KR20110095633A - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents
Apparatus and method for treating substrate Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110095633A KR20110095633A KR1020100015207A KR20100015207A KR20110095633A KR 20110095633 A KR20110095633 A KR 20110095633A KR 1020100015207 A KR1020100015207 A KR 1020100015207A KR 20100015207 A KR20100015207 A KR 20100015207A KR 20110095633 A KR20110095633 A KR 20110095633A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- temperature
- temperature measuring
- processing apparatus
- points
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Abstract
Description
본 발명은 기판안치수단의 온도분포를 자동적으로 제어할 수 있는 기판처리장치 및 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a substrate processing apparatus and method capable of automatically controlling the temperature distribution of the substrate setter.
일반적으로, 반도체 소자, 표시장치 및 박막 태양전지를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각공정 등을 거치게 된다. 이들 공정 중 박막증착공정 및 식각공정 등은 진공상태로 최적화된 기판처리장치에서 진행한다.
In general, in order to manufacture a semiconductor device, a display device, and a thin film solar cell, a thin film deposition process of depositing a thin film of a specific material on a substrate, a photo process of exposing or hiding selected areas of the thin films using a photosensitive material, The thin film is removed and patterned through an etching process. Among these processes, a thin film deposition process and an etching process are performed in a substrate processing apparatus optimized in a vacuum state.
진공상태로 최적화된 기판처리장치에서, 기판이 기판안치수단에 안치되고, 기판안치수단은 가열수단에 의해 가열된다. 그리고, 공정챔버의 반응공간에 공정가스를 공급하여 박막증착공정 또는 식각공정을 진행한다. 기판처리공정에 있어서, 기판의 가열온도가 제품의 품질에 영향을 주기 때문에, 기판이 안치되는 기판안치수단의 온도를 정확하게 측정하여 제어하여야 한다.
In the substrate processing apparatus optimized in the vacuum state, the substrate is placed in the substrate placing means, and the substrate placing means is heated by the heating means. Then, a process gas is supplied to the reaction space of the process chamber to perform a thin film deposition process or an etching process. In the substrate treating process, since the heating temperature of the substrate affects the quality of the product, it is necessary to accurately measure and control the temperature of the substrate placing means on which the substrate is placed.
일반적으로, 기판안치수단의 가열수단으로 코일형태의 히터를 사용한다. 기판안치수단의 온도는 열전대(thermocouple) 또는 광온도계(optical pyrometer) 등을 사용하여 측정할 수 있다. 기판안치수단의 온도를 측정한 결과, 기판안치수단이 균일한 온도분포를 갖지 않는 경우가 발생할 수 있다. 이러한 경우, 기판안치수단이 균일한 온도분포를 갖기 위해 공정챔버를 분해하여, 국부적으로 기판안치수단과 코일사이의 간격을 조절하고, 다시 공정챔버를 조립하여야 하는 매우 번거로운 작업이 수반된다.
In general, a heater in the form of a coil is used as the heating means of the substrate mounting means. The temperature of the substrate mounting means can be measured using a thermocouple or an optical pyrometer. As a result of measuring the temperature of the substrate placing means, there may occur a case where the substrate placing means does not have a uniform temperature distribution. In this case, a very cumbersome task is involved in disassembling the process chamber to have a uniform temperature distribution, adjusting the spacing between the substrate placing means and the coil locally, and assembling the process chamber again.
공정챔버의 분해 및 조립은 기판처리장치의 가동시간을 감소시킴은 물론 공정챔버의 수명을 단축시킬 수 있다. 또한, 공정챔버의 내부에 이물질이 유입될 가능성을 높혀, 기판처리공정에 악영향을 미칠 수 있다.
Disassembling and assembling the process chamber may reduce the operating time of the substrate processing apparatus and shorten the life of the process chamber. In addition, the foreign matter may be introduced into the process chamber, thereby adversely affecting the substrate processing process.
상기와 같은 종래기술의 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 기판안치수단의 다수 지점에서 온도를 측정하고, 다수 지점에서 측정된 온도에 따라 공정챔버을 분해하지 않고 국부적으로 기판안치수단과 코일 사이의 간격을 조절하여 기판안치수단의 온도 균일도를 확보할 수 있는 기판처리장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems of the prior art, the present invention measures the temperature at a plurality of points of the substrate mounting means, the distance between the substrate set means and the coil locally without disassembling the process chamber according to the temperature measured at the multiple points It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and method capable of controlling the temperature uniformity of the substrate setter by adjusting the temperature.
본 발명은 기판을 처리하지 않는 대기상태 물론 기판을 처리하는 공정상태에서, 기판안치수단의 다수 지점에서 온도를 측정하고 다수 지점에서 측정된 온도에 따라 자동적으로 기판안치수단과 코일 사이의 간격을 제어하여 기판안치수단의 온도균일성을 확보할 수 있는 기판처리장치 및 방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
The present invention measures the temperature at a plurality of points of the substrate mounting means in the standby state not processing the substrate, as well as the process state of processing the substrate, and automatically controls the distance between the substrate holding means and the coil according to the temperature measured at the multiple points. It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and method capable of securing the temperature uniformity of the substrate mounting means.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 반응공간을 제공하는 공정챔버; 상기 공정챔버의 내부에 위치하고, 기판이 안치되는 기판안치수단; 상기 기판안치수단의 하부에 위치한 가열수단; 상기 기판안치수단의 온도를 측정하는 온도측정수단; 상기 온도측정수단에 의해 측정된 상기 기판안치수단의 측정온도가 인가되는 제어부; 및 상기 제어부의 제어신호에 따라, 상기 기판안치수단과 상기 가열수단의 간격을 자동적으로 조절하는 다수의 간격조절수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus according to the present invention, the process chamber for providing a reaction space; Substrate holding means located in the process chamber and having a substrate placed thereon; Heating means located below the substrate mounting means; Temperature measuring means for measuring a temperature of the substrate setter; A control unit to which a measurement temperature of the substrate setter measured by the temperature measuring means is applied; And a plurality of gap adjusting means for automatically adjusting a gap between the substrate settling means and the heating means in accordance with a control signal of the controller.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 온도측정수단은, 상기 기판을 처리하지 않은 대기상태에서 상기 기판안치수단의 다수 지점에서 온도를 측정하는 다수의 제 1 온도측정수단; 및 상기 기판을 처리하는 공정상태에서 일방향으로 이동하면서 상기 기판안치수단의 다수 지점에서 온도를 측정하는 제 2 온도측정수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, the temperature measuring means includes: a plurality of first temperature measuring means for measuring a temperature at a plurality of points of the substrate placing means in the standby state without processing the substrate; And second temperature measuring means for measuring a temperature at a plurality of points of the substrate mounting means while moving in one direction in the process state of processing the substrate.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 가열수단은, 상기 기판안치수단의 중심부에 인접한 시점(始點)에서 상기 기판안치수단의 종점(終點) 사이에서 다수의 다수의 턴(turn)을 가지는 코일; 및 상기 코일에 교류전류를 인가하는 교류전원;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, the heating means is a coil having a plurality of turns between the end points of the substrate placing means at a time point adjacent to the center of the substrate placing means. ; And an AC power supply for applying an AC current to the coil.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 간격조절수단은, 상기 기판안치수단의 중심을 통과하는 수직선 또는 수평선과 만나는 상기 코일이 만나는 다수의 포인트에 연결되고, 상기 기판안치수단의 다수 지점에서 상기 온도측정수단에 의해서 측정된 측정온도가 인가된 상기 제어부의 제어신호에 따라 상기 기판안치수단과 상기 코일 사이의 간격을 서로 다르게 조절하는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, the plurality of gap adjusting means are connected to a plurality of points where the coil meets a vertical line or a horizontal line passing through the center of the substrate placing means, and at a plurality of points of the substrate placing means. The distance between the substrate setter and the coil is adjusted differently according to the control signal of the controller to which the measured temperature measured by the temperature measuring means is applied.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 간격조절수단 각각은 상기 제어부의 상기 제어신호에 따라 상기 기판안치수단과 상기 코일 사이의 간격이 독립적으로 조절되는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, each of the plurality of gap adjusting means is characterized in that the distance between the substrate set means and the coil is independently adjusted according to the control signal of the control unit.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 온도측정수단에 의해 상기 기판안치수단의 다수 지점 중 하나에서 측정된 측정온도가 상기 기판안치수단의 설정온도보다 낮은 경우, 상기 제어부의 상기 제어신호에 따라 상기 다수 지점 중 하나와 대응되는 상기 다수의 간격조절수단 중 하나가 상기 기판안치수단과 상기 코일 사이의 간격이 감소되도록 조절되고, 상기 온도측정수단에 의해 상기 기판안치수단의 다수 지점 중 다른 하나에서 측정된 측정온도가 상기 기판안치수단의 설정온도보다 높은 경우, 상기 다수 지점 중 다른 하나와 대응되는 상기 다수의 간격조절수단 중 다른 하나가 상기 기판안치수단과 상기 코일 사이의 간격이 증가되도록 조절되는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, when the measurement temperature measured at one of the plurality of points of the substrate setter by the temperature measuring means is lower than a set temperature of the substrate setter, the control signal of the controller is used. One of the plurality of gap adjusting means corresponding to one of the plurality of points is adjusted to reduce the gap between the substrate set means and the coil, and is measured at the other one of the plurality of points of the substrate set means by the temperature measuring means. If the measured measurement temperature is higher than the set temperature of the substrate setter, the other one of the plurality of gap adjusting means corresponding to the other one of the plurality of points is adjusted to increase the gap between the substrate setter and the coil. It features.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 기판안치수단과 대향하고 상기 반응공간에 공정가스를 공급하는 가스분사수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
The substrate processing apparatus as described above, further comprising a gas injection means facing the substrate set-up means and supplying a process gas to the reaction space.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 제 1 온도측정수단 각각은, 상기 기판안치수단과 근접하여 온도를 측정하는 선단부와 상기 제어부와 연결되는 종단부를 포함하는 온도측정부; 상기 온도측정부를 수직으로 구동시키는 구동수단;을 포함하고, 상기 챔버리드에는 다수의 상기 온도 측정부가 통과하는 다수의 관통홀이 형성되고, 상기 가스분사수단에는 다수의 상기 온도 측정부가 통과하는 그루브가 형성되는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, each of the plurality of first temperature measuring means, the temperature measuring unit including a front end portion for measuring the temperature in close proximity to the substrate settlement means and a terminal connected to the control unit; And a driving means for vertically driving the temperature measuring part, wherein the chamber lead is provided with a plurality of through holes through which the plurality of temperature measuring parts pass, and the gas injection means has grooves through which the plurality of temperature measuring parts pass. It is characterized by being formed.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 온도측정부는, 서로 다른 두 개의 금속으로 이루어진 열전대 소선; 상기 열전대 소선을 피복하는 시스; 및 상기 열전대 소선과 상기 시스 사이에 충진된 절연재;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the temperature measuring unit, the thermocouple element wire made of two different metals; A sheath covering the thermocouple element; And an insulating material filled between the thermocouple element and the sheath.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 제 1 온도측정수단 각각은, 상기 온도 측정부의 수직 구동시에 수직방향으로 수축 및 팽창하면서 상기 반응공간을 밀폐상태로 유지시키는 벨로우즈를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, each of the plurality of first temperature measuring means further includes a bellows that keeps the reaction space in a closed state while shrinking and expanding in the vertical direction when the temperature measuring part is vertically driven. It is done.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 구동수단은, 동력을 발생시키는 구동모터; 및 상기 구동모터의 동력을 전달받아 상기 온도 측정부를 수직으로 구동시키는 구동판;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the drive means, a drive motor for generating power; And a driving plate receiving the power of the driving motor to vertically drive the temperature measuring unit.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 제 1 온도측정수단 각각은, 상기 온도 측정부의 상기 선단부와 상기 기판안치수단의 간격을 제어하기 위해, 센서부 및 상기 센서부의 신호가 인가되어 상기 선단부의 위치를 조절하는 위치 제어부를 포함한 제어수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, each of the plurality of first temperature measuring means is provided with a signal of a sensor part and the sensor part so as to control a distance between the tip part of the temperature measuring part and the substrate setter. Characterized in that it further comprises a control means including a position control unit for adjusting the position of the.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 챔버리드의 상기 다수의 관통홀 각각에 퍼지가스를 공급하는 다수의 퍼지가스 공급수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, it characterized in that it further comprises a plurality of purge gas supply means for supplying a purge gas to each of the plurality of through holes of the chamber lead.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 퍼지가스 공급수단 각각은, 상기 다수의 관통구 각각에 상기 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스 공급관; 상기 퍼스가스를 공급하기 위한 퍼지가스 공급원; 및 상기 열전대 소선의 수직구동과 함께 연동가능하도록 상기 퍼지가스 공급관과 상기 퍼지가스 공급원을 연결시키는 유동관;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, each of the plurality of purge gas supply means, a purge gas supply pipe for supplying the purge gas to each of the plurality of through holes; A purge gas supply source for supplying the Perth gas; And a flow pipe connecting the purge gas supply pipe and the purge gas supply source to be interlocked with the vertical drive of the thermocouple element wire.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 챔버리드와 상기 가스분사수단 각각에는 측정포트와 그루브가 형성되고, 상기 제 2 온도측정수단은, 상기 기판안치수단의 온도를 측정하고 상기 제어부와 연결되는 광온도계; 상기 측정포트의 종축을 따라 따라 상기 광온도계를 이동시키는 이동수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, a measurement port and a groove are formed in each of the chamber lead and the gas injection means, and the second temperature measuring means measures the temperature of the substrate setter and is connected to the controller. thermometer; And moving means for moving the photometer along the longitudinal axis of the measuring port.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 이동수단은, 상기 측정포트와 근접한 상기 챔버리드 상에 설치되는 안내수단; 상기 안내수단을 따라 이동하고 상기 광온도계가 실장된 이동판; 상기 이동판을 구동시키는 구동수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, the moving means, the guide means is provided on the chamber lead in close proximity to the measuring port; A moving plate moving along the guide means and mounted with the optical thermometer; And driving means for driving the moving plate.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 측정포트는 투명재질의 석영판으로 밀봉되는 것을 특징으로 한다.In the substrate treating apparatus as described above, the measuring port is sealed with a quartz plate of transparent material.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 제 2 온도측정수단은 상기 측정포트 내부에 퍼지가스를 분사하기 위한 퍼지가스 분사수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, the second temperature measuring means further comprises purge gas injection means for injecting purge gas into the measurement port.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 광온도계는 상기 기판안치수단의 다수 지점에서 온도를 측정하기 위하여 상기 안내수단을 따라 일정간격으로 이동하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the optical thermometer is characterized by moving at regular intervals along the guide means to measure the temperature at a plurality of points of the substrate settlement means.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 가스분사수단은, 상기 챔버리드를 관통하여 공정가스가 공급되는 다수의 가스 공급관; 상기 다수의 가스 공급관과 각각 연결되고, 반응공간에 상기 공정가스를 분사하는 다수의 피스; 상기 다수의 피스를 결합시키는 다수의 연결수단;을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, the gas injection means, a plurality of gas supply pipe through which the process gas is supplied through the chamber lead; A plurality of pieces each connected to the plurality of gas supply pipes and inject the process gas into a reaction space; It further comprises a; a plurality of connecting means for coupling the plurality of pieces.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 피스 각각은, 상기 다수의 가스 공급관 각각과 연결되고 후방 벽으로 기능하는 상기 챔버리드; 상기 챔버리드와 대향하고 다수의 분사홀이 형성된 가스 분배판; 및 상기 가스 분배판의 주연부를 따라 형성되고 상기 챔버리드와 상기 가스 분배판을 연결시키는 측벽;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
A substrate processing apparatus as described above, wherein each of the plurality of pieces comprises: the chamber lid connected to each of the plurality of gas supply pipes and functioning as a rear wall; A gas distribution plate facing the chamber lead and having a plurality of injection holes formed therein; And a sidewall formed along the periphery of the gas distribution plate and connecting the chamber lead to the gas distribution plate.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 피스 각각은 측면 돌출부를 포함하고, 상기 다수의 연결수단 각각은 상기 측면 돌출부가 삽입되는 측면 함몰부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, each of the plurality of pieces includes a side protrusion, and each of the plurality of connecting means includes a side depression in which the side protrusion is inserted.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 연결수단은, 상기 제 1 온도측정수단과 대응되어 정렬되는 제 1 그루브를 포함하는 제 1 연결부 및 상기 제 2 온도측정수단과 대응되어 정렬되는 제 2 그루브를 포함하는 제 2 연결부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
In the substrate treating apparatus as described above, the plurality of connecting means includes a first connecting portion including a first groove aligned with the first temperature measuring means and a second aligned with the second temperature measuring means. And a second connection including a groove.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 가스분사수단은, 상기 가스분사수단의 중앙부분에 설치되고 상기 다수의 피스와 면접하는 중앙부와, 상기 중앙부에 설치되는 퍼지가스 분사수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the gas injection means further comprises a central portion provided at a central portion of the gas injection means and in contact with the plurality of pieces, and a purge gas injection means provided at the central portion. It is done.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 가스 공급관은 공정가스가 도입되는 가스 도입관으로부터 분기되는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, the plurality of gas supply pipes are branched from the gas introduction pipe into which the process gas is introduced.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 간격조절수단 각각은, 상기 코일을 고정하고 지지하는 코일 고정용 지지대; 상기 코일 고정용 지지대와 연결되고 상기 공정챔버를 관통하는 샤프트; 상기 샤프트와 대응되는 상기 공정챔버의 외부에 설치되는 벨로우즈; 상기 샤프트와 연결되고 상기 벨로우즈의 하부에 설치되는 간격조절기;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, each of the plurality of gap adjusting means, a coil fixing support for fixing and supporting the coil; A shaft connected to the support for fixing the coil and penetrating the process chamber; A bellows installed outside the process chamber corresponding to the shaft; And a spacing adjuster connected to the shaft and installed below the bellows.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 간격조절기에는 상기 제어부의 상기 제어신호에 따라 구동하는 구동모터가 연결되는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the gap regulator is characterized in that the drive motor for driving in accordance with the control signal of the controller.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 코일 고정용 지지대와 상기 샤프트 사이에 절연재가 개재되는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, an insulating material is interposed between the coil fixing support and the shaft.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 코일 고정용 지지대는 상기 코일을 지지하는 고정장치와 연결되는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, the coil fixing support is characterized in that connected to the fixing device for supporting the coil.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 공정챔버는 상기 샤프트가 관통되는 관통구를 포함하고, 상기 샤프트의 상부 및 하부에 각각 대응되는 상부 지주대 및 하부 지주대가 상기 관통구와 대응되는 상기 공정챔버의 내부 및 외부에 각각 체결되는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the process chamber includes a through hole through which the shaft penetrates, and upper and lower support bars corresponding to upper and lower portions of the shaft respectively correspond to the through hole. It is characterized in that it is fastened respectively to the inside and the outside.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 간격조절수단 각각은 상기 벨로우즈와 상기 간격조절기 사이에 설치된 감지장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, each of the plurality of gap adjusting means comprises a sensing device provided between the bellows and the gap adjuster.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 기판안치수단은, 제 1 방향으로 회전하는 디스크; 상기 디스크를 지지하는 지지축; 상기 디스크 상에 설치되는 다수의 삽입영역; 상기 다수의 삽입영역에 삽입되어 상기 제 1 방향과 역방향인 제 2 방향으로 회전하고 다수의 상기 기판이 안치되는 다수의 서셉터;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
In the substrate processing apparatus as described above, the substrate holding means, the disk to rotate in the first direction; A support shaft for supporting the disk; A plurality of insertion areas provided on the disc; And a plurality of susceptors inserted into the plurality of insertion regions to rotate in a second direction opposite to the first direction and on which the plurality of substrates are placed.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리방법은, 공정챔버의 내부에 위치한 기판안치수단 상에 기판을 위치시키는 단계; 상기 기판을 처리하지 않은 대기상태에서, 상기 기판안치수단에 다수의 제 1 온도측정수단을 근접시켜 상기 기판안치수단의 다수 지점에서 온도를 측정하는 단계; 상기 다수의 제 1 온도측정수단에 의해 측정된 상기 기판안치수단의 제 1 측정온도를 제어부에 인가하는 단계; 상기 제어부의 제 1 제어신호에 따라 상기 다수의 간격조절수단을 독립적으로 구동시켜 상기 다수 지점과 대응되는 상기 기판안치수단과 상기 가열수단의 간격을 국부적으로 조절하는 단계; 상기 반응공간에 공정가스를 공급하고 상기 기판을 처리하는 단계; 상기 기판을 처리하는 공정상태에서, 상기 제 2 온도측정수단에 의해 상기 기판안치수단의 다수 지점에서 온도를 측정하는 단계; 상기 제 2 온도측정수단에 의해 측정된 상기 기판안치수단의 제 2 측정온도를 제어부에 인가하는 단계; 상기 제어부의 제 2 제어신호에 따라 상기 다수의 간격조절수단을 독립적으로 구동시켜 상기 다수 지점과 대응되는 상기 기판안치수단과 상기 가열수단의 간격을 국부적으로 조절하는 조절하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Substrate processing method according to the present invention for achieving the above object comprises the steps of placing a substrate on the substrate mounting means located inside the process chamber; Measuring a temperature at a plurality of points of the substrate placing means by bringing a plurality of first temperature measuring means into close proximity to the substrate placing means in an idle state without processing the substrate; Applying a first measurement temperature of the substrate setter measured by the plurality of first temperature measuring means to a controller; Driving the plurality of gap adjusting means independently according to the first control signal of the controller to locally adjust the gap between the substrate setter and the heating means corresponding to the plurality of points; Supplying a process gas to the reaction space and treating the substrate; In the process state of processing the substrate, measuring the temperature at a plurality of points of the substrate placing means by the second temperature measuring means; Applying a second measurement temperature of the substrate setter, measured by the second temperature measurer, to the controller; And independently adjusting the distance between the substrate setter and the heating means corresponding to the plurality of points by independently driving the plurality of gap adjusting means according to the second control signal of the controller. It is done.
본 발명의 기판처리장치 및 방법은 다음과 같은 효과가 있다.The substrate processing apparatus and method of the present invention have the following effects.
본 발명은 온도측정수단에 의해서 기판안치수단의 온도를 측정하여 측정온도를 제어부에 인가하고, 제어부의 제어신호에 따라 다수의 간격조절수단을 조절하여 기판안치수단과 가열수단 사이의 간격을 공정챔버를 분해하지 않고 국부적 및 자동적으로 조절할 수 있는 기판처리장치를 제공한다. 따라서, 기판안치수단의 균일한 온도분포를 확보하기 위하여, 공정챔버를 분해하고 국부적으로 기판안치수단과 코일사이의 간격을 조절한 후 다시 공정챔버를 조립하는 작업을 생략할 수 있다.
The present invention measures the temperature of the substrate holding means by the temperature measuring means and applies the measurement temperature to the control unit, and adjusts a plurality of interval adjusting means in accordance with the control signal of the control unit to adjust the interval between the substrate holding means and the heating means process chamber It provides a substrate processing apparatus that can be adjusted locally and automatically without disassembling. Therefore, in order to secure a uniform temperature distribution of the substrate mounting means, the operation of disassembling the process chamber, adjusting the distance between the substrate mounting means and the coil locally, and then assembling the process chamber again can be omitted.
기판안치수단의 온도조절을 위한 공정챔버의 분해 및 조립과정이 생략되기 때문에, 기판처리장치의 가동시간을 증가시킬 수 있고, 공정챔버의 내부가 대기 중에 노출되는 기회가 감소되어 기판처리장치의 수명을 연장시킬 수 있다.
Since the process of disassembling and assembling the process chamber for controlling the temperature of the substrate holding means is omitted, it is possible to increase the operating time of the substrate processing apparatus and reduce the chance of exposure of the inside of the process chamber to the atmosphere, thereby reducing the lifetime of the substrate processing apparatus. Can be extended.
기판안치수단의 온도측정수단으로 열전대를 이용한 제 1 온도측정수단과 광온도계를 이용한 제 2 온도측정수단을 사용하고, 제어부의 제어신호에 따라 공정챔버를 분해하지 않고 기판안치수단과 가열수단 사이의 간격을 조절할 수 있는 간격조절수단을 사용하기 때문에, 기판을 처리하지 않는 대기상태 물론 기판을 처리하는 공정상태에서 기판안치수단의 온도를 측정하여, 기판안치수단과 가열수단 사이의 간격을 국부적 및 자동적으로 제어할 수 있다.
The first temperature measuring means using a thermocouple and the second temperature measuring means using an optical thermometer are used as the temperature measuring means of the substrate settling means, and according to the control signal of the controller, By using the gap adjusting means which can adjust the gap, the temperature of the substrate placing means is measured in the standby state of not processing the substrate as well as in the process state of processing the substrate, so that the gap between the substrate placing means and the heating means can be adjusted locally and automatically. Can be controlled by
그리고, 기판안치수단과 가열수단의 간격을 조절하기 위한 다수의 간격조절수단이 독립적으로 설치되어 있다. 따라서, 다수의 간격조절수단 중 하나에서 결함이나 파손이 발생한 경우, 해당 간격조절수단 만을 선별하여 수리하거나 교체할 수 있기 때문에, 기판처리장치의 유지 및 보수에 대한 시간 및 비용을 절감할 수 있다.
Then, a plurality of gap adjusting means for adjusting the gap between the substrate set means and the heating means is provided independently. Therefore, when a defect or damage occurs in one of the plurality of gap adjusting means, since only the gap adjusting means can be sorted and repaired or replaced, it is possible to reduce time and cost for the maintenance and repair of the substrate processing apparatus.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 제 1 온도측정수단의 상세 단면도
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 대기상태의 제 1 온도측정수단를 도시한 상세도
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 제 2 온도측정수단의 상세도
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 가스분사수단의 평면도
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 가스분사수단의 사시도
도 7은 도 5의 A-A'로 절단한 단면도
도 8은 도 5의 B-B'로 절단한 단면도
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 가열수단과 기판안치수단의 평면도
도 10은 본 발명의 변형예에 따른 가열수단과 기판안치수단의 평면도
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 가열수단과 기판안치수단의 단면도
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 간격조절수단의 사시도
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 코일 고정장치의 사시도
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리방법의 순서도
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리방법의 순서도1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
Figure 2 is a detailed cross-sectional view of the first temperature measuring means according to an embodiment of the present invention
Figure 3 is a detailed view showing the first temperature measuring means in the standby state according to an embodiment of the present invention
4 is a detailed view of a second temperature measuring means according to an embodiment of the present invention;
5 is a plan view of the gas injection means according to an embodiment of the present invention
6 is a perspective view of a gas injection means according to an embodiment of the present invention
FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 5.
FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 5.
9 is a plan view of the heating means and the substrate mounting means according to an embodiment of the present invention
10 is a plan view of the heating means and the substrate mounting means according to a modification of the present invention
11 is a cross-sectional view of the heating means and the substrate settlement means according to an embodiment of the present invention.
Figure 12 is a perspective view of the gap adjusting means according to an embodiment of the present invention
13 is a perspective view of a coil fixing device according to an embodiment of the present invention;
14 is a flow chart of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
15 is a flow chart of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도이다.1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 기판처리장치(112)는 공정챔버(114), 기판안치수단(118), 가스분사수단(122), 온도측정수단(128), 가열수단(132), 제어부(121) 및 다수의 간격조절수단(120)을 포함하여 구성된다. 기판처리장치(112)는 반응공간에 기판(116)을 공급하기 위한 출입구(130), 기판안치수단(118)을 승강 및 회전시키는 지지축(124), 및 챔버(114) 내부의 공정가스를 배기시키는 배기구(126)를 더욱 포함하여 구성될 수 있다.
Referring to FIG. 1, the
공정챔버(114)는 챔버리드(114a) 및 챔버리드(114a)와 오링(도시하지 않음)을 개재하여 결합하는 챔버몸체(114b)를 포함하고, 기판(116)이 처리되는 반응공간을 제공한다. 기판안치수단(118)은 지지축(124)에 의해 지지되는 디스크(130)와 디스크(130) 상에 설치되고 다수의 기판(116) 각각이 안치되는 다수의 서셉터(162)를 포함하여 구성된다. 가스분사수단(122)은 기판안치수단(118)과 대향하는 챔버리드(114a)의 저면과 결합하고, 반응공간에 공정가스를 공급한다. 가스분사수단(122)에는 공정가스를 공급하기 위해 챔버리드(114a)를 관통하는 가스 도입관(170)이 연결된다.
The process chamber 114 includes a
가열수단(132)은 기판안치수단(118)의 하부에 위치하고, 기판안치수단(118)을 기판처리에 필요한 공정온도로 승온시키는 기능을 한다. 가열수단(132)은 기판안치수단(118)의 전체에 걸쳐 분포하는 코일 형태로 설치된다. 다수의 간격조절수단(120) 각각은 공정챔버(114)의 저면을 천공한 다수의 통과홀(250)을 통하여 가열수단(132)의 다수 지점과 연결된다. 다수의 간격조절수단(120) 각각은 다수의 통과홀(250)을 통과하는 수직 운동에 의해 가열수단(132)의 다수 지점과 기판안치수단(118) 사이의 간격을 국부적으로 조절할 수 있다.
The heating means 132 is positioned below the substrate placing means 118 and functions to raise the substrate placing means 118 to a process temperature required for substrate processing. The heating means 132 is installed in the form of a coil distributed throughout the
온도측정수단(128)은 기판안치수단(118) 또는 기판(116)의 다수 지점에서 온도를 측정하고, 다수 지점의 측정온도를 제어부(121)에 제공한다. 제어부(121)는 온도측정수단(128)으로부터 인가받은 기판안치수단(118) 또는 기판(116)의 다수 지점에 대한 측정온도를 분석하여, 다수 지점과 대응되는 기판안치수단(118)과 가열수단(132) 사이의 간격을 개별적으로 조절하기 위한 제어신호를 다수의 간격조절수단(120) 각각에 인가한다.
The temperature measuring means 128 measures the temperature at a plurality of points of the
다수 지점과 대응되는 기판안치수단(118)과 가열수단(132)의 독립적인 간격조절에 의해 기판안치수단(118)은 균일한 온도분포를 확보할 수 있다. 그리고, 제어부(121)의 제어신호에 따라 다수의 간격조절수단(120)에 의해 기판안치수단(118)과 가열수단(132) 사이의 간격을 자동적으로 조절할 수 있어, 공정챔버(114)의 분해 및 조립과정이 불필요하다. 또한, 온도측정수단(128)에 의해 기판안치수단(118)의 온도측정 및 다수의 간격조절수단(120)에 의한 기판안치수단(118)과 가열수단(132) 사이의 간격조절을 반복적으로 수행할 수 있어, 보다 정밀하게 기판안치수단(118)의 균일한 온도분포를 확보할 수 있다.
The
온도측정장치(128)는 열전대를 사용하는 다수의 제 1 온도측정수단(128a)과 광온도계를 사용하는 제 2 온도측정수단(128b)으로 이루어진다. 다수의 제 1 온도측정수단(128a)은 기판안치수단(118)의 중심에서 일측면으로 연장되는 제 1 직선과 대응되는 챔버리드(114a)에 설치되고, 제 2 온도측정수단(128b)은 기판안치수단(118)의 중심에서 타측면으로 연장되는 제 2 직선과 대응되는 챔버리드(114a)에 설치된다. 다수의 제 1 온도측정수단(128a)과 제 2 온도측정수단(128b)은 동일 직선 상에 위치할 수 있다.
The
열전대를 이용하는 다수의 제 1 온도측정수단(128a)은 기판안치수단(118)에 근접 또는 접촉하여 온도를 측정하고, 제 2 온도측정수단(128b)은 비접촉식으로 기판안치수단(118)의 색온도를 표준 색온도와 비교하여 온도를 측정한다. 따라서, 다수의 제 1 온도측정수단(128a)은 기판(116)을 처리하지 않은 대기상태에서 기판안치수단(118)의 온도를 측정하고, 제 2 온도측정수단(128b)은 기판(116)을 처리하는 공정상태에서 기판안치수단(118)의 온도를 측정하는 것이 적당하다.
A plurality of first temperature measuring means 128a using a thermocouple measures temperature in proximity to or in contact with the substrate placing means 118, and the second temperature measuring means 128b non-contactedly measures the color temperature of the substrate placing means 118. Measure the temperature against the standard color temperature. Accordingly, the plurality of first temperature measuring means 128a measures the temperature of the substrate placing means 118 in the standby state without processing the
다수의 제 1 온도측정수단(128a)은 챔버리드(114a) 및 가스분사수단(122)을 관통하여 설치된다. 챔버리드(114a)에는 다수의 제 1 온도측정수단(128a) 각각이 통과할 수 있는 다수의 관통홀(134)이 형성되고, 챔버리드(114a)와 부착되어 있는 가스분사수단(122)에는 다수의 관통홀(134)과 대응되어 정렬되고 다수의 제 1 온도측정수단(128a)이 통과하는 제 1 그루브(groove)(136a)가 형성된다. The plurality of first temperature measuring means 128a are installed through the
제 2 온도측정수단(128b)은 챔버리드(114a)의 상부에 설치된다. 챔버리드(114a)에는 제 2 온도측정수단(128b)을 이용하여 기판안치수단(118)의 온도를 측정할 수 있는 측정포트(200)가 형성된다. 측정포트(200)는 챔버리드(114a)를 관통하여 형성된다. 가스분사수단(122)에는 측정포트(200)과 대응되는 위치에 제 2 그루브(136b)가 형성된다. 공정챔버(114)의 기밀을 유지하기 위하여, 측정포트(200)에는 투명재질의 석영판(202)이 삽입되어 밀봉된다.
The second temperature measuring means 128b is installed above the
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 제 1 온도측정수단의 상세 단면도이다. 2 is a detailed cross-sectional view of the first temperature measuring means according to the embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 다수의 제 1 온도측정수단(128a) 각각은 다수의 관통홀(134)과 제 1 그루브(136a)를 통과하는 온도 측정부(140), 온도 측정부(140)를 구동시키는 구동수단(154), 및 온도 측정부(140)가 구동될 때 반응공간을 밀폐상태로 유지시키기 위한 제 1 벨로우즈(bellows)(150)를 포함하여 구성된다. 온도 측정부(140)는 구동수단(154)에 의해 기판안치수단(118)의 평면과 수직방향으로 구동된다. 제 1 벨로우즈(150)는 제 1 온도측정수단(128a)이 수직방향으로 구동될 때, 공정챔버(114)의 반응공간을 밀폐시키는 기능을 한다. 다수의 관통홀(134)은 챔버리드(114b)를 관통하고, 제 1 그루브(136a)는 가스분사수단(122)을 관통한다.
Referring to FIG. 2, each of the plurality of first temperature measuring means 128a drives the temperature measuring part 140 and the temperature measuring part 140 passing through the plurality of through
온도 측정부(140)은 서로 다른 두 개의 금속으로 이루어진 열전대 소선(141), 열전대 소선(141)을 피복하고 중공을 가진 시스(sheath)(142) 및 시스(142)와 열전대 소선(141) 사이의 중공에 충진된 절연재(143)를 포함하여 구성된다. 시스(142)는 니켈, 크롬, 몰리브덴 중 하나 또는 이들의 합금으로 형성할 있다. 절연재(143)은 산화마그네슘을 사용할 수 있다. 온도 측정부(140)는 기판안치수단(118)의 온도를 측정하기 위하여, 기판안치수단(118)의 전면과 접촉 또는 이격되어 기판안치수단(118)의 온도를 측정하는 선단부(146)와, 도 1의 제어부(121)와 연결되어 측정온도를 제어부(121)에 인가하는 종단부(147)를 포함하여 구성된다.
The temperature measuring unit 140 covers a
다수의 제 1 온도측정수단(128a) 각각에 의해 기판안치수단(118)의 다수 지점에서 측정된 측정온도는 도 1의 제어부(121)에 전달된다. 도 1의 제어부(121)는 다수 지점의 기판안치수단(118)에서 측정된 측정온도에 근거하여, 다수 지점과 대응되는 기판안치수단(118)과 가열수단(132) 사이의 간격을 독립적으로 조절할 수 있는 제어신호를 도 1의 다수의 간격조절수단(120) 각각에 인가한다. 따라서, 다수 지점에 대응되는 기판안치수단(118)의 온도를 개별적으로 조절할 수 있다.
The measured temperature measured at a plurality of points of the
선단부(146)는 반응공간의 내부에서 위치하고, 종단부(147)는 반응공간의 외부에 위치한다. 따라서, 반응공간의 외부에 노출되는 온도 측정부(140)의 종단부(147)는 시스(142)에 의해 피복하지 않을 수 있다.
The
온도 측정부(140)를 수직방향의 상하로 구동시키는 구동수단(154)은 동력을 발생시키는 구동모터(154a)와, 구동모터(154a)의 동력을 온도 측정부(140)에 전달하여 온도 측정부(140)를 수직방향으로 구동시키는 구동판(154b)를 포함한다. 구동수단(154)은 다수의 온도 측정부(140)를 동시에 구동시키거나, 개별적으로 구동시킬 수 있다.
The driving means 154 for driving the temperature measuring unit 140 up and down in the vertical direction transmits the power of the driving
제 1 벨로우즈(150)의 상부 및 하부에는 각각 제 1 상부 플랜지(upper flange)(150a)와 제 1 하부 플랜지(lower flange)(150b)가 설치된다. 제 1 상부 플랜지(150a)는 구동판(154b)과 결합되고 제 1 하부 플랜지(150b)는 관통홀(134)과 대응되는 리드(114a)의 표면과 결합되어, 온도 측정부(140)가 상하로 구동될 때, 반응공간의 기밀을 유지시킨다.
Upper and lower portions of the
제 1 온도측정수단(128a)은 구동판(154b)의 상부에서 기밀을 유지하면서 온도 측정부(140)를 고정시키는 고정부(156)와, 관통홀(134)과 제 1 그루브(136a)의 내부에 제 1 퍼스가스를 분사하기 위한 제 1 퍼스가스 분사수단(152)을 더욱 포함하여 구성된다. 제 1 퍼스가스 분사수단(152)은 고정부(156)를 통하여 관통홀(134) 및 제 1 그루브(136a)의 내부로 제 1 퍼지가스를 분사하기 위한 퍼지가스 공급관(152a), 제 1 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스 공급원(152b) 및 제 1 벨로우즈(150)가 수직으로 수축 및 팽창함에 따라 유동 가능하고 퍼지가스 공급관(152a)와 퍼지가스 공급관(152b)을 연결시키는 유동관(152c)을 포함한다. 퍼지가스 공급관(152a)을 고정부(156)를 통하여 인입하지 않고, 다수의 제 1 관통홀(134) 각각과 연통되도록 리드(114a)에 다수의 유로(도시하지 않음)를 설치하고, 다수의 유로 각각에 퍼지가스 공급관(152a)을 연결할 수 있다.
The first temperature measuring means 128a may include a fixing
제 1 온도측정수단(128a)은 온도 측정부(140)의 선단부(146)와 기판안치수단(118)의 간격을 제어하기 위한 제어수단으로서, 선단부(146)에 설치되는 센서부(102)와 센서부(102)의 신호가 인가되어 구동수단(154)을 제어하는 위치제어부(도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다. 제어수단에 의해 선단부(146)가 기판안치수단(118)과 접촉하여 발생할 수 있는 긁힘(scratch) 등의 문제를 예방할 수 있다.
The first temperature measuring means 128a is a control means for controlling the distance between the
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 대기상태의 제 1 온도측정수단을 도시한 상세도이다. 3 is a detailed view showing the first temperature measuring means of the standby state according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 기판안치수단(118)의 온도를 측정하지 않은 상태에서, 온도 측정부(140)의 선단부(146)는 관통홀(134)의 내부에 위치하고, 제 1 벨로우즈(150)는 최대로 팽창된다. 그리고, 관통홀(134)의 내부에 온도 측정부(140)의 선단부(146)이 위치하고 반응공간의 내부에서 기판처리공정을 수행하는 경우, 퍼지가스 공급관(152a)을 통하여 관통홀(134)의 내부에 제 1 퍼지가스로서 질소를 공급한다. 제 1 퍼지가스는 공정가스가 관통홀(134)의 내부로 인입되어, 선단부(146)를 대응되는 시스(142) 상에 박막이 침적되는 것을 방지할 수 있다.
Referring to FIG. 3, in the state in which the temperature of the
기판안치수단(118)의 온도를 측정하기 위한 측정상태(measuring state)에서, 도 1의 지지축(124)의 동작에 의해 기판안치수단(118)이 기판처리위치로 상승하고, 제 1 벨로우즈(150)가 팽창상태에서 수축상태로 변화하면서 온도 측정부(140)의 선단부(146)가 관통홀(134) 및 제 1 그루브(136a)을 통과하여 기판안치수단(118)의 표면과 접촉 또는 근접하여 위치된다. 제 1 온도측정수단(128a)은 기판(116) 및 기판안치수단(118)의 크기에 따라 설치 개 수를 다르게 할 수 있다. 기판(116) 및 기판안치수단(118)의 크기가 커짐에 따라 제 1 온도측정수단(128a)의 개 수가 증가할 수 있다.
In the measuring state for measuring the temperature of the substrate placing means 118, the substrate placing means 118 is raised to the substrate processing position by the operation of the
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 제 2 온도측정수단의 상세도이다. 4 is a detailed view of a second temperature measuring means according to an embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 제 2 온도측정수단(128b)은 광온도계(optical pyrometer) (204)와 광온도계(204)를 이동시키는 이동수단(206)을 포함하여 구성된다. 광온도계(202)는 기판안치수단(118)의 색온도를 표준색 온도와 비교하여 온도를 측정한다. 기판안치수단(118) 또는 기판(116)의 다수 지점에서 온도를 측정하기 위해 광온도계(204)를 이동시키기 위한 이동수단(206)이 구비된다. 이동수단(206)은 측정포트(200)와 근접한 챔버리드(114a) 상에 설치되는 안내수단(208), 안내수단(208)을 따라 이동하고 광온도계(204)가 실장된 이동판(210), 및 이동판(210)을 구동시키는 구동모터(도시하지 않음)를 포함하여 구성된다.
Referring to FIG. 4, the second temperature measuring means 128b includes an
기판안치수단(118) 또는 기판(116)의 다수 지점에서 온도를 측정하기 위하여 광온도계(204)는 안내수단(208)을 따라 이동한다. 광온도계(204)가 기판안치수단(118) 또는 기판(116)의 온도를 측정할 수 있도록, 챔버리드(114)를 관통하는 측정포트(200)가 형성되고, 측정포트(200)과 대응되어 정렬되고 가스분사수단(122)을 관통하는 제 2 그루브(136b)가 형성된다. 측정포트(200)에는 공정챔버(114)의 기밀을 유지하기 위하여 도 1에서 도시된 투명재질의 석영판(202)이 밀봉된다.
The
그리고, 공정가스가 측정포트(200)로 인입되어 원하지 않은 박막이 도 1의 석영판(202)에 침적될 수 있다. 도 1의 석영판(202)에 박막이 침적되면 석영판(202)의 광투과율이 낮아져, 제 2 온도측정수단(128b)이 기판안치수단(118) 또는 기판(116)의 정확한 온도를 측정할 수 없다. 따라서, 측정포트(200)에 공정가스의 인입을 방지하기 위해 제 2 퍼지가스를 분사할 수 있는 다수의 제 2 퍼지가스 공급관(260)을 포함하는 제 2 퍼지가스 분사수단(도시하지 않음)을 설치할 수 있다. 다수의 제 2 퍼지가스 공급관(260)은 제 2 퍼지가스를 인입하는 제 2 퍼지가스 도입관(도시하지 않음)과 연결된다.
In addition, process gas may be introduced into the
제 2 온도측정수단(128b)은 비접촉식으로 기판안치수단(118)의 색온도를 표준 색온도와 비교하여 온도를 측정하므로, 기판처리과정에서, 기판안치수단(118) 또는 기판(116)의 온도를 측정하는데 유용하다. 기판안치수단(118) 또는 기판(116)의 지정된 다수 지점에서 온도를 측정할 수 있도록, 광온도계(204)의 온도측정위치를 지정할 수 있다. 광온도계(204)의 온도측정위치를 지정하는 경우, 광온도계(204)는 안내수단(208)의 지정위치에서 잠시 정지하여 기판안치수단(118) 또는 기판(116)의 온도를 측정한다. 필요에 따라, 광온도계(204)의 온도측정위치를 지정하지 않고 임의로 조정할 수 있다.
Since the second temperature measuring means 128b measures the temperature by comparing the color temperature of the substrate placing means 118 with the standard color temperature in a non-contact manner, the temperature of the substrate placing means 118 or the
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 가스분사수단의 평면도이고, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 가스분사수단의 사시도이고, 도 7은 도 5의 A-A'로 절단한 단면도이고, 도 8은 도 5의 B-B'로 절단한 단면도이다.
5 is a plan view of a gas injection means according to an embodiment of the present invention, Figure 6 is a perspective view of the gas injection means according to an embodiment of the present invention, Figure 7 is a cross-sectional view taken along the line AA 'of FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 5.
도 5는 가스분사수단(122)을 배면에서 바라본 평면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 가스분사수단(122)은 다수의 피스(122a), 중앙부(122b) 및 다수의 피스(122a)를 연결시키는 연결수단(210)으로 구성된다.
5 is a plan view of the gas injection means 122 viewed from the rear side. 5 and 6, the gas injection means 122 includes a plurality of
다수의 피스(122a) 각각은 다수의 분사홀(176)이 형성된 가스 분배판(178), 및 가스 분배판(178)의 주연부를 따라 형성되고 챔버리드(114b)와 가스 분배판(178)을 연결시키는 측벽(180)을 포함하여 형성된다. 다수의 피스(122a)가 서로 대향하는 측벽(180)의 외부에는 연결수단(210)과 결합을 위치한 측면 돌출부(212)가 형성된다.
Each of the plurality of
도 1에서 설명의 편의를 위하여 가스 도입관(170)이 챔버리드(114a)를 관통하여 가스분사수단(122)에 연결된 것으로 도시하였으나, 실제로 가스분사수단(122)이 서로 분리된 공간을 가지는 다수의 피스(122a)로 구성되어 있으므로, 도 1의 가스 도입관(170)에서 분기된 다수의 가스 공급관(172)을 통하여 다수의 피스(122a) 각각에 공정가스를 공급한다. 다수의 피스(122a) 각각에는 후방 벽으로 기능하는 챔버리드(114a), 가스분배판(178) 및 측면(180)에 의해서, 가스 공급관(172)을 통하여 공급되는 공정가스를 수용하는 수용공간이 형성된다. For the convenience of description in FIG. 1, the
연결수단(210)은 다수의 피스(122a)를 결합시키는 기능을 한다. 도 7 및 도 8과 같이, 연결수단(210)은 연결 몸체부(210a)와 연결 몸체부(210a)에 설치되고 다수의 피스(122a)의 각각에 형성된 측면 돌출부(212)가 삽입되기 위한 측면 함몰부(210b)가 형성된다. 측면 돌출부(212)가 측면 함몰부(210b)에 삽입되면 볼트 등과 같은 체결수단에 의해 고정된다.
The connecting means 210 functions to join the plurality of
연결수단(210)은 다수의 제 1 온도측정수단(128a)과 대응되어 다수의 제 1 온도측정수단(128a)의 모두가 관통할 수 있는 제 1 그루브(136a)가 형성된 제 1 연결부(212a), 제 2 온도측정수단(128b)과 대응되어 제 2 온도측정수단(128b)에 의해 기판안치수단(118) 또는 기판(116)의 온도를 측정하기 위한 제 2 그루브(136b)가 형성된 제 2 연결부(212b) 및 단지 다수의 피스(122a)을 연결하는 기능을 하고 그루브가 형성되지 않은 제 3 연결부(212c)를 포함하여 구성된다.
The connecting means 210 corresponds to the plurality of first temperature measuring means 128a and has a first connecting
도 7은 다수의 피스(122a)와 다수의 피스(122a)를 연결한 제 3 연결부(212c)의 단면도를 도시한다. 도 7과 같이, 제 3 연결부(212c)는 단순히 다수의 피스(122a)을 연결하는 기능을 하므로, 제 3 연결부(212c)에는 제 1 및 제 2 연결부(212a, 212b)에서 형성된 그루브가 형성되지 않는다.
FIG. 7 shows a cross-sectional view of the
도 8은 다수의 피스(122a) 및 다수의 피스(122a)를 연결하는 제 1 연결부(212a)의 단면도를 도시한다. 도 8과 같이, 제 1 연결부(212a)는 다수의 피스(212a)를 연결하는 기능과 함께, 도 1의 다수의 제 1 온도측정수단(128a)이 통과하는 제 1 그루브(136a)를 제공한다. 다수의 피스(122a)를 연결하는 제 2 연결부(212b)는 제 1 연결부(212a)와 동일한 형태이므로 별도로 도시하지 않는다.
8 shows a cross-sectional view of a plurality of
도 5 및 도 7의 중앙부(122b)는 가스분사수단(122)의 중앙부에 위치하고, 제 3 퍼지가스를 공급하기 위한 제 3 퍼지가스 공급수단(도시하지 않음)이 설치된다. 제 3 퍼지가스가 기판(116)이 안치되지 않는 기판안치수단(118)의 중앙부분에 공급되어, 공정가스에 의해 원하지 않는 박막이 기판안치수단(118) 상에 침적되는 것을 방지한다.
The
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 기판안치수단의 평면도이다. 9 is a plan view of the substrate mounting means according to an embodiment of the present invention.
기판안치수단(118)은 정지 또는 회전상태에서 기판을 처리하는 공정을 수행할 수 있다. 도 9에서는 회전가능한 기판안치수단(118)을 설명한다. 도 9를 참조하면, 기판안치수단(118)은, 도 1의 지지축(124)에 의해 제 1 방향으로 회전하는 디스크(130), 디스크(130)에 의해 지지되고 다수의 기판(116)이 안치되며 제 1 방향과 역방향인 제 2 방향으로 회전하는 다수의 서셉터(162), 및 디스크(130)에 설치되고 다수의 서셉터(162)의 각각이 삽입되는 다수의 삽입영역(160)을 포함한다. 다수의 기판(116) 각각이 다수의 서셉터(162) 상에 안치되고, 제 1 방향으로 디스크(130)가 공전하고, 다수의 서셉터(162) 각각이 제 1 방향과 역방향인 제 2 방향으로 자전하는 것에 의해, 균일한 기판처리가 가능하다.
The
도 10 및 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 가열수단과 기판안치수단의 평면도이고, 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 가열수단과 기판안치수단의 단면도이다.
10 and 11 are plan views of the heating means and the substrate set-up means according to an embodiment of the present invention, Figure 12 is a cross-sectional view of the heating means and substrate set-up means according to an embodiment of the present invention.
도 10을 참조하면, 가열수단(132)은 기판안치수단(118)을 지지하는 지지축(124)과 인접한 시점(始點)(220a)에서 기판안치수단(118)의 주변부와 인접한 종점(終點)(220b) 사이에서 다수의 턴(turn)을 가지는 코일(coil)(222)과 코일(222)에 교류전류를 인가하는 전원(도시하지 않음)을 포함하여 구성된다. 코일(222)에 전류를 인가했을 때 발생하는 자기장에 의해 기판안치수단(118)을 간접적으로 가열하여, 최종적으로 기판안치수단(118)을 매개로 기판(116)이 승온된다.
Referring to FIG. 10, the heating means 132 is an end point adjacent to the periphery of the substrate placing means 118 at a
도 12를 참조하면, 기판안치수단(118)에서 온도분포의 균일성은 코일(222)에서 다수의 턴 사이의 제 1 간격(T1), 및 코일(222)과 기판안치수단(118)의 제 2 간격(T2)에 의해 직접적으로 영향을 받는다. 다수의 제 1 간격(T1)이 등간격으로 유지되고, 다수의 제 2 간격(T2)가 등간격으로 유지된다면, 기판(116)이 안치되지 않는 기판안치수단(118) 주변부의 열손실로 인해, 기판안치수단(118)의 중심부가 주변부보다 높은 온도를 나타낼 수 있다. 이러한 온도분포의 불균일을 보상하기 위하여, 코일(222)에서 다수의 턴 사이의 다수의 제 1 간격(T1)과 기판안치수단(118)과 코일(222) 사이의 다수의 제 2 간격(T2)을 기판안치수단(118)의 중심부에서 주변부의 방향으로 좁아지도록 배열할 수 있다. 물론, 공정조건에 따라 제 1 및 제 2 간격(T1, T2)은 조절이 가능하다. 가열수단(132)은 기판안치수단(118)의 하부에서 5 내지 50mm 정도 이격되어 설치된다. 기판안치수단(118)과 가열수단(132)의 간격은 5 내지 50mm로 특별히 한정되지 않고 5mm이하 또는 50mm 이상으로 설정될 수 있다.
Referring to FIG. 12, the uniformity of the temperature distribution in the
가열수단(132)에 의해 가열되는 기판안치수단(118)의 온도를 온도측정수단(128)에 의해 측정하고, 균일한 온도분포를 확보하기 위하여 기판안치수단(118)과 코일(222) 사이의 다수의 제 2 간격(T2)을 선택적으로 조절하기 위하여 도 1에서 도시한 다수의 간격조절수단(120)을 설치한다. 도 1의 간격조절수단(120)은 도 10과 같이, 기판안치수단(118)의 중심부를 통과하는 수직선 또는 수평선과 코일이 만나는 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 영역(P1, P2, P3, P4)에 설치될 수 있다. 제 1 내지 제 4 영역(P1, P2, P3, P4) 각각은 다수의 간격조절수단(118)이 설치되는 다수의 포인트(230)를 포함한다.
The temperature of the substrate placing means 118 heated by the heating means 132 is measured by the temperature measuring means 128, and between the substrate placing means 118 and the
도 1을 참조하면, 다수의 간격조절수단(120)은 다수의 제 1 온도측정수단(128a) 및 제 2 온도측정수단(128b)에 의해서 측정된 기판안치수단(118) 또는 기판(116)의 측정온도에 따라 간격조절신호를 발생시키는 제어부(121)에 연결된다. 제어부(121)로부터 측정온도에 따른 간격조절치가 다수의 간격조절수단(120) 각각에 인가되면, 다수의 간격조절수단(120) 각각은 독립적으로 기판안치수단(118)과 코일(222)의 제 2 간격(T2)을 조절할 수 있다. 따라서, 다수 지점의 온도측정치에 따라 도 12에서 도시한 기판안치수단(118)과 코일(222) 사이의 제 2 간격(T2)이 자동적으로 조절될 수 있다.
Referring to FIG. 1, the plurality of gap adjusting means 120 may include a plurality of first temperature measuring means 128a and second temperature measuring means 128b of the substrate placing means 118 or the
도 1 및 도 12를 참조하면, 기판안치수단(118)의 다수 지점 중 하나에서 측정된 측정온도가 기판안치수단(118)의 설정온도보다 낮은 경우, 제어부(121)의 제어신호에 따라 다수의 지점 중 하나와 대응되는 다수의 간격조절수단(120) 중 하나에 의해 기판안치수단(118)과 코일(222) 사이의 간격이 감소되도록 조절된다. 그리고, 기판안치수단(118)의 다수 지점 중 다른 하나에서 측정된 측정온도가 기판안치수단(118)의 설정온도보다 높은 경우, 제어부(121)의 제어신호에 따라 다수의 지점 중 다른 하나와 대응되는 다수의 간격조절수단(120) 중 다른 하나에 의해 기판안치수단(118)과 코일(222) 사이의 간격이 증가되도록 조절된다.
1 and 12, when the measured temperature measured at one of the plurality of points of the
다수의 간격조절수단(120) 각각은 독립적으로 구동된다. 따라서, 기판안치수단(118)의 다수 지점에서 측정한 다수의 측정온도에 따라, 제어부(121)는 다수의 제어신호를 발생시킨다. 제어부(121)의 다수의 제어신호에 따라 다수 지점과 대응되는 기판안치수단(118)과 가열수단(132) 사이의 간격을 서로 다르게 조절할 수 있다.
Each of the plurality of gap adjusting means 120 is driven independently. Therefore, the
기판안치수단(118)의 직경이 확장되는 경우, 도 11과 같이, 기판안치수단(118)의 주변부와 인접하여 다수의 포인트(230) 사이의 길이가 길어지는 코일(222)에 추가적으로 도 1의 간격조절수단(120)을 더 설치할 수 있다. 도 11과 같이, 기판안치수단(118)의 중심을 지나는 수직선 및 수평선과 코일이 만나는 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 영역(P1, P2, P3, P4)과 더불어, 수직선 및 수평선 사이를 통과하여 기판안치수단(118)의 중심을 지나는 두 개의 사선과 만나는 제 5, 제 6, 제 7 및 제 8 영역(P5, P6, P7, P8)에 도 1의 간격조절수단(120)을 더 설치할 수 있다. 제 5, 제 6, 제 7 및 제 8 영역(P5, P6, P7, P8) 각각은 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 영역(P1, P2, P3, P4) 각각 보다 작은 개 수의 다수의 포인트(186)를 포함한다.
When the diameter of the substrate mounting means 118 is expanded, as shown in FIG. 11, the
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 간격조절수단의 사시도이고, 도 14는 본 발명의 실시예에 따른 코일 고정장치의 사시도이다.
Figure 13 is a perspective view of the gap adjusting means according to an embodiment of the present invention, Figure 14 is a perspective view of a coil fixing device according to an embodiment of the present invention.
도 1의 기판처리장치(112)을 참조하면, 공정챔버(114)의 저면에는 통과홀(250)이 설치되고, 도 13을 참조하면, 다수의 간격조절수단(120) 각각은 다수의 통과홀(250)을 통과하여 도 10 및 도 11의 다수의 포인트(230) 각각과 대응되는 코일(222)의 하부에 설치된다.
Referring to the
간격조절수단(120)은, 도 10 및 도 11의 코일(222)을 고정하고 지지하는 코일 고정용 지지대(272), 코일 고정용 지지대(272)의 하부에 연결된 절연재(273), 절연재(273)의 하부에 연결되고 도 1의 통과홀(250)을 통과하는 샤프트(271), 샤프트(271)의 상부에 대응하고 공정챔버(114)의 내부에 고정되는 상부 지주대(274), 샤프트(271)의 하부와 대응하고 공정챔버(114)의 외부에 고정되는 하부 지주대(275), 하부 지주대(275)의 하부에 위치하는 제 3 벨로우즈(276) 및 제 3 벨로우즈(276)의 하부에 위치하고 제 3 벨로우즈(276)를 관통하는 샤프트(271)와 연결된 간격조절기(278)를 포함하여 구성된다. 간결조절기(278)에는 도 1에서 도시된 제어부(121)의 제어신호에 따라 구동하는 구동모터(도시하지 않음)가 연결된다.
The
도 14를 참조하면, 코일 고정용 지지대(272)는 코일(222)을 지지하는 고정장치(290)와 연결된다. 고정장치(290)는 코일(222)을 감싸면서 지지하는 지지부(290a) 및 지지부(290a)의 하부에서 연장되고 연결홀(290b)을 가지는 두 개의 정렬부(290c)를 포함한다. 코일 고정용 지지대(272)는 도 13의 두 개의 정렬부(290c) 각각과 대응되는 두 개의 정렬평면(272a)과 두 개의 정렬평면(272a)을 관통하는 고정홀(272b)을 포함한다. 코일(222)을 지지하는 고정장치(290)의 두 개의 정렬부(290a)가 코일 고정용 지지대(272)의 두 개의 정렬평면(272a)와 정렬되면, 볼트(292)가 고정홀(272b) 및 연결홀(290b)을 관통하고 볼트(292)의 단부를 너트(294)로 체결하여, 코일(222)을 코일 고정용 지지대(272)에 고정시킨다.
Referring to FIG. 14, the
도 13의 코일 고정용 지지대(272)와 샤프트(271)가 금속재질로 형성되기 때문에, 코일 고정용 지지대(272)와 샤프트(271)의 사이에 개재된 절연재(273)는 코일 고정용 지지대(272)와 간격조절기(278) 간의 전류의 흐름을 차단하기 위한 기능을 한다. 절연재(273)로서 AlO, AlN, BN, 및 SiC를 포함하는 세라믹 또는 석영을 사용할 수 있다. 상부 지주대(274)와 하부 지주대(275)는 각각 도 1의 통과홀(250)과 대응되는 공정챔버(114)의 내부 및 외부에 결합되고 통과홀(250)을 통하여 샤프트(271)의 승강운동이 가능한 통로를 제공한다.
Since the
도 1의 통과홀(250)과 대응되는 하부 지주대(275)는 제 3 벨로우즈(bellows)(276)와 연결된다. 제 3 벨로우즈(276)는 공정챔버(114)를 관통하여 샤프트(271)가 승강운동을 할 때 공정챔버(114)의 내부를 외부와 밀폐시키는 기능을 한다. 제 3 벨로우즈(276)의 하부에는 샤프트(271)와 연결되고 코일 고정용 지지대(272)의 고도를 조절하기 위한 간격 조절기(278)가 설치된다. 간격 조절기(278)에 제어부(121)의 제어신호가 인가된다. 간격조절기(278)가 공정챔버(114)의 외부에 설치되어 있어, 공정챔버(114)를 분해하지 않고, 기판안치수단(118)과 코일(222)의 간격을 선택적으로 조절할 수 있다. 간격조절기(278)는 구동모터에 의해 동작된다.
The
간격조절수단(120)은 제 3 벨로우즈(276)와 간격조절기(278) 사이에 감지장치(도시하지 않음)를 더욱 포함할 수 있고, 감지장치는 제 3 벨로우즈(276)과 고도 조절기(278) 사이에 설치된 센서 지지대(277)에 장착된다. 감지장치는 도 10 및 도 11의 다수의 포인트(230)에 대응되는 코일(222)의 높이를 감지하는 기능을 한다. 감지장치로서 센서(sensor) 또는 게이지(gauge)가 이용될 수 있다.
The gap adjusting means 120 may further include a sensing device (not shown) between the
도 1의 기판처리장치(112)는, 온도측정수단(128)의 온도측정치에 따라 코일(222)과 기판안치수단(118) 사이의 간격을 공정챔버(114)의 분해없이 자동적으로 조절할 수 있다. 이러한 본 발명의 기판처리장치(112)는, 다양한 기판처리공정을 진행하기 위하여 다양한 튜닝온도가 필요한 기판안치수단(118)에서 반복적으로 온도측정수단(128)으로 기판안치수단(118)의 온도를 측정하고, 측정결과에 따라 다수의 간격조절수단(120)에 의해 기판안치수단(118)과 가열수단(132) 사이의 간격을 조절하는 경우에 더욱 유용하다. 그리고, 다수의 간격조절수단(120)이 독립적으로 설치되어 있어, 어느 하나에서 결함이나 파손이 발생한 경우, 특정 간격조절수단(120) 만을 용이하게 수리 및 교체할 수 있는 장점이 있다.
The
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리방법의 순서도이다. 도 1 내지 도 14를 참조하여 기판처리방법을 설명하면 다음과 같다.
15 is a flowchart of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. Referring to Figures 1 to 14 will be described the substrate processing method as follows.
반응공간을 제공하는 공정챔버(114), 공정챔버(114)의 내부에 위치하고, 기판(116)이 안치되는 기판안치수단(118), 기판안치수단(118)의 하부에 위치한 가열수단(132), 기판안치수단(118)의 온도를 측정하는 온도측정수단(128), 온도측정수단(128)에 의해 측정된 기판안치수단(118)의 측정온도가 인가되는 제어부(121) 및 제어부(121)의 제어신호에 따라, 기판안치수단(118)과 가열수단(132)의 간격을 자동적으로 조절하는 다수의 간격조절수단(120)을 포함하는 기판처리장치(112)에 있어서,
The process chamber 114 that provides the reaction space, the substrate holding means 118, which is located inside the process chamber 114, the
기판처리단계는, 공정챔버(114)의 내부에 위치한 기판안치수단(118) 상에 기판(116)을 위치시키는 단계(S01 단계), 기판(116)을 처리하지 않은 대기상태에서, 기판안치수단(118)에 다수의 제 1 온도측정수단(128a)을 근접시켜 기판안치수단(118)의 다수 지점에서 온도를 측정하는 단계(S02 단계), 다수의 제 1 온도측정수단(128a)에 의해 측정된 기판안치수단(118)의 제 1 측정온도를 제어부(121)에 인가하는 단계(S03 단계), 제어부(121)의 제 1 제어신호에 따라 다수의 간격조절수단(120)을 독립적으로 구동시켜 다수 지점과 대응되는 기판안치수단(118)과 가열수단(132)의 간격을 조절하는 단계(S04 단계), 반응공간에 공정가스를 공급하고 기판(116)을 처리하는 단계(S05 단계), 기판(116)을 처리하는 공정상태에서, 제 2 온도측정수단(128b)에 의해 기판안치수단(118)의 다수 지점에서 온도를 측정하는 단계(S06 단계), 제 2 온도측정수단(128b)에 의해 측정된 기판안치수단(118)의 제 2 측정온도를 제어부(121)에 인가하는 단계(S07 단계), 제어부(121)의 제 2 제어신호에 따라 다수의 간격조절수단(120)을 독립적으로 구동시켜 다수 지점과 대응되는 기판안치수단(118)과 가열수단(132)의 간격을 조절하는 단계(S08)를 포함하여 이루어진다.
The substrate treating step includes placing the
S02 단계의 기판(116)을 처리하지 않은 대기상태는 기판(116)이 처리하는 공정상태의 이전 또는 이후에 해당될 수 있고, 공정챔버(114)의 내부를 세정하는 세정단계를 포함할 수 있다. 세정단계에서, 공정챔버(114)의 내부 및 다수의 기판(116)의 표면의 불순물을 비반응성 가스의 공급 및 열분해에 위해 세정한다.
The standby state without processing the
S04 단계 및 S08 단계에서, 기판안치수단(118)의 다수 지점 중 하나에서 측정된 측정온도가 기판안치수단(118)의 설정온도보다 낮은 경우, 제어부(121)의 제어신호에 따라 다수의 지점 중 하나와 대응되는 다수의 간격조절수단(120) 중 하나에 의해 기판안치수단(118)과 코일(222) 사이의 간격이 감소되도록 조절된다. 그리고, 기판안치수단(118)의 다수 지점 중 다른 하나에서 측정된 측정온도가 기판안치수단(118)의 설정온도보다 높은 경우, 제어부(121)의 제어신호에 따라 다수의 지점 중 다른 하나와 대응되는 다수의 간격조절수단(120) 중 다른 하나에 의해 기판안치수단(118)과 코일(222) 사이의 간격이 증가되도록 조절된다.
In steps S04 and S08, when the measured temperature measured at one of the plurality of points of the
S05 단계에서, 기판(116)을 처리하는 공정은 기판(116) 상에 박막을 증착하는 공정 또는 기판(116) 상의 박막을 식각하는 공정을 포함한다. 그리고, S05 단계에서 기판(116)을 처리하는 과정에서, 다수의 제 1 온도측정수단(128a)에서 온도측정부(140)의 표면에 박막이 침적되지 않도록 제 1 퍼지가스가 분사되고, 제 2 온도측정수단(128b)과 대응되는 측정포트(200)에는 석영판(202)에 박막이 침적되지 않도록 제 2 퍼지가스가 분사되고, 기판안치수단(118)의 중앙부에는 박막이 침적되지 않도록 가스분사수단(122)으로부터 제 3 퍼지가스가 분사된다. In operation S05, the process of processing the
Claims (33)
상기 공정챔버의 내부에 위치하고, 기판이 안치되는 기판안치수단;
상기 기판안치수단의 하부에 위치한 가열수단;
상기 기판안치수단의 온도를 측정하는 온도측정수단;
상기 온도측정수단에 의해 측정된 상기 기판안치수단의 측정온도가 인가되는 제어부; 및
상기 제어부의 제어신호에 따라, 상기 기판안치수단과 상기 가열수단의 간격을 자동적으로 조절하는 다수의 간격조절수단;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
A process chamber providing a reaction space;
Substrate holding means located in the process chamber and having a substrate placed thereon;
Heating means located below the substrate mounting means;
Temperature measuring means for measuring a temperature of the substrate setter;
A control unit to which a measurement temperature of the substrate setter measured by the temperature measuring means is applied; And
A plurality of gap adjusting means for automatically adjusting a gap between the substrate settling means and the heating means in accordance with a control signal of the controller;
Substrate processing apparatus comprising a.
상기 온도측정수단은,
상기 기판을 처리하지 않은 대기상태에서 상기 기판안치수단의 다수 지점에서 온도를 측정하는 다수의 제 1 온도측정수단; 및
상기 기판을 처리하는 공정상태에서 일방향으로 이동하면서 상기 기판안치수단의 다수 지점에서 온도를 측정하는 제 2 온도측정수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 1,
The temperature measuring means,
A plurality of first temperature measuring means for measuring a temperature at a plurality of points of the substrate placing means in the standby state without processing the substrate; And
And second temperature measuring means for measuring a temperature at a plurality of points of the substrate placing means while moving in one direction in the process state of processing the substrate.
상기 가열수단은,
상기 기판안치수단의 중심부에 인접한 시점(始點)에서 상기 기판안치수단의 종점(終點) 사이에서 다수의 다수의 턴(turn)을 가지는 코일; 및
상기 코일에 교류전류를 인가하는 교류전원;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 1,
The heating means,
A coil having a plurality of turns between the end points of the substrate placing means at a time point adjacent to the center of the substrate placing means; And
An AC power supply for applying an AC current to the coil;
Substrate processing apparatus comprising a.
상기 다수의 간격조절수단은,
상기 기판안치수단의 중심을 통과하는 수직선 또는 수평선과 만나는 상기 코일이 만나는 다수의 포인트에 연결되고, 상기 기판안치수단의 다수 지점에서 상기 온도측정수단에 의해서 측정된 측정온도가 인가된 상기 제어부의 제어신호에 따라 상기 기판안치수단과 상기 코일 사이의 간격을 서로 다르게 조절하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 3, wherein
The plurality of gap adjusting means,
Control of the control unit connected to a plurality of points where the coil meets a vertical line or a horizontal line passing through the center of the substrate mounting means, the measurement temperature measured by the temperature measuring means is applied at multiple points of the substrate mounting means Substrate processing apparatus, characterized in that for controlling the distance between the substrate set-up means and the coil differently according to the signal.
상기 다수의 간격조절수단 각각은 상기 제어부의 상기 제어신호에 따라 상기 기판안치수단과 상기 코일 사이의 간격이 독립적으로 조절되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 4, wherein
Each of the plurality of gap adjusting means is a substrate processing apparatus, characterized in that the distance between the substrate mounting means and the coil is independently adjusted according to the control signal of the control unit.
상기 온도측정수단에 의해 상기 기판안치수단의 다수 지점 중 하나에서 측정된 측정온도가 상기 기판안치수단의 설정온도보다 낮은 경우, 상기 제어부의 상기 제어신호에 따라 상기 다수 지점 중 하나와 대응되는 상기 다수의 간격조절수단 중 하나가 상기 기판안치수단과 상기 코일 사이의 간격이 감소되도록 조절되고,
상기 온도측정수단에 의해 상기 기판안치수단의 다수 지점 중 다른 하나에서 측정된 측정온도가 상기 기판안치수단의 설정온도보다 높은 경우, 상기 다수 지점 중 다른 하나와 대응되는 상기 다수의 간격조절수단 중 다른 하나가 상기 기판안치수단과 상기 코일 사이의 간격이 증가되도록 조절되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 4, wherein
The plurality of temperatures corresponding to one of the plurality of points according to the control signal of the controller when the measured temperature measured by the temperature measuring means at one of the plurality of points of the substrate placing means is lower than a set temperature of the substrate placing means; One of the gap adjusting means is adjusted so that the gap between the substrate setter and the coil is reduced,
When the measured temperature measured at the other one of the plurality of points of the substrate setter by the temperature measuring means is higher than the set temperature of the substrate setter, the other one of the plurality of gap adjusting means corresponding to the other one of the plurality of points. One of the substrate processing apparatus, characterized in that the distance between the substrate mounting means and the coil is adjusted to increase.
상기 기판안치수단과 대향하고 상기 반응공간에 공정가스를 공급하는 가스분사수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 2,
And a gas injection means facing the substrate holding means and supplying a process gas to the reaction space.
상기 다수의 제 1 온도측정수단 각각은,
상기 기판안치수단과 근접하여 온도를 측정하는 선단부와 상기 제어부와 연결되는 종단부를 포함하는 온도측정부;
상기 온도측정부를 수직으로 구동시키는 구동수단;
을 포함하고,
상기 챔버리드에는 다수의 상기 온도 측정부가 통과하는 다수의 관통홀이 형성되고, 상기 가스분사수단에는 다수의 상기 온도 측정부가 통과하는 그루브가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 7, wherein
Each of the plurality of first temperature measuring means,
A temperature measuring unit including a distal end connected with the control unit and a distal end measuring the temperature in close proximity to the substrate setter;
Driving means for vertically driving the temperature measuring part;
Including,
And a plurality of through holes through which the plurality of temperature measuring units pass, and grooves through which the plurality of temperature measuring units pass, are formed in the chamber leads.
상기 온도측정부는,
서로 다른 두 개의 금속으로 이루어진 열전대 소선;
상기 열전대 소선을 피복하는 시스; 및
상기 열전대 소선과 상기 시스 사이에 충진된 절연재;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 8,
The temperature measuring unit,
Thermocouple elements consisting of two different metals;
A sheath covering the thermocouple element; And
An insulating material filled between the thermocouple element and the sheath;
Substrate processing apparatus comprising a.
상기 다수의 제 1 온도측정수단 각각은, 상기 온도 측정부의 수직 구동시에 수직방향으로 수축 및 팽창하면서 상기 반응공간을 밀폐상태로 유지시키는 벨로우즈를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 8,
Each of the plurality of first temperature measuring means further includes a bellows that keeps the reaction space in a closed state while shrinking and expanding in the vertical direction when the temperature measuring part is vertically driven.
상기 구동수단은,
동력을 발생시키는 구동모터; 및
상기 구동모터의 동력을 전달받아 상기 온도 측정부를 수직으로 구동시키는 구동판;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 8,
The driving means includes:
A drive motor generating power; And
A driving plate receiving the power of the driving motor to vertically drive the temperature measuring unit;
Substrate processing apparatus comprising a.
상기 다수의 제 1 온도측정수단 각각은,
상기 온도 측정부의 상기 선단부와 상기 기판안치수단의 간격을 제어하기 위해, 센서부 및 상기 센서부의 신호가 인가되어 상기 선단부의 위치를 조절하는 위치 제어부를 포함한 제어수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 8,
Each of the plurality of first temperature measuring means,
And a control means including a position control part for controlling a position of the tip part by applying a signal to the sensor part and the sensor part in order to control the distance between the tip part of the temperature measuring part and the substrate mounting means. Processing unit.
상기 챔버리드의 상기 다수의 관통홀 각각에 퍼지가스를 공급하는 다수의 퍼지가스 공급수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 8,
And a plurality of purge gas supply means for supplying purge gas to each of the plurality of through holes of the chamber lid.
상기 다수의 퍼지가스 공급수단 각각은,
상기 다수의 관통구 각각에 상기 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스 공급관;
상기 퍼스가스를 공급하기 위한 퍼지가스 공급원; 및
상기 열전대 소선의 수직구동과 함께 연동가능하도록 상기 퍼지가스 공급관과 상기 퍼지가스 공급원을 연결시키는 유동관;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 13,
Each of the plurality of purge gas supply means,
A purge gas supply pipe for supplying the purge gas to each of the plurality of through holes;
A purge gas supply source for supplying the Perth gas; And
A flow pipe connecting the purge gas supply pipe and the purge gas supply source to be interlocked with the vertical drive of the thermocouple element wire;
Substrate processing apparatus comprising a.
상기 챔버리드와 상기 가스분사수단 각각에는 측정포트와 그루브가 형성되고, 상기 제 2 온도측정수단은,
상기 기판안치수단의 온도를 측정하고 상기 제어부와 연결되는 광온도계;
상기 측정포트의 종축을 따라 따라 상기 광온도계를 이동시키는 이동수단;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 7, wherein
A measurement port and a groove are formed in each of the chamber lead and the gas injection means, and the second temperature measuring means includes:
An optical thermometer measuring a temperature of the substrate setter and connected to the controller;
Moving means for moving the photometer along the longitudinal axis of the measuring port;
Substrate processing apparatus comprising a.
상기 이동수단은,
상기 측정포트와 근접한 상기 챔버리드 상에 설치되는 안내수단;
상기 안내수단을 따라 이동하고 상기 광온도계가 실장된 이동판;
상기 이동판을 구동시키는 구동수단;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 15,
The moving means,
Guide means installed on the chamber lead in proximity to the measurement port;
A moving plate moving along the guide means and mounted with the optical thermometer;
Driving means for driving the moving plate;
Substrate processing apparatus comprising a.
상기 측정포트는 투명재질의 석영판으로 밀봉되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 15,
And the measuring port is sealed with a transparent quartz plate.
상기 제 2 온도측정수단은 상기 측정포트 내부에 퍼지가스를 분사하기 위한 퍼지가스 분사수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 15,
The second temperature measuring means further comprises a purge gas injecting means for injecting a purge gas into the measurement port.
상기 광온도계는 상기 기판안치수단의 다수 지점에서 온도를 측정하기 위하여 상기 안내수단을 따라 일정간격으로 이동하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 15,
And said optical thermometer moves at regular intervals along said guide means for measuring temperature at multiple points of said substrate settling means.
상기 가스분사수단은,
상기 챔버리드를 관통하여 공정가스가 공급되는 다수의 가스 공급관;
상기 다수의 가스 공급관과 각각 연결되고, 반응공간에 상기 공정가스를 분사하는 다수의 피스;
상기 다수의 피스를 결합시키는 다수의 연결수단
을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 7, wherein
The gas injection means,
A plurality of gas supply pipes through which the process gases are supplied through the chamber leads;
A plurality of pieces each connected to the plurality of gas supply pipes and inject the process gas into a reaction space;
A plurality of connecting means for coupling the plurality of pieces
Substrate processing apparatus further comprising a.
상기 다수의 피스 각각은,
상기 다수의 가스 공급관 각각과 연결되고 후방 벽으로 기능하는 상기 챔버리드;
상기 챔버리드와 대향하고 다수의 분사홀이 형성된 가스 분배판; 및
상기 가스 분배판의 주연부를 따라 형성되고 상기 챔버리드와 상기 가스 분배판을 연결시키는 측벽;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 20,
Each of the plurality of pieces,
The chamber lid connected to each of the plurality of gas supply pipes and functioning as a rear wall;
A gas distribution plate facing the chamber lead and having a plurality of injection holes formed therein; And
A side wall formed along a periphery of the gas distribution plate and connecting the chamber lead to the gas distribution plate;
Substrate processing apparatus comprising a.
상기 다수의 피스 각각은 측면 돌출부를 포함하고, 상기 다수의 연결수단 각각은 상기 측면 돌출부가 삽입되는 측면 함몰부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 21,
And each of the plurality of pieces comprises a side protrusion, and each of the plurality of connecting means comprises a side depression in which the side protrusion is inserted.
상기 다수의 연결수단은,
상기 제 1 온도측정수단과 대응되어 정렬되는 제 1 그루브를 포함하는 제 1 연결부 및 상기 제 2 온도측정수단과 대응되어 정렬되는 제 2 그루브를 포함하는 제 2 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 20,
The plurality of connection means,
And a first connecting portion including a first groove aligned with the first temperature measuring means, and a second connecting portion including a second groove aligned with the second temperature measuring means. Device.
상기 가스분사수단은
상기 가스분사수단의 중앙부분에 설치되고 상기 다수의 피스와 면접하는 중앙부와, 상기 중앙부에 설치되는 퍼지가스 분사수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 20,
The gas injection means
And a purge gas injecting means provided in the central portion of the gas injecting means, the central portion being in contact with the plurality of pieces, and the central portion.
상기 다수의 가스 공급관은 공정가스가 도입되는 가스 도입관으로부터 분기되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 20,
The plurality of gas supply pipe is a substrate processing apparatus, characterized in that branching from the gas introduction pipe into which the process gas is introduced.
상기 다수의 간격조절수단 각각은,
상기 코일을 고정하고 지지하는 코일 고정용 지지대;
상기 코일 고정용 지지대와 연결되고 상기 공정챔버를 관통하는 샤프트;
상기 샤프트와 대응되는 상기 공정챔버의 외부에 설치되는 벨로우즈;
상기 샤프트와 연결되고 상기 벨로우즈의 하부에 설치되는 간격조절기;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 4, wherein
Each of the plurality of gap adjusting means,
A coil fixing support for fixing and supporting the coil;
A shaft connected to the support for fixing the coil and penetrating the process chamber;
A bellows installed outside the process chamber corresponding to the shaft;
A spacer connected to the shaft and installed at a lower portion of the bellows;
Substrate processing apparatus comprising a.
상기 간격조절기에는 상기 제어부의 상기 제어신호에 따라 구동하는 구동모터가 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 26,
And a driving motor driven to the gap controller according to the control signal of the controller.
상기 코일 고정용 지지대와 상기 샤프트 사이에 절연재가 개재되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 26,
Substrate processing apparatus, characterized in that the insulating material is interposed between the coil fixing support and the shaft.
상기 코일 고정용 지지대는 상기 코일을 지지하는 고정장치와 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 26,
The coil fixing support is substrate processing apparatus, characterized in that connected to the fixing device for supporting the coil.
상기 공정챔버는 상기 샤프트가 관통되는 관통구를 포함하고, 상기 샤프트의 상부 및 하부에 각각 대응되는 상부 지주대 및 하부 지주대가 상기 관통구와 대응되는 상기 공정챔버의 내부 및 외부에 각각 체결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 26,
The process chamber includes a through-hole through which the shaft passes, and upper and lower supporters respectively corresponding to the upper and lower portions of the shaft are fastened to the inside and the outside of the process chamber corresponding to the through-hole, respectively. Substrate processing apparatus to be.
상기 다수의 간격조절수단 각각은 상기 벨로우즈와 상기 간격조절기 사이에 설치된 감지장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 26,
Each of the plurality of gap adjusting means comprises a sensing device provided between the bellows and the gap adjuster.
상기 기판안치수단은,
제 1 방향으로 회전하는 디스크;
상기 디스크를 지지하는 지지축;
상기 디스크 상에 설치되는 다수의 삽입영역;
상기 다수의 삽입영역에 삽입되어 상기 제 1 방향과 역방향인 제 2 방향으로 회전하고 다수의 상기 기판이 안치되는 다수의 서셉터;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 1,
The substrate mounting means,
A disk rotating in the first direction;
A support shaft for supporting the disk;
A plurality of insertion areas provided on the disc;
A plurality of susceptors inserted into the plurality of insertion regions to rotate in a second direction opposite to the first direction and in which the plurality of substrates are placed;
Substrate processing apparatus comprising a.
상기 기판을 처리하지 않은 대기상태에서, 상기 기판안치수단에 다수의 제 1 온도측정수단을 근접시켜 상기 기판안치수단의 다수 지점에서 온도를 측정하는 단계;
상기 다수의 제 1 온도측정수단에 의해 측정된 상기 기판안치수단의 제 1 측정온도를 제어부에 인가하는 단계;
상기 제어부의 제 1 제어신호에 따라 상기 다수의 간격조절수단을 독립적으로 구동시켜 상기 다수 지점과 대응되는 상기 기판안치수단과 상기 가열수단의 간격을 국부적으로 조절하는 단계;
상기 반응공간에 공정가스를 공급하고 상기 기판을 처리하는 단계;
상기 기판을 처리하는 공정상태에서, 상기 제 2 온도측정수단에 의해 상기 기판안치수단의 다수 지점에서 온도를 측정하는 단계;
상기 제 2 온도측정수단에 의해 측정된 상기 기판안치수단의 제 2 측정온도를 제어부에 인가하는 단계;
상기 제어부의 제 2 제어신호에 따라 상기 다수의 간격조절수단을 독립적으로 구동시켜 상기 다수 지점과 대응되는 상기 기판안치수단과 상기 가열수단의 간격을 국부적으로 조절하는 조절하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.Positioning the substrate on a substrate setter positioned inside the process chamber;
Measuring a temperature at a plurality of points of the substrate placing means by bringing a plurality of first temperature measuring means into close proximity to the substrate placing means in an idle state without processing the substrate;
Applying a first measurement temperature of the substrate setter measured by the plurality of first temperature measuring means to a controller;
Driving the plurality of gap adjusting means independently according to the first control signal of the controller to locally adjust the gap between the substrate setter and the heating means corresponding to the plurality of points;
Supplying a process gas to the reaction space and treating the substrate;
In the process state of processing the substrate, measuring the temperature at a plurality of points of the substrate placing means by the second temperature measuring means;
Applying a second measurement temperature of the substrate setter, measured by the second temperature measurer, to the controller;
Controlling the distance between the substrate setter and the heating means corresponding to the plurality of points by independently driving the plurality of gap adjusting means according to the second control signal of the controller;
Substrate processing method comprising a.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100015207A KR20110095633A (en) | 2010-02-19 | 2010-02-19 | Apparatus and method for treating substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100015207A KR20110095633A (en) | 2010-02-19 | 2010-02-19 | Apparatus and method for treating substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110095633A true KR20110095633A (en) | 2011-08-25 |
Family
ID=44931233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100015207A KR20110095633A (en) | 2010-02-19 | 2010-02-19 | Apparatus and method for treating substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20110095633A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015161225A1 (en) * | 2014-04-18 | 2015-10-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for susceptor temperature verification and methods of use |
| US20160027674A1 (en) * | 2013-03-15 | 2016-01-28 | Kevin Griffin | Carousel Gas Distribution Assembly With Optical Measurements |
| CN108074792A (en) * | 2016-11-18 | 2018-05-25 | 应用材料公司 | Thermogravimetric renaturation and nozzle temperature in situ monitor |
| KR20190141060A (en) * | 2018-06-13 | 2019-12-23 | 인천대학교 산학협력단 | Apparatus for forming of 3d graphene structure using halogen heater |
| KR20200103567A (en) * | 2019-02-25 | 2020-09-02 | 최병규 | Multiple object inspection device |
-
2010
- 2010-02-19 KR KR1020100015207A patent/KR20110095633A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160027674A1 (en) * | 2013-03-15 | 2016-01-28 | Kevin Griffin | Carousel Gas Distribution Assembly With Optical Measurements |
| WO2015161225A1 (en) * | 2014-04-18 | 2015-10-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for susceptor temperature verification and methods of use |
| KR20160145747A (en) * | 2014-04-18 | 2016-12-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Apparatus for susceptor temperature verification and methods of use |
| US9765434B2 (en) | 2014-04-18 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for susceptor temperature verification and methods of use |
| US10900125B2 (en) | 2014-04-18 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for susceptor temperature verification and methods of use |
| KR20220044535A (en) * | 2014-04-18 | 2022-04-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Apparatus for susceptor temperature verification and methods of use |
| CN108074792A (en) * | 2016-11-18 | 2018-05-25 | 应用材料公司 | Thermogravimetric renaturation and nozzle temperature in situ monitor |
| US10607817B2 (en) * | 2016-11-18 | 2020-03-31 | Applied Materials, Inc. | Thermal repeatability and in-situ showerhead temperature monitoring |
| TWI699241B (en) * | 2016-11-18 | 2020-07-21 | 美商應用材料股份有限公司 | Showerhead assembly, processing chamber, and method of processing substrate |
| CN108074792B (en) * | 2016-11-18 | 2021-05-18 | 应用材料公司 | Thermal repeatability and in-situ showerhead temperature monitoring |
| KR20190141060A (en) * | 2018-06-13 | 2019-12-23 | 인천대학교 산학협력단 | Apparatus for forming of 3d graphene structure using halogen heater |
| KR20200103567A (en) * | 2019-02-25 | 2020-09-02 | 최병규 | Multiple object inspection device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6770852B1 (en) | Critical dimension variation compensation across a wafer by means of local wafer temperature control | |
| KR20110095633A (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
| TW201642384A (en) | Azimuthally tunable multi-zone electrostatic chuck | |
| US6250914B1 (en) | Wafer heating device and method of controlling the same | |
| TW201724395A (en) | Temperature control method | |
| CN101231941A (en) | Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber | |
| KR102324723B1 (en) | Temperature control apparatus, temperature control method and program | |
| US5802099A (en) | Method for measuring substrate temperature in radiant heated reactors | |
| KR20030061851A (en) | Processing method and processing apparatus | |
| US6329643B1 (en) | Method of temperature-calibrating heat treating apparatus | |
| KR100239405B1 (en) | Semiconductor fabricating system | |
| TW202245074A (en) | Subsrtate processing apparatus, temperature measurement method and temperature control method | |
| JP2002110556A (en) | Heat treatment apparatus | |
| JP4353454B2 (en) | Heat treatment equipment | |
| KR101183143B1 (en) | Temperature measuring means, Apparatus for treating substrate including the same and Method for measuring temperature of substrate placing means | |
| JP2002026112A (en) | Substrate-processing apparatus | |
| KR20100032819A (en) | Apparatus for treating substrate including height contorlling means and method for contolling temperature distribution of substrate-plasing means using height contorlling means | |
| KR20200064931A (en) | Calibration method of infrared camera and calibration system of infrared camera | |
| JP2002134491A (en) | Heat treatment apparatus | |
| US11521871B2 (en) | Rapid thermal processing apparatus | |
| JPH03252127A (en) | Temperature control method for vapor growth device | |
| JP3571634B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP2014063820A (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and semiconductor device manufacturing method | |
| KR100763681B1 (en) | Device and method for controlling the high density plasma chemical vapor deposition | |
| JP2002367919A (en) | Heat treatment device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |