KR20160039035A - Apparatus for treating substrate and System for treating substrate with the apparatus - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 184
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 142
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 92
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 91
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 34
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 28
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 128
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 119
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 82
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 26
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 25
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 24
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 23
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 19
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000002165 photosensitisation Effects 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/08—Preparation of the foundation plate
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate.
반도체 소자 및 평판표시패널의 제조 공정은 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진은 도포, 노광, 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다. Various processes such as photolithography, etching, ashing, thin film deposition, and cleaning process are performed on the semiconductor device and the flat panel display panel. Among these processes, the photolithography is performed sequentially with the application, the exposure, and the development process. The coating step is a step of applying a photosensitive liquid such as a resist to the surface of the substrate. The exposure process is a process for exposing a circuit pattern on a substrate having a photosensitive film formed thereon. The developing step is a step of selectively developing the exposed region of the substrate.
이 중 도포 공정은 크게 액 도포 공정 및 에지 비드 제거(Edge bead removal: EBR) 공정을 포함한다. 여기서 액 도포 공정은 기판의 상면 전체 영역에 감광막을 형성하는 공정이고, 에지 비드 제거 공정은 기판의 가장자리 영역에 형성된 감광막을 제거하는 공정이다.Among them, the coating process largely includes a liquid coating process and an edge bead removal (EBR) process. Here, the liquid application step is a step of forming a photosensitive film on the entire upper surface of the substrate, and the edge bead removing step is a step of removing the photosensitive film formed on the edge area of the substrate.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 일부 영역을 확대해 보여주는 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 일반적으로 기판 처리 장치는 하우징(2), 처리 용기(4), 그리고 기판 지지 유닛(6)을 포함한다. 하우징(2) 내에는 처리 용기(4)가 위치되고, 기판 지지 유닛(6)은 처리 용기(4) 내에서 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 하우징(2)의 내부에는 하강 기류가 형성되며, 이는 기판(W) 상에 공급된 처리액과 함께 회수된다. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a general substrate processing apparatus, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing an enlarged partial area of the substrate processing apparatus of FIG. 1 and 2, a substrate processing apparatus generally includes a
처리 용기(4)는 외측 컵(7), 내측 컵(8), 그리고 기류 안내판(9)을 포함한다. 외측 컵(7)은 기판 지지 유닛(6)을 감싸며, 내측 컵(8)은 기판 지지 유닛(6)과 외측 컵(7) 사이에 위치된다. 기류 안내판(9)은 내측 컵(8)과 외측 컵(7) 사이에서 하강 기류를 안내한다. 하강 기류는 기류 안내판(9)에 의해 이의 상부 영역과 하부 영역으로 분리 회수된다. 그러나 기류 안내판(9)의 상부 영역으로 유입되는 기류의 양과 하부 영역으로 유입되는 기류의 양이 불균일하게 제공된다. 특히 상부 영역으로 유입되는 기류의 양이 하부 영역으로 유입되는 기류의 양보다 클 경우, 처리액의 확산이 불균일하게 제공된다. 이는 기판(W)의 중앙영역에 형성되는 기류와 가장자리 영역에 형성되는 기류의 속도가 서로 상이해짐에 따라 기판(W)에 도포되는 감광막의 두께가 영역 별로 불균일하게 도포될 수 있다.The
또한 처리 용기(4)로 회수되는 처리액이 기판(W)을 역오염시킬 수 있다. 처리액은 회수되는 과정에서 기류 안내판(9)으로부터 비산되거나, 처리 용기(4) 내에 발생되는 상승 기류에 의해 회수되는 방향의 역방향으로 흐를 수 있다. 이에 따라 기판(W)의 가장자리 영역에는 처리액이 균일하게 도포되지 않거나, 완전히 제거되지 않는다.Further, the processing liquid recovered in the
본 발명은 기판 상에 처리액을 균일하게 공급할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and a method for uniformly supplying a treatment liquid onto a substrate.
또한 본 발명은 기판 상에 공급된 처리액이 회수되는 과정에서 기판을 역오염시키는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method for preventing reverse contamination of a substrate in the process of recovering a processing liquid supplied on a substrate.
본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 하우징, 상기 하우징 내에 위치되며 내부에 상부가 개방된 처리 공간을 제공하는 처리 용기, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛, 그리고 상기 하우징 내에 하강 기류를 제공하는 기류 제공 유닛을 포함하되, 상기 처리 용기는 상기 기판 지지 유닛을 감싸는 측벽, 상기 측벽의 상단으로부터 상기 컵의 내측 방향으로 연장되는 상벽을 포함하되, 상기 상벽에는 상기 기류 제공 유닛에서 공급된 기류가 통과하는 유입홀이 형성된다. An embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a housing, a processing vessel disposed in the housing and having a top open processing space therein, a substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space, Wherein the processing vessel includes a sidewall surrounding the substrate support unit and an upper wall extending from the upper end of the sidewall to an inner direction of the cup, Wherein the upper wall is formed with an inflow hole through which the airflow supplied from the airflow providing unit passes.
상기 상벽은 링 형상으로 제공되고, 상기 유입홀은 복수 개가 서로 이격되게 제공될 수 있다. 각각의 상기 유입홀은 그 길이방향이 상기 상벽의 원주 방향을 따라 제공된 슬릿 형상으로 제공될 수 있다. 상기 처리 용기는 상기 상벽의 저면으로부터 상기 측벽을 향하는 방향으로 연장되는 안내벽을 더 포함하되, 상기 안내벽은 링 형상으로 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 상기 안내벽은 상기 유입홀에 중첩되도록 상기 상벽으로부터 연장될 수 있다. 상기 상벽에서 상기 안내벽으로부터 연장되는 영역은 상기 유입홀보다 상기 처리 용기의 내측에 위치될 수 있다. 상기 안내벽의 끝단은 상기 측벽과 이격되게 위치될 수 있다. 상기 상벽의 상단은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판보다 높게 위치될 수 있다. 상기 처리 용기는 상기 상벽의 저면으로부터 아래로 연장되는 외측 돌기를 더 포함하되, 상기 외측 돌기는 링 형상으로 제공되고, 상기 외측 돌기는 상기 유입홀보다 상기 처리 용기의 외측에 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 외측 돌기는 상기 안내벽과 중첩되게 위치될 수 있다. 상기 안내벽은 그 끝단이 상하 방향에 대해 상기 외측 돌기에 일치하도록 상기 상벽으로부터 연장될 수 있다. 상기 처리 용기는 상기 상벽의 끝단으로부터 아래로 연장되는 내측 돌기를 더 포함하되, 상기 내측 돌기는 링 형상으로 제공될 수 있다. 처리액은 감광액을 포함할 수 있다.The upper wall is provided in a ring shape, and a plurality of the inlet holes may be provided so as to be spaced apart from each other. Each of the inlet holes may be provided in a slit shape whose longitudinal direction is provided along the circumferential direction of the upper wall. The processing vessel further includes a guide wall extending from a bottom surface of the upper wall in a direction toward the side wall, wherein the guide wall may be provided in a ring shape. When viewed from above, the guide wall may extend from the top wall to overlap the inlet hole. And an area extending from the guide wall at the upper wall may be positioned inside the processing vessel than the inlet hole. And an end of the guide wall may be positioned apart from the side wall. The upper end of the upper wall may be positioned higher than the substrate supported by the substrate supporting unit. The processing vessel may further include an outer projection extending downward from a bottom surface of the upper wall, wherein the outer projection is provided in a ring shape, and the outer projection may be positioned outside the processing vessel with respect to the inlet hole. And the outer projection may be positioned so as to overlap with the guide wall when viewed from above. The guide wall may extend from the upper wall so that its end is aligned with the outer protrusion with respect to the up-and-down direction. The processing vessel may further include an inner protrusion extending downward from an end of the upper wall, wherein the inner protrusion may be provided in a ring shape. The treatment liquid may include a sensitizing solution.
또한 기판 처리 장치는 하우징, 상기 하우징 내에 위치되며 내부에 상부가 개방된 처리 공간을 제공하는 처리 용기, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛, 그리고 상기 하우징 내에 하강 기류를 제공하는 기류 제공 유닛을 포함하되, 상기 처리 용기는 상기 기판 지지 유닛을 감싸는 측벽, 상기 측벽의 상단으로부터 상기 컵의 내측 방향으로 연장되며, 유입홀이 형성되는 상벽, 그리고 상기 상벽의 저면으로부터 아래로 연장되며 링 형상을 가지는 내측 돌기를 포함하되, 상기 내측 돌기는 상기 유입홀보다 상기 처리 용기의 내측에 위치된다. The substrate processing apparatus further includes a housing, a processing vessel disposed in the housing and having a top open processing space therein, a substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space, Wherein the processing vessel includes a side wall surrounding the substrate support unit, an inner wall extending from an upper end of the side wall toward the inner side of the cup, and an inflow And an inner protrusion extending downward from a bottom surface of the upper wall and having a ring shape, wherein the inner protrusion is positioned inside the processing vessel with respect to the inflow hole.
상기 내측 돌기는 상기 상벽의 끝단으로부터 연장될 수 있다. 상기 처리 용기는 상기 상벽의 저면으로부터 아래로 연장되며, 링 형상을 가지는 외측 돌기를 더 포함하되, 상기 외측 돌기는 상기 유입홀보다 상기 처리 용기의 외측에 위치될 수 있다. 상기 외측 돌기는 상기 유입홀에 인접하게 위치될 수 있다. 상기 처리 용기는 상기 상벽의 저면으로부터 상기 측벽을 향하는 방향으로 연장되며, 링 형상을 가지는 안내벽을 더 포함하되, 상기 안내벽은 내측 돌기와 외측 돌기 사이에 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 상기 안내벽은 상기 유입홀에 중첩되고 상기 외측 돌기의 아래 영역까지 상기 상벽으로부터 연장될 수 있다.The inner protrusion may extend from an end of the upper wall. The processing vessel may further include an outer projection extending downward from a bottom surface of the upper wall and having a ring shape, wherein the outer projection may be positioned outside the processing vessel with respect to the inlet hole. The outer protrusion may be positioned adjacent to the inflow hole. The processing vessel further includes a guide wall extending in a direction from the bottom surface of the upper wall toward the side wall and having a ring shape, and the guide wall may be positioned between the inner projection and the outer projection. As viewed from above, the guide wall may overlap the inflow hole and extend from the top wall to a region below the outer protrusion.
상술한 기판 처리 장치를 가지는 기판 처리 설비는 기판이 수납되는 로드 포트, 기판 상에 감광액을 도포하고, 현상 처리하는 도포 및 현상 모듈, 기판을 상기 로드 포트 및 상기 도포 및 현상 모듈로 반송하는 인덱스 모듈, 그리고 상기 도포 및 현상 모듈과 노광 장치 간에 기판을 반송하는 인터페이스 모듈을 포함하되, 상기 도포 및 현상 모듈은 기판 상에 감광액을 도포하는 도포 공정을 수행하는 도포 모듈 및 기판 상에 감광액의 일부를 제거하는 현상 공정을 수행하는 현상 모듈을 포함하되, 상기 도포 모듈은 기판 상에 감광액을 공급하는 기판 처리 장치를 가지는 도포 챔버, 기판 상에 공급된 감광액을 베이크 처리하는 베이크 챔버, 그리고 상기 도포 챔버 및 상기 베이크 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 챔버를 포함하되, 상기 기판 처리 장치는 하우징, 상기 하우징 내에 위치되며 내부에 상부가 개방된 처리 공간을 제공하는 처리 용기, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛, 그리고 상기 하우징 내에 하강 기류를 제공하는 기류 제공 유닛을 포함하되, 상기 처리 용기는 상기 기판 지지 유닛을 감싸는 측벽 및 상기 측벽의 상단으로부터 상기 컵의 내측 방향으로 연장되는 상벽을 포함하되, 상기 상벽에는 상기 기류 제공 유닛에서 공급된 기류가 통과하는 유입홀이 형성된다. The substrate processing apparatus having the above-described substrate processing apparatus includes a load port in which a substrate is accommodated, a coating and developing module for coating and developing the photosensitive liquid on the substrate, an index module for conveying the substrate to the load port and the coating and developing module, And an interface module for transferring the substrate between the application and development module and the exposure apparatus, wherein the application and development module includes a coating module for performing a coating process of applying a photosensitive liquid onto the substrate, and a coating module for removing a part of the photosensitive liquid on the substrate The coating module includes a coating chamber having a substrate processing apparatus for supplying a photosensitive liquid onto a substrate, a baking chamber for baking the photosensitive liquid supplied onto the substrate, and a developing chamber for applying a developing solution to the coating chamber and the developing chamber. And a transfer chamber for transferring the substrate between the baking chambers, wherein the substrate processing apparatus A substrate support unit for supporting the substrate in the processing space, a liquid supply unit for supplying the processing liquid onto the substrate supported by the substrate support unit, And an air flow providing unit for supplying a downward flow in the housing, wherein the processing vessel includes a side wall surrounding the substrate support unit and an upper wall extending inward of the cup from an upper end of the side wall, An inflow hole through which the airflow supplied from the airflow providing unit passes is formed.
상기 상벽은 링 형상으로 제공되고, 상기 유입홀은 복수 개가 서로 이격되게 제공될 수 있다. 상기 처리 용기는 상기 상벽의 저면으로부터 상기 측벽을 향하는 방향으로 연장되며, 링 형상을 가지는 안내벽을 더 포함하되, 상부에서 바라볼 때, 상기 안내벽은 상기 유입홀에 중첩되도록 상기 상벽으로부터 연장될 수 있다. 상기 처리 용기는 상기 상벽으로부터 아래로 연장되며, 링 형상을 가지는 외측 돌기 및 상기 상벽으로부터 아래로 연장되며, 링 형상을 가지는 내측 돌기를 더 포함하되, 상부에서 바라볼 때, 상기 외측 돌기 및 상기 내측 돌기는 그 사이에 상기 유입홀이 제공되도록 위치될 수 있다.The upper wall is provided in a ring shape, and a plurality of the inlet holes may be provided so as to be spaced apart from each other. The processing container further includes a ring-shaped guide wall extending in a direction from the bottom surface of the upper wall toward the side wall, wherein when viewed from above, the guide wall extends from the upper wall to overlap the inlet hole . Wherein the processing container further includes an outer protrusion extending downward from the upper wall and having a ring shape and an inner protrusion extending downward from the upper wall and having a ring shape, wherein the outer protrusion and the inner side The projections can be positioned so that the inlet holes are provided therebetween.
본 발명의 실시예에 의하면, 처리 용기 내에 유입되는 하강 기류는 처리 용기의 중앙부에 개방된 상부와 가장자리부에 형성된 유입홀 각각으로 분리 유입된다. 이에 따라 기판의 가장자리 영역에 제공되는 기류의 속도를 제어할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the downward flow introduced into the processing vessel is separated and introduced into each of the openings formed in the upper portion and the edge portion opened in the center of the processing vessel. The speed of the airflow provided to the edge region of the substrate can be controlled.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 처리 용기의 상벽에는 내측 돌기 및 외측 돌기가 형성되며, 각각의 내측 영역에는 와류가 형성되는 형성될 수 있다. 이에 따라 처리액이 회수되는 중에 역방향으로 흘러 기판을 역오염시키는 것을 방지할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, inner and outer protrusions are formed on the upper wall of the processing vessel, and vortices are formed in the respective inner regions. Thus, it is possible to prevent reverse flow of the substrate while flowing in the reverse direction while the treatment liquid is being recovered.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 일부 영역을 확대해 보여주는 단면도이다.
도 3은 기판 처리 설비를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 3의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 3의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 7은 도 3의 도포 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 처리 용기를 확대해 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 처리 용기의 일부를 수직 방향으로 절단한 사시도이다.1 is a sectional view showing a general substrate processing apparatus.
Fig. 2 is a cross-sectional view showing an enlarged partial area of the substrate processing apparatus of Fig. 1;
3 is a cross-sectional view showing the substrate processing equipment.
4 is a cross-sectional view of the facility of FIG.
Fig. 5 is a cross-sectional view of the facility of Fig. 3 viewed from the BB direction.
6 is a cross-sectional view of the equipment of FIG. 3 viewed from the CC direction.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing the application chamber of FIG. 3;
8 is an enlarged cross-sectional view of the processing container of Fig.
Fig. 9 is a perspective view of a part of the processing container of Fig. 8 cut vertically. Fig.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facilities of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the apparatus of this embodiment can be used to perform a coating process and a developing process on a substrate, which is connected to an exposure apparatus. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.
이하 도 3 내지 도 9를 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.3 to 9, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described.
도 3은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 3의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 3의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 6은 도 3의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 3 is a view of the apparatus of FIG. 3 viewed from the direction AA, FIG. 5 is a view of the apparatus of FIG. 3 viewed from the BB direction, FIG. 6 is a view of the apparatus of FIG. 3 In the CC direction.
도 3 내지 도 6을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 3 to 6, the
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The
제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판 처리 장치로 제공된다. 기판 처리 장치(800)는 액 도포 공정 및 에지 비드 제거 (Edge Bead Removal: EBR) 공정이 수행된다. 기판 처리 장치(800)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 액 공급 유닛(840), 처리 용기(850), 그리고 승강 유닛(890)을 포함한다. The resist
하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.The
기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.The
기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 스핀척(832), 회전축(834), 그리고 구동기(836)를 포함한다. 스핀척(832)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(832)은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 스핀척(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. 회전축(834)은 스핀척(832)의 아래에서 스핀척(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 모터일 수 있다.The
액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 제1처리액 및 제2처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 제1노즐(842) 및 제2노즐(844)을 포함한다. 제1노즐(842)은 기판(W) 상에 제1처리액을 공급하고, 제2노즐(844)은 기판(W) 상에 제2처리액을 공급한다. 예컨대, 제1처리액은 제2처리액을 희석시키는 액일 수 있다. 제1처리액은 용제이고, 제2처리액은 레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 제1노즐(842)은 중앙 위치 및 가장자리 위치에서 제1처리액을 공급하고, 제2노즐(844)은 중앙 위치에서 제2처리액을 공급한다. 여기서 중앙 위치는 각 노즐(842,844)이 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 위치이고, 가장자리 위치는 제1노즐(842)이 기판(W)의 가장자리 영역에 대향되는 위치이다. The liquid supply unit 840 supplies the first processing solution and the second processing solution onto the substrate W. [ The liquid supply unit 840 includes a
처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기는 내측 컵 및 외측 컵을 포함한다. The
내측 컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(852)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(852)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다. The
외측 컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(862)은 바닥벽(864), 측벽(866), 상벽(870), 내측 돌기(872), 외측 돌기(874), 그리고 안내벽(878)을 가진다. 바닥벽(864)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(864)에는 회수 라인(865)이 형성된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(866)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)으로부터 위로 연장된다. The
상벽(870)은 측벽(866)의 상단으로부터 외측 컵(862)의 내측 방향으로 연장된다. 상벽(870)은 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 상벽(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 상벽(870)의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다. 상벽(870)에는 복수의 유입홀들(876)이 형성된다. 유입홀(876)은 상벽(870)의 상면 및 저면을 관통하는 관통홀(876)로 제공된다. 유입홀(876)은 기류 제공 유닛에 의해 형성된 하강 기류가 처리 공간으로 유입되는 입구로 기능한다. 일 예에 의하면, 유입홀(876)을 통과하여 처리 공간에 유입되는 하강 기류는 기판(W)을 거치지 않고 유입되는 기류일 수 있다. 각각의 유입홀(876)은 상벽(870)의 원주 방향을 따라 서로 이격되게 위치된다. 서로 인접한 2 개의 유입홀들(876)은 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 유입홀들(876) 각각은 그 길이방향이 상벽(870)의 원주 방향을 향하는 슬릿 형상으로 제공된다. 선택적으로 유입홀(876)들은 원형 형상일 수 있다. The
내측 돌기(872)는 상벽(870)의 끝단으로부터 아래로 연장된다. 내측 돌기(872)는 상벽(870)의 내측단으로부터 수직 하강되는 방향으로 연장된다. 내측 돌기(872)는 링 형상을 가지도록 제공된다. 내측 돌기(872)의 하단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다. 내측 돌기(872)와 내측 컵(852) 간에 사이 공간은 처리액이 유입되는 처리액 유입 공간(854)으로 제공된다. 외측 돌기(874)는 상벽(870)의 저면으로부터 아래로 연장된다. 외측 돌기(874)는 링 형상을 가지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 외측 돌기(874)는 유입홀(876)보다 외측에 해당되는 상벽(870)의 영역(이하, 상벽의 외측 영역)에 위치된다. 외측 돌기(874)는 유입홀(876)과 인접하게 위치된다. 일 예에 의하면, 외측 돌기(874)의 내경은 복수 개의 유입홀들(876)이 조합되어 형성된 원의 외경과 대응될 수 있다. 외측 돌기(874), 상벽(870)의 외측 영역, 그리고 측벽(866)은 서로 조합되어 와류가 형성되는 외측 순환 공간(874a)을 형성할 수 있다.The
안내벽(878)은 유입홀(876)을 통과하는 하강 기류의 흐름을 안내한다. 안내벽(878)은 상벽(870)의 저면으로부터 아래로 연장된다. 안내벽(878)은 상벽(870)의 저면으로부터 측벽(866)을 향하는 방향으로 연장된다. 안내벽(878)은 기판 지지 유닛(830)과 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 안내벽(878)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 안내벽(878)은 유입홀(876)과 중첩되게 위치된다. 안내벽(878)의 하단은 측벽(866)과 이격되게 위치된다. 안내벽(878)은 그 하단이 상하 방향을 따라 외측 돌기(874)에 일치되도록 상벽(870)으로부터 연장된다. 내측 돌기(872), 상벽(870)의 내측 영역, 그리고 안내벽(878)은 서로 조합되어 와류가 형성되는 내측 순환 공간(872a)을 형성할 수 있다. The
승강 유닛(890)은 내측 컵(852)(862) 및 외측 컵(862)(852)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)(862)을 승강 이동 시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)(852)을 승강 이동시킨다. The lift unit 890 lifts the
다음은 상술한 기판 처리 장치(800)를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법을 설명한다. 기판(W)을 처리하는 방법으로는 크게 액 도포 단계 및 에지 비드 제거 단계를 순차적으로 수행한다. Next, a method of processing the substrate W using the above-described
액 도포 단계는 기판(W)의 상면 전체 영역에 제2처리액을 도포하는 단계이다. 액 도포 단계에는 제1처리액이 제1노즐(842)에 의해 기판(W)의 중앙 영역으로 공급된다. 제1처리액은 원심력에 의해 기판(W)의 상면 전체 영역으로 확산된다. 제1처리액의 공급이 완료되면, 제1노즐(842)은 대기 위치로 이동되고, 제2노즐(844)이 중앙 위치로 이동된다. 제2처리액은 제2노즐(844)에 의해 기판(W)의 중앙 영역으로 공급되어 기판(W)의 상면 전체 영역에 도포된다. 제2처리액의 공급이 완료되면, 에지 비드 제거 단계가 수행된다.The liquid application step is a step of applying the second treatment liquid to the entire area of the upper surface of the substrate W. In the liquid application step, the first processing liquid is supplied to the central region of the substrate W by the
에지 비드 제거 단계는 기판(W)의 상면 가장자리 영역에 도포된 제2처리액을 제거하는 단계이다. 에지 비드 제거 단계에는 제1처리액이 제1노즐(842)에 의해 기판(W)의 가장자리 영역으로 공급된다. 기판(W) 상에 도포된 제2처리액은 제1처리액에 의해 제거된다. The edge bead removing step is a step of removing the second treatment liquid applied to the upper surface edge region of the substrate W. In the edge bead removing step, the first processing liquid is supplied to the edge region of the substrate W by the
본 실시예에는 기판(W)을 회전하는 중에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 공정을 실시한다. 이에 따라 기판(W)의 상부에 제공되는 기류는 그 영역에 따라 상이한 속도를 가진다. 예컨대, 기판(W)의 회전 속도가 영역에 따라 상이하게 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역에 대응되는 기류의 속도는 기판(W)의 중앙 영역에 대응되는 기류의 속도보다 빠르게 제공될 수 있다. 이로 인해 기판(W) 상에 도포되는 감광막은 전체 영역에 대해 불균일하게 형성된다. 상술한 기판 처리 장치(800)는 처리 공간에 유입되는 하강 기류를 유입홀(876) 및 처리 용기(850)의 개방된 중앙 영역을 통해 분리 유입한다. 여기서 유입홀(876)을 통과하는 하강 기류는 기판(W)의 가장자리 영역에 대응되는 기류에 영향을 끼칠 수 있다. 작업자는 유입홀(876)의 크기 및 위치가 변경되도록 처리 용기(850)를 제작하여 기판(W)의 전체 영역에 대한 기류의 속도를 균일하게 조절할 수 있다. 예컨대, 작업자는 유입홀(876)의 길이 및 폭을 조절할 수 있다. 또한 작업자는 유입홀(876)이 상벽(870)의 하단에 가깝게 위치되거나 상단에 가깝게 위치되도록 조절할 수 있다.In this embodiment, a process of processing the substrate W by supplying the process liquid while rotating the substrate W is performed. Accordingly, the airflow provided on the top of the substrate W has a different speed depending on the region. For example, the rotational speed of the substrate W may be provided differently depending on the region, and the velocity of the airflow corresponding to the edge region of the substrate W may be provided faster than the velocity of the airflow corresponding to the central region of the substrate W have. As a result, the photoresist film applied on the substrate W is formed non-uniformly over the entire region. The above-described
또한 처리액 유입 공간(854)에 인접한 영역에는 내측 순환 공간(872a)을 형성하고, 유입홀(876)에 인접한 영역에는 외측 순환 공간(874a)을 형성한다. 이에 따라 처리액의 일부가 역류하거나 비산될지라도, 외측 순환 공간(874a) 및 내측 순환 공간(872a)에 형성된 와류에 의해 기판(W)의 역오염을 방지할 수 있다.An
다시 도 3 내지 도 6을 참조하면, 베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. 3 to 6, the
현상 모듈(402)은 웨이퍼(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The
현상 챔버(460)는 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 용기(461) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The
베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and
제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 웨이퍼(W)가 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The
제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The
반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective
베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 웨이퍼(W)를 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 웨이퍼(W)가 회전되는 동안 노즐(663)은 웨이퍼(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The
노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 웨이퍼(W)를 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. The
상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The
제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The
다음에는 상술한 기판 처리 설비(1)를 이용하여 공정을 수행하는 일 예를 설명한다.Next, an example of performing the process using the above-described
웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)는 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인다. 도어 오프너에 의해 카세트(20)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(220)은 카세트(20)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼(330)로 운반한다. The
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330)에 보관된 웨이퍼(W)를 제 1 버퍼(320)로 운반한다. 도포부 로봇(432)은 제 1 버퍼(320)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 도포 모듈(401)의 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 프리 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 레지스트 도포 챔버(410)로 운반한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 이후 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트가 도포되면, 도포부 로봇(432)은 웨이퍼(W)를 레지스트 도포 챔버(410)로부터 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)에 대해 소프트 베이크 공정을 수행한다. The
도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)로 운반한다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이 수행된다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)는 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 에지 노광 챔버(550)로 운반된다. 에지 노광 챔버(550)는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역을 노광하는 공정을 수행한다. 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)는 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 버퍼(520)로 운반된다.The
전처리 로봇(632)은 버퍼(520)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 전처리 모듈(601)의 보호막 도포 챔버(610)로 운반한다. 보호막 도포 챔버(610)는 웨이퍼(W) 상에 보호막을 도포한다. 이후 전처리 로봇(632)은 웨이퍼(W)를 보호막 도포 챔버(610)로부터 베이크 챔버(620)로 운반한다. 베이크 챔버(620)는 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각 등과 같은 열처리를 수행한다. The
전처리 로봇(632)은 베이크 챔버(620)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720)로 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720)로부터 처리 모듈(800)의 반전 유닛(840)으로 웨이퍼를 운반한다. 반전 유닛(840)은 웨이퍼의 제 1 면(패턴 면)이 아래 방향을 향하도록 웨이퍼를 반전시킨다. 반전된 웨이퍼는 스핀 척(810) 상에 로딩되고, 로딩된 웨이퍼는 핀 부재들(811a, 811b)에 의해 척킹된다.The
스핀 척(810)의 지지판(812) 형성된 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 질소 가스와 같은 불활성 가스가 분사되고, 이후 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 탈이온수와 같은 린스액이 분사된다. 린스액은 가스와 함께 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수도 있다. 웨이퍼의 제 1 면으로의 가스 및/또는 린스액의 분사시, 스핀 척(810)은 회전될 수 있으며, 이와 달리 회전되지 않을 수도 있다. 그리고, 린스액 분사 유닛(860)은 웨이퍼의 제 2 면에 린스액을 분사한다.An inert gas such as nitrogen gas is injected onto the first surface of the wafer through the injection holes 852 formed in the
이후 웨이퍼는 인터페이스 로봇(740)에 의해 처리 모듈(800)로부터 제 1 버퍼(720)로 운반된 후, 제 1 버퍼(720)로부터 노광 장치(900)로 운반된다. 노광 장치(900)는 웨이퍼의 제 1 면에 대해 노광 공정, 예를 들어 액침 노광 공정을 수행한다. 노광 장치(900)에서 웨이퍼(W)에 대해 노광 공정이 완료되면, 인터페이스 로봇(740)은 노광 장치(900)에서 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼(730)로 운반한다. The wafer is then transferred from the
후처리 로봇(682)은 제 2 버퍼(730)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 후처리 모듈(602)의 세정 챔버(660)로 운반한다. 세정 챔버(660)는 웨이퍼(W)의 표면에 세정액을 공급하여 세정 공정을 수행한다. 세정액을 이용한 웨이퍼(W)의 세정이 완료되면 후처리 로봇(682)은 곧바로 세정 챔버(660)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 노광 후 베이크 챔버(670)로 웨이퍼(W)를 운반한다. 노광 후 베이크 챔버(670)의 가열 플레이트(672)에서 웨이퍼(W)의 가열에 의해 웨이퍼(W) 상에 부착된 세정액이 제거되고, 이와 동시에 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화가 완성된다. 후처리 로봇(682)은 노광 후 베이크 챔버(670)로부터 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)로 운반한다. 제 2 냉각 챔버(540)에서 웨이퍼(W)의 냉각이 수행된다.The
현상부 로봇(482)은 제 2 냉각 챔버(540)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 포스트 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 챔버(460)로 운반한다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. 이후 현상부 로봇(482)은 웨이퍼(W)를 현상 챔버(460)로부터 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)에 대해 하드 베이크 공정을 수행한다. The developing
현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)로 운반한다. 냉각 챔버(350)는 웨이퍼(W)를 냉각하는 공정을 수행한다. 인덱스 로봇(360)은 냉각 챔버(350)부터 웨이퍼(W)를 카세트(20)로 운반한다. 이와 달리, 현상부 로봇(482)는 베이크 챔버(470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)으로 운반하고, 이후 인덱스 로봇(360)에 의해 카세트(20)로 운반될 수 있다.The developing
상술한 실시예에서 처리 용기(850) 내에 유입되는 기류를 분리 유입하는 기판 처리 장치(800)는 레지스트 도포 챔버(410)에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 기판 처리 장치(800)는 기판(W)을 액 처리하는 공정이라면 다양하게 적용 가능하다. The
820: 기류 제공 유닛
830: 기판 지지 유닛
840: 액 공급 유닛
850: 처리 용기
866: 측벽
870: 상벽
872: 내측 돌기
874: 외측 돌기
876: 유입홀
878: 안내벽820: airflow providing unit 830: substrate supporting unit
840: liquid supply unit 850: processing vessel
866: Side wall 870: Upper wall
872: inner protrusion 874: outer protrusion
876: inlet hole 878: guide wall
Claims (23)
상기 하우징 내에 위치되며 내부에 상부가 개방된 처리 공간을 제공하는 처리 용기와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 하우징 내에 하강 기류를 제공하는 기류 제공 유닛을 포함하되,
상기 처리 용기는,
상기 기판 지지 유닛을 감싸는 측벽과;
상기 측벽의 상단으로부터 상기 컵의 내측 방향으로 연장되는 상벽을 포함하되,
상기 상벽에는 상기 기류 제공 유닛에서 공급된 기류가 통과하는 유입홀이 형성되는 기판 처리 장치.A housing;
A processing vessel positioned within the housing and providing a processing space having an open upper portion therein;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space;
A liquid supply unit for supplying the processing liquid onto the substrate supported by the substrate supporting unit;
And an airflow providing unit for providing a downward flow in the housing,
Wherein the processing vessel includes:
A side wall surrounding the substrate support unit;
And an upper wall extending from an upper end of the side wall in an inward direction of the cup,
Wherein the upper wall is formed with an inflow hole through which the airflow supplied from the airflow providing unit passes.
상기 상벽은 링 형상으로 제공되고,
상기 유입홀은 복수 개가 서로 이격되게 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the upper wall is provided in a ring shape,
Wherein a plurality of the inlet holes are provided so as to be spaced apart from each other.
각각의 상기 유입홀은 그 길이방향이 상기 상벽의 원주 방향을 따라 제공된 슬릿 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein each of said inlet holes is provided in a slit shape whose longitudinal direction is provided along the circumferential direction of said upper wall.
상기 처리 용기는,
상기 상벽의 저면으로부터 상기 측벽을 향하는 방향으로 연장되는 안내벽을 더 포함하되,
상기 안내벽은 링 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the processing vessel includes:
Further comprising a guide wall extending in a direction from the bottom surface of the top wall toward the side wall,
Wherein the guide wall is provided in a ring shape.
상부에서 바라볼 때, 상기 안내벽은 상기 유입홀에 중첩되도록 상기 상벽으로부터 연장되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the guide wall extends from the top wall to overlap the inlet hole when viewed from the top.
상기 상벽에서 상기 안내벽으로부터 연장되는 영역은 상기 유입홀보다 상기 처리 용기의 내측에 위치되는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
And an area extending from the guide wall at the upper wall is positioned inside the processing vessel than the inlet hole.
상기 안내벽의 끝단은 상기 측벽과 이격되게 위치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
And an end of the guide wall is positioned apart from the side wall.
상기 상벽의 상단은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판보다 높게 위치되는 기판 처리 장치.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein an upper end of the upper wall is positioned higher than a substrate supported by the substrate supporting unit.
상기 처리 용기는,
상기 상벽의 저면으로부터 아래로 연장되는 외측 돌기를 더 포함하되,
상기 외측 돌기는 링 형상으로 제공되고,
상기 외측 돌기는 상기 유입홀보다 상기 처리 용기의 외측에 위치되는 기판 처리 장치.8. The method according to any one of claims 4 to 7,
Wherein the processing vessel includes:
And an outer protrusion extending downward from a bottom surface of the upper wall,
Wherein the outer protrusion is provided in a ring shape,
Wherein the outer protrusion is located outside the processing vessel with respect to the inflow hole.
상부에서 바라볼 때 상기 외측 돌기는 상기 안내벽과 중첩되게 위치되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
And the outer projection is positioned so as to overlap with the guide wall when viewed from above.
상기 안내벽은 그 끝단이 상하 방향에 대해 상기 외측 돌기에 일치하도록 상기 상벽으로부터 연장되는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the guide wall extends from the upper wall such that an end of the guide wall coincides with the outer projection with respect to the up-and-down direction.
상기 처리 용기는,
상기 상벽의 끝단으로부터 아래로 연장되는 내측 돌기를 더 포함하되,
상기 내측 돌기는 링 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the processing vessel includes:
Further comprising an inner protrusion extending downward from an end of the upper wall,
Wherein the inner protrusions are provided in a ring shape.
처리액은 감광액을 포함하는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the processing liquid includes a photosensitive liquid.
상기 하우징 내에 위치되며 내부에 상부가 개방된 처리 공간을 제공하는 처리 용기와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 하우징 내에 하강 기류를 제공하는 기류 제공 유닛을 포함하되,
상기 처리 용기는,
상기 기판 지지 유닛을 감싸는 측벽과;
상기 측벽의 상단으로부터 상기 컵의 내측 방향으로 연장되며, 유입홀이 형성되는 상벽과;
상기 상벽의 저면으로부터 아래로 연장되며 링 형상을 가지는 내측 돌기를 포함하되,
상기 내측 돌기는 상기 유입홀보다 상기 처리 용기의 내측에 위치되는 기판 처리 장치.A housing;
A processing vessel positioned within the housing and providing a processing space having an open upper portion therein;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space;
A liquid supply unit for supplying the processing liquid onto the substrate supported by the substrate supporting unit;
And an airflow providing unit for providing a downward flow in the housing,
Wherein the processing vessel includes:
A side wall surrounding the substrate support unit;
An upper wall extending from an upper end of the side wall to an inner side of the cup and having an inlet hole;
And an inner protrusion extending downward from a bottom surface of the upper wall and having a ring shape,
Wherein the inner protrusion is positioned inside the processing vessel with respect to the inflow hole.
상기 내측 돌기는 상기 상벽의 끝단으로부터 연장되는 기판 처리 장치.15. The method of claim 14,
And the inner protrusion extends from an end of the upper wall.
상기 처리 용기는,
상기 상벽의 저면으로부터 아래로 연장되며, 링 형상을 가지는 외측 돌기를 더 포함하되,
상기 외측 돌기는 상기 유입홀보다 상기 처리 용기의 외측에 위치되는 기판 처리 장치.16. The method according to claim 14 or 15,
Wherein the processing vessel includes:
Further comprising an outer protrusion extending downward from a bottom surface of the upper wall and having a ring shape,
Wherein the outer protrusion is located outside the processing vessel with respect to the inflow hole.
상기 외측 돌기는 상기 유입홀에 인접하게 위치되는 기판 처리 장치.17. The method of claim 16,
And the outer projection is located adjacent to the inlet hole.
상기 처리 용기는,
상기 상벽의 저면으로부터 상기 측벽을 향하는 방향으로 연장되며, 링 형상을 가지는 안내벽을 더 포함하되,
상기 안내벽은 내측 돌기와 외측 돌기 사이에 위치되는 기판 처리 장치.18. The method of claim 17,
Wherein the processing vessel includes:
Further comprising a guide wall extending in a direction from the bottom surface of the upper wall toward the side wall, the guide wall having a ring shape,
Wherein the guide wall is positioned between the inner projection and the outer projection.
상부에서 바라볼 때, 상기 안내벽은 상기 유입홀에 중첩되고 상기 외측 돌기의 아래 영역까지 상기 상벽으로부터 연장되는 기판 처리 장치.19. The method of claim 18,
Wherein the guide wall overlaps the inlet hole and extends from the upper wall to a region below the outer protrusion when viewed from above.
기판 상에 감광액을 도포하고, 현상 처리하는 도포 및 현상 모듈과;
기판을 상기 로드 포트 및 상기 도포 및 현상 모듈로 반송하는 인덱스 모듈과;
상기 도포 및 현상 모듈과 노광 장치 간에 기판을 반송하는 인터페이스 모듈을 포함하되,
상기 도포 및 현상 모듈은,
기판 상에 감광액을 도포하는 도포 공정을 수행하는 도포 모듈과;
기판 상에 감광액의 일부를 제거하는 현상 공정을 수행하는 현상 모듈을 포함하되,
상기 도포 모듈은,
기판 상에 감광액을 공급하는 기판 처리 장치를 가지는 도포 챔버와;
기판 상에 공급된 감광액을 베이크 처리하는 베이크 챔버와;
상기 도포 챔버 및 상기 베이크 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 챔버를 포함하되,
상기 기판 처리 장치는,
하우징과;
상기 하우징 내에 위치되며 내부에 상부가 개방된 처리 공간을 제공하는 처리 용기와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 하우징 내에 하강 기류를 제공하는 기류 제공 유닛을 포함하되,
상기 처리 용기는,
상기 기판 지지 유닛을 감싸는 측벽과;
상기 측벽의 상단으로부터 상기 컵의 내측 방향으로 연장되는 상벽을 포함하되,
상기 상벽에는 상기 기류 제공 유닛에서 공급된 기류가 통과하는 유입홀이 형성되는 기판 처리 설비.A load port for accommodating the substrate;
A coating and developing module for applying a photosensitive liquid on a substrate and developing the same;
An index module for transferring the substrate to the load port and the application and development module;
And an interface module for transferring the substrate between the coating and developing module and the exposure apparatus,
Wherein the coating and developing module comprises:
An application module for performing a coating process of applying a photosensitive liquid onto a substrate;
And a developing module for performing a developing process of removing a part of the photosensitive liquid on the substrate,
The coating module includes:
An application chamber having a substrate processing apparatus for supplying a photosensitive liquid onto a substrate;
A baking chamber for baking the sensitizing solution supplied onto the substrate;
And a transfer chamber for transferring a substrate between the application chamber and the baking chamber,
The substrate processing apparatus includes:
A housing;
A processing vessel positioned within the housing and providing a processing space having an open upper portion therein;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space;
A liquid supply unit for supplying the processing liquid onto the substrate supported by the substrate supporting unit;
And an airflow providing unit for providing a downward flow in the housing,
Wherein the processing vessel includes:
A side wall surrounding the substrate support unit;
And an upper wall extending from an upper end of the side wall in an inward direction of the cup,
Wherein the upper wall is formed with an inflow hole through which the airflow supplied from the airflow providing unit passes.
상기 상벽은 링 형상으로 제공되고,
상기 유입홀은 복수 개가 서로 이격되게 제공되는 기판 처리 설비.21. The method of claim 20,
Wherein the upper wall is provided in a ring shape,
Wherein a plurality of the inlet holes are provided so as to be spaced apart from each other.
상기 처리 용기는,
상기 상벽의 저면으로부터 상기 측벽을 향하는 방향으로 연장되며, 링 형상을 가지는 안내벽을 더 포함하되,
상부에서 바라볼 때, 상기 안내벽은 상기 유입홀에 중첩되도록 상기 상벽으로부터 연장되는 기판 처리 설비.22. The method of claim 21,
Wherein the processing vessel includes:
Further comprising a guide wall extending in a direction from the bottom surface of the upper wall toward the side wall, the guide wall having a ring shape,
Wherein the guide wall extends from the top wall to overlap the inlet hole when viewed from the top.
상기 처리 용기는,
상기 상벽으로부터 아래로 연장되며, 링 형상을 가지는 외측 돌기와;
상기 상벽으로부터 아래로 연장되며, 링 형상을 가지는 내측 돌기를 더 포함하되,
상부에서 바라볼 때, 상기 외측 돌기 및 상기 내측 돌기는 그 사이에 상기 유입홀이 제공되도록 위치되는 기판 처리 설비.23. The method of claim 22,
Wherein the processing vessel includes:
An outer protrusion extending downward from the upper wall and having a ring shape;
Further comprising an inner protrusion extending downward from the upper wall and having a ring shape,
Wherein the outer protrusion and the inner protrusion are positioned so as to provide the inflow hole therebetween when viewed from the top.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140131716A KR101689619B1 (en) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | Apparatus for treating substrate and System for treating substrate with the apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140131716A KR101689619B1 (en) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | Apparatus for treating substrate and System for treating substrate with the apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160039035A true KR20160039035A (en) | 2016-04-08 |
KR101689619B1 KR101689619B1 (en) | 2016-12-28 |
Family
ID=55907894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140131716A KR101689619B1 (en) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | Apparatus for treating substrate and System for treating substrate with the apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101689619B1 (en) |
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---|---|
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