KR20180076325A - Gas supply apparatus, plasma processing apparatus, and method for manufacturing the gas supply apparatus - Google Patents

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Abstract

Provided is a gas supply apparatus for processing plasma, which includes an electrode member having a plurality of gas outlets, to promote uniformity in membrane thickness of a sprayed membrane formed at a gas outlet. The gas supply apparatus is used for processing plasma and has an electrode plate (32B) having a plurality of gas passages (41). The gas supply apparatus is curved outwardly to form parts at a boundary part (Pa) between the gas passages (41) and the gas outlet (40), and has a curved surface from an inner circumferential surface located on outer faces of each part to a lower surface (300). Therefore, when a spraying material (50) spouts to the gas outlet (40), an angle between a spouting direction of the spraying material (50) and the inner circumferential surface of the gas outlet (40) gets increased, so that the gas supply apparatus can prevent thin film formation at the boundary of the upstream side of the gas outlet (40).

Description

가스 공급 장치, 플라스마 처리 장치 및 가스 공급 장치의 제조 방법{GAS SUPPLY APPARATUS, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE GAS SUPPLY APPARATUS}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a gas supply device, a plasma processing device, and a method of manufacturing the gas supply device,

본 발명은 기판을 플라스마 처리할 때에 이용되는 전극 부재를 구비한 가스 공급 장치의 기술 분야에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technical field of a gas supply apparatus having an electrode member used in plasma processing a substrate.

반도체 제조 장치로서, 플라스마에 의해 기판에 대해서 성막 처리나 에칭 등을 실행하는 플라스마 처리 장치가 있으며, 예컨대 상부 전극을 겸용하는 가스 샤워 헤드 등으로 불리는 가스 공급부와, 하부 전극을 겸용하는 기판의 탑재대와의 사이에 고주파 전력을 인가하는 평행 평판형의 플라스마 처리 장치가 알려져 있다.As a semiconductor manufacturing apparatus, there is a plasma processing apparatus for performing a film forming process, an etching process, and the like on a substrate by plasma, and includes a gas supply unit called a gas showerhead or the like serving also as an upper electrode, And a high-frequency power is applied between the plasma processing apparatus and the plasma processing apparatus.

이러한 플라스마 처리 장치에 있어서, 가스 공급부에 이용되는 상부 전극에는, 복수의 가스 유로가 형성되며, 가스 유로의 하단부에는, 구멍부가 확개되는 가스 토출구(가스 구멍 입구)가 형성되어 있다. 이러한 상부 전극에서는, 상부 전극의 표면에 형성된 알루마이트가 플라스마에 의해 소모되는 것에 의한 파티클의 발생이나 이상 방전이 문제된다. 그 때문에 가스 토출구의 내 플라스마성의 향상의 요청이 있다.In this plasma processing apparatus, a plurality of gas flow channels are formed in the upper electrode used in the gas supply unit, and a gas discharge port (gas hole inlet) through which the holes are expanded is formed at the lower end of the gas flow channel. In such an upper electrode, generation of particles or abnormal discharge due to consumption of an alumite formed on the surface of the upper electrode by the plasma is problematic. Therefore, there is a demand for improvement of the plasma resistance of the gas discharge port.

상부 전극의 내 플라스마성을 향상시키기 위해서, 예컨대 특허문헌 1, 2에 기재되어 있는 바와 같이 가스 토출구의 알루마이트 처리가 이루어진 표면에, 세라믹스 용사를 실행하여, 보호막을 형성하는 기술이 알려져 있다. 이러한 가스 토출구의 개구부 부근에 용사막을 성막할 때에, 예컨대 상부 전극의 일면(탑재대와 대향하는 면)에 수직인 방향으로부터 용사건에 의해 용사 재료를 내뿜고, 용사건을 상기 일면을 따라서 평행 이동시켜서, 각 가스 토출구에 용사막을 성막하고 있다.In order to improve the plasma resistance of the upper electrode, for example, as described in Patent Documents 1 and 2, there is known a technique of performing ceramic spraying on the surface subjected to an alumite treatment at the gas discharge port to form a protective film. When the thermal spraying film is formed in the vicinity of the opening of the gas discharge port, for example, the thermal spraying material is sprayed from a direction perpendicular to one surface of the upper electrode (the surface facing the loading table) and the thermal spraying material is moved in parallel along the one surface , And a thermal sprayed film is formed on each gas discharge port.

그러나, 상기 일면에 수직인 방향으로부터 용사건에 의해 용사 재료를 내뿜었을 때에, 가스 토출구의 내주면에 있어서의 상류 측의 부분은 내주면과 용사 재료의 분사 방향과의 각도가 작아져서, 용사 재료의 내뿜기가 어렵다. 그 때문에 가스 토출구의 상류 쪽의 부위에서 용사막이 얇아지는 경향이 있다. 용사막이 국부적으로 얇아지면, 얇아진 부위에서 용사막이 깎여서 하층이 노출되기 쉬워져, 상부 전극의 사용 수명이 짧아지는 문제가 있다. 또한, 용사건의 각도를 조정하여 용사 재료의 분사 각도를 조정하면서 용사를 실행하려고 하면, 용사 공정이 번잡해지는 문제가 있다.However, when the spraying material is blown out from the direction vertical to the one surface, the angle between the inner circumferential surface and the spraying direction of the sprayed material becomes small at the portion on the upstream side in the inner circumferential surface of the gas discharge port, It is difficult to exhale. Therefore, the thermal sprayed film tends to become thinner at the upstream portion of the gas discharge port. When the thermal sprayed coating is locally thinned, the thermal sprayed film is easily scraped off at the thinned portion, and the lower layer is liable to be exposed, thus shortening the service life of the upper electrode. In addition, there is a problem that the spraying process becomes troublesome if the spraying is performed while adjusting the angle of spraying and adjusting the spraying angle of the spraying material.

일본 특허 제 5782293 호 공보Japanese Patent No. 5782293 일본 특허 제 5198611 호 공보Japanese Patent No. 5198611

본 발명은 이러한 사정 하에서 이루어진 것으로서, 그 목적은, 복수의 가스 토출구가 형성된 전극 부재를 구비한 플라스마 처리용의 가스 공급 장치에 있어서, 가스 토출구에 성막하는 용사막의 막 두께의 균일화를 도모하는 기술을 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a gas supply apparatus for plasma processing having an electrode member provided with a plurality of gas ejection openings, a technique for achieving a uniform film thickness of a solvent film to be formed on a gas ejection opening And the like.

본 발명의 가스 공급 장치는, 플라스마를 발생시키기 위한 전극 부재와,The gas supply device of the present invention comprises an electrode member for generating plasma,

상기 전극 부재에 해당 전극 부재의 일면을 향해 연장되도록 형성된 복수의 가스 유로와,A plurality of gas passages formed on the electrode member so as to extend toward one surface of the electrode member,

상기 가스 유로의 하류단에 연속해서 형성되며, 구멍 직경이 상기 일면을 향해 확대되는 가스 토출구와,A gas discharge port continuously formed at a downstream end of the gas flow path and having a hole diameter enlarged toward the one surface,

상기 가스 토출구의 표면에 용사막에 의해 형성된 보호막을 구비하고,And a protective film formed on the surface of the gas discharge port by a thermal sprayed film,

상기 가스 유로와 상기 가스 토출구의 경계에서 내주면을 외측을 향해서 절곡하여 각부(角部)를 형성하는 동시에, 상기 각부보다 외측에 위치하는 내주면의 부위로부터 상기 전극 부재의 일면 측의 표면까지를 만곡면으로서 형성하고, 상기 가스 유로의 축선에 따른 단면에서 보았을 때에, 상기 각부로부터 상기 만곡면의 내단까지의 사이는 직선인 것을 특징으로 한다.Wherein an inner circumferential surface is bent outward at a boundary between the gas flow path and the gas discharge port so as to form a corner portion and a portion from an inner circumferential surface portion located on the outer side of the corner portion to a surface on one surface side of the electrode member, And a section between the corner portion and an inner end of the curved surface is a straight line when viewed in a section along an axial line of the gas flow path.

또한, 본 발명의 가스 공급 장치는, 플라스마를 발생시키기 위한 전극 부재와,Further, the gas supply device of the present invention comprises an electrode member for generating plasma,

상기 전극 부재에 해당 전극 부재의 일면을 향해 연장되도록 형성된 복수의 가스 유로와,A plurality of gas passages formed on the electrode member so as to extend toward one surface of the electrode member,

상기 가스 유로의 하류단에 연속해서 형성되며, 구멍 직경이 상기 일면을 향해 확대되는 가스 토출구와,A gas discharge port continuously formed at a downstream end of the gas flow path and having a hole diameter enlarged toward the one surface,

상기 가스 토출구의 표면에 용사막에 의해 형성된 보호막을 구비하고,And a protective film formed on the surface of the gas discharge port by a thermal sprayed film,

상기 가스 유로와 상기 가스 토출구의 경계에서 내주면을 외측을 향해서 절곡하여 각부를 형성하는 동시에, 상기 가스 유로의 축선에 따른 단면에서 보았을 때에, 상기 각부로부터 상기 가스 토출구의 외단에 이르기까지의 내주면은 직선이며, 해당 직선과 상기 가스 유로의 축선이 이루는 각도(θ2)는 45도 내지 70도의 범위로 설정되어 있는 것을 특징으로 한다.And an inner circumferential surface extending from the corner portion to an outer end of the gas discharge port as viewed in a section along an axial line of the gas flow path is formed as a straight line , And an angle [theta] 2 formed by the straight line and the axis of the gas flow path is set in a range of 45 degrees to 70 degrees.

본 발명의 가스 공급부의 제조 방법은, 상술한 가스 공급 장치의 제조 방법으로서, 상기 전극 부재에 있어서의 상기 가스 토출구가 형성된 면을 향해서 용사 재료를 내뿜는 용사부를, 상기 가스 유로의 연장되는 방향에 대해서 직교하는 방향으로 이동시켜서 용사막을 성막하는 것을 특징으로 한다.The manufacturing method of the gas supply part of the present invention is the manufacturing method of the gas supply device described above, wherein a sprayed part for spraying the sprayed material toward the surface of the electrode member facing the side where the gas discharge port is formed, So as to form a thermal sprayed film.

본 발명의 플라스마 처리 장치는, 내부에 플라스마를 발생시키기 위한 처리 용기와,A plasma processing apparatus of the present invention comprises a processing vessel for generating a plasma therein,

상기 처리 용기 내에 마련된 기판을 탑재하는 탑재대와,A mounting table for mounting a substrate provided in the processing container;

상기 처리 용기 내에 플라스마 처리용의 처리 가스를 공급하는 상술한 가스 공급 장치와,Mentioned gas supply device for supplying a process gas for plasma processing into the process container,

상기 탑재대와 전극 부재 사이에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원부와,A high frequency power supply unit for supplying high frequency power between the mount table and the electrode member,

처리 용기 내를 진공 배기하기 위한 배기 기구를 구비한 것을 특징으로 한다.And an exhaust mechanism for evacuating the inside of the processing container.

본 발명은, 플라스마 처리에 이용되며 복수의 가스 유로가 형성된 전극 부재를 가지는 가스 공급 장치에 있어서, 가스 유로와 가스 토출구의 경계에서 각부를 형성하도록 외측으로 굴곡시키고, 각부의 외측에 위치하는 내주면으로부터 전극 부재의 일면 측까지를 만곡면으로서 형성하고 있다. 그 때문에 가스 토출구에 용사 재료를 내뿜었을 때에 용사 재료의 분사 방향과 가스 토출구의 내주면이 이루는 각도가 커져서, 가스 토출구의 상류 측의 경계 부근에 있어서의 박막화를 막을 수 있다.The present invention provides a gas supply device having an electrode member which is used in a plasma process and has a plurality of gas flow paths formed therein and which bends outward so as to form angular portions at the boundary between the gas flow path and the gas discharge port, Up to one surface side of the electrode member is formed as a curved surface. Therefore, when spraying the sprayed material to the gas discharge port, the angle formed by the spraying direction of the sprayed material and the inner circumferential surface of the gas discharge port is increased, thereby making it possible to prevent the film from being thinned near the boundary on the upstream side of the gas discharge port.

또한, 다른 발명에서는, 가스 유로와 가스 토출구의 경계에 내주면을 제 1 각부를 형성하도록 외측으로 굴곡시키고, 제 1 각부의 외측의 내주면을 더욱 외측으로 절곡하여, 제 2 각부를 형성해서 전극 부재의 일면 측에 연속시키고 있다. 나아가, 제 1 각부로부터 제 2 각부까지의 내벽에 따른 직선과 가스 유로의 축선이 이루는 각도(θ2)를 45도 이상, 70도 이하가 되도록 하고 있다. 그 때문에 용사 재료의 분사 방향과 가스 토출구의 내주면이 이루는 각도가 커지므로, 마찬가지로 가스 토출구의 용사막이 균일한 막 두께로 형성되기 쉬워진다.In another aspect of the invention, the inner circumferential surface is bent outward to form the first corner portion at the boundary between the gas flow path and the gas discharge port, the inner circumferential surface on the outer side of the first corner portion is further bent outward, And is continuous on one side. Further, the angle? 2 formed by the straight line along the inner wall from the first corner portion to the second corner portion and the axis line of the gas flow path is set to 45 degrees or more and 70 degrees or less. Therefore, the angle formed by the spraying direction of the sprayed material and the inner circumferential surface of the gas discharge port becomes large, and similarly, the thermal sprayed film of the gas discharge port is easily formed with a uniform film thickness.

도 1은 본 발명의 가스 공급 장치를 적용한 플라스마 처리 장치의 단면도,
도 2는 샤워 헤드의 제조 공정을 설명하는 설명도,
도 3은 샤워 헤드의 용사막 성막 공정을 설명하는 설명도,
도 4는 샤워 헤드의 용사막 성막 공정을 설명하는 설명도,
도 5는 종래의 샤워 헤드의 용사막 성막 공정을 설명하는 설명도,
도 6은 가스 토출구를 나타내는 단면도,
도 7은 플라스마 처리시에 있어서의 가스 토출구를 나타내는 설명도,
도 8은 제 2 실시형태에 따른 가스 공급부의 가스 토출구를 나타내는 단면도,
도 9는 비교예에 따른 샤워 헤드의 가스 토출구를 나타내는 단면도,
도 10은 실시예에 있어서의 막 두께의 측정 지점을 설명하는 설명도.1 is a sectional view of a plasma processing apparatus to which a gas supply apparatus of the present invention is applied,
2 is an explanatory view for explaining a manufacturing process of a showerhead,
3 is an explanatory view for explaining a process of forming a thermal sprayed film for a shower head,
4 is an explanatory view for explaining a step of forming a thermal sprayed film on a shower head,
5 is an explanatory view for explaining a conventional process of forming a thermal sprayed film for a shower head,
6 is a cross-sectional view showing a gas discharge port,
Fig. 7 is an explanatory view showing a gas discharge port at the time of plasma processing,
8 is a cross-sectional view showing a gas discharge port of the gas supply unit according to the second embodiment,
9 is a cross-sectional view showing a gas discharge port of a shower head according to a comparative example,
10 is an explanatory view for explaining a measurement point of a film thickness in the embodiment;

[제 1 실시형태][First Embodiment]

제 1 실시형태에 따른 가스 공급 장치를 이용한 플라스마 처리 장치에 대해 설명한다. 도 1에 도시하는 바와 같이 플라스마 처리 장치는, 접지된 예컨대 알루미늄 또는 스테인리스제의 진공 용기인 처리 용기(10)를 구비하고 있다. 처리 용기(10)의 측면에는, 플라스마 처리되는 기판인 예컨대 직사각형의 유리 기판(G)을 주고받기 위한 반입출구(11)가 마련되어 있으며, 반입출구(11)에는, 반입출구(11)를 개폐하는 게이트 밸브(12)가 마련되어 있다.A plasma processing apparatus using the gas supply apparatus according to the first embodiment will be described. As shown in Fig. 1, the plasma processing apparatus includes a processing container 10 which is a grounded vacuum container made of, for example, aluminum or stainless steel. The side surface of the processing vessel 10 is provided with a loading and unloading outlet 11 for receiving and transferring a glass substrate G having a rectangular shape such as a rectangular substrate and the loading and unloading outlet 11 is provided with a loading / A gate valve 12 is provided.

처리 용기(10)의 저면에 있어서의 중앙부에는, 유리 기판(G)을 탑재하는, 평면 형상이 직사각형이며, 상면으로부터 하면에 이르기까지의 측주면이 평탄한 각기둥 형상의 서셉터(2)가 마련되어 있다. 서셉터(2)는, 예컨대 표면에 알루마이트 처리가 된 알루미늄이나 스테인리스로 이루어지는 하부 전극(21)을 구비하고, 하부 전극(21)은 절연 부재(22)를 거쳐서 처리 용기(10)의 저부에 지지되어 있다. 하부 전극(21)의 상면은 세라믹스 용사로 덮인 기판 탑재면(21A)으로 되어 있다. 또한, 기판 탑재면(21A)의 주위를 둘러싸도록 링 형상의 쉴드 부재(28)가 마련되며, 하부 전극(21)의 측면에는, 전체 둘레에 걸쳐서 사이드 링 형상의 쉴드 부재(29)가 마련되어 있다.A prismatic susceptor 2 on which a glass substrate G is mounted and which has a rectangular planar shape and has a flat sidewall from the upper surface to the lower surface is provided at the center of the bottom surface of the processing vessel 10 . The susceptor 2 is provided with a lower electrode 21 made of aluminum or stainless which has an alumite treatment on its surface and the lower electrode 21 is supported on the bottom of the processing vessel 10 via an insulating member 22, . The upper surface of the lower electrode 21 is a substrate mounting surface 21A covered with ceramics spray. A ring-shaped shielding member 28 is provided so as to surround the periphery of the substrate mounting surface 21A and a side ring-shaped shielding member 29 is provided on the side surface of the lower electrode 21 .

하부 전극(21)의 기판 탑재면(21A)에는, 직류 전원(27)에 접속되는 척(chuck)용의 정전 전극판(23)이 매설되어 있다. 정전 전극판(23)에 양의 직류 전압이 인가되면, 기판 탑재면(21A)에 탑재된 유리 기판(G)의 표면에 음전하가 흡착된다. 이 정전 전극판(23) 및 유리 기판(G)의 사이에 전위차가 생기고, 이 전위차에 기인하는 쿨롱력에 의해 유리 기판(G)이 기판 탑재면(21A)에 흡착 보지된다. 하부 전극(21)의 내부에는, 도시하지 않는 환상의 칠러 유로가 마련되며, 칠러 유로에는, 소정 온도의 열전도 매체, 예컨대 갈덴(등록상표)이 순환 공급되어, 열전도 매체의 온도에 의해서 기판 탑재면(21A)에 탑재된 유리 기판(G)의 처리 온도를 제어할 수 있다.A chuck electrostatic electrode plate 23 connected to a DC power source 27 is embedded in the substrate mounting surface 21A of the lower electrode 21. When a positive DC voltage is applied to the electrostatic electrode plate 23, a negative charge is adsorbed on the surface of the glass substrate G mounted on the substrate mounting surface 21A. A potential difference is generated between the electrostatic electrode plate 23 and the glass substrate G and the glass substrate G is attracted and held on the substrate mounting surface 21A by the Coulomb force resulting from this potential difference. An annular chiller flow path (not shown) is provided in the lower electrode 21, and a thermal conductive medium, for example, a Galden (registered trademark), at a predetermined temperature is circulatingly supplied to the chiller flow path, It is possible to control the processing temperature of the glass substrate G mounted on the glass substrate 21A.

또한, 서셉터(2)에는, 외부의 반송 아암과의 사이에서 유리 기판(G)을 주고 받기 위한 승강 핀(24)이 하부 전극(21), 절연 부재(22) 및 처리 용기(10)의 저면을 수직 방향으로 관통하여, 하부 전극(21)의 표면으로부터 돌몰하도록 마련되어 있다.The susceptor 2 is also provided with a lift pin 24 for transferring the glass substrate G between the susceptor 2 and the transfer arm of the lower electrode 21 and the insulating member 22, Penetrates the bottom surface in the vertical direction and is provided so as to project from the surface of the lower electrode 21.

또한, 기판 탑재면(21A)의 표면에는, 도시하지 않는 복수의 전열 가스 토출 구멍이 개구되어 있어서, 전열 가스 토출 구멍으로부터 기판 탑재면(21A)과 유리 기판(G) 사이에 전열 가스, 예컨대 헬륨(He) 가스를 공급하도록 구성되어 있다. 이 He 가스에 의해 유리 기판(G)과 서셉터(2) 사이의 열이 효과적으로 전달된다.A plurality of heat transfer gas discharge holes (not shown) are formed on the surface of the substrate mounting surface 21A so that a heat transfer gas is injected between the substrate mounting surface 21A and the glass substrate G from the heat transfer gas discharge holes, (He) gas. The heat between the glass substrate G and the susceptor 2 is effectively transferred by this He gas.

하부 전극(21)에는, 처리 용기(10) 내에 플라스마 생성용의 전계를 형성하기 위한 고주파 전원부(25)가 정합기(26)를 거쳐서 접속되어 있다. 이 고주파 전원부(25)는 예컨대 비교적 높은 주파수 예컨대 13.56㎒의 고주파를 출력할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 처리 용기(10)의 저면에는, 그 가장자리에 전체 둘레에 걸쳐서, 등간격으로 복수의 배기구(13)가 개구되어 있으며, 각 배기구(13)는 배기관(14)을 거쳐서 진공 배기부(15)에 접속되어 있다. 배기구(13), 배기관(14) 및 진공 배기부(15)는 배기 기구에 상당한다.In the lower electrode 21, a high-frequency power supply unit 25 for generating an electric field for generating plasma is connected to the processing vessel 10 via a matching unit 26. [ The high frequency power supply unit 25 is configured to output a high frequency of, for example, a relatively high frequency, for example, 13.56 MHz. A plurality of exhaust ports 13 are opened at equal intervals on the entire periphery of the edge of the processing container 10 and the exhaust ports 13 are connected to the exhaust port 14 . The exhaust port 13, the exhaust pipe 14, and the vacuum exhaust section 15 correspond to an exhaust mechanism.

처리 용기(10)의 상면에는 유리 기판(G)을 향해서 예컨대 CF4 등의 플라스마 처리용의 가스를 공급하기 위한 가스 공급 장치인 가스 공급부(30)가 서셉터(2)의 상면과 대향하도록 마련되어 있다. 가스 공급부(30)는 일반적으로는 「샤워 헤드」라고 불리고 있으며, 이하 샤워 헤드(30)로서 설명을 진행하면, 샤워 헤드(30)는, 예컨대 알루미늄을 모재로 하는 하면에 편평한 오목부가 형성된 상부 부재(32A)와, 상부 부재(32A)의 하면을 막는 전극 부재인 전극판(32B)을 구비하고 있다. 상부 부재(32A)와 전극판(32B) 사이의 간극은 처리 가스를 확산하기 위한 확산 공간(31)을 형성하고 있다. 전극판(32B)에는, 전극판(32B)을 두께 방향으로 관통하여, 각각 확산 공간(31)에 연통된 복수의 가스 유로(41)가 형성된다. 또한, 샤워 헤드(30)의 상면에는, 확산 공간(31)에 접속되는 처리 가스 공급관(33)이 마련되며, 처리 가스 공급관(33)에는, 상류 측으로부터 예컨대 CF4 등의 처리 가스 공급원(34), 유량 조정부(35), 및 밸브(36)가 이 순서로 마련되어, 샤워 헤드(30)에 처리 가스를 공급하도록 구성되어 있다.A gas supply unit 30 serving as a gas supply device for supplying a plasma processing gas such as CF 4 to the glass substrate G is provided on the upper surface of the processing vessel 10 so as to face the upper surface of the susceptor 2 have. When the shower head 30 is described as a showerhead 30, the shower head 30 is made of a material having a flat concave portion formed on the lower surface thereof, for example, made of aluminum, And an electrode plate 32B serving as an electrode member for covering the lower surface of the upper member 32A. The gap between the upper member 32A and the electrode plate 32B forms a diffusion space 31 for diffusing the process gas. A plurality of gas flow paths 41 communicating with the diffusion space 31 are formed in the electrode plate 32B through the electrode plate 32B in the thickness direction. A process gas supply pipe 33 connected to the diffusion space 31 is provided on the upper surface of the showerhead 30. A process gas supply source 34 such as CF 4 is connected to the process gas supply pipe 33 from the upstream side A flow rate adjusting section 35 and a valve 36 are provided in this order to supply the process gas to the showerhead 30. [

도 2에 도시하는 바와 같이 샤워 헤드(30)의 전극판(32B)에는, 확산 공간(31)으로부터 서셉터(2)와 대향하는 일면 측(플라스마를 여기하는 처리 공간 측)에 가스를 흘리는 가스 유로(41)가 천공된다. 가스 유로(41)는, 확산 공간(31) 측을 상류, 처리 공간 측을 하류로 하면, 상류 측이 대경의 유로(41a), 하류 측이 소경의 유로(41b)로서 형성되며, 나아가, 하류 측 단부에는, 플라스마를 여기하는 처리 공간 측으로 개구되는 가스 토출구(40)가 형성되어 있다. 가스 유로(41)에 있어서의 대경의 유로(41a)의 내경은 예컨대 2㎜로 설정되어 있다. 또한, 소경의 유로(41b)는, 예컨대 내경 0.5~1.0㎜로 구성되어, 처리 공간 측에서 여기된 플라스마가 가스 유로(41)의 상류 측에 인입되는 것을 막고 있다.As shown in Fig. 2, the electrode plate 32B of the showerhead 30 is provided with a gas (gas) which flows gas from the diffusion space 31 to one surface side (the processing space side where the plasma is excited) facing the susceptor 2 The flow path 41 is punctured. The gas flow path 41 is formed as a large-diameter flow path 41a on the upstream side and a small-diameter flow path 41b on the downstream side when the diffusion space 31 side is upstream and the processing space side is downstream. Further, At the side end portion, a gas discharge port 40 is formed which opens to the processing space side for exciting the plasma. The inner diameter of the large-diameter flow path 41a in the gas flow path 41 is set to, for example, 2 mm. The small-diameter flow path 41b has an inside diameter of 0.5 to 1.0 mm, for example, and prevents the plasma excited from the processing space side from being introduced to the upstream side of the gas flow path 41.

가스 토출구(40)는, 내주 측이 전체 둘레에 걸쳐 면취되며, 상류로부터 하류를 향해 구멍 직경이 넓어져 있다. 각 가스 토출구(40)의 경사면 부분은, 가스 유로(41)의 축선(L)을 포함하는 단면에서 보았을 때에, 상류 측의 단부로부터 하류 측을 향해 가스 유로(41)의 축선(L)에 대해서 각도(θ1), 여기에서는, 45도 경사진 직선 부분(42)과, 직선 부분(42)의 하류 측 단부로부터 외측을 향하며, 서셉터(2)와 대향하는 하면(대향면)(300)에 연속하는 곡선 부분(43)으로 구성되어 있다. 이 곡선 부분(43)의 곡률 반경은 1㎜의 치수의 곡선이 되도록 구성되어 있다. 즉, 가스 토출구(40)는, 가스 토출구(40)와 가스 유로(41)의 경계에서 내주면에 경계부(Pa)의 각부가 형성되도록 외측을 향해서 절곡하고, 가스 토출구(40)의 경계부(Pa)의 각부보다 하류 측에 치우친 위치로부터 전극판(32B)의 하면(300)까지 만곡면으로서 형성되어 있다. 또한, 하면(300)은 가스 토출구(40)에 있어서의 만곡면의 종단의 경계부(Pb)보다 외측의 평면부를 나타낸다.The inner circumferential side of the gas discharge port 40 is chamfered around the entire periphery, and the hole diameter is widened from the upstream side toward the downstream side. The inclined surface portion of each gas discharge port 40 is formed so as to extend from the upstream end to the downstream side with respect to the axial line L of the gas flow passage 41 as viewed in cross section including the axis L of the gas flow passage 41 In this case, the angle? 1, in this case, the linear portion 42 inclined at 45 degrees and the angle? 1 at the lower surface (opposing surface) 300 facing the susceptor 2 from the downstream side end of the linear portion 42 toward the outside And a continuous curve portion 43. The radius of curvature of the curved portion 43 is configured to be a curve of a dimension of 1 mm. That is, the gas discharge port 40 is bent outward so that each corner of the boundary Pa is formed on the inner peripheral surface at the boundary between the gas discharge port 40 and the gas flow passage 41, and the boundary Pa of the gas discharge port 40, To the lower surface 300 of the electrode plate 32B. The lower surface 300 shows a planar portion on the outer side of the boundary portion Pb at the end of the curved surface of the gas discharge port 40. [

상부 부재(32A) 및 가스 유로(41) 및 가스 토출구(40)의 내주면을 포함하는 전극판(32B)의 표면 전체는, 예컨대 양극 산화 처리가 행해져서, 샤워 헤드(30)의 표면 전체가 경질 알루마이트(30A)에 의해 덮여 있다. 그리고 전극판(32B)의 가스 토출구(40)가 개구되어 있는 일면 측에 이트리아(Y2O3), 불화이트륨(YF3) 또는 알루미나(Al2O3) 등의 보호막이 되는 용사막을 성막하는 처리가 실행된다. 용사 장치는, 도 3에 도시하는 바와 같이 용사 재료(50)를 내뿜는 예컨대 플라스마 용사건 등의 용사부(5)를 구비하고 있다. 용사막(6)을 성막할 때에, 용사 재료(50)의 토출 방향과 전극판(32B)에 있어서의 하면(300)이 수직이 되도록 고정된다.The entire surface of the electrode plate 32B including the inner surface of the upper member 32A and the gas flow path 41 and the gas discharge port 40 is subjected to anodic oxidation treatment so that the entire surface of the shower head 30 is hardened And is covered with an alumite 30A. A thermal sprayed film to be a protective film of yttria (Y 2 O 3 ), yttrium fluoride (YF 3 ), or alumina (Al 2 O 3 ) is formed on the side of the electrode plate 32B where the gas discharge port 40 is opened, Is executed. As shown in Fig. 3, the thermal spraying apparatus is provided with a thermal spraying unit 5, such as a plasma event, which blows out the thermal spraying material 50. As shown in Fig. The discharge direction of the sprayed material 50 and the lower surface 300 of the electrode plate 32B are fixed so as to be perpendicular to each other when the thermal sprayed film 6 is formed.

그리고 도 3에 도시하는 바와 같이 용사부(5)로부터 전극판(32B)의 하면(300)으로 용사 재료(50)를 내뿜고, 용사부(5)를 가스 유로(41)의 연장되는 방향과 직교하는 방향으로 평행 이동시켜서, 각각의 가스 토출구(40)에 용사막(6)을 성막한다. 상술한 바와 같이, 가스 토출구(40)는, 상술한 단면에서 보았을 때에 내벽에 따른 직선 부분(42)과 축선(L)이 이루는 각도가, 예컨대 45도로 설정되어 있다. 나아가, 가스 토출구(40)는 가스 토출구(40)와 가스 유로(41)의 경계부(Pa)에서 내주면에 각부가 형성되도록 외측을 향해서 절곡하고, 가스 토출구(40)의 직선 부분(42)의 하류 측은 전극판(32B)의 하면(300)까지 만곡면에 의해 연결되도록 구성되어 있다.3, the thermal spraying material 50 is sprayed from the thermal spraying unit 5 to the lower surface 300 of the electrode plate 32B, and the thermal spraying unit 5 is perpendicular to the direction in which the gas flow path 41 extends So as to form the thermal sprayed film 6 on each of the gas discharge openings 40. In this way, As described above, the angle formed between the straight line portion 42 along the inner wall and the axial line L is set to, for example, 45 degrees when viewed from the above-described cross section. Further, the gas discharge port 40 is bent outward so as to form a corner portion on the inner circumferential surface at the boundary Pa between the gas discharge port 40 and the gas flow passage 41, Is connected to the lower surface 300 of the electrode plate 32B by a curved surface.

이러한 가스 토출구(40)를 향해서 가스 유로(41)의 축선(L)과 평행하게 용사 재료(50)를 내뿜었을 때에, 도 4에 도시하는 바와 같이 용사 재료(50)의 분사 각도와 가스 토출구(40)의 내면과의 사이의 각도(α)는 45도가 된다.4, when the spraying angle of the sprayed material 50 and the angle of spraying of the sprayed material 50 are different from each other when the sprayed material 50 is blown in parallel with the axis L of the gas passage 41 toward the gas outlet 40, The angle [alpha] between the inner surface of the base plate 40 and the inner surface of the base plate 40 is 45 degrees.

이에 대하여, 도 5에 도시하는 바와 같이 가스 토출구(40)의 측주면을 만곡시켜, 가스 토출구(40)와 가스 유로(41)의 경계 부위(가스 토출구(40)의 상류 측 단부)로부터 전극판(32B)의 하면(300)까지를 만곡면으로서 형성한 경우에는, 가스 토출구(40)의 상류단의 근방에서, 용사 재료(50)의 분사 각도와 가스 토출구(40)의 내면과의 사이의 각도(α)가 45도보다 작아진다.5, the side surface of the gas discharging opening 40 is curved so that the distance from the boundary between the gas discharging opening 40 and the gas passage 41 (the upstream side end of the gas discharging opening 40) The angle between the angle of spraying of the thermal spray material 50 and the inner surface of the gas discharge port 40 is set at a position near the upstream end of the gas discharge port 40, The angle [alpha] becomes smaller than 45 degrees.

그 때문에, 전극판(32B)의 처리 공간 측의 면에 대해서 도 3에 도시하는 바와 같이 가스 유로(41)의 축선(L)과 평행하게 용사 재료(50)를 내뿜었을 때에, 후술의 실시예에 나타내는 바와 같이 도 5에 도시하는 가스 토출구(40)에서는, 가스 토출구(40)의 상류 측의 영역에서, 용사 재료(50)가 가스 토출구(40)의 내주면에 대해서 내뿜어지는 각도(α)가 작아진다. 그 때문에, 가스 토출구(40)의 상류 측에서, 용사막(6)의 막 두께가 얇아진다.3, when the sprayed material 50 is blown out in parallel with the axial line L of the gas flow path 41 on the surface of the electrode plate 32B on the processing space side, 5, the angle? At which the thermal sprayed material 50 is blown against the inner circumferential surface of the gas discharge port 40 in the region on the upstream side of the gas discharge port 40, . Therefore, the film thickness of the thermal sprayed coating 6 becomes thinner on the upstream side of the gas discharge port 40.

이에 대하여, 도 4에 도시하는 가스 토출구(40)에서는, 가스 토출구(40)의 내주면에 대해서, 용사 재료(50)가 45도의 각도로 내뿜어진다. 그 때문에, 가스 토출구(40)의 상류 측 단부에서도, 하면(300)에 성막되는 용사막(6)과 동등한 막 두께로 성막된다. 그 때문에, 도 6에 도시하는 바와 같이 가스 토출구(40)의 내면에 용사막(6)이 균일하게 형성된다. 또한, 가스 토출구(40)와 가스 유로(41)의 경계부(Pa)의 각부로부터 가스 토출구(40)와 전극판(32B)의 하면(300)의 경계부(Pb)까지의 수평 거리(S1)는 1㎜ 이하로 형성되어 있다.On the contrary, in the gas discharge port 40 shown in Fig. 4, the sprayed material 50 is blown out at an angle of 45 degrees to the inner peripheral surface of the gas discharge port 40. Therefore, even at the upstream end of the gas discharge port 40, the film is formed to have a thickness equal to that of the thermal sprayed film 6 formed on the lower surface 300. Therefore, as shown in FIG. 6, the thermal sprayed film 6 is uniformly formed on the inner surface of the gas discharge port 40. The horizontal distance S1 from each part of the boundary Pa between the gas discharge port 40 and the gas passage 41 to the boundary Pb between the gas discharge port 40 and the lower surface 300 of the electrode plate 32B is 1 mm or less.

또한, 경계부(Pb)와 경계부(Pa) 사이의 수평 거리(S1)는 0.5~1㎜로 설정하는 것이 바람직하다. 따라서, 하류 측 단부와 전극판(32B)의 하면(300)을 만곡면으로 연결하는 경우에, 가스 토출구(40)의 내벽과 축선(L)이 이루는 각도(θ1)는 45도 내지 50도로 설정하는 것이 바람직하다.The horizontal distance S1 between the boundary Pb and the boundary Pa is preferably set to 0.5 to 1 mm. Therefore, when connecting the downstream side end portion and the lower surface 300 of the electrode plate 32B with the curved surface, the angle [theta] 1 formed by the inner wall of the gas discharge port 40 and the axis L is 45 to 50 degrees .

이와 같이 용사막(6)이 성막된 전극판(32B)은 상부 부재(32A)에 접합된 후, 상술한 처리 가스 공급관(33)이 접속되어 처리 용기(10)에 설치되고, 접지 전위에 접속된다. 이에 의해, 샤워 헤드(30)의 전극판(32B)은 하부 전극(21)과 함께 한 쌍의 평행 평판 전극을 구성한다.The electrode plate 32B having the thermal sprayed film 6 formed thereon is joined to the upper member 32A and then the process gas supply pipe 33 is connected to the process container 10 to be connected to the ground potential do. Thus, the electrode plate 32B of the showerhead 30 together with the lower electrode 21 constitute a pair of parallel flat plate electrodes.

이어서 플라스마 처리 장치의 작용에 대해 예컨대 에칭 처리를 예로 설명한다. 플라스마 처리 장치가 가동되면, 피 처리 기판인 유리 기판(G)이 외부의 반송 아암과 승강 핀(24)의 협동 작용에 의해 기판 탑재면(21A)에 탑재된다. 그 다음에 게이트 밸브(12)를 닫은 후, 기판 탑재면(21A)과 유리 기판(G) 사이에 전열 가스를 공급하는 동시에 정전 전극판(23)에 직류 전압을 인가하여, 유리 기판(G)을 흡착 보지한다.Next, the operation of the plasma processing apparatus will be described by way of example as an etching treatment. When the plasma processing apparatus is operated, the glass substrate G to be processed is mounted on the substrate mounting surface 21A by the cooperative action of the external transfer arm and the lift pins 24. Subsequently, after the gate valve 12 is closed, a heat transfer gas is supplied between the substrate mounting surface 21A and the glass substrate G, and a DC voltage is applied to the electrostatic electrode plate 23, As shown in Fig.

그 다음에 처리 용기(10) 내에 예컨대 CF4 등의 에칭 가스를 포함하는 처리 가스를 가스 공급부(3)로부터 공급하는 동시에, 배기구(13)로부터 진공 배기를 실행하여 처리 용기(10) 내의 압력을 소정의 압력으로 조정한다. 그 후, 고주파 전원부(25)로부터 정합기(26)를 거쳐서 플라스마 생성용의 고주파 전력을 하부 전극(21) 본체에 인가하여, 하부 전극(21)과 샤워 헤드(30) 사이에 고주파의 전계를 발생시킨다. 처리 용기(10) 내에 공급되고 있는 처리 가스는 하부 전극(21)과 샤워 헤드(30) 사이에 발생하는 고주파의 전계에 의해 여기되어, 처리 가스의 플라스마가 생성된다. 또한, 플라스마에 포함되는 이온이 하부 전극(21)에 끌어 당겨져서, 유리 기판(G)의 피 처리막에 대해 에칭 처리가 실행된다. 그 후, 에칭 처리가 실행된 유리 기판(G)은 외부의 반송 아암에 의해 처리 용기(10)로부터 반출된다.The processing gas containing an etching gas such as CF 4 is supplied from the gas supply unit 3 and the vacuum exhaust is performed from the exhaust port 13 to the inside of the processing vessel 10 Adjust it to a predetermined pressure. Thereafter, a high-frequency electric power for plasma generation is applied to the main body of the lower electrode 21 from the high-frequency power supply unit 25 through the matching unit 26, and a high frequency electric field is applied between the lower electrode 21 and the showerhead 30 . The processing gas supplied into the processing vessel 10 is excited by an electric field of a high frequency generated between the lower electrode 21 and the showerhead 30 to generate a plasma of the processing gas. Further, the ions contained in the plasma are attracted to the lower electrode 21, and etching treatment is performed on the film to be treated of the glass substrate G. Thereafter, the glass substrate G on which the etching process has been performed is carried out of the processing vessel 10 by the external transfer arm.

이와 같이 플라스마 처리 장치에서 처리 용기(10) 내에 플라스마가 여기되면, 도 7에 도시하는 바와 같이 샤워 헤드(30)의 처리 공간 측의 면이 플라스마(P)에 접한다. 이때, 가스 토출구(40)에서는, 가스 토출구(40)의 내면에 플라스마가 접하지만, 가스 유로(41)는 하류 측의 유로(41b)의 내경이 좁게 되어 있기 때문에 플라스마(P)가 가스 유로(41) 측으로 진입할 우려는 작다. 그리고 가스 토출구(40)는 용사막(6)에 의해 덮여 있기 때문에, 용사막(6)의 하층 측의 경질 알루마이트(30A)의 층이 플라스마(P)로부터 보호된다.As shown in Fig. 7, when the plasma is excited in the processing vessel 10 in the plasma processing apparatus, the surface of the showerhead 30 on the processing space side is in contact with the plasma P. At this time, in the gas discharge port 40, the plasma contacts the inner surface of the gas discharge port 40, and the gas passage 41 has a narrow inner diameter of the oil passage 41b on the downstream side. 41) is small. The layer of the hard alumite 30A on the lower side of the thermal sprayed film 6 is protected from the plasma P because the gas discharge port 40 is covered by the thermal sprayed film 6. [

그리고 플라스마 처리를 반복 실행하는 것에 의해, 용사막(6)은 소모에 의해 그 막 두께가 서서히 얇아져 간다. 이때, 가스 토출구(40)에 성막되어 있는 용사막(6)의 막 두께가 균일하지 않은 경우에는, 용사막(6)의 막 두께가 얇은 부위에서, 하층 측의 경질 알루마이트(30A)의 층이나 전극판(32B)의 모재인 알루미늄이 국소적으로 노출되어 버린다. 전극판(32B)의 모재인 알루미늄이 노출되어 버리면, 가스 토출구(40)에서, 이상 방전이 발생하거나, 알루미늄을 기원으로 하는 파티클의 발생의 요인이 되기 때문에, 가스 공급부(3)의 교환이나 메인터넌스가 필요하게 된다.By repeating the plasma treatment, the thickness of the thermal sprayed coating 6 gradually decreases due to consumption. At this time, when the thickness of the thermal sprayed film 6 formed on the gas discharge port 40 is not uniform, the thickness of the thermal anodized layer 30A on the lower layer side Aluminum as a base material of the electrode plate 32B is locally exposed. If the aluminum as the base material of the electrode plate 32B is exposed, an abnormal discharge occurs in the gas discharge port 40 or a cause of generation of particles originating from aluminum is caused. Therefore, .

상술한 바와 같이 샤워 헤드(30)는 가스 토출구(40)에 성막되어 있는 용사막(6)의 막 두께의 균일성이 높으므로, 플라스마 처리를 반복했을 때에 용사막(6)의 박화에 의한 하층 측의 알루미늄의 국소적인 노출이 억제되기 때문에, 샤워 헤드(30)의 사용 수명이 길어져서, 교환이나 메인터넌스의 주기를 길게 할 수 있다.As described above, since the uniformity of the film thickness of the thermal sprayed film 6 formed on the gas discharge port 40 is high, the showerhead 30 has high uniformity of the film thickness of the thermal sprayed film 6 when the plasma treatment is repeated, The lifetime of the showerhead 30 is prolonged, so that the period of replacement and maintenance can be prolonged.

제 1 실시형태에 의하면, 플라스마 처리에 이용되며, 복수의 가스 유로(41)가 형성된 전극판(32B)을 가지는 가스 공급 장치에 있어서, 가스 유로(41)와 가스 토출구(40)의 경계부(Pa)에서 각부를 형성하도록 외측으로 굴곡시키고, 각부의 외측에 위치하는 내주면으로부터 하면(300)까지를 만곡면으로서 형성하고 있다. 그 때문에, 가스 토출구(40)에 용사 재료(50)를 내뿜었을 때에 용사 재료(50)를 내뿜는 방향과 가스 토출구(40)의 내주면이 이루는 각도가 커져, 가스 토출구(50)의 상류 측의 경계 부근에 있어서의 박막화를 막을 수 있다.According to the first embodiment, in the gas supply device having the electrode plate 32B, which is used for the plasma treatment and in which the plurality of gas flow channels 41 are formed, the boundary portion Pa between the gas flow channel 41 and the gas discharge port 40 And the curved surface is formed from the inner circumferential surface located on the outer side of the corner portion to the lower surface 300. As shown in Fig. The angle between the direction of spraying the thermal spray material 50 and the inner circumferential surface of the gas discharge port 40 becomes large when the thermal spraying material 50 is sprayed to the gas discharge port 40, It is possible to prevent thinning in the vicinity of the boundary.

이에 의해 가스 공급부(3)에 용사막(6)을 성막할 때에, 가스 유로(41)의 연장되는 방향으로부터 용사 재료(50)를 내뿜음으로써 가스 토출구(40)에 용사막(6)을 균일하게 성막할 수 있으며, 용사 재료(50)를 내뿜는 용사부(5)를 가스 유로(41)의 연장되는 방향과 직교하는 방향으로 이동시켜서, 용사 재료(50)를 내뿜는 위치를 바꿈으로써, 각 가스 토출구(40)에 균일한 용사막(6)을 성막할 수 있다.This allows the thermal sprayed film 6 to be uniformly sprayed to the gas discharge port 40 by spraying the thermal sprayed material 50 from the direction in which the gas flow passage 41 extends when the thermal sprayed film 6 is formed on the gas supply portion 3 And the spraying portion 5 for spraying the sprayed material 50 is moved in the direction orthogonal to the direction in which the gas flow path 41 extends so as to change the position of spraying the sprayed material 50, A uniform thermal spray film 6 can be formed on the discharge port 40.

따라서, 용사막 성막 처리가 간단해져서, 예컨대 용사부(5)의 용사 재료(50)의 분사 각도를 조정하고, 용사막(6)의 얇은 부분에 다시 용사 재료(50)를 내뿜는 등의 복잡한 공정을 실행할 필요가 없다.This makes it possible to simplify the process of forming the thermal sprayed film by a complicated process such as spraying the sprayed material 50 on the thin portion of the thermal sprayed film 6 by adjusting the spray angle of the thermal sprayed material 50 of the thermal sprayed portion 5, .

나아가, 기판에 성막 처리를 실행하는 플라스마 처리 장치에 적용해도 좋고, 유리 기판(G)을 플라스마 처리하는 플라스마 처리 장치에 한정하지 않고, 원판 형상의 예컨대 직경 300㎜ 웨이퍼를 플라스마 처리하는 플라스마 처리 장치여도 좋다.Further, the present invention is not limited to the plasma processing apparatus for performing the film forming process on the substrate, and may be applied to the plasma processing apparatus for plasma processing the glass substrate G, good.

[제 2 실시형태][Second Embodiment]

또한, 제 2 실시형태에 따른 가스 공급 장치로서, 도 8에 도시하는 바와 같이 각 가스 토출구(40)는, 축선(L)을 포함하는 단면에서 보았을 때에 상류 측 단부로부터 하류 측 단부까지 직선 부분(42)만으로 이루어진 경사면으로 구성되며, 가스 토출구(40)의 상류 측 단부와 가스 유로(41) 사이의 경계부(Pa) 및 가스 토출구(40)의 하류 측 단부와 전극판(32B)의 하면(300)과의 경계부(Pb)가 각각 제 1 각부 및 제 2 각부가 되도록 구성되어 있어도 좋다. 후술의 실시예에 나타내는 바와 같이 각 가스 토출구(40)의 내면의 각도(θ2)가 축선(L)에 대해서 45도 이상이면 용사부(5)로부터 용사 재료(50)를 내뿜었을 때에 가스 토출구(40)의 용사막(6)에 균일하게 성막되기 때문에 동일한 효과가 있다.As shown in Fig. 8, each of the gas ejection openings 40 has a straight portion (from the upstream end to the downstream end) as viewed from a cross section including the axis L The boundary portion Pa between the upstream end of the gas discharge port 40 and the gas passage 41 and the downstream end of the gas discharge port 40 and the lower surface 300 of the electrode plate 32B May be the first corner portion and the second corner portion, respectively. When the thermal spraying material 50 is sprayed from the thermal spraying unit 5 when the angle 2 of the inner surface of each gas discharge port 40 is 45 degrees or more with respect to the axis L as shown in the following embodiments, The same effect can be obtained because the film is uniformly formed on the thermal sprayed film 6 of the heat sink 40.

또한, 도 8에 도시하는 바와 같이 가스 토출구(40)에 있어서, 각 가스 토출구(40)의 내면과 축선(L)이 이루는 각도(θ2)가 커지면, 가스 토출구(40)의 하류 측 단부의 내경을 크게 하거나, 가스 토출구(40)의 상류 측 단부로부터 하류 측 단부까지의 높이 치수를 낮게 할 필요가 있다. 가스 토출구(40)의 하류 측 단부의 내경이 커지면, 가스 공급부(3)의 처리 공간 측의 면에 마련되는 가스 토출구(40)의 배열 레이아웃이나 배열수의 자유도가 제한된다. 또한, 가스 토출구(40)의 상류 측 단부로부터 하류 측 단부까지의 높이 치수가 낮은 경우에는, 토출되는 가스의 유속이 빨라져서, 가스 유로(41)가 막히기 쉬워진다. 그 때문에, 각 가스 토출구(40)의 내벽과 축선(L)이 이루는 각도(θ2)는 70도 이하인 것이 바람직하고, 가스 토출구(40)의 하류 측의 경계부(Pb)와 상류 측의 경계부(Pa) 사이의 수평 거리(S2)는 1~3㎜인 것이 바람직하다.As shown in Fig. 8, when the angle [theta] 2 between the inner surface of each gas discharge port 40 and the axis L is increased in the gas discharge port 40, the inner diameter of the downstream end of the gas discharge port 40 Or the height dimension from the upstream end to the downstream end of the gas discharge port 40 needs to be reduced. When the inner diameter of the downstream end portion of the gas discharge port 40 is increased, the layout of the gas discharge ports 40 provided on the side of the process space side of the gas supply portion 3, and the degree of freedom of the arrangement number are limited. In addition, when the height dimension from the upstream end to the downstream end of the gas discharge port 40 is low, the flow velocity of the discharged gas is increased, and the gas flow path 41 is easily clogged. Therefore, the angle 2 between the inner wall of each gas discharge port 40 and the axis L is preferably 70 degrees or less, and the boundary Pb on the downstream side of the gas discharge port 40 and the boundary Pa (on the upstream side) ) Is preferably 1 to 3 mm.

또한, 후술의 실시예에 나타내는 바와 같이 가스 토출구(40)의 하류 측 단부와 전극판(32B)의 하면(300)과의 경계부(Pb)를 각부로 한 경우에도 용사막(6)의 막 두께는 높은 균일성을 나타내지만, 하류 측 단부와 전극판(32B)의 처리 공간 측의 면을 만곡면으로 연결함으로써 가스 토출구(40)의 하류 측 단부에서도 용사막(6)의 막 두께를 보다 균일하게 할 수 있다.Even when the boundary portion Pb between the downstream end of the gas discharge port 40 and the lower surface 300 of the electrode plate 32B is taken as an angular portion as shown in the later-described embodiments, the film thickness of the thermal sprayed film 6 The film thickness of the thermal sprayed film 6 can be more uniformly distributed even at the downstream side end of the gas discharge port 40 by connecting the downstream side end portion and the processing space side surface of the electrode plate 32B with the curved surface .

또한, 각부가 되면, 국소적으로 전계가 집중하기 때문에 이상 방전이 발생하거나, 이상 방전의 영향으로 각부가 깎여서 파티클의 요인이 되므로, 가스 토출구(40)의 하류 측 단부를 만곡시키는 것에 의해 이상 방전이나 파티클의 발생을 억제할 수 있다.Since the electric field is locally concentrated at the corners, an abnormal discharge is generated, or the corners are cut off due to the abnormal discharge. Therefore, by causing the downstream end of the gas discharge port 40 to bend, Discharge and generation of particles can be suppressed.

실시예Example

본 발명의 실시형태의 효과를 검증하기 위해서 이하의 실시예 1~3 및 비교예에 따른 가스 공급부(3)에 실시형태에 나타내는 방법에 의해, 용사막(6)을 성막했을 때의 가스 토출구(40)에 있어서의 용사막(6)의 막 두께 분포에 대해 조사했다.In order to verify the effect of the embodiment of the present invention, the gas discharge port (3) was formed by the method shown in the embodiment in the gas supply part 3 according to the following examples 1 to 3 and comparative example, 40 were examined for the film thickness distribution of the thermal sprayed coating 6.

[실시예 1][Example 1]

도 2에 도시하는 바와 같이, 가스 토출구(40)를 하류 측일수록 내경이 넓어지는 사발 형상의 경사면으로 하고, 가스 토출구(40)와 가스 유로(41)의 경계에서 내주면에 각부가 형성되도록 외측을 향해서 절곡하며, 가스 토출구(40)의 하류 측 단부는 전극판(32B)의 하면(300)에 만곡면에 의해 연결되도록 구성했다. 또한, 가스 토출구(40)의 내벽에 따른 직선과 가스 유로(41)의 축선(L)이 이루는 각도(θ1)를 45도로 설정했다. 나아가, 용사 재료(50)로서 이트리아를 이용하고 실시형태에 나타낸 용사막 성막 방법에 따라 용사막(6)을 성막한 예를 실시예 1으로 했다.As shown in Fig. 2, the gas discharge port 40 is formed into a bowl-like inclined surface whose inner diameter becomes wider toward the downstream side, and the outer side is formed so as to be formed on the inner peripheral surface at the boundary between the gas discharge port 40 and the gas passage 41 And the downstream end of the gas discharge port 40 is connected to the lower surface 300 of the electrode plate 32B by a curved surface. The angle? 1 formed by the straight line along the inner wall of the gas discharge port 40 and the axis L of the gas passage 41 was set at 45 degrees. Further, Example 1 was obtained by using yttria as the thermal spray material 50 and forming the thermal sprayed coating 6 according to the thermal spray coating method shown in the embodiment.

[실시예 2][Example 2]

가스 토출구(40)를 축선(L)을 포함하는 단면에서 보았을 때에 상류 측 단부로부터 하류 측 단부까지 직선 부분(42)만으로 이루어진 경사면으로 구성하고, 가스 토출구(40)의 상류 측 단부의 가스 유로(41)와의 사이의 경계부(Pa) 및 가스 토출구(40)의 하류 측 단부와 전극판(32B)의 처리 공간 측의 면과의 경계부(Pb)가 각각 제 1 각부 및 제 2 각부가 되도록 구성했다. 또한, 가스 토출구(40)의 내벽과 축선(L)이 이루는 각도(θ2)가 45도가 되도록 설정한 것을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지로 구성한 예를 실시예 2로 했다.The gas discharge port 40 is constituted by an inclined surface composed of only the straight portion 42 from the upstream end to the downstream end when viewed from the end including the axis L and the gas flow path 41 and the boundary portion Pb between the downstream side end portion of the gas discharge port 40 and the surface of the electrode plate 32B on the processing space side are the first leg portion and the second leg portion, respectively . The second embodiment is similar to the first embodiment except that the angle? 2 formed by the inner wall of the gas discharge port 40 and the axis L is set to 45 degrees.

[실시예 3][Example 3]

도 8에 도시하는 바와 같이 가스 토출구(40)의 내벽과 축선(L)이 이루는 각도(θ2)가 70도가 되도록 형성된 것을 제외하고, 실시예 2와 마찬가지로 구성한 예를 실시예 3으로 했다.As shown in Fig. 8, the third embodiment is configured as in the third embodiment, except that the angle? 2 formed by the inner wall of the gas discharge port 40 and the axis L is 70 degrees.

[비교예][Comparative Example]

도 9에 도시하는 바와 같이 가스 토출구(40)를 가스 유로(41)의 축선(L)을 포함하는 단면에서 보았을 때에, 상류 측 단부로부터 하류 측 단부까지 곡률 반경 1㎜의 치수의 곡선 부분(43)이 되도록 구성한 것을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지로 구성한 예를 비교예로 했다.9, when the gas discharge port 40 is viewed from a cross section including the axis L of the gas flow passage 41, a curved portion 43 having a dimension of 1 mm in radius of curvature from the upstream side end portion to the downstream side end portion ), Except that it was constructed in the same manner as in the first embodiment.

실시예 1~3 및 비교예의 각각의 가스 공급부(3)에 형성한 가스 토출구(40)에서, 용사막(6)의 막 두께를 측정했다.The film thickness of the thermal sprayed coating 6 was measured at the gas discharge port 40 formed in each of the gas supply portions 3 of Examples 1 to 3 and Comparative Examples.

각 예의 가스 토출구(40)에 있어서의 용사막(6)의 막 두께의 측정 지점에 관해서 설명한다. 도 10에 도시하는 바와 같이, 우선 가스 토출구(40)를 축선(L)을 통과하는 단면에서 보아, 가스 토출구(40)의 상류 측 단부의 경계부(Pa)로부터 축선(L)에 수직인 방향으로 연장되는 선과, 가스 토출구(40)의 하류 측 단부의 경계부(Pb)로부터 축선(L)에 평행한 방향으로 연장되는 선과의 교점을 정했다. 그리고 그 교점과 용사막(6)의 표면을 잇는 직선과 축선(L)에 수직인 선이 이루는 각도가 각각 90, 75, 60, 45, 30, 15 및 0도가 되는 지점을 각각 지점 P1~P7로 했다. 실시예 1 내지 실시예 3 및 비교예의 각각의 샘플의 단면을 SEM(주사형 전자현미경)에 의해 촬영하고, 해당 사진으로부터 각 지점의 막 두께를 측정했다.The measurement point of the film thickness of the thermal sprayed film 6 in each example gas discharge port 40 will be described. As shown in Fig. 10, the gas discharge port 40 is first viewed from the cross section passing through the axis L, in the direction perpendicular to the axis L from the boundary Pa at the upstream side end of the gas discharge port 40 And a line extending from the boundary Pb of the downstream end of the gas discharge port 40 in the direction parallel to the axial line L is defined. Points at which the angles formed by the straight line connecting the intersection point and the surface of the thermal sprayed coating 6 and the line perpendicular to the axis L are 90, 75, 60, 45, 30, 15 and 0 degrees, . The cross sections of the samples of Examples 1 to 3 and Comparative Examples were photographed by SEM (scanning electron microscope), and film thicknesses at respective points were measured from the photographs.

표 1은 이 결과를 나타내며, 실시예 1~3 및 비교예의 각각에 있어서의 지점 P1~P7에 있어서의 용사막(6)의 막 두께를 각각의 예에 있어서의 P1의 막 두께를 1로서 규격화한 값으로 나타내고 있다.Table 1 shows this result. The film thickness of the thermal sprayed film 6 at the points P1 to P7 in each of Examples 1 to 3 and Comparative Examples was normalized to be 1 with the film thickness of P1 in each example As shown in Fig.

P1P1 P2P2 P3P3 P4P4 P5P5 P6P6 P7P7 실시예Example 1 One 1.01.0 0.90.9 0.90.9 0.80.8 0.80.8 0.90.9 0.20.2 실시예Example 2 2 1.01.0 0.70.7 0.80.8 0.80.8 0.90.9 0.90.9 0.20.2 실시예Example 3 3 1.01.0 0.90.9 0.90.9 0.90.9 0.90.9 0.90.9 0.10.1 비교예Comparative Example 1.01.0 0.90.9 0.90.9 0.80.8 0.70.7 0.40.4 0.20.2

표 1에 나타내는 바와 같이, 비교예에 있어서는, 지점 P1~P4에서는, 용사막(6)의 막 두께는 0.8 이상이었지만, 지점 P5에서 0.7, 지점 P6 및 P7에서는 각각 0.4 및 0.2로 막 두께가 얇아져 있었다.As shown in Table 1, in the comparative example, the film thickness of the thermal sprayed film 6 at the points P1 to P4 was 0.8 or more, but 0.7 at the point P5 and 0.4 and 0.2 at the points P6 and P7, respectively, there was.

또한, 실시예 1~3에 있어서는, 각각 지점 P1~P6에서, 용사막(6)의 막 두께는 0.7 이상을 나타내고 있으며, 대략 0.8 이상의 값이었다. 또한, 실시예 1과 실시예 2를 비교하면, 지점 P2 및 지점 P3에서 실시예 1은 실시예 2보다 막 두께가 두껍게 되어 있는 것을 알 수 있다.In Examples 1 to 3, the film thickness of the thermal sprayed coating 6 at each of the points P1 to P6 was 0.7 or more and was about 0.8 or more. Comparing Example 1 with Example 2, it can be seen that the film thickness of Example 1 is thicker than that of Example 2 at points P2 and P3.

이 결과에 의하면, 비교예에 있어서는, 가스 토출구(40)의 상류 측에서 막 두께가 얇아지기 쉽지만, 실시예 1~3의 가스 공급부(3)는 가스 토출구(40)에 피복된 용사막의 막 두께가 균일하게 되어 있다고 말할 수 있다. 또한, 가스 토출구(40)의 내면과 가스 유로(41)의 축선(L)이 이루는 각도(θ2)를 45도 이상으로 구성함으로써 용사막(6)의 막 두께의 균일성이 높아진다고 말할 수 있다. 나아가, 가스 토출구(40)의 경사면을, 가스 유로(41)의 축선을 포함하는 단면에서 보았을 때에, 상류 측 단부로부터 하류 측을 향하는 직선 부분(42)에 더하여, 가스 토출구(40)의 하류 측과 전극판(32B)의 일면 측까지를 만곡면으로서 형성함으로써, 가스 토출구(40)의 하류 측 단부 부근의 용사막(6)의 막 두께의 균일성도 보다 양호해진다고 말할 수 있다.According to this result, in the comparative example, the film thickness is liable to be thinned on the upstream side of the gas discharge port 40. However, the gas supply unit 3 of the first to third embodiments is a film of the thermal sprayed film coated on the gas discharge port 40 It can be said that the thickness is uniform. It can be said that the uniformity of the film thickness of the thermal sprayed coating 6 is enhanced by configuring the angle? 2 formed by the inner surface of the gas discharge port 40 and the axis L of the gas flow path 41 to 45 degrees or more. Further, when the inclined surface of the gas discharge port 40 is viewed from a cross section including the axis of the gas flow passage 41, in addition to the straight portion 42 extending from the upstream side end to the downstream side, And the electrode plate 32B is formed as a curved surface, it can be said that the uniformity of the film thickness of the solvent film 6 in the vicinity of the downstream end of the gas discharge port 40 is also improved.

2: 서셉터 5: 용사부
6: 용사막 10: 처리 용기
21: 하부 전극 30: 샤워 헤드
32B: 전극판 40: 개구부
42: 직선 부분 43: 곡선 부분
50: 용사 재료 G: 유리 기판2: susceptor 5:
6: Desiccant 10: Treatment vessel
21: lower electrode 30: shower head
32B: electrode plate 40: opening
42: straight portion 43: curved portion
50: Spraying material G: Glass substrate

Claims (5)

플라스마를 발생시키기 위한 전극 부재와,
상기 전극 부재에 상기 전극 부재의 일면을 향해 연장되도록 형성된 복수의 가스 유로와,
상기 가스 유로의 하류단에 연속해서 형성되며, 구멍 직경이 상기 일면을 향해 확대되는 가스 토출구와,
상기 가스 토출구의 표면에 용사막에 의해 형성된 보호막을 구비하고,
상기 가스 유로와 상기 가스 토출구의 경계에서 내주면을 외측을 향해서 절곡하여 각부(角部)를 형성하는 동시에, 상기 각부보다 외측에 위치하는 내주면의 부위로부터 상기 전극 부재의 일면 측의 표면까지를 만곡면으로서 형성하고, 상기 가스 유로의 축선에 따른 단면에서 보았을 때에, 상기 각부로부터 상기 만곡면의 내단까지의 사이는 직선인 것을 특징으로 하는
가스 공급 장치.An electrode member for generating a plasma,
A plurality of gas passages formed in the electrode member so as to extend toward one surface of the electrode member,
A gas discharge port continuously formed at a downstream end of the gas flow path and having a hole diameter enlarged toward the one surface,
And a protective film formed on the surface of the gas discharge port by a thermal sprayed film,
Wherein an inner circumferential surface is bent outward at a boundary between the gas flow path and the gas discharge port so as to form a corner portion and a portion from an inner circumferential surface portion located on the outer side of the corner portion to a surface on one surface side of the electrode member, And when viewed from a cross section along an axial line of the gas flow path, the interval between the corner portion and the inner end of the curved surface is a straight line.
Gas supply. 제 1 항에 있어서,
상기 각부와 상기 만곡면에 있어서의 내단을 연결하는 직선과 상기 가스 유로의 축선이 이루는 각도(θ1)는 45도 내지 50도의 범위로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는
가스 공급 장치.The method according to claim 1,
And an angle [theta] 1 formed by a straight line connecting the corner portion and the inner end of the curved surface to the axis of the gas flow path is set to a range of 45 degrees to 50 degrees
Gas supply. 플라스마를 발생시키기 위한 전극 부재와,
상기 전극 부재에 상기 전극 부재의 일면을 향해 연장되도록 형성된 복수의 가스 유로와,
상기 가스 유로의 하류단에 연속해서 형성되며, 구멍 직경이 상기 일면을 향해 확대되는 가스 토출구와,
상기 가스 토출구의 표면에 용사막에 의해 형성된 보호막을 구비하고,
상기 가스 유로와 상기 가스 토출구의 경계에서 내주면을 외측을 향해서 절곡하여 각부를 형성하는 동시에, 상기 가스 유로의 축선에 따른 단면에서 보았을 때에, 상기 각부로부터 상기 가스 토출구의 외단에 이르기까지의 내주면은 직선이며, 상기 직선과 상기 가스 유로의 축선이 이루는 각도(θ2)는 45도 내지 70도의 범위로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는
가스 공급 장치.An electrode member for generating a plasma,
A plurality of gas passages formed in the electrode member so as to extend toward one surface of the electrode member,
A gas discharge port continuously formed at a downstream end of the gas flow path and having a hole diameter enlarged toward the one surface,
And a protective film formed on the surface of the gas discharge port by a thermal sprayed film,
And an inner circumferential surface extending from the corner portion to an outer end of the gas discharge port as viewed in a section along an axial line of the gas flow path is formed as a straight line , And an angle [theta] 2 formed between the straight line and the axis of the gas flow path is set in a range of 45 degrees to 70 degrees
Gas supply. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 가스 공급 장치의 제조 방법으로서, 상기 전극 부재에 있어서의 상기 가스 토출구가 형성된 면을 향해서 용사 재료를 내뿜는 용사부를, 상기 가스 유로의 연장되는 방향에 대해서 직교하는 방향으로 이동시켜서 용사막을 성막하는 것을 특징으로 하는
가스 공급 장치의 제조 방법.A manufacturing method of a gas supply device according to any one of claims 1 to 3, wherein a spraying portion for spraying the sprayed material toward the surface of the electrode member on which the gas discharge port is formed is arranged in a direction in which the gas flow path extends So as to form a thermal sprayed film
A method of manufacturing a gas supply device. 내부에 플라스마를 발생시키기 위한 처리 용기와,
상기 처리 용기 내에 마련된 기판을 탑재하는 탑재대와,
상기 처리 용기 내에 플라스마 처리용의 처리 가스를 공급하는, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 가스 공급 장치와,
상기 탑재대와 전극 부재 사이에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원부와,
처리 용기 내를 진공 배기하기 위한 배기 기구를 구비한 것을 특징으로 하는
플라스마 처리 장치.A processing vessel for generating a plasma therein,
A mounting table for mounting a substrate provided in the processing container;
A gas supply device according to any one of claims 1 to 3 for supplying a process gas for plasma processing into the process container,
A high frequency power supply unit for supplying high frequency power between the mount table and the electrode member,
And an exhaust mechanism for evacuating the inside of the processing container
Plasma processing apparatus.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220145264A (en) * 2021-04-21 2022-10-28 토토 가부시키가이샤 Member for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7159074B2 (en) * 2019-02-08 2022-10-24 キオクシア株式会社 GAS SUPPLY MEMBER, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND COATING FILM FORMATION METHOD
JP7197036B2 (en) * 2021-04-21 2022-12-27 Toto株式会社 Components for semiconductor manufacturing equipment and semiconductor manufacturing equipment
CN115410892B (en) * 2022-07-22 2023-04-14 合肥微睿光电科技有限公司 Upper electrode, gas diffuser and vacuum chamber
JP7409535B1 (en) 2023-02-22 2024-01-09 Toto株式会社 Electrostatic chuck and its manufacturing method
JP7409536B1 (en) 2023-02-22 2024-01-09 Toto株式会社 Electrostatic chuck and its manufacturing method
JP7480876B1 (en) 2023-02-22 2024-05-10 Toto株式会社 Electrostatic chuck and method of manufacturing same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100392284B1 (en) * 1997-10-16 2003-07-22 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 Plasma display panel and method of manufacturing the same
JP5198611B2 (en) 2010-08-12 2013-05-15 株式会社東芝 Gas supply member, plasma processing apparatus, and method for forming yttria-containing film
JP5782293B2 (en) 2011-05-10 2015-09-24 東京エレクトロン株式会社 Plasma generating electrode and plasma processing apparatus

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6914005B2 (en) * 2002-03-01 2005-07-05 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma etching method
US20090095221A1 (en) * 2007-10-16 2009-04-16 Alexander Tam Multi-gas concentric injection showerhead
US8206829B2 (en) * 2008-11-10 2012-06-26 Applied Materials, Inc. Plasma resistant coatings for plasma chamber components
JP2012057251A (en) * 2010-08-13 2012-03-22 Toshiba Corp Protective film, method for forming the same, apparatus for manufacturing semiconductor, and plasma treatment apparatus
US9082593B2 (en) * 2011-03-31 2015-07-14 Tokyo Electron Limited Electrode having gas discharge function and plasma processing apparatus
JP2014157944A (en) * 2013-02-15 2014-08-28 Toshiba Corp Gas supply member and plasma processing apparatus
JP6714978B2 (en) * 2014-07-10 2020-07-01 東京エレクトロン株式会社 Parts for plasma processing apparatus, plasma processing apparatus, and method for manufacturing parts for plasma processing apparatus
CN105428195B (en) * 2014-09-17 2018-07-17 东京毅力科创株式会社 The component of plasma processing apparatus and the manufacturing method of component
CN106340434B (en) * 2015-07-10 2018-12-14 东京毅力科创株式会社 Plasma processing apparatus and spray head

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100392284B1 (en) * 1997-10-16 2003-07-22 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 Plasma display panel and method of manufacturing the same
JP5198611B2 (en) 2010-08-12 2013-05-15 株式会社東芝 Gas supply member, plasma processing apparatus, and method for forming yttria-containing film
JP5782293B2 (en) 2011-05-10 2015-09-24 東京エレクトロン株式会社 Plasma generating electrode and plasma processing apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220145264A (en) * 2021-04-21 2022-10-28 토토 가부시키가이샤 Member for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus
US11749507B2 (en) 2021-04-21 2023-09-05 Toto Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus member and semiconductor manufacturing apparatus

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