KR20180062502A - Apparatus for treating substrate - Google Patents
Apparatus for treating substrate Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180062502A KR20180062502A KR1020160161332A KR20160161332A KR20180062502A KR 20180062502 A KR20180062502 A KR 20180062502A KR 1020160161332 A KR1020160161332 A KR 1020160161332A KR 20160161332 A KR20160161332 A KR 20160161332A KR 20180062502 A KR20180062502 A KR 20180062502A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- liquid
- processing
- supply unit
- liquid supply
- substrate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate.
반도체 소자 및 평판표시패널의 제조를 위해 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다. Various processes such as photolithography, etching, ashing, thin film deposition, and cleaning processes are performed for manufacturing semiconductor devices and flat panel display panels. Among these processes, the photolithography process sequentially performs the application, exposure, and development steps. The coating step is a step of applying a photosensitive liquid such as a resist to the surface of the substrate. The exposure process is a process for exposing a circuit pattern on a substrate having a photosensitive film formed thereon. The developing step is a step of selectively developing the exposed region of the substrate.
일반적으로 액 처리 공정은 스피너(spinner) 장치에서 진행된다. 스피너 장치는 기판을 회전시키고, 회전되는 기판 상에는 공정에 대응되는 액을 공급한다. 특히 도포 공정 및 현상 공정과 같은 액 처리 공정은 기판을 액 처리하는 과정에서 공정 부산물의 발생량이 적은 공정으로, 다량의 스피너 장치를 하나의 액 처리 설비에서 수행 가능하다. 도 1은 일반적인 액 처리 장치를 보여주는 평면도이고, 도 2는 도 1의 액 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면. 스피너 장치들은 일 방향을 따라 배열된다. 각 스피너 장치는 처리 용기(6) 및 액 공급 유닛을 포함한다. 처리 용기(6)는 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지고, 액 공급 유닛은 제1노즐(2) 및 제2노즐(4)을 가진다. 제1노즐(2) 및 제2노즐(4)은 서로의 이동 경로에 간섭되지 않도록 처리 용기(6)의 일측 및 타측에 각각 설치된다. Generally, the liquid processing process is performed in a spinner apparatus. The spinner device rotates the substrate and supplies a liquid corresponding to the process onto the substrate to be rotated. Particularly, a liquid processing process such as a coating process and a developing process is a process in which a process by-product is generated in a process of liquid-processing a substrate, and a large amount of spinner apparatus can be performed in one liquid processing facility. FIG. 1 is a plan view showing a general liquid processing apparatus, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing the liquid processing apparatus of FIG. Referring to Figures 1 and 2, The spinner devices are arranged along one direction. Each spinner apparatus includes a
그러나 액 처리 설비에는 복수 개의 노즐들(2,4)의 이동 경로를 확보하기 위해 많은 공간을 필요로 한다. 또한 처리 유닛들의 사이 공간에는 제1노즐(2) 및 제2노즐(4)이 대기되는 대기 포트(5)가 제공된다. 이에 따라 하나의 액 처리 설비(8)에 설치 가능한 스피너 장치는 매우 제한된다.
However, the liquid processing equipment requires a lot of space in order to secure the movement path of the plurality of
본 발명은 처리 설비의 내부 공간 효율을 향상시킬 수 있는 장치를 제공하고자 한다.The present invention seeks to provide an apparatus capable of improving the internal space efficiency of a processing facility.
본 발명은 제한된 공간 내에 설치 가능한 스피너 장치의 개수를 늘릴 수 있는 장치를 제공하고자 한다. The present invention is intended to provide an apparatus capable of increasing the number of spinner apparatuses that can be installed in a limited space.
또한 본 발명은 기판 처리의 생산성을 향상시킬 수 있는 장치를 제공하고자 한다.The present invention also provides an apparatus capable of improving the productivity of substrate processing.
본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate.
기판 처리 장치는 하우징 및 상기 하우징 내에서 제1방향을 따라 일렬로 배치되는 복수 개의 처리 유닛들을 포함하되, 상기 처리 유닛들 각각은 상부가 개방되며, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기, 상기 처리 공간에 제1액을 공급하는 제1액 공급 유닛, 그리고 상기 처리 공간에 제2액을 공급하는 제2액 공급 유닛을 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 제1액 공급 유닛 및 상기 제2액 공급 유닛 각각은 상기 처리 용기로부터 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 이격되게 배치된다. The substrate processing apparatus includes a housing and a plurality of processing units arranged in a line in a first direction in the housing, each of the processing units having a processing chamber having an open top and a processing space therein, And a second liquid supply unit for supplying a second liquid to the processing space, wherein the first liquid supply unit and the second liquid supply unit, when viewed from above, Each of the units being spaced apart from the processing container in a second direction perpendicular to the first direction.
상기 제2방향을 따라 상기 처리 용기, 상기 제1액 공급 유닛, 그리고 상기 제2액 공급 유닛은 순차적으로 배치될 수 있다. 상기 제1액 공급 유닛은 제1액을 토출하는 제1액 노즐, 상기 제1액 노즐이 대기하는 제1대기 포트, 그리고 상기 제1액 노즐을 상기 제1대기 포트 및 상기 처리 용기 간에 이동시키는 제1회전 구동 부재를 포함하고, 상기 제2액 공급 유닛은 제2액을 토출하는 제2액 노즐, 상기 제2액 노즐이 대기하는 제2대기 포트, 그리고 상기 제2액 노즐을 상기 제2대기 포트 및 상기 처리 용기 간에 이동시키는 제2회전 구동 부재를 포함하고, 상기 처리 유닛들의 상기 제1대기 포트들은 상기 제1방향과 평행한 방향을 따라 일렬로 배치되고, 상기 처리 유닛들의 상기 제2대기 포트들은 상기 제1방향과 평행한 방향을 따라 일렬로 배치될 수 있다. ,The processing container, the first liquid supply unit, and the second liquid supply unit may be sequentially arranged along the second direction. Wherein the first liquid supply unit includes a first liquid nozzle for discharging the first liquid, a first standby port for waiting the first liquid nozzle, and a second standby port for moving the first liquid nozzle between the first standby port and the processing container Wherein the second liquid supply unit includes a second liquid nozzle for discharging the second liquid, a second standby port for the second liquid nozzle to wait for, and a second liquid nozzle for discharging the second liquid nozzle to the second liquid nozzle, Wherein the first standby ports of the processing units are arranged in a line along a direction parallel to the first direction, and the second rotation drive member moving between the standby port and the processing vessel, The standby ports may be arranged in a line along a direction parallel to the first direction. ,
상기 처리 용기의 중심축으로부터 상기 제2방향을 향하는 직선을 기준으로, 상기 제2방향을 향하는 직선의 일측에는 상기 제1회전 구동 부재가 위치되고, 상기 제2방향을 향하는 직선의 타측에는 상기 제2회전 구동 부재가 위치될 수 있다. 상기 제1회전 구동 부재는 상기 제2회전 구동 부재에 비해 상기 처리 용기에 더 가깝게 위치될 수 있다. Wherein the first rotation driving member is positioned on one side of a straight line that faces the second direction with respect to a straight line extending from the central axis of the processing container toward the second direction, The two-turn driving member can be positioned. The first rotation drive member may be located closer to the processing container than the second rotation drive member.
상기 장치는 상기 하우징 내에 액을 공급하며, 상기 제1액 공급 유닛 및 상기 제2액 공급 유닛을 포함하는 액 공급 유닛을 더 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 상기 처리 용기의 중심축으로부터 상기 제1방향을 향하는 직선을 기준으로, 상기 제1방향을 향하는 직선의 일측에만 위치될 수 있다. Wherein the apparatus further comprises a liquid supply unit which supplies the liquid into the housing and includes the first liquid supply unit and the second liquid supply unit, Only one side of the straight line that faces the first direction can be positioned with respect to the straight line that faces the first direction.
상기 하우징의 일측벽에는 기판이 반출입되는 반출입구가 형성되고, 상기 액 공급 유닛은 상기 일측벽에 비해 상기 일측벽과 반대되는 타측벽에 더 가깝게 위치될 수 있다. 상기 처리 유닛은 3 개 또는 그 이상으로 제공되는 기판 처리 장치.The liquid supply unit may be positioned closer to the other side wall opposite to the one side wall than the one side wall. Wherein the processing unit is provided in three or more.
제1액은 처리액이고, 제2액은 처리액을 린스하는 린스액으로 제공될 수 있다. 처리액은 현상액을 포함하고, 린스액은 순수를 포함할 수 있다. The first liquid may be a treatment liquid, and the second liquid may be provided as a rinsing liquid for rinsing the treatment liquid. The treatment liquid includes a developing solution, and the rinsing liquid may include pure water.
또한 기판 처리 장치는 하우징 및 상기 하우징 내에서 제1방향을 따라 일렬로 배치되는 복수 개의 처리 유닛들을 포함하되, 상기 처리 유닛들 각각은 상부가 개방되며, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기 및 상기 처리 공간에 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 액을 토출하는 노즐 및 상기 노즐이 대기하는 대기 포트를 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 처리 용기와 상기 액 공급 유닛은 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 배치되고, 상기 노즐은 스윙 이동에 의해 상기 대기 포트 및 상기 처리 용기 간에 이동된다. The substrate processing apparatus also includes a housing and a plurality of processing units arranged in a line in a first direction in the housing, wherein each of the processing units has a processing vessel having an open top and a processing space therein, Wherein the liquid supply unit includes a nozzle for discharging the liquid and an atmospheric port for waiting the nozzle, wherein the processing vessel and the liquid supply unit are arranged in the order of the liquid supply unit The nozzle is moved in a second direction perpendicular to the first direction, and the nozzle is moved between the atmospheric port and the processing vessel by the swing movement.
상기 액 공급 유닛은 상기 노즐을 지지하는 아암, 상기 아암을 지지하며, 상하 방향을 향하는 길이 방향을 가지는 회전축, 그리고 상기 회전축을 회전시키는 구동 부재를 포함할 수 있다. 상기 액 공급 유닛은 상기 처리 용기의 중심축으로부터 상기 제1방향을 향하는 직선을 기준으로, 상기 제1방향을 향하는 직선의 일측에만 위치될 수 있다. 상기 하우징의 일측벽에는 기판이 반출입되는 반출입구가 형성되고, 상기 액 공급 유닛은 상기 일측벽에 비해 상기 일측벽과 반대되는 타측벽에 더 가깝게 위치될 수 있다. 상기 처리 유닛들 각각의 대기 포트들은 상기 제1방향과 평행한 방향을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 상기 처리 유닛은 현상 공정을 수행하는 유닛이고, 상기 처리 유닛은 3 개 또는 그 이상으로 제공될 수 있다. The liquid supply unit may include an arm for supporting the nozzle, a rotary shaft for supporting the arm and having a longitudinal direction in the vertical direction, and a driving member for rotating the rotary shaft. The liquid supply unit may be located only on one side of a straight line that faces the first direction with respect to a straight line extending from the central axis of the processing container toward the first direction. The liquid supply unit may be positioned closer to the other side wall opposite to the one side wall than the one side wall. The standby ports of each of the processing units may be arranged in a line along a direction parallel to the first direction. The processing unit is a unit for performing a developing process, and the processing unit may be provided in three or more.
본 발명의 실시예에 의하면, 처리 용기들은 제1방향을 따라 일렬로 배치되고, 대기 포트들은 처리 용기에 대해 제1방향과 수직한 제2방향으로 배치된다. 이로 인해 처리 용기들의 사이 공간을 최소화할 수 있고, 공간 효율을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the processing vessels are arranged in a line along a first direction, and the atmospheric ports are arranged in a second direction perpendicular to the first direction with respect to the processing vessel. As a result, the space between the processing vessels can be minimized and the space efficiency can be improved.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 처리 용기들의 사이 공간을 최소화한다. 이로 인해 제한된 공간 내에 설치 가능한 처리 유닛의 개수를 증가시킬 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the space between the processing vessels is minimized. This can increase the number of process units that can be installed in a limited space.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 설치 가능한 처리 유닛의 개수가 증가되므로, 생산성을 향상시킬 수 있다. Further, according to the embodiment of the present invention, since the number of installable processing units is increased, the productivity can be improved.
도 1은 일반적인 액 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 3의 현상 챔버를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 현상 챔버의 일부를 보여주는 측면도이다.
도 8은 도 6의 현상 챔버의 일부를 보여주는 평면도이다. 1 is a plan view showing a general liquid processing apparatus.
Fig. 2 is a cross-sectional view showing the liquid processing apparatus of Fig. 1;
3 is a top view of the substrate processing apparatus.
FIG. 4 is a view of the substrate processing apparatus of FIG. 3 viewed from the direction AA.
Fig. 5 is a view of the substrate processing apparatus of Fig. 3 viewed from the BB direction.
FIG. 6 is a plan view showing the developing chamber of FIG. 3; FIG.
7 is a side view showing a part of the developing chamber of Fig.
8 is a plan view showing a part of the developing chamber of Fig.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.
본 실시 예의 기판 처리 장치는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시 예의 기판 처리 장치는 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 복수개의 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 처리 유닛이 복수개가 서로 배열되어 제공되는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.The substrate processing apparatus of this embodiment is used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. Particularly, the substrate processing apparatus of this embodiment is used for performing a coating process and a developing process on a substrate. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example. However, the present invention is not limited to this, and is applicable to various kinds of apparatuses in which a plurality of processing units for processing a substrate by using a plurality of process liquids are provided arranged to each other.
다음은 도 3 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 3의 기판 처리 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 3의 기판 처리 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.The following is a schematic view of a
도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.3 to 5, the
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 한다. Hereinafter, the direction in which the
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 일 예로 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 설명한다.Hereinafter, the
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 3에서는 4개의 재치대(120)가 제공된다. The
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조이다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The
버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 제공된다. 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220)과 버퍼 로봇(360)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향과 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The
버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 포함한다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들이 제공될 수 있다.The cooling
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. The
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(410), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 기판 지지 유닛(412), 그리고 액 공급 유닛(413)을 가진다. 또한, 레지스트 도포 챔버(410)는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)을 더 포함할 수 있다.The resist
하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 하우징(411)은 그 내부에 처리 공간을 가진다. The
기판 지지 유닛(412)은 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(412)은 회전 가능하게 제공된다. The
액 공급 유닛(413)은 기판 지지 유닛의 상부에서 기판 지지 유닛(412)에 놓인 기판(W) 상으로 처리액을 공급한다. 예를 들면, 처리액은 극성 물질을 포함하는 포토 레지스트로 제공된다. 극성 물질은 솔벤트(Solvent)로 제공될 수 있다. The
베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. 선택적으로 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다.The
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(500), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(500), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(500)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(500)는 길이 방향이 제 1 방향(12)으로 제공된다. 현상 챔버(500)는 제 3 방향(16)을 따라 복수 개가 제공된다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.The developing
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(500), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The
현상 챔버들(500)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(500)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(500)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The
현상 챔버(500)는 유체를 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치(500)로 제공된다. 도 6은 도 3의 현상 챔버를 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 현상 챔버의 일부를 보여주는 측면도이며, 도 8은 도 6의 현상 챔버의 일부를 보여주는 평면도이다. 도 6 내지 도 8을 참조하면, 기판 처리 장치(500)는 하우징(510), 팬 필터 유닛(560), 그리고 처리 유닛(1500)을 포함한다.The
하우징(510)은 밀폐된 처리 공간을 제공하며, 상부에는 팬 필터 유닛(560)이 설치된다. 팬 필터 유닛(560)은 처리 공간에 수직기류를 발생시킨다. 하우징(510)은 일측벽(511)에 기판 반출입구(512)가 형성된다.The
팬 필터 유닛(560)은 필터와 공기 공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 하우징(510) 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터유닛(560)을 통과하여 하우징(510) 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 된다. 처리 공간내에서 처리 공정에 의해 발생된 기체 부산물은 수직 기류에 의해 배기 라인(525)을 통해 용이하게 배출된다.The
도 7에 도시된 바와 같이, 하우징(510)은 베이스(900)에 의해 공정 영역(PA)과 유틸리티 영역(UA)으로 구획된다. 베이스(900)에는 처리 용기(520)와 액 공급 유닛(2000)이 설치된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유틸리티 영역(UA)에는 처리 용기(520)와 연결되는 배출라인(524), 배기라인(525) 이외에도 승강 유닛의 구동기 및 액 공급 유닛(2000)과 연결되는 각종 배관들이 위치되는 공간으로, 공정 영역(PA)은 높은 청정도를 유지하기 위해 유틸리티 영역(UA)으로부터 격리되는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 7, the
처리 유닛(1500)은 내부에서 기판이 처리된다. 처리 유닛(1500)은 적어도 3개 또는 그 이상이 하우징(510)의 내부에 일렬로 배치된다. 본 실시예는 5 개의 처리 유닛(1500)이 하우징(510) 내부에서 제1방향을 따라 일렬로 배치되는 것으로 설명한다. 처리 유닛(1500)은 제1처리 유닛(1510), 제2처리 유닛(1520), 제3처리 유닛(1530), 제4처리 유닛(1540), 그리고 제5처리 유닛(1550)으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 하나의 하우징(510)에 제공되는 처리 유닛(1500)의 수는 선택적으로 다양하게 제공될 수 있다. 각각의 처리 유닛(1510, 1520, 1530, 1540, 1550)은 처리 용기(520), 기판 지지 유닛(530), 그리고 액 공급 유닛(2000)을 포함한다.The
처리 용기(520)는 베이스(900)에 설치된다. 처리 용기(520)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지며, 기판(W)을 처리하기 위한 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(520)는 기판 지지 유닛(530) 주위를 둘러싸도록 설치된다. 처리 용기(520)는 기판(W)의 현상 및 세정 그리고 건조 공정이 진행되는 동안 회전되는 기판(W)상에서 비산되는 유체(현상액, 세정액, 건조가스 등)를 유입 및 모으기 위한 것이다. 이것에 의해 외부의 다른 장치나 주위가 오염되는 것이 방지될 뿐만 아니라, 현상액 회수 및 기판 상부의 균일한 기류 흐름을 제공한다.The
처리 용기(520)는 외측 공간(a), 내측 공간(b), 커버(526), 외측 벽(521) 및 차단 부재(527)를 포함한다. 외측 공간(a)은 기판(W)로부터 비산되는 현상액과 기체가 유입되는 공간으로 외측벽(521)과 수직격벽(522)에 의해 정의되며, 그 바닥면(523)에는 현상액을 드레인하기 위한 배출라인(524)이 연결된다. 그리고 처리 용기(520)의 내측 공간(b) 바닥면에는 기체 배기를 위한 배기 라인(525)이 연결된다.The
커버(526)는 기판 지지 유닛(530)의 측면을 둘러싸도록 제공된다. 커버(526)는 상부에서 바라볼 때 환형으로 제공된다. 커버(526)는 기판 지지 유닛(530)의 측면을 둘러쌈으로써, 기판(W) 상에서 비산되는 유체가 처리 용기(520)의 외부로 비산되는 것을 방지한다. 커버(526)는 외측벽(521)의 내측 면을 따라 승강 가능하게 제공된다. 커버(526)는 기판(W)을 스핀 헤드(531) 상으로 반입하거나, 처리가 끝난 기판을 반출할 수 있도록 승강 유닛(600)에 의해 승강된다. 커버(526)는 승강 유닛(600)에 의해 기판보다 높은 업 위치와, 기판보다 낮은 다운 위치로 승강된다. The
외측벽(521)은 커버(526)의 하부 외측면을 둘러싸도록 제공된다. 외측벽(521)은 하우징(510)의 하부에 고정되게 제공된다. 외측벽(521)은 수직격벽(522)과 함께 외측 공간(a)을 정의한다.The
승강 유닛(600)은 커버(526)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 커버(526)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(531)에 대한 처리 용기(520)의 상대 높이가 변경된다. 기판(W)이 스핀 헤드(531)에 로딩 또는 스핀 헤드(531)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(531)가 처리 용기(520)의 상부로 돌출되도록 커버(526)는 하강한다.The
기판 지지 유닛(530)은 처리 용기(520)의 처리 공간에 위치된다. 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 필요에 따라 후술할 구동기(532)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 유닛(530)은 기판(W)이 놓여지는 평평한 상부면을 가지는 지지판(531)를 가진다. 지지판(531)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 필요에 따라 후술할 구동기(532)에 의해 기판을 회전시키는 스핀 헤드(531)로 제공될 수 있다. 스핀 헤드(531)는 기판이 원심력에 의해 스핀 헤드(531)로부터 이탈되지 않도록 내부에 형성된 진공라인(미도시됨)을 통해 기판을 직접 진공 흡착할 수 있다. 상술한 구조와 달리 기판 지지 유닛(530)은 스핀 헤드(531)에 설치되는 척킹핀들을 통해 기판의 측면으로부터 기판의 가장자리(edge)를 기계적으로 고정할 수 있다. 스핀 헤드(531)의 하부면에는 스핀들(533)이 고정 결합되며, 스핀들(533)은 구동기(532)에 의해 회전 가능하게 제공된다. 도시하지 않았지만, 구동기(532)는 회전력을 제공하기 위한 모터, 벨트 및 풀리 등을 구비한다.The
액 공급 유닛(2000)은 기판(W)의 처리를 위해 처리 유닛(1500)으로 액을 공급한다. 액 공급 유닛(2000)은 제1액 공급 유닛(2200) 및 제2액 공급 유닛(2400)을 포함한다. The liquid supply unit 2000 supplies liquid to the
제1액 공급 유닛(2200)은 처리 유닛(1500)에 제1액을 공급한다. 제2액 공급 유닛(2400)은 처리 유닛(1500)에 제2액을 공급한다. 제1액 공급 유닛(2200) 및 제2액 공급 유닛(2400)은 처리 용기(520)로부터 제1방향(22)과 수직한 제2방향(24)으로 이격되게 위치된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(520), 제1액 공급 유닛, 그리고 제2액 공급 유닛은 제2방향(24)을 따라 순차적으로 배치될 수 있다.The first
제1액 공급 유닛(2200)은 제1액 노즐(2202), 제1대기 포트(2220), 그리고 제1회전 구동 부재(2204)를 포함한다. 제1액 노즐(2202)은 제1액을 토출한다. 제1대기 포트(2220)는 제1액 노즐(2202)이 대기되는 장소를 제공한다. 제1회전 구동 부재(2204)는 제1액 노즐(2202)을 제1대기 포트(2220)와 처리 용기(520) 간에 회전 이동시킨다. 제1회전 구동 부재(2204)는 제1아암(2206) 및 제1회전축(2208)을 포함한다. 제1회전축(2208)은 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 제1회전축(2208)은 구동 부재(2210)에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 제1아암(2206)은 제1회전축(2208)의 상단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 제1아암(2206)은 제1액 노즐(2202)을 지지한다. 제1회전축(2208)의 회전으로 인해 제1액 노즐(2202)은 회전 가능하다. 제1회전축(2208)의 회전으로 인해 제1액 노즐(2202)을 제1대기 포트(2220) 및 처리 용기(520)로 이동시킨다. 제1회전축(2208) 및 제1대기 포트(2220)는 각각 처리 유닛들(1500)이 배열되는 제1방향(22)을 기준으로 제1방향(22)의 일측에 위치된다. 제1대기 포트(2220)는 처리 용기(520)로부터 제2방향(24)으로 이격되게 위치된다. 예컨대, 제1액은 처리액이고, 제1액 노즐(2202)는 처리액 노즐(2202)로 제공될 수 있다. 제1액은 현상액일 수 있다. The first
제2액 공급 유닛(2400)은 제2액 노즐(2402), 제2대기 포트(2420), 제2아암(2606), 그리고 제2회전 구동 부재(2404)를 포함한다. 제2액 노즐(2402)은 린스액을 토출한다. 제2대기 포트(2420)는 제2액 노즐(2402)이 대기되는 장소를 제공한다. 제2회전 구동 부재(2404)는 제2액 노즐(2402)을 제2대기 포트(2420) 및 처리 용기(520) 간에 회전 이동시킨다. 제2회전 구동 부재(2404)는 제2아암(2406) 및 제2회전축(2408)을 포함한다. 제2회전축(2408)은 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 제2회전축(2408)은 구동 부재(2410)에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 제2아암(2606)은 제2회전축(2408)의 상단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 제2아암(2606)은 제2액 노즐(2402)을 지지한다. 제2회전축(2408)의 회전으로 인해 제2액 노즐(2402)은 회전 가능하다. 제2회전축(2408)의 회전으로 인해 제2액 노즐(2402)을 제2대기 포트(2420) 및 처리 용기(520)로 이동시킨다. 제2회전축(2408) 및 제2대기 포트(2420)는 각각 처리 유닛들(1500)이 배열되는 제1방향(22)을 기준으로 제1방향(22)의 일측에 위치된다. 제2대기 포트(2420)는 처리 용기(520)로부터 제2방향(24)으로 이격되게 위치된다. 일 예에 의하면, 제2액은 제1액을 린싱하는 린스액이고, 제2액 노즐(2402)은 린스액 노즐(2402)로 제공될 수 있다. 제2액은 순수일 수 있다. The second
일 예에 의하면, 처리 용기(520)의 중심축으로부터 제2방향(24)을 향하는 직선을 기준으로, 직선의 일측에는 제1회전 구동 부재(2204)가 위치되고, 직선의 타측에는 제2회전 구동 부재(2404)가 위치될 수 있다. 또한 제1회전축(2208)과 제2회전축(2408)은 상단의 높이가 서로 상이하게 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 제2회전축(2408)은 제1회전축(2208)에 비해 상단이 더 높게 위치될 수 있다. According to one example, the first
이에 따라 제1액 노즐(2202) 및 제2액 노즐(2402)은 서로의 이동 경로가 간섭되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, the first
또한 제1회전축(2208)은 제2회전축(2408)에 비해 처리 용기(520)에 더 가깝게 위치될 수 있다. 이로 인해 제1액 노즐(2202)의 이동 경로는 제2액 노즐(2402)의 이동 경로에 비해 짧다. 제1액은 제2액에 비해 주변 장치의 오염도를 높힐 수 있는 액으로서, 제1액 노즐(2202)이 이동되는 중에 제1액이 주변 장치에 낙하되는 것을 최소화할 수 있다.Further, the
또한 하우징(510) 내에 액을 공급하는 액 공급 유닛(2000)은 처리 용기(520)의 중심축으로부터 제1방향(22)을 향하는 직선을 기준으로, 제1방향(22)을 향하는 직선의 일측에만 위치된다. 액 공급 유닛(2000)은 기판 반출입구(512)가 형성된 하우징(510)의 일측벽과 반대되는 타측벽에 더 가깝게 위치된다. 이로 인해 기판(W)이 반출입되는 경로와 노즐들(2202,2402)의 이동 경로가 서로 간섭되는 것을 방지할 수 있다.The liquid supply unit 2000 for supplying the liquid into the
다음은 제1대기 포트(2220) 및 제2대기 포트(2420)의 위치에 대해 보다 상세히 설명한다. The following describes the location of the
처리 유닛들(1500) 각각의 제1대기 포트(2220)들은 제1방향(22)과 평행한 방향을 따라 위치된다. 제1대기 포트(2220)들은 서로 이격되게 위치된다. 서로 인접한 2 개의 제1대기 포트(2220)들 간에 간격은 서로 인접한 2 개의 처리 용기(520)들 간에 간격과 동일하게 제공될 수 있다. 또한 처리 유닛들(1510 내지 1550) 각각의 제2대기 포트들(2420)은 제1방향(22)과 평행한 방향을 따라 위치된다. 제2대기 포트들(2420)은 서로 이격되게 위치된다. 서로 인접한 2 개의 제2대기 포트(2420)들 간에 간격은 서로 인접한 2 개의 처리 용기들(520) 간에 간격과 동일하게 제공될 수 있다. 제1대기 포트(2220)는 제2대기 포트(2420)에 비해 처리 용기(520)에 더 가깝게 위치된다.The
각 처리 유닛(1500)은 기판(W) 상에 제1액을 공급하고, 이후에 제2액이 공급된다. 기판(W)의 노광 처리 영역은 제1액에 의해 현상 처리된다. 현상 처리된 후, 기판(W) 상에 잔류되는 공정 부산물은 제2액에 의해 린스 처리된다.Each
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치는 노즐(2202,2402)이 스윙 이동되며, 회전축(2208,2408) 및 대기 포트(2220,2420)가 처리 용기(520)에 대해 처리 유닛들(1510 내지 1550))이 배열된 방향과 상이한 방향으로 이격되게 위치된다. 이로 인해 처리 용기(520)들의 사이 공간을 최소화할 수 있고, 제한된 공간에 더 많은 처리 유닛(1500)을 설치 가능하다. As described above, in the substrate processing apparatus according to the embodiments of the present invention, the
다시 도 3 내지 도 5를 참조하면, 현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. 3 to 5, the
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and
인터페이스 모듈(700)은 도포 및 현상 모듈(400) 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 현상 모듈(402)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 도포 모듈(401)의 반송 챔버(330)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 현상 모듈(402)의 반송 챔버(330)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. The
제 1 버퍼(720)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 현상 모듈(402)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 도포부 로봇(432)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(731)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The
520: 처리 용기
2200: 제1액 공급 유닛
2202: 제1액 노즐
2208: 제1회전축
2220: 제1대기 포트
2400: 제2액 공급 유닛
2402: 제2액 노즐
2408: 제2회전축
2420: 제2대기 포트520: Processing vessel 2200: First liquid supply unit
2202: first liquid nozzle 2208: first rotation axis
2220: first standby port 2400: second liquid supply unit
2402: Second liquid nozzle 2408: Second rotary shaft
2420: Second standby port
Claims (16)
상기 하우징 내에서 제1방향을 따라 일렬로 배치되는 복수 개의 처리 유닛들을 포함하되,
상기 처리 유닛들 각각은,
상부가 개방되며, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
상기 처리 공간에 제1액을 공급하는 제1액 공급 유닛과;
상기 처리 공간에 제2액을 공급하는 제2액 공급 유닛을 포함하되,
상부에서 바라볼 때 상기 제1액 공급 유닛 및 상기 제2액 공급 유닛 각각은 상기 처리 용기로부터 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 이격되게 배치되는 기판 처리 장치.A housing;
A plurality of processing units arranged in a line in a first direction in the housing,
Wherein each of the processing units comprises:
A processing vessel having an open top and a processing space therein;
A first liquid supply unit for supplying a first liquid to the processing space;
And a second liquid supply unit for supplying a second liquid to the processing space,
Wherein the first liquid supply unit and the second liquid supply unit are spaced apart from each other in a second direction perpendicular to the first direction when viewed from above.
상기 제2방향을 따라 상기 처리 용기, 상기 제1액 공급 유닛, 그리고 상기 제2액 공급 유닛은 순차적으로 배치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the processing container, the first liquid supply unit, and the second liquid supply unit are sequentially disposed along the second direction.
상기 제1액 공급 유닛은,
제1액을 토출하는 제1액 노즐과;
상기 제1액 노즐이 대기하는 제1대기 포트와;
상기 제1액 노즐을 상기 제1대기 포트 및 상기 처리 용기 간에 이동시키는 제1회전 구동 부재를 포함하고,
상기 제2액 공급 유닛은,
제2액을 토출하는 제2액 노즐과;
상기 제2액 노즐이 대기하는 제2대기 포트와;
상기 제2액 노즐을 상기 제2대기 포트 및 상기 처리 용기 간에 이동시키는 제2회전 구동 부재를 포함하고,
상기 처리 유닛들의 상기 제1대기 포트들은 상기 제1방향과 평행한 방향을 따라 일렬로 배치되고,
상기 처리 유닛들의 상기 제2대기 포트들은 상기 제1방향과 평행한 방향을 따라 일렬로 배치되는 기판 처리 장치,3. The method of claim 2,
Wherein the first liquid supply unit includes:
A first liquid nozzle for discharging the first liquid;
A first standby port in which the first liquid nozzle is waiting;
And a first rotation drive member for moving the first liquid nozzle between the first standby port and the processing container,
Wherein the second liquid supply unit includes:
A second liquid nozzle for discharging the second liquid;
A second waiting port in which the second liquid nozzle is waiting;
And a second rotation drive member for moving the second liquid nozzle between the second atmosphere port and the processing vessel,
Wherein the first standby ports of the processing units are arranged in a line along a direction parallel to the first direction,
Wherein the second standby ports of the processing units are arranged in a line along a direction parallel to the first direction,
상기 처리 용기의 중심축으로부터 상기 제2방향을 향하는 직선을 기준으로, 상기 제2방향을 향하는 직선의 일측에는 상기 제1회전 구동 부재가 위치되고, 상기 제2방향을 향하는 직선의 타측에는 상기 제2회전 구동 부재가 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the first rotation driving member is positioned on one side of a straight line that faces the second direction with respect to a straight line extending from the central axis of the processing container toward the second direction, And the two-rotation driving member is positioned.
상기 제1회전 구동 부재는 상기 제2회전 구동 부재에 비해 상기 처리 용기에 더 가깝게 위치되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the first rotation drive member is positioned closer to the processing container than the second rotation drive member.
상기 장치는,
상기 하우징 내에 액을 공급하며, 상기 제1액 공급 유닛 및 상기 제2액 공급 유닛을 포함하는 액 공급 유닛을 더 포함하되,
상기 액 공급 유닛은 상기 처리 용기의 중심축으로부터 상기 제1방향을 향하는 직선을 기준으로, 상기 제1방향을 향하는 직선의 일측에만 위치되는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The apparatus comprises:
Further comprising: a liquid supply unit that supplies liquid into the housing and includes the first liquid supply unit and the second liquid supply unit,
Wherein the liquid supply unit is located only at one side of a straight line that faces the first direction with respect to a straight line extending from the central axis of the processing container toward the first direction.
상기 하우징의 일측벽에는 기판이 반출입되는 반출입구가 형성되고,
상기 액 공급 유닛은 상기 일측벽에 비해 상기 일측벽과 반대되는 타측벽에 더 가깝게 위치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
A side wall of the housing is provided with an entrance / exit port through which the substrate is introduced /
Wherein the liquid supply unit is positioned closer to the other sidewall opposite to the one sidewall than the one sidewall.
상기 처리 유닛은 3 개 또는 그 이상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the processing unit is provided in three or more.
제1액은 처리액이고,
제2액은 처리액을 린스하는 린스액으로 제공되는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The first liquid is a treatment liquid,
And the second liquid is provided as a rinsing liquid for rinsing the processing liquid.
처리액은 현상액을 포함하고,
린스액은 순수를 포함하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The treatment liquid includes a developer,
Wherein the rinsing liquid comprises pure water.
상기 하우징 내에서 제1방향을 따라 일렬로 배치되는 복수 개의 처리 유닛들을 포함하되,
상기 처리 유닛들 각각은,
상부가 개방되며, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
상기 처리 공간에 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
상기 액 공급 유닛은,
액을 토출하는 노즐과;
상기 노즐이 대기하는 대기 포트를 포함하되,
상부에서 바라볼 때 상기 처리 용기와 상기 액 공급 유닛은 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 배치되고,
상기 노즐은 스윙 이동에 의해 상기 대기 포트 및 상기 처리 용기 간에 이동되는 기판 처리 장치.A housing;
A plurality of processing units arranged in a line in a first direction in the housing,
Wherein each of the processing units comprises:
A processing vessel having an open top and a processing space therein;
And a liquid supply unit for supplying a liquid to the processing space,
The liquid supply unit includes:
A nozzle for discharging the liquid;
And a standby port on which the nozzle is waiting,
Wherein the processing vessel and the liquid supply unit are arranged in a second direction perpendicular to the first direction when viewed from above,
Wherein the nozzle is moved between the atmospheric port and the processing container by a swing movement.
상기 액 공급 유닛은,
상기 노즐을 지지하는 아암과;
상기 아암을 지지하며, 상하 방향을 향하는 길이 방향을 가지는 회전축과;
상기 회전축을 회전시키는 구동 부재를 포함하는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
The liquid supply unit includes:
An arm for supporting the nozzle;
A rotation shaft for supporting the arm and having a longitudinal direction in a vertical direction;
And a driving member for rotating the rotating shaft.
상기 액 공급 유닛은 상기 처리 용기의 중심축으로부터 상기 제1방향을 향하는 직선을 기준으로, 상기 제1방향을 향하는 직선의 일측에만 위치되는 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the liquid supply unit is located only at one side of a straight line that faces the first direction with respect to a straight line extending from the central axis of the processing container toward the first direction.
상기 하우징의 일측벽에는 기판이 반출입되는 반출입구가 형성되고,
상기 액 공급 유닛은 상기 일측벽에 비해 상기 일측벽과 반대되는 타측벽에 더 가깝게 위치되는 기판 처리 장치.14. The method of claim 13,
A side wall of the housing is provided with an entrance / exit port through which the substrate is introduced /
Wherein the liquid supply unit is positioned closer to the other sidewall opposite to the one sidewall than the one sidewall.
상기 처리 유닛들 각각의 대기 포트들은 상기 제1방향과 평행한 방향을 따라 일렬로 배치되는 기판 처리 장치.15. The method of claim 14,
Wherein standby ports of each of the processing units are arranged in a line along a direction parallel to the first direction.
상기 처리 유닛은 현상 공정을 수행하는 유닛이고,
상기 처리 유닛은 3 개 또는 그 이상으로 제공되는 기판 처리 장치.
16. The method according to any one of claims 11 to 15,
Wherein the processing unit is a unit for performing a developing process,
Wherein the processing unit is provided in three or more.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160161332A KR20180062502A (en) | 2016-11-30 | 2016-11-30 | Apparatus for treating substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160161332A KR20180062502A (en) | 2016-11-30 | 2016-11-30 | Apparatus for treating substrate |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190097930A Division KR102121241B1 (en) | 2019-08-12 | 2019-08-12 | Apparatus for treating substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180062502A true KR20180062502A (en) | 2018-06-11 |
Family
ID=62600991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160161332A KR20180062502A (en) | 2016-11-30 | 2016-11-30 | Apparatus for treating substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20180062502A (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000006406A (en) * | 1998-06-24 | 2000-01-25 | 히가시 데쓰로 | Multistage spin type substrate processing system |
JP2002119904A (en) * | 2000-10-13 | 2002-04-23 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for treating with liquid |
KR20150049184A (en) * | 2013-10-29 | 2015-05-08 | 세메스 주식회사 | Method for treating substrate |
KR20160076508A (en) * | 2013-09-30 | 2016-06-30 | 세메스 주식회사 | Substrate treating apparatus |
KR20160078582A (en) * | 2014-12-24 | 2016-07-05 | 세메스 주식회사 | Apparatus and method for treating substrate |
-
2016
- 2016-11-30 KR KR1020160161332A patent/KR20180062502A/en active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000006406A (en) * | 1998-06-24 | 2000-01-25 | 히가시 데쓰로 | Multistage spin type substrate processing system |
JP2002119904A (en) * | 2000-10-13 | 2002-04-23 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for treating with liquid |
KR20160076508A (en) * | 2013-09-30 | 2016-06-30 | 세메스 주식회사 | Substrate treating apparatus |
KR20150049184A (en) * | 2013-10-29 | 2015-05-08 | 세메스 주식회사 | Method for treating substrate |
KR20160078582A (en) * | 2014-12-24 | 2016-07-05 | 세메스 주식회사 | Apparatus and method for treating substrate |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20160039035A (en) | Apparatus for treating substrate and System for treating substrate with the apparatus | |
KR101977752B1 (en) | Apparatus and Method for treating a substrate | |
KR102121241B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR20160072545A (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR102000023B1 (en) | Substrate treating apparatus | |
KR101895410B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR102522960B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR101053992B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR101817213B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR101757814B1 (en) | Standby port and Apparatus for treating substrate with the port | |
KR20140102366A (en) | Apparatus for transferring substrate | |
KR101582569B1 (en) | Substrate treating apparatus, substrate treating facility including the apparatus, and substrate treating method using the apparatus | |
KR101914482B1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
KR102010261B1 (en) | Apparatus and Method for treating a substrate | |
KR20180062502A (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR101985763B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR101768518B1 (en) | Transfer chamber, Apparatus for treating substrate, and method for trasnferring substrate | |
KR101721148B1 (en) | Nozzle, Apparatus for treating substrate and method for applying chemicals | |
KR101958641B1 (en) | Apparatus for treating substrate and method for exhausting home port | |
KR102533055B1 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
KR102119683B1 (en) | Home port, Apparatus and Method for treating substrate with the home port | |
KR20180122518A (en) | Apparatus for treating a substrate | |
KR20170071809A (en) | Falility for treating substrates, method for separating thereof | |
KR20180049306A (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR102415319B1 (en) | Gas supply unit and substrate treating apparatus including the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
E801 | Decision on dismissal of amendment | ||
A107 | Divisional application of patent |