KR20180109300A - Substrate treating apparatus and teaching method - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate treating apparatus for precisely teaching a substrate. According to one embodiment of the present invention, the substrate treating apparatus comprises: a process chamber having a process space in which a substrate is processed; a substrate support unit supporting the substrate at an upper surface in the process space; and a position measurement unit measuring a position of the substrate where the substrate support unit is placed. The diameter of the upper surface is provided larger than the diameter of the substrate. The position measurement unit includes a light receiving member receiving light reflected from a light receiving region of the upper surface on which the substrate is placed, a light amount measurement member measuring a light amount of the light received from the light receiving member, and a position calculation member calculating a position of the substrate placed on the upper surface from the light amount measured from the light amount measurement member. The light receiving region may be a part of the edge region of the upper surface.

Description

기판 처리 장치 및 티칭 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND TEACHING METHOD}[0001] SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND TEACHING METHOD [0002]

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 기판을 티칭(Teaching)하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate and a method for teaching the substrate.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판 상으로 감광액을 공급하는 포토리소그라피, 식각, 이온주입, 증착 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. In order to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display, various processes such as photolithography, etching, ion implantation, deposition, and cleaning for supplying a sensitizing solution onto a substrate are performed.

이러한 공정들은 공정 챔버 내의 기판 지지 유닛 상에 기판이 놓인 상태에서 진행된다. 따라서, 정밀한 공정이 요구되는 반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하는 공정에서 기판이 기판 지지 유닛 상의 정위치에 놓였는지 여부는 기판 처리 공정에 영향을 미친다.These processes proceed with the substrate lying on a substrate support unit within the process chamber. Thus, whether or not the substrate is placed in the correct position on the substrate supporting unit in the process of manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display requiring a precise process affects the substrate processing process.

그러므로, 기판 처리 공정에서 기판 지지 유닛 상의 정위치에 정밀하게 위치시키는 티칭(Teaching) 작업은 정밀성이 요구되나, 티칭 작업은 일반적으로 작업자의 육안에 의한 측정에 따라 작업자가 기판을 이송하는 반송 로봇을 조절함으로써 수행된다. 따라서, 티칭의 정밀도에 한계가 존재하고, 작업자에 따라 정밀도가 상이할 수 있다. 또한, 티칭에 많은 시간이 소요될 수 있다.Therefore, in order to precisely position the workpiece in the substrate processing unit in a precise position on the substrate supporting unit, precision is required. However, in general, the work of teaching the workpiece is carried out by a transport robot ≪ / RTI > Therefore, there is a limit to the accuracy of teaching, and precision may vary depending on the operator. Also, it may take a lot of time to teach.

본 발명은 기판을 정밀하게 티칭할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide an apparatus and a method capable of accurately teaching a substrate.

또한, 본 발명은 기판의 티칭에 소요되는 시간을 감소 시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.It is another object of the present invention to provide an apparatus and a method that can reduce the time required for teaching a substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치는, 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 상면에 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 상기 기판 지지 유닛 상에 놓인 기판의 위치를 측정하는 위치 측정 유닛을 포함하되, 상기 상면의 직경은 기판의 직경보다 크게 제공되고, 상기 위치 측정 유닛은, 기판이 놓인 상기 상면의 수광 영역으로부터 반사되는 빛을 수광하는 수광 부재와; 상기 수광 부재로부터 수광된 빛의 광량을 측정하는 광량 측정 부재와; 상기 광량 측정 부재로부터 측정된 광량으로부터 상기 상면에 놓인 기판의 위치를 산출하는 위치 산출 부재;를 포함하고, 상기 수광 영역은 상기 상면의 가장자리 영역 중 일부 영역일 수 있다.The present invention provides a substrate processing apparatus. According to one embodiment, the substrate processing apparatus includes: a processing chamber having a processing space in which a substrate is processed; A substrate supporting unit for supporting a substrate on an upper surface in the processing space; And a position measuring unit for measuring the position of the substrate placed on the substrate supporting unit, wherein the diameter of the upper surface is provided larger than the diameter of the substrate, and the position measuring unit reflects the light from the light receiving area of the upper surface on which the substrate is placed A light receiving member for receiving light; A light amount measuring member for measuring a light amount of light received from the light receiving member; And a position calculating member for calculating a position of the substrate placed on the upper surface from the light amount measured from the light amount measuring member, wherein the light receiving region may be a part of the edge region of the upper surface.

상기 위치 측정 유닛은, 상기 수광 영역으로 빛을 조사하는 광 조사 부재를 더 포함할 수 있다.The position measurement unit may further include a light irradiation member for irradiating light to the light receiving region.

상기 수광 부재는 상기 상벽의 가장자리 영역에 설치될 수 있다.The light receiving member may be provided in an edge region of the upper wall.

상기 광 조사 부재는 상기 상벽의 가장자리 영역에 설치될 수 있다.The light irradiation member may be installed in an edge region of the upper wall.

상기 광 조사 부재는 상기 상벽의 중앙 영역에 설치될 수 있다.The light irradiation member may be installed in a central region of the upper wall.

상기 수광 영역은 상기 상면의 원주 방향을 따라 복수개가 서로 이격되게 배열될 수 있다. The light receiving regions may be arranged so that a plurality of the light receiving regions are spaced from each other along the circumferential direction of the upper surface.

상기 상면은, 기판이 정위치에 놓인 경우 상기 기판에 대향되는 영역인 정위치 영역과; 상기 정위치 영역을 둘러싼 외측 영역을 포함하되, 상기 수광 영역의 내측 끝단은 상기 정위치 영역에 위치되고, 상기 수광 영역의 외측 끝단은 상기 외측 영역에 위치될 수 있다.The upper surface comprising: a definite portion which is a region opposed to the substrate when the substrate is in position; The inner end of the light receiving area is located in the fixed position area, and the outer end of the light receiving area is located in the outer area.

상기 공정 챔버는, 상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된 바디와; 상기 바디의 상단에 놓이며, 상기 바디의 개방된 상면을 밀폐시키는 커버를 포함하되, 상기 커버의 상벽은 투명 재질로 제공된 영역을 포함하고, 상기 위치 측정 유닛은 상기 위치 산출 부재에 의해 측정된 기판의 위치를 표시하는 표시 부재를 더 포함할 수 있다.The process chamber includes a body having an upper surface opened and a space formed therein; A cover disposed on the top of the body and sealing an open top surface of the body, wherein the top wall of the cover includes a region provided with a transparent material, And a display unit for displaying the position of the display unit.

상기 상면은, 기판이 정위치에 놓인 경우 상기 기판에 대향되는 영역인 정위치 영역과; 상기 정위치 영역을 둘러싼 외측 영역을 포함하되, 상기 위치 측정 유닛은, 상기 상면의 가장자리 영역에 색상이 서로 상이한 빛을 서로 접하도록 조사하는 가이드 광 조사 부재를 더 포함하고, 상기 색상은 상기 정위치 영역 및 상기 외측 영역의 경계로부터의 거리에 따라 달라지도록 제공될 수 있다.The upper surface comprising: a definite portion which is a region opposed to the substrate when the substrate is in position; Wherein the position measurement unit further comprises a guide light irradiation member for irradiating the edge region of the upper surface with light having a different color from each other so as to be in contact with each other, And the distance from the boundary of the outer region.

상기 기판 처리 장치는, 상기 위치 산출 부재에 의해 측정된 기판의 위치에 따라 상기 기판의 상기 상면에서의 위치를 조절하는 제어기를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include a controller for adjusting a position on the upper surface of the substrate according to the position of the substrate measured by the position calculating member.

또한, 본 발명은 기판을 기판 지지 유닛의 상면에 정위치시키는 티칭(Teaching) 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 티칭 방법은, 상기 상면에 놓인 기판의 위치를 측정하는 위치 측정 단계와; 상기 위치 측정 단계에서 측정된 상기 기판의 위치에 따라 상기 기판의 위치를 정위치로 조정하는 위치 조정 단계를 포함하되, 상기 위치 측정 단계는, 기판이 놓인 상기 상면의 수광 영역으로부터 반사되는 빛을 수광하는 수광 단계와; 상기 수광 단계에서 수광된 빛의 광량을 측정하는 광량 측정 단계와; 상기 광량 측정 단계에서 측정된 광량으로부터 상기 상면에 놓인 기판의 위치를 산출하는 위치 산출 단계를 포함하고, 상기 수광 영역은 상기 상면의 가장자리 영역 중 일부 영역일 수 있다.The present invention also provides a method of teaching to position a substrate on an upper surface of a substrate support unit. According to one embodiment, the teaching method includes: a position measurement step of measuring a position of a substrate placed on the upper surface; And a position adjusting step of adjusting the position of the substrate to a predetermined position according to the position of the substrate measured in the position measuring step, wherein the position measuring step comprises the steps of: receiving light reflected from the light receiving area of the upper surface on which the substrate is placed A light receiving step of receiving light; A light amount measuring step of measuring a light amount of the light received in the light receiving step; And a position calculating step of calculating a position of the substrate placed on the upper surface from the light amount measured in the light amount measuring step, wherein the light receiving area may be a part of the edge area of the upper surface.

상기 위치 측정 단계는, 상기 수광 영역으로 빛을 조사하는 광 조사 단계를 더 포함할 수 있다.The position measuring step may further include a light irradiation step of irradiating light to the light receiving area.

상기 수광 영역은 상기 상면의 원주 방향을 따라 복수개가 서로 이격되게 배열될 수 있다.The light receiving regions may be arranged so that a plurality of the light receiving regions are spaced from each other along the circumferential direction of the upper surface.

상기 상면은, 기판이 정위치에 놓인 경우 상기 기판에 대향되는 영역인 정위치 영역과; 상기 정위치 영역을 둘러싼 외측 영역을 포함하되, 상기 수광 영역의 내측 끝단은 상기 정위치 영역에 위치되고, 상기 수광 영역의 외측 끝단은 상기 외측 영역에 위치될 수 있다.The upper surface comprising: a definite portion which is a region opposed to the substrate when the substrate is in position; The inner end of the light receiving area is located in the fixed position area, and the outer end of the light receiving area is located in the outer area.

상기 위치 측정 단계 이전에, 상기 기판 지지 유닛의 상부의 상기 상면에 대향되는 위치로 기판을 이동시키는 기판 이동 단계를 더 포함하되, 상기 기판 이동 단계에서는, 상기 상면의 가장자리 영역에 색상이 서로 상이한 빛을 서로 접하도록 조사하되, 상기 색상은 상기 정위치 영역 및 상기 외측 영역의 경계로부터의 거리에 따라 달라지고, 작업자의 제어에 의해, 상기 기판의 원주가 상기 경계로부터 가장 인접한 색상의 빛이 조사되는 영역 내에 위치되도록 상기 기판의 위치가 조정될 수 있다.Further comprising: a substrate moving step of moving the substrate to a position opposed to the upper surface of the upper portion of the substrate supporting unit before the position measuring step, wherein in the substrate moving step, Wherein the hue varies depending on the distance from the boundary between the fixed area and the outer area and the color of the hue of the substrate closest to the boundary is irradiated by the operator's control The position of the substrate can be adjusted to be positioned within the region.

본 발명의 실시 예에 따른 장치 및 방법은 기판을 정밀하게 티칭할 수 있다.The apparatus and method according to embodiments of the present invention can accurately teach a substrate.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 장치 및 방법은 기판의 티칭에 소요되는 시간을 감소 시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, the apparatus and method according to the embodiment of the present invention are intended to provide an apparatus and a method that can reduce the time required for teaching a substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 2의 안테나의 저면을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 기판 티칭(Teaching) 시의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 기판 지지 유닛의 상면을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 커버의 저면을 바라본 모습을 보여주는 도면이다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 커버의 저면을 바라본 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 커버의 저면을 바라본 모습을 보여주는 도면이다.
도 8은 기판 지지 유닛의 상면의 도 7의 가이드 광 조사 부재가 빛을 조사한 영역을 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 티칭 방법을 보여주는 순서도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a bottom view of the antenna of Fig.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention at the time of substrate teaching.
Fig. 4 is a top view of the substrate supporting unit of Fig. 3; Fig.
FIG. 5 is a view showing a bottom view of the cover of FIG. 3. FIG.
6 is a view showing a bottom view of a cover of a substrate processing apparatus according to another embodiment.
7 is a view showing a bottom view of a cover of a substrate processing apparatus according to another embodiment.
8 is a view showing a region where the guide light irradiation member of Fig. 7 on the upper surface of the substrate supporting unit irradiates light.
9 is a flowchart showing a teaching method according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 공정 수행 시의 모습(10)을 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라스마를 이용하여 기판(W)에 대하여 공정 처리를 수행한다. 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 마이크로파 인가 유닛(400), 안테나(500), 지파판(600) 그리고 유전판(700) 포함한다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 performs processing on a substrate W using a plasma. The substrate processing apparatus 10 includes a process chamber 100, a substrate support unit 200, a gas supply unit 300, a microwave application unit 400, an antenna 500, a chopper plate 600, .

공정 챔버(100)는 내부에 처리 공간(101)이 형성되며, 처리 공간(101)은 기판 처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 공정 챔버(100)는 바디(110)와 커버(120)를 포함한다. The processing chamber 100 is formed with a processing space 101 therein, and the processing space 101 is provided with a space in which a substrate processing process is performed. The process chamber 100 includes a body 110 and a cover 120.

바디(110)는 상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. The upper surface of the body 110 is opened and a space is formed therein.

커버(120)는 바디(110)의 상단에 놓이며, 바디(110)의 개방된 상면을 밀폐한다. 커버(120)는 상부 공간이 하부 공간보다 더 큰 반경을 갖도록 하단부 내측이 단차진다.The cover 120 is placed on top of the body 110 and seals the open top surface of the body 110. The cover 120 is stepped inside the lower end so that the upper space has a larger radius than the lower space.

공정 챔버(100)의 일 측벽에는 기판 유입구가 형성될 수 있다. 기판 유입구는 기판(W)이 공정 챔버(100) 내부로 출입할 수 있는 통로로 제공된다. 기판 유입구는 도어 등 개폐 부재에 의해 개폐된다.A substrate inlet may be formed in one side wall of the process chamber 100. The substrate inlet is provided as a passage through which the substrate W can enter and exit the process chamber 100. The substrate inlet is opened and closed by an opening and closing member such as a door.

공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(131)과 연결된다. 배기 라인(131)을 통한 배기로, 공정 챔버(100)의 내부는 상압보다 낮은 압력으로 유지될 수 있다. 그리고, 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 처리 공간(101) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(131)을 통해 외부로 배출될 수 있다.An exhaust hole 102 is formed in the bottom surface of the process chamber 100. The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 131. With the exhaust through the exhaust line 131, the interior of the process chamber 100 can be maintained at a pressure lower than normal pressure. The reaction byproducts generated in the process and the gas staying in the process space 101 may be discharged to the outside through the exhaust line 131.

기판 지지 유닛(200)은 처리 공간(101) 내에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 지지 플레이트(210), 리프트 핀(미도시), 히터(220), 지지축(230)을 포함한다.The substrate supporting unit 200 supports the substrate W in the processing space 101. The substrate support unit 200 includes a support plate 210, a lift pin (not shown), a heater 220, and a support shaft 230.

지지 플레이트(210)는 소정의 두께를 가지며, 기판(W) 보다 큰 반경을 갖는 원판으로 제공된다. 지지 플레이트(210)의 상면에는 기판(W)이 놓이는 기판 제공홈이 형성될 수 있다. 실시 예에 의하면, 지지 플레이트(210)에는 기판(W)을 고정하는 구성이 제공되지 않으며, 기판(W)은 지지 플레이트(210)에 놓인 상태로 공정에 제공된다. 이와 달리, 지지 플레이트(210)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 고정시키는 정전 척으로 제공되거나, 기계적 클램핑 방식으로 기판(W)을 고정시키는 척으로 제공될 수 있다.The support plate 210 has a predetermined thickness and is provided with an original plate having a larger radius than the substrate W. [ A substrate providing groove on which the substrate W is placed may be formed on the upper surface of the support plate 210. According to the embodiment, the support plate 210 is not provided with a structure for fixing the substrate W, and the substrate W is provided to the process while being placed on the support plate 210. Alternatively, the support plate 210 may be provided as an electrostatic chuck for fixing the substrate W using electrostatic force, or may be provided as a chuck for fixing the substrate W in a mechanical clamping manner.

리프트 핀은 복수 개 제공되며, 지지 플레이트(210)에 형성된 핀 홀(미도시)들 각각에 위치한다. 리프트 핀들은 핀 홀들을 따라 상하방향으로 이동하며, 기판(W)을 지지 플레이트(210)에 로딩하거나 지지 플레이트(210)에 놓인 기판(W)을 언로딩한다.A plurality of lift pins are provided and located in each of the pin holes (not shown) formed in the support plate 210. The lift pins move up and down along the pin holes to load the substrate W onto the support plate 210 or unload the substrate W placed on the support plate 210. [

히터(220)는 지지 플레이트(210)의 내부에 제공된다. 히터(220)는 나선 형상의 코일로 제공되며, 균일한 간격으로 지지 플레이트(210) 내부에 매설될 수 있다. 히터(220)는 외부 전원(미도시)과 연결되며, 외부 전원에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 지지 플레이트(210)를 거쳐 기판(W)으로 전달되며, 기판(W)을 소정 온도로 가열한다.The heater 220 is provided inside the support plate 210. The heater 220 is provided as a helical coil and can be embedded in the support plate 210 at uniform intervals. The heater 220 is connected to an external power source (not shown) and generates heat by resistance to a current applied from an external power source. The generated heat is transferred to the substrate W via the support plate 210, and the substrate W is heated to a predetermined temperature.

지지축(230)은 지지 플레이트(210)의 하부에 위치하며, 지지 플레이트(210)를 지지한다. 지지 플레이트(210)는 구동 부재(미도시)에 의해 상하 이동 가능하도록 제공될 수 있다.The support shaft 230 is positioned below the support plate 210 and supports the support plate 210. The support plate 210 can be provided to be movable up and down by a driving member (not shown).

가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100)의 처리 공간(101) 내로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100)의 측벽에 형성된 가스 공급홀(105)을 통해 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급홀(105)은 복수개로 제공될 수 있다.The gas supply unit 300 supplies the process gas into the process space 101 of the process chamber 100. The gas supply unit 300 may supply the process gas into the process chamber 100 through the gas supply hole 105 formed in the side wall of the process chamber 100. A plurality of gas supply holes 105 may be provided.

마이크로파 인가 유닛(400)은 안테나(500)로 마이크로파를 인가한다. 마이크로파 인가 유닛(400)은 마이크로파 발생기(410), 제1도파관(420), 제2도파관(430), 위상 변환기(440), 그리고 매칭 네트워크(450)를 포함한다.The microwave applying unit 400 applies a microwave to the antenna 500. The microwave application unit 400 includes a microwave generator 410, a first waveguide 420, a second waveguide 430, a phase shifter 440, and a matching network 450.

마이크로파 발생기(410)는 마이크로파를 발생시킨다. The microwave generator 410 generates a microwave.

제1도파관(420)은 마이크로파 발생기(410)와 연결되며, 내부에 통로가 형성된다. 마이크로파 발생기(410)에서 발생된 마이크로파는 제1도파관(420)을 따라 위상 변환기(440) 측으로 전달된다.The first waveguide 420 is connected to the microwave generator 410 and a passageway is formed therein. The microwave generated by the microwave generator 410 is transmitted to the phase converter 440 along the first waveguide 420.

제2도파관(430)은 외부 도체(432) 및 내부 도체(434)를 포함한다.The second waveguide 430 includes an outer conductor 432 and an inner conductor 434.

외부 도체(432)는 제 1 도파관(420)의 끝단에서 수직한 방향으로 아래로 연장되며, 내부에 통로가 형성된다. 외부 도체(432)의 상단은 제 1 도파관(420)의 하단에 연결되고, 외부 도체(432)의 하단은 커버(120)의 상단에 연결된다.The outer conductor 432 extends downward in the vertical direction at the end of the first waveguide 420, and a passageway is formed therein. The upper end of the outer conductor 432 is connected to the lower end of the first waveguide 420 and the lower end of the outer conductor 432 is connected to the upper end of the cover 120.

내부 도체(434)는 외부 도체(432) 내에 위치한다. 내부 도체(434)는 원기둥 형상의 로드(rod)로 제공되며, 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 내부 도체(434)의 상단은 위상 변환기(440)의 하단부에 삽입 고정된다. 내부 도체(434)는 아래 방향으로 연장되어 그 하단이 공정 챔버(100)의 내부에 위치한다. 내부 도체(434)의 하단은 안테나(500)의 중심에 고정 결합된다. 내부 도체(434)는 안테나(500)의 상면에 수직하게 배치된다. 내부 도체(434)는 구리 재질의 로드에 제1도금막과 제2도금막이 순차적으로 코팅되어 제공될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 제1도금막은 니켈(Ni) 재질이고, 제2도금막은 금(Au) 재질로 제공될 수 있다. 마이크로파는 주로 제1도금막을 통해 안테나(500)으로 전파된다.The inner conductor 434 is located in the outer conductor 432. The inner conductor 434 is provided as a rod in the shape of a cylinder, and its longitudinal direction is arranged in parallel with the up-and-down direction. The upper end of the inner conductor 434 is inserted and fixed to the lower end of the phase shifter 440. The inner conductor 434 extends downward and its lower end is located inside the process chamber 100. The lower end of the inner conductor 434 is fixedly coupled to the center of the antenna 500. The inner conductor 434 is disposed perpendicularly to the upper surface of the antenna 500. The inner conductor 434 may be provided by sequentially coating a first plated film and a second plated film on a copper rod. According to one embodiment, the first plating film may be made of nickel (Ni), and the second plating film may be provided of gold (Au). The microwave is propagated mainly to the antenna 500 through the first plated film.

위상 변환기(440)에서 위상이 변환된 마이크로파는 제2도파관(430)를 따라 안테나(500) 측으로 전달된다.The microwave whose phase is converted by the phase converter 440 is transmitted to the antenna 500 along the second waveguide 430.

위상 변환기(440)는 제1도파관(420)과 제2도파관(430)이 접속되는 지점에 제공되며, 마이크로파의 위상을 변화시킨다. 위상 변환기(440)는 아래가 뾰족한 콘 형상으로 제공될 수 있다. 위상 변환기(440)는 제1도파관(420)으로부터 전달된 마이크로파를 모드가 변환된 상태로 제2도파관(430)에 전파한다. 위상 변환기(440)는 마이크로파를 TE 모드에서 TEM 모드로 변환시킬 수 있다.The phase shifter 440 is provided at a point where the first waveguide 420 and the second waveguide 430 are connected to change the phase of the microwave. The phase shifter 440 may be provided in the shape of a pointed cone. The phase shifter 440 propagates the microwave transmitted from the first waveguide 420 to the second waveguide 430 in a mode-converted state. The phase converter 440 may convert the microwave into TE mode to TEM mode.

매칭 네트워크(450)는 제1도파관(420)에 제공된다. 매칭 네트워크(450)는 제1도파관(420)을 통해 전파되는 마이크로파를 소정 주파수로 매칭시킨다.The matching network 450 is provided in the first waveguide 420. The matching network 450 matches the microwave propagated through the first waveguide 420 to a predetermined frequency.

도 2는 도 1의 안테나(500)의 저면을 나타내는 도면이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 안테나(500)은 플레이트 형상으로 제공된다. 안테나(500)는 기판 지지 유닛(200)의 상부에 배치된다. 일 예로, 안테나(500)은 두께가 얇은 원판으로 제공될 수 있다. 안테나(500)은 지지 플레이트(210)에 대향되도록 배치된다. 안테나(500)에는 복수의 슬롯(501)들이 형성된다. 슬롯(501)들은 '×'자 형상으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 슬롯들의 형상 및 배치는 다양하게 변경될 수 있다. 슬롯(501)들은 복수개가 서로 조합되어 복수개의 링 형상으로 배치된다. 이하, 슬롯(501)들이 형성된 안테나(500) 의 영역을 제1영역(A1, A2, A3)이라 하고, 슬롯(501)들이 형성되지 않은 안테나(500)의 영역을 제2영역(B1, B2, B3)이라 한다. 제1영역(A1, A2, A3)과 제2영역(B1, B2, B3)은 각각 링 형상을 가진다. 제1영역(A1, A2, A3)은 복수개 제공되며, 서로 상이한 반경을 갖는다. 제1영역(A1, A2, A3)들은 동일한 중심을 가지며, 안테나(500)의 반경 방향으로 서로 이격되어 배치 된다. 제2영역(B1, B2, B3)은 복수개 제공되며, 서로 상이한 반경을 갖는다. 제2영역(B1, B2, B3)들은 동일한 중심을 가지며, 안테나(500)의 반경 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 제1영역(A1, A2, A3)은 인접한 제2영역(B1, B2, B3)들 사이에 각각 위치한다. 안테나(500)의 중심부에는 홀(502)이 형성된다. 내부 도체(434)는 그 하단이 홀(502)를 관통하여 안테나(500)과 결합된다. 마이크로파는 슬롯(501)들을 투과하여 유전판(700)으로 전달된다.2 is a bottom view of the antenna 500 of FIG. 1 and 2, the antenna 500 is provided in a plate shape. The antenna 500 is disposed on the top of the substrate supporting unit 200. For example, the antenna 500 may be provided as a thin disc. The antenna 500 is disposed to face the support plate 210. A plurality of slots 501 are formed in the antenna 500. The slots 501 may be provided in a 'x' shape. Alternatively, the shape and arrangement of the slots may be varied. A plurality of slots 501 are arranged in a plurality of ring shapes in combination with each other. The area of the antenna 500 in which the slots 501 are formed is referred to as a first area A1 and the area of the antenna 500 in which the slots 501 are not formed is referred to as a second area B1, , B3). The first areas A1, A2, and A3 and the second areas B1, B2, and B3 each have a ring shape. A plurality of first regions A1, A2, and A3 are provided and have different radii from each other. The first areas A1, A2, and A3 have the same center and are spaced apart from each other in the radial direction of the antenna 500. [ A plurality of second regions B1, B2, and B3 are provided and have different radii from each other. The second regions B1, B2, and B3 have the same center and are disposed apart from each other in the radial direction of the antenna 500. [ The first areas A1, A2, and A3 are located between the adjacent second areas B1, B2, and B3, respectively. A hole 502 is formed in the center of the antenna 500. The lower end of the inner conductor 434 passes through the hole 502 and is coupled to the antenna 500. The microwaves are transmitted through the slots 501 to the dielectric plate 700.

다시 도 1을 참조하면, 지파판(600)은 안테나(500)의 상부에 위치하며, 소정 두께를 갖는 원판으로 제공된다. 지파판(600)은 커버(120)의 내측에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 지파판(600)은 알루미나, 석영 등의 유전체로 제공된다. 내부 도체(434)를 통해 수직 방향으로 전파된 마이크로파는 지파판(600)의 반경 방향으로 전파된다. 지파판(600)에 전파된 마이크로파는 파장이 압축되며, 공진된다.Referring again to FIG. 1, the wave plate 600 is disposed on an upper portion of the antenna 500, and is provided with a disk having a predetermined thickness. The chop panel 600 may have a radius corresponding to the inside of the cover 120. The wave plate 600 is provided with a dielectric such as alumina, quartz, or the like. The microwaves propagated in the vertical direction through the inner conductor 434 propagate in the radial direction of the wave plate 600. The wavelength of the microwave propagated to the wave plate 600 is compressed and resonated.

유전판(700)은 마이크로파를 안테나(500)로부터 처리 공간(101)으로 전달한다. 유전판(700)은 처리 공간(101)의 상면에 제공된다. 즉, 유전판(700)은 안테나(500)의 하부에 위치하며, 소정 두께를 갖는 원판으로 제공된다. 유전판(700)은 쿼츠 등의 유전체로 제공된다. 유전판(700)의 저면은 내측으로 만입된 오목면으로 제공된다. 유전판(700)은 저면이 커버(120)의 하단과 동일 높이에 위치할 수 있다. 유전판(700)의 측부는 상단이 하단보다 큰 반경을 갖도록 단차진다. 유전판(700)의 상단은 커버(120)의 단차진 하단부에 놓인다. 유전판(700)의 하단은 커버(120)의 하단부보다 작은 반경을 가지며, 커버(120)의 하단부와 소정 간격을 유지한다. 마이크로파는 유전판(700)을 거쳐 공정 챔버(100) 내부로 방사된다. 방사된 마이크로파의 전계에 의하여 공정 챔버(100) 내에 공급된 공정 가스는 플라스마 상태로 변환된다. 지파판(600), 안테나(500) 그리고 유전판(700)은 서로 밀착되게 제공될 수 있다.The dielectric plate 700 transfers the microwave from the antenna 500 to the processing space 101. The dielectric plate 700 is provided on the upper surface of the processing space 101. That is, the dielectric plate 700 is disposed at the bottom of the antenna 500 and is provided as a disk having a predetermined thickness. The dielectric plate 700 is provided as a dielectric such as quartz. The bottom surface of the dielectric plate 700 is provided with a concave surface recessed inward. The dielectric plate 700 may be positioned at the same height as the lower end of the cover 120. The side portion of the dielectric plate 700 is stepped so that the upper end has a larger radius than the lower end. The upper end of the dielectric plate (700) lies at the lower end of the cover (120). The lower end of the dielectric plate 700 has a smaller radius than the lower end of the cover 120 and maintains a predetermined distance from the lower end of the cover 120. The microwave is radiated into the process chamber 100 through the dielectric plate 700. The process gas supplied into the process chamber 100 by the electric field of the radiated microwaves is converted into a plasma state. The wave plate 600, the antenna 500, and the dielectric plate 700 may be provided in close contact with each other.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 기판 티칭(Teaching) 시의 모습(20)을 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 지지 유닛(200)의 상면의 정위치에 기판(W)을 티칭 시키기는 경우, 기판 처리 장치(20)는 위치 측정 유닛(800)을 더 포함한다. 3 is a cross-sectional view showing a state 20 at the time of substrate teaching of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 3, the substrate processing apparatus 20 further includes a position measurement unit 800 when the substrate W is to be positioned at a predetermined position on the upper surface of the substrate support unit 200. [

위치 측정 유닛(800)은 기판 지지 유닛(200) 상에 놓인 기판의 위치를 측정한다. 일 실시 예에 따르면, 위치 측정 유닛(800)은 수광 부재(810), 광량 측정 부재(820), 위치 산출 부재(830) 및 광 조사 부재(840)를 포함한다. The position measuring unit 800 measures the position of the substrate placed on the substrate supporting unit 200. According to one embodiment, the position measuring unit 800 includes a light receiving member 810, a light amount measuring member 820, a position calculating member 830, and a light irradiating member 840.

도 4는 도 3의 기판 지지 유닛(200)의 상면을 보여주는 도면이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 수광 부재(810)는 기판(W)이 놓인 기판 지지 유닛(200)의 상면의 수광 영역(900)으로부터 반사되는 빛을 수광한다. 4 is a top view of the substrate supporting unit 200 of FIG. 3 and 4, the light receiving member 810 receives light reflected from the light receiving region 900 on the upper surface of the substrate supporting unit 200 on which the substrate W is placed.

기판 지지 유닛(200)의 상면의 직경은 기판(W)의 직경보다 크게 제공된다. 기판 지지 유닛(200)의 상면은 정위치 영역(201)과 외측 영역(202)을 포함한다. 정위치 영역(201)은 기판(W)이 기판 지지 유닛(200) 상면에서 정위치에 놓인 경우, 기판 지지 유닛(200) 상에 놓인 기판(W)에 대향되는 영역이다. 외측 영역(202)은 정위치 영역(201)을 둘러싼 영역이다. The diameter of the upper surface of the substrate supporting unit 200 is larger than the diameter of the substrate W. [ The upper surface of the substrate supporting unit 200 includes a fixed area 201 and an outer area 202. [ The stationary area 201 is an area opposed to the substrate W placed on the substrate supporting unit 200 when the substrate W is in the correct position on the upper surface of the substrate supporting unit 200. The outer region 202 is an area surrounding the fixed region 201.

수광 영역(900)은 기판 지지 유닛(200)의 상면의 가장자리 영역 중 일부 영역일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 수광 영역(900)은 기판 지지 유닛(200)의 상면의 원주 방향을 따라 복수개가 서로 이격되게 배열될 수 있다. 수광 영역(900)의 내측 끝단은 정위치 영역(201)에 위치되고, 수광 영역(900)의 외측 끝단은 외측 영역(202)에 위치된다. 이와 달리, 수광 영역의 내측 끝단은 외측 영역(202)의 내측 끝단에 위치될 수 있다. 따라서, 기판 지지 유닛(200)의 상면 및 기판(W)은 재질 및/또는 가공의 차이에 따라, 빛의 파장에 따른 반사광의 세기가 상이하므로, 기판(W) 정위치로부터 벗어난 정도에 따라, 즉, 각각의 수광 영역(900) 중 기판(W)과 중첩되는 영역의 정도에 따라 수광 영역(900)에서 반사된 빛의 파장대별 광량은 상이해진다. The light receiving region 900 may be a partial region of the edge region of the upper surface of the substrate supporting unit 200. According to one embodiment, a plurality of light receiving regions 900 may be arranged apart from each other along the circumferential direction of the upper surface of the substrate supporting unit 200. The inner end of the light receiving region 900 is located in the fixed region 201 and the outer end of the light receiving region 900 is located in the outer region 202. [ Alternatively, the inner end of the light receiving region may be located at the inner end of the outer region 202. Therefore, the upper surface of the substrate supporting unit 200 and the substrate W have different intensities of reflected light depending on the wavelength of the light depending on the material and / or the difference in the processing. Therefore, That is, depending on the degree of the area overlapping the substrate W among the light receiving regions 900, the light amount of the light reflected by the light receiving region 900 differs by wavelength.

도 5는 도 3의 커버(120a)의 저면을 바라본 모습을 보여주는 도면이다. 도 3 및 도 5를 참조하면, 일 실시 예에 따르면, 수광 부재(810)는 공정 챔버(100a)의 상벽에 설치될 수 있다. 예를 들면, 수광 부재(810)는 공정 챔버(100a)의 상벽의 가장자리 영역에 설치될 수 있다. 수광 부재(810)는 복수개가 공정 챔버(100a)의 상벽의 둘레 방향을 따라 서로 일정 간격으로 이격되게 설치될 수 있다. 수광 부재(810)는 수광 영역(900)과 동일한 수로 제공되고, 각각의 수광 부재(810)는 서로 상이한 수광 영역(900)에서 반사된 빛을 수광할 수 있다. 이와 달리, 수광 부재(810)는 수광 영역(900)으로부터 반사되는 빛을 수광할 수 있는 다양한 위치에 설치될 수 있다. FIG. 5 is a view showing a bottom view of the cover 120a of FIG. 3 and 5, according to one embodiment, the light receiving member 810 may be installed on the upper wall of the process chamber 100a. For example, the light receiving member 810 may be provided in an edge region of the upper wall of the process chamber 100a. A plurality of light receiving members 810 may be spaced apart from each other along the circumferential direction of the upper wall of the process chamber 100a. The light receiving member 810 is provided in the same number as the light receiving region 900, and each of the light receiving members 810 can receive light reflected from the light receiving region 900 that is different from each other. Alternatively, the light receiving member 810 may be installed at various positions capable of receiving light reflected from the light receiving region 900.

기판 지지 유닛(200) 상에 대해 기판(W)의 티칭을 수행하는 경우, 바디(110)의 상단에는 도 1의 지파판(600), 안테나(500), 유전판(700) 및 마이크로파 인가 유닛(400)이 설치되는 커버(120)를 대신하여, 기판(W) 티칭용 커버(120a)가 제공된다. 커버(120a)는 바디(110)의 개방된 상면을 밀폐 시킨다. 따라서, 이 경우 공정 챔버(100a)의 상벽은 티칭용 커버(120a)의 상벽이다. 커버(120a)의 상벽은 투명 재질로 제공된 투명 영역(121)을 포함할 수 있다. 작업자는 투명 영역(121)을 통해 기판(W)의 위치를 육안으로 파악하고 기판(W)을 이송하는 반송 로봇(930)을 제어하여 기판(W)의 위치를 조절할 수 있다. 1, the antenna 500, the dielectric plate 700, and the microwave applying unit 600 are mounted on the upper surface of the body 110. [ A cover 120a for teaching the substrate W is provided instead of the cover 120 on which the cover 400 is provided. The cover 120a seals the open upper surface of the body 110. [ Therefore, in this case, the upper wall of the process chamber 100a is the upper wall of the teaching cover 120a. The upper wall of the cover 120a may include a transparent region 121 provided with a transparent material. The operator can visually grasp the position of the substrate W through the transparent region 121 and control the transport robot 930 for transporting the substrate W to adjust the position of the substrate W. [

광량 측정 부재(820)는 수광 부재(810)로부터 수광된 빛의 광량을 측정한다. 일 실시 예에 따르면 광량 측정 부재(820)는 수광 부재(810)가 설치되고, 커버(120a)의 상벽의 저면에 설치된 하우징 내에 수광 부재(810)로부터 수광된 빛을 전달받을 수 있는 위치에 설치될 수 있다. 이와 달리, 광량 측정 부재(820)는 수광 부재(810)가 수광한 빛을 전달받아 광량을 측정할 수 있는 다양한 위치에 설치될 수 있다. The light amount measuring member 820 measures the light amount of the light received from the light receiving member 810. The light amount measuring member 820 is installed at a position where the light receiving member 810 is installed and light received from the light receiving member 810 can be received in a housing provided on the bottom surface of the upper wall of the cover 120a . Alternatively, the light amount measuring member 820 may be installed at various positions where light received by the light receiving member 810 is received and the amount of light can be measured.

위치 산출 부재(830)는 광량 측정 부재(820)로부터 측정된 광량으로부터 기판 지지 유닛(200)의 상면에 놓인 기판(W)의 위치를 산출한다. 즉, 위치 산출 부재(830)는 복수개의 각각의 수광 영역(900)으로부터 반사된 빛의 일정 파장에서의 광량을 기판(W)이 기판 지지 유닛(200) 상의 정위치에 놓인 경우의 일정 파장에서의 광량과 비교하여, 기판의 위치를 산출한다. 즉, 예를 들면, 상기 일정 파장이 기판 지지 유닛(200)의 상면에서 반사되는 빛 중 광량이 가장 강하게 측정되는 파장인 경우, 상기 일정 파장의 광량이 정위치에 놓인 경우의 광량보다 적게 산출될수록, 기판(W)이 해당 수광 영역(900)에서 정위치 영역(201)으로부터 외측 영역(202) 방향으로 보다 벗어나게 놓인 것으로 판단할 수 있다. 상기 일정 파장에 대한 광량과 기판(W)이 벗어난 정도의 상관 관계는 복수회의 실험을 통해 결정될 수 있다. The position calculating member 830 calculates the position of the substrate W placed on the upper surface of the substrate supporting unit 200 from the light amount measured from the light amount measuring member 820. [ That is, the position calculating member 830 calculates the amount of light at a certain wavelength of the light reflected from each of the plurality of light-receiving regions 900 at a predetermined wavelength when the substrate W is placed in the correct position on the substrate supporting unit 200 The position of the substrate is calculated. That is, for example, when the light having the predetermined wavelength is the wavelength at which the light intensity is most strongly measured from the light reflected from the upper surface of the substrate support unit 200, as the light intensity at the predetermined wavelength is calculated to be less than the light intensity at the predetermined position , It can be determined that the substrate W is placed further away from the fixed position region 201 in the light receiving region 900 in the direction of the outer region 202. [ The correlation between the amount of light for the predetermined wavelength and the degree of deviation of the substrate W can be determined through a plurality of experiments.

광 조사 부재(840)는 수광 영역(900)으로 빛을 조사한다. 일 실시 예에 따르면, 광 조사 부재(840)는 상벽의 가장자리 영역에 설치될 수 있다. 광 조사 부재(840)는 복수개가 공정 챔버(100a)의 상벽의 둘레 방향을 따라 서로 일정 간격으로 이격되게 설치될 수 있다. 광 조사 부재(840)는 수광 영역(900)과 동일한 수로 제공되고, 각각의 광 조사 부재(840)는 서로 상이한 수광 영역(900)에 빛을 조사할 수 있다. 광 조사 부재(840)가 수광 영역(900)으로 빛을 조사함으로서, 광 조사 부재(840)가 제공되지 않은 경우에 비해, 수광 영역(900)에서 반사되는 빛이 강해짐에 따라 수광 부재(810)가 빛을 수광하는 것과, 광량 측정 부재(820)가 광량을 산출하는 것이 보다 용이할 수 있다. 광 조사 부재(840)는 기판 지지 유닛(200)의 상면에서 가장 강한 세기로 반사되는 파장이 포함된 파장 범위의 빛을 수광 영역(900)에 조사할 수 있다.The light irradiation member 840 irradiates light to the light receiving region 900. According to one embodiment, the light irradiation member 840 may be installed in the edge region of the upper wall. The plurality of light irradiation members 840 may be spaced apart from each other along the circumferential direction of the upper wall of the process chamber 100a. The light irradiating member 840 is provided in the same number as the light receiving region 900 and each light irradiating member 840 can irradiate light to the light receiving region 900 which is different from each other. The light irradiating member 840 irradiates the light to the light receiving region 900 so that the light reflected by the light receiving region 900 becomes stronger than the case where the light irradiating member 840 is not provided, It is easier for the light amount measuring member 820 to calculate the amount of light. The light irradiating member 840 can irradiate the light receiving region 900 with light in a wavelength range including a wavelength reflected at the strongest intensity on the upper surface of the substrate supporting unit 200. [

도 6은 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 커버(120a)의 저면을 바라본 모습을 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 도 5의 경우와 달리, 수광 부재(810)는 수광 영역(900)으로부터 반사되는 반사광을 수광할 수 있는 다양한 위치에 제공될 수 있다. 예를 들면, 광 조사 부재(840a)는 공정 챔버(100a)의 상벽의 중앙 영역에 설치될 수 있다. 이 경우, 기판 처리 장치의 그 외의 구성 및 구조는 도 3 및 도 5의 기판 처리 장치(20)와 대체로 동일하다.6 is a view showing a bottom view of a cover 120a of a substrate processing apparatus according to another embodiment. 6, the light receiving member 810 may be provided at various positions capable of receiving reflected light reflected from the light receiving region 900. In this case, as shown in FIG. For example, the light irradiation member 840a may be installed in the central region of the upper wall of the process chamber 100a. In this case, the other structures and structures of the substrate processing apparatus are substantially the same as those of the substrate processing apparatus 20 of Figs. 3 and 5.

이와 달리, 광 조사 부재(840a)는 제공되지 않을 수 있다. 이 경우, 수광 부재(810)는 일반적으로 공정 챔버(100a)의 외부 또는 내부에 제공된 광원에 의해 기판 지지 유닛(200)의 상면에서 반사되는 빛을 수광할 수 있다.Alternatively, the light emitting member 840a may not be provided. In this case, the light receiving member 810 can generally receive light reflected from the upper surface of the substrate supporting unit 200 by a light source provided outside or inside the process chamber 100a.

도 7은 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 커버(120a)의 저면을 바라본 모습을 보여주는 도면이다. 도 8은 기판 지지 유닛(200)의 상면의 도 7의 가이드 광 조사 부재(850)가 빛을 조사한 영역(900a)을 보여주는 도면이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 위치 측정 유닛(800)은 가이드 광 조사 부재(850)를 더 포함한다. 일 실시 예에 따르면, 가이드 광 조사 부재(850)는 기판 지지 유닛(200)의 상면의 가장자리 영역에 색상이 서로 상이한 빛을 서로 접하도록 조사한다. 예를 들면, 가이드 광 조사 부재(840a)는 수광 영역(900)과 인접 또는 중첩되는 영역(900a)에 빛을 조사할 수 있다. 상기 색상은 정위치 영역(201) 및 외측 영역(202)의 경계로부터의 거리에 따라 달라진다. 따라서, 작업자가 상기 경계로부터 가장 인접한 색상의 영역으로 기판을 위치시킬 수 있음으로써, 육안으로 보다 용이하게 기판의 위치를 판단할 수 있다. 7 is a view showing a bottom view of the cover 120a of the substrate processing apparatus according to another embodiment. 8 is a view showing a region 900a where the guide light irradiating member 850 of FIG. 7 on the upper surface of the substrate supporting unit 200 irradiates light. Referring to Figs. 7 and 8, the position measuring unit 800 further includes a guide light irradiation member 850. Fig. According to one embodiment, the guide light irradiation member 850 irradiates the edge regions of the upper surface of the substrate support unit 200 so that light having mutually different colors comes into contact with each other. For example, the guide light irradiation member 840a can irradiate light to a region 900a adjacent to or overlapping with the light receiving region 900. [ The hue varies depending on the distance from the boundaries of the fixed area 201 and the outer area 202. Therefore, by allowing the operator to position the substrate from the boundary to the region of the hue nearest to the boundary, the position of the substrate can be more easily determined visually.

이와 달리, 가이드 광 조사 부재(850)는 작업자가 육안으로 용이하게 정위치 영역 및 외측 영역의 경계로부터 인접한 영역을 관측할 수 있는 다양한 방식의 빛을 조사할 수 있다. 예를 들면, 가이드 광 조사 부재(850)는 단일색의 빛을 정위치 영역(201) 및 외측 영역(202)의 경계로부터 내측 방향으로 이격된 일정 위치로부터 외측으로 이격된 일정 위치까지의 범위로 조사할 수 있다.Alternatively, the guide light irradiating member 850 can irradiate light in various manners in which an operator can easily observe an adjacent region from the boundary of the positive and negative regions with the naked eye. For example, the guide light irradiation member 850 irradiates light of a single color in a range from a predetermined position spaced apart from the boundary between the fixed region 201 and the outer region 202 to a predetermined position spaced outwardly from the boundaries of the fixed region 201 and the outer region 202 can do.

다시 도 3을 참조하면, 위치 측정 유닛(800)은 표시 부재(910)를 더 포함할 수 있다. 표시 부재(910)는 위치 산출 부재(830)에 의해 측정된 기판(W)의 위치를 실시간으로 표시한다. 따라서, 작업자는 보다 용이하게 기판(W)의 위치를 판단하여 반송 로봇(930)을 제어하여 기판 지지 유닛(200) 상에서 기판(W)의 위치를 조절할 수 있다.Referring again to FIG. 3, the position measurement unit 800 may further include a display member 910. The display member 910 displays the position of the substrate W measured by the position calculating member 830 in real time. Therefore, the operator can more easily determine the position of the substrate W and control the transport robot 930 to adjust the position of the substrate W on the substrate supporting unit 200.

기판 처리 장치(20)는 제어기(920)를 더 포함할 수 있다. 제어기(920)는 위치 산출 부재(830)에 의해 측정된 기판(W)의 위치에 따라 기판(W)의 기판 지지 유닛(200)의 상면에서의 위치를 조절하도록 반송 로봇(930)을 제어한다. 이 경우, 작업자가 직접 반송 로봇(930)을 제어하는 경우에 비해, 보다 빠르고 정밀하게 기판(W)의 티칭을 수행할 수 있다. 또한, 작업자의 직접적인 기판에 대한 위치 제어가 요구되지 않을 수 있으므로, 표시 부재(910)가 제공되지 않을 수 있고, 커버(120a)의 상벽은 투명 재질로 제공된 영역(121)을 포함하지 않을 수 있다. The substrate processing apparatus 20 may further include a controller 920. The controller 920 controls the conveying robot 930 to adjust the position of the substrate W on the upper surface of the substrate supporting unit 200 according to the position of the substrate W measured by the position calculating member 830 . In this case, it is possible to perform the teaching of the substrate W more quickly and accurately than in the case where the operator directly controls the transport robot 930. Further, since the positional control with respect to the operator's direct substrate may not be required, the display member 910 may not be provided, and the upper wall of the cover 120a may not include the region 121 provided with a transparent material .

또한, 본 발명은 기판을 기판 지지 유닛(200)의 상면에 정위치 시키는 티칭 방법을 제공한다. 이하, 설명의 편의를 위해 도 3의 기판 처리 장치(20)를 이용하여 본 발명의 실시 예에 따른 티칭 발명을 설명한다.In addition, the present invention provides a teaching method for positively positioning a substrate on an upper surface of a substrate supporting unit 200. Hereinafter, the teaching apparatus according to the embodiment of the present invention will be described using the substrate processing apparatus 20 of Fig. 3 for convenience of explanation.

도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 티칭 방법을 보여주는 순서도이다. 도 3 및 도 9를 참조하면, 일 실시 예에 따른 티칭 방법은 기판 이동 단계(S10), 위치 측정 단계(S20) 및 위치 조정 단계(S30)를 포함한다. 기판 이동 단계(S10), 위치 측정 단계(S20) 및 위치 조정 단계(S30)는 서로 순차적으로 수행이 시작될 수 있다.9 is a flowchart showing a teaching method according to an embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 3 and 9, a teaching method according to an embodiment includes a substrate moving step S10, a position measuring step S20, and a position adjusting step S30. The substrate moving step S10, the position measuring step S20, and the position adjusting step S30 may be sequentially started to be performed with respect to each other.

기판 이동 단계(S10)는 위치 측정 단계(S20) 이전에 기판 지지 유닛(200)의 상부의 기판 지지 유닛(200)의 상면에 대향되는 위치로 기판을 이동시킨다. 일 실시 예에 따르면, 기판 이동 단계(S10)에서는 가이드 광 조사 부재(840)는 기판 지지 유닛(200)의 상면의 가장자리 영역에 색상이 서로 상이한 빛을 조사한다. 작업자는 육안으로 기판(W)의 위치를 판단하여, 기판(W)의 원주가 정위치 영역(201) 및 외측 영역(202)의 경계로부터 가장 인접한 색상의 빛이 조사되는 영역 내에 위치되도록 반송 로봇(930)을 제어한다. 따라서, 작업자는 위치 측정 단계 이전에, 기판(W)을 용이하게 상기 경계에 인접한 위치에 위치시킬 수 있다. 기판 이동 단계(S10)는 선택적으로 수행되지 않을 수 있다. The substrate moving step S10 moves the substrate to a position opposed to the upper surface of the substrate supporting unit 200 in the upper portion of the substrate supporting unit 200 before the position measuring step S20. According to one embodiment, in the substrate moving step S10, the guide light irradiation member 840 irradiates light having different colors to the edge regions of the upper surface of the substrate supporting unit 200. [ The operator determines the position of the substrate W by the naked eye and determines the position of the substrate W so that the circumference of the substrate W is positioned within a region irradiated with light of the closest color from the boundary between the fixed region 201 and the outer region 202 (930). Therefore, the operator can easily position the substrate W at a position adjacent to the boundary before the position measuring step. The substrate moving step S10 may not be performed selectively.

위치 측정 단계(S20)에서는 기판 지지 유닛(200)의 상면에 놓인 기판(W)의 위치를 측정한다. 상기 기판(W)은 기판 이동 단계(S10)에 의해 기판 지지 유닛(200)에 놓인 기판(W)일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 위치 측정 단계(S20)는 위치 측정 유닛(800)에 의해 수행된다. 위치 측정 단계(S20)는 광 조사 단계(S21), 수광 단계(S22), 광량 측정 단계(S23) 및 위치 산출 단계(S24)를 포함한다.In the position measurement step S20, the position of the substrate W placed on the upper surface of the substrate supporting unit 200 is measured. The substrate W may be a substrate W placed on the substrate supporting unit 200 by a substrate moving step S10. According to one embodiment, the position measurement step S20 is performed by the position measurement unit 800. [ The position measuring step S20 includes a light irradiation step S21, a light receiving step S22, a light amount measuring step S23 and a position calculating step S24.

광 조사 단계(S21)에서는 광 조사 부재(840)가 수광 영역(900)으로 빛을 조사한다. 선택적으로 광 조사 단계(S21)는 수행되지 않을 수 있다.In the light irradiation step S21, the light irradiation member 840 irradiates the light to the light receiving region 900. Alternatively, the light irradiation step S21 may not be performed.

수광 단계(S22)에서는 수광 부재(810)가 기판이 놓인 기판 지지 유닛(200)의 수광 영역(900)으로부터 반사되는 빛을 수광한다. 수광 단계(S22)에서 수광되는 빛은 광 조사 단계(S21)에서 광 조사 부재(840)가 조사하고 있는 빛이 반사된 것일 수 있다. 이와 달리, 수광 단계(S22)에서 수광되는 빛은 광 조사 부재(840) 외의 일반적으로 제공되는 조명에 의한 빛이 수광 영역(900)에서 반사된 것일 수 있다. In the light receiving step S22, the light receiving member 810 receives light reflected from the light receiving region 900 of the substrate supporting unit 200 on which the substrate is placed. The light received in the light receiving step S22 may be the light irradiated by the light irradiation member 840 reflected in the light irradiation step S21. Alternatively, the light received in the light receiving step S22 may be light reflected from the light receiving region 900 by light provided by the generally provided light source other than the light emitting member 840.

광량 측정 단계(S23)에서는 광량 측정 부재(820)가 수광 단계(S22)에서 수광된 빛의 광량을 측정한다. In the light amount measurement step S23, the light amount measuring member 820 measures the light amount of the light received in the light receiving step S22.

위치 산출 단계(S24)에서는 위치 산출 부재(830)가 광량 측정 단계(S23)에서 측정된 광량으로부터 기판 지지 유닛(200)의 상면에 놓인 기판(W)의 위치를 산출한다.In the position calculating step S24, the position calculating member 830 calculates the position of the substrate W placed on the upper surface of the substrate supporting unit 200 from the light amount measured in the light amount measuring step S23.

위치 조정 단계(S30)에서는 위치 측정 단계(S20)에서 측정된 기판(W)의 위치에 따라 기판(W)의 위치를 정위치로 조정한다. 일 실시 예에 따르면, 작업자는 표시 부재(910)에 표시된 기판(W)의 위치 값에 따라 기판(W)이 정위치가 되도록 반송 로봇(930)을 제어한다. 이와 달리, 위치 측정 단계(S20)에서는 제어기(920)가 위치 측정 단계(S20)에서 측정된 기판(W)의 위치에 따라 기판(W)의 위치를 정위치로 조정하도록 반송 로봇(930)을 제어할 수 있다. In the position adjusting step S30, the position of the substrate W is adjusted to the predetermined position according to the position of the substrate W measured in the position measuring step S20. According to one embodiment, the operator controls the transport robot 930 so that the substrate W is in the correct position according to the position value of the substrate W displayed on the display member 910. [ Alternatively, in the position measuring step S20, the controller 920 may control the transport robot 930 to adjust the position of the substrate W to the correct position according to the position of the substrate W measured in the position measuring step S20 Can be controlled.

상술한 바와 같이, 본 발명의 장치 및 방법은 수광 영역으로부터 반사되는 빛의 파장별 광량을 측정하여 기판 지지 유닛 상에서의 기판의 위치를 측정함으로써, 작업자의 육안에 의해 기판의 위치를 판단하는 경우에 비해, 보다 정확하고 신속하게 기판의 티칭을 수행할 수 있다. As described above, in the apparatus and method of the present invention, the position of the substrate on the substrate supporting unit is measured by measuring the amount of light of each wavelength of the light reflected from the light receiving area, It is possible to perform the teaching of the substrate more accurately and quickly.

본 발명의 장치 및 방법은 기판 지지 유닛 상에서 기판의 티칭이 요구되는 모든 종류의 장치에 적용될 수 있다. The apparatus and method of the present invention can be applied to all kinds of apparatuses requiring teaching of a substrate on a substrate supporting unit.

W: 기판 10; 기판 처리 장치
100: 공정 챔버 200: 기판 지지 유닛
300: 가스 공급 유닛 400: 마이크로파 인가 유닛
500: 안테나 600: 지파판
700: 유전판 800: 위치 측정 유닛
810: 수광 부재 820: 광량 측정 부재
830: 위치 산출 부재 840: 광 조사 부재
850: 가이드 광 조사 부재 S10: 기판 이동 단계
S21: 광 조사 단계 S22: 수광 단계
S23: 광량 측정 단계 S24: 위치 산출 단계
S20: 위치 측정 단계 S30: 위치 조정 단계W: substrate 10; Substrate processing apparatus
100: process chamber 200: substrate support unit
300: gas supply unit 400: microwave application unit
500: Antenna 600:
700: dielectric plate 800: position measuring unit
810: Light receiving member 820: Light measuring member
830: position calculating member 840: light irradiation member
850: guide light irradiation member S10: substrate moving step
S21: light irradiation step S22: light receiving step
S23: Light amount measuring step S24: Position calculating step
S20: Position measurement step S30: Position adjustment step

Claims (15)

기판을 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 가지는 공정 챔버와;
상기 처리 공간 내에서 상면에 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛 상에 놓인 기판의 위치를 측정하는 위치 측정 유닛을 포함하되,
상기 상면의 직경은 기판의 직경보다 크게 제공되고,
상기 위치 측정 유닛은,
기판이 놓인 상기 상면의 수광 영역으로부터 반사되는 빛을 수광하는 수광 부재와;
상기 수광 부재로부터 수광된 빛의 광량을 측정하는 광량 측정 부재와;
상기 광량 측정 부재로부터 측정된 광량으로부터 상기 상면에 놓인 기판의 위치를 산출하는 위치 산출 부재;를 포함하고,
상기 수광 영역은 상기 상면의 가장자리 영역 중 일부 영역인 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for processing a substrate,
A processing chamber having a processing space in which a substrate is processed;
A substrate supporting unit for supporting a substrate on an upper surface in the processing space;
And a position measuring unit for measuring a position of the substrate placed on the substrate supporting unit,
The diameter of the upper surface being provided larger than the diameter of the substrate,
Wherein the position measuring unit comprises:
A light receiving member for receiving light reflected from the light receiving region of the upper surface on which the substrate is placed;
A light amount measuring member for measuring a light amount of light received from the light receiving member;
And a position calculating member for calculating a position of the substrate placed on the upper surface from the light amount measured from the light amount measuring member,
Wherein the light receiving region is a partial region of the edge region of the upper surface. 제 1 항에 있어서,
상기 위치 측정 유닛은,
상기 수광 영역으로 빛을 조사하는 광 조사 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the position measuring unit comprises:
And a light irradiating member for irradiating light to the light receiving region. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 수광 부재는 상기 상벽의 가장자리 영역에 설치되는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
And said light receiving member is provided in an edge region of said upper wall. 제 2 항에 있어서,
상기 광 조사 부재는 상기 상벽의 가장자리 영역에 설치되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the light irradiation member is provided in an edge region of the upper wall. 제 2 항에 있어서,
상기 광 조사 부재는 상기 상벽의 중앙 영역에 설치되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the light irradiation member is installed in a central region of the upper wall. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 수광 영역은 상기 상면의 원주 방향을 따라 복수개가 서로 이격되게 배열되는 기판 처리 장치. 3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the light receiving regions are arranged so that a plurality of the light receiving regions are spaced from each other along the circumferential direction of the upper surface. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 상면은,
기판이 정위치에 놓인 경우 상기 기판에 대향되는 영역인 정위치 영역과;
상기 정위치 영역을 둘러싼 외측 영역을 포함하되,
상기 수광 영역의 내측 끝단은 상기 정위치 영역에 위치되고,
상기 수광 영역의 외측 끝단은 상기 외측 영역에 위치되는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The upper surface,
A stationary area that is an area opposite to the substrate when the substrate is in the correct position;
And an outer region surrounding the fixed region,
The inner end of the light receiving area is located in the fixed position area,
And an outer end of the light receiving region is located in the outer region. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 공정 챔버는,
상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된 바디와;
상기 바디의 상단에 놓이며, 상기 바디의 개방된 상면을 밀폐시키는 커버를 포함하되,
상기 커버의 상벽은 투명 재질로 제공된 영역을 포함하고,
상기 위치 측정 유닛은 상기 위치 산출 부재에 의해 측정된 기판의 위치를 표시하는 표시 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The process chamber includes:
A body having an upper surface opened and a space formed therein;
A cover disposed on the top of the body and sealing the open top surface of the body,
The top wall of the cover includes a region provided with a transparent material,
Wherein the position measuring unit further comprises a display member for indicating the position of the substrate measured by the position calculating member. 제 8 항에 있어서,
상기 상면은,
기판이 정위치에 놓인 경우 상기 기판에 대향되는 영역인 정위치 영역과;
상기 정위치 영역을 둘러싼 외측 영역을 포함하되,
상기 위치 측정 유닛은,
상기 상면의 가장자리 영역에 색상이 서로 상이한 빛을 서로 접하도록 조사하는 가이드 광 조사 부재를 더 포함하고,
상기 색상은 상기 정위치 영역 및 상기 외측 영역의 경계로부터의 거리에 따라 달라지는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The upper surface,
A stationary area that is an area opposite to the substrate when the substrate is in the correct position;
And an outer region surrounding the fixed region,
Wherein the position measuring unit comprises:
Further comprising a guide light irradiating member for irradiating an edge region of the upper surface so that light of mutually different colors is in contact with each other,
Wherein the hue varies depending on the distance from the boundary of the positive area and the outside area. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는,
상기 위치 산출 부재에 의해 측정된 기판의 위치에 따라 상기 기판의 상기 상면에서의 위치를 조절하는 제어기를 더 포함하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus includes:
And a controller for adjusting the position of the substrate on the upper surface in accordance with the position of the substrate measured by the position calculating member. 기판을 기판 지지 유닛의 상면에 정위치시키는 티칭(Teaching) 방법에 있어서,
상기 상면에 놓인 기판의 위치를 측정하는 위치 측정 단계와;
상기 위치 측정 단계에서 측정된 상기 기판의 위치에 따라 상기 기판의 위치를 정위치로 조정하는 위치 조정 단계를 포함하되,
상기 위치 측정 단계는,
기판이 놓인 상기 상면의 수광 영역으로부터 반사되는 빛을 수광하는 수광 단계와;
상기 수광 단계에서 수광된 빛의 광량을 측정하는 광량 측정 단계와;
상기 광량 측정 단계에서 측정된 광량으로부터 상기 상면에 놓인 기판의 위치를 산출하는 위치 산출 단계를 포함하고,
상기 수광 영역은 상기 상면의 가장자리 영역 중 일부 영역인 티칭 방법.A method for teaching a substrate to be positively positioned on an upper surface of a substrate supporting unit,
A position measuring step of measuring a position of the substrate placed on the upper surface;
And a position adjusting step of adjusting the position of the substrate to a predetermined position according to the position of the substrate measured in the position measuring step,
Wherein the position measuring step comprises:
A light receiving step of receiving light reflected from a light receiving area of the upper surface on which the substrate is placed;
A light amount measuring step of measuring a light amount of the light received in the light receiving step;
And a position calculating step of calculating a position of the substrate placed on the upper surface from the light amount measured in the light amount measuring step,
And the light receiving region is a partial region of the edge region of the upper surface. 제 11 항에 있어서,
상기 위치 측정 단계는,
상기 수광 영역으로 빛을 조사하는 광 조사 단계를 더 포함하는 티칭 방법.12. The method of claim 11,
Wherein the position measuring step comprises:
And a light irradiation step of irradiating light to the light receiving area. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
상기 수광 영역은 상기 상면의 원주 방향을 따라 복수개가 서로 이격되게 배열되는 티칭 방법.13. The method according to claim 11 or 12,
Wherein a plurality of light receiving regions are arranged apart from each other along a circumferential direction of the upper surface. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
상기 상면은,
기판이 정위치에 놓인 경우 상기 기판에 대향되는 영역인 정위치 영역과;
상기 정위치 영역을 둘러싼 외측 영역을 포함하되,
상기 수광 영역의 내측 끝단은 상기 정위치 영역에 위치되고,
상기 수광 영역의 외측 끝단은 상기 외측 영역에 위치되는 기판 처리 방법.13. The method according to claim 11 or 12,
The upper surface,
A stationary area that is an area opposite to the substrate when the substrate is in the correct position;
And an outer region surrounding the fixed region,
The inner end of the light receiving area is located in the fixed position area,
And an outer end of the light receiving region is located in the outer region. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
상기 위치 측정 단계 이전에, 상기 기판 지지 유닛의 상부의 상기 상면에 대향되는 위치로 기판을 이동시키는 기판 이동 단계를 더 포함하되,
상기 기판 이동 단계에서는,
상기 상면의 가장자리 영역에 색상이 서로 상이한 빛을 서로 접하도록 조사하되,
상기 색상은 상기 정위치 영역 및 상기 외측 영역의 경계로부터의 거리에 따라 달라지고,
작업자의 제어에 의해, 상기 기판의 원주가 상기 경계로부터 가장 인접한 색상의 빛이 조사되는 영역 내에 위치되도록 상기 기판의 위치가 조정되는 티칭 방법.
13. The method according to claim 11 or 12,
Further comprising a substrate moving step of moving the substrate to a position opposed to the upper surface of the upper portion of the substrate supporting unit before the positioning step,
In the substrate moving step,
Irradiating light having different colors to the edge region of the upper surface so as to be in contact with each other,
The hue varies depending on the distance from the boundary of the positive area and the outer area,
Wherein the position of the substrate is adjusted so that the circumference of the substrate is located within a region irradiated with light of the hue which is closest to the boundary by the control of the operator.
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