KR20180089606A - The manufacturing method of the mask assembly - Google Patents

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KR20180089606A
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김정국
임성순
황규환
김성철
문영민
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a method of manufacturing a mask assembly to improve pattern accuracy. The method includes the following steps: preparing a carrier substrate; coating the carrier substrate with first photoresist; forming a first photoresist pattern by patterning the first photoresist; coating the carrier substrate and the first photoresist with second photoresist; forming a second photoresist pattern by patterning the second photoresist; depositing a metal layer on the carrier substrate; removing the metal layer arranged on the first photoresist pattern and the second photoresist pattern; and manufacturing a segmentation mask by separating the carrier substrate and the metal layer, wherein the first photoresist is positive type photoresist, and the second photoresist is negative type photoresist.

Description

마스크 어셈블리의 제조 방법{THE MANUFACTURING METHOD OF THE MASK ASSEMBLY}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a mask assembly,

본 발명은 마스크 어셈블리의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 증착 정밀도를 향상시킬 수 있는 마스크 어셈블리의 제조 방법에 대한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a mask assembly, and more particularly, to a method of manufacturing a mask assembly capable of improving deposition accuracy.

유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)는 빛을 방출하는 유기 발광 소자를 가지고 화상을 표시하는 자발광형 표시 장치이다. 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치(liquid crystal display)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 상대적으로 작은 두께와 무게를 갖는다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 가지므로 휴대용 전자 기기의 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다.Description of the Related Art [0002] An organic light emitting diode (OLED) display is a self-emission type display device that displays an image with an organic light emitting element that emits light. Unlike a liquid crystal display, an organic light emitting display does not require a separate light source and thus has a relatively small thickness and weight. Further, organic light emitting display devices are attracting attention as next generation display devices for portable electronic devices because they have high quality characteristics such as low power consumption, high luminance, and high reaction speed.

유기 발광 표시 장치는 애노드와 캐소드에 주입되는 정공과 전자가 발광층에서 재결합하여 발광하여 색상을 구현하며, 애노드와 캐소드 사이에 발광층을 삽입한 적층형 구조이다. 그러나, 상기한 구조로는 고효율 발광을 얻기 어렵기 때문에 각각의 전극과 발광층 사이에 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 수송층, 및 정공 주입층 등의 중간층을 선택적으로 추가 삽입하여 이용하고 있다.The OLED display has a stacked structure in which holes and electrons injected into the anode and the cathode recombine to emit light to emit light, and a light emitting layer is interposed between the anode and the cathode. However, since it is difficult to obtain high-efficiency light emission in the above-described structure, an intermediate layer such as an electron injection layer, an electron transport layer, a hole transport layer, and a hole injection layer is selectively inserted and used between each electrode and a light emitting layer.

한편, 유기 발광 표시 장치의 전극들 및 발광층을 포함한 중간층은 여러 가지 방법에 의하여 형성할 수 있는데, 그 중 하나의 방법이 증착법이다. 증착법을 이용하여 유기 발광 표시 장치를 제조하기 위해 기판 상에 형성될 박막의 패턴과 동일한 패턴을 가지는 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask; FMM)를 이용한다. 파인 메탈 마스크(FMM)는 기판 상에 정렬되고 박막을 이루는 물질이 증착되어, 기판 상에 박막이 패터닝된다. Meanwhile, the intermediate layer including the electrodes and the light emitting layer of the organic light emitting display device can be formed by various methods, one of which is a vapor deposition method. A fine metal mask (FMM) having the same pattern as the pattern of the thin film to be formed on the substrate is used for manufacturing an organic light emitting display device using a deposition method. A fine metal mask (FMM) is aligned on the substrate and a thin film of material is deposited, and the thin film is patterned on the substrate.

이때, 고해상도의 디스플레이를 제조하기 위해 증착 정밀도를 향상시킬 수 있는 마스크 어셈블리를 제조하기 위한 연구가 진행되고 있다.At this time, research is underway to manufacture a mask assembly capable of improving the deposition precision in order to manufacture a high-resolution display.

본 발명은 증착 정밀도를 향상시킬 수 있는 마스크 어셈블리의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a mask assembly capable of improving deposition precision.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 마스크 어셈블리 제조방법은, 캐리어 기판을 준비하는 단계; 캐리어 기판 상에 제1 포토 레지스트를 도포하는 단계; 제1 포토 레지스트를 패터닝하여 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 캐리어 기판 및 제1 포토 레지스트 상에 제2 포토 레지스트를 도포하는 단계; 제2 포토 레지스트를 패터닝하여 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 캐리어 기판 상에 금속층을 증착하는 단계; 제1 포토 레지스트 패턴 및 제2 포토 레지스트 패턴 상에 배치된 금속층을 제거하는 단계; 및 캐리어 기판과 금속층을 분리하여 분할 마스크를 제조하는 단계;를 포함하고, 제1 포토 레지스트는 포지티브(positive)형 포토 레지스트이고, 제2 포토 레지스트는 네가티브(negative)형 포토 레지스트이다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a mask assembly, the method including: preparing a carrier substrate; Applying a first photoresist on a carrier substrate; Forming a first photoresist pattern by patterning a first photoresist; Applying a second photoresist on the carrier substrate and the first photoresist; Forming a second photoresist pattern by patterning a second photoresist; Depositing a metal layer on the carrier substrate; Removing the metal layer disposed on the first photoresist pattern and the second photoresist pattern; And separating the carrier substrate and the metal layer to produce a split mask, wherein the first photoresist is a positive type photoresist and the second photoresist is a negative type photoresist.

제1 포토 레지스트를 패터닝하여 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계에서, 제1 포토 레지스트 패턴의 측면은 캐리어 기판과 둔각을 이룰 수 있다.In the step of forming the first photoresist pattern by patterning the first photoresist, the side surface of the first photoresist pattern may make an obtuse angle with the carrier substrate.

제2 포토 레지스트를 패터닝하여 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계에서, 제2 포토 레지스트 패턴의 측면은 캐리어 기판과 예각을 이룰 수 있다.In the step of forming the second photoresist pattern by patterning the second photoresist, the side surface of the second photoresist pattern may be at an acute angle with the carrier substrate.

제1 포토 레지스트 패턴의 상면은 제2 포토 레지스트 패턴의 상면보다 작은 면적을 가질 수 있다.The upper surface of the first photoresist pattern may have a smaller area than the upper surface of the second photoresist pattern.

제1 포토 레지스트 패턴은 상면보다 하면의 면적이 넓을 수 있다.The area of the lower surface of the first photoresist pattern may be larger than that of the upper surface.

제2 포토 레지스트 패턴은 하면보다 상면의 면적이 넓을 수 있다.The area of the upper surface of the second photoresist pattern may be larger than that of the lower surface.

분할 마스크의 두께는 50㎛이하일 수 있다.The thickness of the divided mask may be 50 탆 or less.

금속층은 26%이상 46%이하의 니켈(Ni), 10% 이하의 코발트(Co) 및 44%이상 74%이하의 철(Fe)로 이루어질 수 있다.The metal layer may be composed of 26% or more and 46% or less of nickel (Ni), 10% or less of cobalt (Co), and 44% or more and 74% or less of iron (Fe).

캐리어 기판 상에 금속층을 증착하는 단계에서, 제2 포토 레지스트 패턴 상에 배치된 금속층은 캐리어 기판과 직접 접촉하는 금속층과 분리될 수 있다.In the step of depositing the metal layer on the carrier substrate, the metal layer disposed on the second photoresist pattern can be separated from the metal layer in direct contact with the carrier substrate.

캐리어 기판과 금속층을 분리하여 분할 마스크를 제조하는 단계는, 캐리어 기판에 레이저를 조사하는 단계를 포함할 수 있다.The step of separating the carrier substrate and the metal layer to produce a split mask may include irradiating the carrier substrate with a laser.

캐리어 기판 상에 금속층을 증착하는 단계에서, 전자빔 진공증착법(E-beam Evaporation)을 적용할 수 있다. In the step of depositing the metal layer on the carrier substrate, E-beam evaporation may be applied.

분할 마스크를 마스크 프레임에 배치하는 단계; 및 분할 마스크를 마스크 프레임에 고정하는 단계를 더 포함할 수 있다.Disposing a split mask in a mask frame; And fixing the split mask to the mask frame.

금속층을 마스크 프레임에 고정하는 단계는, 금속층을 마스크 프레임에 용접하는 단계를 포함할 수 있다.The step of securing the metal layer to the mask frame may include the step of welding the metal layer to the mask frame.

본 발명에 따른 마스크 어셈블리 제조 방법은 분할 마스크에 형성되는 둔턱을 감소시킬 수 있어 마스크 어셈블리의 증착 정밀도를 향상시킬 수 있다. The method of manufacturing a mask assembly according to the present invention can reduce the barrier formed on the divided mask, thereby improving the deposition accuracy of the mask assembly.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 분할 마스크의 사시도이다.
도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 분할 마스크의 제조 공정을 나타낸 도면이다.1 is a plan view of a mask assembly according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view of a split mask according to an embodiment of the present invention.
3A to 3J are views showing a manufacturing process of a split mask according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Thus, in some embodiments, well known process steps, well known device structures, and well-known techniques are not specifically described to avoid an undesirable interpretation of the present invention. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thicknesses are enlarged to clearly indicate layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification. It will be understood that when an element such as a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the element directly over another element, Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle. Also, when a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "below " another portion, it includes not only a case where it is" directly underneath "another portion but also another portion in between. Conversely, when a part is "directly underneath" another part, it means that there is no other part in the middle.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The elements can also be oriented in different directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

본 명세서에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제 1 구성 요소가 제 2 또는 제 3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제 2 또는 제 3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.The terms first, second, third, etc. in this specification may be used to describe various components, but such components are not limited by these terms. The terms are used for the purpose of distinguishing one element from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second or third component, and similarly, the second or third component may be alternately named.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 대해 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 평면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 분할 마스크의 사시도이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. FIG. 1 is a plan view of a mask assembly according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view of a split mask according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 마스크 어셈블리(10)는 복수의 분할 마스크(100) 및 마스크 프레임(200)을 포함한다.Referring to FIGS. 1 and 2, the mask assembly 10 includes a plurality of divided masks 100 and a mask frame 200.

분할 마스크(100)는 본체부(110) 및 클램핑부(120)를 포함할 수 있다. The split mask 100 may include a body 110 and a clamping part 120.

본체부(110)는 개구 패턴(111)을 포함할 수 있다. 개구 패턴(111)은 분할 마스크(100)의 길이 방향(X방향)을 따라 서로 이격되어 배치될 수 있다. The main body 110 may include an opening pattern 111. The opening patterns 111 may be disposed apart from each other along the longitudinal direction (X direction) of the divided mask 100.

개구 패턴(111)은 복수의 개구부(112)를 포함한다. 분할 마스크(100)는 개구부(112)에 의해 두께 방향으로 관통된다. The opening pattern 111 includes a plurality of openings 112. The divided mask 100 is penetrated in the thickness direction by the opening portion 112. [

개구부(112) 각각은 유기 발광 소자의 제조 공정 중 분할 마스크(100) 상에 배치되는 증착용 기판에 증착하고자 하는 박막 형상과 대응하는 형상으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착 공정에서 증착 물질이 개구부(112)를 통해 증착용 기판 상에 증착되어 원하는 형상의 박막이 형성될 수 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 개구부(112)는 사각 형상일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 개구부(112)는 원 형상, 스트립 형상 등 여러 가지 형상일 수 있다.Each of the openings 112 may be formed in a shape corresponding to that of a thin film to be deposited on a deposition substrate disposed on the divided mask 100 during the manufacturing process of the organic light emitting device. Accordingly, in the deposition process, the deposition material may be deposited on the deposition substrate through the opening 112 to form a thin film having a desired shape. As shown in Figs. 1 and 2, the opening 112 may have a rectangular shape. However, the present invention is not limited thereto, and the opening 112 may have various shapes such as a circular shape and a strip shape.

클램핑부(120)는 본체부(110)의 양 단부에 위치하며, 후술할 마스크 프레임(200)에 고정된 후 제거된다.The clamping part 120 is located at both ends of the body part 110 and is fixed to the mask frame 200 to be described later and then removed.

분할 마스크(100)는 접합부(130)를 더 포함할 수 있다. 접합부(130)는 본체부(110)와 클램핑부(120) 사이에 위치한다. 접합부(130)는 프레임(200)에 용접되어 분할 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정시킨다.The divided mask 100 may further include a bonding portion 130. The joint 130 is positioned between the body 110 and the clamping part 120. The joint 130 is welded to the frame 200 to fix the split mask 100 to the mask frame 200.

복수의 분할 마스크(100)는 후술할 마스크 프레임(200)의 개구 영역(201) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 분할 마스크(100)는 마스크 프레임(200) 상에 X방향을 따라 배치되고, 복수의 분할 마스크(100)는 Y방향을 따라 연속적으로 배치된다. 전술한 분할 마스크(100)의 접합부(130)가 마스크 프레임(200)에 용접되어 고정될 수 있다. 예를 들어, 용접은 점 용접(Spot Welding)일 수 있다. 점 용접은 복수 개의 용접 포인트를 설정하여 각각 용접함으로써, 용접 시 분할 마스크(120)의 변형을 최소화할 수 있다. 용접 포인트는, 예를 들어, 적어도 하나의 열(Column) 또는 지그재그(Zigzag) 형태로 이루어질 수 있다.The plurality of divided masks 100 may be disposed on the opening region 201 of the mask frame 200 to be described later. Specifically, the divided masks 100 are arranged along the X direction on the mask frame 200, and the plurality of divided masks 100 are continuously arranged along the Y direction. The joint 130 of the split mask 100 described above can be welded to the mask frame 200 and fixed. For example, the welding may be spot welding. In the spot welding, deformation of the divided mask 120 during welding can be minimized by welding a plurality of welding points. The welding point may, for example, be in the form of at least one column or zigzag.

분할 마스크(100)는 압축 또는 열에 의한 변형을 최소화하기 위해 강성이 큰 금속 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 본 발명에 따른 분할 마스크(100)는 26%이상 46%이하의 니켈(Ni), 10% 이하의 코발트(Co) 및 44%이상 74%이하의 철(Fe)로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 분할 마스크(100)는 열팽창 계수가 매우 작아, 온도에 따라 그 크기가 변하지 않는다.The divided mask 100 may be made of a metal material having a high rigidity to minimize compression or thermal deformation. For example, the divided mask 100 according to the present invention may be composed of 26% or more and 46% or less of nickel (Ni), 10% or less of cobalt (Co), and 44% or more and 74% . Thus, the divided mask 100 has a very small coefficient of thermal expansion, and its size does not change with temperature.

또한, 분할 마스크(100)는 증착으로 형성되기 때문에 50㎛이하의 박막의 두께(h)를 가질 수 있다. 이에 따라, 박막의 분할 마스크(100)는 기판에 밀착될 수 있어 패턴 정밀도를 향상시킬 수 있다.In addition, since the divided mask 100 is formed by vapor deposition, it can have a thickness h of 50 mu m or less. Accordingly, the divided mask 100 of the thin film can be brought into close contact with the substrate, and the pattern accuracy can be improved.

마스크 프레임(200)은 개구 영역(201)을 가지며, 사각의 고리 형상일 수 있다. 예를 들어, 마스크 프레임(200)은 Y방향을 따라 연장되고, X방향으로 서로 대향하는 두 프레임 및 X방향을 따라 연장되고, Y방향으로 서로 대향하는 두 프레임이 서로 연결된 사각의 고리 형태일 수 있다.The mask frame 200 has an opening area 201 and may be a rectangular ring-shaped. For example, the mask frame 200 may extend in the Y direction and include two frames opposing each other in the X direction and two frames extending in the X direction and opposing each other in the Y direction, have.

마스크 프레임(200)은 마스크 프레임(200)에 작용하는 압축 또는 열에 의한 변형을 최소화하기 위해 강성이 큰 금속 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 스테인레스 스틸(SUS), 인바(Invar) 합금, 니켈(Ni), 코발트(Co), 니켈 합금, 니켈-코발트 합금 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The mask frame 200 may be made of a metal material having high rigidity in order to minimize compression or thermal deformation acting on the mask frame 200. For example, it may be made of any one of stainless steel (SUS), invar alloy, nickel (Ni), cobalt (Co), nickel alloy, and nickel-cobalt alloy.

이하, 도 3a 내지 도 3g를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 분할 마스크의 제조 방법에 대해 상세히 설명한다. 도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 일 실시예에 따른 분할 마스크의 제조 공정을 나타낸 도면이다. Hereinafter, a method of manufacturing a split mask according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3A to 3G. FIG. 3A to 3J are views showing a manufacturing process of a split mask according to an embodiment of the present invention.

우선, 도 3a에 도시된 바와 같이, 캐리어 기판(310)을 준비한다. First, as shown in FIG. 3A, a carrier substrate 310 is prepared.

도 3b를 참조하면, 캐리어 기판(310)의 일 면에 제1 포토 레지스트(320)를 도포한다. 이때, 제1 포토 레지스트(320)는 포지티브형 포토 레지스트이다. Referring to FIG. 3B, the first photoresist 320 is coated on one side of the carrier substrate 310. FIG. At this time, the first photoresist 320 is a positive type photoresist.

도 3c를 참조하면, 제1 포토 레지스트(320) 상에 제1 노광 마스크(400)가 배치되고, 제1 노광 마스크(400)를 통해 광이 조사되어 제1 포토 레지스트(320)가 선택적으로 현상된다. 제1 노광 마스크(400)는 투광부(421)와 차광부(422)를 찾는 패턴 마스크가 사용된다. Referring to FIG. 3C, a first exposure mask 400 is disposed on the first photoresist 320, and the first photoresist 320 is selectively irradiated with light through the first exposure mask 400 do. The first exposure mask 400 uses a pattern mask for finding the light-transmitting portion 421 and the light-shielding portion 422.

도 3d를 참조하면, 노광된 제1 포토 레지스트(320)가 현상되어 비노광 영역이 잔존하게 되고, 이에 따라, 제1 포토레지스트 패턴(321)이 형성된다. Referring to FIG. 3D, the exposed first photoresist 320 is developed to leave a non-exposed region, so that a first photoresist pattern 321 is formed.

이상적인 포토 레지스트는 한계 노광량 이상 노광되는 경우에는 완전히 현상되고, 한계 노광량 이하로 노광되는 경우에는 전혀 현상되지 않는다. 그러나, 실제 포토 레지스트는 노광되지 않은 부분도 약간씩 현상되고, 노광량에 따라 현상 속도가 달라질 수도 있다. The ideal photoresist is completely developed when exposed to a light exposure exceeding the limit exposure amount, and is not developed at all when exposed to a limit exposure amount or less. However, the actual photoresist is slightly developed at the unexposed portions, and the developing speed may vary depending on the exposure amount.

이때, 제1 포토 레지스트(320)는 포지티브(positive)형 포토 레지스트이기 때문에, 노광 영역의 제1 포토 레지스트(320)는 현상액에 용해되기 쉽고, 비노광 영역의 제1 포토 레지스트(320)는 현상액에 용해되기 어렵다. 구체적으로, 제1 포토 레지스트(320)의 노광 영역과 비노광 영역의 경계에서 상부에 가까울수록 노광량이 많아 더 많이 용해되고 하부에 가까울수록 노광량이 적어 더 적게 용해된다. 즉, 제1 포토 레지스트(320)의 노광 영역과 비노광 영역의 경계 중 상부는 부분적으로 용해되어 제거되고 하부는 부분적으로 용해되지 않아 잔존하게 된다. 이에 따라, 제1 포토 레지스트(320)의 노광 영역과 비노광 영역의 경계에서 경사를 이루는 제1 포토 레지스트 패턴(321)이 형성된다. 구체적으로, 제1 포토 레지스트 패턴(321)은 캐리어 기판(310)과 둔각을 이루는 측면을 갖는다. 즉, 제1 포토 레지스트 패턴(321)의 측면은 캐리어 기판(310)과 둔각을 이룬다.At this time, since the first photoresist 320 is a positive type photoresist, the first photoresist 320 in the exposure region tends to be dissolved in the developing solution, and the first photoresist 320 in the non- . More specifically, the closer to the upper part of the boundary between the exposed region and the non-exposed region of the first photoresist 320, the greater the amount of exposure is, and the more the portion is dissolved. That is, the upper portion of the boundary between the exposed region and the non-exposed region of the first photoresist 320 is partially dissolved and removed, and the lower portion remains partially unmelted. Thereby, a first photoresist pattern 321 is formed which is inclined at the boundary between the exposed region and the non-exposed region of the first photoresist 320. Specifically, the first photoresist pattern 321 has a side surface at an obtuse angle with the carrier substrate 310. That is, the side surface of the first photoresist pattern 321 forms an obtuse angle with the carrier substrate 310.

제1 포토 레지스트 패턴(321)은 상면(321a) 및 하면(321b)을 가지며, 상면(321a)은 하면(321b)보다 작은 면적을 가진다.The first photoresist pattern 321 has an upper surface 321a and a lower surface 321b and an upper surface 321a has an area smaller than the lower surface 321b.

도 3e를 참조하면, 제1 포토 레지스트 패턴(321) 및 캐리어 기판(310) 상에제2 포토 레지스트(330)를 도포한다. 즉, 제1 포토 레지스트 패턴(321)이 형성된 캐리어 기판(310) 상에 제2 포토 레지스트(330)를 도포한다. 제2 포토 레지스트(330)는 네가티브형 포토 레지스트이다.Referring to FIG. 3E, a second photoresist pattern 330 is coated on the first photoresist pattern 321 and the carrier substrate 310. That is, the second photoresist 330 is coated on the carrier substrate 310 on which the first photoresist pattern 321 is formed. The second photoresist 330 is a negative type photoresist.

도 3f를 참조하면, 제2 포토 레지스트(330) 상에 제2 노광 마스크(500)가 배치되고, 제2 노광 마스크(500)를 통해 광이 조사되어 제2 포토 레지스트(330)가 선택적으로 현상된다. 제2 노광 마스크(500)는 투광부(521)와 차광부(522)를 찾는 패턴 마스크가 사용된다.Referring to FIG. 3F, a second exposure mask 500 is disposed on the second photoresist 330, and the second photoresist 330 is selectively irradiated with light through the second exposure mask 500 do. The second exposure mask 500 uses a pattern mask for finding the light-transmitting portion 521 and the light-shielding portion 522.

도 3g를 참조하면, 노광된 제2 포토 레지스트(330)가 현상되어 제2 포토 레지스트 패턴(331)이 형성된다.Referring to FIG. 3G, the exposed second photoresist 330 is developed to form a second photoresist pattern 331.

전술한 바와 같이, 이상적인 포토 레지스트는 한계 노광량 이상 노광되는 경우에는 완전히 현상되고, 한계 노광량 이하로 노광되는 경우에는 전혀 현상되지 않는다. 그러나, 실제 포토 레지스트는 노광되지 않은 부분도 약간씩 현상되고, 노광량에 따라 현상 속도가 달라질 수도 있다. As described above, the ideal photoresist is completely developed when it is exposed to a limit exposure amount or more, and is not developed at all when it is exposed to a limit exposure amount or less. However, the actual photoresist is slightly developed at the unexposed portions, and the developing speed may vary depending on the exposure amount.

이때, 제1 포토 레지스트(330)는 네가티브(negative)형 포토 레지스트이기 때문에, 노광 영역의 제1 포토 레지스트(330)는 용해되기 어렵고, 비노광 영역의 제1 포토 레지스트(330)는 용해되기 쉽다. 구체적으로, 제1 포토 레지스트(330)의 노광 영역과 비노광 영역의 경계에서 상부에 가까울수록 노광량이 많아 더 적게 용해되고 하부에 가까울수록 노광량이 적어 더 많이 용해된다. 즉, 제1 포토 레지스트(330)의 노광 영역과 비노광 영역의 경계 중 상부는 부분적으로 용해되지 않아 잔존하고 하부는 부분적으로 용해되어 제거 된다. 이에 따라, 제1 포토 레지스트(330)의 노광 영역과 비노광 영역의 경계에서 경사를 이루는 제1 포토 레지스트 패턴(331)이 형성된다. 구체적으로, 제2 포토 레지스트 패턴(331)은 캐리어 기판(310)과 예각을 이루는 측면을 갖는다. 즉, 제2 포토 레지스트 패턴(331)의 측면은 캐리어 기판(310)과 예각을 이룬다.At this time, since the first photoresist 330 is a negative type photoresist, the first photoresist 330 in the exposure region is difficult to be dissolved and the first photoresist 330 in the non-exposure region is liable to be dissolved . Specifically, the closer to the upper part the boundary between the exposed region and the non-exposed region of the first photoresist 330, the greater the amount of exposure is, and the less is dissolved. That is, the upper part of the boundary between the exposed region and the non-exposed region of the first photoresist 330 is partially dissolved and remains, and the lower portion is partially dissolved and removed. Thus, a first photoresist pattern 331 is formed which is inclined at the boundary between the exposed region and the non-exposed region of the first photoresist 330. Specifically, the second photoresist pattern 331 has an acute angle with the carrier substrate 310. That is, the side surface of the second photoresist pattern 331 forms an acute angle with the carrier substrate 310.

제2 포토 레지스트 패턴(331)은 상면(331a) 및 하면(331b)를 가지며, 상면(331a)이 하면(331b)보다 큰 면적을 갖는다. The second photoresist pattern 331 has an upper surface 331a and a lower surface 331b and the upper surface 331a has an area larger than the lower surface 331b.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 포토 레지스트 패턴(321)의 상면(321a)은 제2 포토 레지스트 패턴(331)의 상면(331a)보다 더 적은 면적을 갖는다. The upper surface 321a of the first photoresist pattern 321 has a smaller area than the upper surface 331a of the second photoresist pattern 331. In this case,

도 3h를 참조하면, 제1 및 제2 포토 레지스트 패턴(321, 331)이 형성된 캐리어 기판(310) 상에 분할 마스크(100)의 재료가 증착되어 금속층(100`)을 형성한다. 예를 들어, 분할 마스크(100)의 재료가 전자빔 진공증착법(E-beam Evaporation)에 의해 캐리어 기판(310) 상에 증착되어 금속층(100`)을 형성할 수 있다. 이때, 제2 포토 레지스트 패턴(331)의 측면이 캐리어 기판(310)과 예각을 이루고, 제1 포토 레지스트 패턴(321)의 상면(321a)이 제2 포토 레지스트 패턴(331)의 상면(331a)보다 더 작은 면적을 갖기 때문에, 제1 및 제2 포토 레지스트 패턴(321, 331) 상에 배치된 금속층(100`)은 캐리어 기판(310) 상에 배치된 금속층(100`)은 서로 연결되지 않는다. Referring to FIG. 3H, the material of the split mask 100 is deposited on the carrier substrate 310 on which the first and second photoresist patterns 321 and 331 are formed to form the metal layer 100 '. For example, the material of the split mask 100 may be deposited on the carrier substrate 310 by E-beam Evaporation to form the metal layer 100 '. At this time, the side surface of the second photoresist pattern 331 forms an acute angle with the carrier substrate 310, and the upper surface 321a of the first photoresist pattern 321 overlaps the upper surface 331a of the second photoresist pattern 331, The metal layer 100 'disposed on the first and second photoresist patterns 321 and 331 and the metal layer 100' disposed on the carrier substrate 310 are not connected to each other .

도 3i를 참조하면, 캐리어 기판(310) 상의 제1 및 제2 포토 레지스트 패턴(321,331), 제1 및 제2 포토 레지스트 패턴(321,331) 상에 배치된 금속층(100`)이 제거되어 캐리어 기판(310) 상에 금속 패턴(100``)이 형성된다.Referring to FIG. 3I, the first and second photoresist patterns 321 and 331 on the carrier substrate 310 and the metal layer 100 'disposed on the first and second photoresist patterns 321 and 331 are removed, The metal pattern 100 '' is formed.

도 3j를 참조하면, 캐리어 기판(310)은 캐리어 기판(310) 상에 배치된 금속 패턴(100``)으로부터 리프트 오프(lift-off)된다. 예를 들어, 캐리어 기판(310)과 금속 패턴(100``)을 분리하기 위해 레이저가 조사될 수 있다. 레이저 조사에 의하여 캐리어 기판(310)과 금속 패턴(100``) 사이의 부착력이 약화되어 캐리어 기판(310)을 금속 패턴(100``)으로부터 분리하여 분할 마스크(100)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 3J, the carrier substrate 310 is lifted off from the metal pattern 100 '' disposed on the carrier substrate 310. For example, a laser may be irradiated to separate the carrier substrate 310 and the metal pattern 100 '. The adhesion force between the carrier substrate 310 and the metal pattern 100 is weakened by laser irradiation so that the split mask 100 can be formed by separating the carrier substrate 310 from the metal pattern 100 '

도 3j를 참조하면, 금속 패턴(100``)이 캐리어 기판(310)과 분리되어 분할 마스크(100)가 형성된다. 이때, 분할 마스크(100)는 전술한 바와 같이, 증착에 의해 형성되기 때문에, 금속 기판을 에칭(Etching)하여 형성되는 종래의 분할 마스크와 다른 성분비를 가질 수 있다. 구체적으로, 본 발명에 따른 분할 마스크(100)는 26%이상 46%이하의 니켈(Ni), 10% 이하의 코발트(Co) 및 44%이상 74%이하의 철(Fe)로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 분할 마스크(100)는 열팽창 계수가 매우 작아, 온도에 따라 그 크기가 변하지 않는다.Referring to FIG. 3J, the metal pattern 100 '' is separated from the carrier substrate 310 to form the split mask 100. At this time, since the split mask 100 is formed by vapor deposition as described above, it can have a composition ratio different from that of the conventional split mask formed by etching the metal substrate. Specifically, the divided mask 100 according to the present invention may be composed of 26% or more and 46% or less of nickel (Ni), 10% or less of cobalt (Co), and 44% or more and 74% or less of iron (Fe). Thus, the divided mask 100 has a very small coefficient of thermal expansion, and its size does not change with temperature.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents. Will be clear to those who have knowledge of.

10: 마스크 어셈블리 100: 분할 마스크
200: 마스크 프레임 310: 캐리어 기판
321: 제1 포토 레지스트 패턴 331: 제1 포토 레지스트 패턴
100`: 금속층 100``: 금속 패턴10: mask assembly 100: split mask
200: mask frame 310: carrier substrate
321: first photoresist pattern 331: first photoresist pattern
100`: metal layer 100``: metal pattern

Claims (13)

캐리어 기판을 준비하는 단계;
상기 캐리어 기판 상에 제1 포토 레지스트를 도포하는 단계;
상기 제1 포토 레지스트를 패터닝하여 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 캐리어 기판 및 상기 제1 포토 레지스트 상에 제2 포토 레지스트를 도포하는 단계;
상기 제2 포토 레지스트를 패터닝하여 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 캐리어 기판 상에 금속층을 증착하는 단계;
상기 제1 포토 레지스트 패턴 및 상기 제2 포토 레지스트 패턴 상에 배치된 금속층을 제거하는 단계; 및
상기 캐리어 기판과 상기 금속층을 분리하여 분할 마스크를 제조하는 단계;를 포함하고,
상기 제1 포토 레지스트는 포지티브(positive)형 포토 레지스트이고,
상기 제2 포토 레지스트는 네가티브(negative)형 포토 레지스트인 마스크 어셈블리 제조 방법.Preparing a carrier substrate;
Applying a first photoresist on the carrier substrate;
Forming a first photoresist pattern by patterning the first photoresist;
Applying a second photoresist on the carrier substrate and the first photoresist;
Forming a second photoresist pattern by patterning the second photoresist;
Depositing a metal layer on the carrier substrate;
Removing a metal layer disposed on the first photoresist pattern and the second photoresist pattern; And
And separating the carrier substrate and the metal layer to produce a split mask,
Wherein the first photoresist is a positive photoresist,
Wherein the second photoresist is a negative photoresist. 제1항에 있어서,
상기 제1 포토 레지스트를 패터닝하여 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 제1 포토 레지스트 패턴의 측면은 상기 캐리어 기판과 둔각을 이루는 마스크 어셈블리 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein a side of the first photoresist pattern forms an obtuse angle with the carrier substrate in the step of forming the first photoresist pattern by patterning the first photoresist. 제1항에 있어서,
상기 제2 포토 레지스트를 패터닝하여 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 제2 포토 레지스트 패턴의 측면은 상기 캐리어 기판과 예각을 이루는 마스크 어셈블리 제조 방법.The method according to claim 1,
And forming a second photoresist pattern by patterning the second photoresist, wherein a side surface of the second photoresist pattern forms an acute angle with the carrier substrate. 제1항에 있어서,
상기 제1 포토 레지스트 패턴의 상면은 제2 포토 레지스트 패턴의 상면보다 작은 면적을 갖는 마스크 어셈블리 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the upper surface of the first photoresist pattern has a smaller area than the upper surface of the second photoresist pattern. 제1항에 있어서,
상기 제1 포토 레지스트 패턴은 상면보다 하면의 면적이 넓은 마스크 어셈블리 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the first photoresist pattern has a smaller area than that of the upper surface. 제1항에 있어서,
상기 제2 포토 레지스트 패턴은 하면보다 상면의 면적이 넓은 마스크 어셈블리 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the second photoresist pattern has a larger upper surface area than a lower surface. 제1항에 있어서,
상기 분할 마스크의 두께는 50㎛이하인 마스크 어셈블리 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the split mask is 50 mu m or less. 제1항에 있어서,
상기 금속층은 26%이상 46%이하의 니켈(Ni), 10% 이하의 코발트(Co) 및 44%이상 74%이하의 철(Fe)로 이루어진 마스크 어셈블리 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the metal layer comprises nickel (Ni) of 26% or more and 46% or less, cobalt (Co) of 10% or less and iron (Fe) of 44% or more and 74% or less of iron. 제1항에 있어서,
상기 캐리어 기판 상에 금속층을 증착하는 단계에서, 상기 제2 포토 레지스트 패턴 상에 배치된 금속층은 캐리어 기판과 직접 접촉하는 금속층과 분리된 마스크 어셈블리 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the metal layer disposed on the second photoresist pattern is separated from the metal layer in direct contact with the carrier substrate in the step of depositing the metal layer on the carrier substrate. 제1항에 있어서,
상기 캐리어 기판과 상기 금속층을 분리하여 분할 마스크를 제조하는 단계는,
상기 캐리어 기판에 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 마스크 어셈블리 제조 방법.The method according to claim 1,
The step of separating the carrier substrate and the metal layer to manufacture a split mask may include:
And irradiating the carrier substrate with a laser beam. 제1항에 있어서,
상기 캐리어 기판 상에 금속층을 증착하는 단계에서, 전자빔 진공증착법(E-beam Evaporation)을 이용하는 마스크 어셈블리 제조 방법.The method according to claim 1,
A method of manufacturing a mask assembly using an electron beam vacuum evaporation (E-beam evaporation) in a step of depositing a metal layer on the carrier substrate. 제1항에 있어서,
상기 분할 마스크를 상기 마스크 프레임에 배치하는 단계; 및
상기 분할 마스크를 상기 마스크 프레임에 고정하는 단계를 더 포함하는 마스크 어셈블리 제조 방법.The method according to claim 1,
Disposing the split mask in the mask frame; And
And fixing the split mask to the mask frame. 제12항에 있어서,
상기 금속층을 상기 마스크 프레임에 고정하는 단계는,
상기 금속층을 상기 마스크 프레임에 용접하는 단계를 포함하는 마스크 어셈블리 제조 방법.13. The method of claim 12,
Wherein the step of fixing the metal layer to the mask frame comprises:
And welding the metal layer to the mask frame.
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