CN217086574U - 显示设备 - Google Patents

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CN217086574U CN202220179400.3U CN202220179400U CN217086574U CN 217086574 U CN217086574 U CN 217086574U CN 202220179400 U CN202220179400 U CN 202220179400U CN 217086574 U CN217086574 U CN 217086574U
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Abstract

公开了一种显示设备。所述显示设备包括：基底，包括：组件区域，包括辅助显示区域和围绕所述辅助显示区域的透射区域；辅助像素电路，设置在所述辅助显示区域中；第一辅助导电线，设置在所述辅助显示区域中，在第一方向上延伸，并且电连接到所述辅助像素电路；以及第一连接线，设置在所述组件区域中，在所述第一方向上延伸，与所述透射区域至少部分地叠置，并且电连接到所述第一辅助导电线，其中，所述第一连接线具有比所述第一辅助导电线的透光率高的透光率。因此，可以保证透射区的透光率，并且组件区域的像素可以自由排列。

Description

显示设备
本申请要求于2021年2月1日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0013987号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示设备。
背景技术
近来，显示设备已经被用于各种目的。而且，显示设备已经变得薄且轻，因此其使用的范围趋于扩大。
随着扩大显示设备中的显示区域的面积，增加了连接或链接到显示设备的各种功能。作为扩大显示区域的面积且增加各种功能的方法，不断地对显示设备进行研究，该显示设备具有在显示区域内不仅用于图像显示而且用于添加各种功能的区域。
将理解的是，该背景技术部分部分地旨在提供用于理解技术的有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括想法、构思或认知，所述想法、构思或认知不是在这里所公开的主题的对应的有效提交日期之前相关领域技术人员已知或理解的内容的部分。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是为了提供一种具有扩展的显示区域以在其中布置有或设置有作为电子元件的组件的区域中也显示图像的显示设备。
要通过公开实现的目的不限于上述目的，并且通过公开的描述，本领域普通技术人员将清楚地理解未提及的其它目的。
另外的方面将随后的描述中部分地被阐述，并且部分地将通过所述描述而明显，或者可以通过对公开的所给出的实施例的实践来获知。
一个或更多个实施例包括一种显示设备，显示设备可以包括：基底，包括组件区域，所述组件区域包括辅助显示区域和围绕辅助显示区域的透射区域；辅助像素电路，设置在辅助显示区域中；第一辅助导电线，设置在辅助显示区域中，在第一方向上延伸，并且电连接到辅助像素电路；以及第一连接线，设置在组件区域中，在第一方向上延伸，与透射区域至少部分地叠置，并且电连接到第一辅助导电线，其中，第一连接线具有比第一辅助导电线的透光率高的透光率。
辅助像素电路可以包括在第一方向上布置的多个辅助像素电路，第一辅助导电线包括多条第一辅助导电线，多条第一辅助导电线分别电连接到多个辅助像素电路，第一连接线沿第一方向将多条第一辅助导电线彼此电连接。
基底还可以包括：主显示区域，至少部分地围绕组件区域；主像素电路，设置在主显示区域中；以及主导电线，设置在主显示区域中，在第一方向上延伸，并且电连接到主像素电路，其中，第一连接线沿第一方向将主导电线电连接到第一辅助导电线。
多条第一辅助导电线可以在第一方向上彼此分隔开，并且可以设置在相同或不同的层中。
第一连接线可以包括在第一方向上彼此分隔开的多条第一连接线，且辅助显示区域置于第一连接线之间。
第一连接线可以在第一方向上连续地延伸，且与辅助显示区域至少部分地叠置。
辅助显示区域可以包括在第一方向和与第一方向不同的第二方向上被分隔开的多个辅助显示区域，多个辅助显示区域被透射区域围绕。显示设备还可以包括：第二辅助导电线，设置在辅助显示区域中，在第二方向上延伸，并且电连接到辅助像素电路；以及第二连接线，设置在组件区域中，在第二方向上延伸，与透射区域至少部分地叠置，并且电连接到第二辅助导电线和第一辅助导电线中的至少一者，其中，第二连接线具有比第一辅助导电线和第二辅助导电线的透光率高的透光率。
辅助像素电路可以包括在第二方向上布置的多个辅助像素电路，第二辅助导电线可以包括多条第二辅助导电线，多条第二辅助导电线分别电连接到多个辅助像素电路，第二连接线沿第二方向将多条第二辅助导电线彼此电连接。
基底还可以包括：主显示区域，至少部分地围绕组件区域；主像素电路，设置在主显示区域中；以及主导电线，设置在主显示区域中，在第二方向上延伸，并且电连接到主像素电路，其中，第二连接线可以沿第二方向将主导电线电连接到第二辅助导电线。
显示设备还可以包括：主显示元件，设置在主显示区域中且电连接到主像素电路；以及辅助显示元件，设置在组件区域中且电连接到辅助像素电路，其中，每单位面积的主显示元件的数量大于每单位面积的辅助显示元件的数量。
一个或更多个实施例包括一种显示设备，显示设备可以包括：基底，包括：组件区域，包括第一辅助显示区域和围绕第一辅助显示区域的透射区域；以及主显示区域，至少部分地围绕组件区域；第一主像素电路，设置在主显示区域中；第一主导电线，设置在主显示区域中，在第一方向上延伸，并且电连接到第一主像素电路；第一辅助像素电路，设置在第一辅助显示区域中；第一辅助导电线，设置在第一辅助显示区域中，在第一方向上延伸，并且电连接到第一辅助像素电路；以及第一连接线，设置在组件区域中，与透射区域至少部分地叠置，并且将第一主导电线电连接到第一辅助导电线。
组件区域可以包括与第一辅助显示区域分隔开且被透射区域围绕的第二辅助显示区域，并且显示设备可以包括：第二辅助像素电路，设置在第二辅助显示区域中；第二辅助导电线，设置在第二辅助显示区域中，在第一方向上延伸，并且电连接到第二辅助像素电路；以及第二连接线，设置在组件区域中，与透射区域至少部分地叠置，并且将第一辅助导电线电连接到第二辅助导电线。
第一连接线和第二连接线可以在第一方向上彼此分隔开。
显示设备还可以包括：多个第一接触插塞中的第一接触插塞，第一接触插塞将第一连接线电连接到第一辅助导电线；多个第二接触插塞中的第二接触插塞，第二接触插塞将第二连接线电连接到第一辅助导电线；以及第一辅助显示元件，设置在第一辅助显示区域中且电连接到第一辅助像素电路，其中，第一辅助显示元件与多个第一接触插塞中的第一接触插塞和多个第二接触插塞中的第二接触插塞叠置。
第一辅助显示元件可以包括：像素电极；中间层，设置在像素电极上；以及对电极，设置在中间层上，其中，像素电极与第一接触插塞和第二接触插塞叠置。
第一连接线和第一接触插塞可以彼此成一体，并且第二连接线和第二接触插塞可以彼此成一体。
组件区域可以包括与第一辅助显示区域分隔开且被透射区域围绕的第二辅助显示区域，并且显示设备还可以包括：第二辅助像素电路，设置在第二辅助显示区域中；以及第二辅助导电线，设置在第二辅助显示区域中，在第一方向上延伸，并且电连接到第二辅助像素电路，第一辅助显示区域设置在主显示区域与第二辅助显示区域之间，并且第一连接线通过第一辅助像素电路朝向第二辅助像素电路延伸，并且将第一主导电线电连接到第二辅助导电线。
显示设备还可以包括：多个第一接触插塞中的至少一个第一接触插塞，将第一连接线电连接到第一辅助导电线；以及多个第二接触插塞中的至少一个第二接触插塞，将第一连接线电连接到第二辅助导电线。
显示设备还可以包括：第二主像素电路，设置在主显示区域中；第二主导电线，设置在主显示区域中，在第二方向上延伸，并且电连接到第二主像素电路；第二辅助导电线，设置在第一辅助显示区域中，在第二方向上延伸，并且电连接到第一辅助像素电路；以及第三连接线，设置在组件区域中，与透射区域至少部分地叠置，并且将第二主导电线电连接到第二辅助导电线。
显示设备还可以包括：第一导电层，设置在基底上且包括第一主导电线和第一辅助导电线；第二导电层，设置在第一导电层上且包括第二主导电线和第二辅助导电线；第三导电层，设置在第二导电层上且包括第一连接线；以及第四导电线，设置在第三导电层上且包括第三连接线。
第一连接线可以具有比第一主导电线和第一辅助导电线的透光率高的透光率。
第一连接线可以包括透明导电氧化物。
第一连接线、第一主导电线和第一辅助导电线可以设置在同一层上，并且第一连接线的端部可以与第一主导电线的端部叠置，并且第一连接线的另一端部可以与第一辅助导电线的端部叠置。
显示设备还可以包括：多个主像素电路，包括第一主像素电路且设置在主显示区域中；多个主显示元件，设置在主显示区域中且分别电连接到多个主像素电路；多个辅助像素电路，包括第一辅助像素电路且设置在组件区域中；以及多个辅助显示元件，设置在组件区域中且分别电连接到多个辅助像素电路，其中，每单位面积的多个主显示元件的数量大于每单位面积的多个辅助显示元件的数量。
显示设备还可以包括设置在第一辅助显示区域中且电连接到第一辅助像素电路的第一辅助显示元件，第一辅助像素电路可以包括：第一晶体管，响应于栅极-源极电压来控制流到第一辅助显示元件的电流；第二晶体管，响应于第一扫描信号将数据电压传输到第一晶体管；以及存储电容器，包括第一电极和电连接到第一晶体管的栅极的第二电极，第一辅助显示元件与第一晶体管、第二晶体管和存储电容器叠置。
一个或更多个实施例包括一种显示设备，显示设备可以包括：基底，包括：第一辅助显示区域；第二辅助显示区域；以及透射区域，围绕第一辅助显示区域和第二辅助显示区域；第一辅助像素电路，设置在第一辅助显示区域中；第一辅助导电线，设置在第一辅助显示区域中，在第一方向上延伸，并且电连接到第一辅助像素电路；第二辅助像素电路，设置在第二辅助显示区域中；第二辅助导电线，设置在第二辅助显示区域中，在第一方向上延伸，并且电连接到第二辅助像素电路；以及第一连接线，与透射区域至少部分地叠置且将第一辅助导电线电连接到第二辅助导电线。
基底可以包括被透射区域围绕的第三辅助显示区域，并且第二辅助显示区域可以设置在第一辅助显示区域与第三辅助显示区域之间，并且显示设备还可以包括：第三辅助像素电路，设置在第三辅助显示区域中；第三辅助导电线，设置在第三辅助显示区域中，在第一方向上延伸，并且电连接到第三辅助像素电路；以及第二连接线，与透射区域至少部分地叠置且将第二辅助导电线电连接到第三辅助导电线。
显示设备还可以包括：第一接触插塞，将第一连接线电连接到第二辅助导电线；第二接触插塞，将第二连接线电连接到第二辅助导电线；以及第二辅助显示元件，设置在第二辅助显示区域中且电连接到第二辅助像素电路，其中，第二辅助显示元件与第一接触插塞和第二接触插塞叠置。
基底还可以包括被透射区域围绕的第三辅助显示区域，并且显示设备还可以包括：第三辅助像素电路，设置在第三辅助显示区域中；以及第三辅助导电线，设置在第三辅助显示区域中，在第一方向上延伸，并且电连接到第三辅助像素电路，第二辅助显示区域可以设置在第一辅助显示区域与第三辅助显示区域之间，第一连接线可以与第一辅助像素电路、第二辅助像素电路和第三辅助像素电路叠置，并且第一连接线可以在第一方向上延伸且将第二辅助导电线电连接到第三辅助导电线。
第一连接线可以具有比第一辅助导电线和第二辅助导电线的透光率高的透光率。
根据本实用新型，由于与透射区域叠置的第一连接线具有比第一辅助导电线和第二辅助导电线的透光率高的透光率，因此可以保证透射区的透光率，并且组件区域的辅助像素可以自由排列。
通过附图、所附权利要求和公开的详细描述，除了上述方面、特征和优点之外的其它方面、特征和优点将变得明显。
这些一般和其它实施例可以通过使用***、方法、计算机程序或者***、方法和计算机程序的组合来实现。
附图说明
根据以下结合附图的描述，实施例的以上和其它方面、特征及优点将更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的显示设备的示意性透视图；
图2是示意性地示出根据实施例的显示设备的示意性剖视图；
图3是根据实施例的显示设备的部分的示意性放大平面图；
图4是根据实施例的显示设备的部分的示意性放大平面图；
图5是沿着线I-I'和线II-II'截取的图4的部分的示意性剖视图；
图6是沿着线I-I'和线II-II'截取的图4的部分的示意性剖视图；
图7是根据实施例的显示设备的部分的示意性放大平面图；
图8是沿着线III-III'和线IV-IV'截取的图7的部分的示意性剖视图；
图9是沿着线III-III'和线IV-IV'截取的图7的部分的示意性剖视图；
图10是根据实施例的像素的等效电路的示意图；
图11是根据实施例的显示设备的部分的示意性放大平面图；
图12是根据实施例的连接线的示意性平面图；
图13是沿着线V-V'和线VI-VI'截取的图11的部分的示意性剖视图；
图14是根据实施例的显示设备的部分的示意性放大平面图；
图15是沿着线VII-VII'截取的图14的部分的示意性剖视图；
图16是根据实施例的显示设备的部分的示意性放大平面图；
图17是沿着线VIII-VIII'截取的图16的部分的示意性剖视图；
图18是根据实施例的辅助像素电路的示意性平面图；以及
图19是图18的辅助像素电路的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，实施例的示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终指同样的元件。在这方面，实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在此所阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释描述的各个方面。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或它们的变型。
由于公开允许各种改变和许多实施例，因此将在附图中示出并在书面描述中详细描述实施例。通过参照稍后将参照附图详细描述的实施例，公开的效果和特征以及实现它们的方式将变得明显。然而，公开不限于以下实施例，而是可以以各种形式实现。
在下文中，将参照附图详细描述公开的实施例，并且在参照附图的描述中，同样的附图标记指同样的元件，并且将省略其冗余描述。
将理解的是，虽然在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
在下面的实施例中，除非上下文另有明确说明，否则单数形式包括复数形式。
术语“叠置”或“重合”意指第一目标可以在第二目标的上方或下方或侧面，反之亦然。此外，如本领域普通技术人员将领会和理解的，术语“叠置”可以包括层叠、堆叠、面对或面向、在上方延伸、覆盖或部分地覆盖或者任何其它合适的术语。
当元件被描述为“不与”另一元件“叠置”或“重合”时，这可以包括所述元件和所述另一元件彼此分隔开、彼此偏移或彼此分离，或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任意其它合适的术语。
术语“面向”和“面对”意指第一元件可以与第二元件直接或间接地相对。在其中第三元件介于第一元件与第二元件之间的情况下，虽然第一元件和第二元件仍然彼此面对，但是第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对。
在下面的实施例中，将理解的是，当在本说明书中使用诸如“包括”、“包含”、“具有”的术语时，这些术语说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。在下面的实施例中，将理解的是，当诸如层、区域或元件的部分被称为“在”另一部分“上”或“上方”时，它可以直接在所述另一部分上或上方，或者也可以存在中间部分。
而且，在附图中，为了便于描述，可以夸大或缩小元件的尺寸。例如，由于为了便于解释而任意地示出附图中的元件的尺寸和厚度，因此以下实施例不限于此。
当实施例以另一方式实现时，工艺顺序可以与所描述的工艺顺序不同。例如，连续描述的两个工艺可以大致同时执行，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行。
在说明书中，“A和/或B”指A、B或者A和B。另外，“A和B中的至少一个(种/者)”指A、B或者A和B。
在下面的实施例中，将理解的是，当诸如层、区域或元件的部分被称为“连接”到另一部分时，它可以直接连接到所述另一部分，或者/并且也可以存在中间部分。例如，在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或元件的部分被称为“电连接”到另一部分时，该层、区域或元件的部分可以直接电连接到所述另一部分，并且/或者可以在中间部分位于其间的情况下间接电连接到所述另一部分。
短语“在平面图中”意指从顶部观察目标，短语“在示意性剖视图中”意指观察物体从侧面竖直地切割的剖面。
在此所使用的“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值，并且意味着：考虑到所提及的测量和与特定量的测量有关的误差(即，测量***的局限性)，在如由本领域普通技术人员确定的对于特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约(大约)”可以意指在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述值的±30％、±20％、±10％、±5％之内。
除非另有定义，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在此如此明确限定。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系上的三个轴，而是可以被解释为包括这些轴。例如，x轴、y轴和z轴可以呈直角，或者也可以指示不呈直角的彼此不同的方向。
图1是根据实施例的显示设备的示意性透视图。
参照图1，显示设备1可以包括显示区域DA和显示区域DA的外部的***区域PA。显示区域DA可以包括组件区域CA以及至少部分地围绕组件区域CA或与组件区域CA至少部分地相邻的主显示区域MDA。组件区域CA和主显示区域MDA可以单独地或联合地显示图像。***区域PA可以是其中未布置或未设置有显示元件的非显示区域的类型。显示区域DA可以被***区域PA完全地围绕。
图1示出了单个组件区域CA位于或设置在主显示区域MDA中。根据实施例，显示设备1可以包括两个或更多个组件区域CA，组件区域CA的形状和尺寸可以彼此不同。当从与显示设备1的上表面近似垂直的方向观察时，组件区域CA可以具有诸如大致圆形、大致椭圆形、包括大致四边形、大致星形状或大致菱形形状的多边形的各种形状。而且，在图1中，示出了当从与显示设备1的上表面近似垂直的方向观察时，布置或设置在具有近似四边形形状的主显示区域MDA的上中部(+y方向的上中部)中的组件区域CA。然而，组件区域CA也可以布置或设置在主显示区域MDA的一侧处，例如，在主显示区域MDA的右上侧处或左上侧处。
显示设备1可以通过使用布置或设置在显示区域DA中的像素PX来提供图像。显示设备1可以通过使用布置或设置在主显示区域MDA中的主像素PXm以及布置或设置在组件区域CA中的辅助像素PXa来提供图像。主像素PXm中的每个和辅助像素PXa中的每个可以包括显示元件。主像素PXm中的每个和辅助像素PXa中的每个可以包括诸如有机发光二极管OLED的显示元件。每个像素PX可以通过有机发光二极管OLED发射光(例如，红光、蓝光、绿光或白光)。在此，每个像素PX指发射不同颜色的光的子像素，每个像素PX可以是红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的一个。
如稍后将参照图2描述的，作为电子元件的组件40可以在显示面板10下面或下方布置或设置在组件区域CA中，以与组件区域CA对应。组件40可以包括使用红外线或可见光等的相机，并且可以包括成像装置。通过示例的方式，组件40可以包括太阳能电池、闪光灯、照度传感器、接近传感器或虹膜传感器。通过示例的方式，组件40可以具有接收声音的功能。为了使组件40的功能的限制最小化，组件区域CA可以包括透射区域TA，从组件40输出到外部或从外部行进到组件40的光或/和声音等可以通过透射区域TA透射。在根据实施例的显示面板10和包括显示面板10的显示设备1中，在组件区域CA透射光的情况下，透光率可以是约10％或更高、约40％或更高、约25％或更高、约50％或更高、约85％或更高或者约90％或更高。
辅助像素PXa可以布置或设置在组件区域CA中。组件区域CA可以包括如稍后将描述的图2中所示的辅助显示区域ADA，辅助像素PXa可以布置或设置在辅助显示区域ADA中。
辅助像素PXa可以发射光以提供图像。显示在组件区域CA中的图像可以是辅助图像，并且可以具有比显示在主显示区域MDA中的图像低的分辨率。例如，组件区域CA可以包括光和声音可以通过其透射的透射区域TA，在像素PX不布置或不设置在透射区域TA中的情况下，每单位面积的要布置或设置在组件区域CA中的辅助像素PXa的数量可以小于每单位面积的布置或设置在主显示区域MDA中的主像素PXm的数量。这将参照图3进一步详细描述。
图2是示意性地示出根据实施例的显示设备的示意性剖视图。
参照图2，显示设备1可以包括显示面板10和与显示面板10叠置的组件40。保护显示面板10的覆盖窗(未示出)还可以布置或设置在显示面板10上方。
显示面板10可以包括与组件40叠置的组件区域CA和其上显示有主图像的主显示区域MDA。由于显示面板10可以包括如稍后将描述的基底100，因此也可以说基底100可以包括组件区域CA和主显示区域MDA。换言之，组件区域CA和主显示区域MDA可以限定在基底100中。
显示面板10可以包括基底100、基底100上的显示层DISL、触摸屏层TSL和光学功能层OFL以及布置或设置在基底100下面或下方的面板保护构件PB。
显示层DISL可以包括电路层PCL、显示元件层DEL以及诸如薄膜封装层TFEL或封装基底(未示出)的封装构件ENCM，电路层PCL包括包含晶体管(例如，薄膜晶体管)的像素电路PC，显示元件层DEL包括主显示元件DEm和辅助显示元件DEa。绝缘层IL和IL'可以在基底100与显示层DISL之间且在显示层DISL中。
基底100可以包括诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料。在公开的精神和范围内，基底100可以包括刚性基底或者可弯曲、可折叠、可卷曲等的柔性基底。
主像素PXm可以布置或设置在显示面板10的主显示区域MDA中。主像素PXm可以包括主像素电路PCm和电连接到主像素电路PCm的主显示元件DEm。主像素电路PCm可以包括至少一个晶体管且控制主显示元件DEm的发射。主像素PXm可以通过使用主显示元件DEm的光发射来实现。
辅助像素PXa可以布置或设置在显示面板10的组件区域CA中。辅助像素PXa可以包括辅助像素电路PCa和电连接到辅助像素电路PCa的辅助显示元件DEa。辅助像素电路PCa可以包括至少一个晶体管且控制辅助显示元件DEa的发射。辅助像素PXa可以通过使用辅助显示元件DEa的光发射来实现。
组件区域CA的其中布置有或设置有辅助像素PXa的区域可以被称为辅助显示区域ADA。而且，组件区域CA的其中未布置或未设置辅助像素PXa的区域可以被称为透射区域TA。透射区域TA可以包括从布置或设置为与组件区域CA对应的组件40发射的光或信号或者入射到组件40的光或信号通过其透射的区域。辅助显示区域ADA和透射区域TA可以交替地布置或设置在组件区域CA中。透射区域TA可以围绕辅助显示区域ADA。
根据实施例，主像素电路PCm和辅助像素电路PCa可以经由连接线CL彼此电连接。例如，主像素电路PCm的主导电线和辅助像素电路PCa的辅助导电线可以经由连接线CL彼此电连接。主导电线可以包括主栅极线，辅助导电线可以包括辅助栅极线。通过示例的方式，主导电线可以包括主数据线，辅助导电线可以包括辅助数据线。因此，供应到主像素电路PCm的栅极信号和/或数据电压也可以供应到辅助像素电路PCa。
而且，辅助像素电路PCa可以经由连接线CL'彼此电连接。例如，辅助像素电路PCa的辅助导电线可以经由连接线CL'彼此电连接。因此，辅助像素电路PCa可以彼此共享从主像素电路PCm接收的栅极信号和/或数据电压。
因此，辅助像素电路PCa可以从相邻的主像素电路PCm接收栅极信号和/或数据电压。因此，辅助像素电路PCa可以以与主像素电路PCm相同的方式控制辅助显示元件DEa。
根据实施例，连接线CL和CL'可以与透射区域TA至少部分地叠置。连接线CL和CL'可以包括具有高透射率的透明导电材料，因此，即使在连接线CL和CL'布置或设置为与透射区域TA至少部分地叠置的情况下，也可以确保透射区域TA的透射率。
可以使用薄膜封装层TFEL或封装基底(未示出)来覆盖显示元件层DEL或与显示元件层DEL叠置。在实施例中，如图2中所示，薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。根据实施例，薄膜封装层TFEL可以包括第一无机封装层131和第二无机封装层133以及位于第一无机封装层131与第二无机封装层133之间的有机封装层132。
第一无机封装层131和第二无机封装层133可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)的至少一种无机绝缘材料，并且可以使用例如化学气相沉积(CVD)法形成。氧化锌(ZnOx)可以是ZnO或ZnO2。有机封装层132可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括硅树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺(PI)和聚乙烯。
第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133可以作为单个主体彼此形成一体，以覆盖主显示区域MDA和组件区域CA或者与主显示区域MDA和组件区域CA叠置。
在使用封装基底(未示出)封装显示元件层DEL的情况下，封装基底可以布置或设置为面对基底100，并且显示元件层DEL位于封装基底与基底100之间。封装基底与显示元件层DEL之间可以存在间隙。封装基底可以包括玻璃。包括玻璃料等的密封剂可以布置或设置在基底100与封装基底之间，密封剂可以布置在图1中所示的***区域PA中。布置或设置在***区域PA中的密封剂可以围绕显示区域DA且防止湿气的横向渗透。
触摸屏层TSL可以根据外部输入(例如，触摸事件)获取坐标信息。触摸屏层TSL可以包括触摸电极和电连接到触摸电极的触摸布线。触摸屏层TSL可以通过使用自电容法或互电容法来感测外部输入。
触摸屏层TSL可以形成或设置在薄膜封装层TFEL上。通过示例的方式，触摸屏层TSL可以单独地形成或设置在触摸基底上，并且通过使用诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层结合或连接到薄膜封装层TFEL上。根据实施例，触摸屏层TSL可以形成或设置在薄膜封装层TFEL上，或者可以直接形成或设置在薄膜封装层TFEL上，并且，粘合层可以不在触摸屏层TSL与薄膜封装层TFEL之间。
光学功能层OFL可以包括抗反射层。防反射层可以减少从外部入射到显示设备1的光(外部光)的反射。
在实施例中，光学功能层OFL可以包括偏振膜。光学功能层OFL可以包括与透射区域TA对应的开口OFL_OP。因此，可以显著地改善透射区域TA的透光率。光学功能层OFL的开口OFL_OP可以填充有诸如光学透明树脂(OCR)的透明材料。
在实施例中，光学功能层OFL可以包括包含黑矩阵和滤色器的滤光器板。
面板保护构件PB可以附着在基底100下面或下方，以支撑和保护基底100。面板保护构件PB可以包括与组件区域CA对应的开口PB_OP。由于面板保护构件PB可以包括开口PB_OP，因此可以改善组件区域CA的透光率。面板保护构件PB可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或PI。
组件区域CA可以具有比其中布置有或设置有组件40的区域大的面积。因此，包括在面板保护构件PB中的开口PB_OP的面积可以不等于组件区域CA的面积。
而且，组件40可以布置或设置在组件区域CA中。组件40可以具有彼此不同的功能。例如，组件40可以包括相机(成像装置)、太阳能电池、闪光灯、接近传感器、照度传感器和虹膜传感器中的至少两者。
虽然在图2中未示出，但是底部金属层可以布置或设置在组件区域CA的辅助像素PXa下方。底部金属层可以布置或设置在构成辅助像素PXa的辅助显示元件DEa下方。例如，显示设备1可以包括底部金属层。
底部金属层可以布置或设置为在基底100与辅助显示元件DEa之间与辅助显示元件DEa叠置。底部金属层可以阻挡外部光到达辅助显示元件DEa。底部金属层可以形成为与整个组件区域CA对应，并且可以包括与透射区域TA对应的底孔。底孔可以具有诸如大致多边形、大致圆形或无定形形状的各种形状，以调节外部光的衍射特性。
图3是根据实施例的显示设备的部分的示意性放大平面图。
参照图3，主像素单元PXum可以布置或设置在主显示区域MDA中。主像素单元PXum中的每个可以包括第一主像素PXm1、第二主像素PXm2和第三主像素PXm3。第一主像素PXm1、第二主像素PXm2和第三主像素PXm3可以发射彼此不同颜色的光。例如，第一主像素PXm1可以发射红光，第二主像素PXm2可以发射绿光，第三主像素PXm3可以发射蓝光。
根据实施例，第一主像素PXm1、第二主像素PXm2和第三主像素PXm3可以以
Figure BDA0003482700570000141
型排列来布置或设置。
例如，虚设正方形VS具有以第二主像素PXm2的中心点作为正方形的中心点，在该虚设正方形VS的顶点之中，第一主像素PXm1可以放置在虚设正方形VS的第一顶点和第三顶点处，第三主像素PXm3可以放置在虚设正方形VS的第二顶点和第四顶点处。虚设正方形VS可以被修改为诸如大致矩形、大致菱形或大致正方形的各种形状。
上述像素排列被称为
Figure BDA0003482700570000142
矩阵结构或
Figure BDA0003482700570000143
结构，可以通过应用渲染驱动使用少量像素来获得高分辨率，由此通过共享相邻的像素来表现颜色。
在图3中示出了以
Figure BDA0003482700570000144
矩阵结构布置或设置在主显示区域MDA中的主像素单元PXum，但是公开不限于此。根据实施例，在公开的精神和范围内，主像素单元PXum(例如，第一主像素PXm1、第二主像素PXm2和第三主像素PXm3)可以以条纹排列、马赛克排列、δ排列(delta arrangement)等布置或设置。
根据实施例，如图3中所示，第三主像素PXm3和第一主像素PXm1可以具有比第二主像素PXm2的尺寸(或宽度)大的尺寸(或宽度)。
辅助像素PXa可以分别布置或设置在组件区域CA的辅助显示区域ADA中。辅助像素PXa可以发射不同颜色的光。例如，辅助像素PXa可以分别发射红色、绿色和蓝色中的任何一种的光。
组件区域CA可以包括透射区域TA。透射区域TA可以布置或设置为围绕辅助显示区域ADA中的每个。由于辅助像素PXa可以分别布置或设置在辅助显示区域ADA中，因此透射区域TA可以布置或设置为围绕每个辅助像素PXa。通过示例的方式，透射区域TA可以相对于辅助像素PXa以网格形式布置或设置。
由于组件区域CA具有透射区域TA，因此组件区域CA的分辨率可以低于主显示区域MDA的分辨率。例如，组件区域CA的分辨率可以是主显示区域MDA的分辨率的约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9、1/12.25或1/16。主显示区域MDA的分辨率可以等于或高于约400ppi，组件区域CA的分辨率可以是约200ppi或约100ppi。
换言之，每单位面积布置或设置在组件区域CA中的辅助像素PXa的数量可以小于每单位面积布置或设置在主显示区域MDA中的主像素PXm的数量。例如，均布置或设置在相等面积中的辅助像素PXa的数量和主像素PXm的数量可以按照例如约1:2、约1:4、约1:8、约1:9或约1:12.25的比来设置。由于主像素PXm可以包括主显示元件DEm(图2)，并且辅助像素PXa可以包括辅助显示元件DEa(图2)，因此每单位面积的辅助显示元件DEa的数量可以被认为小于每单位面积的主显示元件DEm的数量。
布置或设置在组件区域CA中的辅助像素PXa可以以各种形式布置或设置。
根据实施例，辅助像素PXa中的一些或部分可以被分组为像素组，辅助像素PXa可以在每个像素组中以诸如
Figure BDA0003482700570000151
结构、条纹排列、马赛克排列、δ排列等的各种形式布置或设置。布置或设置在像素组中的辅助像素PXa之间的距离可以等于主像素PXm之间的距离。
通过示例的方式，根据实施例，如图3中所示，辅助像素PXa可以分布在组件区域CA内。
图4是根据实施例的显示设备的区域的示意性放大平面图。
参照图4，分别构成主像素PXm(图3)的主像素电路PCm和第一主导电线MCL1可以布置或设置在主显示区域MDA中。
主像素电路PCm可以在第一方向(例如，±x方向)和第二方向(例如，±y方向)上布置或设置。主像素电路PCm可以分别电连接到布置或设置在***区域PA中的外部电路。
栅极驱动电路GDC可以布置或设置在***区域PA中。如图4中所示，栅极驱动电路GDC可以在第二方向(例如，±y方向)上布置或设置在***区域PA中。栅极驱动电路GDC可以电连接到分别在第一方向(例如，±x方向)上延伸的第一主导电线MCL1。
第一主导电线MCL1可以分别电连接到位于或设置在同一行中的主像素电路PCm。第一主导电线MCL1可以分别将电信号传输到位于或设置在同一行中的主像素电路PCm。
例如，如图4中所示，作为主像素电路PCm中的一个的第一主像素电路PCm1可以电连接到在第一方向(例如，±x方向)上延伸的第一主导电线MCL1。
虽然在图4中第一主导电线MCL1中的每条被示出为单条布线，但是第一主导电线MCL1可以均包括多条布线。例如，在公开的精神和范围内，第一主导电线MCL1中的每条可以包括主扫描线、主发射控制线等。这将在稍后参照图11进一步详细描述。
分别构成辅助像素PXa(图3)的辅助像素电路PCa、第一辅助导电线ACL1和第一连接线CL1可以布置或设置在组件区域CA中。
第一辅助导电线ACL1可以分别在第一方向(例如，±x方向)上延伸，以电连接到辅助像素电路PCa。
例如，如图4中所示，作为辅助像素电路PCa中的一个的第一辅助像素电路PCa1可以电连接到在第一方向(例如，±x方向)上延伸的第1-1辅助导电线ACL1a，作为辅助像素电路PCa中的另一个的第二辅助像素电路PCa2可以电连接到在第一方向(例如，±x方向)上延伸的第1-2辅助导电线ACL1b，作为辅助像素电路PCa中的另一个的第三辅助像素电路PCa3可以电连接到在第一方向(例如，±x方向)上延伸的第1-3辅助导电线ACL1c。
这里，辅助显示区域ADA之中的其中布置有或设置有第一辅助像素电路PCa1的辅助显示区域ADA可以被称为第一辅助显示区域ADA1；辅助显示区域ADA之中的其中布置有或设置有第二辅助像素电路PCa2的辅助显示区域ADA可以被称为第二辅助显示区域ADA2；辅助显示区域ADA之中的其中布置有或设置有第三辅助像素电路PCa3的辅助显示区域ADA可以被称为第三辅助显示区域ADA3。
虽然在图4中第一辅助导电线ACL1中的每条被示出为单条布线，但是第一辅助导电线ACL1中的每条可以包括多条布线。例如，在公开的精神和范围内，第一辅助导电线ACL1中的每条可以包括辅助扫描线、辅助发射控制线等。由于第一辅助导电线ACL1中的每条可以包括多条布线，因此第一连接线CL1中的每条也可以包括多条布线。这将在稍后参照图11进一步详细描述。
第一连接线CL1中的每条可以在第一方向(例如，±x方向)上延伸，以将第一主导电线MCL1电连接到第一辅助导电线ACL1，或者将电连接到不同的辅助像素电路PCa的第一辅助导电线ACL1彼此电连接。
换言之，第一连接线CL1中的一些第一连接线CL1或部分第一连接线CL1可以将第一主导电线MCL1电连接到第一辅助导电线ACL1。第一连接线CL1中的一些其它第一连接线CL1可以将电连接到不同的辅助像素电路PCa的第一辅助导电线ACL1彼此电连接。
例如，如图4中所示，作为第一连接线CL1中的一条的第1-1连接线CL1a可以将第一主导电线MCL1电连接到第1-1辅助导电线ACL1a。作为第一连接线CL1中的另一条的第1-2连接线CL1b可以将第1-1辅助导电线ACL1a电连接到第1-2辅助导电线ACL1b。作为第一连接线CL1中的另一条的第1-3连接线CL1c可以将第1-2辅助导电线ACL1b电连接到第1-3辅助导电线ACL1c。
第一主导电线MCL1和第一辅助导电线ACL1之中的经由第一连接线CL1彼此电连接的第一主导电线MCL1和第一辅助导电线ACL1可以在第一方向(例如，±x方向)上彼此分开。第一辅助导电线ACL1之中的经由第一连接线CL1彼此电连接的第一辅助导电线ACL1可以在第一方向(例如，±x方向)上彼此分开。透射区域TA可以在沿第一方向(例如，±x方向)彼此分开的第一主导电线MCL1与第一辅助导电线ACL1之间。透射区域TA可以布置或设置在沿第一方向(例如，±x方向)彼此分开的第一辅助导电线ACL1之间。
例如，如图4中所示，第一主导电线MCL1和第1-1辅助导电线ACL1a、第1-1辅助导电线ACL1a和第1-2辅助导电线ACL1b以及第1-2辅助导电线ACL1b和第1-3辅助导电线ACL1c可以分别在第一方向(例如，±x方向)上彼此分开。透射区域TA可以布置或设置在第一主导电线MCL1与第1-1辅助导电线ACL1a之间、第1-1辅助导电线ACL1a与第1-2辅助导电线ACL1b之间以及第1-2辅助导电线ACL1b与第1-3辅助导电线ACL1c之间。
如上所述，在沿第一方向(例如，±x方向)彼此分开的第一主导电线MCL1和第一辅助导电线ACL1经由第一连接线CL1彼此电连接并且沿第一方向(例如，±x方向)彼此分开的第一辅助导电线ACL1经由第一连接线CL1彼此电连接的情况下，从栅极驱动电路GDC供应的电信号可以被传输到在第一方向(例如，±x方向)上布置或设置的主像素电路PCm和辅助像素电路PCa中的每个。
如图1中所示，主显示区域MDA可以围绕组件区域CA。在第一方向(例如，±x方向)上被组件区域CA彼此分开的第一主导电线MCL1可以经由第一连接线CL1和第一辅助导电线ACL1彼此电连接。
根据实施例，第一连接线CL1和第一主导电线MCL1可以经由第一接触插塞CP1彼此电连接。第一连接线CL1和第一辅助导电线ACL1可以经由第一接触插塞CP1彼此电连接。
例如，如图4中所示，第1-1连接线CL1a和第一主导电线MCL1可以经由第1-1接触插塞CP1a彼此电连接，第1-1连接线CL1a和第1-1辅助导电线ACL1a可以经由第1-2接触插塞CP1b彼此电连接。第1-2连接线CL1b和第1-1辅助导电线ACL1a可以经由第1-3接触插塞CP1c彼此电连接，第1-2连接线CL1b和第1-2辅助导电线ACL1b可以经由第1-4接触插塞CP1d彼此电连接。第1-3连接线CL1c和第1-2辅助导电线ACL1b可以经由第1-5接触插塞CP1e彼此电连接，第1-3连接线CL1c和第1-3辅助导电线ACL1c可以经由第1-6接触插塞CP1f彼此电连接。
如稍后将描述的图5和图6中所示，第一连接线CL1中的一些或部分可以埋入形成在绝缘层中的接触孔中。第一连接线CL1的埋入接触孔中的部分可以被称为第一接触插塞CP1。换言之，第一连接线CL1和第一接触插塞CP1可以是单个主体。
根据实施例，第一连接线CL1可以具有比第一主导电线MCL1和第一辅助导电线ACL1高的透光率。第一连接线CL1可以包括透明导电氧化物(TCO)。例如，第一连接线CL1可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。
根据实施例，如图4中所示，第一连接线CL1中的每条可以与透射区域TA至少部分地叠置。如上所述，第一连接线CL1可以包括具有高透射率的透明导电材料，因此，即使在第一连接线CL1布置或设置为与透射区域TA至少部分地叠置的情况下，也可以确保透射区域TA的透射率。
图5和图6是沿着线I-I'和线II-II'截取的图4的部分的示意性剖视图。
图5和图6示出了包括至少一个晶体管TFT的像素电路PC、第一主导电线MCL1、第一连接线CL1(图4)和第一辅助导电线ACL1(图4)的剖面。像素电路PC可以是布置或设置在主显示区域MDA中的主像素电路PCm(图4)或者布置或设置在辅助显示区域ADA(图4)中的辅助像素电路PCa(图4)。
在下文中，将通过参照图5和图6根据其堆叠结构详细描述包括在显示设备1中的构造，并且将描述第一主导电线MCL1、第一连接线CL1和第一辅助导电线ACL1的位置关系。
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基底100可以具有包括包含上述聚合物树脂的层和无机层(未示出)的多层结构。
缓冲层111可以减少或阻止异物、湿气或外部空气从基底100下方渗透，并且可以在基底100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机-无机复合材料，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。
阻挡层(未示出)还可以包括在基底100与缓冲层111之间。阻挡层可以防止或最小化杂质从基底100等渗透到半导体层A中。阻挡层可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机-无机复合材料，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。
半导体层A可以布置或设置在缓冲层111上。半导体层A可以包括非晶硅或多晶硅。根据实施例，半导体层A可以包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)和锌(Zn)之中的至少一种材料的氧化物。
半导体层A可以包括沟道区C以及布置或设置在沟道区C的两侧上的源区S和漏区D。半导体层A可以包括单个层或多个层。
第一栅极绝缘层113和第二栅极绝缘层115可以彼此堆叠且布置或设置在基底100上方，以覆盖半导体层A或与半导体层A叠置。例如，第一栅极绝缘层113和第二栅极绝缘层115可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)。氧化锌(ZnOx)可以是ZnO或ZnO2。
第一导电层可以布置或设置在第一栅极绝缘层113上方。在公开的精神和范围内，第一导电层可以具有包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的单层或多层结构。例如，第一导电层可以包括Mo的单个层。
第二导电层可以布置或设置在第二栅极绝缘层115上方。在公开的精神和范围内，第二导电层可以具有包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的单层或多层结构。例如，第二导电层可以包括Mo的单个层。
第一导电层可以包括栅电极G。栅电极G可以布置或设置为与半导体层A至少部分地叠置。
第二导电层可以包括存储电容器Cst的上电极CE2。
根据实施例，如图5和图6中所示，存储电容器Cst可以包括下电极CE1和上电极CE2，并且可以与晶体管TFT叠置。例如，晶体管TFT的栅电极G可以用作存储电容器Cst的下电极CE1。通过示例的方式，存储电容器Cst可以不与晶体管TFT叠置，而是可以与其分开存在。
存储电容器Cst的上电极CE2可以与下电极CE1叠置且第二栅极绝缘层115位于上电极CE2与下电极CE1之间，并且形成电容。第二栅极绝缘层115可以用作存储电容器Cst的介电层。
根据实施例，如图5中所示，第一导电层可以包括第一主导电线MCL1和第一辅助导电线ACL1。换言之，第一主导电线MCL1和第一辅助导电线ACL1可以布置或设置在第一栅极绝缘层113的上表面上。作为示例，图5示出了第一辅助导电线ACL1之中的第1-1辅助导电线ACL1a和第1-2辅助导电线ACL1b。
根据实施例，如图6中所示，第二导电层可以包括第一主导电线MCL1和第一辅助导电线ACL1。换言之，第一主导电线MCL1和第一辅助导电线ACL1可以布置或设置在第二栅极绝缘层115的上表面上。作为示例，图6示出了第一辅助导电线ACL1之中的第1-1辅助导电线ACL1a和第1-2辅助导电线ACL1b。
层间绝缘层117可以提供或设置在第二栅极绝缘层115上，以覆盖存储电容器Cst的上电极CE2或与存储电容器Cst的上电极CE2叠置。层间绝缘层117可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)。氧化锌(ZnOx)可以是ZnO或ZnO2。
第三导电层可以布置或设置在层间绝缘层117上。第三导电层可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以形成为包含以上材料的多层或单层结构。例如，第三导电层可以具有Ti/Al/Ti多层结构。
第三导电层可以包括第一电极E1。第一电极E1可以经由形成在第一栅极绝缘层113、第二栅极绝缘层115和层间绝缘层117中的接触孔电连接到半导体层A的漏区D。虽然在图5和图6中第一电极E1被示出为电连接到半导体层A的漏区D，但是根据实施例，第一电极E1可以电连接到半导体层A的源区S。
第三导电层可以被无机保护层(未示出)覆盖或叠置。无机保护层可以包括包含氮化硅(SiNX)或氧化硅(SiOX)的单个层或多个层。可以引入无机保护层以覆盖且保护布置或设置在层间绝缘层117上的布线的一些或部分，或者与布置或设置在层间绝缘层117上的布线的一些或部分叠置且保护布置或设置在层间绝缘层117上的布线的一些或部分。
平坦化层119布置或设置为覆盖第三导电层或与第三导电层叠置，平坦化层119可以包括用于将晶体管TFT和像素电极210彼此电连接的接触孔。
平坦化层119可以包括作为单个层或多个层设置的有机材料层，并且提供平坦的上表面。平坦化层119可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、PI、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和它们的混合物。
根据实施例，如图5和图6中所示，平坦化层119可以包括第一平坦化层119a、第二平坦化层119b和第三平坦化层119c。
第四导电层可以布置或设置在第一平坦化层119a上。第四导电层可以包括TCO。例如，第四导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。
第四导电层可以包括第一连接线CL1。作为示例，图5和图6示出了第一连接线CL1之中的第1-1连接线CL1a和第1-2连接线CL1b。
根据实施例，如图5中所示，第一连接线CL1可以经由形成在第二栅极绝缘层115、层间绝缘层117和第一平坦化层119a中的第一接触孔电连接到第一主导电线MCL1和/或第一辅助导电线ACL1。第一连接线CL1的部分可以分别埋入第一接触孔中，第一连接线CL1的分别埋入第一接触孔中的部分可以被称为第一接触插塞CP1(图4)。换言之，第一连接线CL1和第一接触插塞CP1可以是一体的。
例如，第1-1接触孔CNT1a、第1-2接触孔CNT1b、第1-3接触孔CNT1c和第1-4接触孔CNT1d可以形成在第二栅极绝缘层115、层间绝缘层117和第一平坦化层119a中。
第1-1连接线CL1a的部分可以分别埋入第1-1接触孔CNT1a和第1-2接触孔CNT1b中。第1-1连接线CL1a的埋入第1-1接触孔CNT1a中的部分可以被称为第1-1接触插塞CP1a，第1-1连接线CL1a的埋入第1-2接触孔CNT1b中的部分可以被称为第1-2接触插塞CP1b。第1-1连接线CL1a、第1-1接触插塞CP1a和第1-2接触插塞CP1b可以是一体的。
第1-2连接线CL1b的部分可以分别埋入第1-3接触孔CNT1c和第1-4接触孔CNT1d中。第1-2连接线CL1b的埋入第1-3接触孔CNT1c中的部分可以被称为第1-3接触插塞CP1c，第1-2连接线CL1b的埋入第1-4接触孔CNT1d中的部分可以被称为第1-4接触插塞CP1d。第1-2连接线CL1b、第1-3接触插塞CP1c和第1-4接触插塞CP1d可以是一体的。
结果，第1-1连接线CL1a可以经由第1-1接触插塞CP1a电连接到第一主导电线MCL1，并且经由第1-2接触插塞CP1b电连接到第1-1辅助导电线ACL1a。第1-2连接线CL1b可以经由第1-3接触插塞CP1c电连接到第1-1辅助导电线ACL1a，并且经由第1-4接触插塞CP1d电连接到第1-2辅助导电线ACL1b。
如图6中所示，在第一主导电线MCL1和第一辅助导电线ACL1布置或设置在第二栅极绝缘层115上的情况下，第一接触孔可以形成在层间绝缘层117和第一平坦化层119a中。
第五导电层可以布置或设置在第二平坦化层119b上。第五导电层可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以形成为包含以上材料的多层或单层结构。
第五导电层可以包括第二电极E2。第二电极E2可以经由形成在第一平坦化层119a和第二平坦化层119b中的接触孔电连接到第一电极E1。
显示元件DE可以布置或设置在平坦化层119上。显示元件DE可以包括像素电极210、包含有机发射层的中间层220和对电极230。例如，显示元件DE可以包括有机发光二极管。
显示元件DE可以经由形成在平坦化层119中的接触孔和第二电极E2电连接到晶体管TFT。因此，显示元件DE可以电连接到像素电路PC。
像素电极210可以包括(半)透射电极或反射电极。在实施例中，像素电极210可以包括反射层以及形成在反射层上的透明或半透明电极层，反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和它们的混合物。透明或半透明电极层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)之中的至少一种。在实施例中，像素电极210可以具有ITO/Ag/ITO结构。
在基底100的显示区域DA中，像素限定层121可以布置或设置在平坦化层119上。像素限定层121可以覆盖像素电极210的边缘或与像素电极210的边缘叠置，并且具有暴露像素电极210的中心部分的开口。显示元件DE的发光区域可以由开口限定。
像素限定层121可以增大像素电极210的边缘与像素电极210上方的对电极230之间的距离，从而执行防止像素电极210的边缘处的电弧等的功能。
像素限定层121可以包括PI、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂之中的至少一种有机绝缘材料，并且可以使用诸如旋涂的方法形成。
中间层220可以布置或设置在由像素限定层121形成的开口中，并且可以包括有机发射层。有机发射层可以包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料的有机材料。有机发射层可以是低分子量有机材料或聚合物有机材料，诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)的功能层还可以选择性地布置或设置在有机发射层的下方和上方。
对电极230可以包括透射电极或反射电极。在实施例中，对电极230可以包括透明或半透明电极，并且可以包括包含Li、Ca、LiF、Al、Ag、Mg或它们的混合物或者具有诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料且具有小的逸出功的金属薄膜。而且，诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的TCO层还可以布置或设置在金属薄膜上。对电极230可以遍及显示区域DA布置或设置，并且布置或设置在中间层220和像素限定层121上。对电极230可以相对于显示元件DE是一体的，以与像素电极210对应。
如上所述的显示元件DE会容易被外部湿气或氧损坏，因此可以使用要保护的封装层(未示出)覆盖或叠置。封装层可以覆盖显示区域DA或与显示区域DA叠置且延伸到***区域PA的至少一部分。封装层可以包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
图7是根据实施例的显示设备的区域的示意性放大平面图。
参照图7，分别构成主像素PXm(图1)的主像素电路PCm和第二主导电线MCL2可以布置或设置在主显示区域MDA中。
第二主导电线MCL2可以分别电连接到位于或设置在同一列中的主像素电路PCm。第二主导电线MCL2可以电连接到布置或设置在***区域PA(图1)中的垫(pad，或称为“焊盘”)或电压布线。第二主导电线MCL2可以分别将电信号传输到位于或设置在同一列中的主像素电路PCm。
例如，如图7中所示，作为主像素电路PCm中的一个的第二主像素电路PCm2可以电连接到在第二方向(例如，±y方向)上延伸的第二主导电线MCL2。
虽然在图7中第二主导电线MCL2中的每条被示出为单条布线，但是第二主导电线MCL2可以均包括多条布线。例如，在公开的精神和范围内，第二主导电线MCL2中的每条可以包括主数据线、主驱动电压线等。这将在稍后参照图11进一步详细描述。
分别构成辅助像素PXa(图3)的辅助像素电路PCa、第二辅助导电线ACL2和第二连接线CL2可以布置或设置在组件区域CA中。
第二辅助导电线ACL2可以分别在第二方向(例如，±y方向)上延伸，以电连接到辅助像素电路PCa。
例如，如图7中所示，作为辅助像素电路PCa中的一个的第四辅助像素电路PCa4可以电连接到在第二方向(例如，±y方向)上延伸的第2-1辅助导电线ACL2a，作为辅助像素电路PCa中的另一个的第五辅助像素电路PCa5可以电连接到在第二方向(例如，±y方向)上延伸的第2-2辅助导电线ACL2b。
辅助显示区域ADA之中的其中布置有或设置有第四辅助像素电路PCa4的辅助显示区域ADA可以被称为第四辅助显示区域ADA4，辅助显示区域ADA之中的其中布置有或设置有第五辅助像素电路PCa5的辅助显示区域ADA可以被称为第五辅助显示区域ADA5。
虽然在图7中第二辅助导电线ACL2中的每条被示出为单条布线，但是第二辅助导电线ACL2中的每条可以包括多条布线。例如，在公开的精神和范围内，第二辅助导电线ACL2中的每条可以包括辅助数据线、辅助驱动电压线等。由于第二辅助导电线ACL2中的每条可以包括多条布线，因此第二连接线CL2中的每条也可以包括多条布线。这将在稍后参照图11进一步详细描述。
第二连接线CL2中的每条可以在第二方向(例如，±y方向)上延伸，以将第二主导电线MCL2电连接到第二辅助导电线ACL2或将电连接到不同的辅助像素电路PCa的第二辅助导电线ACL2彼此电连接。
换言之，第二连接线CL2中的一些第二连接线CL2或部分第二连接线CL2可以将第二主导电线MCL2电连接到第二辅助导电线ACL2。第二连接线CL2中的一些其它第二连接线CL2可以将电连接到不同的辅助像素电路PCa的第二辅助导电线ACL2彼此电连接。
例如，如图7中所示，作为第二连接线CL2中的一条的第2-1连接线CL2a可以将第二主导电线MCL2电连接到第2-1辅助导电线ACL2a。作为第二连接线CL2中的另一条的第2-2连接线CL2b可以将第2-1辅助导电线ACL2a电连接到第2-2辅助导电线ACL2b。
第二主导电线MCL2和第二辅助导电线ACL2之中的经由第二连接线CL2彼此电连接的第二主导电线MCL2和第二辅助导电线ACL2可以在第二方向(例如，±y方向)上彼此分开。第二辅助导电线ACL2之中的经由第二连接线CL2彼此电连接的第二辅助导电线ACL2可以在第二方向(例如，±y方向)上彼此分开。透射区域TA可以在沿第二方向(例如，±y方向)彼此分开的第二主导电线MCL2与第二辅助导电线ACL2之间。透射区域TA可以布置或设置在沿第二方向(例如，±y方向)彼此分开的第二辅助导电线ACL2之间。
例如，如图7中所示，第二主导电线MCL2和第2-1辅助导电线ACL2a以及第2-1辅助导电线ACL2a和第2-2辅助导电线ACL2b可以均在第二方向(例如，±y方向)上彼此分隔开。透射区域TA可以在第二主导电线MCL2与第2-1辅助导电线ACL2a之间以及第2-1辅助导电线ACL2a与第2-2辅助导电线ACL2b之间。
如上所述，在沿第二方向(例如，±y方向)彼此分开的第二主导电线MCL2和第二辅助导电线ACL2经由第二连接线CL2彼此电连接并且沿第二方向(例如，±y方向)彼此分开的第二辅助导电线ACL2经由第二连接线CL2彼此电连接的情况下，供应到垫或电压布线的电信号可以被传输到在第二方向(例如，±y方向)上布置或设置的主像素电路PCm和辅助像素电路PCa中的每个。
如图1中所示，主显示区域MDA可以围绕组件区域CA。在第二方向(例如，±y方向)上被组件区域CA彼此分开的第二主导电线MCL2可以经由第二连接线CL2和第二辅助导电线ACL2彼此电连接。
根据实施例，第二连接线CL2和第二主导电线MCL2可以经由第二接触插塞CP2彼此电连接。第二连接线CL2和第二辅助导电线ACL2可以经由第二接触插塞CP2彼此电连接。
例如，如图7中所示，第2-1连接线CL2a和第二主导电线MCL2可以经由第2-1接触插塞CP2a彼此电连接，第2-1连接线CL2a和第2-1辅助导电线ACL2a可以经由第2-2接触插塞CP2b彼此电连接。第2-2连接线CL2b和第2-1辅助导电线ACL2a可以经由第2-3接触插塞CP2c彼此电连接，第2-2连接线CL2b和第2-2辅助导电线ACL2b可以经由第2-4接触插塞CP2d彼此电连接。
如稍后将描述的图8中所示，第二连接线CL2的部分可以埋入形成在绝缘层中的接触孔中。第二连接线CL2的埋入接触孔中的部分可以被称为第二接触插塞CP2。换言之，第二连接线CL2和第二接触插塞CP2可以是单个主体。
如稍后将描述的图9中所示，在第二主导电线MCL2、第二辅助导电线ACL2和第二连接线CL2布置或设置在同一层中的情况下，可以省略第二接触插塞CP2。
根据实施例，第二连接线CL2可以包括TCO。例如，第二连接线CL2可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。
根据实施例，如图7中所示，第二连接线CL2中的每条可以与透射区域TA至少部分地叠置。如上所述，第二连接线CL2可以包括具有高透射率的透明导电材料，因此，即使在第二连接线CL2布置或设置为与透射区域TA至少部分地叠置的情况下，也可以确保透射区域TA的透射率。
图8是沿着线III-III'和线IV-IV'截取的图7的部分的示意性剖视图。在图8中，与图5和图6的附图标记同样的附图标记表示同样的元件，因此，将省略其重复描述。
参照图8，第三导电层可以包括第一电极E1、第二主导电线MCL2和第二辅助导电线ACL2(图7)。换言之，第一电极E1、第二主导电线MCL2和第二辅助导电线ACL2可以布置或设置在层间绝缘层117的上表面上。作为示例，图8示出了第二辅助导电线ACL2之中的第2-1辅助导电线ACL2a和第2-2辅助导电线ACL2b。
第六导电层还可以布置或设置在第二平坦化层119b上。第六导电层可以包括TCO。例如，第六导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。
第六导电层可以包括第二连接线CL2。作为示例，图8示出了第二连接线CL2之中的第2-1连接线CL2a和第2-2连接线CL2b。
第二连接线CL2可以经由形成在第一平坦化层119a和第二平坦化层119b中的第二接触孔电连接到第二主导电线MCL2和/或第二辅助导电线ACL2。第二连接线CL2的部分可以分别埋入第二接触孔中，第二连接线CL2的分别埋入第二接触孔中的部分可以被称为第二接触插塞CP2(图7)。换言之，第二连接线CL2和第二接触插塞CP2可以是一体的。
例如，第2-1接触孔CNT2a、第2-2接触孔CNT2b、第2-3接触孔CNT2c和第2-4接触孔CNT2d可以形成在第一平坦化层119a和第二平坦化层119b中。
第2-1连接线CL2a的部分可以分别埋入第2-1接触孔CNT2a和第2-2接触孔CNT2b中。第2-1连接线CL2a的埋入第2-1接触孔CNT2a中的部分可以被称为第2-1接触插塞CP2a，第2-1连接线CL2a的埋入第2-2接触孔CNT2b中的部分可以被称为第2-2接触插塞CP2b。第2-1连接线CL2a、第2-1接触插塞CP2a和第2-2接触插塞CP2b可以是一体的。
第2-2连接线CL2b的部分可以埋入第2-3接触孔CNT2c和第2-4接触孔CNT2d中的每个中。第2-2连接线CL2b的埋入第2-3接触孔CNT2c中的部分可以被称为第2-3接触插塞CP2c，第2-2连接线CL2b的埋入第2-4接触孔CNT2d中的部分可以被称为第2-4接触插塞CP2d。第2-2连接线CL2b、第2-3接触插塞CP2c和第2-4接触插塞CP2d可以是一体的。
结果，第2-1连接线CL2a可以经由第2-1接触插塞CP2a电连接到第二主导电线MCL2，并且经由第2-2接触插塞CP2b电连接到第2-1辅助导电线ACL2a。第2-2连接线CL2b可以经由第2-3接触插塞CP2c电连接到第2-1辅助导电线ACL2a，并且经由第2-4接触插塞CP2d电连接到第2-2辅助导电线ACL2b。
图9是沿着线III-III'和线IV-IV'截取的图7的部分的示意性剖视图。图9是图8的修改实施例，并且不同之处在于第二主导电线MCL2和第二辅助导电线ACL2的结构。在下文中，重复的细节可以参照参照图8的描述，并且描述将集中于不同之处。
参照图9，与图8不同，第二主导电线MCL2和第二辅助导电线ACL(图7)可以与第二连接线CL2(图7)布置或设置在同一层中。然而，包括在第二连接线CL2中的材料可以与分别包括在第二主导电线MCL2和第二辅助导电线ACL2中的材料不同。
如以上参照图5所描述的，第五导电层可以布置或设置在第二平坦化层119b上，第五导电层可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含以上材料的单层或多层结构。第五导电层可以包括第二主导电线MCL2和第二辅助导电线ACL2。
如以上参照图8所描述的，第六导电层还可以布置或设置在第二平坦化层119b上。第六导电层可以包括TCO。例如，第六导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。第六导电层可以包括第二连接线CL2。
根据实施例，第二连接线CL2的端部可以覆盖第二主导电线MCL2的端部或与第二主导电线MCL2的端部叠置，第二连接线CL2的另一端部可以覆盖第二辅助导电线ACL2的端部或与第二辅助导电线ACL2的端部叠置。
例如，如图9中所示，第2-1连接线CL2a的端部可以覆盖第二主导电线MCL2的端部或与第二主导电线MCL2的端部叠置，第2-1连接线CL2a的另一端部可以覆盖第2-1辅助导电线ACL2a的端部或与第2-1辅助导电线ACL2a的端部叠置。第2-2连接线CL2b的端部可以覆盖第2-1辅助导电线ACL2a的端部或与第2-1辅助导电线ACL2a的端部叠置，第2-2连接线CL2b的另一端部可以覆盖第2-2辅助导电线ACL2b的端部或与第2-2辅助导电线ACL2b的端部叠置。
如上所述，在第二主导电线MCL2和第二辅助导电线ACL2与第二连接线CL2布置或设置在同一层中的情况下，可以省略图7和图8中所示的第二接触插塞CP2。
图10是根据实施例的像素的等效电路的示意图。
参照图10，像素PX可以包括像素电路PC和电连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
例如，如图10中所示，像素电路PC可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7和存储电容器Cst。第一晶体管T1至第七晶体管T7和存储电容器Cst可以分别电连接到传输第一扫描信号至第三扫描信号Sn、Sn-1和Sn+1的第一扫描线至第三扫描线SL、SL-1和SL+1、传输数据电压Dm的数据线DL、传输发射控制信号En的发射控制线EL、传输驱动电压ELVDD的驱动电压线PL、传输初始化电压Vint的初始化电压线VL以及共电压ELVSS可以施加到其的共电极。
第一晶体管T1可以包括具有其幅度根据栅极-源极电压确定的漏极电流的驱动晶体管，第二晶体管T2至第七晶体管T7可以包括根据栅极-源极电压(大致栅极电压)导通或截止的开关晶体管。第一晶体管T1至第七晶体管T7可以包括薄膜晶体管。
第一晶体管T1可以被称为驱动晶体管，第二晶体管T2可以被称为扫描晶体管，第三晶体管T3可以被称为补偿晶体管，第四晶体管T4可以被称为栅极初始化晶体管，第五晶体管T5可以被称为第一发射控制晶体管，第六晶体管T6可以被称为第二发射控制晶体管，第七晶体管T7可以被称为阳极初始化晶体管。
存储电容器Cst可以电连接在驱动电压线PL与驱动晶体管T1的栅极之间。存储电容器Cst可以具有电连接到驱动电压线PL的上电极CE2和电连接到驱动晶体管T1的栅极的下电极CE1。
驱动晶体管T1可以根据栅极-源极电压来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流IOLED的幅度。驱动晶体管T1可以包括电连接到存储电容器Cst的下电极CE1的栅极、经由第一发射控制晶体管T5电连接到驱动电压线PL的源极和经由第二发射控制晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的漏极。
驱动晶体管T1可以根据栅极-源极电压将驱动电流IOLED输出到有机发光二极管OLED。驱动电流IOLED的幅度可以基于栅极-源极电压与驱动晶体管T1的阈值电压之间的差来确定。有机发光二极管OLED可以从驱动晶体管T1接收驱动电流IOLED，并且以根据驱动电流IOLED的幅度以一定亮度发射光。
扫描晶体管T2可以响应于第一扫描信号Sn将数据电压Dm传输到驱动晶体管T1的源极。扫描晶体管T2可以具有电连接到第一扫描线SL的栅极、电连接到数据线DL的源极和电连接到驱动晶体管T1的源极的漏极。
补偿晶体管T3可以串联电连接在驱动晶体管T1的漏极和栅极之间，并且响应于第一扫描信号Sn将驱动晶体管T1的漏极和栅极彼此电连接。补偿晶体管T3可以具有电连接到第一扫描线SL的栅极、电连接到驱动晶体管T1的漏极的源极和电连接到驱动晶体管T1的栅极的漏极。图10示出了补偿晶体管T3可以包括单个晶体管，但是补偿晶体管T3可以包括彼此串联电连接的两个晶体管。
栅极初始化晶体管T4可以响应于第二扫描信号Sn-1将初始化电压Vint施加到驱动晶体管T1的栅极。栅极初始化晶体管T4可以具有电连接到第二扫描线SL-1的栅极、电连接到驱动晶体管T1的栅极的源极和电连接到初始化电压线VL的漏极。在图10中，栅极初始化晶体管T4被示出为包括单个晶体管，但是栅极初始化晶体管T4可以包括彼此串联电连接的两个晶体管。
阳极初始化晶体管T7可以响应于第三扫描信号Sn+1将初始化电压Vint施加到有机发光二极管OLED的阳极。阳极初始化晶体管T7可以具有电连接到第三扫描线SL+1的栅极、电连接到有机发光二极管OLED的阳极的源极和电连接到初始化电压线VL的漏极。
第一发射控制晶体管T5可以响应于发射控制信号En将驱动电压线PL和驱动晶体管T1的源极彼此电连接。第一发射控制晶体管T5可以具有电连接到发射控制线EL的栅极、电连接到驱动电压线PL的源极和电连接到驱动晶体管T1的源极的漏极。
第二发射控制晶体管T6可以响应于发射控制信号En将驱动晶体管T1的漏极和有机发光二极管OLED的阳极彼此电连接。第二发射控制晶体管T6可以具有电连接到发射控制线EL的栅极、电连接到驱动晶体管T1的漏极的源极和电连接到有机发光二极管OLED的阳极的漏极。
第二扫描信号Sn-1可以与前一行的第一扫描信号Sn大致同步。第三扫描信号Sn+1可以与第一扫描信号Sn大致同步。根据另一示例，第三扫描信号Sn+1可以与下一行的第一扫描信号Sn大致同步。
在实施例中，第一晶体管T1至第七晶体管T7可以包括包含硅的半导体层。例如，第一晶体管T1至第七晶体管T7可以包括包含低温多晶硅(LTPS)的半导体层。多晶硅材料具有高的电子迁移率(约100cm2/Vs以上)，并且因此具有低能耗和优异的可靠性。作为另一示例，第一晶体管T1至第七晶体管T7的半导体层可以包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)和锌(Zn)之中的至少一种材料的氧化物。例如，在公开的精神和范围内，半导体层A可以包括InSnZnO(ITZO)半导体层、InGaZnO(IGZO)半导体层等。作为另一示例，第一晶体管T1至第七晶体管T7的半导体层中的一些或部分可以包括LTPS，半导体层中的一些或部分可以包括氧化物半导体(IGZO等)。
在下文中，将详细描述根据实施例的显示设备1的像素PX的详细操作工艺。如图10中所示，假设第一晶体管T1至第七晶体管T7是p型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
首先，在接收高电平的发射控制信号En的情况下，第一发射控制晶体管T5和第二发射控制晶体管T6截止，驱动晶体管T1停止输出驱动电流IOLED，有机发光二极管OLED停止发射光。
此后，在其中接收低电平的第二扫描信号Sn-1的栅极初始化时段期间，栅极初始化晶体管T4导通，初始化电压Vint被施加到驱动晶体管T1的栅极(例如，存储电容器Cst的下电极CE1)。驱动电压ELVDD与初始化电压Vint之间的差(ELVDD-Vint)可以存储在存储电容器Cst中。
在其中接收低电平的第一扫描信号Sn的数据写入时段期间，扫描晶体管T2和补偿晶体管T3导通，数据电压Dm被驱动晶体管T1的源极接收。这里，驱动晶体管T1通过补偿晶体管T3二极管连接，并且在正向方向上偏置。驱动晶体管T1的栅极电压在初始化电压Vint处上升。在驱动晶体管T1的栅极电压等于通过从数据电压Dm减去驱动晶体管T1的阈值电压Vth获得的数据补偿电压Dm-|Vth|的情况下，驱动晶体管T1截止，驱动晶体管T1的栅极电压的增大停止。因此，驱动电压ELVDD与数据补偿电压(Dm-|Vth|)之间的差(ELVDD-DM+|Vth|)存储在存储电容器Cst中。
在其中接收低电平的第三扫描信号Sn+1的阳极初始化时段期间，阳极初始化晶体管T7导通，初始化电压Vint被施加到有机发光二极管OLED的阳极。通过经由将初始化电压Vint施加到有机发光二极管OLED的阳极而完全地防止从有机发光二极管OLED的光发射，可以防止虽然接收与下一帧中的黑色灰度对应的数据电压Dm而发生的从有机发光二极管OLED的轻微的光发射。
第一扫描信号Sn和第三扫描信号Sn+1可以大致彼此同步，数据写入时段和阳极初始化时段可以是同一时段。
在接收低电平的发射控制信号En的情况下，第一发射控制晶体管T5和第二发射控制晶体管T6可以导通，驱动晶体管T1可以输出与通过从驱动晶体管T1的存储在存储电容器Cst中的源极-栅极电压(ELVDD-Dm+|Vth|)减去驱动晶体管T1的阈值电压|Vth|获得的电压对应的驱动电流IOLED，有机发光二极管OLED可以以与驱动电流IOLED的幅度对应的亮度发射光。
虽然图10描述包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器的像素电路PC，但是公开不限于此。例如，像素电路PC可以包括两个或更多个晶体管以及/或者两个或更多个存储电容器。根据实施例，像素电路PC可以包括两个晶体管和一个存储电容器。
图11是根据实施例的显示设备的部分的示意性放大平面图。图12是根据实施例的第一连接线和第二连接线的示意性平面图。图13是沿着线V-V'和线VI-VI'截取的图11的部分的示意性剖视图。图11是图4和图7的修改实施例，并且可以在第一主导电线、第一连接线、第一辅助导电线、第二主导电线、第二连接线和第二辅助导电线的结构上与图4和图7的实施例不同。在下文中，重复的细节可以参照参照图4和图7提供的描述，并且描述将集中于不同之处。
参照图11，布置或设置在主显示区域MDA中的主像素电路PCm以及布置或设置在辅助显示区域ADA中的辅助像素电路PCa可以包括图10中所示的像素电路PC。
因此，图4中所示的第一主导电线MCL1可以包括第一主扫描线SL-1m、第二主扫描线SLm和主发射控制线ELm。由于第三主扫描线可以与第一主扫描线SL-1m或下一行中的第一主扫描线SL-1m对应，因此在图11中省略第三主扫描线。第一主扫描线SL-1m、第二主扫描线SLm和主发射控制线ELm中的每条可以分别在第一方向(例如，±x方向)上延伸，并且电连接到位于或设置在同一行中的主像素电路PCm。
图4中所示的第一辅助导电线ACL1可以包括第一辅助扫描线SL-1a、第二辅助扫描线SLa和辅助发射控制线ELa。由于第三辅助扫描线可以与第一辅助扫描线SL-1a或下一行中的第一辅助扫描线SL-1a对应，因此在图11中省略第三辅助扫描线。第一辅助扫描线SL-1a、第二辅助扫描线SLa和辅助发射控制线ELa可以分别在第一方向(例如，±x方向)上延伸且电连接到辅助像素电路PCa。
图4中所示的第一连接线CL1可以包括第1-1连接线CL1-1、第1-2连接线CL1-2和第1-3连接线CL1-3。第1-1连接线CL1-1中的每条可以在第一方向(例如，±x方向)上延伸，以将第一主扫描线SL-1m电连接到第一辅助扫描线SL-1a，或者将电连接到不同的辅助像素电路PCa的第一辅助扫描线SL-1a彼此电连接。第1-2连接线CL1-2中的每条可以在第一方向(例如，±x方向)上延伸，以将第二主扫描线SLm电连接到第二辅助扫描线SLa，或者将电连接到不同的辅助像素电路PCa的第二辅助扫描线SLa彼此电连接。第1-3连接线CL1-3中的每条可以在第一方向(例如，±x方向)上延伸，以将主发射控制线ELm电连接到辅助发射控制线ELa，或者将电连接到不同的辅助像素电路PCa的辅助发射控制线ELa彼此电连接。
根据实施例，如图12中所示，第一连接线CL1可以在第一方向(例如，±x方向)上彼此分开。换言之，第一连接线CL1中的每条的大致平面形状可以是岛形状。第1-1连接线CL1-1可以在第一方向(例如，±x方向)上彼此分开，第1-2连接线CL1-2可以在第一方向(例如，±x方向)上彼此分开，第1-3连接线CL1-3可以在第一方向(例如，±x方向)上彼此分开。换言之，第1-1连接线CL1-1、第1-2连接线CL1-2和第1-3连接线CL1-3中的每条的大致平面形状可以是岛形状。
在图12中，示出了在第一方向(例如，±x方向)上彼此分开的第一连接线CL1，但是在实施例中，第一连接线CL1可以在组件区域CA中在第一方向(例如，±x方向)上连续地延伸。这将稍后在图14和图15中描述。
根据实施例，第1-1连接线CL1-1和第一主扫描线SL-1m可以经由第一接触插塞CP1彼此电连接，第1-1连接线CL-1和第一辅助扫描线SL-1a可以经由第一接触插塞CP1彼此电连接。第1-2连接线CL1-2和第二主扫描线SLm可以经由第一接触插塞CP1彼此电连接，第1-2连接线CL1-2和第二辅助扫描线SLa可以经由第一接触插塞CP1彼此电连接。第1-3连接线CL1-3和主发射控制线ELm可以经由第一接触插塞CP1彼此电连接，第1-3连接线CL1-3和辅助发射控制线ELa可以经由第一接触插塞CP1彼此电连接。
如图13中所示，第一接触孔CNT1可以形成在第二栅极绝缘层115、层间绝缘层117和第一平坦化层119a中。第一连接线CL1的部分可以分别埋入第一接触孔CNT1中。第一连接线CL1的分别埋入第一接触孔CNT1中的部分可以被称为第一接触插塞CP1。第一连接线CL1和第一接触插塞CP1可以是一体的。
图7中所示的第二主导电线MCL2可以包括主数据线DLm和主驱动电压线PLm。主数据线DLm和主驱动电压线PLm可以分别在第二方向(例如，±y方向)上延伸，以电连接到位于或设置在同一列中的主像素电路PCm。
图7中所示的第二辅助导电线ACL2可以包括辅助数据线DLa和辅助驱动电压线PLa。辅助数据线DLa和辅助驱动电压线PLa可以分别在第二方向(例如，±y方向)上延伸，以电连接到辅助像素电路PCa。
图7中所示的第二连接线CL2可以包括第2-1连接线CL2-1和第2-2连接线CL2-2。第2-1连接线CL2-1可以分别在第二方向(例如，±y方向)上延伸，以将主数据线DLm电连接到辅助数据线DLa，并且将电连接到不同的辅助像素电路PCa的辅助数据线DLa彼此连接。第2-2连接线CL2-2可以分别在第二方向(例如，±y方向)上延伸，以将主驱动电压线PLm电连接到辅助驱动电压线PLa，并且将电连接到不同的辅助像素电路PCa的辅助驱动电压线PLa彼此电连接。
根据实施例，如图12中所示，第二连接线CL2可以在第二方向(例如，±y方向)上彼此分开。换言之，第二连接线CL2中的每条的大致平面形状可以是岛形状。第2-1连接线CL2-1可以在第二方向(例如，±y方向)上彼此分开，第2-2连接线CL2-2可以在第二方向(例如，±y方向)上彼此分开。换言之，第2-1连接线CL2-1和第2-2连接线CL2-2中的每条的大致平面形状可以是岛形状。
在图12中，示出了在第二方向(例如，±y方向)上彼此分开的第二连接线CL2，但是在实施例中，第二连接线CL2可以在组件区域CA中在第二方向(例如，±y方向)上连续地延伸。这将稍后在图16和图17中描述。
根据实施例，第2-1连接线CL2-1和主数据线DLm可以经由第二接触插塞CP2彼此电连接，第2-1连接线CL2-1和辅助数据线DLa可以经由第二接触插塞CP2彼此电连接。第2-2连接线CL2-2和主驱动电压线PLm可以经由第二接触插塞CP2彼此电连接，第2-2连接线CL2-2和辅助驱动电压线PLa可以经由第二接触插塞CP2彼此电连接。
如图13中所示，第二接触孔CNT2可以形成在第一平坦化层119a和第二平坦化层119b中。第二连接线CL2的部分可以分别埋入第二接触孔CNT2中。第二连接线CL2的分别埋入第二接触孔CNT2中的部分可以被称为第二接触插塞CP2。第二连接线CL2和第二接触插塞CP2可以是单个主体。
图14是根据实施例的显示设备的区域的示意性放大平面图。图15是沿着线VII-VII'截取的图14的部分的示意性剖视图。图14和图15分别是图4和图5的修改实施例，并且可以在第一连接线的结构上与图4和图5的实施例不同。在下文中，重复的细节可以参照参照图4和图5提供的描述，并且描述将集中于不同之处。
参照图14和图15，与图4和图5中所示的第一连接线CL1不同，第一连接线CL1'可以在组件区域CA中沿第一方向(例如，±x方向)延伸且布置或设置。
第一连接线CL1'的部分可以与透射区域TA叠置，第一连接线CL1'的另一部分可以与辅助显示区域ADA叠置。换言之，第一连接线CL1'的部分可以与透射区域TA叠置，第一连接线CL1'的另一部分可以与辅助像素电路PCa叠置。第一连接线CL1'的部分可以与透射区域TA叠置，第一连接线CL1'的另一部分可以与第一辅助导电线ACL1叠置。
由于第一连接线CL1'可以在组件区域CA中沿第一方向(例如，±x方向)延伸，因此第一连接线CL1'可以将第一主导电线MCL1电连接到在第一方向(例如，±x方向)上布置或设置的第一辅助导电线ACL1。
例如，如图14中所示，第一连接线CL1'可以将第一主导电线MCL1、第1-1辅助导电线ACL1a、第1-2辅助导电线ACL1b和第1-3辅助导电线ACL1c彼此电连接。
根据实施例，第一连接线CL1'和第一主导电线MCL1可以经由第一接触插塞CP1'彼此电连接。第一连接线CL1'和第一辅助导电线ACL1可以经由第一接触插塞CP1'彼此电连接。
例如，如图14中所示，第一连接线CL1'和第一主导电线MCL1可以经由第1-1接触插塞CP1'a彼此电连接，第一连接线CL1'和第1-1辅助导电线ACL1a可以经由第1-2接触插塞CP1'b彼此电连接，第一连接线CL1'和第1-2辅助导电线ACL1b可以经由第1-3接触插塞CP1'c彼此电连接，第一连接线CL1'和第1-3辅助导电线ACL1c可以经由第1-4接触插塞CP1'd彼此电连接。
因此，在第一连接线CL1'在第一方向(例如，±x方向)上在组件区域CA中延伸的情况下，每条第一主导电线MCL1或第一辅助导电线ACL1需要布置或设置至少一个第一接触插塞CP1'，因此，第一接触插塞CP1'的数量可以小于图4中所示的第一接触插塞CP1'的数量。
第一连接线CL1'的部分可以分别埋入形成在绝缘层中的第一接触孔中。第一连接线CL1的分别埋入第一接触孔中的部分可以分别称为第一接触插塞CP1'。例如，第一连接线CL1'和第一接触插塞CP1'可以是单个主体。
例如，如图15中所示，第1-1接触孔CNT1'a、第1-2接触孔CNT1'b'和第1-3接触孔CNT1'c可以形成在第二栅极绝缘层115、层间绝缘层117和第一平坦化层119a中。第一连接线CL1'的部分可以分别埋入第1-1接触孔CNT1'a、第1-2接触孔CNT1'b和第1-3接触孔CNT1'c中。第一连接线CL1'的埋入第1-1接触孔CNT1'a中的部分可以被称为第1-1接触插塞CP1'a，第一连接线CL1'的埋入第1-2接触孔CNT1'b中的部分可以被称为第1-2接触插塞CP1'b，第一连接线CL1'的埋入第1-3接触孔CNT1'c中的部分可以被称为第1-3接触插塞CP1'c。第一连接线CL1'、第1-1接触插塞CP1'a、第1-2接触插塞CP1'b和第1-3接触插塞CP1'c可以是一体的。
图16是根据实施例的显示设备的区域的示意性放大平面图。图17是沿着线VIII-VIII'截取的图16的部分的示意性剖视图。图16和图17分别是图7和图8的修改实施例，并且可以在第二连接线的结构上与图7和图8的实施例不同。在下文中，重复的细节可以参照参照图7和图8提供的描述，并且描述将集中于不同之处。
参照图16和图17，与图7和图8中所示的第二连接线CL2不同，第二连接线CL2'可以在第二方向(例如，±y方向)上延伸且布置或设置在组件区域CA中。
第二连接线CL2'的部分可以与透射区域TA叠置，第二连接线CL2'的另一部分可以与辅助显示区域ADA叠置。换言之，第二连接线CL2'的部分可以与透射区域TA叠置，第二连接线CL2'的另一部分可以与辅助像素电路PCa叠置。第二连接线CL2'的部分可以与透射区域TA叠置，第二连接线CL2'的另一部分可以与第二辅助导电线ACL2叠置。
由于第二连接线CL2'可以在第二方向(例如，±y方向)上在组件区域CA中延伸，因此第二连接线CL2'可以电连接在第二方向(例如，±y方向)上布置或设置的第二主导电线MCL2和第二辅助导电线ACL2。
例如，如图16中所示，第二连接线CL2'可以将第二主导电线MCL2、第2-1辅助导电线ACL2a和第2-2辅助导电线ACL2b彼此电连接。
根据实施例，第二连接线CL2'和第二主导电线MCL2可以经由第二接触插塞CP2'彼此电连接。第二连接线CL2'和第二辅助导电线ACL2可以经由第二接触插塞CP2'彼此电连接。
例如，如图16中所示，第二连接线CL2'和第二主导电线MCL2可以经由第2-1接触插塞CP2'a彼此电连接，第二连接线CL2'和第2-1辅助导电线ACL2a可以经由第2-2接触插塞CP2'b彼此电连接，第二连接线CL2'和第2-2辅助导电线ACL2b可以经由第2-3接触插塞CP2'c彼此电连接。
如上所述，在第二连接线CL2'在第二方向(例如，±y方向)上在组件区域CA中延伸的情况下，每条第二主导电线MCL2或第二辅助导电线ACL2需要布置或设置至少一个第二接触插塞CP2'，因此，第二接触插塞CP2'的数量可以小于图7中所示的第二接触插塞CP2的数量。
第二连接线CL2'的部分可以分别埋入形成在绝缘层中的第二接触孔中。第二连接线CL2的分别埋入第二接触孔中的部分可以分别称为第二接触插塞CP2'。例如，第二连接线CL2'和第二接触插塞CP2'可以是单个主体。
例如，如图17中所示，第2-1接触孔CNT2'a、第2-2接触孔CNT2'b和第2-3接触孔CNT2'c可以形成在第一平坦化层119a和第二平坦化层119b中。第二连接线CL2'的部分可以分别埋入第2-1接触孔CNT2'a、第2-2接触孔CNT2'b和第2-3接触孔CNT2'c中。第二连接线CL2'的埋入第2-1接触孔CNT2'a中的部分可以被称为第2-1接触插塞CP2'a，第二连接线CL2'的埋入第2-2接触孔CNT2'b中的部分可以被称为第2-2接触插塞CP2'b，第二连接线CL2'的埋入第2-3接触孔CNT2'c中的部分可以被称为第2-3接触插塞CP2'c。第二连接线CL2'、第2-1接触插塞CP2'a、第2-2接触插塞CP2'b和第2-3接触插塞CP2'c可以是一体的。
图18是根据实施例的辅助像素电路的示意性平面图。图19是图18的辅助像素电路的示意性剖视图。
参照图18，如以上参照图11所描述的，第一辅助扫描线SL-1a可以经由第一接触插塞CP1电连接到第一连接线CL1。第二辅助扫描线SLa可以经由第一接触插塞CP1电连接到第一连接线CL1。辅助发射控制线ELa可以经由第一接触插塞CP1电连接到第一连接线CL1。
而且，辅助数据线DLa可以经由第二接触插塞CP2电连接到第二连接线CL2。辅助驱动电压线PLa可以经由第二接触插塞CP2电连接到第二连接线CL2。
包括像素电极210和中间层220的辅助显示元件DEa可以布置或设置在辅助像素电路PCa上。中间层220可以布置或设置在形成在像素限定层121中的开口OP中，以暴露像素电极210的至少一部分。
根据实施例，辅助显示元件DEa可以与第一接触插塞CP1和第二接触插塞CP2中的至少一个叠置。详细地，辅助显示元件DEa的像素电极210可以与第一接触插塞CP1和第二接触插塞CP2中的至少一个叠置。例如，如图18中所示，像素电极210可以与六个第一接触插塞CP1和四个第二接触插塞CP2叠置。
如上所述，由于像素电极210覆盖第一接触插塞CP1和第二接触插塞CP2中的至少一个或者与第一接触插塞CP1和第二接触插塞CP2中的至少一个叠置时，因此可以减小根据视角的白角依赖性(WAD)的改变。
在图18中，像素电极210的大致平面形状被示出为大致正方形，但是像素电极210的大致平面形状可以具有诸如大致圆形、大致椭圆形、大致多边形(例如，大致星形状或大致菱形形状)的各种形状。
参照图19，辅助像素电路PCa可以包括第一晶体管TFT1、第二晶体管TFT2和存储电容器Cst。辅助显示元件DEa可以与第一晶体管TFT1、第二晶体管TFT2和存储电容器Cst叠置。详细地，辅助显示元件DEa的像素电极210可以与第一晶体管TFT1、第二晶体管TFT2和存储电容器Cst叠置。例如，由于像素电极210与布置或设置在辅助像素电路PCa的外部的第一接触插塞CP1和第二接触插塞CP2中的至少一个叠置，因此像素电极210也可以与辅助像素电路PCa中的第一晶体管TFT1、第二晶体管TFT2和存储电容器Cst叠置。
虽然以上已经描述了显示设备，但是公开不限于此。例如，制造显示设备的方法也包括在公开的范围内。
根据各种实施例，可以提供一种具有扩展的显示区域以在其中布置有或设置有作为电子元件的组件的区域中也显示图像的显示设备。然而，公开的范围不受上述效果的限制。
应理解的是，在此所描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由以下权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括：
基底，包括组件区域，所述组件区域包括辅助显示区域和围绕所述辅助显示区域的透射区域；
辅助像素电路，设置在所述辅助显示区域中；
第一辅助导电线，设置在所述辅助显示区域中，在第一方向上延伸，并且电连接到所述辅助像素电路；以及
第一连接线，设置在所述组件区域中，在所述第一方向上延伸，与所述透射区域至少部分地叠置，并且电连接到所述第一辅助导电线，并且
其中，所述第一连接线具有比所述第一辅助导电线的透光率高的透光率。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，
所述辅助像素电路包括在所述第一方向上布置的多个辅助像素电路，
所述第一辅助导电线包括多条第一辅助导电线，所述多条第一辅助导电线分别电连接到所述多个辅助像素电路，并且
所述第一连接线沿所述第一方向将所述多条第一辅助导电线彼此电连接。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述基底还包括：
主显示区域，至少部分地围绕所述组件区域；
主像素电路，设置在所述主显示区域中；以及
主导电线，设置在所述主显示区域中，在所述第一方向上延伸，并且电连接到所述主像素电路，并且
其中，所述第一连接线沿所述第一方向将所述主导电线电连接到所述第一辅助导电线。
4.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，所述多条第一辅助导电线在所述第一方向上彼此分隔开，并且设置在相同或不同的层中。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一连接线包括在所述第一方向上彼此分隔开的多条第一连接线，且所述辅助显示区域置于第一连接线之间。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一连接线在所述第一方向上连续地延伸，且与所述辅助显示区域至少部分地叠置。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，
所述辅助显示区域包括在所述第一方向和与所述第一方向不同的第二方向上被分隔开的多个辅助显示区域，所述多个辅助显示区域被所述透射区域围绕；
所述显示设备还包括：
第二辅助导电线，设置在所述辅助显示区域中，在所述第二方向上延伸，并且电连接到所述辅助像素电路；以及
第二连接线，设置在所述组件区域中，在所述第二方向上延伸，与所述透射区域至少部分地叠置，并且电连接到所述第二辅助导电线，并且
所述第二连接线具有比所述第一辅助导电线和所述第二辅助导电线的透光率高的透光率。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其特征在于，
所述辅助像素电路包括在所述第二方向上布置的多个辅助像素电路，
所述第二辅助导电线包括多条第二辅助导电线，并且所述多条第二辅助导电线分别电连接到所述多个辅助像素电路，并且
所述第二连接线沿所述第二方向将所述多条第二辅助导电线彼此电连接。
9.根据权利要求7所述的显示设备，其特征在于，所述基底还包括：
主显示区域，至少部分地围绕所述组件区域；
主像素电路，设置在所述主显示区域中；以及
主导电线，设置在所述主显示区域中，在所述第二方向上延伸，并且电连接到所述主像素电路，并且所述第二连接线沿所述第二方向将所述主导电线电连接到所述第二辅助导电线。
10.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括：
主显示元件，设置在所述主显示区域中且电连接到所述主像素电路；以及
辅助显示元件，设置在所述组件区域中且电连接到所述辅助像素电路，
其中，每单位面积的所述主显示元件的数量大于每单位面积的所述辅助显示元件的数量。
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