속되며, 전술된 제 2 녹색 화소는 제 3 스캔 라인(SL3)에 독립적으로 접속되며, 그리고 전술된 제 3 녹색 화소는 제 5 스캔 라인(SL5)에 독립적으로 접속된다.
이와 같이, 동일한 데이터 라인에 접속된 화소들은 각각 적어도 하나의 스캔 라인에 독립적으로 접속된다. 앞으로, 적어도 2개의 화소들(예를 들어, 제 1 화소(PX1) 및 제 2 화소(PX2))이 서로 다른 스캔 라인에 연결된다는 의미는, 제 1 화소(PX1)에 연결된 스캔 라인들 중 적어도 하나가 제 2 화소(PX2)에 연결된 스캔 라인들 중 적어도 하나와 다른 경우를 의미한다. 따라서, 동일한 데이터 라인에 연결된 화소들은 각각 서로 다른 스캔 라인에 연결된다.
반면, 앞으로, 적어도 2개의 화소들(예를 들어, 제 1 화소(PX1) 및 제 2 화소(PX2))이 서로 동일한 스캔 라인에 연결된다는 의미는, 제 1 화소(PX1)에 연결된 스캔 라인들이 제 2 화소(PX2)에 연결된 스캔 라인들과 완전히 동일한 것을 의미한다. 따라서, 동일한 발광 제어 라인에 연결된 화소들은 각각 동일한 스캔 라인들에 연결된다. 예를 들어, 제 2 발광 제어 라인(EL2)에 공통으로 연결된 화소들은 제 2 스캔 라인(SL2), 제 3 스캔 라인(SL3) 및 제 4 스캔 라인(SL4)에 공통으로 연결된다.
적색 화소 및 청색 화소는 제 2p-1 데이터 라인에 접속되며, 녹색 화소는 제 2q 데이터 라인에 접속된다. 여기서, p는 자연수이다. 예를 들어, 적색 화소 및 청색 화소는 제 1 데이터 라인(DL1)에 접속되며, 녹색 화소는 제 2 데이터 라인(DL2)에 접속된다.
제 2p-1 데이터 라인(예를 들어, 제 1 데이터 라인(DL1))에 접속된 어느 하나의 화소(이하, 제 1 특정 화소)와 다른 제 2p-1 데이터 라인(예를 들어, 제 3 데이터 라인(DL3))에 접속된 어느 하나의 화소(이하, 제 2 특정 화소)는 동일한 스캔 라인에 접속될 수 있는 바, 이때 제 1 특정 화소는 제 2 특정 화소와 다른 색상의 광을 방출한다. 예를 들어, 제 1 특정 화소는 제 1 더미 스캔 라인(SL0), 제 1 스캔 라인(SL1), 제 2 스캔 라인(SL2) 및 제 1 데이터 라인(DL1)에 접속된 청색 화소이고, 제 2 특정 화소는 제 1 더미 스캔 라인(SL0), 제 1 스캔 라인(SL1), 제 2 스캔 라인(SL2) 및 제 3 데이터 라인(DL3)에 접속된 적색 화소일 수 있다.
동일한 데이터 라인(예를 들어, 제 2p-1 데이터 라인)에 연결되며 서로 다른 색상의 광을 방출하는 인접한 2개의 화소들과, 이 2개의 화소들 중 어느 하나에 인접한 적어도 하나의 녹색 화소는 하나의 단위 영상을 표시하기 위한 하나의 단위 화소에 포함된다. 예를 들어, 제 3 데이터 라인(DL3) 및 제 1 스캔 라인(SL1)에 연결된 적색 화소와, 제 3 데이터 라인(DL3) 및 제 3 스캔 라인(SL3)에 연결된 청색 화소와, 제 2 데이터 라인(DL2) 및 제 1 스캔 라인(SL1)에 연결된 녹색 화소, 그리고 제 4 데이터 라인(DL4) 및 제 1 스캔 라인(SL1)에 접속된 녹색 화소는 하나의 단위 화소를 이룰 수 있다.
각 화소(PX)는 전원 공급부(140)로부터 고전위 구동 전압(ELVDD), 저전위 구동 전압(ELVSS) 및 초기화 전압(Vinit)을 공통적으로 공급받는다. 다시 말하여, 하나의 화소는 고전위 구동 전압(ELVDD), 저전위 구동 전압(ELVSS) 및 초기화 전압(Vinit)을 모두 공급받는다.
도 2는 도 1에 도시된 어느 하나의 화소에 대한 등가 회로를 나타낸 도면이다.
하나의 화소는, 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 스위칭 소자(T1), 제 2 스위칭 소자(T2), 제 3 스위칭 소자(T3), 제 4 스위칭 소자(T4), 제 5 스위칭 소자(T5), 제 6 스위칭 소자(T6), 제 7 스위칭 소자(T7), 스토리지 커패시터(Cst) 및 발광 소자(LED)를 포함할 수 있다.
제 1 내지 제 7 스위칭 소자들(T1 내지 T7)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 각각 P타입의 트랜지스터일 수 있다. 한편, 제 1 내지 제 7 스위칭 소자들(T1 내지 T7)은 각각 N타입의 트랜지스터일 수도 있다.
제 1 스위칭 소자(T1)는 제 1 노드(n1)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 2 노드(n2)와 제 3 노드(n3) 사이에 접속된다. 제 1 스위칭 소자(T1)의 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나는 제 2 노드(n2)에 연결되고, 그 소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 하나는 제 3 노드(n3)에 연결된다.
제 2 스위칭 소자(T2)는 제 n 스캔 라인(SLn)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 데이터 라인(DL)과 제 2 노드(n2) 사이에 접속된다. 제 2 스위칭 소자(T2)의 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나는 데이터 라인(DL)에 연결되고, 그 소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 하나는 제 2 노드(n2)에 연결된다. 제 n 스캔 라인(SLn)에 제 n 스캔 신호(SSn)가 인가된다.
제 3 스위칭 소자(T3)는 제 n 스캔 라인(SLn)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 1 노드(n1)와 제 3 노드(n3) 사이에 접속된다. 제 3 스위칭 소자(T3)의 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나는 제 1 노드(n1)에 연결되고, 그 소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 하나는 제 3 노드(n3)에 연결된다.
제 4 스위칭 소자(T4)는 제 n-1 스캔 라인(SLn-1)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 1 노드(n1)와 초기화 라인(IL) 사이에 접속된다. 제 4 스위칭 소자(T4)의 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나는 제 1 노드(n1)에 연결되고, 그 소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 하나는 초기화 라인(IL)에 연결된다. 이 초기화 라인(IL)에 전술된 초기화 전압(Vinit)이 인가되고, 그리고 제 n-1 스캔 라인(SLn-1)에 제 n-1 스캔 신호(SSn-1)가 인가된다.
제 5 스위칭 소자(T5)는 발광 제어 라인(EL)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 전원 공급 라인의 하나인 고전위 라인(VDL)과 제 2 노드(n2) 사이에 접속된다. 제 5 스위칭 소자(T5)의 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나는 고전위 라인(VDL)에 연결되고, 그 소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 하나는 제 2 노드(n2)에 연결된다. 이 고전위 라인(VDL)에 전술된 고전위 구동 전압(ELVDD)이 인가된다.
제 6 스위칭 소자(T6)는 발광 제어 라인(EL)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 3 노드(n3)와 제 4 노드(n4) 사이에 접속된다. 제 6 스위칭 소자(T6)의 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나는 제 3 노드(n3)에 연결되고, 그 소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 하나는 제 4 노드(n4)에 연결된다. 발광 제어 라인(EL)에 발광 제어 신호(ES)가 인가된다.
제 7 스위칭 소자(T7)는 제 n+1 스캔 라인(SLn+1)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 초기화 라인(IL)과 제 4 노드(n4) 사이에 접속된다. 제 7 스위칭 소자(T7)의 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나는 초기화 라인(IL)에 연결되고, 그 소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 하나는 제 4 노드(n4)에 연결된다. 제 n+1 스캔 라인(SLn+1)에 제 n+1 스캔 신호(SSn+1)가 인가된다.
스토리지 커패시터(Cst) 는 고전위 라인(VDL)과 제 1 노드(n1) 사이에 접속된다. 스토리지 커패시터(Cst) 는 제 1 스위칭 소자(T1)의 게이트 전극에 인가된 신호를 한 프레임 기간 동안 저장한다.
발광 소자(LED) 는 제 1 스위칭 소자(T1)를 통해 공급되는 구동 전류에 따라 발광한다. 발광 소자(LED)는 그 구동 전류의 크기에 따라 다른 밝기로 발광한다. 발광 소자(LED)의 애노드 전극은 제 4 노드(n4)에 연결되며, 이 발광 소자(LED)의 캐소드 전극은 전원 공급 라인의 다른 하나인 저전위 라인(VSL)에 연결된다. 이 저전위 라인(VSL)에 전술된 저전위 구동 전압(ELVSS)이 인가된다. 발광 소자(LED)는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode)일 수 있다. 발광 소자(LED)의 애노드 전극은 후술될 화소 전극에 해당하며, 캐소드 전극은 후술될 공통 전극에 해당한다.
제 n-1 스캔 신호(SSn-1)가 제 n-1 스캔 라인(SLn-1)에 인가될 때 제 4 스위칭 소자(T4)가 턴-온된다. 그 턴-온된 제 4 스위칭 소자(T4)를 통해 초기화 전압(Vinit)이 제 1 노드(n1; 즉, 제 1 스위칭 소자(T1)의 게이트 전극)에 인가된다. 이에 따라 제 1 스위칭 소자(T1)의 게이트 전극의 전압이 초기화된다.
제 n 스캔 신호(SSn)가 제 n 스캔 라인(SLn)에 인가될 때 제 2 스위칭 소자(T2) 및 제 3 스위칭 소자(T3)가 턴-온된다. 턴-온된 제 2 스위칭 소자(T2)를 통해 데이터 전압(DA)이 제 1 노드(n1; 즉, 제 1 스위칭 소자(T1)의 게이트 전극)에 인가되고, 이에 따라 제 1 스위칭 소자(T1)가 턴-온된다. 이에 따라, 제 1 스위칭 소자(T1)의 문턱 전압이 검출되고 이 문턱 전압이 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된다.
발광 제어 신호(ES)가 발광 제어 라인(EL)에 인가될 때 제 5 스위칭 소자(T5) 및 제 6 스위칭 소자(T6)가 턴-온된다. 턴-온된 제 5 스위칭 소자(T5), 제 1 스위칭 소자(T1) 및 제 6 스위칭 소자(T6)를 통해 구동 전류가 발광 소자(LED)에 공급된다. 이에 따라 발광 소자(LED)가 발광한다.
제 n+1 스캔 신호(SSn+1)가 제 n+1 스캔 라인(SLn+1)에 인가될 때 제 7 스위칭 소자(T7)가 턴-온된다. 이 턴-온된 제 7 스위칭 소자(T7)를 통해 초기화 전압이 제 4 노드(n4; 즉, 발광 소자(LED)의 애노드 전극)에 인가된다. 이에 따라 발광 소자(LED)가 역방향으로 바이어스되어 이 발광 소자(LED)는 턴-오프된다.
도 3는 도 1에 도시된 어느 하나의 화소 및 이에 연결된 라인들을 포함하는 표시 장치의 상세 평면도를 나타낸 도면이고, 도 4a 내지 도 4e는 도 3의 구성 요소들 중 일부만을 따로 나타낸 도면이고, 그리고 도 5는 도 3의 I-I'의 선을 따라 자른 단면도이다.
구체적으로, 도 4a는 도 3의 반도체층(321)을 나타낸 도면이며, 도 4b는 도 3의 제 n-1 스캔 라인(SLn-1), 제 n 스캔 라인(SLn), 제 n+1 스캔 라인(SLn+1) 및 발광 제어 라인(EL)을 나타낸 도면이며, 도 4c는 도 3의 초기화 라인(IL) 및 커패시터 전극(201)을 나타낸 도면이며, 도 4d는 도 3의 데이터 라인(DL) 및 고전위 라인(VDL)을 나타낸 도면이며, 도 4e는 도 3의 화소 전극(PE)을 나타낸 도면이며, 도 4f는 도 3의 반도체층(321), 제 n-1 스캔 라인(SLn-1), 제 n 스캔 라인(SLn), 제 n+1 스캔 라인(SLn+1) 및 발광 제어 라인(EL)을 나타낸 도면이며, 도 4g는 도 3의 제 1 연결 전극(701), 제 2 연결 전극(702), 제 3 연결 전극(703), 데이터 라인(DL), 고전위 라인(VDL) 및 차광막(190)을 나타낸 도면이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(110), 버퍼층(120), 반도체층(321), 게이트 절연막(140), 제 1 게이트 전극(GE1), 제 2 게이트 전극(GE2), 제 3 게이트 전극(GE3), 제 4 게이트 전극(GE4), 제 5 게이트 전극(GE5), 제 6 게이트 전극(GE6), 제 7 게이트 전극(GE7), 제 n-1 스캔 라인(SLn-1), 제 n 스캔 라인(SLn), 제 n+1 스캔 라인(SLn+1), 발광 제어 라인(EL), 제 1 층간 절연막(150), 초기화 라인(IL), 커패시터 전극(201), 제 2 층간 절연막(160), 제 1 연결 전극(701), 제 2 연결 전극(702), 제 3 연결 전극(703), 데이터 라인(DL), 고전위 라인(VDL), 평탄화막(180), 화소 전극(PE), 차광막(190), 발광층(512), 공통 전극(613) 및 밀봉 부재(750)를 포함할 수 있다.
도 3 및 도 4f에 도시된 바와 같이, 제 1 스위칭 소자(T1)는 제 1 게이트 전극(GE1), 제 1 소스 전극(SE1) 및 제 1 드레인 전극(DE1)을 포함한다.
도 3 및 도 4f에 도시된 바와 같이, 제 2 스위칭 소자(T2)는 제 2 게이트 전극(GE2), 제 2 소스 전극(SE2) 및 제 2 드레인 전극(DE2)을 포함한다.
도 3 및 도 4f에 도시된 바와 같이, 제 3 스위칭 소자(T3)는 제 3 게이트 전극(GE3), 제 3 소스 전극(SE3) 및 제 3 드레인 전극(DE3)을 포함한다.
도 3 및 도 4f에 도시된 바와 같이, 제 4 스위칭 소자(T4)는 제 4 게이트 전극(GE4), 제 4 소스 전극(SE4) 및 제 4 드레인 전극(DE4)을 포함한다.
도 3 및 도 4f에 도시된 바와 같이, 제 5 스위칭 소자(T5)는 제 5 게이트 전극(GE5), 제 5 소스 전극(SE5) 및 제 5 드레인 전극(DE5)을 포함한다.
도 3 및 도 4f에 도시된 바와 같이, 제 6 스위칭 소자(T6)는 제 6 게이트 전극(GE6), 제 6 소스 전극(SE6) 및 제 6 드레인 전극(DE6)을 포함한다.
도 3 및 도 4f에 도시된 바와 같이, 제 7 스위칭 소자(T7)는 제 7 게이트 전극(GE7), 제 7 소스 전극(SE7) 및 제 7 드레인 전극(DE7)을 포함한다.
도 5에 도시된 기판(110)은 유리 및 투명한 소재의 플라스틱 등으로 만들어진 투명 절연 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 캡톤(kapton), 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate: PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylenenaphthalate, PEN), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR) 및 섬유 강화 플라스틱(fiber reinforced plastic: FRP) 등으로 이루어진 군 중에서 선택된 어느 하나로 만들어질 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 버퍼층(120)은 기판(110) 상에 위치한다. 버퍼층(120)은 기판(110)의 전면(全面)에 위치할 수 있다. 버퍼층(120)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 하는 것으로, 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(120)은 질화규소(SiNx)막, 산화규소(SiO2)막, 산질화규소(SiOxNy)막 중 어느 하나로 만들어질 수 있다. 그러나, 버퍼층(120)은 반드시 필요한 것은 아니며, 기판(110)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 반도체층(321)은 버퍼층(120) 상에 위치한다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 반도체층(321)은 제 1 내지 제 7 스위칭 소자들(T1 내지 T7)의 각 채널 영역들(CH1 내지 CH7)을 제공한다. 또한, 반도체층(321)은 제 1 내지 제 7 스위칭 소자들(T1 내지 T7)의 각 소스 전극(SE1 내지 SE7) 및 드레인 전극(DE1 내지 DE7)을 제공한다.
이를 위해, 반도체층(321)은 제 1 채널 영역(CH1), 제 2 채널 영역(CH2), 제 3 채널 영역(CH3), 제 4 채널 영역(CH4), 제 5 채널 영역(CH5), 제 6 채널 영역(CH6) 및 제 7 채널 영역(CH7), 제 1 소스 전극(SE1), 제 2 소스 전극(SE2), 제 3 소스 전극(SE3), 제 4 소스 전극(SE4), 제 5 소스 전극(SE5), 제 6 소스 전극(SE6), 제 7 소스 전극(SE7), 제 1 드레인 전극(DE1), 제 2 드레인 전극(DE2), 제 3 드레인 전극(DE3), 제 4 드레인 전극(DE4), 제 5 드레인 전극(DE5), 제 6 드레인 전극(DE6) 및 제 7 드레인 전극(DE7)을 포함한다.
제 1 소스 전극(SE1), 제 2 드레인 전극(DE2) 및 제 5 드레인 전극(DE5)은 서로 연결된다. 예를 들어, 제 1 소스 전극(SE1), 제 2 드레인 전극(DE2) 및 제 5 드레인 전극(DE5)은 일체로 이루어질 수 있다.
제 1 드레인 전극(DE1), 제 3 소스 전극(SE3) 및 제 6 소스 전극(SE6)은 서로 연결된다. 예를 들어, 제 1 드레인 전극(DE1), 제 3 소스 전극(SE3) 및 제 6 소스 전극(SE6)은 일체로 이루어질 수 있다.
제 3 드레인 전극(DE3) 및 제 4 드레인 전극(DE4)은 서로 연결된다. 예를 들어, 제 3 드레인 전극(DE3) 및 제 4 드레인 전극(DE4)은 일체로 이루어질 수 있다.
제 6 드레인 전극(DE6) 및 제 7 소스 전극(SE7)은 서로 연결된다. 예를 들어, 제 6 드레인 전극(DE6) 및 제 7 소스 전극(SE7)은 일체로 이루어질 수 있다.
반도체층(321)은 다결정 규소막, 비정질 규소막, 및 IGZO(Indium-Galuim-Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide)와 같은 산화물 반도체 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체층(321)이 다결정 규소막을 포함하는 경우, 그 반도체층(321)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 채널 영역의 양 옆에 위치하여 불순물 이온으로 도핑된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 게이트 절연막(140)은 반도체층(321) 및 버퍼층(110) 상에 배치된다. 게이트 절연막(140)은 테트라에톡시실란(TetraEthylOrthoSilicate, TEOS), 질화 규소(SiNx) 및 산화 규소(SiO2)중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일례로, 게이트 절연막(140)은 40nm의 두께를 갖는 질화규소막과 80nm의 두께를 갖는 테트라에톡시실란막이 차례로 적층된 이중막 구조를 가질 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 게이트 전극(GE1)은 게이트 절연막(140) 상에 위치한다. 구체적으로, 제 1 게이트 전극(GE1)은 게이트 절연막(140)과 제 1 층간 절연막(150) 사이에 위치한다.
도 5에 도시되지 않았지만, 제 2 게이트 전극(GE2), 제 3 게이트 전극(GE3), 제 4 게이트 전극(GE4), 제 5 게이트 전극(GE5), 제 6 게이트 전극(GE6) 및 제 7 게이트 전극(GE7)도 게이트 절연막(140) 상에 위치한다. 구체적으로, 제 2 내지 제 7 게이트 전극들(GE2 내지 GE7)은 게이트 절연막(140)과 제 1 층간 절연막(150) 사이에 위치한다.
도 5에 도시되지 않았지만, 스캔 라인 및 발광 제어 라인도 게이트 절연막 상에 위치한다. 구체적으로, 제 n-1 스캔 라인(SLn-1), 제 n 스캔 라인(SLn), 제 n+1 스캔 라인(SLn+1) 및 발광 제어 라인(EL)은 게이트 절연막(140)과 제 1 층간 절연막(150) 사이에 위치한다.
도 3 및 도 4f에 도시된 바와 같이, 제 1 게이트 전극(GE1) 은 반도체층(321)의 제 1 채널 영역(CH1)을 중첩하며, 제 2 게이트 전극(GE2)은 반도체층(321)의 제 2 채널 영역(CH2)을 중첩하며, 제 3 게이트 전극(GE3) 은 반도체층(321)의 제 3 채널 영역(CH3)을 중첩하며, 제 4 게이트 전극(GE4) 은 반도체층(321)의 제 4 채널 영역(CH4)을 중첩하며, 제 5 게이트 전극(GE5) 은 반도체층(321)의 제 5 채널 영역(CH5)을 중첩하며, 제 6 게이트 전극(GE6) 은 반도체층(321)의 제 6 채널 영역(CH6)을 중첩하며, 그리고 제 7 게이트 전극(GE7) 은 반도체층(321)의 제 7 채널 영역(CH7)을 중첩한다.
도 4b 및 도 4f에 도시된 바와 같이, 제 4 게이트 전극(GE4) 은 제 n-1 스캔 라인(SLn-1)에 연결되는 바, 이때 제 4 게이트 전극(GE4) 은 그 제 n-1 스캔 라인(SLn-1)의 일부일 수 있다. 예를 들어, 그 제 n-1 스캔 라인(SLn-1) 중 반도체층(321)과 중첩되는 부분이 제 4 게이트 전극(GE4) 일 수 있다.
도 4b 및 도 4f에 도시된 바와 같이, 제 3 게이트 전극(GE3)은 제 n 스캔 라인(SLn)에 연결되는 바, 이때 제 3 게이트 전극 (GE3)은 그 제 n 스캔 라인(SLn)의 일부일 수 있다. 예를 들어, 그 제 n 스캔 라인(SLn) 중 반도체층(321)과 중첩되는 부분이 제 3 게이트 전극(GE3)일 수 있다.
도 4b 및 도 4f에 도시된 바와 같이, 제 7 게이트 전극(GE7)은 제 n+1 스캔 라인(SLn+1)에 연결되는 바, 이때 제 7 게이트 전극(GE7)은 그 제 n+1 스캔 라인(SLn+1)의 일부일 수 있다. 예를 들어, 그 제 n+1 스캔 라인(SLn+1) 중 반도체층(321)과 중첩되는 부분이 제 7 게이트 전극(GE7)일 수 있다.
도 4b 및 도 4f에 도시된 바와 같이, 제 5 게이트 전극(GE5) 및 제 6 게이트 전극(GE6)은 하나의 발광 제어 라인(EL)에 공통으로 연결되는 바, 이때 제 5 게이트 전극(GE5) 및 제 6 게이트 전극(GE6)은 그 발광 제어 라인(EL)의 일부일 수 있다. 예를 들어, 그 발광 제어 라인(EL) 중 반도체층(321)과 중첩되는 2개의 부분들이 각각 제 5 게이트 전극(GE5) 및 제 6 게이트 전극(GE6) 일 수 있다.
스캔 라인(예를 들어, 제 n-1 스캔 라인(SLn-1), 제 n 스캔 라인(SLn) 및 제 n+1 스캔 라인(SLn+1) 중 적어도 하나)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금과 같은 알루미늄 계열의 금속, 또는 은(Ag)이나 은 합금과 같은 은 계열의 금속, 또는 구리(Cu)나 구리 합금과 같은 구리 계열의 금속, 또는 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금과 같은 몰리브덴 계열의 금속으로 만들어질 수 있다. 또는, 이 게이트 라인(GL)은, 크롬(Cr) 및 탄탈륨(Ta) 중 어느 하나로 만들어질 수 있다. 한편, 스캔 라인은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.
제 1 내지 제 7 게이트 전극들(GE1 내지 GE7)은 전술된 스캔 라인과 동일한 물질 및 구조(다중막 구조)를 가질 수 있다. 각 게이트 전극(GE1 내지 GE7) 및 스캔 라인은 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
또한, 발광 제어 라인(EL)은 전술된 스캔 라인과 동일한 물질 및 구조(다중막 구조)를 가질 수 있다. 발광 제어 라인(EL) 및 스캔 라인은 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 층간 절연막(150)은 제 1 게이트 전극(GE1) 및 게이트 절연막(140) 상에 위치한다. 제 1 층간 절연막(150)은 게이트 절연막(140)보다 더 큰 두께를 가질 수 있다. 제 1 층간 절연막(150)은 전술된 게이트 절연막(140)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
도 5에 도시되지 않았지만, 제 1 층간 절연막(150)은 제 2 내지 제 7 게이트 전극(GE2 내지 GE7), 각 스캔 라인(예를 들어, SLn-1, SLn, SLn+1) 및 각 발광 제어 라인(EL) 상에도 위치한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 커패시터 전극(201)은 제 1 층간 절연막(150) 상에 위치한다. 예를 들어, 커패시터 전극(201)은 제 1 층간 절연막(150)과 제 2 층간 절연막(160) 사이에 위치한다. 커패시터 전극(201)은 전술된 제 1 게이트 전극(GE1)과 함께 스토리지 커패시터(Cst)를 이룬다. 예를 들어, 제 1 게이트 전극(GE1)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제 1 전극에 해당하며, 커패시터 전극(201)은 그 스토리지 커패시터(Cst)의 제 2 전극에 해당한다. 구체적으로, 제 1 게이트 전극(GE1) 중 커패시터 전극(201)과 중첩하는 부분이 그 스토리지 커패시터(Cst)의 제 1 전극에 해당하고, 커패시터 전극(201) 중 제 1 게이트 전극(GE1)과 중첩하는 부분이 그 스토리지 커패시터(Cst)의 제 2 전극에 해당한다.
도 5에 도시되지 않았지만, 초기화 라인(도 3 및 도 4c의 IL)도 제 1 층간 절연막(150) 상에 위치한다. 구체적으로, 초기화 라인(IL)은 제 1 층간 절연막(150)과 제 2 층간 절연막(160) 사이에 위치한다.
도 3 및 도 4c에 도시된 바와 같이, 커패시터 전극(201)은 홀(30)을 갖는다. 이 홀(30)은 사각형의 형상을 이룰 수 있다. 이 홀의 형태는 사각형에 한정되지 않는다. 예를 들어, 이 홀(30)은 원형 및 삼각형 등의 다양한 형상을 가질 수 있다.
도 3 및 도 4c에 도시된 바와 같이, 서로 인접한 화소들의 커패시터 전극(201)들은 서로 연결될 수 있다. 다시 말하여, X축 방향으로 인접한 화소들의 커패시터 전극(201)들은 일체로 이루어질 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 커패시터 전극(201), 초기화 라인(IL) 및 제 1 층간 절연막(150) 상에 제 2 층간 절연막(160)이 위치한다. 제 2 층간 절연막(160)은 게이트 절연막(140)보다 더 큰 두께를 가질 수 있다. 제 2 층간 절연막(160)은 전술된 게이트 절연막(140)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 연결 전극(701), 제 2 연결 전극(702), 고전위 라인(VDL) 및 데이터 라인(DL)은 제 2 층간 절연막(160) 상에 위치한다. 구체적으로, 제 1 연결 전극(701), 제 2 연결 전극(702), 고전위 라인(VDL) 및 데이터 라인(DL)은 제 2 층간 절연막(160)과 평탄화막(180) 사이에 위치한다.
도 5에 도시되지 않았지만, 제 3 연결 전극(도 3 및 도 4d의 703)도 제 2 층간 절연막(160) 상에 위치한다. 구체적으로, 제 3 연결 전극(703)은 제 2 층간 절연막(160)과 평탄화막(180) 사이에 위치한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 연결 전극(701)은 제 2 층간 절연막(160), 제 1 층간 절연막(150) 및 게이트 절연막(140)을 관통하는 제 1 콘택홀(11)을 통해 제 1 소스 전극(SE1)에 연결된다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제 2 연결 전극(702)은 제 2 층간 절연막(160) 및 제 1 층간 절연막(150)을 관통하는 제 2 콘택홀(12)을 통해 제 1 게이트 전극(GE1)에 연결된다. 또한, 제 2 연결 전극(702)은, 도 3, 도 4a 및 도 4d에 도시된 바와 같이, 제 3 콘택홀(13)을 통해 제 3 드레인 전극(DE3)에 연결된다. 제 3 콘택홀(13)은 제 2 층간 절연막(160), 제 1 층간 절연막(150) 및 게이트 절연막(140)을 관통하여 제 3 드레인 전극(DE3)을 노출시킨다.
도 3, 도 4a 및 도 4d에 도시된 바와 같이, 제 3 연결 전극(703)은 제 4 콘택홀(14)을 통해 제 4 소스 전극(SE4)에 연결된다. 제 4 콘택홀(14)은 제 2 층간 절연막(160), 제 1 층간 절연막(150) 및 게이트 절연막(140)을 관통하여 제 4 소스 전극(SE4)을 노출시킨다. 또한, 제 3 연결 전극(703)은, 도 3, 도 4c 및 도 4d에 도시된 바와 같이, 제 5 콘택홀(15)을 통해 초기화 라인(IL)에 연결된다. 제 5 콘택홀(15)은 제 2 층간 절연막(160)을 관통하여 초기화 라인(IL)을 노출시킨다.
도 5에 도시된 바와 같이, 고전위 라인(VDL)은 제 2 층간 절연막(160)을 관통하는 제 6 콘택홀(16)을 통해 커패시터 전극(201)에 연결된다. 또한, 고전위 라인(VDL)은, 도 3, 도 4a 및 도 4d에 도시된 바와 같이, 제 7 콘택홀(17)을 통해 제 5 소스 전극(SE5)에 연결된다. 제 7 콘택홀(17)은 제 2 층간 절연막(160), 제 1 층간 절연막(150) 및 게이트 절연막(140)을 관통하여 제 5 소스 전극(SE5)을 노출시킨다.
도 3, 도 4a 및 도 4d에 도시된 바와 같이, 데이터 라인(DL)은 제 8 콘택홀(18)을 통해 제 2 소스 전극(SE2)에 연결된다. 제 8 콘택홀(18)은 제 2 층간 절연막(160), 제 1 층간 절연막(150) 및 게이트 절연막(140)을 관통하여 제 2 소스 전극(SE2)을 노출시킨다.
데이터 라인(DL)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어질 수 있다. 데이터 라인(DL)은 내화성 금속막과 저저항 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴(또는 몰리브덴 합금) 하부막과 알루미늄 (또는 알루미늄 합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (또는 몰리브덴 합금) 하부막과 알루미늄 (또는 알루미늄 합금) 중간막과 몰리브덴 (또는 몰리브덴 합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 한편, 데이터 라인(DL)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
제 1 연결 전극(701), 제 2 연결 전극(702), 제 3 연결 전극(703) 및 고전위 라인(VDL)은 전술된 데이터 라인(DL)과 동일한 물질 및 구조(다중막 구조)를 가질 수 있다. 제 1 연결 전극(701), 제 2 연결 전극(702), 제 3 연결 전극(703), 고전위 라인(VDL) 및 데이터 라인(DL)은 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 평탄화막(180)은 제 1 연결 전극(701), 제 2 연결 전극(702), 제 3 연결 전극(703), 고전위 라인(VDL) 및 데이터 라인(DL) 상에 위치한다.
평탄화막(180)은 그 위에 형성될 유기 발광 소자(LED)의 발광 효율을 높이기 위해, 기판(110)의 높낮이차를 제거함으로써 기판(110)을 평탄화시키는 역할을 한다. 평탄화막(180)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolicresin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(polyphenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 만들어질 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 화소 전극(PE)은 평탄화막(180) 상에 위치한다. 화소 전극(PE)의 일부 또는 전부는 발광 영역(900) 내에 위치한다. 즉, 화소 전극(PE)은 후술할 차광막(190)에 의해 정의된 발광 영역(900)에 대응되게 위치한다. 화소 전극(PE)은 평탄화막(180)을 관통하는 제 9 콘택홀(19)을 통해 제 1 연결 전극(701)에 연결된다.
도 3 및 도 4e에 도시된 바와 같이, 화소 전극(PE)은 마름모꼴 형상을 가질 수 있다. 화소 전극(PE)은 마름모꼴 외에도 다양한 형상, 예를 들어 사각형의 형상을 가질 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 차광막(190)은 화소 전극(PE) 및 평탄화막(180) 상에 위치한다. 차광막(190)은 이를 관통하는 개구부(900)를 갖는 바, 이 개구부(900)가 발광 영역(900)에 해당한다. 도 3 및 도 4g에 도시된 바와 같이, 발광 영역(900)은 마름모꼴 형상을 가질 수 있다. 발광 영역(900)은 마름모꼴 외에도 다양한 형상, 예를 들어 사각형의 형상을 가질 수 있다. 발광 영역(900)의 크기는 전술된 화소 전극(PE)의 크기보다 더 작을 수 있다. 화소 전극(PE)의 적어도 일부는 이 발광 영역(900)에 위치한다. 이때, 발광 영역(900)의 전체가 화소 전극(PE)과 중첩한다.
차광막(190)은 폴리아크릴계(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지로 만들어질 수 있다.
발광층(512)은 발광 영역(900) 내에서 화소 전극(PE) 상에 위치하며, 공통 전극(613)은 차광막(190) 및 발광층(512) 상에 위치한다. 화소 전극(PE), 발광층(512) 및 공통 전극(613)은 발광 다이오드(예를 들어, 도 2의 발광 소자(LED))를 구성하는 바, 이때 화소 전극(PE)은 그 발광 다이오드의 애노드 전극에 해당하며, 공통 전극(613)은 그 발광 다이오드의 캐소드 전극에 해당한다.
발광층(512)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어진다. 도시되지 않았지만, 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL) 및 정공 수송층(Hole Transporting Layer, HTL) 중 적어도 하나가 화소 전극(PE)과 발광층(512) 사이에 더 위치할 수 있고, 전자 수송층(Electron Transporting Layer, ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL) 중 적어도 하나가 발광층(512)과 공통 전극(613) 사이에 더 위치할 수 있다.
화소 전극(PE) 및 공통 전극(513)은 투과형 전극, 반투과형 전극 및 반사형 전극 중 어느 하나로 제조될 수 있다.
투과형 전극은 투명 도전성 산화물(TCO; Transparent Conductive Oxide)을 포함할 수 있다. 투명 도전성 산화물(TCO)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 안티몬 주석 산화물(ATO), 알루미늄 아연 산화물(AZO), 산화 아연(ZnO), 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
반투과형 전극 및 반사형 전극은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 구리(Cu)와 같은 금속 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 이때, 반투과형 전극과 반사형 전극은 두께에 의해 구별된다. 일반적으로, 반투과형 전극은 약 200nm 이하의 두께를 가지며, 반사형 전극은 300nm 이상의 두께를 가진다. 반투과형 전극은 두께가 얇아질수록 빛의 투과율이 높아지지만 저항이 커지고, 두께가 두꺼워질수록 빛의 투과율이 낮아진다.
또한, 반투과형 및 반사형 전극은 금속 또는 금속의 합금으로 된 금속층과 금속층상에 적층된 투명 도전성 산화물(TCO)층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
밀봉 부재(750)는 공통 전극(613) 상에 위치한다. 밀봉 부재(750)는 유리 및 투명한 소재의 플라스틱 등으로 만들어진 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 또한, 밀봉 부재(750)는 하나 이상의 무기막 및 하나 이상의 유기막이 Z축 방향을 따라 교호적으로 적층된 박막 봉지 구조로 형성될 수도 있다.
한편, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(110)과 화소 전극(PE) 사이에는 복수의 패턴들이 수직적으로 서로 다른 층 상에 위치한다. 예를 들어, 기판(110)과 화소 전극(PE) 사이에 복수의 패턴들이 Z축 방향을 따라 서로 다른 층에 위치한다. 이하 이를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 4a의 반도체층(321)을 제 1 패턴으로 정의하고, 도 4b의 각 스캔 라인(SLn-1, SLn, SLn+1), 각 게이트 전극(GE1 내지 GE7) 및 발광 제어 라인(EL)을 제 2 패턴으로 정의하고, 도 4c의 초기화 라인(IL) 및 커패시터 전극(201)을 제 3 패턴으로 정의하고, 그리고 도 4d의 각 연결 전극(701 내지 703), 고전위 라인(VDL) 및 데이터 라인(DL)을 제 4 패턴으로 정의한다.
제 1 패턴은 반도체층(321)을 포함하고, 제 2 패턴은 각 스캔 라인(SLn-1, SLn, SLn+1), 각 게이트 전극(GE1 내지 GE7) 및 발광 제어 라인(EL)을 포함하며, 제 3 패턴은 초기화 라인(IL) 및 커패시터 전극(202)을 포함하며, 그리고 제 4 패턴은 각 연결 전극(701 내지 703), 고전위 라인(VDL) 및 데이터 라인(DL)을 포함한다.
동일한 패턴에 포함된 구성 요소들은 모두 동일한 물질로 이루어지며, 또한 동일한 층 상에 위치한다. 서로 다른 패턴에 위치한 구성 요소들은 서로 다른 층상에 위치한다. 예를 들어, 제 1 패턴에 포함된 반도체층(321)은 제 2 패턴에 포함된 발광 제어 라인(EL)과 다른 층 상에 위치한다. 구체적으로, 발광 제어 라인(EL)은 반도체층(321)보다 더 높은 층(즉, 화소 전극(PE)에 더 근접한 층)에 위치한다.
전술된 제 1 내지 제 4 패턴들 중 제 4 패턴은 화소 전극(PE)에 가장 근접하게 위치한다. 다시 말하여, 제 1 내지 제 4 패턴들 중 제 4 패턴이 가장 높은 층에 위치한다. 이에 따라, 제 1 내지 제 4 패턴들 중 제 4 패턴은 차광막(190)의 발광 영역(900)에 가장 근접하게 위치한다.
도 4g에 도시된 바와 같이, 제 4 패턴에 포함된 구성 요소들 중 적어도 일부는 발광 영역(900)과 중첩한다. 다시 말하여, 제 4 패턴의 구성 요소들 중 적어도 일부는 그 발광 영역(900) 내에 위치한다.
발광 영역(900)은 복수의 분할 영역들로 구분될 수 있다. 예를 들어, 도 4g에 도시된 바와 같이, 발광 영역(900)은 제 1 분할 영역(900a) 및 제 2 분할 영역(900b)을 포함할 수 있다. 제 1 분할 영역(900a)과 제 2 분할 영역(900b)은 동일한 크기를 가질 수 있다.
발광 영역(900)은 가상의 분할선(L)에 의해 2개의 분할 영역들(900a, 900b)로 분할될 수 있다. 이 분할선(L)은 데이터 라인(DL)에 평행하며 발광 영역(900)의 중심을 가로지른다. 예를 들어, 이 분할선(L)은 Y축에 평행하며 발광 영역(900)의 중심을 통과한다. 제 1 분할 영역(900a)과 제 2 분할 영역(900b)은 그 분할선(L)에 대하여 대칭 형상을 이룰 수 있다. 한편, 제 1 분할 영역(900a)과 제 2 분할 영역(900b)은 서로 다른 형상을 가질 수도 있다.
도 4g에 도시된 바와 같이, 기판(110)의 서로 마주보는 변들은 각각 제 1 변(110a) 및 제 2 변(110b)으로 정의될 수 있다. 여기서, 제 1 변(110a)과 제 2 변(110b)은 실질적으로 데이터 라인(DL)에 평행한 변들로서, 제 1 변(110a) 및 제 2 변(110b)은 각각 Y축 방향으로 연장된다.
제 1 분할 영역(900a)은 분할선(L)과 제 1 변(110a) 사이에 위치하며, 제 2 분할 영역(900b)은 분할선(L)과 제 2 변(110b) 사이에 위치한다. 이때, 제 1 분할 영역(900a) 및 제 2 분할 영역(900b) 중 제 1 분할 영역(900a)이 제 1 변(110a)에 더 근접하게 위치한다.
구체적으로, 제 1 분할 영역(900a)의 어느 특정 지점(이하, 제 1 지점)으로부터 제 1 변(110a)까지의 최단 거리를 제 1 거리로 정의하고, 제 2 분할 영역(900b)의 어느 특정 지점(이하, 제 2 지점)으로부터 그 제 1 변(110a)까지의 최단 거리를 제 2 거리로 정의할 때, 제 1 거리는 제 2 거리보다 더 짧다. 이때, 제 1 지점 및 제 2 지점은 제 1 분할 영역(900a)과 제 2 분할 영역(900b)의 경계면을 제외한 부분에 위치한다. 또한, 제 1 거리 및 제 2 거리는 X축 방향을 따라 측정된 거리이다.
한편, 제 1 분할 영역(900a) 및 제 2 분할 영역(900b) 중 제 2 분할 영역(900b)이 제 2 변(110b)에 더 근접하게 위치한다. 구체적으로, 제 1 분할 영역(900a)의 어느 특정 지점(이하, 제 3 지점)으로부터 제 2 변(110b)까지의 최단 거리를 제 3 거리로 정의하고, 제 2 분할 영역(900b)의 어느 특정 지점(이하, 제 4 지점)으로부터 그 제 2 변(110b)까지의 최단 거리를 제 4 거리로 정의할 때, 제 4 거리는 제 3 거리보다 더 짧다. 이때, 제 3 지점 및 제 4 지점은 제 1 분할 영역(900a)과 제 2 분할 영역(900b)의 경계면을 제외한 부분에 위치한다. 또한, 제 3 거리 및 제 4 거리는 X축 방향을 따라 측정된 거리이다.
제 1 발광 영역(900)의 제 1 분할 영역(900a)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적(이하, 제 1 중첩 면적)은 제 1 발광 영역(900)의 제 2 분할 영역(900b)과 그 제 4 패턴 간의 중첩 면적(이하, 제 2 중첩 면적)과 다르다. 예를 들어, 도 4g에 도시된 바와 같이, 제 2 중첩 면적이 제 1 중첩 면적보다 더 클 수 있다. 도시되지 않았지만, 제 1 중첩 면적이 제 2 중첩 면적보다 더 클 수도 있다.
더욱 구체적인 예로서, 도 4g에 도시된 바와 같이, 제 2 발광 영역(902)의 제 1 분할 영역(900a)에는 데이터 라인(DL')의 일부가 위치하며, 그 제 2 발광 영역(902)의 제 2 분할 영역(900b)에는 제 2 연결 전극(702)의 일부 및 고전위 라인(VDL)의 일부가 위치하는 바, 제 2 분할 영역(900b)과 중첩하는 제 2 연결 전극(702) 및 고전위 라인(VDL) 부분은 제 1 분할 영역(900a)과 중첩하는 데이터 라인(DL') 부분보다 더 큰 면적을 갖는다.
도 6은 도 1에 도시된 복수의 화소들 및 이들에 연결된 라인들을 포함하는 표시 장치의 상세 평면도를 나타낸 도면이고, 도 7a 내지 도 7e는 도 6의 구성 요소들 중 일부만을 따로 나타낸 도면이다.
구체적으로, 도 7a는 도 6의 반도체층(321)을 나타낸 도면이며, 도 7b는 도 6의 제 n-1 스캔 라인(SLn-1), 제 n 스캔 라인(SLn), 제 n+1 스캔 라인(SLn+1), 제 n+2 스캔 라인(SLn+2), 제 m 발광 제어 라인(ELm) 및 제 m+1 발광 제어 라인(ELm+1)을 나타낸 도면이며, 도 7c는 도 6의 초기화 라인(IL) 및 커패시터 전극(201)을 나타낸 도면이며, 도 7d는 도 6의 제 1 연결 전극(701), 제 2 연결 전극(702), 제 3 연결 전극(703), 제 r-2 데이터 라인(DLr-2), 제 r-1 데이터 라인(DLr-1), 제 r 데이터 라인(DLr), 제 r+1 데이터 라인(DLr+1), 제 r+2 데이터 라인(DLr+2) 및 고전위 라인(VDL)을 나타낸 도면이며, 도 7e는 도 6의 제 1 내지 제 8 화소 전극들(PE1 내지 PE8)을 나타낸 도면이며, 도 7f는 도 6의 반도체층(321), 제 n-1 스캔 라인(SLn-1), 제 n 스캔 라인(SLn), 제 n+1 스캔 라인(SLn+1), 제 n+2 스캔 라인(SLn+2), 제 m 발광 제어 라인(ELm) 및 제 m+1 발광 제어 라인(ELm+1)을 나타낸 도면이며, 도 7g는 도 6의 제 1 연결 전극(701), 제 2 연결 전극(702), 제 3 연결 전극(703), 제 r-2 데이터 라인(DLr-2), 제 r-1 데이터 라인(DLr-1), 제 r 데이터 라인(DLr), 제 r+1 데이터 라인(DLr+1), 제 r+2 데이터 라인(DLr+2), 고전위 라인(VDL) 및 차광막(190)을 나타낸 도면이다.
도 6에는 복수의 화소들이 도시되어 있는 바, 여기서 제 m 발광 제어 라인(ELm)에 공통으로 접속된 4개의 화소들을 각각 제 1 화소(PX1), 제 2 화소(PX2), 제 3 화소(PX3) 및 제 4 화소(PX4)로 정의한다. 또한, 제 m+1 발광 제어 라인(ELm+1)에 공통으로 접속된 4개의 화소들을 각각 제 5 화소(PX5), 제 6 화소(PX6), 제 7 화소(PX7) 및 제 8 화소(PX8)로 정의한다.
도 6의 제 2 화소(PX2)는 전술된 도 3의 화소(PX)와 동일하다. 제 1 화소(PX1), 제 3 화소(PX3), 제 4 화소(PX4), 제 5 화소(PX5), 제 6 화소(PX6), 제 7 화소(PX7) 및 제 8 화소(PX8)는 도 3의 화소(PX)와 실질적으로 동일한 구성을 갖는다.
제 1 화소(PX1), 제 3 화소(PX3), 제 5 화소(PX5) 및 제 7 화소(PX7)는 동일한 색상의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 제 1 화소(PX1), 제 3 화소(PX3), 제 5 화소(PX5) 및 제 7 화소(PX7)는 각각 녹색 광을 방출하는 적색 화소들이다.
제 2 화소(PX2) 및 제 8 화소(PX8)는 동일한 색상의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 제 2 화소(PX2) 및 제 8 화소(PX8)는 각각 적색 광을 방출하는 적색 화소들이다.
제 4 화소(PX4) 및 제 6 화소(PX6)는 동일한 색상의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 제 4 화소(PX4) 및 제 6 화소(PX6)는 각각 청색 광을 방출하는 청색 화소들이다.
인접하여 배치된 4개의 화소들은 하나의 단위 화소를 이룰 수 있다. 예를 들어, 인접하여 배치된 제 1 화소(PX1), 제 2 화소(PX2), 제 3 화소(PX3) 및 제 6 화소(PX6)는 하나의 단위 화소(이하, 제 1 단위 화소)를 이룬다. 또한, 인접하여 배치된, 제 3 화소(PX3), 제 4 화소(PX4), 제 8 화소(PX8) 및 도시되지 않은 다른 녹색 화소는 다른 하나의 단위 화소(이하, 제 2 단위 화소)를 이룬다. 여기서, 도시되지 않는 녹색 화소는 제 m 발광 제어 라인(ELm)에 연결되며 제 4 화소(PX4) 및 제 8 화소(PX8)에 인접하게 위치한다. 이와 같이 인접한 제 1 단위 화소 및 제 2 단위 화소는 이들 사이에 위치한 녹색 화소(예를 들어, 제 3 화소(PX3))를 공유한다. 또한, 제 1 단위 화소의 제 2 화소(PX2)는 이의 상측에 인접한 다른 3개의 화소들과 함께 다른 단위 화소를 이루며, 또한 제 1 단위 화소의 제 6 화소(PX6)는 이의 하측에 인접한 다른 3개의 화소들과 함께 또 다른 단위 화소를 이룬다. 즉, 본 발명의 표시 장치는 펜타일(PenTile) 구조의 화소들을 포함한다.
도 6 및 도 7e에 도시된 바와 같이, 각 화소는 화소 전극을 포함한다. 예를 들어, 제 1 화소(PX1)는 제 1 화소 전극(PE1)을 포함하며, 제 2 화소(PX2)는 제 2 화소 전극(PE2)을 포함하며, 제 3 화소(PX3)는 제 3 화소 전극(PE3)을 포함하며, 제 4 화소(PX4)는 제 4 화소 전극(PE4)을 포함하며, 제 5 화소(PX5)는 제 5 화소 전극(PE5)을 포함하며, 제 6 화소(PX6)는 제 6 화소 전극(PE6)을 포함하며, 제 7 화소(PX7)는 제 7 화소 전극(PE7)을 포함하며, 그리고 제 8 화소(PX8)는 제 8 화소 전극(PE8)을 포함한다.
동일한 색상의 광을 방출하는 화소들에 포함된 화소 전극은 동일한 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 도 6 및 도 7e에 도시된 바와 같이, 녹색 화소들의 제 1 화소 전극(PE1), 제 3 화소 전극(PE3), 제 5 화소 전극(PE5) 및 제 7 화소 전극(PE7)은 동일한 크기를 가질 수 있다. 또한, 적색 화소들의 제 2 화소 전극(PE2) 및 제 8 화소 전극(PE8)은 동일한 크기를 가질 수 있다. 또한, 청색 화소들의 제 4 화소 전극(PE4) 및 제 6 화소 전극(PE6)은 동일한 크기를 가질 수 있다.
화소 전극들 중 녹색 화소의 화소 전극은 가장 작은 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 도 6 및 도 7e에 도시된 바와 같이, 제 1 내지 제 7 화소 전극(PE7)들 중 제 1 화소 전극(PE1), 제 3 화소 전극(PE3), 제 5 화소 전극(PE5) 및 제 7 화소 전극(PE7)이 가장 작은 크기를 가질 수 있다.
청색 화소의 화소 전극이 적색 화소의 화소 전극보다 더 큰 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 도 6 및 도 7e에 도시된 바와 같이, 제 4 화소 전극(PE4)은 제 2 화소 전극(PE2)보다 더 크기를 가질 수 있다. 마찬가지로, 제 4 화소 전극(PE4)은 제 8 화소 전극(PE8)보다 더 큰 크기를 가질 수 있다. 또한, 제 6 화소 전극(PE6)은 제 2 화소 전극(PE2)보다 더 큰 크기를 가질 수 있다. 마찬가지로, 제 6 화소 전극(PE6)은 제 8 화소 전극(PE8)보다 더 큰 크기를 가질 수 있다.
또한, 도 7f에 도시된 바와 같이, 각 화소(PX1 내지 PX8)는 제 1 내지 제 7 스위칭 소자들(T1 내지 T7)과 스토리지 커패시터(Cst)를 더 포함한다. 제 1 내지 제 7 스위칭 소자들(T1 내지 T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)에 대한 구체적인 설명은 전술된 도 3 및 이에 관련된 기재를 참조한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 화소(PX1), 제 2 화소(PX2), 제 3 화소(PX3) 및 제 4 화소(PX4)는 동일한 스캔 라인 및 동일한 발광 제어 라인에 접속된다. 예를 들어, 제 1 화소(PX1), 제 2 화소(PX2), 제 3 화소(PX3) 및 제 4 화소(PX4)는 제 n-1 스캔 라인(SLn-1), 제 n 스캔 라인(SLn), 제 n+1 스캔 라인(SLn+1) 및 제 m 발광 제어 라인(ELm)에 공통으로 접속된다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제 5 화소(PX5), 제 6 화소(PX6), 제 7 화소(PX7) 및 제 8 화소(PX8)는 동일한 스캔 라인 및 동일한 발광 제어 라인에 접속된다. 예를 들어, 제 5 화소(PX5), 제 6 화소(PX6), 제 7 화소(PX7) 및 제 8 화소(PX8)는 제 n+1 스캔 라인(SLn+1), 제 n+2 스캔 라인(SLn+2), 제 n+3 스캔 라인(SLn+3) 및 제 m+1 발광 제어 라인(ELm+1)에 공통으로 접속된다.
제 1 화소(PX1) 및 제 5 화소(PX5)는 동일한 데이터 라인에 공통으로 연결된다. 예를 들어, 제 1 화소(PX1) 및 제 5 화소(PX5)는 제 r-1 데이터 라인(DLr-1)에 공통으로 연결된다.
제 2 화소(PX2) 및 제 6 화소(PX6)는 동일한 데이터 라인에 공통으로 연결된다. 예를 들어, 제 2 화소(PX2) 및 제 6 화소(PX6)는 제 r 데이터 라인(DLr)에 공통으로 연결된다.
제 3 화소(PX3) 및 제 7 화소(PX7)는 동일한 데이터 라인에 공통으로 연결된다. 예를 들어, 제 3 화소(PX3) 및 제 7 화소(PX7)는 제 r+1 데이터 라인(DLr+1)에 공통으로 연결된다.
제 4 화소(PX4) 및 제 8 화소(PX8)는 동일한 데이터 라인에 공통으로 연결된다. 예를 들어, 제 4 화소(PX4) 및 제 8 화소(PX8)는 제 r+2 데이터 라인(DLr+2)에 공통으로 연결된다.
이하, 제 n-1 스캔 라인(SLn-1), 제 n 스캔 라인(SLn), 제 n+1 스캔 라인(SLn+1) 및 제 m 발광 제어 라인(ELm)에 공통에 접속된 제 1 내지 제 4 화소들(PX1 내지 PX4)을 제 1 화소군으로 정의한다. 그리고, 제 n+1 스캔 라인(SLn+1), 제 n+2 스캔 라인(SLn+2), 제 n+3 스캔 라인(SLn+3) 및 제 m+1 발광 제어 라인(ELm+1)에 공통으로 접속된 제 5 내지 제 8 화소들(PX5 내지 PX8)을 제 2 화소군으로 정의한다.
제 1 화소군과 제 2 화소군은 서로 다른 발광 제어 라인들에 연결된다. 이때, 그 서로 다른 발광 제어 라인들은 인접하여 위치한다. 예를 들어, 제 1 화소군은 제 m 발광 제어 라인(ELm)에 연결되고, 제 2 화소군은 제 m+1 발광 제어 라인(ELm+1)에 연결된다.
전술된 바와 같이 각 화소의 발광 영역(900)은 복수의 분할 영역들로 구분될 수 있다. 예를 들어, 도 7g에 도시된 바와 같이, 제 1 내지 제 8 화소(PX1 내지 PX8)는 각각 제 1 내지 제 8 발광 영역들(901 내지 908)을 포함하는 바, 이들 중 제 2 발광 영역(902), 제 4 발광 영역(904), 제 6 발광 영역(906) 및 제 8 발광 영역(908)은 제 1 분할 영역(902a, 904a, 906a, 908a) 및 제 2 분할 영역(902b, 904b, 906b, 908b)을 포함할 수 있다.
하나의 발광 영역의 제 1 분할 영역과 제 2 분할 영역은 동일한 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 제 2 화소(PX2)의 제 1 분할 영역(902a)과 그 제 2 화소(PX2)의 제 2 분할 영역(902b)은 동일한 크기를 가질 수 있으며, 제 4 화소(PX4)의 제 1 분할 영역(904a)과 그 제 4 화소(PX4)의 제 2 분할 영역(904b)은 동일한 크기를 가질 수 있으며, 제 6 화소(PX6)의 제 1 분할 영역(906a)과 그 제 6 화소(PX6)의 제 2 분할 영역(906b)은 동일한 크기를 가질 수 있으며, 그리고 제 8 화소(PX8)의 제 1 분할 영역(908a)과 그 제 8 화소(PX8)의 제 2 분할 영역(908b)은 동일한 크기를 가질 수 있다.
각 발광 영역(902, 904, 906, 908)은 가상의 분할선에 의해 2개의 분할 영역들로 분할될 수 있다. 예를 들어, 제 2 발광 영역(902)은 제 2 분할선(L2)에 의해 2개의 분할 영역들(902a, 902b)로 분할되고, 제 4 발광 영역(904)은 제 4 분할선(L4)에 의해 2개의 분할 영역들(904a, 904b)로 분할될 수 있으며, 제 6 발광 영역(906)은 제 6 분할선(L6)에 의해 2개의 분할 영역들(906a, 906b)로 분할될 수 있으며, 그리고 제 8 발광 영역(908)은 제 8 분할선(L8)에 의해 2개의 분할 영역들(908a, 908b)로 분할될 수 있다.
각 분할선(L2, L4, L6, L8)은 데이터 라인(예를 들어, DL)에 평행하며 해당 발광 영역의 중심을 가로지른다. 예를 들어, 각 분할선(L2, L4, L6, L8)은 Y축에 평행하며 해당 발광 영역의 중심을 통과한다.
하나의 발광 영역에 포함된 제 1 분할 영역과 제 2 분할 영역은 그 분할선에 대하여 대칭 형상을 이룬다. 한편, 하나의 발광 영역에 포함된 제 1 분할 영역과 제 2 분할 영역은 서로 다른 형상을 가질 수도 있다.
도 7g에 도시된 바와 같이, 기판(110)의 서로 마주보는 변들은 각각 제 1 변(110a) 및 제 2 변(110b)으로 정의될 수 있다. 여기서, 제 1 변(110a)과 제 2 변(110b)은 실질적으로 데이터 라인(DL)에 평행한 변들로서, 제 1 변(110a) 및 제 2 변(110b)은 각각 Y축 방향으로 연장된다.
하나의 화소에 포함된 발광 영역의 제 1 분할 영역은 그 발광 영역의 분할선과 제 1 변(110a) 사이에 위치하며, 그 화소의 제 2 분할 영역은 그 발광 영역의 분할선과 제 2 변(110b) 사이에 위치한다. 예를 들어, 제 2 발광 영역(902)의 제 1 분할 영역(902a)은 제 2 분할선(L2)과 제 1 변(110a) 사이에 위치하며, 그 제 2 발광 영역(902)의 제 2 분할 영역(902b)은 제 2 분할선(L2)과 제 2 변(110b) 사이에 위치한다. 또 다른 예로서, 제 4 발광 영역(904)의 제 1 분할 영역(904a)은 제 4 분할선(L4)과 제 1 변(110a) 사이에 위치하며, 그 제 4 발광 영역(904)의 제 2 분할 영역(904b)은 제 4 분할선(L4)과 제 2 변(110b) 사이에 위치한다. 또 다른 예로서, 제 6 발광 영역(906)의 제 1 분할 영역(906a)은 제 6 분할선(L6)과 제 1 변(110a) 사이에 위치하며, 그 제 6 발광 영역(906)의 제 2 분할 영역(906b)은 제 6 분할선(L6)과 제 2 변(110b) 사이에 위치한다. 또 다른 예로서, 제 8 발광 영역(908)의 제 1 분할 영역(908a)은 제 8 분할선(L8)과 제 1 변(110a) 사이에 위치하며, 그 제 8 발광 영역(908)의 제 2 분할 영역(908b)은 제 8 분할선(L8)과 제 2 변(110b) 사이에 위치한다.
하나의 발광 영역의 제 1 분할 영역 및 제 2 분할 영역 중 제 1 분할 영역이 제 1 변(110a)에 더 근접하게 위치한다. 예를 들어, 제 2 발광 영역(902)에 포함된 제 1 분할 영역(902a)의 어느 특정 지점(이하, 제 1 지점)으로부터 제 1 변(110a)까지의 최단 거리를 제 1 거리로 정의하고, 그 제 2 발광 영역(902)에 포함된 제 2 분할 영역(902b)의 어느 특정 지점(이하, 제 2 지점)으로부터 그 제 1 변(110a)까지의 최단 거리를 제 2 거리로 정의할 때, 제 1 거리는 제 2 거리보다 더 짧다. 이때, 제 1 지점 및 제 2 지점은 제 1 분할 영역(902a)과 제 2 분할 영역(902b)의 경계면을 제외한 부분에 위치한다. 또한, 제 1 거리 및 제 2 거리는 X축 방향으로 측정된 거리이다.
한편, 하나의 발광 영역의 제 1 분할 영역 및 제 2 분할 영역 중 제 2 분할 영역이 제 2 변(110b)에 더 근접하게 위치한다.
제 2 발광 영역(902)의 제 1 분할 영역(902a)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적(이하, 제 1 중첩 면적)은 제 2 발광 영역(902)의 제 2 분할 영역(902b)과 그 제 4 패턴 간의 중첩 면적(이하, 제 2 중첩 면적)과 다르다. 예를 들어, 도 7g에 도시된 바와 같이, 제 2 중첩 면적이 제 1 중첩 면적보다 더 클 수 있다. 더욱 구체적인 예로서, 도 7g에 도시된 바와 같이, 제 2 발광 영역(902)의 제 1 분할 영역(901a)에는 제 r-1 데이터 라인(DLr-1)의 일부가 위치하고, 그 제 2 발광 영역(902)의 제 2 분할 영역(902b)에는 제 2 연결 전극(702)의 일부 및 고전위 라인(VDL)의 일부가 위치하는 바, 제 2 분할 영역(902b)과 중첩하는 제 2 연결 전극(702) 및 고전위 라인(VDL) 부분은 제 1 분할 영역(902a)과 중첩하는 제 r-1 데이터 라인(DLr-1) 부분보다 더 큰 면적을 갖는다.
또한, 제 4 발광 영역(904)의 제 1 분할 영역(904a)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적은 제 4 발광 영역(904)의 제 2 분할 영역(904b)과 그 제 4 패턴 간의 중첩 면적과 다르다.
또한, 제 6 발광 영역(906)의 제 1 분할 영역(906a)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적은 제 6 발광 영역(906)의 제 2 분할 영역(906b)과 그 제 4 패턴 간의 중첩 면적과 다르다.
또한, 제 8 발광 영역(908)의 제 1 분할 영역(908a)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적은 제 8 발광 영역(908)의 제 2 분할 영역(908b)과 그 제 4 패턴 간의 중첩 면적과 다르다.
한편, 동일한 스캔 라인(또는 발광 제어 라인)에 접속된 화소들의 발광 영역들은 서로 동일한 방식으로 제 4 패턴과 중첩한다. 예를 들어, 제 2 발광 영역(902)의 제 2 분할 영역(902b)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적이 그 제 2 발광 영역(902)의 제 1 분할 영역(902a)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다면, 제 4 발광 영역(904)의 제 2 분할 영역(904b)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적은 그 제 4 발광 영역(904)의 제 1 분할 영역(904a)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다. 구체적인 예로서, 도 7g에 도시된 바와 같이, 제 4 발광 영역(904)의 제 1 분할 영역(904a)에는 제 r+1 데이터 라인(DLr+1)의 일부 및 고전위 라인(VDL)의 일부가 위치하고, 그 제 4 발광 영역(904)의 제 2 분할 영역(904b)에는 제 2 연결 전극(702)의 일부 및 고전위 라인(VDL)의 일부가 위치하는 바, 제 2 분할 영역(904b)과 중첩하는 제 2 연결 전극(702) 및 고전위 라인(VDL) 부분은 제 1 분할 영역(904a)과 중첩하는 제 r+1 데이터 라인(DLr+1) 및 고전위 라인(VDL) 부분보다 더 큰 면적을 갖는다.
도시되지 않았지만, 만약 제 2 발광 영역(902)의 제 1 분할 영역(902a)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적이 그 제 2 발광 영역(902)의 제 2 분할 영역(902b)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다면, 제 4 발광 영역(904)의 제 1 분할 영역(904a)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적은 그 제 4 발광 영역(904)의 제 2 분할 영역(904b)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다.
이와 마찬가지로, 도 7g에 도시된 바와 같이, 제 6 발광 영역(906)의 제 1 분할 영역(906a)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적이 그 제 6 발광 영역(906)의 제 2 분할 영역(906b)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다면, 제 8 발광 영역(908)의 제 1 분할 영역(908a)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적은 그 제 8 발광 영역(908)의 제 2 분할 영역(908b)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다.
도시되지 않았지만, 제 6 발광 영역(906)의 제 2 분할 영역(906b)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적이 그 제 6 발광 영역(906)의 제 1 분할 영역(906a)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다면, 제 8 발광 영역(908)의 제 2 분할 영역(908b)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적은 그 제 8 발광 영역(908)의 제 1 분할 영역(908a)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다.
한편, 서로 다른 스캔 라인(또는 발광 제어 라인)에 접속되며 동일 색상의 광을 방출하는 화소들의 발광 영역들은 서로 다른 방식으로 제 4 패턴과 중첩한다. 예를 들어, 서로 동일한 색상의 광을 방출하는 화소들에 있어서, 홀수 번째 발광 제어 라인에 접속된 화소의 발광 영역과 짝수 번째 발광 제어 라인에 접속된 화소의 발광 영역은 서로 다른 방식으로 제 4 패턴과 중첩할 수 있다. 구체적인 예로서, 제 m 발광 제어 라인(ELm)이 홀수 번째 발광 제어 라인이고, 제 m+1 발광 제어 라인(ELm+1)이 짝수 번째 발광 제어 라인일 경우, 도 7g에 도시된 바와 같이, 제 2 발광 영역(902)의 제 2 분할 영역(902b)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적이 그 제 2 발광 영역(902)의 제 1 분할 영역(902a)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다면, 제 8 발광 영역(908)의 제 1 분할 영역(908a)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적은 그 제 8 발광 영역(908)의 제 2 분할 영역(908b)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다.
또 다른 구체적인 예로서, 도 7g에 도시된 바와 같이, 제 4 발광 영역(904)의 제 2 분할 영역(904b)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적이 그 제 4 발광 영역(904)의 제 1 분할 영역(904a)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다면, 제 6 발광 영역(906)의 제 1 분할 영역(906a)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적은 그 제 6 발광 영역(906)의 제 2 분할 영역(906b)과 제 4 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다.
이와 같이 홀수 번째 발광 제어 라인(ELm)에 접속된 화소(이하, 홀수 번째 화소)의 제 2 분할 영역은 제 1 분할 영역에 비하여 제 4 패턴과 상대적으로 더 많이 중첩한다. 이에 따라, 사용자(또는 시청자)가 표시 장치의 좌측에서 그 표시 장치의 화면을 비스듬히 바라보았을 때 보다 우측에서 그 표시 장치의 화면을 비스듬히 바라보았을 때, 홀수 번째 화소의 WAD(White Angle Difference)는 더 크다. 예를 들어, 사용자가 도 7g에 도시된 제 1 변(110a; 즉, 좌측 변)에서 그 표시 장치의 화면을 비스듬히 바라보았을 때 보다 제 2 변(110b; 즉, 우측 변)에서 그 표시 장치의 화면을 비스듬히 바라보았을 때, 홀수 번째 화소의 WAD는 더 크다. 이는 홀수 번째 화소의 발광 영역 중 우측 영역, 즉 제 2 분할 영역에 상대적으로 더 큰 면적의 제 4 패턴이 위치하기 때문이다.
반면, 짝수 번째 발광 제어 라인(ELm+1)에 접속된 화소(이하, 짝수 번째 화소)의 제 1 분할 영역은 제 2 분할 영역에 비하여 제 4 패턴과 상대적으로 더 많이 중첩한다. 이에 따라, 사용자(또는 시청자)가 표시 장치의 우측에서 그 표시 장치의 화면을 비스듬히 바라보았을 때 보다 좌측에서 그 표시 장치의 화면을 비스듬히 바라보았을 때, 짝수 번째 화소의 WAD는 더 크다. 예를 들어, 사용자가 도 7g에 도시된 제 2 변(110b; 즉, 우측 변)에서 그 표시 장치의 화면을 비스듬히 바라보았을 때 보다 제 1 변(110a; 즉, 좌측 변)에서 그 표시 장치의 화면을 비스듬히 바라보았을 때, 짝수 번째 화소의 WAD는 더 크다. 이는 짝수 번째 화소의 발광 영역 중 좌측 영역, 즉 제 1 분할 영역에 상대적으로 더 큰 면적의 제 4 패턴이 위치하기 때문이다.
이와 같이, 홀수 번째 화소의 발광 영역은 좌측보다 우측에서 관측될 때 더 큰 WAD값을 갖는 반면, 짝수 번째 화소의 발광 영역은 우측보다 좌측에서 관측될 때 더 큰 WAD값을 갖는다. 구체적으로, 홀수 번째 화소의 발광 영역은 좌측에서 관측될 때 상대적으로 더 작은 WAD값을 가지며, 우측에서 관측될 때 상대적으로 더 큰 WAD값을 갖는다. 반면, 짝수 번째 화소의 발광 영역은 좌측에서 관측될 때 상대적으로 더 큰 WAD값을 가지며, 우측에서 관측될 때 상대적으로 더 작은 WAD값을 갖는다.
이에 따라, 사용자가 표시 장치의 좌측에서 그 표시 장치의 화면을 바라볼 때, 홀수 번째 화소의 발광 영역의 작은 WAD값과 짝수 번째 화소의 발광 영역의 큰 WAD값이 서로 상쇄되어 중간 정도의 WAD값을 갖는 영상을 시청할 수 있다. 또한, 사용자가 표시 장치의 우측에서 그 표시 장치의 화면을 바라볼 때, 홀수 번째 화소의 발광 영역의 큰 WAD값과 짝수 번째 화소의 발광 영역의 작은 WAD값이 서로 상쇄되어 중간 정도의 WAD값을 갖는 영상을 시청할 수 있다.
결국, 본 발명의 표시 장치에 따르면, 표시 장치의 좌측으로부터 관측되는 영상과 그 표시 장치의 우측으로부터 관측되는 영상이 거의 동일한 WAD값을 가질 수 있는 바, 이에 따라 시청 방향에 따른 WAD값의 편차가 최소화될 수 있다. 따라서, 표시 장치의 화질이 향상될 수 있다.
한편, 녹색 화소들의 제 1 발광 영역(901), 제 3 발광 영역(903), 제 5 발광 영역(905) 및 제 7 발광 영역(907)은 전술된 제 2 발광 영역(902), 제 4 발광 영역(904), 제 6 발광 영역(906) 및 제 8 발광 영역(908)과 같은 방식으로 제 4 패턴과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 제 1 발광 영역(901)의 제 1 분할 영역과 제 4 패턴 간의 중첩 면적은 제 1 발광 영역(901)의 제 2 분할 영역과 그 제 4 패턴 간의 중첩 면적과 다르다. 또한, 제 1 발광 영역(901)의 제 2 분할 영역과 제 4 패턴 간의 중첩 면적이 그 제 1 발광 영역(901)의 제 1 분할 영역과 제 4 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다면, 제 3 발광 영역(903)의 제 2 분할 영역과 제 4 패턴 간의 중첩 면적은 그 제 3 발광 영역(903)의 제 1 분할 영역과 제 4 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다. 또한, 제 1 발광 영역(901)의 제 2 분할 영역과 제 4 패턴 간의 중첩 면적이 그 제 1 발광 영역(901)의 제 1 분할 영역과 제 4 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다면, 제 7 발광 영역(907)의 제 1 분할 영역과 제 4 패턴 간의 중첩 면적은 그 제 7 발광 영역(907)의 제 2 분할 영역과 제 4 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크다.
도 8은 도 7의 발광 영역(900)들 간의 거리를 설명하기 위한 도면이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 청색 광을 방출하는 제 3 화소(PX3)의 제 3 발광 영역(903)의 주변에는 4개의 발광 영역들(902, 904, 906, 908)이 배치된다.
동일한 색상의 광을 방출하는 화소들의 발광 영역들은 제 3 발광 영역(903)을 사이에 두고 서로 마주본다. 예를 들어, 제 2 발광 영역(902)과 제 8 발광 영역(908)은 제 3 발광 영역(903)을 사이에 두고 마주본다. 또한, 제 4 발광 영역(904)과 제 6 발광 영역(906)은 제 3 발광 영역(903)을 사이에 두고 마주본다. 이때, 제 2 발광 영역(902)과 제 8 발광 영역(908)은 제 1 대각선 방향으로 마주보며, 제 4 발광 영역(904)과 제 6 발광 영역(906)은 제 1 대각선 방향과 교차하는 제 2 대각선 방향으로 마주본다. 제 1 대각선과 제 2 대각선은 수직으로 교차할 수 있다.
제 3 발광 영역(903)을 사이에 두고 서로 마주보며 동일한 색상의 광을 방출하는 화소들의 발광 영역들은 그 제 3 발광 영역(903)으로부터 동일한 거리만큼 떨어져 있다. 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 제 3 발광 영역(903)과 제 2 발광 영역(902) 간의 거리(d1)는 그 제 3 발광 영역(903)과 제 8 발광 영역(908) 간의 거리(d1')와 동일하다. 또 다른 예로서, 제 3 발광 영역(903)과 제 4 발광 영역(904) 간의 거리(d2)는 그 제 3 발광 영역(903)과 제 6 발광 영역(906) 간의 거리(d2')와 동일하다.
한편, 제 3 발광 영역(903)과 제 2 발광 영역(902) 간의 거리(d1)는 제 3 발광 영역(903)과 제 4 발광 영역(904) 간의 거리(d2)와 동일하거나 다를 수 있다. 또한, 제 3 발광 영역(903)과 제 8 발광 영역(908) 간의 거리(d1')는 그 제 3 발광 영역(903)과 제 6 발광 영역(906) 간의 거리(d2')와 동일하거나 다를 수 있다. 또한, 제 3 발광 영역(903)과 제 2 발광 영역(902) 간의 거리(d1)는 그 제 3 발광 영역(903)과 제 6 발광 영역(906) 간의 거리(d2')와 동일하거나 다를 수 있다. 또한, 제 3 발광 영역(903)과 제 8 발광 영역(908) 간의 거리(d1')는 그 제 3 발광 영역(903)과 제 4 발광 영역(904) 간의 거리(d2)와 동일하거나 다를 수 있다.
도 9는 도 7의 발광 영역(900)의 크기를 설명하기 위한 도면이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 제 1 내지 제 8 발광 영역들(901 내지 908)은 각각 팔각형의 형상을 가질 수 있다. 이때, 제 2 발광 영역(902), 제 4 발광 영역(904), 제 6 발광 영역(906) 및 제 8 발광 영역(908)은 각각 마름모꼴과 유사한 팔각형의 형상을 가질 수 있다.
제 2 발광 영역(902)의 중심점으로부터 그 제 2 발광 영역(902)의 4개의 변들까지의 거리는 동일하다. 예를 들어, 제 2 발광 영역(902)의 중심점으로부터 제 2 발광 영역(902)의 제 1 변까지 거리(L11), 제 2 발광 영역(902)의 중심점으로부터 제 2 발광 영역(902)의 제 2 변까지의 거리(L22), 제 2 발광 영역(902)의 중심점으로부터 제 2 발광 영역(902)의 제 3 변까지의 거리(L33) 및 제 2 발광 영역(902)의 중심점으로부터 제 2 발광 영역(902)의 제 4 변까지의 거리(L44)는 동일하다.
마찬가지로, 제 8 발광 영역(908)의 중심점으로부터 그 제 8 발광 영역(908)의 4개의 변들까지의 거리는 동일하다. 예를 들어, 제 8 발광 영역(908)의 중심점으로부터 제 8 발광 영역(908)의 제 1 변까지 거리(L11'), 제 8 발광 영역(908)의 중심점으로부터 제 8 발광 영역(908)의 제 2 변까지의 거리(L22'), 제 8 발광 영역(908)의 중심점으로부터 제 8 발광 영역(908)의 제 3 변까지의 거리(L33') 및 제 8 발광 영역(908)의 중심점으로부터 제 8 발광 영역(908)의 제 4 변까지의 거리(L44')는 동일하다.
이때, 제 2 발광 영역(902)과 그 제 2 발광 영역(902)의 한 변까지의 거리는 이에 대응되는 제 8 발광 영역(908)과 그 제 8 발광 영역(908)의 한 변까지의 거리와 동일할 수 있다(L11=L11', L22=L22', L33=L33', L44=L44').
제 4 발광 영역(904)의 중심점으로부터 그 제 4 발광 영역(904)의 4개의 변들까지의 거리는 동일하다. 예를 들어, 제 4 발광 영역(904)의 중심점으로부터 제 4 발광 영역(904)의 제 1 변까지 거리(L111), 제 4 발광 영역(904)의 중심점으로부터 제 4 발광 영역(904)의 제 2 변까지의 거리(L222), 제 4 발광 영역(904)의 중심점으로부터 제 4 발광 영역(904)의 제 3 변까지의 거리(L333) 및 제 4 발광 영역(904)의 중심점으로부터 제 4 발광 영역(904)의 제 4 변까지의 거리(L444)는 동일하다.
마찬가지로, 제 6 발광 영역(906)의 중심점으로부터 그 제 6 발광 영역(906)의 4개의 변들까지의 거리는 동일하다. 예를 들어, 제 6 발광 영역(906)의 중심점으로부터 제 6 발광 영역(906)의 제 1 변까지 거리(L111'), 제 6 발광 영역(906)의 중심점으로부터 제 6 발광 영역(906)의 제 2 변까지의 거리(L222'), 제 6 발광 영역(906)의 중심점으로부터 제 6 발광 영역(906)의 제 3 변(L333')까지의 거리 및 제 6 발광 영역(906)의 중심점으로부터 제 6 발광 영역(906)의 제 4 변까지의 거리(L444')는 동일하다.
이때, 제 4 발광 영역(904)과 그 제 4 발광 영역(904)의 한 변까지의 거리는 이에 대응되는 제 6 발광 영역(906)과 그 제 6 발광 영역(906)의 한 변까지의 거리와 동일할 수 있다(L111=L111', L222=L222', L333=L333', L44=L44').
도 10은 발광 영역(900)의 또 다른 형상을 설명하기 위한 도면이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 발광 영역(900)은 직각 사각형 또는 마름모꼴의 형상을 가질 수 있다.
예를 들어, 적색 화소들 또는 청색 화소들의 제 2 발광 영역(902), 제 4 발광 영역(904), 제 6 발광 영역(906) 및 제 8 발광 영역(908)은 각각 직각 사각형의 형상을 가질 수 있으며, 녹색 광을 방출하는 화소들의 제 1 발광 영역(900), 제 3 발광 영역(903), 제 5 발광 영역(900) 및 제 7 발광 영역(900)은 마름모꼴의 형상을 가질 수 있다. 이와 같이 발광 영역이 직각 사각형의 형상을 가질 경우, 그 발광 영역에 대응되는 화소 전극 역시 직각 사각형의 형상을 갖는다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 표시 장치의 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 11a의 X축 좌표는 관측 각도를 나타낸다. 관측 각도는 0도, 10도, 20도, 30도, 40도, 50도, 60도, 70도 및 80도를 포함한다. 각 각도는 관측 장비와 표시 장치의 화면이 이루는 각을 의미한다. 예를 들어, 0도는 관측 장비가 표시 장치의 화면을 정면에서 바라보고 있을 때의 각도를 의미한다. 그리고, 나머지 각도(10도, 20도, 30도, 40도, 50도, 60도, 70도 및 80도)는 그 정면을 기준으로 화면의 좌측 또는 우측으로 그 각도만큼 관측 장비가 이동한 후, 그 이동한 위치에서 그 관측 장비가 그 화면을 바라보고 있을 때의 각도를 의미한다.
도 11a의 Y축은 WAD의 X좌표 값을 나타낸다. WAD의 X축 좌표는 CIE(Commission Internationale de l'Eclairage) 표색계(CIE system of color specification)의 X축의 Δx 값을 의미한다. 여기서, Δx 값은 정면에서의 x축 색좌표 값으로부터 측면에서의 x축 색좌표 값을 차감한 값을 의미한다.
도 11a의 제 1 곡선(C1)은 관측 장비가 0도를 기준으로 전술된 각도만큼 표시 장치의 우측 방향으로 회전할 때 그 관측 장비로부터 측정된 WAD의 X축 좌표 값을 나타내며, 도 11a의 제 2 곡선(C2)은 관측 장비가 0도를 기준으로 전술된 각도만큼 표시 장치의 좌측 방향으로 회전할 때 그 관측 장비로부터 측정된 WAD의 X축 좌표 값을 나타낸다.
도 11a에서 알 수 있듯이, 제 1 곡선(C1)의 X축 좌표의 WAD값과 제 2 곡선(C2)의 X축 좌표의 WAD값은 거의 차이가 없다. 즉, 본 발명에 따르면, 표시 장치의 좌측으로부터 관측되는 영상과 그 표시 장치의 우측으로부터 관측되는 영상이 거의 동일한 WAD값을 가질 수 있는 바, 이에 따라 시청 방향에 따른 WAD값(즉, X축 좌표의 WAD값)의 편차가 최소화될 수 있다.
도 11b의 X축 좌표는 관측 각도를 나타낸다. 관측 각도는 0도, 10도, 20도, 30도, 40도, 50도, 60도, 70도 및 80도를 포함한다. 이 관측 각도에 대한 상세 설명은 전술된 도 11a 및 관련 기재를 참조한다.
도 11b의 Y축은 WAD의 Y좌표 값을 나타낸다. WAD의 Y축 좌표는 CIE 표색계의 Y축의 Δy 값을 의미한다. 여기서, Δy 값은 정면에서의 y축 색좌표 값으로부터 측면에서의 y축 색좌표 값을 차감한 값을 의미한다.
도 11b의 제 1 곡선(C11)은 관측 장비가 0도를 기준으로 전술된 각도만큼 표시 장치의 우측 방향으로 회전할 때 그 관측 장비로부터 측정된 WAD의 Y축 좌표 값을 나타내며, 도 11b의 제 2 곡선(C22)은 관측 장비가 0도를 기준으로 전술된 각도만큼 표시 장치의 좌측 방향으로 회전할 때 그 관측 장비로부터 측정된 WAD의 Y축 좌표 값을 나타낸다.
도 11b에서 알 수 있듯이, 제 1 곡선(C11)의 Y축 좌표의 WAD값과 제 2 곡선(C22)의 Y축 좌표의 WAD값은 거의 차이가 없다. 즉, 본 발명에 따르면, 표시 장치의 좌측으로부터 관측되는 영상과 그 표시 장치의 우측으로부터 관측되는 영상이 거의 동일한 WAD값을 가질 수 있는 바, 이에 따라 시청 방향에 따른 WAD값(즉, Y축 좌표의 WAD값)의 편차가 최소화될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
110a: 제 1 변
110b: 제 2 변
901 내지 908: 제 1 내지 제 8 발광 영역
902a, 904a, 906a, 908a: 제 1 분할 영역
902b, 904b, 906b, 908b: 제 2 분할 영역
VDL: 고전위 라인
DLr-2: 제 r-2 데이터 라인
DLr-1: 제 r-1 데이터 라인
DLr: 제 r 데이터 라인
DLr+1: 제 r+1 데이터 라인
DLr+2: 제 r+2 데이터 라인
701 내지 703: 제 1 내지 제 3 연결 전극
L2, L4, L6, L8: 제 2, 제 4, 제 6 및 제 8 분할선
190: 차광막
110b: 제 2 변
901 내지 908: 제 1 내지 제 8 발광 영역
902a, 904a, 906a, 908a: 제 1 분할 영역
902b, 904b, 906b, 908b: 제 2 분할 영역
VDL: 고전위 라인
DLr-2: 제 r-2 데이터 라인
DLr-1: 제 r-1 데이터 라인
DLr: 제 r 데이터 라인
DLr+1: 제 r+1 데이터 라인
DLr+2: 제 r+2 데이터 라인
701 내지 703: 제 1 내지 제 3 연결 전극
L2, L4, L6, L8: 제 2, 제 4, 제 6 및 제 8 분할선
190: 차광막
Claims (23)
- 서로 마주보는 제 1 변과 제 2 변을 갖는 기판;
상기 기판 상의 제 1 화소 전극 및 제 2 화소 전극;
서로 다른 스캔 라인들에 연결되며, 상기 제 1 화소 전극을 포함하는 제 1 화소 및 상기 제 2 화소 전극을 포함하는 제 2 화소;
상기 제 1 화소의 제 1 발광 영역 및 상기 제 2 화소의 제 2 발광 영역을 정의하는 차광막; 및
상기 제 1 발광 영역 및 상기 제 2 발광 영역과 중첩하며, 상기 제 1 화소 전극과 상기 기판 사이의 서로 다른 층에 위치한 복수의 패턴들 중 상기 제 1 화소 전극 또는 상기 제 2 화소 전극에 가장 근접한 제 1 패턴;
각 제 1 및 제 2 발광 영역은 제 1 분할 영역 및 제 2 분할 영역을 포함하며;
상기 제 1 분할 영역 및 제 2 분할 영역 중 상기 제 1 분할 영역이 상기 제 1 변에 더 근접하게 위치하며;
상기 제 1 발광 영역의 제 2 분할 영역과 상기 제 1 패턴 간의 중첩 면적은 상기 제 1 화소 영역의 제 1 분할 영역과 상기 제 1 패턴 간의 중첩 면적보다 더 크며;
상기 제 2 발광 영역의 제 1 분할 영역과 상기 제 1 패턴 간의 중첩 면적은 상기 제 2 화소 영역의 제 2 분할 영역과 상기 패턴 간의 중첩 면적보다 더 큰 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 화소에 연결된 제 1 발광 제어 라인; 및
상기 제 2 화소에 연결된 제 2 발광 제어 라인을 더 포함하는 표시 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 발광 제어 라인과 상기 제 2 발광 제어 라인이 서로 인접한 표시 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 발광 제어 라인은 홀수 번째 발광 제어 라인이며, 상기 제 2 발광 제어 라인은 짝수 번째 발광 제어 라인인 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 화소와 상기 제 2 화소가 동일한 색상의 광을 방출하는 표시 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 화소는 적색 광 또는 청색 광을 방출하는 표시 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 화소와 상기 제 2 화소가 서로 다른 데이터 라인들에 연결된 표시 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 서로 다른 데이터 라인들 사이에 위치한 다른 데이터 라인을 더 포함하는 표시 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 발광 영역은 상기 제 2 발광 영역과 동일한 크기를 갖는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 화소와 상기 제 2 화소가 서로 다른 색상의 광을 방출하는 표시 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 화소는 적색 광 또는 청색 광을 방출하며; 그리고
상기 제 2 화소는 적색 광 또는 청색 광을 방출하는 표시 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 화소와 상기 제 2 화소가 동일한 데이터 라인에 연결된 표시 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 발광 영역은 상기 제 2 발광 영역과 다른 크기를 갖는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 패턴은,
상기 제 1 화소 및 상기 제 2 화소를 포함한 복수의 화소들에 연결된 복수의 데이터 라인들;
상기 제 1 화소 및 상기 제 2 화소를 포함한 복수의 화소들에 연결된 전원 공급 라인;
상기 제 1 화소 전극 및 상기 제 2 화소 전극을 포함한 복수의 화소 전극들에 연결된 복수의 제 1 연결 전극들;
서로 다른 스캔 라인과 중첩하는 제 2 연결 전극 및 제 3 연결 전극을 포함하는 표시 장치. - 제 14 항에 있어서,
상기 제 1 발광 영역은 제 1 화소에 연결된 데이터 라인에 인접한 다른 데이터 라인과 중첩하는 표시 장치. - 제 14 항에 있어서,
상기 제 2 발광 영역은 상기 제 2 화소에 연결된 데이터 라인에 인접한 다른 데이터 라인과 중첩하는 표시 장치. - 제 14 항에 있어서,
상기 제 1 변 및 상기 제 2 변은 상기 데이터 라인들에 평행한 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 분할 영역은 상기 제 2 분할 영역과 동일한 크기를 갖는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 분할 영역 및 상기 제 2 분할 영역은 이들을 구분하는 가상의 분할선에 대하여 대칭적인 형상을 갖는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 발광 영역 및 제 2 발광 영역은 마름모꼴 형상 또는 직각 사각 형의 형상을 갖는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 화소와 동일한 스캔 라인에 접속되며, 제 3 발광 영역을 갖는 제 3 화소;
상기 제 1 화소와 동일한 스캔 라인에 접속되며, 제 4 발광 영역을 갖는 제 4 화소; 및
상기 제 2 화소와 동일한 스캔 라인에 접속되며, 제 5 발광 영역을 갖는 제 5 화소를 더 포함하는 표시 장치. - 제 21 항에 있어서,
상기 제 1 발광 영역과 상기 제 5 발광 영역은 상기 제 4 발광 영역을 사이에 두고 제 1 대각선 방향으로 마주보며;
상기 제 2 발광 영역과 상기 제 3 발광 영역은 상기 제 4 발광 영역을 사이에 두고 상기 제 1 대각선 방향과 교차하는 제 2 대각선 방향으로 마주보는 표시 장치. - 제 22 항에 있어서,
상기 제 4 발광 영역과 상기 제 1 발광 영역 간의 거리는 상기 제 4 발광 영역과 상기 제 5 발광 영역 간의 거리와 동일하며;
상기 제 4 발광 영역과 상기 제 2 발광 영역 간의 거리는 상기 제 4 발광 영역과 상기 제 3 발광 영역 간의 거리와 동일한 표시 장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170064460A KR102515814B1 (ko) | 2017-05-25 | 2017-05-25 | 표시 장치 |
| US15/985,834 US10411082B2 (en) | 2017-05-25 | 2018-05-22 | Display device |
| CN201810515980.7A CN108933160B (zh) | 2017-05-25 | 2018-05-25 | 显示设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170064460A KR102515814B1 (ko) | 2017-05-25 | 2017-05-25 | 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180130024A true KR20180130024A (ko) | 2018-12-06 |
| KR102515814B1 KR102515814B1 (ko) | 2023-03-31 |
Family
ID=64400293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170064460A KR102515814B1 (ko) | 2017-05-25 | 2017-05-25 | 표시 장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10411082B2 (ko) |
| KR (1) | KR102515814B1 (ko) |
| CN (1) | CN108933160B (ko) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102519065B1 (ko) * | 2017-03-02 | 2023-04-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20200081968A (ko) * | 2018-12-28 | 2020-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시장치 |
| CN110112141B (zh) * | 2019-04-26 | 2021-02-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管显示面板及制备方法 |
| CN111969114B (zh) * | 2019-05-20 | 2022-04-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、制造显示面板的方法和掩模板 |
| CN111192978B (zh) * | 2020-02-26 | 2022-08-09 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN112534583A (zh) * | 2020-09-10 | 2021-03-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置及高精度金属掩模板 |
| CN112470287B (zh) * | 2020-09-10 | 2023-08-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及相关装置 |
| WO2022110173A1 (zh) * | 2020-11-30 | 2022-06-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置及高精度金属掩模板 |
| CN113257176A (zh) * | 2021-05-12 | 2021-08-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素驱动电路、驱动方法及显示装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010003668A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
| JP2016009636A (ja) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 画素アレイ及びメタルマスク並びに電気光学装置並びに電気機器 |
| KR20160017328A (ko) * | 2014-08-04 | 2016-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2016075868A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-12 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 画素アレイ及び電気光学装置並びに電気機器並びに画素レンダリング方法 |
| JP2016130780A (ja) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 画素アレイ及び電気光学装置並びに電気機器並びに画素アレイの駆動方法 |
| KR20160092530A (ko) * | 2015-01-27 | 2016-08-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20160108669A (ko) * | 2015-03-04 | 2016-09-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20170052776A (ko) * | 2015-11-04 | 2017-05-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 패널 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100700013B1 (ko) | 2004-11-26 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법 |
| KR100740132B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2007-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
| US10832616B2 (en) | 2012-03-06 | 2020-11-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display |
| KR101943995B1 (ko) | 2012-06-27 | 2019-01-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| KR102039685B1 (ko) * | 2013-04-17 | 2019-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102215622B1 (ko) * | 2013-11-18 | 2021-02-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102278603B1 (ko) * | 2014-04-14 | 2021-07-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| JP6546387B2 (ja) * | 2014-10-28 | 2019-07-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102402605B1 (ko) * | 2015-07-28 | 2022-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20160048744A (ko) | 2016-04-19 | 2016-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 화소 배열 구조 |
-
2017
- 2017-05-25 KR KR1020170064460A patent/KR102515814B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-05-22 US US15/985,834 patent/US10411082B2/en active Active
- 2018-05-25 CN CN201810515980.7A patent/CN108933160B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010003668A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
| JP2016009636A (ja) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 画素アレイ及びメタルマスク並びに電気光学装置並びに電気機器 |
| KR20160017328A (ko) * | 2014-08-04 | 2016-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2016075868A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-12 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 画素アレイ及び電気光学装置並びに電気機器並びに画素レンダリング方法 |
| JP2016130780A (ja) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 画素アレイ及び電気光学装置並びに電気機器並びに画素アレイの駆動方法 |
| KR20160092530A (ko) * | 2015-01-27 | 2016-08-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20160108669A (ko) * | 2015-03-04 | 2016-09-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20170052776A (ko) * | 2015-11-04 | 2017-05-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 패널 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102515814B1 (ko) | 2023-03-31 |
| CN108933160B (zh) | 2023-05-09 |
| US20180342571A1 (en) | 2018-11-29 |
| CN108933160A (zh) | 2018-12-04 |
| US10411082B2 (en) | 2019-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102515814B1 (ko) | 표시 장치 | |
| JP7271212B2 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| US20170148391A1 (en) | Organic light-emitting diode (oled) display and method of manufacturing the same | |
| KR101948898B1 (ko) | 유기발광 다이오드 표시장치 | |
| KR20190060473A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| KR102632130B1 (ko) | 표시 장치 | |
| KR20190067049A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| KR20200038371A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20190051683A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| KR20190038704A (ko) | 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| CN115206943A (zh) | 显示装置 | |
| KR102121257B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| EP3525064A1 (en) | Display device and method for fabricating the same | |
| CN114649382A (zh) | 显示装置 | |
| KR20190083023A (ko) | 표시 장치 | |
| CN217086574U (zh) | 显示设备 | |
| CN114388578A (zh) | 显示面板和包括该显示面板的显示装置 | |
| CN114429752A (zh) | 显示装置 | |
| KR20180002436A (ko) | 상부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치 | |
| KR20220095400A (ko) | 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치 | |
| KR102247528B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR102390963B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20200116568A (ko) | 표시 장치 | |
| CN218388533U (zh) | 显示设备 | |
| KR20230023122A (ko) | 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| X091 | Application refused [patent] | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |