KR20220095400A - 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전자 요소인 컴포넌트가 배치되는 영역에서도 이미지를 표시할 수 있도록 표시 영역이 확장된 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치를 위하여, 컴포넌트 영역과 상기 컴포넌트 영역의 적어도 일부를 둘러싼 메인 영역을 포함한 표시 영역, 및 상기 표시 영역 외곽의 주변 영역이 정의된 기판; 상기 메인 영역 상에 배치되는 제1 메인 화소 회로; 상기 메인 영역 상에 배치되고, 상기 제1 메인 화소 회로와 전기적으로 연결된 제1 메인 표시 요소; 상기 주변 영역 상에 배치되는 제1 보조 화소 회로; 상기 컴포넌트 영역 상에 배치되고, 상기 제1 보조 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 메인 표시 요소와 동일 열에 배치되는 제1 보조 표시 요소; 상기 주변 영역 상에 배치되고, 제1 메인 데이터 패드 및 제1 보조 데이터 패드를 포함하는 패드부; 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 메인 데이터 패드를 상기 제1 메인 화소 회로에 연결하고, 제1 데이터 신호를 전달하도록 구성되는 제1 메인 데이터 라인; 및 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 보조 데이터 패드를 상기 제1 보조 화소 회로에 연결하고, 상기 제1 데이터 신호를 전달하도록 구성되는 제1 보조 데이터 라인을 포함하는 표시 패널을 제공한다.
Description
본 발명은 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 전자 요소인 컴포넌트가 배치되는 영역에서도 이미지를 표시할 수 있도록 표시 영역이 확장된 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 데이터를 시각적으로 표시하는 장치이다. 표시 장치는 휴대폰 등과 같은 소형 제품의 디스플레이로 사용되기도 하고, 텔레비전 등과 같은 대형 제품의 디스플레이로 사용되기도 한다.
이러한 표시 장치는 표시 영역과 주변 영역으로 구획된 기판을 포함하며 표시 영역에는 게이트 라인과 데이터 라인이 상호 절연되어 형성된다. 표시 영역에 복수의 화소 영역이 정의되며, 복수의 화소 영역에 각각 배치되는 화소들은 외부로 이미지를 표시하기 위해 서로 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인으로부터 전기적 신호들을 받아 발광한다. 각 화소 영역(each pixel region or each of pixel regions(화소 영역들 각각))에는 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소 전극이 구비되며, 상기 화소 영역들에 공통으로 대향 전극이 구비된다. 주변 영역에는 표시 영역 내의 화소들에 전기적 신호를 전달하는 다양한 배선들, 게이트 구동부, 및 데이터 구동부와 제어부가 연결될 수 있는 패드들 등이 구비될 수 있다.
근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
표시 장치가 다양하게 활용됨에 따라 표시 장치의 형태를 설계하는데 다양한 방법이 있을 수 있고, 또한 표시 장치에 접목 또는 연계할 수 있는 기능이 증가하고 있다.
본 발명은 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 전자 요소인 컴포넌트가 배치되는 영역에서도 이미지를 표시할 수 있도록 표시 영역이 확장된 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 컴포넌트 영역과 상기 컴포넌트 영역의 적어도 일부를 둘러싼 메인 영역을 포함한 표시 영역, 및 상기 표시 영역 외곽의 주변 영역이 정의된 기판; 상기 메인 영역 상에 배치되는 제1 메인 화소 회로; 상기 메인 영역 상에 배치되고, 상기 제1 메인 화소 회로와 전기적으로 연결된 제1 메인 표시 요소; 상기 주변 영역 상에 배치되는 제1 보조 화소 회로; 상기 컴포넌트 영역 상에 배치되고, 상기 제1 보조 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 메인 표시 요소와 동일 열에 배치되는 제1 보조 표시 요소; 상기 주변 영역 상에 배치되고, 제1 메인 데이터 패드 및 제1 보조 데이터 패드를 포함하는 패드부; 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 메인 데이터 패드를 상기 제1 메인 화소 회로에 연결하고, 제1 데이터 신호를 전달하도록 구성되는 제1 메인 데이터 라인; 및 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 보조 데이터 패드를 상기 제1 보조 화소 회로에 연결하고, 상기 제1 데이터 신호를 전달하도록 구성되는 제1 보조 데이터 라인을 포함하는 표시 패널이 제공된다.
일 예에 따르면, 상기 패드부는 제2 메인 데이터 패드를 더 포함하고, 상기 표시 패널은, 상기 메인 영역 상에 배치되는 제2 메인 화소 회로; 상기 메인 영역 상에 배치되고, 상기 제2 메인 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 메인 표시 요소와 다른 열에 배치되는 제2 메인 표시 요소; 및 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제2 메인 데이터 패드를 상기 제2 메인 화소 회로에 연결하고, 제2 데이터 신호를 전달하도록 구성되는 제2 메인 데이터 라인을 더 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 제1 메인 화소 회로와 상기 제1 메인 표시 요소는 서로 중첩되고, 상기 제2 메인 화소 회로와 상기 제2 메인 표시 요소는 서로 중첩될 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 메인 영역과 중첩하는 상기 제2 메인 데이터 라인의 제2 부분은 상기 메인 영역과 중첩하는 상기 제1 메인 데이터 라인의 제1 부분보다 길 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 패드부는 제2 보조 데이터 패드를 더 포함하고, 상기 표시 패널은, 상기 주변 영역 상에 배치되는 제2 보조 화소 회로; 상기 컴포넌트 영역 상에 배치되고, 상기 제2 보조 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 메인 표시 요소와 동일 열에 배치되는 제2 보조 표시 요소; 및 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제2 보조 데이터 패드를 상기 제2 보조 화소 회로에 연결하고, 상기 제2 데이터 신호를 전달하도록 구성되는 제2 보조 데이터 라인을 더 포함하고, 상기 표시 영역은 상기 제1 보조 화소 회로와 상기 제2 보조 화소 회로 사이에 위치할 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 메인 영역 상에 배치되는 제3 메인 화소 회로 및 제4 메인 화소 회로; 상기 메인 영역 상에 배치되고, 상기 제3 메인 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 보조 표시 요소와 동일 행에 배치되는 제3 메인 표시 요소; 상기 메인 영역에 배치되고, 상기 제4 메인 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 보조 표시 요소와 동일 행에 배치되는 제4 메인 표시 요소; 상기 주변 영역 상에 배치되는 제1 게이트 구동 회로 및 제2 게이트 구동 회로; 제2 방향으로 연장되어 상기 제1 게이트 구동 회로를 상기 제3 메인 화소 회로와 상기 제1 보조 화소 회로에 연결하는 제1 게이트 라인; 및 상기 제2 방향으로 연장되어 상기 제2 게이트 구동 회로를 상기 제4 메인 화소 회로와 상기 제2 보조 화소 회로에 연결하는 제2 게이트 라인을 더 포함하고, 상기 표시 영역은 상기 제1 게이트 구동 회로와 상기 제2 게이트 구동 회로 사이에 위치할 수 있다.
일 예에 따르면, 동일 행에 배치되는 상기 제1 게이트 라인과 상기 제2 게이트 라인은 상기 컴포넌트 영역에 의해 상기 제2 방향으로 서로 이격될 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 제2 메인 표시 요소와 상기 제1 보조 표시 요소는 동일 행에 배치되고, 상기 표시 패널은, 상기 주변 영역 상에 배치되는 제1 게이트 구동 회로; 및 제2 방향으로 연장되어 상기 제1 게이트 구동 회로를 상기 제2 메인 화소 회로와 상기 제1 보조 화소 회로에 연결하는 제1 게이트 라인을 더 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 주변 영역 상에 배치되고, 상기 제1 보조 화소 회로와 동일 행에 배치되어 상기 제1 게이트 라인에 연결되는 제3 보조 화소 회로; 및 상기 컴포넌트 영역 상에 배치되고, 상기 제3 보조 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 보조 표시 요소와 동일 행에 배치되는 제3 보조 표시 요소를 더 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 주변 영역 상에 배치되고, 상기 제1 보조 화소 회로와 동일 열에 배치되어 상기 제1 보조 데이터 라인에 연결되는 제3 보조 화소 회로; 및 상기 컴포넌트 영역 상에 배치되고, 상기 제3 보조 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 보조 표시 요소와 동일 열에 배치되는 제3 보조 표시 요소를 더 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 제1 보조 표시 요소와 상기 제1 보조 화소 회로를 연결하고, 서로 다른 물질로 구비된 제1 전극 연결 배선 및 제2 전극 연결 배선을 포함하는 전극 연결 배선을 더 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 제1 전극 연결 배선은 상기 주변 영역 상에 배치되고, 도전 물질을 포함하고, 상기 제2 전극 연결 배선은 상기 컴포넌트 영역 상에 배치되고, 투명 전도성 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 컴포넌트 영역과 상기 컴포넌트 영역의 적어도 일부를 둘러싼 메인 영역을 포함한 표시 영역, 및 상기 표시 영역 외곽의 주변 영역이 정의된 기판; 상기 메인 영역 상에 배치되는 제1 메인 화소 회로; 상기 메인 영역 상에 배치되고, 상기 제1 메인 화소 회로와 전기적으로 연결된 제1 메인 표시 요소; 상기 주변 영역 상에 배치되는 제1 보조 화소 회로; 상기 컴포넌트 영역 상에 배치되고, 상기 제1 보조 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 메인 표시 요소와 동일 행에 배치되는 제1 보조 표시 요소; 상기 주변 영역 상에 배치되는 제1 게이트 구동 회로; 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 메인 화소 회로와 상기 제1 보조 화소 회로를 상기 제1 게이트 구동 회로에 연결하는 제1 게이트 라인을 포함하고, 상기 제1 보조 화소 회로는 상기 표시 영역과 상기 제1 게이트 구동 회로 사이에 배치되는 표시 패널이 제공된다.
일 예에 따르면, 상기 메인 영역 상에 배치되는 제2 메인 화소 회로; 상기 메인 영역 상에 배치되고, 상기 제2 메인 화소 회로와 전기적으로 연결된 제2 메인 표시 요소; 상기 주변 영역 상에 배치되는 제2 보조 화소 회로; 상기 컴포넌트 영역 상에 배치되고, 상기 제2 보조 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 메인 표시 요소와 동일 행에 배치되는 제2 보조 표시 요소; 상기 주변 영역 상에 배치되는 제2 게이트 구동 회로; 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제2 메인 화소 회로와 상기 제2 보조 화소 회로를 상기 제2 게이트 구동 회로에 연결하는 제2 게이트 라인을 포함하고, 상기 표시 영역은 상기 제1 게이트 구동 회로와 상기 제2 게이트 구동 회로 사이에 위치하고, 상기 제2 보조 화소 회로는 상기 표시 영역과 상기 제2 게이트 구동 회로 사이에 배치될 수 있다.
일 예에 따르면, 동일 행에 배치되는 상기 제1 게이트 라인과 상기 제2 게이트 라인은 상기 컴포넌트 영역에 의해 상기 제1 방향으로 서로 이격될 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 메인 영역 상에 배치되는 제3 메인 화소 회로 및 제4 메인 화소 회로; 상기 메인 영역 상에 배치되고, 상기 제3 메인 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 보조 표시 요소와 동일 열에 배치되는 제3 메인 표시 요소; 상기 메인 영역 상에 배치되고, 상기 제4 메인 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 보조 표시 요소와 동일 열에 배치되는 제4 메인 표시 요소; 상기 제3 메인 화소 회로 및 상기 제4 메인 화소 회로에 각각 연결되는 제1 메인 데이터 라인 및 제2 메인 데이터 라인; 상기 제1 보조 화소 회로 및 상기 제2 보조 화소 회로에 각각 연결되는 제1 보조 데이터 라인 및 제2 보조 데이터 라인; 상기 제1 메인 데이터 라인과 상기 제1 보조 데이터 라인을 연결하는 제1 데이터 연결 배선; 및 상기 제2 메인 데이터 라인과 상기 제2 보조 데이터 라인을 연결하는 제2 데이터 연결 배선을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점에 따르면, 제1 메인 화소 회로 및 제1 보조 화소 회로; 상기 제1 메인 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 메인 화소 회로와 중첩하는 제1 메인 표시 요소; 상기 제1 보조 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 메인 표시 요소와 동일 열에 배치되는 제1 보조 표시 요소; 제1 메인 데이터 패드 및 제1 보조 데이터 패드를 포함하는 패드부; 상기 제1 메인 화소 회로 및 상기 제1 보조 화소 회로를 구동하도록 상기 제1 메인 데이터 패드와 상기 제1 보조 데이터 패드에 각각 제1 데이터 신호를 인가하도록 구성되는 디스플레이 구동 회로; 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 메인 데이터 패드를 상기 제1 메인 화소 회로에 연결하는 제1 메인 데이터 라인; 및 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 보조 데이터 패드를 상기 제1 보조 화소 회로에 연결하는 제1 보조 데이터 라인을 포함하는 표시 장치가 제공된다.
일 예에 따르면, 상기 디스플레이 구동 회로는, 제1 메인 데이터 전극 및 제1 보조 데이터 전극을 포함하는 전극부; 및 상기 제1 메인 데이터 전극 및 상기 제1 보조 데이터 전극 각각에 상기 제1 데이터 신호를 출력하도록 구성되는 데이터 구동 회로를 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 패드부는 제2 메인 데이터 패드를 더 포함하고, 상기 표시 장치는, 제2 메인 화소 회로; 상기 제2 메인 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 메인 화소 회로와 중첩하고, 상기 제1 메인 표시 요소와 동일 행에 배치되는 제2 메인 표시 요소; 및 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제2 메인 데이터 패드를 상기 제2 메인 화소 회로에 연결하는 제2 메인 데이터 라인을 더 포함하고, 상기 디스플레이 구동 회로는 상기 제2 메인 화소 회로를 구동하도록 상기 제2 메인 데이터 패드에 제2 데이터 신호를 인가하도록 구성될 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 제1 메인 데이터 전극 및 상기 제1 보조 데이터 전극을 상기 제1 메인 데이터 패드 및 상기 제1 보조 데이터 패드에 각각 연결하기 위한 배선들을 포함하는 인쇄 회로 기판을 더 포함하고, 상기 디스플레이 구동 회로는 상기 인쇄 회로 기판 상에 장착되고, 상기 인쇄 회로 기판은 상기 패드부에 장착될 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 컴포넌트 영역에 화소 회로가 배치되지 않아 보다 넓은 투과 영역을 확보하여 투과율이 개선된 표시 패널 및 이를 구비한 표시 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 적용될 수 있는 화소 회로를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 구동 회로를 개략적으로 도시하는 블록도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부분을 개략적으로 도시하는 확대 평면도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 적용될 수 있는 화소 회로를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 구동 회로를 개략적으로 도시하는 블록도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부분을 개략적으로 도시하는 확대 평면도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예들에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예들에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예들에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예들에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
본 명세서에서 "A 및/또는 B"은 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 그리고, "A 및 B 중 적어도 하나"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우, 또는/및 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우, 및/또는 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우를 나타낸다.
x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA) 외측의 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 컴포넌트 영역(CA)과, 컴포넌트 영역(CA)을 적어도 부분적으로 둘러싸는 메인 영역(MDA)을 포함할 수 있다. 컴포넌트 영역(CA)과 메인 영역(MDA) 각각은 개별적으로 또는 함께 이미지를 디스플레이 할 수 있다. 주변 영역(PA)은 표시 요소들이 배치되지 않은 일종의 비표시 영역일 수 있다. 표시 영역(DA)은 주변 영역(PA)에 의해 전체적으로 둘러싸일 수 있다.
도 1은 메인 영역(MDA)의 내에 하나의 컴포넌트 영역(CA)이 위치하는 것을 도시한다. 다른 실시예로, 표시 장치(1)는 2개 이상의 컴포넌트 영역(CA)들을 가질 수 있고, 복수의 컴포넌트 영역(CA)들의 형상 및 크기는 서로 상이할 수 있다. 표시 장치(1)의 상면에 대략 수직인 방향에서 보았을 시, 컴포넌트 영역(CA)의 형상은 원형, 타원형, 사각형 등의 다각형, 별 형상 또는 다이아몬드 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 그리고 도 1에서는 표시 장치(1)의 상면에 대략 수직인 방향에서 보았을 시 대략 사각형 형상을 갖는 메인 영역(MDA)의 (+y 방향) 상측 중앙에 컴포넌트 영역(CA)이 배치된 것으로 도시하고 있으나, 컴포넌트 영역(CA)은 사각형인 메인 영역(MDA)의 일측, 예컨대 우상측 또는 좌상측에 배치될 수도 있다.
표시 장치(1)는 표시 영역(DA)에 배치된 복수의 화소(PX)들을 이용하여 이미지를 제공할 수 있다. 표시 장치(1)는 메인 영역(MDA)에 배치된 복수의 메인 화소(PXm)들과 컴포넌트 영역(CA)에 배치된 복수의 보조 화소(PXa)들을 이용하여 이미지를 제공할 수 있다. 복수의 메인 화소(PXm)들 및 복수의 보조 화소(PXa)들 각각은 표시 요소를 구비할 수 있다. 복수의 메인 화소(PXm)들 및 복수의 보조 화소(PXa)들 각각은 유기 발광 다이오드(OLED)와 같은 표시 요소를 포함할 수 있다. 각 화소(PX)는 유기 발광 다이오드(OLED)를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 이하 본 명세서에서, 각 화소(PX)는 각각 서로 다른 색을 발광하는 부화소(Sub-Pixel)을 의미하며, 각 화소(PX)는 예컨대 적색 부화소, 녹색 부화소 및 청색 부화소 중 하나일 수 있다.
컴포넌트 영역(CA)에는 도 2를 참조하여 후술하는 것과 같이, 컴포넌트 영역(CA)에 대응하여 표시 패널의 하부에 전자 요소인 컴포넌트(40)가 배치될 수 있다. 컴포넌트(40)는 적외선 또는 가시광선 등을 이용하는 카메라로서, 촬상 소자를 구비할 수도 있다. 또는 컴포넌트(40)는 태양 전지, 플래시(flash), 조도 센서, 근접 센서, 홍채 센서일 수 있다. 또는 컴포넌트(40)는 음향을 수신하는 기능을 가질 수도 있다. 이러한 컴포넌트(40)의 기능이 제한되는 것을 최소화하기 위해, 컴포넌트 영역(CA)은 컴포넌트(40)로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 컴포넌트(40)를 향해 진행하는 빛 또는/및 음향 등이 투과할 수 있는 투과 영역(TA)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치의 경우, 컴포넌트 영역(CA)을 통해 광이 투과하도록 할 시, 광 투과율은 약 10% 이상, 보다 바람직하게 40% 이상이거나, 25% 이상이거나 50% 이상이거나, 85% 이상이거나, 90% 이상일 수 있다.
컴포넌트 영역(CA)에는 복수의 보조 화소(PXa)들이 배치될 수 있다. 복수의 보조 화소(PXa)들은 빛을 방출하여, 소정의 이미지를 제공할 수 있다. 컴포넌트 영역(CA)에서 표시되는 이미지는 보조 이미지로, 메인 영역(MDA)에서 표시되는 이미지에 비해서 해상도가 낮을 수 있다. 즉, 컴포넌트 영역(CA)은 빛 및 음향이 투과할 수 있는 투과 영역(TA)을 구비하며, 투과 영역(TA) 상에 화소가 배치되지 않는 경우, 단위 면적 당 배치될 수 있는 보조 화소(PXa)들의 수가 메인 영역(MDA)에 단위 면적 당 배치되는 메인 화소(PXm)들의 수에 비해 적을 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 패널(10) 및 표시 패널(10)과 중첩 배치된 컴포넌트(40)를 포함할 수 있다. 표시 패널(10) 상부에는 표시 패널(10)을 보호하는 커버 윈도우(미도시)가 더 배치될 수 있다.
표시 패널(10)은 컴포넌트(40)와 중첩되는 영역인 컴포넌트 영역(CA), 및 메인 이미지가 표시되는 메인 영역(MDA)을 포함한다. 표시 패널(10)은 기판(100), 기판(100) 상의 표시층(DISL), 터치 스크린층(TSL), 광학 기능층(OFL) 및 기판(100) 하부에 배치된 패널 보호 부재(PB)를 포함할 수 있다.
표시층(DISL)은 박막 트랜지스터(TFTm, TFTa)를 포함하는 회로층(PCL), 표시 요소(DEm, DEa)를 포함하는 표시 요소층(DEL), 및 박막 봉지층(TFEL) 또는 밀봉 기판(미도시)과 같은 밀봉 부재(ENCM)를 포함할 수 있다. 기판(100)과 표시층(DISL) 사이, 표시층(DISL) 내에는 절연층(IL, IL')이 배치될 수 있다.
기판(100)은 유리, 석영, 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 기판(100)은 리지드(rigid) 기판이거나 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다.
표시 패널(10)의 메인 영역(MDA)에는 메인 화소 회로(PCm) 및 이와 연결된 메인 표시 요소(DEm)가 배치될 수 있다. 메인 화소 회로(PCm)은 적어도 하나의 메인 박막 트랜지스터(TFTm)을 포함하며, 메인 표시 요소(DEm)의 발광을 제어할 수 있다. 메인 화소(PXm)는 메인 표시 요소(DEm)의 발광에 의해서 구현될 수 있다. 메인 화소 회로(PCm)와 메인 표시 요소(DEm)는 서로 중첩될 수 있다.
표시 패널(10)의 컴포넌트 영역(CA)에는 보조 표시 요소(DEa)가 배치되어 보조 화소(PXa)를 구현할 수 있다. 본 실시예에서, 보조 표시 요소(DEa)를 구동하는 보조 화소 회로(PCa)는 컴포넌트 영역(CA)에 배치되지 않고, 비표시 영역인 주변 영역(PA)에 배치될 수 있다. 다른 실시예로서, 보조 화소 회로(PCa)는 메인 영역(MDA)의 일부에 배치되거나, 메인 영역(MDA)와 컴포넌트 영역(CA)의 사이에 배치될 수 있는 등 다양한 변형이 가능할 수 있다. 즉, 보조 화소 회로(PCa)는 보조 표시 요소(DEa)와 비중첩되도록 배치될 수 있다.
보조 화소 회로(PCa)는 적어도 하나의 보조 박막 트랜지스터(TFTa)를 포함하며, 전극 연결 배선(EWL)에 의해서 보조 표시 요소(DEa)와 전기적으로 연결될 수 있다. 전극 연결 배선(EWL)은 투명 전도성 물질로 구비될 수 있다. 보조 화소 회로(PCa)는 보조 표시 요소(DEa)의 발광을 제어할 수 있다. 보조 화소(PXa)는 보조 표시 요소(DEa)의 발광에 의해서 구현될 수 있다. 컴포넌트 영역(CA) 중 보조 표시 요소(DEa)가 배치되는 영역을 보조 표시 영역(ADA)라 할 수 있다.
또한, 컴포넌트 영역(CA)에서 보조 표시 요소(DEa)가 배치되지 않는 영역을 투과 영역(TA)이라 할 수 있다. 투과 영역(TA)은 컴포넌트 영역(CA)에 대응하여 배치된 컴포넌트(40)로부터 방출되는 빛/신호나 컴포넌트(40)로 입사되는 빛/신호가 투과(transmission)되는 영역일 수 있다. 보조 표시 영역(ADA)과 투과 영역(TA)은 컴포넌트 영역(CA)에서 교번적으로 배치될 수 있다. 보조 화소 회로(PCa)와 보조 표시 요소(DEa)를 연결하는 전극 연결 배선(EWL)은 투과 영역(TA)에 배치될 수 있다. 전극 연결 배선(EWL)은 투과율이 높은 투명 전도성 물질로 구비될 수 있는 바, 투과 영역(TA)에 전극 연결 배선(EWL)이 배치된다고 하더라도, 투과 영역(TA)의 투과율은 확보될 수 있다.
본 실시예에서는, 컴포넌트 영역(CA)에 보조 화소 회로(PCa)가 배치되지 않는 바, 투과 영역(TA)의 면적이 확보될 수 있어 광 투과율이 보다 향상될 수 있다.
표시 요소층(DEL)은 박막 봉지층(TFEL)으로 커버되거나, 밀봉 기판으로 커버될 수 있다. 일부 실시예에서, 박막 봉지층(TFEL)은 도 2에 도시된 바와 같이 적어도 하나의 무기 봉지층 및 적어도 하나의 유기 봉지층을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 박막 봉지층(TFEL)은 제1 무기 봉지층(131) 및 제2 무기 봉지층(133), 및 이들 사이의 유기 봉지층(132)을 포함할 수 있다.
제1 무기 봉지층(131) 및 제2 무기 봉지층(133)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiOxNy), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)과 같은 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 화학 기상 증착법(CVD) 등에 의해 형성될 수 있다. 유기 봉지층(132)은 폴리머(polymer)계열의 소재를 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 실리콘계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다.
제1 무기 봉지층(131), 유기 봉지층(132) 및 제2 무기 봉지층(133)은 메인 영역(MDA) 및 컴포넌트 영역(CA)을 커버하도록 일체로 형성될 수 있다.
표시 요소층(DEL)이 밀봉 기판(미도시)으로 밀봉되는 경우, 밀봉 기판은 표시 요소층(DEL)을 사이에 두고 기판(100)과 마주보도록 배치될 수 있다. 밀봉 기판과 표시 요소층(DEL) 사이에는 갭이 존재할 수 있다. 밀봉 기판은 글래스를 포함할 수 있다. 기판(100)과 밀봉 기판 사이에는 프릿(frit) 등으로 이루어진 실런트가 배치되며, 실런트는 전술한 주변 영역(PA)에 배치될 수 있다. 주변 영역(PA)에 배치된 실런트는 표시 영역(DA)을 둘러싸면서 측면을 통해 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
터치 스크린층(TSL)은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표 정보를 획득할 수 있다. 터치 스크린층(TSL)은 터치 전극 및 터치 전극과 연결된 터치 배선들을 포함할 수 있다. 터치 스크린층(TSL)은 자기 정전 용량 방식 또는 상호 정전 용량 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다.
터치 스크린층(TSL)은 박막 봉지층(TFEL) 상에 형성될 수 있다. 또는, 터치 스크린층(TSL)은 터치 기판 상에 별도로 형성된 후 광학 투명 접착제(optically clear adhesive, OCA)와 같은 점착층을 통해 박막 봉지층(TFEL) 상에 결합될 수 있다. 일 실시예로서, 터치 스크린층(TSL)은 박막 봉지층(TFEL) 바로 위에 직접 형성될 수 있으며, 이 경우 점착층은 터치 스크린층(TSL)과 박막 봉지층(TFEL) 사이에 개재되지 않을 수 있다.
광학 기능층(OFL)은 반사 방지층을 포함할 수 있다. 반사 방지층은 외부에서 표시 장치(1)를 향해 입사하는 빛(외부 광)의 반사율을 감소시킬 수 있다.
일부 실시예에서, 광학 기능층(OFL)은 편광 필름일 수 있다. 광학 기능층(OFL)은 투과 영역(TA)에 대응하는 개구(OFL_OP)를 구비할 수 있다. 이에 따라, 투과 영역(TA)의 광 투과율이 현저히 향상될 수 있다. 상기 개구(OFL_OP)에는 광 투명 수지(optically clear resin, OCR)와 같은 투명한 물질이 채워질 수 있다.
일부 실시예에서, 광학 기능층(OFL)은 블랙 매트릭스와 컬러 필터들을 포함하는 필터 플레이트로 구비될 수 있다.
패널 보호 부재(PB)는 기판(100)의 하부에 부착되어, 기판(100)을 지지하고 보호하는 역할을 할 수 있다. 패널 보호 부재(PB)는 컴포넌트 영역(CA)에 대응하는 개구(PB_OP)를 구비할 수 있다. 패널 보호 부재(PB)에 개구(PB_OP)를 구비함으로써, 컴포넌트 영역(CA)의 광 투과율을 향상시킬 수 있다. 패널 보호 부재(PB)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET) 또는 폴리이미드(polyimide, PI)를 포함할 수 있다.
컴포넌트 영역(CA)의 면적은 컴포넌트(40)가 배치되는 면적에 비해서 크게 구비될 수 있다. 이에 따라, 패널 보호 부재(PB)에 구비된 개구(PB_OP)의 면적은 컴포넌트(40)의 면적과 일치하지 않을 수 있다.
또한, 컴포넌트 영역(CA)에는 복수의 컴포넌트(40)가 배치될 수 있다. 복수의 컴포넌트(40)는 서로 기능을 달리할 수 있다. 예컨대, 복수의 컴포넌트(40)는 카메라(촬상 소자), 태양 전지, 플래시(flash), 근접 센서, 조도 센서, 홍채 센서 중 적어도 두 개를 포함할 수 있다.
도 2에 도시되지 않았으나, 컴포넌트 영역(CA)의 보조 표시 요소(DEa)의 하부에는 하부 금속층(bottom metal layer)이 배치될 수 있다. 즉, 표시 장치(1)는 하부 금속층을 포함할 수 있다.
상기 하부 금속층은 기판(100)과 보조 표시 요소(DEa) 사이에서, 보조 표시 요소(DEa)와 중첩되도록 배치될 수 있다. 이러한 하부 금속층은 외부 광이 보조 표시 요소(DEa)에 도달하는 것을 차단할 수 있다. 한편, 하부 금속층은 컴포넌트 영역(CA) 전체에 대응하도록 형성되고, 투과 영역(TA)에 대응하는 하부-홀을 포함하도록 구비될 수 있다. 이 경우, 하부-홀은 다각형, 원형, 또는 비정형 형상 등 다양한 형상으로 구비되어 외부 광의 회절 특성을 조절하는 역할을 할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 적용될 수 있는 화소 회로를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 3을 참조하면, 화소 회로(PC)는 스캔 라인(SL), 데이터 라인(DL), 및 표시 요소(DE) 등에 연결될 수 있다. 일 예로, 표시 요소(DE)는 유기 발광 다이오드(OLED)일 수 있다.
화소 회로(PC)는 제1 내지 제7 박막 트랜지스터(T1 내지 T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 제1 내지 제7 박막 트랜지스터(T1 내지 T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 내지 제3 스캔 신호(Sn, Sn-1, Sn+1)를 각각 전달하는 제1 내지 제3 스캔 라인(SL, SL-1, SL+1), 데이터 전압(Dm)을 전달하는 데이터 라인(DL), 발광 제어 신호(En)를 전달하는 발광 제어 라인(EL), 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 구동 전압선(PL), 초기화 전압(Vint)을 전달하는 초기화 전압선(VL), 및 공통 전압(ELVSS)이 인가되는 공통 전극에 연결된다.
제1 박막 트랜지스터(T1)는 게이트-소스 전압에 따라 드레인 전류의 크기가 결정되는 구동 트랜지스터이고, 제2 내지 제7 박막 트랜지스터(T2 내지 T7)는 게이트-소스 전압, 실질적으로 게이트 전압에 따라 턴 온/오프되는 스위칭 트랜지스터일 수 있다.
제1 박막 트랜지스터(T1)는 구동 박막 트랜지스터로 지칭되고, 제2 박막 트랜지스터(T2)는 스캔 박막 트랜지스터로 지칭되고, 제3 박막 트랜지스터(T3)는 보상 박막 트랜지스터로 지칭되고, 제4 박막 트랜지스터(T4)는 게이트 초기화 박막 트랜지스터로 지칭되고, 제5 박막 트랜지스터(T5)는 제1 발광 제어 박막 트랜지스터로 지칭되고, 제6 박막 트랜지스터(T6)는 제2 발광 제어 박막 트랜지스터로 지칭되고, 제7 박막 트랜지스터(T7)는 애노드 초기화 박막 트랜지스터로 지칭될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 구동 전압선(PL)과 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 게이트 사이에 연결된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 전압선(PL)에 연결되는 상부 전극, 및 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 게이트에 연결되는 하부 전극을 가질 수 있다.
구동 박막 트랜지스터(T1)는 게이트-소스 전압에 따라 구동 전압선(PL)에서 유기 발광 다이오드(OLED)로 흐르는 구동 전류(IOLED)의 크기를 제어할 수 있다. 구동 박막 트랜지스터(T1)는 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극에 연결되는 구동 게이트, 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)를 통해 구동 전압선(PL)에 연결되는 구동 소스, 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)를 통해 유기 발광 다이오드(OLED)에 연결되는 구동 드레인을 가질 수 있다.
구동 박막 트랜지스터(T1)는 게이트-소스 전압에 따라 구동 전류(IOLED)를 유기 발광 다이오드(OLED)에 출력할 수 있다. 구동 전류(IOLED)의 크기는 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트-소스 전압과 문턱 전압의 차에 기초하여 결정된다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 박막 트랜지스터(T1)로부터 구동 전류(IOLED)를 수신하고, 구동 전류(IOLED)의 크기에 따른 밝기로 발광할 수 있다.
스캔 박막 트랜지스터(T2)는 제1 스캔 신호(Sn)에 응답하여 데이터 전압(Dm)을 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 소스에 전달한다. 스캔 박막 트랜지스터(T2)는 제1 스캔 라인(SL)에 연결되는 스캔 게이트, 데이터 라인(DL)에 연결되는 스캔 소스, 및 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 소스에 연결되는 스캔 드레인을 가질 수 있다.
보상 박막 트랜지스터(T3)는 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 드레인과 구동 게이트 사이에 직렬로 연결되며, 제1 스캔 신호(Sn)에 응답하여 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 드레인과 구동 게이트를 서로 연결한다. 보상 박막 트랜지스터(T3)는 제1 스캔 라인(SL)에 연결되는 보상 게이트, 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 드레인에 연결되는 보상 소스, 및 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 게이트에 연결되는 보상 드레인을 가질 수 있다. 도 3에서는 보상 박막 트랜지스터(T3)가 한 개의 박막 트랜지스터로 구성되는 것으로 도시하고 있으나, 보상 박막 트랜지스터(T3)는 서로 직렬로 연결되는 2개의 박막 트랜지스터를 포함할 수도 있다.
게이트 초기화 박막 트랜지스터(T4)는 제2 스캔 신호(Sn-1)에 응답하여 초기화 전압(Vint)을 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 게이트에 인가한다. 게이트 초기화 박막 트랜지스터(T4)는 제2 스캔 라인(SL-1)에 연결되는 제1 초기화 게이트, 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 게이트에 연결되는 제1 초기화 소스, 및 초기화 전압선(VL)에 연결되는 제1 초기화 드레인을 가질 수 있다. 도 3에서는 게이트 초기화 박막 트랜지스터(T4)가 한 개의 박막 트랜지스터로 구성되는 것으로 도시하고 있으나, 게이트 초기화 박막 트랜지스터(T4)는 서로 직렬로 연결되는 2개의 박막 트랜지스터를 포함할 수도 있다.
애노드 초기화 박막 트랜지스터(T7)는 제3 스캔 신호(Sn+1)에 응답하여 초기화 전압(Vint)을 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드에 인가한다. 애노드 초기화 박막 트랜지스터(T7)는 제3 스캔 라인(SL+1)에 연결되는 제2 초기화 게이트, 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드에 연결되는 제2 초기화 소스, 및 초기화 전압선(VL)에 연결되는 제2 초기화 드레인을 가질 수 있다.
제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)는 발광 제어 신호(En)에 응답하여 구동 전압선(PL)과 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 소스를 서로 접속할 수 있다. 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)는 발광 제어 라인(EL)에 연결되는 제1 발광 제어 게이트, 구동 전압선(PL)에 연결되는 제1 발광 제어 소스, 및 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 소스에 연결되는 제1 발광 제어 드레인을 가질 수 있다.
제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)는 발광 제어 신호(En)에 응답하여 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 드레인과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드를 서로 접속할 수 있다. 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)는 발광 제어 라인(EL)에 연결되는 제2 발광 제어 게이트, 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 드레인에 연결되는 제2 발광 제어 소스, 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드에 연결되는 제2 발광 제어 드레인을 가질 수 있다.
제2 스캔 신호(Sn-1)는 이전 행의 제1 스캔 신호(Sn)와 실질적으로 동기화될 수 있다. 제3 스캔 신호(Sn+1)는 제1 스캔 신호(Sn)와 실질적으로 동기화될 수 있다. 다른 예에 따르면, 제3 스캔 신호(Sn+1)는 다음 행의 제1 스캔 신호(Sn)와 실질적으로 동기화될 수 있다.
본 실시예에서, 제1 내지 제7 박막 트랜지스터(T1 내지 T7)는 실리콘을 포함하는 반도체층을 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 내지 제7 박막 트랜지스터(T1 내지 T7)는 저온 폴리실리콘(Low Temperature Poly-Silicon; LTPS)을 포함하는 반도체층을 포함할 수 있다. 폴리실리콘 물질은 전자이동도가 높아 (100㎠/Vs 이상), 에너지 소비 전력이 낮고 신뢰성이 우수하다. 다른 예로, 제1 내지 제7 박막 트랜지스터(T1 내지 T7)의 반도체층들은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 세슘(Cs), 세륨(Ce) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체층(A)은 ITZO(InSnZnO) 반도체층, IGZO(InGaZnO) 반도체층 등일 수 있다. 또 다른 예로, 제1 내지 제7 박막 트랜지스터(T1 내지 T7) 중 일부 반도체층은 저온 폴리실리콘(LTPS)으로 형성되고, 다른 일부 반도체층은 산화물 반도체(IGZO 등)로 형성될 수도 있다.
이하에서 일 실시예에 따른 표시 패널(10)의 한 화소 회로(PC) 및 표시 요소(DE)인 유기 발광 다이오드(OLED)의 구체적인 동작 과정을 상세히 설명한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제7 박막 트랜지스터(T1 내지 T7)는 p형 MOSFET인 것으로 가정한다.
우선, 하이 레벨의 발광 제어 신호(En)가 수신되면, 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)와 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)가 턴 오프되고, 구동 박막 트랜지스터(T1)는 구동 전류(IOLED)의 출력을 멈추고, 유기 발광 다이오드(OLED)는 발광을 멈춘다.
이후, 로우 레벨의 제2 스캔 신호(Sn-1)가 수신되는 게이트 초기화 기간 동안, 게이트 초기화 박막 트랜지스터(T4)가 턴 온되며, 초기화 전압(Vint)은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 게이트, 즉, 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극에 인가된다. 스토리지 커패시터(Cst)에는 구동 전압(ELVDD)과 초기화 전압(Vint)의 차(ELVDD - Vint)가 저장된다.
이후, 로우 레벨의 제1 스캔 신호(Sn)가 수신되는 데이터 기입 기간 동안, 스캔 박막 트랜지스터(T2)와 보상 박막 트랜지스터(T3)가 턴 온되며, 데이터 전압(Dm)은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 소스에 수신된다. 보상 박막 트랜지스터(T3)에 의해 구동 박막 트랜지스터(T1)는 다이오드 연결되고, 순방향으로 바이어스 된다. 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트 전압은 초기화 전압(Vint)에서 상승한다. 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트 전압이 데이터 전압(Dm)에서 구동 박막 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Threshold voltage, Vth)만큼 감소한 데이터 보상 전압(Dm - |Vth|)과 동일해지면, 구동 박막 트랜지스터(T1)이 턴 오프되면서 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트 전압의 상승은 멈춘다. 그에 따라, 스토리지 커패시터(Cst)에는 구동 전압(ELVDD)과 데이터 보상 전압(Dm - |Vth|)의 차(ELVDD - Dm + |Vth|)가 저장된다.
또한, 로우 레벨의 제3 스캔 신호(Sn+1)가 수신되는 애노드 초기화 기간 동안, 애노드 초기화 박막 트랜지스터(T7)가 턴 온되며, 초기화 전압(Vint)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드에 인가된다. 초기화 전압(Vint)을 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드에 인가하여 유기 발광 다이오드(OLED)를 완전히 비발광시킴으로써, 다음 프레임에 화소 회로(PC)가 블랙 계조에 대응하는 데이터 전압(Dm)을 수신하였지만, 유기 발광 다이오드(OLED)가 미세하게 발광하는 현상을 제거할 수 있다.
제1 스캔 신호(Sn)와 제3 스캔 신호(Sn+1)는 실질적으로 동기화될 수 있으며, 이 경우 데이터 기입 기간과 애노드 초기화 기간은 동일한 기간일 수 있다.
이후, 로우 레벨의 발광 제어 신호(En)가 수신되면, 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)와 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)가 턴 온되고, 구동 박막 트랜지스터(T1)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장되었던 전압, 즉, 구동 박막 트랜지스터(T1)의 소스-게이트 전압(ELVDD - Dm + |Vth|)에서 구동 박막 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(|Vth|)을 감산한 전압(ELVDD - Dm)에 대응하는 구동 전류(IOLED)를 출력하고, 유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 전류(IOLED)의 크기에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다.
도 3에서는 화소 회로(PC)가 7개의 박막 트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 화소 회로(PC)는 2개의 박막 트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함할 수도 있고, 3개 이상의 박막 트랜지스터 및/또는 2개 이상의 스토리지 커패시터를 포함할 수도 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 4를 참조하면, 표시 패널(10)을 이루는 각종 구성 요소들은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 기판(100)은 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)을 둘러싸는 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다(또는, 정의될 수 있다). 표시 영역(DA)은 메인 이미지가 표시되는 메인 영역(MDA)과, 투과 영역(TA)을 가지며 보조 이미지가 표시되는 컴포넌트 영역(CA)을 포함할 수 있다. 보조 이미지는 메인 이미지와 함께 하나의 전체 이미지를 형성하거나, 메인 이미지로부터 독립된 이미지를 형성할 수 있다.
메인 영역(MDA)에는 복수의 메인 화소 회로(PCm)들 및 복수의 메인 표시 요소(DEm)들이 배치될 수 있다. 일 예로, 메인 표시 요소(DEm)는 유기 발광 다이오드(OLED)일 수 있다. 메인 화소 회로(PCm)와 메인 표시 요소(DEm)는 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 메인 표시 요소(DEm)는 메인 화소 회로(PCm)에 의해 구동될 수 있다. 메인 화소 회로(PCm)와 메인 표시 요소(DEm)는 서로 중첩되도록 배치될 수 있다. 메인 영역(MDA)은 밀봉 부재로 커버되어, 외기 또는 수분 등으로부터 보호될 수 있다.
컴포넌트 영역(CA)은 전술한 바와 같이 메인 영역(MDA)의 일측에 위치거나, 표시 영역(DA)의 내측에 배치되어 메인 영역(MDA)에 의해 둘러싸일 수 있다. 컴포넌트 영역(CA)에는 복수의 보조 표시 요소(DEa)들이 배치될 수 있다. 일 예로, 보조 표시 요소(DEa)는 유기 발광 다이오드(OLED)일 수 있다. 컴포넌트 영역(CA)은 밀봉 부재로 커버되어, 외기 또는 수분 등으로부터 보호될 수 있다.
주변 영역(PA)에는 복수의 보조 화소 회로(PCa)들이 배치될 수 있다. 보조 화소 회로(PCa)는 도 4에 도시된 바와 같이 표시 영역(DA)의 우측과 인접한 주변 영역(PA)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 보조 화소 회로(PCa)는 후술할 제1 구동부(DU1)와 표시 영역(DA) 사이에 배치될 수 있다. 다른 예로, 보조 화소 회로(PCa)는 표시 영역(DA)의 좌측과 인접한 주변 영역(PA)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 보조 화소 회로(PCa)는 후술할 제2 구동부(DU2)와 표시 영역(DA) 사이에 배치될 수 있다. 또 다른 예로, 보조 화소 회로(PCa)들은 제1 구동부(DU1)와 표시 영역(DA) 사이 및 제2 구동부(DU2)와 표시 영역(DA) 사이에 각각 배치될 수 있다. 이에 대해서는 도 7에서 후술한다.
보조 화소 회로(PCa)와 보조 표시 요소(DEa)는 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 보조 표시 요소(DEa)는 보조 화소 회로(PCa)에 의해 구동될 수 있다. 보조 화소 회로(PCa) 및 보조 표시 요소(DEa)는 메인 화소 회로(PCm) 및 메인 표시 요소(DEm)와 다르게 서로 다른 영역 상에 배치되므로, 서로 중첩되지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 보조 화소 회로(PCa)와 보조 표시 요소(DEa)는 전극 연결 배선(EWL)을 통해 서로 연결될 수 있다. 전극 연결 배선(EWL)의 일부분은 ±y 방향으로 연장되고, 다른 일부분은 ±x 방향으로 연장될 수 있다.
또한, 전극 연결 배선(EWL)은 서로 다른 물질로 구비된 제1 전극 연결 배선과 제2 전극 연결 배선을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 전극 연결 배선은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함하고, 제2 전극 연결 배선은 투명한 전도성 물질을 포함할 수 있다. 이에 대해서는 도 6a 및 도 6b에서 후술한다.
한편, 컴포넌트 영역(CA)은 투과 영역(TA)을 가질 수 있다. 투과 영역(TA)은 보조 표시 요소(DEa)들을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 또는, 투과 영역(TA)은 보조 표시 요소(DEa)들과 격자 형태로 배치될 수도 있다.
컴포넌트 영역(CA)은 투과 영역(TA)을 갖기에, 컴포넌트 영역(CA)의 해상도는 메인 영역(MDA)의 해상도보다 낮을 수 있다. 예컨대, 컴포넌트 영역(CA)의 해상도는 메인 영역(MDA)의 해상도의 약 1/2, 3/8, 1/3, 1/4, 2/9, 1/8, 1/9, 1/12.25, 1/16 등일 수 있다. 예컨대 메인 영역(MDA)의 해상도는 약 400ppi 이상이고, 컴포넌트 영역(CA)의 해상도는 약 200ppi 또는 약 100ppi 일 수 있다.
도 4는 컴포넌트 영역(CA)이 하나인 경우를 도시하고 있으나, 컴포넌트 영역(CA)은 복수로 구비될 수 있다. 이 경우, 복수의 컴포넌트 영역(CA)들은 서로 이격되어 배치되며, 하나의 컴포넌트 영역(CA)에 대응하여 제1 카메라가 배치되고, 다른 컴포넌트 영역(CA)에 대응하여 제2 카메라가 배치될 수 있다. 또는, 하나의 컴포넌트 영역(CA)에 대응하여 카메라가 배치되고, 다른 컴포넌트 영역(CA)에 대응하여 적외선 센서가 배치될 수 있다. 컴포넌트 영역(CA)들의 형상 및 크기는 서로 다르게 구비될 수 있다.
컴포넌트 영역(CA)은 원형, 타원형, 다각형 또는 비정형 형상으로 구비될 수 있다. 일부 실시예에서, 컴포넌트 영역(CA)은 팔각형으로 구비될 수 있다. 컴포넌트 영역(CA)은 사각형, 육각형 등 다양한 형태의 다각형으로 구비될 수 있다. 컴포넌트 영역(CA)은 메인 영역(MDA)에 의해서 둘러싸일 수 있다.
표시 요소(DE)들을 구동하는 화소 회로(PC)들 각각은 주변 영역(PA)에 배치된 외곽 회로들과 전기적으로 연결될 수 있다. 주변 영역(PA)에는 제1 구동부(DU1), 제2 구동부(DU2), 및 패드부(PAD)가 배치될 수 있다. 이외에도 도 4에 도시되지 않았으나 제1 전원 공급 배선 및 제2 전원 공급 배선도 주변 영역(PA)에 배치될 수 있다.
제1 구동부(DU1)는 복수의 제1 게이트 구동 회로(GDC1)들을 포함할 수 있다. 제1 게이트 구동 회로(GDC1)들은 각각 제1 방향(예를 들어, ±x 방향)으로 연장된 게이트 라인(GL)들과 연결될 수 있다. 제2 구동부(DU2)는 복수의 제2 게이트 구동 회로(GDC2)들을 포함할 수 있다. 제2 게이트 구동 회로(GDC2)들은 각각 제1 방향(예를 들어, ±x 방향)으로 연장된 게이트 라인(GL)들과 연결될 수 있다.
게이트 라인(GL)들은 각각 동일 행에 위치하는 메인 표시 요소(DEm)들과 연결된 메인 화소 회로(PCm)들, 및 동일 행에 위치하는 보조 표시 요소(DEa)들과 연결된 보조 화소 회로(PCa)들에 연결될 수 있다. 게이트 라인(GL)들은 각각 동일 행에 위치하는 메인 표시 요소(DEm)들과 연결된 메인 화소 회로(PCm)들, 및 동일 행에 위치하는 보조 표시 요소(DEa)들과 연결된 보조 화소 회로(PCa)들에 전기적 신호를 순차적으로 전달할 수 있다.
다른 말로, 게이트 라인(GL)들은 각각 동일 행에 위치하는 메인 화소 회로(PCm)들 및 보조 화소 회로(PCa)들에 연결될 수 있다. 게이트 라인(GL)들은 각각 동일 행에 위치하는 메인 화소 회로(PCm)들 및 보조 화소 회로(PCa)들에 전기적 신호를 순차적으로 전달할 수 있다.
예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이 보조 표시 요소(DEa)들 중 제1 보조 표시 요소(DEa1)와 제2 보조 표시 요소(DEa2)는 동일 행에 배치될 수 있다. 메인 표시 요소(DEm)들 중 제3 메인 표시 요소(DEm3)는 제1 보조 표시 요소(DEa1) 및 제2 보조 표시 요소(DEa3)와 동일 행에 배치될 수 있다. 이때, 제1 보조 표시 요소(DEa1)와 연결되는 제1 보조 화소 회로(PCa1), 제2 보조 표시 요소(DEa2)와 연결되는 제2 보소 화소 회로(PCa2), 및 제3 메인 표시 요소(DEm3)와 연결되는 제3 메인 화소 회로(PCm3)는 동일한 제1 게이트 라인(GL1)에 연결될 수 있다. 제1 게이트 라인(GL1)은 제1 방향(예를 들어, ±x 방향)으로 연장되어 제1 보조 화소 회로(PCa1), 제2 보조 화소 회로(PCa2), 및 제3 메인 화소 회로(PCm3)를 제1 게이트 구동 회로(GDC1)에 연결할 수 있다.
비교예로, 보조 화소 회로가 구동부와 인접하게 배치되지 않는 경우, 게이트 라인은 표시 영역을 우회하여 게이트 라인의 길이가 증가할 수 있다. 이러한 경우, 보조 화소 회로에 연결된 게이트 라인과 메인 화소 회로에 연결된 게이트 라인의 길이 편차로 인해, 표시 장치의 고속 구동 시 게이트 신호의 전달 편차가 발생할 수 있다.
다만, 보조 화소 회로(PCa)들이 표시 영역(DA)과 제1 구동부(DU1) 사이에 배치되는 경우, 게이트 라인(GL)은 표시 영역(DA)을 우회하지 않고(또는, 게이트 라인의 일부가 ±y 방향으로 연장되지 않고) 보조 화소 회로(PCa)에 연결될 수 있다. 이러한 경우, 보조 화소 회로(PCa)에 연결된 게이트 라인(GL)과 메인 화소 회로(PCm)에 연결된 게이트 라인(GL)의 길이 편차가 발생하지 않으므로, 표시 장치(1, 도 1 참조)의 고속 구동 시 게이트 신호의 전달 편차가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 보조 화소 회로(PCa)들이 표시 영역(DA)과 제1 구동부(DU1) 사이에 배치되는 경우, 표시 패널(10)의 상단부 데드 영역(d)이 감소할 수 있다.
게이트 라인(GL)들 중 컴포넌트 영역(CA)에서 제1 방향(예를 들어, ±x 방향)으로 연장된 게이트 라인(GL)들은 서로 이격될 수 있다. 다른 말로, 게이트 라인(GL)들 중 보조 화소 회로(PCa)와 연결된 제1 게이트 라인(GL1)들과, 게이트 라인(GL)들 중 제1 게이트 라인(GL1)들과 각각 동일 행에 배치되는 제2 게이트 라인(GL2)들은 서로 이격될 수 있다.
예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이 제1 보조 화소 회로(PCa1)를 제1 게이트 구동 회로(GDC1)에 연결하는 제1 게이트 라인(GL1)과, 제2 게이트 구동 회로(GDC2)에 연결된 제2 게이트 라인(GL2)은 컴포넌트 영역(CA)에 의해 서로 이격될 수 있다. 제1 게이트 라인(GL1)과 제2 게이트 라인(GL2)은 컴포넌트 영역(CA)에 의해 제1 방향(예를 들어, ±x 방향)으로 서로 이격될 수 있다. 이때, 제1 게이트 라인(GL1)과 제2 게이트 라인(GL2)은 동일 행에 배치될 수 있다.
이와 다르게 게이트 라인(GL)들 중 보조 화소 회로(PCa)와 연결되지 않는 제3 게이트 라인(GL3)들은 제1 방향(예를 들어, ±x 방향)으로 연장되어 제1 게이트 구동 회로(GDC1)와 제2 게이트 구동 회로(GDC2)에 각각 연결될 수 있다. 제3 게이트 라인(GL3)은 컴포넌트 영역(CA)에 의해 단선되는 부분을 포함하지 않을 수 있다.
도 4는 게이트 라인(GL)들 각각을 하나의 배선으로 도시하고 있으나, 게이트 라인(GL)들 각각은 복수의 배선들로 이루어질 수 있다. 게이트 라인(GL)들 각각은 스캔 라인, 발광 제어 라인 등을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 게이트 구동 회로(GDC1, GDC2)들 각각은 스캔 구동 회로 및 발광 제어 구동 회로를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 게이트 구동 회로(GDC1, GDC2)들 각각에 포함된 스캔 구동 회로는 스캔 라인을 통해 각 화소 회로(PC)에 스캔 신호를 제공할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 게이트 구동 회로(GDC1, GDC2)들 각각에 포함된 발광 제어 구동 회로는 발광 제어 라인을 통해 각 화소 회로(PC)에 발광 제어 신호를 제공할 수 있다.
제2 구동부(DU2)는 표시 영역(DA)을 사이에 두고 제1 구동부(DU1)와 나란하게 배치될 수 있다. 표시 영역(DA)에 배치된 화소 회로(PC)들은 제1 구동부(DU1)와 제2 구동부(DU2)에 공통으로 연결될 수 있다. 다른 실시예로, 표시 영역(DA)에 배치된 화소 회로(PC)들 중 일부는 제1 구동부(DU1)와 전기적으로 연결될 수 있고, 나머지는 제2 구동부(DU2)에 연결될 수 있다. 다른 실시예로, 제2 구동부(DU2)는 생략될 수 있다.
패드부(PAD)는 기판(100)의 일측에 배치될 수 있다. 패드부(PAD)는 메인 데이터 패드(DPm)들, 보조 데이터 패드(DPa)들, 클럭 패드들, 스캔 패드들 등을 포함할 수 있다. 패드부(PAD)는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출되어 인쇄 회로 기판(PCB)과 연결될 수 있다.
메인 데이터 라인(DLm)들 및 보조 데이터 라인(DLa)들은 각각 제2 방향(예를 들면, ±y 방향)으로 연장되며, 제1 구동부(DU1)와 제2 구동부(DU2) 사이에 배치될 수 있다. 메인 데이터 라인(DLm)들은 메인 화소 회로(PCm)들 중 동일 열에 위치하는 메인 화소 회로(PCm)들에 연결되고, 각각 메인 데이터 패드(DPm)들 중 대응하는 메인 데이터 패드(DPm)와 연결될 수 있다. 보조 데이터 라인(DLa)들은 보조 화소 회로(PCa)들 중 동일 열에 위치하는 보조 화소 회로(PCa)들에 연결되고, 각각 보조 데이터 패드(DPa)들 중 대응하는 보조 데이터 패드(DPa)와 연결될 수 있다.
예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이 제1 메인 데이터 라인(DLm1)은 제2 방향(예를 들어, ±y 방향)으로 연장되어 제1 메인 데이터 패드(DPm1)를 제1 메인 화소 회로(PCm1)에 연결할 수 있다. 이때, 제1 메인 데이터 라인(DLm1)은 제1 메인 화소 회로(PCm1)에 제1 데이터 신호를 전달하도록 구성될 수 있다. 제2 메인 데이터 라인(DLm2)은 제2 방향(예를 들어, ±y 방향)으로 연장되어 제2 메인 데이터 패드(DPm2)를 제2 메인 화소 회로(PCm2)에 연결할 수 있다. 이때, 제2 메인 데이터 라인(DLm2)은 제2 메인 화소 회로(PCm2)에 제2 데이터 신호를 전달하도록 구성될 수 있다. 제3 메인 데이터 라인(DLm3)은 제2 방향(예를 들어, ±y 방향)으로 연장되어 제3 메인 데이터 패드(DPm3)를 제3 메인 화소 회로(PCm3)에 연결할 수 있다. 이때, 제3 메인 데이터 라인(DLm3)은 제3 메인 화소 회로(PCm3)에 제3 데이터 신호를 전달하도록 구성될 수 있다.
또한, 제1 보조 데이터 라인(DLa1)은 제2 방향(예를 들어, ±y 방향)으로 연장되어 제1 보조 데이터 패드(DPa1)를 제1 보조 화소 회로(PCa1)에 연결할 수 있다. 이때, 제1 보조 데이터 라인(DLa1)은 제1 보조 화소 회로(PCa1)에 상기 제1 데이터 신호를 전달하도록 구성될 수 있다. 그 결과, 동일 열에 배치된 제1 보조 표시 요소(DEa1) 및 제1 메인 표시 요소(DEm1)에 각각 연결된 제1 보조 화소 회로(PCa1) 및 제1 메인 화소 회로(PCm1)는 동일한 제1 데이터 신호를 전달받을 수 있다.
여기서, 제1 데이터 신호는 복수의 제1 데이터 전압들을 포함할 수 있다. 상기 제1 데이터 전압들은 이미지를 구현하기 위한 전압들을 각각 포함할 수 있다. 제1 데이터 신호는 후술할 클럭 신호와 실질적으로 동기화될 수 있고, 상기 클럭 신호에 기초하여 제1 데이터 전압들은 다른 행에 배치된 화소 회로(PC)들에 각각 전달될 수 있다. 따라서, 다른 행에 배치되는 제1 보조 화소 회로(PCa1)와 제1 메인 화소 회로(PCm1)에는 다른 타이밍에 제1 데이터 전압이 각각 전달될 수 있다.
한편, 컴포넌트 영역(CA)에 배치되는 제3 보조 표시 요소(DEa3)는 제1 보조 표시 요소(DEa1)와 동일 열에 배치될 수 있다. 제3 보조 화소 회로(PCa3)는 제1 보조 화소 회로(PCa1)와 동일 열에 배치될 수 있다. 전극 연결 배선(EWL)을 통해 제3 보조 표시 요소(DEa3)와 연결된 제3 보조 화소 회로(PCa3)는 제1 보조 데이터 라인(DLa1)에 연결될 수 있다. 제3 보조 화소 회로(PCa3)는 제1 보조 데이터 라인(DLa1)을 통해 제1 데이터 신호를 전달받을 수 있다.
제2 보조 데이터 라인(DLa2)은 제2 방향(예를 들어, ±y 방향)으로 연장되어 제2 보조 데이터 패드(DPa2)를 제2 보조 화소 회로(PCa2)에 연결할 수 있다. 이때, 제2 보조 데이터 라인(DLa2)은 제2 보조 화소 회로(PCa2)에 제2 데이터 신호를 전달하도록 구성될 수 있다. 그 결과, 동일 열에 배치된 제2 보조 표시 요소(DEa2) 및 제2 메인 표시 요소(DEm2)에 각각 연결된 제2 보조 화소 회로(PCa2) 및 제2 메인 화소 회로(PCm2)는 동일한 제2 데이터 신호를 전달받을 수 있다. 제2 데이터 신호도 제1 데이터 신호와 마찬가지로 복수의 제2 데이터 전압들을 포함할 수 있다. 상기 제2 데이터 전압들은 이미지를 구현하기 위한 전압들을 각각 포함할 수 있고, 다른 행에 배치된 화소 회로(PC)들에 각각 전달될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 메인 데이터 라인(DLm)들 중 컴포넌트 영역(CA)에서 제2 방향(예를 들어, ±y 방향)으로 연장된 메인 데이터 라인(DLm)들은 이외의 메인 데이터 라인(DLm)들보다 메인 영역(MDA)과 중첩하는 일부분이 짧을 수 있다. 다른 말로, 메인 데이터 라인(DLm)들 중 보조 표시 요소(DEa)와 동일 열에 배치된 메인 표시 요소(DEm)와 전기적으로 연결된 메인 데이터 라인(DLm)들은 이외의 메인 데이터 라인(DLm)들보다 메인 영역(MDA)과 중첩하는 일부분이 짧을 수 있다.
예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이 메인 영역(MDA)과 중첩하는 제3 메인 데이터 라인(DLm3)의 제2 부분(ℓ2)은 메인 영역(MDA)과 중첩하는 제1 메인 데이터 라인(DLm1)의 제1 부분(ℓ1)보다 길 수 있다. 제1 메인 데이터 라인(DLm1)은 컴포넌트 영역(CA)에서 제2 방향(예를 들어, ±y 방향)으로 연장될 수 있다. 제1 메인 데이터 라인(DLm1)은 제1 메인 표시 요소(DEm1)와 전기적으로 연결될 수 있고, 제1 메인 표시 요소(DEm1)는 제1 보조 표시 요소(DEa1)와 동일 열에 배치될 수 있다. 제1 메인 데이터 라인(DLm1)을 기준으로 설명하였으나, 제2 메인 데이터 라인(DLm2)도 동일하게 적용될 수 있다.
도 4는 메인 데이터 패드(DPm)들이 각각 메인 데이터 라인(DLm)들과 일대일로 대응하도록 도시하고 있으나, 메인 데이터 라인(DLm)들은 메인 데이터 패드(DPm)들과 일대일로 대응하지 않을 수 있다. 일 예로, 메인 데이터 라인(DLm)들은 멀티 플렉서를 통해 메인 데이터 패드(DPm)들 중 서로 동일한 메인 데이터 패드(DPm)에 연결될 수도 있다. 메인 데이터 패드(DPm)를 기준으로 설명하였으나, 보조 데이터 패드(DPa)도 동일하게 적용될 수 있다.
클럭 패드는 제1 게이트 구동 회로(GDC1)들에 연결되며, 제1 게이트 구동 회로(GDC1)들에 클럭 신호를 전달할 수 있다. 제1 게이트 구동 회로(GDC1)들은 클럭 패드로부터 전달받은 클럭 신호에 기초하여 게이트 신호를 순차적으로 게이트 라인(GL)들에 출력할 수 있다. 구체적으로, 제1 게이트 구동 회로(GDC1)들 각각은 이전 게이트 라인에 연결되어, 이전 게이트 라인으로부터 이전 게이트 신호를 수신할 수 있다. 다른 예에 따르면, 제1 게이트 구동 회로(GDC1)들 각각은 이전 제1 게이트 구동 회로에 연결되어, 이전 제1 게이트 구동 회로로부터 이전 제어 신호를 수신할 수 있다. 제1 게이트 구동 회로(GDC1)들 각각은 이전 제어 신호 또는 이전 게이트 신호, 및 클럭 신호에 기초하여 게이트 신호를 생성하도록 구성된다. 제1 게이트 구동 회로(GDC1)를 기준으로 설명하였으나, 제2 게이트 구동 회로(GDC2)도 동일하게 적용될 수 있다.
표시 장치(1)는 디스플레이 구동 회로(DDC)가 장착되는 인쇄 회로 기판(PCB)를 포함할 수 있다.
인쇄 회로 기판(PCB)은 패드부(PU)에 장착되며, 인쇄 회로 기판(PCB)의 단자부(PCB-P)는 표시 패널(10)의 패드부(PU)와 전기적으로 연결될 수 있다. 인쇄 회로 기판(PCB)은 메인 데이터 패드(DPm)들, 보조 데이터 패드(DPa)들, 클럭 패드들, 스캔 패드들 등에 각각 연결하기 위한 배선들을 포함하며, 제어부의 신호 또는 전원을 표시 패널(10)로 전달할 수 있다. 인쇄 회로 기판(PCB)에 장착된 디스플레이 구동 회로(DDC)에 대해서는 이하 도 5에서 자세히 설명하고자 한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 구동 회로를 개략적으로 도시하는 블록도이다.
도 5를 참조하면, 디스플레이 구동 회로(DDC)는 타이밍 컨트롤러(timing controller, TCON)(310), 데이터 구동 회로(320), 및 전극부(330)를 포함할 수 있다. 이외에도 도 5에 도시되지 않았으나 디스플레이 구동 회로(DDC)는 클럭 신호 출력 회로, 게이트 신호 출력 회로 등을 더 포함할 수 있다. 디스플레이 구동 회로(DDC)는 하나의 반도체 집적회로 칩으로 형성될 수 있다.
전극부(330)는 제1 메인 데이터 패드(DPm1), 제2 메인 데이터 패드(DPm2), 제1 보조 데이터 패드(DPa1), 및 제2 보조 데이터 패드(DPa2)에 각각 연결되는 제1 메인 데이터 전극(331), 제2 메인 데이터 전극(332), 제1 보조 데이터 전극(333), 및 제2 보조 데이터 전극(334)을 포함할 수 있다. 이외에도 도 5에 도시되지 않았으나 전극부(330)는 제3 메인 데이터 전극, 클럭 전극들, 스캔 전극들 등을 더 포함할 수 있다.
타이밍 컨트롤러(310)는 표시 패널(10)의 구동 타이밍을 제어하는 다양한 제어 신호를 생성할 수 있다. 타이밍 컨트롤러(310)는 영상 데이터를 데이터 구동 회로(320)에 전달할 수 있다. 데이터 구동 회로(320)는 타이밍 컨트롤러(310)로부터 영상 데이터를 수신하고 영상 데이터에 대응하는 데이터 전압을 생성하여 표시 패널(10)로 전달할 수 있다. 또한, 타이밍 컨트롤러(310)는 게이트 신호 출력 회로의 게이트 신호 출력을 제어할 수 있다.
타이밍 컨트롤러(310)는 클럭 전극에 클럭 신호를 출력하는 클럭 신호 출력 회로를 포함할 수 있다. 게이트 신호 출력 회로는 클럭 신호에 동기화하여 스캔 전극에 게이트 신호를 순차적으로 출력하도록 구성될 수 있다.
데이터 구동 회로(320)는 클럭 신호에 동기화하여 제1 메인 데이터 전극(331)에 제1 데이터 신호(Dg1)를 출력하고, 제2 메인 데이터 전극(332)에 제2 데이터 신호(Dg2)를 출력하고, 제1 보조 데이터 전극(333)에 제1 데이터 신호(Dg1)를 출력하고, 제2 보조 데이터 전극(334)에 제2 데이터 신호(Dg2)를 출력하도록 구성될 수 있다.
여기서, 제1 데이터 신호(Dg1)는 타이밍 컨트롤러(310)로부터 수신한 영상 데이터들에 각각 대응하는 복수의 제1 데이터 전압들을 포함할 수 있다. 제1 데이터 전압들은 전술한 바와 같이 데이터 구동 회로(320)에서 생성될 수 있다. 제1 데이터 신호(Dg1)를 기준으로 설명하였으나, 제2 데이터 신호(Dg2)도 동일하게 적용될 수 있다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부분을 개략적으로 도시하는 확대 평면도이고, 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 구체적으로, 도 6a는 컴포넌트 영역의 일부와 그 주변의 주변 영역의 일부를 확대하여 도시한다.
도 6a를 참조하면, 컴포넌트 영역(CA) 상에는 복수의 보조 표시 요소(DEa)들이 배치될 수 있다. 도 4에서 전술한 바와 같이 보조 표시 요소(DEa)들은 각각 주변 영역(PA)에 배치된 보조 화소 회로(PCa)들과 연결될 수 있다. 보조 표시 요소(DEa)들은 각각 전극 연결 배선(EWL)들을 통해 보조 화소 회로(PCa)들과 연결될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 전극 연결 배선(EWL)들 각각은 서로 다른 물질로 구비된 제1 전극 연결 배선(EWL1) 및 제2 전극 연결 배선(EWL2)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 전극 연결 배선(EWL1)은 주변 영역(PA) 상에 배치되고, 도전 물질을 포함할 수 있다. 제2 전극 연결 배선(EWL2)은 컴포넌트 영역(CA) 상에 배치되고, 투명 전도성 산화물을 포함할 수 있다.
제1 전극 연결 배선(EWL1)과 제2 전극 연결 배선(EWL2)은 노드(N)에서 서로 연결될 수 있다. 도 4는 노드(N)가 컴포넌트 영역(CA)과 주변 영역(PA)의 경계에 위치하는 것으로 도시하고 있으나, 다른 예로, 노드(N)는 주변 영역(PA) 상에 위치할 수 있다.
이하, 도 6b를 참조하여 표시 패널(10)에 포함된 구성을 적층 구조에 따라 보다 구체적으로 설명하며, 제1 전극 연결 배선(EWL1) 및 제2 전극 연결 배선(EWL2) 등의 위치 관계에 대해 설명하고자 한다.
도 6b를 참조하면, 메인 영역(MDA)에는 메인 표시 요소(DEm)가 배치되고, 컴포넌트 영역(CA)에는 보조 표시 요소(DEa)가 배치될 수 있다. 또한, 메인 영역(MDA)에는 메인 박막 트랜지스터(TFTm)를 포함하는 메인 화소 회로(PCm)가 배치될 수 있다. 주변 영역(PA)에는 보조 박막 트랜지스터(TFTa)를 포함하는 보조 화소 회로(PCa)가 배치될 수 있다. 메인 표시 요소(DEm)는 메인 화소 회로(PCm)와 연결될 수 있고, 메인 화소(PXm)를 구현할 수 있다. 보조 표시 요소(DEa)는 보조 화소 회로(PCa)와 연결될 수 있고, 보조 화소(PXa)를 구현할 수 있다.
기판(100)은 글래스 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등을 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 플렉서블, 롤러블 또는 벤더블 특성을 가질 수 있다. 기판(100)은 전술한 고분자 수지를 포함하는 층 및 무기층(미도시)을 포함하는 다층 구조일 수 있다.
버퍼층(111)은 기판(100)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 기판(100) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(111)은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기 복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다.
기판(100)과 버퍼층(111) 사이에는 배리어층(미도시)이 더 포함될 수 있다. 배리어층은 기판(100) 등으로부터의 불순물이 반도체층(A)으로 침투하는 것을 방지하거나 최소화하는 역할을 할 수 있다. 배리어층은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기 복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다.
버퍼층(111) 상에는 반도체층(A)이 배치될 수 있다. 반도체층(A)은 비정질 실리콘을 포함하거나, 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 반도체층(A)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 세슘(Cs), 세륨(Ce), 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다.
반도체층(A)은 채널 영역과 상기 채널 영역의 양 옆에 배치된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 반도체층(A)은 단층 또는 다층으로 구성될 수 있다.
기판(100) 상에는 반도체층(A)을 덮도록 제1 게이트 절연층(113) 및 제2 게이트 절연층(115)이 적층되어 배치될 수 있다. 제1 게이트 절연층(113) 및 제2 게이트 절연층(115)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등을 포함할 수 있다.
제1 게이트 절연층(113) 상에는 반도체층(A)과 적어도 일부 중첩되도록 게이트 전극(G)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(G)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 게이트 전극(G)은 Mo의 단층일 수 있다.
도 6b에서는 게이트 전극(G)이 제1 게이트 절연층(113) 상면에 배치된 것으로 도시하고 있으나, 다른 실시예로, 게이트 전극(G)은 제2 게이트 절연층(115) 상면에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 스토리지 커패시터(Cst)는 하부 전극(CE1) 및 상부 전극(CE2)로 구비되며, 도 6b에 도시한 바와 같이 메인 박막 트랜지스터(TFTm)와 중첩될 수 있다. 예컨대, 메인 박막 트랜지스터(TFTm)의 게이트 전극(G)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1)으로의 기능을 수행할 수 있다. 이와 다르게 스토리지 커패시터(Cst)는 메인 박막 트랜지스터(TFTm)와 중첩되지 않고, 따로 존재할 수도 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(CE2)은 제2 게이트 절연층(115)을 사이에 두고 하부 전극(CE1)과 중첩하며, 커패시턴스를 형성한다. 이 경우, 제2 게이트 절연층(115)은 스토리지 커패시터(Cst)의 유전체층의 기능을 할 수 있다.
제2 게이트 절연층(115) 상에는 스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(CE2) 및 제1 전극 연결 배선(EWL1)이 배치될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(CE2) 및 제1 전극 연결 배선(EWL1)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
제2 게이트 절연층(115) 상에는 스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(CE2) 및 제1 전극 연결 배선(EWL1)을 덮도록 층간 절연층(117)이 구비될 수 있다. 층간 절연층(117)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등을 포함할 수 있다.
층간 절연층(117) 상부에는 소스 전극, 드레인 전극, 및 제2 연결 전극(CM2)이 배치될 수 있다.
소스 전극, 드레인 전극, 및 제2 연결 전극(CM2)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 소스 전극, 드레인 전극, 및 제2 연결 전극(CM2)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다. 소스 전극 및 드레인 전극은 콘택홀을 통해서 반도체층(A)의 소스 영역 또는 드레인 영역에 접속될 수 있다. 제2 연결 전극(CM2)은 콘택홀을 통해서 제1 전극 연결 배선(EWL1)에 접속될 수 있다.
소스 전극, 드레인 전극, 및 제2 연결 전극(CM2)은 무기 보호층(미도시)으로 커버될 수 있다. 무기 보호층은 질화실리콘(SiNX)과 산화실리콘(SiOX)의 단일막 또는 다층막일 수 있다. 무기 보호층은 층간 절연층(117) 상에 배치된 일부 배선들을 커버하여 보호하기 위해 도입된 것일 수 있다.
소스 전극, 드레인 전극, 및 제2 연결 전극(CM2)을 덮도록 평탄화층(119)이 배치되며, 평탄화층(119)은 메인 박막 트랜지스터(TFTm)와 제1 화소 전극(210)을 연결하기 위한 콘택홀을 포함한다.
평탄화층(119)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 평탄한 상면을 제공한다. 이러한, 평탄화층(119)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 또는 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 도 6b에 도시된 것처럼, 평탄화층(119)은 제1 평탄화층(119a) 및 제2 평탄화층(119b)을 포함할 수 있다.
제1 평탄화층(119a) 상에는 제1 연결 전극(CM1) 및 제2 전극 연결 배선(EWL2)이 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CM1) 및/또는 제2 전극 연결 배선(EWL2)은 투명한 전도성 물질로 구비될 수 있다. 예컨대, 제1 연결 전극(CM1) 및/또는 제2 전극 연결 배선(EWL2)은 투명한 전도성 산화물(transparent conducting oxide, TCO)로 구비될 수 있다. 제1 연결 전극(CM1) 및/또는 제2 전극 연결 배선(EWL2)은 인듐주석산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐아연산화물(IZO; indium zinc oxide), 아연산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄아연산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
제1 연결 전극(CM1)은 제1 평탄화층(119a)에 형성된 콘택홀을 통해 소스 전극 또는 드레인 전극과 연결될 수 있다. 제2 전극 연결 배선(EWL2)은 제1 평탄화층(119a)에 형성된 콘택홀을 통해 제2 연결 전극(CM2)과 연결될 수 있고, 그 결과 제1 전극 연결 배선(EWL1)과 연결될 수 있다. 제2 연결 전극(CM2)을 통해 제1 전극 연결 배선(EWL1)과 제2 전극 연결 배선(EWL2)이 연결되는 지점은 도 6a에 도시된 노드(N)에 대응될 수 있다.
도 6b에 도시된 바와 같이, 제1 전극 연결 배선(EWL1) 및 제2 전극 연결 배선(EWL2)은 서로 다른 층에 배치될 수 있다. 도 6b는 제1 전극 연결 배선(EWL1)이 제2 게이트 절연층(115) 상에 배치되고, 제2 전극 연결 배선(EWL2)은 제1 평탄화층(119a) 상에 배치되는 것으로 도시하고 있으나, 이는 일 실시예에 불과하다. 다른 예로, 제1 전극 연결 배선(EWL1)은 제1 게이트 절연층(113), 층간 절연층(117), 또는 제1 평탄화층(119a) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극 연결 배선(EWL2)은 층간 절연층(117) 상에 배치될 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 제1 전극 연결 배선(EWL1) 및 제2 전극 연결 배선(EWL2)은 동일 층에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극 연결 배선(EWL1) 및 제2 전극 연결 배선(EWL2)은 층간 절연층(117) 또는 제1 평탄화층(119a) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극 연결 배선(EWL2)의 끝단이 제1 전극 연결 배선(EWL1)의 끝단을 덮도록 구비될 수 있다. 이를 통해 제1 전극 연결 배선(EWL1)과 제2 전극 연결 배선(EWL2)은 연결될 수 있다.
평탄화층(119) 상에는 메인 표시 요소(DEm) 및 보조 표시 요소(DEa)가 배치될 수 있다. 보조 표시 요소(DEa)가 배치되는 컴포넌트 영역(CA) 중 보조 표시 요소(DEa)와 중첩되지 않는 일부 영역은 투과 영역(TA)에 대응할 수 있다.
메인 표시 요소(DEm)는 제1 화소 전극(210), 유기 발광층을 포함하는 제1 중간층(220), 및 대향 전극(230)을 포함할 수 있다. 메인 표시 요소(DEm)는 평탄화층(119)에 형성된 콘택홀들과 제1 연결 전극(CM1)을 통해 메인 박막 트랜지스터(TFTm)와 연결될 수 있다. 즉, 메인 표시 요소(DEm)는 메인 화소 회로(PCm)와 연결될 수 있다.
보조 표시 요소(DEa)는 제2 화소 전극(210'), 유기 발광층을 포함하는 제2 중간층(220'), 및 대향 전극(230)을 포함할 수 있다. 보조 표시 요소(DEa)는 평탄화층(119)에 형성된 콘택홀들, 제1 전극 연결 배선(EWL1), 제2 연결 전극(CM2), 및 제2 전극 연결 배선(EWL2)을 통해 보조 박막 트랜지스터(TFTa)와 연결될 수 있다. 즉, 보조 표시 요소(DEa)는 보조 화소 회로(PCa)와 연결될 수 있다.
제1 화소 전극(210)은 (반)투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 화소 전극(210)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사층과, 반사층 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 화소 전극(210)은 ITO/Ag/ITO로 구비될 수 있다. 제1 화소 전극(210)을 기준으로 설명하였으나, 제2 화소 전극(210')도 동일하게 적용된다.
기판(100)의 표시 영역(DA)에 있어서, 평탄화층(119) 상에는 화소 정의막(121)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(121)은 제1 화소 전극(210)의 가장자리를 덮으며, 제1 화소 전극(210)의 중앙부를 노출하는 제1 개구(OP)를 구비할 수 있다. 제1 개구(OP)에 의해서 메인 표시 요소(DEm)의 발광 영역(EAm)이 정의된다. 화소 정의막(121)은 제2 화소 전극(210')의 가장자리를 덮으며, 제2 화소 전극(210')의 중앙부를 노출하는 제2 개구(OP')를 구비할 수 있다. 제2 개구(OP')에 의해서 보조 표시 요소(DEa)의 발광 영역(EAa)이 정의된다.
일 실시예에 있어서, 메인 표시 요소(DEm)와 보조 표시 요소(DEa)가 동일한 색을 발광하는 경우, 메인 표시 요소(DEm)의 발광 영역(EAm)은 보조 표시 요소(DEa)의 발광 영역(EAa)보다 작을 수 있다. 즉, 동일 색의 광을 발광하는 메인 화소(PXm)와 보조 화소(PXa)의 크기를 비교했을 때, 보조 화소(PXa)의 크기가 메인 화소(PXm)의 크기 보다 클 수 있다.
화소 정의막(121)은 제1 화소 전극(210)의 가장자리와 제1 화소 전극(210) 상부의 대향 전극(230)의 사이의 거리를 증가시킴으로써 제1 화소 전극(210)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 제1 화소 전극(210)을 기준으로 설명하였으나, 제2 화소 전극(210')도 동일하게 적용된다.
화소 정의막(121)은 폴리이미드, 폴리아마이드(Polyamide), 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.
제1 중간층(220)은 화소 정의막(121)에 의해 형성된 제1 개구(OP) 내에 배치되며, 유기 발광층을 포함할 수 있다. 유기 발광층은 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출하는 형광 또는 인광 물질을 포함하는 유기물을 포함할 수 있다. 유기 발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 유기 발광층의 아래 및 위에는, 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer), 또는 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층이 선택적으로 더 배치될 수 있다. 제1 중간층(220)을 기준으로 설명하였으나, 제2 중간층(220')도 동일하게 적용된다.
대향 전극(230)은 투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 일부 실시예에서, 대향 전극(230)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 TCO(transparent conductive oxide)막이 더 배치될 수 있다. 대향 전극(230)은 표시 영역(DA)에 걸쳐 배치되며, 제1 중간층(220) 및 제2 중간층(220')과 화소 정의막(121)의 상부에 배치될 수 있다. 대향 전극(230)은 복수의 유기 발광 다이오드(OLED)들에 있어서 일체(一體)로 형성되어 복수의 제1 화소 전극(210)들 및 복수의 제2 화소 전극(210')들에 대응할 수 있다.
이러한 유기 발광 다이오드(OLED)는 외부로부터의 수분이나 산소 등에 의해 쉽게 손상될 수 있기에, 봉지층(미도시)이 이러한 유기 발광 다이오드(OLED)를 덮어 이들을 보호하도록 할 수 있다. 봉지층은 표시 영역(DA)을 덮으며 주변 영역(PA)의 적어도 일부에까지 연장될 수 있다. 이러한 봉지층은 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층 및 제2 무기 봉지층을 포함할 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 7은 도 4의 변형 실시예로, 보조 화소 회로의 구조에서 차이가 있다. 이하에서는 중복되는 내용은 도 4의 설명으로 갈음하고 차이점을 위주로 설명한다.
도 7을 참조하면, 메인 영역(MDA)에는 복수의 메인 화소 회로(PCm')들 및 복수의 메인 표시 요소(DEm')들이 배치될 수 있다. 컴포넌트 영역(CA)에는 복수의 보조 표시 요소(DEa')들이 배치되고, 주변 영역(PA)에는 복수의 보조 화소 회로(PCa')들이 배치될 수 있다. 보조 표시 요소(DEa')들은 각각 전극 연결 배선(EWL')을 통해 보조 화소 회로(PCa')들과 연결될 수 있다.
도 7은 도 4와 다르게 보조 화소 회로(PCa')가 제2 구동부(DU2)와 표시 영역(DA) 사이에 배치되는 것을 도시한다. 즉, 표시 영역(DA)은 제1 보조 화소 회로(PCa1')와 제2 보조 화소 회로(PCa2') 사이에 위치할 수 있다. 이때, 컴포넌트 영역(CA)에 배치되는 보조 표시 요소(DEa')들 중 일부는 제1 구동부(DU1)와 표시 영역(DA) 사이에 배치되는 보조 화소 회로(PCa')들에 각각 연결되고, 다른 일부는 제2 구동부(DU2)와 표시 영역(DA) 사이에 배치되는 보조 화소 회로(PCa')들에 각각 연결될 수 있다.
표시 요소(DE')들을 구동하는 화소 회로(PC')들 각각은 주변 영역(PA)에 배치된 외곽 회로들과 전기적으로 연결될 수 있다. 주변 영역(PA)에는 제1 구동부(DU1), 제2 구동부(DU2), 및 패드부(PAD)가 배치될 수 있다.
게이트 라인(GL)들은 각각 동일 행에 위치하는 메인 표시 요소(DEm')들과 연결된 메인 화소 회로(PCm')들, 및 동일 행에 위치하는 보조 표시 요소(DEa')들과 연결된 보조 화소 회로(PCa')들에 연결될 수 있다.
예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이 제1 보조 표시 요소(DEa1')와 제3 메인 표시 요소(DEm3')는 동일 행에 배치될 수 있다. 이때, 제1 보조 표시 요소(DEa1')와 연결되는 제1 보조 화소 회로(PCa1'), 및 제3 메인 표시 요소(DEm3')와 연결되는 제3 메인 화소 회로(PCm3')는 동일한 제1 게이트 라인(GL1)에 연결될 수 있다. 제1 게이트 라인(GL1)은 제1 방향(예를 들어, ±x 방향)으로 연장되어 제1 보조 화소 회로(PCa1')와 제3 메인 화소 회로(PCm3')를 제1 게이트 구동 회로(GDC1)에 연결할 수 있다.
제2 보조 표시 요소(DEa2')와 제4 메인 표시 요소(DEm4')는 동일 행에 배치될 수 있다. 이때, 제2 보조 표시 요소(DEa2')와 연결되는 제2 보조 화소 회로(PCa2'), 및 제4 메인 표시 요소(DEm4')와 연결되는 제4 메인 화소 회로(PCm4')는 동일한 제2 게이트 라인(GL2)에 연결될 수 있다. 제2 게이트 라인(GL2)은 제1 방향(예를 들어, ±x 방향)으로 연장되어 제2 보조 화소 회로(PCa2')와 제4 메인 화소 회로(PCm4')를 제2 게이트 구동 회로(GDC2)에 연결할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 보조 화소 회로(PCa1')를 제1 게이트 구동 회로(GDC1)에 연결하는 제1 게이트 라인(GL1)과, 제2 보조 화소 회로(PCa2')를 제2 게이트 구동 회로(GDC2)에 연결하는 제2 게이트 라인(GL2)은 서로 이격될 수 있다. 제1 게이트 라인(GL1)과 제2 게이트 라인(GL2)은 컴포넌트 영역(CA)에 의해 제1 방향(예를 들어, ±x 방향)으로 서로 이격될 수 있다. 이때, 제1 게이트 라인(GL1)과 제2 게이트 라인(GL2)은 동일 행에 배치될 수 있다.
패드부(PAD)는 기판(100)의 일측에 배치될 수 있다. 패드부(PAD)는 메인 데이터 패드(DPm')들, 보조 데이터 패드(DPa')들, 클럭 패드들, 스캔 패드들 등을 포함할 수 있다. 패드부(PAD)는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출되어 인쇄 회로 기판(PCB)과 연결될 수 있다.
메인 데이터 라인(DLm')들 및 보조 데이터 라인(DLa')들은 각각 제2 방향(예를 들면, ±y 방향)으로 연장되며, 제1 구동부(DU1)와 제2 구동부(DU2) 사이에 배치될 수 있다. 메인 데이터 라인(DLm')들은 메인 화소 회로(PCm')들 중 동일 열에 위치하는 메인 화소 회로(PCm')들에 연결되고, 각각 메인 데이터 패드(DPm')들 중 대응하는 메인 데이터 패드(DPm')와 연결될 수 있다. 보조 데이터 라인(DLa')들은 보조 화소 회로(PCa')들 중 동일 열에 위치하는 보조 화소 회로(PCa')들에 연결되고, 각각 보조 데이터 패드(DPa')들 중 대응하는 보조 데이터 패드(DPa')와 연결될 수 있다.
예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이 제1 메인 데이터 라인(DLm1')은 제2 방향(예를 들어, ±y 방향)으로 연장되어 제1 메인 데이터 패드(DPm1')를 제1 메인 화소 회로(PCm1')에 연결할 수 있다. 이때, 제1 메인 데이터 라인(DLm1')은 제1 메인 화소 회로(PCm1')에 제1 데이터 신호를 전달하도록 구성될 수 있다. 제2 메인 데이터 라인(DLm2')은 제2 방향(예를 들어, ±y 방향)으로 연장되어 제2 메인 데이터 패드(DPm2')를 제2 메인 화소 회로(PCm2')에 연결할 수 있다. 이때, 제2 메인 데이터 라인(DLm2')은 제2 메인 화소 회로(PCm2')에 제2 데이터 신호를 전달하도록 구성될 수 있다. 제3 메인 데이터 라인(DLm3')은 제2 방향(예를 들어, ±y 방향)으로 연장되어 제3 메인 데이터 패드(DPm3')를 제3 메인 화소 회로(PCm3')에 연결할 수 있다. 이때, 제3 메인 데이터 라인(DLm3')은 제3 메인 화소 회로(PCm3')에 제3 데이터 신호를 전달하도록 구성될 수 있다. 제4 메인 데이터 라인(DLm4')은 제2 방향(예를 들어, ±y 방향)으로 연장되어 제4 메인 데이터 패드(DPm4')를 제4 메인 화소 회로(PCm4')에 연결할 수 있다. 이때, 제4 메인 데이터 라인(DLm4')은 제4 메인 화소 회로(PCm4')에 제4 데이터 신호를 전달하도록 구성될 수 있다.
또한, 제1 보조 데이터 라인(DLa1')은 제2 방향(예를 들어, ±y 방향)으로 연장되어 제1 보조 데이터 패드(DPa1')를 제1 보조 화소 회로(PCa1')에 연결할 수 있다. 이때, 제1 보조 데이터 라인(DLa1')은 제1 보조 화소 회로(PCa1')에 상기 제1 데이터 신호를 전달하도록 구성될 수 있다. 그 결과, 동일 열에 배치된 제1 보조 표시 요소(DEa1') 및 제1 메인 표시 요소(DEm1')에 각각 연결된 제1 보조 화소 회로(PCa1') 및 제1 메인 화소 회로(PCm1')는 동일한 제1 데이터 신호를 전달받을 수 있다.
제2 보조 데이터 라인(DLa2')은 제2 방향(예를 들어, ±y 방향)으로 연장되어 제2 보조 데이터 패드(DPa2')를 제2 보조 화소 회로(PCa2')에 연결할 수 있다. 이때, 제2 보조 데이터 라인(DLa2')은 제2 보조 화소 회로(PCa2')에 제2 데이터 신호를 전달하도록 구성될 수 있다. 그 결과, 동일 열에 배치된 제2 보조 표시 요소(DEa2') 및 제2 메인 표시 요소(DEm2')에 각각 연결된 제2 보조 화소 회로(PCa2') 및 제2 메인 화소 회로(PCm2')는 동일한 제2 데이터 신호를 전달받을 수 있다.
한편, 컴포넌트 영역(CA)에 배치되는 제3 보조 표시 요소(DEa3')는 제1 보조 표시 요소(DEa1')와 동일 열에 배치될 수 있다. 제3 보조 화소 회로(PCa3')는 제1 보조 화소 회로(PCa1')와 동일 열에 배치될 수 있다. 전극 연결 배선(EWL')을 통해 제3 보조 표시 요소(DEa3')와 연결된 제3 보조 화소 회로(PCa3')는 제1 보조 데이터 라인(DLa1')에 연결될 수 있다. 제3 보조 화소 회로(PCa3')는 제1 보조 데이터 라인(DLa1')을 통해 제1 데이터 신호를 전달받을 수 있다.
또한, 컴포넌트 영역(CA)에 배치되는 제4 보조 표시 요소(DEa4')는 제2 보조 표시 요소(DEa2')와 동일 열에 배치될 수 있다. 제4 보조 화소 회로(PCa4')는 제2 보조 화소 회로(PCa2')와 동일 열에 배치될 수 있다. 전극 연결 배선(EWL')을 통해 제4 보조 표시 요소(DEa4')와 연결된 제4 보조 화소 회로(PCa4')는 제2 보조 데이터 라인(DLa2')에 연결될 수 있다. 제4 보조 화소 회로(PCa4')는 제2 보조 데이터 라인(DLa2')을 통해 제2 데이터 신호를 전달받을 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 8은 도 4의 변형 실시예로, 보조 데이터 패드의 구조에서 차이가 있다. 이하에서는 중복되는 내용은 도 4의 설명으로 갈음하고 차이점을 위주로 설명한다.
도 8을 참조하면, 도 4에 도시된 표시 패널(10)과 다르게 패드부(PAD)의 보조 데이터 패드(DPa)가 생략될 수 있다. 대신에, 표시 패널(10)은 데이터 연결 배선(DCL)을 포함할 수 있다. 데이터 연결 배선(DCL)은 메인 데이터 라인(DLm)과 보조 데이터 라인(DLa)을 연결하는 역할을 할 수 있다.
예를 들어, 제1 메인 데이터 라인(DLm1)과 제1 보조 데이터 라인(DLa1)은 제1 데이터 연결 배선(DCL1)을 통해 연결될 수 있다. 이러한 경우, 제1 보조 데이터 라인(DLa1)은 제1 메인 데이터 라인(DLm1) 및 제1 데이터 연결 배선(DCL1)을 통해 제1 데이터 신호를 제1 보조 화소 회로(PCa1)에 전달할 수 있다.
이와 유사하게 제2 메인 데이터 라인(DLm2)과 제2 보조 데이터 라인(DLa2)은 제2 데이터 연결 배선(DCL2)을 통해 연결될 수 있다. 이러한 경우, 제2 보조 데이터 라인(DLa2)은 제2 메인 데이터 라인(DLm2) 및 제2 데이터 연결 배선(DCL2)을 통해 제2 데이터 신호를 제2 보조 화소 회로(PCa2)에 전달할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 데이터 연결 배선(DCL)은 도 6b에 도시된 제1 게이트 절연층(113), 제2 게이트 절연층(115), 층간 절연층(117), 또는 제1 평탄화층(119a) 상에 배치될 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 9는 도 7의 변형 실시예로, 보조 데이터 패드의 구조에서 차이가 있다. 이하에서는 중복되는 내용은 도 7의 설명으로 갈음하고 차이점을 위주로 설명한다.
도 9를 참조하면, 도 7에 도시된 표시 패널(10)과 다르게 패드부(PAD)의 보조 데이터 패드(DPa')가 생략될 수 있다. 대신에, 표시 패널(10)은 데이터 연결 배선(DCL')을 포함할 수 있다. 데이터 연결 배선(DCL')은 메인 데이터 라인(DLm')과 보조 데이터 라인(DLa')을 연결하는 역할을 할 수 있다.
예를 들어, 제1 메인 데이터 라인(DLm1')과 제1 보조 데이터 라인(DLa1')은 제1 데이터 연결 배선(DCL1')을 통해 연결될 수 있다. 이러한 경우, 제1 보조 데이터 라인(DLa1')은 제1 메인 데이터 라인(DLm1') 및 제1 데이터 연결 배선(DCL1')을 통해 제1 데이터 신호를 제1 보조 화소 회로(PCa1')에 전달할 수 있다.
이와 유사하게 제2 메인 데이터 라인(DLm2')과 제2 보조 데이터 라인(DLa2')은 제2 데이터 연결 배선(DCL2')을 통해 연결될 수 있다. 이러한 경우, 제2 보조 데이터 라인(DLa2')은 제2 메인 데이터 라인(DLm2') 및 제2 데이터 연결 배선(DCL2')을 통해 제2 데이터 신호를 제2 보조 화소 회로(PCa2')에 전달할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 데이터 연결 배선(DCL')은 도 6b에 도시된 제1 게이트 절연층(113), 제2 게이트 절연층(115), 층간 절연층(117), 또는 제1 평탄화층(119a) 상에 배치될 수 있다.
지금까지는 표시 패널 및 표시 장치에 대해서만 주로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 이러한 표시 패널을 제조하기 위한 표시 패널의 제조 방법, 및 표시 장치를 제조하기 위한 표시 장치의 제조 방법 역시 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 표시 장치
10: 표시 패널
100: 기판
DA: 표시 영역
MDA: 메인 영역
CA: 컴포넌트 영역
PA: 주변 영역
PCm, PCa: 메인 화소 회로, 보조 화소 회로
DEm, DEa: 메인 표시 요소, 보조 표시 요소
DPm, DPa: 메인 데이터 패드, 보조 데이터 패드
DLm, DLa: 메인 데이터 라인, 보조 데이터 라인
10: 표시 패널
100: 기판
DA: 표시 영역
MDA: 메인 영역
CA: 컴포넌트 영역
PA: 주변 영역
PCm, PCa: 메인 화소 회로, 보조 화소 회로
DEm, DEa: 메인 표시 요소, 보조 표시 요소
DPm, DPa: 메인 데이터 패드, 보조 데이터 패드
DLm, DLa: 메인 데이터 라인, 보조 데이터 라인
Claims (20)
- 컴포넌트 영역과 상기 컴포넌트 영역의 적어도 일부를 둘러싼 메인 영역을 포함한 표시 영역, 및 상기 표시 영역 외곽의 주변 영역이 정의된 기판;
상기 메인 영역 상에 배치되는 제1 메인 화소 회로;
상기 메인 영역 상에 배치되고, 상기 제1 메인 화소 회로와 전기적으로 연결된 제1 메인 표시 요소;
상기 주변 영역 상에 배치되는 제1 보조 화소 회로;
상기 컴포넌트 영역 상에 배치되고, 상기 제1 보조 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 메인 표시 요소와 동일 열에 배치되는 제1 보조 표시 요소;
상기 주변 영역 상에 배치되고, 제1 메인 데이터 패드 및 제1 보조 데이터 패드를 포함하는 패드부;
제1 방향으로 연장되어 상기 제1 메인 데이터 패드를 상기 제1 메인 화소 회로에 연결하고, 제1 데이터 신호를 전달하도록 구성되는 제1 메인 데이터 라인; 및
상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 보조 데이터 패드를 상기 제1 보조 화소 회로에 연결하고, 상기 제1 데이터 신호를 전달하도록 구성되는 제1 보조 데이터 라인을 포함하는 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 패드부는 제2 메인 데이터 패드를 더 포함하고,
상기 표시 패널은,
상기 메인 영역 상에 배치되는 제2 메인 화소 회로;
상기 메인 영역 상에 배치되고, 상기 제2 메인 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 메인 표시 요소와 다른 열에 배치되는 제2 메인 표시 요소; 및
상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제2 메인 데이터 패드를 상기 제2 메인 화소 회로에 연결하고, 제2 데이터 신호를 전달하도록 구성되는 제2 메인 데이터 라인을 더 포함하는 표시 패널. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 메인 화소 회로와 상기 제1 메인 표시 요소는 서로 중첩되고, 상기 제2 메인 화소 회로와 상기 제2 메인 표시 요소는 서로 중첩되는 표시 패널. - 제2 항에 있어서,
상기 메인 영역과 중첩하는 상기 제2 메인 데이터 라인의 제2 부분은 상기 메인 영역과 중첩하는 상기 제1 메인 데이터 라인의 제1 부분보다 긴 표시 패널. - 제2 항에 있어서,
상기 패드부는 제2 보조 데이터 패드를 더 포함하고,
상기 표시 패널은,
상기 주변 영역 상에 배치되는 제2 보조 화소 회로;
상기 컴포넌트 영역 상에 배치되고, 상기 제2 보조 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 메인 표시 요소와 동일 열에 배치되는 제2 보조 표시 요소; 및
상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제2 보조 데이터 패드를 상기 제2 보조 화소 회로에 연결하고, 상기 제2 데이터 신호를 전달하도록 구성되는 제2 보조 데이터 라인을 더 포함하고,
상기 표시 영역은 상기 제1 보조 화소 회로와 상기 제2 보조 화소 회로 사이에 위치하는 표시 패널. - 제5 항에 있어서,
상기 메인 영역 상에 배치되는 제3 메인 화소 회로 및 제4 메인 화소 회로;
상기 메인 영역 상에 배치되고, 상기 제3 메인 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 보조 표시 요소와 동일 행에 배치되는 제3 메인 표시 요소;
상기 메인 영역에 배치되고, 상기 제4 메인 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 보조 표시 요소와 동일 행에 배치되는 제4 메인 표시 요소;
상기 주변 영역 상에 배치되는 제1 게이트 구동 회로 및 제2 게이트 구동 회로;
제2 방향으로 연장되어 상기 제1 게이트 구동 회로를 상기 제3 메인 화소 회로와 상기 제1 보조 화소 회로에 연결하는 제1 게이트 라인; 및
상기 제2 방향으로 연장되어 상기 제2 게이트 구동 회로를 상기 제4 메인 화소 회로와 상기 제2 보조 화소 회로에 연결하는 제2 게이트 라인을 더 포함하고,
상기 표시 영역은 상기 제1 게이트 구동 회로와 상기 제2 게이트 구동 회로 사이에 위치하는 표시 패널. - 제6 항에 있어서,
동일 행에 배치되는 상기 제1 게이트 라인과 상기 제2 게이트 라인은 상기 컴포넌트 영역에 의해 상기 제2 방향으로 서로 이격된 표시 패널. - 제2 항에 있어서,
상기 제2 메인 표시 요소와 상기 제1 보조 표시 요소는 동일 행에 배치되고,
상기 표시 패널은,
상기 주변 영역 상에 배치되는 제1 게이트 구동 회로; 및
제2 방향으로 연장되어 상기 제1 게이트 구동 회로를 상기 제2 메인 화소 회로와 상기 제1 보조 화소 회로에 연결하는 제1 게이트 라인을 더 포함하는 표시 패널. - 제8 항에 있어서,
상기 주변 영역 상에 배치되고, 상기 제1 보조 화소 회로와 동일 행에 배치되어 상기 제1 게이트 라인에 연결되는 제3 보조 화소 회로; 및
상기 컴포넌트 영역 상에 배치되고, 상기 제3 보조 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 보조 표시 요소와 동일 행에 배치되는 제3 보조 표시 요소를 더 포함하는 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 주변 영역 상에 배치되고, 상기 제1 보조 화소 회로와 동일 열에 배치되어 상기 제1 보조 데이터 라인에 연결되는 제3 보조 화소 회로; 및
상기 컴포넌트 영역 상에 배치되고, 상기 제3 보조 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 보조 표시 요소와 동일 열에 배치되는 제3 보조 표시 요소를 더 포함하는 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 보조 표시 요소와 상기 제1 보조 화소 회로를 연결하고, 서로 다른 물질로 구비된 제1 전극 연결 배선 및 제2 전극 연결 배선을 포함하는 전극 연결 배선을 더 포함하는 표시 패널. - 제11 항에 있어서,
상기 제1 전극 연결 배선은 상기 주변 영역 상에 배치되고, 도전 물질을 포함하고,
상기 제2 전극 연결 배선은 상기 컴포넌트 영역 상에 배치되고, 투명 전도성 산화물을 포함하는 표시 패널. - 컴포넌트 영역과 상기 컴포넌트 영역의 적어도 일부를 둘러싼 메인 영역을 포함한 표시 영역, 및 상기 표시 영역 외곽의 주변 영역이 정의된 기판;
상기 메인 영역 상에 배치되는 제1 메인 화소 회로;
상기 메인 영역 상에 배치되고, 상기 제1 메인 화소 회로와 전기적으로 연결된 제1 메인 표시 요소;
상기 주변 영역 상에 배치되는 제1 보조 화소 회로;
상기 컴포넌트 영역 상에 배치되고, 상기 제1 보조 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 메인 표시 요소와 동일 행에 배치되는 제1 보조 표시 요소;
상기 주변 영역 상에 배치되는 제1 게이트 구동 회로;
제1 방향으로 연장되어 상기 제1 메인 화소 회로와 상기 제1 보조 화소 회로를 상기 제1 게이트 구동 회로에 연결하는 제1 게이트 라인을 포함하고,
상기 제1 보조 화소 회로는 상기 표시 영역과 상기 제1 게이트 구동 회로 사이에 배치되는 표시 패널. - 제13 항에 있어서,
상기 메인 영역 상에 배치되는 제2 메인 화소 회로;
상기 메인 영역 상에 배치되고, 상기 제2 메인 화소 회로와 전기적으로 연결된 제2 메인 표시 요소;
상기 주변 영역 상에 배치되는 제2 보조 화소 회로;
상기 컴포넌트 영역 상에 배치되고, 상기 제2 보조 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 메인 표시 요소와 동일 행에 배치되는 제2 보조 표시 요소;
상기 주변 영역 상에 배치되는 제2 게이트 구동 회로;
상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제2 메인 화소 회로와 상기 제2 보조 화소 회로를 상기 제2 게이트 구동 회로에 연결하는 제2 게이트 라인을 포함하고,
상기 표시 영역은 상기 제1 게이트 구동 회로와 상기 제2 게이트 구동 회로 사이에 위치하고,
상기 제2 보조 화소 회로는 상기 표시 영역과 상기 제2 게이트 구동 회로 사이에 배치되는 표시 패널. - 제14 항에 있어서,
동일 행에 배치되는 상기 제1 게이트 라인과 상기 제2 게이트 라인은 상기 컴포넌트 영역에 의해 상기 제1 방향으로 서로 이격된 표시 패널. - 제14 항에 있어서,
상기 메인 영역 상에 배치되는 제3 메인 화소 회로 및 제4 메인 화소 회로;
상기 메인 영역 상에 배치되고, 상기 제3 메인 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 보조 표시 요소와 동일 열에 배치되는 제3 메인 표시 요소;
상기 메인 영역 상에 배치되고, 상기 제4 메인 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 보조 표시 요소와 동일 열에 배치되는 제4 메인 표시 요소;
상기 제3 메인 화소 회로 및 상기 제4 메인 화소 회로에 각각 연결되는 제1 메인 데이터 라인 및 제2 메인 데이터 라인;
상기 제1 보조 화소 회로 및 상기 제2 보조 화소 회로에 각각 연결되는 제1 보조 데이터 라인 및 제2 보조 데이터 라인;
상기 제1 메인 데이터 라인과 상기 제1 보조 데이터 라인을 연결하는 제1 데이터 연결 배선; 및
상기 제2 메인 데이터 라인과 상기 제2 보조 데이터 라인을 연결하는 제2 데이터 연결 배선을 더 포함하는 표시 패널. - 제1 메인 화소 회로 및 제1 보조 화소 회로;
상기 제1 메인 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 메인 화소 회로와 중첩하는 제1 메인 표시 요소;
상기 제1 보조 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 메인 표시 요소와 동일 열에 배치되는 제1 보조 표시 요소;
제1 메인 데이터 패드 및 제1 보조 데이터 패드를 포함하는 패드부;
상기 제1 메인 화소 회로 및 상기 제1 보조 화소 회로를 구동하도록 상기 제1 메인 데이터 패드와 상기 제1 보조 데이터 패드에 각각 제1 데이터 신호를 인가하도록 구성되는 디스플레이 구동 회로;
제1 방향으로 연장되어 상기 제1 메인 데이터 패드를 상기 제1 메인 화소 회로에 연결하는 제1 메인 데이터 라인; 및
상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제1 보조 데이터 패드를 상기 제1 보조 화소 회로에 연결하는 제1 보조 데이터 라인을 포함하는 표시 장치. - 제17 항에 있어서,
상기 디스플레이 구동 회로는,
제1 메인 데이터 전극 및 제1 보조 데이터 전극을 포함하는 전극부; 및
상기 제1 메인 데이터 전극 및 상기 제1 보조 데이터 전극 각각에 상기 제1 데이터 신호를 출력하도록 구성되는 데이터 구동 회로를 포함하는 표시 장치. - 제18 항에 있어서,
상기 패드부는 제2 메인 데이터 패드를 더 포함하고,
상기 표시 장치는,
제2 메인 화소 회로;
상기 제2 메인 화소 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 메인 화소 회로와 중첩하고, 상기 제1 메인 표시 요소와 동일 행에 배치되는 제2 메인 표시 요소; 및
상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제2 메인 데이터 패드를 상기 제2 메인 화소 회로에 연결하는 제2 메인 데이터 라인을 더 포함하고,
상기 디스플레이 구동 회로는 상기 제2 메인 화소 회로를 구동하도록 상기 제2 메인 데이터 패드에 제2 데이터 신호를 인가하도록 구성되는 표시 장치. - 제18 항에 있어서,
상기 제1 메인 데이터 전극 및 상기 제1 보조 데이터 전극을 상기 제1 메인 데이터 패드 및 상기 제1 보조 데이터 패드에 각각 연결하기 위한 배선들을 포함하는 인쇄 회로 기판을 더 포함하고,
상기 디스플레이 구동 회로는 상기 인쇄 회로 기판 상에 장착되고, 상기 인쇄 회로 기판은 상기 패드부에 장착되는 표시 장치.
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