JP7409535B1 - Electrostatic chuck and its manufacturing method - Google Patents

Abstract

【課題】ガス穴を介した放電の発生を抑制することのできる静電チャック、及びその製造方法を提供する。【解決手段】静電チャック１０は、ガス穴１４０が形成された誘電体基板１００と、ガス穴２４０が形成されたベースプレート２００と、誘電体基板１００とベースプレート２００との間に設けられ、絶縁性の材料により形成された接合層３００と、を備える。誘電体基板１００のうち接合層３００側の面１２０には、ガス穴１４０の端部である開口１４２が形成されている。ベースプレート２００のうち接合層３００側の面２１０には、開口１４２とは異なる位置において、ガス穴２４０の端部である開口２４１が形成されている。ベースプレート２００のうち接合層３００側の面２１０には、開口１４２と開口２４１との間を連通させる連通溝２６０が形成されている。【選択図】図１The present invention provides an electrostatic chuck that can suppress the occurrence of discharge through gas holes, and a method for manufacturing the same. An electrostatic chuck 10 is provided between a dielectric substrate 100 in which a gas hole 140 is formed, a base plate 200 in which a gas hole 240 is formed, and between the dielectric substrate 100 and the base plate 200, and is provided with an insulating material. A bonding layer 300 formed of a material. An opening 142, which is an end of a gas hole 140, is formed in a surface 120 of the dielectric substrate 100 on the bonding layer 300 side. An opening 241 , which is an end of a gas hole 240 , is formed in a surface 210 of the base plate 200 on the bonding layer 300 side at a position different from the opening 142 . A communication groove 260 that communicates between the opening 142 and the opening 241 is formed in the surface 210 of the base plate 200 on the bonding layer 300 side. [Selection diagram] Figure 1

Description

本発明は静電チャック及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an electrostatic chuck and a method for manufacturing the same.

例えばＣＶＤ装置等の半導体製造装置には、処理の対象となるシリコンウェハ等の基板を吸着し保持するための装置として、静電チャックが設けられる。静電チャックは、吸着電極が設けられた誘電体基板と、誘電体基板を支持するベースプレートと、を備え、これらが互いに接合された構成を有する。吸着電極は、誘電体基板に内蔵されるのが一般的であるが、下記特許文献１に記載されているように、金属であるベースプレートが吸着電極として用いられる場合もある。吸着電極に電圧が印加されると静電力が生じ、誘電体基板上に載置された基板が吸着され保持される。 For example, semiconductor manufacturing equipment such as a CVD equipment is provided with an electrostatic chuck as a device for attracting and holding a substrate such as a silicon wafer to be processed. An electrostatic chuck includes a dielectric substrate provided with a suction electrode and a base plate supporting the dielectric substrate, and has a configuration in which these are joined to each other. The suction electrode is generally built into a dielectric substrate, but as described in Patent Document 1 listed below, a metal base plate is sometimes used as the suction electrode. When a voltage is applied to the attraction electrode, an electrostatic force is generated, and the substrate placed on the dielectric substrate is attracted and held.

処理中における基板の温度調整等を目的として、誘電体基板と基板との間には、ヘリウム等の不活性ガスが供給されることが多い。このようなガスの供給路として、誘電体基板及びベースプレートのそれぞれにはガス穴が形成される。 An inert gas such as helium is often supplied between the dielectric substrate and the substrate for the purpose of adjusting the temperature of the substrate during processing. As such gas supply paths, gas holes are formed in each of the dielectric substrate and the base plate.

特開２００５－２０３４２６号公報Japanese Patent Application Publication No. 2005-203426

上記特許文献１に記載の構成において、ガス穴は、誘電体基板とベースプレートの接合部分を、被接合面に対し垂直な方向に沿って直線状に貫くよう形成されている。ベースプレートに設けられたガス穴の内面においては金属が露出しているが、この露出した金属は、直線状のガス穴を通じて基板と対向した状態となる。このため、上記構成の静電チャックにおいては、直線状のガス穴に沿って、基板とベースプレートとの間の放電が比較的生じやすくなっていた。 In the configuration described in Patent Document 1, the gas hole is formed so as to linearly penetrate the joint portion between the dielectric substrate and the base plate along a direction perpendicular to the surface to be joined. Metal is exposed on the inner surface of the gas hole provided in the base plate, and this exposed metal faces the substrate through the linear gas hole. Therefore, in the electrostatic chuck having the above configuration, discharge between the substrate and the base plate is relatively likely to occur along the linear gas hole.

本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ガス穴を介した放電の発生を抑制することのできる静電チャック、及びその製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide an electrostatic chuck that can suppress the occurrence of discharge through the gas holes, and a method for manufacturing the same.

上記課題を解決するために、本発明に係る静電チャックは、第１ガス穴が形成された誘電体基板と、第２ガス穴が形成されたベースプレートと、誘電体基板とベースプレートとの間に設けられ、絶縁性の材料により形成された接合層と、を備える。誘電体基板のうち接合層側の面には、第１ガス穴の端部である第１開口が形成されている。ベースプレートのうち接合層側の面には、第１開口とは異なる位置において、第２ガス穴の端部である第２開口が形成されている。ベースプレートのうち接合層側の面には、第１開口と第２開口との間を連通させる連通溝が形成されている。 In order to solve the above problems, an electrostatic chuck according to the present invention includes a dielectric substrate in which a first gas hole is formed, a base plate in which a second gas hole is formed, and a gap between the dielectric substrate and the base plate. and a bonding layer formed of an insulating material. A first opening, which is an end of the first gas hole, is formed on the surface of the dielectric substrate on the bonding layer side. A second opening, which is an end of the second gas hole, is formed on the surface of the base plate on the bonding layer side at a position different from the first opening. A communication groove that communicates between the first opening and the second opening is formed in the surface of the base plate on the bonding layer side.

このような構成の静電チャックでは、第１ガス穴の端部である第１開口と、第２ガス穴の端部である第２開口とが、互いに異なる位置にあり、これらの間が、ベースプレートに設けられた連通溝によって連通されている。上記の「位置」とは、例えば、被接合面に対し垂直な方向から見た場合における、第１開口や第２開口の位置のことである。 In an electrostatic chuck having such a configuration, the first opening, which is the end of the first gas hole, and the second opening, which is the end of the second gas hole, are located at different positions, and there is a space between them. They are communicated through a communication groove provided in the base plate. The above-mentioned "position" refers to, for example, the position of the first opening and the second opening when viewed from a direction perpendicular to the surface to be joined.

このような構成においては、第１ガス穴の直下において、第２ガス穴の内面が基板側に向けて露出することがない。第２ガス穴の内面で露出した金属から、第１ガス穴を通じて基板に至るまでの経路の沿面距離が、従来構成に比べて長く確保されるので、当該経路に沿った放電の発生を抑制することができる。 In such a configuration, the inner surface of the second gas hole is not exposed toward the substrate directly below the first gas hole. The creepage distance of the path from the metal exposed on the inner surface of the second gas hole to the substrate through the first gas hole is ensured longer than in the conventional configuration, so the generation of electric discharge along the path is suppressed. be able to.

また、本発明に係る静電チャックでは、第２開口が、連通溝を介して複数の第１開口に連通されていることも好ましい。このような構成においては、第２開口の数を第１開口の数よりも少なくすることができる。放電の起点となり得る第２開口の数を減少させることで、放電の発生を更に抑制することが可能となる。 Further, in the electrostatic chuck according to the present invention, it is also preferable that the second opening communicates with the plurality of first openings via communication grooves. In such a configuration, the number of second openings can be made smaller than the number of first openings. By reducing the number of second openings that can serve as starting points for discharge, it is possible to further suppress the occurrence of discharge.

また、本発明に係る静電チャックでは、ベースプレートのうち連通溝の内面に、絶縁膜が設けられていることも好ましい。このような構成においては、第１開口の直下となる部分においてベースプレートの金属表面が露出しないので、放電の発生を更に抑制することが可能となる。 Further, in the electrostatic chuck according to the present invention, it is also preferable that an insulating film is provided on the inner surface of the communication groove in the base plate. In such a configuration, since the metal surface of the base plate is not exposed in the portion immediately below the first opening, it is possible to further suppress the occurrence of electric discharge.

また、本発明に係る静電チャックでは、絶縁膜が溶射により形成された膜であることも好ましい。このような構成においては、高い絶縁性を有する膜を容易に形成し、放電の発生を抑制することが可能となる。 Further, in the electrostatic chuck according to the present invention, it is also preferable that the insulating film is a film formed by thermal spraying. In such a configuration, it is possible to easily form a film having high insulating properties and suppress the occurrence of discharge.

また、本発明に係る静電チャックでは、接合層が、固形の接着剤シートを硬化させたものであることも好ましい。このような構成においては、接着剤を硬化させる過程において、未硬化の接着剤が連通溝に入り込んでしまったり、連通溝を塞いでしまったりすることを確実に防止することができる。 Further, in the electrostatic chuck according to the present invention, it is also preferable that the bonding layer is formed by curing a solid adhesive sheet. In such a configuration, in the process of curing the adhesive, it is possible to reliably prevent uncured adhesive from entering the communication groove or blocking the communication groove.

本発明に係る静電チャックの製造方法は、第１ガス穴と、第１ガス穴の端部である第１開口と、が形成されている誘電体基板を準備する工程と、第２ガス穴と、第２ガス穴の端部である第２開口に繋がる連通溝と、が形成されているベースプレートを準備する工程と、絶縁性の部材である固形の接着剤シートを準備する工程と、互いに異なる位置にある第１開口と第２開口との間が連通溝によって連通されるように、誘電体基板のうち第１開口が形成されている面と、ベースプレートのうち第２開口が形成されている面と、を互いに対向させ、誘電体基板とベースプレートとの間に接着剤シートを挟み込む工程と、接着剤シートを硬化させる工程と、を含む。 A method for manufacturing an electrostatic chuck according to the present invention includes the steps of preparing a dielectric substrate in which a first gas hole and a first opening, which is an end of the first gas hole, are formed; and a communication groove connected to the second opening, which is the end of the second gas hole.A step of preparing a solid adhesive sheet that is an insulating member. The surface of the dielectric substrate where the first opening is formed and the second opening of the base plate are formed so that the first opening and the second opening located at different positions communicate with each other through a communication groove. and sandwiching an adhesive sheet between the dielectric substrate and the base plate, and curing the adhesive sheet.

このような静電チャックの製造方法によれば、ガス穴を介した放電の発生を上記のように抑制することのできる静電チャックを、容易に製造することができる。 According to such a method of manufacturing an electrostatic chuck, it is possible to easily manufacture an electrostatic chuck that can suppress the generation of discharge through the gas holes as described above.

本発明によれば、ガス穴を介した放電の発生を抑制することのできる静電チャック、及びその製造方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide an electrostatic chuck that can suppress the occurrence of discharge through gas holes, and a method for manufacturing the same.

本実施形態に係る静電チャックの構成を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of an electrostatic chuck according to the present embodiment. 図１の静電チャックが備える誘電体基板の構成を示す図である。2 is a diagram showing the configuration of a dielectric substrate included in the electrostatic chuck of FIG. 1. FIG. 図１の静電チャックが備えるベースプレートの構成を示す図である。2 is a diagram showing the configuration of a base plate included in the electrostatic chuck of FIG. 1. FIG. 図１の静電チャックが備える接合層の構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the structure of a bonding layer included in the electrostatic chuck of FIG. 1. FIG. 図１の静電チャックにおける、連通溝を介したガスの流れについて説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining the flow of gas through a communication groove in the electrostatic chuck of FIG. 1. FIG. ガス穴を介した放電経路について説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a discharge path via a gas hole. 図１の静電チャックの製造方法について説明するための図である。2 is a diagram for explaining a method of manufacturing the electrostatic chuck of FIG. 1. FIG. 変形例に係る静電チャックにおける、連通溝を介したガスの流れについて説明するための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining the flow of gas through a communication groove in an electrostatic chuck according to a modification.

以下、添付図面を参照しながら本実施形態について説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の符号を付して、重複する説明は省略する。 This embodiment will be described below with reference to the accompanying drawings. In order to facilitate understanding of the description, the same components in each drawing are denoted by the same reference numerals as much as possible, and redundant description will be omitted.

本実施形態に係る静電チャック１０は、例えばＣＶＤ成膜装置のような不図示の半導体製造装置の内部において、処理対象となる基板Ｗを静電力によって吸着し保持するものである。基板Ｗは、例えばシリコンウェハである。静電チャック１０は、半導体製造装置以外の装置に用いられてもよい。 The electrostatic chuck 10 according to the present embodiment attracts and holds a substrate W to be processed using electrostatic force inside a semiconductor manufacturing apparatus (not shown) such as a CVD film forming apparatus, for example. The substrate W is, for example, a silicon wafer. The electrostatic chuck 10 may be used in equipment other than semiconductor manufacturing equipment.

図１には、基板Ｗを吸着保持した状態の静電チャック１０の構成が、模式的な断面図として示されている。静電チャック１０は、誘電体基板１００と、ベースプレート２００と、接合層３００と、を備える。 FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of the structure of an electrostatic chuck 10 that holds a substrate W by suction. The electrostatic chuck 10 includes a dielectric substrate 100, a base plate 200, and a bonding layer 300.

誘電体基板１００は、セラミック焼結体からなる略円盤状の部材である。誘電体基板１００は、例えば高純度の酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）を含むが、他の材料を含んでもよい。誘電体基板１００におけるセラミックスの純度や種類、添加物等は、半導体製造装置において誘電体基板１００に求められる対プラズマ性等を考慮して、適宜設定することができる。 The dielectric substrate 100 is a substantially disk-shaped member made of a ceramic sintered body. Dielectric substrate 100 includes, for example, high-purity aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ), but may also include other materials. The purity, type, additives, etc. of the ceramics in the dielectric substrate 100 can be appropriately set in consideration of the plasma resistance required of the dielectric substrate 100 in semiconductor manufacturing equipment.

誘電体基板１００のうち図１における上方側の面１１０は、基板Ｗが載置される「吸着面」となっている。また、誘電体基板１００のうち図１における下方側の面１２０は、後述の接合層３００を介してベースプレート２００に接合される「被接合面」となっている。面１１０に対し垂直な方向に沿って、面１１０側から静電チャック１０を見た場合の視点のことを、以下では「上面視」のようにも表記する。 The upper surface 110 of the dielectric substrate 100 in FIG. 1 is a "suction surface" on which the substrate W is placed. Further, a lower surface 120 of the dielectric substrate 100 in FIG. 1 serves as a "surface to be joined" to be joined to the base plate 200 via a joining layer 300, which will be described later. The viewpoint when looking at the electrostatic chuck 10 from the surface 110 side along the direction perpendicular to the surface 110 will also be referred to as "top view" below.

誘電体基板１００の内部には吸着電極１３０が埋め込まれている。吸着電極１３０は、例えばタングステン等の金属材料により形成された薄い平板状の層である。給電路１３を介して外部から吸着電極１３０に電圧が印加されると、面１１０と基板Ｗとの間に静電力が生じ、これにより基板Ｗが吸着保持される。吸着電極１３０は、所謂「双極」の電極として２つ設けられていてもよいが、所謂「単極」の電極として１つだけ設けられていてもよい。 An adsorption electrode 130 is embedded inside the dielectric substrate 100. The adsorption electrode 130 is a thin flat layer made of a metal material such as tungsten. When a voltage is applied to the attraction electrode 130 from the outside via the power supply path 13, an electrostatic force is generated between the surface 110 and the substrate W, thereby attracting and holding the substrate W. Two adsorption electrodes 130 may be provided as a so-called "bipolar" electrode, but only one adsorption electrode 130 may be provided as a so-called "monopolar" electrode.

図１においては、給電路１３の全体が簡略化して描かれている。給電路１３のうち誘電体基板１００の内部の部分は、例えば、導電体の充填された細長いビア（穴）として構成されており、その下端には不図示の電極端子が設けられている。給電路１３のうちベースプレート２００を貫いている部分は、上記の電極端子に一端が接続された棒状の金属（バスバー）である。ベースプレート２００には、当該金属を挿通するための貫通穴２１３（図１では不図示、図３を参照）が形成されている。 In FIG. 1, the entire power supply path 13 is depicted in a simplified manner. A portion of the power supply path 13 inside the dielectric substrate 100 is configured as, for example, an elongated via (hole) filled with a conductor, and an electrode terminal (not shown) is provided at the lower end of the via. A portion of the power supply path 13 that penetrates the base plate 200 is a bar-shaped metal (bus bar) whose one end is connected to the above-mentioned electrode terminal. A through hole 213 (not shown in FIG. 1, see FIG. 3) is formed in the base plate 200 for inserting the metal.

図１に示されるように、誘電体基板１００と基板Ｗとの間には空間ＳＰが形成されている。半導体製造装置において成膜処理が行われる際には、空間ＳＰには、後述のガス穴１４０等を介して外部から温度調整用のヘリウムガスが供給される。誘電体基板１００と基板Ｗとの間にヘリウムガスを介在させることで、両者間の熱抵抗が調整され、これにより基板Ｗの温度が適温に保たれる。尚、空間ＳＰに供給される温度調整用のガスは、ヘリウムとは異なる種類のガスであってもよい。 As shown in FIG. 1, a space SP is formed between the dielectric substrate 100 and the substrate W. When a film formation process is performed in the semiconductor manufacturing apparatus, helium gas for temperature adjustment is supplied to the space SP from the outside through a gas hole 140, which will be described later. By interposing helium gas between the dielectric substrate 100 and the substrate W, the thermal resistance between the two is adjusted, thereby maintaining the temperature of the substrate W at an appropriate temperature. Note that the temperature adjustment gas supplied to the space SP may be a different type of gas than helium.

図２は、誘電体基板１００を上面視で描いた図である。図２に示されるように、吸着面である面１１０上にはシールリング１１１やドット１１２が設けられており、上記の空間ＳＰはこれらの周囲に形成されている。 FIG. 2 is a top view of the dielectric substrate 100. As shown in FIG. 2, a seal ring 111 and dots 112 are provided on the surface 110, which is the suction surface, and the above-mentioned space SP is formed around these.

シールリング１１１は、空間ＳＰを区画する壁であり、上面視において同心円状に並ぶように複数設けられている。それぞれのシールリング１１１の上端は、面１１０の一部となっており、基板Ｗに当接する。本実施形態では、計４つのシールリング１１１が設けられており、これにより空間ＳＰは４つに分けられている。このような構成とすることで、それぞれの空間ＳＰにおけるヘリウムガスの圧力を個別に調整し、処理中における基板Ｗの表面温度分布を均一に近づけることが可能となる。 The seal rings 111 are walls that partition the space SP, and a plurality of seal rings 111 are arranged concentrically in a top view. The upper end of each seal ring 111 forms part of the surface 110 and comes into contact with the substrate W. In this embodiment, a total of four seal rings 111 are provided, thereby dividing the space SP into four parts. With such a configuration, it is possible to individually adjust the pressure of helium gas in each space SP and make the surface temperature distribution of the substrate W during processing close to uniform.

図１等において符号「１１６」が付されている部分は、空間ＳＰの底面である。以下では、当該部分のことを「底面１１６」とも称する。シールリング１１１は、次に述べるドット１１２と共に、面１１０の一部を底面１１６の位置まで掘り下げた結果として形成されている。 In FIG. 1 and the like, the part marked with the symbol "116" is the bottom surface of the space SP. Hereinafter, this portion will also be referred to as the "bottom surface 116." The seal ring 111 is formed as a result of digging a part of the surface 110 down to the bottom surface 116 along with the dots 112 described below.

ドット１１２は、底面１１６から突出する円形の突起である。図２に示されるように、ドット１１２は複数設けられており、誘電体基板１００の吸着面において略均等に分散配置されている。それぞれのドット１１２の上端は、面１１０の一部となっており、基板Ｗに当接する。このようなドット１１２を複数設けておくことで、基板Ｗの撓みが抑制される。 The dots 112 are circular protrusions that protrude from the bottom surface 116. As shown in FIG. 2, a plurality of dots 112 are provided and are distributed approximately evenly on the attraction surface of the dielectric substrate 100. The upper end of each dot 112 forms part of the surface 110 and comes into contact with the substrate W. By providing a plurality of such dots 112, deflection of the substrate W is suppressed.

それぞれの空間ＳＰの底面１１６には、溝１１３及び開口１４１が形成されている。溝１１３は、底面１１６から更に面１２０側へと後退させるように形成された溝である。溝１１３は、次に述べる開口１４１から供給されるヘリウムガスを、空間ＳＰ内に素早く拡散させ、空間ＳＰ内の圧力分布を短時間のうちに略均一とすることを目的として形成されている。 A groove 113 and an opening 141 are formed in the bottom surface 116 of each space SP. The groove 113 is a groove formed to recede further from the bottom surface 116 toward the surface 120 side. The groove 113 is formed for the purpose of quickly diffusing helium gas supplied from the opening 141 described below into the space SP and making the pressure distribution within the space SP substantially uniform within a short time.

開口１４１は、空間ＳＰ内に供給されるヘリウムガスの出口として設けられた開口である。図１に示されるように、誘電体基板１００には、面１１０から面１２０に向かって垂直に貫くようガス穴１４０が形成されている。ガス穴１４０は、それぞれの空間ＳＰにおいて複数個ずつ形成されており、それぞれのガス穴１４０の一方側の端部が、上記の開口１４１となっている。それぞれのガス穴１４０の他方側の端部は、誘電体基板１００の面１２０に形成された開口１４２となっている。それぞれの開口１４１は、本実施形態のように単一の開口として形成されていてもよいが、複数の小さな開口の集合体として形成されていてもよい。 The opening 141 is an opening provided as an outlet for helium gas supplied into the space SP. As shown in FIG. 1, gas holes 140 are formed in the dielectric substrate 100 so as to perpendicularly penetrate from the surface 110 toward the surface 120. A plurality of gas holes 140 are formed in each space SP, and one end of each gas hole 140 serves as the opening 141 described above. The other end of each gas hole 140 is an opening 142 formed in the surface 120 of the dielectric substrate 100. Each opening 141 may be formed as a single opening as in this embodiment, or may be formed as a collection of multiple small openings.

ガス穴１４０は、本実施形態における「第１ガス穴」に該当する。ガス穴１４０のうち、面１２０に形成された開口１４２は、本実施形態における「第１開口」に該当する。 The gas hole 140 corresponds to the "first gas hole" in this embodiment. Among the gas holes 140, the opening 142 formed in the surface 120 corresponds to the "first opening" in this embodiment.

図２に示されるように、本実施形態では、全ての開口１４１が、上面視において溝１１３と重なる位置に形成されている。尚、図示の便宜上、図２においては、開口１４１の直径が溝１１３の幅よりも大きくなっているように描かれているが、図１に示されるように、実際の開口１４１の直径は溝１１３の幅よりも小さい。開口１４１が溝１１３の内側に収まるように、開口１４１の位置において、溝１１３の幅が局所的に大きくなっていてもよい。 As shown in FIG. 2, in this embodiment, all the openings 141 are formed at positions overlapping the grooves 113 when viewed from above. For convenience of illustration, the diameter of the opening 141 is depicted as being larger than the width of the groove 113 in FIG. 2, but as shown in FIG. It is smaller than the width of 113. The width of the groove 113 may be locally increased at the position of the opening 141 so that the opening 141 is accommodated inside the groove 113.

図２において符号「１１５」が付されているのは、半導体製造装置に設けられた不図示のリフトピンが挿通される穴である。当該穴のことを、以下では「リフトピン穴１１５」とも称する。リフトピン穴１１５は計３つ形成されており、これらが１２０度等配となるように配置されている。リフトピン穴１１５を通じて上下に移動するリフトピンにより、誘電体基板１００の面１１０に対する基板Ｗの着脱が行われる。 In FIG. 2, the reference numeral "115" indicates a hole into which a lift pin (not shown) provided in the semiconductor manufacturing apparatus is inserted. This hole will also be referred to as a "lift pin hole 115" below. A total of three lift pin holes 115 are formed, and these are arranged at equal intervals of 120 degrees. The substrate W is attached to and detached from the surface 110 of the dielectric substrate 100 by a lift pin that moves up and down through the lift pin hole 115.

図１に戻って説明を続ける。ベースプレート２００は、誘電体基板１００を支持する略円盤状の部材である。ベースプレート２００は、例えばアルミニウムのような金属により形成されている。ベースプレート２００のうち、図１における上方側の面２１０は、接合層３００を介して誘電体基板１００に接合される「被接合面」となっている。 Returning to FIG. 1, the explanation will be continued. The base plate 200 is a substantially disk-shaped member that supports the dielectric substrate 100. The base plate 200 is made of metal such as aluminum, for example. The upper surface 210 of the base plate 200 in FIG. 1 is a "joined surface" that is joined to the dielectric substrate 100 via the joining layer 300.

ベースプレート２００のうち、図１における下方側の面２２０を除く表面の略全体には、絶縁膜２３０が形成されている。絶縁膜２３０は、例えばアルミナのような絶縁性の材料からなる膜であり、例えば溶射によって形成されている。先に述べた面２１０は、その全体が絶縁膜２３０上の面となっている。このため、面２１０においては、後述の開口２４１等が形成されている部分を除き、ベースプレート２００を構成する金属は接合層３００側に一切露出していない。尚、ベースプレート２００のうち絶縁膜２３０が形成されている範囲は、図１の例とは異なる範囲であってもよい。例えば、被接合面である面２１０の範囲のみ（後述の連通溝２６０の内面を含む）に絶縁膜２３０が形成されていてもよい。 An insulating film 230 is formed on substantially the entire surface of the base plate 200 except for the lower surface 220 in FIG. The insulating film 230 is a film made of an insulating material such as alumina, and is formed by, for example, thermal spraying. The surface 210 described above is entirely on the insulating film 230. Therefore, on the surface 210, no metal constituting the base plate 200 is exposed to the bonding layer 300 side, except for a portion where an opening 241 (described later) and the like are formed. Note that the range in which the insulating film 230 is formed on the base plate 200 may be different from the example shown in FIG. 1 . For example, the insulating film 230 may be formed only in the area of the surface 210 that is the surface to be bonded (including the inner surface of the communication groove 260 described later).

ベースプレート２００の内部には、冷媒を流すための冷媒流路２５０が形成されている。半導体製造装置において成膜処理が行われる際には、外部から冷媒が冷媒流路２５０に供給され、これによりベースプレート２００が冷却される。成膜処理中において基板Ｗで生じた熱は、空間ＳＰのヘリウムガス、誘電体基板１００、及びベースプレート２００を介して冷媒へと伝えられ、冷媒と共に外部へと排出される。 A refrigerant flow path 250 for flowing refrigerant is formed inside the base plate 200. When a film forming process is performed in the semiconductor manufacturing apparatus, a coolant is supplied from the outside to the coolant flow path 250, thereby cooling the base plate 200. Heat generated in the substrate W during the film forming process is transferred to the coolant via the helium gas in the space SP, the dielectric substrate 100, and the base plate 200, and is discharged to the outside together with the coolant.

図１に示されるように、ベースプレート２００には、面２１０から面２２０側に向かって垂直に伸びるガス穴２４０が形成されている。尚、ガス穴２４０は、本実施形態のように全体が直線状に伸びるように形成されていてもよいが、面２２０に向かう途中で屈曲するように形成されていてもよい。 As shown in FIG. 1, a gas hole 240 is formed in the base plate 200 and extends vertically from the surface 210 toward the surface 220 side. Note that the gas hole 240 may be formed so as to extend linearly as a whole as in this embodiment, but may be formed so as to be bent on the way toward the surface 220.

ベースプレート２００おいてガス穴２４０は複数形成されている。それぞれのガス穴２４０のうち面２１０側の端部は、面２１０に形成された開口２４１となっている。ガス穴２４０のうち面２２０側の端部は、面２２０に形成された開口２４２となっている。ガス穴２４０は、本実施形態における「第２ガス穴」に該当する。ガス穴２４０のうち、面２１０に形成された開口２４１は、本実施形態における「第２開口」に該当する。ガス穴２４０は、面２１０側の部分において拡径されている。このため、開口２４１の内径は、ガス穴２４０のうちその他の部分における内径よりも僅かに大きい。 A plurality of gas holes 240 are formed in the base plate 200. The end of each gas hole 240 on the surface 210 side is an opening 241 formed in the surface 210 . The end of the gas hole 240 on the surface 220 side is an opening 242 formed in the surface 220. The gas hole 240 corresponds to a "second gas hole" in this embodiment. Among the gas holes 240, the opening 241 formed in the surface 210 corresponds to the "second opening" in this embodiment. The gas hole 240 is enlarged in diameter on the surface 210 side. Therefore, the inner diameter of the opening 241 is slightly larger than the inner diameter of the other portions of the gas hole 240.

ガス穴２４０は、先に述べたガス穴１４０に連通される穴であり、空間ＳＰに向けてヘリウムガスを供給するための経路の一部となっている。ただし、ガス穴２４０は、上面視においてガス穴１４０とは異なる位置に設けられている。また、ガス穴２４０の個数は、ガス穴１４０の個数とは異なっている。 The gas hole 240 is a hole that communicates with the gas hole 140 described above, and is part of a path for supplying helium gas toward the space SP. However, the gas hole 240 is provided at a different position from the gas hole 140 when viewed from above. Further, the number of gas holes 240 is different from the number of gas holes 140.

図３は、ベースプレート２００のうち面２１０のみを、図２と同様に上面視で描いた図である。図３に示されるように、本実施形態では、ガス穴２４０は計４つ形成されており、それぞれの端部である開口２４１が、面２１０において４つ形成されている。図２と図３とを対比すると明らかなように、上面視において開口２４１が形成されている位置は、誘電体基板１００の開口１４１や開口１４２が形成されている位置とは異なっている。後に説明するように、互いに異なる位置にあるガス穴１４０とガス穴２４０との間は、ベースプレート２００に設けられた連通溝２６０によって連通されている。 FIG. 3 is a top view of only the surface 210 of the base plate 200, similar to FIG. 2. As shown in FIG. 3, in this embodiment, a total of four gas holes 240 are formed, and four openings 241, which are the ends of each gas hole, are formed in the surface 210. As is clear from comparing FIGS. 2 and 3, the position where the opening 241 is formed in the top view is different from the position where the opening 141 and the opening 142 of the dielectric substrate 100 are formed. As will be described later, the gas holes 140 and 240 located at different positions are communicated with each other by a communication groove 260 provided in the base plate 200.

図３に示されるように、ベースプレート２００には、貫通穴２１３と、リフトピン穴２１５と、が形成されており、これらの端部が面２１０において開口している。 As shown in FIG. 3, the base plate 200 is formed with a through hole 213 and a lift pin hole 215, the ends of which are open at the surface 210.

貫通穴２１３は、先に述べた通り給電路１３を通すための穴である。貫通穴２１３は、吸着電極１３０の数に対応して２つ形成されている。リフトピン穴２１５は、リフトピン穴１１５と同様にリフトピンが挿通される穴である。リフトピン穴２１５は計３つ設けられており、上面視においてリフトピン穴１１５のそれぞれと対応する位置に形成されている。 The through hole 213 is a hole through which the power supply path 13 passes, as described above. Two through holes 213 are formed corresponding to the number of adsorption electrodes 130. The lift pin hole 215 is a hole into which a lift pin is inserted, similar to the lift pin hole 115. A total of three lift pin holes 215 are provided, and they are formed at positions corresponding to each of the lift pin holes 115 when viewed from above.

図１に戻って説明を続ける。接合層３００は、誘電体基板１００とベースプレート２００との間に設けられた層であって、両者を接合している。接合層３００は、絶縁性の材料からなる接着材を硬化させたものである。このような接着剤としては、例えばポリイミド系の接着剤を用いることができる。 Returning to FIG. 1, the explanation will be continued. Bonding layer 300 is a layer provided between dielectric substrate 100 and base plate 200, and bonds them together. The bonding layer 300 is a hardened adhesive made of an insulating material. As such an adhesive, for example, a polyimide adhesive can be used.

図４は、静電チャック１０から接合層３００のみを取り出して、これを図２や図３と同様に上面視で描いた図である。図４に示されるように、接合層３００には複数の貫通穴が形成されている。これらの貫通穴には、電極穴３１３と、リフトピン穴３１５と、連通穴３４０と、が含まれる。 FIG. 4 is a top view of only the bonding layer 300 taken out from the electrostatic chuck 10, similar to FIGS. 2 and 3. As shown in FIG. 4, a plurality of through holes are formed in the bonding layer 300. These through holes include an electrode hole 313, a lift pin hole 315, and a communication hole 340.

電極穴３１３は、貫通穴２１３と同様に給電路１３を通すための穴である。電極穴３１３は計２つ設けられており、上面視において貫通穴２１３のそれぞれと対応する位置に形成されている。 The electrode hole 313 is a hole for passing the power supply path 13 similarly to the through hole 213. A total of two electrode holes 313 are provided, and they are formed at positions corresponding to each of the through holes 213 when viewed from above.

リフトピン穴３１５は、リフトピン穴２１５と同様にリフトピンが挿通される穴である。リフトピン穴３１５は計３つ設けられており、上面視においてリフトピン穴２１５のそれぞれと対応する位置に形成されている。 The lift pin hole 315 is a hole into which a lift pin is inserted, similar to the lift pin hole 215. A total of three lift pin holes 315 are provided, and they are formed at positions corresponding to each of the lift pin holes 215 when viewed from above.

連通穴３４０は、ガス穴１４０に向けてヘリムウガスを通過させるために形成された穴である。連通穴３４０は開口１４２と同じ数だけ設けられており、上面視において開口１４２と重なる位置のそれぞれに形成されている。連通穴３４０は円形の穴であり、その内径は、開口１４２の内径よりも僅かに大きい。 The communication hole 340 is a hole formed to allow gas to pass toward the gas hole 140. The communication holes 340 are provided in the same number as the openings 142, and are formed at positions overlapping with the openings 142 when viewed from above. The communication hole 340 is a circular hole, and its inner diameter is slightly larger than the inner diameter of the opening 142.

図３を再び参照しながら、連通溝２６０の構成について説明する。先に述べたように、連通溝２６０は、互いに異なる位置にあるガス穴１４０とガス穴２４０との間を連通させるために、面２１０に設けられた溝である。それぞれの連通溝２６０は、出口部２６３と、接続部２６１、２６２と、を含む。 Referring again to FIG. 3, the configuration of the communication groove 260 will be described. As described above, the communication groove 260 is a groove provided in the surface 210 to communicate between the gas holes 140 and 240 located at different positions. Each communication groove 260 includes an outlet portion 263 and connection portions 261 and 262.

出口部２６３は、連通溝２６０を通ったヘリウムガスの出口となる部分である。出口部２６３は、誘電体基板１００の面１２０に形成された開口１４２と同じ数だけ形成されており、それぞれの開口１４２と対応する位置に設けられている。つまり、上面視において開口１４２と重なる位置のそれぞれに、出口部２６３が設けられている。出口部２６３は略円形の凹部であり、その内径は開口１４２の内径よりも僅かに大きい。出口部２６３と開口１４２との間の部分では、接合層３００に上記の連通穴３４０が形成されている。 The outlet portion 263 is a portion that serves as an outlet for the helium gas that has passed through the communication groove 260. The exit portions 263 are formed in the same number as the openings 142 formed in the surface 120 of the dielectric substrate 100, and are provided at positions corresponding to the respective openings 142. That is, the outlet portion 263 is provided at each position overlapping the opening 142 when viewed from above. The outlet portion 263 is a substantially circular recess, and its inner diameter is slightly larger than the inner diameter of the opening 142. The above-mentioned communication hole 340 is formed in the bonding layer 300 in a portion between the outlet portion 263 and the opening 142.

接続部２６１、２６２は、開口２４１と出口部２６３との間を繋ぐ流路として形成された溝である。これらのうち、接続部２６２は、複数の出口部２６３を繋ぐように周方向に沿って円弧状に伸びる溝となっている。接続部２６１は、開口２４１から、その外周側にある接続部２６２に向かって直線状に伸びる溝となっている。 The connecting portions 261 and 262 are grooves formed as flow paths that connect the opening 241 and the outlet portion 263. Among these, the connecting portion 262 is a groove extending in an arc shape along the circumferential direction so as to connect the plurality of outlet portions 263. The connecting portion 261 is a groove extending linearly from the opening 241 toward the connecting portion 262 on the outer peripheral side thereof.

本実施形態では、計４つの連通溝２６０が形成されており、上面視においてこれらが外周側から内周側に向かって並ぶように配置されている。それぞれの連通溝２６０は、４つに分けられた空間ＳＰのそれぞれに対応しており、各空間ＳＰの直下に設けられている。 In this embodiment, a total of four communication grooves 260 are formed, and these are arranged so as to line up from the outer circumferential side toward the inner circumferential side when viewed from above. Each communication groove 260 corresponds to each of the four divided spaces SP, and is provided directly below each space SP.

図５には、最も内周側にある連通溝２６０を通るヘリウムガスの流れが、模式的に描かれている。同図の矢印ＡＲ１は、ベースプレート２００のガス穴２４０を通るヘリウムガスの流れを表している。ヘリウムガスは、開口２４１から接続部２６１を通って接続部２６２へと流入する（矢印ＡＲ２）。その後、ヘリウムガスは接続部２６２に沿って流れながら（矢印ＡＲ３）、それぞれの出口部２６３から、誘電体基板１００のガス穴１４０へと流入し（矢印ＡＲ４）、ガス穴１４０を通って空間ＳＰへと供給される。その他の連通溝２６０においても、上記と同様にヘリウムガスが流れる。 FIG. 5 schematically depicts the flow of helium gas passing through the communication groove 260 located on the innermost side. Arrow AR1 in the figure represents the flow of helium gas through the gas hole 240 of the base plate 200. Helium gas flows from the opening 241 through the connecting portion 261 to the connecting portion 262 (arrow AR2). Thereafter, the helium gas flows along the connection part 262 (arrow AR3), flows into the gas hole 140 of the dielectric substrate 100 from each outlet part 263 (arrow AR4), passes through the gas hole 140, and enters the space SP. supplied to. Helium gas flows in the other communication grooves 260 in the same manner as described above.

以上のように、静電チャック１０では、開口１４２（第１開口）の位置と開口２４１（第２開口）の位置とを互いに異ならせた上で、両者の間を連通させる連通溝２６０を、ベースプレート２００の面２１０に形成している。 As described above, in the electrostatic chuck 10, the position of the opening 142 (first opening) and the position of the opening 241 (second opening) are made different from each other, and the communication groove 260 that communicates between the two is It is formed on the surface 210 of the base plate 200.

このような構成としたことの利点について、図６を参照しながら説明する。図６（Ａ）には、比較例に係る静電チャックの構成が示されている。この比較例では、開口１４２と開口２４１とが互いに同じ位置、すなわち、上面視において互いに重なる位置に形成されている。接合層３００には、開口１４２と開口２４１との間を繋ぐ貫通穴が形成されており、当該貫通穴を通じてガス穴１４０とガス穴２４０とが互いに連通されている。つまりこの比較例では、ガス穴１４０及びガス穴２４０からなるヘリウムガスの流路の全体が、接合層３００を垂直に且つ直前状に貫くよう形成されている。 The advantages of such a configuration will be explained with reference to FIG. 6. FIG. 6(A) shows the configuration of an electrostatic chuck according to a comparative example. In this comparative example, the opening 142 and the opening 241 are formed at the same position, that is, at positions overlapping each other when viewed from above. A through hole connecting the opening 142 and the opening 241 is formed in the bonding layer 300, and the gas hole 140 and the gas hole 240 are communicated with each other through the through hole. In other words, in this comparative example, the entire helium gas flow path consisting of the gas holes 140 and the gas holes 240 is formed to penetrate the bonding layer 300 vertically and immediately before it.

ベースプレート２００に設けられたガス穴２４０の内面においては金属が露出している。図６（Ａ）に示される点Ｐ１は、ガス穴２４０の内面で露出している金属表面のうち、最も上方側にある部分を表している。この比較例の構成においては、点Ｐ１が、直線状の空間を通じて基板Ｗと対向した状態となっている。このような構成においては、所謂「沿面距離」が短いため、矢印ＡＲ１１で示されるような略直線状の経路に沿った放電が比較的生じやすい。 Metal is exposed on the inner surface of the gas hole 240 provided in the base plate 200. A point P1 shown in FIG. 6(A) represents the uppermost portion of the metal surface exposed on the inner surface of the gas hole 240. In the configuration of this comparative example, point P1 is in a state facing substrate W through a linear space. In such a configuration, since the so-called "creepage distance" is short, discharge is relatively likely to occur along a substantially linear path as shown by arrow AR11.

これに対し、本実施形態では上記のように、開口１４２の位置と開口２４１の位置とを互いに異ならせた上で、両者の間を連通させる連通溝２６０を、ベースプレート２００の面２１０に形成している。このような構成においては、図６（Ｂ）に示されるように、ガス穴１４０の直下において、ガス穴２４０の内面が基板Ｗ側に向けて露出することがない。ガス穴２４０の内面で露出した金属から、ガス穴１４０等を通じて基板Ｗに至るまでの経路は、矢印ＡＲ１２で示されるように屈曲した経路となる。上記比較例に比べて沿面距離が長く確保されるので、当該経路に沿った放電の発生を十分に抑制することが可能となっている。 In contrast, in this embodiment, as described above, the positions of the openings 142 and 241 are made different from each other, and the communication grooves 260 that communicate between the two are formed in the surface 210 of the base plate 200. ing. In such a configuration, the inner surface of the gas hole 240 is not exposed toward the substrate W directly below the gas hole 140, as shown in FIG. 6(B). The path from the metal exposed on the inner surface of the gas hole 240 to the substrate W through the gas hole 140 and the like is a curved path as shown by an arrow AR12. Since the creepage distance is ensured longer than in the comparative example, it is possible to sufficiently suppress the occurrence of discharge along the path.

図５、６に示されるように、それぞれの連通溝２６０は、１つの開口２４１が、接続部２６１、２６２を介して複数の出口部２６３に繋がるように形成されている。その結果、本実施形態では、１つの開口２４１が、連通溝２６０を介して複数の開口１４２に連通されている。このような構成においては、開口２４１の数を開口１４２の数よりも少なくすることができる。放電の起点となり得る開口２４１の数を減少させることで、放電の発生を更に抑制することが可能となっている。 As shown in FIGS. 5 and 6, each communication groove 260 is formed such that one opening 241 is connected to a plurality of outlet portions 263 via connecting portions 261 and 262. As shown in FIGS. As a result, in this embodiment, one opening 241 communicates with the plurality of openings 142 via the communication groove 260. In such a configuration, the number of openings 241 can be smaller than the number of openings 142. By reducing the number of openings 241 that can serve as starting points for discharge, it is possible to further suppress the occurrence of discharge.

尚、１つの連通溝２６０に繋がる開口２４１の数は２つ以上であってもよい。いずれの場合であっても、１つの連通溝２６０に設けられた出口部２６３の数に比べて、当該連通溝２６０に繋がる開口２４１の数が少なくなっていることが好ましい。 Note that the number of openings 241 connected to one communication groove 260 may be two or more. In either case, it is preferable that the number of openings 241 connected to one communication groove 260 is smaller than the number of outlet portions 263 provided in one communication groove 260.

先に述べたように、ベースプレート２００のうち接合層３００側の面２１０には、その全体を覆うように絶縁膜２３０が設けられている。絶縁膜２３０は、連通溝２６０の内面全体をも覆っている。このような構成においては、開口１４２の直下となる部分においてベースプレート２００の金属表面が露出しないので、放電の発生を更に抑制することが可能となる。絶縁膜２３０としては、本実施形態のように溶射により形成されたアルミナの膜が好ましいが、他の製法によって形成された膜であってもよく、他の材料からなる膜であってもよい。尚、絶縁膜２３０によって覆われる範囲は、連通溝２６０の内面のうち、上面視において開口１４２と重なる部分を少なくとも含んでいるのであれば、面２１０の一部のみであってもよい。 As described above, the insulating film 230 is provided on the surface 210 of the base plate 200 on the bonding layer 300 side so as to cover the entire surface. The insulating film 230 also covers the entire inner surface of the communication groove 260. In such a configuration, since the metal surface of the base plate 200 is not exposed in the portion immediately below the opening 142, it is possible to further suppress the occurrence of electric discharge. As the insulating film 230, an alumina film formed by thermal spraying as in this embodiment is preferable, but it may be a film formed by another manufacturing method or a film made of another material. Note that the range covered by the insulating film 230 may be only a part of the surface 210 as long as it includes at least a portion of the inner surface of the communication groove 260 that overlaps with the opening 142 in a top view.

静電チャック１０を製造する方法について簡単に説明する。先ず、図７に示されるように、誘電体基板１００、ベースプレート２００、及び接着剤シート３００Ａのそれぞれを準備する。その後、接着剤シート３００Ａを用いて誘電体基板１００とベースプレート２００との間を接合する。 A method for manufacturing the electrostatic chuck 10 will be briefly described. First, as shown in FIG. 7, the dielectric substrate 100, the base plate 200, and the adhesive sheet 300A are each prepared. Thereafter, the dielectric substrate 100 and the base plate 200 are bonded using the adhesive sheet 300A.

誘電体基板１００は、接合前において吸着電極１３０やガス穴１４０、開口１４２、シールリング１１１等が予め形成された状態となっている。これらの形成方法としては、公知となっている種々の方法を採用することができる。 The dielectric substrate 100 is in a state in which an adsorption electrode 130, a gas hole 140, an opening 142, a seal ring 111, etc. are formed in advance before bonding. Various known methods can be used to form these.

ベースプレート２００も同様に、接合前において冷媒流路２５０やガス穴２４０、開口２４１等が予め形成された状態となっている。これらの形成方法としては、公知となっている種々の方法を採用することができる。また、ベースプレート２００には、接合前において図３の連通溝２６０も予め形成されており、連通溝２６０が開口２４１に繋がった状態となっている。連通溝２６０の内面等を覆う絶縁膜２３０も、接合前において予め形成されている。 Similarly, the base plate 200 is also in a state in which a refrigerant flow path 250, gas holes 240, openings 241, etc. are formed in advance before joining. Various known methods can be used to form these. Further, the communication groove 260 shown in FIG. 3 is also formed in advance in the base plate 200 before joining, and the communication groove 260 is connected to the opening 241. The insulating film 230 covering the inner surface of the communication groove 260 is also formed in advance before bonding.

接着剤シート３００Ａは、接合時において硬化して接合層３００となる絶縁性の部材である。つまり、接着剤シート３００Ａは「接着剤」なのであるが、硬化前の段階においても液状とはなっておらず、可撓性を有する固形のシート状の部材となっている。このような接着剤シート３００Ａとしては、例えば、ポリイミド系、エポキシ系、シリコーン系、アクリル系などの接着剤フィルム等を用いることができる。接着剤フィルムとしては、熱伝導に優れたものや絶縁性が高いものを好適に用いることができる。 The adhesive sheet 300A is an insulating member that hardens to become the bonding layer 300 during bonding. That is, although the adhesive sheet 300A is an "adhesive", it is not in a liquid state even before curing, but is a solid sheet-like member having flexibility. As such an adhesive sheet 300A, for example, a polyimide adhesive film, an epoxy adhesive film, a silicone adhesive film, an acrylic adhesive film, or the like can be used. As the adhesive film, one having excellent thermal conductivity or one having high insulation properties can be suitably used.

接着剤シート３００Ａは、上記のように硬化前においても固形のシート状となっているので、例えば、金型を用いた穴抜き加工等を施すことにより、接合前において連通穴３４０や電極穴３１３、リフトピン穴３１５等を予め形成しておくことができる。 As described above, the adhesive sheet 300A is in a solid sheet shape even before curing, so for example, by punching holes using a mold, the communication holes 340 and the electrode holes 313 can be formed before bonding. , lift pin hole 315, etc. can be formed in advance.

以上のような誘電体基板１００、ベースプレート２００、及び、接着剤シート３００Ａを用意した後、図７に示されるように、誘電体基板１００とベースプレート２００との間に接着剤シート３００Ａを挟み込む。具体的には、互いに異なる位置にある開口１４２と開口２４１との間が連通溝２６０によって連通されるように、誘電体基板１００のうち開口１４２が形成されている面１２０と、ベースプレート２００のうち開口２４１が形成されている面２１０と、を互いに対向させ、誘電体基板１００とベースプレート２００との間に接着剤シート３００Ａを挟み込む。 After preparing the dielectric substrate 100, base plate 200, and adhesive sheet 300A as described above, the adhesive sheet 300A is sandwiched between the dielectric substrate 100 and the base plate 200, as shown in FIG. Specifically, the surface 120 of the dielectric substrate 100 where the opening 142 is formed and the surface 120 of the base plate 200 so that the communication groove 260 communicates between the opening 142 and the opening 241 located at different positions. Adhesive sheet 300A is sandwiched between dielectric substrate 100 and base plate 200, with surfaces 210 on which openings 241 are formed facing each other.

以上のように接着剤シート３００Ａを挟み込んだ状態で、誘電体基板１００、ベースプレート２００、及び接着剤シート３００Ａの全体を所定温度まで加熱する。加熱により、接着剤シート３００Ａは、面１２０及び面２１０の両方に対し接合された状態で硬化し、図１の接合層３００となる。接着剤シート３００Ａにおいて予め形成されていた連通穴３４０等の貫通穴は、接着剤シート３００Ａが硬化した後においても概ね元の形状を維持する。このため、ベースプレート２００に形成されていた連通溝２６０に接着剤シート３００Ａの一部が入り込むことは無く、連通溝２６０も元の形状を維持する。以上のような方法により、図１に示される構成の静電チャック１０が完成する。 With the adhesive sheet 300A sandwiched therebetween as described above, the entire dielectric substrate 100, base plate 200, and adhesive sheet 300A are heated to a predetermined temperature. By heating, adhesive sheet 300A is cured while being bonded to both surface 120 and surface 210, forming bonding layer 300 in FIG. 1. The through holes, such as the communication holes 340, formed in advance in the adhesive sheet 300A generally maintain their original shape even after the adhesive sheet 300A is cured. Therefore, a portion of the adhesive sheet 300A does not enter the communication groove 260 formed in the base plate 200, and the communication groove 260 also maintains its original shape. By the method described above, the electrostatic chuck 10 having the configuration shown in FIG. 1 is completed.

以上のように、本実施形態の接合層３００は、予め連通穴３４０等が形成された固形の接着剤シート３００Ａを硬化させたものである。接着剤シート３００Ａを用いることにより、接合前の段階で、接合層３００となる部分（接着剤シート３００Ａ）に対し連通穴３４０等を容易に形成しておくことができる。また、接着剤を硬化させる過程において、連通溝２６０が変形したり塞がったりしてしまうことを確実に防止することができる。 As described above, the bonding layer 300 of this embodiment is obtained by curing the solid adhesive sheet 300A in which communication holes 340 and the like are formed in advance. By using the adhesive sheet 300A, communication holes 340 and the like can be easily formed in the portion that will become the bonding layer 300 (adhesive sheet 300A) before bonding. Further, in the process of curing the adhesive, it is possible to reliably prevent the communication groove 260 from being deformed or blocked.

尚、連通溝２６０への接着剤の侵入等を何らかの方法で防止し得るのであれば、接合層３００となる接着剤として、接着剤シート３００Ａに替えて液状の接着剤を用いることもできる。例えば、液状の接着剤の侵入を防止する「堤防」となるような紐状の固形材料を、連通溝２６０や連通穴３４０等の外周に沿って予め配置した後に接着を行えば、本実施形態と同様の接合層３００を形成することができる。 Note that if the adhesive can be prevented from entering the communication groove 260 by some method, a liquid adhesive may be used as the adhesive for the bonding layer 300 instead of the adhesive sheet 300A. For example, if adhesive is performed after a string-like solid material that serves as a "levee" that prevents liquid adhesive from entering is arranged in advance along the outer periphery of the communication groove 260, the communication hole 340, etc., this embodiment can be applied. A bonding layer 300 similar to the above can be formed.

ベースプレート２００に形成される連通溝２６０の形状は、適宜変更することができる。図８には、変形例に係る静電チャック１０の連通溝２６０が、図５と同様の方法で描かれている。この変形例では、誘電体基板１００に形成されたガス穴１４０の個数と、ベースプレート２００に形成されたガス穴２４０の個数と、が互いに同じ数となっている。このため、ベースプレート２００の面２１０に設けられたそれぞれの連通溝２６０は、接続部２６１及び出口部２６３のそれぞれを１つずつ有しており、開口２４１と出口部２６３との間が１本の接続部２６１で直接繋がっている。このように、開口２４１のそれぞれが、連通溝２６０を介して１つの開口１４２のみに連通されている構成としてもよい。 The shape of the communication groove 260 formed in the base plate 200 can be changed as appropriate. In FIG. 8, the communication groove 260 of the electrostatic chuck 10 according to the modification is drawn in the same manner as in FIG. 5. In FIG. In this modification, the number of gas holes 140 formed in dielectric substrate 100 and the number of gas holes 240 formed in base plate 200 are the same number. Therefore, each communication groove 260 provided on the surface 210 of the base plate 200 has one connection part 261 and one outlet part 263, and there is one connection part 261 and one outlet part 263 between the opening 241 and the outlet part 263. They are directly connected through a connecting portion 261. In this way, each of the openings 241 may be configured to communicate with only one opening 142 via the communication groove 260.

以上、具体例を参照しつつ本実施形態について説明した。しかし、本開示はこれらの具体例に限定されるものではない。これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本開示の特徴を備えている限り、本開示の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、条件、形状などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。前述した各具体例が備える各要素は、技術的な矛盾が生じない限り、適宜組み合わせを変えることができる。 The present embodiment has been described above with reference to specific examples. However, the present disclosure is not limited to these specific examples. Design changes made by those skilled in the art as appropriate to these specific examples are also included within the scope of the present disclosure as long as they have the characteristics of the present disclosure. The elements included in each of the specific examples described above, their arrangement, conditions, shapes, etc. are not limited to those illustrated, and can be changed as appropriate. The elements included in each of the specific examples described above can be appropriately combined as long as no technical contradiction occurs.

１０：静電チャック
１００：誘電体基板
１４０：ガス穴
１４２：開口
２００：ベースプレート
２３０：絶縁膜
２４０：ガス穴
２４１：開口
２６０：連通溝
３００：接合層 10: Electrostatic chuck 100: Dielectric substrate 140: Gas hole 142: Opening 200: Base plate 230: Insulating film 240: Gas hole 241: Opening 260: Communication groove 300: Bonding layer

Claims (5)

第１ガス穴が形成された誘電体基板と、
第２ガス穴が形成されたベースプレートと、
前記誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、絶縁性の材料により形成された接合層と、を備え、
前記誘電体基板のうち前記接合層側の面には、前記第１ガス穴の端部である第１開口が形成されており、
前記ベースプレートのうち前記接合層側の面には、前記第１開口とは異なる位置において、前記第２ガス穴の端部である第２開口が形成されており、
前記ベースプレートのうち前記接合層側の面には、前記第１開口と前記第２開口との間を連通させる連通溝が形成されており、
前記ベースプレートのうち前記連通溝の内面には、絶縁膜が設けられていることを特徴とする、静電チャック。 a dielectric substrate in which a first gas hole is formed;
a base plate in which a second gas hole is formed;
a bonding layer provided between the dielectric substrate and the base plate and formed of an insulating material,
A first opening, which is an end of the first gas hole, is formed on the surface of the dielectric substrate on the bonding layer side;
A second opening, which is an end of the second gas hole, is formed on the surface of the base plate on the bonding layer side at a position different from the first opening;
A communication groove is formed on the surface of the base plate on the bonding layer side, and the communication groove communicates between the first opening and the second opening.
An electrostatic chuck, characterized in that an insulating film is provided on an inner surface of the communication groove of the base plate . 前記第２開口が、前記連通溝を介して複数の前記第１開口に連通されていることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。 The electrostatic chuck according to claim 1, wherein the second opening communicates with the plurality of first openings via the communication groove. 前記絶縁膜が溶射により形成された膜であることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。 The electrostatic chuck according to claim 1 , wherein the insulating film is a film formed by thermal spraying. 前記接合層が、固形の接着剤シートを硬化させたものであることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。 The electrostatic chuck according to claim 1, wherein the bonding layer is a hardened solid adhesive sheet. 第１ガス穴と、前記第１ガス穴の端部である第１開口と、が形成されている誘電体基板を準備する工程と、
第２ガス穴と、前記第２ガス穴の端部である第２開口に繋がる連通溝と、前記連通溝の内面を覆う絶縁膜と、が形成されているベースプレートを準備する工程と、
絶縁性の部材である固形の接着剤シートを準備する工程と、
互いに異なる位置にある前記第１開口と前記第２開口との間が前記連通溝によって連通されるように、前記誘電体基板のうち前記第１開口が形成されている面と、前記ベースプレートのうち前記第２開口が形成されている面と、を互いに対向させ、前記誘電体基板と前記ベースプレートとの間に前記接着剤シートを挟み込む工程と、
前記接着剤シートを硬化させる工程と、を含むことを特徴とする、静電チャックの製造方法。 preparing a dielectric substrate in which a first gas hole and a first opening, which is an end of the first gas hole, are formed;
preparing a base plate in which a second gas hole, a communication groove connected to a second opening that is an end of the second gas hole, and an insulating film covering the inner surface of the communication groove ;
a step of preparing a solid adhesive sheet that is an insulating member;
The surface of the dielectric substrate where the first opening is formed and the surface of the base plate so that the first opening and the second opening, which are located at different positions from each other, communicate with each other through the communication groove. sandwiching the adhesive sheet between the dielectric substrate and the base plate, with the surfaces on which the second openings are formed facing each other;
A method for manufacturing an electrostatic chuck, comprising the step of curing the adhesive sheet.

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